KR20200093577A - Polishing composition - Google Patents
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Abstract
연마 조성물은, 구리 또는 구리합금과 수지를 연마하는 연마 조성물로서, 알루미나 연마입자와, 글리신과, 음이온 계면활성제와, 물을 포함한다.The polishing composition is a polishing composition for polishing copper or copper alloy and resin, and includes alumina abrasive particles, glycine, anionic surfactant, and water.
Description
본원은, 일본특허출원 제2017-250013호의 우선권을 주장하고, 인용에 의해 본원 명세서의 기재에 포함된다.This application claims the priority of Japanese Patent Application No. 2017-250013, and is incorporated into the description of the present application by reference.
본 발명은, 연마 조성물에 관한 것이다.The present invention relates to a polishing composition.
최근, 프린트 기판, 모듈 기판, 패키지 기판 등의 소형화 및 고집적화에 수반하여, 배선의 미세화 및 고밀도화가 진행되고 있다. 이 배선은, 층층이 겹쳐져 요철이 형성되므로, 연마에 의해 이 요철을 제거하고, 평탄하게 할 필요가 있다.In recent years, with the miniaturization and high integration of printed boards, module boards, package boards, and the like, miniaturization and high density of wiring has been progressing. Since the wiring layer has overlapping layers to form unevenness, it is necessary to remove the unevenness by polishing and make it flat.
종래, 프린트 기판 등에서는, 수지로 이루어지는 절연 기판 상에 구리 또는 구리합금으로 이루어지는 배선을 적층시킴으로써 도전층을 형성한다. 구리 또는 구리합금을 연마하는 연마 조성물로서는, 예를 들면, 콜로이달 실리카 등의 연마입자(砥粒)와, 구리 착화제와, 알킬벤젠술폰산 트리에탄올아민과, 물을 포함하는 연마 조성물이 알려져 있다(특허문헌 1).Conventionally, in a printed circuit board or the like, a conductive layer is formed by stacking wiring made of copper or a copper alloy on an insulating substrate made of resin. As a polishing composition for polishing copper or a copper alloy, for example, a polishing composition comprising abrasive particles such as colloidal silica, a copper complexing agent, triethanolamine alkylbenzenesulfonic acid, and water is known ( Patent Document 1).
최근에는, 구리 또는 구리합금을 연마할 때, 절연 기판을 구성하는 수지도 동시에 연마하고자 한다는 요망이 있다. 특히, 구리 또는 구리합금에 대하여, 고선택비로 수지를 연마하는 것이 기대되고 있다. 그러나, 구리 또는 구리합금과 수지를 동시에 연마하는 연마 조성물에 대하여, 지금까지 아무런 검토가 이루어져 있지 않았다.Recently, when polishing copper or copper alloy, there is a desire to simultaneously polish the resin constituting the insulating substrate. In particular, for copper or copper alloy, it is expected to polish the resin at a high selectivity. However, no examination has been made so far on a polishing composition for simultaneously polishing copper or copper alloy and resin.
본 발명은, 이와 같은 현상황을 감안하여 이루어진 것이며, 수지의 연마 속도에 대한 구리 또는 구리합금의 연마 속도를 억제하고, 또한, 구리 또는 구리합금의 연마 후의 표면거칠기를 저감할 수 있는 연마 조성물을 제공하는 것을 과제로 한다.This invention is made|formed in view of such a situation, and provides the polishing composition which can suppress the polishing rate of copper or copper alloy with respect to the polishing rate of resin, and also reduce the surface roughness after polishing of copper or copper alloy. The task is to do it.
본 발명자들은, 알루미나 연마입자, 글리신, 음이온 계면활성제 및 물을 포함하는 연마 조성물을 사용하여 구리 또는 구리합금과 수지를 동시에 연마함으로써, 수지의 연마 속도에 대한 구리 또는 구리합금의 연마 속도를 억제하고, 또한, 구리 또는 구리합금의 연마 후의 표면거칠기를 저감할 수 있는 것을 찾아냈다. 본 발명의 요지는, 하기와 같다.The present inventors use a polishing composition containing alumina abrasive particles, glycine, anionic surfactant and water to simultaneously polish the copper or copper alloy and resin, thereby suppressing the polishing rate of copper or copper alloy against the polishing rate of the resin and Moreover, it was found that the surface roughness after polishing of copper or copper alloy can be reduced. The gist of the present invention is as follows.
본 발명에 관한 연마 조성물은, 구리 또는 구리합금과 수지를 연마하는 연마 조성물로서, 알루미나 연마입자와, 글리신과, 음이온 계면활성제와, 물을 포함한다.The polishing composition according to the present invention is a polishing composition for polishing copper or copper alloys and resins, and includes alumina abrasive particles, glycine, anionic surfactant, and water.
본 발명에 관한 연마 조성물은, 상기 글리신의 함유량이 0.3 질량% 이상인 것이 바람직하다.It is preferable that the content of the said glycine is 0.3 mass% or more in the polishing composition which concerns on this invention.
본 발명에 관한 연마 조성물은, 상기 음이온 계면활성제가, 알킬벤젠술폰산인 것이 바람직하다.In the polishing composition according to the present invention, it is preferable that the anionic surfactant is alkylbenzenesulfonic acid.
본 발명에 관한 연마 조성물은, pH가 7.0 이상 11.0 이하인 것이 바람직하다.It is preferable that the polishing composition according to the present invention has a pH of 7.0 or more and 11.0 or less.
[도 1] 각 실시예 및 비교예의 연마 조성물을 사용하여 폴리이미드 및 구리를 연마했을 때의 연마 속도, 및 구리를 연마한 후의 표면거칠기를 나타내는 그래프이다.1 is a graph showing polishing rates when polishing polyimide and copper using the polishing compositions of Examples and Comparative Examples, and surface roughness after polishing copper.
이하, 본 발명의 실시형태에 관한 연마 조성물에 대하여 설명한다.Hereinafter, the polishing composition according to the embodiment of the present invention will be described.
<연마 조성물><Polishing composition>
본 발명의 실시형태에 관한 연마 조성물은, 알루미나 연마입자, 글리신, 음이온 계면활성제 및 물을 포함한다.The polishing composition according to the embodiment of the present invention includes alumina abrasive particles, glycine, anionic surfactant, and water.
(알루미나 연마입자)(Alumina abrasive particles)
본 실시형태에 관한 연마 조성물은, 알루미나 연마입자를 함유한다. 상기 알루미나 연마입자로서는, 특별히 한정되지 않고, 공지의 각종 알루미나 입자 중에서 적절히 선택하여 사용할 수 있다. 이와 같은 공지의 알루미나 입자로서는, 예를 들면, α-알루미나, γ-알루미나, δ-알루미나, θ-알루미나, η-알루미나, κ-알루미나, χ-알루미나 등을 들 수 있다. 또한, 제조법에 의한 분류에 기초하여, 흄드 알루미나로 칭해지는 알루미나(전형적으로는 알루미나염을 고온 소성할 때 생산되는 알루미나 미립자), 콜로이달 알루미나 또는 알루미나 졸로 칭해지는 알루미나(예를 들면 베마이트 등의 알루미나 수화물)도, 상기 공지의 알루미나 입자의 예에 포함된다. 이들 알루미나 입자는 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 조합하여 사용해도 된다.The polishing composition according to this embodiment contains alumina abrasive particles. The alumina abrasive particles are not particularly limited, and can be appropriately selected from a variety of known alumina particles and used. Examples of such known alumina particles include α-alumina, γ-alumina, δ-alumina, θ-alumina, η-alumina, κ-alumina, and χ-alumina. In addition, based on the classification by the manufacturing method, alumina called fumed alumina (typically alumina fine particles produced when calcining alumina salt at high temperature), alumina called colloidal alumina or alumina sol (for example, boehmite, etc.) Alumina hydrate) is also included in the examples of the known alumina particles. These alumina particles may be used alone or in combination of two or more.
상기 연마 조성물에서의, 상기 알루미나 연마입자의 함유량은, 0.3 질량% 이상인 것이 바람직하고, 5.0 질량% 이하인 것이 바람직하다. 상기 알루미나 연마입자의 함유량이 상기 범위이면, 높은 연마성을 유지하면서, 보존 안정성의 저하를 억제할 수 있다. 상기 알루미나 연마입자의 함유량은, 1.0 질량% 이상인 것이 보다 바람직하고, 3.0 질량% 이하인 것이 더욱 바람직하다. 그리고, 상기 알루미나 연마입자가 2종 이상 포함되는 경우, 상기 알루미나 연마입자의 함유량은, 상기 알루미나 연마입자의 합계 함유량으로 한다.In the polishing composition, the content of the alumina abrasive particles is preferably 0.3% by mass or more, and preferably 5.0% by mass or less. When the content of the alumina abrasive particles is within the above range, a decrease in storage stability can be suppressed while maintaining high abrasiveness. The content of the alumina abrasive particles is more preferably 1.0 mass% or more, and even more preferably 3.0 mass% or less. In addition, when two or more types of the alumina abrasive particles are included, the content of the alumina abrasive particles is the total content of the alumina abrasive particles.
본 실시형태에 관한 연마 조성물에서는, 연마입자가 알루미나 연마입자인 것에 의하여, 후술하는 음이온 계면활성제가 이 알루미나 연마입자 표면에 흡착하고, 클러스터를 형성한다. 그 결과, 상기 알루미나 연마입자의 분산성을 향상시켜, 상기 알루미나 연마입자의 침강을 방지할 수 있으므로, 연마 조성물을 연마 패드 상에 균일하게 공급할 수 있다. 또한, 본 실시형태에 관한 연마 조성물에서는, 연마입자가 알루미나 연마입자인 것에 의하여, 형성된 상기 클러스터의 입자 직경이 상기 알루미나 연마입자의 입자 직경보다 커진다. 이에 의해, 수지의 연마 속도를 향상시킬 수 있다.In the abrasive composition according to the present embodiment, when the abrasive particles are alumina abrasive particles, anionic surfactants, described later, adsorb on the surface of the alumina abrasive particles to form clusters. As a result, the dispersibility of the alumina abrasive particles can be improved to prevent sedimentation of the alumina abrasive particles, so that the abrasive composition can be uniformly supplied on the polishing pad. Further, in the abrasive composition according to the present embodiment, when the abrasive particles are alumina abrasive particles, the particle diameter of the cluster formed is larger than that of the alumina abrasive particles. Thereby, the polishing rate of the resin can be improved.
(글리신)(Glycine)
본 실시형태에 관한 연마 조성물은 글리신을 함유한다. 상기 연마 조성물은 글리신을 포함함으로써, 구리 또는 구리합금의 연마 후의 표면거칠기를 저감할 수 있다.The polishing composition according to the present embodiment contains glycine. The polishing composition can reduce surface roughness after polishing of copper or copper alloy by including glycine.
상기 연마 조성물에서의, 상기 글리신의 함유량은 0.3 질량% 이상인 것이 바람직하고, 15.0 질량% 이하인 것이 바람직하다. 상기 글리신의 함유량이 상기 범위이면, 구리 또는 구리합금의 연마 후의 표면거칠기를 보다 저감할 수 있다. 상기 글리신의 함유량은 0.4 질량% 이상인 것이 보다 바람직하고, 5.0 질량% 이하인 것이 더욱 바람직하다.In the polishing composition, the glycine content is preferably 0.3% by mass or more, and preferably 15.0% by mass or less. When the content of the glycine is within the above range, the surface roughness after polishing of copper or copper alloy can be further reduced. The content of the glycine is more preferably 0.4% by mass or more, and even more preferably 5.0% by mass or less.
(음이온 계면활성제)(Anionic surfactant)
본 실시형태에 관한 연마 조성물은, 음이온 계면활성제를 함유한다. 상기 음이온 계면활성제로서는, 예를 들면 폴리아크릴산, 알킬벤젠술폰산, 알칸술폰산 및 α-올레핀술폰산, 및 이들의 염 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 알킬벤젠술폰산 또는 그의 염인 것이 바람직하다. 그리고, 이들의 음이온 계면활성제는 단독으로 사용해도 되도, 2종 이상을 조합하여 사용해도 된다.The polishing composition according to the present embodiment contains an anionic surfactant. Examples of the anionic surfactant include polyacrylic acid, alkylbenzenesulfonic acid, alkanesulfonic acid and α-olefinsulfonic acid, and salts thereof. Among these, it is preferable that it is alkylbenzenesulfonic acid or its salt. In addition, these anionic surfactants may be used alone or in combination of two or more.
상기 알킬벤젠술폰산으로서는, 예를 들면, C6부터 C20의 알킬벤젠술폰산을 들 수 있고, 구체적으로는, 데실벤젠술폰산, 운데실벤젠술폰산, 도데실벤젠술폰산, 트리데실벤젠술폰산, 테트라데실벤젠술폰산 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 구리 또는 구리합금의 표면으로의 흡착 속도 및 연마의 용이성의 관점에서, 도데실벤젠술폰산인 것이 바람직하다. 또한, 알킬벤젠술폰산염으로서는, 예를 들면, 알킬벤젠술폰산 나트륨, 알킬벤젠술폰산 트리에탄올아민 등을 들 수 있다.Examples of the alkylbenzenesulfonic acid include C6 to C20 alkylbenzenesulfonic acids, and specifically, decylbenzenesulfonic acid, undecylbenzenesulfonic acid, dodecylbenzenesulfonic acid, tridecylbenzenesulfonic acid, tetradecylbenzenesulfonic acid, etc. Can be heard. Among these, it is preferable that it is dodecylbenzenesulfonic acid from a viewpoint of the adsorption rate of copper or copper alloy to the surface and ease of polishing. In addition, examples of the alkylbenzenesulfonate include sodium alkylbenzenesulfonate, triethanolamine alkylbenzenesulfonate, and the like.
본 실시형태에 관한 연마 조성물은, 음이온 계면활성제를 포함한다. 이에 의해, 상기 음이온 계면활성제가, 연마 시에, 구리 또는 구리합금의 표면에 흡착하여, 상기 구리 또는 구리합금을 보호한다. 그 결과, 수지의 연마 속도에 대한 상기 구리 또는 구리합금의 연마 속도를 억제할 수 있다. 또한, 상기 연마 조성물에 있어서, 음이온 계면활성제는, 전술한 알루미나 연마입자 표면에 흡착함으로써 클러스터를 형성하고, 상기 알루미나 연마입자의 분산성을 향상시킨다. 이에 의해, 상기 알루미나 연마입자의 침강을 방지할 수 있으므로, 연마 조성물을 연마 패드 상에 균일하게 공급할 수 있다. 또한, 형성된 상기 클러스터의 입자 직경은, 상기 알루미나 연마입자의 입자 직경보다 커진다. 이로써, 수지의 연마 속도를 향상시킬 수 있다.The polishing composition according to the present embodiment includes an anionic surfactant. Thereby, the said anionic surfactant adsorb|sucks on the surface of copper or copper alloy at the time of polishing, and protects the said copper or copper alloy. As a result, the polishing rate of the copper or copper alloy relative to the polishing rate of the resin can be suppressed. In addition, in the polishing composition, the anionic surfactant forms a cluster by adsorbing on the surface of the alumina abrasive particles described above, and improves the dispersibility of the alumina abrasive particles. As a result, sedimentation of the alumina abrasive particles can be prevented, so that the abrasive composition can be uniformly supplied on the polishing pad. In addition, the particle diameter of the formed cluster is larger than the particle diameter of the alumina abrasive particles. Thereby, the polishing rate of the resin can be improved.
상기 연마 조성물에서의, 상기 음이온 계면활성제의 함유량은 0.3 질량% 이상인 것이 바람직하고, 3.0 질량% 이하인 것이 바람직하다. 상기 음이온 계면활성제의 함유량이 상기 범위이면, 수지의 연마 속도에 대한 구리 또는 구리합금의 연마 속도를 보다 억제할 수 있다. 상기 음이온 계면활성제의 함유량은 0.5 질량% 이상인 것이 보다 바람직하고, 1.5 질량% 이하인 것이 보다 바람직하다. 그리고, 상기 음이온 계면활성제가 2종 이상 포함되는 경우, 상기 음이온 계면활성제의 함유량은 상기 음이온 계면활성제의 합계 함유량으로 한다.In the polishing composition, the content of the anionic surfactant is preferably 0.3% by mass or more, and preferably 3.0% by mass or less. When the content of the anionic surfactant is within the above range, the polishing rate of copper or copper alloy relative to the polishing rate of resin can be further suppressed. The content of the anionic surfactant is more preferably 0.5% by mass or more, and more preferably 1.5% by mass or less. In addition, when two or more types of the anionic surfactant are included, the content of the anionic surfactant is the total content of the anionic surfactant.
(물)(water)
본 실시형태에 관한 연마 조성물은, 알루미나 연마입자, 글리신 및 음이온 계면활성제가 물에 용해 또는 현탁되어 있다. 상기 물은, 알루미나 연마입자, 글리신 및 음이온 계면활성제의 각종 작용을 저해하지 않도록, 이온 교환수 등의 불순물이 적은 것을 이용하는 것이 바람직하다.In the polishing composition according to the present embodiment, alumina abrasive particles, glycine and anionic surfactant are dissolved or suspended in water. It is preferable that the water has a small amount of impurities such as ion-exchanged water, so as not to inhibit various functions of alumina abrasive particles, glycine and anionic surfactant.
(소포제)(Antifoaming agent)
본 실시형태에 관한 연마 조성물은, 필요에 따라 소포제를 포함해도 된다. 이러한 구성에 의하여, 연마 조성물의 거품이 일어나는 것을 억제하고, 구리 또는 구리합금 및 수지를 보다 균일하게 연마할 수 있다. 상기 소포제로서는, 예를 들면 실리콘 에멀션, 비이온계 계면활성제 등을 들 수 있다. 상기 연마 조성물에서의, 상기 소포제의 함유량은, 0.05 질량% 이상인 것이 바람직하고, 0.3 질량% 이하인 것이 바람직하다.The polishing composition according to the present embodiment may contain an antifoaming agent as necessary. With this configuration, foaming of the polishing composition can be suppressed, and copper or copper alloy and resin can be more uniformly polished. Examples of the antifoaming agent include silicone emulsions and nonionic surfactants. In the polishing composition, the content of the antifoaming agent is preferably 0.05 mass% or more, and preferably 0.3 mass% or less.
(pH 조정제)(pH adjuster)
본 실시형태에 관한 연마 조성물은, pH가 7.0 이상 11.0 이하인 것이 바람직하다. 이러한 구성에 의하여, 수지에 대한 기계적 연마력이 향상되고, 수지의 연마 속도를 향상시킬 수 있다. 한편, 구리 또는 구리합금에 대해서는, 상기 구리 또는 구리합금의 표면에 음이온 계면활성제가 흡착함으로써, 상기 구리 또는 구리합금의 연마 속도를 억제할 수 있다. pH를 상기 범위에 조정하기 위하여, 본 실시형태에 관한 연마 조성물은, 필요에 따라 pH 조정제를 포함해도 된다. 상기 pH 조정제로서는, 예를 들면, 유기산, 무기산 등의 산, 암모니아, KOH 등의 무기 염기, 수산화테트라메틸암모늄(TMAH) 등의 유기 염기 등을 들 수 있다.It is preferable that the polishing composition which concerns on this embodiment has a pH of 7.0 or more and 11.0 or less. With this configuration, the mechanical polishing power for the resin can be improved, and the polishing rate of the resin can be improved. On the other hand, for copper or copper alloy, an anionic surfactant adsorbs on the surface of the copper or copper alloy, whereby the polishing rate of the copper or copper alloy can be suppressed. In order to adjust pH to the said range, the polishing composition which concerns on this embodiment may contain a pH adjuster as needed. Examples of the pH adjusting agent include acids such as organic acids and inorganic acids, inorganic bases such as ammonia and KOH, and organic bases such as tetramethylammonium hydroxide (TMAH).
그리고, 본 발명에 관한 연마 조성물은, 상기 실시형태에 한정되는 것은 아니다. 또한, 본 발명에 관한 연마 조성물은, 전술한 작용 효과에 한정되는 것도 아니다. 본 발명에 관한 연마 조성물은, 본 발명의 요지를 벗어나지 않는 범위에서 각종 변경이 가능하다.In addition, the polishing composition according to the present invention is not limited to the above embodiment. In addition, the polishing composition according to the present invention is not limited to the above-described operational effects. The polishing composition according to the present invention can be variously modified without departing from the gist of the present invention.
<연마 대상물><Object to be polished>
본 실시형태에 관한 연마 조성물은, 구리 또는 구리합금과 수지를 연마한다. 상기 구리 또는 구리합금으로서는, 예를 들면, 구리, 주석-구리합금, 니켈-구리합금 등을 들 수 있다. 또한, 상기 수지로서는, 예를 들면 에폭시 수지, 페놀 수지, 폴리이미드 수지 등을 들 수 있다.The polishing composition according to the present embodiment polishes copper or copper alloy and resin. As said copper or copper alloy, copper, a tin-copper alloy, a nickel-copper alloy, etc. are mentioned, for example. Moreover, as said resin, an epoxy resin, a phenol resin, polyimide resin, etc. are mentioned, for example.
본 실시형태에 관한 연마 조성물로 연마하는 연마 대상물로서는, 구리 또는 구리합금과 수지를 포함하는 프린트 기판, 모듈 기판, 패키지 기판 등을 들 수 있다.As a polishing object to be polished with the polishing composition according to the present embodiment, there may be mentioned printed substrates, module substrates, package substrates, etc. containing copper or copper alloy and resin.
<실시예><Example>
이하, 본 발명의 실시예에 대하여 설명하지만, 본 발명은, 이하의 실시예에 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, examples of the present invention will be described, but the present invention is not limited to the following examples.
<연마 조성물의 조정><Adjustment of polishing composition>
표 1에 나타내는 조성(組成)의 실시예 및 비교예의 연마 조성물을 제작하였다. 각 성분의 상세를 이하에 나타낸다.The polishing compositions of Examples and Comparative Examples of the composition shown in Table 1 were prepared. The details of each component are shown below.
알루미나 연마입자: A9225(산고반(주) 제조)Alumina abrasive particles: A9225 (manufactured by Sangoban Co., Ltd.)
글리신: 후소 가가쿠 고교(주) 제조Glycine: manufactured by Fuso Chemical Industry Co., Ltd.
LAS: 도데실벤젠술폰산 트리에탄올아민(도호 가가쿠 고교(주) 제조)LAS: dodecylbenzenesulfonic acid triethanolamine (manufactured by Toho Chemical Industries, Ltd.)
실리콘계 소포제: 실리콘 에멀션(센카(주) 제조)Silicone antifoaming agent: Silicone emulsion (manufactured by Senka Corporation)
KOH: 도아 고세이(주) 제조KOH: manufactured by Doa Kosei Co., Ltd.
물: 이온 교환수Water: ion exchange water
<pH의 측정><Measurement of pH>
각 실시예 및 각 비교예의 연마 조성물의 pH는, pH미터를 이용하여 측정하였다.The pH of the polishing composition of each Example and each Comparative Example was measured using a pH meter.
<연마 속도의 측정><Measurement of polishing speed>
각 실시예 및 각 비교예의 연마 조성물을 사용하여, 하기 조건으로 피연마물을 연마하고, 연마 속도를 구하였다. 결과를 표 1 및 도 1에 나타낸다.Using the polishing compositions of each of Examples and Comparative Examples, the object to be polished was polished under the following conditions, and the polishing rate was determined. The results are shown in Table 1 and FIG. 1.
피연마물: 폴리이미드(실리콘 웨이퍼에 성막), 구리(실리콘 웨이퍼에 도금)Object to be polished: polyimide (film formed on a silicon wafer), copper (plated on a silicon wafer)
연마기: FREX((주) 에바라 세이사쿠쇼 제조)Grinder: FREX (manufactured by Ebara Seisakusho Co., Ltd.)
연마압: 3psiPolishing pressure: 3psi
슬러리 유량: 300mL/minSlurry flow rate: 300 mL/min
플래튼(platen) 회전수/캐리어 회전수: 103rpm/97rpmPlaten/carrier speed: 103rpm/97rpm
연마 시간: 1minPolishing time: 1min
연마 패드: IC1000(닛타·하스(주) 제조)Polishing pad: IC1000 (manufactured by Nitta Haas Co., Ltd.)
<표면거칠기의 측정><Measurement of surface roughness>
각 실시예 및 각 비교예의 연마 조성물을 사용하여 구리를 연마한 후, 비접촉 표면거칠기 측정기(Wyko NT9300, Veeco사 제조)를 이용하여, 구리의 표면거칠기 Ra를 측정하였다. 측정 결과를 표 1 및 도 1에 나타낸다.After polishing the copper using the polishing composition of each Example and each comparative example, the surface roughness Ra of copper was measured using a non-contact surface roughness meter (Wyko NT9300, manufactured by Veeco). The measurement results are shown in Table 1 and FIG. 1.
<분산 안정성의 평가><Evaluation of dispersion stability>
각 실시예 및 각 비교예의 연마 조성물 100ml를, 측면이 투명 또는 반투명인 플라스틱 용기에 나누어 충분히 교반한 후, 실온에서 10분간 정치(靜置)함으로써, 각 연마 조성물의 슬러리를 얻었다. 그리고, 각 슬러리를 육안으로 관찰하는 것에 의해, 분산 안정성의 평가를 행하였다. 평가 기준은 하기와 같다. 평가 결과를 표 1에 나타낸다.A slurry of each polishing composition was obtained by dividing 100 ml of the polishing composition of each of Examples and Comparative Examples into a transparent or semi-transparent plastic container and sufficiently stirring, followed by standing at room temperature for 10 minutes. Then, the dispersion stability was evaluated by visually observing each slurry. The evaluation criteria are as follows. Table 1 shows the evaluation results.
○: 연마입자가 용기 하부에 침강한 모양이 관찰되지 않음○: Absorption of abrasive particles in the container was not observed.
×: 연마입자가 용기 하부에 침강하고 있는 모양이 관찰됨×: The shape in which the abrasive particles settled under the container was observed.
[표 1][Table 1]
표 1에 나타낸 바와 같이, 본 발명의 요건을 모두 만족시키는 실시예 1∼7의 연마 조성물에서는, 폴리이미드 수지의 연마 속도에 대한 구리의 연마 속도를 억제하고, 또한, 구리의 연마 후의 표면거칠기를 저감할 수 있다. 또한, 실시예 1∼7의 연마 조성물에서는, 알루미나 연마입자의 분산성을 향상시킬 수 있다.As shown in Table 1, in the polishing compositions of Examples 1 to 7 satisfying all the requirements of the present invention, the polishing rate of copper against the polishing rate of the polyimide resin is suppressed, and the surface roughness after polishing of copper is also suppressed. Can be reduced. Further, in the abrasive compositions of Examples 1 to 7, the dispersibility of the alumina abrasive particles can be improved.
또한, 글리신의 함유량이 0.3 질량% 이상인 실시예 3∼7의 연마 조성물은, 구리의 연마 후의 표면거칠기를 보다 저감할 수 있다.In addition, the polishing compositions of Examples 3 to 7 having a glycine content of 0.3% by mass or more can further reduce the surface roughness after polishing of copper.
한편, 비교예 1∼3의 연마 조성물은, 음이온 계면활성제를 함유하지 않으므로, 폴리이미드 수지의 연마 속도에 대한 구리의 연마 속도를 충분히 억제할 수 없다. 또한, 비교예 1의 연마 조성물은, 글리신을 함유하지 않으므로, 구리의 연마 후의 표면거칠기를 충분히 저감할 수 없다.On the other hand, since the polishing compositions of Comparative Examples 1 to 3 do not contain anionic surfactants, the polishing rate of copper against the polishing rate of polyimide resin cannot be sufficiently suppressed. In addition, since the polishing composition of Comparative Example 1 does not contain glycine, the surface roughness after polishing of copper cannot be sufficiently reduced.
Claims (5)
알루미나 연마입자(砥粒),
글리신,
음이온 계면활성제, 및
물
을 포함하는, 연마 조성물.A polishing composition for polishing copper or copper alloy and resin,
Alumina abrasive particles,
Glycine,
Anionic surfactant, and
water
Polishing composition comprising a.
상기 글리신의 함유량이 0.3 질량% 이상인, 연마 조성물.According to claim 1,
The polishing composition, wherein the glycine content is 0.3% by mass or more.
상기 음이온 계면활성제가 알킬벤젠술폰산인, 연마 조성물.The method according to claim 1 or 2,
The anionic surfactant is an alkylbenzenesulfonic acid, polishing composition.
pH가 7.0 이상 11.0 이하인, 연마 조성물.The method according to claim 1 or 2,
A polishing composition having a pH of 7.0 or more and 11.0 or less.
pH가 7.0 이상 11.0 이하인, 연마 조성물.According to claim 3,
A polishing composition having a pH of 7.0 or more and 11.0 or less.
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