KR20170134815A - Substrate treating facility and chemical supply apparatus - Google Patents
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- 239000000126 substance Substances 0.000 title claims abstract description 173
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 82
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 138
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims abstract description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 60
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 28
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 claims description 13
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 10
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 claims description 9
- 239000003814 drug Substances 0.000 claims description 8
- 229940079593 drug Drugs 0.000 claims description 8
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 3
- 238000001914 filtration Methods 0.000 claims description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 43
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000000427 thin-film deposition Methods 0.000 description 1
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/02052—Wet cleaning only
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
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- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/30604—Chemical etching
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- H—ELECTRICITY
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67057—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
- H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
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Abstract
Description
본 발명은 기판 처리 설비 및 약액 공급 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus and a chemical liquid supply apparatus.
반도체 소자 또는 액정 디스플레이를 제조하기 위해서, 기판에 포토리소그라피, 식각, 애싱, 이온주입, 박막 증착, 그리고 세정 등의 다양한 공정들이 수행된다. 이 중 식각 공정은 기판 상에 형성된 박막 중 불필요한 영역을 제거하는 공정으로, 박막에 대한 높은 선택비 및 고 식각률이 요구된다.To fabricate semiconductor devices or liquid crystal displays, various processes such as photolithography, etching, ashing, ion implantation, thin film deposition, and cleaning are performed on the substrate. Among them, the etching process is a process for removing an unnecessary region from a thin film formed on a substrate, and a high selection ratio and a high etching rate are required for the thin film.
일반적으로 기판의 식각 공정 또는 세정 공정은 크게 케미칼 처리 단계, 린스 처리 단계, 그리고 건조 처리 단계가 순차적으로 수행된다. 케미칼 처리 단계에는 기판 상에 형성된 박막을 식각 처리하거나 기판 상의 이물을 제거 하기 위한 케미칼을 기판으로 공급하고, 린스 처리 단계에는 기판 상에 순수와 같은 린스액이 공급된다.In general, the etching process or the cleaning process of the substrate is largely carried out in a chemical treatment stage, a rinsing treatment stage, and a drying treatment stage. In the chemical treatment step, a chemical for etching the thin film formed on the substrate or removing foreign substances on the substrate is supplied to the substrate, and in the rinsing step, a rinsing liquid such as pure water is supplied onto the substrate.
본 발명은 기판을 효율적으로 처리 할 수 있는 기판 처리 설비 및 약액 공급 장치를 제공하기 위한 것이다.The present invention is to provide a substrate processing apparatus and a chemical liquid supply apparatus capable of efficiently processing a substrate.
또한, 본 발명은 기판의 처리에 효율적인 혼합 약액을 기판으로 공급할 수 있는 기판 처리 설비 및 약액 공급 장치를 제공하기 위한 것이다.The present invention also provides a substrate processing apparatus and a chemical liquid supply apparatus capable of supplying a mixed chemical liquid, which is efficient for processing a substrate, to a substrate.
또한, 본 발명은 약액에 포함된 중합체가 제거되지 않은 약액이 기판으로 공급될 수 있는 기판 처리 설비 및 약액 공급 장치를 제공하기 위한 것이다.Further, the present invention is to provide a substrate processing apparatus and a chemical liquid supply apparatus in which a chemical liquid in which a polymer contained in a chemical liquid is not removed can be supplied to the substrate.
본 발명의 일 측면에 따르면, 혼합 약액으로 기판을 처리하는 기판 처리 장치; 제1약액 및 제2약액을 혼합하여 상기 혼합 약액을 상기 기판 처리 장치로 공급하는 혼합기; 상기 제1약액을 저장하는 탱크, 상기 탱크에서 상기 혼합기로 상기 제1약액을 공급하는 경로를 제공하는 연결 배관 및 상기 연결 배관에 위치되어 상기 제1약액에 포함된 이물질을 걸러내는 필터를 포함하는 제1약액 공급기; 및 상기 혼합기로 상기 제2약액을 공급하는 제2약액 공급기를 포함하는 기판 처리 설비가 제공될 수 있다.According to an aspect of the present invention, there is provided a substrate processing apparatus for processing a substrate with a mixed chemical liquid; A mixer for mixing the first chemical solution and the second chemical solution and supplying the mixed chemical solution to the substrate processing apparatus; A tank for storing the first chemical liquid; a connection pipe for providing a path for supplying the first chemical liquid from the tank to the mixer; and a filter disposed at the connection pipe for filtering foreign substances contained in the first chemical liquid A first chemical solution supply unit; And a second chemical liquid supply unit for supplying the second chemical liquid to the mixer.
또한, 상기 제1약액 공급기는 양단이 상기 탱크에 연결되어 상기 제1약액이 순환되는 경로를 제공하는 순환 배관을 더 포함하고, 상기 연결 배관은 상기 순환 배관에서 분지될 수 있다.The first chemical liquid supply unit may further include a circulation pipe connected to the tank to provide a path through which the first chemical liquid is circulated, and the connection pipe may be branched from the circulation pipe.
또한, 상기 순환 배관에는 상기 제1약액을 가열하는 분해 히터가 위치될 수 있다.The circulation pipe may be provided with a decomposition heater for heating the first chemical liquid.
또한, 상기 순환 배관에는 펌프가 제공될 수 있다.The circulation pipe may be provided with a pump.
또한, 상기 제1약액은 중합체를 포함하고, 상기 분해 히터는 상기 제1약액을 상기 중합체의 열분해 온도 이상으로 가열할 수 있다.Further, the first chemical liquid may include a polymer, and the decomposition heater may heat the first chemical liquid to a temperature higher than the thermal decomposition temperature of the polymer.
또한, 상기 기판 처리 설비는, 가스관을 통해 상기 혼합기에 연결되는 가스 공급기를 더 포함할 수 있다.In addition, the substrate processing apparatus may further include a gas supplier connected to the mixer through a gas pipe.
또한, 상기 가스관은, 일단이 상기 혼합기의 상부에 연결되는 제1가스관; 및 일단이 상기 혼합 약액의 수면 아래쪽에 위치되는 제2가스관을 포함할 수 있다.The gas pipe may include: a first gas pipe having one end connected to an upper portion of the mixer; And a second gas pipe whose one end is positioned below the water surface of the mixed chemical liquid.
본 발명의 다른 측면에 따르면, 제1약액 및 제2약액을 혼합하여 혼합 약액을 배출하는 혼합기; 상기 제1약액을 저장하는 탱크, 양단이 상기 탱크에 연결되어 상기 제1약액이 순환되는 경로를 제공하는 순환 배관, 상기 순환 배관에서 분지되고 상기 혼합기로 상기 제1약액을 공급하는 경로를 제공하는 연결 배관, 및 상기 연결 배관에 위치되어 상기 제1약액에 포함된 이물질을 걸러내는 필터를 포함하는 제1약액 공급기; 및 상기 혼합기로 상기 제2약액을 공급하는 제2약액 공급기를 포함하는 약액 공급 장치가 제공될 수 있다.According to another aspect of the present invention, there is provided a mixer for mixing a first drug solution and a second drug solution to discharge a mixed drug solution; A circulation pipe connected to the tank and providing a path through which the first chemical solution is circulated, a path branched from the circulation pipe and supplying the first chemical solution to the mixer, A first chemical liquid supply unit including a connection pipe, and a filter disposed in the connection pipe to filter foreign matters contained in the first chemical liquid; And a second chemical liquid supply device for supplying the second chemical liquid to the mixer.
또한, 상기 순환 배관에는 상기 제1약액을 가열하는 분해 히터가 위치될 수 있다.The circulation pipe may be provided with a decomposition heater for heating the first chemical liquid.
또한, 상기 순환 배관에는 펌프가 제공될 수 있다.The circulation pipe may be provided with a pump.
또한, 상기 제1약액은 중합체를 포함하고, 상기 분해 히터는 상기 제1약액을 상기 중합체의 열분해 온도 이상으로 가열할 수 있다.Further, the first chemical liquid may include a polymer, and the decomposition heater may heat the first chemical liquid to a temperature higher than the thermal decomposition temperature of the polymer.
또한, 상기 혼합기는 각각 상기 제1약액 공급기 및 상기 제2약액 공급기에 연결되는 제1혼합기 및 제2혼합기를 포함할 수 있다.In addition, the mixer may include a first mixer and a second mixer, which are respectively connected to the first chemical solution feeder and the second chemical solution feeder.
또한, 가스관을 통해 상기 혼합기에 연결되는 가스 공급기를 더 포함할 수 있다.The apparatus may further include a gas supplier connected to the mixer through a gas pipe.
본 발명의 일 실시 예에 의하면, 기판을 효율적으로 처리 할 수 있는 기판 처리 설비 및 약액 공급 장치가 제공될 수 있다.According to an embodiment of the present invention, a substrate processing apparatus and a chemical liquid supply apparatus capable of efficiently processing a substrate can be provided.
또한, 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 기판의 처리에 효율적인 혼합 약액을 기판으로 공급할 수 있는 기판 처리 설비 및 약액 공급 장치가 제공될 수 있다.According to an embodiment of the present invention, there can be provided a substrate processing apparatus and a chemical liquid supply apparatus capable of supplying a mixed chemical solution, which is efficient for processing of a substrate, to a substrate.
또한, 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 약액에 포함된 중합체가 제거되지 않은 약액이 기판으로 공급될 수 있는 기판 처리 설비 및 약액 공급 장치가 제공될 수 있다.Further, according to an embodiment of the present invention, there can be provided a substrate processing apparatus and a chemical liquid supply apparatus in which a chemical liquid in which a polymer contained in a chemical liquid is not removed can be supplied to the substrate.
도 1은 기판 처리 설비를 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 2는 기판 처리 장치에 연결된 약액 공급 장치를 나타내는 도면이다.
도 3은 도 2의 제1약액 공급기를 나타내는 도면이다.
도 4는 다른 실시 예에 따른 약액 공급 장치를 나타내는 도면이다.
도 5는 또 다른 실시 예에 따른 약액 공급 장치를 나타내는 도면이다.1 is a plan view schematically showing a substrate processing facility.
2 is a view showing a chemical liquid supply apparatus connected to a substrate processing apparatus.
FIG. 3 is a view showing the first chemical liquid supply device of FIG. 2. FIG.
4 is a view showing a chemical liquid supply apparatus according to another embodiment.
5 is a view showing a chemical liquid supply apparatus according to another embodiment.
이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The embodiments of the present invention can be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the following embodiments. This embodiment is provided to more fully describe the present invention to those skilled in the art. Thus, the shape of the elements in the figures has been exaggerated to emphasize a clearer description.
도 1은 기판 처리 설비를 개략적으로 나타낸 평면도이다. 1 is a plan view schematically showing a substrate processing facility.
도 1을 참조하면, 기판 처리 설비(1)는 인덱스 모듈(10)과 공정 처리 모듈(20)을 포함한다. Referring to FIG. 1, the
인덱스 모듈(10)은 로드포트(120) 및 이송프레임(140)을 포함한다. 로드포트(120), 이송프레임(140), 그리고 공정 처리 모듈(20)은 순차적으로 배열될 수 있다. 이하, 로드포트(120), 이송프레임(140), 그리고 공정 처리 모듈(20)이 일렬로 배열된 방향을 제1방향(12)이라 한다. 그리고 상부에서 바라볼 때 제1방향(12)과 수직한 방향을 제2방향(14)이라 하고, 제1방향(12)과 제2방향(14)을 포함한 평면에 수직인 방향을 제3방향(16)이라 한다.The
로드포트(120)에는 기판(W)이 수납된 캐리어(130)가 놓인다. 로드포트(120)는 복수 개가 제공되며 이들은 제2방향(14)을 따라 일렬로 배치된다. 도 1에서는 네 개의 로드포트(120)가 제공된 것으로 도시하였다. 그러나 로드포트(120)의 개수는 공정 처리 모듈(20)의 공정효율 및 풋 프린트 등의 조건에 따라 증가하거나 감소할 수도 있다. 캐리어(130)에는 기판(W)의 가장자리를 지지하도록 제공된 슬롯(도시되지 않음)이 형성된다. 슬롯은 제3방향(16)으로 복수 개가 제공된다. 기판(W)은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 캐리어(130)내에 위치된다. 캐리어(130)로는 전면 개방 일체형 포드(Front Opening Unified Pod;FOUP)가 사용될 수 있다.The
공정 처리 모듈(20)은 버퍼유닛(220), 이송챔버(240), 그리고 공정챔버(260)를 포함한다. 이송챔버(240)는 그 길이 방향이 제1방향(12)과 평행하게 배치된다. 제2방향(14)를 따라 이송챔버(240)의 일측 및 타측에는 각각 공정챔버들(260)이 배치된다. 이송챔버(240)의 일측에 위치한 공정챔버들(260)과 이송챔버(240)의 타측에 위치한 공정챔버들(260)은 이송챔버(240)를 기준으로 서로 대칭이 되도록 제공된다. 공정챔버(260)들 중 일부는 이송챔버(240)의 길이 방향을 따라 배치된다. 또한, 공정챔버(260)들 중 일부는 서로 적층되게 배치된다. 즉, 이송챔버(240)의 일측에는 공정챔버(260)들이 A X B(A와 B는 각각 1이상의 자연수)의 배열로 배치될 수 있다. 여기서 A는 제1방향(12)을 따라 일렬로 제공된 공정챔버(260)의 수이고, B는 제3방향(16)을 따라 일렬로 제공된 공정챔버(260)의 수이다. 이송챔버(240)의 일측에 공정챔버(260)가 4개 또는 6개 제공되는 경우, 공정챔버(260)들은 2 X 2 또는 3 X 2의 배열로 배치될 수 있다. 공정챔버(260)의 개수는 증가하거나 감소할 수도 있다. 상술한 바와 달리, 공정챔버(260)는 이송챔버(240)의 일측에만 제공될 수 있다. 또한, 상술한 바와 달리, 공정챔버(260)는 이송챔버(240)의 일측 및 양측에 단층으로 제공될 수 있다.
버퍼유닛(220)은 이송프레임(140)과 이송챔버(240) 사이에 배치된다. 버퍼 유닛(220)은 이송챔버(240)와 이송프레임(140) 간에 기판(W)이 반송되기 전에 기판(W)이 머무르는 공간을 제공한다. 버퍼유닛(220)은 그 내부에 기판(W)이 놓이는 슬롯(미도시)이 제공되며, 슬롯(미도시)들은 서로 간에 제3방향(16)을 따라 이격되도록 복수 개 제공된다. 버퍼유닛(220)에서 이송프레임(140)과 마주보는 면과 이송챔버(240)와 마주보는 면 각각이 개방된다. The
이송프레임(140)은 로드포트(120)에 안착된 캐리어(130)와 버퍼유닛(220) 간에 기판(W)을 반송한다. 이송프레임(140)에는 인덱스레일(142)과 인덱스로봇(144)이 제공된다. 인덱스레일(142)은 그 길이 방향이 제2방향(14)과 나란하게 제공된다. 인덱스로봇(144)은 인덱스레일(142) 상에 설치되며, 인덱스레일(142)을 따라 제2방향(14)으로 직선 이동된다. 인덱스로봇(144)은 베이스(144a), 바디(144b), 그리고 인덱스암(144c)을 가진다. 베이스(144a)는 인덱스레일(142)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 바디(144b)는 베이스(144a)에 결합된다. 바디(144b)는 베이스(144a) 상에서 제3방향(16)을 따라 이동 가능하도록 제공된다. 또한, 바디(144b)는 베이스(144a) 상에서 회전 가능하도록 제공된다. 인덱스암(144c)은 바디(144b)에 결합되고, 바디(144b)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공된다. 인덱스암(144c)은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동되도록 제공된다. 인덱스암(144c)들은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치된다. 인덱스암(144c)들 중 일부는 공정 처리 모듈(20)에서 캐리어(130)로 기판(W)을 반송할 때 사용되고, 다른 일부는 캐리어(130)에서 공정 처리 모듈(20)로 기판(W)을 반송할 때 사용될 수 있다. 이는 인덱스로봇(144)이 기판(W)을 반입 및 반출하는 과정에서 공정 처리 전의 기판(W)으로부터 발생된 입자이 공정 처리 후의 기판(W)에 부착되는 것을 방지할 수 있다. The
이송챔버(240)는 버퍼유닛(220)과 공정챔버(260) 간에, 그리고 공정챔버(260)들 간에 기판(W)을 반송한다. 이송챔버(240)에는 가이드레일(242)과 메인로봇(244)이 제공된다. 가이드레일(242)은 그 길이 방향이 제1방향(12)과 나란하도록 배치된다. 메인로봇(244)은 가이드레일(242) 상에 설치되고, 가이드레일(242) 상에서 제1방향(12)을 따라 직선 이동된다. 메인로봇(244)은 베이스(244a), 바디(244b), 그리고 메인암(244c)을 가진다. 베이스(244a)는 가이드레일(242)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 바디(244b)는 베이스(244a)에 결합된다. 바디(244b)는 베이스(244a) 상에서 제3방향(16)을 따라 이동 가능하도록 제공된다. 또한, 바디(244b)는 베이스(244a) 상에서 회전 가능하도록 제공된다. 메인암(244c)은 바디(244b)에 결합되고, 이는 바디(244b)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공된다. 메인암(244c)은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동되도록 제공된다. 메인암(244c)들은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치된다. 버퍼유닛(220)에서 공정챔버(260)로 기판(W)을 반송할 때 사용되는 메인암(244c)과 공정챔버(260)에서 버퍼유닛(220)으로 기판(W)을 반송할 때 사용되는 메인암(244c)은 서로 상이할 수 있다. The
공정챔버(260) 내에는 기판(W)에 대해 세정 공정을 수행하는 기판 처리 장치(300)가 제공된다. 각각의 공정챔버(260) 내에 제공된 기판 처리 장치(300)는 수행하는 세정 공정의 종류에 따라 상이한 구조를 가질 수 있다. 선택적으로 각각의 공정챔버(260) 내의 기판 처리 장치(300)는 동일한 구조를 가질 수 있다. 선택적으로 공정챔버(260)들은 복수 개의 그룹으로 구분되어, 동일한 그룹에 속하는 공정챔버(260)에 제공된 기판 처리 장치(300)들은 서로 동일한 구조를 가지고, 상이한 그룹에 속하는 공정챔버(260)에 제공된 기판 처리 장치(300)들은 서로 상이한 구조를 가질 수 있다. 예컨대, 공정챔버(260)가 2개의 그룹으로 나누어지는 경우, 이송챔버(240)의 일측에는 제1그룹의 공정챔버들(260)이 제공되고, 이송챔버(240)의 타측에는 제2그룹의 공정챔버들(260)이 제공될 수 있다. 선택적으로 이송챔버(240)의 일측 및 타측 각각에서 하층에는 제1그룹의 공정챔버(260)들이 제공되고, 상층에는 제2그룹의 공정챔버(260)들이 제공될 수 있다. 제1그룹의 공정챔버(260)와 제2그룹의 공정챔버(260)는 각각 사용되는 케미컬의 종류나, 세정 방식의 종류에 따라 구분될 수 있다.In the
도 2는 기판 처리 장치에 연결된 약액 공급 장치를 나타내는 도면이다.2 is a view showing a chemical liquid supply apparatus connected to a substrate processing apparatus.
도 2를 참조하면, 약액 공급 장치(400)는 기판 처리 장치(300)에 기판의 처리에 사용되는 약액을 공급한다. 도 2에는 약액 공급 장치(400)에 하나의 기판 처리 장치(300)가 연결된 것으로 도시되었으나, 약액 공급 장치(400)에는 2개 이상의 기판 처리 장치(300)가 병렬 연결될 수 있다.Referring to FIG. 2, the chemical
약액 공급 장치(400)는 제1약액 공급기(410), 제2약액 공급기(460), 가스 공급기(470) 및 혼합기(480)를 포함한다.The chemical
제1약액 공급기(410)는 제1배관(510)을 통해 혼합기(480)에 연결되어, 혼합기(480)로 제1약액을 공급한다. 제1배관(510) 상에는 제1밸브(511)가 제공될 수 있다. 제2약액 공급기(460)는 제2배관(520)을 통해 혼합기(480)에 연결되어, 혼합기(480)로 제2약액을 공급한다. 제2배관(520) 상에는 제2밸브(521)가 제공될 수 있다. 혼합기(480)는 배관(530)을 통해 기판 처리 장치(300)에 연결된다. 혼합기(480)는 제1약액 및 제2약액을 혼합하여, 혼합 약액을 기판 처리 장치(300)로 공급한다. 배관(530)에는 공급되는 약액 가열을 위한 히터(531)가 제공될 수 있다. 히터(531)의 가열 온도는 후술할 분해 히터(도 3의 413)의 가열 온도보다 낮게 제공될 수 있다. 따라서, 후술할 중합체는 열 분해되지 않고 기판 처리 장치(300)로 공급될 수 있다.The first
가스 공급기(470)는 가스관(540)을 통해 혼합기(480)에 연결된다. 가스관(540)에는 가스 밸브(541)가 제공될 수 있다. 가스 공급기(470)가 제공하는 가스는 혼합기(480) 내부의 압력을 상승시켜, 혼합기(480) 내의 혼합 약액을 배출하는 압력을 제공한다. 가스관(540)은 단부는 혼합기(480)의 상부에 연결될 수 있다. 또한, 가스관(540)의 단부는 혼합 약액의 수면 아래쪽에 위치될 수도 있다. 따라서, 가스에 의해 제1약액 및 제2약액의 혼합이 촉진될 수 있다. 가스 공급기(470)가 제공하는 가스는 불활성 가스일 수 있다. 일 예로, 가스 공급기(470)가 공급하는 가스는 질소 일 수 있다.The
도 3은 도 2의 제1약액 공급기를 나타내는 도면이다.FIG. 3 is a view showing the first chemical liquid supply device of FIG. 2. FIG.
도 3을 참조하면 제1약액 공급기(410)는 탱크(411), 순환 배관(412) 및 필터(416)를 포함한다.Referring to FIG. 3, the first
탱크(411)는 제1약액을 저장한다. 제1약액은 기판의 처리에 기여하는 열 분해성 중합체를 포함한다. 탱크(411)에는 제1약액 보충을 위한 보충 배관(417)이 연결될 수 있다.The
순환 배관(412)은 양 단이 탱크(411)에 연결되어, 탱크(411)에서 배출된 제1약액이 다시 탱크(411)로 유입되도록 한다. 순환 배관(412)에는 제1약액 가열을 위한 분해 히터(413)가 위치된다. 분해 히터(413)는 유동하는 제1약액을 가열 하도록 제공되어, 약액 가열 효율이 향상될 수 있다. 또한, 순환 배관(412)에는 제1약액 유동의 압력을 제공하는 펌프(414)가 제공될 수 있다. 분해 히터(413)의 제1약액 가열 온도 및/또는 펌프(414)에 의한 제1약액의 유동 속도는 중합체의 열 분해 정도를 고려하여 조절된다. 따라서, 중합체는 열 분해가 발생되는 온도 이상으로 가열 됨에 따라 단위체 또는 2이상의 합체가 떨어져 나가고 그 크기가 줄어든다. 그리고, 이와 같은 열 분해는 제1약액이 순환하는 과정에서 반복, 지속됨에 따라 중합체는 열 분해된 상태를 유지한다.Both ends of the
순환 배관(412)상에는 연결 배관(415)이 분지된다. 연결 배관(415)은 제1배관(510)과 연결되어, 순환 배관(412)을 순환하는 제1약액의 전부 또는 일부를 제1배관(510)으로 공급한다. 연결 배관(415) 상에는 필터(416)가 위치된다. 필터(416)는 제1약액에 포함된 이물질을 제거한다. 이 때, 중합체는 열 분해된 상태이므로 필터(416)에 의해 걸러지지 않고, 단위체 또는 2이상의 합체 상태로 제1배관(510)을 통해 혼합기(480)로 공급된다. 이 후, 제1약액은 중합체의 열분해 온도 이하로 낮아져, 제1약액에 포함된 단위체 또는 2이상의 합체는 다시 중합체를 형성한 후, 기판 처리 장치(300)에 공급된다. On the circulating
본 발명의 실시 예에 따르면, 제1약액은 필터(416)에 의해 이물질이 제거 되면서, 제1약액에 포함된 중합체는 필터(416)에 의해 제거되지 않고 기판 처리 장치(300)로 공급될 수 있다. 따라서, 중합체를 포함한 제1약액이 기판의 처리에 사용되어 기판 처리 효율이 향상될 수 있다.According to the embodiment of the present invention, while the first chemical liquid is removed by the
제2약액 공급기(460)는 제1약액 공급기(410)와 동일한 구조로 제공될 수 있다. 따라서, 제2약액에 포함된 중합체는 혼합기(480)를 커쳐 기판 처리 장치(300)로 공급되고, 제2약액에 포함된 이물질만 연결 배관(415)에 위치된 필터(416)에 의해 걸러 질 수 있다. 또한, 선택적으로 제2약액이 중합체를 포함하지 않거나, 제2약액에 포함된 중합체가 기판의 처리에 기여하지 않는 경우, 순환 배관(412)에 위치된 분해 히터(413)는 생략될 수 있다. 또한, 선택적으로 제2약액이 중합체를 포함하지 않거나, 제2약액에 포함된 중합체가 기판의 처리에 기여하지 않는 경우, 순환 배관(412)은 생략되고 연결 배관(415)이 탱크(411)에 직접 연결될 수 있다. 또한, 선택적으로 제2약액이 중합체를 포함하지 않거나, 제2약액에 포함된 중합체가 기판의 처리에 기여하지 않는 경우, 연결 배관(415)은 보충 배관(417)에 직적 연결될 수 있다.The second
도 4는 다른 실시 예에 따른 약액 공급 장치를 나타내는 도면이다.4 is a view showing a chemical liquid supply apparatus according to another embodiment.
도 4를 참조하면, 약액 공급 장치(600)는 제1약액 공급기(610), 제2약액 공급기(660), 가스 공급기(670) 및 혼합기(680)를 포함한다.4, the chemical
가스 공급기(670)는 가스관(550)을 통해 혼합기(680)에 연결된다. 가스관(550)은 제1가스관(551) 및 제2가스관(552)을 포함한다. 제1가스관(551)에는 제1 가스 밸브(551a)가 위치될 수 있다. 제2가스관(552)에는 제2 가스 밸브(552a)가 위치될 수 있다. 제1가스관(551)의 일단은 혼합기(680)의 상부에 연결되어, 혼합기(680) 내의 혼합 약액을 배출하는 압력을 제공한다. 제2가스관(552)의 일단은 혼합 약액의 수면 아래쪽에 위치되어 가스에 의해 제1약액 및 제2약액의 혼합이 촉진하고 혼합 약액을 배출하는 압력을 제공한다. 제1가스관(551) 및 제2가스관(552)의 타단은 각각 가스 공급기(670)에 연결되거나, 서로 합쳐진 후 가스 공급기(670)에 연결될 수 있다.The
제1약액 공급기(610), 제2약액 공급기(660), 혼합기(680)는 도 2의 약액 공급 장치(400)와 동일 또는 유사하게 제공되고, 다른 구성과 연결될 수 있다.The first
도 5는 또 다른 실시 예에 따른 약액 공급 장치를 나타내는 도면이다.5 is a view showing a chemical liquid supply apparatus according to another embodiment.
도 5를 참조하면, 약액 공급 장치(700)는 제1약액 공급기(710), 제2약액 공급기(760), 가스 공급기(770) 및 혼합기(780)를 포함한다.5, the chemical
혼합기(780)는 기판 처리 장치(300)에 병렬 연결되는 제1혼합기(781) 및 제2혼합기(482)를 포함한다. 제1혼합기(781)는 도2의 약액 공급 장치(400) 또는 도 4의 약액 공급 장치(600)와 동일한 방식으로 제1약액 공급기(710), 제2약액 공급기(760), 가스 공급기(770)에 연결된다. 그리고, 제2혼합기(782)는 도2의 약액 공급 장치(400) 또는 도 4의 약액 공급 장치(600)와 동일한 방식으로 제1약액 공급기(710), 제2약액 공급기(760), 가스 공급기(770)에 연결된다. 그리고, 제1혼합기(781), 제2혼합기(482)는 동시에 또는 선택적으로 배관(560)을 통해 기판 처리 장치(300)에 혼합 약액을 공급한다. 따라서, 제1혼합기(781) 또는 제2혼합기(482) 가운데 하나에 혼합 약액이 부족한 경우에도 안정적으로 혼합 약액을 기판 처리 장치(300)에 공급할 수 있다.The
제1약액 공급기(710), 제2약액 공급기(760), 가스 공급기(770)는 도 2의 약액 공급 장치(400) 또는 도 4의 약액 공급 장치(600)와 동일하다.The first
이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.The foregoing detailed description is illustrative of the present invention. In addition, the foregoing is intended to illustrate and explain the preferred embodiments of the present invention, and the present invention may be used in various other combinations, modifications, and environments. That is, it is possible to make changes or modifications within the scope of the concept of the invention disclosed in this specification, within the scope of the disclosure, and / or within the skill and knowledge of the art. The embodiments described herein are intended to illustrate the best mode for implementing the technical idea of the present invention and various modifications required for specific applications and uses of the present invention are also possible. Accordingly, the detailed description of the invention is not intended to limit the invention to the disclosed embodiments. It is also to be understood that the appended claims are intended to cover such other embodiments.
10: 인덱스 모듈
20: 공정 처리 모듈
120: 로드포트
140: 이송프레임
220: 버퍼유닛
260: 공정챔버
300: 기판 처리 장치
400: 약액 공급 장치
410: 제1약액 공급기
460: 제2약액 공급기
470: 가스 공급기
480: 혼합기10: Index module 20: Process processing module
120: load port 140: transport frame
220: buffer unit 260: process chamber
300: substrate processing apparatus 400: chemical liquid supply device
410: first chemical liquid feeder 460: second chemical liquid feeder
470: Gas supplier 480: Mixer
Claims (13)
제1약액 및 제2약액을 혼합하여 상기 혼합 약액을 상기 기판 처리 장치로 공급하는 혼합기;
상기 제1약액을 저장하는 탱크, 상기 탱크에서 상기 혼합기로 상기 제1약액을 공급하는 경로를 제공하는 연결 배관 및 상기 연결 배관에 위치되어 상기 제1약액에 포함된 이물질을 걸러내는 필터를 포함하는 제1약액 공급기; 및
상기 혼합기로 상기 제2약액을 공급하는 제2약액 공급기를 포함하는 기판 처리 설비.A substrate processing apparatus for processing a substrate with a mixed chemical liquid;
A mixer for mixing the first chemical solution and the second chemical solution and supplying the mixed chemical solution to the substrate processing apparatus;
A tank for storing the first chemical liquid; a connection pipe for providing a path for supplying the first chemical liquid from the tank to the mixer; and a filter disposed at the connection pipe for filtering foreign substances contained in the first chemical liquid A first chemical solution supply unit; And
And a second chemical liquid supply unit for supplying the second chemical liquid to the mixer.
상기 제1약액 공급기는 양단이 상기 탱크에 연결되어 상기 제1약액이 순환되는 경로를 제공하는 순환 배관을 더 포함하고,
상기 연결 배관은 상기 순환 배관에서 분지되는 기판 처리 설비.The method according to claim 1,
Wherein the first chemical liquid supply unit further includes a circulation pipe connected to the tank at both ends thereof to provide a path through which the first chemical liquid is circulated,
Wherein the connection piping is branched at the circulation piping.
상기 순환 배관에는 상기 제1약액을 가열하는 분해 히터가 위치되는 기판 처리 설비.In the second aspect,
Wherein the circulation pipe is provided with a decomposition heater for heating the first chemical liquid.
상기 순환 배관에는 펌프가 제공되는 기판 처리 설비.The method of claim 3,
Wherein the circulation pipe is provided with a pump.
상기 제1약액은 중합체를 포함하고,
상기 분해 히터는 상기 제1약액을 상기 중합체의 열분해 온도 이상으로 가열하는 기판 처리 설비.The method according to claim 3 or 4,
Wherein the first chemical liquid comprises a polymer,
Wherein the decomposition heater heats the first chemical liquid to a temperature higher than a thermal decomposition temperature of the polymer.
상기 기판 처리 설비는,
가스관을 통해 상기 혼합기에 연결되는 가스 공급기를 더 포함하는 기판 처리 설비.The method according to claim 1,
The substrate processing equipment includes:
And a gas supplier connected to the mixer through a gas pipe.
상기 가스관은,
일단이 상기 혼합기의 상부에 연결되는 제1가스관; 및
일단이 상기 혼합 약액의 수면 아래쪽에 위치되는 제2가스관을 포함하는 기판 처리 설비.The method according to claim 6,
The gas-
A first gas pipe whose one end is connected to the upper portion of the mixer; And
And a second gas pipe, one end of which is located below the water surface of the mixed chemical liquid.
상기 제1약액을 저장하는 탱크, 양단이 상기 탱크에 연결되어 상기 제1약액이 순환되는 경로를 제공하는 순환 배관, 상기 순환 배관에서 분지되고 상기 혼합기로 상기 제1약액을 공급하는 경로를 제공하는 연결 배관, 및 상기 연결 배관에 위치되어 상기 제1약액에 포함된 이물질을 걸러내는 필터를 포함하는 제1약액 공급기; 및
상기 혼합기로 상기 제2약액을 공급하는 제2약액 공급기를 포함하는 약액 공급 장치.A mixer for mixing the first drug solution and the second drug solution and discharging the mixed drug solution;
A circulation pipe connected to the tank and providing a path through which the first chemical solution is circulated, a path branched from the circulation pipe and supplying the first chemical solution to the mixer, A first chemical liquid supply unit including a connection pipe, and a filter disposed in the connection pipe to filter foreign matters contained in the first chemical liquid; And
And a second chemical liquid supply unit for supplying the second chemical liquid to the mixer.
상기 순환 배관에는 상기 제1약액을 가열하는 분해 히터가 위치되는 약액 공급 장치.9. The method of claim 8,
Wherein the circulation pipe is provided with a decomposition heater for heating the first chemical liquid.
상기 순환 배관에는 펌프가 제공되는 약액 공급 장치.9. The method of claim 8,
Wherein the circulation pipe is provided with a pump.
상기 제1약액은 중합체를 포함하고,
상기 분해 히터는 상기 제1약액을 상기 중합체의 열분해 온도 이상으로 가열하는 약액 공급 장치.11. The method according to claim 9 or 10,
Wherein the first chemical liquid comprises a polymer,
Wherein the decomposition heater heats the first chemical liquid to a temperature higher than a thermal decomposition temperature of the polymer.
상기 혼합기는 각각 상기 제1약액 공급기 및 상기 제2약액 공급기에 연결되는 제1혼합기 및 제2혼합기를 포함하는 약액 공급 장치.9. The method of claim 8,
Wherein the mixer includes a first mixer and a second mixer, each of which is connected to the first chemical solution feeder and the second chemical solution feeder.
가스관을 통해 상기 혼합기에 연결되는 가스 공급기를 더 포함하는 약액 공급 장치.9. The method of claim 8,
And a gas supplier connected to the mixer through a gas pipe.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020160064828A KR101870656B1 (en) | 2016-05-26 | 2016-05-26 | Substrate treating facility and chemical supply apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020160064828A KR101870656B1 (en) | 2016-05-26 | 2016-05-26 | Substrate treating facility and chemical supply apparatus |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020180046280A Division KR102022954B1 (en) | 2018-04-20 | 2018-04-20 | Substrate treating facility and chemical supply apparatus |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20170134815A true KR20170134815A (en) | 2017-12-07 |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
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Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR101870656B1 (en) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
AMND | Amendment | ||
E601 | Decision to refuse application | ||
A107 | Divisional application of patent | ||
AMND | Amendment | ||
X701 | Decision to grant (after re-examination) | ||
GRNT | Written decision to grant |