KR20210052849A - Gas valve assembly and substrate processing apparatus having the same - Google Patents

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Abstract

The present invention relates to a gas valve assembly, a substrate processing device having the same, and a substrate processing system, and more specifically, to a gas valve assembly to which gas for substrate processing is supplied, a substrate processing device having the same, and a substrate processing system. Disclosed is the gas valve assembly comprising: a main flow path part (100) forming a main flow path (S1) through which gas passes; a gas inlet part (300) extending from the main flow path part (100) and forming a gas inlet path (S2) communicating with the main flow path (S1); a gas outlet part (400) extending from the main flow path part (100) and having an outlet (410) to communicate with the main flow path (S1); and a blocking part (200) for supplying or blocking the gas by opening and closing the outlet (410) through driving on the main flow path (S1). The gas inlet part (300) comprises: at least one inlet (310) formed so that the gas supplied through the gas inlet path (S2) is delivered to the main flow path (S1); and an inlet part adhesion surface (320) in close contact with the blocking part (200) when the outlet (410) is opened. Accordingly, there is an advantage that smooth substrate processing is possible by removing particles generated and deposited on the gas valve assembly.

Description

가스밸브조립체, 그를 가지는 기판처리장치 및 기판처리시스템{Gas valve assembly and substrate processing apparatus having the same}Gas valve assembly, substrate processing apparatus and substrate processing system having the same

본 발명은 가스밸브조립체, 그를 가지는 기판처리장치 및 기판처리시스템에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 기판처리를 위한 가스가 공급되는 가스밸브조립체, 그를 가지는 기판처리장치 및 기판처리시스템에 관한 것이다.The present invention relates to a gas valve assembly, a substrate processing apparatus having the same, and a substrate processing system, and more particularly, to a gas valve assembly supplying a gas for processing a substrate, a substrate processing apparatus having the same, and a substrate processing system.

기판처리장치는 밀폐된 처리공간에 전원을 인가하여 플라즈마를 형성함으로써 기판지지부 위에 안착된 기판의 표면을 증착, 식각하는 등 기판처리를 수행하는 장치를 말한다.The substrate processing apparatus refers to an apparatus that performs substrate processing such as depositing and etching the surface of a substrate mounted on a substrate support by applying power to a sealed processing space to form plasma.

이때, 상기 기판처리장치는 서로 결합되어 처리공간을 형성하는 탑리드 및 챔버본체와, 탑리드에 설치되어 기판처리를 위한 가스를 처리공간으로 분사하는 샤워헤드조립체와, 챔버본체에 설치되어 기판을 지지하는 기판지지부를 포함하여 구성된다.In this case, the substrate processing apparatus includes a top lead and a chamber body that are combined with each other to form a processing space, a showerhead assembly installed on the top lead to inject gas for substrate treatment into the processing space, and a substrate that is installed in the chamber body. It is configured to include a supporting substrate support.

한편, 기판처리장치는 샤워헤드조립체를 포함하여 기판처리를 위한 가스를 처리공간으로 분사할 수 있으며, 이때 사용되는 가스를 안정적으로 공급하는 것이 매우 중요하다.On the other hand, the substrate treatment apparatus can inject gas for substrate treatment into the treatment space including the showerhead assembly, and it is very important to stably supply the gas used at this time.

특히, 가스공급을 위한 가스밸브조립체 상에 지속적인 가스 공급으로 인해 파티클이 형성되는 경우 가스공급 과정에서 파티클이 처리공간 내에 유입되어 공정 정밀도가 떨어지는 문제점이 있다.In particular, when particles are formed on the gas valve assembly for gas supply due to continuous gas supply, there is a problem in that the process precision is deteriorated because particles are introduced into the processing space during the gas supply process.

이러한 문제점을 해결하기 위하여, 도 1에 도시된 바와 같이, 종래 가스공급 밸브는 가스공급유로를 개방하여 차단면을 노출시킨 상태에서 세정가스를 공급함으로써, 차단면에 증착된 파티클을 주기적으로 세정했으나, 이 경우, 차단면에 함께 설치되는 실링부재가 세정가스에 지속적으로 노출됨으로써, 실링부재에 데미지가 발생하는 문제점이 있다.In order to solve this problem, as shown in FIG. 1, the conventional gas supply valve periodically cleans the particles deposited on the blocking surface by supplying cleaning gas in a state where the gas supply passage is opened to expose the blocking surface. In this case, there is a problem in that the sealing member installed together on the blocking surface is continuously exposed to the cleaning gas, thereby causing damage to the sealing member.

이처럼 실링부재에 데미지가 발생함으로써, 실링부재에 의한 파티클이 추가적으로 발생되고, 차단부의 완전한 유로 폐쇄가 수행되지 못해 공정가스가 누출되는 문제점이 있다.As described above, when damage is caused to the sealing member, particles are additionally generated by the sealing member, and there is a problem in that the process gas leaks due to the inability to completely close the flow path of the blocking unit.

본 발명의 목적은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 실링부재의 공정가스로의 노출을 방지하는 구조가 적용된 가스밸브조립체, 그를 가지는 기판처리장치 및 기판처리시스템을 제공하는데 있다.An object of the present invention is to provide a gas valve assembly to which a structure for preventing exposure of a sealing member to a process gas is applied, a substrate processing apparatus and a substrate processing system having the same, in order to solve the above problems.

본 발명은 상기와 같은 본 발명의 목적을 달성하기 위하여 창출된 것으로서, 본 발명은, 가스가 통과하는 메인유로(S1)를 형성하는 메인유로부(100)와; 상기 메인유로부(100)로부터 연장형성되며, 상기 메인유로(S1)와 연통되는 가스유입통로(S2)를 형성하는 가스유입부(300)와; 상기 메인유로부(100)로부터 연장형성되며, 상기 메인유로(S1)와 연통되도록 유출구(410)가 형성되는 가스유출부(400)와; 상기 메인유로(S1) 상에서 구동을 통해 상기 유출구(410)를 개폐함으로써, 상기 가스를 공급 또는 차단하는 차단부(200)를 포함하며, 상기 가스유입부(300)는, 상기 가스유입통로(S2)를 통해 공급되는 가스가 상기 메인유로(S1)로 전달되도록 형성되는 적어도 하나의 유입구(310)와, 상기 유출구(410)의 개방 시 상기 차단부(200)가 밀착되는 유입부밀착면(320)을 포함하는 가스밸브조립체를 개시한다.The present invention was created to achieve the object of the present invention as described above, the present invention, the main flow path portion 100 forming a main flow path (S1) through which gas passes; A gas inlet 300 extending from the main passage 100 and forming a gas inlet passage S2 communicating with the main passage S1; A gas outlet portion 400 extending from the main passage portion 100 and having an outlet port 410 formed to communicate with the main passage portion S1; It includes a blocking unit 200 for supplying or blocking the gas by opening and closing the outlet 410 through driving on the main passage S1, and the gas inlet 300 includes the gas inlet passage S2 ) At least one inlet 310 formed so that the gas supplied through the main flow path S1 is delivered to the main flow path S1, and an inlet contact surface 320 to which the blocking part 200 is in close contact when the outlet 410 is opened. ) Discloses a gas valve assembly comprising.

상기 차단부(200)는, 상기 유출구(410)를 개폐하는 차단면(211)과, 상기 차단면(211)의 가장자리에 구비되는 제1실링부재(212)를 포함하는 차단부재(210)와, 외부의 구동부와 상기 차단부재(210)를 연결하는 구동샤프트(220)를 포함할 수 있다.The blocking part 200 includes a blocking member 210 including a blocking surface 211 for opening and closing the outlet 410 and a first sealing member 212 provided at an edge of the blocking surface 211 , It may include a driving shaft 220 connecting the external driving unit and the blocking member 210.

상기 차단면(211)은, 상기 유출구(410)에 적어도 일부가 삽입되도록 상기 유출구(410)에 대응되는 형상으로 돌출되어 구비될 수 있다.The blocking surface 211 may be provided to protrude in a shape corresponding to the outlet 410 so that at least a portion of the blocking surface 211 is inserted into the outlet 410.

상기 가스유입부(300)는, 상기 차단부재(210)의 상기 유입부밀착면(320)으로의 밀착 시, 상기 차단면(211)이 상기 가스유입통로(S2)에 노출되도록 상기 유입부밀착면(320)의 중심부에 상기 차단면(211)에 대응되도록 관통형성되는 차단면노출구(330)를 추가로 포함할 수 있다.The gas inlet 300 is in close contact with the inlet so that the blocking surface 211 is exposed to the gas inlet passage S2 when the blocking member 210 is in close contact with the inlet contact surface 320. A blocking surface exposure opening 330 formed through the center of the surface 320 so as to correspond to the blocking surface 211 may be further included.

상기 유입구(310)는, 상기 차단면노출구(330)에 인접된 위치에서 상기 메인유로(S1)와 연통되도록 형성될 수 있다.The inlet 310 may be formed to communicate with the main passage S1 at a position adjacent to the blocking surface exposure port 330.

상기 메인유로부(100)는, 상기 가스유입부(300)와 상기 가스유출부(400)로부터 연장되어 형성되는 메인유로형성부(140)와, 상기 메인유로형성부(140)에 결합되어 내부에 상기 메인유로(S1)를 형성하는 커버부(110)를 포함할 수 있다.The main passage part 100 is coupled to the gas inlet part 300 and the main passage forming part 140 formed extending from the gas outflow part 400, and is coupled to the main passage forming part 140 to be It may include a cover portion 110 forming the main flow path (S1).

상기 메인유로부(100)는, 상기 메인유로형성부(140)와 상기 커버부(110) 사이의 결합면에 구비되는 제2실링부재(130)를 추가로 포함할 수 있다.The main passage part 100 may further include a second sealing member 130 provided on a coupling surface between the main passage forming part 140 and the cover part 110.

상기 가스유입부(300)는, 외부의 가스챔버 측과 연결되어 상기 가스유입통로(S2)의 적어도 일부를 형성하는 가스도입부(341)와, 상기 가스도입부(341)의 상기 메인유로부(100) 측 끝단에서 반경방향으로 확장되어 형성되는 확장부(350)를 포함할 수 있다.The gas inlet 300 is connected to an external gas chamber side and forms at least a part of the gas inlet passage S2, and the main passage portion 100 of the gas inlet 341 ) It may include an extension portion 350 formed by extending in the radial direction from the side end.

상기 가스유출부(400)는, 상기 유출구(410)의 상기 차단부(200)에 의한 폐쇄 시, 상기 차단부(200)가 밀착되는 유출부밀착면(430)을 포함할 수 있다.The gas outflow part 400 may include an outflow part contact surface 430 to which the blocking part 200 comes into close contact when the outflow port 410 is closed by the blocking part 200.

상기 차단부(200)는, 상기 제1실링부재(212)의 가스로의 노출을 방지하기 위하여, 상기 유출구(410)의 개방 시 상기 유입부밀착면(320)에 상기 유출구(410)의 폐쇄 시 상기 유출부밀착면(430)에 각각 밀착될 수 있다.When the outlet 410 is closed on the inlet contact surface 320 when the outlet 410 is opened, in order to prevent the first sealing member 212 from being exposed to the gas, the blocking part 200 is Each of the outlet portion contact surface 430 may be in close contact.

또한, 본 발명은, 기판처리를 위한 처리공간을 형성하는 공정챔버(10)와; 상기 공정챔버(10)에 설치되어 기판(1)을 지지하는 기판지지부(20)와; 상기 기판지지부(20)의 상부에 설치되어 공정수행을 위한 가스를 분사하는 샤워헤드(30)와; 상기 공정챔버(10)의 외부에 설치되어, 상기 샤워헤드(30)에 가스를 공급하는 가스챔버와; 상기 가스챔버로부터 상기 샤워헤드(30)로 가스를 공급하기 위한 배관에 설치되어, 상기 샤워헤드(30)로 공급되는 가스를 제어하는 가스밸브조립체(70)를 포함하는 기판처리장치를 개시한다.In addition, the present invention includes a process chamber 10 for forming a processing space for processing a substrate; A substrate support part 20 installed in the process chamber 10 to support the substrate 1; A shower head 30 installed above the substrate support part 20 to inject gas for performing a process; A gas chamber installed outside the process chamber 10 to supply gas to the shower head 30; Disclosed is a substrate processing apparatus including a gas valve assembly 70 installed in a pipe for supplying gas from the gas chamber to the shower head 30 and controlling the gas supplied to the shower head 30.

상기 가스챔버는, 플라즈마 상태의 가스를 공급하는 원격 플라즈마 공급챔버일 수 있다. The gas chamber may be a remote plasma supply chamber that supplies gas in a plasma state.

또한, 본 발명은, 밀폐된 처리공간를 형성하여 기판처리를 수행하는 복수의 기판처리장치(4)들과; 상기 복수의 기판처리장치(4)들이 결합되며, 상기 복수의 기판처리장치(4)들 각각에 상기 기판(1)을 반출하거나 도입하는 반송로봇(5)이 설치된 기판반송모듈(3)과; 상기 기판반송모듈(3)에 결합되어 상기 기판처리장치(4)를 통해 기판처리가 완료된 기판(1)을 외부로 반출하고, 외부로부터 기판처리될 기판(1)을 도입하는 기판교환모듈(2)을 포함하는 기판처리시스템을 개시한다. In addition, the present invention comprises a plurality of substrate processing apparatuses 4 for performing substrate processing by forming a sealed processing space; A substrate transfer module (3) in which the plurality of substrate processing apparatuses (4) are combined, and a transfer robot (5) for carrying out or introducing the substrate (1) is installed in each of the plurality of substrate processing apparatuses (4); A substrate exchange module (2) that is coupled to the substrate transfer module (3) to carry out a substrate (1) that has been subjected to substrate treatment to the outside through the substrate processing apparatus (4), and to introduce a substrate (1) to be processed from the outside. A substrate processing system including) is disclosed.

본 발명에 따른 가스밸브조립체, 그를 가지는 기판처리장치 및 기판처리시스템은, 가스밸브조립체에 세정가스를 주기적으로 노출시켜 가스밸브조립체에 발생 및 증착되는 파티클을 제거함으로써 원활한 기판처리가 가능한 이점이 있다.The gas valve assembly, the substrate processing apparatus and the substrate processing system having the gas valve assembly according to the present invention have the advantage of enabling smooth substrate treatment by removing particles generated and deposited on the gas valve assembly by periodically exposing cleaning gas to the gas valve assembly. .

또한, 본 발명에 따른 가스밸브조립체, 그를 가지는 기판처리장치 및 기판처리시스템은, 실링부재의 공정가스와 세정가스로의 노출을 방지함으로써, 실링부재에 가스에 의한 데미지를 최소화할 수 있는 이점이 있다.In addition, the gas valve assembly according to the present invention, the substrate processing apparatus and the substrate processing system having the same, has the advantage of minimizing the damage caused by the gas to the sealing member by preventing the sealing member from being exposed to the process gas and the cleaning gas. .

이로써, 본 발명에 따른 가스밸브조립체, 그를 가지는 기판처리장치 및 기판처리시스템은, 실링부재의 내구성이 증대되고, 가스의 누출 및 실링부재로부터의 파티클 발생을 방지하여 안정적인 공정수행이 가능한 이점이 있다.Accordingly, the gas valve assembly, the substrate processing apparatus and the substrate processing system having the same according to the present invention have the advantage of increasing the durability of the sealing member, preventing gas leakage and the generation of particles from the sealing member, thereby enabling a stable process. .

또한, 본 발명에 따른 가스밸브조립체, 그를 가지는 기판처리장치 및 기판처리시스템은, 실링부재의 공정가스 및 세정가스로의 노출을 방지하면서 차단면은 세정가스에 노출되도록 함으로써, 차단면의 세정효과를 극대화할 수 있는 이점이 있다.In addition, the gas valve assembly according to the present invention, the substrate processing apparatus and the substrate processing system having the same, prevents the sealing member from being exposed to the process gas and the cleaning gas while allowing the blocking surface to be exposed to the cleaning gas, thereby improving the cleaning effect of the blocking surface. There is an advantage that can be maximized.

도 1은, 종래 가스밸브조립체의 모습을 보여주는 단면도이다.
도 2는, 본 발명에 따른 기판처리장치의 개략적인 모습을 보여주는 단면도이다.
도 3은, 본 발명에 따른 가스밸브조립체 중 커버부가 제거된 상태의 모습을 보여주는 사시도이다.
도 4a 및 도 4b는, 도 3의 가스밸브조립체의 작동모습을 보여주는 단면도들로서, 도 4a는, 가스밸브조립체가 폐쇄된 상태의 모습을 보여주는 단면도이며, 도 4b는, 가스밸브조립체가 개방된 상태의 모습을 보여주는 단면도이다.
도 5는, 도 3에 따른 가스밸브조립체의 내부 모습을 보여주는 A-A방향 단면도이다.
도 6은, 도 2에 따른 기판처리장치를 포함하는 기판처리시스템의 개략도이다.1 is a cross-sectional view showing a conventional gas valve assembly.
2 is a schematic cross-sectional view of a substrate processing apparatus according to the present invention.
3 is a perspective view showing a state in which the cover part is removed from the gas valve assembly according to the present invention.
4A and 4B are cross-sectional views showing the operation of the gas valve assembly of FIG. 3, and FIG. 4A is a cross-sectional view showing a state in which the gas valve assembly is closed, and FIG. 4B is a state in which the gas valve assembly is opened. It is a cross-sectional view showing the appearance of.
5 is a cross-sectional view in the AA direction showing the interior of the gas valve assembly according to FIG. 3.
6 is a schematic diagram of a substrate processing system including the substrate processing apparatus according to FIG. 2.

이하 본 발명에 따른 가스밸브조립체, 그를 가지는 기판처리장치 및 기판처리시스템에 관하여 첨부된 도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, a gas valve assembly, a substrate processing apparatus and a substrate processing system having the same according to the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

본 발명에 따른 기판처리시스템은, 도 6에 도시된 바와 같이, 밀폐된 처리공간을 형성하여 기판처리를 수행하는 복수의 기판처리장치(4)들과; 복수의 기판처리장치(4)들이 결합되며, 복수의 기판처리장치(4)들 각각에 기판(1)을 반출하거나 도입하는 반송로봇(5)이 설치된 기판반송모듈(3)과; 기판반송모듈(3)에 결합되어 기판처리장치(4)를 통해 기판처리가 완료된 기판(1)을 외부로 반출하고, 외부로부터 기판처리될 기판(1)을 도입하는 기판교환모듈(2)을 포함한다.The substrate processing system according to the present invention includes a plurality of substrate processing apparatuses 4 for performing substrate processing by forming a sealed processing space, as shown in FIG. 6; A substrate transfer module 3 in which a plurality of substrate processing apparatuses 4 are combined, and a transfer robot 5 for carrying out or introducing a substrate 1 to each of the plurality of substrate processing apparatuses 4 is installed; A substrate exchange module (2) coupled to the substrate transfer module (3) to carry out the substrate (1) that has been processed by the substrate through the substrate processing unit (4) to the outside, and to introduce the substrate (1) to be processed from the outside Includes.

본 발명의 처리대상인 기판(1)은, 증착, 식각 등 기판처리가 수행되는 구성으로서, 반도체 제조용기판, LCD 제조용기판, OLED 제조용기판, 태양전지 제조용기판, 투명 글라스기판 등 어떠한 기판도 가능하다.The substrate 1 to be treated according to the present invention is a configuration in which substrate processing such as deposition and etching is performed, and any substrate such as a semiconductor manufacturing substrate, an LCD manufacturing substrate, an OLED manufacturing substrate, a solar cell manufacturing substrate, a transparent glass substrate, etc. can be used.

특히, 상기 기판(1)은, 처리공간내에 분사되는 공정가스를 통해 기판처리가 수행되는 구성일 수 있다.In particular, the substrate 1 may have a configuration in which substrate processing is performed through a process gas injected into a processing space.

상기 기판반송모듈(3)은, 복수의 기판처리장치(4)들이 결합되며, 복수의 기판처리장치(4)들 각각에 기판(1)을 반출하거나 도입하는 반송로봇(5)이 설치된 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The substrate transfer module 3 is a configuration in which a plurality of substrate processing apparatuses 4 are combined, and a transfer robot 5 for carrying out or introducing a substrate 1 to each of the plurality of substrate processing apparatuses 4 is installed. , Various configurations are possible.

예를 들면, 상기 기판반송모듈(3)은, 기판교환모듈(2)을 통해 외부로부터 반입되는 기판처리될 기판(1)을 내부에 설치된 반송로봇(5)을 통해 기판처리장치(4)로 이송할 수 있다.For example, the substrate transfer module 3 transfers the substrate 1 to be processed, which is carried from the outside through the substrate exchange module 2, to the substrate processing apparatus 4 through the transfer robot 5 installed therein. Can be transported.

또한, 상기 기판반송모듈(3)은, 기판처리장치(4)를 통해 기판처리가 완료된 기판(1)을 기판처리장치(4)로부터 기판교환모듈(2)로 이송하여 외부로 반출하도록 할 수 있다.In addition, the substrate transfer module 3 can transfer the substrate 1 that has been processed through the substrate processing device 4 to the substrate exchange module 2 from the substrate processing device 4 to be carried out to the outside. have.

상기 기판교환모듈(2)은, 기판반송모듈(3)에 결합되어 기판처리장치(4)을 통해 기판처리가 완료된 기판(1)을 외부로 반출하고, 외부로부터 기판처리될 기판(1)을 도입하는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The substrate exchange module 2 is coupled to the substrate transfer module 3 to carry out the substrate 1, which has been subjected to substrate processing, to the outside through the substrate processing apparatus 4, and transfers the substrate 1 to be processed from the outside. As a configuration to be introduced, various configurations are possible.

예를 들면, 상기 기판교환모듈(2)은, 대기압 상태의 외부로부터 기판처리될 기판(1)을 로딩하고 진공공간의 기판반송모듈(3)로 기판(1)이 이송될 수 있도록 할 수 있다.For example, the substrate exchange module 2 may load the substrate 1 to be processed from the outside under atmospheric pressure and allow the substrate 1 to be transferred to the substrate transfer module 3 in a vacuum space. .

또한, 상기 기판교환모듈(2)은, 기판처리장치(4)로부터 기판처리가 완료된 기판(1)을 기판반송모듈(3)을 통해 전달받아 진공공간의 내부로부터 대기압 상태의 외부로 처리가 완료된 기판(1)을 언로딩할 수 있다.In addition, the substrate exchange module 2 receives the substrate 1 on which the substrate has been processed from the substrate processing apparatus 4 through the substrate transfer module 3, and the processing is completed from the inside of the vacuum space to the outside at atmospheric pressure. The substrate 1 can be unloaded.

상기 기판처리장치(4)은, 밀폐된 처리공간을 형성하여 기판처리를 수행하는 구성으로서, 기판반송모듈(3)에 복수개 설치되어, 서로 동일한 공정 또는 서로 상이한 공정을 수행할 수 있다.The substrate processing apparatus 4 is configured to perform substrate processing by forming an enclosed processing space, and is provided in a plurality of substrate transfer modules 3 to perform the same process or processes different from each other.

예를 들면, 상기 기판처리장치(4)는, 도 2에 도시된 바와 같이, 기판처리를 위한 처리공간을 형성하는 공정챔버(10)와; 상기 공정챔버(10)에 설치되어 기판(1)을 지지하는 기판지지부(20)와; 상기 기판지지부(20)의 상부에 설치되어 공정수행을 위한 공정가스를 분사하는 샤워헤드(30)와; 상기 공정챔버(10)의 외부에 설치되어, 샤워헤드(30)에 가스를 공급하는 가스챔버와; 상기 가스챔버로부터 상기 샤워헤드(30)로 가스를 공급하기 위한 배관에 설치되어, 상기 샤워헤드(30)로 공급되는 가스를 제어하는 가스밸브조립체(70)를 포함한다.For example, the substrate processing apparatus 4 includes, as shown in FIG. 2, a process chamber 10 for forming a processing space for processing a substrate; A substrate support part 20 installed in the process chamber 10 to support the substrate 1; A showerhead 30 installed on the substrate support part 20 to inject a process gas for performing a process; A gas chamber installed outside the process chamber 10 to supply gas to the shower head 30; And a gas valve assembly 70 installed in a pipe for supplying gas from the gas chamber to the shower head 30 and controlling the gas supplied to the shower head 30.

상기 공정챔버(10)는, 기판처리를 위한 처리공간을 형성하는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The process chamber 10 is configured to form a processing space for processing a substrate, and various configurations are possible.

예를 들면, 상기 공정챔버(10)는, 상측이 개방된 챔버본체(11)와, 챔버본체(11)의 상부를 복개하여 기판처리를 위한 처리공간을 형성하는 탑리드(12)를 포함할 수 있다.For example, the process chamber 10 includes a chamber body 11 with an open upper side and a top lid 12 covering the upper portion of the chamber body 11 to form a processing space for substrate processing. I can.

상기 챔버본체(11)는, 상부가 개방되고 기판처리를 위한 처리공간이 형성되는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The chamber body 11 is a configuration in which an upper portion is opened and a processing space for processing a substrate is formed, and various configurations are possible.

특히, 상기 챔버본체(11)는, 후술하는 기판지지부(20)등이 설치되며, 처리공간에 기판(1)의 도입 및 배출을 위한 내측벽에 하나 이상의 게이트(13)가 형성될 수 있다.In particular, in the chamber body 11, a substrate support part 20, which will be described later, is installed, and one or more gates 13 may be formed on an inner wall for introducing and discharging the substrate 1 into the processing space.

상기 게이트(13)는, 처리공간에 기판(1)의 도입 및 배출을 위해 공정챔버(10) 중 챔버본체(11)에 형성되는 구조로서, 다양한 구조가 가능하다.The gate 13 is a structure formed in the chamber body 11 of the process chamber 10 for introduction and discharge of the substrate 1 into the processing space, and various structures are possible.

상기 탑리드(12)는, 챔버본체(11)의 상부를 복개하여 기판처리를 위한 처리공간을 형성하는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The top lead 12 is a configuration that covers an upper portion of the chamber body 11 to form a processing space for processing a substrate, and various configurations are possible.

예를 들면, 상기 탑리드(12)는, 후술하는 샤워헤드(30)가 설치되도록 중심부가 개방되거나, 샤워헤드(30)의 상측에서 챔버본체(11)의 상부를 복개하도록 설치될 수 있다.For example, the top lead 12 may be installed such that the center of the top lead 12 is opened so that the shower head 30 to be described later is installed, or the upper portion of the chamber body 11 is covered from the upper side of the shower head 30.

또한 상기 공정챔버(10)는, 후술하는 샤워헤드(30)와 가스밸브조립체(70) 사이에서 가스를 전달하는 가스공급관(14)을 추가로 포함할 수 있다.In addition, the process chamber 10 may further include a gas supply pipe 14 for transferring gas between the shower head 30 and the gas valve assembly 70 to be described later.

상기 기판지지부(20)는, 공정챔버(10) 내에 설치되어, 기판(1)이 안착되는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The substrate support part 20 is installed in the process chamber 10 and is a configuration in which the substrate 1 is seated, and various configurations are possible.

예를 들면, 상기 기판지지부(20)는, 기판(1)이 안착되는 기판안착부(21)와, 기판안착부(21)가 상하이동 가능하도록 기판안착부(21)의 하측에 설치되는 지지축(22)을 포함할 수 있다.For example, the substrate support portion 20 includes a substrate seating portion 21 on which the substrate 1 is seated, and a support provided under the substrate seating portion 21 so that the substrate seating portion 21 can be moved upright. It may include a shaft 22.

상기 기판지지부(20)는, 기판(1)의 도입 및 배출과, 기판처리를 위하여 기판(1) 및 기판안착부(21)가 상하이동 가능하도록 설치될 수 있으며, 더 나아가, 기판(1)을 가열하거나 냉각하는 등 온도제어를 위하여 히터를 포함하는 온도제어부재가 추가로 설치될 수 있다.The substrate support unit 20 may be installed so that the substrate 1 and the substrate seating unit 21 can be moved upright for introduction and discharge of the substrate 1 and for processing the substrate, and furthermore, the substrate 1 A temperature control member including a heater may be additionally installed for temperature control such as heating or cooling.

또한, 상기 기판지지부(20)는, 기판처리를 위한 처리공간 내 플라즈마 분위기 형성을 위하여, 후술하는 샤워헤드(30)와 대향되는 위치에서 전극 또는 접지로서 구성될 수 있다.In addition, the substrate support part 20 may be configured as an electrode or a ground at a position opposite to the shower head 30 to be described later in order to form a plasma atmosphere in a processing space for processing a substrate.

상기 샤워헤드(30)는, 기판지지부(20)의 상부에 설치되어 공정수행을 위한 가스를 분사하는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The shower head 30 is a configuration installed on the upper portion of the substrate support 20 to inject gas for performing a process, and various configurations are possible.

상기 샤워헤드(30)는, 가스밸브조립체(70)와 연결되어 가스밸브조립체(70)를 거쳐 외부 가스챔버로부터 공급되는 가스를 기판지지부(20)의 상부면에 위치하는 기판(1)을 향해 균일하게 분사할 수 있다.The shower head 30 is connected to the gas valve assembly 70 and passes the gas supplied from the external gas chamber through the gas valve assembly 70 toward the substrate 1 located on the upper surface of the substrate support part 20. It can spray evenly.

상기 가스챔버는, 공정챔버(10)의 외부에 설치되어, 샤워헤드(30)에 가스를 공급하는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The gas chamber is installed outside the process chamber 10 and supplies gas to the shower head 30, and various configurations are possible.

이때, 상기 가스챔버는, 플라즈마 상태의 가스를 공급하는 RPG(Remote Plasma Generator)로서, 플라즈마 상태의 가스를 공급하는 구성일 수 있다.In this case, the gas chamber is a remote plasma generator (RPG) that supplies gas in a plasma state, and may be configured to supply gas in a plasma state.

따라서, 플라즈마 상태의 가스가 공급되므로, 후술하는 차단면(211)에 설치되는 제1실링부재(212)가 가스에 노출되는 경우 손상이 쉬워, 제1실링부재(212)의 가스, 특히 세정가스로의 노출을 최소화하는 기술이 필요하다.Therefore, since the gas in the plasma state is supplied, damage is easy when the first sealing member 212 installed on the blocking surface 211 to be described later is exposed to the gas, and the gas of the first sealing member 212, especially the cleaning gas, is used. There is a need for techniques to minimize the exposure of people.

더 나아가, 차단면(211)은 유출구(410)의 폐쇄 시, 공정챔버(10) 측으로부터 역류하는 가스에 지속적으로 노출되는 바, 세정가스에의 노출이 필요하나, 제1실링부재(212)의 경우 플라즈마 상태의 세정가스에 노출되는 경우 데미지가 발생하므로, 차단면(211)은 세정가스에 노출하면서도 제1실링부재(212)의 노출을 최소화하는 기술이 필요하다.Further, when the outlet 410 is closed, the blocking surface 211 is continuously exposed to the gas flowing back from the process chamber 10 side, and thus, exposure to the cleaning gas is required, but the first sealing member 212 In the case of, since damage occurs when exposed to the cleaning gas in the plasma state, a technique of minimizing the exposure of the first sealing member 212 while exposing the blocking surface 211 to the cleaning gas is required.

상기 가스밸브조립체(70)는, 가스챔버로부터 샤워헤드(30)로 가스를 공급하기 위한 배관에 설치되어, 샤워헤드(30)로 공급되는 가스를 제어하는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The gas valve assembly 70 is installed in a pipe for supplying gas from the gas chamber to the showerhead 30 and controls the gas supplied to the showerhead 30, and various configurations are possible.

이때, 상기 가스밸브조립체(70)는, 공정을 위한 가스가 전달되는 구성인 바, 이물질, 파티클 등이 없이 공정을 위해 공급되는 가스의 전달이 매우 중요하며, 이를 위하여 주기적으로 세정가스를 공급할 수 있다.At this time, since the gas valve assembly 70 is a configuration in which gas for the process is delivered, it is very important to transfer the gas supplied for the process without foreign substances, particles, etc., and for this purpose, the cleaning gas can be supplied periodically. have.

특히, 상기 가스밸브조립체(70)는, 가스밸브의 차단 시, 공정챔버(10) 측에 위치하는 공간을 통해 공정을 위한 가스가 위치하는 바, 차단을 위한 차단면(211)이 가스에 지속적으로 노출되고 이에 따라 파티클이 누적되고 누적된 파티클이 가스 공급 시 함께 공급되는 문제점이 있다.In particular, in the gas valve assembly 70, when the gas valve is shut off, the gas for the process is located through a space located on the process chamber 10 side. As a result, particles are accumulated and the accumulated particles are supplied together when gas is supplied.

이를 위해 종래 가스밸브조립체는, 도 1에 도시된 바와 같이, 가스가 유입되는 가스유입부(50)와 유입된 가스를 공정챔버(10)로 전달하는 가스유출부(60)와, 가스유로를 개폐하는 차단부재(40)를 포함하고, 차단부재(40)가 가스유로를 개방한 상태에서 세정가스를 공급하여 차단부재(40)에 증착된 파티클을 제거하였다.To this end, as shown in FIG. 1, the conventional gas valve assembly includes a gas inlet 50 through which gas is introduced, a gas outlet 60 through which the introduced gas is delivered to the process chamber 10, and a gas flow path. A blocking member 40 that opens and closes is included, and a cleaning gas is supplied in a state in which the blocking member 40 opens the gas flow path to remove particles deposited on the blocking member 40.

그러나 종래 가스밸브조립체는, 도 1에 도시된 바와 같이, 차단부재(40)에 구비되는 실링부재(41) 또한 세정가스에 노출되는 구조인 바, 실링부재(41)의 내구성이 저하되고 실링부재(41)의 손상으로 인해 파티클이 발생되는 문제점이 있다.However, the conventional gas valve assembly has a structure in which the sealing member 41 provided in the blocking member 40 is also exposed to the cleaning gas, as shown in FIG. 1, and the durability of the sealing member 41 decreases and the sealing member There is a problem that particles are generated due to the damage of (41).

이러한 문제점을 극복하기 위하여, 본 발명에 따른 가스밸브조립체는, 도 2에 도시된 바와 같이, 가스가 통과하는 메인유로(S1)를 형성하는 메인유로부(100)와; 상기 메인유로부(100)로부터 연장형성되며, 상기 메인유로(S1)와 연통되는 가스유입통로(S2)를 형성하는 가스유입부(300)와; 상기 메인유로부(100)로부터 연장형성되며, 상기 메인유로(S1)와 연통되도록 유출구(410)가 형성되는 가스유출부(400)와; 상기 메인유로(S1) 상에서 구동을 통해 상기 유출구(410)를 개폐함으로써, 상기 가스를 공급 또는 차단하는 차단부(200)를 포함한다.In order to overcome this problem, the gas valve assembly according to the present invention includes, as shown in FIG. 2, a main passage part 100 forming a main passage S1 through which gas passes; A gas inlet 300 extending from the main passage 100 and forming a gas inlet passage S2 communicating with the main passage S1; A gas outlet portion 400 extending from the main passage portion 100 and having an outlet port 410 formed to communicate with the main passage portion S1; It includes a blocking unit 200 for supplying or blocking the gas by opening and closing the outlet 410 through driving on the main flow path S1.

한편 본 발명에 가스밸브조립체는, 메인유로부(100), 가스유입부(300) 및 가스유출부(400)의 구성이 원바디로 가공을 통해 형성될 수 있으며, 다른 예로써 각각의 구성의 물리적 결합을 통해 구성될 수도 있다.Meanwhile, in the gas valve assembly according to the present invention, the configuration of the main flow path part 100, the gas inlet part 300, and the gas outlet part 400 may be formed through processing into a one-body body. It can also be constructed through physical bonding.

여기서, 상기 가스는, 기판(1)의 처리를 위한 공정에 사용되는 공정가스와, 가스밸브조립체의 세정을 위하여 사용되는 세정가스를 포함하는 구성으로서, 기판처리에 사용되거나 가스밸브조립체의 세정을 위하여 사용되는 종래 개시된 어떠한 가스도 적용 가능하다.Here, the gas is a configuration including a process gas used in a process for processing the substrate 1 and a cleaning gas used for cleaning the gas valve assembly, and is used for processing the substrate or cleaning the gas valve assembly. Any of the previously disclosed gases used for this purpose are applicable.

상기 메인유로부(100)는, 가스가 통과하는 메인유로(S1)를 형성하는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The main passage part 100 is configured to form a main passage S1 through which gas passes, and various configurations are possible.

예를 들면, 상기 메인유로부(100)는, 일측에 형성되는 가스유입부(300)와 가스유출부(400)로부터 타측으로 연장형성되어 메인유로(S1)를 위한 공간을 형성하는 메인유로형성부(140)와, 메인유로형성부(140)에 결합되어 메인유로형성부(140)와 함께 내부에 메인유로(S1)를 형성하는 커버부(110)를 포함할 수 있다.For example, the main passage part 100 is formed to extend from the gas inlet part 300 and the gas outlet part 400 formed on one side to the other side to form a space for the main passage (S1). The part 140 may include a cover part 110 that is coupled to the main flow path forming part 140 to form a main flow path S1 therein together with the main flow path forming part 140.

또한, 상기 메인유로부(100)는, 차단부(200)의 구동을 위하여 외부에 설치되는 구동부와 연결되는 구동샤프트(220)가 관통되는 관통구(120)를 추가로 포함할 수 있다.In addition, the main passage part 100 may further include a through hole 120 through which a driving shaft 220 connected to a driving part installed outside for driving the blocking part 200 passes.

또한, 상기 메인유로부(100)는, 메인유로형성부(140)와 커버부(110) 사이의 결합면에 구비되는 제2실링부재(130)를 추가로 포함할 수 있다.In addition, the main passage part 100 may further include a second sealing member 130 provided on a coupling surface between the main passage forming part 140 and the cover part 110.

이때, 상기 메인유로부(100)는, 독립된 부재로서, 가스유입부(300) 및 가스유출부(400)와 연통되도록 결합되며 메인유로(S1)를 가지는 구성일 수 있음은 또한 물론이다.At this time, the main flow path 100, as an independent member, is coupled to communicate with the gas inlet 300 and the gas outlet 400, and may be a configuration having a main flow path (S1) is also of course.

상기 메인유로형성부(140)는, 도 4a 및 도 4b에 도시된 바와 같이, 일측에 상하로 형성되는 가스유입부(300)와 가스유출부(400)로부터 타측으로 연장되어 형성되며, 이때 내부에 메인유로(S1)가 형성되도록 내부공간을 가질 수 있다.The main flow path forming part 140 is formed by extending from the gas inlet 300 and the gas outlet 400 formed up and down on one side to the other side, as shown in FIGS. 4A and 4B. It may have an internal space so that the main flow path S1 is formed.

상기 메인유로형성부(140)는, 커버부(110)의 결합을 통해 내부에 메인유로(S1)를 형성할 수 있으며, 이를 통해 가스유입부(300)를 통해 공급되는 가스가 메인유로(S1)를 거쳐 가스유출부(400)로 전달될 수 있다.The main flow path forming unit 140 may form a main flow path (S1) therein through the coupling of the cover part 110, through which the gas supplied through the gas inlet 300 is the main flow path (S1). ) May be delivered to the gas outlet 400.

한편, 가스 차단 시, 가스유입부(300)를 통해 공급되는 가스가 가스유출부(400)의 차단으로 메인유로(S1)에 위치할 수 있다.Meanwhile, when gas is blocked, the gas supplied through the gas inlet 300 may be located in the main passage S1 by blocking the gas outlet 400.

즉, 상기 메인유로(S1)는, 상기 가스유입부(300)와 가스의 통과 또는 차단과는 무관하게 연통되도록 형성될 수 있다.That is, the main flow path S1 may be formed to communicate with the gas inlet 300 regardless of passage or blocking of the gas.

상기 커버부(110)는, 메인유로형성부(140)에 결합되어 내부에 메인유로(S1)를 형성하는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The cover part 110 is coupled to the main flow path forming part 140 to form a main flow path S1 therein, and various configurations are possible.

예를 들면, 상기 커버부(110)는, 가스유입부(300) 및 가스유출부(400)로부터 연장형성되는 메인유로형성부(140)에 가스유입부(300) 및 가스유출부(400)의 반대측에서 결합되어 메인유로(S1)인 내부공간을 형성할 수 있다.For example, the cover unit 110 may include a gas inlet 300 and a gas outlet 400 in the main passage forming portion 140 extending from the gas inlet 300 and the gas outlet 400. It can be combined at the opposite side of the main flow channel (S1) to form an inner space.

즉, 상기 커버부(110)는, 일측에 위치하는 가스유입부(300) 및 가스유출부(400)와 대향되는 위치에서 메인유로형성부(140)에 결합될 수 있다.That is, the cover part 110 may be coupled to the main flow path forming part 140 at a position opposite to the gas inlet 300 and the gas outlet 400 located on one side.

한편, 상기 커버부(110)는, 메인유로(S1)를 형성하는 내부면이 평평하게 형성될수 있으며, 다른 예로써, 가스유입부(300) 측으로부터 공급되는 가스의 가스유출부(400) 측으로의 원활한 유체흐름을 유도하기 위하여, 내부면이 곡선 및 돌출부분을 가지도록 형성될 수 있다.On the other hand, the cover part 110, the inner surface forming the main passage (S1) may be formed flat, as another example, toward the gas outlet 400 of the gas supplied from the gas inlet 300 side. In order to induce a smooth flow of fluid, the inner surface may be formed to have curved and protruding portions.

한편, 상기 커버부(110)는, 메인유로형성부(140)에 결합되는 구성인 바, 결합 해제 시, 메인유로(S1)를 외부로 개방하여 가스밸브조립체 등 구성의 유지보수가 용이하도록 할 수 있다.On the other hand, the cover part 110 is a configuration that is coupled to the main flow path forming unit 140, and when the connection is released, the main flow path S1 is opened to the outside to facilitate maintenance of the gas valve assembly, etc. I can.

즉, 상기 커버부(110)는, 메인유로형성부(140)로부터 분리되는 경우, 메인유로(S1)를 개방하여 내부 구성의 유지보수가 용이하도록 설치될 수 있다.That is, when the cover part 110 is separated from the main flow path forming part 140, it may be installed to open the main flow path S1 to facilitate maintenance of the internal configuration.

상기 관통구(120)는, 차단부(200)의 구동을 위하여 외부에 설치되는 구동부와 연결되는 구동샤프트(220)가 관통되도록 형성되는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The through hole 120 has a configuration in which a driving shaft 220 connected to a driving unit installed outside for driving the blocking unit 200 passes through, and various configurations are possible.

상기 관통구(120)는, 구동샤프트(220)에 대응되는 크기로 형성될 수 있으며, 이때, 전달되는 가스의 누출을 방지하기 위하여 벨로우즈 등이 구동샤프트(220)에 추가로 설치될 수 있다.The through hole 120 may be formed in a size corresponding to the driving shaft 220, and at this time, a bellows or the like may be additionally installed on the driving shaft 220 to prevent leakage of the transmitted gas.

상기 제2실링부재(130)는, 메인유로형성부(140)와 커버부(110) 사이의 결합면에 구비되는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The second sealing member 130 is provided on a coupling surface between the main flow path forming part 140 and the cover part 110, and various configurations are possible.

예를 들면, 상기 제2실링부재(130)는, O링으로서, 메인유로형성부(140)와 커버부(110) 사이의 결합면에서 가스가 누출되는 것을 방지하도록 결합면에 구비될 수 있으며, 보다 바람직하게는 메인유로형성부(140) 커버부(110)의 결합면 중 적어도 하나에 홈이 형성되어 홈에 끼워져 결합됨으로써 실링을 보다 완전하게 수행할 수 있다.For example, the second sealing member 130, as an O-ring, may be provided on the coupling surface to prevent gas from leaking from the coupling surface between the main flow path forming part 140 and the cover part 110, and , More preferably, a groove is formed in at least one of the coupling surfaces of the main flow path forming part 140 and the cover part 110 to be inserted into the groove to be coupled, so that sealing can be performed more completely.

상기 차단부(200)는, 메인유로(S1) 상에서 구동을 통해 유출구(410)를 개폐함으로써, 가스를 공급 또는 차단하는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The blocking unit 200 is a configuration for supplying or blocking gas by opening and closing the outlet 410 through driving on the main flow path S1, and various configurations are possible.

예를 들면, 상기 차단부(200)는, 유출구(410)를 개폐하는 차단부재(210)와, 외부에서 차단부재(210)를 구동하는 구동부와, 구동부와 차단부재(210)를 연결하는 구동샤프트(220)를 포함할 수 있다.For example, the blocking unit 200 may include a blocking member 210 for opening and closing the outlet 410, a driving unit for driving the blocking member 210 from the outside, and a driving unit for connecting the driving unit and the blocking member 210 It may include a shaft 220.

상기 차단부재(210)는, 유출구(410)를 개폐하는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The blocking member 210 is configured to open and close the outlet 410, and various configurations are possible.

예를 들면, 상기 차단부재(210)는, 유출구(410)를 개폐하는 차단면(211)과, 차단면(211)의 가장자리에 구비되는 제1실링부재(212)를 포함할 수 있다.For example, the blocking member 210 may include a blocking surface 211 for opening and closing the outlet 410 and a first sealing member 212 provided at an edge of the blocking surface 211.

즉, 상기 차단부재(210)는, 가스유출부(400)와 메인유로(S1)가 연통되는 유출구(410)를 개폐함으로써, 가스를 공급 또는 차단할 수 있다.That is, the blocking member 210 may supply or block gas by opening and closing the outlet 410 through which the gas outlet 400 and the main passage S1 communicate with each other.

상기 차단면(211)는, 유출구(410)를 직접 개폐하는 구성으로서, 다양한 구성일 수 있다.The blocking surface 211 is a configuration for directly opening and closing the outlet 410, and may have various configurations.

예를 들면, 상기 차단면(211)은, 적어도 일부가 가스유출부(400)에 면접촉되어 유출구(410)를 차단할 수 있으며, 다른 예로서, 유출구(410)에 적어도 일부가 삽입되도록 유출구(410)에 대응되는 형상으로 돌출되어 구비될 수 있다.For example, at least a part of the blocking surface 211 may be in surface contact with the gas outlet 400 to block the outlet 410, and as another example, the outlet ( It may be provided to protrude in a shape corresponding to 410).

즉, 상기 유출구(410)에 적어도 일부가 삽입되도록 유출구(410)에 대응되는 크기 및 형상으로 일부가 돌출되어 형성될 수 있으며, 그 자장자리에서 가스유출부(400)에 접촉함으로써 가스 공급을 차단할 수 있다.That is, a portion may be formed to protrude in a size and shape corresponding to the outlet 410 so that at least a portion of the outlet 410 is inserted, and the gas supply can be blocked by contacting the gas outlet 400 at its magnetic edge. I can.

상기 제1실링부재(212)는, 차단면(211)의 가장자리에 구비되어 가스유출부(400)와 차단부재(210) 사이에 접촉되는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The first sealing member 212 is provided at the edge of the blocking surface 211 and is in contact between the gas outlet 400 and the blocking member 210, and various configurations are possible.

상기 제1실링부재(212)는, 가스 차단 시, 차단부재(210)와 가스유출부(400) 사이의 공간을 통해 가스가 공급되는 현상을 방지하기 위하여, 차단부재(210)와 가스유출부(400) 사이에 접촉되는 오링일 수 있으며, 보다 완전한 가스차단효과를 위하여 고무재질 등이 사용될 수 있다.The first sealing member 212 includes a blocking member 210 and a gas outlet to prevent gas from being supplied through the space between the blocking member 210 and the gas outlet 400 when blocking gas. It may be an O-ring contacted between the 400, and a rubber material or the like may be used for a more complete gas barrier effect.

상기 구동샤프트(220)는, 차단부재(210)와 외부의 구동부 사이를 연결하는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The driving shaft 220 is a configuration connecting the blocking member 210 and an external driving unit, and various configurations are possible.

예를 들면, 상기 구동샤프트(220)는, 일단에 차단부재(210)에 결합되고 타단이 외부의 구동부에 연결되어 차단부재(210)를 구동할 수 있으며, 메인유로부(100)에 형성되는 관통구(120)를 관통하여 설치될 수 있다.For example, the driving shaft 220 may be coupled to the blocking member 210 at one end and the other end connected to an external driving unit to drive the blocking member 210, and is formed in the main passage unit 100. It may be installed through the through hole 120.

상기 구동샤프트(220)는, 다양한 방식을 통해 구동되어 차단부재(210)가 가스 차단 시 유출구(410)를 폐쇄하고 가스 공급 시 유출구(410)를 개방하고 가스유입부(300)에 형성되는 유입부밀착면(320)에 밀착되도록 할 수 있다.The driving shaft 220 is driven through various methods so that the blocking member 210 closes the outlet 410 when gas is blocked, opens the outlet 410 when gas is supplied, and is formed in the gas inlet 300 It may be in close contact with the sub-adhesion surface 320.

예를 들면, 상기 구동샤프트(220)는, 외부의 구동부를 통해 L모션으로 구동될 수 있으며, 캠구동, 유압구동, 모터구동 및 이들의 조합으로 구동될 수 있다.For example, the driving shaft 220 may be driven in L motion through an external driving unit, and may be driven by cam drive, hydraulic drive, motor drive, and a combination thereof.

상기 가스유입부(300)는, 도 4a 및 도 4b에 도시된 바와 같이, 메인유로부(100)로부터 연장형성되며, 메인유로(S1)와 연통되는 가스유입통로(S2)를 형성하는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The gas inlet part 300 is formed extending from the main passage part 100, as shown in FIGS. 4A and 4B, and forms a gas inlet passage S2 communicating with the main passage S1. , Various configurations are possible.

예를 들면, 상기 가스유입부(300)는, 가스유입통로(S2)를 통해 공급되는 가스가 메인유로(S1)로 전달되도록 형성되는 적어도 하나의 유입구(310)와, 유출구(410)의 개방 시, 차단부(200)가 밀착되는 유입부밀착면(320)을 포함할 수 있다.For example, the gas inlet 300 has at least one inlet 310 formed so that the gas supplied through the gas inlet passage S2 is transferred to the main passage S1, and the outlet 410 is opened. At this time, it may include an inlet contact surface 320 to which the blocking unit 200 is in close contact.

또한, 상기 가스유입부(300)는, 차단부재(210)의 유입부밀착면(320)으로의 밀착 시, 차단면(211)이 가스유입통로(S2)에 노출되도록 유입부밀착면(320)의 중심부에 차단면(211)에 대응되도록 관통형성되는 차단면노출구(330)를 추가로 포함할 수 있다.In addition, when the gas inlet 300 is in close contact with the inlet contact surface 320 of the blocking member 210, the inlet contact surface 320 so that the blocking surface 211 is exposed to the gas inflow passage S2. ) May further include a blocking surface exposure opening 330 formed through the blocking surface 211 to correspond to the blocking surface 211.

또한, 상기 가스유입부(300)는, 외부의 가스챔버 측과 연결되어 가스유입통로(S2)의 적어도 일부를 형성하는 가스도입부(341)와, 가스도입부(341)의 메인유로부(100) 측 끝단에서 반경방향으로 확장되어 형성되는 확장부(350)를 포함할 수 있다.In addition, the gas inlet 300 is connected to an external gas chamber side to form at least a part of the gas inlet passage (S2), a gas introducing portion 341, and the main passage portion 100 of the gas introducing portion 341 It may include an extension portion 350 formed by extending in the radial direction at the side end.

상기 유입구(310)는, 가스가 공급되는 가스유입통로(S2)와 메인유로(S1)가 연통되도록 형성되는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The inlet 310 is formed so that the gas inlet passage S2 through which gas is supplied and the main passage S1 communicate with each other, and various configurations are possible.

예를 들면, 상기 유입구(310)는, 가스유입통로(S2)와 메인유로(S1) 사이에 위치하는 유입부밀착면(320)에 의해 공급되는 가스가 차단되는 것을 방지하기 위하여, 가스유입통로(S2)와 메인유로(S1)가 서로 연통되도록 형성될 수 있다.For example, the inlet 310 is a gas inlet passage in order to prevent the gas supplied by the inlet contact surface 320 located between the gas inlet passage S2 and the main passage S1 from being blocked. (S2) and the main passage (S1) may be formed to communicate with each other.

이때, 상기 유입구(310)는, 복수 개 형성되며, 차단면노출구(330)를 중심으로 양측에서 메인유로(S1)와 연통되도록 형성될 수 있다.At this time, the inlet 310 may be formed in plural, and may be formed to communicate with the main flow path S1 at both sides centering on the blocking surface exposure opening 330.

보다 구체적으로, 상기 유입구(310)는, 가스유입통로(S2)를 통해 공급되는 가스가 확장부(350)를 통해 확산되어 메인유로(S1)로 전달되도록 차단면노출구(330)를 중심으로 양측에 형성될 수 있다.More specifically, the inlet 310 is centered on the blocking surface exposure port 330 so that the gas supplied through the gas inlet passage S2 is diffused through the expansion unit 350 and transmitted to the main passage S1. It can be formed on both sides.

즉, 상기 유입구(310)는 차단면노출구(330)에 인접하여 형성됨으로써, 가스유입통로(S2)를 통해 공급되는 가스, 특히 차단면(211)을 세정하기 위한 플라즈마 상태의 세정가스가 차단면노출구(330)를 통해 차단면(211)과 접촉하게 되고, 이로써 차단면(211)의 세정효율을 증대시킬 수 있다.That is, the inlet 310 is formed adjacent to the blocking surface exposure opening 330, thereby blocking the gas supplied through the gas inflow passage S2, particularly the plasma cleaning gas for cleaning the blocking surface 211. It is brought into contact with the blocking surface 211 through the surface exposure port 330, thereby increasing the cleaning efficiency of the blocking surface 211.

더 나아가, 세정가스의 공급 시, 차단면노출구(330)를 통해 가스유입통로(S2) 측으로 노출되는 차단부(200)의 차단면(211)에 세정가스가 전달되고 확장부(350)를 통해 좌우로 확산되어 유입구(310)를 통해 메인유로(S1)로 전달될 수 있다.Furthermore, when the cleaning gas is supplied, the cleaning gas is transmitted to the blocking surface 211 of the blocking unit 200 exposed to the gas inflow passage S2 through the blocking surface exposure opening 330 and the expansion unit 350 is It can be diffused to the left and right through the inlet 310 and transferred to the main flow path S1.

상기 유입부밀착면(320)은, 유출구(410)의 개방 시, 차단부(200)가 밀착되는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The inlet portion contact surface 320 is a configuration in which the blocking portion 200 is in close contact when the outlet port 410 is opened, and various configurations are possible.

상기 유입부밀착면(320)은, 가스유입통로(S2)와 메인유로(S1)를 구분하는 구성으로서, 가스유입부(300)와 메인유로부(100) 사이에 형성될 수 있다.The inlet portion contact surface 320 is a configuration that separates the gas inlet passage S2 and the main passage S1, and may be formed between the gas inlet portion 300 and the main passage portion 100.

이때, 상기 유입부밀착면(320)은, 유출구(410)의 개방을 통한 가스 공급 시, 차단부재(210)가 밀착됨으로써, 제1실링부재(212)가 가스에 노출되는 것을 방지할 수 있다.At this time, the inlet portion contact surface 320 may prevent the first sealing member 212 from being exposed to the gas by being in close contact with the blocking member 210 when gas is supplied through the opening of the outlet port 410. .

이때, 상기 유입부밀착면(320)은, 차단면(211)의 적어도 일부와 제1실링부재(212)가 밀착되도록 형성될 수 있으며, 제1실링부재(212)가 삽입되어 가스로의 노출을 완전히 방지하기 위한 삽입홈이 추가로 형성될 수 있다.At this time, the inlet portion contact surface 320 may be formed so that at least a portion of the blocking surface 211 and the first sealing member 212 are in close contact, and the first sealing member 212 is inserted to prevent exposure to gas. Insertion grooves may be additionally formed to prevent completely.

상기 차단면노출구(330)는, 차단부재(210)의 유입부밀착면(320)으로의 밀착 시, 차단면(211)이 가스유입통로(S2)에 노출되도록 유입부밀착면(320)의 중심부에 차단면(211)에 대응되도록 관통형성되는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The blocking surface exposure port 330 is the inlet contact surface 320 so that the blocking surface 211 is exposed to the gas inflow passage S2 when the blocking member 210 is in close contact with the inlet contact surface 320. As a configuration formed through the center of the block so as to correspond to the blocking surface 211, various configurations are possible.

즉, 상기 차단면노출구(330)는, 차단부재(210)의 차단면(211) 중 적어도 일부가 가스유입통로(S2) 측에 노출되도록 함으로써, 세정가스가 차단면(211)에 증착된 파티클을 제거하도록 할 수 있다.That is, the blocking surface exposure port 330 allows at least a portion of the blocking surface 211 of the blocking member 210 to be exposed to the gas inflow passage S2, so that the cleaning gas is deposited on the blocking surface 211. You can make it remove particles.

이를 위하여, 상기 차단면노출구(330)는, 유입부밀착면(320)의 차단면(211)에 대응되는 위치에 관통형성되어, 가스유입통로(S2)를 통해 공급되는 세정가스가 차단면(211)에 전달되도록 할 수 있다.To this end, the blocking surface exposure port 330 is formed through through the position corresponding to the blocking surface 211 of the inlet contact surface 320, so that the cleaning gas supplied through the gas inflow passage S2 is blocked. It can be delivered to (211).

상기 가스도입부(341)는, 가스유입부(300)의 일단에 형성되어 외부의 가스챔버와 연결되는 플랜지(340)에 형성되어 가스유입통로(S2)의 적어도 일부를 형성하는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The gas introduction part 341 is formed at one end of the gas introduction part 300 and formed on a flange 340 connected to an external gas chamber to form at least a part of the gas introduction passage S2, and various configurations This is possible.

상기 가스도입부(341)는, 가스유입통로(S2)의 적어도 일부가 형성되도록 가스유입부(300)의 내부에 가공을 통해 형성될 수 있으며, 다른 예로서, 가스유입부(300)의 내부에 설치되는 배관일 수 있다.The gas introduction part 341 may be formed through processing inside the gas inlet part 300 so that at least a part of the gas inlet passage S2 is formed. It may be a pipe to be installed.

이때, 상기 가스도입부(341)는, 공급되는 가스, 특히 세정가스가 차단면노출구(330)를 통해 가스유입통로(S2) 측에 노출되는 차단면(211)에 전달될 수 있도록, 직경이 차단면노출구(330)의 직경과 같거나 작게 형성될 수 있다.At this time, the gas introduction unit 341 has a diameter so that the supplied gas, particularly the cleaning gas, can be delivered to the blocking surface 211 exposed to the gas inflow passage S2 through the blocking surface exposure opening 330. It may be formed equal to or smaller than the diameter of the blocking surface exposure port 330.

즉, 상기 가스도입부(341)는, 차단면노출구(330)와 중심이 같고 직경이 같거나 작게 형성됨으로써, 가스유입통로(S2)를 통해 공급되는 세정가스가 차단면(211)에 전달되어 차단면(211)에 증착된 파티클의 제거효율을 증대할 수 있다.That is, the gas introduction part 341 is formed with the same center as the blocking surface exposure port 330 and the same or smaller in diameter, so that the cleaning gas supplied through the gas inflow passage S2 is delivered to the blocking surface 211 It is possible to increase the removal efficiency of particles deposited on the blocking surface 211.

상기 확장부(350)는, 가스도입부(341)의 메인유로부(100) 측 끝단에서 반경방향으로 확장되어 형성되는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The expansion part 350 is formed to be expanded in a radial direction from an end of the gas introduction part 341 on the side of the main passage part 100, and various configurations are possible.

예를 들면, 상기 확장부(350)는, 가스도입부(341)의 메인유로부(100) 측 끝단에서 단차부(351)를 가지고 반경방향으로 확장됨으로써, 가스도입부(341) 측에 형성되는 가스유입통로(S2)를 통해 공급되는 가스가 차단면노출구(330)의 양측에 구비되는 유입구(310)를 통과하여 메인유로(S1)로 전달되도록 할 수 있다.For example, the expansion part 350 extends radially with the stepped part 351 at the end of the gas introduction part 341 on the main flow path part 100 side, thereby forming a gas formed on the gas introduction part 341 side. The gas supplied through the inflow passage S2 may pass through the inlets 310 provided on both sides of the blocking surface exposure port 330 and may be transferred to the main passage S1.

이때, 상기 확장부(350)는, 가스도입부(341)로부터 단차부(351)를 가지고 반경방향으로 확장되며, 공급되는 가스의 원활한 유체흐름을 위하여, 단차부(351)가 곡선 또는 돌출부분을 가지도록 형성될 수 있다.At this time, the expansion part 350 extends in a radial direction with a step portion 351 from the gas introduction portion 341, and for a smooth fluid flow of the supplied gas, the step portion 351 has a curved or protruding portion. It can be formed to have.

상기 가스유출부(400)는, 메인유로부(100)로부터 연장형성되며, 메인유로(S1)와 연통되도록 유출구(410)가 형성되는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The gas outflow part 400 is formed extending from the main passage part 100 and has an outlet 410 formed to communicate with the main passage S1, and various configurations are possible.

예를 들면, 상기 가스유출부(400)는, 공정챔버(10) 측과 연결되도록 일단이 플랜지(420) 형상을 가지며, 메인유로(S1)와 연통되도록 메인유로부(100)와의 경계에 유출구(410)가 형성될 수 있다.For example, the gas outlet 400 has a flange 420 shape at one end so as to be connected to the process chamber 10 side, and an outlet at the boundary with the main channel 100 so as to communicate with the main channel S1. 410 may be formed.

또한, 상기 가스유출부(400)는, 유출구(410)의 차단부(200)에 의한 폐쇄 시, 차단부(200)가 밀착되는 유출부밀착면(430)을 포함할 수 있다.In addition, the gas outlet portion 400 may include an outlet portion contact surface 430 to which the shut-off portion 200 is in close contact when the outlet port 410 is closed by the blocking portion 200.

상기 유출구(410)는, 가스유입통로(S2)를 거쳐 메인유로(S1)에 도달한 가스를 공정챔버(10)로 공급 또는 차단하기 위하여 형성되는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The outlet 410 is formed to supply or block the gas reaching the main flow path S1 through the gas inflow path S2 to the process chamber 10, and various configurations are possible.

상기 유출구(410)는, 전술한 차단부(200)를 통해 개방 또는 폐쇄됨으로써, 가스가 공급 또는 차단되도록 할 수 있다.The outlet 410 may be opened or closed through the above-described blocking unit 200 so that gas may be supplied or blocked.

상기 유출부밀착면(430)은, 도 4a 및 도 4b에 도시된 바와 같이, 차단부(200)에 의한 유출구(410)의 폐쇄 시, 유출구(410)의 가장자리에 형성되어, 차단부(200)의 적어도 일부가 밀착되는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The outlet contact surface 430 is formed at the edge of the outlet 410 when the outlet 410 is closed by the blocking portion 200, as shown in FIGS. 4A and 4B, and the blocking portion 200 As a configuration in which at least a portion of) is in close contact, various configurations are possible.

특히, 상기 유출부밀착면(430)은, 유출구(410)의 폐쇄 시, 차단부(200)에 형성되는 제1실링부재(212)가 가스에 노출되는 것을 방지함으로써, 제1실링부재(212)를 보호하고, 유출구(410)의 완전한 폐쇄가 가능하도록 할 수 있다.In particular, the outlet contact surface 430 prevents exposure of the first sealing member 212 formed in the blocking portion 200 to gas when the outlet 410 is closed, thereby preventing the first sealing member 212 ) Can be protected, and complete closure of the outlet 410 is possible.

한편, 이때 상기 차단부(200)는, 제1실링부재(212)의 가스로의 노출을 방지하기 위하여, 유출구(410)의 개방 시 유입부밀착면(320)에 유출구(410)의 폐쇄 시 유출부밀착면(430)에 각각 밀착될 수 있다.On the other hand, at this time, in order to prevent the first sealing member 212 from being exposed to gas, the blocking part 200 flows out when the outlet 410 is closed on the inlet contact surface 320 when the outlet 410 is opened. Each may be in close contact with the sub-adhesion surface 430.

이로써, 상기 차단부(200)의 가스의 공급 및 차단에도 제1실링부재(212)의 가스로의 노출을 최소화함으로써, 제1실링부재(212)의 손상을 최소화할 수 있다.Accordingly, even when the gas is supplied and blocked by the blocking part 200, the exposure of the first sealing member 212 to the gas can be minimized, thereby minimizing damage to the first sealing member 212.

이상은 본 발명에 의해 구현될 수 있는 바람직한 실시예의 일부에 관하여 설명한 것에 불과하므로, 주지된 바와 같이 본 발명의 범위는 위의 실시예에 한정되어 해석되어서는 안 될 것이며, 위에서 설명된 본 발명의 기술적 사상과 그 근본을 함께하는 기술적 사상은 모두 본 발명의 범위에 포함된다고 할 것이다.Since the above has been described only with respect to some of the preferred embodiments that can be implemented by the present invention, as well known, the scope of the present invention should not be limited to the above embodiments and should not be interpreted. It will be said that both the technical idea and the technical idea together with the fundamental are included in the scope of the present invention.

100: 메인유로부 200: 차단부
300: 가스유입부 400: 가스유출부100: main passage part 200: blocking part
300: gas inlet 400: gas outlet

Claims (13)

가스가 통과하는 메인유로(S1)를 형성하는 메인유로부(100)와;
상기 메인유로부(100)로부터 연장형성되며, 상기 메인유로(S1)와 연통되는 가스유입통로(S2)를 형성하는 가스유입부(300)와;
상기 메인유로부(100)로부터 연장형성되며, 상기 메인유로(S1)와 연통되도록 유출구(410)가 형성되는 가스유출부(400)와;
상기 메인유로(S1) 상에서 구동을 통해 상기 유출구(410)를 개폐함으로써, 상기 가스를 공급 또는 차단하는 차단부(200)를 포함하며,
상기 가스유입부(300)는,
상기 가스유입통로(S2)를 통해 공급되는 가스가 상기 메인유로(S1)로 전달되도록 형성되는 적어도 하나의 유입구(310)와, 상기 유출구(410)의 개방 시 상기 차단부(200)가 밀착되는 유입부밀착면(320)을 포함하는 것을 특징으로 하는 가스밸브조립체.A main passage part 100 forming a main passage S1 through which gas passes;
A gas inlet 300 extending from the main passage part 100 and forming a gas inlet passage S2 communicating with the main passage S1;
A gas outlet portion 400 extending from the main passage portion 100 and having an outlet port 410 formed to communicate with the main passage portion S1;
It includes a blocking portion 200 for supplying or blocking the gas by opening and closing the outlet 410 through driving on the main flow path S1,
The gas inlet 300 is,
At least one inlet 310 formed so that the gas supplied through the gas inlet passage S2 is transmitted to the main passage S1, and the blocking part 200 is in close contact with each other when the outlet 410 is opened. Gas valve assembly, characterized in that it comprises an inlet contact surface (320). 청구항 1에 있어서,
상기 차단부(200)는,
상기 유출구(410)를 개폐하는 차단면(211)과, 상기 차단면(211)의 가장자리에 구비되는 제1실링부재(212)를 포함하는 차단부재(210)와, 외부의 구동부와 상기 차단부재(210)를 연결하는 구동샤프트(220)를 포함하는 것을 특징으로 하는 가스밸브조립체.The method according to claim 1,
The blocking part 200,
A blocking member 210 including a blocking surface 211 for opening and closing the outlet 410, a first sealing member 212 provided at an edge of the blocking surface 211, an external driving unit and the blocking member Gas valve assembly, characterized in that it comprises a drive shaft (220) to connect 210. 청구항 2에 있어서,
상기 차단면(211)은,
상기 유출구(410)에 적어도 일부가 삽입되도록 상기 유출구(410)에 대응되는 형상으로 돌출되어 구비되는 것을 특징으로 하는 가스밸브조립체.The method according to claim 2,
The blocking surface 211 is,
A gas valve assembly, characterized in that it is provided to protrude in a shape corresponding to the outlet port 410 so that at least a portion of the outlet port 410 is inserted. 청구항 2에 있어서,
상기 가스유입부(300)는,
상기 차단부재(210)의 상기 유입부밀착면(320)으로의 밀착 시, 상기 차단면(211)이 상기 가스유입통로(S2)에 노출되도록 상기 유입부밀착면(320)의 중심부에 상기 차단면(211)에 대응되도록 관통형성되는 차단면노출구(330)를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 가스밸브조립체.The method according to claim 2,
The gas inlet 300 is,
When the blocking member 210 is in close contact with the inlet contact surface 320, the blocking surface 211 is blocked at the center of the inlet contact surface 320 so that the blocking surface 211 is exposed to the gas inflow passage S2. A gas valve assembly, characterized in that it further comprises a blocking surface exposure hole 330 formed through the surface so as to correspond to the surface 211. 청구항 4에 있어서,
상기 유입구(310)는,
상기 차단면노출구(330)에 인접된 위치에서 상기 메인유로(S1)와 연통되도록 형성된 것을 특징으로 하는 가스밸브조립체.The method of claim 4,
The inlet 310 is,
Gas valve assembly, characterized in that formed to communicate with the main flow path (S1) at a position adjacent to the blocking surface exposure port (330). 청구항 1에 있어서,
상기 메인유로부(100)는,
상기 가스유입부(300)와 상기 가스유출부(400)로부터 연장되어 형성되는 메인유로형성부(140)와, 상기 메인유로형성부(140)에 결합되어 내부에 상기 메인유로(S1)를 형성하는 커버부(110)를 포함하는 것을 특징으로 하는 가스밸브조립체. The method according to claim 1,
The main passage part 100,
The gas inlet 300 and the main flow path forming portion 140 formed extending from the gas outlet 400, and the main flow path forming portion 140 is coupled to form the main flow path (S1) therein. Gas valve assembly, characterized in that it comprises a cover portion (110). 청구항 6에 있어서,
상기 메인유로부(100)는,
상기 메인유로형성부(140)와 상기 커버부(110) 사이의 결합면에 구비되는 제2실링부재(130)를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 가스밸브조립체.The method of claim 6,
The main passage part 100,
A gas valve assembly, characterized in that it further comprises a second sealing member (130) provided on a coupling surface between the main flow path forming part (140) and the cover part (110). 청구항 1에 있어서,
상기 가스유입부(300)는,
외부의 가스챔버 측과 연결되어 상기 가스유입통로(S2)의 적어도 일부를 형성하는 가스도입부(341)와, 상기 가스도입부(341)의 상기 메인유로부(100) 측 끝단에서 반경방향으로 확장되어 형성되는 확장부(350)를 포함하는 것을 특징으로 하는 가스밸브조립체.The method according to claim 1,
The gas inlet 300 is,
The gas introduction part 341 is connected to the external gas chamber side and forms at least a part of the gas inlet passage S2, and the gas introduction part 341 extends radially from the end of the main passage part 100 side. Gas valve assembly, characterized in that it comprises an expansion portion (350) to be formed. 청구항 2에 있어서,
상기 가스유출부(400)는,
상기 유출구(410)의 상기 차단부(200)에 의한 폐쇄 시, 상기 차단부(200)가 밀착되는 유출부밀착면(430)을 포함하는 것을 특징으로 하는 가스밸브조립체.The method according to claim 2,
The gas outlet 400,
A gas valve assembly comprising an outlet contact surface 430 to which the shut-off part 200 is in close contact when the outlet port 410 is closed by the shut-off part 200. 청구항 9에 있어서,
상기 차단부(200)는,
상기 제1실링부재(212)의 가스로의 노출을 방지하기 위하여, 상기 유출구(410)의 개방 시 상기 유입부밀착면(320)에 상기 유출구(410)의 폐쇄 시 상기 유출부밀착면(430)에 각각 밀착되는 것을 특징으로 하는 가스밸브조립체.The method of claim 9,
The blocking part 200,
In order to prevent exposure of the first sealing member 212 to gas, the outlet contact surface 430 when the outlet 410 is closed to the inlet contact surface 320 when the outlet 410 is opened. Gas valve assembly, characterized in that in close contact with each. 기판처리를 위한 처리공간을 형성하는 공정챔버(10)와;
상기 공정챔버(10)에 설치되어 기판(1)을 지지하는 기판지지부(20)와;
상기 기판지지부(20)의 상부에 설치되어 공정수행을 위한 가스를 분사하는 샤워헤드(30)와;
상기 공정챔버(10)의 외부에 설치되어, 상기 샤워헤드(30)에 가스를 공급하는 가스챔버와;
상기 가스챔버로부터 상기 샤워헤드(30)로 가스를 공급하기 위한 배관에 설치되어, 상기 샤워헤드(30)로 공급되는 가스를 제어하는 청구항 제1항 내지 제10항 중 어느 하나의 항에 따른 가스밸브조립체(70)를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치. A process chamber 10 for forming a processing space for processing a substrate;
A substrate support part 20 installed in the process chamber 10 to support the substrate 1;
A shower head 30 installed on the substrate support part 20 to inject gas for performing a process;
A gas chamber installed outside the process chamber 10 to supply gas to the shower head 30;
A gas according to any one of claims 1 to 10, which is installed in a pipe for supplying gas from the gas chamber to the showerhead 30 and controls the gas supplied to the showerhead 30 A substrate processing apparatus comprising a valve assembly (70). 청구항 11에 있어서,
상기 가스챔버는,
플라즈마 상태의 가스를 공급하는 원격 플라즈마 공급챔버인 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method of claim 11,
The gas chamber,
A substrate processing apparatus comprising a remote plasma supply chamber for supplying a gas in a plasma state. 밀폐된 처리공간를 형성하여 기판처리를 수행하는 청구항 제10항에 따른 복수의 기판처리장치(4)들과;
상기 복수의 기판처리장치(4)들이 결합되며, 상기 복수의 기판처리장치(4)들 각각에 상기 기판(1)을 반출하거나 도입하는 반송로봇(5)이 설치된 기판반송모듈(3)과;
상기 기판반송모듈(3)에 결합되어 상기 기판처리장치(4)를 통해 기판처리가 완료된 기판(1)을 외부로 반출하고, 외부로부터 기판처리될 기판(1)을 도입하는 기판교환모듈(2)을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리시스템. A plurality of substrate processing apparatuses (4) according to claim 10 for performing substrate processing by forming an enclosed processing space;
A substrate transfer module (3) in which the plurality of substrate processing apparatuses (4) are coupled, and a transfer robot (5) for carrying out or introducing the substrate (1) is installed in each of the plurality of substrate processing apparatuses (4);
A substrate exchange module (2) that is coupled to the substrate transfer module (3) to carry out a substrate (1) that has been subjected to substrate treatment to the outside through the substrate processing apparatus (4), and to introduce a substrate (1) to be processed from the outside. A substrate processing system comprising a).
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