KR20190010232A - Pressure mapping apparatus and method of cleaning a glass substrate using the same - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 압력 맵핑 장치 및 이를 이용한 유리 기판 세정 방법에 관한 것으로서, 더욱 구체적으로는 세정 공정에서 작업자간 편차 없이 객관적이고 정량적인 검사를 가능하게 하는 압력 맵핑 장치 및 이를 이용한 유리 기판 세정 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a pressure mapping apparatus and a glass substrate cleaning method using the same, and more particularly, to a pressure mapping apparatus and a glass substrate cleaning method using the pressure mapping apparatus that enable objective and quantitative inspection without deviation between workers in a cleaning process .
유리 기판의 표면 품질에 대한 소비자들의 요구가 날로 까다로워지고 있으며, 유리 기판을 사용한 제품의 대면적화에 따라 파티클 불량 가능성은 점점 더 높아지고 있다.Consumers' demand for the surface quality of glass substrates has become increasingly demanding, and the possibility of particle defects is increasingly increasing as the size of products using glass substrates increases.
유리 기판의 제조 공정 중, 특히 세정 공정을 위한 장비에서 객관적이고 정량적인 검사나 평가가 가능한 장비가 거의 없었으며, 이는 파티클 불량 감소의 장애물이 되고 있다. 또한 세정 공정의 작업자간 편차에 따른 품질 불균일성을 감소시킬 필요도 제기되고 있다.During the manufacturing process of glass substrates, there are few equipment that can be subjected to objective and quantitative inspection or evaluation, especially in equipment for cleaning processes, which is an obstacle to the reduction of particle defects. In addition, it is also required to reduce the quality nonuniformity due to the deviation between the workers in the cleaning process.
본 발명이 이루고자 하는 첫 번째 기술적 과제는 세정 공정에서 작업자간 편차 없이 객관적이고 정량적인 검사를 가능하게 하는 압력 맵핑 장치를 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention provides a pressure mapping apparatus capable of performing an objective and quantitative inspection without deviation between workers in a cleaning process.
본 발명이 이루고자 하는 두 번째 기술적 과제는 파티클 불량과 같은 제품 불량을 크게 감소시킬 수 있는 유리 기판 세정 방법을 제공하는 것이다.A second object of the present invention is to provide a glass substrate cleaning method capable of greatly reducing defective products such as particle defects.
본 발명은 상기 첫 번째 기술적 과제를 이루기 위하여, 지지 기재; 상기 지지 기재 위에 배열되고, 인가되는 압력에 대응하여 신호를 출력할 수 있는 복수의 압력 센서들; 및 상기 복수의 압력 센서들로부터의 상기 신호를 입력받을 수 있도록 구성되고, 입력받은 상기 신호를 이용하여 상기 지지 기재 상의 압력 맵(pressure map)을 출력할 수 있는 분석 장치를 포함하는 압력 맵핑 장치를 제공한다.The present invention, in order to achieve the first technical object, A plurality of pressure sensors arranged on the supporting substrate and capable of outputting a signal corresponding to an applied pressure; And an analyzing device configured to receive the signal from the plurality of pressure sensors and to output a pressure map on the supporting substrate using the input signal, to provide.
상기 압력 센서는 상부 도전체층 및 상기 상부 도전체층과 이격되어 상기 상부 도전체층의 하부에 배치되는 하부 도전체층을 포함하고, 상기 상부 도전체층은 제 1 전극을 갖는 제 1 도전체부 및 제 2 전극을 갖는 제 2 도전체부를 포함하고, 상기 상부 도전체층은 인가되는 압력에 의하여 변형되어 상기 하부 도전체층과 접촉 가능하도록 구성될 수 있다.Wherein the pressure sensor comprises a top conductor layer and a bottom conductor layer spaced apart from the top conductor layer and disposed below the top conductor layer, the top conductor layer comprising a first conductor having a first electrode and a second conductor And the upper conductor layer may be configured to be deformable by the applied pressure to be contactable with the lower conductor layer.
또한, 상기 압력 맵핑 장치는, 상기 압력 센서의 제 1 전극 및 제 2 전극에 연결되고 상기 지지 기재의 일측에 제공된 커넥터까지 연장되는 리드 라인들을 더 포함할 수 있다. 나아가 상기 분석 장치는 상기 커넥터와 신호 케이블을 통하여 상기 신호를 수신하도록 구성될 수 있다. The pressure mapping device may further include lead lines connected to the first electrode and the second electrode of the pressure sensor and extending to a connector provided on one side of the supporting substrate. Further, the analyzing apparatus can be configured to receive the signal through the connector and the signal cable.
일부 실시예들에 있어서, 상기 제 1 도전체부 및 상기 제 2 도전체부는 인가되는 압력에 비례하여 변형되어 상기 하부 도전체층과의 접촉 면적이 증가하도록 구성될 수 있다. 이 때, 상기 제 1 도전체부는 평행한 복수의 제 1 핑거들(fingers)을 포함하고, 상기 제 2 도전체부는 평행한 복수의 제 2 핑거들을 포함하고, 복수의 상기 제 1 핑거들과 상기 제 2 핑거들은 서로 번갈아가며 위치하도록 배치될 수 있다.In some embodiments, the first conductor portion and the second conductor portion may be configured to be deformed in proportion to applied pressure to increase the contact area with the lower conductor layer. Wherein the first conductor portion includes a plurality of parallel first fingers, the second conductor portion includes a plurality of parallel second fingers, and the plurality of first fingers and the second plurality of fingers The second fingers can be arranged to be alternately positioned with respect to each other.
일부 실시예들에 있어서, 상기 압력 센서는 상기 제 1 전극 및 상기 제 2 전극의 하부에 스페이서를 더 포함하고, 상기 스페이서에 의하여 상기 상부 도전체층과 상기 하부 도전체층의 이격이 유지될 수 있다.In some embodiments, the pressure sensor further comprises a spacer under the first electrode and the second electrode, and spacing between the upper conductor layer and the lower conductor layer can be maintained by the spacer.
상기 지지 기재는 가요성 기재일 수 있다. 또한 상기 복수의 압력 센서들은 상기 지지 기재 위에 격자 배열될 수 있다.The supporting substrate may be a flexible substrate. The plurality of pressure sensors may be arranged in a lattice on the supporting substrate.
일부 실시예들에 있어서, 상기 압력 맵핑 장치는 상기 지지 기재를 둘러싸는 방습 파우치(pouch)를 더 포함할 수 있다. 또한 상기 분석 장치는 입력받은 상기 신호를 이용하여 상기 지지 기재 상의 압력 맵을 실시간으로 출력 가능하도록 구성될 수 있다.In some embodiments, the pressure mapping device may further comprise a moisture-resistant pouch surrounding the support substrate. The analyzer may be configured to output a pressure map on the support substrate in real time using the input signal.
본 발명은 상기 두 번째 기술적 과제를 이루기 위하여, 복수의 마찰 세정부들의 하부에 압력 맵핑 장치를 배치하는 단계; 상기 복수의 마찰 세정부들을 세정 위치로 하강시키는 단계; 압력 맵핑 장치를 이용하여 상기 복수의 마찰 세정부들로부터 인가되는 압력들을 맵핑하는 단계; 맵핑된 압력들에 근거하여 상기 복수의 마찰 세정부들의 하방 가압 특성들을 튜닝하는 단계; 유리 기판을 상기 복수의 마찰 세정부의 하부에 배치하는 단계; 및 상기 복수의 마찰 세정부를 이용하여 상기 유리 기판을 세정하는 단계를 포함하는 유리 기판의 세정 방법을 제공한다. 상기 압력 맵핑 장치는 위에서 설명한 바와 같을 수 있다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method for manufacturing a friction material, comprising: disposing a pressure mapping device on a lower portion of a plurality of friction modifying portions; Lowering the plurality of friction washers into a cleaning position; Mapping the pressures applied from the plurality of friction cleaners using a pressure mapping device; Tuning downward pressure characteristics of the plurality of friction modifiers based on the mapped pressures; Disposing a glass substrate under the plurality of friction cleaning units; And a step of cleaning the glass substrate using the plurality of friction cleaning units. The pressure mapping device may be as described above.
일부 실시예들에 있어서, 상기 인가되는 압력들을 맵핑하는 단계는 각 마찰 세정부들로부터 인가되는 압력이 기준 압력값 범위를 벗어나는지의 여부를 판정하는 단계를 포함할 수 있다. 이 때, 상기 복수의 마찰 세정부들의 하방 가압 특성들을 튜닝하는 단계는 인가되는 압력이 기준 압력값 범위를 벗어나는 마찰 세정부에 대하여 설치 높이를 조정하는 단계를 포함할 수 있다. 선택적으로, 상기 복수의 마찰 세정부들의 각각은 공압 또는 유압에 의하여 세정 위치로 하강되도록 구성되고, 상기 복수의 마찰 세정부들의 하방 가압 특성들을 튜닝하는 단계는 상기 복수의 마찰 세정부들 각각에 공급되는 공압 또는 유압의 설정값을 조정하는 단계를 포함할 수 있다.In some embodiments, mapping the applied pressures may include determining whether the pressure applied from each of the friction cleaners is outside the reference pressure value range. At this time, the step of tuning the downward pressure characteristics of the plurality of friction calipers may include adjusting the installation height for the friction caliper whose applied pressure is out of the reference pressure value range. Optionally, each of the plurality of friction modifying portions is configured to be lowered to a cleaning position by pneumatic or hydraulic pressure, and wherein tuning the downward pressure characteristics of the plurality of friction modifying portions comprises providing And adjusting the set value of the pneumatic or hydraulic pressure.
일부 실시예들에 있어서, 상기 유리 기판을 세정하는 단계가 수행되는 동안 상기 유리 기판이 수평 방향으로 이동할 수 있다. 상기 복수의 마찰 세정부들은: 상기 유리 기판의 이동 방향에 수직인 횡방향으로 일정 간격으로 정렬된 제 1 열; 및 상기 제 1 열의 정렬 방향과 평행한 횡방향으로 일정 간격으로 정렬된 제 2 열을 포함할 수 있다. 이 때 상기 제 2 열의 어느 한 마찰 세정부는 상기 제 1 열의 인접하는 두 개의 마찰 세정부들 사이에서 상기 유리 기판의 이동 방향으로 이격되어 배치될 수 있다.In some embodiments, the glass substrate may move in a horizontal direction while the step of cleaning the glass substrate is performed. The plurality of friction modifying units include: a first row aligned at regular intervals in a transverse direction perpendicular to a moving direction of the glass substrate; And a second row aligned at regular intervals in a transverse direction parallel to the alignment direction of the first column. At this time, one of the friction modifying portions of the second row may be disposed to be spaced apart from the adjacent two friction modifying portions of the first row in the moving direction of the glass substrate.
일부 실시예들에 있어서, 상기 복수의 마찰 세정부를 이용하여 유리 기판을 세정하는 단계는 세척액을 공급하는 단계를 포함할 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 상기 분석 장치는 입력받은 상기 신호를 이용하여 상기 지지 기재 상의 압력 맵을 실시간으로 출력 가능하도록 구성될 수 있다.In some embodiments, the step of cleaning the glass substrate using the plurality of friction cleaning units may comprise the step of supplying the cleaning liquid. In some embodiments, the analyzing device can be configured to output a pressure map on the supporting substrate in real time using the input signal.
본 발명의 실시예들에 따른 압력 맵핑 장치 및 이를 이용한 유리 기판 세정 방법을 이용하면 세정 공정에서 작업자간 편차 없이 객관적이고 정량적인 검사가 가능하여 파티클 불량과 같은 제품 불량을 크게 감소시킬 수 있는 효과가 있다.The pressure mapping apparatus according to the embodiments of the present invention and the glass substrate cleaning method using the same can provide an objectively and quantitatively inspecting without deviation between the workers in the cleaning process and greatly reduce the defective product such as particle defects have.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 압력 맵핑 장치(pressure mapping apparatus)를 개략적으로 나타낸 개념도이다.
도 2a는 본 발명의 일 실시예에 따른 압력 센서를 나타낸 개념도이다.
도 2b는 도 2a의 압력 센서를 B-B' 선을 따라 절개한 측단면을 나타낸다.
도 3a 및 도 3b는 인가되는 압력에 따른 상기 제 1 및 제 2 핑거들의 변형 상태를 개념적으로 나타낸 측면도들이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 압력 센서들과 커넥터 사이의 연결 구성을 나타낸 개략도이다.
도 5는 상기 분석 장치의 예시적인 블록 다이어그램이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따라 제작한 압력 맵핑 장치를 통하여 압력이 가해지고 있는 면적 및 위치에 따른 압력의 크기를 나타내는 압력 컨투어 맵이다.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 압력 센서를 나타낸 개념도이다.
도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 압력 센서를 나타낸 측단면도이다.
도 9a 내지 도 9c는 본 발명의 일 실시예에 따른 압력 센서의 제조 방법을 나타낸 단면도들이다.
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 유리 기판의 세정 방법을 순서에 따라 나타낸 흐름도이다.
도 11은 복수의 마찰 세정부들로부터 인가되는 압력들을 맵핑하는 단계를 상세하게 나타낸 흐름도이다.
도 12는 마찰 세정부 하부에 복수의 압력 센서 유닛들이 배치된 압력 맵핑 방법을 나타낸 개략도이다.
도 13은 본 발명의 일 실시예에 따른 유리 기판의 세정 공정을 평면적으로 나타낸 개략도이다.
도 14 및 도 15는 5열로 구성되고 세정 위치에 있는 마찰 세정부들에 대하여 본 발명의 일 실시예에 따른 압력 맵핑 장치를 이용하여 압력 맵핑을 수행한 결과들을 나타낸 이미지들이다.
도 16a 및 도 16b는 각각 본 발명의 일 실시예에 따른 압력 맵핑 시스템을 이용하여 마찰 세정부들 각각의 하방 가압 특성을 튜닝하기 전과 후의 압력 컨투어 맵을 나타낸 이미지들이다.
도 17은 도 16a 및 도 16b의 변화에 따른 파티클 불량 개소(個所)의 수를 나타낸 그래프이다.
도 18a 및 도 18b는 다른 유리 제품 제조 공정에 대하여 본 발명의 일 실시예에 따른 압력 맵핑 시스템을 이용하여 마찰 세정부들 각각의 하방 가압 특성을 튜닝하기 전과 후의 파티클 불량 개소의 수의 추이를 나타낸 그래프들이다.1 is a conceptual diagram schematically showing a pressure mapping apparatus according to an embodiment of the present invention.
2A is a conceptual view showing a pressure sensor according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2B is a cross-sectional side view of the pressure sensor of FIG. 2A taken along line BB '.
3A and 3B are side views conceptually showing a deformation state of the first and second fingers according to an applied pressure.
4 is a schematic view showing a connection structure between pressure sensors and a connector according to an embodiment of the present invention.
5 is an exemplary block diagram of the analysis apparatus.
FIG. 6 is a pressure contour map showing the magnitude of a pressure according to an area and a position under pressure through a pressure mapping device manufactured according to an embodiment of the present invention.
7 is a conceptual view showing a pressure sensor according to another embodiment of the present invention.
8 is a side sectional view showing a pressure sensor according to another embodiment of the present invention.
9A to 9C are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a pressure sensor according to an embodiment of the present invention.
10 is a flowchart showing a cleaning method of a glass substrate according to an embodiment of the present invention in order.
11 is a flowchart detailing the steps of mapping the pressures applied from the plurality of friction cleaners.
12 is a schematic view showing a pressure mapping method in which a plurality of pressure sensor units are disposed under the friction cleaning part.
13 is a schematic view showing a cleaning process of a glass substrate according to an embodiment of the present invention in a plan view.
FIGS. 14 and 15 are images showing the results of performing pressure mapping using the pressure mapping apparatus according to an embodiment of the present invention with respect to the friction cleaning units composed of five rows and in a cleaning position.
16A and 16B are images showing a pressure contour map before and after tuning the downward pressure characteristic of each of the friction modifiers using the pressure mapping system according to an embodiment of the present invention.
FIG. 17 is a graph showing the number of particle defective points (locations) according to the changes in FIGS. 16A and 16B. FIG.
18A and 18B show the change in the number of defective particle positions before and after tuning downward pressure characteristics of each of the friction modifiers using a pressure mapping system according to an embodiment of the present invention with respect to other glass product manufacturing processes Graphs.
이하, 첨부도면을 참조하여 본 발명 개념의 바람직한 실시예들을 상세히 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명 개념의 실시예들은 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명 개념의 범위가 아래에서 상술하는 실시예들로 인해 한정되어지는 것으로 해석되어져서는 안 된다. 본 발명 개념의 실시예들은 당 업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명 개념을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되어지는 것으로 해석되는 것이 바람직하다. 동일한 부호는 시종 동일한 요소를 의미한다. 나아가, 도면에서의 다양한 요소와 영역은 개략적으로 그려진 것이다. 따라서, 본 발명 개념은 첨부한 도면에 그려진 상대적인 크기나 간격에 의해 제한되어지지 않는다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, embodiments of the inventive concept may be modified in various other forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited by the embodiments described below. Embodiments of the inventive concept are desirably construed as providing a more complete understanding of the inventive concept to those skilled in the art. The same reference numerals denote the same elements at all times. Further, various elements and regions in the drawings are schematically drawn. Accordingly, the inventive concept is not limited by the relative size or spacing depicted in the accompanying drawings.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성 요소들을 설명하는 데 사용될 수 있지만, 상기 구성 요소들은 상기 용어들에 의해 한정되지 않는다. 상기 용어들은 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명 개념의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제 1 구성 요소는 제 2 구성 요소로 명명될 수 있고, 반대로 제 2 구성 요소는 제 1 구성 요소로 명명될 수 있다.The terms first, second, etc. may be used to describe various components, but the components are not limited by the terms. The terms are used only for the purpose of distinguishing one component from another. For example, without departing from the scope of the present invention, the first component may be referred to as a second component, and conversely, the second component may be referred to as a first component.
본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예들을 설명하기 위해 사용된 것으로서, 본 발명 개념을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함한다" 또는 "갖는다" 등의 표현은 명세서에 기재된 특징, 개수, 단계, 동작, 구성 요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 개수, 동작, 구성 요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.The terminology used herein is for the purpose of describing particular embodiments only and is not intended to limit the inventive concept. The singular expressions include plural expressions unless the context clearly dictates otherwise. In this application, the expressions " comprising " or " having ", etc. are intended to specify the presence of stated features, integers, steps, operations, elements, parts, or combinations thereof, It is to be understood that the invention does not preclude the presence or addition of one or more other features, integers, operations, components, parts, or combinations thereof.
달리 정의되지 않는 한, 여기에 사용되는 모든 용어들은 기술 용어와 과학 용어를 포함하여 본 발명 개념이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 공통적으로 이해하고 있는 바와 동일한 의미를 지닌다. 또한, 통상적으로 사용되는, 사전에 정의된 바와 같은 용어들은 관련되는 기술의 맥락에서 이들이 의미하는 바와 일관되는 의미를 갖는 것으로 해석되어야 하며, 여기에 명시적으로 정의하지 않는 한 과도하게 형식적인 의미로 해석되어서는 아니 될 것임은 이해될 것이다.Unless otherwise defined, all terms used herein have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art to which the inventive concept belongs, including technical terms and scientific terms. In addition, commonly used, predefined terms are to be interpreted as having a meaning consistent with what they mean in the context of the relevant art, and unless otherwise expressly defined, have an overly formal meaning It will be understood that it will not be interpreted.
어떤 실시예가 달리 구현 가능한 경우에 특정한 공정 순서는 설명되는 순서와 다르게 수행될 수도 있다. 예를 들어, 연속하여 설명되는 두 공정이 실질적으로 동시에 수행될 수도 있고, 설명되는 순서와 반대의 순서로 수행될 수도 있다.If certain embodiments are otherwise feasible, the particular process sequence may be performed differently from the sequence described. For example, two processes that are described in succession may be performed substantially concurrently, or may be performed in the reverse order to that described.
첨부 도면에 있어서, 예를 들면, 제조 기술 및/또는 공차에 따라, 도시된 형상의 변형들이 예상될 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시예들은 본 명세서에 도시된 영역의 특정 형상에 제한된 것으로 해석되어서는 아니 되며, 예를 들면 제조 과정에서 초래되는 형상의 변화를 포함하여야 한다. 여기에 사용되는 모든 용어 "및/또는"은 언급된 구성 요소들의 각각 및 하나 이상의 모든 조합을 포함한다. 또한, 본 명세서에서 사용되는 용어 "기판"은 기판 그 자체, 또는 기판과 그 표면에 형성된 소정의 층 또는 막 등을 포함하는 적층 구조체를 의미할 수 있다. 또한, 본 명세서에서 "기판의 표면"이라 함은 기판 그 자체의 노출 표면, 또는 기판 위에 형성된 소정의 층 또는 막 등의 외측 표면을 의미할 수 있다. In the accompanying drawings, for example, variations in the shape shown may be expected, depending on manufacturing techniques and / or tolerances. Accordingly, embodiments of the present invention should not be construed as limited to any particular shape of the regions shown herein, but should include variations in shape resulting from, for example, manufacturing processes. All terms " and / or " as used herein encompass each and every one or more combinations of the recited elements. In addition, the term " substrate " as used herein can mean a substrate itself, or a laminated structure including a substrate and a predetermined layer or film formed on the surface thereof. Further, in the present specification, the term " surface of a substrate " may mean an exposed surface of the substrate itself, or an outer surface such as a predetermined layer or a film formed on the substrate.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 압력 맵핑 장치(pressure mapping apparatus)(100)를 개략적으로 나타낸 개념도이다.1 is a conceptual diagram schematically showing a
도 1을 참조하면, 상기 압력 맵핑 장치(100)는 지지 기재(110), 상기 지지 기재(110) 상에 배열된 복수의 압력 센서들(120), 상기 지지 기재(110)를 둘러싸는 방습 파우치(pouch)(130), 및 상기 복수의 압력 센서들로부터 신호를 수신하여 상기 지지 기재(110) 상의 압력 맵을 실시간으로 출력할 수 있는 분석 장치(140)를 포함한다.1, the
상기 지지 기재(110)는 가요성(flexibility)을 갖는 임의의 기재일 수 있으며 필름 형태를 가질 수 있다. 예컨대 상기 지지 기재(110)는 폴리에틸렌테레프탈레이트(polyethyleneterephthalate, PET), 폴리에틸렌나프탈레이트(polyethylenenaphthalate), 폴리부틸렌테레프탈레이트(polybutyleneterephthalate, PBT), 고밀도 폴리에틸렌(high density polyethylene, HDPE), 저밀도 폴리에틸렌(low density polyethylene, LDPE), 폴리프로필렌(polypropylene, PP), 폴리카보네이트(polycarbonate, PC), 폴리염화비닐(polyvinylchloride, PVC), 폴리메틸(메트)아크릴레이트(polymethyl(meth)acrylate, PMMA), 트리아세틸셀룰로오스, 노보넨(norbornene) 수지, 폴리에스테르(polyester), 또는 폴리스티렌(polystyrene, PS) 소재로 될 수 있으나 여기에 한정되는 것은 아니다. 상기 지지 기재(110)의 두께는 약 50 ㎛ 내지 약 3 mm일 수 있다.The
상기 지지 기재(110)의 위에는 복수의 압력 센서들(120)이 일정한 간격으로 또는 불균등한 간격으로 배열될 수 있다. 상기 압력 센서들(120)은 그의 상부에 인가되는 압력에 대응하여 전기적인 신호를 출력하도록 구성될 수 있다. 도 2a는 본 발명의 일 실시예에 따른 압력 센서(120)를 나타낸 개념도이다. 도 2b는 도 2a의 압력 센서(120)를 B-B' 선을 따라 절개한 측단면을 나타낸다.A plurality of
도 2a 및 도 2b를 참조하면, 상기 압력 센서(120)는 상부 도전체층(122) 및 하부 도전체층(124)을 포함할 수 있다.2A and 2B, the
상기 상부 도전체층(122)은 제 1 도전체부(122a) 및 제 2 도전체부(122b)를 포함할 수 있다. 상기 제 1 도전체부(122a)는 제 1 전극(122ae)을 가질 수 있고, 상기 제 2 도전체부(122b)는 제 2 전극(122be)을 가질 수 있다.The
상기 상부 도전체층(122)은 금속 물질로 이루어질 수 있으며, 예컨대, 구리(Cu), 알루미늄(Al), 니켈(Ni), 아연(Zn), 철(Fe), 금(Au), 은(Ag), 백금(Pt), 코발트(Co), 텅스텐(W), 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta), 크롬(Cr), 망간(Mn), 지르코늄(Zr) 또는 이들의 합금일 수 있지만 여기에 한정되는 것은 아니다. 일부 실시예들에 있어서, 상기 상부 도전체층(122)은 그라파이트, 그래핀(graphene), 탄소 나노 튜브(carbon nanotube, CNT), 풀러렌(fullerene) 등과 같이 전도성을 갖는 탄소계 물질로 이루어질 수 있다.The
상기 제 1 도전체부(122a)와 상기 제 2 도전체부(122b)는 소정 간격을 두고 서로 이격되어 있을 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 상기 제 1 도전체부(122a)는 평행한 복수의 제 1 핑거들(122af) 및 상기 복수의 제 1 핑거들(122af)을 연결하는 제 1 연결부(122ac)를 포함할 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 상기 제 2 도전체부(122b)는 평행한 복수의 제 2 핑거들(122bf) 및 상기 복수의 제 2 핑거들(122bf)을 연결하는 제 2 연결부(122bc)를 포함할 수 있다.The
평행한 상기 복수의 제 1 핑거들(122af)과 평행한 상기 복수의 제 2 핑거들(122bf)은 도 2a에 도시된 바와 같이 서로 번갈아가며 평해하게 배치될 수 있다.The plurality of second fingers 122bf parallel to the plurality of first fingers 122af parallel to each other may be arranged alternately and in a straight line as shown in FIG. 2A.
상기 제 1 핑거들(122af) 및 제 1 연결부(122ac)는 상부로부터 인가되는 압력에 의하여 변형되어 상기 하부 도전체층(124)과 접촉할 수 있다. 또한, 상기 제 2 핑거들(122bf) 및 제 2 연결부(122bc)는 상부로부터 인가되는 압력에 의하여 변형되어 상기 하부 도전체층(124)과 접촉할 수 있다. 상기 제 1 및 제 2 핑거들(122af, 122bf), 그리고 제 1 및 제 2 연결부(122ac, 122bc)의 변형은 이들의 상부에 인가되는 압력에 비례할 수 있다.The first fingers 122af and the first connection part 122ac may be deformed by the pressure applied from the upper part to contact the
상기 상부 도전체층(122)의 상부에는 상부 절연막(128)이 제공될 수 있다. 상기 상부 절연막(128)은 압력 센서(120)의 제조 과정에서 상부 도전체층(122)의 지지 기재로서도 작용할 수 있고, 또한 상부 도전체층(122)을 보호하는 역할도 수행할 수 있다.An upper insulating
일부 실시예들에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 핑거들(122af, 122bf), 및/또는 제 1 및 제 2 연결부(122ac, 122bc)가 상기 하부 도전체층(124)과 접촉하는 면적은 이들의 상부에 인가되는 압력에 의존할 수 있다. 보다 구체적으로 상기 제 1 및 제 2 핑거들(122af, 122bf), 및/또는 제 1 및 제 2 연결부(122ac, 122bc)가 상기 하부 도전체층(124)과 접촉하는 면적은 소정 압력 범위에서 이들의 상부에 인가되는 압력에 비례할 수 있다.In some embodiments, the area in which the first and second fingers 122af, 122bf, and / or the first and second connections 122ac, 122bc contact the
도 3a 및 도 3b는 인가되는 압력에 따른 상기 제 1 및 제 2 핑거들(122af, 122bf)의 변형 상태를 개념적으로 나타낸 측면도들이다.3A and 3B are side views conceptually showing deformation states of the first and second fingers 122af and 122bf according to the applied pressure.
도 3a를 참조하면, 제 1 압력(P1)에서 상기 제 1 및 제 2 핑거들(122af, 122bf)이 변형되어 하부 도전체층(124)과 물리적으로 접촉할 수 있다. 이 때, 제 2 핑거들(122bf)은 폭 W1에 대응되는 접촉 면적을 가지면서 상기 하부 도전체층(124)과 접촉할 수 있다.Referring to FIG. 3A, the first and second fingers 122af and 122bf may be deformed to physically contact the
도 3b를 참조하면, 상기 제 1 압력(P1)보다 상승된 압력인 제 2 압력(P2)이 가해지면 상기 제 1 및 제 2 핑거들(122af, 122bf)은 도 3a에서보다 더 많이 변형되면서 하부 도전체층(124)과 접촉할 수 있다. 제 2 핑거들(122bf)이 더 많이 변형됨에 따라 제 2 핑거들(122bf)은 폭 W1보다 더 큰 폭 W2에 대응되는 접촉 면적을 가지면서 상기 하부 도전체층(124)과 접촉할 수 있다.Referring to FIG. 3B, when a second pressure P2, which is a pressure higher than the first pressure P1, is applied, the first and second fingers 122af and 122bf are deformed more than in FIG. And may be in contact with the
상기 제 1 및 제 2 핑거들(122af, 122bf), 및/또는 제 1 및 제 2 연결부(122ac, 122bc)가 상기 하부 도전체층(124)과 접촉하는 면적이 넓어질수록 제 1 전극(122ae)과 제 2 전극(122be) 사이에 인가되는 소정 전압에 대하여 상기 하부 도전체층(124)을 경유하여 흐르는 전류가 증가한다. 따라서 상기 전류와 인가되는 압력 사이의 관계를 맺어주고(correlation) 전류값을 측정함으로써, 인가되는 압력의 크기를 알 수 있게 된다.As the area of contact between the first and second fingers 122af and 122bf and / or the first and second connection portions 122ac and 122bc is increased, The current flowing through the
상기 하부 도전체층(124)은 상기 상부 도전체층(122)과 이격되어 상기 상부 도전체층(122)의 하부에 배치될 수 있다. 상기 하부 도전체층(124)은 금속 또는 탄소계 물질과 같은 도전체로 이루어질 수 있다. 상기 하부 도전체층(124)을 이루는 물질로서 이용될 수 있는 금속 또는 탄소계 물질은 앞서 상부 도전체층(122)에 대하여 설명한 바와 동일하기 때문에 여기서는 추가적인 설명을 생략한다.The
도 2b에서는 상기 하부 도전체층(124)이 전체 지지 기재(110)의 면적에 걸쳐 연장되는 것으로 도시하였지만, 일부 실시예들에 있어서, 상기 하부 도전체층(124)은 하나의 압력 센서(120)를 이루는 셀 영역 내에 한정될 수 있다. 즉, 이웃하는 두 압력 센서(120)의 하부 도전체층들은 서로 전기적으로 절연되어 있을 수 있다.2B, the
상기 상부 도전체층(122)과 상기 하부 도전체층(124)은 스페이서(126)에 의하여 서로 전기적으로 분리될 수 있다. 상기 스페이서(126)는 상부 도전체층(122)의 상부로부터 압력이 인가될 때 상기 상부 도전체층(122)과 하부 도전체층(124) 사이의 간격을 지지함으로써 스페이서(126)가 배치된 곳에서 이격을 유지하고 스페이서(126)가 배치되지 않은 곳에서 상부 도전체층(122)이 변형되도록 할 수 있다. The
상기 스페이서(126)는 임의의 전기적 절연체로 이루어질 수 있으며, 예를 들면, 고분자 수지, 전기 절연성의 금속 산화물, 전기 절연성의 금속 질화물, 도핑되지 않은 실리콘 산화물, 도핑되지 않은 실리콘 질화물, 또는 이들의 조합으로 이루어질 수 있다.The
다시 도 1을 참조하면, 상기 방습 파우치(130)는 복수의 압력 센서들(120)이 표면에 제공된 상기 지지 기재(110)를 둘러싸도록 구성될 수 있다. 상기 방습 파우치(pouch)(130)는 상기 지지 기재(110)를 둘러쌈으로써, 예컨대 세정에 사용되는 수분이나 케미컬과 같은 액체 성분이 상기 압력 센서들(120)과 직접 접촉하는 것을 방지할 수 있다. Referring again to FIG. 1, the moisture-
상기 방습 파우치(130)는 가요성의 소재로 이루어질 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 상기 지지 기재(110)와 동일하거나 상이한 소재로 이루어질 수 있다. 예를 들면, 상기 방습 파우치(130)는 폴리에틸렌테레프탈레이트(polyethyleneterephthalate, PET), 폴리에틸렌나프탈레이트(polyethylenenaphthalate), 폴리부틸렌테레프탈레이트(polybutyleneterephthalate, PBT), 고밀도 폴리에틸렌(high density polyethylene, HDPE), 저밀도 폴리에틸렌(low density polyethylene, LDPE), 폴리프로필렌(polypropylene, PP), 폴리카보네이트(polycarbonate, PC), 폴리염화비닐(polyvinylchloride, PVC), 폴리메틸(메트)아크릴레이트(polymethyl(meth)acrylate, PMMA), 트리아세틸셀룰로오스, 노보넨(norbornene) 수지, 폴리에스테르(polyester), 또는 폴리스티렌(polystyrene, PS) 소재로 될 수 있으나 여기에 한정되는 것은 아니다.The moisture-
상기 방습 파우치(130)는 복수의 압력 센서들(120)과 후술하는 분석 장치(140) 사이의 전기적인 연결을 위하여 커넥터(150)를 노출시킬 수 있다. 상기 커넥터(150)는 상기 복수의 압력 센서들(120)과 리드 라인을 통해 전기적으로 연결될 수 있다.The moisture-
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 압력 센서들(120)과 커넥터(150) 사이의 연결 구성을 나타낸 개략도이다.4 is a schematic view showing a connection structure between the
도 4를 참조하면, 복수의 압력 센서들(120)이 소정 규칙에 따라 배열될 수 있다. 도 4에서는 4개의 압력 센서들(120)이 한 방향으로 배열된 것으로 도시되었지만 압력 센서들(120)의 수는 이보다 더 적거나 많을 수 있으며, 일부 실시예들에 있어서, 상기 복수의 압력 센서들(120)은 격자 형태로 배열될 수 있다. 하지만 본 발명이 여기에 한정되는 것은 아니다. 하나의 열에 배치된 복수의 압력 센서들(120)의 제 1 전극들은 공통되는 제 1 리드라인(160a)에 연결될 수 있다. 또한 상기 복수의 압력 센서들(120)의 제 2 전극들은 공통되는 제 2 리드라인(160b)에 연결될 수 있다.Referring to FIG. 4, a plurality of
상기 제 1 리드라인(160a) 및 상기 제 2 리드라인(160b)은 커넥터(150)의 단자에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 커넥터(150)는 연결 단자들이 일정한 간격으로 배열된 것일 수도 있고, 소정 표준, 예컨대 SATA (serial advanced technology attachment) 표준, PATA (parallel advanced technology attachment) 표준, 또는 SCSI (small computer system interface) 표준에 따른 방식으로 외부 장치와 신호를 주고받을 수 있는 커넥터일 수 있다. 여기서, 상기 SATA 표준은 소위 SATA-1 뿐만 아니라 SATA-2, SATA-3, e-SATA (external SATA) 등의 모든 SATA 계열 표준을 포괄한다. 상기 PATA 표준은 IDE (integrated drive electronics), E-IDE (enhanced-IDE) 등의 모든 IDE 계열 표준을 포괄한다. The
상기 분석 장치(140)는 상기 복수의 압력 센서들(120)로부터 전기적 신호를 입력받을 수 있다. 상기 전기적 신호는 각 압력 센서들(120)에서 측정된 전류값일 수도 있고, 이들 전류값들의 데이터를 가공한 2차 데이터일 수도 있다.The
도 5는 상기 분석 장치(140)의 예시적인 블록 다이어그램이다.FIG. 5 is an exemplary block diagram of the
도 5를 참조하면, 상기 분석 장치(140)는 콘트롤러(2010), 입출력 장치 (I/O)(2020), 메모리(2030), 및 인터페이스(2040)를 포함하며, 이들은 각각 버스(2050)를 통해 상호 연결되어 있다. 5, the
상기 콘트롤러(2010)는 마이크로프로세서 (microprocessor), 디지탈 신호 프로세서, 또는 이들과 유사한 처리 장치 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 입출력 장치(2020)는 키패드 (keypad), 키보드 (keyboard), 또는 디스플레이 (display) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 메모리(2030)는 콘트롤러(2010)에 의해 실행된 명령을 저장하는 데 사용될 수 있다. 예를 들면, 상기 메모리(2030)는 유저 데이타 (user data)를 저장하는 데 사용될 수 있다. The
일부 실시예들에 있어서, 상기 인터페이스(2040)는 상기 커넥터(150)(도 4 참조)와 연결되도록 구성될 수 있다.In some embodiments, the
상기 분석 장치(140)는 커넥터(150)와 인터페이스(2040)를 통하여 신호(또는 데이터)를 입력받으면 이를 처리하여 도 6에 도시한 바와 같은 압력 컨투어 맵(contour map)을 생성하도록 구성될 수 있다. 도 6은 본 발명의 일 실시예에 따라 제작한 압력 맵핑 장치를 통하여 압력이 가해지고 있는 면적 및 위치에 따른 압력의 크기를 나타내는 압력 컨투어 맵이다. 상기 압력 컨투어 맵은 디스플레이 장치와 같은 입출력 장치(2020)를 통하여 출력될 수 있다.The
상기 분석 장치(140)는 상기 압력 컨투어 맵을 생성할 수 있는 프로그램, 및/또는 루틴을 포함할 수 있다. 이러한 프로그램 및/또는 루틴은 상용화되어 있으므로 여기서는 상세한 설명을 생략한다.The
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 압력 센서(220)를 나타낸 개념도이다.7 is a conceptual diagram showing a
도 7을 참조하면, 제 1 전극(122ae)과 제 2 전극(122be)이 바이패스 라인(122c)에 의하여 연결된 것을 제외하면 도 2a에 나타낸 압력 센서(120)와 동일하다. 따라서, 공통되는 내용에 대해서는 추가적인 설명을 생략하고, 차이가 있는 부분을 중심으로 이하에서 설명한다.Referring to FIG. 7, the
상기 바이패스 라인(122c)이 존재하기 때문에 제 1 전극(122ae)과 제 2 전극(122be) 사이에는 기본적으로 압력 인가 여부와 무관하게 전류가 흐를 수 있다. 상기 압력 센서(220)의 상부에 압력이 인가되어 제 1 핑거들(122af) 및 제 2 핑거들(122bf)이 변형되면 이들의 하부에 위치하는 하부 도전체층(124)(도 2b 참조)과 접촉하게 된다. 이 경우 제 1 전극(122ae)과 제 2 전극(122be) 사이에 전류가 흐르는 경로가 상기 바이패스 라인(122c)외에 더 늘어나며, 그에 따라 제 1 전극(122ae)과 제 2 전극(122be) 사이에 흐르는 전류가 증가하게 된다.Since the
도 7의 압력 센서(220)에서와 같이 상기 바이패스 라인(122c)을 추가함으로써 제 1 전극(122ae)과 제 2 전극(122be) 사이에 흐르는 전류값 측정의 민감도(sensitivity)를 조절할 수 있다.The sensitivity of the measurement of the current value flowing between the first electrode 122ae and the second electrode 122be may be adjusted by adding the
도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 압력 센서(320)를 나타낸 측단면도이다.8 is a side cross-sectional view showing a pressure sensor 320 according to another embodiment of the present invention.
도 8을 참조하면, 상기 상부 절연막(128) 위에 돔(dome) 형태의 돌출부(129)가 더 제공되는 점을 제외하면 도 2b에 나타낸 압력 센서(120)와 동일하다. 따라서, 공통되는 내용에 대해서는 추가적인 설명을 생략하고, 차이가 있는 부분을 중심으로 이하에서 설명한다.Referring to FIG. 8, the
돌출부(129)는 외부로부터 압력이 인가될 때 상대적으로 작은 압력이나 측방향의 압력에도 핑거들(122af, 122bf)이 변형될 수 있도록 조장할 수 있다. 다시 말해 돌출부(129)는 외부에서 압력이 인가될 때 압력이 작용되는 면적을 돌출부(129)의 면적으로 집중시킬 수 있기 때문에 상대적으로 작은 압력에도 핑거들(122af, 122bf)의 변형을 조장할 수 있다.The protruding
또한 돌출부(129)는 돌출된 형상을 갖기 때문에 측방향으로 작용하는 힘이나 압력도 하부의 핑거들(122af, 122bf)로 전달하는 것이 가능하다.Also, since the protruding
따라서 돌출부(129)에 의하여 상기 압력 센서(320)의 민감도가 증대될 수 있다.Therefore, the sensitivity of the pressure sensor 320 can be increased by the
도 9a 내지 도 9c는 본 발명의 일 실시예에 따른 압력 센서(120)의 제조 방법을 나타낸 단면도들이다.9A to 9C are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing the
도 9a를 참조하면, 상부 절연막(128) 상에 상부 도전층(122)을 형성한다. 상기 상부 도전층(122)의 패턴을 형성하기 위하여 다양한 방법들이 이용될 수 있다. 예를 들면, 상기 상부 절연막(128) 상에 도전성 물질막을 형성한 후 포토리소그래피 등의 방법으로 패터닝을 수행할 수 있다. 또는 상기 상부 절연막(128) 상에 희생막 패턴을 형성하고, 화학 기상 증착(chemical vapor deposition, CVD) 등의 방법으로 도전성 물질막을 콘포말(conformal)하게 퇴적시킨 후 상기 희생막 패턴을 제거하여 불필요한 도전성 물질막을 리프트-오프(lift-off)시킴으로써 패터닝을 수행할 수도 있다.Referring to FIG. 9A, an upper
도 9a에서는 상부 절연막(128)의 하부 표면에 상부 도전층(122)이 배치된 것으로 도시되었지만 상하 방향은 바뀔 수 있다.In FIG. 9A, the upper
도 9b를 참조하면, 상기 상부 도전층(122)의 적절한 위치에 스페이서(126)를 형성할 수 있다. 상기 스페이서(126)는 예컨대 프린팅, 스크린 프린팅, 닥터 블레이드 등의 방법에 의하여 형성될 수 있고 특별히 한정되지 않는다. 상기 스페이서(126)로서 무기 재료가 사용되는 경우 물리 기상 증착(physical vapor deposition, PVD), CVD 등의 방법에 의하여 형성될 수 있다.Referring to FIG. 9B, a
도 9c를 참조하면, 지지 기재(110) 상에 하부 도전체층(124)을 형성하고 이를 도 9b에 도시한 구조물과 결합할 수 있다. 상기 지지 기재(110)와 상기 하부 도전체층(124)은 앞서 도 1의 설명 부분에서 상세하게 설명하였으므로 여기서는 추가적인 설명을 생략한다. 상기 하부 도전체층(124)은 코팅, 도금, 기상 증착 등의 방법을 통하여 상기 지지 기재(110) 상에 형성될 수 있다.Referring to FIG. 9C, a
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 유리 기판의 세정 방법을 순서에 따라 나타낸 흐름도이다.10 is a flowchart showing a cleaning method of a glass substrate according to an embodiment of the present invention in order.
유리 기판은 횡 방향으로 일정 간격으로 정렬된 복수의 마찰 세정부들에 의하여 세정될 수 있다. 상기 마찰 세정부들은 예컨대 브러시, 직포, 부직포, 펠트, 스펀지, 패브릭(fabric) 중 1종 이상일 수 있으나, 본 발명이 여기에 한정되는 것은 아니다.The glass substrate can be cleaned by a plurality of friction cleaners arranged at regular intervals in the transverse direction. The friction modifiers may be, for example, at least one of a brush, a woven fabric, a nonwoven fabric, a felt, a sponge, and a fabric, but the present invention is not limited thereto.
유리 기판을 세정하기 위하여 상기 복수의 마찰 세정부들이 적절한 압력으로 유리 기판을 가압할 수 있는지 여부를 먼저 판정한다(S110, S120, S130). 만일 상기 복수의 마찰 세정부들이 적절한 압력으로 유리 기판을 가압할 수 없다면 각 마찰 세정부들의 하방 가압 특성을 튜닝한다(S140). 그런 다음, 유리 기판을 복수의 마찰 세정부의 하부에 배치하고 세정 공정을 수행한다(S150, S160). 이하 각 단계를 설명한다.In order to clean the glass substrate, it is first determined whether the plurality of friction cleaning units can press the glass substrate with appropriate pressure (S110, S120, S130). If the plurality of friction cleaning units can not press the glass substrate with proper pressure, the downward pressure characteristics of the respective friction washers are tuned (S140). Then, the glass substrate is placed under the plurality of friction cleaning units and a cleaning process is performed (S150, S160). Each step will be described below.
먼저 복수의 마찰 세정부들의 하부에 압력 맵핑 장치를 배치한다(S110). 특히 압력 맵핑 장치의 압력 센서 유닛을 상기 복수의 마찰 세정부들의 하부에 배치하고, 분석 장치는 이격되어 케이블을 통하여 압력 센서 유닛과 연결될 수 있다. 만일 도 12에 나타낸 바와 같이 상기 복수의 마찰 세정부(201)들이 배치된 전체 폭이 커서 하나의 압력 센서 유닛(PSU)으로 커버되기 어렵다면 복수의 마찰 세정부(201)들의 하부에 복수의 압력 센서 유닛(PSU)들이 동시에 배치될 수 있다.First, a pressure mapping device is disposed below the plurality of friction modifying units (S110). In particular, the pressure sensor unit of the pressure mapping device may be disposed under the plurality of friction cleaning portions, and the analyzing device may be spaced apart and connected to the pressure sensor unit through a cable. 12, if the entire width of the plurality of
이어서 복수의 마찰 세정부들을 세정 위치로 하강시켜 상기 압력 센서 유닛에 압력을 가한다(S120). 상기 복수의 마찰 세정부들은 세정 위치에 있기 때문에 이 때 압력 센서 유닛에 가해지는 압력이 실제 유리 기판의 세정시에 유리 기판에 가해지는 압력과 실질적으로 동일하다. 한편 압력 센서 유닛은 방습 파우치(130)(도 1 참조)에 의하여 보호되고 있기 때문에 수분이나 화학 물질로부터 안전하다.Subsequently, the plurality of friction cleaning units are lowered to the cleaning position to apply pressure to the pressure sensor unit (S120). Since the plurality of friction cleaning units are in the cleaning position, the pressure applied to the pressure sensor unit at this time is substantially equal to the pressure applied to the glass substrate at the time of actual cleaning of the glass substrate. Meanwhile, since the pressure sensor unit is protected by the moisture-proof pouch 130 (see FIG. 1), it is safe from moisture and chemical substances.
이어서 상기 복수의 마찰 세정부들로부터 인가되는 압력들을 맵핑하여 하강 가압 특성이 적정한지 여부를 판정한다(S130). 본 단계는 도 11에 보다 상세하게 기술되어 있다.Subsequently, the pressures applied from the plurality of friction cleaners are mapped to determine whether the down pressure characteristic is appropriate (S130). This step is described in more detail in Fig.
도 11을 참조하면, 우선 위에서 설명한 압력 맵핑 장치를 이용하여 각 압력 맵핑 범위의 위치별 압력 값을 산출할 수 있다(S131). 즉, 압력 센서들 각각으로부터 입력받은 데이터를 통하여 각 압력 센서들의 위치 및/또는 각 압력 센서들 사이의 위치에서의 압력을 계산한다.Referring to FIG. 11, first, the pressure value for each position of each pressure mapping range can be calculated using the pressure mapping apparatus described above (S131). That is, the pressure at the position of each of the pressure sensors and / or the pressure between the respective pressure sensors is calculated through the data received from each of the pressure sensors.
선택적으로(Optionally), 계산된 각 위치에서의 압력값을 통하여 각 마찰 세정부로부터 인가되는 압력값을 산출할 수 있다(S133). 즉, 가압되는 바운더리를 인식하여 마찰 세정부로의 인식(identification, ID)하는 것이 적정한지 여부를 판단하고, 만일 그러한 ID가 적정하다면 해당 바운더리 내의 압력 분포를 통하여 마찰 세정부로부터 인가되는 압력값을 얻을 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 상기 마찰 세정부로부터 인가되는 압력값은 해당 바운더리 내의 각 지점에서의 압력 값을 단순 평균 또는 가중 평균하여 결정될 수 있다.Optionally, the pressure value applied from each of the friction regulating portions may be calculated through the pressure values at the calculated positions (S133). That is, it is determined whether or not it is proper to recognize the boundary to be pressed and identification (ID) to the friction tester, and if the ID is proper, the pressure value applied from the friction tester through the pressure distribution in the boundary Can be obtained. In some embodiments, the pressure value applied from the friction cleaner may be determined by simple averaging or weighted averaging of the pressure at each point within the boundary.
이어서, 상기 마찰 세정부로부터 인가되는 압력값이 기준 압력값 범위 내인지 여부를 판정한다(S135). 만일 상기 마찰 세정부로부터 인가되는 압력값이 기준 압력값 범위 내라면 추가적인 조치 없이 바로 유리 기판을 세정하기 위한 절차(여기서는 도 10의 S150)로 진행할 수 있다. 그렇지 않고 만일 상기 마찰 세정부로부터 인가되는 압력값이 기준 압력값 범위를 벗어난다면 기준 압력값 범위를 벗어나는 마찰 세정부에 대하여 하방 가압 특성을 튜닝하는 절차(여기서는 도 10의 S140)로 진행할 수 있다.Then, it is determined whether or not the pressure value applied from the friction cleaning section is within the reference pressure value range (S135). If the pressure value applied from the friction cleaning part is within the reference pressure value range, the procedure can proceed to the procedure for cleaning the glass substrate immediately (S150 in FIG. 10) without further action. Otherwise, if the pressure value applied from the friction cleaning section is out of the reference pressure value range, the process may proceed to a procedure of tuning the downward pressure characteristic (S140 in FIG. 10) to the friction maintenance section that deviates from the reference pressure value range.
다시 도 10을 참조하면, 인가되는 압력이 기준 압력값 범위를 벗어나는 마찰 세정부 각각에 대하여 하방 가압 특성을 튜닝한다(S140).Referring again to FIG. 10, the downward pressure characteristic is tuned for each of the friction modifiers whose applied pressure is out of the reference pressure value range (S140).
만일 상기 마찰 세정부가 특정 액츄에이터에 고정되어 있고 수직 방향의 일정 구간을 왕복하도록 구성되어 있다면 마찰 세정부의 설치 위치, 예컨대 설치 높이를 변경하여 상기 튜닝을 수행할 수 있다. 그렇지 않고 상기 마찰 세정부가 특정 액츄에이터에 고정되되, 외부 동력원으로부터 상기 액츄에이터에 가해지는 공압 또는 유압에 따라, 또는 상기 액츄에이터로부터 상기 마찰 세정부로 가해지는 공압 또는 유압에 따라 하강 가압 특성이 결정된다면, 각 액츄에이터의 설정값을 조정함으로써 상기 튜닝을 수행할 수 있다.If the friction caliper is fixed to a specific actuator and is configured to reciprocate in a predetermined vertical section, the tuning can be performed by changing the installation position of the friction caliper, e.g., the installation height. If the down pressure characteristic is determined according to the pneumatic pressure or the hydraulic pressure applied to the actuator from the external power source or the pneumatic pressure or the hydraulic pressure applied from the actuator to the friction cleaner, The tuning can be performed by adjusting the set values of the respective actuators.
상기 마찰 세정부의 하방 가압 특성이 튜닝된 후 유리 기판을 세정하기 위하여 상기 복수의 마찰 세정부의 하부에 유리 기판을 배치한다(S150). 이어서 상기 복수의 마찰 세정부로 상기 유리 기판을 세정한다(S160).In order to clean the glass substrate after the downward pressure characteristics of the friction cleaning part are tuned, a glass substrate is disposed at a lower portion of the plurality of friction cleaning parts (S150). Subsequently, the glass substrate is cleaned with the plurality of friction cleaning units (S160).
도 13은 본 발명의 일 실시예에 따른 유리 기판의 세정 공정을 평면적으로 나타낸 개략도이다.13 is a schematic view showing a cleaning process of a glass substrate according to an embodiment of the present invention in a plan view.
도 13을 참조하면 다수의 마찰 세정부(201)들이 소정 규칙에 따라 배열될 수 있다. 예를 들면, 다수의 마찰 세정부(201)들은 여러 개의 열들, 즉 제1열(R1), 제2열(R2), 제3열(R3) 등을 이룰 수 있다. 각 열들(R1, R2, R3)에 속한 마찰 세정부(201)들은 x 방향으로 측방향으로 배열될 수 있다. 또한 각 열들(R1, R2, R3)은 y 방향으로 제1열(R1), 제2열(R2), 제3열(R3), ···의 순으로 배열될 수 있다. 도 13에서는 3개의 열들만 도시하였지만 3개보다 더 적거나 4개 이상의 열들이 y 방향으로 배열될 수도 있다.Referring to FIG. 13, a plurality of
유리 기판(G)은 세정을 위하여 y 방향으로 진행되도록 구성될 수 있다. 특히 x 방향으로 배열되는 마찰 세정부(201)들은 소정 간격을 두고 배열되어 하나의 열을 이룰 수 있다. 예컨대 제1열(R1)에서 이와 같은 마찰 세정부(201)들 사이의 상기 간격에 대응되는 부분에서는 유리 기판(G)이 세정되지 않을 수 있다. 따라서 다음 열(예컨대 제2열(R2))에서는 유리 기판(G)의 이러한 부분이 커버되도록, 제1열(R1)의 인접하는 두 마찰 세정부들 사이의 간격에서 y 방향에는 제2열(R2)에 속하는 마찰 세정부가 배치될 수 있다.The glass substrate G can be configured to advance in the y direction for cleaning. In particular, the
상기 유리 기판(G)이 마찰 세정부(201)들의 열들을 통과하여 y 방향으로 진행될 때, 상기 마찰 세정부(201)들은 회전하면서 상기 유리 기판(G)의 표면을 세정할 수 있다. 또한 이와 동시에 물 및/또는 화학 세정제를 포함하는 세척액을 분사하여 상기 유리 기판(G)에 부착되어 있는 이물질을 보다 완벽하게 제거하도록 할 수 있다.When the glass substrate G passes through the rows of the
도 14는 5열로 구성되고 세정 위치에 있는 마찰 세정부들에 대하여 본 발명의 일 실시예에 따른 압력 맵핑 장치를 이용하여 압력 맵핑을 수행한 결과를 나타낸 이미지이다. 도 14에서 보는 바와 같이 세정 위치에서도 하방 가압이 감지되지 않는 마찰 세정부들이 다수 발견되었다. 종전에는 단순히 육안으로 마찰 세정부들의 높이를 인지하여 설치 높이의 적절성 등을 평가하였기 때문에 이와 같이 유리 기판 상으로의 하방 가압이 이루어지지 않는 마찰 세정부들을 발견하기 어려웠다.14 is an image showing the result of performing pressure mapping using the pressure mapping apparatus according to an embodiment of the present invention with respect to the friction cleaning units composed of five rows and in a cleaning position. As shown in FIG. 14, a large number of frictional washers were found in which the downward pressure was not detected even in the cleaning position. In the past, it was difficult to find the friction parts which can not be downwardly pressed on the glass substrate because the height of the friction parts was visually recognized by the naked eye and the appropriateness of the installation height was evaluated.
도 15는 5열로 구성되고 세정 위치에 있는 마찰 세정부들에 대하여 본 발명의 일 실시예에 따른 압력 맵핑 장치를 이용하여 압력 맵핑을 수행한 다른 결과를 나타낸 이미지이다.15 is an image showing another result of performing the pressure mapping using the pressure mapping apparatus according to the embodiment of the present invention with respect to the friction cleaning units composed of five rows and in the cleaning position.
도 15에서 보는 바와 같이 제1열에서는 거의 모든 마찰 세정부들이 적절한 압력으로 가압을 하면서 세정하는 것으로 판정될 수 있다. 그러나, 제2열, 제3열, 제4열, 제5열로 갈수록 이미지의 오른쪽에 가까이 배치된 마찰 세정부들의 하방 가압 특성이 나빠지는 것이 관찰된다. 특히 하방 가압 특성이 불량한 마찰 세정부들의 분포가 임의적인(random) 것이 아니라 특정한 경향성을 지니고 있는 점에서 전체 마찰 세정부들의 높이를 좌우하는 장비 프레임(frame)의 좌우 밸런스가 불량한 것을 1차적으로 추정할 수 있다.As shown in Fig. 15, in the first column, it can be determined that almost all of the friction modifying portions are cleaned while pressurizing with appropriate pressure. However, it is observed that the downward pressing characteristics of the friction modifying portions disposed closer to the right side of the image are deteriorated toward the second row, the third row, the fourth row and the fifth row. In particular, since the distribution of the frictional pressure parts having poor downward pressure characteristics is not random but has a specific tendency, it is firstly presumed that the right and left balance of the equipment frame (frame) can do.
도 14 및 도 15에서 보는 바와 같이 전체 마찰 세정부들 각각의 가압 특성을 실시간으로 파악하는 것이 가능하기 때문에 후속되는 유리 기판의 제품 불량의 원인을 더욱 용이하게 파악 가능하다.As shown in FIGS. 14 and 15, since it is possible to grasp the pressing characteristics of each of the entire friction modifiers in real time, it is possible to more easily grasp the cause of the subsequent product defects of the glass substrate.
도 16a 및 도 16b는 각각 본 발명의 일 실시예에 따른 압력 맵핑 시스템을 이용하여 마찰 세정부들 각각의 하방 가압 특성을 튜닝하기 전과 후의 압력 컨투어 맵을 나타낸 이미지들이다.16A and 16B are images showing a pressure contour map before and after tuning the downward pressure characteristic of each of the friction modifiers using the pressure mapping system according to an embodiment of the present invention.
도 16a를 참조하면, 4열로 이루어진 마찰 세정부들에서 이루어지는 가압 특성이 극히 불량한 것을 알 수 있다. 특히 제1열에서는 하방 가압이 거의 이루어지지 않음을 알 수 있다.Referring to FIG. 16A, it can be seen that the pressing characteristics of the four rows of frictional cleaning parts are extremely poor. In particular, it can be seen that the downward pressure is hardly achieved in the first row.
확인된 상기 압력 컨투어 맵을 바탕으로 각 마찰 세정부들의 하방 가압 특성을 튜닝한 후의 압력 컨투어 맵은 도 16과 같다. 도 16에서 보는 바와 같이 제1열, 제2열 및 제4열의 하방 가압 특성이 대폭 개선되었음을 알 수 있다.The pressure contour map after the downward pressure characteristic of each of the friction coefficient portions is tuned based on the identified pressure contour map is shown in FIG. As shown in FIG. 16, it can be seen that the downward pressure characteristics of the first column, the second column and the fourth column are greatly improved.
도 17은 도 16a 및 도 16b의 변화에 따른 파티클 불량 개소(個所)의 수를 나타낸 그래프이다. 도 17에서 가로축은 시간을 나타내고 세로축은 파티클 불량 개소의 수를 나타낸다.FIG. 17 is a graph showing the number of particle defective points (locations) according to the changes in FIGS. 16A and 16B. FIG. In Fig. 17, the horizontal axis represents time and the vertical axis represents the number of particle defective points.
도 17에서 T로 나타낸 시점에서 각 마찰 세정부들의 하방 가압 특성을 튜닝하였다. 튜닝 이전(즉, T의 왼쪽)에는 파티클 불량의 수가 더 많았으며, 대략 162의 평균값을 보였다. 한편, 튜닝 이후(즉, T의 오른쪽)에는 파티클 불량의 수가 감소한 것이 확인되었으며, 대략 115의 평균값을 보였다.In FIG. 17, the downward pressing characteristics of the respective friction modifying portions are tuned at the time indicated by T. Before tuning (ie, to the left of T), the number of particle defects was greater, with an average value of approximately 162. On the other hand, after tuning (i.e., to the right of T), it was confirmed that the number of particle defects decreased and an average value of about 115 was obtained.
이와 같이 파티클 불량 개소의 수가 감소하는 것은, 가압 특성이 미흡하여 파티클 제거에 기여하지 못하던 마찰 세정부의 가압 특성을 튜닝함으로써 파티클 제거에 기여하는 마찰 세정부들이 더 많아진 데 따른 것으로 이해될 수 있다.The decrease in the number of particle defective portions can be understood as a result of the fact that the friction characteristics of the particles contributing to particle removal are further increased by tuning the pressing characteristic of the friction modifier that does not contribute to the removal of particles due to insufficient pressure characteristics.
도 18a 및 도 18b는 다른 유리 제품 제조 공정에 대하여 본 발명의 일 실시예에 따른 압력 맵핑 시스템을 이용하여 마찰 세정부들 각각의 하방 가압 특성을 튜닝하기 전과 후의 파티클 불량 개소(個所)의 수의 추이를 나타낸 그래프들이다.18A and 18B are graphs showing the relationship between the number of defective portions of particles before and after tuning downward pressure characteristics of each of the friction modifiers using a pressure mapping system according to an embodiment of the present invention, Graphs showing trends.
도 18a를 참조하면, 시점 T를 기준으로 파티클 불량의 빈도가 현저히 감소된 것이 확인되었다. 즉, 시점 T 이전(즉, 튜닝 이전)에는 대략 1100의 파티클 불량 빈도가 관찰되었지만, 시점 T 이후(즉, 튜닝 이후)에는 대략 700의 파티클 불량 빈도가 관찰되었다.Referring to FIG. 18A, it was confirmed that the frequency of particle defects was significantly reduced based on the point of time T. That is, approximately 1100 particle defect frequencies were observed before the time point T (ie, before tuning), but approximately 700 particle defect frequencies were observed after the time point T (ie, after tuning).
도 18b를 참조하면, 시점 T를 기준으로 파티클 불량의 빈도가 현저히 감소된 것이 확인되었다. 즉, 시점 T 이전(즉, 튜닝 이전)에는 대략 751의 파티클 불량 빈도가 관찰되었지만, 시점 T 이후(즉, 튜닝 이후)에는 대략 413의 파티클 불량 빈도가 관찰되었다.Referring to FIG. 18B, it is confirmed that the frequency of particle defects is significantly reduced based on the point of time T. FIG. That is, a particle defect frequency of about 751 was observed before the time point T (that is, before the tuning), but a particle defect frequency of about 413 was observed after the time point T (that is, after the tuning).
이상에서 살펴본 바와 같이 본 발명의 실시예들에 대해 상세히 기술되었지만, 본 발명이 속하는 기술분야에 있어서 통상의 지식을 가진 사람이라면, 첨부된 청구 범위에 정의된 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 본 발명을 여러 가지로 변형하여 실시할 수 있을 것이다. 따라서 본 발명의 앞으로의 실시예들의 변경은 본 발명의 기술을 벗어날 수 없을 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it will be understood by those of ordinary skill in the art that various changes in form and details may be made therein without departing from the spirit and scope of the invention as defined by the appended claims. The present invention may be modified in various ways. Therefore, modifications of the embodiments of the present invention will not depart from the scope of the present invention.
110: 지지 기재
120: 압력 센서
122: 상부 도전체층
122a: 제 1 도전체부
122ac: 제 1 연결부
122ae: 제 1 전극
122af: 제 1 핑거
122b: 제 2 도전체부
122bc: 제 2 연결부
122be: 제 2 전극
122bf: 제 2 핑거
124: 하부 도전체층
126: 스페이서
128: 상부 절연막
130: 방습 파우치
140: 분석 장치
150: 커넥터
160: 리드 라인
201: 마찰 세정부110: support base 120: pressure sensor
122:
122ac: first connection part 122ae: first electrode
122af:
122bc: second connection part 122be: second electrode
122bf: second finger 124: bottom conductor layer
126: spacer 128: upper insulating film
130: moisture-proof pouch 140: analyzer
150: connector 160: lead line
201:
Claims (18)
상기 지지 기재 위에 배열되고, 인가되는 압력에 대응하여 신호를 출력할 수 있는 복수의 압력 센서들; 및
상기 복수의 압력 센서들로부터의 상기 신호를 입력받을 수 있도록 구성되고, 입력받은 상기 신호를 이용하여 상기 지지 기재 상의 압력 맵(pressure map)을 출력할 수 있는 분석 장치;
를 포함하는 압력 맵핑 장치.A support substrate;
A plurality of pressure sensors arranged on the supporting substrate and capable of outputting a signal corresponding to an applied pressure; And
An analyzer configured to receive the signals from the plurality of pressure sensors and to output a pressure map on the support substrate using the received signals;
.
상기 압력 센서는 상부 도전체층 및 상기 상부 도전체층과 이격되어 상기 상부 도전체층의 하부에 배치되는 하부 도전체층을 포함하고,
상기 상부 도전체층은 제 1 전극을 갖는 제 1 도전체부 및 제 2 전극을 갖는 제 2 도전체부를 포함하고,
상기 상부 도전체층은 인가되는 압력에 의하여 변형되어 상기 하부 도전체층과 접촉 가능하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 압력 맵핑 장치.The method according to claim 1,
Wherein the pressure sensor comprises an upper conductor layer and a lower conductor layer spaced apart from the upper conductor layer and disposed below the upper conductor layer,
The upper conductor layer comprising a first conductor portion having a first electrode and a second conductor portion having a second electrode,
Wherein the upper conductor layer is configured to be deformable by an applied pressure to be able to contact the lower conductor layer.
상기 압력 맵핑 장치는, 상기 압력 센서의 제 1 전극 및 제 2 전극에 연결되고 상기 지지 기재의 일측에 제공된 커넥터까지 연장되는 리드 라인들을 더 포함하고,
상기 분석 장치는 상기 커넥터와 신호 케이블을 통하여 상기 신호를 수신하도록 구성된 것을 특징으로 하는 압력 맵핑 장치.3. The method of claim 2,
The pressure mapping device further comprises lead lines connected to the first and second electrodes of the pressure sensor and extending to a connector provided on one side of the supporting substrate,
Wherein the analyzing device is configured to receive the signal through the connector and the signal cable.
상기 제 1 도전체부 및 상기 제 2 도전체부는 인가되는 압력에 비례하여 변형되어 상기 하부 도전체층과의 접촉 면적이 증가하도록 구성된 것을 특징으로 하는 압력 맵핑 장치.3. The method of claim 2,
Wherein the first conductor portion and the second conductor portion are deformed in proportion to applied pressure to increase the contact area with the lower conductor layer.
상기 제 1 도전체부는 평행한 복수의 제 1 핑거들(fingers)을 포함하고,
상기 제 2 도전체부는 평행한 복수의 제 2 핑거들을 포함하고,
복수의 상기 제 1 핑거들과 상기 제 2 핑거들은 서로 번갈아가며 위치하도록 배치되는 것을 특징으로 하는 압력 맵핑 장치.5. The method of claim 4,
The first conductor portion including a plurality of first fingers in parallel,
The second conductor portion includes a plurality of parallel second fingers,
Wherein the plurality of first fingers and the second fingers are arranged to be alternately positioned with respect to each other.
상기 압력 센서는 상기 제 1 전극 및 상기 제 2 전극의 하부에 스페이서를 더 포함하고,
상기 스페이서에 의하여 상기 상부 도전체층과 상기 하부 도전체층의 이격이 유지되는 것을 특징으로 하는 압력 맵핑 장치.3. The method of claim 2,
Wherein the pressure sensor further comprises a spacer below the first electrode and the second electrode,
Wherein the spacers maintain the spacing between the upper conductor layer and the lower conductor layer.
상기 지지 기재는 가요성 기재인 것을 특징으로 하는 압력 맵핑 장치.The method according to claim 1,
Wherein the support substrate is a flexible substrate.
상기 복수의 압력 센서들은 상기 지지 기재 위에 격자 배열되는 것을 특징으로 하는 압력 맵핑 장치.The method according to claim 1,
Wherein the plurality of pressure sensors are arranged in a lattice arrangement on the support substrate.
상기 지지 기재를 둘러싸는 방습 파우치(pouch)를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 압력 맵핑 장치.The method according to claim 1,
Further comprising a moisture-resistant pouch surrounding said support substrate.
상기 분석 장치는 입력받은 상기 신호를 이용하여 상기 지지 기재 상의 압력 맵을 실시간으로 출력 가능하도록 구성된 것을 특징으로 하는 압력 맵핑 장치.10. The method of claim 9,
Wherein the analyzing device is configured to be capable of outputting a pressure map on the supporting substrate in real time using the input signal.
상기 복수의 마찰 세정부들을 세정 위치로 하강시키는 단계;
압력 맵핑 장치를 이용하여 상기 복수의 마찰 세정부들로부터 인가되는 압력들을 맵핑하는 단계;
맵핑된 압력들에 근거하여 상기 복수의 마찰 세정부들의 하방 가압 특성들을 튜닝하는 단계;
유리 기판을 상기 복수의 마찰 세정부의 하부에 배치하는 단계; 및
상기 복수의 마찰 세정부를 이용하여 상기 유리 기판을 세정하는 단계;
를 포함하고,
상기 압력 맵핑 장치는:
지지 기재;
상기 지지 기재 위에 배열되고, 인가되는 압력에 대응하여 신호를 출력할 수 있는 복수의 압력 센서들; 및
상기 복수의 압력 센서들로부터의 상기 신호를 입력받을 수 있도록 구성되고, 입력받은 상기 신호를 이용하여 상기 지지 기재 상의 압력 맵(pressure map)을 출력할 수 있는 분석 장치;
를 포함하는 유리 기판의 세정 방법.Disposing a pressure mapping device in a lower portion of the plurality of friction modifying portions;
Lowering the plurality of friction washers into a cleaning position;
Mapping the pressures applied from the plurality of friction cleaners using a pressure mapping device;
Tuning downward pressure characteristics of the plurality of friction modifiers based on the mapped pressures;
Disposing a glass substrate under the plurality of friction cleaning units; And
Cleaning the glass substrate using the plurality of friction cleaning units;
Lt; / RTI >
The pressure mapping apparatus comprises:
A support substrate;
A plurality of pressure sensors arranged on the supporting substrate and capable of outputting a signal corresponding to an applied pressure; And
An analyzer configured to receive the signals from the plurality of pressure sensors and to output a pressure map on the support substrate using the received signals;
And cleaning the glass substrate.
상기 인가되는 압력들을 맵핑하는 단계는 각 마찰 세정부들로부터 인가되는 압력이 기준 압력값 범위를 벗어나는지의 여부를 판정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유리 기판의 세정 방법.12. The method of claim 11,
Wherein the step of mapping the applied pressures comprises the step of determining whether the pressure applied from each of the friction cleaners is out of the reference pressure value range.
상기 복수의 마찰 세정부들의 하방 가압 특성들을 튜닝하는 단계는 인가되는 압력이 기준 압력값 범위를 벗어나는 마찰 세정부에 대하여 설치 높이를 조정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유리 기판의 세정 방법.13. The method of claim 12,
Wherein the step of tuning the downward pressure characteristics of the plurality of friction modifying portions comprises adjusting an installation height for a friction modifying portion where the applied pressure is out of the reference pressure value range.
상기 하강시키는 단계는 상기 복수의 마찰 세정부들의 각각을 공압 또는 유압에 의하여 하강시키는 단계를 포함하고,
상기 복수의 마찰 세정부들의 하방 가압 특성들을 튜닝하는 단계는 상기 복수의 마찰 세정부들 각각에 공급되는 공압 또는 유압의 설정값을 조정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유리 기판의 세정 방법.13. The method of claim 12,
Wherein said step of lowering comprises lowering each of said plurality of friction cleaning units by pneumatic or hydraulic pressure,
Wherein the step of tuning the downward pressure characteristics of the plurality of friction modifiers comprises adjusting a set value of pneumatic or hydraulic pressure supplied to each of the plurality of friction modifiers.
상기 유리 기판을 세정하는 단계가 수행되는 동안 상기 유리 기판이 수평 방향으로 이동하는 것을 특징으로 하는 유리 기판의 세정 방법.12. The method of claim 11,
Wherein the glass substrate is moved in a horizontal direction while the step of cleaning the glass substrate is performed.
상기 복수의 마찰 세정부들은:
상기 유리 기판의 이동 방향에 수직인 횡방향으로 일정 간격으로 정렬된 제 1 열; 및
상기 제 1 열의 정렬 방향과 평행한 횡방향으로 일정 간격으로 정렬된 제 2 열;
을 포함하고,
상기 제 2 열의 어느 한 마찰 세정부는 상기 제 1 열의 인접하는 두 개의 마찰 세정부들 사이에서 상기 유리 기판의 이동 방향으로 이격되어 배치된 것을 특징으로 하는 유리 기판의 세정 방법.16. The method of claim 15,
Wherein the plurality of friction modifiers comprise:
A first row aligned at regular intervals in a transverse direction perpendicular to a moving direction of the glass substrate; And
A second row arranged at regular intervals in a lateral direction parallel to the alignment direction of the first column;
/ RTI >
Wherein one of the friction modifying portions of the second row is disposed between the adjacent two friction modifying portions of the first row in a moving direction of the glass substrate.
상기 복수의 마찰 세정부를 이용하여 유리 기판을 세정하는 단계는 세척액을 공급하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유리 기판의 세정 방법.12. The method of claim 11,
Wherein cleaning the glass substrate using the plurality of friction cleaning units comprises supplying cleaning liquid.
상기 분석 장치는 입력받은 상기 신호를 이용하여 상기 지지 기재 상의 압력 맵을 실시간으로 출력 가능하도록 구성된 것을 특징으로 하는 유리 기판의 세정 방법.12. The method of claim 11,
Wherein the analyzer is configured to be capable of outputting a pressure map on the support substrate in real time using the input signal.
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