KR20220162374A - 반도체 부품의 결함 검출을 위한 전자 장치 및 이의 제어 방법 - Google Patents

반도체 부품의 결함 검출을 위한 전자 장치 및 이의 제어 방법 Download PDF

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Abstract

일 실시예에 따라서, 전자 장치는, DC 서플라이, RF Power 서플라이 및 DC 서플라이 및 RF Power 서플라이와 작동적으로 연결된 적어도 하나의 프로세서를 포함하고, 적어도 하나의 프로세서는, 반도체 부품이 동작 가능한 최대 전류 및 AMR(Absolute Maximum Rating) 전류 사이의 전류 레벨 또는 반도체 부품이 동작 가능한 최대 RF Power 및 AMR(Absolute Maximum Rating) RF Power 사이의 RF Power 레벨을 결정하고, 전류 레벨이 결정되면, 결정된 전류 레벨의 전류를 반도체 부품에 인가하도록 DC 서플라이를 제어하거나, RF Power 레벨이 결정되면, 결정된 RF Power 레벨의 RF Power를 반도체 부품에 인가하도록 RF Power 서플라이를 제어할 수 있다.

Description

반도체 부품의 결함 검출을 위한 전자 장치 및 이의 제어 방법 { ELECTRONIC DEVICE FOR DETECTING DEFECTION OF SEMICONDUCTOR PARTS AND METHOD FOR CONTROLLING THE SAME }
본 개시의 실시 예들은, 반도체 부품의 결함 검출을 위한 전자 장치 및 이의 제어 방법에 관한 것이다.
반도체 부품은 실제 단말에서의 사용 전압 또는 사용 전류보다 높은 수준을 견딜 수 있도록 설계되고, 실제 단말에서는 그 수준보다 낮은 전압 또는 전류를 사용하고 있다. 이로 인해, 반도체 결함 검출시 단말 사용 전압 또는 전류 이상의 전압 또는 전류를 사용하게 되면 불량의 검출력이 부족한 문제가 있었다.
또한, 반도체 부품으로 제조된 단말을 사용함에 따라 반도체 부품에 지속적으로 스트레스가 인가되며, 이로 인해 생성되는 경시성 결함을 미리 검출하기 위해 단말 제조 전 반도체 부품에 전압을 인가하는 HVS(high voltage stress) 방식이 사용되었다.
HVS 방식의 경우, 인가되는 전압의 범위가 단말 내 사용 전압 이상으로 광범위하게 설정되어 있어 과도한 전압 인가로 인한 반도체 부품이 손상되는 문제가 있었다.
또한, HVS 방식의 경우 반도체 부품의 전원단에 한정적으로만 적용이 가능하여, 전류원으로 동작하는 반도체 부품 또는 전압 인가가 부적절한 반도체 부품(예: 다이오드)의 경우에는 적용을 할 수 없는 문제가 있었다.
본 개시는 반도체 부품의 손상 없이, 전원단 뿐만 아니라 전류단, RF Power Path단 및 전압 변화에 민감한 반도체 부품의 경시성 결함 검출을 위한 전자 장치 및 이의 제어 방법을 제공한다.
다양한 실시 예에 따르면, 전자 장치는, DC 서플라이, RF Power 서플라이 및 상기 DC 서플라이 및 상기 RF Power 서플라이와 작동적으로 연결된 적어도 하나의 프로세서를 포함하고, 상기 적어도 하나의 프로세서는, 반도체 부품이 동작 가능한 최대 전류 및 AMR(Absolute Maximum Rating) 전류 사이의 전류 레벨 또는 상기 반도체 부품이 동작 가능한 최대 RF Power 및 AMR(Absolute Maximum Rating) RF Power 사이의 RF Power 레벨을 결정하고, 상기 전류 레벨이 결정되면, 상기 결정된 전류 레벨의 전류를 상기 반도체 부품에 인가하도록 상기 DC 서플라이를 제어하거나, 상기 RF Power 레벨이 결정되면, 상기 결정된 RF Power 레벨의 RF Power를 상기 반도체 부품에 인가하도록 상기 RF Power 서플라이를 제어할 수 있다.
다양한 실시 예에 따르면, 전자 장치의 제어 방법은, 반도체 부품이 동작 가능한 최대 전류 및 AMR(Absolute Maximum Rating) 전류 사이의 전류 레벨을 결정하는 동작 또는 상기 반도체 부품이 동작 가능한 최대 RF Power 및 AMR(Absolute Maximum Rating) RF Power 사이의 RF Power 레벨을 결정하는 동작 및 상기 전류 레벨이 결정되면, 상기 결정된 전류 레벨의 전류를 상기 반도체 부품에 인가하도록 DC 서플라이를 제어하는 동작 또는 상기 RF Power 레벨이 결정되면, 상기 결정된 RF Power 레벨의 RF Power를 상기 반도체 부품에 인가하도록 RF Power 서플라이를 제어하는 동작을 포함할 수 있다.
본 개시의 다양한 실시 예에 따른 전자 장치는, 별도의 장비 없이 반도체 부품에 과잉 스트레스 제공 없이도 불량 검출 효과를 향상시킬 수 있다. 또한 본 개시의 다양한 실시 예에 따른 전자 장치의 반도체 부품 결함 검출 동작은 반도체 부품을 이용한 단말의 생산 이전에 이루어짐으로써 단말 생산 비용과 시장실패 비용을 함께 줄일 수 있다.
도 1a는 다양한 실시 예에 따른 네트워크 환경 내의 전자 장치의 블록도이다.
도 1b는 다양한 실시 예에 따른 반도체 부품의 결함 검출을 위한 전자 장치의 블록도이다.
도 2는 다양한 실시 예에 따른 전자 장치의 반도체 부품의 결함 검출을 위한 동작을 설명하기 위한 도면이다.
도 3은 다양한 실시 예에 따라 반도체 부품의 결함 검출을 위해 인가되는 전압, 전류, 전력의 범위를 설명하기 위한 도면이다.
도 4는 다양한 실시 예에 따른 전류 또는 RF Power의 변화를 설명하기 위한 도면이다.
도 5는 다양한 실시 예에 따라 다이오드인 반도체 부품에 인가되는 전류의 레벨을 설명하기 위한 도면이다.
도 6은 다양한 실시 예에 따라 HVS 방식이 사용되는 반도체 부품을 설명하기 위한 도면이다.
도 7은 다양한 실시 예에 따라 HPS 방식이 사용되는 반도체 부품을 설명하기 위한 도면이다.
도 8은 다양한 실시 예에 따라 HPS 방식이 사용되는 반도체 부품을 설명하기 위한 도면이다.
도 9는 다양한 실시 예에 따라 HPS 방식이 사용되는 반도체 부품을 설명하기 위한 도면이다.
도 10은 다양한 실시 예에 따른 HCS 방식이 사용되는 반도체 부품의 결함 검출 과정을 설명하기 위한 도면이다.
도 11은 다양한 실시 예에 따른 HPS 방식이 사용되는 반도체 부품의 결함 검출 과정을 설명하기 위한 도면이다.
도 1a는, 다양한 실시예들에 따른, 네트워크 환경(100) 내의 전자 장치(101)의 블록도이다. 도 1을 참조하면, 네트워크 환경(100)에서 전자 장치(101)는 제 1 네트워크(198)(예: 근거리 무선 통신 네트워크)를 통하여 전자 장치(102)와 통신하거나, 또는 제 2 네트워크(199)(예: 원거리 무선 통신 네트워크)를 통하여 전자 장치(104) 또는 서버(108) 중 적어도 하나와 통신할 수 있다. 일실시예에 따르면, 전자 장치(101)는 서버(108)를 통하여 전자 장치(104)와 통신할 수 있다. 일실시예에 따르면, 전자 장치(101)는 프로세서(120), 메모리(130), 입력 모듈(150), 음향 출력 모듈(155), 디스플레이 모듈(160), 오디오 모듈(170), 센서 모듈(176), 인터페이스(177), 연결 단자(178), 햅틱 모듈(179), 카메라 모듈(180), 전력 관리 모듈(188), 배터리(189), 통신 모듈(190), 가입자 식별 모듈(196), 또는 안테나 모듈(197)을 포함할 수 있다. 어떤 실시예에서는, 전자 장치(101)에는, 이 구성요소들 중 적어도 하나(예: 연결 단자(178))가 생략되거나, 하나 이상의 다른 구성요소가 추가될 수 있다. 어떤 실시예에서는, 이 구성요소들 중 일부들(예: 센서 모듈(176), 카메라 모듈(180), 또는 안테나 모듈(197))은 하나의 구성요소(예: 디스플레이 모듈(160))로 통합될 수 있다.
프로세서(120)는, 예를 들면, 소프트웨어(예: 프로그램(140))를 실행하여 프로세서(120)에 연결된 전자 장치(101)의 적어도 하나의 다른 구성요소(예: 하드웨어 또는 소프트웨어 구성요소)를 제어할 수 있고, 다양한 데이터 처리 또는 연산을 수행할 수 있다. 일실시예에 따르면, 데이터 처리 또는 연산의 적어도 일부로서, 프로세서(120)는 다른 구성요소(예: 센서 모듈(176) 또는 통신 모듈(190))로부터 수신된 명령 또는 데이터를 휘발성 메모리(132)에 저장하고, 휘발성 메모리(132)에 저장된 명령 또는 데이터를 처리하고, 결과 데이터를 비휘발성 메모리(134)에 저장할 수 있다. 일실시예에 따르면, 프로세서(120)는 메인 프로세서(121)(예: 중앙 처리 장치 또는 어플리케이션 프로세서) 또는 이와는 독립적으로 또는 함께 운영 가능한 보조 프로세서(123)(예: 그래픽 처리 장치, 신경망 처리 장치(NPU: neural processing unit), 이미지 시그널 프로세서, 센서 허브 프로세서, 또는 커뮤니케이션 프로세서)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치(101)가 메인 프로세서(121) 및 보조 프로세서(123)를 포함하는 경우, 보조 프로세서(123)는 메인 프로세서(121)보다 저전력을 사용하거나, 지정된 기능에 특화되도록 설정될 수 있다. 보조 프로세서(123)는 메인 프로세서(121)와 별개로, 또는 그 일부로서 구현될 수 있다.
보조 프로세서(123)는, 예를 들면, 메인 프로세서(121)가 인액티브(예: 슬립) 상태에 있는 동안 메인 프로세서(121)를 대신하여, 또는 메인 프로세서(121)가 액티브(예: 어플리케이션 실행) 상태에 있는 동안 메인 프로세서(121)와 함께, 전자 장치(101)의 구성요소들 중 적어도 하나의 구성요소(예: 디스플레이 모듈(160), 센서 모듈(176), 또는 통신 모듈(190))와 관련된 기능 또는 상태들의 적어도 일부를 제어할 수 있다. 일실시예에 따르면, 보조 프로세서(123)(예: 이미지 시그널 프로세서 또는 커뮤니케이션 프로세서)는 기능적으로 관련 있는 다른 구성요소(예: 카메라 모듈(180) 또는 통신 모듈(190))의 일부로서 구현될 수 있다. 일실시예에 따르면, 보조 프로세서(123)(예: 신경망 처리 장치)는 인공지능 모델의 처리에 특화된 하드웨어 구조를 포함할 수 있다. 인공지능 모델은 기계 학습을 통해 생성될 수 있다. 이러한 학습은, 예를 들어, 인공지능 모델이 수행되는 전자 장치(101) 자체에서 수행될 수 있고, 별도의 서버(예: 서버(108))를 통해 수행될 수도 있다. 학습 알고리즘은, 예를 들어, 지도형 학습(supervised learning), 비지도형 학습(unsupervised learning), 준지도형 학습(semi-supervised learning) 또는 강화 학습(reinforcement learning)을 포함할 수 있으나, 전술한 예에 한정되지 않는다. 인공지능 모델은, 복수의 인공 신경망 레이어들을 포함할 수 있다. 인공 신경망은 심층 신경망(DNN: deep neural network), CNN(convolutional neural network), RNN(recurrent neural network), RBM(restricted boltzmann machine), DBN(deep belief network), BRDNN(bidirectional recurrent deep neural network), 심층 Q-네트워크(deep Q-networks) 또는 상기 중 둘 이상의 조합 중 하나일 수 있으나, 전술한 예에 한정되지 않는다. 인공지능 모델은 하드웨어 구조 이외에, 추가적으로 또는 대체적으로, 소프트웨어 구조를 포함할 수 있다.
메모리(130)는, 전자 장치(101)의 적어도 하나의 구성요소(예: 프로세서(120) 또는 센서 모듈(176))에 의해 사용되는 다양한 데이터를 저장할 수 있다. 데이터는, 예를 들어, 소프트웨어(예: 프로그램(140)) 및, 이와 관련된 명령에 대한 입력 데이터 또는 출력 데이터를 포함할 수 있다. 메모리(130)는, 휘발성 메모리(132) 또는 비휘발성 메모리(134)를 포함할 수 있다.
프로그램(140)은 메모리(130)에 소프트웨어로서 저장될 수 있으며, 예를 들면, 운영 체제(142), 미들 웨어(144) 또는 어플리케이션(146)을 포함할 수 있다.
입력 모듈(150)은, 전자 장치(101)의 구성요소(예: 프로세서(120))에 사용될 명령 또는 데이터를 전자 장치(101)의 외부(예: 사용자)로부터 수신할 수 있다. 입력 모듈(150)은, 예를 들면, 마이크, 마우스, 키보드, 키(예: 버튼), 또는 디지털 펜(예: 스타일러스 펜)을 포함할 수 있다.
음향 출력 모듈(155)은 음향 신호를 전자 장치(101)의 외부로 출력할 수 있다. 음향 출력 모듈(155)은, 예를 들면, 스피커 또는 리시버를 포함할 수 있다. 스피커는 멀티미디어 재생 또는 녹음 재생과 같이 일반적인 용도로 사용될 수 있다. 리시버는 착신 전화를 수신하기 위해 사용될 수 있다. 일실시예에 따르면, 리시버는 스피커와 별개로, 또는 그 일부로서 구현될 수 있다.
디스플레이 모듈(160)은 전자 장치(101)의 외부(예: 사용자)로 정보를 시각적으로 제공할 수 있다. 디스플레이 모듈(160)은, 예를 들면, 디스플레이, 홀로그램 장치, 또는 프로젝터 및 해당 장치를 제어하기 위한 제어 회로를 포함할 수 있다. 일실시예에 따르면, 디스플레이 모듈(160)은 터치를 감지하도록 설정된 터치 센서, 또는 상기 터치에 의해 발생되는 힘의 세기를 측정하도록 설정된 압력 센서를 포함할 수 있다.
오디오 모듈(170)은 소리를 전기 신호로 변환시키거나, 반대로 전기 신호를 소리로 변환시킬 수 있다. 일실시예에 따르면, 오디오 모듈(170)은, 입력 모듈(150)을 통해 소리를 획득하거나, 음향 출력 모듈(155), 또는 전자 장치(101)와 직접 또는 무선으로 연결된 외부 전자 장치(예: 전자 장치(102))(예: 스피커 또는 헤드폰)를 통해 소리를 출력할 수 있다.
센서 모듈(176)은 전자 장치(101)의 작동 상태(예: 전력 또는 온도), 또는 외부의 환경 상태(예: 사용자 상태)를 감지하고, 감지된 상태에 대응하는 전기 신호 또는 데이터 값을 생성할 수 있다. 일실시예에 따르면, 센서 모듈(176)은, 예를 들면, 제스처 센서, 자이로 센서, 기압 센서, 마그네틱 센서, 가속도 센서, 그립 센서, 근접 센서, 컬러 센서, IR(infrared) 센서, 생체 센서, 온도 센서, 습도 센서, 또는 조도 센서를 포함할 수 있다.
인터페이스(177)는 전자 장치(101)가 외부 전자 장치(예: 전자 장치(102))와 직접 또는 무선으로 연결되기 위해 사용될 수 있는 하나 이상의 지정된 프로토콜들을 지원할 수 있다. 일실시예에 따르면, 인터페이스(177)는, 예를 들면, HDMI(high definition multimedia interface), USB(universal serial bus) 인터페이스, SD카드 인터페이스, 또는 오디오 인터페이스를 포함할 수 있다.
연결 단자(178)는, 그를 통해서 전자 장치(101)가 외부 전자 장치(예: 전자 장치(102))와 물리적으로 연결될 수 있는 커넥터를 포함할 수 있다. 일실시예에 따르면, 연결 단자(178)는, 예를 들면, HDMI 커넥터, USB 커넥터, SD 카드 커넥터, 또는 오디오 커넥터(예: 헤드폰 커넥터)를 포함할 수 있다.
햅틱 모듈(179)은 전기적 신호를 사용자가 촉각 또는 운동 감각을 통해서 인지할 수 있는 기계적인 자극(예: 진동 또는 움직임) 또는 전기적인 자극으로 변환할 수 있다. 일실시예에 따르면, 햅틱 모듈(179)은, 예를 들면, 모터, 압전 소자, 또는 전기 자극 장치를 포함할 수 있다.
카메라 모듈(180)은 정지 영상 및 동영상을 촬영할 수 있다. 일실시예에 따르면, 카메라 모듈(180)은 하나 이상의 렌즈들, 이미지 센서들, 이미지 시그널 프로세서들, 또는 플래시들을 포함할 수 있다.
전력 관리 모듈(188)은 전자 장치(101)에 공급되는 전력을 관리할 수 있다. 일실시예에 따르면, 전력 관리 모듈(188)은, 예를 들면, PMIC(power management integrated circuit)의 적어도 일부로서 구현될 수 있다.
배터리(189)는 전자 장치(101)의 적어도 하나의 구성요소에 전력을 공급할 수 있다. 일실시예에 따르면, 배터리(189)는, 예를 들면, 재충전 불가능한 1차 전지, 재충전 가능한 2차 전지 또는 연료 전지를 포함할 수 있다.
통신 모듈(190)은 전자 장치(101)와 외부 전자 장치(예: 전자 장치(102), 전자 장치(104), 또는 서버(108)) 간의 직접(예: 유선) 통신 채널 또는 무선 통신 채널의 수립, 및 수립된 통신 채널을 통한 통신 수행을 지원할 수 있다. 통신 모듈(190)은 프로세서(120)(예: 어플리케이션 프로세서)와 독립적으로 운영되고, 직접(예: 유선) 통신 또는 무선 통신을 지원하는 하나 이상의 커뮤니케이션 프로세서를 포함할 수 있다. 일실시예에 따르면, 통신 모듈(190)은 무선 통신 모듈(192)(예: 셀룰러 통신 모듈, 근거리 무선 통신 모듈, 또는 GNSS(global navigation satellite system) 통신 모듈) 또는 유선 통신 모듈(194)(예: LAN(local area network) 통신 모듈, 또는 전력선 통신 모듈)을 포함할 수 있다. 이들 통신 모듈 중 해당하는 통신 모듈은 제 1 네트워크(198)(예: 블루투스, WiFi(wireless fidelity) direct 또는 IrDA(infrared data association)와 같은 근거리 통신 네트워크) 또는 제 2 네트워크(199)(예: 레거시 셀룰러 네트워크, 5G 네트워크, 차세대 통신 네트워크, 인터넷, 또는 컴퓨터 네트워크(예: LAN 또는 WAN)와 같은 원거리 통신 네트워크)를 통하여 외부의 전자 장치(104)와 통신할 수 있다. 이런 여러 종류의 통신 모듈들은 하나의 구성요소(예: 단일 칩)로 통합되거나, 또는 서로 별도의 복수의 구성요소들(예: 복수 칩들)로 구현될 수 있다. 무선 통신 모듈(192)은 가입자 식별 모듈(196)에 저장된 가입자 정보(예: 국제 모바일 가입자 식별자(IMSI))를 이용하여 제 1 네트워크(198) 또는 제 2 네트워크(199)와 같은 통신 네트워크 내에서 전자 장치(101)를 확인 또는 인증할 수 있다.
무선 통신 모듈(192)은 4G 네트워크 이후의 5G 네트워크 및 차세대 통신 기술, 예를 들어, NR 접속 기술(new radio access technology)을 지원할 수 있다. NR 접속 기술은 고용량 데이터의 고속 전송(eMBB(enhanced mobile broadband)), 단말 전력 최소화와 다수 단말의 접속(mMTC(massive machine type communications)), 또는 고신뢰도와 저지연(URLLC(ultra-reliable and low-latency communications))을 지원할 수 있다. 무선 통신 모듈(192)은, 예를 들어, 높은 데이터 전송률 달성을 위해, 고주파 대역(예: mmWave 대역)을 지원할 수 있다. 무선 통신 모듈(192)은 고주파 대역에서의 성능 확보를 위한 다양한 기술들, 예를 들어, 빔포밍(beamforming), 거대 배열 다중 입출력(massive MIMO(multiple-input and multiple-output)), 전차원 다중입출력(FD-MIMO: full dimensional MIMO), 어레이 안테나(array antenna), 아날로그 빔형성(analog beam-forming), 또는 대규모 안테나(large scale antenna)와 같은 기술들을 지원할 수 있다. 무선 통신 모듈(192)은 전자 장치(101), 외부 전자 장치(예: 전자 장치(104)) 또는 네트워크 시스템(예: 제 2 네트워크(199))에 규정되는 다양한 요구사항을 지원할 수 있다. 일실시예에 따르면, 무선 통신 모듈(192)은 eMBB 실현을 위한 Peak data rate(예: 20Gbps 이상), mMTC 실현을 위한 손실 Coverage(예: 164dB 이하), 또는 URLLC 실현을 위한 U-plane latency(예: 다운링크(DL) 및 업링크(UL) 각각 0.5ms 이하, 또는 라운드 트립 1ms 이하)를 지원할 수 있다.
안테나 모듈(197)은 신호 또는 전력을 외부(예: 외부의 전자 장치)로 송신하거나 외부로부터 수신할 수 있다. 일실시예에 따르면, 안테나 모듈(197)은 서브스트레이트(예: PCB) 위에 형성된 도전체 또는 도전성 패턴으로 이루어진 방사체를 포함하는 안테나를 포함할 수 있다. 일실시예에 따르면, 안테나 모듈(197)은 복수의 안테나들(예: 어레이 안테나)을 포함할 수 있다. 이런 경우, 제 1 네트워크(198) 또는 제 2 네트워크(199)와 같은 통신 네트워크에서 사용되는 통신 방식에 적합한 적어도 하나의 안테나가, 예를 들면, 통신 모듈(190)에 의하여 상기 복수의 안테나들로부터 선택될 수 있다. 신호 또는 전력은 상기 선택된 적어도 하나의 안테나를 통하여 통신 모듈(190)과 외부의 전자 장치 간에 송신되거나 수신될 수 있다. 어떤 실시예에 따르면, 방사체 이외에 다른 부품(예: RFIC(radio frequency integrated circuit))이 추가로 안테나 모듈(197)의 일부로 형성될 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 안테나 모듈(197)은 mmWave 안테나 모듈을 형성할 수 있다. 일실시예에 따르면, mmWave 안테나 모듈은 인쇄 회로 기판, 상기 인쇄 회로 기판의 제 1 면(예: 아래 면)에 또는 그에 인접하여 배치되고 지정된 고주파 대역(예: mmWave 대역)을 지원할 수 있는 RFIC, 및 상기 인쇄 회로 기판의 제 2 면(예: 윗 면 또는 측 면)에 또는 그에 인접하여 배치되고 상기 지정된 고주파 대역의 신호를 송신 또는 수신할 수 있는 복수의 안테나들(예: 어레이 안테나)을 포함할 수 있다.
상기 구성요소들 중 적어도 일부는 주변 기기들간 통신 방식(예: 버스, GPIO(general purpose input and output), SPI(serial peripheral interface), 또는 MIPI(mobile industry processor interface))을 통해 서로 연결되고 신호(예: 명령 또는 데이터)를 상호간에 교환할 수 있다.
일실시예에 따르면, 명령 또는 데이터는 제 2 네트워크(199)에 연결된 서버(108)를 통해서 전자 장치(101)와 외부의 전자 장치(104)간에 송신 또는 수신될 수 있다. 외부의 전자 장치(102, 또는 104) 각각은 전자 장치(101)와 동일한 또는 다른 종류의 장치일 수 있다. 일실시예에 따르면, 전자 장치(101)에서 실행되는 동작들의 전부 또는 일부는 외부의 전자 장치들(102, 104, 또는 108) 중 하나 이상의 외부의 전자 장치들에서 실행될 수 있다. 예를 들면, 전자 장치(101)가 어떤 기능이나 서비스를 자동으로, 또는 사용자 또는 다른 장치로부터의 요청에 반응하여 수행해야 할 경우에, 전자 장치(101)는 기능 또는 서비스를 자체적으로 실행시키는 대신에 또는 추가적으로, 하나 이상의 외부의 전자 장치들에게 그 기능 또는 그 서비스의 적어도 일부를 수행하라고 요청할 수 있다. 상기 요청을 수신한 하나 이상의 외부의 전자 장치들은 요청된 기능 또는 서비스의 적어도 일부, 또는 상기 요청과 관련된 추가 기능 또는 서비스를 실행하고, 그 실행의 결과를 전자 장치(101)로 전달할 수 있다. 전자 장치(101)는 상기 결과를, 그대로 또는 추가적으로 처리하여, 상기 요청에 대한 응답의 적어도 일부로서 제공할 수 있다. 이를 위하여, 예를 들면, 클라우드 컴퓨팅, 분산 컴퓨팅, 모바일 에지 컴퓨팅(MEC: mobile edge computing), 또는 클라이언트-서버 컴퓨팅 기술이 이용될 수 있다. 전자 장치(101)는, 예를 들어, 분산 컴퓨팅 또는 모바일 에지 컴퓨팅을 이용하여 초저지연 서비스를 제공할 수 있다. 다른 실시예에 있어서, 외부의 전자 장치(104)는 IoT(internet of things) 기기를 포함할 수 있다. 서버(108)는 기계 학습 및/또는 신경망을 이용한 지능형 서버일 수 있다. 일실시예에 따르면, 외부의 전자 장치(104) 또는 서버(108)는 제 2 네트워크(199) 내에 포함될 수 있다. 전자 장치(101)는 5G 통신 기술 및 IoT 관련 기술을 기반으로 지능형 서비스(예: 스마트 홈, 스마트 시티, 스마트 카, 또는 헬스 케어)에 적용될 수 있다.
도 1b는 다양한 실시 예에 따른 반도체 부품의 결함 검출을 위한 전자 장치의 블록도이다.
다양한 실시 예에 따라, 도 1b를 참조하면, 전자 장치(101)(예: 도 1a의 전자 장치(101))는 DC 서플라이(1001), RF Power 서플라이(1002) 및 프로세서(120)(예: 도 1a의 프로세서(120))를 포함할 수 있다.
다양한 실시 예에 따라, 전자 장치(101)는 반도체 부품을 이용하여 장치를 생성하기 전에 결함이 있는 반도체 부품을 검출하기 위해, 반도체 부품에 전압, 전류 또는 RF Power 중 적어도 하나를 인가하여 반도체 부품에 결함을 가속화할 수 있다.
다양한 실시 예에 따라, 전자 장치(101)는 반도체 부품의 결함 검출을 위한 구성을 포함할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치(101)는 반도체 부품의 결함 검출을 위한 현미경 또는 X-ray 또는 Electrical Test를 포함할 수 있다. 또 다른 실시 예로, 전자 장치(101)는 반도체 부품에 결함 검출을 위한 전압 또는 전류를 인가한 후, 반도체 부품의 전압 또는 전류를 측정하고, 인가된 전압 또는 전류와 측정된 전압 또는 전류를 기반으로 반도체 부품의 결함을 검출할 수 있다.
다양한 실시 예에 따라, DC 서플라이(1001)는 프로세서(120)의 제어에 의해 반도체 부품에 전류를 인가하기 위한 구성일 수 있다. 예를 들어, DC 서플라이(1001)는 반도체 부품의 전류단에 전류를 인가하기 위한 구성일 수 있다. 또 다른 실시 예로, DC 서플라이(1001)는 반도체 부품이 전류원인 경우 반도체 부품에 전류를 인가하기 위한 구성일 수 있다.
다양한 실시 예에 따라, 프로세서(120)는 전압 변화에 민감한 반도체 부품(예: 다이오드(diode) 또는 LED 부품)에 전류를 인가하도록 DC 서플라이(1001)를 제어할 수 있다.
다양한 실시 예에 따라, 전자 장치(101)는 디지털 전류 측정기(digital current meter)를 포함할 수 있으며, 프로세서(120)는 동작 가능한 최대 전류 및 AMR(Absolute Maximum rating) 전류 사이의 레벨의 전류를 측정하도록 디지털 전류 측정기를 제어하고, 측정된 레벨의 전류를 반도체 부품에 인가하도록 DC 서플라이(1001)를 제어할 수 있다. 다양한 실시 예에 따라, 동작 가능한 최대 전류 및 AMR 전류 사이의 레벨을 반도체 부품에 인가하여 경시성 결함을 검출하는 방법은 HCS(High Current Stress) 테스팅 기법이라 지칭할 수 있다.
다양한 실시 예에 따라, RF Power 서플라이(1002)는 프로세서(120)의 제어에 의해 반도체 부품에 전류를 인가하기 위한 구성일 수 있다. 예를 들어, DC 서플라이(1001) RF Power 서플라이(1002)는 반도체 부품의 RF Power path 단에 RF Power를 인가하기 위한 구성일 수 있다.
다양한 실시 예에 따라, RF Power 서플라이(1002)는 회로망 해석기(network analyzer)로 지칭되거나, 회로망 해석기에 포함될 수 있으며, 반도체 부품의 RF in 단자 또는 RF out 단자에 연결되어 RF Power를 반도체 부품에 인가할 수 있다.
다양한 실시 예에 따라, 프로세서(120)는 동작 가능한 최대 RF Power 및 AMR(Absolute Maximum rating) RF Power 사이의 레벨의 RF Power를 반도체 부품에 인가하도록 RF Power 서플라이(1002)를 제어할 수 있다. 다양한 실시 예에 따라, 동작 가능한 최대 RF Power 및 AMR RF Power 사이의 레벨을 반도체 부품에 인가하여 경시성 결함을 검출하는 방법은 HPS(High Power Stress) 테스팅 기법이라 지칭할 수 있다.
다양한 실시 예에 따라, 전자 장치(101)는 Power 서플라이(미도시)를 더 포함할 수 있다. 다양한 실시 예에 따라, Power 서플라이는 프로세서(120)의 제어에 의해 반도체 부품에 전압을 인가하기 위한 구성일 수 있다. 예를 들어, Power 서플라이는 반도체 부품의 전압단에 전류를 인가하기 위한 구성일 수 있다. 또 다른 실시 예로, Power 서플라이는 반도체 부품이 전압원인 경우 반도체 부품에 전압을 인가하기 위한 구성일 수 있다.
다양한 실시 예에 따라, 프로세서(120)는 동작 가능한 최대 전압 및 AMR(Absolute Maximum rating) 전압 사이의 레벨의 전압을 반도체 부품에 인가하도록 Power 서플라이를 제어할 수 있다.
도 2는 다양한 실시 예에 따른 전자 장치의 반도체 부품의 결함 검출을 위한 동작을 설명하기 위한 도면이다.
다양한 실시 예에 따라, 도 2를 참조하면, 전자 장치(예: 도 1a의 전자 장치(101), 도 1b의 전자 장치(101) 또는 도 1b의 프로세서(120))는, 210 동작에서, 반도체 부품이 동작 가능한 최대 전류 및 AMR(Absolute Maximum rating) 전류 사이의 전류 레벨 또는 반도체 부품이 동작 가능한 최대 RF Power 및 AMR RF Power 사이의 RF Power의 전류 레벨을 결정할 수 있다.
예를 들어, 전자 장치는 사용자가 미리 설정한 알고리즘을 기반으로 반도체 부품에 인가될 전류 레벨 또는 반도체 부품에 인가될 RF Power 레벨을 결정할 수 있다.
다양한 실시 예에 따라, 전자 장치는, 반도체 부품에 전류를 인가하는 경우, Vrwm(reverse standoff voltage) 및 Ppp(peak pulse power dissipation)를 기반으로 Ipp(peak pulse current)보다 낮게 전류 레벨을 결정할 수 있다. 다양한 실시 예에 따른, 전류 레벨 결정 동작에 대해서는 이하 도 5를 참조하여 설명하기로 한다.
다양한 실시 예에 따라, 220 동작에서, 전자 장치는 결정된 전류를 반도체 부품에 인가하도록 DC 서플라이(예: 도 1b의 DC 서플라이(2001))를 제어하거나, 결정된 RF Power를 반도체 부품에 인가하도록 RF Power 서플라이(예: 도 1b의 RF Power 서플라이(2002))를 제어할 수 있다.
예를 들어, 전자 장치는 전류 레벨이 결정되면, 결정된 전류 레벨의 전류를 반도체 부품에 인가하도록 DC 서플라이를 제어하거나, RF Power 레벨이 결정되면, 결정된 RF Power 레벨의 RF Power를 반도체 부품에 인가하도록 RF Power 서플라이를 제어할 수 있다.
다양한 실시 예에 따라, 반도체 부품이 전류원이면, 전자 장치는 결정된 전류 레벨의 전류를 전류원에 인가하도록 DC 서플라이를 제어할 수 있다.
다양한 실시 예에 따라, 반도체 부품이 다이오드(또는 LED)이면, 전자 장치는 결정된 전류 레벨의 전류를 다이오드에 인가하도록 DC 서플라이를 제어할 수 있다.
다양한 실시 예에 따라, 반도체 부품이 RF Power Path단을 포함하면, 전자 장치는 결정된 RF Power 레벨의 RF Power를 RF Power Path 단에 인가하도록 RF Power 서플라이를 제어할 수 있다.
다양한 실시 예에 따라, 전자 장치는 RF Power Path 단에 포함된 트랜지스터의 턴온(turn on)시간보다 긴 시간 동안 결정된 RF Power 레벨의 RF Power를 RF Power Path단에 인가하도록 상기 RF Power 서플라이를 제어할 수 있다.
다양한 실시 예에 따라, 전자 장치는 RF Power Path 단을 포함하는 반도체 부품이 동작 중일 때, 결정된 RF Power 레벨의 RF Power를 RF Power Path단에 인가하도록 RF Power 서플라이를 제어할 수 있다.
다양한 실시 예에 따라, 반도체 부품이 전압원을 포함하면, 전자 장치는 반도체 부품이 동작 가능한 최대 전압 및 AMR 전압 사이의 전압 레벨을 결정하고, 결정된 전압 레벨의 전압을 전압원에 인가하도록 Power 서플라이를 제어할 수 있다.
다양한 실시 예에 따라, 전자 장치는 결정된 전류 레벨의 전류 또는 결정된 RF Power 레벨의 RF Power를 반도체 부품에 인가한 후 반도체 부품의 결함을 검출할 수 있다. 다양한 실시 예에 따라, 반도체 부품이 전압원인 경우, 전자 장치는 결정된 전압 레벨의 전압을 인가한 후 반도체 부품의 결함을 검출할 수 있다.
예를 들어, 전자 장치는 반도체 부품의 결함 검출을 위한 전자 장치의 구성인 현미경 또는 X-ray, Electrical Test를 이용하여 반도체 부품의 결함을 검출할 수 있다. 또 다른 실시 예로, 전자 장치는 반도체 부품에 결함 검출을 위한 전압 또는 전류를 인가한 후, 반도체 부품의 전압 또는 전류를 측정하고, 인가된 전압 또는 전류와 측정된 전압 또는 전류를 기반으로 반도체 부품의 결함을 검출할 수 있다.
다양한 실시 예에 따라, 반도체 부품의 종류에 기반하여 사용자가 미리 설정한 알고리즘을 기반으로 전류 레벨, RF Power 레벨 또는 전압 레벨이 결정될 수 있다.다양한 실시 예에 따라, 전자 장치는 결정된 반도체 부품의 종류에 기반하여 전류 레벨, 전압 레벨 또는 RF Power 레벨을 결정할 수 있다.
도 3은 다양한 실시 예에 따라 반도체 부품의 결함 검출을 위해 인가되는 전압, 전류, 전력의 범위를 설명하기 위한 도면이다.
다양한 실시 예에 따라, 도 3을 참조하면, 기존 경시성 불량의 검출을 위한 목적으로 사용된 HVS(High Voltage Stress) 방식은 단말 내 사용 전압 이상으로, 전압의 범위가 광범위하게 설정되어 있으며, 전원단에만 한정적으로 적용이 가능하였다.
다양한 실시 예에 따라, 전자 장치(예: 도 1a의 전자 장치 또는 도 1a의 프로세서(120))는 반도체 부품이 동작 가능한 최대 전압, 전류 또는 전력(예: RF Power) 이상이면서 AMR(absolute maximum ratings) 전압, 전류 또는 전력 사이의 전압, 전류 또는 전력을 반도체 부품에 인가할 수 있다.
예를 들어, AMR 전압, 전류 또는 전력은, 이를 초과하는 것이 허용되지 않는 최대 정격 값으로, 이를 초과하는 경우 반도체 부품에 손상이 발생할 우려가 있는 전압, 전류 또는 전력을 의미할 수 있다.
다양한 실시 예에 따라, 전자 장치는 반도체 부품의 사용에 따라 반도체 부품에 인가되는 지속적인 스트레스를 반도체 부품의 사용 전 구현하기 위해 반도체 부품이 동작 가능한 최대 전압, 전류 또는 전력을 반도체 부품에 인가할 수 있다.
다양한 실시 예에 따라, 전자 장치는 정상적인 반도체 부품에서 결함을 가속화할 수 있는 AMR 전압, 전류 또는 전력 보다는 낮은 전압, 전류 또는 전력을 반도체 부품에 인가할 수 있다.
도 4는 다양한 실시 예에 따른 전류 또는 RF Power의 변화를 설명하기 위한 도면이다.
다양한 실시 예에 따라, 도 4를 참조하면, 전자 장치(예: 도 1a의 전자 장치(101) 또는 도 1a의 프로세서(120)) 최대 동작 전류 또는 최대 동작 RF Power 보다는 크고 AMR 전류 또는 AMR RF Power보다는 낮은 전류 또는 RF Power(410)를 반도체 부품에 인가할 수 있다.
다양한 실시 예에 따라, Typical 전류 또는 Typical RF Power는 최저 동작 전류 또는 RF Power와 최대 동작 전류 또는 RF Power 사이의 값을 의미할 수 있다.
다양한 실시 예에 따라, 전자 장치는 반도체 부품에 RF Power를 인가하는 HPS 방식을 사용하는 경우, 반도체 부품이 동작 상태(예: 전원이 인가된 상태)에서 RF Power를 RF Power Path 단에 인가할 수 있다.
다양한 실시 예에 따라, 전자 장치는 반도체 부품에 RF Power를 인가하는 HPS 방식을 사용하는 경우, RF Power Path 단에 포함된 트랜지스터의 턴온(turn on) 시간보다 긴 시간을 인가할 수 있다.
도 5는 다양한 실시 예에 따라 다이오드인 반도체 부품에 인가되는 전류의 레벨을 설명하기 위한 도면이다.
다양한 실시 예에 따라, 도 5를 참조하면, 반도체 부품이 다이오드 또는 LED와 같이 전압 레벨의 변화에 매우 민감한 부품인 경우, 항복 영역(510)인 Vbr(Break down Voltage)보다 높은 전압 구간에서는 작은 전압의 변화에도 전류의 상승폭이 매우 크기 때문에 HVS 방식을 사용할 경우 반도체 부품에 손상을 가할 가능성이 매우 높다.
다양한 실시 예에 따라, 전자 장치(예: 도 1a의 전자 장치(101) 또는 도 1a의 프로세서(120))는 전압을 고정한 상태에서 전류를 인가하는 HCS 방식을 이용하여 반도체 부품의 결함을 검출할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치는 Vrwm(reverse standoff voltage) 및 Ppp(peak pulse power dissipation)를 기반으로 Ipp(peak pulse current)보다 낮게 전류 레벨(520)을 결정할 수 있다.
다양한 실시 예에 따라, 전자 장치는 반도체 부품인 다이오드의 순방향 특성 또는 역방향 특성에 맞게 캐소드(cathode) 포트 또는 애노드(anode) 포트에 전류를 인가할 수 있다.
도 6은 다양한 실시 예에 따라 HVS 방식이 사용되는 반도체 부품을 설명하기 위한 도면이다.
다양한 실시 예에 따라, 도 6을 참조하면, 전자 장치(예: 도 1a의 전자 장치(101) 또는 도 1a의 프로세서(120))는 반도체 부품에 포함된 적어도 하나의 전원단(610)에 전압을 인가하여 반도체 부품의 경시성 결함을 가속화할 수 있다.
예를 들어, 전자 장치는 반도체 부품이 동작 가능한 최대 전압 및 AMR(Absolute Maximum Rating) 전압 사이의 전압 레벨의 전압을 적어도 하나의 전원단(610)에 인가할 수 있다.
다양한 실시 예에 따라, 전압 인가를 통한 반도체 부품의 경시성 결함은 전원단에 한정되며, 반도체 부품이 전류원으로 동작하거나, 전압 변화에 민감한 다이오드(또는 LED)인 경우 또는 RF Power Path 단에는 전압 인가를 통해 반도체 부품의 경시성 결함을 가속화할 수 없으므로, 전자 장치는 도 7 내지 도 9에 도시된 바와 같이 전압 대신 전류 또는 RF Power를 인가하여 반도체 부품의 경시성 결함을 가속화할 수 있다.
도 7은 다양한 실시 예에 따라 HPS 방식이 사용되는 반도체 부품을 설명하기 위한 도면이다. 예를 들어, 도 7의 반도체 부품은 RF 부품인 PA(power amplifier)일 수 있다.
다양한 실시 예에 따라. 도 7을 참조하면, 전자 장치(예: 도 1a의 전자 장치(101) 또는 도 1a의 프로세서(120))는 반도체 부품에 포함된 RF Power Path(710, 720, 730, 740)에 RF Power를 인가할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치는 반도체 부품의 TX In1(710), Tx In2(720), Rx In(730) 및 안테나(ANT)(740) 단에 반도체 부품이 동작 가능한 최대 RF Power 보다 높고 AMR(Absolute Maximum Rating) RF Power 보다 낮은 레벨의 RF Power를 인가할 수 있다.
다양한 실시 예에 따라, 전자 장치는 반도체 부품이 동작 상태일 때, 반도체 부품에 포함된 RF Power Path단(710, 720, 730, 740)에 RF Power를 인가할 수 있다.
이로 인해, 본 개시의 전자 장치는 반도체 부품의 경시성 결함 검출 동작을 RF Power Path단까지 확장하여 적용 가능하며 경시성 결함에 대한 검출력이 향상될 수 있다.
도 8은 다양한 실시 예에 따라 HPS 방식이 사용되는 반도체 부품을 설명하기 위한 도면이다. 예를 들어, 도 8의 반도체 부품은 RF 부품인 RF 프론트엔드일 수 있다.
다양한 실시 예에 따라. 도 8을 참조하면, 전자 장치(예: 도 1a의 전자 장치(101) 또는 도 1a의 프로세서(120))는 반도체 부품에 포함된 RF Power Path(810, 820, 830)에 RF Power를 인가할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치는 반도체 부품의 Rx(810), Tx(820) 및 안테나(ANT)(830) 단에 반도체 부품이 동작 가능한 최대 RF Power 보다 높고 AMR(Absolute Maximum Rating) RF Power 보다 낮은 레벨의 RF Power를 인가할 수 있다.
다양한 실시 예에 따라, 전자 장치는 반도체 부품이 동작 상태일 때, 반도체 부품에 포함된 RF Power Path단(810, 820, 830)에 RF Power를 인가할 수 있다.
이로 인해, 본 개시의 전자 장치는 반도체 부품의 경시성 결함 검출 동작을 RF Power Path단까지 확장하여 적용 가능하며 경시성 결함에 대한 검출력이 향상될 수 있다.
도 9는 다양한 실시 예에 따라 HPS 방식이 사용되는 반도체 부품을 설명하기 위한 도면이다. 예를 들어, 도 9의 반도체 부품은 RF 부품인 WIFI 칩일 수 있다.
다양한 실시 예에 따라. 도 9를 참조하면, 전자 장치(예: 도 1a의 전자 장치(101) 또는 도 1a의 프로세서(120))는 반도체 부품에 포함된 RF Power Path(910, 920)에 RF Power를 인가할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치는 반도체 부품의 제1 안테나 단(910) 및 제2 안테나 단(920)에 반도체 부품이 동작 가능한 최대 RF Power 보다 높고 AMR(Absolute Maximum Rating) RF Power 보다 낮은 레벨의 RF Power를 인가할 수 있다.
다양한 실시 예에 따라, 전자 장치는 반도체 부품이 동작 상태일 때, 반도체 부품에 포함된 RF Power Path단(910, 920)에 RF Power를 인가할 수 있다.
이로 인해, 본 개시의 전자 장치는 반도체 부품의 경시성 결함 검출 동작을 RF Power Path단까지 확장하여 적용 가능하며 경시성 결함에 대한 검출력이 향상될 수 있다.
도 10은 다양한 실시 예에 따른 HCS 방식이 사용되는 반도체 부품의 결함 검출 과정을 설명하기 위한 도면이다.
다양한 실시 예에 따라, 도 10을 참조하면, 전자 장치(예: 도 1a의 전자 장치(101) 또는 도 1a의 프로세서(120))는 반도체 부품에 오픈/쇼트 테스트(Open/Short test), 제1 누설 전류 테스트(1st leakage test(typical condition)), 소비 전력 테스트(consumption current(typical condition))를 수행한 후 HCS(high current stress) 방식(1010)을 적용할 수 있다.
예를 들어, 전자 장치는 반도체 부품이 전류원이거나, 다이오드인 경우, 동작 가능한 최대 전류 및 AMR(Absolute Maximum Rating) 전류 사이의 전류 레벨의 전류를 반도체 부품에 인가하여 경시성 결함을 가속화할 수 있다.
다양한 실시 에에 따라, 전자 장치는 기능 테스트(function(characteristic) test), 제2 누설 전류 테스트 (2nd leakage test(typical condition)), 소비 전력 테스트(consumption current(typical condition))를 수행한 후, 누설 전류 및 소비 전류의 델타 값을 획득할 수 있다.
도 11은 다양한 실시 예에 따른 HPS 방식이 사용되는 반도체 부품의 결함 검출 과정을 설명하기 위한 도면이다.
다양한 실시 예에 따라, 도 11을 참조하면, 전자 장치(예: 도 1a의 전자 장치(101) 또는 도 1a의 프로세서(120))는 반도체 부품에 오픈/쇼트 테스트(Open/Short test), 제1 누설 전류 테스트(1st leakage test(typical condition)), 소비 전력 테스트(consumption current(typical condition))를 수행한 후 HVS(high voltage stress) 또는 HCS(high current stress) 방식(1110)을 적용할 수 있다.
예를 들어, 전자 장치는 반도체 부품이 RF 신호를 사용하는 RF 부품인 경우, 반도체 부품의 전원단 또는 전류단에 동작 가능한 최대 전압 또는 전류와 AMR(Absolute Maximum Rating) 전압 또는 전류 사이의 레벨의 전압 또는 전류를 인가하여 경시성 결함을 가속화할 수 있다. 다양한 실시 예에 따라 반도체 부품이 RF 부품인 경우 HVS 또는 HCS 방식의 동작은 필수적이지는 않으며, 생략될 수도 있다.
다양한 실시 예에 따라, 전자 장치는 반도체 부품의 RF Power Path 단에 동작 가능한 최대 RF Power 와 AMR(Absolute Maximum Rating) RF Power 사이의 레벨의 RF Power를 인가하는 HPS(high power stress) 방식(1120)의 경시성 결함을 가속화할 수 있다.
다양한 실시 에에 따라, 전자 장치는 기능 테스트(function(characteristic) test), 제2 누설 전류 테스트 (2nd leakage test(typical condition)), 소비 전력 테스트(consumption current(typical condition))를 수행한 후, 누설 전류 및 소비 전류의 델타 값을 획득할 수 있다.
다양한 실시 예에 따르면, 전자 장치(예: 도 1a의 전자 장치(101) 또는 도 1b의 전자 장치(101))는, DC 서플라이(예: 도 1b의 DC 서플라이(1001), RF Power 서플라이(예: 도 1b의 RF Power 서플라이) 및 상기 DC 서플라이 및 상기 RF Power 서플라이와 작동적으로 연결된 적어도 하나의 프로세서(예: 도 1a의 프로세서(120) 또는 도 1b의 프로세서(120))를 포함하고, 상기 적어도 하나의 프로세서는, 반도체 부품이 동작 가능한 최대 전류 및 AMR(Absolute Maximum Rating) 전류 사이의 전류 레벨 또는 상기 반도체 부품이 동작 가능한 최대 RF Power 및 AMR(Absolute Maximum Rating) RF Power 사이의 RF Power 레벨을 결정하고, 상기 전류 레벨이 결정되면, 상기 결정된 전류 레벨의 전류를 상기 반도체 부품에 인가하도록 상기 DC 서플라이를 제어하거나, 상기 RF Power 레벨이 결정되면, 상기 결정된 RF Power 레벨의 RF Power를 상기 반도체 부품에 인가하도록 상기 RF Power 서플라이를 제어할 수 있다.
다양한 실시 예에 따르면, 상기 반도체 부품은 전류원을 포함하고, 상기 적어도 하나의 프로세서는, 상기 결정된 전류 레벨의 전류를 상기 전류원에 인가하도록 상기 DC 서플라이를 제어할 수 있다.
다양한 실시 예에 따르면, 상기 반도체 부품은 다이오드를 포함하고, 상기 적어도 하나의 프로세서는, 상기 결정된 전류 레벨의 전류를 상기 다이오드에 인가하도록 상기 DC 서플라이를 제어할 수 있다.
다양한 실시 예에 따르면, 상기 적어도 하나의 프로세서는, Vrwm(reverse standoff voltage) 및 Ppp(peak pulse power dissipation)를 기반으로 Ipp(peak pulse current)보다 낮게 상기 전류 레벨을 결정할 수 있다.
다양한 실시 예에 따르면, 상기 반도체 부품은 RF Power Path단을 포함하고, 상기 적어도 하나의 프로세서는, 상기 결정된 RF Power 레벨의 RF Power를 상기 RF Power Path단에 인가하도록 상기 RF Power 서플라이를 제어할 수 있다.
다양한 실시 예에 따르면, 상기 적어도 하나의 프로세서는, 상기 RF Power Path 단에 포함된 트랜지스터의 턴온 시간보다 긴 시간 동안 상기 결정된 RF Power 레벨의 RF Power를 상기 RF Power Path단에 인가하도록 상기 RF Power 서플라이를 제어할 수 있다.
다양한 실시 예에 따르면, 상기 적어도 하나의 프로세서는, 상기 반도체 부품이 동작 중일 때, 상기 결정된 RF Power 레벨의 RF Power를 상기 RF Power Path단에 인가하도록 상기 RF Power 서플라이를 제어할 수 있다.
다양한 실시 예에 따르면, Power 서플라이를 더 포함하고, 상기 반도체 부품은 전압원을 포함하고, 상기 적어도 하나의 프로세서는, 상기 반도체 부품이 동작 가능한 최대 전압 및 AMR 전압 사이의 전압 레벨을 결정하고, 상기 결정된 전압 레벨의 전압을 상기 전압원에 인가하도록 상기 Power 서플라이를 제어할 수 있다.
다양한 실시 예에 따르면, 상기 적어도 하나의 프로세서는, 상기 결정된 전류 레벨의 전류 또는 상기 결정된 RF Power 레벨의 RF Power를 상기 반도체 부품에 인가한 후 상기 반도체 부품의 결함을 검출할 수 있다.
다양한 실시 예에 따르면, 전자 장치의 제어 방법은, 반도체 부품이 동작 가능한 최대 전류 및 AMR(Absolute Maximum Rating) 전류 사이의 전류 레벨을 결정하는 동작 또는 상기 반도체 부품이 동작 가능한 최대 RF Power 및 AMR(Absolute Maximum Rating) RF Power 사이의 RF Power 레벨을 결정하는 동작 및 상기 전류 레벨이 결정되면, 상기 결정된 전류 레벨의 전류를 상기 반도체 부품에 인가하도록 DC 서플라이를 제어하는 동작 또는 상기 RF Power 레벨이 결정되면, 상기 결정된 RF Power 레벨의 RF Power를 상기 반도체 부품에 인가하도록 RF Power 서플라이를 제어하는 동작을 포함할 수 있다.
다양한 실시 예에 따르면, 상기 반도체 부품은 전류원을 포함하고, 상기 DC 서플라이를 제어하는 동작은, 상기 결정된 전류 레벨의 전류를 상기 전류원에 인가하도록 상기 DC 서플라이를 제어할 수 있다.
다양한 실시 예에 따르면, 상기 반도체 부품은 다이오드를 포함하고, 상기 DC 서플라이를 제어하는 동작은, 상기 결정된 전류 레벨의 전류를 상기 다이오드에 인가하도록 상기 DC 서플라이를 제어할 수 있다.
다양한 실시 예에 따르면, 상기 전류 레벨을 결정하는 동작은, Vrwm(reverse standoff voltage) 및 Ppp(peak pulse power dissipation)를 기반으로 Ipp(peak pulse current)보다 낮게 상기 전류 레벨을 결정할 수 있다.
다양한 실시 예에 따르면, 상기 반도체 부품은 RF Power Path단을 포함하고, 상기 RF Power 서플라이를 제어하는 동작은, 상기 결정된 RF Power 레벨의 RF Power를 상기 RF Power Path단에 인가하도록 상기 RF Power 서플라이를 제어할 수 있다.
다양한 실시 예에 따르면, 상기 RF Power 서플라이를 제어하는 동작은, 상기 RF Power Path 단에 포함된 트랜지스터의 턴온 시간보다 긴 시간 동안 상기 결정된 RF Power 레벨의 RF Power를 상기 RF Power Path단에 인가하도록 상기 RF Power 서플라이를 제어할 수 있다.
다양한 실시 예에 따르면, 상기 RF Power 서플라이를 제어하는 동작은, 상기 반도체 부품이 동작 중일 때, 상기 결정된 RF Power 레벨의 RF Power를 상기 RF Power Path단에 인가하도록 상기 RF Power 서플라이를 제어할 수 있다.
다양한 실시 예에 따르면, 상기 반도체 부품은 전압원을 포함하고, 상기 반도체 부품이 동작 가능한 최대 전압 및 AMR 전압 사이의 전압 레벨을 결정하는 동작 및 상기 결정된 전압 레벨의 전압을 상기 전압원에 인가하도록 상기 Power 서플라이를 제어하는 동작을 더 포함할 수 있다.
다양한 실시 예에 따르면, 상기 결정된 전류 레벨의 전류 또는 상기 결정된 RF Power 레벨의 RF Power를 상기 반도체 부품에 인가한 후 상기 반도체 부품의 결함을 검출하는 동작을 더 포함할 수 있다.
본 문서에 개시된 다양한 실시예들에 따른 전자 장치는 다양한 형태의 장치가 될 수 있다. 전자 장치는, 예를 들면, 휴대용 통신 장치(예: 스마트폰), 컴퓨터 장치, 휴대용 멀티미디어 장치, 휴대용 의료 기기, 카메라, 웨어러블 장치, 또는 가전 장치를 포함할 수 있다. 본 문서의 실시예에 따른 전자 장치는 전술한 기기들에 한정되지 않는다.
본 문서의 다양한 실시예들 및 이에 사용된 용어들은 본 문서에 기재된 기술적 특징들을 특정한 실시예들로 한정하려는 것이 아니며, 해당 실시예의 다양한 변경, 균등물, 또는 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 도면의 설명과 관련하여, 유사한 또는 관련된 구성요소에 대해서는 유사한 참조 부호가 사용될 수 있다. 아이템에 대응하는 명사의 단수 형은 관련된 문맥상 명백하게 다르게 지시하지 않는 한, 상기 아이템 한 개 또는 복수 개를 포함할 수 있다. 본 문서에서, "A 또는 B", "A 및 B 중 적어도 하나", "A 또는 B 중 적어도 하나", "A, B 또는 C", "A, B 및 C 중 적어도 하나", 및 "A, B, 또는 C 중 적어도 하나"와 같은 문구들 각각은 그 문구들 중 해당하는 문구에 함께 나열된 항목들 중 어느 하나, 또는 그들의 모든 가능한 조합을 포함할 수 있다. "제 1", "제 2", 또는 "첫째" 또는 "둘째"와 같은 용어들은 단순히 해당 구성요소를 다른 해당 구성요소와 구분하기 위해 사용될 수 있으며, 해당 구성요소들을 다른 측면(예: 중요성 또는 순서)에서 한정하지 않는다. 어떤(예: 제 1) 구성요소가 다른(예: 제 2) 구성요소에, "기능적으로" 또는 "통신적으로"라는 용어와 함께 또는 이런 용어 없이, "커플드" 또는 "커넥티드"라고 언급된 경우, 그것은 상기 어떤 구성요소가 상기 다른 구성요소에 직접적으로(예: 유선으로), 무선으로, 또는 제 3 구성요소를 통하여 연결될 수 있다는 것을 의미한다.
본 문서의 다양한 실시예들에서 사용된 용어 "모듈"은 하드웨어, 소프트웨어 또는 펌웨어로 구현된 유닛을 포함할 수 있으며, 예를 들면, 로직, 논리 블록, 부품, 또는 회로와 같은 용어와 상호 호환적으로 사용될 수 있다. 모듈은, 일체로 구성된 부품 또는 하나 또는 그 이상의 기능을 수행하는, 상기 부품의 최소 단위 또는 그 일부가 될 수 있다. 예를 들면, 일실시예에 따르면, 모듈은 ASIC(application-specific integrated circuit)의 형태로 구현될 수 있다.
본 문서의 다양한 실시예들은 기기(machine)(예: 전자 장치(101)) 의해 읽을 수 있는 저장 매체(storage medium)(예: 내장 메모리(136) 또는 외장 메모리(138))에 저장된 하나 이상의 명령어들을 포함하는 소프트웨어(예: 프로그램(140))로서 구현될 수 있다. 예를 들면, 기기(예: 전자 장치(101))의 프로세서(예: 프로세서(120))는, 저장 매체로부터 저장된 하나 이상의 명령어들 중 적어도 하나의 명령을 호출하고, 그것을 실행할 수 있다. 이것은 기기가 상기 호출된 적어도 하나의 명령어에 따라 적어도 하나의 기능을 수행하도록 운영되는 것을 가능하게 한다. 상기 하나 이상의 명령어들은 컴파일러에 의해 생성된 코드 또는 인터프리터에 의해 실행될 수 있는 코드를 포함할 수 있다. 기기로 읽을 수 있는 저장 매체는, 비일시적(non-transitory) 저장 매체의 형태로 제공될 수 있다. 여기서, ‘비일시적’은 저장 매체가 실재(tangible)하는 장치이고, 신호(signal)(예: 전자기파)를 포함하지 않는다는 것을 의미할 뿐이며, 이 용어는 데이터가 저장 매체에 반영구적으로 저장되는 경우와 임시적으로 저장되는 경우를 구분하지 않는다.
일실시예에 따르면, 본 문서에 개시된 다양한 실시예들에 따른 방법은 컴퓨터 프로그램 제품(computer program product)에 포함되어 제공될 수 있다. 컴퓨터 프로그램 제품은 상품으로서 판매자 및 구매자 간에 거래될 수 있다. 컴퓨터 프로그램 제품은 기기로 읽을 수 있는 저장 매체(예: compact disc read only memory(CD-ROM))의 형태로 배포되거나, 또는 어플리케이션 스토어(예: 플레이 스토어TM)를 통해 또는 두 개의 사용자 장치들(예: 스마트 폰들) 간에 직접, 온라인으로 배포(예: 다운로드 또는 업로드)될 수 있다. 온라인 배포의 경우에, 컴퓨터 프로그램 제품의 적어도 일부는 제조사의 서버, 어플리케이션 스토어의 서버, 또는 중계 서버의 메모리와 같은 기기로 읽을 수 있는 저장 매체에 적어도 일시 저장되거나, 임시적으로 생성될 수 있다.
다양한 실시예들에 따르면, 상기 기술한 구성요소들의 각각의 구성요소(예: 모듈 또는 프로그램)는 단수 또는 복수의 개체를 포함할 수 있으며, 복수의 개체 중 일부는 다른 구성요소에 분리 배치될 수도 있다. 다양한 실시예들에 따르면, 전술한 해당 구성요소들 중 하나 이상의 구성요소들 또는 동작들이 생략되거나, 또는 하나 이상의 다른 구성요소들 또는 동작들이 추가될 수 있다. 대체적으로 또는 추가적으로, 복수의 구성요소들(예: 모듈 또는 프로그램)은 하나의 구성요소로 통합될 수 있다. 이런 경우, 통합된 구성요소는 상기 복수의 구성요소들 각각의 구성요소의 하나 이상의 기능들을 상기 통합 이전에 상기 복수의 구성요소들 중 해당 구성요소에 의해 수행되는 것과 동일 또는 유사하게 수행할 수 있다. 다양한 실시예들에 따르면, 모듈, 프로그램 또는 다른 구성요소에 의해 수행되는 동작들은 순차적으로, 병렬적으로, 반복적으로, 또는 휴리스틱하게 실행되거나, 상기 동작들 중 하나 이상이 다른 순서로 실행되거나, 생략되거나, 또는 하나 이상의 다른 동작들이 추가될 수 있다.

Claims (18)

  1. 전자 장치에 있어서,
    DC 서플라이;
    RF Power 서플라이; 및
    상기 DC 서플라이 및 상기 RF Power 서플라이와 작동적으로 연결된 적어도 하나의 프로세서;를 포함하고,
    상기 적어도 하나의 프로세서는,
    반도체 부품이 동작 가능한 최대 전류 및 AMR(Absolute Maximum Rating) 전류 사이의 전류 레벨 또는 상기 반도체 부품이 동작 가능한 최대 RF Power 및 AMR(Absolute Maximum Rating) RF Power 사이의 RF Power 레벨을 결정하고,
    상기 전류 레벨이 결정되면, 상기 결정된 전류 레벨의 전류를 상기 반도체 부품에 인가하도록 상기 DC 서플라이를 제어하거나, 상기 RF Power 레벨이 결정되면, 상기 결정된 RF Power 레벨의 RF Power를 상기 반도체 부품에 인가하도록 상기 RF Power 서플라이를 제어하도록 설정된 전자 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 반도체 부품은 전류원을 포함하고,
    상기 적어도 하나의 프로세서는,
    상기 결정된 전류 레벨의 전류를 상기 전류원에 인가하도록 상기 DC 서플라이를 제어하는 전자 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 반도체 부품은 다이오드를 포함하고,
    상기 적어도 하나의 프로세서는,
    상기 결정된 전류 레벨의 전류를 상기 다이오드에 인가하도록 상기 DC 서플라이를 제어하는 전자 장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 프로세서는,
    Vrwm(reverse standoff voltage) 및 Ppp(peak pulse power dissipation)를 기반으로 Ipp(peak pulse current)보다 낮게 상기 전류 레벨을 결정하는 전자 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 반도체 부품은 RF Power Path단을 포함하고,
    상기 적어도 하나의 프로세서는,
    상기 결정된 RF Power 레벨의 RF Power를 상기 RF Power Path단에 인가하도록 상기 RF Power 서플라이를 제어하는 전자 장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 프로세서는,
    상기 RF Power Path 단에 포함된 트랜지스터의 턴온 시간보다 긴 시간 동안 상기 결정된 RF Power 레벨의 RF Power를 상기 RF Power Path단에 인가하도록 상기 RF Power 서플라이를 제어하는 전자 장치.
  7. 제5항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 프로세서는,
    상기 반도체 부품이 동작 중일 때, 상기 결정된 RF Power 레벨의 RF Power를 상기 RF Power Path단에 인가하도록 상기 RF Power 서플라이를 제어하는 전자 장치.
  8. 제1항에 있어서,
    Power 서플라이;를 더 포함하고,
    상기 반도체 부품은 전압원을 포함하고,
    상기 적어도 하나의 프로세서는,
    상기 반도체 부품이 동작 가능한 최대 전압 및 AMR 전압 사이의 전압 레벨을 결정하고,
    상기 결정된 전압 레벨의 전압을 상기 전압원에 인가하도록 상기 Power 서플라이를 제어하는 전자 장치.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 프로세서는,
    상기 결정된 전류 레벨의 전류 또는 상기 결정된 RF Power 레벨의 RF Power를 상기 반도체 부품에 인가한 후 상기 반도체 부품의 결함을 검출하는 전자 장치.
  10. 전자 장치의 제어 방법에 있어서,
    반도체 부품이 동작 가능한 최대 전류 및 AMR(Absolute Maximum Rating) 전류 사이의 전류 레벨을 결정하는 동작 또는 상기 반도체 부품이 동작 가능한 최대 RF Power 및 AMR(Absolute Maximum Rating) RF Power 사이의 RF Power 레벨을 결정하는 동작; 및
    상기 전류 레벨이 결정되면, 상기 결정된 전류 레벨의 전류를 상기 반도체 부품에 인가하도록 DC 서플라이를 제어하는 동작 또는 상기 RF Power 레벨이 결정되면, 상기 결정된 RF Power 레벨의 RF Power를 상기 반도체 부품에 인가하도록 RF Power 서플라이를 제어하는 동작;을 포함하는 전자 장치의 제어 방법.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 반도체 부품은 전류원을 포함하고,
    상기 DC 서플라이를 제어하는 동작은,
    상기 결정된 전류 레벨의 전류를 상기 전류원에 인가하도록 상기 DC 서플라이를 제어하는 전자 장치의 제어 방법.
  12. 제10항에 있어서,
    상기 반도체 부품은 다이오드를 포함하고,
    상기 DC 서플라이를 제어하는 동작은,
    상기 결정된 전류 레벨의 전류를 상기 다이오드에 인가하도록 상기 DC 서플라이를 제어하는 전자 장치의 제어 방법.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 전류 레벨을 결정하는 동작은,
    Vrwm(reverse standoff voltage) 및 Ppp(peak pulse power dissipation)를 기반으로 Ipp(peak pulse current)보다 낮게 상기 전류 레벨을 결정하는 전자 장치의 제어 방법.
  14. 제10항에 있어서,
    상기 반도체 부품은 RF Power Path단을 포함하고,
    상기 RF Power 서플라이를 제어하는 동작은,
    상기 결정된 RF Power 레벨의 RF Power를 상기 RF Power Path단에 인가하도록 상기 RF Power 서플라이를 제어하는 전자 장치의 제어 방법.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 RF Power 서플라이를 제어하는 동작은,
    상기 RF Power Path 단에 포함된 트랜지스터의 턴온 시간보다 긴 시간 동안 상기 결정된 RF Power 레벨의 RF Power를 상기 RF Power Path단에 인가하도록 상기 RF Power 서플라이를 제어하는 전자 장치의 제어 방법.
  16. 제14항에 있어서,
    상기 RF Power 서플라이를 제어하는 동작은,
    상기 반도체 부품이 동작 중일 때, 상기 결정된 RF Power 레벨의 RF Power를 상기 RF Power Path단에 인가하도록 상기 RF Power 서플라이를 제어하는 전자 장치의 제어 방법.
  17. 제10항에 있어서,
    상기 반도체 부품은 전압원을 포함하고,
    상기 반도체 부품이 동작 가능한 최대 전압 및 AMR 전압 사이의 전압 레벨을 결정하는 동작; 및
    상기 결정된 전압 레벨의 전압을 상기 전압원에 인가하도록 상기 Power 서플라이를 제어하는 동작;을 더 포함하는 전자 장치의 제어 방법.
  18. 제10항에 있어서,
    상기 결정된 전류 레벨의 전류 또는 상기 결정된 RF Power 레벨의 RF Power를 상기 반도체 부품에 인가한 후 상기 반도체 부품의 결함을 검출하는 동작;을 더 포함하는 전자 장치의 제어 방법.
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