KR20220025073A - 표시 장치, 표시 모듈, 및 전자 기기 - Google Patents

표시 장치, 표시 모듈, 및 전자 기기 Download PDF

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카즈노리 와타나베
코지 쿠스노키
스스무 카와시마
타이스케 카마다
료 하츠미
다이스케 쿠보타
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가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
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Abstract

광 검출 기능을 갖는 표시 장치를 제공한다. 제 1 화소 회로 및 제 2 화소 회로를 갖고, 제 1 화소 회로는 수광 디바이스, 제 1 트랜지스터, 및 제 2 트랜지스터를 갖고, 제 2 화소 회로는 발광 디바이스를 갖고, 수광 디바이스는 제 1 화소 전극, 활성층, 및 공통 전극을 갖고, 발광 디바이스는 제 2 화소 전극, 발광층, 및 공통 전극을 갖고, 활성층은 제 1 화소 전극 위에 위치하며, 제 1 유기 화합물을 갖고, 발광층은 제 2 화소 전극 위에 위치하며, 제 1 유기 화합물과는 상이한 제 2 유기 화합물을 갖고, 공통 전극은 활성층을 개재하여 제 1 화소 전극과 중첩되는 부분과, 발광층을 개재하여 제 2 화소 전극과 중첩되는 부분을 갖고, 제 1 트랜지스터는 반도체층에 저온 폴리실리콘을 갖고, 제 2 트랜지스터는 반도체층에 금속 산화물을 갖는 표시 장치이다.

Description

표시 장치, 표시 모듈, 및 전자 기기
본 발명의 일 형태는 표시 장치, 표시 모듈, 및 전자 기기에 관한 것이다. 본 발명의 일 형태는 수광 디바이스(수광 소자라고도 함)와 발광 디바이스(발광 소자라고도 함)를 갖는 표시 장치에 관한 것이다.
또한, 본 발명의 일 형태는 상기 기술분야에 한정되지 않는다. 본 발명의 일 형태의 기술분야로서는, 반도체 장치, 표시 장치, 발광 장치, 축전 장치, 기억 장치, 전자 기기, 조명 장치, 입력 장치(예를 들어 터치 센서 등), 입출력 장치(예를 들어 터치 패널 등), 이들의 구동 방법, 또는 이들의 제조 방법을 일례로서 들 수 있다.
근년, 표시 장치는 다양한 용도로의 응용이 기대되고 있다. 예를 들어, 대형 표시 장치의 용도로서는, 가정용 텔레비전 장치(텔레비전 또는 텔레비전 수신기라고도 함), 디지털 사이니지(Digital Signage: 전자 간판), PID(Public Information Display) 등을 들 수 있다. 또한, 휴대 정보 단말기로서, 터치 패널을 갖는 스마트폰이나 태블릿 단말기의 개발이 진행되고 있다.
표시 장치로서는, 예를 들어 발광 디바이스를 갖는 발광 장치가 개발되고 있다. 일렉트로루미네선스(Electroluminescence, 이하 EL이라고 기재함) 현상을 이용한 발광 디바이스(EL 디바이스, EL 소자라고도 함)는 박형 경량화가 용이하고, 입력 신호에 대한 고속 응답이 가능하고, 직류 저전압 전원을 사용한 구동이 가능하다는 등의 특징을 갖고, 표시 장치에 응용되어 있다. 예를 들어, 특허문헌 1에 유기 EL 디바이스(유기 EL 소자라고도 함)가 적용된 가요성을 갖는 발광 장치가 개시(開示)되어 있다.
일본 공개특허공보 특개2014-197522호
본 발명의 일 형태는 광 검출 기능을 갖는 표시 장치를 제공하는 것을 과제 중 하나로 한다. 본 발명의 일 형태는 편리성이 높은 표시 장치를 제공하는 것을 과제 중 하나로 한다. 본 발명의 일 형태는 다기능 표시 장치를 제공하는 것을 과제 중 하나로 한다. 본 발명의 일 형태는 표시 품질이 높은 표시 장치를 제공하는 것을 과제 중 하나로 한다. 본 발명의 일 형태는 광 검출 감도가 높은 표시 장치를 제공하는 것을 과제 중 하나로 한다. 본 발명의 일 형태는 표시 장치 외부에 장착되는 회로(외부 회로라고도 함)를 간략화하는 것을 과제 중 하나로 한다. 본 발명의 일 형태는 신규 표시 장치를 제공하는 것을 과제 중 하나로 한다.
또한, 이들 과제의 기재는 다른 과제의 존재를 방해하는 것은 아니다. 본 발명의 일 형태는 반드시 이들 과제 모두를 해결할 필요는 없는 것으로 한다. 명세서, 도면, 청구항의 기재로부터 이들 이외의 과제를 추출할 수 있다.
본 발명의 일 형태는 제 1 화소 회로 및 제 2 화소 회로를 갖고, 제 1 화소 회로는 수광 디바이스, 제 1 트랜지스터, 및 제 2 트랜지스터를 갖고, 제 2 화소 회로는 발광 디바이스를 갖고, 수광 디바이스는 제 1 화소 전극, 활성층, 및 공통 전극을 갖고, 발광 디바이스는 제 2 화소 전극, 발광층, 및 공통 전극을 갖고, 활성층은 제 1 화소 전극 위에 위치하며, 제 1 유기 화합물을 갖고, 발광층은 제 2 화소 전극 위에 위치하며, 제 1 유기 화합물과는 상이한 제 2 유기 화합물을 갖고, 공통 전극은 활성층을 개재(介在)하여 제 1 화소 전극과 중첩되는 부분과, 발광층을 개재하여 제 2 화소 전극과 중첩되는 부분을 갖고, 제 1 트랜지스터는 반도체층에 저온 폴리실리콘을 갖고, 제 2 트랜지스터는 반도체층에 금속 산화물을 갖는 표시 장치이다.
본 발명의 일 형태는 제 1 화소 회로 및 제 2 화소 회로를 갖고, 제 1 화소 회로는 수광 디바이스, 제 1 트랜지스터, 및 제 2 트랜지스터를 갖고, 제 2 화소 회로는 발광 디바이스를 갖고, 수광 디바이스는 제 1 화소 전극, 공통층, 활성층, 및 공통 전극을 갖고, 발광 디바이스는 제 2 화소 전극, 공통층, 발광층, 및 공통 전극을 갖고, 활성층은 제 1 화소 전극 위에 위치하며, 제 1 유기 화합물을 갖고, 발광층은 제 2 화소 전극 위에 위치하며, 제 1 유기 화합물과는 상이한 제 2 유기 화합물을 갖고, 공통 전극은 활성층을 개재하여 제 1 화소 전극과 중첩되는 부분과, 발광층을 개재하여 제 2 화소 전극과 중첩되는 부분을 갖고, 공통층은 제 1 화소 전극 위 및 제 2 화소 전극 위에 위치하며, 활성층과 중첩되는 부분과, 발광층과 중첩되는 부분을 갖고, 제 1 트랜지스터는 반도체층에 저온 폴리실리콘을 갖고, 제 2 트랜지스터는 반도체층에 금속 산화물을 갖는 표시 장치이다.
공통층은 발광 디바이스의 정공 주입층으로서 기능하는 층을 갖는 것이 바람직하다.
공통층은 발광 디바이스의 정공 수송층으로서 기능하는 층을 갖는 것이 바람직하다.
공통층은 발광 디바이스의 전자 수송층으로서 기능하는 층을 갖는 것이 바람직하다.
공통층은 발광 디바이스의 전자 주입층으로서 기능하는 층을 갖는 것이 바람직하다.
제 2 화소 회로는 반도체층에 저온 폴리실리콘을 갖는 제 3 트랜지스터를 더 갖는 것이 바람직하다. 또는, 제 2 화소 회로는 반도체층에 금속 산화물을 갖는 제 3 트랜지스터를 더 갖는 것이 바람직하다.
본 발명의 일 형태의 표시 장치는 수지층, 차광층, 및 기판을 더 갖는 것이 바람직하다. 수지층 및 차광층은 각각 공통 전극과 기판 사이에 위치하는 것이 바람직하다.
수지층은 수광 디바이스와 중첩되는 개구를 갖는 것이 바람직하다. 수지층은 발광 디바이스와 중첩되는 부분을 갖는 것이 바람직하다. 차광층은 공통 전극과 수지층 사이에 위치하는 부분을 갖는 것이 바람직하다. 차광층은 개구의 적어도 일부 및 개구에서 노출된 수지층의 측면의 적어도 일부를 덮는 것이 바람직하다.
또는, 수지층은 섬 형상으로 제공되며, 발광 디바이스와 중첩되는 부분을 갖는 것이 바람직하다. 차광층은 공통 전극과 수지층 사이에 위치하는 부분을 갖는 것이 바람직하다. 기판을 통과한 광의 적어도 일부는 수지층을 통하지 않고 수광 디바이스에 입사하는 것이 바람직하다. 차광층은 수지층의 측면의 적어도 일부를 덮는 것이 바람직하다.
본 발명의 일 형태의 표시 장치는 접착층을 더 갖는 것이 바람직하다. 접착층은 공통 전극과 기판 사이에 위치하는 것이 바람직하다. 수지층 및 차광층은 각각 접착층과 기판 사이에 위치하는 것이 바람직하다. 접착층은 수광 디바이스와 중첩되는 제 1 부분과, 발광 디바이스와 중첩되는 제 2 부분을 갖는 것이 바람직하다. 제 1 부분은 제 2 부분과 비교하여 두꺼운 것이 바람직하다.
본 발명의 일 형태의 표시 장치는 가요성을 갖는 것이 바람직하다.
본 발명의 일 형태는 상술한 구성 중 어느 것을 갖는 표시 장치를 갖고, 플렉시블 프린트 회로 기판(Flexible Printed Circuit, 이하 FPC라고 기재함) 또는 TCP(Tape Carrier Package) 등의 커넥터가 제공된 모듈, 또는 COG(Chip On Glass) 방식 또는 COF(Chip On Film) 방식 등에 의하여 집적 회로(IC)가 실장된 모듈 등의 모듈이다.
본 발명의 일 형태는 상기 모듈과, 안테나, 배터리, 하우징, 카메라, 스피커, 마이크로폰, 및 조작 버튼 중 적어도 하나를 갖는 전자 기기이다.
본 발명의 일 형태에 의하여, 광 검출 기능을 갖는 표시 장치를 제공할 수 있다. 본 발명의 일 형태에 의하여, 편리성이 높은 표시 장치를 제공할 수 있다. 본 발명의 일 형태에 의하여 다기능 표시 장치를 제공할 수 있다. 본 발명의 일 형태에 의하여 표시 품질이 높은 표시 장치를 제공할 수 있다. 본 발명의 일 형태에 의하여, 광 검출 감도가 높은 표시 장치를 제공할 수 있다. 본 발명의 일 형태에 의하여 표시 장치의 외부 회로를 간략화할 수 있다. 본 발명의 일 형태에 의하여 신규 표시 장치를 제공할 수 있다.
또한, 이들 효과의 기재는 다른 효과의 존재를 방해하는 것은 아니다. 본 발명의 일 형태는 반드시 이들 효과 모두를 가질 필요는 없다. 명세서, 도면, 청구항의 기재로부터 이들 이외의 효과를 추출할 수 있다.
도 1의 (A) 내지 (D)는 표시 장치의 일례를 도시한 단면도이고, 도 1의 (E) 내지 (I)는 화소의 일례를 도시한 상면도이다.
도 2는 표시 장치의 일례를 도시한 단면도이다.
도 3의 (A)는 표시 장치의 일례를 도시한 단면도이고, 도 3의 (B), (C)는 수지층의 상면 레이아웃의 일례를 도시한 도면이다.
도 4의 (A), (B)는 표시 장치의 일례를 도시한 단면도이다.
도 5의 (A) 내지 (C)는 표시 장치의 일례를 도시한 단면도이다.
도 6의 (A) 내지 (C)는 표시 장치의 일례를 도시한 단면도이다.
도 7의 (A)는 표시 장치의 일례를 도시한 상면도이고, 도 7의 (B)는 표시 장치의 일례를 도시한 단면도이다.
도 8의 (A), (B)는 표시 장치의 일례를 도시한 단면도이다.
도 9의 (A)는 표시 장치의 일례를 도시한 상면도이고, 도 9의 (B)는 표시 장치의 일례를 도시한 단면도이다.
도 10의 (A)는 표시 장치의 일례를 도시한 상면도이고, 도 10의 (B)는 표시 장치의 일례를 도시한 단면도이다.
도 11의 (A), (B)는 표시 장치의 일례를 도시한 단면도이다.
도 12의 (A), (B)는 표시 장치의 일례를 도시한 단면도이다.
도 13은 표시 장치의 일례를 도시한 사시도이다.
도 14는 표시 장치의 일례를 도시한 단면도이다.
도 15의 (A), (B)는 표시 장치의 일례를 도시한 단면도이다.
도 16은 표시 장치의 일례를 도시한 단면도이다.
도 17의 (A)는 표시 장치의 일례를 도시한 단면도이고, 도 17의 (B)는 트랜지스터의 일례를 도시한 단면도이다.
도 18의 (A), (B)는 화소 회로의 일례를 도시한 회로도이다.
도 19의 (A), (B)는 표시 장치의 일례를 도시한 단면도이다.
도 20의 (A), (B)는 전자 기기의 일례를 도시한 도면이다.
도 21의 (A) 내지 (D)는 전자 기기의 일례를 도시한 도면이다.
도 22의 (A) 내지 (F)는 전자 기기의 일례를 도시한 도면이다.
실시형태에 대하여 도면을 사용하여 자세히 설명한다. 다만, 본 발명은 이하의 설명에 한정되지 않고, 본 발명의 취지 및 그 범위에서 벗어남이 없이 그 형태 및 자세한 사항을 다양하게 변경할 수 있는 것은 통상의 기술자라면 용이하게 이해할 수 있다. 따라서, 본 발명은 이하에 나타내는 실시형태의 기재 내용에 한정되어 해석되는 것은 아니다.
또한, 이하에서 설명하는 발명의 구성에서, 동일한 부분 또는 같은 기능을 갖는 부분에는 동일한 부호를 상이한 도면 사이에서 공통적으로 사용하고, 이에 대한 반복적인 설명은 생략한다. 또한, 같은 기능을 갖는 부분을 가리키는 경우에는 해치 패턴을 동일하게 하고, 특별히 부호를 붙이지 않는 경우가 있다.
또한, 도면에 도시된 각 구성의 위치, 크기, 범위 등은 이해를 쉽게 하기 위하여, 실제의 위치, 크기, 범위 등을 나타내지 않는 경우가 있다. 그러므로, 개시된 발명은 반드시 도면에 개시된 위치, 크기, 범위 등에 한정되지 않는다.
또한, '막'이라는 말과 '층'이라는 말은 경우 또는 상황에 따라 서로 바꿀 수 있다. 예를 들어, '도전층'이라는 용어를 '도전막'이라는 용어로 바꿀 수 있다. 또는, 예를 들어 '절연막'이라는 용어를 '절연층'이라는 용어로 바꿀 수 있다.
(실시형태 1)
본 실시형태에서는 본 발명의 일 형태의 표시 장치에 대하여 도 1 내지 도 17을 사용하여 설명한다.
본 실시형태의 표시 장치는 표시부에 수광 디바이스와 발광 디바이스를 갖는다. 본 실시형태의 표시 장치는 표시부에 발광 디바이스가 매트릭스상으로 배치되어 있고, 상기 표시부에서 화상을 표시할 수 있다. 또한, 상기 표시부에는 수광 디바이스가 매트릭스상으로 배치되어 있고, 표시부는 수광부로서의 기능도 갖는다. 수광부는 이미지 센서나 터치 센서에 사용할 수 있다. 즉, 수광부에서 광을 검출함으로써, 화상을 촬상하거나, 대상물(손가락이나 펜 등)의 근접 또는 접촉을 검출할 수 있다. 또한, 본 실시형태의 표시 장치는 발광 디바이스를 센서의 광원으로서 이용할 수 있다. 따라서, 표시 장치와 별도로 수광부 및 광원을 제공하지 않아도 되고, 전자 기기의 부품 점수를 삭감할 수 있다.
본 실시형태의 표시 장치에서는, 표시부가 갖는 발광 디바이스의 발광을 대상물이 반사한 경우에, 수광 디바이스가 그 반사광을 검출할 수 있기 때문에, 어두운 장소에서도 촬상이나 터치(니어 터치를 포함함) 검출이 가능하다.
본 실시형태의 표시 장치는 발광 디바이스를 사용하여 화상을 표시하는 기능을 갖는다. 즉, 발광 디바이스는 표시 디바이스로서 기능한다.
발광 디바이스로서는, OLED(Organic Light Emitting Diode)나 QLED(Quantum-dot Light Emitting Diode) 등의 EL 디바이스를 사용하는 것이 바람직하다. EL 디바이스가 갖는 발광 물질로서는, 형광을 발하는 물질(형광 재료), 인광을 발하는 물질(인광 재료), 무기 화합물(퀀텀닷(quantum dot) 재료 등), 열 활성화 지연 형광을 나타내는 물질(열 활성화 지연 형광(Thermally Activated Delayed Fluorescence: TADF) 재료) 등을 들 수 있다. 또한, 발광 디바이스로서 마이크로 LED(Light Emitting Diode) 등의 LED를 사용할 수도 있다.
본 실시형태의 표시 장치는 수광 디바이스를 사용하여 광을 검출하는 기능을 갖는다.
수광 디바이스를 이미지 센서에 사용하는 경우, 본 실시형태의 표시 장치는 수광 디바이스를 사용하여 화상을 촬상할 수 있다. 예를 들어, 본 실시형태의 표시 장치는 스캐너로서 사용할 수 있다.
예를 들어, 이미지 센서를 사용하여 지문, 장문, 또는 홍채 등의 데이터를 취득할 수 있다. 즉, 본 실시형태의 표시 장치에 생체 인증용 센서를 내장시킬 수 있다. 표시 장치가 생체 인증용 센서를 내장함으로써, 표시 장치와 별도로 생체 인증용 센서를 제공하는 경우와 비교하여, 전자 기기의 부품 점수를 적게 할 수 있어 전자 기기의 소형화 및 경량화가 가능하다.
또한, 이미지 센서를 사용하여 사용자의 표정, 눈의 움직임, 또는 동공경의 변화 등의 데이터를 취득할 수 있다. 상기 데이터를 해석함으로써, 사용자의 신체적 및 정신적 정보를 취득할 수 있다. 상기 정보를 바탕으로 표시 및 음성 중 한쪽 또는 양쪽의 출력 내용을 변화시킴으로써, 예를 들어 VR(Virtual Reality)용 기기, AR(Augmented Reality)용 기기, 또는 MR(Mixed Reality)용 기기를 사용자가 안전하게 사용할 수 있도록 도모할 수 있다.
또한, 수광 디바이스를 터치 센서에 사용하는 경우, 본 실시형태의 표시 장치는 수광 디바이스를 사용하여 대상물의 근접 또는 접촉을 검출할 수 있다.
수광 디바이스로서는, 예를 들어 pn형 또는 pin형의 포토다이오드를 사용할 수 있다. 수광 디바이스는 수광 디바이스에 입사하는 광을 검출하고 전하를 발생시키는 광전 변환 디바이스로서 기능한다. 입사하는 광량에 따라 발생하는 전하량이 결정된다.
특히, 유기 화합물을 포함하는 층을 갖는 유기 포토다이오드를 수광 디바이스로서 사용하는 것이 바람직하다. 유기 포토다이오드는 박형화, 경량화, 및 대면적화가 용이하며, 형상 및 디자인의 자유도가 높기 때문에, 다양한 표시 장치에 적용할 수 있다.
본 발명의 일 형태에서는, 발광 디바이스로서 유기 EL 디바이스를 사용하고, 수광 디바이스로서 유기 포토다이오드를 사용한다. 유기 EL 디바이스 및 유기 포토다이오드는 동일한 기판 위에 형성할 수 있다. 따라서, 유기 EL 디바이스를 사용한 표시 장치에 유기 포토다이오드를 내장할 수 있다.
유기 EL 디바이스 및 유기 포토다이오드를 구성하는 모든 층을 따로따로 형성하려면, 성막 공정이 매우 많아진다. 유기 포토다이오드는 유기 EL 디바이스와 공통된 구성으로 할 수 있는 층이 많기 때문에, 공통된 구성으로 할 수 있는 층은 일괄적으로 성막함으로써 성막 공정 증가를 억제할 수 있다. 또한, 성막 횟수가 같더라도, 일부의 디바이스에만 성막되는 층을 줄임으로써, 성막 패턴의 어긋남의 영향을 저감하는 것, 성막 마스크(메탈 마스크 등)에 부착된 먼지(파티클이라고 불리는 작은 이물을 포함함)의 영향을 저감하는 것 등이 가능해진다. 이로써, 표시 장치의 제작 수율을 높일 수 있다.
예를 들어, 한 쌍의 전극 중 한쪽(공통 전극)을 수광 디바이스 및 발광 디바이스에서 공통되는 층으로 할 수 있다. 또한, 예를 들어 정공 주입층, 정공 수송층, 전자 수송층, 및 전자 주입층 중 적어도 하나를 수광 디바이스 및 발광 디바이스에서 공통되는 층으로 하는 것이 바람직하다. 또한, 예를 들어, 수광 디바이스의 활성층과 발광 디바이스의 발광층을 따로따로 형성하고, 그 이외의 층은 발광 디바이스와 수광 디바이스에서 동일한 구성으로 할 수도 있다. 이와 같이, 수광 디바이스 및 발광 디바이스가 공통되는 층을 가짐으로써, 성막 횟수 및 마스크 수를 줄일 수 있어, 표시 장치의 제작 공정 및 제작 비용을 삭감할 수 있다.
또한, 수광 디바이스 및 발광 디바이스에서 공통적으로 갖는 층은 수광 디바이스에서의 기능과 발광 디바이스에서의 기능이 상이한 경우가 있다. 본 명세서 중에서는 발광 디바이스에서의 기능에 기초하여 구성 요소를 호칭한다. 예를 들어 정공 주입층은 발광 디바이스에서 정공 주입층으로서 기능하고, 수광 디바이스에서 정공 수송층으로서 기능한다. 마찬가지로, 전자 주입층은 발광 디바이스에서 전자 주입층으로서 기능하고, 수광 디바이스에서 전자 수송층으로서 기능한다.
본 발명의 일 형태의 표시 장치에서는 수광 디바이스를 갖는 화소 회로 및 발광 디바이스를 갖는 화소 회로에 포함되는 트랜지스터 모두에, 채널이 형성되는 반도체층에 금속 산화물(산화물 반도체라고도 함)을 갖는 트랜지스터(이하, OS 트랜지스터라고도 함)를 사용하는 것이 바람직하다. OS 트랜지스터는 오프 전류가 매우 작기 때문에, 상기 트랜지스터와 직렬로 접속된 용량 소자에 축적된 전하를 장기간에 걸쳐 유지할 수 있다. 또한, OS 트랜지스터를 사용함으로써, 표시 장치의 소비 전력을 저감할 수 있다.
또는, 본 발명의 일 형태의 표시 장치에서는 수광 디바이스를 갖는 화소 회로 및 발광 디바이스를 갖는 화소 회로에 포함되는 트랜지스터 모두에 채널이 형성되는 반도체층에 실리콘을 갖는 트랜지스터(이하, Si 트랜지스터라고도 함)를 사용하는 것이 바람직하다. 실리콘으로서는 단결정 실리콘, 다결정 실리콘, 비정질 실리콘 등을 들 수 있다. 특히, 반도체층에 저온 폴리실리콘(LTPS(Low Temperature Poly-Silicon))을 갖는 트랜지스터(이하, LTPS 트랜지스터라고도 함)를 사용하는 것이 바람직하다. LTPS 트랜지스터는 전계 효과 이동도가 높아 고속 동작이 가능하다.
또한, LTPS 트랜지스터 등의 Si 트랜지스터를 사용함으로써, CMOS 회로로 구성되는 각종 회로를 표시부와 동일한 기판에 제공하는 것이 용이해진다. 이로써, 표시 장치에 실장되는 외부 회로를 간략화할 수 있어, 부품 비용, 실장 비용을 삭감할 수 있다.
또는, 본 발명의 일 형태의 표시 장치에서는 수광 디바이스를 갖는 화소 회로에 2종류의 트랜지스터를 사용하는 것이 바람직하다. 구체적으로는, 상기 화소 회로는 OS 트랜지스터와 LTPS 트랜지스터를 갖는 것이 바람직하다. 트랜지스터에 요구되는 기능에 따라 반도체층의 재료를 변경함으로써, 수광 디바이스를 갖는 화소 회로의 품질을 높이고, 센싱이나 촬상의 정밀도를 높일 수 있다. 이때, 발광 디바이스를 갖는 화소 회로에는 OS 트랜지스터 및 LTPS 트랜지스터 중 한쪽을 사용하여도 좋고, 양쪽을 사용하여도 좋다.
또한, 2종류의 트랜지스터를 사용한 경우에도, LTPS 트랜지스터를 사용함으로써, CMOS 회로로 구성되는 각종 회로를 표시부와 동일한 기판에 제공하는 것이 용이해진다. 이로써, 표시 장치에 실장되는 외부 회로를 간략화할 수 있어, 부품 비용, 실장 비용을 삭감할 수 있다.
본 발명의 일 형태의 표시 장치의 표시면에서는, 발광 디바이스로부터의 발광이 추출되며, 수광 디바이스에 조사되는 광이 통과한다. 표시 장치는 발광 디바이스 및 수광 디바이스보다 표시면 측에 차광층을 갖는 것이 바람직하다. 발광 디바이스로부터의 발광은 차광층의 개구(또는 차광층이 제공되지 않은 영역)를 통하여 표시 장치의 외부로 추출되는 것이 바람직하고, 수광 디바이스에는 차광층의 개구(또는 차광층이 제공되지 않은 영역)를 통하여 광이 조사되는 것이 바람직하다.
수광 디바이스는 발광 디바이스의 발광이 대상물에 의하여 반사된 광을 검출한다. 그러나, 발광 디바이스의 발광이 표시 장치 내에서 반사되고, 대상물을 통하지 않고 수광 디바이스에 입사되는 경우가 있다. 이러한 미광은 광 검출 시에 노이즈가 되어 S/N비(Signal-to-noise ratio)를 저하시키는 요인이 된다. 발광 디바이스 및 수광 디바이스가 제공되어 있는 면보다 표시면 측에 차광층을 제공함으로써 미광의 영향을 억제할 수 있다. 이로써, 노이즈를 저감할 수 있고, 수광 디바이스를 사용한 센서의 감도를 높일 수 있다.
차광층의 위치가 발광 디바이스에 가까울수록, 표시 장치 내의 발광 디바이스의 미광을 억제할 수 있어, 센서의 감도를 높일 수 있다. 또한, 차광층의 위치가 발광 디바이스에 가까울수록, 비스듬한 방향에서 표시 장치를 관찰한 경우의 콘트라스트 저하 및 색도 변화를 억제할 수 있어, 표시의 시야각 특성을 양호하게 할 수 있다. 한편, 차광층의 위치가 수광 디바이스에서 멀수록, 수광 디바이스의 촬상 범위의 면적을 좁게 할 수 있어, 촬상 해상도를 높일 수 있다.
그러므로, 본 발명의 일 형태에서는, 차광층에서 수광 디바이스까지의 거리와 차광층에서 발광 디바이스까지의 거리에 차이가 생기도록, 차광층을 형성하는 면에 구조물(예를 들어 수지층)을 제공한다. 구조물의 레이아웃 및 두께를 조정함으로써, 차광층에서 수광 디바이스까지의 거리를 길게 하며, 차광층에서 발광 디바이스까지의 거리를 짧게 할 수 있다. 이로써, 센서의 노이즈를 저감하면서, 촬상 해상도를 높이고, 표시의 시야각 의존성을 억제할 수 있다. 따라서, 표시 장치의 표시 품질과 촬상 품질 양쪽을 높일 수 있다.
구체적으로는, 본 발명의 일 형태의 표시 장치는 수지층, 차광층, 및 기판을 더 갖는 것이 바람직하다. 수지층 및 차광층은 각각 공통 전극과 기판 사이에 위치하는 것이 바람직하다.
발광 디바이스가 발하는 광의 적어도 일부는 수지층을 통하여 기판의 외부에 추출된다. 기판을 통과한 광의 적어도 일부는 수지층을 통하지 않고 수광 디바이스에 입사한다. 예를 들어, 수지층은 수광 디바이스와 중첩되는 개구를 갖는다. 또는, 수지층은 발광 디바이스와 중첩되는 위치에 섬 형상으로 제공된다.
수지층은 발광 디바이스와 중첩되는 위치에 제공되고, 수광 디바이스와 중첩되는 위치에는 제공되지 않는다. 따라서, 차광층에서 발광 디바이스까지의 거리는 차광층에서 수광 디바이스까지의 거리와 비교하여 짧아진다. 이로써, 표시 장치의 표시 품질과 촬상 품질 양쪽을 높일 수 있다.
도 1의 (A) 내지 (D)에 본 발명의 일 형태의 표시 장치의 단면도를 도시하였다.
도 1의 (A)에 도시된 표시 장치(50A)는 기판(51)과 기판(59) 사이에, 수광 디바이스를 갖는 층(53)과, 발광 디바이스를 갖는 층(57)을 갖는다.
도 1의 (B)에 도시된 표시 장치(50B)는 기판(51)과 기판(59) 사이에, 수광 디바이스를 갖는 층(53), 트랜지스터를 갖는 층(55), 및 발광 디바이스를 갖는 층(57)을 갖는다.
표시 장치(50A) 및 표시 장치(50B)는 발광 디바이스를 갖는 층(57)으로부터 적색(R), 녹색(G), 및 청색(B)의 광이 사출되는 구성이다.
본 발명의 일 형태의 표시 장치는 매트릭스상으로 배치된 복수의 화소를 갖는다. 하나의 화소는 하나 이상의 부화소를 갖는다. 하나의 부화소는 하나의 발광 디바이스를 갖는다. 예를 들어, 화소에는 부화소를 3개 갖는 구성(R, G, B의 3색, 또는 황색(Y), 시안(C), 및 마젠타(M)의 3색 등), 또는 부화소를 4개 갖는 구성(R, G, B, 백색(W)의 4색, 또는 R, G, B, Y의 4색 등)을 적용할 수 있다. 또한, 화소는 수광 디바이스를 갖는다. 수광 디바이스는 모든 화소에 제공되어도 좋고, 일부의 화소에 제공되어도 좋다. 또한, 하나의 화소가 복수의 수광 디바이스를 가져도 좋다.
트랜지스터를 갖는 층(55)은 제 1 트랜지스터 및 제 2 트랜지스터를 갖는 것이 바람직하다. 제 1 트랜지스터는 수광 디바이스와 전기적으로 접속된다. 제 2 트랜지스터는 발광 디바이스와 전기적으로 접속된다.
본 발명의 일 형태의 표시 장치는 표시 장치에 접촉되어 있는 손가락 등의 대상물을 검출하는 기능을 가져도 좋다. 예를 들어, 도 1의 (C)에 도시된 바와 같이, 발광 디바이스를 갖는 층(57)에서 발광 디바이스가 발한 광을 표시 장치(50B)에 접촉된 손가락(52)이 반사함으로써, 수광 디바이스를 갖는 층(53)의 수광 디바이스가 그 반사광을 검출한다. 이로써, 표시 장치(50B)에 손가락(52)이 접촉된 것을 검출할 수 있다.
도 1의 (D)에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 형태의 표시 장치는 표시 장치(50B)에 근접하고 있는(접촉하고 있지 않은) 대상물을 검출 또는 촬상하는 기능을 가져도 좋다.
[화소]
도 1의 (E) 내지 (I)에 화소의 일례를 도시하였다.
도 1의 (E) 내지 (G)에 도시된 화소는 R, G, B의 3개의 부화소(3개의 발광 디바이스)와 수광 디바이스(PD)를 갖는다. 도 1의 (E)는 3개의 부화소와 수광 디바이스(PD)가 2×2의 매트릭스상으로 배치되어 있는 예를 도시한 것이고, 도 1의 (F)는 3개의 부화소와 수광 디바이스(PD)가 가로로 일렬로 배치되어 있는 예를 도시한 것이다. 도 1의 (G)는 3개의 부화소가 가로로 일렬로 배치되어 있고, 그 아래에 수광 디바이스(PD)가 배치되어 있는 예를 도시한 것이다. 또한, 도 1의 (E) 내지 (G)에 도시된 화소는 각각 표시에 사용하는 3개의 부화소와 광 검출에 사용하는 하나의 부화소의 4개의 부화소로 구성되어 있다고 할 수도 있다.
도 1의 (H)에 도시된 화소는 R, G, B, W의 4개의 부화소(4개의 발광 디바이스)와 수광 디바이스(PD)를 갖는다.
도 1의 (I)에 도시된 화소는 R, G, B의 3개의 부화소와, 적외광을 발하는 발광 디바이스(IR)와, 수광 디바이스(PD)를 갖는다. 이때, 수광 디바이스(PD)는 적외광을 검출하는 기능을 갖는 것이 바람직하다. 수광 디바이스(PD)는 가시광 및 적외광 양쪽을 검출하는 기능을 가져도 좋다. 센서의 용도에 따라, 수광 디바이스(PD)가 검출하는 광의 파장을 결정할 수 있다.
이하에서는, 도 2 내지 도 12를 사용하여 본 발명의 일 형태의 표시 장치가 갖는 발광 디바이스 및 수광 디바이스의 자세한 구성에 대하여 설명한다.
본 발명의 일 형태의 표시 장치는 발광 디바이스가 형성된 기판과는 반대 방향으로 광을 사출하는 톱 이미션형, 발광 디바이스가 형성된 기판 측에 광을 사출하는 보텀 이미션형, 및 양면에 광을 사출하는 듀얼 이미션형 중 어느 것이어도 좋다.
도 2 내지 도 12에서는 톱 이미션형 표시 장치를 예로 들어 설명한다.
또한, 본 실시형태에서는 가시광을 발하는 발광 디바이스와 가시광을 검출하는 수광 디바이스를 갖는 표시 장치에 대하여 주로 설명하지만, 표시 장치는 적외광을 발하는 발광 디바이스를 더 가져도 좋다. 또한, 수광 디바이스는 적외광을 검출하는 구성이어도 좋고, 가시광 및 적외광 양쪽을 검출하는 구성이어도 좋다.
[표시 장치(10)]
도 2에 표시 장치(10)의 단면도를 도시하였다.
표시 장치(10)는 수광 디바이스(110) 및 발광 디바이스(190)를 갖는다.
발광 디바이스(190)는 화소 전극(191), 버퍼층(192), 발광층(193), 버퍼층(194), 및 공통 전극(115)을 갖는다. 발광층(193)은 유기 화합물을 갖는다. 발광 디바이스(190)는 가시광을 발하는 기능을 갖는다. 또한, 표시 장치(10)는 적외광을 발하는 기능을 갖는 발광 디바이스를 더 가져도 좋다. 본 실시형태에서는 화소 전극(191)이 양극으로서 기능하고, 공통 전극(115)이 음극으로서 기능하는 경우를 예로 들어 설명한다.
수광 디바이스(110)는 화소 전극(181), 버퍼층(182), 활성층(183), 버퍼층(184), 및 공통 전극(115)을 갖는다. 활성층(183)은 유기 화합물을 갖는다. 수광 디바이스(110)는 가시광을 검출하는 기능을 갖는다. 또한, 수광 디바이스(110)는 적외광을 검출하는 기능을 더 가져도 좋다. 본 실시형태에서는 발광 디바이스(190)와 마찬가지로, 화소 전극(181)이 양극으로서 기능하고, 공통 전극(115)이 음극으로서 기능하는 것으로 하여 설명한다. 즉, 화소 전극(181)과 공통 전극(115) 사이에 역바이어스를 인가하여 수광 디바이스(110)를 구동함으로써, 표시 장치(10)는 수광 디바이스(110)에 입사하는 광을 검출하고, 전하를 발생시켜, 전류로서 추출할 수 있다.
화소 전극(181), 화소 전극(191), 버퍼층(182), 버퍼층(192), 활성층(183), 발광층(193), 버퍼층(184), 버퍼층(194), 및 공통 전극(115)은 각각 단층 구조이어도 좋고, 적층 구조이어도 좋다.
화소 전극(181) 및 화소 전극(191)은 절연층(214) 위에 위치한다. 화소 전극(181)과 화소 전극(191)은 동일한 재료 및 동일한 공정으로 형성할 수 있다. 화소 전극(181)의 단부 및 화소 전극(191)의 단부는 각각 격벽(216)으로 덮여 있다. 화소 전극(181)과 화소 전극(191)은 격벽(216)에 의하여 서로 전기적으로 절연되어 있다(전기적으로 분리되어 있다고도 함).
격벽(216)으로서는 유기 절연막이 적합하다. 유기 절연막에 사용할 수 있는 재료로서는 아크릴 수지, 폴리이미드 수지, 에폭시 수지, 폴리아마이드 수지, 폴리이미드아마이드 수지, 실록산 수지, 벤조사이클로뷰텐계 수지, 페놀 수지, 및 이들 수지의 전구체 등을 들 수 있다. 격벽(216)은 가시광을 투과시키는 층이다. 자세한 사항은 후술하지만, 격벽(216) 대신에, 가시광을 차단하는 격벽(217)을 제공하여도 좋다.
버퍼층(182)은 화소 전극(181) 위에 위치한다. 활성층(183)은 버퍼층(182)을 개재하여 화소 전극(181)과 중첩된다. 버퍼층(184)은 활성층(183) 위에 위치한다. 활성층(183)은 버퍼층(184)을 개재하여 공통 전극(115)과 중첩된다. 버퍼층(182)은 정공 수송층을 가질 수 있다. 버퍼층(184)은 전자 수송층을 가질 수 있다.
버퍼층(192)은 화소 전극(191) 위에 위치한다. 발광층(193)은 버퍼층(192)을 개재하여 화소 전극(191)과 중첩된다. 버퍼층(194)은 발광층(193) 위에 위치한다. 발광층(193)은 버퍼층(194)을 개재하여 공통 전극(115)과 중첩된다. 버퍼층(192)은 정공 주입층 및 정공 수송층 중 한쪽 또는 양쪽을 가질 수 있다. 버퍼층(194)은 전자 주입층 및 전자 수송층 중 한쪽 또는 양쪽을 가질 수 있다.
공통 전극(115)은 수광 디바이스(110)와 발광 디바이스(190)에 공통적으로 사용되는 층이다.
수광 디바이스(110) 및 발광 디바이스(190)가 갖는 한 쌍의 전극의 재료 및 막 두께 등은 동일하게 할 수 있다. 이로써, 표시 장치의 제작 비용의 삭감 및 제작 공정의 간략화가 가능하다.
표시 장치(10)는 한 쌍의 기판(기판(151) 및 기판(152)) 사이에 수광 디바이스(110), 발광 디바이스(190), 트랜지스터(41), 및 트랜지스터(42) 등을 갖는다.
수광 디바이스(110)에서 화소 전극(181)과 공통 전극(115) 사이에 각각 위치하는 버퍼층(182), 활성층(183), 및 버퍼층(184)은 유기층(유기 화합물을 포함하는 층)이라고 할 수도 있다. 화소 전극(181)은 가시광을 반사하는 기능을 갖는 것이 바람직하다. 공통 전극(115)은 가시광을 투과시키는 기능을 갖는다. 또한, 수광 디바이스(110)가 적외광을 검출하는 구성인 경우, 공통 전극(115)은 적외광을 투과시키는 기능을 갖는다. 또한, 화소 전극(181)은 적외광을 반사하는 기능을 갖는 것이 바람직하다.
수광 디바이스(110)는 광을 검출하는 기능을 갖는다. 구체적으로는, 수광 디바이스(110)는 표시 장치(10)의 외부로부터 입사되는 광(22)을 수광하고, 전기 신호로 변환하는 광전 변환 디바이스이다. 광(22)은 발광 디바이스(190)의 발광을 대상물이 반사한 광이라고 할 수도 있다. 또한, 광(22)은 후술하는 렌즈를 통하여 수광 디바이스(110)에 입사하여도 좋다.
발광 디바이스(190)에서, 화소 전극(191)과 공통 전극(115) 사이에 각각 위치하는 버퍼층(192), 발광층(193), 및 버퍼층(194)을 EL층이라고 할 수도 있다. 화소 전극(191)은 가시광을 반사하는 기능을 갖는 것이 바람직하다. 공통 전극(115)은 가시광을 투과시키는 기능을 갖는다. 또한, 표시 장치(10)가 적외광을 발하는 발광 디바이스를 갖는 구성인 경우, 공통 전극(115)은 적외광을 투과시키는 기능을 갖는다. 또한, 화소 전극(191)은 적외광을 반사하는 기능을 갖는 것이 바람직하다.
본 실시형태의 표시 장치가 갖는 발광 디바이스에는, 미소 광공진기(마이크로캐비티) 구조가 적용되어 있는 것이 바람직하다. 따라서, 발광 디바이스가 갖는 한 쌍의 전극 중 한쪽은 가시광에 대한 투과성 및 반사성을 갖는 전극(반투과·반반사 전극)을 갖는 것이 바람직하고, 다른 쪽은 가시광에 대한 반사성을 갖는 전극(반사 전극)을 갖는 것이 바람직하다. 발광 디바이스가 마이크로캐비티 구조를 가짐으로써, 발광층으로부터 얻어지는 발광을 양쪽 전극 사이에서 공진시켜, 발광 디바이스로부터 사출되는 광을 강하게 할 수 있다.
또한, 반투과·반반사 전극은 반사 전극과 가시광에 대한 투과성을 갖는 전극(투명 전극이라고도 함)의 적층 구조로 할 수 있다. 본 명세서 등에서는 반투과·반반사 전극의 일부로서 기능하는 반사 전극을 화소 전극 또는 공통 전극이라고 기재하고, 투명 전극을 광학 조정층이라고 기재하는 경우가 있지만, 투명 전극(광학 조정층)도 화소 전극 또는 공통 전극으로서의 기능을 갖는다고 할 수 있는 경우가 있다.
투명 전극의 광의 투과율은 40% 이상으로 한다. 예를 들어, 발광 디바이스에는, 가시광(파장 400nm 이상 750nm 미만의 광)의 투과율이 40% 이상인 전극을 사용하는 것이 바람직하다. 또한, 반투과·반반사 전극의 가시광의 반사율은 10% 이상 95% 이하, 바람직하게는 30% 이상 80% 이하로 한다. 반사 전극의 가시광의 반사율은 40% 이상 100% 이하, 바람직하게는 70% 이상 100% 이하로 한다. 또한, 이들 전극의 저항률은 1×10-2Ωcm 이하가 바람직하다. 또한, 표시 장치에 근적외광을 발하는 발광 디바이스를 사용하는 경우, 이들 전극의 근적외광(파장 750nm 이상 1300nm 이하의 광)의 투과율, 반사율도 상기 수치 범위인 것이 바람직하다.
버퍼층(192) 또는 버퍼층(194)은 광학 조정층으로서의 기능을 가져도 좋다. 버퍼층(192) 또는 버퍼층(194)의 막 두께를 상이하게 함으로써, 각 발광 디바이스에서 특정한 색의 광을 강하게 하여 추출할 수 있다. 또한, 반투과·반반사 전극이 반사 전극과 투명 전극의 적층 구조인 경우에는, 한 쌍의 전극 사이의 광학 거리란, 한 쌍의 반사 전극 사이의 광학 거리를 가리킨다.
발광 디바이스(190)는 가시광을 발하는 기능을 갖는다. 구체적으로는, 발광 디바이스(190)는 화소 전극(191)과 공통 전극(115) 사이에 전압을 인가함으로써, 기판(152) 측에 광을 사출하는 전계 발광 디바이스이다(발광(21) 참조).
발광층(193)은 수광 디바이스(110)와 중첩되지 않도록 형성되는 것이 바람직하다. 이로써, 발광층(193)이 광(22)을 흡수하는 것을 억제할 수 있어, 수광 디바이스(110)에 조사되는 광량을 많게 할 수 있다.
화소 전극(181)은 절연층(214)에 제공된 개구를 통하여 트랜지스터(41)가 갖는 소스 또는 드레인과 전기적으로 접속된다.
화소 전극(191)은 절연층(214)에 제공된 개구를 통하여 트랜지스터(42)가 갖는 소스 또는 드레인과 전기적으로 접속된다. 트랜지스터(42)는 발광 디바이스(190)의 구동을 제어하는 기능을 갖는다.
트랜지스터(41)와 트랜지스터(42)는 동일한 층(도 2에서는 기판(151)) 위에 접한다.
수광 디바이스(110)와 전기적으로 접속되는 회로의 적어도 일부는 발광 디바이스(190)와 전기적으로 접속되는 회로와 동일한 재료 및 동일한 공정으로 형성되는 것이 바람직하다. 이로써, 2개의 회로를 따로따로 형성하는 경우와 비교하여, 표시 장치의 두께를 얇게 할 수 있고, 제작 공정을 간략화할 수 있다.
수광 디바이스(110) 및 발광 디바이스(190)는 각각 보호층(116)으로 덮여 있는 것이 바람직하다. 도 2에서는 보호층(116)이 공통 전극(115) 위에 접하여 제공되어 있다. 보호층(116)을 제공함으로써, 수광 디바이스(110) 및 발광 디바이스(190)에 물 등의 불순물이 들어가는 것을 억제하여 수광 디바이스(110) 및 발광 디바이스(190)의 신뢰성을 높일 수 있다. 또한, 접착층(142)에 의하여 보호층(116)과 기판(152)이 접합되어 있다.
기판(152)의 기판(151) 측의 면에는 차광층(158)이 제공되어 있다. 차광층(158)은 발광 디바이스(190)와 중첩되는 위치 및 수광 디바이스(110)와 중첩되는 위치에 개구를 갖는다. 또한, 본 명세서 등에서 발광 디바이스(190)와 중첩되는 위치란, 구체적으로는 발광 디바이스(190)의 발광 영역과 중첩되는 위치를 가리킨다. 마찬가지로, 수광 디바이스(110)와 중첩되는 위치란, 구체적으로는 수광 디바이스(110)의 수광 영역과 중첩되는 위치를 가리킨다.
여기서 수광 디바이스(110)는 발광 디바이스(190)의 발광이 대상물에 의하여 반사된 광을 검출한다. 그러나, 발광 디바이스(190)의 발광이 표시 장치(10) 내에서 반사되고, 대상물을 통하지 않고 수광 디바이스(110)에 입사되는 경우가 있다. 차광층(158)은 이러한 미광의 영향을 억제할 수 있다. 예를 들어 차광층(158)이 제공되지 않는 경우, 발광 디바이스(190)가 발한 광(23)은 기판(152)에서 반사되고, 반사광(24)이 수광 디바이스(110)에 입사하는 경우가 있다. 차광층(158)을 제공함으로써, 반사광(24)이 수광 디바이스(110)에 입사하는 것을 억제할 수 있다. 이로써, 노이즈를 저감할 수 있고, 수광 디바이스(110)를 사용한 센서의 감도를 높일 수 있다.
차광층(158)으로서는 발광 디바이스로부터의 발광을 차단하는 재료를 사용할 수 있다. 차광층(158)은 가시광을 흡수하는 것이 바람직하다. 차광층(158)으로서, 예를 들어 금속 재료, 혹은 안료(카본 블랙 등) 또는 염료를 포함하는 수지 재료 등을 사용하여 블랙 매트릭스를 형성할 수 있다. 차광층(158)은 적색 컬러 필터, 녹색 컬러 필터, 및 청색 컬러 필터의 적층 구조이어도 좋다.
[표시 장치(10A)]
도 3의 (A)에 표시 장치(10A)의 단면도를 도시하였다. 또한, 표시 장치에 대한 이하의 설명에서, 앞에서 설명한 표시 장치와 같은 구성에 대해서는 설명을 생략하는 경우가 있다.
표시 장치(10A)는 수지층(159)을 갖는 점에서 표시 장치(10)와 상이하다.
수지층(159)은 기판(152)의 기판(151) 측의 면에 제공되어 있다. 수지층(159)은 발광 디바이스(190)와 중첩되는 위치에 제공되고, 수광 디바이스(110)와 중첩되는 위치에는 제공되지 않는다.
수지층(159)은 예를 들어 도 3의 (B)에 도시된 바와 같이, 발광 디바이스(190)와 중첩되는 위치에 제공되며, 수광 디바이스(110)와 중첩되는 위치에 개구(159p)를 갖는 구성으로 할 수 있다. 또는, 수지층(159)은 예를 들어 도 3의 (C)에 도시된 바와 같이, 발광 디바이스(190)와 중첩되는 위치에 섬 형상으로 제공되며, 수광 디바이스(110)와 중첩되는 위치에는 제공되지 않는 구성으로 할 수 있다.
기판(152)의 기판(151) 측의 면 및 수지층(159)의 기판(151) 측의 면에는 차광층(158)이 제공되어 있다. 차광층(158)은 발광 디바이스(190)와 중첩되는 위치 및 수광 디바이스(110)와 중첩되는 위치에 개구를 갖는다.
예를 들어, 차광층(158)은 수지층(159)을 통과하고 기판(152)의 기판(151) 측의 면에서 반사한 미광(23a)을 흡수할 수 있다. 또한, 차광층(158)은 수지층(159)에 도달하기 전에 미광(23b)을 흡수할 수 있다. 이로써, 수광 디바이스(110)에 입사하는 미광을 저감할 수 있다. 따라서, 노이즈를 저감할 수 있고, 수광 디바이스(110)를 사용한 센서의 감도를 높일 수 있다. 특히, 차광층(158)이 발광 디바이스(190)에 가까운 위치에 있으면, 미광을 더 저감할 수 있기 때문에 바람직하다. 또한, 차광층(158)이 발광 디바이스(190)에 가까운 위치에 있으면, 표시의 시야각 의존성을 억제할 수 있기 때문에 표시 품질 향상의 관점에서도 바람직하다.
또한, 차광층(158)을 제공함으로써, 수광 디바이스(110)가 광을 검출하는 범위를 제어할 수 있다. 차광층(158)이 수광 디바이스(110)에서 떨어진 위치에 있으면, 촬상 범위가 좁아져 촬상 해상도를 높일 수 있다.
수지층(159)이 개구를 갖는 경우, 차광층(158)은 상기 개구의 적어도 일부 및 상기 개구에서 노출된 수지층(159)의 측면의 적어도 일부를 덮는 것이 바람직하다.
수지층(159)이 섬 형상으로 제공되어 있는 경우, 차광층(158)은 수지층(159)의 측면의 적어도 일부를 덮는 것이 바람직하다.
이와 같이, 수지층(159)의 형상을 따라 차광층(158)이 제공되기 때문에, 차광층(158)에서 발광 디바이스(190)(구체적으로는 발광 디바이스(190)의 발광 영역)까지의 거리는 차광층(158)에서 수광 디바이스(110)(구체적으로는 수광 디바이스(110)의 수광 영역)까지의 거리와 비교하여 짧아진다. 이로써, 센서의 노이즈를 저감하면서, 촬상 해상도를 높이며, 표시의 시야각 의존성을 억제할 수 있다. 따라서, 표시 장치의 표시 품질과 촬상 품질 양쪽을 높일 수 있다.
수지층(159)은 발광 디바이스(190)의 발광을 투과시키는 층이다. 수지층(159)의 재료로서는 아크릴 수지, 폴리이미드 수지, 에폭시 수지, 폴리아마이드 수지, 폴리이미드아마이드 수지, 실록산 수지, 벤조사이클로뷰텐계 수지, 페놀 수지, 및 이들 수지의 전구체 등을 들 수 있다. 또한, 기판(152)과 차광층(158) 사이에 제공하는 구조물은 수지층에 한정되지 않고, 무기 절연막 등을 사용하여도 좋다. 상기 구조물의 두께가 두꺼울수록, 차광층에서 수광 디바이스까지의 거리와 차광층에서 발광 디바이스까지의 거리에 차이가 생긴다. 수지 등의 유기 절연막은 두껍게 형성하기 쉽기 때문에 상기 구조물로서 적합하다.
차광층(158)에서 수광 디바이스(110)까지의 거리와 차광층(158)에서 발광 디바이스(190)까지의 거리를 비교하기 위하여, 예를 들어 차광층(158)의 수광 디바이스(110) 측의 단부에서 공통 전극(115)까지의 최단 거리(L1)와, 차광층(158)의 발광 디바이스(190) 측의 단부에서 공통 전극(115)까지의 최단 거리(L2)를 사용할 수 있다. 최단 거리(L1)와 비교하여 최단 거리(L2)가 짧으면, 발광 디바이스(190)로부터의 미광을 억제할 수 있고, 수광 디바이스(110)를 사용한 센서의 감도를 높일 수 있다. 또한, 표시의 시야각 의존성을 억제할 수 있다. 최단 거리(L2)와 비교하여 최단 거리(L1)가 길면, 수광 디바이스(110)의 촬상 범위를 좁게 할 수 있어 촬상 해상도를 높일 수 있다.
또한, 접착층(142)에서, 발광 디바이스(190)와 중첩되는 부분과 비교하여 수광 디바이스(110)와 중첩되는 부분을 두껍게 함으로써, 차광층(158)에서 수광 디바이스(110)까지의 거리와 차광층(158)에서 발광 디바이스(190)까지의 거리에 차이가 생기도록 할 수도 있다.
[표시 장치(10B)]
도 4의 (A)에 표시 장치(10B)의 단면도를 도시하였다.
표시 장치(10B)는 버퍼층(182) 및 버퍼층(192)을 갖지 않고, 공통층(112)을 갖는 점에서 표시 장치(10A)와 상이하다.
공통층(112)은 격벽(216) 위, 화소 전극(181) 위, 및 화소 전극(191) 위에 위치한다. 공통층(112)은 수광 디바이스(110) 및 발광 디바이스(190)에 공통적으로 사용되는 층이다. 공통층(112)은 단층 구조이어도 좋고, 적층 구조이어도 좋다.
공통층(112)으로서는, 예를 들어 정공 주입층 및 정공 수송층 중 한쪽 또는 양쪽을 형성할 수 있다. 공통층(112)은 발광 디바이스(190)에서의 기능과 수광 디바이스(110)에서의 기능이 상이한 경우가 있다. 예를 들어, 공통층(112)이 정공 주입층을 가질 때, 상기 정공 주입층은 발광 디바이스(190)에서 정공 주입층으로서 기능하고, 수광 디바이스(110)에서 정공 수송층으로서 기능한다.
활성층 및 발광층 이외의 층 중 적어도 일부를 수광 디바이스와 발광 디바이스에서 서로 공통된 구성으로 함으로써, 표시 장치의 제작 공정을 삭감할 수 있어 바람직하다.
[표시 장치(10C)]
도 4의 (B)에 표시 장치(10C)의 단면도를 도시하였다.
표시 장치(10C)는 버퍼층(184) 및 버퍼층(194)을 갖지 않고, 공통층(114)을 갖는 점에서 표시 장치(10A)와 상이하다.
공통층(114)은 격벽(216) 위, 활성층(183) 위, 및 발광층(193) 위에 위치한다. 공통층(114)은 수광 디바이스(110) 및 발광 디바이스(190)에 공통적으로 사용되는 층이다. 공통층(114)은 단층 구조이어도 좋고, 적층 구조이어도 좋다.
공통층(114)으로서는, 예를 들어 전자 주입층 및 전자 수송층 중 한쪽 또는 양쪽을 형성할 수 있다. 공통층(114)은 발광 디바이스(190)에서의 기능과 수광 디바이스(110)에서의 기능이 상이한 경우가 있다. 예를 들어, 공통층(114)이 전자 주입층을 가질 때, 상기 전자 주입층은 발광 디바이스(190)에서 전자 주입층으로서 기능하고, 수광 디바이스(110)에서 전자 수송층으로서 기능한다.
활성층 및 발광층 이외의 층 중 적어도 일부를 수광 디바이스와 발광 디바이스에서 서로 공통된 구성으로 함으로써, 표시 장치의 제작 공정을 삭감할 수 있어 바람직하다.
[표시 장치(10D)]
도 5의 (A)에 표시 장치(10D)의 단면도를 도시하였다.
표시 장치(10D)는 버퍼층(182), 버퍼층(192), 버퍼층(184), 및 버퍼층(194)을 갖지 않고, 공통층(112) 및 공통층(114)을 갖는 점에서 표시 장치(10A)와 상이하다.
본 실시형태의 표시 장치에서는, 수광 디바이스(110)의 활성층(183)에 유기 화합물을 사용한다. 수광 디바이스(110)는 활성층(183) 이외의 층을 발광 디바이스(190)(EL 디바이스)와 공통된 구성으로 할 수 있다. 그러므로, 발광 디바이스(190)의 제작 공정에 활성층(183)의 성막 공정을 추가하기만 하면, 발광 디바이스(190) 형성과 병행하여 수광 디바이스(110)를 형성할 수 있다. 또한, 발광 디바이스(190)와 수광 디바이스(110)를 동일한 기판 위에 형성할 수 있다. 따라서, 제작 공정을 크게 늘리지 않고, 표시 장치에 수광 디바이스(110)를 내장할 수 있다.
표시 장치(10D)는, 수광 디바이스(110)의 활성층(183)과 발광 디바이스(190)의 발광층(193)을 따로따로 형성하는 것 이외는 수광 디바이스(110)와 발광 디바이스(190)가 공통된 구성인 예를 나타낸 것이다. 다만, 수광 디바이스(110)와 발광 디바이스(190)의 구성은 이에 한정되지 않는다. 수광 디바이스(110)와 발광 디바이스(190)는 활성층(183)과 발광층(193) 이외에도, 따로따로 형성하는 층을 가져도 좋다(상술한 표시 장치(10A, 10B, 10C) 참조). 수광 디바이스(110)와 발광 디바이스(190)는 공통적으로 사용되는 층(공통층)을 1층 이상 갖는 것이 바람직하다. 이로써, 제작 공정을 크게 늘리지 않고, 표시 장치에 수광 디바이스(110)를 내장할 수 있다.
[표시 장치(10E)]
도 5의 (B)에 표시 장치(10E)의 단면도를 도시하였다.
표시 장치(10E)는 기판(151) 및 기판(152)을 갖지 않고, 기판(153), 기판(154), 접착층(155), 및 절연층(212)을 갖는 점에서 표시 장치(10D)와 상이하다.
기판(153)과 절연층(212)은 접착층(155)에 의하여 접합되어 있다. 기판(154)과 보호층(116)은 접착층(142)에 의하여 접합되어 있다.
표시 장치(10E)는 제작 기판 위에 형성된 절연층(212), 트랜지스터(41), 트랜지스터(42), 수광 디바이스(110), 및 발광 디바이스(190) 등을 기판(153) 위로 전치(轉置)함으로써 제작되는 구성이다. 기판(153) 및 기판(154)은 각각 가요성을 갖는 것이 바람직하다. 이로써, 표시 장치(10E)의 가요성을 높일 수 있다. 예를 들어, 기판(153) 및 기판(154)에는 각각 수지를 사용하는 것이 바람직하다.
기판(153) 및 기판(154)으로서는 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN) 등의 폴리에스터 수지, 폴리아크릴로나이트릴 수지, 아크릴 수지, 폴리이미드 수지, 폴리메틸메타크릴레이트 수지, 폴리카보네이트(PC) 수지, 폴리에터설폰(PES) 수지, 폴리아마이드 수지(나일론, 아라미드 등), 폴리실록산 수지, 사이클로올레핀 수지, 폴리스타이렌 수지, 폴리아마이드이미드 수지, 폴리우레탄 수지, 폴리 염화바이닐 수지, 폴리 염화바이닐리덴 수지, 폴리프로필렌 수지, 폴리테트라플루오로에틸렌(PTFE) 수지, ABS 수지, 셀룰로스 나노 섬유 등을 각각 사용할 수 있다. 기판(153) 및 기판(154) 중 한쪽 또는 양쪽에는 가요성을 가질 정도의 두께를 갖는 유리를 사용하여도 좋다.
본 실시형태의 표시 장치가 갖는 기판에는 광학 등방성이 높은 필름을 사용하여도 좋다. 광학 등방성이 높은 필름으로서는 트라이아세틸셀룰로스(TAC, 셀룰로스트라이아세테이트라고도 함) 필름, 사이클로올레핀 폴리머(COP) 필름, 사이클로올레핀 공중합체(COC) 필름, 및 아크릴 필름 등을 들 수 있다.
[표시 장치(10F, 10G, 10H)]
도 5의 (C)에 표시 장치(10F)의 단면도를 도시하였다. 도 6의 (A)에 표시 장치(10G)의 단면도를 도시하였다. 도 6의 (B)에 표시 장치(10H)의 단면도를 도시하였다.
표시 장치(10F)는 표시 장치(10D)의 구성에 더하여 렌즈(149)를 갖는다.
본 실시형태의 표시 장치는 렌즈(149)를 가져도 좋다. 렌즈(149)는 수광 디바이스(110)와 중첩되는 위치에 제공되어 있다. 표시 장치(10F)에서는, 렌즈(149)가 기판(152)에 접하여 제공되어 있다. 표시 장치(10F)가 갖는 렌즈(149)는 기판(151) 측에 볼록면을 갖는다.
기판(152)과 동일한 면 위에 차광층(158)과 렌즈(149) 양쪽을 형성하는 경우, 형성 순서는 불문한다. 도 5의 (C)에는 렌즈(149)를 먼저 형성하는 예를 도시하였지만, 차광층(158)을 먼저 형성하여도 좋다. 도 5의 (C)에서는 렌즈(149)의 단부가 차광층(158)으로 덮여 있다.
표시 장치(10F)는 광(22)이 렌즈(149)를 통하여 수광 디바이스(110)에 입사하는 구성이다. 렌즈(149)를 가지면, 렌즈(149)를 갖지 않는 경우와 비교하여 수광 디바이스(110)의 촬상 범위를 좁게 할 수 있고, 인접한 수광 디바이스(110)와 촬상 범위가 중첩되는 것을 억제할 수 있다. 이로써, 흐릿함이 적고 선명한 화상을 촬상할 수 있다. 또한, 수광 디바이스(110)의 촬상 범위가 같은 경우, 렌즈(149)를 가지면, 렌즈(149)를 갖지 않는 경우와 비교하여 핀홀의 크기(도 5의 (C)에서는 수광 디바이스(110)와 중첩되는 차광층(158)의 개구의 크기에 상당함)를 크게 할 수 있다. 따라서, 렌즈(149)를 가짐으로써, 수광 디바이스(110)에 입사하는 광량을 증가시킬 수 있다.
도 6의 (A)에 도시된 표시 장치(10G)도 표시 장치(10F)와 마찬가지로 광(22)이 렌즈(149)를 통하여 수광 디바이스(110)에 입사하는 구성의 하나이다.
표시 장치(10G)에서는, 렌즈(149)가 보호층(116)의 상면에 접하여 제공되어 있다. 표시 장치(10G)가 갖는 렌즈(149)는 기판(152) 측에 볼록면을 갖는다.
도 6의 (B)에 도시된 표시 장치(10H)는 기판(152)의 표시면 측에 렌즈 어레이(146)가 제공되어 있다. 렌즈 어레이(146)가 갖는 렌즈는 수광 디바이스(110)와 중첩되는 위치에 제공되어 있다. 기판(152)의 기판(151) 측의 면에는 차광층(158)이 제공되어 있는 것이 바람직하다.
본 실시형태의 표시 장치에 사용하는 렌즈의 형성 방법으로서는, 기판 위 또는 수광 디바이스 위에 마이크로 렌즈 등의 렌즈를 직접 형성하여도 좋고, 별도로 제작된 마이크로 렌즈 어레이 등의 렌즈 어레이를 기판에 접합하여도 좋다.
렌즈는 1.3 이상 2.5 이하의 굴절률을 갖는 것이 바람직하다. 렌즈는 무기 재료 및 유기 재료 중 적어도 한쪽을 사용하여 형성할 수 있다. 예를 들어, 수지를 포함하는 재료를 렌즈에 사용할 수 있다. 또한, 산화물 및 황화물 중 적어도 한쪽을 포함하는 재료를 렌즈에 사용할 수 있다.
구체적으로는, 염소, 브로민, 또는 아이오딘을 포함하는 수지, 중금속 원자를 포함하는 수지, 방향족 고리를 포함하는 수지, 황을 포함하는 수지 등을 렌즈에 사용할 수 있다. 또는 수지와, 상기 수지보다 굴절률이 높은 재료의 나노 입자를 포함하는 재료를 렌즈에 사용할 수 있다. 산화 타이타늄 또는 산화 지르코늄 등을 나노 입자에 사용할 수 있다.
또한, 산화 세륨, 산화 하프늄, 산화 란타넘, 산화 마그네슘, 산화 나이오븀, 산화 탄탈럼, 산화 타이타늄, 산화 이트륨, 산화 아연, 인듐과 주석을 포함하는 산화물, 또는 인듐과 갈륨과 아연을 포함하는 산화물 등을 렌즈에 사용할 수 있다. 또는, 황화 아연 등을 렌즈에 사용할 수 있다.
[표시 장치(10J)]
도 6의 (C)에 표시 장치(10J)의 단면도를 도시하였다.
표시 장치(10J)는 가시광을 투과시키는 격벽(216)을 갖지 않고, 가시광을 차단하는 격벽(217)을 갖는 점에서 표시 장치(10D)와 상이하다.
격벽(217)은 발광 디바이스(190)가 발한 광을 흡수하는 것이 바람직하다. 격벽(217)으로서, 예를 들어 안료 또는 염료를 포함하는 수지 재료 등을 사용하여 블랙 매트릭스를 형성할 수 있다. 또한, 갈색 레지스트 재료를 사용함으로써, 착색된 절연층으로 격벽(217)을 구성할 수 있다.
표시 장치(10D)(도 5의 (A) 참조)에서, 발광 디바이스(190)가 발한 광은 기판(152) 및 격벽(216)에서 반사되고, 반사광이 수광 디바이스(110)에 입사하는 경우가 있다. 또한, 발광 디바이스(190)가 발한 광이 격벽(216)을 투과하고, 트랜지스터 또는 배선 등에서 반사됨으로써, 반사광이 수광 디바이스(110)에 입사하는 경우가 있다. 표시 장치(10J)에서는 격벽(217)에 의하여 광이 흡수됨으로써, 이러한 반사광이 수광 디바이스(110)에 입사하는 것을 억제할 수 있다. 이로써, 노이즈를 저감할 수 있고, 수광 디바이스(110)를 사용한 센서의 감도를 높일 수 있다.
격벽(217)은 적어도 수광 디바이스(110)가 검출하는 광의 파장을 흡수하는 것이 바람직하다. 예를 들어, 발광 디바이스(190)가 발하는 녹색 광을 수광 디바이스(110)가 검출하는 경우, 격벽(217)은 적어도 녹색 광을 흡수하는 것이 바람직하다. 예를 들어, 격벽(217)이 적색 컬러 필터를 가지면, 녹색 광을 흡수할 수 있으므로, 반사광이 수광 디바이스(110)에 입사하는 것을 억제할 수 있다.
차광층(158)은 수지층(159)에 도달하기 전에 미광(23b)의 대부분을 흡수할 수 있지만, 미광(23b)의 일부는 반사되고, 격벽(217)에 입사하는 경우가 있다. 격벽(217)이 미광(23b)을 흡수하는 구성이면, 미광(23b)이 트랜지스터 또는 배선 등에 입사하는 것을 억제할 수 있다. 따라서, 수광 디바이스(110)에 미광(23c)이 도달하는 것을 억제할 수 있다. 미광(23b)이 차광층(158)과 격벽(217)에 부딪히는 횟수가 많을수록, 흡수되는 광량을 증가시킬 수 있어, 수광 디바이스(110)에 도달하는 미광(23c)의 양을 매우 적게 할 수 있다. 수지층(159)의 두께가 두꺼우면, 미광(23b)이 차광층(158)과 격벽(217)에 부딪히는 횟수를 늘릴 수 있기 때문에 바람직하다.
또한, 격벽(217)이 광을 흡수함으로써, 발광 디바이스(190)로부터 격벽(217)에 직접 입사한 미광(23d)을 격벽(217)에 의하여 흡수할 수 있다. 이러한 이유로, 격벽(217)을 제공함으로써, 수광 디바이스(110)에 입사하는 미광을 저감할 수 있다.
[표시 장치(10K)]
도 7의 (A)에 표시 장치(10K)의 상면도를 도시하였다. 도 7의 (B)에 도 7의 (A)에서의 일점쇄선 A1-A2 간의 단면도를 도시하였다. 도 8의 (A)에 도 7의 (A)에서의 일점쇄선 A3-A4 간의 단면도를 도시하였다.
도 7의 (A)에서 점선의 테두리로 둘러싸인 부분이 하나의 화소에 상당한다. 하나의 화소는 수광 디바이스(110), 적색 발광 디바이스(190R), 녹색 발광 디바이스(190G), 및 청색 발광 디바이스(190B)를 갖는다.
수광 디바이스(110) 및 발광 디바이스(190R, 190G, 190B)의 상면 형상은 특별히 한정되지 않는다. 도 7의 (A)에 도시된 화소의 레이아웃에는, 육방 최조밀 쌓임(hexagonal close-packed) 구조가 적용되어 있다. 육방 최조밀 쌓임 구조의 레이아웃으로 함으로써, 수광 디바이스(110) 및 발광 디바이스(190R, 190G, 190)의 개구율을 높일 수 있어 바람직하다. 상면에서 보았을 때, 수광 디바이스(110)의 수광 영역은 사각형이고, 발광 디바이스(190R, 190G, 190B)의 발광 영역은 각각 육각형이다.
상면에서 보았을 때(평면에서 보았을 때라고 할 수도 있음), 수광 디바이스(110)는 테두리 형상의 차광층(219a)의 내측에 제공되어 있다. 수광 디바이스(110)의 4변을 차광층(219a)으로 완전히 둘러쌈으로써, 미광이 수광 디바이스(110)에 입사하는 것을 억제할 수 있다. 또한, 테두리 형상의 차광층(219a)은 간격(칼금, 끊긴 부분, 이지러진 부분이라고 할 수도 있음)을 가져도 좋다.
상면에서 보았을 때, 녹색 발광 디바이스(190G)와 청색 발광 디바이스(190B) 사이에는 스페이서(219b)가 제공되어 있다.
도 7의 (B) 및 도 8의 (A)에 도시된 바와 같이, 표시 장치(10K)는 수광 디바이스(110), 적색 발광 디바이스(190R), 녹색 발광 디바이스(190G), 및 청색 발광 디바이스(190B)를 갖는다.
발광 디바이스(190R)는 화소 전극(191R), 공통층(112), 발광층(193R), 공통층(114), 및 공통 전극(115)을 갖는다. 발광층(193R)은 적색 광(21R)을 발하는 유기 화합물을 갖는다. 발광 디바이스(190R)는 적색 광을 발하는 기능을 갖는다.
발광 디바이스(190G)는 화소 전극(191G), 공통층(112), 발광층(193G), 공통층(114), 및 공통 전극(115)을 갖는다. 발광층(193G)은 녹색 광(21G)을 발하는 유기 화합물을 갖는다. 발광 디바이스(190G)는 녹색 광을 발하는 기능을 갖는다.
발광 디바이스(190B)는 화소 전극(191B), 공통층(112), 발광층(193B), 공통층(114), 및 공통 전극(115)을 갖는다. 발광층(193B)은 청색 광(21B)을 발하는 유기 화합물을 갖는다. 발광 디바이스(190B)는 청색 광을 발하는 기능을 갖는다.
수광 디바이스(110)는 화소 전극(181), 공통층(112), 활성층(183), 공통층(114), 및 공통 전극(115)을 갖는다. 활성층(183)은 유기 화합물을 갖는다. 수광 디바이스(110)는 가시광을 검출하는 기능을 갖는다.
표시 장치(10K)는 한 쌍의 기판(기판(151) 및 기판(152)) 사이에 수광 디바이스(110), 발광 디바이스(190R), 발광 디바이스(190G), 발광 디바이스(190B), 트랜지스터(41), 트랜지스터(42R), 트랜지스터(42G), 및 트랜지스터(42B) 등을 갖는다.
화소 전극(181, 191R, 191G, 191B)의 단부는 각각 격벽(216)으로 덮여 있다.
화소 전극(181)은 절연층(214)에 제공된 개구를 통하여 트랜지스터(41)가 갖는 소스 또는 드레인과 전기적으로 접속된다. 화소 전극(191R)은 절연층(214)에 제공된 개구를 통하여 트랜지스터(42R)가 갖는 소스 또는 드레인과 전기적으로 접속된다. 마찬가지로, 화소 전극(191G)은 절연층(214)에 제공된 개구를 통하여 트랜지스터(42G)가 갖는 소스 또는 드레인과 전기적으로 접속된다. 그리고, 화소 전극(191B)은 절연층(214)에 제공된 개구를 통하여 트랜지스터(42B)가 갖는 소스 또는 드레인과 전기적으로 접속된다.
수광 디바이스(110) 및 발광 디바이스(190R, 190G, 190B)는 각각 보호층(116)으로 덮여 있다.
기판(152)의 기판(151) 측의 면에는 수지층(159)이 제공되어 있다. 수지층(159)은 발광 디바이스(190R, 190G, 190B)와 중첩되는 위치에 제공되고, 수광 디바이스(110)와 중첩되는 위치에는 제공되지 않는다.
기판(152)의 기판(151) 측의 면 및 수지층(159)의 기판(151) 측의 면에는 차광층(158)이 제공되어 있다. 차광층(158)은 발광 디바이스(190R, 190G, 190B)와 중첩되는 위치 및 수광 디바이스(110)와 중첩되는 위치에 개구를 갖는다.
상면에서 보았을 때, 격벽(216)에는 테두리 형상으로 개구가 제공되어 있다. 도 7의 (B)에서, 격벽(216)은 수광 디바이스(110)와 발광 디바이스(190R) 사이에 개구를 갖는다. 그리고, 개구를 덮도록 차광층(219a)이 제공되어 있다. 차광층(219a)은 격벽(216)의 개구, 및 개구에서 노출된 격벽(216)의 측면을 덮는 것이 바람직하다. 차광층(219a)은 격벽(216)의 상면의 적어도 일부를 더 덮는 것이 바람직하다.
격벽(216)에 개구를 제공하지 않고, 격벽(216) 위에 차광층(219a)을 제공하는 구성으로 할 수도 있지만, 미광이 격벽(216)을 투과하고 수광 디바이스(110)에 입사할 가능성이 있다. 격벽(216)에 개구를 제공하고 상기 개구를 매립하도록 차광층(219a)을 제공하는 구성으로 함으로써, 격벽(216)을 투과한 미광이 격벽(216)의 개구에서 차광층(219a)에 의하여 흡수된다. 이로써, 미광이 수광 디바이스(110)에 입사하는 것을 억제할 수 있다.
차광층(219a)은 순 테이퍼 형상인 것이 바람직하다. 이로써, 차광층(219a) 위에 제공되는 막(공통층(112), 공통층(114), 공통 전극(115), 및 보호층(116) 등)의 피복성을 높일 수 있다.
차광층(219a)은 적어도 수광 디바이스(110)가 검출하는 광의 파장을 흡수하는 것이 바람직하다. 예를 들어, 발광 디바이스(190G)가 발하는 녹색 광을 수광 디바이스(110)가 검출하는 경우, 차광층(219a)은 적어도 녹색 광을 흡수하는 것이 바람직하다. 예를 들어, 차광층(219a)이 적색 컬러 필터를 가지면, 녹색 광을 흡수할 수 있어, 반사광이 수광 디바이스(110)에 입사하는 것을 억제할 수 있다. 차광층(219a)은 안료 또는 염료를 포함하는 수지 재료 등을 사용하여 형성된 블랙 매트릭스이어도 좋다. 차광층(219a)은 적색 컬러 필터, 녹색 컬러 필터, 및 청색 컬러 필터의 적층 구조이어도 좋다. 또는, 차광층(219a)으로서 갈색 레지스트 재료를 사용하여, 착색된 절연층을 형성하여도 좋다.
예를 들어, 발광 디바이스(190G)가 발하는 녹색 광을 수광 디바이스(110)가 검출할 때, 발광 디바이스(190G)가 발한 광은 기판(152) 및 격벽(216)에서 반사되고, 반사광이 수광 디바이스(110)에 입사하는 경우가 있다. 또한, 발광 디바이스(190G)가 발한 광이 격벽(216)을 투과하고, 트랜지스터 또는 배선 등에서 반사됨으로써, 반사광이 수광 디바이스(110)에 입사하는 경우가 있다. 표시 장치(10K)에서는 차광층(158) 및 차광층(219a)에 의하여 광이 흡수됨으로써, 이러한 반사광이 수광 디바이스(110)에 입사하는 것을 억제할 수 있다. 이로써, 노이즈를 저감할 수 있고, 수광 디바이스(110)를 사용한 센서의 감도를 높일 수 있다.
예를 들어, 차광층(158)은 미광(23b)이 수지층(159)에 도달하기 전에 그 대부분을 흡수할 수 있다. 또한, 미광(23b)의 일부가 차광층(158)에서 반사되어도, 차광층(219a)이 미광(23b)을 흡수함으로써, 미광(23b)이 트랜지스터 또는 배선 등에 입사하는 것을 억제할 수 있다. 따라서, 수광 디바이스(110)에 미광이 도달하는 것을 억제할 수 있다. 미광(23b)이 차광층(158)과 차광층(219a)에 부딪히는 횟수가 많을수록, 흡수되는 광량을 증가시킬 수 있어, 수광 디바이스(110)에 도달하는 미광의 양을 매우 적게 할 수 있다. 수지층(159)의 두께가 두꺼우면, 미광(23b)이 차광층(158)과 차광층(219a)에 부딪히는 횟수를 늘릴 수 있기 때문에 바람직하다. 수지층(159)의 두께가 두꺼우면, 차광층(158)에서 각 색의 발광 디바이스까지의 거리가 짧아져 표시의 시야각 의존성을 억제할 수 있기 때문에 표시 품질 향상의 관점에서도 바람직하다.
또한, 차광층(219a)이 광을 흡수함으로써, 발광 디바이스로부터 차광층(219a)에 직접 입사한 미광(23d)을 차광층(219a)에 의하여 흡수할 수 있다. 이러한 이유로, 차광층(219a)을 제공함으로써, 수광 디바이스(110)에 입사하는 미광을 저감할 수 있다.
또한, 차광층(158)을 제공함으로써, 수광 디바이스(110)가 광을 검출하는 범위를 제어할 수 있다. 차광층(158)에서 수광 디바이스(110)까지의 거리가 길면, 촬상 범위가 좁아져 촬상 해상도를 높일 수 있다.
스페이서(219b)는 격벽(216) 위에 위치하며, 상면에서 보았을 때, 발광 디바이스(190G)와 발광 디바이스(190B) 사이에 위치한다. 스페이서(219b)의 상면은, 차광층(219a)의 상면보다 차광층(158)에 가까운 것이 바람직하다. 차광층(219a)의 두께(L3)가 격벽(216)의 두께와 스페이서(219b)의 두께의 합계(L4) 이상의 값이면, 테두리 형상의 차광층(219a)의 내측에 접착층(142)이 충분히 충전되지 않고, 수광 디바이스(110), 나아가서는 표시 장치(10K)의 신뢰성이 저하될 우려가 있다. 따라서, 격벽(216)의 두께와 스페이서(219b)의 두께의 합계(L4)는 차광층(219a)의 두께(L3)보다 큰 것이 바람직하다. 이로써, 접착층(142)을 충전하는 것이 용이해진다. 도 8의 (A)에 도시된 바와 같이, 스페이서(219b)와 차광층(158)이 중첩되는 부분에서 차광층(158)은 보호층(116)(또는 공통 전극(115))과 접하여도 좋다.
[표시 장치(10L)]
도 8의 (B)에 표시 장치(10L)의 단면도를 도시하였다.
표시 장치(10L)는 발광 디바이스(190R, 190G, 190B)가 동일한 발광층을 갖는 구성이다. 도 8의 (B)는 도 7의 (A)에서의 일점쇄선 A3-A4 간의 단면도에 상당한다.
도 8의 (B)에 도시된 발광 디바이스(190G)는 화소 전극(191G), 광학 조정층(197G), 공통층(112), 발광층(113), 공통층(114), 및 공통 전극(115)을 갖는다. 도 8의 (B)에 도시된 발광 디바이스(190B)는 화소 전극(191B), 광학 조정층(197B), 공통층(112), 발광층(113), 공통층(114), 및 공통 전극(115)을 갖는다. 공통층(112), 발광층(113), 및 공통층(114)은 발광 디바이스(190R, 190G, 190B)에서 공통된 구성이다. 예를 들어, 발광층(113)은 적색 광을 발하는 발광층(193R), 녹색 광을 발하는 발광층(193G), 및 청색 광을 발하는 발광층(193B)을 갖는다.
또한, 도 8의 (B)에서는 EL층을 공통층(112), 발광층(113), 및 공통층(114)으로 하였지만, 이에 한정되지 않는다. 발광 디바이스는 화소 전극(191)과 공통 전극(115) 사이에 하나의 발광 유닛을 갖는 싱글 구조이어도 좋고, 복수의 발광 유닛을 갖는 탠덤 구조이어도 좋다.
발광층(113)은 각 색의 광을 발하는 발광 디바이스에 공통적으로 제공된다. 발광 디바이스(190G)가 발하는 광은 착색층(CFG)을 통하여 녹색 광(21G)으로서 추출된다. 발광 디바이스(190B)가 발하는 광은 착색층(CFB)을 통하여 청색 광(21B)으로서 추출된다.
발광 디바이스(190G) 및 발광 디바이스(190B)는 두께가 서로 상이한 광학 조정층을 갖는 점 이외는 동일한 구성이다. 화소 전극(191G) 및 화소 전극(191B)으로서 반사 전극을 사용한다. 광학 조정층으로서 반사 전극 위의 투명 전극을 사용할 수 있다. 각 색의 발광 디바이스는 각각 상이한 두께의 광학 조정층(197)을 갖는 것이 바람직하다. 도 8의 (B)에 도시된 발광 디바이스(190G)는 화소 전극(191G)과 공통 전극(115) 사이의 광학 거리가 녹색 광을 강하게 하는 광학 거리가 되도록, 광학 조정층(197G)을 사용하여 광학 조정되어 있다. 마찬가지로, 발광 디바이스(190B)는 화소 전극(191B)과 공통 전극(115) 사이의 광학 거리가 청색 광을 강하게 하는 광학 거리가 되도록, 광학 조정층(197B)을 사용하여 광학 조정되어 있다.
[표시 장치(10M)]
도 9의 (A)에 표시 장치(10M)의 상면도를 도시하였다. 도 9의 (B)에 도 9의 (A)에서의 일점쇄선 A5-A6 간의 단면도를 도시하였다.
도 9의 (A) 및 (B)에 도시된 표시 장치(10M)는 녹색 발광 디바이스(190G)와 청색 발광 디바이스(190B) 사이에 차광층(219a)이 제공되어 있는 점, 그리고 공간(143)이 불활성 가스로 충전된 중공 밀봉 구조가 적용되어 있는 점에서, 도 7의 (A), (B) 및 도 8의 (A)에 도시된 표시 장치(10K)와 상이하다.
표시 장치(10M)와 같이, 차광층(219a)은 발광 디바이스(190R)와 수광 디바이스(110) 사이 및 발광 디바이스(190G)와 발광 디바이스(190B) 사이 양쪽에 제공하여도 좋다.
[표시 장치(10N)]
도 10의 (A)에 표시 장치(10N)의 상면도를 도시하였다. 도 10의 (B)에 도 10의 (A)에서의 일점쇄선 A7-A8 간의 단면도를 도시하였다. 도 11의 (A)에 도 10의 (A)에서의 일점쇄선 A9-A10 간의 단면도를 도시하였다.
표시 장치(10N)(도 10의 (A) 참조)에서의 일점쇄선 A3-A4 간의 단면 구조에는 표시 장치(10K)(도 8의 (A) 참조)와 같은 구성을 적용할 수 있다. 또는, 표시 장치(10M)(도 9의 (B) 참조)와 같은 구성을 적용하여도 좋다.
표시 장치(10N)는 차광층(219a)의 상면 형상 및 단면 형상이 표시 장치(10K)(도 7의 (A) 및 (B) 참조)와 상이하다.
상면에서 보았을 때(평면에서 보았을 때라고 할 수도 있음), 차광층(219a)은 수광 디바이스(110)의 4변을 둘러싸고, 한쪽 단부와 다른 쪽 단부가 서로 떨어져 있는 구성이다. 차광층(219a)의 간격(220)(칼금, 끊긴 부분, 이지러진 부분이라고 할 수도 있음)은 적색 발광 디바이스(190R) 측에 위치한다. 여기서, 센싱에 사용되는 광원으로서 특정한 색의 발광 디바이스만을 사용하는 경우, 상기 센싱에 사용되는 발광 디바이스와는 상이한 발광 디바이스 측에 차광층(219a)의 간격(220)이 위치하는 것이 바람직하다. 예를 들어, 표시 장치(10N)의 경우에는, 녹색 발광 디바이스(190G) 또는 청색 발광 디바이스(190B)를 사용하여 센싱을 수행하는 구성이 바람직하다. 이로써, 센싱 시의 노이즈의 영향을 억제할 수 있다. 또한, 녹색 발광 디바이스(190G)를 사용하여 센싱을 수행하는 경우, 영역(230)에 도시된 바와 같이, 차광층(219a)의 한쪽 단부가 녹색 발광 디바이스(190G)와 비교하여 적색 발광 디바이스(190R) 측에 돌출되어 있는 것이 바람직하다. 이로써, 녹색 발광 디바이스(190G)로부터의 미광이 간격(220)을 통하여 수광 디바이스(110)에 입사하는 것을 억제할 수 있다.
격벽(216)은 수광 디바이스(110)와 발광 디바이스(190R) 사이에 개구를 갖는다. 그리고, 개구를 덮도록 차광층(219a)이 제공되어 있다. 차광층(219a)은 격벽(216)의 개구, 및 개구에서 노출된 격벽(216)의 측면을 덮는 것이 바람직하다. 차광층(219a)은 격벽(216)의 상면의 적어도 일부를 더 덮는 것이 바람직하다.
차광층(219a)은 역 테이퍼 형상이어도 좋다. 역 테이퍼 형상의 차광층(219a) 위에 제공되는 유기막 및 공통 전극(115)의 두께는 차광층(219a)의 측면 부근에서 얇아지는 경우가 있다. 또한, 차광층(219a)의 측면 부근에 공극(160)이 생기는 경우가 있다.
여기서, 상면에서 보았을 때, 차광층(219a)이 수광 디바이스(110)의 4변을 모두 둘러싸면, 공통 전극(115)이 차광층(219a)에 의하여 단절되어, 차광층(219a)의 내측과 외측에서 공통 전극(115)이 분리될 우려가 있다. 그러므로, 차광층(219a)의 상면 형상을, 수광 디바이스(110)의 4변을 둘러싸며, 한쪽 단부와 다른 쪽 단부가 떨어져 있는 구성으로 하여 간격(220)을 제공함으로써, 공통 전극(115)이 분리되는 것을 억제할 수 있다. 이로써, 표시 장치(10N)에서의 표시 불량을 억제할 수 있다.
도 11의 (A)는 차광층(219a)의 간격(220)을 포함하는 단면도이다. 상면에서 보았을 때, 차광층(219a)의 상면 형상과 마찬가지로 격벽(216)에는 수광 디바이스(110)의 4변을 둘러싸며, 한쪽 단부와 다른 쪽 단부가 서로 떨어져 있는 구성의 개구가 제공되어 있다. 차광층(219a)의 간격(220)에서는 격벽(216) 위에 공통층(112), 공통층(114), 공통 전극(115), 및 보호층(116)이 이 순서대로 제공되어 있다.
[표시 장치(10P)]
도 11의 (B)에 표시 장치(10P)의 단면도를 도시하였다.
표시 장치(10P)는 차광층(219a)의 측면에 접하는 측벽(219c)을 갖는 점에서 표시 장치(10N)와 상이하다.
표시 장치(10P)에서 차광층(219a)의 상면 형상은, 도 7의 (A)와 같이 테두리 형상이어도 좋고, 도 10의 (A)와 같이 간격(220)을 가져도 좋다.
역 테이퍼 형상의 차광층(219a)의 측면에 접하는 측벽(219c)을 제공함으로써, 유기막 및 공통 전극(115) 등의 피복성을 향상시킬 수 있어 표시 장치의 표시 품질을 높일 수 있다. 공통 전극(115)의 피복성을 높임으로써, 공통 전극(115)의 단절, 나아가서는 박막화를 억제할 수 있기 때문에, 공통 전극(115)의 전압 강하에 기인하는 표시의 휘도 불균일을 억제할 수 있다.
측벽(219c)은 격벽(216)에 사용할 수 있는 재료를 사용하여 형성할 수 있다.
[표시 장치(10Q)]
도 12의 (A) 및 (B)에 표시 장치(10Q)의 단면도를 도시하였다. 표시 장치(10Q)에는 표시 장치(10K)(도 7의 (A) 참조)와 같은 상면 구조를 적용할 수 있다. 도 12의 (A)에 도 7의 (A)에서의 일점쇄선 A1-A2 간의 단면도를 도시하였다. 도 12의 (B)에 도 7의 (A)에서의 일점쇄선 A3-A4 간의 단면도를 도시하였다.
표시 장치(10Q)는 격벽(216)을 갖지 않고 격벽(217)을 갖는 점에서 표시 장치(10K)와 주로 상이하다.
차광층(219a)은 격벽(217) 위에 위치한다. 격벽(217)은 격벽(216)과는 상이하고, 발광 디바이스가 발한 광을 흡수할 수 있기 때문에, 격벽(217)에 개구를 제공하지 않아도 된다. 발광 디바이스로부터 격벽(217)에 입사한 미광(23d)은 격벽(217)에 의하여 흡수된다. 발광 디바이스로부터 차광층(219a)에 입사한 미광(23d)은 차광층(219a)에 의하여 흡수된다.
스페이서(219b)는 발광 디바이스(190G)와 발광 디바이스(190B) 사이에 위치한다. 스페이서(219b)의 상면은, 차광층(219a)의 상면보다 차광층(158)에 가까운 것이 바람직하다. 스페이서(219b)의 두께가 차광층(219a)의 두께보다 얇으면, 테두리 형상의 차광층(219a)의 내측에 접착층(142)이 충분히 충전되지 않고, 수광 디바이스(110), 나아가서는 표시 장치(10Q)의 신뢰성이 저하될 우려가 있다. 따라서, 스페이서(219b)의 두께는 차광층(219a)의 두께보다 두꺼운 것이 바람직하다. 이로써, 접착층(142)을 충전하는 것이 용이해진다. 도 12의 (B)에 도시된 바와 같이, 스페이서(219b)와 차광층(158)이 중첩되는 부분에서 차광층(158)은 보호층(116)(또는 공통 전극(115))과 접하여도 좋다.
이하에서는, 도 13 내지 도 17을 사용하여 본 발명의 일 형태의 표시 장치의 더 자세한 구성에 대하여 설명한다.
[표시 장치(100A)]
도 13에 표시 장치(100A)의 사시도를 도시하고, 도 14에 표시 장치(100A)의 단면도를 도시하였다.
표시 장치(100A)는 기판(152)과 기판(151)이 접합된 구성을 갖는다. 도 13에서는 기판(152)을 파선으로 명시하였다.
표시 장치(100A)는 표시부(162), 회로(164), 배선(165) 등을 갖는다. 도 13에는 표시 장치(100A)에 IC(집적 회로)(173) 및 FPC(172)가 실장되어 있는 예를 도시하였다. 그러므로, 도 13에 도시된 구성은 표시 장치(100A), IC, 및 FPC를 갖는 표시 모듈이라고 할 수도 있다.
회로(164)로서는 예를 들어 주사선 구동 회로를 사용할 수 있다.
배선(165)은 표시부(162) 및 회로(164)에 신호 및 전력을 공급하는 기능을 갖는다. 상기 신호 및 전력은 FPC(172)를 통하여 외부로부터, 또는 IC(173)로부터 배선(165)에 입력된다.
도 13에는 COG(Chip On Glass) 방식 또는 COF(Chip On Film) 방식 등에 의하여 기판(151)에 IC(173)가 제공되어 있는 예를 도시하였다. IC(173)에는 예를 들어 주사선 구동 회로 또는 신호선 구동 회로 등을 갖는 IC를 적용할 수 있다. 또한, 표시 장치(100A) 및 표시 모듈은 IC를 제공하지 않는 구성으로 하여도 좋다. 또한, IC를 COF 방식 등에 의하여 FPC에 실장하여도 좋다.
도 14에는, 표시 장치(100A)에서 FPC(172)를 포함하는 영역의 일부, 회로(164)의 일부, 표시부(162)의 일부, 및 단부를 포함하는 영역의 일부를 각각 절단한 경우의 단면의 일례를 도시하였다.
도 14에 도시된 표시 장치(100A)는 기판(151)과 기판(152) 사이에 트랜지스터(201), 트랜지스터(205), 트랜지스터(206), 발광 디바이스(190), 수광 디바이스(110) 등을 갖는다.
수지층(159)과 절연층(214)은 접착층(142)을 개재하여 접착되어 있다. 발광 디바이스(190) 및 수광 디바이스(110)의 밀봉에는 고체 밀봉 구조 또는 중공 밀봉 구조 등을 적용할 수 있다. 도 14에서는 기판(152), 접착층(142), 및 기판(151)으로 둘러싸인 공간(143)이 불활성 가스(질소나 아르곤 등)로 충전되어 있고, 중공 밀봉 구조가 적용되어 있다. 접착층(142)은 발광 디바이스(190) 및 수광 디바이스(110)와 중첩되어 제공되어 있어도 좋다. 또한, 기판(152), 접착층(142), 및 기판(151)으로 둘러싸인 공간(143)을 접착층(142)과는 상이한 수지로 충전하여도 좋다.
발광 디바이스(190)는 절연층(214) 측으로부터 화소 전극(191), 공통층(112), 발광층(193), 공통층(114), 및 공통 전극(115)이 이 순서대로 적층된 적층 구조를 갖는다. 화소 전극(191)은 절연층(214)에 제공된 개구를 통하여 트랜지스터(206)가 갖는 도전층(222b)과 접속되어 있다.
화소 전극(191)의 단부는 격벽(217)으로 덮여 있다. 화소 전극(191)은 가시광을 반사하는 재료를 포함하고, 공통 전극(115)은 가시광을 투과시키는 재료를 포함한다.
수광 디바이스(110)는 절연층(214) 측으로부터 화소 전극(181), 공통층(112), 활성층(183), 공통층(114), 및 공통 전극(115)이 이 순서대로 적층된 적층 구조를 갖는다. 화소 전극(181)은 절연층(214)에 제공된 개구를 통하여 트랜지스터(205)가 갖는 도전층(222b)과 전기적으로 접속되어 있다. 화소 전극(181)의 단부는 격벽(217)으로 덮여 있다. 화소 전극(181)은 가시광을 반사하는 재료를 포함하고, 공통 전극(115)은 가시광을 투과시키는 재료를 포함한다.
발광 디바이스(190)가 발하는 광은 기판(152) 측에 사출된다. 또한, 수광 디바이스(110)에는 기판(152) 및 공간(143)을 통하여 광이 입사한다. 기판(152)에는 가시광에 대한 투과성이 높은 재료를 사용하는 것이 바람직하다.
화소 전극(181) 및 화소 전극(191)은 동일한 재료 및 동일한 공정으로 제작할 수 있다. 공통층(112), 공통층(114), 및 공통 전극(115)은 수광 디바이스(110)와 발광 디바이스(190) 양쪽에 사용된다. 수광 디바이스(110)와 발광 디바이스(190)는 활성층(183)과 발광층(193)의 구성이 상이한 것 이외는 모두 공통된 구성으로 할 수 있다. 이로써, 제작 공정을 크게 늘리지 않고, 표시 장치(100A)에 수광 디바이스(110)를 내장할 수 있다.
기판(152)의 기판(151) 측의 면에는 수지층(159) 및 차광층(158)이 제공되어 있다. 수지층(159)은 발광 디바이스(190)와 중첩되는 위치에 제공되고, 수광 디바이스(110)와 중첩되는 위치에는 제공되지 않는다. 차광층(158)은 기판(152)의 기판(151) 측의 면, 수지층(159)의 측면, 및 수지층(159)의 기판(151) 측의 면을 덮어 제공된다. 차광층(158)은 수광 디바이스(110)와 중첩되는 위치 및 발광 디바이스(190)와 중첩되는 위치에 개구를 갖는다. 차광층(158)을 제공함으로써, 수광 디바이스(110)가 광을 검출하는 범위를 제어할 수 있다. 또한, 차광층(158)을 가짐으로써, 광이 발광 디바이스(190)로부터 대상물을 통하지 않고 수광 디바이스(110)에 직접 입사하는 것을 억제할 수 있다. 따라서, 노이즈가 적으며 감도가 높은 센서를 실현할 수 있다. 수지층(159)의 제공에 의하여, 차광층(158)에서 발광 디바이스(190)까지의 거리를 차광층(158)에서 수광 디바이스(110)까지의 거리와 비교하여 짧게 할 수 있다. 이로써, 센서의 노이즈를 저감하면서 표시의 시야각 의존성을 억제할 수 있다. 따라서, 표시 품질과 촬상 품질 양쪽을 높일 수 있다.
표시 장치(100A)에서의 격벽(217) 및 차광층(219a)의 구성은 표시 장치(10Q)(도 12의 (A) 참조)와 같다.
격벽(217)은 화소 전극(181)의 단부 및 화소 전극(191)의 단부를 덮는다. 격벽(217) 위에는 차광층(219a)이 제공되어 있다. 차광층(219a)은 수광 디바이스(110)와 발광 디바이스(190) 사이에 위치한다. 격벽(217) 및 차광층(219a)은 수광 디바이스(110)가 검출하는 광의 파장을 흡수하는 것이 바람직하다. 이로써, 수광 디바이스(110)에 입사하는 미광을 억제할 수 있다.
트랜지스터(201), 트랜지스터(205), 및 트랜지스터(206)는 모두 기판(151) 위에 형성되어 있다. 이들 트랜지스터는 동일한 재료 및 동일한 공정으로 제작할 수 있다.
기판(151) 위에는 절연층(211), 절연층(213), 절연층(215), 및 절연층(214)이 이 순서대로 제공되어 있다. 절연층(211)은 그 일부가 각 트랜지스터의 게이트 절연층으로서 기능한다. 절연층(213)은 그 일부가 각 트랜지스터의 게이트 절연층으로서 기능한다. 절연층(215)은 트랜지스터를 덮어 제공된다. 절연층(214)은 트랜지스터를 덮어 제공되며 평탄화층으로서의 기능을 갖는다. 또한, 게이트 절연층의 개수 및 트랜지스터를 덮는 절연층의 개수는 한정되지 않고, 각각 단층이어도 2층 이상이어도 좋다.
트랜지스터를 덮는 절연층 중 적어도 하나의 층에 물이나 수소 등의 불순물이 확산되기 어려운 재료를 사용하는 것이 바람직하다. 이로써, 절연층을 배리어층으로서 기능시킬 수 있다. 이러한 구성으로 함으로써, 트랜지스터에 외부로부터 불순물이 확산되는 것을 효과적으로 억제할 수 있어, 표시 장치의 신뢰성을 높일 수 있다.
절연층(211), 절연층(213), 및 절연층(215)으로서는 각각 무기 절연막을 사용하는 것이 바람직하다. 무기 절연막으로서는 예를 들어 질화 실리콘막, 산화질화 실리콘막, 산화 실리콘막, 질화산화 실리콘막, 산화 알루미늄막, 질화 알루미늄막 등을 사용할 수 있다. 또한, 산화 하프늄막, 산화 이트륨막, 산화 지르코늄막, 산화 갈륨막, 산화 탄탈럼막, 산화 마그네슘막, 산화 란타넘막, 산화 세륨막, 및 산화 네오디뮴막 등을 사용하여도 좋다. 또한, 상술한 절연막을 2개 이상 적층하여 사용하여도 좋다.
여기서, 유기 절연막은 무기 절연막과 비교하여 배리어성이 낮은 경우가 많다. 그러므로, 유기 절연막은 표시 장치(100A)의 단부 근방에 개구를 갖는 것이 바람직하다. 이로써, 표시 장치(100A)의 단부로부터 유기 절연막을 통하여 불순물이 들어가는 것을 억제할 수 있다. 또는, 유기 절연막의 단부가 표시 장치(100A)의 단부보다 내측에 위치하도록 유기 절연막을 형성하고, 표시 장치(100A)의 단부에서 유기 절연막이 노출되지 않도록 하여도 좋다.
평탄화층으로서 기능하는 절연층(214)에는 유기 절연막이 적합하다. 유기 절연막에 사용할 수 있는 재료로서는 아크릴 수지, 폴리이미드 수지, 에폭시 수지, 폴리아마이드 수지, 폴리이미드아마이드 수지, 실록산 수지, 벤조사이클로뷰텐계 수지, 페놀 수지, 및 이들 수지의 전구체 등을 들 수 있다.
도 14에 도시된 영역(228)에서는 절연층(214)에 개구가 형성되어 있다. 이로써, 절연층(214)에 유기 절연막을 사용하는 경우에도, 절연층(214)을 통하여 외부로부터 표시부(162)에 불순물이 들어가는 것을 억제할 수 있다. 따라서, 표시 장치(100A)의 신뢰성을 높일 수 있다.
트랜지스터(201), 트랜지스터(205), 및 트랜지스터(206)는 게이트로서 기능하는 도전층(221), 게이트 절연층으로서 기능하는 절연층(211), 소스 및 드레인으로서 기능하는 도전층(222a) 및 도전층(222b), 반도체층(231), 게이트 절연층으로서 기능하는 절연층(213), 그리고, 게이트로서 기능하는 도전층(223)을 갖는다. 여기서는, 동일한 도전막을 가공하여 얻어지는 복수의 층에 같은 해치 패턴을 부여하였다. 절연층(211)은 도전층(221)과 반도체층(231) 사이에 위치한다. 절연층(213)은 도전층(223)과 반도체층(231) 사이에 위치한다.
본 실시형태의 표시 장치가 갖는 트랜지스터의 구조는 특별히 한정되지 않는다. 예를 들어 플레이너(planar)형 트랜지스터, 스태거형 트랜지스터, 역 스태거형 트랜지스터 등을 사용할 수 있다. 또한, 톱 게이트형 및 보텀 게이트형 중 어느 트랜지스터 구조로 하여도 좋다. 또는, 채널이 형성되는 반도체층의 상하에 게이트가 제공되어도 좋다.
트랜지스터(201), 트랜지스터(205), 및 트랜지스터(206)에는 채널이 형성되는 반도체층을 2개의 게이트로 끼우는 구성이 적용되어 있다. 2개의 게이트를 접속시키고 이들에 동일한 신호를 공급함으로써 트랜지스터를 구동시켜도 좋다. 또는, 2개의 게이트 중 한쪽에 문턱 전압을 제어하기 위한 전위를 공급하고, 다른 쪽에 구동시키기 위한 전위를 공급함으로써, 트랜지스터의 문턱 전압을 제어하여도 좋다.
트랜지스터에 사용되는 반도체 재료의 결정성에 대해서도 특별히 한정되지 않고, 비정질 반도체 및 결정성을 갖는 반도체(미결정 반도체, 다결정 반도체, 단결정 반도체, 또는 일부에 결정 영역을 갖는 반도체) 중 어느 것을 사용하여도 좋다. 결정성을 갖는 반도체를 사용하면 트랜지스터 특성의 열화를 억제할 수 있기 때문에 바람직하다.
트랜지스터의 반도체층은 금속 산화물(산화물 반도체라고도 함)을 갖는 것이 바람직하다. 또는, 트랜지스터의 반도체층은 실리콘을 가져도 좋다. 실리콘으로서는 비정질 실리콘, 결정성 실리콘(저온 폴리실리콘, 단결정 실리콘 등) 등을 들 수 있다.
반도체층은 예를 들어 인듐과, M(M은 갈륨, 알루미늄, 실리콘, 붕소, 이트륨, 주석, 구리, 바나듐, 베릴륨, 타이타늄, 철, 니켈, 저마늄, 지르코늄, 몰리브데넘, 란타넘, 세륨, 네오디뮴, 하프늄, 탄탈럼, 텅스텐, 및 마그네슘 중에서 선택된 1종류 또는 복수 종류)과, 아연을 갖는 것이 바람직하다. 특히 M은 알루미늄, 갈륨, 이트륨, 및 주석 중에서 선택된 1종류 또는 복수 종류인 것이 바람직하다.
특히 반도체층으로서 인듐(In), 갈륨(Ga), 및 아연(Zn)을 포함하는 산화물(IGZO라고도 기재함)을 사용하는 것이 바람직하다.
반도체층이 In-M-Zn 산화물인 경우, 상기 In-M-Zn 산화물에서의 In의 원자수비는 M의 원자수비 이상인 것이 바람직하다. 이러한 In-M-Zn 산화물의 금속 원소의 원자수비로서는 In:M:Zn=1:1:1 또는 그 근방의 조성, In:M:Zn=1:1:1.2 또는 그 근방의 조성, In:M:Zn=2:1:3 또는 그 근방의 조성, In:M:Zn=3:1:2 또는 그 근방의 조성, In:M:Zn=4:2:3 또는 그 근방의 조성, In:M:Zn=4:2:4.1 또는 그 근방의 조성, In:M:Zn=5:1:3 또는 그 근방의 조성, In:M:Zn=5:1:6 또는 그 근방의 조성, In:M:Zn=5:1:7 또는 그 근방의 조성, In:M:Zn=5:1:8 또는 그 근방의 조성, In:M:Zn=6:1:6 또는 그 근방의 조성, In:M:Zn=5:2:5 또는 그 근방의 조성 등을 들 수 있다. 또한, 근방의 조성이란, 원하는 원자수비의 ±30%의 범위를 포함한 것이다.
예를 들어, 원자수비가 In:Ga:Zn=4:2:3 또는 그 근방의 조성이라고 기재된 경우, In의 원자수비를 4로 하였을 때, Ga의 원자수비가 1 이상 3 이하이고 Zn의 원자수비가 2 이상 4 이하인 경우를 포함한다. 또한, 원자수비가 In:Ga:Zn=5:1:6 또는 그 근방의 조성이라고 기재된 경우, In의 원자수비를 5로 하였을 때, Ga의 원자수비가 0.1보다 크고 2 이하이고 Zn의 원자수비가 5 이상 7 이하인 경우를 포함한다. 또한, 원자수비가 In:Ga:Zn=1:1:1 또는 그 근방의 조성이라고 기재된 경우, In의 원자수비를 1로 하였을 때, Ga의 원자수비가 0.1보다 크고 2 이하이고 Zn의 원자수비가 0.1보다 크고 2 이하인 경우를 포함한다.
회로(164)가 갖는 트랜지스터와 표시부(162)가 갖는 트랜지스터는 같은 구조이어도 좋고, 상이한 구조이어도 좋다. 회로(164)가 갖는 복수의 트랜지스터의 구조는 모두 같아도 좋고, 2종류 이상이어도 좋다. 마찬가지로, 표시부(162)가 갖는 복수의 트랜지스터의 구조는 모두 같아도 좋고, 2종류 이상이어도 좋다.
기판(151)에서 기판(152)이 중첩되지 않는 영역에는 접속부(204)가 제공되어 있다. 접속부(204)에서는, 배선(165)이 도전층(166) 및 접속층(242)을 통하여 FPC(172)와 전기적으로 접속되어 있다. 접속부(204)의 상면에서는 화소 전극(181)과 동일한 도전막을 가공하여 얻어진 도전층(166)이 노출되어 있다. 이로써, 접속층(242)을 통하여 접속부(204)와 FPC(172)를 전기적으로 접속할 수 있다.
기판(152)의 외측에는 각종 광학 부재를 배치할 수 있다. 광학 부재로서는, 편광판, 위상차판, 광 확산층(확산 필름 등), 반사 방지층, 및 집광 필름 등을 들 수 있다. 또한, 기판(152)의 외측에는, 먼지의 부착을 억제하는 대전 방지막, 오염이 부착되기 어렵게 하는 발수성의 막, 사용에 따른 손상의 발생을 억제하는 하드코트막, 충격 흡수층 등을 배치하여도 좋다.
기판(151) 및 기판(152)에는 각각 유리, 석영, 세라믹, 사파이어, 수지 등을 사용할 수 있다. 기판(151) 및 기판(152)에 가요성을 갖는 재료를 사용하면, 표시 장치의 가요성을 높일 수 있다.
접착층으로서는, 자외선 경화형 등의 광 경화형 접착제, 반응 경화형 접착제, 열 경화형 접착제, 및 혐기형 접착제 등 각종 경화형 접착제를 사용할 수 있다. 이들 접착제로서는, 에폭시 수지, 아크릴 수지, 실리콘(silicone) 수지, 페놀 수지, 폴리이미드 수지, 이미드 수지, PVC(폴리바이닐클로라이드) 수지, PVB(폴리바이닐뷰티랄) 수지, 및 EVA(에틸렌바이닐아세테이트) 수지 등을 들 수 있다. 특히, 에폭시 수지 등의 투습성(透濕性)이 낮은 재료가 바람직하다. 또한, 2액 혼합형 수지를 사용하여도 좋다. 또한, 접착 시트 등을 사용하여도 좋다.
접속층(242)으로서는, 이방성 도전 필름(ACF: Anisotropic Conductive Film), 이방성 도전 페이스트(ACP: Anisotropic Conductive Paste) 등을 사용할 수 있다.
발광 디바이스(190)에는 톱 이미션형, 보텀 이미션형, 듀얼 이미션형 등이 있다. 광을 추출하는 측의 전극에는 가시광을 투과시키는 도전막을 사용한다. 또한, 광을 추출하지 않는 측의 전극에는 가시광을 반사하는 도전막을 사용하는 것이 바람직하다.
발광 디바이스(190)는 적어도 발광층(193)을 갖는다. 발광 디바이스(190)는 발광층(193) 이외의 층으로서 정공 주입성이 높은 물질, 정공 수송성이 높은 물질, 정공 블록 재료, 전자 수송성이 높은 물질, 전자 주입성이 높은 물질, 또는 바이폴러성의 물질(전자 수송성 및 정공 수송성이 높은 물질) 등을 포함하는 층을 더 가져도 좋다. 예를 들어, 공통층(112)은 정공 주입층 및 정공 수송층 중 한쪽 또는 양쪽을 갖는 것이 바람직하다. 예를 들어, 공통층(114)은 전자 수송층 및 전자 주입층 중 한쪽 또는 양쪽을 갖는 것이 바람직하다.
정공 주입층은 양극으로부터 정공 수송층에 정공을 주입하는 층이고, 정공 주입성이 높은 재료를 포함하는 층이다. 정공 주입성이 높은 재료로서는, 방향족 아민 화합물이나, 정공 수송성 재료와 억셉터성 재료(전자 수용성 재료)를 포함하는 복합 재료를 사용할 수 있다.
발광 디바이스에서 정공 수송층은 정공 주입층에 의하여 양극으로부터 주입된 정공을 발광층에 수송하는 층이다. 수광 디바이스에서 정공 수송층은 활성층에서 입사한 광에 기초하여 발생한 정공을 양극에 수송하는 층이다. 정공 수송층은 정공 수송성 재료를 포함하는 층이다. 정공 수송성 재료로서는 10-6cm2/Vs 이상의 정공 이동도를 갖는 물질이 바람직하다. 또한, 전자보다 정공의 수송성이 높은 물질이면, 이들 이외의 물질을 사용할 수도 있다. 정공 수송성 재료로서는, π전자 과잉형 헤테로 방향족 화합물(예를 들어 카바졸 유도체, 싸이오펜 유도체, 퓨란 유도체 등)이나 방향족 아민(방향족 아민 골격을 갖는 화합물) 등 정공 수송성이 높은 재료가 바람직하다.
발광 디바이스에서 전자 수송층은 전자 주입층에 의하여 음극으로부터 주입된 전자를 발광층에 수송하는 층이다. 수광 디바이스에서 전자 수송층은 활성층에서 입사한 광에 기초하여 발생한 전자를 음극에 수송하는 층이다. 전자 수송층은 전자 수송성 재료를 포함하는 층이다. 전자 수송성 재료로서는 1×10-6cm2/Vs 이상의 전자 이동도를 갖는 물질이 바람직하다. 또한, 정공보다 전자의 수송성이 높은 물질이면, 이들 이외의 물질을 사용할 수도 있다. 전자 수송성 재료로서는, 퀴놀린 골격을 갖는 금속 착체, 벤조퀴놀린 골격을 갖는 금속 착체, 옥사졸 골격을 갖는 금속 착체, 싸이아졸 골격을 갖는 금속 착체 등 이외에, 옥사다이아졸 유도체, 트라이아졸 유도체, 이미다졸 유도체, 옥사졸 유도체, 싸이아졸 유도체, 페난트롤린 유도체, 퀴놀린 배위자를 갖는 퀴놀린 유도체, 벤조퀴놀린 유도체, 퀴녹살린 유도체, 다이벤조퀴녹살린 유도체, 피리딘 유도체, 바이피리딘 유도체, 피리미딘 유도체, 그 이외에 질소 함유 헤테로 방향족 화합물을 포함하는 π전자 부족형 헤테로 방향족 화합물 등 전자 수송성이 높은 재료를 사용할 수 있다.
전자 주입층은 음극으로부터 전자 수송층에 전자를 주입하는 층이고, 전자 주입성이 높은 재료를 포함하는 층이다. 전자 주입성이 높은 재료로서는 알칼리 금속, 알칼리 토금속, 또는 이들의 화합물을 사용할 수 있다. 전자 주입성이 높은 재료로서는, 전자 수송성 재료와 도너성 재료(전자 공여성 재료)를 포함하는 복합 재료를 사용할 수도 있다.
공통층(112), 발광층(193), 및 공통층(114)에는 저분자계 화합물 및 고분자계 화합물 중 어느 쪽이든 사용할 수 있고, 무기 화합물을 포함하여도 좋다. 공통층(112), 발광층(193), 및 공통층(114)을 구성하는 층은 각각, 증착법(진공 증착법을 포함함), 전사법, 인쇄법, 잉크젯법, 도포법 등의 방법으로 형성할 수 있다.
발광층(193)은 발광 물질을 포함하는 층이다. 발광층(193)은 1종류 또는 복수 종류의 발광 물질을 가질 수 있다. 발광 물질로서는 청색, 자색, 청자색, 녹색, 황록색, 황색, 주황색, 적색 등의 발광색을 나타내는 물질을 적절히 사용한다. 또한, 발광 물질로서, 근적외광을 발하는 물질을 사용할 수도 있다.
수광 디바이스(110)의 활성층(183)은 반도체를 포함한다. 상기 반도체로서는 실리콘 등의 무기 반도체, 및 유기 화합물을 포함하는 유기 반도체를 들 수 있다. 본 실시형태에서는 활성층이 갖는 반도체로서 유기 반도체를 사용하는 예를 나타낸다. 유기 반도체를 사용함으로써, 발광 디바이스(190)의 발광층(193)과 수광 디바이스(110)의 활성층(183)을 같은 방법(예를 들어 진공 증착법)으로 형성할 수 있고, 제조 장치를 공통화할 수 있기 때문에 바람직하다.
활성층(183)이 갖는 n형 반도체의 재료로서는 풀러렌(예를 들어 C60, C70 등) 또는 그 유도체 등 전자 수용성의 유기 반도체 재료를 들 수 있다. 또한, 활성층(183)이 갖는 p형 반도체의 재료로서는 구리(II)프탈로사이아닌(Copper(II) phthalocyanine: CuPc)이나 테트라페닐다이벤조페리플란텐(Tetraphenyldibenzoperiflanthene: DBP), 아연프탈로사이아닌(Zinc Phthalocyanine: ZnPc) 등 전자 공여성의 유기 반도체 재료를 들 수 있다. 또한, p형 반도체의 재료로서 주석프탈로사이아닌(SnPc)을 사용하여도 좋다.
예를 들어, 활성층(183)은 n형 반도체와 p형 반도체를 공증착하여 형성하는 것이 바람직하다.
트랜지스터의 게이트, 소스, 및 드레인 이외에, 표시 장치를 구성하는 각종 배선 및 전극 등의 도전층에 사용할 수 있는 재료로서는, 알루미늄, 타이타늄, 크로뮴, 니켈, 구리, 이트륨, 지르코늄, 몰리브데넘, 은, 탄탈럼, 및 텅스텐 등의 금속, 그리고 상기 금속을 주성분으로 하는 합금 등을 들 수 있다. 이들 재료를 포함하는 막을 단층 또는 적층 구조로 하여 사용할 수 있다.
또한, 투광성을 갖는 도전 재료로서는 산화 인듐, 인듐 주석 산화물, 인듐 아연 산화물, 산화 아연, 갈륨을 포함하는 산화 아연 등의 도전성 산화물 또는 그래핀을 사용할 수 있다. 또는 금, 은, 백금, 마그네슘, 니켈, 텅스텐, 크로뮴, 몰리브데넘, 철, 코발트, 구리, 팔라듐, 및 타이타늄 등의 금속 재료나, 상기 금속 재료를 포함하는 합금 재료를 사용할 수 있다. 또는, 상기 금속 재료의 질화물(예를 들어, 질화 타이타늄) 등을 사용하여도 좋다. 또한, 금속 재료, 합금 재료(또는 이들의 질화물)를 사용하는 경우에는 투광성을 가질 정도로 얇게 하는 것이 바람직하다. 또한, 상기 재료의 적층막을 도전층으로서 사용할 수 있다. 예를 들어, 은과 마그네슘의 합금과, 인듐 주석 산화물의 적층막 등을 사용하면, 도전성을 높일 수 있기 때문에 바람직하다. 이들은 표시 장치를 구성하는 각종 배선 및 전극 등의 도전층이나, 표시 디바이스가 갖는 도전층(화소 전극이나 공통 전극으로서 기능하는 도전층)에도 사용할 수 있다.
각 절연층에 사용할 수 있는 절연 재료로서는, 예를 들어 아크릴 수지, 에폭시 수지 등의 수지, 산화 실리콘, 산화질화 실리콘, 질화산화 실리콘, 질화 실리콘, 산화 알루미늄 등의 무기 절연 재료를 들 수 있다.
[표시 장치(100B)]
도 15의 (A)에 표시 장치(100B)의 단면도를 도시하였다.
표시 장치(100B)는 보호층(116)을 갖는 점, 그리고 고체 밀봉 구조가 적용되어 있는 점에서 표시 장치(100A)와 주로 상이하다.
수광 디바이스(110) 및 발광 디바이스(190)를 덮는 보호층(116)을 제공함으로써, 수광 디바이스(110) 및 발광 디바이스(190)에 물 등의 불순물이 들어가는 것을 억제하여 수광 디바이스(110) 및 발광 디바이스(190)의 신뢰성을 높일 수 있다.
표시 장치(100B)의 단부 근방의 영역(228)에서, 절연층(214)의 개구를 통하여 절연층(215)과 보호층(116)이 서로 접하는 것이 바람직하다. 특히, 절연층(215)이 갖는 무기 절연막과 보호층(116)이 갖는 무기 절연막이 서로 접하는 것이 바람직하다. 이로써, 유기 절연막을 통하여 외부로부터 표시부(162)에 불순물이 들어가는 것을 억제할 수 있다. 따라서, 표시 장치(100B)의 신뢰성을 높일 수 있다.
도 15의 (B)에 보호층(116)이 3층 구조인 예를 도시하였다. 도 15의 (B)에서, 보호층(116)은 공통 전극(115) 위의 무기 절연층(116a)과, 무기 절연층(116a) 위의 유기 절연층(116b)과, 유기 절연층(116b) 위의 무기 절연층(116c)을 갖는다.
무기 절연층(116a)의 단부와 무기 절연층(116c)의 단부는 유기 절연층(116b)의 단부보다 외측으로 연장되고, 이들은 서로 접한다. 그리고, 무기 절연층(116a)은 절연층(214)(유기 절연층)의 개구를 통하여 절연층(215)(무기 절연층)과 접한다. 이로써, 절연층(215)과 보호층(116)에 의하여 수광 디바이스(110) 및 발광 디바이스(190)를 둘러쌀 수 있기 때문에, 수광 디바이스(110) 및 발광 디바이스(190)의 신뢰성을 높일 수 있다.
이와 같이, 보호층(116)은 유기 절연막과 무기 절연막의 적층 구조이어도 좋다. 이때, 유기 절연막의 단부보다 무기 절연막의 단부를 외측으로 연장시키는 것이 바람직하다.
또한, 표시 장치(100B)에서는 보호층(116)과 기판(152)이 접착층(142)에 의하여 접합되어 있다. 접착층(142)은 수광 디바이스(110) 및 발광 디바이스(190)와 각각 중첩되어 제공되어 있고, 표시 장치(100B)에는 고체 밀봉 구조가 적용되어 있다.
[표시 장치(100C)]
도 16 및 도 17의 (A)에 표시 장치(100C)의 단면도를 도시하였다. 표시 장치(100C)의 사시도는 표시 장치(100A)(도 13 참조)와 같다. 도 16에는 표시 장치(100C)에서 FPC(172)를 포함하는 영역의 일부, 회로(164)의 일부, 및 표시부(162)의 일부를 각각 절단한 경우의 단면의 일례를 도시하였다. 도 17의 (A)에는 표시 장치(100C)에서 표시부(162)의 일부를 절단한 경우의 단면의 일례를 도시하였다. 도 16에는, 표시부(162)에서, 특히 수광 디바이스(110)와 적색 광을 발하는 발광 디바이스(190R)를 포함하는 영역을 절단한 경우의 단면의 일례를 도시하였다. 도 17의 (A)에는, 표시부(162)에서, 특히 녹색 광을 발하는 발광 디바이스(190G)와 청색 광을 발하는 발광 디바이스(190B)를 포함하는 영역을 절단한 경우의 단면의 일례를 도시하였다.
도 16 및 도 17의 (A)에 도시된 표시 장치(100C)는 기판(153)과 기판(154) 사이에 트랜지스터(203), 트랜지스터(207), 트랜지스터(208), 트랜지스터(209), 트랜지스터(210), 발광 디바이스(190R), 발광 디바이스(190G), 발광 디바이스(190B), 및 수광 디바이스(110) 등을 갖는다.
수지층(159)과 공통 전극(115)은 접착층(142)을 개재하여 접착되어 있고, 표시 장치(100C)에는 고체 밀봉 구조가 적용되어 있다.
기판(153)과 절연층(212)은 접착층(155)에 의하여 접합되어 있다. 기판(154)과 절연층(157)은 접착층(156)에 의하여 접합되어 있다.
표시 장치(100C)의 제작 방법으로서는, 먼저, 절연층(212), 각 트랜지스터, 수광 디바이스(110), 각 발광 디바이스 등이 제공된 제 1 제작 기판과, 절연층(157), 수지층(159), 및 차광층(158) 등이 제공된 제 2 제작 기판을 접착층(142)에 의하여 접합한다. 그리고, 제 1 제작 기판을 박리하여 노출된 면에 기판(153)을 접합하고, 제 2 제작 기판을 박리하여 노출된 면에 기판(154)을 접합함으로써, 제 1 제작 기판 위 및 제 2 제작 기판 위에 형성한 각 구성 요소를 기판(153) 및 기판(154)으로 전치한다. 기판(153) 및 기판(154)은 각각 가요성을 갖는 것이 바람직하다. 이로써, 표시 장치(100C)의 가요성을 높일 수 있다.
절연층(212) 및 절연층(157)에는 각각 절연층(211), 절연층(213), 및 절연층(215)에 사용할 수 있는 무기 절연막을 사용할 수 있다.
발광 디바이스(190R)는 절연층(214b) 측으로부터 화소 전극(191R), 공통층(112), 발광층(193R), 공통층(114), 및 공통 전극(115)이 이 순서대로 적층된 적층 구조를 갖는다. 화소 전극(191R)은 절연층(214b)에 제공된 개구를 통하여 도전층(169R)과 접속되어 있다. 도전층(169R)은 절연층(214a)에 제공된 개구를 통하여 트랜지스터(208)가 갖는 도전층(222b)과 접속되어 있다. 도전층(222b)은 절연층(215)에 제공된 개구를 통하여 저저항 영역(231n)과 접속된다. 즉, 화소 전극(191R)은 트랜지스터(208)와 전기적으로 접속되어 있다. 트랜지스터(208)는 발광 디바이스(190R)의 구동을 제어하는 기능을 갖는다.
마찬가지로, 발광 디바이스(190G)는 절연층(214b) 측에서 화소 전극(191G), 공통층(112), 발광층(193G), 공통층(114), 및 공통 전극(115)의 순서로 적층된 적층 구조를 갖는다. 화소 전극(191G)은 도전층(169G) 및 트랜지스터(209)의 도전층(222b)을 통하여 트랜지스터(209)의 저저항 영역(231n)과 전기적으로 접속된다. 즉, 화소 전극(191G)은 트랜지스터(209)와 전기적으로 접속되어 있다. 트랜지스터(209)는 발광 디바이스(190G)의 구동을 제어하는 기능을 갖는다.
그리고, 발광 디바이스(190B)는 절연층(214b) 측으로부터 화소 전극(191B), 공통층(112), 발광층(193B), 공통층(114), 및 공통 전극(115)이 이 순서대로 적층된 적층 구조를 갖는다. 화소 전극(191B)은 도전층(169B) 및 트랜지스터(210)의 도전층(222b)을 통하여 트랜지스터(210)의 저저항 영역(231n)과 전기적으로 접속된다. 즉, 화소 전극(191B)은 트랜지스터(210)와 전기적으로 접속되어 있다. 트랜지스터(210)는 발광 디바이스(190B)의 구동을 제어하는 기능을 갖는다.
수광 디바이스(110)는 절연층(214b) 측으로부터 화소 전극(181), 공통층(112), 활성층(183), 공통층(114), 및 공통 전극(115)이 이 순서대로 적층된 적층 구조를 갖는다. 화소 전극(181)은 도전층(168) 및 트랜지스터(207)의 도전층(222b)을 통하여 트랜지스터(207)의 저저항 영역(231n)과 전기적으로 접속된다. 즉, 화소 전극(181)은 트랜지스터(207)와 전기적으로 접속되어 있다.
화소 전극(181, 191R, 191G, 191B)의 단부는 격벽(216)으로 덮여 있다. 화소 전극(181, 191R, 191G, 191B)은 가시광을 반사하는 재료를 포함하고, 공통 전극(115)은 가시광을 투과시키는 재료를 포함한다.
발광 디바이스(190R, 190G, 190B)가 발하는 광은 기판(154) 측에 사출된다. 또한, 수광 디바이스(110)에는 기판(154) 및 접착층(142)을 통하여 광이 입사한다. 기판(154)에는 가시광에 대한 투과성이 높은 재료를 사용하는 것이 바람직하다.
화소 전극(181) 및 화소 전극(191)은 동일한 재료 및 동일한 공정으로 제작할 수 있다. 공통층(112), 공통층(114), 및 공통 전극(115)은 수광 디바이스(110) 및 발광 디바이스(190R, 190G, 190B)에 공통적으로 사용된다. 수광 디바이스(110)와 각 색의 발광 디바이스는 활성층(183)과 발광층의 구성이 상이한 것 이외는 모두 공통된 구성으로 할 수 있다. 이로써, 제작 공정을 크게 늘리지 않고, 표시 장치(100C)에 수광 디바이스(110)를 내장할 수 있다.
절연층(157)의 기판(153) 측의 면에는 수지층(159) 및 차광층(158)이 제공되어 있다. 수지층(159)은 발광 디바이스(190R, 190G, 190B)와 중첩되는 위치에 제공되고, 수광 디바이스(110)와 중첩되는 위치에는 제공되지 않는다. 차광층(158)은 절연층(157)의 기판(153) 측의 면, 수지층(159)의 측면, 및 수지층(159)의 기판(153) 측의 면을 덮어 제공된다. 차광층(158)은 수광 디바이스(110)와 중첩되는 위치 및 발광 디바이스(190R, (190G), 190B) 각각과 중첩되는 위치에 개구를 갖는다. 차광층(158)을 제공함으로써, 수광 디바이스(110)가 광을 검출하는 범위를 제어할 수 있다. 또한, 차광층(158)을 가짐으로써, 광이 발광 디바이스(190R, 190G, 190B)로부터 대상물을 통하지 않고 수광 디바이스(110)에 직접 입사하는 것을 억제할 수 있다. 따라서, 노이즈가 적으며 감도가 높은 센서를 실현할 수 있다. 수지층(159)의 제공에 의하여, 차광층(158)에서 각 색의 발광 디바이스까지의 거리는 차광층(158)에서 수광 디바이스(110)까지의 거리와 비교하여 짧다. 이로써, 센서의 노이즈를 저감하면서 표시의 시야각 의존성을 억제할 수 있다. 따라서, 표시 품질과 촬상 품질 양쪽을 높일 수 있다.
표시 장치(100C)에서의 격벽(216), 차광층(219a), 및 스페이서(219b)의 구성은 표시 장치(10K)(도 7의 (B) 및 도 8의 (A) 참조)와 같다.
도 16에서는, 격벽(216)은 수광 디바이스(110)와 발광 디바이스(190R) 사이에 개구를 갖는다. 상기 개구를 매립하도록 차광층(219a)이 제공되어 있다. 차광층(219a)은 수광 디바이스(110)와 발광 디바이스(190R) 사이에 위치한다. 차광층(219a)은 발광 디바이스(190R)가 발한 광을 흡수한다. 이로써, 수광 디바이스(110)에 입사하는 미광을 억제할 수 있다.
스페이서(219b)는 발광 디바이스(190G)와 발광 디바이스(190B) 사이에 위치한다. 스페이서(219b)의 상면은, 차광층(219a)의 상면보다 차광층(158)에 가까운 것이 바람직하다. 예를 들어, 격벽(216)의 높이(두께)와 스페이서(219b)의 높이(두께)의 합계는 차광층(219a)의 높이(두께)보다 큰 것이 바람직하다. 이로써, 접착층(142)을 충전하는 것이 용이해진다. 도 17의 (A)에 도시된 바와 같이, 스페이서(219b)와 차광층(158)이 중첩되는 부분에서 차광층(158)은 공통 전극(115)(또는 보호층)과 접하여도 좋다.
기판(153)에서 기판(154)이 중첩되지 않는 영역에는 접속부(204)가 제공되어 있다. 접속부(204)에서는, 배선(165)이 도전층(167), 도전층(166), 및 접속층(242)을 통하여 FPC(172)와 전기적으로 접속되어 있다. 도전층(167)은 도전층(168)과 동일한 도전막을 가공하여 얻을 수 있다. 접속부(204)의 상면에서는 화소 전극(181)과 동일한 도전막을 가공하여 얻어진 도전층(166)이 노출되어 있다. 이로써, 접속층(242)을 통하여 접속부(204)와 FPC(172)를 전기적으로 접속할 수 있다.
트랜지스터(207), 트랜지스터(208), 트랜지스터(209), 및 트랜지스터(210)는 게이트로서 기능하는 도전층(221), 게이트 절연층으로서 기능하는 절연층(211), 채널 형성 영역(231i) 및 한 쌍의 저저항 영역(231n)을 갖는 반도체층, 한 쌍의 저저항 영역(231n) 중 한쪽과 접속되는 도전층(222a), 한 쌍의 저저항 영역(231n) 중 다른 쪽과 접속되는 도전층(222b), 게이트 절연층으로서 기능하는 절연층(225), 게이트로서 기능하는 도전층(223), 그리고 도전층(223)을 덮는 절연층(215)을 갖는다. 절연층(211)은 도전층(221)과 채널 형성 영역(231i) 사이에 위치한다. 절연층(225)은 도전층(223)과 채널 형성 영역(231i) 사이에 위치한다.
도전층(222a) 및 도전층(222b)은 각각 절연층(215)에 제공된 개구를 통하여 저저항 영역(231n)과 접속된다. 도전층(222a) 및 도전층(222b) 중 한쪽은 소스로서 기능하고, 다른 쪽은 드레인으로서 기능한다.
도 16에서는, 절연층(225)은 반도체층(231)의 채널 형성 영역(231i)과 중첩되고, 저저항 영역(231n)과는 중첩되지 않는다. 예를 들어, 도전층(223)을 마스크로서 사용하여 절연층(225)을 가공함으로써, 도 16에 도시된 구조를 제작할 수 있다. 도 16에서는, 절연층(225) 및 도전층(223)을 덮어 절연층(215)이 제공되고, 절연층(215)의 개구를 통하여 도전층(222a) 및 도전층(222b)이 각각 저저항 영역(231n)과 접속되어 있다. 또한, 도전층(222a) 및 도전층(222b) 위에 트랜지스터를 덮는 절연층을 제공하여도 좋다.
한편으로, 도 17의 (B)에는 절연층(225)이 반도체층의 상면 및 측면을 덮는 예를 도시하였다. 도전층(222a) 및 도전층(222b)은 각각 절연층(225) 및 절연층(215)에 제공된 개구를 통하여 저저항 영역(231n)과 접속된다.
이상과 같이, 본 실시형태의 표시 장치는 표시부에 수광 디바이스와 발광 디바이스를 갖고, 표시부는 화상을 표시하는 기능과 광을 검출하는 기능 양쪽을 갖는다. 이로써, 표시부의 외부 또는 표시 장치의 외부에 센서를 제공하는 경우와 비교하여, 전자 기기의 소형화 및 경량화를 도모할 수 있다. 또한, 표시부의 외부 또는 표시 장치의 외부에 제공하는 센서와 조합하여 더 많은 기능을 가지는 전자 기기를 실현할 수도 있다.
수광 디바이스는 한 쌍의 전극 사이에 제공되는 층 중 적어도 하나의 층을 발광 디바이스(EL 디바이스)와 공통된 구성으로 할 수 있다. 예를 들어, 수광 디바이스는 활성층 이외의 모든 층을 발광 디바이스(EL 디바이스)와 공통된 구성으로 할 수도 있다. 즉, 발광 디바이스의 제작 공정에 활성층의 성막 공정을 추가하기만 하면, 발광 디바이스와 수광 디바이스를 동일한 기판 위에 형성할 수 있다. 또한, 수광 디바이스와 발광 디바이스는 화소 전극과 공통 전극을 각각 동일한 재료 및 동일한 공정으로 형성할 수 있다. 또한, 수광 디바이스와 전기적으로 접속되는 회로와 발광 디바이스와 전기적으로 접속되는 회로를 동일한 재료 및 동일한 공정으로 제작함으로써, 표시 장치의 제작 공정을 간략화할 수 있다. 이와 같이, 복잡한 공정을 갖지 않아도, 수광 디바이스를 내장하며 편리성이 높은 표시 장치를 제작할 수 있다.
본 실시형태의 표시 장치는 차광층에서 수광 디바이스까지의 거리가 길어지며, 차광층에서 발광 디바이스까지의 거리가 짧아지도록, 차광층을 형성하는 면에 구조물을 제공한다. 이로써, 센서의 노이즈를 저감하면서, 촬상 해상도를 높이며, 표시의 시야각 의존성을 억제할 수 있다. 따라서, 표시 장치의 표시 품질과 촬상 품질 양쪽을 높일 수 있다.
본 실시형태는 다른 실시형태와 적절히 조합할 수 있다. 또한, 본 명세서에서 하나의 실시형태 중에 복수의 구성예가 나타내어진 경우에는 구성예를 적절히 조합할 수 있다.
(실시형태 2)
본 실시형태에서는 본 발명의 일 형태의 표시 장치에 대하여 도 18 및 도 19를 사용하여 설명한다.
[화소 회로의 구성예]
먼저, 표시 장치가 갖는 화소 회로의 구성예에 대하여 도 18을 사용하여 설명한다.
본 발명의 일 형태의 표시 장치는 표시부에 수광 디바이스를 갖는 제 1 화소 회로와, 발광 디바이스를 갖는 제 2 화소 회로를 갖는다. 제 1 화소 회로와 제 2 화소 회로는 각각 매트릭스상으로 배치된다.
도 18의 (A)에 수광 디바이스를 갖는 제 1 화소 회로의 일례를 나타내고, 도 18의 (B)에 발광 디바이스를 갖는 제 2 화소 회로의 일례를 나타내었다.
도 18의 (A)에 나타낸 제 1 화소 회로(PIX1)는 수광 디바이스(PD), 트랜지스터(M1), 트랜지스터(M2), 트랜지스터(M3), 트랜지스터(M4), 및 용량 소자(C1)를 갖는다. 여기서는 수광 디바이스(PD)로서 포토다이오드를 사용한 예를 나타내었다.
수광 디바이스(PD)는 캐소드가 배선(V1)과 전기적으로 접속되고, 애노드가 트랜지스터(M1)의 소스 및 드레인 중 한쪽과 전기적으로 접속된다. 트랜지스터(M1)는 게이트가 배선(TX)과 전기적으로 접속되고, 소스 및 드레인 중 다른 쪽이 용량 소자(C1)의 한쪽 전극, 트랜지스터(M2)의 소스 및 드레인 중 한쪽, 그리고 트랜지스터(M3)의 게이트와 전기적으로 접속된다. 트랜지스터(M2)는 게이트가 배선(RES)과 전기적으로 접속되고, 소스 및 드레인 중 다른 쪽이 배선(V2)과 전기적으로 접속된다. 트랜지스터(M3)는 소스 및 드레인 중 한쪽이 배선(V3)과 전기적으로 접속되고, 소스 및 드레인 중 다른 쪽이 트랜지스터(M4)의 소스 및 드레인 중 한쪽과 전기적으로 접속된다. 트랜지스터(M4)는 게이트가 배선(SE)과 전기적으로 접속되고, 소스 및 드레인 중 다른 쪽이 배선(OUT1)과 전기적으로 접속된다.
배선(V1), 배선(V2), 및 배선(V3)에는 각각 정전위가 공급된다. 수광 디바이스(PD)를 역바이어스로 구동시키는 경우에는, 배선(V2)에 배선(V1)의 전위보다 낮은 전위를 공급한다. 트랜지스터(M2)는 배선(RES)에 공급되는 신호에 의하여 제어되고, 트랜지스터(M3)의 게이트에 접속되는 노드의 전위를 배선(V2)에 공급되는 전위로 리셋하는 기능을 갖는다. 트랜지스터(M1)는 배선(TX)에 공급되는 신호에 의하여 제어되고, 수광 디바이스(PD)에 발생한 전하에 따라 상기 노드의 전위를 변화시키는 타이밍을 제어하는 기능을 갖는다. 트랜지스터(M3)는 상기 노드의 전위에 따른 출력을 수행하는 증폭 트랜지스터로서 기능한다. 트랜지스터(M4)는 배선(SE)에 공급되는 신호에 의하여 제어되고, 상기 노드의 전위에 따른 출력을 배선(OUT1)과 접속되는 외부 회로로 판독하기 위한 선택 트랜지스터로서 기능한다.
도 18의 (B)에 나타낸 제 2 화소 회로(PIX2)는 발광 디바이스(EL), 트랜지스터(M5), 트랜지스터(M6), 트랜지스터(M7), 및 용량 소자(C2)를 갖는다. 여기서는 발광 디바이스(EL)로서 발광 다이오드를 사용한 예를 나타내었다. 특히 발광 디바이스(EL)로서 유기 EL 디바이스를 사용하는 것이 바람직하다.
트랜지스터(M5)는 게이트가 배선(VG)과 전기적으로 접속되고, 소스 및 드레인 중 한쪽이 배선(VS)과 전기적으로 접속되고, 소스 및 드레인 중 다른 쪽이 용량 소자(C2)의 한쪽 전극 및 트랜지스터(M6)의 게이트와 전기적으로 접속된다. 트랜지스터(M6)의 소스 및 드레인 중 한쪽은 배선(V4)과 전기적으로 접속되고, 다른 쪽은 발광 디바이스(EL)의 애노드, 그리고 트랜지스터(M7)의 소스 및 드레인 중 한쪽과 전기적으로 접속된다. 트랜지스터(M7)는 게이트가 배선(MS)과 전기적으로 접속되고, 소스 및 드레인 중 다른 쪽이 배선(OUT2)과 전기적으로 접속된다. 발광 디바이스(EL)의 캐소드는 배선(V5)과 전기적으로 접속된다.
배선(V4) 및 배선(V5)에는 각각 정전위가 공급된다. 발광 디바이스(EL)의 애노드 측을 고전위로 하고, 캐소드 측을 애노드 측보다 저전위로 할 수 있다. 트랜지스터(M5)는 배선(VG)에 공급되는 신호에 의하여 제어되고, 제 2 화소 회로(PIX2)의 선택 상태를 제어하기 위한 선택 트랜지스터로서 기능한다. 또한, 트랜지스터(M6)는 게이트에 공급되는 전위에 따라 발광 디바이스(EL)를 흐르는 전류를 제어하는 구동 트랜지스터로서 기능한다. 트랜지스터(M5)가 도통 상태일 때 배선(VS)에 공급되는 전위가 트랜지스터(M6)의 게이트에 공급되고, 그 전위에 따라 발광 디바이스(EL)의 발광 휘도를 제어할 수 있다. 트랜지스터(M7)는 배선(MS)에 공급되는 신호에 의하여 제어되고, 트랜지스터(M6)와 발광 디바이스(EL) 사이의 전위를 배선(OUT2)을 통하여 외부에 출력하는 기능을 갖는다.
수광 디바이스(PD)의 캐소드가 전기적으로 접속되는 배선(V1)과 발광 디바이스(EL)의 캐소드가 전기적으로 접속되는 배선(V5)은 동일한 층 및 동일한 전위로 할 수 있다.
여기서 제 1 화소 회로(PIX1)가 갖는 트랜지스터(M1), 트랜지스터(M2), 트랜지스터(M3), 및 트랜지스터(M4), 그리고 제 2 화소 회로(PIX2)가 갖는 트랜지스터(M5), 트랜지스터(M6), 및 트랜지스터(M7) 모두에, 채널이 형성되는 반도체층에 금속 산화물(산화물 반도체)을 사용한 트랜지스터를 적용하는 것이 바람직하다. 이로써, 표시 장치의 소비 전력을 삭감할 수 있다.
또는, 트랜지스터(M1) 내지 트랜지스터(M7) 모두에, 채널이 형성되는 반도체층에 실리콘을 사용한 트랜지스터를 적용하는 것이 바람직하다. 이로써, 회로의 고속 구동이 가능해진다.
표시 장치에 사용하는 트랜지스터의 종류를 1종류로 함으로써, 표시 장치의 제작 공정을 삭감하여, 수율을 높일 수 있다.
또는, 트랜지스터(M1) 내지 트랜지스터(M7) 중 하나 이상 6개 이하의 트랜지스터에 산화물 반도체를 사용한 트랜지스터를 적용하고, 나머지 트랜지스터에 실리콘을 사용한 트랜지스터를 적용하여도 좋다. 이하에서는, 산화물 반도체를 사용한 트랜지스터와 저온 폴리실리콘을 사용한 트랜지스터 양쪽을 사용하는 경우에 대하여 설명한다.
제 1 화소 회로(PIX1)가 갖는 트랜지스터(M1 및 M2)에는 각각 채널이 형성되는 반도체층에 산화물 반도체를 사용한 트랜지스터를 적용하는 것이 바람직하다.
트랜지스터(M1 및 M2)의 반도체층은 예를 들어 인듐과, M(M은 갈륨, 알루미늄, 실리콘, 붕소, 이트륨, 주석, 구리, 바나듐, 베릴륨, 타이타늄, 철, 니켈, 저마늄, 지르코늄, 몰리브데넘, 란타넘, 세륨, 네오디뮴, 하프늄, 탄탈럼, 텅스텐, 및 마그네슘 중에서 선택된 1종류 또는 복수 종류)과, 아연을 각각 갖는 것이 바람직하다. 특히 M은 알루미늄, 갈륨, 이트륨, 및 주석 중에서 선택된 1종류 또는 복수 종류인 것이 바람직하다.
특히 반도체층으로서 인듐(In), 갈륨(Ga), 및 아연(Zn)을 포함하는 산화물(IGZO라고도 기재함)을 사용하는 것이 바람직하다.
반도체층에 사용할 수 있는 금속 산화물에 대해서는 실시형태 1의 기재를 참조할 수 있다.
실리콘보다 밴드 갭이 넓고 캐리어 밀도가 낮은 산화물 반도체를 사용한 트랜지스터는 매우 낮은 오프 전류를 실현할 수 있다. 그러므로, 오프 전류가 낮기 때문에 트랜지스터와 직렬로 접속된 용량 소자에 축적된 전하가 장기간에 걸쳐 유지될 수 있다. 그러므로, 특히 용량 소자(C1)와 직렬로 접속되는 트랜지스터(M1 및 M2)에는 각각 산화물 반도체가 적용된 트랜지스터를 사용하는 것이 바람직하다. 트랜지스터(M1 및 M2)로서 산화물 반도체를 갖는 트랜지스터를 적용함으로써, 수광 디바이스(PD)에 발생한 전하를 바탕으로 트랜지스터(M3)의 게이트에 유지되는 전위가 트랜지스터(M1) 또는 트랜지스터(M2)를 통하여 누설되는 것을 방지할 수 있다.
예를 들어, 글로벌 셔터 방식을 사용하여 촬상하는 경우, 화소에 따라 전하의 축적 동작이 종료되고 나서 판독 동작이 시작될 때까지의 기간(전하 유지 기간)이 상이하다. 계조 수가 획일적인 화상을 촬상하면, 이상적으로는 모든 화소에서 같은 높이의 전위를 갖는 출력 신호가 얻어진다. 그러나, 전하 유지 기간의 길이가 행마다 상이한 경우, 각 행의 화소의 노드에 축적된 전하가 시간 경과에 따라 누설되면, 화소의 출력 신호의 전위가 행마다 달라지고, 행마다 그 계조 수가 변화된 화상 데이터가 얻어진다. 그래서, 트랜지스터(M1 및 M2)로서 산화물 반도체를 갖는 트랜지스터를 적용함으로써 노드의 전위 변화를 작게 할 수 있다. 즉, 글로벌 셔터 방식을 사용한 촬상을 수행하여도, 전하 유지 기간이 상이한 것에 기인하는 화상 데이터의 계조 변화를 작게 억제하고, 촬상된 화상의 품질을 향상시킬 수 있다.
한편으로, 제 1 화소 회로(PIX1)가 갖는 트랜지스터(M3)에는 반도체층에 저온 폴리실리콘을 사용한 트랜지스터를 적용하는 것이 바람직하다. 저온 폴리실리콘을 반도체층에 사용한 트랜지스터는 산화물 반도체를 사용한 트랜지스터보다 높은 전계 효과 이동도를 실현할 수 있어, 구동 능력 및 전류 능력이 우수하다. 그러므로, 트랜지스터(M3)는 트랜지스터(M1 및 M2)와 비교하여 더 빠른 동작이 가능해진다. 트랜지스터(M3)의 반도체층에 저온 폴리실리콘을 사용함으로써, 수광 디바이스(PD)의 수광량에 기초한 미소한 전위에 따른 출력을 트랜지스터(M4)에 대하여 재빠르게 수행할 수 있다.
즉, 제 1 화소 회로(PIX1)에서 트랜지스터(M1 및 M2)는 누설 전류가 적고 트랜지스터(M3)는 구동 능력이 높기 때문에, 수광 디바이스(PD)로부터 판독되는 미소한 전위를 누설하지 않고 또한 판독을 고속으로 수행할 수 있다.
제 1 화소 회로(PIX1)가 갖는 트랜지스터(M4)는 트랜지스터(M3)로부터의 출력을 배선(OUT1)에 흘리는 스위치로서 기능하기 때문에, 트랜지스터(M1) 내지 트랜지스터(M3)와 달리, 작은 오프 전류 및 고속 동작 등은 반드시 요구되지는 않는다. 그러므로, 트랜지스터(M4)의 반도체층은 저온 폴리실리콘이어도 좋고, 산화물 반도체이어도 좋다.
또한, 도 18의 (B)의 제 2 화소 회로(PIX2)에서는, 트랜지스터(M5) 내지 트랜지스터(M7)에, 채널이 형성되는 반도체에 저온 폴리실리콘을 적용한 트랜지스터를 사용할 수도 있고, 산화물 반도체를 적용한 트랜지스터를 사용할 수도 있다. 또한, 제 1 화소 회로(PIX1)와 같이, 저온 폴리실리콘을 반도체층으로서 사용한 트랜지스터와, 산화물 반도체를 반도체층으로서 사용한 트랜지스터를 조합하여 사용하여도 좋다.
특히, 용량 소자(C2)와 직렬로 접속되는 트랜지스터(M5)에는 산화물 반도체가 적용된 트랜지스터를 사용하는 것이 바람직하다.
또한, 도 18의 (A), (B)에서, 트랜지스터를 n채널형 트랜지스터로서 표기하였지만, p채널형 트랜지스터를 사용할 수도 있다. 또한, 트랜지스터는 싱글 게이트에 한정되지 않고, 백 게이트를 더 가져도 좋다.
제 1 화소 회로(PIX1)가 갖는 트랜지스터와 제 2 화소 회로(PIX2)가 갖는 트랜지스터는 동일한 기판 위에 나란히 형성되는 것이 바람직하다. 특히, 제 1 화소 회로(PIX1)가 갖는 트랜지스터와 제 2 화소 회로(PIX2)가 갖는 트랜지스터를 하나의 영역 내에 혼재시켜 주기적으로 배열하는 구성으로 하는 것이 바람직하다.
또한, 수광 디바이스(PD) 또는 발광 디바이스(EL)와 중첩되는 위치에 트랜지스터 및 용량 중 한쪽 또는 양쪽을 갖는 층을 하나 또는 복수로 제공하는 것이 바람직하다. 이로써, 각 화소 회로의 실효적인 점유 면적을 작게 할 수 있고, 고정세(高精細)의 수광부 또는 표시부를 실현할 수 있다.
[표시 장치의 구성예]
다음으로, 표시 장치의 구성예에 대하여 도 19를 사용하여 설명한다.
도 19의 (A)의 표시부(PIX)에는 실시형태 1에서 설명한 표시부를 적용할 수 있다. 표시부(PIX)에는 화소가 매트릭스상으로 배치되어 있고, 도 18의 (A)의 제 1 화소 회로(PIX1) 및 도 18의 (B)의 제 2 화소 회로(PIX2)가 매트릭스상으로 배치된다. 게이트 드라이버(GD) 및 소스 드라이버(SD)는 도 18의 (B)의 제 2 화소 회로(PIX2)와 전기적으로 접속되고, 제 2 화소 회로(PIX2)에 신호를 공급한다. 행 선택 드라이버(RD) 및 판독 회로(ROC)는 도 18의 (A)의 제 1 화소 회로(PIX1)와 전기적으로 접속되고, 제 1 화소 회로(PIX1)에 신호를 공급한다. 행 선택 드라이버(RD)는 도 18의 (A)의 제 1 화소 회로(PIX1)의 배선(SE) 및 배선(RES)과 전기적으로 접속된다. 판독 회로(ROC)는 배선(OUT1)과 전기적으로 접속된다.
행 선택 드라이버(RD)와 판독 회로(ROC)는 컨트롤러(Controller)에 의하여 제어된다. 또한, 후술하는 아날로그-디지털 변환 회로(ADC)도 동일한 컨트롤러에 의하여 제어된다.
도 19의 (A)에 도시된 표시부(PIX)는 저온 폴리실리콘을 반도체층으로서 사용한 트랜지스터와, 금속 산화물을 반도체층으로서 사용한 트랜지스터를 갖는다.
한편으로, 도 19의 (A)의 표시부(PIX)의 주위에 제공된 회로에 대해서는, 작은 오프 전류 특성보다 고속 구동이 요구된다. 그러므로, 저온 폴리실리콘을 사용한 트랜지스터로 구성되는 것이 바람직하다. 또한, 저온 폴리실리콘을 사용한 트랜지스터이면, p형 트랜지스터 및 n형 트랜지스터 양쪽을 일련의 제작 공정에 의하여 제작할 수 있기 때문에, CMOS를 제작할 수 있다. 따라서, 특히 판독 회로(ROC)와 전기적으로 접속되는 증폭 회로(AMP), 증폭 회로(AMP)와 전기적으로 접속되는 아날로그-디지털 변환 회로(ADC), 및 컨트롤러는 각각 CMOS로 구성되는 것이 바람직하기 때문에, 저온 폴리실리콘을 사용한 트랜지스터로 형성하는 것이 바람직하다.
즉, 표시부(PIX), 게이트 드라이버(GD), 소스 드라이버(SD), 행 선택 드라이버(RD), 판독 회로(ROC)에 더하여, 증폭 회로(AMP), 아날로그-디지털 변환 회로(ADC), 및 컨트롤러도 일련의 제작 공정에 의하여 모두 동일한 기판 위에 형성할 수 있다. 아날로그-디지털 변환 회로(ADC)로부터는 디지털 신호(Digital Signal)가 출력된다.
도 19의 (B)에는 표시부(PIX), 게이트 드라이버(GD), 소스 드라이버(SD), 행 선택 드라이버(RD), 판독 회로(ROC) 모두를 채널에 금속 산화물을 사용한 트랜지스터로 형성한 경우의 패널의 예를 도시하였다. 판독 회로(ROC)로부터는 아날로그 신호(Analog Signal)가 출력된다. 금속 산화물을 채널에 사용한 트랜지스터의 경우, n형 트랜지스터와 p형 트랜지스터 양쪽을 같은 반도체 재료로 형성하는 것은 실리콘을 사용한 트랜지스터의 경우와 비교하여 어렵다. 즉, 실리콘을 사용한 트랜지스터의 경우와 비교하여 CMOS를 제작하기 어렵다. 그러므로, CMOS로 구성되는 것이 바람직한 증폭 회로(AMP), 아날로그-디지털 변환 회로(ADC), 및 컨트롤러를 표시부(PIX)와 동일한 기판 위에 제공하지 않고, 별도로 제작한 IC 칩 등을 접속함으로써, 증폭 회로(AMP) 및 아날로그-디지털 변환 회로(ADC)를 제공하는 것이 바람직하다.
도 19의 (A)와 같이, 저온 폴리실리콘을 사용한 트랜지스터로 표시부(PIX)의 주변 회로 모두를 구성함으로써, 도 19의 (B)의 구성과 비교하여 저렴하게 패널을 제공할 수 있다. 도 19의 (B)와 같이 외부의 IC 칩을 사용함으로써, 증폭 회로(AMP), 아날로그-디지털 변환 회로(ADC), 및 컨트롤러를 준비하는 경우와 비교하여, 부품 비용 및 실장 비용을 삭감할 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 일 형태의 표시 장치는 반도체층에 저온 폴리실리콘을 사용한 트랜지스터를 갖는다. 따라서, CMOS 회로로 구성되는 각종 회로를 표시부와 동일한 기판에 제공하는 것이 용이해진다. 이로써, 표시 장치에 실장되는 외부 회로를 간략화할 수 있어, 부품 비용, 실장 비용을 삭감할 수 있다. 또는, 본 발명의 일 형태의 표시 장치는 반도체층에 산화물 반도체를 사용한 트랜지스터를 갖는다. 이로써, 표시 장치의 소비 전력을 저감할 수 있다.
또는, 본 발명의 일 형태의 표시 장치는 반도체층에 산화물 반도체를 사용한 트랜지스터와, 반도체층에 저온 폴리실리콘을 사용한 트랜지스터의 2종류의 트랜지스터를 갖는다. 따라서, 트랜지스터에 요구되는 기능에 따라, 반도체층의 재료를 변경할 수 있다. 또한, LTPS를 반도체층에 사용하는 트랜지스터를 갖기 때문에, CMOS 회로로 구성되는 각종 회로를 표시부와 동일한 기판에 제공하는 것이 용이해진다. 이로써, 표시 장치에 실장되는 외부 회로를 간략화할 수 있어, 부품 비용, 실장 비용을 삭감할 수 있다.
본 실시형태는 다른 실시형태와 적절히 조합할 수 있다.
(실시형태 3)
본 실시형태에서는 본 발명의 일 형태의 전자 기기에 대하여 도 20 내지 도 22를 사용하여 설명한다.
본 실시형태의 전자 기기는 본 발명의 일 형태의 표시 장치를 갖는다. 예를 들어, 전자 기기의 표시부에 본 발명의 일 형태의 표시 장치를 적용할 수 있다. 본 발명의 일 형태의 표시 장치는 광을 검출하는 기능을 갖기 때문에, 표시부에서 생체 인증을 수행하거나, 또는 터치 또는 니어 터치를 검출할 수 있다. 이로써, 전자 기기의 기능성이나 편리성 등을 높일 수 있다.
전자 기기로서는, 예를 들어 텔레비전 장치, 데스크톱형 또는 노트북형 퍼스널 컴퓨터, 컴퓨터용 등의 모니터, 디지털 사이니지, 파칭코기 등의 대형 게임기 등 비교적 큰 화면을 갖는 전자 기기 이외에, 디지털 카메라, 디지털 비디오 카메라, 디지털 액자, 휴대 전화기, 휴대용 게임기, 휴대 정보 단말기, 음향 재생 장치 등을 들 수 있다.
본 실시형태의 전자 기기는 센서(힘, 변위, 위치, 속도, 가속도, 각속도, 회전수, 거리, 광, 액체, 자기, 온도, 화학 물질, 음성, 시간, 경도, 전기장, 전류, 전압, 전력, 방사선, 유량, 습도, 경사도, 진동, 냄새, 또는 적외선을 측정하는 기능을 포함하는 것)를 가져도 좋다.
본 실시형태의 전자 기기는 다양한 기능을 가질 수 있다. 예를 들어, 다양한 정보(정지 화상, 동영상, 텍스트 화상 등)를 표시부에 표시하는 기능, 터치 패널 기능, 달력, 날짜 또는 시각 등을 표시하는 기능, 다양한 소프트웨어(프로그램)를 실행하는 기능, 무선 통신 기능, 기록 매체에 기록되는 프로그램 또는 데이터를 판독하는 기능 등을 가질 수 있다.
도 20의 (A)에 도시된 전자 기기(6500)는 스마트폰으로서 사용할 수 있는 휴대 정보 단말기이다.
전자 기기(6500)는 하우징(6501), 표시부(6502), 전원 버튼(6503), 버튼(6504), 스피커(6505), 마이크로폰(6506), 카메라(6507), 및 광원(6508) 등을 갖는다. 표시부(6502)는 터치 패널 기능을 갖는다.
표시부(6502)에 본 발명의 일 형태의 표시 장치를 적용할 수 있다.
도 20의 (B)는 하우징(6501)의 마이크로폰(6506) 측의 단부를 포함한 단면 개략도이다.
하우징(6501)의 표시면 측에는 투과성을 갖는 보호 부재(6510)가 제공되고, 하우징(6501)과 보호 부재(6510)로 둘러싸인 공간 내에 표시 패널(6511), 광학 부재(6512), 터치 센서 패널(6513), 프린트 기판(6517), 배터리(6518) 등이 배치되어 있다.
보호 부재(6510)에는 표시 패널(6511), 광학 부재(6512), 및 터치 센서 패널(6513)이 접착층(미도시)에 의하여 고정되어 있다.
표시부(6502)보다 외측 영역에서 표시 패널(6511)의 일부가 접히고, 이 접힌 부분에 FPC(6515)가 접속되어 있다. FPC(6515)에는 IC(6516)가 실장되어 있다. FPC(6515)는 프린트 기판(6517)에 제공된 단자에 접속되어 있다.
표시 패널(6511)에는 본 발명의 일 형태의 플렉시블 디스플레이를 적용할 수 있다. 그러므로, 매우 가벼운 전자 기기를 실현할 수 있다. 또한, 표시 패널(6511)이 매우 얇기 때문에, 전자 기기의 두께를 억제하면서 대용량 배터리(6518)를 탑재할 수도 있다. 또한, 표시 패널(6511)의 일부를 접어 화소부의 이면 측에 FPC(6515)와의 접속부를 배치함으로써 슬림 베젤의 전자 기기를 실현할 수 있다.
도 21의 (A)에 텔레비전 장치의 일례를 도시하였다. 텔레비전 장치(7100)는 하우징(7101)에 표시부(7000)가 제공되어 있다. 여기서는 스탠드(7103)에 의하여 하우징(7101)을 지탱한 구성을 도시하였다.
표시부(7000)에 본 발명의 일 형태의 표시 장치를 적용할 수 있다.
도 21의 (A)에 도시된 텔레비전 장치(7100)는, 하우징(7101)이 갖는 조작 스위치나, 별체의 리모트 컨트롤러(7111)에 의하여 조작할 수 있다. 또는, 표시부(7000)에 터치 센서를 가져도 좋고, 손가락 등으로 표시부(7000)를 터치함으로써 텔레비전 장치(7100)를 조작하여도 좋다. 리모트 컨트롤러(7111)는 상기 리모트 컨트롤러(7111)로부터 출력되는 정보를 표시하는 표시부를 가져도 좋다. 리모트 컨트롤러(7111)의 조작 키 또는 터치 패널에 의하여 채널 및 음량을 조작할 수 있어, 표시부(7000)에 표시되는 영상을 조작할 수 있다.
또한, 텔레비전 장치(7100)는 수신기 및 모뎀 등을 갖는 구성으로 한다. 수신기에 의하여 일반적인 텔레비전 방송을 수신할 수 있다. 또한, 모뎀을 통하여 유선 또는 무선에 의하여 통신 네트워크에 접속함으로써, 한 방향(송신자로부터 수신자) 또는 쌍방향(송신자와 수신자 사이, 또는 수신자끼리 등)의 정보 통신을 수행할 수도 있다.
도 21의 (B)에 노트북형 퍼스널 컴퓨터의 일례를 도시하였다. 노트북형 퍼스널 컴퓨터(7200)는 하우징(7211), 키보드(7212), 포인팅 디바이스(7213), 외부 접속 포트(7214) 등을 갖는다. 하우징(7211)에 표시부(7000)가 제공되어 있다.
표시부(7000)에 본 발명의 일 형태의 표시 장치를 적용할 수 있다.
도 21의 (C), (D)에 디지털 사이니지의 일례를 도시하였다.
도 21의 (C)에 도시된 디지털 사이니지(7300)는 하우징(7301), 표시부(7000), 및 스피커(7303) 등을 갖는다. 또한, LED 램프, 조작 키(전원 스위치 또는 조작 스위치를 포함함), 접속 단자, 각종 센서, 마이크로폰 등을 가질 수 있다.
도 21의 (D)는 원기동 모양의 기둥(7401)에 제공된 디지털 사이니지(7400)이다. 디지털 사이니지(7400)는 기둥(7401)의 곡면을 따라 제공된 표시부(7000)를 갖는다.
도 21의 (C), (D)에서, 표시부(7000)에 본 발명의 일 형태의 표시 장치를 적용할 수 있다.
표시부(7000)가 넓을수록 한번에 제공할 수 있는 정보량을 늘릴 수 있다. 또한, 표시부(7000)가 넓을수록 사람의 눈에 띄기 쉽고, 예를 들어, 광고의 선전(宣傳) 효과를 높일 수 있다.
표시부(7000)에 터치 패널을 적용함으로써, 표시부(7000)에 화상 또는 동영상을 표시할 뿐만 아니라, 사용자가 직관적으로 조작할 수 있어 바람직하다. 또한, 노선 정보 또는 교통 정보 등의 정보를 제공하기 위한 용도로 사용하는 경우에는, 직관적인 조작에 의하여 사용성을 높일 수 있다.
또한, 도 21의 (C), (D)에 도시된 바와 같이, 디지털 사이니지(7300) 또는 디지털 사이니지(7400)는 사용자가 갖는 스마트폰 등의 정보 단말기(7311) 또는 정보 단말기(7411)와 무선 통신에 의하여 연계 가능한 것이 바람직하다. 예를 들어, 표시부(7000)에 표시되는 광고의 정보를 정보 단말기(7311) 또는 정보 단말기(7411)의 화면에 표시시킬 수 있다. 또한, 정보 단말기(7311) 또는 정보 단말기(7411)를 조작함으로써, 표시부(7000)의 표시를 전환할 수 있다.
또한, 디지털 사이니지(7300) 또는 디지털 사이니지(7400)에 정보 단말기(7311) 또는 정보 단말기(7411)의 화면을 조작 수단(컨트롤러)으로 한 게임을 실행시킬 수도 있다. 이로써, 불특정 다수의 사용자가 동시에 게임에 참가하여 즐길 수 있다.
도 22의 (A) 내지 (F)에 도시된 전자 기기는 하우징(9000), 표시부(9001), 스피커(9003), 조작 키(9005)(전원 스위치 또는 조작 스위치를 포함함), 접속 단자(9006), 센서(9007)(힘, 변위, 위치, 속도, 가속도, 각속도, 회전수, 거리, 광, 액체, 자기, 온도, 화학 물질, 음성, 시간, 경도, 전기장, 전류, 전압, 전력, 방사선, 유량, 습도, 경사도, 진동, 냄새, 또는 적외선을 측정하는 기능을 포함하는 것), 마이크로폰(9008) 등을 갖는다.
도 22의 (A) 내지 (F)에 도시된 전자 기기는 다양한 기능을 갖는다. 예를 들어, 다양한 정보(정지 화상, 동영상, 텍스트 화상 등)를 표시부에 표시하는 기능, 터치 패널 기능, 달력, 날짜, 또는 시각 등을 표시하는 기능, 다양한 소프트웨어(프로그램)에 의하여 처리를 제어하는 기능, 무선 통신 기능, 기록 매체에 기록되는 프로그램 또는 데이터를 판독하여 처리하는 기능 등을 가질 수 있다. 또한, 전자 기기의 기능은 이들에 한정되지 않고, 다양한 기능을 가질 수 있다. 전자 기기는 복수의 표시부를 가져도 좋다. 또한, 전자 기기는 카메라 등이 제공되고, 정지 화상이나 동영상을 촬영하고 기록 매체(외부 기록 매체 또는 카메라에 내장된 기록 매체)에 저장하는 기능, 촬영한 화상을 표시부에 표시하는 기능 등을 가져도 좋다.
도 22의 (A) 내지 (F)에 도시된 전자 기기의 자세한 사항에 대하여 이하에서 설명한다.
도 22의 (A)는 휴대 정보 단말기(9101)를 도시한 사시도이다. 휴대 정보 단말기(9101)는 예를 들어 스마트폰으로서 사용할 수 있다. 또한, 휴대 정보 단말기(9101)에는 스피커(9003), 접속 단자(9006), 센서(9007) 등을 제공하여도 좋다. 또한, 휴대 정보 단말기(9101)는 문자나 화상 정보를 그 복수의 면에 표시할 수 있다. 도 22의 (A)에는 3개의 아이콘(9050)을 표시한 예를 도시하였다. 또한, 파선의 직사각형으로 나타낸 정보(9051)를 표시부(9001)의 다른 면에 표시할 수도 있다. 정보(9051)의 일례로서는 전자 메일, SNS, 전화 등의 착신의 알림, 전자 메일이나 SNS 등의 제목, 송신자명, 일시, 시각, 배터리의 잔량, 안테나 수신의 강도 등이 있다. 또는 정보(9051)가 표시되는 위치에는 아이콘(9050) 등을 표시하여도 좋다.
도 22의 (B)는 휴대 정보 단말기(9102)를 도시한 사시도이다. 휴대 정보 단말기(9102)는 표시부(9001)의 3면 이상에 정보를 표시하는 기능을 갖는다. 여기서는 정보(9052), 정보(9053), 정보(9054)가 각각 상이한 면에 표시되어 있는 예를 나타내었다. 예를 들어, 사용자는 옷의 가슴 포켓에 휴대 정보 단말기(9102)를 수납한 상태에서, 휴대 정보 단말기(9102) 위쪽에서 볼 수 있는 위치에 표시된 정보(9053)를 확인할 수도 있다. 사용자는 휴대 정보 단말기(9102)를 포켓으로부터 꺼내지 않고 표시를 확인하고, 예를 들어 전화를 받을지 여부를 판단할 수 있다.
도 22의 (C)는 손목시계형 휴대 정보 단말기(9200)를 도시한 사시도이다. 휴대 정보 단말기(9200)는 예를 들어 스마트워치로서 사용할 수 있다. 또한, 표시부(9001)는 그 표시면이 만곡되어 제공되고, 만곡된 표시면을 따라 표시를 수행할 수 있다. 또한, 휴대 정보 단말기(9200)는 예를 들어 무선 통신이 가능한 헤드세트와 상호 통신함으로써 핸즈프리로 통화를 할 수도 있다. 또한, 휴대 정보 단말기(9200)는 접속 단자(9006)에 의하여 다른 정보 단말기와 상호로 데이터를 주고받거나 충전할 수도 있다. 또한, 충전 동작은 무선 급전에 의하여 수행하여도 좋다.
도 22의 (D) 내지 (F)는 접을 수 있는 휴대 정보 단말기(9201)를 도시한 사시도이다. 또한, 도 22의 (D)는 휴대 정보 단말기(9201)를 펼친 상태의 사시도이고, 도 22의 (F)는 접은 상태의 사시도이고, 도 22의 (E)는 도 22의 (D) 및 (F) 중 한쪽으로부터 다른 쪽으로 변화되는 도중의 상태의 사시도이다. 휴대 정보 단말기(9201)는 접은 상태에서는 가반성이 우수하고, 펼친 상태에서는 이음매가 없고 넓은 표시 영역에 의하여 표시의 일람성이 우수하다. 휴대 정보 단말기(9201)가 갖는 표시부(9001)는 힌지(9055)에 의하여 연결된 3개의 하우징(9000)으로 지지되어 있다. 예를 들어, 표시부(9001)는 곡률 반경 0.1mm 이상 150mm 이하로 구부릴 수 있다.
본 실시형태는 다른 실시형태와 적절히 조합할 수 있다.
C1: 용량 소자, C2: 용량 소자, L1: 최단 거리, L2: 최단 거리, L3: 두께, L4: 합계, M1: 트랜지스터, M2: 트랜지스터, M3: 트랜지스터, M4: 트랜지스터, M5: 트랜지스터, M6: 트랜지스터, M7: 트랜지스터, OUT1: 배선, OUT2: 배선, PIX1: 화소 회로, PIX2: 화소 회로, V1: 배선, V2: 배선, V3: 배선, V4: 배선, V5: 배선, 10: 표시 장치, 10A: 표시 장치, 10B: 표시 장치, 10C: 표시 장치, 10D: 표시 장치, 10E: 표시 장치, 10F: 표시 장치, 10G: 표시 장치, 10H: 표시 장치, 10J: 표시 장치, 10K: 표시 장치, 10L: 표시 장치, 10M: 표시 장치, 10N: 표시 장치, 10P: 표시 장치, 10Q: 표시 장치, 21: 발광, 21B: 광, 21G: 광, 21R: 광, 22: 광, 23: 광, 23a: 미광, 23b: 미광, 23c: 미광, 23d: 미광, 24: 반사광, 41: 트랜지스터, 42: 트랜지스터, 42B: 트랜지스터, 42G: 트랜지스터, 42R: 트랜지스터, 50A: 표시 장치, 50B: 표시 장치, 51: 기판, 52: 손가락, 53: 수광 디바이스를 갖는 층, 55: 트랜지스터를 갖는 층, 57: 발광 디바이스를 갖는 층, 59:기판, 100A: 표시 장치, 100B: 표시 장치, 100C: 표시 장치, 110: 수광 디바이스, 112: 공통층, 113: 발광층, 114: 공통층, 115: 공통 전극, 116: 보호층, 116a: 무기 절연층, 116b: 유기 절연층, 116c: 무기 절연층, 142: 접착층, 143: 공간, 146: 렌즈 어레이, 149: 렌즈, 151: 기판, 152: 기판, 153: 기판, 154: 기판, 155: 접착층, 156: 접착층, 157: 절연층, 158: 차광층, 159: 수지층, 159p: 개구, 160: 공극, 162: 표시부, 164: 회로, 165: 배선, 166: 도전층, 167: 도전층, 168: 도전층, 169B: 도전층, 169G: 도전층, 169R: 도전층, 172: FPC, 173: IC, 181: 화소 전극, 182: 버퍼층, 183: 활성층, 184: 버퍼층, 190: 발광 디바이스, 190B: 발광 디바이스, 190G: 발광 디바이스, 190R: 발광 디바이스, 191: 화소 전극, 191B: 화소 전극, 191G: 화소 전극, 191R: 화소 전극, 192: 버퍼층, 193: 발광층, 193B: 발광층, 193G: 발광층, 193R: 발광층, 194: 버퍼층, 197: 광학 조정층, 197B: 광학 조정층, 197G: 광학 조정층, 201: 트랜지스터, 203: 트랜지스터, 204: 접속부, 205: 트랜지스터, 206: 트랜지스터, 207: 트랜지스터, 208: 트랜지스터, 209: 트랜지스터, 210: 트랜지스터, 211: 절연층, 212: 절연층, 213: 절연층, 214: 절연층, 214a: 절연층, 214b: 절연층, 215: 절연층, 216: 격벽, 217: 격벽, 219a: 차광층, 219b: 스페이서, 219c: 측벽, 220: 간격, 221: 도전층, 222a: 도전층, 222b: 도전층, 223: 도전층, 225: 절연층, 228: 영역, 230: 영역, 231: 반도체층, 231i: 채널 형성 영역, 231n: 저저항 영역, 242: 접속층, 6500: 전자 기기, 6501: 하우징, 6502: 표시부, 6503: 전원 버튼, 6504: 버튼, 6505: 스피커, 6506: 마이크로폰, 6507: 카메라, 6508: 광원, 6510: 보호 부재, 6511: 표시 패널, 6512: 광학 부재, 6513: 터치 센서 패널, 6515: FPC, 6516: IC, 6517: 프린트 기판, 6518: 배터리, 7000: 표시부, 7100: 텔레비전 장치, 7101: 하우징, 7103: 스탠드, 7111: 리모트 컨트롤러, 7200: 노트북형 퍼스널 컴퓨터, 7211: 하우징, 7212: 키보드, 7213: 포인팅 디바이스, 7214: 외부 접속 포트, 7300: 디지털 사이니지, 7301: 하우징, 7303: 스피커, 7311: 정보 단말기, 7400: 디지털 사이니지, 7401: 기둥, 7411: 정보 단말기, 9000: 하우징, 9001: 표시부, 9003: 스피커, 9005: 조작 키, 9006: 접속 단자, 9007: 센서, 9008: 마이크로폰, 9050: 아이콘, 9051: 정보, 9052: 정보, 9053: 정보, 9054: 정보, 9055: 힌지, 9101: 휴대 정보 단말기, 9102: 휴대 정보 단말기, 9200: 휴대 정보 단말기, 9201: 휴대 정보 단말기

Claims (16)

  1. 표시 장치로서,
    제 1 화소 회로 및 제 2 화소 회로를 갖고,
    상기 제 1 화소 회로는 수광 디바이스, 제 1 트랜지스터, 및 제 2 트랜지스터를 갖고,
    상기 제 2 화소 회로는 발광 디바이스를 갖고,
    상기 수광 디바이스는 제 1 화소 전극, 활성층, 및 공통 전극을 갖고,
    상기 발광 디바이스는 제 2 화소 전극, 발광층, 및 상기 공통 전극을 갖고,
    상기 활성층은 상기 제 1 화소 전극 위에 위치하고,
    상기 활성층은 제 1 유기 화합물을 갖고,
    상기 발광층은 상기 제 2 화소 전극 위에 위치하고,
    상기 발광층은 상기 제 1 유기 화합물과는 상이한 제 2 유기 화합물을 갖고,
    상기 공통 전극은 상기 활성층을 개재하여 상기 제 1 화소 전극과 중첩되는 부분과, 상기 발광층을 개재하여 상기 제 2 화소 전극과 중첩되는 부분을 갖고,
    상기 제 1 트랜지스터는 반도체층에 저온 폴리실리콘을 갖고,
    상기 제 2 트랜지스터는 반도체층에 금속 산화물을 갖는, 표시 장치.
  2. 표시 장치로서,
    제 1 화소 회로 및 제 2 화소 회로를 갖고,
    상기 제 1 화소 회로는 수광 디바이스, 제 1 트랜지스터, 및 제 2 트랜지스터를 갖고,
    상기 제 2 화소 회로는 발광 디바이스를 갖고,
    상기 수광 디바이스는 제 1 화소 전극, 공통층, 활성층, 및 공통 전극을 갖고,
    상기 발광 디바이스는 제 2 화소 전극, 상기 공통층, 발광층, 및 상기 공통 전극을 갖고,
    상기 활성층은 상기 제 1 화소 전극 위에 위치하고,
    상기 활성층은 제 1 유기 화합물을 갖고,
    상기 발광층은 상기 제 2 화소 전극 위에 위치하고,
    상기 발광층은 상기 제 1 유기 화합물과는 상이한 제 2 유기 화합물을 갖고,
    상기 공통 전극은 상기 활성층을 개재하여 상기 제 1 화소 전극과 중첩되는 부분과, 상기 발광층을 개재하여 상기 제 2 화소 전극과 중첩되는 부분을 갖고,
    상기 공통층은 상기 제 1 화소 전극 위 및 상기 제 2 화소 전극 위에 위치하고,
    상기 공통층은 상기 활성층과 중첩되는 부분과, 상기 발광층과 중첩되는 부분을 갖고,
    상기 제 1 트랜지스터는 반도체층에 저온 폴리실리콘을 갖고,
    상기 제 2 트랜지스터는 반도체층에 금속 산화물을 갖는, 표시 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 공통층은 상기 발광 디바이스의 정공 주입층으로서 기능하는 층을 갖는, 표시 장치.
  4. 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서,
    상기 공통층은 상기 발광 디바이스의 정공 수송층으로서 기능하는 층을 갖는, 표시 장치.
  5. 제 2 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 공통층은 상기 발광 디바이스의 전자 수송층으로서 기능하는 층을 갖는, 표시 장치.
  6. 제 2 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 공통층은 상기 발광 디바이스의 전자 주입층으로서 기능하는 층을 갖는, 표시 장치.
  7. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 2 화소 회로는 제 3 트랜지스터를 더 갖고,
    상기 제 3 트랜지스터는 반도체층에 저온 폴리실리콘을 갖는, 표시 장치.
  8. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 2 화소 회로는 제 3 트랜지스터를 더 갖고,
    상기 제 3 트랜지스터는 반도체층에 금속 산화물을 갖는, 표시 장치.
  9. 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
    수지층, 차광층, 및 기판을 더 갖고,
    상기 수지층 및 상기 차광층은 각각 상기 공통 전극과 상기 기판 사이에 위치하고,
    상기 수지층은 상기 수광 디바이스와 중첩되는 개구를 갖고,
    상기 수지층은 상기 발광 디바이스와 중첩되는 부분을 갖고,
    상기 차광층은 상기 공통 전극과 상기 수지층 사이에 위치하는 부분을 갖는, 표시 장치.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 차광층은 상기 개구의 적어도 일부, 및 상기 개구에서 노출된 상기 수지층의 측면의 적어도 일부를 덮는, 표시 장치.
  11. 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
    수지층, 차광층, 및 기판을 더 갖고,
    상기 수지층 및 상기 차광층은 각각 상기 공통 전극과 상기 기판 사이에 위치하고,
    상기 수지층은 섬 형상으로 제공되며, 상기 발광 디바이스와 중첩되는 부분을 갖고,
    상기 차광층은 상기 공통 전극과 상기 수지층 사이에 위치하는 부분을 갖고,
    상기 기판을 통과한 광의 적어도 일부는 상기 수지층을 통하지 않고 상기 수광 디바이스에 입사하는, 표시 장치.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 차광층은 상기 수지층의 측면의 적어도 일부를 덮는, 표시 장치.
  13. 제 9 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 있어서,
    접착층을 더 갖고,
    상기 접착층은 상기 공통 전극과 상기 기판 사이에 위치하고,
    상기 수지층 및 상기 차광층은 각각 상기 접착층과 상기 기판 사이에 위치하고,
    상기 접착층은 상기 수광 디바이스와 중첩되는 제 1 부분과, 상기 발광 디바이스와 중첩되는 제 2 부분을 갖고,
    상기 제 1 부분은 상기 제 2 부분과 비교하여 두꺼운, 표시 장치.
  14. 제 1 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 있어서,
    가요성을 갖는, 표시 장치.
  15. 표시 모듈로서,
    제 1 항 내지 제 14 항 중 어느 한 항에 기재된 표시 장치와,
    커넥터 또는 집적 회로를 갖는, 표시 모듈.
  16. 전자 기기로서,
    제 15 항에 기재된 표시 모듈과,
    안테나, 배터리, 하우징, 카메라, 스피커, 마이크로폰, 및 조작 버튼 중 적어도 하나를 갖는, 전자 기기.
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7493514B2 (ja) 2019-08-02 2024-05-31 株式会社半導体エネルギー研究所 機能パネル、表示装置、入出力装置、情報処理装置
TW202211195A (zh) 2020-08-12 2022-03-16 日商半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置、其工作方法以及電子裝置
CN115548224A (zh) * 2021-06-30 2022-12-30 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板及其制备方法、显示面板及显示装置

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014197522A (ja) 2012-05-09 2014-10-16 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置及び電子機器

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4911446B2 (ja) 2005-09-15 2012-04-04 富士フイルム株式会社 エリアセンサ、画像入力装置、およびそれを組み込んだ電子写真装置等
JP2009224595A (ja) * 2008-03-17 2009-10-01 Fujifilm Corp 有機電界発光表示装置及びその製造方法
JP5558446B2 (ja) * 2011-09-26 2014-07-23 株式会社東芝 光電変換装置及びその製造方法
JP6398226B2 (ja) * 2014-02-28 2018-10-03 セイコーエプソン株式会社 発光素子、発光装置、認証装置および電子機器
JP6331779B2 (ja) * 2014-07-02 2018-05-30 セイコーエプソン株式会社 発光素子、発光装置、認証装置および電子機器
CN104409475A (zh) * 2014-12-02 2015-03-11 京东方科技集团股份有限公司 一种有机电致发光显示器件、有机电致发光显示装置
TWI753890B (zh) 2016-03-24 2022-02-01 美商陶氏全球科技責任有限公司 光電子裝置及使用方法
JP7043733B2 (ja) * 2017-03-13 2022-03-30 セイコーエプソン株式会社 発光素子、発光装置、光源、認証装置および電子機器
WO2018167835A1 (ja) 2017-03-14 2018-09-20 シャープ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス表示装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014197522A (ja) 2012-05-09 2014-10-16 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置及び電子機器

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