KR20170047744A - 표시 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는, 화상을 표시하는 표시 영역 및 상기 표시 영역과 이웃하는 주변 영역을 포함하는 기판, 상기 표시 영역에 형성된 복수의 신호선, 상기 복수의 신호선 위에 형성되는 봉지층, 상기 주변 영역에 형성된 패드부 및 상기 신호선과 상기 패드부를 연결하는 복수의 연결 배선을 포함하되, 상기 표시 영역 상에 형성된 상기 봉지층이 연장되어 상기 복수의 연결 배선 위에 위치할 수 있다.

Description

표시 장치{DISPLAY DEVICE}
본 발명은 표시 장치에 관한 것이다.
현재 알려져 있는 표시 장치에는 액정 표시 장치(liquid crystal display: LCD), 플라즈마 표시 장치(plasma display panel: PDP), 유기 발광 표시 장치(organic light emitting diode device: OLED device), 전계 효과 표시 장치(field effect display: FED), 전기 영동 표시 장치(electrophoretic display device) 등이 있다.
특히, 유기 발광 표시 장치는 두 개의 전극과 그 사이에 위치하는 유기 발광층을 포함하며, 하나의 전극으로부터 주입된 전자(electron)와 다른 전극으로부터 주입된 정공(hole)이 유기 발광층에서 결합하여 여기자(exciton)를 형성하고, 여기자가 에너지를 방출하면서 발광한다.
유기 발광 표시 장치는 자발광(self-luminance) 특성을 가지며, 액정 표시 장치와 달리 별도의 광원을 필요로 하지 않으므로 두께와 무게를 줄일 수 있다. 또한, 유기 발광 표시 장치는 낮은 소비 전력, 높은 휘도 및 빠른 응답 속도 등의 고품위 특성을 나타내므로 차세대 표시 장치로 주목을 받고 있다.
유기 발광 표시 장치에서는, 칩온 필름 등이 부착된 기판의 일측은 접혀진 상태로 표시 장치 내에 배치된다. 이와 같은 접혀진 영역은 표시 장치의 가장 자리에 위치하게 되어, 표시 장치를 파지하는 사용자의 손과 인접하게 된다.
이때, 사용자의 손에 묻어 있는 수분, 염수 등이 표시 장치 내부로 침투하여, 접혀진 영역에 위치하는 배선이 부식될 위험이 있다.
상기한 바와 같은 기술적 배경을 바탕으로, 본 발명은 기판의 주변 영역에 배치된 배선이 부식되는 것을 방지할 수 있는 표시 장치를 제공하고자 한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는, 화상을 표시하는 표시 영역 및 상기 표시 영역과 이웃하는 주변 영역을 포함하는 기판, 상기 표시 영역에 형성된 복수의 신호선, 상기 복수의 신호선 위에 형성되는 봉지층, 상기 주변 영역에 형성된 패드부 및 상기 신호선과 상기 패드부를 연결하는 복수의 연결 배선을 포함하되, 상기 표시 영역 상에 형성된 상기 봉지층이 연장되어 상기 복수의 연결 배선 위에 위치할 수 있다.
상기 기판의 상기 주변 영역에는 폴딩 영역이 형성되며, 연장된 상기 봉지층은 상기 폴딩 영역과 중첩될 수 있다.
상기 기판 하부에 보호 필름이 배치될 수 있다.
상기 보호 필름은 상기 기판의 상기 폴딩 영역 하부를 제외하고 배치될 수 있다.
상기 폴딩 영역의 상기 기판이 접히고, 접혀져 서로 마주보는 상기 기판 사이에 지지판이 개재될 수 있다.
상기 기판과 상기 지지판 사이에 접착층이 개재될 수 있다.
상기 봉지층은 복수의 층으로 이루어질 수 있다.
상기 봉지층은 무기막과 유기막이 교번 적층되어 형성될 수 있다.
상기 봉지층의 상기 무기막이 연장되어 상기 복수의 연결 배선 위에 위치할 수 있다.
상기 복수의 연결 배선 위에 위치한 상기 무기막은, 밀도가 서로 다른 적어도 두 개 이상의 층으로 이루어질 수 있다.
상기 복수의 연결 배선 위에 위치하는 상기 무기막은, 제1 밀도를 갖는 한 쌍의 제1 무기막 및 상기 한 쌍의 제1 무기막 사이에 개재되며, 제2 밀도를 갖는 제2 무기막을 포함할 수 있다.
상기 무기막은, 산화 실리콘, 질화 실리콘 및 산화질화 실리콘 중 적어도 하나로 이루어질 수 있다.
상기 봉지층은, 교번 적층되는 무기막 및 유기막 및 상기 무기막과 상기 유기막 사이, 상기 봉지층의 최상층 또는 최하층에 위치하는 금속 산화막을 포함할 수 있다.
상기 금속 산화막이 연장되어 상기 복수의 연결 배선 위에 위치할 수 있다.
상기 금속 산화막은 산화 알루미늄, ITO, 산화 아연 및 산화 티타늄 중 적어도 하나로 이루어질 수 있다.
상기 봉지층은, 교번 적층되는 무기막 및 유기막 및 상기 무기막과 상기 유기막 사이, 상기 봉지층의 최상층 또는 최하층에 위치하는 HMDSO(Hexamethyldisiloxane)막을 포함할 수 있다.
상기 HMDSO막이 연장되어 상기 복수의 연결 배선 위에 위치할 수 있다.
상기 패드부에 결합되는 칩온 필름(Chip On Film)을 더 포함할 수 있다.
상기한 바와 같은 표시 장치에 의하면, 사용자의 손에 묻어 있는 수분, 염수 등에 의해 기판의 주변 영역에 배치된 배선이 부식되는 것을 방지할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 평면도이다.
도 2는 도 1의 Ⅱ-Ⅱ를 따라 자른 단면도이다.
도 3은 도 2의 기판이 접힌 상태를 나타낸 도면이다.
도 4는 도 1의 하나의 화소를 확대한 단면도이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 6은 도 5의 기판이 접힌 상태를 나타낸 도면이다.
도 7은 본 실시예의 봉지층을 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 8은 본 실시예에 따른 봉지층의 제1 변형예이다.
도 9는 본 실시예에 따른 봉지층의 제2 변형예이다.
이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일한 참조부호를 붙였다.
또한, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다.
도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 그리고 도면에서, 설명의 편의를 위해, 일부 층 및 영역의 두께를 과장되게 나타내었다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 또는 "상에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다.
또한, 명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함" 한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다. 또한, 명세서 전체에서, "~상에"라 함은 대상 부분의 위 또는 아래에 위치함을 의미하는 것이며, 반드시 중력 방향을 기준으로 상 측에 위치하는 것을 의미하는 것은 아니다.
이하, 도 1 내지 도 3을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치에 대해 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 평면도이며, 도 2는 도 1의 Ⅱ-Ⅱ를 따라 자른 단면도이며, 도 3은 도 2의 기판이 접힌 상태를 나타낸 도면이다.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 본 실시예에 따른 표시 장치(100)는, 기판(211), 복수의 연결 배선(213), 봉지층(400) 및 패드부(PAD)를 포함한다.
본 실시예에 따르면, 표시 영역(DA)에 형성된 봉지층(400)의 일부가 주변 영역(PA)으로 연장 형성되며, 연장된 상기 봉지층(400)이 주변 영역(PA)에 형성된 복수의 연결 배선(213)을 덮는다. 연장된 상기 봉지층(400)은 하부에 위치한 복수의 연결 배선(213)의 부식을 방지한다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 기판(211)은 화상을 표시하는 표시 영역(DA)과 상기 표시 영역(DA)에 이웃하는 주변 영역(PA)으로 구분된다. 표시 영역(DA)에는 빛을 발광하는 복수의 화소(P)가 배치될 수 있다. 그리고, 주변 영역(PA)에는 복수의 화소(P)를 구동하기 위한 복수의 연결 배선(213), 패드부(PAD), 칩온 필름(300) 등이 위치할 수 있다.
기판(211)의 주변 영역(PA)에는 복수의 연결 배선(213)이 형성된다. 복수의 연결 배선(213)은 표시 영역(DA)에 형성되는 데이터 라인(미도시), 스캔 라인(미도시) 등의 복수의 신호선을 패드부(PAD)와 연결한다. 본 실시예에서, 복수의 연결 배선(213)은 표시 장치에서 게이트선 또는 데이터선과 게이트 IC 또는 데이터 IC를 연결하는 팬－아웃부에 해당될 수 있다.
이때, 기판(211)과 복수의 연결 배선(213) 사이에는 버퍼층(212)이 위치한다. 버퍼층(212)은 불순 원소의 침투를 방지하며, 표면을 평탄화하는 역할을 한다. 버퍼층(212)은 후술하는 도 4의 기판(123) 위에 형성되는 기판 버퍼층(126)과 동일 층으로 형성될 수 있다.
그리고, 복수의 연결 배선(213) 위에는 배선 절연막(214)이 형성된다. 배선 절연막(214)은 패드부(PAD)에서 복수의 연결 배선(213)의 일부를 노출한다. 이때, 노출된 복수의 연결 배선(213)은 칩온 필름(300)과 연결될 수 있다.
배선 절연막(214)은 아크릴계 수지(polyacrylates resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드계 수지(polyamides resin), 폴리이미드계 수지(polyimides rein), 불포화 폴리에스테르계 수지(unsaturated polyesters resin), 폴리페닐렌계 수지(poly phenylenes resin), 폴리페닐렌설파이드계 수지(poly phenylenesulfides resin), 벤조사이클로부텐(benzocyclobutene, BCB), 질화 실리콘(SiNx) 또는 산화 규소(SiO2) 등으로 만들어질 수 있다. 그러나, 배선 절연막(214)이 생략되고, 복수의 연결 배선(213) 위에 후술하는 봉지층(400)이 바로 위치할 수 있다.
칩온 필름(300)은 복수의 연결 배선(213)이 노출되어 형성되는 패드부(PAD) 위에 위치하여, 복수의 연결 배선(213)과 전기적으로 연결된다. 칩온 필름(300)은 화소(P)를 구동하는데 사용되는 구동 칩(미도시)이 실장될 수 있다.
이때, 칩온 필름(300)은 가요성을 가진 베이스 필름(미도시) 위에 복수의 금속 배선(미도시)이 형성된 형태일 수 있다.
구동 칩은 베이스 필름에 실장되어 구동 신호를 생성할 수 있다. 예를 들어, 구동 칩은 외부로부터 제어 신호를 수신하여 스캔 신호를 생성하는 스캔 구동 회로 또는 데이터 신호를 생성하는 데이터 구동 회로일 수 있다.
본 실시예에 따르면, 배선 절연막(214) 위에는 봉지층(400)이 형성될 수 있다. 표시 영역(DA)의 화소(P)에 형성되는 봉지층(400)의 일부가 주변 영역(PA)으로 연장 형성된다. 봉지층(400)은 표시 영역(DA)의 화소(P)에서 유기 발광 소자(LD)와 화소 구동부를 외부로부터 밀봉시켜 보호한다.
본 실시예에서는, 표시 영역(DA)에서 복수 층으로 형성된 봉지층(400)의 일부가 주변 영역(PA)으로 연장되어 복수의 연결 배선(213) 위에 형성된다.
도 3을 참조하면, 기판(211)의 주변 영역(PA)은 폴딩 영역(BA)을 중심으로 접혀서 표시 장치 내에 배치될 수 있다. 칩온 필름(300)이 결합된 기판(211)의 일측 단부가 접혀서, 도 3에 도시된 바와 같이 기판(211)이 서로 마주보게 된다.
이때, 연장된 봉지층(400)의 일부는 폴딩 영역(BA)과 중첩되어, 상기 복수의 연결 배선(213)과 함께 접히게 된다.
보다 구체적으로, 도 7을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에서는, 봉지층(400)은 표시 영역(DA)에서 복수의 층으로 이루어진다. 봉지층(400)은 금속 산화막(411), 유기막(421, 441)과 무기막(431, 451)이 교번 적층되어 이루어진다. 즉, 금속 산화막(411) 위에 유기막(421, 441)과 무기막(431, 451)이 서로 하나씩 교대로 적층되어 배치된다.
그러나, 본 실시예에서는, 금속 산화막(411)이 봉지층(400)의 최하층에 위치하는 것으로 설명되나, 이에 한정되지 않고 금속 산화막(411)은 봉지층(400)의 최상층에 위치할 수도 있다. 또는 금속 산화막(411)은 서로 교대로 적층되는 유기막(421, 441)과 무기막(431, 451) 사이에 배치될 수도 있다.
다시 도 2를 참조하면, 본 실시예에서는, 복수의 층으로 이루어진 봉지층(400) 중 금속 산화막(411)이 표시 영역(DA)으로부터 연장되어 주변 영역(PA)에 형성된다. 즉, 금속 산화막(411)이 연장되어 주변 영역(PA)의 배선 절연막(214) 위에 형성될 수 있다.
이때, 금속 산화막(411)은 산화 알루미늄(AlOx), ITO (indium tin oxide), 산화 아연(ZnO) 및 산화 티타늄(TiOx) 중 적어도 하나로 이루어질 수 있다. 그러나, 금속 산화막(411)을 이루는 물질은 이에 한정되지 않고, 박막 봉지층에 사용되는 공지의 물질이 사용될 수 있다.
그리고, 주변 영역(PA)에서는 상기 금속 산화막(411) 위에 보호막(215)이 형성될 수 있다. 보호막(215)은 수분 등이 침투하여 하부에 위치한 복수의 연결 배선(213)이 부식되는 것을 방지할 수 있다.
도 1 및 도 3을 참조하면, 상기 폴딩 영역(BA)은 표시 장치(100)의 가장 자리에 위치한다. 이에 따라, 사용자가 표시 장치(100)를 파지할 때, 상기 폴딩 영역(BA)이 사용자의 손에 인접하게 위치할 수 있다.
이 경우, 사용자의 손에 묻어 있는 수분, 염수(鹽水) 등이 상기 폴딩 영역(BA)으로 침투할 수 있다. 종래에 봉지층(400)의 일부가 상기 폴딩 영역(BA)에 배치되지 않는 경우에는, 상기 수분, 염수 등에 의해 복수의 연결 배선(213)이 부식될 위험이 있었다.
그러나, 본 실시예에서는 봉지층(400)의 일부가 상기 복수의 연결 배선(213) 위에 배치되어, 수분, 염수 등의 침투를 방지할 수 있다.
즉, 본 실시예에서는 봉지층(400) 중 금속 산화막(411)이 주변 영역(PA)으로 연장되어 수분, 염수 등에 의한 복수의 연결 배선(213)의 부식을 방지할 수 있다.
또한, 상기 금속 산화막(411)은 표시 영역(DA)의 봉지층(400)을 형성하는 공정과 동시에 주변 영역(PA)에 형성할 수 있다. 따라서, 별도의 마스크 공정이나, 증착 공정이 필요하지 않게 된다. 이에 의해, 공정 시간 및 제조 비용을 줄일 수 있다.
한편, 표시 영역(DA)에는 복수의 화소(P)가 배치된다. 하기에서는, 도 4를 참조하여 하나의 화소(P)에 대해 상술하기로 한다. 본 실시예에서는, 하나의 화소(P)는 유기 발광 소자로 이루어질 수 있다.
도 4를 참조하면, 기판(123)은 글라스(glass) 등의 무기 재료, 금속 재료, 수지(resin) 등의 유기 재료 등으로 이루어질 수 있다. 기판(123)은 투광성 또는 차광성일 수 있으며, 플렉서블(flexible)한 특성을 가질 수 있다. 기판(123)은 도 2 및 도 3의 기판(211)과 동일한 층으로 이루어질 수 있다.
그리고, 기판(123) 위에는 기판 버퍼층(126)이 형성된다. 기판 버퍼층(126)은 불순 원소의 침투를 방지하며, 표면을 평탄화하는 역할을 한다.
이때, 기판 버퍼층(126)은 상기 기능을 수행할 수 있는 다양한 물질로 형성될 수 있다. 예를 들어, 기판 버퍼층(126)은 실리콘 질화(SiNx)막, 산화 규소(SiO2)막, 산질화 규소(SiOxNy)막 중 어느 하나가 사용될 수 있다. 그러나, 기판 버퍼층(126)은 반드시 필요한 구성은 아니며, 기판(123)의 종류 및 공정 조건에 따라 생략될 수도 있다.
기판 버퍼층(126) 위에는 구동 반도체층(137)이 형성된다. 구동 반도체층(137)은 다결정 규소막으로 형성된다. 또한, 구동 반도체층(137)은 불순물이 도핑되지 않은 채널 영역(135), 채널 영역(135)의 양 옆으로 도핑되어 형성된 소스 영역(134) 및 드레인 영역(136)을 포함한다. 이때, 도핑되는 이온 물질은 붕소(B)와 같은 P형 불순물이며, 주로 B2H6이 사용된다. 여기서, 이러한 불순물은 박막 트랜지스터의 종류에 따라 달라진다.
구동 반도체층(137) 위에는 질화 실리콘(SiNx) 또는 산화 규소(SiO2) 따위로 형성된 게이트 절연막(127)이 형성된다.
게이트 절연막(127) 위에는 구동 게이트 전극(133)을 포함하는 게이트선이 형성된다. 그리고, 구동 게이트 전극(133)은 구동 반도체층(137)의 적어도 일부, 특히 채널 영역(135)와 중첩되도록 형성된다.
한편, 게이트 절연막(127) 상에는 구동 게이트 전극(133)을 덮는 층간 절연막(128)이 형성된다. 게이트 절연막(127)과 층간 절연막(128)에는 구동 반도체층(137)의 소스 영역(134) 및 드레인 영역(136)을 드러내는 컨택홀(128a)이 형성된다.
층간 절연막(128)은, 게이트 절연막(127)과 마찬가지로, 질화 실리콘(SiNx) 또는 산화 규소(SiO2) 등의 세라믹(ceramic) 계열의 소재를 사용하여 만들어질 수 있다.
그리고, 층간 절연막(128) 위에는 구동 소스 전극(131) 및 구동 드레인 전극(132)을 포함하는 데이터선이 형성된다. 또한, 구동 소스 전극(131) 및 구동 드레인 전극(132)은 각각 층간 절연막(128) 및 게이트 절연막(127)에 형성된 컨택홀(128a)을 통해 구동 반도체층(137)의 소스 영역(134) 및 드레인 영역(136)과 연결된다.
이와 같이, 구동 반도체층(137), 구동 게이트 전극(133), 구동 소스 전극(131) 및 구동 드레인 전극(132)을 포함하여 구동 박막 트랜지스터(130)가 형성된다. 구동 박막 트랜지스터(130)의 구성은 전술한 예에 한정되지 않고, 당해 기술 분야의 전문가가 용이하게 실시할 수 있는 공지된 구성으로 다양하게 변경 가능하다.
그리고, 층간 절연막(128) 상에는 데이터선을 덮는 평탄화막(124)이 형성된다. 평탄화막(124)은 그 위에 형성될 유기 발광 소자의 발광 효율을 높이기 위해 단차를 없애고 평탄화시키는 역할을 한다. 또한, 평탄화막(124)은 드레인 전극(132)의 일부를 노출시키는 비아홀(122a)을 갖는다.
평탄화막(124)은 아크릴계 수지(polyacrylates resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드계 수지(polyamides resin), 폴리이미드계 수지(polyimides rein), 불포화 폴리에스테르계 수지(unsaturated polyesters resin), 폴리페닐렌계 수지(poly phenylenethers resin), 폴리페닐렌설파이드계 수지(poly phenylenesulfides resin), 및 벤조사이클로부텐(benzocyclobutene, BCB) 중 하나 이상의 물질 등으로 만들 수 있다.
여기에서, 본 발명에 따른 일 실시예는 전술한 구조에 한정되는 것은 아니며, 경우에 따라 평탄화막(124)과 층간 절연막(128) 중 어느 하나는 생략될 수도 있다.
이때, 평탄화막(124) 위에는 유기 발광 소자의 제 1 전극, 즉 화소 전극(160)이 형성된다. 즉, 유기 발광 표시 장치는 복수의 화소들마다 각각 배치된 복수의 화소 전극(160)을 포함한다. 이때, 복수의 화소 전극(160)은 서로 이격 배치된다. 화소 전극(160)은 평탄화막(124)의 전극 비아홀(122a)을 통해 드레인 전극(132)과 연결된다.
또한, 평탄화막(124) 위에는 화소 전극(160)을 드러내는 개구부를 갖는 화소 정의막(125)이 형성된다. 즉, 화소 정의막(125)은 각 화소마다 형성된 복수개의 개구부를 갖는다.
이때, 화소 정의막(125)에 의해 형성된 개구부마다 유기 발광층(170)이 형성될 수 있다. 이에 따라, 화소 정의막(125)에 의해 각각의 유기 발광층이 형성되는 화소 영역이 정의될 수 있다.
이때, 화소 전극(160)은 화소 정의막(125)의 개구부에 대응하도록 배치된다. 그러나, 화소 전극(160)은 반드시 화소 정의막(125)의 개구부에만 배치되는 것은 아니며, 화소 전극(160)의 일부가 화소 정의막(125)과 중첩되도록 화소 정의막(125) 아래에 배치될 수 있다.
화소 정의막(125)은 폴리아크릴계 수지(polyacrylates resin) 및 폴리이미드계(polyimides) 등의 수지 또는 실리카 계열의 무기물 등으로 만들 수 있다.
한편, 화소 전극(160) 위에는 유기 발광층(170)이 형성된다.
그리고, 유기 발광층(170) 상에는 제 2 전극, 즉 공통 전극(180)이 형성될 수 있다. 이와 같이, 화소 전극(160), 유기 발광층(170) 및 공통 전극(180)을 포함하는 유기 발광 소자(LD)가 형성된다.
화소 전극(160) 및 공통 전극(180)은 각각 투명한 도전성 물질로 형성되거나 반투과형 또는 반사형 도전성 물질로 형성될 수 있다. 화소 전극(160) 및 공통 전극(180)을 형성하는 물질의 종류에 따라, 유기 발광 표시 장치는 전면 발광형, 배면 발광형 또는 양면 발광형이 될 수 있다.
한편, 공통 전극(180) 위에는 공통 전극(180)을 덮어 보호하는 덮개막(190)이 유기막으로 형성될 수 있다.
그리고, 덮개막(190) 위에는 봉지층(140)이 형성되어 있다. 봉지층(140)은 기판(123)에 형성되어 있는 유기 발광 소자(LD)와 화소 구동부를 외부로부터 밀봉시켜 보호한다. 봉지층(140)은 도 2 및 도 3의 봉지층(400)과 동일하게 형성된다.
봉지층(140)은 서로 하나씩 교대로 적층되는 봉지 유기막(140a, 140c)과 봉지 무기막(140b, 140d)을 포함한다. 도 4에서는 일례로 2개의 봉지 유기막(140a, 140c)과 2개의 봉지 무기막(140b, 140d)이 하나씩 교대로 적층되어 봉지층(140)을 구성하는 경우를 도시하였으나, 이에 한정되지 않는다. 즉, 전술한 바와 같이, 봉지층(140) 중 봉지 유기막(140a) 하부에는 금속 산화막(411)이 형성될 수 있다.
하기에서는, 도 8 및 도 9를 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 봉지층의 제1 내지 제3 변형예에 대해 설명하기로 한다. 제1 내지 제3 변형예를 설명함에 있어, 전술한 실시예와 동일한 구성에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다.
도 8은 본 실시예에 따른 봉지층의 제1 변형예이며, 도 9는 본 실시예에 따른 봉지층의 제2 변형예이다.
도 8을 참조하면, 제1 변형예에서는, 봉지층(402)은 표시 영역(DA)에서 유기막과 무기막이 교번 적층되어 이루어지며, 상기 무기막 중 하나가 주변 영역(PA)으로 연장 형성된다. 즉, 본 변형예에서는, 유기막 사이에 개재된 무기막 또는, 최상층 또는 최하층에 위치하는 무기막이 주변 영역(PA)으로 연장 형성된다.
보다 구체적으로, 유기막(422, 442)과 무기막(432, 452)이 하나씩 교대로 적층되고, 유기막(422) 하부, 즉 최하층에 무기막(412)이 배치된다.
상기 최하층에 위치한 무기막(412)이 주변 영역(PA)으로 연장 형성된다. 즉, 무기막(412)이 연장되어 주변 영역(PA)의 배선 절연막(214) 위에 형성될 수 있다. 이때, 무기막(412)는 산화 실리콘(SiOx), 질화 실리콘(SiNx) 및 산화질화 실리콘(SiON) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
도 9를 참조하면, 제2 변형예에서는, 봉지층(403)은 표시 영역(DA)에서 유기막과 무기막이 교번 적층되어 이루어지며, 상기 무기막 중 하나가 주변 영역(PA)으로 연장 형성된다. 즉, 본 변형예에서는, 유기막 사이에 개재된 무기막 또는, 최상층 또는 최하층에 위치하는 무기막이 주변 영역(PA)으로 연장 형성된다. 이때, 상기 무기막은 밀도가 서로 다른 적어도 두 개 이상의 층으로 이루어질 수 있다.
보다 구체적으로, 제2 변형예에서는, 유기막(422, 442)과 무기막(432, 452)이 하나씩 교대로 적층되고, 유기막(422) 하부, 즉 최하층에 밀도가 서로 다른 층으로 이루어진 무기막(413)이 배치된다. 상기 무기막(413)이 주변 영역(PA)으로 연장 형성될 수 있다.
제2 변형예에서는, 무기막(413)은 제1 밀도를 갖는 한 쌍의 제1 무기막(413a, 413c)과, 상기 한 쌍의 제1 무기막(413a, 413c) 사이에 개재되는 제2 무기막(413b)으로 이루어질 수 있다. 이때, 제2 무기막(413b)은 제1 무기막(413a, 413c)의 제1 밀도와 다른 제2 밀도를 갖는다.
예를 들어, 한 쌍의 제1 무기막(413a, 413c)은 1.8 g/㎤이고, 제2 무기막(413b)은 3.0 g/㎤일 수 있다. 이때, 제1 무기막(413a)은 산화 실리콘(SiOx)으로 이루어지며, 제1 무기막(413c)은 질화 실리콘(SiNx), 제2 무기막(413b)은 산화질화 실리콘(SiON)으로 이루어질 수 있다.
한편, 제3 변형예에 따르면, 봉지층(400)은 HMDSO(Hexamethyldisiloxane)막(미도시), 유기막(421, 441)과 무기막(431, 451)이 교번 적층되어 이루어진다. 즉, HMDSO 막(미도시) 위에 유기막(421, 441)과 무기막(431, 451)이 서로 하나씩 교대로 적층되어 배치된다.
그러나, 본 실시예에서는, HMDSO 막(미도시)이 봉지층(400)의 최하층에 위치하는 것으로 설명되나, 이에 한정되지 않고 HMDSO 막(미도시)은 봉지층(400)의 최상층에 위치할 수도 있다. 또는 HMDSO 막(미도시)은 서로 교대로 적층되는 유기막(421, 441)과 무기막(431, 451) 사이에 배치될 수도 있다.
복수의 층으로 이루어진 봉지층(400) 중 HMDSO 막(미도시)이 표시 영역(DA)으로부터 연장되어 주변 영역(PA)에 형성된다. 즉, HMDSO 막(미도시)이 연장되어 주변 영역(PA)의 배선 절연막(214) 위에 형성될 수 있다. 제3 변형예에서는, 도 2 및 도 3의 금속 산화막(411) 대신에 HMDSO 막(미도시)이 위치하는 점에서 차이가 있다.
상기 HMDSO 막은 봉지층(400)의 스트레스를 흡수하여 유연성을 부여하는 역할을 한다. HMDSO 막은 본질적으로는 무기막이지만 유기막과 같이 유연한 특성을 갖고 있다. 따라서, 유기막과 같은 유연성으로 봉지층(400)의 스트레스를 효과적으로 흡수하여 크랙을 방지할 수 있으면서, 동시에 본질적으로는 무기막이기 때문에 봉지층(400)의 무기막(431, 451)을 형성하는 같은 챔버 내에서 증착될 수 있다.
하기에서는, 도 5 및 도 6을 참조하여 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치에 대해 설명하기로 한다. 다른 실시예를 설명함에 있어, 전술한 실시예와 동일한 구성에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이며, 도 6은 도 5의 기판이 접힌 상태를 나타낸 도면이다.
도 5 및 도 6을 참조하면, 기판(211) 하부에 보호 필름(310)이 배치된다. 이때, 보호 필름(310)은 기판(211)으로 수분 등이 침투하는 것을 방지하거나, 외부 충격에 의해 기판(211)이 파손되는 것을 방지할 수 있다.
보호 필름(310)은 상기 폴딩 영역(BA) 하부에는 위치하지 않는다. 즉, 상기 폴딩 영역(BA) 하부를 제외하고, 보호 필름(310)이 기판(211) 하부에 위치할 수 있다. 다만, 보호 필름(310)은 주변 영역(PA)에만 형성될 수도 있고, 주변 영역(PA) 및 표시 영역(DA)까지 형성될 수도 있다.
접혀서 서로 마주보는 기판(211) 사이에는 지지판(500)이 개재된다. 지지판(500)은 칩온 필름(300)이 부착된 기판(211)의 단부가 접혀진 채, 기판(211)이 서로 마주보는 상태를 유지하게 한다.
본 실시예에서는, 지지판(500)과 기판(211) 사이에 접착층(320)이 개재되어, 칩온 필름(300)이 부착된 기판(211)이 지지판(500)에 고정된다. 이에 의해, 기판(211)이 서로 접혀진 상태를 유지할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는, 표시 영역(DA)의 화소(P)에 형성되는 봉지층(400)의 일부가 주변 영역(PA)으로 연장 형성되어, 봉지층(400) 하부에 위치한 복수의 연결 배선(213)이 부식되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 상기 봉지층(400)은 표시 영역(DA)의 봉지층과 동시에 형성하여, 제조 시간 또는 제조 비용을 줄일 수 있다.
이상과 같이, 본 발명은 한정된 실시예와 도면을 통하여 설명되었으나, 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니며, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 본 발명의 기술 사상과 아래에 기재된 특허청구범위의 균등범위 내에서 다양한 수정 및 변형이 가능하다.
DA 표시 영역 PA 주변 영역
211 기판 213 복수의 연결배선
300 칩온 필름 400 봉지층
500 지지판

Claims (18)

  1. 화상을 표시하는 표시 영역 및 상기 표시 영역과 이웃하는 주변 영역을 포함하는 기판;
    상기 표시 영역에 형성된 복수의 신호선;
    상기 복수의 신호선 위에 형성되는 봉지층;
    상기 주변 영역에 형성된 패드부; 및
    상기 신호선과 상기 패드부를 연결하는 복수의 연결 배선을 포함하되,
    상기 표시 영역 상에 형성된 상기 봉지층이 연장되어 상기 복수의 연결 배선 위에 위치하는, 표시 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판의 상기 주변 영역에는 폴딩 영역이 형성되며,
    연장된 상기 봉지층은 상기 폴딩 영역과 중첩되는, 표시 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 기판 하부에 보호 필름이 배치된, 표시 장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 보호 필름은 상기 기판의 상기 폴딩 영역 하부를 제외하고 배치되는, 표시 장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 폴딩 영역의 상기 기판이 접히고, 접혀져 서로 마주보는 상기 기판 사이에 지지판이 개재되는, 표시 장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 기판과 상기 지지판 사이에 접착층이 개재되는, 표시 장치.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 봉지층은 복수의 층으로 이루어진, 표시 장치.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 봉지층은 무기막과 유기막이 교번 적층되어 형성되는, 표시 장치.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 봉지층의 상기 무기막이 연장되어 상기 복수의 연결 배선 위에 위치하는, 표시 장치.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 복수의 연결 배선 위에 위치한 상기 무기막은,
    밀도가 서로 다른 적어도 두 개 이상의 층으로 이루어지는, 표시 장치.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 복수의 연결 배선 위에 위치하는 상기 무기막은,
    제1 밀도를 갖는 한 쌍의 제1 무기막 및
    상기 한 쌍의 제1 무기막 사이에 개재되며, 제2 밀도를 갖는 제2 무기막을 포함하는, 표시 장치.
  12. 제 7 항에 있어서,
    상기 무기막은, 산화 실리콘, 질화 실리콘 및 산화질화 실리콘 중 적어도 하나로 이루어진, 표시 장치.
  13. 제 7 항에 있어서,
    상기 봉지층은,
    교번 적층되는 무기막 및 유기막; 및
    상기 무기막과 상기 유기막 사이, 상기 봉지층의 최상층 또는 최하층에 위치하는 금속 산화막을 포함하는, 표시 장치.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 금속 산화막이 연장되어 상기 복수의 연결 배선 위에 위치하는, 표시 장치.
  15. 제 13 항에 있어서,
    상기 금속 산화막은 산화 알루미늄, ITO, 산화 아연 및 산화 티타늄 중 적어도 하나로 이루어진, 표시 장치.
  16. 제 7 항에 있어서,
    상기 봉지층은,
    교번 적층되는 무기막 및 유기막; 및
    상기 무기막과 상기 유기막 사이, 상기 봉지층의 최상층 또는 최하층에 위치하는 HMDSO(Hexamethyldisiloxane)막을 포함하는, 표시 장치.
  17. 제 16 항에 있어서,
    상기 HMDSO막이 연장되어 상기 복수의 연결 배선 위에 위치하는, 표시 장치.
  18. 제 1 항에 있어서,
    상기 패드부에 결합되는 칩온 필름(Chip On Film)을 더 포함하는, 표시 장치.
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