KR20190071359A - 웨이퍼 연마 시스템 - Google Patents

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주식회사 케이씨텍
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Abstract

본 발명은 웨이퍼 연마 시스템에 관한 것으로, 자전하는 연마 패드에 연마 헤드로 웨이퍼를 밀착시키고 가압하는 연마 공정 중에, 광강도의 변동으로 두께 센서의 위치를 도달 감지부에서 감지하여, 연마 정반의 회전 속도가 변동되거나 웨이퍼나 연마 패드의 오실레이션 변위가 길고 다양한 방향이더라도, 웨이퍼의 에지부에서 연마층 두께 정보를 확실하게 얻을 수 있는 웨이퍼 연마 시스템을 제공한다.

Description

웨이퍼 연마 시스템{WAFER POLISHING SYSTEM}
본 발명은 웨이퍼 연마 시스템에 관한 것으로, 상세하게는 연마 공정 중에 연마 정반의 회전 속도가 변동되거나 웨이퍼나 연마 패드의 오실레이션 변위가 길어지더라도, 웨이퍼의 에지부에서 연마층 두께 정보를 확실하게 얻을 수 있는 웨이퍼 연마 시스템에 관한 것이다.
일반적으로 화학 기계적 연마(Chemical Mechanical Polishing; CMP) 공정은 회전하는 연마 정반 상에 웨이퍼 등의 기판이 접촉한 상태로 회전 시키면서 기계적인 연마를 행하여 미리 정해진 두께에 이르도록 기판의 표면을 평탄하게 하는 공정이다.
이를 위하여, 화학 기계적 연마 장비(1)는 연마 정반(10)에 연마 패드(11)를 상면에 입힌 상태로 자전(10r)시키면서, 연마 헤드(20)로 웨이퍼(W)를 연마 패드(11)의 표면에 가압하면서 회전시켜, 웨이퍼(W)의 표면을 평탄하게 연마한다. 이를 위하여, 연마 패드(11)의 표면이 일정한 상태로 유지되도록 회전하면서 표면 개질시키는 컨디셔너(30)가 구비되고, 연마 패드(11)의 표면에 화학적 연마를 수행하는 슬러리가 공급된다.
이 때, 화학 기계적 연마 공정에 의해 연마되는 웨이퍼(W)의 연마층 두께는 정확하게 조절되면서 평탄연마 되어야 한다. 이를 위하여, 도1 및 도2에 도시된 바와 같이, 웨이퍼(W)의 연마층 두께를 감지하는 두께 센서(40)가 연마 패드(11)와 함께 회전하게 설치되어, 두께 센서(40)가 회전하면서 웨이퍼(W)의 연마층 두께를 측정한다.
예를 들어, 웨이퍼(W)의 연마층이 광투과성 재질(예를 들어, 산화물층)인 경우에는, 두께 센서(40)는 광(L)을 조사하고 반사된 광(L')을 수신하는 광센서로 구성될 수 있다. 두께 센서(40)의 수광부에서 수신된 반사광(L')에는 웨이퍼(W)의 연마층 두께 정보를 포함하고 있으므로, 두께 센서(40)에서 수신된 반사광(L')이 제어부(70)로 전송되고, 제어부(70)는 반사광(L')으로부터 특정 파장의 광간섭 신호를 추출하여, 이로부터 웨이퍼(W)의 연마층 두께를 감지한다.
여기서, 제어부(70)는 반사광(L')으로부터 광간섭 신호를 추출하여 두께 정보를 얻는 데에는 대략 3ms의 시간이 소요된다. 그리고, 연마 패드(11)가 자전하는 회전 속도는 대략 100rpm으로 회전한다. 이에 따라, 반사광(L')으로부터 특정 파장의 광간섭 신호를 추출하여 웨이퍼의 연마층 두께를 얻을 수 있는 위치 간격은 대략 6mm가 되므로, 두께 센서(40)가 웨이퍼(W)의 하측에 도달하는 시점에서 수신된 반사광(L')으로부터 특정 파장의 광간섭 신호를 추출하여 웨이퍼 가장자리에서의 연마층 두께를 측정한다.
이를 위하여, 도2에 도시된 바와 같이, 웨이퍼(W)가 하나의 위치(Wa)에서 자전하면서 연마 공정이 행해지면, 연마 패드(11)가 정해진 회전 위치(55)에 도달한 것으로 감지하면, 연마 패드(11)의 회전 속도를 고려하여, 정해진 회전 위치(55)로부터 웨이퍼(W)의 가장자리에 도달하기 위한 회전 거리(e)만큼 회전하는 데 소요되는 시간이 경과한 시점에서, 수신된 반사광(L')으로부터 광간섭 신호를 추출하여 웨이퍼의 연마층 두께를 얻을 수 있다.
그러나, 연마 정반(10)은 일정한 속도로 회전(10r)하도록 구동되지만, 웨이퍼(W)와 연마 패드(11)의 가압 마찰 상태가 연마 공정 중에 변동되므로, 웨이퍼(W)와 연마 패드(11) 사이의 마찰력(F)이 연마 공정 중에 변동된다. 이에 따라, 연마 패드(11)는 항상 일정한 속도로 회전하지 않으므로, 정해진 회전 위치(55)로부터 정해진 시간이 경과한 상태에서, 두께 센서(40)는 웨이퍼(W)의 가장자리 하측에 정확하게 도달하지 않는 경우가 생긴다.
특히, 최근에는 연마 헤드(20)와 연마 정반(10) 중 어느 하나 이상을 정해진 거리만큼 왕복 이동(10d, 20d)시키는 오실레이션 운동을 행하여, 웨이퍼(W)와 연마 패드(11)의 접촉 위치를 변동시키면서 연마 공정이 행해지고 있다. 특히, 웨이퍼의 연마면 품질을 향상시키기 위하여 오실레이션 운동의 스트로크의 길이를 종래 10mm 내외에서 50mm 이상으로 늘리고자 하는 시도가 있어왔다.
이와 같이, 웨이퍼가 오실레이션 운동(20d)을 행하여, 정해진 위치(Wa)에서 벗어난 다른 위치(Wb)에 있으면, 연마 패드(11)가 정해진 회전 위치(55)에 도달한 이후에, 정해진 시간이 경과한 상태에서 정확하게 회전 거리(e)만큼 회전하더라도, 'de'로 표시된 길이만큼 두께 센서(40)가 웨이퍼(W)로부터 벗어난 상태가 되므로, 이 때의 반사광(L')으로부터 광간섭신호를 추출하면, 웨이퍼의 연마층 두께와 무관한 값을 얻을 뿐이다. 즉, 연마 공정 중에 웨이퍼(W)가 오실레이션 운동을 하게 되면, 6mm 간격으로 광간섭 신호를 추출하는 위치를 정하는 과정에서, 웨이퍼 가장자리에서 연마층 두께를 정확하게 얻지 못하는 문제가 야기된다.
더욱이, 웨이퍼를 가압하는 연마 헤드(20)에 구비된 다수의 압력 챔버들 중에 최외측 압력 챔버의 폭이 6mm 보다 더 작게 형성되거나, 본 출원인의 대한민국 등록특허공보 제10-1558852호에 개시된 바와 같이 연마 헤드(20)의 멤브레인 측면을 통해 웨이퍼의 가장자리를 가압하는 경우에는, 6mm 간격의 임의의 위치에서 웨이퍼 연마층 두께를 감지하면, 웨이퍼 가장자리에서의 연마층 두께를 알지 못하여 웨이퍼 연마층 두께 조절이 어려워지는 문제를 야기한다.
한편, 웨이퍼 연마층 두께를 감지하기 위한 광간섭 신호를 처리하는 시간을 3ms보다 짧은 시간으로 낮추는 방안이 모색될 수 있다. 그러나, 광간섭 신호를 처리하는 시간을 3ms보다 짧은 시간으로 단축하는 것은, 연마 장치의 비용을 크게 높이게 되어, 웨이퍼 연마 장치의 경제성을 저하시켜 상품성이 낮아지는 한계가 있다.
따라서, 반사광으로부터 광간섭 신호를 추출하여 웨이퍼 연마층 두께를 감지하는 데 소요되는 처리 시간을 기존과 동일하게 유지하면서도, 웨이퍼의 가장자리에서 정확하게 웨이퍼 연마층의 두께를 감지할 수 있는 방안의 필요성이 절실히 요구되고 있다.
본 발명은 전술한 기술적 배경하에서 창안된 것으로, 연마 공정 중에 웨이퍼의 가장자리 영역에서 연마층 두께를 측정할 수 있게 하는 것을 목적으로 한다.
다시 말하면, 본 발명은, 반사광으로부터 광간섭신호를 추출하여 연마층 두께를 감지하는 처리 속도가 기존과 동일하거나 비슷한 수준이더라도, 연마 공정 중에 연마 정반의 회전 속도가 일정하지 않거나, 연마 공정 중에 웨이퍼가 연마 패드에 대하여 오실레이션 운동을 하더라도, 웨이퍼의 가장자리에서 연마층 두께를 감지하는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 발명은, 웨이퍼의 연마 패드에 대한 오실레이션 스트로크가 50mm 또는 그 이상으로 길어지더라도, 웨이퍼의 가장자리 영역(에지부)에서 정확하게 웨이퍼 연마층 두께를 감지할 수 있게 하는 것을 목적으로 한다.
이를 통해, 본 발명은 웨이퍼 에지부에서도 연마층 두께 데이터를 정확하게 취득하여 웨이퍼 연마층 두께를 정확하게 감지함으로써, 연마 공정 중에 웨이퍼를 가압하는 연마 헤드의 압력 제어의 정확성을 높여 최종적으로 연마된 웨이퍼의 연마면 품질을 향상시키는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은, 자전하는 연마 패드에 연마 헤드로 웨이퍼를 밀착시키고 가압하는 연마 공정 중에, 광강도의 변동으로 두께 센서의 위치를 도달 감지부에서 감지하여, 웨이퍼의 가장자리 영역에서 연마층 두께를 측정하게 하는 웨이퍼의 연마 시스템을 제공한다.
본 명세서 및 특허청구범위에 기재된 '광투과성'이라는 용어는 광이 일부 이상(예를 들어, 1%~100%) 투과되는 성질을 지칭하는 것으로 정의한다.
본 발명에 따르면, 연마 공정 중에 웨이퍼가 반경 방향과 원주 방향 중 어느 하나 이상의 방향으로 오실레이션 이동을 하더라도, 웨이퍼의 가장자리 영역에서 연마층 두께 정보를 포함하는 반사광 데이터를 확실하게 얻을 수 있는 효과를 얻을 수 있다.
또한, 본 발명은, 웨이퍼의 하측을 통과하면서 얻은 웨이퍼의 연마층 두께 분포에 기초하여, 연마 헤드의 압력 챔버를 정확히 제어하여, 연마 공정을 마친 웨이퍼 연마층의 연마 품질을 향상시키는 효과가 있다.
도1는 일반적인 화학 기계적 연마 장치의 구성을 도시한 정면도,
도2는 도1의 평면도,
도3은 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 연마 시스템의 구성을 도시한 도면,
도4는 도3의 웨이퍼 연마 시스템의 작동 원리를 설명하는 순서도,
도5는 연마 패드가 회전하면서 광수신부에 수신된 광강도 변화 그래프,
도6은 도5의 일부 확대도,
도7은 연마 패드 상의 웨이퍼의 위치를 감지하는 작용 원리를 설명하기 위한 도면,
도8은 도7의 'A'부분의 확대도,
도9a는 웨이퍼가 연마 패드 상의 어느 하나의 위치에서, 어느 하나의 두께 센서(140x)가 통과하는 궤적(140p)을 도시한 도면,
도9z는 도9a의 웨이퍼 위치에 대해 반경 및 원주 방향으로 이동한 위치에서, 두께 센서(140x)가 통과하는 궤적(140p)을 도시한 도면,
도10은 웨이퍼 연마층이 광투과성 재질인 경우에 반사광으로부터 광간섭 신호가 생성되는 원리를 설명하기 위한 도면,
도11는 본 발명에 적용될 수 있는 일례의 연마 헤드의 반단면도이다.
이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명에 관하여 상세히 설명한다. 다만, 본 발명을 설명함에 있어서, 공지된 기능 혹은 구성에 대한 구체적인 설명은 본 발명의 요지를 명료하게 하기 위하여 생략하기로 한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 연마 시스템(100)은 웨이퍼(W)의 저면에 형성된 연마층을 평탄 연마하기 위한 것으로, 상면에 연마 패드(111)가 입혀지고 자전(10r)하는 연마 정반(110)과, 연마 패드(111) 상에 슬러리를 공급하는 슬러리 공급부(미도시)와, 연마 공정 중에 웨이퍼(W)를 하측에 위치시킨 상태로 웨이퍼(W)를 가압하는 연마 헤드(20)와, 연마 공정 중에 회전하면서 연마 패드(111)를 가압하면서 개질하는 컨디셔너(30)와, 웨이퍼 연마층(f)의 두께 정보를 포함하는 수신 신호를 수신하는 두께 센서(140)와, 두께 센서(140)가 웨이퍼(W)의 하측 위치에 도달하였는지를 감지하는 도달 감지부(150)와, 두께 센서(140)에서 수신된 반사광(L')으로부터 파장에 따른 광간섭 신호를 추출하는 간섭계(160)와, 연마 패드(111)가 정해진 회전 위치(55)에 도달하였는지를 감지하는 회전 위치 센서(90)와, 각 구성 요소를 제어하는 제어부(170)를 포함하여 구성된다.
여기서, 제어부(170)는, 두께 센서(140)에서 수신된 수신 신호로부터 웨이퍼 연마층(f)의 두께를 산출하고, 연마 패드(111) 상에서의 웨이퍼(W)의 위치 및 두께 센서(140)가 웨이퍼 하측을 통과하는 궤적(140p)를 구하며, 연마 헤드(20)의 압력 챔버에 공급하는 압력을 조절한다.
상기 웨이퍼(W)는 반도체 소자를 제조하는 과정에서 연마층(f)이 광이 투과하는 재질로 형성될 수도 있고, 금속 재질로 형성될 수 있다.
여기서, '광이 투과하는 재질'은 두께 센서(140)로부터 조사되는 광(Li)의 전부가 투과되는 것으로 한정되지 않으며, 두께 센서(140)로부터 조사되는 광(Li)의 1% 이상 투과되는 재질을 모두 포함한다. 예를 들어, 연마층(f)은 산화물층으로 형성될 수 있다.
웨이퍼 연마층(f)이 산화물층과 같은 광투과성 재질인 경우에는, 두께 센서(140)는 광(L)을 조사하여 반사된 반사광(L')을 수신하는 광 센서로 사용될 수 있다. 웨이퍼 연마층(f)이 금속층과 같이 광이 투과할 수 없는 재질인 경우에는, 두께 센서(140)는 와전류를 인가하여 와전류의 임피던스의 변동분으로부터 웨이퍼의 연마층 두께를 구할 수도 있다. 이하에서는, 도10에 예시된 바와 같이, 웨이퍼 연마층(f)이 광투과성 재질(예를 들어, 산화물층)인 경우를 예로 들어 설명하기로 한다.
상기 연마 헤드(20)는, 도11에 도시된 바와 같이, 외부로부터 회전 구동력을 전달받아 회전하는 상측 본체(21')와, 상측 본체(21')에 연동하여 함께 회전하는 베이스(21)와, 웨이퍼(W)의 형상대로 원판 형태의 바닥판(221)이 형성되고 베이스(21)에 격벽(222)이 고정되는 멤브레인(22)과, 연마 공정 중에 연마 패드(111)와 접촉하고 멤브레인(22)의 둘레에 배치되어 웨이퍼(W)가 연마 헤드(20)의 바깥으로 이탈하는 것을 방지하는 리테이너 링(24)으로 구성된다.
멤브레인(22)은 바닥판(221)으로부터 상방 연장된 링 형태의 격벽(222)의 끝단이 결합 부재(211)에 의하여 베이스(21)에 고정되어, 멤브레인 바닥판(221)과 베이스(21)의 사이에 다수의 압력챔버(C1, C2, C3, C4, C5)가 동심원 형태로 배열 형성된다. 그리고, 연마 헤드(20)의 각각의 압력챔버(C1, C2,....,C5)는 압력 조절부(150)로부터 공압을 공급받아 독립적으로 압력이 조절되고, 멤브레인 바닥판(221)과 격벽(222)이 가요성 재질로 형성되어, 멤브레인 바닥판(221)의 하측에 위치한 웨이퍼(W)는 압력챔버(C1, C2,...,C5)별로 가압력이 서로 다르게 조절될 수 있다. 경우에 따라서는, 멤브레인(22)의 일부는 강성이 높은 재질의 보강재가 함께 결합되어 형성될 수 있다.
도면에는 격벽(222)이 링 형태로 형성되어 다수의 압력챔버(C1, C2, ..., C5)가 동심 링 형태로 배치되어 회전 중심을 기준으로 반경 방향으로 구획된 구성이 도시되어 있지만, 원주 방향을 따라 구획된 격벽(미도시)이 구비되어 압력챔버(C1, C2,...,C5)가 원주 방향으로도 구획될 수도 있다. 따라서, 본 발명에 따른 압력챔버는 반경 방향과 원주 방향 중 어느 하나 이상으로 구획된 것을 모두 포함한다. 이에 따라, 연마 헤드(20)는 다수로 구획된 압력챔버(C1, C2, ..., C5)에 따른 영역(zone)별로 가압력을 조절하여, 압력챔버의 하측에 위치하는 웨이퍼 연마층 두께를 영역(zone)별로 제어한다.
도면에는 격벽(222)이 동심 링 형태로 형성되어 원주 방향으로만 뻗어 형성되므로 압력 챔버(C1, C2,....,C5)가 반경 방향으로 다수로 구획되는 구성이 나타나 있지만, 본 발명의 다른 실시 형태에 따르면, 격벽이 반경 방향으로도 뻗어 형성되어 압력 챔버(C1, C2,...,C5)가 원주 방향으로도 다수 구획될 수도 있고, 격벽이 반경 방향과 원주 방향으로 모두 뻗어 형성되어 압력 챔버(C1, C2,...,C5)가 원주 방향과 반경 방향으로 다수 구획될 수도 있다.
연마 헤드(20)와 연마 정반(10) 중 어느 하나 이상은 연마 공정 중에 정해진 이동 경로로 이동(10d, 20d)하게 구성될 수 있다. 여기서, 이동 경로는 직선 또는 곡선 형태의 경로를 왕복 운동하는 오실레이션일 수 있으며, 이동 경로의 길이는 10mm 내지 100mm로 다양하게 정해질 수 있다. 또한, 이동 경로는 연마 공정 중에 어느 하나의 방향으로 고정될 수도 있지만, 연마 공정 중에 2개 이상의 방향의 가변 경로를 왕복 이동하는 형태일 수도 있다. 그리고, 오실레이션 운동의 길이(스트로크)는 어느 하나의 길이로 고정될 수도 있지만, 연마 공정 중에 가변될 수도 있다.
즉, 웨이퍼(W)는 연마 공정 중에 연마 패드(111)에 대하여 다양한 경로와 방향으로 오실레이션 운동할 수 있으며, 여기서 오실레이션 운동은 임의의 경로로 이동하는 형태(예를 들어, 원운동이나 타원 운동)을 포함한다.
상기 컨디셔너(30)는 컨디셔닝 디스크가 연마 패드(111)에 접촉한 상태로, 연마 패드(111)의 반경 방향 성분을 갖도록 가로질러 왕복 스윕 운동을 행한다. 이 때, 컨디셔닝 디스크의 가압력은 제어부(170)에 의하여 조절되며, 컨디셔닝 디스크가 스윕 왕복 운동을 하는 경로 상에서 가압력이 조절되는 것에 의하여, 연마 패드(111)의 특정 영역에서의 높이를 다른 영역에 비하여 더 높거나 낮게 조절한다.
상기 두께 센서(140)는, 연마 정반(110)의 상면에 요입부를 형성하여 연마 패드(11)의 상면보다 낮은 위치에 설치되며, 연마 패드(111)와 함께 회전하면서 웨이퍼(W)의 하측을 통과하는 동안에 연마층에서 반사된 반사광(Lo)을 수신하는 형태로 구성될 수도 있다.
두께 센서(140)는 연마 정반(110)에 하나만 형성될 수도 있지만, 도7에 도시된 바와 같이, 연마 패드(111)의 회전 중심(O)으로부터 서로 다른 거리만큼 이격된 위치에 다수 배치될 수 있다. 이를 통해, 연마 패드(111)가 1회전 회전할 때마다, 각각의 두께 센서(140)에서 수신된 반사광(Lo)으로부터 웨이퍼(W)의 위치 정보와 연마층 두께 정보를 보다 많이 얻을 수 있다.
두께 센서(140)는 연마 공정 중에 광원(141)으로부터 광을 공급받아 조사하고, 연마 공정 중에 조사광이 연마 헤드(20) 또는 웨이퍼(W)에 반사된 반사광을 수신한다(S130). 여기서, 조사광은 하나의 파장을 갖는 레이저빔일 수도 있고, 여러 파장을 갖는 빔이거나 백색광일 수도 있다.
도면에는 편의상, 웨이퍼에 조사광을 조사하는 광조사부와, 조사된 광이 반사된 반사광을 수신하는 광수신부가 하나의 몸체로 형성된 두께 센서(140)를 예시하고 있지만, 본 발명의 다른 실시예에 따르면, 두께 센서(140)는 광조사부와 광수신부가 서로 다른 몸체로 형성된 구성을 포함한다.
본 명세서 및 청구범위에 기재된 '광조사부'와 '광수신부'는 서로 별개로 형성되는 구성과, 하나의 몸체로 형성되는 구성과, 하나의 광센서 형태로 형성되는 구성을 모두 포함하는 것으로 정의한다. 이하에서는, 하나의 두께 센서(140)에 광조사부와 광수신부가 모두 구비된 구성을 예로 들어 설명하기로 한다.
여기서, 두께 센서(140)는 광원(110)으로부터 광(Li)을 공급받아 상향 조사하고 반사된 광(Lo)을 수신하며 연마 패드(111)에 고정되어 연마 패드(111)와 함께 회전한다. 그리고, 두께 센서(140)에 수신된 반사광(Lo)은 분기부(145)에 의해 2개로 분기된다.
분기부(145)에 의해 분기된 2개의 반사광(Lo) 중에 어느 하나의 반사광(Lo)은 도달 감지부(150)에 도달하고, 도달 감지부(150)는 광수신장치를 구비하고 있어서, 광수신장치로부터 수신된 반사광(Lo)의 시간 경과에 따른 광강도(intensity)의 값을 감시하며, 광강도 값을 제어부(170)로 전송한다. 반사광(Lo)을 파장에 관한 광간섭신호(X)로 추출하는 것은 3ms 정도의 시간이 소요되지만, 수신된 광을 시간 경과에 따른 광강도의 값을 산출하는 데에는 이보다 1/10 ~ 1/1000배의 짧은 시간이 소요되므로, 연마 패드(111)가 100rpm으로 회전하더라도, 두께 센서(140)의 회전 궤적을 따라 0.6mm 이하의 단위로 광강도의 변화를 실시간 감시할 수 있다.
즉, 두께 센서(140)는 반사광을 수신하는 수광부를 구비하고 있어서, 연마 패드(111)가 1회전(x1, x2,...)할 때마다 반사광(Lo)을 수광부를 통해 수신한다. 여기서, 연마 패드 상의 컨디셔너 등의 다른 구성 요소에서 반사된 반사광을 배제하면, 도5에 도시된 바와 같이, 두께 센서(140)는 연마 헤드(20)의 하측에서 반사된 반사광을 수신하게 된다. 그리고, 두께 센서(140)의 수광부에서 수신한 반사광(Lo)이 도달 감지부(150)의 광수신 장치에 도달하면, 광수신 장치는 반사광(Lo)을 특정 파장에 대한 신호로 분광하지 아니하고 반사광의 광강도를 그대로 산출하여 제어부(170)로 전송한다. 반사광(Lo)의 광강도를 산출하는 데에는, 특정 파장에 대한 광간섭 신호(X)로 분광하는 것에 비하여 처리 시간이 1/10 내지 1/1000배로 매우 짧으므로, 두께 센서(140)가 웨이퍼(W)의 하측에 도달한 것인지 여부를 사실상 시간 차이없이 즉각적으로 감지할 수 있다.
보다 구체적으로는, 두께 센서(140)의 수광부에서 수신하고, 분기부(145)에서 분기된 반사광(Lo)을 도달 감지부(150)의 광수신 장치에 의해 시간 경과에 따른 광강도(I)로 짧은 처리 시간 내에 변환하여 제어부(170)로 전송하면, 제어부(170)에 수신된 광강도(I)는 도5에 도시된 바와 같다. 즉, 연마 패드(111)가 1바퀴 회전할 때마다 연마 헤드(20)의 하측에서 광강도 신호(I)가 나타나게 된다.
여기서, 도6을 참조하여 연마 헤드(20)의 하측에서의 광강도(I)를 자세히 살펴보면, 연마 헤드(20)의 바깥 영역에서는 반사광(Lo)이 수신되지 않으므로, 노이즈를 고려하지 않으면, 연마 헤드(20)의 바깥 영역에서의 광강도(Ia)는 0이 된다. 그리고, 연마 헤드(20)의 하측으로 진입하는 위치에서는, 웨이퍼(W)의 둘레를 감싸는 리테이너 링(도11의 24)의 저면에서 반사된 반사광의 광강도(Ir)가 나타난다. 리테이너 링(24)의 저면에 슬러리가 유동하는 홈이 형성될 수 있는 데, 웨이퍼(W)의 중심(wo)에서 반경 바깥 방향으로 홈의 개수만큼 광강도가 변동하는 위치(rg)가 나타난다. 따라서, 제어부(170)는, 반사광(Lo)의 광강도(I)가 0에서 1차적으로 상승한 영역(Ir)이 감지되면, 두께 센서(140)의 수광부가 웨이퍼(W)의 하측으로 진입하기 이전이고 연마 헤드(20)의 리테이너 링(24)의 하측을 통과하는 것이어서, 웨이퍼(W)의 하측으로 진입하기 직전이라는 것을 예비적으로 감지할 수 있다. 여기서, 1차적으로 상승한 영역(Ir)은 플라스틱이나 수지 등의 재료로 이루어진 리테이너 링(24)의 저면에서 반사된 영역인데, 웨이퍼(W)의 연마층에 비하여 반사율이 낮으므로, 반사광(Lo)의 광강도(Intensity)의 크기가 웨이퍼 연마층에서의 광강도(Iw)의 측정범위에 비하여 50% 이하만큼 낮으면, 웨이퍼 연마층이 아니라 리테이너 링(24)의 하측을 통과한 것이라는 것을 알 수 있다.
한편, 제어부(170)는, 리테이너 링(24)의 하측에 홈이 형성된 경우에는, 홈의 개수에 따른 광강도의 요동 신호(Rg)로부터, 리테이너 링(24)의 하측에 도달한 것을 알 수도 있다.
그리고 나서, 도달 감지부(150)의 광수신 장치에서 시간 경과에 따른 광강도(I) 신호가 급작스럽게 상승하는 영역이 발생된다. 즉, PEEK 등의 수지 재질로 형성되는 리테이너 링(24)에 비하여 웨이퍼 연마층(f)의 광반사율이 훨씬 높으므로, 두께 센서(140)의 수광부에 수신된 광강도가 급격히 변동한 위치가 바로 두께 센서(140)가 웨이퍼의 가장자리 영역으로 진입한 시점(時點)이라는 것을 알 수 있다.
여기서, 도6에 도시된 바와 같이, 반사광(Lo)의 광강도(I)가 예정된 웨이퍼에서의 광강도 측정범위에 근접(예를 들어, 다수 반복 실험에 의해 얻어진 평균화된 광강도 값의 20%~30% 범위 이내)하게 급작스럽게 증가하면, 수광부와 함께 두께 센서(140)가 웨이퍼(W)의 가장자리 하측 영역에 도달한 것으로 간주한다. 여기서, 광수신장치에서 얻어진 광강도(I) 값은 이론적으로는 도6에 나타난 바와 같지만, 노이즈에 의해 급작스럽게 튀는 값이 생기면 정확한 위치를 감지하는 것이 곤란해질 수 있다.
따라서, 반사광(Lo)의 광강도(I)가 급작스럽게 증가하는지 여부는, 광강도(I)의 하나의 값으로 판단하기 보다는, 정해진 시간 동안의 광강도(I)의 평균값으로 판단하는 것이 좋다. 즉, 광강도의 급증 여부를 판단하기 위한 광강도의 크기는 0.1초 내지 1초 동안의 광강도값의 평균값으로 산정하고, 마찬가지로, 0.1초 내지 1초 동안의 광강도값의 평균값이 정해진 제1시간(△t, 예를 들어, 0.1초 내지 1초 중 어느 하나) 동안에 제1기준치 이상(예를 들어, 1.5배 내지 100배 만큼) 증가하여 광강도 기울기(ang)가 급변하면, 도7 및 도8에 도시된 바와 같이 두께 센서(140)의 위치가 웨이퍼(W)의 가장자리 하측으로 진입한 제1위치(S1)로 감지한다(S140).
여기서, 연마 헤드(20)의 바깥에서의 광강도(Ia)는 그 값이 이론적으로 0이므로, 광강도의 값이 제1기준치(예를 들어, 1.5배) 이상 증가하기 이전의 광강도 값은 다수 반복 실험에서 웨이퍼 하측에서 반사되는 광강도 측정값의 10% 이상인 값으로 정해짐으로써, 리테이너 링에 도달한 순간을 웨이퍼의 가장자리 하측의 제1위치(S1)에 도달한 순간과 혼동하는 것을 방지할 수 있다.
이와 유사하게, 광강도의 값이 제1시간동안에 제1기준치 이상(1.5배 ~ 100배 만큼) 증가하여, 두께 센서(140)가 웨이퍼(W)의 하측 영역에 진입한 것으로 감지된 이후에, 반사광의 광강도의 크기가 정해진 제2시간(예를 들어, 0.1초 내지 1초) 동안에 제2기준치(예를 들어, 1/100배 ~ 1/2배) 이하로 급감하면, 도7 및 도8에 도시된 바와 같이 반사광의 광강도의 크기가 감소한 직후의 시점이 두께 센서(140)가 웨이퍼의 하측 영역으로부터 이탈한 제2위치(S2)로 감지한다(S140).
마찬가지로, 광강도의 크기가 제2기준치(예를 들어, 1/2배 이하)로 감소되었는지 여부를 감지할 때에, 하나의 광강도(I) 값으로 감지하기 보다는, 정해진 시간(예를 들어, 0.1초 내지 1초) 동안의 광강도(I)의 평균값으로 판단하여, 급작스런 노이즈가 있더라도 두께 센서(140)가 웨이퍼의 하측 영역에서 이탈하였는지 여부를 정확하게 감지할 수 있다.
한편, 도면에 도시된 실시예에서는, 두께 센서(140)가 반사광을 수신하는 센서이어서 수광부가 구비되어 있지만, 별도의 수광부가 두께 센서(140)와 함께 배치될 수도 있다. 그리고, 도4에 도시된 실시예에서는, 수광부에서 수신한 반사광(Lo)을 분기부(145)에 의해 분기시켜, 도달 감지부(150)와 분광계(160)로 나누어 전송하는 구성이 예시되어 있는데, 수광부를 2개 이상으로 구비되어 각각의 수광부에서 수신한 반사광을 각각 도달 감지부(150)와 분광계(160)로 전송하도록 구성될 수도 있다.
상기와 같이, 두께 센서(140)가 웨이퍼(w)의 가장자리 영역(에지부)에 진입한 것으로 감지된 시점(時點)에서, 제어부(170)는 분광계(160)로 하여금 두께 센서(140)의 수광부에 수신되어 분기부(145)에서 분기된 다른 하나의 반사광(Lo)으로부터 특정 파장에 대한 광간섭 신호(X)를 추출하게 제어한다.
보다 구체적으로는, 도10에 도시된 바와 같이, 웨이퍼 연마층(f)이 광투과성 재질로 형성된 경우에는, 두께 센서(140)에서 조사되는 광(Li)의 일부는 연마층(f)의 표면에서 반사(Loe)되고, 조사되는 광(Li)의 다른 일부는 연마층(f)을 투과하여 불투과층(wo)의 표면에서 반사(Loi)된다. 다시 말하면, 웨이퍼(W)의 산화물층(f)의 표면(Sx)에서 반사하는 반사광(Loe)과, 웨이퍼(W)의 산화물층(f)을 통과하여 불투과층(Wo)에서 반사되는 반사광(Loi)은 동일한 광원으로부터 조사되었지만, 상호 미세한 간격(d)을 사이에 두고 산화물층(f)의 두께(t)에 비례하는 광경로 차이가 있으므로, 반사광(Loe, Loi)이 상호 간섭되면서 싸인 파형과 유사한 광간섭 신호(즉, 간섭광, X)을 생성한다.
그리고, 산화물층(f)의 초기 두께(to)가 두꺼운 연마 초기 상태에서는, 산화물층(f)의 표면(So)에서 반사되는 반사광(Loi')과 산화물층(f)을 통과하여 불투과층(Wo)에서 반사되는 반사광(Loe') 사이의 간격(do)이 상대적으로 크지만, 연마 공정이 계속되면서, 산화물층(f)의 두께(t)가 점점 얇아져 타겟 두께(예를 들어, 100~3000Å)에 접근할수록, 산화물층(f)의 표면(Sx)에서 산사되는 반사광(Loi)과 산화물층(f)을 통과하여 불투과층(Wo)에서 반사되는 반사광(Loe) 사이의 간격(d)이 점점 작아지므로, 간섭광(X)의 파형은 산화물층(f)의 두께가 얇아질 수록 파장에 대하여 변동되는 경향성이 있게 된다. 이에 따라, 반사광(Lo)으로부터 특정 파장(들)에 대한 광간섭 신호(X)를 분광계(160)에서 추출하면, 전체 파장에 대한 백색광의 스펙트럼(X)은 초기에는 파장에 대한 강도(intensity)의 파형 간격이 좁은 형태를 띄다가 시간이 경과할 수록 간격이 점점 넓어지는 파형으로 변경되며, 이를 하나의 파장에 대해 시간축으로 나타내면, 광간섭신호(X)는 싸인 파형과 유사하게 위 아래로 반복하는 경향을 갖는다. 따라서, 연마 공정이 진행되어 산화질층의 두께가 얇아지는 과정에서, 하나의 파장에 대한 광간섭 신호(X)는 주기적인 파형을 생성하므로, 광간섭 신호의 값(V1)에 의해서는 연마층(f)의 두께(t)를 정확히 알 수 없지만, 하나 또는 2개의 파장에 대한 광간섭 신호(또는 간섭광)의 사이클 변화 또는 주기 경과 횟수에 의지하여 연마층 두께를 감지하거나 연마 종료 시점을 검출할 수 있다. 이와 같이, 특정 시점에서 분광계(160)에서 추출된 광간섭 신호(X)는 제어부(170)로 전송되어서, 제어부(170)는 특정 시점에서의 연마층 두께 또는 연마 종료 시점을 감지할 수 있다.
한편, 웨이퍼의 연마층(f)이 금속재질로 형성되는 경우에는, 도5 및 도6에 도시된 광강도(I)를 얻기 위한 광조사부와 수광부가 두께 센서(140)와 별개로 형성되어 두께 센서(140)의 위치에 설치된다. 그리고, 두께 센서(140)는 금속 재질의 두께에 따른 와전류의 임피던스 변동량으로부터 웨이퍼 연마층의 두께나 연마 종료 시점을 감지할 수 있다. 이 때, 와전류 센서가 웨이퍼의 가장자리에서는 와전류가 웨이퍼 연마층에만 형성되고 웨이퍼 바깥에는 형성되지 못하므로 종래에 측정 오류가 발생될 수 있었지만, 광강도 신호(I)로부터 두께 센서(140)가 웨이퍼의 가장자리에 근접하거나 이탈한 상태라는 것을 정확하게 감지할 수 있으므로, 웨이퍼 가장자리에서의 와전류 임피던스의 변동량 변화가 웨이퍼 중앙부에 비하여 더 작아지더라도, 웨이퍼 가장자리에서의 연마층 두께를 보다 정확하게 감지할 수 있다.
한편, 웨이퍼 연마층(f)이 금속 재질로 형성되더라도 두께 센서(140)가 수광부를 구비한 광센서로 형성될 수도 있다. 이 경우에는, 연마층(f)의 두께가 충분히 두꺼우면, 조사된 광이 전부 반사되지만, 연마층(f)의 두께가 연마 종료 시점에 근접하면, 도10에 도시된 바와 유사하게, 조사된 광의 일부가 얇아진 금속층에 투과하면서 광간섭 신호(X)가 발생된다. 따라서, 광간섭 신호가 발생되는 시점이나 광간섭 신호의 파형을 기준으로 두께 센서(140)에 의해 수신된 반사광으로부터 연마 종료 시점을 얻을 수 있다.
상기와 같이, 본 발명은, 도달 감지부(150)의 광수신 장치에 의해 처리 속도가 매우 짧은 반사광(Lo)의 광강도 신호(I)의 변동으로부터, 연마 패드(111)와 함께 회전하는 두께 센서(140)가 웨이퍼(W)의 가장자리에 진입하는 제1위치(S1)와, 두께 센서(140)가 웨이퍼(W)로부터 이탈하는 제2위치(S2)를 정확하게 감지할 수 있다.
더욱이, 웨이퍼(W)가 연마 패드(111)에 대하여 10mm 내지 100mm 만큼의 스트로크로 오실레이션(10d, 20d)을 하더라도, 그리고 스트로크의 방향이 임의의 방향이고 오실레이션 스트로크가 가변되더라도, 두께 센서(140)와 일체이거나 함께 설치된 수광부가 웨이퍼(W)의 가장자리 하측에 진입하고 이탈하는지 여부를 연마 공정 중에 정확하게 감지할 수 있다.
따라서, 웨이퍼(W)의 하측 영역의 제1위치(S1)에 진입하는 시점(時點)에서 정확하게 분광계(160)에 의해 특정 파장에 의한 광간섭 신호(X)를 추출하므로, 웨이퍼의 가장자리 영역(에지부)에서 연마층 두께 정보를 갖는 신호로 연마층 두께를 정확하게 얻을 수 있는 유리한 효과를 얻을 수 있다.
한편, 도7 및 도8에 도시된 바와 같이, 회전위치 감지센서(90)는 자전(10r)하는 연마 패드(111)의 회전 위치를 감지한다. 즉, 회전위치 감지센서(90)는 두께 센서(140)가 웨이퍼(W)에 근접한 회전 위치를 미리 정해두고, 연마 패드(111)의 자전에 따라 두께 센서(140)가 미리 정해진 기준 회전 위치(55)에 도달하였는지 여부를 감지한다(S150). 그리고, 회전위치 감지센서(90)에 의해 두께 센서(140)가 정해진 기준 회전 위치(55)에 도달하면, 회전위치 감지센서(90)는 이를 제어부(170)로 전송한다.
이를 위하여, 도7에 도시된 바와 같이, 연마 정반(10)의 외주면에 표식(91)을 부착하고, 상기 표식(91)에서 반사된 광을 인식하는 비접촉 방식에 의해, 연마 패드(111)의 두께 센서(140)가 기준 회전 위치(55)에 도달하였는지 감지할 수 있다. 본 발명의 다른 실시 형태에 따르면, 연마 정반(110)을 회전 구동하는 회전축에 로터리 엔코더를 설치하여 두고, 연마 정반(110)이 정해진 회전각에 도달하는 것을 로터리 엔코더에 의해 감지될 수도 있다.
도7에 도시된 다수의 두께 센서(140)들은 웨이퍼의 하측을 서로 다른 궤적으로 통과하면서 웨이퍼의 연마층 두께 정보를 수집하는 데, 이 중에 140x로 표시된 두께 센서를 예로 들어 설명하기로 한다.
웨이퍼(W)의 연마 공정이 시작되면(S110), 두께 센서(140x)는 연마 패드(111)와 함께 회전하며, 140x4로 표시된 궤적을 따라 선회 운동을 한다. 그리고, 웨이퍼(W)는 연마 공정 중에 120d로 표시된 방향으로 오실레이션 운동을 한다(S120). 도7 내지 도9z에는 웨이퍼(W)의 기준 위치를 'Wa'로 표기하고 웨이퍼(W)가 오실레이션 이동한 위치를 'Wz'로 표시되어 있다.
앞서 설명한 바와 같이, 연마 패드(111)와 함께 회전하는 두께 센서(140x)가 웨이퍼의 하측 영역에 진입하기 시작하는 제1위치(S1)에 도달하는 시점(時點)은, 도달 감지부(150)에 의해 광강도(I)의 변동량이 제1기준치 이상 변동하였는지 여부로 감지한다(S140).
그리고, 도7 및 도8에 도시된 바와 같이, 두께 센서(140x)가 미리 정해진 기준 회전 위치(55)에 도달한 시점(時點)으로부터, 두께 센서(140x)가 웨이퍼의 하측 영역에 진입하기 시작하는 제1위치(S1)에 도달하는 시점(時點)까지의 시간 동안에 이동한 거리(Y1)로부터, 연마 정반(110)의 회전 속도를 고려하여 연마 패드(111) 상의 제1위치(S1)를 찾아 감지할 수 있다(S160). 여기서, 웨이퍼(W)와 연마 패드(111) 사이의 마찰력에 의하여 연마 정반(110)의 회전 속도가 변동될 수 있으므로, 기준 회전 위치(55)는 연마 헤드(20)의 위치에 근접 배치되는 것이 연마 패드(111) 상의 제1위치(S1)를 보다 정확하게 감지할 수 있다는 점에서 바람직하다. 또한, 도7에 도시된 바와 같이 기준 회전 위치(55)는 연마 헤드(20)가 오실레이션 운동을 하고 있는 경로 상의 임의의 지점으로 정해질 수도 있다.
마찬가지로, 두께 센서(140x)가 미리 정해진 기준 회전 위치(55)에 도달한 시점(時點)으로부터, 두께 센서(140x)가 웨이퍼의 하측 영역으로부터 이탈한 직후의 제2위치(S2)에 도달하는 시점(時點)까지의 시간 동안에 이동한 거리(Y2)로부터, 연마 정반(110)의 회전 속도를 고려하여 연마 패드(111)에서 제2위치(S1)를 찾을 수 있다(S160).
도면 중 미설명 부호인 Sr1, Sr2는 웨이퍼(W)가 기준 위치(Wa)에 있는 상태에서, 두께 센서(140)가 진입하기 시작하는 제1위치(Sr1)와 두께 센서가 이탈한 직후의 제2위치(Sr2)를 나타낸 것이다. 즉, 웨이퍼(W)가 기준 위치(Wa)에 있는 상태와, 웨이퍼(W)의 오실레이션 운동에 의해 다른 위치(Wz)에 있는 상태에서는, 제1위치(S1, Sr1)와 제2위치(S2, Sr2)가 서로 달라진다.
한편, 도6에 도시된 바와 같이, 도달 감지부(150)의 광수신 장치에 의해 수신된 반사광(Lo)의 시간 경과에 따른 광강도(I) 신호가 급변하는 제1위치(S1)와 제2위치(S2)를 감지하면, 두께 센서(140x)의 이동 궤적(140x4)은 원형으로 정해져 있으므로, 제1위치(S1)와 제2위치(S2)에 도달한 시점의 사이 시간 동안에 상기 연마 패드(111)의 회전 거리만큼을, 제1위치(S1)로부터 이동시키면, 연마 패드(111) 상에서의 제2위치(S2)를 찾아 감지할 수 있다.
그리고, 웨이퍼(W)의 직경이 정해져 있으므로, 상기와 같이 얻어진 제1위치(S1)와 제2위치(S2)를 원호 형태로 잇는 궤적으로서, 도6의 광강도 신호(I)가 웨이퍼에 해당하는 영역(Iw)을 통과하는 시간 동안 연마 패드(111)가 회전하여 이동하는 거리(즉, 제1위치(S1)와 제2위치(S2) 사이의 길이)를 참조하면, 두께 센서(140x)가 웨이퍼(W)의 하측을 통과하는 통과 궤적(140p)를 구할 수 있다(S170).
보다 구체적으로는, 오실레이션 운동을 행하는 웨이퍼(W)에 대하여, 두께 센서(140x)가 웨이퍼(W)의 하측으로 진입하는 제1위치(S1)와 웨이퍼(W)의 하측으로부터 이탈하는 제2위치(S2)를 알고 있으면, 웨이퍼(W)의 오실레이션 방향에 따라 제1위치(S1)와 제2위치(S2)를 잇는 굽은 궤적의 길이를 만족하는 궤적은 2개가 도출된다. 여기서, 반경 방향으로 분포된 다른 두께 센서들에서 얻어지는 제1위치와 제2위치의 길이에 따라, 도9a 및 도9z에 도시된 바와 같이, 두께 센서(140x)가 웨이퍼(W)를 통과하는 통과 궤적(140p)을 특정할 수 있다.
예를 들어, 두께 센서(140x)에 의해 감지된 제1위치(S1)와 제2위치(S2)를 잇는 거리가, 이보다 더 반경 바깥에 위치한 다른 두께 센서(140y)에 의해 감지된 제1위치와 제2위치를 잇는 거리에 비하여 더 긴 경우에는, 두께 센서(140x)가 두께 센서(140y)에 비하여 웨이퍼의 중심(wo)에 보다 근접하다는 것을 알 수 있다. 이와 유사하게, 각각의 두께 센서(140)들의 제1위치와 제2위치를 잇는 궤적을 원형 웨이퍼에 맵핑시키면, 각 두께 센서(140x)가 웨이퍼(w)를 통과하는 통과 궤적(140p)을 웨이퍼(W)에 대하여 특정할 수 있다.
여기서, 웨이퍼(W)의 오실레이션 운동 속도나 방향에 따라, 웨이퍼(W)에 대한 통과 궤적의 곡률 반경이 차이가 생기지만, 동시에 다수의 두께 센서들의 제1위치와 제2위치의 이동 거리를 만족하는 형태로 원호 상에 배치하면, 두께 센서들의 간격이 이미 정해져 있고 웨이퍼(W)의 직경이 정해져 있으므로, 웨이퍼에 대한 각 두께 센서(140)의 궤적은 특정될 수 있다.
이를 통해, 웨이퍼(W)의 오실레이션 운동 속도와 방향이 일정한 경우에는 두께 센서(140)가 웨이퍼(W)를 통과하는 통과 궤적(140p)을 보다 쉽게 구할 수 있으며, 웨이퍼(W)의 연마 패드에 관한 오실레이션 운동 속도나 방향, 경로가 변동되더라도, 도9a 및 도9z에 도시된 바와 같이, 두께 센서(10)가 웨이퍼(W)를 통과하는 통과 궤적(140p)을 구할 수 있으며, 이 궤적(140p)을 통과하면서 얻어진 반사광(Lo)을 분광계(160)로 스펙트럼 분석하여 특정 1개 이상의 파장에 따른 광간섭 신호의 변동으로부터 웨이퍼 연마층의 두께 분포를 산출한다(S180)
즉, 웨이퍼(W)가 연마 패드(111)의 기준 위치(임의로 정해진 어느 하나의 위치, Wa)에 있는 경우(도9a)에는 기준 회전 위치(55)에 도달하기 이전에 Y'만큼 이격된 위치에서 제1위치(Sr1)에 도달하고, 웨이퍼(W)가 오실레이션 운동을 하여 기준 위치(Wa)로부터 이동한 임의의 위치(Wz)에 있는 경우(도9z)에는 기준 회전 위치(55)에 도달한 이후에 Y만큼 이격된 위치에서 제1위치(S1)에 도달하는데, 이와 같이 서로 다른 웨이퍼(W)의 위치에 대해 제1위치, 제2위치를 정확하게 감지하고, 제1위치와 제2위치를 잇는 통과 궤적(140p)도 정확하게 감지할 수 있다.
따라서, 연마 공정 중에 웨이퍼(W)를 가압하는 연마 헤드(20)의 다수의 압력 챔버(C1, C2, C3, C4, C5) 중에, 각각의 두께 센서(140x)가 통과하는 통과 궤적(140p)이 어느 압력 챔버를 통과하는지 여부를 정확하게 알 수 있다.
예를 들어, 웨이퍼(w)가 연마 패드(111)의 기준 위치(Wa)에 있는 경우에는, 도9a에 도시된 바와 같이, 어느 하나의 두께 센서(140x)가 통과하는 통과 궤적(140p')은 제5압력챔버(C5), 제4압력 챔버(C4), 제3압력챔버(C3), 제4압력챔버(C4)와 제5압력챔버(C5)를 순차적으로 통과하므로, 이 통과 궤적(140p)에서 얻어진 반사광(Lo)으로부터 제5압력챔버(C5), 제4압력 챔버(C4), 제3압력챔버(C3), 제4압력챔버(C4)와 제5압력챔버(C5)를 지나는 통과 궤적(140p')에서의 웨이퍼 연마층 두께를 구할 수 있다.
그리고, 웨이퍼(w)가 오실레이션 운동을 임의의 방향과 속도로 행하여 연마 패드(111)의 임의의 위치(Wa)에 있는 경우에는, 도9z에 도시된 바와 같이, 어느 하나의 두께 센서(140x)가 통과하는 통과 궤적(140p)은 제5압력챔버(C5), 제4압력 챔버(C4), 제3압력챔버(C3), 제2압력챔버(C2), 제3압력챔버(C3), 제4압력챔버(C4)와 제5압력챔버(C5)를 순차적으로 통과하므로, 이 통과 궤적(140p)에서 얻어진 반사광(Lo)으로부터 제5압력챔버(C5), 제4압력 챔버(C4), 제3압력챔버(C3), 제2압력챔버(C2), 제3압력챔버(C3), 제4압력챔버(C4)와 제5압력챔버(C5)를 지나는 통과 궤적(140p)에서의 웨이퍼 연마층 두께를 구할 수 있다.
이와 같이, 제어부(170)는 각각의 두께 센서(140)로부터 수신된 웨이퍼의 연마층 두께 정보로부터 웨이퍼의 통과 궤적(140p)에서 3ms마다 (연마패드가 100rpm으로 회전하는 경우에는 대략 6mm 간격마다) 적어도 2개 이상의 측정 위치에서 두께 센서(140)에서 수신한 반사광(Lo)을 스펙트럼 분석하여 파장에 따른 광간섭 신호의 변화나 와전류 임피던스의 변화로부터 연마층 두께를 산출한다(S180).
여기서, 웨이퍼를 가압하는 연마 헤드(20)는 다수의 압력 챔버(C1, C2, ...., C5)를 포함하는 데, 통과 궤적(140p)에서 구한 웨이퍼 연마층의 두께값은 연마 헤드(20)의 압력 챔버(C1, C2,...)마다 적어도 1개 이상의 지점을 포함한다. 이에 따라, 각각의 압력 챔버(C1, C2,...)의 하측에 위치한 웨이퍼 연마층 두께가 얻어지면, 얻어진 연마층 두께 편차를 완화하기 위하여 연마 헤드(20)의 압력 챔버(C1, C2,...)를 제어한다.
즉, 도9z를 참조하면, 두께 센서(140)의 통과 궤적(140p)을 따라 측정된 연마층 두께 분포에서, 제2압력챔버(C2)의 제p위치에서의 연마층 두께가 제3압력 챔버(C3)의 제q위치에서의 연마층 두께에 비하여 더 크면, 제p위치가 있는 제2압력 챔버(C2)의 압력을 제3압력챔버(C3)의 압력에 비하여 보다 더 크게 조절하여, 웨이퍼 연마층의 두께 편차를 보다 확실하게 줄일 수 있다(S180).
도면에는 연마 헤드(20)의 압력 챔버가 동심원 형태로 배열된 구성이 예시되어 있지만, 본 발명은 이에 한정되지 아니하며, 반경방향으로 뻗은 격벽에 의해 원주 방향으로 압력 챔버들이 구획된 상태로 웨이퍼를 가압하는 연마 헤드의 구성에도 본 발명이 적용될 수 있다.
이를 통해, 본 발명은, 연마 공정 중에 웨이퍼가 반경 방향과 원주 방향 중 어느 하나 이상의 방향으로 오실레이션 이동(10d, 20d)을 하거나, 연마 정반(110)의 회전 속도가 불일정하더라도, 웨이퍼의 가장자리 영역에서 연마층 두께 정보를 포함하는 반사광 데이터를 확실하게 얻을 수 있게 되어, 웨이퍼의 가장자리에서의 연마층 두께를 연마 공정 중에 정확하게 얻을 수 있는 효과가 있다.
또한, 본 발명은, 웨이퍼의 오실레이션 운동 등에 무관하게, 웨이퍼의 하측을 통과하는 통과 궤적(140p)을 정확하게 얻을 수 있으며, 이를 통해, 두께 센서가 통과하는 연마 헤드의 압력 챔버들의 하측 위치에서 웨이퍼 연마층의 두께 분포를 정확하게 얻는 효과를 얻을 수 있다.
이를 통해, 본 발명은, 웨이퍼의 하측을 통과하면서 얻은 웨이퍼의 연마층 두께 분포에 기초하여, 연마 헤드의 압력 챔버를 정확히 제어하여, 연마 공정을 마친 웨이퍼 연마층의 연마 품질을 향상시키는 효과가 있다.
이상에서 바람직한 실시예를 통하여 본 발명을 예시적으로 설명하였으나, 본 발명은 이와 같은 특정 실시예에만 한정되는 것은 아니며 본 발명에서 제시한 기술적 사상, 구체적으로는 특허청구범위에 기재된 범주 내에서 다양한 형태로 수정, 변경, 또는 개선될 수 있을 것이다.
W: 웨이퍼 f: 산화물층
Li: 조사광 Lo: 반사광
X: 광간섭 신호 I: 광강도(Intensity)
20: 연마 헤드 22: 멤브레인
40: 컨디셔너 100: 화학 기계적 연마 시스템
110: 연마 정반 111: 연마 패드
140: 두께 센서 ` 150: 도달 감지부
160: 분광계 170: 제어부

Claims (29)

  1. 웨이퍼의 연마 시스템으로서,
    자전하는 연마 패드와;
    상기 웨이퍼를 상기 연마 패드에 밀착시킨 상태로 상기 웨이퍼를 가압하는 연마 헤드와;
    상기 웨이퍼의 연마층의 두께 정보를 수신하는 두께 센서와;
    상기 두께 센서가 상기 웨이퍼에 도달하는 것을 감지하는 도달감지부와;
    상기 도달 감지부에 의해 상기 두께 센서가 상기 웨이퍼에 도달한 것으로 감지되면, 상기 두께 센서가 상기 두께 정보를 수신하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 연마 시스템.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 도달 감지부는 조사된 광이 반사된 반사광을 수신하는 수광부를;
    포함하고, 상기 수광부에 도달한 상기 반사광의 광강도 변화로부터 상기 두께 센서가 상기 웨이퍼의 하측에 도달한 것을 감지하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 연마 시스템.
  3. 제 2항에 있어서,
    상기 반사광의 광강도의 크기가 정해진 제1시간 동안에 제1기준치 이상으로 증가하면, 상기 반사광의 광강도의 크기가 증가하기 시작한 시점에서의 상기 수광부의 위치를 상기 웨이퍼의 가장자리인 제1위치로 감지하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 연마 시스템.
  4. 제 3항에 있어서,
    상기 광강도의 크기는 0.1초 내지 1초의 평균값인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 연마 시스템.
  5. 제 3항에 있어서,
    상기 정해진 제1시간은 0.1초 내지 1초 중 어느 하나로 정해지는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 연마 시스템.
  6. 제 3항에 있어서,
    상기 제1기준치는 1.5배 내지 100배 중 어느 하나로 정해지는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 연마 시스템.
  7. 제 3항에 있어서,
    상기 연마 패드의 회전 위치를 감지하는 회전위치 감지센서를;
    더 포함하고, 상기 두께 센서가 상기 제1위치에 도달하면, 상기 회전위치 감지센서에서 감지된 기준 회전 위치를 이용하여 상기 연마 패드 상에서의 상기 제1위치를 감지하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 연마 시스템.
  8. 제 3항에 있어서,
    상기 제1시간 동안에 상기 제1기준치 이상으로 증가한 이후에, 상기 반사광의 광강도의 크기가 정해진 제2시간 동안에 제2기준치 이하로 감소하면, 상기 반사광의 광강도의 크기가 감소한 직후의 시점에서의 상기 수광부의 위치를 상기 웨이퍼의 가장자리 하측으로부터 이탈한 제2위치로 감지하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 연마 시스템.
  9. 제 8항에 있어서,
    상기 광강도의 크기는 0.1초 내지 1초의 평균값인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 연마 시스템.
  10. 제 8항에 있어서,
    상기 정해진 제2시간은 0.1초 내지 1초로 정해지는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 연마 시스템.
  11. 제 8항에 있어서,
    상기 제2기준치는 1/100배 ~ 1/2배 중 어느 하나로 정해지는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 연마 시스템.
  12. 제 8항에 있어서,
    상기 연마 패드의 회전 위치를 감지하는 회전위치 감지센서를;
    더 포함하고, 상기 두께 센서가 상기 제2위치에 도달하면, 상기 회전위치 감지센서에서 감지된 회전 위치를 이용하여 상기 연마 패드 상에서의 상기 제2위치를 감지하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 연마 시스템.
  13. 제 12항에 있어서,
    상기 도달 감지부에 의해 상기 제1위치와 상기 제2위치 사이의 시간 동안에 상기 연마 패드의 회전 거리로부터, 상기 연마 패드 상에서의 상기 제2위치를 감지하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 연마 시스템.
  14. 제 13항에 있어서,
    상기 도달 감지부에 의해 상기 제1위치와 상기 제2위치 사이의 시간 동안에 상기 연마 패드의 회전 거리를 참조하여, 상기 제1위치와 상기 제2위치를 잇는 궤적으로서 상기 두께 센서가 상기 웨이퍼의 하측을 통과하는 통과 궤적을 얻는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 연마 시스템.
  15. 제 14항에 있어서,
    상기 두께 센서로부터 수신된 상기 웨이퍼의 연마층 두께 정보로부터 상기 웨이퍼의 통과 궤적에서의 적어도 2개 이상의 측정 위치에서 연마층 두께를 산출하는 제어부를; 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 연마 시스템.
  16. 제 15항에 있어서,
    상기 연마 헤드는 상기 웨이퍼를 가압하는 다수의 압력 챔버를 포함하고, 상기 측정 위치는 상기 압력 챔버마다 적어도 1개를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 연마 시스템.
  17. 제 16항에 있어서,
    상기 통과 궤적을 따라 측정된 연마층 두께가 큰 제p위치의 압력 챔버에는 연마층 두께가 더 작은 제q위치의 압력 챔버에 비하여 보다 더 큰 압력으로 조절되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 연마 시스템.
  18. 제 2항에 있어서,
    상기 리테이너 링에는 저면에 홈이 원주 방향 성분을 갖게 형성되어, 상기 수광부가 상기 리테이너 링의 하측을 통과하는 동안에 수신한 상기 홈에서의 반사광의 광강도 변화에 의해 상기 웨이퍼에 근접한 것을 예비적으로 감지하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 연마 시스템.
  19. 제 2항에 있어서,
    상기 웨이퍼는 연마 공정 중에 정해진 이동 경로로 이동하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 연마 시스템.
  20. 제 19항에 있어서,
    상기 이동 경로는 왕복 운동인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 연마 시스템.
  21. 제 19항에 있어서,
    상기 이동 경로의 길이는 10mm 내지 100mm인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 연마 시스템.
  22. 제 2항 내지 제21항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 수광부는 상기 두께 센서와 함께 배치되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 연마 시스템.
  23. 제 22항에 있어서,
    상기 두께 센서는 와전류 센서인 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 연마 시스템.
  24. 제 22항에 있어서,
    상기 웨이퍼의 연마층은 금속층인 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 연마 시스템.
  25. 제 2항 내지 제21항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 두께 센서는 광을 조사하고 수신하는 광센서인 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 연마 시스템.
  26. 제 25항에 있어서,
    상기 수광부는 상기 두께 센서의 일부인 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 연마 시스템.
  27. 제 25항에 있어서,
    상기 수광부에서 수신된 반사광의 일부는 광강도를 감지하는 데 사용되고, 상기 수광부에서 수신된 반사광의 일부는 상기 웨이퍼의 연마층 두께나 연마종료시점을 감지하는 데 사용되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 연마 시스템.
  28. 제 25항에 있어서,
    상기 웨이퍼의 연마층은 광투과성 재질인 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 연마 시스템.
  29. 제 25항에 있어서,
    상기 웨이퍼의 연마층은 금속 재질이고, 상기 수광부에 수신된 반사광의 일부는 상기 웨이퍼의 연마종료시점을 감지하는 데 사용되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 연마 시스템.

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Cited By (1)

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KR102093286B1 (ko) * 2019-07-05 2020-05-29 (주)제이씨글로벌 광학적 웨이퍼 엔드포인트 이중검사장치

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115122230A (zh) * 2021-03-11 2022-09-30 中国科学院微电子研究所 抛光头、抛光装置和抛光方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5609718A (en) * 1995-09-29 1997-03-11 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for measuring a change in the thickness of polishing pads used in chemical-mechanical planarization of semiconductor wafers
CN101530983B (zh) * 2002-10-17 2011-03-16 株式会社荏原制作所 抛光状态监测装置和抛光装置以及方法
CN102049732B (zh) * 2010-08-30 2012-05-23 清华大学 一种硅片边缘膜厚测量方法
KR101720518B1 (ko) * 2014-11-04 2017-03-28 주식회사 케이씨텍 화학 기계적 연마 장치 및 이를 이용한 웨이퍼 연마층 두께 측정 방법
CN205380555U (zh) * 2015-03-02 2016-07-13 K.C.科技股份有限公司 化学机械抛光装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102093286B1 (ko) * 2019-07-05 2020-05-29 (주)제이씨글로벌 광학적 웨이퍼 엔드포인트 이중검사장치

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