KR20210157224A - Apparatus and method for detecting fault - Google Patents

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KR20210157224A
KR20210157224A KR1020200075255A KR20200075255A KR20210157224A KR 20210157224 A KR20210157224 A KR 20210157224A KR 1020200075255 A KR1020200075255 A KR 1020200075255A KR 20200075255 A KR20200075255 A KR 20200075255A KR 20210157224 A KR20210157224 A KR 20210157224A
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KR
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eddy current
factor
peak
group
control unit
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Application number
KR1020200075255A
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조필성
이용구
공창선
김선민
박수민
이규황
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주식회사 엘지에너지솔루션
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Abstract

An apparatus for detecting a fault according to an embodiment of the present invention comprises: a measurement unit configured to measure an eddy current for each position in a measurement section from a first position to a second position with respect to multiple objects under inspection; and a control unit configured to receive an eddy current measurement value for each position with respect to each of the multiple objects under inspection from the measurement unit, generate multiple eddy current profiles representing corresponding relations between eddy current measurement positions and eddy current measurement values based on the received eddy current measurement value for each position, extract multiple property values corresponding to multiple factors from the generated multiple eddy current profiles, generate multiple factor groups according to combination of the multiple factors, determine an estimation state of each of the multiple objects under inspection by using a corresponding property value and a preset classification model for each of the generated multiple factor groups, determine fault detection performance on the multiple objects under inspection for each of the multiple factor groups on the basis of determined multiple estimation states and preset reference states for each of the multiple objects under inspection, and set any one among the multiple factor groups as a reference factor group for the multiple objects under inspection on the basis of the fault detection performance determined for each of the factor groups. The present invention can enhance accuracy and reliability in detecting a fault of the object under inspection.

Description

결함 검출 장치 및 방법{APPARATUS AND METHOD FOR DETECTING FAULT}Fault detection apparatus and method {APPARATUS AND METHOD FOR DETECTING FAULT}

본 발명은 결함 검출 장치 및 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 와전류를 이용하여 비파괴적으로 피검사체의 결함을 검출하기 위한 장치 및 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an apparatus and method for detecting a defect, and more particularly, to an apparatus and method for non-destructively detecting a defect in an object using an eddy current.

일반적으로, 검사 장치는 제품의 품질을 판단하기 위해 제품으로부터 관심 특성을 측정하고, 측정된 관심 특성을 지표로 활용하여 불량 제품을 선별한다. 이 경우, 검사 장치의 검사 성능은 관심 특성을 얼마나 정확하게 측정할 수 있는지에 달려있다.In general, an inspection apparatus measures a characteristic of interest from a product to determine the quality of the product, and selects a defective product by using the measured characteristic of interest as an index. In this case, the inspection performance of the inspection device depends on how accurately the characteristic of interest can be measured.

또한, 검사 장치가 관심 특성을 정확하게 측정하더라도, 단일 특성만으로는 제품의 품질을 명확하게 구분되지 않는 문제가 있다. 예컨대, 측정된 단일 특성값이 기준값의 경계 근처의 값인 경우, 실제로는 정상인 제품을 불량품으로 분류하거나, 실제로는 불량인 제품은 정상 제품으로 분류하는 문제가 발생되고 있다.In addition, even if the inspection device accurately measures the characteristic of interest, there is a problem in that the quality of the product is not clearly distinguished only by the single characteristic. For example, when a measured single characteristic value is a value near the boundary of a reference value, a problem of classifying a product that is actually normal as a defective product or classifying a product that is actually defective as a normal product occurs.

이러한 문제를 해결하기 위해서 검사 장치에 설정된 측정 조건을 조정하더라도, 단일 지표만을 이용하여 제품의 품질을 판단하는 데에는 한계가 있다. 제품의 품질은 복합적인 지표를 토대로 평가될 수 있는 것인데, 단일 지표만을 이용하여 제품의 품질을 판단하게 되면, 나머지 지표들은 전혀 고려하지 않은 채로 제품의 품질이 판단되기 때문이다.In order to solve this problem, even if the measurement conditions set in the inspection device are adjusted, there is a limit in judging the quality of a product using only a single index. This is because the quality of a product can be evaluated based on multiple indicators, and when the quality of a product is judged using only a single indicator, the quality of the product is judged without considering the other indicators at all.

단일 지표만을 이용하여 제품의 품질 또는 성능을 검사할 때 발생될 수 있는 문제를 해결하기 위하여, 적어도 2개의 지표를 이용하여 제품의 품질 또는 성능을 검사할 수 있는 기술의 개발이 필요하다.In order to solve a problem that may occur when inspecting the quality or performance of a product using only a single indicator, it is necessary to develop a technology capable of inspecting the quality or performance of a product using at least two indicators.

본 발명은, 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로서, 복수의 인자 그룹을 이용하여 피검사체의 결함을 검출하는 결함 검출 장치 및 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. The present invention has been devised to solve the above problems, and an object of the present invention is to provide a defect detection apparatus and method for detecting a defect in a subject by using a plurality of factor groups.

본 발명의 다른 목적 및 장점들은 하기의 설명에 의해서 이해될 수 있으며, 본 발명의 실시예에 의해 보다 분명하게 알게 될 것이다. 또한, 본 발명의 목적 및 장점들은 특허청구범위에 나타난 수단 및 그 조합에 의해 실현될 수 있음을 쉽게 알 수 있을 것이다.Other objects and advantages of the present invention may be understood by the following description, and will become more clearly understood by the examples of the present invention. In addition, it will be readily apparent that the objects and advantages of the present invention can be realized by means and combinations thereof indicated in the claims.

본 발명의 일 측면에 따른 결함 검출 장치는 복수의 피검사체 대하여, 제1 위치부터 제2 위치까지의 측정 구간에서 위치별 와전류를 측정하도록 구성된 측정부; 및 상기 측정부로부터 상기 복수의 피검사체 각각에 대한 위치별 와전류 측정값을 수신하고, 수신한 위치별 와전류 측정값에 기반하여 와전류 측정 위치와 와전류 측정값의 대응 관계를 나타내는 복수의 와전류 프로파일을 생성하며, 생성된 복수의 와전류 프로파일에서 복수의 인자에 대응되는 복수의 특징값을 추출하고, 상기 복수의 인자의 조합에 따라 복수의 인자 그룹을 생성하며, 생성된 복수의 인자 그룹 각각마다, 대응되는 특징값 및 미리 설정된 분류 모델을 이용하여 상기 복수의 피검사체 각각의 예측 상태를 결정하고, 결정된 복수의 예측 상태와 상기 복수의 피검사체 각각에 대해 미리 설정된 참조 상태에 기반하여, 상기 복수의 인자 그룹마다 상기 복수의 피검사체에 대한 결함 검출 성능을 판단하며, 상기 복수의 인자 그룹마다 판단된 결함 검출 성능에 기반하여 상기 복수의 인자 그룹 중 어느 하나를 상기 복수의 피검사체에 대한 기준 인자 그룹으로 설정하도록 구성된 제어부를 포함할 수 있다.A defect detection apparatus according to an aspect of the present invention includes: a measuring unit configured to measure an eddy current for each position in a measurement section from a first position to a second position with respect to a plurality of inspected objects; and receiving eddy current measurement values for each position of each of the plurality of inspected objects from the measurement unit, and generating a plurality of eddy current profiles indicating a corresponding relationship between eddy current measurement positions and eddy current measurement values based on the received eddy current measurement values for each position and extracting a plurality of feature values corresponding to a plurality of factors from the generated plurality of eddy current profiles, generating a plurality of factor groups according to a combination of the plurality of factors, and for each of the generated plurality of factor groups, corresponding The predicted state of each of the plurality of subjects is determined using a feature value and a preset classification model, and based on the determined plurality of predicted states and a preset reference state for each of the plurality of subjects, the plurality of factor groups Defect detection performance for the plurality of inspected objects is determined every time, and any one of the plurality of factor groups is set as a reference factor group for the plurality of inspected objects based on the determined defect detection performance for each of the plurality of factor groups It may include a control unit configured to do so.

상기 제어부는, 상기 복수의 피검사체 각각에 대해 상기 결정된 예측 상태와 상기 미리 설정된 참조 상태가 동일한지 여부를 판단하여, 상기 복수의 인자 그룹마다 상기 복수의 피검사체에 대한 상기 결함 검출 성능을 판단하기 위한 유출율 및 과검율을 산출하도록 구성될 수 있다.The control unit determines whether the determined predicted state and the preset reference state are the same for each of the plurality of inspected objects, and determines the defect detection performance for the plurality of inspected objects for each of the plurality of factor groups It may be configured to calculate an outflow rate and an overdetection rate for

상기 제어부는, 상기 복수의 인자 그룹 중 산출된 유출율이 가장 낮은 인자 그룹을 상기 복수의 피검사체에 대한 기준 인자 그룹으로 설정하도록 구성될 수 있다.The control unit may be configured to set a factor group having the lowest calculated outflow rate among the plurality of factor groups as a reference factor group for the plurality of subjects.

상기 제어부는, 상기 산출된 유출율이 가장 낮은 인자 그룹이 복수인 경우, 상기 산출된 유출율이 가장 낮은 복수의 인자 그룹 중 산출된 과검율이 가장 낮은 인자 그룹을 상기 복수의 피검사체에 대한 기준 인자 그룹으로 설정하도록 구성될 수 있다.When there are a plurality of factor groups having the lowest calculated outflow rate, the control unit sets the factor group having the lowest calculated overdetection rate among the plurality of factor groups having the lowest calculated outflow rate as a reference factor group for the plurality of subjects. can be configured to be set to .

상기 제어부는, 상기 분류 모델이 복수 구비된 경우, 복수의 분류 모델 각각에 대하여 상기 복수의 인자 그룹에 대한 상기 복수의 피검사체의 결함 검출 성능을 판단하고, 판단된 결함 검출 성능에 기반하여 상기 복수의 분류 모델 중 어느 하나를 기준 분류 모델로 설정함으로써, 상기 복수의 피검사체에 대한 상기 기준 인자 그룹 및 상기 기준 분류 모델을 설정하도록 구성될 수 있다.The control unit, when the plurality of classification models are provided, determines the defect detection performance of the plurality of objects to be inspected with respect to the plurality of factor groups for each of the plurality of classification models, and based on the determined defect detection performance, the plurality of classification models By setting any one of the classification models of , as the reference classification model, the reference factor group and the reference classification model for the plurality of subjects may be set.

상기 제어부는, 상기 복수의 피검사체를 학습용 피검사체와 검출용 피검사체로 분류하고, 상기 학습용 피검사체에 대해 추출된 복수의 특징값과 상기 학습용 피검사체에 대해 미리 설정된 참조 상태에 기반하여 상기 분류 모델을 학습시키며, 학습된 분류 모델, 상기 검출용 피검사체에 대해 추출된 복수의 특징값, 및 상기 검출용 피검사체에 대해 미리 설정된 참조 상태에 기반하여 상기 복수의 인자 그룹마다 상기 검출용 피검사체에 대한 상기 결함 검출 성능을 판단하기 위한 분류 정확도, 유출율, 및 과검율을 산출하도록 구성될 수 있다.The control unit classifies the plurality of subjects into a learning subject and a detection subject, and classifies the plurality of feature values extracted from the learning subject and a preset reference state for the learning subject. A model is trained, and the detection target for each of the plurality of factor groups based on the learned classification model, a plurality of feature values extracted with respect to the detection target, and a preset reference state for the detection target. and may be configured to calculate a classification accuracy, a leak rate, and an overdetection rate for determining the defect detection performance for .

상기 제어부는, 상기 검출용 피검사체 중 상기 학습된 분류 모델에 따라 판단된 예측 상태와 상기 미리 설정된 참조 상태가 동일한 피검사체의 비율을 상기 분류 정확도로 산출하도록 구성될 수 있다.The control unit may be configured to calculate, with the classification accuracy, a ratio of an object having the same predicted state and the preset reference state determined according to the learned classification model among the detection objects.

상기 제어부는, 상기 복수의 피검사체를 상기 학습용 피검사체가 속하는 학습용 그룹과 상기 검출용 피검사체가 속하는 검출용 그룹으로 분류하고, 분류된 검출용 그룹에 대한 상기 분류 정확도, 상기 유출율, 및 상기 과검율을 산출한 후, 상기 복수의 피검사체 각각이 적어도 한 번씩은 상기 검출용 그룹에 포함되도록 상기 복수의 피검사체를 재분류하며, 재분류된 검출용 그룹에 대한 상기 분류 정확도, 상기 유출율, 및 상기 과검율을 산출하도록 구성될 수 있다.The control unit classifies the plurality of subjects into a learning group to which the learning subject belongs and a detection group to which the detection subject belongs, and the classification accuracy for the classified detection group, the leakage rate, and the After calculating the inspection rate, the plurality of inspected objects are reclassified so that each of the plurality of inspected objects is included in the detection group at least once, and the classification accuracy for the reclassified detection group, the leakage rate, and It may be configured to calculate the overdetection rate.

상기 제어부는, 상기 복수의 인자 그룹마다 상기 검출용 그룹에 대해 산출된 분류 정확도의 평균 분류 정확도를 산출하고, 산출된 평균 분류 정확도가 큰 순서대로 소정 개수의 인자 그룹을 선택하며, 선택된 인자 그룹 중 산출된 최저 유출율이 가장 낮은 인자 그룹을 상기 복수의 피검사체에 대한 기준 인자 그룹으로 설정하도록 구성될 수 있다.The control unit calculates an average classification accuracy of the classification accuracy calculated for the detection group for each of the plurality of factor groups, selects a predetermined number of factor groups in the order of increasing the calculated average classification accuracy, and selects a predetermined number of factor groups from among the selected factor groups. It may be configured to set a factor group having the lowest calculated lowest leak rate as a reference factor group for the plurality of subjects.

상기 제어부는, 상기 최저 유출율이 가장 낮은 인자 그룹이 복수인 경우, 상기 최저 유출율이 가장 낮은 복수의 인자 그룹 중 산출된 최저 과검율이 가장 낮은 인자 그룹을 상기 복수의 피검사체에 대한 기준 인자 그룹으로 설정하도록 구성될 수 있다.The control unit, when the factor group having the lowest leakage rate is plural, the factor group having the lowest calculated lowest overdetection rate among the plurality of factor groups having the lowest leakage rate as a reference factor group for the plurality of subjects can be configured to set.

상기 제어부는, 상기 최저 과검율이 가장 낮은 인자 그룹이 복수인 경우, 상기 최저 과검율이 가장 낮은 복수의 인자 그룹 중 산출된 평균 분류 정확도가 가장 높은 인자 그룹을 상기 복수의 피검사체에 대한 기준 인자 그룹으로 설정하도록 구성될 수 있다.The control unit, when the factor group having the lowest overdetection rate is plural, selects the factor group having the highest calculated average classification accuracy from among the plurality of factor groups having the lowest lowest overcheck rate as a reference factor for the plurality of subjects It can be configured to set as a group.

상기 제어부는, 상기 생성된 와전류 프로파일에서 상기 측정 구간 중 일부 구간을 회귀식 적용 구간으로 설정하고, 상기 설정된 회귀식 적용 구간에서 상기 위치별 와전류 측정값에 대한 선형 회귀 모델을 설정하고, 상기 회귀식 적용 구간의 와전류 측정값의 평균, 상기 회귀식 적용 구간의 와전류 측정값의 표준편차, 상기 회귀식 적용 구간의 길이, 설정된 선형 회귀 모델의 기울기, 및 상기 회귀식 적용 구간의 와전류 측정값과 상기 설정된 선형 회귀 모델 간의 평균 제곱 오차 중 적어도 하나를 상기 특징값으로 추출하도록 구성될 수 있다.The control unit sets some sections of the measurement section in the generated eddy current profile as a regression formula application section, sets a linear regression model for the eddy current measurement value for each position in the set regression formula application section, and the regression formula The average of the eddy current measured values of the application section, the standard deviation of the eddy current measured values of the regression formula application section, the length of the regression formula application section, the slope of the set linear regression model, and the eddy current measured value of the regression formula application section and the set and extract at least one of mean square errors between linear regression models as the feature value.

상기 제어부는, 상기 복수의 와전류 프로파일 각각에서 복수의 피크를 결정하고, 상기 결정된 복수의 피크 중에서 상기 측정 위치가 상기 제1 위치에서 상기 제2 위치로 이동될수록 상기 와전류 측정값이 증가하는 구간에서 상단에 위치하는 상단 피크와 하단에 위치하는 하단 피크를 하나의 피크 쌍으로 결정하고, 결정된 복수의 피크 쌍 중에서 상기 하단 피크와 상기 상단 피크 간의 상기 와전류 측정값의 차이가 큰 순서에 따라 제1 피크 쌍, 제2 피크 쌍, 및 제3 피크 쌍을 결정하며, 상기 제3 피크 쌍을 상기 회귀식 적용 구간으로 설정하도록 구성될 수 있다.The control unit determines a plurality of peaks in each of the plurality of eddy current profiles, and as the measurement position moves from the first position to the second position among the determined plurality of peaks, the upper end of the section in which the eddy current measurement value increases The upper peak located at the lower end and the lower end peak located at the lower end are determined as one peak pair, and the difference between the eddy current measurement value between the lower end peak and the upper peak among the determined plurality of peak pairs is large in the order of the first pair of peaks , a second peak pair, and a third peak pair, and set the third peak pair as the regression expression application interval.

상기 제어부는, 상기 제1 피크 쌍의 상단 피크의 와전류 측정값, 상기 제1 피크 쌍의 상단 피크와 하단 피크 간의 와전류 측정 위치의 차이, 상기 제2 피크 쌍의 하단 피크의 와전류 측정값, 상기 제2 피크 쌍의 상단 피크와 하단 피크 간의 와전류 측정 위치의 차이, 및 상기 제1 피크 쌍의 상단 피크와 상기 제2 피크 쌍의 하단 피크 간의 와전류 측정 위치의 차이 중 적어도 하나를 상기 특징값으로 추출하도록 구성될 수 있다.The control unit, the eddy current measured value of the upper peak of the first pair of peaks, the difference between the eddy current measurement position between the upper and lower peaks of the first pair of peaks, the eddy current measured value of the lower peak of the second pair of peaks, the first To extract at least one of the difference in eddy current measurement positions between the upper peak and the lower peak of the two peak pairs, and the difference in eddy current measurement positions between the upper peak of the first pair of peaks and the lower peak of the second pair of peaks, as the feature value. can be configured.

본 발명의 다른 측면에 따른 결함 검출 방법은 복수의 피검사체 대하여, 제1 위치부터 제2 위치까지의 측정 구간에서 위치별 와전류를 측정하는 와전류 측정 단계; 상기 와전류 측정 단계에서 측정된 위치별 와전류 측정값에 기반하여 와전류 측정 위치와 와전류 측정값의 대응 관계를 나타내는 복수의 와전류 프로파일을 생성하는 와전류 프로파일 생성 단계; 생성된 복수의 와전류 프로파일에서 복수의 인자에 대응되는 복수의 특징값을 추출하는 특징값 추출 단계; 상기 복수의 인자의 조합에 따라 복수의 인자 그룹을 생성하고, 생성된 복수의 인자 그룹 각각마다, 대응되는 특징값 및 미리 설정된 분류 모델을 이용하여 상기 복수의 피검사체 각각의 예측 상태를 결정하는 예측 상태 결정 단계; 상기 예측 상태 결정 단계에서 결정된 복수의 예측 상태와 상기 복수의 피검사체 각각에 대해 미리 설정된 참조 상태에 기반하여, 상기 복수의 인자 그룹마다 상기 복수의 피검사체에 대한 결함 검출 성능을 판단하는 결함 검출 성능 판단 단계; 및 상기 복수의 인자 그룹마다 판단된 결함 검출 성능에 기반하여 상기 복수의 인자 그룹 중 어느 하나를 상기 복수의 피검사체에 대한 기준 인자 그룹으로 설정하는 기준 인자 그룹 설정 단계를 포함할 수 있다.A defect detection method according to another aspect of the present invention includes: an eddy current measuring step of measuring an eddy current for each position in a measurement section from a first position to a second position with respect to a plurality of inspected objects; an eddy current profile generation step of generating a plurality of eddy current profiles indicating a correspondence relationship between an eddy current measurement position and an eddy current measurement value based on the eddy current measurement value for each position measured in the eddy current measurement step; a feature value extraction step of extracting a plurality of feature values corresponding to a plurality of factors from the plurality of generated eddy current profiles; A prediction for generating a plurality of factor groups according to a combination of the plurality of factors, and determining the predicted state of each of the plurality of subjects by using a corresponding feature value and a preset classification model for each of the generated plurality of factor groups state determination step; Defect detection performance for determining defect detection performance for the plurality of inspected objects for each of the plurality of factor groups based on the plurality of predicted states determined in the predictive state determining step and preset reference states for each of the plurality of inspected objects judgment step; and a reference factor group setting step of setting any one of the plurality of factor groups as a reference factor group for the plurality of objects to be inspected based on the defect detection performance determined for each of the plurality of factor groups.

본 발명의 일 측면에 따르면, 피검사체의 결함을 검출하기 위한 최적의 기준 인자 그룹이 설정될 수 있는 장점이 있다. 또한, 본 발명의 일 측면에 따르면, 기준 인자 그룹에 따라 피검사체의 결함이 검출되기 때문에, 피검사체의 결함 검출에 대한 정확도 및 신뢰도가 향상될 수 있다.According to one aspect of the present invention, there is an advantage that an optimal reference factor group for detecting a defect in an object can be set. In addition, according to an aspect of the present invention, since the defect of the subject is detected according to the reference factor group, the accuracy and reliability of the defect detection of the subject may be improved.

본 발명의 효과들은 이상에서 언급한 효과들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 효과들은 청구범위의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.Effects of the present invention are not limited to the effects mentioned above, and other effects not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the description of the claims.

본 명세서에 첨부되는 다음의 도면들은 후술되는 발명의 상세한 설명과 함께 본 발명의 기술사상을 더욱 이해시키는 역할을 하는 것이므로, 본 발명은 그러한 도면에 기재된 사항에만 한정되어 해석되어서는 아니 된다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 결함 검출 장치를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 결함 검출 장치에 의해 생성된 와전류 프로파일을 개략적으로 도시한 도면이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 결함 검출 장치에 의해 추출되는 복수의 인자가 정의된 제1 테이블을 도시한 도면이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 결함 검출 장치에 의해 판단된 복수의 인자 그룹의 결함 검출 성능에 대한 제2 테이블을 개략적으로 도시한 도면이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 결함 검출 방법을 개략적으로 도시한 도면이다.
Since the following drawings attached to the present specification serve to further understand the technical spirit of the present invention together with the detailed description of the present invention to be described later, the present invention should not be construed as limited only to the matters described in such drawings.
1 is a diagram schematically illustrating a defect detection apparatus according to an embodiment of the present invention.
2 is a diagram schematically illustrating an eddy current profile generated by a defect detection apparatus according to an embodiment of the present invention.
3 is a diagram illustrating a first table in which a plurality of factors extracted by a defect detection apparatus according to an embodiment of the present invention are defined.
4 is a diagram schematically illustrating a second table for the defect detection performance of a plurality of factor groups determined by the defect detection apparatus according to an embodiment of the present invention.
5 is a diagram schematically illustrating a defect detection method according to another embodiment of the present invention.

본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이거나 사전적인 의미로 한정해서 해석되어서는 아니 되며, 발명자는 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야 한다. The terms or words used in the present specification and claims should not be construed as being limited to their ordinary or dictionary meanings, and the inventor may properly define the concept of the term in order to best describe his invention. Based on the principle that there is, it should be interpreted as meaning and concept consistent with the technical idea of the present invention.

따라서, 본 명세서에 기재된 실시예와 도면에 도시된 구성은 본 발명의 가장 바람직한 일 실시예에 불과할 뿐이고 본 발명의 기술적 사상을 모두 대변하는 것은 아니므로, 본 출원시점에 있어서 이들을 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형예들이 있을 수 있음을 이해하여야 한다. Accordingly, the embodiments described in this specification and the configurations shown in the drawings are only the most preferred embodiment of the present invention and do not represent all the technical spirit of the present invention, so at the time of the present application, various It should be understood that there may be equivalents and variations.

또한, 본 발명을 설명함에 있어 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다.In addition, in the description of the present invention, if it is determined that a detailed description of a related known configuration or function may obscure the gist of the present invention, the detailed description thereof will be omitted.

제1, 제2 등과 같이 서수를 포함하는 용어들은, 다양한 구성요소들 중 어느 하나를 나머지와 구별하는 목적으로 사용되는 것이고, 그러한 용어들에 의해 구성요소들을 한정하기 위해 사용되는 것은 아니다.Terms including an ordinal number such as 1st, 2nd, etc. are used for the purpose of distinguishing any one of various components from the others, and are not used to limit the components by such terms.

명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라, 다른 구성요소를 더 포함할 수 있다는 것을 의미한다. Throughout the specification, when a part "includes" a certain element, it means that other elements may be further included, rather than excluding other elements, unless specifically stated otherwise.

또한, 명세서에 기재된 제어부와 같은 용어는 적어도 하나의 기능이나 동작을 처리하는 단위를 의미하며, 이는 하드웨어나 소프트웨어, 또는 하드웨어 및 소프트웨어의 결합으로 구현될 수 있다.In addition, a term such as a control unit described in the specification means a unit for processing at least one function or operation, which may be implemented as hardware or software, or a combination of hardware and software.

덧붙여, 명세서 전체에서, 어떤 부분이 다른 부분과 "연결"되어 있다고 할 때, 이는 "직접적으로 연결"되어 있는 경우뿐만 아니라, 그 중간에 다른 소자를 사이에 두고 "간접적으로 연결"되어 있는 경우도 포함한다.In addition, throughout the specification, when a part is "connected" with another part, it is not only "directly connected" but also "indirectly connected" with another element interposed therebetween. include

이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 결함 검출 장치(100)를 개략적으로 도시한 도면이다.1 is a diagram schematically illustrating a defect detection apparatus 100 according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 결함 검출 장치(100)는 측정부(110) 및 제어부(120)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 1 , a defect detection apparatus 100 according to an embodiment of the present invention may include a measurement unit 110 and a control unit 120 .

측정부(110)는 복수의 피검사체 대하여, 제1 위치부터 제2 위치까지의 측정 구간에서 위치별 와전류를 측정하도록 구성될 수 있다.The measuring unit 110 may be configured to measure an eddy current for each position in a measurement section from a first position to a second position with respect to a plurality of subjects.

여기서, 피검사체는 금속성 재료일 수 있다. 바람직하게, 피검사체는 금속성 전도 필름일 수 있다. 보다 바람직하게 피검사체는 수 ㎛의 두께를 가진 금속 박막 필름일 수 있다. Here, the subject may be a metallic material. Preferably, the subject may be a metallic conductive film. More preferably, the object to be inspected may be a metal thin film having a thickness of several μm.

바람직하게, 측정부(110)는 복수의 피검사체에 대한 위치별 와전류를 위상(Phase)에 대한 값으로 측정할 수 있다.Preferably, the measurement unit 110 may measure the eddy currents for each position of the plurality of objects as a value for the phase.

예컨대, 측정부(110)에 의해 피검사체의 위치별 와전류가 측정되는 과정에서, 측정부(110)의 위치가 이동되고, 피검사체의 위치는 고정될 수 있다. 이러한 경우, 측정부(110)는 피검사체의 길이 방향 또는 너비 방향을 따라 이동하며 피검사체의 일단(제1 위치)부터 타단(제2 위치)까지의 위치별 와전류를 측정할 수 있다.For example, in the process of measuring the eddy current for each position of the subject by the measuring unit 110 , the position of the measuring unit 110 may be moved and the position of the subject may be fixed. In this case, the measuring unit 110 may move along the longitudinal direction or the width direction of the subject and measure the eddy current for each position from one end (first position) to the other end (second position) of the subject.

다른 예로, 측정부(110)에 의해 피검사체의 위치별 와전류가 측정되는 과정에서, 측정부(110)의 위치가 고정되고, 피검사체의 위치가 이동될 수도 있다.As another example, in the process of measuring the eddy current for each position of the subject by the measuring unit 110 , the position of the measuring unit 110 may be fixed and the position of the subject may be moved.

제어부(120)는 상기 측정부(110)로부터 상기 복수의 피검사체 각각에 대한 위치별 와전류 측정값을 수신하도록 구성될 수 있다.The control unit 120 may be configured to receive the eddy current measurement values for each position of the plurality of subjects from the measurement unit 110 .

구체적으로, 제어부(120)는 측정부(110)와 통신 가능하도록 연결될 수 있다. 예컨대, 제어부(120)는 측정부(110)와 무선 또는 유선으로 연결되어, 측정부(110)로부터 복수의 피검사체 각각에 대한 위치별 와전류 측정값을 수신할 수 있다. 여기서, 위치별 와전류 측정값에는 와전류가 측정된 측정 위치와 측정된 와전류값이 포함될 수 있다.Specifically, the control unit 120 may be communicatively connected to the measurement unit 110 . For example, the control unit 120 may be connected to the measurement unit 110 by wire or wirelessly, and may receive an eddy current measurement value for each position of the plurality of subjects from the measurement unit 110 . Here, the eddy current measured value for each location may include a measured location where the eddy current is measured and a measured eddy current value.

제어부(120)는 수신한 위치별 와전류 측정값에 기반하여 와전류 측정 위치와 와전류 측정값의 대응 관계를 나타내는 복수의 와전류 프로파일을 생성하도록 구성될 수 있다.The control unit 120 may be configured to generate a plurality of eddy current profiles indicating a corresponding relationship between the eddy current measurement position and the eddy current measurement value based on the received eddy current measurement value for each position.

구체적으로, 와전류 프로파일이란 와전류 측정 위치와 해당 위치에서의 와전류 측정값 간의 대응 관계를 나타내는 프로파일일 수 있다.Specifically, the eddy current profile may be a profile indicating a correspondence between an eddy current measurement position and an eddy current measurement value at the corresponding position.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 결함 검출 장치(100)에 의해 생성된 와전류 프로파일을 개략적으로 도시한 도면이다.2 is a diagram schematically illustrating an eddy current profile generated by the defect detection apparatus 100 according to an embodiment of the present invention.

도 2를 참조하면, 제어부(120)는 측정부(110)로부터 수신한 위치별 와전류 측정값에 기반하여, 와전류 측정 위치와 해당 위치에서의 와전류 측정값에 대한 와전류 프로파일을 생성할 수 있다.Referring to FIG. 2 , the controller 120 may generate an eddy current measurement position and an eddy current profile for the eddy current measurement value at the corresponding position based on the eddy current measurement value for each position received from the measurement unit 110 .

예컨대, 도 2의 실시예에서, 피검사체의 와전류 측정 위치는 제1 위치부터 제2 위치일 수 있다. 피검사체의 제1 위치는 피검사체의 일단에 대응되고, 피검사체의 제2 위치는 피검사체의 타단에 대응될 수 있다. 즉, 피검사체 전체에 대하여 와전류가 측정될 수 있다. For example, in the embodiment of FIG. 2 , the eddy current measurement position of the object may be a first position to a second position. A first position of the subject may correspond to one end of the subject, and a second position of the subject may correspond to the other end of the subject. That is, the eddy current may be measured with respect to the entire subject.

다른 예로, 측정부는 피검사체의 일부분에서만 와전류를 측정할 수도 있다.As another example, the measuring unit may measure the eddy current only in a part of the subject.

제어부(120)는 생성된 복수의 와전류 프로파일에서 복수의 인자에 대응되는 복수의 특징값을 추출하도록 구성될 수 있다.The controller 120 may be configured to extract a plurality of feature values corresponding to a plurality of factors from a plurality of generated eddy current profiles.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 결함 검출 장치(100)에 의해 추출되는 복수의 인자가 정의된 제1 테이블(T1)을 도시한 도면이다.3 is a diagram illustrating a first table T1 in which a plurality of factors extracted by the defect detection apparatus 100 are defined according to an embodiment of the present invention.

예컨대, 도 3의 실시예에서, 인자의 개수는 10개일 수 있다. 즉, 제어부(120)는 각각의 와전류 프로파일에서 총 10개의 인자에 대응되는 10개의 특징값을 추출할 수 있다. For example, in the embodiment of FIG. 3 , the number of factors may be ten. That is, the controller 120 may extract 10 feature values corresponding to a total of 10 factors from each eddy current profile.

제어부(120)가 복수의 인자에 대응되는 복수의 특징값을 추출하는 과정에 대해서는 후술한다. 다만, 와전류 프로파일로부터 추출될 수 있는 복수의 인자는 도 3의 실시예에 의해 제한되지 않는다. 즉, 제어부(120)는 와전류 프로파일로부터 피검사체의 결함을 검출하기 위한 보다 다양한 인자들을 추출할 수 있음을 유의한다. A process in which the controller 120 extracts a plurality of feature values corresponding to a plurality of factors will be described later. However, a plurality of factors that can be extracted from the eddy current profile are not limited by the embodiment of FIG. 3 . That is, it is noted that the controller 120 may extract more various factors for detecting the defect of the inspected object from the eddy current profile.

제어부(120)는 상기 복수의 인자의 조합에 따라 복수의 인자 그룹을 생성하도록 구성될 수 있다.The controller 120 may be configured to generate a plurality of factor groups according to a combination of the plurality of factors.

구체적으로, 복수의 인자 그룹은 1개 이상의 인자를 포함하도록 미리 설정될 수 있다. 또한, 복수의 인자 그룹 각각은 서로 중복되지 않도록 설정될 수 있다. Specifically, the plurality of factor groups may be preset to include one or more factors. Also, each of the plurality of factor groups may be set so as not to overlap each other.

예컨대, 도 3의 실시예에서, 복수의 인자의 개수는 10개이다. 인자 그룹에는 적어도 1개의 인자가 포함되어야 하기 때문에, 제어부(120)에 의해 생성되는 복수의 인자 그룹의 개수는 "210-1"로 계산되며, 총 1,023개일 수 있다.For example, in the embodiment of FIG. 3 , the number of the plurality of factors is ten. Since at least one factor must be included in the factor group, the number of the plurality of factor groups generated by the controller 120 is calculated as “2 10 -1”, and may be a total of 1,023.

제어부(120)는 생성된 복수의 인자 그룹 각각마다, 대응되는 특징값 및 미리 설정된 분류 모델을 이용하여 상기 복수의 피검사체 각각의 예측 상태를 결정하도록 구성될 수 있다.The controller 120 may be configured to determine the predicted state of each of the plurality of subjects by using a corresponding feature value and a preset classification model for each of the plurality of generated factor groups.

여기서, 분류 모델은 입력되는 특징값에 기반하여 피검사체의 결함 여부를 판단하고, 판단 결과를 출력하도록 미리 설정된 모델일 수 있다. 예컨대, 분류 모델은 로지스틱 회귀분류 모델(Logistic regression model), 랜덤 포레스트 분류기(Random forest classifier), 또는 서포트 벡터 머신(Support vector machine) 등이 적용될 수 있다. 즉, 미리 설정된 분류 모델에는 로지스틱 회귀분류 모델, 랜덤 포레스트 분류기, 및 서포트 벡터 머신 외에도 다양한 분류 모델이 적용될 수 있다.Here, the classification model may be a model preset to determine whether the object to be inspected is defective based on the input feature value and to output the determination result. For example, the classification model may be a logistic regression model, a random forest classifier, or a support vector machine. That is, various classification models in addition to the logistic regression classification model, the random forest classifier, and the support vector machine may be applied to the preset classification model.

예컨대, 제어부(120)는 제1 인자 그룹에 대응되는 특징값을 분류 모델에 입력할 수 있다. 그리고, 제어부(120)는 분류 모델에서 출력된 결과에 따라서, 제1 인자 그룹에 대한 피검사체의 예측 상태를 결정할 수 있다. 즉, 앞선 실시예와 같이, 제어부(120)에 의해 1,023개의 인자 그룹이 생성된 경우, 1,023개의 인자 그룹 각각에 대하여 피검사체의 예측 상태가 결정될 수 있다.For example, the controller 120 may input a feature value corresponding to the first factor group to the classification model. In addition, the controller 120 may determine the predicted state of the subject with respect to the first factor group according to a result output from the classification model. That is, as in the previous embodiment, when 1,023 factor groups are generated by the controller 120 , the predicted state of the subject may be determined for each of the 1,023 factor groups.

이하에서는, 설명의 편의를 위하여 피검사체의 상태가 정상 상태 또는 결함 상태인 것으로 설명한다. 다만, 피검사체의 상태는 보다 세분화되어 설정될 수도 있다.Hereinafter, for convenience of explanation, the state of the inspected object will be described as a normal state or a defective state. However, the state of the subject may be more subdivided and set.

제어부(120)는 결정된 복수의 예측 상태와 상기 복수의 피검사체 각각에 대해 미리 설정된 참조 상태에 기반하여, 상기 복수의 인자 그룹마다 상기 복수의 피검사체에 대한 결함 검출 성능을 판단하도록 구성될 수 있다.The control unit 120 may be configured to determine defect detection performance for the plurality of inspected objects for each of the plurality of factor groups based on the determined plurality of predicted states and preset reference states for each of the plurality of inspected objects. .

구체적으로, 제어부(120)는 복수의 피검사체 각각에 대해 결정된 예측 상태와 미리 설정된 참조 상태가 동일한지 여부를 판단하여, 복수의 인자 그룹마다 복수의 피검사체에 대한 결함 검출 성능을 판단하기 위한 유출율 및 과검율을 산출하도록 구성될 수 있다.Specifically, the control unit 120 determines whether the predicted state determined for each of the plurality of inspected objects and the preset reference state are the same, and the control unit 120 determines the leak rate for determining the defect detection performance for the plurality of inspected objects for each of the plurality of factor groups. and calculating an overdetection rate.

여기서, 유출율이란, 참조 상태가 결함 상태인 피검사체 중에서 예측 상태가 정상 상태로 결정된 피검사체의 비율일 수 있다. 즉, 유출율은 결함 상태인 피검사체가 정상 상태로 잘못 판단된 비율일 수 있다. 예컨대, N개의 피검사체 중 M개의 피검사체의 참조 상태가 결함 상태라고 가정한다. M개의 피검사체 중 K개의 피검사체의 예측 상태가 정상 상태로 결정된 경우, 유출율은 "K÷M×100"의 수식에 따라 산출될 수 있다.Here, the leak rate may be a ratio of the subject whose predicted state is determined to be a normal state among subjects whose reference state is a defective state. That is, the leak rate may be a ratio in which an inspected object in a defective state is erroneously determined to be in a normal state. For example, it is assumed that the reference state of the M inspected objects among the N inspected objects is a defective state. When the predicted state of the K subjects among the M subjects is determined to be a normal state, the outflow rate may be calculated according to a formula of “K÷M×100”.

또한, 과검율이란, 참조 상태가 정상 상태인 피검사체 중에서 예측 상태가 결함 상태로 결정된 피검사체의 비율일 수 있다. 즉, 과검율은 정상 상태인 피검사체가 결함 상태로 잘못 판단된 비율일 수 있다. 예컨대, N개의 피검사체 중 L개의 피검사체의 참조 상태가 정상 상태라고 가정한다. L개의 피검사체 중 J개의 피검사체의 예측 상태가 결함 상태로 결정된 경우, 과검율은 "J÷L×100"의 수식에 따라 산출될 수 있다.In addition, the overcheck rate may be a ratio of the subject whose predicted state is determined to be a defective state among the subjects whose reference state is a normal state. That is, the overdetection rate may be a ratio in which an inspected object in a normal state is erroneously determined as a defective state. For example, it is assumed that the reference state of L test objects among the N test objects is a normal state. When the predicted state of the J objects among the L objects is determined to be a defective state, the overcheck rate may be calculated according to a formula of “J÷L×100”.

제어부(120)는 상기 복수의 인자 그룹마다 판단된 결함 검출 성능에 기반하여 상기 복수의 인자 그룹 중 어느 하나를 상기 복수의 피검사체에 대한 기준 인자 그룹으로 설정하도록 구성될 수 있다.The controller 120 may be configured to set any one of the plurality of factor groups as a reference factor group for the plurality of inspected objects based on the defect detection performance determined for each of the plurality of factor groups.

바람직하게, 제어부(120)는, 복수의 인자 그룹 중 산출된 유출율이 가장 낮은 인자 그룹을 복수의 피검사체에 대한 기준 인자 그룹으로 설정하도록 구성될 수 있다. 만약, 산출된 유출율이 가장 낮은 인자 그룹이 복수인 경우, 제어부(120)는 산출된 유출율이 가장 낮은 복수의 인자 그룹 중 산출된 과검율이 가장 낮은 인자 그룹을 복수의 피검사체에 대한 기준 인자 그룹으로 설정하도록 구성될 수 있다.Preferably, the controller 120 may be configured to set a factor group having the lowest calculated outflow rate among the plurality of factor groups as a reference factor group for the plurality of subjects. If there are a plurality of factor groups having the lowest calculated leakage rate, the control unit 120 sets the factor group having the lowest calculated overdetection rate among the plurality of factor groups having the lowest calculated leakage rate as a reference factor group for the plurality of subjects. can be configured to be set to .

유출율은 결함 상태인 피검사체의 예측 상태를 정상 상태로 잘못 판단한 비율이기 때문에, 제어부(120)는 기준 인자 그룹을 설정할 때 복수의 인자 그룹에 대한 유출율을 먼저 고려한 후, 과검율을 고려할 수 있다. 예컨대, 과검율을 유출율보다 우선적으로 고려하게 되면, 정상 상태인 피검사체를 결함 상태로 잘못 판단한 비율은 줄어들 수 있지만, 결함 상태인 피검사체를 정상 상태로 잘못 판단한 비율을 증가될 수 있다. 이러한 경우, 결함 상태인 피검사체가 납품될 수 있는 문제가 있기 때문에, 본 발명의 일 실시예에 따른 결함 검출 장치(100)는 과검율보다 유출율을 우선적으로 고려할 수 있다.Since the leak rate is a rate at which the predicted state of the inspected object, which is in the defective state, is incorrectly determined as the normal state, the controller 120 may first consider the leak rates for a plurality of factor groups when setting the reference factor group, and then consider the overdetection rate. For example, if the overdetection rate is prioritized over the outflow rate, the ratio of erroneously judging an inspected object in a normal state as a defective state may decrease, but may increase the ratio of erroneously determining an inspected object in a defective state as a normal state. In this case, since there is a problem that the inspected object in a defective state can be delivered, the defect detection apparatus 100 according to an embodiment of the present invention may preferentially consider the leak rate rather than the overdetection rate.

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 결함 검출 장치(100)에 의해 판단된 복수의 인자 그룹의 결함 검출 성능에 대한 제2 테이블(T2)을 개략적으로 도시한 도면이다.4 is a diagram schematically illustrating a second table T2 for defect detection performance of a plurality of factor groups determined by the defect detection apparatus 100 according to an embodiment of the present invention.

구체적으로, 제2 테이블(T2)에 포함된 인자 그룹의 개수는 총 15개이다. 즉, 제2 테이블(T2)은 제1 테이블(T1)의 인자들로부터 생성된 1,023개의 인자 그룹 중 상위 15개가 포함된 테이블이다.Specifically, the number of factor groups included in the second table T2 is 15 in total. That is, the second table T2 is a table including the top 15 among 1,023 factor groups generated from factors of the first table T1 .

도 4를 참조하면, 제1 분류 모델(M1)을 이용한 경우, R_MSE, R_Mean, R_Stdev, R_Slope, R_Distance, Distance, Max, 및 Min을 포함하는 제14 인자 그룹에 대한 유출율이 가장 낮다. 따라서, 제어부(120)는 제14 인자 그룹을 제1 분류 모델(M1)을 이용하여 복수의 피검사체의 결함을 검출할 때의 기준 인자 그룹으로 설정할 수 있다.Referring to FIG. 4 , when the first classification model M1 is used, the leakage rate for the 14th factor group including R_MSE, R_Mean, R_Stdev, R_Slope, R_Distance, Distance, Max, and Min is the lowest. Accordingly, the control unit 120 may set the 14th factor group as a reference factor group for detecting defects of a plurality of objects by using the first classification model M1.

예컨대, 제어부(120)는 피검사체와 동종의 제2 피검사체의 결함을 검출하는 과정에서, 제2 피검사체에 대한 와전류 프로파일을 생성하고, 생성된 와전류 프로파일에서 기준 인자 그룹(제14 인자 그룹)에 대응되는 복수의 특징값만을 추출할 수 있다. 그리고, 제어부(120)는 추출한 복수의 특징값과 제1 분류 모델(M1)을 이용하여, 제2 피검사체의 결함을 검출할 수 있다.For example, the control unit 120 generates an eddy current profile for the second target in the process of detecting a defect in the second target of the same type as the target, and a reference factor group (fourteenth factor group) from the generated eddy current profile Only a plurality of feature values corresponding to can be extracted. In addition, the controller 120 may detect a defect in the second subject by using the plurality of extracted feature values and the first classification model M1 .

본 발명의 일 실시예에 따른 결함 검출 장치(100)는 피검사체의 결함을 검출하기 위한 최적의 인자 그룹을 설정할 수 있는 장점이 있다. 따라서, 결함 검출 장치(100)는 피검사체의 결함을 정확하고 신속하게 검출할 수 있는 장점이 있다.The defect detection apparatus 100 according to an embodiment of the present invention has the advantage of being able to set an optimal factor group for detecting a defect in an object to be inspected. Accordingly, the defect detection apparatus 100 has the advantage of accurately and quickly detecting a defect in the object to be inspected.

한편, 본 발명의 일 실시예에 따른 결함 검출 장치(100)에 구비된 제어부(120)는 본 발명에서 수행되는 다양한 제어 로직들을 실행하기 위해 당업계에 알려진 프로세서, ASIC(application-specific integrated circuit), 다른 칩셋, 논리 회로, 레지스터, 통신 모뎀, 데이터 처리 장치 등을 선택적으로 포함할 수 있다. 또한, 상기 제어 로직이 소프트웨어로 구현될 때, 상기 제어부(120)는 프로그램 모듈의 집합으로 구현될 수 있다. 이때, 프로그램 모듈은 메모리에 저장되고, 제어부(120)에 의해 실행될 수 있다. 상기 메모리는 제어부(120) 내부 또는 외부에 있을 수 있고, 잘 알려진 다양한 수단으로 제어부(120)와 연결될 수 있다.On the other hand, the control unit 120 provided in the defect detection apparatus 100 according to an embodiment of the present invention is a processor, ASIC (application-specific integrated circuit) known in the art to execute various control logics performed in the present invention. , other chipsets, logic circuits, registers, communication modems, data processing devices, and the like. Also, when the control logic is implemented in software, the controller 120 may be implemented as a set of program modules. In this case, the program module may be stored in the memory and executed by the controller 120 . The memory may be inside or outside the control unit 120 , and may be connected to the control unit 120 by various well-known means.

또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 결함 검출 장치(100)는 저장부(130)를 더 포함할 수 있다. 저장부(130)는 제어부(120)에서 이용되는 프로그램 및 데이터 등을 저장할 수 있다. 즉, 저장부(130)는 결함 검출 장치(100)의 각 구성요소가 동작 및 기능을 수행하는데 필요한 데이터나 프로그램 또는 동작 및 기능이 수행되는 과정에서 생성되는 데이터 등을 저장할 수 있다. 저장부(130)는 데이터를 기록, 소거, 갱신 및 독출할 수 있다고 알려진 공지의 정보 저장 수단이라면 그 종류에 특별한 제한이 없다. 일 예시로서, 정보 저장 수단에는 RAM, 플래쉬 메모리, ROM, EEPROM, 레지스터 등이 포함될 수 있다. 또한, 저장부(130)는 제어부(120)에 의해 실행 가능한 프로세스들이 정의된 프로그램 코드들을 저장할 수 있다. 예컨대, 저장부(130)는 측정부(110)가 측정한 위치별 와전류 데이터를 저장할 수 있다. 그리고, 제어부(120)는 저장부(130)에 접근하여, 저장된 위치별 와전류 데이터를 획득할 수 있다.Also, the defect detection apparatus 100 according to an embodiment of the present invention may further include a storage unit 130 . The storage unit 130 may store programs and data used in the control unit 120 . That is, the storage unit 130 may store data necessary for each component of the defect detection apparatus 100 to perform an operation and function, a program or data generated while the operation and function are performed. The storage unit 130 is not particularly limited in its type as long as it is a known information storage means capable of writing, erasing, updating and reading data. As an example, the information storage means may include RAM, flash memory, ROM, EEPROM, registers, and the like. Also, the storage unit 130 may store program codes in which processes executable by the control unit 120 are defined. For example, the storage unit 130 may store the eddy current data for each position measured by the measurement unit 110 . Then, the control unit 120 may access the storage unit 130 to obtain the stored eddy current data for each location.

이하에서는, 제어부(120)가 복수의 인자에 대응되는 복수의 특징값을 추출하는 과정에 대해서 설명한다.Hereinafter, a process in which the controller 120 extracts a plurality of feature values corresponding to a plurality of factors will be described.

상기 제어부(120)는, 상기 복수의 와전류 프로파일 각각에서 복수의 피크를 결정하도록 구성될 수 있다.The controller 120 may be configured to determine a plurality of peaks in each of the plurality of eddy current profiles.

예컨대, 도 2의 실시예에서, 제어부(120)는 제1 피크(P1), 제2 피크(P2), 제3 피크(P3), 제4 피크(P4), 제5 피크(P5), 및 제6 피크(P6)를 결정할 수 있다. 여기서, 피크는 와전류 프로파일에서 기울기가 양에서 음으로 또는 음에서 양으로 변하는 지점일 수 있다. 즉, 제어부(120)는 와전류 프로파일에서, 측정 위치에 대한 와전류 측정값의 순간 변화율이 0인 지점이면서, 해당 지점을 기준으로 측정 위치에 대한 와전류 측정값의 순간 변화율이 양에서 음으로 또는 음에서 양으로 변하는 지점을 피크로 결정할 수 있다.For example, in the embodiment of FIG. 2 , the controller 120 controls the first peak P1, the second peak P2, the third peak P3, the fourth peak P4, the fifth peak P5, and A sixth peak P6 may be determined. Here, the peak may be a point at which the slope changes from positive to negative or from negative to positive in the eddy current profile. That is, in the eddy current profile, the control unit 120 is a point at which the instantaneous rate of change of the eddy current measured value for the measuring position is 0, and the instantaneous rate of change of the eddy current measured value for the measuring position based on the point is positive to negative or negative to A positively changing point can be determined as a peak.

도 2의 실시예에서, 제1 피크(P1), 제3 피크(P3), 및 제5 피크(P5)는 측정 위치에 대한 와전류 측정값의 순간 변화율이 0인 지점이면서, 해당 지점을 기준으로 측정 위치에 대한 와전류 측정값의 순간 변화율이 음에서 양으로 변하는 지점일 수 있다.In the embodiment of FIG. 2 , the first peak P1 , the third peak P3 , and the fifth peak P5 are points at which the instantaneous rate of change of the eddy current measurement value with respect to the measurement position is 0, and based on the corresponding points It may be a point at which the instantaneous rate of change of the eddy current measurement value for the measurement location changes from negative to positive.

또한, 도 2의 실시예에서, 제2 피크(P2), 제4 피크(P4), 및 제6 피크(P6)는 측정 위치에 대한 와전류 측정값의 순간 변화율이 0인 지점이면서, 해당 지점을 기준으로 측정 위치에 대한 와전류 측정값의 순간 변화율이 양에서 음으로 변하는 지점일 수 있다.In addition, in the embodiment of FIG. 2 , the second peak P2 , the fourth peak P4 , and the sixth peak P6 are points at which the instantaneous rate of change of the eddy current measurement value for the measurement position is 0, and the corresponding points As a reference, it may be a point at which the instantaneous rate of change of the eddy current measurement value for the measurement position changes from positive to negative.

제어부(120)는 상기 결정된 복수의 피크 중에서 상기 측정 위치가 상기 제1 위치에서 상기 제2 위치로 이동될수록 상기 와전류 측정값이 증가하는 구간에서 상단에 위치하는 상단 피크와 하단에 위치하는 하단 피크를 하나의 피크 쌍으로 결정하도록 구성될 수 있다.The control unit 120 includes an upper peak located at the upper end and a lower peak located at the lower end in a section in which the eddy current measurement value increases as the measurement position moves from the first position to the second position among the determined plurality of peaks. It can be configured to determine one peak pair.

예컨대, 도 2의 실시예에서, 측정 위치가 제1 위치에서 제2 위치로 이동될수록 와전류 측정값이 증가하는 구간은 제1 피크(P1)와 제2 피크(P2) 사이의 제1 구간, 제3 피크(P3)와 제4 피크(P4) 사이의 제2 구간, 및 제5 피크(P5)와 제6 피크(P6) 사이의 제3 구간일 수 있다. 따라서, 제어부(120)는 제1 구간의 하단 피크인 제1 피크(P1)와 상단 피크인 제2 피크(P2)를 하나의 피크 쌍으로 결정할 수 있다. 또한, 제어부(120)는 제2 구간의 하단 피크인 제3 피크(P3)와 상단 피크인 제4 피크(P4)를 하나의 피크 쌍으로 결정할 수 있다. 또한, 제어부(120)는 제3 구간의 하단 피크인 제5 피크(P5)와 상단 피크인 제6 피크(P6)를 하나의 피크 쌍으로 결정할 수 있다.For example, in the embodiment of FIG. 2 , as the measurement position is moved from the first position to the second position, the section in which the eddy current measurement value increases is the first section between the first peak P1 and the second peak P2, the second It may be a second section between the third peak P3 and the fourth peak P4 and a third section between the fifth peak P5 and the sixth peak P6 . Accordingly, the controller 120 may determine the first peak P1 as the lower peak of the first section and the second peak P2 as the upper peak as one pair of peaks. Also, the controller 120 may determine a third peak P3 that is a lower peak of the second section and a fourth peak P4 that is an upper peak of the second section as a single peak pair. Also, the controller 120 may determine the fifth peak P5 as the lower peak and the sixth peak P6 as the upper peak of the third section as one peak pair.

그리고, 제어부(120)는, 결정된 복수의 피크 쌍 중에서 상기 하단 피크와 상기 상단 피크 간의 상기 와전류 측정값의 차이가 큰 순서에 따라 제1 피크 쌍, 제2 피크 쌍, 및 제3 피크 쌍을 결정하도록 구성될 수 있다.In addition, the control unit 120 determines a first peak pair, a second peak pair, and a third peak pair according to an order in which a difference between the eddy current measurement value between the lower peak and the upper peak among the plurality of determined peak pairs is large. can be configured to

구체적으로, 제어부(120)는 하나의 피크 쌍에 포함되는 상단 피크와 하단 피크 간의 와전류 측정값의 차이를 산출할 수 있다. 바람직하게, 제어부(120)는 와전류 측정값 차이가 큰 순서에 따라 제1 피크 쌍, 제2 피크 쌍, 및 제3 피크 쌍을 결정하도록 구성될 수 있다. Specifically, the controller 120 may calculate the difference between the eddy current measurement value between the upper peak and the lower peak included in one pair of peaks. Preferably, the controller 120 may be configured to determine the first peak pair, the second peak pair, and the third peak pair according to the order in which the difference in the eddy current measurement values is large.

예컨대, 도 2의 실시예에서, 하나의 피크 쌍에 포함되는 상단 피크와 하단 피크 간의 와전류 측정값의 차이는, 제1 피크(P1)와 제2 피크(P2)가 포함된 피크 쌍이 가장 크고, 제5 피크(P5)와 제6 피크(P6)가 포함된 피크 쌍이 두 번째로 크며, 제3 피크(P3)와 제4 피크(P4)가 포함된 피크 쌍이 가장 작을 수 있다. 따라서, 제어부(120)는 제1 피크(P1)와 제2 피크(P2)를 제1 피크 쌍으로 결정하고, 제5 피크(P5)와 제6 피크(P6)를 제2 피크 쌍으로 결정하며, 제3 피크(P3)와 제4 피크(P4)를 제3 피크 쌍으로 결정할 수 있다.For example, in the embodiment of Figure 2, the difference in the eddy current measurement value between the upper peak and the lower peak included in one peak pair is the largest in the peak pair including the first peak (P1) and the second peak (P2), A peak pair including the fifth peak P5 and the sixth peak P6 may be the second largest, and the peak pair including the third peak P3 and the fourth peak P4 may be the smallest. Therefore, the control unit 120 determines the first peak (P1) and the second peak (P2) as the first peak pair, and determines the fifth peak (P5) and the sixth peak (P6) as the second peak pair, , the third peak P3 and the fourth peak P4 may be determined as the third peak pair.

또한, 제어부(120)는, 상기 제3 피크 쌍을 회귀식 적용 구간으로 설정하도록 구성될 수 있다.Also, the control unit 120 may be configured to set the third peak pair as a regression expression application period.

구체적으로, 제어부(120)는 상기 생성된 와전류 프로파일에서 상기 측정 구간 중 일부 구간을 회귀식 적용 구간으로 설정하고, 상기 설정된 회귀식 적용 구간에서 상기 위치별 와전류 측정값에 대한 선형 회귀 모델을 설정하도록 구성될 수 있다.Specifically, the control unit 120 sets some sections of the measurement section in the generated eddy current profile as a regression formula application section, and sets a linear regression model for the eddy current measurement value for each position in the set regression formula application section can be configured.

여기서, 회귀식 적용 구간이란, 회귀 분석에 기반하여 선형 회귀 모델을 설정하는 구간일 수 있다. 예컨대, 도 2의 실시예에서, 제어부(120)는 L3 위치부터 L4 위치까지의 와전류 측정값에 대하여 선형 회귀 모델을 설정할 수 있다.Here, the regression equation application section may be a section in which a linear regression model is set based on regression analysis. For example, in the embodiment of FIG. 2 , the controller 120 may set a linear regression model with respect to the eddy current measurement values from the L3 position to the L4 position.

한편, 제어부(120)가 와전류 프로파일에서 측정 위치에 대한 와전류 측정값의 순간 변화율에 기반하여 복수의 피크를 결정하였을 때, 와전류 측정값에 따라서는 제3 피크(P3) 및 제4 피크(P4)에 대응되는 피크가 정확히 결정되지 않을 수 있다. On the other hand, when the control unit 120 determines a plurality of peaks based on the instantaneous rate of change of the eddy current measurement value for the measurement position in the eddy current profile, the third peak (P3) and the fourth peak (P4) according to the eddy current measurement value A peak corresponding to may not be accurately determined.

이러한 경우, 제어부(120)는 제2 피크(P2)의 측정 위치(L2)를 기준으로, 제1 피크(P1)의 측정 위치(L1)와 대칭되는 측정 위치를 결정하고, 와전류 프로파일에서 결정된 측정 위치에 대응되는 지점을 제3 피크(P3)로 결정할 수 있다.In this case, the controller 120 determines a measurement position symmetrical to the measurement position L1 of the first peak P1 based on the measurement position L2 of the second peak P2, and the measurement determined from the eddy current profile A point corresponding to the position may be determined as the third peak P3.

예컨대, 제어부(120)는 제2 피크(P2)의 측정 위치(L2)를 기준으로, 제1 피크(P1)의 측정 위치(L1)와 대칭되는 측정 위치는 L3일 수 있다. 즉, 제2 피크(P2)의 측정 위치(L2)와 제1 피크(P1)의 측정 위치(L1) 간의 차이(L2-L1)는 L3와 제2 피크(P2)의 측정 위치(L2) 간의 차이(L3-L2)와 동일할 수 있다.For example, based on the measurement position L2 of the second peak P2 , the control unit 120 may have a measurement position symmetrical with the measurement position L1 of the first peak P1 is L3 . That is, the difference (L2-L1) between the measurement position L2 of the second peak P2 and the measurement position L1 of the first peak P1 is between L3 and the measurement position L2 of the second peak P2. It may be equal to the difference (L3-L2).

보다 구체적으로, 제어부(120)는 제2 피크(P2)의 측정 위치(L2)와 제1 피크(P1)의 측정 위치(L1) 간의 측정 위치 차이를 "L2-L1"의 수식에 따라 산출할 수 있다. 그리고, 제어부(120)는 제2 피크(P2)의 측정 위치(L2)와 산출된 측정 위치 차이(L2-L1)의 합을 "L2+(L2-L1)"의 수식에 따라 산출할 수 있다. 그리고, 제어부(120)는 산출된 "(2×L2)-L1"를 제3 피크(P3)의 측정 위치(L3)로 결정할 수 있다. 이 경우, 제3 피크(P3)의 와전류 측정값(A3)은 와전류 프로파일에서 제3 피크(P3)의 측정 위치(L3)에 대응되는 와전류 측정값일 수 있다.이와 유사한 방식으로, 제어부(650)는 제5 피크(P5)의 측정 위치(L5)를 기준으로, 제6 피크(P6)의 측정 위치(L6)와 대칭되는 측정 위치를 결정하고, 와전류 프로파일에서 결정된 측정 위치에 대응되는 지점을 제4 피크(P4)로 결정할 수 있다.More specifically, the control unit 120 calculates the difference in the measurement position between the measurement position L2 of the second peak P2 and the measurement position L1 of the first peak P1 according to the formula of “L2-L1”. can In addition, the controller 120 may calculate the sum of the measurement position L2 of the second peak P2 and the calculated measurement position difference L2-L1 according to the equation “L2+(L2-L1)”. In addition, the controller 120 may determine the calculated “(2×L2)-L1” as the measurement position L3 of the third peak P3. In this case, the eddy current measurement value A3 of the third peak P3 may be an eddy current measurement value corresponding to the measurement position L3 of the third peak P3 in the eddy current profile. In a similar manner, the control unit 650 Based on the measurement position (L5) of the fifth peak (P5), determine the measurement position symmetrical to the measurement position (L6) of the sixth peak (P6), and determine the point corresponding to the measurement position determined in the eddy current profile It can be determined as 4 peaks (P4).

예컨대, 제어부(650)는 제5 피크(P5)의 측정 위치(L5)를 기준으로, 제6 피크(P6)의 측정 위치(L6)와 대칭되는 측정 위치는 L4일 수 있다. 즉, 제5 피크(P5)의 측정 위치(L5)와 제6 피크(P6)의 측정 위치(L6) 간의 차이(L6-L5)는 L4와 제5 피크(P5)의 측정 위치(L5) 간의 차이(L5-L4)와 동일할 수 있다.For example, based on the measurement position L5 of the fifth peak P5, the controller 650 may have a measurement position symmetrical with the measurement position L6 of the sixth peak P6 is L4. That is, the difference (L6-L5) between the measurement position (L5) of the fifth peak (P5) and the measurement position (L6) of the sixth peak (P6) is between L4 and the measurement position (L5) of the fifth peak (P5) It may be equal to the difference (L5-L4).

보다 구체적으로, 제어부(650)는 제5 피크(P5)의 측정 위치(L5)와 제6 피크(P6)의 측정 위치(L6) 간의 측정 위치 차이를 "L6-L5"의 수식에 따라 산출할 수 있다. 그리고, 제어부(650)는 제5 피크(P5)의 측정 위치(L5)와 산출된 측정 위치 차이(L6-L5)의 차이를 "L5-(L6-L5)"의 수식에 따라 산출할 수 있다. 그리고, 제어부(650)는 산출된 "L6-(2×L5)"를 제4 피크(P4)의 측정 위치(L4)로 결정할 수 있다. 이 경우, 제4 피크(P4)의 와전류 측정값(A4)은 와전류 프로파일에서 제4 피크(P4)의 측정 위치(L4)에 대응되는 와전류 측정값일 수 있다.More specifically, the control unit 650 calculates the difference in the measurement position between the measurement position L5 of the fifth peak P5 and the measurement position L6 of the sixth peak P6 according to the formula of “L6-L5”. can In addition, the control unit 650 may calculate the difference between the measurement position L5 of the fifth peak P5 and the calculated measurement position difference L6-L5 according to the formula “L5-(L6-L5)” . Then, the controller 650 may determine the calculated “L6-(2×L5)” as the measurement position L4 of the fourth peak P4 . In this case, the eddy current measurement value A4 of the fourth peak P4 may be an eddy current measurement value corresponding to the measurement position L4 of the fourth peak P4 in the eddy current profile.

도 3을 참조하면, 제어부(120)는 상기 회귀식 적용 구간의 와전류 측정값의 평균(R_Mean), 상기 회귀식 적용 구간의 와전류 측정값의 표준편차(R_Stdev), 설정된 선형 회귀 모델의 기울기(R_Slope), 상기 회귀식 적용 구간의 와전류 측정값과 상기 설정된 선형 회귀 모델 간의 평균 제곱 오차(R_MSE), 및 상기 회귀식 적용 구간의 길이(R_Distance) 중 적어도 하나를 상기 특징값으로 추출하도록 구성될 수 있다.Referring to FIG. 3 , the controller 120 controls the mean (R_Mean) of the eddy current measured values of the regression formula application section, the standard deviation (R_Stdev) of the eddy current measured values of the regression formula application section, and the set slope (R_Slope) of the linear regression model. ), at least one of the mean square error (R_MSE) between the eddy current measurement value of the regression formula application section and the set linear regression model, and the length (R_Distance) of the regression formula application section can be configured to extract as the feature value. .

예컨대, 도 2의 실시예에서, 회귀식 적용 구간은 제3 피크(P3)부터 제4 피크(P4)까지의 구간일 수 있다. 제어부(120)는, L3 위치부터 L4 위치까지 측정부(110)에 의해 측정된 와전류 측정값의 평균을 R_Mean 인자에 대응되는 특징값으로 추출할 수 있다. 또한, 제어부(120)는 L3 위치부터 L4 위치까지 측정부(110)에 의해 측정된 와전류 측정값의 표준편차를 R_Stdev 인자에 대응되는 특징값으로 산출할 수 있다. 또한, 제어부(120)는 L3 위치부터 L4 위치까지의 길이를 R_Distance 인자에 대응되는 특징값으로 추출할 수 있다. 또한, 제어부(120)는 L3 위치부터 L4 위치에서 적용된 선형 회귀 모델의 기울기를 R_Slope 인자에 대응되는 특징값으로 추출할 수 있다. 또한, 제어부(120)는 L3 위치부터 L4 위치까지 측정부(110)에 의해 측정된 와전류 측정값과 선형 회귀 모델의 함수값 간의 평균 제곱 오차를 R_MSE 인자에 대응되는 특징값으로 추출할 수 있다.For example, in the embodiment of FIG. 2 , the regression equation application section may be a section from the third peak P3 to the fourth peak P4 . The controller 120 may extract the average of the eddy current measurement values measured by the measurement unit 110 from the L3 position to the L4 position as a feature value corresponding to the R_Mean factor. Also, the controller 120 may calculate the standard deviation of the eddy current measurement value measured by the measurement unit 110 from the L3 position to the L4 position as a feature value corresponding to the R_Stdev factor. Also, the controller 120 may extract the length from the L3 position to the L4 position as a feature value corresponding to the R_Distance factor. Also, the controller 120 may extract the slope of the linear regression model applied from the L3 position to the L4 position as a feature value corresponding to the R_Slope factor. In addition, the control unit 120 may extract the mean square error between the eddy current measurement value measured by the measurement unit 110 from the L3 position to the L4 position and the function value of the linear regression model as a feature value corresponding to the R_MSE factor.

또한, 도 3을 참조하면, 상기 제어부(120)는, 상기 제1 피크 쌍의 상단 피크의 와전류 측정값(Max), 상기 제1 피크 쌍의 상단 피크와 하단 피크 간의 와전류 측정 위치의 차이(Peak_Diff_1), 상기 제2 피크 쌍의 하단 피크의 와전류 측정값(Min), 상기 제2 피크 쌍의 상단 피크와 하단 피크 간의 와전류 측정 위치의 차이(Peak_Diff_2), 및 상기 제1 피크 쌍의 상단 피크와 상기 제2 피크 쌍의 하단 피크 간의 와전류 측정 위치의 차이(Distance) 중 적어도 하나를 상기 특징값으로 추출하도록 구성될 수 있다.In addition, referring to FIG. 3 , the control unit 120 includes the eddy current measurement value Max of the upper peak of the first pair of peaks, and the difference (Peak_Diff_1) of the eddy current measurement positions between the upper and lower peaks of the first peak pair. ), the eddy current measurement value of the lower peak of the second pair of peaks (Min), the difference in the eddy current measurement positions between the upper and lower peaks of the second pair of peaks (Peak_Diff_2), and the upper peak of the first pair of peaks and the It may be configured to extract at least one of a difference (Distance) of an eddy current measurement position between the lower peaks of the second peak pair as the feature value.

예컨대, 도 2의 실시예에서, 제1 피크 쌍의 하단 피크는 제1 피크(P1)이고, 상단 피크는 제2 피크(P2)이다. 따라서, 제어부(120)는 제2 피크(P2)의 와전류 측정값(A2)을 Max 인자에 대응되는 특징값으로 추출할 수 있다. 또한, 제어부(120)는, 제2 피크(P2)의 와전류 측정 위치(L2)와 제1 피크(P1)의 와전류 측정 위치(L1)의 차이를 Peak_Diff_1 인자에 대응되는 특징값으로 추출할 수 있다. For example, in the embodiment of FIG. 2 , the bottom peak of the first pair of peaks is the first peak (P1), and the top peak is the second peak (P2). Accordingly, the controller 120 may extract the eddy current measurement value A2 of the second peak P2 as a feature value corresponding to the Max factor. Also, the controller 120 may extract the difference between the eddy current measurement position L2 of the second peak P2 and the eddy current measurement position L1 of the first peak P1 as a feature value corresponding to the Peak_Diff_1 factor. .

또한, 도 2의 실시예에서, 제2 피크 쌍의 하단 피크는 제5 피크(P5)이고, 상단 피크는 제6 피크(P6)이다. 따라서, 제어부(120)는 제5 피크(P5)의 와전류 측정값(A5)을 Min 인자에 대응되는 특징값으로 추출할 수 있다. 또한, 제어부(120)는 제6 피크(P6)의 와전류 측정 위치(L6)와 제5 피크(P5)의 와전류 측정 위치(L5)의 차이를 Peak_Diff_2 인자에 대응되는 특징값으로 추출할 수 있다. Also, in the embodiment of FIG. 2 , the lower peak of the second pair of peaks is the fifth peak (P5), and the upper peak is the sixth peak (P6). Accordingly, the controller 120 may extract the eddy current measurement value A5 of the fifth peak P5 as a feature value corresponding to the Min factor. Also, the controller 120 may extract the difference between the eddy current measurement position L6 of the sixth peak P6 and the eddy current measurement position L5 of the fifth peak P5 as a feature value corresponding to the Peak_Diff_2 factor.

또한, 도 2의 실시예에서, 제어부(120)는, 제2 피크 쌍의 하단 피크인 제5 피크(P5)의 와전류 측정 위치(L5)와 제1 피크 쌍의 상단 피크인 제2 피크(P2)의 와전류 측정 위치(L2)의 차이를 Distance 인자에 대응되는 특징값으로 추출할 수 있다.In addition, in the embodiment of Figure 2, the control unit 120, the eddy current measurement position (L5) of the fifth peak (P5), which is the lower peak of the second peak pair, and the second peak (P2), which is the upper peak of the first peak pair ) of the eddy current measurement position (L2) can be extracted as a feature value corresponding to the Distance factor.

이상에서는 도 2 및 도 3을 참조하여, 제어부(120)에 의해서 추출될 수 있는 특징값들에 대해 설명하였다. 다만, 피검사체의 결함을 검출하기 위해 와전류 프로파일로부터 추출될 수 있는 인자의 종류는 상술한 예시에 의해 제한되지 않음을 유의한다.In the above, the feature values that can be extracted by the controller 120 have been described with reference to FIGS. 2 and 3 . However, it should be noted that the types of factors that can be extracted from the eddy current profile in order to detect a defect in the object are not limited by the above-described example.

상기 분류 모델이 복수 구비된 경우, 제어부(120)는, 복수의 분류 모델 각각에 대하여 상기 복수의 인자 그룹에 대한 상기 복수의 피검사체의 결함 검출 성능을 판단하도록 구성될 수 있다.When a plurality of classification models are provided, the controller 120 may be configured to determine the defect detection performance of the plurality of inspected objects for the plurality of factor groups with respect to each of the plurality of classification models.

도 4를 참조하면, 제1 분류 모델(M1)과 제2 분류 모델(M2)이 구비될 수 있다. 제어부(120)는 제1 분류 모델(M1) 및 제2 분류 모델(M2) 각각을 이용하여, 복수의 인자 그룹에 대한 결함 검출 성능을 판단할 수 있다. 구체적으로, 제어부(120)는 제1 분류 모델(M1) 및 제2 분류 모델(M2) 각각을 이용하여, 복수의 인자 그룹에 대한 유출율 및 과검율을 산출할 수 있다. 그리고, 제어부(120)는 유출율 및/또는 과검율에 기반하여, 복수의 인자 그룹에 대한 결함 검출 성능을 판단할 수 있다.Referring to FIG. 4 , a first classification model M1 and a second classification model M2 may be provided. The controller 120 may determine the defect detection performance for a plurality of factor groups by using each of the first classification model M1 and the second classification model M2 . Specifically, the controller 120 may calculate the outflow rate and the overdetection rate for a plurality of factor groups using each of the first classification model M1 and the second classification model M2 . In addition, the controller 120 may determine the defect detection performance for the plurality of factor groups based on the leak rate and/or the overdetection rate.

제어부(120)는, 판단된 결함 검출 성능에 기반하여 상기 복수의 분류 모델 중 어느 하나를 기준 분류 모델로 설정함으로써, 상기 복수의 피검사체에 대한 상기 기준 인자 그룹 및 상기 기준 분류 모델을 설정하도록 구성될 수 있다.The control unit 120 is configured to set the reference factor group and the reference classification model for the plurality of subjects by setting any one of the plurality of classification models as a reference classification model based on the determined defect detection performance can be

도 4의 제2 테이블(T2)을 참조하면, 제1 분류 모델(M1)에 대한 최저 유출율은 5%이고, 제2 분류 모델(M2)에 대한 최저 유출율은 0%이다. 즉, 제1 분류 모델(M1)과 제14 인자 그룹(R_MSE, R_Mean, R_Stdev, R_Slope, R_Distance, Distance, Max, 및 Min을 포함하는 인자 그룹)을 이용하여 피검사체의 결함을 검출하였을 때, 결함 상태인 피검사체를 정상 상태로 잘못 판단할 확률이 5%일 수 있다. 반면, 제2 분류 모델(M2)과 제12 인자 그룹(R_MSE, R_Mean, R_Stdev, R_Slope, R_Distance, 및 Distance를 포함하는 인자 그룹) 또는 제13 인자 그룹(R_MSE, R_Mean, R_Stdev, R_Slope, R_Distance, Max, 및 Min을 포함하는 인자 그룹)을 이용하여 피검사체의 결함을 검출하였을 때, 결함 상태인 피검사체를 정상 상태로 잘못 판단할 확률이 0%일 수 있다. 따라서, 제어부(120)는 제2 분류 모델(M2)을 복수의 피검사체에 대한 기준 분류 모델로 설정할 수 있다. Referring to the second table T2 of FIG. 4 , the lowest outflow rate for the first classification model M1 is 5%, and the lowest outflow rate for the second classification model M2 is 0%. That is, when the defect of the subject is detected using the first classification model M1 and the 14th factor group (a factor group including R_MSE, R_Mean, R_Stdev, R_Slope, R_Distance, Distance, Max, and Min), the defect The probability of erroneously determining the subject in a normal state as a normal state may be 5%. On the other hand, the second classification model (M2) and the twelfth factor group (a factor group including R_MSE, R_Mean, R_Stdev, R_Slope, R_Distance, and Distance) or the thirteenth factor group (R_MSE, R_Mean, R_Stdev, R_Slope, R_Distance, Max) , and a factor group including Min), when a defect of the subject is detected, the probability of erroneously determining the subject in a defective state as a normal state may be 0%. Accordingly, the controller 120 may set the second classification model M2 as a reference classification model for a plurality of subjects.

본 발명의 일 실시예에 따른 결함 검출 장치(100)는 복수의 피검사체의 결함을 검출하는 데에 최적화된 인자 조합뿐만 아니라 분류 모델을 더 설정할 수 있다. 따라서, 기준 인자 그룹 및 기준 분류 모델에 기반하여, 복수의 피검사체와 동종의 피검사체에 대해서는 신속하고 정확하게 결함 검출이 수행될 수 있다.The defect detection apparatus 100 according to an embodiment of the present invention may further set a classification model as well as a combination of factors optimized for detecting defects of a plurality of inspected objects. Accordingly, based on the reference factor group and the reference classification model, defect detection can be performed quickly and accurately for a plurality of objects and objects of the same type.

상기 제어부(120)는, 상기 복수의 피검사체를 학습용 피검사체와 검출용 피검사체로 분류하도록 구성될 수 있다.The control unit 120 may be configured to classify the plurality of subjects as a learning subject and a detection subject.

예컨대, 100개의 피검사체는 10개씩 하나의 피검사체 그룹으로 분류될 수 있다. 즉, 100개의 피검사체는 10개의 피검사체 그룹으로 분류되고, 각각의 피검사체 그룹에는 10개의 피검사체가 포함될 수 있다. 제어부(120)는 제1 피검사체 그룹에 포함된 10개의 피검사체를 검출용 피검사체로 분류하고, 제2 내지 제10 피검사체 그룹에 포함된 90개의 피검사체를 학습용 피검사체로 분류할 수 있다.For example, 100 subjects may be classified into one subject group of 10 each. That is, 100 subjects may be classified into 10 subject groups, and each subject group may include 10 subjects. The control unit 120 may classify 10 subjects included in the first subject group as detection subjects, and classify 90 subjects included in the second to tenth subject groups as learning subjects. .

제어부(120)는 상기 학습용 피검사체에 대해 추출된 복수의 특징값과 상기 학습용 피검사체에 대해 미리 설정된 참조 상태에 기반하여 상기 분류 모델을 학습시키도록 구성될 수 있다.The control unit 120 may be configured to learn the classification model based on a plurality of feature values extracted with respect to the subject for learning and a preset reference state for the subject for learning.

예컨대, 제어부(120)는 학습용 피검사체로 분류된 90개의 피검사체 각각에 대하여 와전류 프로파일을 생성할 수 있다. 즉, 학습용 피검사체에 대해 총 90개의 와전류 프로파일이 생성될 수 있다. 제어부(120)는 각각의 와전류 프로파일에서 복수의 특징값을 추출하고, 추출한 특징값과 학습용 피검사체의 참조 상태에 기반하여 분류 모델을 학습시킬 수 있다.For example, the control unit 120 may generate an eddy current profile for each of the 90 subjects classified as subjects for learning. That is, a total of 90 eddy current profiles may be generated for the learning target. The controller 120 may extract a plurality of feature values from each eddy current profile, and train the classification model based on the extracted feature values and the reference state of the subject for learning.

제어부(120)는 학습된 분류 모델, 상기 검출용 피검사체에 대해 추출된 복수의 특징값, 및 상기 검출용 피검사체에 대해 미리 설정된 참조 상태에 기반하여 상기 복수의 인자 그룹마다 상기 검출용 피검사체에 대한 상기 결함 검출 성능을 판단하기 위한 분류 정확도, 유출율, 및 과검율을 산출하도록 구성될 수 있다.The control unit 120 is configured to control the detection target for each of the plurality of factor groups based on a learned classification model, a plurality of feature values extracted with respect to the detection target, and a preset reference state for the detection target. and may be configured to calculate a classification accuracy, a leak rate, and an overdetection rate for determining the defect detection performance for .

구체적으로 제어부(120)는, 검출용 피검사체 중 학습된 분류 모델에 따라 판단된 예측 상태와 미리 설정된 참조 상태가 동일한 피검사체의 비율을 분류 정확도로 산출하도록 구성될 수 있다.In more detail, the controller 120 may be configured to calculate, with classification accuracy, a ratio of an inspected object having the same predicted state and a preset reference state determined according to a learned classification model among detection objects.

예컨대, 제어부(120)가 제1 분류 모델(M1)과 제1 인자 그룹을 이용하여 10개의 검출용 피검사체의 결함을 검출한 결과, 예측 상태와 참조 상태가 상이한 피검사체의 개수가 1개라고 가정한다. 제어부(120)는 제1 분류 모델(M1)과 제1 인자 그룹에 대한 분류 정확도를 "9÷10×100"의 수식에 따라 산출할 수 있다.For example, as a result of the control unit 120 detecting the defects of 10 inspection objects for detection using the first classification model M1 and the first factor group, it is determined that the number of inspected objects having different predicted states and reference states is one. Assume The controller 120 may calculate the classification accuracy for the first classification model M1 and the first factor group according to a formula of “9÷10×100”.

보다 구체적으로, 상기 제어부(120)는, 상기 복수의 피검사체를 상기 학습용 피검사체가 속하는 학습용 그룹과 상기 검출용 피검사체가 속하는 검출용 그룹으로 분류하고, 분류된 검출용 그룹에 대한 상기 분류 정확도, 상기 유출율, 및 상기 과검율을 산출하도록 구성될 수 있다. More specifically, the control unit 120 classifies the plurality of inspected objects into a learning group to which the learning object belongs and a detection group to which the detection object belongs, and the classification accuracy for the classified detection group , the outflow rate, and may be configured to calculate the over-gum rate.

이후, 제어부(120)는 상기 복수의 피검사체 각각이 적어도 한 번씩은 상기 검출용 그룹에 포함되도록 상기 복수의 피검사체를 재분류하도록 구성될 수 있다.Thereafter, the controller 120 may be configured to reclassify the plurality of inspected objects so that each of the plurality of inspected objects is included in the detection group at least once.

즉, 제어부(120)는 복수의 피검사체 각각을 적어도 한번은 검출용 피검사체로 분류시킬 수 있다. 바람직하게, 제어부(120)는 복수의 피검사체를 검출용 피검사체로 한 번씩 분류시킬 수 있다.That is, the control unit 120 may classify each of the plurality of inspected objects as an inspection object for detection at least once. Preferably, the control unit 120 may classify the plurality of inspected objects as the detection objects once.

예컨대, 제1 피검사체 그룹이 검출용 그룹으로 선택되고, 제2 내지 제10 피검사체 그룹이 학습용 그룹으로 선택되며, 제1 피검사체 그룹에 대한 분류 정확도, 유출율, 및 과검율이 산출되었다고 가정한다. 제어부(120)는 제2 피검사체 그룹을 검출용 그룹으로 선택하고, 제1 피검사체 그룹 및 제3 내지 제10 피검사체 그룹을 학습용 그룹으로 선택할 수 있다. 그리고, 제어부(120)는 제1 피검사체 그룹 및 제3 내지 제10 피검사체 그룹에 기반하여 분류 모델을 학습시킬 수 있다. 이 때, 제어부(120)는 초기 분류 모델을 제2 내지 제10 피검사체 그룹에 기반하여 학습시킬 수 있다. 또한, 제어부(120)는 초기 분류 모델을 제1 피검사체 그룹, 및 제3 내지 제10 피검사체 그룹에 기반하여 학습시킬 수 있다. 즉, 제어부(120)에 의해 학습된 분류 모델은 피검사체 그룹에 따라 서로 상이할 수 있다.For example, it is assumed that the first subject group is selected as the detection group, the second to tenth subject groups are selected as the learning group, and the classification accuracy, leakage rate, and overdetection rate for the first subject group are calculated. . The control unit 120 may select the second subject group as the detection group, and select the first subject group and the third to tenth subject groups as the learning group. In addition, the controller 120 may learn the classification model based on the first subject group and the third to tenth subject groups. In this case, the controller 120 may train the initial classification model based on the second to tenth subject groups. Also, the controller 120 may train the initial classification model based on the first subject group and the third to tenth subject groups. That is, the classification model learned by the control unit 120 may be different from each other according to the subject group.

그리고, 제어부(120)는 재분류된 검출용 그룹에 대한 상기 분류 정확도, 상기 유출율, 및 상기 과검율을 산출하도록 구성될 수 있다.In addition, the control unit 120 may be configured to calculate the classification accuracy, the leak rate, and the overdetection rate for the reclassified detection group.

예컨대, 앞선 실시예에서, 제어부(120)는 검출용 그룹으로 선택된 제1 피검사체 그룹 및 제2 피검사체 그룹에 대한 분류 정확도, 유출율, 및 과검율을 산출할 수 있다. 이와 같은 방식으로, 제어부(120)는 제3 내지 제10 피검사체 그룹 각각에 대하여, 복수의 인자 그룹 및 분류 모델별로 분류 정확도, 유출율, 및 과검율을 산출할 수 있다.For example, in the previous embodiment, the control unit 120 may calculate classification accuracy, leakage rate, and overdetection rate for the first and second subject groups selected as the detection group. In this way, for each of the third to tenth subject groups, the control unit 120 may calculate classification accuracy, leakage rate, and overdetection rate for each of a plurality of factor groups and classification models.

그리고, 상기 제어부(120)는, 상기 복수의 인자 그룹마다 상기 검출용 그룹에 대해 산출된 분류 정확도의 평균 분류 정확도를 산출하도록 구성될 수 있다.The control unit 120 may be configured to calculate an average classification accuracy of the classification accuracy calculated for the detection group for each of the plurality of factor groups.

예컨대, 총 N개의 피검사체가 M개의 피검사체 그룹으로 분류되었고, J개의 인자 그룹과 1개의 분류 모델이 구비되었다고 가정한다. 제어부(120)는 J개의 인자 그룹 각각에 대하여, M개의 피검사체 그룹 각각에 대한 분류 정확도, 유출율, 및 과검율을 산출할 수 있다. 즉, J개의 인자 그룹 각각에 대하여 M개의 분류 정확도, M개의 유출율, 및 M개의 과검율이 산출될 수 있다. 제어부(120)는 각각의 인자 그룹마다 산출된 M개의 분류 정확도의 평균을 계산하여, 대응되는 인자 그룹의 평균 정확도를 산출할 수 있다.For example, it is assumed that a total of N subject groups are classified into M subject groups, and that J factor groups and one classification model are provided. For each of the J factor groups, the controller 120 may calculate classification accuracy, leakage rate, and overdetection rate for each of the M subject groups. That is, M classification accuracies, M leak rates, and M overcheck rates may be calculated for each of the J factor groups. The controller 120 may calculate the average of the M classification accuracies calculated for each factor group, and calculate the average accuracy of the corresponding factor group.

제어부(120)는 산출된 평균 분류 정확도가 큰 순서대로 소정 개수의 인자 그룹을 선택하도록 구성될 수 있다. The controller 120 may be configured to select a predetermined number of factor groups in an order of increasing the calculated average classification accuracy.

예컨대, 제2 테이블(T2)에 기재된 15개의 인자 그룹은 평균 분류 정확도가 가장 높은 상위 15개의 인자 그룹일 수 있다. 구체적으로, 인자 그룹은 적어도 하나의 인자를 포함하여야 하기 때문에, 제1 테이블(T1)에 기재된 총 10개의 인자로 생성될 수 있는 인자 그룹은 1,023개이다. 그 중 인자 그룹별로 산출된 평균 분류 정확도가 가장 높은 15개의 인자 그룹이 제2 테이블(T2)에 기재된 인자 그룹일 수 있다.For example, the 15 factor groups described in the second table T2 may be the top 15 factor groups having the highest average classification accuracy. Specifically, since the factor group must include at least one factor, the number of factor groups that can be generated with a total of 10 factors described in the first table T1 is 1,023. Among them, 15 factor groups having the highest average classification accuracy calculated for each factor group may be the factor groups described in the second table T2.

제어부(120)는 선택된 인자 그룹 중 산출된 최저 유출율이 가장 낮은 인자 그룹을 상기 복수의 피검사체에 대한 기준 인자 그룹으로 설정하도록 구성될 수 있다.The control unit 120 may be configured to set a factor group having the lowest calculated lowest leakage rate among the selected factor groups as a reference factor group for the plurality of subjects.

예컨대, 제2 테이블(T2)을 참조하면, 제1 분류 모델(M1)에 대해서는 제14 인자 그룹의 최저 유출율이 5%로 가장 낮다. 따라서, 제어부(120)는 제1 분류 모델(M1)을 이용하는 경우, 복수의 피검사체에 대한 기준 인자 그룹을 제14 인자 그룹으로 설정할 수 있다.For example, referring to the second table T2, for the first classification model M1, the lowest outflow rate of the 14th factor group is the lowest at 5%. Accordingly, when the first classification model M1 is used, the controller 120 may set the reference factor group for the plurality of subjects as the 14th factor group.

반면, 상기 최저 유출율이 가장 낮은 인자 그룹이 복수인 경우, 상기 제어부(120)는, 상기 최저 유출율이 가장 낮은 복수의 인자 그룹 중 산출된 최저 과검율이 가장 낮은 인자 그룹을 상기 복수의 피검사체에 대한 기준 인자 그룹으로 설정하도록 구성될 수 있다. 만약, 상기 최저 과검율이 가장 낮은 인자 그룹이 복수인 경우, 상기 제어부(120)는, 상기 최저 과검율이 가장 낮은 복수의 인자 그룹 중 산출된 평균 분류 정확도가 가장 높은 인자 그룹을 상기 복수의 피검사체에 대한 기준 인자 그룹으로 설정하도록 구성될 수 있다.On the other hand, when there are a plurality of factor groups having the lowest leakage rate, the control unit 120 applies the factor group having the lowest calculated lowest overdetection rate among the plurality of factor groups having the lowest leakage rate to the plurality of subjects. may be configured to be set as a reference factor group for If there are a plurality of factor groups having the lowest overdetection rate, the controller 120 selects the factor group having the highest calculated average classification accuracy from among the plurality of factor groups having the lowest lowest overcheck rate. It can be configured to set as a reference factor group for the cadaver.

예컨대, 제2 테이블(T2)을 참조하면, 제2 분류 모델(M2)에 대해서는 제12 인자 그룹과 제13 인자 그룹의 최저 유출율이 모두 0%로 동일하다. 또한, 제2 분류 모델(M2)에 대해서, 제12 인자 그룹과 제13 인자 그룹의 최저 과검율도 0%로 동일하다. 따라서, 제어부(120)는 제12 인자 그룹과 제13 인자 그룹의 분류 정확도(구체적으로는, 평균 분류 정확도)를 비교하여, 분류 정확도가 더 높은 제13 인자 그룹을 제2 분류 모델(M2)을 이용하여 복수의 피검사체의 결함을 검출할 때의 기준 인자 그룹으로 설정할 수 있다.For example, referring to the second table T2 , with respect to the second classification model M2 , the lowest outflow rates of the twelfth factor group and the thirteenth factor group are both equal to 0%. Also, with respect to the second classification model M2, the lowest overdetection rate of the twelfth factor group and the thirteenth factor group is also the same at 0%. Accordingly, the controller 120 compares the classification accuracy (specifically, average classification accuracy) of the twelfth factor group and the thirteenth factor group, and selects the thirteenth factor group with higher classification accuracy as the second classification model M2. It can be set as a reference factor group when detecting defects of a plurality of inspected objects using

즉, 본 발명의 일 실시예에 따른 결함 검출 장치(100)는 복수의 피검사체 각각을 1회씩 검출용 그룹으로 분류함으로써, 복수의 인자 그룹 각각에 대하여 복수의 피검사체에 대한 분류 정확도, 유출율, 및 과검율을 교차 검증할 수 있다. 그리고, 결함 검출 장치(100)는 교차 검증의 결과에 따라 복수의 피검사체에 대한 기준 인자 그룹을 설정하여, 복수의 피검사체에 대한 최적의 인자 그룹을 설정할 수 있는 장점이 있다.That is, the defect detection apparatus 100 according to an embodiment of the present invention classifies each of the plurality of inspected objects into a detection group once, so that the classification accuracy, the leakage rate, and cross-validation of the overcheck rate. In addition, the defect detection apparatus 100 has an advantage in that it can set the optimal factor group for the plurality of objects by setting the reference factor groups for the plurality of objects according to the result of the cross-verification.

한편, 제어부(120)는 복수의 피검사체 각각이 적어도 한 번씩은 검출용 그룹에 포함되도록 복수의 피검사체를 학습용 그룹과 검출용 그룹으로 선택하고, 선택된 학습용 그룹과 검출용 그룹에 기반하여 분류 모델을 독립적으로 복수 회 학습시킬 수 있다.Meanwhile, the control unit 120 selects the plurality of subjects as a learning group and a detection group so that each of the plurality of subjects is included in the detection group at least once, and a classification model based on the selected learning group and detection group can be independently trained multiple times.

분류 모델이 학습되는 과정에서, 분류 모델의 파라미터는 입력되는 학습용 그룹에 따라 설정될 수 있다. 즉, 입력되는 학습용 그룹에 맞춰서 분류 모델의 파라미터는 서로 다르게 설정될 수 있다. 따라서, 제어부(120)는 분류 모델을 독립적으로 복수 회 학습시킨 후, 학습된 복수의 분류 모델 각각으로부터 산출되는 유출율 및 과검율을 비교하여, 학습된 복수의 분류 모델 중 어느 하나를 최적 분류 모델로 선택할 수 있다.In the process of learning the classification model, parameters of the classification model may be set according to an input learning group. That is, the parameters of the classification model may be set differently according to the input learning group. Therefore, the control unit 120 independently trains the classification model a plurality of times, compares the outflow rate and the overcheck rate calculated from each of the plurality of learned classification models, and selects any one of the plurality of learned classification models as the optimal classification model. You can choose.

예컨대, 제K 인자 그룹에 대해서, N개의 피검사체 그룹과 1개의 분류 모델이 구비되었다고 가정한다. 제어부(120)는 N개의 피검사체 그룹 각각을 한 번씩 검출용 그룹으로 선택하고, 나머지 N-1개의 피검사체 그룹을 학습용 그룹으로 선택하며, 선택된 N-1개의 학습용 그룹에 기반하여 분류 모델을 독립적으로 N회 학습시킬 수 있다. 즉, 이러한 과정을 거쳐, N개의 학습된 분류 모델이 생성될 수 있다. 여기서, N개의 학습된 분류 모델에 입력된 학습용 그룹이 서로 다르기 때문에, N개의 학습된 분류 모델 각각에 설정된 파라미터는 서로 상이할 수 있다. 그리고, 제어부(120)는 N개의 학습된 분류 모델에서 산출된 N개의 유출율 및 N개의 과검율에 기반하여, N개의 학습된 분류 모델 중 어느 하나를 제K 인자 그룹에 대한 최적 분류 모델로 선택할 수 있다. For example, for the K-th factor group, it is assumed that N groups of subjects and one classification model are provided. The control unit 120 selects each of the N test subject groups as a detection group once, selects the remaining N-1 subject groups as a learning group, and independently separates the classification model based on the selected N-1 learning groups. can be trained N times. That is, through this process, N learned classification models may be generated. Here, since the training groups input to the N learned classification models are different from each other, parameters set in each of the N learned classification models may be different from each other. And, the control unit 120 can select any one of the N learned classification models as the optimal classification model for the K-th factor group based on the N leak rates and N over-test rates calculated from the N learned classification models. have.

구체적으로, 제어부(120)는 N개의 학습된 분류 모델 중 산출된 유출율이 가장 낮은 학습된 분류 모델을 최적 분류 모델로 선택할 수 있다. 만약, N개의 학습된 분류 모델 중 M개의 학습된 분류 모델에서 산출된 유출율이 최저일 경우, 상기 M개의 학습된 분류 모델 중 산출된 과검율이 가장 낮은 학습된 분류 모델을 최적 분류 모델로 선택할 수 있다.Specifically, the controller 120 may select a learned classification model having the lowest calculated leakage rate among the N learned classification models as the optimal classification model. If the leakage rate calculated from the M learned classification models among the N learned classification models is the lowest, the learned classification model with the lowest calculated overcheck rate among the M learned classification models can be selected as the optimal classification model. have.

이후, 제어부(120)는 복수의 피검사체 각각이 적어도 한 번씩은 검출용 그룹에 포함되도록 검출용 그룹으로 선택하고, 선택된 검출용 그룹을 상기 최적 분류 모델에 입력하여 분류 정확도, 유출율 및 과검율을 산출할 수 있다.Thereafter, the control unit 120 selects a detection group so that each of the plurality of subjects is included in the detection group at least once, and inputs the selected detection group into the optimal classification model to obtain classification accuracy, leakage rate, and overdetection rate. can be calculated.

예컨대, 앞선 실시예에 이어서, 제K 인자 그룹에 대해서, N개의 피검사체 그룹과 1개의 최적 분류 모델이 구비되었다고 가정한다. 제어부(120)는 최적 분류 모델에 N개의 피검사체 그룹 각각을 입력하여, N개의 분류 정확도, N개의 유출율, 및 N개의 과검율을 산출할 수 있다. 이후, 제어부(120)는 N개의 분류 정확도의 평균을 산출하여 제K 인자 그룹과 최적 분류 모델에 대한 평균 분류 정확도를 설정할 수 있다. 그리고, 제어부(120)는 산출된 N개의 유출율 중 최저 유출율을 제K 인자 그룹과 최적 분류 모델에 대한 유출율로 설정할 수 있다. 마찬가지로, 제어부(120)는 산출된 N개의 과검율 중 최저 과검율을 제K 인자 그룹과 최적 분류 모델에 대한 과검율로 설정할 수 있다.For example, following the previous embodiment, it is assumed that N groups of subjects and one optimal classification model are provided for the K-th factor group. The controller 120 may input each of the N test subject groups into the optimal classification model to calculate N classification accuracies, N leak rates, and N overdetection rates. Thereafter, the controller 120 may calculate the average of the N classification accuracies to set the average classification accuracy for the K-th factor group and the optimal classification model. In addition, the controller 120 may set the lowest outflow rate among the calculated N outflow rates as the outflow rate for the K-th factor group and the optimal classification model. Similarly, the controller 120 may set the lowest overcheck rate among the calculated N overcheck rates as the overcheck rate for the K-th factor group and the optimal classification model.

제어부(120)는 각각의 인자 그룹과 각각의 분류 모델에 대해 상술한 과정을 수행함으로써, 각각의 인자 그룹과 각각의 최적 분류 모델에 대한 평균 분류 정확도, 유출율, 및 과검율을 설정할 수 있다. 그리고, 제어부(120)는 복수의 인자 그룹 각각에 대한 결함 검출 성능을 비교하여, 복수의 피검사체에 대한 기준 인자 그룹 및 기준 분류 모델을 설정할 수 있다.The controller 120 may set the average classification accuracy, leakage rate, and overdetection rate for each factor group and each optimal classification model by performing the above-described process for each factor group and each classification model. In addition, the controller 120 may compare the defect detection performance of each of the plurality of factor groups to set a reference factor group and a reference classification model for the plurality of subjects.

즉, 본 발명의 일 실시예에 따른 결함 검출 장치(100)는 복수의 인자 그룹 각각에 대하여 복수의 피검사체에 대한 분류 정확도, 유출율, 및 과검율을 교차 검증하는 과정에서, 각각의 인자 그룹에 가장 최적화된 분류 모델을 생성할 수 있다. 따라서, 동일한 분류 모델일지라도 각각의 인자 그룹에 대응되도록 서로 다르게 학습될 수 있기 때문에, 결함 검출 장치(100)는 복수의 피검사체에 대해 가장 적합한 기준 인자 그룹 및 기준 분류 모델을 설정할 수 있는 장점이 있다.That is, the defect detection apparatus 100 according to an embodiment of the present invention cross-verifies the classification accuracy, leakage rate, and overdetection rate for a plurality of inspected objects for each of the plurality of factor groups. The most optimized classification model can be created. Therefore, since even the same classification model can be learned differently to correspond to each factor group, the defect detection apparatus 100 has the advantage of being able to set the most suitable reference factor group and reference classification model for a plurality of subjects. .

본 발명의 다른 실시예에 따른 배터리 검사 장치는 본 발명의 일 실시예에 따른 결함 검출 장치(100)를 포함할 수 있다. A battery inspection apparatus according to another embodiment of the present invention may include the defect detection apparatus 100 according to an embodiment of the present invention.

보다 구체적으로, 피검사체는 배터리에 구비되는 전극 리드로 구성될 수 있다. More specifically, the object to be inspected may be composed of an electrode lead provided in a battery.

여기서, 배터리는 음극 단자와 양극 단자를 구비하며, 물리적으로 분리 가능한 하나의 독립된 셀을 의미한다. 일 예로, 파우치형 리튬 폴리머 셀 하나가 배터리로 간주될 수 있다. 배터리에는 전극 리드로써 양극 리드와 음극 리드가 구비될 수 있다. 그리고, 결함 검출 장치(100)는 배터리에 구비된 전극 리드의 결함을 검출할 수 있다.Here, the battery includes a negative terminal and a positive terminal, and refers to one physically separable independent cell. For example, one pouch-type lithium polymer cell may be regarded as a battery. The battery may include a positive electrode lead and a negative electrode lead as electrode leads. In addition, the defect detection apparatus 100 may detect a defect in the electrode lead provided in the battery.

예컨대, 측정부(110)는 전극 리드의 길이 방향 또는 너비 방향을 따라 전극 리드의 일단부터 타단까지의 위치별 와전류를 측정할 수 있다. For example, the measuring unit 110 may measure the eddy current for each position from one end to the other end of the electrode lead in the longitudinal direction or the width direction of the electrode lead.

상기 제어부(120)는, 상기 배터리의 전극 리드에 대해 설정된 상기 기준 인자 그룹과 상기 분류 모델을 이용하여 상기 전극 리드의 결함을 검출하고, 검출 결과에 기반하여 상기 배터리의 결함 여부를 진단하도록 구성될 수 있다.The controller 120 may be configured to detect a defect in the electrode lead using the classification model and the reference factor group set for the electrode lead of the battery, and to diagnose whether the battery is defective based on the detection result. can

제어부(120)는 전극 리드에 대한 기준 인자 그룹 및 기준 분류 모델을 미리 설정할 수 있다. 그리고, 제어부(120)는 전극 리드에 대한 와전류 프로파일로부터 기준 인자 그룹에 포함된 인자에 대응되는 복수의 특징값을 추출하고, 추출한 복수의 특징값을 기준 분류 모델에 입력하여 전극 리드의 결함을 진단할 수 있다.The controller 120 may preset a reference factor group and a reference classification model for the electrode lead. Then, the control unit 120 extracts a plurality of feature values corresponding to the factors included in the reference factor group from the eddy current profile for the electrode leads, and inputs the extracted feature values into the reference classification model to diagnose defects in the electrode leads can do.

예컨대, 도 4의 실시예에서, 피검사체가 전극 리드라고 가정한다. 제어부(120)는 제2 분류 모델(M2)을 기준 분류 모델로 설정할 수 있다. 그리고, 제13 인자 그룹의 분류 정확도가 제12 인자 그룹의 분류 정확도 보다 높기 때문에, 제어부(120)는 제13 인자 그룹을 기준 인자 그룹으로 설정할 수 있다.For example, in the embodiment of FIG. 4 , it is assumed that the subject is an electrode lead. The controller 120 may set the second classification model M2 as a reference classification model. And, since the classification accuracy of the thirteenth factor group is higher than that of the twelfth factor group, the controller 120 may set the thirteenth factor group as the reference factor group.

제어부(120)에 의해 전극 리드에 최적화된 기준 인자 그룹 및 기준 분류 모델이 미리 설정되었기 때문에, 전극 리드에 대한 결함 검출의 정확도 및 신뢰도는 매우 높으며, 전극 리드의 결함 여부가 신속하게 진단될 수 있다.Since the reference factor group and reference classification model optimized for the electrode lead are preset by the controller 120, the accuracy and reliability of defect detection for the electrode lead is very high, and whether the electrode lead is defective can be quickly diagnosed. .

도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 결함 검출 방법을 개략적으로 도시한 도면이다.5 is a diagram schematically illustrating a defect detection method according to another embodiment of the present invention.

결함 검출 방법의 각 단계는 본 발명의 일 실시예에 따른 결함 검출 장치(100)에 의해서 수행될 수 있다. 이하에서는, 앞서 설명한 내용과 중복되는 내용은 간략히 설명하도록 한다.Each step of the defect detection method may be performed by the defect detection apparatus 100 according to an embodiment of the present invention. Hereinafter, content overlapping with the previously described content will be briefly described.

도 5를 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 결함 검출 방법은 와전류 측정 단계(S100), 와전류 프로파일 생성 단계(S200), 특징값 추출 단계(S300), 예측 상태 결정 단계(S400), 결함 검출 성능 판단 단계(S500), 및 기준 인자 그룹 설정 단계(S600)를 포함할 수 있다.5 , the defect detection method according to another embodiment of the present invention includes an eddy current measurement step (S100), an eddy current profile generation step (S200), a feature value extraction step (S300), a predicted state determination step (S400), and a defect It may include a detection performance determination step (S500) and a reference factor group setting step (S600).

와전류 측정 단계(S100)는 복수의 피검사체 대하여, 제1 위치부터 제2 위치까지의 측정 구간에서 위치별 와전류를 측정하는 단계로서, 측정부(110)에 의해 수행될 수 있다.The eddy current measuring step ( S100 ) is a step of measuring the eddy currents for each position in the measurement section from the first position to the second position with respect to the plurality of objects, and may be performed by the measuring unit 110 .

와전류 프로파일 생성 단계(S200)는 상기 와전류 측정 단계(S100)에서 측정된 위치별 와전류 측정값에 기반하여 와전류 측정 위치와 와전류 측정값의 대응 관계를 나타내는 복수의 와전류 프로파일을 생성하는 단계로서, 제어부(120)에 의해 수행될 수 있다.The eddy current profile generation step (S200) is a step of generating a plurality of eddy current profiles indicating the correspondence between the eddy current measurement position and the eddy current measurement value based on the eddy current measurement value for each position measured in the eddy current measurement step (S100). 120) can be carried out.

예컨대, 도 2의 실시예에서, 제어부(120)는 복수의 피검사체 각각에 대하여, 와전류 측정 위치와 와전류 측정값에 대한 와전류 프로파일을 생성할 수 있다.For example, in the embodiment of FIG. 2 , the controller 120 may generate an eddy current profile with respect to an eddy current measurement position and an eddy current measurement value for each of a plurality of inspected objects.

특징값 추출 단계(S300)는 생성된 복수의 와전류 프로파일에서 복수의 인자에 대응되는 복수의 특징값을 추출하는 단계로서, 제어부(120)에 의해 수행될 수 있다.The feature value extraction step S300 is a step of extracting a plurality of feature values corresponding to a plurality of factors from a plurality of generated eddy current profiles, and may be performed by the controller 120 .

도 2 및 도 3을 참조하면, 제어부(120)는 생성한 복수의 와전류 프로파일 각각에서 제1 테이블(T1)에 기재된 복수의 인자에 대응되는 복수의 특징값을 추출할 수 있다.2 and 3 , the controller 120 may extract a plurality of feature values corresponding to a plurality of factors described in the first table T1 from each of the plurality of generated eddy current profiles.

예측 상태 결정 단계(S400)는 상기 복수의 인자의 조합에 따라 복수의 인자 그룹을 생성하고, 생성된 복수의 인자 그룹 각각마다, 대응되는 특징값 및 미리 설정된 분류 모델을 이용하여 상기 복수의 피검사체 각각의 예측 상태를 결정하는 단계로서, 제어부(120)에 의해 수행될 수 있다.In the predicting state determining step ( S400 ), a plurality of factor groups are generated according to a combination of the plurality of factors, and for each of the generated plurality of factor groups, a corresponding feature value and a preset classification model are used to generate the plurality of test objects. The step of determining each prediction state may be performed by the controller 120 .

제어부(120)는 복수의 인자를 조합하여 복수의 인자 그룹을 생성할 수 있다. 바람직하게, 인자 그룹에는 적어도 하나의 인자가 포함될 수 있다. 예컨대, 복수의 인자의 개수가 N개라면, 제어부(120)에 의해 생성된 복수의 인자 그룹의 개수는 "2N-1"개이다.The controller 120 may generate a plurality of factor groups by combining a plurality of factors. Preferably, at least one factor may be included in the factor group. For example, if the number of the plurality of factors is N, the number of the plurality of factor groups generated by the controller 120 is “2 N −1”.

그리고, 제어부(120)는 복수의 인자 그룹 각각에 대하여, 복수의 피검사체 각각의 예측 상태를 결정할 수 있다. In addition, the controller 120 may determine the predicted state of each of the plurality of subject groups for each of the plurality of factor groups.

결함 검출 성능 판단 단계(S500)는 상기 예측 상태 결정 단계(S400)에서 결정된 복수의 예측 상태와 상기 복수의 피검사체 각각에 대해 미리 설정된 참조 상태에 기반하여, 상기 복수의 인자 그룹마다 상기 복수의 피검사체에 대한 결함 검출 성능을 판단하는 단계로서, 제어부(120)에 의해 수행될 수 있다.The defect detection performance determination step S500 is performed on the basis of the plurality of predicted states determined in the predicted state determination step S400 and preset reference states for each of the plurality of inspected objects, the plurality of inspected states for each of the plurality of factor groups. As a step of determining the defect detection performance for the cadaver, it may be performed by the controller 120 .

구체적으로, 제어부(120)는 복수의 피검사체 각각에 대한 예측 상태와 참조 상태를 비교한 결과에 따라, 복수의 인자 그룹에 대한 결함 검출 성능을 판단하기 위하여 유출율 및 과검율을 산출할 수 있다.Specifically, according to a result of comparing the predicted state and the reference state of each of the plurality of inspected objects, the controller 120 may calculate the leak rate and the overdetection rate to determine the defect detection performance for the plurality of factor groups.

기준 인자 그룹 설정 단계(S600)는 상기 복수의 인자 그룹마다 판단된 결함 검출 성능에 기반하여 상기 복수의 인자 그룹 중 어느 하나를 상기 복수의 피검사체에 대한 기준 인자 그룹으로 설정하는 단계로서, 제어부(120)에 의해 수행될 수 있다.The reference factor group setting step ( S600 ) is a step of setting any one of the plurality of factor groups as a reference factor group for the plurality of inspected objects based on the defect detection performance determined for each of the plurality of factor groups, and includes a control unit ( 120) can be carried out.

바람직하게, 제어부(120)는 복수의 인자 그룹 중 산출된 유출율이 가장 낮은 인자 그룹을 복수의 피검사체에 대한 기준 인자 그룹으로 설정할 수 있다. 만일, 산출된 유출율이 가장 낮은 인자 그룹이 복수인 경우, 제어부(120)는 복수의 인자 그룹 중 산출된 과검율이 가장 낮은 인자 그룹을 복수의 피검사체에 대한 기준 인자 그룹으로 설정할 수 있다.Preferably, the controller 120 may set a factor group having the lowest calculated outflow rate among the plurality of factor groups as the reference factor group for the plurality of subjects. If there are a plurality of factor groups having the lowest calculated leakage rate, the controller 120 may set a factor group having the lowest calculated overdetection rate among the plurality of factor groups as a reference factor group for the plurality of subjects.

이상에서 설명한 본 발명의 실시예는 장치 및 방법을 통해서만 구현이 되는 것은 아니며, 본 발명의 실시예의 구성에 대응하는 기능을 실현하는 프로그램 또는 그 프로그램이 기록된 기록 매체를 통해 구현될 수도 있으며, 이러한 구현은 앞서 설명한 실시예의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술분야의 전문가라면 쉽게 구현할 수 있는 것이다. The embodiment of the present invention described above is not implemented only through the apparatus and method, and may be implemented through a program for realizing a function corresponding to the configuration of the embodiment of the present invention or a recording medium in which the program is recorded. The implementation can be easily implemented by those skilled in the art to which the present invention pertains from the description of the above-described embodiments.

이상에서 본 발명은 비록 한정된 실시예와 도면에 의해 설명되었으나, 본 발명은 이것에 의해 한정되지 않으며 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 본 발명의 기술사상과 아래에 기재될 특허청구범위의 균등범위 내에서 다양한 수정 및 변형이 가능함은 물론이다.In the above, although the present invention has been described with reference to limited embodiments and drawings, the present invention is not limited thereto and will be described below with the technical idea of the present invention by those of ordinary skill in the art to which the present invention pertains. Of course, various modifications and variations are possible within the scope of equivalents of the claims.

또한, 이상에서 설명한 본 발명은 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 있어 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하므로 전술한 실시예 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니라, 다양한 변형이 이루어질 수 있도록 각 실시예들의 전부 또는 일부가 선택적으로 조합되어 구성될 수 있다.In addition, since the present invention described above can be various substitutions, modifications and changes within the scope that does not depart from the technical spirit of the present invention for those of ordinary skill in the art to which the present invention pertains, the above-described embodiments and attachments It is not limited by the illustrated drawings, and all or part of each embodiment may be selectively combined and configured so that various modifications may be made.

100: 결함 검출 장치
110: 측정부
120: 제어부
130: 저장부
100: defect detection device
110: measurement unit
120: control unit
130: storage

Claims (15)

복수의 피검사체 대하여, 제1 위치부터 제2 위치까지의 측정 구간에서 위치별 와전류를 측정하도록 구성된 측정부; 및
상기 측정부로부터 상기 복수의 피검사체 각각에 대한 위치별 와전류 측정값을 수신하고, 수신한 위치별 와전류 측정값에 기반하여 와전류 측정 위치와 와전류 측정값의 대응 관계를 나타내는 복수의 와전류 프로파일을 생성하며, 생성된 복수의 와전류 프로파일에서 복수의 인자에 대응되는 복수의 특징값을 추출하고, 상기 복수의 인자의 조합에 따라 복수의 인자 그룹을 생성하며, 생성된 복수의 인자 그룹 각각마다, 대응되는 특징값 및 미리 설정된 분류 모델을 이용하여 상기 복수의 피검사체 각각의 예측 상태를 결정하고, 결정된 복수의 예측 상태와 상기 복수의 피검사체 각각에 대해 미리 설정된 참조 상태에 기반하여, 상기 복수의 인자 그룹마다 상기 복수의 피검사체에 대한 결함 검출 성능을 판단하며, 상기 복수의 인자 그룹마다 판단된 결함 검출 성능에 기반하여 상기 복수의 인자 그룹 중 어느 하나를 상기 복수의 피검사체에 대한 기준 인자 그룹으로 설정하도록 구성된 제어부를 포함하는 것을 특징으로 하는 결함 검출 장치.
a measuring unit configured to measure an eddy current for each position in a measurement section from a first position to a second position with respect to a plurality of subjects; and
Receives eddy current measurement values for each position for each of the plurality of inspected objects from the measurement unit, and generates a plurality of eddy current profiles indicating a corresponding relationship between the eddy current measurement positions and the eddy current measurement values based on the received eddy current measurement values for each position, and , extracts a plurality of feature values corresponding to a plurality of factors from the generated plurality of eddy current profiles, generates a plurality of factor groups according to a combination of the plurality of factors, and for each of the generated plurality of factor groups, corresponding features The predicted state of each of the plurality of subjects is determined using a value and a preset classification model, and based on the determined plurality of predicted states and a preset reference state for each of the plurality of subjects, for each of the plurality of factor groups determine defect detection performance for the plurality of inspected objects, and set any one of the plurality of factor groups as a reference factor group for the plurality of inspected objects based on the determined defect detection performance for each of the plurality of factor groups A defect detection device comprising a configured control unit.
제1항에 있어서,
상기 제어부는,
상기 복수의 피검사체 각각에 대해 상기 결정된 예측 상태와 상기 미리 설정된 참조 상태가 동일한지 여부를 판단하여, 상기 복수의 인자 그룹마다 상기 복수의 피검사체에 대한 상기 결함 검출 성능을 판단하기 위한 유출율 및 과검율을 산출하도록 구성된 것을 특징으로 하는 결함 검출 장치.
According to claim 1,
The control unit is
For each of the plurality of inspected objects, it is determined whether the determined predicted state and the preset reference state are the same, and for each of the plurality of factor groups, an outflow rate and A defect detection device, characterized in that configured to calculate an inspection rate.
제2항에 있어서,
상기 제어부는,
상기 복수의 인자 그룹 중 산출된 유출율이 가장 낮은 인자 그룹을 상기 복수의 피검사체에 대한 기준 인자 그룹으로 설정하도록 구성된 것을 특징으로 하는 결함 검출 장치.
3. The method of claim 2,
The control unit is
and a factor group having the lowest calculated leakage rate among the plurality of factor groups is configured to be set as a reference factor group for the plurality of inspected objects.
제3항에 있어서,
상기 제어부는,
상기 산출된 유출율이 가장 낮은 인자 그룹이 복수인 경우, 상기 산출된 유출율이 가장 낮은 복수의 인자 그룹 중 산출된 과검율이 가장 낮은 인자 그룹을 상기 복수의 피검사체에 대한 기준 인자 그룹으로 설정하도록 구성된 것을 특징으로 하는 결함 검출 장치.
4. The method of claim 3,
The control unit is
When there are a plurality of factor groups having the lowest calculated outflow rate, the factor group having the lowest calculated overdetection rate among the plurality of factor groups having the lowest calculated outflow ratio is configured to set as a reference factor group for the plurality of subjects A defect detection device, characterized in that.
제2항에 있어서,
상기 제어부는,
상기 분류 모델이 복수 구비된 경우, 복수의 분류 모델 각각에 대하여 상기 복수의 인자 그룹에 대한 상기 복수의 피검사체의 결함 검출 성능을 판단하고, 판단된 결함 검출 성능에 기반하여 상기 복수의 분류 모델 중 어느 하나를 기준 분류 모델로 설정함으로써, 상기 복수의 피검사체에 대한 상기 기준 인자 그룹 및 상기 기준 분류 모델을 설정하도록 구성된 것을 특징으로 하는 결함 검출 장치.
3. The method of claim 2,
The control unit is
When a plurality of classification models are provided, the defect detection performance of the plurality of inspected objects with respect to the plurality of factor groups is determined for each of the plurality of classification models, and among the plurality of classification models based on the determined defect detection performance. The defect detection apparatus according to claim 1, wherein the reference factor group and the reference classification model for the plurality of inspected objects are set by setting any one as a reference classification model.
제1항에 있어서,
상기 제어부는,
상기 복수의 피검사체를 학습용 피검사체와 검출용 피검사체로 분류하고, 상기 학습용 피검사체에 대해 추출된 복수의 특징값과 상기 학습용 피검사체에 대해 미리 설정된 참조 상태에 기반하여 상기 분류 모델을 학습시키며, 학습된 분류 모델, 상기 검출용 피검사체에 대해 추출된 복수의 특징값, 및 상기 검출용 피검사체에 대해 미리 설정된 참조 상태에 기반하여 상기 복수의 인자 그룹마다 상기 검출용 피검사체에 대한 상기 결함 검출 성능을 판단하기 위한 분류 정확도, 유출율, 및 과검율을 산출하도록 구성된 것을 특징으로 하는 결함 검출 장치.
According to claim 1,
The control unit is
Classifying the plurality of subjects into a learning subject and a detection subject, and learning the classification model based on a plurality of feature values extracted from the learning subject and a preset reference state for the learning subject, , a learned classification model, a plurality of feature values extracted for the detection object, and the defect on the detection object for each of the plurality of factor groups based on a preset reference state for the detection object and calculating a classification accuracy, a leak rate, and an overdetection rate for judging the detection performance.
제6항에 있어서,
상기 제어부는,
상기 검출용 피검사체 중 상기 학습된 분류 모델에 따라 판단된 예측 상태와 상기 미리 설정된 참조 상태가 동일한 피검사체의 비율을 상기 분류 정확도로 산출하도록 구성된 것을 특징으로 하는 결함 검출 장치.
7. The method of claim 6,
The control unit is
and calculating, with the classification accuracy, a ratio of an inspected object having the same predicted state and the preset reference state determined according to the learned classification model among the detection inspected objects.
제6항에 있어서,
상기 제어부는,
상기 복수의 피검사체를 상기 학습용 피검사체가 속하는 학습용 그룹과 상기 검출용 피검사체가 속하는 검출용 그룹으로 분류하고, 분류된 검출용 그룹에 대한 상기 분류 정확도, 상기 유출율, 및 상기 과검율을 산출한 후, 상기 복수의 피검사체 각각이 적어도 한 번씩은 상기 검출용 그룹에 포함되도록 상기 복수의 피검사체를 재분류하며, 재분류된 검출용 그룹에 대한 상기 분류 정확도, 상기 유출율, 및 상기 과검율을 산출하도록 구성된 것을 특징으로 하는 결함 검출 장치.
7. The method of claim 6,
The control unit is
Classifying the plurality of subjects into a learning group to which the learning subject belongs and a detection group to which the detection subject belongs, and calculating the classification accuracy, the leakage rate, and the overdetection rate for the classified detection group Then, the plurality of subjects is reclassified so that each of the plurality of subjects is included in the detection group at least once, and the classification accuracy, the leak rate, and the overdetection rate for the reclassified detection group are calculated A defect detection device, characterized in that configured to calculate.
제8항에 있어서,
상기 제어부는,
상기 복수의 인자 그룹마다 상기 검출용 그룹에 대해 산출된 분류 정확도의 평균 분류 정확도를 산출하고, 산출된 평균 분류 정확도가 큰 순서대로 소정 개수의 인자 그룹을 선택하며, 선택된 인자 그룹 중 산출된 최저 유출율이 가장 낮은 인자 그룹을 상기 복수의 피검사체에 대한 기준 인자 그룹으로 설정하도록 구성된 것을 특징으로 하는 결함 검출 장치.
9. The method of claim 8,
The control unit is
The average classification accuracy of the classification accuracy calculated for the detection group is calculated for each of the plurality of factor groups, a predetermined number of factor groups are selected in the order of the calculated average classification accuracy, and the calculated lowest leakage rate among the selected factor groups The defect detection apparatus according to claim 1, wherein the lowest factor group is configured to be set as a reference factor group for the plurality of inspected objects.
제9항에 있어서,
상기 제어부는,
상기 최저 유출율이 가장 낮은 인자 그룹이 복수인 경우, 상기 최저 유출율이 가장 낮은 복수의 인자 그룹 중 산출된 최저 과검율이 가장 낮은 인자 그룹을 상기 복수의 피검사체에 대한 기준 인자 그룹으로 설정하도록 구성된 것을 특징으로 하는 결함 검출 장치.
10. The method of claim 9,
The control unit is
When there are a plurality of factor groups having the lowest leakage rate, the factor group having the lowest calculated lowest overdetection rate among the plurality of factor groups having the lowest leakage rate is configured to be set as a reference factor group for the plurality of subjects A defect detection device characterized in that.
제10항에 있어서,
상기 제어부는,
상기 최저 과검율이 가장 낮은 인자 그룹이 복수인 경우, 상기 최저 과검율이 가장 낮은 복수의 인자 그룹 중 산출된 평균 분류 정확도가 가장 높은 인자 그룹을 상기 복수의 피검사체에 대한 기준 인자 그룹으로 설정하도록 구성된 것을 특징으로 하는 결함 검출 장치.
11. The method of claim 10,
The control unit is
If there are a plurality of factor groups with the lowest overdetection rate, set a factor group with the highest calculated average classification accuracy among the plurality of factor groups with the lowest overdetection rate as a reference factor group for the plurality of subjects A defect detection device, characterized in that configured.
제1항에 있어서,
상기 제어부는,
상기 생성된 와전류 프로파일에서 상기 측정 구간 중 일부 구간을 회귀식 적용 구간으로 설정하고, 상기 설정된 회귀식 적용 구간에서 상기 위치별 와전류 측정값에 대한 선형 회귀 모델을 설정하고, 상기 회귀식 적용 구간의 와전류 측정값의 평균, 상기 회귀식 적용 구간의 와전류 측정값의 표준편차, 상기 회귀식 적용 구간의 길이, 설정된 선형 회귀 모델의 기울기, 및 상기 회귀식 적용 구간의 와전류 측정값과 상기 설정된 선형 회귀 모델 간의 평균 제곱 오차 중 적어도 하나를 상기 특징값으로 추출하도록 구성된 것을 특징으로 하는 결함 검출 장치.
According to claim 1,
The control unit is
In the generated eddy current profile, some section of the measurement section is set as a regression formula application section, a linear regression model for the eddy current measurement value for each position is set in the set regression formula application section, and the eddy current of the regression formula application section The mean of the measured values, the standard deviation of the eddy current measured value of the regression formula application section, the length of the regression formula application section, the slope of the set linear regression model, and between the eddy current measured value of the regression formula application section and the set linear regression model and extracting at least one of the mean square errors as the feature value.
제12항에 있어서,
상기 제어부는,
상기 복수의 와전류 프로파일 각각에서 복수의 피크를 결정하고, 상기 결정된 복수의 피크 중에서 상기 측정 위치가 상기 제1 위치에서 상기 제2 위치로 이동될수록 상기 와전류 측정값이 증가하는 구간에서 상단에 위치하는 상단 피크와 하단에 위치하는 하단 피크를 하나의 피크 쌍으로 결정하고, 결정된 복수의 피크 쌍 중에서 상기 하단 피크와 상기 상단 피크 간의 상기 와전류 측정값의 차이가 큰 순서에 따라 제1 피크 쌍, 제2 피크 쌍, 및 제3 피크 쌍을 결정하며, 상기 제3 피크 쌍을 상기 회귀식 적용 구간으로 설정하도록 구성된 것을 특징으로 하는 결함 검출 장치.
13. The method of claim 12,
The control unit is
A plurality of peaks are determined in each of the plurality of eddy current profiles, and as the measurement position is moved from the first position to the second position among the determined plurality of peaks, the upper end located at the upper end in the section where the eddy current measurement value increases A peak and a lower peak located at the lower end are determined as one peak pair, and a first pair of peaks and a second peak are determined according to the order in which the difference in the eddy current measurement value between the lower peak and the upper peak among the determined plurality of peak pairs is large. and determine a pair and a third peak pair, and set the third peak pair as the regression expression application interval.
제13항에 있어서,
상기 제어부는,
상기 제1 피크 쌍의 상단 피크의 와전류 측정값, 상기 제1 피크 쌍의 상단 피크와 하단 피크 간의 와전류 측정 위치의 차이, 상기 제2 피크 쌍의 하단 피크의 와전류 측정값, 상기 제2 피크 쌍의 상단 피크와 하단 피크 간의 와전류 측정 위치의 차이, 및 상기 제1 피크 쌍의 상단 피크와 상기 제2 피크 쌍의 하단 피크 간의 와전류 측정 위치의 차이 중 적어도 하나를 상기 특징값으로 추출하도록 구성된 것을 특징으로 하는 결함 검출 장치.
14. The method of claim 13,
The control unit is
The eddy current measurement value of the upper peak of the first pair of peaks, the difference in the eddy current measurement positions between the upper and lower peaks of the first peak pair, the eddy current measured value of the lower peak of the second pair of peaks, the second peak pair At least one of a difference in an eddy current measurement position between an upper peak and a lower peak and a difference in an eddy current measurement position between an upper peak of the first pair of peaks and a lower peak of the second pair of peaks is configured to extract as the feature value fault detection device.
복수의 피검사체 대하여, 제1 위치부터 제2 위치까지의 측정 구간에서 위치별 와전류를 측정하는 와전류 측정 단계;
상기 와전류 측정 단계에서 측정된 위치별 와전류 측정값에 기반하여 와전류 측정 위치와 와전류 측정값의 대응 관계를 나타내는 복수의 와전류 프로파일을 생성하는 와전류 프로파일 생성 단계;
생성된 복수의 와전류 프로파일에서 복수의 인자에 대응되는 복수의 특징값을 추출하는 특징값 추출 단계;
상기 복수의 인자의 조합에 따라 복수의 인자 그룹을 생성하고, 생성된 복수의 인자 그룹 각각마다, 대응되는 특징값 및 미리 설정된 분류 모델을 이용하여 상기 복수의 피검사체 각각의 예측 상태를 결정하는 예측 상태 결정 단계;
상기 예측 상태 결정 단계에서 결정된 복수의 예측 상태와 상기 복수의 피검사체 각각에 대해 미리 설정된 참조 상태에 기반하여, 상기 복수의 인자 그룹마다 상기 복수의 피검사체에 대한 결함 검출 성능을 판단하는 결함 검출 성능 판단 단계; 및
상기 복수의 인자 그룹마다 판단된 결함 검출 성능에 기반하여 상기 복수의 인자 그룹 중 어느 하나를 상기 복수의 피검사체에 대한 기준 인자 그룹으로 설정하는 기준 인자 그룹 설정 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 결함 검출 방법.
An eddy current measuring step of measuring an eddy current for each position in a measurement section from a first position to a second position with respect to a plurality of subjects;
an eddy current profile generation step of generating a plurality of eddy current profiles indicating a correspondence relationship between an eddy current measurement position and an eddy current measurement value based on the eddy current measurement value for each position measured in the eddy current measurement step;
a feature value extraction step of extracting a plurality of feature values corresponding to a plurality of factors from the plurality of generated eddy current profiles;
A prediction for generating a plurality of factor groups according to a combination of the plurality of factors, and determining a prediction state of each of the plurality of subjects by using a corresponding feature value and a preset classification model for each of the generated plurality of factor groups state determination step;
Defect detection performance for determining defect detection performance for the plurality of inspected objects for each of the plurality of factor groups based on the plurality of predicted states determined in the predictive state determining step and preset reference states for each of the plurality of inspected objects judgment step; and
and a reference factor group setting step of setting any one of the plurality of factor groups as a reference factor group for the plurality of inspected objects based on the defect detection performance determined for each of the plurality of factor groups; Way.
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KR102545144B1 (en) * 2023-01-13 2023-06-21 주식회사 아이브 Apparatus and method for providing defective product inspection solution based on deep learning algorithm
WO2024135959A1 (en) * 2022-12-19 2024-06-27 에스케이플래닛 주식회사 Spectral image-based battery heat generation inspection method and apparatus supporting same

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