KR20190043043A - 전자장치 - Google Patents

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KR20190043043A
KR20190043043A KR1020170134860A KR20170134860A KR20190043043A KR 20190043043 A KR20190043043 A KR 20190043043A KR 1020170134860 A KR1020170134860 A KR 1020170134860A KR 20170134860 A KR20170134860 A KR 20170134860A KR 20190043043 A KR20190043043 A KR 20190043043A
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이재인
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Abstract

전자장치는 리드동작 시 데이터가 출력될 때마다 카운팅되는 에러삽입코드를 생성하는 에러발생제어회로; 상기 에러삽입코드에 응답하여 데이터를 변환하여 내부데이터를 생성하는 데이터변환회로; 상기 에러삽입코드에 응답하여 패러티를 변환하여 내부패러티를 생성하는 패러티변환회로; 및 상기 내부데이터와 상기 내부패러티로부터 생성된 신드롬과 상기 에러삽입코드로부터 검증신호를 생성하는 검증신호생성회로를 포함한다.

Description

전자장치{ELECTRONIC DEVICE}
본 발명은 에러정정코드를 사용하는 전자장치에 관한 것이다.
최근 반도체장치의 동작속도를 증가시키기 위해 클럭 사이클(cycle)마다 4비트 또는 8비트의 데이터를 입/출력하는 DDR2, DDR3 방식 등이 사용되고 있다. 데이터의 입/출력 속도가 빨라지는 경우 데이터가 전송되는 과정 중 발생되는 에러의 발생 확률도 증가 되므로, 데이터 전송의 신뢰성을 보장하기 위한 별도의 장치와 방법이 추가적으로 요구되고 있다.
데이터 전송 시마다 에러 발생 여부를 확인할 수 있는 에러코드를 생성하여 데이터와 함께 전송함으로써, 데이터 전송의 신뢰성을 보장하는 방법을 사용하고 있다. 에러코드에는 발생한 에러를 검출할 수 있는 에러검출코드(Error Detection Code, EDC)와, 에러 발생시 이를 자체적으로 정정할 수 있는 에러정정코드(Error Correction Code, ECC) 등이 있다.
본 발명은 에러정정코드를 검증할 수 있는 전자장치를 제공한다.
이를 위해 본 발명은 리드동작 시 데이터가 출력될 때마다 카운팅되는 에러삽입코드를 생성하는 에러발생제어회로; 상기 에러삽입코드에 응답하여 데이터를 변환하여 내부데이터를 생성하는 데이터변환회로; 상기 에러삽입코드에 응답하여 패러티를 변환하여 내부패러티를 생성하는 패러티변환회로; 및 상기 내부데이터와 상기 내부패러티로부터 생성된 신드롬과 상기 에러삽입코드로부터 검증신호를 생성하는 검증신호생성회로를 포함하는 전자장치를 제공한다.
또한, 본 발명은 에러체크매트릭스에 응답하여 데이터에 포함된 비트들 중 선택된 비트들을 논리 연산하여 패러티를 생성하는 패러티생성회로; 에러삽입코드에 응답하여 데이터를 변환하여 내부데이터를 생성하는 데이터변환회로; 에러삽입코드에 응답하여 패러티를 변환하여 내부패러티를 생성하는 패러티변환회로; 및 상기 내부데이터와 상기 내부패러티로부터 생성된 신드롬과 상기 에러삽입코드로부터 검증신호를 생성하는 검증신호생성회로를 포함하는 전자장치를 제공한다.
또한, 본 발명은 에러체크매트릭스에 따라 데이터 및 패러티에 포함된 비트들 중 적어도 하나의 비트에 대응되는 논리레벨조합을 갖는 에러삽입코드를 생성하는 에러발생제어회로; 상기 에러삽입코드의 논리레벨조합에 따라 상기 데이터에 포함된 비트들 중 적어도 하나의 비트를 반전시켜 내부데이터를 생성하는 데이터변환회로; 상기 에러삽입코드의 논리레벨조합에 따라 상기 패러티에 포함된 비트들 중 적어도 하나의 비트를 반전시켜 내부패러티를 생성하는 패러티변환회로; 및 상기 내부데이터와 상기 내부패러티로부터 생성된 신드롬과 상기 에러삽입코드로부터 검증신호를 생성하는 검증신호생성회로를 포함하는 전자장치를 제공한다.
본 발명에 의하면 에러정정코드에 의해 데이터에 에러를 발생시키고, 에러가 발생된 데이터를 통해 생성된 신드롬에 의해 에러정정코드의 정상 동작 여부를 검증할 수 있는 효과가 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 전자장치의 구성을 도시한 블록도이다.
도 2는 도 1에 도시된 전자장치에서 사용되는 에러정정코드를 구현하기 위한 에러체크매트릭스의 일 실시예를 도시한 표이다.
도 3은 도 1에 도시된 전자장치에 포함된 패러티생성회로의 일 실시예에 따른 회로도이다.
도 4는 도 1에 도시된 전자장치에 포함된 에러발생제어회로의 일 실시예에 따른 도면이다.
도 5는 도 4에 도시된 에러발생제어회로에서 생성되는 에러삽입코드의 논리레벨조합을 보여주는 표이다.
도 6은 도 1에 도시된 전자장치에 포함된 데이터변환회로의 일 실시예에 따른 회로도이다.
도 7은 도 1에 도시된 전자장치에 포함된 패러티변환회로의 일 실시예에 따른 회로도이다.
도 8은 도 1에 도시된 전자장치에 포함된 신드롬생성회로의 일 실시예에 따른 회로도이다.
도 9는 도 1에 도시된 전자장치에 포함된 검증신호생성회로의 일 실시예에 따른 회로도이다.
도 10 및 도 11은 도 1에 도시된 전자장치가 적용된 전자시스템의 일 실시예에 따른 구성을 도시한 도면이다.
이하, 실시예를 통하여 본 발명을 더욱 상세히 설명하기로 한다. 이들 실시예는 단지 본 발명을 예시하기 위한 것이며, 본 발명의 권리 보호 범위가 이들 실시예에 의해 제한되는 것은 아니다.
도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 전자장치는 패러티생성회로(1), 에러발생제어회로(2), 데이터변환회로(3), 패러티변환회로(4), 신드롬생성회로(5) 및 검증신호생성회로(6)를 포함할 수 있다.
패러티생성회로(1)는 데이터(D<4:1>)를 입력받아 패러티(P<3:1>)를 생성할 수 있다. 패러티생성회로(1)는 데이터(D<4:1>)에 포함된 비트들을 선택적으로 논리 연산하여 패러티(P<3:1>)를 생성할 수 있다. 패러티(P<3:1>)는 해밍코드(Hamming Code)를 이용한 에러정정코드(Error Correction Code, ECC) 방식을 사용하여 생성될 수 있다. 해밍코드(Hamming Code)는 데이터의 에러를 정정하기 위한 에러체크매트릭스에 의해 구현될 수 있다. 패러티생성회로(1)의 보다 구체적인 구성 및 동작은 도 2 및 도 3을 참고하여 후술한다.
에러발생제어회로(2)는 리드신호(RD) 및 컬럼펄스(CASP)에 응답하여 에러삽입코드(EI<3:1>)를 생성할 수 있다. 에러발생제어회로(2)는 리드신호(RD)가 인에이블된 상태에서 컬럼펄스(CASP)가 발생되는 시점에서 카운팅되는 에러삽입코드(EI<3:1>)를 생성할 수 있다. 리드신호(RD)는 리드동작이 수행되는 경우 인에이블될 수 있다. 컬럼펄스(CASP)는 리드동작에서 데이터(D<4:1>)가 메모리셀(미도시)에서 출력될 때마다 발생될 수 있다. 에러발생제어회로(2)의 보다 구체적인 구성 및 동작은 도 4 및 도 5를 참고하여 후술한다.
데이터변환회로(3)는 에러삽입코드(EI<3:1>)에 응답하여 데이터(D<4:1>)로부터 내부데이터(ID<4:1>)를 생성할 수 있다. 데이터변환회로(3)는 데이터(D<4:1>)에 포함된 비트들 중 에러삽입코드(EI<3:1>)의 논리레벨조합에 대응하는 비트를 반전시켜 내부데이터(ID<4:1>)를 생성할 수 있다. 에러삽입코드(EI<3:1>)의 논리레벨조합에 대응하는 데이터(D<4:1>)의 비트는 실시예에 따라서 다양하게 설정될 수 있다. 데이터변환회로(3)의 보다 구체적인 구성 및 동작은 도 6을 참고하여 후술한다.
패러티변환회로(4)는 에러삽입코드(EI<3:1>)에 응답하여 패러티(P<3:1>)로부터 내부패러티(IP<3:1>)를 생성할 수 있다. 패러티변환회로(4)는 패러티(P<3:1>)에 포함된 비트들 중 에러삽입코드(EI<3:1>)의 논리레벨조합에 대응하는 비트를 반전시켜 내부패러티(IP<3:1>)를 생성할 수 있다. 에러삽입코드(EI<3:1>)의 논리레벨조합에 대응하는 패러티(P<3:1>)의 비트는 실시예에 따라서 다양하게 설정될 수 있다. 패러티변환회로(4)의 보다 구체적인 구성 및 동작은 도 7을 참고하여 후술한다.
신드롬생성회로(5)는 내부데이터(ID<4:1>) 및 내부패러티(IP<3:1>)에 응답하여 신드롬(S<3:1>)을 생성할 수 있다. 신드롬생성회로(5)는 내부데이터(ID<4:1>) 및 내부패러티(IP<3:1>)에 포함된 비트들을 선택적으로 논리 연산하여 신드롬(S<3:1>)을 생성할 수 있다. 신드롬(S<3:1>)은 해밍코드(Hamming Code)를 이용한 에러정정코드(Error Correction Code, ECC) 방식을 사용하여 생성될 수 있다. 해밍코드(Hamming Code)는 데이터의 에러를 정정하기 위한 에러체크매트릭스에 의해 구현될 수 있다. 신드롬생성회로(5)의 보다 구체적인 구성 및 동작은 도 8을 참고하여 후술한다.
검증신호생성회로(6)는 에러삽입코드(EI<3:1>) 및 신드롬(S<3:1>)에 응답하여 검증신호(VR)를 생성할 수 있다. 검증신호생성회로(6)는 에러삽입코드(EI<3:1>) 및 신드롬(S<3:1>)이 동일한 경우 제1 로직레벨을 갖는 검증신호(VR)를 생성할 수 있다. 검증신호생성회로(6)는 에러삽입코드(EI<3:1>) 및 신드롬(S<3:1>)이 상이한 경우 제2 로직레벨을 갖는 검증신호(VR)를 생성할 수 있다. 제1 로직레벨은 로직하이레벨로 설정될 수 있고, 제2 로직레벨은 로직로우레벨로 설정될 수 있다. 제1 및 제2 로직레벨은 실시예에 따라서 다르게 설정될 수 있다. 검증신호생성회로(6)의 보다 구체적인 구성 및 동작은 도 9를 참고하여 후술한다.
도 2를 참고하면 본 발명의 일 실시예에 따른 전자장치에서 사용되는 에러체크매트릭스를 확인할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따른 에러체크매트릭스는 제1 매트릭스(1st MATRIX) 및 제2 매트릭스(2nd MATRIX)를 포함할 수 있다.
제1 매트릭스(1st MATRIX)는 패러티(P<3:1>)에 포함된 비트들에 에러가 있는 지 여부에 대한 정보를 포함할 수 있다. 제1 매트릭스(1st MATRIX)의 첫번째 컬럼의 논리레벨 조합 '0, 0, 1'과 동일한 논리레벨조합을 갖는 신드롬(S<3:1>)이 생성되는 경우 패러티의 제1 비트(P<1>)에 에러가 발생됨이 확인될 수 있다. 신드롬(S<3:1>)이 '0, 0, 1' 논리레벨조합을 갖는 경우라 함은 신드롬의 제1 비트(S<1>)가 로직하이레벨이고, 신드롬의 제2 및 제3 비트(S<2:3>)가 모두 로직로우레벨임을 의미한다. 제1 매트릭스(1st MATRIX)의 두번째 컬럼의 논리레벨 조합 '0, 1, 0'과 동일한 논리레벨조합을 갖는 신드롬(S<3:1>)이 생성되는 경우 패러티의 제2 비트(P<2>)에 에러가 발생됨이 확인될 수 있다. 제1 매트릭스(1st MATRIX)의 세번째 컬럼의 논리레벨 조합 '1, 0, 0'과 동일한 논리레벨조합을 갖는 신드롬(S<3:1>)이 생성되는 경우 패러티의 제3 비트(P<3>)에 에러가 발생됨이 확인될 수 있다. 이하 논리레벨이 '1'이라함은 로직하이레벨임을 의미하고, 논리레벨이 '0'이라함은 '로직로우레벨임을 의미한다.
제2 매트릭스(2nd MATRIX)는 데이터(D<4:1>)에 포함된 비트들에 에러가 있는 지 여부에 대한 정보를 포함할 수 있다. 제2 매트릭스(2nd MATRIX)의 첫번째 컬럼의 논리레벨 조합 '0, 1, 1'과 동일한 논리레벨조합을 갖는 신드롬(S<3:1>)이 생성되는 경우 데이터의 제1 비트(D<1>)에 에러가 발생됨이 확인될 수 있다. 제2 매트릭스(2nd MATRIX)의 두번째 컬럼의 논리레벨 조합 '1, 0, 1'과 동일한 논리레벨조합을 갖는 신드롬(S<3:1>)이 생성되는 경우 데이터의 제2 비트(D<2>)에 에러가 발생됨이 확인될 수 있다. 제2 매트릭스(2nd MATRIX)의 세번째 컬럼의 논리레벨 조합 '1, 1, 0'과 동일한 논리레벨조합을 갖는 신드롬(S<3:1>)이 생성되는 경우 데이터의 제3 비트(D<3>)에 에러가 발생됨이 확인될 수 있다. 제2 매트릭스(2nd MATRIX)의 네번째 컬럼의 논리레벨 조합 '1, 1, 1'과 동일한 논리레벨조합을 갖는 신드롬(S<3:1>)이 생성되는 경우 데이터의 제4 비트(D<4>)에 에러가 발생됨이 확인될 수 있다.
제2 매트릭스(2nd MATRIX)는 패러티(P<3:1>)를 생성하기 위해 데이터(D<4:1>)에 포함된 비트들의 논리레벨 조합에 대한 정보를 포함할 수 있다. 제2 매트릭스(2nd MATRIX)의 첫번째 로우의 논리레벨 조합은 '1, 1, 0, 1'이므로, 패러티의 제1 비트(P<1>)는 데이터의 제1 비트(D<1>), 데이터의 제2 비트(D<2>) 및 데이터의 제4 비트(D<4>)의 배타적논리 연산 수행 결과 생성될 수 있다. 제2 매트릭스(2nd MATRIX)의 두번째 로우의 논리레벨 조합은 '1, 0, 1, 1'이므로, 패러티의 제2 비트(P<2>)는 데이터의 제1 비트(D<1>), 데이터의 제3 비트(D<3>) 및 데이터의 제4 비트(D<4>)의 배타적논리 연산 수행 결과 생성될 수 있다. 제2 매트릭스(2nd MATRIX)의 세번째 로우의 논리레벨 조합은 '0, 1, 1, 1'이므로, 패러티의 제3 비트(P<3>)는 데이터의 제2 비트(D<2>), 데이터의 제3 비트(D<3>) 및 데이터의 제4 비트(D<4>)의 배타적논리 연산 수행 결과 생성될 수 있다.
도 3을 참고하면 패러티생성회로(1)는 제1 패러티생성회로(11), 제2 패러티생성회로(12) 및 제3 패러티생성회로(13)를 포함할 수 있다. 제1 패러티생성회로(11)는 도 2에 도시된 제2 매트릭스(2nd MATRIX)의 첫번째 로우의 논리레벨조합인 '1, 1, 0, 1'에 따라 데이터의 제1 비트(D<1>), 데이터의 제2 비트(D<2>) 및 데이터의 제4 비트(D<4>)의 배타적논리 연산 수행 결과 패러티의 제1 비트(P<1>)를 생성할 수 있다. 제2 패러티생성회로(12)는 도 2에 도시된 제2 매트릭스(2nd MATRIX)의 두번째 로우의 논리레벨조합인 '1, 0, 1, 1'에 따라 데이터의 제1 비트(D<1>), 데이터의 제3 비트(D<3>) 및 데이터의 제4 비트(D<4>)의 배타적논리 연산 수행 결과 패러티의 제2 비트(P<2>)를 생성할 수 있다. 제3 패러티생성회로(13)는 도 2에 도시된 제2 매트릭스(2nd MATRIX)의 세번째 로우의 논리레벨조합인 '0, 1, 1, 1'에 따라 데이터의 제2 비트(D<2>), 데이터의 제3 비트(D<3>) 및 데이터의 제4 비트(D<4>)의 배타적논리 연산 수행 결과 패러티의 제3 비트(P<3>)를 생성할 수 있다.
도 4를 참고하면 에러발생제어회로(2)는 카운팅펄스생성회로(21) 및 카운터회로(22)를 포함할 수 있다. 카운팅펄스생성회로(21)는 리드신호(RD) 및 컬럼펄스(CASP)에 응답하여 카운팅펄스(CNTP)를 생성할 수 있다. 카운팅펄스생성회로(21)는 리드동작이 수행되어 리드신호(RD)가 인에이블된 상태에서 데이터(D<4:1>)가 메모리셀(미도시)에서 출력되어 컬럼펄스(CASP)가 발생될 때마다 카운팅펄스(CNTP)를 발생시킬 수 있다. 카운터회로(22)는 카운팅펄스(CNTP)가 발생될 때마다 순차적으로 카운팅되는 에러삽입코드(EI<3:1>)를 생성할 수 있다.
도 5를 참고하면 도 4에 도시된 에러발생제어회로(2)에서 생성되는 에러삽입코드(EI<3:1>)의 논리레벨조합을 확인할 수 있다. 에러삽입코드(EI<3:1>)가 '0,0,0'의 논리레벨조합으로 설정된 상태에서 첫번째 카운팅펄스(CNTP)가 발생하는 경우 에러삽입코드(EI<3:1>)는 카운팅되어 '0, 0, 1'의 논리레벨조합을 갖는다. 에러삽입코드(EI<3:1>)가 '0, 0, 1'의 논리레벨조합을 갖는 경우라 함은 에러삽입코드의 제1 비트(EI<1>)가 로직하이레벨이고, 에러삽입코드의 제2 및 제3 비트(EI<3:2>)가 로직로우레벨임을 의미한다. 두번째 카운팅펄스(CNTP)가 발생하는 경우 에러삽입코드(EI<3:1>)는 카운팅되어 '0, 1, 0'의 논리레벨조합을 갖고, 세번째 카운팅펄스(CNTP)가 발생하는 경우 에러삽입코드(EI<3:1>)는 카운팅되어 '0, 1, 1'의 논리레벨조합을 갖는다. 네번째 카운팅펄스(CNTP)가 발생하는 경우 에러삽입코드(EI<3:1>)는 카운팅되어 '1, 0, 0'의 논리레벨조합을 갖고, 다섯번째 카운팅펄스(CNTP)가 발생하는 경우 에러삽입코드(EI<3:1>)는 카운팅되어 '1, 0, 1'의 논리레벨조합을 갖는다. 여섯번째 카운팅펄스(CNTP)가 발생하는 경우 에러삽입코드(EI<3:1>)는 카운팅되어 '1, 1, 0'의 논리레벨조합을 갖고, 일곱번째 카운팅펄스(CNTP)가 발생하는 경우 에러삽입코드(EI<3:1>)는 카운팅되어 '1, 1, 1'의 논리레벨조합을 갖는다.
에러삽입코드(EI<3:1>)가 갖는 '0, 0, 1'의 논리레벨조합은 패러티의 제1 비트(P<1>)에 에러가 발생될 때 생성되는 신드롬(S<3:1>)의 논리레벨조합과 동일하다. 에러삽입코드(EI<3:1>)가 갖는 '0, 1, 0'의 논리레벨조합은 패러티의 제2 비트(P<2>)에 에러가 발생될 때 생성되는 신드롬(S<3:1>)의 논리레벨조합과 동일하다. 에러삽입코드(EI<3:1>)가 갖는 '0, 1, 1'의 논리레벨조합은 데이터의 제1 비트(D<1>)에 에러가 발생될 때 생성되는 신드롬(S<3:1>)의 논리레벨조합과 동일하다. 에러삽입코드(EI<3:1>)가 갖는 '1, 0, 0'의 논리레벨조합은 패러티의 제3 비트(P<3>)에 에러가 발생될 때 생성되는 신드롬(S<3:1>)의 논리레벨조합과 동일하다. 에러삽입코드(EI<3:1>)가 갖는 '1, 0, 1'의 논리레벨조합은 데이터의 제2 비트(D<2>)에 에러가 발생될 때 생성되는 신드롬(S<3:1>)의 논리레벨조합과 동일하다. 에러삽입코드(EI<3:1>)가 갖는 '1, 1, 0'의 논리레벨조합은 데이터의 제3 비트(D<3>)에 에러가 발생될 때 생성되는 신드롬(S<3:1>)의 논리레벨조합과 동일하다. 에러삽입코드(EI<3:1>)가 갖는 '1, 1, 1'의 논리레벨조합은 데이터의 제4 비트(D<4>)에 에러가 발생될 때 생성되는 신드롬(S<3:1>)의 논리레벨조합과 동일하다.
도 6을 참고하면 데이터변환회로(3)는 데이터변환신호생성회로(31) 및 제1 내부데이터생성회로(32), 제2 내부데이터생성회로(33), 제3 내부데이터생성회로(34) 및 제4 내부데이터생성회로(35)를 포함할 수 있다.
데이터변환신호생성회로(31)는 에러삽입코드(EI<3:1>)가 갖는 '0, 1, 1'의 논리레벨조합을 가질 때 로직하이레벨로 생성되는 제1 변환데이터(DV<1>)를 생성할 수 있다. 데이터변환신호생성회로(31)는 에러삽입코드(EI<3:1>)가 갖는 '1, 0, 1'의 논리레벨조합을 가질 때 로직하이레벨로 생성되는 제2 변환데이터(DV<2>)를 생성할 수 있다. 데이터변환신호생성회로(31)는 에러삽입코드(EI<3:1>)가 갖는 '1, 1, 0'의 논리레벨조합을 가질 때 로직하이레벨로 생성되는 제3 변환데이터(DV<3>)를 생성할 수 있다. 데이터변환신호생성회로(31)는 에러삽입코드(EI<3:1>)가 갖는 '1, 1, 1'의 논리레벨조합을 가질 때 로직하이레벨로 생성되는 제4 변환데이터(DV<4>)를 생성할 수 있다.
제1 내부데이터생성회로(32)는 제1 변환데이터(DV<1>)가 로직하이레벨을 갖는 경우 데이터의 제1 비트(D<1>)를 반전시켜 내부데이터의 제1 비트(ID<1>)를 생성할 수 있다. '0, 1, 1'의 논리레벨조합을 갖는 에러삽입코드(EI<3:1>)에 의해 제1 변환데이터(DV<1>)가 로직하이레벨을 갖는 경우 데이터의 제1 비트(D<1>)를 반전시켜 내부데이터의 제1 비트(ID<1>)에 에러를 발생시킬 수 있다.
제2 내부데이터생성회로(33)는 제2 변환데이터(DV<2>)가 로직하이레벨을 갖는 경우 데이터의 제2 비트(D<2>)를 반전시켜 내부데이터의 제2 비트(ID<2>)를 생성할 수 있다. '1, 0, 1'의 논리레벨조합을 갖는 에러삽입코드(EI<3:1>)에 의해 제2 변환데이터(DV<2>)가 로직하이레벨을 갖는 경우 데이터의 제2 비트(D<2>)를 반전시켜 내부데이터의 제2 비트(ID<2>)에 에러를 발생시킬 수 있다.
제3 내부데이터생성회로(34)는 제3 변환데이터(DV<3>)가 로직하이레벨을 갖는 경우 데이터의 제3 비트(D<3>)를 반전시켜 내부데이터의 제3 비트(ID<3>)를 생성할 수 있다. '1, 1, 0'의 논리레벨조합을 갖는 에러삽입코드(EI<3:1>)에 의해 제3 변환데이터(DV<3>)가 로직하이레벨을 갖는 경우 데이터의 제3 비트(D<3>)를 반전시켜 내부데이터의 제3 비트(ID<3>)에 에러를 발생시킬 수 있다.
제4 내부데이터생성회로(35)는 제4 변환데이터(DV<4>)가 로직하이레벨을 갖는 경우 데이터의 제4 비트(D<4>)를 반전시켜 내부데이터의 제4 비트(ID<4>)를 생성할 수 있다. '1, 1, 1'의 논리레벨조합을 갖는 에러삽입코드(EI<3:1>)에 의해 제4 변환데이터(DV<4>)가 로직하이레벨을 갖는 경우 데이터의 제4 비트(D<4>)를 반전시켜 내부데이터의 제4 비트(ID<4>)에 에러를 발생시킬 수 있다.
도 7을 참고하면 패러티변환회로(4)는 패러티변환신호생성회로(41) 및 제1 내부패러티생성회로(42), 제2 내부패러티생성회로(43) 및 제3 내부패러티생성회로(44)를 포함할 수 있다.
패러티변환신호생성회로(41)는 에러삽입코드(EI<3:1>)가 갖는 '0, 0, 1'의 논리레벨조합을 가질 때 로직하이레벨로 생성되는 제1 변환패러티(PV<1>)를 생성할 수 있다. 패러티변환신호생성회로(41)는 에러삽입코드(EI<3:1>)가 갖는 '0, 1, 0'의 논리레벨조합을 가질 때 로직하이레벨로 생성되는 제2 변환패러티(PV<2>)를 생성할 수 있다. 패러티변환신호생성회로(41)는 에러삽입코드(EI<3:1>)가 갖는 '1, 0, 0'의 논리레벨조합을 가질 때 로직하이레벨로 생성되는 제3 변환패러티(PV<3>)를 생성할 수 있다.
제1 내부패러티생성회로(42)는 제1 변환패러티(PV<1>)가 로직하이레벨을 갖는 경우 패러티의 제1 비트(P<1>)를 반전시켜 내부패러티의 제1 비트(IP<1>)를 생성할 수 있다. '0, 0, 1'의 논리레벨조합을 갖는 에러삽입코드(EI<3:1>)에 의해 제1 변환패러티(PV<1>)가 로직하이레벨을 갖는 경우 패러티의 제1 비트(P<1>)를 반전시켜 내부패러티의 제1 비트(IP<1>)에 에러를 발생시킬 수 있다.
제2 내부패러티생성회로(43)는 제2 변환패러티(PV<2>)가 로직하이레벨을 갖는 경우 패러티의 제2 비트(P<2>)를 반전시켜 내부패러티의 제2 비트(IP<2>)를 생성할 수 있다. '0, 1, 0'의 논리레벨조합을 갖는 에러삽입코드(EI<3:1>)에 의해 제2 변환패러티(PV<2>)가 로직하이레벨을 갖는 경우 패러티의 제2 비트(P<2>)를 반전시켜 내부패러티의 제2 비트(IP<2>)에 에러를 발생시킬 수 있다.
제3 내부패러티생성회로(44)는 제3 변환패러티(PV<3>)가 로직하이레벨을 갖는 경우 패러티의 제3 비트(P<3>)를 반전시켜 내부패러티의 제3 비트(IP<3>)를 생성할 수 있다. '1, 0, 0'의 논리레벨조합을 갖는 에러삽입코드(EI<3:1>)에 의해 제3 변환패러티(PV<3>)가 로직하이레벨을 갖는 경우 패러티의 제3 비트(P<3>)를 반전시켜 내부패러티의 제3 비트(IP<3>)에 에러를 발생시킬 수 있다.
도 8을 참고하면 신드롬생성회로(5)는 제1 신드롬생성회로(51), 제2 신드롬생성회로(52) 및 제3 신드롬생성회로(53)를 포함할 수 있다.
제1 신드롬생성회로(51)는 내부데이터의 제1 비트(ID<1>), 내부데이터의 제2 비트(ID<2>), 내부데이터의 제4 비트(ID<4>) 및 패러티의 제1 비트(P<1>)의 배타적논리 연산 수행 결과 신드롬의 제1 비트(S<1>)를 생성할 수 있다. 신드롬의 제1 비트(S<1>)를 생성하기 위한 논리 연산식은 제1 매트릭스(1st MATRIX)의 첫번째 로우의 논리레벨조합인 '1, 0, 0'와 제2 매트릭스(2nd MATRIX)의 첫번째 로우의 논리레벨조합인 '1, 1, 0, 1'에 따라 결정된다.
제2 신드롬생성회로(52)는 내부데이터의 제1 비트(ID<1>), 내부데이터의 제4 비트(ID<4>), 내부데이터의 제4 비트(ID<4>) 및 패러티의 제2 비트(P<2>)의 배타적논리 연산 수행 결과 신드롬의 제2 비트(S<2>)를 생성할 수 있다. 신드롬의 제2 비트(S<2>)를 생성하기 위한 논리 연산식은 제1 매트릭스(1st MATRIX)의 첫번째 로우의 논리레벨조합인 '0, 1, 0'와 제2 매트릭스(2nd MATRIX)의 두번째 로우의 논리레벨조합인 '1, 0, 1, 1'에 따라 결정된다.
제3 신드롬생성회로(53)는 내부데이터의 제2 비트(ID<2>), 내부데이터의 제3 비트(ID<3>), 내부데이터의 제4 비트(ID<4>) 및 패러티의 제3 비트(P<3>)의 배타적논리 연산 수행 결과 신드롬의 제3 비트(S<3>)를 생성할 수 있다. 신드롬의 제3 비트(S<3>)를 생성하기 위한 논리 연산식은 제1 매트릭스(1st MATRIX)의 첫번째 로우의 논리레벨조합인 '0, 0, 1'와 제2 매트릭스(2nd MATRIX)의 세번째 로우의 논리레벨조합인 '0, 1, 1, 1'에 따라 결정된다.
도 9를 참고하면 검증신호생성회로(6)는 배타적논리합게이트들(XOR61, XOR62, XOR63) 및 부정논리합게이트(NOR61)를 포함할 수 있다. 배타적논리합게이트(XOR61)는 신드롬의 제1 비트(S<1>) 및 에러삽입코드의 제1 비트(EI<1>)의 배타적논리 연산을 수행할 수 있다. 배타적논리합게이트(XOR61)는 신드롬의 제1 비트(S<1>) 및 에러삽입코드의 제1 비트(EI<1>)가 동일한 경우 로직로우레벨을 출력할 수 있고, 상이한 경우 로직하이레벨을 출력할 수 있다. 배타적논리합게이트(XOR62)는 신드롬의 제2 비트(S<2>) 및 에러삽입코드의 제2 비트(EI<2>)의 배타적논리 연산을 수행할 수 있다. 배타적논리합게이트(XOR62)는 신드롬의 제2 비트(S<2>) 및 에러삽입코드의 제2 비트(EI<2>)가 동일한 경우 로직로우레벨을 출력할 수 있고, 상이한 경우 로직하이레벨을 출력할 수 있다. 배타적논리합게이트(XOR63)는 신드롬의 제3 비트(S<3>) 및 에러삽입코드의 제3 비트(EI<3>)의 배타적논리 연산을 수행할 수 있다. 배타적논리합게이트(XOR63)는 신드롬의 제3 비트(S<3>) 및 에러삽입코드의 제3 비트(EI<3>)가 동일한 경우 로직로우레벨을 출력할 수 있고, 상이한 경우 로직하이레벨을 출력할 수 있다. 부정논리합게이트(NOR61)는 배타적논리합게이트들(XOR61, XOR62, XOR63)의 출력신호들이 모두 로직로우레벨인 경우 로직하이레벨의 검증신호(VR)를 출력할 수 있다. 부정논리합게이트(NOR61)는 배타적논리합게이트들(XOR61, XOR62, XOR63)의 출력신호들 중 적어도 하나가 로직하이레벨인 경우 로직로우레벨의 검증신호(VR)를 출력할 수 있다.
검증신호생성회로(6)는 에러삽입코드(EI<3:1>) 및 신드롬(S<3:1>)이 동일한 논리레벨조합을 갖는 경우 로직하이레벨의 검증신호(VR)를 생성할 수 있다. 검증신호생성회로(6)는 에러삽입코드(EI<3:1>) 및 신드롬(S<3:1>)이 상이한 논리레벨조합을 갖는 경우 로직로우레벨을 갖는 검증신호(VR)를 생성할 수 있다.
본 발명의 전자장치는 에러체크매트릭스를 이용하여 에러삽입코드(EI<3:1>)를 생성하고, 에러삽입코드(EI<3:1>)의 논리레벨조합에 따라 데이터(D<4:1>) 및 패러티(P<3:1>)에 에러를 포함시켜 내부데이터(ID<4:1>) 및 내부패러티(IP<3:1>)를 생성할 수 있다. 본 발명의 전자장치는 에러가 포함된 내부데이터(ID<4:1>) 및 내부패러티(IP<3:1>)에 의해 신드롬(S<3:1>)을 생성하고, 신드롬(S<3:1>)과 에러삽입코드(EI<3:1>)의 동일 여부에 따라 에러체크매트릭스에 의해 에러 정정 동작이 정상적으로 수행되는지 여부를 확인할 수 있다. 즉, 본 발명의 전자장치는 원하는 위치에 에러를 발생시키고 에러 발생 위치가 원하는 위치에서 발생시키는지 여부를 감지하는 방법으로 에러 정정 동작이 정상적으로 수행되는지 여부를 확인할 수 있다.
앞서, 도 1에서 살펴본 전자장치는 메모리시스템, 그래픽시스템, 컴퓨팅시스템 및 모바일시스템 등을 포함하는 전자시스템에 적용될 수 있다. 예를 들어, 도 10을 참고하면 본 발명의 일 실시예에 따른 전자시스템(1000)은 데이터저장부(1001), 메모리컨트롤러(1002), 버퍼메모리(1003) 및 입출력인터페이스(1004)를 포함할 수 있다.
데이터저장부(1001)는 메모리컨트롤러(1002)로부터의 제어신호에 따라 메모리컨트롤러(1002)로부터 인가되는 데이터를 저장하고 저장된 데이터를 판독하여 메모리컨트롤러(1002)에 출력한다. 데이터저장부(1001)는 도 1에 도시된 전자장치를 포함할 수 있다. 한편, 데이터저장부(1001)는 전원이 차단되어도 데이터를 잃지 않고 계속 저장할 수 있는 비휘발성 메모리를 포함할 수 있다. 비휘발성 메모리는 플래쉬 메모리(Nor Flash Memory, NAND Flash Memory), 상변환 메모리(Phase Change Random Access Memory; PRAM), 저항 메모리(Resistive Random Access Memory;RRAM), 스핀 주입자화반전 메모리(Spin Transfer Torque Random Access Memory; STTRAM), 자기메모리(Magnetic Random Access Memory; MRAM)로 구현될 수 있다.
메모리컨트롤러(1002)는 입출력인터페이스(1004)를 통해 외부기기(호스트 장치)로부터 인가되는 명령어를 디코딩하고 디코딩된 결과에 따라 데이터저장부(1001) 및 버퍼메모리(1003)에 대한 데이터 입출력을 제어한다. 도 10에서는 메모리컨트롤러(1002)가 하나의 블록으로 표시되었으나, 메모리컨트롤러(1002)는 데이터저장부(1001)를 제어하기 위한 컨트롤러와 휘발성 메모리인 버퍼메모리(1003)를 제어하기 위한 컨트롤러가 독립적으로 구성될 수 있다.
버퍼메모리(1003)는 메모리컨트롤러(1002)에서 처리할 데이터 즉 데이터저장부(1001)에 입출력되는 데이터를 임시적으로 저장할 수 있다. 버퍼메모리(1003)는 제어신호에 따라 메모리컨트롤러(1002)에서 인가되는 데이터(DATA)를 저장할 수 있다. 버퍼메모리(1003)는 저장된 데이터를 판독하여 메모리컨트롤러(1002)에 출력한다. 버퍼메모리(1003)는 DRAM(Dynamic Random Access Memory), Moblie DRAM, SRAM(Static Random Access Memory) 등의 휘발성 메모리를 포함할 수 있다.
입출력인터페이스(1004)는 메모리컨트롤러(1002)와 외부기기(호스트) 사이의 물리적 연결을 제공하여 메모리컨트롤러(1002)가 외부기기로부터 데이터 입출력을 위한 제어신호를 수신하고 외부기기와 데이터를 교환할 수 있도록 해준다. 입출력인터페이스(1004)는 USB, MMC, PCI-E, SAS, SATA, PATA, SCSI, ESDI, 및 IDE 등과 같은 다양한 인터페이스 프로토콜들 중 하나를 포함할 수 있다.
전자시스템(1000)은 호스트 장치의 보조 기억장치 또는 외부 저장장치로 사용될 수 있다. 전자시스템(1000)은 고상 디스크(Solid State Disk; SSD), USB 메모리(Universal Serial Bus Memory), 씨큐어 디지털 카드(Secure Digital; SD), 미니 씨큐어 디지털 카드(mini Secure Digital card; mSD), 마이크로 씨큐어 디지털 카드(micro SD), 고용량 씨큐어 디지털 카드(Secure Digital High Capacity; SDHC), 메모리 스틱 카드(Memory Stick Card), 스마트 미디어 카드(Smart Media Card; SM), 멀티 미디어 카드(Multi Media Card; MMC), 내장 멀티 미디어 카드(Embedded MMC; eMMC), 컴팩트 플래시 카드(Compact Flash; CF) 등을 포함할 수 있다.
도 11을 참고하면 본 발명의 다른 실시예에 따른 전자시스템(2000)은 호스트(2001), 메모리컨트롤러(2002) 및 데이터저장부(2003)를 포함할 수 있다.
호스트(2001)는 데이터저장부(2003)를 엑세스 하기 위해 메모리컨트롤러(2002)로 리퀘스트 및 데이터를 전송할 수 있다. 메모리컨트롤러(2002)는 리퀘스트에 응답하여 데이터, 데이터 스트로브, 커맨드, 어드레스 및 클럭 등을 데이터저장부(2003)에 제공하고, 이에 응답하여 데이터저장부(2003)는 라이트 또는 리드 동작을 수행하게 할 수 있다. 호스트(2001)는 데이터저장부(2003)로 데이터를 저장시키기 위해 데이터를 메모리컨트롤러(2002)로 전송할 수 있다. 또한 호스트는 데이터저장부(2003)로부터 출력된 데이터를 메모리컨트롤러(2002)를 통해 수신할 수 있다. 호스트(2001)는 에러정정코드(Error Correction Code, ECC) 방식을 사용하여 데이터에 포함된 에러를 정정하는 회로를 포함할 수 있다.
메모리컨트롤러(2002)는 호스트(2001)와 데이터저장부(2003) 사이의 통신을 중계할 수 있다. 메모리컨트롤러(2002)는 호스트(2001)로부터 리퀘스트와 데이터를 수신하고, 데이터저장부(2003)의 동작을 제어하기 위하여 데이터, 데이터 스트로브, 커맨드, 어드레스 및 클럭 등을 생성하여 데이터저장부(2003)로 제공할 수 있다. 또한, 메모리컨트롤러(2002)는 데이터저장부(2003)로부터 출력된 데이터를 호스트(2001)로 제공할 수 있다.
데이터저장부(2003)는 다수의 메모리들을 포함할 수 있다. 데이터저장부(2003)는 메모리컨트롤러(2002)로부터 데이터, 데이터 스트로브, 커맨드, 어드레스 및 클럭 등을 수신하여 라이트 또는 리드 동작을 수행할 수 있다. 데이터저장부(2003)에 포함된 다수의 메모리들은 에러정정코드(Error Correction Code, ECC) 방식을 사용하여 데이터에 포함된 에러를 정정하는 회로를 포함할 수 있다.
호스트(2001)에 포함된 에러를 정정하는 회로 및 다수의 메모리들에 포함된 에러를 정정하는 회로는 실시예에 따라서 모두 동작하거나 선택적으로 동작하도록 구현될 수 있다. 호스트(2001) 및 메모리컨트롤러(2002)는 실시예에 따라서 동일한 칩으로 구현될 수 있다. 메모리컨트롤러(2002) 및 데이터저장부(2003)는 실시예에 따라서 동일한 칩으로 구현될 수 있다.
1: 패러티생성회로 2: 에러발생제어회로
3: 데이터변환회로 4: 패러티변환회로
5: 신드롬생성회로 6: 검증신호생성회로
11: 제1 패러티생성회로 12: 제2 패러티생성회로
13: 제3 패러티생성회로 21: 카운팅펄스생성회로
22: 카운터회로 31: 데이터변환신호생성회로
32: 제1 내부데이터생성회로 33: 제2 내부데이터생성회로
34: 제3 내부데이터생성회로 35: 제4 내부데이터생성회로
41: 패러티변환신호생성회로 42: 제1 내부패러티생성회로
43: 제2 내부패러티생성회로 44: 제3 내부패러티생성회로
51: 제1 신드롬생성회로 52: 제2 신드롬생성회로
53: 제3 신드롬생성회로

Claims (21)

  1. 리드동작 시 데이터가 출력될 때마다 카운팅되는 에러삽입코드를 생성하는 에러발생제어회로;
    상기 에러삽입코드에 응답하여 상기 데이터를 변환하여 내부데이터를 생성하는 데이터변환회로;
    상기 에러삽입코드에 응답하여 패러티를 변환하여 내부패러티를 생성하는 패러티변환회로; 및
    상기 내부데이터와 상기 내부패러티로부터 생성된 신드롬과 상기 에러삽입코드로부터 검증신호를 생성하는 검증신호생성회로를 포함하는 전자장치.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 에러삽입코드는 리드신호 및 컬럼펄스에 응답하여 카운팅펄스가 발생될 때마다 카운팅되는 전자장치.
  3. 제 2 항에 있어서, 상기 리드신호는 상기 리드동작 시 인에이블되고, 상기 컬럼펄스는 상기 데이터가 출력될 때마다 발생되는 전자장치.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 에러삽입코드의 논리레벨조합들 각각은 에러체크매트릭스에 따라 상기 데이터 및 상기 패러티에 포함된 비트들 중 적어도 하나의 비트에 대응되는 전자장치.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 데이터변환회로는 상기 에러삽입코드의 논리레벨조합에 따라 상기 데이터에 포함된 비트들 중 적어도 하나의 비트를 반전시켜 상기 내부데이터를 생성하는 전자장치.
  6. 제 1 항에 있어서, 상기 패러티는 에러체크매트릭스에 응답하여 상기 데이터에 포함된 비트들 중 선택된 비트들을 논리 연산하여 생성되는 전자장치.
  7. 제 1 항에 있어서, 상기 패러티변환회로는 상기 에러삽입코드의 논리레벨조합에 따라 상기 패러티에 포함된 비트들 중 적어도 하나의 비트를 반전시켜 상기 내부패러티를 생성하는 전자장치.
  8. 제 1 항에 있어서, 상기 신드롬은 에러체크매트릭스에 응답하여 상기 내부데이터에 포함된 비트들 중 선택된 비트들과 상기 내부패러티의 논리레벨조합으로 생성되는 전자장치.
  9. 제 1 항에 있어서, 상기 신드롬은 상기 내부데이터에 포함된 비트들 중 상기 데이터에 포함된 비트가 반전되어 생성된 비트의 위치 또는 상기 내부패러티에 포함된 비트들 중 상기 패러티에 포함된 비트가 반전되어 생성된 비트의 위치에 대한 정보를 포함하는 전자장치.
  10. 제 1 항에 있어서, 상기 검증신호생성회로는 상기 신드롬과 상기 에러삽입코드가 동일한 경우 제1 로직레벨을 갖는 검증신호를 생성하고, 상기 신드롬과 상기 에러삽입코드가 상이한 경우 제2 로직레벨을 갖는 검증신호를 생성하는 전자장치.
  11. 에러체크매트릭스에 응답하여 데이터에 포함된 비트들 중 선택된 비트들을 논리 연산하여 패러티를 생성하는 패러티생성회로;
    에러삽입코드에 응답하여 데이터를 변환하여 내부데이터를 생성하는 데이터변환회로;
    에러삽입코드에 응답하여 패러티를 변환하여 내부패러티를 생성하는 패러티변환회로; 및
    상기 내부데이터와 상기 내부패러티로부터 생성된 신드롬과 상기 에러삽입코드로부터 검증신호를 생성하는 검증신호생성회로를 포함하는 전자장치.
  12. 제 11 항에 있어서, 상기 에러삽입코드는 리드신호 및 컬럼펄스에 응답하여 카운팅펄스가 발생될 때마다 카운팅되고, 상기 리드신호는 리드동작 시 인에이블되며, 상기 컬럼펄스는 상기 데이터가 출력될 때마다 발생되는 전자장치.
  13. 제 11 항에 있어서, 상기 에러삽입코드의 논리레벨조합들 각각은 상기 에러체크매트릭스에 따라 상기 데이터 및 상기 패러티에 포함된 비트들 중 적어도 하나의 비트에 대응되는 전자장치.
  14. 제 11 항에 있어서, 상기 데이터변환회로는 상기 에러삽입코드의 논리레벨조합에 따라 상기 데이터에 포함된 비트들 중 적어도 하나의 비트를 반전시켜 상기 내부데이터를 생성하는 전자장치.
  15. 제 11 항에 있어서, 상기 패러티변환회로는 상기 에러삽입코드의 논리레벨조합에 따라 상기 패러티에 포함된 비트들 중 적어도 하나의 비트를 반전시켜 상기 내부패러티를 생성하는 전자장치.
  16. 제 11 항에 있어서, 상기 신드롬은 상기 에러체크매트릭스에 응답하여 상기 내부데이터에 포함된 비트들 중 선택된 비트들과 상기 내부패러티의 논리레벨조합으로 생성되고, 상기 신드롬은 상기 내부데이터에 포함된 비트들 중 상기 데이터에 포함된 비트가 반전되어 생성된 비트의 위치 또는 상기 내부패러티에 포함된 비트들 중 상기 패러티에 포함된 비트가 반전되어 생성된 비트의 위치에 대한 정보를 포함하는 전자장치.
  17. 제 11 항에 있어서, 상기 검증신호생성회로는 상기 신드롬과 상기 에러삽입코드가 동일한 경우 제1 로직레벨을 갖는 검증신호를 생성하고, 상기 신드롬과 상기 에러삽입코드가 상이한 경우 제2 로직레벨을 갖는 검증신호를 생성하는 전자장치.
  18. 에러체크매트릭스에 따라 데이터 및 패러티에 포함된 비트들 중 적어도 하나의 비트에 대응되는 논리레벨조합을 갖는 에러삽입코드를 생성하는 에러발생제어회로;
    상기 에러삽입코드의 논리레벨조합에 따라 상기 데이터에 포함된 비트들 중 적어도 하나의 비트를 반전시켜 내부데이터를 생성하는 데이터변환회로;
    상기 에러삽입코드의 논리레벨조합에 따라 상기 패러티에 포함된 비트들 중 적어도 하나의 비트를 반전시켜 내부패러티를 생성하는 패러티변환회로; 및
    상기 내부데이터와 상기 내부패러티로부터 생성된 신드롬과 상기 에러삽입코드로부터 검증신호를 생성하는 검증신호생성회로를 포함하는 전자장치.
  19. 제 18 항에 있어서, 상기 에러삽입코드는 리드신호 및 컬럼펄스에 응답하여 카운팅펄스가 발생될 때마다 카운팅되고, 상기 리드신호는 리드동작 시 인에이블되며, 상기 컬럼펄스는 상기 데이터가 출력될 때마다 발생되는 전자장치.
  20. 제 18 항에 있어서, 상기 신드롬은 상기 에러체크매트릭스에 응답하여 상기 내부데이터에 포함된 비트들 중 선택된 비트들과 상기 내부패러티의 논리레벨조합으로 생성되고, 상기 신드롬은 상기 내부데이터에 포함된 비트들 중 상기 데이터에 포함된 비트가 반전되어 생성된 비트의 위치 또는 상기 내부패러티에 포함된 비트들 중 상기 패러티에 포함된 비트가 반전되어 생성된 비트의 위치에 대한 정보를 포함하는 전자장치.
  21. 제 18 항에 있어서, 상기 검증신호생성회로는 상기 신드롬과 상기 에러삽입코드가 동일한 경우 제1 로직레벨을 갖는 검증신호를 생성하고, 상기 신드롬과 상기 에러삽입코드가 상이한 경우 제2 로직레벨을 갖는 검증신호를 생성하는 전자장치.
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