KR20180110126A - A method for producing a red light emitting material excited by blue light - Google Patents

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Abstract

본 발명은 플루오르화수소산을 사용하지 않고서 청색광에 의해 여기된 적색 발광 재료를 제조하는 방법을 제공하고, 적색 발광 재료의 화학적 조성은 A2X1-yF6:yMn4+이며, 여기서, A는 알칼리 금속 원소로부터 선택된 적어도 하나이고; X는 Ti, Si, Ge 및 Zr로부터 선택된 적어도 하나이며; y는Mn4+이온이 X4+ 이온에 대한 몰 백분율 계수를 나타내고, 0<y≤0.10이며; 상기 방법은, X를 함유한 기질 재료와, 포름산, 아세트산과 플루오로아세트산 중의 적어도 하나와 무수 에탄올의 혼합물 또는 포름산, 아세트산과 플루오로아세트산 중의 적어도 하나를 포함하는 반응 용매를 혼합하여 제1 혼합 용액을 얻는 단계; Mn4+의 불화물을 제1 혼합 용액에 넣어 제2 혼합 용액을 얻는 단계; 및 A의 불화물을 제2 혼합 용액에 넣어 침전물을 얻음으로써 적색 발광 재료를 얻는 단계를 포함한다. 해당 방법은 환경 오염에 영향을 미치지 않는다.The present invention provides a method for producing a red light emitting material excited by blue light without using hydrofluoric acid, wherein the chemical composition of the red light emitting material is A 2 X 1 -y F 6: yMn 4+ , wherein A Is at least one selected from alkali metal elements; X is at least one selected from Ti, Si, Ge and Zr; y represents the molar percentage coefficient of the Mn 4+ ion relative to the X 4+ ion, 0 < y? 0.10; The method comprises the steps of mixing a substrate material containing X and a reaction solvent containing formic acid, a mixture of at least one of acetic acid and fluoroacetic acid with anhydrous ethanol or formic acid, and at least one of acetic acid and fluoroacetic acid, ; Adding a fluoride of Mn 4+ to a first mixed solution to obtain a second mixed solution; And a fluoride of A in a second mixed solution to obtain a precipitate to obtain a red luminescent material. This method does not affect environmental pollution.

Description

청색광에 의해 여기된 적색 발광 재료의 제조 방법A method for producing a red light emitting material excited by blue light

본 발명은 청색광에 의해 여기된 적색 발광 재료를 제조하는 방법에 관한 것으로, 구체적으로, 청색광반도체 발광 다이오드(LED)용 Mn4+이온 도핑된 불화물 적색 발광 재료의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method for manufacturing a red light emitting material excited by blue light, and more particularly, to a method for manufacturing a red light emitting material of Mn 4+ ion doped fluoride for a blue light semiconductor light emitting diode (LED).

Mn4+ 도핑된 불화물 적색 발광 재료는 청색광 영역에서 강하고 넓은 여기대와 강한 적색광 협대역을 가지므로, GaN 베이스 백색광 LED 조명에 응용될 수 있다. 통상적으로, 대량의 플루오르화수소산(Hydrofluoric acid)을 사용하여 Mn4+ 도핑된 불화물적색 발광 재료를 제조한다. 예를 들어, 공개 번호 US2006169998A1인 특허 문건에서 A2MF6(A는 Na, K, Rb 등이고; M은 Ti, Si, Sn, Ge 등임)를 제조하는 방법을 개시하였다. 상기 방법은 다양한 원료를 높은 농도의 플루오르화수소산에 용해시킨 후 결정을 거쳐 샘플을 얻는 단계를 포함하는데; 상기 방법은 조작 시간이 길고, 플루오르화수소산 사용량이 많으며, 제품 외관이 균일하지 않은 등 단점이 있다. 이 외에, 공개 번호 CN103980896A인 특허 문건에서 A2MF6(A는 Li, Na, K, Rb, Cs 중의 하나 또는 다수의 조합이고; M은 Ti, Si, Sn, Ge, Zr 중의 하나 또는 다수의 조합임)를 제조하는 방법을 개시하였고, 상기 방법은 헥사플루오로망간산칼륨(Potassium hexafluoro mAnganate) 또는 헥사플루오로망간산나트륨(Sodium hexafluoro mAnganate)을 Mn4+ 소스로 하며, 플루오르화수소산 용액에서 미리 제조된 A2MF6기질 재료와 교환하여 샘플을 얻는다. 그러나, A2MF6을 제조할 때 전부 플루오르화수소산을 사용하며, 그러나 플루오르화수소산은 부식성이 강하고 독성이 큰 화학 시약으로, 과량 사용하면 환경 오염 문제를 초래한다. 따라서 플루오르화수소산의 사용량을 어떻게 감소시켜 고효율의 불화물적색 발광 재료를 얻는지가, 중요한 연구 의의와 응용 전망이 있다.The Mn 4+ -doped fluoride red light emitting material is strong in the blue light region and has a wide excitation band and a strong red light narrow band, so it can be applied to GaN base white light LED illumination. Typically, a large amount of hydrofluoric acid is used to prepare a Mn 4+ -doped fluoride red light emitting material. For example, in the patent document with the disclosure number US2006169998A1, a method for producing A 2 MF 6 (A is Na, K, Rb and the like and M is Ti, Si, Sn, Ge, etc.) is disclosed. The method includes the steps of dissolving various raw materials in a high concentration of hydrofluoric acid and obtaining a sample through the crystal; This method has a disadvantage that the operation time is long, the amount of hydrofluoric acid used is large, and the appearance of the product is not uniform. In addition, A 2 MF 6 (A is a combination of one or more of Li, Na, K, Rb and Cs; M is one or more of Ti, Si, Sn, Ge, Zr Wherein the method comprises using a potassium hexafluoro man- netate or sodium hexafluoro-man- netate as the Mn 4+ source and pre-treating it with a hydrofluoric acid solution A 2 MF 6 substrate material to obtain a sample. However, hydrofluoric acid is used in the production of A 2 MF 6 , but hydrofluoric acid is a corrosive and toxic chemical reagent. Therefore, how to reduce the use amount of hydrofluoric acid to obtain a high-efficiency fluoride red light emitting material has important research significance and application prospects.

본 발명은 플루오르화수소산을 사용하지 않고서 청색광에 의해 여기된 적색 발광 재료를 제조하는 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide a method for producing a red light emitting material excited by blue light without using hydrofluoric acid.

본 발명의 예시적 실시예에서 청색광에 의해 여기된 적색 발광 재료를 제조하는 방법을 제공하고, 상기 적색 발광 재료의 화학적 조성은 A2X1-yF6:yMn4+이며, 여기서, A는 알칼리 금속 원소로부터 선택된 적어도 하나이고; X는 Ti, Si, Ge 및 Zr로부터 선택된 적어도 하나이며; y는 Mn4+이온이 X4+ 이온에 대한 몰 백분율 계수를 나타내고, 0<y≤0.10이며;There is provided a method of producing a red light emitting material excited by blue light in an exemplary embodiment of the present invention, wherein the chemical composition of the red light emitting material is A 2 X 1 -y F 6: yMn 4+ , wherein A is At least one selected from alkali metal elements; X is at least one selected from Ti, Si, Ge and Zr; y represents the molar percentage coefficient of the Mn 4+ ion relative to the X 4+ ion, 0 < y? 0.10;

상기 방법은, X를 함유한 기질 재료와, 포름산, 아세트산과 플루오로아세트산 중의 적어도 하나와 무수 에탄올의 혼합물 또는 포름산, 아세트산과 플루오로아세트산 중의 적어도 하나를 포함하는 반응 용매를 혼합하여 제1 혼합 용액을 얻는 단계; Mn4+의 불화물을 제1 혼합 용액에 넣어 제2 혼합 용액을 얻는 단계; 및A의 불화물을 제2 혼합 용액에 넣어 침전물을 얻음으로써 적색 발광 재료를 얻는 단계를 포함한다.The method comprises the steps of mixing a substrate material containing X and a reaction solvent containing formic acid, a mixture of at least one of acetic acid and fluoroacetic acid with anhydrous ethanol or formic acid, and at least one of acetic acid and fluoroacetic acid, ; Adding a fluoride of Mn 4+ to a first mixed solution to obtain a second mixed solution; And a fluoride of A in a second mixed solution to obtain a precipitate to obtain a red luminescent material.

본 발명의 예시적인 실시예에 따르면, X를 함유한 기질 재료는 헥사플루오로규산(Hexafluorosilicic acid) 수용액, 헥사플루오로티탄산(Hexafluorotitanic acid) 수용액, 헥사플루오로지르콘산(Hexafluorozirconic acid) 수용액 및 헥사플루오로게르마늄산암모늄(Ammonium hexafluoro Germanate) 중의 적어도 하나를 포함할 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, the substrate material containing X is selected from the group consisting of an aqueous solution of hexafluorosilicic acid, an aqueous solution of hexafluorotitanic acid, an aqueous solution of hexafluorozirconic acid, (Ammonium hexafluoro germanate). &Lt; / RTI &gt;

본 발명의 예시적인 실시예에 따르면, 헥사플루오로규산 수용액, 헥사플루오로티탄산 수용액 또는 헥사플루오로지르콘산 수용액의 질량 백분율은 30 ~ 50 %일 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, the mass percentage of the hexafluorosilicic acid aqueous solution, the hexafluorotitanic acid aqueous solution or the hexafluorozirconic acid aqueous solution may be 30 to 50%.

본 발명의 예시적인 실시예에 따르면, 포름산, 아세트산 및 플루오로아세트산 중의 적어도 하나와 무수 에탄올의 체적비는 1 ~ 100: 1일 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, the volume ratio of at least one of formic acid, acetic acid, and fluoroacetic acid to anhydrous ethanol may be 1 to 100: 1.

본 발명의 예시적인 실시예에 따르면, Mn4+의 불화물은 헥사플루오로망간산칼륨(Potassium hexafluoro mAnganate) 및 헥사플루오로망간산나트륨(Sodium heparafluoro mAnganate) 중의 하나를 포함할 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, the fluoride of Mn 4+ may comprise one of Potassium hexafluoro mangeate and Sodium heparafluoro mannate.

본 발명의 예시적인 실시예에 따르면, A의 불화물은 불화나트륨(Sodium fluoride), 불화칼륨(Potassium fluoride), 불화루비듐(Rubidium fluoride) 및 불화세슘(Cesium fluoride) 중의 적어도 하나를 포함할 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, the fluoride of A may comprise at least one of Sodium fluoride, Potassium fluoride, Rubidium fluoride and Cesium fluoride.

본 발명의 예시적인 실시예에 따르면, X를 함유한 기질 재료와 반응 용매를 혼합하는 단계는, 실온 하에서 X를 함유한 기질 재료와 반응 용매를 혼합하고 균일하게 교반하여 제1 혼합 용액을 얻는 단계를 포함할 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, the step of mixing a substrate material containing X with a reaction solvent includes mixing a substrate material containing X and a reaction solvent at room temperature and uniformly stirring to obtain a first mixed solution . &Lt; / RTI &gt;

본 발명의 예시적인 실시예에 따르면, Mn4+의 불화물을 제1 혼합 용액에 넣는 단계는, Mn4+의 불화물을 제1 혼합물에 넣은 후 20 ~ 60분 동안 교반하여 제2 혼합 용액을 얻는 단계를 포함할 수 있다.In accordance with the illustrative embodiment of the invention, the steps for loading a fluoride of Mn 4+ to the first mixed solution is stirred after inserting a fluoride of Mn 4+ to the first mixture for 20 to 60 minutes to obtain a second mixed solution Step &lt; / RTI &gt;

본 발명의 예시적인 실시예에 따르면, A의 불화물을 제2 혼합 용액에 넣는 단계는, A의 불화물을 제2 혼합 용액에 넣은 후 1 ~ 12시간 교반하여 침전물을 얻는 단계를 포함할 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, the step of putting the fluoride of A into the second mixed solution may include a step of adding the fluoride of A to the second mixed solution and stirring for 1 to 12 hours to obtain a precipitate.

본 발명의 예시적인 실시예에 따르면, 상기 방법은 침전물을 세척하고 건조시켜 적색 발광 재료를 얻는 단계를 더 포함할 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, the method may further comprise washing and drying the precipitate to obtain a red luminescent material.

본 발명의 방법에 따르면, 플루오르화수소산을 사용하지 않고서 청색광에 의해 여기된 적색 발광 재료를 제조하므로 본 발명의 방법은 환경 오염에 영향을 미치지 않는다.According to the method of the present invention, since the red light emitting material excited by blue light is produced without using hydrofluoric acid, the method of the present invention does not affect environmental pollution.

이 외에, 본 발명의 방법에 따르면, 포름산, 아세트산 및 플루오로아세트산 중의 적어도 하나와 무수 에탄올의 혼합물 또는 포름산, 아세트산 및 플루오로아세트산 중의 적어도 하나를 반응 용매로 사용하여 제조된 적색 발광 재료의 외관은 균일하다.In addition, according to the method of the present invention, the appearance of the red light emitting material prepared using a mixture of at least one of formic acid, acetic acid, and fluoroacetic acid with anhydrous ethanol or at least one of formic acid, acetic acid, and fluoroacetic acid as a reaction solvent It is uniform.

이 외에, 본 발명의 방법에 따른 제조 과정은 간단하고, 조작이 편리하며, 공업화 대규모 생산에 적용된다.Besides, the manufacturing process according to the method of the present invention is simple, easy to operate, and applied to large scale industrial production.

이 외에, 본 발명의 방법에 따라 제조된 적색 발광 재료는 청색광 여기 하에서 강한 적색광 발사 피크(예를 들어, 발사 피크는 627 nm 정도 또는 632 nm 정도에 위치됨)를 가지고, 발광 효율이 높으며, 색 순도가 우수하고; 얻은 적색 발광 재료의 발사 스펙트럼 색좌표 값은 이상적인 적색광의 색좌표 값 x=0.67, y=0.33에 가깝다.In addition, the red light emitting material produced according to the method of the present invention has a strong red light emission peak (for example, the emission peak is located at about 627 nm or 632 nm) under blue light excitation, Excellent purity; The emission spectrum color coordinate value of the obtained red light emitting material is close to the color coordinate value x = 0.67, y = 0.33 of the ideal red light.

도 1은 본 발명의 예시적인 실시예에 따른 적색 발광 재료를 제조하는 방법의 흐름도이다;
도 2는 본 발명의 실시예1에서 얻은 Na2TiF6:Mn4+의 XRD회절도이다;
도 3은 본 발명의 실시예1에서 얻은 Na2TiF6:Mn4+의 실온 여기 스펙트럼(모니터링 파장은 627 nm임)과 발사 스펙트럼(여기 파장은 460 nm임)의 도면이다;
도 4는 본 발명의 실시예1에서 얻은 Na2TiF6:Mn4+와 청색광LED칩으로 제조된 LED 소자의 20 mA 전류 여기 하에서의 전계발광 스펙트로그램이다;
도 5는 본 발명의 실시예2에서 얻은 Na2SiF6:Mn4+의 XRD회절도이다;
도 6은 본 발명의 실시예2에서 얻은 Na2SiF6:Mn4+의 실온 여기 스펙트럼(모니터링 파장은 627 nm임)과 발사 스펙트럼(여기 파장은 460 nm임)의 도면이다;
도 7은 본 발명의 실시예2에서 얻은 Na2SiF6:Mn4+와 청색광LED 칩으로 제조된 LED 소자의 20 mA 전류 여기 하에서의 전계발광 스펙트로그램이다;
도 8은 본 발명의 실시예3에서 얻은 K2TiF6:Mn4+의 XRD회절도이다;
도 9는 본 발명의 실시예3에서 얻은 K2TiF6:Mn4+의 실온 여기 스펙트럼(모니터링 파장은 632 nm임)과 발사 스펙트럼(여기 파장은 460 nm임)의 도면이다;
도 10은 본 발명의 실시예3에서 얻은 K2TiF6:Mn4+와 청색광LED 칩으로 제조된 LED 소자의 20 mA 전류 여기 하에서의 전계발광 스펙트로그램이다;
도 11은 본 발명의 실시예4에서 얻은 K2GeF6:Mn4+의 XRD회절도이다;
도 12는 본 발명의 실시예4에서 얻은 K2GeF6:Mn4+의 실온 여기 스펙트럼(모니터링 파장은 631 nm임)과 발사 스펙트럼(여기 파장은 460 nm임)의 도면이다;
도 13은 본 발명의 실시예4에서 얻은 K2GeF6:Mn4+와 청색광LED 칩으로 제조된 LED 소자의 20 mA 전류 여기 하에서의 전계발광 스펙트로그램이다;
도 14는 본 발명의 실시예5에서 얻은 Rb2TiF6:Mn4+의 XRD회절도이다;
도 15는 본 발명의 실시예5에서 얻은 Rb2TiF6:Mn4+의 실온 여기 스펙트럼(모니터링 파장은 631 nm임)과 발사 스펙트럼(여기 파장은 465 nm임)의 도면이다;
도 16은 본 발명의 실시예5에서 얻은 Rb2TiF6:Mn4+와 청색광LED 칩으로 제조된 LED 소자의 20 mA 전류 여기 하에서의 전계발광 스펙트로그램이다;
도 17은 본 발명의 실시예6에서 얻은 Cs2ZrF6:Mn4+의 XRD회절도이다;
도 18은 본 발명의 실시예6에서 얻은 Cs2ZrF6:Mn4+의 실온 여기 스펙트럼(모니터링 파장은 630 nm임)과 발사 스펙트럼(여기 파장은 480 nm임)의 도면; 및
도 19는 본 발명의 실시예6에서 얻은 Cs2ZrF6:Mn4+와 청색광LED 칩으로 제조된 LED 소자의 20 mA 전류 여기 하에서의 전계발광 스펙트로그램이다.
1 is a flow chart of a method of manufacturing a red light emitting material according to an exemplary embodiment of the present invention;
2 is an XRD diffraction diagram of Na 2 TiF 6 : Mn 4+ obtained in Example 1 of the present invention;
3 is a chart of the room temperature excitation spectrum (monitoring wavelength is 627 nm) and emission spectrum (excitation wavelength is 460 nm) of Na 2 TiF 6 : Mn 4+ obtained in Example 1 of the present invention;
4 is an electroluminescence spectrogram of an LED device made of Na 2 TiF 6 : Mn 4+ and a blue light LED chip obtained in Example 1 of the present invention under excitation of 20 mA current;
5 is an XRD diffraction diagram of Na 2 SiF 6 : Mn 4+ obtained in Example 2 of the present invention;
6 is a chart of the room temperature excitation spectrum (monitoring wavelength is 627 nm) and emission spectrum (excitation wavelength is 460 nm) of Na 2 SiF 6 : Mn 4+ obtained in Example 2 of the present invention;
7 is an electroluminescence spectrogram of an LED device made of Na 2 SiF 6 : Mn 4+ and a blue light LED chip obtained in Example 2 of the present invention under excitation of 20 mA current;
8 is an XRD diffraction diagram of K 2 TiF 6 : Mn 4+ obtained in Example 3 of the present invention;
9 is a chart of the room temperature excitation spectrum (monitoring wavelength is 632 nm) and emission spectrum (excitation wavelength is 460 nm) of K 2 TiF 6 : Mn 4+ obtained in Example 3 of the present invention;
10 is an electroluminescence spectrogram of an LED device made of K 2 TiF 6 : Mn 4+ and a blue light LED chip obtained in Example 3 of the present invention under excitation of 20 mA current;
11 is an XRD diffraction diagram of K 2 GeF 6 : Mn 4+ obtained in Example 4 of the present invention;
12 is a chart of the room temperature excitation spectrum (monitoring wavelength is 631 nm) and emission spectrum (excitation wavelength is 460 nm) of K 2 GeF 6 : Mn 4+ obtained in Example 4 of the present invention;
13 is an electroluminescence spectrogram of an LED device made of K 2 GeF 6 : Mn 4+ and a blue light LED chip obtained in Example 4 of the present invention under excitation of 20 mA current;
14 is an XRD diffraction diagram of Rb 2 TiF 6 : Mn 4+ obtained in Example 5 of the present invention;
15 is a chart of the room temperature excitation spectrum (monitoring wavelength is 631 nm) and the emission spectrum (excitation wavelength is 465 nm) of Rb 2 TiF 6 : Mn 4+ obtained in Example 5 of the present invention;
16 is an electroluminescence spectrogram of an LED device made of Rb 2 TiF 6 : Mn 4+ and a blue light LED chip obtained in Example 5 of the present invention under excitation of 20 mA current;
17 is an XRD diffraction diagram of Cs 2 ZrF 6 : Mn 4+ obtained in Example 6 of the present invention;
18 is a chart of a room temperature excitation spectrum (monitoring wavelength is 630 nm) and emission spectrum (excitation wavelength is 480 nm) of Cs 2 ZrF 6 : Mn 4+ obtained in Example 6 of the present invention; And
19 is an electroluminescence spectrogram of an LED device made of Cs 2 ZrF 6 : Mn 4+ and a blue light LED chip obtained in Example 6 of the present invention under excitation of 20 mA current.

아래, 본 발명의 기술적 해결 수단을 더욱 명확하게 하기 위하여, 예시적인 실시예를 결합하여 본 발명의 원리를 더 상세하게 설명한다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS For a more complete understanding of the technical solution of the present invention, the principles of the present invention will now be described in more detail by way of example embodiments.

선행 기술에서, 플루오르화수소산을 반응 용매로 하여 적색 발광 재료를 제조하되, 플루오르화수소산을 대량으로 사용하면 환경 오염을 초래한다. 이에 기반하여, 본 발명은 플루오르화수소산을 사용하지 않고서 적색 발광 재료를 제조하는 방법을 제공한다.In the prior art, a red light emitting material is prepared using hydrofluoric acid as a reaction solvent, but the use of a large amount of hydrofluoric acid causes environmental pollution. On the basis thereof, the present invention provides a method for producing a red light emitting material without using hydrofluoric acid.

본 발명의 예시적인 실시예에 따라 적색 발광 재료를 제조하는 방법을 제공하고, 여기서, 적색 발광 재료의 화학적 조성은 하기 <수학식 1>로 표시될 수 있으며,There is provided a method of manufacturing a red light emitting material according to an exemplary embodiment of the present invention, wherein a chemical composition of a red light emitting material can be expressed by the following equation (1)

<수학식 1>&Quot; (1) &quot;

A2X1-yF6:yMn4+ A 2 X 1-y F 6: yMn 4+

여기서, <수학식 1>에서, A는 알칼리 금속 원소로부터 선택된 적어도 하나이고; X는 Ti, Si, Ge 및 Zr로부터 선택된 적어도 하나이며; y는 Mn4+이온이 X4+ 이온에 대한 이온의 몰 백분율 계수를 나타내고, 0<y≤0.10이다.In the formula (1), A is at least one selected from alkali metal elements; X is at least one selected from Ti, Si, Ge and Zr; y represents the molar percentage coefficient of the ion for the Mn 4+ ion to the X 4+ ion, and 0 < y? 0.10.

본 발명의 예시적인 실시예에서, A는 Na, K, Rb 및 Cs 중의 적어도 하나로부터 선택될 수 있다. 선택 가능하게, A는 Na 및/또는 K일 수 있다.In an exemplary embodiment of the invention, A may be selected from at least one of Na, K, Rb and Cs. Optionally, A may be Na and / or K.

본 발명의 예시적인 실시예에서, X는 Ti, Si, Ge 및 Zr 중의 적어도 하나의 4가 원소로부터 선택될 수 있다. 선택 가능하게, X는 Si 또는 Ti일 수 있다.In an exemplary embodiment of the present invention, X may be selected from at least one tetravalent element of Ti, Si, Ge, and Zr. Optionally, X may be Si or Ti.

본 발명에서, 적색 발광 재료는 A2X1-yF6 중의 X성분이 부분적으로 Mn4+에 대체된 구조를 구비하므로, 이러한 적색 발광 재료는 Mn- 활성화된 불화물 적색 발광 재료로 지칭될 수 있다. 본 발명에 따른 적색 발광 재료는 청색광 여기 하에서 강한 적색광 발사 피크(예를 들어, 발사 피크는 627 nm 정도 또는 632 nm 정도에 위치됨)를 가지고, 발광 효율이 높으며; 얻은 적색 발광 재료의 발사 스펙트럼 색좌표 값은 이상적인 적색광의 색좌표 값 x=0.67, y=0.33에 가깝다.In the present invention, since the red light emitting material has a structure in which the X component in A 2 X 1 -y F 6 is partially replaced with Mn 4+ , such a red light emitting material can be referred to as a Mn-activated fluoride red light emitting material have. The red light emitting material according to the present invention has a strong red light emission peak (for example, the emission peak is located at about 627 nm or about 632 nm) under blue light excitation and has a high luminous efficiency; The emission spectrum color coordinate value of the obtained red light emitting material is close to the color coordinate value x = 0.67, y = 0.33 of the ideal red light.

이하 도 1을 참조하여 청색광에 의해 여기된 적색 발광 재료를 제조하는 방법을 상세하게 서술하고자 한다.Hereinafter, a method of manufacturing a red light emitting material excited by blue light will be described in detail with reference to FIG.

도 1은 본 발명의 예시적인 실시예에 따른 청색광에 의해 여기된 적색 발광 재료를 제조하는 방법의 흐름도이다.1 is a flow chart of a method of manufacturing a red light emitting material excited by blue light according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 본 발명의 예시적인 실시예에 따라 청색광에 의해 여기된 적색 발광 재료를 제조하는 방법은, X를 함유한 기질 재료와 반응 용매를 혼합하여 제1 혼합 용액을 얻는 단계(S100); Mn4+의 불화물을 제1 혼합 용액에 넣어 제2 혼합 용액을 얻는 단계(S200); A의 불화물을 제2 혼합 용액에 넣어 침전물을 얻는 단계(S300); 침전물을 세척하고 건조시켜 적색 발광 재료를 얻는 단계(S400)를 포함한다.Referring to FIG. 1, a method of preparing a red light emitting material excited by blue light according to an exemplary embodiment of the present invention includes mixing a substrate material containing X with a reaction solvent to obtain a first mixed solution (S100 ); Adding a fluoride of Mn 4+ to the first mixed solution to obtain a second mixed solution (S200); Adding a fluoride of A to a second mixed solution to obtain a precipitate (S300); And washing and drying the precipitate to obtain a red light emitting material (S400).

X를 함유한 기질 재료와 반응 용매를 혼합하는 단계(S100)에서, 실온 조건 하에서 X를 함유한 기질 재료와 반응 용매를 혼합하고 균일하게 교반하여 제1 혼합 용액을 얻는다. 여기서, X는 상기에서 서술된 X와 동일할 수 있고, 여기서는 더 설명하지 않을 것이다.In step (S100) of mixing a substrate material containing X and a reaction solvent, a substrate material containing X and a reaction solvent are mixed under a room temperature condition and uniformly stirred to obtain a first mixed solution. Here, X may be the same as X described above, and will not be described further herein.

본 발명의 예시적인 실시예에서, X를 함유한 기질 재료는 헥사플루오로규산 수용액, 헥사플루오로티탄산 수용액, 헥사플루오로지르콘산 수용액 및 헥사플루오로게르마늄산암모늄 중의 적어도 하나를 포함할 수 있다. 이 외에, 본 발명의 예시적인 실시예에서, 헥사플루오로규산 수용액, 헥사플루오로티탄산 수용액 또는 헥사플루오로지르콘산 수용액의 질량 백분율은 30 ~ 50 %일 수 있다. 본 발명의 비제한적인 실시예에서, 헥사플루오로게르마늄산암모늄을 사용할 경우, 헥사플루오로게르마늄산암모늄과 반응 용매를 직접 혼합시킬 수 있다.In an exemplary embodiment of the present invention, the substrate material containing X may comprise at least one of an aqueous solution of hexafluorosilicic acid, an aqueous solution of hexafluorotitanic acid, an aqueous solution of hexafluorozirconic acid, and ammonium hexafluoroarsenic acid. In addition, in an exemplary embodiment of the present invention, the mass percentage of the hexafluorosilicic acid aqueous solution, the hexafluorotitanic acid aqueous solution, or the hexafluorozirconic acid aqueous solution may be 30 to 50%. In a non-limiting embodiment of the present invention, when ammonium hexafluoroarsenate is used, the ammonium hexafluoroarsenate can be mixed directly with the reaction solvent.

본 발명의 비제한적인 실시예에서, X를 함유한 기질 재료와 반응 용매의 비율 관계는 구체적으로 제한되지 않으며, 반응 용매는 X를 함유한 기질 재료를 완전히 용해시킬 수 있는 임의의 적합한 양을 포함할 수 있다.In a non-limiting embodiment of the present invention, the ratio relationship of the substrate material containing X to the reaction solvent is not particularly limited, and the reaction solvent includes any suitable amount capable of completely dissolving the substrate material containing X can do.

본 발명의 예시적인 실시예에서, 반응 용매는 포름산, 아세트산 및 플루오로아세트산 중의 적어도 하나와 무수 에탄올의 혼합물 또는 포름산, 아세트산 및 플루오로아세트산 중의 적어도 하나를 포함할 수 있다. 선택 가능하게, 반응 용매는 포름산과 무수 에탄올의 혼합물, 아세트산과 무수 에탄올의 혼합물, 플루오로아세트산과 무수 에탄올의 혼합물, 포름산 및 아세트산과 무수 에탄올의 혼합물, 아세트산 및 플루오로아세트산과 무수 에탄올의 혼합물, 또는 포름산 및 플루오로아세트산과 무수 에탄올의 혼합물을 포함할 수 있다.In an exemplary embodiment of the invention, the reaction solvent may comprise a mixture of at least one of formic acid, acetic acid, and fluoroacetic acid with anhydrous ethanol or at least one of formic acid, acetic acid, and fluoroacetic acid. Optionally, the reaction solvent is a mixture of formic acid and anhydrous ethanol, a mixture of acetic acid and anhydrous ethanol, a mixture of fluoroacetic acid and anhydrous ethanol, a mixture of formic acid and acetic acid and anhydrous ethanol, a mixture of acetic acid and fluoroacetic acid and anhydrous ethanol, Or a mixture of formic acid and fluoroacetic acid with anhydrous ethanol.

본 발명의 예시적인 실시예에서, 포름산, 아세트산 및 플루오로아세트산 중의 적어도 하나와 무수 에탄올의 체적비는 1 ~ 100: 1일 수 있다. 선택 가능하게, 5 ~ 90: 1, 10 ~ 80: 1, 20 ~ 70: 1, 30 ~ 60: 1 또는 40 ~ 50: 1일 수 있거나, 상기에 기재된 수치에 의해 한정된 임의의 범위 내에 있으며, 예를 들어, 1 ~ 10: 1일 수 있다.In an exemplary embodiment of the present invention, the volume ratio of at least one of formic acid, acetic acid, and fluoroacetic acid to anhydrous ethanol may be between 1 and 100: 1. Optionally in the range of 5 to 90: 1, 10 to 80: 1, 20 to 70: 1, 30 to 60: 1 or 40 to 50: 1, For example, from 1 to 10: 1.

본 발명에서, 포름산, 아세트산 및 플루오로아세트산 중의 적어도 하나와 무수 에탄올의 혼합물 또는 포름산, 아세트산 및 플루오로아세트산 중의 적어도 하나로 플루오르화수소산을 대체하여 반응 용매로 함으로써 환경 오염을 감소시킬 수 있다.In the present invention, environmental pollution can be reduced by replacing hydrofluoric acid with a mixture of at least one of formic acid, acetic acid and fluoroacetic acid with anhydrous ethanol or at least one of formic acid, acetic acid and fluoroacetic acid to form a reaction solvent.

Mn4+의 불화물을 제1 혼합 용액에 넣는 단계(S200)에서, Mn4+의 불화물을 제1 혼합물에 넣은 후 20 ~ 60분 동안 교반하여 제2 혼합 용액을 얻는다.In step S200 of introducing the fluoride of Mn 4+ into the first mixed solution, the fluoride of Mn 4+ is added to the first mixture and stirred for 20 to 60 minutes to obtain the second mixed solution.

본 발명의 예시적인 실시예에서, Mn4+의 불화물은 헥사플루오로망간산칼륨 및 헥사플루오로망간산나트륨 중의 하나를 포함할 수 있다.In an exemplary embodiment of the present invention, the fluoride of Mn 4+ may comprise one of potassium hexafluoromanganate and sodium hexafluoromanganate.

본 발명에서, 헥사플루오로망간산칼륨과 헥사플루오로망간산나트륨 중의 하나를 제1 혼합 용액에 넣은 후, Mn4+는 제1 혼합 용액에서 X4+와 이온 교환을 진행한다. 본 발명의 예시적인 실시예에서, Mn4+는 발광 중심으로서, 이의 함량은 샘플의 발광 효율에 직접적인 영향을 미치는데, 함량이 너무 적으면 발광 효율이 매우 낮으며; 함량이 너무 높으면 농도 ?칭 현상이 일어날 수 있으므로 샘플의 발광 효율을 감소시킬 수 있고, 따라서 발광 재료에서의 Mn4+의 함량을 조절 제어하여야 한다. 본 발명에서, Mn4+와 X4+의 몰비는 0.01 ~ 0.1: 1이다.In the present invention, one of potassium hexafluoromanganate and sodium hexafluoromanganate is added to the first mixed solution, and then Mn 4+ is ion-exchanged with X 4+ in the first mixed solution. In an exemplary embodiment of the present invention, Mn 4+ is a luminescent center, its content directly affecting the luminescence efficiency of the sample, if the content is too low, the luminescent efficiency is very low; If the content is too high, the concentration may be lowered and the emission efficiency of the sample may be reduced. Therefore, the content of Mn 4+ in the light emitting material should be controlled and controlled. In the present invention, the molar ratio of Mn 4+ to X 4+ is 0.01 to 0.1: 1.

A의 불화물을 제2 혼합 용액에 넣는 단계(S300)에서, A의 불화물을 제2 혼합 용액에 넣은 후 1 ~ 12시간 동안 교반하여 침전물을 얻는다. 여기서, A는 상기에서 서술된 A와 동일할 수 있으며, 여기서 더 설명하지 않는다.In step S300 of introducing the fluoride of A into the second mixed solution, the fluoride of A is put into the second mixed solution and stirred for 1 to 12 hours to obtain a precipitate. Here, A may be the same as A described above, and is not further described here.

본 발명의 예시적인 실시예에서, A의 불화물은 불화나트륨, 불화칼륨, 불화루비듐 및 불화세슘 중의 적어도 하나를 포함할 수 있다.In an exemplary embodiment of the present invention, the fluoride of A may comprise at least one of sodium fluoride, potassium fluoride, rubidium fluoride, and cesium fluoride.

본 발명에서, 제2 혼합 용액에 A의 불화물을 넣으면 제2 혼합 용액을 침전시킬 수 있으며, 이로써 적색 발광 재료를 얻는다.In the present invention, when the fluoride of A is put into the second mixed solution, the second mixed solution can be precipitated, thereby obtaining a red luminescent material.

본 발명의 예시적인 실시예에서, A의 불화물과 X를 함유한 기질 재료의 몰비는 0.5 ~ 10: 1일 수 있고, 선택 가능하게, 1 ~ 9: 1, 2-8:1, 3 ~ 6: 1 또는 4 ~ 5: 1일 수 있거나, 상기에 기재된 수치에 의해 한정된 임의의 범위 내에 있으며, 예를 들어 2 ~ 7: 1일 수 있다. A의 불화물의 사용량이 너무 적으면, 샘플은 침전이 어렵고; A의 불화물의 사용량이 너무 많으면, 기타 이물질이 생성되어, 샘플의 상(phase)이 불순해진다.In an exemplary embodiment of the present invention, the molar ratio of the fluoride of A to the substrate material containing X may be from 0.5 to 10: 1 and, optionally, from 1 to 9: 1, from 2 to 8: 1, from 3 to 6 : 1 or 4 to 5: 1, or within any range defined by the values set forth above, and may be, for example, 2 to 7: 1. If the amount of fluoride used in A is too small, the sample is difficult to precipitate; If the amount of fluoride used in A is excessively large, other foreign matter is generated and the phase of the sample becomes impure.

본 발명의 예시적인 건조 단계(S400)에서, 무수 메탄올 또는 무수 에탄올을 사용하여 침전물을 세척할 수 있고, 진공에서 10 ~ 30시간 동안 건조시켜 청색광에 의해 여기된 적색 발광 재료를 얻는다.In an exemplary drying step S400 of the present invention, the precipitate can be washed with anhydrous methanol or anhydrous ethanol, and dried in vacuum for 10 to 30 hours to obtain a red light emitting material excited by blue light.

본 발명의 청색광에 의해 여기된 적색 발광 재료를 제조하는 방법에서, 각 단계는 모두 실온 하에서 진행된다.In the method of producing the red light emitting material excited by the blue light of the present invention, each step proceeds under room temperature.

이 외에, 플루오르화수소산을 사용하지 않고 이온 교환-공침전법을 이용하여 청색광에 의해 여기된 적색 발광 재료를 얻었다.In addition, a red light emitting material excited by blue light was obtained by using ion exchange-coprecipitation method without using hydrofluoric acid.

본 발명의 비제한적인 실시예에서, 청색광의 여기 파장은 420 ~ 480 nm일 수 있다.In a non-limiting embodiment of the present invention, the excitation wavelength of the blue light may be between 420 and 480 nm.

본 발명에 따른 청색광에 의해 여기된 적색 발광 재료를 제조하는 방법은 하기와 같은 효과 중의 적어도 하나를 얻을 수 있다.The method of producing a red light emitting material excited by blue light according to the present invention can achieve at least one of the following effects.

1. 본 발명의 방법에 따르면, 플루오르화수소산을 사용하지 않고 청색광에 의해 여기된 적색 발광 재료를 제조함으로써, 본 발명의 방법은 환경 오염에 영향을 미치지 않는다.1. According to the method of the present invention, by producing a red light emitting material excited by blue light without using hydrofluoric acid, the method of the present invention does not affect environmental pollution.

2. 본 발명의 방법에 따르면, 포름산, 아세트산 및 플루오로아세트산 중의 적어도 하나와 무수 에탄올의 혼합물 또는 포름산, 아세트산 및 플루오로아세트산 중의 적어도 하나를 반응 용매로 사용하여 제조된 적색 발광 재료의 외관은 균일하다.2. According to the method of the present invention, the appearance of the red light-emitting material prepared using a mixture of at least one of formic acid, acetic acid, and fluoroacetic acid with anhydrous ethanol or at least one of formic acid, acetic acid, and fluoroacetic acid as a reaction solvent, Do.

3. 본 발명의 방법에 따른 제조 과정은 간단하고, 조작이 편리하며, 공업화 대규모 생산에 적용된다.3. The manufacturing process according to the method of the present invention is simple, easy to operate, and applied to large-scale industrialization.

4. 본 발명의 방법에 따라 제조된 적색 발광 재료는 청색광 여기 하에서 강한 적색광 발사 피크(예를 들어, 발사 피크는 627 nm 정도 또는 632 nm 정도에 위치됨)를 가지고, 발광 효율이 높으며, 색 순도가 우수하고; 얻은 적색 발광 재료의 발사 스펙트럼 색좌표 값은 이상적인 적색광의 색좌표 값 x=0.67, y=0.33에 가깝다.4. The red light emitting material produced according to the method of the present invention has a strong red light emission peak (for example, the emission peak is located at about 627 nm or about 632 nm) under blue light excitation, has a high luminous efficiency, &Lt; / RTI &gt; The emission spectrum color coordinate value of the obtained red light emitting material is close to the color coordinate value x = 0.67, y = 0.33 of the ideal red light.

아래, 실시예를 결합하여 본 발명에 따른 청색광에 의해 여기된 적색 발광 재료를 제조하는 방법에 대하여 더욱 상세하게 설명하고자 한다.Hereinafter, a method for producing a red light emitting material excited by blue light according to the present invention will be described in more detail by combining the following embodiments.

실시예1:Example 1:

2.5 ml의 50%의 헥사플루오로티탄산 수용액을18 ml의 포름산과 2 ml의 무수 에탄올의 반응 용매에 용해시킨 후; 0.12 g의 헥사플루오로망간산나트륨을 넣어 20분 동안 교반하고; 마지막으로 1.05 g의 불화나트륨을 넣어 2시간 동안 계속 교반한다. 얻은 침전물을 무수 메탄올로 여러번 세척하고, 진공 건조 오븐에서 24시간 동안 건조시켜 적색 발광 재료 Na2TiF6:Mn4+를 얻으며; 이 외에, 원자 흡수 스펙트럼에 의해 측정된 상기 샘플에서의 Mn4+는 0.049 mol이다. 검측 결과는 도 2 내지 도 4에 도시된다.2.5 ml of a 50% aqueous hexafluorotitanic acid solution was dissolved in a reaction solvent of 18 ml of formic acid and 2 ml of anhydrous ethanol; 0.12 g of sodium hexafluoromanganate was added and stirred for 20 minutes; Finally, 1.05 g of sodium fluoride is added and stirring is continued for 2 hours. The obtained precipitate was washed several times with anhydrous methanol and dried in a vacuum drying oven for 24 hours to obtain red luminescent material Na 2 TiF 6 : Mn 4+ ; Besides, Mn 4+ in the sample measured by atomic absorption spectra is 0.049 mol. The results of the detection are shown in Figs.

도 2는 본 발명의 실시예1에서 얻은 Na2TiF6:Mn4+의 XRD회절도이다. 도 3은 본 발명의 실시예1에서 얻은 Na2TiF6:Mn4+의 실온 여기 스펙트럼(모니터링 파장은 627 nm임)과 발사 스펙트럼(여기 파장은 460 nm임)의 도면이다. 도 4는 본 발명의 실시예1에서 얻은 Na2TiF6:Mn4+와 청색광LED칩으로 제조된 LED 소자의 20 mA 전류 여기 하에서의 전계발광 스펙트로그램이다.2 is an XRD diffraction diagram of Na 2 TiF 6 : Mn 4+ obtained in Example 1 of the present invention. 3 is a chart of the room temperature excitation spectrum (monitoring wavelength is 627 nm) and the emission spectrum (excitation wavelength is 460 nm) of Na 2 TiF 6 : Mn 4+ obtained in Example 1 of the present invention. 4 is an electroluminescence spectrogram of an LED device made of Na 2 TiF 6 : Mn 4+ and a blue light LED chip obtained in Example 1 of the present invention under excitation of 20 mA current.

도 2에 도시되는 바와 같이, 상기 실시예1에서 얻은 Na2TiF6:Mn4+와 표준 카드 JCPDS 15-0581(Na2TiF6)을 비교하면, 양자는 완전히 일치되고, 임의의 불순물상의 회절 피크도 관찰되지 않았으며, 이는 제조된 적색 발광 재료가 단일 결정상을 구비하는 것을 나타낸다.As shown in FIG. 2, when Na 2 TiF 6 : Mn 4+ obtained in Example 1 is compared with the standard card JCPDS 15-0581 (Na 2 TiF 6 ), they are completely matched and diffraction of arbitrary impurity phase No peak was observed, indicating that the red light emitting material produced had a single crystal phase.

도 3에 도시된 바와 같이, 얻은 적색 발광 재료는 자외광 영역과 청색광 영역에서 모두 강한 광대역 여기를 갖는다. 460 nm의 광 여기 하에서, 적색 발광 재료의 발사 파장은 적색광 발사 파장을 위주로 하고, 발사 파장은 627 nm 정도이며, 이는 Mn4+2Eg ~ 4A2g 천이에 해당된다.As shown in Fig. 3, the obtained red light emitting material has strong broadband excitation in both the ultraviolet region and the blue light region. Under the optical excitation at 460 nm, the emission wavelength of the red light emitting material is centered on the red light emission wavelength and the emission wavelength is about 627 nm, which corresponds to a transition of 2 E g to 4 A 2 g of Mn 4+ .

도 4는 얻은 적색 발광 재료를 청색광 LED칩 상의 LED 소자에 도포한 후, 20 mA의 전류 하에서 이를 여기시켜 얻은 스펙트로그램이다. 도 4에서 알 수 있다시피, 460 nm 정도의 발사 피크는 LED칩에서 발사되는 청색광이고, 본 발명에서 얻은 적색 발광 재료의 발사 피크는 적색광 영역에 위치되며, 이의 가장 강한 발사 피크는 627 nm에 위치된다.4 is a spectrogram obtained by applying the obtained red light emitting material to an LED device on a blue light LED chip and then exciting it under a current of 20 mA. 4, the emission peak of about 460 nm is the blue light emitted from the LED chip. The emission peak of the red light emitting material obtained in the present invention is located in the red light region, and its strongest emission peak is located at 627 nm do.

실시예2:Example 2:

5 ml의 30 %의 헥사플루오로규산 수용액을 15 g의 플루오로아세트산과 5 ml의 무수 에탄올의 반응 용매에 용해시킨 후; 0.12 g의 헥사플루오로망간산나트륨을 넣어 30분 동안 교반하고; 마지막으로 1.05 g의 불화나트륨을 넣어 4시간 동안 계속하여 교반한다. 얻은 침전물을 무수 메탄올로 여러번 세척하고, 진공 건조 오븐에서 24시간 동안 건조시켜 적색 발광 재료 Na2SiF6:Mn4+를 얻으며; 이 외에, 원자 흡수 스펙트럼에 의해 측정된 상기 샘플에서의 Mn4+는 0.041 mol이다. 검측 결과는 도 5 내지 도 7에 도시된다.5 ml of a 30% aqueous hexafluorosilicic acid solution was dissolved in a reaction solvent of 15 g of fluoroacetic acid and 5 ml of anhydrous ethanol; 0.12 g of sodium hexafluoromanganate was added and stirred for 30 minutes; Finally, 1.05 g of sodium fluoride is added and stirring is continued for 4 hours. The obtained precipitate was washed several times with anhydrous methanol and dried in a vacuum drying oven for 24 hours to obtain a red luminescent material Na 2 SiF 6 : Mn 4+ ; Besides, the Mn 4+ in the sample measured by atomic absorption spectra is 0.041 mol. The results of the detection are shown in Figs.

도 5는 본 발명의 실시예2에서 얻은 Na2SiF6:Mn4+의 XRD회절도이다. 도 6은 본 발명의 실시예2에서 얻은 Na2SiF6:Mn4+의 실온 여기 스펙트럼(모니터링 파장은 627 nm임)과 발사 스펙트럼(여기 파장은 460 nm임)의 도면이다. 도 7은 본 발명의 실시예2에서 얻은 Na2SiF6:Mn4+와 청색광LED 칩으로 제조된 LED 소자의 20 mA 전류 여기 하에서의 전계발광 스펙트로그램이다.5 is an XRD diffraction diagram of Na 2 SiF 6 : Mn 4+ obtained in Example 2 of the present invention. 6 is a chart of the room temperature excitation spectrum (monitoring wavelength is 627 nm) and emission spectrum (excitation wavelength is 460 nm) of Na 2 SiF 6 : Mn 4+ obtained in Example 2 of the present invention. 7 is an electroluminescence spectrogram of an LED device made of Na 2 SiF 6 : Mn 4+ and a blue light LED chip obtained in Example 2 of the present invention under excitation of 20 mA current.

도 5에 도시된 바와 같이, 상기 실시예2에서 얻은 Na2SiF6:Mn4+와 표준 카드 JCPDS 33-1280을 비교하면, 양자는 완전히 일치되고, 임의의 불순물상의 회절 피크도 관찰되지 않았으며, 이는 제조된 적색 발광 재료가 단일 결정상을 구비하는 것을 나타낸다.As shown in FIG. 5, when Na 2 SiF 6 : Mn 4+ obtained in Example 2 was compared with the standard card JCPDS 33-1280, they were completely matched and no diffraction peak of any impurity phase was observed , Indicating that the prepared red light emitting material has a single crystal phase.

도 6에 도시된 바와 같이, 얻은 적색 발광 재료는 자외광 영역과 청색광 영역에서 모두 강한 광대역 여기를 갖는다. 460 nm의 광 여기 하에서, 460 nm의 광 여기 하에서, 적색 발광 재료의 발사 파장은 적색광 발사 파장을 위주로 하고, 발사 파장은 627 nm 정도이며, 이는 Mn4+2Eg ~ 4A2g 천이에 해당된다.As shown in Fig. 6, the obtained red light emitting material has strong broadband excitation in both the ultraviolet region and the blue light region. Under light excitation at 460 nm under 460 nm of light excitation, the emission wavelength of the red luminescent material is centered on the red light emission wavelength and the emission wavelength is about 627 nm, which corresponds to 2 E g to 4 A 2 g transition of Mn 4+ .

도 7은 얻은 적색 발광 재료를 청색광 LED칩 상의 LED 소자에 도포한 후, 20 mA의 전류 하에서 이를 여기시켜 얻은 스펙트로그램이다. 도 7에서 알 수 있다시피, 460 nm 정도의 발사 피크는 LED칩에서 발사되는 청색광이고, 본 발명에서 얻은 적색 발광 재료의 발사 피크는 적색광 영역에 위치되며, 이의 가장 강한 발사 피크는 627 nm에 위치된다.7 is a spectrogram obtained by applying the obtained red light emitting material to an LED device on a blue light LED chip and then exciting it under a current of 20 mA. 7, the emission peak of about 460 nm is the blue light emitted from the LED chip. The emission peak of the red light emitting material obtained in the present invention is located in the red light region, and its strongest emission peak is located at 627 nm do.

실시예3:Example 3:

2.5 ml의 50 %의 헥사플루오로티탄산 수용액을 18 ml의 아세트산과 2 ml의 무수 에탄올의 반응 용매에 용해시킨 후; 0.15 g의 헥사플루오로망간산칼륨을 넣어 40분 동안 교반하고; 마지막으로 1.52 g의 불화칼륨을 넣어 1시간 동안 계속하여 교반한다. 얻은 침전물을 무수 메탄올로 여러번 세척하고, 진공 건조 오븐에서 24시간 동안 건조시켜 적색 발광 재료 K2TiF6:Mn4+를 얻으며; 이 외에, 원자 흡수 스펙트럼에 의해 측정된 상기 샘플에서의Mn4+는 0.045 mol이다. 검측 결과는 도 8 내지 도 10에 도시된다.2.5 ml of a 50% aqueous hexafluorotitanic acid solution was dissolved in a reaction solvent of 18 ml of acetic acid and 2 ml of anhydrous ethanol; 0.15 g of potassium hexafluoromanganate was added and stirred for 40 minutes; Finally, 1.52 g of potassium fluoride is added and stirring is continued for 1 hour. The obtained precipitate was washed several times with anhydrous methanol and dried in a vacuum drying oven for 24 hours to obtain a red light emitting material K 2 TiF 6 : Mn 4+ ; Besides, Mn 4+ in the sample measured by atomic absorption spectra is 0.045 mol. The results of the detection are shown in Figs.

도 8은 본 발명의 실시예3에서 얻은 K2TiF6:Mn4+의 XRD회절도이다. 도 9는 본 발명의 실시예3에서 얻은 K2TiF6:Mn4+의 실온 여기 스펙트럼(모니터링 파장은 632 nm임)과 발사 스펙트럼(여기 파장은 460 nm임)의 도면이다. 도 10은 본 발명의 실시예3에서 얻은 K2TiF6:Mn4+와 청색광LED 칩으로 제조된 LED 소자의 20 mA 전류 여기 하에서의 전계발광 스펙트로그램이다.8 is an XRD diffraction diagram of K 2 TiF 6 : Mn 4+ obtained in Example 3 of the present invention. 9 is a chart of the room temperature excitation spectrum (monitoring wavelength is 632 nm) and emission spectrum (excitation wavelength is 460 nm) of K 2 TiF 6 : Mn 4+ obtained in Example 3 of the present invention. 10 is an electroluminescence spectrogram of an LED device made of K 2 TiF 6 : Mn 4+ and a blue light LED chip obtained in Example 3 of the present invention under excitation of 20 mA current.

도 8에 도시된 바와 같이, 상기 실시예3에서 얻은 K2TiF6:Mn4+와 표준 카드 JCPDS 08-0488을 비교하면, 양자는 완전히 일치되고, 임의의 불순물상의 회절 피크도 관찰되지 않았으며, 이는 제조된 적색 발광 재료가 단일 결정상을 구비하는 것을 나타낸다.As shown in Fig. 8, when the K 2 TiF 6 : Mn 4+ obtained in Example 3 was compared with the standard card JCPDS 08-0488, they were completely matched and no diffraction peak of any impurity phase was observed , Indicating that the prepared red light emitting material has a single crystal phase.

도 9에 도시된 바와 같이, 얻은 적색 발광 재료는 자외광 영역과 청색광 영역에서 모두 강한 광대역 여기를 갖는다. 460 nm의 광 여기 하에서, 적색 발광 재료의 발사 파장은 적색광 발사 파장을 위주로 하고, 발사 파장은 632 nm정도이며, 이는 Mn4+2Eg ~ 4A2g 천이에 해당된다.As shown in Fig. 9, the obtained red light emitting material has strong broadband excitation in both the ultraviolet light region and the blue light region. Under the optical excitation of 460 nm, the emission wavelength of the red light emitting material is centered on the red light emission wavelength and the emission wavelength is about 632 nm, which corresponds to a transition of 2 E g to 4 A 2 g of Mn 4+ .

도 10은 얻은 적색 발광 재료를 청색광 LED칩 상의 LED 소자에 도포한 후, 20 mA의 전류 하에서 이를 여기시켜 얻은 스펙트로그램이다. 도 10에서 알 수 있다시피, 460 nm 정도의 발사 피크는 LED칩에서 발사되는 청색광이고, 본 발명에서 얻은 적색 발광 재료의 발사 피크는 적색광 영역에 위치되며, 이의 가장 강한 발사 피크는 632 nm에 위치된다.10 is a spectrogram obtained by applying the obtained red light emitting material to an LED element on a blue light LED chip and then exciting it under a current of 20 mA. 10, the emission peak of about 460 nm is the blue light emitted from the LED chip. The emission peak of the red light emitting material obtained in the present invention is located in the red light region, and its strongest emission peak is located at 632 nm do.

실시예4:Example 4:

2.21 g의 헥사플루오로게르마늄산암모늄을 10 g의 플루오로아세트산과 10 ml의 무수 에탄올의 반응 용매에 용해시킨 후; 0.15 g의 헥사플루오로망간산칼륨을 넣어 60분 동안 교반하고; 마지막으로 2.52 g의 불화칼륨을 넣어 12시간 동안 계속하여 교반한다. 얻은 침전물을 무수 메탄올로 여러번 세척하고, 진공 건조 오븐에서 24시간 동안 건조시켜 적색 발광 재료 K2GeF6:Mn4+를 얻으며; 이 외에, 원자 흡수 스펙트럼에 의해 측정된 상기 샘플에서의 Mn4+는 0.042 mol이다. 검측 결과는 도 11 내지 도 13에 도시된다.2.21 g of ammonium hexafluoroarsenic ammonium was dissolved in a reaction solvent of 10 g of fluoroacetic acid and 10 ml of anhydrous ethanol; 0.15 g of potassium hexafluoromanganate was added and stirred for 60 minutes; Finally, 2.52 g of potassium fluoride is added and stirring is continued for 12 hours. The obtained precipitate was washed several times with anhydrous methanol and dried in a vacuum drying oven for 24 hours to obtain a red light emitting material K 2 GeF 6 : Mn 4+ ; Besides, Mn 4+ in the sample measured by atomic absorption spectra is 0.042 mol. The results of the detection are shown in Figs.

도 11은 본 발명의 실시예4에서 얻은 K2GeF6:Mn4+의 XRD회절도이다. 도 12는 본 발명의 실시예4에서 얻은 K2GeF6:Mn4+의 실온 여기 스펙트럼(모니터링 파장은 631 nm임)과 발사 스펙트럼(여기 파장은 460 nm임)의 도면이다. 도 13은 본 발명의 실시예4에서 얻은 K2GeF6:Mn4+와 청색광LED 칩으로 제조된 LED 소자의 20 mA 전류 여기 하에서의 전계발광 스펙트로그램이다.11 is an XRD diffraction pattern of K 2 GeF 6 : Mn 4+ obtained in Example 4 of the present invention. 12 is a chart of the room temperature excitation spectrum (monitoring wavelength is 631 nm) and the emission spectrum (excitation wavelength is 460 nm) of K 2 GeF 6 : Mn 4+ obtained in Example 4 of the present invention. 13 is an electroluminescence spectrogram of an LED device made of K 2 GeF 6 : Mn 4+ and a blue light LED chip obtained in Example 4 of the present invention under excitation of 20 mA current.

도 11에 도시된 바와 같이, 상기 실시예4에서 얻은 K2GeF6:Mn4+와 표준 카드 JCPDS 07-0241을 비교하면, 양자는 완전히 일치되고, 임의의 불순물상의 회절 피크도 관찰되지 않았으며, 이는 제조된 적색 발광 재료가 단일 결정상을 구비하는 것을 나타낸다.As shown in FIG. 11, when comparing the K 2 GeF 6 : Mn 4+ obtained in Example 4 with the standard card JCPDS 07-0241, they were completely matched and no diffraction peak of any impurity phase was observed , Indicating that the prepared red light emitting material has a single crystal phase.

도 12에 도시된 바와 같이, 얻은 적색 발광 재료는 자외광 영역과 청색광 영역에서 모두 강한 광대역 여기를 갖는다. 460 nm의 광 여기 하에서, 460 nm의 광 여기 하에서, 적색 발광 재료의 발사 파장은 적색광 발사 파장을 위주로하고, 발사 파장은 631 nm정도이며, 이는 Mn4+2Eg ~ 4A2g 천이에 해당된다.As shown in Fig. 12, the obtained red light emitting material has strong broadband excitation in both the ultraviolet light region and the blue light region. Under light excitation at 460 nm under 460 nm of light excitation, the emission wavelength of the red luminescent material is centered on the red light emission wavelength and the emission wavelength is about 631 nm, which corresponds to 2 E g to 4 A 2 g transition of Mn 4+ .

도 13은 얻은 적색 발광 재료를 청색광 LED칩 상의 LED 소자에 도포한 후, 20 mA의 전류 하에서 이를 여기시켜 얻은 스펙트로그램이다. 도 13에서 알 수 있다시피, 460 nm 정도의 발사 피크는 LED칩에서 발사되는 청색광이고, 본 발명에서 얻은 적색 발광 재료의 발사 피크는 적색광 영역에 위치되며, 이의 가장 강한 발사 피크는 631 nm에 위치된다.13 is a spectrogram obtained by applying the obtained red light emitting material to an LED element on a blue light LED chip and then exciting it under a current of 20 mA. 13, the emission peak of about 460 nm is the blue light emitted from the LED chip. The emission peak of the red light emitting material obtained in the present invention is located in the red light region, and its strongest emission peak is located at 631 nm do.

실시예5:Example 5:

2.5 ml의 50 %의 헥사플루오로티탄산 수용액을 15 ml의 포름산과 5 ml의 무수 에탄올의 반응 용매에 용해시킨 후; 0.12 g의 헥사플루오로망간산칼륨을 넣어 30분 동안 교반시키고; 마지막으로 2.58 g의 불화루비듐을 넣어 3시간 동안 계속하여 교반한다. 얻은 침전물을 무수 메탄올로 여러번 세척하고, 진공 건조 오븐에서 24시간 동안 건조시켜 적색 발광 재료 Rb2TiF6:Mn4+를 얻으며; 이 외에, 원자 흡수 스펙트럼에 의해 측정된 상기 샘플에서의 Mn4+는 0.052 mol이다. 검측 결과는 도 14 내지 도 16에 도시된다.2.5 ml of 50% aqueous solution of hexafluorotitanic acid was dissolved in a reaction solvent of 15 ml of formic acid and 5 ml of anhydrous ethanol; 0.12 g of potassium hexafluoromanganate was added and stirred for 30 minutes; Finally, 2.58 g of rubidium fluoride is added and stirring is continued for 3 hours. The obtained precipitate was washed several times with anhydrous methanol and dried in a vacuum drying oven for 24 hours to obtain a red light emitting material Rb 2 TiF 6 : Mn 4+ ; Besides, the Mn 4+ in the sample measured by atomic absorption spectra is 0.052 mol. The results of the detection are shown in FIG. 14 to FIG.

도 14는 본 발명의 실시예5에서 얻은 Rb2TiF6:Mn4+의 XRD회절도이다. 도 15는 본 발명의 실시예5에서 얻은 Rb2TiF6:Mn4+의 실온 여기 스펙트럼(모니터링 파장은 631 nm임)과 발사 스펙트럼(여기 파장은 465 nm임)의 도면이다. 도 16은 본 발명의 실시예5에서 얻은 Rb2TiF6:Mn4+와 청색광LED 칩으로 제조된 LED 소자의 20 mA 전류 여기 하에서의 전계발광 스펙트로그램이다.14 is an XRD diffraction pattern of Rb 2 TiF 6 : Mn 4+ obtained in Example 5 of the present invention. 15 is a chart of the room temperature excitation spectrum (monitoring wavelength is 631 nm) and emission spectrum (excitation wavelength is 465 nm) of Rb 2 TiF 6 : Mn 4+ obtained in Example 5 of the present invention. 16 is an electroluminescence spectrogram of an LED device manufactured from Rb 2 TiF 6 : Mn 4+ and a blue light LED chip obtained in Example 5 of the present invention under excitation of 20 mA current.

도14에 도시된 바와 같이, 상기 실시예5에서 얻은 Rb2TiF6:Mn4+와 표준 카드 JCPDS 51-0611을 비교하면, 양자는 완전히 일치되고, 임의의 불순물상의 회절 피크도 관찰되지 않았으며, 이는 제조된 적색 발광 재료가 단일 결정상을 구비하는 것을 나타낸다.As shown in FIG. 14, when Rb 2 TiF 6 : Mn 4+ obtained in Example 5 was compared with the standard card JCPDS 51-0611, they were completely matched and no diffraction peak of any impurity phase was observed , Indicating that the prepared red light emitting material has a single crystal phase.

도15에 도시된 바와 같이, 얻은 적색 발광 재료는 자외광 영역과 청색광 영역에서 모두 강한 광대역 여기를 갖는다. 465 nm의 광 여기 하에서, 460 nm의 광 여기 하에서, 적색 발광 재료의 발사 파장은 적색광 발사 파장을 위주로하고, 발사 파장은 631 nm정도이며, 이는 Mn4+2Eg ~ 4A2g 천이에 해당된다.As shown in Fig. 15, the obtained red light emitting material has a strong broadband excitation in both the ultraviolet light region and the blue light region. Under photoexcitation at 465 nm under 460 nm of light excitation, the emission wavelength of the red light emitting material is centered on the red light emission wavelength and the emission wavelength is about 631 nm, which corresponds to 2 E g to 4 A 2 g transition of Mn 4+ .

도 16은 얻은 적색 발광 재료를 청색광 LED칩 상의 LED 소자에 도포한 후, 20 mA의 전류 하에서 이를 여기시켜 얻은 스펙트로그램이다. 도16에서 알 수 있다시피, 465 nm 정도의 발사 피크는 LED칩에서 발사되는 청색광이고, 본 발명에서 얻은 적색 발광 재료의 발사 피크는 적색광 영역에 위치되며, 이의 가장 강한 발사 피크는 631 nm에 위치된다.16 is a spectrogram obtained by applying the obtained red light emitting material to an LED device on a blue light LED chip and then exciting the LED device under a current of 20 mA. 16, the emission peak of about 465 nm is blue light emitted from the LED chip. The emission peak of the red light emitting material obtained in the present invention is located in the red light region, and its strongest emission peak is located at 631 nm do.

실시예6:Example 6:

3.9 ml의 45 % 헥사플루오로지르콘산 수용액을 15 ml의 포름산과 5 ml의 무수 에탄올의 반응 용매에 용해시킨 후; 0.11 g의 헥사플루오로망간산칼륨을 30분 동안 교반하고; 마지막으로 3.88 g의 불화세슘을 넣어 8시간 동안 계속하여 교반한다. 얻은 침전물을 무수 메탄올로 여러번 세척하고, 진공 건조 오븐에서 24시간 동안 건조시켜 적색 발광 재료 Cs2ZrF6:Mn4+를 얻으며; 이 외에, 원자 흡수 스펙트럼에 의해 측정된 상기 샘플에서의 Mn4+는 0.056 mol이다. 검측 결과는 도 17 내지 도 19에 도시된다.3.9 ml of 45% hexafluorozirconic acid aqueous solution was dissolved in a reaction solvent of 15 ml of formic acid and 5 ml of anhydrous ethanol; 0.11 g of potassium hexafluoromanganate was stirred for 30 minutes; Finally, 3.88 g of cesium fluoride is added and stirring is continued for 8 hours. The obtained precipitate was washed several times with anhydrous methanol and dried in a vacuum drying oven for 24 hours to obtain a red light emitting material Cs 2 ZrF 6 : Mn 4+ ; Besides, the Mn 4+ in the sample measured by atomic absorption spectra is 0.056 mol. The results of the detection are shown in Figs.

도 17은 본 발명의 실시예6에서 얻은 Cs2ZrF6:Mn4+의 XRD회절도이다. 도 18은 본 발명의 실시예6에서 얻은 Cs2ZrF6:Mn4+의 실온 여기 스펙트럼(모니터링 파장은 630 nm임)과 발사 스펙트럼(여기 파장은 480 nm임)의 도면이다. 도 19는 본 발명의 실시예6에서 얻은 Cs2ZrF6:Mn4+와 청색광LED 칩으로 제조된 LED 소자의 20 mA 전류 여기 하에서의 전계발광 스펙트로그램이다.17 is an XRD diffraction diagram of Cs 2 ZrF 6 : Mn 4+ obtained in Example 6 of the present invention. 18 is a chart of the room temperature excitation spectrum (monitoring wavelength is 630 nm) and emission spectrum (excitation wavelength is 480 nm) of Cs 2 ZrF 6 : Mn 4+ obtained in Example 6 of the present invention. 19 is an electroluminescence spectrogram of an LED device made of Cs 2 ZrF 6 : Mn 4+ and a blue light LED chip obtained in Example 6 of the present invention under excitation of 20 mA current.

도17에 도시된 바와 같이, 상기 실시예6에서 얻은 Cs2ZrF6:Mn4+와 표준 카드 JCPDS 74-0173을 비교하면, 양자는 완전히 일치되고, 임의의 불순물상의 회절 피크도 관찰되지 않았으며, 이는 제조된 적색 발광 재료가 단일 결정상을 구비하는 것을 나타낸다.As shown in FIG. 17, when the Cs 2 ZrF 6 : Mn 4+ obtained in Example 6 and the standard card JCPDS 74-0173 were compared with each other, they were completely matched and no diffraction peak of any impurity phase was observed , Indicating that the prepared red light emitting material has a single crystal phase.

도18에 도시된 바와 같이, 얻은 적색 발광 재료는 자외광 영역과 청색광 영역에서 모두 강한 광대역 여기를 갖는다. 480 nm의 광 여기 하, 460 nm의 광 여기 하에서, 적색 발광 재료의 발사 파장은 적색광 발사 파장을 위주로 하고, 발사 파장은 630 nm정도이며, 이는 Mn4+2Eg ~ 4A2g 천이에 해당된다.As shown in Fig. 18, the obtained red light emitting material has strong broadband excitation in both the ultraviolet light region and the blue light region. Under the light excitation of 460 nm under 480 nm of light excitation, the emission wavelength of the red light emitting material is centered on the red light emission wavelength and the emission wavelength is about 630 nm, which corresponds to 2 E g to 4 A 2 g transition of Mn 4+ .

도 19는 얻은 적색 발광 재료를 청색광 LED칩 상의 LED 소자에 도포한 후, 20 mA의 전류 하에서 이를 여기시켜 얻은 스펙트로그램이다. 도19에서 알 수 있다시피, 460 nm 정도의 발사 피크는 LED칩에서 발사되는 청색광이고, 본 발명에서 얻은 적색 발광 재료의 발사 피크는 적색광 영역에 위치되며, 이의 가장 강한 발사 피크는 630 nm에 위치된다.19 is a spectrogram obtained by applying the obtained red light emitting material to an LED element on a blue light LED chip and then exciting it under a current of 20 mA. 19, the emission peak of about 460 nm is the blue light emitted from the LED chip. The emission peak of the red light emitting material obtained in the present invention is located in the red light region, and its strongest emission peak is located at 630 nm do.

상술된 바와 같이, 본 발명의 방법에 따르면, 포름산, 아세트산 및 플루오로아세트산 중의 적어도 하나와 무수 에탄올의 혼합물 또는 포름산, 아세트산 및 플루오로아세트산 중의 적어도 하나를 반응 용매로 사용하여 제조된 적색 발광 재료의 외관은 균일하다. 이 외에, 본 발명의 방법에 따라 제조된 적색 발광 재료는 청색광 여기 하에서 매우 강한 적색광 발사 피크(예를 들어, 발사 피크는 627 nm 정도 또는 632 nm 정도에 위치됨)를 가지고, 발광 효율이 높다.As described above, according to the method of the present invention, a mixture of at least one of formic acid, acetic acid, and fluoroacetic acid with a mixture of anhydrous ethanol or a mixture of formic acid, acetic acid, and fluoroacetic acid is used as a reaction solvent. Appearance is uniform. In addition, the red light emitting material produced according to the method of the present invention has a very strong red light emission peak (for example, the emission peak is located at about 627 nm or 632 nm) under blue light excitation, and has a high luminous efficiency.

본 발명의 예시적인 실시예를 참조하여, 본 발명을 구체적으로 도시하고 설명하였지만, 당업자들은 이해하는 바, 첨부된 청구 범위와 이들의 균등물에 의해 한정되는 본 발명의 사상과 범위를 벗어나지 않으면서, 형태와 세부 사항에 대해 다양하게 변경할 수 있다. 실시예들은 제한의 목적이 아닌, 설명의 의의로만 고려되어야 한다. 따라서, 본 발명의 범위는 본 발명의 구체적인 실시형태에 의해 한정되는 것이 아니라, 청구 범위에 의해 한정되어야 하며, 상기 범위 내의 모든 차이는 본 발명에 포함되는 것으로 해석될 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, those skilled in the art will readily appreciate that many modifications may be made without departing from the spirit and scope of the invention as defined by the appended claims and their equivalents. , And can be varied in form and detail. The embodiments are to be considered in all respects as illustrative and not restrictive. Therefore, the scope of the present invention should not be limited by the specific embodiments of the present invention but should be limited by the claims, and all differences within the range will be construed as being included in the present invention.

Claims (10)

청색광에 의해 여기된 적색 발광 재료의 제조 방법에 있어서, 상기 적색 발광 재료의 화학적 조성은 A2X1-yF6:yMn4+이고, A는 알칼리 금속 원소로부터 선택된 적어도 하나이며; X는 Ti, Si, Ge 및 Zr로부터 선택된 적어도 하나이고; y는 Mn4+이온이 X4+ 이온에 대한 몰 백분율 계수를 나타내며, 0<y≤0.10이고;
X를 함유한 기질 재료와 반응 용매를 혼합하여 제1 혼합 용액을 얻는 단계 - 반응 용매는 포름산, 아세트산과 플루오로아세트산 중의 적어도 하나와 무수 에탄올의 혼합물 또는 포름산, 아세트산과 플루오로아세트산 중의 적어도 하나를 포함함 -;
Mn4+의 불화물을 제1 혼합 용액에 넣어 제2 혼합 용액을 얻는 단계; 및
A의 불화물을 제2 혼합 용액에 넣어 침전물을 얻음으로써 적색 발광 재료를 얻는 단계를 포함하는 청색광에 의해 여기된 적색 발광 재료의 제조 방법.
In the method for producing a red light emitting material excited by blue light, the chemical composition of the red light emitting material is A 2 X 1 -y F 6: yMn 4+ , A is at least one selected from alkali metal elements; X is at least one selected from Ti, Si, Ge and Zr; y represents the molar percentage coefficient of the Mn 4+ ion relative to the X 4+ ion, 0 < y? 0.10;
A step of mixing a substrate material containing X with a reaction solvent to obtain a first mixed solution, wherein the reaction solvent comprises at least one of formic acid, a mixture of at least one of acetic acid and fluoroacetic acid and anhydrous ethanol or formic acid, acetic acid and fluoroacetic acid Included -;
Adding a fluoride of Mn 4+ to a first mixed solution to obtain a second mixed solution; And
And a step of adding a fluoride of A to a second mixed solution to obtain a precipitate to obtain a red light emitting material.
제1항에 있어서,
X를 함유한 기질 재료는 헥사플루오로규산(Hexafluorosilicic acid) 수용액, 헥사플루오로티탄산(Hexafluorotitanic acid) 수용액, 헥사플루오로지르콘산(Hexafluorozirconic acid) 수용액 및 헥사플루오로게르마늄산암모늄(Ammonium hexafluoro Germanate) 중의 적어도 하나를 포함하는 청색광에 의해 여기된 적색 발광 재료의 제조 방법.
The method according to claim 1,
The substrate material containing X may be at least one selected from the group consisting of Hexafluorosilicic acid aqueous solution, Hexafluorotitanic acid aqueous solution, Hexafluorozirconic acid aqueous solution and Ammonium hexafluoro Germanate And excited by blue light including at least one of the blue light and the blue light.
제2항에 있어서,
헥사플루오로규산 수용액, 헥사플루오로티탄산 수용액 또는 헥사플루오로지르콘산 수용액의 질량 백분율은 30 ~ 50%인 청색광에 의해 여기된 적색 발광 재료의 제조 방법.
3. The method of claim 2,
Wherein the mass ratio of the hexafluorosilicic acid aqueous solution, the hexafluorotitanic acid aqueous solution, or the hexafluorozirconic acid aqueous solution is 30 to 50% by the blue light.
제1항에 있어서,
포름산, 아세트산 및 플루오로아세트산 중의 적어도 하나와 무수 에탄올의 체적비는 1 ~ 100: 1인 청색광에 의해 여기된 적색 발광 재료의 제조 방법.
The method according to claim 1,
Wherein the volume ratio of at least one of formic acid, acetic acid, and fluoroacetic acid to anhydrous ethanol is 1 to 100: 1.
제1항에 있어서,
Mn4+의 불화물은 헥사플루오로망간산칼륨(Potassium hexafluoro mAnganate) 및 헥사플루오로망간산나트륨(Sodium heparafluoro mAnganate) 중의 하나를 포함하는 청색광에 의해 여기된 적색 발광 재료의 제조 방법.
The method according to claim 1,
Wherein the fluoride of Mn 4+ is excited by blue light comprising one of Potassium hexafluoro manganate and Sodium heparafluoro managnetate.
제1항에 있어서,
A의 불화물은 불화나트륨(Sodium fluoride), 불화칼륨(Potassium fluoride), 불화루비듐(Rubidium fluoride) 및 불화세슘(Cesium fluoride) 중의 적어도 하나를 포함하는 청색광에 의해 여기된 적색 발광 재료의 제조 방법.
The method according to claim 1,
Wherein the fluoride of A is excited by blue light comprising at least one of sodium fluoride, potassium fluoride, rubidium fluoride and cesium fluoride.
제1항에 있어서,
X를 함유한 기질 재료와 반응 용매를 혼합하는 단계는,
실온 하에서 X를 함유한 기질 재료와 반응 용매를 혼합하고 균일하게 교반하여 제1 혼합 용액을 얻는 단계를 포함하는 청색광에 의해 여기된 적색 발광 재료의 제조 방법.
The method according to claim 1,
The step of mixing the substrate material containing X with the reaction solvent comprises:
A method for producing a red light emitting material excited by blue light comprising the step of mixing a substrate material containing X at a room temperature with a reaction solvent and uniformly stirring to obtain a first mixed solution.
제1항에 있어서,
Mn4+의 불화물을 제1 혼합 용액에 넣는 단계는,
Mn4+의 불화물을 제1 혼합물에 넣은 후 20 ~ 60분 동안 교반하여 제2 혼합 용액을 얻는 단계를 포함하는 청색광에 의해 여기된 적색 발광 재료의 제조 방법.
The method according to claim 1,
The step of introducing the fluoride of Mn 4+ into the first mixed solution comprises:
Adding a fluoride of Mn 4+ to the first mixture, and stirring the mixture for 20 to 60 minutes to obtain a second mixed solution.
제1항에 있어서,
A의 불화물을 제2 혼합 용액에 넣는 단계는,
A의 불화물을 제2 혼합 용액에 넣은 후 1 ~ 12시간 교반하여 침전물을 얻는 단계를 포함하는 청색광에 의해 여기된 적색 발광 재료의 제조 방법.
The method according to claim 1,
The step of introducing the fluoride of A into the second mixed solution comprises:
A is added to the second mixed solution, followed by stirring for 1 to 12 hours to obtain a precipitate. The method for producing a red light emitting material excited by blue light.
제1항에 있어서,
침전물을 세척하고 건조시켜 적색 발광 재료를 얻는 단계를 더 포함하는 청색광에 의해 여기된 적색 발광 재료의 제조 방법.
The method according to claim 1,
And washing and drying the precipitate to obtain a red light emitting material.
KR1020187026580A 2017-01-19 2017-01-19 Method for producing red light-emitting material excited by blue light KR102157429B1 (en)

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