KR20240082429A - Substrate processing appratus and substrate processing method - Google Patents

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KR20240082429A
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박은우
김대성
임재현
이재호
최병두
이우람
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세메스 주식회사
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Abstract

본 발명은 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것으로, 본 발명의 일 실시예에 의한 기판 처리 장치는, 처리 공간을 가지는 처리 용기; 상기 처리 공간에 제공되며, 기판을 지지하기 위한 기판 지지 유닛; 상기 기판 저면을 향해 세정액을 공급하기 위한 액 공급 유닛; 및 상기 기판 저면을 향해 가스를 공급하는 가스 공급 유닛을 포함하고, 상기 가스 공급 유닛은, 상기 기판의 저면을 향하는 제1 방향으로 상기 가스를 토출시키기 위한 제1 공급관과; 상기 기판의 저면을 향하는 제2 방향으로 상기 가스를 토출시키기 위한 제2 공급관을 포함할 수 있다. The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method. A substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention includes a processing vessel having a processing space; a substrate support unit provided in the processing space to support a substrate; a liquid supply unit for supplying a cleaning liquid toward the bottom of the substrate; and a gas supply unit supplying gas toward the bottom of the substrate, wherein the gas supply unit includes: a first supply pipe for discharging the gas in a first direction toward the bottom of the substrate; It may include a second supply pipe for discharging the gas in a second direction toward the bottom of the substrate.

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법{SUBSTRATE PROCESSING APPRATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD}Substrate processing apparatus and substrate processing method {SUBSTRATE PROCESSING APPRATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD}

본 발명은 기판을 처리하는 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다. 보다 상세하게는 기판 저면으로 세정액 및 가스를 공급함으로써, 세정 효율 및 건조 효율을 향상시키기 위한 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다. The present invention relates to an apparatus and method for processing a substrate. More specifically, it relates to a substrate processing device and a substrate processing method for improving cleaning efficiency and drying efficiency by supplying cleaning liquid and gas to the bottom of the substrate.

반도체 소자를 제조하기 위해 사진, 증착, 애싱, 식각, 이온 주입 등과 같은 다양한 공정이 수행된다. 이러한 공정들이 수행되기 전후에는 기판 상에 잔류하는 파티클(particle)을 제거하기 위한 세정 공정이 수행된다. To manufacture semiconductor devices, various processes such as photography, deposition, ashing, etching, ion implantation, etc. are performed. Before and after these processes are performed, a cleaning process is performed to remove particles remaining on the substrate.

세정 공정은 스핀척에 지지된 기판의 양면으로 세정액을 공급함으로써 이루어질 수 있다. 예를 들어, 기판의 상면은 기판을 지지하는 기판 지지 유닛 상부에 제공되는 액 공급 유닛이 공급하는 세정액에 의하여 세정될 수 있고, 기판의 저면은 기판을 지지하는 기기 유닛과 기판 사이에 제공되는 액 공급 유닛이 공급하는 세정액에 의하여 세정될 수 있다. The cleaning process can be performed by supplying a cleaning solution to both sides of the substrate supported on the spin chuck. For example, the top surface of the substrate can be cleaned by the cleaning liquid supplied by the liquid supply unit provided on the top of the substrate support unit supporting the substrate, and the bottom surface of the substrate can be cleaned by the liquid provided between the device unit supporting the substrate and the substrate. It can be cleaned by the cleaning liquid supplied by the supply unit.

종래의 기판 저면 세정은, 센터 영역에 대한 세정과 에지 영역에 대한 세정이 나누어 수행된다. 구체적으로, 센터 영역은 기판이 세정 공간 내에서 수평 방향으로 이동하는 동안 기판의 하부에 구비된 센터 세정 노즐이 기판을 향해 세정액을 공급함으로써 수행되고, 에지 영역은 기판이 기판 지지 유닛에 안착된 상태로 회전하는 동안 기판의 하부에 구비된 에지 세정 노즐이 기판을 향해 세정액을 공급함으로써 수행될 수 있다. 이때, 기판의 저면의 세정액을 건조하거나 세정액으로 제거되지 않은 파티클(particle) 등의 불순물을 제거하기 위해서 가스를 공급하게 된다. Conventional substrate bottom cleaning is performed separately into cleaning the center area and cleaning the edge area. Specifically, the center area is performed by supplying cleaning liquid to the substrate from a center cleaning nozzle provided at the bottom of the substrate while the substrate moves in the horizontal direction within the cleaning space, and the edge area is performed when the substrate is seated on the substrate support unit. This can be performed by supplying a cleaning liquid toward the substrate through an edge cleaning nozzle provided at the bottom of the substrate while rotating. At this time, gas is supplied to dry the cleaning solution on the bottom of the substrate or to remove impurities such as particles that were not removed by the cleaning solution.

그러나 가스를 공급하여도 기판 저면에 부착된 파티클(particle) 등의 불순물이 완전히 제거되지 않는 경우가 발생하기도 하며, 이는 제품의 불량을 야기한다. 또한, 종래의 기판 처리 장치는 기판 저면으로 공급된 세정액을 완전히 건조하는데 오랜 시간이 소요되며 이는 곧 제품의 수율 감소로 이어지게 된다. However, there are cases where impurities such as particles attached to the bottom of the substrate are not completely removed even when gas is supplied, which causes product defects. Additionally, conventional substrate processing equipment takes a long time to completely dry the cleaning solution supplied to the bottom of the substrate, which leads to a decrease in product yield.

본 발명은 상술한 문제를 해결하기 위한 것으로, 세정 효율 및 건조 효율을 향상시킬 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하고자 한다. The present invention is intended to solve the above-described problems, and seeks to provide a substrate processing device and a substrate processing method that can improve cleaning efficiency and drying efficiency.

본 발명이 해결하고자 하는 과제는 이상에서 언급한 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 통상의 기술자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다. The problem to be solved by the present invention is not limited to the problems mentioned above, and other problems not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the description below.

본 발명의 일 실시예에 의한 기판 처리 장치는, 처리 공간을 가지는 처리 용기; 상기 처리 공간에 제공되며, 기판을 지지하기 위한 기판 지지 유닛; 상기 기판 저면을 향해 세정액을 공급하기 위한 액 공급 유닛; 및 상기 기판 저면을 향해 가스를 공급하는 가스 공급 유닛을 포함하고, 상기 가스 공급 유닛은, 상기 기판의 저면을 향하는 제1 방향으로 상기 가스를 토출시키기 위한 제1 공급관과; 상기 기판의 저면을 향하는 제2 방향으로 상기 가스를 토출시키기 위한 제2 공급관을 포함할 수 있다. A substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention includes a processing vessel having a processing space; a substrate support unit provided in the processing space to support a substrate; a liquid supply unit for supplying a cleaning liquid toward the bottom of the substrate; and a gas supply unit supplying gas toward the bottom of the substrate, wherein the gas supply unit includes: a first supply pipe for discharging the gas in a first direction toward the bottom of the substrate; It may include a second supply pipe for discharging the gas in a second direction toward the bottom of the substrate.

일 실시예에서, 상기 가스 공급 유닛은, 상기 기판 지지 유닛을 둘러싸도록 형성되는 바디를 더 포함하고, 상기 제1 공급관과 상기 제2 공급관은 상기 바디의 둘레를 따라 형성될 수 있다. In one embodiment, the gas supply unit may further include a body formed to surround the substrate support unit, and the first supply pipe and the second supply pipe may be formed along a circumference of the body.

일 실시예에서, 상기 바디의 상면에는, 상기 제1 공급관과 연결된 제1 노즐 및 상기 제2 공급관과 연결된 제2 노즐이 제공될 수 있다.In one embodiment, a first nozzle connected to the first supply pipe and a second nozzle connected to the second supply pipe may be provided on the upper surface of the body.

일 실시예에서, 상기 제2 노즐은 상기 제1 노즐 보다 상기 기판 지지 유닛의 중심축에 가깝게 형성될 수 있다.In one embodiment, the second nozzle may be formed closer to the central axis of the substrate support unit than the first nozzle.

일 실시예에서, 상기 처리 공간에는, 상기 기판의 저면을 지지하기 위한 사이드 척을 포함할 수 있다.In one embodiment, the processing space may include a side chuck to support the bottom of the substrate.

일 실시예에서, 상기 액 공급 유닛은, 상기 기판 저면의 센터 영역을 향해 세정액을 공급하기 위한 제1 세정 유닛과 상기 기판 저면의 에지 영역을 향해 세정액을 공급하기 위한 제2 세정 유닛을 포함할 수 있다.In one embodiment, the liquid supply unit may include a first cleaning unit for supplying the cleaning liquid toward the center area of the bottom of the substrate and a second cleaning unit for supplying the cleaning liquid toward the edge area of the bottom of the substrate. there is.

일 실시예에서, 상기 액 공급 유닛 및 상기 가스 공급 유닛을 제어하기 위한 제어부를 더 포함하고, 상기 제어부는, 상기 액 공급 유닛에서 공급되는 세정액 및 상기 가스 공급 유닛에서 공급되는 가스를 선택적으로 상기 기판의 저면으로 공급하도록 제어할 수 있다. In one embodiment, it further includes a control unit for controlling the liquid supply unit and the gas supply unit, wherein the control unit selectively controls the cleaning liquid supplied from the liquid supply unit and the gas supplied from the gas supply unit to the substrate. It can be controlled to supply to the bottom of .

일 실시예에서, 상기 제어부는, 상기 제1 공급부 및 상기 제2 공급부 중 적어도 어느 하나 이상을 사용하여 상기 기판의 저면으로 가스를 공급하도록 제어할 수 있다. In one embodiment, the control unit may control supply of gas to the bottom of the substrate using at least one of the first supply part and the second supply part.

본 발명의 일 실시예에 의한 기판 처리 방법은, 기판 저면의 센터 영역으로 세정액 및 가스를 공급하는 센터 세정 단계; 및 상기 기판 저면의 에지 영역으로 세정액 및 가스를 공급하는 에지 세정 단계를 포함할 수 있다.A substrate processing method according to an embodiment of the present invention includes a center cleaning step of supplying a cleaning liquid and gas to the center area of the bottom of the substrate; and an edge cleaning step of supplying a cleaning liquid and gas to an edge area of the bottom of the substrate.

일 실시예에서, 상기 센터 세정 단계는, 상기 기판을 사이드 척으로 지지하는 제1 단계; 상기 지지된 기판을 제1 노즐 유닛의 상부로 이동시키는 제2 단계; 상기 기판의 저면으로 세정액을 공급하는 제3 단계; 및 상기 기판을 기판 지지 유닛과 대향하는 위치로 이동하면서 상기 기판 저면에 가스를 공급하는 제4 단계를 포함하고, 상기 에지 세정 단계는, 상기 기판을 상기 기판 지지 유닛에 배치하는 제5 단계; 및 상기 기판을 회전시키면서 상기 기판 저면으로 세정액 및 가스를 공급하는 제6 단계를 포함할 수 있다.In one embodiment, the center cleaning step includes: a first step of supporting the substrate with a side chuck; a second step of moving the supported substrate to the top of the first nozzle unit; A third step of supplying a cleaning solution to the bottom of the substrate; and a fourth step of supplying gas to the bottom of the substrate while moving the substrate to a position opposite to the substrate support unit, wherein the edge cleaning step includes: a fifth step of placing the substrate on the substrate support unit; and a sixth step of supplying a cleaning liquid and gas to the bottom of the substrate while rotating the substrate.

본 발명에 의하면 가스 공급 노즐을 기판 중심축에 인접하게 추가로 형성함으로써, 기판 저면의 세정액 건조를 보다 효과적으로 수행할 수 있다. According to the present invention, by additionally forming a gas supply nozzle adjacent to the central axis of the substrate, drying the cleaning liquid on the bottom of the substrate can be performed more effectively.

또한, 노즐에서 공급되는 가스는 에어 커튼의 역할을 수행함으로써, 세정이 끝난 영역으로 파티클이 재부착되는 문제를 해결할 수 있다. Additionally, the gas supplied from the nozzle acts as an air curtain, thereby solving the problem of particles reattaching to the cleaned area.

이러한 문제가 해결됨으로써, 제품의 불량이 감소되고, 제품의 수율을 향상시킬 수 있다. By solving these problems, product defects can be reduced and product yield can be improved.

다만, 본 발명의 효과는 위에 언급된 것으로 제한되지 않으며, 언급하지 않은 또 다른 효과들은 아래의 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.However, the effects of the present invention are not limited to those mentioned above, and other effects not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the drawings below.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 설비를 설명하기 위한 평면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 도시한 도면이다.
도 3은 도 2의 기판 처리 장치의 일부를 확대한 도면이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 방법의 과정을 간단하게 나타낸 도면이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 방법의 흐름도이다.1 is a plan view for explaining a substrate processing facility according to an embodiment of the present invention.
Figure 2 is a diagram illustrating a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
FIG. 3 is an enlarged view of a portion of the substrate processing apparatus of FIG. 2.
Figure 4 is a diagram simply showing the process of a substrate processing method according to an embodiment of the present invention.
Figure 5 is a flowchart of a substrate processing method according to an embodiment of the present invention.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 사람이 쉽게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나, 본 발명은 여러 가지 다른 형태로 구현될 수 있고 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.Hereinafter, with reference to the attached drawings, embodiments of the present invention will be described in detail so that those skilled in the art can easily implement the present invention. However, the present invention may be implemented in many different forms and is not limited to the embodiments described herein.

본 발명의 실시예를 설명하는 데 있어서, 관련된 공지 기능이나 구성에 대한 구체적 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 구체적 설명을 생략하고, 유사 기능 및 작용을 하는 부분은 도면 전체에 걸쳐 동일한 부호를 사용하기로 한다.In describing embodiments of the present invention, if it is judged that specific descriptions of related known functions or configurations may unnecessarily obscure the gist of the present invention, the detailed descriptions will be omitted, and parts that perform similar functions and actions will be omitted. The same symbols will be used throughout the drawings.

명세서에서 사용되는 용어들 중 적어도 일부는 본 발명에서의 기능을 고려하여 정의한 것이기에 사용자, 운용자 의도, 관례 등에 따라 달라질 수 있다. 그러므로, 그 용어에 대해서는 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 하여 해석되어야 한다.At least some of the terms used in the specification are defined in consideration of the functions in the present invention and may vary depending on the user, operator intention, custom, etc. Therefore, the term should be interpreted based on the content throughout the specification.

또한, 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서, 어떤 구성 요소를 포함한다고 하는 때, 이것은 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성 요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성 요소를 더 포함할 수 있음을 의미한다.Additionally, in this specification, singular forms also include plural forms unless specifically stated in the phrase. In the specification, when it is said that a certain component is included, this does not mean that other components are excluded, but that other components may be further included, unless specifically stated to the contrary.

비록 '제1', '제2' 등의 용어는 하나의 구성요소를 다른 구성요소로 구별하기 위한 것으로, 이들 용어들에 의해 권리범위가 한정되어서는 안 된다. 예를 들어, 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다.Although terms such as 'first' and 'second' are used to distinguish one component from another, the scope of rights should not be limited by these terms. For example, a first component may be named a second component, and similarly, the second component may also be named a first component.

한편, 도면에서 구성 요소의 크기나 형상, 선의 두께 등은 이해의 편의상 다소 과장되게 표현되어 있을 수 있다.Meanwhile, in drawings, the size, shape, and thickness of lines of components may be somewhat exaggerated for ease of understanding.

이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 첨부 도면을 참조하여 설명함에 있어 도면 부호에 상관없이 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 참조번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the description with reference to the accompanying drawings, identical or corresponding components will be assigned the same reference numbers regardless of the reference numerals, and overlapping elements will be assigned the same reference numbers. The explanation will be omitted.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 설비의 평면도이다. 1 is a plan view of a substrate processing facility according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 기판 처리 설비(1)는 인덱스 블록(10), 처리 블록(20), 그리고 인덱스 블록(10)과 처리 블록(20) 사이에서 기판을 이송하는 기판 이송 블록(30)을 포함할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 의하면 인덱스 블록(10), 처리 블록(20)은 순차적으로 일렬로 배치될 수 있다.Referring to FIG. 1, the substrate processing equipment 1 includes an index block 10, a processing block 20, and a substrate transfer block 30 that transfers the substrate between the index block 10 and the processing block 20. It can be included. According to one embodiment of the present invention, the index block 10 and the processing block 20 may be sequentially arranged in a line.

인덱스 블록(10)은 기판이 수납된 캐리어(C)로부터 기판을 처리 블록(20)으로 반송하고, 처리가 완료된 기판을 캐리어(C)로 수납할 수 있다. 인덱스 블록(10)은 로드 포트(12)와 인덱스 프레임(14)을 가진다. 인덱스 프레임(14)을 기준으로 로드 포트(12)는 처리 블록(20)의 반대측에 위치된다. 기판들이 수납된 캐리어(C)는 로드 포트(12)에 놓이며, 복수 개가 제공될 수 있다.The index block 10 can transport the substrate from the carrier C containing the substrate to the processing block 20 and receive the processed substrate into the carrier C. The index block 10 has a load port 12 and an index frame 14. Based on the index frame 14, the load port 12 is located on the opposite side of the processing block 20. The carrier C containing the substrates is placed in the load port 12, and a plurality of carriers C may be provided.

캐리어(C)로는 전면 개방 일체식 포드(FOUP; Front Open Unified Pod)와 같은 밀폐용 캐리어(C)가 사용될 수 있다. 캐리어(C)는 오버헤드 트랜스퍼(Overhead Transfer), 오버헤드 컨베이어(Overhead Conveyor), 또는 자동 안내 차량(Automatic Guided Vehicle)과 같은 이송 수단이나 작업자에 의해 로드 포트(12)에 놓일 수 있다.A sealed carrier (C) such as a front open unified pod (FOUP) may be used as the carrier (C). Carrier C may be placed in the load port 12 by an operator or a transfer means such as an overhead transfer, overhead conveyor, or Automatic Guided Vehicle.

인덱스 프레임(14)의 내부에는 인덱스 로봇(144)이 제공될 수 있다. 인덱스 로봇(144)은 레일(142)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다. 인덱스 로봇(144)은 캐리어(C)로부터 기판을 제공받아 기판이 임시로 보관되는 로드락 챔버(15)로 전달하거나 로드락 챔버(15)에 임시 보관된 기판을 제공받아 캐리어(C)의 내부로 전달할 수 있다. An index robot 144 may be provided inside the index frame 14. The index robot 144 may be provided to be movable along the rail 142. The index robot 144 receives a substrate from the carrier (C) and delivers it to the load lock chamber 15 where the substrate is temporarily stored, or receives the substrate temporarily stored in the load lock chamber 15 and places it inside the carrier (C). It can be passed on.

처리 블록(20)은 기판에 대한 공정 처리가 수행되는 장치로서, 하나 또는 그 이상의 기판 처리 장치(200)를 포함할 수 있다. 기판 처리 장치(200)는 복수 개가 배치될 수 있다. 각각의 기판 처리 장치(200)는 동일한 공정을 수행할 수 있고, 다른 공정을 수행할 수도 있다. 본 발명의 일 실시예에 의한 기판 처리 장치(200)는 기판을 액 처리 하기 위한 것으로 추후에 상세히 설명하기로 한다. The processing block 20 is a device in which processing of a substrate is performed and may include one or more substrate processing devices 200. A plurality of substrate processing devices 200 may be disposed. Each substrate processing apparatus 200 may perform the same process or different processes. The substrate processing apparatus 200 according to an embodiment of the present invention is for liquid processing a substrate and will be described in detail later.

기판 이송 블록(30)은 처리 블록(20)에 인접하게 배치되며 로드락 챔버(15)로부터 기판을 제공받아 처리 블록(20)으로 이송하거나 처리 블록(20)에서 공정 처리가 완료된 기판을 로드락 챔버(15)로 전달할 수 있다. 기판 이송 블록(30)은 기판 처리 장치가 배치된 방향을 따라 배치된 레일(330) 및 레일(330)을 따라 이동하면서 기판을 이송하는 기판 이송 로봇(340)을 포함할 수 있다. 기판 이송 로봇(340)은 반송 챔버(310)의 내부 공간을 이동하면서 기판을 반송할 수 있다. The substrate transfer block 30 is disposed adjacent to the processing block 20 and receives substrates from the load lock chamber 15 and transfers them to the processing block 20 or loadlocks substrates that have completed processing in the processing block 20. It can be delivered to the chamber 15. The substrate transfer block 30 may include a rail 330 arranged along the direction in which the substrate processing device is disposed, and a substrate transfer robot 340 that transfers the substrate while moving along the rail 330. The substrate transfer robot 340 may transfer the substrate while moving within the internal space of the transfer chamber 310 .

처리 블록(20)에서 공정이 완료된 기판은 기판 이송 블록(30)의 기판 이송 로봇(340)에 의해 도시하지 않은 노광 블록으로 이동될 수 있다. The substrate whose process has been completed in the processing block 20 may be moved to an exposure block (not shown) by the substrate transfer robot 340 of the substrate transfer block 30 .

본 발명의 일 실시예에서는 기판 처리 장치는 기판을 세정하기 위한 세정 공정을 수행하는 장치로 설명한다. 그러나 이는 본 발명이 적용되는 액 처리 공정을 세정 공정으로 한정하기 위한 것이 아니며, 본 발명은 사진, 애싱, 그리고 식각 등 다양한 액 처리 공정에 적용 가능하다. In one embodiment of the present invention, a substrate processing device is described as a device that performs a cleaning process to clean a substrate. However, this is not intended to limit the liquid treatment process to which the present invention is applied to a cleaning process, and the present invention is applicable to various liquid treatment processes such as photography, ashing, and etching.

본 발명의 일 실시예에 의한 기판(W)의 저면은 패턴이 형성되는 면과 반대되는 비패턴면일 수 있다.The bottom surface of the substrate W according to an embodiment of the present invention may be a non-patterned surface opposite to the surface on which the pattern is formed.

도 2 내지 도 4은 본 발명의 일 실시예에 의한 기판 처리 장치를 나타낸 도면이다. 도 2는 도 1의 처리 블록에 제공된 기판 처리 장치를 개략적으로 도시한 도면이고, 도 3은본 발명의 일 실시예에 의한 가스 공급 유닛을 확대한 도면이다. 또한, 도 4는 본 발명의 기판 처리 장치를 이용하여 기판 처리를 수행하는 과정을 간단하게 도시한 도면이다. 본 발명의 일 실시예에 의한 기판 처리 장치는 기판의 저면을 세정 및 건조하기 위한 장치이다. 2 to 4 are diagrams showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 is a diagram schematically showing a substrate processing device provided in the processing block of FIG. 1, and FIG. 3 is an enlarged view of a gas supply unit according to an embodiment of the present invention. In addition, Figure 4 is a diagram simply illustrating the process of performing substrate processing using the substrate processing apparatus of the present invention. A substrate processing device according to an embodiment of the present invention is an device for cleaning and drying the bottom of a substrate.

도 2 및 도 4를 참조하면, 기판 처리 장치(200)는 처리 용기(300), 기판 지지 유닛(400), 가스 공급 유닛(500), 액 공급 유닛(600) 및 제어부(700)를 포함할 수 있다. 2 and 4, the substrate processing apparatus 200 may include a processing container 300, a substrate support unit 400, a gas supply unit 500, a liquid supply unit 600, and a control unit 700. You can.

처리 용기(300)는 내부에 기판(W)이 처리되는 처리 공간을 제공할 수 있다. 처리 용기(300)는 기판 지지 유닛(400)을 둘러싸도록 상부가 개방된 컵 형상을 가지도록 제공될 수 있다. 처리 용기(300)는 공정 중 기판(W)으로 공급되는 처리액(예: 세정액)이 주위로 비산하는 것을 방지할 수 있다. 처리 용기(300)는 외부 용기(310)와 내부 용기(320)를 포함하고, 각각의 용기(310, 320)의 저면에는 배기구(312, 322)가 형성될 수 있다. The processing vessel 300 may provide a processing space within which the substrate W is processed. The processing vessel 300 may be provided in a cup shape with an open top to surround the substrate support unit 400. The processing container 300 can prevent the processing liquid (eg, cleaning liquid) supplied to the substrate W during the process from scattering around. The processing vessel 300 includes an external vessel 310 and an internal vessel 320, and exhaust ports 312 and 322 may be formed on the bottom of each vessel 310 and 320.

처리 용기(300)는 승강 가능하게 구비될 수 있다. 상세히 도시하지는 않았지만, 처리 용기(300)를 승강시키기 위한 승강 유닛(미도시)이 연결될 수 있다. 예를 들어, 승강 유닛(미도시)은 처리 용기(300)를 상하 방향으로 직선 이동시킬 수 있다. 일 예로, 승강 유닛은 브라켓, 이동축 그리고 구동기를 가질 수 있다. 브라켓은 상부 용기의 외벽에 고정 설치되고, 브라켓에는 구동기에 의해 상하 방향으로 이동되는 이동축이 고정 결합될 수 있다.The processing container 300 may be provided to be lifted up and down. Although not shown in detail, a lifting unit (not shown) for lifting the processing vessel 300 may be connected. For example, a lifting unit (not shown) may move the processing vessel 300 straight up and down. As an example, the lifting unit may have a bracket, a moving shaft, and an actuator. The bracket is fixedly installed on the outer wall of the upper container, and a moving shaft that moves in the vertical direction by an actuator may be fixedly coupled to the bracket.

기판 지지 유닛(400)은 처리 공간 내부에 구비되어 기판(W)을 지지한다. 기판 지지 유닛(400)은 공정 진행 중 기판(W)을 지지하며 기판(W)을 회전시키기 위해 스핀척(410)을 포함한다. 스핀척(410)은 기판(W)을 지지하는 기판 지지 부재(410)로 제공된다. 스핀척(410)은 원형의 판 형상을 가지도록 제공된다. The substrate support unit 400 is provided inside the processing space and supports the substrate W. The substrate support unit 400 supports the substrate W during the process and includes a spin chuck 410 to rotate the substrate W. The spin chuck 410 is provided as a substrate support member 410 that supports the substrate W. The spin chuck 410 is provided to have a circular plate shape.

스핀척(410)은 회전 구동 부재(412)에 의해 원하는 속도로 회전 가능하게 구성될 수 있으며, 일 예로, 회전 속도가 가변 가능한 모터일 수도 있다. 또한, 회전 구동 부재(412)에는 실린더 등의 승강 이동 기구가 마련되어 있고, 스핀척(410)은 승강 이동 기구에 의해 승강 가능하도록 구성될 수 있다. The spin chuck 410 may be configured to rotate at a desired speed by the rotation drive member 412. For example, it may be a motor whose rotation speed is variable. In addition, the rotation drive member 412 is provided with a lifting mechanism such as a cylinder, and the spin chuck 410 may be configured to be lifted up and down by the lifting mechanism.

스핀척(410)의 둘레를 따라 기판(W)을 지지하기 위한 지지핀(414)을 구비할 수 있다. 지지핀(414)은 승강 기구(416)와 접속되어 기판(W)의 저면을 지지하여 승강 가능하도록 설치될 수 있다. 스핀척(410)으로부터 사이드 척 유닛(420)으로 기판을 전달할 수 있도록 구성되어 있다. 또한, 이러한 지지핀(414)의 수와 형상 및 배치된 위치는 다양하게 변경될 수 있다.Support pins 414 may be provided along the circumference of the spin chuck 410 to support the substrate W. The support pin 414 may be connected to the lifting mechanism 416 and installed to support the bottom of the substrate W so as to be lifted up and down. It is configured to transfer the substrate from the spin chuck 410 to the side chuck unit 420. Additionally, the number, shape, and arranged positions of the support pins 414 may be changed in various ways.

기판 지지 유닛(400)의 주변부에는 기판(W)을 지지하기 위한 사이드 척 유닛(420)이 제공될 수 있다. 사이드 척 유닛(420)은 사이드 척(422), 사이드 척(422)을 지지하기 위한 지지암(424), 사이드 척 유닛(420)을 이동시키기 위한 사이드 척 구동 부재(426)를 포함할 수 있다. 사이드 척(422)은 기판(W) 저면의 에지 영역을 지지하고, 진공 흡착하는 방식으로 기판(W)을 지지할 수 있다. 이러한 사이드 척 유닛(420)은 기판(W)이 사이드 척(422)에 지지된 상태에서 기판(W)의 센터 영역을 세정하기 위하여 제1 세정 유닛(610)의 상부로 기판(W)을 이동시킬 수 있다. 또한, 사이드 척 유닛(420)은 제1 세정 유닛(610)과 기판(W)이 인접하게 배치될 수 있도록 승하강될 수 있다. A side chuck unit 420 may be provided at the periphery of the substrate support unit 400 to support the substrate W. The side chuck unit 420 may include a side chuck 422, a support arm 424 for supporting the side chuck 422, and a side chuck driving member 426 for moving the side chuck unit 420. . The side chuck 422 supports the edge area of the bottom of the substrate W and can support the substrate W by vacuum suction. This side chuck unit 420 moves the substrate W to the upper part of the first cleaning unit 610 to clean the center area of the substrate W while the substrate W is supported on the side chuck 422. You can do it. Additionally, the side chuck unit 420 may be raised and lowered so that the first cleaning unit 610 and the substrate W can be placed adjacent to each other.

가스 공급 유닛(500)은 기판(W)의 저면으로 소정의 가스를 공급할 수 있다. 일 예로, 가스 공급 유닛(500)은 기판(W)의 저면을 향해 질소(N2)와 같은 불활성 가스를 공급할 수 있다. 또는, CDA(Clean Dry Air)같은 에어를 공급할 수도 있다. 일 예로, 가스 공급 유닛(500)은 기판(W)의 저면으로 가스를 공급함으로써, 에어 커튼(air curtain)을 형성할 수 있다. 즉, 가스 공급 유닛(500)에서 공급되는 가스에 의해 에어 커튼(air curtain)을 형성함으로써, 기판(W) 저면에 파티클(particle)이 부착되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 가스 공급 유닛(500)은 기판(W)의 저면 상에 잔류하고 있는 세정액을 제거할 수 있다. 선택적으로는 가스 공급 유닛(500)은 기판(W)에 대한 세정 공정이 수행된 후에 기판(W)을 건조시키는 공정에 이용될 수 있다. The gas supply unit 500 may supply a predetermined gas to the bottom of the substrate W. For example, the gas supply unit 500 may supply an inert gas such as nitrogen (N2) toward the bottom of the substrate W. Alternatively, air such as CDA (Clean Dry Air) can be supplied. For example, the gas supply unit 500 may form an air curtain by supplying gas to the bottom of the substrate W. That is, by forming an air curtain using the gas supplied from the gas supply unit 500, particles can be prevented from attaching to the bottom of the substrate W. Additionally, the gas supply unit 500 can remove the cleaning liquid remaining on the bottom of the substrate W. Optionally, the gas supply unit 500 may be used in a process of drying the substrate W after a cleaning process is performed on the substrate W.

가스 공급 유닛(500)은 제1 공급관(512) 및 제2 공급관(514)을 포함하는 바디(510)를 가질 수 있으며, 바디(510)는 기판 지지 유닛(400)을 감싸는 원통 형상으로 제공될 수 있다. The gas supply unit 500 may have a body 510 including a first supply pipe 512 and a second supply pipe 514, and the body 510 may be provided in a cylindrical shape surrounding the substrate support unit 400. You can.

바디(510)의 내부에는 제1 공급관(512) 및 제2 공급관(514)이 형성될 수 있으며, 이들(512, 514)은 바디(510)의 둘레를 따라 형성될 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 의하면, 제2 공급관(514)은 제1 공급관(512)보다 기판(W) 중심축에 인접하게 형성될 수 있다.A first supply pipe 512 and a second supply pipe 514 may be formed inside the body 510, and these 512 and 514 may be formed along the circumference of the body 510. According to one embodiment of the present invention, the second supply pipe 514 may be formed closer to the central axis of the substrate W than the first supply pipe 512.

가스 공급 유닛(500)은 노즐을 통해 기판(W)의 저면으로 가스를 제공할 수 있다. 즉, 제1 공급관(512)과 연결된 제1 노즐(512a) 및 제2 공급관(514)과 연결된 제2 노즐(514a)을 통해 기판(W) 저면으로 가스를 공급할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 의한 제2 노즐(514a)은 제1 노즐(512a)보다 직경이 작은 노즐로 제공될 수 있다. 제1 공급관(512) 및 제2 공급관(514)은 가스 공급원(520)과 연결될 수 있다. 제1 노즐(512a) 및 제2 노즐(514a)로 토출되는 가스의 유량 조절 및 동작을 제어하기 위해서 각각의 공급관(512, 514)에는 개별적으로 가스 공급 밸브(522, 524)가 형성될 수 있다. 제1 노즐(512a) 및 제2 노즐(514a)은 기판(W) 저면으로 가스를 선택적으로 공급할 수 있다. 일 예로, 기판(W) 저면으로 제1 노즐(512a) 및 제2 노즐(514a)중 어느 하나만 구동하여 가스를 공급하거나, 함께 구동하여 가스를 공급할 수 있다. The gas supply unit 500 may provide gas to the bottom of the substrate W through a nozzle. That is, gas can be supplied to the bottom of the substrate W through the first nozzle 512a connected to the first supply pipe 512 and the second nozzle 514a connected to the second supply pipe 514. The second nozzle 514a according to an embodiment of the present invention may be provided as a nozzle with a smaller diameter than the first nozzle 512a. The first supply pipe 512 and the second supply pipe 514 may be connected to the gas source 520. In order to control the flow rate and operation of the gas discharged to the first nozzle 512a and the second nozzle 514a, gas supply valves 522 and 524 may be individually formed in each supply pipe 512 and 514. . The first nozzle 512a and the second nozzle 514a can selectively supply gas to the bottom of the substrate W. For example, gas may be supplied by driving only one of the first nozzle 512a and the second nozzle 514a to the bottom of the substrate W, or they may be driven together to supply gas.

제1 노즐(512a) 및 제2 노즐(514a)은 기판(W) 중심축을 기준으로 기판(W)의 에지 방향으로 45°까지 각도를 조절할 수 있다. 이러한 제1 노즐(512a) 및 제2 노즐(514a)의 각도는 개별적으로 조절할 수 있으며, 필요에 따라 제1 노즐(512a)의 각도 및 제2 노즐(514a)의 각도는 상이할 수 있다. The angle of the first nozzle 512a and the second nozzle 514a can be adjusted up to 45° in the edge direction of the substrate W based on the central axis of the substrate W. The angles of the first nozzle 512a and the second nozzle 514a can be adjusted individually, and the angles of the first nozzle 512a and the second nozzle 514a may be different as needed.

가스 공급 유닛(500)의 노즐(512a, 514a)을 통해 기판(W) 저면으로 가스를 공급함으로써, 기판(W) 저면을 보다 빠르게 건조할 수 있으며, 세정이 끝난 영역으로 파티클이 재부착되는 문제를 해결할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 의하면 기판 지지 유닛(400) 주변에 구비된 지지핀(414)의 승하강에 영향을 주지 않도록 제2 노즐(514a)을 분리된 형태로 도시하였으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 일 실시예에 의한 제1 노즐(512a) 및 제2 노즐(514a)은 에어 나이프(air knife)의 형태일 수 있다. By supplying gas to the bottom of the substrate W through the nozzles 512a and 514a of the gas supply unit 500, the bottom of the substrate W can be dried more quickly, and the problem of particles reattaching to the cleaned area is eliminated. can be solved. According to one embodiment of the present invention, the second nozzle 514a is shown in a separated form so as not to affect the raising and lowering of the support pin 414 provided around the substrate support unit 400, but the second nozzle 514a is not limited thereto. . The first nozzle 512a and the second nozzle 514a according to an embodiment of the present invention may be in the form of an air knife.

액 공급 유닛(600)은 기판(W)의 저면으로 세정액을 공급할 수 있다. 액 공급 유닛(600)은 기판(W)의 센터 영역을 세정하기 위한 제1 세정 유닛(610) 및 기판(W)의 에지 영역을 세정하기 위한 제2 세정 유닛(620)을 포함할 수 있다. 제1 세정 유닛(610) 및 제2 세정 유닛(620) 각각은 노즐 부재와 노즐 부재를 지지하는 지지암을 포함할 수 있다. 지지암의 상단은 노즐 부재의 저면에 고정 결합될 수 있다. 각각의 지지암은 처리 용기(300)의 바닥면에 고정 결합되며, 별도의 구동 부재에 의하여 승강 가능하도록 제공될 수 있다.The liquid supply unit 600 may supply cleaning liquid to the bottom of the substrate W. The liquid supply unit 600 may include a first cleaning unit 610 for cleaning the center area of the substrate W and a second cleaning unit 620 for cleaning the edge area of the substrate W. Each of the first cleaning unit 610 and the second cleaning unit 620 may include a nozzle member and a support arm supporting the nozzle member. The upper end of the support arm may be fixedly coupled to the bottom of the nozzle member. Each support arm is fixedly coupled to the bottom surface of the processing container 300 and may be provided to be raised and lowered by a separate driving member.

제1 세정 유닛(610)의 제1 노즐 부재는 복수의 제1 노즐을 포함할 수 있다. 제1 노즐들은 제1 노즐 부재 상에 소정의 간격을 가지고 Y축 방향으로 일렬로 배치될 수 있다. 제1 노즐들은 사이드 척(422)에 의하여 지지된 상태의 기판(W)의 저면으로 세정액을 공급할 수 있다. 일 예로, 세정액은 탈 이온수(Deionized water)일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 상세히 도시하지는 않았지만, 복수의 제1 노즐들은 각각의 배관을 통해 액 공급원(630)에 연결될 수 있다. 또한, 복수의 제1 노즐들로부터 토출되는 세정액의 유량은 개별 제어될 수 있다.The first nozzle member of the first cleaning unit 610 may include a plurality of first nozzles. The first nozzles may be arranged in a row in the Y-axis direction at predetermined intervals on the first nozzle member. The first nozzles may supply cleaning liquid to the bottom of the substrate W supported by the side chuck 422. For example, the cleaning liquid may be deionized water, but is not limited thereto. Although not shown in detail, the plurality of first nozzles may be connected to the liquid supply source 630 through respective pipes. Additionally, the flow rate of the cleaning liquid discharged from the plurality of first nozzles may be individually controlled.

제1 세정 유닛(610)에 의해 토출되는 세정액은 기판(W) 저면의 센터 영역 세정을 수행할 때만 공급될 수 있다. 즉, 제1 세정 유닛(610)에 의한 세정액 공급은 기판(W) 저면의 에지 영역 세정을 수행하는 경우에는 차단될 수 있다. The cleaning liquid discharged by the first cleaning unit 610 can be supplied only when cleaning the center area of the bottom surface of the substrate W. That is, the supply of cleaning fluid by the first cleaning unit 610 may be blocked when cleaning the edge area of the bottom surface of the substrate W.

제2 세정 유닛(620)의 제2 노즐 부재는 복수의 제2 노즐을 포함할 수 있다. 제2 노즐들은 제2 노즐 부재 상에 소정의 간격을 가지고 처리 용기(300)로부터 기판 지지 유닛(400)을 향하는 방향으로 형성될 수 있다. 이러한 제2 세정 유닛(620)은 기판(W) 에지 영역에 복수 개가 제공될 수 있다. 제2 노즐들은 기판(W)이 기판 지지 유닛(400)에 의하여 지지된 상태의 기판(W)의 저면으로 세정액을 공급할 수 있다. 일 예로, 세정액은 탈 이온수(Deionized water)일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. The second nozzle member of the second cleaning unit 620 may include a plurality of second nozzles. The second nozzles may be formed on the second nozzle member in a direction from the processing container 300 toward the substrate support unit 400 at a predetermined interval. A plurality of such second cleaning units 620 may be provided in the edge area of the substrate W. The second nozzles may supply the cleaning liquid to the bottom of the substrate W while the substrate W is supported by the substrate support unit 400 . For example, the cleaning liquid may be deionized water, but is not limited thereto.

상세히 도시하지 않았지만, 복수의 제2 노즐은 각각의 배관을 통해 액 공급원(630)에 연결될 수 있다. 또한, 복수의 제2 노즐로부터 토출되는 세정액의 유량은 개별 제어될 수 있다.Although not shown in detail, the plurality of second nozzles may be connected to the liquid supply source 630 through respective pipes. Additionally, the flow rate of the cleaning liquid discharged from the plurality of second nozzles can be individually controlled.

제2 세정 유닛(620)에 의해 토출되는 세정액은 기판(W) 저면의 에지 영역 세정을 수행할 때만 공급될 수 있다. 즉, 제2 세정 유닛(620)에 의한 세정액 공급은 기판(W) 저면의 센터 영역 세정을 수행하는 경우에는 차단될 수 있다. The cleaning liquid discharged by the second cleaning unit 620 can be supplied only when cleaning the edge area of the bottom surface of the substrate W. That is, the supply of cleaning liquid by the second cleaning unit 620 may be blocked when cleaning the center area of the bottom surface of the substrate W.

제어부(700)는 가스 공급 유닛(500) 및 액 공급 유닛(600)의 동작을 제어할 수 있다. 제어부(500)는 가스 공급 밸브(522, 524)의 개방도를 제어하여 제1 공급관(512) 및 제2 공급관(514)으로 공급되는 가스를 제어할 수 있다. 즉, 제1 공급관(512)과 연결된 제1 노즐(512a) 및 제2 공급관(514)과 연결된 제2 노즐(514a)은 기판(W) 저면으로 가스를 선택적으로 공급할 수 있다. 또한, 제어부(700)는 이들 각각(514a, 514a)의 가스 유량을 제어할 수 있다. 제어부(700)는 액 공급 유닛(600)의 동작을 제어할 수 있다. 센터 세정 공정을 수행하는 경우 제1 세정 유닛(610)을 동작하고, 제2 세정 유닛(620)은 동작하지 않도록 제어할 수 있다. 에지 세정 공정을 수행하는 경우 제2 세정 유닛(620)은 동작하고, 제1 세정 유닛(610)은 동작하지 않도록 제어할 수 있다. The control unit 700 may control the operations of the gas supply unit 500 and the liquid supply unit 600. The control unit 500 may control the gas supplied to the first supply pipe 512 and the second supply pipe 514 by controlling the opening degrees of the gas supply valves 522 and 524. That is, the first nozzle 512a connected to the first supply pipe 512 and the second nozzle 514a connected to the second supply pipe 514 can selectively supply gas to the bottom of the substrate W. Additionally, the control unit 700 can control the gas flow rate of each of these (514a, 514a). The control unit 700 may control the operation of the liquid supply unit 600. When performing a center cleaning process, the first cleaning unit 610 can be controlled to operate and the second cleaning unit 620 can be controlled not to operate. When performing an edge cleaning process, the second cleaning unit 620 can be controlled to operate and the first cleaning unit 610 can be controlled to not operate.

도 4 및 도 5은 본 발명의 일 실시예에 의한 기판 처리 방법에 관한 도면이다. 도 4는 기판 처리 장치 내에서 기판을 처리하는 과정을 간단하게 나타낸 도면이고, 도 5는 기판 처리 방법의 흐름도이다. 4 and 5 are diagrams of a substrate processing method according to an embodiment of the present invention. FIG. 4 is a diagram simply showing the process of processing a substrate in a substrate processing apparatus, and FIG. 5 is a flowchart of a substrate processing method.

도 4 및 도 5를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 의한 기판 처리 방법은, 기판(W) 저면의 센터 영역으로 세정액 및 가스를 공급하는 센터 세정 단계(S100); 및 기판(W) 저면의 에지 영역으로 세정액 및 가스를 공급하는 에지 세정 단계(S200)를 포함할 수 있다. Referring to Figures 4 and 5, the substrate processing method according to an embodiment of the present invention includes a center cleaning step (S100) of supplying a cleaning liquid and gas to the center area of the bottom of the substrate (W); And it may include an edge cleaning step (S200) of supplying a cleaning liquid and gas to the edge area of the bottom surface of the substrate W.

기판(W) 저면의 센터 영역을 세정하기 위한 센터 세정 단계(S100)는, 기판을 사이드 척에 배치하는 제1 단계(S120); 지지된 기판을 제1 세정 유닛의 상부로 이동시키는 제2 단계(S140); 기판 저면으로 세정액을 공급하는 제3 단계(S160); 및 기판을 이동시키면서 기판 저면에 가스를 공급하는 제4 단계(S180)를 포함할 수 있다. The center cleaning step (S100) for cleaning the center area of the bottom surface of the substrate (W) includes a first step (S120) of placing the substrate on a side chuck; A second step (S140) of moving the supported substrate to the top of the first cleaning unit; A third step of supplying a cleaning liquid to the bottom of the substrate (S160); And it may include a fourth step (S180) of supplying gas to the bottom of the substrate while moving the substrate.

기판 저면의 에지 영역을 세정하기 위한 에지 세정 단계(S200)는, 기판 지지 유닛에 기판을 배치하는 제5 단계(S220); 및 기판을 회전시키면서 기판 저면으로 세정액 및 가스를 공급하는 제6 단계(S240)를 포함할 수 있다. The edge cleaning step for cleaning the edge area of the bottom of the substrate (S200) includes a fifth step of placing the substrate on the substrate support unit (S220); And it may include a sixth step (S240) of supplying a cleaning liquid and gas to the bottom of the substrate while rotating the substrate.

제1 단계(S120)는, 기판(W)을 사이드 척(422)에 배치하는 단계이다. 기판(W)의 센터 영역을 세정하기 위하여 스핀척(410)과 인접하게 형성된 지지핀(414)을 상승시켜 기판(W)을 지지한다. 즉, 스핀척(410)에서 소정거리 이격된 위치에서 지지핀(414)에 의해서 기판(W)이 지지된다. 이때, 사이드 척 유닛(420)이 상승하여 기판(W)의 에지 영역을 진공 흡착하여 기판(W)을 지지할 수 있다. 사이드 척 유닛(420)에 의하여 기판(W)이 지지되면, 지지핀(414)을 하강시킨다. The first step (S120) is a step of placing the substrate W on the side chuck 422. In order to clean the center area of the substrate W, the support pin 414 formed adjacent to the spin chuck 410 is raised to support the substrate W. That is, the substrate W is supported by the support pin 414 at a position spaced apart from the spin chuck 410 by a predetermined distance. At this time, the side chuck unit 420 may rise to support the substrate W by vacuum suctioning the edge area of the substrate W. When the substrate W is supported by the side chuck unit 420, the support pin 414 is lowered.

제2 단계(S140)는, 사이드 척 유닛(420)에 지지된 기판(W)을 제1 세정 유닛(610)의 상부로 이동시키는 단계이다. 사이드 척(422)에 의해 진공 흡착된 기판(W)은 기판(W) 저면의 센터 영역을 세정하기 위해서 사이드 척 구동 부재(426)에 의해서 제1 세정 유닛(610)의 상부로 이동된다. 이때, 제1 세정 유닛(610)과 기판(W)은 소정거리 이격될 수 있으며, 이러한 거리는 사이드 척 구동 부재(426)에 의해 조절될 수 있다. The second step (S140) is a step of moving the substrate W supported on the side chuck unit 420 to the upper part of the first cleaning unit 610. The substrate W vacuum-sucked by the side chuck 422 is moved to the upper part of the first cleaning unit 610 by the side chuck driving member 426 in order to clean the center area of the bottom surface of the substrate W. At this time, the first cleaning unit 610 and the substrate W may be spaced apart by a predetermined distance, and this distance may be adjusted by the side chuck driving member 426.

제3 단계(S160)는, 기판(W)의 저면으로 세정액을 공급하는 단계이다. 제1 세정 유닛(610)의 상부에 기판(W)이 배치되면, 제1 세정 유닛(610)의 복수의 노즐(612a)들에서 세정액을 기판(W) 저면으로 공급한다. 이때, 공급되는 세정액은 탈 이온수(Deionized water)일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 또한, 공급되는 세정액의 유량은 제어부(700)를 통해서 조절될 수 있다. The third step (S160) is a step of supplying the cleaning liquid to the bottom of the substrate (W). When the substrate W is placed on the top of the first cleaning unit 610, the cleaning liquid is supplied to the bottom of the substrate W from the plurality of nozzles 612a of the first cleaning unit 610. At this time, the supplied cleaning liquid may be deionized water, but is not limited thereto. Additionally, the flow rate of the supplied cleaning liquid can be adjusted through the control unit 700.

제4 단계(S180)는. 기판(W)을 이동하면서 기판(W) 저면으로 가스를 공급하는 단계이다. 제3 단계(S160)에 의해서 기판(W) 저면에 세정액이 분사된 기판(W)은 지판 지지 유닛(400)의 상부로 이동될 수 있다. 기판(W)은 사이드 척 유닛(420)에 의해 이동된다. 이와 동시에 가스 공급 유닛(500)에서 기판(W) 저면으로 가스를 공급함으로써, 기판(W)이 이동되는 동안 기판(W) 저면의 세정액을 건조할 수 있다. 이때, 가스 공급 유닛(500)의 제1 노즐(512a) 및 제2 노즐(514a)은 선택적으로 기판(W) 저면으로 가스를 공급할 수 있다. 일 예로, 제1 노즐(512a)에서 기판(W) 저면으로 가스를 공급하는 동안 제2 노즐(514a)은 가스를 공급하지 않을 수도 있고, 제1 노즐(512a) 및 제2 노즐(514a) 모두는 기판(W) 저면으로 가스를 공급할 수도 있다. The fourth step (S180) is. This is the step of supplying gas to the bottom of the substrate (W) while moving the substrate (W). The substrate W, on which the cleaning liquid is sprayed on the bottom of the substrate W in the third step S160, may be moved to the upper part of the baseboard support unit 400. The substrate W is moved by the side chuck unit 420. At the same time, by supplying gas from the gas supply unit 500 to the bottom of the substrate W, the cleaning liquid on the bottom of the substrate W can be dried while the substrate W is moved. At this time, the first nozzle 512a and the second nozzle 514a of the gas supply unit 500 may selectively supply gas to the bottom of the substrate W. For example, while the first nozzle 512a supplies gas to the bottom of the substrate W, the second nozzle 514a may not supply gas, and both the first nozzle 512a and the second nozzle 514a may supply gas to the bottom of the substrate (W).

제5 단계(S220)는, 기판 지지 유닛(400)에 기판(W)을 배치하는 단계이다. 센터 세정이 끝난 기판(W)이 기판 지지 유닛(400)과 대향하는 위치까지 이동되면, 사이드 척 유닛(420)에 의해 지지된 기판(W)을 하강시킨다. 기판(W)이 기판 지지 유닛(400)에 접촉되면, 기판 지지 유닛(400)을 이용하여 기판(W)을 진공 흡착하여 기판(W)을 지지한다. 이후, 사이드 척 유닛(420)은 진공을 해제하고 처리 공정에 방해가 되지 않는 위치까지 이동될 수 있다. The fifth step (S220) is a step of placing the substrate W on the substrate support unit 400. When the substrate W after center cleaning is moved to a position facing the substrate support unit 400, the substrate W supported by the side chuck unit 420 is lowered. When the substrate W is in contact with the substrate support unit 400, the substrate W is supported by vacuum suction using the substrate support unit 400. Thereafter, the side chuck unit 420 releases the vacuum and can be moved to a position where it does not interfere with the processing process.

제6 단계(S240)는, 기판(W)을 회전시키면서 기판(W) 저면으로 세정액 및 가스를 공급하는 단계이다. 기판 지지 유닛(400)에 의해 진공 흡착된 기판(W)은 회전 구동 부재(412)에 의해서 일정 속도로 회전될 수 있다. 이와 동시에 기판(W) 저면의 에지 영역을 세정하기 위하여 제2 세정 유닛(620)의 복수의 노즐들에서 세정액을 기판(W) 저면으로 공급한다. 공급되는 세정액은 탈 이온수(Deionized water)일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 제2 세정 유닛(620)에서 세정액을 공급하는 동안 가스 공급 유닛(500)은 기판(W) 저면으로 가스를 공급할 수 있다. 이때, 공급되는 가스는 세정이 끝난 기판(W) 센터 영역으로 파티클 및 세정액이 침투하지 못하도록 에어 커튼(air curtain)의 역할을 수행하기 위해 제공될 수 있다. 즉, 가스 공급 유닛(500)의 제1 노즐(512a) 및 제2 노즐(514a) 모두는 에어 커튼(air curtain)의 역할을 수행할 수 있다. The sixth step (S240) is a step of supplying cleaning liquid and gas to the bottom of the substrate W while rotating the substrate W. The substrate W vacuum-adsorbed by the substrate support unit 400 may be rotated at a constant speed by the rotation driving member 412. At the same time, in order to clean the edge area of the bottom surface of the substrate W, the cleaning liquid is supplied to the bottom surface of the substrate W from a plurality of nozzles of the second cleaning unit 620. The supplied cleaning liquid may be deionized water, but is not limited thereto. While the second cleaning unit 620 supplies the cleaning liquid, the gas supply unit 500 may supply gas to the bottom of the substrate W. At this time, the supplied gas may be provided to serve as an air curtain to prevent particles and cleaning liquid from penetrating into the center area of the cleaned substrate W. That is, both the first nozzle 512a and the second nozzle 514a of the gas supply unit 500 may function as an air curtain.

또한, 제2 세정 유닛(620)에서 기판(W) 저면으로 세정액 공급이 중단된 후에도 가스 공급 유닛(500)은 기판(W) 저면으로 가스를 계속해서 공급할 수 있다. 이러한 경우 가스는 기판(W) 저면의 에지 영역으로 공급된 세정액을 건조하도록 제공될 수 있다.Additionally, even after the supply of cleaning liquid from the second cleaning unit 620 to the bottom of the substrate W is stopped, the gas supply unit 500 may continue to supply gas to the bottom of the substrate W. In this case, gas may be provided to dry the cleaning liquid supplied to the edge area of the bottom surface of the substrate W.

본 발명의 일 실시예에 의하면 기판(W) 저면의 센터 영역 세정 후, 에지 영역을 세정하는 것으로 설명하였으나 이에 한정되지 않는다. 만약, 기판(W) 저면의 센터 영역에 대한 세정이 필요하지 않은 경우, 에지 영역에 대해서만 세정을 수행할 수도 있다. According to one embodiment of the present invention, it has been described that the edge area is cleaned after cleaning the center area of the bottom surface of the substrate W, but the present invention is not limited to this. If cleaning of the center area of the bottom surface of the substrate W is not necessary, cleaning may be performed only on the edge area.

이상에서 설명한 본 발명에 의하면, 기판 저면의 센터 영역을 세정한 후 가스 공급 유닛의 제1 노즐 및 제2 노즐을 이용하여 보다 빠르게 기판 저면을 건조할 수 있다. 기판 저면의 에지 영역을 세정하는 경우 가스 공급 유닛으로 에어 커튼을 형성하여, 세정 시 발생하는 파티클이 세정된 센터 영역으로 다시 부착되는 것을 방지할 수 있다. 뿐만 아니라 세정액 공급이 끝난 에지 영역으로 가스 공급 유닛의 각도를 조절하여 가스를 공급함으로써 보다 빠르게 기판 저면을 건조할 수 있다. 이로 인해, 기판 저면의 파티클을 보다 효과적으로 제거할 수 있으며, 전체 공정 시간이 감소되어 제품의 수율을 향상시킬 수 있다. According to the present invention described above, after cleaning the center area of the bottom of the substrate, the bottom of the substrate can be dried more quickly using the first nozzle and the second nozzle of the gas supply unit. When cleaning the edge area of the bottom of the substrate, an air curtain can be formed with a gas supply unit to prevent particles generated during cleaning from reattaching to the cleaned center area. In addition, the bottom surface of the substrate can be dried more quickly by supplying gas to the edge area where the cleaning solution has been supplied by adjusting the angle of the gas supply unit. As a result, particles on the bottom of the substrate can be removed more effectively, and the overall process time can be reduced, improving product yield.

이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위 내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.The above detailed description is illustrative of the present invention. Additionally, the foregoing is intended to illustrate preferred embodiments of the present invention, and the present invention can be used in various other combinations, modifications, and environments. That is, changes or modifications can be made within the scope of the inventive concept disclosed in this specification, a scope equivalent to the written disclosure, and/or within the scope of technology or knowledge in the art. The written examples illustrate the best state for implementing the technical idea of the present invention, and various changes required for specific application fields and uses of the present invention are also possible. Accordingly, the detailed description of the invention above is not intended to limit the invention to the disclosed embodiments. Additionally, the appended claims should be construed to include other embodiments as well.

W : 기판
1 : 기판 처리 설비
10 : 인덱스 블록
20 : 처리 블록
30 : 기판 이송 블록
200 : 기판 처리 장치
300 : 처리 용기
400 : 기판 지지 유닛
500 : 가스 공급 유닛
600 : 액 공급 유닛
700 : 제어부W: substrate
1: Substrate processing equipment
10: Index block
20: processing block
30: Substrate transfer block
200: substrate processing device
300: processing container
400: substrate support unit
500: gas supply unit
600: Liquid supply unit
700: Control unit

Claims (10)

처리 공간을 가지는 처리 용기;
상기 처리 공간에 제공되며, 기판을 지지하기 위한 기판 지지 유닛;
상기 기판 저면을 향해 세정액을 공급하기 위한 액 공급 유닛; 및
상기 기판 저면을 향해 가스를 공급하는 가스 공급 유닛을 포함하고,
상기 가스 공급 유닛은,
상기 기판의 저면을 향하는 제1 방향으로 상기 가스를 토출시키기 위한 제1 공급관과;
상기 기판의 저면을 향하는 제2 방향으로 상기 가스를 토출시키기 위한 제2 공급관을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
a processing vessel having a processing space;
a substrate support unit provided in the processing space to support a substrate;
a liquid supply unit for supplying a cleaning liquid toward the bottom of the substrate; and
It includes a gas supply unit supplying gas toward the bottom of the substrate,
The gas supply unit is,
a first supply pipe for discharging the gas in a first direction toward the bottom of the substrate;
A substrate processing apparatus comprising a second supply pipe for discharging the gas in a second direction toward the bottom of the substrate.
 제1항에 있어서,
상기 가스 공급 유닛은,
상기 기판 지지 유닛을 둘러싸도록 형성되는 바디를 더 포함하고,
상기 제1 공급관과 상기 제2 공급관은 상기 바디의 둘레를 따라 형성되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
According to paragraph 1,
The gas supply unit is,
Further comprising a body formed to surround the substrate support unit,
A substrate processing apparatus, wherein the first supply pipe and the second supply pipe are formed along a circumference of the body.
 제2항에 있어서,
상기 바디의 상면에는,
상기 제1 공급관과 연결된 제1 노즐 및 상기 제2 공급관과 연결된 제2 노즐이 제공되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
According to paragraph 2,
On the upper surface of the body,
A substrate processing apparatus characterized in that a first nozzle connected to the first supply pipe and a second nozzle connected to the second supply pipe are provided.
 제3항에 있어서,
상기 제2 노즐은 상기 제1 노즐 보다 상기 기판 지지 유닛의 중심축에 가깝게 형성되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치,
According to paragraph 3,
A substrate processing device, wherein the second nozzle is formed closer to the central axis of the substrate support unit than the first nozzle,
 제1항에 있어서,
상기 처리 공간에는,
상기 기판의 저면을 지지하기 위한 사이드 척을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
According to paragraph 1,
In the processing space,
A substrate processing device comprising a side chuck for supporting the bottom of the substrate.
 제1항에 있어서,
상기 액 공급 유닛은,
상기 기판 저면의 센터 영역을 향해 세정액을 공급하기 위한 제1 세정 유닛과
상기 기판 저면의 에지 영역을 향해 세정액을 공급하기 위한 제2 세정 유닛을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
According to paragraph 1,
The liquid supply unit,
a first cleaning unit for supplying a cleaning liquid toward the center area of the bottom of the substrate;
A substrate processing apparatus comprising a second cleaning unit for supplying a cleaning liquid toward an edge area of the bottom of the substrate.
 제1항에 있어서,
상기 액 공급 유닛 및 상기 가스 공급 유닛을 제어하기 위한 제어부를 더 포함하고,
상기 제어부는,
상기 액 공급 유닛에서 공급되는 세정액 및 상기 가스 공급 유닛에서 공급되는 가스를 선택적으로 상기 기판의 저면으로 공급하도록 제어하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
According to paragraph 1,
Further comprising a control unit for controlling the liquid supply unit and the gas supply unit,
The control unit,
A substrate processing apparatus, wherein the cleaning liquid supplied from the liquid supply unit and the gas supplied from the gas supply unit are controlled to be selectively supplied to the bottom surface of the substrate.
 제7항에 있어서,
상기 제어부는,
상기 제1 공급부 및 상기 제2 공급부 중 적어도 어느 하나 이상을 사용하여 상기 기판의 저면으로 가스를 공급하도록 제어하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
In clause 7,
The control unit,
A substrate processing apparatus, characterized in that controlling the supply of gas to the bottom of the substrate using at least one of the first supply unit and the second supply unit.
 기판 저면의 센터 영역으로 세정액 및 가스를 공급하는 센터 세정 단계; 및
상기 기판 저면의 에지 영역으로 세정액 및 가스를 공급하는 에지 세정 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
A center cleaning step of supplying cleaning liquid and gas to the center area of the bottom of the substrate; and
A substrate processing method comprising an edge cleaning step of supplying a cleaning liquid and gas to an edge area of the bottom of the substrate.
 제9항에 있어서,
상기 센터 세정 단계는,
상기 기판을 사이드 척으로 지지하는 제1 단계;
상기 지지된 기판을 제1 노즐 유닛의 상부로 이동시키는 제2 단계;
상기 기판의 저면으로 세정액을 공급하는 제3 단계; 및
상기 기판을 기판 지지 유닛과 대향하는 위치로 이동하면서 상기 기판 저면에 가스를 공급하는 제4 단계;
를 포함하고,
상기 에지 세정 단계는,
상기 기판을 상기 기판 지지 유닛에 배치하는 제5 단계; 및
상기 기판을 회전시키면서 상기 기판 저면으로 세정액 및 가스를 공급하는 제6 단계;
를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법. According to clause 9,
The center cleaning step is,
A first step of supporting the substrate with a side chuck;
a second step of moving the supported substrate to the top of the first nozzle unit;
A third step of supplying a cleaning solution to the bottom of the substrate; and
a fourth step of supplying gas to the bottom of the substrate while moving the substrate to a position opposite to the substrate support unit;
Including,
The edge cleaning step is,
a fifth step of placing the substrate on the substrate support unit; and
A sixth step of supplying cleaning liquid and gas to the bottom of the substrate while rotating the substrate;
A substrate processing method comprising:
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