KR20220099114A - 감광성 엘리먼트, 및 레지스트 패턴의 형성 방법 - Google Patents

감광성 엘리먼트, 및 레지스트 패턴의 형성 방법 Download PDF

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Abstract

해상성의 향상과, 권취시의 주름의 방지를 양립시킨 감광성 엘리먼트, 및 레지스트 패턴의 형성 방법을 제공하는 것. 지지 필름 (A), 감광성 수지 조성물층 (B) 및 보호 필름 (C) 를 이 순서로 갖는 감광성 엘리먼트로서, JIS B0601-2001 에서 규정되는, 지지 필름 (A) 의 감광성 수지 조성물층 (B) 와 접하는 측의 면의 표면 조도 RzA1 (㎚), 반대측의 면의 표면 조도 RzA2 (㎚), 보호 필름 (C) 의 감광성 수지 조성물층과 접하는 측의 면의 표면 조도 RzC1 (㎚), 반대측의 면의 표면 조도 RzC2 (㎚) 가, 이하의 (1) ∼ (3) :
(1) 1 ＜ RzA1 ＜ 100
(2) 300 ＜ RzC1 ＜ 600
(3) 40 ＜ RzC2/RzA2
를 만족하는 것을 특징으로 한다.

Description

감광성 엘리먼트, 및 레지스트 패턴의 형성 방법
본 발명은 감광성 엘리먼트, 및 레지스트 패턴의 형성 방법에 관한 것이다.
PC 또는 휴대 전화 등의 전자 기기에는, 부품 또는 반도체 등의 실장용으로서 프린트 배선판 등이 사용된다. 프린트 배선판 등의 제조용의 레지스트로는, 종래, 지지 필름 상에 감광성 수지 조성물층을 적층하고, 추가로 그 감광성 수지 조성물층 상에 필요에 따라서 보호 필름을 적층하여 이루어지는 감광성 엘리먼트 (감광성 수지 적층체), 이른바 드라이 필름 레지스트가 사용되고 있다 (예를 들어, 특허문헌 1, 특허문헌 2 참조).
이와 같은 감광성 엘리먼트에 있어서, 해상성을 향상시키기 위해서, 지지 필름으로서, 노광하는 광을 차단하는 내부 이물질이 적은 고품위 필름이 바람직하게 사용되고 있다.
일본 공개특허공보 2004-191648호 일본 공개특허공보 2019-188612호
그러나, 고품위 필름은 표면 조도가 작기 때문에, 감광성 수지 조성물층과 보호 필름을 적층하여 롤상으로 권취할 때에, 보호 필름과 접촉하는 계면에서 마찰력이 지나치게 높아져 주름을 발생시켜 버린다.
본 발명은 이와 같은 종래의 실정을 감안하여 제안된 것으로서, 본 발명의 목적은, 해상성의 향상과, 권취시의 주름의 방지를 양립시킨 감광성 엘리먼트, 및 레지스트 패턴의 형성 방법을 제공하는 것에 있다.
본 발명자들은 이하의 기술적 수단에 의해서 상기 과제를 해결할 수 있는 것을 알아내었다.
[1] 지지 필름 (A), 감광성 수지 조성물층 (B) 및 보호 필름 (C) 를 이 순서로 갖는 감광성 엘리먼트로서,
JIS B0601-2001 에서 규정되는, 상기 지지 필름 (A) 의 상기 감광성 수지 조성물층 (B) 와 접하는 측의 면의 표면 조도 RzA1 (㎚), 반대측의 면의 표면 조도 RzA2 (㎚), 상기 보호 필름 (C) 의 상기 감광성 수지 조성물층 (B) 와 접하는 측의 면의 표면 조도 RzC1 (㎚), 및 반대측의 면의 표면 조도 RzC2 (㎚) 가, 이하의 (1) ∼ (3) :
(1) 1 ＜ RzA1 ＜100
(2) 300 ＜ RzC1 ＜600
(3) 40 ＜ RzC2/RzA2
를 만족하는 것을 특징으로 하는, 감광성 엘리먼트.
[2] 1 ＜ RzA2 ＜ 200 인, [1] 에 기재된 감광성 엘리먼트.
[3] 1.1 ＜ RzA2/RzA1 ＜ 7 인, [1] 또는 [2] 에 기재된 감광성 엘리먼트.
[4] 1.1 ＜ RzC2/RzC1 ＜ 10 인, [1] ∼ [3] 중 어느 하나에 기재된 감광성 엘리먼트.
[5] 50 ＜ RzC2/RzA2 ＜ 100 인, [1] ∼ [4] 중 어느 하나에 기재된 감광성 엘리먼트.
[6] 상기 지지 필름 (A) 에 포함되는, 직경 2 ㎛ 이상 5 ㎛ 이하의 입자의 개수가 30 개/30 ㎟ 이하인, [1] ∼ [5] 중 어느 하나에 기재된 감광성 엘리먼트.
[7] 상기 지지 필름 (A) 에 포함되는, 직경 2 ㎛ 이상 5 ㎛ 이하의 입자의 개수가 15 개/30 ㎟ 이하인, [1] ∼ [6] 중 어느 하나에 기재된 감광성 엘리먼트.
[8] 상기 지지 필름 (A) 에 포함되는, 직경 2 ㎛ 이상 5 ㎛ 이하의 입자의 개수가 10 개/30 ㎟ 이하인, [1] ∼ [7] 중 어느 하나에 기재된 감광성 엘리먼트.
[9] 상기 지지 필름 (A) 에 함유되는 티탄 원소 함유량이 1 ppm 이상 20 ppm 이하인, [1] ∼ [8] 중 어느 하나에 기재된 감광성 엘리먼트.
[10] 상기 지지 필름 (A) 의 적어도 편면에 평활화 처리가 실시되어 있는, [1] ∼ [9] 중 어느 하나에 기재된 감광성 엘리먼트.
[11] 상기 지지 필름 (A) 의 막 두께가 5 ㎛ 이상 12 ㎛ 이하인, [1] ∼ [10] 중 어느 하나에 기재된 감광성 엘리먼트.
[12] 상기 보호 필름 (C) 의 표면이 폴리프로필렌 수지로 이루어지는, [1] ∼ [11] 중 어느 하나에 기재된 감광성 엘리먼트.
[13] [1] ∼ [12] 중 어느 하나에 기재된 감광성 엘리먼트를 권회하여 이루어지는, 감광성 엘리먼트의 권회체.
[14] [1] ∼ [12] 중 어느 하나에 기재된 감광성 엘리먼트를 기판에 적층하는 적층 공정,
그 감광성 엘리먼트의 감광성 수지 조성물층을 노광하는 노광 공정, 및
그 감광성 수지 조성물층의 미노광부를 현상 제거하는 현상 공정을 포함하는, 레지스트 패턴의 형성 방법.
[15] 상기 노광 공정을, 투영 노광 방법에 의해서 행하는, [14] 에 기재된 레지스트 패턴의 형성 방법.
본 발명에 의하면, 해상성의 향상과, 권취시의 주름의 방지를 양립시킨 감광성 엘리먼트, 및 레지스트 패턴의 형성 방법을 제공할 수 있다.
도 1 은, 본 발명의 감광성 엘리먼트의 일 구성예를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
이하, 본 발명을 실시하기 위한 실시형태에 대해서 상세하게 설명한다.
[감광성 엘리먼트]
도 1 은, 본 발명의 감광성 엘리먼트의 일 구성예를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
본 발명의 감광성 엘리먼트는, 지지 필름 (A), 감광성 수지 조성물층 (B) 및 보호 필름 (C) 를 이 순서로 갖는 감광성 엘리먼트로서,
JIS B0601 에서 규정되는, 지지 필름 (A) 의 감광성 수지 조성물층과 접하는 측의 면의 표면 조도 RzA1 (㎚), 반대측의 면의 표면 조도 RzA2 (㎚), 보호 필름 (C) 의 감광성 수지 조성물층과 접하는 측의 면의 표면 조도 RzC1 (㎚), 및 반대측의 면의 표면 조도 RzC2 (㎚) 가, 이하의 (1) ∼ (3) :
(1) 1 ＜ RzA1 ＜100
(2) 300 ＜ RzC1 ＜600
(3) 40 ＜ RzC2/RzA2
를 만족하는 것을 특징으로 한다.
감광성 엘리먼트의 해상성을 향상시키는 위해서는, 지지 필름 (A) 로서, 노광하는 광을 차단하는 내부 이물질이 적은 고품위 필름을 사용하는 것이 바람직하다.
고품위 필름의 특징은, 표면 조도가 작은 것, 특히 감광성 수지 조성물층 (B) 와 접촉하는 측의 면의 표면 조도가 작은 것이다. 그러나, 이들 필름을 사용하여 감광성 엘리먼트 롤 (드라이 필름 롤) 을 제조하면, 보호 필름 (C) 와의 마찰력이 지나치게 높아서, 롤 권취시에 주름을 발생시켜 버린다. 따라서, 롤 권취시의 주름의 발생을 방지하기 위해서는, 보호 필름 (C) 의, 지지 필름 (A) 와 접촉하는 측의 면의 표면 조도를 크게 하는 것을 들 수 있다.
상기 2 개의 과제 (해상성의 향상, 권취시의 주름의 방지) 의 양립을 위해서는, 지지 필름 (A) 에 대해서는, 표면 조도가 작고, 감광성 수지 조성물층 (B) 와 접촉하는 측의 면이 더욱 평활할 것, 및, 보호 필름 (C) 에 대해서는, 감광성 수지 조성물층 (B) 와 접촉하는 측의 면이 평활하고, 다른 일방의 표면은 조화 (粗化) 되어 있을 것이 중요하다. 즉, 본 발명자들은, 지지 필름 (A) 도 보호 필름 (C) 도 어느 정도 평활하면서, 어느 쪽도 편면이 조화면인 층 구성이 이상적인 것을 생각하기에 이르렀다.
따라서, 본 발명자들은, 지지 필름 (A) 와 보호 필름 (C) 의 표면이 어느 정도 평활하며, 또한, 지지 필름 (A) 와 보호 필름 (C) 의 표면 조도에 차를 형성함으로써, 해상성의 향상과, 롤상으로 권취할 때의 주름의 발생 방지를 양립시킨 감광성 엘리먼트를 실현하였다.
본 발명에서는, 식 (1) ∼ 식 (3) 을 사용하여, 상기 서술한 구성을 규정하였다. 식 (1) ∼ 식 (3) 을 모두 만족함으로써, 본 발명의 감광성 엘리먼트는, 양호한 해상성을 가짐과 함께, 롤상으로 권취할 때의 주름이 바람직하게 방지된 것이 된다.
또한, 본 명세서에 있어서, 표면 조도는, JIS B0601-2001 에 규정되는 방법에 기초하여 측정한 최대 높이 Rz 이다. 또, 표면 조도의 값은, 레이저식, 촉침식, 광 절단식, 광 간섭식 등의 통상적인 표면 조도 측정기를 사용하여 측정할 수 있다.
＜지지 필름 (A)＞
본 실시형태에 관련된 지지 필름 (A) 는, 감광성 수지 조성물층 (B) 를 지지하기 위한 층 또는 필름으로서, 활성 광선을 투과시키는 투명한 기재 필름인 것이 바람직하다.
투명한 기재 필름으로는, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리카보네이트, 폴리에틸렌테레프탈레이트 등의 합성 수지로 이루어지는 필름을 들 수 있다. 통상적으로는 적당한 가요성 및 강도를 갖는 폴리에틸렌테레프탈레이트 (PET) 가 바람직하게 사용된다.
이 중에서도, 내부 이물질이 적은 고품위 필름을 사용하는 것이 바람직하다. 구체적으로는, 고품위 필름으로서, Ti 계 촉매를 사용하여 합성된 PET 필름, 활제의 직경이 작고 함유량이 적은 PET 필름, 필름의 편면만 활제를 함유하는 PET 필름, 박막 PET 필름, 적어도 편면에 평활화 처리가 실시된 PET 필름, 적어도 편면에 플라즈마 처리 등의 조화 처리가 실시된 PET 필름 등을 사용하는 것이 보다 바람직하다.
이로써, 노광하는 광을, 내부 이물질에 의해서 차단되지 않고 감광성 수지 조성물층 (B) 에 조사할 수 있어, 감광성 엘리먼트의 해상성을 향상시킬 수 있다.
내부 이물질로서 지지 필름 (A) 에 포함되는, 직경 2 ㎛ 이상 5 ㎛ 이하의 입자의 개수는, 30 개/30 ㎟ 이하인 것이 바람직하고, 15 개/30 ㎟ 이하인 것이 보다 바람직하며, 10 개/30 ㎟ 이하인 것이 더욱 바람직하다.
지지 필름 (A) 에 함유되는, 티탄 원소 (Ti) 함유량은 1 ppm 이상 20 ppm 이하인 것이 바람직하고, 2 ppm 이상 12 ppm 이하인 것이 보다 바람직하다. 티탄 원소의 함유량이 20 ppm 이하이면, 티탄 원소 함유 응집체에서 유래하는 내부 이물질의 개수를 저감할 수 있어, 해상성의 저하를 방지할 수 있다.
지지 필름 (A) 의 막 두께는, 5 ㎛ 이상 16 ㎛ 이하인 것이 바람직하고, 6 ㎛ 이상 12 ㎛ 이하인 것이 보다 바람직하다. 지지 필름의 막 두께는 얇을수록 내부 이물질의 개수가 적어져 해상성의 저하를 방지할 수 있지만, 막 두께가 5 ㎛ 미만이 되면, 도공·권취의 제조 공정에 있어서의, 장력에 의한 권취 방향으로의 신장 변형이나 미소한 흠집에 의한 파열을 일으키거나, 필름의 강도가 부족하여 라미네이트시에 주름을 발생시키거나 한다.
지지 필름 (A) 의 적어도 편면에, 캘린더 장치 등을 사용한 평활화 처리가 실시되어 있는 것이 바람직하다. 이로써, 지지 필름 (A) 의 편면, 특히 감광성 수지 조성물층 (B) 와 접촉하는 측의 면의 표면 조도를 작게 하여, 본 발명의 효과를 보다 우수한 것으로 할 수 있다.
지지 필름 (A) 의 헤이즈는, 감광성 수지 조성물층 (B) 에 조사되는 광선의 평행도가 향상되어, 감광성 엘리먼트의 노광 현상 후에 보다 높은 해상성을 얻는다는 관점에서, 바람직하게는 0.01 ％ ∼ 1.5 ％ 이고, 보다 바람직하게는 0.01 ％ ∼ 1.2 ％ 이며, 더욱 바람직하게는 0.01 ∼ 0.95 ％ 이다.
그리고, 본 실시형태의 감광성 엘리먼트에 있어서, 지지 필름 (A) 는, 양면의 표면 조도에 대해서, 이하의 식 (1) 을 만족한다.
(1) 1 ＜ RzA1 ＜100,
여기에서, RzA1 은, 지지 필름 (A) 의 감광성 수지 조성물층 (B) 와 접하는 측의 면의 표면 조도 (㎚) 를 나타내고, RzA2 는, 반대측의 면의 표면 조도 (㎚) 를 나타낸다.
식 (1) 은, 지지 필름 (A) 가 어느 쪽도 평활하지만, 편면이 조화면일 것을 규정하고 있다. 이로써 감광성 엘리먼트는 해상성이 우수한 것이 된다.
RzA1 및 RzA2 는, 상기 식 (1) 을 만족하면 특별히 한정되지 않는데, 구체적으로, RzA1 은, 10 ㎚ ∼ 70 ㎚ 인 것이 보다 바람직하다. RzA2 는, RzA1 에 대한 대소에 관계없이, 작은 값이면 된다. 구체적으로, RzA2 는, 1 ㎚ ＜ RzA2 ＜ 200 ㎚ 인 것이 바람직하고, 40 ㎚ ∼ 100 ㎚ 인 것이 바람직하며, 50 ㎚ ∼ 90 ㎚ 인 것이 보다 바람직하다. 또, RzA2/RzA1 은, 1.1 ＜ RzA2/RzA1 ＜ 7 인 것이 바람직하고, 1.2 ∼ 5 인 것이 보다 바람직하다.
＜감광성 수지 조성물층 (B)＞
감광성 수지 조성물층 (B) 는, 지지 필름 (A) 상에 적층된다. 본 실시형태에 관련된 감광성 수지 조성물층 (B) 로는, 공지된 감광성 수지 조성물층을 사용하면 된다. 통상적으로, 감광성 수지 조성물층은, 다음의 성분 : (i) 알칼리 가용성 고분자, (ii) 에틸렌성 불포화 이중 결합 함유 성분 (예를 들어, 에틸렌성 불포화 부가 중합성 모노머), 및 (iii) 광 중합 개시제를 함유하는, 감광성 수지 조성물로 형성된다.
(i) 성분인 알칼리 가용성 고분자는, 알칼리 가용성의 관점에서, 카르복실기를 갖는 것이 바람직하다. 또, 경화막의 강도 및 감광성 수지 조성물의 도공성의 관점에서, 알칼리 가용성 고분자는, 그 측사슬에 방향족기를 갖는 것도 바람직하다.
알칼리 가용성 고분자의 산 당량은, 감광성 수지 조성물층의 내현상성, 그리고 레지스트 패턴의 현상 내성, 해상성 및 밀착성의 관점에서, 100 이상인 것이 바람직하고, 감광성 수지 조성물층의 현상성 및 박리성의 관점에서, 600 이하인 것이 바람직하다. 보다 바람직하게는 250 ∼ 550 이고, 더욱 바람직하게는 300 ∼ 500 이다.
알칼리 가용성 고분자의 중량 평균 분자량은, 드라이 필름 레지스트의 두께를 균일하게 유지하여, 현상액에 대한 내성을 얻는다는 관점에서, 5,000 ∼ 500,000 의 범위 내인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 10,000 ∼ 200,000 이며, 더욱 바람직하게는 18,000 ∼ 100,000 이다.
본 명세서에서는, 중량 평균 분자량이란, 겔 퍼미에이션 크로마토그래피 (GPC) 에 의해서 표준 폴리스티렌의 검량선을 사용하여 측정한 중량 평균 분자량인 것을 말한다. 알칼리 가용성 고분자의 분산도는, 1.0 ∼ 6.0 인 것이 바람직하다.
알칼리 가용성 고분자로는, 예를 들어, 카르복실산 함유 비닐 공중합체, 카르복실산 함유 셀룰로오스 등을 들 수 있다.
카르복실산 함유 비닐 공중합체는, α,β-불포화 카르복실산 중에서 선택되는 적어도 1 종의 제 1 단량체와, 알킬(메트)아크릴레이트, 하이드록시알킬(메트)아크릴레이트, (메트)아크릴아미드와 그 질소 상의 수소를 알킬기 또는 알콕시기로 치환한 화합물, 스티렌 및 스티렌 유도체, (메트)아크릴로니트릴, 및 (메트)아크릴산글리시딜 중에서 선택되는 적어도 1 종의 제 2 단량체를 비닐 공중합하여 얻어지는 화합물이다.
카르복실산 함유 비닐 공중합체에 사용되는 제 1 단량체로는, 아크릴산, 메타크릴산, 푸마르산, 신남산, 크로톤산, 이타콘산, 말레산 반에스테르 등을 들 수 있다. 이들 제 1 단량체는, 각각 단독으로 사용해도 되고 2 종 이상을 조합해도 된다.
카르복실산 함유 비닐 공중합체에 있어서의 제 1 단량체의 구성 단위의 함유 비율은, 공중합체의 질량을 기준으로 하여, 15 질량％ 이상 40 질량％ 이하, 바람직하게는 20 질량％ 이상 35 질량％ 이하이다. 그 비율이 15 질량％ 미만이면, 알칼리 수용액에 의한 현상이 곤란해진다. 그 비율이 40 질량％ 를 초과하면, 중합 중에 제 1 단량체가 용매에 불용이 되기 때문에, 공중합체의 합성이 곤란해진다.
카르복실산 함유 비닐 공중합체에 사용되는 제 2 단량체의 구체예로는, 메틸(메트)아크릴레이트, 에틸(메트)아크릴레이트, n-프로필(메트)아크릴레이트, 시클로헥실(메트)아크릴레이트, n-부틸(메트)아크릴레이트, 2-에틸헥실(메트)아크릴레이트, 2-하이드록시에틸(메트)아크릴레이트, 2-하이드록시프로필(메트)아크릴레이트, 4-하이드록시부틸(메트)아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜모노(메트)아크릴레이트, 폴리프로필렌글리콜모노(메트)아크릴레이트, (메트)아크릴아미드, N-메틸올아크릴아미드, N-부톡시메틸아크릴아미드, 스티렌, α-메틸스티렌, p-메틸스티렌, p-클로로스티렌, (메트)아크릴로니트릴, (메트)아크릴산글리시딜 등을 들 수 있다. 이들 제 2 단량체는, 각각 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 조합하여 사용해도 된다.
카르복실산 함유 비닐 공중합체에 있어서의, 제 2 단량체의 구성 단위의 함유 비율은, 공중합체의 질량을 기준으로 하여, 60 질량％ 이상 85 질량％ 이하, 바람직하게는 65 질량％ 이상 80 질량％ 이하이다.
측사슬에 방향족기를 도입한다는 관점에서, 제 2 단량체로서, 스티렌 또는, α-메틸스티렌, p-메틸스티렌, p-클로로스티렌 등의 스티렌 유도체의 구성 단위를 카르복실산 함유 비닐 공중합체에 함유시키는 것이 보다 바람직하다. 이 경우, 카르복실산 함유 비닐 공중합체에 있어서의, 스티렌 또는 스티렌 유도체의 구성 단위의 함유 비율은, 공중합체의 질량을 기준으로 하여, 바람직하게는 5 질량％ 이상 35 질량％ 이하, 보다 바람직하게는 15 질량％ 이상 30 질량％ 이하이다.
카르복실산 함유 비닐 공중합체의 중량 평균 분자량은, 10,000 ∼ 200,000 의 범위 내이고, 바람직하게는 18,000 ∼ 100,000 의 범위 내이다. 이 중량 평균 분자량이 10,000 미만이면, 경화막의 강도가 작아진다. 이 중량 평균 분자량이 200,000 을 초과하면, 감광성 수지 조성물의 점도가 지나치게 높아져, 그 도공성이 저하된다.
카르복실산 함유 비닐 공중합체는, 각종 단량체의 혼합물을, 아세톤, 메틸에틸케톤, 이소프로판올 등의 용제로 희석한 용액에, 과산화벤조일, 아조이소부티로니트릴 등의 라디칼 중합 개시제를 적당량 첨가하고, 과열 교반함으로써 합성하는 것이 바람직하다. 혼합물의 일부를 반응액에 적하하면서 합성하는 경우도 있다. 반응 종료 후, 추가로 용제를 첨가하여, 원하는 농도로 조정하는 경우도 있다. 그 합성 수단으로는, 용액 중합 이외에도, 괴상 중합, 현탁 중합 및 유화 중합도 사용된다.
카르복실산 함유 셀룰로오스로는, 예를 들어, 셀룰로오스아세테이트프탈레이트, 하이드록시에틸·카르복시메틸셀룰로오스 등을 들 수 있다. 알칼리 가용성 고분자 (A) 의 함유량은, 감광성 수지 조성물의 전체 질량 기준으로, 바람직하게는 30 질량％ 이상 80 질량％ 이하, 보다 바람직하게는 40 질량％ 이상 65 질량％ 이하의 범위 내이다. 이 함유량이 30 질량％ 미만이면, 알칼리 현상액에 대한 분산성이 저하되어, 현상 시간이 현저하게 길어진다. 이 함유량이 80 질량％ 를 초과하면, 감광성 수지 조성물층의 광 경화가 불충분해져, 레지스트로서의 내성이 저하된다. 알칼리 가용성 고분자는, 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 조합하여 사용해도 된다.
(ii) 성분인 에틸렌성 불포화 부가 중합성 모노머로는, 공지된 종류의 화합물을 사용할 수 있다. 에틸렌성 불포화 부가 중합성 모노머로는, 예를 들어, 2-하이드록시-3-페녹시프로필아크릴레이트, 페녹시테트라에틸렌글리콜아크릴레이트, β-하이드록시프로필-β'-(아크릴로일옥시)프로필프탈레이트, 1,4-테트라메틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 1,6-헥산디올디(메트)아크릴레이트, 1,4-시클로헥산디올디(메트)아크릴레이트, 헵타프로필렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 글리세롤(메트)아크릴레이트, 2-디(p-하이드록시페닐)프로판디(메트)아크릴레이트, 글리세롤트리(메트)아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리(메트)아크릴레이트의 분자 중에 에틸렌옥사이드 사슬, 프로필렌옥사이드 사슬, 테트라메틸렌옥사이드 사슬 중 적어도 1 종을 함유하는 화합물, 디펜타에리트리톨펜타(메트)아크릴레이트의 분자 중에 에틸렌옥사이드 사슬, 프로필렌옥사이드 사슬, 테트라메틸렌옥사이드 사슬 중 적어도 1 종을 함유하는 화합물, 디펜타에리트리톨헥사(메트)아크릴레이트의 분자 중에 에틸렌옥사이드 사슬, 프로필렌옥사이드 사슬, 테트라메틸렌옥사이드 사슬 중 적어도 1 종을 함유하는 화합물, fr 트리메틸올프로판트리글리시딜에테르트리(메트)아크릴레이트, 비스페놀 A 디글리시딜에테르디(메트)아크릴레이트, 디알릴프탈레이트, 폴리에틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 폴리프로필렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 4-노르말옥틸페녹시펜타프로필렌글리콜아크릴레이트, 비스(트리에틸렌글리콜메타크릴레이트)노나프로필렌글리콜, 비스(테트라에틸렌글리콜메타크릴레이트)폴리프로필렌글리콜, 비스(트리에틸렌글리콜메타크릴레이트)폴리프로필렌글리콜, 비스(디에틸렌글리콜아크릴레이트)폴리프로필렌글리콜, 4-노르말노닐페녹시헵타에틸렌글리콜디프로필렌글리콜(메트)아크릴레이트, 페녹시테트라프로필렌글리콜테트라에틸렌글리콜(메트)아크릴레이트, 비스페놀 A 계 (메트)아크릴산에스테르모노머의 분자 중에 에틸렌옥사이드 사슬, 프로필렌옥사이드 사슬, 테트라메틸렌옥사이드 사슬 중 적어도 1 종을 함유하는 화합물 등을 들 수 있다. 에틸렌성 불포화 부가 중합성 모노머는, 에틸렌옥사이드 사슬, 프로필렌옥사이드 사슬, 테트라메틸렌옥사이드 사슬 중 적어도 1 종을 함유해도 되는 취지로서 예시한 상기 화합물 이외의 화합물이어도 되고, 에틸렌옥사이드 사슬, 프로필렌옥사이드 사슬, 테트라메틸렌옥사이드 사슬 중 적어도 1 종의 알킬렌옥사이드 사슬을 포함해도 된다.
또, 에틸렌성 불포화 부가 중합성 모노머로는, 헥사메틸렌디이소시아네이트, 톨루일렌디이소시아네이트 등의 다가 이소시아네이트 화합물과, 2-하이드록시프로필(메트)아크릴레이트, 올리고에틸렌글리콜모노(메트)아크릴레이트, 올리고프로필렌글리콜모노(메트)아크릴레이트 등의 하이드록시아크릴레이트 화합물의 우레탄화 화합물 등도 사용할 수 있다. 이들 에틸렌성 불포화 부가 중합성 모노머는 각각 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 조합하여 사용해도 된다.
에틸렌성 불포화 부가 중합성 모노머의 함유량은, 감광성 수지 조성물의 전체 질량 기준으로, 바람직하게는 20 질량％ 이상 70 질량％ 이하, 보다 바람직하게는 30 질량％ 이상 60 질량％ 이하이다. 이 함유량이 20 질량％ 미만이면, 감광성 수지의 경화가 충분하지 않아, 레지스트로서의 강도가 부족하다. 한편, 이 함유량이 70 질량％ 를 초과하면, 감광성 엘리먼트가 롤상으로 보존되었을 경우에, 롤 단면으로부터 감광성 수지 조성물층 또는 감광성 수지 조성물이 서서히 비어져 나오는 현상, 즉 에지 퓨전이 발생되기 쉬워진다.
(iii) 성분인 광 중합 개시제로는, 예를 들어, 벤질디메틸케탈, 벤질디에틸케탈, 벤질디프로필케탈, 벤질디페닐케탈, 벤조인메틸에테르, 벤조인에틸에테르, 벤조인프로필에테르, 벤조인페닐에테르, 티오크산톤, 2,4-디메틸티오크산톤, 2,4-디에틸티오크산톤, 2-이소프로필티오크산톤, 4-이소프로필티오크산톤, 2,4-디이소프로필티오크산톤, 2-플루오로티오크산톤, 4-플루오로티오크산톤, 2-클로로티오크산톤, 4-클로로티오크산톤, 1-클로로-4-프로폭시티오크산톤, 벤조페논, 4,4'-비스(디메틸아미노)벤조페논 [미힐러케톤], 4,4'-비스(디에틸아미노)벤조페논, 2,2-디메톡시-2-페닐아세토페논 등의 방향족 케톤류 ; 2-(o-클로로페닐)-4,5-디페닐이미다졸릴 이량체 등의 비이미다졸 화합물 ; 9-페닐아크리딘 등의 아크리딘류 ; α,α-디메톡시-α-모르폴리노-메틸티오페닐아세토페논, 2,4,6-트리메틸벤조일디페닐포스핀옥사이드 등의 방향족계 개시제 ; 페닐글리신, N-페닐글리신 등의 N-아릴아미노산류 ; 1-페닐-1,2-프로판디온-2-o-벤조일옥심, 2,3-디옥소-3-페닐프로피온산에틸-2-(o-벤조일카르보닐)-옥심 등의 옥심에스테르류 ; p-디메틸아미노벤조산, p-디에틸아미노벤조산 및 p-디이소프로필아미노벤조산 및 이것들의 알코올과의 에스테르화물, p-하이드록시벤조산에스테르 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 2-(o-클로로페닐)-4,5-디페닐이미다졸릴 이량체와 미힐러케톤 또는 4,4'-(디에틸아미노)벤조페논의 조합이 바람직하다.
광 중합 개시제의 함유량은, 감광성 수지 조성물의 전체 질량 기준으로, 바람직하게는 0.01 질량％ 이상 20 질량％ 이하, 보다 바람직하게는 1 질량％ 이상 10 질량％ 이하이다. 이 함유량이 0.01 질량％ 보다 적으면, 감도가 충분하지 못하다. 이 함유량이 20 질량％ 를 초과하면, 자외선 흡수율이 높아져, 감광성 수지 조성물층의 바닥 부분의 경화가 불충분해진다.
본 실시형태에 관련된 감광성 수지 조성물층 (B) 의 열 안정성 및/또는 보존 안정성을 향상시키기 위해서, 감광성 수지 조성물 또는 감광성 수지 조성물층에 라디칼 중합 금지제를 함유시키는 것은 바람직하다. 라디칼 중합 금지제로는, 예를 들어, 4-하이드록시-2,2,6,6-테트라메틸피페리딘1-옥실벤조에이트 프리 라디칼, 2,2,6,6-테트라메틸피페리딘 1-옥실, 4-하이드록시-2,2,6,6-테트라메틸피페리딘-1-옥실 등의 TEMPO 유도체류, 페노티아진, N,N-디에틸하이드록시아민, 나프틸아민, N-(1-메틸헵틸)-N'-페닐-p-페닐렌디아민, 4,4'-디쿠밀-디페닐아민 등의 아민류, 4-t-부틸피로카테콜 등의 카테콜류, p-벤조퀴논, 하이드로퀴논, 2-하이드록시-1,4-나프토퀴논, t-부틸하이드로퀴논, 메틸하이드로퀴논, 2,5-디-tert-부틸하이드로퀴논 등의 퀴논류, 디-t-부틸-7-페닐퀴논메티드 등의 퀴논메티드류, 쿠페론, 디부틸디티오카르바민산구리 (II), N-니트로소-N-페닐하이드록시아민알루미늄 등의 킬레이트 화합물류, 2-tert-부틸-4,6-디메틸페놀, 비스[3-(3-tert-부틸-4-하이드록시-5-메틸페닐)프로피온산] [에틸렌비스(옥시에틸렌)], 2,2'-메틸렌비스[6-(1-메틸시클로헥실)-p-크레졸, 2,6-디-tert-부틸-p-크레졸, 2,6-디-tert-부틸페놀, 옥틸-3,5-디-tert-부틸-4-하이드록시-하이드로육계산, 2,2-비스[[[3-(3,5-디-tert-부틸-4-하이드록시페닐)프로피오닐]옥시]메틸]프로판-1,3-디올1,3-비스[3-(3,5-디-tert-부틸-4-하이드록시페닐)프로피오네이트], p-메톡시페놀, 4,4'-부틸리덴비스(6-t-부틸-3-메틸페놀) 등의 페놀 유도체류, 피로갈롤, 염화제1구리 등을 들 수 있다.
본 실시형태에서는, 감광성 수지 조성물층 (B) 에 염료, 안료 등의 착색 물질이 함유되어 있어도 된다. 착색 물질로는, 예를 들어, 푹신, 프탈로시아닌 그린, 오라민 염기, 칼콕시드 그린 S, 파라 마젠타, 크리스탈 바이올렛, 메틸오렌지, 나일 블루 2B, 빅토리아 블루, 말라카이트 그린, 베이직 블루 20, 다이아몬드 그린 등을 들 수 있다.
본 실시형태에서는, 광 조사에 의해서 발색하는 발색계 염료를, 감광성 수지 조성물층 (B) 에 함유시켜도 된다. 발색계 염료로는, 예를 들어, 류코 염료와 할로겐 화합물의 조합이 알려져 있다. 류코 염료로는, 예를 들어, 트리스(4-디메틸아미노-2-메틸페닐)메탄 [류코 크리스탈 바이올렛], 트리스(4-디메틸아미노-2-메틸페닐)메탄 [류코 말라카이트 그린] 등을 들 수 있다. 할로겐 화합물로는, 예를 들어, 브롬화아밀, 브롬화이소아밀, 브롬화이소부틸렌, 브롬화에틸렌, 브롬화디페닐메틸, 브롬화벤잘, 브롬화메틸렌, 트리브로모메틸페닐술폰, 사브롬화탄소, 트리스(2,3-디브로모프로필)포스페이트, 트리클로로아세트아미드, 요오드화아밀, 요오드화이소부틸, 1,1,1-트리클로로-2,2-비스(p-클로로페닐)에탄, 헥사클로로에탄 등을 들 수 있다.
본 실시형태에서는, 필요에 따라서, 가소제 등의 첨가제를 감광성 수지 조성물층 (B) 에 함유시켜도 된다. 첨가제로는, 예를 들어, 디에틸프탈레이트 등의 프탈산 에스테르류, o-톨루엔술폰산아미드, p-톨루엔술폰산아미드, 시트르산트리부틸, 시트르산트리에틸, 아세틸시트르산트리에틸, 아세틸시트르산트리-n-프로필, 아세틸시트르산트리-n-부틸, 폴리프로필렌글리콜, 폴리에틸렌글리콜, 폴리에틸렌글리콜알킬에테르, 폴리프로필렌글리콜알킬에테르 등을 들 수 있다.
감광성 수지 조성물층 (B) 의 두께는, 바람직하게는, 3 ∼ 100 ㎛ 이고, 보다 바람직한 상한은 50 ㎛ 이다. 감광성 수지층의 두께가 3 ㎛ 에 가까워질수록 해상성은 향상되고, 100 ㎛ 에 가까워질수록 막 강도가 향상되기 때문에, 용도에 따라서 적절히 선택할 수 있다.
＜보호 필름 (C)＞
보호 필름 (C) 는, 지지 필름 (A) 와 감광성 수지 조성물층 (B) 의 적층체의 감광성 수지 조성물층 (B) 측에 적층되고, 커버로서 기능한다.
감광성 수지 조성물층 (B) 와 지지 필름 (A) 의 밀착력보다, 감광성 수지 조성물층 (B) 와 보호 필름 (C) 의 밀착력이 충분히 작기 때문에, 보호 필름 (C) 는, 감광성 수지 조성물층 (B) 로부터 용이하게 박리할 수 있다. 예를 들어, 폴리에틸렌 필름, 및 폴리프로필렌 필름, 연신 폴리프로필렌 필름 등을 보호 필름 (C) 로서 바람직하게 사용할 수 있다. 보호 필름 (C) 의 적어도 표면이 폴리프로필렌 수지로 이루어지는 것이 보다 바람직하다.
보호 필름 (C) 의 막 두께는 10 ∼ 100 ㎛ 가 바람직하고, 10 ∼ 50 ㎛ 가 보다 바람직하다. 보호 필름 (C) 로는, 예를 들어, 오우지 에프텍스 (주) 제조 EM-501, E-200, E-201F, FG-201, MA-411, 토레이 (주) 제조 KW37, 2578, 2548, 2500, YM17S, 타마폴리(주) 제조 GF-18, GF-818, GF-858 등을 들 수 있다.
그리고, 본 실시형태의 감광성 엘리먼트에 있어서, 보호 필름 (C) 는, 양면의 표면 조도에 대해서, 이하의 식 (2) 을 만족한다.
(2) 300 ＜ RzC1 ＜ 600
여기에서, RzC1 은, 보호 필름 (C) 의 감광성 수지 조성물층 (B) 와 접하는 측의 면의 표면 조도 (㎚) 를 나타낸다.
식 (2) 는, 보호 필름 (C) 의 감광성 수지 조성물층 (B) 에 접하는 측의 표면 조도가 작은 것을 규정하고 있다. 이로써 감광성 엘리먼트는 해상성이 우수한 것이 된다.
또한, 1.1 ＜ RzC2/RzC1 ＜ 10 인 것이 바람직하다.
여기에서, RzC2 는, 보호 필름 (C) 의 감광성 수지 조성물층 (B) 와 접하는 측과는 반대측의 면의 표면 조도 (㎚) 를 나타낸다.
RzC1 및 RzC2 는, 상기 식 (2) 를 만족하면 특별히 한정되지 않지만, 구체적으로, RzC1 은, 350 ㎚ ∼ 550 ㎚ 인 것이 바람직하다. RzC2 는, 400 ㎚ ∼ 5500 ㎚ 인 것이 바람직하고, 450 ㎚ ∼ 4500 ㎚ 인 것이 보다 바람직하다. 또, RzC2/RzC1 은, 1.5 ∼ 9.0 인 것이 보다 바람직하다.
또한, 본 실시형태의 감광성 엘리먼트에 있어서, 지지 필름 (A) 와 보호 필름 (C) 는, 양면의 표면 조도에 대해서, 이하의 식 (3) 을 만족한다.
(3) 40 ＜ RzC2/RzA2
여기에서, RzA2 는, 지지 필름 (A) 의 감광성 수지 조성물층 (B) 와 접하는 측과는 반대측의 면의 표면 조도 (㎚) 를 나타내고, RzC2 는, 보호 필름 (C) 의 감광성 수지 조성물층 (B) 와 접하는 측과는 반대측의 면의 표면 조도 (㎚) 를 나타낸다.
식 (3) 은, 감광성 수지 조성물층 (B) 와 접하는 측과는 반대측의 면에 있어서, 지지 필름 (A) 의 표면 조도와, 보호 필름 (C) 의 표면 조도에 일정 이상의 차가 있는 것을 규정하고 있다. 이로써, 감광성 엘리먼트를 롤상으로 권취할 때의 주름의 발생이 바람직하게 방지된다.
RzC2/RzA2 의 상한치는, 바람직하게는 100 미만이고, 50 ＜ RzC2/RzA2 ＜ 100 인 것이 보다 바람직하다. RzC2/RzA2 는, 40 ∼ 80 인 것이 더욱 바람직하다.
상기 서술한 식 (1) ∼ 식 (3) 을 모두 만족함으로써, 본 발명의 감광성 엘리먼트는, 양호한 해상성을 가짐과 함께, 롤상으로 권취할 때의 주름의 발생이 바람직하게 방지된 것이 된다.
[감광성 엘리먼트 롤]
상기에서 설명된 감광성 엘리먼트가 권회되어 있는 감광성 엘리먼트 롤도 본 발명의 일 양태이다.
감광성 엘리먼트는 장척 상태에서 권심에 권취되어 롤상으로 되어 사용된다. 권취 길이는 특별히 한정되지 않지만, 롤의 중량과 취급 용이성의 관점에서 320 m 이하가 바람직하다. 1 개의 감광성 엘리먼트 롤로 라미네이트할 수 있는 기재가 많으면 효율이 좋기 때문에, 생산성의 관점에서 권취 길이는 100 m 이상이 바람직하다.
(권심)
권심은, 코어라고도 불리는 경우가 있다. 그 형상은 특별히 한정되지 않지만, 원통상이어도 되고, 원주상이어도 된다. 감광성 엘리먼트는 에칭 또는 도금 레지스트, 나아가서는 영구 패턴으로서 전자 재료에 사용되기 때문에, 발진하지 않는 처리가 실시된 것이 바람직하고, 플라스틱 수지제가 바람직하다. 플라스틱 수지의 소재는, 가볍고, 강도가 우수하며, 발진하지 않는 것이 바람직하다. 이와 같은 플라스틱 수지로는, 예를 들어, 폴리프로필렌 (PP) 수지, 아크릴로니트릴부타디엔스티렌 (ABS) 수지, 나일론 수지, 폴리염화비닐 수지 등이 사용 가능하고, ABS 수지가 바람직하다. 권심의 직경은, 특별히 한정되지 않지만, 감광성 엘리먼트 롤이 라미네이터에 장착되는 경우에, 장치에 장착되도록, 바람직하게는 2 ∼ 5 인치, 보다 바람직하게는 3 인치의 직경이다. 권심의 길이 (원통상 또는 원주상의 권심을 사용하는 경우에는 그 축 방향 길이) 는, 감광성 엘리먼트의 폭과 대비해서 동일하거나, 혹은 짧아도 된다. 단, 감광성 엘리먼트를 권취했을 때에 양측에 적당한 돌출부를 확보할 수 있도록, 권심의 길이는, 감광성 엘리먼트의 폭보다 큰 길이인 것이 바람직하다. 이 돌출부에 삽입 통과하도록 링상 시트가 장착되기 때문에 바람직하다. 또 이 돌출부에 코어 홀더로 불리는 베어링을 끼워 맞춤으로써, 감광성 엘리먼트 롤이 이동하지 않도록, 공중에 매달린 상태로 보관할 수도 있다.
감광성 엘리먼트 롤은, 롤 단면 보호 부재가, 권취된 감광성 엘리먼트의 단면 (상기 띠상의 감광성 엘리먼트의 폭 방향 단부측) 에 접촉하도록 배치되어 있어도 된다.
특히, 본 실시형태의 감광성 엘리먼트 롤에서는, 지지 필름 (A) 와 보호 필름 (C) 의 양면의 표면 조도가, 상기 서술한 바와 같이 규정되어 있기 때문에, 권취시의 주름이 바람직하게 방지된다. 또, 지지 필름 (A) 와 보호 필름 (C) 사이의 마찰력을 적절한 범위로 유지함으로써, 롤을 지면 (地面) 에 대해서 수직으로 보관했을 때에 감김 어긋남이 잘 일어나지 않게 된다. 또한, 사용할 때에도 과도한 마찰에 의한 롤 표면의 대전이 잘 발생되지 않기 때문에, 먼지나 티끌의 부착을 방지하기 쉬워진다.
본 실시형태에 관련된 감광성 엘리먼트 또는 그 롤을 사용하는 레지스트 패턴의 형성 방법은, 이하의 공정 :
감광성 엘리먼트를 기판에 적층하는 적층 공정 ;
감광성 엘리먼트의 감광성 수지 조성물층을 노광하는 노광 공정 ; 및
감광성 수지 조성물층의 미노광부를 현상 제거하는 현상 공정 ;
을 바람직하게는 이 순서로 포함한다.
라미네이트 공정에서는, 구체적으로는, 감광성 엘리먼트로부터 보호 필름 (C) 를 박리한 후, 라미네이터로 감광성 수지 조성물층을 지지체 (예를 들어, 기판) 표면에 가열 압착하고, 1 회 또는 복수 회 라미네이트한다. 기판의 재료로는, 예를 들어, 구리, 스테인리스강 (SUS), 유리, 산화인듐주석 (ITO) 등을 들 수 있다. 라미네이트시의 가열 온도는 일반적으로 40 ℃∼ 160 ℃ 이다. 가열 압착은, 2 련 롤을 구비한 2 단식 라미네이터를 사용하거나, 또는 기판과 감광성 수지 조성물층의 적층물을 수 회 반복하여 롤에 통과시킴으로써 행해질 수 있다.
노광 공정에서는, 노광기를 사용하여 감광성 수지 조성물층을 활성광에 노광한다. 노광은, 원하는 바에 따라서, 지지체를 박리한 후에 행할 수 있다. 포토 마스크를 통해서 노광하는 경우에는, 노광량은, 광원 조도 및 노광 시간에 의해서 결정되고, 광량 합계를 사용하여 측정해도 된다. 노광 공정에서는, 다이렉트 이미징 노광을 행해도 된다. 다이렉트 이미징 노광에 있어서는, 포토 마스크를 사용하지 않고 기판 상에 직접 묘화 장치에 의해서 노광한다. 광원으로는, 파장 350 ㎚ ∼ 410 ㎚ 의 반도체 레이저 또는 초고압 수은등이 사용된다. 묘화 패턴이 컴퓨터에 의해서 제어되는 경우, 노광량은, 노광 광원의 조도 및 기판의 이동 속도에 의해서 결정된다.
노광 공정에서 사용하는 광 조사 방법은, 투영 노광법, 프록시미티 노광법, 콘택트 노광법, 다이렉트 이미징 노광법, 전자선 직묘법에서 선택되는 적어도 1 종류의 방법인 것이 바람직하고, 투영 노광 방법에 의해서 행하는 것이 보다 바람직하다.
현상 공정에서는, 노광 후의 감광성 수지 조성물층에 있어서의 미노광부 또는 노광부를, 현상 장치를 사용하여 현상액에 의해서 제거한다. 노광 후, 감광성 수지 조성물층 상에 지지 필름이 있는 경우에는 이것을 제거하다. 계속해서 알칼리 수용액으로 이루어지는 현상액을 사용하여, 미노광부 또는 노광부를 현상 제거하고, 레지스트 화상을 얻는다.
알칼리 수용액으로는, Na2CO3, K2CO3 등의 수용액이 바람직하다. 알칼리 수용액은, 감광성 수지 조성물층의 특성에 맞추어 선택되지만, 0.2 질량％ ∼ 2 질량％ 의 농도의 Na2CO3 수용액이 일반적으로 사용된다. 알칼리 수용액 중에는, 표면 활성제, 소포제, 현상을 촉진시키기 위한 소량의 유기 용제 등을 혼합해도 된다. 현상 공정에 있어서의 현상액의 온도는, 20 ℃∼ 40 ℃ 의 범위 내에서 일정하게 유지되는 것이 바람직하다.
상기한 공정에 의해서 레지스트 패턴이 얻어지지만, 원하는 바에 따라서, 추가로 60 ℃∼ 300 ℃ 에서 가열 공정을 행할 수도 있다. 이 가열 공정을 실시함으로써, 레지스트 패턴의 내약품성을 향상시킬 수 있다. 가열 공정에는, 열풍, 적외선, 또는 원적외선을 사용하는 방식의 가열로를 사용할 수 있다.
도체 패턴을 얻기 위해서, 현상 공정 또는 가열 공정 후, 레지스트 패턴이 형성된 기판을 에칭 또는 도금하는 도체 패턴 형성 공정을 행해도 된다.
도체 패턴의 제조 방법은, 예를 들어, 기판으로서 금속판 또는 금속 피막 절연판을 사용하고, 상기 서술한 레지스트 패턴 형성 방법에 의해서 레지스트 패턴을 형성한 후에, 도체 패턴 형성 공정을 거침으로써 행해진다. 도체 패턴 형성 공정에 있어서는, 현상에 의해서 노출된 기판 표면 (예를 들어, 구리면) 에 이미 알려진 에칭법 또는 도금법을 이용하여 도체 패턴을 형성한다.
또한, 상기 서술한 도체 패턴의 제조 방법에 의해서 도체 패턴을 제조한 후에, 현상액보다 강한 알칼리성을 갖는 수용액을 사용하여, 레지스트 패턴을 기판으로부터 박리하는 박리 공정을 행함으로써, 원하는 배선 패턴을 갖는 배선판 (예를 들어, 프린트 배선판) 을 얻을 수 있다.
박리용의 알칼리 수용액 (이하,「박리액」이라고도 한다) 에 대해서는, 특별히 제한되는 것은 아니지만, 2 질량％ ∼ 5 질량％ 의 농도의 NaOH 또는 KOH 의 수용액, 혹은 유기 아민계 박리액이 일반적으로 사용된다. 박리액에는 소량의 수용성 용매를 첨가해도 된다. 수용성 용매로는, 예를 들어, 알코올 등을 들 수 있다. 박리 공정에 있어서의 박리액의 온도는, 40 ℃∼ 70 ℃ 의 범위 내인 것이 바람직하다.
본 실시형태에서는, 감광성 엘리먼트 또는 그 롤은, 프린트 배선판의 제조 ; IC 칩 탑재용 리드 프레임 제조 ; 메탈 마스크 제조 등의 금속박 정밀 가공 ; 볼·그리드·어레이 (BGA), 칩·사이즈·패키지 (CSP) 등의 패키지의 제조 ; 칩·온·필름 (COF), 테이프 오토메이티드 본딩 (TAB) 등의 테이프 기판의 제조 ; 반도체 범프의 제조 ; 및 ITO 전극, 어드레스 전극, 전자파 실드 등의 플랫 패널 디스플레이의 격벽의 제조에 이용될 수 있다.
또한, 상기 서술한 각 파라미터의 값에 대해서는 특별히 언급이 없는 한, 후술하는 실시예에서의 측정 방법에 준하여 측정된다.
실시예
다음으로, 실시예 및 비교예를 들어 본 실시형태를 보다 구체적으로 설명한다. 그러나, 본 실시형태는, 그 요지로부터 일탈하지 않는 한, 이하의 실시예에 한정되는 것은 아니다. 실시예 중의 물성은 이하의 방법에 의해서 측정하였다.
[표면 조도의 측정]
지지 필름 및 보호 필름에 대해서, 표면 조도를 측정하였다. 유리판에 물을 한 방울 떨어뜨린 후에, 각 필름의 측정면을 위로 하여 첩부한 것을 측정 샘플로 하였다.
표면 조도의 측정은, JIS B0601-2001 에 규정된 방법에 기초하여, 레이저식의 현미경인 올림푸스 (주) 사 제조의 상품명「LEXT OLS4100」을 사용하여, 임의의 10 개 지점에 있어서의, 측정 길이 258 ㎛ 에서 측정한 Rz 의 값의 평균치를, 최대 높이 Rz (㎚) 으로 하였다. 또한, 측정시의 온도는 23 ∼ 25 ℃ 로 하였다.
지지 필름의 감광성 수지 조성물층과 접하는 측의 면의 표면 조도를 RzA1, 반대측의 면의 표면 조도를 RzA2, 보호 필름의 감광성 수지 조성물층과 접하는 측의 면의 표면 조도를 RzC1, 반대측의 면의 표면 조도를 RzC2 로 하였다.
[직경 2 ㎛ 이상 5 ㎛ 이하의 입자의 개수의 측정]
레이저식의 현미경인 올림푸스 (주) 사 제조의 상품명「LEXT OLS4100」의 대물 렌즈의 상부에 편광 필터 (OLS4000-QWP) 를 삽입하였다. 다음으로 레이저 현미경의 스테이지 상에 (주) 유니버설 기술 연구소사 제조의 다공질 흡착판「65 F-HG」및 진공 펌프를 사용하여, 30 ㎜ × 30 ㎜ 로 절단한 지지 필름 샘플을 수평으로 흡인 고정시켰다. 흡인 고정된 지지 필름을, 대물 렌즈 50 배의 레이저광량 60 (레이저 파장은 405 ㎚) 에서 관찰하였다. 이 때, 지지 필름의 표리 표면의 반사광에 의한 할레이션을 일으키지 않도록, 지지 필름 두께 방향의 중심 2 ㎛ 의 영역을 측정 구간으로 정하였다. 그리고, 측정 영역 260 ㎛ × 260 ㎛, 측정 지점수 49 점에서 계측을 행하였다. 계측은 임의의 상이한 지점에서 9 회 반복하여 행하였다.
계측된 화상을 2 치화 = 임계값 이상, 임계값 1 = 10 ％, 소립자 제거 = 15, 구멍 메움 = 20 의 조건에서 처리함으로써, 히스토그램을 작성하였다. 히스토그램의 최대 직경 (㎛) 이 2 이상 5 이하인 입자의 개수를 합산함으로써, 직경 2 ㎛ 이상 5 ㎛ 이하의 입자의 개수를 산출하였다.
[티탄 원소 함유량의 측정]
지지 필름 중의 티탄 원소 함유량의 측정은, 형광 X 선 분석 장치인 (주) 시마즈 제작소사 제조의 상품명「XRF-1800」을 사용하여, 정량 분자 TiO2, X 선관 타깃 Rh (4.0 ㎾), 전압 40 ㎸, 전류 95 kA, 분광 결정 LiF, 검출기 SC, 2θ = 86.14 deg, 측정 시간 40 초의 조건에서 행하였다.
[평가용 샘플의 제작 방법]
평가용 샘플은 아래와 같이 제작하였다.
＜감광성 엘리먼트의 제작＞
(실시예 1 ∼ 7, 비교예 1 ∼ 8)
이후에 게재하는 표 1 에 나타내는 성분 (단, 각 성분의 숫자는 고형분으로서의 배합량 (질량부) 을 나타낸다.) 및, 고형분 농도 55 ％ 가 되도록 계량한 메틸에틸케톤을 충분히 교반, 혼합하여, 감광성 수지 조성물 조합액을 얻었다. 표 1 중에 나타낸 성분의 상세한 것을 표 2 에 나타낸다. 이어서, 폭 500 ㎜ 의 지지 필름의 표면에, 감광성 수지 조성물 조합액의 용액을 도포하고, 90 ℃ 의 열풍으로 1 분간에 걸쳐서 건조시킴으로써, 감광성 수지 조성물층을 형성하였다. 그 때, 가열 후의 감광성 수지 조성물층의 두께가 5 ㎛ 가 되도록 하였다. 또한, 감광성 수지 조성물층의, 지지 필름을 적층하고 있지 않은 측의 표면 상에, 보호 필름을 첩합 (貼合) 하여 감광성 엘리먼트를 얻었다. 또한, 감광성 엘리먼트를 외경 3.5 인치의 원통상 플라스틱관에 권취하고, 권취축 폭 방향에 대해서 평행하게 배치된 가압 롤을 사용하여, 플라스틱관에 대해서 선상으로 압력을 가하고, 7 ㎏ 의 장력으로 500 m 권취하여, 감광성 엘리먼트의 롤을 얻었다.
실시예 및 비교예에서 각각 사용한 지지 필름의 종류와 물성을 표 3 에, 보호 필름의 종류와 물성을 표 4 에 나타낸다.
＜기판 정면 (整面)＞
화상성의 평가 기판으로서, 35 ㎛ 압연 동박을 적층한 0.4 ㎜ 두께의 구리 피복 적층판을, 메크 에치 본드 CZ-8101 (메크 (주) 제조) 에 침지하고, 에칭량이 1 ㎛ 가 될 때까지 조화 처리를 행하였다.
＜라미네이트＞
감광성 엘리먼트의 보호 필름을 벗기면서, 50 ℃ 로 예열한 화상성의 평가 기판에, 핫 롤 라미네이터 (아사히 화성 (주) 제조, AL-700) 에 의해서, 감광성 엘리먼트를 롤 온도 105 ℃ 에서 라미네이트함으로써, 감광성 엘리먼트 적층체를 얻었다. 에어압은 0.35 ㎫ 로 하고, 라미네이트 속도는 1.5 m/min 으로 하였다.
＜노광＞
라미네이트 후 2 시간 경과한 감광성 엘리먼트 적층체의 지지 필름 표면측에, 분할 투영 노광 장치 (우시오 전기 (주) 제조, UX7-Square70) 에 의해서, 노광부와 미노광부의 폭이 1 : 1 비율인 라인 패턴을 갖는 노광 마스크를 사용하여, 노광하였다. 노광은, 상기 노광부와 미노광부의 폭이 1 : 1 비율인 라인 패턴을 노광, 현상했을 때, 노광 마스크의 노광부 = 미노광부 = 5 ㎛ 인 지점에 있어서의 현상 후의 감광성 수지 조성물 패턴의 노광부와 미노광부의 실측 폭이 5 ㎛ 가 되는 노광량으로 행하였다.
＜현상＞
감광성 엘리먼트 적층체의 지지 필름을 박리한 후, 알칼리 현상기 ((주) 후지 기공 제조, 드라이 필름용 현상기) 를 사용하여, 30 ℃ 의 1 질량％ Na2CO3 수용액을 소정 시간에 걸쳐서 스프레이하고 현상을 행하였다. 현상 스프레이의 시간은, 최단 현상 시간의 2 배의 시간으로 하고, 현상 후의 수세 스프레이의 시간은, 최단 현상 시간의 2 배의 시간으로 하였다. 이 때, 미노광 부분의 감광성 수지 조성물층이 완전히 용해되는 데에 필요로 하는 가장 짧은 시간을 최단 현상 시간으로 하였다.
[평가]
얻어진 감광성 엘리먼트에 대해서, 권취시의 주름, 및 해상성에 대해서, 아래와 같이 하여 평가를 행하였다.
＜권취시의 주름＞
얻어진 감광성 엘리먼트의 롤을 육안으로 관찰하고, 다음의 기준을 따라서 평가를 행하였다.
우수 : 롤에 주름이 없다
양호 : 롤에 주름이 있지만, 3 일간 보관 후에 소실되었다
가능 : 롤에 주름이 있지만, 7 일간 보관 후에 소실되었다
불가 : 롤에 주름이 있고, 7 일간 보관 후에도 소실되지 않았다
＜해상성＞
상기 서술한 노광 공정에 있어서, 노광부와 미노광부의 폭이 1 : 1 비율인 라인 패턴을 갖는 노광 마스크를 사용하여 노광하였다. 상기 서술한 현상 조건에 따라서 현상하고, 경화 레지스트 라인이 덮여 있거나, 쓰러져 있거나 하지 않고 정상적으로 형성되어 있는 최소 라인폭을 광학 현미경에 의해서 평가하고, 다음의 기준을 따라서 평가를 행하였다. 가능 이상이면 합격으로 하였다.
우수 : 3 ㎛ 이하
양호 : 3 ㎛ 초과 4 ㎛ 이하
가능 : 4 ㎛ 초과 5 ㎛ 이하
불가 : 5 ㎛ 초과
각 실시예의 감광성 엘리먼트에 대한 평가 결과를 표 5 에, 각 비교예의 감광성 엘리먼트에 대한 평가 결과를 표 6 에 나타낸다.
Figure pct00001
Figure pct00002
Figure pct00003
Figure pct00004
Figure pct00005
Figure pct00006
표 5 로부터 명확한 바와 같이, 상기 서술한 식 (1) ∼ (3) 의 모든 것을 만족하는 실시예에서는, 우수한 해상성을 가짐과 함께, 롤상으로 권취할 때의 주름의 발생을 바람직하게 방지할 수 있는 것을 알 수 있었다.
이에 비해서, 표 6 에 나타내는 바와 같이, 식 (1) 을 만족하지 않을 경우, 즉, RzA1 이 100 보다 클 경우, 해상성이 저하되었다.
또, 식 (2) 를 만족하지 않을 경우, 즉, RzC1 이 300 이하 또는 600 이상인 경우, 해상성이 충분하지 않거나, 또는 권취시에 주름의 발생이 보였다.
또, 식 (3) 을 만족하지 않을 경우, 즉, RzC2/RzA2 가 40 이하인 경우, 해상성이 충분하지 않고, 또 권취시에 주름의 발생도 보였다.
이상, 본 발명의 실시형태에 대해서 설명했지만, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니고, 발명의 취지를 일탈하지 않는 범위에서 적절히 변경 가능하다.
본 발명에 의한 감광성 엘리먼트를 사용함으로써, 해상성의 향상과, 권취시의 주름의 방지가 양립되어, 레지스트 패턴의 형성에 있어서의 드라이 필름 레지스트로서 널리 이용할 수 있다.

Claims (15)

  1. 지지 필름 (A), 감광성 수지 조성물층 (B) 및 보호 필름 (C) 를 이 순서로 갖는 감광성 엘리먼트로서,
    JIS B0601-2001 에서 규정되는, 상기 지지 필름 (A) 의 상기 감광성 수지 조성물층 (B) 와 접하는 측의 면의 표면 조도 RzA1 (㎚), 반대측의 면의 표면 조도 RzA2 (㎚), 상기 보호 필름 (C) 의 상기 감광성 수지 조성물층 (B) 와 접하는 측의 면의 표면 조도 RzC1 (㎚), 및 반대측의 면의 표면 조도 RzC2 (㎚) 가, 이하의 (1) ∼ (3) :
    (1) 1 ＜ RzA1 ＜100
    (2) 300 ＜ RzC1 ＜600
    (3) 40 ＜ RzC2/RzA2
    를 만족하는 것을 특징으로 하는, 감광성 엘리먼트.
  2. 제 1 항에 있어서,
    1 ＜ RzA2 ＜ 200 인, 감광성 엘리먼트.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    1.1 ＜ RzA2/RzA1 ＜ 7 인, 감광성 엘리먼트.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    1.1 ＜ RzC2/RzC1 ＜ 10 인, 감광성 엘리먼트.
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    50 ＜ RzC2/RzA2 ＜ 100 인, 감광성 엘리먼트.
  6. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 지지 필름 (A) 에 포함되는, 직경 2 ㎛ 이상 5 ㎛ 이하의 입자의 개수가 30 개/30 ㎟ 이하인, 감광성 엘리먼트.
  7. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 지지 필름 (A) 에 포함되는, 직경 2 ㎛ 이상 5 ㎛ 이하의 입자의 개수가 15 개/30 ㎟ 이하인, 감광성 엘리먼트.
  8. 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 지지 필름 (A) 에 포함되는, 직경 2 ㎛ 이상 5 ㎛ 이하의 입자의 개수가 10 개/30 ㎟ 이하인, 감광성 엘리먼트.
  9. 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 지지 필름 (A) 에 함유되는 티탄 원소 함유량이 1 ppm 이상 20 ppm 이하인, 감광성 엘리먼트.
  10. 제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 지지 필름 (A) 의 적어도 편면에 평활화 처리가 실시되어 있는, 감광성 엘리먼트.
  11. 제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 지지 필름 (A) 의 막 두께가 5 ㎛ 이상 12 ㎛ 이하인, 감광성 엘리먼트.
  12. 제 1 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 보호 필름 (C) 의 표면이 폴리프로필렌 수지로 이루어지는, 감광성 엘리먼트.
  13. 제 1 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 기재된 감광성 엘리먼트를 권회하여 이루어지는, 감광성 엘리먼트의 권회체.
  14. 제 1 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 기재된 감광성 엘리먼트를 기판에 적층하는 적층 공정,
    그 감광성 엘리먼트의 감광성 수지 조성물층을 노광하는 노광 공정, 및
    그 감광성 수지 조성물층의 미노광부를 현상 제거하는 현상 공정을 포함하는, 레지스트 패턴의 형성 방법.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 노광 공정을, 투영 노광 방법에 의해서 행하는, 레지스트 패턴의 형성 방법.
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Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004191648A (ja) 2002-12-11 2004-07-08 Hitachi Chem Co Ltd 感光性エレメント、これを用いたレジストパターンの形成方法及びプリント配線板の製造方法
KR20130073978A (ko) * 2010-12-16 2013-07-03 히타치가세이가부시끼가이샤 감광성 엘리먼트, 레지스트 패턴의 형성 방법 및 프린트 배선판의 제조 방법
KR20170082446A (ko) * 2016-01-06 2017-07-14 아사히 가세이 가부시키가이샤 감광성 수지 적층체
KR20190035864A (ko) * 2016-12-07 2019-04-03 아사히 가세이 가부시키가이샤 감광성 수지 조성물 및 감광성 수지 적층체
JP2019188612A (ja) 2018-04-18 2019-10-31 三菱ケミカル株式会社 ドライフィルムレジスト用ポリエステルフィルム
KR20200139227A (ko) * 2018-06-22 2020-12-11 아사히 가세이 가부시키가이샤 감광성 수지 조성물 및 레지스트 패턴의 형성 방법
KR20200139768A (ko) * 2018-08-09 2020-12-14 아사히 가세이 가부시키가이샤 감광성 수지 조성물 및 레지스트 패턴의 형성 방법

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4000544B2 (ja) * 1998-09-30 2007-10-31 東レフィルム加工株式会社 感光性版用フォトレジストカバーフイルム
JP2002229200A (ja) * 2001-02-02 2002-08-14 Hitachi Chem Co Ltd 感光性フィルム
JP2006201546A (ja) * 2005-01-21 2006-08-03 Showa Denko Kk フォトレジストフィルム
JP2008103622A (ja) * 2006-10-20 2008-05-01 Fujifilm Corp プリント配線板作製用積層体及びそれを用いたプリント配線板の作製方法
WO2014021590A1 (ko) * 2012-08-01 2014-02-06 주식회사 엘지화학 광경화성 및 열경화성을 갖는 수지 조성물과, 드라이 필름 솔더 레지스트
KR101734425B1 (ko) * 2013-09-24 2017-05-11 주식회사 엘지화학 드라이 필름 솔더 레지스트의 제조 방법과, 이에 사용되는 필름 적층체
US9535216B2 (en) * 2013-09-27 2017-01-03 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Optical waveguide dry film, and optical waveguide manufacturing method and optical waveguide using optical waveguide dry film
JP6432283B2 (ja) * 2014-10-31 2018-12-05 東レ株式会社 ドライフィルムレジスト支持体用二軸配向ポリエステルフィルム
JP2018077426A (ja) * 2016-11-11 2018-05-17 ニッコー・マテリアルズ株式会社 フォトレジストフィルム、レジストパターンの形成方法、および導体パターンの形成方法
JP7234944B2 (ja) * 2018-01-18 2023-03-08 Ａｇｃ株式会社 長尺積層体、その製造方法及びプリント配線板

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004191648A (ja) 2002-12-11 2004-07-08 Hitachi Chem Co Ltd 感光性エレメント、これを用いたレジストパターンの形成方法及びプリント配線板の製造方法
KR20130073978A (ko) * 2010-12-16 2013-07-03 히타치가세이가부시끼가이샤 감광성 엘리먼트, 레지스트 패턴의 형성 방법 및 프린트 배선판의 제조 방법
KR20170082446A (ko) * 2016-01-06 2017-07-14 아사히 가세이 가부시키가이샤 감광성 수지 적층체
KR20190035864A (ko) * 2016-12-07 2019-04-03 아사히 가세이 가부시키가이샤 감광성 수지 조성물 및 감광성 수지 적층체
JP2019188612A (ja) 2018-04-18 2019-10-31 三菱ケミカル株式会社 ドライフィルムレジスト用ポリエステルフィルム
KR20200139227A (ko) * 2018-06-22 2020-12-11 아사히 가세이 가부시키가이샤 감광성 수지 조성물 및 레지스트 패턴의 형성 방법
KR20200139768A (ko) * 2018-08-09 2020-12-14 아사히 가세이 가부시키가이샤 감광성 수지 조성물 및 레지스트 패턴의 형성 방법

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