KR20160088744A - Light emitting device - Google Patents

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Abstract

A light emitting device is disclosed. The light emitting device includes a light emitting diode which emits light of a peak wavelength in a range of 415 to 435nm and a wavelength conversion part which is located on the light emitting diode. The wavelength conversion part includes first and second red phosphors which emit light of a peak wavelength of a red light range, and a cyan phosphor which emits light of a peak wavelength of a cyan light range. The material of the first red phosphor is different from that of the second red phosphor. The light emitted from the light emitting device has a CRI value of 90 or more and a R9 of 50 or more. So, the light emitting device having improved CRI, R9 and light intensity can be provided.

Description

발광 장치{LIGHT EMITTING DEVICE}[0001] LIGHT EMITTING DEVICE [0002]

본 발명은 발광 장치에 관한 것으로, 특히, 고 연색성 및 고 광량을 갖는 발광 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a light emitting device, and more particularly to a light emitting device having high color rendering property and high light quantity.

발광 다이오드는 최근, 조명, 디스플레이, 의학 등 다양한 분야에서 새로운 고체 광원으로 이용되고 있다. 이러한 발광 다이오드는 그 응용 분야에 적합하도록, 발광 다이오드 패키지 또는 발광 다이오드 모듈 등 형태로 가공된 발광 장치에 적용될 수 있다.Recently, light emitting diodes have been used as a new solid state light source in various fields such as lighting, display, and medicine. Such a light emitting diode may be applied to a light emitting device processed in the form of a light emitting diode package or a light emitting diode module so as to be suitable for its application field.

발광 다이오드는 대체로 좁은 반치폭의 피크 파장을 갖는 광을 방출하므로, 하나의 발광 다이오드로 백색광을 구현하려면 상기 하나의 발광 다이오드 내에 다양한 파장대의 광을 방출하는 복수의 활성층이 요구된다. 그러나, 이러한 복수의 활성층을 갖는 발광 다이오드를 제조하는 것은 기술적 및 공정상의 이유로 효율성이 매우 떨어진다.Since the light emitting diode generally emits light having a peak wavelength of a narrow half width, in order to realize white light by one light emitting diode, a plurality of active layers which emit light of various wavelength ranges are required in the one light emitting diode. However, the fabrication of light emitting diodes having such a plurality of active layers is very inefficient for technical and process reasons.

따라서, 발광 다이오드를 이용하여 백색 발광 장치를 구현하기 위하여, 일반적으로, 발광 다이오드 및 상기 발광 다이오드에서 방출된 광을 다른 파장대의 광으로 여기시키는 형광체를 포함하는 발광 장치를 이용한다. 이 경우, 발광 다이오드에서 방출되는 광과 형광체에 의해 여기된 광의 혼색을 통해 백색광을 구현할 수 있다.Therefore, in order to realize a white light emitting device using a light emitting diode, a light emitting device including a light emitting diode and a phosphor that excites light emitted from the light emitting diode into light of a different wavelength band is generally used. In this case, white light can be realized by mixing the light emitted from the light emitting diode and the light excited by the phosphor.

구체적으로, 청색 발광 다이오드 칩 상에 청색광의 일부를 여기광으로 흡수하여 황록색 또는 황색을 발광하는 형광체를 도포하여 백색광을 얻을 수 있다. 대한민국 공개특허 10-2004-0032456호를 참조하면, 청색으로 발광하는 발광 다이오드 칩 위에 그 광의 일부를 여기원으로서 황록색 내지 황색 발광하는 형광체를 부착하여 발광 다이오드의 청색 발광과 형광체의 황록색 내지 황색 발광에 따라 백색 발광하는 발광 다이오드를 개시하고 있다. 그러나, 이러한 방식을 사용하는 백색 발광 다이오드 패키지는 황색 형광체의 발광을 활용하므로, 방출되는 광의 녹색 및 적색 영역의 스펙트럼 결핍으로 인해 연색성 및 색재현성이 낮다. 따라서, 이러한 형태의 발광 장치는 조명 또는 디스플레이 분야에 적용하는데 한계가 있다.Specifically, white light can be obtained by applying a phosphor emitting yellow-green or yellow light by absorbing a part of blue light on the blue light-emitting diode chip as excitation light. Korean Patent Laid-Open Publication No. 10-2004-0032456 discloses that a phosphor emitting yellow-green to yellow light is attached as an excitation source to a part of the light emitting diode chip which emits blue light, so that the blue light emission of the light emitting diode and the yellow- Thereby emitting white light. However, the white light emitting diode package using this method utilizes the luminescence of the yellow phosphor, so that the color rendering property and the color reproducibility are low due to the spectrum deficiency of the green and red regions of the emitted light. Therefore, this type of light emitting device is limited in application to the field of illumination or display.

이러한 문제점을 해결하기 위해, 청색 발광 다이오드 칩과 청색광을 여기광으로 하여 녹색 및 적색을 발광하는 형광체들을 사용하여 발광 다이오드를 제조한다. 즉, 청색광과 청색광에 의해 여기되어 나오는 녹색광 및 적색광의 혼색을 통하여, 높은 연색성을 가지는 백색광을 구현할 수 있다. 그러나, 일반적으로 사용되는 약 450nm 파장의 광을 발광하는 청색 발광 다이오드 칩을 사용하는 발광 장치에 있어서, 이를 조명으로 사용하는 경우, 인체에 여러가지 부작용이 발생할 수 있다. 예를 들어, 멜라토닌의 억제가 야기될 수 있으며, 이에 의해 생체 주기 리듬이 영향받을 수 있다. 예를 들어 수면 장애 등이 발생할 우려가 높다. In order to solve such a problem, a blue light emitting diode chip and blue light are used as excitation light and phosphors emitting green and red light are used to manufacture a light emitting diode. That is, white light having high color rendering property can be realized through mixing of green light and red light excited by blue light and blue light. However, in a light emitting device using a blue light emitting diode chip that emits light having a wavelength of about 450 nm, which is generally used, various side effects may occur in the human body when the light emitting device is used as illumination. For example, inhibition of melatonin may be caused, thereby affecting the life cycle rhythm. For example, there is a high possibility that a sleep disorder occurs.

한편, R9은 강한 적색에 대한 지표로써, 피부색, 미술작품, 의류, 식료품 등과 관계된 분야에서 중요하다. 자색에 가까운 광을 방출하는 발광 다이오드 칩을 사용하는 경우, CRI가 90이상이면서 R9이 50이상의 값을 가지기 위해 장파장 영역에서 피크 파장을 가지는 CASN 계열 형광체를 적용한다. 그러나, 장파장의 CASN 계열 형광체 사용 시, R9은 증가하지만, 광량이 4% 이상 감소하는 문제가 있어서 적용의 한계가 있다.R9, on the other hand, is an indicator of strong red coloration, which is important in fields related to skin color, artwork, clothing, and food. When a light emitting diode chip emitting near-violet light is used, a CASN-based phosphor having a peak wavelength in a long wavelength range is applied so that CRI is 90 or more and R9 has a value of 50 or more. However, when a long wavelength CASN-based phosphor is used, R9 is increased, but the amount of light is reduced by 4% or more.

본 발명이 해결하고자 하는 과제는 향상된 CRI, R9 수치를 가지며, 광량이 개선된 발광 장치를 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a light emitting device having improved CRI and R9 values and improved light quantity.

본 발명의 일 실시예에 따른 발광 장치는, 백색 발광 장치에 있어서, 415 내지 435nm 범위 내의 피크 파장을 갖는 광을 방출하는 발광 다이오드; 및 상기 발광 다이오드 상에 위치하는 파장변환부를 포함하고, 상기 파장변환부는 적색광 대역의 피크 파장을 갖는 광을 방출하는 제1 레드 형광체 및 제2 레드 형광체 및 시안광 대역의 피크 파장을 갖는 광을 방출하는 시안 형광체를 포함하며, 상기 제1 레드 형광체와 상기 제2 레드 형광체는 서로 다른 물질이고, 상기 발광 장치로부터 방출된 광은 90 이상의 CRI 값을 가지며, 50 이상의 R9 값을 가질 수 있다. 이에 따라, 연색성이 우수할 뿐만 아니라 광량이 우수한 발광 장치가 제공될 수 있다.According to an embodiment of the present invention, there is provided a white light emitting device comprising: a light emitting diode that emits light having a peak wavelength within a range of 415 to 435 nm; And a wavelength conversion unit disposed on the light emitting diode, wherein the wavelength conversion unit includes a first red phosphor and a second red phosphor that emit light having a peak wavelength in a red light band, and a second red phosphor that emits light having a peak wavelength in a cyan light band Wherein the first red phosphor and the second red phosphor are different materials, and the light emitted from the light emitting device has a CRI value of 90 or more, and may have an R9 value of 50 or more. Thus, a light emitting device having excellent color rendering property and excellent light quantity can be provided.

상기 제1 레드 형광체는 A2MF6: Mn 화학식으로 표현되는 형광체를 포함할 수 있다. 상기 A는 Li, Na, K, Rb, Ce 및 NH4로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나이고, 상기 M은 Si, Ti, Nb 및 Ta로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나이다.The first red phosphor may include a phosphor represented by the formula A 2 MF 6 : Mn. Wherein A is any one selected from the group consisting of Li, Na, K, Rb, Ce and NH 4 , and M is any one selected from the group consisting of Si, Ti, Nb and Ta.

상기 제2 레드 형광체는 CASN 계열의 형광체를 포함할 수 있다.The second red phosphor may include a CASN series phosphor.

상기 CASN 계열의 형광체는 (Sr,Ca)AlSiN3: EU 화학식으로 표현되는 형광체를 포함할 수 있다.The CASN series phosphor may include a phosphor represented by (Sr, Ca) AlSiN 3 : EU formula.

상기 시안 형광체는 LuAG 계열의 형광체를 포함할 수 있다.The cyan phosphors may include LuAG-based phosphors.

상기 LuAG 계열의 형광체는 Lu3Al5O12: Ce 또는 일부 Al이 다른 3족 원소로 치환된 Lu3(Al,X)5O12: Ce (X는 Al외 3족 원소)화학식으로 표현되는 형광체를 포함할 수 있다.The phosphor of the LuAG family is represented by the formula Lu 3 Al 5 O 12 : Ce or Lu 3 (Al, X) 5 O 12 : Ce (X is an Al group III element) in which some Al are replaced with another group III element And may include a phosphor.

상기 제2 레드 형광체와 상기 제1 레드 형광체의 질량비는 0.5 내지 4 : 6.5 내지 9.5일 수 있다. 이에 따라, 연색성이 우수할 뿐만 아니라 광량이 우수한 발광 장치가 제공될 수 있다.The mass ratio of the second red phosphor and the first red phosphor may be 0.5 to 4: 6.5 to 9.5. Thus, a light emitting device having excellent color rendering property and excellent light quantity can be provided.

상기 제1 레드 형광체 및 제2 레드 형광체는 600 내지 660nm 파장을 갖는 광을 방출하고, 상기 시안 형광체는 490 내지 550nm 파장을 갖는 광을 방출할 수 있다.The first red phosphor and the second red phosphor may emit light having a wavelength of 600 to 660 nm, and the cyan phosphor may emit light having a wavelength of 490 to 550 nm.

상기 파장변환부는 상기 발광 다이오드의 적어도 일부를 덮을 수 있다.The wavelength conversion unit may cover at least a part of the light emitting diode.

본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 장치는 백색 발광 장치에 있어서, 415 내지 435nm 범위 내의 피크 파장을 갖는 광을 방출하는 발광 다이오드; 및 상기 발광 다이오드 상에 위치하는 파장변환부를 포함하고, 상기 파장변환부는, A2MF6: Mn 화학식으로 표현되는 제1 레드 형광체, (Sr,Ca)AlSiN3: EU 화학식으로 표현되는 제2 레드 형광체, 및 Lu3Al5O12: Ce 또는 일부 Al이 다른 3족 원소로 치환된 Lu3(Al,X)5O12: Ce 화학식으로 표현되는 시안 형광체를 포함하며, 상기 제2 레드 형광체와 상기 제1 레드 형광체의 질량비는 0.5 내지 4 : 6.5 내지 9.5일 수 있다. 상기 A는 Li, Na, K, Rb, Ce 및 NH4로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나이고, 상기 M은 Si, Ti, Nb 및 Ta로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나이며, 상기 X는 Al외 3족 원소이다.According to another embodiment of the present invention, there is provided a white light emitting device comprising: a light emitting diode emitting light having a peak wavelength within a range of 415 to 435 nm; And a wavelength converter disposed on the light emitting diode, wherein the wavelength converter comprises: a first red phosphor represented by the following formula: A 2 MF 6 : Mn, (Sr, Ca) AlSiN 3 : And a cyan phosphor represented by the formula Lu 3 (Al, X) 5 O 12 : Ce in which Lu 3 Al 5 O 12 : Ce or a part of Al is substituted by another group III element, and the second red phosphor The mass ratio of the first red phosphor may be 0.5 to 4: 6.5 to 9.5. Wherein A is any one selected from the group consisting of Li, Na, K, Rb, Ce and NH 4 ; M is any one selected from the group consisting of Si, Ti, Nb and Ta; Group III element.

본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 장치는 백색 발광 장치에 있어서,A light emitting device according to another embodiment of the present invention is a white light emitting device,

415 내지 435nm 범위 내의 피크 파장을 갖는 광을 방출하는 발광 다이오드; 및A light emitting diode emitting light having a peak wavelength in the range of 415 to 435 nm; And

상기 발광 다이오드 상에 위치하는 파장변환부를 포함하고,And a wavelength converter disposed on the light emitting diode,

상기 파장변환부는 적색광 대역의 피크 파장을 갖는 광을 방출하는 레드 형광체, 시안광 대역의 피크 파장을 갖는 광을 방출하는 시안 형광체를 포함하며,Wherein the wavelength converter includes a red phosphor emitting light having a peak wavelength in a red light band and a cyan phosphor emitting light having a peak wavelength in a cyan light band,

상기 발광 장치로부터 방출된 광은 90 이상의 CRI 값을 가지고, 50 이상의 R9 값을 가지며,The light emitted from the light emitting device has a CRI value of 90 or more, a R9 value of 50 or more,

하기 식 1의 광량 변화율이 98.8% 이상인 발광 장치.Wherein a light amount change rate of the following formula (1) is 98.8% or more.

[식 1][Formula 1]

광량 변화율(%) = [F1/F0]×100Light amount change rate (%) = [F 1 / F 0 ] × 100

F1 : 상기 발광 장치에서 방출된 광의 광량(lm)F 1 : a light amount (lm) of light emitted from the light emitting device

F0 : 형광체로, (Sr,Ca)AlSiN3: EU 화학식으로 표현되는 CASN 계열의 형광체와 Lu3Al5O12: Ce 또는 일부 Al이 다른 3족 원소로 치환된 Lu3(Al,X)5O12: Ce (X는 Al외 3족 원소)화학식으로 표현되는 LuAG 계열의 형광체만을 포함하는 파장변화부를 갖는 발광 장치에서 방출된 광의 광량(lm)F 0 : Lu 3 (Al, X) phosphor in which a phosphor of the CASN series represented by the formula (Sr, Ca) AlSiN 3 : EU and Lu 3 Al 5 O 12 : Ce or some Al are replaced by another group III element, 5 O 12 : Ce (X is a group III element other than Al) The light amount (lm) of the light emitted from the light emitting device having the wavelength changing portion including only the LuAG-

본 발명에 따른 발광 장치는 높은 CRI 및 R9 값을 가지며, 동시에 높은 광량을 가지는 광을 방출할 수 있다.The light emitting device according to the present invention can emit light having a high CRI and R9 value, and at the same time a high light amount.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 장치를 설명하기 위한 단면도이다.1 is a cross-sectional view illustrating a light emitting device according to an embodiment of the present invention.

이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명한다. 다음에 소개되는 실시예들은 본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 기술자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 예로서 제공되는 것이다. 따라서, 본 발명은 이하 설명되는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 그리고, 도면들에 있어서, 구성요소의 폭, 길이, 두께 등은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수도 있다. 또한, 하나의 구성요소가 다른 구성요소의 "상부에" 또는 "상에" 있다고 기재된 경우 각 부분이 다른 부분의 "바로 상부" 또는 "바로 상에" 있는 경우뿐만 아니라 각 구성요소와 다른 구성요소 사이에 또 다른 구성요소가 있는 경우도 포함한다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The following embodiments are provided by way of example so that those skilled in the art can sufficiently convey the spirit of the present invention. Therefore, the present invention is not limited to the embodiments described below, but may be embodied in other forms. In the drawings, the width, length, thickness, etc. of components may be exaggerated for convenience. It is also to be understood that when an element is referred to as being "above" or "above" another element, But also includes the case where there are other components in between. Like reference numerals designate like elements throughout the specification.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 장치를 설명하기 위한 단면도이다.1 is a cross-sectional view illustrating a light emitting device according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 상기 발광 장치는, 발광 다이오드(120) 및 파장변환부(130)를 포함하고, 나아가, 베이스(110)를 더 포함할 수 있다.Referring to FIG. 1, the light emitting device includes a light emitting diode 120 and a wavelength conversion unit 130, and further includes a base 110.

본 실시예에 있어서, 발광 다이오드(120)는 베이스(110)상에 배치될 수 있다. 베이스(110)는, 예를 들어, 도시된 바와 같은 하우징일 수 있다.In this embodiment, the light emitting diodes 120 may be disposed on the base 110. The base 110 may be, for example, a housing as shown.

상기 하우징은 상부 방향으로 개구된 캐비티를 포함할 수 있으며, 상기 캐비티 내에 발광 다이오드(120)가 실장될 수 있다. 상기 캐비티의 측면은 경사지도록 형성될 수 있으며, 이에 따라 발광 다이오드(120)에서 방출된 광이 반사되어 본 실시예의 발광 장치의 발광 효율을 향상시킬 수 있다. 나아가, 상기 캐비티의 내부 측면에는 반사성 물질이 더 위치할 수 있다.The housing may include an upwardly open cavity, and the light emitting diode 120 may be mounted in the cavity. The side surface of the cavity may be formed to be inclined so that the light emitted from the light emitting diode 120 is reflected to improve the luminous efficiency of the light emitting device of the present embodiment. Further, a reflective material may be further disposed on the inner side surface of the cavity.

베이스(110)가 하우징으로 형성된 경우, 상기 하우징은 폴리머 등을 포함하는 일반적인 플라스틱, ABS(acrylonitrile butadiene styrene), LCP(liquid crystalline polymer), PA(polyamide), IPS(polyphenylene sulfide) 또는 TPE(thermoplastic elastomer) 등으로 형성되거나, 메탈 또는 세라믹으로 형성될 수도 있다. 다만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.When the base 110 is formed as a housing, the housing may be made of a general plastic including polymers and the like, acrylonitrile butadiene styrene (ABS), liquid crystalline polymer (LCP), polyamide (PA), polyphenylene sulfide (IPS) ) Or the like, or may be formed of metal or ceramic. However, the present invention is not limited thereto.

또한, 베이스(110)는 적어도 두 개의 리드 단자를 포함할 수 있으며, 상기 리드 단자와 발광 다이오드(120)는 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 리드 단자는 발광 장치가 외부의 전원에 연결되도록 할 수 있다. 발광 다이오드(120)는 상기 리드 단자 상에 위치할 수도 있다.In addition, the base 110 may include at least two lead terminals, and the lead terminal and the LED 120 may be electrically connected. The lead terminal may be connected to an external power source. The light emitting diode 120 may be positioned on the lead terminal.

한편, 베이스(110)는 이에 한정되는 것은 아니며, 발광 다이오드(120)를 지지할 수 있는 구성이면 제한되지 않고, 다양한 공지의 구성을 포함할 수도 있다. 예를 들어, 베이스(110)는 리드 프레임과 같이 발광 다이오드(120)가 실장되는 도전성 또는 절연성의 기판, PCB를 포함할 수 있으며, 발광 다이오드(120)로부터 발생된 열을 방출하는 히트 싱크 등을 더 포함할 수도 있다.Meanwhile, the base 110 is not limited to the above, and the base 110 is not limited as long as it can support the light emitting diode 120, and may include various known configurations. For example, the base 110 may include a PCB or a conductive or insulative substrate on which the light emitting diode 120 is mounted, such as a lead frame, and may include a heat sink or the like for emitting heat generated from the light emitting diode 120 .

발광 다이오드(120)는 n형 반도체층과 p형 반도체층을 포함하여 정공과 전자의 결합을 통해 광을 방출할 수 있는 구조를 가질 수 있다. 발광 다이오드(120)는 수평형, 수직형 또는 플립칩형 등의 구조를 가질 수 있으며, 발광 다이오드(120)의 구성 및 형태는 제한되지 않는다.The light emitting diode 120 may include a n-type semiconductor layer and a p-type semiconductor layer and may have a structure capable of emitting light through a combination of holes and electrons. The light emitting diode 120 may have a structure of a horizontal type, a vertical type, a flip chip type, etc., and the configuration and the form of the light emitting diode 120 are not limited.

발광 다이오드(120)는 가시광영역의 피크 파장을 갖는 광을 방출할 수 있으며, 특히, 415 내지 435nm의 범위 내에 위치하는 피크 파장을 갖는 광을 방출할 수 있다. 상술한 범위의 피크 파장을 갖는 광을 방출하는 발광 다이오드(120)를 포함함으로써, 발광 다이오드로부터 방출된 자외선에 의해 발광 장치의 신뢰성 및 발광 효율이 저하되는 것을 방지할 수 있으며, 또한, 약 450nm의 파장대의 광을 최소화하여 인체에 대한 유해성을 최소화할 수 있다.The light emitting diode 120 can emit light having a peak wavelength in the visible light region and in particular can emit light having a peak wavelength located in the range of 415 to 435 nm. By including the light emitting diode 120 that emits light having a peak wavelength in the above-mentioned range, reliability and luminous efficiency of the light emitting device can be prevented from being lowered by ultraviolet rays emitted from the light emitting diode, Minimizing the light in the wavelength range can minimize the harmfulness to the human body.

파장변환부(130)는 발광 다이오드(120) 상에 위치할 수 있고, 나아가, 발광 다이오드(120)를 적어도 부분적으로 덮을 수 있으며, 더 나아가, 발광 다이오드(120)를 봉지할 수도 있다. 즉, 파장변환부(130)는 발광 다이오드(120)의 광 방출 경로 상에 위치할 수 있다.The wavelength conversion unit 130 may be positioned on the light emitting diode 120 and may further cover the light emitting diode 120 at least partially and further encapsulate the light emitting diode 120. That is, the wavelength conversion unit 130 may be positioned on the light emission path of the light emitting diode 120.

파장변환부(130)는 담지부(131), 상기 담지부(131) 내에 불규칙적으로 분산 배치된 레드 형광체(137), 및 시안 형광체(139)를 포함할 수 있다.The wavelength converting section 130 may include a support section 131, a red phosphor 137 randomly dispersed in the support section 131, and a cyan phosphor 139.

담지부(131)는 제1 및 레드 형광체(133, 135)를 담지할 수 있는 물질이면 제한되지 않으며, 투명 또는 반투명 특성을 가질 수 있다. 담지부(131)는, 예를 들어, 실리콘(silicone) 계열, 에폭시(epoxy) 계열, PMMA(polymethyl methacrylate) 계열, PE(polyethylene) 계열 및 PS(polystyrene) 계열 중 적어도 하나를 포함하는 고분자로 형성될 수 있고, 또한, 유리와 같은 무기물로 형성될 수도 있다. The support portion 131 is not limited as long as it can support the first and the red phosphors 133 and 135, and may have a transparent or translucent property. The support part 131 is formed of a polymer including at least one of silicone, epoxy, polymethyl methacrylate, PE, and PS (polystyrene) series, for example. And may also be formed of an inorganic material such as glass.

담지부(131)가 고분자 물질로 형성된 경우, 파장변환부(130)는 발광 다이오드(120)로부터 방출된 광을 파장변환하는 역할과 더불어, 발광 다이오드(120)를 봉지하는 봉지재 역할을 할 수도 있다. 또한, 파장변환부(130)는 베이스(110) 상에 위치할 수 있고, 본 실시예와 같이, 베이스(110)가 캐비티를 포함하는 경우 파장변환부(130)는 상기 캐비티 내에 배치될 수 있다. 나아가, 파장변환부(130)의 상면은 볼록 렌즈 형태, 평판 형태(미도시) 및 표면에 소정의 요철을 갖는 형태 등 다양한 형상으로 형성될 수 있다. 본 실시예에 따르면, 파장변환부(130)는 볼록 렌즈 형태를 가지는 것으로 개시되었으나, 이에 한정되는 것은 아니다.When the support 131 is formed of a polymer material, the wavelength converting unit 130 may perform a wavelength conversion of the light emitted from the light emitting diode 120, may serve as an encapsulating material for encapsulating the light emitting diode 120 have. The wavelength conversion unit 130 may be located on the base 110. When the base 110 includes a cavity as in the present embodiment, the wavelength conversion unit 130 may be disposed in the cavity . Further, the upper surface of the wavelength converter 130 may be formed in various shapes such as a convex lens shape, a flat plate shape (not shown), and a shape having a predetermined concavo-convex shape on the surface. According to the present embodiment, the wavelength converter 130 is described as having a convex lens form, but is not limited thereto.

레드 형광체(137), 및 시안 형광체(139)는 담지부(131) 내에 불규칙적으로 분산되어 배치될 수 있다.The red phosphor 137 and the cyan phosphor 139 may be irregularly dispersed in the support portion 131. [

구체적으로, 레드 형광체(137)는 입사된 광을 여기시켜 적색광을 방출할 수 있고, 시안 형광체(139)는 입사된 광을 여기시켜 시안(cyan)광을 방출할 수 있다. 이에 따라, 본 발명의 발광 장치는 발광 다이오드(120)로부터 방출된 자색(violet)광, 레드 형광체(137)에 의해 여기된 적색광, 및 시안 형광체(139)에 의해 여기된 시안광이 혼색되어 백색광을 방출할 수 있다.Specifically, the red phosphor 137 excites the incident light to emit red light, and the cyan phosphor 139 excites the incident light to emit cyan light. Accordingly, the light emitting device of the present invention mixes the violet light emitted from the light emitting diode 120, the red light excited by the red phosphor 137, and the cyan light excited by the cyan phosphor 139, . ≪ / RTI >

한편, 본 실시예의 발광 장치에 의해 방출된 백색광은 90 이상의 CRI값을 가질 수 있다. 또한, 본 실시예의 발광 장치에 의해 방출된 백색광은 50 이상의 R9값을 가질 수 있다.On the other hand, the white light emitted by the light emitting device of this embodiment can have a CRI value of 90 or more. Further, the white light emitted by the light emitting device of this embodiment may have a R9 value of 50 or more.

레드 형광체(137)로부터 방출되는 레드광의 피크 파장은 600 내지 660nm 파장 범위 내에 위치할 수 있다. 레드 형광체(137)는 제1 레드 형광체(133) 및 제2 레드 형광체(135)를 포함한다. The peak wavelength of the red light emitted from the red phosphor 137 may be located within the wavelength range of 600 to 660 nm. Red phosphor 137 includes first red phosphor 133 and second red phosphor 135.

상기 제1 레드 형광체(133)는 A2MF6: Mn 화학식으로 표현되는 형광체를 포함하며, 상기 A는 Li, Na, K, Rb, Ce 및 NH4로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나이고, 상기 M은 Si, Ti, Nb 및 Ta로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나이다. 본 발명에서 사용되는 제1 레드 형광체(133)는 625 내지 660nm의 파장 범위에서 피크 파장을 가질 수 있다. The first red phosphor 133 includes a phosphor represented by the following formula: A 2 MF 6 : Mn wherein A is any one selected from the group consisting of Li, Na, K, Rb, Ce and NH 4 , M is any one selected from the group consisting of Si, Ti, Nb and Ta. The first red phosphor 133 used in the present invention may have a peak wavelength in a wavelength range of 625 to 660 nm.

제2 레드 형광체(135)는 CASN 계열 형광체를 더 포함할 수 있다. 본 발명에서 사용되는 CASN 계열 형광체는 600 내지 650nm의 파장 범위에서 피크 파장을 가질 수 있다. CASN 계열 형광체는 (Sr,Ca)AlSiN3: EU 또는 CaAlSiN3: EU 화학식으로 표현되는 형광체를 포함할 수 있다.The second red phosphor 135 may further include a CASN-based phosphor. The CASN-based phosphor used in the present invention may have a peak wavelength in a wavelength range of 600 to 650 nm. The CASN series phosphor may include a phosphor represented by (Sr, Ca) AlSiN 3 : EU or CaAlSiN 3 : EU formula.

시안 형광체(139)는 LuAG 계열의 형광체를 포함할 수 있다. 본 발명에서 사용되는 LuAG 계열의 형광체는 490 내지 550nm의 파장 범위에서 피크 파장을 가질 수 있다. LuAG 계열의 형광체는 Lu3Al5O12: Ce 또는 일부 Al이 같은 족 원소, 예를 들어 Ga, In으로 치환된 Lu3(Al,X)5O12: Ce (X는 Al외 3족 원소)화학식으로 표현되는 형광체를 포함할 수 있다. 구체적으로, LuAG 계열의 형광체는 일부 Al이 Ga으로 치환된 Lu3(Al,Ga)5O12: Ce 화학식으로 표현되는 형광체를 포함할 수 있다. 특히, 일부 Al이 Ga으로 치환된 Lu3(Al,Ga)5O12: Ce 화학식으로 표현되는 형광체는 490 내지 520nm의 파장 범위에서 피크 파장을 가질 수 있으며, 구체적으로, 약 505nm의 피크 파장을 가질 수도 있다.The cyan fluorescent material 139 may include a LuAG-based fluorescent material. The LuAG-based phosphor used in the present invention may have a peak wavelength in the wavelength range of 490 to 550 nm. LuAG series phosphors include Lu 3 Al 5 O 12 : Ce, or Lu 3 (Al, X) 5 O 12 : Ce (where X is an element other than Al, such as Al, ) ≪ / RTI > Specifically, the phosphor of the LuAG family may include a phosphor represented by the formula Lu 3 (Al, Ga) 5 O 12 : Ce in which some Al are substituted with Ga. Particularly, the phosphor represented by the Lu 3 (Al, Ga) 5 O 12 : Ce formula in which some Al are substituted with Ga may have a peak wavelength in the wavelength range of 490 to 520 nm, and specifically, a peak wavelength of about 505 nm .

파장변환부 내의 제2 레드 형광체(135)와 제1 레드 형광체(133)의 질량비는 0.5 내지 4 : 6.5 내지 9.5일 수 있다. 구체적으로, 파장변환부 내의 (Sr,Ca)AlSiN3: EU 또는 CaAlSiN3: EU 화학식으로 표현되는 형광체와 A2MF6: Mn 화학식으로 표현되는 형광체의 질량비는 0.5 내지 4 : 6.5 내지 9.5일 수 있으며, 상기 A는 Li, Na, K, Rb, Ce 및 NH4로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나이고, 상기 M은 Si, Ti, Nb 및 Ta로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나이다.The mass ratio of the second red phosphor 135 and the first red phosphor 133 in the wavelength converting portion may be 0.5 to 4: 6.5 to 9.5. Specifically, the mass ratio of the phosphor represented by (Sr, Ca) AlSiN 3 : Eu or CaAlSiN 3 : EU formula to the phosphor represented by A 2 MF 6 : Mn formula is 0.5 to 4: 6.5 to 9.5 Wherein A is any one selected from the group consisting of Li, Na, K, Rb, Ce and NH 4 , and M is any one selected from the group consisting of Si, Ti, Nb and Ta.

본 발명의 실시예에 따르면, CRI가 90이상이며, R9이 50이상이며, 광량이 우수한 발광 장치를 제공할 수 있다. 구체적으로, 본 발명의 발광 장치는 CRI가 90이상이며, R9이 50이상이고, 동시에 자색 발광 다이오드에 단파장 CASN 계열의 레드 형광체만 사용하는 종래 발광 장치에 비해 광량이 불과 1% 이하로 떨어질 뿐이므로, 결과적으로 광량도 우수하다.According to the embodiment of the present invention, it is possible to provide a light emitting device having a CRI of 90 or more, R9 of 50 or more, and an excellent light amount. Specifically, the light emitting device of the present invention has a CRI of 90 or more and R9 of 50 or more, and at the same time, the light amount drops only to 1% or less as compared with a conventional light emitting device using only a red phosphor of short wavelength CASN series for a purple light emitting diode , And as a result, the light amount is also excellent.

구체적으로, 본 발명의 실시예에 따른 백색 발광 장치는 하기 식 1의 광량 변화율이 98.8% 이상일 수 있다.Specifically, the white light emitting device according to the embodiment of the present invention may have a light amount change rate of 98.8% or more in the following formula (1).

[식 1][Formula 1]

광량 변화율(%) = [F1/F0]×100Light amount change rate (%) = [F 1 / F 0 ] × 100

F1 : 상기 발광 장치에서 방출된 광의 광량(lm)F 1 : a light amount (lm) of light emitted from the light emitting device

F0 : 형광체로, (Sr,Ca)AlSiN3: EU 화학식으로 표현되는 CASN 계열의 형광체와 Lu3Al5O12: Ce 또는 일부 Al이 다른 3족 원소로 치환된 Lu3(Al,X)5O12: Ce (X는 Al외 3족 원소)화학식으로 표현되는 LuAG 계열의 형광체만을 포함하는 파장변화부를 갖는 발광 장치에서 방출된 광의 광량(lm)
F 0 : Lu 3 (Al, X) phosphor in which a phosphor of the CASN series represented by the formula (Sr, Ca) AlSiN 3 : EU and Lu 3 Al 5 O 12 : Ce or some Al are replaced by another group III element, 5 O 12 : Ce (X is a group III element other than Al) The light amount (lm) of the light emitted from the light emitting device having the wavelength changing portion including only the LuAG-

실시예 및 비교예Examples and Comparative Examples

실시예 1 : 발광 장치의 제조Example 1: Fabrication of light emitting device

도 1을 참조하면, 약 425nm의 피크 파장을 방출하는 발광 다이오드로서 크기가 860㎛×540㎛인 사각형의 발광 칩을 리드 프레임(미도시) 상에 실장시켰다. Referring to FIG. 1, a quartz light emitting chip having a size of 860 mu m x 540 mu m as a light emitting diode emitting a peak wavelength of about 425 nm was mounted on a lead frame (not shown).

리드 프레임 상단에 캐비티를 가지는 하우징을 EMC(Epoxy Molding Compound)를 사용하여 트랜스퍼 몰딩 방법으로 형성시켰다.A housing having a cavity on the top of the lead frame was formed by transfer molding using EMC (Epoxy Molding Compound).

본 발명의 형광체에 파장변환부 전체 중량 기준으로 90 중량%의 실리콘 수지를 혼합하여, 슬러리를 제작한 후에, 하우징의 캐비티에 적하하였다. 그 후, 150℃의 온도에서 열처리하여 실리콘 수지를 경화하여 파장변환부를 포함하는 발광 장치를 제조하였다. 상기 공정에서, 형광체는 LED 램프의 색도(CIE)가 x=0.458 내지 0.462, y=0.409 내지 0.417의 범위로 들어가도록, 미리 필요한 수량의 형광체를 준비해 두고, 슬러리 제조를 행하는 것으로 하였다.A 90 wt% silicone resin was mixed with the phosphor of the present invention based on the total weight of the wavelength conversion part to prepare a slurry, which was then added dropwise to the cavity of the housing. Thereafter, heat treatment was performed at a temperature of 150 캜 to cure the silicone resin to produce a light emitting device including a wavelength converting portion. In the above process, the phosphor was prepared in such a manner that the required number of phosphors was prepared in advance so that the chromaticity (CIE) of the LED lamp would fall within the range of x = 0.458 to 0.462 and y = 0.409 to 0.417.

또한, 상기 공정에서 파장변환부가, (Sr,Ca)AlSiN3: EU 화학식으로 표현되는 제2 레드 형광체와 K2SiF6: Mn 화학식으로 표현되는 제1 레드 형광체를 3:7의 질량비로 포함하고, Lu3(Al,Ga)5O12: Ce 화학식으로 표현되는 LuAG 계열의 형광체를 포함하도록 제조하였다.In the above step, the wavelength conversion part may include a second red phosphor represented by (Sr, Ca) AlSiN 3 : EU formula and a first red phosphor represented by K 2 SiF 6 : Mn formula in a mass ratio of 3: 7 , And Lu 3 (Al, Ga) 5 O 12 : Ce.

실시예 2: 발광 장치의 제조Example 2: Fabrication of light emitting device

상기 실시예 1에서 (Sr,Ca)AlSiN3: EU 화학식으로 표현되는 제2 레드 형광체와 K2SiF6: Mn 화학식으로 표현되는 제1 레드 형광체를 3:7의 질량비가 아닌 2:8의 질량비로 포함하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 발광 장치를 제조하였다.The second red phosphor represented by the formula of (Sr, Ca) AlSiN 3 : Eu in Example 1 and the first red phosphor represented by the formula of K 2 SiF 6 : Mn were mixed at a mass ratio of 2: 8 instead of 3: 7 , A light emitting device was manufactured in the same manner as in Example 1.

비교예 1 : 발광 장치의 제조Comparative Example 1: Fabrication of light emitting device

상기 실시예 1에서 K2SiF6: Mn 화학식으로 표현되는 제1 레드 형광체를 사용하지 않은 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 발광 장치를 제조하였다.A light emitting device was prepared in the same manner as in Example 1, except that the first red phosphor represented by the formula K 2 SiF 6 : Mn was not used in Example 1.

비교예 2 : 발광 장치의 제조Comparative Example 2: Fabrication of light emitting device

상기 실시예 1에서 K2SiF6: Mn 화학식으로 표현되는 제1 레드 형광체 대신 CaAlSiN3: EU 화학식으로 표현되는 CASN 계열의 형광체를 사용하며, (Sr,Ca)AlSiN3: EU 화학식으로 표현되는 제2 레드 형광체와 CaAlSiN3: EU 화학식으로 표현되는 CASN 계열의 형광체를 7:3의 질량비로 포함하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 발광 장치를 제조하였다.The first red phosphor represented by the formula K 2 SiF 6 : Mn in the above Example 1 is replaced with a CaSN 3 phosphor represented by the formula of CaAlSiN 3 : EU, and a (Sr, Ca) AlSiN 3 : 2 Red phosphor and a CaSN 3 phosphor represented by the formula of CaAlSiN 3 : EU in a mass ratio of 7: 3 was prepared in the same manner as in Example 1.

비교예 3 : 발광 장치의 제조Comparative Example 3: Fabrication of light emitting device

상기 실시예 1에서 (Sr,Ca)AlSiN3: EU 화학식으로 표현되는 제2 레드 형광체와 K2SiF6: Mn 화학식으로 표현되는 제1 레드 형광체를 3:7의 질량비가 아닌 4:6의 질량비로 포함하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 발광 장치를 제조하였다.The second red phosphor represented by the formula (Sr, Ca) AlSiN 3 : EU and the first red phosphor represented by the formula of K 2 SiF 6 : Mn were mixed in a weight ratio of 4: 6 instead of 3: 7 , A light emitting device was manufactured in the same manner as in Example 1.

비교예 4 : 발광 장치의 제조Comparative Example 4: Fabrication of light emitting device

상기 실시예 1에서 (Sr,Ca)AlSiN3: EU 화학식으로 표현되는 제2 레드 형광체와 K2SiF6: Mn 화학식으로 표현되는 제1 레드 형광체를 3:7의 질량비가 아닌 7:3의 질량비로 포함하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 발광 장치를 제조하였다.
The second red phosphor represented by the formula (Sr, Ca) AlSiN 3 : EU and the first red phosphor represented by the formula K 2 SiF 6 : Mn were mixed in a mass ratio of 7: 3 instead of 3: 7 , A light emitting device was manufactured in the same manner as in Example 1.

실험예Experimental Example

실시예 1 및 비교예 1 내지 4의 발광 장치에 대해 전원(100mA의 정격 전류, 6.1V의 전압)을 공급하여 CRI 값, R9 값을 측정하였다. 또한 실시예 1 및 비교예 1 내지 4의 Flux(lm)를 측정하여 비교예 1의 Flux를 100% 기준으로 했을 때의 광량 변화율(Δ)을 % 단위로 표현하였다. 상기 수치들은 하기 표 1에 나타낸다.The power supply (rated current of 100 mA, voltage of 6.1 V) was supplied to the light emitting device of Example 1 and Comparative Examples 1 to 4 to measure CRI value and R9 value. Further, Flux (lm) of Example 1 and Comparative Examples 1 to 4 was measured, and the rate of change (?) Of light quantity when the Flux of Comparative Example 1 was used as a reference was expressed in%. The above values are shown in Table 1 below.


CIE x
CIE x
CIE y
CIE y
L/Flux(lm)
L / Flux (lm)
@equal CIE x,y@equal CIE x, y CRICRI R9
R9
Flux(lm)Flux (lm) Δ(%)? (%) 실시예 1Example 1 0.4600.460 0.4160.416 68.468.4 68.468.4 99.799.7 93.093.0 53.453.4 실시예 2Example 2 0.4600.460 0.4160.416 67.967.9 67.967.9 99.099.0 93.793.7 61.261.2 비교예 1Comparative Example 1 0.4600.460 0.4160.416 68.068.0 68.668.6 100.0100.0 92.492.4 43.643.6 비교예 2Comparative Example 2 0.4600.460 0.4160.416 65.565.5 65.565.5 95.595.5 93.693.6 53.153.1 비교예 3Comparative Example 3 0.4600.460 0.4100.410 67.967.9 69.269.2 100.9100.9 92.592.5 48.248.2 비교예 4Comparative Example 4 0.4600.460 0.4130.413 68.668.6 69.369.3 101.0101.0 92.992.9 45.545.5

상기 표 1을 참조하면, 본 발명의 실시예 1 및 2에 따른 발광 장치는 CRI가 90 이상이며, R9이 50 이상이고, 동시에 광량 변화율이 99.0 또는 99.7%이다. 따라서, 제1 레드 형광체를 사용하지 않은 비교예 1에 비해 광량이 1% 이하로 저하되는 것에 그치므로 광량도 우수함을 알 수 있다. 반면, 비교예 1, 3 및 4는 CRI 90이상이나 R9이 50이하이며, 비교예 2는 CRI가 90 이상이며, R9이 50 이상이나, 광량 변화율이 95.5%이므로, 제1 레드 형광체를 사용하지 않은 비교예 1에 비해 광량이 4% 이상 저하되는 문제가 있음을 확인할 수 있다. 따라서, 특정 질량비로 형광체를 배합하여야 CRI가 90 이상이며, R9이 50 이상이면서 광량이 우수한 발광 장치가 제공될 수 있다.
Referring to Table 1, the light emitting devices according to Examples 1 and 2 of the present invention have a CRI of 90 or more, R9 of 50 or more, and a light amount change rate of 99.0 or 99.7% at the same time. Therefore, compared to Comparative Example 1 in which the first red phosphor is not used, the amount of light is reduced to 1% or less, and therefore, the light amount is also excellent. On the other hand, in Comparative Examples 1, 3 and 4, CRI is 90 or more and R9 is 50 or less. In Comparative Example 2, CRI is 90 or more and R9 is 50 or more, but the light amount change rate is 95.5% It can be confirmed that there is a problem that the light amount is lowered by 4% or more as compared with Comparative Example 1 which is not. Therefore, it is possible to provide a light emitting device having a CRI of 90 or more and an R9 of 50 or more and excellent in light quantity, when a phosphor is blended at a specific mass ratio.

Claims (11)

백색 발광 장치에 있어서,
415 내지 435nm 범위 내의 피크 파장을 갖는 광을 방출하는 발광 다이오드; 및
상기 발광 다이오드 상에 위치하는 파장변환부를 포함하고,
상기 파장변환부는 적색광 대역의 피크 파장을 갖는 광을 방출하는 제1 레드 형광체 및 제2 레드 형광체 및 시안광 대역의 피크 파장을 갖는 광을 방출하는 시안 형광체를 포함하며,
상기 제1 레드 형광체와 상기 제2 레드 형광체는 서로 다른 물질이고,
상기 발광 장치로부터 방출된 광은 90 이상의 CRI 값을 가지며, 50 이상의 R9 값을 가지는 발광 장치.In the white light emitting device,
A light emitting diode emitting light having a peak wavelength in the range of 415 to 435 nm; And
And a wavelength converter disposed on the light emitting diode,
Wherein the wavelength converter includes a first red phosphor and a second red phosphor that emit light having a peak wavelength in a red light band and a cyan phosphor that emits light having a peak wavelength in the cyan light band,
Wherein the first red phosphor and the second red phosphor are different materials,
Wherein the light emitted from the light emitting device has a CRI value of 90 or more, and has a R9 value of 50 or more. 청구항 1에 있어서,
상기 제1 레드 형광체는 A2MF6: Mn 화학식으로 표현되는 형광체를 포함하는 발광 장치.
(상기 A는 Li, Na, K, Rb, Ce 및 NH4로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나이고, 상기 M은 Si, Ti, Nb 및 Ta로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나이다.)The method according to claim 1,
Wherein the first red phosphor comprises a phosphor represented by the formula A 2 MF 6 : Mn.
(Wherein A is any one selected from the group consisting of Li, Na, K, Rb, Ce and NH 4 , and M is any one selected from the group consisting of Si, Ti, Nb and Ta) 청구항 1에 있어서,
상기 제2 레드 형광체는 CASN 계열의 형광체를 포함하는 발광 장치.The method according to claim 1,
And the second red phosphor includes a CASN series phosphor. 청구항 3에 있어서,
상기 CASN 계열의 형광체는 (Sr,Ca)AlSiN3: EU 화학식으로 표현되는 형광체를 포함하는 발광 장치.The method of claim 3,
Wherein the phosphors of the CASN series include a phosphor represented by (Sr, Ca) AlSiN 3 : EU. 청구항 1에 있어서,
상기 시안 형광체는 LuAG 계열의 형광체를 포함하는 발광 장치.The method according to claim 1,
Wherein the cyan fluorescent material comprises a LuAG-based phosphor. 청구항 5에 있어서,
상기 LuAG 계열의 형광체는 Lu3Al5O12: Ce 또는 일부 Al이 다른 3족 원소로 치환된 Lu3(Al,X)5O12: Ce (X는 Al 이외의 3족 원소)화학식으로 표현되는 형광체를 포함하는 발광 장치.The method of claim 5,
The phosphor of the LuAG family is represented by the formula Lu 3 (Al, X) 5 O 12 : Ce (X is a group III element other than Al) in which Lu 3 Al 5 O 12 : Ce or a part of Al is replaced by another group III element. The light emitting device comprising: 청구항 1에 있어서,
상기 제2 레드 형광체와 상기 제1 레드 형광체의 질량비는 0.5 내지 4 : 6.5 내지 9.5인 발광 장치.The method according to claim 1,
Wherein the mass ratio of the second red phosphor and the first red phosphor is 0.5 to 4: 6.5 to 9.5. 청구항 1에 있어서,
상기 제1 레드 형광체 및 상기 제2 레드 형광체는 600 내지 660nm 파장을 갖는 광을 방출하고, 상기 시안 형광체는 490 내지 550nm 파장을 갖는 광을 방출하는 발광 장치.The method according to claim 1,
Wherein the first red phosphor and the second red phosphor emit light having a wavelength of 600 to 660 nm and the cyan phosphor emits light having a wavelength of 490 to 550 nm. 청구항 1에 있어서,
상기 파장변환부는 상기 발광 다이오드의 적어도 일부를 덮는 발광 장치.The method according to claim 1,
Wherein the wavelength conversion unit covers at least a part of the light emitting diode. 백색 발광 장치에 있어서,
415 내지 435nm 범위 내의 피크 파장을 갖는 광을 방출하는 발광 다이오드; 및
상기 발광 다이오드 상에 위치하는 파장변환부를 포함하고,
상기 파장변환부는,
A2MF6: Mn 화학식으로 표현되는 제1 레드 형광체,
(Sr,Ca)AlSiN3: EU 화학식으로 표현되는 제2 레드 형광체, 및
Lu3Al5O12: Ce 또는 일부 Al이 다른 3족 원소로 치환된 Lu3(Al,X)5O12: Ce 화학식으로 표현되는 시안 형광체를 포함하며,
상기 제2 레드 형광체와 상기 제1 레드 형광체의 질량비는 0.5 내지 4 : 6.5 내지 9.5인 발광 장치.
(상기 A는 Li, Na, K, Rb, Ce 및 NH4로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나이고, 상기 M은 Si, Ti, Nb 및 Ta로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나이며, 상기 X는 Al외 3족 원소이다.)In the white light emitting device,
A light emitting diode emitting light having a peak wavelength in the range of 415 to 435 nm; And
And a wavelength converter disposed on the light emitting diode,
The wavelength converter may include:
A 2 MF 6 : Mn The first red phosphor represented by the formula,
(Sr, Ca) AlSiN 3 : a second red phosphor expressed by the EU formula, and
Lu 3 Al 5 O 12 : Ce, or a Lu 3 (Al, X) 5 O 12 : Ce phosphorus in which some Al are replaced by another group III element,
Wherein the mass ratio of the second red phosphor and the first red phosphor is 0.5 to 4: 6.5 to 9.5.
(Wherein A is any one selected from the group consisting of Li, Na, K, Rb, Ce and NH 4 , and M is any one selected from the group consisting of Si, Ti, Nb and Ta, It is the third group element.) 백색 발광 장치에 있어서,
415 내지 435nm 범위 내의 피크 파장을 갖는 광을 방출하는 발광 다이오드; 및
상기 발광 다이오드 상에 위치하는 파장변환부를 포함하고,
상기 파장변환부는 적색광 대역의 피크 파장을 갖는 광을 방출하는 레드 형광체, 시안광 대역의 피크 파장을 갖는 광을 방출하는 시안 형광체를 포함하며,
상기 발광 장치로부터 방출된 광은 90 이상의 CRI 값을 가지고, 50 이상의 R9 값을 가지며,
하기 식 1의 광량 변화율이 98.8% 이상인 발광 장치.
[식 1]
광량 변화율(%) = [F1/F0]×100
F1 : 상기 발광 장치에서 방출된 광의 광량(lm)
F0 : 형광체로, (Sr,Ca)AlSiN3: EU 화학식으로 표현되는 CASN 계열의 형광체와 Lu3Al5O12: Ce 또는 일부 Al이 다른 3족 원소로 치환된 Lu3(Al,X)5O12: Ce (X는 Al 이외의 3족 원소)화학식으로 표현되는 LuAG 계열의 형광체만을 포함하는 파장변화부를 갖는 발광 장치에서 방출된 광의 광량(lm)In the white light emitting device,
A light emitting diode emitting light having a peak wavelength in the range of 415 to 435 nm; And
And a wavelength converter disposed on the light emitting diode,
Wherein the wavelength converter includes a red phosphor emitting light having a peak wavelength in a red light band and a cyan phosphor emitting light having a peak wavelength in a cyan light band,
The light emitted from the light emitting device has a CRI value of 90 or more, a R9 value of 50 or more,
Wherein a light amount change rate of the following formula (1) is 98.8% or more.
[Formula 1]
Light amount change rate (%) = [F 1 / F 0 ] × 100
F 1 : a light amount (lm) of light emitted from the light emitting device
F 0 : Lu 3 (Al, X) phosphor in which a phosphor of the CASN series represented by the formula (Sr, Ca) AlSiN 3 : EU and Lu 3 Al 5 O 12 : Ce or some Al are replaced by another group III element, 5 O 12 : Ce (X is a Group 3 element other than Al) The light amount (lm) of light emitted from a light emitting device having a wavelength changing portion containing only a LuAG-
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