KR20210076819A - 레티클 보호막 검사 방법 및 검사 시스템 - Google Patents

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Abstract

레티클 보호막 검사 방법은 외부로부터 예정 압력을 가하여 보호막의 모양을 변경시킨 다음, 보호막의 변형량, 영률, 그리고 굽힘 강성 중 최소한 한 가지 데이터를 측정 계산하고, 보호막의 변형량, 영률, 그리고 굽힘 강성 중 최소한 한 가지 데이터를 이용하여 보호막에 대한 검사 결과를 획득해서 해당 보호막의 품질을 검사한다.

Description

레티클 보호막 검사 방법 및 검사 시스템{DETECTION METHOD AND SYSTEM FOR PELLICLE MEMBRANE OF PHOTOMASK}
본 발명은 레티클 보호막 검사 방법 및 검사 시스템에 관한 것으로서, 특히 광학 검사를 이용한 레티클 보호막 검사 방법 및 검사 시스템에 관한 것이다.
전자제품의 크기는 점점 더 작아지고 기능은 더 복잡해지며, 성능에 대한 요구는 더 강해지는 추세에 따라, 반도체 칩의 회선 너비 역시 나노미터 등급까지 점점 더 작아져 칩 단위 면적에 더 많은 트랜지스터를 수용해서 이러한 요구를 충족시킬 수 있어야 한다. 반도체 칩의 회선 너비가 과연 요구되는 등급에 도달할 수 있을지 여부에 있어서 포토리소그래피 공정은 중요한 기술이다.
포토리소그래피는 미세도식 기술로서, 설계된 회로 도안을 레티클로 만든 다음 광학 이미징 원리를 이용해 포토리지스트가 도포된 웨이퍼에 회로를 전사시키고 레티클 도안을 쬐어 회선 도안을 포토리지스트에 정확히 복사할 수 있다. 그런 다음 현상, 식각, 코팅 등 제조과정을 통해서 웨이퍼에 필요한 칩을 만들 수 있다. 따라서 레티클의 품질은, 특히 심자외선과 극자외선 미세도식 기술에서는 미세도식의 결과에 영향을 주는 매우 중요한 요소이다.
도 1을 참고한다. 레티클은 일반적으로 표면에 회로 도안(111)이 있는 투명 기판(11)과 회로 도안(111)을 보호하기 위해 그 위에 덮이는 박막(pellicle, 12)을 포함한다. 이 박막(12)에는 투명 기판(11) 표면에 설치되고 회로 도안(111)을 에워싸는 바깥 프레임(121)이 있으며, 이 바깥 프레임(121)에는 구멍(122)과 바깥 프레임(121) 위에 피복되어 회로 도안(111)을 덮는 보호막(123)이 있다. 상기 보호막(123)은 주로 바깥 오염 입자를 격리시켜 회로 도안(111)을 오염시키지 못하도록 하고 노광 품질을 유지하는 데 사용된다. 하지만 상기 보호막(123)은 유기 고분자 재료로 구성되기 때문에 레티클이 장기간 자외선, 심자외선 또는 극자외선 노광 조건 및 환경에 처하거나 제조공정 조작의 영향을 받을 경우, 보호막(123)은 오염 입자의 오염이나 빛에 쬐어서 노화 또는 조작 시의 충격 등 여러 가지 요소로 인해 품질이 저하되어 노광 결과에 영향을 미치며, 심지어 보호막(123)의 품질 저하는 노광기 플렛폼의 오염을 야기하여 기계 플렛폼 손상과 웨이퍼 생산 능력에 영향을 주게 된다.
따라서 레티클과 관련된 검사 기술은 여전히 개선되어야 한다.
본 발명의 목적은 레티클 보호막을 검사하는 기술을 제공하는 것이다.
상기 목적에 기반하여, 본 발명은 레티클 보호막 검사 방법의 일 실시예를 제시한다. 해당 방법은 다음 단계를 포함한다.
예정 압력을 제공하여 레티클 보호막이 변형되게 한다.
상기 변형에 대응하여 생성된 광학 신호에 의거해서 상기 보호막의 변형량을 계산한다.
상기 변형량을 보호막의 예정 압력 조건에서의 표준 변형 수치와 비교하여 상기 보호막에 대한 검사 결과를 획득한다.
그리고 본 발명의 또 다른 목적은 레티클 보호막을 검사할 수 있는 방법의 다른 실시예를 제공하는 것이다.
그리하여 본 발명의 검사 방법의 다른 실시예는 다음 단계를 포함한다.
예정 압력을 제공하여 레티클 보호막이 변형되게 한다.
상기 변형에 대응하여 생성된 광학 신호를 이용하여 상기 보호막의 변형량을 계산한다.
상기 변형량을 이용하여 변형에 대응하는 영률 또는 굽힘 강성 중 최소한 한 가지 데이터를 계산해서 획득한다.
상기 단계를 반복하여 여러 다른 예정압력 조건하에 대응하는 영률 및 굽힘 강성 중 최소한 한 가지를 획득한다.
상기 영률 및 굽힘 강성 중 최소한 한 가지 데이터의 자체 변동성을 이용하여 상기 보호막에 대한 검사 결과를 획득한다.
그리고 본 발명의 또 다른 목적은 레티클 보호막 검사에 사용되는 검사 시스템의 실시예를 제공하는 것이다.
그리하여 본 발명의 검사 시스템의 실시예는 압력 제공 유닛과 광학 측정 및 처리 유닛을 포함한다.
상기 압력 제공 유닛은 보호막을 변형시키는 압력을 생성하는 데 사용된다.
상기 측정 및 처리 유닛은 광원 모듈, 빛 수신기, 그리고 연산 모듈을 포함한다. 상기 광원 모듈은 보호막 표면을 쬐는 빛을 제공하는 데 사용되며, 빛 수신기는 보호막 표면에서 반사되는 광학 신호를 수신하는 데 사용되며, 연산 모듈은 광학 신호를 이용하여 보호막의 변형량, 영률, 그리고 굽힘 강성 중 최소한 한가지 데이터를 계산 및 획득할 수 있다.
상기 실시예로 성취할 수 있는 효과는 바로 외부로부터 예정 압력을 가하여 보호막이 변형되게 한 다음, 보호막 변형의 광학 신호를 통해서 보호막의 변형량, 영률, 그리고 굽힘 강성 중 최소한 한 가지 데이터를 측정 및 계산하며, 보호막의 변형량, 영률, 그리고 굽힘 강성 중 최소한 한 가지 데이터를 통해서 보호막에 대한 검사 결과를 획득하고 해당 보호막의 품질을 신속히 검사할 수 있다는 것이다.
본 발명의 기타 특징 및 효과는 도식의 실시예를 참고하여 상세히 설명한다.
도 1은 입체도로서 기존의 레티클 구조를 설명한다.
도 2는 개략도로서 본 발명의 검사 방법에 사용되는 검사 시스템의 실시예를 설명한다.
도 3은 개략도로서 본 발명의 검사 방법에 사용되는 검사 시스템의 다른 실시예를 설명한다.
도 4는 흐름도로서 본 발명의 검사 방법에 사용되는 실시예를 설명한다.
다음은 레티클의 보호막을 검사할 수 있는 검사 기술의 여러 실시예를 제시한다. 이러한 실시예들은 레티클 보호막 검사 방법으로 시행하거나 레티클 보호막 검사 시스템으로 시행할 수 있다.
본 발명 레티클 보호막 검사 방법은 검사 시스템을 통해서 투명한 보호막에 대해 검사를 실시하여 보호막의 품질을 확인하는 것이다.
본 발명에 의거한 글로벌 동적 검사 방법의 실시예는 여러 가지 회선 도안이 있는 박막과 보호막 구성이 있는 레티클에 응용될 수 있다. 예를 들어, 이러한 레티클은 도 1에 표시된 바와 같이 표면에 회선 도안(111)이 있는 투명 기판(11)과 회선 도안(111)에 덮이는 박막(pellicle, 12)이 있다. 이 박막(12)에는 투명 기판(11) 표면에 설치되고 회로 도안(111)을 에워싸는 바깥 프레임(121)이 있으며, 이 바깥 프레임(121)에는 구멍(122)과 바깥 프레임(121) 위에 피복되어 회로 도안(111)을 덮는 보호막(123)이 있다. 그러나 본 발명의 시행은 상기 예에 한정되지 않는다.
다음은 우선 검사 시스템의 여러 시행 방식에 대해 설명한다. 먼저 도 1에서 도 3까지 참고한다. 해당 검사 시스템은 압력 제공 유닛(2)과 광학 측정 및 처리 유닛(3)을 포함한다.
상기 압력 제공 유닛(2)은 투명 보호막(123)이 변형되도록 하는 압력을 제공하는 데 사용된다. 구체적으로 설명하면, 상기 압력 제공 유닛(2)은 공기 분출량과 압력을 제어할 수 있는 압축기이거나 공기 추출기이며, 상기 투명 보호막(123)을 변형시키는 양압력 또는 음압력을 제공한다. 예를 들어, 도 2에 표시된 바와 같이, 상기 압력 제공 유닛(2)을 이용하여 압력을 제공할 때는 압력 제공 유닛(2)이 분출하는 공기 유량과 압력을 제어하여 보호막(123)의 바깥 표면에서 공기를 분사해서 보호막(123)이 변형되게 할 수 있다. 또한 도 3에 표시된 바와 같이, 압력 제공 유닛(2)이 추출하는 공기의 유량과 흐름 속도를 제어하여 바깥 프레임(121)의 구멍(122)을 통해 공기를 추출해서 보호막(123)이 변형되게 하는 음압력을 제공한다. 여기서 설명해야 할 것은, 상기 음압력은 압력 제공 유닛(2)이 구명(122)을 통해 공기를 직접 추출하는 방식으로 제공되거나, 레티클을 우선 공기 추출 구멍이 있는 밀폐 공간에 둔 다음, 압력 제공 유닛(2)이 그 공기 추출 구멍을 통해 공기를 직접 추출한 다음 상기 구멍(122)을 통해 간접적으로 보호막(123)을 변형시키는 방식으로 제공될 수 있다는 점이다. 이것 외에, 압력 제공 유닛(2)으로 바깥 프레임(121)의 구멍(122)을 통해 공기를 불어 보호막(123)을 변형시키는 양압력을 제공하여도 같은 목적을 달성할 수 있다.
한 가지 실시예에서, 도 2에 표시된 압력 제공 유닛(2)을 이용하여 보호막(123)에 공기를 분사하여 보호막(123)을 변형시킬 때, 상기 압력 제공 유닛(2)은 한 개 또는 여러 개의 노즐일 수 있다. 도 2는 압력 제공 유닛(2)에 보호막(123)에 공기를 분사하는 노즐이 한 개인 것으로 예를 들었지만 실제로 실시할 때 노즐의 수량은 이에 한정되지 않는다.
상기 광학 측정 및 처리 유닛(3)은 광원 모듈(31), 빛 수신기(32), 그리고 연산 모듈(33)을 포함한다.
상기 광원 모듈(31)은변형된 투명 보호막(13)을 쬐는 빛을 생성할 수 있다. 빛 수신기(32)는 광원 모듈(31)이 변형된 투명 보호막(13)을 쬔 후 표면이 반사하는 광학 신호를 수신하는 데 사용된다. 그리고 연산 모듈(33)은 빛 수신기(32) 신호와 연결되며 빛 수신기(32)가 수신한 광학 신호를 이용해서 계산을 수행하여 보호막(123)의 압력을 받은 후의 변형된 양을 획득한다.
한 가지 실시예에서, 상기 광원 모듈(31)에는 LED 및 필터 또는 조정 가능한 파장 레이저가 포함되거나, 동시에 LED 및 조정 가능한 파장 레이저가 포함되고 광학 빔 익스팬더와 렌즈 세트가 더해질 수 있다. 한 가지 실시예에서, 상기 빛 수신기(32)는 CCD나 CMOS를 포함하며, 광원 모듈(31)이 보호막(123)에 쬔 빛이 반사한 광학 신호를 수신하는 데 사용될 수 있다. 여러 실시예에서, 상기 연산 모듈(33)은 빛 수신기(32) 신호와 연결되는 연산 회로로서, 중앙 처리 장치, 컴퓨터, 계산용 기기 또는 기타 연산 혹은 프로그래밍 가능한 회로이다. 연산 모듈(33)은 빛 수신기(32)가 수신한 광학 신호(예를 들어 반사 후 생성된 반사 무아레 또는 공명 파문)를 계산하여 보호막(123)의 압력을 받은 후의 변형된 양을 획득하는 데 사용된다.
일 실시예에서, 상기 보호막(123)의 변형량, 영률(Young's modulus), 그리고 굽힘 강성(flexural rigidity)의 계산은 압력 제공 유닛(2)이 제공하는 압력이 양압력 또는 음압력인지에 따라서 조절할 수 있다.
일반적으로, 탄성 박판이 힘을 받은 후 생기는 변형 응력은 아래 공식 (I)로 표시할 수 있다.
Figure pat00001
상기 압력 제공 유닛(2)이 구멍(122)을 통해서 공기를 추출하거나 불 때, 보호막(123)을 x, y 방향에서 오는 압력을 받는 사방 가장자리가 고정된 탄성 박판으로 간주할 수 있다. 따라서 보호막(123)의 변형 응력(U)(Strain energy)은 상기 공식 (I)을 아래 공식 (II)로 쓸 수 있다.
Figure pat00002
상기 공식에서, A는 보호막(123)의 표면적이며, w는 박판의 변형량이며, D는 굽힘 강성(flexural rigidity)을 나타낸다.
굽힘 강성(D)은 아래 공식 (III)로 나타낼 수 있다.
Figure pat00003
상기 공식에서, v는 푸아송 비(Poisson's ratio)이고 h는 보호막(123) 두께이며, E는 영률(Young's modulus)을 나타낸다.
상기 보호막(123) 표면에 압력(p(x,y))을 가할 때의 힘(W)은 공식 (IV)로 나타낼 수 있다.
Figure pat00004
따라서, 상기 보호막(123)의 총 에너지 T는 공식 (V)로 나타낼 수 있다.
Figure pat00005
고정된 보호막(123)의 길이와 너비 a, b가 둘레 조건을 충족시킨다고 가정하면 변형량(w)은 아래 공식 (VI)으로 나타낼 수 있다.
Figure pat00006
상기 공식에서, a와 b는 보호막(123)의 길이와 너비이며, m과 n은 보호막(123)의 변형 모달이며, amn은 박판의 변형계수이다.
상기 amn은 앞의 공식 (II), (III), (VI)을 (V)에 이입하고 최소화 조건
Figure pat00007
을 충족시키는 조건하에서 공식 (VII)을 얻은 다음 이에 근거하여 구할 수 있다.
Figure pat00008
상기 공식에서, p0는 상기 보호막(123)의 내부 및 외부 압력차이며, r≠m, r≠n이다.
공식 (VII)에서 a11 이외의 모든 항을 제거하고 공식 (VII)을 계산하면 공식 (VIII)을 얻을 수 있다.
Figure pat00009
그런 다음 공식 (VIII)을 공식 (VI)에 이입하면 구멍(122)을 통해 공기를 불거나 추출하는 방식으로 보호막(123)에 압력을 가할 때, 보호막(123)의 변형 공식 (D)를 얻을 수 있다.
Figure pat00010
(D)로 보호막(123) 중심(x=a/2, y=b/2)의 최대 면외(out of plane) 변형량(w)을 얻을 수 있다.
Figure pat00011
그리고 상기 압력 제공 유닛(2)으로 박판(보호막(123))에 압력을 가할 때(즉 제공되는 압력이 양압력일 때), 보호막(123) 단위 면적이 받는 하중(P(x,y))을 상수로 간주할 수 있다. 따라서 상기 보호막(123) 표면에 압력을 가할 때 (P(x1,y1)) 행한 힘(W')은 공식 (IV')로 나타낼 수 있다.
Figure pat00012
(IV')상기 공식에서 P는 보호막(123)에 가한 압력이며, 기타 변수들은 위에서 설명한 것과 같다.
공식 (II), (IV')을 공식 (V)에 이입하고 최소화조건
Figure pat00013
을 충족시키는 조건하에서 공식 (VII')을 얻을 수 있다.
Figure pat00014
상기 공식에서 r≠m, r≠n이다.
공식 (VII')에서 a11 이외의 모든 항을 제거하면 공식 (VII')을 계산해서 a11을 얻을 수 있다. 그런 다음 위에서 설명한 바와 같은 계산방식을 통해서 보호막(123) 표면에 압력을 가할 때 보호막(123) 중심(x=a/2, y=b/2)의 최대 면외(out of plane) 변형량(w)을 얻을 수 있다.
Figure pat00015
도 4를 참고한다. 앞에서 설명한 검사 시스템을 이용하여 본 발명의 검사 방법 실시예를 시행할 때, 우선 단계 41을 시행한다. 즉 상기 압력 제공 유닛(2)을 이용하여 레티클 보호막(123)에 예정 양랍력이나 음압력을 가하여 보호막(123)에 변형이 일어나게 한다.
그런 다음 단계 42을 시행해서 변형에 대응하여 생성되는 광학 신호를 계산하여 보호막(123)의 변형량을 획득한다.
예를 들어 단계 42에서, 광원 모듈(31)을 이용해서 변형된 보호막(123)의 표면을 쬔 다음 빛 수신기(32)로 광원 모듈(31)이 보호막(123)의 표면을 쬔 후의 대응하는 반사 신호를 수신한다. 그리고 나서 압력 제공 유닛(2)이 압력을 가한 방식에 의거하여 연산 모듈(3)로 계산해서 보호막(123)의 변형량, 영률(Young's modulus) 및 굽힘 강성(flexural rigidity)을 획득한다.
그런 다음 단계 43 및/또는 단계 44를 시행한다. 계산으로 획득한 보호막(123)의 변형량, 영률(Young's modulus), 그리고 굽힘 강성(flexural rigidity) 중 최소한 한 가지 데이터로 보호막(123)을 검사하여 보호막(123)에 대한 검사 결과를 획득한다.
예를 들어, 단계 43에서 변형량을 보호막(123) 검사 방법으로 이용할 때, 예정 압력을 받고 난 후의 보호막(123)의 변형량을 계산한 다음 획득한 변형량(w1)을 보호막(123)의 그 예정 압력 조건에서의 표준 변형 수치(W0)와 비교하여 투명 보호막에 대한 검사 결과를 획득한다. 예를 들어, 변형량(w1)과 표준 변형량(W0) 비교 시 오차가 제조공정의 허용 오차 범위에 있을 경우, 이는 보호막(123)의 품질이 양호하다는 것을 표시한다. 변형량(w1)과 표준 변형량(W0) 비교 시 오차가 제조공정의 허용 오차 범위를 초과할 경우, 이는 보호막(123)의 품질이 이미 저하되었다는 것을 표시하기 때문에 교체해야 한다.
예를 들어 단계 44에서 영률(E)이나 굽힘 강성(D)을 보호막(123) 검사 방법으로 사용할 때, 단계 41 내지 42를 반복해서 상이한 압력에서 변형된 보호막(123)의 영률(E)이나 굽힘 강성(D)을 여러 개 획득한 다음, 이 획득한 영률(E) 또는 굽힘 강성(D)과 압력으로 그래프를 그린다. 일반적으로 고분자막의 영률(E) 또는 굽힘 강성(D)과 가하여진 응령(압력)은 서로 상수 혹은 선형 관계에 있다, 그러므로 보호막(123)의 상이한 압력하에서의 영률(E) 또는 굽힘 강성(D)과 압력으로 그려진 그래프에서 압력 및 영률(E) 또는 압력 및 굽힘 강성(D)의 관계가 원래의 상수 또는 선형 관계에서 멀어지는 경우, 이는 보호막(123)의 품질이 저하되기 시작했다는 것을 시사한다. 이 외에도, 시스템 설정 또는 사용자가 자체 설정하는 방식으로 이탈 용인 정도를 설정하여 보호막(123)을 교체해야 하는지 여부를 결정짓는 검사 기준으로 삼을 수 있다.
위의 내용을 종합해서 설명하면, 상기 실시예들은 외부에서 힘을 가하여 보호막(예를 들어 보호막(123))이 변형되도록 한 다음, 광학 방식 방식을 통해서 보호막의 변형량, 영률, 그리고 굽힘 강성 중 최소한 한 가지 데이터를 측정 계산하며, 보호막의 변형량, 영률, 그리고 굽힘 강성 중 최소한 한 가지 데이터를 이용하여 보호막에 대한 검사 결과를 획득한다. 측정 방식은 간단하고 신속하기 때문에 보호막의 품질을 신속히 검사 및 제어할 수 있다.
본 발명에서 상기 실시예들은 일부 예시일 뿐이며, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 해당 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 실시예를 참고하여 본 발명의 기술사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 형태의 치환, 변경이 가능하며, 이러한 것들은 본 발명의 범위에 속한다고 할 것이다. 그러므로 본 발명의 보호범위는 청구범위에 기재된 것을 준거로 해야 할 것이다.
11: 투명 기판 2: 압력 제공 유닛
111: 회로 도안 3: 광학 측정 및 처리 유닛
12: 박막 31: 광원 모듈
121: 바깥 틀 32: 빛 수신기
122: 구멍 33: 연산 모듈
123: 보호막 41 내지 44: 단계

Claims (11)

  1. 레티클 보호막 검사 방법으로서,
    예정 압력을 제공하여 레티클 보호막을 변형시키는 단계;
    변형에 대응하여 생성되는 광학 신호를 이용해서 보호막의 변형량을 계산 및 획득하는 단계; 및
    상기 변형량을 보호막의 예정 압력 조건에서의 표준 변형 수치와 비교하여 보호막에 대한 검사 결과를 획득하는 단계를 포함하는, 레티클 보호막 검사 방법.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 변형량은 빛 수신기를 이용해서 변형된 투명 보호막의 표면에서 반사되는 무아레를 수신한 다음 표면 반사 무아레를 계산해서 획득하는, 레티클 보호막 검사 방법.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 압력은 양압력 또는 음압력 중 한 가지인, 레티클 보호막 검사 방법.
  4. 청구항 1에 있어서,
    상기 레티클은 표면에 회선 도안이 있는 투명 기판, 회선 도안을 에워싸며 구멍이 있는 바깥 프레임, 그리고 상기 바깥 프레임에 피복되어 회선 도안을 덮는 보호막을 포함하며;
    상기 구멍을 통해 공기를 추출해서 보호막을 변형시키는 음압력을 제공하거나 보호막 반대 방향에서 기판 표면에 보호막을 변형시키는 양압력을 제공하는, 레티클 보호막 검사 방법.
  5. 레티클 보호막 검사 방법으로서,
    예정 압력을 제공하여 레티클 보호막을 변형시키는 단계;
    변형에 대응하여 생성되는 광학 신호를 이용해서 보호막의 변형량을 계산 및 획득하는 단계;
    상기 변형량을 이용하여 대응하는 영률이나 굽힘 강성 중 최소한 한 가지 데이터를 계산하는 단계;
    위의 단계를 반복해서 상이한 압력 조건 하에서 대응하는 영률이나 굽힘 강성 중 최소한 한 가지 데이터를 획득하는 단계; 및
    상기 영률이나 굽힘 강성 중 최소한 한 가지 데이터를 이용해서 보호막에 대한 검사 결과를 획득하는 단계를 포함하는, 레티클 보호막 검사 방법.
  6. 청구항 5에 있어서,
    상기 변형량은 빛 수신기를 이용해서 변형된 투명 보호막의 표면에서 반사되는 무아레를 수신한 다음 표면 반사 무아레를 계산 및 획득하는, 레티클 보호막 검사 방법.
  7. 청구항 5에 있어서,
    상기 압력은 양압력 또는 음압력 중 한 가지인, 레티클 보호막 검사 방법.
  8. 청구항 5에 있어서,
    상기 레티클은 표면에 회선 도안이 있는 투명 기판, 회선 도안을 에워싸며 구멍이 있는 바깥 프레임, 그리고 상기 바깥 프레임에 피복되어 회선 도안을 덮는 보호막을 포함하며;
    상기 구멍을 통해 공기를 추출해서 보호막의 모양을 변경시키는 음압력을 제공하거나 보호막 반대 방향에서 기판 표면에 보호막을 변형시키는 양압력을 제공하는, 레티클 보호막 검사 방법.
  9. 레티클 보호막 검사 시스템으로서,
    보호막을 변형시키는 압력을 생성하는 데 사용되는 압력 제공 유닛과 광원 모듈, 빛 수신기, 그리고 연산 모듈을 포함하는 광학 측정 및 처리 유닛이 있으며;
    광원 모듈은 보호막 표면을 쬐는 빛을 제공하는 데 사용되고, 빛 수신기는 보호막 표면에서 반사되는 광학 신호를 수신하는 데 사용되며, 연산 모듈은 광학 신호를 이용해서 보호막의 변형량, 영률, 그리고 굽힘 강성 중 최소한 한 가지 데이터를 계산 및 획득하는 데 사용되는, 레티클 보호막 검사 시스템.
  10. 청구항 9에 있어서,
    상기 압력은 양압력 또는 음압력 중 한 가지인, 레티클 보호막 검사 시스템.
  11. 청구항 9에 있어서,
    상기 빛 수신기는 CCD 또는 CMOS를 포함하는, 레티클 보호막 검사 시스템.
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11960211B2 (en) * 2021-07-09 2024-04-16 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Optical lithography system and method of using the same

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020126269A1 (en) * 1999-12-09 2002-09-12 Nikon Corporation Gas replacement method and apparatus, and exposure method and apparatus
US20110014577A1 (en) * 2009-07-15 2011-01-20 Canon Kabushiki Kaisha Pellicle inspection device, exposure apparatus using same, and device manufacturing method
US20160274471A1 (en) * 2015-03-16 2016-09-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Pellicle aging estimation and particle removal from pellicle via acoustic waves
US20170122913A1 (en) * 2015-11-04 2017-05-04 Globalfoundries Inc. In-situ contactless monitoring of photomask pellicle degradation

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002372777A (ja) * 2001-06-18 2002-12-26 Canon Inc ガス置換方法および露光装置
CN108885391B (zh) * 2015-12-17 2022-10-28 Asml荷兰有限公司 表膜和表膜组件
TWI722716B (zh) * 2019-12-13 2021-03-21 南臺學校財團法人南臺科技大學 光罩之保護膜的全域動態檢測方法及全域動態檢測系統

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020126269A1 (en) * 1999-12-09 2002-09-12 Nikon Corporation Gas replacement method and apparatus, and exposure method and apparatus
US20110014577A1 (en) * 2009-07-15 2011-01-20 Canon Kabushiki Kaisha Pellicle inspection device, exposure apparatus using same, and device manufacturing method
US20160274471A1 (en) * 2015-03-16 2016-09-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Pellicle aging estimation and particle removal from pellicle via acoustic waves
US20170122913A1 (en) * 2015-11-04 2017-05-04 Globalfoundries Inc. In-situ contactless monitoring of photomask pellicle degradation

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