KR20210045778A - Thermo-crosslinked hole transport material using styrene crosslinked group based on triarylamine core for inkjet printing and organic light emitting device using the same in inkjet process - Google Patents

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KR20210045778A
KR20210045778A KR1020190129222A KR20190129222A KR20210045778A KR 20210045778 A KR20210045778 A KR 20210045778A KR 1020190129222 A KR1020190129222 A KR 1020190129222A KR 20190129222 A KR20190129222 A KR 20190129222A KR 20210045778 A KR20210045778 A KR 20210045778A
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김정규
진병두
강유정
김경서
이병완
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단국대학교 산학협력단
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Abstract

A thermal crosslinking type hole transport material using a triarylamine core-based styrene crosslinking group for inkjet printing of the present invention includes: a unit containing a nitrogen-containing triarylamine having high hole transport ability; and a unit having a styrene crosslinking group. Therefore, it is possible to reduce the influence of the initiator and by-products by using the thermal crosslinking material, thereby preventing a decrease in the lifetime and efficiency of the device due to impurities.

Description

잉크젯 프린팅용 트리아릴아민 코어 기반의 스타이렌 가교단을 이용한 열가교형 정공수송 물질 및 이를 잉크젯 공정에 이용한 유기 발광 소자{THERMO-CROSSLINKED HOLE TRANSPORT MATERIAL USING STYRENE CROSSLINKED GROUP BASED ON TRIARYLAMINE CORE FOR INKJET PRINTING AND ORGANIC LIGHT EMITTING DEVICE USING THE SAME IN INKJET PROCESS}THERMO-CROSSLINKED HOLE TRANSPORT MATERIAL USING STYRENE CROSSLINKED GROUP BASED ON TRIARYLAMINE CORE FOR INKJET PRINTING AND ORGANIC LIGHT EMITTING DEVICE USING THE SAME IN INKJET PROCESS}

본 발명은 잉크젯 프린팅용 트리아릴아민 코어 기반의 스타이렌 가교단을 이용한 열가교형 정공수송 물질 및 이를 잉크젯 공정에 이용한 유기 발광 소자에 관한 것이다.The present invention relates to a thermally crosslinked hole transport material using a styrene crosslinking end based on a triarylamine core for inkjet printing, and an organic light emitting device using the same in an inkjet process.

유기발광소자 (Organic light emitting diode, OLED)란 양극과 음극의 두 전극 사이에 자발광 특성을 낼 수 있는 유기화합물을 박막 증착하여 전기적 에너지를 가해 발광시키는 장치이다.An organic light emitting diode (OLED) is a device that emits light by applying electrical energy by depositing a thin film of an organic compound capable of emitting light between two electrodes, an anode and a cathode.

유기발광소자는 현재 출시되어 있는 다른 디스플레이에 비해 많은 장점이 있다. The organic light emitting device has many advantages over other displays currently on the market.

구체적으로 유기발광소자에 사용되는 유기화합물의 자발광 특성 때문에 백라이트 유닛을 필요로 하지 않아 두께가 얇고, 유연화 가능하다는 점과 빠른 응답속도와 광시야각, 고색순도 및 저소비전력 등의 장점 때문에 이미 디스플레이 소자로서 상용화되어 있다. 유기발광소자의 구조는 인듐주석산화물(ITO) 등의 anode를 증착한 기판 혹은 고분자 필름에 상부에 정공 수송층과 발광층을 형성하고, 그 상부에 금속 cathode로 구성되어 있다. Specifically, because of the self-luminous properties of organic compounds used in organic light emitting devices, it does not require a backlight unit, so the thickness is thin and flexible, and because of the advantages of fast response speed, wide viewing angle, high color purity, and low power consumption, display devices have already been made. It is commercially available as. The structure of the organic light-emitting device is composed of a hole transport layer and a light emitting layer formed on a substrate or a polymer film on which an anode such as indium tin oxide (ITO) is deposited, and a metal cathode thereon.

이러한 다층구조를 가지는 OLED 제조방법에는 크게 2가지가 있다. 구체적으로, 진공증착 공정과 잉크를 사용하는 용액공정으로 나뉠 수 있는데, 진공증착의 경우 FMM(Fine Metal Mask)를 이용하여 재료를 기상화하여 박막을 형성을 진행하므로 재료 소모량이 높고 마스크처짐 현상 때문에 대면적화가 어렵다는 단점이 있다. There are two main methods for manufacturing OLEDs having such a multilayer structure. Specifically, it can be divided into a vacuum deposition process and a solution process using ink. In the case of vacuum deposition, the material is vaporized using FMM (Fine Metal Mask) to form a thin film, so the material consumption is high and the mask is sagging. There is a drawback that it is difficult to make a large area.

이처럼 진공증착 공정으로 제작한 TV의 경우, 기존 LED TV와 비교했을 때 제조 공정 비용이 높은 수준을 유지하고 있다. 따라서 증착 공정에 비해 공정이 단순하고 경제적이며, 대면적화가 가능한 롤투롤, 그라비아 프린팅, 잉크젯 프린팅 등을 포함하는 용액공정 방법을 적용한다면 제조 공정비용을 줄일 수 있을 것이다. In the case of TVs manufactured by the vacuum deposition process, manufacturing process costs are maintained at a high level compared to existing LED TVs. Therefore, if the process is simpler and more economical than the deposition process, and a solution process method including roll-to-roll, gravure printing, inkjet printing, etc., which can increase the area, can be applied, the manufacturing process cost can be reduced.

하지만 현재까지 진공 증착으로 제작된 소자와 비교했을 때, 용액공정으로 제작된 소자는 층간의 혼합으로 인해 낮은 효율과 짧은 수명 특성을 나타내어 상용화가 어려운 실정이다. However, compared to devices fabricated by vacuum evaporation so far, devices fabricated by solution process exhibit low efficiency and short lifespan characteristics due to interlayer mixing, making it difficult to commercialize them.

이에 따라 용액공정을 이용한 다층구조 OLED 소자를 제작할 수 있는 열 경화형 정공 수송재료에 관한 개발이 요구되고 있다.Accordingly, there is a need for development of a thermosetting hole transport material capable of manufacturing a multi-layered OLED device using a solution process.

본 발명의 실시예들은 상기와 같은 문제를 해결하기 위해 제안된 것으로서, 열 가교형 물질을 이용하여 개시제와 부산물의 영향을 줄일 수 있어 불순물에 의한 소자의 수명 및 효율 감소를 막을 수 있는 잉크젯 프린팅용 트리아릴아민 코어 기반의 스타이렌 가교단을 이용한 열가교형 정공수송 물질 및 이를 잉크젯 공정에 이용한 유기 발광 소자를 제공하고자 한다.Embodiments of the present invention have been proposed to solve the above problems, and use a thermally crosslinked material to reduce the influence of initiators and by-products, thereby preventing a decrease in the life and efficiency of the device due to impurities. To provide a thermally crosslinkable hole transport material using a triarylamine core-based styrene crosslinking end and an organic light emitting device using the same in an inkjet process.

본 발명의 일 실시예에 따른 잉크젯 프린팅용 트리아릴아민 코어 기반의 스타이렌 가교단을 이용한 열가교형 정공수송 물질은 열 가교형 재료로서 정공 전달 능력이 높은 질소가 포함된 트리아릴아민이 포함된 단위체; 및 스타이렌 가교단을 가지는 단위체를 포함할 수 있다.The thermally crosslinked hole transport material using a styrene crosslinking end based on a triarylamine core for inkjet printing according to an embodiment of the present invention is a thermally crosslinked material and contains triarylamine containing nitrogen having high hole transport ability. monomer; And a unit having a styrene crosslinking end.

본 발명의 다른 실시예에 따른 잉크젯 프린팅용 트리아릴아민 코어 기반의 스타이렌 가교단을 이용한 열가교형 정공수송 물질 및 이를 잉크젯 공정에 이용한 유기 발광 소자는 기판; 상기 기판 상에 형성된 제 1 전극; 상기 제 1 전극 상에 구비된 유기물층; 및 상기 유기물층 상에 형성된 제 2 전극을 포함한다.According to another embodiment of the present invention, a thermally crosslinkable hole transport material using a styrene crosslinking end based on a triarylamine core for inkjet printing, and an organic light emitting device using the same in an inkjet process may include a substrate; A first electrode formed on the substrate; An organic material layer provided on the first electrode; And a second electrode formed on the organic material layer.

또한, 상기 유기물층은 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층 및 전자 주입층을 포함하고, 상기 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층 및 전자 주입층은 상기 제 1 전극 상에 순차적으로 적층될 수 있다.In addition, the organic material layer includes a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, and an electron injection layer, and the hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, and an electron injection layer are sequentially stacked on the first electrode. Can be.

또한, 상기 정공 주입층, 정공 수송층 및 발광층은 용액공정을 이용하여 적층되고, 상기 전자 수송층 및 전자 주입층은 진공증착을 이용하여 적층된다.In addition, the hole injection layer, the hole transport layer, and the light emitting layer are stacked using a solution process, and the electron transport layer and the electron injection layer are stacked using vacuum deposition.

본 발명의 실시예들에 따른 잉크젯 프린팅용 트리아릴아민 코어 기반의 스타이렌 가교단을 이용한 열가교형 정공수송 물질 및 이를 잉크젯 공정에 이용한 유기 발광 소자는 열 가교형 물질을 이용하여 개시제와 부산물의 영향을 줄일 수 있어 불순물에 의한 소자의 수명 및 효율 감소를 막을 수 있다.The thermally crosslinkable hole transport material using a styrene crosslinking end based on a triarylamine core for inkjet printing according to the embodiments of the present invention, and an organic light emitting device using the same in the inkjet process, uses a thermally crosslinkable material to provide an initiator and a byproduct. As the influence can be reduced, it is possible to prevent a decrease in the life and efficiency of the device due to impurities.

도 1은 본 발명의 따른 유기 발광 소자를 설명하기 위한 도면이다.
도 2는 본 발명의 따른 화합물 5, 6, 7의 광학적 및 전기적 특성을 나타낸 그래프이다.
도 3은 본 발명의 따른 가교형 정공 수송층 재료 화합물 5, 6, 7의 DSC 분석 그래프이다.
도 4는 본 발명의 따른 화합물 5, 6, 7을 정공수송층으로 사용하고, 발광층을 스핀코팅으로 제작한 유기발광소자의 전류밀도-전압-휘도(Luminance) 그래프(좌측)와 양자효율-휘도(Luminance) 그래프(우측)이다.
도 5는 본 발명의 따른 화합물 5, 6, 7을 정공수송층으로 사용하여 제작한 Hole-only 소자의 전류밀도(Current density)-전압 그래프이다.
도 6은 본 발명의 따른 열경화 성능 평가를 위해 발광층 용매를 사용하여 화합물 5 박막을 클로로벤젠 용매로 세정하기 전과 후의 UV-vis 흡수 스펙트럼 비교 분석한 그래프이다.
도 7은 본 발명의 개발된 화합물 5 정공 수송층 상부에 발광층 잉크젯 프린팅 테스트 진행 결과이다.
도 8은 본 발명의 따른 열경화 성능 평가를 위해 발광층 용매를 사용하여 화합물 6 박막을 세정하기 전과 후의 UV-vis 흡수 스펙트럼 비교 분석한 그래프이다.
도 9는 본 발명의 개발된 화합물 6 정공 수송층 상부에 발광층 잉크젯 프린팅 테스트 진행 결과이다.
1 is a view for explaining an organic light emitting device according to the present invention.
2 is a graph showing the optical and electrical properties of compounds 5, 6, and 7 according to the present invention.
3 is a DSC analysis graph of the crosslinked hole transport layer material compounds 5, 6 and 7 according to the present invention.
FIG. 4 is a current density-voltage-luminance graph (left) and quantum efficiency-luminance ( Luminance) graph (right).
5 is a current density-voltage graph of a hole-only device manufactured using compounds 5, 6, and 7 according to the present invention as a hole transport layer.
6 is a graph showing a comparison and analysis of UV-vis absorption spectra before and after washing a compound 5 thin film with a chlorobenzene solvent using a light emitting layer solvent to evaluate the thermal curing performance according to the present invention.
7 is a result of the inkjet printing test of the light emitting layer on the hole transport layer of Compound 5 developed according to the present invention.
8 is a graph showing a comparison and analysis of UV-vis absorption spectra before and after washing a compound 6 thin film using a light emitting layer solvent for evaluating the thermal curing performance according to the present invention.
9 is a result of an inkjet printing test of a light emitting layer on the hole transport layer of Compound 6 developed according to the present invention.

이하에서는 본 발명의 구체적인 실시예들에 대하여 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, specific embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

아울러 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략한다.In addition, in describing the present invention, when it is determined that a detailed description of a related known configuration or function may obscure the subject matter of the present invention, a detailed description thereof will be omitted.

도 1은 본 발명의 따른 유기 발광 소자를 설명하기 위한 도면이고, 도 2는 본 발명의 따른 화합물 5, 6, 7의 광학적 및 전기적 특성을 나타낸 그래프이고, 도 3은 본 발명의 따른 가교형 정공 수송층 재료 화합물 5, 6, 7의 DSC 분석 그래프이고, 도 4는 본 발명의 따른 화합물 5, 6, 7을 정공수송층으로 사용하고, 발광층을 스핀코팅으로 제작한 유기발광소자의 전류밀도-전압-휘도(Luminance) 그래프(좌측)와 양자효율-휘도(Luminance) 그래프(우측)이고, 도 5는 본 발명의 따른 화합물 5, 6, 7을 정공수송층으로 사용하여 제작한 Hole-only 소자의 전류밀도(Current density)-전압 그래프이고, 도 6은 본 발명의 따른 열경화 성능 평가를 위해 발광층 용매를 사용하여 화합물 5 박막을 클로로벤젠 용매로 세정하기 전과 후의 UV-vis 흡수 스펙트럼 비교 분석한 그래프이고, 도 7은 본 발명의 개발된 화합물 5 정공 수송층 상부에 발광층 잉크젯 프린팅 테스트 진행 결과이고, 도 8은 본 발명의 따른 열경화 성능 평가를 위해 발광층 용매를 사용하여 화합물 6 박막을 세정하기 전과 후의 UV-vis 흡수 스펙트럼 비교 분석한 그래프이고, 도 9는 본 발명의 개발된 화합물 6 정공 수송층 상부에 발광층 잉크젯 프린팅 테스트 진행 결과이다.1 is a view for explaining an organic light emitting device according to the present invention, FIG. 2 is a graph showing the optical and electrical properties of compounds 5, 6, and 7 according to the present invention, and FIG. 3 is a crosslinked hole according to the present invention. It is a DSC analysis graph of the transport layer material compounds 5, 6, and 7, and FIG. 4 is a current density-voltage- of an organic light-emitting device prepared by using the compounds 5, 6, and 7 according to the present invention as a hole transport layer and the light emitting layer by spin coating. Luminance graph (left) and quantum efficiency-luminance graph (right), and FIG. 5 is a current density of a hole-only device manufactured using compounds 5, 6, and 7 according to the present invention as a hole transport layer. (Current density)-is a voltage graph, and FIG. 6 is a graph comparing and analyzing UV-vis absorption spectra before and after washing a compound 5 thin film with a chlorobenzene solvent using a light emitting layer solvent to evaluate the thermal curing performance according to the present invention. 7 is a result of an inkjet printing test of an emission layer on the hole transport layer of Compound 5 developed according to the present invention, and FIG. 8 is a UV- before and after washing the compound 6 thin film using the emission layer solvent to evaluate the thermal curing performance according to the present invention. vis absorption spectrum is a comparative analysis graph, and FIG. 9 is a result of an inkjet printing test of a light emitting layer on the hole transport layer of Compound 6 developed according to the present invention.

본 발명에서 제시된 정공 수송층을 구성하는 재료는 열 가교형 재료로 구체적으로 스타이렌 단위체와 트리아릴아민 코어를 포함하는 열 가교형 재료이다. The material constituting the hole transport layer proposed in the present invention is a thermally crosslinked material, specifically, a thermally crosslinked material including a styrene unit and a triarylamine core.

아래의 화학식 1, 화학식 2와 화학식 3에 나타낸 바와 같이 정공 전달 능력이 높은 질소가 포함된 트리아릴아민이 포함된 단위체와 스타이렌 가교단을 가지는 단위체를 이용하는 것이다. As shown in the following Chemical Formulas 1, 2, and 3, a unit containing triarylamine containing nitrogen having a high hole transport ability and a unit having a styrene bridging end are used.

<스타이렌 단위체를 포함하는 열 가교형 정공 수송 재료><Thermal crosslinked hole transport material containing styrene units>

하기 화학식 1, 화학식 2, 화학식 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 정공 수송 재료 전구체를 나타낸다.Formula 1, Formula 2, and Formula 3 below represent a hole transport material precursor according to an embodiment of the present invention.

[화학식 1 (TPDK1)][Formula 1 (TPDK1)]

Figure pat00001
Figure pat00001

[화학식 2 (TPDK2)][Formula 2 (TPDK2)]

Figure pat00002
Figure pat00002

[화학식 3 (TPDK3)][Chemical Formula 3 (TPDK3)]

Figure pat00003
Figure pat00003

<반응식 1> 가교기 중간체 합성 경로<Scheme 1> Synthesis route of crosslinking group intermediate

[제조예 1] 1-브로모-4-{(4-바이닐벤질)옥시}벤젠 합성(1)[Production Example 1] Synthesis of 1-bromo-4-{(4-vinylbenzyl)oxy}benzene (1)

Figure pat00004
Figure pat00004

4-브로모페닐 (10g, 57.80mmol)과 1-(클로로메틸)-4-바이닐벤젠 (8.85g, 57.80mmol)을 2구 둥근바닥플라스크에 DMF (100ml)으로 녹인 후, K2CO3 (8.016g, 57.80mmol)을 첨가하고 150°C에서 교반하였다. 반응이 완료되면 디클로로메탄과 물로 추출한 후 유기층을 MgSO4로 건조하고 농축한다. 농축된 화합물을 컬럼 정제하여 생성물을 얻었다.After dissolving 4-bromophenyl (10g, 57.80mmol) and 1-(chloromethyl)-4-vinylbenzene (8.85g, 57.80mmol) in a 2-neck round bottom flask with DMF (100ml), K2CO3 (8.016g, 57.80mmol) was added and stirred at 150 °C. When the reaction is complete, the mixture is extracted with dichloromethane and water, and the organic layer is dried over MgSO4 and concentrated. The concentrated compound was purified by column to obtain a product.

[제조예 2] N-페닐-4-{(4-바이닐벤질)옥시}아닐린 합성(2)[Production Example 2] Synthesis of N-phenyl-4-{(4-vinylbenzyl)oxy}aniline (2)

Figure pat00005
Figure pat00005

아닐린 (6g, 64.42mmol)과 상기 제조예 1에서 합성한 화합물 1 (8g, 27.6mmol)을 2구 둥근바닥플라스크에 톨루엔 (150ml)으로 녹인 후, Pd2(dba)3 (1.26g, 1.38mmol), t-BuP3 (1.38ml, 1.38mmol), NaOtBu (5.32g, 55.32mmol)을 첨가하고 120°C에서 교반하였다. 반응이 완료되면 디클로로메탄과 물로 추출한 후 유기층을 MgSO4로 건조하고 농축한다. 농축된 화합물을 컬럼정제하여 생성물을 얻었다. Aniline (6g, 64.42mmol) and Compound 1 (8g, 27.6mmol) synthesized in Preparation Example 1 were dissolved in toluene (150ml) in a two-neck round bottom flask, and then Pd2(dba)3 (1.26g, 1.38mmol) , t-BuP3 (1.38ml, 1.38mmol), NaOtBu (5.32g, 55.32mmol) was added and stirred at 120 °C. When the reaction is complete, the mixture is extracted with dichloromethane and water, and the organic layer is dried over MgSO4 and concentrated. The concentrated compound was purified by column to obtain a product.

[제조예 3] 9H-carbazole-2-yloxy-바이닐벤질 바이닐벤질 합성 (3)[Preparation Example 3] Synthesis of 9H-carbazole-2-yloxy-vinylbenzyl vinylbenzyl (3)

2-Hydroxycarbazole (9H-카마졸-2-올, 11.3 mmol) 과 4-바이닐벤질 클로라이드 3 당량비율을 2구 둥근바닥플라스크에 DMF (100ml)으로 녹인 후, K2CO3 (8.016g, 57.80mmol)을 첨가하고 150°C에서 교반하였다. 반응이 완료되면 디클로로메탄과 물로 추출한 후 유기층을 MgSO4로 건조하고 농축한다. 농축된 화합물을 컬럼 정제하여 생성물을 얻었다.After dissolving 2-Hydroxycarbazole (9H-camazol-2-ol, 11.3 mmol) and 3-equivalent ratio of 4-vinylbenzyl chloride in a 2-neck round bottom flask with DMF (100ml), K2CO3 (8.016g, 57.80mmol) was added. And stirred at 150 °C. When the reaction is complete, the mixture is extracted with dichloromethane and water, and the organic layer is dried over MgSO4 and concentrated. The concentrated compound was purified by column to obtain a product.

[제조예 4] 다이브로모 비스메틸페닐 다이페닐벤지다인 합성 (4) [Production Example 4] Synthesis of dibromo bismethylphenyl diphenylbenzidine (4)

1-Bromo-4-iodobenzene 과 N,N′-Diphenylbenzidine 을 당량비율 2대 1로 준비하여 2구 둥근바닥 플라스크에 ortho-다이클로로벤젠 (100 mL) 으로 녹인 후, CuI 와 18-crown-6와 함께 K2CO3 (8.016g, 57.80mmol)을 첨가하고 150°C에서 교반하였다. 반응이 완료되면 디클로로메탄과 물로 추출한 후 유기층을 MgSO4로 건조하고 농축한다. 농축된 화합물을 컬럼 정제하여 생성물을 얻었다.Prepare 1-Bromo-4-iodobenzene and N,N′-Diphenylbenzidine in an equivalent ratio of 2 to 1, dissolve in ortho-dichlorobenzene (100 mL) in a 2-neck round-bottom flask, and then mix with CuI and 18-crown-6. Together, K2CO3 (8.016g, 57.80mmol) was added and stirred at 150°C. When the reaction is complete, the mixture is extracted with dichloromethane and water, and the organic layer is dried over MgSO4 and concentrated. The concentrated compound was purified by column to obtain a product.

<반응식 2> 가교형 정공 수송재료 합성 경로<Scheme 2> Synthesis route of crosslinked hole transport material

[제조예 5] TPDK1 합성 (화합물 5)[Preparation Example 5] Synthesis of TPDK1 (Compound 5)

제조예 4에서 합성된 화합물 4와 제조예 2에서 합성된 화합물 2를 톨루엔 100 mL가 담겨있는 2구 플라스크에 녹인 뒤, Pd2(dba)3 (2.94 mmol)와 tert-butyl-phosphine (2.85ml, 11.76mmol)을 혼합한 뒤, 110°C에서 교반하여 화합물 5를 얻었다.Compound 4 synthesized in Preparation Example 4 and Compound 2 synthesized in Preparation Example 2 were dissolved in a two-necked flask containing 100 mL of toluene, and then Pd2(dba)3 (2.94 mmol) and tert-butyl-phosphine (2.85ml, 11.76mmol) was mixed, and then stirred at 110 °C to obtain compound 5.

[제조예 6] TPDK2 합성 (화합물 6)[Production Example 6] Synthesis of TPDK2 (Compound 6)

제조예4에서 합성된 화합물 4와 제조예 3에서 합성된 화합물 3을 톨루엔 100 mL가 담겨있는 2구 플라스크에 녹인 뒤, Pd2(dba)3 (2.94 mmol)와 tert-butyl-phosphine (2.85ml, 11.76mmol)을 혼합한 뒤, 110°C에서 교반하여 화합물 6을 얻었다.Compound 4 synthesized in Preparation Example 4 and Compound 3 synthesized in Preparation Example 3 were dissolved in a two-necked flask containing 100 mL of toluene, and then Pd2(dba)3 (2.94 mmol) and tert-butyl-phosphine (2.85ml, 11.76mmol) was mixed, and then stirred at 110 °C to obtain compound 6.

[제조예 7] TPDK3 합성 (화합물 7)[Production Example 7] Synthesis of TPDK3 (Compound 7)

제조예 1에서 합성된 화합물 1과 N,N′-Diphenylbenzidine 을 톨루엔 100 mL가 담겨있는 2구 플라스크에 녹인 뒤, Pd2(dba)3 (2.94 mmol)와 tert-butyl-phosphine (2.85ml, 11.76mmol)을 혼합한 뒤, 110°C에서 교반하여 화합물 7을 얻었다.Compound 1 synthesized in Preparation Example 1 and N,N′-Diphenylbenzidine were dissolved in a two-necked flask containing 100 mL of toluene, and then Pd2(dba)3 (2.94 mmol) and tert-butyl-phosphine (2.85ml, 11.76mmol) ) And then stirred at 110 °C to obtain compound 7.

도 2를 참조하면, 화합물 5, 6, 7을 이용한 유기발광다이오드 제작을 위해 광학적, 전기적 특성을 분석하였다. 광학적 특성은 UV-vis와 PL spectrometer를 사용하여 측정되었으며, HOMO level은 cyclic voltammetry의 산화 curve의 onset으로 측정되었고, 정공 주입층의 HOMO와의 에너지 장벽이 적절한 수준인 것을 확인하였다. LUMO level은 HOMO와 UV-vis 흡수에서 분석된 밴드갭(eV)으로부터 계산되어졌고, 음극의 일함수와의 에너지 장벽이 적절하여 전자 주입이 원활할 것으로 확인되었다.Referring to FIG. 2, optical and electrical properties were analyzed for fabrication of an organic light-emitting diode using compounds 5, 6, and 7. Optical properties were measured using UV-vis and PL spectrometer, and the HOMO level was measured by the onset of the oxidation curve of cyclic voltammetry, and it was confirmed that the energy barrier of the hole injection layer with the HOMO was at an appropriate level. The LUMO level was calculated from the band gap (eV) analyzed in HOMO and UV-vis absorption, and it was confirmed that electron injection was smooth because the energy barrier with the work function of the cathode was appropriate.

도 3을 참조하면, 50nm ITO(Indium Tin Oxide)가 코팅된 1 X 1 inch 크기 기판 위에 poly(3,4-ethylenedioxythiophene) polystyrene sulfonate(PEDOT:PSS)를 60~70nm 두께로 spin-coating 하였다. 그 후 핫플레이트에 140℃로 20분간 건조시켜 잔류 용매를 제거하고, 정공수송물질인 화합물 5, 6, 7을 톨루엔 용매에 녹인 후 2000rpm에서 스핀코팅 하여 약 20~25nm의 박막을 얻었다. 그 후 스핀코팅된 정공수송물질로 시차주사열량분석법 (Differential Scanning Calorimetry, DSC) 으로 하기의 그래프에서 확인할 수 있듯이 열 경화 경향성을 분석하였다. Referring to FIG. 3, poly(3,4-ethylenedioxythiophene) polystyrene sulfonate (PEDOT:PSS) was spin-coated on a 1 X 1 inch substrate coated with 50 nm ITO (Indium Tin Oxide) to a thickness of 60 to 70 nm. Thereafter, it was dried on a hot plate at 140° C. for 20 minutes to remove the residual solvent. After dissolving compounds 5, 6, and 7 as hole transport materials in a toluene solvent, they were spin-coated at 2000 rpm to obtain a thin film of about 20 to 25 nm. Thereafter, the heat curing tendency was analyzed using a spin-coated hole transport material by differential scanning calorimetry (DSC) as can be seen in the graph below.

상기 그래프에서 보여주는 결과는 열 경화가 비 가역적으로 진행되었다는 사실과 경화 온도를 알려준다. 첫 번째 스캔에서 온도가 170~220℃ 일 때 두 화합물 모두 경화가 되었으며, 그 후 두 번째 스캔에서는 흡열 및 발열 반응이 관찰되지 않을 것으로 보아 비 가역적으로 열 경화가 일어났음을 알 수 있다.The results shown in the graph indicate the fact that the thermal curing proceeded irreversibly and the curing temperature. In the first scan, when the temperature was 170 to 220°C, both compounds were cured, and in the second scan after that, endothermic and exothermic reactions were not observed, indicating that thermal curing occurred irreversibly.

<스핀코팅 기반 유기전자소자의 제조평가><Manufacture and evaluation of spin coating-based organic electronic devices>

[실시예 1] 화합물 5를 정공수송층으로 도입한 후 발광층을 스핀코팅으로 코팅하여 제작한 OLED 소자[Example 1] OLED device manufactured by introducing Compound 5 as a hole transport layer and then coating the light emitting layer with spin coating

도 4를 참조하면, 기판 위에 50nm의 두께로 ITO(Indium Tin Oxide)를 스퍼터링한 후, Polyimide 인슐레이터를 발광면적이 2mm X 2mm 크기가 되도록 패터닝 한 후 아세톤과 증류수로 세정하였다. 1 X 1inch 크기 기판 위에 PEDOT:PSS를 60~70nm 두께로 spin-coating 하였다. 그런 후 에 140℃ 의 Hot plate에 20분 건조시켜 용매를 제거하고, 정공수송물질인 화합물 5 (TPDK1)를 Toluene 용매에 녹여 약 20~25nm로 코팅하였다. 그 후 화합물 5 (TPDK1)를 200℃에서 30분 동안 열처리하여 경화시켰다. 정공수송층 위에 발광층의 호스트 물질로 TCTA와 mCP-PFP를 9:1의 질량비로 섞은 후 toluene에 녹이고, 인광도펀트 물질로 Ir(mppy)3를 chlorobenzene에 녹여 호스트에 10% 도핑하여 총 20~25nm 두께가 되도록 코팅한다. 이때 발광층 코팅은 스핀코팅 용액공정으로 진행한다. 발광층을 코팅한 후 80℃에서 20분 동안 열처리하여 용매를 제거한다. 그 이후의 전자 수송층은 TPBi를 35nm, 전자 주입층은 LiF를 1nm, 음극은 Al을 100nm의 두께로 진공 증착하여 전체적인 유기 전기발광소자를 제조하였다.Referring to FIG. 4, after sputtering ITO (Indium Tin Oxide) to a thickness of 50 nm on the substrate, the polyimide insulator was patterned to have a size of 2 mm X 2 mm and washed with acetone and distilled water. PEDOT:PSS was spin-coated on a 1 X 1 inch size substrate with a thickness of 60 to 70 nm. Then, the solvent was removed by drying on a hot plate at 140° C. for 20 minutes, and compound 5 (TPDK1), a hole transport material, was dissolved in Toluene solvent and coated with about 20-25 nm. Thereafter, compound 5 (TPDK1) was cured by heat treatment at 200° C. for 30 minutes. On the hole transport layer, TCTA and mCP-PFP as a host material of the emission layer are mixed in a mass ratio of 9:1, dissolved in toluene, and Ir(mppy) 3 as a phosphorescent dopant material is dissolved in chlorobenzene and doped 10% on the host to a total thickness of 20 to 25 nm. It is coated so that it is In this case, the coating of the light emitting layer is performed by a spin coating solution process. After coating the light emitting layer, the solvent is removed by heat treatment at 80° C. for 20 minutes. After that, the electron transport layer was vacuum-deposited to a thickness of 35 nm for TPBi, 1 nm for LiF for the electron injection layer, and 100 nm for Al for the cathode to manufacture an overall organic electroluminescent device.

[실시예 2] 화합물 6을 정공수송층으로 도입한 후 발광층을 스핀코팅으로 코팅하여 제작한 OLED 소자[Example 2] OLED device manufactured by introducing Compound 6 as a hole transport layer and then coating the light emitting layer with spin coating

도 4를 참조하면, 기판 위에 50nm의 두께로 ITO(Indium Tin Oxide)를 스퍼터링한 후, Polyimide 인슐레이터를 발광면적이 2mm X 2mm 크기가 되도록 패터닝 한 후 아세톤과 증류수로 세정하였다. 1 X 1inch 크기 기판 위에 PEDOT:PSS를 60~70nm 두께로 spin-coating 하였다. 그런 후 에 140℃ 의 Hot plate에 20분 건조시켜 용매를 제거하고, 정공수송물질인 화합물 6 (TPDK2)를 Toluene 용매에 녹여 약 20~25nm로 코팅하였다. 그 후 화합물 6 (TPDK2)를 200℃에서 30분 동안 열처리하여 경화시켰다. 정공수송층 위에 발광층의 호스트 물질로 TCTA와 mCP-PFP를 9:1의 질량비로 섞은 후 toluene에 녹이고, 인광도펀트 물질로 Ir(mppy)3를 chlorobenzene에 녹여 호스트에 10% 도핑하여 총 20~25nm 두께가 되도록 코팅한다. 이때 발광층 코팅은 스핀코팅 용액공정으로 진행한다. 발광층을 코팅한 후 80℃에서 20분 동안 열처리하여 용매를 제거한다. 그 이후의 전자 수송층은 TPBi를 35nm, 전자 주입층은 LiF를 1nm, 음극은 Al을 100nm의 두께로 진공 증착하여 전체적인 유기 전기발광소자를 제조하였다.Referring to FIG. 4, after sputtering ITO (Indium Tin Oxide) to a thickness of 50 nm on the substrate, the polyimide insulator was patterned to have a size of 2 mm X 2 mm and washed with acetone and distilled water. PEDOT:PSS was spin-coated on a 1 X 1 inch size substrate with a thickness of 60 to 70 nm. Then, the solvent was removed by drying on a hot plate at 140° C. for 20 minutes, and compound 6 (TPDK2), a hole transport material, was dissolved in Toluene solvent and coated with about 20-25 nm. Thereafter, compound 6 (TPDK2) was cured by heat treatment at 200° C. for 30 minutes. On the hole transport layer, TCTA and mCP-PFP as a host material of the emission layer are mixed in a mass ratio of 9:1, then dissolved in toluene, and Ir(mppy) 3 as a phosphorescent dopant material is dissolved in chlorobenzene and doped 10% on the host to a total thickness of 20 to 25 nm. It is coated so that it is In this case, the coating of the light emitting layer is performed by a spin coating solution process. After coating the light emitting layer, the solvent is removed by heat treatment at 80° C. for 20 minutes. After that, the electron transport layer was vacuum-deposited to a thickness of 35 nm for TPBi, 1 nm for LiF for the electron injection layer, and 100 nm for Al for the cathode to manufacture an overall organic electroluminescent device.

[실시예 3] 화합물 7을 정공수송층으로 도입한 후 발광층을 스핀코팅으로 코팅하여 제작한 OLED 소자[Example 3] OLED device manufactured by introducing Compound 7 as a hole transport layer and then coating the light emitting layer with spin coating

도 4를 참조하면, 기판 위에 50nm의 두께로 ITO(Indium Tin Oxide)를 스퍼터링한 후, Polyimide 인슐레이터를 발광면적이 2mm X 2mm 크기가 되도록 패터닝 한 후 아세톤과 증류수로 세정하였다. 1 X 1inch 크기 기판 위에 PEDOT:PSS를 60~70nm 두께로 spin-coating 하였다. 그런 후 에 140℃ 의 Hot plate에 20분 건조시켜 용매를 제거하고, 정공수송물질인 화합물 7 (TPDK3)를 Toluene 용매에 녹여 약 20~25nm로 코팅하였다. 그 후 화합물 7 (TPDK3)를 200℃에서 30분 동안 열처리하여 경화시켰다. 정공수송층 위에 발광층의 호스트 물질로 TCTA와 mCP-PFP를 9:1의 질량비로 섞은 후 toluene에 녹이고, 인광도펀트 물질로 Ir(mppy)3를 chlorobenzene에 녹여 호스트에 10% 도핑하여 총 20~25nm 두께가 되도록 코팅한다. 이때 발광층 코팅은 스핀코팅 용액공정으로 진행한다. 발광층을 코팅한 후 80℃에서 20분 동안 열처리하여 용매를 제거한다. 그 이후의 전자 수송층은 TPBi를 35nm, 전자 주입층은 LiF를 1nm, 음극은 Al을 100nm의 두께로 진공 증착하여 전체적인 유기 전기발광소자를 제조하였다.Referring to FIG. 4, after sputtering ITO (Indium Tin Oxide) to a thickness of 50 nm on the substrate, the polyimide insulator was patterned to have a size of 2 mm X 2 mm and washed with acetone and distilled water. PEDOT:PSS was spin-coated on a 1 X 1 inch size substrate with a thickness of 60 to 70 nm. Then, the solvent was removed by drying on a hot plate at 140° C. for 20 minutes, and compound 7 (TPDK3), a hole transport material, was dissolved in Toluene solvent and coated with about 20-25 nm. Thereafter, compound 7 (TPDK3) was cured by heat treatment at 200° C. for 30 minutes. On the hole transport layer, TCTA and mCP-PFP as a host material of the emission layer are mixed in a mass ratio of 9:1, dissolved in toluene, and Ir(mppy) 3 as a phosphorescent dopant material is dissolved in chlorobenzene and doped 10% on the host to a total thickness of 20 to 25 nm. It is coated so that it is In this case, the coating of the light emitting layer is performed by a spin coating solution process. After coating the light emitting layer, the solvent is removed by heat treatment at 80° C. for 20 minutes. After that, the electron transport layer was vacuum-deposited to a thickness of 35 nm for TPBi, 1 nm for LiF for the electron injection layer, and 100 nm for Al for the cathode to manufacture an overall organic electroluminescent device.

[실시예 4] 화합물 5, 6, 7을 사용하여 Hole-only 소자 제작[Example 4] Hole-only device fabrication using compounds 5, 6, and 7

도 5에 도시된 바와 같이, 상기 합성한 열 가교형 정공 수송 재료 화합물 5, 6, 7의 정공 수송 특성을 알아보기 위해 Hole-only 소자를 제작하였다. 실시예 4는 실시예 1, 2, 3의 화합물 5, 6, 7을 이용하여 정공 수송층을 제작하는 것까지는 모두 동일하게 했으며, 1x10^-6 torr의 압력 하에서 진공 열증착 방법으로 음극 Al을 쌓아 소사제작을 하였다.As shown in FIG. 5, a hole-only device was fabricated in order to examine the hole transport characteristics of the synthesized thermally crosslinked hole transport material compounds 5, 6, and 7. Example 4 was the same until the hole transport layer was prepared using compounds 5, 6, and 7 of Examples 1, 2, and 3, and negative electrode Al was stacked by vacuum thermal evaporation method under a pressure of 1x10^-6 torr. Sosa made.

<< 잉크젯Inkjet 프린팅 기반 유기전자소자의 제조평가> Manufacturing evaluation of printing-based organic electronic devices>

[실시예 5] 화합물 5를 정공 수송층으로 도입한 후 발광층을 잉크젯 프린팅으로 코팅하여 제작한 OLED 소자[Example 5] OLED device manufactured by introducing Compound 5 as a hole transport layer and then coating the light emitting layer by inkjet printing

상기 합성된 화합물 5는 열 처리하여 가교 반응을 진행하면, 상부 발광층 용액에 대한 내용제성이 증가하여 용액공정을 통해 다층구조 OLED 소자 제작을 가능하게 한다. When the synthesized compound 5 undergoes a crosslinking reaction by heat treatment, the solvent resistance to the upper emission layer solution increases, thereby enabling the fabrication of a multilayered OLED device through a solution process.

기판 위에 50nm의 두께로 ITO(Indium Tin Oxide)를 스퍼터링한 후, Polyimide 인슐레이터를 발광면적이 2mm X 2mm 크기가 되도록 패터닝 한 후 아세톤과 증류수로 세정하였다. 그 후, PEDOT:PSS를 60~70nm 두께로 spin-coating 하였고, 140℃ 의 Hot plate에 20분 건조시켜 용매를 제거하고, 정공수송물질인 화합물 5 (TPDK1)를 Toluene 용매에 녹여 약 20~25nm로 코팅하였다. 그 후 화합물 5를 200℃에서 30분 동안 가열하여 경화시켰다. 정공수송층 위에 발광층의 호스트 물질로 TCTA와 3Cz-PFP를 9:1의 질량비로 섞은 후 Chlorobenzene 용매에 녹이고, 인광도펀트 물질로 Ir(mppy)3를 chlorobenzene에 녹여 호스트에 10% 도핑하여 총 20~25nm 두께가 되도록 코팅한다. 이때 발광층 코팅은 잉크젯 프린팅 용액공정으로 진행한다. 발광층을 코팅한 후 80℃에서 20분 동안 용매를 제거한다. 그 이후의 전자 수송층은 TPBi를 35nm, 전자 주입층은 LiF를 1nm, 음극은 Al을 100nm의 두께로 진공 증착하여 전체적인 유기 전기발광소자를 제조하였다.After sputtering ITO (Indium Tin Oxide) to a thickness of 50 nm on the substrate, the polyimide insulator was patterned to have a size of 2 mm X 2 mm and washed with acetone and distilled water. Thereafter, PEDOT:PSS was spin-coated to a thickness of 60 to 70 nm, dried on a hot plate at 140°C for 20 minutes to remove the solvent, and dissolved Compound 5 (TPDK1), a hole transport material, in Toluene solvent to about 20 to 25 nm. Coated with. Thereafter, compound 5 was cured by heating at 200° C. for 30 minutes. On the hole transport layer, TCTA and 3Cz-PFP are mixed in a mass ratio of 9:1 as a host material of the emission layer, dissolved in a chlorobenzene solvent, and Ir(mppy)3 as a phosphorescent dopant material is dissolved in chlorobenzene, and doped 10% to the host for a total of 20-25 nm. Coat so that it is thick. At this time, the coating of the light emitting layer proceeds with an inkjet printing solution process. After coating the light emitting layer, the solvent was removed at 80° C. for 20 minutes. After that, the electron transport layer was vacuum-deposited to a thickness of 35 nm for TPBi, 1 nm for LiF for the electron injection layer, and 100 nm for Al for the cathode to manufacture an overall organic electroluminescent device.

도 6 및 도 7을 참조하면, 화합물 5를 박막으로 형성하고 열경화를 진행한 후, 발광층 용매인 Chlorobenzene에 손상을 입는지 여부를 확인하기 위해 열경화된 화합물 5 (TPDK1) 박막을 Chlorobenzene으로 세정하기 전과 후의 UV-Vis 흡광도로 분석하였다. 그 결과 용매에 의한 손상 없이 우수한 안정성을 갖음을 확인하였다.6 and 7, after forming Compound 5 as a thin film and performing thermal curing, the thermally cured compound 5 (TPDK1) thin film is washed with chlorobenzene to determine whether it is damaged by chlorobenzene, which is a solvent for the emission layer. It was analyzed by UV-Vis absorbance before and after the following. As a result, it was confirmed that it had excellent stability without being damaged by the solvent.

[실시예 6] 화합물 6을 정공 수송층으로 도입한 후 발광층을 잉크젯 프린팅으로 코팅하여 제작한 OLED 소자[Example 6] OLED device manufactured by introducing Compound 6 as a hole transport layer and then coating the light emitting layer by inkjet printing

상기 합성된 화합물 6은 열 처리하여 가교 반응을 진행하면, 상부 발광층 용액에 대한 내용제성이 증가하여 용액공정을 통해 다층구조 OLED 소자 제작을 가능하게 한다. When the synthesized compound 6 undergoes a crosslinking reaction by heat treatment, the solvent resistance to the upper emission layer solution increases, thereby enabling the fabrication of a multi-layered OLED device through a solution process.

기판 위에 50nm의 두께로 ITO(Indium Tin Oxide)를 스퍼터링한 후, Polyimide 인슐레이터를 발광면적이 2mm X 2mm 크기가 되도록 패터닝 한 후 아세톤과 증류수로 세정하였다. 그 후, PEDOT:PSS를 60~70nm 두께로 spin-coating 하였고, 140℃ 의 Hot plate에 20분 건조시켜 용매를 제거하고, 정공수송물질인 화합물 6 (TPDK2)를 Toluene 용매에 녹여 약 20~25nm로 코팅하였다. 그 후 화합물 6을 200℃에서 30분 동안 가열하여 경화시켰다. 정공수송층 위에 발광층의 호스트 물질로 TCTA와 3Cz-PFP를 9:1의 질량비로 섞은 후 Chlorobenzene 용매에 녹이고, 인광도펀트 물질로 Ir(mppy)3를 chlorobenzene에 녹여 호스트에 10% 도핑하여 총 20~25nm 두께가 되도록 코팅한다. 이때 발광층 코팅은 잉크젯 프린팅 용액공정으로 진행한다. 발광층을 코팅한 후 80℃에서 20분 동안 용매를 제거한다. 그 이후의 전자 수송층은 TPBi를 35nm, 전자 주입층은 LiF를 1nm, 음극은 Al을 100nm의 두께로 진공 증착하여 전체적인 유기 전기발광소자를 제조하였다.After sputtering ITO (Indium Tin Oxide) to a thickness of 50 nm on the substrate, the polyimide insulator was patterned to have a size of 2 mm X 2 mm and washed with acetone and distilled water. Thereafter, PEDOT:PSS was spin-coated to a thickness of 60~70nm, dried on a hot plate at 140℃ for 20 minutes to remove the solvent, and dissolved Compound 6 (TPDK2), a hole transport material, in Toluene solvent, and about 20~25nm Coated with. Thereafter, compound 6 was cured by heating at 200° C. for 30 minutes. On the hole transport layer, TCTA and 3Cz-PFP are mixed in a mass ratio of 9:1 as a host material of the emission layer, dissolved in a chlorobenzene solvent, and Ir(mppy)3 as a phosphorescent dopant material is dissolved in chlorobenzene, and doped 10% to the host for a total of 20-25 nm. Coat so that it is thick. At this time, the coating of the light emitting layer proceeds with an inkjet printing solution process. After coating the light emitting layer, the solvent was removed at 80° C. for 20 minutes. After that, the electron transport layer was vacuum-deposited to a thickness of 35 nm for TPBi, 1 nm for LiF for the electron injection layer, and 100 nm for Al for the cathode to manufacture an overall organic electroluminescent device.

도 8 및 도 9를 참조하면, 화합물 6을 박막으로 형성하고 열경화를 진행한 후, 발광층 용매인 Chlorobenzene에 손상을 입는지 여부를 확인하기 위해 열경화된 화합물 6 (TPDK2) 박막을 Chlorobenzene으로 세정하기 전과 후의 UV-Vis 흡광도로 분석하였다. 그 결과 용매에 의한 손상 없이 우수한 안정성을 갖음을 확인하였다.8 and 9, after forming Compound 6 as a thin film and performing thermal curing, the thermally cured compound 6 (TPDK2) thin film was washed with chlorobenzene to determine whether it is damaged by chlorobenzene, which is a solvent for the emission layer. It was analyzed by UV-Vis absorbance before and after the following. As a result, it was confirmed that it had excellent stability without being damaged by the solvent.

이상 본 발명의 실시예에 따른 잉크젯 프린팅용 트리아릴아민 코어 기반의 스타이렌 가교단을 이용한 열가교형 정공수송 물질 및 이를 잉크젯 공정에 이용한 유기 발광 소자를 구체적인 실시 형태로서 설명하였으나, 이는 예시에 불과한 것으로서, 본 발명은 이에 한정되지 않는 것이며, 본 명세서에 개시된 기초 사상에 따르는 최광의 범위를 갖는 것으로 해석되어야 한다. 당업자는 개시된 실시형태들을 조합, 치환하여 적시되지 않은 형상의 패턴을 실시할 수 있으나, 이 역시 본 발명의 범위를 벗어나지 않는 것이다. 이외에도 당업자는 본 명세서에 기초하여 개시된 실시형태를 용이하게 변경 또는 변형할 수 있으며, 이러한 변경 또는 변형도 본 발명의 권리범위에 속함은 명백하다.In the above, a thermally crosslinkable hole transport material using a styrene crosslinking end based on a triarylamine core for inkjet printing according to an embodiment of the present invention and an organic light emitting device using the same in the inkjet process have been described as specific embodiments, but this is only an example. As such, the present invention is not limited thereto, and should be construed as having the widest scope in accordance with the basic idea disclosed herein. A person skilled in the art may combine and replace the disclosed embodiments to implement a pattern having a shape that is not indicated, but this also does not depart from the scope of the present invention. In addition, those skilled in the art can easily change or modify the disclosed embodiments based on the present specification, and it is clear that such changes or modifications also belong to the scope of the present invention.

100 : 유기전자소자 110 : 기판
120 : 제1 전극 130 : 정공주입층
140 : 정공수송층 150 : 발광층
160 : 전자수송층 170 : 전자주입층
180 : 제2 전극
100: organic electronic device 110: substrate
120: first electrode 130: hole injection layer
140: hole transport layer 150: light emitting layer
160: electron transport layer 170: electron injection layer
180: second electrode

Claims (4)

열 가교형 재료로서,
정공 전달 능력이 높은 질소가 포함된 트리아릴아민이 포함된 단위체; 및
스타이렌 가교단을 가지는 단위체를 포함하는 열가교형 정공수송 물질.
As a thermally crosslinkable material,
A unit containing triarylamine containing nitrogen having high hole transport ability; And
Thermal cross-linking type hole transport material comprising a unit having a styrene cross-linked end.
기판;
상기 기판 상에 형성된 제 1 전극;
상기 제 1 전극 상에 구비된 유기물층; 및
상기 유기물층 상에 형성된 제 2 전극을 포함하는 유기 발광 소자.
Board;
A first electrode formed on the substrate;
An organic material layer provided on the first electrode; And
An organic light-emitting device comprising a second electrode formed on the organic material layer.
제 2 항에 있어서,
상기 유기물층은,
정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층 및 전자 주입층을 포함하고,
상기 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층 및 전자 주입층은 상기 제 1 전극 상에 순차적으로 적층되는 유기 발광 소자.
The method of claim 2,
The organic material layer,
Including a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer and an electron injection layer,
The hole injection layer, the hole transport layer, the emission layer, the electron transport layer, and the electron injection layer are sequentially stacked on the first electrode.
제 3 항에 있어서,
상기 정공 주입층, 정공 수송층 및 발광층은 용액공정을 이용하여 적층되고,
상기 전자 수송층 및 전자 주입층은 진공증착을 이용하여 적층되는 유기 발광 소자.
The method of claim 3,
The hole injection layer, the hole transport layer and the light emitting layer are stacked using a solution process,
The electron transport layer and the electron injection layer are stacked by using vacuum deposition.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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WO2021210854A1 (en) 2020-04-14 2021-10-21 주식회사 엘지에너지솔루션 Lithium-sulfur battery electrolyte and lithium-sulfur battery comprising same
CN114671803A (en) * 2022-03-28 2022-06-28 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 Cross-linked electronic regulating layer material, preparation method and application thereof

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