KR20210108309A - 드레서 보드 - Google Patents

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KR20210108309A
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dressing
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와타루 마츠모토
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가부시기가이샤 디스코
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Abstract

(과제) 파티클의 비산을 방지하는 것이 가능한 드레서 보드를 제공한다.
(해결 수단) 절삭 블레이드를 드레싱하기 위한 드레서 보드로서, 결합재에 의해 고정된 지립을 포함하고, 제 1 면 및 제 2 면을 구비하는 드레싱층과, 드레싱층의 제 1 면측 및 제 2 면측에 형성되고, 드레싱층으로부터의 파티클의 비산을 방지하는 비산 방지막을 구비한다.

Description

드레서 보드{DRESSER BOARD}
본 발명은, 피가공물을 절삭하는 절삭 블레이드를 드레싱하기 위한 드레서 보드에 관한 것이다.
IC (Integrated Circuit), LSI (Large Scale Integration) 등의 디바이스가 복수 형성된 웨이퍼를 분할함으로써, 디바이스를 각각 구비하는 복수의 디바이스 칩이 제조된다. 또, 복수의 디바이스 칩을 소정의 기판 상에 실장한 후, 실장된 디바이스 칩을 수지로 이루어지는 봉지재 (몰드 수지) 로 피복함으로써, 패키지 기판이 얻어진다. 이 패키지 기판을 분할함으로써, 패키지화된 복수의 디바이스 칩을 구비하는 패키지 디바이스가 제조된다. 디바이스 칩이나 패키지 디바이스는, 휴대전화, 퍼스널 컴퓨터 등의 여러 가지 전자 기기에 탑재된다.
상기의 웨이퍼, 패키지 기판 등의 피가공물을 분할할 때에는, 피가공물을 유지하는 유지 테이블과, 피가공물을 절삭하는 환상의 절삭 블레이드가 장착되는 스핀들 (회전축) 을 구비하는 절삭 장치가 사용된다. 절삭 블레이드를 스핀들에 장착하여 회전시키고, 유지 테이블에 의해 유지된 피가공물에 절입시킴으로써, 피가공물이 절삭되고, 분할된다.
절삭 블레이드에 의해 피가공물을 가공할 때에는, 절삭 블레이드의 형상의 수정이나 절삭 블레이드의 예리함의 확보 등을 목적으로 하여, 절삭 블레이드의 선단부를 의도적으로 마모시키는 드레싱이 실시된다. 예를 들어 드레싱은, 절삭 블레이드를 드레싱하기 위한 부재 (드레서 보드) 를 절삭 장치의 유지 테이블에 의해 유지하고, 절삭 블레이드를 드레서 보드에 절입시킴으로써 실시된다 (특허문헌 1 참조).
절삭 블레이드는, 지립과, 지립을 고정시키는 결합재를 포함하여 구성된다. 드레싱을 실시하면, 결합재가 드레서 보드와 접촉하여 마모되어, 절삭 블레이드의 형상이 스핀들과 동심상으로 다듬어짐과 함께 (진원 형성), 지립이 결합재로부터 적당히 노출된다 (날 세우기). 이와 같이 드레싱이 실시된 절삭 블레이드를 사용함으로써, 피가공물의 가공의 정밀도가 향상된다.
일본 공개특허공보 2000-49120호
드레서 보드는, 파티클 (미립자, 티끌 등) 을 발생시키기 쉬운 성질을 갖는다. 구체적으로는, 드레서 보드는, 절삭 블레이드와 접촉하여 절삭 블레이드를 마모시키는 지립과, 지립을 고정시키는 결합재를 포함하여 구성된다. 그리고, 지립이나 결합재의 일부가 드레서 보드로부터 분리되어, 파티클이 되는 경우가 있다.
예를 들어, 드레서 보드의 출하시 등에, 드레서 보드에 충격이 가해지거나 드레서 보드끼리가 충돌하거나 하면, 드레서 보드의 표면에서 지립의 탈락이 발생하거나, 지립의 탈락에 의해 드레서 보드의 표면에 생긴 요철을 기점으로 하여 결합재의 일부가 벗겨지거나 한다. 이 경우, 드레서 보드로부터 분리된 지립이나 결합재의 일부가 파티클이 되어, 드레서 보드의 표면에 부착된다.
드레서 보드의 표면에 파티클이 존재하면, 절삭 블레이드의 드레싱을 실시하기 위해 드레서 보드를 절삭 장치로 반송할 때에, 파티클이 비산된다. 이로써, 절삭 장치의 내부나, 절삭 장치가 설치되어 있는 클린룸이 오염된다는 문제가 있다.
본 발명은 이러한 문제를 감안하여 이루어진 것으로, 파티클의 비산을 방지하는 것이 가능한 드레서 보드의 제공을 목적으로 한다.
본 발명의 일 양태에 의하면, 절삭 블레이드를 드레싱하기 위한 드레서 보드로서, 결합재에 의해 고정된 지립을 포함하고, 제 1 면 및 제 2 면을 구비하는 드레싱층과, 그 드레싱층의 그 제 1 면측 및 그 제 2 면측에 형성되고, 그 드레싱층으로부터의 파티클의 비산을 방지하는 비산 방지막을 구비하는 드레서 보드가 제공된다.
또한, 바람직하게는, 그 비산 방지막은, 비수용성의 수지막이다.
본 발명의 일 양태에 관련된 드레서 보드는, 드레싱층의 제 1 면측 및 제 2 면측에 각각 형성된 비산 방지막을 구비한다. 이로써, 드레싱층으로부터의 파티클의 비산이 방지되어, 절삭 장치, 클린룸 등의 오염이 억제된다.
도 1(A) 는 드레서 보드를 나타내는 사시도이고, 도 1(B) 는 드레서 보드를 나타내는 단면도이다.
도 2 는, 프레임에 의해 지지된 드레서 보드를 나타내는 사시도이다.
도 3 은, 절삭 장치를 나타내는 사시도이다.
도 4 는, 절삭 블레이드에 의해 절삭되는 드레서 보드를 나타내는 단면도이다.
도 5 는, 드레싱층의 표면, 이면, 측면을 덮는 비산 방지막을 구비하는 드레서 보드를 나타내는 단면도이다.
이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 실시형태를 설명한다. 먼저, 본 실시형태에 관련된 드레서 보드의 구성예에 대하여 설명한다. 본 실시형태에 관련된 드레서 보드는, 피가공물을 절삭하는 절삭 블레이드의 드레싱에 사용된다. 절삭 블레이드는, 피가공물에 절입하여 피가공물을 절삭하는 가공 공구이고, 지립을 결합재 (본드재) 로 고정시킴으로써 형성된다.
절삭 블레이드에 의해 절삭되는 피가공물의 예로는, 예를 들어, 격자상으로 배열된 복수의 분할 예정 라인 (스트리트) 에 의해 구획된 복수의 영역에 각각 IC, LSI 등의 디바이스를 구비하는 실리콘 웨이퍼를 들 수 있다. 이 실리콘 웨이퍼를 절삭 블레이드로 절삭하고, 분할 예정 라인을 따라 분할함으로써, 디바이스를 각각 구비하는 복수의 디바이스 칩이 제조된다.
단, 절삭 블레이드에 의해 가공되는 피가공물의 재질, 형상, 구조, 크기 등에 제한은 없다. 예를 들어, 피가공물은, 실리콘 이외의 반도체 (GaAs, InP, GaN, SiC 등), 유리, 세라믹스, 수지, 금속 등으로 이루어지는, 임의의 형상 및 크기의 웨이퍼여도 된다. 또, 피가공물에 형성되는 디바이스의 종류, 수량, 형상, 구조, 크기, 배치 등에도 제한은 없으며, 피가공물에는 디바이스가 형성되어 있지 않아도 된다. 또한, 피가공물은, CSP (Chip Size Package) 기판, QFN (Quad Flat Non-leaded package) 기판 등의 패키지 기판이어도 된다.
절삭 블레이드로 피가공물을 가공할 때에는, 먼저, 절삭 블레이드의 드레싱이 실시된다. 드레싱은, 스핀들에 장착된 절삭 블레이드를 회전시키고, 절삭 블레이드의 선단부를 드레서 보드에 절입시킴으로써 실시된다. 이로써, 절삭 블레이드의 선단부에 있어서 결합재가 드레서 보드와 접촉하여 마모되어, 절삭 블레이드의 형상이 스핀들과 동심상으로 다듬어짐과 함께 (진원 형성), 지립이 결합재로부터 적당히 노출된다 (날 세우기).
도 1(A) 는 드레서 보드 (11) 를 나타내는 사시도이고, 도 1(B) 는 드레서 보드 (11) 를 나타내는 단면도이다. 드레서 보드 (11) 는, 절삭 블레이드를 드레싱하기 위한 판상의 부재이고, 드레싱층 (13) 을 구비한다.
드레싱층 (13) 은, 예를 들어 평면에서 볼 때 사각형상으로 형성된 판상의 부재이고, 서로 대체로 평행한 표면 (제 1 면) (13a) 및 이면 (제 2 면) (13b) 과, 표면 (13a) 및 이면 (13b) 에 접속된 측면 (외주면) (13c) 을 구비한다. 드레싱층 (13) 은, 지립과, 지립을 고정시키는 결합재 (본드재) 를 포함하고 있다. 예를 들어 드레싱층 (13) 은, 그린 카보런덤 (GC), 화이트 알런덤 (WA) 등으로 이루어지는 지립을, 레진 본드, 비트리파이드 본드 등의 결합재로 고정시킴으로써 형성된다.
단, 드레싱층 (13) 에 포함되는 지립 및 결합재의 재질에 제한은 없고, 드레싱의 대상이 되는 절삭 블레이드의 재질, 두께, 직경 등에 따라 적절히 선택된다. 또, 드레싱층 (13) 에 포함되는 지립의 함유량, 입경 등에도 제한은 없다. 예를 들어 지립은, 중량비로 55 % 이상 65 % 이하의 비율로 드레싱층 (13) 에 함유된다. 또, 지립의 평균 입경은, 예를 들어 0.1 ㎛ 이상 50 ㎛ 이하이다.
드레싱층 (13) 의 형성 방법에도 제한은 없다. 예를 들어, 지립을 페놀 수지, 에폭시 수지 등의 수지에 함침시킨 후, 이 수지를 판상으로 성형하고, 소정의 온도 (예를 들어 150 ℃ 이상 약 200 ℃ 이하) 에서 소성함으로써, 드레싱층 (13) 이 형성된다.
여기에서, 드레싱층 (13) 은, 파티클 (미립자, 티끌 등) 을 발생시키기 쉬운 성질을 갖는다. 구체적으로는, 드레싱층 (13) 에 포함되는 지립이나 결합재의 일부가 드레싱층 (13) 으로부터 분리되어, 파티클이 되는 경우가 있다.
예를 들어, 드레서 보드 (11) 의 출하시 등에, 드레서 보드 (11) 에 충격이 가해지거나 드레서 보드 (11) 끼리가 충돌하거나 하면, 드레싱층 (13) 의 표면 (13a) 측 또는 이면 (13b) 측에서 지립의 탈락이 발생하거나, 지립의 탈락에 의해 드레싱층 (13) 의 표면 (13a) 또는 이면 (13b) 에 생긴 요철을 기점으로 하여 결합재의 일부가 벗겨지거나 한다. 이 경우, 드레싱층 (13) 으로부터 분리된 지립이나 결합재의 일부가 파티클이 되어, 드레싱층 (13) 의 표면 (13a) 측 또는 이면 (13b) 측에 부착된다.
드레싱층 (13) 의 표면 (13a) 측 또는 이면 (13b) 측에 파티클이 존재하면, 절삭 블레이드의 드레싱을 실시하기 위해 드레서 보드 (11) 를 절삭 장치로 반송할 때에, 파티클이 비산된다. 이로써, 절삭 장치의 내부나, 절삭 장치가 설치되어 있는 클린룸이 오염되어 버린다.
그래서, 본 실시형태에 관련된 드레서 보드 (11) 에서는, 드레싱층 (13) 의 표면 (13a) 측 및 이면 (13b) 측에 각각 파티클의 비산을 방지하는 비산 방지막 (15) 이 형성된다. 이로써, 드레싱층 (13) 의 표면 (13a) 측 및 이면 (13b) 측으로부터의 파티클의 비산이 방지되어, 절삭 장치나 클린룸의 오염이 억제된다.
도 1(A) 및 도 1(B) 에 나타내는 바와 같이, 드레서 보드 (11) 는, 드레싱층 (13) 의 표면 (13a) 측에 형성된 비산 방지막 (15) (비산 방지막 (15A)) 과, 드레싱층 (13) 의 이면 (13b) 측에 형성된 비산 방지막 (15) (비산 방지막 (15B)) 을 구비한다. 비산 방지막 (15A) 은 드레싱층 (13) 의 표면 (13a) 의 전체를 덮도록 형성되고, 비산 방지막 (15B) 은 드레싱층 (13) 의 이면 (13b) 의 전체를 덮도록 형성된다.
예를 들어, 비산 방지막 (15A) 과 비산 방지막 (15B) 은, 각각 드레싱층 (13) 의 표면 (13a) 과 이면 (13b) 의 형상에 대응하여, 평면에서 볼 때 사각형상으로 형성된다. 단, 비산 방지막 (15A, 15B) 의 형상에 제한은 없어, 드레싱층 (13) 의 형상에 따라 적절히 설정된다.
비산 방지막 (15) 의 재질은, 파티클의 드레싱층 (13) 으로부터의 비산을 비산 방지막 (15) 에 의해 방지 가능하고, 또한, 드레싱의 대상이 되는 절삭 블레이드에 의해 비산 방지막 (15) 을 절삭 가능하면, 제한은 없다. 예를 들어 비산 방지막 (15) 으로서, 유기막 (수지막 등) 또는 무기막 (산화실리콘막, 질화실리콘막, 금속막, 유리막 등) 이 사용된다.
도 1(A) 및 도 1(B) 에 나타내는 바와 같이, 드레싱층 (13) 에 비산 방지막 (15A, 15B) 이 형성되면, 드레싱층 (13) 의 표면 (13a) 측 또는 이면 (13b) 측에서 파티클이 발생해도, 파티클은 드레싱층 (13) 과 비산 방지막 (15A, 15B) 에 의해 협지되어 갇힌다. 이로써, 드레서 보드 (11) 의 주위에 파티클이 비산되는 것을 방지할 수 있다. 예를 들어, 드레싱층 (13) 에 포함되는 지립이나 결합재의 일부가 드레싱층 (13) 으로부터 분리되어 분말상의 파티클이 생성되어도, 이 파티클의 비산이 비산 방지막 (15A, 15B) 에 의해 방지된다.
또, 비산 방지막 (15) 은, 지립을 함유하지 않는 막에 의해 구성된다. 그 때문에, 비산 방지막 (15) 에서는, 지립의 탈락이나, 지립의 탈락에 의해 생긴 요철을 기점으로 하는 막 벗겨짐에서 기인하여, 파티클이 생성되는 경우는 없다. 따라서, 비산 방지막 (15) 으로부터 파티클이 비산됨에 따른 절삭 장치나 클린룸의 오염이 문제가 되는 경우는 없다.
또한, 후술하는 바와 같이, 드레서 보드 (11) 를 사용하여 절삭 블레이드의 드레싱을 실시할 때에는, 드레서 보드 (11) 에 순수 등의 절삭액이 공급된다. 그 때문에, 비산 방지막 (15) 은, 비수용성인 것이 바람직하다. 예를 들어 비산 방지막 (15) 으로서, 폴리스티렌, 폴리에틸렌, 아크릴, 페놀, 에폭시 등의 수지로 이루어지는 비수용성의 수지막이 사용된다.
비산 방지막 (15) 이 비수용성의 수지막인 경우, 절삭 블레이드의 드레싱을 실시해도, 드레싱층 (13) 의 표면 (13a) 측 및 이면 (13b) 측에 비산 방지막 (15) 이 잔존한다. 그 때문에, 절삭 블레이드의 드레싱의 실시 후에 드레서 보드 (11) 를 다시 반송할 때에도, 파티클의 비산이 방지된다.
비산 방지막 (15) 의 성막 방법은, 비산 방지막 (15) 의 재질에 따라 적절히 선택할 수 있다. 예를 들어 비산 방지막 (15) 으로서, 증착, 스퍼터링, CVD (Chemical Vapor Deposition) 등의 드라이 프로세스나, 도포, 스핀 코트, 스프레이 코트, 침지 등의 웨트 프로세스를 사용하여 형성 가능한 막이, 드레싱층 (13) 의 표면 (13a) 측 및 이면 (13b) 측에 형성된다. 또한, 비산 방지막 (15) 은, 드레싱층 (13) 의 표면 (13a) 측 및 이면 (13b) 측에 직접 형성되어도 되고, 드레싱층 (13) 과는 별도로 독립적으로 형성된 후에 드레싱층 (13) 에 첩부되어도 된다.
상기의 드레서 보드 (11) 를 사용하여, 절삭 블레이드의 드레싱이 실시된다. 절삭 블레이드의 드레싱을 실시할 때에는, 먼저, 드레서 보드 (11) 를 환상의 프레임에 의해 지지한다. 도 2 는, 프레임 (19) 에 의해 지지된 드레서 보드 (11) 를 나타내는 사시도이다.
드레서 보드 (11) 의 이면측 (비산 방지막 (15B) 측) 에는, 원형의 테이프 (17) 가 첩부된다. 테이프 (17) 는, 드레서 보드 (11) 의 이면측의 전체를 덮는 것이 가능한 직경을 갖고, 이 테이프 (17) 의 중앙부에 드레서 보드 (11) 가 첩부된다.
또한, 테이프 (17) 의 구조 및 재질에 제한은 없다. 예를 들어 테이프 (17) 는, 원형의 기재와, 기재 상에 형성된 점착층 (풀층) 을 구비하는 시트상의 부재이다. 기재는, 폴리올레핀, 폴리염화비닐, 폴리에틸렌테레프탈레이트 등의 수지로 이루어지고, 점착층은, 에폭시계, 아크릴계, 또는 고무계의 접착제 등으로 이루어진다. 또, 점착층은, 자외선의 조사에 의해 경화되는 자외선 경화형의 수지여도 된다.
테이프 (17) 의 외주부는, 금속 등으로 이루어지고 중앙부에 원형의 개구 (19a) 를 구비하는 환상의 프레임 (19) 에 첩부된다. 개구 (19a) 의 직경은, 드레서 보드 (11) 의 외접원의 직경보다 크고, 드레서 보드 (11) 는 개구 (19a) 의 내측에 배치된다. 드레서 보드 (11) 및 프레임 (19) 에 테이프 (17) 가 첩부되면, 드레서 보드 (11) 가 테이프 (17) 를 개재하여 프레임 (19) 에 의해 지지된다.
프레임 (19) 에 의해 지지된 드레서 보드 (11) 에 절삭 블레이드를 절입시킴으로써, 절삭 블레이드의 드레싱이 실시된다. 절삭 블레이드의 드레싱에는, 절삭 장치가 사용된다. 도 3 은, 절삭 장치 (2) 를 나타내는 사시도이다.
절삭 장치 (2) 는, 피가공물 또는 드레서 보드 (11) 를 유지하는 유지 테이블 (척 테이블) (4) 을 구비한다. 유지 테이블 (4) 의 상면은, X 축 방향 (가공 이송 방향, 제 1 수평 방향) 및 Y 축 방향 (산출 이송 방향, 제 2 수평 방향) 과 대체로 평행하게 형성되고, 피가공물 또는 드레서 보드 (11) 를 유지하는 유지면 (4a) (도 4 참조) 을 구성하고 있다. 유지면 (4a) 은, 유지 테이블 (4) 의 내부에 형성된 흡인로 (도시 생략), 밸브 (도시 생략) 등을 통하여, 이젝터 등의 흡인원 (도시 생략) 에 접속되어 있다.
유지 테이블 (4) 의 주위에는, 드레서 보드 (11) 를 지지하는 프레임 (19) 을 파지하여 고정시키는 복수의 클램프 (도시 생략) 가 설치되어 있다. 또, 유지 테이블 (4) 에는, 유지 테이블 (4) 을 X 축 방향을 따라 이동시키는 볼 나사식의 이동 기구 (도시 생략) 와, 유지 테이블 (4) 을 Z 축 방향 (연직 방향, 상하 방향) 에 대체로 평행한 회전축의 둘레에서 회전시키는 모터 등의 회전 구동원 (도시 생략) 이 접속되어 있다.
유지 테이블 (4) 의 상방에는, 피가공물 또는 드레서 보드 (11) 를 절삭하는 절삭 유닛 (6) 이 배치되어 있다. 절삭 유닛 (6) 은 원통상의 하우징 (8) 을 구비하고, 이 하우징 (8) 내에는, 원통상의 스핀들 (도시 생략) 이 Y 축 방향과 대체로 평행하게 배치된 상태로 수용되어 있다.
스핀들의 선단부 (일단부) 는 하우징 (8) 의 외부에 노출되어 있고, 이 선단부에는 환상의 절삭 블레이드 (10) 가 장착된다. 또, 스핀들의 기단부 (타단부) 에는, 모터 등의 회전 구동원이 접속되어 있다. 스핀들의 선단부에 장착된 절삭 블레이드 (10) 는, 회전 구동원으로부터 스핀들을 통하여 전달되는 동력에 의해 회전한다.
절삭 블레이드 (10) 로는, 예를 들어, 금속 등으로 이루어지는 환상의 기대 (基臺) 와, 기대의 외주 가장자리를 따라 형성된 환상의 절삭날이 일체가 되어 구성된, 허브 타입의 절삭 블레이드가 사용된다. 허브 타입의 절삭 블레이드의 절삭날은, 다이아몬드 등으로 이루어지는 지립이 니켈 도금층 등의 결합재에 의해 고정된 전기 주조 지석에 의해 구성된다. 또, 절삭 블레이드 (10) 로서, 지립이 금속, 세라믹스, 수지 등으로 이루어지는 결합재에 의해 고정된 환상의 절삭날에 의해 구성되는, 와셔 타입의 절삭 블레이드를 사용할 수도 있다.
스핀들의 선단부에 절삭 블레이드 (10) 가 장착되면, 절삭 블레이드 (10) 는 하우징 (8) 에 고정된 블레이드 커버 (12) 에 덮인다. 블레이드 커버 (12) 는, 순수 등의 절삭액이 공급되는 튜브 (도시 생략) 에 접속되는 접속부 (14) 와, 접속부 (14) 에 접속되고 절삭 블레이드 (10) 의 양 측면측 (표리면측) 에 각각 배치되는 1 쌍의 노즐 (16) 을 구비한다. 1 쌍의 노즐 (16) 에는, 각각 절삭 블레이드 (10) 를 향하여 개구되는 분사구 (도시 생략) 가 형성되어 있다.
접속부 (14) 에 절삭액이 공급되면, 1 쌍의 노즐 (16) 의 분사구로부터 절삭 블레이드 (10) 의 양 측면 (표리면) 을 향하여 절삭액이 분사된다. 이 절삭액에 의해, 절삭 블레이드 (10) 와, 유지 테이블 (4) 에 의해 유지된 피가공물 또는 드레서 보드 (11) 가 냉각됨과 함께, 절삭 가공에 의해 생긴 부스러기 (절삭 부스러기) 가 씻겨나간다.
절삭 유닛 (6) 에는, 절삭 유닛 (6) 을 이동시키는 볼 나사식의 이동 기구 (도시 생략) 가 접속되어 있다. 이 이동 기구는, 절삭 유닛 (6) 을 Y 축 방향을 따라 이동시킴과 함께, Z 축 방향을 따라 승강시킨다. 이 이동 기구에 의해, 절삭 블레이드 (10) 의 Y 축 방향 및 Z 축 방향에 있어서의 위치가 제어된다.
절삭 장치 (2) 를 사용하여 절삭 블레이드 (10) 의 드레싱을 실시할 때에는, 먼저, 절삭 장치 (2) 의 유지 테이블 (4) 에 의해 드레서 보드 (11) 를 유지한다. 예를 들어, 드레서 보드 (11) 의 표면측 (비산 방지막 (15A) 측) 이 상방에 노출되고, 드레서 보드 (11) 의 이면측 (비산 방지막 (15B) 측, 테이프 (17) 측) 이 유지 테이블 (4) 의 유지면 (4a) (도 4 참조) 에 대향하도록, 드레서 보드 (11) 를 유지 테이블 (4) 상에 배치한다. 또, 드레서 보드 (11) 를 지지하는 프레임 (19) 을, 유지 테이블 (4) 의 주위에 설치된 복수의 클램프 (도시 생략) 에 의해 고정시킨다.
이 상태에서, 유지 테이블 (4) 의 유지면 (4a) 에 흡인원의 부압을 작용시키면, 드레서 보드 (11) 의 이면측이 테이프 (17) 를 개재하여 유지 테이블 (4) 에 의해 흡인된다. 이로써, 드레서 보드 (11) 가 유지 테이블 (4) 에 의해 유지된다.
다음으로, 절삭 블레이드 (10) 를 드레서 보드 (11) 에 절입시켜, 절삭 블레이드 (10) 로 드레서 보드 (11) 를 절삭한다. 절삭 블레이드 (10) 를 드레서 보드 (11) 에 절입시킴으로써, 절삭 블레이드 (10) 의 선단부 (절삭날) 가 마모되어, 절삭 블레이드 (10) 의 드레싱이 실시된다.
먼저, 유지 테이블 (4) 을 회전시켜, 드레서 보드 (11) 의 한변의 길이 방향을 X 축 방향에 맞춘다. 또, 절삭 블레이드 (10) 가 드레서 보드 (11) 의 측방에 배치되도록, 유지 테이블 (4) 및 절삭 유닛 (6) 의 위치를 조정한다.
또한, 절삭 블레이드 (10) 의 선단부가 드레서 보드 (11) 의 드레싱층 (13) 에 절입하도록, 절삭 유닛 (6) 의 Z 축 방향에 있어서의 위치를 조정한다. 구체적으로는, 절삭 블레이드 (10) 의 하단이, 드레싱층 (13) 의 표면 (13a) 보다 하방이고, 또한, 드레싱층 (13) 의 이면 (13b) 보다 상방에 배치되도록, 절삭 유닛 (6) 의 높이를 조정한다.
그리고, 절삭 블레이드 (10) 를 회전시키면서, 유지 테이블 (4) 을 X 축 방향을 따라 이동시켜, 드레서 보드 (11) 와 절삭 블레이드 (10) 를 상대적으로 이동시킨다 (가공 이송). 이로써, 절삭 블레이드 (10) 는, 드레싱층 (13) 에 이르는 절입 깊이로 드레서 보드 (11) 에 절입하여, 드레서 보드 (11) 를 절삭한다. 그 결과, 드레서 보드 (11) 의 비산 방지막 (15A) 측에는, 선상의 절삭홈 (11a) 이 형성된다.
예를 들어, 절삭 블레이드 (10) 를 화살표 A 로 나타내는 방향으로 회전시키면서, 유지 테이블 (4) 을 화살표 B 로 나타내는 방향으로 이동시킨다. 이 경우, 절삭 블레이드 (10) 의 하단의 이동 방향과 유지 테이블 (4) 의 이동 방향이 일치하도록, 유지 테이블 (4) 과 절삭 블레이드 (10) 가 상대적으로 이동한다. 그리고, 절삭 블레이드 (10) 가 드레서 보드 (11) 의 표면측 (비산 방지막 (15A) 측) 으로부터 이면측 (비산 방지막 (15B) 측) 을 향하여 절입하는, 소위 다운 컷이 실시된다.
도 4 는, 절삭 블레이드 (10) 에 의해 절삭되는 드레서 보드 (11) 를 나타내는 단면도이다. 절삭 블레이드 (10) 는, 드레싱층 (13) 에 이르는 절삭 깊이로, 드레싱층 (13) 의 표면 (13a) 측으로 절입한다. 이로써, 드레싱층 (13) 에 포함되는 지립이 절삭 블레이드 (10) 의 선단부 (절삭날) 에 접촉하여, 절삭 블레이드 (10) 의 선단부가 마모된다.
절삭 블레이드 (10) 가 드레싱층 (13) 에 절입할 때, 드레싱층 (13) 의 표면 (13a) 측에 형성된 비산 방지막 (15) (비산 방지막 (15A)) 도, 드레싱층 (13) 과 함께 절삭 블레이드 (10) 에 의해 절삭된다. 단, 비산 방지막 (15) 은 지립을 함유하고 있지 않아, 절삭 블레이드 (10) 의 마모를 일으키기 어렵다. 그 때문에, 절삭 블레이드 (10) 가 비산 방지막 (15) 을 절삭해도, 절삭 블레이드 (10) 에 의도치 않은 과도한 마모나 변형이 생기는 경우는 없다.
또한, 비산 방지막 (15) 은, 드레싱층 (13) 에 의한 절삭 블레이드 (10) 의 드레싱이 저해되지 않도록, 얇게 형성되는 것이 바람직하다. 예를 들어 비산 방지막 (15) 의 두께는, 100 ㎛ 이하로 설정된다.
단, 비산 방지막 (15) 의 두께는, 드레싱층 (13) 의 표면 (13a) 및 이면 (13b) 에서 결합재로부터 돌출되는 지립의 표면이, 비산 방지막 (15) 에 의해 적절히 덮일 정도로 확보되는 것이 바람직하다. 예를 들어, 비산 방지막 (15) 의 두께는, 지립의 결합재로부터의 돌출량의 60 % 이상으로 설정된다.
그 후, 절삭 유닛 (6) 을 Y 축 방향으로 이동시켜 (산출 이송), 절삭 블레이드 (10) 를 드레서 보드 (11) 의 절삭홈 (11a) 이 형성되어 있지 않은 영역으로 더욱 절입시킨다. 그리고, 절삭 블레이드 (10) 가 원하는 형상이 되고, 또한, 절삭 블레이드 (10) 의 선단부에서 지립이 결합재로부터 적당히 돌출될 때까지, 동일한 순서를 반복한다. 이로써, 절삭 블레이드 (10) 의 드레싱이 완료된다. 그 후, 드레서 보드 (11) 는 유지 테이블 (4) 상으로부터 소정의 보관 장소로 반송된다.
이상과 같이, 본 실시형태에 관련된 드레서 보드 (11) 는, 드레싱층 (13) 의 표면 (13a) 측 및 이면 (13b) 측에 형성된 비산 방지막 (15) 을 구비한다. 이로써, 드레싱층 (13) 으로부터의 파티클의 비산이 방지되어, 절삭 장치, 클린룸 등의 오염이 억제된다.
또한, 상기의 실시형태에서는, 드레싱층 (13) 의 표면 (13a) 측 및 이면 (13b) 측에 비산 방지막 (15) 이 형성되고, 드레싱층 (13) 의 측면 (13c) 이 노출된 상태의 드레서 보드 (11) (도 1(A) 및 도 1(B) 참조) 에 대하여 설명하였다. 단, 비산 방지막 (15) 은, 드레싱층 (13) 의 표면 (13a) 및 이면 (13b) 에 더하여, 추가로 드레싱층 (13) 의 측면 (13c) 을 덮도록 형성되어 있어도 된다.
도 5 는, 드레싱층 (13) 의 표면 (13a), 이면 (13b), 측면 (13c) 을 덮는 비산 방지막 (15) 을 구비하는 드레서 보드 (11) 를 나타내는 단면도이다. 비산 방지막 (15) 으로 드레싱층 (13) 의 측면 (13c) (4 면) 의 전체를 덮음으로써, 드레싱층 (13) 의 측면 (13c) 으로부터의 파티클의 비산도 방지할 수 있다. 이로써, 파티클의 비산에 의한 절삭 장치 (2) 나 클린룸의 오염이 더욱 효과적으로 억제된다.
그 밖에, 상기 실시형태에 관련된 구조, 방법 등은, 본 발명의 목적의 범위를 일탈하지 않는 한 적절히 변경하여 실시할 수 있다.
11 : 드레서 보드
11a : 절삭홈
13 : 드레싱층
13a : 표면 (제 1 면)
13b : 이면 (제 2 면)
13c : 측면 (외주면)
15, 15A, 15B : 비산 방지막
17 : 테이프
19 : 프레임
19a : 개구
2 : 절삭 장치
4 : 유지 테이블 (척 테이블)
4a : 유지면
6 : 절삭 유닛
8 : 하우징
10 : 절삭 블레이드
12 : 블레이드 커버
14 : 접속부
16 : 노즐

Claims (2)

  1. 절삭 블레이드를 드레싱하기 위한 드레서 보드로서,
    결합재에 의해 고정된 지립을 포함하고, 제 1 면 및 제 2 면을 구비하는 드레싱층과,
    그 드레싱층의 그 제 1 면측 및 그 제 2 면측에 형성되고, 그 드레싱층으로부터의 파티클의 비산을 방지하는 비산 방지막을 구비하는 것을 특징으로 하는 드레서 보드.
  2. 제 1 항에 있어서,
    그 비산 방지막은, 비수용성의 수지막인 것을 특징으로 하는 드레서 보드.
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