KR20170086310A - Substrate thinning apparatus, method of thinning a substrate using the same, and method of manufacturing a semiconductor package - Google Patents

Substrate thinning apparatus, method of thinning a substrate using the same, and method of manufacturing a semiconductor package Download PDF

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KR20170086310A
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최상일
김병호
최홍석
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삼성전자주식회사
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Abstract

본 발명은 기판을 지지할 수 있는 척 테이블; The chuck table in the present invention is to support a substrate; 상기 척 테이블에 지지되는 기판을 연삭할 수 있는 휠 팁(wheel tip)을 구비하는 회전 가능한 연삭 장치; Rotatable grinding apparatus having a wheel tip (wheel tip) capable of grinding the substrate supported on the chuck table; 상기 연삭 장치가 회전하는 동안 상기 휠 팁을 동기 클리닝할 수 있도록 구성된 클리닝 장치를 포함하는 기판 씨닝 장치를 제공한다. It provides a substrate thinning apparatus comprising a cleaning device configured to clean the sync tip of the wheel during the grinding device is rotated. 본 발명의 기판 씨닝 장치를 이용하면, 극히 얇은 반도체 소자도 높은 신뢰성으로 제조할 수 있는 효과가 있다. With the substrate thinning device of the present invention, Fig very thin semiconductor device has the effect that can be produced with high reliability.

Description

기판 씨닝 장치, 이를 이용한 기판의 씨닝 방법, 및 반도체 패키지의 제조 방법 {Substrate thinning apparatus, method of thinning a substrate using the same, and method of manufacturing a semiconductor package} Thinning the substrate unit, the method of thinning the substrate using the same, and a method for manufacturing a semiconductor package {Substrate thinning apparatus, method of thinning a substrate using the same, and method of manufacturing a semiconductor package}

본 발명은 기판 씨닝 장치, 이를 이용한 기판의 씨닝 방법, 및 반도체 패키지의 제조 방법에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는 극히 얇은 반도체 소자도 높은 신뢰성으로 제조할 수 있는 기판 씨닝 장치, 이를 이용한 기판의 씨닝 방법, 및 반도체 패키지의 제조 방법에 관한 것이다. The present invention is a substrate thinning apparatus, the thinning process of the substrate using the same, and relates to a method for manufacturing a semiconductor package, and more particularly to a very thin semiconductor device is also a substrate thinning device which can be produced with high reliability, the thinning process of the substrate using the same. , and to a method for manufacturing a semiconductor package.

반도체 제품의 사이즈가 줄어들고 경박단소화가 지속적으로 요구됨에 따라 이를 만족하기 위한 여러 공정들이 시도 및 적용되고 있다. Depending on the size of semiconductor products required by shrinking frivolous chancel it is constantly angry and apply various processes to try to satisfy them. 반도체 기판을 씨닝함으로써 두께를 감소시키는 공정은 반도체 기판의 배면을 그라인딩하는 공정을 포함하게 되는데, 반도체 기판의 타겟 두께가 작아짐에 따라 반도체 소자의 신뢰도를 유지하는 일이 점점 더 어려워지고 있다. A step of reducing the thickness by thinning the semiconductor substrate as there is a step of grinding a back surface of the semiconductor substrate, although it may keep the reliability of the semiconductor device becomes more difficult as the target thickness of the semiconductor substrate decreases.

본 발명이 이루고자 하는 첫 번째 기술적 과제는 극히 얇은 반도체 소자도 높은 신뢰성으로 제조할 수 있는 기판 씨닝 장치를 제공하는 것이다. The first object of the present invention is to provide a substrate thinning device which is also a very thin semiconductor device can be produced with high reliability.

본 발명이 이루고자 하는 두 번째 기술적 과제는 극히 얇은 반도체 소자도 높은 신뢰성으로 제조할 수 있는 기판의 씨닝 방법을 제공하는 것이다. The second object of the present invention is a very thin semiconductor device is to provide a method of thinning the substrate, which can be produced with high reliability.

본 발명이 이루고자 하는 세 번째 기술적 과제는 얇으면서도 높은 신뢰성을 갖는 반도체 패키지의 제조 방법을 제공하는 것이다. The third object of the present invention is to provide a method for manufacturing a semiconductor package with high reliability, yet thin.

본 발명은 상기 첫 번째 기술적 과제를이루기 위하여 기판을 지지할 수 있는 척 테이블; The chuck table in the present invention can support a substrate is to achieve the first aspect; 상기 척 테이블에 지지되는 기판을 연삭할 수 있는 휠 팁(wheel tip)을 구비하는 회전 가능한 연삭 장치; Rotatable grinding apparatus having a wheel tip (wheel tip) capable of grinding the substrate supported on the chuck table; 상기 연삭 장치가 회전하는 동안 상기 휠 팁을 동기(同期) 클리닝(synchronized cleaning)할 수 있도록 구성된 클리닝 장치를 포함하는 기판 씨닝 장치를 제공한다. It provides a substrate thinning apparatus comprising a cleaning device configured to synchronization (同期) cleaning (cleaning synchronized) to the wheel chip for which the grinding device rotation.

상기 클리닝 장치는, 상기 클리닝에 사용되는 클리닝 유체를 가압하는 가압 장치; Pressing apparatus for the cleaning apparatus, the cleaning pressurized fluid used in the cleaning; 및 상기 클리닝 유체를 분사(噴射)(jet)할 수 있는 노즐을 포함할 수 있다. And it may comprise a nozzle that can be injected (噴射) (jet) the cleaning fluid. 상기 클리닝 유체는 공기, 질소(N 2 ), 헬륨(He), 네온(Ne), 물, 암모니아, 알코올, 및 이들의 혼합물들 중의 1종 이상일 수 있다. The cleaning fluid may be at least one of air, nitrogen (N 2), helium (He), neon (Ne), water, ammonia, alcohols, and the mixtures thereof. 특히, 상기 클리닝 유체는 물일 수 있다. In particular, the cleaning fluid may be water. 일부 실시예들에 있어서, 상기 클리닝 유체는 공기와 물을 포함하는 혼합물일 수 있다. In some embodiments, the cleaning fluid may be a mixture comprising air and water. 이 때, 상기 노즐은 상기 공기에 의하여 상기 물을 어토마이즈(atomize)하도록 구성될 수 있다. In this instance, the nozzle may be configured to control Toma rise (atomize) the water by the air.

상기 노즐은 상기 휠 팁을 조준하도록 배치될 수 있다. The nozzle may be arranged to aim the wheel tip. 또, 상기 노즐은 제 1 부노즐(sub-nozzle) 및 제 2 부노즐을 포함할 수 있다. In addition, the nozzle may include a first nozzle part (sub-nozzle) and the second nozzle portion. 이 때, 상기 제 1 노즐 및 상기 제 2 노즐은 각각 상기 휠 팁의 상이한 부분을 조준하도록 구성될 수 있다. Here, the first nozzle and the second nozzle may be configured so as to aim the respective different portions of the wheel tip. 선택적으로, 상기 제 1 노즐 및 상기 제 2 노즐은 각각 상기 휠 팁의 동일한 부분을 조준하도록 구성될 수 있다. Optionally, the first nozzle and the second nozzle may be configured to aim each of the same portion of the wheel tip.

상기 연삭 장치는 상기 기판을 연삭하는 동안 휠 팁이 적어도 부분적으로 상기 기판의 연삭되는 면과 오버랩되지 않도록 구성될 수 있다. The grinding device may be configured so that the wheel chip, at least in part, during the grinding the substrate that is not overlapping with the grinding surface of the substrate. 또한, 상기 노즐은 상기 연삭되는 면과 오버랩되지 않는 부분의 상기 휠 팁을 조준하도록 구성될 수 있다. In addition, the nozzle may be configured to aim the tip of the wheel does not overlap the surface on which the abrasive portion.

상기 척 테이블은 중심을 정점으로 하여 외주를 향해 낮아지며 경사진 원추형 지지면을 가질 수 있다. The chuck table is lowered towards the outer periphery to the center of the apex can have a conical support surface inclined.

상기 척 테이블은 상기 기판의 중심에 대하여 회전 가능하도록 구성되고, 상기 기판의 중심과 상기 연삭 장치의 회전 중심이 불일치할 수 있다. The chuck table is adapted to be rotatable with respect to the center of the substrate, a rotational center of the center of the substrate and the grinding device can be inconsistent. 상기 연삭 장치는 상기 기판의 두께를 적어도 약 400㎛ 내지 약 760㎛만큼 감소시킬 수 있도록 구성될 수 있다. The grinding apparatus may be configured to be reduced by at least about 400㎛ 760㎛ to about the thickness of the substrate.

상기 클리닝 장치는 적어도 상기 연삭 장치가 동작하는 동안 연속적으로 동작 가능하도록 구성될 수 있다. The cleaning device may be configured to at least continuously operable during the operation of the grinding apparatus.

본 발명은 상기 두 번째 기술적 과제를 이루기 위하여, 척 테이블 상에 기판을 고정시키는 단계; The present invention includes the steps of fixing the substrate on the chuck table in order to achieve the above second aspect; 휠 팁을 구비한 연삭 장치를 회전시킴으로써 상기 기판을 부분적으로 연삭하는 단계; The step of grinding the substrate in part by rotating a grinding device with a wheel chip; 및 상기 휠 팁을 동기 클리닝하는 단계를 포함하는 기판의 씨닝(thinning) 방법을 제공한다. And it provides a thinned out (thinning) process of a substrate including the step of cleaning the motive wheel chip.

상기 기판의 씨닝 방법은 상기 기판을 고정시키는 단계 이전에, 상기 기판의 스크라이브 레인을 따라 부분 다이싱하는 단계; Thinning method of the substrate includes the steps of: prior to the step of fixing the substrate, the partial dicing along the scribe lane of the substrate; 및 상기 기판의 활성면 상에 보호 필름을 부착하는 단계를 더 포함할 수 있다. And it may further comprise the step of attaching a protective film on the active surface of the substrate. 또, 상기 클리닝하는 단계는 상기 휠 팁을 향하여 클리닝 유체를 분사(jetting)하는 단계를 포함할 수 있다. Further, the step of cleaning may comprise a step of spraying (jetting) a cleaning fluid toward the wheel tip.

상기 클리닝하는 단계는 상기 기판을 부분적으로 연삭하는 단계가 수행되는 동안 수행될 수 있다. Wherein the cleaning may be performed during the step of grinding the substrate it is partially carried out. 선택적으로, 상기 기판을 부분적으로 연삭하는 단계는 상기 클리닝하는 단계가 수행되는 동안 수행될 수 있다. Alternatively, the step of grinding the substrate in part may be performed during the step of performing the cleaning.

상기 기판을 부분적으로 연삭하는 단계는 상기 연삭 장치의 휠 팁이 상기 기판의 중심 및 상기 중심에 대하여 상기 기판의 제 1 방향의 가장자리의 사이에서 정의된 기판의 영역에 대하여 수행될 수 있다. The step of grinding the substrate partially has a wheel tip of the grinding device can be with respect to the center and the center of the substrate performed in a region of the substrate defined between the edge of the first direction of the substrate. 이 때, 상기 연삭 장치는 상기 회전에 의하여 상기 기판의 중심으로부터 상기 제 1 방향의 가장자리를 향하는 방향으로 상기 기판과 접촉할 수 있다. At this time, the grinding apparatus may be brought into contact with the substrate in a direction toward the edge in the first direction from the center of the substrate by the rotation. 선택적으로, 상기 연삭 장치는 상기 회전에 의하여 상기 제 1 방향의 가장자리로부터 상기 기판의 중심을 향하는 방향으로 상기 기판과 접촉할 수 있다. Alternatively, the grinding apparatus may be brought into contact with the substrate in a direction toward a center of the substrate from the edge of the first direction by the rotation.

상기 클리닝 유체는 상기 가장자리에 근접한 위치의 휠 팁을 향하여 분사될 수 있다. The cleaning fluid may be injected toward the wheel chip of a position close to the edge.

본 발명은 상기 세 번째 기술적 과제를이루기 위하여 기판의 활성면 상에 반도체 소자를 형성하는 단계; The present invention includes the steps of forming a semiconductor element on the active surface of the substrate to achieve the above third aspect; 상기 기판의 활성면 상에 보호 필름을 부착하는 단계; Attaching a protective film on the active surface of the substrate; 척 테이블 상에 상기 기판의 활성면이 상기 척 테이블을 마주하도록 상기 기판을 고정시키는 단계; On the chuck table, comprising: the active surface of the substrate fixed to the substrate so as be made face to face with the chuck table; 휠 팁을 구비한 연삭 장치를 회전시킴으로써 상기 기판을 부분적으로 연삭하는 단계; The step of grinding the substrate in part by rotating a grinding device with a wheel chip; 상기 휠 팁을 동기 클리닝하는 단계; The method comprising cleaning the motive wheel chip; 연삭된 상기 기판으로부터 개별(individual) 반도체 다이들을 개별화하는 단계; Step to personalize the individual (individual) from a semiconductor die grinding the substrate; 상기 개별화된(individualized) 반도체 다이들을 실장하여 반도체 패키지를 제조하는 단계를 포함하는 반도체 패키지의 제조 방법을 제공한다. By mounting said individualized (individualized) a semiconductor die to provide a method for manufacturing a semiconductor package comprising the steps of manufacturing the semiconductor package.

상기 클리닝하는 단계는, 적어도 상기 기판을 부분적으로 연삭하는 단계가 수행되는 동안 연속하여 수행될 수 있다. Wherein the cleaning may be performed based at least in continuous during the step of grinding the substrate it is partially carried out. 상기 기판을 부분적으로 연삭하는 단계에 의하여 감소하는 상기 기판의 두께는 약 400㎛ 내지 약 760㎛일 수 있다. The thickness of the substrate decreases by the step of grinding the substrate partially from about 400㎛ to about 760㎛.

상기 기판을 부분적으로 연삭하는 단계는 상기 척 테이블 및 상기 연삭 장치를 회전시키는 단계를 포함하고, 상기 연삭 장치의 분당 회전 속도(revolution per minute, rpm)는 상기 척 테이블의 분당 회전 속도의 약 5배 내지 약 20배일 수 있다. The step of grinding the substrate in part per minute speed (revolution per minute, rpm) of the grinding device, and a step for rotating the chuck table and the grinding device is approximately five times the speed in revolutions per minute of the chuck table to be about 20 baeil.

상기 기판을 부분적으로 연삭하는 단계의 시작 시간은 상기 클리닝하는 단계의 시작 시간보다 앞서고, 상기 기판을 부분적으로 연삭하는 단계의 종료 시간은 상기 클리닝하는 단계의 종료 시간과 동일할 수 있다. Start time for the step of grinding the substrate is partially ahead than the start time of the step of the cleaning, the end time of the step of grinding the substrate in part may be equal to the end time of the step of the cleaning.

본 발명의 기판 씨닝 장치를 이용하면, 극히 얇은 반도체 소자도 높은 신뢰성으로 제조할 수 있는 효과가 있다. With the substrate thinning device of the present invention, Fig very thin semiconductor device has the effect that can be produced with high reliability.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 씨닝 장치를 나타낸 사시도이다. 1 is a perspective view showing a thinned substrate according to one embodiment of the present invention.
도 2a 및 도 2b는 기판이 씨닝되는 방법을 보다 구체적으로 나타낸 도면들로서, 도 2a는 휠 팁들에 의하여 기판이 씨닝되는 모습을 나타낸 사시도이고, 도 2b는 이를 측면에서 바라본 측면도이다. How the Figure 2a and Figure 2b a substrate thinned as shown in the drawing specifically than, Figure 2a is a perspective view showing a state in which the substrate is thinned by the wheel tips, a side view Fig. 2b is seen from this side.
도 3은 연삭 직후의 휠 팁의 표면 모습을 확대한 이미지이다. Figure 3 is a magnified image of the face of the grinding wheel immediately after the tip.
도 4는 연삭 휠이 기판을 연삭할 때 이들의 위치 관계를 나타내는 평면도이다. Figure 4 when the grinding wheel to the grinding substrate is a plan view showing the positional relationship thereof.
도 5는 지지면이 평면이 아닌 척 테이블과 연삭 휠의 위치관계를 개념적으로 나타내는 측면도이다. 5 is a side view showing the positional relationship between the support surface conceptually two non-plane table and the grinding wheel.
도 6a 및 도 6b는 상기 클리닝 장치가 둘 이상의 노즐을 포함하는 실시예를 나타낸 측면도 및 평면도이다. Figure 6a and Figure 6b is a side view showing an embodiment in which the cleaning device comprises at least two nozzles and a plan view.
도 7a 및 도 7b는 상기 클리닝 장치가 둘 이상의 노즐을 포함하는 다른 실시예를 나타낸 측면도 및 평면도이다. Figures 7a and 7b are a side view and a plan view showing another embodiment in which the cleaning device comprises at least two nozzles.
도 8a 내지 도 8d는 본 발명의 실시예들에 따른, 기판을 연삭하는 단계와 휠 팁을 동기 클리닝하는 단계의 수행 시점을 나타낸 다이어그램이다. FIG. 8a through FIG. 8d is a diagram illustrating the execution time of the step of synchronizing the cleaning step and the grinding wheel chip to a substrate, in accordance with embodiments of the present invention.
도 9는 본 발명의 실시예들에 따라 연삭한 기판의 두께 변화를 나타낸 개념도이다. 9 is a conceptual diagram showing a change in thickness of a grinding substrate in accordance with an embodiment of the present invention.
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 패키지의 제조 방법을 나타낸 흐름도이다. 10 is a flow chart illustrating a method for manufacturing a semiconductor package according to an embodiment of the present invention.
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 패키지의 제조 방법을 나타낸 흐름도이다. 10 is a flow chart illustrating a method for manufacturing a semiconductor package according to an embodiment of the present invention.
도 11 내지 도 16은 상기 실시예에 따른 반도체 패키지의 제조 방법을 순서에 따라 나타낸 도면들이다. 11 to 16 are diagrams illustrating in accordance with a method of manufacturing a semiconductor package according to the embodiment, in order.
도 17은 본 발명의 기술적 사상에 의한 실시예들에 따른 전자 소자의 블록 다이어그램이다. 17 is a block diagram of an electronic device according to embodiments according to the technical features of the present invention.
도 18은 본 발명의 기술적 사상에 의한 실시예들에 따른 전자 시스템의 블록 다이어그램이다. 18 is a block diagram of an electronic system according to embodiments according to the technical features of the present invention.

이하, 첨부도면을 참조하여 본 발명 개념의 바람직한 실시예들을 상세히 설명하기로 한다. With reference to the accompanying drawings the invention will be described in detail preferred embodiments of the concept. 그러나, 본 발명 개념의 실시예들은 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명 개념의 범위가 아래에서 상술하는 실시예들로 인해 한정되어지는 것으로 해석되어져서는 안 된다. However, embodiments of the present invention concepts can be modified in many different forms and is not to be the scope of the invention concept is interpreted to be limited due to the embodiments set forth herein. 본 발명 개념의 실시예들은 당 업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명 개념을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되어지는 것으로 해석되는 것이 바람직하다. For the practice of the invention concept are preferably construed as being to those skilled in the art provided to illustrate more fully the invention concept. 동일한 부호는 시종 동일한 요소를 의미한다. Same reference numerals refers to like elements throughout. 나아가, 도면에서의 다양한 요소와 영역은 개략적으로 그려진 것이다. Furthermore, the various elements and regions in the drawings are schematically drawn. 따라서, 본 발명 개념은 첨부한 도면에 그려진 상대적인 크기나 간격에 의해 제한되어지지 않는다. Accordingly, the invention concept is not be limited by relative sizes or intervals drawn in the accompanying drawings.

제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성 요소들을 설명하는 데 사용될 수 있지만, 상기 구성 요소들은 상기 용어들에 의해 한정되지 않는다. First and may be used to describe various components, such as the term of the second, but the components are not restricted to the above terms. 상기 용어들은 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. These terms are only used to distinguish one element from the other. 예를 들어, 본 발명 개념의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제 1 구성 요소는 제 2 구성 요소로 명명될 수 있고, 반대로 제 2 구성 요소는 제 1 구성 요소로 명명될 수 있다. For example, without departing from the scope of the invention concept, standing first element it could be termed a second element, whereas the second component may be named as the first component.

본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예들을 설명하기 위해 사용된 것으로서, 본 발명 개념을 한정하려는 의도가 아니다. SUMMARY The terminology used herein are merely used to describe particular embodiments, and are not intended to be limiting of the invention concept. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. Expression in the singular number include a plural forms unless the context clearly indicates otherwise. 본 출원에서, "포함한다" 또는 "갖는다" 등의 표현은 명세서에 기재된 특징, 개수, 단계, 동작, 구성 요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 개수, 동작, 구성 요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다. In this application, the terms "include to," or "having," representations, such as the features described in the specification, a number, a step, an operation, an element, geotyiji to specify that parts or to present a combination thereof, one or another feature more or number, an operation, an element, a presence or addition of parts or combinations thereof and are not intended to preclude.

달리 정의되지 않는 한, 여기에 사용되는 모든 용어들은 기술 용어와 과학 용어를 포함하여 본 발명 개념이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 공통적으로 이해하고 있는 바와 동일한 의미를 지닌다. One, all terms used herein unless otherwise defined will have the same meaning as that commonly understood self skilled in the art to which this invention pertains this concept, including technical terms and scientific terms. 또한, 통상적으로 사용되는, 사전에 정의된 바와 같은 용어들은 관련되는 기술의 맥락에서 이들이 의미하는 바와 일관되는 의미를 갖는 것으로 해석되어야 하며, 여기에 명시적으로 정의하지 않는 한 과도하게 형식적인 의미로 해석되어서는 아니 될 것임은 이해될 것이다. In addition, terms such as conventionally defined in the used dictionary are to be interpreted as in the technique according to the context have a meaning consistent described these means, here an excessively formal meaning unless explicitly defined in the be interpreted is not will be will be understood.

어떤 실시예가 달리 구현 가능한 경우에 특정한 공정 순서는 설명되는 순서와 다르게 수행될 수도 있다. Particular process order if possible embodiments which implement different may be performed in a different order will be described. 예를 들어, 연속하여 설명되는 두 공정이 실질적으로 동시에 수행될 수도 있고, 설명되는 순서와 반대의 순서로 수행될 수도 있다. For example, there may also be two steps described in succession to be substantially simultaneously performed or may be performed in the order reverse to the order described to be.

첨부 도면에 있어서, 예를 들면, 제조 기술 및/또는 공차에 따라, 도시된 형상의 변형들이 예상될 수 있다. In the accompanying drawings, for example, the shape of the illustrated variations can be expected due to manufacturing techniques and / or tolerances. 따라서, 본 발명의 실시예들은 본 명세서에 도시된 영역의 특정 형상에 제한된 것으로 해석되어서는 아니 되며, 예를 들면 제조 과정에서 초래되는 형상의 변화를 포함하여야 한다. Thus, embodiments of the present invention is not to be construed as limited to the particular shapes of regions illustrated herein, for example to include a change in shape resulting from the manufacturing process. 여기에 사용되는 모든 용어 "및/또는"은 언급된 구성 요소들의 각각 및 하나 이상의 모든 조합을 포함한다. Here, all terms "and / or" as used includes each and every combination of one or more of the components mentioned. 또한, 본 명세서에서 사용되는 용어 "기판"은 기판 그 자체, 또는 기판과 그 표면에 형성된 소정의 층 또는 막 등을 포함하는 적층 구조체를 의미할 수 있다. Further, the term "substrate" as used herein, may refer to a laminated structure containing a predetermined layer or film or the like formed in itself, or the substrate and the surface of the substrate. 또한, 본 명세서에서 "기판의 표면"이라 함은 기판 그 자체의 노출 표면, 또는 기판 위에 형성된 소정의 층 또는 막 등의 외측 표면을 의미할 수 있다. Further, the term "surface of a substrate" as used herein also may mean the outer surface of a predetermined layer or film formed on the exposed surface of the substrate or the substrate itself.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 씨닝(thinning) 장치(100)를 나타낸 사시도이다. 1 is a perspective view showing a substrate thinned out (thinning) device 100 in accordance with one embodiment of the present invention. 본 발명의 실시예들에 따른 기판 씨닝 장치는 연삭 가공 전용의 장치 구성에 한정되지 않고, 예를 들면 연마 가공, 다른 연삭 가공, 세정 가공 등의 일련의 가공이 연속적으로 실시되는 가공 장치의 일부분일 수도 있다. Substrate thinning apparatus according to embodiments of the present invention is not limited to device configuration of grinding only, for example polishing, a portion of the series of processing apparatus in machining carried out continuously, such as other grinding process, the cleaning process one may.

도 1을 참조하면, 상기 기판 씨닝 장치(100)의 기대(基臺)(120)의 상면에는 X축 방향으로 연장되는 직사각형의 개구부가 형성될 수 있다. 1, the upper surface of the base (基 臺) (120) of the substrate thinning unit 100 may be formed of a rectangular opening extending in the X-axis direction. 상기 직사각형의 개구부는 척 테이블(130)과 함께 이동 가능한 이동판(131) 및 방수 커버(132)에 의하여 덮일 수 있다. Opening of the rectangle may be covered by the chuck table 130 is movable moving plate 131 and the water-proof cover 132 with. 상기 방수 커버(132)의 하방에는 상기 척테이블(130)을 X축 방향, Y축 방향, 및/또는 Z축 방향으로 이동시키는 이동 기구가 제공될 수 있다. The lower side of the water-proof cover 132 may be provided with a moving mechanism for moving the chuck table 130 in the X axis direction, Y axis direction, and / or Z-direction.

상기 척 테이블(130)의 표면에는 다공질의 다공질판에 의하여 기판(W)을 흡착 지지하는 지지면(133)이 형성될 수 있다. The surface of the chuck table 130 has a support surface 133 for supporting the adsorption substrate (W) by the porous the porous plate can be formed. 상기 지지면(133)은 척 테이블(130) 내의 유로를 통하여 흡인원(suction source)에 접속되어 있을 수 있으며, 상기 지지면(133)에 발생하는 음압(陰壓)에 의하여 상기 기판(W)이 흡인 지지될 수 있다. The support surface 133 through the passage suction source (suction source), the substrate (W) by negative pressure (陰 壓) generated in, and may be connected to the support surface 133 to within the chuck table 130 this may be supported by suction.

상기 기대(120)의 개구부의 후방에는 칼럼부(121)가 제공될 수 있다. The rear of the opening of the base 120 may be provided with a column portion 121. 상기 칼럼부(121)에는 연삭 장치(140)를 상하 이동시킬 수 있는 이동 기구(150)가 제공될 수 있다. The column 121 may be provided with a moving mechanism 150 capable of vertically moving the grinding device (140). 상기 이동 기구(150)에는 칼럼부(121)에 배치된 Z축 방향으로 평행한 한 쌍의 가이드레일(151) 및 상기 한 쌍의 가이드레일(151)에 슬라이드 가능하게 설치된 모터 구동의 Z축 테이블(152)이 제공될 수 있다. The moving mechanism 150, the Z-axis table motor drive slidably installed in the column portion 121, a pair of guide rails 151 and the guide rail 151 of the pair parallel to the Z-axis direction disposed on the there 152 may be provided.

상기 Z축 테이블(152)의 배면측에는 너트부가 형성되고 이들 너트부에 볼 나사(153)가 나사 결합될 수 있다. The Z-axis table nut portion is formed the rear side screw 153. The nut portion of the ball (152) can be screwed. 또한 상기 볼 나사(153)의 일단부에 연결된 구동 모터(154)에 의해 상기 볼 나사(153)가 회전 구동됨으로써 연삭 장치(140)가 가이드레일(151)을 따라 Z축 방향으로 이동될 수 있다. Also can be moved in the one end being that the ball screw 153 by the sub-drive motor 154 connected to the rotationally driven along the grinding device 140 is a guide rail (151) Z-axis direction of the ball screw (153) .

상기 연삭 장치(140)는 하우징(141)을 통해 상기 Z축 테이블(152)의 전면에 설치되어 있을 수 있고, 원통형 스핀들(142)의 하단에 마운트(143)를 설치하는 구성을 가질 수 있다. The grinding apparatus 140 can have a configuration in which the mount 143 to the lower end of the Z-axis table 152 may be provided at the front, a cylindrical spindle 142 through the housing 141. 상기 스핀들(142)에는 지름 방향으로 퍼지는 플랜지(144)가 설치되고, 상기 플랜지(144)를 통해 하우징(141)에 연삭 장치(140)의 다른 부분들이 지지될 수 있다. The spindle 142 has is provided with a flange 144, which spreads in a radial direction, that other parts of the grinding device 140 into the housing 141 through the flange 144 can be supported. 상기 마운트(143)의 하면에는 복수의 휠 팁들(145)이 원형으로 배치된 연삭 휠(146)이 장착될 수 있다. A lower surface of the mount 143 has a grinding wheel 146, a plurality of wheel tips 145 are arranged in a circle can be fitted. 상기 복수의 휠 팁들(145)은 예를 들면 다이아몬드 연마용 입자를 비트리파이드 본드(vitrified bond), 금속 본드, 수지(resin) 본드 등의 바인더로 결합시켜 굳힌 다이아몬드 숫돌일 수 있다. Wherein the plurality of wheel tips 145 may be, for example, a diamond grinding hardened diamond wheel by bonding the particles with a binder such as a non-tree sulfide bond (vitrified bond), a metal bond, a resin (resin) bonding.

상기 연삭 장치(140)의 일측에는 상기 기판(W)의 상면 높이를 측정하는 측정 수단(160)이 제공될 수 있다. One side of the grinding apparatus 140 can be provided with a measurement means 160 for measuring the height of the upper surface of the substrate (W). 상기 측정 수단(160)은 접촉식 또는 비접촉식의 하이트(height) 게이지일 수 있다. The measuring means 160 may be a contact or non-contact of the height (height) gauge. 예를 들면, 발광부 및 상기 발광부에서 방사되어 기판(W)에 의하여 반사된 반사광을 수광하는 수광부를 갖고, 이에 기초하여 기판의 상면 높이를 측정하는 비접촉식 하이트 게이지일 수 있다. It may be for example, a light emitting portion and the non-contact height gauge which has a light receiving portion for receiving the reflected light reflected by the substrate (W) is emitted from the light emitting unit, measuring the height of the upper surface of the substrate based thereon.

상기 연삭 장치(140)의 다른 일측에는 상기 휠 팁들(145)을 동기 클리닝할 수 있도록 구성된 클리닝 장치(111)가 제공될 수 있다. The other side of the grinding device 140 may be provided with a cleaning device 111 configured to clean the synchronization of the wheel tips (145). 여기서 상기 휠 팁들(145)을 '동기 클리닝'한다는 것은 연삭 장치(140)의 휠 팁들(145)이 연삭을 수행하면서 동시에 휠 팁들(145)에 대한 클리닝이 수행됨을 의미한다. Wherein the wheel and that the tips 145 'synchronization cleaning, it means that while the wheel tips (145) of the grinding device 140 at the same time performing a grinding-cleaning is carried out for the wheel tips (145).

상기 클리닝 장치(111)는 예를 들면 유체를 분사(jetting)할 수 있는 노즐일 수 있다. The cleaning device 111 may be a nozzle that can be a fluid ejection (jetting), for example. 상기 클리닝 장치(111)가 유체를 분사하는 경우, 분사된 상기 유체가 휠 팁들(145)과 직접 접촉하도록 방향이 조절될 수 있다. When the cleaning apparatus 111 is injected to the fluid, wherein the injected fluid can be oriented to direct contact with the wheel tips 145 control. 또한 상기 클리닝 장치(111)에서 분사되는 유체가 충분한 세기로 휠 팁들(145)과 접촉 가능하도록 가압하는 가압 장치(113)가 더 제공될 수 있다. In addition, the pressing unit 113 for pressing the fluid to be injected from the cleaning unit 111 to be in contact with the wheel tips 145 with sufficient strength may be further provided. 상기 가압 장치(113)는, 예를 들면 펌프일 수 있으며 상기 클리닝 장치(111)와 연결되어 있을 수 있다. The pressing device 113 is, for example, be a pump which can be connected to the cleaning unit (111).

상기 기판 씨닝 장치(100)에는 상기 장치의 각 부분들을 총괄하여 제어하는 컨트롤러(170)가 제공될 수 있다. Thinning the substrate device 100 has a controller 170 for controlling a whole of the parts of the device can be provided. 상기 컨트롤러(170)는 각종 처리를 실행하는 프로세서와 메모리 등에 의하여 구성될 수 있다. The controller 170 may be configured by such as processors and memory that execute various processes. 메모리는 용도에 따라 롬(read only memory, ROM), 램(random access memory, RAM) 등의 하나 또는 복수의 기억 매체로 구성될 수 있다. The memory may be composed of one or a plurality of storage medium such as a ROM (read only memory, ROM), RAM (random access memory, RAM) according to the application.

상기 기판 씨닝 장치(100)에서 스핀들(142)에 의하여 연삭 휠(146)이 Z축 둘레로 회전하면서 연삭 장치(140)가 척 테이블(130)에 접근할 수 있다. The substrate by a spindle 142. In the thinning unit 100, the grinding wheel 146, a grinding device 140 while being rotated by the Z axis may have access to the chuck table 130. 기판(W)에 연삭수가 공급되고 휠 팁들(145)이 기판(W)에 회전 접촉됨으로써 기판(W)의 씨닝이 이루어질 수 있다. By grinding water is supplied to the substrate (W) and the wheel tips 145 rotates in contact with the substrate (W) may be made to the thinning of the substrate (W). 상기 연삭수는 연삭이 진행되는 동안 연삭 휠(146)을 냉각시키고, 휠 팁(145)과 기판(W) 사이를 윤활시키는 목적으로 공급되는 액체로서, 휠 팁(145)에 직접 공급되는 것이 아니므로 후술되는 클리닝 장치(111)에서 분사되는 유체와는 공급 목적, 공급되는 방식, 공급되는 장치의 구성 등에 있어서 현저히 상이하다. The number of grinding is cooled to the grinding wheel 146. During the grinding progresses, the wheel chip 145, and as a liquid to be supplied for the purpose of lubrication between the substrate (W), not to be directly supplied to the wheel chip 145 with a fluid and is injected from the cleaning device 111 will be described later are significantly different in supply or the like object, fed method, configuration of a device to be supplied.

상기 연삭이 수행되는 동안 계속하여 상기 휠 팁들(145)은 상기 클리닝 장치(111)에 의하여 세정됨으로써 기판(W) 표면에 스크래치를 형성할 수 있는 이물질들을 제거할 수 있다. Continuously during the grinding is carried out of the wheel tips 145 can remove foreign material capable of forming a scratch on the surface of the substrate (W) by being washed by the cleaning device 111.

도 2a 및 도 2b는 기판(W)이 씨닝되는 방법을 보다 구체적으로 나타낸 도면들로서, 도 2a는 휠 팁들(145)에 의하여 기판(W)이 씨닝되는 모습을 나타낸 사시도이고, 도 2b는 이를 측면에서 바라본 측면도이다. Figures 2a and 2b is as diagram showing a method in which a substrate (W) is thinned out in more detail, Figure 2a is a perspective view showing a state in which the substrate (W) by the wheel tips 145, thinning, Figure 2b this side side is viewed from.

도 2a 및 도 2b를 참조하면, 척 테이블(130)의 지지면(133)에 기판(W)을 고정할 수 있다. If Figures 2a and FIG. 2b, it is possible to secure the substrate (W) on the support surface 133 of the chuck table 130. 상기 기판(W)은 반도체 소자들이 형성된 활성면이 상기 지지면(133)을 향하도록 배치될 수 있다. The substrate (W) may be disposed an active surface formed to the semiconductor element so as to face the support surface 133. 그 결과 상기 기판(W)의 배면(Wr)이 연삭 장치(140)를 향하게 된다. As a result, the rear (Wr) of the substrate (W) is directed to the grinding device (140).

또한, 상기 활성면 상에는 보호 필름(WF)이 부착되어 있을 수 있다. In addition, there may be the active surface protective film (WF) formed on this is attached. 도 1을 참조하여 설명한 바와 같이 상기 지지면(133)은 척 테이블(130) 내의 유로를 통하여 흡인원(suction source)에 접속되어 있을 수 있으며, 상기 기판(W)은 상기 지지면(133)에 발생하는 음압에 의하여 흡인 고정될 수 있다. With reference to Figure 1 to the support surface 133 as described above is the suction source may be connected to the (suction source), the substrate (W) is the support surface 133 via the oil passage within the chuck table 130 by generating the negative pressure it can be sucked fixed.

상기 기판(W)을 지지하는 척 테이블(130)은 화살표 A 방향으로 약 200 rpm 내지 약 400 rpm의 회전 속도로 회전될 수 있다. Chuck table 130 for supporting the substrate (W) can be rotated at a rotational speed of about 200 rpm to about 400 rpm in the arrow A direction. 이와 동시에 연삭 장치(140)의 연삭 휠(146)은 화살표 B 방향으로 약 1500rpm 내지 약 7200rpm의 회전 속도로 회전될 수 있다. At the same time, the grinding wheel 146 of the grinding device 140 may be rotated at a rotational speed of approximately 1500rpm to approximately 7200rpm in the arrow B direction. 일부 실시예들에 있어서, 상기 연삭 휠(146)의 분당 회전 속도는 상기 척 테이블(130)의 분당 회전 속도의 약 5 배 내지 약 20배일 수 있다. In some embodiments, the rpm speed of the grinding wheel 146 may be to about 20 baeil about 5 times per minute of the rotational speed of the chuck table 130.

연삭 휠(146)이 회전하는 동안 연삭 휠(146)의 휠 팁(145)은 피가공면인 기판(W)의 배면(Wr)과 접촉하며, 특히 상기 연삭 휠(146)이 화살표 C 방향으로 예를 들면 약 1㎛/초의 전진 속도로 하방으로 이동할 수 있다. Grinding wheel 146, wheel chip 145 blood rear (Wr) with the contact and, in particular, the grinding wheel 146 is an arrow C direction of the processing surface of the substrate (W) of the grinding wheel 146. During the rotation for example, it can be moved downwardly to about 1㎛ / second forward speed. 상기 연삭 휠(146)의 전진은 상기 기판(W)이 원하는 두께, 예컨대 약 10㎛ 내지 약 200㎛ 범위의 어느 한 두께를 갖는 시점까지 계속될 수 있다. Advance of the grinding wheel 146 may be continued to the point at which any of the thicknesses of the substrate (W) is desired, such as about 10㎛ to about 200㎛ range.

일부 실시예들에 있어서, 상기 연삭에 의하여 상기 기판(W)은 개별 반도체 다이들(102)로 분리될 수도 있다. In some embodiments, by grinding the substrate (W) it may be separated into individual semiconductor die 102. 분리된 상기 개별 반도체 다이들(102)의 활성면 쪽에는 보호 필름(WF)이 부착되어 있으므로 개별 반도체 다이들(102)은 무질서하게 흩어지지 않고 당초의 위치에서 그대로 유지될 수 있다. The active surface side of the separated individual semiconductor die 102, because the protective film (WF) is mounted can be maintained in the original position without being scattered to the individual semiconductor die 102 is disordered.

상기 연삭 휠(146)의 일측 하방에는 클리닝 장치(111)가 제공될 수 있다. The lower side of the grinding wheel 146 may be provided with a cleaning device (111). 도 2a 및 도 2b에 도시된 바와 같이 클리닝 장치(111)로부터 분사(jettting)된 유체에 의하여 휠 팁(145)에 존재하는 불순물들이 제거될 수 있다. As shown in Fig. 2a and 2b by the injected (jettting) from the cleaning device 111, the fluid can be removed to present the impurity wheel chip 145.

도 3은 연삭 직후의 휠 팁(145)의 표면 모습을 확대한 이미지이다. Figure 3 is an enlarged image of the face of the grinding wheel immediately after the tip (145). 도 3을 참조하면, 연삭에 의하여 발생한 이물질들이 휠 팁(145)의 표면에 존재하는 다수의 기공(pore)들을 부분적으로 메우고 있는 것이 관찰된다(화살표가 가리키는 기공 내의 점선으로 표시된 부분 참조). 3, the foreign substances are observed, which fills a plurality of pores (pore) that is present on the surface of the wheel chip 145 is partially caused by grinding (refer to section indicated by a broken line in the pores indicated by the arrows).

이러한 이물질들은 기판(W)의 배면을 연삭하여 발생한 기판(W)의 슬러지(sludge) 종류일 수도 있고, 휠 팁(145)에서 탈락한 물질, 예컨대 탈락된 다이아몬드 미립자, 비트리파이드 본드와 같은 바인더일 수도 있다. These foreign materials are a binder such as a material, such as falling off of diamond fine particles, the non-tree sulfide bond eliminated from the sludge (sludge) may be a type, wheel chip 145 of the substrate (W) a substrate (W) caused by grinding the back surface of the It may be. 이러한 이물질들이 기공(pore) 내에 누적되면, 휠 팁(145)이 기판(W)을 연삭할 때 스크래치를 형성함으로써 반도체 소자에 손상을 일으킬 수 있다. If such foreign substances are accumulated in the pores (pore), it has wheel chip 145 may cause damage to the semiconductor device by forming a scratch when grinding the substrate (W).

도 2a 및 도 2b에 도시된 바와 같이 상기 클리닝 장치(111)는 휠 팁(145)을 클리닝하여 이와 같은 이물질들을 제거하고, 그에 의하여 기판 연삭시 기판에 발생할 수 있는 스크래치를 방지할 수 있다. Figure 2a and the cleaning device 111, as shown in Figure 2b it is possible to remove foreign matters such as this to clean the wheel chip 145 and to prevent scratches which may occur at the time of grinding the substrate board by it.

상기 유체는 액체일 수도 있고 기체일 수도 있으며, 이들의 혼합물일 수도 있다. The fluid may be a liquid and may be a gas or may be a mixture thereof. 일부 실시예들에 있어서, 상기 유체는, 공기, 질소(N 2 ), 헬륨(He), 네온(Ne), 물, 암모니아, 알코올, 및 이들의 혼합물들 중의 1종 이상일 수 있다. In some embodiments, the fluid is air, nitrogen (N 2), helium (He), neon (Ne), water, ammonia, alcohols, and may be at least one of the mixtures thereof. 이 때, 상기 물, 알코올, 암모니아와 같은 액체들은 계면 활성제를 더 포함할 수 있다. At this time, the liquid, such as water, alcohol, ammonia, can further comprise a surfactant.

상기 유체가 액체와 기체의 혼합물인 경우 상기 액체는 상기 기체에 의하여 어토마이즈(atomize)되어 분사될 수도 있다. If the fluid is a mixture of liquid and gas, the liquid may be injected are air Toma rise (atomize) by the gas. 즉, 높은 선속도를 갖는 상기 기체의 흐름을 형성한 후 여기에 상기 액체를 노출시키면 액체가 신속하게 어토마이즈되면서 액적(droplet)과 기체의 혼합물이 형성될 수 있다. That is, if after the formation of the flow of the gas with a high linear velocity of the liquid exposed to this liquid can rapidly rise as air Toma the mixture of the liquid (droplet) and gas formation. 또한 상기 액적과 기체의 혼합물이 휠 팁(145)의 표면을 타격하여 작용함으로써 이물질들이 용이하게 제거될 수 있다. In addition, a mixture of the droplet and the gas may be foreign objects are easily removed by acting to strike the surface of the wheel chip 145. 일부 실시예들에 있어서, 어토마이즈되는 액체는 물이고, 어토마이즈시키는 데 이용되는 기체는 공기일 수 있다. In some embodiments, the air and the liquid is water Toma rise, the gas is utilized to control Toma rise may be air.

또한 상기 클리닝 장치(111)가 유체를 분사하는 경우, 분사되는 상기 유체가 휠 팁(145)을 향할 수 있도록 상기 클리닝 장치(111)의 방향이 조절될 수 있다. Can also be the direction of the cleaning device 111 is controlled so that when said cleaning device (111) is injected to the fluid, the fluid is injected to the head wheel chip 145. 이와 같이 하는 경우 화살표 D 및 E로 표시된 경로를 따라 유체가 휠 팁(145)을 클리닝할 수 있다. When this manner is fluid to clean the wheel chip 145 along the path indicated by the arrows D and E.

도 4는 연삭 휠(146)이 기판(W)을 연삭할 때 이들의 위치 관계를 나타내는 평면도이다. Figure 4 is a plan view showing the positional relationship thereof, when the grinding wheel 146 is to ground the substrate (W).

도 4를 참조하면, 기판(W)은 O를 중심으로 회전하고 연삭 휠(146)은 O'를 중심으로 회전하는 것으로 도시되었다. 4, the substrate (W) is rotated around the O and the grinding wheel 146 is shown as a rotation about the O '. 기판(W)은 척 테이블(130)에 고정되어 회전하기 때문에 기판(W)의 회전 중심과 척 테이블(130)의 회전 중심은 동일할 수 있다. A substrate (W) is the rotational center of the rotation center of the chuck table 130 of the substrate (W) to rotate is fixed to the chuck table 130 may be the same. 여기서, 기판(W)은 반시계 방향으로 회전하는 것으로 도시되었지만 시계 방향으로 회전하는 것도 가능하다. Here, the substrate (W) has been shown to rotate in the counterclockwise direction is also possible to rotate clockwise.

기판(W)의 회전 중심 O와 연삭 휠(146)의 회전 중심 O'는 서로 불일치할 수 있다. The rotation center of the rotation center O and the grinding wheel 146 of the substrate (W) O 'may be inconsistent with one another. 일부 실시예들에 있어서, 도 4에 도시된 바와 같이 연삭 휠(146)의 회전 중심 O'는 기판(W)의 외부에 위치할 수 있다. In some embodiments, the center of rotation O of the grinding wheel 146. As shown in Figure 4, may be located outside the substrate (W).

도 4에서 연삭 휠(146)의 외주를 따라 음영이 표시된 부분은 휠 팁 자취(wheel tip trace)(145t)로서 상기 연삭 휠(146)의 회전에 따라 휠 팁들(145, 도 2a 및 도 2b 참조)이 지나가는 경로를 나타낸다. Portion is shaded along the outer periphery of the grinding wheel 146 in Figure 4, wheel chip trace (wheel tip trace) wheel tips with the rotation of the grinding wheel 146 as (145t) (145, Figs. 2a and FIG. 2b ) represents a path passing. 상기 휠 팁 자취(145t)와 상기 기판(W)이 오버랩되는 부분 전체가 상기 기판(W)의 연삭에 사용되는 것이 아닐 수 있다. That the wheel chip trace (145t) and the entire portion of the substrate (W), the overlap is used for the grinding of the substrate (W) may not. 일부 실시예들에 있어서, 상기 휠 팁 자취(145t) 중 상기 기판(W)의 중심 O와 제 1 방향의 가장자리(M)에 의하여 정의되는 연삭 영역(145z)에서만 실제로 연삭이 수행될 수 있다. In some embodiments, the wheel chip only traces (145t) of the grinding zone (145z), defined by the edge (M) of the center O and the first direction of the substrate (W) can actually be ground is performed. 이와 같이 상기 기판(W)과 오버랩되는 상기 휠 팁 자취(145t) 중 일부인 연삭 영역(145z)에서만 연삭이 수행되도록 하기 위하여 상기 기판(W)을 지지하는 지지면(133, 도 1 참조)이 완전히 평면이 아닐 수 있다. Thus, the support surface (see 133, FIG. 1) for supporting the substrate (W) in order to ensure that only the grinding is carried out, part grinding zone (145z) of the wheel chip trace (145t) to overlap the substrate (W) is fully the plane can not. 일부 실시예들에 있어서, 척 테이블(130)의 상기 지지면(133)은 중심을 정점으로 하여 외주를 향해 낮아지며 경사진 원추 모양의 형태를 가질 수 있다. In some embodiments, the support may have a surface 133 has the form of a cone-shaped light photo lowered towards the outer periphery to the center to the vertex of the chuck table 130.

도 5는 지지면(133)이 평면이 아닌 척 테이블(130)과 연삭 휠(146)의 위치관계를 개념적으로 나타내는 측면도이다. Figure 5 is a side view showing the positional relationship between the chuck support surface 133 is not a flat table 130, and the grinding wheel 146 is shown conceptually.

도 5를 참조하면, 척 테이블(130)의 상부 표면인 지지면(133)은 원추 형태를 가질 수 있다. 5, the support surface 133, the top surface of the chuck table 130 may have a conical shape. 도 5에서 보는 바와 같이 상기 지지면(133)은 중심 O를 정점으로 하여 외주를 향하여 갈수록 낮아지며 경사진 원추 모양의 형태를 갖는다. Also the support surface 133, as shown in 5, in the form of a cone-shaped light photo lowers gradually toward the outer periphery to the center O as a vertex. 도 5에서의 원추 형태는 용이한 이해를 위하여 과장되게 도시되었음에 유의하여야 한다. FIG conical form at 5 is to be noted been exaggerated for ease of understanding.

기판(W)의 중심 O와 제 1 방향의 가장자리 M 사이의 연삭 영역(145z)이 휠 팁들(145)의 하부면이 이루는 평면과 평행하도록 척 테이블(130)의 기울기가 조정될 수 있다. Can be adjusted the gradient of the substrate (W), the center O of the first grinding zone between the edge of the M direction (145z), the wheel tips 145 table 130 chucks the lower surface is parallel to the plane of the forming. 이와 같이 구성하면 도 4에서와 같이 휠 팁 자취(145t)와 상기 기판(W)이 오버랩되는 부분 중 연삭 영역(145z)에 대해서만 연삭이 수행될 수 있다. Thus, when there may be grinding is carried out only for the grinding zone (145z) of the wheel chip trace (145t) and a portion of the substrate (W) that overlap as shown in Figure 4 configuration.

기판(W)의 중심(O)과 상기 연삭 영역(145z)의 반대쪽에 위치하는 가장자리(N) 사이에서는 기판(W)과 휠 팁(145) 사이에 간격이 발생하기 때문에 이 영역에서는 연삭이 수행되지 않을 수 있다. In between the center (O) and the grinding edges (N) which is located on the opposite side of the (145z) of the substrate (W) because the distance between the substrate (W) and the wheel chip 145 generating a zone in the grinding is carried out can not. 기판(W)과 휠 팁(145) 사이의 간격의 최대값(H)은 수십㎛, 예컨대 약 15㎛ 내지 약 50㎛일 수 있다. The maximum value (H) of the distance between the substrate (W) and the wheel chip 145 may be tens of ㎛, for example about to about 15㎛ 50㎛.

다시 도 4를 참조하면, 연삭을 위해 휠 팁(145)이 회전하는 동안 휠 팁들(145)의 적어도 일부는 연삭되는 기판(W)의 표면과 겹쳐지지 않도록 구성될 수 있다. Referring again to Figure 4, at least a portion of the wheel tips (145) during rotation of wheel chip 145 to the ground may be configured so as not to overlap with the surface of the abrasive substrate (W). 바꾸어 말하면, 휠 팁 자취(145t)는 기판(W)과 오버랩되는 부분도 있지만 오버랩되지 않는 부분도 있을 수 있다. In other words, the wheel chip trace (145t), but a partial overlapping with the substrate (W) there may be a partial do not overlap.

이를 위하여, 앞서 설명한 바와 같이 기판(W)의 중심 O와 연삭 휠(146)의 중심 O'가 불일치하도록 할 수 있다. To this end, it is possible to to center O 'is a mismatch of the substrate (W) and the grinding wheel center O 146 as described above. 나아가, 상기 연삭 휠(146)의 반경이 상기 기판(W)의 반경보다 더 크도록 구성할 수 있다. Further, the radius of the grinding wheel 146 can be configured to be larger than the radius of the substrate (W). 특히 상기 휠 팁 자취(145t)가 상기 기판(W)의 중심 O를 지나가도록 기판(W)과 상기 연삭 휠(146)의 위치가 조정될 수 있다. In particular, the wheel chip has traces (145t) can have the position of the substrate (W) a substrate (W) and the grinding wheel 146 to pass the center O of adjusted.

도 4에 도시된 바와 같이 연삭 휠(146)의 회전 방향은 시계 방향일 수도 있고, 반시계 방향일 수도 있다. Also the direction of rotation of the grinding wheel 146. As shown in Figure 4 may be a clockwise direction or may be counter-clockwise. 상기 연삭 휠(146)이 시계 방향으로 회전하는 경우 상기 연삭 휠(146)은 기판(W)의 제 1 방향의 가장자리(M)으로부터 기판(W)의 중심 O를 향하는 방향으로 상기 기판(W)과 접촉하게 된다. When the grinding wheel 146 is rotated in the clockwise direction, the grinding wheel 146 in the direction toward the center O of the substrate (W) from the edge (M) of the first direction of the substrate (W), the substrate (W) and it is brought into contact. 상기 연삭 휠(146)이 반시계 방향으로 회전하는 경우 상기 연삭 휠(146)은 기판(W)의 중심 O로부터 기판(W)의 제 1 방향의 가장자리(M)를 향하는 방향으로 상기 기판(W)과 접촉하게 된다. When the grinding wheel 146 is rotated in the counterclockwise direction of the grinding wheel 146 is the substrate (W in the direction toward the edge (M) of the first direction of the substrate (W) from the center O of the substrate (W) ) and it is brought into contact.

도 1, 도 2a, 및 도 2b에서는 클리닝 장치(111)가 하나의 노즐을 포함하는 것이 도시되었지만, 상기 노즐은 둘 이상이 포함될 수 있다. In Figs. 1, 2a, and 2b have been shown to cleaning device 111 comprises a single nozzle, the nozzle may include two or more.

도 6a 및 도 6b는 각각 상기 클리닝 장치(111)가 둘 이상의 노즐을 포함하는 실시예를 나타낸 측면도 및 평면도이다. Figures 6a and 6b are a side view and a plan view showing an embodiment comprising two or more nozzles that the cleaning device 111, respectively.

도 6a 및 도 6b를 참조하면, 클리닝 장치(111)는 제 1 부노즐(sub-nozzle)(111a) 및 제 2 부노즐(111b)을 포함할 수 있다. When FIG. 6a and FIG. 6b, a cleaning device 111 may include a first nozzle part (sub-nozzle) (111a) and a second nozzle portion (111b). 상기 제 1 부노즐(111a)과 상기 제 2 부노즐(111b)은 각각 휠 팁(145)의 P1 위치 및 P2 위치를 조준하도록 방향이 조절될 수 있다. Wherein the first nozzle portion (111a) and the second nozzle portion (111b) can be controlled to aim the direction of each position P1, P2 the position of wheel chip 145.

일부 실시예들에 있어서, 상기 제 1 부노즐(111a)과 제 2 부노즐(111b)을 통해서 동일한 유체가 분사될 수 있다. In some embodiments, it may be the same fluid injection through the first nozzle portion (111a) and the second nozzle portion (111b). 휠 팁들(145)이 P1 위치와 P2 위치를 순차적으로 통과하면서 2회에 걸쳐 클리닝될 수 있기 때문에 보다 완벽하게 클리닝될 수 있다. Wheel tips 145 can be more perfect cleaning because it can be cleaned twice while passing through the position P1 and the position P2 by one.

일부 실시예들에 있어서, 상기 제 1 부노즐(111a)과 제 2 부노즐(111b)을 통해서 상이한 유체가 분사될 수 있다. In some embodiments, the different fluids can be injected through the first nozzle portion (111a) and the second nozzle portion (111b). 예를 들면, 상기 제 1 부노즐(111a)을 통해서는 기체가 분사되고 상기 제 2 부노즐(111b)을 통해서는 액체가 분사되도록 구성될 수 있다. For instance, through the first nozzle portion (111a) it may be configured such that the gas is injected, and the liquid is injected through the second nozzle portion (111b). 선택적으로, 제 1 부노즐(111a)을 통해서는 액체가 분사되고 상기 제 2 부노즐(111b)을 통해서는 기체가 분사되도록 구성될 수 있다. Alternatively, the liquid through the first nozzle portion (111a) and is injected through the second nozzle portion (111b) may be configured such that the gas is injected. 일부 실시예들에 있어서, 상기 제 1 부노즐(111a)과 제 2 부노즐(111b)을 통해서 분사되는 유체가 동일한 상(相, phase)으로서 성분 및/또는 조성이 상이할 수 있다. In some embodiments, the claim has as a component and / or composition of one nozzle unit (111a) and the second part is (相, phase) the same fluid that is injected through the nozzles (111b) can be different.

제 1 부노즐(111a)에서 분사되는 유체가 클리닝하는 P1 위치는 제 2 부노즐(111b)에서 분사되는 유체가 클리닝하는 P2 위치에 비하여 전방에 위치할 수 있다. The P1 position, which cleaning fluid is injected from the first nozzle unit (111a) may be located at the front than the P2 position, where the fluid to be injected from the second nozzle portion (111b) cleaning. 일부 실시예들에 있어서, 상기 제 1 부노즐(111a)을 통해서는 계면활성제가 포함된 물, 암모니아 또는 알코올과 같은 극성 용매가 분사되고, 상기 제 2 부노즐(111b)을 통해서는 순수한 물이 분사되도록 구성될 수 있다. In some embodiments, the first and the water, a polar solvent such as ammonia or alcohols contain the surface active agent through the first sub-nozzles (111a) injection, the pure water through the second sub-nozzles (111b) It may be configured to be injected. 이와 같이 구성하는 경우 휠 팁들(145)이 P1 위치에서 극성 용매에 의하여 클리닝된 후 P2 위치에서 린스될 수 있기 때문에 보다 효율적인 클리닝이 이루어질 수 있다. When configured in this manner after the wheel tips 145 by a polar solvent in the cleaning position P1 may be a more efficient cleaning since it can be rinsed in the P2 position.

도 6a 및 도 6b에서는 유체가 클리닝하는 P1 위치 및 P2 위치가 연삭 영역(145z)으로 진입하는 쪽의, 예컨대 상기 제 1 방향의 가장자리(M)에 근접하여 휠 팁 자취(145t) 상에 존재하는 것으로 도시되었으나, 본 발명이 여기에 한정되는 것은 아니다. In Fig. 6a and 6b on the side to the P1 location, P2 location of the fluid cleaning enters the grinding region (145z), for example, close to the edge (M) of the first orientation existing on the wheel chip trace (145t) Although it is shown, but the invention is not limited to this. 일부 실시예들에 있어서, 유체가 클리닝하는 P1 위치 및 P2 위치는 연삭 영역(145z)으로부터 진출하는 쪽의 휠 팁 자취(145t) 상에 존재할 수 있다. In some embodiments, P1 location, P2 location for the cleaning fluid may be present on the side of the wheel chip trace (145t) to advance from the grinding zone (145z).

도 7a 및 도 7b는 각각 상기 클리닝 장치(111)가 둘 이상의 노즐을 포함하는 다른 실시예를 나타낸 측면도 및 평면도이다. Figures 7a and 7b are a side view and a plan view showing another embodiment comprising two or more nozzles that the cleaning device 111, respectively.

도 7a 및 도 7b를 참조하면, 제 1 부노즐(111a)과 제 2 부노즐(111b)이 동일한 위치 P를 조준하도록 방향이 조절된 점에서 도 6a 및 도 6b에 도시한 실시예와 차이가 있다. When FIG. 7a and FIG. 7b, the first sub-nozzles (111a) and the second sub nozzles (111b) are one embodiment of the difference shown in Fig. 6a and 6b in a direction so as to point the same position P control point have.

상기 제 1 부노즐(111a)과 제 2 부노즐(111b)을 통해서 분사될 수 있는 유체의 종류는 도 6a 및 도 6b를 참조하여 설명한 바와 동일하다. Wherein the first nozzle portion (111a) and the type of the fluid to be injected through the second nozzle portion (111b) is the same as described with reference to Figure 6a and Figure 6b. 하지만 본 실시예에서는 동일한 위치 P에 대하여 유체가 분사되기 때문에 보다 강력한 클리닝 효과를 구현하게 될 수 있다. However, in the present embodiment it can be implemented more powerful cleaning effect since the fluid is injected from the same position P.

도 8a 내지 도 8d는 본 발명의 실시예들에 따른, 기판(W)을 연삭하는 단계와 휠 팁들(145)을 동기 클리닝하는 단계의 수행 시점을 나타낸 다이어그램이다. FIG. 8a through FIG. 8d is a diagram illustrating the execution time of the step of synchronizing the cleaning step and the tips wheel 145 for grinding the substrate (W), in accordance with embodiments of the present invention. 기판(W)을 연삭하는 단계와 휠 팁들(145)을 동기 클리닝하는 단계는 시간적으로 오버랩되도록 수행될 수 있다. The step of synchronizing the cleaning step and the tips wheel 145 for grinding the substrate (W) may be performed so that time-overlap. 이는, 도 1을 참조하여 설명한 바와 같이, 휠 팁들(145)을 동기 클리닝하는 것은 휠 팁들(145)이 연삭을 수행하면서 동시에 휠 팁들(145)에 대한 클리닝이 수행됨을 의미하는 데 따른 것이다. This is synchronized with the cleaning wheel tips 145, as described with reference to Figure 1 is due to wheel tips 145 while performing the grinding at the same time means that the cleaning is carried out for the wheel tips (145).

도 8a를 참조하면, 기판(W)을 연삭하는 단계와 휠 팁들(145)을 동기 클리닝하는 단계의 시작 시간 t1과 종료 시간 t2가 완전히 일치할 수 있다. Referring to Figure 8a, a start time t1 and end time t2 of the steps comprising the steps of: cleaning the synchronization tips wheel 145 for grinding the substrate (W) can be completely matched.

이 경우 시작 시간 t1에서 기판(W)을 연삭하는 작용이 이루어짐과 동시에 상기 기판(W)을 연삭하는 휠 팁들(145)에 대한 세정도 동시에 수행될 수 있다. In this case, at the same time as cleaning of the grinding action of the substrate (W) at the start time t1 yirueojim the wheel tips (145) for grinding the substrate (W) may also be performed at the same time. 또, 종료 시간 t2에서 기판(W)을 연삭하는 작용이 종료됨과 동시에 상기 기판(W)을 연삭하는 휠 팁들(145)에 대한 세정도 동시에 종료될 수 있다. In addition, the effect of grinding the substrate (W) at the end time t2 can be terminated as soon terminate at the same time also the cleaning of the tips wheel 145 for grinding the substrate (W) at the same time.

도 8b를 참조하면, 기판(W)을 연삭하는 단계와 휠 팁들(145)을 동기 클리닝하는 단계의 각 시작 시간들과 종료 시간들이 상이할 수 있다. Referring to Figure 8b, each of the steps may begin time and an end time synchronized with the cleaning step and the tips wheel 145 for grinding the substrate (W) may be different. 특히, 기판(W)을 연삭하는 단계는 상기 휠 팁들(145)을 동기 클리닝하는 단계가 수행되는 동안 수행될 수 있다. In particular, the step of grinding the substrate (W) can be carried out during the step of cleaning the motive wheel tips 145 do.

이 경우 상기 휠 팁들(145)을 동기 클리닝하는 단계의 시작 시간 t0는 상기 기판(W)을 연삭하는 단계의 시작 시간 t1에 앞설 수 있다. In this case, the beginning of the synchronization step of cleaning the wheel tips 145 may be ahead of time t0 at the start time t1 of the step of grinding the substrate (W). 또, 상기 휠 팁들(145)을 동기 클리닝하는 단계의 종료 시간 t3는 상기 기판(W)을 연삭하는 단계의 종료 시간 t2에 뒤질 수 있다. In addition, the end time t3 of the step of cleaning the motive wheel tips 145 may dwijil the end time t2 of the step of grinding the substrate (W).

이 경우 적어도 상기 기판(W)을 연삭하는 단계가 수행되는 동안에는 계속하여 상기 휠 팁들(145)을 동기 클리닝하는 단계가 수행되므로 휠 팁들(145)의 오염으로 인한 스크래치가 크게 감소 및/또는 예방될 수 있다. In this case, at least to continue as long as the step of grinding the substrate (W) carried out the wheel because the tips 145 sync cleaning step is performed, which is due to contamination of the wheel tips 145 scratches significantly reduce and / or preventable can.

도 8c를 참조하면, 기판(W)을 연삭하는 단계와 휠 팁들(145)을 동기 클리닝하는 단계의 각 시작 시간들과 종료 시간들이 상이하며, 특히, 상기 휠 팁들(145)을 동기 클리닝하는 단계는 상기 기판(W)을 연삭하는 단계가 수행되는 동안 수행될 수 있다. Referring to Figure 8c, each of the step start time and an end time synchronized with the cleaning step and the wheel tips (145) for grinding the substrate (W) that differs, in particular, the step of synchronizing cleaning the wheel tips 145 It may be carried out during the step of grinding the substrate (W) carried out.

이 경우 상기 기판(W)을 연삭하는 단계의 시작 시간 t1은 상기 휠 팁들(145)을 동기 클리닝하는 단계의 시작 시간 t1'에 앞설 수 있다. In this case, the start time t1 of the step of grinding the substrate (W) may be ahead of the start time t1 'of the step of cleaning the motive wheel tips (145). 또, 상기 기판(W)을 연삭하는 단계의 종료 시간 t2는 상기 휠 팁들(145)을 동기 클리닝하는 단계의 종료 시간 t2'에 뒤질 수 있다. Further, the step of grinding the substrate (W) end time t2 can dwijil the end time t2 'in synchronization with the steps of cleaning the wheel tips (145).

이 경우 상기 기판(W)을 연삭하는 단계의 종료 시점 t2 근처에서 연삭 휠(146)이 보다 안정적으로 동작 가능하기 때문에 연삭 두께의 정밀한 제어에 도움이 될 수 있다. In this case to be operated by the grinding wheel 146 more stably in the vicinity of the end point t2 in the step of grinding the substrate (W) it can be helpful to the precise control of the grinding thickness.

도 8d를 참조하면, 기판(W)을 연삭하는 단계와 휠 팁들(145)을 동기 클리닝하는 단계의 시작 시간이 서로 상이하고 종료 시간은 서로 동일할 수 있다. When reference to Figure 8d, in step with the start time of the phase it is different from each other and an end time synchronized with the cleaning wheel tips (145) for grinding the substrate (W) may be the same as each other. 보다 구체적으로, 상기 기판(W)을 연삭하는 단계의 시작 시간 t1은 상기 휠 팁들(145)을 동기 클리닝하는 단계의 시작 시간 t1'에 앞설 수 있다. More specifically, the step of grinding the substrate (W) start time t1 may be ahead of the start time t1 'of the step of cleaning the motive wheel tips (145). 또, 상기 기판(W)을 연삭하는 단계는 상기 휠 팁들(145)을 동기 클리닝하는 단계와 동시에 종료 시간 t2에 종료될 수 있다. Further, the step of grinding the substrate (W) may be terminated to the end time t2 at the same time as the step of cleaning the motive wheel tips (145).

상기 기판(W)을 연삭하는 단계가 수행되는 시간 t1과 시간 t2의 사이에서 초기의 일부 시간 동안에는 기판(W)의 두께가 아직 두껍고 앞으로 연삭하여야 할 양이 많이 남아 있기 때문에 비록 기판(W)의 표면에 스크래치가 발생하여도 활성면 상의 소자까지 손상되지 않을 수 있다. A Although the substrate (W), because the amount to be a grinding still thick in the future thickness of the substrate (W) during a portion of the initial time between the time t1 that the step of grinding the substrate (W) carried out and the time t2 remains more It can also be damaging to the devices on the active side to the scratch generated on the surface. 즉, 상기 기판(W)이 어느 정도 연삭된 후인 시간 t1'부터 클리닝을 개시하여도 활성면의 반도체 소자의 신뢰성에 큰 영향이 없을 수 있다. That is, it can not have a large impact on the reliability of the semiconductor device of the active surface to said substrate (W) is started after a certain degree of grinding the cleaning time from t1 '.

또한, 상기 기판(W)이 시간 t1'부터 클리닝을 개시하면, 이 시점으로부터 연삭이 종료할 때까지 휠 팁들(145)이 계속하여 클리닝될 수 있으므로 연삭면 상의 스크래치가 방지될 수 있고 반도체 소자의 신뢰성은 그대로 높게 유지될 수 있다. Further, when the substrate (W) starts the cleaning from this time t1 ', it may be cleaning the wheel tips 145 until grinding is completed to continue from this point can be prevented from a scratch on the ground surface of the semiconductor element reliability can be maintained high.

도 9는 본 발명의 실시예들에 따라 연삭한 기판(W)의 두께 변화를 나타낸 개념도이다. 9 is a conceptual diagram showing a change in thickness of the substrate (W) by grinding in accordance with embodiments of the present invention.

도 9를 참조하면, 휠 팁들(145)을 갖는 연삭 휠(146)을 이용하여, 척 테이블(130) 상에 고정된 기판(W)을 씨닝한다. Referring to Figure 9, by using a grinding wheel 146 having a wheel tips (145), and thinning the substrate (W) held on a chuck table 130. 도 9의 오른쪽은 씨닝 전후의 두께 변화를 개념적으로 도시한다. The right side of Figure 9 shows the change in thickness before and after the thinning conceptually.

연삭 전 상기 기판(W)의 두께는 약 400㎛ 내지 약 850㎛일 수 있다. The thickness of the ground around the substrate (W) may be from about to about 400㎛ 850㎛. 상기 연삭이 수행된 후의 상기 기판(W)의 두께는 약 10㎛ 내지 약 200㎛일 수 있다. The thickness of the substrate (W) after which the grinding is performed may be about to about 10㎛ 200㎛. 상기 씨닝에 의하여 감소하는 기판(W)의 두께 변화(Δt)는 약 400㎛ 내지 약 760㎛일 수 있으며, 또는 약 500㎛ 내지 약 650㎛일 수 있다. Thickness variation (Δt) of the substrate (W) to decrease by the thinning may be from about to about 400㎛ 760㎛, or may be about to about 500㎛ 650㎛.

이러한 두께를 정밀하게 제어하기 위하여 연삭 휠(146)은 하방(즉, 기판(W)을 향하는 방향)으로 예를 들면 약 1㎛/초의 전진 속도로 하방으로 이동할 수 있다. Grinding wheel 146 in order to precisely control the thickness of these can be moved downward as for about 1㎛ / second forward speed g downward (that is, the direction toward the substrate (W)).

도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 패키지(1)의 제조 방법을 나타낸 흐름도이다. 10 is a flow chart showing a manufacturing method of the semiconductor package 1 according to one embodiment of the present invention. 도 11 내지 도 16은 상기 실시예에 따른 반도체 패키지(1)의 제조 방법을 순서에 따라 나타낸 도면들이다. 11 to 16 are diagrams illustrating in accordance with the manufacturing method of the semiconductor package 1 according to the embodiment, in order.

도 10 및 도 11을 참조하면, 기판(W)의 활성면 상에 반도체 소자들을 형성할 수 있다(S1). It is 10 and the number on the active surface of the lower substrate (W) with reference to Figure 11 to form a semiconductor element (S1).

상기 기판(W)은 반도체 기판으로 이루어질 수 있다. The substrate (W) may be formed of a semiconductor substrate. 일부 실시예들에서, 상기 기판(W)은 Si 또는 Ge과 같은 반도체로 이루어질 수 있다. In some embodiments, the substrate (W) may be formed of a semiconductor such as Si or Ge. 다른 일부 실시예들에서, 상기 기판(W)은 SiGe, SiC, GaAs, InAs, 또는 InP와 같은 화합물 반도체를 포함할 수 있다. In other some embodiments, the substrate (W) may include a compound semiconductor such as SiGe, SiC, GaAs, InAs, or InP. 또 다른 일부 실시예들에서, 상기 기판(W)은 SOI (silicon on insulator) 구조를 가질 수 있다. In still some other embodiments, the substrate (W) may have a SOI (silicon on insulator) structure.

상기 기판(W)의 활성면(Wf)에는 다수의 반도체 소자들을 포함하고 추후에 서로 분리되어 각각 반도체 다이가 될 예정인 반도체 다이 영역(DA)들이 다수 형성될 수 있다. The active surface (Wf) of the substrate (W), there comprises a plurality of semiconductor devices and semiconductor die area (DA), to be separated from each other, each semiconductor die is at a later date can be formed a number.

반도체 다이 영역(DA)에는 다양한 종류의 복수의 개별 소자 (individual devices)를 포함하는 반도체 소자가 형성될 수 있다. Semiconductor die area (DA) may be formed a semiconductor device comprising a plurality of different kinds of individual elements (individual devices) of. 상기 복수의 개별 소자는 다양한 미세 전자 소자 (microelectronic devices), 예를 들면 CMOS 트랜지스터 (complementary metal-insulator-semiconductor transistor) 등과 같은 MOSFET (metal-oxide-semiconductor field effect transistor), 시스템 LSI (large scale integration), CIS (CMOS imaging sensor) 등과 같은 이미지 센서, MEMS (micro-electro-mechanical system), 능동 소자, 수동 소자 등을 포함할 수 있다. Individual elements of the plurality of various microelectronic devices (microelectronic devices), for example, CMOS transistors (complementary metal-insulator-semiconductor transistor) MOSFET (metal-oxide-semiconductor field effect transistor), system LSI (large scale integration), such as and it may include an image sensor, MEMS (micro-electro-mechanical system), an active element, passive element or the like such as a CIS (CMOS imaging sensor). 상기 복수의 개별 소자는 반도체 다이 영역(DA) 내에서 상기 기판(W)의 도전 영역에 전기적으로 연결될 수 있다. Individual elements of the plurality may be connected in the semiconductor die area (DA) to the electrically conductive region of the substrate (W). 상기 반도체 소자는 상기 복수의 개별 소자 중 적어도 2개, 또는 상기 복수의 개별 소자와 반도체 다이 영역(DA) 내의 기판(W)의 상기 도전 영역을 전기적으로 연결하는 도전성 배선 또는 도전성 플러그를 더 포함할 수 있다. The semiconductor device further includes a conductive wire or a conductive plug electrically connecting the conductive regions of the substrate (W) in at least two, or said plurality of discrete elements and the semiconductor die area (DA) of the individual elements of the plurality of can. 또한, 상기 복수의 개별 소자는 각각 절연막에 의하여 이웃하는 다른 개별 소자들과 전기적으로 분리될 수 있다. Further, the individual elements of the plurality may be electrically isolated from other neighboring individual element by a respective insulating layer.

상기 반도체 다이 영역들(DA)이 분리되어 형성하는 반도체 다이는 예를 들면, 메모리 반도체 칩일 수 있다. Semiconductor die to form the semiconductor die area (DA) is separated, for example, may be a semiconductor memory chip. 메모리 반도체 칩은 예를 들면, DRAM(Dynamic Random Access Memory) 또는 SRAM(Static Random Access Memory)과 같은 휘발성 메모리 반도체 칩이거나, PRAM(Phase-change Random Access Memory), MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory), FeRAM(Ferroelectric Random Access Memory) 또는 RRAM(ResistiveRandom Access Memory)과 같은 비휘발성 메모리 반도체 칩일 수 있다. Memory semiconductor chip, for example, DRAM (Dynamic Random Access Memory) or SRAM (Static Random Access Memory) or a volatile memory semiconductor chip, such as, PRAM (Phase-change Random Access Memory), MRAM (Magnetoresistive Random Access Memory), FeRAM non-volatile memory may be a semiconductor such as chipil (Ferroelectric Random Access memory) or RRAM (ResistiveRandom Access memory).

상기 기판(W)의 두께는 약 400㎛ 내지 약 850㎛일 수 있다. The thickness of the substrate (W) may be from about to about 400㎛ 850㎛. 상기 반도체 다이 영역들(DA)은 복수의 스크라이브 레인(SL)에 의하여 상호 구분될 수 있다. The semiconductor die area (DA) can be cross-nine minutes by a plurality of scribe lanes (SL).

도 10 내지 도 12를 참조하면, 기판(W)의 스크라이브 레인(SL)을 따라 상기 기판(W)을 부분 다이싱할 수 있다(S2). It may be 10 to 12, along the scribe lanes (SL) of the substrate (W) to partial dicing the substrate (W) (S2).

상기 기판(W)을 부분 다이싱하기 위하여 소잉 휠을 이용하여 상기 기판(W)의 소정 깊이(T2)까지 부분 다이싱을 수행한다. Using a sawing wheel for part dicing the substrate (W) to perform a portion of the dicing to a predetermined depth (T2) of the substrate (W). 상기 깊이(T2)는 상기 기판(W) 두께의 약 10% 내지 약 60%일 수 있다. The depth (T2) may be from about 10% to about 60% of the substrate (W) thickness. 일부 실시예들에 있어서, 상기 깊이(T2)는 반도체 소자들이 형성되는 깊이(T1)에 비하여 더 깊을 수 있다. In some embodiments, the depth (T2) may be deeper than the depth (T1) which semiconductor elements are formed. 반도체 소자들이 형성되는 깊이(T1)는 수 ㎛ 내지 수십 ㎛일 수 있으며, 예를 들면 약 5㎛ 내지 약 99㎛일 수 있다. Depth (T1) which semiconductor elements are formed may be a number ㎛ ㎛ to several tens, for example, it may be about to about 5㎛ 99㎛.

상기 소잉 휠은 초경합금이나 소결 다이아몬드 등 공구 특성이 우수한 재료로 형성될 수 있으며, 가공되는 재료의 두께, 종류 등을 고려하여 선택될 수 있다. The sawing wheel may be formed of a material excellent in such as cemented carbide or sintered diamond tool properties, it may be selected in consideration of the thickness, type, etc. of the material to be processed. 상기 소잉 휠이 회전하면서 스크라이브 레인(SL)을 따라 전진함으로써 부분 다이싱을 수행할 수 있다. The sawing is the wheel to perform the dicing part by advancing along the scribe lanes (SL) while being rotated.

도 10 내지 도 13을 참조하면, 기판(W)의 활성면(Wf) 상에 보호 필름(WF)을 부착할 수 있다(S4). May be 10 to Referring to Figure 13, to attach a protective film (WF) on the active surface (Wf) of the substrate (W) (S4). 상기 보호 필름(WF)은 예를 들면 폴리염화비닐(polyvinylchloride, PVC) 계의 폴리머 시트일 수 있으며, 아크릴 수지계의 접착제에 의하여 상기 활성면(Wf) 상에 부착될 수 있다. The protective film (WF), for example poly may be a polymer sheet of PVC (polyvinylchloride, PVC) system, and by the adhesive of the acrylic resin may be adhered onto the active surface (Wf). 상기 아크릴 수지계의 접착제는 약 2 ㎛ 내지 약 10㎛의 두께를 가질 수 있고, 상기 보호 필름(WF)은 약 60㎛ 내지 약 200㎛의 두께를 가질 수 있다. An adhesive of the acrylic resin may have a thickness from about 2 to about ㎛ 10㎛, the protective film (WF) may have a thickness of about 60㎛ to about 200㎛.

도 12 및 도 13에서는 기판(W)의 표면에 대하여 부분 다이싱을 수행한 후 보호 필름(WF)을 부착하는 실시예를 도시하였다. In Figures 12 and 13 shows an embodiment after performing the partial dicing with respect to the surface of the substrate (W) to attach a protective film (WF). 그러나, 보호 필름(WF)을 먼저 부착하고 그 후에 레이저를 이용하여 부분 다이싱을 수행할 수 있다. However, it is possible to attach a protective film (WF) first, and then using a laser to perform the partial dicing. 도 14는 보호 필름(WF)을 부착한 후 레이저를 이용하여 부분 다이싱을 수행하는 방법을 나타낸 사시도이다. Figure 14 is a perspective view showing a method of performing a partial dicing using a laser and then with a protective film (WF).

도 14를 참조하면, 기판(W)의 활성면(Wf) 상에 보호 필름(WF)을 형성한 후, 상기 기판(W)에 대하여 투과성을 갖는 파장의 레이저 광선을 내부에 집광점을 위치결정하여 스크라이브 레인(SL)을 따라 조사할 수 있다. 14, after forming the protective film (WF) on the active surface (Wf) of the substrate (W), positioning the light-converging point of laser light with a wavelength having a permeability with respect to the substrate (W) inside and it can be examined along the scribe lanes (SL). 이와 같이 레이저 광선을 조사하면 상기 기판(W)의 내부에 스크라이브 레인(SL)을 따라 개질층(modified layer)이 형성될 수 있다. Thus, when there can be a modification layer (modified layer) is formed along the scribe lanes (SL) in the interior of the substrate (W) is irradiated with a laser beam. 이러한 개질층의 형성은 도 14에 나타낸 레이저 조사 장치(320)를 이용하여 수행될 수 있다. Formation of the modified layer can be performed by using the laser irradiation apparatus 320 shown in FIG.

상기 레이저 조사 장치(320)는 기판(W)을 지지하는 척 테이블(321), 상기 척 테이블(321) 상에 지지된 기판(W)에 레이저 광선을 조사하는 레이저 광선 조사 수단(322), 및 척 테이블(321) 상에 지지된 기판(W)을 촬상하는 촬상 수단(323)을 포함할 수 있다. The laser irradiation apparatus 320 includes a laser beam irradiation means 322 for irradiating a laser beam to the chuck table 321, a substrate (W) supported on the chuck table 321 for supporting a substrate (W), and It may include an imaging means (323) for picking up the substrate (W) held on the chuck table 321. 상기 척 테이블(321)은 기판(W)을 흡인 지지하고, X축 방향 및/또는 Y축 방향으로 이동할 수 있도록 구성될 수 있다. The chuck table 321 may be configured so as to be movable in the X-axis direction and / or Y-axis direction, supporting the suction of the substrate (W).

상기 레이저 광선 조사 수단(322)은 실질적으로 수평으로 배치된 원통 형상의 케이싱(322a)의 선단에 장착된 집광기(322b)에서 펄스 레이저 광선을 조사하도록 구성될 수 있다. Said laser beam irradiation means 322 may be configured substantially in the condenser (322b) mounted to the front end of the cylindrical casing (322a) of the horizontally disposed to irradiate the pulse laser beam. 또, 상기 레이저 광선 조사 수단(322)을 구성하는 케이싱(322a)의 선단부에 장착된 촬상 수단(323)은 가시광선에 의해 촬상하는 통상의 CCD 촬상 소자, 또는 기판(W)에 적외선을 조사하는 적외선 조사 수단 및 상기 적외선 조사 수단에 의해 조사된 적외선을 포착하는 광학계를 갖고 상기 광학계에 의해 포착된 적외선에 대응하는 전기 신호를 출력하는 적외선 CCD 촬상 소자를 포함하여 구성될 수 있다. Further, the image pick-up means 323 is mounted to the front end of the casing (322a) constituting the laser beam irradiation means 322 for irradiating infrared to the conventional CCD image sensor, or the substrate (W) that is picked up by the visible light has an infrared irradiation means and the optical system for capturing the infrared radiation by the infrared ray irradiation means can comprise an infrared CCD image pickup device that outputs an electric signal corresponding to the infrared picked up by the optical system.

상기 레이저 광선 조사 수단(322)은 레이저 광선 조사 위치에 정렬된 후 레이저를 조사한다. The laser beam irradiation unit 322 irradiates the laser after the alignment the laser beam irradiation position. 상기 레이저는 집광점이 상기 기판(W)의 두께 방향 중간부에 위치하도록 조절될 수 있다. The laser can be adjusted to the condensing point is located in the middle portion in the thickness direction of the substrate (W). 또한 상기 집광기(322b)에서 상기 기판(W)에 대하여 투과성을 갖는 파장의 펄스 레이저 광선을 조사하면서 척 테이블(321)과 집광기(322b)가 적절한 속도로 상대적인 이동을 하도록 할 수 있다. May also be a relative movement in the condenser (322b) by irradiation with the wavelength of the pulsed laser light having a suitable permeability is the chuck table 321 and the condenser (322b) speed with respect to the substrate (W).

도 10 및 도 15를 참조하면, 부분 다이싱된 상기 기판(W)을 도 1 내지 도 9를 참조하여 설명한 방법에 의하여 씨닝(thinning)한다(S5). When 10 and 15, the thinning (thinning) part by the method described with reference to Figs 9 to dicing the substrate (W) (S5).

도 1 내지 도 9를 참조하여 설명한 바와 같이 상기 기판(W)의 씨닝은 기판(W)을 부분적으로 연삭하는 단계(S51) 및 휠 팁들(145)을 동기 클리닝하는 단계(S52)를 포함할 수 있다. Thinning of the substrate (W), as also described with reference to FIGS. 1 to 9, may include a step (S52) for synchronizing the cleaning step (S51) and the wheel tips 145 that partially grinding the substrate (W) have. 상기 기판(W)을 부분적으로 연삭하는 단계(S51) 및 휠 팁들(145)을 동기 클리닝하는 단계(S52)는 도 8a 내지 도 8d를 참조하여 설명한 바와 같이 다양한 방식으로 시간적으로 오버랩되면서 수행될 수 있다. The step of synchronizing the cleaning step (S51) and the wheel tips (145) for grinding the substrate (W) in part (S52) may be performed while the temporal overlap in a variety of ways as described with reference to FIG. 8a through FIG. 8d have.

상기 기판(W)을 부분적으로 연삭하는 단계(S51) 및 휠 팁들(145)을 동기 클리닝하는 단계(S52)는 도 1 내지 도 9를 참조하여 상세하게 설명하였으므로 여기서는 중복되는 설명을 생략한다. The substrate (W) to the step (S52) for synchronizing the cleaning step (S51) and the wheel tips (145) in part by grinding, refer to Figs. 9 to FIG. Therefore, the details will not be described here overlap.

상기 씨닝에 의하여 반도체 다이들(SD1, SD2)은 서로 분리될 수 있다. The semiconductor die (SD1, SD2) by the thinning may be separated from each other. 상기 씨닝에 의하여 기판(W)의 당초 배면(Wr)으로부터 부분 다이싱을 수행한 깊이를 지나서까지 기판(W)의 부분들이 두께 방향으로 제거될 수 있다. To beyond the depth of the part performing dicing from the original rear (Wr) of the substrate (W) by the thinning may be part of the substrate (W) are removed in the thickness direction. 즉, 상기 씨닝에 의하여 제거되는 두께가 부분 다이싱을 수행한 깊이를 지나기 때문에 반도체 다이들(SD1, SD2)이 서로 분리되어 개별화(individualization)될 수 있다. That is, since the thickness to be removed by the thinning-out has passed a depth performing a partial dicing of the semiconductor die (SD1, SD2) are separated from each other can be personalized (individualization). 다만, 상기 반도체 다이들(SD1, SD2)은 보호 필름(WF)에 부착되어 있기 때문에 무질서하게 흩어지지 않고 당초의 위치에서 그대로 유지될 수 있다. However, the semiconductor die (SD1, SD2) may be retained in the initial position without being scattered in disorder because it is attached to the protective film (WF).

도 10 및 도 16을 참조하면, 개별화된 상기 반도체 다이를 실장하여 반도체 패키지(1)을 제조할 수 있다. Referring to FIGS. 10 and 16, it is possible to implement a personalized view of the semiconductor die to manufacture a semiconductor package (1).

상기 반도체 패키지(1)는 패키지 베이스 기판(200) 및 반도체 다이(SD)를 포함할 수 있다. The semiconductor package 1 may comprise a package base 200 and the semiconductor die (SD). 상기 패키지 베이스 기판(200)은 예를 들면, 인쇄회로기판, 세라믹 기판 또는 인터포저(interposer)일 수 있다. The package base board 200 may be, for example, a printed circuit board, a ceramic substrate or an interposer (interposer).

패키지 베이스 기판(200)이 인쇄회로기판인 경우, 패키지 베이스 기판(200)은 기판 베이스(202), 그리고 상면 및 하면에 각각 형성된 본딩 패드(210) 및 연결 패드(216)를 포함할 수 있다. When the package base board 200 is a printed circuit board, the package base board 200 may include a bonding pad 210 and the connecting pad 216 are formed respectively on the substrate base 202, and the top and bottom surfaces. 본딩 패드(210) 및 연결 패드(216)는 각각 기판 베이스(202)의 상면 및 하면을 덮는 솔더레지스트층(도시 생략)에 의하여 노출될 수 있다. The bonding pads 210 and the connection pad 216 may be exposed by the solder resist layer (not shown) covering the top and bottom surfaces of the substrate base 202, respectively. 기판 베이스(202)는 페놀 수지, 에폭시 수지, 폴리이미드 중에서 선택되는 적어도 하나의 물질로 이루어질 수 있다. Base substrate 202 may be formed of at least one material selected from the group consisting of phenol resin, epoxy resin, polyimide. 예를 들면, 기판 베이스(202)는 FR4, 사관능성 에폭시(tetrafunctional epoxy), 폴레페닐렌 에테르(polyphenylene ether), 에폭시/폴리페닐렌 옥사이드(epoxy/polyphenylene oxide), 비스말레이미드 트리아진(bismaleimide triazine, BT), 써마운트(Thermount), 시아네이트 에스테르(cyanate ester), 폴리이미드(polyimide) 및 액정 고분자(liquid crystal polymer) 중에서 선택되는 적어도 하나의 물질을 포함할 수 있다. For example, the substrate base 202 FR4, Tetrafunctional Epoxy (tetrafunctional epoxy), Opole polyphenylene ether (polyphenylene ether), epoxy / polyphenylene oxide (epoxy / polyphenylene oxide), bismaleimide triazine (bismaleimide triazine may include BT), to write the at least one material selected from the mount (Thermount), cyanate ester (cyanate ester), polyimide (polyimide) and liquid crystal polymer (liquid crystal polymer). 본딩 패드(210) 및 연결 패드(216)는 구리, 니켈, 스테인레스 스틸 또는 베릴륨구리(beryllium copper)로 이루어질 수 있다. The bonding pads 210 and the connection pad 216 may be formed of copper, nickel, stainless steel or beryllium copper (beryllium copper). 기판 베이스(202)에는 본딩 패드(210) 사이 및/또는 본딩 패드(210)와 연결 패드(216)를 전기적으로 연결되는 내부 배선(224)이 형성될 수 있다. Base substrate 202 has the internal wiring 224 is electrically connected to the connection with the bonding pad (210) between and / or the bonding pads 210, pads 216 can be formed. 내부 배선(224)은 기판 베이스(202) 내에 형성될 수 있으나, 이에 한정되지 않으며, 기판 베이스(202)의 상면 및/또는 하면에 형성되어 상기 솔더레지스트층에 의하여 덮일 수도 있다. Internal wiring 224 may be formed in the substrate base 202, not limited thereto, is formed on the upper surface and / or lower surface of the base substrate 202 may be covered by the solder resist layer. 본딩 패드(210) 및 연결 패드(216)는 기판 베이스(202)의 상면 및 하면에 동박(Cu foil)을 입힌 후 패터닝된 회로 배선 중 각각 상기 솔더레지스트층에 의하여 노출된 부분일 수 있다. The bonding pads 210 and the connection pad 216 may be an exposed portion by each of the solder resist layer of the patterned circuit wiring after clad with copper foil (Cu foil) for the top and bottom surfaces of the substrate base 202.

패키지 베이스 기판(200)이 인터포저인 경우, 기판 베이스(202)는 예를 들면, 실리콘 웨이퍼로부터 형성될 수 있다. When the package base board 200 of the interposer, the substrate base 202, for example, can be formed from a silicon wafer.

패키지 베이스 기판(200)의 하면에는 연결 단자(230)가 부착될 수 있다. When the package base board 200 may be a connection terminal 230 attached. 연결 단자(230)는 예를 들면, 연결 패드(216) 상에 부착될 수 있다. Connection terminal 230 for example, may be attached to the connecting pads 216. The 연결 단자(230)는 예를 들면, 솔더볼 또는 범프일 수 있다. Connector 230 may be, for example, solder balls or bumps. 연결 단자(230)는 반도체 패키지(1)와 외부 장치 사이를 전기적으로 연결할 수 있다. Terminal 230 may be electrically connected between the semiconductor package 1 and external devices.

반도체 다이(SD)는 상면에 복수의 칩 패드들(20)을 가질 수 있다. A semiconductor die (SD) may have a plurality of chip pads 20 on the upper surface. 상기 복수의 칩 패드들(20)은 대응되는 복수의 본딩 패드들(210)과 본딩 와이어(30)를 통하여 전기적으로 연결될 수 있다. The plurality of chip pads 20 can be electrically connected through a plurality of bonding pads corresponding to 210 and the bonding wire 30. 상기 칩 패드(20)는 제 1 칩 패드(22)와 제 2 칩 패드(24)를 포함할 수 있다. The chip pad 20 may include a first chip pad 22 and the second chip pad 24. 본딩 패드(210)는 제 1 본딩 패드(212)와 제 2 본딩 패드(214)를 포함할 수 있다. The bonding pads 210 may include a first bonding pad 212 and the second bonding pad 214.

본딩 와이어(30)는 제 1 칩 패드(22)와 제 1 본딩 패드(212) 사이를 연결하는 제 1 본딩 와이어(32)와 제 2 칩 패드(24)와 제 2 본딩 패드(214) 사이를 연결하는 제 2 본딩 와이어(34)를 포함할 수 있다. Through the bonding wire 30 is the first chip pad 22 and the first bonding pad 212, the first bonding wire 32 and the second chip pad 24 and the second bonding pads 214 for connecting the It may include a second bonding wires 34 for connecting.

패키지 베이스 기판(200)에 형성되는 내부 배선(224)은 제 2 본딩 패드(214)와 연결 패드(216) 사이를 연결할 수 있다. Internal wiring 224 formed on the package base board 200 can be connected between the second bonding pads 214 and the connecting pad 216. The

반도체 패키지(1)는 패키지 베이스 기판(200) 상에 형성되어 패키지 베이스 기판(200)의 상면, 반도체 다이(SD) 및 본딩 와이어(30)를 감싸는 몰딩층(50)을 더 포함할 수 있다. The semiconductor package (1) may further include a molding layer 50, the top surface, surrounding the semiconductor die (SD) and the bonding wire 30 of is formed on the package base 200, package base 200. 몰딩층(50)은 예를 들면, EMC(Epoxy Mold Compound)로 이루어질 수 있다. Molding layer 50 is, for example, may be formed of EMC (Epoxy Mold Compound).

반도체 다이(SD)는 다이 접착 필름(40)에 의하여 패키지 베이스 기판(200) 상에 부착될 수 있다. A semiconductor die (SD) may be attached onto the package base board 200 by die-bonding film (40). 반도체 다이(SD)는 활성면이 패키지 베이스 기판(200)의 반대측을 향하도록, 즉, 비활성면이 패키지 베이스 기판(200)을 향하도록 패키지 베이스 기판(200) 상에 부착될 수 있다. A semiconductor die (SD) to the active side is facing the opposite side of the package base board 200, that is, if the inactive package can be attached to the package base board 200 to face the base substrate 200. 다이 접착 필름(40)은 바인더 성분 및 경화 성분을 포함할 수 있다. The die-bonding film 40 can comprise a binder component and a curing component. 상기 바인더 성분은 예를 들면, 아크릴계 고분자 수지 및/또는 에폭시 수지로 이루어질 수 있다. The binder component is, for example, may be made of an acrylic polymeric resin and / or epoxy resin. 상기 경화 성분은 예를 들면, 에폭시 수지, 페놀계 경화수지 또는 페녹시 수지로 이루어질 수 있다. The curing component is, for example, may be made of epoxy resin, phenol-based cured resin or phenoxy resin. 또는 상기 경화 성분이 상기 바인더 성분의 역할을 동시에 수행할 수도 있다. Or it may be that the curing component acts as the binder component at the same time. 다이 접착 필름(40)은 경화촉매 또는 실란 케플링제와 같은 첨가제와 충진제를 더 포함할 수 있다. The die-bonding film 40 may further include additives and fillers, such as a curing catalyst or a silane kepeul agent. 상기 경화촉매는 예를 들면, 포스핀계, 이미다졸계 또는 아민계 경화촉매일 수 있다. The curing catalyst may be, for example, phosphine pingye, imidazole-based or amine-based curing catalyst. 상기 실란 케플링제는 예를 들면, 머켑토 실란 커플링제 또는 에폭시 실란 커플링제일 수 있다. Kepeul the silane agent is, for example, Murray kepto silane coupling agent or epoxy silane coupling agent may be best. 상기 충진제는 예를 들면 실리카일 수 있다. The filler may be, for example silica.

도 17은 본 발명의 기술적 사상에 의한 실시예들에 따른 전자 소자의 블록 다이어그램이다. 17 is a block diagram of an electronic device according to embodiments according to the technical features of the present invention.

도 17을 참조하면, 전자 소자(1000)는 로직 영역(1010) 및 메모리 영역(1020)을 포함한다. 17, the electronic device 1000 includes a logical area 1010 and a memory area 1020.

상기 로직 영역(1010)은 카운터(counter), 버퍼 (buffer) 등과 같은 원하는 논리적 기능을 수행하는 표준 셀 (standard cells)로서, 트랜지스터, 레지스터 등과 같은 복수의 회로 소자 (circuit elements)를 포함하는 다양한 종류의 논리 셀을 포함할 수 있다. The logic region 1010 is a wide variety, including a counter (counter), the standard cell a plurality of circuit elements (circuit elements) such as (standard cells) as a transistor, a register to perform the desired logic functions, such as a buffer (buffer) a may include a logic cell. 상기 논리 셀은 예를 들면, AND, NAND, OR, NOR, XOR (exclusive OR), XNOR (exclusive NOR), INV (inverter), ADD (adder), BUF (buffer), DLY (delay), FILL (filter), 멀티플렉서 (MXT/MXIT). Said logic cells, for example, AND, NAND, OR, NOR, XOR (exclusive OR), XNOR (exclusive NOR), INV (inverter), ADD (adder), BUF (buffer), DLY (delay), FILL ( filter), multiplexer (MXT / MXIT). OAI (OR/AND/INVERTER), AO (AND/OR), AOI (AND/OR/INVERTER), D 플립플롭, 리셋 플립플롭, 마스터-슬레이브 플립플롭(master-slave flip-flop), 래치(latch) 등을 구성할 수 있다. OAI (OR / AND / INVERTER), AO (AND / OR), AOI (AND / OR / INVERTER), D flip-flop, a reset flip-flop, master-slave flip-flop (master-slave flip-flop), the latch (latch ) it can be configured and the like. 그러나, 상기 예시한 셀들은 단지 예시에 불과하며, 본 발명의 기술적 사상에 따른 논리 셀이 위에서 예시된 셀에만 한정되는 것은 아니다. However, the illustrated cells are not intended to be a mere example only, and limited only to the logic cells are exemplified above, the cell according to the technical features of the present invention.

상기 메모리 영역(1020)은 SRAM, DRAM, MRAM, RRAM, 및 PRAM 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. The memory region 1020 may include SRAM, DRAM, MRAM, RRAM, and at least one of the PRAM.

상기 로직 영역(1010) 및 메모리 영역(1020)은 도 1 내지 도 9를 참조하여 설명한 방법에 의해 얻어진 집적회로 소자들과, 이들로부터 본 발명의 기술적 사상의 범위 내에서 변형 및 변경된 다양한 구조를 가지는 집적회로 소자들 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. The logic region 1010 and the memory area 1020 within the scope of the technical concept of the present invention from the integrated circuit device and, those obtained by the method described with reference to FIGS. 9 also modified and modified with a variety of structures of the integrated circuit devices may include at least one.

도 18은 본 발명의 기술적 사상에 의한 실시예들에 따른 전자 시스템의 블록 다이어그램이다. 18 is a block diagram of an electronic system according to embodiments according to the technical features of the present invention.

도 18을 참조하면, 상기 전자 시스템(2000)은 콘트롤러(2010), 입출력 장치 (I/O)(2020), 메모리(2030), 및 인터페이스(2040)를 포함하며, 이들은 각각 버스(2050)를 통해 상호 연결되어 있다. 18, and the electronic system 2000 includes a controller 2010, the input-output device (I / O) (2020), memory 2030, and interfaces 2040, and these each bus 2050 through it is interconnected.

상기 콘트롤러(2010)는 마이크로프로세서 (microprocessor), 디지탈 신호 프로세서, 또는 이들과 유사한 처리 장치 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. The controller 2010 may include a microprocessor (microprocessor), a digital signal processor, or at least one of the processing units similar to those. 상기 입출력 장치(2020)는 키패드 (keypad), 키보드 (keyboard), 또는 디스플레이 (display) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. The input and output devices 2020 may include at least one of a keypad (keypad), a keyboard (keyboard), or display (display). 상기 메모리(2030)는 콘트롤러(2010)에 의해 실행된 명령을 저장하는 데 사용될 수 있다. The memory 2030 may be used to store the commands issued by the controller (2010). 예를 들면, 상기 메모리(2030)는 유저 데이타 (user data)를 저장하는 데 사용될 수 있다. For example, the memory 2030 may be used to store the user data (user data).

상기 전자 시스템(2000)은 무선 통신 장치, 또는 무선 환경 하에서 정보를 전송 및/또는 수신할 수 있는 장치를 구성할 수 있다. The electronic system 2000 may be configured a device that can send and / or receive information within a wireless communication device, or a wireless environment. 상기 전자 시스템(2000)에서 무선 커뮤니케이션 네트워크를 통해 데이타를 전송/수신하기 위하여 상기 인터페이스(2040)는 무선 인터페이스로 구성될 수 있다. In order to receive transmission / data over a wireless communication network in the electronic system (2000), the interface 2040 may be configured as a wireless interface. 상기 인터페이스(2040)는 안테나 및/또는 무선 트랜시버 (wireless transceiver)를 포함할 수 있다. The interface 2040 may include an antenna and / or wireless transceiver (wireless transceiver). 일부 실시예들에서, 상기 전자 시스템(2000)은 제3 세대 통신 시스템, 예를 들면, CDMA (code division multiple access), GSM (global system for mobile communications), NADC (north American digital cellular), E-TDMA (extended-time division multiple access), 및/또는 WCDMA (wide band code division multiple access)와 같은 제3 세대 통신 시스템의 통신 인터페이스 프로토콜에 사용될 수 있다. In some embodiments, the electronic system 2000 is a third generation communications system, for example, CDMA (code division multiple access), GSM (global system for mobile communications), NADC (north American digital cellular), E- agent such as TDMA (time division multiple access-extended), and / or WCDMA (wide band code division multiple access) may be used in the communication protocol interface of the 3G communication system. 상기 전자 시스템(2000)은 도 1 내지 도 9를 참조하여 설명한 방법에 의해 얻어진 집적회로 소자들과, 이들로부터 본 발명의 기술적 사상의 범위 내에서 변형 및 변경된 다양한 구조를 가지는 집적회로 소자들 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. The electronic system 2000 includes at least one of an integrated circuit device having a different structure modified and changed within the scope of the technical concept of the present invention from the integrated circuit device produced by the method described with reference to FIGS. 1 to 9 degrees, these It may include one.

이상에서 살펴본 바와 같이 본 발명의 실시예들에 대해 상세히 기술되었지만, 본 발명이 속하는 기술분야에 있어서 통상의 지식을 가진 사람이라면, 첨부된 청구 범위에 정의된 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 본 발명을 여러 가지로 변형하여 실시할 수 있을 것이다. Although it described in detail to embodiments of the invention As described above, if the person having ordinary skill in the art, without departing from the spirit and scope of the invention as defined in the appended claims It will be carried out by modification of the invention in many ways. 따라서 본 발명의 앞으로의 실시예들의 변경은 본 발명의 기술을 벗어날 수 없을 것이다. Therefore, the changes of the embodiments of the future of the present invention will not be out the technique of the present invention.

1: 반도체 패키지 100: 기판 씨닝 장치 1: a semiconductor package 100 comprising: a substrate thinning unit
111: 클리닝 장치 113: 가압 장치 111: Cleaning unit 113: pressure device
120: 기대 130, 321: 척 테이블 120: expected 130, 321: chuck table
133: 지지면 140: 연삭 장치 133: bearing surface 140: the grinding device
141: 하우징 142: 스핀들 141: housing 142: spindle
143: 마운트 144: 플랜지 143: Mount 144: flange
145: 휠 팁 145t: 휠 팁 자취 145: Wheel Tips 145t: Wheel Tips self-catering
145z: 연삭 영역 146: 연삭 휠 145z: Grinding area 146: grinding wheel
150: 이동 기구 151: 가이드레일 150: a moving mechanism 151: guide rail
152: Z축 테이블 160: 측정 수단 152: Z-axis table 160: the measuring means
170: 컨트롤러 200: 패키지 베이스 기판 170: Controller 200: package base
202: 기판 베이스 210: 본딩 패드 202: base substrate 210: a bonding pad
216: 연결 패드 224: 내부 배선 216: connection pad 224: Internal wiring
230: 연결 단자 320: 레이저 조사 장치 230: connector 320: laser irradiation apparatus
322: 레이저 광선 조사 수단 322a: 케이싱 322: laser light irradiation means 322a: casing
322b: 집광기 323: 촬상 수단 322b: Concentrator 323: image pick-up means
W: 기판 Wf: 활성면 W: substrate Wf: the active side
WF: 보호 필름 Wr: 배면 WF: protective film Wr: rear

Claims (20)

  1. 기판을 지지할 수 있는 척 테이블; Chuck table to support a substrate;
    상기 척 테이블에 지지되는 기판을 연삭할 수 있는 휠 팁(wheel tip)을 구비하는 회전 가능한 연삭 장치; Rotatable grinding apparatus having a wheel tip (wheel tip) capable of grinding the substrate supported on the chuck table;
    상기 연삭 장치가 회전하는 동안 상기 휠 팁을 동기(同期) 클리닝(synchronized cleaning)할 수 있도록 구성된 클리닝 장치; A cleaning device configured to synchronization (同期) cleaning (cleaning synchronized) to the wheel chip during the grinding device is rotated;
    를 포함하는 기판 씨닝 장치. Thinning the substrate comprises a.
  2. 제 1 항에 있어서, According to claim 1,
    상기 클리닝 장치는, The cleaning apparatus,
    상기 클리닝에 사용되는 클리닝 유체를 가압하는 가압 장치; Pressing device for pressing the cleaning fluid used in the cleaning; And
    상기 클리닝 유체를 분사(噴射)(jet)할 수 있는 노즐; Discharging the cleaning fluid (噴射) (jet) nozzle can be;
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 씨닝 장치. Thinning the substrate device characterized in that it comprises a.
  3. 제 2 항에 있어서, 3. The method of claim 2,
    상기 클리닝 유체는 공기, 질소(N 2 ), 헬륨(He), 네온(Ne), 물, 암모니아, 알코올, 및 이들의 혼합물들 중의 1종 이상인 것을 특징으로 하는 기판 씨닝 장치. The cleaning fluid is air, nitrogen (N 2), helium (He), neon (Ne), the substrate thinning apparatus as water, ammonia, alcohols, and wherein at least one member of the mixtures thereof.
  4. 제 3 항에 있어서, 4. The method of claim 3,
    상기 클리닝 유체는 물인 것을 특징으로 하는 기판 씨닝 장치. Thinning the substrate and wherein the cleaning fluid is water.
  5. 제 3 항에 있어서, 4. The method of claim 3,
    상기 클리닝 유체는 공기와 물을 포함하는 혼합물이고, The cleaning fluid is a mixture comprising air and water,
    상기 노즐은 상기 공기에 의하여 상기 물을 어토마이즈(atomize)하도록 구성된 것을 특징으로 하는 기판 씨닝 장치. The nozzle substrate thinning and wherein arranged to control Toma rise (atomize) the water by the air.
  6. 제 2 항에 있어서, 3. The method of claim 2,
    상기 노즐은 상기 휠 팁을 조준하도록 배치된 것을 특징으로 하는 기판 씨닝 장치. The nozzle substrate thinning and wherein disposed to aim the wheel tip.
  7. 제 6 항에 있어서, 7. The method of claim 6,
    상기 노즐은 제 1 부노즐(sub-nozzle) 및 제 2 부노즐을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 씨닝 장치. The nozzle substrate thinning apparatus comprising a first nozzle part (sub-nozzle) and the second nozzle portion.
  8. 제 7 항에 있어서, The method of claim 7,
    상기 제 1 노즐 및 상기 제 2 노즐은 각각 상기 휠 팁의 상이한 부분을 조준하도록 구성된 것을 특징으로 하는 기판 씨닝 장치. Thinning the substrate wherein that is configured to aim the different parts of the first nozzle and the second nozzle are each of the wheel tips.
  9. 제 1 항에 있어서, According to claim 1,
    상기 연삭 장치는 상기 기판의 두께를 약 400㎛ 내지 약 760㎛만큼 감소시킬 수 있도록 구성된 것을 특징으로 하는 기판 씨닝 장치. The grinding device is thinned substrate device, characterized in that configured so as to decrease as the thickness of the substrate around 400㎛ to about 760㎛.
  10. 제 1 항에 있어서, According to claim 1,
    상기 클리닝 장치는 적어도 상기 연삭 장치가 동작하는 동안 연속적으로 동작 가능하도록 구성된 것을 특징으로 하는 기판 씨닝 장치. The cleaning apparatus includes a substrate thinning and wherein configured to be operated continuously at least during the operation of the grinding apparatus.
  11. 척 테이블 상에 기판을 고정시키는 단계; Fixing the substrate on the chuck table;
    휠 팁을 구비한 연삭 장치를 회전시킴으로써 상기 기판을 부분적으로 연삭하는 단계; The step of grinding the substrate in part by rotating a grinding device with a wheel chip; And
    상기 휠 팁을 동기(同期) 클리닝하는 단계; Step of the cleaning wheel chip synchronous (同期);
    를 포함하는 기판의 씨닝(thinning) 방법. Thinning method (thinning) of the substrate comprising a.
  12. 제 11 항에 있어서, 12. The method of claim 11,
    상기 기판을 고정시키는 단계 이전에, Prior to the step of fixing the substrate;
    상기 기판의 스크라이브 레인을 따라 부분 다이싱하는 단계; The step of partial dicing along the scribe lane of the substrate; And
    상기 기판의 활성면 상에 보호 필름을 부착하는 단계; Attaching a protective film on the active surface of the substrate;
    를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판의 씨닝 방법. A thinning-out method of the substrate according to claim 1, further comprising.
  13. 제 11 항에 있어서, 12. The method of claim 11,
    상기 클리닝하는 단계는 상기 휠 팁을 향하여 클리닝 유체를 분사(jetting)하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판의 씨닝 방법. Wherein the cleaning method is the thinning of the substrate, it characterized in that it comprises a step of spraying (jetting) a cleaning fluid toward the wheel tip.
  14. 제 11 항에 있어서, 12. The method of claim 11,
    상기 클리닝하는 단계는 상기 기판을 부분적으로 연삭하는 단계가 수행되는 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 기판의 씨닝 방법. Wherein the cleaning method is the thinning of the substrate, characterized in that is carried out during the step of grinding the substrate is partially carried out.
  15. 제 11 항에 있어서, 12. The method of claim 11,
    상기 기판을 부분적으로 연삭하는 단계는 상기 클리닝하는 단계가 수행되는 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 기판의 씨닝 방법. The step of grinding the substrate by partially thinning method of the substrate, characterized in that is carried out during the step of performing the cleaning.
  16. 제 11 항에 있어서, 12. The method of claim 11,
    상기 기판을 부분적으로 연삭하는 단계는 상기 연삭 장치의 휠 팁이 상기 기판의 중심 및 상기 중심에 대하여 상기 기판의 제 1 방향의 가장자리의 사이에서 정의된 기판의 영역에 대하여 수행되는 것을 특징으로 하는 기판의 씨닝 방법. The step of grinding the substrate partially the substrate, characterized in that the wheel chip of the grinding device with respect to the center and the center of the substrate performed in a region of the substrate defined between the edge of the first direction of the substrate thinning method.
  17. 제 16 항에 있어서, 17. The method of claim 16,
    상기 연삭 장치는 상기 회전에 의하여 상기 기판의 중심으로부터 상기 제 1 방향의 가장자리를 향하는 방향으로 상기 기판과 접촉하는 것을 특징으로 하는 기판의 씨닝 방법. The grinding device is thinned method of a substrate which comprises contacting the substrate in a direction toward the edge in the first direction from the center of the substrate by the rotation.
  18. 기판의 활성면 상에 반도체 소자를 형성하는 단계; Forming a semiconductor element on the active surface of the substrate;
    상기 기판의 활성면 상에 보호 필름을 부착하는 단계; Attaching a protective film on the active surface of the substrate;
    척 테이블 상에 상기 기판의 활성면이 상기 척 테이블을 마주하도록 상기 기판을 고정시키는 단계; On the chuck table, comprising: the active surface of the substrate fixed to the substrate so as be made face to face with the chuck table;
    휠 팁을 구비한 연삭 장치를 회전시킴으로써 상기 기판을 부분적으로 연삭하는 단계; The step of grinding the substrate in part by rotating a grinding device with a wheel chip;
    상기 휠 팁을 동기(同期) 클리닝하는 단계; Step of the cleaning wheel chip synchronous (同期);
    연삭된 상기 기판으로부터 개별(individual) 반도체 다이들을 개별화하는 단계; Step to personalize the individual (individual) from a semiconductor die grinding the substrate;
    상기 개별화된(individualized) 반도체 다이들을 실장하여 반도체 패키지를 제조하는 단계; Steps of manufacturing a semiconductor package by mounting said individualized (individualized) a semiconductor die;
    를 포함하는 반도체 패키지의 제조 방법. The process for manufacturing a semiconductor package comprising a.
  19. 제 18 항에 있어서, 19. The method of claim 18,
    상기 기판을 부분적으로 연삭하는 단계는 상기 척 테이블 및 상기 연삭 장치를 회전시키는 단계를 포함하고, The step of grinding the substrate includes a partially rotating the chuck table and the grinding device,
    상기 연삭 장치의 분당 회전 속도(revolution per minute, rpm)는 상기 척 테이블의 분당 회전 속도의 약 5배 내지 약 20배인 것을 특징으로 하는 반도체 패키지의 제조 방법. Per minute, the rotational speed of the grinding device (revolution per minute, rpm) is a method for manufacturing a semiconductor package, characterized in that about 20 times to about 5 times per minute of the rotational speed of the chuck table.
  20. 제 18 항에 있어서, 19. The method of claim 18,
    상기 기판을 부분적으로 연삭하는 단계의 시작 시간은 상기 클리닝하는 단계의 시작 시간보다 앞서고, Start time for the step of grinding the substrate is partially ahead than the start time of the step of cleaning,
    상기 기판을 부분적으로 연삭하는 단계의 종료 시간은 상기 클리닝하는 단계의 종료 시간과 동일한 것을 특징으로 하는 반도체 패키지의 제조 방법. The end time of the step of grinding the substrate is in part for manufacturing a semiconductor package, characterized in that equal to the end time of the step of the cleaning.
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