KR20200105618A - Display device - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 표시장치에 대한 발명으로, 보다 상세하게는 외부광에 의한 반사를 저감시키고 광 효율을 높이기 위해 컬러제어층 상에 배치되는 광학제어층을 포함하는 표시장치에 관한 것이다.The present invention relates to a display device, and more particularly, to a display device including an optical control layer disposed on a color control layer to reduce reflection by external light and increase light efficiency.
표시장치는 이미지를 표시하는 장치로서, 텔레비전, 휴대 전화, 태블릿 컴퓨터, 네비게이션, 게임기 등과 같은 멀티 미디어 장치에 사용되는 다양한 표시장치들이 개발되고 있다. 또한, 최근에는 광이용 효율을 증대시키고 컬러 밸런스를 개선한 자발광 형 표시장치에 대한 개발이 진행되고 있다.A display device is a device that displays an image, and various display devices used in multimedia devices such as televisions, mobile phones, tablet computers, navigation devices, and game consoles have been developed. In addition, in recent years, development of a self-luminous display device having improved light use efficiency and improved color balance has been underway.
자발광 표시장치는 애노드, 발광층 및 캐소드로 구성되는 발광 소자를 포함한다. 발광층은 수분 또는 산소에 매우 취약하여 외부로부터 수분 또는 산소가 침투하는 경우, 발광층이 변질되어 다크 스팟(dark spot), 픽셀 수축(pixel shrinkage) 등과 같은 각종 불량이 발생할 수 있다는 문제가 있으며, 이러한 문제를 개선하기 위하여 발광 소자를 보호하기 위한 봉지부가 사용되고 있다.A self-luminous display device includes a light-emitting element composed of an anode, a light-emitting layer, and a cathode. The light emitting layer is very vulnerable to moisture or oxygen, so when moisture or oxygen penetrates from the outside, there is a problem that various defects such as dark spots, pixel shrinkage, etc. may occur due to deterioration of the light emitting layer. In order to improve this, an encapsulation part for protecting the light emitting device is used.
본 발명은 효율이 개선된 표시장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide a display device with improved efficiency.
또한, 본 발명은 외부에서 진입하는 산소 또는 수분 등의 이물을 차단하고, 신뢰성이 향상된 표시장치를 제공하는 것을 목적으로 한다. Another object of the present invention is to provide a display device with improved reliability by blocking foreign substances such as oxygen or moisture entering from the outside.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치는 발광 소자 및 발광 소자 상에 배치되고, 발광 소자를 밀봉하는 봉지 부재를 포함하고, 봉지 부재는 발광 소자 상에 배치되고, 굴절률이 1.58 이상 1.64 이하인 제1 무기층, 제1 무기층 상에 배치되는 유기층 및 유기층 상에 배치되고, 굴절률이 1.58 이상 2.00 이하인 제2 무기층을 포함한다. A display device according to an embodiment of the present invention includes a light emitting element and a first sealing member disposed on the light emitting element and sealing the light emitting element, the sealing member disposed on the light emitting element, and having a refractive index of 1.58 or more and 1.64 or less. An inorganic layer, an organic layer disposed on the first inorganic layer, and a second inorganic layer disposed on the organic layer and having a refractive index of 1.58 or more and 2.00 or less.
제1 무기층의 두께는 0.5 μm 이상 1.5 μm 이하일 수 있다. The thickness of the first inorganic layer may be 0.5 μm or more and 1.5 μm or less.
제1 무기층은 질산화 실리콘, 질화 실리콘 및 산화 실리콘 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. The first inorganic layer may include at least one of silicon nitrate, silicon nitride, and silicon oxide.
제2 무기층의 두께는 0.5 μm 이상 1.5 μm 이하일 수 있다. The thickness of the second inorganic layer may be 0.5 μm or more and 1.5 μm or less.
제2 무기층은 굴절률이 서로 다른 2 이상의 서브 무기층들을 포함할 수 있다. The second inorganic layer may include two or more sub-inorganic layers having different refractive indices.
제2 무기층은 굴절률이 1.58 이상 1.64 이하인 제1 서브 무기층 및 굴절률이 1.80 이상 2.00 이하인 제2 서브 무기층을 포함할 수 있다. The second inorganic layer may include a first sub-inorganic layer having a refractive index of 1.58 or more and 1.64 or less and a second sub-inorganic layer having a refractive index of 1.80 or more and 2.00 or less.
제1 서브 무기층의 두께와 제2 서브 무기층의 두께비는 3:1 내지 5:1일 수 있다. The thickness ratio of the first sub-inorganic layer and the second sub-inorganic layer may be 3:1 to 5:1.
제1 서브 무기층의 두께는 0.5 μm 이상 0.6 μm 이하일 수 있다. The thickness of the first sub-inorganic layer may be 0.5 μm or more and 0.6 μm or less.
제2 서브 무기층의 두께는 0.1 μm 이상 0.2 μm 이하일 수 있다. The thickness of the second sub-inorganic layer may be 0.1 μm or more and 0.2 μm or less.
제1 서브 무기층은 질산화 실리콘 또는 산화 실리콘을 포함할 수 있다. The first sub-inorganic layer may include silicon nitrate or silicon oxide.
제2 서브 무기층은 질화 실리콘, 산화 알루미늄, 및 산화 티타늄 중 어느 하나를 포함할 수 있다. The second sub-inorganic layer may include any one of silicon nitride, aluminum oxide, and titanium oxide.
제2 서브 무기층은 봉지 부재의 최상부에 배치될 수 있다.The second sub inorganic layer may be disposed on the top of the encapsulation member.
제2 무기층은 Si-O 결합을 비포함하는 질화 실리콘을 포함하고, 0.15 μm 이상 0.25 μm 이하의 두께를 가질 수 있다.The second inorganic layer may include silicon nitride containing no Si-O bond, and may have a thickness of 0.15 μm or more and 0.25 μm or less.
제2 무기층의 수소 함량은 2.8 X 1022 atom/cm3 이하일 수 있다.The hydrogen content of the second inorganic layer may be 2.8 X 10 22 atom/cm 3 or less.
제2 무기층 전체에 있어서 질소 대 실리콘의 몰비율은 1 이상 1.3 이하일 수 있다.The molar ratio of nitrogen to silicon in the entire second inorganic layer may be 1 or more and 1.3 or less.
제2 무기층의 밀도는 2.3g/cm3 이상 2.6 g/cm3 이하일 수 있다.The density of the second inorganic layer may be 2.3 g/cm 3 or more and 2.6 g/cm 3 or less.
발광 소자는 제1 전극, 제1 전극 상에 배치된 제2 전극, 및 제1 전극 및 제2 전극 사이에 배치된 중간층을 포함할 수 있다. 중간층은 유기 발광 물질 및 양자점 발광 물질 중 적어도 하나를 포함하는 발광층을 포함할 수 있다.The light emitting device may include a first electrode, a second electrode disposed on the first electrode, and an intermediate layer disposed between the first electrode and the second electrode. The intermediate layer may include an emission layer including at least one of an organic emission material and a quantum dot emission material.
표시장치는 발광 소자 및 봉지 부재 사이에 배치되는 캡핑층을 더 포함할 수 있다. The display device may further include a capping layer disposed between the light emitting element and the sealing member.
표시장치는 캡핑층과 봉지 부재 사이에 배치되고, 굴절률이 1.3 이상 1.4이하인 커버층을 더 포함할 수 있다. The display device may further include a cover layer disposed between the capping layer and the sealing member and having a refractive index of 1.3 or more and 1.4 or less.
표시장치는 봉지 부재 상에 배치되고, 양자점을 포함하는 색변환층을 더 포함할 수 있다.The display device is disposed on the encapsulation member and may further include a color conversion layer including quantum dots.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치는 발광 소자, 발광 소자 상에 배치되고, 제1 두께를 갖는 제1 무기층, 제1 무기층 상에 배치되는 유기층 및 유기층 상에 배치되는 제2 무기층을 포함할 수 있다. 제2 무기층은 제1 두께보다 작은 제2 두께를 갖는 제1 서브 무기층 및 제1 서브 무기층 상에 배치되고 제2 두께보다 작은 제3 두께를 갖는 제2 서브 무기층을 포함할 수 있다.A display device according to an embodiment of the present invention includes a light emitting device, a first inorganic layer disposed on the light emitting device and having a first thickness, an organic layer disposed on the first inorganic layer, and a second inorganic layer disposed on the organic layer It may include. The second inorganic layer may include a first sub-inorganic layer having a second thickness less than the first thickness and a second sub-inorganic layer disposed on the first sub-inorganic layer and having a third thickness less than the second thickness. .
제2 두께와 제3 두께의 비는 3:1 내지 5:1일 수 있다.The ratio of the second thickness and the third thickness may be 3:1 to 5:1.
제1 무기층은 제1 굴절률을 갖고, 제1 서브 무기층은 제2 굴절률을 갖고, 제2 서브 무기층은 제1 굴절률 및 제2 굴절률보다 큰 제3 굴절률을 가질 수 있다.제1 굴절률은 1.58 이상 1.64 이하일 수 있고, 제2 굴절률은 1.58 이상 1.64 이하이고, 제3 굴절률은 1.80 이상 2.00 이하일 수 있다. The first inorganic layer may have a first refractive index, the first sub-inorganic layer may have a second refractive index, and the second sub-inorganic layer may have a third refractive index greater than the first refractive index and the second refractive index. The first refractive index is It may be 1.58 or more and 1.64 or less, the second refractive index may be 1.58 or more and 1.64 or less, and the third refractive index may be 1.80 or more and 2.00 or less.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치는 발광 소자, 및 봉지 부재를 포함할 수 있다. 봉지 부재는 발광 소자 상에 배치되고, 발광 소자를 밀봉할 수 있다.The display device according to an exemplary embodiment of the present invention may include a light emitting device and an encapsulation member. The sealing member is disposed on the light emitting element, and can seal the light emitting element.
봉지 부재는 제1 무기층, 제1 무기층 상에 배치되는 유기층, 및 유기층 상에 배치되는 제2 무기층을 포함할 수 있다. 제2 무기층은 Si-O 결합을 비포함하는 질화 실리콘을 포함하고, 0.15 μm 이상 0.25 μm 이하의 두께를 가질 수 있다. 제2 무기층은 제2 무기층 전체를 기준으로 1 이상 1.3 이하의 질소 대 실리콘의 몰비율을 가지며, 1022 atom/cm3 이하의 수소 함량을 가질 수 있다.The sealing member may include a first inorganic layer, an organic layer disposed on the first inorganic layer, and a second inorganic layer disposed on the organic layer. The second inorganic layer may include silicon nitride containing no Si-O bond, and may have a thickness of 0.15 μm or more and 0.25 μm or less. The second inorganic layer may have a nitrogen to silicon molar ratio of 1 or more and 1.3 or less based on the entire second inorganic layer, and may have a hydrogen content of 10 22 atom/cm 3 or less.
제2 무기층의 밀도는 2.3g/cm3 이상 2.6 g/cm3 이하일 수 있다. 제1 무기층의 굴절률은 1.58 이상 1.64 이하이고, 상기 제2 무기층의 굴절률은 1.58 이상 2.00 이하일 수 있다.The density of the second inorganic layer may be 2.3 g/cm 3 or more and 2.6 g/cm 3 or less. The refractive index of the first inorganic layer may be 1.58 or more and 1.64 or less, and the refractive index of the second inorganic layer may be 1.58 or more and 2.00 or less.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치에 따르면, 효율이 향상된 표시장치를 제공할 수 있다.According to the display device according to an exemplary embodiment of the present invention, a display device having improved efficiency can be provided.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치에 따르면, 외부에서 진입하는 산소 또는 수분 등의 이물을 효과적으로 차단하고, 표시장치의 신뢰성이 향상될 수 있다.According to the display device according to an exemplary embodiment of the present invention, it is possible to effectively block foreign substances such as oxygen or moisture entering from the outside, and improve reliability of the display device.
도 1a는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치의 결합 사시도이다.
도 1b는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치의 분해 사시도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치에 포함되는 화소들 중 하나의 회로도이다.
도 3은 도 2의 I-I'선에 대응하는 단면도이다.
도 4a는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치의 단면도이다.
도 4b 는 청색 발광층을 포함하는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치 및 비교예 표시장치의 효율을 도시한 그래프이다.
도 4c는 백색 발광층을 포함하는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치 및 비교예 표시장치의 효율을 도시한 그래프이다.
도 5a는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치의 단면도이다.
도 5b는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치 및 비교예 표시장치의 효율을 도시한 그래프이다.
도 6a 내지 도 6c는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치의 단면도이다.
도 7a 및 도 7b는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치의 단면도이다.1A is a perspective view illustrating a display device according to an exemplary embodiment of the present invention.
1B is an exploded perspective view of a display device according to an exemplary embodiment of the present invention.
2 is a circuit diagram of one of pixels included in a display device according to an exemplary embodiment of the present invention.
3 is a cross-sectional view corresponding to line II′ of FIG. 2.
4A is a cross-sectional view of a display device according to an exemplary embodiment of the present invention.
4B is a graph showing the efficiency of a display device according to an exemplary embodiment and a display device of a comparative example including a blue light emitting layer.
4C is a graph showing the efficiency of a display device according to an exemplary embodiment and a display device of a comparative example including a white light emitting layer.
5A is a cross-sectional view of a display device according to an exemplary embodiment of the present invention.
5B is a graph showing the efficiency of a display device according to an exemplary embodiment of the present invention and a display device of a comparative example.
6A to 6C are cross-sectional views of a display device according to an exemplary embodiment of the present invention.
7A and 7B are cross-sectional views of a display device according to an exemplary embodiment of the present invention.
본 명세서에서, 어떤 구성요소(또는 영역, 층, 부분 등)가 다른 구성요소 “상에 있다”, “연결 된다”, 또는 “결합된다”고 언급되는 경우에 그것은 다른 구성요소 상에 직접 배치/연결/결합될 수 있거나 또는 그들 사이에 제3의 구성요소가 배치될 수도 있다는 것을 의미한다. In the present specification, when a component (or region, layer, part, etc.) is referred to as “on”, “connected”, or “coupled” to another component, it is placed directly on the other component/ It means that it may be connected/coupled or a third component may be disposed between them.
한편, "직접 배치"된다는 것은 층, 막, 영역, 판 등의 부분과 다른 부분 사이에 추가되는 층, 막, 영역, 판 등이 없는 것을 의미하는 것일 수 있다. 예를 들어, "직접 배치"된다는 것은 두 개의 층 또는 두 개의 부재들 사이에 접착 부재 등의 추가 부재를 사용하지 않고 배치하는 것을 의미하는 것일 수 있다. On the other hand, "directly arranged" may mean that there is no layer, film, region, plate, etc. added between a portion such as a layer, a film, a region, or a plate and another portion. For example, “directly disposed” may mean disposing two layers or between two members without using an additional member such as an adhesive member.
동일한 도면부호는 동일한 구성요소를 지칭한다. 또한, 도면들에 있어서, 구성요소들의 두께, 비율, 및 치수는 기술적 내용의 효과적인 설명을 위해 과장된 것이다.The same reference numerals refer to the same elements. In addition, in the drawings, thicknesses, ratios, and dimensions of components are exaggerated for effective description of technical content.
“및/또는”은 연관된 구성들이 정의할 수 있는 하나 이상의 조합을 모두 포함한다."And/or" includes all combinations of one or more that the associated configurations can be defined.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.Terms such as first and second may be used to describe various components, but the components should not be limited by the terms. These terms are used only for the purpose of distinguishing one component from another component. For example, without departing from the scope of the present invention, a first element may be referred to as a second element, and similarly, a second element may be referred to as a first element. Singular expressions include plural expressions unless the context clearly indicates otherwise.
또한, “아래에”, “하측에”, “위에”, “상측에” 등의 용어는 도면에 도시된 구성들의 연관관계를 설명하기 위해 사용된다. 상기 용어들은 상대적인 개념으로, 도면에 표시된 방향을 기준으로 설명된다.In addition, terms such as “below”, “lower”, “above”, and “upper” are used to describe the relationship between the components shown in the drawings. The terms are relative concepts and are described based on the directions indicated in the drawings.
다르게 정의되지 않는 한, 본 명세서에서 사용된 모든 용어 (기술 용어 및 과학 용어 포함)는 본 발명이 속하는 기술 분야의 당업자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 갖는다. 또한, 일반적으로 사용되는 사전에서 정의된 용어와 같은 용어는 관련 기술의 맥락에서 의미와 일치하는 의미를 갖는 것으로 해석되어야 하고, 이상적인 또는 지나치게 형식적인 의미로 해석되지 않는 한, 명시적으로 여기에서 정의됩니다.Unless otherwise defined, all terms (including technical and scientific terms) used herein have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art to which this invention belongs. In addition, terms such as terms defined in commonly used dictionaries should be interpreted as having a meaning consistent with the meaning in the context of the related technology, and unless interpreted as an ideal or excessively formal meaning, explicitly defined herein. It's possible.
"포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다. Terms such as "comprise" or "have" are intended to designate the presence of a feature, number, step, action, component, part, or combination thereof described in the specification, and one or more other features, numbers, or steps. It is to be understood that it does not preclude the possibility of addition or presence of, operations, components, parts, or combinations thereof.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
도 1a는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치의 결합 사시도이다. 도 1b는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치의 분해 사시도이다. 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치에 포함되는 화소들 중 하나의 회로도이다. 1A is a perspective view illustrating a display device according to an exemplary embodiment of the present invention. 1B is an exploded perspective view of a display device according to an exemplary embodiment of the present invention. 2 is a circuit diagram of one of pixels included in a display device according to an exemplary embodiment of the present invention.
도 1a 및 도 1b를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치(DD)는 베이스 부재(BS), 베이스 부재(BS) 상에 배치된 표시층(DL) 및 표시층(DL) 상에 배치된 봉지 부재(EN)을 포함한다.1A and 1B, a display device DD according to an exemplary embodiment of the present invention includes a base member BS, a display layer DL disposed on the base member BS, and a display layer DL. It includes a sealing member (EN) disposed in the.
일 실시예에서 평면형 표시면을 구비한 표시장치(DD)를 도시하였으나, 이에 제한되지 않는다. 표시장치(DD)는 곡면형 표시면 또는 입체형 표시면을 포함할 수도 있다. 입체형 표시면은 서로 다른 방향을 지시하는 복수 개의 표시영역들을 포함하고, 예컨대, 다각 기둥형 표시면을 포함할 수도 있다. Although the display device DD having a flat display surface is illustrated in an exemplary embodiment, the present invention is not limited thereto. The display device DD may include a curved display surface or a three-dimensional display surface. The three-dimensional display surface includes a plurality of display areas indicating different directions, and may include, for example, a polygonal columnar display surface.
일 실시예에 따른 표시장치(DD)는 리지드 표시장치일 수 있고, 또는 플렉서블 표시장치일 수 있다. 표시장치(DD)가 플렉서블 표시장치인 경우, 폴더플 표시장치일 수 있다.The display device DD according to an exemplary embodiment may be a rigid display device or a flexible display device. When the display device DD is a flexible display device, it may be a foldable display device.
표시장치(DD)는 표시영역(DA) 및 비표시영역(NDA)을 포함한다. 표시영역(DA)은 영상을 표시한다. 표시장치(DD)의 두께 방향에서 보았을 때, 표시영역(DA)은 대략적으로 직사각형 형상을 갖는 것일 수 있으나, 이에 한정하는 것은 아니다.The display device DD includes a display area DA and a non-display area NDA. The display area DA displays an image. When viewed in the thickness direction of the display device DD, the display area DA may have an approximately rectangular shape, but is not limited thereto.
표시영역(DA)은 복수의 화소 영역들(PX-B, PX-G, PX-R)을 포함한다. 화소 영역들(PX-B, PX-G, PX-R)은 매트릭스 형태로 배치될 수 있다. 화소 영역들(PA)은 화소 정의막(PDL; 도 3 참조)에 의해 정의될 수 있다. 화소 영역들(PX-B, PX-G, PX-R)은 각각에는 화소(PX; 도 2 참조)가 배치될 수 있다. 화소들 각각은 발광 소자(ED; 도 2 참조)를 포함한다. 본 발명에서 화소는 발광형 화소일 수 있고, 또는 투과형 화소일 수 있다. The display area DA includes a plurality of pixel areas PX-B, PX-G, and PX-R. The pixel regions PX-B, PX-G, and PX-R may be arranged in a matrix form. The pixel areas PA may be defined by a pixel defining layer PDL (refer to FIG. 3 ). In each of the pixel regions PX-B, PX-G, and PX-R, a pixel PX (refer to FIG. 2) may be disposed. Each of the pixels includes a light emitting element ED (see FIG. 2). In the present invention, the pixel may be an emissive pixel or a transmissive pixel.
표시장치(DD)는 서로 다른 파장의 광을 방출하는 제1 화소 영역, 제2 화소 영역 및 제3 화소 영역을 포함할 수 있다. 도 1b에 도시된 일 실시예에서 제1 화소 영역은 청색 화소 영역(PX-B), 제2 화소 영역은 녹색 화소 영역(PX-G), 제3 화소 영역은 적색 화소 영역(PX-R)일 수 있다. 즉, 일 실시예에서, 표시장치(DD)은 청색 화소 영역(PX-B), 녹색 화소 영역(PX-G), 및 적색 화소 영역(PX-R)을 포함하는 것일 수 있다. 청색 화소 영역(PX-B)은 청색광을 방출하는 청색 발광 영역이고, 녹색 화소 영역(PX-G)과 적색 화소 영역(PX-R)은 각각 녹색 발광 영역 및 적색 발광 영역을 나타내는 것이다.The display device DD may include a first pixel area, a second pixel area, and a third pixel area that emit light having different wavelengths. In the exemplary embodiment illustrated in FIG. 1B, a first pixel area is a blue pixel area PX-B, a second pixel area is a green pixel area PX-G, and a third pixel area is a red pixel area PX-R. Can be That is, in an exemplary embodiment, the display device DD may include a blue pixel area PX-B, a green pixel area PX-G, and a red pixel area PX-R. The blue pixel area PX-B is a blue light emitting area that emits blue light, and the green pixel area PX-G and the red pixel area PX-R indicate a green light emitting area and a red light emitting area, respectively.
비표시영역(NDA)은 영상을 표시하지 않는다. 표시장치(DD)의 두께 방향(DR3)에서 보았을 때, 비표시영역(NDA)은 예를 들어, 표시영역(DA)을 둘러싸는 것일 수 있다. 비표시영역(NDA)은 제1 방향(DR1) 및 제2 방향(DR2)으로 표시영역(DA)과 인접할 수 있다.The non-display area NDA does not display an image. When viewed from the thickness direction DR3 of the display device DD, the non-display area NDA may surround the display area DA, for example. The non-display area NDA may be adjacent to the display area DA in a first direction DR1 and a second direction DR2.
도 2를 참조하면, 화소들(PX) 각각은 게이트 라인(GL), 데이터 라인(DAL) 및 구동 전압 라인(DVL)으로 이루어진 배선부와 연결될 수 있다. 화소들(PX) 각각은 배선부에 연결된 박막 트랜지스터(TFT1, TFT2), 박막 트랜지스터(TFT1, TFT2)에 연결된 발광 소자(ED) 및 커패시터(Cst)를 포함한다.Referring to FIG. 2, each of the pixels PX may be connected to a wiring part including a gate line GL, a data line DAL, and a driving voltage line DVL. Each of the pixels PX includes thin film transistors TFT1 and TFT2 connected to a wiring unit, a light emitting element ED connected to the thin film transistors TFT1 and TFT2, and a capacitor Cst.
게이트 라인(GL)은 제1 방향(DR1)으로 연장된다. 데이터 라인(DAL)은 게이트 라인(GL)과 교차하는 제2 방향(DR2)으로 연장된다. 구동 전압 라인(DVL)은 데이터 라인(DAL)과 실질적으로 동일한 방향, 즉 제2 방향(DR2)으로 연장된다. 게이트 라인(GL)은 박막 트랜지스터(TFT1, TFT2)에 주사 신호를 전달하고, 데이터 라인(DAL)은 박막 트랜지스터(TFT1, TFT2)에 데이터 신호를 전달하며, 구동 전압 라인(DVL)은 박막 트랜지스터(TFT1, TFT2)에 구동 전압을 제공한다.The gate line GL extends in the first direction DR1. The data line DAL extends in the second direction DR2 crossing the gate line GL. The driving voltage line DVL extends in substantially the same direction as the data line DAL, that is, in the second direction DR2. The gate line GL transmits a scan signal to the thin film transistors TFT1 and TFT2, the data line DAL transmits the data signal to the thin film transistors TFT1 and TFT2, and the driving voltage line DVL transmits the thin film transistor ( A driving voltage is provided to TFT1, TFT2).
박막 트랜지스터(TFT1, TFT2)는 발광 소자(ED)를 제어하기 위한 구동 박막 트랜지스터(TFT2)와, 구동 박막 트랜지스터(TFT2)를 스위칭 하는 스위칭 박막 트랜지스터(TFT1)를 포함할 수 있다. 본 발명이 일 실시예에서는 화소들(PX) 각각이 두 개의 박막 트랜지스터(TFT1, TFT2)를 포함하는 것을 설명하나, 이에 한정되는 것은 아니고, 화소들(PX) 각각이 하나의 박막 트랜지스터와 커패시터를 포함할 수도 있고, 화소들(PX) 각각이 셋 이상의 박막 트랜지스터와 둘 이상의 커패시터를 구비할 수도 있다.The thin film transistors TFT1 and TFT2 may include a driving thin film transistor TFT2 for controlling the light emitting element ED, and a switching thin film transistor TFT1 for switching the driving thin film transistor TFT2. The present invention describes that each of the pixels PX includes two thin film transistors TFT1 and TFT2, but the present invention is not limited thereto, and each of the pixels PX includes one thin film transistor and a capacitor. In addition, each of the pixels PX may include three or more thin film transistors and two or more capacitors.
구체적으로 도시하지는 않았으나, 스위칭 박막 트랜지스터(TFT1)는 제1 게이트 전극, 제1 소스 전극 및 제1 드레인 전극을 포함한다. 제1 게이트 전극은 게이트 라인(GL)에 연결되며, 제1 소스 전극은 데이터 라인(DAL)에 연결된다. 제1 드레인 전극은 콘택홀에 의해 제1 공통 전극과 연결된다. 스위칭 박막 트랜지스터(TFT1)는 게이트 라인(GL)에 인가되는 주사 신호에 따라 데이터 라인(DAL)에 인가되는 데이터 신호를 구동 박막 트랜지스터(TFT2)에 전달한다.Although not specifically shown, the switching thin film transistor TFT1 includes a first gate electrode, a first source electrode, and a first drain electrode. The first gate electrode is connected to the gate line GL, and the first source electrode is connected to the data line DAL. The first drain electrode is connected to the first common electrode through a contact hole. The switching thin film transistor TFT1 transfers the data signal applied to the data line DAL to the driving thin film transistor TFT2 according to the scan signal applied to the gate line GL.
발광 소자(ED)는 구동 박막 트랜지스터(TFT2)에 연결된 제1 전극 및 제2 전원전압을 수신하는 제2 전극을 포함한다. 발광 소자(ED)는 제1 전극과 제2 전극 사이에 배치된 발광 패턴을 포함할 수 있다. The light emitting device ED includes a first electrode connected to the driving thin film transistor TFT2 and a second electrode receiving a second power voltage. The light emitting device ED may include a light emitting pattern disposed between the first electrode and the second electrode.
발광 소자(ED)는 구동 박막 트랜지스터(TFT2)의 턴-온 구간동안 발광된다. 발광 소자(ED)에서 생성된 광의 컬러는 발광 패턴을 이루는 물질에 의해 결정된다. 예컨대, 발광 소자(ED)에서 생성된 광의 컬러는 적색, 녹색, 청색, 백색 중 어느 하나일 수 있다.The light emitting device ED emits light during the turn-on period of the driving thin film transistor TFT2. The color of light generated by the light emitting device ED is determined by a material forming the light emitting pattern. For example, the color of light generated by the light emitting device ED may be any one of red, green, blue, and white.
다시 도 1a 및 도 1b를 참조하면, 봉지 부재(EN)는 베이스 부재(BS) 및 표시층(DL) 상에 배치된다. 봉지 부재(EN)는 표시층(DL)을 커버한다. 봉지 부재(EN)는 외부 산소, 수분 및 오염 물질로부터 표시층(DL)을 보호한다. 봉지 부재(EN)에 대한 상세한 설명은 후술하기로 한다.Referring back to FIGS. 1A and 1B, the encapsulation member EN is disposed on the base member BS and the display layer DL. The sealing member EN covers the display layer DL. The encapsulation member EN protects the display layer DL from external oxygen, moisture, and pollutants. A detailed description of the sealing member EN will be described later.
도 3은 도 2의 I-I'선에 대응하는 단면도이다. 3 is a cross-sectional view corresponding to line II′ of FIG. 2.
도 3을 참조하면, 표시장치(DD)는 베이스 부재(BS), 표시층(DL), 캡핑층(CAL), 커버층(COL) 및 봉지 부재(EN)를 포함한다. 베이스 부재(BS)는 베이스층(SUB), 버퍼층(BFL) 및 박막 트랜지스터(TFT) 등을 포함할 수 있다. Referring to FIG. 3, the display device DD includes a base member BS, a display layer DL, a capping layer CAL, a cover layer COL, and an encapsulation member EN. The base member BS may include a base layer SUB, a buffer layer BFL, a thin film transistor TFT, and the like.
베이스층(SUB)은 통상적으로 사용하는 것이라면 특별히 한정하지 않으나, 예를 들어, 유리, 플라스틱, 수정 등의 절연성 물질로 형성될 수 있다. 베이스층(SUB)을 이루는 유기 고분자로는 PET(Polyethylene terephthalate), PEN(Polyethylene naphthalate), 폴리이미드(Polyimide), 폴리에테르술폰(Polyethersulfone) 등을 들 수 있다. 베이스층(SUB)은 기계적 강도, 열적 안정성, 투명성, 표면 평활성, 취급 용이성, 방수성 등을 고려하여 선택될 수 있다.The base layer SUB is not particularly limited as long as it is commonly used, but may be formed of an insulating material such as glass, plastic, or crystal. Organic polymers forming the base layer SUB include polyethylene terephthalate (PET), polyethylene naphthalate (PEN), polyimide, and polyethersulfone. The base layer (SUB) may be selected in consideration of mechanical strength, thermal stability, transparency, surface smoothness, ease of handling, and waterproofness.
베이스층(SUB) 상에는 기능층이 배치될 수 있다. 도 3에서는 기능층으로 버퍼층(BFL)이 배치된 것을 예시적으로 도시하였으나, 기능층은 배리어층을 포함할 수도 있다. 버퍼층(BFL)은 베이스 부재(BS)와 표시층(DL)의 결합력을 향상시키는 기능을 하고, 배리어층은 표시층(DL)에 이물질이 유입되는 것을 방지하는 기능을 할 수 있다.A functional layer may be disposed on the base layer SUB. 3 illustrates an example in which the buffer layer BFL is disposed as a functional layer, but the functional layer may include a barrier layer. The buffer layer BFL may function to improve bonding strength between the base member BS and the display layer DL, and the barrier layer may function to prevent foreign substances from entering the display layer DL.
버퍼층(BFL) 상에는 박막 트랜지스터(TFT)가 배치될 수 있다. 박막 트랜지스터(TFT)는 발광 소자(ED)를 제어하기 위한 구동 박막 트랜지스터와, 구동 박막 트랜지스터를 스위칭 하는 스위칭 박막 트랜지스터를 포함할 수 있다.A thin film transistor TFT may be disposed on the buffer layer BFL. The thin film transistor TFT may include a driving thin film transistor for controlling the light emitting element ED and a switching thin film transistor for switching the driving thin film transistor.
박막 트랜지스터(TFT)는 반도체층(SM), 게이트 전극(GE), 소스 전극(SE) 및 제1 드레인 전극(DE)을 포함할 수 있다. 반도체층(SM)은 반도체 소재로 형성되며, 박막 트랜지스터(TFT)의 활성층으로 동작한다. 반도체층(SM)은 각각 무기 반도체 또는 유기 반도체로부터 선택되어 형성될 수 있다.The thin film transistor TFT may include a semiconductor layer SM, a gate electrode GE, a source electrode SE, and a first drain electrode DE. The semiconductor layer SM is formed of a semiconductor material and acts as an active layer of the thin film transistor TFT. The semiconductor layers SM may be formed by selecting from inorganic semiconductors or organic semiconductors, respectively.
반도체층(SM) 상에는 게이트 절연층(GI)이 제공된다. 게이트 절연층(GI)은 반도체층(SM)을 커버한다. 게이트 절연층(GI)은 유기 절연물 및 무기 절연물 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.A gate insulating layer GI is provided on the semiconductor layer SM. The gate insulating layer GI covers the semiconductor layer SM. The gate insulating layer GI may include at least one of an organic insulating material and an inorganic insulating material.
게이트 절연층(GI) 상에는 게이트 전극(GE)이 제공된다. 게이트 전극(GE)은 반도체층(SM)의 채널 영역에 대응되는 영역을 커버하도록 형성될 수 있다.A gate electrode GE is provided on the gate insulating layer GI. The gate electrode GE may be formed to cover a region corresponding to the channel region of the semiconductor layer SM.
층간 절연층(IL)의 상에는 소스 전극(SE)과 드레인 전극(DE)이 제공된다. 드레인 전극(DE)은 게이트 절연층(GI) 및 층간 절연층(IL)에 형성된 콘택홀에 의해 반도체층(SM)의 드레인 영역과 접촉하고, 소스 전극(SE)은 게이트 절연층(GI) 및 층간 절연층(IL)에 형성된 콘택홀에 의해 반도체층(SM)의 소스 영역과 접촉할 수 있다.A source electrode SE and a drain electrode DE are provided on the interlayer insulating layer IL. The drain electrode DE is in contact with the drain region of the semiconductor layer SM by a contact hole formed in the gate insulating layer GI and the interlayer insulating layer IL, and the source electrode SE is the gate insulating layer GI and The source region of the semiconductor layer SM may be contacted through a contact hole formed in the interlayer insulating layer IL.
소스 전극(SE), 드레인 전극(DE) 및 층간 절연층(IL) 상에는 패시베이션층(PL)이 제공된다. 패시베이션층(PL)은 박막 트랜지스터(TFT)를 보호하는 보호막의 역할을 할 수도 있고, 그 상면을 평탄화시키는 평탄화막의 역할을 할 수도 있다.A passivation layer PL is provided on the source electrode SE, the drain electrode DE, and the interlayer insulating layer IL. The passivation layer PL may serve as a protective layer protecting the thin film transistor TFT, or may serve as a planarization layer for flattening the upper surface of the passivation layer PL.
표시층(DL)은 발광 소자(ED) 및 화소 정의막(PDL)을 포함할 수 있다.The display layer DL may include a light emitting device ED and a pixel defining layer PDL.
패시베이션층(PL) 상에는 발광 소자(ED)가 제공된다. 발광 소자(ED)는 제1 전극(EL1), 제1 전극(EL1) 상에 배치된 제2 전극(EL2) 및 제1 전극(EL1) 및 제2 전극(EL2) 사이에 배치되는 중간층(CL)을 포함한다. 전면 발광형 발광 소자(ED)는 전면 발광형일 수 있다. 다만, 이에 의하여 한정되는 것은 아니며, 발광 소자(ED)는 배면 발광형일 수도 있다.The light emitting device ED is provided on the passivation layer PL. The light emitting device ED includes a first electrode EL1, a second electrode EL2 disposed on the first electrode EL1, and an intermediate layer CL disposed between the first electrode EL1 and the second electrode EL2. ). The top emission type light emitting device ED may be a top emission type. However, the present invention is not limited thereto, and the light emitting device ED may be of a rear emission type.
제1 전극(EL1)은 화소 전극 또는 양극일 수 있다. 제1 전극(EL1)은 투과형 전극, 반투과형 전극 또는 반사형 전극일 수 있다. 제1 전극(EL1)이 투과형 전극인 경우, 제1 전극(EL1)은 투명 금속 산화물, 예를 들어, ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), ZnO(zinc oxide) 또는 ITZO(indium tin zinc oxide)를 포함할 수 있다. 제1 전극(EL1)이 반투과형 전극 또는 반사형 전극인 경우, 제1 전극(EL1)은 Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr 또는 금속의 혼합물을 포함할 수 있다.The first electrode EL1 may be a pixel electrode or an anode. The first electrode EL1 may be a transmissive electrode, a transflective electrode, or a reflective electrode. When the first electrode EL1 is a transmissive electrode, the first electrode EL1 is a transparent metal oxide, for example, indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), zinc oxide (ZnO), or indium zinc oxide (ITZO). tin zinc oxide). When the first electrode EL1 is a transflective electrode or a reflective electrode, the first electrode EL1 may include Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, or a mixture of metals. I can.
제2 전극(EL2)은 공통 전극 또는 음극일 수 있다. 제2 전극(EL2)은 투과형 전극, 반투과형 전극 또는 반사형 전극일 수 있다. 제2 전극(EL2)이 투과형 전극인 경우, 제2 전극(EL2)은 Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Al, Mg, BaF, Ba, Ag 또는 이들의 화합물이나 혼합물(예를 들어, Ag와 Mg의 혼합물)을 포함할 수 있다. 다만, 이에 의하여 한정되는 것은 아니며, 예를 들어, ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), ZnO(zinc oxide) 또는 ITZO(indium tin zinc oxide)를 포함하는 것일 수도 있다. 제2 전극(EL2)이 반투과형 전극 또는 반사형 전극인 경우, 제2 전극(EL2)은 Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Mo, Ti 또는 이들의 화합물이나 혼합물(예를 들어, Ag와 Mg의 혼합물)을 포함할 수 있다. 또는 상기 물질로 형성된 반사막이나 반투과막 및 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), ZnO(zinc oxide), ITZO(indium tin zinc oxide) 등으로 형성된 투명 도전막을 포함하는 복수의 층 구조일 수 있다.The second electrode EL2 may be a common electrode or a cathode. The second electrode EL2 may be a transmissive electrode, a transflective electrode, or a reflective electrode. When the second electrode EL2 is a transmissive electrode, the second electrode EL2 is Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Al, Mg, BaF, Ba, Ag, or a compound or mixture thereof (for example, , A mixture of Ag and Mg). However, it is not limited thereto, and may include, for example, indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), zinc oxide (ZnO), or indium tin zinc oxide (ITZO). When the second electrode EL2 is a transflective electrode or a reflective electrode, the second electrode EL2 is Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, Li, Ca, LiF/ Ca, LiF/Al, Mo, Ti, or a compound or mixture thereof (eg, a mixture of Ag and Mg) may be included. Alternatively, a plurality of layer structures including a reflective film or a semi-transmissive film formed of the material and a transparent conductive film formed of indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), zinc oxide (ZnO), indium tin zinc oxide (ITZO), etc. Can be
제1 전극(EL1) 상에는 화소 정의막(PDL)이 배치될 수 있다. 구체적으로, 화소 정의막(PDL)은 제1 전극(EL1)의 일부를 커버하고, 다른 일부를 노출시킬 수 있다. 이에 한정하는 것은 아니나, 화소 정의막(PDL)은 금속-불소 이온 화합물을 포함할 수 있다. 예를 들어, 화소 정의막(PDL)은 LiF, BaF2, 및 CsF 중 어느 하나의 금속-불소 이온 화합물로 구성될 수 있다. 금속-불소 이온 화합물은 소정의 두께를 가질 경우, 절연 특성을 갖는다.The pixel defining layer PDL may be disposed on the first electrode EL1. Specifically, the pixel defining layer PDL may cover part of the first electrode EL1 and expose another part of the first electrode EL1. Although not limited thereto, the pixel defining layer PDL may include a metal-fluorine ion compound. For example, the pixel defining layer PDL may be formed of any one of LiF, BaF 2 , and CsF metal-fluorine ion compounds. When the metal-fluorine ion compound has a predetermined thickness, it has insulating properties.
화소 정의막(PDL)은 개구부(PDL-OP)를 정의할 수 있다. 화소 정의막(PDL)의 개구부(PDL-OP)는 발광 영역을 정의하는 것일 수 있다.The pixel defining layer PDL may define an opening PDL-OP. The openings PDL-OP of the pixel defining layer PDL may define a light emitting area.
제1 전극(EL1) 및 제2 전극(EL2) 사이에는 중간층(CL)이 배치될 수 있다. 중간층(CL)은 화소 정의막(PDL)에 정의된 개구부(PDL-OP)에 배치될 수 있다. 중간층(CL)은 화소 정의막(PDL)의 개구부(PDL-OP)에 의해 정의되는 발광 영역에 중첩할 수 있다. 중간층(CL)은 후술하는 도 4a를 통해 더욱 상세히 설명한다.The intermediate layer CL may be disposed between the first electrode EL1 and the second electrode EL2. The intermediate layer CL may be disposed in the opening PDL-OP defined in the pixel defining layer PDL. The intermediate layer CL may overlap the light emitting area defined by the openings PDL-OP of the pixel defining layer PDL. The intermediate layer CL will be described in more detail with reference to FIG. 4A to be described later.
봉지 부재(EN)는 제1 무기층(IOL1), 유기층(OL) 및 제2 무기층(IOL2)을 포함한다. 다만, 이에 제한되는 것은 아니며, 무기층 및 유기층을 추가로 포함할 수 있다. 봉지 부재(EN)는 발광 소자(ED) 상에 배치되고, 발광 소자(ED)를 밀봉한다.The encapsulation member EN includes a first inorganic layer IOL1, an organic layer OL, and a second inorganic layer IOL2. However, the present invention is not limited thereto, and an inorganic layer and an organic layer may be additionally included. The sealing member EN is disposed on the light-emitting element ED, and seals the light-emitting element ED.
제1 무기층(IOL1)은 표시층(DL) 상에 배치된다. 제1 무기층(IOL1)은 발광 소자(ED) 상에 배치된다. 구체적으로, 제1 무기층(IOL1)은 제2 무기층(IOL2) 보다 발광 소자(ED)에 인접하여 배치될 수 있다. 제1 무기층(IOL1)은 발광 소자(ED)의 제2 전극(EL2) 상에 접촉하여 배치될 수 있다. 제1 무기층(IOL1)은 발광 소자(ED) 및 화소 정의막(PDL)에 중첩하도록 배치될 수 있다. 제1 무기층(IOL1)은 무기물을 포함할 수 있다. 제1 무기층(IOL1)은 증착법 등에 의해 형성될 수 있고, 예를 들어, 플라즈마 화학기상증착법(Plasma-Enhanced CVD; PECVD)을 이용하여 형성할 수 있다. 제1 무기층(IOL1)은 발광 소자(ED)를 봉지하고, 발광 소자(ED)에 이물질이 유입되는 것을 방지하는 배리어막의 기능을 할 수 있다.The first inorganic layer IOL1 is disposed on the display layer DL. The first inorganic layer IOL1 is disposed on the light emitting device ED. Specifically, the first inorganic layer IOL1 may be disposed closer to the light emitting device ED than the second inorganic layer IOL2. The first inorganic layer IOL1 may be disposed in contact with the second electrode EL2 of the light emitting device ED. The first inorganic layer IOL1 may be disposed to overlap the light emitting device ED and the pixel defining layer PDL. The first inorganic layer IOL1 may include an inorganic material. The first inorganic layer IOL1 may be formed by a vapor deposition method or the like, and may be formed using, for example, plasma-enhanced CVD (PECVD). The first inorganic layer IOL1 may function as a barrier layer that encapsulates the light emitting device ED and prevents foreign substances from entering the light emitting device ED.
유기층(OL)은 제1 무기층(IOL1) 상에 배치된다. 유기층(OL)은 제1 무기층(IOL1) 상에 직접 배치될 수 있다. 유기층(OL)은 소정의 두께를 가지고, 발광 소자(ED)를 보호하는 보호막의 역할을 할 수도 있고, 봉지 부재(EN)의 내부 스트레스를 완화시킬 수 있고, 상면을 평탄화시키는 평탄화막의 역할을 할 수도 있다. 유기층(OL)은 유기물을 포함할 수 있고, 예를 들어, 아크릴계 수지, 에폭시계 수지, 폴리이미드 및 폴리에틸렌 등을 포함할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 상기 유기물을 포함하는 유기층(OL)의 굴절률은 1.35 내지 1.55일 수 있다. 유기층(OL)은 증착법, 코팅법 등에 의해 형성될 수 있다.The organic layer OL is disposed on the first inorganic layer IOL1. The organic layer OL may be directly disposed on the first inorganic layer IOL1. The organic layer OL has a predetermined thickness and may serve as a protective layer protecting the light emitting device ED, may alleviate the internal stress of the encapsulation member EN, and may serve as a planarization layer for flattening the top surface. May be. The organic layer OL may include an organic material, and may include, for example, acrylic resin, epoxy resin, polyimide, polyethylene, etc., but is not limited thereto. The refractive index of the organic layer OL including the organic material may be 1.35 to 1.55. The organic layer OL may be formed by a vapor deposition method, a coating method, or the like.
제2 무기층(IOL2)은 유기층(OL) 상에 배치된다. 제2 무기층(IOL2)은 유기층(OL) 상에 직접 배치될 수 있다. 제2 무기층(IOL2)은 발광 소자(ED) 및 화소 정의막(PDL)에 중첩하도록 배치될 수 있다. 제2 무기층(IOL2)은 제1 무기층(IOL1)과 평면상에서 전면적으로 중첩할 수 있다. 제2 무기층(IOL2)은 무기물을 포함한다. 제2 무기층(IOL2)은 제1 무기층(IOL1)에 포함된 무기물과 동일한 무기물을 포함할 수 있고, 또는 상이한 무기물을 포함할 수 있다. 제2 무기층(IOL2)은 증착법 등에 의해 형성될 수 있고, 예를 들어, 플라즈마 화학기상증착법(Plasma-Enhanced CVD; PECVD), 또는 유도쌍 플라즈마 화학기상증착법(Inductively Coupled Plasma; ICPCVD) 등을 이용하여 형성할 수 있다. 제2 무기층(IOL2)은 발광 소자(ED)를 봉지하고, 발광 소자(ED)에 이물질이 유입되는 것을 방지하는 배리어막의 기능을 할 수 있다.The second inorganic layer IOL2 is disposed on the organic layer OL. The second inorganic layer IOL2 may be directly disposed on the organic layer OL. The second inorganic layer IOL2 may be disposed to overlap the light emitting device ED and the pixel defining layer PDL. The second inorganic layer IOL2 may completely overlap the first inorganic layer IOL1 on a plane. The second inorganic layer IOL2 contains an inorganic material. The second inorganic layer IOL2 may include the same inorganic material as the inorganic material included in the first inorganic layer IOL1, or may include a different inorganic material. The second inorganic layer (IOL2) may be formed by a vapor deposition method or the like, and, for example, plasma-enhanced CVD (PECVD), or inductively coupled plasma (ICPCVD) is used. Can be formed. The second inorganic layer IOL2 may function as a barrier layer that encapsulates the light emitting device ED and prevents foreign substances from entering the light emitting device ED.
표시장치(DD)는 캡핑층(CAL)을 더 포함할 수 있다. 캡핑층(CAL)은 발광 소자(ED)와 봉지 부재(EN) 사이에 배치될 수 있다. 캡핑층(CAL)은 제2 전극(EL2)을 커버하도록 배치될 수 있다. 캡핑층(CAL)은 제2 전극(EL2)과 제1 무기층(IOL1) 사이에 배치될 수 있다.The display device DD may further include a capping layer CAL. The capping layer CAL may be disposed between the light emitting device ED and the encapsulation member EN. The capping layer CAL may be disposed to cover the second electrode EL2. The capping layer CAL may be disposed between the second electrode EL2 and the first inorganic layer IOL1.
캡핑층(CAL)은 광투과성을 가질 수 있으며, 발광 소자(ED)를 보호하는 역할을 수행할 수 있다. 또한, 캡핑층(CAL)은 발광층에서 발생된 빛이 효율적으로 외부로 방출될 수 있도록 돕는 역할을 수행할 수도 있다. 캡핑층(CAL)은 광투과성을 갖는 무기 물질 및 유기 물질 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 또한, 캡핑층(CAL)은 굴절률이 서로 다른 두 개 이상의 물질로 만들어질 수도 있다. 예를 들어, 캡핑층(CAL)은 고굴절률 물질과 저굴절률 물질의 혼합 사용에 의하여 만들어질 수 있다. 고굴절률 물질과 저굴절률 물질은 유기 물질일 수도 있고 무기 물질일 수도 있다. 캡핑층(CAL)의 두께는 특별히 한정되지 않으며, 예를 들어, 30nm 이상 1000nm 이하일 수 있다.The capping layer CAL may have light transmittance and may serve to protect the light emitting device ED. In addition, the capping layer CAL may play a role of helping light generated in the emission layer to be efficiently emitted to the outside. The capping layer CAL may include at least one of an inorganic material and an organic material having light transmittance. Further, the capping layer CAL may be made of two or more materials having different refractive indices. For example, the capping layer CAL may be formed by mixing a high refractive index material and a low refractive index material. The high refractive index material and the low refractive index material may be organic or inorganic. The thickness of the capping layer CAL is not particularly limited, and may be, for example, 30 nm or more and 1000 nm or less.
표시장치(DD)는 커버층(COL)을 더 포함할 수 있다. 커버층(COL)은 발광 소자(ED)와 봉지 부재(EN-1) 사이에 배치될 수 있다. 또한, 커버층(COL)은 캡핑층(CAL)과 봉지 부재(EN-1) 사이에 배치될 수 있다. 커버층(COL)은 굴절률이 1.3 이상 1.4이하일 수 있다. 커버층(COL)은 발광층에서 발생된 광이 효율적으로 외부로 방출될 수 있도록 돕는 역할을 수행할 수 있다. 커버층(COL)에 포함되는 재료는 특별히 한정되지 않으며, 예를 들어, 불화리튬(LiF)을 포함할 수 있다.The display device DD may further include a cover layer COL. The cover layer COL may be disposed between the light emitting device ED and the encapsulation member EN-1. Also, the cover layer COL may be disposed between the capping layer CAL and the encapsulation member EN-1. The cover layer COL may have a refractive index of 1.3 or more and 1.4 or less. The cover layer COL may play a role of helping light generated from the light emitting layer to be efficiently emitted to the outside. The material included in the cover layer COL is not particularly limited, and may include, for example, lithium fluoride (LiF).
도 4a는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치(DD-1)의 단면도이고, 도 4b 및 도 4c는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치(DD-1, DD-1') 및 비교예 표시장치(Com-DD1, Com-DD1')의 상대 효율을 도시한 그래프이다.4A is a cross-sectional view of a display device DD-1 according to an embodiment of the present invention, and FIGS. 4B and 4C are a comparison with the display devices DD-1 and DD-1' according to an embodiment of the present invention. Example A graph showing the relative efficiency of the display devices Com-DD1 and Com-DD1'.
도 4a에서는 도 3 대비 베이스 부재(BS)는 간략히 도시되었다. 이하, 도 1 내지 도 3을 참조하여 설명한 표시장치와 동일한 구성에 대한 상세한 설명은 생략한다.In Figure 4a, compared to Figure 3, the base member (BS) is shown briefly. Hereinafter, a detailed description of the same configuration as the display device described with reference to FIGS. 1 to 3 will be omitted.
도 4a를 참고하면, 중간층(CL)은 발광층(EML)을 포함할 수 있다. 발광층(EML)은 적색, 녹색, 청색, 백색 중 어느 하나를 발광할 수 있다. 발광층(EML)은 단층일 수 있다. 또한, 발광층(EML)은 텐덤(tandem)이라 지칭되는 다층 구조를 가질 수 있다. 예를 들어, 청색 발광층/청색 발광층, 청색 발광층/황색 발광층 또는 청색 발광층/녹색 발광층 등의 2층의 텐덤 구조일 수 있고, 청색 발광층/청색 발광층/청색 발광층, 청색 발광층/황색 발광층/청색 발광층, 청색 발광층/녹색 발광층/청색 발광층 등의 3층의 텐덤 구조일 수 있다. 또한, 상기 발광층 사이에는 각각 전하생성층을 더 포함할 수 있다.Referring to FIG. 4A, the intermediate layer CL may include an emission layer EML. The emission layer EML may emit any one of red, green, blue, and white light. The emission layer EML may be a single layer. In addition, the emission layer EML may have a multilayer structure referred to as a tandem. For example, it may have a tandem structure of two layers, such as a blue light emitting layer/blue light emitting layer, a blue light emitting layer/yellow light emitting layer or a blue light emitting layer/green light emitting layer, and a blue light emitting layer/blue light emitting layer/blue light emitting layer, a blue light emitting layer/yellow light emitting layer/blue light emitting layer, It may have a three-layer tandem structure such as a blue emission layer/green emission layer/blue emission layer. In addition, a charge generation layer may be further included between the emission layers.
발광층(EML)은 발광물질을 포함할 수 있다. 발광 물질의 종류는 특별히 제한되지 않으며, 유기화합물 및/또는 무기화합물일 수 있다. 일 실시예에서, 발광 물질은 양자점(Quantum Dot) 물질일 수 있다. 양자점의 코어는 II-VI족 화합물, III-V족 화합물, IV-VI족 화합물, IV족 원소, IV족 화합물 및 이들의 조합에서 선택될 수 있다.The emission layer EML may include a light emitting material. The kind of the light-emitting material is not particularly limited, and may be an organic compound and/or an inorganic compound. In one embodiment, the light emitting material may be a quantum dot material. The core of the quantum dot may be selected from a group II-VI compound, a group III-V compound, a group IV-VI compound, a group IV element, a group IV compound, and combinations thereof.
중간층(CL)은 발광층 이외에 복수의 공통층들이 더 배치될 수 있다. 구체적으로, 중간층(CL)은 정공 수송 영역(HTR), 발광층(EML) 및 전자 수송 영역(ETR)이 순차적으로 적층된 것일 수 있다. 정공 수송 영역(HTR)은 제1 전극(EL1) 상에 제공되고, 정공 주입층, 정공 수송층, 정공 버퍼층 및 전자 저지층 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 전자 수송 영역(ETR)은 발광층(EML) 상에 제공되며, 정공 저지층, 전자 수송층 및 전자 주입층 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.In addition to the light emitting layer, the intermediate layer CL may further include a plurality of common layers. Specifically, the intermediate layer CL may be formed by sequentially stacking the hole transport region HTR, the emission layer EML, and the electron transport region ETR. The hole transport region HTR is provided on the first electrode EL1 and may include at least one of a hole injection layer, a hole transport layer, a hole buffer layer, and an electron blocking layer. The electron transport region ETR is provided on the emission layer EML, and may include at least one of a hole blocking layer, an electron transport layer, and an electron injection layer.
봉지 부재(EN)는 제1 무기층(IOL1), 제1 무기층(IOL1) 상에 직접 배치되는 유기층(OL) 및 유기층(OL) 상에 직접 배치되는 제2 무기층(IOL2)을 포함한다.The encapsulation member EN includes a first inorganic layer IOL1, an organic layer OL disposed directly on the first inorganic layer IOL1, and a second inorganic layer IOL2 disposed directly on the organic layer OL. .
일 실시예에서, 제1 무기층(IOL1)은 굴절률이 1.64 이하일 수 있다. 제1 무기층(IOL1)의 굴절률이 1.64를 초과하는 경우, 제1 무기층(IOL1)과 유기층(OL)의 굴절률 차이가 커지므로, 발광층(EML)에서 방출되는 광이 제1 무기층(IOL1)과 유기층(OL) 사이에서 계면 반사되는 비율이 커질 수 있다. 이에 따라 발광 소자의 미소공진(microcavity) 효과에 영향을 주어 표시장치(DD)의 효율이 감소하게 된다.In an embodiment, the first inorganic layer IOL1 may have a refractive index of 1.64 or less. When the refractive index of the first inorganic layer IOL1 exceeds 1.64, the difference in refractive index between the first inorganic layer IOL1 and the organic layer OL increases, so that the light emitted from the emission layer EML is transmitted to the first inorganic layer IOL1. ) And the ratio of interfacial reflection between the organic layer OL may increase. Accordingly, the efficiency of the display device DD decreases by affecting the microcavity effect of the light emitting device.
도 4b 및 도 4c를 참조하면, 제1 무기층(IOL1)의 굴절률에 따른 표시장치의 광 효율 차이를 확인할 수 있다. 표시장치(DD)의 효율은 전류-전압-휘도(current-voltage-luminance: IVL)특성을 측정하여 평가하였다. 비교예 및 실시예는 4a에 따른 표시장치(DD-1)와 동일한 구조를 가지며, 다만, 봉지 부재(EN)의 제1 무기층(IOL1)의 굴절률만이 상이하다. 그래프에서, 동일한 구조는 생략하고, 봉지 부재의 구조만을 표시하였다. 구체적으로 비교예 표시장치(Com-DD1, Com-DD1')는 질산화 실리콘을 포함하고 굴절률이 1.76인 제1 무기층(IOL1'), 유기층(OL) 및 굴절률 1.90인 제2 무기층(IOL2)인 봉지 부재를 포함하며, 일 실시예의 표시장치(DD-1, DD-1')은 질산화 실리콘을 포함하고 굴절률 1.60인 제1 무기층(IOL1), 유기층(OL) 및 굴절률 1.90인 제2 무기층(IOL2)을 포함하는 봉지 부재를 포함한다.4B and 4C, a difference in light efficiency of the display device according to the refractive index of the first inorganic layer IOL1 can be confirmed. The efficiency of the display device DD was evaluated by measuring a current-voltage-luminance (IVL) characteristic. The comparative examples and examples have the same structure as the display device DD-1 according to 4a, except that only the refractive index of the first inorganic layer IOL1 of the encapsulation member EN is different. In the graph, the same structure is omitted, and only the structure of the sealing member is shown. Specifically, the comparative display devices (Com-DD1, Com-DD1') include silicon nitride oxide and have a first inorganic layer (IOL1') having a refractive index of 1.76, an organic layer (OL), and a second inorganic layer having a refractive index of 1.90 (IOL2) The display devices DD-1 and DD-1 ′ according to the exemplary embodiment include a first inorganic layer IOL1 having a refractive index of 1.60, an organic layer OL, and a second inorganic having a refractive index of 1.90 including silicon nitride oxide. And an encapsulation member including the layer IOL2.
도 4b는 표시장치가 청색 발광층을 포함할 때, 상대적 광 효율을 도시한 그래프이다. 비교예 표시장치(Com-DD1)의 효율을 100%로 할 때, 일 실시예에 따른 표시장치(DD-1)는 비교예 대비 효율이 2% 상승된 약 102%의 효율을 나타냈다. 도 4c는 표시장치가 백색 발광층을 포함할 때, 상대적 광 효율을 도시한 그래프이다. 비교예 표시장치(Com-DD1')의 효율을 100%로 할 때, 일 실시예에 따른 표시장치(DD1')는 비교예 대비 효율이 3.5% 상승된 약 103.5%의 효율을 나타냈다. 이는 제1 무기층(IOL1)의 굴절률을 낮추어 제1 무기층(IOL1)과 유기층(OL) 사이의 계면 반사가 감소됨에 따라 표시장치의 효율이 향상된 것으로 판단된다. 따라서, 본 발명에 따른 표시장치(DD, DD-1, DD-1')는 제1 무기층(IOL1)의 굴절률을 1.64 이하로 제어함으로써 효율이 향상될 수 있다.4B is a graph showing relative light efficiency when the display device includes a blue light emitting layer. When the efficiency of the comparative example display device Com-DD1 is set to 100%, the display device DD-1 according to an exemplary embodiment exhibits an efficiency of about 102%, an efficiency increase of 2% compared to the comparative example. 4C is a graph showing relative light efficiency when the display device includes a white emission layer. When the efficiency of the comparative example display device (Com-DD1') is set to 100%, the display device (DD1') according to an exemplary embodiment exhibits an efficiency of about 103.5%, an increase of 3.5% compared to the comparative example. It is determined that the efficiency of the display device is improved as the interfacial reflection between the first inorganic layer IOL1 and the organic layer OL is reduced by lowering the refractive index of the first inorganic layer IOL1. Accordingly, in the display devices DD, DD-1, and DD-1' according to the present invention, efficiency may be improved by controlling the refractive index of the first inorganic layer IOL1 to be 1.64 or less.
또한, 일 실시예에서, 제1 무기층(IOL1)은 굴절률이 1.58 이상일 수 있다. 제1 무기층(IOL1)의 굴절률이 1.58 미만인 경우, 배리어막의 기능이 저하되어 발광 소자(ED)에 산소, 수분 및 이물질 등이 유입되는 것을 제대로 방지할 수 없게 된다.특히, WHTS(Wet High Temperature Storage) 측정실험 결과, 제1 무기층(IOL1)의 굴절률이 1.58 미만인 경우 다수의 암점 등이 발생하여 표시장치가 불량 또는 사용 불가로 평가되었으나, 제1 무기층(IOL1)은 굴절률이 1.58 이상인 경우, 표시장치는 양호로 평가되었다. 여기서, WHTS 측정실험은 고온, 고습 상태의 보관시험으로서, 85℃ 및 습도 85%의 오븐(oven) 속에서 500시간 동안 표시장치를 방치하여 암점의 발현 여부 등을 정성적으로 평가하는 것을 말한다. 따라서, 본 발명에 따른 표시장치(DD)는 제1 무기층(IOL1)의 굴절률이 1.58 이상으로 제어함으로써, 제1 무기층(IOL1)이 배리어막의 기능을 효과적으로 수행하여 신뢰성이 향상될 수 있다.In addition, in an embodiment, the first inorganic layer IOL1 may have a refractive index of 1.58 or higher. When the refractive index of the first inorganic layer (IOL1) is less than 1.58, the function of the barrier layer is deteriorated, so that the introduction of oxygen, moisture, and foreign substances into the light emitting device (ED) cannot be properly prevented. In particular, WHTS (Wet High Temperature) Storage) As a result of the measurement experiment, when the refractive index of the first inorganic layer (IOL1) is less than 1.58, a number of dark spots, etc., occurred and the display device was evaluated as defective or unusable, but the first inorganic layer (IOL1) had a refractive index of 1.58 or more , The display device was evaluated as good. Here, the WHTS measurement test is a storage test in a high temperature and high humidity state, and refers to qualitative evaluation of the occurrence of dark spots by leaving the display device for 500 hours in an oven at 85°C and 85% humidity. Accordingly, in the display device DD according to the present invention, since the refractive index of the first inorganic layer IOL1 is controlled to be 1.58 or higher, the first inorganic layer IOL1 effectively functions as a barrier layer, and reliability may be improved.
일 실시예에서, 제1 무기층(IOL1)의 두께는 0.5 μm 이상 1.5 μm 이하일 수 있다. 제1 무기층(IOL1)의 두께는 제2 무기층(IOL2)에 비해 크거나, 같을 수 있다. 또 다른 실시예에서, 제1 무기층(IOL1)의 두께는 0.7 μm 이상 1.2 μm 이하일 수 있다.In an embodiment, the thickness of the first inorganic layer IOL1 may be 0.5 μm or more and 1.5 μm or less. The thickness of the first inorganic layer IOL1 may be greater than or equal to that of the second inorganic layer IOL2. In another embodiment, the thickness of the first inorganic layer IOL1 may be 0.7 μm or more and 1.2 μm or less.
일 실시예에서, 제1 무기층(IOL1)은 상대적으로 흡수계수가 낮은 무기물을 포함할 수 있고, 예를 들어, 질산화 실리콘(silicon oxynitride; SiON), 질화 실리콘(silicon nitride; SiN) 및 산화 실리콘(silicon oxide; SiO) 중 적어도 하나를 포함할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 제1 무기층(IOL1)은 두께 범위를 조절하고, 상대적으로 흡수계수가 낮은 무기물을 포함함으로써, 배리어막의 기능을 효과적으로 수행하면서도 제1 무기층(IOL1)에 의해 흡수되는 광량을 최소로 하여 표시장치(DD) 효율이 감소하는 것을 방지할 수 있다. In one embodiment, the first inorganic layer IOL1 may include an inorganic material having a relatively low absorption coefficient, for example, silicon oxynitride (SiON), silicon nitride (SiN), and silicon oxide. It may include at least one of (silicon oxide; SiO), but is not limited thereto. The first inorganic layer IOL1 adjusts the thickness range and contains an inorganic material having a relatively low absorption coefficient, thereby effectively performing the function of the barrier layer and minimizing the amount of light absorbed by the first inorganic layer IOL1. (DD) It is possible to prevent the efficiency from decreasing.
일 실시예에서, 유기층(OL)의 두께는 0.5 μm 이상 1.3 μm 이하일 수 있다. 유기층(OL)은 단층일 수 있고, 또는, 복수의 층을 포함할 수 있다. In one embodiment, the thickness of the organic layer OL may be 0.5 μm or more and 1.3 μm or less. The organic layer OL may be a single layer, or may include a plurality of layers.
일 실시예에서, 제2 무기층(IOL2)은 굴절률이 1.58 이상 2.00 이하일 수 있다. 일 실시예에서, 제2 무기층(IOL2)의 두께는 0.1 μm 이상 1.5 μm 이하일 수 있다. 또 다른 실시예에서, 제2 무기층(IOL2)의 두께는 0.1 μm 이상 1.0 μm 이하일 수 있다. 제2 무기층(IOL2)은 단층일 수 있고, 또는, 복수의 층을 포함할 수 있다. 제2 무기층(IOL2)이 복수의 서브층들을 포함할 때, 각 서브층들은 상기 범위 내에서 굴절률 및/또는 두께가 동일하거나 상이할 수 있으며, 상세한 내용은 후술한다.In an embodiment, the second inorganic layer IOL2 may have a refractive index of 1.58 or more and 2.00 or less. In one embodiment, the thickness of the second inorganic layer IOL2 may be 0.1 μm or more and 1.5 μm or less. In another embodiment, the thickness of the second inorganic layer IOL2 may be 0.1 μm or more and 1.0 μm or less. The second inorganic layer IOL2 may be a single layer, or may include a plurality of layers. When the second inorganic layer IOL2 includes a plurality of sublayers, each of the sublayers may have the same or different refractive index and/or thickness within the above range, and details will be described later.
다시 도 4a를 참조하면, 일 실시예에서 제2 무기층(IOL2)이 단층인 경우 제2 무기층(IOL2)의 두께는 0.15 μm 이상 0.25 μm 이하일 수 있고, 보다 바람직하게는 0.15 μm 이상 0.2 μm 이하일 수 있다. 제2 무기층(IOL2)은 질화 실리콘(SIxNy, x 및 y는 각각 독립적으로 1 이상 5 이하의 정수)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제2 무기층은 Si-3N4 등의 질화 실리콘으로 구성될 수 있다.Referring back to FIG. 4A, in an embodiment, when the second inorganic layer IOL2 is a single layer, the thickness of the second inorganic layer IOL2 may be 0.15 μm or more and 0.25 μm or less, more preferably 0.15 μm or more and 0.2 μm. It can be below. The second inorganic layer IOL2 may include silicon nitride (SI x N y , x and y are each independently an integer of 1 or more and 5 or less). For example, the second inorganic layer may be made of silicon nitride such as Si- 3 N 4 .
질화 실리콘은 Si-O(실리콘-산소) 결합을 포함하지 않는 것일 수 있다. 또한 질화 실리콘에서 단위 부피(cm3)당 수소 함량은 0 atom/cm3 이상 2.8 X 1022 atom/cm3 이하 일 수 있다. 질화 실리콘에서 질소 대 실리콘의 몰 비율은 1 이상 1.3 이하일 수 있다.Silicon nitride may be one that does not contain a Si-O (silicon-oxygen) bond. In addition, the hydrogen content per unit volume (cm 3 ) in silicon nitride may be 0 atom/cm 3 or more and 2.8 X 10 22 atom/cm 3 or less. In silicon nitride, the molar ratio of nitrogen to silicon may be 1 or more and 1.3 or less.
질화 실리콘이 상술한 조건을 만족하는 경우, 약 460nm의 중심 파장을 갖는 광에 대한 질화 실리콘의 흡수계수는 0에 수렴할 수 있다. 따라서, 발광층(EML)에서 방출되는 청색광이 제2 무기층(IOL2)에 의해 흡수되는 양이 작아지므로 표시장치(DD)의 청색광의 출광 효율이 향상될 수 있다.When silicon nitride satisfies the above-described conditions, the absorption coefficient of silicon nitride for light having a center wavelength of about 460 nm may converge to zero. Accordingly, since the amount of blue light emitted from the emission layer EML is absorbed by the second inorganic layer IOL2 is reduced, the emission efficiency of the blue light of the display device DD may be improved.
제2 무기층(IOL2)이 상술한 조건을 만족하는 질화 실리콘을 포함하는 경우, 제2 무기층(IOL2)의 밀도는 2.3 g/cm3 이상 2.6 g/cm3 이하 일 수 있다. 따라서, 배리어 특성이 우수하고, 외부로부터의 수분 침투가 더 효과적으로 방지될 수 있다.When the second inorganic layer IOL2 includes silicon nitride that satisfies the above-described conditions, the density of the second inorganic layer IOL2 may be 2.3 g/cm 3 or more and 2.6 g/cm 3 or less. Therefore, the barrier property is excellent, and moisture penetration from the outside can be prevented more effectively.
제2 무기층(IOL2)의 두께가 0.15 μm 이상 0.25 μm 이하인 경우, 봉지 부재(EN)가 폴더블 표시장치에 적용되어 여러 번 폴딩 되는 경우에도 봉지 부재(EN)의 손상이 방지될 수 있다. 따라서, 봉지 부재(EN)의 손상으로 인한 외부 수분 침투가 방지되므로 표시장치(DD)의 내구성이 향상될 수 있다. 제2 무기층(IOL2)의 두께가 0.15 μm 미만인 경우 봉지 부재(EN)의 방습성이 저하될 수 있으며, 제2 무기층(IOL2)의 두께가 0.25 μm를 초과하는 경우 봉지 부재(EN)가 폴더플 표시장치에 적용 될 때, 봉지 부재(EN)의 내구성이 감소할 수 있다.When the thickness of the second inorganic layer IOL2 is 0.15 μm or more and 0.25 μm or less, damage to the sealing member EN can be prevented even when the sealing member EN is applied to the foldable display and folded several times. Accordingly, since penetration of external moisture due to damage to the sealing member EN is prevented, durability of the display device DD may be improved. If the thickness of the second inorganic layer (IOL2) is less than 0.15 μm, the moisture-proof properties of the sealing member (EN) may be deteriorated, and if the thickness of the second inorganic layer (IOL2) exceeds 0.25 μm, the sealing member (EN) is a folder When applied to a flat display device, the durability of the encapsulation member EN may decrease.
이하, 실시예 및 비교예를 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 제2 무기층(IOL2) 및 이를 포함하는 표시장치(DD)의 효과에 대하여 구체적으로 설명한다.Hereinafter, the effects of the second inorganic layer IOL2 and the display device DD including the same according to an exemplary embodiment will be described in detail with reference to Examples and Comparative Examples.
실시예 1 및 비교예 1의 표시장치는, 도 4a에 도시된 표시장치(DD-1)와 동일한 적층 구조를 가진다. 실시예 1 및 비교예 1의 표시장치는 제2 무기층을 제외하고는 동일한 재료 및 구조로 형성하였다.The display devices of Example 1 and Comparative Example 1 have the same lamination structure as the display device DD-1 shown in FIG. 4A. The display devices of Example 1 and Comparative Example 1 were formed of the same material and structure except for the second inorganic layer.
실시예 1의 표시장치는 질화실리콘을 증착하여 0.2 μm의 제2 무기층을 형성하였다. 비교예 1의 표시장치는 질화실리콘을 증착하여 0.7 μm의 제2 무기층을 형성하였다.In the display device of Example 1, silicon nitride was deposited to form a 0.2 μm second inorganic layer. In the display device of Comparative Example 1, silicon nitride was deposited to form a 0.7 μm second inorganic layer.
실시예 1 및 비교예 1의 제2 무기층의 물성은 하기 표 1과 같다.The physical properties of the second inorganic layer of Example 1 and Comparative Example 1 are shown in Table 1 below.
실시예 1 및 비교예 1에 따른 제2 무기층을 푸리에 변환 적외선 분광법으로 측정한 결과 실시예 1의 제2 무기층은 Si-O 결합에 해당되는 피크(peak)가 검출되지 않았으며, 비교예 1의 제2 무기층은 Si-O 결합에 해당되는 피크(peak)가 검출되었다. 따라서, 실시예 1의 제2 무기층은 Si-O결합을 포함하지 않는 것을 알 수 있다. 실시예 1 및 비교예 1의 제2 무기층의 수소 함량은 동적 2차 이온 질량 분석기(D-SIMS. Dynamic Secondary Ion Mass Spectrometry)를 이용하여 측정하였다..As a result of measuring the second inorganic layer according to Example 1 and Comparative Example 1 by Fourier transform infrared spectroscopy, the second inorganic layer of Example 1 did not detect a peak corresponding to Si-O bonding, and Comparative Example In the second inorganic layer of 1, a peak corresponding to the Si-O bond was detected. Therefore, it can be seen that the second inorganic layer of Example 1 does not contain Si-O bonds. The hydrogen content of the second inorganic layer of Example 1 and Comparative Example 1 was measured using a dynamic secondary ion mass spectrometry (D-SIMS. Dynamic Secondary Ion Mass Spectrometry).
실시예 1 및 비교예 1의 제2 무기층의 질소와 실리콘의 몰 비율은 X선 광전자 분광법(XPR, X-ray Photoelectron Spectroscopy)을 이용하여 측정하였다. Si는 Si의 2p 오비탈의 몰수를 측정한 것이다. 실시예 1의 제2 무기층의 질소와 실리콘의 몰 비율은 49.86%와 48.50%로 나타난 바, 실시예 1의 제2 무기층의 질소 대 실리콘의 몰비율은 1 이상인 것으로 측정되었다. 동일한 방법으로 측정한 비교예 1의 제2 무기층의 질소와 실리콘의 몰 비율은 47.94%와 50.50%로 나타난 바, 비교예 1의 제2 무기층의 질소 대 실리콘의 몰비율은 1 이하인 것으로 측정되었다.The mole ratio of nitrogen and silicon in the second inorganic layer of Example 1 and Comparative Example 1 was measured using X-ray Photoelectron Spectroscopy (XPR). Si is a measurement of the number of moles of 2p orbitals of Si. The mole ratios of nitrogen and silicon in the second inorganic layer of Example 1 were 49.86% and 48.50%, and the mole ratio of nitrogen to silicon in the second inorganic layer of Example 1 was measured to be 1 or more. The molar ratio of nitrogen and silicon in the second inorganic layer of Comparative Example 1 measured by the same method was 47.94% and 50.50%, and the molar ratio of nitrogen to silicon in the second inorganic layer of Comparative Example 1 was 1 or less. Became.
실시예 1 및 비교예 1의 제2 무기층의 밀도는 X선 반사 측정(X-ray Reflectometry)를 이용하여 측정하였다.The density of the second inorganic layer of Example 1 and Comparative Example 1 was measured using X-ray Reflectometry.
실시예 1 및 비교예 1의 제2 무기층의 흡수계수는 460 nm 의 중심 파장을 갖는 청색광을 기준으로 측정하였다.The absorption coefficient of the second inorganic layer of Example 1 and Comparative Example 1 was measured based on blue light having a central wavelength of 460 nm.
실시예 1 및 비교예 1의 제2 무기층의 굴절률은 1.9였다.The refractive index of the second inorganic layer of Example 1 and Comparative Example 1 was 1.9.
실시예 1 및 비교예 1의 표시장치로 MVTR(Moisture vapor transmission rate) 값을 측정 하였다. MVTR 측정 결과는 하기 표 2에 나타내었다.Moisture vapor transmission rate (MVTR) values were measured with the display devices of Example 1 and Comparative Example 1. MVTR measurement results are shown in Table 2 below.
실시예 1에 따른 표시장치는 비교예 1에 비하여 얇은 두께를 가짐에도 불구하고 낮은 수분 투과율을 나타냈다. 실시예 1의 제2 무기층이 Si-O 결합을 불포함하고, 1 이상의 질소와 실리콘의 몰 비율을 가지며, 2.8 X 1022 atom/cm3 이하의 적은 수소 함량을 갖고, 비교예 1에 비해 높은 밀도를 가진다. 따라서, 실시예 1의 제2 무기층은 우수한 배리어 특성을 가져 낮은 수분 투과율을 나타내는 것으로 보인다. 한편, 일 실시예에 따른 표시장치의 광내구성을 측정하기 위하여 실시예들 및 비교예들에 따른 표시장치의 광 노출 정도에 따른 광투과율 변화량을 측정하였으며, 표 3에 측정 결과를 나타냈다.광투과율 변화량은 하기와 같은 방법으로 측정하였다.The display device according to Example 1 exhibited a low water transmittance despite having a thinner thickness compared to Comparative Example 1. The second inorganic layer of Example 1 does not contain Si-O bonds, has a molar ratio of nitrogen and silicon of 1 or more, 2.8 X 10 22 atom/cm 3 It has the following small hydrogen content, and has a higher density than Comparative Example 1. Accordingly, the second inorganic layer of Example 1 appears to have excellent barrier properties and thus exhibit low moisture transmittance. Meanwhile, in order to measure the light durability of the display device according to the exemplary embodiment, the amount of change in light transmittance according to the light exposure degree of the display device according to the Examples and Comparative Examples was measured, and the measurement results are shown in Table 3. Light transmittance The amount of change was measured by the following method.
광투과율 변화량 1은 405nm의 중심 파장을 갖는 심청색 광을 기준으로 총 2회 측정한 값이고, 광투과율 변화량 2는 430nm의 중심파장을 갖는 심청색 광을 기준으로 총 2회 측정한 값이다.
실시예 2 및 비교예 2는 각각 2 μm의 두께로 제2 무기층을 증착하였고, 실시예 3 및 비교예 3은 각각 4 μm의 두께로 제2 무기층을 증착하였으며, 실시예 4 및 비교예 4는 각각 7 μm의 두께로 제2 무기층을 증착하였다. 실시예 2 내지 실시예 4의 제2 무기층의 물성은 표 1에 도시된 실시예 1의 물성과 동일하며, 비교예 2 내지 비교예 4의 제2 무기층의 물성은 표 1에 도시된 비교예 1의 물성과 동일하다.In Example 2 and Comparative Example 2, a second inorganic layer was deposited to a thickness of 2 μm, respectively, Example 3 and Comparative Example 3 were deposited a second inorganic layer to a thickness of 4 μm, respectively, Example 4 and Comparative Example In 4, a second inorganic layer was deposited with a thickness of 7 μm, respectively. The physical properties of the second inorganic layer of Examples 2 to 4 are the same as those of Example 1 shown in Table 1, and the physical properties of the second inorganic layer of Comparative Examples 2 to 4 are the comparison shown in Table 1. It is the same as the physical properties of Example 1.
실시예들 및 비교예들에 따른 투과율 변화량은 광에 노출시키기 전의 광투과율을 측정하고, 총 40 사이클 동안 광에 노출시킨 이후의 광투과율을 측정하여, 광에 노출되기 전과 노출된 후의 광투과율의 변화 비율을 계산하였다. 한 사이클 동안, 표시장치를 1120 Watt(W)의 세기를 갖는 광에 8시간 동안 노출 시켰다.The amount of change in transmittance according to Examples and Comparative Examples measures the transmittance of light before exposure to light, and measures the transmittance of light after exposure to light for a total of 40 cycles, and the transmittance of light before and after exposure to light is measured. The rate of change was calculated. During one cycle, the display device was exposed to light having an intensity of 1120 Watt (W) for 8 hours.
투과율이 상승한 경우 투과율 변화량을 음의 값으로 표시하였으며, 투과율이 작아진 경우 투과율 변화량을 양의 값으로 표시 하였다.When the transmittance increased, the amount of change in transmittance was expressed as a negative value, and when the transmittance was decreased, the amount of change in transmittance was expressed as a positive value.
표 2 참조 시, 실시예 2 내지 4의 경우 표시장치가 광에 노출된 경우에도 투과율에 실질적인 변화가 없었다. 비교예 2 내지 4의 경우 표시장치가 광에 노출된 이후 투과율이 감소 하였으며, 특히 405nm의 중심 파장을 갖는 광의 투과율이 현저히 감소하였으며, 제2 무기층의 두께가 증가함에 따라 투과율이 더욱 감소하였다. 또한 비교예 4를 참조하면, 제2 무기층이 7 μm의 두께로 형성되었을 때 430nm의 중심 파장을 갖는 광에 대한 투과율이 유의미하게 감소하였다.실시예 2 내지 4는 표 1에 기재된 물성을 갖는 제2 무기층을 포함하여 높은 내구성을 갖기 때문에 광에 의한 손상을 적게 받아 투과율에 변화가 없었던 것으로 판단된다. 비교예 2 내지 4의 경우 낮은 내구성을 갖는 제2 무기층을 포함하므로, 제2 무기층이 광에 의한 손상을 받아 투과율이 감소한 것으로 판단된다. 또한, 제2 무기층의 두께가 두꺼워 질수록, 손상 받은 영역이 커지게 되므로 투과율의 감소율도 더 커진 것으로 판단된다.Referring to Table 2, in Examples 2 to 4, there was no substantial change in transmittance even when the display device was exposed to light. In Comparative Examples 2 to 4, after the display device was exposed to light, the transmittance decreased, in particular, the transmittance of light having a center wavelength of 405 nm was significantly reduced, and the transmittance further decreased as the thickness of the second inorganic layer increased. In addition, referring to Comparative Example 4, when the second inorganic layer was formed to a thickness of 7 μm, the transmittance of light having a central wavelength of 430 nm was significantly reduced. Examples 2 to 4 had the physical properties described in Table 1 Since it has high durability including the second inorganic layer, it is judged that there is no change in transmittance due to less damage from light. In the case of Comparative Examples 2 to 4, since the second inorganic layer having low durability was included, it is determined that the transmittance was decreased due to damage to the second inorganic layer by light. In addition, as the thickness of the second inorganic layer becomes thicker, the damaged area becomes larger, so that the decrease in transmittance is also determined to be larger.
이하 도 5a, 5b, 실시예 및 비교예를 참조하여 복수 개의 서브 무기층들을 포함하는 제2 무기층(IOL2) 및 이를 포함하는 표시장치(DD)의 효과에 대하여 구체적으로 설명한다. Hereinafter, effects of the second inorganic layer IOL2 including a plurality of sub-inorganic layers and the display device DD including the same will be described in detail with reference to FIGS. 5A and 5B, Examples and Comparative Examples.
도 5a는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치(DD-2)의 단면도이고, 도 5b는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치(DD-2) 및 비교예 표시장치(Com-DD2)의 상대적 효율을 도시한 그래프이다. 이하, 도 1 내지 도 4c를 참조하여 설명한 표시장치와 동일한 구성에 대한 상세한 설명은 생략한다.5A is a cross-sectional view of a display device DD-2 according to an embodiment of the present invention, and FIG. 5B is a display device DD-2 and a comparative example display device Com-DD2 according to an embodiment of the present invention. It is a graph showing the relative efficiency of Hereinafter, a detailed description of the same configuration as the display device described with reference to FIGS. 1 to 4C will be omitted.
도 5a를 참조하면, 표시장치(DD-2)는 봉지 부재(EN-1)를 포함하고, 봉지 부재(EN-1)는 복수의 서브층들을 포함하는 제2 무기층(IOL2)을 포함할 수 있다. 제2 무기층(IOL2)은 굴절률 및 두께가 상이한 제1 서브 무기층(Sub-IOL1) 및 제2 서브 무기층(Sub-IOL2)을 포함할 수 있다. Referring to FIG. 5A, the display device DD-2 includes an encapsulation member EN-1, and the encapsulation member EN-1 includes a second inorganic layer IOL2 including a plurality of sublayers. I can. The second inorganic layer IOL2 may include a first sub-inorganic layer Sub-IOL1 and a second sub-inorganic layer Sub-IOL2 having different refractive indexes and thicknesses.
제2 무기층(IOL2)이 두 개의 서브 무기층들(Sub-IOL1, Sub-IOL2)을 포함하는 경우, 제2 무기층(IOL2)의 두께는 0.5 μm 이상 1.5 μm 이하일 수 있다. 예를 들어, 제2 무기층(IOL2)의 두께는 0.5 μm 이상 1.0 μm 이하일 수 있다.When the second inorganic layer IOL2 includes two sub-inorganic layers Sub-IOL1 and Sub-IOL2, the thickness of the second inorganic layer IOL2 may be 0.5 μm or more and 1.5 μm or less. For example, the thickness of the second inorganic layer IOL2 may be 0.5 μm or more and 1.0 μm or less.
제1 서브 무기층(Sub-IOL1)은 유기층(OL) 상에 직접 배치될 수 있다. 제1 서브 무기층(Sub-IOL1)의 굴절률은 제1 무기층(IOL1)의 굴절률과 동일하거나, 유사할 수 있고, 예를 들어, 1.58 이상 1.64 이하일 수 있다. 제1 서브 무기층(Sub-IOL1)은 유기층(OL) 상에 직접 배치되므로 표시장치(DD-1)의 효율 저하를 방지하고, 배리어막의 기능을 효과적으로 수행하기 위하여 제1 무기층(IOL1)과 유사하게 굴절률이 제어될 수 있다. The first sub-inorganic layer Sub-IOL1 may be directly disposed on the organic layer OL. The refractive index of the first sub-inorganic layer Sub-IOL1 may be the same as or similar to the refractive index of the first inorganic layer IOL1, and may be, for example, 1.58 or more and 1.64 or less. Since the first sub-inorganic layer Sub-IOL1 is directly disposed on the organic layer OL, the first inorganic layer IOL1 and the first inorganic layer IOL1 and Similarly, the refractive index can be controlled.
제1 서브 무기층(Sub-IOL1)의 두께는 제1 무기층(IOL1)의 두께보다 작을 수 있고, 제2 서브 무기층(Sub-IOL2)의 두께보다 클 수 있다. 일 실시예에서, 제1 서브 무기층(Sub-IOL1)의 두께는 0.5 μm 이상 0.6 μm 이하일 수 있다. The thickness of the first sub-inorganic layer Sub-IOL1 may be smaller than that of the first inorganic layer IOL1 and may be greater than the thickness of the second sub-inorganic layer Sub-IOL2. In an embodiment, the thickness of the first sub-inorganic layer Sub-IOL1 may be 0.5 μm or more and 0.6 μm or less.
일 실시예에서, 제1 서브 무기층(Sub-IOL1)은 상대적으로 흡수계수가 낮은 무기물을 포함할 수 있고, 예를 들어, 질산화 실리콘(silicon oxynitride; SiON) 또는 산화 실리콘(silicon nitride; SiO)을 포함할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 제1 서브 무기층(Sub-IOL1)은 두께 및 굴절률의 범위를 조절하고, 상대적으로 흡수계수가 낮은 무기물을 포함함으로써, 배리어막의 기능을 효과적으로 수행하면서도 제1 서브 무기층(Sub-IOL1)에 의해 흡수되는 광량을 최소로 하여 표시장치(DD-1)의 효율이 감소하는 것을 방지할 수 있다.In one embodiment, the first sub-inorganic layer (Sub-IOL1) may include an inorganic material having a relatively low absorption coefficient, for example, silicon oxynitride (SiON) or silicon nitride (SiO). It may include, but is not limited thereto. The first sub-inorganic layer (Sub-IOL1) adjusts the range of the thickness and refractive index, and contains an inorganic material having a relatively low absorption coefficient, thereby effectively performing the function of the barrier layer, and by the first sub-inorganic layer (Sub-IOL1). By minimizing the amount of light absorbed, the efficiency of the display device DD-1 may be prevented from decreasing.
제2 서브 무기층(Sub-IOL2)은 제1 서브 무기층(Sub-IOL1) 상에 배치될 수 있다. 제2 서브 무기층(Sub-IOL2)은 봉지 부재(EN-1)의 최상부에 배치될 수 있다. 봉지 부재(EN-1)의 최상부에 배치되는 제2 서브 무기층(Sub-IOL2)은 발광 소자(ED)에 산소, 수분 및 이물질 등이 유입되는 것을 방지하는 기능이 가장 중요하다. 따라서, 제2 서브 무기층(Sub-IOL2)의 굴절률은 제1 무기층(IOL1) 및 제1 서브 무기층(Sub-IOL1)의 굴절률보다 클 수 있다. 일 실시예에서, 제2 서브 무기층(Sub-IOL2)의 굴절률은 1.80 이상 2.00 이하일 수 있다. The second sub-inorganic layer Sub-IOL2 may be disposed on the first sub-inorganic layer Sub-IOL1. The second sub inorganic layer Sub-IOL2 may be disposed on the uppermost portion of the encapsulation member EN-1. The second sub-inorganic layer Sub-IOL2 disposed on the uppermost portion of the encapsulation member EN-1 has the most important function of preventing oxygen, moisture, and foreign substances from flowing into the light emitting device ED. Accordingly, the refractive index of the second sub-inorganic layer Sub-IOL2 may be greater than that of the first inorganic layer IOL1 and the first sub-inorganic layer Sub-IOL1. In an embodiment, the refractive index of the second sub-inorganic layer Sub-IOL2 may be 1.80 or more and 2.00 or less.
제2 서브 무기층(Sub-IOL2)의 두께(t2)는 제1 서브 무기층(Sub-IOL1)의 두께(t1)보다 작을 수 있다. 일 실시예에서, 제2 서브 무기층(Sub-IOL2)의 두께(t2)는 0.1 μm 이상 0.2 μm 이하일 수 있다. 굴절률이 큰 제2 서브 무기층(Sub-IOL2)은 제1 서브 무기층(Sub-IOL1)에 비해 흡수계수가 크므로 제2 서브 무기층(Sub-IOL2)의 두께(t2)가 0.2 μm 초과하는 경우, 제2 서브 무기층(Sub-IOL2)에 의해 흡수되는 광량이 커져 표시장치의 효율이 저하될 수 있다. The thickness t2 of the second sub-inorganic layer Sub-IOL2 may be smaller than the thickness t1 of the first sub-inorganic layer Sub-IOL1. In an embodiment, the thickness t2 of the second sub-inorganic layer Sub-IOL2 may be 0.1 μm or more and 0.2 μm or less. The second sub-inorganic layer (Sub-IOL2) having a large refractive index has a higher absorption coefficient than the first sub-inorganic layer (Sub-IOL1), so the thickness (t2) of the second sub-inorganic layer (Sub-IOL2) exceeds 0.2 μm. In this case, the amount of light absorbed by the second sub-inorganic layer Sub-IOL2 increases, so that the efficiency of the display device may decrease.
일 실시예에서, 제1 서브 무기층(Sub-IOL1)의 두께(t1)와 제2 서브 무기층(Sub-IOL2)의 두께(t2) 비(t1:t2)는 3:1 내지 5:1 일 수 있다.In one embodiment, the ratio (t1:t2) of the thickness t1 of the first sub-inorganic layer Sub-IOL1 and the thickness t2 of the second sub-inorganic layer Sub-IOL2 is 3:1 to 5:1 Can be
도 5b를 참조하면, 제2 무기층(IOL2)에 따른 표시장치의 광 효율 차이를 확인할 수 있다. 표시장치의 효율은 전류-전압-휘도(current-voltage-luminance: IVL)특성을 측정하여 평가하였다. 비교예 표시장치(Com-DD2)는 도 4b의 비교예 표시장치(Com-DD1)와 구성이 동일하다. 일 실시예의 표시장치(DD-2)는 도 5a에 표시장치와 동일하고, 청색 발광층을 포함하며, 굴절률이 1.60인 제1 무기층(IOL1), 유기층(OL) 및 굴절률이 1.60인 제1 서브 무기층(Sub-IOL1) 및 굴절률이 1.90인 제2 서브 무기층(Sub-IOL2)을 포함하는 봉지 부재를 포함한다. 비교예 표시장치(Com-DD2)의 효율을 100%로 할 때, 일 실시예에 따른 표시장치(DD-2)는 비교예 대비 효율이 9.1% 상승된 약 109.1%의 효율을 나타냈다. 이는 도 4b 및 도 4c의 일 실시예에 따른 표시장치(DD-1, DD-1') 보다 향상된 효율이며, 굴절률이 1.90인 제2 서브 무기층(Sub-IOL2)의 두께를 줄여 제2 서브 무기층(Sub-IOL2)에서 흡수되는 광량이 감소되어 효율이 더욱 향상된 것으로 판단된다. 따라서, 본 발명에 따른 표시장치(DD)는 굴절률 및 두께가 제어된 제1 서브 무기층(Sub-IOL1) 및 제2 서브 무기층(Sub-IOL2)을 포함함으로써 효율이 향상될 수 있다.Referring to FIG. 5B, a difference in light efficiency of the display device according to the second inorganic layer IOL2 can be confirmed. The efficiency of the display device was evaluated by measuring current-voltage-luminance (IVL) characteristics. The comparative example display device Com-DD2 has the same configuration as the comparative example display device Com-DD1 of FIG. 4B. The display device DD-2 according to an exemplary embodiment is the same as the display device of FIG. 5A, includes a blue emission layer, a first inorganic layer IOL1 having a refractive index of 1.60, an organic layer OL, and a first sub having a refractive index of 1.60. And a sealing member including an inorganic layer Sub-IOL1 and a second sub inorganic layer Sub-IOL2 having a refractive index of 1.90. When the efficiency of the comparative example display device Com-DD2 is set to 100%, the display device DD-2 according to an exemplary embodiment exhibited an efficiency of about 109.1%, an efficiency increase of 9.1% compared to the comparative example. This is more efficient than the display devices DD-1 and DD-1 ′ according to the exemplary embodiment of FIGS. 4B and 4C, and reduces the thickness of the second sub-inorganic layer Sub-IOL2 having a refractive index of 1.90 to reduce the second sub. It is determined that the efficiency is further improved as the amount of light absorbed by the inorganic layer (Sub-IOL2) is reduced. Accordingly, the display device DD according to the present invention may improve efficiency by including the first sub-inorganic layer Sub-IOL1 and the second sub-inorganic layer Sub-IOL2 in which the refractive index and thickness are controlled.
일 실시예에서, 제2 서브 무기층(Sub-IOL2)은 흡수계수가 상대적으로 큰 무기물을 포함할 수 있고, 예를 들어, 질화 실리콘, 산화 알루미늄, 및 산화 티타늄 중 어느 하나를 포함할 수 있다. In one embodiment, the second sub-inorganic layer Sub-IOL2 may include an inorganic material having a relatively large absorption coefficient, and may include, for example, any one of silicon nitride, aluminum oxide, and titanium oxide. .
도 6a 내지 도 6c는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치의 단면도이다. 이하, 도 1 내지 도 5b를 참조하여 설명한 표시장치와 동일한 구성에 대한 상세한 설명은 생략한다.6A to 6C are cross-sectional views of a display device according to an exemplary embodiment of the present invention. Hereinafter, a detailed description of the same configuration as the display device described with reference to FIGS. 1 to 5B will be omitted.
도 6a를 참조하면, 표시장치(DD-3)는 발광 소자(ED)와 봉지 부재(EN-1) 사이에 배치된 커버층(COL)을 포함할 수 있다. 커버층(COL)은 발광 소자(ED) 상에 직접 배치되고, 봉지 부재(EN-1)는 커버층(COL) 상에 직접 배치될 수 있다.Referring to FIG. 6A, the display device DD-3 may include a cover layer COL disposed between the light emitting element ED and the encapsulation member EN-1. The cover layer COL may be directly disposed on the light emitting device ED, and the encapsulation member EN-1 may be disposed directly on the cover layer COL.
도 6b를 참조하면, 표시장치(DD-4)는 발광 소자(ED)와 봉지 부재(EN-1) 사이에 배치된 캡핑층(CAL)을 포함할 수 있다. 캡핑층(CAL)은 발광 소자(ED) 상에 직접 배치되고, 봉지 부재(EN-1)는 캡핑층(CAL) 상에 직접 배치될 수 있다.Referring to FIG. 6B, the display device DD-4 may include a capping layer CAL disposed between the light emitting element ED and the encapsulation member EN-1. The capping layer CAL may be directly disposed on the light emitting device ED, and the encapsulation member EN-1 may be disposed directly on the capping layer CAL.
도 6c를 참조하면, 표시장치(DD-5)는 발광 소자(ED) 상에 직접 배치된 봉지 부재(EN-1)를 포함할 수 있다. 이 경우, 표시장치(DD-5)는 커버층 및 캡핑층은 포함하지 않을 수 있다.Referring to FIG. 6C, the display device DD-5 may include an encapsulation member EN-1 directly disposed on the light emitting element ED. In this case, the display device DD-5 may not include a cover layer and a capping layer.
도 7a 및 도 7b는 본 발명의 일 실시예에 따른 컬러제어층(CCL)을 포함하는 표시장치의 단면도이다. 도 7b는 도 7a에 대응되는 일 실시예에 따른 3개의 화소 영역들(Pxa-R, Pxa-G, Pxa-B)를 도시하였다. 이하, 도 1 내지 도 6c을 참조하여 설명한 표시장치와 동일한 구성에 대한 상세한 설명은 생략한다. 7A and 7B are cross-sectional views of a display device including a color control layer CCL according to an exemplary embodiment of the present invention. 7B illustrates three pixel areas Pxa-R, Pxa-G, and Pxa-B according to an exemplary embodiment corresponding to FIG. 7A. Hereinafter, a detailed description of the same configuration as the display device described with reference to FIGS. 1 to 6C will be omitted.
도 7a를 참조하면, 표시장치(DD-6)는 봉지 부재(EN) 상에 배치된 색변환층(CCL)을 포함할 수 있다. 도시하지 않았으나, 발광 소자(ED)와 봉지 부재(EN) 사이에 캡핑층(CAL) 및/또는 커버층(COL)을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 7A, the display device DD-6 may include a color conversion layer CCL disposed on the encapsulation member EN. Although not shown, a capping layer CAL and/or a cover layer COL may be included between the light emitting device ED and the encapsulation member EN.
도 7b를 참조하면, 발광층(EML)은 제1 내지 제3 화소 영역들(PX-R, PX-G, PX-B)에 공통으로 중첩되어 배치되며, 일체의 형상을 가질 수 있다. 발광층(EML)은 동일한 청색광을 제공할 수 있다.Referring to FIG. 7B, the emission layer EML is disposed to overlap first to third pixel regions PX-R, PX-G, and PX-B in common, and may have an integral shape. The emission layer EML may provide the same blue light.
도 7b에서 발광소자(ED)는 하나의 중간층(CL)을 포함하는 것으로 도시하였으나, 이에 제한되지 않으며, 텐덤(tandem)이라 지칭되는 다층 구조의 중간층(CL)을 포함할 수도 있다. 예를 들어, 제1 중간층, 제2 중간층 및 제3 중간층을 포함할 수 있으며, 이 경우, 발광층은 청색 발광층/청색 발광층/청색 발광층 등의 구조를 가질 수 있다.In FIG. 7B, the light emitting device ED is illustrated as including one intermediate layer CL, but is not limited thereto, and may include a multilayered intermediate layer CL referred to as a tandem. For example, it may include a first intermediate layer, a second intermediate layer, and a third intermediate layer, and in this case, the emission layer may have a structure such as a blue emission layer/blue emission layer/blue emission layer.
색변환층(CCL)은 제1 화소 영역(PX-B), 제2 화소 영역(PX-G), 및 제3 화소 영역(PX-R)에 대응하는 투과필터(TF) 및 색변환부재(CCF)를 포함할 수 있다. 본 실시예에서 3개의 화소 영역들에 대응하게 1개의 투과필터(TF) 및 2개의 색변환부재(CCF1, CCF2)를 포함하는 색변환층(CCL)을 예시적으로 도시하였다.The color conversion layer CCL includes a transmission filter TF and a color conversion member corresponding to the first pixel area PX-B, the second pixel area PX-G, and the third pixel area PX-R. CCF) may be included. In this embodiment, a color conversion layer CCL including one transmission filter TF and two color conversion members CCF1 and CCF2 corresponding to three pixel regions is illustrated as an example.
투과필터(TF)는 제1 화소 영역(PX-B)에 대응하여 배치될 수 있다. 투과필터(TF)는 발광체를 포함하지 않으며, 발광층(EML)에서 제공된 광을 투과시킬 수 있다. 투과필터(TF)는 투명 고분자 수지를 포함할 수 있고, 또한, 색 순도의 향상을 위하여, 청색 안료 및 염료 중 어느 하나 이상을 더 포함할 수 있다.The transmission filter TF may be disposed to correspond to the first pixel area PX-B. The transmission filter TF does not include a light emitter, and may transmit light provided from the emission layer EML. The transmission filter TF may include a transparent polymer resin, and may further include any one or more of a blue pigment and a dye in order to improve color purity.
제1 색변환부재(CCF1) 및 제2 색변환부재(CCF2)는 제2 화소 영역(PX-G) 및 제3 화소 영역(Pxa-R)에 대응하여 배치되고, 발광층(EML)에서 제공된 광을 흡수하여 다른 색 광으로 방출할 수 있다. 제1 색변환부재(CCF1) 및 제2 색변환부재(CCF2)는 발광체를 포함할 수 있고, 발광체는 양자점을 포함할 수 있다. The first color conversion member CCF1 and the second color conversion member CCF2 are disposed to correspond to the second pixel area PX-G and the third pixel area Pxa-R, and light provided from the emission layer EML. Can be absorbed and emitted as light of different colors. The first color conversion member CCF1 and the second color conversion member CCF2 may include a light emitter, and the light emitter may include quantum dots.
서로 이격되어 배치된 투과필터(TF)와 제1 색변환부재(CCF1), 제1 색변환부재(CCF1)와 제2 색변환부재(CCF2) 사이에는 차광부(BM)가 배치될 수 있다. 차광부(BM)는 블랙 안료 또는 염료를 포함하는 유기 차광 물질 또는 무기 차광 물질을 포함하여 형성될 수 있다. 차광부(BM)는 주변영역(NPX)에 중첩할 수 있다. 차광부(BM)는 빛샘 현상을 방지하고, 인접하는 투과필터(TF) 및 색변환부재들(CCF1, CCF2) 사이의 경계를 구분하는 것일 수 있다. 다만, 차광부(BM)는 생략될 수 있고, 색변환부재(CCF)가 직접 배치될 수 있다.A light blocking portion BM may be disposed between the transmission filter TF and the first color conversion member CCF1 and the first color conversion member CCF1 and the second color conversion member CCF2 disposed to be spaced apart from each other. The light blocking part BM may be formed by including an organic light blocking material or an inorganic light blocking material including a black pigment or dye. The light blocking portion BM may overlap the peripheral area NPX. The light blocking part BM may prevent light leakage and may divide a boundary between the adjacent transmission filter TF and the color conversion members CCF1 and CCF2. However, the light blocking portion BM may be omitted, and the color conversion member CCF may be directly disposed.
이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자 또는 해당 기술 분야에 통상의 지식을 갖는 자라면, 후술될 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 기술 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.Although the above has been described with reference to the preferred embodiments of the present invention, those skilled in the art or those of ordinary skill in the art will not depart from the spirit and scope of the present invention described in the claims to be described later. It will be understood that various modifications and changes can be made to the present invention within the scope of the invention.
따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허청구범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.Therefore, the technical scope of the present invention should not be limited to the contents described in the detailed description of the specification, but should be determined by the claims.
DD : 표시장치 BS : 베이스 부재
DL : 표시층 ED : 발광 소자
EN : 봉지 부재 IOL : 무기층
OL: 유기층DD: display device BS: base member
DL: display layer ED: light-emitting element
EN: Encapsulation member IOL: Inorganic layer
OL: organic layer
Claims (28)
상기 발광 소자 상에 배치되고, 상기 발광 소자를 밀봉하는 봉지 부재를 포함하고,
상기 봉지 부재는
상기 발광 소자 상에 배치되고, 굴절률이 1.58 이상 1.64 이하인 제1 무기층;
상기 제1 무기층 상에 배치되는 유기층; 및
상기 유기층 상에 배치되고, 굴절률이 1.58 이상 2.00 이하인 제2 무기층을 포함하는 표시장치. Light-emitting elements; And
And a sealing member disposed on the light-emitting element and sealing the light-emitting element,
The sealing member
A first inorganic layer disposed on the light-emitting device and having a refractive index of 1.58 or more and 1.64 or less;
An organic layer disposed on the first inorganic layer; And
A display device including a second inorganic layer disposed on the organic layer and having a refractive index of 1.58 to 2.00.
상기 제1 무기층의 두께는 0.5 μm 이상 1.5 μm 이하인 표시장치.The method of claim 1,
The thickness of the first inorganic layer is 0.5 μm or more and 1.5 μm or less.
상기 제1 무기층은 질산화 실리콘, 질화 실리콘 및 산화 실리콘 중 적어도 하나를 포함하는 표시장치.The method of claim 1,
The first inorganic layer includes at least one of silicon oxynitride, silicon nitride, and silicon oxide.
상기 제2 무기층의 두께는 0.5 μm 이상 1.5 μm 이하인 표시장치. The method of claim 1,
The thickness of the second inorganic layer is 0.5 μm or more and 1.5 μm or less.
상기 제2 무기층은 굴절률이 서로 다른 2 이상의 서브 무기층들을 포함하는 표시장치.The method of claim 1,
The second inorganic layer includes two or more sub-inorganic layers having different refractive indices.
상기 제2 무기층은 굴절률이 1.58 이상 1.64 이하인 제1 서브 무기층 및 굴절률이 1.80 이상 2.00 이하인 제2 서브 무기층을 포함하는 표시장치.The method of claim 1,
The second inorganic layer includes a first sub-inorganic layer having a refractive index of 1.58 to 1.64 and a second sub-inorganic layer having a refractive index of 1.80 to 2.00.
상기 제1 서브 무기층의 두께와 제2 서브 무기층의 두께비는 3:1 내지 5:1 인 표시장치.The method of claim 6,
A display device having a thickness ratio of the first sub-inorganic layer and the second sub-inorganic layer is 3:1 to 5:1.
상기 제1 서브 무기층의 두께는 0.5 μm 이상 0.6 μm 이하인 표시장치.The method of claim 7,
The display device having a thickness of the first sub-inorganic layer is 0.5 μm or more and 0.6 μm or less.
상기 제2 서브 무기층의 두께는 0.1 μm 이상 0.2 μm 이하인 표시장치.The method of claim 7,
The thickness of the second sub-inorganic layer is 0.1 μm or more and 0.2 μm or less.
상기 제1 서브 무기층은 질산화 실리콘 또는 산화 실리콘을 포함하는 표시장치.The method of claim 6,
The first sub-inorganic layer includes silicon oxynitride or silicon oxide.
상기 제2 서브 무기층은 질화 실리콘, 산화 알루미늄, 및 산화 티타늄 중 어느 하나를 포함하는 표시장치.The method of claim 6,
The second sub-inorganic layer includes any one of silicon nitride, aluminum oxide, and titanium oxide.
상기 제2 서브 무기층은 상기 봉지 부재의 최상부에 배치되는 표시장치.The method of claim 6,
The second sub-inorganic layer is disposed on the uppermost portion of the encapsulation member.
상기 제2 무기층은 Si-O 결합을 비포함하는 질화 실리콘을 포함하고, 0.15 μm 이상 0.25 μm 이하의 두께를 갖는 표시장치.The method of claim 1,
The second inorganic layer includes silicon nitride containing no Si—O bond, and has a thickness of 0.15 μm or more and 0.25 μm or less.
상기 제2 무기층의 수소 함량은 2.8 X 1022 atom/cm3 이하인 표시장치.The method of claim 13,
The second inorganic layer has a hydrogen content of 2.8 X 10 22 atom/cm 3 or less.
상기 제2 무기층 전체에 있어서 질소 대 실리콘의 몰비율은 1 이상 1.3 이하인 표시장치.The method of claim 13,
A display device in which the molar ratio of nitrogen to silicon in the entire second inorganic layer is 1 or more and 1.3 or less.
상기 제2 무기층의 밀도는 2.3g/cm3 이상 2.6 g/cm3 이하인 표시장치.The method of claim 13,
The second inorganic layer has a density of 2.3 g/cm 3 or more and 2.6 g/cm 3 or less.
상기 발광 소자는 제1 전극;
상기 제1 전극 상에 배치된 제2 전극; 및
상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 사이에 배치되고, 유기 발광 물질 및 양자점 발광 물질 중 적어도 하나를 포함하는 발광층을 포함하는 중간층;을 포함하는 표시장치.The method of claim 1,
The light emitting device may include a first electrode;
A second electrode disposed on the first electrode; And
And an intermediate layer disposed between the first electrode and the second electrode and including an emission layer including at least one of an organic light emitting material and a quantum dot light emitting material.
상기 발광 소자 및 상기 봉지 부재 사이에 배치되는 캡핑층을 더 포함하는 표시장치.The method of claim 1,
A display device further comprising a capping layer disposed between the light emitting element and the encapsulation member.
상기 캡핑층과 상기 봉지 부재 사이에 배치되고, 굴절률이 1.3 이상 1.4이하인 커버층을 더 포함하는 표시장치.The method of claim 18,
The display device further comprises a cover layer disposed between the capping layer and the encapsulation member and having a refractive index of 1.3 or more and 1.4 or less.
상기 상기 봉지 부재 상에 배치되고, 양자점을 포함하는 색변환층을 더 포함하는 표시장치.The method of claim 1,
A display device disposed on the encapsulation member and further comprising a color conversion layer including quantum dots.
상기 발광 소자 상에 배치되고, 제1 두께를 갖는 제1 무기층;
상기 제1 무기층 상에 배치되는 유기층; 및
상기 유기층 상에 배치되는 제2 무기층;을 포함하고,
상기 제2 무기층은 상기 제1 두께보다 작은 제2 두께를 갖는 제1 서브 무기층 및 상기 제1 서브 무기층 상에 배치되고 상기 제2 두께보다 작은 제3 두께를 갖는 제2 서브 무기층을 포함하는 표시장치.Light-emitting elements;
A first inorganic layer disposed on the light-emitting device and having a first thickness;
An organic layer disposed on the first inorganic layer; And
Including; a second inorganic layer disposed on the organic layer,
The second inorganic layer includes a first sub-inorganic layer having a second thickness less than the first thickness and a second sub-inorganic layer disposed on the first sub-inorganic layer and having a third thickness less than the second thickness. Display device comprising.
상기 제2 두께와 제3 두께의 비는 3:1 내지 5:1 인 표시장치. The method of claim 21,
A display device having a ratio of the second thickness and the third thickness of 3:1 to 5:1.
상기 제1 무기층은 제1 굴절률을 갖고,
상기 제1 서브 무기층은 제2 굴절률을 갖고,
상기 제2 서브 무기층은 상기 제1 굴절률 및 상기 제2 굴절률보다 큰 제3 굴절률을 갖는 표시장치.The method of claim 21,
The first inorganic layer has a first refractive index,
The first sub-inorganic layer has a second refractive index,
The second sub-inorganic layer has a third refractive index greater than the first refractive index and the second refractive index.
상기 제1 굴절률은 1.58 이상 1.64 이하인 표시장치.The method of claim 23,
The first refractive index is 1.58 or more and 1.64 or less.
상기 제2 굴절률은 1.58 이상 1.64 이하이고, 상기 제3 굴절률은 1.80 이상 2.00 이하인 표시장치.The method of claim 23,
The second refractive index is 1.58 or more and 1.64 or less, and the third refractive index is 1.80 or more and 2.00 or less.
상기 발광 소자 상에 배치되고, 상기 발광 소자를 밀봉하는 봉지 부재를 포함하고,
상기 봉지 부재는
제1 무기층;
상기 제1 무기층 상에 배치되는 유기층; 및
상기 유기층 상에 배치되는 제2 무기층을 포함하고,
상기 제2 무기층은
Si-O 결합을 비포함하는 질화 실리콘을 포함하고,
0.15 μm 이상 0.25 μm 이하의 두께를 가지고,
상기 제2 무기층 전체를 기준으로 1 이상 1.3 이하의 질소 대 실리콘의 몰비율을 가지며,
2.8 X 1022 atom/cm3 이하의 수소 함량을 갖는 표시장치.Light-emitting elements; And
And a sealing member disposed on the light-emitting element and sealing the light-emitting element,
The sealing member
A first inorganic layer;
An organic layer disposed on the first inorganic layer; And
Including a second inorganic layer disposed on the organic layer,
The second inorganic layer
Including silicon nitride containing no Si-O bonds,
It has a thickness of 0.15 μm or more and 0.25 μm or less,
The second inorganic layer has a molar ratio of nitrogen to silicon of 1 or more and 1.3 or less,
A display device with a hydrogen content of 2.8 X 10 22 atom/cm 3 or less.
상기 제2 무기층의 밀도는 2.3g/cm3 이상 2.6 g/cm3 이하인 표시장치.The method of claim 26,
The second inorganic layer has a density of 2.3 g/cm 3 or more and 2.6 g/cm 3 or less.
상기 제1 무기층의 굴절률은 1.58 이상 1.64 이하이고, 상기 제2 무기층의 굴절률은 1.58 이상 2.00 이하인 표시장치.The method of claim 26,
The first inorganic layer has a refractive index of 1.58 or more and 1.64 or less, and the second inorganic layer has a refractive index of 1.58 or more and 2.00 or less.
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