KR20180026610A - Display device and manufacturing method of the same - Google Patents

Display device and manufacturing method of the same Download PDF

Info

Publication number
KR20180026610A
KR20180026610A KR1020160113445A KR20160113445A KR20180026610A KR 20180026610 A KR20180026610 A KR 20180026610A KR 1020160113445 A KR1020160113445 A KR 1020160113445A KR 20160113445 A KR20160113445 A KR 20160113445A KR 20180026610 A KR20180026610 A KR 20180026610A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
electrode
insulating layer
semiconductor pattern
disposed
layer
Prior art date
Application number
KR1020160113445A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
김재범
김억수
손경석
임준형
임지훈
Original Assignee
삼성디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성디스플레이 주식회사 filed Critical 삼성디스플레이 주식회사
Priority to KR1020160113445A priority Critical patent/KR20180026610A/en
Publication of KR20180026610A publication Critical patent/KR20180026610A/en

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1222Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L51/00Solid state devices using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices, or of parts thereof
    • H01L51/50Solid state devices using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices, or of parts thereof specially adapted for light emission, e.g. organic light emitting diodes [OLED] or polymer light emitting devices [PLED]
    • H01L51/52Details of devices
    • H01L51/5203Electrodes
    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09GARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/22Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
    • G09G3/30Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
    • G09G3/32Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09GARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/22Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
    • G09G3/30Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
    • G09G3/32Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
    • G09G3/3208Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09GARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/22Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
    • G09G3/30Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
    • G09G3/32Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
    • G09G3/3208Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
    • G09G3/3225Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix
    • G09G3/3233Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix with pixel circuitry controlling the current through the light-emitting element
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/04Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being a semiconductor body
    • H01L27/10Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a repetitive configuration
    • H01L27/105Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a repetitive configuration including field-effect components
    • H01L27/11Static random access memory structures
    • H01L27/1104Static random access memory structures the load element being a MOSFET transistor
    • H01L27/1108Static random access memory structures the load element being a MOSFET transistor the load element being a thin film transistor
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1222Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer
    • H01L27/1225Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer with semiconductor materials not belonging to the group IV of the periodic table, e.g. InGaZnO
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1251Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs comprising TFTs having a different architecture, e.g. top- and bottom gate TFTs
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1259Multistep manufacturing methods
    • H01L27/1288Multistep manufacturing methods employing particular masking sequences or specially adapted masks, e.g. half-tone mask
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/28Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including components using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part
    • H01L27/32Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including components using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part with components specially adapted for light emission, e.g. flat-panel displays using organic light-emitting diodes [OLED]
    • H01L27/3223Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including components using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part with components specially adapted for light emission, e.g. flat-panel displays using organic light-emitting diodes [OLED] combined with dummy elements, i.e. non-functional features
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/28Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including components using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part
    • H01L27/32Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including components using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part with components specially adapted for light emission, e.g. flat-panel displays using organic light-emitting diodes [OLED]
    • H01L27/3241Matrix-type displays
    • H01L27/3244Active matrix displays
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/28Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including components using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part
    • H01L27/32Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including components using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part with components specially adapted for light emission, e.g. flat-panel displays using organic light-emitting diodes [OLED]
    • H01L27/3241Matrix-type displays
    • H01L27/3244Active matrix displays
    • H01L27/326Active matrix displays special geometry or disposition of pixel-elements
    • H01L27/3262Active matrix displays special geometry or disposition of pixel-elements of TFT
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/28Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including components using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part
    • H01L27/32Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including components using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part with components specially adapted for light emission, e.g. flat-panel displays using organic light-emitting diodes [OLED]
    • H01L27/3241Matrix-type displays
    • H01L27/3244Active matrix displays
    • H01L27/3272Shielding, e.g. of TFT
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/28Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including components using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part
    • H01L27/32Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including components using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part with components specially adapted for light emission, e.g. flat-panel displays using organic light-emitting diodes [OLED]
    • H01L27/3241Matrix-type displays
    • H01L27/3244Active matrix displays
    • H01L27/3276Wiring lines
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L51/00Solid state devices using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices, or of parts thereof
    • H01L51/0096Substrates
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L51/00Solid state devices using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices, or of parts thereof
    • H01L51/50Solid state devices using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices, or of parts thereof specially adapted for light emission, e.g. organic light emitting diodes [OLED] or polymer light emitting devices [PLED]
    • H01L51/56Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices or of parts thereof
    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09GARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/04Structural and physical details of display devices
    • G09G2300/0421Structural details of the set of electrodes
    • G09G2300/0426Layout of electrodes and connections
    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09GARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/08Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
    • G09G2300/0809Several active elements per pixel in active matrix panels
    • G09G2300/0814Several active elements per pixel in active matrix panels used for selection purposes, e.g. logical AND for partial update
    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09GARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/08Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
    • G09G2300/0809Several active elements per pixel in active matrix panels
    • G09G2300/0842Several active elements per pixel in active matrix panels forming a memory circuit, e.g. a dynamic memory with one capacitor
    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09GARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/08Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
    • G09G2300/0809Several active elements per pixel in active matrix panels
    • G09G2300/0842Several active elements per pixel in active matrix panels forming a memory circuit, e.g. a dynamic memory with one capacitor
    • G09G2300/0861Several active elements per pixel in active matrix panels forming a memory circuit, e.g. a dynamic memory with one capacitor with additional control of the display period without amending the charge stored in a pixel memory, e.g. by means of additional select electrodes
    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09GARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/08Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
    • G09G2300/0809Several active elements per pixel in active matrix panels
    • G09G2300/0842Several active elements per pixel in active matrix panels forming a memory circuit, e.g. a dynamic memory with one capacitor
    • G09G2300/0861Several active elements per pixel in active matrix panels forming a memory circuit, e.g. a dynamic memory with one capacitor with additional control of the display period without amending the charge stored in a pixel memory, e.g. by means of additional select electrodes
    • G09G2300/0866Several active elements per pixel in active matrix panels forming a memory circuit, e.g. a dynamic memory with one capacitor with additional control of the display period without amending the charge stored in a pixel memory, e.g. by means of additional select electrodes by means of changes in the pixel supply voltage
    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09GARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2310/00Command of the display device
    • G09G2310/02Addressing, scanning or driving the display screen or processing steps related thereto
    • G09G2310/0243Details of the generation of driving signals
    • G09G2310/0245Clearing or presetting the whole screen independently of waveforms, e.g. on power-on
    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09GARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2310/00Command of the display device
    • G09G2310/02Addressing, scanning or driving the display screen or processing steps related thereto
    • G09G2310/0262The addressing of the pixel, in a display other than an active matrix LCD, involving the control of two or more scan electrodes or two or more data electrodes, e.g. pixel voltage dependent on signals of two data electrodes
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L2227/00Indexing scheme for devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid state components formed in or on a common substrate covered by group H01L27/00
    • H01L2227/32Devices including an organic light emitting device [OLED], e.g. OLED display
    • H01L2227/323Multistep processes for AMOLED
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/28Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including components using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part
    • H01L27/32Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including components using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part with components specially adapted for light emission, e.g. flat-panel displays using organic light-emitting diodes [OLED]
    • H01L27/3241Matrix-type displays
    • H01L27/3244Active matrix displays
    • H01L27/326Active matrix displays special geometry or disposition of pixel-elements
    • H01L27/3265Active matrix displays special geometry or disposition of pixel-elements of capacitor
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L51/00Solid state devices using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices, or of parts thereof
    • H01L51/0001Processes specially adapted for the manufacture or treatment of devices or of parts thereof
    • H01L51/0021Formation of conductors
    • H01L51/0023Patterning of conductive layers
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L51/00Solid state devices using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices, or of parts thereof
    • H01L51/50Solid state devices using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices, or of parts thereof specially adapted for light emission, e.g. organic light emitting diodes [OLED] or polymer light emitting devices [PLED]
    • H01L51/52Details of devices
    • H01L51/5296Light emitting organic transistors
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549Organic PV cells
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Abstract

A display device includes a base substrate, a first thin film transistor, a second thin film transistor, an organic light emitting diode, and a capacitor electrically connected to the first thin film transistor. The first thin film transistor includes a first semiconductor pattern disposed on the lower side of the first intermediate insulating layer and a first control electrode disposed on the upper side of the first intermediate insulating layer and disposed on the lower side of the second intermediate insulating layer. The second thin film transistor includes a second control electrode disposed on the upper side of the first intermediate insulating layer and disposed on the lower side of the second intermediate insulating layer, and a second semiconductor pattern disposed on the upper side of the second intermediate insulating layer. The operating characteristic of the display device can be improved.

Description

표시장치 및 그 제조방법{DISPLAY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME} TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a display device and a method of manufacturing the same,
본 발명은 표시장치 및 그 제조방법에 관한 것으로, 박막 트랜지스터들을 구비한 표시장치 및 그 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a display device and a method of manufacturing the same, and more particularly, to a display device including thin film transistors and a method of manufacturing the same.
표시장치는 복수 개의 화소들 및 복수 개의 화소들을 제어하는 구동회로(예컨대, 주사 구동회로 및 데이터 구동회로)를 포함한다. 복수 개의 화소들 각각은 표시소자 및 표시소자를 제어하는 화소의 구동회로를 포함한다. 화소의 구동회로는 유기적으로 연결된 복수 개의 박막 트랜지스터들을 포함할 수 있다.The display device includes a plurality of pixels and a driving circuit (e.g., a scan driving circuit and a data driving circuit) for controlling the plurality of pixels. Each of the plurality of pixels includes a display device and a driving circuit of a pixel for controlling the display device. The driving circuit of the pixel may include a plurality of organic thin film transistors.
주사 구동회로 및/또는 데이터 구동회로는 복수 개의 화소들과 동일한 공정을 통해 형성될 수 있다. 이러한 구동회로들은 유기적으로 연결된 복수 개의 박막 트랜지스터들을 포함할 수 있다.The scan driver circuit and / or the data driver circuit may be formed through the same process as the plurality of pixels. These driving circuits may include a plurality of thin film transistors that are connected to each other.
화소의 구동회로 박막 트랜지스터들은 구동 타이밍에 따라 서로 다른 바이어스 전압이 각각의 제어 전극, 입력 전극, 및 출력 전극에 인가된다. 주사 구동회로 및/또는 데이터 구동회로의 박막 트랜지스터들 역시 구동 타이밍에 따라 서로 다른 바이어스 전압이 각각의 제어 전극, 입력 전극, 및 출력 전극에 인가된다.In the driving circuit thin film transistors of the pixels, different bias voltages are applied to the respective control electrodes, the input electrodes, and the output electrodes in accordance with the driving timing. The thin film transistors of the scan driving circuit and / or the data driving circuit are also applied with different bias voltages to the respective control electrodes, the input electrodes, and the output electrodes according to the driving timing.
본 발명의 목적은 동작 특성이 향상된 박막 트랜지스터들을 포함하는 표시장치를 제공하는 것이다.It is an object of the present invention to provide a display device including thin film transistors with improved operational characteristics.
본 발명의 목적은 박막 트랜지스터들을 포함하는 표시장치의 제조방법을 제공하는 것이다.It is an object of the present invention to provide a method of manufacturing a display device including thin film transistors.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치는 베이스 기판 상에 배치된 제1 박막 트랜지스터, 제2 박막 트랜지스터, 발광 다이오드 및 상기 제1 박막 트랜지스터에 전기적으로 연결된 커패시터를 포함한다. 상기 제1 박막 트랜지스터는 제1 입력 전극, 제1 출력 전극, 제1 반도체 패턴, 및 제1 제어 전극을 포함한다. 제1 반도체 패턴은 제1 중간 절연층 하측에 배치된다. 제1 제어 전극은 상기 제1 중간 절연층 상측에 배치되고 제2 중간 절연층 하측에 배치된다. 상기 제2 박막 트랜지스터는 제2 입력 전극, 제2 출력 전극, 제2 반도체 패턴, 및 제2 제어 전극을 포함한다. 상기 제2 제어 전극은 상기 제1 중간 절연층 상측에 배치되고 상기 제2 중간 절연층 하측에 배치된다. 상기 제2 반도체 패턴은 상기 제2 중간 절연층 상측에 배치된다. 상기 발광 다이오드는 상기 제2 제어전극 상측에 배치된다. 상기 커패시터는 상기 제1 박막 트랜지스터에 전기적으로 연결된다. 상기 산화물 반도체는 수직 결정들을 포함할 수 있다.A display device according to an embodiment of the present invention includes a first thin film transistor, a second thin film transistor, a light emitting diode, and a capacitor electrically connected to the first thin film transistor disposed on a base substrate. The first thin film transistor includes a first input electrode, a first output electrode, a first semiconductor pattern, and a first control electrode. The first semiconductor pattern is disposed below the first intermediate insulating layer. The first control electrode is disposed above the first intermediate insulating layer and below the second intermediate insulating layer. The second thin film transistor includes a second input electrode, a second output electrode, a second semiconductor pattern, and a second control electrode. And the second control electrode is disposed on the upper side of the first intermediate insulating layer and below the second intermediate insulating layer. And the second semiconductor pattern is disposed above the second intermediate insulating layer. The light emitting diode is disposed above the second control electrode. The capacitor is electrically connected to the first thin film transistor. The oxide semiconductor may comprise vertical crystals.
상기 제2 입력 전극과 상기 제2 출력 전극 각각은, 상기 제2 반도체 패턴에 접촉하는 하측부분 및 상기 적어도 하나의 상부 절연층 상에 배치되고 상기 적어도 하나의 상부 절연층을 관통하는 제1 컨택홀을 통해 상기 하측부분에 연결된 상측부분을 포함할 수 있다.Wherein each of the second input electrode and the second output electrode includes a lower portion contacting the second semiconductor pattern and a first contact hole disposed on the at least one upper insulating layer and penetrating the at least one upper insulating layer, And an upper portion connected to the lower portion through the upper portion.
상기 제1 입력 전극과 상기 제1 출력 전극 각각은, 상기 적어도 하나의 상부 절연층 상에 배치되고, 상기 제1 중간 절연층, 상기 제2 중간 절연층, 및 상기 적어도 하나의 상부 절연층을 관통하는 제2 컨택홀을 통해 제1 반도체 패턴에 연결될 수 있다.Wherein each of the first input electrode and the first output electrode is disposed on the at least one upper insulating layer and is configured to penetrate the first intermediate insulating layer, the second intermediate insulating layer, and the at least one upper insulating layer To the first semiconductor pattern through the second contact hole.
상기 커패시터는, 상기 제1 제어전극과 동일한 층 상에 배치된 제1 전극 및 상기 하측부분과 동일한 층 상에 배치된 제2 전극을 포함할 수 있다. 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 상기 제2 중간 절연층이 배치될 수 있다.The capacitor may include a first electrode disposed on the same layer as the first control electrode and a second electrode disposed on the same layer as the lower portion. The second intermediate insulating layer may be disposed between the first electrode and the second electrode.
상기 제2 전극과 상기 제2 중간 절연층 사이에 배치된 더미 반도체 패턴을 더 포함할 수 있다.And a dummy semiconductor pattern disposed between the second electrode and the second intermediate insulating layer.
상기 더미 반도체 패턴과 상기 제2 반도체 패턴은 동일한 반도체 물질를 포함할 수 있다.The dummy semiconductor pattern and the second semiconductor pattern may include the same semiconductor material.
상기 제2 입력 전극의 상기 하측부분과 상기 제2 출력 전극의 상기 하측부분은 상기 제2 반도체 패턴 상에서 제1 방향으로 이격되어 배치되며, 상기 제2 입력 전극의 상기 하측부분과 상기 제2 출력 전극의 상기 하측부분은 평면 상에서 상기 제2 반도체 패턴의 내측에 배치될 수 있다.Wherein the lower portion of the second input electrode and the lower portion of the second output electrode are spaced apart in a first direction on the second semiconductor pattern and the lower portion of the second input electrode and the second output electrode The lower portion of the first semiconductor pattern may be disposed on the planar inner side of the second semiconductor pattern.
상기 제2 입력 전극의 상기 하측부분의 외측면은 상기 제2 반도체 패턴의 제1 외측면과 정렬되고, 상기 제2 출력 전극의 상기 하측부분의 외측면은 상기 제2 반도체 패턴의 제2 외측면과 정렬되고, 상기 제2 반도체 패턴의 상기 제1 외측면과 상기 제2 반도체 패턴의 상기 제2 외측면은 상기 제1 방향에서 마주할 수 있다.Wherein an outer surface of the lower portion of the second input electrode is aligned with a first outer surface of the second semiconductor pattern and an outer surface of the lower portion of the second output electrode is connected to a second outer surface of the second semiconductor pattern And the first outer side surface of the second semiconductor pattern and the second outer side surface of the second semiconductor pattern may face each other in the first direction.
상기 제1 제어 전극과 중첩하고, 상기 제2 중간 절연층 상에 배치된 도전패턴을 더 포함할 수 있다.And a conductive pattern overlapping the first control electrode and disposed on the second intermediate insulating layer.
상기 도전패턴은 상기 커패시터의 상기 제2 중간 절연층 상에 배치된 하나의 전극과 연결될 수 있다.The conductive pattern may be connected to one electrode disposed on the second intermediate insulating layer of the capacitor.
상기 도전패턴과 상기 제2 중간 절연층 사이에 배치된 더미 반도체 패턴을 더 포함할 수 있다.And a dummy semiconductor pattern disposed between the conductive pattern and the second intermediate insulating layer.
상기 더미 반도체 패턴과 상기 제2 반도체 패턴은 동일한 반도체 물질을 포함할 수 있다..The dummy semiconductor pattern and the second semiconductor pattern may comprise the same semiconductor material.
상기 하측부분에 중첩하는 상기 제2 반도체 패턴의 일부분은 도펀트로 도핑되고, 상기 더미 반도체 패턴은 상기 제2 반도체 패턴의 상기 일부분과 동일한 도펀트로 도핑될 수 있다.A portion of the second semiconductor pattern overlapping the lower portion may be doped with a dopant and the dummy semiconductor pattern may be doped with the same dopant as the portion of the second semiconductor pattern.
상기 제2 박막 트랜지스터는 상기 제2 제어 전극에 전기적으로 연결되고, 상기 적어도 하나의 상부 절연층 상에 배치된 제3 제어 전극을 더 포함할 수 있다.The second thin film transistor may further include a third control electrode electrically connected to the second control electrode and disposed on the at least one upper insulating layer.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치의 제조방법은 베이스 기판 상에 제1 반도체 패턴을 형성하는 단계, 베이스 기판 상에 상기 제1 반도체 패턴을 커버하는 제1 중간 절연층을 형성하는 단계, 상기 제1 중간 절연층 상에 상기 제1 반도체 패턴과 중첩하는 제1 제어 전극 및 상기 제1 반도체 패턴과 비중첩하는 제2 제어 전극을 형성하는 단계, 상기 제1 중간 절연층 상에 상기 제1 제어 전극 및 상기 제2 제어 전극을 커버하는 제2 중간 절연층을 형성하는 단계, 상기 제2 중간 절연층 상에 상기 제2 제어 전극과 중첩하는 제2 반도체 패턴 및 상기 제2 반도체 패턴에 연결된 제2 입력 전극의 하측부분 및 제2 출력 전극의 하측부분을 형성하는 단계, 상기 제2 중간 절연층 상에 적어도 하나의 상부 절연층을 형성하는 단계, 상기 상부 절연층 상에 상기 제2 입력 전극의 하측부분 및 상기 제2 출력 전극의 하측부분에 각각 연결된 상기 제2 입력 전극의 상측부분 및 상기 제2 출력 전극의 상측부분을 형성하는 단계, 상기 상부 절연층 상에 상기 제1 반도체 패턴과 연결된 제1 입력 전극 및 제1 출력 전극을 형성하는 단계 및 상기 적어도 하나의 상부 절연층 상에 발광 다이오드를 형성하는 단계를 포함할 수 있다.A method of manufacturing a display device according to an embodiment of the present invention includes the steps of forming a first semiconductor pattern on a base substrate, forming a first intermediate insulating layer covering the first semiconductor pattern on a base substrate, Forming a first control electrode overlapping the first semiconductor pattern on a first intermediate insulating layer and a second control electrode overlapping with the first semiconductor pattern on the first intermediate insulating layer, Forming a second intermediate insulating layer covering the electrode and the second control electrode, forming a second semiconductor pattern overlapping the second control electrode on the second intermediate insulating layer and a second semiconductor pattern overlapping the second control electrode, Forming a lower portion of the input electrode and a lower portion of the second output electrode, forming at least one upper insulating layer on the second intermediate insulating layer, Forming an upper portion of the second input electrode and an upper portion of the second output electrode respectively connected to the lower portion of the second output electrode and the lower portion of the second output electrode, Forming a first input electrode and a first output electrode, and forming a light emitting diode on the at least one upper insulating layer.
상기 제2 반도체 패턴, 상기 제2 입력 전극의 상기 하측부분 및 상기 제2 출력 전극의 상기 하측부분을 형성하는 단계는, 상기 제2 중간 절연층 상에 반도체층을 형성하는 단계, 상기 반도체층 상에 도전층을 형성하는 단계, 및 상기 제2 입력 전극의 상기 하측부분에 대응하는 제1 차광부분, 상기 제2 출력 전극의 상기 하측부분에 대응하는 제2 차광부분, 및 상기 제1 차광부분과 상기 제2 차광부분 사이에 배치된 반투과부분을 포함하는 하프톤 마스크를 이용하여 상기 반도체층과 상기 도전층을 식각하는 단계를 포함할 수 있다.Wherein forming the second semiconductor pattern, the lower portion of the second input electrode and the lower portion of the second output electrode comprises: forming a semiconductor layer on the second intermediate insulating layer; And a second shielding portion corresponding to the lower portion of the second output electrode and a second shielding portion corresponding to the first shielding portion corresponding to the lower portion of the second input electrode, And etching the semiconductor layer and the conductive layer using a halftone mask including a semi-transparent portion disposed between the second light-shielding portions.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치의 제조방법은 상기 제2 중간 절연층 상에 상기 제1 제어 전극과 중첩하는 더미 반도체 패턴을 형성하는 단계 및 상기 더미 반도체 패턴 상에 도전패턴을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.A method of manufacturing a display device according to an embodiment of the present invention includes the steps of forming a dummy semiconductor pattern overlying the first control electrode on the second intermediate insulating layer and forming a conductive pattern on the dummy semiconductor pattern As shown in FIG.
상기 적어도 하나의 상부 절연층 상에 상기 제2 제어 전극과 연결된 제3 제어 전극을 형성하는 단계 더 포함할 수 있다.And forming a third control electrode connected to the second control electrode on the at least one upper insulating layer.
상술한 바에 따르면, 데이터 신호를 출력하는 제2 박막 트랜지스터의 게이트 절연층 기능을 갖는 제2 중간 절연층은 얇은 두께를 갖는다. 제2 박막 트랜지스터의 턴-온 전류 특성이 향상된다.According to the above description, the second intermediate insulating layer having the gate insulating layer function of the second thin film transistor for outputting the data signal has a thin thickness. The turn-on current characteristic of the second thin film transistor is improved.
데이터 라인은 상부 절연층 상에 배치된다. 상부 절연층이 산화물 반도체의 채널영역을 커버할 수 있다. 산화물 반도체를 커버하기 위한 별도의 무기층을 필요로 하지 않는다.The data lines are disposed on the upper insulating layer. The upper insulating layer may cover the channel region of the oxide semiconductor. A separate inorganic layer for covering the oxide semiconductor is not required.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치의 블럭도이다.
도 2a 본 발명의 일 실시예에 따른 화소의 등가회로도이다.
도 2b는 도 2a에 도시된 화소를 구동하기 위한 구동신호들의 파형도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 화소에 대응하는 표시장치의 단면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 화소의 등가회로도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 화소에 대응하는 표시장치의 단면도이다.
도 6a 내지 도 6g는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치의 제조방법을 도시한 단면도이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 화소에 대응하는 표시장치의 단면도이다.
도 8a 내지 도 8f는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치의 제조방법을 도시한 단면도이다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 화소에 대응하는 표시장치의 단면도이다.
1 is a block diagram of a display device according to an embodiment of the present invention.
2A is an equivalent circuit diagram of a pixel according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2B is a waveform diagram of driving signals for driving the pixel shown in FIG. 2A.
3 is a cross-sectional view of a display device corresponding to a pixel according to an embodiment of the present invention.
4 is an equivalent circuit diagram of a pixel according to an embodiment of the present invention.
5 is a cross-sectional view of a display device corresponding to a pixel according to an embodiment of the present invention.
6A to 6G are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a display device according to an embodiment of the present invention.
7 is a cross-sectional view of a display device corresponding to a pixel according to an embodiment of the present invention.
8A to 8F are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a display device according to an embodiment of the present invention.
9 is a cross-sectional view of a display device corresponding to a pixel according to an embodiment of the present invention.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명한다. 본 명세서에서, 어떤 구성요소(또는 영역, 층, 부분 등)가 다른 구성요소 “상에 있다”, “연결 된다”, 또는 “결합 된다”고 언급되는 경우에 그것은 다른 구성요소 상에 직접 연결/결합될 수 있거나 또는 그들 사이에 제3의 구성요소가 배치될 수도 있다는 것을 의미한다. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the present specification, when it is mentioned that any element (or region, layer, portion, etc.) is "on", "connected", or "coupled" to another element, Or a third component may be disposed therebetween.
동일한 도면부호는 동일한 구성요소를 지칭한다. 또한, 도면들에 있어서, 구성요소들의 두께, 비율, 및 치수는 기술적 내용의 효과적인 설명을 위해 과장된 것이다. “및/또는”은 연관된 구성들이 정의할 수 있는 하나 이상의 조합을 모두 포함한다.Like reference numerals refer to like elements. Also, in the drawings, thickness, ratio, and dimensions of components are exaggerated for an effective description of the technical content. &Quot; and / or " include all combinations of one or more of which the associated configurations can define.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.The terms first, second, etc. may be used to describe various components, but the components should not be limited by the terms. The terms are used only for the purpose of distinguishing one component from another. For example, without departing from the scope of the present invention, the first component may be referred to as a second component, and similarly, the second component may also be referred to as a first component. The singular expressions include plural expressions unless the context clearly dictates otherwise.
또한, “아래에”, “하측에”, “위에”, “상측에” 등의 용어는 도면에 도시된 구성들의 연관관계를 설명하기 위해 사용된다. 상기 용어들은 상대적인 개념으로, 도면에 표시된 방향을 기준으로 설명된다.Also, terms such as " below ", " below ", " above ", " above ", and the like are used to describe the relationship of the configurations shown in the drawings. The terms are described relative to the direction shown in the figure in a relative concept.
"포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.It will be understood that terms such as "comprise" or "comprise ", when used in this specification, specify the presence of stated features, integers, , &Quot; an ", " an ", " an "
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치의 블럭도이다. 표시장치는 타이밍 제어부(TC), 주사 구동회로(SDC), 데이터 구동회로(DDC), 및 표시패널(DP)을 포함한다. 본 실시예에서 표시패널(DP)은 발광형 표시패널로 설명된다. 그러나, 본 발명에 따른 표시장치에 있어서 표시패널의 종류는 제한되지 않는다.1 is a block diagram of a display device according to an embodiment of the present invention. The display device includes a timing control part TC, a scan driving circuit SDC, a data driving circuit DDC, and a display panel DP. In this embodiment, the display panel DP is described as a light-emitting display panel. However, the type of display panel in the display device according to the present invention is not limited.
타이밍 제어부(TC)는 입력 영상신호들(미 도시)을 수신하고, 주사 구동회로(SDC)와의 인터페이스 사양에 맞도록 입력 영상신호들의 데이터 포맷을 변환하여 영상 데이터들(D-RGB)을 생성한다. 타이밍 제어부(TC)는 영상 데이터들(D-RGB)과 각종 제어 신호들(DCS, SCS)을 출력한다.The timing controller TC receives the input video signals (not shown) and converts the data format of the input video signals according to the interface specification with the scan driver circuit SDC to generate the image data D-RGB . The timing controller TC outputs image data D-RGB and various control signals DCS and SCS.
주사 구동회로(SDC)는 타이밍 제어부(TC)로부터 주사 제어 신호(SCS)를 수신한다. 주사 제어 신호(SCS)는 주사 구동회로(SDC)의 동작을 개시하는 수직개시신호, 신호들의 출력 시기를 결정하는 클럭신호 등을 포함할 수 있다. 주사 구동회로(SDC)는 복수 개의 주사 신호들을 생성하고, 복수 개의 주사 신호들을 후술하는 복수 개의 주사 라인들(SL1~SLn)에 순차적으로 출력한다. 또한, 주사 구동회로(SDC)는 주사 제어 신호(SCS)에 응답하여 복수 개의 발광 제어 신호들을 생성하고, 후술하는 복수 개의 발광 라인들(EL1~ELn)에 복수 개의 발광 제어 신호들을 출력한다.The scan driver circuit SDC receives the scan control signal SCS from the timing controller TC. The scan control signal SCS may include a vertical start signal for starting the operation of the scan driving circuit SDC, a clock signal for determining the output timing of the signals, and the like. The scan driver circuit SDC generates a plurality of scan signals and sequentially outputs the plurality of scan signals to a plurality of scan lines SL1 to SLn to be described later. The scan driving circuit SDC generates a plurality of emission control signals in response to the scan control signal SCS and outputs a plurality of emission control signals to a plurality of emission lines EL1 to ELn described later.
도 1에서 복수 개의 주사 신호들과 복수 개의 발광 제어 신호들이 하나의 주사 구동회로(SDC)로부터 출력되는 것으로 도시하였지만, 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 일 실시예에서, 복수 개의 주사 구동회로가 복수 개의 주사 신호들을 분할하여 출력하고, 복수 개의 발광 제어 신호들을 분할하여 출력할 수 있다. 또한, 본 발명의 일 실시예에서, 복수 개의 주사 신호들을 생성하여 출력하는 구동회로와 복수 개의 발광 제어 신호들을 생성하여 출력하는 구동회로는 별개로 구분될 수 있다.In FIG. 1, a plurality of scan signals and a plurality of emission control signals are output from one scan driving circuit (SDC), but the present invention is not limited thereto. In one embodiment of the present invention, a plurality of scan driving circuits divide and output a plurality of scan signals, and a plurality of emission control signals may be divided and output. In addition, in an embodiment of the present invention, a driving circuit for generating and outputting a plurality of scanning signals and a driving circuit for generating and outputting a plurality of emission control signals may be separately classified.
데이터 구동회로(DDC)는 타이밍 제어부(TC)로부터 데이터 제어 신호(DCS) 및 영상 데이터들(D-RGB)을 수신한다. 데이터 구동회로(DDC)는 영상 데이터들(D-RGB)을 데이터 신호들로 변환하고, 데이터 신호들을 후술하는 복수 개의 데이터 라인들(DL1~DLm)에 출력한다. 데이터 신호들은 영상 데이터들(D-RGB)의 계조값에 대응하는 아날로그 전압들이다.The data driving circuit DDC receives the data control signal DCS and the image data D-RGB from the timing controller TC. The data driving circuit DDC converts the image data (D-RGB) into data signals and outputs the data signals to a plurality of data lines DL1 to DLm described later. The data signals are analog voltages corresponding to the gradation values of the image data (D-RGB).
발광 표시패널(DP)은 복수 개의 주사 라인들(SL1~SLn), 복수 개의 발광 라인들(EL1~ELn), 복수 개의 데이터 라인들(DL1~DLm), 및 복수 개의 화소들(PX)을 포함한다. 복수 개의 주사 라인들(SL1~SLn)은 제1 방향(DR1)으로 연장되고, 제1 방향(DR1)에 직교하는 제2 방향(DR2)으로 나열된다. 복수 개의 발광 라인들(EL1~ELn) 각각은 복수 개의 주사 라인들(SL1~SLn) 중 대응하는 주사 라인에 나란하게 배열될 수 있다. 복수 개의 데이터 라인들(DL1~DLm)은 복수 개의 주사 라인들(SL1~SLn)과 절연되게 교차한다. 복수 개의 화소들(PX) 각각은 복수 개의 주사 라인들(SL1~SLn) 중 대응하는 주사 라인, 복수 개의 발광 라인들(EL1~ELn) 중 대응하는 발광 라인, 및 복수 개의 데이터 라인들(DL1~DLm) 중 대응하는 데이터 라인들에 접속된다. The light emitting display panel DP includes a plurality of scan lines SL1 to SLn, a plurality of light emitting lines EL1 to ELn, a plurality of data lines DL1 to DLm, and a plurality of pixels PX do. The plurality of scan lines SL1 to SLn extend in the first direction DR1 and are arranged in the second direction DR2 orthogonal to the first direction DR1. Each of the plurality of light emitting lines EL1 to ELn may be arranged in parallel to a corresponding one of the plurality of scan lines SL1 to SLn. The plurality of data lines DL1 to DLm insulately intersect the plurality of scan lines SL1 to SLn. Each of the plurality of pixels PX includes a corresponding scan line among the plurality of scan lines SL1 to SLn, a corresponding light emitting line among the plurality of light emitting lines EL1 to ELn, and a plurality of data lines DL1- RTI ID = 0.0 > DLm. ≪ / RTI >
복수 개의 화소들(PX) 각각은 제1 전압(ELVDD) 및 제1 전압(ELVDD)보다 낮은 레벨의 제2 전압(ELVSS)을 수신한다. 복수 개의 화소들(PX) 각각은 제1 전압(ELVDD)이 인가되는 전원 라인(PL)에 접속된다. 복수 개의 화소들(PX) 각각은 초기화 전압(Vint)을 수신하는 초기화 라인(RL)에 접속된다.Each of the plurality of pixels PX receives the first voltage ELVDD and the second voltage ELVSS at a level lower than the first voltage ELVDD. Each of the plurality of pixels PX is connected to a power supply line PL to which the first voltage ELVDD is applied. Each of the plurality of pixels PX is connected to an initialization line RL that receives the initialization voltage Vint.
복수 개의 화소들(PX) 각각은 3개의 주사 라인들에 전기적으로 연결될 수 있다. 도 1에 도시된 것과 같이, 제2 번째 화소행의 화소들은 제1 번째 내지 제3 번째 주사 라인(SL1 내지 SL3)에 연결될 수 있다.Each of the plurality of pixels PX may be electrically connected to three scan lines. As shown in FIG. 1, the pixels of the second pixel row may be connected to the first to third scan lines SL1 to SL3.
미 도시되었으나, 발광 표시패널(DP)은 복수 개의 더미 주사 라인들을 더 포함할 수 있다. 발광 표시패널(DP)은 제1 번째 화소행의 화소들(PX)에 연결된 더미 주사 라인 및 제n 번째 화소행의 화소들(PX)에 연결된 더미 주사 라인을 더 포함할 수 있다. 또한, 복수 개의 데이터 라인들(DL1~DLm) 중 어느 하나의 데이터 라인에 연결된 화소들(이하, 화소열의 화소들)은 서로 연결될 수 있다. 화소열의 화소들 중 인접하는 2개의 화소들이 전기적으로 연결될 수 있다.Although not shown, the light emitting display panel DP may further include a plurality of dummy scan lines. The light emitting display panel DP may further include a dummy scan line connected to the pixels PX of the first pixel row and a dummy scan line connected to the pixels PX of the n-th pixel row. In addition, pixels connected to any one of the plurality of data lines DL1 to DLm (hereinafter, pixels of the pixel column) may be connected to each other. Two adjacent pixels among the pixels of the pixel column may be electrically connected.
이상에서, 도 1을 참조하여 일 실시예에 따른 표시장치를 설명하였으나, 본 발명의 표시장치는 이에 제한되지 않는다. 화소 구동회로의 구성에 따라 신호라인들이 더 추가되거나, 생략될 수 있다. 또한, 하나의 화소와 주사 라인들의 연결관계도 변경될 수 있다.Although the display device according to one embodiment has been described with reference to FIG. 1, the display device of the present invention is not limited thereto. Signal lines may be further added or omitted depending on the configuration of the pixel driving circuit. Also, the connection relationship of one pixel and the scan lines can be changed.
복수 개의 화소들(PX)은 레드 컬러를 발광하는 레드 화소들, 그린 컬러를 발광하는 그린 화소들, 및 블루 컬러를 발광하는 블루 화소들을 포함할 수 있다. 복수 개의 화소들(PX) 각각은 발광 다이오드(미 도시) 및 발광 다이오드의 발광을 제어하는 화소의 구동회로(미 도시)를 포함한다. 레드 화소의 발광 다이오드, 그린 화소의 발광 다이오드, 및 블루 화소의 발광 다이오드는 서로 다른 물질의 발광층을 포함할 수 있다. 본 실시예에서 발광 다이오드는 유기 발광층을 포함하는 유기발광 다이오드로 설명된다. 그러나 본 발명은 이에 제한되지 않는다. 발광층은 퀀텀닷 퀀텀로드, 퀀텀튜브와 같은 무기 발광물질을 포함할 수 있다. 이하, 발광 표시패널은 유기발광 표시패널로 설명된다.The plurality of pixels PX may include red pixels emitting red color, green pixels emitting green color, and blue pixels emitting blue color. Each of the plurality of pixels PX includes a light emitting diode (not shown) and a driving circuit (not shown) of a pixel for controlling light emission of the light emitting diode. The light emitting diode of the red pixel, the light emitting diode of the green pixel, and the light emitting diode of the blue pixel may include a light emitting layer of different material. In this embodiment, the light emitting diode is described as an organic light emitting diode including an organic light emitting layer. However, the present invention is not limited thereto. The light emitting layer may comprise an inorganic light emitting material such as a Quantum Dot Quantum Rod, a Quantum Tube. Hereinafter, the light emitting display panel will be described as an organic light emitting display panel.
화소 구동회로는 복수 개의 박막 트랜지스터(이하, 트랜지스터)와 박막 트랜지스터에 전기적으로 연결된 커패시터를 포함할 수 있다. 주사 구동회로(SDC)와 데이터 구동회로(DDC) 중 적어도 어느 하나는 화소 구동회로와 동일한 공정을 통해 형성된 복수 개의 박막 트랜지스터들을 포함할 수 있다.The pixel driver circuit may include a plurality of thin film transistors (hereinafter referred to as transistors) and a capacitor electrically connected to the thin film transistors. At least one of the scan driver circuit SDC and the data driver circuit DDC may include a plurality of thin film transistors formed through the same process as the pixel driver circuit.
복수 회의 포토리소그래피 공정을 통해 베이스 기판(미 도시) 상에 복수 개의 주사 라인들(SL1~SLn), 복수 개의 발광 라인들(EL1~ELn), 복수 개의 데이터 라인들(DL1~DLm), 전원 라인(PL), 초기화 라인(RL), 복수 개의 화소들(PX), 주사 구동회로(SDC), 및 데이터 구동회로(DDC)을 형성할 수 있다. 복수 회의 증착공정 또는 코팅공정을 통해 베이스 기판(미 도시) 상에 복수 개의 절연층들을 형성할 수 있다. 복수 개의 절연층들 각각은 표시패널(DP) 전체(도 2를 참조하여 설명하는 베이스 기판(SUB)의 상면 전체)를 커버하는 박막이거나, 표시패널(DP)의 특정 구성에만 중첩하는 적어도 하나의 절연 패턴을 포함할 수 있다. 절연층들은 유기층 및/또는 무기층을 포함한다. 그밖에 복수 개의 화소들(PX)을 보호하는 봉지층(미 도시)을 베이스 기판 상에 더 형성할 수 있다.A plurality of scanning lines SL1 to SLn, a plurality of light emitting lines EL1 to ELn, a plurality of data lines DL1 to DLm, An initialization line RL, a plurality of pixels PX, a scan driver circuit SDC, and a data driver circuit DDC. A plurality of insulating layers may be formed on a base substrate (not shown) through a plurality of deposition processes or coating processes. Each of the plurality of insulating layers may be a thin film covering the entire display panel DP (the entire upper surface of the base substrate SUB described with reference to FIG. 2), or a thin film covering at least one And may include an insulating pattern. The insulating layers include an organic layer and / or an inorganic layer. In addition, an encapsulating layer (not shown) for protecting the plurality of pixels PX may be further formed on the base substrate.
도 2a 본 발명의 일 실시예에 따른 화소(PXi)의 등가회로도이다. 도 2b는 도 2a에 도시된 화소(PXi)를 구동하기 위한 구동신호들의 파형도이다.2A is an equivalent circuit diagram of a pixel PXi according to an embodiment of the present invention. 2B is a waveform diagram of driving signals for driving the pixel PXi shown in FIG. 2A.
도 2a에는 복수 개의 데이터 라인들(DL1~DLm) 중 k번째 데이터 라인(DLk)에 연결된 i번째 화소(PXi)를 예시적으로 도시하였다. i번째 화소(PXi)는 i번째 주사 라인(SLi)에 인가된 i번째 주사 신호(Si)에 응답하여 활성화된다.In FIG. 2A, an i-th pixel PXi connected to a k-th data line DLk among the plurality of data lines DL1 to DLm is exemplarily shown. The i-th pixel PXi is activated in response to the i-th scan signal Si applied to the i-th scan line SLi.
i번째 화소(PXi)는 유기발광 다이오드(OLED) 및 유기발광 다이오드를 제어하는 화소 구동회로를 포함한다. 화소 구동회로는 7개의 박막 트랜지스터들(T1~T7) 및 하나의 커패시터(Cst)를 포함할 수 있다. 이하, 7개의 박막 트랜지스터들(T1~T7)은 N타입의 박막 트랜지스터인 것으로 설명된다. 본 발명의 일 실시예에서 박막 트랜지스터들(T1~T7)은 P타입의 박막 트랜지스터일 수도 있다. 도 2a 및 도 2b를 설명함에 있어서 트랜지스터는 박막 트랜지스터를 의미한다.The i-th pixel PXi includes an organic light emitting diode (OLED) and a pixel driving circuit for controlling the organic light emitting diode. The pixel driving circuit may include seven thin film transistors T1 to T7 and one capacitor Cst. Hereinafter, the seven thin film transistors T1 to T7 are described as N type thin film transistors. In one embodiment of the present invention, the thin film transistors T1 to T7 may be P type thin film transistors. 2A and 2B, the transistor means a thin film transistor.
구동 트랜지스터는 유기발광 다이오드(OLED)에 공급되는 구동전류를 제어한다. 본 발명의 실시예에서 구동 트랜지스터는 제1 트랜지스터(T1)일 수 있다. 제1 트랜지스터(T1)의 출력전극은 유기발광 다이오드(OLED)와 전기적으로 연결된다. 제1 트랜지스터(T1)의 출력전극은 유기발광 다이오드(OLED)의 애노드와 직접 접촉하거나, 다른 트랜지스터를 경유하여 연결될 수 있다.The driving transistor controls the driving current supplied to the organic light emitting diode (OLED). In an embodiment of the present invention, the driving transistor may be the first transistor T1. The output electrode of the first transistor T1 is electrically connected to the organic light emitting diode OLED. The output electrode of the first transistor T1 may be in direct contact with the anode of the organic light emitting diode OLED or may be connected via another transistor.
제어 트랜지스터의 제어 전극은 제어 신호를 수신할 수 있다. i번째 화소(PXi)에 인가되는 제어 신호는 i-1번째 주사 신호(Si-1), i번째 주사 신호(Si), i+1번째 주사 신호(Si+1), 데이터 신호(Dk), 및 i번째 발광 제어 신호(Ei)를 포함할 수 있다. 본 발명의 실시예에서 제어 트랜지스터는 제2 내지 제7 트랜지스터들(T2~T7)을 포함할 수 있다. The control electrode of the control transistor can receive the control signal. the control signal applied to the i-th pixel PXi is the i-th scan signal Si-1, the i-th scan signal Si, the (i + 1) -th scan signal Si + 1, And an i < th > emission control signal Ei. In the embodiment of the present invention, the control transistor may include the second to seventh transistors T2 to T7.
제4 트랜지스터(T4)의 출력 전극과 제1 트랜지스터(T1)의 제어 전극 사이의 노드는 제1 노드(N1)로 정의되고, 제7 트랜지스터(T7)와 커패시터(Cst) 사이의 노드는 제2 노드(N2)로 정의된다.A node between the output terminal of the fourth transistor T4 and the control electrode of the first transistor T1 is defined as a first node N1 and a node between the seventh transistor T7 and the capacitor Cst is defined as a second node N1. And is defined as a node N2.
제1 트랜지스터(T1)는 제5 트랜지스터(T5)를 경유하여 제1 전압(ELVDD)을 수신하는 입력 전극, 제1 노드(N1)에 접속된 제어 전극, 및 출력 전극을 포함한다. 제1 트랜지스터(T1)의 출력 전극은 제6 트랜지스터(T6)를 경유하여 유기발광 다이오드(OLED)에 제1 전압(ELVDD)을 제공한다. 제1 트랜지스터(T1)의 입력 전극은 제3 트랜지스터(T3)를 경유하여 제1 노드(N1)에 접속된다. 제1 트랜지스터(T1)는 제1 노드(N1)의 전위에 대응하여 유기발광 다이오드(OLED)에 공급되는 구동전류를 제어한다. The first transistor T1 includes an input electrode for receiving the first voltage ELVDD via the fifth transistor T5, a control electrode connected to the first node N1, and an output electrode. The output electrode of the first transistor T1 provides the first voltage ELVDD to the organic light emitting diode OLED via the sixth transistor T6. The input electrode of the first transistor T1 is connected to the first node N1 via the third transistor T3. The first transistor T1 controls the driving current supplied to the organic light emitting diode OLED corresponding to the potential of the first node N1.
제2 트랜지스터(T2)는 k번째 데이터 라인(DLk)에 접속된 입력 전극, i번째 주사 라인(SLi)에 접속된 제어 전극, 및 제1 트랜지스터(T1)의 출력 전극에 접속된 출력 전극을 포함한다. 제2 트랜지스터(T2)는 i번째 주사 라인(SLi)에 인가된 주사 신호(Si, 이하 i번째 주사 신호)에 의해 턴-온되고, k번째 데이터 라인(DLk)에 인가된 데이터 신호(Dk)를 커패시터(Cst)에 제공한다. 제2 트랜지스터(T2)는 스위칭 트랜지스터로 지칭될 수 있다. The second transistor T2 includes an input electrode connected to the k-th data line DLk, a control electrode connected to the i-th scan line SLi, and an output electrode connected to the output electrode of the first transistor T1 do. The second transistor T2 is turned on by the scan signal Si applied to the i-th scan line SLi (hereinafter referred to as the i-th scan signal), and the data signal Dk applied to the k- To the capacitor Cst. The second transistor T2 may be referred to as a switching transistor.
제3 트랜지스터(T3)는 제1 트랜지스터(T1)의 입력 전극에 접속된 입력 전극, i번째 주사 라인(SLi)에 접속된 제어 전극, 및 제1 노드(N1)에 접속된 출력 전극을 포함한다. 제3 트랜지스터(T3)는 i번째 주사 신호(Si)에 응답하여 턴-온된다. The third transistor T3 includes an input electrode connected to the input electrode of the first transistor T1, a control electrode connected to the ith scan line SLi, and an output electrode connected to the first node N1 . The third transistor T3 is turned on in response to the i-th scan signal Si.
제2 트랜지스터(T2) 및 제3 트랜지스터(T3)가 턴-온될 때, 제1 트랜지스터(T1)는 제2 트랜지스터(T2)와 제3 트랜지스터(T3) 사이에 다이오드 형태로 접속된다. 그에 따라, 제2 트랜지스터(T2)는 제1 트랜지스터(T1) 및 제3 트랜지스터(T3)를 경유하여 제1 노드(N1)에 접속된다. When the second transistor T2 and the third transistor T3 are turned on, the first transistor T1 is diode-connected between the second transistor T2 and the third transistor T3. Accordingly, the second transistor T2 is connected to the first node N1 via the first transistor T1 and the third transistor T3.
커패시터(Cst)는 제1 노드(N1)와 유기발광 다이오드(OLED)의 애노드 사이에 접속된다. 커패시터(Cst)는 제1 노드(N1)에 인가된 전압에 대응하는 전압을 충전한다.The capacitor Cst is connected between the first node N1 and the anode of the organic light emitting diode OLED. The capacitor Cst charges the voltage corresponding to the voltage applied to the first node N1.
제4 트랜지스터(T4)는 전원 라인(PL)에 접속된 입력 전극, i-1번째 주사 신호(Si-1)를 수신하는 제어 전극, 및 제1 노드(N1)에 접속된 출력 전극을 포함한다. 제4 트랜지스터(T4)는 i-1번째 주사 신호(Si-1)에 응답하여 스위칭된다. 제4 트랜지스터(T4)의 제어 전극은 i-1번째 주사 라인(SLi-1)에 접속될 수 있다. i-1번째 주사 신호(Si-1)가 인가되는 신호라인은 더미 신호라인 등으로 변경될 수도 있다.The fourth transistor T4 includes an input electrode connected to the power supply line PL, a control electrode receiving the (i-1) th scan signal Si-1, and an output electrode connected to the first node N1 . The fourth transistor T4 is switched in response to the (i-1) th scan signal Si-1. The control electrode of the fourth transistor T4 may be connected to the (i-1) th scan line SLi-1. the signal line to which the (i-1) th scan signal Si-1 is applied may be changed to a dummy signal line or the like.
제5 트랜지스터(T5)는 전원 라인(PL)에 접속된 입력 전극, i번째 발광 라인(ELi)에 접속된 제어 전극, 및 제1 트랜지스터(T1)의 입력 전극에 접속된 출력 전극을 포함한다. 제5 트랜지스터(T5)는 i번째 발광 제어 신호(Ei)에 응답하여 스위칭된다.The fifth transistor T5 includes an input electrode connected to the power supply line PL, a control electrode connected to the i-th light emitting line ELi, and an output electrode connected to the input electrode of the first transistor T1. The fifth transistor T5 is switched in response to the i-th emission control signal Ei.
제6 트랜지스터(T6)는 제1 트랜지스터(T1)의 출력 전극에 접속된 입력 전극, i번째 발광 라인(ELi)에 접속된 제어 전극, 및 유기발광 다이오드(OLED)의 애노드에 접속된 출력 전극을 포함한다. 제6 트랜지스터(T6)는 i번째 발광 라인(ELi)으로부터 공급되는 i번째 발광 제어 신호(Ei)에 응답하여 스위칭된다. The sixth transistor T6 includes an input electrode connected to the output electrode of the first transistor T1, a control electrode connected to the ith light emitting line ELi, and an output electrode connected to the anode of the organic light emitting diode OLED . The sixth transistor T6 is switched in response to the i-th emission control signal Ei supplied from the i-th emission line ELi.
제5 트랜지스터(T5) 및 제6 트랜지스터(T6)의 동작에 따라 전원 라인(PL)과 유기발광 다이오드(OLED) 사이에 전류패스가 형성 또는 차단된다. 본 발명의 일 실시예에서 제5 트랜지스터(T5) 및 제6 트랜지스터(T6) 중 어느 하나는 생략될 수도 있다.A current path is formed or cut off between the power supply line PL and the organic light emitting diode OLED according to the operation of the fifth transistor T5 and the sixth transistor T6. In an embodiment of the present invention, either the fifth transistor T5 or the sixth transistor T6 may be omitted.
제7 트랜지스터(T7)는 초기화 라인(RL)에 접속된 입력 전극, i+1번째 주사 신호(Si+1)를 수신하는 제어 전극, 및 유기발광 다이오드(OLED)의 애노드에 접속된 출력 전극을 포함한다. 제7 트랜지스터(T7)의 제어 전극은 i+1번째 주사 라인(SLi+1)에 접속될 수 있다. i+1번째 주사 신호(Si+1)가 인가되는 신호라인은 더미 신호라인 등으로 변경될 수도 있다. The seventh transistor T7 includes an input electrode connected to the initialization line RL, a control electrode for receiving the (i + 1) th scan signal Si + 1, and an output electrode connected to the anode of the organic light emitting diode OLED . The control electrode of the seventh transistor T7 may be connected to the (i + 1) th scan line SLi + 1. The signal line to which the (i + 1) th scan signal (Si + 1) is applied may be changed to a dummy signal line or the like.
제4 트랜지스터(T4)가 턴-온되면, 제1 노드(N1)는 제1 전압(ELVDD)에 의해 리셋된다. 제7 트랜지스터(T7)가 턴-온되면, 제2 노드(N2)는 초기화 전압(Vint)에 의해 초기화된다. 유기발광 다이오드(OLED)의 애노드는 제7 트랜지스터(T7)가 턴-온될 때 초기화 전압(Vint)에 의해 초기화된다. 초기화 전압(Vint)과 유기발광 다이오드(OLED)의 캐소드에 인가된 제2 전압(ELVSS) 사이의 전위차는 유기발광 다이오드(OLED)의 발광 문턱전압 보다 작을 수 있다.When the fourth transistor T4 is turned on, the first node N1 is reset by the first voltage ELVDD. When the seventh transistor T7 is turned on, the second node N2 is initialized by the initializing voltage Vint. The anode of the organic light emitting diode OLED is initialized by the initializing voltage Vint when the seventh transistor T7 is turned on. The potential difference between the initialization voltage Vint and the second voltage ELVSS applied to the cathode of the organic light emitting diode OLED may be smaller than the emission threshold voltage of the organic light emitting diode OLED.
도 2a 및 도 2b을 참조하여 i번째 화소(PXi)의 동작을 좀 더 상세히 설명한다. 유기발광 표시패널(DP, 도 1 참조)은 프레임 구간들마다 영상을 표시한다. 각각의 프레임 구간들 동안 복수 개의 주사 라인들(SL1~SLn)에 복수 개의 주사 신호들이 순차적으로 스캐닝된다. 도 2b는 어느 하나의 프레임 구간 중 일부를 도시하였다. The operation of the i-th pixel PXi will be described in more detail with reference to FIGS. 2A and 2B. The organic light emitting display panel DP (see FIG. 1) displays an image for each frame interval. A plurality of scan signals are sequentially scanned on the plurality of scan lines SL1 to SLn during each frame period. FIG. 2B shows a part of one of the frame sections.
i-1번째 주사 신호 (Si-1)는 제1 초기화 구간(RP1) 중에 활성화된다. 본 실시예에서 도 2a에 도시된 신호들은 하이 레벨을 가질 때, 활성화되는 것으로 설명된다. 도 2b에 도시된 신호들의 하이 레벨은 해당 신호들이 인가되는 트랜지스터의 턴-온 전압일 수 있다. The (i-1) th scan signal Si-1 is activated during the first initialization period RP1. In this embodiment, the signals shown in Fig. 2A are described as being activated when they have a high level. The high level of the signals shown in FIG. 2B may be the turn-on voltage of the transistor to which the signals are applied.
i-1번째 주사 신호(Si-1)에 의해 제4 트랜지스터(T4)가 턴-온 됨에 따라 제1 전압(ELVDD)은 제1 노드(N1)에 인가된다. i번째 주사 신호(Si)는 제1 초기화 구간(RP1) 다음에 정의되는 데이터 기입 구간(DIP) 중에 활성화된다. 데이터 기입 구간(DIP)에 활성화된 주사 신호(Si)에 의해 제2 트랜지스터(T2) 및 제3 트랜지스터(T3)가 턴-온되고, 제1 트랜지스터(T1)는 제2 트랜지스터(T2)와 제3 트랜지스터(T3) 사이에 다이오드 접속된다.the first voltage ELVDD is applied to the first node N1 as the fourth transistor T4 is turned on by the (i-1) th scan signal Si-1. The i-th scan signal Si is activated during the data write period DIP defined after the first initialization period RP1. The second transistor T2 and the third transistor T3 are turned on by the scan signal Si activated in the data write period DIP and the first transistor T1 is turned on by the second transistor T2, And is diode-connected between the third transistor T3.
데이터 기입 구간(DIP) 동안 k번째 데이터 라인(DLk)으로는 데이터 신호(Dk)가 공급된다. 데이터 신호(Dk)는 제2 트랜지스터(T2), 제1 트랜지스터(T1), 및 제3 트랜지스터(T3)를 경유하여 제1 노드(N1)에 제공된다. 이때, 제2 트랜지스터(T2)는 다이오드 접속된 상태이므로, 제1 노드(N1)에는 데이터 신호(Dk)와 제2 트랜지스터(T2)의 문턱전압의 차전압이 제공된다. 데이터 기입 구간(DIP) 동안에 제2 노드(N2)와 제2 노드(N2) 사이의 전압차가 커패시터(Cst)에 저장된다. 제2 노드(N2)는 이전 프레임에서 초기화 전압(Vint)에 의해 초기화된다.During the data writing period DIP, the data signal Dk is supplied to the k-th data line DLk. The data signal Dk is provided to the first node N1 via the second transistor T2, the first transistor T1, and the third transistor T3. At this time, since the second transistor T2 is diode-connected, the first node N1 is provided with a difference voltage between the data signal Dk and the threshold voltage of the second transistor T2. The voltage difference between the second node N2 and the second node N2 during the data write period DIP is stored in the capacitor Cst. The second node N2 is initialized by the initializing voltage Vint in the previous frame.
제1 초기화 구간(RP1) 및 데이터 기입 구간(DIP) 동안에 비활성화되었던 i번째 발광 제어 신호(Ei)는 데이터 기입 구간(DIP) 이후에 정의되는 발광 구간(EP) 중에 활성화된다. i번째 발광 제어 신호(Ei)에 의해 제5 트랜지스터(T5) 및 제6 트랜지스터(T6)가 턴-온되고, 커패시터(Cst)에 충전된 전압이 제1 트랜지스터(T1)의 제어 전극에 인가된다. The i th emission control signal Ei that has been inactivated during the first initialization period RP1 and the data writing period DIP is activated during the light emission period EP defined after the data writing period DIP. the fifth transistor T5 and the sixth transistor T6 are turned on by the i th emission control signal Ei and a voltage charged in the capacitor Cst is applied to the control electrode of the first transistor T1 .
i번째 발광 제어 신호(Ei)에 의해 전원 라인(PL)과 유기발광 다이오드(OLED) 사이에 전류패스가 형성된다. 그에 따라 발광 구간(EP) 동안에 유기발광 다이오드(OLED)는 발광된다. 유기발광 다이오드(OLED)는 커패시터(Cst)에 충전된 전압에 대응하는 휘도로 발광된다.a current path is formed between the power supply line PL and the organic light emitting diode OLED by the i-th emission control signal Ei. Accordingly, the organic light emitting diode OLED emits light during the light emission period EP. The organic light emitting diode OLED emits light at a luminance corresponding to the voltage charged in the capacitor Cst.
i+1번째 주사 신호(Si+1)는 발광 구간(EP) 이후에 정의되는 제2 초기화 구간(RP2) 중에 활성화된다. i+1번째 주사 신호(Si+1)에 의해 제7 트랜지스터(T7)가 턴-온됨에 따라 초기화 전압(Vint)은 제2 노드(N2)에 인가되고, 유기발광 다이오드(OLED)의 애노드는 초기화 전압(Vint)으로 초기화된다. 제2 초기화 구간(RP2)에 의해 유기발광 다이오드(OLED)의 발광을 중단한다. the (i + 1) th scan signal Si + 1 is activated during the second initialization period RP2 defined after the light emission period EP. the initialization voltage Vint is applied to the second node N2 as the seventh transistor T7 is turned on by the (i + 1) th scan signal Si + 1, and the anode of the organic light emitting diode OLED Is initialized to the initializing voltage Vint. And the emission of the organic light emitting diode OLED is stopped by the second initialization period RP2.
도 2b에서 제1 초기화 구간(RP1), 데이터 기입 구간(DIP), 발광 구간(EP), 및 제2 초기화 구간(RP2) 사이에 소정의 지연 구간들이 존재하는 것으로 도시하였으나, 이는 하나의 예시에 불과하다. 본 발명의 일 실시예에서 제1 초기화 구간(RP1), 데이터 기입 구간(DIP), 발광 구간(EP), 및 제2 초기화 구간(RP2)는 연속될 수도 있다.It is shown in FIG. 2B that there are predetermined delay periods between the first initializing period RP1, the data writing period DIP, the light emitting period EP, and the second initializing period RP2, Only. In an embodiment of the present invention, the first initialization period RP1, the data write period DIP, the light emission period EP, and the second initialization period RP2 may be continuous.
도 2a 및 도 2b를 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 화소(PXi)를 설명하였으나, 이에 제한되지 않는다. 화소(PXi)는 유기발광 다이오드 및 유기발광 다이오드를 구동하기 위한 구동회로로써 스위칭 트랜지스터, 구동 트랜지스터, 및 커패시터를 포함하면 충분하다. 화소 회로는 특별히 제한되지 않는다. 이상에서 제어 트랜지스터는 6개의 트랜지스터들로 이루어진 것을 예시적으로 설명하나, 이에 제한되는 것은 아니고, 제어 트랜지스터는 6개 미만이거나 6 초과의 트랜지스터들로 이루어질 수 있다. Although the pixel PXi according to the embodiment of the present invention has been described with reference to FIGS. 2A and 2B, the present invention is not limited thereto. The pixel PXi is a driving circuit for driving the organic light emitting diode and the organic light emitting diode, and may include a switching transistor, a driving transistor, and a capacitor. The pixel circuit is not particularly limited. In the above description, the control transistor includes six transistors, but the present invention is not limited thereto. The control transistor may be composed of less than six or more than six transistors.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 화소(PXi)에 대응하는 표시장치의 단면도이다. 도 3은 도 2a에 도시된 등가회로의 제1 트랜지스터(T1), 제2 트랜지스터(T2), 제6 트랜지스터(T6) 및 유기발광 다이오드(OLED)에 대응하는 부분의 단면을 도시하였다. 3 is a cross-sectional view of a display device corresponding to a pixel PXi according to an embodiment of the present invention. FIG. 3 shows a cross section of a portion corresponding to the first transistor T1, the second transistor T2, the sixth transistor T6 and the organic light emitting diode OLED of the equivalent circuit shown in FIG. 2A.
도 3을 참조하면, 베이스 기판(SUB)의 상면에 제1 트랜지스터(T1), 제2 트랜지스터(T2), 제6 트랜지스터(T6) 및 유기발광 다이오드(OLED)이 배치된다. 베이스 기판(SUB)의 상면은 제1 방향(DR1, 도 1 참조)과 제2 방향(DR2, 도 1 참조)으로 정의된다. 베이스 기판(SUB)은 플라스틱 기판, 유리 기판, 금속 기판 등을 포함할 수 있다. 플라스틱 기판은 아크릴계 수지, 메타크릴계 수지, 폴리이소프렌, 비닐계 수지, 에폭시계 수지, 우레탄계 수지, 셀룰로오스계 수지, 실록산계 수지, 폴리이미드계 수지, 폴리아미드계 수지 및 페릴렌계 수지 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. Referring to FIG. 3, a first transistor T1, a second transistor T2, a sixth transistor T6, and an organic light emitting diode (OLED) are disposed on an upper surface of a base substrate SUB. The upper surface of the base substrate SUB is defined as a first direction DR1 (see FIG. 1) and a second direction DR2 (see FIG. 1). The base substrate SUB may include a plastic substrate, a glass substrate, a metal substrate, or the like. The plastic substrate may be at least one of an acrylic resin, a methacrylic resin, a polyisoprene, a vinyl resin, an epoxy resin, a urethane resin, a cellulose resin, a siloxane resin, a polyimide resin, a polyamide resin, . ≪ / RTI >
제1 트랜지스터(T1), 제2 트랜지스터(T2), 및 제6 트랜지스터(T6) 각각은 입력 전극, 출력 전극, 제어 전극, 및 반도체 패턴을 포함한다. 이하, 입력 전극, 출력 전극, 제어 전극, 및 반도체 패턴의 앞에 기재되는 "제1", "제2", "제6" 은 제1 트랜지스터(T1), 제2 트랜지스터(T2), 및 제6 트랜지스터(T6)의 구성요소인 것을 의미한다.Each of the first transistor T1, the second transistor T2, and the sixth transistor T6 includes an input electrode, an output electrode, a control electrode, and a semiconductor pattern. The "first", "second", and "sixth" described in front of the input electrode, the output electrode, the control electrode, and the semiconductor pattern are referred to as a first transistor T1, a second transistor T2, And is a component of the transistor T6.
도 3은 제1 방향(DR1)으로 이격된 제1 박막 트랜지스터(T1), 제2 박막 트랜지스터(T2), 및 제6 박막 트랜지스터(T6)를 도시하였으나, 본 발명은 이에 제한되지 않으며, 이는 하나의 예시에 불과하다. 제1 박막 트랜지스터(T1), 제2 박막 트랜지스터(T2), 및 제6 박막 트랜지스터(T6)는 독립적으로 설계될 수 있다. 예컨대,제1 박막 트랜지스터(T1)의 제1 입력 전극(DE1)과 제1 출력 전극(SE1)이 제1 방향(DR1)에서 이격될 때, 제2 박막 트랜지스터(T2)의 제2 입력 전극(DE2)과 제2 출력 전극(SE2)은 제1 방향(DR1)에 교차하며 베이스 기판(SUB)의 상면에 정의된 또 다른 방향으로 이격되어 배치될 수 있다.Although FIG. 3 shows the first thin film transistor T1, the second thin film transistor T2 and the sixth thin film transistor T6 separated in the first direction DR1, the present invention is not limited thereto, . The first thin film transistor T1, the second thin film transistor T2, and the sixth thin film transistor T6 may be independently designed. For example, when the first input electrode DE1 and the first output electrode SE1 of the first thin film transistor T1 are spaced apart from each other in the first direction DR1, the second input electrode of the second thin film transistor T2 DE2 and the second output electrode SE2 may be spaced apart from each other in the other direction defined on the upper surface of the base substrate SUB in the first direction DR1.
베이스 기판(SUB)의 상면에 버퍼층(BFL)이 배치될 수 있다. 버퍼층(BFL)은 베이스 기판(SUB)과 도전성 패턴들 또는 반도체 패턴들의 결합력을 향상시킨다. 버퍼층(BFL)은 무기층을 포함할 수 있다. 별도로 도시되지 않았으나, 이물질이 유입되는 것을 방지하는 배리어층이 베이스 기판(SUB)의 상면에 더 배치될 수도 있다. 버퍼층(BFL)과 배리어층은 선택적으로 배치/생략될 수 있다. 별도로 도시하지 않았으나, 베이스 기판(SUB)과 버퍼층(BFL) 사이에 제1 제어 전극(GE1), 제2 제어 전극(GE2), 및 제6 제어 전극(GE6)에 중첩하는 차광 패턴들이 더 배치될 수 있다.The buffer layer BFL may be disposed on the upper surface of the base substrate SUB. The buffer layer BFL improves the bonding force between the base substrate SUB and the conductive patterns or semiconductor patterns. The buffer layer (BFL) may include an inorganic layer. Although not shown separately, a barrier layer for preventing foreign matter from entering may be further disposed on the upper surface of the base substrate SUB. The buffer layer (BFL) and the barrier layer may be optionally disposed / omitted. Shielding patterns overlapping the first control electrode GE1, the second control electrode GE2, and the sixth control electrode GE6 are formed between the base substrate SUB and the buffer layer BFL .
버퍼층(BFL) 상에 제1 반도체 패턴(OSP1) 및 제6 반도체 패턴(OSP6)이 배치된다. 제1 반도체 패턴(OSP1) 및 제6 반도체 패턴(OSP6) 각각은 폴리 실리콘을 포함할 수 있다. 그러나 이에 제한되지 않고, 제1 반도체 패턴(OSP1) 및 제6 반도체 패턴(OSP6) 각각은 비정질 실리콘을 포함할 수도 있다. 제1 반도체 패턴(OSP1) 및 제6 반도체 패턴(OSP6) 각각은 입력영역, 출력영역, 및 상기 입력영역과 출력영역 사이에 정의된 채널영역을 포함할 수 있다. 제1 반도체 패턴(OSP1) 및 제6 반도체 패턴(OSP6)의 채널영역들은 후술하는 제1 제어 전극(GE1) 및 제6 제어 전극(GE6)에 대응하게 정의될 수 있다. 입력영역과 출력영역은 도판트로 도핑되어 채널영역 대비 상대적으로 전도성이 높다. 입력영역과 출력영역은 n 타입의 도판트로 도핑될 수 있다.The first semiconductor pattern OSP1 and the sixth semiconductor pattern OSP6 are disposed on the buffer layer BFL. Each of the first semiconductor pattern OSP1 and the sixth semiconductor pattern OSP6 may include polysilicon. However, without being limited thereto, each of the first semiconductor pattern OSP1 and the sixth semiconductor pattern OSP6 may include amorphous silicon. Each of the first semiconductor pattern OSP1 and the sixth semiconductor pattern OSP6 may include an input region, an output region, and a channel region defined between the input region and the output region. The channel regions of the first semiconductor pattern OSP1 and the sixth semiconductor pattern OSP6 may be defined corresponding to the first control electrode GE1 and the sixth control electrode GE6 described later. The input and output regions are doped with dopants and are highly conductive relative to the channel region. The input and output regions may be doped with n-type dopants.
버퍼층(BFL) 상에 제1 절연층(10, 이하 제1 중간 절연층)이 배치된다. 제1 중간 절연층(10)은 복수 개의 화소들(PX, 도 1 참조)에 공통으로 중첩하며, 제1 반도체 패턴(OSP1) 및 제6 반도체 패턴(OSP6)을 커버한다. 제1 중간 절연층(10)은 무기층 또는 유기층일 수 있으며, 단층 또는 다층 구조를 가질 수 있다. 제1 중간 절연층(10)은 알루미늄 옥사이드, 티타늄 옥사이드, 실리콘 옥사이드, 실리콘옥시나이트라이드, 지르코늄옥사이드, 및 하프늄 옥사이드 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.  A first insulating layer 10 (hereinafter referred to as a first intermediate insulating layer) is disposed on the buffer layer BFL. The first intermediate insulating layer 10 overlaps the plurality of pixels PX (see FIG. 1) in common and covers the first semiconductor pattern OSP1 and the sixth semiconductor pattern OSP6. The first intermediate insulating layer 10 may be an inorganic layer or an organic layer, and may have a single layer or a multilayer structure. The first intermediate insulating layer 10 may include at least one of aluminum oxide, titanium oxide, silicon oxide, silicon oxynitride, zirconium oxide, and hafnium oxide.
제1 중간 절연층(10) 상에 제1 제어 전극(GE1), 제2 제어 전극(GE2), 제6 제어 전극(GE6), 및 커패시터(Cst)의 제1 전극(E1)이 배치된다. 제1 제어 전극(GE1) 및 제6 제어 전극(GE6)은 제1 반도체 패턴(OSP1)의 채널영역 및 제6 반도체 패턴(OSP6)의 채널영역에 각각 중첩한다. 단면 상에 도시되지는 않았으나, 제1 전극(E1)은 제1 제어 전극(GE1)과 연결될 수 있다.The first control electrode GE1, the second control electrode GE2, the sixth control electrode GE6 and the first electrode E1 of the capacitor Cst are disposed on the first intermediate insulating layer 10. The first control electrode GE1 and the sixth control electrode GE6 overlap the channel region of the first semiconductor pattern OSP1 and the channel region of the sixth semiconductor pattern OSP6, respectively. Although not shown in cross section, the first electrode E1 may be connected to the first control electrode GE1.
제1 중간 절연층(10) 상에 제1 제어 전극(GE1), 제2 제어 전극(GE2), 제6 제어 전극(GE6), 및 제1 전극(E1)을 커버하는 제2 절연층(20, 이하 제2 중간 절연층)이 배치된다. 제2 중간 절연층(20)은 복수 개의 화소들(PX, 도 1 참조)에 공통으로 중첩한다. 제2 중간 절연층(20)은 무기층 또는 유기층일 수 있으며, 단층 또는 다층 구조를 가질 수 있다. 제2 중간 절연층(20)은 알루미늄 옥사이드, 티타늄 옥사이드, 실리콘 옥사이드, 실리콘옥시나이트라이드, 지르코늄옥사이드, 및 하프늄 옥사이드 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 제2 중간 절연층(20)은 동일한 두께에서 큰 유전율을 갖는 실리콘 나이트라이드층인 것이 바람직하다. 커패시터(Cst)의 커패시턴스를 증가시키기 위함이다.A second control electrode GE1, a second control electrode GE2, a sixth control electrode GE6 and a second insulation layer 20 covering the first electrode E1 are formed on the first intermediate insulation layer 10, , Hereinafter referred to as a second intermediate insulating layer). The second intermediate insulating layer 20 is commonly overlapped with the plurality of pixels PX (see FIG. 1). The second intermediate insulating layer 20 may be an inorganic layer or an organic layer, and may have a single layer or a multilayer structure. The second intermediate insulating layer 20 may comprise at least one of aluminum oxide, titanium oxide, silicon oxide, silicon oxynitride, zirconium oxide, and hafnium oxide. The second intermediate insulating layer 20 is preferably a silicon nitride layer having a large dielectric constant at the same thickness. To increase the capacitance of the capacitor Cst.
제2 중간 절연층(20) 상에 제2 반도체 패턴(OSP2) 및 커패시터(Cst)의 제2 전극(E2)이 배치된다. 제2 반도체 패턴(OSP2)은 산화물 반도체를 포함할 수 있다. 산화물 반도체는 인듐-주석 산화물(ITO), 인듐-갈륨-아연 산화물(IGZO), 아연 산화물(ZnO), 인듐-아연 산화물(IZnO), 아연-인듐 산화물(ZIO), 인듐 산화물(InO), 티타늄 산화물(TiO), 인듐-아연-주석 산화물(IZTO), 아연-주석 산화물(ZTO) 등을 포함할 수 있다. The second semiconductor pattern OSP2 and the second electrode E2 of the capacitor Cst are arranged on the second intermediate insulating layer 20. [ The second semiconductor pattern OSP2 may include an oxide semiconductor. The oxide semiconductor may be at least one selected from the group consisting of indium-tin oxide (ITO), indium-gallium-zinc oxide (IGZO), zinc oxide (ZnO), indium- zinc oxide (IZnO), zinc- indium oxide (ZIO), indium oxide Oxide (TiO), indium-zinc-tin oxide (IZTO), zinc-tin oxide (ZTO), and the like.
제2 반도체 패턴(OSP2)은 결정질 산화물 반도체를 포함한다. 상기 결정질 산화물 반도체는 수직방향(DR3)으로 결정화될 수 있다. 도 3에서 수직방향(DR3)은 제3 방향(DR3)으로 표시되고, 베이스 기판(SUB)의 상면의 법선방향을 의미한다. 수직 결정형 산화물 반도체는 채널의 법선 방향의 성장축을 갖는 산화물 반도체로 정의될 수 있다. 또한, 수직 결정형 산화물 반도체는 c-axis aligned crystal oxide semiconductor로 정의될 수 있다. 제2 반도체 패턴(OSP2)은 부분적으로 결정화될 수 있다. 따라서, 제2 반도체 패턴(OSP2)은 비정질 산화물 반도체를 더 포함할 수 있다.The second semiconductor pattern OSP2 includes a crystalline oxide semiconductor. The crystalline oxide semiconductor may be crystallized in the vertical direction DR3. 3, the vertical direction DR3 is represented by a third direction DR3, which means the normal direction of the upper surface of the base substrate SUB. The vertical crystal type oxide semiconductor can be defined as an oxide semiconductor having a growth axis in the normal direction of the channel. Further, the vertical crystal type oxide semiconductor can be defined as a c-axis aligned crystal oxide semiconductor. The second semiconductor pattern OSP2 may be partially crystallized. Therefore, the second semiconductor pattern OSP2 may further include an amorphous oxide semiconductor.
제2 중간 절연층(20) 상에 도전패턴들이 더 배치될 수 있다. 도전패턴들은 제2 전극(E2)과 동일한 공정을 통해 형성될 수 있다. 즉, 도전패턴들은 제2 전극(E2)과 동일한 물질, 동일한 층구조를 갖는다.Conductive patterns may be further disposed on the second intermediate insulating layer 20. [ The conductive patterns may be formed through the same process as the second electrode E2. That is, the conductive patterns have the same material and the same layer structure as the second electrode E2.
도전패턴들은 제2 입력 전극(DE2)의 하측부분(DE2-P1)과 제2 출력 전극(SE2)의 하측부분(SE2-P1)을 포함한다. 제2 입력 전극(DE2)의 하측부분(DE2-P1)과 제2 출력 전극(SE2)의 하측부분(SE2-P1)은 제2 반도체 패턴(OSP2)에 접촉한다. 제2 입력 전극(DE2)의 하측부분(DE2-P1)과 제2 출력 전극(SE2)의 하측부분(SE2-P1) 각각은 평면상에서 제2 반도체 패턴(OSP2)에 중첩하는 부분과 제2 반도체 패턴(OSP2)에 비중첩하는 부분을 포함할 수 있다. 제2 반도체 패턴(OSP2)에 비중첩하는 부분은 제2 중간 절연층(20)에 접촉한다.The conductive patterns include a lower portion DE2-P1 of the second input electrode DE2 and a lower portion SE2-P1 of the second output electrode SE2. The lower portion DE2-P1 of the second input electrode DE2 and the lower portion SE2-P1 of the second output electrode SE2 contact the second semiconductor pattern OSP2. Each of the lower portion DE2-P1 of the second input electrode DE2 and the lower portion SE2-P1 of the second output electrode SE2 has a portion overlapping the second semiconductor pattern OSP2 on the plane, And may include portions that do not overlap with the pattern OSP2. The portion that does not overlap with the second semiconductor pattern OSP2 comes in contact with the second intermediate insulating layer 20. [
제2 반도체 패턴(OSP2)의 제2 입력 전극(DE2)의 하측부분(DE2-P1) 및 제2 출력 전극(SE2)의 하측부분(SE2-P1)에 접촉한 영역들에 오믹콘택이 정의된다. 제2 반도체 패턴(OSP2)의 제2 입력 전극(DE2)의 하측부분(DE2-P1) 및 제2 출력 전극(SE2)의 하측부분(SE2-P1)에 노출된 영역은 채널영역으로 정의된다. 결과적으로 제2 반도체 패턴(OSP2)은 n 타입 도펀트로 각각 도핑된 입력영역과 출력영역 사이에 배치된 채널영역을 포함할 수 있다. 제2 입력 전극(DE2)의 하측부분(DE2-P1) 및 제2 출력 전극(SE2)의 하측부분(SE2-P1)은 제2 트랜지스터(T2)의 채널 길이 및 채널 폭을 제어한다. An ohmic contact is defined in the regions in contact with the lower portion DE2-P1 of the second input electrode DE2 of the second semiconductor pattern OSP2 and the lower portion SE2-P1 of the second output electrode SE2 . The region exposed to the lower portion DE2-P1 of the second input electrode DE2 of the second semiconductor pattern OSP2 and the lower portion SE2-P1 of the second output electrode SE2 is defined as the channel region. As a result, the second semiconductor pattern OSP2 may include a channel region disposed between the input region and the output region, each doped with an n-type dopant. The lower portion DE2-P1 of the second input electrode DE2 and the lower portion SE2-P1 of the second output electrode SE2 control the channel length and channel width of the second transistor T2.
도전패턴들 중 어느 하나의 도전패턴(CP)은 제1 제어 전극(GE1)에 중첩할 수 있다. 단면 상에 도시되지는 않았으나, 상기 어느 하나의 도전패턴은 제2 전극(E2)과 연결될 수 있다.Any one of the conductive patterns CP of the conductive patterns may overlap the first control electrode GE1. Although not shown on the cross section, any one of the conductive patterns may be connected to the second electrode E2.
제2 중간 절연층(20) 상에 제3 절연층(30, 이하 상부 절연층)이 배치된다. 상부 절연층(30)은 단층 또는 다층일 수 있다. 상부 절연층(30)은 유기층 및/또는 무기층을 포함할 수 있다. A third insulating layer 30 (hereinafter referred to as an upper insulating layer) is disposed on the second intermediate insulating layer 20. The upper insulating layer 30 may be a single layer or a multilayer. The upper insulating layer 30 may include an organic layer and / or an inorganic layer.
적어도 하나의 상부 절연층(30)은 무기층으로 알루미늄 옥사이드, 티타늄 옥사이드, 실리콘 옥사이드, 실리콘옥시나이트라이드, 지르코늄옥사이드, 및 하프늄 옥사이드 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 무기층이 제2 반도체 패턴(OSP2)의 노출된 채널영역을 직접 커버함으로써 유기물질에 의한 제2 반도체 패턴(OSP2)의 채널 손상을 방지할 수 있다.The at least one upper insulating layer 30 may comprise at least one of aluminum oxide, titanium oxide, silicon oxide, silicon oxynitride, zirconium oxide, and hafnium oxide as an inorganic layer. The inorganic layer directly covers the exposed channel region of the second semiconductor pattern OSP2, thereby preventing the channel damage of the second semiconductor pattern OSP2 due to the organic material.
상부 절연층(30)은 제1 중간 절연층(10) 및 제2 중간 절연층(20) 대비 큰 두께를 갖는다. 데이터 라인(DLk)과 제2 제어 전극(GE2)의 간섭을 방지하기 위함이다. 상부 절연층(30)은 제1 중간 절연층(10) 및 제2 중간 절연층(20) 대비 평탄한 상면을 제공할 수 있다. The upper insulating layer 30 has a larger thickness than the first intermediate insulating layer 10 and the second intermediate insulating layer 20. [ So as to prevent interference between the data line DLk and the second control electrode GE2. The upper insulating layer 30 may provide a flat upper surface with respect to the first intermediate insulating layer 10 and the second intermediate insulating layer 20.
상부 절연층(30) 상에 제1 입력 전극(DE1), 제1 출력 전극(SE1), 제2 입력 전극(DE2), 제2 출력 전극(SE2), 데이터 라인(DLk), 제2 입력 전극(DE2)의 상측부분(DE2-P2) 및 제2 출력 전극(SE2)의 상측부분(SE2-P2)이 배치된다. 제1 반도체 패턴(OSP1)의 입력영역과 출력영역을 각각 노출시키는 제1 컨택홀(CH1) 및 제2 컨택홀(CH2)을 통해 제1 입력 전극(DE1)과 제1 출력 전극(SE1)이 제1 반도체 패턴(OSP1)에 접속된다. 제6 반도체 패턴(OSP6)의 입력영역과 출력영역을 각각 노출시키는 제5 컨택홀(CH5) 및 제6 컨택홀(CH6)을 통해 제6 입력 전극(DE6)과 제6 출력 전극(SE6)이 제6 반도체 패턴(OSP6)에 접속된다. 제1 컨택홀(CH1), 제2 컨택홀(CH2), 제5 컨택홀(CH5), 및 제6 컨택홀(CH6)은 제1 중간 절연층(10), 제2 중간 절연층(20), 및 상부 절연층(30)을 관통한다. 제1 출력 전극(SE1)과 제6 입력 전극(DE6)은 상부 절연층(30) 상에서 연결될 수 있다.A first input electrode DE1, a first output electrode SE1, a second input electrode DE2, a second output electrode SE2, a data line DLk, a second input electrode DE2, The upper portion DE2-P2 of the first output electrode DE2 and the upper portion SE2-P2 of the second output electrode SE2 are disposed. The first input electrode DE1 and the first output electrode SE1 are connected to each other through the first contact hole CH1 and the second contact hole CH2 exposing the input region and the output region of the first semiconductor pattern OSP1, And is connected to the first semiconductor pattern OSP1. The sixth input electrode DE6 and the sixth output electrode SE6 are connected to each other through the fifth contact hole CH5 and the sixth contact hole CH6 which expose the input region and the output region of the sixth semiconductor pattern OSP6, And is connected to the sixth semiconductor pattern OSP6. The first contact hole CH1, the second contact hole CH2, the fifth contact hole CH5 and the sixth contact hole CH6 are formed by the first intermediate insulating layer 10, the second intermediate insulating layer 20, , And the upper insulating layer (30). The first output electrode (SE1) and the sixth input electrode (DE6) may be connected on the upper insulating layer (30).
제2 입력 전극(DE2)의 하측부분(DE2-P1) 및 제2 출력 전극(SE2)의 하측부분(SE2-P1) 각각 노출시키는 제3 컨택홀(CH3) 및 제4 컨택홀(CH4)을 통해, 제2 입력 전극(DE2)의 상측부분(DE2-P2) 및 제2 출력 전극(SE2)의 상측부분(SE2-P2)이 제2 입력 전극(DE2)의 하측부분(DE2-P1) 및 제2 출력 전극(SE2)의 하측부분(SE2-P1)에 각각 접속된다. 제3 컨택홀(CH3) 및 제4 컨택홀(CH4)는 상부 절연층(30)을 관통한다. The third contact hole CH3 and the fourth contact hole CH4 exposing the lower portion DE2-P1 of the second input electrode DE2 and the lower portion SE2-P1 of the second output electrode SE2, The upper portion DE2-P2 of the second input electrode DE2 and the upper portion SE2-P2 of the second output electrode SE2 are connected to the lower portion DE2-P1 of the second input electrode DE2, And SE2-P1 of the second output electrode SE2, respectively. The third contact hole CH3 and the fourth contact hole CH4 penetrate the upper insulating layer 30.
상부 절연층(30) 상에 화소정의막(PDL) 및 유기발광 다이오드(OLED)가 배치된다. 단층의 상부 절연층(30) 상에 직접 배치된 화소정의막(PDL) 및 유기발광 다이오드(OLED)를 예시적으로 도시하였으나 이에 제한되지 않는다. 상부 절연층(30) 상에 유기층이 더 배치될 수 있다.A pixel defining layer (PDL) and an organic light emitting diode (OLED) are disposed on the upper insulating layer 30. A pixel defining layer (PDL) and an organic light emitting diode (OLED) disposed directly on the upper insulating layer 30 of the single layer are exemplarily shown, but are not limited thereto. An organic layer may be further disposed on the upper insulating layer 30. [
상부 절연층(30) 상에 애노드(AE)가 배치된다. 애노드(AE)는 제6 출력전극에 직접 연결될 수 있다. 화소정의막(PDL)의 개구부(OP)는 애노드(AE)의 적어도 일부분을 노출시킨다. An anode (AE) is disposed on the upper insulating layer (30). The anode (AE) may be connected directly to the sixth output electrode. The opening OP of the pixel defining layer PDL exposes at least a part of the anode AE.
화소정의막(PDL)의 개구부(OP)는 화소(PXi)의 발광영역(PXA)을 정의할 수 있다. 예컨대, 복수 개의 화소들(PX, 도 1 참조)은 표시패널(DP, 도 1 참조)의 평면 상에서 일정한 규칙으로 배치될 수 있다. 복수 개의 화소들(PX)이 배치된 영역은 화소 영역으로 정의될 수 있고, 하나의 화소 영역은 발광영역(PXA)과 발광영역(PXA)에 인접한 비발광영역(NPXA)을 포함할 수 있다. 비발광영역(NPXA)은 발광영역(PXA)을 에워 싸을 수 있다. The opening OP of the pixel defining layer PDL can define the light emitting region PXA of the pixel PXi. For example, the plurality of pixels PX (see FIG. 1) may be arranged in a regular rule on the plane of the display panel DP (see FIG. 1). The region where the plurality of pixels PX are arranged may be defined as a pixel region and one pixel region may include a light emitting region PXA and a non-light emitting region NPXA adjacent to the light emitting region PXA. The non-emission area NPXA can surround the emission area PXA.
정공 제어층(HCL)은 발광영역(PXA)과 비발광영역(NPXA)에 공통으로 배치될 수 있다. 별도로 도시되지 않았으나, 정공 제어층(HCL)과 같은 공통층은 복수 개의 화소들(PX, 도 1 참조)에 공통으로 형성될 수 있다. 정공 제어층(HCL)은 정공 수송층 및 정공 주입층을 포함할 수 있다.The hole control layer HCL may be disposed in common to the light emitting region PXA and the non-light emitting region NPXA. Although not separately shown, a common layer such as the hole control layer (HCL) may be formed in common to the plurality of pixels PX (see FIG. 1). The hole control layer (HCL) may include a hole transport layer and a hole injection layer.
정공 제어층(HCL) 상에 유기발광층(EML)이 배치된다. 유기발광층(EML)은 개구부(OP)에 대응하는 영역에만 배치될 수 있다. 즉, 유기발광층(EML)은 복수 개의 화소들(PX) 각각에 분리되어 형성될 수 있다. An organic light emitting layer (EML) is disposed on the hole control layer (HCL). The organic light emitting layer (EML) may be disposed only in the region corresponding to the opening (OP). That is, the organic light emitting layer (EML) may be formed separately for each of the plurality of pixels PX.
유기발광층(EML) 상에 전자 제어층(ECL)이 배치된다. 전자 제어층(ECL)은 전자 수송층 및 전자 주입층을 포함할 수 있다. 전자 제어층(ECL) 상에 캐소드(CE)가 배치된다. 캐소드(CE)는 복수 개의 화소들(PX)에 공통적으로 배치된다. An electron control layer (ECL) is disposed on the organic light emitting layer (EML). The electron control layer (ECL) may include an electron transport layer and an electron injection layer. A cathode CE is disposed on the electron control layer (ECL). The cathode CE is disposed in common to the plurality of pixels PX.
캐소드(CE) 상에 박막 봉지층(TFE)이 배치된다. 복수 개의 화소들(PX)에 공통적으로 배치된다. 박막 봉지층(TFE)은 적어도 2개의 무기층과 그 사이에 배치된 유기층을 포함한다. 박막 봉지층은 교번하게 적층된 복수 개의 무기층들과 복수 개의 유기층들을 포함할 수 있다.A thin film encapsulation layer (TFE) is disposed on the cathode CE. And is commonly disposed in the plurality of pixels PX. The thin film encapsulation layer (TFE) comprises at least two inorganic layers and an organic layer disposed therebetween. The thin film encapsulation layer may include a plurality of alternately stacked inorganic layers and a plurality of organic layers.
본 실시예에서 패터닝된 유기발광층(EML)을 예시적으로 도시하였으나, 유기발광층(EML)은 복수 개의 화소들(PX)에 공통적으로 배치될 수 있다. 이때, 유기발광층(EML)은 백색 광을 생성할 수 있다. 또한, 유기발광층(EML)은 다층구조를 가질 수 있다.Although the patterned organic light emitting layer (EML) is illustrated as an example in the present embodiment, the organic light emitting layer (EML) may be disposed in common to the plurality of pixels PX. At this time, the organic light emitting layer (EML) can generate white light. Further, the organic light emitting layer (EML) may have a multi-layer structure.
본 실시예에서 박막 봉지층(TFE)은 캐소드(CE)를 직접 커버한다. 본 발명의 일 실시예에서, 캐소드(CE)를 커버하는 캡핑층이 더 배치될 수 있다. 이때 박막 봉지층(TFE)은 캡핑층을 직접 커버할 수 있다.In this embodiment, the thin film encapsulation layer (TFE) directly covers the cathode CE. In an embodiment of the present invention, a capping layer covering the cathode CE may be further disposed. At this time, the thin film encapsulation layer (TFE) can directly cover the capping layer.
도 3을 참조하면, 제1 트랜지스터(T1)와 제6 트랜지스터(T6)는 폴리 실리콘 반도체를 포함하여 높은 전자이동도를 가질 수 있다. 제2 트랜지스터(T2)의 게이트 절연층 기능을 갖는 제2 중간 절연층(20)이 얇은 두께를 가짐으로써 제2 박막 트랜지스터의 턴-온 전류 특성이 향상된다. 상부 절연층(30)이 상대적으로 큰 두께를 가짐으로써 데이터 라인(DLk)에 의한 신호 간섭이 감소될 수 있다.Referring to FIG. 3, the first transistor T1 and the sixth transistor T6 may include a polysilicon semiconductor and have a high electron mobility. The second intermediate insulating layer 20 having the function of the gate insulating layer of the second transistor T2 has a thin thickness, thereby improving the turn-on current characteristic of the second thin film transistor. The signal interference due to the data line DLk can be reduced by having the upper insulating layer 30 have a relatively large thickness.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 화소(PXi)의 등가회로도이다. 도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 화소(PXi)에 대응하는 표시장치의 단면도이다.4 is an equivalent circuit diagram of a pixel PXi according to an embodiment of the present invention. 5 is a cross-sectional view of a display device corresponding to a pixel PXi according to an embodiment of the present invention.
화소(PXi)는 표시소자로써 유기발광 다이오드(OLED)를 포함한다. 유기발광 다이오드(OLED)는 전면 발광형 다이오드이거나, 배면 발광형 다이오드일 수 있다. 화소(PXi)는 유기발광 다이오드(OLED)를 구동하기 위한 구동회로로써 제1 트랜지스터(T1, 또는 구동 트랜지스터), 제2 트랜지스터(T2, 또는 스위칭 트랜지스터), 및 커패시터(Cst)를 포함한다.The pixel PXi includes an organic light emitting diode (OLED) as a display element. The organic light emitting diode (OLED) may be a top emission type diode or a bottom emission type diode. The pixel PXi includes a first transistor T1 or a driving transistor, a second transistor T2 or a switching transistor, and a capacitor Cst as a driving circuit for driving the organic light emitting diode OLED.
제2 트랜지스터(T2)는 i번째 주사 라인(SLi)에 인가된 주사 신호에 응답하여 k번째 데이터 라인(DLk)에 인가된 데이터 신호를 출력한다. 커패시터(Cst)는 제2 트랜지스터(T2)로부터 수신한 데이터 신호에 대응하는 전압을 충전한다. The second transistor T2 outputs a data signal applied to the kth data line DLk in response to a scan signal applied to the ith scan line SLi. The capacitor Cst charges the voltage corresponding to the data signal received from the second transistor T2.
제1 트랜지스터(T1)는 커패시터(Cst)에 저장된 전하량에 대응하여 유기발광 다이오드(OLED)에 흐르는 구동전류를 제어한다. 유기발광 다이오드(OLED)는 제1 트랜지스터(T1)의 턴-온 구간 동안 발광한다.The first transistor T1 controls the driving current flowing in the organic light emitting diode OLED according to the amount of charge stored in the capacitor Cst. The organic light emitting diode OLED emits light during the turn-on period of the first transistor T1.
도 5를 참조하면, 도 3에 도시된 표시장치 대비, 제1 트랜지스터(T1)와 유기발광 다이오드(OLED)의 연결관계가 상이하다. 도 3에서 제1 트랜지스터(T1)는 제6 트랜지스터(T6)를 통해 간접적으로 애노드(AE)에 연결되었으나, 본 실시예에서 제1 트랜지스터(T1)의 출력 전극(SE1)은 애노드(AE)에 직접 연결된다.Referring to FIG. 5, the connection relationship between the first transistor T1 and the organic light emitting diode OLED is different from that of the display device shown in FIG. 3, the first transistor T1 is indirectly connected to the anode AE through the sixth transistor T6. However, in this embodiment, the output electrode SE1 of the first transistor T1 is connected to the anode AE Directly connected.
도 2a 내지 도 5를 참조하여 설명한 것과 같이, 화소의 구동회로의 구성은 다양하게 변형될 수 있다. 다만, 화소의 구동회로의 구성이 변경되더라도 제1 트랜지스터(T1), 제2 트랜지스터(T2), 및 커패시터(Cst)의 단면상 구조는 동일할 수 있다.As described with reference to Figs. 2A to 5, the configuration of the driver circuit of the pixel can be variously modified. However, the structures of the first transistor T1, the second transistor T2, and the capacitor Cst may be the same even if the configuration of the driving circuit of the pixel is changed.
도 6a 내지 도 6g는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치의 제조방법을 도시한 단면도이다. 도 5에 도시된 표시장치를 기준으로 설명되나, 도 3에 도시된 표시장치에도 동일하게 적용될 수 있다. 다만, 도 3에 도시된 표시장치는 제6 트랜지스터(T6)가 제1 트랜지스터(T1)와 동일한 공정에 의해 더 형성된다. 별도로 도시하지 않았으나, 도 2a에 도시된 제3 내지 제5 트랜지스터들(T3 내지 T5) 및 제7 트랜지스터(T7)는 제1 트랜지스터(T1) 또는 제6 트랜지스터(T6)와 동일한 공정에 의해 형성될 수 있다.6A to 6G are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a display device according to an embodiment of the present invention. Although the display device shown in FIG. 5 is described as a reference, the present invention can be similarly applied to the display device shown in FIG. However, the display device shown in FIG. 3 is further formed by the same process as that of the first transistor T1 of the sixth transistor T6. Although not shown separately, the third to fifth transistors T3 to T5 and the seventh transistor T7 shown in FIG. 2A are formed by the same process as the first transistor T1 or the sixth transistor T6 .
먼저, 도 6a를 참조하면, 베이스 기판(SUB)의 상면에 버퍼층(BFL)을 형성한다. 무기 물질을 증착, 코팅, 또는 프린팅하여 버퍼층(BFL)을 형성할 수 있다. 버퍼층(BFL)의 일부 영역에 제1 반도체 패턴(OSP1)을 형성한다. 버퍼층(BFL)의 상면 전체에 반도체층을 형성한 후, 포토리소그래피 공정을 통해 반도체층을 패터닝 할 수 있다. 제1 반도체 패턴(OSP1)은 폴리 실리콘을 포함할 수 있다. 즉, 결정화 단계가 추가 진행될 수 있다.First, referring to FIG. 6A, a buffer layer BFL is formed on an upper surface of a base substrate SUB. A buffer layer (BFL) can be formed by depositing, coating, or printing an inorganic material. The first semiconductor pattern OSP1 is formed in a partial region of the buffer layer BFL. After the semiconductor layer is formed over the entire upper surface of the buffer layer BFL, the semiconductor layer can be patterned through a photolithography process. The first semiconductor pattern OSP1 may include polysilicon. That is, the crystallization step may be further advanced.
도 6b에 도시된 것과 같이, 버퍼층(BFL) 상에 제1 반도체 패턴(OSP1)을 커버하는 제1 중간 절연층(10)을 형성한다. 무기 물질 또는 유기 물질을 증착, 코팅, 또는 프린팅하여 제1 중간 절연층(10)을 형성할 수 있다. 제1 중간 절연층(10) 상에 제1 반도체 패턴(OSP1)과 중첩하는 제1 제어 전극(GE1) 및 제1 반도체 패턴(OSP1)과 비중첩하는 제2 제어 전극(GE2)을 형성한다.The first intermediate insulating layer 10 covering the first semiconductor pattern OSP1 is formed on the buffer layer BFL as shown in Fig. 6B. The first intermediate insulating layer 10 may be formed by depositing, coating, or printing an inorganic material or an organic material. A first control electrode GE1 overlapping the first semiconductor pattern OSP1 and a second control electrode GE2 overlapping the first semiconductor pattern OSP1 are formed on the first intermediate insulating layer 10.
제1 중간 절연층(10) 상에 도전층을 형성한 후, 포토리소그래피 공정을 통해 도전층을 패터닝하여 제1 제어 전극(GE1) 및 제2 제어 전극(GE2)을 형성할 수 있다. 제1 제어 전극(GE1)은 제1 방향(DR1)에서 제1 반도체 패턴(OSP1)의 내측에 배치된다. 이때, 커패시터(Cst)의 제1 전극(E1)을 동일한 공정을 통해 더 형성할 수 있다.After the conductive layer is formed on the first intermediate insulating layer 10, the first control electrode GE1 and the second control electrode GE2 can be formed by patterning the conductive layer through a photolithography process. The first control electrode GE1 is disposed inside the first semiconductor pattern OSP1 in the first direction DR1. At this time, the first electrode E1 of the capacitor Cst may be further formed through the same process.
제1 반도체 패턴(OSP1)를 도펀트로 도핑시킬 수 있다. 도핑공정에서 제1 제어 전극(GE1)은 마스크 기능을 수행한다. 제1 제어 전극(GE1)에 중첩하는 영역(이하, 채널영역)은 미도핑되고, 채널영역의 양측 영역들(입력영역 및 출력영역)이 도핑된다. n 타입 도펀트, 즉 5가 원소를 이용하여 도핑할 수 있다.The first semiconductor pattern OSP1 may be doped with a dopant. In the doping process, the first control electrode GE1 performs a mask function. A region overlapping the first control electrode GE1 (hereinafter referred to as a channel region) is undoped and both side regions (input region and output region) of the channel region are doped. type dopant, that is, doped with a pentavalent element.
도 6c에 도시된 것과 같이, 제1 중간 절연층(10) 상에 제1 제어 전극(GE1), 제2 제어 전극(GE2), 및 제1 전극(E1)을 커버하는 제2 중간 절연층(20)을 형성한다. 무기물질을 증착하거나, 유기물질을 증착, 코팅, 또는 프린팅하여 제2 중간 절연층(20)을 형성할 수 있다. The second control electrode GE1 and the second control electrode GE2 are formed on the first intermediate insulating layer 10 so as to cover the first intermediate electrode layer E1 20 are formed. The second intermediate insulating layer 20 may be formed by depositing an inorganic material, or by depositing, coating, or printing an organic material.
제2 중간 절연층(20) 상에 제2 반도체 패턴(OSP2)을 형성한다. 제2 중간 절연층(20)의 상면 전체에 반도체층을 형성한 후, 포토리소그래피 공정을 통해 반도체층을 패터닝한다.And a second semiconductor pattern OSP2 is formed on the second intermediate insulating layer 20. [ A semiconductor layer is formed on the entire upper surface of the second intermediate insulating layer 20, and then the semiconductor layer is patterned through a photolithography process.
제2 반도체 패턴(OSP2)는 산화물 반도체를 포함할 수 있다. 비정질 산화물 반도체 또는 결정질 산화물 반도체를 포함할 수 있다. 상기 결정질 산화물 반도체는 별도의 결정화 공정을 진행하여 형성되거나, 산화물 반도체층을 형성하는 공정조건을 제어하여 형성될 수 있다.The second semiconductor pattern OSP2 may include an oxide semiconductor. An amorphous oxide semiconductor or a crystalline oxide semiconductor. The crystalline oxide semiconductor may be formed by performing a separate crystallization process, or may be formed by controlling process conditions for forming an oxide semiconductor layer.
도 6d에 도시된 것과 같이, 제2 중간 절연층(20) 상에 도전패턴들을 형성한다. 제2 중간 절연층(20) 상에 증착, 코팅, 또는 프린팅하여 도전층을 형성한 후 포토리소그래피 공정을 통해 도전층을 패터닝한다. 그에 따라 제2 반도체 패턴(OSP2)에 연결된 제2 입력 전극의 하측부분(DE2-P1) 및 제2 출력 전극의 하측부분(SE2-P1)이 형성된다. 제1 제어 전극(GE1)에 중첩하는 도전패턴(CP) 및 커패시터(Cst)의 제2 전극(E2)이 제2 입력 전극의 하측부분(DE2-P1)과 동시에 형성될 수 있다.Conductive patterns are formed on the second intermediate insulating layer 20, as shown in Fig. After the conductive layer is formed by vapor deposition, coating, or printing on the second intermediate insulating layer 20, the conductive layer is patterned through a photolithography process. The lower portion DE2-P1 of the second input electrode connected to the second semiconductor pattern OSP2 and the lower portion SE2-P1 of the second output electrode are formed. The conductive pattern CP overlapping the first control electrode GE1 and the second electrode E2 of the capacitor Cst may be formed simultaneously with the lower portion DE2-P1 of the second input electrode.
도 6e에 도시된 것과 같이, 제2 중간 절연층(20) 상에 상부 절연층(30)을 형성한다. 무기물질을 증착하거나, 유기물질을 증착, 코팅, 또는 프린팅하여 상부 절연층(30)을 형성할 수 있다. An upper insulating layer 30 is formed on the second intermediate insulating layer 20, as shown in FIG. 6E. The upper insulating layer 30 may be formed by depositing an inorganic material, or by depositing, coating, or printing an organic material.
포토리소그래피 공정을 통해 제1 내지 제4 컨택홀들(CH1 내지 CH4)을 형성한다. 제1 컨택홀(CH1) 및 제2 컨택홀(CH2)은 제1 반도체 패턴(OSP1)의 입력영역과 출력영역을 각각 노출시킨다. 제1 컨택홀(CH1) 및 제2 컨택홀(CH2)은 제1 중간 절연층(10), 제2 중간 절연층(20), 및 상부 절연층(30)을 관통한다. 제3 컨택홀(CH3) 및 제4 컨택홀(CH4)은 제2 반도체 패턴(OSP2)의 입력영역과 출력영역을 각각 노출시킨다. The first to fourth contact holes CH1 to CH4 are formed through a photolithography process. The first contact hole CH1 and the second contact hole CH2 expose the input region and the output region of the first semiconductor pattern OSP1, respectively. The first contact hole CH1 and the second contact hole CH2 penetrate the first intermediate insulating layer 10, the second intermediate insulating layer 20, and the upper insulating layer 30. [ The third contact hole CH3 and the fourth contact hole CH4 expose the input and output regions of the second semiconductor pattern OSP2, respectively.
도 6f에 도시된 것과 같이, 상부 절연층(30) 상에 도전패턴들을 형성한다. 상부 절연층(30) 상에 증착, 코팅, 또는 프린팅하여 도전층을 형성한 후 포토리소그래피 공정을 통해 도전층을 패터닝한다. 제1 컨택홀(CH1) 및 제2 컨택홀(CH2)을 통해 제1 반도체 패턴(OSP1)의 입력영역과 출력영역에 각각 연결된 제1 입력 전극(DE1) 및 제1 출력 전극(SE1)을 형성한다. 제3 컨택홀(CH3) 및 제4 컨택홀(CH4)을 통해 제2 입력 전극의 하측부분(DE2-P1) 및 제2 출력 전극의 하측부분(SE2-P1)에 각각 연결된 제2 입력 전극(DE2)의 상측부분(DE2-P2) 및 제2 출력 전극(SE2)의 상측부분(SE2-P2)을 형성한다.Conductive patterns are formed on the upper insulating layer 30, as shown in Fig. 6F. After the conductive layer is formed by vapor deposition, coating, or printing on the upper insulating layer 30, the conductive layer is patterned through a photolithography process. The first input electrode DE1 and the first output electrode SE1 connected to the input region and the output region of the first semiconductor pattern OSP1 are formed through the first contact hole CH1 and the second contact hole CH2, do. A second input electrode connected to the lower portion DE2-P1 of the second input electrode and the lower portion SE2-P1 of the second output electrode through the third contact hole CH3 and the fourth contact hole CH4, An upper portion DE2-P2 of the second output electrode SE1 and an upper portion SE2-P2 of the second output electrode SE2.
이후, 도 6g에 도시된 것과 같이, 상부 절연층(30) 상에 화소정의막(PDL), 유기발광 다이오드(OLED), 및 박막 봉지층(TFE)을 형성한다. 상부 절연층(30) 상에 애노드(AE)를 형성한다. 애노드(AE)를 노출시키는 개구부를 구비한 화소정의막(PDL)을 형성한다. 이후, 복수 회의 증착, 또는 코팅, 또는 프린팅 공정을 통해 복수 개의 층들을 형성할 수 있다. 또한, 포토리소그래피 공정을 통해 특정한 층을 패터닝할 수 있다. 이러한 공정들을 통해 유기발광 다이오드(OLED), 및 박막 봉지층(TFE) 등을 형성할 수 있다.6G, a pixel defining layer (PDL), an organic light emitting diode (OLED), and a thin-film encapsulation layer (TFE) are formed on the upper insulating layer 30. Next, An anode (AE) is formed on the upper insulating layer (30). To form a pixel defining layer (PDL) having an opening for exposing the anode (AE). A plurality of layers can then be formed through multiple deposition, coating, or printing processes. In addition, a specific layer can be patterned through a photolithography process. Through these processes, an organic light emitting diode (OLED) and a thin film encapsulation layer (TFE) can be formed.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 화소에 대응하는 표시장치의 단면도이다. 도 8a 내지 도 8f는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치의 제조방법을 도시한 단면도이다. 이하, 도 5 내지 도 6g를 통해 설명된 표시장치 및 제조방법과 본 실시예에 따른 표시장치 및 제조방법의 차이점을 중심으로 설명한다. 7 is a cross-sectional view of a display device corresponding to a pixel according to an embodiment of the present invention. 8A to 8F are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a display device according to an embodiment of the present invention. Hereinafter, differences between the display device and the manufacturing method described with reference to FIGS. 5 to 6G and the display device and the manufacturing method according to the present embodiment will be mainly described.
도 7에 도시되 것과 같이, 제2 입력 전극(DE2)의 하측부분(DE2-P1)과 제2 출력 전극(SE2)의 하측부분(SE2-P1)은 제2 반도체 패턴(OSP2)의 내측에 배치된다. 제2 입력 전극(DE2)의 하측부분(DE2-P1)과 제2 출력 전극(SE2)의 하측부분(SE2-P1)은 제2 반도체 패턴(OSP2) 상에서 제1 방향(DR1)으로 이격되어 배치된다. 별도로 도시하지 않았으나, 평면 상에서 제2 입력 전극(DE2)의 하측부분(DE2-P1)과 제2 출력 전극(SE2)의 하측부분(SE2-P1)은 제2 반도체 패턴(OSP2)의 내측에 배치된다. 다시 말해, 제2 입력 전극(DE2)의 하측부분(DE2-P1)과 제2 출력 전극(SE2)의 하측부분(SE2-P1)은 전체 영역에서 제2 반도체 패턴(OSP2)과 중첩한다. 제2 입력 전극(DE2)의 하측부분(DE2-P1)과 제2 출력 전극(SE2)의 하측부분(SE2-P1)은 제2 중간 절연층(20)에 비접촉한다.7, the lower portion DE2-P1 of the second input electrode DE2 and the lower portion SE2-P1 of the second output electrode SE2 are formed on the inner side of the second semiconductor pattern OSP2 . The lower portion DE2-P1 of the second input electrode DE2 and the lower portion SE2-P1 of the second output electrode SE2 are spaced apart in the first direction DR1 on the second semiconductor pattern OSP2 do. The lower portion DE2-P1 of the second input electrode DE2 and the lower portion SE2-P1 of the second output electrode SE2 on the plane are arranged inside the second semiconductor pattern OSP2 do. In other words, the lower portion DE2-P1 of the second input electrode DE2 and the lower portion SE2-P1 of the second output electrode SE2 overlap the second semiconductor pattern OSP2 in the entire region. The lower portion DE2-P1 of the second input electrode DE2 and the lower portion SE2-P1 of the second output electrode SE2 are not in contact with the second intermediate insulating layer 20.
제2 입력 전극(DE2)의 하측부분(DE2-P1)의 외측면(P1-S1)은 제2 반도체 패턴(OSP2)의 제1 외측면(OSP2-S1)과 정렬되고, 제2 출력 전극(SE2)의 하측부분(SE2-P1의 외측면(P1-S2)은 제2 반도체 패턴(OSP2)의 제2 외측면(OSP2-S2)과 정렬된다. 여기서 "측면과 측면이 정렬"되었다는 것은 2개의 층이 하나의 공정을 통해 식각되었다는 것을 의미하고, 측면과 측면이 평행한 것으로 한정되지 않는다.The outer surface P1-S1 of the lower portion DE2-P1 of the second input electrode DE2 is aligned with the first outer surface OSP2-S1 of the second semiconductor pattern OSP2, S2 of the second semiconductor pattern OSP2 are aligned with the second outer side faces OSP2-S2 of the second semiconductor pattern OSP2. Here, "side-to-side alignment" Layers are etched through one process, and are not limited to parallel side and side surfaces.
제2 반도체 패턴(OSP2)의 제1 외측면(OSP2-S1)과 제2 반도체 패턴(OSP2)의 제2 외측면(OSP2-S2)은 제1 방향(DR1)에서 마주한다. 제2 입력 전극(DE2)의 하측부분(DE2-P1)의 내측면과 제2 출력 전극(SE2)의 하측부분(SE2-P1)의 내측면은 제1 방향(DR1)에서 서로 이격된다. 제2 입력 전극(DE2)의 하측부분(DE2-P1)의 내측면과 제2 출력 전극(SE2)의 하측부분(SE2-P1)의 내측면 사이의 거리는 제2 반도체 패턴(OSP2)의 채널 길이와 실질적으로 동일할 수 있다.The first outer side faces OSP2-S1 of the second semiconductor pattern OSP2 and the second outer side faces OSP2-S2 of the second semiconductor pattern OSP2 face each other in the first direction DR1. The inner surfaces of the lower portion DE2-P1 of the second input electrode DE2 and the inner surfaces of the lower portion SE2-P1 of the second output electrode SE2 are spaced from each other in the first direction DR1. The distance between the inner surface of the lower portion DE2-P1 of the second input electrode DE2 and the inner surface of the lower portion SE2-P1 of the second output electrode SE2 is smaller than the channel length of the second semiconductor pattern OSP2 . ≪ / RTI >
도 7에 도시되 것과 같이, 제2 전극(E2)와 제2 중간 절연층(20) 사이에 더미 반도체 패턴(OSP-C)이 배치될 수 있다. 더미 반도체 패턴(OSP-T1)은 도전패턴(CP)과 제2 중간 절연층(20) 사이에도 배치될 수 있다.The dummy semiconductor pattern OSP-C may be disposed between the second electrode E2 and the second intermediate insulating layer 20, as shown in FIG. The dummy semiconductor pattern (OSP-T1) But also between the conductive pattern CP and the second intermediate insulating layer 20.
더미 반도체 패턴들(OSP-C, OSP-T1)과 제2 반도체 패턴(OSP2)은 동일한 반도체 물질를 포함한다. 더미 반도체 패턴들(OSP-C, OSP-T1)과 제2 반도체 패턴(OSP2)은 산화물 반도체를 포함할 수 있다.The dummy semiconductor patterns OSP-C and OSP-T1 and the second semiconductor pattern OSP2 include the same semiconductor material. The dummy semiconductor patterns OSP-C and OSP-T1 and the second semiconductor pattern OSP2 may include an oxide semiconductor.
더미 반도체 패턴들(OSP-C, OSP-T1)은 제2 반도체 패턴(OSP2)과 동일한 공정을 통해 형성되므로, 동일한 특성을 가질 수 있다. 예컨대, 더미 반도체 패턴들(OSP-C, OSP-T1)과 제2 반도체 패턴(OSP2)은 수직 결정질 산화물 반도체를 포함할 수 있다. Since the dummy semiconductor patterns OSP-C and OSP-T1 are formed through the same process as the second semiconductor pattern OSP2, they can have the same characteristics. For example, the dummy semiconductor patterns OSP-C and OSP-T1 and the second semiconductor pattern OSP2 may include a vertical crystalline oxide semiconductor.
더미 반도체 패턴들(OSP-C, OSP-T1) 각각은 유전층 또는 도전층의 기능을 가질 수 있다. 더미 반도체 패턴들(OSP-C, OSP-T1)는 고유전율을 갖는 반도체 물질을 포함할 수 있다. 이때 더미 반도체 패턴들(OSP-C, OSP-T1)는 유전성을 갖는다. 더미 반도체 패턴(OSP-C)은 커패시터(Cst)의 커패시턴스를 증가시킬 수 있다.Each of the dummy semiconductor patterns OSP-C and OSP-T1 may have a function of a dielectric layer or a conductive layer. The dummy semiconductor patterns (OSP-C, OSP-T1) may include a semiconductor material having a high dielectric constant. At this time, the dummy semiconductor patterns OSP-C and OSP-T1 have dielectric properties. The dummy semiconductor pattern OSP-C can increase the capacitance of the capacitor Cst.
더미 반도체 패턴들(OSP-C, OSP-T1)과 제2 반도체 패턴(OSP2)은 n타입의 도펀트로 도핑될 수 있다. 그에 따라 더미 반도체 패턴들(OSP-C, OSP-T1)과 제2 반도체 패턴(OSP2)은 도전성을 가질 수 있다. 다만, 제2 반도체 패턴(OSP2)의 채널영역은 도전성을 갖지 않는다. 이에 대한 상세한 설명은 후술한다.The dummy semiconductor patterns OSP-C and OSP-T1 and the second semiconductor pattern OSP2 may be doped with an n-type dopant. Accordingly, the dummy semiconductor patterns OSP-C and OSP-T1 and the second semiconductor pattern OSP2 may have conductivity. However, the channel region of the second semiconductor pattern OSP2 has no conductivity. A detailed description thereof will be described later.
도 8a에 도시된 것과 같이, 베이스 기판(SUB) 상에 버퍼층(BFL), 제1 반도체 패턴(OSP1), 제1 중간 절연층(10), 제1 제어 전극(GE1), 제2 제어 전극(GE2), 제1 전극(E1), 및 제2 중간 절연층(20)을 형성한다. 도 6a 내지 도 6c를 참조하여 설명한 공정과 동일할 수 있는 바, 상세한 설명은 생략한다.8A, a buffer layer BFL, a first semiconductor pattern OSP1, a first intermediate insulating layer 10, a first control electrode GE1, and a second control electrode (not shown) are formed on a base substrate SUB GE2), a first electrode (E1), and a second intermediate insulating layer (20). 6A to 6C, and the detailed description thereof will be omitted.
도 8b에 도시된 것과 같이, 제2 중간 절연층(20) 상에 반도체층(OSL) 및 도전층(ML)을 형성한다. 반도체층(OSL)을 형성한 후, 도전층(ML)을 반도체층(OSL) 상에 직접 형성할 수 있다. 반도체층(OSL)은 산화물 반도체를 포함할 수 있다. 반도체층(OSL)를 형성한 후 도핑공정을 더 진행할 수 있다. 예컨대, n타입의 도펀트로 도핑된 반도체층은 도전성을 가질 수 있다.The semiconductor layer OSL and the conductive layer ML are formed on the second intermediate insulating layer 20, as shown in Fig. 8B. After the semiconductor layer OSL is formed, the conductive layer ML can be formed directly on the semiconductor layer OSL. The semiconductor layer OSL may include an oxide semiconductor. After the semiconductor layer OSL is formed, the doping process may be further performed. For example, a semiconductor layer doped with an n-type dopant may have conductivity.
도전층(ML)과 반도체층(OSL)을 동시에 패터닝할 수 있다. 예컨대, 하프톤 마스크(MSK)를 이용할 수 있다. 하프톤 마스크(MSK)는 제2 입력 전극(DE2)의 하측부분(DE2-P1)에 대응하는 제1 차광부분(ST1), 제2 출력 전극(SE2)의 하측부분(SE2-P1)에 대응하는 제2 차광부분(ST2), 및 제1 차광부분(ST1)과 제2 차광부분(ST2) 사이에 배치된 반투과부분(HT)을 포함한다. 반투과부분(HT)에는 복수 개의 슬릿이 정의된다. 하프톤 마스크(MSK)는 제1 제어 전극(GE1)에 대응하는 제3 차광부분(ST3) 및 제2 전극(E2)에 대응하는 제4 차광부분(ST4)을 더 포함할 수 있다. 또한, 광을 투과시키는 복수 개의 투광부분들(MSK-OP)을 포함할 수 있다.The conductive layer ML and the semiconductor layer OSL can be simultaneously patterned. For example, a halftone mask (MSK) can be used. The halftone mask MSK corresponds to the first light-shielding portion ST1 corresponding to the lower portion DE2-P1 of the second input electrode DE2 and the lower portion SE2-P1 of the second output electrode SE2 And a transflective portion HT disposed between the first light blocking portion ST1 and the second light blocking portion ST2. A plurality of slits are defined in the transflective portion HT. The halftone mask MSK may further include a third shielding portion ST3 corresponding to the first control electrode GE1 and a fourth shielding portion ST4 corresponding to the second electrode E2. Further, it may include a plurality of light-transmitting portions MSK-OP for transmitting light.
도 8b에 설명한 것과 같이 도전층(ML)과 반도체층(OSL)을 동시에 패터닝하면, 도 8c에 도시된 제2 중간 절연층(20) 상에 제2 반도체 패턴(OSP2), 더미 반도체 패턴들(OSP-T1, OSP-C), 제2 입력 전극(DE2)의 하측부분(DE2-P1), 제2 출력 전극(SE2)의 하측부분(SE2-P1), 도전패턴(CP), 제2 전극(E2)이 형성된다. 제2 입력 전극(DE2)의 하측부분(DE2-P1), 제2 출력 전극(SE2)의 하측부분(SE2-P1), 도전패턴(CP), 제2 전극(E2) 각각은 제2 반도체 패턴(OSP2) 및 더미 반도체 패턴들(OSP-T1, OSP-C) 중 대응하는 반도체 패턴들 상에 배치되고, 제2 중간 절연층(20)에 비접촉한다.The conductive layer ML and the semiconductor layer OSL are simultaneously patterned to form the second semiconductor pattern OSP2 and the dummy semiconductor patterns OSL2 on the second intermediate insulating layer 20 shown in Fig. The lower portion SE2-P1 of the second output electrode SE2, the conductive pattern CP, and the second electrode SE2-P1 of the second input electrode DE2, OSP-T1, OSP-C, (E2) is formed. The lower portion DE2-P1 of the second input electrode DE2, the lower portion SE2-P1 of the second output electrode SE2, the conductive pattern CP, and the second electrode E2, Is disposed on the corresponding semiconductor patterns of the first semiconductor layer OSP2 and the dummy semiconductor patterns OSP-T1 and OSP-C, and is not in contact with the second intermediate insulating layer 20. [
제2 반도체 패턴(OSP2)의 중심영역은 제2 입력 전극(DE2)의 하측부분(DE2-P1)과 제2 출력 전극(SE2)의 하측부분(SE2-P1)에 의해 노출된다. 제2 반도체 패턴(OSP2)의 중심영역의 도전성을 제거하고, 제2 반도체 패턴(OSP2)의 채널영역을 형성하기 위해, 도 8c에 도시된 것과 같이 플라즈마처리를 실시할 수 있다. N2 가스를 플마즈마 가스(PT)로 이용하여 노출된 제2 반도체 패턴(OSP2)의 중심영역을 비활성화시킨다. The center region of the second semiconductor pattern OSP2 is exposed by the lower portion DE2-P1 of the second input electrode DE2 and the lower portion SE2-P1 of the second output electrode SE2. The plasma treatment can be performed as shown in Fig. 8C in order to remove the conductivity of the central region of the second semiconductor pattern OSP2 and form the channel region of the second semiconductor pattern OSP2. N2 gas is used as a plasma gas (PT) to deactivate the central region of the exposed second semiconductor pattern OSP2.
플라즈마 처리는 선택적으로 진행될 수 있다. 예컨대, 도 8b에 도시된 반도체층(OSL)이 도핑되지 않았다면, 본 공정은 생략될 수 있다.The plasma treatment can proceed selectively. For example, if the semiconductor layer (OSL) shown in Fig. 8B is not doped, the present process can be omitted.
이후, 도 8d 내지 도 8f에 도시된 후속공정을 진행한다. 도 8d 내지 도 8f에 도시된 공정은 도 6e 내지 도 6g에 도시된 공정과 실질적으로 동일한 바 상세한 설명은 생략한다.Thereafter, the subsequent process shown in Figs. 8D to 8F is performed. The process shown in Figs. 8D to 8F is substantially the same as the process shown in Figs. 6E to 6G, and a detailed description thereof will be omitted.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 화소에 대응하는 표시장치의 단면도이다. 이하, 도 7에 도시된 표시장치와의 차이점을 중심으로 설명한다. 9 is a cross-sectional view of a display device corresponding to a pixel according to an embodiment of the present invention. Hereinafter, differences from the display device shown in Fig. 7 will be mainly described.
도 9에 도시된 것과 같이, 제2 트랜지스터(T2)는 2개의 제어 전극들(GE2-1, GE2-2)을 포함할 수 있다. 제2 트랜지스터(T2)는 일명, 더블 게이트 구조를 갖는다. 2개의 제어 전극들(GE2-1, GE2-2) 중 하나의 제어 전극(GE2-1, 이하 하측 제어 전극)은 제1 중간 절연층(10)과 제2 중간 절연층(20) 사이에 배치되고, 다른 하나의 제어 전극(GE2-2, 이하 상측 제어 전극)은 상부 절연층(30) 상에 배치된다. 상기 하측 제어 전극(GE2-1)은 도 7의 제2 제어 전극(GE2)에 대응한다. 이때 상기 상측 제어 전극(GE2-2)은 제3 제어 전극으로 지칭될 수 있다.As shown in Fig. 9, the second transistor T2 may include two control electrodes GE2-1 and GE2-2. The second transistor T2 has a so-called double gate structure. One control electrode GE2-1 (hereinafter referred to as a lower control electrode) of the two control electrodes GE2-1 and GE2-2 is disposed between the first intermediate insulation layer 10 and the second intermediate insulation layer 20 And the other control electrode GE2-2 (hereinafter referred to as an upper control electrode) is disposed on the upper insulating layer 30. [ The lower control electrode GE2-1 corresponds to the second control electrode GE2 in Fig. At this time, the upper control electrode GE2-2 may be referred to as a third control electrode.
상측 제어 전극(GE2-2)은 제2 입력 전극(DE2)의 상측부분(DE2-P2)과 제2 출력 전극(SE2)의 상측부분(SE2-P2) 사이에 배치된다. 도 9에 미 도시되었으나, 하측 제어 전극(GE2-1)과 상측 제어 전극(GE2-2)은 서로 전기적으로 연결된다. 상부 절연층(30)과 제2 중간 절연층(20)을 관통하는 컨택홀을 통해 2개의 제어 전극들(GE2-1, GE2-2)이 서로 연결될 수 있다. 이때, 상부 절연층(30)은 제2 중간 절연층(20)처럼 게이트 절연층의 기능을 갖는다.The upper control electrode GE2-2 is disposed between the upper portion DE2-P2 of the second input electrode DE2 and the upper portion SE2-P2 of the second output electrode SE2. Although not shown in FIG. 9, the lower control electrode GE2-1 and the upper control electrode GE2-2 are electrically connected to each other. The two control electrodes GE2-1 and GE2-2 can be connected to each other through the contact holes passing through the upper insulating layer 30 and the second intermediate insulating layer 20. [ At this time, the upper insulating layer 30 functions as a gate insulating layer like the second intermediate insulating layer 20.
상측 제어 전극(GE2-2)은 도 8e에 도시된 제2 입력 전극(DE2)의 상측부분(DE2-P2)을 형성하는 공정을 통해 제2 입력 전극(DE2)의 상측부분(DE2-P2)과 동시에 형성될 수 있다. 상측 제어 전극(GE2-2)은 제2 입력 전극(DE2)의 상측부분(DE2-P2)과 동일한 물질, 동일한 층구조를 가질 수 있다.The upper control electrode GE2-2 is connected to the upper portion DE2-P2 of the second input electrode DE2 through the process of forming the upper portion DE2-P2 of the second input electrode DE2 shown in Fig. As shown in FIG. The upper control electrode GE2-2 may have the same material and the same layer structure as the upper portion DE2-P2 of the second input electrode DE2.
별도로 도시하지 않았으나, 도 3 도시된 제2 트랜지스터(T2) 역시 2개의 제어 전극들(GE2-1, GE2-2)을 포함할 수 있다. Although not shown separately, the second transistor T2 shown in FIG. 3 may also include two control electrodes GE2-1 and GE2-2.
이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자 또는 해당 기술 분야에 통상의 지식을 갖는 자라면, 후술될 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 기술 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.While the present invention has been described in connection with what is presently considered to be the most practical and preferred embodiment, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed embodiments, but, on the contrary, It will be understood that various modifications and changes may be made thereto without departing from the scope of the present invention.
따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허청구범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.Therefore, the technical scope of the present invention should not be limited to the contents described in the detailed description of the specification, but should be defined by the claims.
T1: 제1 박막 트랜지스터 T2: 제2 박막 트랜지스터
OLED: 유기발광 다이오드 DE1, DE2: 입력 전극
SE1, SE2: 출력 전극 GE1, GE2: 제어 전극
OSP1, OSP2: 반도체 패턴
T1: first thin film transistor T2: second thin film transistor
OLED: organic light emitting diode DE1, DE2: input electrode
SE1, SE2: output electrodes GE1, GE2: control electrodes
OSP1, OSP2: Semiconductor pattern

Claims (20)

  1. 베이스 기판;
    제1 입력 전극, 제1 출력 전극, 제1 중간 절연층 하측에 배치된 제1 반도체 패턴, 및 상기 제1 중간 절연층 상측에 배치되고 제2 중간 절연층 하측에 배치된 제1 제어 전극을 포함하며, 상기 베이스 기판 상에 배치된 제1 박막 트랜지스터;
    제2 입력 전극, 제2 출력 전극, 상기 제1 중간 절연층 상측에 배치되고 상기 제2 중간 절연층 하측에 배치된 제2 제어 전극, 및 상기 제2 중간 절연층 상측에 배치된 제2 반도체 패턴을 포함하며, 상기 베이스 기판 상에 배치된 제2 박막 트랜지스터;
    상기 제2 제어전극 상측에 배치된 적어도 하나의 상부 절연층의 상측에 배치된 발광 다이오드; 및
    상기 제1 박막 트랜지스터에 전기적으로 연결된 커패시터를 포함하는 표시장치.
    A base substrate;
    A first output electrode, a first semiconductor pattern disposed below the first intermediate insulating layer, and a first control electrode disposed above the first intermediate insulating layer and disposed below the second intermediate insulating layer A first thin film transistor disposed on the base substrate;
    A second control electrode disposed above the first intermediate insulation layer and disposed below the second intermediate insulation layer, and a second control electrode disposed above the second intermediate insulation layer, A second thin film transistor disposed on the base substrate;
    A light emitting diode disposed above the at least one upper insulating layer disposed above the second control electrode; And
    And a capacitor electrically connected to the first thin film transistor.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 반도체 패턴은 폴리 실리콘을 포함하고, 상기 제2 반도체 패턴은 산화물 반도체를 포함하는 표시장치.
    The method according to claim 1,
    Wherein the first semiconductor pattern includes polysilicon, and the second semiconductor pattern comprises an oxide semiconductor.
  3. 제2 항에 있어서,
    상기 산화물 반도체는 수직 결정들을 포함하는 표시장치.
    3. The method of claim 2,
    Wherein the oxide semiconductor comprises vertical crystals.
  4. 제1 항에 있어서,
    상기 제2 입력 전극과 상기 제2 출력 전극 각각은,
    상기 제2 반도체 패턴에 접촉하는 하측부분; 및
    상기 적어도 하나의 상부 절연층 상에 배치되고 상기 적어도 하나의 상부 절연층을 관통하는 제1 컨택홀을 통해 상기 하측부분에 연결된 상측부분을 포함하는 표시장치.
    The method according to claim 1,
    Wherein each of the second input electrode and the second output electrode comprises:
    A lower portion contacting the second semiconductor pattern; And
    And an upper portion disposed on the at least one upper insulating layer and connected to the lower portion through a first contact hole passing through the at least one upper insulating layer.
  5. 제4 항에 있어서,
    상기 제1 입력 전극과 상기 제1 출력 전극 각각은,
    상기 적어도 하나의 상부 절연층 상에 배치되고, 상기 제1 중간 절연층, 상기 제2 중간 절연층, 및 상기 적어도 하나의 상부 절연층을 관통하는 제2 컨택홀을 통해 상기 제1 반도체 패턴에 연결된 표시장치.
    5. The method of claim 4,
    Wherein each of the first input electrode and the first output electrode comprises:
    A second intermediate insulating layer disposed over the at least one upper insulating layer and connected to the first semiconductor pattern through a second contact hole passing through the first intermediate insulating layer, Display device.
  6. 제4 항에 있어서,
    상기 커패시터는,
    상기 제1 제어전극과 동일한 층 상에 배치된 제1 전극; 및
    상기 하측부분과 동일한 층 상에 배치된 제2 전극을 포함하고,
    상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 상기 제2 중간 절연층이 배치된 표시장치.
    5. The method of claim 4,
    The capacitor
    A first electrode disposed on the same layer as the first control electrode; And
    And a second electrode disposed on the same layer as the lower portion,
    And the second intermediate insulating layer is disposed between the first electrode and the second electrode.
  7. 제6 항에 있어서,
    상기 제2 전극과 상기 제2 중간 절연층 사이에 배치된 더미 반도체 패턴을 더 포함하는 표시장치.
    The method according to claim 6,
    And a dummy semiconductor pattern disposed between the second electrode and the second intermediate insulating layer.
  8. 제7 항에 있어서,
    상기 더미 반도체 패턴과 상기 제2 반도체 패턴은 동일한 반도체 물질을 포함하는 표시장치.
    8. The method of claim 7,
    Wherein the dummy semiconductor pattern and the second semiconductor pattern include the same semiconductor material.
  9. 제4 항에 있어서,
    상기 제2 입력 전극의 상기 하측부분과 상기 제2 출력 전극의 상기 하측부분은 상기 제2 반도체 패턴 상에서 제1 방향으로 이격되어 배치되며,
    상기 제2 입력 전극의 상기 하측부분과 상기 제2 출력 전극의 상기 하측부분은 평면 상에서 상기 제2 반도체 패턴의 내측에 배치된 표시장치.
    5. The method of claim 4,
    The lower portion of the second input electrode and the lower portion of the second output electrode are spaced apart from each other in the first direction on the second semiconductor pattern,
    Wherein the lower portion of the second input electrode and the lower portion of the second output electrode are disposed in a plane on the inner side of the second semiconductor pattern.
  10. 제9 항에 있어서,
    상기 제2 입력 전극의 상기 하측부분의 외측면은 상기 제2 반도체 패턴의 제1 외측면과 정렬되고,
    상기 제2 출력 전극의 상기 하측부분의 외측면은 상기 제2 반도체 패턴의 제2 외측면과 정렬되고,
    상기 제2 반도체 패턴의 상기 제1 외측면과 상기 제2 반도체 패턴의 상기 제2 외측면은 상기 제1 방향에서 마주하는 표시장치.
    10. The method of claim 9,
    The outer surface of the lower portion of the second input electrode is aligned with the first outer surface of the second semiconductor pattern,
    The outer surface of the lower portion of the second output electrode is aligned with the second outer surface of the second semiconductor pattern,
    The first outer side surface of the second semiconductor pattern and the second outer side surface of the second semiconductor pattern face each other in the first direction.
  11. 제4 항에 있어서,
    상기 제1 제어 전극과 중첩하고, 상기 제2 중간 절연층 상에 배치된 도전패턴을 더 포함하는 표시장치.
    5. The method of claim 4,
    And a conductive pattern overlapping the first control electrode and disposed on the second intermediate insulating layer.
  12. 제11 항에 있어서,
    상기 도전패턴은 상기 커패시터의 상기 제2 중간 절연층 상에 배치된 하나의 전극과 연결된 표시장치.
    12. The method of claim 11,
    Wherein the conductive pattern is connected to one electrode disposed on the second intermediate insulating layer of the capacitor.
  13. 제11 항에 있어서,
    상기 도전패턴과 상기 제2 중간 절연층 사이에 배치된 더미 반도체 패턴을 더 포함하는 표시장치.
    12. The method of claim 11,
    And a dummy semiconductor pattern disposed between the conductive pattern and the second intermediate insulating layer.
  14. 제13 항에 있어서,
    상기 더미 반도체 패턴과 상기 제2 반도체 패턴은 동일한 반도체 물질을 포함하는 표시장치.
    14. The method of claim 13,
    Wherein the dummy semiconductor pattern and the second semiconductor pattern include the same semiconductor material.
  15. 제13 항에 있어서,
    상기 하측부분에 중첩하는 상기 제2 반도체 패턴의 일부분은 도펀트로 도핑되고,
    상기 더미 반도체 패턴은 상기 제2 반도체 패턴의 상기 일부분과 동일한 도펀트로 도핑된 표시장치.
    14. The method of claim 13,
    A portion of the second semiconductor pattern overlapping the lower portion is doped with a dopant,
    Wherein the dummy semiconductor pattern is doped with the same dopant as the portion of the second semiconductor pattern.
  16. 제1 항에 있어서,
    상기 제2 박막 트랜지스터는 상기 제2 제어 전극에 전기적으로 연결되고, 상기 적어도 하나의 상부 절연층 상에 배치된 제3 제어 전극을 더 포함하는 표시장치.
    The method according to claim 1,
    Wherein the second thin film transistor further comprises a third control electrode electrically connected to the second control electrode and disposed on the at least one upper insulating layer.
  17. 베이스 기판 상에 제1 반도체 패턴을 형성하는 단계;
    베이스 기판 상에 상기 제1 반도체 패턴을 커버하는 제1 중간 절연층을 형성하는 단계;
    상기 제1 중간 절연층 상에 상기 제1 반도체 패턴과 중첩하는 제1 제어 전극 및 상기 제1 반도체 패턴과 비중첩하는 제2 제어 전극을 형성하는 단계;
    상기 제1 중간 절연층 상에 상기 제1 제어 전극 및 상기 제2 제어 전극을 커버하는 제2 중간 절연층을 형성하는 단계;
    상기 제2 중간 절연층 상에 상기 제2 제어 전극과 중첩하는 제2 반도체 패턴 및 상기 제2 반도체 패턴에 연결된 제2 입력 전극의 하측부분 및 제2 출력 전극의 하측부분을 형성하는 단계;
    상기 제2 중간 절연층 상에 적어도 하나의 상부 절연층을 형성하는 단계;
    상기 상부 절연층 상에 상기 제2 입력 전극의 하측부분 및 상기 제2 출력 전극의 하측부분에 각각 연결된 상기 제2 입력 전극의 상측부분 및 상기 제2 출력 전극의 상측부분을 형성하는 단계;
    상기 상부 절연층 상에 상기 제1 반도체 패턴과 연결된 제1 입력 전극 및 제1 출력 전극을 형성하는 단계; 및
    상기 적어도 하나의 상부 절연층 상에 발광 다이오드를 형성하는 단계를 포함하는 표시장치의 제조방법.
    Forming a first semiconductor pattern on a base substrate;
    Forming a first intermediate insulating layer on the base substrate to cover the first semiconductor pattern;
    Forming a first control electrode overlapping the first semiconductor pattern on the first intermediate insulating layer and a second control electrode overlapping the first semiconductor pattern;
    Forming a second intermediate insulating layer covering the first control electrode and the second control electrode on the first intermediate insulating layer;
    Forming a second semiconductor pattern overlapping the second control electrode on the second intermediate insulating layer and a lower portion of a second input electrode connected to the second semiconductor pattern and a lower portion of the second output electrode;
    Forming at least one upper insulating layer on the second intermediate insulating layer;
    Forming an upper portion of the second input electrode and an upper portion of the second output electrode on the upper insulating layer, the lower portion of the second input electrode and the lower portion of the second output electrode, respectively;
    Forming a first input electrode and a first output electrode connected to the first semiconductor pattern on the upper insulating layer; And
    And forming a light emitting diode on the at least one upper insulating layer.
  18. 제17 항에 있어서,
    상기 제2 반도체 패턴, 상기 제2 입력 전극의 상기 하측부분 및 상기 제2 출력 전극의 상기 하측부분을 형성하는 단계는,
    상기 제2 중간 절연층 상에 반도체층을 형성하는 단계;
    상기 반도체층 상에 도전층을 형성하는 단계; 및
    상기 제2 입력 전극의 상기 하측부분에 대응하는 제1 차광부분, 상기 제2 출력 전극의 상기 하측부분에 대응하는 제2 차광부분, 및 상기 제1 차광부분과 상기 제2 차광부분 사이에 배치된 반투과부분을 포함하는 하프톤 마스크를 이용하여 상기 반도체층과 상기 도전층을 식각하는 단계를 포함하는 표시장치의 제조방법.
    18. The method of claim 17,
    Forming the second semiconductor pattern, the lower portion of the second input electrode, and the lower portion of the second output electrode,
    Forming a semiconductor layer on the second intermediate insulating layer;
    Forming a conductive layer on the semiconductor layer; And
    A second shielding portion corresponding to the lower portion of the second input electrode, a second shielding portion corresponding to the lower portion of the second output electrode, and a second shielding portion disposed between the first shielding portion and the second shielding portion And etching the semiconductor layer and the conductive layer using a halftone mask including a semi-transparent portion.
  19. 제17 항에 있어서,
    상기 제2 중간 절연층 상에 상기 제1 제어 전극과 중첩하는 더미 반도체 패턴을 형성하는 단계; 및
    상기 더미 반도체 패턴 상에 도전패턴을 형성하는 단계를 더 포함하는 표시장치의 제조방법.
    18. The method of claim 17,
    Forming a dummy semiconductor pattern overlying the first control electrode on the second intermediate insulating layer; And
    And forming a conductive pattern on the dummy semiconductor pattern.
  20. 제17 항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 상부 절연층 상에 상기 제2 제어 전극과 연결된 제3 제어 전극을 형성하는 단계 더 포함하는 표시장치의 제조방법.


    18. The method of claim 17,
    And forming a third control electrode connected to the second control electrode on the at least one upper insulating layer.


KR1020160113445A 2016-09-02 2016-09-02 Display device and manufacturing method of the same KR20180026610A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160113445A KR20180026610A (en) 2016-09-02 2016-09-02 Display device and manufacturing method of the same

Applications Claiming Priority (8)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160113445A KR20180026610A (en) 2016-09-02 2016-09-02 Display device and manufacturing method of the same
US15/657,369 US10340472B2 (en) 2016-09-02 2017-07-24 Display device and method of manufacturing the same
CN201710778238.0A CN107799535A (en) 2016-09-02 2017-09-01 Display device and its manufacture method
US16/459,060 US10673008B2 (en) 2016-09-02 2019-07-01 Display device and method of manufacturing the same
US16/836,005 US10790467B2 (en) 2016-09-02 2020-03-31 Display device and method of manufacturing the same
US16/911,525 US10854837B2 (en) 2016-09-02 2020-06-25 Display device and method of manufacturing the same
US17/082,379 US20210074943A1 (en) 2016-09-02 2020-10-28 Display device and method of manufacturing the same
US17/082,459 US20210074944A1 (en) 2016-09-02 2020-10-28 Display device and method of manufacturing the same

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20180026610A true KR20180026610A (en) 2018-03-13

Family

ID=61282149

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020160113445A KR20180026610A (en) 2016-09-02 2016-09-02 Display device and manufacturing method of the same

Country Status (3)

Country Link
US (6) US10340472B2 (en)
KR (1) KR20180026610A (en)
CN (1) CN107799535A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020036330A1 (en) * 2018-08-16 2020-02-20 삼성디스플레이 주식회사 Display device

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180026610A (en) 2016-09-02 2018-03-13 삼성디스플레이 주식회사 Display device and manufacturing method of the same
KR20180030275A (en) 2016-09-12 2018-03-22 삼성디스플레이 주식회사 Memory transistor and display apparatus having the same
CN108877674A (en) * 2018-07-27 2018-11-23 京东方科技集团股份有限公司 A kind of pixel circuit and its driving method, display device

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8822995B2 (en) * 2008-07-24 2014-09-02 Samsung Display Co., Ltd. Display substrate and method of manufacturing the same
CN102197490B (en) * 2008-10-24 2013-11-06 株式会社半导体能源研究所 Semiconductor device and method for manufacturing the same
KR101048965B1 (en) 2009-01-22 2011-07-12 삼성모바일디스플레이주식회사 Organic electroluminescent display
KR101073301B1 (en) 2009-07-15 2011-10-12 삼성모바일디스플레이주식회사 Organic Light emitting Display device and fabrication method thereof
KR101622182B1 (en) 2009-11-19 2016-05-18 엘지디스플레이 주식회사 Method of fabricating oxide thin film transistor
TWI463663B (en) * 2011-12-30 2014-12-01 Ind Tech Res Inst Semiconductor device and method of forming the same
KR102035302B1 (en) * 2013-04-25 2019-10-23 삼성디스플레이 주식회사 Apparatus for pixel circuit of organic light emitting display
KR20140139304A (en) 2013-05-27 2014-12-05 삼성디스플레이 주식회사 Organic light emitting diode display
US9412799B2 (en) 2013-08-26 2016-08-09 Apple Inc. Display driver circuitry for liquid crystal displays with semiconducting-oxide thin-film transistors
KR102227474B1 (en) 2013-11-05 2021-03-15 삼성디스플레이 주식회사 Thin film transistor array substrate, organic light-emitting display apparatus and manufacturing of the thin film transistor array substrate
JP6258047B2 (en) * 2014-01-27 2018-01-10 株式会社ジャパンディスプレイ Light emitting element display device
US10325937B2 (en) 2014-02-24 2019-06-18 Lg Display Co., Ltd. Thin film transistor substrate with intermediate insulating layer and display using the same
US9721973B2 (en) * 2014-02-24 2017-08-01 Lg Display Co., Ltd. Thin film transistor substrate and display using the same
US9911762B2 (en) * 2015-12-03 2018-03-06 Innolux Corporation Display device
KR20180026610A (en) 2016-09-02 2018-03-13 삼성디스플레이 주식회사 Display device and manufacturing method of the same

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020036330A1 (en) * 2018-08-16 2020-02-20 삼성디스플레이 주식회사 Display device

Also Published As

Publication number Publication date
CN107799535A (en) 2018-03-13
US20180069190A1 (en) 2018-03-08
US10340472B2 (en) 2019-07-02
US10854837B2 (en) 2020-12-01
US20210074943A1 (en) 2021-03-11
US10673008B2 (en) 2020-06-02
US20200328369A1 (en) 2020-10-15
US10790467B2 (en) 2020-09-29
US20210074944A1 (en) 2021-03-11
US20200227668A1 (en) 2020-07-16
US20190326543A1 (en) 2019-10-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10707287B2 (en) Organic light emitting display apparatus and method of manufacturing the same
KR102199359B1 (en) Organic light emitting diode display device and manufacturing method thereof
KR20180026610A (en) Display device and manufacturing method of the same
US9837021B2 (en) Organic light emitting display device
US9691837B2 (en) Organic light emitting diode display reducing parasitic capacitance
KR20180015793A (en) Semiconductor device and manufacturing method of the same
US10658399B2 (en) Transistor and display device having the same
US10490617B2 (en) Organic light emitting display device and a method of manufacturing the same
US20200219991A1 (en) Semiconductor device and method of fabricating the same
US9660009B2 (en) Organic light emitting diode display
US20190206969A1 (en) Display device
KR20210021329A (en) Organic light emitting display device
US20200365677A1 (en) Display device
US10985216B2 (en) Display apparatus and imaging apparatus
US20210202540A1 (en) Thin-film device
KR20200092531A (en) Light emitting display device and method for manufacturing the same
KR20200078778A (en) Light emitting diode display device

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal