KR20200067251A - Transfer mechanism - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 웨이퍼의 외주부를 유지하여 반송하는 반송 기구에 관한 것이다.The present invention relates to a transport mechanism that holds and transports the outer circumference of the wafer.
최근, 전기 기기의 박형화나 소형화에 따라, 웨이퍼를 100 ㎛ 이하의 얇기로 연삭 마무리하는 것이 요구되고 있다. 종래, 웨이퍼에는 제조 공정 중의 깨짐이나 발진(發塵) 방지를 위해서, 웨이퍼의 외주에 모따기 가공이 실시되어 있다. 이 때문에, 웨이퍼를 얇게 연삭하면, 외주의 모따기 부분이 나이프 에지(차양형)로 형성된다. 웨이퍼의 모따기 부분이 나이프 에지형이 되면, 외주로부터 이지러짐이 발생하여 웨이퍼가 파손된다고 하는 문제가 발생한다. 이 문제를 해결하기 위해서, 미리 웨이퍼의 모따기 부분을 절삭 블레이드로 둘레 방향으로 제거한 후에, 웨이퍼의 이면을 연삭하는 방법이 제안되어 있다(예컨대, 특허문헌 1 참조).Recently, in accordance with the thinning and miniaturization of electric equipment, it is required to finish grinding the wafer to a thickness of 100 µm or less. Conventionally, the wafer is chamfered on the outer periphery of the wafer to prevent cracking or oscillation during the manufacturing process. For this reason, when the wafer is thinly ground, the chamfered portion of the outer circumference is formed with a knife edge (shape type). When the chamfered portion of the wafer becomes a knife edge type, there arises a problem that the wafer is damaged due to distortion from the outer periphery. In order to solve this problem, a method has been proposed in which a chamfered portion of a wafer is previously removed in a circumferential direction with a cutting blade, and then the back side of the wafer is ground (for example, see Patent Document 1).
또한, 절삭 블레이드로 웨이퍼의 외주부를 둘레 방향으로 제거할 때에, 웨이퍼의 중심과 척 테이블의 회전 중심이 일치하지 않으면, 웨이퍼의 외주부의 제거폭이 일정해지지 않는다. 그래서, 척 테이블에 대한 웨이퍼의 위치 어긋남을 보정하면서 절삭하는 방법이 채용되고 있다(예컨대, 특허문헌 2 참조). 이 방법에서는, 척 테이블 상의 웨이퍼의 외주 에지의 3점이 촬상되고, 3점의 좌표 위치로부터 산출된 웨이퍼의 중심과 척 테이블의 회전 중심의 어긋남량이 구해진다. 이 어긋남량을 보정하도록 절삭 블레이드가 이동되어, 웨이퍼의 중심으로부터 동일한 거리로 모따기부가 둘레 방향으로 절삭된다.Further, when the outer peripheral portion of the wafer is removed in the circumferential direction with the cutting blade, if the center of rotation of the wafer and the center of rotation of the chuck table do not coincide, the removal width of the outer peripheral portion of the wafer is not constant. Therefore, a method of cutting while correcting the positional deviation of the wafer with respect to the chuck table is adopted (for example, see Patent Document 2). In this method, three points of the outer circumferential edge of the wafer on the chuck table are imaged, and the amount of misalignment between the center of the wafer and the rotation center of the chuck table calculated from the coordinate positions of the three points is obtained. The cutting blade is moved to correct this amount of displacement, and the chamfer is cut in the circumferential direction at the same distance from the center of the wafer.
그러나, 특허문헌 2에 기재된 방법에서는, 척 테이블 상에서 웨이퍼의 외주 에지를 검출하여, 웨이퍼와 척 테이블의 어긋남량을 산출하는 데 긴 시간을 필요로 하여, 가공 스루풋이 나빠진다고 하는 문제가 있었다.However, in the method described in Patent Document 2, there is a problem that processing time is deteriorated by requiring a long time to detect the outer edge of the wafer on the chuck table and to calculate the amount of misalignment between the wafer and the chuck table.
본 발명은 이러한 점을 감안하여 이루어진 것으로, 척 테이블에 대해 웨이퍼의 위치 맞춤 정밀도를 낮추지 않고, 효율적으로 반송하여 가공 스루풋을 개선할 수 있는 반송 기구를 제공하는 것을 목적의 하나로 한다.The present invention has been made in view of these points, and one object of the present invention is to provide a transport mechanism capable of efficiently processing and improving processing throughput without lowering the precision of wafer positioning relative to the chuck table.
본 발명의 일 양태의 반송 기구는, 웨이퍼의 외주부를 유지하는 유지 수단과, 상기 유지 수단을 연직 방향 및 수평 방향으로 이동시키는 이동 수단을 구비하여 웨이퍼를 척 테이블 상에 반송하는 반송 기구로서, 상기 유지 수단은, 웨이퍼의 외주부를 유지하는 복수의 클로(claw) 부재와, 상기 복수의 클로 부재를 웨이퍼의 외주부로부터 이격시킨 대기 위치와 상기 복수의 클로 부재를 서로 반경 방향으로 접근시켜 웨이퍼의 외주부를 유지하는 작용 위치 사이에서 상기 복수의 클로 부재를 각각 독립적으로 반경 방향으로 작동시키는 클로 부재 작동 수단과, 상기 클로 부재 작동 수단의 구동 부하를 각각 검출하는 구동 부하 검출 수단과, 각 상기 클로 부재의 위치를 각각 검출하는 위치 검출 수단과, 적어도 상기 클로 부재 작동 수단을 제어하는 제어 수단을 구비하고, 상기 제어 수단은, 각 상기 클로 부재가 웨이퍼의 외주부에 접촉했을 때의 상기 클로 부재 작동 수단의 구동 부하의 값을 임계값으로서 기억하는 기억부와, 상기 구동 부하 검출 수단으로부터의 상기 임계값을 초과한 구동 부하를 검출하면 정지되고 상기 위치 검출 수단에 의해 검출된 각 상기 클로 부재의 위치로부터 웨이퍼 중심 위치를 산출하는 산출부를 구비하며, 상기 유지 수단에 의해 유지된 웨이퍼는, 상기 산출부에 의해 산출된 상기 웨이퍼 중심 위치를 척 테이블 중심 위치에 위치시켜 상기 척 테이블 상에 배치되는 것을 특징으로 한다.The conveyance mechanism of one aspect of the present invention is a conveyance mechanism for conveying a wafer onto a chuck table, comprising holding means for holding the outer circumferential portion of the wafer, and moving means for moving the holding means in the vertical direction and the horizontal direction. The holding means includes a plurality of claw members that hold the outer circumferential portion of the wafer, a standby position at which the plurality of claw members are spaced apart from the outer circumferential portion of the wafer, and the plurality of claw members radially approach each other to move each other in the radial direction to each other. A claw member actuating means for independently actuating the plurality of claw members independently in a radial direction between retaining working positions, a drive load detecting means for respectively detecting a drive load of the claw member actuating means, and a position of each claw member And a position detecting means for detecting each, and control means for controlling at least the claw member operating means, wherein the control means is a driving load of the claw member operating means when each claw member contacts the outer periphery of the wafer. The center of the wafer is stored from the position of each claw member detected by the position detecting means, which is stopped when a storage unit that stores the value of? As a threshold value and a drive load exceeding the threshold value from the drive load detecting means is detected. It characterized in that it is provided with a calculation unit for calculating, and the wafer held by the holding means is disposed on the chuck table by positioning the wafer center position calculated by the calculation unit at the center position of the chuck table.
이 구성에 의하면, 웨이퍼의 외주부에 접촉했을 때의 구동 부하로부터 복수의 클로 부재의 위치가 검출되고, 각 클로 부재의 위치를 웨이퍼의 외주 위치로 하여 웨이퍼 중심 위치가 산출된다. 그리고, 웨이퍼 중심 위치를 척 테이블 중심 위치에 위치시키도록 하여, 척 테이블 상에 웨이퍼가 배치된다. 웨이퍼의 반송 시간을 이용하여 웨이퍼 중심 위치의 산출 처리가 실시되기 때문에, 위치 맞춤 정밀도를 낮추지 않고 척 테이블에 대해 웨이퍼를 효율적으로 반송할 수 있다. 또한, 척 테이블 상에서는 웨이퍼의 중심 기준으로 가공을 개시할 수 있기 때문에, 척 테이블에 대한 웨이퍼의 재배치 등을 없애어 가공 스루풋을 개선할 수 있다.According to this configuration, the positions of the plurality of claw members are detected from the driving load when the wafer is in contact with the outer periphery, and the wafer center position is calculated using the positions of the claw members as the outer circumferential positions of the wafer. Then, the wafer is placed on the chuck table by positioning the wafer center position at the center position of the chuck table. Since the calculation processing of the wafer center position is performed using the transfer time of the wafer, the wafer can be efficiently transferred to the chuck table without lowering the positioning accuracy. In addition, since processing can be started on the basis of the center of the wafer on the chuck table, it is possible to improve the processing throughput by eliminating the repositioning of the wafer with respect to the chuck table.
본 발명에 의하면, 웨이퍼를 반송하면서 웨이퍼 중심 위치를 산출하기 때문에, 위치 맞춤 정밀도를 낮추지 않고 척 테이블에 대해 웨이퍼를 효율적으로 반송하여, 가공 스루풋을 개선할 수 있다.According to the present invention, since the wafer center position is calculated while conveying the wafer, the wafer can be efficiently conveyed to the chuck table without lowering the positioning accuracy, and processing throughput can be improved.
도 1은 본 실시형태의 가공 장치의 상면 모식도이다.
도 2는 본 실시형태의 반송 기구의 측면 모식도이다.
도 3은 본 실시형태의 반송 기구의 반송 동작의 일례를 도시한 도면이다.
도 4는 본 실시형태의 절삭 기구의 절삭 동작의 일례를 도시한 도면이다.1 is a schematic top view of the processing apparatus of this embodiment.
2 is a schematic side view of the transport mechanism of the present embodiment.
3 is a diagram showing an example of the conveying operation of the conveying mechanism of the present embodiment.
4 is a diagram showing an example of a cutting operation of the cutting mechanism of the present embodiment.
이하, 첨부 도면을 참조하여, 본 실시형태의 반송 기구를 구비한 가공 장치에 대해 설명한다. 도 1은 본 실시형태의 가공 장치의 상면 모식도이다. 한편, 이하의 설명에서는, 웨이퍼의 외주부를 트리밍 가공하는 가공 장치에, 본 발명의 반송 기구를 적용하는 구성에 대해 설명하지만, 이 구성에 한정되지 않는다. 또한, 반송 기구는, 연삭 장치나 레이저 가공 장치 등의 다른 가공 장치에 이용되어도 좋다.Hereinafter, a processing apparatus provided with the transport mechanism of the present embodiment will be described with reference to the accompanying drawings. 1 is a schematic top view of the processing apparatus of this embodiment. In addition, in the following description, although the structure which applies the conveyance mechanism of this invention to the processing apparatus which trims the outer peripheral part of a wafer is demonstrated, it is not limited to this structure. Further, the transport mechanism may be used for other processing devices such as a grinding device or a laser processing device.
도 1에 도시된 바와 같이, 가공 장치(1)는, 풀 오토 타입의 가공 장치이며, 원판형의 웨이퍼(W)에 대한 반입 처리, 절삭 처리, 세정 처리, 반출 처리로 이루어지는 일련의 작업을 전자동으로 실시하도록 구성되어 있다. 웨이퍼(W)의 외주 에지에는, 제조 공정 중에 있어서의 깨짐이나 발진 방지를 위한 모따기부(88)(도 2 참조)가 형성되어 있다. 또한, 웨이퍼(W)의 외주부에는 결정 방위를 나타내는 노치(89)가 형성되어 있다. 한편, 웨이퍼(W)는, 반도체 기판에 반도체 디바이스가 형성된 반도체 웨이퍼여도 좋고, 무기 재료 기판에 광디바이스가 형성된 광디바이스 웨이퍼여도 좋다.As shown in Fig. 1, the
가공 장치(1)에는, 장치 전방에 반입 영역(A1), 장치 안쪽에 가공 영역(A2), 반입 영역(A1) 및 가공 영역(A2)에 인접하여 세정 영역(A3)이 설정되어 있다. 또한, 가공 장치(1)의 전면(12)에는, 반입 영역(A1)으로부터 전방으로 돌출되도록, 한 쌍의 카세트 스테이지(13, 14)가 설치되어 있다. 카세트 스테이지(13)에는, 가공 전의 웨이퍼(W)가 수용된 반입용 카세트(C1)가 배치된다. 카세트 스테이지(14)에는, 가공 후의 웨이퍼(W)가 수용되는 반출용 카세트(C2)가 배치된다. 카세트 스테이지(13)는 가공 장치(1)의 반입구로서 기능하고, 카세트 스테이지(14)는 가공 장치(1)의 반출구로서 기능한다.In the
반입 영역(A1)에는, 반입용 카세트(C1) 및 반출용 카세트(C2)에 대해 웨이퍼(W)를 출납하는 다관절 로봇(21)이 설치되어 있다. 다관절 로봇(21)은, 리니어 모터식의 이동 기구(24)의 슬라이드 헤드에 로봇 아암(22)을 부착하고, 로봇 아암(22)의 선단에 핸드부(23)를 장착하여 구성되어 있다. 다관절 로봇(21)은, 이동 기구(24)에 의해 X축 방향으로 이동되고, 로봇 아암(22)의 각 관절의 회전이 서보 모터 등으로 제어됨으로써, 반입용 카세트(C1) 및 반출용 카세트(C2)에 대해 핸드부(23)가 원하는 위치나 자세로 조정된다.In the carrying-in area A1, a
가공 영역(A2)에는, 가공 전의 웨이퍼(W)가 임시 배치되는 포지션 테이블(26)과, 척 테이블(31) 상에서 웨이퍼(W) 표면의 외주부를 절삭하는 절삭 기구(41)가 설치되어 있다. 포지션 테이블(26)에는 복수의 배치 핀(27)이 돌출 설치되어 있고, 웨이퍼(W)의 외주부가 복수의 배치 핀(27)에 하방으로부터 지지됨으로써, 테이블로부터 뜬 상태로 웨이퍼(W)가 위치 결정된다. 포지션 테이블(26)의 안쪽에는, 웨이퍼(W)의 반입 위치와 절삭 위치 사이에서 X축 방향으로 왕복 이동하는 척 테이블(31)이 설치되어 있다. 베이스(11) 상에는, 이 척 테이블(31)의 이동 궤적을 따라 X축 방향으로 연장되는 개구부(17)가 형성되어 있다.The processing area A2 is provided with a position table 26 on which the wafer W before processing is temporarily arranged, and a
개구부(17)는, 주름상자형의 방수 커버(18)에 덮여 있고, 방수 커버(18)의 하방에는 척 테이블(31)을 X축 방향으로 왕복 이동시키는 볼 나사식의 척 테이블 이동 기구(도시하지 않음)가 설치되어 있다. 척 테이블(31)의 표면에는, 다공질재에 의해 웨이퍼(W)를 흡착하는 유지면(32)이 형성되어 있다. 유지면(32)은, 척 테이블(31) 내의 유로를 통해 흡인원(도시하지 않음)에 접속되어 있고, 유지면(32)에 발생하는 부압에 의해 웨이퍼(W)가 흡인 유지된다. 또한, 척 테이블(31)은, 회전 기구(도시하지 않음)에 의해 Z축 주위로 회전 가능하게 구성되어 있다.The
절삭 기구(41)는, 한 쌍의 블레이드 유닛(42)을 교대로 이용하여, 척 테이블(31) 상의 웨이퍼(W)의 외주부를 절삭하도록 구성되어 있다. 절삭 기구(41)는, 개구부(17)에 걸치도록 베이스(11) 상에 세워져 설치된 문형의 기둥부(43)를 갖고 있다. 기둥부(43)의 표면에는, 한 쌍의 블레이드 유닛(42)을 이동시키는 볼 나사식의 블레이드 유닛 이동 기구(44)가 설치되어 있다. 블레이드 유닛 이동 기구(44)는, Y축 방향으로 이동하는 한 쌍의 Y축 테이블(45)과, 각 Y축 테이블(45)에 대해 Z축 방향으로 이동되는 Z축 테이블(46)을 갖고 있다. 블레이드 유닛(42)은, Y축 테이블(45) 및 Z축 테이블(46)에 의해 Y축 방향 및 Z축 방향으로 이동된다.The
블레이드 유닛(42)은, 스핀들(47)의 선단에 원판형의 절삭 블레이드(48)를 장착하여 구성되어 있다. 고속 회전한 절삭 블레이드(48)에 의해 척 테이블(31) 상의 웨이퍼(W)의 모따기부(88)(도 2 참조)가 절입된 상태에서, 척 테이블(31)을 회전시킴으로써, 웨이퍼(W)의 모따기부(88)가 전체 둘레에 걸쳐 트리밍 가공된다. 웨이퍼(W)의 외주부로부터 모따기부(88)가 제거됨으로써, 후단의 연삭 공정에서 웨이퍼(W)가 이면측으로부터 마무리 두께까지 연삭되어도, 연삭 후에 남은 모따기부(88)에 의해 웨이퍼(W)의 외주부가 나이프 에지형으로 형성되는 일이 없다.The
가공 영역(A2)에 있어서는, 에지 클램프식의 반송 기구(51)에 의해 척 테이블(31) 상에 웨이퍼(W)가 반입되고, 에지 클램프식의 반송 기구(54)에 의해 척 테이블(31)로부터 웨이퍼(W)가 반출된다. 이 경우, 반송 기구(51)에 의해 포지션 테이블(26)로부터 가공 전의 웨이퍼(W)가 픽업되고, 리니어 모터식의 이동 기구(53)에 의해 웨이퍼(W)가 척 테이블(31)에 반송된다. 또한, 반송 기구(54)에 의해 척 테이블(31) 상으로부터 가공 후의 웨이퍼(W)가 픽업되고, 반송 기구(54)의 기단부를 중심으로 한 선회 이동에 의해 세정 영역(A3)에 웨이퍼(W)가 반송된다.In the processing area A2, the wafer W is carried on the chuck table 31 by the edge clamp
세정 영역(A3)에는, 웨이퍼(W)의 이면을 세정하는 이면 세정 기구(81)와, 웨이퍼(W)의 표면을 세정하는 표면 세정 기구(82)가 설치되어 있다. 이면 세정 기구(81)에서는, 복수의 배치 핀(83) 상에 웨이퍼(W)의 외주부가 지지된 상태에서, 웨이퍼(W)의 이면에 세정수가 분사되어 회전 브러시(84)에 의해 이면 세정된다. 이면 세정 후의 웨이퍼(W)는, 에지 클램프식의 반송 기구(57)에 의해 이면 세정 기구(81)로부터 픽업되고, 리니어 모터식의 이동 기구(58)에 의해 표면 세정 기구(82)에 반송된다. 표면 세정 기구(82)에서는, 스피너 테이블(85)의 복수의 클램프부(86)에 의해 웨이퍼(W)의 외주부가 유지된 상태에서, 웨이퍼(W)에 세정수가 분사되어 표면 세정된 후, 건조 에어가 분무되어 건조된다.In the cleaning area A3, a back
표면 세정 후의 웨이퍼(W)는, 다관절 로봇(21)에 의해 스피너 테이블(85)로부터 픽업되고, 반출용 카세트(C2)를 향해 반송된다. 이와 같이 구성된 가공 장치(1)에서는, 포지션 테이블(26)과 척 테이블(31) 사이, 척 테이블(31)과 이면 세정 기구(81) 사이, 이면 세정 기구(81)와 표면 세정 기구(82) 사이에서, 각각 에지 클램프식의 반송 기구(51, 54, 57)에 의해 웨이퍼(W)가 반송된다. 이 경우, 각 반송 기구(51, 54, 57)의 3개의 클로 부재(65)(도 2 참조)가 웨이퍼(W)의 외주부 측면에 대해 적절한 위치까지 접근되어 웨이퍼(W)의 외주부가 유지된다.The wafer W after surface cleaning is picked up from the spinner table 85 by the
그런데, 포지션 테이블(26)의 배치 핀(27) 상에 웨이퍼(W)가 소정의 정밀도로 위치 결정되어 있으나, 포지션 테이블(26)의 중심에 웨이퍼(W)의 중심을 확실하게 맞추는 것은 어렵다. 따라서, 포지션 테이블(26)로부터 척 테이블(31)에 배치할 때에, 웨이퍼(W)의 중심이 척 테이블(31)의 중심에 대해 위치가 어긋나는 경우가 있다. 이 때문에, 척 테이블(31) 상의 웨이퍼(W)의 촬상 화상으로부터 중심 위치를 구하고, 척 테이블(31)에 웨이퍼(W)를 재배치하는 것도 고려되지만, 웨이퍼(W)의 중심 위치의 산출이나 웨이퍼(W)의 재배치에 시간을 필요로 하기 때문에 가공 스루풋이 악화된다.By the way, although the wafer W is positioned with a predetermined precision on the
또한, 센터링 기능을 갖는 반송 기구에 의해 반송하면서 센터링하여 가공 스루풋을 향상시키는 구성도 고려된다. 그러나, 접합 웨이퍼나 수지로 몰드한 웨이퍼는, 1장마다 외부 직경이나 외연(外緣) 형상에 변동이 발생하여 중심 위치로부터 외주부까지의 거리가 일정하지 않고, 웨이퍼(W)의 외주부에 클로 부재가 압박되어 파손될 우려가 있다. 그래서, 본 실시형태의 반송 기구(51, 54, 57)에서는, 구동 부하의 변화로부터 복수의 클로 부재가 웨이퍼(W)의 외주부에 접촉하는 위치에 각 클로 부재를 정지시키고, 이 접촉 위치를 웨이퍼(W)의 외주 위치로 하여, 중심 위치를 산출하면서 웨이퍼(W)를 반송하도록 하고 있다.In addition, a configuration that centers while conveying by a conveying mechanism having a centering function to improve processing throughput is also considered. However, a bonded wafer or a wafer molded from a resin has a variation in outer diameter or outer shape for each sheet, so that the distance from the central position to the outer periphery is not constant, and the claw member is formed at the outer periphery of the wafer W. There is a risk of damage due to pressure. Therefore, in the
이하, 도 2를 참조하여, 반송 기구의 상세 구성에 대해 설명한다. 도 2는 본 실시형태의 반송 기구의 측면 모식도이다. 한편, 반송 기구는, 도 2에 도시된 구성에 한정되지 않는다. 반송 기구는, 웨이퍼의 외주부를 유지했을 때의 클로 부재의 위치를 웨이퍼의 외주 위치로 하여 중심 위치를 산출하는 것이 가능하면, 어떻게 구성되어도 좋다. 여기서는, 포지션 테이블과 척 테이블 사이에서 웨이퍼를 반송하는 반송 기구에 대해 설명한다. 한편, 척 테이블과 이면 세정 기구 사이, 이면 세정 기구와 표면 세정 기구 사이에서, 웨이퍼를 반송하는 반송 기구에 대해서도 동일한 구성으로 해도 좋다.Hereinafter, with reference to FIG. 2, the detailed structure of a conveyance mechanism is demonstrated. 2 is a schematic side view of the transport mechanism of this embodiment. Meanwhile, the transport mechanism is not limited to the configuration shown in FIG. 2. The conveyance mechanism may be configured as long as it is possible to calculate the center position using the position of the claw member when the outer circumferential portion of the wafer is held as the outer circumferential position of the wafer. Here, the conveying mechanism for conveying the wafer between the position table and the chuck table will be described. On the other hand, between the chuck table and the back surface cleaning mechanism, and between the back surface cleaning mechanism and the surface cleaning mechanism, the transport mechanism for transporting the wafer may have the same configuration.
도 2에 도시된 바와 같이, 반송 기구(51)는, 웨이퍼(W)의 외주부를 유지하는 에지 클램프식의 유지 수단(52)을 갖고 있고, 유지 수단(52)의 3개의 클로 부재(65)에 의해 웨이퍼(W)의 외주부를 유지하도록 구성되어 있다. 유지 수단(52)은, 반송 아암(55)의 선단측에 지지부(61)를 통해 지지되어 있고, 지지부(61)에 의해 연직 방향으로 이동되며, 리니어 모터식의 이동 기구(53)(도 1 참조)에 의해 수평 방향으로 이동된다. 이와 같이, 본 실시형태에서는, 지지부(61)와 리니어 모터식의 이동 기구(53)에 의해, 유지 수단(52)을 연직 방향 및 수평 방향으로 이동시키는 이동 수단이 구성되어 있다.As shown in FIG. 2, the
유지 수단(52)의 베이스 플레이트(62) 상에는, 세 방면으로 연장되는 장척(長尺)형의 가이드(63)가 설치되고, 각 가이드(63) 상에는 가동 블록(64)이 슬라이드 가능하게 설치되어 있다. 각 가동 블록(64)에는 각각 클로 부재(65)가 부착되어 있고, 클로 부재(65)는 클로 끝(66)을 지지부(61)측으로 향하게 한 단면에서 보아 대략 L자형으로 형성되어 있다. 또한, 가동 블록(64)은 이송 나사(67)가 나사 결합되어 있고, 이송 나사(67)의 일단은 베이스 플레이트(62)의 직경 방향 내측의 클로 부재 작동 수단(68)에 연결되고, 이송 나사(67)의 타단은 베이스 플레이트(62)의 직경 방향 외측에서 지지벽(69)에 지지되어 있다. 이와 같이, 베이스 플레이트(62) 상에는, 클로 부재(65)마다 이송 나사식의 이동 기구가 설치되어 있다.On the
클로 부재 작동 수단(68)은, 이른바 서보 모터로 구성되어 있고, 클로 부재(65)의 현재 위치, 현재 속도, 구동 부하(토크)가 후술하는 제어 수단(75)에 출력되어 서보 제어된다. 클로 부재 작동 수단(68)에 의해 이송 나사(67)가 회전되고, 가동 블록(64)이 가이드(63)에 가이드되면서 가동된다. 이때, 각 가동 블록(64)에 설치한 각 클로 부재(65)는, 웨이퍼(W)의 외주부로부터 이격된 대기 위치와, 서로 반경 방향으로 접근하여 웨이퍼(W)의 외주부를 유지하는 작용 위치 사이에서 각각 반경 방향으로 독립적으로 이동된다. 각 가동 블록(64)이 접근하여 클로 부재(65)의 클로 끝(66)에 웨이퍼(W)가 얹혀짐으로써, 웨이퍼(W)의 외주부가 유지 수단(52)에 유지된다.The claw member operating means 68 is constituted by a so-called servo motor, and the current position, current speed, and driving load (torque) of the
클로 부재 작동 수단(68)에는, 각각 클로 부재(65)를 구동할 때의 구동 부하를 검출하는 구동 부하 검출 수단(71)이 설치되어 있다. 구동 부하 검출 수단(71)은, 예컨대 서보 모터의 전용 드라이버의 토크 검출 기능으로 구성되고, 클로 부재(65)와 웨이퍼(W)의 외주부의 접촉에 의한 구동 부하의 증가를 검출하고 있다. 또한, 클로 부재(65)의 이동 위치는, 각각 위치 검출 수단(72)에 의해 검출되어 있다. 위치 검출 수단(72)은, 예컨대 리니어 스케일이고, 가동 블록(64)에 설치한 판독부(73)에 의해 가이드(63)를 따른 스케일(74)의 눈금을 판독함으로써, 클로 부재(65)의 이동 위치를 검출하고 있다. 구동 부하 검출 수단(71) 및 위치 검출 수단(72)의 출력 결과는 제어 수단(75)에 출력된다.The claw member operating means 68 is provided with a drive
제어 수단(75)은, 클로 부재 작동 수단(68), 구동 부하 검출 수단(71), 위치 검출 수단(72)으로부터의 각종 정보로부터 클로 부재(65)의 이동을 제어하고 있다. 또한, 제어 수단(75)은, 각종 처리를 실행하는 프로세서나 메모리 등에 의해 구성되어 있다. 메모리는, 용도에 따라 ROM(Read Only Memory), RAM(Random Access Memory) 등의 하나 또는 복수의 기억 매체로 구성되어 있다. 메모리에는, 클로 부재 작동 수단(68)의 서보 제어의 프로그램에 더하여, 웨이퍼(W)의 중심 위치의 산출 프로그램이 기억되어 있다. 한편, 위치 검출 수단(72)은, 리니어 스케일 대신에, 클로 부재 작동 수단(68)에 설치한 인코더로 구성되어도 좋다.The control means 75 controls the movement of the
또한, 제어 수단(75)에는, 웨이퍼(W)의 외주부에 대한 클로 부재(65)의 접촉을 판정하는 임계값을 기억하는 기억부(76)와, 클로 부재(65)의 접촉 위치로부터 웨이퍼(W)의 중심 위치를 산출하는 산출부(77)가 설치되어 있다. 기억부(76)에는, 사전에 클로 부재(65)가 웨이퍼(W)의 외주부에 접촉했을 때의 클로 부재 작동 수단(68)의 구동 부하의 값이 임계값으로서 기억되어 있다. 산출부(77)에는, 임계값을 초과한 구동 부하가 구동 부하 검출 수단(71)으로부터 검출되었을 때에, 위치 검출 수단(72)에 의해 검출된 클로 부재(65)의 위치가 입력된다. 또한, 제어 수단(75)에 의해 클로 부재(65)의 이동이 정지되고, 웨이퍼(W)의 외주부에 대한 클로 부재(65)의 압입이 방지된다.Further, the control means 75 includes a
보다 상세하게는, 각 클로 부재(65)는 웨이퍼(W)의 외주부를 압입하지 않고, 각 클로 부재(65)가 웨이퍼(W)의 외주부에 접촉한 타이밍에서 정지되고 있다. 따라서, 각 클로 부재(65)에 의해 웨이퍼(W)는 센터링되어 있지 않고, 유지 수단(52)에 대해 웨이퍼(W)의 중심이 위치 어긋남된 상태로 유지되어 있다. 웨이퍼(W)의 중심으로부터 외주까지의 거리에 변동이 발생하고 있어도, 웨이퍼(W)의 변동에 따라 적절한 위치에 클로 부재(65)가 정지되기 때문에, 웨이퍼(W)가 클로 부재(65)에 과도하게 압입되는 일이 없어, 웨이퍼(W)의 파손이 확실하게 방지된다.More specifically, each
그리고, 산출부(77)에서는, 위치 검출 수단(72)에 의해 검출된 클로 부재(65)의 위치로부터 웨이퍼(W)의 중심 위치가 산출된다. 구체적으로는, 3개의 클로 부재(65)의 클로 끝(66)의 접촉 위치가 웨이퍼(W)의 외주부의 3점으로서, 유지 수단(52)에 설정된 평면 좌표계에 설정된다. 그리고, 웨이퍼(W)의 외주부의 3점의 좌표 중, 2점의 좌표를 연결하는 각 현(弦)의 수직 이등분선의 교점으로부터 웨이퍼(W)의 중심 위치가 산출된다. 한편, 웨이퍼(W)의 외주부의 3점의 좌표 중, 적어도 2점을 지나는 웨이퍼(W)의 외주부에 대한 법선의 교점으로부터 웨이퍼(W)의 중심 위치가 산출되어도 좋다.Then, in the
웨이퍼(W)의 중심 위치가 산출되면, 웨이퍼(W)의 중심 위치를 척 테이블(31)(도 4a 참조)의 중심 위치에 위치시키도록, 웨이퍼(W)가 척 테이블(31) 상에 배치된다. 웨이퍼(W)의 반송 중에 중심 위치가 산출되기 때문에, 척 테이블(31)에 대해 웨이퍼(W)를 효율적으로 반송할 수 있다. 또한, 척 테이블(31)의 회전 중심에 웨이퍼(W)의 중심이 일치하기 때문에, 산출부(77)에 의해 산출된 웨이퍼(W)의 중심 위치에 기초하여, 에지 얼라인먼트를 하지 않고 웨이퍼(W)의 모따기부(88)에 절삭 블레이드(48)(도 4b 참조)를 정밀도 좋게 위치시킬 수 있다.When the center position of the wafer W is calculated, the wafer W is placed on the chuck table 31 so that the center position of the wafer W is positioned at the center position of the chuck table 31 (see FIG. 4A ). do. Since the center position is calculated during the transportation of the wafer W, the wafer W can be efficiently transferred to the chuck table 31. In addition, since the center of the wafer W coincides with the rotation center of the chuck table 31, the wafer W is not subjected to edge alignment based on the center position of the wafer W calculated by the
계속해서, 도 3 및 도 4를 참조하여, 반송 기구의 반송 동작 및 절삭 기구의 절삭 동작에 대해 설명한다. 도 3은 본 실시형태의 반송 기구의 반송 동작의 일례를 도시한 도면이다. 도 4는 본 실시형태의 절삭 기구의 절삭 동작의 일례를 도시한 도면이다. 한편, 도 3에서는, 포지션 테이블과 척 테이블 사이의 반송 동작에 대해 설명하지만, 척 테이블과 이면 세정 기구 사이, 이면 세정 기구와 표면 세정 기구 사이의 반송 기구에 의한 반송 동작도 마찬가지이다.Subsequently, with reference to FIGS. 3 and 4, the conveying operation of the conveying mechanism and the cutting operation of the cutting mechanism will be described. 3 is a diagram showing an example of a conveying operation of the conveying mechanism of the present embodiment. 4 is a diagram showing an example of a cutting operation of the cutting mechanism of the present embodiment. On the other hand, in FIG. 3, the conveying operation between the position table and the chuck table is described, but the conveying operation by the conveying mechanism between the chuck table and the back cleaning mechanism, and between the back cleaning mechanism and the surface cleaning mechanism is the same.
도 3a에 도시된 바와 같이, 포지션 테이블(26)의 배치 핀(27) 상에 웨이퍼(W)가 배치되어 있고, 포지션 테이블(26)의 상방에 유지 수단(52)이 위치된다. 이때, 배치 핀(27)에 웨이퍼(W)가 하방으로부터 지지됨으로써, 포지션 테이블(26)과 웨이퍼(W)와 테이블에 간극이 형성되어 있다. 또한, 유지 수단(52)의 각 클로 부재(65)가 각각 대기 위치에 위치되고, 각 클로 부재(65)의 클로 끝(66)이 웨이퍼(W)의 외주부보다 직경 방향 외측으로 이격되어 있다. 또한, 포지션 테이블(26)의 중심에 유지 수단(52)의 중심이 위치된 상태에서, 유지 수단(52)이 하강되어 포지션 테이블(26)에 접근된다.As shown in Fig. 3A, the wafer W is disposed on the
도 3b에 도시된 바와 같이, 유지 수단(52)의 하강에 의해 각 클로 부재(65)의 클로 끝(66)이 웨이퍼(W)의 하측에 위치되면, 각 클로 부재 작동 수단(68)에 의해 각 클로 부재(65)가 웨이퍼(W)를 향해 개별적으로 이동된다. 이때, 클로 부재 작동 수단(68)의 구동 부하가 구동 부하 검출 수단(71)에 의해 검출되어 있고, 구동 부하 검출 수단(71)의 검출 결과가 제어 수단(75)에 출력되어 구동 부하의 변화가 감시되고 있다. 구동 부하 검출 수단(71)의 검출 결과가 기억부(76)에 기억된 임계값을 초과하면, 클로 부재(65)의 클로 끝(66)이 웨이퍼(W)의 외주부에 접촉하는 작용 위치까지 이동했다고 판정되어 클로 부재 작동 수단(68)이 정지된다.As shown in Fig. 3B, when the
이 작용 위치에서는, 복수의 클로 부재(65)의 클로 끝(66)이 웨이퍼(W)의 외주부의 하측으로 들어가고, 웨이퍼(W)의 외주부 이면이 각 클로 부재(65)에 의해 하측으로부터 지지된다. 클로 부재(65)의 클로 끝(66)의 상면이, 선단을 향해 낮아지도록 경사져 있기 때문에, 클로 끝(66)의 사면(斜面)에 웨이퍼(W)의 외주부가 닿음으로써 웨이퍼(W)의 파손이 방지되어 있다. 또한, 복수의 클로 부재(65)가 웨이퍼(W)의 외주부에 대해 개별적으로 접근되기 때문에, 웨이퍼(W)의 외부 직경의 크기나 변동에 의하지 않고, 웨이퍼(W)의 외주부에 대해 각 클로 부재(65)를 적절한 위치로 조정할 수 있다.In this working position, the claw ends 66 of the plurality of
도 3c에 도시된 바와 같이, 각 클로 부재(65)가 작용 위치에 위치되면, 각 클로 부재(65)의 클로 끝(66)에 웨이퍼(W)의 외주부가 걸리고, 웨이퍼(W)의 외주부가 유지 수단(52)에 유지된다. 웨이퍼(W)는, 유지 수단(52)에 의해 유지된 상태에서 포지션 테이블(26)의 배치 핀(27)으로부터 들어 올려지고, 척 테이블(31)(도 4a 참조)을 향해 반송된다. 또한, 클로 부재(65)의 클로 끝(66)의 접촉 위치가 웨이퍼(W)의 외주부의 3점으로서, 유지 수단(52)의 평면 좌표계에 설정된다. 그리고, 웨이퍼(W)가 척 테이블(31)까지 반송되는 동안에, 산출부(77)에 의해 웨이퍼(W)의 외주부의 3점의 좌표로부터 웨이퍼(W)의 중심 위치가 산출된다.As shown in Fig. 3c, when each
도 4a에 도시된 바와 같이, 척 테이블(31)의 상방에 유지 수단(52)이 위치되면, 척 테이블(31)의 중심 위치에 유지 수단(52)에 유지된 웨이퍼(W)의 중심 위치가 위치된다. 그리고, 유지 수단(52)이 바로 아래로 하강함으로써, 각 클로 부재(65)의 클로 끝(66)에 얹혀진 웨이퍼(W)가 척 테이블(31)의 유지면(32)에 바뀌어 얹혀진다. 이와 같이, 클로 부재 작동 수단(68)의 구동 부하의 상승으로부터 클로 부재(65)의 위치 정보, 즉 웨이퍼(W)의 외주부의 좌표를 검출하도록 했기 때문에, 반송 중에 웨이퍼(W)의 중심 위치를 산출할 수 있다. 따라서, 부품 개수를 저감할 수 있고 작업 시간을 단축할 수 있다.As shown in FIG. 4A, when the holding means 52 are positioned above the chuck table 31, the central position of the wafer W held by the holding means 52 is located at the center position of the chuck table 31. Are located. And, as the holding means 52 descends immediately below, the wafer W placed on the
도 4b에 도시된 바와 같이, 척 테이블(31)에 웨이퍼(W)가 유지되면, 웨이퍼(W)의 외주의 모따기부(88)에 절삭 블레이드(48)가 위치 맞춤된다. 절삭 블레이드(48)에 의해 웨이퍼(W)의 외주부가 절입되면, 척 테이블(31)이 회전되어 웨이퍼(W)의 외주부가 전체 둘레에 걸쳐 절삭된다. 이때, 척 테이블(31)과 웨이퍼(W)의 중심이 일치하기 때문에, 이 중심을 기준으로 절삭 블레이드(48)를 위치시킬 수 있다. 따라서, 에지 얼라인먼트하지 않고, 웨이퍼(W)에 대한 트리밍 가공을 개시할 수 있어, 가공 스루풋이 향상된다.As shown in FIG. 4B, when the wafer W is held on the chuck table 31, the
이상과 같이, 본 실시형태의 반송 기구(51)에 의하면, 웨이퍼(W)의 외주부에 접촉했을 때의 구동 부하로부터 복수의 클로 부재(65)의 위치가 검출되고, 각 클로 부재(65)의 위치를 웨이퍼(W)의 외주 위치로 하여 웨이퍼(W)의 중심 위치가 산출된다. 그리고, 웨이퍼(W)의 중심 위치가 척 테이블(31)의 중심 위치에 위치하도록 하여, 척 테이블(31) 상에 웨이퍼(W)가 배치된다. 웨이퍼(W)의 반송 시간을 이용하여 웨이퍼(W)의 중심 위치의 산출 처리가 실시되기 때문에, 위치 맞춤 정밀도를 낮추지 않고 척 테이블(31)에 대해 웨이퍼(W)를 효율적으로 반송할 수 있다. 또한, 척 테이블(31) 상에서는 웨이퍼(W)의 중심 기준으로 가공을 개시할 수 있기 때문에, 척 테이블(31)에 대한 웨이퍼(W)의 재배치 등을 없애어 가공 스루풋을 개선할 수 있다.As described above, according to the
한편, 본 실시형태에서는, 에지 트리밍 장치의 반송 기구에 대해 설명하였으나, 이 구성에 한정되지 않는다. 본 발명의 반송 기구는, 워크를 가공하는 다른 가공 장치에도 적용 가능하다. 예컨대, 워크 반송을 실시하는 가공 장치이면, 절삭 장치, 연삭 장치, 연마 장치, 레이저 가공 장치, 플라즈마 에칭 장치, 및 이들을 조합한 클러스터 장치 등의 다른 가공 장치의 반송 기구에 적용되어도 좋다.In addition, although the conveyance mechanism of the edge trimming apparatus was demonstrated in this embodiment, it is not limited to this structure. The conveyance mechanism of the present invention can be applied to other processing devices for processing workpieces. For example, as long as it is a processing apparatus that carries out work conveyance, it may be applied to a conveyance mechanism of other processing apparatuses such as a cutting apparatus, a grinding apparatus, a polishing apparatus, a laser processing apparatus, a plasma etching apparatus, and a cluster apparatus combining them.
또한, 가공 대상의 워크는, 가공의 종류에 따라, 예컨대, 반도체 디바이스 웨이퍼, 광디바이스 웨이퍼, 패키지 기판, 반도체 기판, 무기 재료 기판, 산화물 웨이퍼, 그린 세라믹스 기판, 압전 기판 등의 각종 워크가 이용되어도 좋다. 반도체 디바이스 웨이퍼로서는, 디바이스 형성 후의 실리콘 웨이퍼나 화합물 반도체 웨이퍼가 이용되어도 좋다. 광디바이스 웨이퍼로서는, 디바이스 형성 후의 사파이어 웨이퍼나 실리콘 카바이드 웨이퍼가 이용되어도 좋다. 또한, 패키지 기판으로서는 CSP(Chip Size Package) 기판, 반도체 기판으로서는 실리콘이나 갈륨비소 등, 무기 재료 기판으로서는 사파이어, 세라믹스, 유리 등이 이용되어도 좋다. 또한, 산화물 웨이퍼로서는, 디바이스 형성 후 또는 디바이스 형성 전의 리튬탄탈레이트, 리튬 니오베이트가 이용되어도 좋다.In addition, various workpieces such as semiconductor device wafers, optical device wafers, package substrates, semiconductor substrates, inorganic material substrates, oxide wafers, green ceramics substrates, and piezoelectric substrates may be used as the workpiece to be processed, depending on the type of processing. good. As the semiconductor device wafer, a silicon wafer or a compound semiconductor wafer after device formation may be used. As the optical device wafer, a sapphire wafer or silicon carbide wafer after device formation may be used. Further, as a package substrate, a CSP (Chip Size Package) substrate, a semiconductor substrate such as silicon or gallium arsenide, or an inorganic material substrate may be used as sapphire, ceramics, glass, or the like. Further, as the oxide wafer, lithium tantalate or lithium niobate may be used after device formation or before device formation.
또한, 본 실시형태에서는, 클로 부재 작동 수단으로서 서보 모터를 예시하였으나, 이 구성에 한정되지 않는다. 클로 부재 작동 수단은, 웨이퍼의 외주부로부터 이격된 대기 위치와 웨이퍼의 외주부를 유지하는 작용 위치로 클로 부재를 이동시키는 구성이면 되고, 다른 액추에이터로 구성되어 있어도 좋다. 또한, 구동 부하 검출 수단은, 서보 모터의 드라이버가 아니라, 토크 검출기로 실현되어도 좋다.Further, in the present embodiment, the servo motor is illustrated as the claw member operation means, but the configuration is not limited to this. The claw member operating means may be configured to move the claw member to a standby position spaced apart from the outer circumferential portion of the wafer and a working position that holds the outer circumferential portion of the wafer, and may be constituted by other actuators. Further, the drive load detection means may be realized as a torque detector, not a driver of the servo motor.
또한, 본 실시형태에서는, 유지 수단이 3개의 클로 부재를 갖는 구성으로 하였으나, 이 구성에 한정되지 않는다. 유지 수단은, 웨이퍼의 외주부를 유지하는 복수의 클로 부재를 갖고 있으면 되고, 4개 이상의 클로 부재를 갖고 있어도 좋다. 또한, 클로 부재는 웨이퍼를 유지 가능한 형상이면 되고, 특별히 클로 부재의 형상은 한정되지 않는다.In addition, in this embodiment, although the holding means was made into the structure which has three claw members, it is not limited to this structure. The holding means may just have a plurality of claw members that hold the outer circumferential portion of the wafer, and may have four or more claw members. Moreover, the claw member should just be a shape which can hold a wafer, and the shape of a claw member is not specifically limited.
또한, 본 실시형태 및 변형예를 설명하였으나, 본 발명의 다른 실시형태로서, 상기 실시형태 및 변형예를 전체적 또는 부분적으로 조합한 것이어도 좋다.In addition, although the present embodiment and the modified example have been described, as another embodiment of the present invention, the above-described embodiment and modified example may be combined in whole or in part.
또한, 본 발명의 실시형태는 상기한 실시형태 및 변형예에 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 기술적 사상의 취지를 일탈하지 않는 범위에서 여러 가지로 변경, 치환, 변형되어도 좋다. 나아가서는, 기술의 진보 또는 파생되는 다른 기술에 의해, 본 발명의 기술적 사상을 다른 방식으로 실현할 수 있으면, 그 방법을 이용하여 실시되어도 좋다. 따라서, 특허청구의 범위는, 본 발명의 기술적 사상의 범위 내에 포함될 수 있는 모든 실시형태를 커버하고 있다.In addition, the embodiment of the present invention is not limited to the above-described embodiment and modification, and may be changed, substituted, or modified in various ways without departing from the spirit of the present invention. Furthermore, if the technical idea of the present invention can be realized in other ways by advancement of technology or other derived technology, the method may be implemented. Therefore, the scope of the claims covers all embodiments that can be included within the scope of the technical spirit of the present invention.
또한, 본 실시형태에서는, 본 발명을 에지 트리밍 장치의 반송 기구에 적용한 구성에 대해 설명하였으나, 반송 대상의 중심 위치를 검출하여 반송 효율을 향상시킬 수 있는 다른 장치의 반송 기구에 적용하는 것도 가능하다.In addition, in the present embodiment, the configuration in which the present invention is applied to a conveying mechanism of an edge trimming device has been described, but it is also possible to apply it to a conveying mechanism of another device capable of detecting the center position of the conveying object and improving conveying efficiency. .
이상 설명한 바와 같이, 본 발명은 척 테이블에 대해 웨이퍼의 위치 맞춤 정밀도를 낮추지 않고 효율적으로 반송하여 가공 스루풋을 개선할 수 있다고 하는 효과를 가지며, 특히, 수지로 몰드된 웨이퍼나 접합 웨이퍼 등을 반송하는 반송 기구에 유용하다.As described above, the present invention has an effect that the processing throughput can be improved by efficiently conveying the chuck table without lowering the positioning accuracy of the wafer, and in particular, conveying a wafer molded with resin, a bonded wafer, or the like. It is useful for conveying mechanisms.
1: 가공 장치
26: 포지션 테이블
31: 척 테이블
41: 절삭 기구
48: 절삭 블레이드
51: 반송 기구
52: 유지 수단
53: 이동 기구(이동 수단)
61: 지지부(이동 수단)
65: 클로 부재
68: 클로 부재 작동 수단
71: 구동 부하 검출 수단
72: 위치 검출 수단
75: 제어 수단
76: 기억부
77: 산출부
W: 웨이퍼1: processing unit 26: position table
31: chuck table 41: cutting mechanism
48: cutting blade 51: conveying mechanism
52: holding means 53: moving mechanism (moving means)
61: support (moving means) 65: claw member
68: claw member operation means 71: drive load detection means
72: position detecting means 75: control means
76: storage unit 77: calculation unit
W: Wafer
Claims (1)
상기 유지 수단은,
웨이퍼의 외주부를 유지하는 복수의 클로(claw) 부재와,
상기 복수의 클로 부재를 웨이퍼의 외주부로부터 이격시킨 대기 위치와 상기 복수의 클로 부재를 서로 반경 방향으로 접근시켜 웨이퍼의 외주부를 유지하는 작용 위치 사이에서 상기 복수의 클로 부재를 각각 독립적으로 반경 방향으로 작동시키는 클로 부재 작동 수단과, 상기 클로 부재 작동 수단의 구동 부하를 각각 검출하는 구동 부하 검출 수단과, 각 상기 클로 부재의 위치를 각각 검출하는 위치 검출 수단과, 적어도 상기 클로 부재 작동 수단을 제어하는 제어 수단을 구비하고,
상기 제어 수단은,
각 상기 클로 부재가 웨이퍼의 외주부에 접촉했을 때의 상기 클로 부재 작동 수단의 구동 부하의 값을 임계값으로서 기억하는 기억부와,
상기 구동 부하 검출 수단으로부터의 상기 임계값을 초과한 구동 부하를 검출하면 정지되고 상기 위치 검출 수단에 의해 검출된 각 상기 클로 부재의 위치로부터 웨이퍼 중심 위치를 산출하는 산출부를 구비하며,
상기 유지 수단에 의해 유지된 웨이퍼는, 상기 산출부에 의해 산출된 상기 웨이퍼 중심 위치를 척 테이블 중심 위치에 위치시켜 상기 척 테이블 상에 배치되는 것을 특징으로 하는 반송 기구.A transport mechanism comprising a holding means for holding the outer peripheral portion of the wafer and moving means for moving the holding means in a vertical direction and a horizontal direction to transport the wafer on a chuck table,
The holding means,
A plurality of claw members holding the outer periphery of the wafer,
The plurality of claw members are each independently operated in a radial direction between a standby position where the plurality of claw members are spaced apart from the outer circumferential portion of the wafer and a working position where the plurality of claw members are radially approached to maintain the outer circumferential portion of the wafer. Claw member actuating means, driving load detecting means for respectively detecting the drive load of the claw member actuating means, position detecting means for respectively detecting the position of each claw member, and control for controlling at least the claw member actuating means Equipped with means,
The control means,
A storage unit for storing the value of the drive load of the claw member actuating means when each of the claw members contacts the outer periphery of the wafer as a threshold;
And a calculation unit that stops when a drive load exceeding the threshold value from the drive load detection means is detected and calculates a wafer center position from the position of each claw member detected by the position detection means,
The conveyance mechanism characterized in that the wafer held by the holding means is placed on the chuck table by positioning the wafer center position calculated by the calculating unit at the chuck table center position.
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