KR20200067251A - Transfer mechanism - Google Patents

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린타로 찬노
히로유키 이이다
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가부시기가이샤 디스코
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Abstract

The present invention is provided to efficiently transfer a wafer without reducing the alignment accuracy of the wafer with respect to a chuck table, thereby improving processing throughput. The present invention provides a transfer mechanism (51) transferring the wafer (W) onto the chuck table, which includes: a plurality of claw members (65) holding a peripheral portion of the wafer; a claw member actuating means (68) moving the plurality of claw members to be in contact with or away from the peripheral portion of the wafer; a driving load detecting means (71) detecting a driving load of the claw member actuating means; a position detecting means (72) detecting a contact position of the claw member with respect to the peripheral portion of the wafer; and a control means (75) controlling driving of the claw member actuating means, wherein the control device detects the contact of the claw members and the peripheral portion of the wafer by the rising of the driving load of the claw member actuating means, and calculates the center of the wafer by stopping the plurality of claw members and setting the contact position of each of the claw members as the circumferential position of the peripheral portion of the wafer.

Description

반송 기구{TRANSFER MECHANISM}Transfer mechanism {TRANSFER MECHANISM}

본 발명은 웨이퍼의 외주부를 유지하여 반송하는 반송 기구에 관한 것이다.The present invention relates to a transport mechanism that holds and transports the outer circumference of the wafer.

최근, 전기 기기의 박형화나 소형화에 따라, 웨이퍼를 100 ㎛ 이하의 얇기로 연삭 마무리하는 것이 요구되고 있다. 종래, 웨이퍼에는 제조 공정 중의 깨짐이나 발진(發塵) 방지를 위해서, 웨이퍼의 외주에 모따기 가공이 실시되어 있다. 이 때문에, 웨이퍼를 얇게 연삭하면, 외주의 모따기 부분이 나이프 에지(차양형)로 형성된다. 웨이퍼의 모따기 부분이 나이프 에지형이 되면, 외주로부터 이지러짐이 발생하여 웨이퍼가 파손된다고 하는 문제가 발생한다. 이 문제를 해결하기 위해서, 미리 웨이퍼의 모따기 부분을 절삭 블레이드로 둘레 방향으로 제거한 후에, 웨이퍼의 이면을 연삭하는 방법이 제안되어 있다(예컨대, 특허문헌 1 참조).Recently, in accordance with the thinning and miniaturization of electric equipment, it is required to finish grinding the wafer to a thickness of 100 µm or less. Conventionally, the wafer is chamfered on the outer periphery of the wafer to prevent cracking or oscillation during the manufacturing process. For this reason, when the wafer is thinly ground, the chamfered portion of the outer circumference is formed with a knife edge (shape type). When the chamfered portion of the wafer becomes a knife edge type, there arises a problem that the wafer is damaged due to distortion from the outer periphery. In order to solve this problem, a method has been proposed in which a chamfered portion of a wafer is previously removed in a circumferential direction with a cutting blade, and then the back side of the wafer is ground (for example, see Patent Document 1).

또한, 절삭 블레이드로 웨이퍼의 외주부를 둘레 방향으로 제거할 때에, 웨이퍼의 중심과 척 테이블의 회전 중심이 일치하지 않으면, 웨이퍼의 외주부의 제거폭이 일정해지지 않는다. 그래서, 척 테이블에 대한 웨이퍼의 위치 어긋남을 보정하면서 절삭하는 방법이 채용되고 있다(예컨대, 특허문헌 2 참조). 이 방법에서는, 척 테이블 상의 웨이퍼의 외주 에지의 3점이 촬상되고, 3점의 좌표 위치로부터 산출된 웨이퍼의 중심과 척 테이블의 회전 중심의 어긋남량이 구해진다. 이 어긋남량을 보정하도록 절삭 블레이드가 이동되어, 웨이퍼의 중심으로부터 동일한 거리로 모따기부가 둘레 방향으로 절삭된다.Further, when the outer peripheral portion of the wafer is removed in the circumferential direction with the cutting blade, if the center of rotation of the wafer and the center of rotation of the chuck table do not coincide, the removal width of the outer peripheral portion of the wafer is not constant. Therefore, a method of cutting while correcting the positional deviation of the wafer with respect to the chuck table is adopted (for example, see Patent Document 2). In this method, three points of the outer circumferential edge of the wafer on the chuck table are imaged, and the amount of misalignment between the center of the wafer and the rotation center of the chuck table calculated from the coordinate positions of the three points is obtained. The cutting blade is moved to correct this amount of displacement, and the chamfer is cut in the circumferential direction at the same distance from the center of the wafer.

[특허문헌 1] 일본 특허 공개 제2000-173961호 공보[Patent Document 1] Japanese Patent Publication No. 2000-173961 [특허문헌 2] 일본 특허 공개 제2006-093333호 공보[Patent Document 2] Japanese Patent Publication No. 2006-093333

그러나, 특허문헌 2에 기재된 방법에서는, 척 테이블 상에서 웨이퍼의 외주 에지를 검출하여, 웨이퍼와 척 테이블의 어긋남량을 산출하는 데 긴 시간을 필요로 하여, 가공 스루풋이 나빠진다고 하는 문제가 있었다.However, in the method described in Patent Document 2, there is a problem that processing time is deteriorated by requiring a long time to detect the outer edge of the wafer on the chuck table and to calculate the amount of misalignment between the wafer and the chuck table.

본 발명은 이러한 점을 감안하여 이루어진 것으로, 척 테이블에 대해 웨이퍼의 위치 맞춤 정밀도를 낮추지 않고, 효율적으로 반송하여 가공 스루풋을 개선할 수 있는 반송 기구를 제공하는 것을 목적의 하나로 한다.The present invention has been made in view of these points, and one object of the present invention is to provide a transport mechanism capable of efficiently processing and improving processing throughput without lowering the precision of wafer positioning relative to the chuck table.

본 발명의 일 양태의 반송 기구는, 웨이퍼의 외주부를 유지하는 유지 수단과, 상기 유지 수단을 연직 방향 및 수평 방향으로 이동시키는 이동 수단을 구비하여 웨이퍼를 척 테이블 상에 반송하는 반송 기구로서, 상기 유지 수단은, 웨이퍼의 외주부를 유지하는 복수의 클로(claw) 부재와, 상기 복수의 클로 부재를 웨이퍼의 외주부로부터 이격시킨 대기 위치와 상기 복수의 클로 부재를 서로 반경 방향으로 접근시켜 웨이퍼의 외주부를 유지하는 작용 위치 사이에서 상기 복수의 클로 부재를 각각 독립적으로 반경 방향으로 작동시키는 클로 부재 작동 수단과, 상기 클로 부재 작동 수단의 구동 부하를 각각 검출하는 구동 부하 검출 수단과, 각 상기 클로 부재의 위치를 각각 검출하는 위치 검출 수단과, 적어도 상기 클로 부재 작동 수단을 제어하는 제어 수단을 구비하고, 상기 제어 수단은, 각 상기 클로 부재가 웨이퍼의 외주부에 접촉했을 때의 상기 클로 부재 작동 수단의 구동 부하의 값을 임계값으로서 기억하는 기억부와, 상기 구동 부하 검출 수단으로부터의 상기 임계값을 초과한 구동 부하를 검출하면 정지되고 상기 위치 검출 수단에 의해 검출된 각 상기 클로 부재의 위치로부터 웨이퍼 중심 위치를 산출하는 산출부를 구비하며, 상기 유지 수단에 의해 유지된 웨이퍼는, 상기 산출부에 의해 산출된 상기 웨이퍼 중심 위치를 척 테이블 중심 위치에 위치시켜 상기 척 테이블 상에 배치되는 것을 특징으로 한다.The conveyance mechanism of one aspect of the present invention is a conveyance mechanism for conveying a wafer onto a chuck table, comprising holding means for holding the outer circumferential portion of the wafer, and moving means for moving the holding means in the vertical direction and the horizontal direction. The holding means includes a plurality of claw members that hold the outer circumferential portion of the wafer, a standby position at which the plurality of claw members are spaced apart from the outer circumferential portion of the wafer, and the plurality of claw members radially approach each other to move each other in the radial direction to each other. A claw member actuating means for independently actuating the plurality of claw members independently in a radial direction between retaining working positions, a drive load detecting means for respectively detecting a drive load of the claw member actuating means, and a position of each claw member And a position detecting means for detecting each, and control means for controlling at least the claw member operating means, wherein the control means is a driving load of the claw member operating means when each claw member contacts the outer periphery of the wafer. The center of the wafer is stored from the position of each claw member detected by the position detecting means, which is stopped when a storage unit that stores the value of? As a threshold value and a drive load exceeding the threshold value from the drive load detecting means is detected. It characterized in that it is provided with a calculation unit for calculating, and the wafer held by the holding means is disposed on the chuck table by positioning the wafer center position calculated by the calculation unit at the center position of the chuck table.

이 구성에 의하면, 웨이퍼의 외주부에 접촉했을 때의 구동 부하로부터 복수의 클로 부재의 위치가 검출되고, 각 클로 부재의 위치를 웨이퍼의 외주 위치로 하여 웨이퍼 중심 위치가 산출된다. 그리고, 웨이퍼 중심 위치를 척 테이블 중심 위치에 위치시키도록 하여, 척 테이블 상에 웨이퍼가 배치된다. 웨이퍼의 반송 시간을 이용하여 웨이퍼 중심 위치의 산출 처리가 실시되기 때문에, 위치 맞춤 정밀도를 낮추지 않고 척 테이블에 대해 웨이퍼를 효율적으로 반송할 수 있다. 또한, 척 테이블 상에서는 웨이퍼의 중심 기준으로 가공을 개시할 수 있기 때문에, 척 테이블에 대한 웨이퍼의 재배치 등을 없애어 가공 스루풋을 개선할 수 있다.According to this configuration, the positions of the plurality of claw members are detected from the driving load when the wafer is in contact with the outer periphery, and the wafer center position is calculated using the positions of the claw members as the outer circumferential positions of the wafer. Then, the wafer is placed on the chuck table by positioning the wafer center position at the center position of the chuck table. Since the calculation processing of the wafer center position is performed using the transfer time of the wafer, the wafer can be efficiently transferred to the chuck table without lowering the positioning accuracy. In addition, since processing can be started on the basis of the center of the wafer on the chuck table, it is possible to improve the processing throughput by eliminating the repositioning of the wafer with respect to the chuck table.

본 발명에 의하면, 웨이퍼를 반송하면서 웨이퍼 중심 위치를 산출하기 때문에, 위치 맞춤 정밀도를 낮추지 않고 척 테이블에 대해 웨이퍼를 효율적으로 반송하여, 가공 스루풋을 개선할 수 있다.According to the present invention, since the wafer center position is calculated while conveying the wafer, the wafer can be efficiently conveyed to the chuck table without lowering the positioning accuracy, and processing throughput can be improved.

도 1은 본 실시형태의 가공 장치의 상면 모식도이다.
도 2는 본 실시형태의 반송 기구의 측면 모식도이다.
도 3은 본 실시형태의 반송 기구의 반송 동작의 일례를 도시한 도면이다.
도 4는 본 실시형태의 절삭 기구의 절삭 동작의 일례를 도시한 도면이다.
1 is a schematic top view of the processing apparatus of this embodiment.
2 is a schematic side view of the transport mechanism of the present embodiment.
3 is a diagram showing an example of the conveying operation of the conveying mechanism of the present embodiment.
4 is a diagram showing an example of a cutting operation of the cutting mechanism of the present embodiment.

이하, 첨부 도면을 참조하여, 본 실시형태의 반송 기구를 구비한 가공 장치에 대해 설명한다. 도 1은 본 실시형태의 가공 장치의 상면 모식도이다. 한편, 이하의 설명에서는, 웨이퍼의 외주부를 트리밍 가공하는 가공 장치에, 본 발명의 반송 기구를 적용하는 구성에 대해 설명하지만, 이 구성에 한정되지 않는다. 또한, 반송 기구는, 연삭 장치나 레이저 가공 장치 등의 다른 가공 장치에 이용되어도 좋다.Hereinafter, a processing apparatus provided with the transport mechanism of the present embodiment will be described with reference to the accompanying drawings. 1 is a schematic top view of the processing apparatus of this embodiment. In addition, in the following description, although the structure which applies the conveyance mechanism of this invention to the processing apparatus which trims the outer peripheral part of a wafer is demonstrated, it is not limited to this structure. Further, the transport mechanism may be used for other processing devices such as a grinding device or a laser processing device.

도 1에 도시된 바와 같이, 가공 장치(1)는, 풀 오토 타입의 가공 장치이며, 원판형의 웨이퍼(W)에 대한 반입 처리, 절삭 처리, 세정 처리, 반출 처리로 이루어지는 일련의 작업을 전자동으로 실시하도록 구성되어 있다. 웨이퍼(W)의 외주 에지에는, 제조 공정 중에 있어서의 깨짐이나 발진 방지를 위한 모따기부(88)(도 2 참조)가 형성되어 있다. 또한, 웨이퍼(W)의 외주부에는 결정 방위를 나타내는 노치(89)가 형성되어 있다. 한편, 웨이퍼(W)는, 반도체 기판에 반도체 디바이스가 형성된 반도체 웨이퍼여도 좋고, 무기 재료 기판에 광디바이스가 형성된 광디바이스 웨이퍼여도 좋다.As shown in Fig. 1, the processing device 1 is a full-auto type processing device, and automatically performs a series of operations including a carrying-in process, a cutting process, a cleaning process, and a carrying-out process for a disk-shaped wafer W. It is configured to conduct. On the outer peripheral edge of the wafer W, a chamfer 88 (see Fig. 2) for preventing cracks and oscillation during the manufacturing process is formed. Further, a notch 89 showing a crystal orientation is formed on the outer circumferential portion of the wafer W. On the other hand, the wafer W may be a semiconductor wafer on which a semiconductor device is formed on a semiconductor substrate, or an optical device wafer on which an optical device is formed on an inorganic material substrate.

가공 장치(1)에는, 장치 전방에 반입 영역(A1), 장치 안쪽에 가공 영역(A2), 반입 영역(A1) 및 가공 영역(A2)에 인접하여 세정 영역(A3)이 설정되어 있다. 또한, 가공 장치(1)의 전면(12)에는, 반입 영역(A1)으로부터 전방으로 돌출되도록, 한 쌍의 카세트 스테이지(13, 14)가 설치되어 있다. 카세트 스테이지(13)에는, 가공 전의 웨이퍼(W)가 수용된 반입용 카세트(C1)가 배치된다. 카세트 스테이지(14)에는, 가공 후의 웨이퍼(W)가 수용되는 반출용 카세트(C2)가 배치된다. 카세트 스테이지(13)는 가공 장치(1)의 반입구로서 기능하고, 카세트 스테이지(14)는 가공 장치(1)의 반출구로서 기능한다.In the processing device 1, a cleaning area A3 is set adjacent to the carrying area A1 in front of the device, the processing area A2 inside the device, the carrying area A1, and the processing area A2. In addition, a pair of cassette stages 13 and 14 are provided on the front face 12 of the processing device 1 so as to protrude forward from the carry-in area A1. The cassette stage 13 is provided with a cassette C1 for carrying in which the wafer W before processing is accommodated. The cassette stage 14 is provided with a cassette C2 for carrying out, in which the wafer W after processing is accommodated. The cassette stage 13 functions as an entrance and exit of the processing apparatus 1, and the cassette stage 14 functions as an exit and exit of the processing apparatus 1.

반입 영역(A1)에는, 반입용 카세트(C1) 및 반출용 카세트(C2)에 대해 웨이퍼(W)를 출납하는 다관절 로봇(21)이 설치되어 있다. 다관절 로봇(21)은, 리니어 모터식의 이동 기구(24)의 슬라이드 헤드에 로봇 아암(22)을 부착하고, 로봇 아암(22)의 선단에 핸드부(23)를 장착하여 구성되어 있다. 다관절 로봇(21)은, 이동 기구(24)에 의해 X축 방향으로 이동되고, 로봇 아암(22)의 각 관절의 회전이 서보 모터 등으로 제어됨으로써, 반입용 카세트(C1) 및 반출용 카세트(C2)에 대해 핸드부(23)가 원하는 위치나 자세로 조정된다.In the carrying-in area A1, a multi-joint robot 21 for loading and unloading the wafer W with respect to the carrying-in cassette C1 and carrying-out cassette C2 is provided. The multi-joint robot 21 is configured by attaching a robot arm 22 to a slide head of a linear motor-type moving mechanism 24, and attaching a hand portion 23 to the tip end of the robot arm 22. The multi-joint robot 21 is moved in the X-axis direction by the moving mechanism 24, and the rotation of each joint of the robot arm 22 is controlled by a servo motor or the like, thereby bringing in a cassette C1 and a cassette for carrying out. With respect to (C2), the hand portion 23 is adjusted to a desired position or posture.

가공 영역(A2)에는, 가공 전의 웨이퍼(W)가 임시 배치되는 포지션 테이블(26)과, 척 테이블(31) 상에서 웨이퍼(W) 표면의 외주부를 절삭하는 절삭 기구(41)가 설치되어 있다. 포지션 테이블(26)에는 복수의 배치 핀(27)이 돌출 설치되어 있고, 웨이퍼(W)의 외주부가 복수의 배치 핀(27)에 하방으로부터 지지됨으로써, 테이블로부터 뜬 상태로 웨이퍼(W)가 위치 결정된다. 포지션 테이블(26)의 안쪽에는, 웨이퍼(W)의 반입 위치와 절삭 위치 사이에서 X축 방향으로 왕복 이동하는 척 테이블(31)이 설치되어 있다. 베이스(11) 상에는, 이 척 테이블(31)의 이동 궤적을 따라 X축 방향으로 연장되는 개구부(17)가 형성되어 있다.The processing area A2 is provided with a position table 26 on which the wafer W before processing is temporarily arranged, and a cutting mechanism 41 for cutting the outer circumferential portion of the wafer W surface on the chuck table 31. A plurality of placement pins 27 are protruded on the position table 26, and the outer peripheral portion of the wafer W is supported from below by the plurality of placement pins 27, whereby the wafer W is positioned in a state of being lifted from the table. Is decided. Inside the position table 26, a chuck table 31 that reciprocates in the X-axis direction between the carrying position and the cutting position of the wafer W is provided. On the base 11, an opening 17 extending in the X-axis direction along the movement trajectory of the chuck table 31 is formed.

개구부(17)는, 주름상자형의 방수 커버(18)에 덮여 있고, 방수 커버(18)의 하방에는 척 테이블(31)을 X축 방향으로 왕복 이동시키는 볼 나사식의 척 테이블 이동 기구(도시하지 않음)가 설치되어 있다. 척 테이블(31)의 표면에는, 다공질재에 의해 웨이퍼(W)를 흡착하는 유지면(32)이 형성되어 있다. 유지면(32)은, 척 테이블(31) 내의 유로를 통해 흡인원(도시하지 않음)에 접속되어 있고, 유지면(32)에 발생하는 부압에 의해 웨이퍼(W)가 흡인 유지된다. 또한, 척 테이블(31)은, 회전 기구(도시하지 않음)에 의해 Z축 주위로 회전 가능하게 구성되어 있다.The opening 17 is covered with a corrugated box-shaped waterproof cover 18, and under the waterproof cover 18, a ball screw-type chuck table moving mechanism for reciprocating the chuck table 31 in the X-axis direction (not shown) Is not installed). On the surface of the chuck table 31, a holding surface 32 for adsorbing the wafer W with a porous material is formed. The holding surface 32 is connected to a suction source (not shown) through a flow path in the chuck table 31, and the wafer W is sucked and held by the negative pressure generated on the holding surface 32. Further, the chuck table 31 is configured to be rotatable around the Z axis by a rotating mechanism (not shown).

절삭 기구(41)는, 한 쌍의 블레이드 유닛(42)을 교대로 이용하여, 척 테이블(31) 상의 웨이퍼(W)의 외주부를 절삭하도록 구성되어 있다. 절삭 기구(41)는, 개구부(17)에 걸치도록 베이스(11) 상에 세워져 설치된 문형의 기둥부(43)를 갖고 있다. 기둥부(43)의 표면에는, 한 쌍의 블레이드 유닛(42)을 이동시키는 볼 나사식의 블레이드 유닛 이동 기구(44)가 설치되어 있다. 블레이드 유닛 이동 기구(44)는, Y축 방향으로 이동하는 한 쌍의 Y축 테이블(45)과, 각 Y축 테이블(45)에 대해 Z축 방향으로 이동되는 Z축 테이블(46)을 갖고 있다. 블레이드 유닛(42)은, Y축 테이블(45) 및 Z축 테이블(46)에 의해 Y축 방향 및 Z축 방향으로 이동된다.The cutting mechanism 41 is configured to alternately use the pair of blade units 42 to cut the outer circumferential portion of the wafer W on the chuck table 31. The cutting mechanism 41 has a gate-shaped columnar portion 43 that is erected and installed on the base 11 so as to extend over the opening 17. A ball screw-type blade unit moving mechanism 44 for moving a pair of blade units 42 is provided on the surface of the pillar portion 43. The blade unit moving mechanism 44 has a pair of Y-axis tables 45 that move in the Y-axis direction, and a Z-axis table 46 that moves in the Z-axis direction with respect to each Y-axis table 45. . The blade unit 42 is moved in the Y-axis direction and the Z-axis direction by the Y-axis table 45 and the Z-axis table 46.

블레이드 유닛(42)은, 스핀들(47)의 선단에 원판형의 절삭 블레이드(48)를 장착하여 구성되어 있다. 고속 회전한 절삭 블레이드(48)에 의해 척 테이블(31) 상의 웨이퍼(W)의 모따기부(88)(도 2 참조)가 절입된 상태에서, 척 테이블(31)을 회전시킴으로써, 웨이퍼(W)의 모따기부(88)가 전체 둘레에 걸쳐 트리밍 가공된다. 웨이퍼(W)의 외주부로부터 모따기부(88)가 제거됨으로써, 후단의 연삭 공정에서 웨이퍼(W)가 이면측으로부터 마무리 두께까지 연삭되어도, 연삭 후에 남은 모따기부(88)에 의해 웨이퍼(W)의 외주부가 나이프 에지형으로 형성되는 일이 없다.The blade unit 42 is configured by attaching a disk-shaped cutting blade 48 to the tip of the spindle 47. The wafer W is rotated by rotating the chuck table 31 while the chamfered portion 88 (see FIG. 2) of the wafer W on the chuck table 31 is cut by the cutting blade 48 rotated at high speed. The chamfer 88 of is trimmed over the entire circumference. By removing the chamfered portion 88 from the outer circumferential portion of the wafer W, even if the wafer W is ground from the back side to the finished thickness in the subsequent grinding step, the wafer W is retained by the chamfered portion 88 remaining after grinding. The outer periphery is not formed in the form of a knife edge.

가공 영역(A2)에 있어서는, 에지 클램프식의 반송 기구(51)에 의해 척 테이블(31) 상에 웨이퍼(W)가 반입되고, 에지 클램프식의 반송 기구(54)에 의해 척 테이블(31)로부터 웨이퍼(W)가 반출된다. 이 경우, 반송 기구(51)에 의해 포지션 테이블(26)로부터 가공 전의 웨이퍼(W)가 픽업되고, 리니어 모터식의 이동 기구(53)에 의해 웨이퍼(W)가 척 테이블(31)에 반송된다. 또한, 반송 기구(54)에 의해 척 테이블(31) 상으로부터 가공 후의 웨이퍼(W)가 픽업되고, 반송 기구(54)의 기단부를 중심으로 한 선회 이동에 의해 세정 영역(A3)에 웨이퍼(W)가 반송된다.In the processing area A2, the wafer W is carried on the chuck table 31 by the edge clamp type conveyance mechanism 51, and the chuck table 31 by the edge clamp type conveyance mechanism 54. The wafer W is taken out from. In this case, the wafer W before processing is picked up from the position table 26 by the conveyance mechanism 51, and the wafer W is conveyed to the chuck table 31 by the linear motor type movement mechanism 53. . Further, the wafer W after processing is picked up from the chuck table 31 by the transport mechanism 54, and the wafer W is moved to the cleaning area A3 by a pivotal movement around the base end of the transport mechanism 54. ) Is returned.

세정 영역(A3)에는, 웨이퍼(W)의 이면을 세정하는 이면 세정 기구(81)와, 웨이퍼(W)의 표면을 세정하는 표면 세정 기구(82)가 설치되어 있다. 이면 세정 기구(81)에서는, 복수의 배치 핀(83) 상에 웨이퍼(W)의 외주부가 지지된 상태에서, 웨이퍼(W)의 이면에 세정수가 분사되어 회전 브러시(84)에 의해 이면 세정된다. 이면 세정 후의 웨이퍼(W)는, 에지 클램프식의 반송 기구(57)에 의해 이면 세정 기구(81)로부터 픽업되고, 리니어 모터식의 이동 기구(58)에 의해 표면 세정 기구(82)에 반송된다. 표면 세정 기구(82)에서는, 스피너 테이블(85)의 복수의 클램프부(86)에 의해 웨이퍼(W)의 외주부가 유지된 상태에서, 웨이퍼(W)에 세정수가 분사되어 표면 세정된 후, 건조 에어가 분무되어 건조된다.In the cleaning area A3, a back surface cleaning mechanism 81 for cleaning the back surface of the wafer W and a surface cleaning mechanism 82 for cleaning the surface of the wafer W are provided. In the backside cleaning mechanism 81, while the outer circumferential portion of the wafer W is supported on the plurality of placement pins 83, the washing water is sprayed on the backside of the wafer W and the backside is cleaned by the rotary brush 84. . The wafer W after backside cleaning is picked up from the backside cleaning mechanism 81 by an edge clamp type conveying mechanism 57 and conveyed to the surface cleaning mechanism 82 by a linear motor type moving mechanism 58. . In the surface cleaning mechanism 82, while the outer circumferential portion of the wafer W is held by the plurality of clamp portions 86 of the spinner table 85, the washing water is sprayed onto the wafer W to be surface cleaned, followed by drying. Air is sprayed and dried.

표면 세정 후의 웨이퍼(W)는, 다관절 로봇(21)에 의해 스피너 테이블(85)로부터 픽업되고, 반출용 카세트(C2)를 향해 반송된다. 이와 같이 구성된 가공 장치(1)에서는, 포지션 테이블(26)과 척 테이블(31) 사이, 척 테이블(31)과 이면 세정 기구(81) 사이, 이면 세정 기구(81)와 표면 세정 기구(82) 사이에서, 각각 에지 클램프식의 반송 기구(51, 54, 57)에 의해 웨이퍼(W)가 반송된다. 이 경우, 각 반송 기구(51, 54, 57)의 3개의 클로 부재(65)(도 2 참조)가 웨이퍼(W)의 외주부 측면에 대해 적절한 위치까지 접근되어 웨이퍼(W)의 외주부가 유지된다.The wafer W after surface cleaning is picked up from the spinner table 85 by the multi-joint robot 21 and conveyed toward the cassette C2 for carrying out. In the processing apparatus 1 configured in this way, between the position table 26 and the chuck table 31, between the chuck table 31 and the back cleaning mechanism 81, the back cleaning mechanism 81 and the surface cleaning mechanism 82 The wafer W is conveyed by the edge clamp-type conveyance mechanisms 51, 54, 57, respectively. In this case, the three claw members 65 of each transport mechanism 51, 54, 57 (see Fig. 2) are approached to a suitable position with respect to the side of the outer peripheral portion of the wafer W so that the outer peripheral portion of the wafer W is maintained. .

그런데, 포지션 테이블(26)의 배치 핀(27) 상에 웨이퍼(W)가 소정의 정밀도로 위치 결정되어 있으나, 포지션 테이블(26)의 중심에 웨이퍼(W)의 중심을 확실하게 맞추는 것은 어렵다. 따라서, 포지션 테이블(26)로부터 척 테이블(31)에 배치할 때에, 웨이퍼(W)의 중심이 척 테이블(31)의 중심에 대해 위치가 어긋나는 경우가 있다. 이 때문에, 척 테이블(31) 상의 웨이퍼(W)의 촬상 화상으로부터 중심 위치를 구하고, 척 테이블(31)에 웨이퍼(W)를 재배치하는 것도 고려되지만, 웨이퍼(W)의 중심 위치의 산출이나 웨이퍼(W)의 재배치에 시간을 필요로 하기 때문에 가공 스루풋이 악화된다.By the way, although the wafer W is positioned with a predetermined precision on the placement pin 27 of the position table 26, it is difficult to reliably align the center of the wafer W to the center of the position table 26. Therefore, when it is arrange|positioned from the position table 26 to the chuck table 31, the center of the wafer W may shift with respect to the center of the chuck table 31. For this reason, although it is also considered to obtain the center position from the picked-up image of the wafer W on the chuck table 31 and rearrange the wafer W on the chuck table 31, calculation of the center position of the wafer W or wafer Processing time is deteriorated because it takes time to rearrange (W).

또한, 센터링 기능을 갖는 반송 기구에 의해 반송하면서 센터링하여 가공 스루풋을 향상시키는 구성도 고려된다. 그러나, 접합 웨이퍼나 수지로 몰드한 웨이퍼는, 1장마다 외부 직경이나 외연(外緣) 형상에 변동이 발생하여 중심 위치로부터 외주부까지의 거리가 일정하지 않고, 웨이퍼(W)의 외주부에 클로 부재가 압박되어 파손될 우려가 있다. 그래서, 본 실시형태의 반송 기구(51, 54, 57)에서는, 구동 부하의 변화로부터 복수의 클로 부재가 웨이퍼(W)의 외주부에 접촉하는 위치에 각 클로 부재를 정지시키고, 이 접촉 위치를 웨이퍼(W)의 외주 위치로 하여, 중심 위치를 산출하면서 웨이퍼(W)를 반송하도록 하고 있다.In addition, a configuration that centers while conveying by a conveying mechanism having a centering function to improve processing throughput is also considered. However, a bonded wafer or a wafer molded from a resin has a variation in outer diameter or outer shape for each sheet, so that the distance from the central position to the outer periphery is not constant, and the claw member is formed at the outer periphery of the wafer W. There is a risk of damage due to pressure. Therefore, in the conveyance mechanisms 51, 54, and 57 of the present embodiment, each claw member is stopped at a position where a plurality of claw members contact the outer circumferential portion of the wafer W from a change in the driving load, and this contact position is the wafer. As the outer circumferential position of (W), the wafer W is conveyed while calculating the center position.

이하, 도 2를 참조하여, 반송 기구의 상세 구성에 대해 설명한다. 도 2는 본 실시형태의 반송 기구의 측면 모식도이다. 한편, 반송 기구는, 도 2에 도시된 구성에 한정되지 않는다. 반송 기구는, 웨이퍼의 외주부를 유지했을 때의 클로 부재의 위치를 웨이퍼의 외주 위치로 하여 중심 위치를 산출하는 것이 가능하면, 어떻게 구성되어도 좋다. 여기서는, 포지션 테이블과 척 테이블 사이에서 웨이퍼를 반송하는 반송 기구에 대해 설명한다. 한편, 척 테이블과 이면 세정 기구 사이, 이면 세정 기구와 표면 세정 기구 사이에서, 웨이퍼를 반송하는 반송 기구에 대해서도 동일한 구성으로 해도 좋다.Hereinafter, with reference to FIG. 2, the detailed structure of a conveyance mechanism is demonstrated. 2 is a schematic side view of the transport mechanism of this embodiment. Meanwhile, the transport mechanism is not limited to the configuration shown in FIG. 2. The conveyance mechanism may be configured as long as it is possible to calculate the center position using the position of the claw member when the outer circumferential portion of the wafer is held as the outer circumferential position of the wafer. Here, the conveying mechanism for conveying the wafer between the position table and the chuck table will be described. On the other hand, between the chuck table and the back surface cleaning mechanism, and between the back surface cleaning mechanism and the surface cleaning mechanism, the transport mechanism for transporting the wafer may have the same configuration.

도 2에 도시된 바와 같이, 반송 기구(51)는, 웨이퍼(W)의 외주부를 유지하는 에지 클램프식의 유지 수단(52)을 갖고 있고, 유지 수단(52)의 3개의 클로 부재(65)에 의해 웨이퍼(W)의 외주부를 유지하도록 구성되어 있다. 유지 수단(52)은, 반송 아암(55)의 선단측에 지지부(61)를 통해 지지되어 있고, 지지부(61)에 의해 연직 방향으로 이동되며, 리니어 모터식의 이동 기구(53)(도 1 참조)에 의해 수평 방향으로 이동된다. 이와 같이, 본 실시형태에서는, 지지부(61)와 리니어 모터식의 이동 기구(53)에 의해, 유지 수단(52)을 연직 방향 및 수평 방향으로 이동시키는 이동 수단이 구성되어 있다.As shown in FIG. 2, the conveyance mechanism 51 has edge clamp type holding means 52 for holding the outer circumference of the wafer W, and three claw members 65 of the holding means 52 By this, it is configured to hold the outer peripheral portion of the wafer W. The holding means 52 is supported on the distal end side of the conveyance arm 55 via the support portion 61, is moved in the vertical direction by the support portion 61, and the linear motor type movement mechanism 53 (Fig. 1) Reference). Thus, in this embodiment, the moving part which moves the holding means 52 in the vertical direction and the horizontal direction is comprised by the support part 61 and the linear motor-type moving mechanism 53.

유지 수단(52)의 베이스 플레이트(62) 상에는, 세 방면으로 연장되는 장척(長尺)형의 가이드(63)가 설치되고, 각 가이드(63) 상에는 가동 블록(64)이 슬라이드 가능하게 설치되어 있다. 각 가동 블록(64)에는 각각 클로 부재(65)가 부착되어 있고, 클로 부재(65)는 클로 끝(66)을 지지부(61)측으로 향하게 한 단면에서 보아 대략 L자형으로 형성되어 있다. 또한, 가동 블록(64)은 이송 나사(67)가 나사 결합되어 있고, 이송 나사(67)의 일단은 베이스 플레이트(62)의 직경 방향 내측의 클로 부재 작동 수단(68)에 연결되고, 이송 나사(67)의 타단은 베이스 플레이트(62)의 직경 방향 외측에서 지지벽(69)에 지지되어 있다. 이와 같이, 베이스 플레이트(62) 상에는, 클로 부재(65)마다 이송 나사식의 이동 기구가 설치되어 있다.On the base plate 62 of the holding means 52, elongated guides 63 extending in three directions are provided, and on each guide 63, a movable block 64 is slidably installed. have. A claw member 65 is attached to each movable block 64, and the claw member 65 is formed in a substantially L shape when viewed from a cross section with the claw end 66 facing the support portion 61 side. In addition, the movable block 64, the feed screw 67 is screwed, one end of the feed screw 67 is connected to the claw member operating means 68 in the radial direction of the base plate 62, the feed screw The other end of (67) is supported by the support wall (69) from the radial direction outside of the base plate (62). In this way, on the base plate 62, a transfer screw type movement mechanism is provided for each claw member 65.

클로 부재 작동 수단(68)은, 이른바 서보 모터로 구성되어 있고, 클로 부재(65)의 현재 위치, 현재 속도, 구동 부하(토크)가 후술하는 제어 수단(75)에 출력되어 서보 제어된다. 클로 부재 작동 수단(68)에 의해 이송 나사(67)가 회전되고, 가동 블록(64)이 가이드(63)에 가이드되면서 가동된다. 이때, 각 가동 블록(64)에 설치한 각 클로 부재(65)는, 웨이퍼(W)의 외주부로부터 이격된 대기 위치와, 서로 반경 방향으로 접근하여 웨이퍼(W)의 외주부를 유지하는 작용 위치 사이에서 각각 반경 방향으로 독립적으로 이동된다. 각 가동 블록(64)이 접근하여 클로 부재(65)의 클로 끝(66)에 웨이퍼(W)가 얹혀짐으로써, 웨이퍼(W)의 외주부가 유지 수단(52)에 유지된다.The claw member operating means 68 is constituted by a so-called servo motor, and the current position, current speed, and driving load (torque) of the claw member 65 is output to the control means 75 to be described later, and is servo controlled. The feed screw 67 is rotated by the claw member operating means 68, and is movable while the movable block 64 is guided to the guide 63. At this time, each claw member 65 provided in each movable block 64 is between a standby position spaced apart from the outer circumferential portion of the wafer W, and an acting position approaching each other in the radial direction to maintain the outer circumferential portion of the wafer W In each, they are moved independently in the radial direction. As each movable block 64 approaches and the wafer W is placed on the claw end 66 of the claw member 65, the outer peripheral portion of the wafer W is held by the holding means 52.

클로 부재 작동 수단(68)에는, 각각 클로 부재(65)를 구동할 때의 구동 부하를 검출하는 구동 부하 검출 수단(71)이 설치되어 있다. 구동 부하 검출 수단(71)은, 예컨대 서보 모터의 전용 드라이버의 토크 검출 기능으로 구성되고, 클로 부재(65)와 웨이퍼(W)의 외주부의 접촉에 의한 구동 부하의 증가를 검출하고 있다. 또한, 클로 부재(65)의 이동 위치는, 각각 위치 검출 수단(72)에 의해 검출되어 있다. 위치 검출 수단(72)은, 예컨대 리니어 스케일이고, 가동 블록(64)에 설치한 판독부(73)에 의해 가이드(63)를 따른 스케일(74)의 눈금을 판독함으로써, 클로 부재(65)의 이동 위치를 검출하고 있다. 구동 부하 검출 수단(71) 및 위치 검출 수단(72)의 출력 결과는 제어 수단(75)에 출력된다.The claw member operating means 68 is provided with a drive load detecting means 71 that detects a drive load when driving the claw member 65, respectively. The drive load detection means 71 is configured with, for example, a torque detection function of a dedicated driver of the servo motor, and detects an increase in the drive load due to contact between the claw member 65 and the outer circumferential portion of the wafer W. In addition, the movement position of the claw member 65 is detected by the position detection means 72, respectively. The position detection means 72 is a linear scale, for example, by reading the scale of the scale 74 along the guide 63 by the reading unit 73 provided on the movable block 64, thereby allowing the claw member 65 to be read. The moving position is being detected. The output results of the drive load detecting means 71 and the position detecting means 72 are output to the control means 75.

제어 수단(75)은, 클로 부재 작동 수단(68), 구동 부하 검출 수단(71), 위치 검출 수단(72)으로부터의 각종 정보로부터 클로 부재(65)의 이동을 제어하고 있다. 또한, 제어 수단(75)은, 각종 처리를 실행하는 프로세서나 메모리 등에 의해 구성되어 있다. 메모리는, 용도에 따라 ROM(Read Only Memory), RAM(Random Access Memory) 등의 하나 또는 복수의 기억 매체로 구성되어 있다. 메모리에는, 클로 부재 작동 수단(68)의 서보 제어의 프로그램에 더하여, 웨이퍼(W)의 중심 위치의 산출 프로그램이 기억되어 있다. 한편, 위치 검출 수단(72)은, 리니어 스케일 대신에, 클로 부재 작동 수단(68)에 설치한 인코더로 구성되어도 좋다.The control means 75 controls the movement of the claw member 65 from various pieces of information from the claw member operating means 68, the drive load detecting means 71, and the position detecting means 72. Further, the control means 75 is configured by a processor, memory, or the like that performs various processes. The memory is composed of one or a plurality of storage media such as read only memory (ROM) and random access memory (RAM) depending on the application. In the memory, in addition to the servo control program of the claw member operating means 68, a calculation program of the center position of the wafer W is stored. On the other hand, the position detecting means 72 may be composed of an encoder provided in the claw member operating means 68 instead of the linear scale.

또한, 제어 수단(75)에는, 웨이퍼(W)의 외주부에 대한 클로 부재(65)의 접촉을 판정하는 임계값을 기억하는 기억부(76)와, 클로 부재(65)의 접촉 위치로부터 웨이퍼(W)의 중심 위치를 산출하는 산출부(77)가 설치되어 있다. 기억부(76)에는, 사전에 클로 부재(65)가 웨이퍼(W)의 외주부에 접촉했을 때의 클로 부재 작동 수단(68)의 구동 부하의 값이 임계값으로서 기억되어 있다. 산출부(77)에는, 임계값을 초과한 구동 부하가 구동 부하 검출 수단(71)으로부터 검출되었을 때에, 위치 검출 수단(72)에 의해 검출된 클로 부재(65)의 위치가 입력된다. 또한, 제어 수단(75)에 의해 클로 부재(65)의 이동이 정지되고, 웨이퍼(W)의 외주부에 대한 클로 부재(65)의 압입이 방지된다.Further, the control means 75 includes a storage unit 76 for storing a threshold value for determining the contact of the claw member 65 with the outer circumferential portion of the wafer W, and a wafer (from the contact position of the claw member 65). A calculation unit 77 for calculating the center position of W) is provided. In the storage unit 76, the value of the driving load of the claw member operating means 68 when the claw member 65 contacts the outer circumferential portion of the wafer W is stored in advance as a threshold value. The position of the claw member 65 detected by the position detection means 72 is input to the calculation unit 77 when a drive load exceeding a threshold is detected from the drive load detection means 71. In addition, the movement of the claw member 65 is stopped by the control means 75, and press-fitting of the claw member 65 against the outer peripheral portion of the wafer W is prevented.

보다 상세하게는, 각 클로 부재(65)는 웨이퍼(W)의 외주부를 압입하지 않고, 각 클로 부재(65)가 웨이퍼(W)의 외주부에 접촉한 타이밍에서 정지되고 있다. 따라서, 각 클로 부재(65)에 의해 웨이퍼(W)는 센터링되어 있지 않고, 유지 수단(52)에 대해 웨이퍼(W)의 중심이 위치 어긋남된 상태로 유지되어 있다. 웨이퍼(W)의 중심으로부터 외주까지의 거리에 변동이 발생하고 있어도, 웨이퍼(W)의 변동에 따라 적절한 위치에 클로 부재(65)가 정지되기 때문에, 웨이퍼(W)가 클로 부재(65)에 과도하게 압입되는 일이 없어, 웨이퍼(W)의 파손이 확실하게 방지된다.More specifically, each claw member 65 does not press the outer circumferential portion of the wafer W, and each claw member 65 is stopped at a timing when it contacts the outer circumferential portion of the wafer W. Therefore, the wafer W is not centered by each claw member 65, and the center of the wafer W is displaced with respect to the holding means 52. Even if variations occur in the distance from the center of the wafer W to the outer periphery, since the claw member 65 is stopped at an appropriate position according to the fluctuation of the wafer W, the wafer W is attached to the claw member 65. There is no excessive press-fitting, and damage to the wafer W is reliably prevented.

그리고, 산출부(77)에서는, 위치 검출 수단(72)에 의해 검출된 클로 부재(65)의 위치로부터 웨이퍼(W)의 중심 위치가 산출된다. 구체적으로는, 3개의 클로 부재(65)의 클로 끝(66)의 접촉 위치가 웨이퍼(W)의 외주부의 3점으로서, 유지 수단(52)에 설정된 평면 좌표계에 설정된다. 그리고, 웨이퍼(W)의 외주부의 3점의 좌표 중, 2점의 좌표를 연결하는 각 현(弦)의 수직 이등분선의 교점으로부터 웨이퍼(W)의 중심 위치가 산출된다. 한편, 웨이퍼(W)의 외주부의 3점의 좌표 중, 적어도 2점을 지나는 웨이퍼(W)의 외주부에 대한 법선의 교점으로부터 웨이퍼(W)의 중심 위치가 산출되어도 좋다.Then, in the calculation unit 77, the center position of the wafer W is calculated from the position of the claw member 65 detected by the position detection means 72. Specifically, the contact positions of the claw ends 66 of the three claw members 65 are set in the plane coordinate system set in the holding means 52 as three points of the outer circumferential portion of the wafer W. Then, the center position of the wafer W is calculated from the intersection of the vertical bisectors of the strings connecting the two points among the coordinates of the three points on the outer periphery of the wafer W. On the other hand, the center position of the wafer W may be calculated from the intersection of the normal to the outer circumference of the wafer W, which passes at least two points, among the coordinates of the three points of the outer circumference of the wafer W.

웨이퍼(W)의 중심 위치가 산출되면, 웨이퍼(W)의 중심 위치를 척 테이블(31)(도 4a 참조)의 중심 위치에 위치시키도록, 웨이퍼(W)가 척 테이블(31) 상에 배치된다. 웨이퍼(W)의 반송 중에 중심 위치가 산출되기 때문에, 척 테이블(31)에 대해 웨이퍼(W)를 효율적으로 반송할 수 있다. 또한, 척 테이블(31)의 회전 중심에 웨이퍼(W)의 중심이 일치하기 때문에, 산출부(77)에 의해 산출된 웨이퍼(W)의 중심 위치에 기초하여, 에지 얼라인먼트를 하지 않고 웨이퍼(W)의 모따기부(88)에 절삭 블레이드(48)(도 4b 참조)를 정밀도 좋게 위치시킬 수 있다.When the center position of the wafer W is calculated, the wafer W is placed on the chuck table 31 so that the center position of the wafer W is positioned at the center position of the chuck table 31 (see FIG. 4A ). do. Since the center position is calculated during the transportation of the wafer W, the wafer W can be efficiently transferred to the chuck table 31. In addition, since the center of the wafer W coincides with the rotation center of the chuck table 31, the wafer W is not subjected to edge alignment based on the center position of the wafer W calculated by the calculator 77. ), the cutting blade 48 (see FIG. 4B) can be accurately positioned on the chamfer 88.

계속해서, 도 3 및 도 4를 참조하여, 반송 기구의 반송 동작 및 절삭 기구의 절삭 동작에 대해 설명한다. 도 3은 본 실시형태의 반송 기구의 반송 동작의 일례를 도시한 도면이다. 도 4는 본 실시형태의 절삭 기구의 절삭 동작의 일례를 도시한 도면이다. 한편, 도 3에서는, 포지션 테이블과 척 테이블 사이의 반송 동작에 대해 설명하지만, 척 테이블과 이면 세정 기구 사이, 이면 세정 기구와 표면 세정 기구 사이의 반송 기구에 의한 반송 동작도 마찬가지이다.Subsequently, with reference to FIGS. 3 and 4, the conveying operation of the conveying mechanism and the cutting operation of the cutting mechanism will be described. 3 is a diagram showing an example of a conveying operation of the conveying mechanism of the present embodiment. 4 is a diagram showing an example of a cutting operation of the cutting mechanism of the present embodiment. On the other hand, in FIG. 3, the conveying operation between the position table and the chuck table is described, but the conveying operation by the conveying mechanism between the chuck table and the back cleaning mechanism, and between the back cleaning mechanism and the surface cleaning mechanism is the same.

도 3a에 도시된 바와 같이, 포지션 테이블(26)의 배치 핀(27) 상에 웨이퍼(W)가 배치되어 있고, 포지션 테이블(26)의 상방에 유지 수단(52)이 위치된다. 이때, 배치 핀(27)에 웨이퍼(W)가 하방으로부터 지지됨으로써, 포지션 테이블(26)과 웨이퍼(W)와 테이블에 간극이 형성되어 있다. 또한, 유지 수단(52)의 각 클로 부재(65)가 각각 대기 위치에 위치되고, 각 클로 부재(65)의 클로 끝(66)이 웨이퍼(W)의 외주부보다 직경 방향 외측으로 이격되어 있다. 또한, 포지션 테이블(26)의 중심에 유지 수단(52)의 중심이 위치된 상태에서, 유지 수단(52)이 하강되어 포지션 테이블(26)에 접근된다.As shown in Fig. 3A, the wafer W is disposed on the positioning pin 27 of the position table 26, and the holding means 52 is positioned above the position table 26. At this time, since the wafer W is supported from the lower side of the placement pin 27, a gap is formed in the position table 26, the wafer W, and the table. In addition, each claw member 65 of the holding means 52 is positioned at a standby position, and the claw end 66 of each claw member 65 is spaced outward in the radial direction from the outer peripheral portion of the wafer W. Further, in the state where the center of the holding means 52 is located at the center of the position table 26, the holding means 52 descends to approach the position table 26.

도 3b에 도시된 바와 같이, 유지 수단(52)의 하강에 의해 각 클로 부재(65)의 클로 끝(66)이 웨이퍼(W)의 하측에 위치되면, 각 클로 부재 작동 수단(68)에 의해 각 클로 부재(65)가 웨이퍼(W)를 향해 개별적으로 이동된다. 이때, 클로 부재 작동 수단(68)의 구동 부하가 구동 부하 검출 수단(71)에 의해 검출되어 있고, 구동 부하 검출 수단(71)의 검출 결과가 제어 수단(75)에 출력되어 구동 부하의 변화가 감시되고 있다. 구동 부하 검출 수단(71)의 검출 결과가 기억부(76)에 기억된 임계값을 초과하면, 클로 부재(65)의 클로 끝(66)이 웨이퍼(W)의 외주부에 접촉하는 작용 위치까지 이동했다고 판정되어 클로 부재 작동 수단(68)이 정지된다.As shown in Fig. 3B, when the claw end 66 of each claw member 65 is positioned below the wafer W by the lowering of the holding means 52, by the claw member actuating means 68, Each claw member 65 is individually moved toward the wafer W. At this time, the drive load of the claw member operating means 68 is detected by the drive load detecting means 71, and the detection result of the drive load detecting means 71 is output to the control means 75 so that the change in the drive load Is being monitored. When the detection result of the drive load detection means 71 exceeds the threshold value stored in the storage section 76, the claw end 66 of the claw member 65 moves to a working position in contact with the outer peripheral portion of the wafer W It is determined that the claw member operation means 68 is stopped.

이 작용 위치에서는, 복수의 클로 부재(65)의 클로 끝(66)이 웨이퍼(W)의 외주부의 하측으로 들어가고, 웨이퍼(W)의 외주부 이면이 각 클로 부재(65)에 의해 하측으로부터 지지된다. 클로 부재(65)의 클로 끝(66)의 상면이, 선단을 향해 낮아지도록 경사져 있기 때문에, 클로 끝(66)의 사면(斜面)에 웨이퍼(W)의 외주부가 닿음으로써 웨이퍼(W)의 파손이 방지되어 있다. 또한, 복수의 클로 부재(65)가 웨이퍼(W)의 외주부에 대해 개별적으로 접근되기 때문에, 웨이퍼(W)의 외부 직경의 크기나 변동에 의하지 않고, 웨이퍼(W)의 외주부에 대해 각 클로 부재(65)를 적절한 위치로 조정할 수 있다.In this working position, the claw ends 66 of the plurality of claw members 65 enter the lower side of the outer circumferential portion of the wafer W, and the rear surface of the outer circumferential portion of the wafer W is supported from the lower side by each claw member 65. . Since the upper surface of the claw end 66 of the claw member 65 is inclined to be lower toward the tip, the wafer W is damaged by contacting the outer peripheral portion of the wafer W with the slope of the claw end 66 Is prevented. Further, since the plurality of claw members 65 are individually approached to the outer circumferential portion of the wafer W, each claw member is relative to the outer circumferential portion of the wafer W regardless of the size or variation of the outer diameter of the wafer W. (65) can be adjusted to an appropriate position.

도 3c에 도시된 바와 같이, 각 클로 부재(65)가 작용 위치에 위치되면, 각 클로 부재(65)의 클로 끝(66)에 웨이퍼(W)의 외주부가 걸리고, 웨이퍼(W)의 외주부가 유지 수단(52)에 유지된다. 웨이퍼(W)는, 유지 수단(52)에 의해 유지된 상태에서 포지션 테이블(26)의 배치 핀(27)으로부터 들어 올려지고, 척 테이블(31)(도 4a 참조)을 향해 반송된다. 또한, 클로 부재(65)의 클로 끝(66)의 접촉 위치가 웨이퍼(W)의 외주부의 3점으로서, 유지 수단(52)의 평면 좌표계에 설정된다. 그리고, 웨이퍼(W)가 척 테이블(31)까지 반송되는 동안에, 산출부(77)에 의해 웨이퍼(W)의 외주부의 3점의 좌표로부터 웨이퍼(W)의 중심 위치가 산출된다.As shown in Fig. 3c, when each claw member 65 is positioned in the working position, the claw end 66 of each claw member 65 catches the outer peripheral portion of the wafer W, and the outer peripheral portion of the wafer W It is held by the holding means 52. The wafer W is lifted from the positioning pin 27 of the position table 26 in a state held by the holding means 52, and is conveyed toward the chuck table 31 (see Fig. 4A). In addition, the contact position of the claw end 66 of the claw member 65 is set in the plane coordinate system of the holding means 52 as three points of the outer circumferential portion of the wafer W. Then, while the wafer W is transported to the chuck table 31, the center position of the wafer W is calculated from the coordinates of three points of the outer peripheral portion of the wafer W by the calculator 77.

도 4a에 도시된 바와 같이, 척 테이블(31)의 상방에 유지 수단(52)이 위치되면, 척 테이블(31)의 중심 위치에 유지 수단(52)에 유지된 웨이퍼(W)의 중심 위치가 위치된다. 그리고, 유지 수단(52)이 바로 아래로 하강함으로써, 각 클로 부재(65)의 클로 끝(66)에 얹혀진 웨이퍼(W)가 척 테이블(31)의 유지면(32)에 바뀌어 얹혀진다. 이와 같이, 클로 부재 작동 수단(68)의 구동 부하의 상승으로부터 클로 부재(65)의 위치 정보, 즉 웨이퍼(W)의 외주부의 좌표를 검출하도록 했기 때문에, 반송 중에 웨이퍼(W)의 중심 위치를 산출할 수 있다. 따라서, 부품 개수를 저감할 수 있고 작업 시간을 단축할 수 있다.As shown in FIG. 4A, when the holding means 52 are positioned above the chuck table 31, the central position of the wafer W held by the holding means 52 is located at the center position of the chuck table 31. Are located. And, as the holding means 52 descends immediately below, the wafer W placed on the claw end 66 of each claw member 65 is changed and placed on the holding surface 32 of the chuck table 31. As described above, since the positional information of the claw member 65, that is, the coordinates of the outer circumferential portion of the wafer W, is detected from the rise of the driving load of the claw member operating means 68, the center position of the wafer W is conveyed. Can be calculated. Therefore, the number of parts can be reduced and the working time can be shortened.

도 4b에 도시된 바와 같이, 척 테이블(31)에 웨이퍼(W)가 유지되면, 웨이퍼(W)의 외주의 모따기부(88)에 절삭 블레이드(48)가 위치 맞춤된다. 절삭 블레이드(48)에 의해 웨이퍼(W)의 외주부가 절입되면, 척 테이블(31)이 회전되어 웨이퍼(W)의 외주부가 전체 둘레에 걸쳐 절삭된다. 이때, 척 테이블(31)과 웨이퍼(W)의 중심이 일치하기 때문에, 이 중심을 기준으로 절삭 블레이드(48)를 위치시킬 수 있다. 따라서, 에지 얼라인먼트하지 않고, 웨이퍼(W)에 대한 트리밍 가공을 개시할 수 있어, 가공 스루풋이 향상된다.As shown in FIG. 4B, when the wafer W is held on the chuck table 31, the cutting blade 48 is positioned on the chamfer 88 on the outer periphery of the wafer W. When the outer peripheral portion of the wafer W is cut by the cutting blade 48, the chuck table 31 is rotated to cut the outer peripheral portion of the wafer W over the entire circumference. At this time, since the centers of the chuck table 31 and the wafers W coincide, the cutting blades 48 can be positioned relative to the centers. Therefore, the trimming process for the wafer W can be started without edge alignment, and the processing throughput is improved.

이상과 같이, 본 실시형태의 반송 기구(51)에 의하면, 웨이퍼(W)의 외주부에 접촉했을 때의 구동 부하로부터 복수의 클로 부재(65)의 위치가 검출되고, 각 클로 부재(65)의 위치를 웨이퍼(W)의 외주 위치로 하여 웨이퍼(W)의 중심 위치가 산출된다. 그리고, 웨이퍼(W)의 중심 위치가 척 테이블(31)의 중심 위치에 위치하도록 하여, 척 테이블(31) 상에 웨이퍼(W)가 배치된다. 웨이퍼(W)의 반송 시간을 이용하여 웨이퍼(W)의 중심 위치의 산출 처리가 실시되기 때문에, 위치 맞춤 정밀도를 낮추지 않고 척 테이블(31)에 대해 웨이퍼(W)를 효율적으로 반송할 수 있다. 또한, 척 테이블(31) 상에서는 웨이퍼(W)의 중심 기준으로 가공을 개시할 수 있기 때문에, 척 테이블(31)에 대한 웨이퍼(W)의 재배치 등을 없애어 가공 스루풋을 개선할 수 있다.As described above, according to the transport mechanism 51 of the present embodiment, the positions of the plurality of claw members 65 are detected from the driving load when the wafer W is in contact with the outer circumference, and each claw member 65 The position of the center of the wafer W is calculated using the position as the outer circumferential position of the wafer W. Then, the wafer W is disposed on the chuck table 31 so that the center position of the wafer W is positioned at the center position of the chuck table 31. Since the calculation processing of the center position of the wafer W is performed using the transfer time of the wafer W, the wafer W can be efficiently transported to the chuck table 31 without lowering the positioning accuracy. Further, since the machining can be started on the chuck table 31 based on the center of the wafer W, it is possible to improve the processing throughput by eliminating the repositioning of the wafer W with respect to the chuck table 31.

한편, 본 실시형태에서는, 에지 트리밍 장치의 반송 기구에 대해 설명하였으나, 이 구성에 한정되지 않는다. 본 발명의 반송 기구는, 워크를 가공하는 다른 가공 장치에도 적용 가능하다. 예컨대, 워크 반송을 실시하는 가공 장치이면, 절삭 장치, 연삭 장치, 연마 장치, 레이저 가공 장치, 플라즈마 에칭 장치, 및 이들을 조합한 클러스터 장치 등의 다른 가공 장치의 반송 기구에 적용되어도 좋다.In addition, although the conveyance mechanism of the edge trimming apparatus was demonstrated in this embodiment, it is not limited to this structure. The conveyance mechanism of the present invention can be applied to other processing devices for processing workpieces. For example, as long as it is a processing apparatus that carries out work conveyance, it may be applied to a conveyance mechanism of other processing apparatuses such as a cutting apparatus, a grinding apparatus, a polishing apparatus, a laser processing apparatus, a plasma etching apparatus, and a cluster apparatus combining them.

또한, 가공 대상의 워크는, 가공의 종류에 따라, 예컨대, 반도체 디바이스 웨이퍼, 광디바이스 웨이퍼, 패키지 기판, 반도체 기판, 무기 재료 기판, 산화물 웨이퍼, 그린 세라믹스 기판, 압전 기판 등의 각종 워크가 이용되어도 좋다. 반도체 디바이스 웨이퍼로서는, 디바이스 형성 후의 실리콘 웨이퍼나 화합물 반도체 웨이퍼가 이용되어도 좋다. 광디바이스 웨이퍼로서는, 디바이스 형성 후의 사파이어 웨이퍼나 실리콘 카바이드 웨이퍼가 이용되어도 좋다. 또한, 패키지 기판으로서는 CSP(Chip Size Package) 기판, 반도체 기판으로서는 실리콘이나 갈륨비소 등, 무기 재료 기판으로서는 사파이어, 세라믹스, 유리 등이 이용되어도 좋다. 또한, 산화물 웨이퍼로서는, 디바이스 형성 후 또는 디바이스 형성 전의 리튬탄탈레이트, 리튬 니오베이트가 이용되어도 좋다.In addition, various workpieces such as semiconductor device wafers, optical device wafers, package substrates, semiconductor substrates, inorganic material substrates, oxide wafers, green ceramics substrates, and piezoelectric substrates may be used as the workpiece to be processed, depending on the type of processing. good. As the semiconductor device wafer, a silicon wafer or a compound semiconductor wafer after device formation may be used. As the optical device wafer, a sapphire wafer or silicon carbide wafer after device formation may be used. Further, as a package substrate, a CSP (Chip Size Package) substrate, a semiconductor substrate such as silicon or gallium arsenide, or an inorganic material substrate may be used as sapphire, ceramics, glass, or the like. Further, as the oxide wafer, lithium tantalate or lithium niobate may be used after device formation or before device formation.

또한, 본 실시형태에서는, 클로 부재 작동 수단으로서 서보 모터를 예시하였으나, 이 구성에 한정되지 않는다. 클로 부재 작동 수단은, 웨이퍼의 외주부로부터 이격된 대기 위치와 웨이퍼의 외주부를 유지하는 작용 위치로 클로 부재를 이동시키는 구성이면 되고, 다른 액추에이터로 구성되어 있어도 좋다. 또한, 구동 부하 검출 수단은, 서보 모터의 드라이버가 아니라, 토크 검출기로 실현되어도 좋다.Further, in the present embodiment, the servo motor is illustrated as the claw member operation means, but the configuration is not limited to this. The claw member operating means may be configured to move the claw member to a standby position spaced apart from the outer circumferential portion of the wafer and a working position that holds the outer circumferential portion of the wafer, and may be constituted by other actuators. Further, the drive load detection means may be realized as a torque detector, not a driver of the servo motor.

또한, 본 실시형태에서는, 유지 수단이 3개의 클로 부재를 갖는 구성으로 하였으나, 이 구성에 한정되지 않는다. 유지 수단은, 웨이퍼의 외주부를 유지하는 복수의 클로 부재를 갖고 있으면 되고, 4개 이상의 클로 부재를 갖고 있어도 좋다. 또한, 클로 부재는 웨이퍼를 유지 가능한 형상이면 되고, 특별히 클로 부재의 형상은 한정되지 않는다.In addition, in this embodiment, although the holding means was made into the structure which has three claw members, it is not limited to this structure. The holding means may just have a plurality of claw members that hold the outer circumferential portion of the wafer, and may have four or more claw members. Moreover, the claw member should just be a shape which can hold a wafer, and the shape of a claw member is not specifically limited.

또한, 본 실시형태 및 변형예를 설명하였으나, 본 발명의 다른 실시형태로서, 상기 실시형태 및 변형예를 전체적 또는 부분적으로 조합한 것이어도 좋다.In addition, although the present embodiment and the modified example have been described, as another embodiment of the present invention, the above-described embodiment and modified example may be combined in whole or in part.

또한, 본 발명의 실시형태는 상기한 실시형태 및 변형예에 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 기술적 사상의 취지를 일탈하지 않는 범위에서 여러 가지로 변경, 치환, 변형되어도 좋다. 나아가서는, 기술의 진보 또는 파생되는 다른 기술에 의해, 본 발명의 기술적 사상을 다른 방식으로 실현할 수 있으면, 그 방법을 이용하여 실시되어도 좋다. 따라서, 특허청구의 범위는, 본 발명의 기술적 사상의 범위 내에 포함될 수 있는 모든 실시형태를 커버하고 있다.In addition, the embodiment of the present invention is not limited to the above-described embodiment and modification, and may be changed, substituted, or modified in various ways without departing from the spirit of the present invention. Furthermore, if the technical idea of the present invention can be realized in other ways by advancement of technology or other derived technology, the method may be implemented. Therefore, the scope of the claims covers all embodiments that can be included within the scope of the technical spirit of the present invention.

또한, 본 실시형태에서는, 본 발명을 에지 트리밍 장치의 반송 기구에 적용한 구성에 대해 설명하였으나, 반송 대상의 중심 위치를 검출하여 반송 효율을 향상시킬 수 있는 다른 장치의 반송 기구에 적용하는 것도 가능하다.In addition, in the present embodiment, the configuration in which the present invention is applied to a conveying mechanism of an edge trimming device has been described, but it is also possible to apply it to a conveying mechanism of another device capable of detecting the center position of the conveying object and improving conveying efficiency. .

이상 설명한 바와 같이, 본 발명은 척 테이블에 대해 웨이퍼의 위치 맞춤 정밀도를 낮추지 않고 효율적으로 반송하여 가공 스루풋을 개선할 수 있다고 하는 효과를 가지며, 특히, 수지로 몰드된 웨이퍼나 접합 웨이퍼 등을 반송하는 반송 기구에 유용하다.As described above, the present invention has an effect that the processing throughput can be improved by efficiently conveying the chuck table without lowering the positioning accuracy of the wafer, and in particular, conveying a wafer molded with resin, a bonded wafer, or the like. It is useful for conveying mechanisms.

1: 가공 장치 26: 포지션 테이블
31: 척 테이블 41: 절삭 기구
48: 절삭 블레이드 51: 반송 기구
52: 유지 수단 53: 이동 기구(이동 수단)
61: 지지부(이동 수단) 65: 클로 부재
68: 클로 부재 작동 수단 71: 구동 부하 검출 수단
72: 위치 검출 수단 75: 제어 수단
76: 기억부 77: 산출부
W: 웨이퍼
1: processing unit 26: position table
31: chuck table 41: cutting mechanism
48: cutting blade 51: conveying mechanism
52: holding means 53: moving mechanism (moving means)
61: support (moving means) 65: claw member
68: claw member operation means 71: drive load detection means
72: position detecting means 75: control means
76: storage unit 77: calculation unit
W: Wafer

Claims (1)

웨이퍼의 외주부를 유지하는 유지 수단과, 상기 유지 수단을 연직 방향 및 수평 방향으로 이동시키는 이동 수단을 구비하여 웨이퍼를 척 테이블 상에 반송하는 반송 기구로서,
상기 유지 수단은,
웨이퍼의 외주부를 유지하는 복수의 클로(claw) 부재와,
상기 복수의 클로 부재를 웨이퍼의 외주부로부터 이격시킨 대기 위치와 상기 복수의 클로 부재를 서로 반경 방향으로 접근시켜 웨이퍼의 외주부를 유지하는 작용 위치 사이에서 상기 복수의 클로 부재를 각각 독립적으로 반경 방향으로 작동시키는 클로 부재 작동 수단과, 상기 클로 부재 작동 수단의 구동 부하를 각각 검출하는 구동 부하 검출 수단과, 각 상기 클로 부재의 위치를 각각 검출하는 위치 검출 수단과, 적어도 상기 클로 부재 작동 수단을 제어하는 제어 수단을 구비하고,
상기 제어 수단은,
각 상기 클로 부재가 웨이퍼의 외주부에 접촉했을 때의 상기 클로 부재 작동 수단의 구동 부하의 값을 임계값으로서 기억하는 기억부와,
상기 구동 부하 검출 수단으로부터의 상기 임계값을 초과한 구동 부하를 검출하면 정지되고 상기 위치 검출 수단에 의해 검출된 각 상기 클로 부재의 위치로부터 웨이퍼 중심 위치를 산출하는 산출부를 구비하며,
상기 유지 수단에 의해 유지된 웨이퍼는, 상기 산출부에 의해 산출된 상기 웨이퍼 중심 위치를 척 테이블 중심 위치에 위치시켜 상기 척 테이블 상에 배치되는 것을 특징으로 하는 반송 기구.
A transport mechanism comprising a holding means for holding the outer peripheral portion of the wafer and moving means for moving the holding means in a vertical direction and a horizontal direction to transport the wafer on a chuck table,
The holding means,
A plurality of claw members holding the outer periphery of the wafer,
The plurality of claw members are each independently operated in a radial direction between a standby position where the plurality of claw members are spaced apart from the outer circumferential portion of the wafer and a working position where the plurality of claw members are radially approached to maintain the outer circumferential portion of the wafer. Claw member actuating means, driving load detecting means for respectively detecting the drive load of the claw member actuating means, position detecting means for respectively detecting the position of each claw member, and control for controlling at least the claw member actuating means Equipped with means,
The control means,
A storage unit for storing the value of the drive load of the claw member actuating means when each of the claw members contacts the outer periphery of the wafer as a threshold;
And a calculation unit that stops when a drive load exceeding the threshold value from the drive load detection means is detected and calculates a wafer center position from the position of each claw member detected by the position detection means,
The conveyance mechanism characterized in that the wafer held by the holding means is placed on the chuck table by positioning the wafer center position calculated by the calculating unit at the chuck table center position.
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000173961A (en) 1998-12-01 2000-06-23 Sharp Corp Method and apparatus for manufacturing semiconductor device
JP2006093333A (en) 2004-09-22 2006-04-06 Disco Abrasive Syst Ltd Cutting method
JP4547524B2 (en) * 2000-12-05 2010-09-22 川崎重工業株式会社 Work processing method, work processing apparatus and robot
JP2015216191A (en) * 2014-05-09 2015-12-03 株式会社ディスコ Transfer device

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2007099976A1 (en) * 2006-02-22 2007-09-07 Ebara Corporation Substrate treating device, substrate convey device, substrate grasping device, and chemical solution treating device
JP2010021257A (en) * 2008-07-09 2010-01-28 Hitachi High-Tech Control Systems Corp Wafer alignment device and wafer transfer device using the same
CN102369595B (en) * 2009-03-30 2016-03-23 Ats自动化加工系统公司 For the system and method for handling wafers
JP5449239B2 (en) * 2010-05-12 2014-03-19 東京エレクトロン株式会社 Substrate processing apparatus, substrate processing method, and storage medium storing program
JP5959216B2 (en) * 2012-02-06 2016-08-02 日東電工株式会社 Substrate transport method and substrate transport apparatus
JP5664570B2 (en) * 2012-02-09 2015-02-04 東京エレクトロン株式会社 Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP6091867B2 (en) * 2012-12-04 2017-03-08 株式会社ディスコ Transport mechanism
JP6120791B2 (en) * 2014-03-13 2017-04-26 東京エレクトロン株式会社 Peeling method, program, computer storage medium, peeling apparatus and peeling system
JP6292155B2 (en) * 2015-03-19 2018-03-14 東京エレクトロン株式会社 Substrate processing apparatus, substrate processing method, and storage medium

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000173961A (en) 1998-12-01 2000-06-23 Sharp Corp Method and apparatus for manufacturing semiconductor device
JP4547524B2 (en) * 2000-12-05 2010-09-22 川崎重工業株式会社 Work processing method, work processing apparatus and robot
JP2006093333A (en) 2004-09-22 2006-04-06 Disco Abrasive Syst Ltd Cutting method
JP2015216191A (en) * 2014-05-09 2015-12-03 株式会社ディスコ Transfer device

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