KR20210007859A - 기판 적재대, 기판 처리 장치 및 온도 제어 방법 - Google Patents

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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

본 발명은, 기판의 온도 분포가 격벽의 내측과 외측에서 급준하게 변화하도록 제어한다. 기판 적재대는, 기판이 적재되는 적재면을 갖는 기부와, 기부에 마련되고, 기판의 외주측을 따라 기판을 지지하는 환상의 지지 부재와, 적재면 상에 마련되고, 적재면에 적재되는 기판의 직경 방향에 있어서 적재면을 외측 영역과 내측 영역으로 나누는 환상의 격벽과, 외측 영역 및 내측 영역에서의 적재면 상에 마련되고, 격벽의 상단면과 기판 사이에 공극을 두고 기판을 지지하는 복수의 돌기와, 외측 영역과 연통해서 기부에 마련되고, 기판과 적재면 사이의 공간에 공급되는 전열 가스가 흐르는 외측 유로와, 내측 영역과 연통해서 기부에 마련되고, 전열 가스가 흐르는 내측 유로와, 기부에 마련되고, 전열 가스를 격벽의 둘레 방향을 따라 확산시키는 환상의 확산부를 구비한다.

Description

기판 적재대, 기판 처리 장치 및 온도 제어 방법{SUBSTRATE STAGE, SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS, AND TEMPERATURE CONTROL METHOD}
이하의 개시는, 기판 적재대, 기판 처리 장치 및 온도 제어 방법에 관한 것이다.
기판 적재측의 표면에 원형의 칸막이벽이 마련되고, 기판의 하측 부분에 열전달용 가스가 유통하도록 구성된 기판 적재대가 기재되어 있다(특허문헌 1).
일본 특허 공개 제2012-129547호 공보
본 개시는, 기판의 온도 분포가 격벽의 내측과 외측에서 급준하게 변화하도록 제어할 수 있는 기술을 제공한다.
본 개시의 일 형태에 의한 기판 적재대는, 기판이 적재되는 적재면을 갖는 기부와, 기부에 마련되고, 기판의 외주측을 따라 기판을 지지하는 환상의 지지 부재와, 적재면 상에 마련되고, 적재면에 적재되는 기판의 직경 방향에 있어서 적재면을 외측 영역과 내측 영역으로 나누는 환상의 격벽과, 외측 영역 및 내측 영역에서의 적재면 상에 마련되고, 격벽의 상단면과 기판 사이에 공극을 두고 기판을 지지하는 복수의 돌기와, 외측 영역과 연통해서 기부에 마련되고, 기판과 적재면 사이의 공간에 공급되는 전열 가스가 흐르는 외측 유로와, 내측 영역과 연통해서 기부에 마련되고, 전열 가스가 흐르는 내측 유로와, 기부에 마련되고, 전열 가스를 격벽의 둘레 방향을 따라 확산시키는 환상의 확산부를 구비한다.
본 개시에 의하면, 기판의 온도 분포가 격벽의 내측과 외측에서 급준하게 변화하도록 제어할 수 있다.
도 1은 제1 실시 형태에 따른 기판 처리 장치 전체를 도시하는 모식도이다.
도 2는 제1 실시 형태에 따른 기판 처리 장치에서의 전열 가스의 흐름을 설명하기 위한 모식도이다.
도 3은 제1 실시 형태에 따른 기판 적재대를 도시하는 평면도이다.
도 4는 제1 실시 형태에 따른 기판 적재대를 도시하는 종단면도이다.
도 5는 제1 실시 형태에 따른 기판 적재대의 주요부를 확대해서 도시하는 종단면도이다.
도 6은 제2 실시 형태에 따른 기판 적재대를 도시하는 평면도이다.
도 7은 제2 실시 형태에 따른 기판 적재대를 도시하는 종단면도이다.
도 8은 제2 실시 형태에 따른 기판 적재대의 주요부를 도시하는 횡단면도이다.
도 9는 제2 실시 형태에 따른 기판 적재대의 주요부를 확대해서 도시하는 단면도이다.
이하에, 개시하는 실시 형태에 대해서, 도면에 기초하여 상세하게 설명한다. 또한, 본 실시 형태는 한정적인 것이 아니다. 또한, 각 실시 형태는, 처리 내용을 모순되지 않게 하는 범위에서 적절히 조합하는 것이 가능하다. 또한, 본 명세서 및 도면에 있어서, 실질적으로 동일한 구성에 대해서는, 동일한 번호를 부여함으로써 중복된 설명을 생략한다. 또한, 이하의 설명 중, 기판 처리 장치의 기판 적재대 상에 기판으로서의 웨이퍼를 적재한 경우에, 웨이퍼에서 보아 적재대측을 하, 반대측을 상이라고 칭한다.
(제1 실시 형태)
도 1은, 제1 실시 형태에 따른 기판 처리 장치 전체를 도시하는 모식도이다. 도 1에 도시한 바와 같이, 기판 처리 장치(1)는, 기판(3)이 적재되는 기판 적재대(5)와, 기판 적재대(5)가 마련된 처리실(6)과, 기판(3)을 처리하기 위한 처리 가스를 처리실(6)에 공급하는 처리 가스 공급부(7)와, 기판(3)과 기판 적재대(5) 사이의 폐공간(전열 가스 공간)에 전열 가스를 공급하는 전열 가스 공급부(8)와, 처리실(6) 내로부터 처리 가스를 배출하기 위한 처리 가스 배출부(9)를 구비한다.
처리실(6)의 상부에는, 처리 가스 공급부(7)와 접속되는 가스 공급관(6a)이 마련되어 있고, 가스 공급관(6a)에 대향하는 위치에, 복수의 가스 공급 구멍(10a)을 갖는 샤워 플레이트(10)가 마련되어 있다. 처리실(6)의 하부에는, 처리 가스 배출부(9)와 접속되는 가스 배출관(6b)이 마련되어 있다. 처리 가스는, 예를 들어 불소 함유 가스, 산소 함유 가스가 사용되고 있고, 수소, 질소, 염소 등을 함유하는 화합물이 첨가되어도 된다.
도 2는, 제1 실시 형태에 따른 기판 처리 장치(1)에서의 전열 가스의 흐름을 설명하기 위한 모식도이다. 도 2에 도시한 바와 같이, 기판 처리 장치(1)의 기판 적재대(5)는, 전열 가스 공급부(8)와 접속되어 있다. 전열 가스 공급부(8)는, 전열 가스 공급원(11)과, 진공 펌프(12)와, 전열 가스 공급원(11)과 진공 펌프(12)를 병렬로 접속하는 제1 배관(13) 및 제2 배관(14)을 갖는다. 제1 배관(13)측에는, 전열 가스를 기판 적재대(5)의 적재면(21a)의 내측 영역(F2)에 공급하는 내측 전열 가스 공급부(8a)가 마련되어 있다. 제2 배관(14)측에는, 전열 가스를 기판 적재대(5)의 적재면(21a)의 외측 영역(F1)에 공급하는 외측 전열 가스 공급부(8b)가 마련되어 있다.
제1 배관(13) 및 제2 배관(14) 각각에는, 전열 가스 공급원(11)측으로부터 가스 압력 제어부(15), 가스 유량 제어부(16), 공급 밸브(V1)의 순으로 마련되어 있다. 제1 배관(13) 및 제2 배관(14) 각각에는, 진공 펌프(12)측에, 배기 밸브(V3)가 마련됨과 함께, 바이패스관(17)을 개재하여, 배기 밸브(V2) 및 오리피스(18)가, 배기 밸브(V3)와 병렬해서 마련되어 있다. 제1 배관(13)은, 접속관(13a)을 개재하여, 후술하는 기판 적재대(5)에 적재된 기판(3)의 직경 방향에서의 적재면(21a)의 내측 영역(F2)에 접속되어 있다. 제2 배관(14)은, 접속관(14a)을 개재하여, 기판 적재대(5)의 적재면(21a)에 적재된 기판(3)의 직경 방향에서의 적재면(21a)의 외측 영역(F1)에 접속되어 있다. 전열 가스는, 기판 적재대(5)에 적재된 기판(3)의 온도를 제어하기 위해서 사용하는 것이며, 예를 들어 헬륨 가스나 아르곤 가스가 사용되고 있다.
이상과 같이 구성된 전열 가스 공급부(8)는, 기판 적재대(5)의 적재면(21a)의 외측 영역(F1)과 내측 영역(F2)에 의도하지 않게 생기는 온도 분포를 보정할 경우나, 외측 영역(F1)과 내측 영역(F2)에 온도 분포를 생기게 하는 경우, 예를 들어 외측 영역(F1)보다도 내측 영역(F2)을 고압으로 한다. 이에 의해, 고압의 전열 가스에 의해 적재면(21a)의 내측 영역(F2)의 열이 상대적으로 크게 빼앗기므로, 외측 영역(F1)보다도 내측 영역(F2)이 냉각된다. 적재면(21a)의 외측 영역(F1)보다도 내측 영역(F2)을 냉각할 경우에는, 전열 가스 공급원(11)으로부터 제1 배관(13)을 통과해서 접속관(13a)으로부터 내측 영역(F2)에 공급되는 전열 가스의 압력을 고압, 예를 들어 50[Torr] 정도로 하고, 전열 가스 공급원(11)으로부터 제2 배관(14)을 통과해서 접속관(14a)으로부터 외측 영역(F1)에 공급되는 전열 가스의 압력을 저압, 예를 들어 40[Torr] 정도로 한다. 외측 영역(F1)과 내측 영역(F2)의 압력 차에 의해, 전열 가스는, 고압의 내측 영역(F2)으로부터 저압의 외측 영역(F1)을 향해서, 후술하는 컨덕턴스 밴드(23)와 기판(3) 사이의 공극(G)을 통과해서 흐른다. 저압의 외측 영역(F1)측에 흐른 전열 가스는, 접속관(14a)을 개재하여 제2 배관(14)을 통과하여, 제2 배관(14)에서의 배기 밸브(V2), 오리피스(18)를 통과해서 진공 펌프(12)에 의해 배출된다. 이때, 제2 배관(14)에서의 배기 밸브(V2)가 개방되고, 배기 밸브(V3)가 폐쇄되어 있다. 이렇게 적재면(21a)의 내측 영역(F2)을 고압으로 하고, 외측 영역(F1)을 저압으로 한 경우, 제1 배관(13)에서의 배기 밸브(V2, V3)는 폐쇄되어 있어, 전열 가스가 제1 배관(13)에서의 배기 밸브(V2, V3)를 통과해서 배출되지 않는다.
한편, 기판 적재대(5)의 적재면(21a)의 내측 영역(F2)보다도 외측 영역(F1)을 냉각할 경우에는, 상술과는 고압측과 저압측을 반대로 한다. 이 경우, 전열 가스 공급원(11)으로부터 제1 배관(13)을 통과해서 접속관(13a)으로부터 내측 영역(F2)에 공급되는 전열 가스의 압력을 저압, 예를 들어 40[Torr] 정도로 하고, 전열 가스 공급원(11)으로부터 제2 배관(14)을 통과해서 접속관(14a)으로부터 외측 영역(F1)에 공급되는 전열 가스의 압력을 고압, 예를 들어 50[Torr] 정도로 한다. 외측 영역(F1)과 내측 영역(F2)의 압력 차에 의해, 전열 가스는, 고압의 외측 영역(F1)으로부터 저압의 내측 영역(F2)을 향해서, 후술하는 컨덕턴스 밴드(23)와 기판(3) 사이의 공극(G)을 통과해서 흐른다. 저압의 내측 영역(F2)측으로부터, 전열 가스가, 접속관(13a)을 개재하여 제1 배관(13)을 통과하여, 제1 배관(13)에서의 배기 밸브(V2), 오리피스(18)를 통과해서 진공 펌프(12)에 의해 배출된다. 이때, 제1 배관(13)에서의 배기 밸브(V2)가 개방되고, 배기 밸브(V3)가 폐쇄되어 있다. 이렇게 적재면(21a)의 외측 영역(F1)을 고압으로 하고, 내측 영역(F2)을 저압으로 한 경우, 제2 배관(14)에서의 배기 밸브(V2, V3)는 폐쇄되어 있어, 전열 가스가 제2 배관(14)에서의 배기 밸브(V2, V3)를 통과해서 배출되지 않는다.
그런데, 압력이 높은 장소에서 낮은 장소로 유체가 흐를 때, 그 유체 경로의 각 점에서는, 유체 경로의 컨덕턴스에 반비례한 압력 차가 생긴다. 컨덕턴스가 다른 유체 경로의 부위가 직렬로 접속되어 있는 경우, 전체의 압력 차가 각각의 부위의 컨덕턴스 역수의 비가 되도록 분배된다. 이 원리를 본 실시 형태에서의 기판 적재대(5)의 적재면(21a)에 적용하여, 외측 유로(26)로부터 외측 영역(F1)에 공급된 전열 가스가, 내측 영역(F2)의 내측 유로(27)까지 이르는 유체 유로를 생각할 수 있다. 이 경우,
1) 외측 영역(F1) 내의 외측 유로(26)의 구멍으로부터, 컨덕턴스 밴드(23)까지의 경로
2) 컨덕턴스 밴드(23)와 기판(3) 사이의 공극(G)을 통과하는 경로
3) 컨덕턴스 밴드(23)로부터, 내측 영역(F2) 내의 내측 유로(27)의 구멍까지의 경로가 직렬로 연결된 유체 경로라고 간주한다. 각 부위의 컨덕턴스를 계산하면,
1) 6×10-6[m3/sec], 2) 1×10-6[m3/sec], 3) 1×10-4[m3/sec]이 된다. 전체의 압력 차는, 50[Torr]-40[Torr]=10[Torr]이다. 이 압력 차는, 컨덕턴스의 역수의 비가 되도록 분배되므로, 본 실시 형태의 컨덕턴스 밴드(23)의 외주와 내주에서는 전체의 압력 차의 85[％]에 상당하는 8.5[Torr]의 압력 차가 생기게 된다. 이때, 전체의 압력 차인 10[Torr]에 의해 생기는 전열 가스의 유량은, 표준 대기압 하에서 매분 0.67[cc]이다.
예를 들어, 컨덕턴스 밴드(23)로 나누어진 내측 영역(F2) 내에서의 전열 가스의 압력이, 외측 영역(F1) 내보다도 높아짐으로써, 전열 가스에 의해 기판(3)의 중심부를, 외주부보다도 강하게 냉각할 수 있다. 본 실시 형태에서는, 일례로서, 내측 영역(F2)에서의 전열 가스의 압력을, 외측 영역(F1)보다도 10[Torr] 고압으로 했지만, 압력 차, 압력의 범위 등을 한정하는 것은 아니고, 전열 가스 공급부(8)를 설정함으로써 가변이며, 컨덕턴스 밴드(23)를 경계로 해서, 기판(3)의 냉각 효율의 분포를 제어할 수 있다. 이에 의해, 기판(3)의 온도에 의존하는 프로세스 특성, 예를 들어 기판(3)의 표면 상에서의 에칭 속도의 분포를 제어할 수 있다.
(기판 적재대의 구조)
도 3은, 제1 실시 형태에 따른 기판 적재대(5)를 도시하는 평면도이다. 도 4는, 제1 실시 형태에 따른 기판 적재대(5)를 도시하는 종단면도이며, 도 3에서의 A-A선을 따른 종단면도이다. 도 3 및 도 4에 도시한 바와 같이, 기판 적재대(5)는, 기판(3)이 적재되는 적재면(21a)을 갖는 기부(21)와, 기판(3)의 외주측을 따라 기판(3)을 지지하는 환상의 지지 부재로서의 시일 밴드(22)와, 적재면(21a)에 적재되는 기판(3)의 직경 방향(이하, 간단히 기판(3)의 직경 방향이라고도 칭함)에 있어서 적재면(21a)을 외측 영역(F1)과 내측 영역(F2)으로 나누는 환상의 격벽으로서의 컨덕턴스 밴드(23)를 구비한다. 또한, 기판 적재대(5)는, 컨덕턴스 밴드(23)의 상단면(23a)과 기판(3) 사이에 공극(G)을 두고 기판(3)을 지지하는 복수의 제1 돌기(24) 및 복수의 제2 돌기(25)를 구비한다.
기부(21)의 적재면(21a)은, 기판(3)에 대향하는 표면이며, 시일 밴드(22)와, 컨덕턴스 밴드(23) 상의 복수의 제1 돌기(24)와, 적재면(21a) 상의 복수의 제2 돌기(25)를 개재하여, 기판(3)이 적재되는 면이다. 시일 밴드(22)는, 기부(21)의 적재면(21a)에 마련되어 있고, 적재면(21a)으로부터의 높이가 15[㎛]로 형성되어 있다. 컨덕턴스 밴드(23)는, 기부(21)의 적재면(21a) 상에 마련되어 있고, 시일 밴드(22)와 동심원상으로 배치되어 있다.
컨덕턴스 밴드(23)는, 적재면(21a)으로부터의 높이가 12[㎛]로 형성되어 있고, 시일 밴드(22)에 지지된 기판(3)과 컨덕턴스 밴드(23)의 상단면(23a) 사이에 3[㎛]의 공극(G)이 확보되어 있다. 또한, 컨덕턴스 밴드(23)는, 기판(3)의 직경 방향, 즉 컨덕턴스 밴드(23)의 직경 방향에서의 폭이 10[mm]으로 형성되어 있다. 컨덕턴스 밴드(23)는, 기부(21)의 적재면(21a)의 외측 영역(F1)과 내측 영역(F2) 사이에서 전열 가스의 흐름의 저항이 되는 구조 부분이다.
복수의 제1 돌기(24)는, 원기둥상으로 형성되어 있고, 컨덕턴스 밴드(23)의 상단면(23a) 상에 마련되어 있다. 복수의 제1 돌기(24)는, 컨덕턴스 밴드(23)의 상단면(23a)으로부터의 높이가 3[㎛]으로 형성되어 있다. 복수의 제1 돌기(24)는, 컨덕턴스 밴드(23)의 둘레 방향을 따라 소정의 간격을 두고 배치되어 있고, 기판(3)의 중심에 대하여 동심원상으로 2열 배치되어 있다. 각 열의 제1 돌기(24)는, 컨덕턴스 밴드(23)의 둘레 방향에 대하여 교대로 위치를 어긋나게 하여, 지그재그 형상으로 배치되어도 된다.
복수의 제2 돌기(25)는, 원기둥상으로 형성되어 있고, 외측 영역(F1) 및 내측 영역(F2)에서의 적재면(21a) 상에 마련되어 있다. 복수의 제2 돌기(25)는, 적재면(21a)으로부터의 높이가 15[㎛]로 형성되어 있고, 시일 밴드(22)의 높이와 동등하게 되어 있다. 복수의 제2 돌기(25)는, 도 3에 도시한 바와 같이, 적재면(21a)의 중심으로부터 방사상으로 배열되어 있다.
적재면(21a)에 적재된 기판(3)은, 시일 밴드(22)와, 복수의 제1 돌기(24) 및 복수의 제2 돌기(25)에 의해 지지된다. 이때, 기부(21)의 상하 방향, 즉 기판(3)의 두께 방향에 있어서, 컨덕턴스 밴드(23)의 상단면(23a)과 기판(3) 사이에, 3[㎛]의 공극(G)이 확보되어 있다. 이렇게 공극(G)이 확보됨으로써 컨덕턴스 밴드(23)의 상단면(23a)과 기판(3)이 접촉하지 않으므로, 기판(3)과 컨덕턴스 밴드(23) 사이에서의 전열이 억제된다. 이 때문에, 기판(3)의 컨덕턴스 밴드(23)의 바로 위 부분에, 국소적으로 온도가 낮아지는 온도 특이점이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
또한, 기판 적재대(5)는, 기판(3)과 적재면(21a) 사이의 폐공간에 공급되는 전열 가스가 흐르는 외측 유로(26)와, 전열 가스가 흐르는 내측 유로(27)와, 적재면(21a)에 적재된 기판(3)을 보유 지지하는 정전 척(도시하지 않음)을 구비한다. 또한, 기판 적재대(5)는, 기판 적재대(5)의 내부에 냉매를 순환시키기 위한 냉매 유로(도시 생략)를 구비한다. 냉매 유로는, 냉매를 공급하기 위한 호스를 개재하여 외부의 칠러(도시하지 않음)에 접속된다. 기판(3) 및 기판 적재대(5)에는, 기판(3)의 처리 중에 처리실(6) 내에 발생하는 플라스마로부터의 열이 유입되지만, 기판 적재대(5)의 내부에 냉매를 유통시킴으로써, 플라스마로부터 유입된 열을 제거하여, 처리 중의 기판(3) 및 기판 적재대(5)의 온도를 소정의 온도로 제어한다.
외측 유로(26)는, 외측 영역(F1)과 연통해서 기부(21)에 마련되어 있고, 기부(21)의 상하 방향을 따라 기부(21)를 관통하고 있다. 외측 유로(26)는, 컨덕턴스 밴드(23)의 둘레 방향으로 소정의 간격을 두고 복수 배치되어 있고, 예를 들어 적재면(21a)의 중심 주위의 회전 각도가 60도의 간격을 두고 6개 마련되어 있다. 외측 유로(26)는, 전열 가스 공급부(8)의 접속관(14a)과 접속되어 있다(도 2 참조).
내측 유로(27)는, 내측 영역(F2)과 연통해서 기부(21)에 마련되고, 기부(21)의 상하 방향을 따라 기부(21)를 관통하고 있다. 내측 유로(27)는, 컨덕턴스 밴드(23)의 둘레 방향으로 소정의 간격을 두고 복수 배치되어 있고, 예를 들어 적재면(21a)의 중심 주위의 회전 각도가 60도의 간격을 두고 6개 마련되어 있다. 내측 유로(27)는, 도 3에 도시한 바와 같이, 컨덕턴스 밴드(23)의 둘레 방향에서의 위치가 외측 유로(26)와 동일하다. 내측 유로(27)는, 전열 가스 공급부(8)의 접속관(13a)과 접속되어 있다(도 2 참조).
도시하지 않지만, 정전 척은, 절연체와 전극을 갖고 있으며, 기부(21)에 배치되어 있다. 정전 척은, 전극에 전압이 가해짐으로써, 적재면(21a)에 적재된 기판(3)을 보유 지지한다. 기판(3)을 기판 적재대(5)에 보유 지지하기 위한 척으로서는, 정전 척에 한정되지 않고, 기판(3)을 기계적으로 보유 지지하는 척이 사용되어도 된다.
(확산부의 구조)
그리고, 기판 적재대(5)는, 도 3 및 도 4에 도시한 바와 같이, 전열 가스를 컨덕턴스 밴드(23)의 둘레 방향을 따라 확산시키는 환상의 확산부(28)를 구비한다. 확산부(28)는, 기부(21)의 적재면(21a)에 개구되는 오목부로서 마련되어 있고, 단면 형상이 각홈 형상으로 형성되어 있다. 확산부(28)는, 외측 영역(F1)과 연통해서 마련된 외측 확산부(28a)와, 내측 영역(F2)과 연통해서 마련된 내측 확산부(28b)를 포함한다.
외측 확산부(28a)는, 외측 유로(26)로부터 외측 영역(F1)에 유입되는 전열 가스를, 컨덕턴스 밴드(23)의 외주측의 둘레 방향을 따라 확산시킨다. 내측 확산부(28b)는, 내측 유로(27)로부터 내측 영역(F2)에 유입되는 전열 가스를, 컨덕턴스 밴드(23)의 내주측의 둘레 방향을 따라 확산시킨다.
도 5는, 제1 실시 형태에 따른 기판 적재대(5)의 주요부를 확대해서 도시하는 종단면도이다. 도 4 및 도 5에 도시한 바와 같이, 외측 확산부(28a)는, 적재면(21a)에 개구되어 컨덕턴스 밴드(23)의 외주면을 따라 마련된 제1 외측 확산부(28a1)와, 적재면(21a)에 개구되어 외측 유로(26)의 단부에 마련된 제2 외측 확산부(28a2)를 포함한다. 제2 외측 확산부(28a2)는, 도 3에 도시한 바와 같이, 기판(3)의 직경 방향에 있어서, 시일 밴드(22)의 내주면으로부터 간격을 두고 배치되어 있다.
도 4 및 도 5에 도시한 바와 같이, 내측 확산부(28b)는, 적재면(21a)에 개구되어 컨덕턴스 밴드(23)의 내주면을 따라 마련된 제1 내측 확산부(28b1)와, 적재면(21a)에 개구되어 내측 유로(27)의 단부에 마련된 제2 내측 확산부(28b2)를 포함한다. 제2 내측 확산부(28b2)는, 도 3에 도시한 바와 같이, 기판(3)의 직경 방향에 있어서, 적재면(21a)의 중심과 컨덕턴스 밴드(23)의 내주면 사이의 거의 중간에 배치되어 있다.
기부(21)에는, 제1 외측 확산부(28a1)와 제2 외측 확산부(28a2)를 연통하는 연결로(29a)가, 적재면(21a)에 적재되는 기판(3)의 직경 방향을 따라 마련되어 있다. 연결로(29a)는, 적재면(21a)에 개구되는 오목부로서 마련되어 있다. 제1 외측 확산부(28a1)와 제2 외측 확산부(28a2)를 따라 흐르는 전열 가스는, 연결로(29a)를 통과해서 제1 외측 확산부(28a1)와 제2 외측 확산부(28a2)에 서로 유입된다. 제1 외측 확산부(28a1), 제2 외측 확산부(28a2) 및 연결로(29a)는 외측 영역(F1)을 둘러싸도록 배치되어 있으므로, 결과적으로, 외측 영역(F1) 전체의 컨덕턴스가 향상되게 되고, 외측 영역(F1) 내에서의 압력이 균일화된다.
또한, 기부(21)에는, 제1 내측 확산부(28b1)와 제2 내측 확산부(28b2)를 연통하는 연결로(29b)가, 적재면(21a)에 적재되는 기판(3)의 직경 방향을 따라 마련되어 있다. 연결로(29b)는, 적재면(21a)에 개구되는 오목부로서 마련되어 있고, 단면 형상이 각홈 형상으로 형성되어 있다. 제1 내측 확산부(28b1)와 제2 내측 확산부(28b2)를 따라 흐르는 전열 가스는, 연결로(29b)를 통해서 제1 내측 확산부(28b1)와 제2 내측 확산부(28b2)에 서로 유입된다. 제1 내측 확산부(28b1), 제2 내측 확산부(28b2) 및 연결로(29b)는, 내측 영역(F2)을 둘러싸도록 배치되어 있으므로, 결과적으로, 내측 영역(F2) 전체의 컨덕턴스가 향상되게 되고, 내측 영역(F2) 내에서의 압력이 균일화된다.
또한, 도 3에 도시한 바와 같이, 연결로(29a, 29b) 내의 저면 상에는, 기판(3)을 지지하는 복수의 제3 돌기(31)가 마련되어 있다. 복수의 제3 돌기(31)는, 연결로(29a, 29b)의 저면으로부터의 높이가 65[㎛]로 형성되어 있고, 제3 돌기(31)의 선단의 위치가, 시일 밴드(22)의 상단면, 제1 돌기(24) 및 제2 돌기(25)의 각 선단과 정렬되어 있다. 또한, 기판 적재대(5)는, 제3 돌기(31)를 갖는 구조에 한정되는 것은 아니다.
또한, 확산부(28)의 단면 형상은, 각홈 형상에 한정되지 않고, 예를 들어 V홈 형상이나, 기판(3)의 직경 방향의 폭이 적재면(21a)측을 향해서 점차 넓어지는 테이퍼면을 갖는 단면 형상으로 형성되어도 된다. 또한, 연결로(29a, 29b)는, 적재면(21a)에 개구되어 형성되었지만, 기부(21)의 내부 공간으로서 마련되어도 된다.
또한, 기부(21)의 외주부에는, 도 3 및 도 4에 도시한 바와 같이, 플랜지상의 고정부(30)가 형성되어 있고, 볼트 등의 고정 부재(도시하지 않음)가 통과되는 복수의 고정 구멍(30a)이, 고정부(30)의 둘레 방향으로 간격을 두고 마련되어 있다.
(확산부에 의한 확산 작용)
상술한 바와 같이, 제1 외측 확산부(28a1), 제2 외측 확산부(28a2) 및 연결로(29a)에 의해, 외측 영역(F1) 내의 컨덕턴스가 향상된다. 이 때문에, 외측 영역(F1) 내에서 전열 가스의 압력 구배가 생기는 것이 억제되어, 외측 영역(F1) 내에서의 전열 가스의 압력이 균일화된다. 이와 마찬가지로, 제1 내측 확산부(28b1), 제2 내측 확산부(28b2) 및 연결로(29b)에 의해, 내측 영역(F2) 내의 컨덕턴스가 향상된다. 이 때문에, 내측 영역(F2) 내에서 전열 가스의 압력 구배가 생기는 것이 억제되어, 내측 영역(F2) 내에서의 전열 가스의 압력이 균일화된다.
또한, 기판 적재대(5)의 제조상 오차나 경시적인 마모 등에 의해, 컨덕턴스 밴드(23)의 둘레 방향에 있어서 컨덕턴스 밴드(23)의 상단면(23a)의 높이에 변동이 생기는 경우가 있다. 이 경우, 컨덕턴스 밴드(23)의 둘레 방향에 있어서, 기판(3)과 컨덕턴스 밴드(23)의 상단면(23a) 사이의 공극(G)이 상대적으로 큰 위치(컨덕턴스 밴드(23)의 높이가 낮은 위치)로부터, 전열 가스가 유입되기 쉬워지므로, 컨덕턴스 밴드(23) 이외의 부분(외측 영역(F1) 내나 내측 영역(F2) 내)에서도, 컨덕턴스 밴드(23)의 둘레 방향으로 전열 가스의 압력 구배가 생길 우려가 있다. 따라서, 컨덕턴스 밴드(23)의 둘레 방향에 있어서 전열 가스가 유입되기 쉬워지는 위치를 향해서 압력 구배가 생겼을 때, 기판(3)의 중심축에 대하여 축 비대칭인 압력 분포가 되므로, 에칭 특성에도 축 비대칭인 분포가 발생해버린다.
이 경우에도, 컨덕턴스 밴드(23)의 둘레 방향에서의 일부분으로부터 국소적으로 유입된 전열 가스가, 컨덕턴스 밴드(23)의 외주면을 따른 제1 외측 확산부(28a1)와, 컨덕턴스 밴드(23)의 내주면을 따른 제1 내측 확산부(28b1)를 통과하여, 컨덕턴스 밴드(23)의 둘레 방향을 따라 흐른다. 이 때문에, 가령 컨덕턴스 밴드(23) 상에서 유량 집중이 발생했다고 해도, 컨덕턴스 밴드(23) 이외의 부분에는, 전열 가스의 압력 구배가 컨덕턴스 밴드(23)의 둘레 방향으로 생기는 것이 억제된다. 또한, 이 경우에도, 컨덕턴스 밴드(23)의 둘레 방향에서의 일부분으로부터 국소적으로 유입된 전열 가스가, 제2 외측 확산부(28a2) 및 제2 내측 확산부(28b2)를 통과하여, 컨덕턴스 밴드(23)의 둘레 방향을 따라 흐른다. 이 때문에, 컨덕턴스 밴드(23)의 둘레 방향으로 전열 가스의 압력 구배가 생기는 것이 더욱 억제된다.
(온도 제어 방법)
실시 형태에 따른 온도 제어 방법은, 기판(3)이 적재되는 적재면(21a)을 갖는 기부(21)에 마련된 환상의 시일 밴드(22)에, 기판(3)의 외주측을 따라 기판(3)을 지지하는 것과, 적재면(21a) 상에 마련된 환상의 컨덕턴스 밴드(23)에 의해, 적재면(21a)에 적재되는 기판(3)의 직경 방향에 있어서 적재면(21a)을 외측 영역(F1)과 내측 영역(F2)으로 나눔과 함께, 컨덕턴스 밴드(23)에 마련된 제1 돌기(24)에 의해, 컨덕턴스 밴드(23)의 상단면(23a)과 기판(3) 사이에 공극(G)을 두고 기판(3)을 지지하는 것을 갖는다. 그리고, 온도 제어 방법은, 외측 영역(F1) 및 내측 영역(F2)과 각각 연통해서 기부(21)에 마련된 외측 유로(26) 및 내측 유로(27)을 개재하여 기판(3)과 적재면(21a) 사이의 공간에 공급되는 전열 가스를, 기부(21)에 마련된 환상의 확산부(28)에 의해 컨덕턴스 밴드(23)의 둘레 방향을 따라 확산시키는 것을 갖는다.
(제1 실시 형태의 효과)
제1 실시 형태에 따른 기판 적재대(5)는, 기판(3)을 지지하는 시일 밴드(22)와, 적재면(21a)을 외측 영역(F1)과 내측 영역(F2)으로 나누는 컨덕턴스 밴드(23)와, 컨덕턴스 밴드(23)와 기판(3) 사이에 공극(G)을 두고 기판(3)을 지지하는 복수의 제2 돌기(25)와, 전열 가스가 흐르는 외측 유로(26) 및 내측 유로(27)와, 전열 가스를 컨덕턴스 밴드(23)의 둘레 방향을 따라 확산시키는 환상의 확산부(28)를 구비한다. 확산부(28)에 의해, 전열 가스가 컨덕턴스 밴드(23)의 둘레 방향으로 원활하게 확산됨으로써, 외측 영역(F1) 및 내측 영역(F2)의 컨덕턴스가 향상되어, 컨덕턴스 밴드(23)와 상대적으로 큰 컨덕턴스비가 되므로, 컨덕턴스 밴드(23)에 의해 나누어진 외측 영역(F1)과 내측 영역(F2)의 압력 차를 크게 확보할 수 있다. 이에 의해, 전열 가스에 의해 온도가 제어되는 기판(3)의 온도 분포(압력 분포)를 외측 영역(F1)과 내측 영역(F2)에서 급준하게 변화하도록 제어할 수 있다. 따라서, 전열 가스를 사용해서 기판(3)의 온도를 제어하는 정밀도를 높일 수 있다. 특히, 기판(3)의 프로세스 특성의 제어에서는, 기판(3)의 국소적인 온도 분포에 대하여 제어하는 것이 필요한 경우가 있으므로, 컨덕턴스 밴드를 경계로 해서 급준한 압력 차를 부여할 수 있음으로써, 프로세스 특성의 제어의 범위를 확장할 수 있다.
또한, 제1 실시 형태에 따른 기판 적재대(5)의 확산부(28)는, 외측 영역(F1)과 연통해서 마련되어 전열 가스를 컨덕턴스 밴드(23)의 외주측의 둘레 방향을 따라 확산시키는 외측 확산부(28a)와, 내측 영역(F2)과 연통해서 마련되어 전열 가스를 컨덕턴스 밴드(23)의 내주측의 둘레 방향을 따라 확산시키는 내측 확산부(28b)를 포함한다. 컨덕턴스 밴드(23)와 기판(3) 사이의 공극(G)을 통과하는 전열 가스가, 컨덕턴스 밴드(23)의 둘레 방향에서의 일부분으로부터 국소적으로 크게 흘렀을 경우, 외측 영역(F1)과 내측 영역(F2)의 어느 것이 저압측이어도, 외측 확산부(28a)와 내측 확산부(28b)의 어느 것에 의해, 전열 가스를 컨덕턴스 밴드(23)의 둘레 방향을 따라 흘릴 수 있다. 이 때문에, 외측 영역(F1) 내 및 내측 영역(F2) 내에 전열 가스의 압력 구배가 생기는 것을 억제할 수 있다.
또한, 제1 실시 형태에 따른 기판 적재대(5)의 외측 확산부(28a)는, 적재면(21a)에 개구되어 컨덕턴스 밴드(23)의 외주면을 따라 마련된 제1 외측 확산부(28a1)와, 적재면(21a)에 개구되어 외측 유로(26)의 단부에 마련된 제2 외측 확산부(28a2)를 포함한다. 이에 의해, 제1 외측 확산부(28a1)와 제2 외측 확산부(28a2)에 의해, 외측 영역(F1) 내에서의 전열 가스를, 컨덕턴스 밴드(23)의 둘레 방향으로 원활하게 확산시킬 수 있다. 이 때문에, 외측 영역(F1) 내에서의 전열 가스의 압력을 더욱 균일화하여, 기판(3)의 온도 분포 제어의 정밀도를 높일 수 있다. 또한, 제1 외측 확산부(28a1)와 제2 외측 확산부(28a2)가 적재면(21a)에 개구되어 있으므로, 제1 외측 확산부(28a1)와 제2 외측 확산부(28a2)의 가공성을 양호하게 확보할 수 있다.
또한, 제1 실시 형태에 따른 기판 적재대(5)의 내측 확산부(28b)는, 적재면(21a)에 개구되어 컨덕턴스 밴드(23)의 내주면을 따라 마련된 제1 내측 확산부(28b1)와, 적재면(21a)에 개구되어 내측 유로(27)의 단부에 마련된 제2 내측 확산부(28b2)를 포함한다. 이에 의해, 제1 내측 확산부(28b1)와 제2 내측 확산부(28b2)에 의해, 내측 영역(F2) 내에서의 전열 가스를, 컨덕턴스 밴드(23)의 둘레 방향으로 원활하게 확산시킬 수 있다. 이 때문에, 내측 영역(F2) 내에서의 전열 가스의 압력을 더욱 균일화하여, 기판(3)의 온도 분포 제어의 정밀도를 높일 수 있다. 또한, 제1 내측 확산부(28b1)와 제2 내측 확산부(28b2)가 적재면(21a)에 개구되어 있으므로, 제1 내측 확산부(28b1)와 제2 내측 확산부(28b2)의 가공성을 양호하게 확보할 수 있다.
또한, 제1 실시 형태에 따른 기판 적재대(5)의 기부(21)에는, 제1 외측 확산부(28a1)와 제2 외측 확산부(28a2)를 연통하는 연결로(29a)가 마련되어 있다. 이에 의해, 외측 영역(F1) 내에서, 제1 외측 확산부(28a1)와 제2 외측 확산부(28a2)를 흐르는 전열 가스가, 연결로(29a)를 개재하여, 제1 외측 확산부(28a1)와 제2 외측 확산부(28a2)에 서로 흐르는 것이 가능해진다. 이 때문에, 외측 영역(F1) 내에서의 전열 가스의 압력을 더욱 균일화하여, 기판(3)의 온도 분포 제어의 정밀도를 높일 수 있다.
또한, 제1 실시 형태에 따른 기판 적재대(5)의 기부(21)에는, 제1 내측 확산부(28b1)와 제2 내측 확산부(28b2)를 연통하는 연결로(29b)가 마련되어 있다. 이에 의해, 내측 영역(F2) 내에서, 제1 내측 확산부(28b1)와 제2 내측 확산부(28b2)를 흐르는 전열 가스가, 연결로(29b)를 개재하여, 제1 내측 확산부(28b1)와 제2 내측 확산부(28b2)에 서로 흐르는 것이 가능해진다. 이 때문에, 내측 영역(F2) 내에서의 전열 가스의 압력을 더욱 균일화하여, 기판(3)의 온도 분포 제어의 정밀도를 높일 수 있다.
또한, 제1 실시 형태에 따른 기판 적재대(5)에 있어서, 컨덕턴스 밴드(23)에는, 컨덕턴스 밴드(23)와 기판(3) 사이에 공극(G)을 두고 기판(3)을 지지하는 복수의 제1 돌기(24)가 마련되어 있다. 이렇게 복수의 제1 돌기(24)에 의해 기판(3)이 지지됨으로써, 적재면(21a)에 적재된 기판(3)의 지지 상태의 안정성을 높일 수 있다.
또한, 제1 실시 형태는, 외측 확산부(28a) 및 내측 확산부(28b) 양쪽을 구비하는 것에 한정되지 않고, 외측 영역(F1)과 내측 영역(F2) 중, 상대적으로 저압(고온)이 되는 영역측에만 확산부(28)가 마련되어도 된다. 예를 들어, 내측 영역(F2)을 저온으로 하고, 외측 영역(F1)을 고온으로 하는 온도 분포로 제어하기 위해서 사용하는 기판 적재대(5)의 경우에는, 외측 확산부(28a)만을 구비함으로써, 내측 확산부(28b)를 생략해서 구조를 간소화하여, 기판 적재대(5)의 제조 비용을 저감하는 것이 가능해진다.
(제2 실시 형태)
도 6은, 제2 실시 형태에 따른 기판 적재대를 도시하는 평면도이다. 도 7은, 제2 실시 형태에 따른 기판 적재대를 도시하는 종단면도이며, 도 6에서의 B-B선을 따른 종단면도이다. 제2 실시 형태는, 확산부가 기부(21)의 내부에 마련된 점이, 제1 실시 형태에서의 확산부(28)와 다르다.
도 6 및 도 7에 도시하는 바와 같이, 기판 적재대(35)는, 전열 가스를 컨덕턴스 밴드(23)의 둘레 방향을 따라 확산시키는 환상의 확산부(38)를 구비한다. 확산부(38)는, 기부(21)의 내부 공간으로서 마련되어 있고, 단면 형상이 사각 형상으로 형성되어 있다. 확산부(38)는, 예를 들어 단면 형상이 원 형상으로 형성되어도 된다. 확산부(38)는, 외측 영역(F1)과 연통해서 마련된 외측 확산부(38a)와, 내측 영역(F2)과 연통해서 마련된 내측 확산부(38b)를 포함한다.
(확산부의 구조)
도 8은, 제2 실시 형태에 따른 기판 적재대의 주요부를 도시하는 횡단면도이며, 도 7에서의 C-C선을 따른 횡단면도이다. 도 9는, 제2 실시 형태에 따른 기판 적재대의 주요부를 확대해서 도시하는 단면도이다. 도 7 및 도 9에 도시하는 바와 같이, 외측 확산부(38a)는, 외측 유로(26)와 연통해서 기부(21)의 내부에 마련되어 있다. 또한, 내측 확산부(38b)는, 내측 유로(27)와 연통해서 기부(21)의 내부에 마련되어 있다.
도 7 및 도 8에 도시하는 바와 같이, 외측 유로(26)는, 외측 확산부(38a)로부터 기부(21)의 저면까지 연장되는 주유로(26a)를 갖고 있으며, 주유로(26a)가, 전열 가스 공급부(8)의 접속관(14a)과 접속되어 있다(도 2 참조). 내측 유로(27)는, 내측 확산부(38b)로부터 기부(21)의 저면까지 연장되는 주유로(27a)를 갖고 있으며, 주유로(27a)가 전열 가스 공급부(8)의 접속관(13a)과 접속되어 있다(도 2 참조). 외측 유로(26)의 주유로(26a)는, 컨덕턴스 밴드(23)의 둘레 방향에서의 소정의 위치에 1개 마련되어 있다. 마찬가지로, 내측 유로(27)의 주유로(27a)는, 컨덕턴스 밴드(23)의 둘레 방향에서의 소정의 위치에 1개 마련되어 있다.
또한, 외측 유로(26)는, 적재면(21a)에 적재되는 기판(3)의 직경 방향에 있어서, 외측 확산부(38a)의 외주측으로부터 적재면(21a)까지 연장되는 외측 분기 유로(26b)와, 외측 확산부(38a)의 내주측으로부터 적재면(21a)까지 연장되는 내측 분기 유로(26c)를 갖는다. 외측 유로(26)의 내측 분기 유로(26c)는, 컨덕턴스 밴드(23)의 외주면에 인접해서 마련되어 있고, 컨덕턴스 밴드(23)의 상단면(23a)측으로부터 외측 영역(F1) 내에 유입된 전열 가스를, 내측 분기 유로(26c)를 통해서 외측 확산부(38a) 내에 원활하게 유도한다. 이 때문에, 내측 분기 유로(26c)로부터 외측 확산부(38a)에 유입된 전열 가스는, 외측 확산부(38a) 내를 통과해서 컨덕턴스 밴드(23)의 둘레 방향을 따라 원활하게 흐른다.
또한, 내측 유로(27)는, 적재면(21a)에 적재되는 기판(3)의 직경 방향에 있어서, 내측 확산부(38b)의 외주측으로부터 적재면(21a)까지 연장되는 외측 분기 유로(27b)와, 내측 확산부(38b)의 내주측으로부터 적재면(21a)까지 연장되는 내측 분기 유로(27c)를 갖는다. 내측 유로(27)의 외측 분기 유로(27b)는, 컨덕턴스 밴드(23)의 내주면에 인접해서 마련되어 있고, 컨덕턴스 밴드(23)의 상단면(23a)측으로부터 내측 영역(F2) 내에 유입된 전열 가스를, 외측 분기 유로(27b)를 통과해서 내측 확산부(38b) 내에 원활하게 유도한다. 이 때문에, 외측 분기 유로(27b)로부터 내측 확산부(38b)에 유입된 전열 가스는, 내측 확산부(38b) 내를 통과해서 컨덕턴스 밴드(23)의 둘레 방향을 따라 원활하게 흐른다.
(확산부에 의한 확산 작용)
제2 실시 형태에서도, 제1 실시 형태의 확산부(28)와 마찬가지로, 외측 확산부(38a)가 컨덕턴스 밴드(23)의 둘레 방향을 따라 형성되어 있으므로, 외측 유로(26)를 통과해서 외측 영역(F1)에 공급되는 전열 가스가, 외측 확산부(38a)를 통과해서 컨덕턴스 밴드(23)의 둘레 방향으로 흘러, 외측 분기 유로(26b) 및 내측 분기 유로(26c)를 개재하여, 외측 영역(F1) 내에 원활하게 골고루 퍼진다. 이 때문에, 외측 영역(F1) 내에서 전열 가스의 압력 구배가 생기는 것이 억제되어, 외측 영역(F1) 내에서의 전열 가스의 압력이 균일화된다. 이와 마찬가지로, 내측 확산부(38b)가 컨덕턴스 밴드(23)의 둘레 방향을 따라 형성되어 있으므로, 내측 유로(27)를 통과해서 내측 영역(F2)에 공급되는 전열 가스가, 내측 확산부(38b)를 통과해서 컨덕턴스 밴드(23)의 둘레 방향으로 흘러, 외측 분기 유로(27b) 및 내측 분기 유로(27c)를 개재하여, 내측 영역(F2) 내에 원활하게 골고루 퍼진다. 이 때문에, 내측 영역(F2) 내에서 전열 가스의 압력 구배가 생기는 것이 억제되어, 내측 영역(F2) 내에서의 전열 가스의 압력이 균일화된다.
또한, 컨덕턴스 밴드(23)의 둘레 방향에 있어서 컨덕턴스 밴드(23)의 높이에 변동이 생긴 경우에도, 컨덕턴스 밴드(23)의 둘레 방향에서의 일부분으로부터 국소적으로 유입된 전열 가스가, 외측 영역(F1)에 연통하는 외측 확산부(38a)와, 내측 영역(F2)에 연통하는 내측 확산부(38b)를 통과하여, 컨덕턴스 밴드(23)의 둘레 방향을 따라 흐른다. 이 때문에, 컨덕턴스 밴드(23)의 둘레 방향으로 전열 가스의 압력 구배가 생기는 것이 억제되어, 외측 영역(F1) 및 내측 영역(F2)에서의 전열 가스의 압력이 균일화된다.
(제2 실시 형태의 효과)
제2 실시 형태에 따른 기판 적재대(35)는, 확산부(38)를 구비함으로써, 제1 실시 형태와 마찬가지로, 컨덕턴스 밴드(23)에 의해 나누어진 외측 영역(F1)과 내측 영역(F2)의 압력 차를 크게 확보할 수 있으므로, 기판(3)의 온도 분포를, 외측 영역(F1)과 내측 영역(F2)에서 급준하게 변화하도록 제어할 수 있다. 따라서, 전열 가스를 사용해서 기판(3)의 온도를 제어하는 정밀도를 높일 수 있다.
뿐만 아니라, 기판 적재대(35)에서의 확산부(38)는, 적재면(21a)에 개구되지 않고 기부(21)의 내부에 마련되어 있기 때문에, 처리 가스로 기판(3)을 처리할 때의 프로세스 특성에, 확산부(38)가 영향을 미치는 것을 억제할 수 있다. 적재면(21a)에 개구되는 오목부의 존재는, 오목부의 폭, 깊이에 따라서는, 기판(3)을 처리할 때의 프로세스 특성에 영향을 주는 경우가 있지만, 제2 실시 형태에 따르면, 적재면(21a)에 영향을 주지 않고 외측 영역(F1) 내나 내측 영역(F2) 내의 압력 구배를 억제할 수 있는 점에서 유리하다.
또한, 기판 적재대(35)는, 확산부(38)로서 기능하는 공간을, 제1 실시 형태에서의 확산부(28)와 비교해서 크게 확보할 수 있으므로, 컨덕턴스 밴드(23)의 둘레 방향에 대한 전열 가스의 유동성이 높아진다. 이 때문에, 예를 들어 컨덕턴스 밴드(23)의 제조 변동에 의해 컨덕턴스 밴드(23)의 둘레 방향에서의 일부분으로부터, 외측 영역(F1)과 내측 영역(F2) 사이에서 전열 가스가 국소적으로 흐른 경우에도, 컨덕턴스 밴드(23)의 둘레 방향으로 전열 가스의 압력 구배가 생기는 것이 억제되어, 외측 영역(F1) 및 내측 영역(F2)에서의 전열 가스의 압력이 균일화된다.
또한, 제1 실시 형태 및 제2 실시 형태에 따른 기판 적재대(5) 및 기판 적재대(35)는, 1개의 컨덕턴스 밴드(23)를 구비하지만, 복수의 컨덕턴스 밴드를 구비해도 된다. 이 경우, 복수의 컨덕턴스 밴드는, 적재면(21a)의 중심에 대하여 동심원상으로 배치된다. 또한, 필요에 따라, 제1 실시 형태와 제2 실시 형태가 조합되어 구성되어도 된다. 예를 들어, 기판 적재대는, 제2 실시 형태에서의 외측 확산부(38a) 및 내측 확산부(38b)와, 제1 실시 형태에서의 제2 외측 확산부(28a2) 및 제2 내측 확산부(28b2)를 구비해도 된다.

Claims (12)

  1. 기판이 적재되는 적재면을 갖는 기부와,
    상기 기부에 마련되고, 상기 기판의 외주측을 따라 상기 기판을 지지하는 환상의 지지 부재와,
    상기 적재면 상에 마련되고, 상기 적재면에 적재되는 상기 기판의 직경 방향에 있어서 상기 적재면을 외측 영역과 내측 영역으로 나누는 환상의 격벽과,
    상기 외측 영역 및 상기 내측 영역에서의 상기 적재면 상에 마련되고, 상기 격벽의 상단면과 상기 기판 사이에 공극을 두고 상기 기판을 지지하는 복수의 돌기와,
    상기 외측 영역과 연통해서 상기 기부에 마련되고, 상기 기판과 상기 적재면 사이의 공간에 공급되는 전열 가스가 흐르는 외측 유로와,
    상기 내측 영역과 연통해서 상기 기부에 마련되고, 상기 전열 가스가 흐르는 내측 유로와,
    상기 기부에 마련되고, 상기 전열 가스를 상기 격벽의 둘레 방향을 따라 확산시키는 환상의 확산부
    를 포함하는, 기판 적재대.
  2. 제1항에 있어서, 상기 확산부는, 상기 외측 영역과 연통해서 마련되어 상기 전열 가스를 상기 격벽의 외주측의 둘레 방향을 따라 확산시키는 외측 확산부와, 상기 내측 영역과 연통해서 마련되어 상기 전열 가스를 상기 격벽의 내주측의 둘레 방향을 따라 확산시키는 내측 확산부를 포함하는, 기판 적재대.
  3. 제2항에 있어서, 상기 외측 확산부는, 상기 적재면에 개구되어 상기 격벽의 외주면을 따라 마련된 제1 외측 확산부와, 상기 적재면에 개구되어 상기 외측 유로의 단부에 마련된 제2 외측 확산부를 포함하는, 기판 적재대.
  4. 제2항에 있어서, 상기 내측 확산부는, 상기 적재면에 개구되어 상기 격벽의 내주면을 따라 마련된 제1 내측 확산부와, 상기 적재면에 개구되어 상기 내측 유로의 단부에 마련된 제2 내측 확산부를 포함하는, 기판 적재대.
  5. 제3항에 있어서, 상기 기부에는, 상기 제1 외측 확산부와 상기 제2 외측 확산부를 연통하는 연결로가 마련되어 있는, 기판 적재대.
  6. 제4항에 있어서, 상기 기부에는, 상기 제1 내측 확산부와 상기 제2 내측 확산부를 연통하는 연결로가 마련되어 있는, 기판 적재대.
  7. 제1항에 있어서, 상기 확산부는, 상기 외측 유로와 상기 내측 유로의 어느 한쪽의 유로와 연통해서 상기 기부의 내부에 마련되고,
    상기 어느 한쪽의 유로는, 상기 확산부의 외주측으로부터 상기 적재면까지 연장되는 외측 분기 유로와, 상기 확산부의 내주측으로부터 상기 적재면까지 연장되는 내측 분기 유로를 갖는, 기판 적재대.
  8. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 격벽에는, 상기 격벽의 상단면과 상기 기판 사이에 공극을 두고 상기 기판을 지지하는 복수의 돌기가 마련되어 있는, 기판 적재대.
  9. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 기재된 기판 적재대와,
    상기 기판 적재대가 마련된 처리실과,
    상기 기판을 처리하기 위한 처리 가스를 상기 처리실에 공급하는 처리 가스 공급부와,
    상기 전열 가스를 공급하는 전열 가스 공급부
    를 포함하는, 기판 처리 장치.
  10. 기판이 적재되는 적재면을 갖는 기부에 마련된 환상의 지지 부재에, 상기 기판의 외주측을 따라 상기 기판을 지지하는 것과,
    상기 적재면 상에 마련된 환상의 격벽에 의해, 상기 적재면에 적재되는 상기 기판의 직경 방향에 있어서 상기 적재면을 외측 영역과 내측 영역으로 나눔과 함께, 상기 외측 영역 및 상기 내측 영역에서의 상기 적재면 상에 마련된 복수의 돌기에 의해, 상기 격벽의 상단면과 상기 기판 사이에 공극을 두고 상기 기판을 지지하는 것과,
    상기 외측 영역 및 상기 내측 영역과 각각 연통해서 상기 기부에 마련된 외측 유로 및 내측 유로를 개재하여 상기 기판과 상기 적재면 사이의 공간에 공급되는 전열 가스를, 상기 기부에 마련된 환상의 확산부에 의해 상기 격벽의 둘레 방향을 따라 확산시키는 것
    을 포함하는 온도 제어 방법.
  11. 제10항에 있어서, 상기 적재면에 개구되어 상기 격벽의 외주면을 따라 마련된 상기 확산부에 의해, 상기 전열 가스를 상기 격벽의 둘레 방향을 따라 확산시키는 것을 포함하는, 온도 제어 방법.
  12. 제10항에 있어서, 상기 외측 유로 및 상기 내측 유로의 어느 한쪽의 유로에 연통해서 상기 기부의 내부에 마련된 상기 확산부에 의해, 상기 전열 가스를 상기 격벽의 둘레 방향을 따라 확산시키는 것과,
    상기 확산부의 외주측으로부터 상기 적재면까지 연장되는 외측 분기 유로와, 상기 확산부의 내주측으로부터 상기 적재면까지 연장되는 내측 분기 유로를 갖는 상기 어느 한쪽의 유로에 의해, 상기 기판과 상기 적재면 사이의 공간에 상기 전열 가스를 공급하는 것을 포함하는, 온도 제어 방법.
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