KR20200009400A - 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판을 처리하는 방법을 제공한다. 기판을 처리하는 방법은 처리 용기 내의 처리 공간에 제공된 지지 플레이트 상에 지지된 기판을 회전시키면서 상기 기판에 처리액을 공급하여 상기 기판을 처리하는 기판 처리 단계와; 상기 지지 플레이트 상에 지지된 지그를 회전시키면서 상기 지그에 세정액을 공급하여 상기 처리 용기를 세정하는 용기 세정 단계를 포함하되, 상기 기판 처리 단계에는 상기 기판을 제1압력으로 진공 흡입하여 상기 기판을 상기 지지 플레이트에 흡착하고, 상기 용기 세정 단계는 상기 기판을 제2압력으로 진공 흡입하여 상기 기판을 상기 지지 플레이트에 흡착하는 제1흡착 단계를 포함하고, 상기 제1압력과 상기 제2압력은 서로 상이할 수 있다.

Description

기판 처리 방법 및 기판 처리 장치{Method for treating a substrate and an apparatus for treating a substrate}
본 발명은 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치에 관한 것으로 더욱 상세하게는 처리 용기를 세정하는 기판 처리 방법 및 장치에 관한 것이다.
반도체 소자 및 평판표시패널의 제조 공정은 사진, 식각, 애싱, 박막 증착, 그리고 세정 공정 등 다양한 공정들이 수행된다. 이러한 공정들 중 사진, 식각, 애싱, 그리고 세정 공정들은 기판 상에 처리액을 공급하여 기판을 액 처리하는 공정을 수행한다.
이 중 사진 공정은 도포 단계, 노광 단계, 그리고 현상 단계를 포함한다. 도포 단계는 기판 상에 포토 레지스트와 같은 감광액을 도포하는 도포 공정으로, 사용된 감광액의 일부는 처리 용기를 통해 회수된다.
도 1을 참조하면, 일반적으로 기판 도포 장치는 액 공급 부재(2), 하우징(3), 기판 지지 부재(4), 처리 용기(5)를 포함한다. 기판 지지 유닛(4)은 기판(W)을 지지 및 회전시키고, 처리 용기(5)는 기판 지지 유닛(4)을 감싸도록 제공된다. 기판(W) 상에는 감광액이 공급되고, 사용된 감광액은 처리용기(5)의 회수 라인을 통해 회수된다. 감광액은 점성을 가지는 케미칼로서, 회수되는 과정에서 처리용기(5)의 내측에 부착된다. 이로 인해 기판(W)의 도포 공정이 수행된 후에는 처리 용기(5)의 내측을 세정 처리하기 위한 세정 공정이 수행되어야 한다.
이러한 세정 공정은 회전하는 기판(W)의 중심에 세정액을 공급하고, 공급된 세정액이 기판(W)의 외측방향으로 비산되면서 처리 용기(5)와 충돌하여 이루어진다. 그러나, 이러한 세정 공정은 처리용기의 상면부(6)의 세정이 어렵다. 또한, 세정액은 처리 용기(5)의 내측과 수평 방향으로만 충돌력을 가하기 때문에 세정 효율이 떨어진다.
본 발명은 처리 용기의 세정효율을 향상시킬 수 있는 방법 및 장치를 제공하고자 한다.
또한, 본 발명은 처리 용기의 세정에 사용되는 새로운 구조의 지그를 제공하고자 한다.
본 발명의 목적은 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명은 기판을 처리하는 방법을 제공한다. 기판을 처리하는 방법은 처리 용기 내의 처리 공간에 제공된 지지 플레이트 상에 지지된 기판을 회전시키면서 상기 기판에 처리액을 공급하여 상기 기판을 처리하는 기판 처리 단계와; 상기 지지 플레이트 상에 지지된 지그를 회전시키면서 상기 지그에 세정액을 공급하여 상기 처리 용기를 세정하는 용기 세정 단계를 포함하되, 상기 기판 처리 단계에는 상기 기판을 제1압력으로 진공 흡입하여 상기 기판을 상기 지지 플레이트에 흡착하고, 상기 용기 세정 단계는 상기 기판을 제2압력으로 진공 흡입하여 상기 기판을 상기 지지 플레이트에 흡착하는 제1흡착 단계를 포함하고, 상기 제1압력과 상기 제2압력은 서로 상이할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 제2압력이 상기 제1압력보다 고진공일 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 용기 세정 단계는 상기 제2압력과 상이한 제3압력으로 상기 지그를 상기 지지 플레이트에 흡착하는 제2흡착 단계를 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 제3압력은 상기 제1압력과 동일할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 용기 세정 단계는, 상기 제1흡착 단계와 상기 제2흡착 단계를 반복하여 수행할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 용기 세정 단계에서 상기 지지 플레이트와 상기 처리 용기 간에 상대 높이를 변화시킬 수 있다.
일 실시예에 의하면, 모터에 의해 상기 처리 용기의 높이를 변화시킬 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 기판과 상기 지그의 크기는 동일할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 처리 용기 내의 처리 공간에 제공된 지지 플레이트 상에 지지된 기판을 회전시키면서 상기 기판에 처리액을 공급하여 상기 기판을 처리하는 기판 처리 단계와; 상기 지지 플레이트 상에 지지된 지그를 회전시키면서 상기 지그에 세정액을 공급하여 상기 처리 용기를 세정하는 용기 세정 단계를 포함하되, 상기 용기 세정 단계에서 상기 처리 용기의 세정이 이루어지는 동안 상기 지그는 그 가장자리 영역이 외측을 향해 상향 경사지게 제공될 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 용기 세정 단계에서 상기 지지 플레이트는 상기 지그를 진공 흡착하여 지지하되, 상기 지그는 진공압이 제거된 경우 평평하게 형상지어지고, 상기 용기 세정 단계에서 상기 지그에 인가되는 진공압에 의해 상기 지그의 가장자리 영역은 외측을 향해 상향 경사지게 변경될 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 기판 처리 단계에서 상기 지지 플레이트는 상기 기판을 진공 흡착하여 지지하되, 상기 용기 세정 단계에서 상기 지그에 인가되는 진공압은 상기 기판 처리 단계에서 상기 기판에 인가되는 진공압보다 고진공일 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 지지 플레이트는 진공압을 인가하여 상기 기판 또는 상기 지그를 흡착하여 지지하고, 상기 지그는 상기 진공압이 제거된 상태에서 상기 가장자리 영역이 외측을 향해 상향 경사진 형상으로 제공될 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 지그는, 중앙 영역이 가장자리 영역보다 탄성이 크게 제공되고, 상기 진공압이 제거된 상태에서 상기 중앙 영역과 상기 가장자리 영역이 모두 평평하게 제공되고, 상기 용기 세정 단계에서 상기 지그는 상기 진공압에 의해 그 가장자리 영역이 외측을 향해 상향 경사지게 제공될 수 있다.
또한, 본 발명은 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 기판을 처리하는 장치는 내부에 처리 공간을 가지는 처리 용기와; 상기 처리 공간 내에서 기판 또는 지그를 지지 및 회전 시키는 기판 지지 유닛과; 상기 기판을 처리하는 처리액을 공급하는 처리액 공급 부재와 상기 처리 용기를 세정하는 세정액을 공급하는 세정액 공급 부재를 구비하는 액 공급 유닛과; 그리고 상기 기판 지지 유닛과 상기 액 공급 유닛을 제어하는 제어기를 포함하되, 상기 기판 지지 유닛은, 상기 기판을 진공 흡착하도록 진공 라인이 형성된 지지 플레이트와; 상기 진공 라인에 진공압을 제공하는 감압 부재를 포함하고, 상기 제어기는, 상기 기판 지지 유닛에 지지된 상기 기판에 상기 처리액을 공급하여 상기 기판을 처리시에는 상기 진공 라인에 제1압력을 제공하여 상기 기판을 상기 지지플레이트에 흡착하고, 상기 기판 지지 유닛에 지지된 상기 지그에 상기 세정액을 공급하여 상기 처리 용기를 세정시에는 상기 진공 라인에 상기 제1압력과 상이한 제2압력을 제공하여 상기 지그를 상기 지지 플레이트에 흡착하는 제1흡착 단계를 포함하도록 상기 기판 지지 유닛 및 상기 액 공급 유닛을 제어할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 제2압력은 상기 제1압력보다 고진공일 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 제어기는, 상기 기판 지지 유닛에 지지된 상기 지그에 상기 세정액을 공급하여 상기 처리 용기를 세정시에 상기 제2압력과 상이한 제3압력으로 상기 지그를 상기 지지 플레이트에 흡착하는 제2흡착 단계를 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 제3압력은 상기 제1압력과 동일할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 제어기는, 상기 지그에 상기 세정액을 공급하여 상기 처리 용기를 세정하는 동안에 상기 제1흡착 단계와 상기 제2흡착 단계를 반복하여 수행할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 기판 지지 유닛과 상기 처리 용기 간에 상대 높이를 조절하는 승강 유닛을 포함하고, 상기 제어기는, 상기 승강 유닛을 더 제어하고, 상기 제어기는 상기 지그에 상기 세정액을 공급하여 상기 처리 용기를 세정하는 동안에 상기 기판 지지 유닛과 상기 처리 용기의 상대 높이를 변화시킬 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 기판과 상기 지그의 크기는 동일할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 지지 플레이트의 크기는 상기 기판보다 작을 수 있다.
또한, 본 발명은 처리 용기의 세정에 사용되는 지그를 제공한다. 처리 용기 내에서 기판 지지 유닛에 기판을 지지한 상태로 상기 기판에 처리액을 공급하여 기판을 처리하는 장치에서 상기 기판 지지 유닛에 의해 지지되어 상기 처리 용기의 세정에 사용되는 지그는, 상기 지그는 그 중앙 영역이 가장자리 영역보다 탄성이 크게 제공될 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 지그는 상기 중앙 영역이 상기 가장자리 영역보다 얇은 두께로 제공될 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 지그는, 제1재질의 중앙 플레이트와; 상기 중앙 플레이트에 결합되며, 상기 제1재질보다 탄성이 작은 제2재질의 가장자리 플레이트를 구비할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 처리 용기 내에서 기판 지지 유닛에 기판을 지지한 상태로 상기 기판에 처리액을 공급하여 기판을 처리하는 장치에서 상기 기판 지지 유닛에 의해 지지되어 상기 처리 용기의 세정에 사용되는 지그에 있어서, 상기 지그는, 평평하게 형상지어진 중앙 영역과; 상기 중앙 영역으로부터 외측으로 연장되며, 상향 경사지게 형상지어진 가장자리 영역을 가질 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 의하면, 처리 용기의 세정 처리를 효율적으로 수행할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 의하면, 기판 처리 설비의 시스템 변화 없이 처리 용기의 세정 처리를 효율적으로 수행할 수 있다.
본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 않은 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 일반적인 기판 처리 장치를 보여주는 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 설비를 상부에서 바라본 도면이다.
도 3은 도 2의 설비를 A-A 방향에서 바라본 단면도이다.
도 4는 도 2의 설비를 B-B 방향에서 바라본 단면도이다.
도 5는 도 2의 설비를 C-C 방향에서 바라본 단면도이다.
도 6은 도 2의 도포 챔버를 보여주는 단면도이다.
도 7은 본 발명의 기판 처리 단계와 용기 세정 단계의 일 실시예를 보여주는 단면도이다.
도 8은 용기 세정 단계에서 처리 용기가 세정되는 일 실시예을 보여주는 단면도이다.
도 9는 용기 세정 단계에서 처리 용기가 세정되는 다른 실시예를 보여주는 단면도이다.
도 10은 용기 세정 단계에서 처리 용기가 세정되는 다른 실시예를 보여주는 단면도이다.
도 11은 처리 용기의 세정에 사용되는 지그의 일 실시예를 보여주는 평면도이다.
도 12는 처리 용기의 세정에 사용되는 지그의 다른 실시예를 보여주는 단면도이다.
이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당 업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장된 것이다.
본 실시예의 설비는 반도체 웨이퍼 또는 평판 표시 패널과 같은 기판에 대해 포토리소그래피 공정을 수행하는데 사용될 수 있다. 특히 본 실시예의 설비는 노광장치에 연결되어 기판에 대해 도포 공정 및 현상 공정을 수행하는 데 사용될 수 있다. 아래에서는 기판으로 웨이퍼가 사용된 경우를 예로 들어 설명한다.
이하 도 2 내지 도 6을 통해 본 발명의 기판 처리 설비를 설명한다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 설비를 상부에서 바라본 도면이고, 도 3은 도 2의 설비를 A-A 방향에서 바라본 도면이고, 도 4는 도 2의 설비를 B-B 방향에서 바라본 도면이고, 도 5는 도 2의 설비를 C-C 방향에서 바라본 도면이다.
도 2 내지 도 5를 참조하면, 기판 처리 설비(1)는 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)을 포함 한다. 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)은 순차적으로 일 방향으로 일렬로 배치된다.
이하, 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈 (500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)이 배치된 방향을 제 1 방향(12)이라 칭하고, 상부에서 바라볼 때 제 1 방향(12)과 수직한 방향을 제 2 방향(14)이라 칭하고, 제 1 방향(12) 및 제 2 방향(14)과 각각 수직한 방향을 제 3 방향(16)이라 칭한다.
기판(W)은 카세트(20) 내에 수납된 상태로 이동된다. 이때 카세트(20)는 외부로부터 밀폐될 수 있는 구조를 가진다. 예컨대, 카세트(20)로는 전방에 도어를 가지는 전면 개방 일체식 포드(Front Open Unified Pod; FOUP)가 사용될 수 있다. 이하에서는 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)에 대해 상세히 설명한다.
로드 포트(100)는 기판들(W)이 수납된 카세트(20)가 놓여지는 재치대(120)를 가진다. 재치대(120)는 복수개가 제공되며, 재치대들(200)은 제 2 방향(14)을 따라 일렬로 배치된다. 도 2에서는 4개의 재치대(120)가 제공되었다. 인덱스 모듈(200)은 로드 포트(100)의 재치대(120)에 놓인 카세트(20)와 제 1 버퍼 모듈(300) 간에 기판(W)을 이송한다. 인덱스 모듈(200)은 프레임(210), 인덱스 로봇(220), 그리고 가이드 레일(230)을 가진다. 프레임(210)은 대체로 내부가 빈 직육면체의 형상으로 제공되며, 로드 포트(100)와 제 1 버퍼 모듈(300) 사이에 배치된다. 인덱스 모듈(200)의 프레임(210)은 후술하는 제 1 버퍼 모듈(300)의 프레임(310)보다 낮은 높이로 제공될 수 있다. 인덱스 로봇(220)과 가이드 레일(230)은 프레임(210) 내에 배치된다. 인덱스 로봇(220)은 기판(W)을 직접 핸들링하는 핸드(221)가 제 1 방향(12), 제 2 방향(14), 제 3 방향(16)으로 이동 가능하고 회전될 수 있도록 4축 구동이 가능한 구조를 가진다. 인덱스 로봇(220)은 핸드(221), 아암(222), 지지대(223), 그리고 받침대(224)를 가진다. 핸드(221)는 아암(222)에 고정 설치된다. 아암(222)은 신축 가능한 구조 및 회전 가능한 구조로 제공된다. 지지대(223)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 아암(222)은 지지대(223)를 따라 이동 가능하도록 지지대(223)에 결합된다. 지지대(223)는 받침대(224)에 고정 결합된다. 가이드 레일(230)은 그 길이 방향이 제 2 방향(14)을 따라 배치되도록 제공된다. 받침대(224)는 가이드 레일(230)을 따라 직선 이동 가능하도록 가이드 레일(230)에 결합된다. 또한, 도시되지는 않았지만, 프레임(210)에는 카세트(20)의 도어를 개폐하는 도어 오프너가 더 제공된다.
제 1 버퍼 모듈(300)은 프레임(310), 제 1 버퍼(320), 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼 로봇(360)을 가진다. 프레임(310)은 내부가 빈 직육면체의 형상으로 제공되며, 인덱스 모듈(200)과 도포 및 현상모듈(400) 사이에 배치된다. 제 1 버퍼(320), 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼 로봇(360)은프레임(310) 내에 위치된다. 냉각 챔버(350), 제 2 버퍼(330), 그리고 제 1 버퍼(320)는 순차적으로 아래에서부터 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 제 1 버퍼(320)는 후술하는 도포 및 현상 모듈(400)의 도포 모듈(401)과 대응되는 높이에 위치되고, 제 2 버퍼(330)와 냉각 챔버(350)는 후술하는 도포 및 현상 모듈(400)의 현상 모듈(402)과 대응되는 높이에 위치된다. 제 1 버퍼 로봇(360)은 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼(320)와 제 2 방향(14)으로 일정 거리 이격되게 위치된다.
제 1 버퍼(320)와 제 2 버퍼(330)는 각각 복수의 기판들(W)을 일시적으로 보관한다. 제 2 버퍼(330)는 하우징(331)과 복수의 지지대들(332)을 가진다. 지지대들(332)은 하우징(331) 내에 배치되며, 서로 간에 제 3 방향(16)을 따라 이격되게 제공된다. 각각의 지지대(332)에는 하나의 기판(W)이 놓인다. 하우징(331)은 인덱스 로봇(220), 제 1 버퍼 로봇(360), 그리고 후술하는 현상 모듈(402)의 현상부 로봇(482)이 하우징(331) 내 지지대(332)에 기판(W)을 반입 또는 반출할 수 있도록 인덱스 로봇(220)이 제공된 방향, 제 1 버퍼 로봇(360)이 제공된 방향, 그리고 현상부 로봇(482)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 제 1 버퍼(320)는 제 2 버퍼(330)와 대체로 유사한 구조를 가진다. 다만, 제 1 버퍼(320)의 하우징(321)에는 제 1 버퍼 로봇(360)이 제공된 방향 및 후술하는 도포 모듈(401)에 위치된 반송 로봇(432)이 제공된 방향에 개구를 가진다. 제 1 버퍼(320)에 제공된 지지대(322)의 수와 제 2 버퍼(330)에 제공된 지지대(332)의 수는 동일하거나 상이할 수 있다. 일 예에 의하면, 제 2 버퍼(330)에 제공된 지지대(332)의 수는 제 1 버퍼(320)에 제공된 지지대(322)의 수보다 많을 수 있다. 제 1 버퍼 로봇(360)은 제 1 버퍼(320)와 제 2 버퍼(330) 간에 기판(W)을 이송시킨다.
제 1 버퍼 로봇(360)은 핸드(361), 아암(362), 그리고 지지대(363)를 가진다. 핸드(361)는 아암(362)에 고정 설치된다. 아암(362)은 신축 가능한 구조로 제공되어, 핸드(361)가 제 2 방향(14)을 따라 이동 가능하도록 한다. 아암(362)은 지지대(363)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(363)에 결합된다. 지지대(363)는 제 2 버퍼(330)에 대응되는 위치부터 제 1 버퍼(320)에 대응되는 위치까지 연장된 길이를 가진다. 지지대(363)는 이보다 위또는 아래 방향으로 더 길게 제공될 수 있다. 제 1 버퍼 로봇(360)은 단순히 핸드(361)가 제 2 방향(14) 및 제3 방향(16)을 따른 2축 구동만 되도록 제공될 수 있다.
냉각 챔버(350)는 각각 기판(W)을 냉각한다. 냉각 챔버(350)는 하우징(351)과 냉각 플레이트(352)를 가진다. 냉각 플레이트(352)는 기판(W)이 놓이는 상면 및 기판(W)을 냉각하는 냉각 수단(353)을 가진다. 냉각 수단(353)으로는 냉각수에 의한 냉각이나 열전 소자를 이용한 냉각 등 다양한 방식이 사용될 수 있다. 또한, 냉각 챔버(350)에는 기판(W)을 냉각 플레이트(352) 상에 위치시키는 리프트 핀 어셈블리(도시되지 않음)가 제공될 수 있다. 하우징(351)은 인덱스 로봇(220) 및 후술하는 현상 모듈(402)에 제공된 현상부 로봇(482)이 냉각 플레이트(352)에 기판(W)을 반입 또는 반출할 수 있도록 인덱스 로봇(220)이 제공된 방향 및 현상부 로봇(482)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 또한, 냉각 챔버(350)에는 상술한 개구를 개폐하는 도어들(도시되지 않음)이 제공될 수 있다.
도포 및 현상 모듈(400)은 노광 공정 전에 기판(W) 상에 포토 레지스트를 도포하는 공정 및 노광 공정 후에 기판(W)을 현상하는 공정을 수행한다. 도포 및 현상 모듈(400)은 대체로 직육면체의 형상을 가진다. 도포 및 현상모듈(400)은 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)을 가진다. 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)은 서로 간에 층으로구획되도록 배치된다. 일 예에 의하면, 도포 모듈(401)은 현상 모듈(402)의 상부에 위치된다.
도포 모듈(401)은 기판(W)에 대해 포토레지스트와 같은 감광액을 도포하는 공정 및 레지스트 도포 공정 전후에 기판(W)에 대해 가열 및 냉각과 같은 열처리 공정을 포함한다. 도포 모듈(401)은 레지스트 도포 챔버(410), 베이크 챔버(420), 그리고 반송 챔버(430)를 가진다. 레지스트 도포 챔버(410), 베이크 챔버(420), 그리고 반송챔버(430)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 레지스트 도포 챔버(410)와 베이크 챔버(420)는 반송 챔버(430)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 레지스트 도포 챔버(410)는 복수개가 제공되며, 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 레지스트 도포 챔버(410)가 제공된 예가 도시되었다. 베이크 챔버(420)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 베이크 챔버(420)가 제공된 예가 도시되었다. 그러나 이와 달리 베이크 챔버(420)는 더 많은 수로 제공될 수 있다.
반송 챔버(430)는 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 1 버퍼(320)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(430) 내에는 반송 로봇(432)과 가이드 레일(433)이 위치된다. 반송 챔버(430)는 대체로 직사각의 형상을 가진다. 반송 로봇(432)은 베이크 챔버들(420), 레지스트 도포 챔버들(400), 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 1 버퍼(320), 그리고 후술하는 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 1 냉각 챔버(520) 간에 기판(W)을 이송한다. 가이드 레일(433)은 그 길이 방향이 제 1 방향(12)과 나란하도록 배치된다. 가이드 레일(433)은 반송 로봇(432)이 제 1 방향(12)으로 직선 이동되도록 안내한다. 반송 로봇(432)은 핸드(434), 아암(435), 지지대(436), 그리고 받침대(437)를 가진다. 핸드(434)는 아암(435)에 고정 설치된다. 아암(435)은 신축 가능한 구조로 제공되어 핸드(434)가 수평 방향으로 이동 가능하도록 한다. 지지대(436)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치되도록 제공된다. 아암(435)은 지지대(436)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(436)에 결합된다. 지지대(436)는 받침대(437)에 고정 결합되고, 받침대(437)는 가이드 레일(433)을 따라 이동 가능하도록 가이드레일(433)에 결합된다.
레지스트 도포 챔버들(410)은 모두 동일한 구조를 가진다. 다만, 각각의 레지스트 도포 챔버(410)에서 사용되는 포토 레지스트의 종류는 서로 상이할 수 있다. 일 예로서 포토 레지스트로는 화학 증폭형 레지스트(chemical amplification resist)가 사용될 수 있다. 레지스트 도포 챔버(410)는 기판(W) 상에 포토 레지스트를 도포하는 기판 처리 장치로 제공된다.
도 6은 도 2의 도포 챔버를 보여주는 단면도이다.
도 6을 참조하면, 도포 챔버(410)에 제공되는 기판 처리 장치(800)는 액 도포 공정을 수행한다. 기판 처리 장치(800)는 하우징(810), 기류 제공 유닛(820), 기판 지지 유닛(830), 액 공급 유닛(840), 처리 용기(850), 승강 유닛(870), 그리고 제어기(900)을 포함한다.
하우징(810)은 내부에 공간(812)을 가지는 직사각의 통 형상으로 제공된다. 하우징(810)의 일측에는 개구(미도시)가 형성된다. 개구는 기판(W)이 반출입되는 입구로 기능한다. 개구에는 도어(미도시)가 설치되며, 도어는 개구를 개폐한다. 도어는 기판 처리 공정이 진행되면, 개구를 차단하여 하우징(810)의 내부 공간(812)을 밀폐한다. 하우징(810)의 하부면에는 내측 배기구(814) 및 외측 배기구(816)가 형성된다. 하우징(810) 내에 형성된 기류는 내측 배기구(814) 및 외측 배기구(816)를 통해 외부로 배기된다. 일 예에 의하면, 처리 용기(850)내에 제공된 기류는 내측 배기구(814)를 통해 배기되고, 처리 용기(850)의 외측에 제공된 기류는 외측 배기구(816)를 통해 배기될 수 있다.
기류 제공 유닛(820)은 하우징(810)의 내부 공간에 하강 기류를 형성한다. 기류 제공 유닛(820)은 기류 공급 라인(822), 팬(824), 그리고 필터(826)를 포함한다. 기류 공급 라인(822)은 하우징(810)에 연결된다. 기류 공급라인(822)은 외부의 에어를 하우징(810)에 공급한다. 필터(826)는 기류 공급 라인(822)으로부터 제공되는 에어를 필터(826)링 한다. 필터(826)는 에어에 포함된 불순물을 제거한다. 팬(824)은 하우징(810)의 상부면에 설치된다. 팬(824)은 하우징(810)의 상부면에서 중앙 영역에 위치된다. 팬(824)은 하우징(810)의 내부 공간에 하강 기류를 형성한다. 기류 공급 라인(822)으로부터 팬(824)에 에어가 공급되면, 팬(824)은 아래 방향으로 에어를 공급한다.
기판 지지 유닛(830)은 하우징(810)의 내부 공간에서 기판(W)을 지지한다. 기판 지지 유닛(830)은 기판(W)을 회전시킨다. 기판 지지 유닛(830)은 지지 플레이트(832), 회전축(834), 그리고 구동기(836)를 포함한다. 지지 플레이트(832)는 원형의 판 형상을 가지도록 제공된다. 지지 플레이트(832)의 상면에는 기판(W)이 접촉한다. 지지 플레이트(832)는 기판(W)보다 작은 직경을 가지도록 제공된다. 일 예에 의하면, 지지 플레이트(832)의 내부에는 기판(W)을 진공 흡착하도록 진공 라인(837)이 제공될 수 있다. 진공 라인(837)에 진공압을 제공하는 감압 부재(838)가 설치될 수 있다. 이에 지지 플레이트(832)는 기판(W)을 진공 흡입하여 기판(W)을 흡착할 수 있다. 상부에서 바라볼 때 기판(W)은 그 중심축이 지지 플레이트(832)의 중심축과 일치되도록 위치될 수 있다. 또한 지지 플레이트(832)는 기판(W)을 물리적 힘으로 척킹할 수 있다. 회전축(834)은 지지 플레이트(832)의 아래에서 지지 플레이트(832)를 지지할 수 있다. 회전축(834)은 그 길이 방향이 상하방향을 향하도록 제공될 수 있다. 회전축(834)은 그 중심축을 중심으로 회전 가능하도록 제공될 수 있다. 구동기(836)는 회전축(834)이 회전되도록 구동력을 제공할 수 있다. 예컨대, 구동기(836)는 모터일 수 있다.
액 공급 유닛(840)은 기판(W) 상에 처리액 및 세정액을 공급한다. 액 공급 유닛(840)은 처리액 공급 부재(842) 및 세정액 공급 부재(844)를 포함할 수 있다. 처리액은 레지스트와 같은 감광액일 수 있고 세정액은 신너(Thinner)일 수 있다. 처리액 공급 부재(842)와 세정액 공급 부재(844)는 중앙 위치에서 처리액을 공급할 수 있다. 여기서 중앙 위치는 액 공급 부재(842,844)가 기판(W)의 중앙 영역에 대향되는 위치일 수 있다.
처리 용기(850)는 하우징(810)의 내부 공간(812)에 위치된다. 처리 용기(850)는 내부에 처리 공간(852)을 제공한다. 처리 용기(850)는 상부가 개방된 컵 형상을 가지도록 제공된다. 처리 용기(850)는 기판 지지 유닛(830)을 감싸도록 제공될 수 있다. 처리 용기(850)는 바닥부(854), 측면부(856), 그리고 상면부(858)를 포함한다. 바닥부(854)는 중공을 가지는 원판 형상으로 제공된다.
바닥부(854)에는 회수 라인(855)이 형성된다. 회수 라인(855)은 처리 공간(852)을 통해 회수된 처리액 및 세정액을 외부의 액 재생 시스템(미도시)으로 제공할 수 있다. 측면부(856)는 중공을 가지는 원통 형상으로 제공된다. 측면부(856)는 바닥부(854)의 측단으로부터 수직한 방향으로 연장된다. 측면부(856)는 바닥부(854)로부터 위로 연장된다. 상면부(858)는 측면부(856)의 상단으로부터 연장된다. 상면부(858)는 기판 지지 유닛(830)에 가까워질수록 상향 경사진 방향을 향한다.
승강 유닛(870)은 기판 지지 유닛(830)과 처리 용기(850) 간에 상대 높이를 조절한다. 승강 유닛(890)은 처리 용기(850)를 승강 이동시킨다. 승강 유닛(890)은 브라켓(872), 이동축(874), 그리고 구동 부재(876)를 포함한다. 구동 부재(876)는 모터 일 수 있다. 브라켓(872)은 외측 컵(852)의 측면부(856)에 고정 결합된다. 이동축(874)은 브라켓(872)을 지지한다. 이동축(874)은 그 길이 방향이 상하방향을 향하도록 제공된다. 구동 부재(876)는 이동축(874)을 상하 방향으로 이동시킨다. 이에 따라 브라켓(872)과 처리 용기(850)는 상하 방향으로 이동 가능하다.
제어기(900)는 후술하는 기판 처리 단계와 용기 세정 단계를 수행할 수 있게 기판 지지 유닛(830), 액 공급 유닛(840) 및 승강 유닛(870)을 제어할 수 있다.
다음은 상술한 기판 처리 장치를 이용하여 기판을 처리하는 과정을 설명한다. 기판 처리 과정은 처리 용기(850) 내의 처리 공간(852)에 제공된 지지 플레이트(832) 상에 지지된 기판(W)을 회전시키면서 기판(W)에 처리액을 공급하여 기판(W)을 처리하는 기판 처리 단계와, 지지 플레이트(832) 상에 지지된 지그(G)에 세정액을 공급하여 처리 용기(850)를 세정하는 용기 세정 단계를 포함할 수 있다. 아래에서는 기판과 지그의 크기가 동일한 것을 예로 들어 설명한다.
도 7은 본 발명의 기판 처리 단계와 용기 세정 단계의 일 실시예를 보여주는 단면도이다.
도 7 (a)를 참조하면, 기판 처리 단계가 진행되면, 기판(W)이 반송 로봇(432)에 의해 지지 플레이트(832)상에 로딩될 수 있다. 반송 로봇(432)은 기판(W)을 지지 플레이트(832)로 로딩시에는 기판(W)의 중심과 지지 플레이트(832) 중심이 일치되도록 기판(W)을 반송할 수 있다.
지지 플레이트(832)는 진공압을 제공할 수 있다. 이에 기판(W)은 지지 플레이트(832)에 흡착될 수 있다. 진공압은 제1압력(P1)일 수 있다. 제1압력(P1)은 기판(W)이 회전되어도 지지 플레이트(832)을 이탈하지 않는 크기의 진공일 수 있다. 또한, 제1압력(P1)은 기판(W)의 형상이 변형되지 않는 크기의 진공일 수 있다.
기판(W)은 기판 지지 유닛(830)에 의해 회전된다. 처리액 공급 부재(842)은 중앙 위치에서 기판(W) 상에 처리액을 공급한다. 처리액은 포토레지스트과 같은 감광액일 수 있다. 기판(W)의 상면 중앙 영역에 공급된 처리액은 기판(W)의 회전에 의해 기판(W)의 가장자리 영역으로 도포된다. 기판(W)의 처리액 도포 공정이 완료되면 처리 용기(850)의 세정 공정이 수행될 수 있다.
도 7 (b)를 참조하면, 용기 세정 단계가 진행되면, 처리 용기(850)의 세정에 사용되는 지그(G)가 반송 로봇(432)에 의해 지지 플레이트(832)상에 로딩될 수 있다. 반송 로봇(432)은 지그(G)를 지지 플레이트(832)로 로딩시에는 지그(G)의 중심과 지지 플레이트(832)의 중심이 일치되도록 지그(G)를 반송할 수 있다.
지지 플레이트(832)는 진공압을 제공할 수 있다. 이에 지그(G)는 지지 플레이트(832)에 흡착될 수 있다. 진공압은 제1압력(P1)과 상이한 제2압력(P2) 일 수 있다. 제2압력(P2)은 제1압력(P1)보다 고진공 일 수 있다.
지그(G)는 지지 플레이트(832)에 제1압력(P1)을 인가하거나 또는 진공압이 제거된 경우 평평하게 형상 지어질 수 있다. 지그(G)는 제2압력(P2)에 의해 지그(G)의 가장자리 영역이 외측을 향해 상향 경사지게 변경될 수 있다. 용기 세정 단계에서 처리 용기(850)의 세정이 이루어지는 동안 지그(G)는 그 가장자리 영역이 외측을 향해 상향 경사지게 제공될 수 있다.
도 8은 용기 세정 단계에서 처리 용기가 세정되는 일 실시예을 보여주는 단면도이다. 도 8을 참조하면, 용기 세정 단계에서 지지 플레이트(832)는 지그(G)에 제2압력(P2)를 인가할 수 있다. 제2압력(P2)가 인가되면 지그(G)의 가장자리 영역이 외측을 향해 상향 경사지게 변경될 수 있다. 지그(G)는 지지 플레이트(832)에 의해 회전될 수 있다. 세정액 공급 부재(844)가 회전하는 지그(G)의 상면 중앙 영역에 세정액을 공급하면, 세정액은 지그(G)의 가장자리 영역으로 비산될 수 있다. 지그(G)에서 비산된 세정액은 외측을 향해 상향 경사진 경로를 따라 상향 경사진 방향으로 비산될 수 있다. 비산된 세정액은 처리 용기(850)의 상면부(858) 내측과 충돌할 수 있다. 상면부(858)과 충돌한 세정액은 상면부(858)의 내측에 부착된 처리액을 제거할 수 있다.
또한, 용기 세정 단계에서 제공되는 제2압력(P2)을 조절하여 지그(G)의 가장자리 영역의 상향 경사진 각도를 작게 할 수 있다. 이 경우 회전 하는 지그(G)에 세정액이 공급되면, 세정액은 처리 용기(850)의 측면부(856)과 충돌할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 의하면 지그(G)에 고진공의 제2압력(P2)을 인가하여 지그(G)의 형상을 변경시킬 수 있다. 이에 지그(G)에 공급되는 세정액의 비산 경로를 달리할 수 있다. 이에, 처리 용기(850)의 내측과 충돌하는 타점을 달리 할 수 있다. 세정액이 상향 경사진 방향으로 처리 용기(850)의 내측과 충돌하면서 수평 방향의 충돌력과 함께 수직 방향의 충돌력이 더 제공될 수 있다. 이에 처리 용기(850)의 세정 공정의 효율은 증가할 수 있다.
또한, 기판 처리 단계에서 처리되는 기판(W)과 용기 세정 단계에서 사용되는 지그(G)는 같은 크기를 가질 수 있다. 이에 기판(W)에 따라 설정된 기판 처리 장치의 시스템을 변화하지 않고, 처리 용기(850)의 세정 영역을 크게 할 수 있다.
도 9는 용기 세정 단계에서 처리 용기가 세정되는 다른 실시예를 보여주는 단면도이다. 도 9를 참조하면, 용기 세정 단계에서 승강 유닛(870)은 지지 플레이트(832)과 처리 용기(850)간의 상대 높이를 변화시킬 수 있다. 승강 유닛(870)의 구동 부재(876)은 모터일 수 있다. 상대 높이의 변화는 모터에 의해 처리 용기(850)의 높이를 변화시켜 이루어질 수 있다. 이에 구동 부재(876)가 유압기 등으로 제공되는 경우와 달리 처리 용기(850) 높이의 미세 조절이 가능하다. 따라서, 처리 용기(850)의 높이 변화를 천천히 수행할 수 있다. 이에 처리 용기(850)의 세정 효율이 증가될 수 있다. 또한, 용기 세정 단계가 수행되는 동안에 처리 용기(850)와 지지 플레이트(832)의 상대 높이가 변화함에 따라, 세정 영역이 넓어질 수 있다. 예컨대, 처리 용기(850)의 측면부(856)와 상면부(858)의 내측에 부착된 처리액을 세정할 수 있다.
도 10은 용기 세정 단계에서 처리 용기가 세정되는 다른 실시예를 보여주는 단면도이다. 도 10을 참조하면, 용기 세정 단계는, 지그(G)를 제2압력(P2)로 지지 플레이트(832)에 진공 흡착하는 제1흡착 단계와; 지그(G)를 제3압력(P3)로 지지 플레이트(832)에 진공 흡착하는 제2흡착 단계를 포함할 수 있다. 제3압력(P3)는 제1압력(P1)과 동일할 수 있다. 제2압력(P2)이 지그(G)에 인가되면 지그(G)의 가장자리 영역은 외측을 향해 상향 경사지게 변경될 수 있다. 제3압력(P3)이 지그(G)에 인가되면 지그(G)는 평평하게 형상지어질 수 있다.
용기 세정 단계가 수행되는 동안에 제1흡착 단계와 제2흡착 단계를 반복하여 수행할 수 있다. 이에 지그(G)는 평평한 형상과 가장자리 자리 영역과 상향 경사지게 변경된 형상으로 반복하여 변형될 수 있다. 이에 회전하는 지그(G)에 세정액이 공급되면 세정액은 다양한 방향으로 비산될 수 있다. 이에 세정 영역이 넓어질 수 있다. 예컨대, 처리 용기(850)의 측면부(856)와 상면부(858)의 내측에 부착된 처리액을 세정할 수 있다.
도 11은 처리 용기의 세정에 사용되는 지그의 일 실시예를 보여주는 평면도이다. 도 11을 참조하면, 지그(G)는 상부에서 바라볼 때 중앙 영역(1100)과 가장자리(1200)로 구분될 수 있다. 중앙 영역(1100)의 면적은 지지 플레이트(832)의 면적에 대응될 수 있다. 중앙 영역(1100)은 가장자리 영역(1200)보다 탄성이 크게 제공될 수 있다. 예컨대, 중앙 영역(1100)의 재질이 가장자리(1200) 영역보다 탄성이 큰 재질로 제공될 수 있다. 예컨대, 중앙 영역(1100)이 제1재질의 중앙 플레이트로 제공되고, 가장자리 영역(1200)이 제2재질의 가장자리 플레이트로 제공될 수 있다. 제2재질은 제1재질보다 탄성이 작을 수 있다.
지그(G)의 중앙 영역(1100)이 가장자리영역(1200)보다 탄성이 더 큰 재질로 제공되기 때문에, 지지 플레이트(832)가 지그(G)에 진공압을 인가하면 더 용이하게 가장자리 영역(1200)이 외측을 향해 상향 경사지게 변경될 수 있다.
또한 중앙 영역(1100)은 가장자리 영역(1200)보다 얇은 두께로 제공될 수 있다. 이 경우, 지그(G)의 직경은 기판(W)와 동일할 수 있다. 이에 지지 플레이트(832)가 지그(G)에 진공압을 인가하면 더 용이하게 가장자리 영역(1200)이 외측을 향해 상향 경사지게 변경될 수 있다.
도 12는 처리 용기의 세정에 사용되는 지그의 다른 실시예를 보여주는 단면도이다.
도 12를 참조하면, 지그(G)는 평평하게 형상 지어진 중앙 영역과, 상향 경사지게 형상지어진 가장자리 영역을 가질 수 있다. 회전하는 지그(G)의 중심에 세정액 공급 부재(844)가 세정액을 공급하면 세정액은 상향 경사진 가장자리 영역을 경로로 상향 경사진 방향으로 비산된다. 이에 얻어지는 효과는 상술한 실시예와 동일 또는 유사하므로 반복된 설명은 생략한다.
상술한 예에서는 지그(G)가 평평하게 형상 지어진 중앙 영역과, 상향 경사지게 형상 지어진 가장자리 영역을 가지는 것을 예를 들어 설명하였다. 그러나, 지그(G)의 형상은 이에 한정되는 것은 아니고 다양한 형태로 변형될 수 있다. 예컨대, 지그(G)의 가장자리 영역은 외측으로 상향 경사지는 복수의 돌출부가 제공될 수 있다. 또한, 지그(G)의 가장자리 영역은 외측으로 상향 경사지는 복수의 돌출부와 외측으로 하향 경사지는 복수의 만입부를 포함할 수 있다. 또한, 지그(G)의 가장자리 영역은 원주 방향 및 외측 상향 경사진 방향을 따라 굴곡지는 형상을 가질 수 있다. 이에, 지그(G)에 공급되는 세정액은 다양한 방향으로 비산되어 처리 용기(850)의 세정을 효율적으로 수행할 수 있다.
830 : 기판 지지 유닛
840 : 액 공급 유닛
850 : 처리 용기
870 : 승강 유닛
900 : 제어기

Claims (25)

  1. 기판을 처리하는 방법에 있어서,
    처리 용기 내의 처리 공간에 제공된 지지 플레이트 상에 지지된 기판을 회전시키면서 상기 기판에 처리액을 공급하여 상기 기판을 처리하는 기판 처리 단계와;
    상기 지지 플레이트 상에 지지된 지그를 회전시키면서 상기 지그에 세정액을 공급하여 상기 처리 용기를 세정하는 용기 세정 단계를 포함하되,
    상기 기판 처리 단계에는 상기 기판을 제1압력으로 진공 흡입하여 상기 기판을 상기 지지 플레이트에 흡착하고,
    상기 용기 세정 단계는 상기 지그를 제2압력으로 진공 흡입하여 상기 지그를 상기 지지 플레이트에 흡착하는 제1흡착 단계를 포함하고,
    상기 제1압력과 상기 제2압력은 서로 상이한 기판 처리 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제2압력이 상기 제1압력보다 고진공인 기판 처리 방법.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 용기 세정 단계는 상기 제2압력과 상이한 제3압력으로 상기 지그를 상기 지지 플레이트에 흡착하는 제2흡착 단계를 더 포함하는 기판 처리 방법.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 제3압력은 상기 제1압력과 동일한 기판 처리 방법.
  5. 제3항 또는 제4항에 있어서,
    상기 용기 세정 단계는,
    상기 제1흡착 단계와 상기 제2흡착 단계를 반복하여 수행하는 기판 처리 방법.
  6. 제1항 내지 제4항 중 어느 한에 있어서,
    상기 용기 세정 단계에서 상기 지지 플레이트와 상기 처리 용기 간에 상대 높이를 변화시키는 기판 처리 방법.
  7. 제6항에 있어서,
    모터에 의해 상기 처리 용기의 높이를 변화시키는 기판 처리 방법.
  8. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판과 상기 지그의 크기는 동일한 기판 처리 방법.
  9. 기판을 처리하는 방법에 있어서,
    처리 용기 내의 처리 공간에 제공된 지지 플레이트 상에 지지된 기판을 회전시키면서 상기 기판에 처리액을 공급하여 상기 기판을 처리하는 기판 처리 단계와;
    상기 지지 플레이트 상에 지지된 지그를 회전시키면서 상기 지그에 세정액을 공급하여 상기 처리 용기를 세정하는 용기 세정 단계를 포함하되,
    상기 용기 세정 단계에서 상기 처리 용기의 세정이 이루어지는 동안 상기 지그는 그 가장자리 영역이 외측을 향해 상향 경사지게 제공되는 기판 처리 방법.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 용기 세정 단계에서 상기 지지 플레이트는 상기 지그를 진공 흡착하여 지지하되,
    상기 지그는 진공압이 제거된 경우 평평하게 형상지어지고, 상기 용기 세정 단계에서 상기 지그에 인가되는 진공압에 의해 상기 지그의 가장자리 영역은 외측을 향해 상향 경사지게 변경되는 기판 처리 방법.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 기판 처리 단계에서 상기 지지 플레이트는 상기 기판을 진공 흡착하여 지지하되,
    상기 용기 세정 단계에서 상기 지그에 인가되는 진공압은 상기 기판 처리 단계에서 상기 기판에 인가되는 진공압보다 고진공인 기판 처리 방법.
  12. 제9항에 있어서,
    상기 지지 플레이트는 진공압을 인가하여 상기 기판 또는 상기 지그를 흡착하여 지지하고,
    상기 지그는 상기 진공압이 제거된 상태에서 상기 가장자리 영역이 외측을 향해 상향 경사진 형상으로 제공되는 기판 처리 방법.
  13. 제10항에 있어서,
    상기 지그는,
    중앙 영역이 가장자리 영역보다 탄성이 크게 제공되고,
    상기 진공압이 제거된 상태에서 상기 중앙 영역과 상기 가장자리 영역이 모두 평평하게 제공되고,
    상기 용기 세정 단계에서 상기 지그는 상기 진공압에 의해 그 가장자리 영역이 외측을 향해 상향 경사지게 제공되는 기판 처리 방법.
  14. 기판을 처리하는 장치에 있어서,
    내부에 처리 공간을 가지는 처리 용기와;
    상기 처리 공간 내에서 기판 또는 지그를 지지 및 회전 시키는 기판 지지 유닛과;
    상기 기판을 처리하는 처리액을 공급하는 처리액 공급 부재와 상기 처리 용기를 세정하는 세정액을 공급하는 세정액 공급 부재를 구비하는 액 공급 유닛과; 그리고
    상기 기판 지지 유닛과 상기 액 공급 유닛을 제어하는 제어기를 포함하되,
    상기 기판 지지 유닛은,
    상기 기판을 진공 흡착하도록 진공 라인이 형성된 지지 플레이트와;
    상기 진공 라인에 진공압을 제공하는 감압 부재를 포함하고,
    상기 제어기는,
    상기 기판 지지 유닛에 지지된 상기 기판에 상기 처리액을 공급하여 상기 기판을 처리시에는 상기 진공 라인에 제1압력을 제공하여 상기 기판을 상기 지지플레이트에 흡착하고,
    상기 기판 지지 유닛에 지지된 상기 지그에 상기 세정액을 공급하여 상기 처리 용기를 세정시에는 상기 진공 라인에 상기 제1압력과 상이한 제2압력을 제공하여 상기 지그를 상기 지지 플레이트에 흡착하는 제1흡착 단계를 포함하도록 상기 기판 지지 유닛 및 상기 액 공급 유닛을 제어하는 기판 처리 장치.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 제2압력은 상기 제1압력보다 고진공인 기판 처리 장치.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 제어기는,
    상기 기판 지지 유닛에 지지된 상기 지그에 상기 세정액을 공급하여 상기 처리 용기를 세정시에 상기 제2압력과 상이한 제3압력으로 상기 지그를 상기 지지 플레이트에 흡착하는 제2흡착 단계를 더 포함하는 기판 처리 장치.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 제3압력은 상기 제1압력과 동일한 기판 처리 장치.
  18. 제16항 또는 제17항에 있어서,
    상기 제어기는,
    상기 지그에 상기 세정액을 공급하여 상기 처리 용기를 세정하는 동안에 상기 제1흡착 단계와 상기 제2흡착 단계를 반복하여 수행하는 기판 처리 장치.
  19. 제14항 내지 제17항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판 지지 유닛과 상기 처리 용기 간에 상대 높이를 조절하는 승강 유닛을 포함하고,
    상기 제어기는,
    상기 승강 유닛을 더 제어하고,
    상기 제어기는 상기 지그에 상기 세정액을 공급하여 상기 처리 용기를 세정하는 동안에 상기 기판 지지 유닛과 상기 처리 용기의 상대 높이를 변화시키는 기판 처리 장치.
  20. 제14항 내지 제17항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판과 상기 지그의 크기는 동일한 기판 처리 장치.
  21. 제20항에 있어서,
    상기 지지 플레이트의 크기는 상기 기판보다 작은 기판 처리 장치.
  22. 처리 용기 내에서 기판 지지 유닛에 기판을 지지한 상태로 상기 기판에 처리액을 공급하여 기판을 처리하는 장치에서 상기 기판 지지 유닛에 의해 지지되어 상기 처리 용기의 세정에 사용되는 지그에 있어서,
    상기 지그는 그 중앙 영역이 가장자리 영역보다 탄성이 크게 제공되는 지그.
  23. 제22항에 있어서,
    상기 지그는 상기 중앙 영역이 상기 가장자리 영역보다 얇은 두께로 제공되는 지그.
  24. 제22항에 있어서,
    상기 지그는,
    제1재질의 중앙 플레이트와;
    상기 중앙 플레이트에 결합되며, 상기 제1재질보다 탄성이 작은 제2재질의 가장자리 플레이트를 구비하는 지그.
  25. 처리 용기 내에서 기판 지지 유닛에 기판을 지지한 상태로 상기 기판에 처리액을 공급하여 기판을 처리하는 장치에서 상기 기판 지지 유닛에 의해 지지되어 상기 처리 용기의 세정에 사용되는 지그에 있어서,
    상기 지그는,
    평평하게 형상지어진 중앙 영역과;
    상기 중앙 영역으로부터 외측으로 연장되며, 상향 경사지게 형상지어진 가장자리 영역을 가지는 지그.
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