KR20220137866A - 페이스트, 기판, 디스플레이, 및 기판의 제조 방법 - Google Patents

페이스트, 기판, 디스플레이, 및 기판의 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20220137866A
KR20220137866A KR1020227013628A KR20227013628A KR20220137866A KR 20220137866 A KR20220137866 A KR 20220137866A KR 1020227013628 A KR1020227013628 A KR 1020227013628A KR 20227013628 A KR20227013628 A KR 20227013628A KR 20220137866 A KR20220137866 A KR 20220137866A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
paste
substrate
angular velocity
wavelength conversion
discharge hole
Prior art date
Application number
KR1020227013628A
Other languages
English (en)
Inventor
마사토시 이시즈카
요시노리 카지노
타카히로 타니노
마코토 하야사카
Original Assignee
도레이 카부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 도레이 카부시키가이샤 filed Critical 도레이 카부시키가이샤
Publication of KR20220137866A publication Critical patent/KR20220137866A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H01L27/322—
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/20—Filters
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502—Wavelength conversion materials
    • H01L51/56—
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0041—Processes relating to semiconductor body packages relating to wavelength conversion elements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/38—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)

Abstract

파장 변환 재료와, 폴리머와, 모노머를 함유하고, 하기 식(1)으로 정의되는 Dω에 대해서, 하기 (i)의 관계가 성립되는 페이스트.
(1) Dω = G"ω/G'ω[Dω: 각전단 속도(ω)에 있어서의 손실 정접(tanδ), G'ω: 각전단 속도(ω)에 있어서의 저장 탄성률, G"ω: 각전단 속도(ω)에 있어서의 손실 탄성률]
(i) 0.7≤Dω≤1.3(100≤ω≤500rad/s, 5℃)
노즐 도포법에 의해 안정적으로 도포할 수 있다.

Description

페이스트, 기판, 디스플레이, 및 기판의 제조 방법
본 발명은 페이스트, 기판, 디스플레이, 및 기판의 제조 방법에 관한 것이다.
최근, 스마트폰이나 태블릿 등의 정보 단말기기의 발전이나, 텔레비전을 비롯한 플랫 패널 디스플레이의 고정세화에 따라, 디스플레이의 고성능화의 요구는 더욱 높아지고 있다. 그 중에서도, 고성능의 디스플레이로서 파장 변환형의 OLED 디스플레이 및 LED 디스플레이가 주목받고 있다. 이들 디스플레이는 광원으로서 액티브 매트릭스 구동되는 유기발광 다이오드(OLED)나 발광 다이오드(LED)를 사용하고, 그 광의 적어도 일부를 파장 변환 재료에 의해 변화시킴으로써 풀 컬러 표시시키는 방식의 디스플레이이고, 콘트라스트나 색재현성이 우수하다.
광원에 OLED를 사용하는 방법으로서는, 청색 발광의 OLED를 사용하는 방법이 알려져 있다(특허문헌 1). 이 경우, 청색의 서브픽셀에서는 OLED로부터의 광을 파장 변환하지 않고 투과·산란시키고, 녹색, 적색의 서브픽셀에서는 파장 변환 재료에 의해 OLED로부터의 청색광을 각각 녹색, 적색으로 변환하여 투과시키고 있다.
광원에 LED를 사용하는 방법으로서는, OLED와 마찬가지로 청색 발광의 LED를 사용하고, 일부의 광을 파장 변환 재료로 적색, 녹색으로 변환시키는 방식에 추가하여, 자외선 발광의 LED를 사용하고, 파장 변환 재료에 의해 청색, 녹색, 적색으로 변환시키는 방식이 알려져 있다(특허문헌 2).
파장 변환 재료에는 표시색의 색재현성의 향상을 목적으로서, 양자 도트(Quantum Dot, QD, 양자점이라고도 칭해짐)를 발광 재료로서 포함한 파장 변환층을 구비한 구성이 주목받고 있다(특허문헌 3). 양자 도트에 의한 형광은 고휘도이고, 반치폭이 좁기 때문에 양자 도트를 사용한 LCD는 색재현성이 우수하다.
이들 파장 변환형의 디스플레이에는 광원인 OLED나 LED의 서브픽셀과 대응하는 사이즈로 파장 변환 재료를 패턴화해서 배치할 필요가 있다. 파장 변환 재료의 패턴화 방법으로서는 포토리소그래픽법 및 잉크젯법(특허문헌 4)이 알려져 있다.
일본 특허공표 2006-501617호 일본 특허공표 2016-523450호 미국 특허출원공개 제2012/0113672호 국제공개 제2018/123103호
그러나, 포토리소그래픽법에서는 파장 변환 재료를 전면에 도포하고, 소정 위치를 노광한 후, 대부분을 현상에 의해 제거하기 때문에, 파장 변환 재료의 손실이 크고, 또한 공정도 노광·현상을 복수회 반복할 필요가 있어서 복잡한 과제가 있었다. 또한, 잉크젯법은 소망한 위치에만 파장 변환층을 형성할 수 있기 때문에 재료 효율이 우수하지만, 잉크젯에 의해 파장 변환 재료를 포함하는 잉크를 도포하기 위해서는 잉크의 점도를 낮게 설계할 필요가 있기 때문에, 잉크 중에서 파장 변환 재료 등의 입자 성분이 침강하여, 잉크젯 노즐이 막히기 쉬워지는 과제가 있었다.
한편, 페이스트의 도포 방법으로서, 금구의 토출 구멍으로부터 페이스트를 연속적으로 토출시키면서 도포하는 노즐 도포법이 알려져 있다. 노즐 도포법에 의해 복수의 토출 구멍을 갖는 금구를 이용하여 페이스트를 도포하는 방법을 나타낸 모식도를 도 1에 나타낸다. 노즐 도포법이란, 금구(1)의 내부에 페이스트(2)를 저장하는 공간(매니폴드)을 갖고, 기판(3)에 대향하여 상대적으로 이동하면서, 그 공간에 접속된 가압 배관(4)을 통해서 압력을 제어한 압축 공기를 도입함으로써 토출 구멍(5)으로부터 페이스트(2)를 토출해서 스트라이프 형상으로 도포하는 방법이다. 토출 구멍(5)으로부터 토출된 페이스트(2)는 기판 상의 격벽(6)으로 구획된 공간 내에 충진된다. 이때, 페이스트의 송액 방법은 압축 공기의 도입에 한정하지 않고, 송액 펌프를 사용하는 등의 다른 방법을 사용해도 좋다. 노즐 도포법에서는, 페이스트의 점도는 잉크젯법과 비교해서 저점도부터 고점도까지 대응할 수 있기 때문에, 점도를 높게 설계함으로써 입자 성분의 침강에 의한 토출 구멍의 막힘을 억제할 수 있다. 그러나, 파장 변환 방식 디스플레이용의 파장 변환 재료를 포함하는 페이스트의 설계를 기존의 잉크젯법용의 잉크와 동일한 설계로 했을 경우, 토출 구멍으로부터 정상적으로 토출할 수 없는 과제가 있었다. 또한, 종래의 PDP(플라즈마 디스플레이 패널) 용도와 같이, 구멍 지름 80㎛보다 큰 토출 구멍을 갖는 금구에서는 토출할 수 있었다고 해도, φ50㎛ 이하가 되는 미소한 토출 구멍을 갖는 금구를 사용했을 경우에서는 토출 정밀도 좋게 안정적으로 도포할 수 없는 과제가 있었다.
그래서, 본 발명은 구멍 지름이 φ50㎛ 이하가 되는 미소한 토출 구멍을 갖는 금구를 사용할 경우에도, 노즐 도포법에 의해 토출 정밀도 좋게 안정적으로 도포할 수 있는 페이스트를 제공하는 것을 과제로 한다.
상기 과제를 해결하기 위해서, 본 발명의 페이스트는 다음의 구성을 갖는다. 즉,
파장 변환 재료와, 폴리머와, 모노머를 함유하고, 하기 (1)로 정의되는 Dω에 대해서, 하기 (i)의 관계가 성립하는 것을 특징으로 하는 페이스트이다.
(1) Dω=G"ω/G'ω
Dω: 각속도(ω)에 있어서의 손실 정접(tanδ)
G'ω: 각속도(ω)에 있어서의 저장 탄성률
G"ω: 각속도(ω)에 있어서의 손실 탄성률
(i) 0.7≤Dω≤1.3 (100≤ω≤500rad/s, 5℃)
또한, 본 발명의 페이스트는 다음의 구성을 갖는 것도 바람직하다. 즉, 파장 변환 재료 및 폴리머를 함유하고, 상기 식(1)으로 정의되는 G', G" 및 Dω과, 측정 온도 25℃, 각속도(ω)=1, 10, 100rad/s일 때의 손실 정접(tanδ)을 각각, D1(25℃), D10(25℃) 및 D100(25℃)이라고 했을 때, 각속도(ω)를 1rad/s로부터 10rad/s로 변화시켰을 때의 손실 정접의 변화율 R1(25℃)을 하기 식(2)으로 정의하고, 각속도(ω)를 10rad/s로부터 100rad/s로 변화시켰을 때의 변화율 R2(25℃)를 하기 식(3)으로 정의했을 때, 하기 (ii)∼(iv)의 관계가 성립되는 것을 특징으로 하는 파장 변환 페이스트이다.
(2) R1(25℃)=D1(25℃)/D10(25℃)
(3) R2(25℃)=D10(25℃)/D100(25℃)
(ii) G"ω>G'ω(1rad/s≤ω≤100rad/s, 25℃)
(iii) G"1(25℃)>10Pa
(iv) R1(25℃)<R2(25℃)
또한, 본 발명의 기판은 다음 구성을 갖는다. 즉,
상기 페이스트의 경화물을 격벽으로 구획된 셀 내에 갖는 기판이다.
본 발명의 디스플레이는 다음 구성을 갖는다. 즉,
상기 기판과, OLED 또는 LED를 광원으로서 갖는 디스플레이이다.
본 발명의 기판의 제조 방법은 다음 구성을 갖는다. 즉,
상기 페이스트를 격벽으로 구획된 셀 내에 노즐 도포법에 의해 도포하는 공정을 갖는 기판의 제조 방법이다.
본 발명의 페이스트는 폴리머 중량부 1에 대한 모노머 중량부의 비율이 0.1∼2가 되는 것이 바람직하다.
본 발명의 페이스트는 고형분 농도가 70∼90중량%의 범위 내인 것이 바람직하다.
본 발명의 페이스트는 상기 파장 변환 재료가 무기 형광체인 것이 바람직하다.
본 발명의 페이스트는 상기 무기 형광체가 양자 도트인 것이 바람직하다.
본 발명의 페이스트는 전단 속도 1s- 1에 있어서의 점도가 10,000∼400,000mPa·s의 범위인 것이 바람직하다.
본 발명의 기판의 제조 방법은 구멍 지름이 20㎛∼50㎛의 범위인 토출 구멍을 갖는 금구를 사용해서 노즐 도포를 행하는 것이 바람직하다.
본 발명의 페이스트는 미소한 구멍 지름의 토출 구멍을 갖는 금구에서 노즐 도포할 경우에 있어서도, 토출시의 액의 팽윤이나 도포시의 액맥동을 억제할 수 있어서, 정밀도 좋게 도포하는 것이 가능해 진다.
도 1은 노즐 도포법에 의한 페이스트 도포 방법을 나타낸 모식도이다.
도 2는 패턴 형성된 격벽과 페이스트의 경화물을 갖는 본 발명의 기판의 일 양태를 나타내는 단면도이다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시형태에 대해서 설명한다.
본 발명에 관한 설명에 있어서, 종래기술에 있어서의 평가 지표 및 본 발명에 있어서의 평가 지표, 점탄성 파라미터의 의의와 그 측정 방법, 본 발명의 효과를 발휘하기 위해서 필요로 되는 특성, 즉 유동성, 강성, 토출성에 대해서 순차적으로 설명한다.
노즐 도포법으로 페이스트를 도포할 때, 상술한 바와 같이, 페이스트는 금구 내의 매니폴드에 충진되고, 가압 배관을 통해서 도입되는 압축 공기에 의해 토출 구멍으로부터 토출된다. 이때, 페이스트에 가해지는 전단 응력과 전단 속도의 비로서 표현되는 겉보기 점도가 전단 응력의 상승에 따라 저하하는 성질을 틱소트로피라고 한다. 틱소트로피는 일반적으로 노즐 도포의 토출성을 좌우하는 파라미터로서 사용된다. 틱소트로피를 나타내는 지표는 임의의 전단 속도 a, b(여기에서, a<b로 함)에 있어서의 점도를 각각 ηa, ηb라고 했을 때, (4)으로 표시되는 TI값(Thixotropic Index)으로서 표시된다.
(4) TI=ηa/ηb
일반적으로 TI값이 1보다 작을 경우, 전단 응력을 가해도 페이스트의 점도가 저하하지 않기 때문에, 페이스트가 토출 구멍으로부터 토출될 때에 페이스트 점도가 높은 상태이므로 잘 토출되지 않는다고 하는 문제가 생긴다. 또한, TI값이 1보다 큰 경우에서도, 토출 구멍으로부터 토출될 때에 바러스 효과(Barus effect)가 발생하면, 페이스트가 팽윤함으로써 정상적으로 토출되지 않거나 또는 도포시에 하지 기판의 격벽 정상부에 얹히는 등의 도포 불량을 야기하는 경우가 있다. 여기에서 바러스 효과란, 고분자 용액이나 고분자 융액을 가는 구멍으로부터 압출할 때에 분자쇄가 완전히 완화되지 않고 탄성 변형으로서 전단 에너지가 일부 축적되고, 구멍에서 나오자마자 완화됨으로써 액체가 팽윤되는 현상을 말한다.
지금까지 노즐 도포의 토출성의 평가 지표로서, 상기한 바와 같은 TI값이 중시되어 왔다. 그러나, 디스플레이의 고선명화에 따라 구멍 지름이 φ50㎛ 이하가 되는 미소한 구멍 지름의 토출 구멍을 갖는 금구를 사용할 경우, TI값이 동등해도 페이스트 종류에 따라 토출 가부가 나뉘는 경우가 있어서, 페이스트의 토출 정밀도는 종래와 같이 틱소트로피만으로는 평가할 수 없는 것이 밝혀져 왔다. 또한, 정상적으로 토출 가능한 경우에 있어서도 도포 중의 페이스트 토출성이 안정되어 있지 않으면 도포가 불안정하게 되어 페이스트가 맥동하고, 형성되는 화소막두께의 균일성이 손상되기 때문에, 토출성만으로는 도포성을 평가할 수 없는 것도 동시에 밝혀져 왔다. 이러한, 종래보다 구멍 지름이 작은 토출 구멍을 갖는 금구를 사용한 도포를 위한, 보다 해상도가 높은 디스플레이용으로 사용되는 페이스트에는 새로운 평가 지표가 필요하여 필자들이 예의 검토한 결과, 페이스트의 점탄성에 의해 토출성 및 도포성을 평가할 수 있는 것을 발견했다.
본 발명에서는 높은 전단 응력이 가해져 있는 상태(이하, 고 전단영역이라고 함)에 있어서의 노즐 도포의 토출 가부 및 도포성을 결정하는 요인으로서, 페이스트의 손실 정접의 변화 거동이 중요한 것을 발견하고, 노즐 도포에 적합한 일정한 형상을 유지한 채 수직하게 토출되는 상태(이하, 주상류(柱狀流)라고 함)에서의 토출 가부 및 도포 안정성의 지표로 했다.
본 발명에 있어서의 페이스트의 점탄성은 그 점성 성분 및 탄성 성분을 각각 손실 탄성률(G"), 저장 탄성률(G')로 나타낼 수 있고, 손실 탄성률에 대한 저장 탄성률의 비를 손실 정접(tanδ)으로서 나타낼 수 있다.
이들 점탄성 파라미터는 레오미터(HAAKE MARS; Thermo Fisher Scientific Inc. 제품)을 사용함으로써 계측하는 것이 가능하다. 구체적으로는, 레오미터에 동 사제품인 Plate P35 TiL을 장착하고, 온도를 5∼25℃의 범위에서 설정하고, 플레이트와 시료대의 갭을 100∼200㎛로 설정하고, 각속도를 1∼500rad/s로 변경했을 때의 G', G" 및 tanδ를 측정한다. 또한, 본 발명과 같은 고점도 페이스트의 점탄성을 측정할 경우, 측정시의 시료의 저항력이 크기 때문에, 평행판을 사용하는 것이 바람직하다. 평행판을 사용해서 측정했을 경우, 전단 속도는 판의 중심으로부터 판 단부를 향하여 다르고, 후술하는 노즐 도포시의 저 전단 속도 및 고 전단 속도와 점탄성 측정시의 전단 속도를 엄밀하게 일치시키는 것이 어렵기 때문에, 여기에서는 전단 속도 대신에 측정시의 각속도를 사용하여 정의한다.
다음에, 본 발명의 효과를 발휘하기 위해서 필요한 페이스트의 점탄특성에 대하여 설명한다.
본 발명의 페이스트는 실온 또한 전단이 가해져 있지 않은 상태 또는 약한 전단이 가해져 있는 상태(이하, 저 전단영역이라고 함)에 있어서 유동성을 갖는다. 구체적으로는, 측정 온도 25℃에서 각속도(ω)가 1rad/s∼100rad/s의 범위에 있어서, 각속도(ω)에 있어서의 손실 탄성률(G"ω) 및 각속도(ω)에 있어서의 저장 탄성률(G'ω)이 G"ω>G'ω의 관계를 만족시키는 것, 환언하면 페이스트의 점성이 탄성보다 항상 높아지는 것이 바람직하다. 상기 관계를 만족시킬 때, 식(1)으로부터 구해지는 손실 정접(Dω)은 1보다 큰 값이 된다. 여기에서, 측정 온도 25℃, 각속도(ω)가 1rad/s∼100rad/s의 범위에 있어서의 Dω의 최소값을 DMIN(25℃)라고 하면, G"ω>G'ω의 관계를 만족시키기 위해서는 DMIN (25℃)>1이 되는 것이 바람직하다. 상술한 바와 같이 G"ω>G'ω의 관계를 만족시키지 않을 경우, 토출 구멍으로부터 페이스트를 주상류로서 정밀도 좋게 토출 및 도포하는 것이 어렵다. 또한, 상기 관계를 만족시키지 않을 경우, 기판에 도포된 후 페이스트가 유동성을 띠지 않고 도포된 상태에서 굳어 버려 개구부 내에 깨끗이 충진되지 않아서, 화소를 정상적으로 형성할 수 없다. 노즐 도포에 충분히 필요한 유동성의 지표로서 저 전단영역의 페이스트의 점성은 탄성보다 높은 것이 바람직하다.
또한, 본 발명의 페이스트는 실온, 저 전단영역에 있어서 유동성을 갖는 것에 추가해서, 강성을 갖는 것이 바람직하다. 페이스트에 강성이 없으면, 토출 구멍으로부터 토출되었을 때에 페이스트가 팽윤 액적 형상으로 되어, 정밀도 좋게 도포하는 것이 곤란해지기 때문이다. 보다 구체적으로는, 측정 온도 25℃, 각속도(ω)가 1rad/s일 때의 손실 탄성률(G"1(25℃))이 10Pa를 초과하는 것이 바람직하고, 20Pa 이상인 것이 보다 바람직하다.
또한, 본 발명의 페이스트는 전단 응력을 가했을 때에, 토출 구멍으로부터 토출할 필요가 있다. 상술한 바와 같은 틱소트로피를 갖는 페이스트에 있어서도 페이스트에 전단 응력을 가했을 때의 점성 성분 및 탄성 성분, 즉 손실 탄성률과 저장 탄성률의 순간적인 증가 비율에 의해서도 토출성이 변화한다. 전단 응력이 가해졌을 때에, 페이스트의 탄성 성분이 급격하게 증대하면 페이스트가 토출 구멍으로부터 잘 토출되지 않는 경우가 있다. 즉, 전단 속도 변화에 따라 저장 탄성률이 손실 탄성률에 대하여 급격하게 증대하는 것이 토출 불량으로 이어진다. 구체적으로는, 측정 온도 25℃에 있어서 각속도(ω)를 1rad/s로부터 10rad/s로 변화시켰을 때의 손실 정접의 변화율과, 각속도(ω)를 10rad/s로부터 100rad/s로 변화시켰을 때의 손실 정접의 변화율의 관계로부터 평가할 수 있다. 측정 온도 25℃, 각속도(ω)=1, 10, 100rad/s일 때의 손실 정접(tanδ)을 각각 D1(25℃), D10(25℃) 및 D100(25℃)이라고 했을 때, 각속도(ω)를 1rad/s로부터 10rad/s로 변화시켰을 때의 손실 정접의 변화율을 R1(25℃), 각속도(ω)를 10rad/s로부터 100rad/s로 변화시켰을 때의 변화율 R2(25℃)을 하기 식(2) 및 식(3)으로 각각 정의했을 경우, R1(25℃)<R2(25℃)가 되는 것이 바람직하다.
(2) R1(25℃) = D1(25℃)/D10(25℃)
(3) R2(25℃) = D10(25℃)/D100(25℃)
이 관계를 만족시킬 경우, 토출 구멍으로부터 페이스트를 정밀도 좋게 토출 할 수 있다. 이상의 특성이 본 발명에 있어서의 페이스트의 효과를 발현할 때의 전제가 되는 제특성이다.
본 발명에 있어서의 페이스트는 상기 (i)의 조건을 만족시킬 때, 토출 구멍으로부터 페이스트가 토출될 때에 페이스트의 팽윤이 억제되고, 주상류가 되고, 정밀도 좋게 도포하는 것이 가능해진다. 금구의 매니폴드 내에 충진된 페이스트를 가압하면, 토출 구멍으로부터 토출될 때에 페이스트에 전단 응력이 가해지고, 전단 응력이 가해진 상태에서의 페이스트의 변형 속도는 전단 속도로서 나타낼 수 있다. 전단 응력 및 전단 속도는 토출 구멍의 구멍 길이와 구멍 지름 및 도포시의 페이스트의 체적 유량에 의해 결정되지만, 정확하게 산출하기 위해서는 토출 구멍의 구멍 길이나 구멍 형상 등의 요인에 의한 압력 손실분을 보정할 필요가 있다. 일례로서 상기 보정을 행하지 않은 겉보기 전단 속도를 하기 식(5)으로 나타낸다. 또한, 금구 및 토출 구멍의 구조에 의해 페이스트에 가해지는 전단 속도는 변화되기 때문에, 전단 속도를 산출할 경우에는 반드시 이하에 정의하는 식에 한정되지 않는다.
(5) γ=4Q/πR3
γ: 전단 속도(sec-1)
Q: 체적 유량(㎣/sec)
R: 토출 구멍 반경(mm)
식(5)으로부터 도포시의 페이스트의 체적 유량이 동일하다고 가정했을 경우에 있어서, 토출 노즐 구멍의 구멍 지름은 작을수록 전단 속도가 크다고 말할 수 있다. 상기 식에서 구멍 지름이 20㎛∼50㎛ 정도의 토출 구멍을 갖는 금구를 이용하여 노즐 도포를 행했을 때, 도포 속도나 충진량에 의해 변동하지만, 전단 속도는 약 1,000∼200,000sec-1 정도가 된다. 본 발명에서는, 상기한 바와 같은 고 전단영역에 있어서 손실 정접(tanδ)이 1에 근접할수록 페이스트가 토출 구멍으로부터 토출될 때에 주상류가 되어 안정적으로 도포될 수 있는 것을 발견했다.
손실 정접(tanδ)은 페이스트의 점성 성분의 강도를 나타내는 손실 탄성률(G"ω)과 탄성 성분의 강도를 나타내는 저장 탄성률(G'ω)의 비이고, 쌍방이 동일할 때 1이 된다. 손실 정접(tanδ)이 1보다 높을 경우, 손실 탄성률, 즉 점성 성분의 비율이 높아져서 액적 형상으로 토출되기 쉽다. 또한, 손실 정접(tanδ)이 1보다 낮을 경우, 저장 탄성률, 즉 탄성 성분의 비율이 높아져서 가압시에 페이스트가 변형되기 어려워지기 때문에, 토출 구멍으로부터 토출되기 어려워진다.
상온에서 점탄성을 측정할 때의 각속도(ω)는 0.1∼500rad/s 정도가 바람직하고, 그것보다 높은 각속도에서는 안정하게 측정하는 것이 곤란해진다. 본 발명에 있어서의 노즐 도포를 상정했을 경우, 상술한 바와 같이 약 1,000∼200,000s-1 정도의 고 전단영역에 있어서의 점탄성을 평가하기 위해서는, 후술하는 온도·주파수환산 법칙에 근거하는 합성 곡선에 의해 평가할 수 있다.
일반적으로 폴리머를 포함하는 재료의 점탄성을 측정할 경우, 온도·주파수환산 법칙(윌리엄스-랜델-페리식)이 성립하기 때문에, 온도를 변경해서 측정을 행함으로써 각 측정 온도에 있어서의 저장 탄성률, 손실 탄성률 및 손실 정접의 합성 곡선(마스터 커브)을 작성하고, 주파수를 변화시켰을 때의 점탄성을 평가할 수 있다. 또한, 주파수는 각속도로 변환하는 것이 가능하기 때문에, 즉 각속도를 변화시켰을 때의 점탄성을 평가할 수 있다. 본 발명에서는, 측정 온도를 실온 25℃로부터 5℃까지 저하시킴으로써, 실온에서의 측정에 있어서의 각속도보다 높은 전단영역에 있어서의 점탄성을 평가한 결과, 측정 온도 5℃, 각속도 100∼500rad/sec에 있어서의 손실 정접(tanδ)이 0.7∼1.3의 범위가 되는 페이스트가 구멍 지름 φ50㎛ 이하의 미소한 토출 구멍을 갖는 금구에서 안정적으로 노즐 도포될 수 있는 것을 발견했다. 환언하면, 측정 온도 5℃, 각속도 100∼500rad/s에 있어서의 손실 정접의 최대값을 DMAX (5℃), 최소값을 DMIN(5℃)으로 나타냈을 때에 DMIN (5℃)≥0.7, DMAX (5℃)≤1.3이 될 필요가 있다.
측정 온도 5℃, 각속도 100∼500rad/s에 있어서의 손실 정접(tanδ)이 0.7보다 낮을 경우, 구멍 지름이 φ80㎛보다 큰 토출 구멍을 갖는 금구를 사용하는 경우에서는 주상 토출할 수 있을 경우도 있지만, 구멍 지름 φ50㎛ 이하의 토출 구멍을 갖는 금구에서는 토출하는 것이 곤란하다. 또한, 측정 온도 5℃, 각속도 100∼500rad/s에 있어서의 손실 정접(tanδ)이 1.3보다 높을 경우, 구멍 지름이 φ80㎛보다 큰 토출 구멍을 갖는 금구를 사용하는 경우에서는 주상 토출할 수 있는 경우도 있지만, 구멍 지름 φ50㎛ 이하의 토출 구멍을 갖는 금구에서는 액적 형상으로 토출되어, 주상으로 토출하는 것이 어렵다.
또한, 본 발명에 있어서의 페이스트의 고형분 농도는 도포 안정성의 관점으로부터 70∼90중량%가 되는 것이 바람직하다. 페이스트의 고형분 농도가 상기 바람직한 범위이면, 도포시에 페이스트 중의 용제 성분의 영향에 의해 액이 팽윤하는 것을 방지하여 맥동하기 어려워지기 때문에, 도포시의 안정성을 유지하는 것이 용이해진다. 한편, 용제 성분에 의한 페이스트 유동성이 지나치게 낮아지지 않아서 토출 및 도포성이 양호해진다. 또한, 도포 후 용제 성분을 건조하는 공정에 있어서 페이스트가 레벨링되어 균일한 막을 형성할 수 있다. 또한, 격벽으로 둘러싸인 개구부에 도포했을 때에, 휘발 성분이 적기 때문에 후막 충진하는 것이 가능해진다.
본 발명에 있어서의 페이스트의 폴리머 중량부 1에 대한 모노머 중량부의 비율은 페이스트의 고형분 농도 및 도포 안정성의 관점으로부터 0.1∼2가 되는 것이 바람직하다. 폴리머 중량부 1에 대한 모노머 중량부의 비율이 상기 바람직한 범위이면, 페이스트 중의 용제 비율이 지나치게 높아지지 않고, 도포시에 페이스트 중의 용제 성분의 영향에 의해 액이 팽윤되는 것을 방지하여 맥동하기 어려워지기 때문에, 도포시의 안정성을 유지하는 것이 용이해진다. 한편, 페이스트 중의 모노머 성분의 영향이 지나치게 강하지 않고, 용제 성분에 의한 페이스트 유동성이 낮아지는 것을 방지하여, 토출 및 도포성이 양호해진다.
또한, 본 발명에 있어서의 페이스트는 전단 속도 1s- 1에 있어서의 점도가 10,000∼400,000mPa·s인 것이 바람직하다. 페이스트의 전단 속도 1s-1의 전단 속도에 있어서의 점도를 10,000mPa·s 이상으로 함으로써, 페이스트를 제작한 후에 장기 보존한 경우에서도, 파장 변환 재료로서 사용되는 형광체 등의 입자 성분이 침강하기 어려워진다. 페이스트의 전단 속도 1s- 1에 있어서의 점도는 15,000mPa·s 이상인 것이 보다 바람직하고, 20,000mPa·s 이상인 것이 더욱 바람직하다. 또한, 페이스트의 전단 속도 1s- 1에 있어서의 점도를 400,000mPa·s 이하로 함으로써, 토출에 적합한 송액 압력을 선택할 수 있다. 페이스트의 전단 속도 1s- 1에 있어서의 점도는 300,000mPa·s 이하인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 200,000mPa·s 이하이고, 150,000mPa·s 이하인 것이 더욱 바람직하다.
본 발명의 페이스트는 파장 변환 재료를 함유한다. 본 발명에 있어서, 파장 변환 재료란, 전자파를 흡수하고, 흡수한 전자파의 파장과 다른 파장의 전자파를 방사하는 파장 변환성을 갖는 재료를 말한다. 파장 변환 재료를 갖는 본 발명의 페이스트를 도포해서 패턴화하고, 파장 변환층을 갖는 기판을 제작하고, OLED 광원이나 LED 광원과 조합함으로써 풀 컬러의 디스플레이로 할 수 있다.
파장 변환 재료로서는 무기 형광체 및/또는 유기 형광체를 사용하는 것이 바람직하다. 예를 들면, 청색광을 발광하는 OLED와, 파장 변환층을 갖는 기판을 조합시킨 디스플레이의 경우, 적색의 서브픽셀에 대응하는 영역에는 청색의 여기광에 의해 여기되고 적색의 형광을 발하는 적색용 형광체를 파장 변환 재료로서 사용하는 것이 바람직하고, 녹색의 서브픽셀에 대응하는 영역에는 청색의 여기광에 의해 여기되고 녹색의 형광을 발하는 녹색용 형광체를 파장 변환 재료로서 사용하는 것이 바람직하고, 청색 서브픽셀에 대응하는 영역에는 파장 변환 재료를 사용하지 않는 것이 바람직하다. 마찬가지로, 각 서브픽셀에 대응한 청색 LED나 자외선 발광 LED를 백라이트로서 사용하는 방식의 디스플레이에도 본 발명의 기판을 사용할 수 있다. 각 서브픽셀의 발광의 ON/OFF는 OLED나 LED의 액티브 매트릭스 구동에 의해 가능해진다.
무기 형광체는 녹색이나 적색 등의 각 색을 발광한다. 무기 형광체로서는 파장 400∼500nm의 여기광에 의해 여기되고, 발광 스펙트럼이 500∼700nm의 영역에 피크를 갖는 것이나, 상술한 양자 도트라고 칭해지는 양자역학을 따른 독특한 광학 특성을 갖는 나노 스케일의 무기 반도체 미립자 등을 들 수 있다. 전자의 무기 형광체의 형상으로서는, 예를 들면 구상, 주상 등을 들 수 있다. 이러한 무기 형광체로서는, 예를 들면 YAG계 형광체, TAG계 형광체, 사이알론계 형광체, Mn4 + 활성화 불소화물 착체 형광체 등을 들 수 있다. 이들을 2종 이상 사용해도 좋다.
이들 중에서도, 양자 도트가 바람직하다. 양자 도트는 다른 형광체와 비교해서 발광 스펙트럼에 있어서의 피크가 샤프하기 때문에, 디스플레이의 색재현성을 높일 수 있다.
양자 도트의 재료로서는, 예를 들면 II-IV족, III-V족, IV-VI족, IV족의 반도체 등을 들 수 있다. 이들 무기 반도체로서는, 예를 들면 Si, Ge, Sn, Se, Te, B, C(다이아몬드를 포함함), P, BN, BP, BAs, AlN, AlP, AlAs, AlSb, GaN, GaP, GaAs, GaSb, InN, InP, InAs, InSb, ZnO, ZnS, ZnSe, ZnTe, CdS, CdSe, CdSeZn, CdTe, HgS, HgSe, HgTe, BeS, BeSe, BeTe, MgS, MgSe, GeS, GeSe, GeTe, SnS, SnSe, SnTe, PbO, PbS, PbSe, PbTe, CuF, CuCl, CuBr, CuI, Si3N4, Ge3N4, Al2O3 등을 들 수 있다. 이들을 2종 이상 사용해도 좋다.
양자 도트는 ｐ형 도펀트 또는 n형 도펀트를 함유해도 좋다. 또한, 양자 도트는 코어쉘 구조를 가져도 좋다. 코어쉘 구조에 있어서는 쉘의 주위에 목적에 따라서 임의의 적절한 기능층(단일층 또는 복수층)이 형성되어 있어도 좋고, 쉘 표면에 표면 처리 및/또는 화학 수식이 되어 있어도 좋다.
양자 도트의 형상으로서는, 예를 들면 구상, 주상, 인편상, 판상, 부정형 등을 들 수 있다. 양자 도트의 평균 입자지름은 소망의 발광 파장에 따라 선택할 수 있고, 1∼30nm가 바람직하다. 양자 도트의 평균 입자지름이 1∼10nm이면, 청색, 녹색 및 적색의 각각에 있어서 발광 스펙트럼에 있어서의 피크를 보다 샤프하게 할 수 있다. 예를 들면, 양자 도트의 평균 입자지름이 약 2nm인 경우에는 청색광을, 약 3nm인 경우에는 녹색광을, 약 6nm인 경우에는 적색광을 발광한다. 양자 도트의 평균 입자지름은 2nm 이상이 바람직하고, 8nm 이하가 바람직하다. 양자 도트의 평균 입자지름은 동적 광산란법에 의해 측정할 수 있다. 평균 입자지름의 측정 장치로서는 다이나믹 광산란 광도계 DLS-8000(Otsuka Electronics Co., Ltd. 제품) 등을 들 수 있다.
유기 형광체로서는, 예를 들면 청색의 여기광에 의해 여기되고 적색의 형광을 발하는 형광체로서 하기 구조식(I)으로 표시되는 기본골격을 갖는 피로메텐 유도체, 청색의 여기광에 의해 여기되고 녹색의 형광을 발하는 형광체로서 하기구조식(II)으로 표시되는 기본골격을 갖는 피로메텐 유도체 등을 들 수 있다. 그 밖에는, 치환기의 선택에 의해 적색 또는 녹색의 형광을 발하는 페릴렌계 유도체, 포르피린계 유도체, 옥사진계 유도체, 피라진계 유도체 등을 들 수 있다. 이들을 2종 이상 함유해도 좋다. 이들 중에서도, 양자 수율이 높은 점으로부터, 피로메텐 유도체가 바람직하다. 피로메텐 유도체는, 예를 들면 일본 특허공개 2011-241160호 공보에 기재된 방법에 의해 얻을 수 있다.
Figure pct00001
유기 형광체는 용매에 가용이기 때문에, 소망의 두께의 파장 변환 재료를 함유하는 층을 용이하게 형성할 수 있다.
본 발명의 페이스트는 파장 변환 재료에 양자 도트를 사용할 경우, 광산란성 입자를 함유하는 것이 바람직하다. 또한, 광산란성 입자의 입자지름은 100∼500nm인 것이 더욱 바람직하다. 광산란성 입자를 함유함으로써, 파장 변환층 내에서 청색광이 산란됨으로써 광로 길이가 길어져서, 파장 변환 재료에 의한 광변환 효율을 향상시킬 수 있다. 또한, 본 발명에 있어서, 광산란성 입자는 파장 변환성을 갖지 않는다. 본 발명에 있어서, 광산란성 입자는 산화티탄인 것이 바람직하다.
본 발명의 페이스트는 폴리머를 함유한다. 상기 폴리머로서, 예를 들면 폴리비닐아세테이트, 폴리비닐알콜, 에틸셀룰로오스, 메틸셀룰로오스, 폴리에틸렌, 폴리메틸실록산 또는 폴리메틸페닐실록산 등의 실리콘 수지, 폴리스티렌, 부타디엔/스티렌 코폴리머, 폴리스티렌, 폴리비닐피롤리돈, 폴리아미드, 고분자량 폴리에테르, 에틸렌옥사이드와 프로필렌옥사이드의 공중합체, 폴리아크릴아미드 또는 아크릴 수지 등을 바람직하게 들 수 있다. 본 발명의 페이스트는 상기 폴리머가 셀룰로오스계인 것이 바람직하다. 본 발명에 있어서, 파장 변환층은 페이스트를 경화시켜서 형성하는 것이 바람직하다. 페이스트는 파장 변환 재료를 함유하는 페이스트 재료이고, 적절하게 조성 설계함으로써 노즐 도포법에 의해 격벽을 구비한 기판에 용이하게 도포할 수 있다. 페이스트를 경화시키는 방법은 특별히 한정되지 않지만, 중합성 화합물을 함유하는 페이스트를 열이나 광에 의해 경화시키는 방법이나, 용매를 함유하는 페이스트로부터 가열에 의해 용매를 휘발시켜서 경화시키는 방법 등을 들 수 있다.
본 발명의 페이스트는 모노머를 함유한다. 모노머로서는 분자 중에 에틸렌성 불포화 이중결합을 갖는 화합물인 것이 바람직하다. 모노머는 분자 중에 2개 이상의 에틸렌성 불포화 이중결합을 갖는 것이 바람직하다.
모노머로서는, 예를 들면 디에틸렌글리콜 디아크릴레이트, 트리에틸렌글리콜 디아크릴레이트, 테트라에틸렌글리콜 디아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜 디아크릴레이트, 디프로필렌글리콜 디아크릴레이트, 트리프로필렌글리콜 디아크릴레이트, 폴리프로필렌글리콜 디아크릴레이트, 디에틸렌글리콜 디메타크릴레이트, 트리에틸렌글리콜 디메타크릴레이트, 테트라에틸렌글리콜 디메타크릴레이트, 폴리프로필렌글리콜 디메타크릴레이트, 트리메틸올프로판 디아크릴레이트, 트리메틸올프로판 트리아크릴레이트, 트리메틸올프로판 디메타크릴레이트, 트리메틸올프로판 트리메타크릴레이트, 1,3-부탄디올 디아크릴레이트, 1,3-부탄디올 디메타크릴레이트, 네오펜틸글리콜 디아크릴레이트, 1,4-부탄디올 디아크릴레이트, 1,4-부탄디올 디메타크릴레이트, 1,6-헥산디올 디아크릴레이트, 1,9-노난디올 디아크릴레이트, 1,10-데칸디올 디메타크릴레이트, 디메틸올-트리시클로데칸 디아크릴레이트, 펜타에리스리톨 트리아크릴레이트, 펜타에리스리톨 테트라아크릴레이트, 펜타에리스리톨 트리메타크릴레이트, 펜타에리스리톨 테트라메타크릴레이트, 디펜타에리스리톨 펜타아크릴레이트, 디펜타에리스리톨 헥사아크릴레이트, 트리펜타에리스리톨 헵타아크릴레이트, 트리펜타에리스리톨 옥타아크릴레이트, 테트라펜타에리스리톨 노나아크릴레이트, 테트라펜타에리스리톨 데카아크릴레이트, 펜타펜타에리스리톨 운데카아크릴레이트, 펜타펜타에리스리톨 도데카아크릴레이트, 트리펜타에리스리톨 헵타메타크릴레이트, 트리펜타에리스리톨 옥타메타크릴레이트, 테트라펜타에리스리톨 노나메타크릴레이트, 테트라펜타에리스리톨 데카메타크릴레이트, 펜타펜타에리스리톨 운데카메타크릴레이트, 펜타펜타에리스리톨 도데카메타크릴레이트, 디메틸올-트리시클로데칸 디아크릴레이트 등을 들 수 있다. 이들을 2종 이상 함유해도 좋다.
본 발명의 페이스트는 상기 필수성분에 추가해서, 중합개시제, 용매, 분산제 등을 적당하게 포함하고 있어도 좋다.
본 발명의 페이스트에 중합개시제를 포함시킬 경우에는, 예를 들면 라디칼 개시제나 양이온 개시제, 즉 광(자외선, 전자선을 포함함) 또는 열에 의해 반응하고, 라디칼이나 양이온 등의 활성종을 발생시키는 것이면 어떤 것이어도 좋다. 이들 중에서도, 라디칼 개시제인 것이 바람직하다. 중합개시제로서는, 예를 들면 2-메틸-[4-(메틸티오)페닐]-2-모르폴리노프로판-1-온, 2-디메틸아미노-2-(4-메틸벤질)-1-(4-모르폴린-4-일-페닐)-부탄-1-온, 2-벤질-2-디메틸아미노-1-(4-모르폴리노페닐)-부타논-1 등의 α-아미노알킬페논 화합물; 2,4,6-트리메틸벤조일페닐포스옥사이드, 비스(2,4,6-트리메틸벤조일)-페닐포스핀옥사이드, 비스(2,6-디메톡시벤조일)-(2,4,4-트리메틸펜틸)-포스핀옥사이드 등의 아실포스핀옥사이드 화합물; 1-페닐-1,2-프로판디온-2-(O-에톡시카르보닐)옥심, 1-[4-(페닐티오)페닐]옥탄-1,2-디온=2-(O-벤조일옥심)], 1-페닐-1,2-부타디온-2-(O-메톡시카르보닐)옥심, 1,3-디페닐프로판트리온-2-(O-에톡시카르보닐)옥심, 에탄온,1-[9-에틸-6-(2-메틸벤조일)-9H-카르바졸-3-일]-,1-(O-아세틸옥심) 등의 옥심 에스테르 화합물; 벤질디메틸케탈 등의 벤질케탈 화합물; 2-히드록시-2-메틸-1-페닐프로판-1-온, 1-(4-이소프로필페닐)-2-히드록시-2-메틸프로판-1-온, 4-(2-히드록시에톡시)페닐-(2-히드록시-2-프로필)케톤, 1-히드록시시클로헥실-페닐케톤 등의 α-히드록시케톤 화합물; 벤조페논, 4,4-비스(디메틸아미노)벤조페논, 4,4-비스(디에틸아미노)벤조페논, O-벤조일벤조산 메틸, 4-페닐벤조페논, 4,4-디클로로벤조페논, 히드록시벤조페논, 4-벤조일-4'-메틸-디페닐술피드, 알킬화 벤조페논, 3,3',4,4'-테트라(t-부틸퍼옥시카르보닐)벤조페논 등의 벤조페논 화합물; 2,2-디에톡시아세토페논, 2,3-디에톡시아세토페논, 4-t-부틸디클로로아세토페논, 벤잘아세토페논, 4-아지드벤잘아세토페논 등의 아세토페논 화합물; 2-페닐-2-옥시아세트산 메틸 등의 방향족 케토에스테르 화합물; 4-디메틸아미노벤조산 에틸, 4-디메틸아미노벤조산 (2-에틸)헥실, 4-디에틸아미노벤조산 에틸, 2-벤조일벤조산 메틸 등의 벤조산 에스테르 화합물 등을 들 수 있다. 이들을 2종 이상 함유해도 좋다.
본 발명의 페이스트는 중합개시제에 의한 착색을 억제하기 위해서, 2,4,6-트리메틸벤조일페닐포스핀옥사이드, 비스(2,4,6-트리메틸벤조일)-페닐포스핀옥사이드, 비스(2,6-디메톡시벤조일)-(2,4,4-트리메틸펜틸)-포스핀옥사이드 등의 아실포스핀옥사이드계 중합개시제를 포함하는 것이 바람직하다. 페이스트 중에 있어서의 중합개시제의 함유량은 라디칼 경화를 효율적으로 진행시키는 관점으로부터, 고형분 중 0.01중량% 이상이 바람직하고, 0.1중량% 이상이 보다 바람직하다. 한편, 잔류한 중합개시제의 용출 등을 억제하고, 황변을 보다 향상시키는 관점으로부터, 중합개시제의 함유량은 고형분 중 20중량% 이하가 바람직하고, 10중량% 이하가 보다 바람직하다.
본 발명의 페이스트에 용매를 포함시킬 경우에는, 예를 들면 메탄올, 에탄올, 프로판올, 이소프로판올, 부탄올, 이소부탄올, t-부탄올, 펜탄올, 4-메틸-2-펜탄올, 3-메틸-2-부탄올, 3-메틸-3-메톡시-1-부탄올, 디아세톤알콜 등의 알콜류; 에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜 등의 글리콜류; 에틸렌글리콜 모노메틸에테르, 에틸렌글리콜 모노에틸에테르, 프로필렌글리콜 모노메틸에테르, 프로필렌글리콜 모노에틸에테르, 프로필렌글리콜 모노프로필에테르, 프로필렌글리콜 모노부틸에테르, 프로필렌글리콜 모노-t-부틸에테르, 에틸렌글리콜 디메틸에테르, 에틸렌글리콜 디에틸에테르, 에틸렌글리콜 디부틸에테르, 디에틸에테르 등의 에테르류; 메틸에틸케톤, 아세틸아세톤, 메틸프로필케톤, 메틸부틸케톤, 메틸이소부틸케톤, 디이소부틸케톤, 시클로펜탄온, 2-헵탄온 등의 케톤류; 디메틸포름아미드, 디메틸아세트아미드 등의 아미드류; 에틸아세테이트, 프로필아세테이트, 부틸아세테이트, 이소부틸아세테이트, 에틸렌글리콜 모노에틸에테르 아세테이트, 프로필렌글리콜 모노메틸에테르 아세테이트, 3-메톡시부틸 아세테이트, 3-메틸-3-메톡시부틸 아세테이트, 락트산 메틸, 락트산 에틸, 락트산 부틸 등의 아세테이트류; 톨루엔, 크실렌, 헥산, 시클로헥산 등의 방향족 또는 지방족 탄화수소; γ-부티로락톤, N-메틸-2-피롤리돈, 디메틸술폭시드 등을 바람직하게 들 수 있다. 이 중, 상기 용매가 아세테이트류인 것이 더욱 바람직하다.
본 발명의 페이스트에 분산제를 포함시킬 경우에는 분산제로서, 예를 들면 "Disperbyk"(등록상표) 106, 108, 110, 180, 190, 2001, 2155, 140, 145(이상, 품번, BYK-Chemie GmbH 제품) 등을 바람직하게 들 수 있다.
본 발명의 기판은 본 발명의 페이스트를 도포하고 경화함으로써 제작할 수 있다. 이 경우, 격벽으로 구획된 셀을 갖는 기판, 즉 격벽을 구비한 기판의 셀 내에 본 발명의 페이스트를 도포하고 경화함으로써 제작하는 것이 바람직하다. 특히, 후술하는 격벽을 갖는, 격벽을 구비한 기판에 노즐 도포하고 경화함으로써 제작하는 것이 바람직하다.
본 발명에 있어서의 격벽이란, 디스플레이의 화소 중의 서브픽셀에 따른 패턴을 갖는 것이 바람직하다. 디스플레이의 화소수로서는, 예를 들면 세로로 2,000개, 가로로 4,000개를 들 수 있다. 화소수는 표시되는 화상의 해상도(치밀성)에 영향을 준다. 그 때문에, 요구되는 화상의 해상도와 디스플레이의 화면 사이즈에 따른 수의 화소를 형성할 필요가 있고, 그것에 맞춰서 격벽의 패턴 형성 치수를 결정하는 것이 바람직하다.
기판은 격벽을 구비한 기판에 있어서의 지지체로서의 기능을 갖는다. 기판으로서는, 예를 들면 유리판, 수지판, 수지 필름 등을 들 수 있다. 유리판의 재질로서는 무알칼리 유리가 바람직하다. 수지판 및 수지 필름의 재질로서는 폴리에스테르, (메타)아크릴 폴리머, 투명 폴리이미드, 폴리에테르술폰 등이 바람직하다. 유리판 및 수지판의 두께는 1mm 이하가 바람직하고, 0.8mm 이하가 바람직하다. 수지 필름의 두께는 100㎛ 이하가 바람직하다.
격벽은 인접하는 격벽 사이에 페이스트를 도포·경화하여 페이스트의 경화물을 함유하는 서브픽셀을 구성했을 경우에, 어떤 서브픽셀로부터 인접하는 서브픽셀로 광이 혼색되는 것을 방지하는 기능을 갖는 것이 바람직하다.
도 2에 본 발명의 기판의 일 양태의 단면도를 나타낸다. 기판(3) 상에 패턴형성된 격벽(6)을 갖고, 격벽으로 구획된 셀 내에 본 발명의 페이스트의 경화물(7)을 갖는다.
격벽은 파장 550nm에 있어서의 두께 10㎛당 반사율이 60∼90%인 것이 바람직하다. 반사율을 20% 이상으로 함으로써, 격벽 측면에 있어서의 반사를 이용해서 디스플레이의 휘도를 향상시킬 수 있다. 한편으로, 격벽 패턴 형성 정밀도를 향상시키는 관점으로부터, 반사율은 90% 이하가 바람직하다. 여기에서, 격벽의 두께란, 기판에 대하여 수직 방향(높이 방향)의 격벽의 길이를 가리킨다. 도 2에 나타내는 격벽을 구비한 기판의 경우, 격벽(6)의 두께는 부호 H로 표시된다. 또한, 격벽의 기판에 수평 방향의 길이는 격벽의 폭이라고 한다. 도 2에 나타내는 격벽을 구비한 기판의 경우, 격벽(6)의 폭은 부호 L로 표시된다.
격벽의 두께는 격벽을 구비한 기판의 셀 내에 페이스트의 경화물을 갖는 경우, 페이스트의 경화물의 두께보다 큰 것이 바람직하다. 구체적으로는, 격벽(6)의 두께(H)는 0.5㎛ 이상이 바람직하고, 5㎛ 이상이 보다 바람직하다. 한편, 색변환 발광 재료를 함유하는 층의 저부에 있어서의 발광을 보다 효율 좋게 인출하는 관점으로부터, 격벽(6)의 두께(H)는 100㎛ 이하가 바람직하고, 50㎛ 이하가 보다 바람직하고, 20㎛ 이하가 더욱 보다 바람직하다. 또한, 격벽(6)의 폭(L)은 격벽 측면에 있어서의 광반사를 이용해 휘도를 향상시키고, 광누설에 의한 인접하는 페이스트의 경화물로부터의 발광의 혼색을 억제하기에 충분한 것이면 좋다. 구체적으로는, 격벽(6)의 폭(L)은 5㎛ 이상이 바람직하고, 10㎛ 이상이 보다 바람직하다. 한편, 페이스트의 경화물(7)의 충진 영역을 많게 확보해서 휘도를 보다 향상시키는 관점으로부터, 격벽(6)의 폭(L)은 50㎛ 이하가 바람직하고, 30㎛ 이하가 보다 바람직하다.
또한, 상기한 바와 같은 화소수의 고해상도의 디스플레이를 제작할 경우, 노즐 도포에 사용하는 토출 구멍의 구멍 지름은 작을수록 고해상도에 대응하는 것이 용이해지기 때문에, 구멍 지름이 20㎛∼50㎛의 범위인 토출 구멍을 갖는 금구를 사용하는 것이 바람직하다. 구멍 가공성 및 구멍마다의 가공 정밀도 편차의 관점으로부터, 토출 구멍의 구멍 지름은 20㎛ 이상이 바람직하고, 고정세에 대응한 개구 면적이 작은 화소에 도포하기 위해서 토출 구멍의 구멍 지름은 50㎛ 이하가 바람직하다.
다음에, 본 발명의 디스플레이에 대하여 설명한다. 본 발명의 디스플레이는 상기 기판과 광원을 갖는다. 광원으로서는 액티브 매트릭스 구동이 가능한 청색OLED, 청색 LED, 자외발광 LED에서 선택된 광원이 바람직하다.
본 발명의 디스플레이의 제조 방법에 대해서, 본 발명의 기판과 청색 OLED를 갖는 디스플레이의 일례를 들어서 설명한다. 액티브 매트릭스 구동이 가능한 TFT 패턴을 갖는 유리 기판 상에 감광성 폴리이미드 수지를 도포하고, 포토리소그래픽법에 의해 절연막을 형성한다. 배면 전극층으로서 알루미늄을 스퍼터링한 후, 포토리소그래픽법에 의해 패터닝을 행하고, 절연막이 없는 개구부에 배면 전극층을 형성한다. 계속해서, 전자수송층으로서 트리스(8-퀴놀리놀레이토)알루미늄(이하, Alq3으로 약기함)을 진공증착법에 의해 성막한 후, 발광층으로서 Alq3에 디시아노메틸렌피란, 퀴나크리돈, 4,4'-비스(2,2-디페닐비닐)비페닐을 도핑한 백색 발광층을 형성한다. 다음에, 정공수송층으로서 N,N'-디페닐-N,N'-비스(α-나프틸)-1,1'-비페닐-4,4'-디아민을 진공증착법으로 성막한다. 최후에, 투명전극으로서 ITO(Indium Tin Oxide)를 스퍼터링으로 성막하여, 청색 발광층을 갖는 OLED를 제작한다. 이렇게 하여 얻어진 OLED를 상술한 기판과 대향시키고 밀봉제에 의해 접합함으로써, 디스플레이를 제작할 수 있다.
실시예
이하에 실시예 및 비교예를 들어서 본 발명을 더욱 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 이것에 한정되는 것은 아니다. 또한, 다음 화합물에 대해서, 이하의 약어를 사용했다.
PGMEA: 프로필렌글리콜 모노메틸에테르 아세테이트
DAA: 디아세톤알콜
(페이스트의 원료)
페이스트의 제작에 사용한 원료는 다음과 같다.
파장 변환 재료 A: CdSe/ZnS 530(녹색 발광 양자 도트 재료, SIGMA-ALDRICH 제품)
파장 변환 재료 B: Ce0 . 63Tb0 . 37MgAl11O19(녹색 발광 무기 형광체 재료, SIGMA-ALDRICH 제품)
광산란성 입자: R-630(산화티탄, 평균 입자지름 0.24㎛, ISHIHARA SANGYO KAISHA, LTD.제품)
광중합개시제: "Irgacure"(등록상표) 819(BASF Japan Ltd. 제품)
모노머: "LIGHT ACRYLATE 1.9ND-A"(등록상표)(1,9-노난디올 디아크릴레이트)(Kyoeisha Chemical Co., Ltd. 제품)
폴리머 A: "ETHOCEL"(등록상표) STD4(I)(에틸셀룰로오스)(DDP Specialty Products Japan K.K. 제품)
폴리머 B: SLEC SV-12(SEKISUI CHEMICAL CO., LTD. 제품)
폴리머 C: "DOWSIL"(등록상표) RSN-0249 Flake Resin(Dow Toray Co., Ltd. 제품)
폴리머 D: 폴리디메틸실록산(FUJIFILM Wako Pure Chemical Corporation 제품)
용매: PGMEA(FUJIFILM Wako Pure Chemical Corporation 제품)
(페이스트의 조제)
표 1에 기재된 중량분률로 각 재료를 플라스크에 칭량하고, 플라스크를 80℃의 오일 배스에 침지하고 120분간 가열 교반한 후, 하이브리드 믹서 ARE-310 (THINKY Corporation 제품)로 1분간 탈포하고, 공기에 의해 100∼500kPa의 압력을 가하면서 SHP-400 필터(ROKI TECHNO CO., LTD. 제품)로 여과하여, 페이스트를 얻었다.
(격벽용 아크릴 수지 용액의 조정)
500mL의 3구 플라스크에 2,2'-아조비스(이소부틸로니트릴)을 3g, 프로필렌글리콜 모노메틸에테르를 50g 투입했다. 그 후, 메타크릴산을 30g, 벤질메타크릴레이트를 35g, 트리시클로[5.2.1.02,6]데칸-8-일 메타크릴레이트를 35g 투입하고, 실온에서 잠깐 교반하고, 플라스크 내를 질소 치환한 후, 70℃에서 5시간 가열 교반했다. 다음에, 얻어진 용액에 메타크릴산 글리시딜을 15g, 디메틸벤질아민을 1g, p-메톡시페놀을 0.2g, 프로필렌글리콜 모노메틸에테르 아세테이트를 100g 첨가하고, 90℃에서 4시간 가열 교반하여, 고형분 농도가 40중량%가 되는 격벽용 아크릴 수지 용액을 얻었다.
(격벽용 수지 조성물의 조정)
백색 안료로서 2산화티탄 안료 R-960(BASF Japan Ltd. 제품) 5.00g에, 수지로서 아크릴 수지 용액 5.00g을 혼합한 지르코니아 비즈가 충진된 밀형 분산기를 이용하여 분산하여 안료 분산액을 얻었다.
다음에, 안료 분산액 10.00g, 아크릴 수지 용액 1.15g, 광중합개시제로서 2-메틸-1-(4-메틸티오페닐)-2-모르폴리노프로판-1-온("Irgacure"(등록상표) 907(BASF Japan Ltd. 제품) 0.100g, 비스(2,4,6-트리메틸벤조일)-페닐포스핀옥사이드 ("Irgacure"(등록상표) 819(BASF Japan Ltd. 제품) 0.200g, 광중합성 화합물로서 펜타에리스리톨 아크릴레이트 "LIGHT ACRYLATE"(등록상표) PE-3A(Kyoeisha Chemical Co., Ltd. 제품) 1.50g, 광중합성 불소 함유 화합물 "MEGAFACE"(등록상표) RS-76-E(DIC Corporation 제품)의 40중량% PGMEA 희석 용액 1.00g, 실란커플링제의 20중량% PGMEA 희석 용액 0.500g, 3',4'-에폭시시클로헥실메틸-3,4-에폭시시클로헥산 카르복실레이트("CELLOXIDE"(등록상표) 2021P(Daicel Corporation 제품) 0.200g, 에틸렌비스(옥시에틸렌)비스[3-(5-tert-부틸-4-히드록시-m-트릴)프로피오네이트]("IRGANOX"(등록상표) 1010(BASF Japan Ltd. 제품) 0.300g, 아크릴계 계면활성제 "BYK"(등록상표) 352, (BYK-Chemie Japan K.K. 제품)의 PGMEA 10중량% 희석 용액 0.100g(농도 500ppm에 상당)을 DAA 1.000g과 PGMEA 4.200g의 혼합 용매에 용해시키고 교반했다. 이어서, 5.0㎛의 필터로 여과를 행하여, 네거티브형 감광성 착색 조성물을 얻었다.
(격벽을 구비한 기판의 제작)
10cm×10cm, 두께 0.5mm의 무알칼리 유리 기판(AGC Techno Glass Co., Ltd. 제품) 상에 격벽용 수지 조성물을 스핀코트하고, 핫플레이트(SCW-636, SCREEN Semiconductor Solutions Co., Ltd. 제품)를 이용하여, 온도 90℃에서 2분간 건조해서 건조막을 제작했다. 제작한 건조막을 Parallel Light Mask Aligner(PLA-501F, Canon Inc. 제품)을 이용하여, 초고압수은등을 광원으로 하고, 포토마스크를 통해서 노광량 200mJ/㎠(i선)으로 노광했다. 그 후, 자동 현상 장치(AD-2000, Takizawa Sankyo Co., Ltd. 제품)를 사용하여, 0.045중량% 수산화칼륨 수용액을 사용해서 100초간 샤워 현상하고, 이어서 물을 사용하여 30초간 린스했다. 또한, 오븐(IHPS-222, Espec Co., Ltd. 제품)을 사용하여, 공기 중 온도 230℃에서 30분간 가열하여, 유리 기판 상에 높이 20㎛, 폭 20㎛의 격벽이 단변 100㎛, 장변 300㎛의 피치 간격으로 7cm×7cm의 범위로 격벽이 격자형상으로 패턴 형성된 격벽을 형성했다.
(점도의 평가 방법)
레오미터(HAAKE MARS; Thermo Fisher Scientific Inc. 제품)에, 동사 제품의 Plate P35 Ti L을 장착하고, 측정 온도 25℃, 갭을 200㎛로 설정하고, 각 실시예, 각 비교예의 페이스트에 대해 전단 속도 1s- 1에 있어서의 점도를 측정했다. 또한, 전단 속도 a=1s- 1에 있어서의 점도(η1)와 전단 속도 b=100s- 1에 있어서의 점도(η100)를 측정하고, 식(4)에 대입해서 TI값을 계산했다.
(점탄성의 평가 방법)
레오미터(HAAKE MARS; Thermo Fisher Scientific Inc. 제품)를 사용하여, 점도 평가와 마찬가지로 동사 제품의 Plate P35 Ti L을 장착하고, 측정 온도 5∼25℃, 갭을 100㎛로 설정하고, 각 실시예, 비교예의 페이스트에 대해 100∼500rad/s의 각속도 범위에 있어서의 저장 탄성률(G'), 손실 탄성률(G") 및 손실 정접(tanδ)을 측정했다.
측정 온도 5℃, 각속도 100∼500rad/s에 있어서의 측정 결과 Dω로부터 최대값 DMAX(5℃) 및 최소값 DMIN(5℃)을 구했다.
마찬가지로, 측정 온도 25℃, 각속도 1∼100rad/s에 있어서의 측정 결과로부터 1∼100rad/s의 각속도 범위에 있어서의 DMIN (25℃) 및 G"1(25℃)의 값을 구했다. 또한, 측정 온도 25℃, ω=1, 10, 100rad/s에 있어서의 각 손실 정접의 값을 이용하여, 상기 식(2) 및 식(3)에 따라서 R1(25℃)(= D1(25℃)/D10(25℃)) 및 R2(25℃)(= D10(25℃)/D100(25℃))을 구했다.
(유동성의 평가 방법)
실온(25℃) 환경하에 있어서, 페이스트를 100mL 용기 중에 20mL 칭량하고, 용기를 기울여서 1분간 유지하고, 저 전단영역의 페이스트의 유동성을 육안으로 관찰했다. 관찰 결과로부터, 유동성을 이하의 기준에 의거하여 평가했다.
A: 페이스트가 용이하게 유동한다.
B: 페이스트가 약간 유동한다.
C: 육안으로는 유동을 확인할 수 없다.
(강성의 평가 방법)
실온(25℃) 환경하에 있어서, 페이스트를 100mL 용기 중에 20mL 칭량하고, 페이스트에 스포이트를 삽입했을 때의 저항에 의해, 저 전단영역의 페이스트의 강성을 평가했다. 또한, 평가의 기준으로서 하기의 기준에 의거하여 평가를 행했다.
A: 스포이트를 삽입했을 때에, 저항이 있다.
B: 스포이트를 삽입했을 때에, 약한 저항이 있다.
C: 스포이트를 삽입했을 때에, 물과 같이 거의 저항이 없다.
(토출성의 평가 방법)
금구로서 구멍 지름(직경) 40㎛, 구멍 길이 100㎛의 토출 구멍을 금구의 길이 방향으로 300㎛ 피치로 50개 배열해서 갖는 것을 사용했다. 페이스트를 상기 금구의 매니폴드에 충진한 후, 밀폐하고 압축 공기에 의해 500∼1500kPa의 압력을 가하고, 토출 구멍으로부터 토출되는 액의 형상을 육안으로 확인하고, 이하의 기준 에 의거하여 평가했다.
A: 페이스트가 인접하는 토출 구멍으로부터의 토출액과 이어지지 않고, 주상으로 또한 수직으로 하방으로 토출된다.
B: 페이스트가 토출 구멍으로부터 수직으로 하방으로 토출되지만, 주상이 아니라 액적상이고, 토출이 불안정하다.
C: 토출 구멍으로부터 페이스트가 조금밖에 나오지 않거나, 또는 토출된 직후에 인접하는 토출 구멍의 토출액과 이어지거나, 또는 잘 토출되지 않고 토출 구멍 부근에 액 고임이 생기거나, 또는 토출 구멍으로부터 토출되지 않는다.
(페이스트의 도포 방법)
도포 장치로서는 Multi Lab Coater(Toray Engineering Co., Ltd. 제품)를 사용하여, 기판 상의 격벽과 금구의 진행 방향을 얼라인먼트한 후, 금구와 기판의 갭을 100㎛로 유지하고, 상기 금구에 공기에 의해 500∼1,500kPa의 압력을 가하고, 기판에 대한 진행 속도를 5∼300mm/s의 범위 내에서 변화시켜서 페이스트를 토출 시키면서, 상기 격벽을 구비한 기판에 격벽의 장변 방향과 평행 방향으로 노즐 도포함으로써 페이스트를 충진한 후, 핫플레이트 상에서 100℃ 10분 건조하고, 또한 초고압수은등에 의해 노광량 150mJ/㎠(i선)로 노광해서 경화시켰다.
(도포성의 평가 방법)
도포성의 평가 기준은 상기 격벽을 구비한 기판에 공기의 압력을 각종으로 변화시키면서 페이스트를 토출하고, 도포한 직후의 기판을 레이저 현미경(컬러 3D 레이저 현미경 VK-9710, Keyence Corporation 제품)으로 상면 방향으로부터 카메라 모드에서 관찰하고, 광학현미경상을 확인했다. 또한, 도포 직후의 토출 구멍 부근을 육안으로 관찰하고, 토출 구멍 부근의 액 부착을 확인해서 이하의 기준에 의거하여 평가했다.
A: 토출 구멍 부근에의 페이스트의 부착이 없고, 페이스트가 맥동하지 않고 직선 형상으로 도포할 수 있다.
B: 토출 구멍 부근에의 페이스트의 부착은 없고, 직선 형상으로 도포할 수 있지만, 페이스트가 팽윤과 수축을 반복해서 맥동하고 있다.
C: 토출 구멍 부근에의 페이스트의 부착이 있고, 페이스트가 주상류로 토출되지 않고 기판에 문질러 바르는 것 같이 도포되어 있거나, 또는 페이스트가 단속적으로 도포되어 있거나, 또는 페이스트가 도포되어 있지 않다.
평가 결과를 표 1에 나타낸다. 실시예 1∼3은 유동성, 강성, 토출성이 양호하고, 정밀도 좋게 도포가 가능했다. 비교예 1은 페이스트가 액적 형상으로 토출 되어버리고, 토출 구멍 부근에 페이스트가 부착되고, 기판에 문질러 바르는 것 같이 도포되었기 때문에, 토출성 및 도포성이 불량했다. 비교예 2에서는 페이스트가 토출 구멍으로부터 잘 토출되지 않고 토출 구멍 부근에 겨우 액고임으로 되고, 액고임이 기판에 접촉함으로써 단속적으로밖에 도포되지 않아서, 토출성 및 도포성이 불량했다. 비교예 3은 토출시에 페이스트가 주상류가 되지 않고, 도포시에 맥동하고 있어 도포성이 불량했다. 비교예 4에서는 페이스트가 토출시에 조금밖에 나오지 않고, 비교예 2와 마찬가지로 단속적으로밖에 도포되지 않아서, 토출성 및 도포성이 불량했다. 비교예 5에서는 토출된 직후 인접하는 토출 구멍의 토출액과 이어져서 인접 화소에까지 도포되어 버렸기 때문에 도포성이 불량했다. 비교예 6에서는 페이스트가 토출 구멍으로부터 조금도 토출되지 않고, 하지 기판에도 도포되지 않았기 때문에 토출성 및 도포성이 불량했다.
Figure pct00002
표 1 중의 주는 다음과 같다.
※1) "LIGHT ACRYLATE 1.9ND-A"(등록상표)(1,9-노난디올 디아크릴레이트) (Kyoeisha Chemical Co., Ltd.제품)
※2) CdSe/ZnS 530(녹색 발광 양자 도트 재료, SIGMA-ALDRICH 제품)
※3) Ce0 . 63Tb0 . 37MgAl11O19(녹색 발광 무기 형광체 재료, SIGMA-ALDRICH 제품)
※4) 폴리머 중량부 1에 대한 모노머 중량부의 비
※5) R-630(산화티탄, 평균 입자지름 0.24㎛, ISHIHARA SANGYO KAISHA, LTD.제품),
※6) "Irgacure"(등록상표) 819(BASF Japan Ltd. 제품),
※7) 프로필렌글리콜 메틸에테르 아세테이트(FUJIFILM Wako Pure Chemical Corporation 제품)
※8) 전단 속도 1.0[s-1](25℃)에서의 점도[mPa·s]
※9) TI=η1/η100. 여기에서, η1: 전단 속도 a=1.0[s-1](25℃)에서의 점도, η100: 전단 속도 b=100.0[s-1](25℃)에서의 점도
※10) 각속도 1≤ω≤100[rad/s]일 때의 손실 정접(tanδ)의 최소값(25℃)
※11) 각속도(ω)=1[rad/s]일 때의 손실 탄성률(G")[Pa](25℃)
※12) R1(25℃): D1(25℃)/D10(25℃). 여기에서, D1(25℃): 각속도(ω)=1[rad/s]에서의 손실 탄성률(tanδ)(25℃), D10(25℃): 각속도(ω)=10[rad/s]에서의 손실 탄성률(tanδ)(25℃).
※13) R2(25℃): D10(25℃)/D100(25℃). 여기에서, D10(25℃): 각속도(ω)=10[rad/s]에서의 손실 탄성률(tanδ)(25℃), D100(25℃): 각속도(ω)=100[rad/s]에서의 손실 탄성률(tanδ)(25℃).
※14) 각속도 100≤ω≤500[rad/s]일 때의 손실 정접(tanδ)의 최대값(5℃)
※15) 각속도 100≤ω≤500[rad/s]일 때의 손실 정접(tanδ)의 최소값(5℃)
본 발명에 의하면, 미소한 구멍 지름의 토출 구멍을 갖는 금구에서의 노즐 도포에 적합한 페이스트를 실현하는 것이 가능해져서, 마이크로 LED 디스플레이 등의 고정세한 파장 변환형 표시 디바이스 등에 유용하다.
1: 금구
2: 페이스트
3: 기판
4: 가공 배관
5: 토출 구멍
6: 격벽
7: 페이스트의 경화물

Claims (10)

  1. 파장 변환 재료와, 폴리머와, 모노머를 함유하고, 하기 (1)으로 정의되는 Dω에 대해서, 하기 (i)의 관계가 성립되는 페이스트.
    (1) Dω=G"ω/G'ω
    Dω: 각속도(ω)에 있어서의 손실 정접(tanδ)
    G'ω: 각속도(ω)에 있어서의 저장 탄성률
    G"ω: 각속도(ω)에 있어서의 손실 탄성률
    (i) 0.7≤Dω≤1.3(100≤ω≤500rad/s, 5℃)
  2. 제 1 항에 있어서,
    폴리머 중량부 1에 대한 모노머 중량부의 비율이 0.1∼2가 되는 페이스트.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    고형분 농도가 70∼90중량%의 범위 내인 페이스트.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 파장 변환 재료가 무기 형광체인 페이스트.
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 무기 형광체가 양자 도트인 페이스트.
  6. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    전단 속도 1s- 1에 있어서의 점도가 10,000∼400,000mPa·s의 범위인 페이스트.
  7. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 기재된 페이스트 또는 페이스트의 경화물 중 적어도 일방을 격벽으로 구획된 셀 내에 갖는 것을 특징으로 하는 기판.
  8. 제 7 항에 기재된 기판과, OLED 또는 LED를 광원으로서 갖는 디스플레이.
  9. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 기재된 페이스트를 격벽으로 구획된 셀 내에 노즐 도포법에 의해 도포하는 공정을 갖는 기판의 제조 방법.
  10. 제 9 항에 있어서,
    구멍 지름이 20㎛∼50㎛의 범위인 토출 구멍을 갖는 금구를 사용해서 노즐 도포를 행하는 기판의 제조 방법.
KR1020227013628A 2020-02-13 2021-02-05 페이스트, 기판, 디스플레이, 및 기판의 제조 방법 KR20220137866A (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2020-022110 2020-02-13
JP2020022110 2020-02-13
PCT/JP2021/004345 WO2021161920A1 (ja) 2020-02-13 2021-02-05 ペースト、基板、ディスプレイ、および基板の製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20220137866A true KR20220137866A (ko) 2022-10-12

Family

ID=77292289

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020227013628A KR20220137866A (ko) 2020-02-13 2021-02-05 페이스트, 기판, 디스플레이, 및 기판의 제조 방법

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JP7420138B2 (ko)
KR (1) KR20220137866A (ko)
CN (1) CN114981691A (ko)
TW (1) TW202146626A (ko)
WO (1) WO2021161920A1 (ko)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006501617A (ja) 2002-10-01 2006-01-12 コーニンクレッカ　フィリップス　エレクトロニクス　エヌ　ヴィ 光の外部結合を改善した電界発光ディスプレイ
US20120113672A1 (en) 2008-12-30 2012-05-10 Nanosys, Inc. Quantum dot films, lighting devices, and lighting methods
JP2016523450A (ja) 2013-06-18 2016-08-08 ルクスビュー テクノロジー コーポレイション 波長変換層を有するｌｅｄディスプレイ
WO2018123103A1 (ja) 2016-12-28 2018-07-05 Dic株式会社 インク組成物、光変換層及びカラーフィルタ

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60203386A (ja) * 1984-03-26 1985-10-14 Nippon Genma:Kk クリ−ムはんだおよびその製造法
JP3854103B2 (ja) * 2001-06-28 2006-12-06 住友ベークライト株式会社 導電性ペースト及び該ペーストを用いてなる半導体装置
CN100510799C (zh) * 2004-10-08 2009-07-08 富士胶片株式会社 滤色器，用于制造滤色器的方法和液晶显示装置
GB0625530D0 (en) * 2006-12-21 2007-01-31 Eastman Kodak Co Aqueous inkjet fluid
JP5605832B2 (ja) * 2010-07-15 2014-10-15 Ｆｄｋ株式会社 電子部品の製造方法
JP6243872B2 (ja) * 2014-05-19 2017-12-06 富士フイルム株式会社 量子ドット含有積層体の製造方法、量子ドット含有積層体、バックライトユニット、液晶表示装置および量子ドット含有組成物
CN106459725B (zh) * 2014-06-11 2020-08-28 日本化药株式会社 触控面板用紫外线固化型树脂组合物、使用了该组合物的贴合方法和物品
KR102431716B1 (ko) * 2015-08-13 2022-08-12 삼성디스플레이 주식회사 색 미러 기판, 이의 제조 방법 및 색 미러 표시 장치
WO2018055766A1 (ja) * 2016-09-26 2018-03-29 日立化成株式会社 硬化性組成物、波長変換材、バックライトユニット、及び画像表示装置
TW201835297A (zh) * 2017-01-06 2018-10-01 日商Ｊｓｒ股份有限公司 含螢光體粒子組成物、波長轉換層及波長轉換層的製造方法
US10418578B2 (en) * 2017-09-22 2019-09-17 Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Quantum dot light-emitting diode and display device
JP2019113759A (ja) * 2017-12-25 2019-07-11 東京応化工業株式会社 波長変換基材の製造方法
KR102659274B1 (ko) * 2018-06-05 2024-04-18 삼성전자주식회사 양자점, 이를 포함한 조성물 또는 복합체, 그리고 이를 포함한 전자 소자

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006501617A (ja) 2002-10-01 2006-01-12 コーニンクレッカ　フィリップス　エレクトロニクス　エヌ　ヴィ 光の外部結合を改善した電界発光ディスプレイ
US20120113672A1 (en) 2008-12-30 2012-05-10 Nanosys, Inc. Quantum dot films, lighting devices, and lighting methods
JP2016523450A (ja) 2013-06-18 2016-08-08 ルクスビュー テクノロジー コーポレイション 波長変換層を有するｌｅｄディスプレイ
WO2018123103A1 (ja) 2016-12-28 2018-07-05 Dic株式会社 インク組成物、光変換層及びカラーフィルタ

Also Published As

Publication number Publication date
WO2021161920A1 (ja) 2021-08-19
CN114981691A (zh) 2022-08-30
JPWO2021161920A1 (ko) 2021-08-19
JP7420138B2 (ja) 2024-01-23
TW202146626A (zh) 2021-12-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7484457B2 (ja) マイクロｌｅｄディスプレイ装置
KR102432033B1 (ko) 수지 조성물, 차광막, 차광막의 제조 방법 및 격벽 구비 기판
CN106188398B (zh) 量子点-聚合物复合物及其制备方法、具有该复合物的光转换膜、背光单元和显示装置
WO2018225782A1 (ja) 量子ドット含有硬化性組成物、量子ドット含有硬化物、光学部材の製造方法、及び表示装置の製造方法
US10852584B2 (en) Method for quantum dot-polymer composite, quantum dot-polymer composite, light conversion film comprising same, backlight unit, and display device
US20190348575A1 (en) Quantum dot materials and method of manufacturing thereof
US9793511B2 (en) Filler material for organic electroluminescent element and method of sealing organic electroluminescent element
JP2022507821A (ja) 溶媒フリーの製剤およびナノコンポジット
JP6732045B2 (ja) 波長変換フィルムおよびバックライトユニット
US9206350B2 (en) Composition comprising quantum dot, and device using same
CN107353423A (zh) 一种量子点薄膜材料及其制作方法
CN109065744A (zh) 一种oled显示面板及其封装方法
KR20190034312A (ko) 감광성 조성물, 색 변환 매체, 광학 디바이스 및 그의 제조 방법
JP7211378B2 (ja) 波長変換基板、ディスプレイ、および波長変換基板の製造方法
TWI564660B (zh) 用以在導光板上形成圖案之活性能量射線固化樹脂組合物
KR20220137866A (ko) 페이스트, 기판, 디스플레이, 및 기판의 제조 방법
KR20200019110A (ko) 유기 el 표시 소자용 봉지제
JP2024022608A (ja) 有機ｅｌ表示素子用封止剤
JP2013092684A (ja) カラーフィルタ用緑色組成物およびカラーフィルタ
KR20220137867A (ko) 파장 변환 기판의 제조 방법, 파장 변환 기판, 및 디스플레이
KR20060041842A (ko) 무기 분체 함유 수지 조성물, 전사 필름 및 디스플레이패널용 부재의 제조 방법
WO2022138197A1 (ja) 隔壁付き基板、波長変換基板、および、ディスプレイ、ならびに、波長変換基板の製造方法
JP2019174565A (ja) 波長変換部材、バックライトユニット、画像表示装置、波長変換部材用樹脂組成物、及び樹脂硬化物
JP2021096412A (ja) 波長変換ペースト、波長変換基板、ディスプレイ、および波長変換基板の製造方法
JP2022137418A (ja) 波長変換ペースト、基板、ディスプレイおよび基板の製造方法