KR20180076423A - 반도체 제조 설비를 판단 및 제어하기 위한 전자 시스템 - Google Patents
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Abstract
전자 시스템은 메모리 및 프로세서를 포함한다, 메모리는 반도체 제조 설비의 설비 데이터 및 반도체 제조 설비의 제조 공정의 조건에 관한 제1 설정 데이터를 저장한다. 프로세서는 반도체 제조 설비로부터 수신되는 제1 설비 데이터 및 제1 설비 데이터를 수신하기 전에 메모리에 저장된 제2 설비 데이터에 기초하여 반도체 제조 설비에 변경 사항이 있는지 판단하고, 반도체 제조 설비에 변경 사항이 있는 경우, 제1 설정 데이터를 갱신하여 생성되는 제2 설정 데이터를 반도체 제조 설비로 전송하고 반도체 제조 설비에 변경 사항이 없는 경우, 제1 설비 데이터를 메모리에 저장한다.
Description
본 발명은 반도체 제조 설비를 판단 및 제어하기 위한 전자 시스템에 관한 것이다.
반도체 장치를 생산하기 위해서 많은 제조 공정이 필요하다. 이러한 제조 공정을 처리하기 위해, 생산 라인에는 다양한 반도체 제조 설비들이 구비된다. 반도체 제조 설비의 종류는 웨이퍼 세정 장치, 웨이퍼 식각 장치, 도포 장치, 포토(Photo) 설비 장치, CMP(Chemical and Mechanical Polishing) 장치, 반도체 패키징(Packaging) 장치, 및 검사 장치 등이 있다.
시간이 경과함에 따라, 반도체 제조 설비는 노후화될 수 있다. 반도체 제조 설비가 노후화되는 경우, 반도체 제조 설비의 제조 공정에 대한 조건을 변경하거나, 반도체 제조 설비의 부품을 수리 또는 교환해야 하는 경우가 발생한다. 일반적으로, 제조 공정에 대한 조건의 변경, 부품의 수리 또는 교환은 엔지니어에 의해 수행될 수 있다. 하지만, 변경이 필요한 조건, 수리 또는 교환되어야 하는 부품을 찾는데 에는 많은 시간이 소요될 수 있다. 또한, 반도체 제조 설비를 처음 설치 및 조립하는 경우, 설계대로 조립되지 않거나, 설비 환경에 맞지 않게 설치될 수 있다.
본 발명의 목적은 반도체 제조 설비를 실시간으로 모니터링하여 획득한 정보를 기반으로 반도체 제조 설비의 상태를 판단하고, 판단된 결과에 따라, 반도체 제조 설비를 제어 및 수리하기 위한 전자 시스템을 제공하는 데에 있다.
또한, 본 발명의 목적은 반도체 제조 설비의 설치 시, 조립 상태를 확인하고, 반도체 제조 설비의 하드웨어 및 소프트웨어의 설정 값을 정확한 값으로 설정할 수 있는 전자 시스템을 제공하는 데에 있다.
본 발명의 실시 예에 따른 전자 시스템은 메모리 및 프로세서를 포함한다, 메모리는 반도체 제조 설비의 설비 데이터 및 반도체 제조 설비의 제조 공정의 조건에 관한 제1 설정 데이터를 저장한다.
몇몇 실시 예로서, 프로세서는 반도체 제조 설비로부터 수신되는 제1 설비 데이터 및 제1 설비 데이터를 수신하기 전에 메모리에 저장된 제2 설비 데이터에 기초하여 반도체 제조 설비에 변경 사항이 있는지 여부를 판단하고, 반도체 제조 설비에 변경 사항이 있는 경우, 제1 설정 데이터를 갱신하여 생성되는 제2 설정 데이터를 반도체 제조 설비로 전송하고 반도체 제조 설비에 변경 사항이 없는 경우, 제1 설비 데이터를 메모리에 저장한다.
본 발명의 실시 예에 따른 전자 시스템은 메모리 및 프로세서를 포함한다. 메모리는 제1 반도체 제조 설비의 제조 공정의 조건에 관한 제1 설정 데이터 및 제2 반도체 제조 설비의 제조 공정의 조건에 관한 제2 설정 데이터를 저장한다.
몇몇 실시 예에서, 제1 반도체 제조 설비로부터 수신되는 제1 데이터가 에러 정보를 포함하고, 제2 반도체 제조 설비로부터 수신되는 제2 데이터가 에러 정보를 포함하지 않는 경우, 제1 반도체 제조 설비에 변경 사항의 원인을 판단하고, 제1 설정 데이터를 대체하도록 제2 설정 데이터 제1 반도체 제조 설비로 전송한다.
본 발명의 전자 시스템은 반도체 제조 시스템을 모니터링하여 반도체 제조 시스템에서 변경된 사항들을 판단하고, 판단 결과에 따라 반도체 제조 시스템을 제어할 수 있다. 따라서, 반도체 제조 설비를 제어하는데 소요되는 시간이 감소하고, 반도체 제조 설비의 양산성이 향상될 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 반도체 제조 및 관리 시스템을 보여주기 위한 블록도이다.
도 2는 도 1의 전자 시스템을 예시적으로 보여주기 위한 블록도이다.
도 3은 도 2의 전자 시스템의 설비 데이터를 갱신하는 방법을 예시적으로 보여주기 위한 블록도이다.
도 4는 도 2의 전자 시스템의 설비 데이터를 저장하는 방법을 보여주기 위한 블록도이다.
도 5는 도 2의 전자 시스템의 레시피 데이터를 갱신하는 방법을 예시적으로 보여주기 위한 순서도이다.
도 6은 도 2의 전자 시스템의 제어 정보를 생성하는 방법을 예시적으로 보여주기 위한 블록도이다.
도 7은 도 2의 전자 시스템의 제어 정보를 생성하는 방법을 예시적으로 보여주기 위한 블록도이다.
도 8은 본 발명의 실시 예에 따른 반도체 제조 및 관리 시스템을 보여주기 위한 블록도이다.
도 9는 도 8의 전자 시스템의 반도체 제조 설비의 설정 방법을 예시적으로 보여주기 위한 블록도이다.
도 10은 도 8의 전자 시스템의 설비 데이터를 저장하는 방법을 예시적으로 보여주기 위한 블록도이다.
도 11은 도 8의 전자 시스템의 제1 반도체 제조 설비의 데이터를 갱신하는 방법을 예시적으로 보여주기 위한 블록도이다.
도 12는 도 8의 전자 시스템의 제1 반도체 제조 설비의 데이터를 갱신하는 방법을 예시적으로 보여주기 위한 블록도이다.
도 2는 도 1의 전자 시스템을 예시적으로 보여주기 위한 블록도이다.
도 3은 도 2의 전자 시스템의 설비 데이터를 갱신하는 방법을 예시적으로 보여주기 위한 블록도이다.
도 4는 도 2의 전자 시스템의 설비 데이터를 저장하는 방법을 보여주기 위한 블록도이다.
도 5는 도 2의 전자 시스템의 레시피 데이터를 갱신하는 방법을 예시적으로 보여주기 위한 순서도이다.
도 6은 도 2의 전자 시스템의 제어 정보를 생성하는 방법을 예시적으로 보여주기 위한 블록도이다.
도 7은 도 2의 전자 시스템의 제어 정보를 생성하는 방법을 예시적으로 보여주기 위한 블록도이다.
도 8은 본 발명의 실시 예에 따른 반도체 제조 및 관리 시스템을 보여주기 위한 블록도이다.
도 9는 도 8의 전자 시스템의 반도체 제조 설비의 설정 방법을 예시적으로 보여주기 위한 블록도이다.
도 10은 도 8의 전자 시스템의 설비 데이터를 저장하는 방법을 예시적으로 보여주기 위한 블록도이다.
도 11은 도 8의 전자 시스템의 제1 반도체 제조 설비의 데이터를 갱신하는 방법을 예시적으로 보여주기 위한 블록도이다.
도 12는 도 8의 전자 시스템의 제1 반도체 제조 설비의 데이터를 갱신하는 방법을 예시적으로 보여주기 위한 블록도이다.
아래에서는, 본 발명의 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명을 용이하게 실시할 수 있을 정도로, 본 발명의 실시 예들이 명확하고 상세하게 기재될 것이다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 반도체 제조 및 관리 시스템을 보여주기 위한 블록도이다. 도 1을 참조하면, 반도체 제조 및 관리 시스템(100)은 반도체 제조 시스템(110), 및 전자 시스템(120)을 포함할 수 있다.
반도체 제조 시스템(110)은 반도체 제조 설비(111) 및 제조 설비 컨트롤러(112)를 포함할 수 있다. 반도체 제조 설비(111)는 반도체 장치의 제조 공정에 필요한 장치일 수 있다. 예로서, 반도체 제조 설비(111)는 웨이퍼 세정 장치, 웨이퍼 식각 장치, 도포 장치, 포토(Photo) 설비 장치, CMP(Chemical and Mechanical Polishing) 장치, 반도체 패키징(Packaging) 장치, 및 검사 장치 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
반도체 제조 설비(111)는 다른 장치들(예로서, 제조 설비 컨트롤러(112), 및 전자 시스템(120))과 인터페이스하기 위해서 데이터 통신의 표준 프로토콜을 따를 수 있다. 예로서, 반도체 제조 설비(111)는 SECS(SEMI Equipment Communication Standard) 프로토콜을 사용할 수 있다. 또는, 반도체 제조 설비(111)는 SECS 프로토콜을 사용하지 않는 Non-SECS 장치일 수 있다. 반도체 제조 설비(111)가 Non-SECS 장치인 경우, SECS 프로토콜을 개량하여 얻어진 HSMS(High-Speed SECS Message Services) 프로토콜을 사용할 수 있다. 반도체 제조 설비(111)는 표준 프로토콜에 따라, 반도체 장치의 제조 공정에서 발생하는 설비 데이터를 제조 설비 컨트롤러(112)로 전송할 수 있다. 예로서, 설비 데이터는 반도체 제조 설비(111)의 제조 공정에서 측정되는 반도체 제조 설비(111)의 온도 값, 압력 값, 및 제조 공정 소요 시간과 같은 정보를 포함할 수 있다.
제조 설비 컨트롤러(112)는 반도체 제조 설비(111)로부터 설비 데이터를 수신할 수 있다. 제조 설비 컨트롤러(112)는 반도체 제조 설비(111)로부터 수신된 설비 데이터를 분석하고, 반도체 제조 설비(111)의 작동 상태를 모니터링할 수 있다.
제조 설비 컨트롤러(112)는 설비 설정 데이터를 포함할 수 있다. 설비 설정 데이터는 반도체 장치에 설정된 제조 공정 조건에 대한 정보들을 포함할 수 있다. 예로서, 설비 설정 데이터는 반도체 제조 설비(111)의 제조 공정 순서에 대한 데이터, 제조 공정의 진행 환경에 대한 데이터 및 제조 공정에 대한 조건을 포함하는 레시피(recipe) 데이터를 포함할 수 있다. 레시피 데이터는 반도체 제조 설비(111)에 설정된 온도 정보, 압력 정보, 및 공정 시간 정보 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
반도체 제조 설비(111)의 부품을 교환하거나, 반도체 제조 설비(111)를 클리닝하거나, 반도체 제조 설비(111)의 제조 공정 방법을 변경하는 경우, 제조 설비 컨트롤러(112)에 저장된 설비 설정 데이터가 갱신될 수 있다. 또는, 시간의 경과에 따라 반도체 제조 설비(111)가 노후화되는 경우, 제조 설비 컨트롤러(112)에 저장된 설비 설정 데이터는 갱신될 수 있다. 예로서, 제조 설비 컨트롤러(112)에 저장된 설비 설정 데이터는 엔지니어에 의해서 갱신될 수 있다. 이와 같은 방법에서는, 엔지니어가 반도체 제조 설비(111)의 갱신이 필요한 설비 설정 데이터를 검색하고, 검색된 설비 설정 데이터를 제조 설비 컨트롤러(112)에 갱신해야 한다. 따라서, 많은 시간이 소요될 수 있다.
제조 설비 컨트롤러(112)는 이러한 다양한 동작 및 뒤에서 설명될 동작들을 수행하기 위해, 하드웨어 구성, 소프트웨어 구성, 또는 그것들의 하이브리드(Hybrid) 구성을 포함할 수 있다. 예로서, 제조 설비 컨트롤러(112)는 특정 동작을 수행하도록 구성되는 전용 하드웨어 회로를 포함할 수 있다. 또는, 제조 설비 컨트롤러(112)는 특정 동작을 수행하도록 구성되는 프로그램 코드(Program Code)의 명령어 집합(Instruction Set)을 실행할 수 있는 하나 이상의 프로세서 코어들을 포함할 수 있다.
전자 시스템(120)은 데스크탑 컴퓨터, 랩탑 컴퓨터, 워크스테이션 또는 서버 시스템으로 구현될 수 있다. 예로서, 전자 시스템은 반도체 제조 설비(111)의 상황 정보를 반영한 정보를 제공하는 작업 정보 전자 시스템일 수 있다. 본 발명의 실시 예에 따른 전자 시스템(120)은 반도체 제조 시스템(110)으로부터 반도체 제조 설비(111)의 제조 공정에서 발생하는 설비 데이터를 수신할 수 있다. 예로서, 전자 시스템(120)은 반도체 제조 설비(111) 및 제조 설비 컨트롤러(112) 중 하나로부터 설비 데이터를 수신할 수 있다.
전자 시스템(120)은 수신된 설비 데이터를 분석하여 반도체 제조 설비(111)에 변경 사항이 있는지 여부를 판단할 수 있다. 또는, 전자 시스템(120)은 수신된 설비 데이터를 분석하여 반도체 제조 설비(111)에 변경 사항이 있는지 여부를 판단할 수 있다. 예로서, 반도체 제조 설비(111)에 변경 사항이 있는 경우, 전자 시스템(120)은 제조 설비 컨트롤러(112)에 저장된 설비 설정 데이터 중 에러의 원인을 포함하는 데이터를 새로운 데이터로 갱신할 수 있다. 또는, 전자 시스템(120)은 설비 데이터를 분석하여, 반도체 제조 설비(111)의 부품에 변경이 있는 것으로 판단되는 경우, 부품의 변경 원인, 변경된 부품, 및 추천하는 대응 방법 등을 포함하는 정보를 엔지니어에게 제공할 수 있다. 예로서, 부품의 변경 사항은 부품의 결함, 부품의 고장, 부품의 변경 또는 부품의 노후화와 같은 다양한 변경 원인에 의해 발생할 수 있다.
전자 시스템(120)은 반도체 제조 시스템(110)으로부터 반도체 제조 설비(111)의 변경 사항에 대한 정보를 포함하는 설비 데이터를 수신할 수 있다. 예로서, 설비 데이터에 설비 설정 데이터의 에러 정보가 포함되어 있는 경우, 전자 시스템(120)은 제조 설비 컨트롤러(112)에 저장된 설비 설정 데이터 중 에러의 원인을 포함하는 데이터를 새로운 데이터로 갱신할 수 있다. 또는, 설비 데이터에 반도체 제조 설비(111)의 부품의 변경에 대한 정보가 포함되어 있는 경우, 전자 시스템(120)은 부품의 변경의 원인, 변경 부품, 및 추천하는 대응 방법 등을 포함하는 정보를 엔지니어에게 제공할 수 있다. 즉, 전자 시스템(120)은 반도체 제조 설비(111)의 현재 상황 정보를 반영한 작업 정보를 엔지니어에게 제공할 수 있다. 이하에서는, 전자 시스템(120)은 수신된 설비 데이터를 분석하여 반도체 제조 설비(111)의 변경 사항을 판단하는 것으로 가정한다. 전자 시스템(120)은 도 2 내지 도 7을 참조하여 자세히 설명된다.
도 2는 도 1의 전자 시스템을 예시적으로 보여주기 위한 블록도이다. 도 2를 참조하면, 전자 시스템(120)은 제1 인터페이스(121), 제2 인터페이스(122), 프로세서(123) 및 메모리(124)를 포함할 수 있다.
전자 시스템(120)은 제1 인터페이스(121)를 통해 도 1에 도시된 반도체 제조 시스템(110)과 통신할 수 있다. 제1 인터페이스(121)는 반도체 제조 시스템(110)으로부터 설비 데이터(EQ_DATA)를 수신할 수 있다. 예로서, 설비 데이터(EQ_DATA)가 수신되고 기준 시간 이 경과한 이후, 다음 설비 데이터가 수신될 수 있다. 제1 인터페이스(121)는 수신된 설비 데이터(EQ_DATA)를 프로세서(123)로 전송할 수 있다.
전자 시스템(120)은 제2 인터페이스(122)를 통해 외부 장치로 제어 정보(CNTL_INFO)를 전송할 수 있다. 제어 정보(CNTL_INFO)는 반도체 제조 시스템(110)으로부터 수신된 설비 데이터(EQ_DATA)를 기반으로 프로세서(123)에서 생성될 수 있다. 예로서, 제어 정보(CNTL_INFO)는 반도체 제조 설비(111)의 변경의 원인에 대한 정보, 변경이 발생한 부품 정보, 및 추천하는 대응 방법 등을 포함할 수 있다. 본 발명의 실시 예로서, 제어 정보(CNTL_INFO)는 엔지니어에게 제공되는 작업 정보일 수 있다. 이때, 외부 장치는 엔지니어의 휴대용 전자 장치일 수 있다. 예로서, 외부 장치는 휴대 전화, 스마트폰(smart phone), 웨어러블(wearable) 장치, 노트북 컴퓨터 및 개인용 정보 단발기(personal digital assistant, PDA) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
제1 및 제2 인터페이스들(121, 122)은 유선 또는 무선 통신을 통해 데이터를 송수신할 수 있다. 예로서, 제1 및 제2 인터페이스들(121, 122)은 TCP(Transmission Control Protocol) 또는 IP(Internet Protocol)를 사용하는 이더넷(Ethernet) 통신 방법을 사용할 수 있다.
프로세서(123)는 에러 감지기(123_1), 데이터 갱신기(123_2), 및 제어 정보 생성기(123_3)를 포함할 수 있다. 에러 감지기(123_1), 데이터 갱신기(123_2), 및 제어 정보 생성기(123_3) 각각은 다양한 동작 및 뒤에서 설명될 동작들을 수행하기 위해, 하드웨어 구성, 소프트웨어 구성, 그것들의 하이브리드(Hybrid) 구성을 포함하 수 있다. 또는 에러 감지기(123_1), 데이터 갱신기(123_2), 및 제어 정보 생성기(123_3) 각각은 하나 이상의 프로세서 코어들로 구현될 수 있다.
예로서, 에러 감지기(123_1), 데이터 갱신기(123_2), 제어 정보 생성기(123_3) 각각은 특정 동작을 수행하도록 구성되는 전용 하드웨어 회로를 포함할 수 있다. 또는, 에러 감지기(123_1), 데이터 갱신기(123_2), 제어 정보 생성기(123_3) 각각은 특정 동작을 수행하도록 구성되는 프로그램 코드(Program Code)의 명령어 집합(Instruction Set)으로 구현될 수 있다.
에러 감지기(123_1)는 반도체 제조 시스템(110)으로부터 수신된 설비 데이터(EQ_DATA)를 분석할 수 있다. 에러 감지기(123_1)는 설비 데이터(EQ_DATA)를 분석하여 반도체 제조 설비(111)의 제조 공정의 흐름을 파악할 수 있다. 좀 더 구체적으로, 에러 감지기(123_1)는 설비 데이터(EQ_DATA)의 분석을 통해, 반도체 제조 설비(111)의 변경의 발생 여부에 대해 판단할 수 있다. 에러 감지기(123_1)는 반도체 제조 설비(111)의 설비 설정 데이터의 변경 여부, 또는 반도체 제조 설비(111)의 부품의 변경 사항에 대한 정보를 파악할 수 있다.
만약, 반도체 제조 설비(111)의 설비 설정 데이터를 변경해야 하는 경우, 에러 감지기(123_1)는 설비 설정 데이터를 데이터 갱신기(123_2)로 전송할 수 있다. 이때, 에러 감지기(123_1)는 메모리(124)로부터 설비 설정 데이터를 제공받을 수 있다. 설비 설정 데이터는 제1 인터페이스(121)를 통해 반도체 제조 시스템(110)으로부터 제공받을 수 있다. 설비 설정 데이터는 메모리(124)에 미리 저장되어 있을 수 있다. 이에 대해서는 뒤에서 더 설명된다.
반도체 제조 설비(111)에 부품의 변경 사항이 있는 것으로 판단되는 경우, 에러 감지기(123_1)는 제어 정보 생성기(123_3)로 부품의 변경 사항에 대한 정보를 전송할 수 있다. 에러 감지기(123_1)는 메모리(124)로부터 부품 정보를 제공받을 수 있다. 그리고, 반도체 제조 설비(111)에 변경된 사항이 없는 것으로 판단되는 경우, 에러 감지기(123_1)는 설비 데이터(EQ_DATA)를 메모리(124)에 저장할 수 있다.
데이터 갱신기(123_2)는 반도체 제조 설비(111)의 설비 설정 데이터를 갱신할 수 있다. 데이터 갱신기(123_2)는 설비 설정 데이터 중 에러의 원인을 포함하는 데이터를 새로운 설비 설정 데이터로 갱신할 수 있다. 새로운 설비 설정 데이터는 반도체 제조 설비(111)의 제조 공정 환경에 최적화된 값으로 설정될 수 있다. 새로운 설비 설정 데이터는 제1 인터페이스(121)를 통해 반도체 제조 시스템(110)으로 전송될 수 있다. 예로서, 새로운 설비 설정 데이터는 반도체 제조 설비(111) 및 제조 설비 컨트롤러(112) 중 적어도 하나로 전송될 수 있다.
제어 정보 생성기(123_3)는 제어 정보(CNTL_INFO)를 생성할 수 있다. 에러 감지기(123_1)로부터 제어 정보 생성기(123_3)로 부품의 변경 사항에 대한 정보가 수신되는 경우, 제어 정보 생성기(123_3)는 부품의 변경 사항에 대한 정보 및 메모리(124)로부터 수신한 표준 조작 절차(Standard Operating Procedure, SOP) 데이터에 기초하여 제어 정보(CNTL_INFO)를 생성할 수 있다. 표준 조작 절차(SOP) 데이터는 반도체 제조 설비(111)의 부품 정보(예로서, 부품의 종류, 규격 등), 설치 방법, 및 관리 방법, 법과 같은 반도체 제조 설비(111)에 대한 모든 정보를 포함하고 있다.
메모리(124)는 제조 설비 데이터 영역(124_1), 및 표준 조작 절차(SOP) 데이터 영역(124_2)을 포함할 수 있다. 메모리(124)는 반도체 제조 설비(111)의 설비 설정 데이터를 저장할 수 있다. 메모리(124)는 제조 설비 데이터 영역(124_1)에 프로세서(123)로부터 수신한 설비 데이터(EQ_DATA)를 저장할 수 있다. 예로서, 설비 데이터(EQ_DATA)는 일정한 시간을 간격으로 갱신될 수 있다. 그리고, 메모리(124)는 표준 조작 절차(SOP) 데이터 영역(124_2)에 반도체 제조 설비(111)에 대한 표준 조작 절차(SOP) 데이터를 저장할 수 있다. 예로서, 메모리(124)는 데이터베이스 스킴(database scheme)을 이용하여 데이터를 관리할 수 있다.
메모리(124)는 PRAM(Phase-change Random Access Memory), MRAM(Magneto-resistive RAM), ReRAM(Resistive RAM), FRAM(Ferro-electric RAM) 등과 같은 다양한 불휘발성 메모리 중 하나 이상을 포함할 수 있다. 몇몇 실시 예에서, 메모리(124)는 SRAM(Static RAM), DRAM(Dynamic RAM), SDRAM(Synchronous DRAM) 등과 같은 휘발성 메모리를 포함할 수 있다.
도 3은 도 2의 전자 시스템의 설비 데이터를 갱신하는 방법을 예시적으로 보여주기 위한 블록도이다. 도 3을 참조하면, 에러 감지기(123_1)는 제1 인터페이스(121)를 통해 제1 설비 데이터(EQ_DATA1)를 수신할 수 있다. 제1 설비 데이터(EQ_DATA1)는 반도체 제조 설비(111)의 제조 공정에서 발생하는 모든 종류의 데이터를 포함할 수 있다.
에러 감지기(123_1)는 제1 설비 데이터(EQ_DATA1)를 분석할 수 있다. 에러 감지기(123_1)는 메모리(124)로부터 제1 설비 데이터(EQ_DATA1) 이전에 수신된 설비 데이터를 제공받을 수 있다. 에러 감지기(123_1)는 제1 설비 데이터(EQ_DATA1) 이전에 수신된 설비 데이터와 제1 설비 데이터(EQ_DATA1)를 비교함으로써 반도체 제조 설비(111)의 변경 사항발생 여부에 대해 판단할 수 있다. 좀 더 구체적으로, 제1 설비 데이터(EQ_DATA1)에 포함된 온도 값, 및 압력 값 등이 제1 설비 데이터(EQ_DATA1) 이전에 수신된 설비 데이터의 온도 값 및 압력 값보다 기준 값 이상 증가하는 경우, 에러 감지기(123_1)는 반도체 제조 설비(111)에 변경 사항이 있는 것으로 판단할 수 있다. 반도체 제조 설비(111)에 변경 사항이 있는 것으로 판단되면, 에러 감지기(123_1)는 변경 사항의 원인을 분석할 수 있다.
예로서, 반도체 제조 설비(111)의 매스 플로우 컨트롤러(Mass Flow Controller, MFC)에 변경 사항이 발생한 것으로 가정한다. 에러 감지기(123_1)는 제1 설비 데이터(EQ_DATA1)에 포함된 에러와 관련된 데이터 또는 부품을 파악할 수 있다. 이는 본 발명을 설명하기 위한 하나의 예시일 뿐, 반도체 제조 설비(111)의 RF 소스(Radio Frequency Source), 바이어스 파워(Bias Power), 밸브, 및 온도계 등 다양한 부품에서 변경이 발생할 수 있다.
반도체 제조 설비(111)에 변경 사항이 있는 경우, 프로세서(123)는 설비 설정 데이터를 갱신할 수 있다. 예로서, 프로세서(123)는 제1 설비 설정 데이터(EQ_SDATA1)를 갱신할 수 있다 제1 설비 설정 데이터(EQ_SDATA1)는 반도체 제조 설비(111)의 제조 공정과 관련된 레시피 데이터일 수 있다. 즉 반도체 제조 설비(111)의 변경 사항의 원인은 반도체 제조 설비(111)의 소프트웨어에 있을 수 있다. 반도체 제조 설비(111)의 소프트웨어에 변경 사항이 발생하는 경우, 반도체 제조 설비(111)의 제조 공정과 관련된 레시피 데이터가 변경될 수 있다. 에러 감지기(123_1)는 제1 설비 설정 데이터(EQ_SDATA1)를 데이터 갱신기(123_2)로 전송할 수 있다. 에러 감지기(123_1)는 메모리(124)로부터 제1 설비 설정 데이터(EQ_SDATA1)를 제공받을 수 있다. 예로서, 에러 감지기(123_1)는 반도체 제조 시스템(110)의 노후화로 인해, 매스 플로우 컨트롤러(MFC)와 관련된 설비 설정 데이터를 갱신해야 한다고 판단할 수 있다.
데이터 갱신기(123_2)는 에러 감지기(123_1)로부터 제1 설비 설정 데이터(EQ_SDATA1)를 수신할 수 있다. 데이터 갱신기(123_2)는 제1 설비 설정 데이터(EQ_SDATA1)를 제2 설비 설정 데이터(EQ_SDATA2)로 갱신할 수 있다. 예로서, 제1 설비 설정 데이터(EQ_SDATA1)는 매스 플로우 컨트롤러(MFC)의 가스 압력 값일 수 있다. 그리고, 제2 설비 설정 데이터(EQ_SDATA2)는 매스 플로우 컨트롤러(MFC)에 적용할 새로운 가스 압력 값일 수 있다. 데이터 갱신기(123_2)는 제1 인터페이스(121)를 통해 반도체 제조 시스템(110)으로 제2 설비 설정 데이터(EQ_SDATA2)를 전송할 수 있다.
도 4는 도 2의 전자 시스템의 설비 데이터를 저장하는 방법을 보여주기 위한 블록도이다. 도 3 및 도 4를 참조하면, 전자 시스템(120)의 에러 감지기(123_1)는 반도체 제조 시스템(110)으로부터 제2 설비 데이터(EQ_DATA2)를 수신할 수 있다. 제2 설비 데이터(EQ_DATA2)는 반도체 제조 설비(111)에서 제2 설비 설정 데이터(EQ_SDATA2)를 적용하여 수행된 제조 공정에서 발생하는 모든 종류의 데이터를 포함할 수 있다.
에러 감지기(123_1)는 제2 설비 데이터(EQ_DATA2)를 분석하여 반도체 제조 설비(111)에 변경 사항이 있는지 여부에 대해 판단할 수 있다. 반도체 제조 설비(111)에 변경 사항이 없는 것으로 판단되는 경우, 에러 감지기(123_1)는 제2 설비 데이터(EQ_DATA2), 및 제2 설비 설정 데이터(EQ_SDATA2)를 메모리(124)에 저장할 수 있다. 메모리(124)에 저장된 제1 설비 설정 데이터(EQ_SDATA1)는 제2 설비 설정 데이터(EQ_SDATA2)로 갱신될 수 있다. 만약, 반도체 제조 설비(111)에 변경 사항이 있는 것으로 판단되는 경우, 에러 감지기(123_1)는 도 3을 참조하여 설명된 과정을 반복할 수 있다.
도 5는 도 2의 전자 시스템의 레시피 데이터를 갱신하는 방법을 예시적으로 보여주기 위한 순서도이다. 도 2 내지 도 5를 참조하면, S110 단계에서, 전자 시스템(120)은 반도체 제조 시스템(110)으로부터 설비 데이터를 수신할 수 있다.
S120 단계에서, 전자 시스템(120)은 설비 데이터를 기반으로 반도체 제조 실비(111)의 변경 사항의 발생 여부를 판단할 수 있다. 설비 데이터를 기반으로 반도체 제조 설비의 변경 사항이 있는 것으로 판단하는 경우(Yes), 전자 시스템(120)은 변경 사항의 원인을 분석할 수 있다. S130 단계에서, 전자 시스템(120)은 변경 사항의 원인을 해결하기 위해, 설비 설정 데이터(예로서, 레시피 데이터)를 갱신하고 갱신된 설비 설정 데이터를 반도체 제조 시스템(110)으로 전송한다. 반도체 제조 설비에 변경 사항이 없는 경우(No), 전자 시스템(120)은 반도체 제조 시스템(110)으로부터 설비 데이터를 수신할 수 있다(S110 단계).
도 6은 도 2의 전자 시스템의 제어 정보를 생성하는 방법을 예시적으로 보여주기 위한 블록도이다. 도 2 및 도 5를 참조하면, 전자 시스템(120)의 에러 감지기(123_1)는 제1 인터페이스(121)를 통해 제1 설비 데이터(EQ_DATA1)를 수신할 수 있다.
에러 감지기(123_1)는 제1 설비 데이터(EQ_DATA1)를 분석할 수 있다. 에러 감지기(123_1)는 메모리(124)로부터 제1 설비 데이터(EQ_DATA1) 이전에 수신된 설비 데이터를 제공받을 수 있다. 에러 감지기(123_1)는 제1 설비 데이터(EQ_DATA1) 이전에 수신된 설비 데이터와 제1 설비 데이터(EQ_DATA1)를 비교함으로써 반도체 제조 설비(111)에 변경 사항이 있는지에 대해 판단할 수 있다. 좀 더 구체적으로, 제1 설비 데이터(EQ_DATA1)에 포함된 온도 값, 및 압력 값 등이 제1 설비 데이터(EQ_DATA1) 이전에 수신된 설비 데이터의 온도 값 및 압력 값보다 기준 값 이상 증가하는 경우, 에러 감지기(123_1)는 반도체 제조 설비(111)에 변경 사항이 있는 것으로 판단할 수 있다. 반도체 제조 설비(111)에 변경 사항이 있는 것으로 판단되면, 에러 감지기(123_1)는 변경 사항의 원인을 분석할 수 있다.
예로서, 반도체 제조 설비(111)의 매스 플로우 컨트롤러(MFC)에 변경 사항이 발생한 것으로 가정한다. 에러 감지기(123_1)는 변경 사항과 관련된 데이터 또는 부품을 파악할 수 있다. 만약, 변경 사항의 원인이 반도체 제조 시스템(110)의 매스 플로우 컨트롤러(MFC)의 부품에 있는 것으로 분석되는 경우, 에러 감지기(123_1)는 제어 정보 생성기(123_3)로 변경 부품 정보를 전송할 수 있다. 예로서, 반도체 제조 시스템(110)의 노후화로 인해, 에러 감지기(123_1)는 매스 플로우 컨트롤러(MFC)와 관련된 부품을 수리 또는 교체해야 한다고 판단할 수 있다.
제어 정보 생성기(123_3)는 에러 감지기(123_1)로부터 변경 부품 정보를 수신할 수 있다. 그리고, 제어 정보 생성기(123_3)는 메모리(124)로부터 표준 조작 절차 데이터(SOP_DATA)를 수신할 수 있다. 제어 정보 생성기(123_3)는 변경 부품 정보 및 표준 조작 절차 데이터(SOP_DATA)에 기초하여 제어 정보(CNTL_INFO)를 생성할 수 있다. 예로서, 제어 정보 생성기(123_3)는 제어 정보(CNTL_INFO)를 증강 현실 정보 형태로 생성할 수 있다. 제어 정보(CNTL_INFO)가 증강 현실 정보로 제공되는 경우, 엔지니어는 실시간으로 제어 정보(CNTL_INFO)를 참고하면서 변경 부품을 수리 또는 교체할 수 있다.
예로서, 매스 플로우 컨트롤러(MFC)의 밸브에 변경이 발생한 것으로 판단되는 경우, 제어 정보 생성기(123_3)는 표준 조작 절차 데이터(SOP_DATA)에서 매스 플로우 컨트롤러(MFC)의 밸브에 대한 정보를 찾을 수 있다. 데이터에서 매스 플로우 컨트롤러(MFC)의 밸브에 대한 정보는 밸브의 교체 또는 수리 방법, 밸브의 교체 주기, 및 밸브의 부품 정보 등을 포함할 수 있다. 제어 정보 생성기(123_3)는 제2 인터페이스(122)를 통해 변경 부품 정보(예로서, 밸브) 및 변경 부품에 대한 표준 조작 절차 데이터(SOP_DATA) (예로서, 밸브에 대한 정보)를 포함하는 제어 정보(CNTL_INFO)를 출력할 수 있다.
본 발명의 실시 예에 따른 전자 시스템(120)은 변경 부품에 대한 정보뿐만 아니라, 변경 부품에 대한 표준 조작 절차 데이터(SOP_DATA)를 동시에 제공할 수 있다. 이로 인해, 엔지니어가 반도체 제조 설비(111)의 변경 사항의 원인을 해결하기 위한 방법을 찾는 시간이 단축될 수 있다. 그러므로, 반도체 제조 설비(111)의 변경된 사항이 빨리 해결될 수 있고, 엔지니어는 반도체 제조 설비(111)를 정확하게 수리할 수 있다.
도 7은 도 2의 전자 시스템의 제어 정보를 생성하는 방법을 예시적으로 보여주기 위한 블록도이다. 도 2, 도 6 및 도 7을 참조하면, S210 단계에서, 전자 시스템(120)은 반도체 제조 시스템(110)으로부터 설비 데이터를 수신할 수 있다.
S220 단계에서, 전자 시스템(120)은 설비 데이터를 기반으로, 반도체 제조 설비(111)의 부품에 변경이 있는지 여부를 판단할 수 있다. 변경의 원인이 반도체 제조 시스템(110)의 부품에 있는 것으로 판단되는 경우, (Yes), S230 단계에서, 전자 시스템(120)은 제어 정보를 엔지니어에게 전송한다. 제어 정보는 변경 부품 정보 및 변경 부품에 대한 표준 조작 절차(SOP) 데이터를 포함할 수 있다. 반도체 제조 설비에 변경 사항이 없는 경우(No), 전자 시스템(120)은 반도체 제조 시스템(110)으로부터 설비 데이터를 수신할 수 있다(S210 단계).
도 8은 본 발명의 실시 예에 따른 반도체 제조 및 관리 시스템을 보여주기 위한 블록도이다. 도 8을 참조하면, 반도체 제조 및 관리 시스템(200)은 반도체 제조 시스템(210), 및 전자 시스템(220)을 포함할 수 있다.
반도체 제조 시스템(210)은 제1 반도체 제조 설비(211), 제2 반도체 제조 설비(212), 및 제조 설비 컨트롤러(213)를 포함할 수 있다. 제1 및 제2 반도체 제조 설비들(211, 212)은 반도체 장치의 제조 공정에 필요한 장치일 수 있다. 예로서, 제1 및 제2 반도체 제조 설비들(211, 212) 각각은 도 1에 도시된 반도체 제조 설비(111)와 유사 또는 동일할 수 있다. 예로서, 제1 및 제2 반도체 제조 설비들을 동종 설비인 것으로 가정한다. 제1 및 제2 반도체 제조 설비들(211, 212)은 각각 표준 프로토콜에 따라, 반도체 장치의 제조 공정에서 발생하는 설비 데이터를 제조 설비 컨트롤러(213)로 전송할 수 있다.
제조 설비 컨트롤러(213)는 제1 및 제2 반도체 제조 설비들(211, 212)로부터 설비 데이터를 수신할 수 있다. 제조 설비 컨트롤러(213)는, 제1 및 제2 반도체 제조 설비들(211, 212)의 작동 상태를 모니터링할 수 있다. 제조 설비 컨트롤러(213)는 도 1에 도시된 제조 설비 컨트롤러(112)와 유사 또는 동일할 수 있다.
본 발명의 실시 예에 따른 전자 시스템(220)은 반도체 제조 시스템(210)으로부터 제1 및 제2 반도체 제조 설비들(211, 212)의 제조 공정에 관련된 모든 설비 데이터를 수신할 수 있다. 예로서, 전자 시스템(220)은 제1 및 제2 반도체 제조 설비들(211, 212) 및 제조 설비 컨트롤러(213) 중 적어도 하나로부터 설비 데이터를 수신할 수 있다.
전자 시스템(220)은 수신된 설비 데이터를 분석할 수 있다. 예로서, 설비 데이터를 분석하여 설비 설정 데이터에 에러가 있는 것으로 판단되는 경우, 전자 시스템(220)은 제조 설비 컨트롤러(213)에 저장된 설비 설정 데이터 중 에러의 원인을 포함하는 데이터를 새로운 데이터로 갱신할 수 있다. 또는, 전자 시스템(220)은 설비 데이터를 분석하여, 제1 및 제2 반도체 제조 설비들(211, 212) 중 적어도 하나의 부품에 변경 이 있는 것으로 판단하는 경우, 변경의 원인, 변경이 발생한 부품, 및 추천하는 대응 방법 등을 포함하는 정보를 엔지니어에게 제공할 수 있다. 즉, 전자 시스템(220)은 반도체 제조 시스템(210)의 현재 상황 정보를 반영한 작업 정보를 엔지니어에게 제공할 수 있다.
전자 시스템(220)은 반도체 제조 시스템(210)으로부터 제1 및 제2 반도체 제조 설비들(211, 212) 중 적어도 하나의 변경 사항에 대한 정보를 포함하는 설비 데이터를 수신할 수 있다. 예로서, 설비 데이터에 설비 설정 데이터의 변경 정보가 포함되어 있는 경우, 전자 시스템(220)은 제조 설비 컨트롤러(213)에 저장된 설비 설정 데이터 중 변경의 원인을 포함하는 데이터를 새로운 데이터로 갱신할 수 있다. 또는, 설비 데이터에 제1 및 제2 반도체 제조 설비들(211, 212) 중 적어도 하나의 부품의 변경에 대한 정보가 포함되어 있는 경우, 전자 시스템(220)은 변경의 원인, 변경이 발생한 부품, 및 추천하는 대응 방법 등을 포함하는 정보를 엔지니어에게 제공할 수 있다. 이하에서는, 전자 시스템(220)은 변경에 대한 정보를 포함하는 설비 데이터를 수신하는 것으로 가정한다. 전자 시스템(220)은 도 9 내지 도 12를 참조하여 자세히 설명된다.
도 9는 도 8의 전자 시스템의 반도체 제조 설비의 설정 방법을 예시적으로 보여주기 위한 블록도이다. 도 9를 참조하면, 전자 시스템(220)은 제1 인터페이스(221), 제2 인터페이스(222), 프로세서(223) 및 메모리(224)를 포함할 수 있다. 제1 및 제2 인터페이스들(221, 222) 각각은 도 2의 제1 및 제2 인터페이스들(121, 122)과 유사 또는 동일할 수 있다.
전자 시스템(220)은 데스크탑 컴퓨터, 랩탑 컴퓨터, 워크스테이션 또는 서버 시스템으로 구현될 수 있다. 전자 시스템(220)은 제1 인터페이스(221)를 통해 제1 및 제2 반도체 제조 설비들(211, 212)과 통신할 수 있다.
예로서, 제1 반도체 제조 설비(211)는 반도체 장치에 대한 제조 공정을 수행할 수 있는 상태로 하드웨어 및 소프트웨어가 설정되어 있고, 제2 반도체 제조 설비(212)는 반도체 장치에 대한 제조 공정을 수행할 수 있는 상태로 하드웨어 또는 소프트웨어가 설정되지 않은 것으로 가정한다.
제1 인터페이스(221)는 제1 반도체 제조 설비(211)로부터 제3 설비 설정 데이터(EQ_SDATA3)를 수신할 수 있다. 예로서, 제3 설비 설정 데이터(EQ_SDATA3)는 제1 반도체 제조 설비(211)에서 반도체 장치에 설정된 제조 공정 조건들에 대한 정보들을 포함할 수 있다. 제1 인터페이스(221)는 수신된 제3 설비 설정 데이터(EQ_SDATA3)를 프로세서(223)로 전송할 수 있다(①).
프로세서(223)는 에러 감지기(223_1), 데이터 갱신기(223_2), 및 제어 정보 생성기(223_3)를 포함할 수 있다. 에러 감지기(223_1), 데이터 갱신기(223_2), 및 제어 정보 생성기(223_3)는 각각 도 2에 도시된 에러 감지기(123_1), 데이터 갱신기(123_2), 및 제어 정보 생성기(123_3)와 유사할 수 있다.
에러 감지기(223_1)는 제1 반도체 제조 설비(211)로부터 수신된 제3 설비 설정 데이터(EQ_SDATA3)를 분석할 수 있다. 에러 감지기(223_1)는 제3 설비 설정 데이터(EQ_SDATA3)를 분석하여 제1 반도체 제조 설비(211)의 제조 공정 조건들을 파악할 수 있다. 좀 더 구체적으로, 에러 감지기(223_1)는 제3 설비 설정 데이터(EQ_SDATA3)의 분석을 통해, 제1 반도체 제조 설비(211)가 최적의 제조 공정 조건으로 설정되었는지 파악할 수 있다. 만약, 제1 반도체 제조 설비(211)가 최적의 제조 공정 조건으로 설정된 것으로 판단되는 경우, 에러 감지기(223_1)는 제3 설비 설정 데이터(EQ_SDATA3)를 메모리(224)에 저장할 수 있다(②).
예로서, 제조 공정을 수행할 수 있는 상태로 하드웨어 또는 소프트웨어가 설정되지 않은 반도체 제조 설비(예로서, 제2 반도체 제조 설비(212))를 제조 공정을 수행할 수 있는 상태로 설정하기 위해서, 엔지니어는 많은 제조 공정 조건들을 설정할 수 있다. 이로 인해, 제조 공정 조건들을 설정하는 과정에서, 오류가 발생할 수 있고, 오류에 대한 원인을 찾는 데에도 많은 시간이 소모될 수 있다.
본 발명의 실시 예에 따른 프로세서(223)의 데이터 갱신기(223_2)는 최적의 제조 공정 조건으로 설정된 데이터를 이용하여, 제2 반도체 제조 설비(212)를 설정할 수 있다. 좀 더 구체적으로, 데이터 갱신기(223_2)는 메모리(224)로부터 제3 설비 설정 데이터(EQ_SDATA3)를 수신할 수 있다(③). 데이터 갱신기(223_2)는 제1 인터페이스(221)를 통해 제2 반도체 제조 설비(212)로 제3 설비 설정 데이터(EQ_SDATA3)를 전송할 수 있다(④). 제2 반도체 제조 설비(212)의 제조 공정 조건은 제3 설비 설정 데이터(EQ_SDATA3)에 기초하여 설정될 수 있다.
이와 같은 방법으로, 제2 반도체 제조 설비(212)의 제조 공정 조건은 빠르게 설정될 수 있다. 그리고, 제2 반도체 제조 설비(212)의 제조 공정 조건은 최적의 제조 공정 조건으로 설정된 데이터(제3 설비 설정 데이터(EQ_SDATA3))로 설정되므로, 오류의 발생 확률이 감소할 수 있다.
메모리(224)는 제1 제조 설비 데이터 영역(224_1), 제2 제조 설비 데이터 영역(224_2), 및 표준 조작 절차(SOP) 데이터 영역(224_3)을 포함할 수 있다. 제1 제조 설비 데이터 영역(224_1)은 제1 반도체 제조 설비(211)의 제조 공정 조건에 대한 데이터(제3 설비 설정 데이터(EQ_SDATA3)) 및 제1 반도체 제조 설비(211)의 제조 공정에서 발생하는 설비 데이터를 저장할 수 있다. 제2 제조 설비 데이터 영역(224_2)은 제2 반도체 제조 설비(212)의 제조 공정 조건에 대한 데이터 및 제2 반도체 제조 설비(212)의 제조 공정에서 발생하는 설비 데이터를 저장할 수 있다. 메모리(224)는 프로세서(223)로부터 수신한 제3 설비 설정 데이터(EQ_SDATA3)를 저장할 수 있다. 제3 설비 설정 데이터(EQ_SDATA3)는 메모리(224)의 제1 제조 설비 데이터 영역(224_1)에 저장될 수 있다.
도 10은 도 8의 전자 시스템의 설비 데이터를 저장하는 방법을 예시적으로 보여주기 위한 블록도이다. 도 8 및 도 10을 참조하면, 전자 시스템(220)은 제1 인터페이스(221)를 통해 제1 및 제2 반도체 제조 설비들(211, 212)과 통신할 수 있다.
제1 인터페이스(221)는 제1 반도체 제조 설비(211)로부터 제3 설비 데이터(EQ_DATA3)를 수신하고, 제2 반도체 제조 설비(212)로부터 제4 설비 데이터(EQ_DATA4)를 수신할 수 있다. 제3 및 제4 설비 데이터(EQ_DATA3, EQ_DATA4)는 각각 제1 및 제2 반도체 제조 설비들(211, 212)의 제조 공정에서 발생하는 모든 종류의 데이터를 포함할 수 있다. 예로서, 제3 설비 데이터(EQ_DATA3)는 에러 정보를 포함하는 에러 데이터이고, 제4 설비 데이터(EQ_DATA4)는 에러 정보를 포함하지 않는 정상 데이터인 것으로 가정한다. 제1 인터페이스(221)는 제3 및 제4 설비 데이터(EQ_DATA3, EQ_DATA4)를 프로세서(223)의 에러 감지기(223_1)로 전송할 수 있다.
에러 감지기(223_1)는 제3 및 제4 설비 데이터(EQ_DATA3, EQ_DATA4)를 분석할 수 있다. 예로서, 에러 감지기(223_1)는 제3 및 제4 설비 데이터(EQ_DATA3, EQ_DATA4) 각각이 에러 정보를 포함하는지 여부에 대해 판단할 수 있다. 만약, 제3 설비 데이터(EQ_DATA3)에 에러 정보가 포함되어 있는 것으로 판단되면, 에러 감지기(123_1)는 메모리(224)에 제3 설비 데이터(EQ_DATA3)를 저장하지 않는다. 그리고, 제4 설비 데이터(EQ_DATA4)에 에러 정보가 포함되지 않은 것으로 판단되면, 에러 감지기(223_1)는 메모리(224)에 제4 설비 데이터(EQ_DATA4)를 저장할 수 있다.
제3 설비 데이터(EQ_DATA3)에 포함된 에러 정보의 원인이 제1 반도체 제조 설비(211)의 제조 공정과 관련된 데이터에 있는 것으로 분석되는 경우, 에러 감지기(123_1)는 제1 반도체 제조 설비(211)의 제조 공정과 관련된 데이터를 갱신해야 한다.
도 11은 도 8의 전자 시스템의 제1 반도체 제조 설비의 데이터를 갱신하는 방법을 예시적으로 보여주기 위한 블록도이다. 도 8 내지 도 11을 참조하면, 프로세서(223)의 데이터 갱신기(223_2)는 메모리(224)로부터 제4 설비 설정 데이터(EQ_SDATA4)를 수신할 수 있다. 예로서, 제4 설비 설정 데이터(EQ_SDATA4)는 제2 반도체 제조 설비(212)의 제조 공정 조건에 대한 데이터이다. 제4 설비 설정 데이터(EQ_SDATA4)는 제1 인터페이스(221)를 통해 반도체 제조 시스템(210)으로부터 수신될 수 있다. 제4 설비 설정 데이터(EQ_SDATA4)는 메모리(224)에 미리 저장되어 있을 수 있다.
데이터 갱신기(223_2)는 제1 반도체 제조 설비(211)의 제3 설비 설정 데이터(EQ_SDATA3)를 제4 설비 설정 데이터(EQ_SDATA4)로 갱신할 수 있다. 데이터 갱신기(123_2)는 제1 인터페이스(121)를 통해 제4 설비 설정 데이터(EQ_SDATA4)를 제1 반도체 제조 설비(211)로 전송할 수 있다.
본 발명의 실시 예에 따른 에러 감지기(223_1)는 제1 반도체 제조 설비(211)로부터 제4 설비 설정 데이터(EQ_SDATA4)를 적용하여 수행된 제조 공정에서 발생하는 설비 데이터를 수신할 수 있다. 제1 반도체 제조 설비(211)로부터 수신된 설비 데이터에 에러가 없는 경우, 에러 감지기(223_1)는 제4 설비 설정 데이터(EQ_SDATA4)를 메모리(224)에 저장할 수 있다.
도 12는 도 8의 전자 시스템의 제1 반도체 제조 설비의 데이터를 갱신하는 방법을 예시적으로 보여주기 위한 블록도이다. 도 8 및 도 12를 참조하면, 전자 시스템(220)은 제1 인터페이스(221)를 통해 제1 및 제2 반도체 제조 설비들(211, 212)과 통신할 수 있다.
제1 인터페이스(221)는 제1 반도체 제조 설비(211)로부터 제5 설비 데이터(EQ_DATA5)를 수신하고, 제2 반도체 제조 설비(212)로부터 제6 설비 데이터(EQ_DATA6)를 수신할 수 있다. 제5 및 제6 설비 데이터(EQ_DATA5, EQ_DATA6)는 각각 제1 및 제2 반도체 제조 설비들(211, 212)의 제조 공정에서 발생하는 모든 종류의 데이터를 포함할 수 있다. 예로서, 제5 설비 데이터(EQ_DATA5)는 에러 정보를 포함하는 에러 데이터이고, 제6 설비 데이터(EQ_DATA6)는 에러 정보를 포함하지 않은 정상 데이터인 것으로 가정한다. 제1 인터페이스(221)는 제5 및 제6 설비 데이터(EQ_DATA5, EQ_DATA6)를 프로세서(223)의 에러 감지기(223_1)로 전송할 수 있다(①).
에러 감지기(123_1)는 제5 및 제6 설비 데이터(EQ_DATA5, EQ_DATA6) 각각이 에러 정보를 포함하는지 여부에 대해 판단할 수 있다. 만약, 제5 설비 데이터(EQ_DATA5)에 에러 정보가 포함되어 있는 것으로 판단되면, 에러 감지기(223_1)는 메모리(224)에 제5 설비 데이터(EQ_DATA5)를 저장하지 않는다. 그리고, 제6 설비 데이터(EQ_DATA6)에 에러 정보가 포함되지 않은 것으로 판단되면, 에러 감지기(223_1)는 메모리(224)에 제6 설비 데이터(EQ_DATA6)를 저장할 수 있다(②).
제5 설비 데이터(EQ_DATA5)에 포함된 에러 정보의 원인이 제1 반도체 제조 설비(211)의 부품에 있는 것으로 분석되는 경우, 에러 감지기(223_1)는 제어 정보 생성기(223_3)로 변경 부품 정보를 전송할 수 있다. 예로서, 에러 감지기(223_1)는 제1 반도체 제조 설비(211)의 노후화로 인해, 매스 플로우 컨트롤러(MFC)와 관련된 부품을 수리 또는 교체해야 한다고 판단할 수 있다.
제어 정보 생성기(223_3)는 에러 감지기(223_1)로부터 변경 부품 정보를 수신하고, 메모리(224)로부터 표준 조작 절차 데이터(SOP_DATA)를 수신할 수 있다(③). 제어 정보 생성기(223_3)는 변경 부품 정보 및 표준 조작 절차 데이터(SOP_DATA)에 기초하여 제어 정보(CNTL_INFO)를 생성할 수 있다. 좀 더 구체적으로, 제어 정보 생성기(123_3)는 제2 인터페이스(122)를 통해 변경 부품 정보 및 변경 부품에 대한 표준 조작 절차 데이터(SOP_DATA)를 포함하는 제어 정보(CNTL_INFO)를 출력할 수 있다(④).
몇몇 실시 예로서, 제1 반도체 제조 설비(211) 및 제2 반도체 제조 설비(212)는 서로 다른 종류일 수 있다. 전자 시스템(220)은 제1 반도체 제조 설비(211) 및 제2 반도체 제조 설비(212) 각각의 장치 정보를 포함할 수 있다. 예로서, 제1 반도체 제조 설비(211)의 설비 설정 데이터를 이용하여 제2 반도체 제조 설비(212)의 설비 설정 데이터를 갱신하는 경우가 발생할 수 있다. 이때, 전자 시스템(220)은 장치 정보를 참조하여, 제2 반도체 제조 설비(212)에 적절한 형태로 제1 반도체 제조 설비(211)의 설비 설정 데이터를 가공할 수 있다. 그리고 전자 시스템(220)은 2 반도체 제조 설비(211)로 가공된 제1 반도체 제조 설비(211)의 설비 설정 데이터를 제공할 수 있다.
위에서 설명한 내용은 본 발명을 실시하기 위한 구체적인 예들이다. 본 발명에는 위에서 설명한 실시 예들뿐만 아니라, 단순하게 설계 변경하거나 용이하게 변경할 수 있는 실시 예들도 포함될 것이다. 또한, 본 발명에는 상술한 실시 예들을 이용하여 앞으로 용이하게 변형하여 실시할 수 있는 기술들도 포함될 것이다.
Claims (10)
- 반도체 제조 설비의 제조 공정의 조건에 관한 제1 설정 데이터를 저장하기 위한 메모리; 및
상기 반도체 제조 설비로부터 수신되는 제1 설비 데이터 및 상기 제1 설비 데이터를 수신하기 전에 상기 메모리에 저장된 제2 설비 데이터에 기초하여 상기 반도체 제조 설비에 변경 사항이 있는지 판단하기 위한 프로세서를 포함하되,
상기 프로세서는 상기 반도체 제조 설비에 변경 사항이 있는 경우, 상기 제1 설정 데이터를 갱신하여 생성되는 제2 설정 데이터를 상기 반도체 제조 설비로 전송하고 상기 반도체 제조 설비에 변경 사항이 없는 경우, 상기 제1 설비 데이터를 상기 메모리에 저장하는 프로세서를 포함하는 전자 시스템. - 제 1 항에 있어서,
상기 메모리는 상기 반도체 제조 설비의 설치 방법, 부품 정보, 및 관리 방법에 대한 표준 조작 절차(Standard Operating Procedure, SOP) 데이터를 저장하는 전자 시스템. - 제 2 항에 있어서,
상기 반도체 제조 설비의 변경 사항의 원인이 상기 반도체 제조 설비의 부품에 있는 경우, 상기 프로세서는 상기 표준 조작 절차 데이터를 기반으로 제어 정보를 출력하는 전자 시스템. - 제 3 항에 있어서,
상기 제어 정보를 외부로 출력하기 위한 통신 인터페이스를 더 포함하는 전자 시스템. - 제 1 항에 있어서,
상기 프로세서는 상기 제2 설정 데이터를 상기 반도체 제조 설비로 전송하기 위한 설비 인터페이스를 더 포함하는 전자 시스템. - 제 1 항에 있어서,
상기 프로세서는 상기 반도체 제조 설비에서 상기 제2 설정 데이터를 기반으로 발생하는 제3 설비 데이터를 수신하고, 상기 제2 설비 데이터 및 상기 제3 설비 데이터에 기초하여 상기 반도체 제조 설비에 변경 사항이 있는지 판단하고, 상기 반도체 제조 설비에 변경 사항이 없는 경우, 상기 제3 설비 데이터를 상기 메모리에 저장하는 전자 시스템. - 제 6 항에 있어서,
상기 프로세서는 상기 제2 설비 데이터 및 상기 제3 설비 데이터에 기초하여 상기 반도체 제조 설비에 변경 사항이 있는지 판단하고, 상기 반도체 제조 설비에 변경 사항이 없는 경우, 상기 제1 설정 데이터를 대체하도록 상기 제2 설정 데이터를 상기 메모리에 저장하는 전자 시스템. - 제 1 항에 있어서,
상기 제1 및 제2 설정 데이터는 상기 반도체 제조 설비에 설정된 온도 정보, 압력 정보, 및 제조 시간 정보 중 적어도 하나를 포함하는 전자 시스템. - 제1 반도체 제조 설비의 제조 공정의 조건에 관한 제1 설정 데이터 및 제2 반도체 제조 설비의 제조 공정의 조건에 관한 제2 설정 데이터를 저장하기 위한 메모리; 및
제1 반도체 제조 설비로부터 수신되는 제1 설비 데이터가 상기 제1 반도체 제조 설비에 관한 제1 에러 정보를 포함하고, 제2 반도체 제조 설비로부터 수신되는 제2 설비 데이터가 상기 제2 반도체 제조 설비에 관한 제2 에러 정보를 포함하지 않는 경우, 상기 제1 반도체 제조 설비의 변경 사항의 원인을 판단하고, 판단 결과에 기초하여 상기 제2 설정 데이터를 상기 제1 반도체 제조 설비로 전송하기 위한 프로세서를 포함하는 전자 시스템. - 제 9 항에 있어서,
상기 프로세서는 상기 제1 반도체 제조 설비에서 상기 제2 설정 데이터를 기반으로 발생하는 제3 설비 데이터를 수신하고,
상기 제3 설비 데이터가 상기 제1 에러 정보를 포함하지 않는 경우, 상기 제3 설비 데이터를 상기 메모리에 저장하는 전자 시스템.
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