KR20160134524A - Wearable quantum dot display device and wearable electronic device comprising the same - Google Patents

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KR20160134524A KR1020160057694A KR20160057694A KR20160134524A KR 20160134524 A KR20160134524 A KR 20160134524A KR 1020160057694 A KR1020160057694 A KR 1020160057694A KR 20160057694 A KR20160057694 A KR 20160057694A KR 20160134524 A KR20160134524 A KR 20160134524A
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Abstract

Provided are a wearable quantum dot display device and a wearable electronic device including the same. The wearable quantum dot display device includes a display layer. The display layer includes a first insulation layer, a first electrode layer arranged on the first insulation layer, a first charge transport layer arranged on the first electrode layer, a quantum dot pattern layer arranged on the first charge transport layer, a second charge transport layer arranged on the quantum dot pattern layer, a second electrode layer arranged on the second charge transport layer, and a second insulation layer arranged on the second electrode layer. The wearable electronic device includes the wearable quantum dot display device.

Description

웨어러블 양자점 디스플레이 장치 및 이를 포함하는 웨어러블 전자 장치{WEARABLE QUANTUM DOT DISPLAY DEVICE AND WEARABLE ELECTRONIC DEVICE COMPRISING THE SAME}TECHNICAL FIELD The present invention relates to a wearable quantum dot display device and a wearable electronic device including the wearable quantum dot display device and a wearable electronic device including the wearable quantum dot display device.

본 발명은 웨어러블 양자점 디스플레이 장치 및 이를 포함하는 웨어러블 전자 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a wearable quantum dot display device and a wearable electronic device including the wearable quantum dot display device.

최근 웨어러블 장치는 스마트 시계 등의 형태로 제작되어 보급되고 있다. 상기 스마트 시계는 손목시계처럼 착용되어 정보를 표시할 수 있고 생체 신호를 측정할 수 있는 센서를 포함하고 있다. 그러나 상기 스마트 시계는 화면이 작아 사용하기 불편하고 사람의 피부와의 접촉이 일정하지 않아 측정된 생체 신호의 신뢰성이 떨어지는 문제점이 있다.In recent years, wearable devices have been produced in the form of smart watches and the like. The smart watch includes a sensor that can be worn like a wrist watch to display information and can measure a living body signal. However, the smart watch is inconvenient to use due to its small size and is not constantly in contact with the human skin, resulting in a low reliability of the measured bio-signal.

상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 본 발명은 웨어러블 양자점 디스플레이 장치를 제공한다.In order to solve the above problems, the present invention provides a wearable quantum dot display device.

본 발명은 상기 웨어러블 양자점 디스플레이 장치를 포함하는 웨어러블 전자 장치를 제공한다.The present invention provides a wearable electronic device including the wearable quantum dot display device.

본 발명의 다른 목적들은 다음의 상세한 설명과 첨부한 도면으로부터 명확해 질 것이다.Other objects of the present invention will become apparent from the following detailed description and the accompanying drawings.

본 발명의 일 실시예에 따른 웨어러블 양자점 디스플레이 장치는, 디스플레이층을 포함하고, 상기 디스플레이층은, 제1 절연층, 상기 제1 절연층 위에 배치되는 제1 전극층, 상기 제1 전극층 위에 배치되는 제1 전하 전달층, 상기 제1 전하 전달층 위에 배치되는 양자점 패턴층, 상기 양자점 패턴층 위에 배치되는 제2 전하 전달층, 상기 제2 전하 전달층 위에 배치되는 제2 전극층, 및 상기 제2 전극층 위에 배치되는 제2 절연층을 포함한다.A wearable quantum dot display device according to an embodiment of the present invention includes a display layer, wherein the display layer includes a first insulating layer, a first electrode layer disposed on the first insulating layer, a second electrode layer disposed on the first electrode layer, A quantum dot pattern layer disposed on the first charge transfer layer, a second charge transfer layer disposed on the quantum dot pattern layer, a second electrode layer disposed on the second charge transfer layer, and a second charge transfer layer disposed on the second charge transfer layer, And a second insulating layer disposed thereon.

상기 양자점 패턴층은 음각 전사 인쇄 방법에 의해 형성될 수 있다.The quantum dot pattern layer may be formed by a negative tone transfer printing method.

상기 제1 절연층, 상기 제1 전극층, 상기 제1 전하 전달층, 상기 양자점 패턴층, 상기 제2 전하 전달층, 상기 제2 전극층, 및 상기 제2 절연층의 두께의 합은 3㎛ 이하일 수 있고, 상기 제1 전극층, 상기 제1 전하 전달층, 상기 양자점 패턴층, 상기 제2 전하 전달층, 및 상기 제2 전극층의 두께의 합은 300㎚ 이하일 수 있다.The sum of the thicknesses of the first insulating layer, the first electrode layer, the first charge transfer layer, the quantum dot pattern layer, the second charge transfer layer, the second electrode layer, and the second insulating layer may be 3 탆 or less And the sum of the thicknesses of the first electrode layer, the first charge transfer layer, the quantum dot pattern layer, the second charge transfer layer, and the second electrode layer may be 300 nm or less.

상기 양자점 패턴층은 레드 양자점 패턴, 그린 양자점 패턴, 및 블루 양자점 패턴 중 하나 이상을 포함할 수 있다.The quantum dot pattern layer may include at least one of a red quantum dot pattern, a green quantum dot pattern, and a blue quantum dot pattern.

상기 양자점 패턴층은 CdSe/ZnS 양자점, CdSe/CdS/ZnS 양자점, Cu-In-Se 양자점, PbS 양자점, 및 InP 양자점 중에서 하나 이상을 포함하는 콜로이드 나노결정 물질로 형성될 수 있다.The quantum dot pattern layer may be formed of a colloidal nanocrystal material including at least one of a CdSe / ZnS quantum dot, a CdSe / CdS / ZnS quantum dot, a Cu-In-Se quantum dot, a PbS quantum dot, and an InP quantum dot.

상기 웨어러블 양자점 디스플레이 장치는 상기 제2 전극층과 상기 제2 절연층 사이에 배치되는 반사 방지층을 더 포함할 수 있다.The wearable quantum dot display device may further include an anti-reflection layer disposed between the second electrode layer and the second insulating layer.

상기 웨어러블 양자점 디스플레이 장치는 상기 제1 절연층 아래에 배치되고, 생체 신호를 측정하는 신호 센서층을 더 포함할 수 있다.The wearable quantum dot display device may further include a signal sensor layer disposed under the first insulating layer and measuring a biological signal.

상기 신호 센서층은 활동량 측정 센서, 스트레인 센서, 심박 측정용 센서, PPG 센서, 혈압 측정용 센서, 온도 센서,혈당 센서, pH 센서 및 인슐린 센서 중에서 하나 이상을 포함할 수 있다.The signal sensor layer may include at least one of an activity measuring sensor, a strain sensor, a heart rate measuring sensor, a PPG sensor, a blood pressure measuring sensor, a temperature sensor, a blood sugar sensor, a pH sensor and an insulin sensor.

상기 웨어러블 양자점 디스플레이 장치는 상기 디스플레이층의 위, 내부, 또는 아래에 배치되는 터치 센서층을 더 포함할 수 있다. The wearable quantum dot display device may further include a touch sensor layer disposed above, inside, or below the display layer.

상기 터치 센서층은 접촉식 정전용량 방식, 압력식 저항막 방식, 표면 초음파 방식, 적외선 광 방식, 적분식 장력 측정방식, 또는 피에조 효과방식의 터치 센서를 포함할 수 있다.The touch sensor layer may include a touch sensor of a contact type capacitance type, a pressure type resistive film type, a surface ultrasonic type, an infrared light type, an integral type tension measurement type, or a piezo effect type.

본 발명의 다른 실시예에 따른 웨어러블 양자점 디스플레이 장치는 양자점 패턴층을 포함하고, 상기 양자점 패턴층은 음각 전사 인쇄 방법에 의해 형성된다.A wearable quantum dot display apparatus according to another embodiment of the present invention includes a quantum dot pattern layer, and the quantum dot pattern layer is formed by a negative tone transfer printing method.

상기 양자점 패턴층은 양자점 패턴을 포함하고, 상기 양자점 패턴은, 도우너 기판에 양자점층을 형성하는 단계, 상기 양자점층을 스탬프를 이용하여 픽업하는 단계, 상기 스탬프를 이용하여 상기 양자점층을 음각 기판에 접촉시키는 단계, 및 상기 스탬프를 상기 상기 음각 기판으로부터 분리시키는 단계를 포함하는 방법에 의해 형성될 수 있다.Wherein the quantum dot pattern layer includes a quantum dot pattern, the quantum dot pattern includes a step of forming a quantum dot layer on a donor substrate, a step of picking up the quantum dot layer using a stamp, And separating the stamp from the engraved substrate. ≪ RTI ID = 0.0 > [0002] < / RTI >

상기 음각 기판의 표면 에너지는 상기 스탬프의 표면 에너지보다 클 수 있다.The surface energy of the engraved substrate may be greater than the surface energy of the stamp.

본 발명의 또 다른 실시예에 따른 웨어러블 양자점 디스플레이 장치는 제1 양자점 패턴을 포함하는 제1 디스플레이층, 및 상기 제1 디스플레이층 위에 배치되고, 제2 양자점 패턴을 포함하는 제2 디스플레이층을 포함한다.A wearable quantum dot display device according to another embodiment of the present invention includes a first display layer including a first quantum dot pattern and a second display layer disposed on the first display layer and including a second quantum dot pattern .

상기 웨어러블 양자점 디스플레이 장치는 상기 제2 디스플레이층 위에 배치되고, 제3 양자점 패턴을 포함하는 제3 디스플레이층을 더 포함할 수 있다. 상기 제1 양자점 패턴, 상기 제2 양자점 패턴, 및 상기 제3 양자점 패턴은 서로 대응하도록 배치될 수 있다.The wearable quantum dot display apparatus may further include a third display layer disposed on the second display layer and including a third quantum dot pattern. The first quantum dot pattern, the second quantum dot pattern, and the third quantum dot pattern may be arranged to correspond to each other.

상기 제1 양자점 패턴은 레드 양자점 패턴이고, 상기 제2 양자점 패턴은 그린 양자점 패턴이며, 상기 제3 양자점 패턴은 블루 양자점 패턴일 수 있다.The first quantum dot pattern may be a red quantum dot pattern, the second quantum dot pattern may be a green quantum dot pattern, and the third quantum dot pattern may be a blue quantum dot pattern.

본 발명의 또 다른 실시예에 따른 웨어러블 전자 장치는, 상기 웨어러블 양자점 디스플레이 장치 및 상기 웨어러블 양자점 디스플레이 장치에 유선 또는 무선으로 연결되는 제어 장치를 포함한다.A wearable electronic device according to another embodiment of the present invention includes a control device connected to the wearable quantum dot display device and the wearable quantum dot display device by wire or wirelessly.

상기 제어 장치는 스마트 시계일 수 있다.The control device may be a smart clock.

상기 웨어러블 양자점 디스플레이 장치는 상기 스마트 시계가 표시할 수 없는 크기의 화면을 표시하거나 상기 스마트 시계에 표시되는 화면을 확대하여 표시할 수 있다.The wearable quantum dot display apparatus may display a screen of a size that the smart clock can not display or may enlarge and display the screen displayed on the smart clock.

상기 웨어러블 양자점 디스플레이 장치는 사람의 피부에 접착되어 생체 신호를 표시할 수 있다.The wearable quantum dot display apparatus can display a living body signal by being adhered to human skin.

상기 웨어러블 전자 장치는, 상기 웨어러블 양자점 디스플레이 장치 및 상기 스마트 시계 중 하나 이상에 유선 또는 무선으로 연결되고, 사람의 피부에 접착되어 생체 신호를 측정하는 센싱 장치를 더 포함할 수 있다.The wearable electronic device may further include a sensing device that is connected to at least one of the wearable quantum dot display device and the smart watch by wire or wirelessly and is attached to a human skin to measure a living body signal.

상기 스마트 시계는 상기 웨어러블 양자점 디스플레이 장치 또는 상기 센싱 장치에 의해 측정된 생체 신호를 저장하거나 외부 장치로 전송할 수 있다.The smart watch may store the bio-signal measured by the wearable quantum dot display device or the sensing device or may transmit the bio-signal to an external device.

본 발명의 또 다른 실시예에 따른 웨어러블 전자 장치는, 상기 웨어러블 양자점 디스플레이 장치 및 상기 웨어러블 양자점 디스플레이 장치에 유선 또는 무선으로 연결되고, 사람의 피부에 접착되어 생체 신호를 측정하는 센싱 장치를 포함한다.A wearable electronic device according to another embodiment of the present invention includes a sensing device that is connected to the wearable quantum dot display device and the wearable quantum dot display device by wire or wirelessly and is attached to human skin and measures a living body signal.

본 발명의 실시예들에 따르면, 성능이 우수한 초박막 형태의 웨어러블 양자점 디스플레이 장치가 구현될 수 있다. 서로 다른 색상의 양자점 패턴들이 수직으로 배치될 수 있어 웨어러블 양자점 디스플레이 장치가 고집적화될 수 있다. 상기 웨어러블 양자점 디스플레이 장치는 손등, 팔목, 팔 등 사람의 피부에 접착되어 다양한 디스플레이 화면과 편리한 인터페이스를 제공할 수 있다. 상기 웨어러블 양자점 디스플레이 장치는 측정된 생체 신호를 화면에 표시할 수 있다. 상기 웨어러블 양자점 디스플레이 장치는 스마트 시계에 연동되어 스마트 시계의 사용성을 확장시킬 수 있고, 편리성을 증대시킬 수 있다. 측정된 생체 신호 등은 스마트 시계에 저장되어 활용될 수 있고, 스마트 시계를 통하여 외부 장치로 전송될 수 있다. 정밀한 생체 신호가 측정될 수 있고, 측정된 생체 신호의 신뢰성이 향상될 수 있다.According to embodiments of the present invention, an ultra-thin wearable QD display device having excellent performance can be realized. The quantum dot patterns of different colors can be vertically arranged, and the wearable quantum dot display device can be highly integrated. The wearable quantum dot display device can be bonded to human skin such as a back, a cuff, and an arm to provide various display screens and a convenient interface. The wearable quantum dot display apparatus can display the measured bio-signal on a screen. The wearable QWD display device can be used in conjunction with a smart watch to extend the usability of the smart watch and enhance convenience. The measured bio-signals and the like can be stored in a smart clock and utilized, and can be transmitted to an external device through a smart clock. A precise biological signal can be measured, and the reliability of the measured biological signal can be improved.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 웨어러블 양자점 디스플레이 장치의 단면도이다.
도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 웨어러블 양자점 디스플레이 장치의 단면도이다.
도 3은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 웨어러블 양자점 디스플레이 장치의 단면도이다.
도 4는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 웨어러블 양자점 디스플레이 장치의 단면도이다.
도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 웨어러블 양자점 디스플레이 장치의 단면도이다.
도 6은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 웨어러블 양자점 디스플레이 장치의 단면도이다.
도 7 내지 도 9는 도 6의 디스플레이층들의 단면도이다.
도 10은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 웨어러블 양자점 디스플레이 장치의 단면도이다.
도 11 내지 도 13은 도 1의 웨어러블 양자점 디스플레이 장치의 형성 방법을 설명하기 위한 단면도이다.
도 14 내지 도 18은 본 발명의 일 실시예에 따른 제1 양자점 패턴의 형성 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 19는 도 3의 웨어러블 양자점 디스플레이 장치의 형성 방법을 설명하기 위한 단면도이다.
도 20은 도 4의 웨어러블 양자점 디스플레이 장치의 형성 방법을 설명하기 위한 단면도이다.
도 21 및 도 22는 도 6의 웨어러블 양자점 디스플레이 장치의 형성 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 23 내지 도 26은 도 22의 웨어러블 양자점 디스플레이 장치의 인체로의 부착 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 27은 본 발명의 일 실시예에 따른 웨어러블 전자 장치를 개략적으로 나타내는 블록도이다.
도 28은 본 발명의 다른 실시예에 따른 웨어러블 전자 장치를 개략적으로 나타내는 블록도이다.
도 29는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 웨어러블 전자 장치를 개략적으로 나타내는 블록도이다.
도 30은 도 27의 웨어러블 전자 장치의 적용예를 나타낸다.
도 31은 도 28의 웨어러블 전자 장치의 적용예를 나타낸다.
도 32는 도 29의 웨어러블 전자 장치의 적용예를 나타낸다.1 is a cross-sectional view of a wearable quantum dot display apparatus according to an embodiment of the present invention.
2 is a cross-sectional view of a wearable quantum dot display apparatus according to another embodiment of the present invention.
3 is a cross-sectional view of a wearable quantum dot display apparatus according to another embodiment of the present invention.
4 is a cross-sectional view of a wearable quantum dot display apparatus according to another embodiment of the present invention.
5 is a cross-sectional view of a wearable quantum dot display apparatus according to another embodiment of the present invention.
6 is a cross-sectional view of a wearable quantum dot display apparatus according to another embodiment of the present invention.
7 to 9 are cross-sectional views of the display layers of Fig.
10 is a cross-sectional view of a wearable quantum dot display apparatus according to another embodiment of the present invention.
FIGS. 11 to 13 are cross-sectional views for explaining a method of forming the wearable quantum dot display device of FIG.
14 to 18 are views for explaining a method of forming a first quantum dot pattern according to an embodiment of the present invention.
FIG. 19 is a cross-sectional view for explaining a method of forming the wearable quantum dot display device of FIG. 3;
20 is a cross-sectional view for explaining a method of forming the wearable quantum dot display device of FIG.
FIGS. 21 and 22 are views for explaining a method of forming the wearable quantum dot display device of FIG.
Figs. 23 to 26 are views for explaining a method of attaching the wearable quantum dot display device of Fig. 22 to a human body.
27 is a block diagram schematically showing a wearable electronic device according to an embodiment of the present invention.
28 is a block diagram schematically showing a wearable electronic device according to another embodiment of the present invention.
29 is a block diagram schematically showing a wearable electronic device according to still another embodiment of the present invention.
30 shows an application example of the wearable electronic device of Fig.
Fig. 31 shows an application example of the wearable electronic device of Fig.
Fig. 32 shows an application example of the wearable electronic device of Fig. 29;

이하, 실시예들을 통하여 본 발명을 상세하게 설명한다. 본 발명의 목적, 특징, 장점은 이하의 실시예들을 통해 쉽게 이해될 것이다. 본 발명은 여기서 설명되는 실시예들에 한정되지 않고, 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 여기서 소개되는 실시예들은 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이다. 따라서, 이하의 실시예들에 의하여 본 발명이 제한되어서는 안 된다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to examples. The objects, features and advantages of the present invention will be easily understood by the following embodiments. The present invention is not limited to the embodiments described herein, but may be embodied in other forms. The embodiments disclosed herein are provided so that the disclosure may be thorough and complete, and that those skilled in the art will be able to convey the spirit of the invention to those skilled in the art. Therefore, the present invention should not be limited by the following examples.

본 명세서에서 제1, 제2 등의 용어가 다양한 요소들(elements)을 기술하기 위해서 사용되었지만, 상기 요소들이 이 같은 용어들에 의해서 한정되어서는 안 된다. 이러한 용어들은 단지 상기 요소들을 서로 구별시키기 위해서 사용되었을 뿐이다. 또, 어떤 요소가 다른 요소 위에 있다고 언급되는 경우에 그것은 다른 요소 위에 직접 형성될 수 있거나 또는 그들 사이에 제3의 요소가 개재될 수도 있다는 것을 의미한다. Although the terms first, second, etc. are used herein to describe various elements, the elements should not be limited by such terms. These terms are only used to distinguish the elements from each other. In addition, when an element is referred to as being on another element, it may be directly formed on the other element, or a third element may be interposed therebetween.

도면들에서 요소의 크기, 또는 요소들 사이의 상대적인 크기는 본 발명에 대한 더욱 명확한 이해를 위해서 다소 과장되게 도시될 수 있다. 또, 도면들에 도시된 요소의 형상이 제조 공정상의 변이 등에 의해서 다소 변경될 수 있을 것이다. 따라서, 본 명세서에서 개시된 실시예들은 특별한 언급이 없는 한 도면에 도시된 형상으로 한정되어서는 안 되며, 어느 정도의 변형을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.The sizes of the elements in the figures, or the relative sizes between the elements, may be exaggerated somewhat for a clearer understanding of the present invention. In addition, the shape of the elements shown in the drawings may be somewhat modified by variations in the manufacturing process or the like. Accordingly, the embodiments disclosed herein should not be construed as limited to the shapes shown in the drawings unless specifically stated, and should be understood to include some modifications.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 웨어러블 양자점 디스플레이 장치의 단면도이다. 1 is a cross-sectional view of a wearable quantum dot display apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 웨어러블 양자점 디스플레이 장치(10)는 제1 디스플레이층(100)을 포함할 수 있으며, 제1 디스플레이층(100)은 양자점 패턴층(110), 제1 전하 전달층(121), 제2 전하 전달층(122), 제1 전극층(131), 제2 전극층(132), 제1 절연층(141), 및 제2 절연층(142)을 포함할 수 있다. 웨어러블 양자점 디스플레이 장치(100)는 제1 절연층(141), 제1 전극층(131), 제1 전하 전달층(121), 양자점 패턴층(110), 제2 전하 전달층(122), 제2 전극층(132), 및 제2 절연층(142)이 차례로 적층된 구조를 포함할 수 있다.1, the wearable quantum dot display device 10 may include a first display layer 100 and the first display layer 100 may include a quantum dot pattern layer 110, a first charge transport layer 121, A first electrode layer 131, a second electrode layer 132, a first insulating layer 141, and a second insulating layer 142. The first electrode layer 131, the second electrode layer 132, The wearable quantum dot display device 100 includes a first insulating layer 141, a first electrode layer 131, a first charge transfer layer 121, a quantum dot pattern layer 110, a second charge transfer layer 122, An electrode layer 132, and a second insulating layer 142 in this order.

양자점 패턴층(110)은 양자점(quantum dot)을 포함할 수 있다. 상기 양자점은, 예를 들어, CdSe/ZnS 양자점, CdSe/CdS/ZnS 양자점, Cu-In-Se 양자점, PbS 양자점, 또는 InP 양자점 등을 포함할 수 있으며 이에 한정되지 않는다. 또, 양자점 패턴층(110)은 양자점을 포함하는 콜로이드 나노결정 물질로 형성될 수 있다. 상기 양자점은 안정성을 위한 껍질(shell)을 가질 수 있으며, 80% 이상의 발광 양자 수율을 나타낼 수 있다.The quantum dot pattern layer 110 may include a quantum dot. The quantum dot may include, for example, a CdSe / ZnS quantum dot, a CdSe / CdS / ZnS quantum dot, a Cu-In-Se quantum dot, a PbS quantum dot, or an InP quantum dot. In addition, the quantum dot pattern layer 110 may be formed of a colloidal nanocrystal material including quantum dots. The quantum dot may have a shell for stability and exhibit a light emission quantum yield of 80% or more.

양자점 패턴층(110)은 양자점 패턴, 예를 들어, 제1 양자점 패턴(111), 제2 양자점 패턴(112), 및 제3 양자점 패턴(113)을 포함할 수 있다. 제1 양자점 패턴(111)은, 예를 들어, 레드 양자점(red quantum dot)을 포함하는 레드 양자점 패턴일 수 있고, CdSe/CdS/ZnS 양자점 등을 포함하는 콜로이드 나노결정 물질로 형성될 수 있다. 제2 양자점 패턴(112)은, 예를 들어, 그린 양자점(green quantum dot)을 포함하는 그린 양자점 패턴일 수 있고, CdSe/ZnS 양자점 등을 포함하는 콜로이드 나노결정 물질로 형성될 수 있다. 제3 양자점 패턴(113)은, 예를 들어, 블루 양자점(blue quantum dot)을 포함하는 블루 양자점 패턴일 수 있고, CdSe/ZnS 양자점 등을 포함하는 콜로이드 나노결정 물질로 형성될 수 있다.The quantum dot pattern layer 110 may include a quantum dot pattern, for example, a first quantum dot pattern 111, a second quantum dot pattern 112, and a third quantum dot pattern 113. The first quantum dot pattern 111 may be a red quantum dot pattern including, for example, a red quantum dot, and may be formed of a colloidal nanocrystal material including a CdSe / CdS / ZnS quantum dot. The second quantum dot pattern 112 may be, for example, a green quantum dot pattern including a green quantum dot, and may be formed of a colloidal nanocrystal material including a CdSe / ZnS quantum dot or the like. The third quantum dot pattern 113 may be, for example, a blue quantum dot pattern including a blue quantum dot, and may be formed of a colloidal nanocrystal material including a CdSe / ZnS quantum dot or the like.

제1 전하 전달층(121)은 정공 주입층과 정공 전달층을 포함할 수 있다. 상기 정공 주입층은 계면 특성이 우수하고, 제1 전극층(131)으로부터 정공을 쉽게 받거나 전자를 제1 전극층(131)에 쉽게 줄 수 있는 물질, 예를 들어, PEDOT:PSS(poly(3,4-ethylenedioxythiophene):poly(styrenesulfonate)) 등의 고분자 소재로 형성될 수 있다. 상기 정공 전달층은 양자점 패턴(110)에 정공을 쉽게 전달할 수 있는 물질, 예를 들어, TFB(poly[(9,9-dioctylfluorenyl-2,7-diyl)-co-(4,4-(N-(4-sec-butylphenyl))diphenylamine)]) 등의 고분자 소재로 형성될 수 있다. The first charge transfer layer 121 may include a hole injection layer and a hole transport layer. The hole injection layer may be formed of a material having an excellent interfacial property and easily receiving holes from the first electrode layer 131 or easily supplying electrons to the first electrode layer 131, for example, PEDOT: PSS (poly (3,4 -ethylenedioxythiophene (poly (styrenesulfonate)) or the like. The hole transport layer may be formed of a material capable of easily transferring holes to the quantum dot pattern 110, for example, poly [(9,9-dioctylfluorenyl-2,7-diyl) -co- (4,4- - (4-sec-butylphenyl)) diphenylamine)]) or the like.

제2 전하 전달층(122)은 전자 전달층 및 전자 주입층 중에서 하나 이상을 포함할 수 있다. 상기 전자 전달층은 양자점 패턴(110)에 전자를 쉽게 전달할 수 있는 물질, 예를 들어, ZnO 등의 금속 산화물 또는 금속 산화물 나노결정 등으로 형성될 수 있다. 상기 전자 주입층은 제2 전극층(132)으로부터 전자를 쉽게 받을 수 있는 물질, 예를 들어, 아연주석산화물(ZnO:SnO2,ZTO) 등의 투명 산화물층으로 형성될 수 있다.The second charge transport layer 122 may include one or more of an electron transport layer and an electron injection layer. The electron transport layer may be formed of a material capable of easily transferring electrons to the quantum dot pattern 110, for example, a metal oxide such as ZnO or a metal oxide nanocrystal. The electron injection layer may be formed of a transparent oxide layer such as zinc tin oxide (ZnO: SnO 2 , ZTO) or the like that can easily receive electrons from the second electrode layer 132.

제1 전극층(131)은 양극으로 기능하며, 제1 전하 전달층(121)으로 정공의 주입이 용이하도록 높은 일 함수를 갖는 물질, 예를 들어, 인듐주석산화물(ITO) 등의 투명 산화물층, 금속 패턴(예를 들어, 메쉬 형태의 금 패턴)과 그래핀층의 적층구조, 또는 투명 산화물층과 그래핀층의 적층구조로 형성될 수 있다. 도면에 도시되지 않았지만, 제1 전극층(131)은 양자점 패턴들(111,112,113)에 대응되도록 패터닝될 수 있다. 이에 의해, 웨어러블 양자점 디스플레이 장치(10)는 픽셀 별로 구동하여 영상을 나타낼 수 있다. The first electrode layer 131 functions as an anode and includes a transparent oxide layer such as indium tin oxide (ITO), a material having a high work function to facilitate the injection of holes into the first charge transfer layer 121, A laminated structure of a metal pattern (e.g., a gold pattern in the form of a mesh) and a graphene layer, or a laminated structure of a transparent oxide layer and a graphene layer. Although not shown in the figure, the first electrode layer 131 may be patterned to correspond to the quantum dot patterns 111, 112, and 113. Thus, the wearable quantum dots display apparatus 10 can display images by driving them on a pixel-by-pixel basis.

제2 전극층(132)은 음극으로 기능하며, 제2 전하 전달층(122)으로 전자의 주입이 용이하도록 낮은 일 함수를 갖는 물질, 예를 들어, 리튬(Li), 알루미늄(Al) 등의 금속, 이들의 합금, 또는 이들이 도핑된 금속으로 형성될 수 있다. 도면에 도시되지 않았지만, 제2 전극층(132)은 양자점 패턴들(111,112,113)에 대응되도록 패터닝될 수 있다. 이에 의해, 웨어러블 양자점 디스플레이 장치(10)는 픽셀 별로 구동하여 영상을 나타낼 수 있다.The second electrode layer 132 functions as a cathode and is formed of a material having a low work function such as lithium (Li) or aluminum (Al) to facilitate the injection of electrons into the second charge transfer layer 122. [ , An alloy thereof, or a metal doped with these. Although not shown in the figure, the second electrode layer 132 may be patterned to correspond to the quantum dot patterns 111, 112, and 113. Thus, the wearable quantum dots display apparatus 10 can display images by driving them on a pixel-by-pixel basis.

제1 절연층(141)과 제2 절연층(142)은 보호층 및 접착층 중에서 하나 이상을 포함할 수 있다. 상기 보호층은, 예를 들어, 파릴렌(parylene), 폴리(p-자일릴렌)(poly(p-xylylene)), 폴리이미드(polyimide) 등으로 형성될 수 있고, 양자점 디스플레이 장치(100)의 상부면과 하부면에 배치되어 그 내부의 구성 요소들이 산화되는 것을 방지하는 등 상기 구성 요소들을 보호하고 지지하는 기능을 한다. 상기 접착층은, 예를 들어, 에폭시 수지 등으로 형성될 수 있고, 상기 보호층이 박리되는 것을 방지하는 기능을 한다. 웨어러블 양자점 디스플레이 장치(10)는 제2 절연층(142)을 통하여 사람의 피부에 접착되거나 별도의 접착 수단을 통해서 사람의 피부에 접착될 수 있다. The first insulating layer 141 and the second insulating layer 142 may include at least one of a protective layer and an adhesive layer. The protective layer may be formed of, for example, parylene, poly (p-xylylene), polyimide, or the like, And is disposed on the upper and lower surfaces to protect and support the components, such as preventing oxidation of the components therein. The adhesive layer may be formed of, for example, an epoxy resin, and functions to prevent the protective layer from peeling off. The wearable quantum dot display device 10 may be adhered to the human skin through the second insulating layer 142 or may be adhered to the human skin through a separate adhesive means.

도면에 도시되지 않았지만, 웨어러블 양자점 디스플레이 장치(10)는 제1 전극층(131)과 전기적으로 연결되는 제1 배선 및 제2 전극층(132)과 전기적으로 연결되는 제2 배선을 포함할 수 있다. 상기 제1 배선에 의해 제1 전극층(131)은 외부 전원 또는 외부 장치 등과 전기적으로 연결될 수 있고, 상기 제2 배선에 의해 제2 전극층(132)은 외부 전원 또는 외부 장치 등과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제1 배선과 상기 제2 배선은 양자점 패턴들(111,112,113)의 사이에 패턴된 상태로 증착될 수 있다. 상기 제1 배선과 상기 제2 배선은 크롬(Cr), 금(Au) 등의 금속으로 형성될 수 있으며, 예를 들어, 크롬 7㎚, 금 100㎚의 두께로 형성될 수 있다.Although not shown in the figure, the wearable quantum dot display device 10 may include a first wire electrically connected to the first electrode layer 131 and a second wire electrically connected to the second electrode layer 132. The first electrode layer 131 may be electrically connected to an external power source or an external device by the first wire and the second electrode layer 132 may be electrically connected to an external power source or an external device by the second wire. The first interconnection and the second interconnection may be deposited in a patterned state between the quantum dot patterns 111, 112 and 113. The first wiring and the second wiring may be formed of a metal such as chromium (Cr) or gold (Au), and may be formed to a thickness of, for example, 7 nm of chromium and 100 nm of gold.

웨어러블 양자점 디스플레이 장치(10)는 초박막 형태로 형성될 수 있다. 예를 들어, 웨어러블 양자점 디스플레이 장치(10)는 3㎛ 이하의 두께를 갖도록 형성될 수 있고, 제1 및 제2 절연층(141,142)을 제외한 양자점 패턴층(110), 제1 전하 전달층(121), 제2 전하 전달층(122), 제1 전극층(131), 및 제2 전극층(132)의 총 두께는 300㎚ 이하가 되도록 형성될 수 있다.The wearable quantum dot display device 10 may be formed in an ultra thin film form. For example, the wearable quantum dot display device 10 may be formed to have a thickness of 3 mu m or less, and the quantum dot pattern layer 110 excluding the first and second insulating layers 141 and 142, the first charge transfer layer 121 ), The second charge transfer layer 122, the first electrode layer 131, and the second electrode layer 132 may have a total thickness of 300 nm or less.

도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 웨어러블 양자점 디스플레이 장치의 단면도이다. 전술한 실시예와 중복되는 설명은 생략될 수 있다. 2 is a cross-sectional view of a wearable quantum dot display apparatus according to another embodiment of the present invention. The description overlapping with the above-described embodiment may be omitted.

도 2를 참조하면, 웨어러블 양자점 디스플레이 장치(10)는 제2 전극층(132)과 제2 절연층(142) 사이에 배치되는 반사 방지층(150)을 더 포함할 수 있다. 상기 반사 방지층은 굴절률이 큰 물질, 예를 들어, WO3, ZnS, ZTO 등으로 형성될 수 있으며, 40㎚의 두께를 가질 수 있다. Referring to FIG. 2, the wearable quantum dot display device 10 may further include an anti-reflection layer 150 disposed between the second electrode layer 132 and the second insulating layer 142. The antireflection layer may be formed of a material having a high refractive index, for example, WO 3 , ZnS, ZTO, or the like, and may have a thickness of 40 nm.

반사 방지층(150)은 양자점 패턴들(111,112,113)에서 방출되는 빛을 투과할 수 있으며, 양자점 디스플레이 장치(10) 외부의 빛을 차단할 수 있다. 이에 의해, 외부의 빛에 의한 간섭이나 산란 등을 방지하며, 우수한 성능의 디스플레이 화면이 구현될 수 있다.The anti-reflection layer 150 can transmit light emitted from the quantum dot patterns 111, 112, and 113 and can block light outside the quantum dot display device 10. Thus, interference and scattering due to external light can be prevented, and a display screen with excellent performance can be realized.

도 3은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 웨어러블 양자점 디스플레이 장치의 단면도이다. 전술한 실시예와 중복되는 설명은 생략될 수 있다.3 is a cross-sectional view of a wearable quantum dot display apparatus according to another embodiment of the present invention. The description overlapping with the above-described embodiment may be omitted.

도 3을 참조하면, 웨어러블 양자점 디스플레이 장치(10)는 제1 절연층(141) 아래에 배치된 신호 센서층(400)을 포함할 수 있다. 또, 도면에 도시되지 않았지만 웨어러블 양자점 디스플레이 장치(10)는 신호 센서층(400) 아래에 배치된 접착 수단에 의해 사람의 피부에 접착될 수 있다.Referring to FIG. 3, the wearable quantum dot display device 10 may include a signal sensor layer 400 disposed under the first insulating layer 141. Also, although not shown in the drawings, the wearable quantum dot display device 10 may be adhered to human skin by an adhesive means disposed below the signal sensor layer 400. [

신호 센서층(400)은 생체 신호를 감지할 수 있는 센서, 예를 들어, 활동량 측정 센서, 스트레인 센서, 심박 측정용 센서, PPG 센서, 혈압 측정용 센서, 온도 센서,혈당 센서, pH 센서, 인슐린 센서 등을 포함할 수 있다. 신호 센서층(400)에 의해 감지된 생체 신호는 웨어러블 양자점 디스플레이 장치(10)의 화면에 표시될 수 있다.The signal sensor layer 400 may include a sensor capable of sensing a biological signal, for example, an activity measurement sensor, a strain sensor, a heart rate measurement sensor, a PPG sensor, a blood pressure measurement sensor, a temperature sensor, Sensors, and the like. The biological signal sensed by the signal sensor layer 400 may be displayed on the display of the wearable quantum dot display device 10. [

도 4는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 웨어러블 양자점 디스플레이 장치의 단면도이다. 전술한 실시예와 중복되는 설명은 생략될 수 있다.4 is a cross-sectional view of a wearable quantum dot display apparatus according to another embodiment of the present invention. The description overlapping with the above-described embodiment may be omitted.

도 4를 참조하면, 웨어러블 양자점 디스플레이 장치(10)는 제2 절연층(142) 위에 배치된 터치 센서층(500)을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 4, the wearable quantum dot display device 10 may include a touch sensor layer 500 disposed on the second insulating layer 142.

터치 센서층(500)은 다양한 구조의 터치 센서, 예를 들어, 접촉식 정전용량 방식, 압력식 저항막 방식, 표면 초음파 방식, 적외선 광 방식, 적분식 장력 측정방식, 피에조 효과방식 등의 터치 센서를 포함할 수 있다.The touch sensor layer 500 may include a touch sensor of various structures such as a contact type capacitance type, a pressure type resistive type, a surface ultrasonic type, an infrared light type, an integrated type tension measurement type, . ≪ / RTI >

터치 센서층(500)은 웨어러블 양자점 디스플레이 장치(10)에 대한 자유롭고 편리한 인터페이스를 제공할 수 있고, 디스플레이 장치에 적용되는 복잡한 버튼을 없애 더 넓은 디스플레이 화면을 제공할 수 있다. 이에 의해, 웨어러블 양자점 디스플레이 장치(10)는 사람의 손등, 팔목, 팔 등에 접착되어 다양한 디스플레이 화면과 편리한 인터페이스를 제공할 수 있다. 도 4에는 터치 센서층(500)이 디스플레이층(100) 위에 배치되는 것으로 도시되어 있으나 이에 한정되지 않으며 디스플레이층(100) 내부 또는 아래에 배치될 수도 있다.The touch sensor layer 500 can provide a free and convenient interface to the wearable quantum dot display device 10 and can provide a wider display screen by eliminating complicated buttons applied to the display device. Thus, the wearable quantum dot display device 10 can be adhered to the back of a person's hand, a wrist, an arm, etc. to provide various display screens and a convenient interface. Although the touch sensor layer 500 is shown as being disposed on the display layer 100 in FIG. 4, it is not limited thereto and may be disposed inside or below the display layer 100.

도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 웨어러블 양자점 디스플레이 장치의 단면도이다. 전술한 실시예와 중복되는 설명은 생략될 수 있다.5 is a cross-sectional view of a wearable quantum dot display apparatus according to another embodiment of the present invention. The description overlapping with the above-described embodiment may be omitted.

도 5를 참조하면, 웨어러블 양자점 디스플레이 장치(10)는 제2 전극층(132)과 제2 절연층(142) 사이에 배치된 반사 방지층(150), 제1 절연층(141) 아래에 배치된 신호 센서층(400), 및 제2 절연층(142) 위에 배치된 터치 센서층(500)을 포함할 수 있다. 웨어러블 양자점 디스플레이 장치(10)는 반사 방지층(150), 신호 센서층(400), 및 터치 센서층(500)을 모두 포함하는 것에 의해 도 2 내지 도 4에 기재된 반사 방지층(150), 신호 센서층(400), 및 터치 센서층(500)의 기능, 작용, 및 효과를 가질 수 있다. 5, the wearable quantum dot display device 10 includes an antireflection layer 150 disposed between a second electrode layer 132 and a second insulating layer 142, a signal disposed below the first insulating layer 141, A sensor layer 400 and a touch sensor layer 500 disposed on the second insulating layer 142. [ The wearable quantum dot display device 10 includes the antireflection layer 150, the signal sensor layer 400, and the touch sensor layer 500 to form the antireflection layer 150 described in FIGS. 2 to 4, Function and effect of the touch sensor layer 400 and the touch sensor layer 500.

도 6은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 웨어러블 양자점 디스플레이 장치의 단면도이고, 도 7 내지 도 9는 도 6의 디스플레이층들의 단면도이다. 전술한 실시예와 중복되는 설명은 생략될 수 있다.FIG. 6 is a cross-sectional view of a wearable quantum dot display apparatus according to another embodiment of the present invention, and FIGS. 7 to 9 are sectional views of the display layers of FIG. The description overlapping with the above-described embodiment may be omitted.

도 6을 참조하면, 웨어러블 양자점 디스플레이 장치(10)는 제1 디스플레이 층(100), 제2 디스플레이층(200), 및 제3 디스플레이층(300)을 포함할 수 있다. 웨어러블 양자점 디스플레이 장치(10)는 제1 디스플레이 층(100), 제2 디스플레이층(200), 및 제3 디스플레이층(300)이 차례로 적층된 구조를 포함할 수 있다. 웨어러블 양자점 디스플레이 장치(10)에서 적층되는 디스플레이층의 개수와 적층 순서는 디스플레이층에 포함된 양자점 패턴의 색상과 구현하고자 하는 영상 등을 고려하여 적절하게 선택될 수 있다.Referring to FIG. 6, the wearable quantum dot display device 10 may include a first display layer 100, a second display layer 200, and a third display layer 300. The wearable quantum dot display device 10 may include a structure in which a first display layer 100, a second display layer 200, and a third display layer 300 are sequentially stacked. The number and stacking order of the display layers stacked in the wearable quantum dot display device 10 can be appropriately selected in consideration of the color of the quantum dot pattern included in the display layer and the image to be implemented.

도 7을 참조하면, 제1 디스플레이층(100)은 양자점 패턴층(110), 제1 전하 전달층(121), 제2 전하 전달층(122), 제1 전극층(131), 제2 전극층(132), 제1 절연층(141), 제2 절연층(142), 및 반사 방지층(150)을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 7, the first display layer 100 includes a quantum dot pattern layer 110, a first charge transfer layer 121, a second charge transfer layer 122, a first electrode layer 131, 132, a first insulating layer 141, a second insulating layer 142, and an antireflection layer 150.

제1 디스플레이층(100)은 제1 절연층(141), 제1 전극층(131), 제1 전하 전달층(121), 양자점 패턴층(110), 제2 전하 전달층(122), 제2 전극층(132), 반사 방지층(150), 제2 절연층(142)이 적층된 구조를 포함할 수 있다.The first display layer 100 includes a first insulating layer 141, a first electrode layer 131, a first charge transfer layer 121, a quantum dot pattern layer 110, a second charge transfer layer 122, The electrode layer 132, the antireflection layer 150, and the second insulation layer 142 may be stacked.

제1 디스플레이층(100)의 양자점 패턴층(110)은 제1 양자점 패턴(111)을 포함할 수 있다. 제1 양자점 패턴(111)은, 예를 들어, 레드 양자점을 포함하는 레드 양자점 패턴일 수 있고, CdSe/CdS/ZnS 양자점 등을 포함하는 콜로이드 나노결정 물질로 형성될 수 있다. The quantum dot pattern layer 110 of the first display layer 100 may include a first quantum dot pattern 111. The first quantum dot pattern 111 may be a red quantum dot pattern including, for example, a red quantum dot, and may be formed of a colloidal nanocrystal material including a CdSe / CdS / ZnS quantum dot or the like.

도 8을 참조하면, 제2 디스플레이층(200)은 도 7에서 설명한 제1 디스플레이층(100)과 동일한 구조를 가질 수 있다. Referring to FIG. 8, the second display layer 200 may have the same structure as the first display layer 100 illustrated in FIG.

제2 디스플레이층(200)의 양자점 패턴층(210)은 제2 양자점 패턴(211)을 포함할 수 있다. 제2 양자점 패턴(211)은, 예를 들어, 그린 양자점을 포함하는 그린 양자점 패턴일 수 있고, CdSe/ZnS 양자점 등을 포함하는 콜로이드 나노결정 물질로 형성될 수 있다. The quantum dot pattern layer 210 of the second display layer 200 may include a second quantum dot pattern 211. The second quantum dot pattern 211 may be, for example, a green quantum dot pattern including a green quantum dot and may be formed of a colloidal nanocrystal material including a CdSe / ZnS quantum dot or the like.

도 9를 참조하면, 제3 디스플레이층(300)은 도 7에서 설명한 제1 디스플레이층(100)과 동일한 구조를 가질 수 있다.Referring to FIG. 9, the third display layer 300 may have the same structure as the first display layer 100 illustrated in FIG.

제3 디스플레이층(300)의 양자점 패턴층(310)은 제3 양자점 패턴(311)을 포함할 수 있다. 제3 양자점 패턴(311)은, 예를 들어, 블루 양자점을 포함하는 블루 양자점 패턴일 수 있고, CdSe/ZnS 양자점 등을 포함하는 콜로이드 나노결정 물질로 형성될 수 있다.The quantum dot pattern layer 310 of the third display layer 300 may include a third quantum dot pattern 311. The third quantum dot pattern 311 may be, for example, a blue quantum dot pattern including a blue quantum dot and may be formed of a colloidal nanocrystal material including a CdSe / ZnS quantum dot or the like.

다시 도 6을 참조하면, 제1 디스플레이층(100) 내지 제3 디스플레이층(300)의 양자점 패턴들(111,211,311)은 서로 대응하는 위치에 배치될 수 있다. 예를 들어, 제1 디스플레이층(100)의 제1 양자점 패턴(111), 제2 디스플레이층(200)의 제2 양자점 패턴(211), 및 제3 디스플레이층(300)의 제3 양자점 패턴(311)은 수직 방향으로 서로 대응하는 위치에 배치될 수 있다. 이에 의해, 웨어러블 양자점 디스플레이 장치(10)가 고집적화될 수 있다.Referring again to FIG. 6, the quantum dot patterns 111, 211, and 311 of the first to third display layers 100 to 300 may be disposed at positions corresponding to each other. For example, the first quantum dot pattern 111 of the first display layer 100, the second quantum dot pattern 211 of the second display layer 200, and the third quantum dot pattern of the third display layer 300 311 may be disposed at positions corresponding to each other in the vertical direction. As a result, the wearable quantum dot display device 10 can be highly integrated.

도 10은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 웨어러블 양자점 디스플레이 장치의 단면도이다. 전술한 실시예와 중복되는 설명은 생략될 수 있다.10 is a cross-sectional view of a wearable quantum dot display apparatus according to another embodiment of the present invention. The description overlapping with the above-described embodiment may be omitted.

도 10을 참조하면, 웨어러블 양자점 디스플레이 장치(10)는 제1 디스플레이층(100) 아래에 배치된 신호 센서층(400)과 제3 디스플레이층(300) 위에 배치된 터치 센서층(500)을 포함할 수 있다. 웨어러블 양자점 디스플레이 장치(10)는 신호 센서층(400)과 터치 센서층(500)을 모두 포함하는 것에 의해 도 3과 도 4에 기재된 신호 센서층(400)과 터치 센서층(500)의 기능, 작용, 및 효과를 가질 수 있다. 10, the wearable quantum dot display device 10 includes a signal sensor layer 400 disposed under the first display layer 100 and a touch sensor layer 500 disposed over the third display layer 300 can do. The wearable quantum dot display device 10 includes both the signal sensor layer 400 and the touch sensor layer 500 to function as a function of the signal sensor layer 400 and the touch sensor layer 500 shown in FIGS. Actions, and effects.

도 11 내지 도 13은 도 1의 웨어러블 양자점 디스플레이 장치의 형성 방법을 설명하기 위한 단면도이다.FIGS. 11 to 13 are cross-sectional views for explaining a method of forming the wearable quantum dot display device of FIG.

도 11을 참조하면, 실리콘, 유리 등으로 형성된 지지층(41) 위에 희생층(42)이 형성된다. 희생층(42)은 열증착 공정을 이용하여 니켈로 형성될 수 있다.Referring to FIG. 11, a sacrificial layer 42 is formed on a support layer 41 formed of silicon, glass, or the like. The sacrificial layer 42 may be formed of nickel using a thermal deposition process.

희생층(42) 위에 보호층 및 접착층 중에서 하나 이상을 포함하는 제1 절연층(141)이 형성된다. 상기 보호층은 스핀 코팅 공정을 이용하여 희생층(42) 위에 파릴렌, 폴리(p-자일릴렌), 폴리이미드 등으로 형성될 수 있다. 상기 접착층은 스핀 코팅 공정을 이용하여 상기 보호층 위에 에폭시 수지 등으로 형성될 수 있다. 상기 보호층은 약 500㎚ ~ 1㎛의 두께로 형성될 수 있고, 상기 접착층은 약 500㎚ ~ 2㎛의의 두께로 형성될 수 있다. 제1 절연층(141)은 형성된 후 자외선에 노출시켜 약 95℃에서 약 1분 동안 그리고 약 150℃에서 약 30분 동안 어닐링되거나, 노광 후에 약 150℃에서 약 30분 동안 큐어링(curing)될 수 있다. 상기 접착층은 리플로우(reflow) 공정을 통해 초평탄(ultra-flat) 표면을 갖도록 형성될 수 있다.On the sacrificial layer 42, a first insulating layer 141 including at least one of a protective layer and an adhesive layer is formed. The protective layer may be formed on the sacrificial layer 42 using a spin coating process, such as parylene, poly (p-xylylene), polyimide, or the like. The adhesive layer may be formed on the protective layer using an epoxy resin or the like using a spin coating process. The protective layer may be formed to a thickness of about 500 nm to 1 mu m, and the adhesive layer may be formed to a thickness of about 500 nm to 2 mu m. The first insulating layer 141 may be annealed for about 1 minute at about 95 ° C. and about 30 minutes at about 150 ° C. after exposure to ultraviolet light, or cured at about 150 ° C. for about 30 minutes after exposure . The adhesive layer may be formed to have an ultra-flat surface through a reflow process.

제1 절연층(141) 위에 제1 전극층(131)이 형성된다. 제1 전극층(131)은 스퍼터링(sputtering) 공정을 이용하여 제1 절연층(141) 위에 증착된 인듐주석산화물층 등의 투명 산화물층을 패터닝하는 것에 의해 형성될 수 있다. 제1 전극층(131)은 자외선/오존으로 표면 처리될 수 있다. 또는 제1 전극층(131)은 금속 패턴(예를 들어, 메쉬 형태의 금 패턴)과 그래핀층의 적층구조, 또는 투명 산화물층과 그래핀층의 적층구조로 형성될 수 있다. 도면에 도시되지 않았지만, 제1 전극층(131)은 양자점 패턴들(도 12의 111,112,113)에 대응되도록 패터닝될 수 있다.A first electrode layer 131 is formed on the first insulating layer 141. The first electrode layer 131 may be formed by patterning a transparent oxide layer such as an indium tin oxide layer deposited on the first insulating layer 141 using a sputtering process. The first electrode layer 131 may be surface treated with ultraviolet / ozone. Or the first electrode layer 131 may be formed of a stacked structure of a metal pattern (for example, a gold pattern in the form of a mesh) and a graphene layer, or a stacked structure of a transparent oxide layer and a graphene layer. Although not shown in the figure, the first electrode layer 131 may be patterned to correspond to the quantum dot patterns (111, 112, and 113 in FIG. 12).

제1 전극층(131) 위에 정공 주입층과 정공 전달층을 포함하는 제1 전하 전달층(121)이 형성된다. 상기 정공 주입층은 스핀 코팅 공정(2000rpm, 30초)을 이용하여 제1 전극층(131) 위에 PEDOT:PSS 등으로 형성될 수 있다. 상기 정공 주입층은 형성된 후 대기압 120℃에서 10분 동안 어닐링되고, 잔존 용매를 제거하기 위해 글로브 박스(glove box)에서 150℃에서 10분 동안 어닐링될 수 있다. 상기 정공 전달층은 스핀 코팅 공정을 이용하여 상기 정공 주입층 위에 m-자일렌 내 0.5wt% TFB 등으로 형성될 수 있고, 글로브 박스에서 150℃ 온도로 어닐링될 수 있다.A first charge transfer layer 121 including a hole injection layer and a hole transfer layer is formed on the first electrode layer 131. The hole injection layer may be formed of PEDOT: PSS or the like on the first electrode layer 131 using a spin coating process (2000 rpm, 30 seconds). The hole injection layer is formed and then annealed at atmospheric pressure 120 ° C for 10 minutes and annealed at 150 ° C for 10 minutes in a glove box to remove residual solvent. The hole transport layer may be formed of 0.5 wt% TFB in m-xylene on the hole injection layer using a spin coating process, and may be annealed at 150 DEG C in a glove box.

제1 전하 전달층(121) 위에 제1 양자점 패턴(111)이 형성된다. 제1 양자점 패턴(121)은, 예를 들어, 레드 양자점을 포함하는 레드 양자점 패턴일 수 있고, CdSe/CdS/ZnS 양자점 등을 포함하는 콜로이드 나노결정 물질로 형성될 수 있다.A first quantum dot pattern 111 is formed on the first charge transfer layer 121. The first quantum dot pattern 121 may be a red quantum dot pattern including, for example, a red quantum dot, and may be formed of a colloidal nanocrystal material including a CdSe / CdS / ZnS quantum dot or the like.

도 14 내지 도 18을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 제1 양자점 패턴(111)의 형성 방법을 설명한다.A method of forming the first quantum dot pattern 111 according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 14 to 18. FIG.

도 14를 참조하면, 도우너 기판(51) 위에 양자점층(52)이 형성된다. 양자점층(52)은 레드 양자점 예를 들어, CdSe/CdS/ZnS 양자점 등을 포함하는 콜로이드 나노결정 물질로 형성될 수 있다. 도우너 기판(51)은 양자점층(52)을 형성하기 전에 ODTS(octadecyltrichlorosilane) 등으로 표면 처리될 수 있다.Referring to FIG. 14, a quantum dot layer 52 is formed on a donor substrate 51. The quantum dot layer 52 may be formed of a colloidal nanocrystalline material including a red quantum dot, for example, a CdSe / CdS / ZnS quantum dot or the like. The donor substrate 51 may be surface treated with ODTS (octadecyltrichlorosilane) or the like before forming the quantum dot layer 52.

도 15를 참조하면, 양자점층(52)이 스탬프(53)에 의해 도우너 기판(51)으로부터 분리되어 픽업(pick-up)된다. 스탬프(53)를 양자점층(52)에 접촉시킨 후 약 10cm/s의 속도로 분리시키면 스탬프(53)의 하부면과 접촉한 양자점층(52)이 도우너 기판(51)으로부터 분리되어 픽업될 수 있다. 스탬프(53)는 예를 들어 PDMS(polydimethylsiloxane)로 형성될 수 있다.15, the quantum dot layer 52 is separated from the donor substrate 51 by a stamp 53 and picked up. When the stamp 53 is brought into contact with the quantum dot layer 52 and then separated at a speed of about 10 cm / s, the quantum dot layer 52 in contact with the lower surface of the stamp 53 can be separated from the donor substrate 51 and picked up have. The stamp 53 may be formed of, for example, polydimethylsiloxane (PDMS).

도 16을 참조하면, 양자점층(52)을 픽업한 스탬프(53)가 음각 기판(54) 위에 정렬되도록 배치된다. 음각 기판(54)은 스탬프(53)의 표면 에너지보다 큰 표면 에너지를 갖는 물질, 예를 들어, 실리콘, 고분자, 유리, 유기물, 산화물 등으로 형성될 수 있다. 음각 기판(54)은 표면에서 내부로 들어간 리세스 영역(54a)을 갖는다. 16, a stamp 53 picking up the quantum dot layer 52 is arranged to be aligned on the negative-tone substrate 54. As shown in Fig. The engraved substrate 54 may be formed of a material having a surface energy greater than the surface energy of the stamp 53, for example, silicon, polymer, glass, organic material, oxide, or the like. The engraved substrate 54 has a recessed region 54a which is recessed from the surface.

도 17을 참조하면, 양자점층(52)이 음각 기판(54)에 접촉된다. 양자점층(52)이 음각 기판(54)과 균일하게 접촉되도록 스탬프(53)에 전체적으로 약간의 압력이 가해질 수 있다. 이때, 양자점층(52)은 리세스 영역(54a) 이외의 부분에서 음각 기판(54)과 접촉하고, 리세스 영역(54a)에 대응하는 부분은 음각 기판(54)과 접촉하지 않는다.17, the quantum dot layer 52 is brought into contact with the engraved substrate 54. Some pressure may be applied to the stamp 53 as a whole such that the quantum dot layer 52 is uniformly in contact with the engraved substrate 54. [ At this time, the quantum dot layer 52 is in contact with the engraved substrate 54 at a portion other than the recessed region 54a, and the portion corresponding to the recessed region 54a does not contact the engraved substrate 54.

도 18을 참조하면, 스탬프(53)가 음각 기판(54)으로부터 분리된다. 음각 기판(54)의 표면 에너지가 스탬프(53)의 표면 에너지보다 크기 때문에 음각 기판(54)과 접촉한 양자점층의 부분(52a)은 스탬프(53)로부터 분리되어 음각 기판(54)의 표면 위에 잔존하게 되고, 리세스 영역(54a)에 대응하는 부분은 스탬프(53)에 그대로 접착된 채로 픽업되어 제1 양자점 패턴(111)을 형성한다. Referring to FIG. 18, the stamp 53 is separated from the engraved substrate 54. Since the surface energy of the engraved substrate 54 is larger than the surface energy of the stamp 53, the portion 52a of the quantum dot layer 54 that is in contact with the engraved substrate 54 is separated from the stamp 53 and placed on the surface of the engraved substrate 54 And the portion corresponding to the recess region 54a is picked up while being adhered to the stamp 53 as it is to form the first quantum dot pattern 111. [

다시 도 11을 참조하면, 지지층(41)에 스탬프(53)가 얼라인되고, 제1 양자점 패턴(111)이 제1 전하 전달층(121)으로 전사된다. 제1 양자점 패턴(111)이 형성된 스탬프(53)를 제1 전하 전달층(121)에 접촉시킨 후 분리시킴으로써 제1 양자점 패턴(111)이 스탬프(53)로부터 제1 전하 전달층(121)으로 전사될 수 있다.Referring again to FIG. 11, the stamp 53 is aligned on the support layer 41, and the first quantum dot pattern 111 is transferred to the first charge transfer layer 121. The first quantum dot pattern 111 is transferred from the stamp 53 to the first charge transfer layer 121 by separating the stamp 53 having the first quantum dot pattern 111 in contact with the first charge transfer layer 121 Can be transferred.

도 12를 참조하면, 제1 전하 전달층(121) 위에 제2 양자점 패턴(112) 및 제3 양자점 패턴(113)이 형성된다. 제2 양자점 패턴(112) 및 제3 양자점 패턴(113)은 전술한 제1 양자점 패턴(111)의 형성 방법과 동일한 음각 전사 인쇄 방법으로 형성될 수 있다. 제2 양자점 패턴(112)은, 예를 들어, 그린 양자점을 포함하는 그린 양자점 패턴일 수 있고, CdSe/ZnS 양자점 등을 포함하는 콜로이드 나노결정 물질로 형성될 수 있다. 제3 양자점 패턴(113)은, 예를 들어, 블루 양자점을 포함하는 블루 양자점 패턴일 수 있고, CdSe/ZnS 양자점 등을 포함하는 콜로이드 나노결정 물질로 형성될 수 있다. 양자점 패턴층(110)은 형성된 후 글로브 박스에서 150℃에서 어닐링될 수 있다. 즉, 제1 양자점 패턴(111), 제2 양자점 패턴(112), 및 제3 양자점 패턴(113)을 포함하는 양자점 패턴층(110)은 음각 전사 인쇄 방법에 의해 형성될 수 있다. 상기 음각 전사 인쇄 방법에 의해 20㎛×20㎛ 크기 이하의 양자점 패턴들(111,112,113)이 균일한 형태와 크기로 형성될 수 있다. 이에 의해, 성능이 우수한 초박막 형태의 웨어러블 디스플레이 장치가 구현될 수 있다.Referring to FIG. 12, a second quantum dot pattern 112 and a third quantum dot pattern 113 are formed on a first charge transfer layer 121. The second quantum dot pattern 112 and the third quantum dot pattern 113 may be formed by the same embossed transfer printing method as the method of forming the first quantum dot pattern 111 described above. The second quantum dot pattern 112 may be, for example, a green quantum dot pattern including a green quantum dot, and may be formed of a colloidal nanocrystal material including a CdSe / ZnS quantum dot or the like. The third quantum dot pattern 113 may be, for example, a blue quantum dot pattern including a blue quantum dot, and may be formed of a colloidal nanocrystal material including a CdSe / ZnS quantum dot or the like. The quantum dot pattern layer 110 may be formed and then annealed at 150 [deg.] C in a glove box. That is, the quantum dot pattern layer 110 including the first quantum dot pattern 111, the second quantum dot pattern 112, and the third quantum dot pattern 113 can be formed by a negative tone transfer printing method. The quantum dot patterns 111, 112 and 113 having a size of 20 μm × 20 μm or less can be formed in a uniform shape and size by the intaglio transfer printing method. Thus, an ultra-thin wearable display device having excellent performance can be realized.

도 13을 참조하면, 양자점 패턴층(110) 위에 전자 전달층 및 전자 주입층 중에서 하나 이상을 포함하는 제2 전하 전달층(122)이 형성된다. 상기 전자 전달층은 스핀 코팅 공정을 이용하여 양자점 패턴층(110) 위에 부탄올 내 ZnO 나노 결정으로 형성될 수 있고, 145℃에서 어닐링될 수 있다. 상기 전자 주입층은 스퍼터링 공정을 이용하여 상기 음극 코팅층 위에 ZTO 등으로 형성될 수 있다.Referring to FIG. 13, a second charge transport layer 122 including at least one of an electron transport layer and an electron injection layer is formed on the quantum dot pattern layer 110. The electron transport layer may be formed of ZnO nanocrystals in butanol on the quantum dot pattern layer 110 using a spin coating process, and may be annealed at 145 ° C. The electron injection layer may be formed of ZTO or the like on the anode coating layer by a sputtering process.

제2 전하 전달층(122) 위에 제2 전극층(132)이 형성된다. 제2 전극층(132)은 열증착 공정을 이용하여 형성될 수 있으며, LiAl 합금을 패터닝하는 것에 의해 형성되거나, 알루미늄이 도핑된 은으로 형성될 수 있다. 도면에 도시되지 않았지만, 제2 전극층(132)은 양자점 패턴들(111,112,113)에 대응되도록 패터닝될 수 있다.A second electrode layer 132 is formed on the second charge transport layer 122. The second electrode layer 132 may be formed using a thermal deposition process, or may be formed by patterning a LiAl alloy, or may be formed of aluminum-doped silver. Although not shown in the figure, the second electrode layer 132 may be patterned to correspond to the quantum dot patterns 111, 112, and 113.

제2 전극층(132) 위에 보호층 및 접착층 중에서 하나 이상을 포함하는 제2 절연층(142)이 형성된다. 상기 접착층은 스핀 코팅 공정을 이용하여 제2 전극층(132) 위에 에폭시 수지로 형성될 수 있다. 상기 보호층은 스핀 코팅 공정을 이용하여 상기 접착층 위에 파릴렌, 폴리(p-자일릴렌), 폴리이미드 등으로 형성되며, 예를 들어, 파릴렌코터를 이용하여 상기 접착층 위에 파릴렌 등으로 형성될 수 있다. 상기 보호층은 약 500㎚ ~ 1㎛의 두께로 형성될 수 있고, 상기 접착층은 500㎚ ~ 2㎛의 두께로 형성될 수 있다. 제2 절연층(142)은 형성된 후 자외선에 노출시켜 약 95℃에서 약 1분 동안 그리고 약 150℃에서 약 30분 동안 어닐링되거나, 노광 후 약 150℃에서 약 30분 동안 큐어링 될 수 있다. 상기 접착층은 리플로우 공정을 통해 초평탄 표면을 갖도록 형성될 수 있다.A second insulating layer 142 including at least one of a protective layer and an adhesive layer is formed on the second electrode layer 132. The adhesive layer may be formed of an epoxy resin on the second electrode layer 132 using a spin coating process. The protective layer may be formed of parylene, poly (p-xylylene), polyimide or the like on the adhesive layer using a spin coating process, and may be formed on the adhesive layer using parylene, for example, . The protective layer may be formed to a thickness of about 500 nm to 1 탆, and the adhesive layer may be formed to a thickness of 500 nm to 2 탆. The second insulating layer 142 may be annealed for about 1 minute at about 95 ° C. and about 30 minutes at about 150 ° C. after exposure to ultraviolet light, or cured for about 30 minutes at about 150 ° C. after exposure. The adhesive layer may be formed to have a super-flat surface through a reflow process.

희생층(42)을 제거하여 제1 절연층(141)으로부터 지지층(41)이 분리된다. 희생층(42)은 니켈 식각 용액을 이용한 식각 공정에 의해 제거될 수 있다. 이에 의해 웨어러블 양자점 디스플레이 장치(도 1의 10)가 형성될 수 있다. The sacrificial layer 42 is removed and the supporting layer 41 is separated from the first insulating layer 141. [ The sacrificial layer 42 may be removed by an etch process using a nickel etch solution. Whereby a wearable quantum dot display apparatus (10 of FIG. 1) can be formed.

도 19는 도 3의 웨어러블 양자점 디스플레이 장치의 형성 방법을 설명하기 위한 단면도이다. 전술한 실시예와 중복되는 설명은 생략될 수 있다.FIG. 19 is a cross-sectional view for explaining a method of forming the wearable quantum dot display device of FIG. 3; The description overlapping with the above-described embodiment may be omitted.

도 19를 참조하면, 희생층(42) 위에 제1 절연층(141)이 형성되기 전에 신호 센서층(400)이 형성된다. 신호 센서층(400)은 생체 신호를 감지할 수 있는 센서, 예를 들어, 활동량 측정 센서, 스트레인 센서, 심박 측정용 센서, PPG 센서, 혈압 측정용 센서, 온도 센서,혈당 센서, pH 센서, 인슐린 센서 등을 포함할 수 있다. Referring to FIG. 19, the signal sensor layer 400 is formed before the first insulating layer 141 is formed on the sacrificial layer 42. The signal sensor layer 400 may include a sensor capable of sensing a biological signal, for example, an activity measurement sensor, a strain sensor, a heart rate measurement sensor, a PPG sensor, a blood pressure measurement sensor, a temperature sensor, Sensors, and the like.

도 20은 도 4의 웨어러블 양자점 디스플레이 장치의 형성 방법을 설명하기 위한 단면도이다. 전술한 실시예와 중복되는 설명은 생략될 수 있다.20 is a cross-sectional view for explaining a method of forming the wearable quantum dot display device of FIG. The description overlapping with the above-described embodiment may be omitted.

도 20을 참조하면, 제2 절연층(142) 위에 터치 센서층(500)이 형성된다. 터치 센서층(500)은 다양한 구조의 터치 센서, 예를 들어, 접촉식 정전용량 방식, 압력식 저항막 방식, 표면 초음파 방식, 적외선 광 방식, 적분식 장력 측정방식, 피에조 효과방식 등의 터치 센서를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 20, a touch sensor layer 500 is formed on a second insulating layer 142. The touch sensor layer 500 may include a touch sensor of various structures such as a contact type capacitance type, a pressure type resistive type, a surface ultrasonic type, an infrared light type, an integrated type tension measurement type, . ≪ / RTI >

도 21 및 도 22는 도 6의 웨어러블 양자점 디스플레이 장치의 형성 방법을 설명하기 위한 도면이다. 전술한 실시예와 중복되는 설명은 생략될 수 있다.FIGS. 21 and 22 are views for explaining a method of forming the wearable quantum dot display device of FIG. The description overlapping with the above-described embodiment may be omitted.

도 21을 참조하면, 실리콘, 유리 등으로 형성된 지지층(41) 위에 희생층(42)이 형성된다. 희생층(42)은 폴리테트라플루오로에틸렌(poly tetra fluoro ethylene, PTFE) 용액을 약 165℃에서 약 15분 동안 그리고 약 330℃에서 약 15분 동안 어닐링하여 형성될 수 있다. Referring to FIG. 21, a sacrificial layer 42 is formed on a support layer 41 formed of silicon, glass, or the like. The sacrificial layer 42 may be formed by annealing a solution of polytetrafluoroethylene (PTFE) at about 165 캜 for about 15 minutes and at about 330 캜 for about 15 minutes.

희생층(42) 위에 보호층 및 접착층 중에서 하나 이상을 포함하는 제1 절연층(141)이 형성된다. 상기 보호층은 스핀 코팅 공정을 이용하여 희생층(42) 위에 파릴렌, 폴리(p-자일릴렌), 폴리이미드 등으로 형성되며, 예를 들어, 파릴렌코터를 이용하여 희생층(42) 위에 파릴렌 등으로 형성될 수 있다. 상기 접착층은 스핀 코팅 공정을 이용하여 상기 보호층 위에 에폭시 수지 등으로 형성될 수 있다. 제1 절연층(141)은 형성된 후 자외선에 노출시켜 약 95℃에서 약 1분 동안 그리고 약 150℃에서 약 30분 동안 어닐링되거나, 노광 후에 약 150℃에서 약 30분 동안 큐어링될 수 있다. 상기 접착층은 리플로우 공정을 통해 초평탄 표면을 갖도록 형성될 수 있다.On the sacrificial layer 42, a first insulating layer 141 including at least one of a protective layer and an adhesive layer is formed. The protective layer is formed on the sacrificial layer 42 using a spin coating process, such as parylene, poly (p-xylylene), polyimide or the like, and is formed on the sacrifice layer 42 Parylene, and the like. The adhesive layer may be formed on the protective layer using an epoxy resin or the like using a spin coating process. The first insulating layer 141 may be annealed for about 1 minute at about 95 ° C and about 30 minutes at about 150 ° C after exposure to ultraviolet light, or may be cured at about 150 ° C for about 30 minutes after exposure. The adhesive layer may be formed to have a super-flat surface through a reflow process.

제1 절연층(141) 위에 제1 전극층(131)이 형성된다. 제1 전극층(131)은 스퍼터링 공정을 이용하여 제1 절연층(141) 위에 증착된 인듐주석산화물층 등의 투명 산화물층을 패터닝하는 것에 의해 형성될 수 있다. 제1 전극층(131)은 자외선/오존으로 표면 처리될 수 있다. 또는 제1 전극층(131)은 금속 패턴(예를 들어, 메쉬 형태의 금 패턴)과 그래핀층의 적층구조, 또는 투명 산화물층과 그래핀층의 적층구조로 형성될 수 있다. A first electrode layer 131 is formed on the first insulating layer 141. The first electrode layer 131 may be formed by patterning a transparent oxide layer such as an indium tin oxide layer deposited on the first insulating layer 141 using a sputtering process. The first electrode layer 131 may be surface treated with ultraviolet / ozone. Or the first electrode layer 131 may be formed of a stacked structure of a metal pattern (for example, a gold pattern in the form of a mesh) and a graphene layer, or a stacked structure of a transparent oxide layer and a graphene layer.

제1 전극층(131) 위에 정공 전달층과 정공 주입층을 포함하는 제1 전하 전달층(121)이 형성된다. 상기 정공 주입층은 스핀 코팅 공정(2000rpm)을 이용하여 제1 전극층(131) 위에 PEDOT:PSS 등으로 형성될 수 있고, 150℃에서 30분 동안 어닐링될 수 있다. 상기 정공 전달층은 스핀 코팅 공정(2000rpm)을 이용하여 상기 정공 주입층 위에 m-자일렌(m-xylene) 내 0.5wt% TFB 등으로 형성될 수 있고 150℃에서 30분 동안 어닐링될 수 있다.A first charge transfer layer 121 including a hole transfer layer and a hole injection layer is formed on the first electrode layer 131. The hole injection layer may be formed of PEDOT: PSS or the like on the first electrode layer 131 using a spin coating process (2000 rpm), and may be annealed at 150 ° C for 30 minutes. The hole transport layer may be formed of 0.5 wt% TFB in m-xylene on the hole injection layer using a spin coating process (2000 rpm), and may be annealed at 150 ° C for 30 minutes.

제1 전하 전달층(121) 위에 제1 양자점 패턴(111)이 형성된다. 제1 양자점 패턴(111)은, 예를 들어, 레드 양자점을 포함하는 레드 양자점 패턴일 수 있고, CdSe/CdS/ZnS 양자점 등을 포함하는 콜로이드 나노결정 물질로 형성될 수 있다. A first quantum dot pattern 111 is formed on the first charge transfer layer 121. The first quantum dot pattern 111 may be a red quantum dot pattern including, for example, a red quantum dot, and may be formed of a colloidal nanocrystal material including a CdSe / CdS / ZnS quantum dot or the like.

도면에 도시되지 않았지만, 제1 전극층(131)과 전기적으로 연결되는 제1 배선이 형성된다. 상기 제1 배선은 쉐도우마스크(shadow mask)를 이용하여 제1 양자점 패턴(111)의 사이에 패턴된 상태로 증착될 수 있다. 상기 제1 배선은 크롬과 금으로 형성될 수 있으며, 예를 들어, 크롬 약 7㎚, 금 약 100㎚ 두께로 형성될 수 있다. Although not shown in the drawing, a first wiring electrically connected to the first electrode layer 131 is formed. The first wirings may be deposited in a patterned state between the first quantum dot patterns 111 using a shadow mask. The first wiring may be formed of chromium and gold, and may be formed to a thickness of, for example, about 7 nm of chromium and about 100 nm of gold.

레드 양자점 제조 방법Red Quantum dot manufacturing method

글로브 박스에서 올레산(Oleic acid, OA) 15.0mL와 옥타데센(1-octadecene, 1-ODE) 20.0mL로 형성된 반응 용매에 산화카드뮴(cadmium oxide) 1.2mmol를 첨가하였다. 생성된 혼합물은 진공하에서 130℃ 2시간동안 탈기하였으며, 이후, 아르곤 분위기하에서 300℃ 온도로 가열하였다. 상승된 온도에서, 1M의 TOPSe(trioctylphosphine selenium) 용매 0.03mmol을 Cd(OA)2 용액에 주입하였다. CdSe 코어(core)가 원하는 크기가 될때까지 반응을 유지하였다. 이후, 300℃에서 0.9mmol 옥탄티올(1-octanethiol)을 주입하여 CdSe/CdS 코어쉘(core shell) 양자점을 형성하였다. 40분간 CdS 쉘 성장(shell growth)한 후, Zn(OA)2 4.8mmol와 2M의 TBPS(t-butylbicyclophosphorothionate) 4.8mmol을 주입하여 CdSe/CdS/ZnS 양자점을 형성하였다. ZnS의 추가 성장을 위해 300℃에서 15분 유지하였다. 잔존 용매를 제거하기 위해 침전/분산 처리를 반복하여 정제하였으며, CdSe/CdS/ZnS의 분산성을 방지하기 위해 OA 처리를 하였다.1.2 mmol of cadmium oxide was added to the reaction solvent formed from 15.0 mL of oleic acid (OA) and 20.0 mL of 1-octadecene (1-ODE) in a glove box. The resulting mixture was degassed under vacuum at 130 캜 for 2 hours and then heated to 300 캜 under an argon atmosphere. At the elevated temperature, 0.03 mmol of 1M TOPSe (trioctylphosphine selenium) solvent was injected into the Cd (OA) 2 solution. The reaction was maintained until the CdSe core was the desired size. Then, 0.9 mmol of 1-octanethiol was injected at 300 ° C. to form a CdSe / CdS core shell quantum dot. After CdS shell growth for 40 minutes, Zn (OA) 2 CdSe / CdS / ZnS quantum dots were formed by injecting 4.8 mmol and 4.8 mmol of 2M TBPS (t-butylbicyclo phosphorothionate). And maintained at 300 DEG C for 15 minutes for further growth of ZnS. In order to remove the residual solvent, the precipitation / dispersion treatment was repeatedly performed and OA treatment was performed to prevent the dispersion of CdSe / CdS / ZnS.

다시 도 21을 참조하면, 제조된 상기 레드 양자점들은 스핀 코팅 공정(2000rpm)을 이용하여 제1 전하 전달층(121) 위에 형성될 수 있고, 150℃에서 30분 동안 어닐링될 수 있다.Referring again to FIG. 21, the red quantum dots produced may be formed on the first charge transfer layer 121 using a spin coating process (2000 rpm) and annealed at 150 ° C for 30 minutes.

양자점 패턴층(110) 위에 전자 전달층 및 전자 주입층 중에서 하나 이상을 포함하는 제2 전하 전달층(122)이 형성된다. 상기 전자 전달층은 스핀 코팅 공정(2000rpm)을 이용하여 양자점 패턴층(110) 위에 ZnO 나노 결정으로 형성될 수 있고, 150℃에서 30분 동안 어닐링될 수 있다. 상기 전자 주입층은 스퍼터링 공정을 이용하여 상기 음극 코팅층 위에 ZTO 등으로 형성될 수 있다. A second charge transport layer 122 including at least one of an electron transport layer and an electron injection layer is formed on the quantum dot pattern layer 110. The electron transport layer may be formed of ZnO nanocrystals on the quantum dot pattern layer 110 using a spin coating process (2000 rpm) and may be annealed at 150 ° C for 30 minutes. The electron injection layer may be formed of ZTO or the like on the anode coating layer by a sputtering process.

제2 전하 전달층(122) 위에 제2 전극층(132)이 형성된다. 제2 전극층(132)은 열증착 공정을 이용하여 형성될 수 있으며, LiAl 합금을 패터닝하는 것에 의해 형성되거나, 알루미늄이 도핑된 은으로 형성될 수 있다. 도면에 도시되지 않았지만, 제2 전극층(132)은 제1 양자점 패턴(111)에 대응되도록 패터닝될 수 있다. A second electrode layer 132 is formed on the second charge transport layer 122. The second electrode layer 132 may be formed using a thermal deposition process, or may be formed by patterning a LiAl alloy, or may be formed of aluminum-doped silver. Although not shown in the figure, the second electrode layer 132 may be patterned to correspond to the first quantum dot pattern 111.

제2 전극층(132) 위에 반사 방지층(150)이 형성된다. 반사 방지층(150)은 열증착 공정과 쉐도우마스크를 이용하여 패턴된 상태로 증착될 수 있다. 반사 방지층(150)은 굴절률이 큰 물질, 예를 들어, WO3, ZnS, ZTO 등으로 형성될 수 있으며, 약 40㎚ 두께를 가질 수 있다.An anti-reflection layer 150 is formed on the second electrode layer 132. The antireflection layer 150 may be deposited in a patterned state using a thermal deposition process and a shadow mask. The anti-reflection layer 150 may be formed of a material having a high refractive index, for example, WO 3 , ZnS, ZTO, or the like, and may have a thickness of about 40 nm.

도면에 도시되지 않았지만, 제2 전극층(132)과 전기적으로 연결되는 제2 배선이 형성된다. 상기 제2 배선은 쉐도우마스크를 이용하여 제1 양자점 패턴(111)의 사이에 패턴된 상태로 증착될 수 있다. 상기 제2 배선은 크롬과 금으로 형성될 수 있으며, 크롬 약 7㎚, 금 약 100㎚ 두께로 형성될 수 있다. Although not shown in the drawing, a second wiring electrically connected to the second electrode layer 132 is formed. The second wirings may be deposited in a pattern between the first quantum dot patterns 111 using a shadow mask. The second wiring may be formed of chromium and gold, and may be formed to a thickness of about 7 nm of chrome and about 100 nm of gold.

반사 방지층(150) 위에 보호층 및 접착층 중에서 하나 이상을 포함하는 상기 제2 절연층(142)이 형성된다. 상기 보호층은 스핀 코팅 공정을 이용하여 반사 방지층(150) 위에 파릴렌, 폴리(p-자일릴렌), 폴리이미드 등으로 형성될 수 있다. 상기 접착층은 스핀 코팅 공정을 이용하여 상기 보호층 위에 에폭시 수지 등으로 형성될 수 있다. 제1 절연층(141)은 형성된 후 자외선에 노출시켜 약 95℃에서 약 1분 동안 그리고 약 150℃에서 약 30분 동안 어닐링되거나, 노광 후 약 150℃에서 약 30분 동안 큐어링(curing)될 수 있다. 상기 접착층은 리플로우 공정을 통해 초평탄 표면을 갖도록 형성될 수 있다.The second insulating layer 142 including at least one of a protective layer and an adhesive layer is formed on the antireflection layer 150. The protective layer may be formed on the antireflection layer 150 using a spin coating process, such as parylene, poly (p-xylylene), polyimide, or the like. The adhesive layer may be formed on the protective layer using an epoxy resin or the like using a spin coating process. The first insulating layer 141 is formed and then annealed for about one minute at about 95 ° C. and about 30 minutes at about 150 ° C., exposed to ultraviolet light, or cured at about 150 ° C. for about 30 minutes after exposure . The adhesive layer may be formed to have a super-flat surface through a reflow process.

도면에 도시되지 않았지만 제2 배선을 외부 장치에 전기적으로 연결하기 위해 식각 공정, 예를 들어, RIE(reactive ion ethcing) 공정을 수행하여 제2 절연층(142)이 패터닝될 수 있다.Although not shown in the drawing, the second insulating layer 142 may be patterned by performing an etching process, for example, a reactive ion etching (RIE) process to electrically connect the second wiring to the external device.

도 22를 참조하면, 제2 디스플레이층(200) 및 제3 디스플레이층(300)은 도 21에서 전술한 제1 디스플레이층(100)의 제조 방법과 동일한 방법을 이용하여 제조될 수 있고, 동일한 적층 구조를 가질 수 있다. 22, the second display layer 200 and the third display layer 300 can be manufactured using the same method as the method of manufacturing the first display layer 100 described above with reference to FIG. 21, Structure.

제2 디스플레이층(200)은 제2 양자점 패턴(211)을 포함하고, 제3 디스플레이층(300)은 제3 양자점 패턴(311)을 포함한다. 제2 양자점 패턴(211)은, 예를 들어, 그린 양자점을 포함하는 그린 양자점 패턴일 수 있고, CdSe/ZnS 양자점 등을 포함하는 콜로이드 나노결정 물질로 형성될 수 있다. 제3 양자점 패턴(311)은, 예를 들어, 블루 양자점을 포함하는 블루 양자점 패턴일 수 있고, CdSe/ZnS 양자점 등을 포함하는 콜로이드 나노결정 물질로 형성될 수 있다.The second display layer 200 includes a second quantum dot pattern 211 and the third display layer 300 includes a third quantum dot pattern 311. The second quantum dot pattern 211 may be, for example, a green quantum dot pattern including a green quantum dot and may be formed of a colloidal nanocrystal material including a CdSe / ZnS quantum dot or the like. The third quantum dot pattern 311 may be, for example, a blue quantum dot pattern including a blue quantum dot and may be formed of a colloidal nanocrystal material including a CdSe / ZnS quantum dot or the like.

그린 Green 양자점Qdot 제조 방법 Manufacturing method

글로브 박스에서 올레산 6.0mL와 1-ODE 15.0mL로 형성된 반응 용매에 0.2mmol의 산화카드뮴과 4.0mmol의 아세트산아연(zinc acetate, Zn(OAc)2)을 첨가하여 Cd(OA)2와 Zn(OA)2를 제조하였다. 생성된 혼합물은 진공하에서 130℃ 2시간동안 탈기하였으며, 이후, 아르곤 분위기하에서 300℃ 온도로 가열하였다. 상승된 온도에서, 제조된 Cd(OA)2와 Zn(OA)2 용액에 1M의 TOPSe 용매 0.2mmol를 주입하고, 1M의 TOPS(trioctylphosphine sulphur) 용매 0.2mmol를 주입하여 ZnS 쉘을 형성하였다. 상기 혼합물은 300℃에서 15분 유지하였다. 잔존 용매를 제거하기 위해 침전/분산 처리를 반복하여 정제하였다.The reaction solvent formed with oleic acid and 1-ODE 6.0mL 15.0mL in a glove box 0.2mmol of cadmium oxide and zinc acetate of 4.0mmol (zinc acetate, Zn (OAc ) 2) was added to Cd (OA) 2 and Zn (OA ) 2 was prepared. The resulting mixture was degassed under vacuum at 130 캜 for 2 hours and then heated to 300 캜 under an argon atmosphere. At the elevated temperature, 0.2Mol of 1M TOPSe solvent was injected into the prepared Cd (OA) 2 and Zn (OA) 2 solution and 0.2mmol of 1M TOPS (trioctylphosphine sulphur) solvent was injected to form ZnS shell. The mixture was held at 300 < 0 > C for 15 minutes. The precipitation / dispersion treatment was repeatedly performed to remove the remaining solvent.

블루 양자점 제조 방법Blue Quantum dot manufacturing method

글로브 박스에서 올레산 8.0mL와 1-ODE 15.0mL로 형성된 반응 용매에 0.2mmol의 산화카드뮴과 4.0mmol의 Zn(OAc)2을 첨가하여 Cd(OA)2와 Zn(OA)2를 제조하였다. 생성된 혼합물은 진공하에서 130℃ 2시간동안 탈기하였으며, 이후, 아르곤 분위기하에서 300℃ 온도로 가열하였다. 상승된 온도에서, 1-ODE 3.0mL에 1.8mmol의 황(S)과 0.2mmol의 셀렌(Se)을 넣어 제조한 용액을 Cd(OA)2와 Zn(OA)2 용액에 넣었다. 반응 10분 후, 2M의 TOPSe 용매 8.0mmol을 300℃ Cd(OA)2와 Zn(OA)2 용액에 넣었다. 넣은 후, ZnS 쉘이 형성되도록 300℃에서 50분간 유지하였다. 잔존 용매를 제거하기 위해 침전/분산 처리를 반복하여 정제하였다.Cd (OA) 2 and Zn (OA) 2 were prepared by adding 0.2 mmol of cadmium oxide and 4.0 mmol of Zn (OAc) 2 to a reaction solvent formed from 8.0 mL of oleic acid and 15.0 mL of 1-ODE in a glove box. The resulting mixture was degassed under vacuum at 130 캜 for 2 hours and then heated to 300 캜 under an argon atmosphere. A solution prepared by adding 1.8 mmol of sulfur (S) and 0.2 mmol of selenium (Se) to 3.0 mL of 1-ODE at elevated temperature was added to a solution of Cd (OA) 2 and Zn (OA) 2 Solution. After 10 minutes of reaction, 8.0 mmol of 2M TOPSe solvent was added to 300 占 Cd (OA) 2 and Zn (OA) 2 Solution. And held at 300 캜 for 50 minutes so as to form a ZnS shell. The precipitation / dispersion treatment was repeatedly performed to remove the remaining solvent.

도 23 내지 도 26은 도 22의 웨어러블 양자점 디스플레이 장치의 인체로의 부착 방법을 설명하기 위한 도면이다. 전술한 실시예와 중복되는 설명은 생략될 수 있다.Figs. 23 to 26 are views for explaining a method of attaching the wearable quantum dot display device of Fig. 22 to a human body. The description overlapping with the above-described embodiment may be omitted.

도 23을 참조하면, 희생층(42) 위에 제1 디스플레이층(100) 내지 제3 디스플레이층(300)을 포함하는 웨어러블 양자점 디스플레이 장치(10)가 형성되고, 웨어러블 양자점 디스플레이 장치(10) 위에 박리층(43)이 형성된다. 박리층(43)은 열박리테이프(thermal release tape)일 수 있다.23, a wearable quantum dot display device 10 including a first display layer 100 to a third display layer 300 is formed on a sacrifice layer 42, and the wearable quantum dot display device 10 is peeled off A layer 43 is formed. The release layer 43 may be a thermal release tape.

도 24를 참조하면, 웨어러블 양자점 디스플레이 장치(10)가 박리층(43)에 의해 희생층(42)으로부터 분리되어 픽업된다. 제2 절연층(142)의 상기 보호층과 희생층(42)과의 접착력이 낮아, 희생층(42) 위에 형성된 웨어러블 양자점 디스플레이 장치(10)가 분리될 수 있다.Referring to Fig. 24, the wearable quantum dot display device 10 is separated from the sacrifice layer 42 by the peeling layer 43 and picked up. The adhesion between the protective layer of the second insulating layer 142 and the sacrificial layer 42 is low and the wearable quantum dot display device 10 formed on the sacrificial layer 42 can be separated.

도 25를 참조하면, 웨어러블 양자점 디스플레이 장치(10)와 웨어러블 양자점 디스플레이 장치(10)를 픽업한 박리층(43)이 폴리머층(44) 위에 배치된다. 폴리머층(44)은, 예를 들어, PDMS로 형성될 수 있다.25, a peeling layer 43 picking up the wearable quantum dot display device 10 and the wearable quantum dot display device 10 is disposed on the polymer layer 44. [ The polymer layer 44 may be formed of, for example, PDMS.

도 26을 참조하면, 박리층(43)이 폴리머층(44)로부터 분리된다. 폴리머층(44)을 150℃에서 1분 동안 가열하여 박리층(73)을 폴리머층(44)으로부터 분리한 후 웨어러블 양자점 디스플레이 장치(10)를 인체에 부착시킬 수 있다. 다른 실시예에서, 박리층(43)은 매우 얇게 형성되기 때문에 폴리머층(44)으로부터 분리되지 않을 수 있다. Referring to FIG. 26, the release layer 43 is separated from the polymer layer 44. The wearable quantum dot display device 10 can be attached to the human body after the polymer layer 44 is heated at 150 DEG C for one minute to separate the release layer 73 from the polymer layer 44. [ In another embodiment, the release layer 43 may not separate from the polymer layer 44 because it is formed to be very thin.

도 27은 본 발명의 일 실시예에 따른 웨어러블 전자 장치를 개략적으로 나타내는 블록도이고, 도 30은 도 27의 웨어러블 전자 장치의 적용예를 나타낸다. 전술한 실시예와 중복되는 설명은 생략될 수 있다.FIG. 27 is a block diagram schematically showing a wearable electronic device according to an embodiment of the present invention, and FIG. 30 shows an application example of the wearable electronic device of FIG. The description overlapping with the above-described embodiment may be omitted.

도 27 및 도 30을 참조하면, 웨어러블 전자 장치(1)는 웨어러블 양자점 디스플레이 장치(10) 및 제어 장치(20)를 포함할 수 있다.27 and 30, the wearable electronic device 1 may include a wearable quantum dot display device 10 and a control device 20. [

웨어러블 양자점 디스플레이 장치(10)는 본 발명의 실시예들에 따른 양자점 디스플레이 장치일 수 있다. 웨어러블 양자점 디스플레이 장치(10)는 손등, 팔목, 팔 등 사람의 피부에 접착되어 다양한 디스플레이 화면과 편리한 인터페이스를 제공하고, 생체 신호를 측정하여 화면에 표시할 수 있다.The wearable quantum dot display apparatus 10 may be a quantum dot display apparatus according to embodiments of the present invention. The wearable quantum dot display device 10 is adhered to human skin such as the back of a hand, a wrist, and an arm, provides various display screens and a convenient interface, and can measure a living body signal and display it on the screen.

예를 들어, 터치 센서층을 포함하는 웨어러블 양자점 디스플레이 장치(10)는 디스플레이 장치에 적용되는 복잡한 버튼을 없애 더 넓은 디스플레이 화면을 제공할 수 있고, 자유롭고 편리한 인터페이스를 제공할 수 있다. 또, 신호 센서층을 포함하는 웨어러블 양자점 디스플레이 장치(10)는 생체 신호를 측정하여 화면에 표시할 수 있다. 웨어러블 양자점 디스플레이 장치(10)에 포함된 신호 센서층은 사람의 피부에 직접 부착되기 때문에 정밀한 생체 신호를 측정할 수 있고, 측정된 생체 신호의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.For example, the wearable quantum dot display device 10 including the touch sensor layer can provide a wider display screen by eliminating the complicated buttons applied to the display device, and can provide a free and convenient interface. In addition, the wearable quantum dot display device 10 including the signal sensor layer can measure the living body signal and display it on the screen. Since the signal sensor layer included in the wearable quantum dot display device 10 is directly attached to human skin, a precise biological signal can be measured and the reliability of the measured biological signal can be improved.

제어 장치(20)는 웨어러블 양자점 디스플레이 장치(10)에 유선 또는 무선으로 연결되어 웨어러블 양자점 디스플레이 장치(10)를 제어할 수 있다. 제어 장치(20)는 스마트 시계(또는 스마트워치)를 포함할 수 있다. 웨어러블 양자점 디스플레이 장치(10)는 상기 스마트 시계에 연동되어, 상기 스마트 시계가 표시할 수 없는 크기의 화면을 표시하거나 상기 스마트 시계(20)에 표시되는 화면을 확대하여 표시할 수 있다. 웨어러블 양자점 디스플레이 장치(10)는 상기 스마트 시계에 연동되어, 상기 스마트 시계의 사용성을 확장시킬 수 있고, 편리성을 증대시킬 수 있다. 웨어러블 양자점 디스플레이 장치(10)에 의해 측정된 생체 신호 등은 상기 스마트 시계에 저장되어 활용될 수 있고, 상기 스마트 시계를 통하여 외부 장치로 전송될 수 있다.The control device 20 may be connected to the wearable quantum dot display device 10 either wired or wirelessly to control the wearable quantum dot display device 10. The control device 20 may include a smart clock (or smart watch). The wearable quantum dot display apparatus 10 can display a screen of a size that can not be displayed by the smart clock or can enlarge and display the screen displayed on the smart clock 20 in conjunction with the smart clock. The wearable quantum dot display apparatus 10 can be interlocked with the smart clock to extend the usability of the smart clock and to enhance convenience. The biological signals and the like measured by the wearable quantum dot display device 10 may be stored in the smart watch and transmitted to the external device through the smart watch.

도 28은 본 발명의 다른 실시예에 따른 웨어러블 전자 장치를 개략적으로 나타내는 블록도이고, 도 31은 도 28의 웨어러블 전자 장치의 적용예를 나타낸다. 전술한 실시예와 중복되는 설명은 생략될 수 있다.Fig. 28 is a block diagram schematically showing a wearable electronic device according to another embodiment of the present invention, and Fig. 31 shows an application example of the wearable electronic device of Fig. The description overlapping with the above-described embodiment may be omitted.

도 28 및 도 31을 참조하면, 웨어러블 전자 장치(1)는 웨어러블 양자점 디스플레이 장치(10), 제어 장치(20), 및 센싱 장치(30)를 포함할 수 있다.Referring to Figs. 28 and 31, the wearable electronic device 1 may include a wearable quantum dot display device 10, a control device 20, and a sensing device 30. Fig.

웨어러블 양자점 디스플레이 장치(10)는 본 발명의 실시예들에 따른 양자점 디스플레이 장치일 수 있다. 웨어러블 양자점 디스플레이 장치(10)는 손등, 팔목, 팔 등 사람의 피부에 접착되어 다양한 디스플레이 화면과 편리한 인터페이스를 제공할 수 있다. 웨어러블 양자점 디스플레이 장치(10)는 센싱 장치(30)에 유선 또는 무선으로 연결되어 센싱 장치(30)에 의해 측정된 생체 신호를 화면에 표시할 수 있다. 예를 들어, 터치 센서층을 포함하는 웨어러블 양자점 디스플레이 장치(10)는 디스플레이 장치에 적용되는 복잡한 버튼을 없애 더 넓은 디스플레이 화면을 제공할 수 있고, 자유롭고 편리한 인터페이스를 제공할 수 있다.The wearable quantum dot display apparatus 10 may be a quantum dot display apparatus according to embodiments of the present invention. The wearable quantum dot display device 10 can be adhered to human skin such as a back light, a cuff, an arm, etc. to provide various display screens and a convenient interface. The wearable quantum dot display apparatus 10 can display a biomedical signal measured by the sensing device 30 on a screen by being connected to the sensing device 30 by wire or wirelessly. For example, the wearable quantum dot display device 10 including the touch sensor layer can provide a wider display screen by eliminating the complicated buttons applied to the display device, and can provide a free and convenient interface.

제어 장치(20)는 웨어러블 양자점 디스플레이 장치(10) 및 센싱 장치(30)에 유선 또는 무선으로 연결되어 웨어러블 양자점 디스플레이 장치(10) 및 센싱 장치(30)를 제어할 수 있다. 제어 장치(20)는 스마트 시계(또는 스마트워치)를 포함할 수 있다. 웨어러블 양자점 디스플레이 장치(10)는 스마트 시계(20)에 연동되어 스마트 시계(20)가 표시할 수 없는 크기의 화면을 표시하거나 스마트 시계(20)에 표시되는 화면을 확대하여 표시할 수 있다. 웨어러블 양자점 디스플레이 장치(10)는 스마트 시계(20)에 연동되어 스마트 시계(20)의 사용성을 확장시킬 수 있고, 편리성을 증대시킬 수 있다. 센싱 장치(30)에 의해 측정된 생체 신호 등은 스마트 시계(20)에 저장되어 활용될 수 있고, 스마트 시계(20)를 통하여 외부 장치로 전송될 수 있다.The control device 20 may be connected to the wearable quantum dot display device 10 and the sensing device 30 either wired or wirelessly to control the wearable quantum dot display device 10 and the sensing device 30. The control device 20 may include a smart clock (or smart watch). The wearable quantum dot display apparatus 10 can display a screen of a size that can not be displayed by the smart clock 20 in conjunction with the smart clock 20 or enlarge and display the screen displayed on the smart clock 20. [ The wearable quantum dot display device 10 can be interlocked with the smart watch 20 to extend the usability of the smart watch 20 and increase convenience. The bio-signals and the like measured by the sensing device 30 may be stored in the smart clock 20 and utilized and transmitted to the external device through the smart clock 20.

센싱 장치(30)는 웨어러블 양자점 디스플레이 장치(10)와 함께 손등, 팔목, 팔 등 사람의 피부에 접착되어 생체 신호를 측정할 수 있다. 센싱 장치(30)는, 예를 들어, 활동량 측정 센서, 스트레인 센서, 심박 측정용 센서, PPG 센서, 혈압 측정용 센서, 온도 센서,혈당 센서, pH 센서, 인슐린 센서 등을 포함할 수 있다. 센싱 장치(30)에 의해 감지된 생체 신호는 웨어러블 양자점 디스플레이 장치(10)의 화면에 표시될 수 있고, 스마트 시계(20)에 저장되어 활용될 수 있다. 센싱 장치(30)는 사람의 피부에 직접 부착되기 때문에 정밀한 생체 신호를 측정할 수 있고, 측정된 생체 신호의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.The sensing device 30 can be attached to the wearer's skin such as the back, the cuff, and the arm together with the wearable quantum dot display device 10 to measure a living body signal. The sensing device 30 may include, for example, an activity measurement sensor, a strain sensor, a heart rate measurement sensor, a PPG sensor, a blood pressure measurement sensor, a temperature sensor, a blood glucose sensor, a pH sensor, an insulin sensor, The biological signals sensed by the sensing device 30 may be displayed on the display of the wearable quantum dot display device 10 and stored in the smart watch 20 for utilization. Since the sensing device 30 is directly attached to the human skin, accurate biological signals can be measured and the reliability of the measured biological signals can be improved.

도 29는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 웨어러블 전자 장치를 개략적으로 나타내는 블록도이고, 도 32는 도 29의 웨어러블 전자 장치의 적용예를 나타낸다. 전술한 실시예와 중복되는 설명은 생략될 수 있다.29 is a block diagram schematically showing a wearable electronic device according to another embodiment of the present invention, and Fig. 32 shows an application example of the wearable electronic device of Fig. The description overlapping with the above-described embodiment may be omitted.

도 29 및 도 32를 참조하면, 웨어러블 전자 장치(1)는 웨어러블 양자점 디스플레이 장치(10), 제어 장치(20), 및 센싱 장치(30)를 포함할 수 있다.29 and 32, the wearable electronic device 1 may include a wearable quantum dot display device 10, a control device 20, and a sensing device 30. [

웨어러블 양자점 디스플레이 장치(10)는 본 발명의 실시예들에 따른 양자점 디스플레이 장치일 수 있다. 웨어러블 양자점 디스플레이 장치(10)는 손등, 팔목, 팔 등 사람의 피부에 접착되어 다양한 디스플레이 화면과 편리한 인터페이스를 제공할 수 있다. 예를 들어, 터치 센서층을 포함하는 웨어러블 양자점 디스플레이 장치(10)는 디스플레이 장치에 적용되는 복잡한 버튼을 없애 더 넓은 디스플레이 화면을 제공할 수 있고, 자유롭고 편리한 인터페이스를 제공할 수 있다.The wearable quantum dot display apparatus 10 may be a quantum dot display apparatus according to embodiments of the present invention. The wearable quantum dot display device 10 can be adhered to human skin such as a back light, a cuff, an arm, etc. to provide various display screens and a convenient interface. For example, the wearable quantum dot display device 10 including the touch sensor layer can provide a wider display screen by eliminating the complicated buttons applied to the display device, and can provide a free and convenient interface.

웨어러블 양자점 디스플레이 장치(10)는 디스플레이 통신부(11)를 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 디스플레이 통신부(11)는 센싱 장치(30)에 포함된 센싱 통신부(31)와 유선 또는 무선으로 연결되어 센싱 장치(30)에 의해 측정된 생체 신호를 받을 수 있고, 웨어러블 양자점 디스플레이 장치(10)는 상기 생체 신호를 화면에 표시할 수 있다. 다른 실시예에서, 디스플레이 통신부(11)는 제어 장치(20)에 포함된 제어 통신부(21)와 유선 또는 무선으로 연결되어, 센싱 장치(30)에서 제어 장치(20)로 전송된 생체 신호를 받을 수 있고, 웨어러블 양자점 디스플레이 장치(10)는 상기 생체 신호를 화면에 표시할 수 있다.The wearable quantum dot display device 10 may include a display communication unit 11. In one embodiment, the display communication unit 11 may be connected to the sensing communication unit 31 included in the sensing device 30 in a wired or wireless manner to receive the biometric signal measured by the sensing device 30, and the wearable quantum dot display The device 10 can display the bio-electrical signal on the screen. In another embodiment, the display communication unit 11 is connected to the control communication unit 21 included in the control device 20 in a wired or wireless manner to receive a biometric signal transmitted from the sensing device 30 to the control device 20 And the wearable quantum dot display device 10 can display the bio-electrical signal on the screen.

제어 장치(20)는 제어 통신부(21)를 포함할 수 있다. 제어 통신부(21)는 웨어러블 양자점 디스플레이 장치(10)에 포함된 디스플레이 통신부(11) 및/또는 센싱 장치(30)에 포함된 센싱 통신부(31)에 유선 또는 무선으로 연결될 수 있다. 이를 통해, 제어 장치(20)는 웨어러블 양자점 디스플레이 장치(10) 및 센싱 장치(30)를 제어할 수 있다. The control device 20 may include a control communication unit 21. The control communication unit 21 may be connected to the display communication unit 11 included in the wearable quantum dot display device 10 and / or the sensing communication unit 31 included in the sensing device 30, either wired or wirelessly. Through this, the control device 20 can control the wearable quantum dot display device 10 and the sensing device 30.

제어 장치(20)는 스마트 시계(또는 스마트워치)를 포함할 수 있다. 웨어러블 양자점 디스플레이 장치(10)는 스마트 시계(20)에 연동되어 스마트 시계(20)가 표시할 수 없는 크기의 화면을 표시하거나 스마트 시계(20)에 표시되는 화면을 확대하여 표시할 수 있다. 웨어러블 양자점 디스플레이 장치(10)는 스마트 시계(20)에 연동되어 스마트 시계(20)의 사용성을 확장시킬 수 있고, 편리성을 증대시킬 수 있다. 센싱 장치(30)에 의해 측정된 생체 신호 등은 스마트 시계(20)에 저장되어 활용될 수 있고, 스마트 시계(20)를 통하여 외부 장치로 전송될 수 있다.The control device 20 may include a smart clock (or smart watch). The wearable quantum dot display apparatus 10 can display a screen of a size that can not be displayed by the smart clock 20 in conjunction with the smart clock 20 or enlarge and display the screen displayed on the smart clock 20. [ The wearable quantum dot display device 10 can be interlocked with the smart watch 20 to extend the usability of the smart watch 20 and increase convenience. The bio-signals and the like measured by the sensing device 30 may be stored in the smart clock 20 and utilized and transmitted to the external device through the smart clock 20.

센싱 장치(30)는 팔, 가슴, 배, 발목 등 인체의 다양한 부위에 접착되어 생체 신호를 측정할 수 있다. 센싱 장치(30)는, 예를 들어, 발목에 접착될 수 있는 활동량 측정 센서, 스트레인 센서, 가슴에 접착될 수 있는 심박 측정용 센서, PPG 센서, 혈압 측정용 센서, 온도 센서, 배에 접착될 수 있는 혈당 센서, pH 센서, 인슐린 센서 등을 포함할 수 있다. The sensing device 30 can be attached to various parts of the human body such as an arm, a chest, a stomach, an ankle, etc. to measure a living body signal. The sensing device 30 may be, for example, an activity measurement sensor that can be attached to the ankle, a strain sensor, a heart rate measurement sensor that can be attached to the chest, a PPG sensor, a blood pressure measurement sensor, A pH sensor, an insulin sensor, and the like.

센싱 장치(30)는 센싱 통신부(31)를 포함할 수 있다. 센싱 통신부(31)는 웨어러블 양자점 디스플레이 장치(10)에 포함된 디스플레이 통신부(11) 및 제어 장치(20)에 포함된 제어 통신부(21) 중 하나 이상에 연결되어 통신을 할 수 있다. 센싱 통신부(31)는 디스플레이 통신부(11)에 유선 또는 무선으로 연결되어, 센싱 장치(30)에 의해 감지된 생체 신호를 웨어러블 양자점 디스플레이 장치(10)에 전송할 수 있다. 또, 센싱 통신부(31)는 제어 통신부(21)에 유선 또는 무선으로 연결되어, 센싱 장치(30)에 의해 감지된 생체 신호를 제어 장치(20)에 전송할 수 있다. 이를 통해, 센싱 장치(30)에 의해 감지된 생체 신호는 웨어러블 양자점 디스플레이 장치(10)의 화면에 표시될 수 있고, 스마트 시계(20)에 저장되어 활용될 수 있다. 센싱 장치(30)는 사람의 피부에 직접 부착되기 때문에 정밀한 생체 신호를 측정할 수 있고, 측정된 생체 신호의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.The sensing device 30 may include a sensing communication unit 31. The sensing communication unit 31 may be connected to at least one of the display communication unit 11 included in the wearable quantum dot display device 10 and the control communication unit 21 included in the control device 20 to perform communication. The sensing communication unit 31 may be connected to the display communication unit 11 by wire or wirelessly and may transmit the biometric signal sensed by the sensing device 30 to the wearable quantum dot display device 10. [ The sensing communication unit 31 may be connected to the control communication unit 21 by wire or wirelessly and may transmit the biometric signal sensed by the sensing device 30 to the control device 20. [ Accordingly, the biological signals sensed by the sensing device 30 can be displayed on the display of the wearable quantum dot display device 10, and can be stored and utilized in the smart watch 20. Since the sensing device 30 is directly attached to the human skin, accurate biological signals can be measured and the reliability of the measured biological signals can be improved.

전술한 실시예들에 따른 웨어러블 전자 장치(1)는 제어 장치(20)를 독립된 구성으로 포함하는 것으로 설명되어 있으나, 제어 장치(20)를 포함하지 않을 수 있으며, 제어 장치(20)가 웨어러블 디스플레이 장치(10)에 통합된 형태로 포함될 수 있다.Although the wearable electronic device 1 according to the above-described embodiments is described as including the control device 20 in an independent configuration, it may not include the control device 20, May be included in an integrated form in the device 10.

이제까지 본 발명에 대한 구체적인 실시예들을 살펴보았다. 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 변형된 형태로 구현될 수 있음을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 개시된 실시예들은 한정적인 관점이 아니라 설명적인 관점에서 고려되어야 한다. 본 발명의 범위는 전술한 설명이 아니라 특허청구범위에 나타나 있으며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 차이점은 본 발명에 포함된 것으로 해석되어야 할 것이다.Hereinafter, specific embodiments of the present invention have been described. It will be understood by those skilled in the art that various changes in form and details may be made therein without departing from the spirit and scope of the invention as defined by the appended claims. Therefore, the disclosed embodiments should be considered in an illustrative rather than a restrictive sense. The scope of the present invention is defined by the appended claims rather than by the foregoing description, and all differences within the scope of equivalents thereof should be construed as being included in the present invention.

1 : 웨어러블 전자 장치 10 : 웨어러블 양자점 디스플레이 장치
20 : 제어 장치 30 : 센싱 장치
41 : 지지층 42 : 희생층
43 : 박리층 44 : 폴리머층
51 : 도우너 기판 52 : 양자점층
53 : 스탬프 54 : 음각 기판
100 : 제1 디스플레이층 110 : 양자점 패턴
121 : 제1 전하 전달층 122 : 제2 전하 전달층
131 : 제1 전극층 132 : 제2 전극층
141 : 제1 절연층 142 : 제2 절연층
150 : 반사 방지층 200 : 제2 디스플레이층
300 : 제3 디스플레이층 400 : 신호 센서층
500 : 터치 센서층 1: wearable electronic device 10: wearable quantum dot display device
20: control device 30: sensing device
41: support layer 42: sacrificial layer
43: peeling layer 44: polymer layer
51: donor substrate 52: quantum dot layer
53: stamp 54: engraved substrate
100: first display layer 110: quantum dot pattern
121: first charge transfer layer 122: second charge transfer layer
131: first electrode layer 132: second electrode layer
141: first insulating layer 142: second insulating layer
150: antireflection layer 200: second display layer
300: third display layer 400: signal sensor layer
500: touch sensor layer

Claims (23)

디스플레이층을 포함하고,
상기 디스플레이층은,
제1 절연층;
상기 제1 절연층 위에 배치되는 제1 전극층;
상기 제1 전극층 위에 배치되는 제1 전하 전달층;
상기 제1 전하 전달층 위에 배치되는 양자점 패턴층;
상기 양자점 패턴층 위에 배치되는 제2 전하 전달층;
상기 제2 전하 전달층 위에 배치되는 제2 전극층; 및
상기 제2 전극층 위에 배치되는 제2 절연층을 포함하는 것을 특징으로 하는 웨어러블 양자점 디스플레이 장치.A display layer,
Wherein the display layer comprises:
A first insulating layer;
A first electrode layer disposed on the first insulating layer;
A first charge transfer layer disposed over the first electrode layer;
A quantum dot pattern layer disposed on the first charge transfer layer;
A second charge transfer layer disposed on the quantum dot pattern layer;
A second electrode layer disposed over the second charge transport layer; And
And a second insulating layer disposed on the second electrode layer. 제 1 항에 있어서,
상기 양자점 패턴층은 음각 전사 인쇄 방법에 의해 형성된 것을 특징으로 하는 웨어러블 양자점 디스플레이 장치.The method according to claim 1,
Wherein the quantum dot pattern layer is formed by a negative tone transfer printing method. 제 1 항에 있어서,
상기 제1 절연층, 상기 제1 전극층, 상기 제1 전하 전달층, 상기 양자점 패턴층, 상기 제2 전하 전달층, 상기 제2 전극층, 및 상기 제2 절연층의 두께의 합은 3㎛ 이하이고,
상기 제1 전극층, 상기 제1 전하 전달층, 상기 양자점 패턴층, 상기 제2 전하 전달층, 및 상기 제2 전극층의 두께의 합은 300㎚ 이하인 것을 특징으로 하는 웨어러블 양자점 디스플레이 장치. The method according to claim 1,
The sum of the thicknesses of the first insulating layer, the first electrode layer, the first charge transfer layer, the quantum dot pattern layer, the second charge transfer layer, the second electrode layer, and the second insulating layer is 3 탆 or less ,
Wherein the sum of the thicknesses of the first electrode layer, the first charge transfer layer, the quantum dot pattern layer, the second charge transfer layer, and the second electrode layer is 300 nm or less. 제 1 항에 있어서,
상기 양자점 패턴층은 레드 양자점 패턴, 그린 양자점 패턴, 및 블루 양자점 패턴 중 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 웨어러블 양자점 디스플레이 장치.The method according to claim 1,
Wherein the quantum dot pattern layer includes at least one of a red quantum dot pattern, a green quantum dot pattern, and a blue quantum dot pattern. 제 4 항에 있어서,
상기 양자점 패턴층은 CdSe/ZnS 양자점, CdSe/CdS/ZnS 양자점, Cu-In-Se 양자점, PbS 양자점, 및 InP 양자점 중에서 하나 이상을 포함하는 콜로이드 나노결정 물질로 형성된 것을 특징으로 하는 웨어러블 양자점 디스플레이 장치.5. The method of claim 4,
Wherein the quantum dot pattern layer is formed of a colloidal nanocrystal material including at least one of a CdSe / ZnS quantum dot, a CdSe / CdS / ZnS quantum dot, a Cu-In-Se quantum dot, a PbS quantum dot, and an InP quantum dot. . 제 1 항에 있어서,
상기 제2 전극층과 상기 제2 절연층 사이에 배치되는 반사 방지층을 더 포함하는 웨어러블 양자점 디스플레이 장치.The method according to claim 1,
And an anti-reflection layer disposed between the second electrode layer and the second insulating layer. 제 1 항에 있어서,
상기 제1 절연층 아래에 배치되고, 생체 신호를 측정하는 신호 센서층을 더 포함하는 웨어러블 양자점 디스플레이 장치.The method according to claim 1,
And a signal sensor layer disposed under the first insulating layer for measuring a living body signal. 제 7 항에 있어서,
상기 신호 센서층은 활동량 측정 센서, 스트레인 센서, 심박 측정용 센서, PPG 센서, 혈압 측정용 센서, 온도 센서,혈당 센서, pH 센서 및 인슐린 센서 중에서 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 웨어러블 양자점 디스플레이 장치.8. The method of claim 7,
Wherein the signal sensor layer includes at least one of an activity measuring sensor, a strain sensor, a heart rate measuring sensor, a PPG sensor, a blood pressure measuring sensor, a temperature sensor, a blood sugar sensor, a pH sensor, and an insulin sensor. . 제 1 항에 있어서,
상기 디스플레이층의 위, 내부, 또는 아래에 배치되는 터치 센서층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 웨어러블 양자점 디스플레이 장치.The method according to claim 1,
And a touch sensor layer disposed above, inside, or below the display layer. 제 9 항에 있어서,
상기 터치 센서층은 접촉식 정전용량 방식, 압력식 저항막 방식, 표면 초음파 방식, 적외선 광 방식, 적분식 장력 측정방식, 또는 피에조 효과방식의 터치 센서를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨어러블 양자점 디스플레이 장치.10. The method of claim 9,
Wherein the touch sensor layer includes a touch sensor of a contact type capacitance type, a pressure type resistive film type, a surface ultrasonic type, an infrared light type, an integral type tension measurement type, or a piezo effect type. 양자점 패턴층을 포함하고,
상기 양자점 패턴층은 음각 전사 인쇄 방법에 의해 형성된 것을 특징으로 하는 웨어러블 양자점 디스플레이 장치.A quantum dot pattern layer,
Wherein the quantum dot pattern layer is formed by a negative tone transfer printing method. 제 11 항에 있어서,
상기 양자점 패턴층은 양자점 패턴을 포함하고,
상기 양자점 패턴은,
도우너 기판에 양자점층을 형성하는 단계,
상기 양자점층을 스탬프를 이용하여 픽업하는 단계,
상기 스탬프를 이용하여 상기 양자점층을 음각 기판에 접촉시키는 단계, 및
상기 스탬프를 상기 음각 기판으로부터 분리시키는 단계를 포함하는 방법에 의해 형성된 것을 특징으로 하는 웨어러블 양자점 디스플레이 장치.12. The method of claim 11,
Wherein the quantum dot pattern layer includes a quantum dot pattern,
The quantum dot pattern may include:
Forming a quantum dot layer on a donor substrate,
Picking up the quantum dot layer using a stamp,
Contacting the quantum dot layer with the engraved substrate using the stamp, and
And separating the stamp from the engraved substrate. ≪ Desc / Clms Page number 20 > 제 12 항에 있어서,
상기 음각 기판의 표면 에너지는 상기 스탬프의 표면 에너지보다 큰 것을 특징으로 하는 웨어러블 양자점 디스플레이 장치.13. The method of claim 12,
Wherein the surface energy of the engraved substrate is larger than the surface energy of the stamp. 제1 양자점 패턴을 포함하는 제1 디스플레이층; 및
상기 제1 디스플레이층 위에 배치되고, 제2 양자점 패턴을 포함하는 제2 디스플레이층을 포함하는 웨어러블 양자점 디스플레이 장치.A first display layer including a first quantum dot pattern; And
And a second display layer disposed on the first display layer and including a second quantum dot pattern. 제 14 항에 있어서,
상기 제2 디스플레이층 위에 배치되고, 제3 양자점 패턴을 포함하는 제3 디스플레이층을 더 포함하며,
상기 제1 양자점 패턴, 상기 제2 양자점 패턴, 및 상기 제3 양자점 패턴은 서로 대응하도록 배치되는 것을 특징으로 하는 웨어러블 양자점 디스플레이 장치.15. The method of claim 14,
And a third display layer disposed over the second display layer and including a third quantum dot pattern,
Wherein the first quantum dot pattern, the second quantum dot pattern, and the third quantum dot pattern are arranged to correspond to each other. 제 15 항에 있어서,
상기 제1 양자점 패턴은 레드 양자점 패턴이고,
상기 제2 양자점 패턴은 그린 양자점 패턴이며,
상기 제3 양자점 패턴은 블루 양자점 패턴인 것을 특징으로 하는 웨어러블 양자점 디스플레이 장치.16. The method of claim 15,
The first quantum dot pattern is a red quantum dot pattern,
The second quantum dot pattern is a green quantum dot pattern,
Wherein the third quantum dot pattern is a blue quantum dot pattern. 제 1 항 내지 제 16 항 중 어느 한 항의 웨어러블 양자점 디스플레이 장치; 및
상기 웨어러블 양자점 디스플레이 장치에 유선 또는 무선으로 연결되는 제어 장치를 포함하는 웨어러블 전자 장치. 17. A wearable quantum dot display device according to any one of claims 1 to 16; And
And a control device connected to the wearable quantum dot display device by wire or wirelessly. 제 17 항에 있어서,
상기 제어 장치는 스마트 시계인 것을 특징으로 하는 웨어러블 전자 장치.18. The method of claim 17,
Wherein the control device is a smart watch. 제 18 항에 있어서,
상기 웨어러블 양자점 디스플레이 장치는 상기 스마트 시계가 표시할 수 없는 크기의 화면을 표시하거나 상기 스마트 시계에 표시되는 화면을 확대하여 표시하는 것을 특징으로 하는 웨어러블 전자 장치.19. The method of claim 18,
Wherein the wearable quantum dot display device displays a screen of a size that the smart clock can not display or enlarges a screen displayed on the smart clock. 제 18 항에 있어서,
상기 웨어러블 양자점 디스플레이 장치는 사람의 피부에 접착되어 생체 신호를 표시하는 것을 특징으로 하는 웨어러블 전자 장치.19. The method of claim 18,
Wherein the wearable quantum dot display device is attached to human skin to display a living body signal. 제 18 항에 있어서,
상기 웨어러블 양자점 디스플레이 장치 및 상기 스마트 시계 중 하나 이상에 유선 또는 무선으로 연결되고, 사람의 피부에 접착되어 생체 신호를 측정하는 센싱 장치를 더 포함하는 웨어러블 전자 장치.19. The method of claim 18,
And a sensing device connected to at least one of the wearable quantum dot display device and the smart watch by wires or wirelessly and attached to a human skin to measure a living body signal. 제 21 항에 있어서,
상기 스마트 시계는 상기 웨어러블 양자점 디스플레이 장치 또는 상기 센싱 장치에 의해 측정된 생체 신호를 저장하거나 외부 장치로 전송하는 것을 특징으로 하는 웨어러블 전자 장치.22. The method of claim 21,
Wherein the smart watch stores or transmits the biological signal measured by the wearable quantum dot display device or the sensing device to an external device. 제 1 항 내지 제 16 항 중 어느 한 항의 웨어러블 양자점 디스플레이 장치; 및
상기 웨어러블 양자점 디스플레이 장치에 유선 또는 무선으로 연결되고, 사람의 피부에 접착되어 생체 신호를 측정하는 센싱 장치를 포함하는 웨어러블 전자 장치.17. A wearable quantum dot display device according to any one of claims 1 to 16; And
And a sensing device which is connected to the wearable quantum dot display device by wire or wirelessly and which is attached to human skin and measures a living body signal.
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