KR20190095134A - Method for detecting line to be divided - Google Patents

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KR20190095134A
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semiconductor
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unit
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KR1020190011819A
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후미테루 다시노
히로유키 이타니
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가부시기가이샤 디스코
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Abstract

An object of the present invention is to provide a method for detecting a line to be divided, which reduces the possibility that cutting waste will stick to a device chip due to processing. The method for detecting a line to be divided according to the present invention is a method for detecting a line to be divided which detects a line to be divided for individualizing a semiconductor device which has a plurality of device chips sealed by a resin for every device chip. The method includes a holding step (ST1), an ultrasonic measuring step (ST2) and a detection step (ST3). In the holding step (ST1), the semiconductor device is held on a holding table. In the ultrasonic measuring step (ST2), an ultrasonic wave is emitted to the predetermined thickness of the semiconductor device while the semiconductor device held on the holding table and an ultrasonic probe functioning as an ultrasonic emitting means are moved relative to each other in a horizontal direction at a predetermined interval to measure a reflected echo. In the detection step (ST3), the line to be divided is detected from the distribution of the reflected echo.

Description

분할 예정 라인의 검출 방법{METHOD FOR DETECTING LINE TO BE DIVIDED}Detection method of division scheduled line {METHOD FOR DETECTING LINE TO BE DIVIDED}

본 발명은 분할 예정 라인의 검출 방법에 관한 것이다. The present invention relates to a detection method of a division scheduled line.

수지에 밀봉된 복수의 디바이스 칩을 갖는 반도체 장치를 디바이스 칩마다 분할할 때, 분할 예정 라인을 인식하기 위해서, 반도체 장치의 외주부를 제거하고, 분할 예정 라인의 홈에 매설된 수지를 노출시키는 방법이 알려져 있다(예컨대 특허문헌 1). When dividing a semiconductor device having a plurality of device chips sealed in a resin for each device chip, a method of removing the outer periphery of the semiconductor device and exposing the resin embedded in the grooves of the dividing scheduled line in order to recognize the dividing scheduled line It is known (for example, patent document 1).

일본 특허공개 2017-117990호 공보Japanese Patent Publication No. 2017-117990

그러나 특허문헌 1의 방법에서는, 반도체 장치의 외주부를 가공함으로써, 외주부의 가공에 따른 절삭 부스러기가 디바이스 칩에 부착되어 버릴 가능성이 있다고 하는 문제가 있었다. However, in the method of patent document 1, there existed a problem that cutting chips by processing of an outer peripheral part may adhere to a device chip by processing the outer peripheral part of a semiconductor device.

본 발명은 이러한 문제점에 감안하여 이루어진 것으로, 그 목적은, 가공에 따른 절삭 부스러기가 디바이스 칩에 부착되어 버릴 가능성을 저감하는 분할 예정 라인의 검출 방법을 제공하는 것이다. This invention is made | formed in view of such a problem, and the objective is to provide the detection method of the dividing scheduled line which reduces the possibility that the cutting chips accompanying a process will stick to a device chip.

상술한 과제를 해결하여 목적을 달성하기 위해서, 본 발명의 분할 예정 라인의 검출 방법은, 수지에 밀봉된 복수의 디바이스 칩을 갖는 반도체 장치를 상기 디바이스 칩마다 개편화(個片化)하기 위한 분할 예정 라인을 검출하는 검출 방법으로서, 상기 반도체 장치를 유지 테이블에 유지하는 유지 단계와, 상기 유지 테이블에 유지된 상기 반도체 장치와 초음파 조사 수단을 미리 정해진 간격으로 수평 방향으로 상대 이동시키면서 상기 반도체 장치의 미리 정해진 두께 부분에 초음파를 조사하여 반사 에코를 측정하는 초음파 측정 단계와, 상기 반사 에코의 분포로부터 상기 분할 예정 라인을 검출하는 검출 단계를 구비하는 것을 특징으로 한다. In order to solve the problem described above and achieve the object, the detection method of the division scheduled line of the present invention is a division for individualizing a semiconductor device having a plurality of device chips sealed in a resin for each device chip. A detection method for detecting a predetermined line, comprising: a holding step of holding the semiconductor device on a holding table, and moving the semiconductor device and the ultrasonic irradiation means held on the holding table in a horizontal direction at a predetermined interval relative to each other; And an ultrasonic measurement step of measuring reflected echoes by irradiating ultrasonic waves to a predetermined thickness portion, and detecting the division scheduled line from the distribution of the reflected echoes.

상기 검출 단계는, 상기 반사 에코를 색 정보를 갖는 화상 데이터로 변환하는 화상 처리 단계를 추가로 구비하고, 상기 화상 데이터의 색 정보에 따라서 상기 분할 예정 라인을 검출하는 것으로 하여도 좋다. The detecting step may further include an image processing step of converting the reflected echo into image data having color information, and detecting the division scheduled line in accordance with the color information of the image data.

상기 초음파 측정 단계의 실시 전에, 상기 반도체 장치와 상기 초음파 조사 수단을 미리 정해진 간격으로 상기 반도체 장치의 두께 방향으로 상대 이동시키면서 상기 반도체 장치의 내부에 초음파를 조사하여 준비 반사 에코를 측정하는 준비 초음파 측정 단계와, 상기 준비 반사 에코의 상기 반도체 장치의 두께 방향 분포로부터 상기 초음파 측정 단계에 있어서 초음파를 조사하는 위치를 결정하는 준비 검출 단계를 구비하는 것으로 하여도 좋다. Before performing the ultrasonic measuring step, a preparation ultrasonic measurement for measuring a preparation reflection echo by irradiating ultrasonic waves inside the semiconductor device while moving the semiconductor device and the ultrasonic irradiation means in the thickness direction of the semiconductor device at predetermined intervals. And a preparation detection step of determining a position at which the ultrasonic wave is irradiated in the ultrasonic measuring step from the thickness direction distribution of the semiconductor device of the prepared reflection echo.

상기 준비 검출 단계는, 상기 준비 반사 에코를 색 정보를 갖는 준비 화상 데이터로 변환하는 준비 화상 처리 단계를 추가로 구비하고, 상기 준비 화상 데이터의 색 정보에 따라서, 상기 초음파 측정 단계에 있어서 초음파를 조사하는 위치를 결정하는 것으로 하여도 좋다. The preparation detection step further includes a preparation image processing step of converting the preparation reflection echo into preparation image data having color information, and irradiates ultrasonic waves in the ultrasonic measurement step according to the color information of the preparation image data. You may decide to determine the position to perform.

본 발명의 분할 예정 라인의 검출 방법은, 가공에 따른 절삭 부스러기가 디바이스 칩에 부착되어 버릴 가능성을 저감할 수 있다고 하는 효과를 발휘한다. The detection method of the dividing scheduled line of this invention has the effect that the possibility of the cutting chip which adheres to a process sticking to a device chip can be reduced.

도 1은 실시형태 1에 따른 분할 예정 라인의 검출 방법의 대상 반도체 장치의 일례를 도시하는 표면도이다.
도 2는 도 1의 반도체 장치에 있어서의 II-II 단면도이다.
도 3은 실시형태 1에 따른 분할 예정 라인의 검출 방법에서 이용되는 분할 예정 라인의 검출 장치를 포함하는 절삭 장치의 구성예를 도시하는 사시도이다.
도 4는 도 3의 절삭 장치에 포함되는 초음파 검사 유닛에 있어서의 IV-IV 단면도이다.
도 5는 실시형태 1에 따른 분할 예정 라인의 검출 방법의 흐름도이다.
도 6은 도 5의 초음파 측정 단계를 설명하는 설명도이다.
도 7은 도 5의 초음파 측정 단계에서 측정하는 반사 에코의 일례를 도시하는 설명도이다.
도 8은 도 5의 초음파 측정 단계에서 측정하는 반사 에코의 다른 일례를 도시하는 설명도이다.
도 9는 도 5의 화상 처리 단계에서 얻어지는 화상 데이터의 일례를 도시하는 설명도이다.
도 10은 실시형태 2에 따른 분할 예정 라인의 검출 방법의 흐름도이다.
도 11은 도 10의 준비 초음파 측정 단계를 설명하는 설명도이다.
도 12는 도 10의 준비 초음파 측정 단계에서 측정하는 준비 반사 에코의 일례를 도시하는 설명도이다.
도 13은 도 10의 준비 초음파 측정 단계에서 측정하는 준비 반사 에코의 다른 일례를 도시하는 설명도이다.
도 14는 도 10의 준비 화상 처리 단계에서 얻어지는 준비 화상 데이터의 일례를 도시하는 설명도이다.
도 15는 도 10의 준비 화상 처리 단계에서 얻어지는 준비 화상 데이터의 다른 일례를 도시하는 설명도이다.
도 16은 실시형태 3에 따른 분할 예정 라인의 검출 방법에서 이용되는 분할 예정 라인의 검출 장치의 구성예를 도시하는 개략 구성도이다.
도 17은 실시형태 3에 따른 분할 예정 라인의 검출 방법의 일례를 도시하는 흐름도이다.
도 18은 실시형태 3에 따른 분할 예정 라인의 검출 방법의 다른 일례를 도시하는 흐름도이다.
도 19는 실시형태 1부터 실시형태 3의 변형예 1에 따른 분할 예정 라인의 검출 방법의 대상 반도체 장치의 일례를 도시하는 표면도이다.
도 20은 도 19의 반도체 장치에 있어서의 XX-XX 단면도이다.
도 21은 실시형태 1부터 실시형태 3의 변형예 1에 따른 분할 예정 라인의 검출 방법의 화상 처리 단계에서 얻어지는 화상 데이터의 일례를 도시하는 설명도이다.
도 22는 실시형태 1부터 실시형태 3의 변형예 2에 따른 분할 예정 라인의 검출 방법의 대상 반도체 장치의 일례를 도시하는 표면도이다.
도 23은 도 22의 반도체 장치에 있어서의 XXIII-XXIII 단면도이다.
FIG. 1: is a surface view which shows an example of the target semiconductor device of the detection method of the division planned line which concerns on Embodiment 1. FIG.
FIG. 2 is a II-II cross-sectional view of the semiconductor device of FIG. 1.
3 is a perspective view illustrating a configuration example of a cutting device including a detection device for division scheduled lines used in the detection method for division scheduled lines according to the first embodiment.
It is IV-IV sectional drawing in the ultrasonic inspection unit contained in the cutting device of FIG.
5 is a flowchart of a method for detecting a split schedule line according to the first embodiment.
FIG. 6 is an explanatory diagram illustrating an ultrasonic measurement step of FIG. 5.
FIG. 7 is an explanatory diagram showing an example of the reflection echo measured in the ultrasonic measurement step of FIG. 5.
FIG. 8 is an explanatory diagram showing another example of the reflection echo measured in the ultrasonic measurement step of FIG. 5.
9 is an explanatory diagram showing an example of image data obtained in the image processing step of FIG. 5.
10 is a flowchart of a method for detecting a split schedule line according to a second embodiment.
FIG. 11 is an explanatory diagram illustrating a preparation ultrasonic measurement step of FIG. 10.
It is explanatory drawing which shows an example of the preparation reflection echo measured in the preparation ultrasonic measurement step of FIG.
FIG. 13: is explanatory drawing which shows another example of the preparation reflection echo measured in the preparation ultrasonic measurement step of FIG.
FIG. 14 is an explanatory diagram showing an example of the preparation image data obtained in the preparation image processing step of FIG. 10.
FIG. 15 is an explanatory diagram showing another example of the ready image data obtained in the ready image processing step of FIG.
FIG. 16 is a schematic block diagram showing a configuration example of a detection device for division scheduled lines used in the detection method for division scheduled lines according to the third embodiment.
17 is a flowchart illustrating an example of a method for detecting division scheduled lines according to a third embodiment.
18 is a flowchart illustrating another example of the detection method of the division scheduled line according to the third embodiment.
19 is a surface diagram illustrating an example of a target semiconductor device of a method for detecting division scheduled lines according to Modification Example 1 of the first to third embodiments.
20 is a sectional view taken along the line XX-XX in the semiconductor device of FIG. 19.
FIG. 21: is explanatory drawing which shows an example of image data obtained at the image processing step of the detection method of the division planned line which concerns on the modification 1 of Embodiment 1 thru | or Third.
FIG. 22 is a surface diagram illustrating an example of a target semiconductor device of a detection method of a division scheduled line according to a modification 2 of the first to third embodiments.
FIG. 23 is a sectional view taken along the line XXIII-XXIII in the semiconductor device of FIG.

본 발명을 실시하기 위한 형태(실시형태)에 관해서 도면을 참조하면서 상세히 설명한다. 이하의 실시형태에 기재한 내용에 의해 본 발명이 한정되는 것은 아니다. 또한, 이하에 기재한 구성 요소에는, 당업자가 용이하게 상정할 수 있는 것, 실질적으로 동일한 것이 포함된다. 더욱이, 이하에 기재한 구성은 적절하게 조합하는 것이 가능하다. 또한, 본 발명의 요지를 일탈하지 않는 범위에서 구성의 다양한 생략, 치환 또는 변경을 행할 수 있다. EMBODIMENT OF THE INVENTION The form (embodiment) for implementing this invention is demonstrated in detail, referring drawings. This invention is not limited by the content described in the following embodiment. In addition, the component described below includes the thing which a person skilled in the art can easily assume, and the substantially same thing. Moreover, the structure described below can be combined suitably. In addition, various omission, substitution, or a change of a structure can be performed in the range which does not deviate from the summary of this invention.

〔실시형태 1〕[Embodiment 1]

본 발명의 실시형태 1에 따른 분할 예정 라인의 검출 방법을 도면에 기초하여 설명한다. 도 1은 실시형태 1에 따른 분할 예정 라인의 검출 방법의 대상 반도체 장치(1)의 일례를 도시하는 표면도이다. 도 2는 도 1의 반도체 장치(1)에 있어서의 II-II 단면도이다. The detection method of the division scheduled line which concerns on Embodiment 1 of this invention is demonstrated based on drawing. FIG. 1: is a surface view which shows an example of the target semiconductor device 1 of the detection method of the division planned line which concerns on Embodiment 1. As shown in FIG. FIG. 2 is a II-II cross-sectional view of the semiconductor device 1 of FIG. 1.

실시형태 1에 따른 분할 예정 라인의 검출 방법은, 도 1 및 도 2에 도시하는 반도체 장치(1)를 디바이스 칩(3)마다 개편화하기 위한 방법이다. 반도체 장치(1)는, 도 1 및 도 2에 도시한 것과 같이, 웨이퍼 형상, 즉 원형의 판 형상이며, 복수의 디바이스 칩(3)과 수지(4)와 분할 예정 라인(5)과 외주 잉여 영역(6)과 재배선층(8)과 땜납 볼(9)을 갖는다. The detection method of the division scheduled line which concerns on Embodiment 1 is a method for individualizing the semiconductor device 1 shown to FIG. 1 and FIG. 2 for every device chip 3. 1 and 2, the semiconductor device 1 has a wafer shape, that is, a circular plate shape, and includes a plurality of device chips 3, a resin 4, a division scheduled line 5, and an outer circumference. It has a region 6, a redistribution layer 8, and a solder ball 9.

반도체 장치(1)에 있어서 복수의 디바이스 칩(3)은, 도 1에 도시한 것과 같이 정방형이며, 상호 직교하는 각 방향을 따라서 2차원 배열되어 있다. 디바이스 칩(3)은 고집적도 반도체이며, 실리콘, 사파이어, 갈륨 등을 모재로 하는 반도체 웨이퍼나 광디바이스 웨이퍼가 분할되어 제조되어, 각종 메모리 또는 LSI(Large Scale Integration) 등을 구성하는 것이다. 디바이스 칩(3)은 재배선층(8) 상에 배열되어, 수지(4)로 밀봉되어 있다. In the semiconductor device 1, the plurality of device chips 3 are square, as shown in FIG. 1, and are two-dimensionally arranged along each direction perpendicular to each other. The device chip 3 is a highly integrated semiconductor, in which semiconductor wafers or optical device wafers based on silicon, sapphire, gallium, or the like are divided and manufactured to form various memories or large scale integration (LSI). The device chip 3 is arranged on the redistribution layer 8 and sealed with the resin 4.

반도체 장치(1)에 있어서 수지(4)는, 도 1 및 도 2에 각각 도시한 것과 같이, 복수의 디바이스 칩(3), 분할 예정 라인(5) 및 외주 잉여 영역(6)을 표면에서 덮어 밀봉하고 있다. 수지(4)는, 열경화성의 액상 수지인 에폭시계 수지가 이용되는 것이 바람직하고, 이 경우, 반도체 장치(1)의 표면을 덮도록 형성됨과 더불어, 분할 예정 라인(5)에 매설된 후, 150℃ 정도에서 가열함으로써 경화된 것이다. In the semiconductor device 1, the resin 4 covers the plurality of device chips 3, the division scheduled lines 5, and the outer circumferential surplus region 6 from the surface, as shown in FIGS. 1 and 2, respectively. It is sealed. It is preferable that the resin 4 is an epoxy resin which is a thermosetting liquid resin. In this case, the resin 4 is formed so as to cover the surface of the semiconductor device 1 and is embedded in the division scheduled line 5. It is hardened | cured by heating at about degreeC.

반도체 장치(1)에 있어서 분할 예정 라인(5)은, 도 1 및 도 2에 각각 도시한 것과 같이, 인접하는 2개의 디바이스 칩(3) 사이에 형성되고, 디바이스 칩(3)마다 구획함과 더불어 디바이스 칩(3)마다 개편화할 때에 분할될 예정으로 되어 있는 홈이다. 분할 예정 라인(5)은 수지(4)가 매설되어 있다. In the semiconductor device 1, the division scheduled line 5 is formed between two adjacent device chips 3, as shown in Figs. 1 and 2, respectively, and partitions each device chip 3, and In addition, it is a groove which is supposed to be divided when the device chips 3 are separated into pieces. Resin 4 is embedded in the division scheduled line 5.

반도체 장치(1)에 있어서 외주 잉여 영역(6)은, 복수의 디바이스 칩(3)이 배열된 디바이스 영역을 둘러싸며 또한 복수의 디바이스 칩(3)이 배열되어 있지 않은 영역이다. 외주 잉여 영역(6)은, 복수의 디바이스 칩(3) 및 분할 예정 라인(5)과 마찬가지로, 수지(4)에 의해서 표면이 덮여 있다. In the semiconductor device 1, the outer circumferential surplus region 6 surrounds a device region in which the plurality of device chips 3 are arranged and is not an array of the plurality of device chips 3. The outer circumferential surplus region 6 is covered with a resin 4, similarly to the plurality of device chips 3 and the division scheduled lines 5.

재배선층(8)은, 도 2에 도시한 것과 같이, 디바이스 칩(3)의 이면, 즉 디바이스 칩(3)의 수지(4)가 덮인 측과는 반대쪽에 배치되어 있다. 재배선층(8)은 복수의 디바이스 칩(3) 및 분할 예정 라인(5)에 공통으로 마련되어 있다. 재배선층(8)은, 디바이스 칩(3)과 디바이스 칩(3)이 탑재되는 프린트 배선 기판의 사이를 전기적으로 접속하는 배선이 설치된 층이다. As shown in FIG. 2, the redistribution layer 8 is arrange | positioned on the back surface of the device chip 3, ie, the opposite side to the side in which the resin 4 of the device chip 3 was covered. The redistribution layer 8 is provided in common in the plurality of device chips 3 and the division schedule lines 5. The redistribution layer 8 is a layer in which wiring for electrically connecting the device chip 3 and the printed wiring board on which the device chip 3 is mounted is provided.

땜납 볼(9)은, 도 2에 도시한 것과 같이, 재배선층(8)의 이면, 즉 재배선층(8)의 디바이스 칩(3)이 마련된 측과는 반대쪽에, 복수 개 균일하게 마련되어 있다. 땜납 볼(9)은, 반도체 장치(1)가 디바이스 칩(3)마다 분할된 후에, 재배선층(8)과 도시하지 않는 프린트 배선 기판의 사이를 전기 전도 가능하게 접합하기 위해서 이용된다. As shown in FIG. 2, a plurality of solder balls 9 are uniformly provided on the rear surface of the redistribution layer 8, that is, on the opposite side to the side where the device chip 3 of the redistribution layer 8 is provided. The solder balls 9 are used to electrically connect the redistribution layer 8 and the printed wiring board (not shown) after the semiconductor device 1 is divided for each device chip 3.

도 1 및 도 2에 도시하는 반도체 장치(1)는, 예컨대 미리 정해진 웨이퍼를 디바이스 칩(3)으로 분할한 후, 디바이스 칩(3)을 재배선층(8) 위에 배열하여 수지(4)로 밀봉됨으로써 제조된다. 반도체 장치(1)는, 분할 예정 라인(5)을 따라서 디바이스 칩(3)마다 분할되어, 개개의 도 1 및 도 2에 도시하는 패키지 디바이스(7)로 분할된다. 패키지 디바이스(7)는, 땜납 볼(9)을 배치한 재배선층(8)과, 재배선층(8) 상에 실장된 하나의 디바이스 칩(3)과, 디바이스 칩(3)을 밀봉한 수지(4)를 구비한다. 실시형태 1에 있어서 패키지 디바이스(7)는, 프린트 기판 상에 단일체의 디바이스 칩(3)을 표면 실장할 때에 작은 점유 면적으로 끝낼 수 있는 반도체 부품의 패키지의 한 형태인 FOWLP(Fan Out Wafer Level Package)이다. FOWLP인 패키지 디바이스(7)는, 패키지 면적이 디바이스 칩(3)의 수평 방향의 면적보다 크고, 디바이스 칩(3)의 수평 방향의 외측까지 단자를 넓일 수 있기 때문에, 보다 디바이스 칩(3)의 수평 방향의 면적과 비교하여 단자수가 많은 용도에서도 채용할 수 있어, 이 점에서, 후술하는 WLCSP(Wafer Level Chip Size Package)보다도 우위이다. In the semiconductor device 1 shown in FIGS. 1 and 2, for example, the predetermined wafer is divided into device chips 3, and then the device chips 3 are arranged on the redistribution layer 8 and sealed with the resin 4. It is manufactured by doing. The semiconductor device 1 is divided into device chips 3 along the dividing line 5, and is divided into package devices 7 shown in FIGS. 1 and 2. The package device 7 includes a redistribution layer 8 in which the solder balls 9 are disposed, one device chip 3 mounted on the redistribution layer 8, and a resin sealing the device chip 3 ( 4) is provided. In Embodiment 1, the package device 7 is a FOWLP (Fan Out Wafer Level Package) which is a type of package of a semiconductor component which can be finished with a small occupied area when surface mounting the unitary device chip 3 on a printed board. )to be. The package device 7 which is a FOWLP has a larger package area than the area in the horizontal direction of the device chip 3 and can widen the terminal to the outside of the device chip 3 in the horizontal direction. It can also be employed in applications with a large number of terminals compared to the area in the horizontal direction, and is superior to the WLCSP (Wafer Level Chip Size Package) described later in this respect.

이어서, 실시형태 1에 따른 분할 예정 라인의 검출 방법에서 이용되는 분할 예정 라인의 검출 장치(90)를 포함하는 절삭 장치(10)의 일례를 설명한다. 도 3은 실시형태 1에 따른 분할 예정 라인의 검출 방법에서 이용되는 분할 예정 라인의 검출 장치(90)를 포함하는 절삭 장치(10)의 구성예를 도시하는 사시도이다. Next, an example of the cutting device 10 including the detection device 90 of the division scheduled line used in the detection method of the division scheduled line according to the first embodiment will be described. FIG. 3: is a perspective view which shows the structural example of the cutting device 10 including the detection apparatus 90 of the division planned line used in the detection method of the division scheduled line which concerns on Embodiment 1. As shown in FIG.

절삭 장치(10)는, 분할 예정 라인(5)을 따라서 절삭 블레이드(21)를 반도체 장치(1)에 절입시킴으로써, 반도체 장치(1)를 디바이스 칩(3)마다 분할하여, 반도체 장치(1)를 개개의 패키지 디바이스(7)로 개편화하는 장치이다. 절삭 장치(10)는, 가시광선 또는 적외선에 의해 분할 예정 라인(5)을 검출할 수 있는 피가공물에 대해서는, 촬상 유닛(60)으로 분할 예정 라인(5)을 검출하여 얼라인먼트를 수행한다. 절삭 장치(10)는, 반도체 장치(1)에 대해서는, 후술하는 초음파 검사 유닛(70)으로 분할 예정 라인(5)을 검출하여 얼라인먼트를 수행한다. The cutting device 10 divides the semiconductor device 1 for each device chip 3 by cutting the cutting blade 21 into the semiconductor device 1 along the division scheduled line 5, thereby providing the semiconductor device 1. Is an apparatus for individualizing into individual package devices 7. The cutting device 10 performs alignment by detecting the division scheduled line 5 with the imaging unit 60, on the workpiece to which the division scheduled line 5 can be detected by visible light or infrared rays. The cutting apparatus 10 detects the dividing scheduled line 5 with the ultrasonic inspection unit 70 mentioned later with respect to the semiconductor device 1, and performs alignment.

절삭 장치(10)는, 도 3에 도시한 것과 같이, 반도체 장치(1)를 유지면(12)으로 흡인 유지하는 유지 테이블(11)과, 유지 테이블(11)에 유지된 반도체 장치(1)의 분할 예정 라인(5)을 따라서 절삭 가공을 실시하는 절삭 유닛(20)과, 유지 테이블(11)과 절삭 유닛(20)을 수평 방향과 평행한 X축 방향으로 상대 이동시키는 X축 이동 유닛(30)과, 유지 테이블(11)과 절삭 유닛(20)을 수평 방향과 평행하며 또한 X축 방향과 직교하는 Y축 방향으로 상대 이동시키는 Y축 이동 유닛(40)과, 유지 테이블(11)과 절삭 유닛(20)을 X축 방향과 Y축 방향 양쪽과 직교하는 Z축 방향으로 상대 이동시키는 Z축 이동 유닛(50)과, 촬상 유닛(60)과, 초음파 검사 유닛(70)과, 제어 유닛(100)을 구비한다. As shown in FIG. 3, the cutting device 10 includes a holding table 11 for sucking and holding the semiconductor device 1 on the holding surface 12, and the semiconductor device 1 held on the holding table 11. An X-axis moving unit for relatively moving the cutting unit 20 for cutting along the division scheduled line 5 of the cutting unit 20 and the holding table 11 and the cutting unit 20 in the X-axis direction parallel to the horizontal direction ( 30, the Y-axis moving unit 40 for relatively moving the holding table 11 and the cutting unit 20 in the Y-axis direction parallel to the horizontal direction and orthogonal to the X-axis direction, and the holding table 11, Z-axis moving unit 50 for moving the cutting unit 20 in the Z-axis direction orthogonal to both the X-axis direction and the Y-axis direction, the imaging unit 60, the ultrasonic inspection unit 70, and the control unit. 100 is provided.

유지 테이블(11)은, Z축 방향의 상측으로 향해서 유지면(12)을 구성하는 부분이 다공성 세라믹 등으로 형성된 원반 형상이며, 도시하지 않는 진공 흡인 경로를 통해 도시하지 않는 진공 흡인원과 접속되어, 유지면(12)에 배치된 반도체 장치(1)를 흡인함으로써 유지한다. 또한 유지 테이블(11)은, 회전 구동원(13)에 의해 Z축 방향과 평행한 축심 둘레로 회전 이동된다. The holding table 11 is a disk shape in which a portion constituting the holding surface 12 is formed in a porous ceramic or the like toward the upper side in the Z-axis direction, and is connected to a vacuum suction source (not shown) through a vacuum suction path (not shown). The semiconductor device 1 disposed on the holding surface 12 is held by suction. In addition, the holding table 11 is rotated around the axis center parallel to the Z-axis direction by the rotation drive source 13.

X축 이동 유닛(30)은, 유지 테이블(11)을 회전 구동원(13)과 함께 X축 방향으로 이동시킴으로써, 유지 테이블(11)을 X축 방향으로 가공 이송하는 가공 이송 수단이다. Y축 이동 유닛(40)은, 절삭 유닛(20)을 촬상 유닛(60) 및 초음파 검사 유닛(70)과 함께 Y축 방향으로 이동시킴으로써, 유지 테이블(11)을 인덱싱 이송하는 인덱싱 이송 수단이다. Z축 이동 유닛(50)은, 절삭 유닛(20)을 촬상 유닛(60) 및 초음파 검사 유닛(70)과 함께 Z축 방향으로 이동시킴으로써, 절삭 유닛(20)을 절입 이송하는 절입 이송 수단이다. X축 이동 유닛(30), Y축 이동 유닛(40) 및 Z축 이동 유닛(50)은, 축심 둘레로 회전이 자유롭게 마련된 주지의 볼나사(31, 41, 51), 볼나사(31, 41, 51)를 축심 둘레로 회전시키는 주지된 펄스 모터(32, 42, 52) 및 유지 테이블(11) 또는 절삭 유닛(20)을 X축 방향, Y축 방향 또는 Z축 방향으로 이동이 자유롭게 지지하는 주지된 가이드 레일(33, 43, 53)을 구비한다. The X-axis moving unit 30 is a processing feed means for processing the holding table 11 in the X-axis direction by moving the holding table 11 together with the rotation drive source 13 in the X-axis direction. The Y axis moving unit 40 is an indexing conveying means for indexing and conveying the holding table 11 by moving the cutting unit 20 together with the imaging unit 60 and the ultrasonic inspection unit 70 in the Y axis direction. The Z-axis moving unit 50 is an infeed and transfer means for carrying out the cutting unit 20 by cutting the cutting unit 20 along with the imaging unit 60 and the ultrasonic inspection unit 70 in the Z-axis direction. The X-axis moving unit 30, the Y-axis moving unit 40, and the Z-axis moving unit 50 are well-known ball screws 31, 41, 51 and ball screws 31, 41 which are freely rotated about the axis center. To freely move the well-known pulse motors 32, 42, 52 and the holding table 11 or the cutting unit 20 which rotate the circumference 51 around the axis in the X-axis direction, the Y-axis direction or the Z-axis direction. Known guide rails 33, 43, 53 are provided.

또한, 절삭 장치(10)는, 유지 테이블(11)의 X 방향의 위치를 검출하기 위한 X 방향 위치 검출 유닛(34)과, 절삭 유닛(20), 촬상 유닛(60) 및 초음파 검사 유닛(70)의 Y 방향의 위치를 검출하기 위한 Y 방향 위치 검출 유닛(44)과, 절삭 유닛(20), 촬상 유닛(60) 및 초음파 검사 유닛(70)의 Z 방향의 위치를 검출하기 위한 Z 방향 위치 검출 유닛(54)을 구비한다. X 방향 위치 검출 유닛(34) 및 Y 방향 위치 검출 유닛(44)은, X 방향 또는 Y 방향과 평행한 리니어 스케일(35, 45)과, 유지 테이블(11) 또는 절삭 유닛(20)과 일체로 이동하는 판독 헤드(36, 46)에 의해 구성할 수 있다. Z 방향 위치 검출 유닛(54)은, 펄스 모터(52)의 펄스로 절삭 유닛(20)의 Z 방향의 위치를 검출한다. X 방향 위치 검출 유닛(34), Y 방향 위치 검출 유닛(44) 및 Z 방향 위치 검출 유닛(54)은, 유지 테이블(11)의 X 방향, 절삭 유닛(20), 촬상 유닛(60) 및 초음파 검사 유닛(70)의 Y 방향 또는 Z 방향의 위치를 제어 유닛(100)에 출력한다. In addition, the cutting device 10 includes an X-direction position detection unit 34 for detecting a position in the X direction of the holding table 11, a cutting unit 20, an imaging unit 60, and an ultrasonic inspection unit 70. Z direction position detecting unit 44 for detecting the position in the Y direction of the Z direction, and Z direction position for detecting the position in the Z direction of the cutting unit 20, the imaging unit 60, and the ultrasonic inspection unit 70. The detection unit 54 is provided. The X-direction position detection unit 34 and the Y-direction position detection unit 44 are integrated with the linear scales 35 and 45 parallel to the X-direction or the Y-direction, the holding table 11 or the cutting unit 20. It can be configured by the moving read heads 36 and 46. The Z direction position detection unit 54 detects the position of the Z direction of the cutting unit 20 with the pulse of the pulse motor 52. The X-direction position detection unit 34, the Y-direction position detection unit 44, and the Z-direction position detection unit 54 include the X-direction of the holding table 11, the cutting unit 20, the imaging unit 60, and the ultrasonic wave. The position of the Y direction or Z direction of the inspection unit 70 is output to the control unit 100.

절삭 유닛(20)은, Y축 방향과 평행한 축심 둘레로 회전하는 스핀들(22)과, 스핀들(22)을 수용하며 또한 Y축 이동 유닛(40) 및 Z축 이동 유닛(50)에 의해 Y축 방향과 Z축 방향으로 이동되는 스핀들 하우징(23)과, 스핀들(22)에 부착된 절삭 블레이드(21)를 구비한다. 절삭 블레이드(21)는, 극박(極薄)의 링 형상으로 형성된 절삭 지석이며, 절삭수가 공급되면서 Y축 방향과 평행한 축심 둘레로 스핀들(22)에 의해 회전됨으로써, 유지 테이블(11)에 유지된 반도체 장치(1)를 절삭 가공하는 것이다. 절삭 유닛(20)의 절삭 블레이드(21)의 절삭날의 두께의 값은, 반도체 장치(1)의 분할 예정 라인(5)의 폭 이하인 것이 바람직하다. The cutting unit 20 receives the spindle 22 that rotates about an axis parallel to the Y axis direction, the spindle 22, and the Y unit by the Y axis moving unit 40 and the Z axis moving unit 50. The spindle housing 23 is moved in the axial direction and the Z axis direction, and the cutting blade 21 attached to the spindle 22 is provided. The cutting blade 21 is a cutting grindstone formed in an ultra-thin ring shape, and is held on the holding table 11 by being rotated by the spindle 22 around an axis center parallel to the Y-axis direction while cutting water is supplied. The semiconductor device 1 is cut. It is preferable that the value of the thickness of the cutting edge of the cutting blade 21 of the cutting unit 20 is below the width | variety of the division planned line 5 of the semiconductor device 1.

촬상 유닛(60)은, 유지 테이블(11)에 유지된 피가공물을 촬상하는 것으로, 실시형태 1에서는, 절삭 유닛(20)과 X축 방향으로 병렬되는 위치에 설치되어 있는 형태가 예시되지만, 본 발명은 이것에 한정되지 않는다. 촬상 유닛(60)은 스핀들 하우징(23)에 부착되어 있다. 촬상 유닛(60)은 유지 테이블(11)에 유지된 피가공물을 촬상하는 CCD 카메라에 의해 구성된다. Although the imaging unit 60 image | photographs the to-be-processed object hold | maintained by the holding table 11, In Embodiment 1, although the form provided in the position parallel to the cutting unit 20 in the X-axis direction is illustrated, The invention is not limited to this. The imaging unit 60 is attached to the spindle housing 23. The imaging unit 60 is comprised by the CCD camera which picks up the to-be-processed object hold | maintained by the holding table 11.

초음파 검사 유닛(70)은, 유지 테이블(11)에 유지된 반도체 장치(1)를 초음파로 검사하는 것으로, 절삭 유닛(20) 및 촬상 유닛(60)과 X축 방향으로 병렬하는 위치에 설치되어 있다. 실시형태 1에서는, 구체적으로는 초음파 검사 유닛(70)은 촬상 유닛(60)의 절삭 유닛(20)이 있는 측과는 반대쪽에 부착되어 있다. The ultrasonic inspection unit 70 performs ultrasonic inspection of the semiconductor device 1 held on the holding table 11, and is provided at a position parallel to the cutting unit 20 and the imaging unit 60 in the X-axis direction. have. In Embodiment 1, the ultrasonic inspection unit 70 is specifically, attached to the opposite side to the side in which the cutting unit 20 of the imaging unit 60 exists.

도 4는 도 3의 절삭 장치(10)에 포함되는 초음파 검사 유닛(70)에 있어서의 IV-IV 단면도이다. 초음파 검사 유닛(70)은, 도 4에 도시한 것과 같이, 초음파 프로브(71)와 홀더(72)를 구비한다. 초음파 프로브(71)는, 도 3에 도시한 것과 같이, 제어 유닛(100)과 정보 통신 가능하게 전기적으로 접속되어 있다. 4 is an IV-IV cross-sectional view of the ultrasonic inspection unit 70 included in the cutting device 10 of FIG. 3. The ultrasonic inspection unit 70 is equipped with the ultrasonic probe 71 and the holder 72, as shown in FIG. As shown in FIG. 3, the ultrasonic probe 71 is electrically connected to the control unit 100 so that information communication is possible.

초음파 프로브(71)는, 직경이 6 mm 이상 10 mm 이하 정도인 원주형이며, 그 축 방향이 Z축 방향과 평행하게 배치된다. 초음파 프로브(71)는, 제어 유닛(100)과 정보 통신 가능하게 전기적으로 접속되어 있어, 제어 유닛(100)의 초음파 측정부(110)의 동작에 따라서, Z축 방향 하측으로 향해서 초음파를 조사하는 초음파 조사 수단으로서 작동하거나, Z축 방향 하측으로부터 초음파를 수신하여 검출하는 초음파 검출 수단으로서 작동하거나 할 수 있다. 초음파 프로브(71)의 동작의 상세한 것은 초음파 측정부(110)의 상세한 설명과 함께 후술한다. The ultrasonic probe 71 is columnar with a diameter of about 6 mm or more and about 10 mm or less, and the axial direction is arrange | positioned in parallel with a Z-axis direction. The ultrasonic probe 71 is electrically connected to the control unit 100 so that information communication is possible, and according to the operation of the ultrasonic measuring unit 110 of the control unit 100, the ultrasonic probe 71 is irradiated toward the lower side in the Z-axis direction. It may operate as ultrasonic irradiation means or as ultrasonic detection means for receiving and detecting ultrasonic waves from the lower side in the Z-axis direction. Details of the operation of the ultrasonic probe 71 will be described later together with the detailed description of the ultrasonic measuring unit 110.

홀더(72)는, 도 4에 도시한 것과 같이, 초음파 프로브(71)의 Z축 방향 하측의 선단 부분의 X축 방향 및 Y축 방향 전체 둘레를 덮도록 초음파 프로브(71)의 Z축 방향 하측의 선단 부분보다도 Z축 방향 하측으로 돌출하여, 초음파 프로브(71)에 고정되어 설치되어 있다. 이에 따라 홀더(72)는, 도 4에 도시한 것과 같이, 초음파 프로브(71)의 선단 부분보다도 Z축 방향 하측의 영역에, Z축 방향 하측으로 향해서 개구를 갖는 공간(78)을 형성한다. As shown in FIG. 4, the holder 72 has a lower Z-axis direction of the ultrasonic probe 71 so as to cover the entire circumference of the X-axis direction and the Y-axis direction of the tip portion below the Z-axis direction of the ultrasonic probe 71. It protrudes below the Z-axis direction rather than the front end part of and is fixed to the ultrasonic probe 71, and is provided. As a result, as shown in FIG. 4, the holder 72 forms a space 78 having an opening in the region below the Z-axis direction than in the region below the tip of the ultrasonic probe 71.

홀더(72)는, 도 4에 도시한 것과 같이, 초음파 검사 유닛(70)의 외부에 설치된 물 공급 유닛(80)으로부터 물(79)을 공간(78)에 공급하기 위한 물 공급로(73)를 갖는다. 물 공급로(73)는, 홀더(72)의 외주부와 공간(78)을 연통하는 관통 구멍이며, 홀더(72)의 외주부 측이 수로 호스 또는 수로관 등을 통해 물 공급 유닛(80)과 연통되어 있다. As shown in FIG. 4, the holder 72 is a water supply path 73 for supplying water 79 to the space 78 from a water supply unit 80 provided outside the ultrasonic inspection unit 70. Has The water supply passage 73 is a through hole communicating the outer circumferential portion of the holder 72 with the space 78, and the outer circumferential side of the holder 72 communicates with the water supply unit 80 through a water channel hose or a water pipe. have.

물 공급 유닛(80)은, 물 공급로(73)를 경유하여 공간(78) 및 공간(78)보다도 Z축 방향 하측의 공간에 물(79)을 공급하는 물 공급 수단으로서 기능하는 장치이다. 물 공급 유닛(80)은, 제어 유닛(100)의 제어에 따라서, 물(79)을 공급하는 상태와 공급을 정지한 상태를 전환할 수 있다. The water supply unit 80 serves as a water supply means for supplying water 79 to the space 78 and the space below the Z-axis direction via the water supply passage 73. The water supply unit 80 can switch the state which supplies the water 79, and the state which stopped supplying according to the control of the control unit 100. FIG.

제어 유닛(100)은, 절삭 장치(10)의 상술한 각 구성 요소를 각각 제어하여, 반도체 장치(1)에 대한 가공 동작을 절삭 장치(10)에 실시하게 하는 제어 수단으로서 기능하는 것이다. 제어 유닛(100)은, CPU(Central Processing Unit)와 같은 마이크로프로세서를 갖는 연산 처리 장치와, ROM(Read Only Memory) 또는 RAM(Random Access Memory)와 같은 메모리를 갖는 기억 장치와, 입출력 인터페이스 장치를 가지고, 컴퓨터 프로그램을 실행할 수 있는 컴퓨터이다. 제어 유닛(100)의 연산 처리 장치는, ROM에 기억되어 있는 컴퓨터 프로그램을 RAM 상에서 실행하여, 절삭 장치(10)를 제어하기 위한 제어 신호를 생성한다. 제어 유닛(100)의 연산 처리 장치는, 생성한 제어 신호를 입출력 인터페이스 장치를 통해 절삭 장치(10)의 각 구성 요소에 출력한다. 또한 제어 유닛(100)은, 가공 동작의 상태나 화상 등을 표시하는 액정 표시 장치 등에 의해 구성되는 표시 유닛(130)이나, 오퍼레이터가 가공 내용 정보 등을 등록할 때에 이용하는 도시하지 않는 입력 유닛에 접속되어 있다. 입력 유닛은, 표시 유닛(130)에 설치된 터치 패널과 키보드 등 중 적어도 하나에 의해 구성된다. The control unit 100 functions as a control means which controls each above-mentioned component of the cutting device 10, and makes the cutting device 10 perform the machining operation with respect to the semiconductor device 1, respectively. The control unit 100 includes an arithmetic processing unit having a microprocessor such as a central processing unit (CPU), a memory having a memory such as a read only memory (ROM) or a random access memory (RAM), and an input / output interface device. It is a computer that can run computer programs. The arithmetic processing unit of the control unit 100 executes the computer program stored in the ROM on the RAM, and generates a control signal for controlling the cutting device 10. The arithmetic processing unit of the control unit 100 outputs the generated control signal to each component of the cutting device 10 via the input / output interface device. In addition, the control unit 100 is connected to the display unit 130 comprised by the liquid crystal display device etc. which display the state of an operation | movement operation | movement, an image, etc., or the input unit which is not shown in which an operator uses when registering processing content information etc. It is. The input unit is comprised by at least one of a touch panel, a keyboard, etc. provided in the display unit 130.

제어 유닛(100)은, 도 3에 도시한 것과 같이, 절삭 장치(10)의 상술한 각 구성 요소, 예컨대 절삭 유닛(20), X축 이동 유닛(30), Y축 이동 유닛(40), Z축 이동 유닛(50), 촬상 유닛(60), 초음파 검사 유닛(70), 물 공급 유닛(80) 및 표시 유닛(130)과, 정보 통신 가능하게 전기적으로 접속되어, 각 부를 제어한다. As shown in FIG. 3, the control unit 100 includes the above-described components of the cutting device 10, for example, the cutting unit 20, the X-axis moving unit 30, the Y-axis moving unit 40, The Z-axis moving unit 50, the imaging unit 60, the ultrasonic inspection unit 70, the water supply unit 80, and the display unit 130 are electrically connected to each other so as to be able to communicate with each other, thereby controlling each unit.

제어 유닛(100)은, X 방향 위치 검출 유닛(34), Y 방향 위치 검출 유닛(44) 및 Z 방향 위치 검출 유닛(54)으로부터 절삭 유닛(20), 촬상 유닛(60) 및 초음파 검사 유닛(70)의 X 방향, Y 방향 및 Z 방향의 위치 정보를 취득하여, X축 이동 유닛(30), Y축 이동 유닛(40) 및 Z축 이동 유닛(50)을 제어함으로써, 절삭 유닛(20), 촬상 유닛(60) 및 초음파 검사 유닛(70)의 위치를 제어한다. 제어 유닛(100)은, 이에 따라, 검출 대상인 반도체 장치(1)의 Z축 방향의 상측의 면을 따라서 초음파 프로브(71)를 주사 이동시킨다. 제어 유닛(100)은, 예컨대 미리 정해진 간격으로 X축 방향 및 Y축 방향으로 각각 배열된 각 측정점을 따라서 초음파 프로브(71)를 주사 이동시킨다. 여기서, 이 미리 정해진 간격은 측정 피치이며, 수백 ㎛에서 1.0 mm 정도가 예시되지만, 이것에 한정되지 않고, 검출 대상인 반도체 장치(1)의 치수 등에 따라서 적절하게 변경이 가능하다. The control unit 100 is a cutting unit 20, an imaging unit 60, and an ultrasonic inspection unit from the X-direction position detection unit 34, the Y-direction position detection unit 44, and the Z-direction position detection unit 54. The cutting unit 20 is obtained by acquiring position information in the X, Y, and Z directions of 70 and controlling the X-axis moving unit 30, the Y-axis moving unit 40, and the Z-axis moving unit 50. The positions of the imaging unit 60 and the ultrasonic inspection unit 70 are controlled. As a result, the control unit 100 scan-moves the ultrasonic probe 71 along the upper surface of the semiconductor device 1 to be detected in the Z-axis direction. The control unit 100 scan-moves the ultrasonic probe 71 along each measuring point arranged in the X-axis direction and the Y-axis direction, respectively, at predetermined intervals, for example. Here, although this predetermined space | interval is a measurement pitch and about several hundred micrometers to about 1.0 mm are illustrated, it is not limited to this, It can change suitably according to the dimension etc. of the semiconductor device 1 to be detected.

제어 유닛(100)은, 절삭 유닛(20)의 절삭 동작, 촬상 유닛(60)의 촬상 동작 및 물 공급 유닛(80)의 물 공급 동작을 제어한다. 제어 유닛(100)의 이들 기능은 모두 제어 유닛(100)의 연산 처리 장치가 기억 장치에 기억되어 있는 컴퓨터 프로그램을 실행함으로써 실현된다. The control unit 100 controls the cutting operation of the cutting unit 20, the imaging operation of the imaging unit 60, and the water supply operation of the water supply unit 80. All of these functions of the control unit 100 are realized by executing the computer program stored in the storage device by the arithmetic processing unit of the control unit 100.

제어 유닛(100)은, 도 3에 도시한 것과 같이, 초음파 측정부(110)와 화상 처리부(120)를 갖는다. 초음파 측정부(110)의 기능 및 화상 처리부(120)의 기능은 모두 제어 유닛(100)의 연산 처리 장치가 기억 장치에 기억되어 있는 컴퓨터 프로그램을 실행함으로써 실현된다. As shown in FIG. 3, the control unit 100 includes an ultrasonic wave measuring unit 110 and an image processing unit 120. Both the function of the ultrasonic measuring unit 110 and the function of the image processing unit 120 are realized by executing the computer program stored in the storage device by the arithmetic processing unit of the control unit 100.

초음파 측정부(110)는, 초음파 프로브(71)를 이용하여 초음파 측정을 실행하는 초음파 측정 수단으로서 기능하는 장치이며, 도 3에 도시한 것과 같이, 초음파 펄서(111)와 초음파 리시버(112)와 초음파 디텍터(113)를 구비한다. The ultrasonic measuring unit 110 is an apparatus that functions as ultrasonic measuring means for performing ultrasonic measurement using the ultrasonic probe 71. As shown in FIG. 3, the ultrasonic pulser 111 and the ultrasonic receiver 112 and An ultrasonic detector 113 is provided.

초음파 펄서(111)는, 초음파 프로브(71)에 펄스형의 전압을 인가함으로써 초음파 프로브(71)에 초음파를 조사하게 한다. 초음파 프로브(71)에 의해서 조사된 초음파는, 검출 대상인 반도체 장치(1)의 수지(4)의 표면 및 수지(4)와 디바이스 칩(3)의 경계면 등에서 반사하여 반사파로 되고, 초음파 프로브(71)로 되돌아온다. 초음파 프로브(71)는, 이 반사파를 검출하여 전압 신호로 변환하고, 초음파 리시버(112)에 송신한다. The ultrasonic pulser 111 causes the ultrasonic probe 71 to irradiate ultrasonic waves by applying a pulsed voltage to the ultrasonic probe 71. The ultrasonic wave irradiated by the ultrasonic probe 71 reflects off the surface of the resin 4 of the semiconductor device 1 as the detection target and the interface between the resin 4 and the device chip 3 to form a reflected wave, and the ultrasonic probe 71 Return to). The ultrasonic probe 71 detects this reflected wave, converts it into a voltage signal, and transmits it to the ultrasonic receiver 112.

초음파 리시버(112)는, 초음파 프로브(71)로부터 입력된 전압 신호를 증폭하여, 초음파 디텍터(113)에 송신한다. 초음파 디텍터(113)는, 검출 대상이 되는 반사 에코의 시간 지정을 행하는 게이트가 설정되어, 이 게이트 내에 있는 전압 신호의 강도를 측정한다. 초음파 디텍터(113)는, 실시형태 1에 따른 분할 예정 라인의 검출 방법에서는, 예컨대 반도체 장치(1)의 수지(4)와 디바이스 칩(3)의 경계면으로부터 반사된 반사파의 전압 신호를 검출하는 게이트를 설정하고 있다. 초음파 디텍터(113)는, 게이트 내의 전압 신호의 강도 정보를 측정 데이터로서 취득한다. The ultrasonic receiver 112 amplifies the voltage signal input from the ultrasonic probe 71 and transmits it to the ultrasonic detector 113. In the ultrasonic detector 113, a gate for specifying the time of the reflection echo to be detected is set, and the intensity of the voltage signal in the gate is measured. The ultrasonic detector 113 is a gate for detecting the voltage signal of the reflected wave reflected from the interface between the resin 4 of the semiconductor device 1 and the device chip 3, for example, in the detection method of the division scheduled line according to the first embodiment. Is setting. The ultrasonic detector 113 acquires intensity information of the voltage signal in a gate as measurement data.

또한, 초음파 리시버(112)가 증폭한 반사파의 전압 신호는, 초음파 프로브(71)가 초음파를 조사하고 나서 되돌아올 때까지 사이의 시간 정보에 관련되게 된다. 본 명세서에서는, 반사파의 전압 신호와 반사파의 전압 신호에 관련되는 시간 정보로, 초음파 리시버(112)에 의해서 취득되는 반사 에코를 구성한다. 이 반사 에코는, 시간의 단위가 μs로, 전압 신호의 강도의 단위가 V로 각각 나타내어지며, 횡축을 시간, 종축을 강도로 한 그래프 등으로 파형으로서 나타낼 수 있다. 여기서, 시간은 초음파의 전파 시간이기 때문에, 이 시간의 정보에 대하여 초음파의 전파 속도를 이용함으로써 반사파의 두께 방향의 위치를 구할 수 있다. 이 때문에, 초음파 디텍터(113)는, 검출 대상이 되는 전압 신호의 시간 지정을 행하는 게이트를 설정할 수 있다. In addition, the voltage signal of the reflected wave amplified by the ultrasonic receiver 112 becomes related to the time information between the ultrasonic probe 71 and the time when the ultrasonic probe 71 returns after irradiating an ultrasonic wave. In this specification, the reflection echo acquired by the ultrasonic receiver 112 is constituted by the time information related to the voltage signal of the reflected wave and the voltage signal of the reflected wave. The reflected echoes are represented by a unit of time in mu s and a unit of intensity of a voltage signal in V, respectively, and the horizontal axis can be represented as a waveform by a graph with time and vertical axis as intensity. Since the time is the propagation time of the ultrasonic waves, the position in the thickness direction of the reflected wave can be obtained by using the propagation speed of the ultrasonic waves with respect to the information of this time. For this reason, the ultrasonic detector 113 can set the gate which time-specifies the voltage signal used as a detection object.

화상 처리부(120)는, 초음파 디텍터(113)가 취득한 측정 데이터와, X 방향 위치 검출 유닛(34), Y 방향 위치 검출 유닛(44) 및 Z 방향 위치 검출 유닛(54)의 검출 결과에 기초하여 화상 데이터를 취득한다. 즉, 화상 처리부(120)는, 이 측정데이터를, X 방향 위치 검출 유닛(34) 및 Y 방향 위치 검출 유닛(44)의 검출 결과에 기초하여 반도체 장치(1)의 X축 방향과 Y축 방향의 위치에 관련시키고, 색 정보를 갖는 화상 데이터로 변환한다. 구체적으로는, 화상 처리부(120)는, X 방향 위치 검출 유닛(34) 및 Y 방향 위치 검출 유닛(44)의 검출 결과에 기초하여 얻어지는 측정 데이터의 측정점마다, 측정 데이터에 포함되는 전압 신호의 강도에 따라서, 측정 데이터를 미리 설정된 색 정보로 변환함으로써, 각 측정점에 있어서의 전압 신호에 따른 색 정보의 집합체로서의 화상 데이터를 작성한다. 화상 처리부(120)는, 예컨대 이 측정 데이터를 복수 계조(예컨대 256 계조)의 RGB 정보를 갖는 화상 데이터로 변환한다. 혹은, 화상 처리부(120)는, 이 측정 데이터를 복수 계조(예컨대 256 계조)의 명도 정보를 갖는 흑백의 화상 데이터로 변환하여도 좋다. 화상 처리부(120)가 작성한 화상 데이터에 포함되는 색 정보는, 제어 유닛(100)이 분할 예정 라인(5)을 검출하는 처리를 실행할 때에 이용된다. The image processing unit 120 is based on the measurement data acquired by the ultrasonic detector 113 and the detection results of the X direction position detecting unit 34, the Y direction position detecting unit 44, and the Z direction position detecting unit 54. Acquire image data. That is, the image processing unit 120 uses the measurement data as the X-axis direction and the Y-axis direction of the semiconductor device 1 based on the detection results of the X-direction position detection unit 34 and the Y-direction position detection unit 44. The image data is converted into image data having color information associated with the position of. Specifically, the image processing unit 120 includes the intensity of the voltage signal included in the measurement data for each measurement point of the measurement data obtained based on the detection results of the X-direction position detection unit 34 and the Y-direction position detection unit 44. According to this, by converting the measurement data into preset color information, image data as an aggregate of color information corresponding to the voltage signal at each measurement point is created. The image processing unit 120 converts the measurement data into image data having, for example, RGB information of plural gray levels (e.g., 256 gray levels). Alternatively, the image processing unit 120 may convert this measurement data into black and white image data having brightness information of plural gray scales (for example, 256 gray scales). The color information included in the image data created by the image processing unit 120 is used when the control unit 100 performs a process of detecting the division scheduled line 5.

제어 유닛(100)은, 화상 처리부(120)가 취득한 화상 데이터에 기초하여 분할 예정 라인(5)을 검출한다. 제어 유닛(100)은, 화상 처리부(120)로부터 취득한 화상 데이터를 표시 유닛(130)에 송신하여 표시하게 할 수 있다. 제어 유닛(100)은, 화상 데이터에 기초하여 검출한 분할 예정 라인(5)의 정보(예컨대, 분할 예정 라인(5)의 폭 방향의 중앙의 위치)를 화상 데이터에 겹치고, 표시 유닛(130)에 송신하여 표시하게 할 수 있다. The control unit 100 detects the division scheduled line 5 based on the image data acquired by the image processing unit 120. The control unit 100 can transmit the image data acquired from the image processing unit 120 to the display unit 130 for display. The control unit 100 overlaps the image data (for example, the position in the center of the width direction of the division scheduled line 5) of the division scheduled line 5 detected on the basis of the image data, and the display unit 130. Can be sent to display.

표시 유닛(130)은, 화상 처리부(120)가 작성한 화상 데이터를 제어 유닛(100)으로부터 취득하여 표시한다. 표시 유닛(130)은, 제어 유닛(100)이 검출하여 취득한 분할 예정 라인(5)의 정보를 제어 유닛(100)으로부터 취득하여, 화상 데이터에 겹쳐 표시할 수 있다. 표시 유닛(130)은, 액정 표시 장치가 예시되며, 입력 장치로서의 기능을 겸비하는 터치 패널이라도 좋다. The display unit 130 acquires and displays the image data created by the image processing unit 120 from the control unit 100. The display unit 130 can acquire the information of the division scheduled line 5 detected and acquired by the control unit 100 from the control unit 100, and display it on the image data. The display unit 130 may be a liquid crystal display device, and may be a touch panel having a function as an input device.

도 3에 도시된 절삭 장치(10)의 상술한 유지 테이블(11)과, 초음파 검사 유닛(70)과, 초음파 검사 유닛(70)을 X 방향, Y 방향 및 Z 방향을 따라서 이동시키는 X축 이동 유닛(30), Y축 이동 유닛(40) 및 Z축 이동 유닛(50)과, 물 공급 유닛(80)과, 제어 유닛(100)은, 실시형태 1에 따른 분할 예정 라인의 검출 방법에서 이용되는 분할 예정 라인(5)을 검출하는 분할 예정 라인의 검출 장치(90)를 구성하고 있다. 또한, 초음파 검사 유닛(70)과 초음파 측정부(110)는, 유지 테이블(11)에 유지된 반도체 장치(1)와 초음파 프로브(71)를 미리 정해진 간격으로 수평 방향으로 상대 이동시키면서 반도체 장치(1)의 미리 정해진 두께 부분에 초음파를 조사하여 반사 에코(150-1, 150-2, 150-3)(도 7 및 도 8 참조)를 측정하는 초음파 측정 수단을 구성하고 있다. X-axis movement which moves the above-mentioned holding table 11, the ultrasonic inspection unit 70, and the ultrasonic inspection unit 70 of the cutting device 10 shown in FIG. 3 along an X direction, a Y direction, and a Z direction. The unit 30, the Y-axis moving unit 40, and the Z-axis moving unit 50, the water supply unit 80, and the control unit 100 are used in the detection method of the division scheduled line which concerns on Embodiment 1 The detection apparatus 90 of the division planned line 5 which detects the division scheduled line 5 to be used is comprised. In addition, the ultrasonic inspection unit 70 and the ultrasonic measuring unit 110 relatively move the semiconductor device 1 and the ultrasonic probe 71 held on the holding table 11 in the horizontal direction at predetermined intervals. Ultrasonic measuring means for irradiating ultrasonic waves to a predetermined thickness portion of 1) to measure the reflection echoes 150-1, 150-2, 150-3 (see Figs. 7 and 8) is constituted.

이어서, 실시형태 1에 따른 분할 예정 라인의 검출 방법을 설명한다. 실시형태 1에 따른 분할 예정 라인의 검출 방법은, 분할 예정 라인의 검출 장치(90)의 동작이며, 실시형태 1에서는, 절삭 장치(10)가 반도체 장치(1)를 디바이스 칩(3)마다 개편화하기 위한 분할 예정 라인(5)을 검출하고, 절삭 장치(10)가 검출한 분할 예정 라인(5)에 따라서 반도체 장치(1)를 개개의 패키지 디바이스(7)로 분할하는 방법이다. 도 5는 실시형태 1에 따른 분할 예정 라인의 검출 방법을 도시하는 흐름도이다. Next, the detection method of the division scheduled line which concerns on Embodiment 1 is demonstrated. The detection method of the division scheduled line which concerns on Embodiment 1 is operation | movement of the detection apparatus 90 of a division scheduled line, and in Embodiment 1, the cutting device 10 reorganizes the semiconductor device 1 for every device chip 3 It is a method of detecting the dividing scheduled line 5 for shaping, and dividing the semiconductor device 1 into individual package devices 7 according to the dividing scheduled line 5 which the cutting device 10 detected. 5 is a flowchart illustrating a method of detecting a split schedule line according to the first embodiment.

실시형태 1에 따른 분할 예정 라인의 검출 방법은, 도 3에 도시하는 분할 예정 라인의 검출 장치(90)를 이용한 분할 예정 라인(5)을 검출하는 검출 방법이며, 도 5에 도시한 것과 같이, 유지 단계(ST1)와, 초음파 측정 단계(ST2)와, 검출 단계(ST3)를 구비한다. 검출 단계(ST3)는 화상 처리 단계(ST4)를 구비한다. 실시형태 1에 따른 분할 예정 라인의 검출 방법은, 추가로 얼라인먼트 단계(ST5)와 절삭 단계(ST6)를 구비한다. The detection method of the division scheduled line which concerns on Embodiment 1 is a detection method which detects the division scheduled line 5 using the detection apparatus 90 of the division scheduled line shown in FIG. 3, and as shown in FIG. A holding step ST1, an ultrasonic measuring step ST2, and a detecting step ST3 are provided. The detecting step ST3 includes an image processing step ST4. The detection method of the division scheduled line which concerns on Embodiment 1 further includes the alignment step ST5 and the cutting step ST6.

유지 단계(ST1)는, 검출 대상인 반도체 장치(1)를 유지 테이블(11)에 유지하는 단계이다. 유지 단계(ST1)에서는, 상세하게는 우선 홀더(72)의 Z축 방향 하측의 단부가, 검출 대상인 반도체 장치(1)가 배치되는 유지 테이블(11)의 유지면(12)에 대하여 충분히 떨어져 있는 상태에서, 검출 대상인 반도체 장치(1)를, 도시하지 않는 운반 장치를 이용하여, 도시하지 않는 반도체 장치(1)의 수납부로부터 운반하여, 유지 테이블(11)의 유지면(12)에 배치한다. 유지 단계(ST1)에서는, 이어서 진공 흡인원이 흡인 동작을 실행함으로써, 유지 테이블(11)의 유지면(12)에 있어서, 검출 대상인 반도체 장치(1)를 흡인, 유지한다. 검출 대상인 반도체 장치(1)는, 이와 같이 유지 단계(ST1)가 실행됨으로써, 유지 테이블(11)의 유지면(12)에, X축 방향, Y축 방향 및 Z축 방향 중 어디로도 움직이지 않게 유지된다. The holding step ST1 is a step of holding the semiconductor device 1 to be detected in the holding table 11. In the holding | maintenance step ST1, in detail, the edge part of Z-axis direction lower part of the holder 72 is fully separated from the holding surface 12 of the holding table 11 in which the semiconductor device 1 to be detected is arrange | positioned first. In the state, the semiconductor device 1 to be detected is transported from the storage portion of the semiconductor device 1 (not shown) using a conveying device (not shown) and placed on the holding surface 12 of the holding table 11. . In the holding step ST1, the vacuum suction source then performs the suction operation, thereby sucking and holding the semiconductor device 1 to be detected on the holding surface 12 of the holding table 11. As the holding step ST1 is performed in this manner, the semiconductor device 1 to be detected is not moved in any of the X-axis direction, the Y-axis direction, and the Z-axis direction on the holding surface 12 of the holding table 11. maintain.

초음파 프로브(71)가 조사하는 초음파는 공기 중에서는 전파 효율이 낮다. 이 때문에, 초음파 프로브(71)의 Z축 방향 하측의 선단 부분과 검출 대상인 반도체 장치(1)의 사이에 공기가 존재하고 있는 상태에서는, 반사 에코의 측정은 실행할 수 없다. 따라서, 반사 에코를 측정할 때는, 도 4에 도시한 것과 같이, 초음파 프로브(71)의 Z축 방향 하측의 선단 부분과 검출 대상인 반도체 장치(1) 사이의 영역을 물(79)로 채운 상태를 형성할 필요가 있다. Ultrasonic waves irradiated by the ultrasonic probe 71 have low propagation efficiency in air. For this reason, the reflection echo cannot be measured in the state in which air exists between the tip part below the Z-axis direction of the ultrasonic probe 71, and the semiconductor device 1 to be detected. Therefore, when measuring the reflection echo, as shown in FIG. 4, the state which filled the area | region between the front-end | tip part below the Z-axis direction of the ultrasonic probe 71 and the semiconductor device 1 to be detected with water 79 was filled. It needs to be formed.

이 때문에, 분할 예정 라인의 검출 방법에서는, 절삭 장치(10)는, 초음파 측정 단계(ST2)를 실시하기 전에, 반사 에코를 측정할 수 있는 상태로 하는 단계인 물 공급 단계를 실시한다. 물 공급 단계에서는, 상세하게는 우선 제어 유닛(100)이 Z축 이동 유닛(50)을 제어함으로써, 초음파 프로브(71)를 Z축 방향 하측으로 이동시킴으로써, 홀더(72)의 Z축 방향 하측의 단부를, 도 4에 도시한 것과 같이, 검출 대상인 반도체 장치(1)의 Z축 방향 상측의 면에 대하여 미리 정해진 거리 d까지 근접시킨다. 여기서, 미리 정해진 거리 d는, 초음파 프로브(71)가 조사하는 초음파의 초점이 수지(4)와 디바이스 칩(3)의 경계면 위 또는 그 부근에 설정되는 초음파 프로브(71)의 Z축 방향의 위치를 나타내는 파라미터이며, 구체적으로는 수 mm 정도이다. For this reason, in the detection method of a division scheduled line, the cutting device 10 performs the water supply step which is a step which makes the reflection echo be able to be measured before performing the ultrasonic measurement step ST2. In the water supply step, in detail, the control unit 100 first controls the Z axis moving unit 50 to move the ultrasonic probe 71 downward in the Z axis direction, thereby lowering the Z axis direction of the holder 72. As shown in FIG. 4, the edge part is made to approach the predetermined distance d with respect to the surface above the Z-axis direction of the semiconductor device 1 to be detected. Here, the predetermined distance d is a position in the Z-axis direction of the ultrasonic probe 71 in which the focal point of the ultrasonic wave irradiated by the ultrasonic probe 71 is set on or near the interface between the resin 4 and the device chip 3. It is a parameter representing, specifically about several mm.

물 공급 단계에서는, 이어서 제어 유닛(100)이 물 공급 유닛(80)의 물 공급 동작을 제어함으로써, 물 공급 유닛(80)이 물 공급로(73)를 경유하여 공간(78) 및 공간(78)보다도 Z축 방향 하측의 공간에 물(79)을 공급한다. 이와 같이, 물 공급 단계를 실행함으로써, 도 4에 도시한 것과 같이, 초음파 프로브(71)의 Z축 방향 하측의 선단 부분과 검출 대상인 반도체 장치(1) 사이의 영역을 물(79)로 채운 상태를 형성할 수 있어, 반사 에코를 측정할 수 있는 상태로 할 수 있다. In the water supply step, the control unit 100 then controls the water supply operation of the water supply unit 80, so that the water supply unit 80 passes through the water supply path 73 to the space 78 and the space 78. ), Water 79 is supplied to the space below the Z-axis direction. As described above, by performing the water supply step, as shown in FIG. 4, the region between the tip portion of the ultrasonic probe 71 below the Z-axis direction and the semiconductor device 1 to be detected is filled with water 79. Can be formed, and the reflection echo can be measured.

이후의 초음파 측정 단계(ST2)가 실행 완료될 때까지, 제어 유닛(100)이 물 공급 유닛(80)의 물 공급 동작을 제어한다. 이후의 초음파 측정 단계(ST2)가 실행 완료될 때까지, 물 공급 유닛(80)이 물 공급로(73)를 경유하여 공간(78) 및 공간(78)보다도 Z축 방향 하측의 공간에 물(79)을 계속해서 공급함으로써, 반사 에코를 측정할 수 있는 상태를 유지한다. The control unit 100 controls the water supply operation of the water supply unit 80 until the subsequent ultrasonic measurement step ST2 is completed. Until the following ultrasonic measurement step ST2 is completed, the water supply unit 80 passes through the water supply path 73 to the water 78 in the Z axis direction lower than the space 78 and the space 78. 79), the reflection echo can be measured.

초음파 프로브(71)는, 물 공급 단계에 있어서, 홀더(72) 하측의 단부를 반도체 장치(1)의 상측의 면에 대하여 미리 정해진 거리 d까지 근접시키는 위치에 위치하게 된다. 구체적으로는 미리 정해진 거리 d란, 초음파 프로브(71)가 물 공급 단계에 있어서 초음파를 송수신하여, 수지(4)와 디바이스 칩(3)의 경계면으로부터의 반사 에코의 강도가 극대가 되는 Z축 방향의 위치인 것이 바람직하다. In the water supply step, the ultrasonic probe 71 is positioned at a position where the end portion of the lower portion of the holder 72 is approached to a predetermined distance d with respect to the upper surface of the semiconductor device 1. Specifically, the predetermined distance d is the Z-axis direction in which the ultrasonic probe 71 transmits and receives ultrasonic waves in the water supply step, and the intensity of the reflected echo from the interface between the resin 4 and the device chip 3 becomes maximum. It is preferable that it is the position of.

디바이스 칩(3)은, 검출 대상인 반도체 장치(1)가 상술한 FOWLP인 패키지 디바이스(7)를 구성하고 있기 때문에, 검출 대상인 반도체 장치(1)의 Z축 방향의 중앙 부근에 배치되어 있다. 이 때문에, 수지(4)와 디바이스 칩(3)의 경계면의 Z축 방향의 위치는, 디바이스 칩(3)의 Z축 방향의 두께를 알고 있는 경우는 대략 산출할 수 있다. 따라서, 디바이스 칩(3)의 Z축 방향의 두께를 알고 있는 경우, 미리 설정되어 있는 초음파 프로브(71)와 초음파의 초점과의 거리 등으로부터 상술한 미리 정해진 거리 d를 산출할 수 있다. 이 때문에, 절삭 장치(10)는, 물 공급 단계의 과정에서, 홀더(72) 하측의 단부를 반도체 장치(1)의 상측의 면에 대하여 미리 정해진 거리 d까지 근접시킴으로써, 초음파 프로브(71)가 조사하는 초음파의 초점이 수지(4)와 디바이스 칩(3)의 경계면 위 또는 그 부근에 설정되는 위치로 초음파 프로브(71)를 이동시킬 수 있다. 이와 같이 함으로써, 절삭 장치(10)는, 반도체 장치(1)의 수지(4)와 디바이스 칩(3)의 경계면으로부터의 반사파를 확실하게 검출하며 또한 정밀도 좋게 측정하는 것이 가능한 상태로 할 수 있다. The device chip 3 is disposed near the center of the Z-axis direction of the semiconductor device 1 as the detection target because the semiconductor device 1 as the detection target constitutes the package device 7 as the FOWLP described above. For this reason, the position of the Z-axis direction of the interface of the resin 4 and the device chip 3 can be computed substantially, if the thickness of the Z-axis direction of the device chip 3 is known. Therefore, when the thickness in the Z-axis direction of the device chip 3 is known, the above-mentioned predetermined distance d can be calculated from the distance between the ultrasonic probe 71 set in advance and the focal point of the ultrasonic wave. For this reason, in the process of supplying water, the cutting device 10 moves the edge part of the lower part of the holder 72 to the predetermined distance d with respect to the surface of the upper side of the semiconductor device 1, and the ultrasonic probe 71 The ultrasonic probe 71 can be moved to the position where the focus of the ultrasonic wave to be irradiated is set on or near the interface between the resin 4 and the device chip 3. By doing in this way, the cutting device 10 can be made into the state which can reliably detect the reflected wave from the interface of the resin 4 of the semiconductor device 1, and the device chip 3, and can measure it with high precision.

초음파 측정 단계(ST2)는, 유지 테이블(11)에 유지된 검출 대상인 반도체 장치(1)와 초음파 조사 수단으로서 기능하는 초음파 프로브(71)를 미리 정해진 간격으로 수평 방향으로 상대 이동시키면서, 검출 대상인 반도체 장치(1)의 미리 정해진 두께 부분에 초음파를 조사하여, 도 7 및 도 8에 예시하는 반사 에코(150-1, 150-2, 150-3)를 측정하는 단계이다. 여기서, 미리 정해진 두께 부분은, 반도체 장치(1)의 수지(4)와 디바이스 칩(3)의 경계면 및 경계면 부근을 나타내고 있다. 또한, 반도체 장치(1)의 미리 정해진 두께 부분에 초음파를 조사란, 초음파 프로브(71)가 조사하는 초음파의 초점이 수지(4)와 디바이스 칩(3)의 경계면 위 또는 계면의 부근에 설정되는 것을 나타내고 있다. 실시형태 1에서는, 초음파 측정 단계(ST2)를 실행하기 전에 물 공급 단계를 실행하고 있는 과정에서, 이 미리 정해진 두께 부분에 초음파를 조사하는 것이 가능하도록 초음파 프로브(71)의 Z축 방향의 위치가 미리 정해진 거리 d로 규정되는 위치로 조정된다. In the ultrasonic measurement step ST2, the semiconductor device 1, which is the detection target held by the holding table 11, and the ultrasonic probe 71 functioning as the ultrasonic irradiation means, are moved relative to each other in the horizontal direction at predetermined intervals, while the semiconductor is the detection target. The ultrasonic wave is irradiated to a predetermined thickness portion of the apparatus 1 to measure the reflection echoes 150-1, 150-2, and 150-3 illustrated in FIGS. 7 and 8. Here, the predetermined thickness part has shown the interface and vicinity of the interface of resin 4 of the semiconductor device 1, and the device chip 3. As shown in FIG. In addition, the irradiation of the ultrasonic wave to the predetermined thickness portion of the semiconductor device 1 means that the focus of the ultrasonic wave irradiated by the ultrasonic probe 71 is set on the interface between the resin 4 and the device chip 3 or near the interface. It is shown. In Embodiment 1, while performing the water supply step before performing the ultrasonic measurement step ST2, the position in the Z-axis direction of the ultrasonic probe 71 is adjusted so that ultrasonic waves can be irradiated to this predetermined thickness portion. It is adjusted to the position defined by the predetermined distance d.

도 6은 도 5의 초음파 측정 단계(ST2)를 설명하는 설명도이다. 도 7은 도 5의 초음파 측정 단계(ST2)에서 측정하는 반사 에코의 일례를 도시하는 설명도이다. 도 8은 도 5의 초음파 측정 단계(ST2)에서 측정하는 반사 에코의 다른 일례를 도시하는 설명도이다. 또한 도 6에서는, 초음파 프로브(71)와 검출 대상인 반도체 장치(1)를 도시하고, 분할 예정 라인의 검출 장치(90)의 그 밖의 각 구성 요소의 도시를 생략하고 있다. FIG. 6 is an explanatory diagram for explaining the ultrasonic measurement step ST2 of FIG. 5. FIG. 7: is explanatory drawing which shows an example of the reflection echo measured in the ultrasonic measuring step ST2 of FIG. FIG. 8: is explanatory drawing which shows another example of the reflection echo measured in the ultrasonic measuring step ST2 of FIG. In addition, in FIG. 6, the ultrasonic probe 71 and the semiconductor device 1 to be detected are shown, and illustration of each other component of the detection apparatus 90 of a division planned line is abbreviate | omitted.

이하, 본 명세서는, 초음파 측정 단계(ST2)에 있어서, 도 6에 도시한 것과 같이, 절삭 장치(10)가, 초음파 프로브(71)를 분할 예정 라인(5) 상의 위치(71-1), 디바이스 칩(3) 상의 위치(71-2) 및 별도의 분할 예정 라인(5) 상의 위치(71-3)로, 이 순서로 반도체 장치(1)에 대하여 상대적으로 이동시키는 경우를, 도 6에 더하여 도 7 및 도 8을 이용하여 설명한다. Hereinafter, in this specification, in the ultrasonic measurement step ST2, as shown in FIG. 6, the cutting device 10 moves the ultrasonic probe 71 to the position 71-1 on the division scheduled line 5, The case where it moves relatively with respect to the semiconductor device 1 in this order to the position 71-2 on the device chip 3 and the position 71-3 on the other division plan line 5 is shown in FIG. In addition, it demonstrates using FIG. 7 and FIG.

또한, 도 7에 도시하는 반사 에코(150-1)는, 도 6에 도시하는 위치(71-1)에 위치하는 초음파 프로브(71)가 초음파(140-1)를 조사한 경우에, 초음파 측정부(110)의 초음파 리시버(112)에 의해서 취득되는 것이다. 도 7에 도시하는 반사 에코(150-3)는, 도 6에 도시하는 위치(71-3)에 위치하는 초음파 프로브(71)가 초음파(140-3)를 조사한 경우에, 초음파 측정부(110)의 초음파 리시버(112)에 의해서 취득되는 것이다. 반사 에코(150-1, 150-3)는 상호 유사한 파형을 갖고 있다. In addition, the reflection echo 150-1 shown in FIG. 7 is an ultrasonic measurement part when the ultrasonic probe 71 located in the position 71-1 shown in FIG. 6 irradiates the ultrasonic wave 140-1. Acquired by the ultrasonic receiver 112 of (110). The reflected echo 150-3 shown in FIG. 7 is an ultrasonic measuring unit 110 when the ultrasonic probe 71 positioned at the position 71-3 shown in FIG. 6 irradiates the ultrasonic wave 140-3. It is acquired by the ultrasonic receiver 112 of (). The reflection echoes 150-1 and 150-3 have similar waveforms to each other.

반사 에코(150-1, 150-3)는, 도 7에 도시한 것과 같이, 검출 대상인 반도체 장치(1)의 수지(4)의 표면에서 반사한 반사파인 표면파의 전압 신호(151)와, 검출 대상인 반도체 장치(1)의 이면, 즉 재배선층(8)의 이면과 물(79)의 경계면에서 반사한 반사파인 이면파의 전압 신호(152)를 갖는다. 반사 에코(150-1, 150-3)는, 모두 분할 예정 라인(5) 상의 위치(71-1, 71-3)에서 취득되는 것이기 때문에, 수지(4)와 디바이스 칩(3)의 경계면에서 반사한 반사파의 전압 신호를 갖지 않는다. As shown in FIG. 7, the reflected echoes 150-1 and 150-3 detect the voltage signal 151 of the surface wave which is the reflected wave reflected from the surface of the resin 4 of the semiconductor device 1 as the detection target, and A voltage signal 152 of the back surface wave, which is a reflected wave reflected from the back surface of the target semiconductor device 1, that is, the back surface of the redistribution layer 8 and the boundary surface of the water 79. Since the reflected echoes 150-1 and 150-3 are all acquired at positions 71-1 and 71-3 on the division scheduled line 5, at the interface between the resin 4 and the device chip 3, It does not have the voltage signal of the reflected reflected wave.

또한, 도 8에 도시하는 반사 에코(150-2)는, 도 6에 도시하는 위치(71-2)에 위치하는 초음파 프로브(71)가 초음파(140-2)를 조사한 경우에, 초음파 측정부(110)의 초음파 리시버(112)에 의해서 취득되는 것이다. In addition, the reflection echo 150-2 shown in FIG. 8 is an ultrasonic measuring part when the ultrasonic probe 71 located in the position 71-2 shown in FIG. 6 irradiates the ultrasonic wave 140-2. Acquired by the ultrasonic receiver 112 of (110).

반사 에코(150-2)는, 도 8에 도시한 것과 같이, 반사 에코(150-1, 150-3)가 갖는 것과 같은 표면파의 전압 신호(151) 및 이면파의 전압 신호(152)에 더하여, 수지(4)와 디바이스 칩(3)의 경계면에서 반사한 반사파인 계면파의 전압 신호(153)를 갖는다. 반사 에코(150-2)는, 디바이스 칩(3) 상의 위치(71-2)에서 취득되는 것이기 때문에, 이와 같이 계면파의 전압 신호(153)를 갖는 것으로 된다. As shown in Fig. 8, the reflected echo 150-2 is added to the voltage signal 151 of the surface wave and the voltage signal 152 of the back wave as the reflection echoes 150-1 and 150-3 have. And a voltage signal 153 of an interfacial wave which is a reflected wave reflected from the interface between the resin 4 and the device chip 3. Since the reflected echo 150-2 is acquired at the position 71-2 on the device chip 3, the reflection echo 150-2 has the voltage signal 153 of the interface wave in this manner.

초음파 측정 단계(ST2)에서는, 이상과 같이, 초음파 측정부(110)의 초음파 펄서(111) 및 초음파 리시버(112)가, 초음파 프로브(71)를 이용하여 초음파 측정을 행함으로써, 디바이스 칩(3) 상의 위치(71-2)에서 계면파의 전압 신호(153)를 갖는 반사 에코(150-2)를 취득하고, 분할 예정 라인(5) 상의 위치(71-1, 71-3)에서 계면파의 전압 신호(153)를 갖지 않는 반사 에코(150-1, 150-3)를 취득한다. In the ultrasonic measurement step ST2, as described above, the ultrasonic pulser 111 and the ultrasonic receiver 112 of the ultrasonic measurement unit 110 perform ultrasonic measurement by using the ultrasonic probe 71, thereby providing the device chip 3. ) Acquires the reflected echo 150-2 having the voltage signal 153 of the interfacial wave at the position 71-2 on), and the interfacial wave at the positions 71-1 and 71-3 on the dividing line 5. The reflection echoes 150-1 and 150-3 which do not have the voltage signal 153 of are obtained.

초음파 측정 단계(ST2)에서는, 제어 유닛(100)이 X축 이동 유닛(30) 및 Y축 이동 유닛(40)을 제어함으로써, 미리 정해진 간격으로 X축 방향 및 Y축 방향으로 각각 배열된 각 측정점을 따라서 초음파 프로브(71)를 주사 이동시킴으로써, 전체 측정점에 있어서 반사 에코(150-1, 150-2, 150-3)를 취득한다. 또한, 실시형태 1에 있어서 초음파 측정 단계(ST2)에서는, 유지 테이블(11)에 유지된 반도체 장치(1)와 초음파 프로브(71)를 미리 정해진 간격으로 수평 방향으로 상대 이동시키면서 취득한 모든 반사 에코(150-1, 150-2, 150-3)를 제어 유닛(100)이 일시적으로 기억한다. 즉, 실시형태 1에 있어서, 제어 유닛(100)은 측정점과 동수의 반사 에코(150-1, 150-2, 150-3)를 일시적으로 기억한다. In the ultrasonic measurement step ST2, the control unit 100 controls the X-axis moving unit 30 and the Y-axis moving unit 40, whereby each measuring point arranged in the X-axis direction and the Y-axis direction at predetermined intervals, respectively. By scanning the ultrasonic probe 71 along this direction, the reflection echoes 150-1, 150-2 and 150-3 are acquired at all measurement points. In the ultrasonic measurement step ST2 according to the first embodiment, all the reflected echoes acquired while relatively moving the semiconductor device 1 and the ultrasonic probe 71 held on the holding table 11 in the horizontal direction at predetermined intervals ( The control unit 100 temporarily stores the 150-1, 150-2, and 150-3. That is, in Embodiment 1, the control unit 100 temporarily stores the same number of reflection echoes 150-1, 150-2, 150-3.

검출 단계(ST3)는, 초음파 측정 단계(ST2) 후에 실행되며, 반사 에코의 분포로부터 분할 예정 라인(5)을 검출하는 단계이다. 검출 단계(ST3)에서는, 상세하게는 우선 초음파 측정부(110)의 초음파 디텍터(113)가, 초음파 측정부(110)의 초음파 리시버(112)가 취득한 반사 에코(150-1, 150-2, 150-3)에 대하여, 계면파의 전압 신호(153)가 검출되는 시간을 포함하는 미리 정해진 범위로 설정된 게이트 내에 있는 전압 신호의 강도를 측정한다. 검출 단계(ST3)에서는, 초음파 측정부(110)의 초음파 디텍터(113)가 측정한 전압 신호는, 디바이스 칩(3) 상의 위치(71-2)에서 0보다 명확하게 큰 양의 값으로 되고, 분할 예정 라인(5) 상의 위치(71-1, 71-3)에서 0 또는 0 부근의 값으로 된다. 검출 단계(ST3)에서는, 게이트 내에 있는 계면파의 전압 신호(153)의 강도 정보를 측정 데이터로서 취득한다. The detection step ST3 is executed after the ultrasonic measurement step ST2 and is a step of detecting the division scheduled line 5 from the distribution of the reflected echoes. In the detection step ST3, in detail, the ultrasonic detector 113 of the ultrasonic measuring unit 110 first performs reflection echoes 150-1, 150-2, which are acquired by the ultrasonic receiver 112 of the ultrasonic measuring unit 110. 150-3), the strength of the voltage signal in the gate set to a predetermined range including the time at which the voltage signal 153 of the interfacial wave is detected is measured. In the detection step ST3, the voltage signal measured by the ultrasonic detector 113 of the ultrasonic measuring unit 110 becomes a positive value clearly greater than 0 at the position 71-2 on the device chip 3, It becomes a value of 0 or near 0 at the positions 71-1 and 71-3 on the division scheduled line 5. In the detection step ST3, the intensity information of the voltage signal 153 of the interface wave in the gate is obtained as measurement data.

검출 단계(ST3)에서는, 제어 유닛(100)이, 초음파 측정부(110)의 초음파 디텍터(113)가 측정 데이터로서 취득한 계면파의 전압 신호(153)의 강도 정보에 기초하여, 전체 측정점을, 계면파의 전압 신호(153)의 강도가 미리 정해진 임계치 이상인 측정점과, 계면파의 전압 신호(153)의 강도가 미리 정해진 임계치 미만인 측정점으로 분류한다. 검출 단계(ST3)에서는, 이에 따라, 제어 유닛(100)이, 전체 측정점을, 계면파의 전압 신호(153)의 강도의 정보가 0보다 명확하게 큰 양의 값으로 되어 있는 측정점과, 계면파의 전압 신호(153)의 강도의 정보가 0 또는 0 부근의 값으로 되어 있는 측정점으로 분류할 수 있다. In detection step ST3, the control unit 100 selects all the measurement points based on the intensity information of the voltage signal 153 of the interfacial wave acquired by the ultrasonic detector 113 of the ultrasonic measuring unit 110 as the measurement data, It is classified into a measurement point where the intensity of the voltage signal 153 of the interfacial wave is greater than or equal to a predetermined threshold and a measurement point where the intensity of the voltage signal 153 of the interfacial wave is less than a predetermined threshold. In the detection step ST3, according to this, the control unit 100 uses all the measurement points as a measurement point where the information of the intensity | strength of the voltage signal 153 of an interface wave becomes a positive value clearly larger than 0, and an interface wave. The information of the intensity of the voltage signal 153 can be classified into a measurement point having a value of zero or around zero.

검출 단계(ST3)에서는, 그 후에, 제어 유닛(100)이, 계면파의 전압 신호(153)의 강도가 미리 정해진 임계치 이상인 측정점을, 디바이스 칩(3) 상의 측정점이라고 판정하고, 계면파의 전압 신호(153)의 강도가 미리 정해진 임계치 미만인 측정점을, 디바이스 칩(3) 상이 아닌 측정점이라고 판정한다. 검출 단계(ST3)에서는, 그보다 더욱 후에, 제어 유닛(100)이, 디바이스 칩(3) 상이 아닌 측정점 중, 외주 잉여 영역(6) 상이 아닌 측정점을 제외하는 측정점을, 분할 예정 라인(5) 상의 측정점이라고 판정한다. 검출 단계(ST3)에서는, 이와 같이 반사 에코(150-1, 150-2, 150-3)의 각 파(波)의 전압 신호(151, 152, 153)의 분포로부터 분할 예정 라인(5)을 검출할 수 있다. In the detection step ST3, after that, the control unit 100 determines that the measurement point whose intensity | strength of the voltage signal 153 of the interface wave is more than a predetermined threshold is a measurement point on the device chip 3, and the voltage of the interface wave It is determined that the measuring point whose intensity of the signal 153 is less than the predetermined threshold is not the measuring point on the device chip 3. In the detection step ST3, further after that, the control unit 100 selects the measurement point except the measurement point which is not on the outer periphery excess area 6 among the measurement points that are not on the device chip 3 on the division scheduled line 5. It determines with a measuring point. In the detection step ST3, the division scheduled line 5 is divided from the distribution of the voltage signals 151, 152, and 153 of the waves of the reflected echoes 150-1, 150-2, and 150-3. Can be detected.

검출 단계(ST3)는 화상 처리 단계(ST4)를 구비하는 것이 바람직하다. 이 경우, 화상 처리 단계(ST4)는, 반사 에코(150-1, 150-2, 150-3)의 각 파의 전압 신호(151, 152, 153)의 분포를, 색 정보를 갖는 화상 데이터로 변환하는 단계이다. 또한 이 경우, 검출 단계(ST3)는, 화상 처리 단계(ST4)에서 변환하여 얻어진 화상 데이터의 색 정보에 따라서 분할 예정 라인(5)을 검출하는 단계이다. The detection step ST3 preferably includes an image processing step ST4. In this case, the image processing step ST4 uses the distribution of the voltage signals 151, 152, and 153 of the respective waves of the reflected echoes 150-1, 150-2, and 150-3 as image data having color information. Converting. In this case, the detection step ST3 is a step of detecting the division scheduled line 5 in accordance with the color information of the image data obtained by the conversion in the image processing step ST4.

검출 단계(ST3)가 화상 처리 단계(ST4)를 구비하는 경우, 화상 처리 단계(ST4)에서는, 상세하게는 제어 유닛(100)이, 초음파 측정부(110)의 초음파 디텍터(113)가 취득한 계면파의 전압 신호(153)의 강도 정보에 관해서, 계면파의 전압 신호(153)의 강도가 미리 정해진 임계치 이상인 측정점을 포함하는 화소를 제1 색으로 하고, 계면파의 전압 신호(153)의 강도가 미리 정해진 임계치 미만인 측정점을 포함하는 화소를 제2 색으로 하여, 제1 색과 제2 색을 포함하는 화상을 작성한다. 화상 처리 단계(ST4)에서는, 이에 따라, 제어 유닛(100)이, 계면파의 전압 신호(153)의 강도 정보가 0보다 명확하게 큰 양의 값으로 되어 있는 측정점을 포함하는 화소를 제1 색으로 하고, 계면파의 전압 신호(153)의 강도 정보가 0 또는 0 부근의 값으로 되어 있는 측정점을 포함하는 화소를 제2 색으로 한 화상을 작성할 수 있다. When the detection step ST3 includes the image processing step ST4, in the image processing step ST4, in detail, the control unit 100 is an interface acquired by the ultrasonic detector 113 of the ultrasonic measuring unit 110. Regarding the intensity information of the voltage signal 153 of the wave, the pixel including the measurement point whose intensity of the voltage signal 153 of the interfacial wave is equal to or greater than a predetermined threshold is set as the first color, and the intensity of the voltage signal 153 of the interfacial wave Sets an image including a first color and a second color as a pixel including a measurement point that is less than a predetermined threshold as a second color. In the image processing step ST4, accordingly, the control unit 100 selects a pixel including the measurement point at which the intensity information of the voltage signal 153 of the interfacial wave becomes a positive value that is clearly greater than 0. By setting the pixel as a second color, the pixel including the measurement point at which the intensity information of the voltage signal 153 of the interfacial wave is set to 0 or a value near 0 can be created.

도 9는 도 5의 화상 처리 단계(ST4)에서 얻어지는 화상 데이터의 일례를 도시하는 설명도이다. 도 9에 도시하는 화상 데이터(155)는, 검출 대상인 반도체 장치(1)에 관해서 화상 처리 단계(ST4)를 실행함으로써 얻어지는 것으로, 제1 색의 화소 영역(157)과 제2 색의 화소 영역(158)을 갖는다. 9 is an explanatory diagram showing an example of image data obtained in the image processing step ST4 of FIG. The image data 155 shown in FIG. 9 is obtained by performing the image processing step ST4 with respect to the semiconductor device 1 to be detected, and the pixel region 157 of the first color and the pixel region of the second color ( 158).

화상 데이터(155)에 있어서의 제1 색의 화소 영역(157)은, 도 9에 도시한 것과 같이, 디바이스 칩(3)이 배열되어 있는 영역에 대응하고 있다. 화상 데이터(155)에 있어서의 제2 색의 화소 영역(158)은, 도 9에 도시한 것과 같이, 디바이스 칩(3)이 배열되어 있지 않은 영역, 즉 분할 예정 라인(5) 및 외주 잉여 영역(6)에 대응하고 있다. The pixel region 157 of the first color in the image data 155 corresponds to the region in which the device chip 3 is arranged, as shown in FIG. 9. In the pixel region 158 of the second color in the image data 155, as shown in FIG. 9, an area in which the device chip 3 is not arranged, that is, the division scheduled line 5 and the outer peripheral area. It corresponds to (6).

검출 단계(ST3)가 화상 처리 단계(ST4)를 구비하는 경우, 검출 단계(ST3)에서는, 제어 유닛(100)이, 우선 화상 처리 단계(ST4)에서 변환하여 얻어진 화상 데이터에 있어서, 제1 색의 화소 영역(157)을 디바이스 칩(3)이 배열되어 있는 영역이라고 판정하고, 제2 색의 화소 영역(158)을 디바이스 칩(3)이 배열되어 있지 않은 영역이라고 판정한다. 검출 단계(ST3)가 화상 처리 단계(ST4)을 구비하는 경우, 검출 단계(ST3)에서는, 제어 유닛(100)이, 이어서, 디바이스 칩(3)이 배열되어 있지 않은 영역이라고 판정한 영역 중, 외주 잉여 영역(6)을 제외하는 영역을 분할 예정 라인(5)이라고 판정한다. 검출 단계(ST3)에서는, 이와 같이, 반사 에코(150-1, 150-2, 150-3)의 각 파의 전압 신호(151, 152, 153)의 분포로부터 분할 예정 라인(5)을 검출할 수 있다. When the detection step ST3 includes the image processing step ST4, in the detection step ST3, the control unit 100 first performs a first color in the image data obtained by converting in the image processing step ST4. The pixel region 157 is determined to be a region where the device chip 3 is arranged, and the pixel region 158 of the second color is determined to be a region where the device chip 3 is not arranged. When the detection step ST3 includes the image processing step ST4, in the detection step ST3, the control unit 100 subsequently determines that the area where the device chip 3 is not arranged is determined as follows. The area | region except the outer periphery excess area | region 6 is determined to be division | segmentation schedule line 5. FIG. In the detection step ST3, the division scheduled line 5 is detected from the distribution of the voltage signals 151, 152, and 153 of the respective waves of the reflected echoes 150-1, 150-2, and 150-3. Can be.

또한, 제어 유닛(100)은, 화상 처리 단계(ST4)에서 작성한 화상 데이터 및 검출 단계(ST3)에서 검출한 분할 예정 라인(5)의 정보를, 표시 유닛(130)에 송신하여 표시하게 하여도 좋다. 이 경우, 분할 예정 라인(5)이 검출되고 있는 모습을 첫눈에 확인할 수 있다. Further, the control unit 100 may transmit the image data created in the image processing step ST4 and the information of the division scheduled line 5 detected in the detection step ST3 to the display unit 130 for display. good. In this case, it can be confirmed at first sight that the division scheduled line 5 is detected.

얼라인먼트 단계(ST5)는, 검출 단계(ST3) 후에 실행되며, 제어 유닛(100)이, 검출 단계(ST3)에서 검출한 분할 예정 라인(5)의 정보(예컨대, 분할 예정 라인(5)의 폭 방향의 중앙의 위치)를 이용하여 상술한 얼라인먼트를 수행하는 단계이다. 얼라인먼트 단계(ST5)에서는, 구체적으로는 제어 유닛(100)이, 검출 단계(ST3)에서 검출한 분할 예정 라인(5)과 절삭 유닛(20)의 절삭 블레이드(21)와의 위치 정렬을 행하기 위한 패턴 매칭 등의 처리를 실행한다. 이와 같이 얼라인먼트 단계(ST5)에서는, 검출 단계(ST3)에서 검출하여, 절삭 블레이드(21)로 절삭하고 싶은 부분에 상당하는 분할 예정 라인(5)의 위치 정보를 이용하여 실행되기 때문에, 얼라인먼트 단계(ST5) 후에 실행되는 절삭 단계(ST6)에 있어서의 절삭 블레이드(21)에 의한 절삭 위치의 정밀도를 향상시킬 수 있다. The alignment step ST5 is executed after the detection step ST3, and the information (for example, the width of the division scheduled line 5) of the division scheduled line 5 detected by the control unit 100 in the detection step ST3 is performed. In the center of the direction). In the alignment step ST5, specifically, the control unit 100 performs positional alignment between the division scheduled line 5 detected in the detection step ST3 and the cutting blade 21 of the cutting unit 20. Processing such as pattern matching is performed. Thus, in the alignment step ST5, since it detects by the detection step ST3 and is performed using the positional information of the division planned line 5 corresponded to the part which it wants to cut with the cutting blade 21, the alignment step ( The precision of the cutting position by the cutting blade 21 in the cutting step ST6 performed after ST5) can be improved.

절삭 단계(ST6)는, 얼라인먼트 단계(ST5) 후에 실행되며, 절삭 블레이드(21)로 분할 예정 라인(5)을 따라서 반도체 장치(1)를 절삭하는 단계이다. 절삭 단계(ST6)에서는, 구체적으로는 우선 제어 유닛(100)이, 얼라인먼트 단계(ST5)의 실시 결과에 기초하여, 절삭 블레이드(21)로 분할 예정 라인(5)을 따라서 반도체 장치(1)를 절삭 가공한다. The cutting step ST6 is executed after the alignment step ST5 and is a step of cutting the semiconductor device 1 along the division scheduled line 5 with the cutting blades 21. In the cutting step ST6, specifically, the control unit 100 first performs the semiconductor device 1 along the division scheduled line 5 with the cutting blades 21 on the basis of the result of the alignment step ST5. Cutting process.

이상과 같이, 실시형태 1에 따른 분할 예정 라인의 검출 방법에 의하면, 검출 대상인 반도체 장치(1)와 초음파 조사 수단으로서 기능하는 초음파 프로브(71)를 미리 정해진 간격으로 수평 방향으로 상대 이동시키면서, 검출 대상인 반도체 장치(1)의 미리 정해진 두께 부분에 초음파를 조사하여, 반사 에코(150-1, 150-2, 150-3)를 측정하고, 이 반사 에코(150-1, 150-2, 150-3)의 각 파의 전압 신호(151, 152, 153)의 분포로부터 분할 예정 라인(5)을 검출한다. 이 때문에, 실시형태 1에 따른 분할 예정 라인의 검출 방법은, 분할 예정 라인(5)을 검출하기 위한 절삭 가공 등의 가공을 할 필요가 없기 때문에, 가공에 따른 절삭 부스러기가 디바이스 칩(3)에 부착되어 버릴 가능성을 저감할 수 있다. As described above, according to the detection method of the division scheduled line according to the first embodiment, the semiconductor device 1 as the detection target and the ultrasonic probe 71 serving as the ultrasonic irradiation means are detected while being relatively moved in the horizontal direction at predetermined intervals. Ultrasonic radiation is applied to a predetermined thickness of the target semiconductor device 1 to measure the reflection echoes 150-1, 150-2, 150-3, and the reflection echoes 150-1, 150-2, 150-. The division scheduled line 5 is detected from the distribution of the voltage signals 151, 152, and 153 of each wave of 3). For this reason, since the detection method of the division planned line which concerns on Embodiment 1 does not need to process cutting etc. for detecting the division scheduled line 5, the cutting chip which concerns on processing is carried out to the device chip 3, The possibility of sticking can be reduced.

또한, 실시형태 1에 따른 분할 예정 라인의 검출 방법은, 반사 에코(150-1, 150-2, 150-3)의 계면파의 전압 신호(153)를, 색 정보를 갖는 화상 데이터(155)로 변환하여, 이 화상 데이터(155)의 색 정보에 따라서 분할 예정 라인(5)을 검출한다. 이 때문에, 분할 예정 라인(5)이 검출되고 있는 모습을 첫눈으로 확인할 수 있게 한다. In addition, in the detection method of the division scheduled line which concerns on Embodiment 1, the image data 155 which has the voltage signal 153 of the interfacial wave of the reflection echo 150-1, 150-2, 150-3 has color information. The conversion schedule line 5 is detected in accordance with the color information of the image data 155. For this reason, it is possible to confirm at first sight the state in which the division schedule line 5 is detected.

〔실시형태 2〕[Embodiment 2]

본 발명의 실시형태 2에 따른 분할 예정 라인의 검출 방법을 도면에 기초하여 설명한다. 실시형태 2에 따른 분할 예정 라인의 검출 방법은, 실시형태 1에 따른 분할 예정 라인의 검출 방법과 마찬가지로, 분할 예정 라인의 검출 장치(90)의 동작이다. 실시형태 2에 따른 분할 예정 라인의 검출 방법의 설명에서는, 실시형태 1과 동일 부분에 동일 부호를 붙이고 설명을 생략한다. The detection method of the division scheduled line which concerns on Embodiment 2 of this invention is demonstrated based on drawing. The detection method of the division scheduled line which concerns on Embodiment 2 is the operation | movement of the detection apparatus 90 of a division scheduled line similarly to the detection method of the division scheduled line which concerns on Embodiment 1. As shown in FIG. In description of the detection method of the division scheduled line which concerns on Embodiment 2, the same code | symbol is attached | subjected to the same part as Embodiment 1, and description is abbreviate | omitted.

도 10은 실시형태 2에 따른 분할 예정 라인의 검출 방법의 흐름도이다. 실시형태 2에 따른 분할 예정 라인의 검출 방법은, 도 10에 도시한 것과 같이, 실시형태 1에 따른 분할 예정 라인의 검출 방법이 구비하는, 유지 단계(ST1)와 초음파 측정 단계(ST2)와 검출 단계(ST3)와 얼라인먼트 단계(ST5)와 절삭 단계(ST6)에 더하여, 초음파 측정 단계(ST2) 및 검출 단계(ST3)의 실시 전에, 추가로 준비 초음파 측정 단계(ST7)와 준비 검출 단계(ST8)와 계면파 검출 판정 단계(ST10)를 구비한다. 준비 검출 단계(ST8)는 준비 화상 처리 단계(ST9)를 구비한다. 10 is a flowchart of a method for detecting a split schedule line according to a second embodiment. As for the detection method of the division scheduled line which concerns on Embodiment 2, as shown in FIG. 10, the holding | maintenance step ST1, the ultrasonic measurement step ST2, and the detection method which the detection method of the division scheduled line which concerns on Embodiment 1 are equipped with are as shown in FIG. In addition to the step ST3, the alignment step ST5 and the cutting step ST6, before the execution of the ultrasonic measurement step ST2 and the detection step ST3, the preparation ultrasonic measurement step ST7 and the preparation detection step ST8 are further performed. ) And the interfacial wave detection determination step ST10. The preparation detection step ST8 includes a preparation image processing step ST9.

물 공급 단계에 있어서, 초음파 프로브(71)는, 초음파의 초점이 반도체 장치(1)의 Z축 방향의 중앙 부근에 설정되는 위치로 이동시킨다. 혹은, 물 공급 단계에 있어서, 초음파 프로브(71)는, 초음파의 초점이 반도체 장치(1)의 Z축 방향의 중앙 부근에 설정되는 위치로 이동시키면, 초음파 프로브(71)의 Z축 방향 하측의 선단 부분이 검출 대상인 반도체 장치(1)의 Z축 방향 상측의 면에 접촉해 버리는 경우, 하측의 선단 부분이 반도체 장치(1)의 상측의 면에 빠듯이 접촉하지 않는 위치로 이동시킨다. 이와 같이 함으로써, 초음파 프로브(71)는, 반도체 장치(1)의 수지(4)와 디바이스 칩(3)의 경계면으로부터의 반사 에코를 확실하게 검출할 수 있는 상태로 할 수 있다. In the water supply step, the ultrasonic probe 71 moves to the position where the focus of the ultrasonic waves is set near the center of the Z axis direction of the semiconductor device 1. Alternatively, in the water supply step, when the ultrasonic probe 71 moves to a position where the focal point of the ultrasonic wave is set near the center of the Z axis direction of the semiconductor device 1, the ultrasonic probe 71 is located below the Z axis direction of the ultrasonic probe 71. When the tip portion comes into contact with the upper surface of the semiconductor device 1 as the detection target in the Z-axis direction, the lower tip portion is moved to a position where the tip is not in contact with the upper surface of the semiconductor device 1. By doing in this way, the ultrasonic probe 71 can be made into the state which can reliably detect the reflection echo from the interface of the resin 4 and the device chip 3 of the semiconductor device 1.

단, 이와 같이 초음파 프로브(71)를 이동시킨 상태는, 예컨대 디바이스 칩(3)의 두께를 알 수 없는 않는 경우에는 특히 반도체 장치(1)의 수지(4)와 디바이스 칩(3)의 경계면으로부터의 반사파인 계면파를 충분히 정밀도 좋게 측정하기가 어려운 경우가 있다. 그래서 실시형태 2에 따른 분할 예정 라인의 검출 방법에서는, 디바이스 칩(3)의 Z축 방향의 두께를 알 수 없는 경우라도, 준비 초음파 측정 단계(ST7), 준비 검출 단계(ST8) 및 계면파 검출 판정 단계(ST10)를 초음파 측정 단계(ST2) 및 검출 단계(ST3)의 실시 전에 실시함으로써, 반도체 장치(1)의 수지(4)와 디바이스 칩(3)의 경계면으로부터의 반사파인 계면파를, 충분히 정밀도 좋게 측정할 수 있는 상태로 할 수 있다. However, the state in which the ultrasonic probe 71 is moved in this manner is, for example, when the thickness of the device chip 3 is unknown, particularly from the interface between the resin 4 of the semiconductor device 1 and the device chip 3. In some cases, it is difficult to measure the interface wave, which is a reflected wave, with sufficient precision. Therefore, in the detection method of the division schedule line which concerns on Embodiment 2, even if the thickness of the Z-axis direction of the device chip 3 is unknown, the preparation ultrasonic measurement step ST7, the preparation detection step ST8, and an interface wave detection By carrying out the determination step ST10 before the ultrasonic measurement step ST2 and the detection step ST3, the interface wave which is the reflected wave from the interface between the resin 4 of the semiconductor device 1 and the device chip 3, It can be made into the state which can measure sufficiently high precision.

준비 초음파 측정 단계(ST7)는, 검출 대상인 반도체 장치(1)와 초음파 조사 수단으로서 기능하는 초음파 프로브(71)를 미리 정해진 간격으로 반도체 장치(1)의 두께 방향인 Z축 방향으로 상대 이동시키면서 반도체 장치(1)의 내부에 초음파를 조사하여 도 12 및 도 13에 도시하는 준비 반사 에코(170-1, 170-2)를 측정하는 단계이다. 준비 초음파 측정 단계(ST7)는, 물 공급 단계가 실행된 후에 실행된다. 이하에서, 본 명세서는, 준비 초음파 측정 단계(ST7)에서 측정되는 반사 에코를 초음파 측정 단계(ST2)에서 측정되는 반사 에코(150-1, 150-2, 150-3)와 구별하기 위해서, 적절하게 준비 반사 에코(170-1, 170-2)라고 부른다. In the preparation ultrasonic measurement step ST7, the semiconductor device 1 as the detection target and the ultrasonic probe 71 serving as the ultrasonic irradiation means are relatively moved in the Z-axis direction, which is the thickness direction of the semiconductor device 1, at predetermined intervals. It is a step of measuring the preparation reflection echoes 170-1 and 170-2 shown in FIGS. 12 and 13 by irradiating the inside of the apparatus 1 with ultrasonic waves. The preparation ultrasonic measurement step ST7 is executed after the water supply step is executed. Hereinafter, the present specification is appropriate to distinguish the reflection echo measured in the preparation ultrasonic measurement step ST7 from the reflection echoes 150-1, 150-2, 150-3 measured in the ultrasonic measurement step ST2. Preparation echo echo 170-1, 170-2 is called.

도 11은 도 10의 준비 초음파 측정 단계(ST7)를 설명하는 설명도이다. 도 12는 도 10의 준비 초음파 측정 단계(ST7)에서 측정하는 준비 반사 에코의 일례를 도시하는 설명도이다. 도 13은 도 10의 준비 초음파 측정 단계(ST7)에서 측정하는 준비 반사 에코의 다른 일례를 도시하는 설명도이다. 또한, 도 11에서는 초음파 프로브(71)와 검출 대상인 반도체 장치(1)를 도시하고, 분할 예정 라인의 검출 장치(90)의 다른 각 구성 요소의 도시를 생략하고 있다. FIG. 11 is an explanatory diagram for explaining the preparation ultrasonic measurement step ST7 of FIG. 10. FIG. 12: is explanatory drawing which shows an example of the preparation reflection echo measured in the preparation ultrasonic measurement step ST7 of FIG. FIG. 13: is explanatory drawing which shows another example of the preparation reflection echo measured in the preparation ultrasonic measurement step ST7 of FIG. In addition, in FIG. 11, the ultrasonic probe 71 and the semiconductor device 1 to be detected are shown, and illustration of each other component of the detection apparatus 90 of a division planned line is abbreviate | omitted.

준비 초음파 측정 단계(ST7)에서는, 상세하게는 우선 제어 유닛(100)이, X축 이동 유닛(30) 및 Y축 이동 유닛(40)을 제어하여, 초음파 프로브(71)를 X축 방향 또는 Y축 방향으로 이동시킴으로써, 도 11에 도시한 것과 같이, 검출 대상인 반도체 장치(1)에 대하여 Z축 방향 상측으로 오도록 이동시킨다. In the preparation ultrasonic measurement step ST7, in detail, the control unit 100 first controls the X-axis moving unit 30 and the Y-axis moving unit 40 to move the ultrasonic probe 71 in the X-axis direction or Y. By moving in the axial direction, as shown in FIG. 11, the semiconductor device 1 is moved to the upper side in the Z-axis direction with respect to the semiconductor device 1 to be detected.

준비 초음파 측정 단계(ST7)에서는, 그 후, 제어 유닛(100)이 Z축 이동 유닛(50)을 제어함으로써, 초음파 프로브(71)를, Z축 방향 하측의 한계 위치에서부터 미리 정해진 간격, 예컨대 수십 ㎛ 정도씩 Z축 방향 상측의 한계 위치까지, Z축 방향의 상측으로 이동시킴으로써, Z축 방향으로 미리 정해진 간격으로 이동시키면서 초음파를 조사하고, 그리고 반사파를 취득한다. 즉, 준비 초음파 측정 단계(ST7)에서는, 초음파 프로브(71)를, 검출 대상인 반도체 장치(1)에 가장 근접시킨 상태에서 서서히 떨어져 가는 방향으로 이동시키면서 초음파를 조사하고, 그리고 반사파를 취득한다. 여기서, 초음파 프로브(71)의 Z축 방향 하측의 한계 위치는, 물 공급 단계의 과정에서 이동시킨 초음파 프로브(71)의 위치로 한다. 또한, 초음파 프로브(71)의 Z축 방향 상측의 한계 위치는, 초음파 프로브(71)를 Z축 방향 상측으로 이동시켰을 때, 검출 대상인 반도체 장치(1)의 수지(4)의 표면에서 반사한 반사 에코인 표면파의 전압 신호(171)(도 12 및 도 13 참조)의 강도가 증가에서 감소로 전환될 때의 초음파 프로브(71)의 위치로 한다. 또한, 실시형태 1에서는 준비 초음파 측정 단계(ST7)에서는, 초음파 프로브(71)를 Z축 방향 하측의 한계 위치에서부터 Z축 방향 상측의 한계 위치까지 Z축 방향 상측으로 이동시키는 형태를 예시했지만, 본 발명은 이것에 한정되지 않고, 초음파 프로브(71)를 Z축 방향 상측의 한계 위치에서부터 Z축 방향 하측의 한계 위치까지 Z축 방향 하측으로 이동시키는 것으로 하여도 좋다. In the preparation ultrasonic measurement step ST7, the control unit 100 then controls the Z-axis moving unit 50 so that the ultrasonic probe 71 is set at a predetermined interval, for example, several tens from the limit position below the Z-axis direction. Ultrasonic waves are irradiated while moving at a predetermined interval in the Z-axis direction by moving upwards in the Z-axis direction to the limit position above the Z-axis direction in increments of about µm, and the reflected wave is obtained. That is, in the preparation ultrasonic measurement step ST7, the ultrasonic probe 71 is irradiated with the ultrasonic probe 71 while moving in the direction gradually apart from the state closest to the semiconductor device 1 as the detection target, and the reflected wave is acquired. Here, the limit position below the Z-axis direction of the ultrasonic probe 71 is set to the position of the ultrasonic probe 71 moved in the course of the water supply step. In addition, the limit position above the Z-axis direction of the ultrasonic probe 71 reflects the reflection from the surface of the resin 4 of the semiconductor device 1 as a detection target when the ultrasonic probe 71 is moved above the Z-axis direction. It is set as the position of the ultrasonic probe 71 when the intensity of the voltage signal 171 (see FIGS. 12 and 13) of the surface wave which is an echo is changed from increasing to decreasing. In addition, in Embodiment 1, although the preparation ultrasonic measurement step ST7 demonstrated the aspect which moves the ultrasonic probe 71 to upper Z-axis direction from the limit position below Z-axis direction to the limit position above Z-axis direction, The invention is not limited to this, and the ultrasonic probe 71 may be moved downward in the Z-axis direction from the limit position above the Z-axis direction to the limit position below the Z-axis direction.

준비 초음파 측정 단계(ST7)에서는, 초음파 프로브(71)를 Z축 방향의 상측으로 이동시키면서 초음파를 조사함으로써, 초음파 프로브(71)가 조사하는 초음파의 초점이 Z축 방향의 상측으로 이동한다. 준비 초음파 측정 단계(ST7)에서는, 또한 초음파 프로브(71)를 Z축 방향으로 미리 정해진 간격으로 이동시킨 각 상태에서, 초음파 측정부(110)가, 초음파 프로브(71)에 의해 초음파(140)를 조사하여, 도 12 및 도 13에 도시하는 준비 반사 에코(170-1, 170-2)를 검출하여 취득한다. In the preparation ultrasonic measurement step ST7, by irradiating the ultrasonic wave while moving the ultrasonic probe 71 upward in the Z-axis direction, the focus of the ultrasonic wave radiated by the ultrasonic probe 71 moves upward in the Z-axis direction. In the preparation ultrasonic measurement step ST7, in each state in which the ultrasonic probe 71 is moved at predetermined intervals in the Z-axis direction, the ultrasonic measurement unit 110 uses the ultrasonic probe 71 to perform the ultrasonic wave 140. In this way, the ready reflection echoes 170-1, 170-2 shown in Figs. 12 and 13 are detected and acquired.

이하 본 명세서는, 준비 초음파 측정 단계(ST7)에 있어서, 도 11에 도시한 것과 같이, 초음파 프로브(71)를, 초음파 프로브(71)가 조사하는 초음파(140)의 초점이 디바이스 칩(3)보다도 Z축 방향 상측의 수지(4)의 내부의 점(160-1)에 설정되는 위치, 및 초음파(140)의 초점이 디바이스 칩(3)의 내부의 점(160-2)에 설정되는 위치를 포함하는 Z축 방향을 따르는 직선 위를 따라서, 검출 대상인 반도체 장치(1)에 대하여 상대 이동시켜, 준비 반사 에코(170-1, 170-2)를 취득하는 경우를, 도 11에 더하여 도 12 및 도 13을 이용하여 설명한다. Hereinafter, in the preparation ultrasonic measurement step ST7, as illustrated in FIG. 11, the focal point of the ultrasonic wave 140 to which the ultrasonic probe 71 irradiates the ultrasonic probe 71 is the device chip 3. The position set at the point 160-1 inside the resin 4 above the Z-axis direction, and the position at which the focal point of the ultrasonic wave 140 is set at the point 160-2 inside the device chip 3. The case where the ready reflection echoes 170-1 and 170-2 are obtained by moving relative to the semiconductor device 1 as the detection target along a straight line along the Z-axis direction including the direction shown in FIG. And it demonstrates using FIG.

도 12에 도시하는 준비 반사 에코(170-1)는, 도 11에 도시한 것과 같이, 초음파 프로브(71)가 조사하는 초음파(140)의 초점이 점(160-1)에 설정되어, 초음파(140)를 조사하여 검출한 경우에, 초음파 측정부(110)의 초음파 리시버(112)에 의해서 취득되는 것이다. In the ready reflection echo 170-1 shown in FIG. 12, as shown in FIG. 11, the focal point of the ultrasound wave 140 radiated by the ultrasound probe 71 is set at a point 160-1, and the ultrasonic wave ( When it is irradiated and detected by 140, it is acquired by the ultrasonic receiver 112 of the ultrasonic measuring part 110. FIG.

준비 반사 에코(170-1)는, 도 12에 도시한 것과 같이, 검출 대상인 반도체 장치(1)의 수지(4)의 표면에서 반사한 반사파인 표면파의 전압 신호(171)와, 검출 대상인 반도체 장치(1)의 이면, 즉 재배선층(8)의 이면과 물(79)의 경계면에서 반사한 반사파인 이면파의 전압 신호(172)를 갖는다. 준비 반사 에코(170-1)는, 조사하는 초음파(140)의 초점이 수지(4)와 디바이스 칩(3)의 경계면보다도 수지(4) 측의 점(160-1)에 설정되어 있기 때문에, 수지(4)와 디바이스 칩(3)의 경계면에서 반사한 반사파의 전압 신호를 갖지 않는다. 또한 일반적으로, 접촉 계면에 의한 반사파의 전압 신호 쪽이 훨씬 접합 계면에 의한 반사파의 전압 신호보다도 강도가 크기 때문에, 초음파(140)의 초점의 Z축 방향의 위치 사정에 따라서는, 수지(4)와 디바이스 칩(3)의 경계면에서 반사한 반사파의 전압 신호는 검출되지 않지만, 경계면보다 더욱 Z축 방향의 하측에 있는 재배선층(8)의 이면과 물(79)의 경계면에서 반사한 반사파인 이면파의 전압 신호(172)는 검출된다고 하는 현상이 일어나는 경우가 있다. As shown in FIG. 12, the ready reflection echo 170-1 is a voltage signal 171 of a surface wave which is a reflected wave reflected from the surface of the resin 4 of the semiconductor device 1 as the detection target, and a semiconductor device as the detection target. The voltage signal 172 of the back surface wave which is the reflected wave reflected on the back surface of (1), ie, the back surface of the redistribution layer 8, and the boundary surface of the water 79 is provided. In the ready reflection echo 170-1, since the focal point of the ultrasonic wave 140 to be irradiated is set at the point 160-1 on the resin 4 side rather than the interface between the resin 4 and the device chip 3, It does not have a voltage signal of the reflected wave reflected at the interface between the resin 4 and the device chip 3. In general, since the voltage signal of the reflected wave due to the contact interface is much stronger than the voltage signal of the reflected wave due to the bonded interface, the resin 4 may vary depending on the position of the focus of the ultrasonic wave 140 in the Z-axis direction. The voltage signal of the reflected wave reflected at the interface between the device chip 3 and the device chip 3 is not detected, but the back surface of the rearrangement layer 8 further below the Z-axis direction and the reflected wave reflected from the interface of the water 79 is further below the boundary surface. The phenomenon that the wave voltage signal 172 is detected may occur.

도 13에 도시하는 준비 반사 에코(170-2)는, 도 11에 도시한 것과 같이, 초음파 프로브(71)가 조사하는 초음파(140)의 초점이 점(160-2)에 설정되어, 초음파(140)를 조사하여 검출한 경우에, 초음파 측정부(110)의 초음파 리시버(112)에 의해서 취득되는 것이다. In the ready reflection echo 170-2 shown in FIG. 13, as illustrated in FIG. 11, the focal point of the ultrasonic wave 140 radiated by the ultrasonic probe 71 is set at a point 160-2, and the ultrasonic wave ( When it is irradiated and detected by 140, it is acquired by the ultrasonic receiver 112 of the ultrasonic measuring part 110. FIG.

준비 반사 에코(170-2)는, 도 13에 도시한 것과 같이, 준비 반사 에코(170-1)가 갖는 것과 같은 표면파의 전압 신호(171) 및 이면파의 전압 신호(172)에 더하여, 수지(4)와 디바이스 칩(3)의 경계면에서 반사한 반사파인 계면파의 전압 신호(173)를 갖는다. 준비 반사 에코(170-2)는, 조사하는 초음파(140)의 초점이 수지(4)와 디바이스 칩(3)의 경계면보다도 약간 디바이스 칩(3) 측의 점(160-2)에 설정되어 있기 때문에, 점(160-1)보다도 조사하는 초음파(140)의 초점이 수지(4)와 디바이스 칩(3)의 경계면에 근접하고 있으므로, 계면파의 전압 신호(173)를 갖는 것으로 된다. As shown in FIG. 13, the ready reflection echo 170-2 is a resin in addition to the voltage signal 171 of the surface wave and the voltage signal 172 of the back wave as those of the ready reflection echo 170-1. (4) and a voltage signal 173 of an interfacial wave, which is a reflected wave reflected from the interface between the device chip 3 and the device chip 3. In the ready reflection echo 170-2, the focal point of the ultrasonic wave 140 to be irradiated is set at a point 160-2 on the device chip 3 side slightly from the interface between the resin 4 and the device chip 3. Therefore, since the focal point of the ultrasonic wave 140 irradiated from the point 160-1 is closer to the interface between the resin 4 and the device chip 3, it has a voltage signal 173 of the interfacial wave.

준비 초음파 측정 단계(ST7)에서는, 이상과 같이, 초음파 측정부(110)의 초음파 리시버(112)가 초음파 프로브(71)를 이용하여 초음파 측정을 행함으로써, 초음파 프로브(71)가 조사하는 초음파(140)의 초점이 점(160-1)에 설정되어 있는 경우, 계면파의 전압 신호(173)를 갖지 않는 준비 반사 에코(170-1)를 취득하고, 초음파 프로브(71)가 조사하는 초음파(140)의 초점이 점(160-2)에 설정되어 있는 경우, 계면파의 전압 신호(173)를 갖는 준비 반사 에코(170-2)를 취득한다. In the preparation ultrasonic measurement step ST7, as described above, the ultrasonic receiver 112 of the ultrasonic measuring unit 110 performs ultrasonic measurement using the ultrasonic probe 71, so that the ultrasonic probe 71 irradiates the ultrasonic wave ( When the focal point of the 140 is set at the point 160-1, the preparation reflection echo 170-1 that does not have the voltage signal 173 of the interfacial wave is acquired, and the ultrasonic wave that the ultrasonic probe 71 irradiates ( When the focal point of 140 is set at point 160-2, the ready reflection echo 170-2 having the voltage signal 173 of the interfacial wave is acquired.

준비 초음파 측정 단계(ST7)에서는, 제어 유닛(100)이 Z축 이동 유닛(50)을 제어함으로써, 미리 정해진 간격으로 Z축 방향으로 각각 배열된 각 위치를 따라서 초음파 프로브(71)를 주사 이동시켜, 전체 측정점에 있어서 준비 반사 에코(170-1, 170-2)를 취득한다. 또한, 실시형태 2에 따른 분할 예정 라인의 검출 방법의 준비 초음파 측정 단계(ST7)에서는, Z축 방향으로 수지(4)와 디바이스 칩(3)의 경계면을 사이에 두는 적어도 2점 사이에서 초음파의 초점이 이동하도록 초음파 프로브(71)를 Z축 방향으로 이동시키면서 준비 반사 에코(170-1, 170-2)를 측정한다. 또한, 실시형태 2에 있어서, 준비 초음파 측정 단계(ST7)에서는, 유지 테이블(11)에 유지된 반도체 장치(1)와 초음파 프로브(71)를 미리 정해진 간격으로 두께 방향으로 상대 이동시키면서 취득한 모든 준비 반사 에코(170-1, 170-2)를 제어 유닛(100)이 일시적으로 기억한다. 즉, 실시형태 2에 있어서, 제어 유닛(100)은 측정점과 동수의 준비 반사 에코(170-1, 170-2)를 일시적으로 기억한다. In the preparation ultrasonic measurement step ST7, the control unit 100 controls the Z-axis moving unit 50 to scan-move the ultrasonic probe 71 along each position arranged in the Z-axis direction at predetermined intervals. The prepared reflection echoes 170-1 and 170-2 are acquired at all the measurement points. In addition, in the ultrasonic measurement step ST7 of the method for detecting the division scheduled line according to the second embodiment, ultrasonic waves are interposed between at least two points between the resin 4 and the device chip 3 in the Z-axis direction. The ready reflection echoes 170-1 and 170-2 are measured while the ultrasonic probe 71 is moved in the Z-axis direction so that the focal point moves. In addition, in the preparation ultrasonic measurement step ST7 in Embodiment 2, all the preparations acquired by moving the semiconductor device 1 and the ultrasonic probe 71 hold | maintained by the holding table 11 in the thickness direction at predetermined intervals are carried out. The control unit 100 temporarily stores the reflected echoes 170-1 and 170-2. That is, in Embodiment 2, the control unit 100 temporarily stores the measurement reflections and the same number of ready reflection echoes 170-1 and 170-2.

준비 검출 단계(ST8)는, 준비 반사 에코(170-1, 170-2)의 반도체 장치(1)의 두께 방향의 각 파의 전압 신호(171, 172, 173)의 분포로부터, 초음파 측정 단계(ST2)에 있어서 초음파를 조사하는 두께 방향의 위치를 결정하는 단계이다. The preparation detection step ST8 is based on the ultrasonic measurement step (from the distribution of the voltage signals 171, 172, 173 of each wave in the thickness direction of the semiconductor device 1 of the preparation reflection echoes 170-1, 170-2). It is a step of determining the position of the thickness direction which irradiates an ultrasonic wave in ST2).

준비 검출 단계(ST8)에서는, 상세하게는 우선 초음파 측정부(110)의 초음파 디텍터(113)가, 초음파 측정부(110)의 초음파 리시버(112)가 취득한 준비 반사 에코(170-1, 170-2)에 대하여, 계면파의 전압 신호(173)가 검출되는 시간을 포함하는 미리 정해진 범위로 설정된 게이트 내에 있는 계면파의 전압 신호(173)의 강도를 측정한다. 준비 검출 단계(ST8)에서는, 게이트 내에 있는 계면파의 전압 신호(173)의 강도 정보를 측정 데이터로서 취득한다. In the preparation detection step ST8, in detail, the ultrasonic detector 113 of the ultrasonic measuring unit 110 first prepares the reflected reflection echoes 170-1 and 170-obtained by the ultrasonic receiver 112 of the ultrasonic measuring unit 110. For 2), the intensity of the voltage signal 173 of the interfacial wave in the gate set to a predetermined range including the time at which the voltage signal 173 of the interfacial wave is detected is measured. In the preparation detection step ST8, intensity information of the voltage signal 173 of the interfacial wave in the gate is obtained as measurement data.

준비 검출 단계(ST8)에서는, 초음파 측정부(110)가, 초음파 디텍터(113)가 측정한 각 준비 반사 에코(170-1, 170-2)의 계면파의 전압 신호(173)의 강도 중 가장 강도가 큰 계면파의 전압 신호(173)를 갖는 준비 반사 에코(170-1, 170-2)를 추출한다. 준비 검출 단계(ST8)에서는, 초음파 측정부(110)가, 가장 강도가 큰 계면파의 전압 신호(173)를 갖는 준비 반사 에코(170-1, 170-2)를 측정했을 때의 초음파 프로브(71)의 Z축 방향의 위치를 산출한다. 초음파 측정부(110)가 여기서 산출한 초음파 프로브(71)의 Z축 방향의 위치는, 초음파 프로브(71)가 조사하는 초음파(140)의 초점이, 수지(4)와 디바이스 칩(3)의 경계면 위 또는 그 부근에 설정되어 있는 위치가 된다. 준비 검출 단계(ST8)에서는, 그 후, 초음파 측정부(110)가, 산출한 초음파 프로브(71)의 Z축 방향의 위치를, 초음파 측정 단계(ST2)에 있어서 초음파를 조사하는 초음파 프로브(71)의 위치로 결정한다. In the preparation detection step ST8, the ultrasonic measuring unit 110 is the most of the intensity of the voltage signal 173 of the interfacial wave of each of the preparation reflection echoes 170-1 and 170-2 measured by the ultrasonic detector 113. The ready reflection echoes 170-1 and 170-2 having the voltage signal 173 of the interfacial wave with high intensity are extracted. In the preparation detection step ST8, the ultrasonic probe 110 when the ultrasonic measuring unit 110 measures the ready reflection echoes 170-1 and 170-2 having the voltage signal 173 of the interfacial wave having the greatest intensity ( The position in the Z-axis direction of 71) is calculated. The position of the ultrasonic probe 71 calculated by the ultrasonic measuring unit 110 in the Z-axis direction is that the focus of the ultrasonic wave 140 irradiated by the ultrasonic probe 71 is determined by the resin 4 and the device chip 3. The position is set on or near the boundary surface. In preparation detection step ST8, after that, the ultrasonic measurement part 110 irradiates the ultrasonic probe 71 with the ultrasonic wave in the Z-axis direction of the calculated ultrasonic probe 71 in the ultrasonic measurement step ST2. ) Is determined by the position.

계면파의 전압 신호(173)가 극대가 되는 초음파 프로브(71)의 선단 부분의 Z축 방향의 위치는, 표면파의 전압 신호(171)가 극대가 되는 초음파 프로브(71)의 선단 부분의 Z축 방향의 위치보다도 Z축 방향 하측으로 된다. 또한, 계면파의 전압 신호(173)가 극대가 되는 초음파 프로브(71)의 선단 부분의 Z축 방향의 위치는, 초음파 프로브(71)의 선단 부분을 Z축 방향 하측에 한계까지 근접시킨 위치보다도 Z축 방향의 상측으로 된다. 이 때문에, 준비 검출 단계(ST8)에서는, 준비 초음파 측정 단계(ST7)에서 초음파 프로브(71)의 선단 부분을 이동시키는 Z축 방향의 범위 내에서, 계면파의 전압 신호(173)가 극대가 되는 초음파 프로브(71)의 선단 부분의 Z축 방향의 위치를 산출하고, 산출한 계면파의 전압 신호(173)가 극대가 되는 초음파 프로브(71)의 선단 부분의 Z축 방향의 위치를 초음파 측정 단계(ST2)에 있어서 초음파를 조사하는 초음파 프로브(71)의 위치로 결정한다. The position in the Z-axis direction of the tip portion of the ultrasonic probe 71 at which the voltage signal 173 of the interfacial wave is maximum is the Z-axis at the tip portion of the ultrasonic probe 71 at which the voltage signal 171 of the surface wave is maximized. The position is lower than the position in the Z-axis direction. Moreover, the position of the Z-axis direction of the front-end | tip part of the ultrasonic probe 71 which becomes the maximum voltage signal 173 of an interfacial wave is more than the position which approached the front-end | tip part of the ultrasonic probe 71 to the limit below Z-axis direction to the limit. It becomes the upper side in the Z-axis direction. For this reason, in the preparation detection step ST8, the voltage signal 173 of the interfacial wave becomes maximum within the range of the Z-axis direction in which the tip portion of the ultrasonic probe 71 is moved in the preparation ultrasound measurement step ST7. Ultrasonic measurement step of calculating the position in the Z-axis direction of the tip portion of the ultrasonic probe 71 and the position in the Z-axis direction of the tip portion of the ultrasonic probe 71 at which the calculated voltage signal 173 of the interfacial wave becomes the maximum. In ST2, it determines to the position of the ultrasonic probe 71 which irradiates an ultrasonic wave.

준비 검출 단계(ST8)는 준비 화상 처리 단계(ST9)를 구비하는 것이 바람직하다. 이 경우, 준비 화상 처리 단계(ST9)는, 준비 반사 에코(170-1, 170-2)의 각 파의 전압 신호(171, 172, 173)의 분포를, 색 정보를 갖는 준비 화상 데이터로 변환하는 단계이다. 또한 이 경우, 준비 검출 단계(ST8)는, 준비 화상 데이터의 색 정보의, 검출 대상인 반도체 장치(1)의 두께 방향의 분포에 따라서, 초음파 측정 단계(ST2)에 있어서 초음파를 조사하는 초음파 프로브(71)의 위치를 결정하는 단계이다. The preparation detection step ST8 preferably includes a preparation image processing step ST9. In this case, the preparation image processing step ST9 converts the distribution of the voltage signals 171, 172, 173 of each wave of the preparation reflection echoes 170-1, 170-2 into preparation image data having color information. It's a step. In this case, the preparation detection step ST8 includes an ultrasonic probe that irradiates ultrasonic waves in the ultrasonic measurement step ST2 according to the distribution of the color information of the preparation image data in the thickness direction of the semiconductor device 1 as the detection target. 71).

준비 검출 단계(ST8)가 준비 화상 처리 단계(ST9)를 구비하는 경우, 준비 화상 처리 단계(ST9)에서는, 상세하게는 초음파 측정부(110)가, 초음파 측정부(110)의 초음파 디텍터(113)가 취득한 각 파의 전압 신호(171, 172, 173)의 강도 정보에 관해서, 각 파의 전압 신호(171, 172, 173)의 강도가 미리 정해진 각 조건을 만족하는 경우의 반도체 장치(1)의 두께 방향인 Z축 방향의 위치의 각 화소를, 미리 정해진 각 색으로서 복수의 색을 포함하는 1차원의 화상을 작성한다. When the preparation detection step ST8 includes the preparation image processing step ST9, in the preparation image processing step ST9, in detail, the ultrasonic measuring unit 110 is the ultrasonic detector 113 of the ultrasonic measuring unit 110. The semiconductor device 1 in the case where the intensity of the voltage signals 171, 172, 173 of each wave satisfies each predetermined condition with respect to the intensity information of the voltage signals 171, 172, 173 of each wave acquired by Each pixel at a position in the Z-axis direction, which is the thickness direction, is a one-dimensional image including a plurality of colors as each predetermined color.

도 14는 도 10의 준비 화상 처리 단계(ST9)에서 얻어지는 준비 화상 데이터의 일례를 도시하는 설명도이다. 도 14에 도시하는 준비 화상 데이터(180)는, 검출 대상인 반도체 장치(1)에 관해서 준비 화상 처리 단계(ST9)를 실행함으로써 얻어지는 것이며, Z축 방향의 상측에서 하측으로 향하여, 각 색의 화소 영역(181, 182, 183, 184, 185)을 갖는다. FIG. 14 is an explanatory diagram showing an example of ready image data obtained in the ready image processing step ST9 of FIG. 10. The preparation image data 180 shown in FIG. 14 is obtained by performing the preparation image processing step ST9 with respect to the semiconductor device 1 to be detected, and moves from the upper side in the Z-axis direction to the lower side in the pixel region of each color. (181, 182, 183, 184, 185).

화소 영역(181)은, 도 14에 있어서 간격이 좁은 우측 내리막의 평행사선이 부여되어 있고, 제1 색으로 착색된 영역이다. 화소 영역(181)은, 표면파의 전압 신호(171)가 미리 정해진 임계치 이상에서 검출된 영역에 대응하고 있고, 조사하는 초음파(140)의 초점의 Z축 방향의 위치가, 검출 대상인 반도체 장치(1)의 수지(4)의 표면 부근, 즉 수지(4)의 표면과 물(79)의 경계면 부근이 되는 영역에 대응하고 있다. In FIG. 14, the pixel region 181 is a region in which parallel diagonal lines of a narrow right downhill are provided and colored in the first color. The pixel region 181 corresponds to a region where the voltage signal 171 of the surface wave is detected above a predetermined threshold value, and the semiconductor device 1 whose position in the Z-axis direction of the focal point of the ultrasonic wave 140 to be irradiated is the detection target. ) Corresponds to the area near the surface of the resin 4, that is, the area near the interface between the surface of the resin 4 and the water 79.

화소 영역(182)은, 도 14에 있어서 간격이 넓은 우측 오르막의 평행사선이 부여되어 있고, 제2 색으로 착색된 영역이다. 화소 영역(182)은, 표면파의 전압 신호(171)가 미리 정해진 임계치 이상에서 검출된 영역과 계면파의 전압 신호(173)가 미리 정해진 임계치 이상에서 검출된 영역 사이의, 각 파의 전압 신호(171, 172, 173)의 어느 것이나 미리 정해진 임계치 미만에서 검출된 영역에 대응하고 있고, 조사하는 초음파(140)의 초점의 Z축 방향의 위치가, 검출 대상인 반도체 장치(1)의 수지(4)에 있어서의 디바이스 칩(3)보다 위의 부분의 내부가 되는 영역에 대응하고 있다. 즉, 화소 영역(182)의 Z축 방향의 길이와, 표면파의 전압 신호(171)와 계면파의 전압 신호(173)와의 시간 간격과, 반도체 장치(1)의 수지(4)에 있어서의 디바이스 칩(3)보다 위의 부분의 두께가, 각각 대응하고 있다.The pixel region 182 is an area | region in which the diagonal diagonal of the right uphill with a large space | interval is given in FIG. 14, and is colored by the 2nd color. The pixel region 182 includes a voltage signal of each wave between a region where the voltage signal 171 of the surface wave is detected above the predetermined threshold and a region where the voltage signal 173 of the interfacial wave is detected above the predetermined threshold. All of 171, 172, and 173 correspond to regions detected below a predetermined threshold, and the resin 4 of the semiconductor device 1 whose position in the Z-axis direction of the focal point of the ultrasonic wave 140 to be irradiated is the detection target. It corresponds to the area | region which becomes inside of the part above the device chip 3 in. In other words, the length of the pixel region 182 in the Z-axis direction, the time interval between the surface signal voltage signal 171 and the surface wave voltage signal 173, and the device in the resin 4 of the semiconductor device 1. The thickness of the part above the chip | tip 3 respond | corresponds, respectively.

화소 영역(183)은, 도 14에 있어서 간격이 좁은 우측 내리막의 평행사선과 우측 오르막의 평행사선이 교차된 모양이 부여되어 있고, 제3 색으로 착색된 영역이다. 화소 영역(183)은, 계면파의 전압 신호(173)가 미리 정해진 임계치 이상에서 검출된 영역에 대응하고 있고, 조사하는 초음파(140)의 초점의 Z축 방향의 위치가, 검출 대상인 반도체 장치(1)의 수지(4)와 디바이스 칩(3)의 경계면 부근이 되는 영역에 대응하고 있다. In FIG. 14, the pixel region 183 is provided with a pattern in which parallel diagonal lines of the narrow right downhill and the parallel diagonal lines of the right uphill cross each other, and are colored in the third color. The pixel region 183 corresponds to a region where the voltage signal 173 of the interfacial wave is detected above a predetermined threshold value, and the semiconductor device whose position in the Z-axis direction of the focal point of the ultrasonic wave 140 to be irradiated is a detection target ( It corresponds to the area | region used as the vicinity of the interface surface of resin 4 and device chip 3 of 1).

화소 영역(184)은, 도 14에 있어서 간격이 넓은 우측 내리막의 평행사선이 부여되어 있고, 제4 색으로 착색된 영역이다. 화소 영역(182)은, 계면파의 전압 신호(173)가 미리 정해진 임계치 이상에서 검출된 영역과 이면파의 전압 신호(172)가 미리 정해진 임계치 이상에서 검출된 영역 사이의, 각 파의 전압 신호(171, 172, 173)의 어느 것이나 미리 정해진 임계치 미만에서 검출된 영역에 대응하고 있고, 조사하는 초음파(140)의 초점의 Z축 방향의 위치가, 검출 대상인 반도체 장치(1)의 디바이스 칩(3) 및 재배선층(8)의 내부가 되는 영역에 대응하고 있다. 즉, 화소 영역(184)의 Z축 방향의 길이와, 계면파의 전압 신호(173)와 이면파의 전압 신호(172)와의 시간 간격과, 반도체 장치(1)의 디바이스 칩(3) 및 재배선층(8)의 두께의 합계가, 각각 대응하고 있다. In FIG. 14, the pixel region 184 is a region in which a parallel diagonal line of a wide right interval is provided, and colored in a fourth color. The pixel region 182 is a voltage signal of each wave between an area where the voltage signal 173 of the interfacial wave is detected above the predetermined threshold and an area where the voltage signal 172 of the back wave is detected above the predetermined threshold. Any of (171, 172, 173) corresponds to an area detected below a predetermined threshold value, and the device chip of the semiconductor device 1 whose position in the Z-axis direction of the focal point of the ultrasonic wave 140 to be irradiated is the detection target ( 3) and the area | region used as the inside of the redistribution layer 8 are corresponded. That is, the length in the Z-axis direction of the pixel region 184, the time interval between the voltage signal 173 of the interfacial wave and the voltage signal 172 of the back wave, the device chip 3 and the ash of the semiconductor device 1. The sum total of the thickness of the wiring layer 8 respond | corresponds, respectively.

또한 본 실시형태에서는, 초음파 프로브(71)가 계면파의 전압 신호(173)를 미리 정해진 임계치보다 명확하게 큰 값으로서 검출하는 영역의 부근에 주사되기 때문에, 디바이스 칩(3)과 재배선층(8)의 경계면에 기인하는 전압 신호는 검출되지 않을 가능성이 높다고 하고 있지만, 본 발명은 이것에 한정되지 않고, 디바이스 칩(3)과 재배선층(8)의 경계면에 기인하는 전압 신호가 검출되고, 디바이스 칩(3)에 대응하는 영역과, 디바이스 칩(3)과 재배선층(8)의 경계면에 대응하는 영역과, 재배선층(8)에 대응하는 영역이 각각 다른 색으로 착색된 준비 화상 데이터를 얻을 수 있더라도 좋다. In addition, in this embodiment, since the ultrasonic probe 71 is scanned in the vicinity of the area which detects the voltage signal 173 of the interface wave as a value larger than a predetermined threshold clearly, the device chip 3 and the redistribution layer 8 It is said that the voltage signal attributable to the boundary surface of) is not likely to be detected. However, the present invention is not limited thereto, and the voltage signal attributable to the interface between the device chip 3 and the redistribution layer 8 is detected and the device is detected. The prepared image data in which the region corresponding to the chip 3, the region corresponding to the interface between the device chip 3 and the redistribution layer 8, and the region corresponding to the redistribution layer 8 are colored in different colors can be obtained. You may be.

화소 영역(185)은, 도 14에 있어서 간격이 좁은 우측 오르막의 평행사선이 부여되어 있고, 제5 색으로 착색된 영역이다. 화소 영역(185)은, 이면파의 전압 신호(172)가 미리 정해진 임계치 이상에서 검출된 영역에 대응하고 있고, 조사하는 초음파(140)의 초점의 Z축 방향의 위치가, 검출 대상인 반도체 장치(1)의 재배선층(8)의 이면 부근, 즉 재배선층(8)의 이면과 물(79)의 경계면이 되는 영역에 대응하고 있다. In FIG. 14, the pixel region 185 is provided with a parallel diagonal line of a narrow right uphill, and colored in a fifth color. The pixel region 185 corresponds to an area where the voltage signal 172 of the back wave is detected at a predetermined threshold value or more, and the semiconductor device whose position in the Z axis direction of the focal point of the ultrasonic wave 140 to be irradiated is a detection target ( It corresponds to the vicinity of the rear surface of the redistribution layer 8 of 1), that is, the area which becomes the boundary surface of the rear surface of the redistribution layer 8 and water 79. In FIG.

또한, 화소 영역(182, 184)은, 모두 각 파의 전압 신호(171, 172, 173)의 어느 것이나 미리 정해진 임계치 미만에서 검출된 영역이지만, 이 미리 정해진 임계치 미만에서 검출된 각 파의 전압 신호(171, 172, 173)의 강도의 비 등의 정보로부터, 제어 유닛(100)에 의해 이들 영역을 분리하여 검출하여, 각각 개별의 색을 부여하는 화상 처리를 할 수 있다. Further, the pixel regions 182 and 184 are all regions where all of the voltage signals 171, 172, and 173 of each wave are detected below a predetermined threshold, but the voltage signals of each wave detected below this predetermined threshold. From the information, such as the intensity ratio of 171, 172, and 173, these areas can be separated and detected by the control unit 100, and image processing which gives an individual color can be performed.

준비 검출 단계(ST8)가 준비 화상 처리 단계(ST9)를 구비하여, 준비 화상 처리 단계(ST9)에서 준비 화상 데이터(180)를 얻을 수 있는 경우, 준비 검출 단계(ST8)에서는, 제어 유닛(100)이, 우선 준비 화상 처리 단계(ST9)에서 변환하여 얻어진 준비 화상 데이터(180)에 있어서, 각 색의 각 화소 영역에 기초하여, 화소 영역(183)의 Z축 방향의 위치를 산출한다. 이러한 경우, 준비 검출 단계(ST8)에서는, 제어 유닛(100)이, 화소 영역(183)의 Z축 방향 위치의 중앙의 위치가 조사하는 초음파(140)의 초점이 되는 초음파 프로브(71)의 위치를, 초음파 측정 단계(ST2)에 있어서 초음파 프로브(71)가 초음파를 조사하는 위치, 즉 초음파 프로브(71)의 Z축 방향의 위치로 결정한다. 준비 검출 단계(ST8)에서는, 이와 같이 초음파 측정 단계(ST2)에 있어서 최적의 초음파 프로브(71)의 Z축 방향의 위치를 검출하여 설정할 수 있다. When the preparation detection step ST8 includes the preparation image processing step ST9 and the preparation image data 180 can be obtained in the preparation image processing step ST9, in the preparation detection step ST8, the control unit 100 First, in the ready image data 180 obtained by converting in the ready image processing step ST9, the position in the Z-axis direction of the pixel region 183 is calculated based on each pixel region of each color. In this case, in the preparation detection step ST8, the control unit 100 positions the ultrasonic probe 71 to be the focal point of the ultrasonic wave 140 irradiated by the position of the center of the Z-axis position of the pixel region 183. In the ultrasonic measurement step ST2, the ultrasonic probe 71 determines the position at which the ultrasonic probe is irradiated, that is, the position in the Z-axis direction of the ultrasonic probe 71. In the preparation detection step ST8, the position in the Z-axis direction of the optimal ultrasonic probe 71 can be detected and set in the ultrasonic measurement step ST2 in this manner.

도 15는 도 10의 준비 화상 처리 단계(ST9)에서 얻어지는 준비 화상 데이터의 다른 일례를 도시하는 설명도이다. 도 15에 도시하는 준비 화상 데이터(190)는, 상기한 도 14에 도시하는 준비 화상 데이터(180)와 마찬가지로, 검출 대상인 반도체 장치(1)에 관해서 준비 화상 처리 단계(ST9)를 실행함으로써 얻어지는 것으로, Z축 방향의 상측에서 하측으로 향하여 각 색의 화소 영역(192, 194)을 갖는다. 준비 화상 데이터(190)는, 상기한 준비 화상 데이터(180)에 있어서, 화소 영역(181, 183, 185)을 갖지 않는 것으로 변경된 형태이다. 여기서, 화소 영역(181, 183, 185)을 갖지 않다는 것은, 화소 영역(181, 183, 185)의 Z축 방향에 있어서의 두께가 초음파 측정부(110)의 화상 작성 가능한 최소 영역 미만까지 얇아져 버렸기 때문에 실질적으로 화상 상에 나타나지 않게 된 형태도 포함한다. FIG. 15 is an explanatory diagram showing another example of the ready image data obtained in the ready image processing step ST9 of FIG. 10. The preparation image data 190 shown in FIG. 15 is obtained by executing the preparation image processing step ST9 with respect to the semiconductor device 1 to be detected, similarly to the preparation image data 180 shown in FIG. 14 described above. And the pixel areas 192 and 194 of each color from the upper side to the lower side in the Z-axis direction. The preparation image data 190 is a form changed in the preparation image data 180 described above without having the pixel regions 181, 183, and 185. Here, the absence of the pixel regions 181, 183, and 185 means that the thickness in the Z-axis direction of the pixel regions 181, 183, and 185 becomes thinner than the minimum region capable of creating an image of the ultrasonic measuring unit 110. It also includes a form that is substantially not shown on the image.

준비 화상 데이터(190)에 있어서의 화소 영역(192)은, 준비 화상 데이터(180)에 있어서의 화소 영역(182)에 대응하고 있고, 준비 화상 데이터(190)에 있어서의 화소 영역(192)은, 준비 화상 데이터(180)에 있어서의 화소 영역(182)에 대응하고 있다. 또한, 준비 화상 데이터(190)에 있어서의 화소 영역(192)의 상단은, 준비 화상 데이터(180)에 있어서의 화소 영역(181)에 실질적으로 대응하고 있고, 준비 화상 데이터(190)에 있어서의 화소 영역(192)과 화소 영역(194)의 경계선은, 준비 화상 데이터(180)에 있어서의 화소 영역(183)에 실질적으로 대응하고 있고, 준비 화상 데이터(190)에 있어서의 화소 영역(194)의 하단은, 준비 화상 데이터(180)에 있어서의 화소 영역(185)에 실질적으로 대응하고 있다. The pixel region 192 in the preparation image data 190 corresponds to the pixel region 182 in the preparation image data 180, and the pixel region 192 in the preparation image data 190 This corresponds to the pixel region 182 in the ready image data 180. In addition, an upper end of the pixel region 192 in the preparation image data 190 substantially corresponds to the pixel region 181 in the preparation image data 180, and thus in the preparation image data 190. The boundary line between the pixel region 192 and the pixel region 194 substantially corresponds to the pixel region 183 in the preparation image data 180, and the pixel region 194 in the preparation image data 190. The lower end of the substantially corresponds to the pixel region 185 in the preparation image data 180.

준비 검출 단계(ST8)가 준비 화상 처리 단계(ST9)를 구비하여, 준비 화상 처리 단계(ST9)에서 준비 화상 데이터(190)를 얻을 수 있는 경우, 준비 화상 데이터(190)에는 준비 화상 데이터(180)에 있어서의 화소 영역(183)에 대응하는 영역이 없기 때문에, 준비 검출 단계(ST8)에서는, 제어 유닛(100)이, 우선 이 준비 화상 데이터(190)에 있어서, 각 색의 각 화소 영역에 기초하여, 화소 영역(192)과 화소 영역(194)의 경계에 있어서의 Z축 방향의 위치를 산출한다. 이러한 경우, 준비 검출 단계(ST8)에서는, 제어 유닛(100)이, 화소 영역(192)과 화소 영역(194)의 경계에 있어서의 Z축 방향의 위치가 조사하는 초음파(140)의 초점이 되는 초음파 프로브(71)의 위치를, 초음파 측정 단계(ST2)에 있어서 초음파 프로브(71)가 초음파를 조사하는 위치, 즉 초음파 프로브(71)의 Z축 방향의 위치로 결정한다. 준비 검출 단계(ST8)에서는, 이와 같이, 초음파 측정 단계(ST2)에 있어서 최적의 초음파 프로브(71)의 Z축 방향의 위치를 검출하여 설정할 수 있다. When the preparation detection step ST8 includes the preparation image processing step ST9 and the preparation image data 190 can be obtained in the preparation image processing step ST9, the preparation image data 190 includes the preparation image data 180. Since there is no area corresponding to the pixel area 183 in the step S), in the preparation detection step ST8, the control unit 100 first of all of the color areas of each color in the preparation image data 190 Based on this, the position in the Z-axis direction at the boundary between the pixel region 192 and the pixel region 194 is calculated. In this case, in the preparation detection step ST8, the control unit 100 becomes the focal point of the ultrasonic wave 140 to be irradiated by the position in the Z-axis direction at the boundary between the pixel region 192 and the pixel region 194. The position of the ultrasonic probe 71 is determined as the position where the ultrasonic probe 71 irradiates ultrasonic waves in the ultrasonic measuring step ST2, that is, the position in the Z-axis direction of the ultrasonic probe 71. In the preparation detection step ST8, the position in the Z-axis direction of the optimal ultrasonic probe 71 can be detected and set in the ultrasonic measurement step ST2 in this manner.

계면파 검출 판정 단계(ST10)는, 준비 검출 단계(ST8)에서 결정한 Z축 방향의 위치로 초음파 프로브(71)를 이동시켜 초음파 측정을 행함으로써, 계면파의 전압 신호(173)가 충분한 강도로 검출되었는지 여부를 판정하는 단계이다. 계면파 검출 판정 단계(ST10)에서는, 구체적으로는 제어 유닛(100)이, 준비 검출 단계(ST8)에서 결정한 Z축 방향의 위치로 초음파 프로브(71)를 이동시켜 초음파 측정을 행함으로써, 계면파의 전압 신호(173)가 미리 정해진 임계치 이상의 강도로 검출된 경우, 계면파의 전압 신호(173)가 충분한 강도로 검출되었다고 판정하여(계면파 검출 판정 단계(ST10): 예(Yes)), 처리를 초음파 측정 단계(ST2)로 진행시킨다. 초음파 측정 단계(ST2) 이후의 처리에 관해서는, 실시형태 1과 마찬가지이기 때문에 그 상세한 설명을 생략한다. In the interfacial wave detection determination step ST10, the ultrasonic probe 71 is moved to a position in the Z-axis direction determined in the preparation detection step ST8 to perform ultrasonic measurement, whereby the voltage signal 173 of the interfacial wave is of sufficient intensity. It is a step of determining whether it was detected. In the interfacial wave detection determination step ST10, specifically, the control unit 100 moves the ultrasonic probe 71 to a position in the Z-axis direction determined in the preparation detection step ST8 to perform ultrasonic measurement. When the voltage signal 173 is detected at an intensity equal to or greater than a predetermined threshold, it is determined that the voltage signal 173 of the interfacial wave is detected at a sufficient intensity (surface wave detection determination step ST10: Yes), and the process is performed. Proceeds to the ultrasonic measurement step ST2. The processing after the ultrasonic wave measuring step ST2 is the same as that in the first embodiment, and thus detailed description thereof is omitted.

한편, 제어 유닛(100)이, 준비 검출 단계(ST8)에서 결정한 Z축 방향의 위치로 초음파 프로브(71)를 이동시켜 초음파 측정을 행함으로써, 계면파의 전압 신호(173)가 미리 정해진 임계치 미만의 강도로밖에 검출되지 않은 경우, 계면파의 전압 신호(173)가 충분한 강도로 검출되지 않았다고 판정하고(계면파 검출 판정 단계(ST10): 아니오(No)), 초음파 프로브(71)를 수평 방향으로 미리 정해진 거리를 이동시킨 후, 처리를 준비 초음파 측정 단계(ST7)로 되돌린다. 계면파 검출 판정 단계(ST10)에서, 계면파의 전압 신호(173)가 충분한 강도로 검출되었다고 판정될 때까지, 준비 초음파 측정 단계(ST7) 및 준비 검출 단계(ST8)를 반복한다. On the other hand, the control unit 100 moves the ultrasonic probe 71 to the position in the Z-axis direction determined in the preparation detection step ST8 to perform ultrasonic measurement, whereby the voltage signal 173 of the interfacial wave is less than a predetermined threshold. When only the intensity is detected, it is determined that the voltage signal 173 of the interfacial wave has not been detected with sufficient intensity (surface wave detection determination step ST10: No), and the ultrasonic probe 71 is moved in the horizontal direction. After moving the predetermined distance, the process returns to the prepared ultrasonic measurement step ST7. In the interfacial wave detection determination step ST10, the preparation ultrasonic measurement step ST7 and the preparation detection step ST8 are repeated until it is determined that the voltage signal 173 of the interfacial wave is detected with sufficient intensity.

또한, 제어 유닛(100)은, 준비 화상 처리 단계(ST9)에서 작성한 준비 화상 데이터(180) 및 준비 검출 단계(ST8)에서 검출한 초음파 프로브(71)의 Z축 방향의 위치 정보를, 표시 유닛(130)에 송신하여 표시하게 하여도 좋다. 이 경우, 초음파 프로브(71)의 Z축 방향의 위치가 검출되고 있는 모습을 첫눈에 확인할 수 있음과 더불어, 계면파 검출 판정 단계(ST10)의 판정 결과를 첫눈에 확인할 수 있다. In addition, the control unit 100 displays the positional information in the Z-axis direction of the preparation image data 180 created in the preparation image processing step ST9 and the ultrasonic probe 71 detected in the preparation detection step ST8. The information may be sent to 130 and displayed. In this case, the state in which the position in the Z-axis direction of the ultrasonic probe 71 is detected can be confirmed at first sight, and the determination result of the interfacial wave detection determination step ST10 can be confirmed at first sight.

이상과 같이, 실시형태 2에 따른 분할 예정 라인의 검출 방법에 의하면, 추가로 초음파 측정 단계(ST2)의 실시 전에, 검출 대상인 반도체 장치(1)와 초음파 조사 수단으로서 기능하는 초음파 프로브(71)를 미리 정해진 간격으로 반도체 장치(1)의 두께 방향으로 상대 이동시키면서, 검출 대상인 반도체 장치(1)의 내부에 초음파(140)를 조사하여 준비 반사 에코(170-1, 170-2)를 측정하여, 반도체 장치(1)의 두께 방향에 있어서의 이 준비 반사 에코(170-1, 170-2)의 각 파의 전압 신호(171, 172, 173)의 분포로부터 초음파 측정 단계(ST2)에 있어서 초음파 프로브(71)가 초음파를 조사하는 위치를 결정한다. 이 때문에, 실시형태 2에 따른 분할 예정 라인의 검출 방법은, 초음파 측정 단계(ST2)에 있어서 최적의 초음파 프로브(71)의 Z축 방향의 위치를 검출하여 설정할 수 있다. As described above, according to the detection method of the division scheduled line according to the second embodiment, before the ultrasonic measurement step ST2 is performed, the semiconductor device 1 and the ultrasonic probe 71 serving as the ultrasonic irradiation means are further detected. While relatively moving in the thickness direction of the semiconductor device 1 at predetermined intervals, the ultrasonic wave 140 is irradiated to the inside of the semiconductor device 1 to be detected to measure the ready reflection echoes 170-1 and 170-2, Ultrasonic probe in the ultrasonic measurement step ST2 from the distribution of the voltage signals 171, 172, 173 of each wave of the ready reflection echoes 170-1, 170-2 in the thickness direction of the semiconductor device 1. 71 determines the position at which the ultrasonic waves are irradiated. For this reason, the detection method of the division planned line which concerns on Embodiment 2 can detect and set the position of the optimal ultrasonic probe 71 in the Z-axis direction in the ultrasonic measurement step ST2.

또한, 실시형태 2에 따른 분할 예정 라인의 검출 방법은, 준비 반사 에코(170-1, 170-2)를, 색 정보를 갖는 준비 화상 데이터(180)로 변환하여, 이 준비 화상 데이터(180)의 색 정보에 따라서, 초음파 측정 단계(ST2)에 있어서 초음파 프로브(71)가 초음파를 조사하는 위치를 결정한다. 이 때문에, 초음파 측정 단계(ST2)에 있어서 초음파 프로브(71)가 초음파를 조사하는 위치를 결정하는 모습을 첫눈에 확인할 수 있게 한다. In addition, in the detection method of the division scheduled line which concerns on Embodiment 2, the preparation reflection echo 170-1, 170-2 is converted into the preparation image data 180 which has color information, and this preparation image data 180 is carried out. According to the color information of the, in the ultrasonic measuring step ST2, the ultrasonic probe 71 determines the position to irradiate the ultrasonic waves. For this reason, in the ultrasonic measurement step ST2, the state where the ultrasonic probe 71 determines the position to irradiate the ultrasonic wave can be confirmed at first sight.

〔실시형태 3〕[Embodiment 3]

도 16은 실시형태 3에 따른 분할 예정 라인의 검출 방법에서 이용되는 분할 예정 라인의 검출 장치(200)의 구성예를 도시하는 개략 구성도이다. 본 발명의 실시형태 3에 따른 분할 예정 라인의 검출 방법을 도면에 기초하여 설명한다. 실시형태 3에 따른 분할 예정 라인의 검출 방법은 분할 예정 라인의 검출 장치(200)의 동작이다. 실시형태 3에 따른 분할 예정 라인의 검출 방법의 설명에서는, 실시형태 1 및 실시형태 2와 동일 부분에 동일 부호를 붙이고 설명을 생략한다. FIG. 16: is a schematic block diagram which shows the structural example of the detection apparatus 200 of the division planned line used in the detection method of the division planned line which concerns on Embodiment 3. As shown in FIG. The detection method of the division scheduled line which concerns on Embodiment 3 of this invention is demonstrated based on drawing. The detection method of the division scheduled line which concerns on Embodiment 3 is operation | movement of the detection apparatus 200 of a division scheduled line. In description of the detection method of the division scheduled line which concerns on Embodiment 3, the same code | symbol is attached | subjected to the same part as Embodiment 1 and Embodiment 2, and description is abbreviate | omitted.

분할 예정 라인의 검출 장치(200)는, 도 16에 도시한 것과 같이, 초음파 검사 유닛(70)과, 물 공급 유닛(80)과, 초음파 검사 유닛(70)을 주사하는 주사 장치(230)와, 초음파 검사 유닛(70)을 이용하여 초음파 측정을 하는 초음파 측정 장치(240)와, 분할 예정 라인의 검출 장치(200)의 각 부를 제어하는 제어 장치(260)와, 주사 장치(230)를 구동하는 구동 장치(270)와, 초음파 측정에서 얻어지는 측정 데이터에 기초하여 화상 처리를 하는 화상 처리 장치(280)와, 화상 처리된 화상 등을 표시하는 표시 유닛(130)을 구비한다. As shown in FIG. 16, the detection apparatus 200 of the division scheduled line includes an ultrasound inspection unit 70, a water supply unit 80, and an injection apparatus 230 that scans the ultrasound inspection unit 70. , The ultrasonic measuring device 240 for performing ultrasonic measurement using the ultrasonic inspection unit 70, the control device 260 for controlling each part of the detection device 200 of the scheduled division line, and the scanning device 230. And an image processing apparatus 280 for performing image processing based on the measurement data obtained by ultrasonic measurement, and a display unit 130 for displaying an image processed image or the like.

초음파 측정 장치(240)는, 실시형태 1 및 실시형태 2에서 이용된 분할 예정 라인의 검출 장치(90)에 있어서의 초음파 측정부(110)와 마찬가지로, 초음파 펄서(111)와 초음파 리시버(112)와 초음파 디텍터(113)를 가지고, 실시형태 1 및 실시형태 2에서 이용된 분할 예정 라인의 검출 장치(90)에 있어서의 초음파 측정부(110)와 같은 기능을 담당하는 것이기 때문에, 그 상세한 설명을 생략한다. 화상 처리 장치(280)는, 실시형태 1 및 실시형태 2에서 이용된 분할 예정 라인의 검출 장치(90)에 있어서의 화상 처리부(120)와 같은 기능을 담당하는 것이기 때문에, 그 상세한 설명을 생략한다. 초음파 측정 장치(240), 제어 장치(260) 및 화상 처리 장치(280)는, 모두 실시형태 1 및 실시형태 2에서 이용된 분할 예정 라인의 검출 장치(90)에 있어서의 제어 유닛(100)과 같은 기능을 담당하는 것이기 때문에, 그 상세한 설명을 생략한다. The ultrasonic measuring device 240 is similar to the ultrasonic measuring unit 110 in the detection device 90 of the division scheduled line used in the first and second embodiments, and the ultrasonic pulser 111 and the ultrasonic receiver 112. And the ultrasonic detector 113, and are responsible for the same function as the ultrasonic measuring unit 110 in the detection device 90 of the dividing scheduled line used in the first and second embodiments. Omit. Since the image processing apparatus 280 is in charge of the same function as the image processing unit 120 in the detection apparatus 90 of the division scheduled line used in the first and second embodiments, the detailed description thereof is omitted. . The ultrasonic measuring apparatus 240, the control apparatus 260, and the image processing apparatus 280 are all together with the control unit 100 in the detection apparatus 90 of the division scheduled line used in Embodiment 1 and Embodiment 2. Since it is responsible for the same function, detailed description thereof will be omitted.

주사 장치(230) 및 구동 장치(270)는, 실시형태 1 및 실시형태 2에서 이용된 분할 예정 라인의 검출 장치(90)에 있어서의 유지 테이블(11), X축 이동 유닛(30), Y축 이동 유닛(40) 및 Z축 이동 유닛(50)과 같은 기능을 담당한다. 주사 장치(230)는, 도 16에 도시한 것과 같이, 초음파 측정을 하기 위한 초음파 프로브(71)를 X축 방향, Y축 방향 및 Z축 방향으로 주사하는 초음파 주사 수단으로서 기능하는 장치이며, 시료 스테이지(234)와 한 쌍의 지주(235)와 3축 스캐너(236)와 유지 테이블(237)을 구비한다. The scanning apparatus 230 and the drive apparatus 270 are the holding table 11, the X-axis movement unit 30, and Y in the detection apparatus 90 of the division planned line used in Embodiment 1 and Embodiment 2. It is in charge of the same function as the axis movement unit 40 and the Z axis movement unit 50. As shown in FIG. 16, the scanning device 230 is a device that functions as ultrasonic scanning means for scanning the ultrasonic probe 71 for ultrasonic measurement in the X-axis direction, the Y-axis direction, and the Z-axis direction. A stage 234, a pair of struts 235, a three-axis scanner 236, and a holding table 237 are provided.

시료 스테이지(234)는 검출 대상인 반도체 장치(1)를 배치하기 위한 스테이지이다. 한 쌍의 지주(235)는, 도 16에 도시한 것과 같이, 시료 스테이지(234)에 세워져 설치되어 있고, 3축 스캐너(236)를 지지하고 있다. The sample stage 234 is a stage for arranging the semiconductor device 1 to be detected. As shown in FIG. 16, the pair of struts 235 are mounted on the sample stage 234 to support the triaxial scanner 236.

3축 스캐너(236)는, 도 16에 도시한 것과 같이, X축 방향으로 평행하게 설치된 X축 방향 가이드 레일(236-1), Y축 방향으로 평행하게 설치된 Y축 방향 가이드 레일(236-2) 및 Z축 방향으로 평행하게 설치된 Z축 방향 가이드 레일(236-3)을 갖는다. 3축 스캐너(236)는, X축 방향 가이드 레일(236-1)의 양단부에서, 한 쌍의 지주(235)에 설치되어 지지되어 있다. As illustrated in FIG. 16, the three-axis scanner 236 includes an X-axis direction guide rail 236-1 provided in parallel in the X-axis direction, and a Y-axis direction guide rail 236-2 provided in parallel in the Y-axis direction. And the Z-axis direction guide rail 236-3 provided in parallel in the Z-axis direction. The triaxial scanner 236 is attached to and supported by a pair of struts 235 at both ends of the X-axis direction guide rail 236-1.

3축 스캐너(236)는, 도 16에 도시한 것과 같이, Z축 방향 가이드 레일(236-3)의 Z축 방향 하측의 단부에, 초음파 프로브(71)의 Z축 방향 상측의 단부가 설치되어 있다. 3축 스캐너(236)는, 초음파 프로브(71)를, X축 방향 가이드 레일(236-1), Y축 방향 가이드 레일(236-2) 및 Z축 방향 가이드 레일(236-3)을 따라서, X축 방향, Y축 방향 및 Z축 방향으로 이동 가능하게 지지하고 있다. 3축 스캐너(236)는, 구동 장치(270)와 전기적으로 접속되어 있어, 구동 장치(270)로부터의 구동력의 공급을 받아, 초음파 프로브(71)를 X축 방향, Y축 방향 및 Z축 방향으로 이동시킬 수 있다. 16, the Z-axis direction upper edge part of the ultrasonic probe 71 is provided in the Z-axis direction lower edge part of the Z-axis direction guide rail 236-3, as shown in FIG. have. The three-axis scanner 236, along the ultrasonic probe 71, along the X-axis direction guide rail 236-1, Y-axis direction guide rail 236-2 and Z-axis direction guide rail 236-3, It supports so that a movement to an X-axis direction, a Y-axis direction, and a Z-axis direction is possible. The three-axis scanner 236 is electrically connected to the drive device 270, receives the supply of driving force from the drive device 270, and moves the ultrasonic probe 71 to the X-axis direction, the Y-axis direction, and the Z-axis direction. Can be moved to

유지 테이블(237)은, 도 16에 도시한 것과 같이, 시료 스테이지(234)의 Z축 방향 상측에 설치되어 있다. 유지 테이블(237)은, 도시하지 않는 진공 흡인원과 접속되어, 진공 흡인원에 의해 흡인됨으로써, Z축 방향 상측의 면에 있어서, 검출 대상인 반도체 장치(1)를 흡인, 유지한다. 또한, 유지 테이블(237)의 주위에는, 도시하지 않는 에어 액츄에이터에 의해 구동하여, 검출 대상인 반도체 장치(1)의 주위의 외주 잉여 영역(6)을 협지하는 도시하지 않는 클램프부가 복수 마련되어 있다. 실시형태 3에서는, 유지 테이블(237)은, 검출 대상인 반도체 장치(1)를, 복수의 디바이스 칩(3)이 2차원 배열되어 있는 각 방향이 각각 X축 방향 및 Y축 방향을 따르도록 유지한다. The holding table 237 is provided above the Z-axis direction of the sample stage 234, as shown in FIG. The holding table 237 is connected to a vacuum suction source (not shown) and sucked by the vacuum suction source to suck and hold the semiconductor device 1 to be detected on the surface above the Z-axis direction. Further, around the holding table 237, a plurality of clamp portions, not shown, which are driven by an air actuator (not shown) and sandwich the outer circumference surplus region 6 around the semiconductor device 1 as the detection target are provided. In Embodiment 3, the holding table 237 holds the semiconductor device 1 to be detected so that each direction in which the plurality of device chips 3 are two-dimensionally arranged along the X-axis direction and the Y-axis direction, respectively. .

제어 장치(260)는, 구동 장치(270)를 제어함으로써 초음파 프로브(71)의 위치를 제어한다. 제어 장치(260)는, 구동 장치(270)를 제어함으로써 초음파 프로브(71)의 X축 방향 및 Y축 방향으로의 주사를 제어한다. 제어 장치(260)는, 구동 장치(270)를 제어함으로써 초음파 프로브(71)의 Z축 방향으로의 이동을 제어한다. The control device 260 controls the position of the ultrasonic probe 71 by controlling the drive device 270. The controller 260 controls the scan in the X-axis direction and the Y-axis direction of the ultrasonic probe 71 by controlling the drive device 270. The control device 260 controls the movement of the ultrasonic probe 71 in the Z-axis direction by controlling the drive device 270.

구동 장치(270)는 3축 스캐너(236)에 내장되어 있는 각 축의 모터를 작동시킨다. 구동 장치(270)는, 이로써 검출 대상인 반도체 장치(1)의 Z축 방향의 상측의 면을 따라서 초음파 프로브(71)를 주사 이동시킨다. The driving device 270 operates a motor of each axis embedded in the three-axis scanner 236. The driving device 270 scans and moves the ultrasonic probe 71 along the upper surface of the semiconductor device 1 to be detected in the Z-axis direction.

이어서, 실시형태 3에 따른 분할 예정 라인의 검출 방법을 설명한다. 실시형태 3에 따른 분할 예정 라인의 검출 방법은, 분할 예정 라인의 검출 장치(200)의 동작이다. 도 17은 실시형태 3에 따른 분할 예정 라인의 검출 방법의 일례를 도시하는 흐름도이다. 도 18은 실시형태 3에 따른 분할 예정 라인의 검출 방법의 다른 일례를 도시하는 흐름도이다. Next, the detection method of the division scheduled line which concerns on Embodiment 3 is demonstrated. The detection method of the division scheduled line which concerns on Embodiment 3 is operation | movement of the detection apparatus 200 of a division scheduled line. 17 is a flowchart illustrating an example of a method for detecting division scheduled lines according to a third embodiment. 18 is a flowchart illustrating another example of the detection method of the division scheduled line according to the third embodiment.

실시형태 3에 따른 분할 예정 라인의 검출 방법의 일례는, 도 17에 도시한 것과 같이, 유지 단계(ST1)와 초음파 측정 단계(ST2)와 검출 단계(ST3)를 구비한다. 검출 단계(ST3)는 화상 처리 단계(ST4)를 구비한다. 실시형태 3에 따른 분할 예정 라인의 검출 방법은, 실시형태 1에 따른 분할 예정 라인의 검출 방법에 있어서, 얼라인먼트 단계(ST5)와 절삭 단계(ST6)가 생략된 것이다. An example of the detection method of the division scheduled line which concerns on Embodiment 3 is equipped with the holding | maintenance step ST1, the ultrasonic measurement step ST2, and the detection step ST3, as shown in FIG. The detecting step ST3 includes an image processing step ST4. In the detection method of the division planned line which concerns on Embodiment 3, in the detection method of the division planned line which concerns on Embodiment 1, the alignment step ST5 and the cutting step ST6 are abbreviate | omitted.

실시형태 3에 따른 분할 예정 라인의 검출 방법의 다른 일례는, 도 18에 도시한 것과 같이, 유지 단계(ST1)와 초음파 측정 단계(ST2)와 검출 단계(ST3)에 더하여, 초음파 측정 단계(ST2) 및 검출 단계(ST3) 전에, 추가로 준비 초음파 측정 단계(ST7)와 준비 검출 단계(ST8)와 계면파 검출 판정 단계(ST10)를 구비한다. 검출 단계(ST3)는 화상 처리 단계(ST4)를 구비한다. 준비 검출 단계(ST8)는 준비 화상 처리 단계(ST9)를 구비한다. 실시형태 3에 따른 분할 예정 라인의 검출 방법은, 실시형태 2에 따른 분할 예정 라인의 검출 방법에 있어서, 얼라인먼트 단계(ST5)와 절삭 단계(ST6)가 생략된 것이다. As another example of the detection method of the division scheduled line according to the third embodiment, as illustrated in FIG. 18, in addition to the holding step ST1, the ultrasonic measuring step ST2, and the detecting step ST3, the ultrasonic measuring step ST2. ) And before the detection step ST3, a preparation ultrasonic measurement step ST7, a preparation detection step ST8 and an interface wave detection determination step ST10 are further provided. The detecting step ST3 includes an image processing step ST4. The preparation detection step ST8 includes a preparation image processing step ST9. In the detection method of the division planned line which concerns on Embodiment 3, in the detection method of the division planned line which concerns on Embodiment 2, the alignment step ST5 and the cutting step ST6 are abbreviate | omitted.

이상과 같이, 실시형태 3에 따른 분할 예정 라인의 검출 방법에 의하면, 얼라인먼트 단계(ST5) 및 절삭 단계(ST6)에 관한 부분을 제외하고, 실시형태 1 및 실시형태 2에 따른 분할 예정 라인의 검출 방법과 같은 작용 효과를 발휘한다. As described above, according to the detection method of the division scheduled line according to the third embodiment, the division scheduled lines according to the first and second embodiments are detected except for the portions related to the alignment step ST5 and the cutting step ST6. It has the same effect as the method.

또한, 실시형태 3에 따른 분할 예정 라인의 검출 방법은, 절삭 유닛(20)을 구비하지 않는 분할 예정 라인의 검출 장치(200)를 이용하기 때문에, 검출 대상인 반도체 장치(1)를 절삭 가공할 필요가 없는 경우라도 용이하게 적합하게 실시할 수 있다. In addition, since the detection method of the division planned line which concerns on Embodiment 3 uses the detection apparatus 200 of the division planned line which does not have the cutting unit 20, it is necessary to cut the semiconductor device 1 which is a detection object. Even if there is no, it can be suitably carried out easily.

〔변형예 1〕[Modification 1]

도 19는 실시형태 1부터 실시형태 3의 변형예 1에 따른 분할 예정 라인의 검출 방법의 대상 반도체 장치(301)의 일례를 도시하는 표면도이다. 도 20은 도 19의 반도체 장치(301)에 있어서의 XX-XX 단면도이다. 본 발명의 실시형태 1부터 실시형태 3의 변형예 1에 따른 분할 예정 라인의 검출 방법을 도면에 기초하여 설명한다. 본 발명의 실시형태 1부터 실시형태 3의 변형예 1에 따른 분할 예정 라인의 검출 방법은, 본 발명의 실시형태 1부터 실시형태 3의 각 실시형태에 따른 분할 예정 라인의 검출 방법에 있어서, 분할 예정 라인의 검출 방법의 대상을, 반도체 장치(1)에서 반도체 장치(301)로 변경한 것이다. 실시형태 1부터 실시형태 3의 변형예 1에 따른 분할 예정 라인의 검출 방법의 설명에서는, 실시형태 1부터 실시형태 3과 동일한 부분에 동일 부호를 붙이고 설명을 생략한다. 19 is a surface diagram illustrating an example of a target semiconductor device 301 of the method for detecting division scheduled lines according to Modification Example 1 of the first to third embodiments. 20 is a cross-sectional view taken along line XX-XX in the semiconductor device 301 of FIG. 19. The detection method of the division scheduled line which concerns on modified example 1 of Embodiment 1-Embodiment 3 of this invention is demonstrated based on drawing. The detection method of the division scheduled line which concerns on the modified example 1 of Embodiment 1-Embodiment 3 of this invention is division | segmentation in the detection method of the division scheduled line which concerns on each embodiment of Embodiment 1-Embodiment 3 of this invention. The object of the detection method of the predetermined line is changed from the semiconductor device 1 to the semiconductor device 301. In description of the detection method of the division scheduled line which concerns on the modification 1 of Embodiment 1 thru | or 3, the same code | symbol is attached | subjected to the same part as Embodiment 1-Embodiment 3, and description is abbreviate | omitted.

반도체 장치(301)는, 도 19 및 도 20에 도시한 것과 같이, 패키지 기판형, 즉 장방형의 판 형상이며, 복수의 디바이스 칩(3)과 수지(4)와 분할 예정 라인(5)과 외주 잉여 영역(6)과 땜납 범프(303)와 패키지 기판(304)과 땜납 볼(305)을 갖는다. 반도체 장치(301)에 있어서의 복수의 디바이스 칩(3), 수지(4), 분할 예정 라인(5) 및 외주 잉여 영역(6)은, 반도체 장치(1)에 있어서의 것과 마찬가지이기 때문에 그 상세한 설명을 생략한다. 19 and 20, the semiconductor device 301 has a package substrate type, that is, a rectangular plate shape, and includes a plurality of device chips 3, a resin 4, a division scheduled line 5, and an outer periphery. The excess region 6, the solder bumps 303, the package substrate 304, and the solder balls 305 are provided. The plurality of device chips 3, the resin 4, the division scheduled line 5 and the outer circumferential surplus region 6 in the semiconductor device 301 are the same as those in the semiconductor device 1, and thus the details thereof are the same. Omit the description.

도 19 및 도 20에 도시하는 반도체 장치(301)는, 예컨대 미리 정해진 웨이퍼를 분할하여 얻어진 디바이스 칩(3)을 땜납 범프(303)를 통해 패키지 기판(304) 위에 배열하여 수지(4)로 밀봉됨으로써 제조된다. The semiconductor device 301 shown in FIGS. 19 and 20 arranges, for example, the device chip 3 obtained by dividing a predetermined wafer onto the package substrate 304 via the solder bumps 303 and sealed with the resin 4. It is manufactured by doing so.

땜납 범프(303)는, 도 20에 도시한 것과 같이, 디바이스 칩(3)의 이면, 즉, 디바이스 칩(3)의 수지(4)가 덮인 측과는 반대쪽에 마련되어 있다. 땜납 범프(303)는, 디바이스 칩(3)과 디바이스 칩(3)이 배치되는 패키지 기판(304)의 사이를 전기 전도 가능하게 접합한다. The solder bump 303 is provided on the back side of the device chip 3, ie, on the opposite side to the side covered with the resin 4 of the device chip 3, as shown in FIG. 20. The solder bump 303 joins between the device chip 3 and the package substrate 304 on which the device chip 3 is disposed so as to be electrically conductive.

패키지 기판(304)은, 도 20에 도시한 것과 같이, 땜납 범프(303)의 이면, 즉, 땜납 범프(303)의 디바이스 칩(3)이 마련된 측과는 반대쪽에 마련되어 있다. 패키지 기판(304)은, 표면 측에, 땜납 범프(303)를 통해 디바이스 칩(3)이 배치되어 있다. 패키지 기판(304)은, 복수의 디바이스 칩(3) 및 분할 예정 라인(5)에 공통으로 마련되어 있다. 패키지 기판(304)은, 내부에, 디바이스 칩(3)과 디바이스 칩(3)이 탑재되는 프린트 배선 기판의 사이를 전기적으로 접속하는 전기 회로가 설치된 기판이다. As shown in FIG. 20, the package substrate 304 is provided on the back surface of the solder bump 303, that is, on the opposite side to the side where the device chip 3 of the solder bump 303 is provided. In the package substrate 304, the device chip 3 is disposed on the surface side via the solder bumps 303. The package substrate 304 is provided in common in the plurality of device chips 3 and the division schedule lines 5. The package board | substrate 304 is a board | substrate with which the electric circuit which electrically connects between the device chip 3 and the printed wiring board on which the device chip 3 is mounted is provided.

땜납 볼(305)은, 도 20에 도시한 것과 같이, 패키지 기판(304)의 이면, 즉, 패키지 기판(304)의 디바이스 칩(3)이 마련된 측과는 반대쪽에, 복수 개 균일하게 마련되어 있다. 땜납 볼(305)은, 반도체 장치(301)가 디바이스 칩(3)마다 분할된 후에, 패키지 기판(304)과 프린트 배선 기판의 사이를 전기 전도 가능하게 접합하기 위해서 이용된다. As shown in FIG. 20, the solder ball 305 is provided uniformly in the back surface of the package board | substrate 304, ie, the opposite side to the side in which the device chip 3 of the package board | substrate 304 was provided. . The solder balls 305 are used to electrically connect the package substrate 304 to the printed wiring board after the semiconductor device 301 is divided for each device chip 3.

반도체 장치(301)는, 분할 예정 라인(5)을 따라서 디바이스 칩(3)마다 분할되어, 개개의 도 19 및 도 20에 도시하는 패키지 디바이스(307)로 분할된다. 패키지 디바이스(307)는, 땜납 볼(305)을 배치한 패키지 기판(304)과, 패키지 기판(304) 상에 실장된 하나의 디바이스 칩(3)과, 디바이스 칩(3)을 밀봉한 수지(4)를 구비한다. 변형예 1에 있어서, 패키지 디바이스(307)는, 본딩 와이어에 의한 내부 배선을 행하지 않고, 단일체의 디바이스 칩(3)의 일부가 노출된 채로의, 거의 최소가 되는 반도체 부품의 패키지의 한 형태인 WLCSP(Wafer Level Chip Size Package)이다. WLCSP인 패키지 디바이스(307)는, 패키지 면적이 디바이스 칩(3)의 수평 방향의 면적과 동일하기 때문에, 프린트 기판 상에 단일체의 디바이스 칩(3)을 표면 실장할 때에 작은 점유 면적으로 끝낼 수 있다. The semiconductor device 301 is divided for each device chip 3 along the division scheduled line 5, and divided into package devices 307 shown in FIGS. 19 and 20. The package device 307 includes a package substrate 304 on which solder balls 305 are disposed, one device chip 3 mounted on the package substrate 304, and a resin sealing the device chip 3 ( 4) is provided. In the modification 1, the package device 307 is a form of the package of the semiconductor component which becomes the minimum with a part of the unitary device chip 3 exposed, without performing internal wiring by a bonding wire. Wafer Level Chip Size Package (WLCSP). The package device 307, which is a WLCSP, can be finished with a small occupied area when the surface of the unitary device chip 3 is surface-mounted on the printed board because the package area is the same as that of the device chip 3 in the horizontal direction. .

이어서, 본 발명의 실시형태 1부터 실시형태 3의 변형예 1에 따른 분할 예정 라인의 검출 방법을 설명한다. 도 21은 실시형태 1부터 실시형태 3의 변형예 1에 따른 분할 예정 라인의 검출 방법의 화상 처리 단계(ST4)에서 얻어지는 화상 데이터(315)의 일례를 도시하는 설명도이다. 본 발명의 실시형태 1부터 실시형태 3의 변형예 1에 따른 분할 예정 라인의 검출 방법은, 본 발명의 실시형태 1부터 실시형태 3의 각 실시형태에 따른 분할 예정 라인의 검출 방법에 있어서, 화상 처리 단계(ST4)에서 얻어지는 화상 데이터가 화상 데이터(315)로 변경된다. Next, the detection method of the division scheduled line which concerns on the modified example 1 of Embodiment 1-Embodiment 3 of this invention is demonstrated. FIG. 21: is explanatory drawing which shows an example of the image data 315 obtained by the image processing step ST4 of the detection method of the division scheduled line which concerns on the modification 1 of Embodiment 1 thru | or 3. The detection method of the division scheduled line which concerns on the modified example 1 of Embodiment 1-Embodiment 3 of this invention is an image in the detection method of the division scheduled line which concerns on each embodiment of Embodiment 1-Embodiment 3 of this invention. The image data obtained in the processing step ST4 is changed to the image data 315.

도 21에 도시하는 화상 데이터(315)는, 검출 대상인 반도체 장치(301)에 관해서 화상 처리 단계(ST4)를 실행함으로써 얻어지는 것으로, 제1 색의 화소 영역(317)과 제2 색의 화소 영역(318)을 갖는다. The image data 315 shown in FIG. 21 is obtained by performing the image processing step ST4 with respect to the semiconductor device 301 to be detected, and the pixel region 317 of the first color and the pixel region of the second color ( 318).

화상 데이터(315)에 있어서의 제1 색의 화소 영역(317)은, 도 21에 도시한 것과 같이, 디바이스 칩(3)이 배열되어 있는 영역에 대응하고 있다. 화상 데이터(315)에 있어서의 제2 색의 화소 영역(318)은, 도 21에 도시한 것과 같이, 디바이스 칩(3)이 배열되어 있지 않은 영역, 즉, 분할 예정 라인(5) 및 외주 잉여 영역(6)에 대응하고 있다. The pixel region 317 of the first color in the image data 315 corresponds to the region in which the device chip 3 is arranged, as shown in FIG. 21. As shown in FIG. 21, the pixel region 318 of the second color in the image data 315 is an area in which the device chip 3 is not arranged, that is, the division scheduled line 5 and the outer circumference surplus. It corresponds to the area | region 6.

이상과 같이, 실시형태 1부터 실시형태 3의 변형예 1에 따른 분할 예정 라인의 검출 방법에 의하면, 실시형태 1부터 실시형태 3의 각 실시형태에 따른 분할 예정 라인의 검출 방법에 있어서, 분할 예정 라인의 검출 방법의 대상이 반도체 장치(301)로 변경되고, 화상 처리 단계(ST4)에서 얻어지는 화상 데이터가 화상 데이터(315)로 변경되는 것이기 때문에, 실시형태 1부터 실시형태 3의 각 실시형태에 따른 분할 예정 라인의 검출 방법과 같은 작용 효과를 발휘한다. As described above, according to the detection method of the division scheduled line according to the modification 1 of the first embodiment to the third embodiment, in the detection method of the division scheduled line according to each embodiment of the first to third embodiments, the division scheduled Since the object of the line detection method is changed to the semiconductor device 301, and the image data obtained in the image processing step ST4 is changed to the image data 315, the respective embodiments of the first to third embodiments are used. The same effect as that of the detection method of the division scheduled line is performed.

〔변형예 2〕[Modification 2]

도 22는 실시형태 1부터 실시형태 3의 변형예 2에 따른 분할 예정 라인의 검출 방법의 대상 반도체 장치(331)의 일례를 도시하는 표면도이다. 도 23은 도 22의 반도체 장치(331)에 있어서의 XXIII-XXIII 단면도이다. 본 발명의 실시형태 1부터 실시형태 3의 변형예 2에 따른 분할 예정 라인의 검출 방법을 도면에 기초하여 설명한다. 본 발명의 실시형태 1부터 실시형태 3의 변형예 2에 따른 분할 예정 라인의 검출 방법은, 본 발명의 실시형태 1부터 실시형태 3의 각 실시형태에 따른 분할 예정 라인의 검출 방법에 있어서, 분할 예정 라인의 검출 방법의 대상을 반도체 장치(1)에서 반도체 장치(331)로 변경한 것이다. 실시형태 1부터 실시형태 3의 변형예 2에 따른 분할 예정 라인의 검출 방법의 설명에서는, 실시형태 1부터 실시형태 3과 동일 부분에 동일 부호를 붙이고 설명을 생략한다. FIG. 22: is a surface view which shows an example of the target semiconductor device 331 of the detection method of the division schedule line which concerns on the modification 2 of Embodiment 1 thru | or Third Embodiment. FIG. 23 is a sectional view taken along the line XXIII-XXIII in the semiconductor device 331 of FIG. The detection method of the division scheduled line which concerns on modified example 2 of Embodiment 1-Embodiment 3 of this invention is demonstrated based on drawing. The detection method of the division scheduled line which concerns on the modified example 2 of Embodiment 1-Embodiment 3 of this invention is division | segmentation in the detection method of the division scheduled line which concerns on each embodiment of Embodiment 1-Embodiment 3 of this invention. The object of the predetermined line detection method is changed from the semiconductor device 1 to the semiconductor device 331. In description of the detection method of the division scheduled line which concerns on the modification 2 of Embodiment 1 thru | or 3, the same code | symbol is attached | subjected to the same part as Embodiment 1-Embodiment 3, and description is abbreviate | omitted.

반도체 장치(331)는, 도 22 및 도 23에 도시한 것과 같이, 웨이퍼 형상, 즉 원형의 판 형상이며, 복수의 디바이스 칩(3)과 수지(4)와 분할 예정 라인(5)과 외주 잉여 영역(6)과 홈(332)과 범프(333)를 갖는다. 반도체 장치(331)에 있어서의 복수의 디바이스 칩(3), 수지(4), 분할 예정 라인(5) 및 외주 잉여 영역(6)은, 반도체 장치(1)에 있어서의 것과 마찬가지이기 때문에 그 상세한 설명을 생략한다. As shown in FIGS. 22 and 23, the semiconductor device 331 has a wafer shape, that is, a circular plate shape, and includes a plurality of device chips 3, a resin 4, a division scheduled line 5, and an outer periphery. Region 6 and groove 332 and bump 333. The plurality of device chips 3, the resins 4, the division scheduled lines 5, and the outer circumferential excess region 6 in the semiconductor device 331 are the same as those in the semiconductor device 1, and thus, the details thereof are the same. Omit the description.

도 22 및 도 23에 도시하는 반도체 장치(331)는, 반도체 부품의 패키지의 한 형태이며, 복수의 디바이스 칩(3)의 근간이 되는 웨이퍼에 대하여, 분할 예정 라인(5)을 따라서 홈(332)의 근간이 되는 하프-컷트 홈을 형성하고, 이 하프-컷트 홈을 수지(4)로 표면에서 덮어 밀봉 및 매설하고, 이면에서 연마 처리를 하여, 이 하프-컷트 홈을 인접하는 2개의 디바이스 칩(3) 사이에 형성되는 홈(332)으로 함으로써 제조된다. The semiconductor device 331 shown in FIG. 22 and FIG. 23 is a form of package of a semiconductor component, and the groove | channel 332 along the division planned line 5 with respect to the wafer used as the basis of the some device chip 3 is carried out. ), The half-cut groove is formed on the surface of the half-cut groove, covered with a resin (4), sealed and embedded, and polished from the back side, so that the two half-cut grooves are adjacent to each other. It is manufactured by making the grooves 332 formed between the chips 3.

홈(332)은 분할 예정 라인(5)을 따라서 형성되며, 수지(4)가 매설되어 있다. 범프(333)는 디바이스 칩(3)의 표면에 수지(4)를 관통하여 튀어나오게 형성되어 있다. 반도체 장치(331)는, 분할 예정 라인(5)을 따라서 디바이스 칩(3)마다 홈(332) 내의 수지(4)가 분할되어, 도 23에 도시하는 패키지 디바이스(337)로 분할된다. The groove 332 is formed along the division scheduled line 5, and the resin 4 is embedded. The bump 333 is formed to protrude through the resin 4 on the surface of the device chip 3. In the semiconductor device 331, the resin 4 in the groove 332 is divided for each device chip 3 along the division scheduled line 5, and divided into a package device 337 illustrated in FIG. 23.

이어서, 본 발명의 실시형태 1부터 실시형태 3의 변형예 2에 따른 분할 예정 라인의 검출 방법을 설명한다. 본 발명의 실시형태 1부터 실시형태 3의 변형예 2에 따른 분할 예정 라인의 검출법은, 본 발명의 실시형태 1부터 실시형태 3의 각 실시형태에 따른 분할 예정 라인의 검출 방법과 비교하여, 초음파 측정 단계(ST2) 및 준비 초음파 측정 단계(ST7)에 있어서의 초음파 측정 시에 범프(333)가 근소한 영향을 미치게 할 가능성이 있는 점을 제외하고, 대략 같다. Next, the detection method of the division scheduled line which concerns on the modified example 2 of Embodiment 1-Embodiment 3 of this invention is demonstrated. The detection method of the division scheduled line which concerns on the modified example 2 of Embodiment 1-Embodiment 3 of this invention is compared with the detection method of the division scheduled line which concerns on each embodiment of Embodiment 1-Embodiment 3 of this invention, and an ultrasonic wave. It is substantially the same except that there is a possibility that the bump 333 slightly affects the ultrasonic measurement in the measuring step ST2 and the preparation ultrasonic measuring step ST7.

이상과 같이, 실시형태 1부터 실시형태 3의 변형예 2에 따른 분할 예정 라인의 검출 방법에 의하면, 실시형태 1부터 실시형태 3의 각 실시형태에 따른 분할 예정 라인의 검출 방법과 비교하여, 초음파 측정 단계(ST2) 및 준비 초음파 측정 단계(ST7)에 있어서의 초음파 측정 시에 범프(333)가 근소한 영향을 미치게 할 가능성이 있는 점을 제외하고 대략 같기 때문에, 실시형태 1부터 실시형태 3의 각 실시형태에 따른 분할 예정 라인의 검출 방법과 같은 작용 효과를 발휘한다. As mentioned above, according to the detection method of the division scheduled line which concerns on the modification 2 of Embodiment 1 thru | or Embodiment 3, compared with the detection method of the division scheduled line which concerns on each embodiment of Embodiment 1-Embodiment 3, it is an ultrasonic wave. Since each of the bumps 333 is approximately the same except that there is a possibility that the bumps 333 have a slight influence in the ultrasonic measurement in the measuring step ST2 and the preparation ultrasonic measuring step ST7, the angles of the first to third embodiments are the same. The same operation and effect as the detection method of the division scheduled line which concerns on embodiment is exhibited.

또한, 상술한 실시형태 1, 실시형태 2 및 실시형태 3, 그리고 각 실시형태의 변형예 1 및 변형예 2에 따른 분할 예정 라인의 검출 방법에 의하면, 이하의 분할 예정 라인의 검출 장치를 얻을 수 있다. Moreover, according to the detection method of the division scheduled line which concerns on Embodiment 1, Embodiment 2, and Embodiment 3 mentioned above, and modified example 1 and modified example 2 of each embodiment, the following detection apparatus of a division scheduled line is obtained. have.

(부기 1)(Book 1)

수지에 밀봉된 복수의 디바이스 칩을 갖는 반도체 장치를 상기 디바이스 칩마다 개편화하기 위한 분할 예정 라인을 검출하는 검출 장치로서, A detection apparatus for detecting a division scheduled line for individualizing a semiconductor device having a plurality of device chips sealed in a resin for each device chip,

상기 반도체 장치를 유지하는 유지 테이블과, A holding table for holding the semiconductor device;

상기 유지 테이블에 유지된 상기 반도체 장치와 초음파 조사 수단을 미리 정해진 간격으로 수평 방향으로 상대 이동시키면서 상기 반도체 장치의 미리 정해진 두께 부분에 초음파를 조사하여 반사 에코를 측정하는 초음파 측정 수단과, Ultrasonic measuring means for measuring a reflected echo by irradiating ultrasonic waves to a predetermined thickness portion of the semiconductor device while relatively moving the semiconductor device and ultrasonic irradiation means held in the holding table in a horizontal direction at predetermined intervals;

상기 초음파 측정 수단의 각 부를 제어하는 제어 수단을 구비하고, And control means for controlling each part of the ultrasonic measuring means,

상기 제어 수단은, 상기 반사 에코의 분포로부터 상기 분할 예정 라인을 검출하는 것을 특징으로 하는 분할 예정 라인의 검출 장치. And the control means detects the division scheduled line from the distribution of the reflected echoes.

(부기 2)(Book 2)

상기 초음파 측정 수단은, The ultrasonic measuring means,

상기 반사 에코를 측정하기 전에, Before measuring the reflected echo,

상기 반도체 장치와 상기 초음파 조사 수단을 미리 정해진 간격으로 상기 반도체 장치의 두께 방향으로 상대 이동시키면서 상기 반도체 장치의 내부에 초음파를 조사하여 준비 반사 에코를 측정하고, Measuring the ready reflection echo by irradiating ultrasonic waves inside the semiconductor device while relatively moving the semiconductor device and the ultrasonic irradiation means in the thickness direction of the semiconductor device at predetermined intervals,

상기 제어 수단은, The control means,

상기 반사 에코를 측정하기 전에, Before measuring the reflected echo,

상기 준비 반사 에코의 상기 반도체 장치의 두께 방향의 분포로부터, 상기 반사 에코를 측정할 때에 초음파를 조사하는 위치를 결정하는 것을 특징으로 하는 부기 1에 기재한 분할 예정 라인의 검출 장치. An apparatus for detecting a split schedule line according to Appendix 1, characterized in that the position at which ultrasonic waves are irradiated when the reflection echo is measured is determined from the distribution in the thickness direction of the semiconductor device of the prepared reflection echo.

(부기 3)(Appendix 3)

수지에 밀봉된 복수의 디바이스 칩을 갖는 반도체 장치를 상기 디바이스 칩마다 개편화하는 절삭 장치로서, A cutting device for individualizing a semiconductor device having a plurality of device chips sealed in a resin for each device chip,

상기 반도체 장치를 유지하는 유지 테이블과, A holding table for holding the semiconductor device;

상기 유지 테이블에 유지된 상기 반도체 장치를 절삭하는 절삭 유닛과, A cutting unit for cutting the semiconductor device held on the holding table;

상기 유지 테이블에 유지된 상기 반도체 장치와 초음파 조사 수단을 미리 정해진 간격으로 수평 방향으로 상대 이동시키면서 상기 반도체 장치의 미리 정해진 두께 부분에 초음파를 조사하여 반사 에코를 측정하는 초음파 측정 수단과, Ultrasonic measuring means for measuring a reflected echo by irradiating ultrasonic waves to a predetermined thickness portion of the semiconductor device while relatively moving the semiconductor device and ultrasonic irradiation means held in the holding table in a horizontal direction at predetermined intervals;

각 구성 요소를 제어하는 제어 수단을 구비하고, Having control means for controlling each component,

상기 제어 수단은, 상기 반사 에코의 분포로부터 상기 분할 예정 라인을 검출하는 것을 특징으로 하는 절삭 장치. And the control means detects the division scheduled line from the distribution of the reflected echoes.

상기 분할 예정 라인의 검출 장치 및 절삭 장치는, 실시형태 1 및 실시형태 2에 따른 분할 예정 라인의 검출 방법과 마찬가지로, 검출 대상인 반도체 장치와 초음파 조사 수단으로서 기능하는 초음파 프로브를 미리 정해진 간격으로 수평 방향으로 상대 이동시키면서, 검출 대상인 반도체 장치의 미리 정해진 두께 부분에 초음파를 조사하여 반사 에코를 측정하고, 이 반사 에코의 분포로부터 분할 예정 라인을 검출한다. 이 때문에, 상기 분할 예정 라인의 검출 장치는, 분할 예정 라인을 검출하기 위해서 가공을 실시하는 일이 때문에, 가공에 따른 절삭 부스러기가 디바이스 칩에 부착되어 버릴 가능성을 저감할 수 있다. The detection device and the cutting device for the division scheduled line are horizontally arranged at predetermined intervals in the same manner as the detection method for the division scheduled line according to the first and second embodiments, the semiconductor device and the ultrasonic probe serving as the ultrasonic irradiation means. While moving relative to each other, the ultrasonic wave is irradiated to a predetermined thickness portion of the semiconductor device to be detected, and the reflection echo is measured, and the division scheduled line is detected from the distribution of the reflection echoes. For this reason, since the said detection apparatus of a division planned line may process in order to detect a division scheduled line, the possibility that the cutting chips accompanying a process will adhere to a device chip can be reduced.

또한, 본 발명은 상기 실시형태에 한정되는 것이 아니다. 즉, 본 발명의 골자를 일탈하지 않는 범위에서 여러 가지로 변형하여 실시할 수 있다. In addition, this invention is not limited to the said embodiment. In other words, the present invention can be modified in various ways without departing from the bones of the present invention.

1, 301, 331: 반도체 장치, 3: 디바이스 칩, 4: 수지, 5: 분할 예정 라인, 6: 외주 잉여 영역, 7, 307, 337: 패키지 디바이스, 8: 재배선층, 9, 305: 땜납 볼, 10: 절삭 장치, 11: 유지 테이블, 12: 유지면, 13: 회전 구동원, 20: 절삭 유닛, 21: 절삭 블레이드, 22: 스핀들, 23: 스핀들 하우징, 30: X축 이동 유닛, 31, 41, 51: 볼나사, 32, 42, 52: 펄스 모터, 33, 43, 53: 가이드 레일, 34: X 방향 위치 검출 유닛, 35, 45: 리니어 스케일, 36, 46: 판독 헤드, 40: Y축 이동 유닛, 44: Y 방향 위치 검출 유닛, 50: Z축 이동 유닛, 54: Z 방향 위치 검출 유닛, 60: 촬상 유닛, 70: 초음파 검사 유닛, 71: 초음파 프로브, 71-1, 71-2, 71-3: 위치, 72: 홀더, 73: 물 공급로, 78: 공간, 79: 물, 80: 물 공급 유닛, 90, 200: 분할 예정 라인의 검출 장치, 100: 제어 유닛, 110: 초음파 측정부, 111: 초음파 펄서, 112: 초음파 리시버, 113: 초음파 디텍터, 120: 화상 처리부, 130: 표시 유닛, 140, 140-1, 140-2, 140-3: 초음파, 150-1, 150-2, 150-3: 반사 에코, 151, 152, 153, 171, 172, 173: 전압 신호, 155, 315: 화상 데이터, 157, 158, 181, 182, 183, 184, 185, 192, 194, 317, 318: 화소 영역, 160-1, 160-2: 점, 170-1, 170-2: 준비 반사 에코, 180, 190: 준비 화상 데이터, 230: 주사 장치, 234: 시료 스테이지, 235: 지주, 236: 3축 스캐너, 236-1: X축 방향 가이드 레일, 236-2: Y축 방향 가이드 레일, 236-3: Z축 방향 가이드 레일, 237: 유지 테이블, 240: 초음파 측정 장치, 260: 제어 장치, 270: 구동 장치, 280: 화상 처리 장치, 303: 땜납 범프, 304: 패키지 기판, 332: 홈, 333: 범프1, 301, 331: semiconductor device, 3: device chip, 4: resin, 5: splitting line, 6: outer surplus region, 7, 307, 337: package device, 8: redistribution layer, 9, 305: solder ball , 10: cutting device, 11: holding table, 12: holding surface, 13: rotary drive source, 20: cutting unit, 21: cutting blade, 22: spindle, 23: spindle housing, 30: X axis moving unit, 31, 41 , 51: ball screw, 32, 42, 52: pulse motor, 33, 43, 53: guide rail, 34: X direction position detection unit, 35, 45: linear scale, 36, 46: read head, 40: Y axis Moving unit, 44: Y-direction position detecting unit, 50: Z-axis moving unit, 54: Z-direction position detecting unit, 60: imaging unit, 70: ultrasonic inspection unit, 71: ultrasonic probe, 71-1, 71-2, 71-3: position, 72: holder, 73: water supply passage, 78: space, 79: water, 80: water supply unit, 90, 200: detection device of the line to be divided, 100: control unit, 110: ultrasonic measurement Part 111: ultrasonic pulser, 112: ultrasonic receiver, 113: ultrasonic detector, 120: image processing unit, 130: display unit, 140, 140-1, 140-2, 140-3: ultrasonic wave, 150-1, 150-2, 150-3: reflected echo, 151, 152, 153, 171, 172 173: Voltage signal, 155, 315: Image data, 157, 158, 181, 182, 183, 184, 185, 192, 194, 317, 318: Pixel area, 160-1, 160-2: Dot, 170- 1, 170-2: ready reflection echo, 180, 190: ready image data, 230: scanning device, 234: sample stage, 235: post, 236: 3-axis scanner, 236-1: X-axis direction guide rail, 236- 2: Y-axis direction guide rail, 236-3: Z-axis direction guide rail, 237: Holding table, 240: Ultrasonic measuring device, 260: Control device, 270: Driving device, 280: Image processing device, 303: Solder bump, 304: package substrate, 332: groove, 333 bump

Claims (4)

  1. 수지에 밀봉된 복수의 디바이스 칩을 갖는 반도체 장치를 상기 디바이스 칩마다 개편화하기 위한 분할 예정 라인을 검출하는 검출 방법으로서,
    상기 반도체 장치를 유지 테이블에 유지하는 유지 단계와,
    상기 유지 테이블에 유지된 상기 반도체 장치와 초음파 조사 수단을 미리 정해진 간격으로 수평 방향으로 상대 이동시키면서 상기 반도체 장치의 미리 정해진 두께 부분에 초음파를 조사하여 반사 에코를 측정하는 초음파 측정 단계와,
    상기 반사 에코의 분포로부터 상기 분할 예정 라인을 검출하는 검출 단계
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 분할 예정 라인의 검출 방법.
    A detection method for detecting a division scheduled line for individualizing a semiconductor device having a plurality of device chips sealed in a resin for each device chip,
    A holding step of holding the semiconductor device on a holding table;
    An ultrasonic measurement step of measuring reflected echoes by irradiating ultrasonic waves to a predetermined thickness portion of the semiconductor device while relatively moving the semiconductor device and the ultrasonic irradiation means held in the holding table in a horizontal direction at predetermined intervals;
    A detection step of detecting the division scheduled line from the distribution of the reflected echoes
    Method for detecting a split schedule line comprising a.
  2. 제1항에 있어서, 상기 검출 단계는,
    상기 반사 에코를 색 정보를 갖는 화상 데이터로 변환하는 화상 처리 단계를 더 포함하고,
    상기 화상 데이터의 색 정보에 따라서 상기 분할 예정 라인을 검출하는 것을 특징으로 하는 분할 예정 라인의 검출 방법.
    The method of claim 1, wherein the detecting step,
    An image processing step of converting the reflected echo into image data having color information,
    And the division scheduled line is detected according to the color information of the image data.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 초음파 측정 단계의 실시 전에,
    상기 반도체 장치와 상기 초음파 조사 수단을 미리 정해진 간격으로 상기 반도체 장치의 두께 방향으로 상대 이동시키면서 상기 반도체 장치의 내부에 초음파를 조사하여 준비 반사 에코를 측정하는 준비 초음파 측정 단계와,
    상기 준비 반사 에코의 상기 반도체 장치의 두께 방향의 분포로부터, 상기 초음파 측정 단계에 있어서 초음파를 조사하는 위치를 결정하는 준비 검출 단계
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 분할 예정 라인의 검출 방법.
    The method of claim 1 or 2, wherein before performing the ultrasonic measuring step,
    A preparation ultrasonic measurement step of measuring a preparation reflection echo by irradiating ultrasonic waves inside the semiconductor device while relatively moving the semiconductor device and the ultrasonic irradiation means in a thickness direction of the semiconductor device at predetermined intervals;
    A preparation detection step of determining a position to irradiate ultrasonic waves in the ultrasonic measuring step from a distribution in the thickness direction of the semiconductor device of the prepared reflection echo
    Method for detecting a split schedule line comprising a.
  4. 제3항에 있어서, 상기 준비 검출 단계는,
    상기 준비 반사 에코를 색 정보를 갖는 준비 화상 데이터로 변환하는 준비 화상 처리 단계를 더 포함하고,
    상기 준비 화상 데이터의 색 정보에 따라서, 상기 초음파 측정 단계에 있어서 초음파를 조사하는 위치를 결정하는 것을 특징으로 하는 분할 예정 라인의 검출 방법.
    The method of claim 3, wherein the preparation detection step comprises:
    A preparation image processing step of converting the preparation reflection echo into preparation image data having color information,
    And a position to irradiate the ultrasonic wave in the ultrasonic measuring step according to the color information of the ready image data.
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