KR20160130738A - Conductive paste, connection structure, and production method for connection structure - Google Patents

Conductive paste, connection structure, and production method for connection structure Download PDF

Info

Publication number
KR20160130738A
KR20160130738A KR1020167006636A KR20167006636A KR20160130738A KR 20160130738 A KR20160130738 A KR 20160130738A KR 1020167006636 A KR1020167006636 A KR 1020167006636A KR 20167006636 A KR20167006636 A KR 20167006636A KR 20160130738 A KR20160130738 A KR 20160130738A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
electrode
solder particles
conductive paste
temperature
solder
Prior art date
Application number
KR1020167006636A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR102393302B1 (en
Inventor
다까시 구보따
히데아끼 이시자와
Original Assignee
세키스이가가쿠 고교가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 세키스이가가쿠 고교가부시키가이샤 filed Critical 세키스이가가쿠 고교가부시키가이샤
Publication of KR20160130738A publication Critical patent/KR20160130738A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102393302B1 publication Critical patent/KR102393302B1/en

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01BCABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/20Conductive material dispersed in non-conductive organic material
    • H01B1/22Conductive material dispersed in non-conductive organic material the conductive material comprising metals or alloys
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K35/00Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting
    • B23K35/02Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting characterised by mechanical features, e.g. shape
    • B23K35/0222Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting characterised by mechanical features, e.g. shape for use in soldering, brazing
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K35/00Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting
    • B23K35/02Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting characterised by mechanical features, e.g. shape
    • B23K35/0222Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting characterised by mechanical features, e.g. shape for use in soldering, brazing
    • B23K35/0244Powders, particles or spheres; Preforms made therefrom
    • B23K35/025Pastes, creams, slurries
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K35/00Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting
    • B23K35/22Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting characterised by the composition or nature of the material
    • B23K35/24Selection of soldering or welding materials proper
    • B23K35/26Selection of soldering or welding materials proper with the principal constituent melting at less than 400 degrees C
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K35/00Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting
    • B23K35/22Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting characterised by the composition or nature of the material
    • B23K35/24Selection of soldering or welding materials proper
    • B23K35/26Selection of soldering or welding materials proper with the principal constituent melting at less than 400 degrees C
    • B23K35/262Sn as the principal constituent
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K35/00Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting
    • B23K35/22Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting characterised by the composition or nature of the material
    • B23K35/36Selection of non-metallic compositions, e.g. coatings, fluxes; Selection of soldering or welding materials, conjoint with selection of non-metallic compositions, both selections being of interest
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K35/00Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting
    • B23K35/40Making wire or rods for soldering or welding
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/34Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
    • H05K3/341Surface mounted components
    • H05K3/3431Leadless components
    • H05K3/3436Leadless components having an array of bottom contacts, e.g. pad grid array or ball grid array components
    • H05K3/3484
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/34Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
    • H05K3/3457Solder materials or compositions; Methods of application thereof
    • H05K3/3485Applying solder paste, slurry or powder
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/34Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
    • H05K3/3489Composition of fluxes; Methods of application thereof; Other methods of activating the contact surfaces
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/34Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
    • H05K3/3494Heating methods for reflowing of solder
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/11Treatments characterised by their effect, e.g. heating, cooling, roughening
    • H05K2203/1163Chemical reaction, e.g. heating solder by exothermic reaction
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/36Assembling printed circuits with other printed circuits
    • H05K3/361Assembling flexible printed circuits with other printed circuits
    • H05K3/363Assembling flexible printed circuits with other printed circuits by soldering
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Abstract

땜납 입자를 전극 상에 효율적으로 배치할 수 있고, 전극간의 도통 신뢰성을 높일 수 있는 도전 페이스트를 제공한다. 본 발명에 관한 도전 페이스트는, 열경화성 성분과, 복수의 땜납 입자를 포함하며, 상기 열경화성 성분과 상기 땜납 입자를 각각 10℃/분의 승온 속도로 가열하여 시차 주사 열량 측정을 행했을 때에, 상기 열경화성 성분의 본경화에 있어서의 발열 피크 톱 온도가, 상기 땜납 입자의 용융에 있어서의 흡열 피크 톱 온도보다도 높고, 또한 상기 열경화성 성분의 본경화에 있어서의 발열 피크 톱 온도와, 상기 땜납 입자의 용융에 있어서의 흡열 피크 톱 온도의 차의 절댓값이 10℃ 이상 70℃ 이하이다.A conductive paste capable of efficiently disposing the solder particles on the electrode and enhancing the conduction reliability between the electrodes is provided. The conductive paste according to the present invention includes a thermosetting component and a plurality of solder particles, wherein when the thermosetting component and the solder particles are heated at a heating rate of 10 ° C / minute, respectively, Wherein an exothermic peak top temperature in the final curing of the component is higher than an endothermic peak top temperature in melting of the solder particles and an exothermic peak top temperature in the main curing of the thermosetting component and a melting peak temperature in the melting of the solder particles The maximum value of the difference in the endothermic peak top temperature in the temperature range from 10 占 폚 to 70 占 폚.

Description

도전 페이스트, 접속 구조체 및 접속 구조체의 제조 방법{CONDUCTIVE PASTE, CONNECTION STRUCTURE, AND PRODUCTION METHOD FOR CONNECTION STRUCTURE}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a conductive paste, a connection structure, and a method of manufacturing a connection structure,

본 발명은 땜납 입자를 포함하는 도전 페이스트에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 상기 도전 페이스트를 사용한 접속 구조체 및 접속 구조체의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a conductive paste containing solder particles. The present invention also relates to a connection structure using the conductive paste and a manufacturing method of the connection structure.

이방성 도전 페이스트 및 이방성 도전 필름 등의 이방성 도전 재료가 널리 알려져 있다. 상기 이방성 도전 재료에서는, 결합제 수지 중에 도전성 입자가 분산되어 있다.Anisotropic conductive paste such as anisotropic conductive paste and anisotropic conductive film are widely known. In the anisotropic conductive material, the conductive particles are dispersed in the binder resin.

상기 이방성 도전 재료는, 각종 접속 구조체를 얻기 위하여, 예를 들어 플렉시블 프린트 기판과 유리 기판의 접속(FOG(Film on Glass)), 반도체 칩과 플렉시블 프린트 기판의 접속(COF(Chip on Film)), 반도체 칩과 유리 기판의 접속(COG(Chip on Glass)) 및 플렉시블 프린트 기판과 유리 에폭시 기판의 접속(FOB(Film on Board)) 등에 사용되고 있다.The anisotropic conductive material can be used for various connection structures, for example, connection (FOG (Film on Glass)) between a flexible printed board and a glass substrate, connection (COF (Chip on Film)) between a semiconductor chip and a flexible printed board, (COG (Chip on Glass)) between a semiconductor chip and a glass substrate and connection (FOB (Film on Board)) between a flexible printed substrate and a glass epoxy substrate.

상기 이방성 도전 재료에 의해, 예를 들어 플렉시블 프린트 기판의 전극과 유리 에폭시 기판의 전극을 전기적으로 접속할 때에는, 유리 에폭시 기판 상에 도전성 입자를 포함하는 이방성 도전 재료를 배치한다. 이어서, 플렉시블 프린트 기판을 적층하고, 가열 및 가압한다. 이에 의해, 이방성 도전 재료를 경화시켜, 도전성 입자를 통하여 전극간을 전기적으로 접속하여, 접속 구조체를 얻는다.When the electrodes of the flexible printed circuit board and the electrodes of the glass epoxy substrate are electrically connected by the anisotropic conductive material, an anisotropic conductive material containing conductive particles is disposed on the glass epoxy substrate. Subsequently, the flexible printed circuit board is laminated and heated and pressed. Thereby, the anisotropic conductive material is cured, and the electrodes are electrically connected through the conductive particles to obtain a connection structure.

상기 이방성 도전 재료의 일례로서, 하기의 특허문헌 1에는 열경화성 수지를 포함하는 수지층과, 땜납분과, 경화제를 포함하고, 상기 땜납분과 상기 경화제가 상기 수지층 중에 존재하는 접착 테이프가 개시되어 있다. 이 접착 테이프는, 필름상이며, 페이스트상이 아니다.As an example of the anisotropic conductive material, Patent Document 1 below discloses an adhesive tape comprising a resin layer containing a thermosetting resin, a solder component, and a curing agent, wherein the solder component and the curing agent are present in the resin layer. The adhesive tape is in the form of a film, not a paste.

또한, 특허문헌 1에서는, 상기 접착 테이프를 사용한 접착 방법이 개시되어 있다. 구체적으로는, 제1 기판, 접착 테이프, 제2 기판, 접착 테이프 및 제3 기판을 밑에서부터 이 순서대로 적층하여, 적층체를 얻는다. 이때, 제1 기판의 표면에 형성된 제1 전극과, 제2 기판의 표면에 형성된 제2 전극을 대향시킨다. 또한, 제2 기판의 표면에 형성된 제2 전극과 제3 기판의 표면에 형성된 제3 전극을 대향시킨다. 그리고, 적층체를 소정의 온도에서 가열하여 접착한다. 이에 의해, 접속 구조체를 얻는다.Further, Patent Document 1 discloses a bonding method using the adhesive tape. Specifically, the first substrate, the adhesive tape, the second substrate, the adhesive tape and the third substrate are laminated in this order from the bottom to obtain a laminate. At this time, the first electrode formed on the surface of the first substrate and the second electrode formed on the surface of the second substrate are opposed to each other. Further, the second electrode formed on the surface of the second substrate is opposed to the third electrode formed on the surface of the third substrate. Then, the laminate is heated and bonded at a predetermined temperature. Thus, a connection structure is obtained.

WO2008/023452A1WO2008 / 023452A1

특허문헌 1에 기재된 접착 테이프는, 필름상이며, 페이스트상이 아니다. 이로 인해, 땜납분을 전극(라인) 상에 효율적으로 배치하는 것은 곤란하다. 예를 들어, 특허문헌 1에 기재된 접착 테이프에서는, 땜납분의 일부가, 전극이 형성되어 있지 않은 영역(스페이스)에도 배치되기 쉽다. 전극이 형성되어 있지 않은 영역에 배치된 땜납분은, 전극간의 도통에 기여하지 않는다.The adhesive tape described in Patent Document 1 is in the form of a film, not a paste. As a result, it is difficult to efficiently dispose the solder powder on the electrode (line). For example, in the adhesive tape described in Patent Document 1, a part of the solder powder is likely to be disposed in an area (space) where no electrode is formed. The solder powder disposed in the region where no electrode is formed does not contribute to the conduction between the electrodes.

또한, 땜납분을 포함하는 이방성 도전 페이스트이라도 땜납분이 전극(라인) 상에 효율적으로 배치되지 않는 경우가 있다.In addition, even in the case of an anisotropic conductive paste containing a solder powder, the solder powder may not be efficiently arranged on the electrode (line).

본 발명의 목적은, 땜납 입자를 전극 상에 효율적으로 배치할 수 있고, 전극간의 도통 신뢰성을 높일 수 있는 도전 페이스트를 제공하는 것이다. 또한, 본 발명은, 상기 도전 페이스트를 사용한 접속 구조체 및 접속 구조체의 제조 방법을 제공하는 것이다.An object of the present invention is to provide a conductive paste capable of efficiently disposing solder particles on an electrode and improving reliability of conduction between electrodes. The present invention also provides a connection structure using the conductive paste and a manufacturing method of the connection structure.

본 발명의 넓은 국면에 의하면, 열경화성 성분과, 복수의 땜납 입자를 포함하며, 상기 열경화성 성분과 상기 땜납 입자를 각각 10℃/분의 승온 속도로 가열하여 시차 주사 열량 측정을 행했을 때에, 상기 열경화성 성분의 본경화에 있어서의 발열 피크 톱 온도가, 상기 땜납 입자의 용융에 있어서의 흡열 피크 톱 온도보다도 높고, 또한 상기 열경화성 성분의 본경화에 있어서의 발열 피크 톱 온도와, 상기 땜납 입자의 용융에 있어서의 흡열 피크 톱 온도의 차의 절댓값이 10℃ 이상 70℃ 이하인, 도전 페이스트가 제공된다.According to a broad aspect of the present invention, there is provided a thermosetting resin composition comprising a thermosetting component and a plurality of solder particles, wherein when the thermosetting component and the solder particles are heated at a heating rate of 10 ° C / Wherein an exothermic peak top temperature in the final curing of the component is higher than an endothermic peak top temperature in melting of the solder particles and an exothermic peak top temperature in the main curing of the thermosetting component and a melting peak temperature in the melting of the solder particles Wherein the maximum value of the difference in the endothermic peak top temperature in the step (a) is 10 占 폚 or more and 70 占 폚 or less.

본 발명에 관한 도전 페이스트의 어느 특정한 국면에서는, 상기 열경화성 성분과 상기 땜납 입자를 각각 10℃/분의 승온 속도로 가열하여 시차 주사 열량 측정을 행했을 때에, 상기 열경화성 성분의 발열 개시 온도가, 상기 땜납 입자의 용융에 있어서의 흡열 피크 톱 온도보다도 높고, 또한 상기 열경화성 성분의 발열 개시 온도와, 상기 땜납 입자의 용융에 있어서의 흡열 피크 톱 온도의 차의 절댓값이 5℃ 이상 50℃ 이하이다.In a specific aspect of the conductive paste according to the present invention, when the heat-curable component and the solder particles are heated at a temperature raising rate of 10 ° C / minute to measure the differential scanning calorie, The peak value of the difference between the heat generation starting temperature of the thermosetting component and the endothermic peak top temperature in melting of the solder particles is 5 占 폚 or more and 50 占 폚 or less.

본 발명에 관한 도전 페이스트의 어느 특정한 국면에서는, 상기 도전 페이스트는 플럭스를 포함하고, 상기 열경화성 성분을 10℃/분의 승온 속도로 가열하여 시차 주사 열량 측정을 행했을 때에, 상기 열경화성 성분의 본경화에 있어서의 발열 피크 톱 온도가, 상기 플럭스의 활성 온도보다도 높다.In a specific aspect of the conductive paste according to the present invention, the conductive paste includes a flux, and when the differential scanning calorimetry is performed by heating the thermosetting component at a temperature raising rate of 10 캜 / minute, Is higher than the activation temperature of the flux.

본 발명에 관한 도전 페이스트의 어느 특정한 국면에서는, 상기 도전 페이스트는 플럭스를 포함하고, 상기 땜납 입자를 10℃/분의 승온 속도로 가열하여 시차 주사 열량 측정을 행했을 때에, 상기 땜납 입자의 용융에 있어서의 흡열 피크 톱 온도가, 상기 플럭스의 활성 온도보다도 높다.In a specific aspect of the conductive paste according to the present invention, the conductive paste includes a flux, and when the solder particles are heated at a heating rate of 10 캜 / minute to measure the differential scanning calorie, Of the endothermic peak top temperature of the flux is higher than the activation temperature of the flux.

본 발명에 관한 도전 페이스트의 어느 특정한 국면에서는, 상기 도전 페이스트는 플럭스를 포함하고, 상기 열경화성 성분과 상기 땜납 입자를 각각 10℃/분의 승온 속도로 가열하여 시차 주사 열량 측정을 행했을 때에, 상기 열경화성 성분의 본경화에 있어서의 발열 피크 톱 온도가, 상기 플럭스의 활성 온도보다도 높고, 또한 상기 땜납 입자의 용융에 있어서의 흡열 피크 톱 온도가, 상기 플럭스의 활성 온도보다도 높다.In a specific aspect of the conductive paste according to the present invention, when the conductive paste contains flux and the differential scanning calorie is measured by heating the thermosetting component and the solder particles at a temperature raising rate of 10 ° C / minute, The exothermic peak top temperature in final curing of the thermosetting component is higher than the activation temperature of the flux and the endothermic peak top temperature in melting of the solder particles is higher than the active temperature of the flux.

본 발명에 관한 도전 페이스트의 어느 특정한 국면에서는, 상기 도전 페이스트 100중량% 중 상기 땜납 입자의 함유량이 10중량% 이상 70중량% 이하이다.In a specific aspect of the conductive paste according to the present invention, the content of the solder particles in 100 wt% of the conductive paste is 10 wt% or more and 70 wt% or less.

본 발명에 관한 도전 페이스트의 어느 특정한 국면에서는, 25℃에서의 점도가 10Pa·s 이상 800Pa·s 이하이다.In a specific aspect of the conductive paste according to the present invention, the viscosity at 25 캜 is not less than 10 Pa · s and not more than 800 Pa · s.

본 발명에 관한 도전 페이스트의 어느 특정한 국면에서는, 상기 땜납 입자의 융점 이하의 온도 영역에서의 점도의 최저값이 0.1Pa·s 이상 10Pa·s 이하이다.In a specific aspect of the conductive paste according to the present invention, the lowest value of the viscosity in the temperature range below the melting point of the solder particles is 0.1 Pa · s or more and 10 Pa · s or less.

본 발명의 넓은 국면에 의하면, 적어도 1개의 제1 전극을 표면에 갖는 제1 접속 대상 부재와, 적어도 1개의 제2 전극을 표면에 갖는 제2 접속 대상 부재와, 상기 제1 접속 대상 부재와, 상기 제2 접속 대상 부재를 접속하고 있는 접속부를 구비하며, 상기 접속부가, 상술한 도전 페이스트에 의해 형성되어 있고, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극이, 상기 접속부 중의 땜납부에 의해 전기적으로 접속되어 있는, 접속 구조체가 제공된다.According to a broad aspect of the present invention, there is provided a light emitting device comprising: a first connection target member having at least one first electrode on a surface; a second connection target member having at least one second electrode on a surface; And a connection portion connecting the second connection target member, wherein the connection portion is formed by the conductive paste described above, and the first electrode and the second electrode are electrically connected by the solder portion in the connection portion The connection structure is provided.

본 발명의 넓은 국면에 의하면, 상술한 도전 페이스트를 사용하여, 적어도 1개의 제1 전극을 표면에 갖는 제1 접속 대상 부재의 표면 상에, 상기 도전 페이스트를 배치하는 공정과, 상기 도전 페이스트의 상기 제1 접속 대상 부재측과는 반대인 표면 상에, 적어도 1개의 제2 전극을 표면에 갖는 제2 접속 대상 부재를, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극이 대향하도록 배치하는 공정과, 상기 땜납 입자의 융점 이상이면서 상기 열경화성 성분의 경화 온도 이상으로 상기 도전 페이스트를 가열함으로써, 상기 제1 접속 대상 부재와 상기 제2 접속 대상 부재를 접속하고 있는 접속부를, 상기 도전 페이스트에 의해 형성하고, 또한 상기 제1 전극과 상기 제2 전극을, 상기 접속부 중의 땜납부에 의해 전기적으로 접속하는 공정을 구비하는, 접속 구조체의 제조 방법이 제공된다.According to a broad aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a conductive paste, comprising the steps of: disposing the conductive paste on a surface of a first connection target member having at least one first electrode on a surface thereof using the conductive paste; Disposing a second connection target member having at least one second electrode on its surface on a surface opposite to the first connection target member side so that the first electrode and the second electrode face each other; The connection portion connecting the first connection target member and the second connection target member is formed by the conductive paste by heating the conductive paste at a temperature equal to or higher than the melting point of the particles and not lower than the curing temperature of the thermosetting component, And a step of electrically connecting the first electrode and the second electrode to each other by a solder portion in the connection portion, It is.

본 발명에 관한 접속 구조체의 제조 방법의 어느 특정한 국면에서는, 상기 제2 접속 대상 부재를 배치하는 공정 및 상기 접속부를 형성하는 공정에 있어서, 가압을 행하지 않고, 상기 도전 페이스트에는 상기 제2 접속 대상 부재의 중량이 가해진다.In a specific aspect of the method of manufacturing a connection structure according to the present invention, in the step of disposing the second connection target member and the step of forming the connection portion, the conductive paste is not subjected to pressing, Is weighted.

상기 제2 접속 대상 부재가, 수지 필름, 플렉시블 프린트 기판, 플렉시블 플랫 케이블 또는 리지드 플렉시블 기판인 것이 바람직하다.It is preferable that the second connection target member is a resin film, a flexible printed circuit board, a flexible flat cable, or a rigid flexible substrate.

본 발명에 관한 도전 페이스트는, 열경화성 성분과, 복수의 땜납 입자를 포함하며, 상기 열경화성 성분과 상기 땜납 입자를 각각 10℃/분의 승온 속도로 가열하여 시차 주사 열량 측정을 행했을 때에, 상기 열경화성 성분의 본경화에 있어서의 발열 피크 톱 온도가, 상기 땜납 입자의 용융에 있어서의 흡열 피크 톱 온도보다도 높고, 또한 상기 열경화성 성분의 본경화에 있어서의 발열 피크 톱 온도와, 상기 땜납 입자의 용융에 있어서의 흡열 피크 톱 온도의 차의 절댓값이 10℃ 이상 70℃ 이하이므로, 전극간을 전기적으로 접속한 경우에, 땜납 입자를 전극 상에 효율적으로 배치할 수 있고, 전극간의 도통 신뢰성을 높일 수 있다.The conductive paste according to the present invention includes a thermosetting component and a plurality of solder particles, wherein when the thermosetting component and the solder particles are heated at a heating rate of 10 ° C / minute, respectively, Wherein an exothermic peak top temperature in the final curing of the component is higher than an endothermic peak top temperature in melting of the solder particles and an exothermic peak top temperature in the main curing of the thermosetting component and a melting peak temperature in the melting of the solder particles The solder particles can be efficiently arranged on the electrodes and the reliability of the conduction between the electrodes can be improved when the electrodes are electrically connected to each other .

도 1은 본 발명의 일 실시 형태에 관한 도전 페이스트를 사용하여 얻어지는 접속 구조체를 모식적으로 도시하는 부분 절결 정면 단면도이다.
도 2의 (a) 내지 (c)는 본 발명의 일 실시 형태에 관한 도전 페이스트를 사용하여, 접속 구조체를 제조하는 방법의 일례의 각 공정을 설명하기 위한 도면이다.
도 3은 접속 구조체의 변형예를 나타내는 부분 절결 정면 단면도이다.
도 4는 시차 주사 열량 측정에 있어서의 열경화성 성분의 본경화에 있어서의 발열 피크와 땜납 입자의 용융에 있어서의 흡열 피크의 관계의 일례를 도시하는 모식도이다.
도 5의 (a) 및 (b)는 본 발명의 실시 형태에 포함되는 도전 페이스트를 사용한 접속 구조체의 일례를 나타내는 화상이며, 도 5의 (a) 및 (b)는 단면 화상이다.
도 6의 (a), (b) 및 (c)는 본 발명의 실시 형태에 포함되지 않는 도전 페이스트를 사용한 접속 구조체의 일례를 나타내는 화상이며, 도 6의 (a) 및 (b)는 단면 화상이며, 도 6의 (c)는 평면 화상이다.
BRIEF DESCRIPTION OF DRAWINGS FIG. 1 is a partially cut-away front sectional view schematically showing a connection structure obtained by using a conductive paste according to an embodiment of the present invention. FIG.
2 (a) to 2 (c) are diagrams for explaining respective steps of an example of a method for manufacturing a connection structure using a conductive paste according to an embodiment of the present invention.
3 is a partial cutaway front sectional view showing a modification of the connection structure.
4 is a schematic diagram showing an example of a relationship between an exothermic peak in final curing of a thermosetting component in differential scanning calorimetry measurement and an endothermic peak in melting of solder particles.
5A and 5B are images showing an example of a connection structure using the conductive paste included in the embodiment of the present invention, and Figs. 5A and 5B are sectional views. Fig.
Figs. 6A, 6B and 6C are diagrams showing an example of a connection structure using conductive paste not included in the embodiment of the present invention, and Figs. 6A and 6B are cross- And Fig. 6C is a planar image.

이하, 본 발명의 상세를 설명한다.Hereinafter, the details of the present invention will be described.

본 발명에 관한 도전 페이스트는, 열경화성 성분과, 복수의 땜납 입자를 포함한다. 본 발명에 관한 도전 페이스트에서는, 상기 열경화성 성분과 상기 땜납 입자를 각각 10℃/분의 승온 속도로 가열하여 시차 주사 열량 측정을 행했을 때에, 상기 열경화성 성분의 본경화에 있어서의 발열 피크 톱 온도가, 상기 땜납 입자의 용융에 있어서의 흡열 피크 톱 온도보다도 높고, 또한 상기 열경화성 성분의 본경화에 있어서의 발열 피크 톱 온도와, 상기 땜납 입자의 용융에 있어서의 흡열 피크 톱 온도의 차의 절댓값이 10℃ 이상 70℃ 이하이다.The conductive paste according to the present invention includes a thermosetting component and a plurality of solder particles. In the conductive paste according to the present invention, when the thermosetting component and the solder particles are heated at a temperature raising rate of 10 캜 / minute to perform differential scanning calorimetry, the exothermic peak top temperature in the final curing of the thermosetting component , An upper limit of the difference between the exothermic peak top temperature in the main curing of the thermosetting component and the endothermic peak top temperature in the melting of the solder particles is higher than the endothermic peak top temperature in the melting of the solder particles is 10 ≪ / RTI >

상기 열경화성 성분을 10℃/분의 승온 속도로 가열하여, 시차 주사 열량 측정(DSC)을 행한다. 또한, 상기 땜납 입자를 10℃/분의 승온 속도로 가열하여, 시차 주사 열량 측정(DSC)을 행한다. 도 4에 모식적으로 도시된 바와 같이, 이 DSC에 있어서, 본 발명에 관한 도전 페이스트에서는, 상기 열경화성 성분의 본경화에 있어서의 발열 피크 톱 P1t 온도가, 상기 땜납 입자의 용융에 있어서의 흡열 피크 톱 P2t 온도보다도 높다. 발열 피크 톱 P1t 온도와 흡열 피크 톱 P2t 온도의 차의 절댓값은 10℃ 이상 70℃ 이하이다. 상기 발열 피크 톱 P1t 및 상기 흡열 피크 톱 P2t란, 발열 피크 P1 또는 흡열 피크 P2에 있어서의 발열량 또는 흡열량이 가장 높아지는 온도를 나타낸다. 상기 발열 피크 P1이란, 베이스 라인 B1로부터 발열량이 상승하기 시작하는 부분(그 부분에 있어서의 온도는 발열 개시 온도)부터, 상기 발열 피크 톱 P1t에 이른 후에 발열량이 저하되어 베이스 라인 B1에 이르기까지의 부분을 나타낸다. 상기 흡열 피크 P2란, 베이스 라인 B2로부터 흡열량이 상승하기 시작하는 부분(그 부분에 있어서의 온도는 흡열 개시 온도)부터, 상기 흡열 피크 톱 P2t에 이른 후에 흡열량이 저하되어 베이스 라인 B2에 이르기까지의 부분을 나타낸다. 상기 열경화성 성분의 본경화에 있어서의 발열 피크 톱 P1t 온도를 나타내는 발열 피크 P1은, 발열량이 가장 높은 주발열 피크인 것이 바람직하다. 상기 발열 피크 톱 P1t 온도와 상기 흡열 피크 톱 P2t 온도가 상술한 관계를 충족하도록 하기 위해서는, 열경화성 성분 중의 열경화성 화합물의 종류, 열경화제의 종류 및 땜납 입자의 조성 등을 적절히 조정하면 된다.The thermosetting component is heated at a heating rate of 10 DEG C / minute to perform differential scanning calorimetry (DSC). Further, the solder particles are heated at a heating rate of 10 DEG C / minute to perform differential scanning calorimetry (DSC). As schematically shown in Fig. 4, in this DSC, in the conductive paste according to the present invention, the exothermic peak top P1t temperature in the main curing of the thermosetting component is the endothermic peak in melting of the solder particles It is higher than top P2t temperature. The maximum value of the difference between the exothermic peak top P1t temperature and the endothermic peak top P2t temperature is 10 占 폚 to 70 占 폚. The exothermic peak top P1t and the endothermic peak top P2t refer to a temperature at which the exothermic peak or endothermic peak P2 or the exothermic peak P2 is the highest. The exothermic peak P1 refers to the temperature at which the amount of heat generation decreases from the portion at which the amount of heat generation starts to rise from the base line B1 (the temperature at the part starts to rise from the heat generation start temperature) to the exothermic peak top P1t, Lt; / RTI > The endothermic peak P2 is a temperature at which the endothermic amount starts to rise from the base line B2 (the temperature at that portion is the endothermic start temperature), the endothermic peak reaches the endothermic peak top P2t, Lt; / RTI > It is preferable that the exothermic peak P1 indicating the exothermic peak top P1t temperature in the main curing of the thermosetting component is the main exothermic peak having the highest heat generation amount. In order for the exothermic peak top P1t temperature and the heat absorption peak top P2t temperature to satisfy the above-described relationship, the kind of the thermosetting compound, the kind of the thermosetting agent and the composition of the solder particle in the thermosetting component may be appropriately adjusted.

본 발명에 관한 도전 페이스트에서는, 상기한 구성이 채용되어 있으므로, 전극간을 전기적으로 접속한 경우에, 복수의 땜납 입자가 전극 사이에 모이기 쉬워, 복수의 땜납 입자를 전극(라인) 상에 효율적으로 배치할 수 있다. 또한, 복수의 땜납 입자의 일부가, 전극이 형성되어 있지 않은 영역(스페이스)에 배치되기 어려워, 전극이 형성되어 있지 않은 영역에 배치되는 땜납 입자의 양을 상당히 적게 할 수 있다. 따라서, 전극간의 도통 신뢰성을 높일 수 있다. 게다가, 접속되어서는 안되는 가로 방향으로 인접하는 전극간의 전기적인 접속을 방지할 수 있어, 절연 신뢰성을 높일 수 있다. 이러한 효과를 얻기 위하여, 상기 열경화성 성분의 본경화에 있어서의 발열 피크 톱 온도와, 상기 땜납 입자의 용융에 있어서의 흡열 피크 톱 온도가 상술한 관계를 충족하는 것은 크게 기여한다. 상기 열경화성 성분의 본경화에 있어서의 발열 피크 톱 온도와, 상기 땜납 입자의 용융에 있어서의 흡열 피크 톱 온도가 상술한 관계를 충족하면, 땜납 입자가 모인 후에, 열경화성 성분의 과잉한 유동이 억제되기 때문에, 땜납 입자가 이산되기 어려워진다. 이로 인해, 전극 상에 땜납 입자가 효율적으로 배치된다고 생각되어진다.In the conductive paste according to the present invention, since the above-described configuration is adopted, when a plurality of solder particles are easily collected between the electrodes when the electrodes are electrically connected, a plurality of solder particles can be efficiently Can be deployed. In addition, a part of the plurality of solder particles is hardly arranged in a region (space) where no electrode is formed, and the amount of solder particles arranged in an area where no electrode is formed can be considerably reduced. Therefore, the conduction reliability between the electrodes can be improved. In addition, it is possible to prevent electrical connection between adjacent electrodes in the lateral direction which should not be connected, and the insulation reliability can be improved. In order to obtain such an effect, the exothermic peak top temperature in the final curing of the thermosetting component and the endothermic peak top temperature in the melting of the solder particles satisfy the above-mentioned relation. If the exothermic peak top temperature in the main curing of the thermosetting component and the endothermic peak top temperature in the melting of the solder particles satisfy the above-mentioned relationship, excessive flow of the thermosetting component is suppressed after the solder particles are collected Therefore, the solder particles are hardly dispersed. Therefore, it is considered that the solder particles are efficiently arranged on the electrodes.

땜납 입자를 전극 상에 한층 더 효율적으로 배치하는 관점에서는, 상기 열경화성 성분과 상기 땜납 입자를 각각 10℃/분의 승온 속도로 가열하여 시차 주사 열량 측정을 행했을 때에, 상기 열경화성 성분의 발열 개시 온도가, 상기 땜납 입자의 용융에 있어서의 흡열 피크 톱 온도보다도 높은 것이 바람직하고, 5℃ 이상 높은 것이 보다 바람직하다.From the viewpoint of more efficiently arranging the solder particles on the electrode, when the thermosetting component and the solder particles are heated at a temperature raising rate of 10 deg. C / minute to measure the differential scanning calorie, Is preferably higher than the endothermic peak top temperature in the melting of the solder particles, more preferably 5 ° C or more.

땜납 입자를 전극 상에 한층 더 효율적으로 배치하는 관점에서는, 상기 열경화성 성분의 발열 개시 온도와, 상기 땜납 입자의 용융에 있어서의 흡열 피크 톱 온도의 차의 절댓값은, 바람직하게는 5℃ 이상, 보다 바람직하게는 10℃ 이상, 바람직하게는 50℃ 이하, 보다 바람직하게는 35℃ 이하이다.From the viewpoint of more efficiently arranging the solder particles on the electrode, the absolute value of the difference between the heat generation initiation temperature of the thermosetting component and the endothermic peak top temperature in the melting of the solder particles is preferably 5 占 폚 or higher Preferably 10 ° C or higher, preferably 50 ° C or lower, more preferably 35 ° C or lower.

본 발명에 관한 도전 페이스트는, 이하의 본 발명에 관한 접속 구조체의 제조 방법에 적절하게 사용할 수 있다.The conductive paste according to the present invention can be suitably used in the following manufacturing method of the connection structure according to the present invention.

본 발명에 관한 접속 구조체의 제조 방법에서는, 도전 페이스트와, 제1 접속 대상 부재와, 제2 접속 대상 부재를 사용한다. 본 발명에 관한 접속 구조체의 제조 방법에서 사용되는 도전 재료는 도전 필름이 아니라, 도전 페이스트이다. 상기 도전 페이스트는 복수의 땜납 입자와, 열경화성 성분을 포함한다. 상기 제1 접속 대상 부재는, 적어도 1개의 제1 전극을 표면에 갖는다. 상기 제2 접속 대상 부재는 적어도 1개의 제2 전극을 표면에 갖는다.In the method for manufacturing a connection structure according to the present invention, a conductive paste, a first connection object member, and a second connection object member are used. The conductive material used in the method for manufacturing a connection structure according to the present invention is not a conductive film but a conductive paste. The conductive paste includes a plurality of solder particles and a thermosetting component. The first connection target member has at least one first electrode on its surface. The second connection object member has at least one second electrode on its surface.

본 발명에 관한 접속 구조체의 제조 방법은, 상기 제1 접속 대상 부재의 표면 상에, 본 발명에 관한 도전 페이스트를 배치하는 공정과, 상기 도전 페이스트의 상기 제1 접속 대상 부재측과는 반대인 표면 상에, 상기 제2 접속 대상 부재를, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극이 대향하도록 배치하는 공정과, 상기 땜납 입자의 융점 이상 및 상기 열경화성 성분의 경화 온도 이상으로 상기 도전 페이스트를 가열함으로써, 상기 제1 접속 대상 부재와 상기 제2 접속 대상 부재를 접속하고 있는 접속부를, 상기 도전 페이스트에 의해 형성하고, 또한 상기 제1 전극과 상기 제2 전극을, 상기 접속부 중의 땜납부에 의해 전기적으로 접속하는 공정을 구비한다. 본 발명에 관한 접속 구조체의 제조 방법에서는, 상기 제2 접속 대상 부재를 배치하는 공정 및 상기 접속부를 형성하는 공정에 있어서, 가압을 행하지 않고, 상기 도전 페이스트에는 상기 제2 접속 대상 부재의 중량이 가해지는 것이 바람직하다. 본 발명에 관한 접속 구조체의 제조 방법에서는, 상기 제2 접속 대상 부재를 배치하는 공정 및 상기 접속부를 형성하는 공정에 있어서, 상기 도전 페이스트에는 상기 제2 접속 대상 부재의 중량의 힘을 초과하는 가압 압력은 가해지지 않는 것이 바람직하다.The method for manufacturing a connection structure according to the present invention includes the steps of disposing a conductive paste according to the present invention on the surface of the first connection target member; Placing the second connection target member so that the first electrode and the second electrode face each other; and heating the conductive paste to a temperature higher than the melting point of the solder particles and a curing temperature of the thermosetting component, A connection portion connecting the first connection target member and the second connection target member is formed by the conductive paste and the first electrode and the second electrode are electrically connected to each other by the solder portion of the connection portion . In the method of manufacturing a connection structure according to the present invention, in the step of disposing the second connection target member and the step of forming the connection portion, the weight of the second connection object member is not applied to the conductive paste, . In the method of manufacturing a connection structure according to the present invention, in the step of disposing the second connection target member and the step of forming the connection portion, the conductive paste is subjected to a pressing force exceeding the force of the weight of the second connection object member It is preferable not to apply.

본 발명에 관한 접속 구조체의 제조 방법에서는, 상기한 구성이 채용되어 있으므로, 복수의 땜납 입자가 제1 전극과 제2 전극 사이에 모이기 쉬워, 복수의 땜납 입자를 전극(라인) 상에 효율적으로 배치할 수 있다. 또한, 복수의 땜납 입자의 일부가, 전극이 형성되어 있지 않은 영역(스페이스)에 배치되기 어려워, 전극이 형성되어 있지 않은 영역에 배치되는 땜납 입자의 양을 상당히 적게 할 수 있다. 따라서, 제1 전극과 제2 전극 사이의 도통 신뢰성을 높일 수 있다. 게다가, 접속되어서는 안되는 가로 방향으로 인접하는 전극간의 전기적인 접속을 방지할 수 있어, 절연 신뢰성을 높일 수 있다.In the method of manufacturing a connection structure according to the present invention, since the above-described structure is employed, a plurality of solder particles are easily collected between the first electrode and the second electrode, and a plurality of solder particles are efficiently arranged can do. In addition, a part of the plurality of solder particles is hardly arranged in a region (space) where no electrode is formed, and the amount of solder particles arranged in an area where no electrode is formed can be considerably reduced. Therefore, the conduction reliability between the first electrode and the second electrode can be improved. In addition, it is possible to prevent electrical connection between adjacent electrodes in the lateral direction which should not be connected, and the insulation reliability can be improved.

이와 같이, 복수의 땜납 입자를 전극 상에 효율적으로 배치하고, 또한 전극이 형성되어 있지 않은 영역에 배치되는 땜납 입자의 양을 상당히 적게 하기 위해서는, 도전 필름이 아니라, 도전 페이스트를 사용할 필요가 있는 것을, 본 발명자들은 발견했다.As described above, in order to efficiently arrange a plurality of solder particles on the electrode and considerably reduce the amount of the solder particles disposed in the region where no electrode is formed, it is necessary to use a conductive paste instead of a conductive film , The present inventors discovered.

또한, 상기 제2 접속 대상 부재를 배치하는 공정 및 상기 접속부를 형성하는 공정에 있어서, 가압을 행하지 않고, 상기 도전 페이스트에 상기 제2 접속 대상 부재의 중량이 가해지면, 접속부가 형성되기 전에 전극이 형성되어 있지 않은 영역(스페이스)에 배치되어 있던 땜납 입자가 제1 전극과 제2 전극 사이에 한층 더 모이기 쉬워져, 복수의 땜납 입자를 전극(라인) 상에 효율적으로 배치할 수 있는 것도 본 발명자들은 발견했다. 본 발명에서는, 도전 필름이 아니라, 도전 페이스트를 사용한다는 구성과, 가압을 행하지 않고, 상기 도전 페이스트에는 상기 제2 접속 대상 부재의 중량이 가해지도록 한다는 구성을 조합하여 채용하는 것에는, 본 발명의 효과를 한층 더 높은 레벨에서 얻기 때문에 큰 의미가 있다.In the step of disposing the second connection target member and the step of forming the connection portion, if the weight of the second connection target member is applied to the conductive paste without applying pressure, before the connection portion is formed, The solder particles arranged in the regions (spaces) which are not formed are more likely to be gathered between the first electrode and the second electrode, and a plurality of solder particles can be efficiently arranged on the electrodes (lines) They found. In the present invention, a configuration in which a conductive paste is used instead of a conductive film and a configuration in which the weight of the second connection target member is added to the conductive paste without applying pressure is employed in combination. It has great significance because it gets its effect at a much higher level.

또한, WO2008/023452A1에서는, 땜납분을 전극 표면에 흘러가게 하여 효율적으로 이동시키는 관점에서는, 접착 시에 소정의 압력으로 가압하면 되는 것이 기재되어 있으며, 가압 압력은, 땜납 영역을 더욱 확실하게 형성하는 관점에서는, 예를 들어 0MPa 이상, 바람직하게는 1MPa 이상으로 하는 것이 기재되어 있으며, 또한 접착 테이프에 의도적으로 가해지는 압력이 0MPa이어도, 접착 테이프 상에 배치된 부재의 자중에 의해, 접착 테이프에 소정의 압력이 가해질 수도 있는 것이 기재되어 있다. WO2008/023452A1에서는, 접착 테이프에 의도적으로 가해지는 압력이 0MPa일 수도 있는 것은 기재되어 있지만, 0MPa를 초과하는 압력을 부여한 경우와 0MPa로 한 경우의 효과의 차이에 대해서는, 전혀 기재되어 있지 않다.Further, in WO2008 / 023452A1, it is described that, from the viewpoint of efficiently moving the solder powder to the electrode surface, the solder powder is pressed at a predetermined pressure at the time of bonding, and the pressing pressure is higher than the pressure , It is described that the pressure is 0 MPa or more, preferably 1 MPa or more, and even if the pressure which is intentionally applied to the adhesive tape is 0 MPa, the self- Pressure may be applied. In WO2008 / 023452A1, it is described that the pressure to be applied to the adhesive tape may be 0 MPa, but there is no description of the difference in the effect when the pressure exceeding 0 MPa is applied and when the pressure is 0 MPa.

또한, 도전 필름이 아니라, 도전 페이스트를 사용하면, 도전 페이스트의 도포량에 의해 접속부의 두께를 적절히 조정하는 것도 가능하다. 한편, 도전 필름에서는, 접속부의 두께를 변경하거나, 조정하거나 하기 위해서는, 상이한 두께의 도전 필름을 준비하거나, 소정의 두께의 도전 필름을 준비하거나 해야 한다는 문제가 있다.If the conductive paste is used instead of the conductive film, the thickness of the connection portion can be appropriately adjusted by the application amount of the conductive paste. On the other hand, in the case of the conductive film, in order to change or adjust the thickness of the connection portion, there is a problem that a conductive film having a different thickness is prepared or a conductive film having a predetermined thickness is prepared.

이하, 도면을 참조하면서, 본 발명의 구체적인 실시 형태 및 실시예를 설명함으로써, 본 발명을 명확히 한다.Best Mode for Carrying Out the Invention Hereinafter, the present invention will be clarified by explaining specific embodiments and examples of the present invention with reference to the drawings.

우선, 도 1에 본 발명의 일 실시 형태에 관한 도전 페이스트를 사용하여 얻어지는 접속 구조체를 모식적으로 부분 절결 정면 단면도로 도시한다.First, Fig. 1 schematically shows a partially cut-away front cross-sectional view of a connection structure obtained by using a conductive paste according to an embodiment of the present invention.

도 1에 도시하는 접속 구조체(1)는 제1 접속 대상 부재(2)와, 제2 접속 대상 부재(3)와, 제1 접속 대상 부재(2)와 제2 접속 대상 부재(3)를 접속하고 있는 접속부(4)를 구비한다. 접속부(4)는 열경화성 성분과, 복수의 땜납 입자를 포함하는 도전 페이스트에 의해 형성되어 있다. 이 도전 페이스트에서는, 상기 열경화성 성분의 본경화에 있어서의 발열 피크 톱 온도와, 상기 땜납 입자의 용융에 있어서의 흡열 피크 톱 온도가 상술한 관계를 만족한다.The connection structure 1 shown in Fig. 1 has a structure in which a first connection target member 2, a second connection target member 3 and a first connection target member 2 and a second connection target member 3 are connected (Not shown). The connecting portion 4 is formed of a thermosetting component and a conductive paste containing a plurality of solder particles. In this conductive paste, the exothermic peak top temperature in the main curing of the thermosetting component and the endothermic peak top temperature in the melting of the solder particles satisfy the above-described relationship.

접속부(4)는 복수의 땜납 입자가 모여 서로 접합한 땜납부(4A)와, 열경화성 성분이 열경화된 경화물부(4B)를 갖는다.The connecting portion 4 has a soldering portion 4A in which a plurality of solder particles are gathered and joined together and a cured portion 4B in which a thermosetting component is thermally cured.

제1 접속 대상 부재(2)는 표면(상면)에, 복수의 제1 전극(2a)을 갖는다. 제2 접속 대상 부재(3)는 표면(하면)에 복수의 제2 전극(3a)을 갖는다. 제1 전극(2a)과 제2 전극(3a)이 땜납부(4A)에 의해 전기적으로 접속되어 있다. 따라서, 제1 접속 대상 부재(2)와 제2 접속 대상 부재(3)가 땜납부(4A)에 의해 전기적으로 접속되어 있다. 또한, 접속부(4)에 있어서, 제1 전극(2a)과 제2 전극(3a) 사이에 모인 땜납부(4A)와는 상이한 영역(경화물부(4B) 부분)에서는, 땜납은 존재하지 않는다. 땜납부(4A)와는 상이한 영역(경화물부(4B) 부분)에서는, 땜납부(4A)와 떨어진 땜납은 존재하지 않는다. 또한, 소량이면, 제1 전극(2a)과 제2 전극(3a) 사이에 모인 땜납부(4A)와는 상이한 영역(경화물부(4B) 부분)에 땜납이 존재하고 있을 수도 있다.The first connection target member 2 has a plurality of first electrodes 2a on its surface (upper surface). The second connection target member 3 has a plurality of second electrodes 3a on its surface (lower surface). The first electrode 2a and the second electrode 3a are electrically connected by the soldering portion 4A. Therefore, the first connection target member 2 and the second connection target member 3 are electrically connected by the solder portion 4A. In the region (cured portion 4B) different from the soldering portion 4A gathered between the first electrode 2a and the second electrode 3a in the connecting portion 4, there is no solder. In the region different from the soldering portion 4A (the portion of the hardened portion 4B), there is no solder separated from the soldering portion 4A. If the amount is small, solder may exist in a region (cured portion 4B) different from the soldering portion 4A gathered between the first electrode 2a and the second electrode 3a.

도 1에 도시한 바와 같이, 접속 구조체(1)에서는 복수의 땜납 입자가 용융된 후, 땜납 입자의 용융물이 전극의 표면을 번진 후에 고화되어, 땜납부(4A)가 형성되어 있다. 이로 인해, 땜납부(4A)와 제1 전극(2a) 및 땜납부(4A)와 제2 전극(3a)의 접속 면적이 커진다. 즉, 땜납 입자를 사용함으로써, 도전성의 외표면이 니켈, 금 또는 구리 등의 금속인 도전성 입자를 사용한 경우와 비교하여, 땜납부(4A)와 제1 전극(2a) 및 땜납부(4A)와 제2 전극(3a)의 접촉 면적이 커진다. 이로 인해, 접속 구조체(1)에 있어서의 도통 신뢰성 및 접속 신뢰성이 높아진다. 또한, 도전 페이스트는 플럭스를 포함하고 있을 수도 있다. 플럭스를 사용한 경우에는 가열에 의해 일반적으로 플럭스는 점차 실활한다.As shown in Fig. 1, in the connection structure 1, after the plurality of solder particles are melted, the melts of the solder particles are solidified after the surface of the electrodes are widened to form the soldering portions 4A. As a result, the connection area between the solder portion 4A and the first electrode 2a, the solder portion 4A, and the second electrode 3a is increased. In other words, by using the solder particles, the solder portion 4A, the first electrode 2a, the solder portion 4A, and the solder portion 4A can be formed in the same manner as in the case of using conductive particles whose conductive outer surface is a metal such as nickel, The contact area of the second electrode 3a becomes large. As a result, conduction reliability and connection reliability in the connection structure 1 are enhanced. The conductive paste may also contain flux. In the case of using flux, the flux generally gradually deactivates by heating.

또한, 도 1에 도시하는 접속 구조체(1)에서는, 땜납부(4A) 모두가, 제1, 제2 전극(2a, 3a)간의 대향하고 있는 영역에 위치하고 있다. 도 3에 도시하는 변형예의 접속 구조체(1X)는, 접속부(4X)만이, 도 1에 도시하는 접속 구조체(1)와 상이하다. 접속부(4X)는, 땜납부(4XA)와 경화물부(4XB)를 갖는다. 접속 구조체(1X)와 같이, 땜납부(4XA)의 대부분이 제1, 제2 전극(2a, 3a)의 대향하고 있는 영역에 위치하고 있으며, 땜납부(4XA)의 일부가 제1, 제2 전극(2a, 3a)의 대향하고 있는 영역으로부터 측방으로 비어져 나올 수도 있다. 제1, 제2 전극(2a, 3a)의 대향하고 있는 영역으로부터 측방으로 비어져 나와 있는 땜납부(4XA)는, 땜납부(4XA)의 일부이며, 땜납부(4XA)로부터 떨어진 땜납이 아니다. 또한, 본 실시 형태에서는, 땜납부로부터 떨어진 땜납의 양을 적게 할 수 있지만, 땜납부로부터 떨어진 땜납이 경화물부 중에 존재하고 있을 수도 있다.In the connection structure 1 shown in Fig. 1, all of the soldering portions 4A are located in the regions where the first and second electrodes 2a and 3a face each other. The connection structure 1X of the modified example shown in Fig. 3 is different from the connection structure 1 shown in Fig. 1 only in the connection portion 4X. The connecting portion 4X has a soldering portion 4XA and a cured portion 4XB. Most of the soldering portion 4XA is located in a region where the first and second electrodes 2a and 3a face each other and the soldering portion 4XA is partly covered by the first and second electrodes 2a and 3a, Or may be sideways from the opposed regions of the first and second plates 2a and 3a. The soldering portion 4XA that is laterally displaced from the opposing region of the first and second electrodes 2a and 3a is a part of the soldering portion 4XA and is not solder away from the soldering portion 4XA. Further, in the present embodiment, the amount of solder away from the solder portion can be reduced, but solder away from the solder portion may be present in the hardened portion.

땜납 입자의 사용량을 적게 하면, 접속 구조체(1)를 얻는 것이 용이해진다. 땜납 입자의 사용량을 많게 하면, 접속 구조체(1X)를 얻는 것이 용이해진다.When the usage amount of the solder particles is reduced, it is easy to obtain the connection structure 1. If the amount of solder particles used is increased, it is easy to obtain the connection structure 1X.

이어서, 본 발명의 일 실시 형태에 관한 도전 페이스트를 사용하여, 접속 구조체(1)를 제조하는 방법의 일례를 설명한다.Next, an example of a method of manufacturing the connection structure 1 using the conductive paste according to one embodiment of the present invention will be described.

우선, 제1 전극(2a)을 표면(상면)에 갖는 제1 접속 대상 부재(2)를 준비한다. 이어서, 도 2의 (a)에 도시한 바와 같이, 제1 접속 대상 부재(2)의 표면 상에, 열경화성 성분(11B)과, 복수의 땜납 입자(11A)를 포함하는 도전 페이스트(11)를 배치한다(제1 공정). 제1 접속 대상 부재(2)의 제1 전극(2a)이 형성된 표면 상에 도전 페이스트(11)를 배치한다. 도전 페이스트(11)의 배치 후에, 땜납 입자(11A)는, 제1 전극(2a)(라인) 상과, 제1 전극(2a)이 형성되어 있지 않은 영역(스페이스) 상의 양쪽에 배치되어 있다.First, a first connection target member 2 having a first electrode 2a on its surface (upper surface) is prepared. 2 (a), a thermosetting component 11B and a conductive paste 11 including a plurality of solder particles 11A are formed on the surface of the first connection target member 2, (First step). The conductive paste 11 is disposed on the surface of the first connection target member 2 on which the first electrode 2a is formed. After the conductive paste 11 is disposed, the solder particles 11A are arranged on both the first electrode 2a (line) and the region where the first electrode 2a is not formed (space).

도전 페이스트(11)의 배치 방법으로서는, 특별히 한정되지 않지만, 디스펜서에 의한 도포, 스크린 인쇄 및 잉크젯 장치에 의한 토출 등을 들 수 있다.The method of disposing the conductive paste 11 is not particularly limited, and examples thereof include coating with a dispenser, screen printing, and ejection with an inkjet apparatus.

또한, 제2 전극(3a)을 표면(하면)에 갖는 제2 접속 대상 부재(3)를 준비한다. 이어서, 도 2의 (b)에 도시한 바와 같이, 제1 접속 대상 부재(2)의 표면 상의 도전 페이스트(11)에 있어서, 도전 페이스트(11)의 제1 접속 대상 부재(2)측과는 반대측의 표면 상에 제2 접속 대상 부재(3)를 배치한다(제2 공정). 도전 페이스트(11)의 표면 상에 제2 전극(3a)측으로부터, 제2 접속 대상 부재(3)를 배치한다. 이때, 제1 전극(2a)과 제2 전극(3a)을 대향시킨다.Furthermore, a second connection target member 3 having a second electrode 3a on its surface (lower surface) is prepared. 2 (b), in the conductive paste 11 on the surface of the first connection target member 2, the conductive paste 11 is separated from the first connection target member 2 side And the second connection target member 3 is arranged on the surface on the opposite side (second step). The second connection target member 3 is arranged on the surface of the conductive paste 11 from the second electrode 3a side. At this time, the first electrode 2a and the second electrode 3a are opposed to each other.

이어서, 땜납 입자(11A)의 융점 이상 및 열경화성 성분(11B)의 경화 온도 이상으로 도전 페이스트(11)를 가열한다(제3 공정). 즉, 땜납 입자(11A)의 융점 및 열경화성 성분(11B)의 경화 온도 중 보다 낮은 온도 이상으로 도전 페이스트(11)를 가열한다. 이 가열 시에는, 전극이 형성되어 있지 않은 영역에 존재하고 있던 땜납 입자(11A)는 제1 전극(2a)과 제2 전극(3a) 사이에 모인다(자기 응집 효과). 본 실시 형태에서는, 도전 필름이 아니라, 도전 페이스트를 사용하고 있기 때문에, 땜납 입자(11A)가, 제1 전극(2a)과 제2 전극(3a) 사이에 효과적으로 모인다. 또한, 땜납 입자(11A)는 용융되어, 서로 접합한다. 또한, 열경화성 성분(11B)은 열경화된다. 이 결과, 도 2의 (c)에 도시한 바와 같이, 제1 접속 대상 부재(2)와 제2 접속 대상 부재(3)를 접속하고 있는 접속부(4)를, 도전 페이스트(11)에 의해 형성한다. 도전 페이스트(11)에 의해 접속부(4)가 형성되고, 복수의 땜납 입자(11A)가 접합됨으로써 땜납부(4A)가 형성되고, 열경화성 성분(11B)가 열 경화됨으로써 경화물부(4B)가 형성된다. 땜납 입자(3)가 빠르게 이동하면, 제1 전극(2a)과 제2 전극(3a) 사이에 위치하고 있지 않은 땜납 입자(3)의 이동이 개시하고 나서, 제1 전극(2a)과 제2 전극(3a) 사이에 땜납 입자(3)의 이동이 완료될 때까지 온도를 일정하게 유지하지 않을 수도 있다.Subsequently, the conductive paste 11 is heated to a temperature not lower than the melting point of the solder particles 11A and not lower than the hardening temperature of the thermosetting component 11B (third step). That is, the conductive paste 11 is heated at a temperature lower than the melting point of the solder particles 11A and the curing temperature of the thermosetting component 11B. During this heating, the solder particles 11A existing in the regions where the electrodes are not formed are gathered between the first electrode 2a and the second electrode 3a (magnetic cohesion effect). In this embodiment, since the conductive paste is used instead of the conductive film, the solder particles 11A are effectively gathered between the first electrode 2a and the second electrode 3a. Further, the solder particles 11A are melted and bonded to each other. Further, the thermosetting component 11B is thermally cured. As a result, as shown in Fig. 2C, the connecting portion 4 connecting the first connection target member 2 and the second connection target member 3 is formed by the conductive paste 11 do. The connecting portion 4 is formed by the conductive paste 11 and the solder portion 4A is formed by bonding a plurality of solder particles 11A to thermally cure the thermosetting component 11B, . When the solder particles 3 move quickly, the movement of the solder particles 3 which are not positioned between the first electrode 2a and the second electrode 3a starts, and then the first electrode 2a and the second electrode 3a, The temperature may not be constantly maintained until the movement of the solder particles 3 is completed between the solder balls 3a.

본 실시 형태에서는, 상기 제2 공정 및 상기 제3 공정에 있어서, 가압을 행하지 않는다. 본 실시 형태에서는, 도전 페이스트(11)에는 제2 접속 대상 부재(3)의 중량이 가해진다. 이로 인해, 접속부(4)의 형성 시에, 땜납 입자(11A)가, 제1 전극(2a)과 제2 전극(3a) 사이에 효과적으로 모인다. 또한, 상기 제2 공정 및 상기 제3 공정 중 적어도 한 쪽에 있어서, 가압을 행하면, 땜납 입자가 제1 전극과 제2 전극 사이에 모이려고 하는 작용이 저해되는 경향이 높아진다. 이것은, 본 발명자들에 의해 발견되었다.In the present embodiment, no pressure is applied in the second step and the third step. In the present embodiment, the weight of the second connection target member 3 is applied to the conductive paste 11. This allows the solder particles 11A to effectively gather between the first electrode 2a and the second electrode 3a at the time of forming the connection portion 4. In addition, when the pressing is performed in at least one of the second step and the third step, the tendency that the action of the solder particles to gather between the first electrode and the second electrode is inhibited becomes high. This was discovered by the present inventors.

또한, 제3 공정 전반에, 예비 가열 공정을 마련할 수도 있다. 이 예비 가열 공정이란, 도전 페이스트(11)에, 제2 접속 대상 부재(3)의 중량이 가해진 상태에서, 땜납의 용융 온도 이상, 실질적으로 열경화성 성분(11B)이 열경화되지 않는 온도에서, 5초 내지 60초의 가열을 행하는 공정의 것을 의미한다. 이 공정을 마련함으로써, 땜납 입자의 제1 전극과 제2 전극 사이에 모이려고 하는 작용이 더욱 높아짐과 함께, 제1 접속 대상 부재와 제2 접속 대상 부재 사이에 발생할 가능성이 있는 보이드를 억제할 수 있다.In addition, a preliminary heating process may be provided throughout the third process. This preliminary heating step is a step of heating the conductive paste 11 at a temperature at which the weight of the second connection target member 3 is applied and the temperature at which the thermosetting component 11B is not thermally cured at a temperature higher than the melting temperature of the solder Quot; means a step of heating for 60 seconds to 60 seconds. By providing this step, the action to be collected between the first electrode and the second electrode of the solder particles is further enhanced, and the voids that may occur between the first connection object member and the second connection object member can be suppressed have.

이와 같이 하여, 도 1에 도시하는 접속 구조체(1)가 얻어진다. 또한, 상기 제2 공정과 상기 제3 공정은 연속하여 행할 수도 있다. 또한, 상기 제2 공정을 행한 후에, 얻어지는 제1 접속 대상 부재(2)와 도전 페이스트(11)와 제2 접속 대상 부재(3)의 적층체를, 가열부로 이동시켜, 상기 제3 공정을 행할 수도 있다. 상기 가열을 행하기 위하여, 가열 부재 위에 상기 적층체를 배치할 수도 있고, 가열된 공간 내에 상기 적층체를 배치할 수도 있다.In this manner, the connection structure 1 shown in Fig. 1 is obtained. Further, the second step and the third step may be performed continuously. After the second step is performed, the resulting laminate of the first connection target member 2, the conductive paste 11, and the second connection target member 3 is moved to the heating portion, and the third step is performed It is possible. In order to perform the heating, the laminate may be disposed on the heating member, or the laminate may be disposed in the heated space.

도통 신뢰성을 한층 더 높이는 관점에서는, 접속 구조체(1, 1X)에서는, 제1 전극(2a)과 접속부(4)와 제2 전극(3a)의 적층 방향으로 제1 전극(2a)과 제2 전극(3a)의 서로 대향하는 부분을 보았을 때에, 제1 전극(2a)과 제2 전극(3a)의 서로 대향하는 부분의 면적 100% 중의 50% 이상으로, 접속부(4, 4X) 중의 땜납부(4A, 4XA)가 배치되어 있는 접속 구조체(1, 1X)를 얻는 것이 바람직하다.The connection structures 1 and 1X are provided with the first electrode 2a and the second electrode 3a in the stacking direction of the first electrode 2a and the connection portion 4 and the second electrode 3a, (50% or more of the area 100% of the mutually facing portions of the first electrode 2a and the second electrode 3a) of the soldering portion (4A, 4B) in the connecting portions 4, 4A, and 4XA are disposed on the connection structure 1, 1X.

상기 제3 공정에서의 가열 온도는, 땜납 입자의 융점 이상 및 열경화성 성분의 경화 온도 이상이면 특별히 한정되지 않는다. 상기 가열 온도는, 바람직하게는 130℃ 이상, 보다 바람직하게는 160℃ 이상, 바람직하게는 450℃ 이하, 보다 바람직하게는 250℃ 이하, 더욱 바람직하게는 200℃ 이하이다.The heating temperature in the third step is not particularly limited as long as it is not lower than the melting point of the solder particles and is not lower than the hardening temperature of the thermosetting component. The heating temperature is preferably 130 占 폚 or higher, more preferably 160 占 폚 or higher, preferably 450 占 폚 or lower, more preferably 250 占 폚 or lower, further preferably 200 占 폚 or lower.

상기 예비 가열 공정의 온도는, 바람직하게는 100℃ 이상, 보다 바람직하게는 120℃ 이상, 더욱 바람직하게는 140℃ 이상, 바람직하게는 160℃ 미만, 보다 바람직하게는 150℃ 이하이다.The temperature of the preliminary heating step is preferably 100 占 폚 or higher, more preferably 120 占 폚 or higher, further preferably 140 占 폚 or higher, preferably 160 占 폚 or lower, more preferably 150 占 폚 or lower.

또한, 상기 제1 접속 대상 부재는, 적어도 1개의 제1 전극을 갖고 있으면 된다. 상기 제1 접속 대상 부재는 복수의 제1 전극을 갖는 것이 바람직하다. 상기 제2 접속 대상 부재는, 적어도 1개의 제2 전극을 갖고 있으면 된다. 상기 제2 접속 대상 부재는 복수의 제2 전극을 갖는 것이 바람직하다.The first connection target member may have at least one first electrode. It is preferable that the first connection target member has a plurality of first electrodes. The second connection target member may have at least one second electrode. The second connection target member preferably has a plurality of second electrodes.

상기 제1, 제2 접속 대상 부재는, 특별히 한정되지 않는다. 상기 제1, 제2 접속 대상 부재로서는, 구체적으로는 반도체 칩, 콘덴서 및 다이오드 등의 전자 부품 및 수지 필름, 프린트 기판, 플렉시블 프린트 기판, 플렉시블 플랫 케이블, 리지드 플렉시블 기판, 유리 에폭시 기판 및 유리 기판 등의 회로 기판 등의 전자 부품 등을 들 수 있다. 상기 제1, 제2 접속 대상 부재는 전자 부품인 것이 바람직하다.The first and second connection target members are not particularly limited. Specifically, examples of the first and second connection target members include electronic parts such as a semiconductor chip, a capacitor and a diode, and a resin film, a printed board, a flexible printed board, a flexible flat cable, a rigid flexible board, a glass epoxy board and a glass board An electronic component such as a circuit board of a printed circuit board. It is preferable that the first and second connection target members are electronic parts.

상기 제1 접속 대상 부재 및 상기 제2 접속 대상 부재 중 적어도 한 쪽이, 수지 필름, 플렉시블 프린트 기판, 플렉시블 플랫 케이블 또는 리지드 플렉시블 기판인 것이 바람직하다. 상기 제2 접속 대상 부재가, 수지 필름, 플렉시블 프린트 기판, 플렉시블 플랫 케이블 또는 리지드 플렉시블 기판인 것이 바람직하다. 수지 필름, 플렉시블 프린트 기판, 플렉시블 플랫 케이블 및 리지드 플렉시블 기판은, 유연성이 높고, 비교적 경량이라는 성질을 갖는다. 이러한 접속 대상 부재의 접속에 도전 필름을 사용한 경우에는 땜납 입자가 전극 상에 모이기 어려운 경향이 있다. 이에 대해, 본 발명에 관한 도전 페이스트를 사용하고 있기 때문에, 수지 필름, 플렉시블 프린트 기판, 플렉시블 플랫 케이블 또는 리지드 플렉시블 기판을 사용했다고 해도 땜납 입자를 전극 상에 효율적으로 모을 수 있어, 전극간의 도통 신뢰성을 충분히 높일 수 있다. 수지 필름, 플렉시블 프린트 기판, 플렉시블 플랫 케이블 또는 리지드 플렉시블 기판을 사용하는 경우에, 반도체 칩 등의 다른 접속 대상 부재를 사용한 경우에 비하여, 가압을 행하지 않는 것에 의한 전극간의 도통 신뢰성의 향상 효과가 한층 더 효과적으로 얻어진다. 상기 제1, 제2 접속 대상 부재는, 수지 필름, 플렉시블 프린트 기판 또는 플렉시블 플랫 케이블일 수도 있고, 리지드 플렉시블 기판일 수도 있다.It is preferable that at least one of the first connection target member and the second connection target member is a resin film, a flexible printed circuit board, a flexible flat cable, or a rigid flexible substrate. It is preferable that the second connection target member is a resin film, a flexible printed circuit board, a flexible flat cable, or a rigid flexible substrate. The resin film, the flexible printed circuit board, the flexible flat cable, and the rigid flexible substrate have high flexibility and relatively light weight properties. In the case of using a conductive film for connection of such members to be connected, there is a tendency that the solder particles are difficult to collect on the electrode. On the other hand, since the conductive paste according to the present invention is used, even if a resin film, a flexible printed circuit board, a flexible flat cable, or a rigid flexible substrate is used, the solder particles can be efficiently collected on the electrode, Can be increased sufficiently. In the case of using a resin film, a flexible printed circuit board, a flexible flat cable, or a rigid flexible substrate, the effect of improving the conduction reliability between the electrodes by not pressing is further improved compared with the case of using other members to be connected such as semiconductor chips . The first and second connection target members may be a resin film, a flexible printed circuit board, a flexible flat cable, or a rigid flexible substrate.

상기 접속 대상 부재에 형성되어 있는 전극으로서는, 금 전극, 니켈 전극, 주석 전극, 알루미늄 전극, 구리 전극, 은 전극, 몰리브덴 전극, SUS 전극 및 텅스텐 전극 등의 금속 전극을 들 수 있다. 상기 접속 대상 부재가 플렉시블 프린트 기판 또는 플렉시블 플랫 케이블인 경우에는, 상기 전극은 금 전극, 니켈 전극, 주석 전극, 은 전극 또는 구리 전극인 것이 바람직하다. 상기 접속 대상 부재가 유리 기판인 경우에는, 상기 전극은 알루미늄 전극, 구리 전극, 몰리브덴 전극, 은 전극 또는 텅스텐 전극인 것이 바람직하다. 또한, 상기 전극이 알루미늄 전극인 경우에는 알루미늄만으로 형성된 전극일 수도 있고, 금속 산화물층의 표면에 알루미늄층이 적층된 전극일 수도 있다. 상기 금속 산화물층의 재료로서는, 3가의 금속 원소가 도핑된 산화인듐 및 3가의 금속 원소가 도핑된 산화아연 등을 들 수 있다. 상기 3가의 금속 원소로서는 Sn, Al 및 Ga 등을 들 수 있다.Examples of the electrode formed on the member to be connected include metal electrodes such as a gold electrode, a nickel electrode, a tin electrode, an aluminum electrode, a copper electrode, a silver electrode, a molybdenum electrode, a SUS electrode, and a tungsten electrode. When the connection target member is a flexible printed circuit board or a flexible flat cable, the electrode is preferably a gold electrode, a nickel electrode, a tin electrode, a silver electrode, or a copper electrode. When the connection target member is a glass substrate, it is preferable that the electrode is an aluminum electrode, a copper electrode, a molybdenum electrode, a silver electrode, or a tungsten electrode. When the electrode is an aluminum electrode, it may be an electrode formed only of aluminum, or an electrode in which an aluminum layer is laminated on the surface of the metal oxide layer. Examples of the material of the metal oxide layer include indium oxide doped with a trivalent metal element and zinc oxide doped with a trivalent metal element. Examples of the trivalent metal element include Sn, Al and Ga.

상기 제1 전극과 상기 제2 전극이 대향하고 있는 위치에 있어서의 상기 접속부의 거리 D1은 바람직하게는 1㎛ 이상, 보다 바람직하게는 3㎛ 이상, 바람직하게는 40㎛ 이하, 보다 바람직하게는 30㎛ 이하이다. 상기 거리 D1이 상기 하한 이상이면 접속부와 접속 대상 부재의 접속 신뢰성이 한층 더 높아진다. 상기 거리 D1이 상기 상한 이하이면, 접속부의 형성 시에 땜납 입자가 전극 상에 한층 더 모이기 쉬워져, 전극간의 도통 신뢰성이 한층 더 높아진다. 또한, 전극간의 도통 신뢰성을 한층 더 높이는 관점에서는, 상기 거리 D1은 바람직하게는 10㎛ 이상, 보다 바람직하게는 12㎛ 이상이다.The distance D1 of the connecting portion at a position where the first electrode and the second electrode face each other is preferably 1 mu m or more, more preferably 3 mu m or more, preferably 40 mu m or less, more preferably 30 Mu m or less. If the distance D1 is equal to or lower than the lower limit, the connection reliability of the connecting portion and the member to be connected becomes further higher. When the distance D1 is less than the upper limit, the solder particles are more likely to gather on the electrode at the time of forming the connection portion, and the reliability of the conduction between the electrodes is further increased. From the viewpoint of further enhancing the conduction reliability between the electrodes, the distance D1 is preferably 10 占 퐉 or more, and more preferably 12 占 퐉 or more.

땜납 입자를 전극 상에 한층 더 효율적으로 배치하기 위하여, 상기 도전 페이스트의 25℃에서의 점도 η1은 바람직하게는 10Pa·s 이상, 보다 바람직하게는 50Pa·s 이상, 더욱 바람직하게는 100Pa·s 이상, 바람직하게는 800Pa·s 이하, 보다 바람직하게는 600Pa·s 이하, 더욱 바람직하게는 500Pa·s 이하이다.In order to more effectively arrange the solder particles on the electrode, the viscosity? 1 at 25 占 폚 of the conductive paste is preferably 10 Pa · s or more, more preferably 50 Pa · s or more, further preferably 100 Pa · s or more , Preferably not more than 800 Pa · s, more preferably not more than 600 Pa · s, even more preferably not more than 500 Pa · s.

상기 점도는 배합 성분의 종류 및 배합량으로 적절히 조정 가능하다. 또한, 필러의 사용에 의해 점도를 비교적 높일 수 있다.The viscosity can be appropriately adjusted depending on the type and blending amount of the compounding ingredients. In addition, the viscosity can be relatively increased by use of a filler.

상기 점도는, 예를 들어 E형 점도계(도키 산교사제) 등을 사용하여, 25℃ 및 5rpm의 조건에서 측정 가능하다.The viscosity can be measured at 25 캜 and 5 rpm using, for example, an E-type viscometer (manufactured by Toki Sangyo Co., Ltd.).

25℃ 이상, 상기 땜납 입자(땜납)의 융점 ℃ 이하의 온도 영역에서의, 상기 도전 페이스트의 점도 최저값(최저 용융 점도의 값)은, 바람직하게는 0.1Pa·s 이상, 보다 바람직하게는 0.2Pa·s 이상, 바람직하게는 10Pa·s 이하, 보다 바람직하게는 1Pa·s 이하이다. 상기 점도의 최저값이 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 땜납 입자를 전극 상에 한층 더 효율적으로 배치할 수 있다.The minimum viscosity value (minimum melt viscosity value) of the conductive paste in the temperature range of 25 占 폚 or more and the melting point of the solder particles (solder) or less is preferably 0.1 Pa · s or more, more preferably 0.2 Pa S or more, preferably 10 Pa · s or less, and more preferably 1 Pa · s or less. When the lowest value of the viscosity is not less than the lower limit and not more than the upper limit, the solder particles can be arranged more efficiently on the electrode.

상기 점도의 최저값은, 스트레스테크(STRESSTECH)(에올로지카(EOLOGICA)사제) 등을 사용하여, 변형 제어 1rad, 주파수 1Hz, 승온 속도 20℃/분, 측정 온도 범위 40 내지 200℃(단, 땜납 입자의 융점이 200℃를 초과한 경우에는 온도 상한을 땜납 입자의 융점으로 함)의 조건에서 측정 가능하다. 측정 결과로부터, 땜납 입자의 융점 ℃ 이하의 온도 영역에서의 점도의 최저값이 평가된다.The lowest value of the viscosity was measured by using a strain control 1rad, a frequency of 1 Hz, a temperature raising rate of 20 占 폚 / min, a measuring temperature range of 40 to 200 占 폚 (provided that solder And when the melting point of the particles exceeds 200 캜, the upper limit of the temperature is defined as the melting point of the solder particles). From the measurement results, the lowest value of the viscosity in the temperature range of the melting point of the solder particle or less is evaluated.

상기 도전 페이스트는 열경화성 성분과 복수의 땜납 입자를 포함한다. 상기 열경화성 성분은, 가열에 의해 경화 가능한 경화성 화합물(열경화성 화합물)과, 열경화제를 포함하는 것이 바람직하다. 상기 도전 페이스트는 플럭스를 포함하는 것이 바람직하다.The conductive paste includes a thermosetting component and a plurality of solder particles. The thermosetting component preferably includes a curing compound (thermosetting compound) that can be cured by heating and a thermosetting agent. The conductive paste preferably includes a flux.

이하, 본 발명의 다른 상세를 설명한다.Hereinafter, other details of the present invention will be described.

(땜납 입자) (Solder particles)

상기 땜납 입자는, 땜납을 도전성의 외표면에 갖는다. 상기 땜납 입자는, 중심 부분 및 도전성의 외표면 모두 땜납에 의해 형성되어 있다.The solder particles have solder on the conductive outer surface. The solder particles are formed by solder on both the center portion and the conductive outer surface.

상기 땜납은, 융점이 450℃ 이하인 저융점 금속인 것이 바람직하다. 상기 땜납 입자는, 융점이 450℃ 이하인 저융점 금속 입자인 것이 바람직하다. 상기 저융점 금속 입자는 저융점 금속을 포함하는 입자이다. 해당 저융점 금속이란, 융점이 450℃ 이하인 금속을 나타낸다. 저융점 금속의 융점은 바람직하게는 300℃ 이하, 보다 바람직하게는 160℃ 이하이다. 또한, 상기 땜납 입자는 주석을 포함한다. 상기 땜납 입자에 포함되는 금속 100중량% 중 주석의 함유량은 바람직하게는 30중량% 이상, 보다 바람직하게는 40중량% 이상, 더욱 바람직하게는 70중량% 이상, 특히 바람직하게는 90중량% 이상이다. 상기 땜납 입자에 있어서의 주석의 함유량이 상기 하한 이상이면 땜납부와 전극의 접속 신뢰성이 한층 더 높아진다.The solder is preferably a low melting point metal having a melting point of 450 캜 or lower. The solder particles are preferably low melting point metal particles having a melting point of 450 캜 or lower. The low melting point metal particles are particles containing a low melting point metal. The low melting point metal means a metal having a melting point of 450 캜 or lower. The melting point of the low melting point metal is preferably 300 DEG C or lower, more preferably 160 DEG C or lower. Further, the solder particles include tin. The content of tin in 100 wt% of the metal contained in the solder particles is preferably at least 30 wt%, more preferably at least 40 wt%, still more preferably at least 70 wt%, particularly preferably at least 90 wt% . When the content of tin in the solder particles is lower than the lower limit described above, connection reliability between the solder portion and the electrode is further enhanced.

또한, 상기 주석의 함유량은 고주파 유도 결합 플라즈마 발광 분광 분석 장치(호리바 세이사쿠쇼사제 「ICP-AES」), 또는 형광 X선 분석 장치(시마즈 세이사쿠쇼사제 「EDX-800HS」) 등을 사용하여 측정 가능하다.The content of the tin was measured using a high frequency inductively coupled plasma emission spectrochemical analyzer ("ICP-AES" manufactured by Horiba Seisakusho Co., Ltd.) or a fluorescent X-ray analyzer ("EDX-800HS" available from Shimadzu Corporation) It is measurable.

상기 땜납 입자를 사용함으로써 땜납이 용융하여 전극에 접합하고, 땜납부가 전극간을 도통시킨다. 예를 들어, 땜납부와 전극이 점접촉이 아니고 면접촉하기 쉽기 때문에, 접속 저항이 낮아진다. 또한, 땜납 입자의 사용에 의해, 땜납부와 전극의 접합 강도가 높아지는 결과, 땜납부와 전극의 박리가 한층 더 발생하기 어려워져, 도통 신뢰성 및 접속 신뢰성이 효과적으로 높아진다.By using the solder particles, the solder is melted and bonded to the electrode, and the solder portion conducts between the electrodes. For example, since the solder portion and the electrode are not in point contact but in surface contact, the connection resistance is lowered. In addition, by using the solder particles, the bonding strength between the solder portion and the electrode is increased. As a result, the solder portion and the electrode are less likely to be peeled off, and the conduction reliability and the connection reliability are effectively increased.

상기 땜납 입자를 구성하는 저융점 금속은 특별히 한정되지 않는다. 해당 저융점 금속은, 주석, 또는 주석을 포함하는 합금인 것이 바람직하다. 해당 합금은, 주석-은 합금, 주석-구리 합금, 주석-은-구리 합금, 주석-비스무트 합금, 주석-아연 합금, 주석-인듐 합금 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 전극에 대한 습윤성이 우수한 점에서, 상기 저융점 금속은, 주석, 주석-은 합금, 주석-은-구리 합금, 주석-비스무트 합금, 주석-인듐 합금인 것이 바람직하다. 주석-비스무트 합금, 주석-인듐 합금인 것이 보다 바람직하다.The low melting point metal constituting the solder particles is not particularly limited. The low melting point metal is preferably an alloy containing tin or tin. Examples of the alloy include tin-silver alloy, tin-copper alloy, tin-silver-copper alloy, tin-bismuth alloy, tin-zinc alloy and tin-indium alloy. Among them, it is preferable that the low melting point metal is tin, a tin-silver alloy, a tin-silver-copper alloy, a tin-bismuth alloy, and a tin-indium alloy from the viewpoint of excellent wettability to electrodes. Tin-bismuth alloy, and tin-indium alloy.

상기 땜납 입자는, JIS Z3001: 용접 용어에 기초하여, 액상선이 450℃ 이하인 용가재인 것이 바람직하다. 상기 땜납 입자의 조성으로서는, 예를 들어 아연, 금, 은, 납, 구리, 주석, 비스무트, 인듐 등을 포함하는 금속 조성을 들 수 있다. 그 중에서도 저융점이고 납 프리인 주석-인듐계(117℃ 공정), 또는 주석-비스무트계(139℃ 공정)가 바람직하다. 즉, 상기 땜납 입자는, 납을 포함하지 않는 것이 바람직하고, 주석과 인듐을 포함하거나 또는 주석과 비스무트를 포함하는 것이 바람직하다.The solder particles are preferably a filler material having a liquidus temperature of 450 DEG C or less based on JIS Z3001: welding terminology. Examples of the composition of the solder particles include metal compositions including zinc, gold, silver, lead, copper, tin, bismuth, indium and the like. Among them, tin-indium based (117 ° C process) or tin-bismuth process (139 ° C process) which is a low melting point and lead-free is preferable. That is, the solder particles preferably contain no lead, and preferably contain tin and indium or contain tin and bismuth.

상기 땜납부와 전극의 접합 강도를 한층 더 높이기 위하여, 상기 땜납 입자는, 니켈, 구리, 안티몬, 알루미늄, 아연, 철, 금, 티타늄, 인, 게르마늄, 텔루륨, 코발트, 비스무트, 망간, 크롬, 몰리브덴, 팔라듐 등의 금속을 포함하고 있을 수도 있다. 또한, 땜납부와 전극의 접합 강도를 한층 더 높이는 관점에서는, 상기 땜납 입자는, 니켈, 구리, 안티몬, 알루미늄 또는 아연을 포함하는 것이 바람직하다. 땜납부와 전극의 접합 강도를 한층 더 높이는 관점에서는, 접합 강도를 높이기 위한 이들 금속의 함유량은, 땜납 입자 100중량% 중 바람직하게는 0.0001중량% 이상, 바람직하게는 1중량% 이하이다.The solder particles may be at least one selected from the group consisting of nickel, copper, antimony, aluminum, zinc, iron, gold, titanium, phosphorus, germanium, tellurium, cobalt, bismuth, manganese, chromium, Molybdenum, palladium, and the like. From the viewpoint of further increasing the bonding strength between the solder portion and the electrode, it is preferable that the solder particles include nickel, copper, antimony, aluminum or zinc. From the viewpoint of further increasing the bonding strength between the solder portion and the electrode, the content of these metals for increasing the bonding strength is preferably 0.0001 wt% or more, and preferably 1 wt% or less, in 100 wt% of the solder particles.

상기 땜납 입자의 평균 입자 직경은, 바람직하게는 0.5㎛ 이상, 보다 바람직하게는 1㎛ 이상, 더욱 바람직하게는 3㎛ 이상, 특히 바람직하게는 5㎛ 이상, 바람직하게는 100㎛ 이하, 보다 바람직하게는 40㎛ 이하, 한층 더 바람직하게는 30㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 20㎛ 이하, 특히 바람직하게는 15㎛ 이하, 가장 바람직하게는 10㎛ 이하이다. 상기 땜납 입자의 평균 입자 직경이 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 땜납 입자를 전극 상에 한층 더 효율적으로 배치할 수 있다. 상기 땜납 입자의 평균 입자 직경은 3㎛ 이상 30㎛ 이하인 것이 특히 바람직하다.The average particle diameter of the solder particles is preferably 0.5 mu m or more, more preferably 1 mu m or more, further preferably 3 mu m or more, particularly preferably 5 mu m or more, preferably 100 mu m or less, Is not more than 40 mu m, further preferably not more than 30 mu m, more preferably not more than 20 mu m, particularly preferably not more than 15 mu m, and most preferably not more than 10 mu m. When the mean particle diameter of the solder particles is not less than the lower limit and not more than the upper limit, solder particles can be arranged more efficiently on the electrode. It is particularly preferable that the average particle diameter of the solder particles is not less than 3 mu m and not more than 30 mu m.

상기 땜납 입자의 「평균 입자 직경」은, 수 평균 입자 직경을 나타낸다. 땜납 입자의 평균 입자 직경은, 예를 들어 임의의 땜납 입자 50개를 전자 현미경 또는 광학 현미경으로 관찰하여, 평균값을 산출함으로써 구해진다.The " average particle diameter " of the solder particles indicates the number average particle diameter. The average particle diameter of the solder particles is obtained by, for example, observing 50 pieces of arbitrary solder particles with an electron microscope or an optical microscope and calculating an average value.

상기 도전 페이스트 100중량% 중 상기 땜납 입자의 함유량은 바람직하게는 1중량% 이상, 보다 바람직하게는 2중량% 이상, 더욱 바람직하게는 10중량% 이상, 특히 바람직하게는 20중량% 이상, 특히 바람직하게는 30중량% 이상, 바람직하게는 80중량% 이하, 보다 바람직하게는 60중량% 이하, 더욱 바람직하게는 50중량% 이하이다. 상기 땜납 입자의 함유량이 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 전극 상에 땜납 입자를 한층 더 효율적으로 배치할 수 있고, 전극간에 땜납 입자를 많이 배치하는 것이 용이하여, 도통 신뢰성이 한층 더 높아진다. 도통 신뢰성을 한층 더 높이는 관점에서는, 상기 땜납 입자의 함유량은 많은 편이 바람직하다.The content of the solder particles in 100 wt% of the conductive paste is preferably 1 wt% or more, more preferably 2 wt% or more, still more preferably 10 wt% or more, particularly preferably 20 wt% Is not less than 30% by weight, preferably not more than 80% by weight, more preferably not more than 60% by weight, further preferably not more than 50% by weight. If the content of the solder particles is lower than or equal to the lower limit and lower than or equal to the upper limit, solder particles can be more efficiently arranged on the electrode, and more solder particles can be easily arranged between the electrodes, thereby further improving the reliability of conduction. From the viewpoint of further improving conduction reliability, the content of the solder particles is preferably large.

(가열에 의해 경화 가능한 화합물: 열경화성 성분)(Compound that can be cured by heating: a thermosetting component)

상기 열경화성 화합물로서는, 옥세탄 화합물, 에폭시 화합물, 에피술피드 화합물, (메트)아크릴 화합물, 페놀 화합물, 아미노 화합물, 불포화 폴리에스테르 화합물, 폴리우레탄 화합물, 실리콘 화합물 및 폴리이미드 화합물 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 도전 페이스트의 경화성 및 점도를 한층 더 양호하게 하여, 접속 신뢰성을 한층 더 높이는 관점에서, 에폭시 화합물이 바람직하다.Examples of the thermosetting compound include oxetane compounds, epoxy compounds, episulfide compounds, (meth) acrylic compounds, phenol compounds, amino compounds, unsaturated polyester compounds, polyurethane compounds, silicone compounds and polyimide compounds. Among them, an epoxy compound is preferable from the viewpoint of further improving the curability and viscosity of the conductive paste and further improving the connection reliability.

상기 도전 페이스트 100중량% 중 상기 열경화성 화합물의 함유량은, 바람직하게는 20중량% 이상, 보다 바람직하게는 40중량% 이상, 더욱 바람직하게는 50중량% 이상, 바람직하게는 99중량% 이하, 보다 바람직하게는 98중량% 이하, 더욱 바람직하게는 90중량% 이하, 특히 바람직하게는 80중량% 이하이다. 내충격성을 한층 더 높이는 관점에서는, 상기 열경화성 성분의 함유량은 많은 편이 바람직하다.The content of the thermosetting compound in 100 wt% of the conductive paste is preferably 20 wt% or more, more preferably 40 wt% or more, further preferably 50 wt% or more, preferably 99 wt% By weight, preferably not more than 98% by weight, more preferably not more than 90% by weight, particularly preferably not more than 80% by weight. From the viewpoint of further improving the impact resistance, the content of the above-mentioned thermosetting component is preferably large.

(열경화제: 열경화성 성분) (Thermosetting agent: thermosetting component)

상기 열경화제는, 상기 열경화성 화합물을 열경화시킨다. 상기 열경화제로서는, 이미다졸 경화제, 아민 경화제, 페놀 경화제, 폴리티올 경화제, 산 무수물, 열 양이온 개시제 및 열 라디칼 발생제 등을 들 수 있다. 상기 열경화제는 1종만이 사용될 수도 있고, 2종 이상이 병용될 수도 있다.The thermosetting agent thermally cures the thermosetting compound. Examples of the heat curing agent include an imidazole curing agent, an amine curing agent, a phenol curing agent, a polythiol curing agent, an acid anhydride, a thermal cationic initiator, and a thermal radical generator. The thermosetting agent may be used alone or in combination of two or more.

그 중에서도, 도전 페이스트를 저온에서 한층 더 빠르게 경화 가능하므로, 이미다졸 경화제, 폴리티올 경화제 또는 아민 경화제가 바람직하다. 또한, 가열에 의해 경화 가능한 경화성 화합물과 상기 열경화제를 혼합했을 때에 보존 안정성이 높아지므로, 잠재성의 경화제가 바람직하다. 잠재성의 경화제는, 잠재성 이미다졸 경화제, 잠재성 폴리티올 경화제 또는 잠재성 아민 경화제인 것이 바람직하다. 또한, 상기 열경화제는 폴리우레탄 수지 또는 폴리에스테르 수지 등의 고분자 물질로 피복되어 있을 수도 있다.Among them, an imidazole curing agent, a polythiol curing agent or an amine curing agent is preferable because the conductive paste can be cured at a lower temperature more rapidly. Further, when the heat curing agent is mixed with the curable compound that can be cured by heating, the storage stability is enhanced, so that a latent curing agent is preferable. The latent curing agent is preferably a latent imidazole curing agent, a latent polythiol curing agent or a latent amine curing agent. Further, the thermosetting agent may be coated with a high molecular substance such as a polyurethane resin or a polyester resin.

상기 이미다졸 경화제로서는, 특별히 한정되지 않고 2-메틸이미다졸, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 1-시아노에틸-2-페닐이미다졸, 1-시아노에틸-2-페닐이미다졸륨트리멜리테이트, 2,4-디아미노-6-[2'-메틸이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진 및 2,4-디아미노-6-[2'-메틸이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진이소시아누르산 부가물 등을 들 수 있다.The imidazole curing agent is not particularly limited, and examples thereof include 2-methylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazole, Imidazolium trimellitate, 2,4-diamino-6- [2'-methylimidazolyl- (1 ')] - ethyl -s- triazine and 2,4- diamino- -Methylimidazolyl- (1 ')] - ethyl-s-triazine isocyanuric acid adduct.

상기 폴리티올 경화제로서는, 특별히 한정되지 않고 트리메틸올프로판트리스-3-머캅토프로피오네이트, 펜타에리트리톨테트라키스-3-머캅토프로피오네이트 및 디펜타에리트리톨헥사-3-머캅토프로피오네이트 등을 들 수 있다.The polythiol curing agent is not particularly limited and includes trimethylolpropane tris-3-mercaptopropionate, pentaerythritol tetrakis-3-mercaptopropionate, and dipentaerythritol hexa-3-mercaptopropionate And the like.

상기 폴리티올 경화제의 용해도 파라미터는, 바람직하게는 9.5 이상, 바람직하게는 12 이하이다. 상기 용해도 파라미터는, Fedors(페도르)법으로 계산된다. 예를 들어, 트리메틸올프로판트리스-3-머캅토프로피오네이트의 용해도 파라미터는 9.6, 디펜타에리트리톨헥사-3-머캅토프로피오네이트의 용해도 파라미터는 11.4이다.The solubility parameter of the polythiol curing agent is preferably 9.5 or more, and preferably 12 or less. The solubility parameter is calculated by the Fedors method. For example, the solubility parameter of trimethylolpropane tris-3-mercaptopropionate is 9.6 and the solubility parameter of dipentaerythritol hexa-3-mercaptopropionate is 11.4.

상기 아민 경화제로서는, 특별히 한정되지 않고 헥사메틸렌디아민, 옥타메틸렌디아민, 데카메틸렌디아민, 3,9-비스(3-아미노프로필)-2,4,8,10-테트라스피로[5.5]운데칸, 비스(4-아미노시클로헥실)메탄, 메타페닐렌디아민 및 디아미노디페닐술폰 등을 들 수 있다.The amine curing agent is not particularly limited and includes hexamethylenediamine, octamethylenediamine, decamethylenediamine, 3,9-bis (3-aminopropyl) -2,4,8,10-tetaspiro [5.5] undecane, bis (4-aminocyclohexyl) methane, metaphenylenediamine, and diaminodiphenylsulfone.

상기 열 양이온 경화제로서는, 요오도늄계 양이온 경화제, 옥소늄계 양이온 경화제 및 술포늄계 양이온 경화제 등을 들 수 있다. 상기 요오도늄계 양이온 경화제로서는, 비스(4-tert-부틸페닐)요오도늄헥사플루오로포스페이트 등을 들 수 있다. 상기 옥소늄계 양이온 경화제로서는, 트리메틸옥소늄테트라플루오로보레이트 등을 들 수 있다. 상기 술포늄계 양이온 경화제로서는, 트리-p-톨릴술포늄헥사플루오로포스페이트 등을 들 수 있다.Examples of the thermal cationic curing agent include an iodonium-based cationic curing agent, an oxonium-based cationic curing agent, and a sulfonium-based cationic curing agent. Examples of the iodonium-based cationic curing agent include bis (4-tert-butylphenyl) iodonium hexafluorophosphate and the like. Examples of the oxonium-based cation curing agent include trimethyloxonium tetrafluoroborate and the like. Examples of the sulfonium cation-based curing agent include tri-p-tolylsulfonium hexafluorophosphate and the like.

상기 열 라디칼 발생제로서는, 특별히 한정되지 않고 아조 화합물 및 유기 과산화물 등을 들 수 있다. 상기 아조 화합물로서는, 아조비스이소부틸로니트릴(AIBN) 등을 들 수 있다. 상기 유기 과산화물로서는, 디-tert-부틸퍼옥시드 및 메틸에틸케톤퍼옥시드 등을 들 수 있다.The heat radical generator is not particularly limited, and examples thereof include an azo compound and an organic peroxide. Examples of the azo compound include azobisisobutylonitrile (AIBN) and the like. Examples of the organic peroxide include di-tert-butyl peroxide and methyl ethyl ketone peroxide.

상기 열경화제의 반응 개시 온도는, 바람직하게는 50℃ 이상, 보다 바람직하게는 70℃ 이상, 더욱 바람직하게는 80℃ 이상, 바람직하게는 250℃ 이하, 보다 바람직하게는 200℃ 이하, 더욱 바람직하게는 150℃ 이하, 특히 바람직하게는 140℃ 이하이다. 상기 열경화제의 반응 개시 온도가 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 땜납 입자가 전극 상에 한층 더 효율적으로 배치된다. 상기 열경화제의 반응 개시 온도는 80℃ 이상 140℃ 이하인 것이 특히 바람직하다.The reaction initiation temperature of the thermosetting agent is preferably at least 50 ° C, more preferably at least 70 ° C, more preferably at least 80 ° C, preferably at most 250 ° C, more preferably at most 200 ° C, Is 150 DEG C or less, particularly preferably 140 DEG C or less. If the reaction initiation temperature of the thermosetting agent is not less than the lower limit and not more than the upper limit, the solder particles are more efficiently arranged on the electrode. The reaction initiation temperature of the thermosetting agent is particularly preferably from 80 캜 to 140 캜.

땜납을 전극 상에 한층 더 효율적으로 배치하는 관점에서는, 상기 열경화제의 반응 개시 온도는, 상기 땜납 입자에 있어서의 땜납의 융점보다도 높은 것이 바람직하고, 5℃ 이상 높은 것이 보다 바람직하고, 10℃ 이상 높은 것이 더욱 바람직하다.From the viewpoint of more efficiently placing the solder on the electrode, the reaction initiation temperature of the thermosetting agent is preferably higher than the melting point of the solder in the solder particle, more preferably 5 deg. C or higher, more preferably 10 deg. C or higher Higher is more preferable.

상기 열경화제의 반응 개시 온도는, DSC에서의 발열 피크의 상승 개시된 온도(즉, 상기한 발열 개시 온도)를 의미한다.The reaction initiation temperature of the thermosetting agent means the temperature at which the exothermic peak in the DSC starts to rise (i.e., the above-mentioned heat generation initiation temperature).

상기 열경화제의 함유량은 특별히 한정되지 않는다. 상기 열경화성 화합물 100중량부에 대하여, 상기 열경화제의 함유량은, 바람직하게는 0.01중량부 이상, 보다 바람직하게는 1중량부 이상, 바람직하게는 200중량부 이하, 보다 바람직하게는 100중량부 이하, 더욱 바람직하게는 75중량부 이하이다. 열경화제의 함유량이 상기 하한 이상이면 도전 페이스트를 충분히 경화시키는 것이 용이하다. 열경화제의 함유량이 상기 상한 이하이면, 경화 후에 경화에 관여하지 않은 잉여의 열경화제가 잔존하기 어려워지고, 또한 경화물의 내열성이 한층 더 높아진다.The content of the thermosetting agent is not particularly limited. The content of the thermosetting agent is preferably 0.01 parts by weight or more, more preferably 1 part by weight or more, preferably 200 parts by weight or less, more preferably 100 parts by weight or less, based on 100 parts by weight of the thermosetting compound. More preferably 75 parts by weight or less. If the content of the heat curing agent is lower than the lower limit described above, it is easy to sufficiently cure the conductive paste. If the content of the thermosetting agent is less than the upper limit, an excess of the thermosetting agent that is not involved in curing after curing is hardly left, and the heat resistance of the cured product is further increased.

(플럭스) (Flux)

상기 도전 페이스트는 플럭스를 포함하는 것이 바람직하다. 플럭스의 사용에 의해, 땜납을 전극 상에 한층 더 효과적으로 배치할 수 있다. 해당 플럭스는 특별히 한정되지 않는다. 플럭스로서, 땜납 접합 등에 일반적으로 사용되고 있는 플럭스를 사용할 수 있다. 상기 플럭스로서는, 예를 들어 염화아연, 염화아연과 무기 할로겐화물의 혼합물, 염화아연과 무기산의 혼합물, 용융염, 인산, 인산의 유도체, 유기 할로겐화물, 히드라진, 유기산 및 송지 등을 들 수 있다. 상기 플럭스는 1종만이 사용될 수도 있고, 2종 이상이 병용될 수도 있다.The conductive paste preferably includes a flux. By using the flux, the solder can be arranged more effectively on the electrode. The flux is not particularly limited. As the flux, a flux generally used for solder bonding or the like can be used. Examples of the flux include zinc chloride, a mixture of zinc chloride and an inorganic halide, a mixture of zinc chloride and an inorganic acid, a molten salt, a phosphoric acid, a derivative of phosphoric acid, an organic halide, a hydrazine, an organic acid, The flux may be used alone or in combination of two or more.

상기 용융염으로서는, 염화암모늄 등을 들 수 있다. 상기 유기산으로서는, 락트산, 시트르산, 스테아르산, 글루탐산 및 글루타르산 등을 들 수 있다. 상기 송지로서는, 활성화 송지 및 비활성화 송지 등을 들 수 있다. 상기 플럭스는, 카르복실기를 2개 이상 갖는 유기산, 송지인 것이 바람직하다. 상기 플럭스는, 카르복실기를 2개 이상 갖는 유기산일 수도 있고, 송지일 수도 있다. 카르복실기를 2개 이상 갖는 유기산, 송지의 사용에 의해, 전극간의 도통 신뢰성이 한층 더 높아진다.Examples of the molten salt include ammonium chloride and the like. Examples of the organic acid include lactic acid, citric acid, stearic acid, glutamic acid and glutaric acid. Examples of the papermaking papers include activated papermaking and inactive papermaking. It is preferable that the flux is an organic acid having two or more carboxyl groups, and a feedstock. The flux may be an organic acid having two or more carboxyl groups, or may be tanned. By using an organic acid having two or more carboxyl groups and a papermaking paper, the reliability of conduction between the electrodes is further enhanced.

상기 송지는 아비에트산을 주성분으로 하는 로진류이다. 플럭스는 로진류인 것이 바람직하고, 아비에트산인 것이 보다 바람직하다. 이 바람직한 플럭스의 사용에 의해, 전극간의 도통 신뢰성이 한층 더 높아진다.The above paper is a rosin mainly containing abietic acid. The flux is preferably rosin, more preferably abietic acid. By using this preferable flux, the reliability of conduction between the electrodes is further enhanced.

상기 플럭스의 융점은, 바람직하게는 50℃ 이상, 보다 바람직하게는 70℃ 이상, 더욱 바람직하게는 80℃ 이상, 바람직하게는 200℃ 이하, 보다 바람직하게는 160℃ 이하, 한층 더 바람직하게는 150℃ 이하, 더욱 바람직하게는 140℃ 이하이다. 상기 플럭스의 융점이 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 플럭스 효과가 한층 더 효과적으로 발휘되어, 땜납 입자가 전극 상에 한층 더 효율적으로 배치된다. 상기 플럭스의 융점은 80℃ 이상 190℃ 이하인 것이 바람직하다. 상기 플럭스의 융점은 80℃ 이상 140℃ 이하인 것이 특히 바람직하다.The melting point of the flux is preferably 50 占 폚 or higher, more preferably 70 占 폚 or higher, even more preferably 80 占 폚 or higher, preferably 200 占 폚 or lower, more preferably 160 占 폚 or lower, even more preferably 150 Lt; 0 > C, more preferably 140 < 0 > C or less. When the melting point of the flux is higher than or equal to the lower limit and lower than or equal to the upper limit, the flux effect is more effectively exhibited, and the solder particles are more efficiently arranged on the electrode. The melting point of the flux is preferably 80 ° C or higher and 190 ° C or lower. The melting point of the flux is particularly preferably from 80 캜 to 140 캜.

융점이 80℃ 이상 190℃ 이하인 상기 플럭스로서는, 숙신산(융점 186℃), 글루타르산(융점 96℃), 아디프산(융점 152℃), 피멜산(융점 104℃), 수베르산(융점 142℃) 등의 디카르복실산, 벤조산(융점 122℃), 말산(융점 130℃) 등을 들 수 있다.Examples of the flux having a melting point of 80 ° C or more and 190 ° C or less include succinic acid having a melting point of 186 ° C, glutaric acid having a melting point of 96 ° C, adipic acid having a melting point of 152 ° C, pimelic acid having a melting point of 104 ° C, 142 占 폚), benzoic acid (melting point 122 占 폚), malic acid (melting point 130 占 폚), and the like.

또한, 상기 플럭스의 비점은 200℃ 이하인 것이 바람직하다.The boiling point of the flux is preferably 200 ° C or lower.

땜납을 전극 상에 한층 더 효율적으로 배치하는 관점에서는, 상기 플럭스의 융점은, 상기 땜납 입자에 있어서의 땜납의 융점보다도 낮은 것이 바람직하고, 5℃ 이상 낮은 것이 보다 바람직하고, 10℃ 이상 낮은 것이 더욱 바람직하다.From the viewpoint of more efficiently placing the solder on the electrode, the melting point of the flux is preferably lower than the melting point of the solder in the solder particle, more preferably 5 deg. C or lower, more preferably 10 deg. desirable.

땜납을 전극 상에 한층 더 효율적으로 배치하는 관점에서는, 상기 플럭스의 융점은, 상기 열경화제의 반응 피크보다도 낮은 것이 바람직하고, 5℃ 이상 낮은 것이 보다 바람직하고, 10℃ 이상 낮은 것이 더욱 바람직하다.From the viewpoint of more efficiently placing the solder on the electrode, the melting point of the flux is preferably lower than the reaction peak of the thermosetting agent, more preferably 5 deg. C or lower, still more preferably 10 deg.

상기 플럭스는 도전 페이스트 중에 분산되어 있을 수도 있고. 땜납 입자의 표면 상에 부착되어 있을 수도 있다.The flux may be dispersed in the conductive paste. Or may be attached on the surface of the solder particles.

상기 플럭스는, 가열에 의해 양이온을 방출하는 플럭스인 것이 바람직하다. 가열에 의해 양이온을 방출하는 플럭스의 사용에 의해, 땜납 입자를 전극 상에 한층 더 효율적으로 배치할 수 있다.The flux is preferably a flux that releases cations by heating. By using the flux that releases the positive ions by heating, the solder particles can be arranged more efficiently on the electrode.

땜납 입자를 전극 상에 한층 더 효율적으로 배치하고, 전극간의 도통 신뢰성을 한층 더 높이는 관점에서는, 상기 열경화성 성분의 발열 개시 온도는, 상기 플럭스의 활성 온도(융점)보다도 높은 것이 바람직하다. 땜납 입자를 전극 상에 한층 더 효율적으로 배치하고, 전극간의 도통 신뢰성을 한층 더 높이는 관점에서는, 상기 땜납 입자의 용융에 있어서의 흡열 피크 톱 온도는, 상기 플럭스의 활성 온도(융점)보다도 높은 것이 바람직하다. 땜납 입자를 전극 상에 한층 더 효율적으로 배치하고, 전극간의 도통 신뢰성을 한층 더 높이는 관점에서는, 상기 열경화성 성분의 발열 개시 온도는, 상기 플럭스의 활성 온도(융점)보다도 높고, 또한 상기 땜납 입자의 용융에 있어서의 흡열 피크 톱 온도는, 상기 플럭스의 활성 온도(융점)보다도 높은 것이 바람직하다.It is preferable that the heat generation starting temperature of the thermosetting component is higher than the activation temperature (melting point) of the flux from the viewpoint of more efficiently arranging the solder particles on the electrode and further enhancing the conduction reliability between the electrodes. The endothermic peak top temperature in the melting of the solder particles is preferably higher than the activation temperature (melting point) of the flux from the viewpoint of more efficiently arranging the solder particles on the electrode and further enhancing the conduction reliability between the electrodes Do. The heat generation starting temperature of the thermosetting component is higher than the activation temperature (melting point) of the flux from the viewpoint of more efficiently arranging the solder particles on the electrode and further enhancing the conduction reliability between the electrodes, (Melting point) of the flux is preferably higher than the activation temperature (melting point) of the flux.

땜납 입자를 전극 상에 한층 더 효율적으로 배치하고, 전극간의 도통 신뢰성을 한층 더 높이는 관점에서는, 상기 열경화성 성분의 발열 개시 온도와, 상기 플럭스의 활성 온도(융점)의 차의 절댓값은, 바람직하게는 10℃ 이상, 보다 바람직하게는 20℃ 이상, 바람직하게는 80℃ 이하, 보다 바람직하게는 70℃ 이하이다. 땜납 입자를 전극 상에 한층 더 효율적으로 배치하고, 전극간의 도통 신뢰성을 한층 더 높이는 관점에서는, 상기 땜납 입자의 용융에 있어서의 흡열 피크 톱 온도와, 상기 플럭스의 활성 온도(융점)의 차의 절댓값은, 바람직하게는 1℃ 이상, 보다 바람직하게는 20℃ 이상, 바람직하게는 60℃ 이하, 보다 바람직하게는 50℃ 이하이다.From the viewpoint that the solder particles are disposed more efficiently on the electrode and the reliability of conduction between the electrodes is further enhanced, the absolute value of the difference between the heat generation initiation temperature of the thermosetting component and the activation temperature (melting point) of the flux is preferably 10 DEG C or higher, more preferably 20 DEG C or higher, preferably 80 DEG C or lower, more preferably 70 DEG C or lower. From the viewpoint of more efficiently arranging the solder particles on the electrode and further enhancing the conduction reliability between the electrodes, it is preferable that the maximum value of the difference between the endothermic peak top temperature in the melting of the solder particles and the active temperature (melting point) Is preferably 1 占 폚 or higher, more preferably 20 占 폚 or higher, preferably 60 占 폚 or lower, more preferably 50 占 폚 or lower.

상기 도전 페이스트 100중량% 중 상기 플럭스의 함유량은 바람직하게는 0.5중량% 이상, 바람직하게는 30중량% 이하, 보다 바람직하게는 25중량% 이하이다. 상기 도전 페이스트는 플럭스를 포함하고 있지 않을 수도 있다. 플럭스의 함유량이 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 땜납 및 전극의 표면에 산화 피막이 한층 더 형성되기 어려워지고, 또한 땜납 및 전극의 표면에 형성된 산화 피막을 한층 더 효과적으로 제거할 수 있다.The content of the flux in 100 wt% of the conductive paste is preferably 0.5 wt% or more, preferably 30 wt% or less, more preferably 25 wt% or less. The conductive paste may not contain a flux. If the content of the flux is above the lower limit and below the upper limit, it is difficult to further form an oxide film on the surface of the solder and the electrode, and furthermore, the oxide film formed on the surface of the solder and the electrode can be removed more effectively.

(다른 성분) (Other components)

상기 도전 페이스트는, 필요에 따라, 예를 들어 충전제, 증량제, 연화제, 가소제, 중합 촉매, 경화 촉매, 착색제, 산화 방지제, 열안정제, 광안정제, 자외선 흡수제, 활제, 대전 방지제 및 난연제 등의 각종 첨가제를 포함하고 있을 수도 있다.The conductive paste may contain various additives such as fillers, extenders, softeners, plasticizers, polymerization catalysts, curing catalysts, colorants, antioxidants, heat stabilizers, light stabilizers, ultraviolet absorbers, lubricants, antistatic agents and flame retardants May be included.

이하, 실시예 및 비교예를 들어, 본 발명을 구체적으로 설명한다. 본 발명은, 이하의 실시예에만 한정되지 않는다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to examples and comparative examples. The present invention is not limited to the following examples.

중합체 A: Polymer A:

비스페놀 F와 1,6-헥산디올디글리시딜에테르 및 비스페놀 F형 에폭시 수지의 반응물(중합체 A)의 합성:Synthesis of a reaction product (polymer A) of bisphenol F with 1,6-hexanediol diglycidyl ether and bisphenol F type epoxy resin:

비스페놀 F(4,4'-메틸렌비스페놀과 2,4'-메틸렌비스페놀과 2,2'-메틸렌비스페놀을 중량비로 2:3:1로 포함함) 72중량부, 1,6-헥산디올디글리시딜에테르 70중량부, 비스페놀 F형 에폭시 수지(DIC사제 「에피클론(EPICLON) EXA-830CRP」) 30중량부를, 삼구 플라스크에 넣고, 질소 플로우 하에서, 150℃에서 용해시켰다. 그 후, 수산기와 에폭시기의 부가 반응 촉매인 테트라-n-부틸술포늄브로마이드 0.1중량부를 첨가하고, 질소 플로우 하에서, 150℃에서 6시간, 부가 중합 반응시킴으로써 반응물(중합체 A)을 얻었다.72 parts by weight of bisphenol F (containing 4,4'-methylene bisphenol and 2,4'-methylene bisphenol and 2,2'-methylene bisphenol in a weight ratio of 2: 3: 1), 1,6-hexane diol diglyme , 70 parts by weight of cidyl ether and 30 parts by weight of bisphenol F type epoxy resin (EPICLON EXA-830CRP, manufactured by DIC) were put in a three-necked flask and dissolved at 150 캜 under a nitrogen flow. Thereafter, 0.1 part by weight of tetra-n-butylsulfonium bromide as an addition reaction catalyst between a hydroxyl group and an epoxy group was added and an addition polymerization reaction was conducted at 150 占 폚 for 6 hours under a nitrogen flow to obtain a reaction product (polymer A).

NMR에 의해, 부가 중합 반응이 진행된 것을 확인하여, 반응물(중합체 A)이, 비스페놀 F에서 유래하는 수산기와 1,6-헥산디올디글리시딜에테르 및 비스페놀 F형 에폭시 수지의 에폭시기가 결합한 구조 단위를 주쇄에 갖고, 또한 에폭시기를 양쪽 말단에 갖는 것을 확인했다.NMR confirmed that the addition polymerization reaction had proceeded and that the reaction product (polymer A) had a structure unit in which the hydroxyl group derived from bisphenol F and the epoxy group of 1,6-hexanediol diglycidyl ether and bisphenol F type epoxy resin were bonded In the main chain, and had epoxy groups at both ends.

GPC에 의해 얻어진 반응물(중합체 A)의 중량 평균 분자량은 10000, 수 평균 분자량은 3500이었다.The weight average molecular weight of the reactant (polymer A) obtained by GPC was 10,000, and the number average molecular weight was 3,500.

Figure pct00001
Figure pct00001

중합체 B: 양쪽 말단 에폭시기 강직 골격 페녹시 수지, 미츠비시 가가쿠사제 「YX6900BH45」, 중량 평균 분자량 16000Polymer B: Epoxy rigid skeleton phenoxy resin at both ends, "YX6900BH45" manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, weight average molecular weight of 16,000

열경화성 화합물 1: 레조르시놀형 에폭시 화합물, 나가세 켐텍스사제 「EX-201」Thermosetting compound 1: resorcinol-type epoxy compound, "EX-201" manufactured by Nagase Chemtex Co.,

열경화성 화합물 2: 나프탈렌형 에폭시 화합물, DIC사제 「HP-4032D」Thermosetting compound 2: naphthalene type epoxy compound "HP-4032D" manufactured by DIC

열경화성 화합물 3: 비스페놀 F형 에폭시 수지, DIC사제 「EVA-830CRP」Thermosetting compound 3: bisphenol F type epoxy resin, "EVA-830CRP" manufactured by DIC Corporation

열경화제: 펜타에리트리톨테트라키스(3-머캅토부티레이트), 쇼와덴코사제 「카렌즈 MT PE1」Thermal curing agent: pentaerythritol tetrakis (3-mercaptobutyrate), "CALENS MT PE1" manufactured by Showa Denko KK

플럭스 1: 글루타르산, 와코 쥰야꾸 고교사제Flux 1: glutaric acid, manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.

플럭스 2: 아디프산, 와코 쥰야꾸 고교사제Flux 2: Adipic acid, manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.

잠재성 에폭시 열경화제: T&KTOKA사제 「후지 큐어 7000」Latent epoxy thermosetting agent: "Fuji Cure 7000" manufactured by T & KTOKA

잠재성 열경화제: 마이크로 캡슐형, 아사히 가세이 이머티리얼즈사제 「HXA-3932HP」Latent heat curing agent: microcapsule type, "HXA-3932HP" manufactured by Asahi Chemical Industries, Ltd.

땜납 입자 1: Sn-58Bi 땜납 입자, 융점 139℃, 미츠이 긴조쿠 고교사제 「10-25」, 평균 입자 직경 10㎛Solder particles 1: Sn-58Bi solder particles, melting point 139 占 폚, "10-25" manufactured by Mitsui Kinzoku Kogyo Co., average particle diameter 10 m

땜납 입자 2: Sn-37Pb 땜납 입자, 융점 183℃, 미츠이 긴조쿠 고교사제 「10-25」, 평균 입자 직경 12㎛Solder particles 2: Sn-37Pb solder particles, melting point 183 DEG C, "10-25" manufactured by Mitsui Kinzoku Kogyo Co., average particle diameter 12 mu m

땜납 입자 3:Solder Particle 3:

땜납분 200g과, 아디프산 40g과, 아세톤 70g을 삼구 플라스크에 칭량하고, 땜납분의 표면의 수산기와 글루타르산의 카르복실기의 탈수 축합 촉매인 디부틸주석옥시드 0.3g을 첨가하고, 60℃에서 4시간 반응시켰다. 그 후, 땜납분을 여과함으로써 회수했다.200 g of solder powder, 40 g of adipic acid and 70 g of acetone were weighed into a three-necked flask, and 0.3 g of dibutyltin oxide, which is a dehydration condensation catalyst of hydroxyl group on the surface of the solder powder and carboxyl group of glutaric acid, And reacted for 4 hours. Thereafter, the solder powder was collected by filtration.

그 땜납분과, 글루타르산 50g과, 톨루엔 200g과, 파라톨루엔술폰산 0.3g을, 삼구 플라스크에 칭량하고, 진공화 및 환류를 행하면서, 120℃에서, 3시간 반응시켰다. 이때, 딘 스타크 추출 장치를 사용하여, 탈수 축합에 의해 생성한 물을 제거하면서 반응시켰다.The solder powder, 50 g of glutaric acid, 200 g of toluene, and 0.3 g of para-toluenesulfonic acid were weighed into a three-necked flask, and reacted at 120 ° C for 3 hours while evacuation and refluxing. At this time, a Dean Stark extraction apparatus was used to carry out the reaction while removing water produced by dehydration condensation.

그 후, 여과에 의해 땜납분을 회수하고, 헥산으로 세정하고, 건조했다. 그 후, 얻어진 땜납분을 볼 밀로 해쇄 후, 소정의 CV값으로 되도록 체를 선택하여, 땜납 입자 3을 얻었다.Thereafter, the solder powder was recovered by filtration, washed with hexane, and dried. Thereafter, the resulting solder powder was milled with a ball mill, and a sieve was selected to have a predetermined CV value to obtain solder particles 3.

도전성 입자 1: 수지 입자의 표면 상에 두께 1㎛의 구리층이 형성되어 있고, 해당 구리층의 표면에 두께 3㎛의 땜납층(주석:비스무트=42중량%:58중량%)이 형성되어 있는 도전성 입자Conductive particle 1: A copper layer having a thickness of 1 占 퐉 was formed on the surface of the resin particle, and a solder layer (tin: bismuth = 42 wt%: 58 wt%) having a thickness of 3 占 퐉 was formed on the surface of the copper layer Conductive particle

도전성 입자 1의 제작 방법: Method of Making Conductive Particle 1:

평균 입자 직경 10㎛의 디비닐벤젠 수지 입자(세키스이 가가쿠 고교사제 「마이크로펄 SP-210」)을 무전해 니켈 도금하여, 수지 입자의 표면 상에 두께 0.1㎛의 하지 니켈 도금층을 형성했다. 계속해서, 하지 니켈 도금층이 형성된 수지 입자를 전해 구리 도금하여, 두께 1㎛의 구리층을 형성했다. 또한, 주석 및 비스무트를 함유하는 전해 도금액을 사용하여 전해 도금하여, 두께 3㎛의 땜납층을 형성했다. 이와 같이 하여, 수지 입자의 표면 상에 두께 1㎛의 구리층이 형성되어 있고, 해당 구리층의 표면에 두께 3㎛의 땜납층(주석:비스무트=42중량%:58중량%)이 형성되어 있는 도전성 입자 1을 제작했다.Divinylbenzene resin particles having an average particle diameter of 10 占 퐉 ("Micropearl SP-210" manufactured by Sekisui Chemical Co., Ltd.) were electroless nickel plated to form a ground nickel plating layer having a thickness of 0.1 占 퐉 on the surface of the resin particles. Subsequently, resin particles having a base nickel plated layer formed thereon were electroplated with copper to form a copper layer having a thickness of 1 탆. Further, electrolytic plating was performed using an electrolytic plating solution containing tin and bismuth to form a solder layer having a thickness of 3 탆. Thus, a 1 mu m thick copper layer was formed on the surface of the resin particles, and a solder layer (tin: bismuth = 42 wt%: 58 wt%) having a thickness of 3 mu m was formed on the surface of the copper layer Conductive particles 1 were produced.

페녹시 수지(신닛테츠 스미킨 가가쿠사제 「YP-50S」 A phenoxy resin ("YP-50S" manufactured by Shinnitetsu Sumikin Kagaku Co., Ltd.)

(실시예 1 내지 10, 12, 13) (Examples 1 to 10, 12 and 13)

(1) 이방성 도전 페이스트의 제작 (1) Fabrication of anisotropic conductive paste

하기의 표 1에 나타내는 성분을 하기의 표 1에 나타내는 배합량으로 배합하여, 이방성 도전 페이스트를 얻었다.The components shown in the following Table 1 were compounded in the amounts shown in Table 1 below to obtain an anisotropic conductive paste.

(2) 제1 접속 구조체(L/S=50㎛/50㎛)의 제작 (2) Fabrication of first connection structure (L / S = 50 탆 / 50 탆)

L/S가 50㎛/50㎛인 구리 전극 패턴(구리 전극 두께 10㎛)을 상면에 갖는 유리 에폭시 기판(FR-4 기판)(제1 접속 대상 부재)을 준비했다. 또한, L/S가 50㎛/50㎛인 구리 전극 패턴(구리 전극 두께 10㎛)을 하면에 갖는 플렉시블 프린트 기판(제2 접속 대상 부재)을 준비했다.A glass epoxy substrate (FR-4 substrate) (first connection target member) having a copper electrode pattern (copper electrode thickness 10 mu m) having an L / S of 50 mu m / 50 mu m on its upper surface was prepared. A flexible printed circuit board (second connection target member) having a copper electrode pattern (copper electrode thickness 10 占 퐉) having L / S of 50 占 퐉 / 50 占 퐉 was prepared.

유리 에폭시 기판과 플렉시블 프린트 기판의 중첩 면적은 1.5㎝×4㎜로 하고, 접속한 전극수는 75쌍으로 했다.The overlapping area of the glass epoxy substrate and the flexible printed substrate was 1.5 cm x 4 mm, and the number of electrodes connected was 75 paired.

상기 유리 에폭시 기판의 상면에, 제작 직후의 이방성 도전 페이스트를 두께 50㎛가 되도록 도공하여, 이방성 도전 페이스트층을 형성했다. 이어서, 이방성 도전 페이스트층의 상면에 상기 플렉시블 프린트 기판을, 전극끼리 대향하도록 적층했다. 이때, 가압을 행하지 않았다. 이방성 도전 페이스트층에는 상기 플렉시블 프린트 기판의 중량은 가해진다. 그 후, 이방성 도전 페이스트층의 온도가 185℃가 되도록 가열하면서, 땜납을 용융시키고, 또한 이방성 도전 페이스트층을 185℃에서 경화시켜, 제1 접속 구조체를 얻었다.An anisotropic conductive paste immediately after fabrication was coated on the upper surface of the glass epoxy substrate to a thickness of 50 m to form an anisotropic conductive paste layer. Subsequently, the flexible printed circuit board was laminated on the upper surface of the anisotropic conductive paste layer such that the electrodes were opposed to each other. At this time, no pressure was applied. The weight of the flexible printed circuit board is applied to the anisotropic conductive paste layer. Thereafter, the solder was melted while heating so that the temperature of the anisotropic conductive paste layer was 185 占 폚, and the anisotropic conductive paste layer was cured at 185 占 폚 to obtain a first connection structure.

(3) 제2 접속 구조체(L/S=75㎛/75㎛)의 제작 (3) Fabrication of second connection structure (L / S = 75 mu m / 75 mu m)

L/S가 75㎛/75㎛인 구리 전극 패턴(구리 전극 두께 10㎛)을 상면에 갖는 유리 에폭시 기판(FR-4 기판)(제1 접속 대상 부재)을 준비했다. 또한, L/S가 75㎛/75㎛인 구리 전극 패턴(구리 전극 두께 10㎛)을 하면에 갖는 플렉시블 프린트 기판(제2 접속 대상 부재)을 준비했다.A glass epoxy substrate (FR-4 substrate) (first connection target member) having a copper electrode pattern (copper electrode thickness 10 占 퐉) having an L / S of 75 占 퐉 / 75 占 퐉 on the upper surface was prepared. Further, a flexible printed circuit board (second connection target member) having a copper electrode pattern (copper electrode thickness 10 占 퐉) having L / S of 75 占 퐉 / 75 占 퐉 was prepared.

L/S가 상이한 상기 유리 에폭시 기판 및 플렉시블 프린트 기판을 사용한 것 이외는 제1 접속 구조체의 제작과 마찬가지로 하여, 제2 접속 구조체를 얻었다.A second connection structure was obtained in the same manner as in the production of the first connection structure except that the glass epoxy substrate and the flexible printed substrate differing in L / S were used.

(4) 제3 접속 구조체(L/S=100㎛/100㎛)의 제작 (4) Fabrication of third connection structure (L / S = 100 mu m / 100 mu m)

L/S가 100㎛/100㎛인 구리 전극 패턴(구리 전극 두께 10㎛)을 상면에 갖는 유리 에폭시 기판(FR-4 기판)(제1 접속 대상 부재)을 준비했다. 또한, L/S가 100㎛/100㎛인 구리 전극 패턴(구리 전극 두께 10㎛)을 하면에 갖는 플렉시블 프린트 기판(제2 접속 대상 부재)을 준비했다.A glass epoxy substrate (FR-4 substrate) (first connection target member) having a copper electrode pattern (copper electrode thickness of 10 mu m) having an L / S of 100 mu m / 100 mu m on its upper surface was prepared. Further, a flexible printed circuit board (second connection target member) having a copper electrode pattern (copper electrode thickness 10 占 퐉) having L / S of 100 占 퐉 / 100 占 퐉 was prepared.

L/S가 상이한 상기 유리 에폭시 기판 및 플렉시블 프린트 기판을 사용한 것 이외는 제1 접속 구조체의 제작과 마찬가지로 하여, 제3 접속 구조체를 얻었다.A third connection structure was obtained in the same manner as in the production of the first connection structure except that the glass epoxy substrate and the flexible printed substrate differing in L / S were used.

(실시예 11) (Example 11)

전극 사이즈/전극간 스페이스가, 100㎛/100㎛(제3 접속 구조체용), 75㎛/75㎛(제2 접속 구조체용), 50㎛/50㎛(제1 접속 구조체용)인, 한변이 5㎜인 사각형의 반도체 칩(두께 400㎛)과, 거기에 대향하는 전극을 갖는 유리 에폭시 기판(사이즈 30×30㎜ 두께 0.4㎜)을 사용하여, 실시예 1과 마찬가지로 하여, 제1, 제2, 제3 접속 구조체를 얻었다.(One for the first connection structure), and the electrode size / the space between the electrodes is 100 m / 100 m (for the third connection structure), 75 m / 75 m (for the second connection structure), and 50 m / (Size: 30 mm × 30 mm thickness: 0.4 mm) having a square semiconductor chip (thickness: 400 μm) having a width of 5 mm and an opposing electrode were used as the first and second semiconductor chips , Thereby obtaining a third connection structure.

(비교예 1 내지 3, 6) (Comparative Examples 1 to 3 and 6)

(1) 이방성 도전 페이스트의 제작 (1) Fabrication of anisotropic conductive paste

하기의 표 2에 나타내는 성분을 하기의 표 2에 나타내는 배합량으로 배합하여, 이방성 도전 페이스트를 얻었다. 얻어진 이방성 도전 페이스트를 사용한 것 이외는 실시예 1과 마찬가지로 하여, 제1, 제2, 제3 접속 구조체를 얻었다.The components shown in the following Table 2 were compounded in the amounts shown in Table 2 below to obtain an anisotropic conductive paste. The first, second and third connection structures were obtained in the same manner as in Example 1 except that the obtained anisotropic conductive paste was used.

(비교예 4) (Comparative Example 4)

페녹시 수지(신닛테츠 스미킨 가가쿠사제 「YP-50S」) 10중량부를 메틸에틸케톤(MEK)에 고형분이 50중량%가 되도록 용해시켜, 용해액을 얻었다. 하기의 표 2에 나타내는 페녹시 수지를 제외한 성분을 하기의 표 2에 나타내는 배합량과, 상기 용해액의 전량을 배합하고, 유성식 교반기를 사용하여 2000rpm으로 5분간 교반한 후, 바 코터를 사용하여 건조 후의 두께가 30㎛로 되도록 이형 PET(폴리에틸렌테레프탈레이트) 필름 위에 도공했다. 실온에서 진공 건조함으로써, MEK를 제거하여 이방성 도전 필름을 얻었다.10 parts by weight of a phenoxy resin ("YP-50S" manufactured by Shinnitetsu Sumikin Chemical Co., Ltd.) was dissolved in methyl ethyl ketone (MEK) to a solid content of 50% by weight to obtain a dissolution solution. Components other than the phenoxy resin shown in Table 2 below were blended in the amounts shown in Table 2 below and the total amount of the above solution and stirred for 5 minutes at 2000 rpm using a planetary stirrer and dried using a bar coater (Polyethylene terephthalate) film so as to have a thickness of 30 占 퐉. By vacuum drying at room temperature, MEK was removed to obtain an anisotropic conductive film.

이방성 도전 필름을 사용한 것 이외는 실시예 1과 마찬가지로 하여, 제1, 제2, 제3 접속 구조체를 얻었다.The first, second and third connection structures were obtained in the same manner as in Example 1 except that the anisotropic conductive film was used.

(비교예 5) (Comparative Example 5)

L/S가 100㎛/100㎛(제3 접속 구조체용), 75㎛/75㎛(제2 접속 구조체용), 50㎛/50㎛(제1 접속 구조체용)의 구리 전극 패턴(구리 전극 두께 10㎛)을 하면에 갖는 반도체 칩을 준비했다.(Copper electrode thickness) of L / S of 100 탆 / 100 탆 (for the third connection structure), 75 탆 / 75 탆 (for the second connection structure), 50 탆 / 10 mu m) on the underside was prepared.

플렉시블 프린트 기판을 반도체 칩으로 변경한 것 이외는 비교예 1과 마찬가지로 하여, 제1, 제2, 제3 접속 구조체를 얻었다.The first, second, and third connection structures were obtained in the same manner as in Comparative Example 1 except that the flexible printed circuit board was changed to a semiconductor chip.

(평가) (evaluation)

(1) 점도 (1) Viscosity

이방성 도전 페이스트의 25℃에서의 점도 η1을, E형 점도계(도키 산교사제)를 사용하여, 25℃ 및 5rpm의 조건에서 측정했다.The viscosity? 1 at 25 占 폚 of the anisotropic conductive paste was measured under the conditions of 25 占 폚 and 5 rpm using an E-type viscometer (manufactured by Toki Sangyo Co., Ltd.).

(2) 최저 용융 점도 (2) Minimum melt viscosity

25℃부터 땜납 입자의 융점 또는 도전성 입자의 표면 땜납 융점까지의 온도 영역에서의, 이방성 도전 페이스트의 최저 용융 점도를 측정했다.The lowest melt viscosity of the anisotropic conductive paste was measured in the temperature range from 25 占 폚 to the melting point of the solder particles or the surface solder melting point of the conductive particles.

(3) DSC에 의한 발열 피크 P1 및 흡열 피크 P2의 측정 (3) Measurement of exothermic peak P1 and endothermic peak P2 by DSC

실시예 및 비교예의 이방성 도전 페이스트에 있어서의 열경화성 성분을 배합했다. 시차 주사 열량 측정 장치(TA인스트루먼트사제 「Q2000」)를 사용하여, 얻어진 열경화성 성분을 10℃/분의 승온 속도로 가열하여, 상기 열경화성 성분의 본경화에 있어서의 발열 피크 P1을 측정했다.The thermosetting components in the anisotropic conductive paste of Examples and Comparative Examples were blended. The exothermic peak P1 in the final curing of the thermosetting component was measured by heating the obtained thermosetting component at a heating rate of 10 DEG C / minute by using a differential scanning calorimeter ("Q2000" manufactured by TA Instruments).

또한, 시차 주사 열량 측정 장치(TA인스트루먼트사제 「Q2000」)를 사용하여, 땜납 입자를 10℃/분의 승온 속도로 가열하여, 땜납 입자의 용융에 있어서의 흡열 피크 P2를 측정했다.Further, the solder particles were heated at a heating rate of 10 DEG C / minute using a differential scanning calorimeter ("Q2000" manufactured by TA Instruments), and the heat absorption peaks P2 in the melting of the solder particles were measured.

하기의 표 1, 2에, 1) 열경화성 성분의 본경화에 있어서의 발열 피크 톱 온도 P1t와, 2) 땜납 입자의 용융에 있어서의 흡열 피크 톱 온도 P2t와, 3) 열경화성 성분의 본경화에 있어서의 발열 개시 온도와, 4) 땜납 입자의 용융에 있어서의 흡열 개시 온도를 나타냈다.In the following Tables 1 and 2, 1) an exothermic peak top temperature P1t in the main curing of the thermosetting component, 2) an endothermic peak top temperature P2t in melting of the solder particles, and 3) And 4) an endothermic initiation temperature in the melting of the solder particles.

(4) 접속부의 거리(전극간의 간격) (4) Distance of connection (distance between electrodes)

얻어진 제1 접속 구조체를 단면 관찰함으로써, 상하의 전극이 대향하고 있는 위치에 있어서의 접속부의 거리 D1(전극간의 간격)을 평가했다.The obtained first connection structure was observed by a section to evaluate the distance D1 (interval between the electrodes) of the connection portion at positions where the upper and lower electrodes face each other.

(5) 전극 상의 땜납의 배치 정밀도 (5) Arrangement accuracy of solder on electrodes

얻어진 제1, 제2, 제3 접속 구조체의 단면(도 1에 도시하는 방향의 단면)에 있어서, 땜납의 전체 면적 100% 중 전극간에 배치된 땜납부로부터 떨어져 경화물 중에 잔존하고 있는 땜납의 면적(%)을 평가했다. 또한, 5개의 단면에 있어서의 면적의 평균을 산출했다. 전극 상의 땜납의 배치 정밀도를 하기의 기준으로 판정했다.In the cross section (cross section in the direction shown in Fig. 1) of the obtained first, second and third connection structures, the area of the solder remaining in the cured product away from the soldering portion disposed between the electrodes of 100% (%). In addition, the average of areas in five sections was calculated. The placement accuracy of the solder on the electrode was determined based on the following criteria.

[전극 상의 땜납의 배치 정밀도의 판정 기준] [Criteria for determination of placement accuracy of solder on electrodes]

○○: 단면에 나타나 있는 땜납의 전체 면적 100% 중 전극간에 배치된 땜납부로부터 떨어져 경화물 중에 잔존하고 있는 땜납(땜납 입자)의 면적이 0%0: The area of the solder (solder particles) remaining in the cured product away from the soldering portion disposed between the electrodes of 100% of the total area of the solder shown on the cross section is 0%

○: 단면에 나타나 있는 땜납의 전체 면적 100% 중 전극간에 배치된 땜납부로부터 떨어져 경화물 중에 잔존하고 있는 땜납(땜납 입자)의 면적이 0% 초과 10% 이하: The area of the solder (solder particles) remaining in the cured product separated from the soldering portion disposed between the electrodes of 100% of the total area of the solder shown on the cross section exceeds 0% to 10%

△: 단면에 나타나 있는 땜납의 전체 면적 100% 중 전극간에 배치된 땜납부로부터 떨어져 경화물 중에 잔존하고 있는 땜납(땜납 입자)의 면적이 10% 초과 30% 이하DELTA: area of the solder (solder particles) remaining in the cured product away from the soldering portion disposed between the electrodes of 100% of the total area of the solder appearing on the cross section is more than 10% but not more than 30%

×: 단면에 나타나 있는 땜납의 전체 면적 100% 중 전극간에 배치된 땜납부로부터 떨어져 경화물 중에 잔존하고 있는 땜납(땜납 입자)의 면적이 30% 초과: Area of the solder (solder particles) remaining in the cured product away from the soldering portion disposed between the electrodes of 100% of the total area of the solder appearing on the cross section exceeds 30%

(5) 상하의 전극간의 도통 신뢰성 (5) Reliability of conduction between the upper and lower electrodes

얻어진 제1, 제2, 제3 접속 구조체(n=15개)에 있어서, 상하의 전극간의 접속 저항을 각각 4단자법에 의해 측정했다. 접속 저항의 평균값을 산출했다. 또한, 전압=전류×저항의 관계로부터, 일정한 전류를 흘렸을 때의 전압을 측정함으로써 접속 저항을 구할 수 있다. 도통 신뢰성을 하기의 기준으로 판정했다.In the obtained first, second and third connection structures (n = 15), the connection resistance between the upper and lower electrodes was measured by the four-terminal method. And the average value of the connection resistance was calculated. From the relationship of voltage = current x resistance, the connection resistance can be obtained by measuring the voltage when a constant current is passed. The conduction reliability was judged based on the following criteria.

[도통 신뢰성의 판정 기준] [Criteria for reliability of conduction]

○○: 접속 저항의 평균값이 8.0Ω 이하 ○○: Average value of connection resistance is 8.0Ω or less

○: 접속 저항의 평균값이 8.0Ω 초과 10.0Ω 이하 O: Average value of connection resistance exceeds 8.0? 10.0?

△: 접속 저항의 평균값이 10.0Ω 초과 15.0Ω 이하 ?: Average value of connection resistance exceeds 10.0? 15.0?

×: 접속 저항의 평균값이 15.0Ω 초과X: Average value of connection resistance exceeds 15.0?

(6) 인접하는 전극간의 절연 신뢰성 (6) Insulation reliability between adjacent electrodes

얻어진 제1, 제2, 제3 접속 구조체(n=15개)에 있어서, 온도 85℃ 및 습도 85%의 분위기 중에 100시간 방치 후, 인접하는 전극간에 5V를 인가하여, 저항값을 25개소에서 측정했다. 절연 신뢰성을 하기의 기준으로 판정했다.In the obtained first, second and third connection structures (n = 15), after being left for 100 hours in an atmosphere at a temperature of 85 캜 and a humidity of 85%, 5 V was applied between adjacent electrodes, Respectively. The insulation reliability was judged based on the following criteria.

[절연 신뢰성의 판정 기준] [Judgment Criteria of Insulation Reliability]

○○: 접속 저항의 평균값이 107Ω 이상 ○○: Average value of connection resistance is more than 10 7 Ω

○: 접속 저항의 평균값이 106Ω 이상 107Ω 미만 ○: Average value of connection resistance is 10 6 Ω or more and less than 10 7 Ω

△: 접속 저항의 평균값이 105Ω 이상 106Ω 미만 △: average value of connection resistance is 10 5 Ω or more and less than 10 6 Ω

×: 접속 저항의 평균값이 105Ω 미만X: Average value of connection resistance is less than 10 5 Ω

결과를 하기의 표 1, 2에 나타낸다.The results are shown in Tables 1 and 2 below.

Figure pct00002
Figure pct00002

Figure pct00003
Figure pct00003

실시예 1과 비교예 1의 결과의 차이와, 실시예 11과 비교예 5의 결과의 차이로부터, 제2 접속 대상 부재가 플렉시블 프린트 기판인 경우에 제2 접속 대상 부재가 반도체 칩인 경우에 비하여, 본 발명의 도전 페이스트의 사용에 따른 도통 신뢰성의 향상 효과가 한층 더 효과적으로 얻어지는 것을 알 수 있다. From the difference between the results of Example 1 and Comparative Example 1 and the difference between the results of Example 11 and Comparative Example 5, it can be seen that, in the case where the second connection target member is a flexible printed board, It can be seen that the effect of improving the conduction reliability according to the use of the conductive paste of the present invention is even more effectively obtained.

플렉시블 프린트 기판 대신에, 수지 필름, 플렉시블 플랫 케이블 및 리지드 플렉시블 기판을 사용한 경우에도 마찬가지이었다. The same was true when a resin film, a flexible flat cable, and a rigid flexible substrate were used in place of the flexible printed substrate.

또한, 실시예 1 내지 14에서 얻어진 접속 구조체에서는, 제1 전극과 접속부와 제2 전극의 적층 방향으로 제1 전극과 제2 전극의 서로 대향하는 부분을 보았을 때에, 제1 전극과 제2 전극의 서로 대향하는 부분의 면적 100% 중의 50% 이상으로, 접속부 중의 땜납부가 배치되어 있었다. Further, in the connection structures obtained in Examples 1 to 14, when the mutually opposing portions of the first electrode and the second electrode in the stacking direction of the first electrode, the connection portion and the second electrode are observed, The solder portion in the connection portion was disposed at 50% or more of the area 100% of the portions facing each other.

또한, 도 5의 (a) 및 (b)에, 본 발명의 실시 형태에 포함되는 도전 페이스트를 사용한 접속 구조체의 일례를 나타냈다. 도 5의 (a) 및 (b)는 단면 화상이다. 도 5의 (a) 및 (b)에서는, 전극간에 배치된 땜납부로부터 떨어져어 경화물 중에 잔존하고 있는 땜납(땜납 입자)이 존재하고 있지 않음을 알 수 있다.5 (a) and 5 (b) show an example of a connection structure using the conductive paste included in the embodiment of the present invention. Figures 5 (a) and 5 (b) are sectional images. 5 (a) and 5 (b), it can be seen that the solder (solder particles) remaining in the hardened product does not exist apart from the soldering portion disposed between the electrodes.

또한, 도 6의 (a), (b) 및 (c)에, 본 발명의 실시 형태에 포함되지 않는 도전 페이스트를 사용한 접속 구조체의 일례를 나타냈다. 도 6의 (a) 및 (b)는 단면 화상이며, 도 6의 (c)는 평면 화상이다. 도 6의 (a), (b), (c)에서는, 전극간에 배치된 땜납부로부터 떨어져 경화물 중에 잔존하고 있는 땜납(땜납 입자)이, 땜납부의 측방에 복수 존재하고 있는 것을 알 수 있다. 또한, 접속부를 형성하는 공정에 있어서, 가압을 행해도, 도 6의 (a), (b) 및 (c)에 도시한 접속 구조체와 마찬가지의 접속 구조체가 얻어지는 것을 확인했다.6 (a), 6 (b) and 6 (c) show an example of a connection structure using conductive paste not included in the embodiment of the present invention. Figs. 6 (a) and 6 (b) are sectional views, and Fig. 6 (c) is a planar image. 6 (a), 6 (b) and 6 (c), it can be seen that a plurality of solder (solder particles) remaining in the cured product away from the soldering portion disposed between the electrodes exists on the side of the soldering portion . Further, it was confirmed that, in the step of forming the connecting portion, the same connecting structure as that of the connecting structure shown in Figs. 6A, 6B and 6C was obtained even when the pressing was performed.

1, 1X…접속 구조체
2…제1 접속 대상 부재
2a…제1 전극
3…제2 접속 대상 부재
3a…제2 전극
4, 4X…접속부
4A, 4XA…땜납부
4B, 4XB…경화물부
11…도전 페이스트
11A…땜납 입자
11B…열경화성 성분
1, 1X ... Connection structure
2… The first connection object member
2a ... The first electrode
3 ... The second connection object member
3a ... The second electrode
4, 4X ... Connection
4A, 4XA ... Soldering portion
4B, 4XB ... Hardened portion
11 ... Conductive paste
11A ... Solder particles
11B ... Thermosetting component

Claims (13)

열경화성 성분과, 복수의 땜납 입자를 포함하며,
상기 열경화성 성분과 상기 땜납 입자를 각각 10℃/분의 승온 속도로 가열하여 시차 주사 열량 측정을 행했을 때에, 상기 열경화성 성분의 본경화에 있어서의 발열 피크 톱 온도가, 상기 땜납 입자의 용융에 있어서의 흡열 피크 톱 온도보다도 높고, 또한 상기 열경화성 성분의 본경화에 있어서의 발열 피크 톱 온도와, 상기 땜납 입자의 용융에 있어서의 흡열 피크 톱 온도의 차의 절댓값이 10℃ 이상 70℃ 이하인, 도전 페이스트.
A thermosetting component, and a plurality of solder particles,
The exothermic peak top temperature in the main curing of the thermosetting component in the melting of the solder particles when heating the thermosetting component and the solder particles at a heating rate of 10 ° C / Wherein a maximum value of a difference between an exothermic peak top temperature in final curing of the thermosetting component and an endothermic peak top temperature in melting of the solder particles is 10 ° C or higher and 70 ° C or lower, .
제1항에 있어서, 상기 열경화성 성분과 상기 땜납 입자를 각각 10℃/분의 승온 속도로 가열하여 시차 주사 열량 측정을 행했을 때에, 상기 열경화성 성분의 발열 개시 온도가, 상기 땜납 입자의 용융에 있어서의 흡열 피크 톱 온도보다도 높고, 또한 상기 열경화성 성분의 발열 개시 온도와, 상기 땜납 입자의 용융에 있어서의 흡열 피크 톱 온도의 차의 절댓값이 5℃ 이상 50℃ 이하인, 도전 페이스트.The method according to claim 1, wherein, when the thermosetting component and the solder particles are heated at a temperature raising rate of 10 캜 / minute to measure the differential scanning calorie, the exothermic initiation temperature of the thermosetting component And the absolute value of the difference between the heat generation starting temperature of the thermosetting component and the endothermic peak top temperature in the melting of the solder particles is 5 占 폚 or more and 50 占 폚 or less. 제1항 또는 제2항에 있어서, 플럭스를 포함하고,
상기 열경화성 성분을 10℃/분의 승온 속도로 가열하여 시차 주사 열량 측정을 행했을 때에, 상기 열경화성 성분의 본경화에 있어서의 발열 피크 톱 온도가, 상기 플럭스의 활성 온도보다도 높은, 도전 페이스트.
3. The method of claim 1 or 2,
Wherein the exothermic peak top temperature in the final curing of the thermosetting component is higher than the active temperature of the flux when the thermosetting component is heated at a heating rate of 10 캜 / min to perform a differential scanning calorimetry.
제1항 또는 제2항에 있어서, 플럭스를 포함하고,
상기 땜납 입자를 10℃/분의 승온 속도로 가열하여 시차 주사 열량 측정을 행했을 때에, 상기 땜납 입자의 용융에 있어서의 흡열 피크 톱 온도가, 상기 플럭스의 활성 온도보다도 높은, 도전 페이스트.
3. The method of claim 1 or 2,
Wherein the solder particles are heated at a temperature raising rate of 10 캜 / minute to measure a differential scanning calorie, wherein an endothermic peak top temperature in the melting of the solder particles is higher than an active temperature of the flux.
제1항 또는 제2항에 있어서, 플럭스를 포함하고,
상기 열경화성 성분과 상기 땜납 입자를 각각 10℃/분의 승온 속도로 가열하여 시차 주사 열량 측정을 행했을 때에, 상기 열경화성 성분의 본경화에 있어서의 발열 피크 톱 온도가, 상기 플럭스의 활성 온도보다도 높고, 또한 상기 땜납 입자의 용융에 있어서의 흡열 피크 톱 온도가, 상기 플럭스의 활성 온도보다도 높은, 도전 페이스트.
3. The method of claim 1 or 2,
The exothermic peak top temperature in the main curing of the thermosetting component is higher than the active temperature of the flux when the differential scanning calorie is measured by heating the thermosetting component and the solder particles at a heating rate of 10 ° C / And the endothermic peak top temperature in the melting of the solder particles is higher than the active temperature of the flux.
제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 도전 페이스트 100중량% 중 상기 땜납 입자의 함유량이 10중량% 이상 70중량% 이하인, 도전 페이스트.The conductive paste according to any one of claims 1 to 5, wherein the content of the solder particles in 100 wt% of the conductive paste is 10 wt% or more and 70 wt% or less. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 25℃에서의 점도가 10Pa·s 이상 800Pa·s 이하인, 도전 페이스트.The conductive paste according to any one of claims 1 to 6, wherein the viscosity at 25 캜 is 10 Pa · s or more and 800 Pa · s or less. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 땜납 입자의 융점 이하의 온도 영역에서의 점도의 최저값이 0.1Pa·s 이상 10Pa·s 이하인, 도전 페이스트.The conductive paste according to any one of claims 1 to 7, wherein the lowest value of the viscosity in the temperature range below the melting point of the solder particles is 0.1 Pa · s or more and 10 Pa · s or less. 적어도 1개의 제1 전극을 표면에 갖는 제1 접속 대상 부재와,
적어도 1개의 제2 전극을 표면에 갖는 제2 접속 대상 부재와,
상기 제1 접속 대상 부재와, 상기 제2 접속 대상 부재를 접속하고 있는 접속부를 구비하며,
상기 접속부가, 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 기재된 도전 페이스트에 의해 형성되어 있고,
상기 제1 전극과 상기 제2 전극이, 상기 접속부 중의 땜납부에 의해 전기적으로 접속되어 있는, 접속 구조체.
A first connection target member having at least one first electrode on its surface,
A second connection target member having at least one second electrode on its surface,
And a connecting portion connecting the first connection target member and the second connection target member,
Wherein the connecting portion is formed by the conductive paste according to any one of claims 1 to 8,
Wherein the first electrode and the second electrode are electrically connected by a solder portion in the connection portion.
제9항에 있어서, 상기 제2 접속 대상 부재가, 수지 필름, 플렉시블 프린트 기판, 플렉시블 플랫 케이블 또는 리지드 플렉시블 기판인, 접속 구조체.The connection structure according to claim 9, wherein the second connection target member is a resin film, a flexible printed circuit board, a flexible flat cable, or a rigid flexible substrate. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 기재된 도전 페이스트를 사용하여, 적어도 1개의 제1 전극을 표면에 갖는 제1 접속 대상 부재의 표면 상에, 상기 도전 페이스트를 배치하는 공정과,
상기 도전 페이스트의 상기 제1 접속 대상 부재측과는 반대인 표면 상에, 적어도 1개의 제2 전극을 표면에 갖는 제2 접속 대상 부재를, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극이 대향하도록 배치하는 공정과,
상기 땜납 입자의 융점 이상이면서 상기 열경화성 성분의 경화 온도 이상으로 상기 도전 페이스트를 가열함으로써, 상기 제1 접속 대상 부재와 상기 제2 접속 대상 부재를 접속하고 있는 접속부를, 상기 도전 페이스트에 의해 형성하고, 또한 상기 제1 전극과 상기 제2 전극을, 상기 접속부 중의 땜납부에 의해 전기적으로 접속하는 공정을 구비하는, 접속 구조체의 제조 방법.
9. A method of manufacturing a semiconductor device, comprising the steps of: disposing the conductive paste on a surface of a first connection target member having at least one first electrode on a surface thereof using the conductive paste according to any one of claims 1 to 8;
A second connection target member having at least one second electrode on its surface on a surface opposite to the first connection target member side of the conductive paste is arranged so that the first electrode and the second electrode face each other The process,
The connection portion connecting the first connection target member and the second connection target member is formed by the conductive paste by heating the conductive paste at a temperature equal to or higher than the melting point of the solder particles and not lower than a curing temperature of the thermosetting component, And electrically connecting the first electrode and the second electrode to each other by a soldering portion of the connection portion.
제11항에 있어서, 상기 제2 접속 대상 부재를 배치하는 공정 및 상기 접속부를 형성하는 공정에 있어서, 가압을 행하지 않고, 상기 도전 페이스트에는 상기 제2 접속 대상 부재의 중량이 가해지는, 접속 구조체의 제조 방법.The method according to claim 11, wherein in the step of disposing the second connection target member and the step of forming the connection part, the weight of the second connection object member is applied to the conductive paste without applying pressure, Gt; 제11항 또는 제12항에 있어서, 상기 제2 접속 대상 부재가, 수지 필름, 플렉시블 프린트 기판, 플렉시블 플랫 케이블 또는 리지드 플렉시블 기판인, 접속 구조체의 제조 방법.The method of manufacturing a connection structure according to claim 11 or 12, wherein the second connection target member is a resin film, a flexible printed substrate, a flexible flat cable, or a rigid flexible substrate.
KR1020167006636A 2014-03-07 2015-02-25 Conductive paste, connection structure, and production method for connection structure KR102393302B1 (en)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2014-045437 2014-03-07
JP2014045437 2014-03-07
PCT/JP2015/055343 WO2015133343A1 (en) 2014-03-07 2015-02-25 Conductive paste, connection structure, and production method for connection structure

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20160130738A true KR20160130738A (en) 2016-11-14
KR102393302B1 KR102393302B1 (en) 2022-05-03

Family

ID=54055152

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020167006636A KR102393302B1 (en) 2014-03-07 2015-02-25 Conductive paste, connection structure, and production method for connection structure

Country Status (5)

Country Link
JP (2) JP5851071B1 (en)
KR (1) KR102393302B1 (en)
CN (1) CN105684096B (en)
TW (1) TWI671382B (en)
WO (1) WO2015133343A1 (en)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6294973B2 (en) * 2015-08-24 2018-03-14 積水化学工業株式会社 Conductive material and connection structure
JP6600234B2 (en) * 2015-11-16 2019-10-30 積水化学工業株式会社 Conductive material and connection structure
JP2017092424A (en) * 2015-11-17 2017-05-25 積水化学工業株式会社 Manufacturing method of connection structure
KR20200098485A (en) * 2017-12-22 2020-08-20 세키스이가가쿠 고교가부시키가이샤 Solder particles, conductive material, storage method of solder particles, storage method of conductive material, manufacturing method of conductive material, connection structure and manufacturing method of connection structure
JP7210840B2 (en) * 2018-08-06 2023-01-24 株式会社レゾナック Thermosetting composition for forming elastic resin, elastic resin, and semiconductor device

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20020071906A (en) * 1999-12-27 2002-09-13 스미토모 베이클라이트 가부시키가이샤 Hardening flux, soldering resist, semiconductor package reinforced by hardening flux, semiconductor device and method of producing semiconductor package and semiconductor device
JP2005194306A (en) * 2003-12-26 2005-07-21 Togo Seisakusho Corp Conducting adhesive and platy member for window using the same
WO2008023452A1 (en) 2006-08-25 2008-02-28 Sumitomo Bakelite Co., Ltd. Adhesive tape, joint structure, and semiconductor package
KR20090129478A (en) * 2007-03-19 2009-12-16 나믹스 가부시끼가이샤 Anisotropic conductive paste
KR20120060770A (en) * 2010-12-02 2012-06-12 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머트어리얼즈, 엘.엘.씨. A Curable Flux Composition and Method of Soldering
KR20130126685A (en) * 2012-03-26 2013-11-20 세키스이가가쿠 고교가부시키가이샤 Conductive material and connection structure

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1327491B1 (en) * 2000-10-02 2010-05-12 Asahi Kasei EMD Corporation Functional metal alloy particles
JP3930690B2 (en) * 2001-03-13 2007-06-13 昭和電工株式会社 Solder paste flux
JP2004223559A (en) * 2003-01-22 2004-08-12 Asahi Kasei Corp Metallic powder composition for electrode connection and method for connecting electrode
JP2004234900A (en) * 2003-01-28 2004-08-19 Asahi Kasei Corp Conductive paste using conductive particle, and sheet for connection using the paste
JP4248944B2 (en) * 2003-06-10 2009-04-02 旭化成エレクトロニクス株式会社 Conductive paste, circuit pattern forming method, and bump electrode forming method
CN101107678B (en) * 2005-01-25 2012-03-07 藤仓化成株式会社 Conductive paste
KR101009564B1 (en) * 2006-06-30 2011-01-18 아사히 가세이 일렉트로닉스 가부시끼가이샤 Conductive filler
JP4662483B2 (en) * 2006-07-18 2011-03-30 旭化成イーマテリアルズ株式会社 Conductive filler and medium temperature solder material
JP2009278054A (en) * 2008-05-19 2009-11-26 Sumitomo Bakelite Co Ltd Connection method between terminals, aggregation method of conductive particles, and semiconductor device manufacturing method using the same
US8420722B2 (en) * 2008-07-10 2013-04-16 Electronics And Telecommunications Research Institute Composition and methods of forming solder bump and flip chip using the same
KR20130077816A (en) * 2010-04-22 2013-07-09 세키스이가가쿠 고교가부시키가이샤 Anisotropic conductive material and connection structure
US8710662B2 (en) * 2010-06-09 2014-04-29 Sony Corporation & Information Device Corporation Light-reflective anisotropic conductive paste and light-emitting device
JP2012169263A (en) * 2011-01-24 2012-09-06 Sekisui Chem Co Ltd Anisotropic conductive material, method for manufacturing connection structure and connection structure
CN103843469B (en) * 2011-09-30 2017-05-03 株式会社村田制作所 Electronic device, joining material, and method for producing electronic device
JP5613220B2 (en) * 2011-12-20 2014-10-22 積水化学工業株式会社 Electronic component connection material and connection structure
JP6114627B2 (en) * 2012-05-18 2017-04-12 積水化学工業株式会社 Conductive material, connection structure, and manufacturing method of connection structure
JP2014005347A (en) * 2012-06-22 2014-01-16 Sekisui Chem Co Ltd Adhesive composition, and method for manufacturing semiconductor chip mounting body

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20020071906A (en) * 1999-12-27 2002-09-13 스미토모 베이클라이트 가부시키가이샤 Hardening flux, soldering resist, semiconductor package reinforced by hardening flux, semiconductor device and method of producing semiconductor package and semiconductor device
JP2005194306A (en) * 2003-12-26 2005-07-21 Togo Seisakusho Corp Conducting adhesive and platy member for window using the same
WO2008023452A1 (en) 2006-08-25 2008-02-28 Sumitomo Bakelite Co., Ltd. Adhesive tape, joint structure, and semiconductor package
KR20090129478A (en) * 2007-03-19 2009-12-16 나믹스 가부시끼가이샤 Anisotropic conductive paste
KR20120060770A (en) * 2010-12-02 2012-06-12 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머트어리얼즈, 엘.엘.씨. A Curable Flux Composition and Method of Soldering
KR20130126685A (en) * 2012-03-26 2013-11-20 세키스이가가쿠 고교가부시키가이샤 Conductive material and connection structure

Also Published As

Publication number Publication date
CN105684096B (en) 2018-04-17
KR102393302B1 (en) 2022-05-03
JP2016048691A (en) 2016-04-07
JP5851071B1 (en) 2016-02-03
CN105684096A (en) 2016-06-15
TW201536892A (en) 2015-10-01
JPWO2015133343A1 (en) 2017-04-06
TWI671382B (en) 2019-09-11
WO2015133343A1 (en) 2015-09-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102392995B1 (en) Conductive paste, connected structure and method for producing connected structure
KR102411356B1 (en) Electrically conductive paste, joined structure, and method for manufacturing joined structure
KR102360487B1 (en) Connection structure manufacturing method
KR20160125344A (en) Conductive paste, connection structure, and connection structure manufacturing method
KR20170007724A (en) Conductive paste, production method for conductive paste, connection structure, and production method for connection structure
KR102393302B1 (en) Conductive paste, connection structure, and production method for connection structure
JP5966101B1 (en) Conductive paste, connection structure, and manufacturing method of connection structure
JP5966102B1 (en) Conductive paste, connection structure, and manufacturing method of connection structure
JP6592350B2 (en) Anisotropic conductive material, connection structure, and manufacturing method of connection structure
JP6085031B2 (en) Method for manufacturing connection structure
JP6514610B2 (en) Method of manufacturing connection structure
JP6514615B2 (en) Method of manufacturing connection structure
WO2016035637A1 (en) Method of manufacturing connection structure
JP2017017318A (en) Connection structure manufacturing method and connection structure
JP2017022112A (en) Connection structure
JP2016066609A (en) Manufacturing method of connection structure, and connection structure
JP2016126876A (en) Conductive material, connection structure and method for producing connection structure

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
X091 Application refused [patent]
AMND Amendment
X701 Decision to grant (after re-examination)
GRNT Written decision to grant