KR20220098785A - 적층 제조용 금속 분말 - Google Patents

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Abstract

본 발명은, 중량으로 함량이 표현된 다음의 원소들: 0.01% ≤ C ≤ 0.2%, 4.6% ≤ Ti ≤ 10%, (0.45 xTi) - 0.22% ≤ B ≤ (0.45 xTi) + 0.70%, S ≤ 0.03%, P ≤ 0.04%, N ≤ 0.05%, O ≤ 0.05% 를 포함하고, 선택적으로: Si ≤ 1.5%, Mn ≤ 3%, Al ≤ 1.5%, Ni ≤ 1%, Mo ≤ 1%, Cr ≤ 3%, Cu ≤ 1%, Nb ≤ 0.1%, V ≤ 0.5% 를 함유하고, TiB2 및 Fe2B 의 침전물들을 포함하고, 잔부가 Fe 및 정교화로부터 기인한 불가피한 불순물들이고, TiB2 의 부피 백분율은 10% 이상이고, 분말의 평균 벌크 밀도는 7.50 g/cm3 이하인, 조성을 갖는 적층 제조를 위한 금속 분말에 관한 것이다. 본 발명은 또한 분무에 의해 그 제조 방법에 관한 것이다.

Description

적층 제조용 금속 분말
본 발명은 강 부품의 제조, 특히 적층 제조용의 그 사용을 위한 금속 분말에 관한 것이다. 본 발명은 또한 금속 분말을 제조하기 위한 방법에 관한 것이다.
FeTiB2 강은 그 우수한 높은 탄성 계수 E, 낮은 밀도 및 높은 인장 강도로 인해 많은 주목을 받고 있다. 그러나, 이러한 강 시트들은 높은 수율로 종래 루트에 의해 생산이 어려우며, 이는 그 사용을 제한한다.
본 발명의 목적은, 따라서 양호한 사용 특성을 유지하면서, 적층 제조 방법들에 의해 부품들을 제조하는데 효율적으로 사용될 수 있는 FeTiB2 분말들을 제공함으로써 이러한 단점들을 개선하는데 있다.
이를 위하여 본 발명의 제 1 주제는 다음과 같은 원소를 중량 당 함량으로 포함하는 조성을 갖는 금속 분말로 이루어진다:
0.01% ≤ C ≤ 0.2%
4.6% ≤ Ti ≤ 10%
(0.45 xTi) - 0.22% ≤ B ≤ (0.45 xTi) + 0.70%
S ≤ 0.03%
P ≤ 0.04%
N ≤ 0.05%
O ≤ 0.05% 를 포함하고,
선택적으로:
Si ≤ 1.5%
Mn ≤ 3%
Al ≤ 1.5%
Ni ≤ 1%
Mo ≤ 1%
Cr ≤ 3%
Cu ≤ 1%
Nb ≤ 0.1%
V ≤ 0.5% 를 함유하고,
TiB2 및 Fe2B 의 침전물들을 포함하고, 잔부가 Fe 및 정교화로부터 기인한 불가피한 불순물들이고, TiB2 의 부피 백분율은 10% 이상이고, 분말의 평균 벌크 밀도는 7.50 g/cm3 이하이다.
본 발명에 따른 금속 분말은 또한 개별적으로 또는 조합하여 고려되는, 청구항 2 내지 4 중 어느 하나에 열거된 선택적 특징을 가질 수 있다.
본 발명의 제 2 주제는 다음 단계를 포함하는 적층 제조를 위한 금속 분말을 제조하기 위한 방법으로 이루어진다:
- 중량으로 함량이 표현되는, 0.01% ≤ C ≤ 0.2%, 4.6% ≤ Ti ≤ 10%, (0.45 xTi) - 0.22% ≤ B ≤ (0.45 xTi) + 0.70%, S ≤ 0.03%, P ≤ 0.04%, N ≤ 0.05%, O ≤ 0.05% 를 포함하고, 선택적으로 Si ≤ 1.5%, Mn ≤ 3%, Al ≤ 1.5%, Ni ≤ 1%, Mo ≤ 1%, Cr ≤ 3%, Cu ≤ 1%, Nb ≤ 0.1%, V ≤ 0.5% 를 함유하고, 잔부가 Fe 및 정교화로부터 기인한 불가피한 불순물인 용융된 조성을 얻도록 액상선 온도보다 적어도 50℃ 높은 온도에서 원소들 및/또는 금속-합금들을 용융시키는 단계,
- 가압된 가스로 노즐을 통해 용융된 조성을 분무하는 단계.
본 발명에 따른 방법은 또한 개별적으로 또는 조합하여 고려되는, 청구항 6 내지 8 중 어느 하나에 열거된 선택적 특징을 가질 수 있다.
본 발명은 단지 설명의 목적으로만 제공되고, 비제한적으로 의도된 다음의 설명을 정독한다면 보다 양호하게 이해될 것이다.
본 발명에 따른 분말은 부품을 제조하기 위해 사용될 때 양호한 특성을 얻도록 밸런싱된 특정한 조성을 갖는다.
탄소 함량이 0.20% 를 초과할 경우 HAZ(열 영향 존)에서 인성 및 냉간 균열 저항성이 감소되므로 용접성으로 인해 탄소 함량은 제한된다. 상기 탄소 함량이 0. 050중량% 이하일 경우 특히 저항 용접성이 개선된다.
강의 티타늄 함량으로 인해, 탄소 함량은 액체 금속에서 TiC 및/또는 Ti(C,N) 의 1차 침전을 회피하도록 제한되는 것이 바람직하다. 최대 탄소 함량은 TiC 및/또는 Ti(C,N) 침전물을 주로 고화 동안 또는 고체 상에서 제조하기 위해, 바람직하게는 0.1% 로, 그리고 심지어 보다 양호하게 0.080% 로 제한되어야 한다.
규소는 선택적인 원소이지만, 첨가될 때 고용체 경화로 인해 인장 강도를 증가시키는데 효과적으로 기여한다. 그러나, 규소의 과도한 첨가는 제거하기 어려운 접착성 산화물의 형성을 야기한다. 양호한 표면 특성을 유지하기 위해, 규소 함량은 1.5 중량% 를 초과하지 않아야 한다.
망간 원소는 선택적이다. 그러나, 0.06% 이상의 양에서 망간은 경화성을 증가시키고 고용체 경화에 기여하고 따라서 인장 강도를 증가시킨다. 그것은 존재하는 임의의 황과 조합하고 따라서 열간 균열의 위험을 감소시킨다. 그러나, 3 중량% 초과의 망간 함량에서, 고화 동안 망간의 유해한 편석을 형성할 위험이 더 커진다.
알루미늄 원소는 선택적이다. 그러나, 0.005% 이상의 양에서 알루미늄은 강을 탈산시키기 위해 매우 효과적인 원소이다. 그러나, 1.5 중량% 초과의 함량에서 알루미나의 과도한 1차 침전이 발생하여 프로세싱 문제를 야기한다.
0.030% 를 초과하는 양에서, 황은 유해한 망간 황화물 형태로 과도하게 다량으로 침전되는 경향이 있다.
인은 그레인 바운더리에서 석출되는 것으로 알려진 원소이다. 그 함량은 충분한 고온 연성을 유지하여 균열을 회피하도록 0.040% 를 초과하지 않아야 한다.
선택적으로, 니켈, 구리 또는 몰리브덴이 첨가될 수 있으며, 이들 원소는 강의 인장 강도를 증가시킨다. 경제적인 이유로, 이러한 첨가물은 1 중량% 로 제한된다.
선택적으로, 크롬은 인장 강도를 증가시키기 위해 첨가될 수 있다. 그것은 또한 보다 많은 양의 탄화물이 침전되게 허용한다. 그러나, 그 함량은 보다 덜 비싼 강을 제조하도록 3 중량% 로 제한된다. 0.080% 이하의 크롬 함량이 바람직하게 선택된다. 이는 크롬의 과다한 첨가가 보다 많은 탄화물이 침전되게 하기되기 때문이다.
또한, 선택적으로, 니오븀과 바나듐은 미세한 침전 탄질화물 형태의 상보적 경화를 얻도록 각각 0.1% 이하 및 0.5% 이하의 양으로 첨가될 수 있다.
티타늄과 붕소는 본 발명에 따른 분말에서 중요한 역할을 한다.
티타늄은 4.6% 내지 10% 의 양으로 존재한다. 티타늄의 중량 함량이 4.6% 미만이면, TiB2 침전이 충분한 양으로 일어나지 않는다. 이는 침전된 TiB2 의 부피 분획이 10% 미만이고, 이로써 240 GPa 미만으로 유지될 수 있는 탄성률의 상당한 변화를 방지하기 때문이다. 티타늄의 중량 함량이 10% 를 초과하는 경우, 조질의 1차 TiB2 침전이 액체 금속에서 발생하고 제품에 문제를 야기한다. 또한, 액상선 온도가 증가하고 적어도 50℃ 의 과열은 표준 분무화 프로세스로 달성될 수 없다.
FeTiB2 공정 침전은 고화시 일어난다. 침전물의 공정 성질은 기계적 특성에 유리한 특정 미세성 및 균질성을 형성된 미세조직에 제공한다. TiB2 공정 침전물의 양이 TiB2 침전물의 10 부피% 를 초과하는 경우, 모듈러스는 약 240 Gpa 를 초과할 수 있고, 이에 의해 상당히 경량화된 구조가 설계되는 것을 가능하게 한다. 이러한 양은 크롬 또는 몰리브덴과 같은 합금 원소를 포함하는 강의 경우, 약 250 GPa 를 초과하도록 15 부피% 로 증가될 수 있다. 이는 이들 원소가 존재하는 경우, 공정 침전의 경우에 얻어질 수 있는 TiB2 의 최대량이 증가하기 때문이다.
전술한 바와 같이, 티타늄은 내인성 (endogenous) TiB2 형성을 야기하기에 충분한 양으로 존재해야 한다.
본 발명의 프레임에서, "유리 Ti"는 여기에서 침전물의 형태 하에서 바인딩되지 않은 Ti 의 함량을 나타낸다. 유리 Ti 함량은 유리 Ti = Ti - 2.215 x B 로서 평가될 수 있으며, B 는 분말에서 붕소 함량을 나타낸다.
본 발명에 따르면, 티타늄 및 붕소 함량은 다음과 같다:
-0.22 ≤ B (0.45×Ti) ≤ 0.70
상기 범위에서, 유리 Ti 의 함량은 0.5% 미만이다. 유리 Ti 는 0.30 내지 0.40%의 값으로 설정하는 것이 바람직하다. 침전은 2개의 연속적인 공정의 형태로 일어난다: 첫째, FeTiB2 및 그후 Fe2B, Fe2B, 이러한 제 2 내인성 침전은 합금의 붕소 함량에 따라 더 많거나 더 적은 양으로 일어난다. Fe2B 의 형태로 침전되는 양은 최대 8 부피% 일 수 있다. 이러한 제 2 침전은 또한 공정 계획에 따라 발생하여 미세한 균일한 분포를 얻을 수 있고 이로써 기계적 특성의 양호한 균일성을 보장한다.
Fe2B 의 침전은 TiB2 의 침전을 완료하고, 그 최대량은 공정에 링크연결된다. Fe2B 는 TiB2 와 유사한 역할을 한다. 그것은 탄성률을 높이고 밀도를 감소시킨다. 따라서, TiB2 침전에 비해 Fe2B 침전의 보완을 변화시킴으로써 기계적 특성을 미세하게 조정하는 것이 가능하다. 이는 특히 강에서의 250 GPa 초과의 탄성률을 얻기 위해 사용될 수 있다. 강이 4 부피% 이상의 Fe2B 의 양을 함유하는 경우, 탄성률은 5 GPa 초과만큼 증가한다. Fe2B 의 양이 7.5 부피% 초과인 경우, 탄성률은 10 GPa 초과만큼 증가된다.
본 발명에 따른 금속 분말의 벌크 밀도는 놀랍게도 우수하다.
실제로, 본 발명에 따른 금속 분말의 벌크 밀도는 7.50 g/cm3 의 최대값을 갖는다. 분말의 이러한 낮은 밀도 때문에, 적층 제조를 통해 이러한 금속 분말로 제조된 부품은 개선된 탄성률과 함께 감소된 밀도를 나타낼 것이다.
분말은, 예를 들어, 원재료 물질로서 순수 원소 및/또는 합금철을 1차 혼합 및 용융함으로써 얻어질 수 있다. 대안적으로, 분말은 예비-합금화된 조성을 용융시킴으로써 얻어질 수 있다.
순수 원소는 일반적으로 합금철로부터 너무 많은 불순물이 나오는 것을 회피하는 것이 바람직한데, 왜냐하면 이러한 불순물은 결정화를 완화시킬 수 있기 때문이다. 그럼에도 불구하고, 본 발명의 경우, 합금철로부터 나오는 불순물은 본 발명의 달성에 해롭지 않은 것으로 관찰되었다.
당업자는 어떻게 상이한 합금철과 순수한 원소를 혼합하여 타겟된 조성에 도달하는 지를 알고있다.
일단 조성이 적절한 비율로 순수 원소 및/또는 합금철의 혼합에 의해 얻어지면, 조성은 그 액상선 온도보다 적어도 50℃ 높은 온도에서 가열되고 이러한 온도에서 유지되어 모든 원재료를 용융시키고 용융물을 균질화시킨다. 이러한 과열로 인해, 용융된 조성의 점도 감소는 양호한 특성의 분말을 얻는 데 도움이 된다. 즉, 표면 장력이 온도와 증가함에 따라, 조성을 그 액상선 온도보다 450℃ 더 높은 온도에서 가열하지 않는 것이 바람직하다.
바람직하게는, 조성은 그 액상선 온도보다 적어도 100℃ 높은 온도에서 가열된다. 더욱 바람직하게는, 조성은 그 액상 온도 보다 300 내지 400℃ 높은 온도에서 가열된다.
그후, 용융된 조성은 용융된 금속 스트림을 오리피스인 노즐을 통해 적절한 압력으로 강제하고, 가스의 제트 (가스 분무) 또는 물의 제트 (물 분무)로 충돌시킴으로써, 미세한 금속 액적으로 분무화된다. 가스 분무화의 경우에, 가스는 노즐을 떠나기 직전에 금속 스트림 내로 도입되어, 비말동반된 가스가 (가열로 인해) 팽창하고 큰 수집 부피인, 분무화 타워 내로 빠져나갈 때 난류를 생성하는 역할을 한다. 후자는 용융된 금속 제트의 추가적인 난류를 촉진하기 위해 가스로 충전된다. 금속 액적은 분무화 타워에서의 그 낙하 동안 냉각된다. 가스 분무화는 높은 원형도 및 낮은 양의 부수체 (satellite) 를 갖는 분말 입자의 제조를 선호하기 때문에 바람직하다.
분무화 가스는 아르곤 또는 질소이다. 그것들 양쪽은 더 작은 입자 크기의 형성을 촉진하는 다른 가스, 예를 들어, 헬륨보다 더 느리게 용융 점도를 증가시킨다. 그것들은 또한 화학물질의 순도를 제어하고, 바람직하지 않은 불순물을 회피하며, 분말의 양호한 형태를 만드는 역할을 한다. 질소의 몰 중량이 아르곤에 대해 39.95 g/mole 과 비교하여 14.01 g/mole 이기 때문에 질소보다 아르곤과 더 미세한 입자가 얻어질 수 있다. 한편, 질소의 비열용량은 아르곤에 대해 0.52 과 비교하여 1.04 J/(g K) 이다. 따라서, 질소는 입자의 냉각 속도를 증가시킨다.
가스 압력은 금속 분말의 미세조직 및 입자 크기 분포에 직접적으로 영향을 미치기 때문에 중요하다. 특히 압력이 높을수록 냉각 속도가 높아진다. 결과적으로, 가스 압력은 10 내지 30 bar 로 설정되어 입자 크기 분포를 최적화하고 마이크로/나노-결정질 상의 형성을 선호한다. 바람직하게는, 가스 압력은 14 내지 18 bar 로 설정되어, 그 크기가 적층 제조 기술과 가장 양립가능한 입자의 형성을 촉진한다.
노즐 직경은 용융된 금속 유량에, 따라서 입자 크기 분포 및 냉각 속도에 직접적인 영향을 미친다. 최대 노즐 직경은 보통 4mm 로 제한되어 평균 입자 크기의 증가 및 냉각 속도의 감소를 제한한다. 노즐 직경은 입자 크기 분포를 보다 정확하게 제어하고 특정 미세조직의 형성을 선호하도록 바람직하게는 2 내지 3 mm 이다.
가스 유량 (Kg/h) 과 금속 유량 (Kg/h) 사이의 비로 규정되는 가스 대 금속 비는 바람직하게는 1.5 내지 7, 더욱 바람직하게는 3 내지 4 로 유지된다. 그것은 냉각 속도를 조정하는 것을 돕고 따라서 특정 미세조직의 형성을 더욱 촉진한다.
본 발명의 일 변형예에 따르면, 습도 흡수의 경우, 분무화에 의해 얻어진 금속 분말은 그 유동성을 더욱 향상시키도록 건조된다. 건조는 바람직하게는 진공 챔버에서 100℃ 로 수행된다.
분무화에 의해 얻어진 금속 분말은 그와 같이 사용될 수 있거나, 그 크기가 이후 사용될 적층 제조 기술에 더 적합한 입자를 유지하기 위해 시빙될 수 있다. 예를 들어, Powder Bed Fusion 에 의한 적층 제조의 경우, 20-63㎛ 의 범위가 바람직하다. Laser Metal Deposition 또는 Direct Metal Deposition 에 의한 적층 제조의 경우, 45-150㎛ 의 범위가 바람직하다.
본 발명에 따른 금속 분말로 제조된 부품은 분말 베드 융합(LPBF), 직접 금속 레이저 소결(DMLS), 전자 빔 용융(EBM), 선택적 열 소결(SHS), 선택적 레이저 소결(SLS), 레이저 금속 디포지션(LMD), 직접 금속 디포지션(DMD), 직접 금속 레이저 용융(DMLM), 직접 금속 프린팅(DMP), 레이저 클래딩(LC), 바인터 젯팅(BJ)과 같은 적층 제조 기술에 의해 얻어질 수 있고, 본 발명에 따른 금속 분말로 제조된 코팅은 또한 콜드 스프레이, 서멀 스프레이, 고속 산소 연료 (High Velocity Oxygen Fuel) 와 같은 제조 기술에 의해 얻어질 수 있다.
예들
아래에 제시된 다음의 예 및 테스트는 본질적으로 제한되지 않으며 예시 목적으로만 고려되어야 한다. 그것들은 본 발명의 유리한 특징들, 광범위한 실험들 후에 발명자들에 의해 선택된 파라미터들의 중요성을 예시할 것이며, 본 발명에 따른 금속 분말에 의해 달성될 수 있는 특성들을 추가로 확립할 것이다.
표 1 에 따른 금속 조성은 먼저 합금철과 순수 원소를 적절한 비율로 혼합 및 용융하거나, 합금화 전 조성을 용융함으로써 얻었다. 첨가된 원소의 조성(중량%) 이 표 1 에 모아졌다.
표 1 - 용융물 조성
Figure pct00001
질소와 산소의 양은 모든 샘플에 대해 0.001% 미만이었다.
이들 금속 조성을 가열하고, 그후 표 2 에 모아진 프로세스 조건에서 아르곤 또는 질소로 가스 분무화하였다.
표 2 - 분무화 파라미터들
모든 시도에 대해, 분무기 BluePower AU3000 의 공통 입력 파라미터는 다음과 같다:
시작 ΔP 60 mbar
종료 ΔP 140 mbar
시간 ΔP 1.5 min
분무화 가스 압력 24 bar
가스 시작 지연 시간 1-2s
도가니/스토퍼 로드 재료 Al2O3 /Al2O3
도가니 출구 직경 3.0 mm
도가니 출구 재료 질화 붕소
Figure pct00002
그후 얻어진 금속 분말을 진공 하에서 0.5 내지 1일 동안 100℃ 에서 건조하고 시빙하여 그 크기에 따라 3개의 분획 F1 내지 F3 으로 분리하였다. 분획 F1 은 1 내지 19㎛ 의 크기에 상응한다. 분획 F2 는 20 내지 63㎛ 의 크기에 상응하고, 분획 F3 은 63㎛ 를 초과하는 크기에 상응한다.
분말의 원소 조성을 중량% 로 분석하고, 주요 원소를 표 3 에 모았다. 모든 다른 원소의 함량은 본 발명의 범위에 속하였다.
표 3 - 분말 조성
Figure pct00003
분말의 벌크 밀도가 결정되고 표 4 에서 수집되었다.
표 4 - 벌크 밀도
Figure pct00004
벌크 밀도는 시판되는 Pycnometer AccuPyc II 1340 을 사용하여 측정하였다. 그것은 Ar atm 을 이용한 가스 밀도측정법을 기반으로 한다. 이러한 방법은 습윤성 문제로 인해 분말 밀도에 대해 액체 시스템을 사용하는 아르키메데스 원리보다 더 정확하다.
샘플은 수분을 제거하기 위해 예비 건조된다. 헬륨은 작은 공동에서 관통하도록 그 작은 원자 직경에 대해 사용된다.
측정 방법은 제 1 기준 챔버에 주어진 압력에서 He 분사에 기초하고, 이어서 가스는 분말을 포함하는 제 2 챔버로 방출된다. 이러한 제 2 챔버에서 압력이 측정된다.
그후 Mariotte 의 법칙은 분말 부피 V
Figure pct00005
를 계산하는 데 사용된다
Figure pct00006
Figure pct00007
여기서,
- V 1 은 제 1 기준 챔버의 부피가고,
- V 0 은 분말 샘플을 함유하는 제 2 챔버의 부피이고,
- V
Figure pct00008
은 분말 부피이고,
- P 1 은 제 1 기준 챔버에서 가스 압력이고,
- P 2 은 분말 샘플을 함유하는 제 2 챔버에서 가스 압력이다.
샘플의 중량은 캘리브레이팅된 밸런스로 측정되고, 그후 상응하는 밀도가 계산된다.
본 발명에 따른 분말은 밀도가 상당히 더 높은 기준 예에 비해 7.50 g/cm3 이하의 레벨로 감소된 밀도를 제공한다는 것은 실시예로부터 명백하다. 이러한 결과는, TiB2 부피 백분율의 상응하는 값이 이러한 밀도 갭과 일치하지 않기 때문에 놀랍다.

Claims (8)

  1. 금속 분말로서,
    중량으로 함량이 표현된 다음의 원소들:
    0.01% ≤ C ≤ 0.2%
    4.6% ≤ Ti ≤ 10%
    (0.45 xTi) - 0.22% ≤ B ≤ (0.45 xTi) + 0.70%
    S ≤ 0.03%
    P ≤ 0.04%
    N ≤ 0.05%
    O ≤ 0.05% 를 포함하고,
    선택적으로:
    Si ≤ 1.5%
    Mn ≤ 3%
    Al ≤ 1.5%
    Ni ≤ 1%
    Mo ≤ 1%
    Cr ≤ 3%
    Cu ≤ 1%
    Nb ≤ 0.1%
    V ≤ 0.5% 를 함유하고,
    TiB2 및 Fe2B 의 침전물들을 포함하고, 잔부가 Fe 및 정교화로부터 기인한 불가피한 불순물들인 조성을 갖고,
    TiB2 의 부피 백분율은 10% 이상이고, 분말의 평균 벌크 밀도는 7.50 g/cm3 이하인, 금속 분말.
  2. 제 1 항에 있어서,
    Fe2B 의 부피 백분율이 적어도 4% 인, 금속 분말.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 분말의 유리 Ti 함량은 0.30 내지 0.40 중량% 인, 금속 분말.
  4. 적층 제조용 금속 분말을 제조하기 위한 방법으로서,
    - 중량으로 함량이 표현되는, 0.01% ≤ C ≤ 0.2%, 4.6% ≤ Ti ≤ 10%, (0.45 xTi) - 0.22% ≤ B ≤ (0.45 xTi) + 0.70%, S ≤ 0.03%, P ≤ 0.04%, N ≤ 0.05%, O ≤ 0.05% 를 포함하고, 선택적으로 Si ≤ 1.5%, Mn ≤ 3%, Al ≤ 1.5%, Ni ≤ 1%, Mo ≤ 1%, Cr ≤ 3%, Cu ≤ 1%, Nb ≤ 0.1%, V ≤ 0.5% 를 함유하고, 잔부가 Fe 및 정교화로부터 기인한 불가피한 불순물인, 용융된 조성을 얻도록 액상선 온도보다 적어도 50℃ 높은 온도에서 원소들 및/또는 금속-합금들을 용융시키는 단계,
    - 가압된 가스로 노즐을 통해 상기 용융된 조성을 분무하는 단계를 포함하는, 적층 제조용 금속 분말을 제조하기 위한 방법.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 액상선 온도보다 적어도 100℃ 높은 온도에서 용융이 수행되는, 적층 제조용 금속 분말을 제조하기 위한 방법.
  6. 제 4 항 또는 제 5 항에 있어서,
    상기 액상선 온도보다 최대 400℃ 높은 온도에서 용융이 수행되는, 적층 제조용 금속 분말을 제조하기 위한 방법.
  7. 제 4 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 가스는 10 내지 30 bar 로 가압되는, 적층 제조용 금속 분말을 제조하기 위한 방법.
  8. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 따른 금속 분말을 사용하여 적층 제조 프로세스에 의해 제조되거나 제 4 항 내지 제 7 항에 따른 방법을 통해 제조된 금속 부품.
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