KR20160081299A - Home port, apparatus for treating substrate including this and method for composing atmosphere - Google Patents

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Abstract

The present invention relates to a home port in which a nozzle for discharging a processing solution stands by wherein the processing solution discharged by the nozzle is outputted through the home port and a substrate treatment device including the home port. According to an embodiment of the present invention, the home port comprises: a discharging space to which the nozzle discharges the processing solution; and an atmosphere composing unit configured to compose an atmosphere in the discharging space by an atmosphere composing solution. The atmosphere composing unit comprises a container accommodating the atmosphere composing solution and an ultrasonic wave applying member configured to apply ultrasonic wave vibration to the atmosphere composing solution accommodated in the container. The atmosphere composing solution sprayed by the ultrasonic wave applying member is directly supplied to the nozzle which stands by in the discharging space.

Description

홈포트, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 분위기 조성 방법{HOME PORT, APPARATUS FOR TREATING SUBSTRATE INCLUDING THIS AND METHOD FOR COMPOSING ATMOSPHERE}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a home port, a substrate processing apparatus including the same,

본 발명은 기판을 액 처리하는 장치 및 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an apparatus and a method for liquid-treating a substrate.

반도체 제조 공정 중 사진 공정(photo-lithography process)은 웨이퍼 상에 원하는 패턴을 형성시키는 공정이다. 사진 공정은 보통 노광 설비가 연결되어 도포공정, 노광 공정, 그리고 현상 공정을 연속적으로 처리하는 스피너(spinner local) 설비에서 진행된다. 이러한 스피너 설비는 HMDS(Hexamethyl disilazane) 공정, 도포공정, 베이크 공정, 그리고 현상 공정을 순차적 또는 선택적으로 수행한다. A photo-lithography process in a semiconductor manufacturing process is a process of forming a desired pattern on a wafer. The photolithography process is usually carried out at a spinner local facility where exposure equipment is connected and the application process, the exposure process, and the development process are successively processed. The spinner apparatus sequentially or selectively performs a HMDS (hexamethyl disilazane) process, a coating process, a baking process, and a developing process.

여기서 도포공정은 기판의 표면에 감광액을 도포하는 공정으로써, 감광액을 도포하는 노즐에 정전기가 발생된 경우, 극성 오염 물질에 의해 노즐이 오염되기 용이하므로 노즐 세척 주기가 짧아지고, 감광액에 정전기가 유도되어 기판에 직접 파티클이 흡착되기 용이하다.Here, the coating step is a step of applying a photosensitive liquid on the surface of the substrate. When static electricity is generated in the nozzle to which the photosensitive liquid is applied, since the nozzle is easily contaminated by the polar contaminants, the nozzle cleaning cycle is shortened, So that the particles can be directly adsorbed on the substrate.

도 1은 일반적인 기판 처리 장치의 홈포트(21)를 나타낸 단면도이다. 도 1을 참고하면, 홈포트(21)에 대기하는 노즐의 정전기 발생을 방지하기 위해 액 유입구(22)를 통해 홈포트(21)의 내부에 형성된 버퍼(23)로 신너 등 분위기 조성액을 공급하고, 버퍼(23)의 용량을 초과하는 분위기 조성액이 경사면(24)을 따라 흘러내려 배출 포트(25)로 배출되게 함으로써, 자연 기화 효과에 의해 홈포트(21) 내부에 분위기 조성액에 의한 분위기를 조성시킨다. 그러나, 이것 만으로는 분위기 정도가 약하여 정전기 발생 방지가 용이하지 않다.1 is a sectional view showing a groove port 21 of a general substrate processing apparatus. 1, in order to prevent the generation of static electricity in the nozzles waiting in the groove port 21, an atmosphere of a thinner or the like is supplied to the buffer 23 formed in the groove port 21 through the liquid inlet 22 , The atmosphere composition liquid exceeding the capacity of the buffer 23 flows along the inclined plane 24 and is discharged to the discharge port 25 so that the atmosphere by the atmosphere composition liquid is formed inside the groove port 21 by the natural vaporization effect . However, this is not enough to prevent the occurrence of static electricity because the atmosphere is weak.

본 발명은 처리액을 분사하는 노즐의 정전기의 발생 방지 및 제거를 할 수 있는 장치 및 방법을 제공하기 위한 것이다.An object of the present invention is to provide an apparatus and method capable of preventing and eliminating generation of static electricity in a nozzle for spraying a treatment liquid.

또한, 본 발명은 노즐의 오염을 방지할 수 있는 장치 및 방법을 제공하기 위한 것이다.The present invention also provides an apparatus and a method for preventing contamination of a nozzle.

또한, 본 발명은 기판의 오염을 방지할 수 있는 장치 및 방법을 제공하기 위한 것이다.The present invention also provides an apparatus and a method for preventing contamination of a substrate.

본 발명이 해결하고자 하는 과제는 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The problems to be solved by the present invention are not limited thereto, and other matters not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

본 발명은 기판 처리 장치를 제공한다. 일 실시예에 의하면, 기판 처리 장치는 내부에 처리 공간을 가지는 하우징; 상기 하우징 내에서 기판을 지지하는 기판 지지 유닛; 상기 기판에 처리액을 공급하는 노즐을 가지는 액 공급 유닛; 상기 하우징의 외부에 위치하며, 상기 노즐이 대기하고, 상기 노즐이 토출하는 처리액을 외부로 배출하는 홈포트;를 포함하되, 상기 홈포트는, 상기 노즐이 처리액을 토출하는 토출 공간을 가지는 바디; 상기 토출 공간 내에 대기하는 상기 노즐의 토출부로 직접 분위기 조성액의 분무를 분사하는 분위기 조성 유닛;을 포함한다.The present invention provides a substrate processing apparatus. According to one embodiment, the substrate processing apparatus includes: a housing having a processing space therein; A substrate supporting unit for supporting the substrate in the housing; A liquid supply unit having a nozzle for supplying a treatment liquid to the substrate; And a groove port which is located outside the housing and which discharges the processing liquid discharged from the nozzle to the outside while the nozzle is waiting, wherein the nozzle port has a discharge space for discharging the processing liquid body; And an atmospheric composition unit that directly injects atomized atomization liquid spray into the discharge portion of the nozzle waiting in the discharge space.

상기 분위기 조성 유닛은, 상기 바디의 외부에 제공되고, 내부에 분위기 조성액이 수용되는 액 수용 공간을 가지는 용기; 상기 액 수용 공간에 수용된 분위기 조성액에 초음파 진동을 인가하는 초음파 인가 부재; 및 상기 액 수용 공간에서 발생된 분무 상태의 분위기 조성액을 상기 토출 공간으로 공급하는 분무 공급 라인;을 더 포함한다.Wherein the atmosphere forming unit comprises: a container provided outside the body and having a liquid containing space in which an atmosphere forming liquid is contained; An ultrasonic wave applying member for applying ultrasonic vibration to the atmospheric composition liquid contained in the liquid containing space; And a spray supply line for supplying an atmosphere composition liquid in a spray state generated in the liquid accommodation space to the discharge space.

상기 토출 공간은, 상기 바디의 상단에 배치되는 상부 공간;과 상기 상부 공간의 아래에 위치되며 상기 상부 공간과 통하는 하부 공간;을 가지고, 상기 상부 공간은, 상기 하부 공간보다 작은 폭으로 형성되고, 상기 노즐이 상기 홈포트에 대기할 때, 상기 노즐의 토출부는 상기 상부 공간에 위치되고, 상기 하부 공간에는 배출 포트가 연결된다.Wherein the discharge space includes an upper space disposed at an upper end of the body and a lower space positioned under the upper space and communicating with the upper space, the upper space having a width smaller than the lower space, When the nozzle is waiting on the home port, the discharge portion of the nozzle is located in the upper space, and the discharge port is connected to the lower space.

상기 분위기 조성 유닛은, 상기 액 수용 공간으로 가압 가스를 공급하는 가압 가스 공급 부재;를 더 포함한다.The atmosphere forming unit further includes a pressurized gas supplying member for supplying a pressurized gas into the liquid containing space.

상기 분위기 조성액은, 물, 유기용매 또는 신나(Thinner) 중 어느 하나를 포함한다.The atmospheric composition liquid includes any one of water, an organic solvent, and a thinner.

또한, 본 발명은 기판에 처리액을 공급하는 노즐이 대기하고, 상기 노즐이 토출하는 처리액을 외부로 배출하는 홈포트를 제공한다. 일 실시예에 의하면, 홈포트는, 상기 노즐이 처리액을 토출하는 토출 공간을 가지는 바디; 상기 토출 공간 내에 대기하는 상기 노즐의 토출부로 직접 분위기 조성액의 분무를 분사하는 분위기 조성 유닛;을 포함한다.In addition, the present invention provides a groove port for waiting for a nozzle for supplying a treatment liquid to a substrate, and discharging the treatment liquid discharged from the nozzle to the outside. According to an embodiment, the groove port may include a body having the discharge space through which the nozzle discharges the processing liquid; And an atmospheric composition unit that directly injects atomized atomization liquid spray into the discharge portion of the nozzle waiting in the discharge space.

상기 분위기 조성 유닛은, 상기 바디의 외부에 제공되고, 내부에 분위기 조성액이 수용되는 액 수용 공간을 가지는 용기; 상기 액 수용 공간에 수용된 분위기 조성액에 초음파 진동을 인가하는 초음파 인가 부재; 및 상기 액 수용 공간에서 발생된 분무 상태의 분위기 조성액을 상기 토출 공간으로 공급하는 분무 공급 라인;을 더 포함한다.Wherein the atmosphere forming unit comprises: a container provided outside the body and having a liquid containing space in which an atmosphere forming liquid is contained; An ultrasonic wave applying member for applying ultrasonic vibration to the atmospheric composition liquid contained in the liquid containing space; And a spray supply line for supplying an atmosphere composition liquid in a spray state generated in the liquid accommodation space to the discharge space.

상기 토출 공간은, 상기 바디의 상단에 배치되는 상부 공간;과 상기 상부 공간의 아래에 위치되며 상기 상부 공간과 통하는 하부 공간;을 가지고, 상기 상부 공간은, 상기 하부 공간보다 작은 폭으로 형성되고, 상기 노즐이 상기 홈포트에 대기할 때, 상기 노즐의 토출부는 상기 상부 공간에 위치되고, 상기 하부 공간에는 배출 포트가 연결된다.Wherein the discharge space includes an upper space disposed at an upper end of the body and a lower space positioned under the upper space and communicating with the upper space, the upper space having a width smaller than the lower space, When the nozzle is waiting on the home port, the discharge portion of the nozzle is located in the upper space, and the discharge port is connected to the lower space.

상기 분위기 조성액은, 물, 유기용매 또는 신나(Thinner) 중 어느 하나를 포함한다.The atmospheric composition liquid includes any one of water, an organic solvent, and a thinner.

또한, 본 발명은 분위기 조성 방법을 제공한다. 일 실시예에 의하면, 분위기 조성 방법은, 상기 홈포트의 내부에 형성된 토출 공간에 분위기 조성액에 의한 분위기를 조성한다.Further, the present invention provides a method for forming an atmosphere. According to one embodiment, in the atmosphere forming method, an atmosphere is formed by an atmosphere forming liquid in a discharge space formed inside the groove port.

분위기 조성 방법은, 분위기 조성액을 분무화하는 단계; 및 상기 홈포트에 대기중인 노즐의 토출부로 직접 분무화된 분위기 조성액을 분사하는 단계;를 포함한다.The method for forming the atmosphere includes the steps of atomizing the atmosphere forming solution; And spraying the atmospheric aerosol directly sprayed to the discharge portion of the nozzle waiting in the home port.

상기 분위기 조성액을 분무화하는 단계는, 상기 홈포트의 외부의 용기 내에 수용된 분위기 조성액에 초음파를 인가하여 수행된다.The step of spraying the atmospheric composition liquid is carried out by applying ultrasonic waves to the atmospheric composition liquid contained in the container outside the groove port.

본 발명의 일 실시 예에 의하면, 본 발명의 장치 및 방법은 처리액을 분사하는 노즐의 정전기의 발생 방지 및 제거를 할 수 있다.According to one embodiment of the present invention, the apparatus and method of the present invention can prevent and eliminate the generation of static electricity in a nozzle for spraying a treatment liquid.

또한, 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 본 발명의 장치 및 방법은 노즐의 오염을 방지할 수 있다.Further, according to the embodiment of the present invention, the apparatus and method of the present invention can prevent contamination of the nozzle.

또한, 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 본 발명의 장치 및 방법은 기판의 오염을 방지할 수 있다.Further, according to an embodiment of the present invention, the apparatus and method of the present invention can prevent contamination of the substrate.

도 1은 기판 처리 설비를 상부에서 바라본 도면이다.
도 2는 도 1의 설비를 A-A 방향에서 바라본 도면이다.
도 3은 도 1의 설비를 B-B 방향에서 바라본 도면이다.
도 4는 도 1의 도포 챔버에 제공되는 기판 처리 장치를 보여주는 단면도이다.
도 5은 도 4의 기판 처리 장치를 보여주는 평면도이다.
도 6은 도 4의 기판 처리 장치의 홈 포트를 보여주는 사시도이다.
도 7은 도 6의 홈 포트를 a-a' 방향에서 바라본 단면도이다.
도 8은 도 6의 홈 포트를 b-b' 방향에서 바라본 단면도이다.
도 9는 본 발명의 다른 실시예에 따른 홈포트를 나타낸 단면도이다.
1 is a top view of a substrate processing apparatus.
Fig. 2 is a view of the facility of Fig. 1 viewed from the direction AA.
Fig. 3 is a view of the equipment of Fig. 1 viewed from the BB direction.
4 is a cross-sectional view showing a substrate processing apparatus provided in the application chamber of FIG.
5 is a plan view showing the substrate processing apparatus of FIG.
6 is a perspective view showing a home port of the substrate processing apparatus of FIG.
FIG. 7 is a cross-sectional view of the groove port of FIG. 6 taken along the line aa ''.
8 is a cross-sectional view of the groove port of FIG. 6 taken along the line bb '.
9 is a cross-sectional view illustrating a home port according to another embodiment of the present invention.

이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The embodiments of the present invention can be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the following embodiments. This embodiment is provided to more fully describe the present invention to those skilled in the art. Thus, the shape of the elements in the figures has been exaggerated to emphasize a clearer description.

본 실시예의 설비는 반도체 웨이퍼 또는 평판 표시 패널과 같은 기판에 대해 포토리소그래피 공정을 수행하는 데 사용될 수 있다. 특히 본 실시예의 설비는 노광장치에 연결되어 기판에 대해 도포 공정 및 현상 공정을 수행하는 데 사용될 수 있다. 아래에서는 기판으로 웨이퍼가 사용된 경우를 예로 들어 설명한다.The facilities of this embodiment can be used to perform a photolithography process on a substrate such as a semiconductor wafer or a flat panel display panel. In particular, the apparatus of this embodiment can be used to perform a coating process and a developing process on a substrate, which is connected to an exposure apparatus. Hereinafter, a case where a wafer is used as a substrate will be described as an example.

도 2는 기판 처리 설비를 상부에서 바라본 도면이고, 도 3은 도 2의 설비를 A-A 방향에서 바라본 도면이고, 도 4은 도 2의 설비를 B-B 방향에서 바라본 도면이다. FIG. 2 is a top view of the substrate processing apparatus, FIG. 3 is a view of the apparatus of FIG. 2 viewed from the A-A direction, and FIG. 4 is a view of the apparatus of FIG. 2 viewed from the B-B direction.

도 2 내지 도 4를 참조하면, 기판 처리 설비(1)는 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400) 그리고 인터페이스 모듈(700)을 포함한다. 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 그리고 인터페이스 모듈(700)은 순차적으로 일 방향으로 일렬로 배치된다.2 to 4, the substrate processing apparatus 1 includes a load port 100, an index module 200, a buffer module 300, an application and development module 400, and an interface module 700 . The load port 100, the index module 200, the buffer module 300, the application and development module 400, and the interface module 700 are sequentially arranged in one direction in one direction.

이하, 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400) 그리고 인터페이스 모듈(700)이 배치된 방향을 제 1 방향(12)이라 칭하고, 상부에서 바라볼 때 제 1 방향(12)과 수직한 방향을 제 2 방향(14)이라 칭하고, 제 1 방향(12) 및 제 2 방향(14)과 각각 수직한 방향을 제 3 방향(16)이라 칭한다.The direction in which the load port 100, the index module 200, the buffer module 300, the application and development module 400 and the interface module 700 are disposed is referred to as a first direction 12, A direction perpendicular to the first direction 12 is referred to as a second direction 14 and a direction perpendicular to the first direction 12 and the second direction 14 is referred to as a third direction 16. [

기판(W)은 카세트(20) 내에 수납된 상태로 이동된다. 이때 카세트(20)는 외부로부터 밀폐될 수 있는 구조를 가진다. 예컨대, 카세트(20)로는 전방에 도어를 가지는 전면 개방 일체식 포드(Front Open Unified Pod; FOUP)가 사용될 수 있다. The substrate W is moved in a state accommodated in the cassette 20. At this time, the cassette 20 has a structure that can be sealed from the outside. For example, as the cassette 20, a front open unified pod (FOUP) having a door at the front can be used.

이하에서는 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400) 그리고 인터페이스 모듈(700)에 대해 상세히 설명한다.Hereinafter, the load port 100, the index module 200, the buffer module 300, the application and development module 400, and the interface module 700 will be described in detail.

로드 포트(100)는 기판들(W)이 수납된 카세트(20)가 놓여지는 재치대(120)를 가진다. 재치대(120)는 복수개가 제공되며, 재치대들(200)은 제 2 방향(14)을 따라 일렬로 배치된다. 도 2에서는 4개의 재치대(120)가 제공되었다. The load port 100 has a mounting table 120 on which the cassette 20 accommodating the substrates W is placed. A plurality of mounts 120 are provided, and the mounts 200 are arranged in a line along the second direction 14. [ In Fig. 2, four placement tables 120 are provided.

인덱스 모듈(200)은 로드 포트(100)의 재치대(120)에 놓인 카세트(20)와 버퍼 모듈(300) 간에 기판(W)을 이송한다. 인덱스 모듈(200)은 프레임(210), 인덱스 로봇(220), 그리고 가이드 레일(230)을 가진다. 프레임(210)은 대체로 내부가 빈 직육면체의 형상으로 제공되며, 로드 포트(100)와 버퍼 모듈(300) 사이에 배치된다. 인덱스 모듈(200)의 프레임(210)은 후술하는 버퍼 모듈(300)의 프레임(310)보다 낮은 높이로 제공될 수 있다. 인덱스 로봇(220)과 가이드 레일(230)은 프레임(210) 내에 배치된다. 인덱스 로봇(220)은 기판(W)을 직접 핸들링하는 핸드(221)가 제 1 방향(12), 제 2 방향(14), 제 3 방향(16)으로 이동 가능하고 회전될 수 있도록 4축 구동이 가능한 구조를 가진다. 인덱스 로봇(220)은 핸드(221), 아암(222), 지지대(223), 그리고 받침대(224)를 가진다. 핸드(221)는 아암(222)에 고정 설치된다. 아암(222)은 신축 가능한 구조 및 회전 가능한 구조로 제공된다. 지지대(223)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 아암(222)은 지지대(223)를 따라 이동 가능하도록 지지대(223)에 결합된다. 지지대(223)는 받침대(224)에 고정결합된다. 가이드 레일(230)은 그 길이 방향이 제 2 방향(14)을 따라 배치되도록 제공된다. 받침대(224)는 가이드 레일(230)을 따라 직선 이동 가능하도록 가이드 레일(230)에 결합된다. 또한, 도시되지는 않았지만, 프레임(210)에는 카세트(20)의 도어를 개폐하는 도어 오프너가 더 제공된다.The index module 200 transfers the substrate W between the cassette 20 and the buffer module 300 placed on the table 120 of the load port 100. The index module 200 has a frame 210, an index robot 220, and a guide rail 230. The frame 210 is provided generally in the shape of an inner rectangular parallelepiped and is disposed between the load port 100 and the buffer module 300. The frame 210 of the index module 200 may be provided at a lower height than the frame 310 of the buffer module 300 described later. The index robot 220 and the guide rail 230 are disposed within the frame 210. The index robot 220 is moved in the first direction 12, the second direction 14 and the third direction 16 so that the hand 221 that directly handles the substrate W can be moved and rotated in the first direction 12, the second direction 14, . The index robot 220 has a hand 221, an arm 222, a support 223, and a pedestal 224. The hand 221 is fixed to the arm 222. The arm 222 is provided with a stretchable structure and a rotatable structure. The support base 223 is disposed along the third direction 16 in the longitudinal direction. The arm 222 is coupled to the support 223 to be movable along the support 223. The support 223 is fixedly coupled to the pedestal 224. The guide rails 230 are provided so that their longitudinal direction is arranged along the second direction 14. The pedestal 224 is coupled to the guide rail 230 so as to be linearly movable along the guide rail 230. Further, although not shown, the frame 210 is further provided with a door opener for opening and closing the door of the cassette 20.

버퍼 모듈(300)은 프레임(310), 제 1 버퍼(320), 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 버퍼 로봇(360)을 가진다. 프레임(310)은 내부가 빈 직육면체의 형상으로 제공되며, 인덱스 모듈(200)과 도포 및 현상 모듈(400) 사이에 배치된다. 제 1 버퍼(320), 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 버퍼 로봇(360)은 프레임(310) 내에 위치된다. 냉각 챔버(350), 제 2 버퍼(330), 그리고 제 1 버퍼(320)는 순차적으로 아래에서부터 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 제 1 버퍼(320)는 후술하는 도포 및 현상 모듈(400)의 도포 모듈(401)과 대응되는 높이에 위치되고, 제 2 버퍼(330)와 냉각 챔버(350)는 후술하는 도포 및 현상 모듈(400)의 현상 모듈(402)과 대응되는 높이에 위치된다. 버퍼 로봇(360)은 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼(320)와 제 2 방향(14)으로 일정 거리 이격되게 위치된다. The buffer module 300 has a frame 310, a first buffer 320, a second buffer 330, a cooling chamber 350, and a buffer robot 360. The frame 310 is provided in the shape of an inner rectangular parallelepiped and is disposed between the index module 200 and the application and development module 400. The first buffer 320, the second buffer 330, the cooling chamber 350, and the buffer robot 360 are located within the frame 310. The cooling chamber 350, the second buffer 330, and the first buffer 320 are sequentially disposed in the third direction 16 from below. The second buffer 330 and the cooling chamber 350 are located at a height corresponding to the coating module 401 of the coating and developing module 400 described later and the coating and developing module 400 at a height corresponding to the developing module 402. [ The buffer robot 360 is positioned at a distance from the second buffer 330, the cooling chamber 350, and the first buffer 320 in the second direction 14.

제 1 버퍼(320)와 제 2 버퍼(330)는 각각 복수의 기판들(W)을 일시적으로 보관한다. 제 2 버퍼(330)는 하우징(331)과 복수의 지지대들(332)을 가진다. 지지대들(332)은 하우징(331) 내에 배치되며, 서로 간에 제 3 방향(16)을 따라 이격되게 제공된다. 각각의 지지대(332)에는 하나의 기판(W)이 놓인다. 하우징(331)은 인덱스 로봇(220), 버퍼 로봇(360), 그리고 후술하는 현상 모듈(402)의 현상부 로봇(482)이 하우징(331) 내 지지대(332)에 기판(W)을 반입 또는 반출할 수 있도록 인덱스 로봇(220)이 제공된 방향, 버퍼 로봇(360)이 제공된 방향, 그리고 현상부 로봇(482)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 제 1 버퍼(320)는 제 2 버퍼(330)와 대체로 유사한 구조를 가진다. 다만, 제 1 버퍼(320)의 하우징(321)에는 버퍼 로봇(360)이 제공된 방향 및 후술하는 도포 모듈(401)에 위치된 도포부 로봇(432)이 제공된 방향에 개구를 가진다. 제 1 버퍼(320)에 제공된 지지대(322)의 수와 제 2 버퍼(330)에 제공된 지지대(332)의 수는 동일하거나 상이할 수 있다. 일 예에 의하면, 제 2 버퍼(330)에 제공된 지지대(332)의 수는 제 1 버퍼(320)에 제공된 지지대(322)의 수보다 많을 수 있다. The first buffer 320 and the second buffer 330 temporarily store a plurality of substrates W, respectively. The second buffer 330 has a housing 331 and a plurality of supports 332. The supports 332 are disposed within the housing 331 and are provided spaced apart from each other in the third direction 16. One substrate W is placed on each support 332. The housing 331 is configured so that the index robot 220, the buffer robot 360 and the developing robot 482 of the development module 402 described later carry the substrate W into or from the support 332 in the housing 331, (Not shown) in the direction in which the index robot 220 is provided, in the direction in which the buffer robot 360 is provided, and in the direction in which the development robot 482 is provided, so that the development robot 482 can be taken out. The first buffer 320 has a structure substantially similar to that of the second buffer 330. The housing 321 of the first buffer 320 has an opening in a direction in which the buffer robot 360 is provided and a direction in which the application unit robot 432 located in the application module 401 described later is provided. The number of supports 322 provided in the first buffer 320 and the number of supports 332 provided in the second buffer 330 may be the same or different. According to one example, the number of supports 332 provided in the second buffer 330 may be greater than the number of supports 322 provided in the first buffer 320.

버퍼 로봇(360)은 제 1 버퍼(320)와 제 2 버퍼(330) 간에 기판(W)을 이송시킨다. 버퍼 로봇(360)은 핸드(361), 아암(362), 그리고 지지대(363)를 가진다. 핸드(361)는 아암(362)에 고정 설치된다. 아암(362)은 신축 가능한 구조로 제공되어, 핸드(361)가 제 2 방향(14)을 따라 이동 가능하도록 한다. 아암(362)은 지지대(363)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(363)에 결합된다. 지지대(363)는 제 2 버퍼(330)에 대응되는 위치부터 제 1 버퍼(320)에 대응되는 위치까지 연장된 길이를 가진다. 지지대(363)는 이보다 위 또는 아래 방향으로 더 길게 제공될 수 있다. 버퍼 로봇(360)은 단순히 핸드(361)가 제 2 방향(14) 및 제 3 방향(16)을 따른 2축 구동만 되도록 제공될 수 있다. The buffer robot 360 transfers the substrate W between the first buffer 320 and the second buffer 330. The buffer robot 360 has a hand 361, an arm 362, and a support base 363. The hand 361 is fixed to the arm 362. The arm 362 is provided in a stretchable configuration so that the hand 361 is movable along the second direction 14. The arm 362 is coupled to the support 363 so as to be linearly movable along the support 363 in the third direction 16. The support base 363 has a length extending from a position corresponding to the second buffer 330 to a position corresponding to the first buffer 320. The support member 363 may be provided longer in the upward or downward direction. The buffer robot 360 may be provided such that the hand 361 is simply driven in two directions along the second direction 14 and the third direction 16.

냉각 챔버(350)는 각각 기판(W)을 냉각한다. 냉각 챔버(350)는 하우징(351)과 냉각 플레이트(352)를 가진다. 냉각 플레이트(352)는 기판(W)이 놓이는 상면 및 기판(W)을 냉각하는 냉각 수단(353)을 가진다. 냉각 수단(353)으로는 냉각수에 의한 냉각이나 열전 소자를 이용한 냉각 등 다양한 방식이 사용될 수 있다. 또한, 냉각 챔버(350)에는 기판(W)을 냉각 플레이트(352) 상에 위치시키는 리프트 핀 어셈블리(도시되지 않음)가 제공될 수 있다. 하우징(351)은 인덱스 로봇(220) 및 후술하는 현상 모듈(402)에 제공된 현상부 로봇(482)이 냉각 플레이트(352)에 기판(W)을 반입 또는 반출할 수 있도록 인덱스 로봇(220)이 제공된 방향 및 현상부 로봇(482)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 또한, 냉각 챔버(350)에는 상술한 개구를 개폐하는 도어들(도시되지 않음)이 제공될 수 있다. The cooling chamber 350 cools the substrate W, respectively. The cooling chamber 350 has a housing 351 and a cooling plate 352. The cooling plate 352 has an upper surface on which the substrate W is placed and a cooling means 353 for cooling the substrate W. [ As the cooling means 353, various methods such as cooling with cooling water and cooling using a thermoelectric element can be used. In addition, the cooling chamber 350 may be provided with a lift pin assembly (not shown) for positioning the substrate W on the cooling plate 352. The housing 351 is provided with an index robot 220 so that the developing robot 482 provided in the index robot 220 and a developing module 402 to be described later can carry the substrate W into or out of the cooling plate 352 (Not shown) in the direction provided and the direction in which the developing robot 482 is provided. Further, the cooling chamber 350 may be provided with doors (not shown) for opening and closing the above-described opening.

도포 및 현상 모듈(400)은 노광 공정 전에 기판(W) 상에 포토 레지스트를 도포하는 공정 및 노광 공정 후에 기판(W)을 현상하는 공정을 수행한다. 도포 및 현상 모듈(400)은 대체로 직육면체의 형상을 가진다. 도포 및 현상 모듈(400)은 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)을 가진다. 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)은 서로 간에 층으로 구획되도록 배치된다. 일 예에 의하면, 도포 모듈(401)은 현상 모듈(402)의 상부에 위치된다.The application and development module 400 performs a process of applying a photoresist on the substrate W before the exposure process and a process of developing the substrate W after the exposure process. The application and development module 400 has a generally rectangular parallelepiped shape. The coating and developing module 400 has a coating module 401 and a developing module 402. The application module 401 and the development module 402 are arranged so as to be partitioned into layers with respect to each other. According to one example, the application module 401 is located on top of the development module 402.

도포 모듈(401)은 기판(W)에 대해 포토레지스트와 같은 감광액을 도포하는 공정 및 레지스트 도포 공정 전후에 기판(W)에 대해 가열 및 냉각과 같은 열처리 공정을 포함한다. 도포 모듈(401)은 레지스트 도포 챔버(410), 베이크 챔버(420), 그리고 반송 챔버(430)를 가진다. 레지스트 도포 챔버(410), 베이크 챔버(420), 그리고 반송 챔버(430)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 레지스트 도포 챔버(410)와 베이크 챔버(420)는 반송 챔버(430)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 레지스트 도포 챔버(410)는 복수 개가 제공되며, 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 베이크 챔버(420)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. The application module 401 includes a process of applying a photosensitive liquid such as a photoresist to the substrate W and a heat treatment process such as heating and cooling for the substrate W before and after the resist application process. The application module 401 has a resist application chamber 410, a bake chamber 420, and a transfer chamber 430. The resist application chamber 410, the bake chamber 420, and the transfer chamber 430 are sequentially disposed along the second direction 14. [ The resist application chamber 410 and the bake chamber 420 are positioned apart from each other in the second direction 14 with the transfer chamber 430 interposed therebetween. A plurality of resist coating chambers 410 are provided, and a plurality of resist coating chambers 410 are provided in the first direction 12 and the third direction 16, respectively. A plurality of bake chambers 420 are provided in the first direction 12 and the third direction 16, respectively.

반송 챔버(430)는 버퍼 모듈(300)의 제 1 버퍼(320)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(430) 내에는 도포부 로봇(432)과 가이드 레일(433)이 위치된다. 반송 챔버(430)는 대체로 직사각의 형상을 가진다. 도포부 로봇(432)은 베이크 챔버들(420), 레지스트 도포 챔버들(400), 버퍼 모듈(300)의 제 1 버퍼(320) 간에 기판(W)을 이송한다. 가이드 레일(433)은 그 길이 방향이 제 1 방향(12)과 나란하도록 배치된다. 가이드 레일(433)은 도포부 로봇(432)이 제 1 방향(12)으로 직선 이동되도록 안내한다. 도포부 로봇(432)은 핸드(434), 아암(435), 지지대(436), 그리고 받침대(437)를 가진다. 핸드(434)는 아암(435)에 고정 설치된다. 아암(435)은 신축 가능한 구조로 제공되어 핸드(434)가 수평 방향으로 이동 가능하도록 한다. 지지대(436)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치되도록 제공된다. 아암(435)은 지지대(436)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(436)에 결합된다. 지지대(436)는 받침대(437)에 고정 결합되고, 받침대(437)는 가이드 레일(433)을 따라 이동 가능하도록 가이드 레일(433)에 결합된다.The transfer chamber 430 is positioned in parallel with the first buffer 320 of the buffer module 300 in the first direction 12. In the transfer chamber 430, a dispenser robot 432 and a guide rail 433 are positioned. The transfer chamber 430 has a generally rectangular shape. The applicator robot 432 transfers the substrate W between the bake chambers 420, the resist application chambers 400 and the first buffer 320 of the buffer module 300. The guide rails 433 are arranged so that their longitudinal directions are parallel to the first direction 12. The guide rails 433 guide the applying robot 432 to move linearly in the first direction 12. The applicator robot 432 has a hand 434, an arm 435, a support 436, and a pedestal 437. The hand 434 is fixed to the arm 435. The arm 435 is provided in a stretchable configuration so that the hand 434 is movable in the horizontal direction. The support 436 is provided so that its longitudinal direction is disposed along the third direction 16. The arm 435 is coupled to the support 436 so as to be linearly movable in the third direction 16 along the support 436. The support 436 is fixedly coupled to the pedestal 437 and the pedestal 437 is coupled to the guide rail 433 so as to be movable along the guide rail 433.

레지스트 도포 챔버들(410)은 모두 동일한 구조를 가진다. 다만, 각각의 레지스트 도포 챔버(410)에서 사용되는 포토 레지스트의 종류는 서로 상이할 수 있다. 일 예로서 포토 레지스트로는 화학 증폭형 레지스트(chemical amplification resist)가 사용될 수 있다. 레지스트 도포 챔버(410)는 기판(W) 상에 포토 레지스트를 도포하는 기판처리장치로 제공된다. 도 5는 도 2의 도포 챔버에 제공되는 기판 처리 장치를 보여주는 단면도이고, 도 6은 도 5의 기판 처리 장치를 보여주는 평면도이다. 도 5 및 도 6을 참조하면, 기판 처리 장치(800)는 하우징(850), 기판 지지 유닛(810), 승강 유닛(880), 액 공급 유닛(890), 그리고 홈포트(900)를 포함한다. The resist coating chambers 410 all have the same structure. However, the types of the photoresist used in each of the resist coating chambers 410 may be different from each other. As an example, a chemical amplification resist may be used as the photoresist. The resist application chamber 410 is provided with a substrate processing apparatus for applying a photoresist on the substrate W. [ FIG. 5 is a cross-sectional view showing a substrate processing apparatus provided in the application chamber of FIG. 2, and FIG. 6 is a plan view showing the substrate processing apparatus of FIG. 5 and 6, the substrate processing apparatus 800 includes a housing 850, a substrate supporting unit 810, a lift unit 880, a liquid supply unit 890, and a home port 900 .

하우징(850)은 내부에 도포공정이 수행되는 처리공간을 가진다. 하우징(850)은 그 상부가 개방된 통 형상으로 제공된다. 하우징(850)은 회수통(860) 및 안내벽(870)을 포함한다. 회수통(860)은 기판 지지 유닛(810)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 안내벽(870)은 회수통(860)의 내측에서 기판 지지 유닛(810)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 회수통(860)과 안내벽(870)의 사이공간은 처리액이 회수되는 회수공간(865)으로 제공한다. 회수통(860)의 저면에는 회수라인(868)이 연결된다. 회수라인(868)은 회수통(860)에 유입된 처리액을 외부로 배출한다. 배출된 처리액은 처리액 재생시스템(미도시)을 통해 재사용될 수 있다.The housing 850 has a processing space in which an application process is performed. The housing 850 is provided in a cylindrical shape with its top opened. The housing 850 includes a recovery cylinder 860 and a guide wall 870. The recovery cylinder 860 is provided in the form of an annular ring surrounding the substrate supporting unit 810. The guide wall 870 is provided in the form of an annular ring surrounding the substrate support unit 810 inside the recovery cylinder 860. [ The space between the recovery cylinder 860 and the guide wall 870 provides a recovery space 865 where the processing liquid is recovered. A recovery line 868 is connected to the bottom of the recovery cylinder 860. The recovery line 868 discharges the treatment liquid introduced into the recovery tank 860 to the outside. The discharged treatment liquid can be reused through a treatment liquid regeneration system (not shown).

회수통(860)은 제1경사벽(862), 수직벽(864), 그리고 바닥벽(866)을 포함한다. 제1경사벽(862)은 기판 지지 유닛(810)을 둘러싸도록 제공된다. 제1경사벽(862)은 기판 지지 유닛(810)으로부터 멀어지는 방향으로 하향 경사지도록 제공된다. 수직벽(864)은 제1경사벽(862)의 하단으로부터 아래 방향으로 지면과 수직하게 연장된다. 바닥벽(866)은 수직벽(864)의 하단으로부터 기판 지지 유닛(810)의 중심축을 향하는 방향으로 수평하게 연장된다. The collection box 860 includes a first inclined wall 862, a vertical wall 864, and a bottom wall 866. The first inclined wall 862 is provided to surround the substrate supporting unit 810. The first inclined wall 862 is provided so as to be inclined downward in a direction away from the substrate supporting unit 810. [ The vertical wall 864 extends perpendicularly to the ground from the lower end of the first inclined wall 862 downward. The bottom wall 866 extends horizontally from the lower end of the vertical wall 864 toward the central axis of the substrate support unit 810.

안내벽(870)은 제1경사벽(862)과 바닥벽(866) 사이에 위치된다. 안내벽(870)은 제2경사벽(872) 및 사이벽(874)을 포함한다. 제2경사벽(872)은 기판 지지 유닛(810)을 둘러싸도록 제공된다. 제2경사벽(872)은 기판 지지 유닛(810)으로부터 멀어지는 방향으로 하향 경사지도록 제공된다. 제2경사벽(872)과 제1경사벽(862) 각각의 상단은 상하방향으로 일치되게 제공된다. 사이벽(874)은 제2경사벽(872)의 상단으로부터 아래 방향으로 수직하게 연장된다. 사이벽(874)은 제2경사벽(872)과 바닥벽(866)을 연결한다.The guide wall 870 is positioned between the first inclined wall 862 and the bottom wall 866. The guide wall 870 includes a second inclined wall 872 and a side wall 874. The second inclined wall 872 is provided to surround the substrate supporting unit 810. The second inclined wall 872 is provided so as to be inclined downward in a direction away from the substrate supporting unit 810. The upper end of each of the second inclined wall 872 and the first inclined wall 862 is vertically provided. The interstice wall 874 extends vertically downward from the top of the second inclined wall 872. The side wall 874 connects the second inclined wall 872 with the bottom wall 866.

기판 지지 유닛(810)은 상기 하우징(850) 내에서 기판을 지지 및 회전시킨다. 기판 지지 유닛(810)은 지지 플레이트(820) 및 구동 부재(830)를 포함한다. 지지 플레이트(820)의 상면에는 기판을 지지하는 핀 부재들(822, 824)이 결합된다. 지지핀들(822)은 기판의 저면을 지지하고, 척핀들(824)은 기판의 측면을 지지한다. 지지 플레이트(820)는 구동 부재(830)에 의해 회전 가능하다. 구동 부재(830)는 구동축(832) 및 구동기(834)를 포함한다. 구동축(834)은 지지 플레이트(820)의 저면에 결합된다. 구동기(834)는 구동축(832)에 회전력을 제공한다. 예컨대, 구동기(834)는 모터일 수 있다. The substrate support unit 810 supports and rotates the substrate within the housing 850. The substrate support unit 810 includes a support plate 820 and a drive member 830. On the upper surface of the support plate 820, pin members 822 and 824 for supporting the substrate are coupled. Support pins 822 support the bottom surface of the substrate, and chuck pins 824 support the sides of the substrate. The support plate 820 is rotatable by the driving member 830. The driving member 830 includes a driving shaft 832 and a driver 834. The drive shaft 834 is coupled to the bottom surface of the support plate 820. The driver 834 provides rotational force to the drive shaft 832. For example, the driver 834 may be a motor.

승강 유닛(880)은 하우징(850)을 상하 방향으로 승강시키며, 하우징(850)과 기판 지지 유닛(810) 간의 상대 높이를 조절한다. 승강 유닛(880)은 브라켓(882), 이동축(884), 그리고 구동기(886)를 포함한다. 브라켓(882)은 하우징(850)의 경사벽에 고정 설치된다. 브라켓(882)에는 구동기(886)에 의해 상하 방향으로 이동되는 이동축(884)이 고정 결합된다. The lifting unit 880 vertically moves the housing 850 to adjust the relative height between the housing 850 and the substrate supporting unit 810. The lifting unit 880 includes a bracket 882, a moving shaft 884, and a driver 886. The bracket 882 is fixed to the inclined wall of the housing 850. A moving shaft 884, which is vertically moved by a driver 886, is fixedly coupled to the bracket 882.

액 공급 유닛(890)은 지지 플레이트(820)에 놓인 기판(W) 상에 처리액을 공급한다. 액 공급 유닛(890)은 기판(W)에 처리액을 공급하는 노즐(892) 및 노즐 이동 부재(893)를 포함한다. 노즐(892)은 복수 개로 제공된다. 노즐(892)들 각각에는 처리액 공급 라인이 연결된다. 복수 개의 노즐(892)들은 홈 포트(900)에서 대기된다. 복수 개의 노즐(892)들 중 하나는 노즐 이동 부재(893)에 의해 공정 위치 및 대기 위치로 이동 가능하다. 여기서 공정 위치는 노즐(892)이 지지 플레이트(820)에 놓인 기판(W)과 대향된 위치이다. 대기 위치는 노즐(892)이 홈 포트(900)에 대기되는 위치이다. 예컨대, 처리액은 전기적 성질을 가지는 액일 수 있다. 처리액은 전하를 띠는 입자일 수 있다. 처리액은 포토레지스트와 같은 감광액일 수 있다.The liquid supply unit 890 supplies the treatment liquid onto the substrate W placed on the support plate 820. The liquid supply unit 890 includes a nozzle 892 and a nozzle moving member 893 for supplying the processing liquid to the substrate W. [ A plurality of nozzles 892 are provided. Each of the nozzles 892 is connected to a processing liquid supply line. A plurality of nozzles 892 are waiting at the home port 900. One of the plurality of nozzles 892 is movable by the nozzle moving member 893 to the process position and the standby position. Where the process position is the position at which the nozzle 892 is opposed to the substrate W placed on the support plate 820. The standby position is a position where the nozzle 892 is waiting in the home port 900. [ For example, the treatment liquid may be a liquid having an electrical property. The treatment liquid may be charged particles. The treatment liquid may be a photosensitive liquid such as a photoresist.

노즐 이동 부재(893)는 가이드 레일(894), 아암(896), 그리고 구동기(미도시)를 포함한다. 가이드 레일(894)은 하우징(850)의 일측에 위치된다. 가이드 레일(894)은 그 길이방향이 제1방향(12)을 향하도록 제공된다. 가이드 레일(894) 상에는 아암(896)이 설치된다. 아암(896)은 바 형상을 가지도록 제공된다. 아암(896)의 일단은 가이드 레일(894)에 고정 설치되고, 타단에는 노즐(892)이 탈착 가능하도록 제공된다. 구동기는 가이드 레일(894)에 구동력을 제공하여 아암(896) 및 노즐(892)을 제1방향(12) 또는 이의 반대 방향으로 왕복 이동시킬 수 있다. 아암(896) 및 이에 장착된 노즐(892)은 가이드 레일(894) 및 구동기에 의해 공정위치 및 대기 위치로 이동 가능하다. 예컨대, 구동기는 모터일 수 있다. The nozzle moving member 893 includes a guide rail 894, an arm 896, and a driver (not shown). The guide rail 894 is located on one side of the housing 850. The guide rail 894 is provided such that its longitudinal direction is directed in the first direction 12. An arm 896 is provided on the guide rail 894. The arm 896 is provided to have a bar shape. One end of the arm 896 is fixed to the guide rail 894, and a nozzle 892 is detachably provided at the other end. The actuator can provide a driving force to the guide rail 894 to reciprocate the arm 896 and the nozzle 892 in the first direction 12 or in the opposite direction. The arm 896 and the nozzle 892 mounted thereto are movable by the guide rail 894 and the actuator to the process and standby positions. For example, the actuator may be a motor.

홈 포트(900)는 도포 공정을 수행하지 않는 노즐(892)들이 대기 및 보관되는 장소로 제공된다. 홈 포트(900)에는 대기 중인 각 노즐(892)들이 처리액을 지속적 또는 간헐적으로 토출한다. 홈포트(900)는 노즐(892)들이 토출한 처리액을 외부로 배출한다. 홈포트(900)는 하우징(850)의 외부에 위치한다. 각 노즐(892)들은 그 내부에 제공된 처리액이 고착되는 것을 방지하기 위해 처리액을 토출한다. 도 7은 도 5의 기판 처리 장치의 홈 포트를 보여주는 사시도이고, 도 8은 도 7의 홈 포트를 a-a' 방향에서 바라본 단면도이며, 도 9는 도 7의 홈 포트(900)를 b-b' 방향에서 바라본 단면도이다. 도 7 내지 도 9을 참조하면, 홈 포트(900)는 바디(910), 분위기 조성 유닛(920)을 포함한다.The home port 900 is provided in a place where the nozzles 892 that do not perform the application process are kept in the atmosphere and stored. Each of the waiting nozzles 892 in the standby port 900 continuously or intermittently discharges the process liquid. The home port 900 discharges the processing liquid discharged by the nozzles 892 to the outside. The home port 900 is located outside the housing 850. Each of the nozzles 892 discharges the processing liquid to prevent the processing liquid provided therein from sticking. FIG. 7 is a perspective view showing the groove port of the substrate processing apparatus of FIG. 5, FIG. 8 is a cross-sectional view of the groove port of FIG. 7 taken along the line aa ' Fig. 7 to 9, the groove port 900 includes a body 910 and an atmosphere forming unit 920.

바디(910)는 그 내부에 노즐(892)이 처리액을 토출하는 토출 공간(911)을 가진다. 토출 공간(911)은 상부 공간(911a) 및 하부 공간(911b)을 가진다.The body 910 has therein a discharge space 911 through which the nozzle 892 discharges the processing liquid. The discharge space 911 has an upper space 911a and a lower space 911b.

상부 공간(911a)은 바디(910)의 상단에 배치된다. 상부 공간(911a)은 하부 공간(911b)보다 작은 폭으로 형성된다. 노즐(892)이 홈포트(900)에 대기할 때, 노즐(892)의 토출부는 상부 공간(911a)에 위치된다. 즉, 상부 공간(911a)은 공정에 사용되지 않은 노즐(892)의 토출부들이 삽입되는 삽입홀로 기능한다. 상부 공간(911a)은 노즐(892)과 일대일 대응되는 개수로 제공된다. 상부 공간(911a)들은 제1방향(12)을 따라 일렬로 배열되게 형성된다. 각 상부 공간(911a)에는 노즐(892)의 토출구가 일대일 대응되도록 삽입된다.The upper space 911a is disposed at the upper end of the body 910. [ The upper space 911a is formed to have a smaller width than the lower space 911b. When the nozzle 892 waits in the home port 900, the discharge portion of the nozzle 892 is located in the upper space 911a. That is, the upper space 911a functions as an insertion hole into which ejection portions of the nozzle 892 not used in the process are inserted. The upper space 911a is provided in a number corresponding one-to-one with the nozzle 892. [ The upper spaces 911a are formed to be arranged in a line along the first direction 12. In each of the upper spaces 911a, discharge ports of the nozzles 892 are inserted so as to correspond one to one.

하부 공간(911b)은 상부 공간(911a)의 아래에 위치되며 상부 공간(911a)과 통한다. 하부 공간(911b)에는 배출 포트(914)가 연결된다. 하부 공간(911b)내에 공급된 분위기 조성액 및 노즐(892)로부터 토출된 처리액은 배출 포트(914)를 통해 홈포트(900)의 외부로 배출된다.The lower space 911b is located below the upper space 911a and communicates with the upper space 911a. A discharge port 914 is connected to the lower space 911b. The atmospheric composition liquid supplied in the lower space 911b and the treatment liquid discharged from the nozzle 892 are discharged to the outside of the groove port 900 through the discharge port 914. [

분위기 조성액은 처리액을 희석시키고, 정전기를 흡수하는 액이다. 예를 들면, 분위기 조성액은 물, 유기용매(아세톤, 에탄올, 메탄올 등) 또는 신나 중 어느 하나를 포함할 수 있다. 분위기 조성 유닛(920)은 상부 공간(911a) 내에 대기하는 노즐(892)의 토출부로 직접 분위기 조성액의 분무를 분사한다. 이로 인해, 상부 공간(911a)의 노즐(892)의 토출부와 인접한 영역에 보다 분위기 조성액에 의한 보다 강한 분위기를 조성할 수 있다. 따라서, 분위기 조성액에 의한 노즐(892)의 정전기 방지 및 제거 효율이 개선되고, 노즐(892)에 대한 처리액의 세정 효과가 보다 증대된다. 일 실시 예에 의하면, 분위기 조성 유닛(920)은 용기(921), 초음파 인가 부재(923) 및 분무 공급 라인(925)을 포함한다.The atmospheric composition liquid is a liquid that dilutes the treatment liquid and absorbs static electricity. For example, the atmosphere forming liquid may include water, an organic solvent (acetone, ethanol, methanol, etc.), or a thinner. The atmosphere forming unit 920 directly injects the spray of the atmosphere forming liquid into the discharging portion of the nozzle 892 waiting in the upper space 911a. As a result, a stronger atmosphere due to the atmospheric composition liquid can be formed in a region adjacent to the discharge portion of the nozzle 892 in the upper space 911a. Therefore, the electrostatic prevention and removal efficiency of the nozzle 892 by the atmospheric composition liquid is improved, and the cleaning effect of the treatment liquid on the nozzle 892 is further enhanced. According to one embodiment, the atmosphere forming unit 920 includes a container 921, an ultrasonic applying member 923, and a spray supply line 925. [

용기(921)는 바디(910)의 외부에 제공된다. 용기(921)는 내부에 분위기 조성액이 수용되는 액 수용 공간(921a)을 가진다.The container 921 is provided outside the body 910. The container 921 has a liquid accommodation space 921a in which an atmosphere forming liquid is accommodated.

초음파 인가 부재(923)는 액 수용 공간(921a)에 수용된 분위기 조성액에 초음파 진동을 인가한다. 초음파 인가 부재(923)는 용기(921)의 하부에 제공된다. 분위기 조성액에 초음파 진동을 인가함으로써 분위기 조성액의 분무화를 보다 활성화시킬 수 있다. 따라서, 토출 공간(911) 내의 분위기 조성 효율을 증대시킬 수 있다.The ultrasonic wave applying member 923 applies ultrasonic vibration to the atmospheric composition liquid contained in the liquid containing space 921a. The ultrasonic applying member 923 is provided at the lower portion of the container 921. [ The atomization of the atmosphere forming liquid can be further activated by applying ultrasonic vibration to the atmosphere forming liquid. Therefore, the atmosphere composition efficiency in the discharge space 911 can be increased.

분무 공급 라인(925)은 액 수용 공간(921a)에서 발생된 분무 상태의 분위기 조성액을 토출 공간(911)으로 공급한다. 예를 들면, 분무 공급 라인(925)은 바디(910)의 외벽을 관통하여 상부 공간(911a)과 연결된다. 따라서, 분무화된 분위기 조성액이 노즐(892)의 토출부로 직접 공급될 수 있다.The spray supply line 925 supplies the atmospheric composition liquid in the spray state generated in the liquid accommodation space 921a to the discharge space 911. [ For example, the spray supply line 925 penetrates the outer wall of the body 910 and is connected to the upper space 911a. Therefore, the atomized atmosphere forming liquid can be supplied directly to the discharge portion of the nozzle 892. [

분위기 조성 유닛(920)은 액 공급 부재(922) 및 가압 가스 공급 부재(926)를 더 포함할 수 있다.The atmosphere forming unit 920 may further include a liquid supply member 922 and a pressurized gas supply member 926.

액 공급 부재(922)는 용기(921)의 외부에 제공된다. 액 공급 부재(922)는 유입구(922a) 및 유입 라인(922b)을 통해 분위기 조성액을 액 수용 공간(921a)으로 공급한다. The liquid supply member 922 is provided outside the container 921. The liquid supply member 922 supplies the atmospheric composition liquid to the liquid accommodation space 921a through the inlet 922a and the inlet line 922b.

가압 가스 공급 부재(926)는 액 수용 공간(921a)으로 가압 가스를 공급하여 액 수용 공간(921a)의 압력을 높인다. 따라서, 액 수용 공간(921a) 내의 분무화된 분위기 조성액은 가압 가스에 의한 압력에 의해 분무 공급 라인(925)을 통해 토출 공간(911)으로 공급된다.The pressurized gas supply member 926 supplies pressurized gas to the liquid accommodation space 921a to increase the pressure in the liquid accommodation space 921a. Therefore, the atomized atmosphere liquid in the liquid accommodation space 921a is supplied to the discharge space 911 through the spray supply line 925 by the pressure by the pressurized gas.

다시 도 2 내지 도 4를 참조하면, 베이크 챔버(420)는 기판(W)을 열처리한다. 예컨대, 베이크 챔버들(420)은 포토 레지스트를 도포하기 전에 기판(W)을 소정의 온도로 가열하여 기판(W) 표면의 유기물이나 수분을 제거하는 프리 베이크(prebake) 공정이나 포토레지스트를 기판(W) 상에 도포한 후에 행하는 소프트 베이크(soft bake) 공정 등을 수행하고, 각각의 가열 공정 이후에 기판(W)을 냉각하는 냉각 공정 등을 수행한다. 베이크 챔버(420)는 냉각 플레이트(421) 또는 가열 플레이트(422)를 가진다. 냉각 플레이트(421)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(423)이 제공된다. 또한 가열 플레이트(422)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(424)이 제공된다. 냉각 플레이트(421)와 가열 플레이트(422)는 하나의 베이크 챔버(420) 내에 각각 제공될 수 있다. 선택적으로 베이크 챔버(420)들 중 일부는 냉각 플레이트(421)만을 구비하고, 다른 일부는 가열 플레이트(422)만을 구비할 수 있다. 2 to 4, the bake chamber 420 heat-treats the substrate W. For example, the bake chambers 420 may be formed by a prebake process for heating the substrate W to a predetermined temperature to remove organic substances and moisture on the surface of the substrate W, A soft bake process is performed after coating the substrate W on the substrate W, and a cooling process for cooling the substrate W after each heating process is performed. The bake chamber 420 has a cooling plate 421 or a heating plate 422. The cooling plate 421 is provided with a cooling means 423 such as a cooling water or a thermoelectric element. The heating plate 422 is also provided with a heating means 424, such as a hot wire or a thermoelectric element. The cooling plate 421 and the heating plate 422 may be provided in a single bake chamber 420, respectively. Optionally, some of the bake chambers 420 may include only the cooling plate 421, and the other portions may include only the heating plate 422.

현상 모듈(402)은 기판(W) 상에 패턴을 얻기 위해 현상액을 공급하여 포토 레지스트의 일부를 제거하는 현상 공정, 및 현상 공정 전후에 기판(W)에 대해 수행되는 가열 및 냉각과 같은 열처리 공정을 포함한다. 현상모듈(402)은 현상 챔버(460), 베이크 챔버(470), 그리고 반송 챔버(480)를 가진다. 현상 챔버(460), 베이크 챔버(470), 그리고 반송 챔버(480)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 현상 챔버(460)와 베이크 챔버(470)는 반송 챔버(480)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 현상 챔버(460)는 복수 개가 제공되며, 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 베이크 챔버(470)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다.The developing module 402 includes a developing process for supplying a developing solution to obtain a pattern on the substrate W to remove a part of the photoresist and a heat treatment process such as heating and cooling performed on the substrate W before and after the developing process . The development module 402 has a development chamber 460, a bake chamber 470, and a transfer chamber 480. The development chamber 460, the bake chamber 470, and the transfer chamber 480 are sequentially disposed along the second direction 14. The development chamber 460 and the bake chamber 470 are positioned apart from each other in the second direction 14 with the transfer chamber 480 therebetween. A plurality of developing chambers 460 are provided, and a plurality of developing chambers 460 are provided in the first direction 12 and the third direction 16, respectively. A plurality of bake chambers 470 are provided in the first direction 12 and the third direction 16, respectively.

반송 챔버(480)는 버퍼 모듈(300)의 제 2 버퍼(330)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(480) 내에는 현상부 로봇(482)과 가이드 레일(483)이 위치된다. 반송 챔버(480)는 대체로 직사각의 형상을 가진다. 현상부 로봇(482)은 베이크 챔버들(470), 현상 챔버들(460), 버퍼 모듈(300)의 제 2 버퍼(330)와 냉각 챔버(350) 간에 기판(W)을 이송한다. 가이드 레일(483)은 그 길이 방향이 제 1 방향(12)과 나란하도록 배치된다. 가이드 레일(483)은 현상부 로봇(482)이 제 1 방향(12)으로 직선 이동되도록 안내한다. 현상부 로봇(482)은 핸드(484), 아암(485), 지지대(486), 그리고 받침대(487)를 가진다. 핸드(484)는 아암(485)에 고정 설치된다. 아암(485)은 신축 가능한 구조로 제공되어 핸드(484)가 수평 방향으로 이동 가능하도록 한다. 지지대(486)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치되도록 제공된다. 아암(485)은 지지대(486)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(486)에 결합된다. 지지대(486)는 받침대(487)에 고정 결합된다. 받침대(487)는 가이드 레일(483)을 따라 이동 가능하도록 가이드 레일(483)에 결합된다.The transfer chamber 480 is positioned in parallel with the second buffer 330 of the buffer module 300 in the first direction 12. In the transfer chamber 480, the developing robot 482 and the guide rail 483 are positioned. The delivery chamber 480 has a generally rectangular shape. The developing subroutine 482 transfers the substrate W between the bake chambers 470, the developing chambers 460 and the second buffer 330 of the buffer module 300 and the cooling chamber 350. The guide rail 483 is arranged such that its longitudinal direction is parallel to the first direction 12. The guide rail 483 guides the developing robot 482 to linearly move in the first direction 12. The developing sub-robot 482 has a hand 484, an arm 485, a supporting stand 486, and a pedestal 487. The hand 484 is fixed to the arm 485. The arm 485 is provided in a stretchable configuration to allow the hand 484 to move in a horizontal direction. The support 486 is provided so that its longitudinal direction is disposed along the third direction 16. The arm 485 is coupled to the support 486 such that it is linearly movable along the support 486 in the third direction 16. The support table 486 is fixedly coupled to the pedestal 487. The pedestal 487 is coupled to the guide rail 483 so as to be movable along the guide rail 483.

현상 챔버들(460)은 모두 동일한 구조를 가진다. 다만, 각각의 현상 챔버(460)에서 사용되는 현상액의 종류는 서로 상이할 수 있다. 현상 챔버(460)는 기판(W) 상의 포토 레지스트 중 광이 조사된 영역을 제거한다. 이때, 보호막 중 광이 조사된 영역도 같이 제거된다. 선택적으로 사용되는 포토 레지스트의 종류에 따라 포토 레지스트 및 보호막의 영역들 중 광이 조사되지 않은 영역만이 제거될 수 있다. The development chambers 460 all have the same structure. However, the types of developers used in the respective developing chambers 460 may be different from each other. The development chamber 460 removes a region of the photoresist on the substrate W where light is irradiated. At this time, the area of the protective film irradiated with the light is also removed. Depending on the type of selectively used photoresist, only the areas of the photoresist and protective film that are not irradiated with light can be removed.

현상 챔버(460)는 하우징(461), 지지 플레이트(462), 그리고 노즐(463)을 가진다. 하우징(461)은 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(462)는 하우징(461) 내에 위치되며, 기판(W)을 지지한다. 지지 플레이트(462)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(463)은 지지 플레이트(462)에 놓인 기판(W) 상으로 현상액을 공급한다. 노즐(463)은 원형의 관 형상을 가지고, 기판(W)의 중심으로 현상액 공급할 수 있다. 선택적으로 노즐(463)은 기판(W)의 직경에 상응하는 길이를 가지고, 노즐(463)의 토출구는 슬릿으로 제공될 수 있다. 또한, 현상 챔버(460)에는 추가적으로 현상액이 공급된 기판(W) 표면을 세정하기 위해 탈이온수와 같은 세정액을 공급하는 노즐(464)이 더 제공될 수 있다. The development chamber 460 has a housing 461, a support plate 462, and a nozzle 463. The housing 461 has a cup shape with an open top. The support plate 462 is located in the housing 461 and supports the substrate W. [ The support plate 462 is rotatably provided. The nozzle 463 supplies the developer onto the substrate W placed on the support plate 462. The nozzle 463 has a circular tube shape and can supply developer to the center of the substrate W. [ Alternatively, the nozzle 463 may have a length corresponding to the diameter of the substrate W, and the discharge port of the nozzle 463 may be provided with a slit. Further, the developing chamber 460 may further be provided with a nozzle 464 for supplying a cleaning liquid such as deionized water to clean the surface of the substrate W to which the developer is supplied.

현상모듈(402)의 베이크 챔버(470)는 기판(W)을 열처리한다. 예컨대, 베이크 챔버들(470)은 현상 공정이 수행되기 전에 기판(W)을 가열하는 포스트 베이크 공정 및 현상 공정이 수행된 후에 기판(W)을 가열하는 하드 베이크 공정 및 각각의 베이크 공정 이후에 가열된 기판(W)을 냉각하는 냉각 공정 등을 수행한다. 베이크 챔버(470)는 냉각 플레이트(471) 또는 가열 플레이트(472)를 가진다. 냉각 플레이트(471)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(473)이 제공된다. 또는 가열 플레이트(472)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(474)이 제공된다. 냉각 플레이트(471)와 가열 플레이트(472)는 하나의 베이크 챔버(470) 내에 각각 제공될 수 있다. 선택적으로 베이크 챔버(470)들 중 일부는 냉각 플레이트(471)만을 구비하고, 다른 일부는 가열 플레이트(472)만을 구비할 수 있다.The bake chamber 470 of the developing module 402 heat-treats the substrate W. [ For example, the bake chambers 470 may include a post-bake process for heating the substrate W before the development process is performed, a hard bake process for heating the substrate W after the development process is performed, And a cooling step for cooling the substrate W is performed. The bake chamber 470 has a cooling plate 471 or a heating plate 472. The cooling plate 471 is provided with a cooling means 473 such as a cooling water or a thermoelectric element. Or the heating plate 472 is provided with a heating means 474 such as a hot wire or a thermoelectric element. The cooling plate 471 and the heating plate 472 may be provided in one bake chamber 470, respectively. Optionally, some of the bake chambers 470 may have only a cooling plate 471, while the other may have only a heating plate 472. [

인터페이스 모듈(700)은 도포 및 현상 모듈(400) 및 노광 장치(900) 간에 기판(W)을 이송한다. 인터페이스 모듈(700)은 프레임(710), 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 그리고 인터페이스 로봇(740)를 가진다. 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 그리고 인터페이스 로봇(740)은 프레임(710) 내에 위치된다. 제 1 버퍼(720)와 제 2 버퍼(730)는 서로 간에 일정거리 이격되며, 서로 적층되도록 배치된다. 제 1 버퍼(720)는 제 2 버퍼(730)보다 높게 배치된다. 제 1 버퍼(720)는 전처리 모듈(601)과 대응되는 높이에 위치되고, 제 2 버퍼(730)는 후처리 모듈(602)에 대응되는 높이에 배치된다. 상부에서 바라볼 때 제 1 버퍼(720)는 전처리 모듈(601)의 반송 챔버(630)와 제 1 방향(12)을 따라 일렬로 배치되고, 제 2 버퍼(730)는 후처리 모듈(602)의 반송 챔버(630)와 제 1 방향(12)을 따라 일렬로 배치되게 위치된다. The interface module 700 transfers the substrate W between the coating and developing module 400 and the exposure apparatus 900. The interface module 700 has a frame 710, a first buffer 720, a second buffer 730, and an interface robot 740. The first buffer 720, the second buffer 730, and the interface robot 740 are located within the frame 710. The first buffer 720 and the second buffer 730 are spaced apart from each other by a predetermined distance and are stacked on each other. The first buffer 720 is disposed higher than the second buffer 730. The first buffer 720 is positioned at a height corresponding to the preprocessing module 601 and the second buffer 730 is positioned at a height corresponding to the postprocessing module 602. The first buffer 720 is arranged in a line along the first direction 12 with the transfer chamber 630 of the preprocessing module 601 while the second buffer 730 is arranged in the postprocessing module 602, Are arranged in a line along the first direction 12 with the transfer chamber 630 of the transfer chamber 630. [

인터페이스 로봇(740)은 제 1 버퍼(720) 및 제 2 버퍼(730)와 제 2 방향(14)으로 이격되게 위치된다. 인터페이스 로봇(740)은 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 그리고 노광 장치(900) 간에 기판(W)을 운반한다.The interface robot 740 is spaced apart from the first buffer 720 and the second buffer 730 in the second direction 14. The interface robot 740 carries the substrate W between the first buffer 720, the second buffer 730 and the exposure apparatus 900.

제 1 버퍼(720)는 레지스트 도포 공정이 수행된 기판(W)들이 노광 장치(900)로 이동되기 전에 이들을 일시적으로 보관한다. 그리고 제 2 버퍼(730)는 노광 장치(900)에서 공정이 완료된 기판(W)들이 도포 및 현상 모듈(400)로 이동되기 전에 이들을 일시적으로 보관한다. 제 1 버퍼(720)는 하우징(721)과 복수의 지지대들(722)을 가진다. 지지대들(722)은 하우징(721) 내에 배치되며, 서로 간에 제 3 방향(16)을 따라 이격되게 제공된다. 각각의 지지대(722)에는 하나의 기판(W)이 놓인다. 하우징(721)은 인터페이스 로봇(740) 하우징(721) 내로 지지대(722)에 기판(W)을 반입 또는 반출할 수 있도록 개구(도시되지 않음)를 가진다. 제 2 버퍼(730)는 제 1 버퍼(720)와 대체로 유사한 구조를 가진다. 인터페이스 모듈에는 기판에 대해 소정의 공정을 수행하는 챔버의 제공 없이 상술한 바와 같이 버퍼들 및 로봇만 제공될 수 있다.The first buffer 720 temporarily stores the substrates W subjected to the resist coating process before they are transferred to the exposure apparatus 900. The second buffer 730 temporarily stores the processed substrates W in the exposure apparatus 900 before they are transferred to the coating and developing module 400. The first buffer 720 has a housing 721 and a plurality of supports 722. The supports 722 are disposed within the housing 721 and are provided spaced apart from each other in the third direction 16. One substrate W is placed on each support 722. The housing 721 has an opening (not shown) for loading or unloading the substrate W into the support table 722 into the housing 721 of the interface robot 740. The second buffer 730 has a structure substantially similar to that of the first buffer 720. The interface module may be provided with only the buffers and robots as described above without providing a chamber for performing a predetermined process on the substrate.

이하, 본 발명의 실시 예에 의한 분위기 조성 방법을 도 8의 홈포트(900)를 이용하여 설명한다.Hereinafter, the atmosphere forming method according to the embodiment of the present invention will be described using the groove port 900 of FIG.

분위기 조성 방법은 홈포트(900)의 내부에 형성된 토출 공간(911)에 분위기 조성액에 의한 분위기를 조성한다. 분위기 조성 방법은 분위기 조성액을 분무화하는 단계 및 홈포트(900)에 대기 중인 노즐(892)의 토출부로 직접 분무화된 분위기 조성액을 분사하는 단계;를 포함한다.In the atmosphere forming method, an atmosphere is formed by the atmosphere forming liquid in the discharging space 911 formed inside the groove port 900. The atmosphere forming method includes atomizing the atmosphere forming liquid and spraying the atmosphere atomizing liquid directly sprayed to the discharging portion of the nozzle 892 waiting in the groove port 900. [

분위기 조성액을 분무화하는 단계는, 홈포트(900)의 외부의 용기(921) 내에 수용된 분위기 조성액에 초음파를 인가하여 수행된다. 예를 들면, 분위기 조성액이 수용되는 액 수용 공간(921a)을 가지는 용기(921)는 홈포트(900)의 외부에 제공된다. 초음파 인가 부재(923)는 용기(921)의 하부에 설치되어 액 수용 공간(921a)에 수용된 분위기 조성액에 초음파를 인가하여 분위기 조성액을 분무화 시킨다.The step of atomizing the atmosphere forming liquid is performed by applying ultrasonic waves to the atmosphere forming liquid contained in the container 921 outside the groove port 900. [ For example, a container 921 having a liquid accommodation space 921a in which the atmosphere forming liquid is accommodated is provided outside the groove port 900. [ The ultrasonic wave applying member 923 is provided at a lower portion of the vessel 921 to apply ultrasonic waves to the atmosphere forming liquid contained in the liquid containing space 921a to atomize the atmosphere forming liquid.

노즐(892)의 토출부로 직접 분무화된 분위기 조성액을 분사하는 단계에서는 액 수용 공간(921a)에서 분무화 된 분위기 조성액이 분무 공급 라인(925)을 통해 바디(910)의 외벽을 관통해 상부 공간(911a)으로 공급된다.In the step of spraying the atmosphere atomized liquid directly to the discharge portion of the nozzle 892, the atomized atomized liquid in the liquid containing space 921a passes through the outer wall of the body 910 through the spray supply line 925, (911a).

20: 카세트 100: 로드 포트
200: 인덱스 모듈 300: 버퍼 모듈
400: 도포 및 현상 모듈 401: 도포 모듈
402: 현상 모듈 700: 인터페이스 모듈
810: 기판 지지 유닛 850: 하우징
890: 액 공급 유닛 892: 노즐
900: 홈포트 910: 바디
911: 토출 공간 920: 분위기 조성 유닛
921: 용기 922: 액 공급 부재
923: 초음파 인가 부재
20: cassette 100: load port
200: Index module 300: Buffer module
400: application and development module 401: application module
402: development module 700: interface module
810: substrate support unit 850: housing
890: liquid supply unit 892: nozzle
900: Home port 910: Body
911: Discharge space 920: Atmosphere creation unit
921: container 922: liquid supply member
923: Ultrasonic wave application member

Claims (11)

내부에 처리 공간을 가지는 하우징;
상기 하우징 내에서 기판을 지지하는 기판 지지 유닛;
상기 기판에 처리액을 공급하는 노즐을 가지는 액 공급 유닛;
상기 하우징의 외부에 위치하며, 상기 노즐이 대기하고, 상기 노즐이 토출하는 처리액을 외부로 배출하는 홈포트;를 포함하되,
상기 홈포트는,
상기 노즐이 처리액을 토출하는 토출 공간을 가지는 바디;
상기 토출 공간 내에 대기하는 상기 노즐의 토출부로 직접 분위기 조성액의 분무를 분사하는 분위기 조성 유닛;을 포함하는 기판 처리 장치.
A housing having a processing space therein;
A substrate supporting unit for supporting the substrate in the housing;
A liquid supply unit having a nozzle for supplying a treatment liquid to the substrate;
And a groove port located outside the housing and waiting for the nozzle to discharge the treatment liquid discharged from the nozzle to the outside,
The above-
A body having the discharge space through which the nozzle discharges the processing liquid;
And an atmospheric composition unit for spraying a spray of an atmospheric composition liquid directly to a discharge portion of the nozzle waiting in the discharge space.
제 1 항에 있어서,
상기 분위기 조성 유닛은,
상기 바디의 외부에 제공되고, 내부에 분위기 조성액이 수용되는 액 수용 공간을 가지는 용기;
상기 액 수용 공간에 수용된 분위기 조성액에 초음파 진동을 인가하는 초음파 인가 부재; 및
상기 액 수용 공간에서 발생된 분무 상태의 분위기 조성액을 상기 토출 공간으로 공급하는 분무 공급 라인;을 더 포함하는 기판 처리 장치.
The method according to claim 1,
In the atmosphere forming unit,
A container provided on the outside of the body and having a liquid containing space in which an atmosphere forming liquid is contained;
An ultrasonic wave applying member for applying ultrasonic vibration to the atmospheric composition liquid contained in the liquid containing space; And
And a spray supply line for supplying an atmosphere composition liquid in a spray state generated in the liquid accommodation space to the discharge space.
제 1 항에 있어서,
상기 토출 공간은, 상기 바디의 상단에 배치되는 상부 공간;과 상기 상부 공간의 아래에 위치되며 상기 상부 공간과 통하는 하부 공간;을 가지고,
상기 상부 공간은, 상기 하부 공간보다 작은 폭으로 형성되고,
상기 노즐이 상기 홈포트에 대기할 때, 상기 노즐의 토출부는 상기 상부 공간에 위치되고, 상기 하부 공간에는 배출 포트가 연결되는 기판 처리 장치.
The method according to claim 1,
The discharge space includes an upper space disposed at an upper end of the body and a lower space positioned below the upper space and communicating with the upper space,
Wherein the upper space is formed to have a smaller width than the lower space,
Wherein the discharge port of the nozzle is located in the upper space and the discharge port is connected to the lower space when the nozzle is in the home port.
제 2 항에 있어서,
상기 분위기 조성 유닛은,
상기 액 수용 공간으로 가압 가스를 공급하는 가압 가스 공급 부재;를 더 포함하는 기판 처리 장치.
3. The method of claim 2,
In the atmosphere forming unit,
And a pressurized gas supply member for supplying a pressurized gas into the liquid accommodation space.
제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 하나에 있어서,
상기 분위기 조성액은, 물, 유기용매 또는 신나(Thinner) 중 어느 하나를 포함하는 기판 처리 장치.
5. The method according to any one of claims 1 to 4,
Wherein the atmospheric composition liquid comprises any one of water, an organic solvent, and a thinner.
기판에 처리액을 공급하는 노즐이 대기하고, 상긴 노즐이 토출하는 처리액을 외부로 배출하는 홈포트에 있어서,
상기 노즐이 처리액을 토출하는 토출 공간을 가지는 바디;
상기 토출 공간 내에 대기하는 상기 노즐의 토출부로 직접 분위기 조성액의 분무를 분사하는 분위기 조성 유닛;을 포함하는 홈포트.
A nozzle for supplying a treatment liquid to the substrate stands by, and in a groove port for discharging the treatment liquid discharged by the upper nozzle,
A body having the discharge space through which the nozzle discharges the processing liquid;
And an atmospheric composition unit for spraying a spray of an atmospheric composition liquid directly to a discharge portion of the nozzle waiting in the discharge space.
제 6 항에 있어서,
상기 분위기 조성 유닛은,
상기 바디의 외부에 제공되고, 내부에 분위기 조성액이 수용되는 액 수용 공간을 가지는 용기;
상기 액 수용 공간에 수용된 분위기 조성액에 초음파 진동을 인가하는 초음파 인가 부재; 및
상기 액 수용 공간에서 발생된 분무 상태의 분위기 조성액을 상기 토출 공간으로 공급하는 분무 공급 라인;을 더 포함하는 홈포트.
The method according to claim 6,
In the atmosphere forming unit,
A container provided on the outside of the body and having a liquid containing space in which an atmosphere forming liquid is contained;
An ultrasonic wave applying member for applying ultrasonic vibration to the atmospheric composition liquid contained in the liquid containing space; And
And a spray supply line for supplying an atmospheric composition liquid in a spray state generated in the liquid accommodation space to the discharge space.
제 6 항에 있어서,
상기 토출 공간은, 상기 바디의 상단에 배치되는 상부 공간;과 상기 상부 공간의 아래에 위치되며 상기 상부 공간과 통하는 하부 공간;을 가지고,
상기 상부 공간은, 상기 하부 공간보다 작은 폭으로 형성되고,
상기 노즐이 상기 홈포트에 대기할 때, 상기 노즐의 토출부는 상기 상부 공간에 위치되고, 상기 하부 공간에는 배출 포트가 연결되는 홈포트.
The method according to claim 6,
The discharge space includes an upper space disposed at an upper end of the body and a lower space positioned below the upper space and communicating with the upper space,
Wherein the upper space is formed to have a smaller width than the lower space,
Wherein the discharge port of the nozzle is located in the upper space and the discharge port is connected to the lower space when the nozzle is in the home port.
제 6 항 내지 제 8 항 중 어느 하나에 있어서,
상기 분위기 조성액은, 물, 유기용매 또는 신나(Thinner) 중 어느 하나를 포함하는 홈포트.
9. The method according to any one of claims 6 to 8,
Wherein the atmospheric composition liquid comprises any one of water, an organic solvent, and a thinner.
상기 홈포트의 내부에 형성된 토출 공간에 분위기 조성액에 의한 분위기를 조성하는 방법에 있어서,
분위기 조성액을 분무화하는 단계; 및
상기 홈포트에 대기중인 노즐의 토출부로 직접 분무화된 분위기 조성액을 분사하는 단계;를 포함하는 분위기 조성 방법.
A method for forming an atmosphere by an atmospheric composition liquid in a discharge space formed inside the groove port,
Atomizing the atmosphere forming solution; And
And spraying an atomized atomizing liquid directly sprayed to a discharge portion of a nozzle waiting in the home port.
제 10 항에 있어서,
상기 분위기 조성액을 분무화하는 단계는, 상기 홈포트의 외부의 용기 내에 수용된 분위기 조성액에 초음파를 인가하여 수행되는 분위기 조성 방법.
11. The method of claim 10,
Wherein the step of atomizing the atmospheric composition liquid is performed by applying ultrasonic waves to an atmospheric composition liquid contained in a container outside the groove port.
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