KR20160053919A - Sensor device, input device, and electronic device - Google Patents

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쇼고 신카이
게이 츠카모토
하야토 하세가와
히로토 가와구치
후미히코 이다
도모코 가츠하라
도모아키 스즈키
다카유키 다나카
다이조 니시무라
히로시 미즈노
야스유키 아베
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소니 주식회사
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Abstract

본 발명은, 외부로부터의 전자 노이즈의 영향에 의한 검출 정밀도의 저하를 억제할 수 있는 센서 장치, 입력 장치 및 전자 기기를 제공한다. 본 기술의 일 실시 형태에 따른 센서 장치는, 전극 기판과, 실드층을 구비한다. 상기 전극 기판은, 복수의 제1 전극선과, 복수의 제2 전극선을 갖고, 상기 복수의 제1 전극선과 상기 복수의 제2 전극선과의 복수의 대향 영역에 각각 형성되는 복수의 용량 센서가 매트릭스 형상으로 배열된다. 상기 실드층은, 상기 전극 기판에 형성되며, 상기 복수의 대향 영역 사이를 연락하는 상기 복수의 제2 전극선 중 적어도 일부의 배선 영역을 차폐하는 도체막을 포함한다.An object of the present invention is to provide a sensor device, an input device, and an electronic device that can suppress deterioration of detection accuracy due to the influence of electromagnetic noise from the outside. A sensor device according to an embodiment of the present technology includes an electrode substrate and a shield layer. Wherein the electrode substrate has a plurality of first electrode lines and a plurality of second electrode lines and a plurality of capacitance sensors formed respectively in a plurality of opposing regions of the plurality of first electrode lines and the plurality of second electrode lines are arranged in a matrix form . The shield layer includes a conductor film formed on the electrode substrate and shielding at least a part of the wiring region of the plurality of second electrode lines that communicate between the plurality of opposed regions.

Figure P1020167005408
Figure P1020167005408

Description

센서 장치, 입력 장치 및 전자 기기{SENSOR DEVICE, INPUT DEVICE, AND ELECTRONIC DEVICE}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a sensor device, an input device, and an electronic device,

본 기술은, 입력 조작을 정전적으로 검출하는 것이 가능한 센서 장치, 입력 장치 및 전자 기기에 관한 것이다.The present invention relates to a sensor device, an input device, and an electronic device capable of electrostatically detecting an input operation.

전자 기기용 센서 장치로서, 예를 들어 용량 소자를 구비하고, 입력 조작면에 대한 조작자(操作子)의 조작 위치와 가압력을 검출하는 것이 가능한 구성이 알려져 있다(예를 들어, 특허문헌 1 참조).As a sensor device for an electronic device, for example, a configuration is known in which a capacitive element is provided and it is possible to detect an operating position and a pressing force of an operator on an input operating surface (see, for example, Patent Document 1) .

일본 특허 공개 제2011-170659호 공보Japanese Patent Application Laid-Open No. 11-170659

최근, 손가락의 움직임을 이용한 제스처 조작에 의해 자유도가 높은 입력 방법이 행해지고 있는데, 거기에다가, 조작면 상의 가압력을 높은 정밀도로 안정적으로 검출할 수 있으면, 보다 다채로운 입력 조작을 실현하는 것을 기대할 수 있다. 예를 들어, 입력 조작을 정전적으로 검출하도록 구성된 센서 장치에 있어서는, 외부로부터의 전자 노이즈의 영향에 의한 검출 정밀도의 저하를 억제할 필요가 있다.In recent years, an input method with a high degree of freedom has been performed by a gesture operation using a finger movement. In addition, if the pressing force on the operation surface can be stably detected with high accuracy, it is expected to realize more various input operations. For example, in a sensor apparatus configured to detect an input operation electrostatically, it is necessary to suppress deterioration of detection accuracy due to the influence of electromagnetic noise from the outside.

이상과 같은 사정을 감안하여, 본 기술의 목적은, 외부로부터의 전자 노이즈의 영향에 의한 검출 정밀도의 저하를 억제할 수 있는 센서 장치, 입력 장치 및 전자 기기를 제공하는 데 있다.SUMMARY OF THE INVENTION In view of the above circumstances, an object of the present invention is to provide a sensor device, an input device, and an electronic device capable of suppressing deterioration of detection accuracy due to the influence of electromagnetic noise from the outside.

이상의 목적을 달성하기 위해서, 본 기술의 일 형태에 관한 센서 장치는, 전극 기판과, 실드층을 구비한다.In order to achieve the above object, a sensor device according to an aspect of the present technology includes an electrode substrate and a shield layer.

상기 전극 기판은, 복수의 제1 전극선과, 복수의 제2 전극선을 갖고, 상기 복수의 제1 전극선과 상기 복수의 제2 전극선과의 복수의 대향 영역에 각각 형성되는 복수의 용량 센서가 매트릭스 형상으로 배열된다.Wherein the electrode substrate has a plurality of first electrode lines and a plurality of second electrode lines and a plurality of capacitance sensors formed respectively in a plurality of opposing regions of the plurality of first electrode lines and the plurality of second electrode lines are arranged in a matrix form .

상기 실드층은, 상기 전극 기판에 형성되며, 상기 복수의 대향 영역 사이를 연락하는 상기 복수의 제2 전극선 중 적어도 일부의 배선 영역을 차폐하는 도체막을 포함한다.The shield layer includes a conductor film formed on the electrode substrate and shielding at least a part of the wiring region of the plurality of second electrode lines that communicate between the plurality of opposed regions.

상기 센서 장치에 있어서, 상기 실드층은, 상기 배선 영역을 피복하는 전자 실드로서 기능한다. 이에 의해 외부로부터의 전자 노이즈의 영향에 의한 각 용량 센서의 검출 정밀도의 저하를 억제할 수 있다.In the sensor device, the shield layer functions as an electronic shield covering the wiring region. This makes it possible to suppress deterioration in the detection accuracy of each capacitive sensor due to the influence of the electromagnetic noise from the outside.

상기 복수의 제1 전극선과 상기 복수의 제2 전극선은, 상기 전극 기판의 두께 방향으로 서로 이격하여 배치되어도 된다. 이 경우, 상기 복수의 용량 센서는, 상기 복수의 제1 전극선과 상기 복수의 제2 전극선과의 교차 영역에 각각 형성된다.The plurality of first electrode lines and the plurality of second electrode lines may be disposed apart from each other in the thickness direction of the electrode substrate. In this case, the plurality of capacitance sensors are respectively formed in the intersecting regions of the plurality of first electrode lines and the plurality of second electrode lines.

상기 전극 기판은, 상기 복수의 제1 전극선을 지지하는 제1 절연층과, 상기 복수의 제2 전극선을 지지하는 제2 절연층을 가져도 된다. 이 경우, 상기 실드층은, 예를 들어 상기 제1 절연층에 형성된다.The electrode substrate may have a first insulating layer for supporting the plurality of first electrode lines and a second insulating layer for supporting the plurality of second electrode lines. In this case, the shield layer is formed, for example, in the first insulating layer.

상기 실드층은, 상기 복수의 제1 전극선과 동일 평면 위에 형성되어도 된다. 상기 도체막은, 상기 복수의 제1 전극선과 동일한 재료로 구성되어도 된다. 상기 도체막은, 상기 복수의 제1 전극선 각각의 사이에 배치된 복수의 제3 전극선을 포함해도 된다. 상기 도체막은, 상기 복수의 제3 전극선을 서로 접속하는 배선부를 더 포함해도 된다.The shield layer may be formed on the same plane as the plurality of first electrode lines. The conductor film may be made of the same material as the plurality of first electrode lines. The conductor film may include a plurality of third electrode lines disposed between the plurality of first electrode lines. The conductor film may further include a wiring portion connecting the plurality of third electrode lines to each other.

한편, 상기 복수의 용량 센서는, 상기 전극 기판의 면 내 방향으로 서로 대향하는 상기 복수의 제1 전극선 및 상기 복수의 제2 전극선과의 대향 영역에 각각 형성되어도 된다. 이 경우, 상기 실드층은, 상기 도체막과 상기 배선 영역의 사이에 배치된 절연막을 더 가져도 된다.On the other hand, the plurality of capacitance sensors may be formed respectively in opposing areas of the plurality of first electrode lines and the plurality of second electrode lines facing each other in the in-plane direction of the electrode substrate. In this case, the shield layer may further include an insulating film disposed between the conductor film and the wiring region.

상기 전극 기판은, 상기 복수의 제1 전극선과 상기 복수의 제2 전극선의 교차부에 형성된 복수의 점퍼 배선부를 가져도 된다. 상기 도체막은, 상기 복수의 점퍼 배선부와 동일 평면 위에 형성되어도 된다. 상기 실드층은, 상기 복수의 점퍼 배선부를 피복해도 된다. 상기 도체막은, 상기 복수의 점퍼 배선부와 동일한 재료로 구성되어도 된다. 상기 실드층은, 상기 복수의 대향 영역 사이를 연락하는 상기 복수의 제1 전극선 중 적어도 일부의 배선 영역을 더 차폐해도 된다.The electrode substrate may have a plurality of jumper wiring portions formed at intersections of the plurality of first electrode lines and the plurality of second electrode lines. The conductor film may be formed on the same plane as the plurality of jumper wiring portions. The shield layer may cover the plurality of jumper wiring portions. The conductor film may be made of the same material as the plurality of jumper wiring portions. The shield layer may further shield at least a part of the wiring region of the plurality of first electrode lines that communicate between the plurality of opposing regions.

상기 복수의 제2 전극선은, 매트릭스 형상으로 배열된 상기 복수의 용량 센서가 형성되는 검출 영역의 외측에 형성된 외주 배선부를 가져도 된다. 이 경우, 상기 실드층은, 상기 외주 배선부 중 적어도 일부를 더 차폐해도 된다.The plurality of second electrode lines may have an outer wiring portion formed outside the detection region in which the plurality of capacitance sensors arranged in a matrix are formed. In this case, the shield layer may further shield at least a part of the outer wiring portion.

상기 센서 장치는, 상기 전극 기판의 한쪽 주면에 대향하여 배치된 변형 가능한 제1 도체층과, 상기 제1 도체층과 상기 전극 기판의 사이를 접속하는 복수의 제1 구조체를 갖는 제1 지지체를 더 구비해도 된다. 또한 상기 센서 장치는, 상기 전극 기판의 다른 쪽 주면에 대향하여 배치된 제2 도체층과, 상기 제2 도체층과 상기 전극 기판과의 사이를 접속하는 복수의 제2 구조체를 갖는 제2 지지체를 더 구비해도 된다.The sensor device further includes a first support body having a deformable first conductor layer disposed to face one main surface of the electrode substrate and a plurality of first structure members connecting between the first conductor layer and the electrode substrate . The sensor device may further include a second support layer having a second conductor layer disposed opposite to the other main surface of the electrode substrate and a plurality of second structure members connecting the second conductor layer and the electrode substrate, .

본 기술의 일 형태에 관한 입력 장치는, 조작 부재와, 전극 기판과, 실드층을 구비한다.An input device according to an aspect of the technology includes an operating member, an electrode substrate, and a shield layer.

상기 조작 부재는, 입력 조작면을 갖는다.The operating member has an input operating surface.

상기 전극 기판은, 복수의 제1 전극선과, 복수의 제2 전극선을 갖고, 상기 복수의 제1 전극선과 상기 복수의 제2 전극선과의 복수의 대향 영역에 각각 형성되는 복수의 용량 센서가 매트릭스 형상으로 배열된다.Wherein the electrode substrate has a plurality of first electrode lines and a plurality of second electrode lines and a plurality of capacitance sensors formed respectively in a plurality of opposing regions of the plurality of first electrode lines and the plurality of second electrode lines are arranged in a matrix form .

상기 실드층은, 상기 조작 부재와 상기 전극 기판의 사이에 형성되며, 상기 복수의 대향 영역 사이를 연락하는 상기 복수의 제2 전극선 중 적어도 일부의 배선 영역을 차폐하는 도체막을 포함한다.The shield layer includes a conductor film which is formed between the operating member and the electrode substrate and shields at least a part of the wiring region of the plurality of second electrode lines communicating between the plurality of opposed regions.

본 기술의 일 형태에 관한 전자 기기는, 표시 소자와, 전극 기판과, 실드층을 구비한다.An electronic apparatus according to an embodiment of the present technology includes a display element, an electrode substrate, and a shield layer.

상기 표시 소자는, 입력 조작면을 갖는다.The display element has an input operation surface.

상기 전극 기판은, 복수의 제1 전극선과, 복수의 제2 전극선을 갖고, 상기 복수의 제1 전극선과 상기 복수의 제2 전극선과의 복수의 대향 영역에 각각 형성되는 복수의 용량 센서가 매트릭스 형상으로 배열된다.Wherein the electrode substrate has a plurality of first electrode lines and a plurality of second electrode lines and a plurality of capacitance sensors formed respectively in a plurality of opposing regions of the plurality of first electrode lines and the plurality of second electrode lines are arranged in a matrix form .

상기 실드층은, 상기 표시 소자와 상기 전극 기판과의 사이에 형성되며, 상기 복수의 대향 영역 사이를 연락하는 상기 복수의 제2 전극선 중 적어도 일부의 배선 영역을 차폐하는 도체막을 포함한다.The shield layer includes a conductor film which is formed between the display element and the electrode substrate and shields at least part of the wiring region of the plurality of second electrode lines that communicate between the plurality of opposed regions.

이상과 같이, 본 기술에 의하면, 외부로부터의 전자 노이즈의 영향에 의한 검출 정밀도의 저하를 억제할 수 있다.As described above, according to the present technique, it is possible to suppress deterioration of the detection accuracy due to the influence of the electromagnetic noise from the outside.

또한, 여기에 기재된 효과는 반드시 한정되는 것은 아니며, 본 개시 중에 기재된 어느 하나의 효과여도 된다.Further, the effects described herein are not necessarily limited, and any one of the effects described in the present disclosure may be used.

도 1은 본 기술의 제1 실시 형태에 따른 입력 장치의 개략 단면도이다.
도 2는 상기 입력 장치의 분해 사시도이다.
도 3은 상기 입력 장치의 요부의 개략 단면도이다.
도 4는 상기 입력 장치를 사용한 전자 기기의 블록도이다.
도 5는 조작자에 의해 상기 입력 장치의 제1면의 점을 Z축 방향 하방으로 가압했을 때, 상기 제1 및 제2 구조체에 부가되는 힘의 모습을 도시하는 개략 단면도이다.
도 6은 상기 제1면의 제1 구조체 위의 점이 조작자에 의한 조작을 받았을 때의 상기 입력 장치의 형태를 나타내는 모식적인 요부 단면도와, 그때 상기 검출 부로부터 출력되는 출력 신호의 일례를 도시하는 도면이다.
도 7은 상기 입력 장치에 있어서의 전극 기판의 요부 평면도이다.
도 8은 상기 전극 기판을 구성하는 제1 배선 기판의 요부 평면도이다.
도 9는 상기 전극 기판을 구성하는 제2 배선 기판의 요부 평면도이다.
도 10은 상기 제1 배선 기판의 전체를 개략적으로 도시하는 평면도이다.
도 11의 A는 본 기술의 제2 실시 형태에 따른 입력 장치의 개략 단면도이며, 도 11의 B는 입력 장치의 요부를 확대하여 도시하는 단면도이다.
도 12는 상기 입력 장치에 있어서의 제1 전극선 및 제2 전극선의 구성을 도시하는 요부 평면도이다.
도 13의 A는 상기 입력 장치에 있어서의 전극 기판의 요부 평면도, 도 13의 B는 그 A-A선 단면도이다.
도 14는 상기 입력 장치에 관한 검출부의 구성을 설명하기 위한 모식적인 단면도이다.
도 15의 A는 실드층을 갖는 전극 기판의 요부 평면도, 도 15의 B는 그 B1-B1선 단면도, 도 15의 C는 그 C1-C1선 단면도이다.
도 16의 A는 실드층을 갖는 전극 기판의 요부 평면도, 도 16의 B는 그 B2-B2선 단면도, 도 16의 C는 그 C2-C2선 단면도이다.
도 17은 제1 전극선의 구성의 변형예를 도시하는 요부 평면도이다.
도 18은 제1 전극선의 기타 구성예를 도시하는 개략 평면도이다.
도 19는 제2 전극선의 구성의 변형예를 도시하는 요부 평면도이다.
도 20은 상기 입력 장치의 구성의 변형예를 도시하는 개략 단면도이다.
1 is a schematic sectional view of an input device according to a first embodiment of the present technology.
2 is an exploded perspective view of the input device.
3 is a schematic cross-sectional view of the main part of the input device.
4 is a block diagram of an electronic apparatus using the input device.
5 is a schematic cross-sectional view showing a state of a force applied to the first and second structures when a point on the first surface of the input device is pressed downward in the Z-axis direction by the operator.
Fig. 6 is a schematic cross-sectional view showing a schematic main part showing the shape of the input device when a point on the first structure of the first surface receives an operation by an operator, and Fig. to be.
7 is a plan view of a principal portion of the electrode substrate in the input device.
Fig. 8 is a plan view of the main part of the first wiring substrate constituting the electrode substrate. Fig.
Fig. 9 is a plan view of the main portion of the second wiring substrate constituting the electrode substrate. Fig.
10 is a plan view schematically showing the whole of the first wiring board.
11A is a schematic cross-sectional view of an input device according to a second embodiment of the present technology, and FIG. 11B is a cross-sectional view showing an enlarged main part of an input device.
Fig. 12 is a plan view of the principal parts showing the configurations of the first electrode line and the second electrode line in the input device. Fig.
Fig. 13A is a plan view of the principal portion of the electrode substrate in the input device, and Fig. 13B is a sectional view taken along the line AA.
Fig. 14 is a schematic cross-sectional view for explaining the configuration of the detecting unit relating to the above-mentioned input device.
FIG. 15A is a plan view of a principal portion of the electrode substrate having a shield layer, FIG. 15B is a sectional view taken along the line B1-B1, and FIG. 15C is a sectional view taken along the line C1-C1.
FIG. 16A is a plan view of a principal portion of the electrode substrate having a shield layer, FIG. 16B is a sectional view taken along line B2-B2 thereof, and FIG. 16C is a sectional view taken along line C2-C2.
Fig. 17 is a plan view of a principal part showing a modification of the configuration of the first electrode line. Fig.
18 is a schematic plan view showing another configuration example of the first electrode line.
Fig. 19 is a plan view of a principal portion showing a modification of the configuration of the second electrode line. Fig.
20 is a schematic cross-sectional view showing a modification of the configuration of the input device.

이하, 본 기술에 관한 실시 형태를, 도면을 참조하면서 설명한다.Hereinafter, embodiments of the present technology will be described with reference to the drawings.

<제1 실시 형태>&Lt; First Embodiment >

도 1은 본 기술의 제1 실시 형태에 따른 입력 장치(100)의 개략 단면도, 도 2는 입력 장치(100)의 분해 사시도, 도 3은 입력 장치(100)의 요부의 개략 단면도, 도 4는 입력 장치(100)를 사용한 전자 기기(70)의 블록도이다. 이하, 본 실시 형태의 입력 장치(100)의 구성에 대하여 설명한다. 또한 도면 중, X축 및 Y축은 서로 직교하는 방향(입력 장치(100)의 면 내 방향)을 나타내고, Z축은 X축 및 Y축에 직교하는 방향(입력 장치(100)의 두께 방향 또는 상하 방향)을 나타내고 있다.2 is a disassembled perspective view of the input device 100, Fig. 3 is a schematic cross-sectional view of the main part of the input device 100, Fig. 4 is a cross- Fig. 7 is a block diagram of an electronic device 70 using the input device 100. Fig. Hereinafter, the configuration of the input apparatus 100 of the present embodiment will be described. In the drawing, the X axis and Y axis indicate directions orthogonal to each other (in-plane direction of the input apparatus 100), and the Z axis indicates a direction orthogonal to the X axis and the Y axis ).

[입력 장치][Input device]

입력 장치(100)는, 유저에 의한 조작을 접수하는 플렉시블 디스플레이(표시 소자)(11)와, 유저의 조작을 검출하는 센서 장치(1)를 갖는다. 입력 장치(100)는, 예를 들어 플렉시블 터치 패널 디스플레이로 구성되며, 후술하는 전자 기기(70)에 내장된다. 센서 장치(1) 및 플렉시블 디스플레이(11)는, Z축에 수직인 방향으로 연장되는 평판 형상이다.The input device 100 has a flexible display (display device) 11 for accepting an operation by a user and a sensor device 1 for detecting the operation of the user. The input device 100 is constituted by, for example, a flexible touch panel display and is incorporated in an electronic device 70 described later. The sensor device 1 and the flexible display 11 are in a flat plate shape extending in a direction perpendicular to the Z-axis.

플렉시블 디스플레이(11)는, 제1면(110)과, 제1면(110)의 반대측인 제2면(120)을 갖는다. 플렉시블 디스플레이(11)는, 입력 장치(100)에 있어서의 입력 조작부로서의 기능과, 표시부로서의 기능을 겸비한다. 즉 플렉시블 디스플레이(11)는, 제1면(110)을 입력 조작면 및 표시면으로서 기능시키고, 제1면(110)부터 유저에 의한 조작에 따른 화상을 Z축 방향 상방을 향하여 표시한다. 제1면(110)에는, 예를 들어 키보드에 대응하는 화상이나, GUI(Graphical User Interface) 등이 표시된다. 플렉시블 디스플레이(11)에 대한 조작을 행하는 조작자로서는, 예를 들어 손가락이나 펜(스타일러스 펜) 등을 들 수 있다.The flexible display 11 has a first surface 110 and a second surface 120 which is opposite to the first surface 110. The flexible display 11 has a function as an input operation unit and a function as a display unit in the input device 100. [ In other words, the flexible display 11 functions as the input operation surface and the display surface, and the image from the first surface 110 in accordance with the operation by the user is displayed upward in the Z-axis direction. On the first surface 110, for example, an image corresponding to a keyboard or a GUI (Graphical User Interface) is displayed. Examples of the operator who performs the operation on the flexible display 11 include a finger or a pen (stylus pen).

플렉시블 디스플레이(11)의 구체적인 구성은 특별히 한정되지 않는다. 예를 들어, 플렉시블 디스플레이(11)로서, 소위 전자 페이퍼, 유기 EL(일렉트로루미네센스) 패널, 무기 EL 패널, 액정 패널 등을 채용할 수 있다. 또한 플렉시블 디스플레이(11)의 두께도 특별히 한정되지 않고, 예를 들어 0.1㎜ 내지 1㎜ 정도이다.The specific configuration of the flexible display 11 is not particularly limited. For example, as the flexible display 11, a so-called electronic paper, an organic EL (electroluminescence) panel, an inorganic EL panel, a liquid crystal panel, or the like can be employed. The thickness of the flexible display 11 is not particularly limited, and is, for example, about 0.1 mm to 1 mm.

센서 장치(1)는, 금속막(제1 도체층)(12)과, 도체층(제2 도체층)(50)과, 전극 기판(20)과, 제1 지지체(30)와, 제2 지지체(40)를 갖는다. 센서 장치(1)는, 플렉시블 디스플레이(11)의 제2면(120)측에 배치되어 있다.The sensor device 1 includes a metal film (first conductor layer) 12, a conductor layer (second conductor layer) 50, an electrode substrate 20, a first support body 30, (40). The sensor device 1 is disposed on the second surface 120 side of the flexible display 11.

금속막(12)은, 변형 가능한 시트 형상으로 구성된다. 도체층(50)은, 금속막(12)에 대향하여 배치된다. 전극 기판(20)은, 복수의 제1 전극선(210)과, 복수의 제1 전극선(210)에 대향하여 배치되며 복수의 제1 전극선(210)과 교차하는 복수의 제2 전극선(220)을 갖고, 금속막(12)과 도체층(50)의 사이에 변형 가능하게 배치되고, 금속막(12) 및 도체층(50) 각각과의 거리의 변화를 정전적으로 검출하는 것이 가능하다. 제1 지지체(30)는, 금속막(12)과 전극 기판(20)의 사이를 접속하는 복수의 제1 구조체(310)와, 복수의 제1 구조체(310)의 사이에 형성된 제1 공간부(330)를 갖는다. 제2 지지체(40)는, 인접하는 복수의 제1 구조체(310) 사이에 각각 배치되며 도체층(50)과 전극 기판(20)의 사이를 접속하는 복수의 제2 구조체(410)와, 복수의 제2 구조체(410)의 사이에 형성된 제2 공간부(430)를 갖는다.The metal film 12 is formed in a deformable sheet shape. The conductor layer 50 is disposed opposite to the metal film 12. The electrode substrate 20 includes a plurality of first electrode lines 210 and a plurality of second electrode lines 220 disposed opposite to the plurality of first electrode lines 210 and intersecting the plurality of first electrode lines 210 And it is possible to detect the change in the distance between the metal film 12 and the conductor layer 50 in a static manner between the metal film 12 and the conductor layer 50 so as to be deformable. The first support 30 includes a plurality of first structures 310 connecting between the metal film 12 and the electrode substrate 20 and a plurality of second spaces 310 formed between the plurality of first structures 310. [ (330). The second support body 40 includes a plurality of second structure bodies 410 that are respectively disposed between adjacent first structure bodies 310 and connect between the conductor layer 50 and the electrode substrate 20, And a second space portion 430 formed between the second structures 410 of the first structure 410.

본 실시 형태에 따른 센서 장치(1)(입력 장치(100))는, 플렉시블 디스플레이(11)의 제1면(110) 위에서의 입력 조작에 의한 금속막(12) 및 전극 기판(20)과, 도체층(50) 및 전극 기판(20)과의 사이의 거리 변화를 정전적으로 검출함으로써, 당해 입력 조작을 검출한다. 당해 입력 조작은, 제1면(110) 위를 의식적으로 가압(푸시)하는 조작에 한정되지 않고, 접촉(터치) 조작이어도 된다. 즉, 입력 장치(100)는, 후술하는 바와 같이, 일반적인 터치 조작에 의해 부가되는 미소한 가압력(예를 들어 약 수십g 정도)이어도 검출 가능하기 때문에, 통상의 터치 센서와 마찬가지의 터치 조작이 가능하게 구성된다.The sensor device 1 according to the present embodiment (input device 100) includes the metal film 12 and the electrode substrate 20 by the input operation on the first surface 110 of the flexible display 11, The change in distance between the conductor layer 50 and the electrode substrate 20 is detected positively to detect the input operation. The input operation is not limited to the operation of consciously pressing (pushing) on the first surface 110, but may be a touch (touch) operation. That is, since the input device 100 can detect even a minute pressing force (for example, about several tens of grams) added by a general touch operation as described later, it is possible to perform a touch operation similar to that of a normal touch sensor .

입력 장치(100)는, 제어부(60)를 갖고, 당해 제어부(60)는, 연산부(61) 및 신호 생성부(62)를 포함한다. 연산부(61)는, 검출부(20s)의 정전 용량의 변화에 기초하여, 유저에 의한 조작을 검출한다. 신호 생성부(62)는, 연산부(61)에 의한 검출 결과에 기초하여 조작 신호를 생성한다.The input device 100 has a control unit 60 and the control unit 60 includes an operation unit 61 and a signal generation unit 62. The calculating section 61 detects the operation by the user based on the change of the capacitance of the detecting section 20s. The signal generation unit 62 generates an operation signal based on the detection result by the operation unit 61. [

도 4에 도시하는 전자 기기(70)는, 입력 장치(100)의 신호 생성부(62)가 생성하는 조작 신호에 기초한 처리를 행하는 컨트롤러(710)를 갖는다. 컨트롤러(710)에 의해 처리된 조작 신호는, 예를 들어 화상 신호로서, 플렉시블 디스플레이(11)에 출력된다. 플렉시블 디스플레이(11)는, 플렉시블 배선 기판(113)(도 2 참조)을 통하여 컨트롤러(710)에 탑재된 구동 회로에 접속된다. 상기 구동 회로는, 배선 기판(113)에 탑재되어 있어도 된다.The electronic device 70 shown in Fig. 4 has a controller 710 that performs processing based on an operation signal generated by the signal generation unit 62 of the input device 100. Fig. The operation signal processed by the controller 710 is output to the flexible display 11 as, for example, an image signal. The flexible display 11 is connected to a drive circuit mounted on the controller 710 through a flexible wiring board 113 (see Fig. 2). The driving circuit may be mounted on the wiring board 113.

전자 기기(70)로서는, 전형적으로는, 휴대 전화, 스마트폰, 노트북형 PC(퍼스널 컴퓨터), 태블릿형 PC, 휴대형 게임기 등을 들 수 있지만, 이들 휴대형 전자 기기에 한정되지 않고, ATM(현금 자동 입출금기), 자동 매표기 등의 거치형 전자 기기 등에도 적용 가능하다.Typical examples of the electronic device 70 include a cellular phone, a smart phone, a notebook type personal computer (PC), a tablet type personal computer, a portable game device and the like, but the present invention is not limited to these portable electronic devices, Etc.), automatic ticket machines, and the like.

플렉시블 디스플레이(11)는, 본 실시 형태에 있어서, 입력 장치(100)의 조작 부재(10)의 일부로서 구성된다. 즉, 입력 장치(100)는 조작 부재(10)와, 전극 기판(20)과, 제1 지지체(30)와, 제2 지지체(40)와, 도체층(50)을 갖는다. 이하, 이들 각 요소에 대하여 설명한다.The flexible display 11 is configured as a part of the operating member 10 of the input device 100 in the present embodiment. That is, the input device 100 has the operation member 10, the electrode substrate 20, the first support body 30, the second support body 40, and the conductor layer 50. Each of these elements will be described below.

(조작 부재)(Operating member)

조작 부재(10)는, 제1면(110)과 제2면(120)을 포함하는 플렉시블 디스플레이(11)와, 금속막(12)의 적층 구조를 갖는다. 즉 조작 부재(10)는, 유저에 의한 조작을 접수하는 제1면(110)과, 금속막(12)이 형성되며 제1면(110)의 반대측인 제2면(120)을 갖고, 변형 가능한 시트 형상으로 구성된다.The operating member 10 has a laminated structure of the flexible display 11 including the first surface 110 and the second surface 120 and the metal film 12. [ That is, the operating member 10 has a first surface 110 for accepting an operation by the user and a second surface 120 on which the metal film 12 is formed and which is opposite to the first surface 110, And is formed into a sheet shape as far as possible.

금속막(12)은, 플렉시블 디스플레이(11)의 변형을 모방하여 변형 가능한 시트 형상으로 구성되고, 예를 들어 Cu(구리), Al(알루미늄) 등의 금속박 또는 메쉬재로 구성된다. 금속막(12)의 두께는 특별히 한정되지 않고, 예를 들어 수10㎚ 내지 수10㎛이다. 금속막(12)은, 소정의 기준 전위(예를 들어 그라운드 전위)에 접속된다. 이에 의해 금속막(12)은, 전자 기기(70)에 실장되었을 때 전자파에 대한 일정한 실드 기능을 발휘한다. 즉, 예를 들어 전자 기기(70)에 실장되는 다른 전자 부품 등으로부터의 전자파의 침입 및 입력 장치(100)로부터의 전자파의 누설을 억제하여, 전자 기기(70)로서의 동작의 안정성에 기여할 수 있다.The metal film 12 is formed in a deformable sheet shape in accordance with deformation of the flexible display 11 and is made of a metal foil or a mesh material such as Cu (copper), Al (aluminum), or the like. The thickness of the metal film 12 is not particularly limited, and is, for example, several tens nm to several tens of micrometers. The metal film 12 is connected to a predetermined reference potential (for example, ground potential). As a result, the metal film 12 exerts a certain shielding function for electromagnetic waves when mounted on the electronic device 70. That is, for example, it is possible to suppress the intrusion of electromagnetic waves from other electronic parts or the like mounted on the electronic device 70 and the leakage of the electromagnetic wave from the input device 100, thereby contributing to the stability of the operation of the electronic device 70 .

또한 금속막(12)의 구성 재료는 금속에 한정되지 않고, 예를 들어 ITO 등의 금속 산화물 재료나 카본 등과 같은 다른 도전 재료여도 된다.The constituent material of the metal film 12 is not limited to metal but may be a metal oxide material such as ITO or another conductive material such as carbon.

금속막(12)은, 예를 들어 도 3에 도시하는 바와 같이, 금속박이 형성된 점착성의 접착층(13)을 플렉시블 디스플레이(11)에 부착함으로써 형성된다. 접착층(13)의 재료는 점착성을 가지면 특별히 한정되지 않지만, 수지 재료를 적용한 수지막으로 해도 된다. 또는, 플렉시블 디스플레이(11)에 직접 형성된 증착막이나 스퍼터링막 등으로 구성되어도 되고, 플렉시블 디스플레이(11)의 표면에 인쇄된 도전 페이스트 등의 도막이어도 된다.The metal film 12 is formed, for example, by attaching a sticky adhesive layer 13 with a metal foil to the flexible display 11, as shown in Fig. The material of the adhesive layer 13 is not particularly limited as long as it has adhesiveness, but it may be a resin film to which a resin material is applied. Alternatively, it may be formed of a vapor deposition film or a sputtering film formed directly on the flexible display 11, or may be a coating film of conductive paste or the like printed on the surface of the flexible display 11.

(도체층)(Conductor layer)

도체층(50)은, 입력 장치(100)의 최하부를 구성하고, 금속막(12)과 Z축 방향에 대향하여 배치된다. 도체층(50)은, 예를 들어 입력 장치(100)의 지지 플레이트로서도 기능하고, 예를 들어 조작 부재(10) 및 전극 기판(20)보다도 높은 굴곡 강성을 가지도록 구성된다. 도체층(50)은, 예를 들어 Al 합금, Mg(마그네슘) 합금, 기타 금속 재료를 포함하는 금속판 또는 카본 섬유 강화형 플라스틱 등의 도체판으로 구성되어도 된다. 또는 도체층(50)은, 플라스틱 재료 등의 절연체층 위에 도금막이나 증착막, 스퍼터링 막, 금속박 등의 도체막이 형성된 적층 구조를 가져도 된다. 또한 도체층(50)의 두께는 특별히 한정되지 않고, 예를 들어 약 0.3㎜ 정도이다.The conductor layer 50 constitutes the lowermost portion of the input device 100 and is arranged to face the metal film 12 in the Z-axis direction. The conductor layer 50 also functions as a support plate of the input device 100 and has a bending rigidity higher than that of the operation member 10 and the electrode substrate 20, for example. The conductor layer 50 may be made of a conductive plate such as a metal plate containing carbon, for example, an Al alloy, a Mg (magnesium) alloy or other metal material, or a carbon fiber reinforced plastic. Or the conductor layer 50 may have a laminated structure in which a conductor film such as a plated film, a vapor deposition film, a sputtering film, or a metal foil is formed on an insulator layer such as a plastic material. The thickness of the conductor layer 50 is not particularly limited, and is, for example, about 0.3 mm.

도체층(50)은, 소정의 기준 전위(예를 들어 그라운드 전위)에 접속된다. 이에 의해 도체층(50)은, 전자 기기(70)에 실장되었을 때의 전자 실드층으로서의 기능을 발휘한다. 즉, 예를 들어 전자 기기(70)에 실장되는 다른 전자 부품 등으로부터의 전자파의 침입 및 입력 장치(100)로부터의 전자파의 누설을 억제하고, 전자 기기(70)로서의 동작의 안정성에 기여할 수 있다.The conductor layer 50 is connected to a predetermined reference potential (for example, ground potential). As a result, the conductor layer 50 functions as an electromagnetic shielding layer when mounted on the electronic device 70. That is, for example, it is possible to suppress the intrusion of electromagnetic waves from other electronic parts or the like mounted on the electronic device 70 and the leakage of the electromagnetic wave from the input device 100, thereby contributing to the stability of the operation of the electronic device 70 .

(전극 기판)(Electrode substrate)

전극 기판(20)은, 제1 전극선(210)을 갖는 제1 배선 기판(21)과, 제2 전극선(220)을 갖는 제2 배선 기판(22)과의 적층체로 구성된다.The electrode substrate 20 is formed of a laminate of a first wiring substrate 21 having a first electrode line 210 and a second wiring substrate 22 having a second electrode line 220.

제1 배선 기판(21)은, 제1 기재(211)(도 2 참조)와, 복수의 제1 전극선(X 전극)(210)을 갖는다. 제1 기재(211)(제1 절연층)는, 예를 들어 가요성을 갖는 시트재로 구성되고, 구체적으로는 PET, PEN, PC, PMMA, 폴리이미드 등의 전기 절연성 플라스틱 시트(필름)로 구성된다. 제1 기재(211)의 두께는 특별히 한정되지 않고, 예를 들어 수10㎛ 내지 수100㎛이다.The first wiring board 21 has a first substrate 211 (see FIG. 2) and a plurality of first electrode lines (X electrodes) 210. The first substrate 211 (first insulating layer) is made of, for example, a flexible sheet material, and specifically, an electrically insulating plastic sheet (film) such as PET, PEN, PC, PMMA, or polyimide . The thickness of the first base material 211 is not particularly limited, and is, for example, several 10 mu m to several hundred mu m.

복수의 제1 전극선(210)은, 제1 기재(211)의 한쪽 면에 일체적으로 형성되어 있다. 복수의 제1 전극선(210)은, X축 방향을 따라서 소정의 간격을 두고 배열되고, 또한 Y축 방향을 따라서 거의 직선적으로 형성되어 있다. 제1 전극선(210) 각각은, 제1 기재(211)의 테두리부 등으로 인출되어, 각각 상이한 단자에 접속된다. 또한 제1 전극선(210) 각각은, 이들 단자를 통하여 제어부(60)에 전기적으로 접속된다.The plurality of first electrode lines 210 are integrally formed on one surface of the first substrate 211. The plurality of first electrode lines 210 are arranged at predetermined intervals along the X-axis direction, and are formed substantially linearly along the Y-axis direction. Each of the first electrode lines 210 is led out to the edge of the first substrate 211 or the like, and is connected to a different terminal. Each of the first electrode lines 210 is electrically connected to the control unit 60 through these terminals.

또한, 복수의 제1 전극선(210) 각각은, 단일의 전극선으로 구성되어 있어도 되고, X축 방향을 따라서 배열된 복수의 전극 군으로 구성되어 있어도 된다. 또한, 각각의 전극 군을 구성하는 복수의 전극선은, 공통의 단자에 접속되어도 되고, 상이한 2 이상의 단자에 나누어 접속되어도 된다.Each of the plurality of first electrode lines 210 may be composed of a single electrode line or a plurality of electrode groups arranged along the X axis direction. The plurality of electrode lines constituting each of the electrode groups may be connected to a common terminal or may be connected to two or more different terminals.

한편, 제2 배선 기판(22)은, 제2 기재(221)(도 2 참조)와, 복수의 제2 전극선(Y 전극)(220)을 갖는다. 제2 기재(221)(제2 절연층)는, 제1 기재(211)와 마찬가지로 예를 들어 가요성을 갖는 시트재로 구성되고, 구체적으로는 PET, PEN, PC, PMMA, 폴리이미드 등의 전기 절연성의 플라스틱 시트(필름) 등으로 구성된다. 제2 기재(221)의 두께는 특별히 한정되지 않고, 예를 들어 수10㎛ 내지 수100㎛이다. 제2 배선 기판(22)은 제1 배선 기판(21)에 대향하여 배치된다.On the other hand, the second wiring substrate 22 has a second substrate 221 (see FIG. 2) and a plurality of second electrode lines (Y electrodes) 220. The second substrate 221 (second insulating layer) is made of a flexible sheet material, for example, PET, PEN, PC, PMMA, polyimide or the like An electrically insulating plastic sheet (film) or the like. The thickness of the second base material 221 is not particularly limited, and is, for example, several 10 탆 to several hundred 탆. The second wiring board 22 is disposed opposite to the first wiring board 21.

복수의 제2 전극선(220)은, 복수의 제1 전극선(210)과 마찬가지로 구성된다. 즉 복수의 제2 전극선(220)은, 제2 기재(221)의 한쪽 면에 일체적으로 형성되어 있고, Y축 방향을 따라서 소정의 간격을 두고 배열되며, 또한 X축 방향을 따라서 거의 직선적으로 형성되어 있다. 또한 복수의 제2 전극선(220) 각각은, 단일의 전극선으로 구성되어 있어도 되고, Y축 방향을 따라서 배열된 복수의 전극 군으로 구성되어 있어도 된다.The plurality of second electrode lines 220 are configured similarly to the plurality of first electrode lines 210. That is, the plurality of second electrode lines 220 are integrally formed on one surface of the second substrate 221, are arranged at predetermined intervals along the Y axis direction, and are arranged substantially linearly along the X axis direction Respectively. Each of the plurality of second electrode lines 220 may be composed of a single electrode line or a plurality of electrode groups arranged along the Y axis direction.

제2 전극선(220) 각각은, 제2 기재(221)의 테두리부 등으로 인출되어, 각각 상이한 단자에 접속된다. 각각의 전극 군을 구성하는 복수의 전극선은, 공통의 단자에 접속되어도 되고, 상이한 2 이상의 단자에 나누어 접속되어도 된다. 또한 제2 전극선(220) 각각은, 이들 단자를 통하여 제어부(60)에 전기적으로 접속된다.Each of the second electrode lines 220 is led out to the edge of the second substrate 221 or the like, and is connected to a different terminal. The plurality of electrode lines constituting each of the electrode groups may be connected to a common terminal, or may be connected to two or more different terminals. Each of the second electrode lines 220 is electrically connected to the control unit 60 through these terminals.

제1 전극선(210) 및 제2 전극선(220)은, 도전 페이스트 등을 스크린 인쇄나 그라비아 오프셋 인쇄, 잉크젯 인쇄 등의 인쇄법으로 형성되어도 되고, 금속박 또는 금속층의 포토리소그래피 기술을 사용한 패터닝법으로 형성되어도 된다. 또한 제1 및 제2 기재(211, 221)가 모두 가요성을 갖는 시트로 구성됨으로써, 전극 기판(20) 전체적인 가요성을 갖는 구성으로 할 수 있다.The first electrode line 210 and the second electrode line 220 may be formed by a printing method such as a screen printing method, a gravure offset printing method, an inkjet printing method or the like by forming a conductive paste or the like by a patterning method using a metal foil or a metal layer photolithography technique . Further, the first and second substrates 211 and 221 are all made of flexible sheets, so that the electrode substrate 20 can be made flexible in its entirety.

도 3에 도시하는 바와 같이 전극 기판(20)은, 제1 배선 기판(21)과 제2 배선 기판(22)을 서로 접합하는 접착층(23)을 갖는다. 접착층(23)은, 전기 절연성을 갖고, 예를 들어 접착제의 경화물, 점착 테이프 등의 점착 재료 등으로 구성된다.As shown in Fig. 3, the electrode substrate 20 has an adhesive layer 23 for bonding the first wiring substrate 21 and the second wiring substrate 22 to each other. The adhesive layer 23 has electrical insulation and is composed of, for example, a cured product of an adhesive, an adhesive material such as an adhesive tape, or the like.

이상과 같이 본 실시 형태의 전극 기판(20)에 있어서는, 복수의 제1 전극선(210)과 복수의 제2 전극선(220)이, 전극 기판(20)의 두께 방향(Z축 방향)으로 서로 이격하여 배치된다. 따라서 전극 기판(20)은, 복수의 제1 전극선(210)과 복수의 제2 전극선(220)과의 복수의 대향 영역에 각각 형성되는 복수의 검출부(20s)(용량 센서)가 매트릭스 형상으로 배열된다. 복수의 검출부(20s)는, 복수의 제1 전극선(210)과 복수의 제2 전극선(220)과의 교차 영역에 각각 형성된다.As described above, in the electrode substrate 20 of the present embodiment, the plurality of first electrode lines 210 and the plurality of second electrode lines 220 are spaced apart from each other in the thickness direction (Z-axis direction) of the electrode substrate 20 . The electrode substrate 20 is provided with a plurality of detecting portions 20s (capacitance sensors) formed in a plurality of opposed regions of the plurality of first electrode lines 210 and the plurality of second electrode lines 220 in a matrix do. The plurality of detecting portions 20s are formed in the intersecting regions of the plurality of first electrode lines 210 and the plurality of second electrode lines 220, respectively.

본 실시 형태에 있어서는, 복수의 제1 전극선(210)이 복수의 제2 전극선(220)보다도 조작 부재(10)측에 배치되지만, 이것에 한정되지 않고, 복수의 제2 전극선(220)이 복수의 제1 전극선(210)보다도 조작 부재(10)측에 배치되어도 된다.The plurality of first electrode lines 210 are disposed on the side of the operation member 10 rather than the plurality of second electrode lines 220. The present invention is not limited to this, The first electrode line 210 may be disposed on the operation member 10 side.

(제어부)(Control section)

제어부(60)는, 전극 기판(20)에 전기적으로 접속된다. 보다 상세하게는, 제어부(60)는, 복수의 제1 및 제2 전극선(210, 220) 각각에 단자를 통하여 각각 접속된다. 제어부(60)는, 복수의 검출부(20s)의 출력에 기초하여 제1면(110)에 대한 입력 조작에 관한 정보를 생성하는 것이 가능한 신호 처리 회로를 구성한다. 제어부(60)는, 소정의 주기로 복수의 검출부(20s) 각각을 스캔하면서 각 검출부(20s)의 용량 변화량을 취득하고, 그 용량 변화량에 기초하여 입력 조작에 관한 정보를 생성한다.The control unit 60 is electrically connected to the electrode substrate 20. [ More specifically, the control unit 60 is connected to each of the first and second electrode lines 210 and 220 through a terminal. The control unit 60 constitutes a signal processing circuit capable of generating information on the input operation with respect to the first surface 110 based on the outputs of the plurality of detection units 20s. The control unit 60 acquires the amount of capacitance change of each detection unit 20s while scanning each of the plurality of detection units 20s at a predetermined cycle and generates information about the input operation based on the amount of capacitance change.

제어부(60)는, 전형적으로는 CPU/MPU, 메모리 등을 갖는 컴퓨터로 구성된다. 제어부(60)는 단일의 칩 부품으로 구성되어도 되고, 복수의 회로 부품으로 구성되어도 된다. 제어부(60)는 입력 장치(100)에 탑재되어도 되고, 입력 장치(100)가 내장되는 전자 기기(70)에 탑재되어도 된다. 전자의 경우에는, 예를 들어 전극 기판(20)에 접속되는 플렉시블 배선 기판 위에 실장된다. 후자의 경우에는, 전자 기기(70)를 제어하는 컨트롤러(710)와 일체적으로 구성되어도 된다.The control unit 60 is typically composed of a computer having a CPU / MPU, a memory, and the like. The control unit 60 may be composed of a single chip component or a plurality of circuit components. The control unit 60 may be mounted on the input device 100 or may be mounted on the electronic device 70 in which the input device 100 is incorporated. In the former case, it is mounted on a flexible wiring board connected to the electrode substrate 20, for example. In the latter case, it may be configured integrally with the controller 710 for controlling the electronic device 70. [

제어부(60)는, 상술한 바와 같이 연산부(61)와, 신호 생성부(62)를 갖고, 도시하지 않은 기억부에 저장된 프로그램에 따라서 각종 기능을 실행한다. 연산부(61)는, 전극 기판(20)의 제1 및 제2 전극선(210, 220) 각각으로부터 출력되는 전기적인 신호(입력 신호)에 기초하여 제1면(110) 위의 XY 좌표계에 있어서의 조작 위치를 산출하고, 신호 생성부(62)는, 그 결과에 기초하여 조작 신호를 생성한다. 이에 의해, 플렉시블 디스플레이(11)에 대하여, 제1면(110) 위에서의 입력 조작에 기초하는 화상을 표시시킬 수 있다.The control unit 60 has an operation unit 61 and a signal generation unit 62 as described above and executes various functions in accordance with a program stored in a storage unit (not shown). The arithmetic operation section 61 calculates an XY coordinate value on the first surface 110 based on an electrical signal (input signal) output from each of the first and second electrode lines 210 and 220 of the electrode substrate 20 And the signal generating unit 62 generates an operation signal based on the result. As a result, an image based on the input operation on the first surface 110 can be displayed on the flexible display 11.

도 3, 도 4에 도시하는 연산부(61)는, 제1면(110) 위에 있어서의 조작자에 의한 조작 위치의 XY 좌표를, 고유의 XY 좌표가 할당된 각 검출부(20s)로부터의 출력에 기초하여 산출한다. 구체적으로는, 연산부(61)는, 각 X 전극(제1 전극선(210)), Y 전극(제2 전극선(220))으로부터 얻어지는 정전 용량의 변화량에 기초하여, 각 X 전극, Y 전극의 교차 영역(대향 영역)에 형성되는 각 검출부(20s)에 있어서의 정전 용량의 변화량을 산출한다. 이 각 검출부(20s)의 정전 용량의 변화량의 비율 등에 따라, 조작자에 의한 조작 위치의 XY 좌표를 산출하는 것이 가능하게 된다.The calculation unit 61 shown in Figs. 3 and 4 calculates the XY coordinate of the operation position by the operator on the first surface 110 based on the output from each detection unit 20s assigned the unique XY coordinate . Specifically, the calculating unit 61 calculates the intersection of each X electrode and the Y electrode based on the amount of change in electrostatic capacitance obtained from each X electrode (first electrode line 210) and Y electrode (second electrode line 220) The amount of change in the capacitance of each detecting portion 20s formed in the region (opposing region) is calculated. It is possible to calculate the XY coordinates of the operation position by the operator on the basis of the ratio of the change amount of the electrostatic capacity of the angular detection unit 20s or the like.

예를 들어, 연산부(61)는, 제1 및 제2 전극선(210, 220) 중 구동 전극 (E1)에 상당하는 전극선에 소정의 주기로 구동 신호를 인가했을 때 얻어지는 검출 전극 (E2)에 상당하는 전극선으로부터의 출력에 기초하여, 각 검출부(20s)의 용량 변화량을 취득한다. 신호 생성부(62)는, 연산부(61)의 출력(각 검출부(20s)의 용량 변화량)에 기초하여, 입력 조작면에 대한 입력 조작에 관한 정보(제어 신호)를 생성한다.For example, the arithmetic operation section 61 calculates a voltage value corresponding to the detection electrode E2 obtained when a drive signal is applied to the electrode line corresponding to the drive electrode E1, among the first and second electrode lines 210 and 220, Based on the output from the electrode line, the amount of capacitance change of each detection portion 20s is acquired. The signal generating unit 62 generates information (control signal) on the input operation on the input operation surface based on the output of the arithmetic unit 61 (the capacitance change amount of each detection unit 20s).

본 실시 형태에서는, 제1 전극선(210)이 구동 전극 (E1)로 되고, 제2 전극선(220)이 검출 전극 (E2)로 된다. 구동 전극 (E1)은 검출 전극 (E2)과 비교하여 전위가 안정되어 있기 때문에, 검출 전극 (E2)보다도 전자 노이즈의 영향을 받기 어렵다. 이러한 관점에서, 제1 전극선(210)은, 제2 전극선(220)을 전자 노이즈로부터 보호하는 실드층으로서의 기능도 갖는다.In the present embodiment, the first electrode line 210 serves as the driving electrode E1 and the second electrode line 220 serves as the detecting electrode E2. Since the potential of the driving electrode E1 is stable as compared with the detecting electrode E2, it is less affected by the electron noise than the detecting electrode E2. In this respect, the first electrode line 210 also has a function as a shield layer for protecting the second electrode line 220 from electromagnetic noise.

또한 연산부(61)는, 제1면(110)이 조작을 받고 있는지 여부를 판정할 수 있다. 구체적으로는, 예를 들어 검출부(20s) 전체의 정전 용량의 변화량이나 검출부(20s) 각각의 정전 용량의 변화량 등이 소정의 역치 이상일 경우에, 제1면(110)이 조작을 받고 있다고 판정할 수 있다. 또한, 당해 역치를 2 이상 설정함으로써, 예를 들어 터치 조작과 (의식적인) 푸시 조작을 구별하여 판정하는 것이 가능하게 된다. 또한, 검출부(20s)의 정전 용량의 변화량에 기초하여 가압력을 산출하는 것도 가능하다.The calculation unit 61 can also determine whether or not the first surface 110 is under operation. Specifically, for example, when the amount of change in the capacitance of the entire detection portion 20s, the amount of change in the capacitance of each of the detection portions 20s, and the like are equal to or larger than a predetermined threshold, it is determined that the first surface 110 is being operated . Further, by setting the threshold value to two or more, for example, it is possible to discriminate between the touch operation and the (conscious) push operation. It is also possible to calculate the pressing force based on the change amount of the electrostatic capacity of the detecting portion 20s.

신호 생성부(62)는, 연산부(61)의 산출 결과에 기초하여, 소정의 조작 신호를 생성한다. 당해 조작 신호는, 예를 들어 플렉시블 디스플레이(11)에 출력하는 표시 화상을 생성하기 위한 화상 제어 신호나, 플렉시블 디스플레이(11) 상의 조작 위치에 표시된 키보드 화상의 키에 대응하는 조작 신호, 또는 GUI(Graphical User Interface)에 대응하는 조작에 관한 조작 신호 등이어도 된다.The signal generating unit 62 generates a predetermined operation signal based on the calculation result of the calculating unit 61. [ The operation signal may be, for example, an image control signal for generating a display image to be output to the flexible display 11, an operation signal corresponding to a key of a keyboard image displayed at an operation position on the flexible display 11, Graphical User Interface), or the like.

여기서, 입력 장치(100)는, 제1면(110) 위에서의 조작에 의해 금속막(12) 및 도체층(50) 각각과 전극 기판(20)(검출부(20s))과의 거리의 변화를 발생시키는 구성으로서, 제1 및 제2 지지체(30, 40)를 갖는다. 이하, 제1 및 제2 지지체(30, 40)에 대하여 설명한다.Here, the input apparatus 100 is configured to change the distance between the metal film 12 and the conductor layer 50 and the electrode substrate 20 (detection section 20s) by the operation on the first surface 110 The first and second support members 30 and 40 are provided. Hereinafter, the first and second support members 30 and 40 will be described.

(제1 및 제2 지지체의 기본 구성)(Basic Structure of First and Second Supports)

제1 지지체(30)는, 조작 부재(10)와 전극 기판(20)의 사이에 배치된다. 제1 지지체(30)는, 복수의 제1 구조체(310)와, 제1 프레임체(320)와, 제1 공간부(330)를 갖는다. 본 실시 형태에 있어서 제1 지지체(30)는, 접착층(35)을 통하여 전극 기판(20) 위에 접합되어 있다(도 3 참조). 접착층(35)은 접착제여도 되고, 점착제, 점착 테이프 등의 점착 재료로 구성되어도 된다.The first support body 30 is disposed between the operation member 10 and the electrode substrate 20. The first support body 30 has a plurality of first structures 310, a first frame body 320, and a first space portion 330. In the present embodiment, the first support body 30 is bonded onto the electrode substrate 20 through the adhesive layer 35 (see Fig. 3). The adhesive layer 35 may be an adhesive or an adhesive material such as an adhesive, an adhesive tape, or the like.

도 3에 도시하는 바와 같이 본 실시 형태에 따른 제1 지지체(30)는, 기재(31)와, 기재(31)의 표면(상면)에 형성된 구조층(32)과, 구조층(32) 위의 소정 위치에 형성된 복수의 접합부(341)의 적층 구조를 갖는다. 기재(31)는, PET, PEN, PC 등의 전기 절연성 플라스틱 시트로 구성된다. 기재(31)의 두께는 특별히 한정되지 않고, 예를 들어 수㎛ 내지 수100㎛이다.3, the first support 30 according to the present embodiment includes a substrate 31, a structure layer 32 formed on the surface (upper surface) of the substrate 31, And a plurality of joining portions 341 formed at predetermined positions of the joining portions 341. The base material 31 is made of an electrically insulating plastic sheet such as PET, PEN, or PC. The thickness of the substrate 31 is not particularly limited, and is, for example, several mu m to several hundred mu m.

구조층(32)은, UV 수지 등의 전기 절연성의 수지 재료로 구성되고, 기재(31) 위에 복수의 제1 볼록부(321)와, 제2 볼록부(322)와, 오목부(323)를 형성한다. 제1 볼록부(321) 각각은, 예를 들어 Z축 방향으로 돌출되는 원기둥 형상, 각기둥 형상, 뿔대 형상 등의 형상을 갖고, 기재(31) 위에 소정 간격으로 배열된다. 제2 볼록부(322)는, 기재(31)의 주위를 둘러싸도록 소정의 폭으로 형성된다.The structure layer 32 is made of an electrically insulating resin material such as UV resin and has a plurality of first convex portions 321, second convex portions 322, concave portions 323, . Each of the first convex portions 321 has, for example, a cylindrical shape, a prism shape, a truncated cone shape or the like protruding in the Z-axis direction and arranged at a predetermined interval on the base material 31. The second convex portion 322 is formed to have a predetermined width so as to surround the periphery of the base material 31.

또한 구조층(32)은, 제1면(110) 위에서의 입력 조작에 의해 전극 기판(20)을 변형시키는 것이 가능한 정도의 강성을 갖는 재료로 구성되지만, 입력 조작 시에 조작 부재(10)와 함께 변형 가능한 탄성 재료로 구성되어도 된다. 즉 구조층(32)의 탄성률은 특별히 한정되지 않고, 목적으로 하는 조작감이나 검출 감도가 얻어지는 범위에서 적절히 선택 가능하다.The structure layer 32 is made of a material having such rigidity that the electrode substrate 20 can be deformed by an input operation on the first surface 110. However, Or may be composed of an elastic material that can be deformed together. That is, the modulus of elasticity of the structure layer 32 is not particularly limited, and can be appropriately selected within a range in which an intended operation feeling and detection sensitivity can be obtained.

오목부(323)는, 제1 및 제2 볼록부(321, 322)의 사이에 형성된 평탄면으로 구성된다. 즉, 오목부(323) 위의 공간 영역은, 제1 공간부(330)를 구성한다. 또한 오목부(323) 위에는, 본 실시 형태에 있어서, 점착성이 낮은 UV 수지 등으로 형성된 접착 방지층(342)이 형성된다(도 3에 있어서 도시하지 않음). 접착 방지층(342)의 형상은 특별히 한정되지 않고, 섬 형상으로 형성되어도 되고, 오목부(323) 위에 평탄막으로 형성되어도 된다.The concave portion 323 is formed of a flat surface formed between the first and second convex portions 321 and 322. [ That is, the space region on the concave portion 323 constitutes the first space portion 330. Further, on the concave portion 323, an anti-bonding layer 342 formed of UV resin or the like having low adhesiveness is formed (not shown in Fig. 3) in this embodiment. The shape of the anti-adhesion layer 342 is not particularly limited and may be an island shape or a flat film on the recess 323. [

또한 제1 및 제2 볼록부(321, 322) 각각의 위에는, 점착성의 수지 재료 등으로 구성된 접합부(341)가 형성된다. 즉, 제1 구조체(310) 각각은, 제1 볼록부(321)와 그 위에 형성된 접합부(341)의 적층체로 구성되고, 제1 프레임체(320) 각각은, 제2 볼록부(322)와 그 위에 형성된 접합부(341)의 적층체로 구성된다. 이에 의해, 제1 구조체(310) 및 제1의 프레임체(320)의 두께(높이)는, 대략 동일하게 구성되고, 본 실시 형태에 있어서 예를 들어 수㎛ 내지 수100㎛의 범위이다. 또한, 접착 방지층(342)의 높이는, 제1 구조체(310) 및 제1의 프레임체(320)의 높이보다도 낮으면 특별히 한정되지 않고, 예를 들어 제1 및 제2 볼록부(321, 322)보다도 낮아지도록 형성된다.Further, on each of the first and second convex portions 321 and 322, a bonding portion 341 made of an adhesive resin material or the like is formed. That is, each of the first structures 310 is composed of a laminate of a first convex portion 321 and a joint portion 341 formed thereon, and each of the first frame bodies 320 includes a second convex portion 322, And a laminated body of the joining portions 341 formed thereon. Thus, the thickness (height) of the first structural body 310 and the first frame body 320 are substantially the same, and in this embodiment, for example, in the range of several m to several hundred m. The height of the adhesion preventive layer 342 is not particularly limited as long as it is lower than the height of the first structural body 310 and the first structural body 320. The height of the first and second convex portions 321 and 322, .

복수의 제1 구조체(310)는, 검출부(20s) 각각의 배치에 대응하여 배치된다. 본 실시 형태에 있어서, 복수의 제1 구조체(310)는, 예를 들어 복수의 검출부(20s) 각각의 중심과 Z축 방향에 대향하여 배치되지만, 이것에 한정되지 않고, 각 검출부(20s)의 중심에 대하여 오프셋된 위치에 배치되어도 된다. 또한, 각 검출부(20s)에 대향하는 구조체(310)의 수는 하나에 한정되지 않고, 복수개여도 된다.The plurality of first structures 310 are arranged corresponding to the arrangement of each of the detecting portions 20s. In the present embodiment, the plurality of first structures 310 are arranged so as to face the center of each of the plurality of detection portions 20s in the Z-axis direction, but the present invention is not limited thereto. Or may be disposed at an offset position with respect to the center. In addition, the number of structures 310 opposed to each detection portion 20s is not limited to one, but may be plural.

제1 프레임체(320)는, 전극 기판(20)의 주연을 따라 제1 지지체(30)의 주위를 둘러싸도록 형성된다. 제1 프레임체(320)의 짧은 방향의 길이, 즉 폭은, 제1 지지체(30) 및 입력 장치(100) 전체의 강도를 충분히 확보할 수 있으면 특별히 한정되지 않는다.The first frame body 320 is formed so as to surround the periphery of the first support body 30 along the periphery of the electrode substrate 20. The length in the short direction of the first frame member 320, that is, the width is not particularly limited as long as the strength of the entire first support member 30 and the input device 100 can be sufficiently secured.

한편, 제2 지지체(40)는, 전극 기판(20)과 도체층(50)의 사이에 배치된다. 제2 지지체(40)는 복수의 제2 구조체(410)와, 제2 프레임체(420)와, 제2 공간부(430)를 갖는다.On the other hand, the second support body 40 is disposed between the electrode substrate 20 and the conductor layer 50. The second support body 40 has a plurality of second structures 410, a second frame body 420, and a second space portion 430.

도 3에 도시하는 바와 같이 본 실시 형태에 따른 제2 지지체(40)는, 도체층(50) 위에 직접 제2 구조체(410) 및 제2 프레임체(420)가 형성된다. 제2 구조체(410) 및 제2 프레임체(420)는, 예를 들어 점착성을 갖는 절연성 수지 재료로 구성되고, 도체층(50)과 전극 기판(20)의 사이를 접합하는 접합부의 기능도 겸한다. 제2 구조체(410) 및 제2 프레임체(420)의 두께는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 수㎛ 내지 수100㎛이다.3, the second support body 40 according to the present embodiment has the second structure body 410 and the second frame body 420 formed directly on the conductor layer 50. [ The second structure body 410 and the second frame body 420 are made of, for example, an insulating resin material having adhesiveness, and serve also as a function of a joint portion joining the conductor layer 50 and the electrode substrate 20 do. Thicknesses of the second structural body 410 and the second frame body 420 are not particularly limited, but are, for example, several mu m to several hundred mu m.

제2 구조체(410)는, 인접하는 제1 구조체(310) 사이에 각각 배치된다. 즉 제2 구조체(410)는, 인접하는 검출부(20s) 사이에 각각 배치되어 있다. 이것에 한정되지 않고, 제2 구조체(410)는, 각 검출부(20s)에 대향하도록 배치되어도 된다.The second structures 410 are disposed between adjacent first structures 310, respectively. That is, the second structures 410 are disposed between adjacent detection portions 20s. The present invention is not limited to this, and the second structure body 410 may be disposed so as to be opposed to the respective detection portions 20s.

제2 프레임체(420)는, 도체층(50)의 주연을 따라 제2 지지체(40)의 주위를 둘러싸도록 형성된다. 제2 프레임체(420)의 폭은, 제2 지지체(40) 및 입력 장치(100) 전체의 강도를 충분히 확보할 수 있으면 특별히 한정되지 않고, 예를 들어 제1 프레임체(320)와 대략 동일한 폭으로 구성된다.The second frame body 420 is formed so as to surround the periphery of the second support body 40 along the periphery of the conductor layer 50. The width of the second frame member 420 is not particularly limited as long as the strength of the entirety of the second support member 40 and the input device 100 can be sufficiently secured. For example, the width of the second frame member 420 is substantially the same as that of the first frame member 320 Width.

또한 제2 구조체(410)는, 제1 구조체(310)를 구성하는 구조층(32)과 마찬가지로 탄성률은 특별히 한정되지 않는다. 즉, 목적으로 하는 조작감이나 검출 감도가 얻어지는 범위에서 적절히 선택 가능하고, 입력 조작 시에 전극 기판(20)과 함께 변형 가능한 탄성 재료로 구성되어도 된다.The elastic modulus of the second structural body 410 is not particularly limited, as is the structural layer 32 constituting the first structural body 310. That is, it may be made of an elastic material which can be appropriately selected within a range in which an intended operation feeling and detection sensitivity can be obtained, and deformable together with the electrode substrate 20 at the time of input operation.

또한 제2 공간부(430)는, 제2 구조체(410)의 사이에 형성되고, 제2 구조체(410) 및 제2 프레임체(420) 주위의 공간 영역을 구성한다. 본 실시 형태에 있어서, 제2 공간부(430)는, Z축 방향에서 보았을 때 각 검출부(20s) 및 각 제1 구조체(310)를 수용한다.The second space portion 430 is formed between the second structural bodies 410 and constitutes a spatial region around the second structural body 410 and the second frame body 420. In the present embodiment, the second space portion 430 houses the detecting portions 20s and the first structures 310 when viewed in the Z-axis direction.

이상과 같이, 본 실시 형태에 따른 제1 및 제2 지지체(30, 40)는,As described above, the first and second support bodies 30,

(1) 제1 및 제2 구조체(310, 410)와 제1 및 제2 공간부(330, 430)를 갖고,(1) Having the first and second structures 310 and 410 and the first and second space portions 330 and 430,

(2) Z축 방향에서 보아 제1 구조체(310)와 제2 구조체(410)가 중복되고 있지 않고, 제1 구조체(310)가 제2 공간부(430) 위에 배치된다.(2) The first structure 310 and the second structure 410 are not overlapped with each other in the Z-axis direction, and the first structure 310 is disposed on the second space 430.

따라서, 이하에 나타내는 바와 같이, 조작 시의 수십g 정도의 미소한 가압력에 의해서도 금속막(12) 및 도체층(50)을 변형시키는 것이 가능하게 된다.Therefore, as shown below, it is possible to deform the metal film 12 and the conductor layer 50 by a minute pressing force of several tens of grams at the time of operation.

(제1 및 제2 지지체의 동작)(Operation of the first and second supports)

도 5는 조작자 h에 의해 제1면(110) 위의 점 P를 Z축 방향 하방으로 가압했을 때의, 제1 및 제2 구조체(310, 410)로 부가되는 힘의 모습을 도시하는 개략 단면도이다. 도면 중의 윤곽선 화살표는, Z축 방향 하방(이하, 간단히 「하방」이라고 함)으로의 힘의 크기를 모식적으로 나타내고 있다. 도 14에 있어서는, 금속막(12) 및 전극 기판(20) 등의 휨, 제1 및 제2 구조체(310, 410)의 탄성 변형 등의 형태는 나타내지 않았다. 또한 이하의 설명에 있어서, 유저가 가압을 의식하지 않는 터치 조작을 행한 경우에도, 실제로는 미소한 가압력이 부가되는 점에서, 이들의 입력 조작을 일괄하여 「가압」이라고 설명한다.5 is a schematic sectional view showing a state of a force applied to the first and second structures 310 and 410 when the point P on the first surface 110 is pressed downward in the Z axis direction by the operator h to be. A contour arrow in the figure schematically shows the magnitude of the force in the Z-axis direction (hereinafter simply referred to as &quot; downward &quot;). 14, the shapes of the metal film 12, the electrode substrate 20 and the like, and the elastic deformation of the first and second structures 310 and 410 are not shown. In the following description, even when the user performs the touch operation without conscious of the pressure, the input operation is collectively referred to as &quot; pressurization &quot; because a minute pressing force is actually added.

예를 들어 제1 공간부(330p0) 위의 점 P가 힘 F로 하방으로 가압된 경우, 점 P의 바로 아래의 금속막(12)이 하방으로 휜다. 그것에 수반하여, 제1 공간부(330p0)에 인접하는 제1 구조체(310p1, 310p2)가 힘 F1을 받고, Z축 방향으로 탄성 변형하여 두께가 약간 감소한다. 또한, 금속막(12)의 휨에 의해, 제1 구조체(310p1, 310p2)에 인접하는 제1 구조체(310p3, 310p4)도, F1보다 작은 힘 F2를 받는다. 또한 힘 F1, F2에 의해, 전극 기판(20)에도 힘이 가해지고, 제1 구조체(310p1, 310p2) 바로 아래의 영역을 중심으로 하방으로 휜다. 이에 의해 제1 구조체(310p1, 310p2)의 사이에 배치된 제2 구조체(410p0)가 힘 F3을 받고, Z축 방향으로 탄성 변형하여 두께가 약간 감소한다. 또한 제1 구조체(310p1, 310p3)의 사이에 배치된 제2 구조체(410p1), 및 제1 구조체(310p2, 310p4)의 사이에 배치된 제2 구조체(410p2)도 각각 F3보다 작은 F4를 받는다.For example, when the point P on the first space portion 330p0 is pressed downward by the force F, the metal film 12 immediately below the point P is bent downward. Along with this, the first structures 310p1 and 310p2 adjacent to the first space portion 330p0 are subjected to the force Fl, and are elastically deformed in the Z-axis direction, thereby slightly reducing the thickness. Also, due to the warping of the metal film 12, the first structures 310p3 and 310p4 adjacent to the first structures 310p1 and 310p2 also receive a force F2 smaller than F1. Also, the force is applied to the electrode substrate 20 by the forces F 1 and F 2, and the first and second structures 310 p 1 and 310 p 2 are bent downward about the region below the first structures 310 p 1 and 310 p 2. As a result, the second structure 410p0 disposed between the first structures 310p1 and 310p2 receives the force F3 and is elastically deformed in the Z-axis direction, so that the thickness is slightly reduced. The second structure 410p1 disposed between the first structures 310p1 and 310p3 and the second structure 410p2 disposed between the first structures 310p2 and 310p4 also receive F4 smaller than F3.

이와 같이, 제1 및 제2 구조체(310, 410)에 의해 두께 방향으로 힘을 전달할 수 있고, 전극 기판(20)을 용이하게 변형시킬 수 있다. 또한, 금속막(12) 및 전극 기판(20)이 휘고, 면 내 방향(X축 방향 및 Y축 방향에 평행한 방향)으로 가압력의 영향이 미침으로써, 조작자 h의 바로 아래의 영역뿐만 아니라, 그 근방의 제1 및 제2 구조체(310, 410)에도 힘을 미칠 수 있다.Thus, the force can be transmitted in the thickness direction by the first and second structures 310 and 410, and the electrode substrate 20 can be easily deformed. The metal film 12 and the electrode substrate 20 are warped and affected by the pressing force in the in-plane direction (the direction parallel to the X axis direction and the Y axis direction), so that not only the area immediately below the operator h, It may also exert a force on the first and second structures 310 and 410 in the vicinity thereof.

또한 상기 (1)에 대해서, 제1 및 제2 공간부(330, 430)에 의해 금속막(12) 및 전극 기판(20)을 용이하게 변형시킬 수 있다. 또한 기둥체 등으로 구성된 제1 및 제2 구조체(310, 410)에 의해, 조작자 h의 가압력에 대하여 전극 기판(20)에 높은 압력을 미칠 수 있어, 전극 기판(20)을 효율적으로 휘게 할 수 있다.The metal film 12 and the electrode substrate 20 can be easily deformed by the first and second space portions 330 and 430 in the above (1). The first and second structures 310 and 410 constituted by columns or the like can exert a high pressure on the electrode substrate 20 against the pressing force of the operator h so that the electrode substrate 20 can be efficiently bent have.

또한 상기 (2)에 대해서, 제1 및 제2 구조체(310, 410)가 Z축 방향에서 보아 중복되게 배치되어 있지 않기 때문에, 제1 구조체(310)가 그 아래의 제2 공간부(430)를 통하여 전극 기판(20)을 용이하게 휘게 할 수 있다.Since the first and second structures 310 and 410 are not overlapped with each other in the Z-axis direction, the first structure 310 may be disposed below the second space 430, The electrode substrate 20 can be easily bent.

이하, 구체적인 조작 시에 있어서의 검출부(20s)의 정전 용량의 변화량의 일례를 나타낸다.Hereinafter, an example of the amount of change in the capacitance of the detection section 20s at the time of a specific operation is shown.

(검출부의 출력 예)(Output example of detection unit)

도 15의 A, 도 15의 B는, 제1면(110)이 조작자 h에 의한 조작을 받았을 때의 입력 장치(100)의 형태를 도시하는 모식적인 요부 단면도와, 그때 검출부(20s)로부터 출력되는 출력 신호의 일례를 도시하는 도면이다. 도 15의 A, 도 15의 B에 있어서의 X축을 따라 나타내는 막대 그래프는, 각 검출부(20s)에 있어서의 정전 용량의 기준값으로부터의 변화량을 모식적으로 도시하고 있다. 또한 도 15의 A는, 조작자 h가 제1 구조체(310)(310a2) 위를 가압했을 때의 형태를 도시하고, 도 15의 B는, 조작자 h가 제1 공간부(330)(330b1) 위를 가압했을 때의 형태를 도시한다.Figs. 15A and 15B are schematic cross-sectional views showing the schematic shape of the input device 100 when the first surface 110 receives an operation by the operator h, Fig. 8 is a diagram showing an example of an output signal to be output. The bar graphs along the X-axis in Figs. 15A and 15B schematically show the amount of change of the electrostatic capacitance from the reference value in each detecting portion 20s. 15A shows a state in which the operator h presses on the first structure 310 (310a2), and FIG. 15B shows a state in which the operator h is positioned above the first space 330 (330b1) And FIG.

도 15의 A에서는, 조작 위치의 바로 아래의 제1 구조체(310a2)가 가장 힘을 받고, 제1 구조체(310a2) 자신이 탄성 변형됨과 함께, 하방으로 변위된다. 그 변위에 의해 제1 구조체(310a2) 바로 아래의 검출부(20sa2)가 하방으로 변위된다. 이에 의해 제2 공간부(430a2)를 통하여 검출부(20sa2)와 도체층(50)이 근접한다. 즉 검출부(20sa2)는, 금속막(12)과의 거리가 약간 변화하고, 또한 도체층(50)과의 거리가 크게 변화함으로써, 정전 용량의 변화량 Ca2를 얻는다. 한편, 금속막(12)의 휨의 영향에 의해, 제1 구조체(310a1, 310a3)도 약간 하방으로 변위하여, 검출부(20sa1, 20sa3)에 있어서의 정전 용량의 변화량은, 각각 Ca1, Ca3이 된다.In Fig. 15A, the first structure 310a2 immediately under the operating position receives the most force, and the first structure 310a2 itself is elastically deformed and displaced downward. The detection portion 20sa2 immediately under the first structure 310a2 is displaced downward by the displacement. Thus, the detecting portion 20sa2 and the conductor layer 50 come close to each other through the second space portion 430a2. That is, the distance between the detecting portion 20sa2 and the metal film 12 slightly changes, and the distance from the conductive layer 50 greatly changes, thereby obtaining the capacitance change amount Ca2. On the other hand, the first structures 310a1 and 310a3 are slightly displaced downward by the influence of the bending of the metal film 12, and the amounts of change in capacitance in the detecting portions 20sa1 and 20sa3 become Ca1 and Ca3, respectively .

도 15의 A에 도시하는 예에 있어서, Ca2가 가장 크고, Ca1과 Ca3은 대략 동일하며, 또한 Ca2보다도 작다. 즉, 도 15의 A에 도시하는 바와 같이, 정전 용량의 변화량 Ca1, Ca2, Ca3은, Ca2를 정점으로 하는 산형의 분포를 나타낸다. 이 경우에 연산부(61)는 Ca1, Ca2, Ca3의 비율에 기초하여 무게 중심 등을 산출하고, 조작 위치로서 검출부(20sa2) 상의 XY 좌표를 산출할 수 있다.In the example shown in Fig. 15A, Ca2 is the largest, Ca1 and Ca3 are approximately the same, and Ca2 is smaller than Ca2. That is, as shown in Fig. 15A, the capacitance change amounts Ca1, Ca2, and Ca3 indicate the distribution of the acid type with Ca2 as the apex. In this case, the calculating unit 61 can calculate the center of gravity based on the ratio of Ca1, Ca2, and Ca3, and calculate the XY coordinate on the detecting unit 20sa2 as the operating position.

한편, 도 15의 B에서는, 금속막(12)의 휨에 의해 조작 위치 근방의 제1 구조체(310b1, 310b2)가 약간 탄성 변형됨과 함께, 하방으로 변위한다. 그 변위에 의해, 전극 기판(20)이 휘고, 제1 구조체(310b1, 310b2) 바로 아래의 검출부(20sb1, 20sb2)가 하방으로 변위한다. 이에 의해 제2 공간부(430b1, 430b2)를 통하여 검출부(20sb1, 20sb2)와 도체층(50)이 근접한다. 즉 검출부(20sb1, 20sb2)는, 금속막(12)과의 거리가 약간 변화하고, 또한 도체층(50)과의 거리가 비교적 크게 변화함으로써, 각각 정전 용량의 변화량 Cb1, Cb2를 얻는다.On the other hand, in Fig. 15B, the first structures 310b1 and 310b2 in the vicinity of the operating position are slightly elastically deformed and displaced downward due to the bending of the metal film 12. Fig. Due to the displacement, the electrode substrate 20 is bent and the detection portions 20sb1 and 20sb2 immediately below the first structures 310b1 and 310b2 are displaced downward. Thus, the detecting portions 20sb1 and 20sb2 and the conductor layer 50 come close to each other through the second spatial portions 430b1 and 430b2. That is, the detectors 20sb1 and 20sb2 slightly change the distance from the metal film 12 and change the distance from the conductor layer 50 to a relatively large value, thereby obtaining the capacitance change amounts Cb1 and Cb2, respectively.

도 15의 B에 도시하는 예에 있어서, Cb1과 Cb2는 대략 동일하다. 이에 의해, 연산부(61)는, 조작 위치로서 검출부(20sb1, 20sb2) 사이의 XY 좌표를 산출할 수 있다.In the example shown in Fig. 15B, Cb1 and Cb2 are substantially the same. Thereby, the calculating section 61 can calculate the XY coordinates between the detecting sections 20sb1 and 20sb2 as the operating positions.

이와 같이, 본 실시 형태에 따르면, 검출부(20s) 및 금속막(12)과, 검출부(20s) 및 도체층(50)의 두께의 양쪽이 가압력에 의해 가변인 점에서, 검출부(20s)에 있어서의 정전 용량의 변화량을 보다 크게 할 수 있다. 이에 의해, 입력 조작의 검출 감도를 높이는 것이 가능하게 된다.As described above, according to the present embodiment, in the point that both of the thicknesses of the detection portion 20s and the metal film 12, and the thicknesses of the detection portion 20s and the conductor layer 50 are variable by the pressing force, The amount of change in the capacitance of the capacitor can be increased. This makes it possible to increase the detection sensitivity of the input operation.

또한, 플렉시블 디스플레이(11) 위의 조작 위치가 제1 구조체(310) 위, 제1 공간부(330) 위 중 어느 점이어도, 조작 위치의 XY 좌표를 산출하는 것이 가능하게 된다. 즉, 금속막(12)이 면 내 방향으로 가압력의 영향을 파급시킴으로써, 조작 위치 바로 아래의 검출부(20s) 뿐만 아니라, Z축 방향에서 보아 조작 위치 근방의 검출부(20s)에 있어서도 정전 용량 변화를 발생시킬 수 있다. 이에 의해, 제1면(110) 내에 있어서의 검출 정밀도의 편차를 억제하고, 제1면(110) 전체면에 있어서 높은 검출 정밀도를 유지할 수 있다.It is also possible to calculate the XY coordinates of the operation position regardless of whether the operation position on the flexible display 11 is above the first structure 310 or on the first space 330. That is, not only the detection section 20s immediately below the operation position but also the detection section 20s in the vicinity of the operation position as viewed in the Z-axis direction, the influence of the pressing force is widened by the metal film 12 in the in- . This makes it possible to suppress deviation in detection accuracy within the first surface 110 and to maintain high detection accuracy on the entire surface of the first surface 110. [

(실드층)(Shield layer)

그런데, 조작 부재(10)를 구성하는 플렉시블 디스플레이(11)는, 상술한 바와 같이 컨트롤러(710)에 의해 구동 제어된다. 플렉시블 디스플레이(11)는, 전형적으로는 면 내에 있어서 매트릭스 형상으로 배열된 복수의 화소의 발광을 제어함으로써 화상이 표시된다. 이때, 개개의 화소를 구동하는 화소 회로로부터 센서 장치(1)에 있어서 무시할 수 없는 레벨의 전자 노이즈가 발생하는 경우가 있다.By the way, the flexible display 11 constituting the operating member 10 is driven and controlled by the controller 710 as described above. The flexible display 11 displays an image by controlling the light emission of a plurality of pixels arranged in a matrix, typically in a plane. At this time, electronic noise at a level that can not be ignored in the sensor device 1 may be generated from the pixel circuit for driving the individual pixels.

센서 장치(1)는 상술한 바와 같이, 금속막(12) 및 도체층(50)에 대한 대향 거리의 변화에 기초하는 검출부(20s)의 정전 용량의 변화에 기초하여, 입력 조작면(제1면(110))에 대한 조작 위치 및 조작량(가압력)을 검출하도록 구성된다. 따라서 검출부(20s)에 전자 노이즈가 침입하면, 검출부(20s)의 용량 변화량의 검출 정밀도가 저하됨과 함께, 당해 용량 변화량이 미소할수록 그 문제가 현저해진다.The sensor device 1 is configured to detect the position of the input operating face 1 (the first operating face) based on the change in the capacitance of the detecting portion 20s based on the change in the opposing distance to the metal film 12 and the conductor layer 50, (Pressing force) of the operating surface and the operating position (surface 110) Therefore, when the electronic noise enters the detection section 20s, the detection accuracy of the capacitance change amount of the detection section 20s is lowered, and the problem becomes more serious as the capacitance change amount becomes smaller.

한편, 각 검출부(20s)와 플렉시블 디스플레이(11)의 사이에 배치된 금속막(12)에 의해 일정한 실드 기능을 확보하는 것은 가능하다. 그러나 당해 금속막(12)은, 입력 조작면(제1면(110))에 대한 입력 조작에 추종하여 변형할 수 있는 두께로 형성될 필요가 있기 때문에, 전자 노이즈를 차폐할 수 있을 정도의 두께를 반드시 확보할 수 있다고는 할 수 없다. 이렇게 입력 조작을 정전적으로 검출하는 입력 장치에 있어서는, 검출 정밀도의 향상을 도모하는 데 있어서, 검출부(20s)를 전자 노이즈로부터 충분히 보호할 수 있는 구조가 필수가 된다.On the other hand, it is possible to secure a certain shielding function by the metal film 12 disposed between the detecting portions 20s and the flexible display 11. [ However, since the metal film 12 needs to be formed so as to be deformable so as to follow the input operation on the input operating surface (first surface 110), the thickness of the metal film 12 It can not necessarily be ensured. In such an input device that detects the input operation in an electrostatic manner, in order to improve the detection accuracy, a structure capable of sufficiently protecting the detection portion 20s from electromagnetic noise is required.

따라서 본 실시 형태의 센서 장치(1)는, 검출부(20s)를 구성하는 전극선을 노이즈원으로부터 전자적으로 차폐하기 위한 실드층 S1을 갖는다. 실드층 S1은, 도 2 및 도 3에 도시하는 바와 같이, 전극 기판(20)에 형성된다.Therefore, the sensor device 1 of the present embodiment has the shield layer S1 for electronically shielding the electrode line constituting the detection portion 20s from the noise source. The shield layer S1 is formed on the electrode substrate 20, as shown in Figs.

실드층 S1은, 복수의 제1 전극선(210)을 지지하는 제1 기재(211)에 형성된 도체막으로 구성된다. 본 실시 형태에서는, 실드층 S1은, 제1 기재(211) 위에 복수의 제1 전극선(210)과 동일 평면 위에 형성된다. 이에 의해 실드층 S1을 지지하는 부재를 별도로 형성하는 일 없이 실드층 S1을 형성할 수 있다. 또한 실드층 S1은, 복수의 제1 전극선(210)과 동일한 재료로 구성됨으로써, 제1 전극선과 실드층 S1을 동일 공정으로 형성할 수 있다.The shield layer S1 is composed of a conductor film formed on the first base material 211 for supporting a plurality of first electrode lines 210. [ In the present embodiment, the shielding layer S1 is formed on the first substrate 211 on the same plane as the plurality of first electrode lines 210. [ Thereby, the shield layer S1 can be formed without separately forming a member for supporting the shield layer S1. Further, the shield layer S1 is made of the same material as the plurality of first electrode lines 210, so that the first electrode line and the shield layer S1 can be formed in the same process.

도 7은 전극 기판(20)의 요부 평면도, 도 8은 제1 배선 기판(21)의 요부 평면도, 도 9는 제2 배선 기판(22)의 요부 평면도이다.Fig. 7 is a plan view of the principal portion of the electrode substrate 20, Fig. 8 is a plan view of the principal portion of the first wiring substrate 21, and Fig. 9 is a plan view of the main portion of the second wiring substrate 22.

도시한 예에서는, 제1 및 제2 전극선(210, 220)은 각각 복수의 전극 세선을 포함하는 전극선군으로 구성되어 있지만, 물론 이것에 한정되지 않고, 각각 단일의 폭이 넓은 전극선으로 구성되어도 된다.In the illustrated example, the first and second electrode lines 210 and 220 are each formed of an electrode line group including a plurality of electrode fine lines, but the present invention is not limited thereto, and the first and second electrode lines 210 and 220 may be formed of a single wide electrode line .

본 실시 형태에 있어서 실드층 S1은, 복수의 제1 전극선(210) 각각의 사이에 배치된 복수의 전극선 S11(제3 전극선)을 갖는다. 복수의 전극선 S11은, 제1 전극선(210)과 소정의 간격을 두고 배열되어 있다. 복수의 전극선 S11은 각각 동일한 폭으로 형성되어 있고, 각 전극선 S11의 길이는, 제1 전극선(210)의 길이와 대략 동등한 길이로 형성된다. 복수의 전극선 S11은 각각, 금속막(12) 및 도체층(50)과 마찬가지로, 소정의 기준 전위(예를 들어 그라운드 전위)에 접속되어 있다.In the present embodiment, the shield layer S1 has a plurality of electrode lines S11 (third electrode lines) disposed between the plurality of first electrode lines 210, respectively. The plurality of electrode lines S11 are arranged at a predetermined interval from the first electrode lines 210. [ The plurality of electrode lines S11 are formed to have the same width and the length of each of the electrode lines S11 is formed to be substantially equal to the length of the first electrode lines 210. [ The plurality of electrode lines S11 are connected to a predetermined reference potential (for example, a ground potential) in the same manner as the metal film 12 and the conductor layer 50, respectively.

상기 구성에 의해, 복수의 제2 전극선(220)은, 플렉시블 디스플레이(11)로부터 보았을 때, 복수의 검출부(20s)(제1 전극선(210)과 제2 전극선(220)의 대향 영역) 사이를 연락하는 배선 영역(220b)이 실드층 S1(전극선 S11)에 의해 차폐된다. 이에 의해 상기 배선 영역(220b)은, 플렉시블 디스플레이(11)로부터 전자적으로 차폐된다.The plurality of second electrode lines 220 can be disposed between the plurality of detection portions 20s (opposing regions of the first electrode lines 210 and the second electrode lines 220) as viewed from the flexible display 11 The interconnecting wiring region 220b to be connected is shielded by the shielding layer S1 (electrode line S11). Thereby, the wiring region 220b is electronically shielded from the flexible display 11.

각 전극선 S11은, 도전 페이스트 등을 사용하여 스크린 인쇄나 그라비아 오프셋 인쇄, 잉크젯 인쇄 등의 인쇄법으로 형성되어도 되고, 금속박 또는 금속층, ITO 등의 투명 도전막의 재료, 카본 재료 등의 도체 재료의 포토리소그래피 기술을 사용한 패터닝법으로 형성되어도 된다. 각 전극선 S11의 두께는 특별히 한정되지 않고, 전형적으로는 제1 전극선(210)과 동등한 두께(예를 들어 수10㎚ 내지 수10㎛)로 형성된다.Each of the electrode lines S11 may be formed by a printing method such as screen printing, gravure offset printing, or inkjet printing using a conductive paste or the like, or may be formed by a printing method such as a metal foil or a metal layer, a material of a transparent conductive film such as ITO, May be formed by a patterning method using a technique. The thickness of each of the electrode lines S11 is not particularly limited and is typically formed to have a thickness equivalent to that of the first electrode lines 210 (e.g., several tens to several tens of micrometers).

각 전극선 S11은, 제1 전극선(210)과 동일한 공정으로 형성되는 예에 한정되지 않는다. 또한 각 전극선 S11은, 제1 전극선(210)과 상이한 재료로 구성되어도 되고, 제1 전극선(210)의 두께보다도 큰 두께로 형성되어도 된다.Each of the electrode lines S11 is not limited to the example formed by the same process as the first electrode line 210. [ Each of the electrode lines S11 may be formed of a different material from the first electrode line 210 or may be formed to have a thickness larger than the thickness of the first electrode line 210. [

상기 배선 영역(220b)이 실드층 S1로 차폐되는 영역은, 실드층 S1을 구성하는 각 전극선 S11의 폭으로 조정된다. 실드층 S1이 제1 전극선(210)과 동일 평면 위에 형성되기 때문에, 상기 배선 영역(220b)의 일부의 영역이 실드층 S1에 의해 차폐되게 된다.The region where the wiring region 220b is shielded by the shielding layer S1 is adjusted by the width of each of the electrode lines S11 constituting the shielding layer S1. Since the shield layer S1 is formed on the same plane as the first electrode line 210, a part of the wiring region 220b is shielded by the shield layer S1.

상기 배선 영역(220b)의 모든 영역이 실드층 S1로 차폐되기 위해서는, 예를 들어 제1 전극선(210)을 피복하는 절연막을 별도로 형성하고, 당해 절연막 위에 실드층을 형성하면 된다. 이때, 당해 실드층에 의해, 복수의 검출부(20s) 사이를 연락하는 제1 전극선(210)의 배선 영역 중 적어도 일부도 피복하도록 구성되어도 된다. 이 경우, 당해 실드층은, 복수의 검출부(20s)에 대향하는 영역에서 개구로 되어 있는 격자 형상의 도체막으로 구성되어 있어도 된다.In order to shield all the regions of the wiring region 220b with the shield layer S1, for example, an insulating film covering the first electrode line 210 may be formed separately and a shield layer may be formed on the insulating film. At this time, the shield layer may cover at least a part of the wiring region of the first electrode line 210 that connects the plurality of detecting portions 20s. In this case, the shield layer may be composed of a lattice-shaped conductor film which is an opening in a region facing the plurality of detecting portions 20s.

도 10의 A는, 제1 배선 기판(21)의 전체를 개략적으로 도시하는 평면도이다. 실드층 S1은, 복수의 전극선 S11을 서로 접속하는 배선부 S12를 더 포함한다. 배선부 S12는, 제1 배선 기판(21) 한쪽의 긴 변측의 테두리부(21a)에 있어서 복수의 전극선 S11과 각각 접속된다. 배선부 S12는, 제1 배선 기판(21)의 일방측의 짧은 변측의 테두리부(21b)를 통하여 타방측의 긴 변측의 테두리부(21c)에 배선된다. 테두리부(21c)에는, 배선부 S12와 접속되는 인출선 S12a가 형성되어 있고, 제어부(60)를 통하여 소정의 기준 전위(그라운드 전위)에 접속된다. 이에 의해 복수의 제1 전극선(210) 사이에 배치된 복수의 전극선 S11을 공통으로 그라운드 전위에 접속할 수 있다.Fig. 10A is a plan view schematically showing the entire first wiring board 21. Fig. The shield layer S1 further includes a wiring portion S12 connecting the plurality of electrode lines S11 to each other. The wiring portion S12 is connected to the plurality of electrode lines S11 at the rim portion 21a on one long side of the first wiring board 21, respectively. The wiring portion S12 is wired to the rim portion 21c on the long side of the other side through the rim portion 21b on one side of the first wiring substrate 21. A lead line S12a connected to the wiring portion S12 is formed in the rim portion 21c and is connected to a predetermined reference potential (ground potential) through the control portion 60. [ As a result, the plurality of electrode lines S11 disposed between the plurality of first electrode lines 210 can be commonly connected to the ground potential.

제1 배선 기판(21)의 테두리부(21c)에는, 복수의 제1 전극선(210) 각각과 접속되는 인출선(210a)이 더 형성되어 있고, 이들 인출선(210a)을 통하여 각 제1 전극선(210)이 제어부(60)에 접속된다.A lead wire 210a connected to each of the plurality of first electrode wires 210 is further formed in the rim portion 21c of the first wiring board 21 and electrically connected to each of the first electrode wires 210a through these lead wires 210a. (210) is connected to the control unit (60).

도시하지 않더라도 제2 배선 기판(22)은, 복수의 제2 전극선(220) 각각과 접속되는 인출선을 하고 있고, 이들 인출선은, 전형적으로는 제2 배선 기판(22)의 한 짧은 변측의 테두리부에 형성된다. 따라서, 이들 제2 전극선(220)의 인출선(복수의 검출부(20s)가 형성되는 검출 영역의 외측에 형성된 외주 배선부) 중 적어도 일부를 피복하여 전자 노이즈로부터 보호하기 위해, 도 10의 B에 도시하는 바와 같이 제1 배선 기판(21)에 형성한 실드층 S에서 당해 인출선을 차폐하는 것도 가능하다.Although not shown, the second wiring substrate 22 has lead wires connected to each of the plurality of second electrode lines 220, and these lead wires are connected to the second wiring board 22, And is formed on the rim portion. Therefore, in order to protect at least a part of the lead wires of these second electrode lines 220 (the outer peripheral wiring portions formed on the outer side of the detection region where the plurality of detection portions 20s are formed) to protect them from electromagnetic noise, It is also possible to shield the lead wire in the shield layer S formed on the first wiring board 21 as shown in the figure.

도 10의 B는, 실드층 S1의 구성의 변형예를 나타내는 제1 배선 기판의 평면도이다. 당해 실드층 S1은, 제1 배선 기판(21)의 테두리부(21b)에 형성된 띠 형상부 S11b를 더 갖는다. 띠 형상부 S11b는, 배선부 S12와 인출선 S12a의 사이에 접속되고, 복수의 제1 전극선(210) 중 가장 테두리부(21b)측에 위치하는 전극선(210b)과 당해 테두리부 사이의 영역을 솔리드 형상으로 피복한다. 이에 의해, 띠 형상부 S11b의 바로 아래에 위치하는 제2 전극선(220)의 외주 배선부를 전자 노이즈로부터 보호하는 것이 가능하게 된다.10B is a plan view of a first wiring substrate showing a modification of the configuration of the shield layer S1. The shield layer S1 further includes a strip-shaped portion S11b formed on the rim portion 21b of the first wiring board 21. [ The strip-shaped portion S11b is connected between the wiring portion S12 and the lead wire S12a and has an area between the edge portion of the electrode line 210b located on the most rim portion 21b side of the plurality of first electrode lines 210 And is coated in a solid shape. This makes it possible to protect the outer wiring portion of the second electrode line 220 immediately below the strip-shaped portion S11b from electromagnetic noise.

여기서, 센서 장치(1)의 검출 감도에 영향을 미치는 기기 중 하나로서, 플렉시블 디스플레이(11)를 들 수 있다. 가령, 금속막(12)과 도체층(50)과 실드층 S1이 제어부(60)의 그라운드에만 접속되어 있는 경우에는, 플렉시블 디스플레이(11)가 제어부(60)의 그라운드 전위에 영향을 미칠 가능성이 있고, 전자 실드 효과를 충분히 발휘할 수 없을 가능성이 있다. 따라서, 플렉시블 디스플레이(11)가 접속되는 컨트롤러(710)의 그라운드에 금속막(12)과 도체층(50)과 실드층 S1을 접속함으로써, 보다 안정적인 그라운드 전위로 유지할 수 있어, 전자 실드 효과를 향상시킬 수 있다. 또한, 금속막(12)과 도체층(50)과 실드층 S1을 보다 많은 접점에서 접속함으로써도, 전자 실드 효과를 향상시킬 수 있다.Here, the flexible display 11 is one of the devices that influence the detection sensitivity of the sensor device 1. [ For example, when the metal film 12, the conductor layer 50, and the shield layer S1 are connected only to the ground of the control unit 60, there is a possibility that the flexible display 11 affects the ground potential of the control unit 60 There is a possibility that the electromagnetic shielding effect can not be sufficiently exhibited. Therefore, by connecting the metal film 12 and the conductor layer 50 and the shield layer S1 to the ground of the controller 710 to which the flexible display 11 is connected, it is possible to maintain the ground potential at a more stable level and improve the electromagnetic shielding effect . The electromagnetic shielding effect can also be improved by connecting the metal film 12, the conductor layer 50, and the shield layer S1 at a larger number of contact points.

<제2 실시 형태>&Lt; Second Embodiment >

계속해서, 본 기술의 제2 실시 형태에 대하여 설명한다.Next, a second embodiment of the present technology will be described.

상술한 제1 실시 형태에서는, 복수의 제1 전극선과 복수의 제2 전극선이 전극 기판의 두께 방향으로 서로 이격하고, 이들 각 전극선의 교차 영역에 복수의 검출부(용량 센서)가 구성되었다. 이에 반해 본 실시 형태에서는, 복수의 제1 전극선과 복수의 제2 전극선이 전극 기판의 면 내에 있어서 서로 이격되고, 이들 각 전극선의 대향 영역에 복수의 검출부(용량 센서)가 구성된다.In the above-described first embodiment, a plurality of first electrode lines and a plurality of second electrode lines are spaced apart from each other in the thickness direction of the electrode substrate, and a plurality of detecting portions (capacitance sensors) are formed in the intersecting region of these electrode lines. In contrast, in the present embodiment, the plurality of first electrode lines and the plurality of second electrode lines are spaced apart from each other in the plane of the electrode substrate, and a plurality of detecting portions (capacitance sensors) are formed in the regions opposed to the respective electrode lines.

도 11의 A는 본 기술의 제2 실시 형태에 따른 입력 장치(100C)의 개략 단면도이고, 도 11의 B는 입력 장치(100C)의 요부를 확대하여 도시하는 단면도이다. 본 실시 형태는, 전극 기판(20C)이, XY 평면 내에서의 용량 결합의 변화량에 의해 금속막(12) 및 도체층(50) 각각과의 거리의 변화를 정전적으로 검출하는 점에 있어서, 제1 실시 형태와는 상이하다. 즉, Y 전극(220C)은, X 전극(210C)과 전극 기판(20C)의 면 내 방향에 대향하는 대향부를 갖고, 당해 대향부가 검출부(20Cs)를 구성한다.11A is a schematic cross-sectional view of the input device 100C according to the second embodiment of the present technology, and FIG. 11B is a cross-sectional view showing an enlarged main part of the input device 100C. In the present embodiment, in the point that the electrode substrate 20C electrostatically detects a change in the distance between the metal film 12 and the conductor layer 50 by the amount of change in capacitive coupling in the XY plane, 1 embodiment. That is, the Y electrode 220C has a facing portion facing the in-plane direction of the X electrode 210C and the electrode substrate 20C, and the facing portion constitutes the detecting portion 20Cs.

전극 기판(20C)은, 복수의 제1 전극선(X 전극)(210C) 및 복수의 제2 전극선(Y 전극)(220C)이 배치된 기재(211C)를 갖고, 이들 복수의 X 전극(210C) 및 Y 전극(220C)이 동일 평면 위에 배치되어 있다.The electrode substrate 20C has a substrate 211C on which a plurality of first electrode lines (X electrodes) 210C and a plurality of second electrode lines (Y electrodes) 220C are disposed. The plurality of X electrodes 210C, And the Y electrode 220C are arranged on the same plane.

도 12의 A, 도 12의 B를 참조하여, X 전극(제1 전극선)(210C) 및 Y 전극(제2 전극선)(220C)의 구성의 일례에 대하여 설명한다. 여기에서는, 각 X 전극(210C)과 각 Y 전극(220C)이, 각각 빗살 모양의 복수의 단위 전극체(제1 단위 전극체)(210m) 및 복수의 단위 전극체(제2 단위 전극체)(220m)를 갖고 있으며, 하나의 단위 전극체(210m)와 하나의 단위 전극체(220m)가 각 검출부(20Cs)를 형성하는 예를 나타낸다.An example of the configuration of the X electrode (first electrode line) 210C and the Y electrode (second electrode line) 220C will be described with reference to Figs. 12A and 12B. Here, each of the X electrode 210C and each Y electrode 220C includes a plurality of comb-shaped unit electrode bodies (first unit electrode bodies) 210m and a plurality of unit electrode bodies (second unit electrode bodies) And one unit electrode member 210m and one unit electrode member 220m form the detection units 20Cs.

도 12의 A에 도시하는 바와 같이, X 전극(210C)은, 복수의 단위 전극체(210m)와, 전극선부(210p)와, 복수의 접속부(210z)를 갖는다. 전극선부(210p)는 Y축 방향으로 연장되어 있다. 복수의 단위 전극체(210m)는, Y축 방향으로 일정한 간격으로 배치되어 있다. 전극선부(210p)와 단위 전극체(210m)는 소정 간격 이격하여 배치되어 있고, 양자 사이는 접속부(210z)에 의해 접속되어 있다.As shown in Fig. 12A, the X electrode 210C has a plurality of unit electrode members 210m, an electrode line portion 210p, and a plurality of connection portions 210z. The electrode wire portion 210p extends in the Y-axis direction. The plurality of unit electrode members 210m are arranged at regular intervals in the Y-axis direction. The electrode wire portion 210p and the unit electrode member 210m are spaced apart from each other by a predetermined distance, and they are connected to each other by a connecting portion 210z.

단위 전극체(210m)는, 상술한 바와 같이 전체적으로 빗살 모양을 갖고 있다. 구체적으로는, 단위 전극체(210m)는 복수의 서브 전극(210w)과, 연결부(210y)를 포함한다. 복수의 서브 전극(210w)은 X축 방향으로 연장되어 있다. 인접하는 서브 전극(210w)의 사이는 소정 간격 이격되어 있다. 복수의 서브 전극(210w)의 일단부는, X축 방향으로 연장된 연결부(210y)에 접속되어 있다.The unit electrode member 210m has a comb shape as a whole as described above. Specifically, the unit electrode member 210m includes a plurality of sub-electrodes 210w and a connection portion 210y. The plurality of sub-electrodes 210w extend in the X-axis direction. The adjacent sub-electrodes 210w are spaced apart from each other by a predetermined distance. One end of the plurality of sub-electrodes 210w is connected to a connection portion 210y extending in the X-axis direction.

도 12의 B에 도시하는 바와 같이, Y 전극(220C)은, 복수의 단위 전극체(220m)와, 전극선부(220p)와, 복수의 접속부(220z)를 구비한다. 전극선부(220p)는 X축 방향으로 연장되어 있다. 복수의 단위 전극체(220m)는, X축 방향으로 일정한 간격으로 배치되어 있다. 전극선부(220p)와 단위 전극체(220m)는 소정 간격 이격하여 배치되어 있고, 양자 사이는 접속부(220z)에 의해 접속되어 있다. 또한, 접속부(220z)를 생략하고, 전극선부(220p) 위에 단위 전극체(220m)가 직접 형성된 구성을 채용하도록 해도 된다.As shown in Fig. 12B, the Y electrode 220C includes a plurality of unit electrode members 220m, an electrode line portion 220p, and a plurality of connection portions 220z. The electrode wire portion 220p extends in the X-axis direction. The plurality of unit electrode members 220m are arranged at regular intervals in the X-axis direction. The electrode wire portion 220p and the unit electrode body 220m are arranged at a predetermined distance from each other and are connected to each other by a connecting portion 220z. Further, the connecting portion 220z may be omitted, and the unit electrode body 220m may be directly formed on the electrode wire portion 220p.

단위 전극체(220m)는, 상술한 바와 같이 전체적으로 빗살 모양을 갖고 있다. 구체적으로는, 단위 전극체(220m)는 복수의 서브 전극(220w)과, 연결부(220y)를 포함한다. 복수의 서브 전극(220w)은, X축 방향으로 연장되어 있다. 인접하는 서브 전극(220w)의 사이는 소정 간격 이격되어 있다. 복수의 서브 전극(220w)의 일단부는, Y축 방향으로 연장된 연결부(220y)에 접속되어 있다.The unit electrode member 220m has a comb shape as a whole as described above. Specifically, the unit electrode member 220m includes a plurality of sub-electrodes 220w and a connection portion 220y. The plurality of sub-electrodes 220w extend in the X-axis direction. The adjacent sub-electrodes 220w are spaced apart from each other by a predetermined distance. One end of the plurality of sub-electrodes 220w is connected to a connecting portion 220y extending in the Y-axis direction.

도 13의 A에 도시하는 바와 같이, 단위 전극체(210m) 각각과 단위 전극체(220m) 각각이 서로 조합된 영역에는, 각 검출부(20Cs)가 형성된다. 단위 전극체(210m)의 복수의 서브 전극(210w)와, 단위 전극체(220m)의 복수의 서브 전극(220w)은, Y축 방향을 향하여 교대로 배열되어 있다. 즉 서브 전극(210w, 220w)은, 전극 기판(20C)의 면 내 방향(예를 들어 Y축 방향)으로 서로 대향하여 배치된다.As shown in Fig. 13A, each detecting portion 20Cs is formed in a region where the unit electrode bodies 210m and the unit electrode bodies 220m are combined with each other. A plurality of sub electrodes 210w of the unit electrode body 210m and a plurality of sub electrodes 220w of the unit electrode body 220m are alternately arranged in the Y axis direction. That is, the sub electrodes 210w and 220w are disposed so as to face each other in the in-plane direction (for example, the Y axis direction) of the electrode substrate 20C.

도 13의 B는, 도 13의 A의 A-A 방향에서 본 단면도이다. Y 전극(220C)은, 제1 실시 형태와 마찬가지로, X 전극(210C)과 교차하여 형성되지만, X 전극(210C)과 동일 평면 위에 형성된다. 따라서 도 13의 B에 도시하는 바와 같이, X 전극(210C)과 Y 전극(220C)이 교차하는 영역은, 각 X 전극(210C) 및 각 Y 전극(220C)이 직접 접촉하지 않도록 구성된다. 즉, X 전극(210C)의 전극선부(210p) 및 Y 전극(220C)의 전극선부(220p) 위에는 절연층(220r)이 형성되어 있다. 그리고, X 전극(210C)과 Y 전극(220C)이 교차하는 영역에는, 이 절연층(220r)을 걸치듯이 점퍼 배선부(220q)가 형성되어 있다. 이 점퍼 배선부(220q)에 의해 전극선부(220p)가 연결되어 있다.13B is a sectional view taken along the line A-A of Fig. 13A. The Y electrode 220C is formed so as to cross the X electrode 210C, but is formed on the same plane as the X electrode 210C, as in the first embodiment. Therefore, as shown in FIG. 13B, the region where the X electrode 210C and the Y electrode 220C intersect is configured so that the X electrodes 210C and the Y electrodes 220C do not directly contact each other. That is, the insulating layer 220r is formed on the electrode line portion 210p of the X electrode 210C and the electrode line portion 220p of the Y electrode 220C. A jumper wiring portion 220q is formed in a region where the X electrode 210C and the Y electrode 220C intersect with each other across the insulating layer 220r. The electrode wire portion 220p is connected to the jumper wire portion 220q.

도 14는 본 실시 형태에 따른 검출부(20Cs)의 구성을 설명하기 위한 모식적인 단면도이다. 동 도면에 나타내는 예에서는, 검출부(20Cs)에 있어서, 서브 전극(210w1)과 서브 전극(220w1), 서브 전극(220w1)과 서브 전극(210w2), 서브 전극(210w2)과 서브 전극(220w2), 서브 전극(220w2)과 서브 전극(210w3) 및, 서브 전극(210w3)과 서브 전극(220w3)이 각각 용량 결합한다. 즉, 기재(211C)를 유전층으로 하여, 각 서브 전극 간의 정전 용량 Cc11, Cc12, Cc13, Cc14, Cc15가 금속막(12) 및 도체층(50) 각각과 서브 전극을 포함하는 제1 및 제2 전극선(210C, 220C)과의 용량 결합에 따라서 가변적으로 구성된다.Fig. 14 is a schematic cross-sectional view for explaining the configuration of the detection unit 20Cs according to the present embodiment. In the example shown in the figure, the sub electrode 210w1 and the sub electrode 220w1, the sub electrode 220w1 and the sub electrode 210w2, the sub electrode 210w2 and the sub electrode 220w2, The sub electrode 220w2 and the sub electrode 210w3 and the sub electrode 210w3 and the sub electrode 220w3 are capacitively coupled. That is, the substrate 211C is used as a dielectric layer, and the capacitances Cc11, Cc12, Cc13, Cc14, and Cc15 between the sub-electrodes are respectively set between the first and second And variable in accordance with capacitive coupling with the electrode lines 210C and 220C.

상기 구성에 의해, 전극 기판의 제2 기재 및 접착층이 불필요하게 되어, 입력 장치(100C)의 박형화에 공헌할 수 있다. 또한, 다수의 서브 전극끼리가 용량 결합되고, 또한 용량 결합되는 서브 전극 사이의 거리를 좁힐 수 있다. 이에 의해, 입력 장치(100C) 전체적인 용량 결합량을 증가시킬 수 있고, 검출 감도를 향상시키는 것이 가능하게 된다.With this configuration, the second base material and the adhesive layer of the electrode substrate are unnecessary, contributing to the thinning of the input device 100C. Further, the distance between the sub-electrodes where the plurality of sub-electrodes are capacitively coupled and capacitively coupled can be narrowed. This makes it possible to increase the overall capacity coupling amount of the input device 100C and to improve the detection sensitivity.

본 실시 형태의 센서 장치도 또한, 검출부(20Cs)를 구성하는 전극선을 노이즈원으로부터 전자적으로 차폐하기 위한 실드층 S2를 갖는다. 실드층 S2는, 도 15의 A 내지 도 15의 C에 도시하는 바와 같이 전극 기판(20C)에 형성된다.The sensor device of the present embodiment also has a shield layer S2 for electronically shielding the electrode line constituting the detection portion 20Cs from the noise source. The shield layer S2 is formed on the electrode substrate 20C as shown in Figs. 15A to 15C.

도 15의 A는, 전극 기판(20C)의 요부 평면도, 도 15의 B는, 도 15의 A에 있어서의 B1-B1선 단면도, 도 15의 C는, 도 15의 A에 있어서의 C1-C1선 단면도이다.Fig. 15A is a plan view of the principal part of the electrode substrate 20C, Fig. 15B is a sectional view taken along line B1-B1 in Fig. 15A, and Fig. 15C is a cross- Fig.

도 15의 A에 도시하는 바와 같이, 실드층 S2는, 제1 전극선(210C)의 전극선부(210p)를 피복하는 제1 도체막 S21과, 제2 전극선(220C)의 전극선부(220p) 중 적어도 일부를 피복하는 제2 도체막 S22를 갖는다. 이들 전극선부(210p, 220p)는, 복수의 검출부(20Cs) 사이를 연락하는 제1 및 제2 전극선(210, 220)의 배선 영역에 상당한다.15A, the shield layer S2 includes a first conductor film S21 covering the electrode line portion 210p of the first electrode line 210C and a second conductor film S21 covering the electrode line portion 220p of the second electrode line 220C And a second conductor film S22 covering at least a part thereof. These electrode line portions 210p and 220p correspond to the wiring regions of the first and second electrode lines 210 and 220 for connecting between the plurality of detection portions 20Cs.

또한 실드층 S2는, 제1 도체막 S21과 전극선부(210p)와의 사이에 배치된 절연막 및 제2 도체막 S22와 전극선부(220p)와의 사이에 배치된 절연막을 각각 갖는다. 본 실시 형태에서는 상기 각 절연막은, 전극선부(210p, 220p)를 피복하는 절연층(220r)에 각각 상당한다.The shield layer S2 has an insulating film disposed between the first conductor film S21 and the electrode line portion 210p and an insulating film disposed between the second conductor film S22 and the electrode line portion 220p. In the present embodiment, each of the insulating films corresponds to the insulating layer 220r covering the electrode line portions 210p and 220p.

즉 본 실시 형태에 있어서, 실드층 S2는, 점퍼 배선부(220q) 및 절연층(220r)과 동일 평면 위에 형성된다. 제1 및 제2 도체막 S21, S22는 점퍼 배선부(220q)와 동일 평면 위에 형성된다. 따라서, 제1 및 제2 도체막 S21, S22를 점퍼 배선부(220q)와 동일한 재료로 구성함으로써, 제1 및 제2 도체막 S21, S22와 점퍼 배선부(220q)를 동일 공정에서 형성하는 것이 가능하게 된다. 즉, 이 예에서는, 제1 전극선(210C) 및 제2 전극선(220C)을 형성한 후, 제1 전극선(210C)과 제2 전극선(220C)의 교차부에 있어서 점퍼 배선부(220q)와 제1 전극선(210C)의 사이에 존재하는 절연층(220r)과, 제1 전극선(210C) 및 제2 전극선(220C)을 피복하는 절연층(220r)을 동시에 형성하는 것이 가능하게 된다. 또한, 그 후에, 점퍼 배선부(220q)와 상술한 제1 및 제2 도체막 S21, S22를 동시에 형성하는 것이 가능하게 된다. 형성 방법은 특별히 한정되지 않고, 전형적으로는 스크린 인쇄 등의 인쇄법이 적용 가능하다.That is, in this embodiment, the shield layer S2 is formed on the same plane as the jumper wiring portion 220q and the insulating layer 220r. The first and second conductor films S21 and S22 are formed on the same plane as the jumper wiring portion 220q. Therefore, it is possible to form the first and second conductor films S21, S22 and the jumper wiring portion 220q in the same process by constituting the first and second conductor films S21, S22 with the same material as the jumper wiring portion 220q . That is, in this example, after the first electrode line 210C and the second electrode line 220C are formed, the jumper wiring portion 220q and the jumper wiring portion 220q are formed at intersections of the first electrode line 210C and the second electrode line 220C. The insulating layer 220r existing between the one-electrode lines 210C and the insulating layer 220r covering the first electrode lines 210C and the second electrode lines 220C can be formed at the same time. Further, after that, the jumper wiring portion 220q and the first and second conductor films S21 and S22 described above can be formed at the same time. The forming method is not particularly limited, and typically a printing method such as screen printing is applicable.

또한, 제1 및 제2 도체막 S21, S22와 점퍼 배선부(220q)와의 전기적 접촉을 회피하기 위해, 실드층 S2는, 점퍼 배선부(220q)를 노출하는 개구부 S20을 갖는다. 물론 이것에 한정되지 않고, 점퍼 배선부(220q)를 실드층 S로 피복함으로써 실드 효과를 향상시키도록 해도 된다. 이 경우, 도 16의 A 내지 도 16의 C에 도시하는 실드층 S3의 구성이 채용 가능하다.In order to avoid electrical contact between the first and second conductor films S21 and S22 and the jumper wiring portion 220q, the shield layer S2 has an opening S20 for exposing the jumper wiring portion 220q. However, the present invention is not limited to this, and the shielding effect may be improved by covering the jumper wiring portion 220q with the shielding layer S. In this case, the configuration of the shield layer S3 shown in Figs. 16A to 16C can be adopted.

도 16의 A는, 전극 기판(20C)의 요부 평면도, 도 16의 B는, 도 16의 A에 있어서의 B2-B2선 단면도, 도 16의 C는, 도 16의 A에 있어서의 C2-C2선 단면도이다.FIG. 16A is a plan view of the principal portion of the electrode substrate 20C, FIG. 16B is a sectional view taken along the line B2-B2 in FIG. 16A, and FIG. 16C is a sectional view taken along the line C2- Fig.

이 예에서는, 점퍼 배선부(220q)를 형성한 후, 점퍼 배선부(220q)를 피복하는 절연막(220r1)을 형성하고, 또한 당해 절연막(220r1) 위에 상술한 제1 및 제2 도체막 S21, S22가 각각 형성된다. 즉 본 예에 있어서의 실드층 S3은, 제1 및 제2 도체막 S21, S22와, 이들 도체막 S21, S22와 전극선부(210p, 220p)와의 사이에 배치된 절연막(220r1)을 갖는다.In this example, after the jumper wiring portion 220q is formed, the insulating film 220r1 covering the jumper wiring portion 220q is formed. On the insulating film 220r1, the first and second conductor films S21, S22 are formed. That is, the shield layer S3 in this example has the first and second conductor films S21 and S22, and the insulating film 220r1 disposed between the conductor films S21 and S22 and the electrode wire portions 210p and 220p.

이상, 본 기술의 실시 형태에 대하여 설명했지만, 본 기술은 상술한 실시 형태에만 한정되는 것은 아니며, 본 기술의 요지를 일탈하지 않는 범위 내에 있어서 다양한 변경을 가할 수 있음은 물론이다.Although the embodiments of the present technology have been described above, the present technology is not limited to the above-described embodiments, and it goes without saying that various modifications can be made within the scope of the present invention.

예를 들어 이상의 제1 실시 형태에서는, 제1 전극선(210)으로서 직선적인 전극선 또는 전극선군으로 구성되었지만, 이것에 한정되지 않고, 다양한 형상의 전극이 채용 가능하다.For example, in the first embodiment described above, the first electrode line 210 is composed of a straight line or an electrode line group, but the present invention is not limited to this, and various shapes of electrodes can be employed.

예를 들어 도 17에 도시하는 바와 같이, 제1 전극선(210D)은, 각각, 복수의 단위 전극체(210Dm)를 가져도 된다. 단위 전극체(210Dm)는, 제2 전극선과 교차하는 대향 영역에 형성되며, 용량 센서를 구성한다. X 전극(210D)의 단위 전극체(210Dm)는, 복수의 서브 전극에 의해 구성되어 있지만, 평판 형상의 솔리드 전극으로 구성되어도 된다.For example, as shown in Fig. 17, the first electrode lines 210D may each have a plurality of unit electrode members 210Dm. The unit electrode member 210Dm is formed in an opposing region crossing the second electrode line, and constitutes a capacitance sensor. Although the unit electrode 210Dm of the X electrode 210D is composed of a plurality of sub electrodes, it may be composed of a plate-like solid electrode.

단위 전극체의 구성은 상기 예에 한정되지 않고, 예를 들어 도 18의 (A) 내지 도 18의 (P)에 도시하는 바와 같은 각종 형태의 것이 채용 가능하다.The configuration of the unit electrode body is not limited to the above example, and various types of units as shown in Figs. 18A to 18P can be employed, for example.

복수의 제2 전극선(220)에 대해서도 마찬가지로, 도 19의 A에 도시하는 바와 같이 각각 복수의 전극 세선을 포함하는 전극선 군으로 구성된 전극선(220D)이 채용되어도 되고, 도 19의 B에 도시하는 바와 같이 각각 복수의 단위 전극체를 갖는 전극선(220E)이 채용되어도 된다. 또는, 도 19의 C에 도시하는 바와 같이 각각 단일인 전극선(220F)으로 구성되어도 된다.Similarly to the plurality of second electrode lines 220, as shown in FIG. 19A, an electrode line 220D composed of a plurality of electrode line groups including a plurality of electrode thin lines may be employed, and as shown in FIG. 19B Similarly, an electrode line 220E having a plurality of unit electrode bodies may be employed. Alternatively, as shown in Fig. 19C, each electrode may be formed of a single electrode line 220F.

또한, 검출부(20s)를 전자 노이즈로부터 차폐하기 위한 실드층 S1, S2는, 플렉시블 디스플레이(11)와 검출부(20s)의 사이에 배치되었지만, 노이즈원이 도체층(50)측에 있는 경우(예를 들어 입력 장치의 구동 회로 등의 배선 기판이 설치되는 경우)에는, 전극 기판의 이면측에도 실드층이 배치되어도 된다.The shield layers S1 and S2 for shielding the detection section 20s from electromagnetic noise are disposed between the flexible display 11 and the detection section 20s. However, when the noise source is on the conductor layer 50 side A wiring board such as a driving circuit of an input device is provided), the shield layer may be disposed on the back surface side of the electrode substrate.

그리고 이상의 각 실시 형태에서는, 전극 기판(20)을 한 쌍의 지지체(30, 40)로 지지하는 구성을 설명했지만, 어느 한쪽만이어도 된다. 도 20에, 제2 지지체(40)를 생략한 입력 장치의 구성예를 나타낸다.In each of the embodiments described above, the structure in which the electrode substrate 20 is supported by the pair of supports 30 and 40 has been described, but either one of them may be used. 20 shows a configuration example of an input device in which the second support body 40 is omitted.

그리고 이상의 각 실시 형태에서는, 제1 및 제2 지지체(30, 40)를 구비한 입력 장치를 예로 들어 설명했지만, 이들 지지체 중 어느 한쪽만 구비한 입력 장치, 또는, 어느 쪽 지지체도 구비하고 있지 않은 입력 장치에도 본 기술은 적용 가능하다.In the above-described embodiments, the input device including the first and second support members 30 and 40 has been described as an example. However, the input device provided with only one of the support members or the support member This technique is also applicable to input devices.

또한, 조작 부재(10)로서 플렉시블 디스플레이(11)를 예로 들어 설명했지만, 이것에 한정되지 않고, 예를 들어 키 배열이 표시된 키보드 등에도 본 기술은 적용 가능하다.Further, although the flexible display 11 has been described as an example of the operation member 10, the present invention is not limited thereto. For example, the present invention is also applicable to a keyboard having a key arrangement.

또한, 본 기술은 이하와 같은 구성도 취할 수 있다.The present technology can also take the following configuration.

(1) 복수의 제1 전극선과, 복수의 제2 전극선을 갖고, 상기 복수의 제1 전극선과 상기 복수의 제2 전극선과의 복수의 대향 영역에 각각 형성되는 복수의 용량 센서가 매트릭스 형상으로 배열된 전극 기판과,(1) A plurality of capacitive sensors each having a plurality of first electrode lines and a plurality of second electrode lines and formed respectively in a plurality of opposed regions of the plurality of first electrode lines and the plurality of second electrode lines are arranged in a matrix Electrode substrate,

상기 전극 기판에 형성되며, 상기 복수의 대향 영역 사이를 연락하는 상기 복수의 제2 전극선 중 적어도 일부의 배선 영역을 차폐하는 도체막을 포함하는 실드층을 구비하는 센서 장치.And a shield layer formed on the electrode substrate and including a conductor film for shielding at least a part of wiring regions of the plurality of second electrode lines which are connected to each other between the plurality of opposed regions.

(2) 상기 (1)에 기재된 센서 장치이며,(2) The sensor device according to (1)

상기 복수의 제1 전극선과 상기 복수의 제2 전극선은, 상기 전극 기판의 두께 방향으로 서로 이격하여 배치되고,The plurality of first electrode lines and the plurality of second electrode lines are arranged apart from each other in the thickness direction of the electrode substrate,

상기 복수의 용량 센서는, 상기 복수의 제1 전극선과 상기 복수의 제2 전극선과의 교차 영역에 각각 형성되는 센서 장치.And the plurality of capacitance sensors are respectively formed at intersecting regions of the plurality of first electrode lines and the plurality of second electrode lines.

(3) 상기 (2)에 기재된 센서 장치이며,(3) The sensor device according to (2)

상기 전극 기판은,Wherein:

상기 복수의 제1 전극선을 지지하는 제1 절연층과,A first insulating layer for supporting the plurality of first electrode lines,

상기 복수의 제2 전극선을 지지하는 제2 절연층을 갖고,And a second insulating layer for supporting the plurality of second electrode lines,

상기 실드층은, 상기 제1 절연층에 형성되는 센서 장치.Wherein the shield layer is formed on the first insulating layer.

(4) 상기 (3)에 기재된 센서 장치이며,(4) The sensor device according to (3)

상기 실드층은, 상기 복수의 제1 전극선과 동일 평면 위에 형성되는 센서 장치.Wherein the shield layer is formed on the same plane as the plurality of first electrode lines.

(5) 상기 (2) 내지 (4) 중 어느 하나에 기재된 센서 장치이며,(5) The sensor device according to any one of (2) to (4) above,

상기 도체막은, 상기 복수의 제1 전극선과 동일한 재료로 구성되는 센서 장치.Wherein the conductor film is made of the same material as the plurality of first electrode lines.

(6) 상기 (2) 내지 (5) 중 어느 하나에 기재된 센서 장치이며, (6) The sensor device according to any one of (2) to (5) above,

상기 도체막은, 상기 복수의 제1 전극선 각각의 사이에 배치된 복수의 제3 전극선을 포함하는 센서 장치.Wherein the conductor film includes a plurality of third electrode lines disposed between each of the plurality of first electrode lines.

(7) 상기 (6)에 기재된 센서 장치이며,(7) The sensor device according to (6)

상기 도체막은, 상기 복수의 제3 전극선을 서로 접속하는 배선부를 더 포함하는 센서 장치.And the conductor film further includes a wiring portion connecting the plurality of third electrode lines to each other.

(8) 상기 (1)에 기재된 센서 장치이며,(8) The sensor device according to (1)

상기 복수의 용량 센서는, 상기 전극 기판의 면 내 방향으로 서로 대향하는 상기 복수의 제1 전극선 및 상기 복수의 제2 전극선과의 대향 영역에 각각 형성되고,Wherein the plurality of capacitance sensors are formed respectively in opposing areas of the plurality of first electrode lines and the plurality of second electrode lines facing each other in the in-plane direction of the electrode substrate,

상기 실드층은, 상기 도체막과 상기 배선 영역의 사이에 배치된 절연막을 더 갖는 센서 장치.And the shield layer further includes an insulating film disposed between the conductor film and the wiring region.

(9) 상기 (8)에 기재된 센서 장치이며,(9) The sensor device according to (8)

상기 전극 기판은, 상기 복수의 제1 전극선과 상기 복수의 제2 전극선의 교차부에 형성된 복수의 점퍼 배선부를 갖는 센서 장치.Wherein the electrode substrate has a plurality of jumper wiring portions formed at intersections of the plurality of first electrode lines and the plurality of second electrode lines.

(10) 상기 (9)에 기재된 센서 장치이며,(10) The sensor device according to (9)

상기 도체막은, 상기 복수의 점퍼 배선부와 동일 평면 위에 형성되는 센서 장치.Wherein the conductor film is formed on the same plane as the plurality of jumper wiring portions.

(11) 상기 (9)에 기재된 센서 장치이며,(11) The sensor device according to (9)

상기 실드층은, 상기 복수의 점퍼 배선부를 피복하는 센서 장치.And the shield layer covers the plurality of jumper wiring portions.

(12) 상기 (9) 내지 (11) 중 어느 하나에 기재된 센서 장치이며,(12) The sensor device according to any one of (9) to (11)

상기 도체막은, 상기 복수의 점퍼 배선부와 동일한 재료로 구성되는 센서 장치.Wherein the conductor film is made of the same material as the plurality of jumper wiring portions.

(13) 상기 (1) 내지 (12) 중 어느 하나에 기재된 센서 장치이며,(13) The sensor device according to any one of (1) to (12) above,

상기 실드층은, 상기 복수의 대향 영역 사이를 연락하는 상기 복수의 제1 전극선 중 적어도 일부의 배선 영역을 더 차폐하는 센서 장치.Wherein the shield layer further shields at least a wiring region of the plurality of first electrode lines which are in contact with each other between the plurality of opposing regions.

(14) 상기 (1) 내지 (13) 중 어느 하나에 기재된 센서 장치이며,(14) The sensor device according to any one of (1) to (13) above,

상기 복수의 제2 전극선은, 매트릭스 형상으로 배열된 상기 복수의 용량 센서가 형성되는 검출 영역의 외측에 형성된 외주 배선부를 갖고,Wherein the plurality of second electrode lines have an outer peripheral wiring portion formed outside the detection region in which the plurality of capacitive sensors arranged in a matrix are formed,

상기 실드층은, 상기 외주 배선부 중 적어도 일부를 더 차폐하는 센서 장치.And the shield layer further shields at least part of the outer wiring portion.

(15) 상기 (1) 내지 (14) 중 어느 하나에 기재된 센서 장치이며,(15) The sensor device according to any one of (1) to (14) above,

상기 전극 기판의 한쪽 주면 중 대향하여 배치된 변형 가능한 제1 도체층과,A deformable first conductor layer disposed opposite to one main surface of the electrode substrate,

상기 제1 도체층과 상기 전극 기판의 사이를 접속하는 복수의 제1 구조체를 갖는 제1 지지체를 더 구비하는 센서 장치.And a first support body having a plurality of first structures for connecting between the first conductor layer and the electrode substrate.

(16) 상기 (15)에 기재된 센서 장치이며,(16) The sensor device according to (15)

상기 전극 기판의 다른 쪽 주면에 대향하여 배치된 제2 도체층과,A second conductor layer disposed opposite to the other main surface of the electrode substrate,

상기 제2 도체층과 상기 전극 기판의 사이를 접속하는 복수의 제2 구조체를 갖는 제2 지지체를 더 구비하는 센서 장치.And a second support body having a plurality of second structures for connecting between the second conductor layer and the electrode substrate.

1: 센서 장치
11: 플렉시블 디스플레이
20, 20C: 전극 기판
20s, 20Cs: 검출부
30: 제1 지지체
40: 제2 지지체
50: 도체층
60: 제어부
100: 입력 장치
210, 210C: 제1 전극선
220, 220C: 제2 전극선
220q: 점퍼 배선부
310: 제1 구조체
410: 제2 구조체
S1, S2: 실드층
S21, S22: 도체막
1: Sensor device
11: Flexible display
20, 20C: electrode substrate
20s, 20Cs:
30: first support
40: second support
50: conductor layer
60:
100: input device
210, and 210C: a first electrode line
220, 220C: a second electrode line
220q: jumper wiring part
310: first structure
410: second structure
S1, S2: shield layer
S21, S22:

Claims (18)

복수의 제1 전극선과, 복수의 제2 전극선을 갖고, 상기 복수의 제1 전극선과 상기 복수의 제2 전극선과의 복수의 대향 영역에 각각 형성되는 복수의 용량 센서가 매트릭스 형상으로 배열된 전극 기판과,
상기 전극 기판에 형성되며, 상기 복수의 대향 영역 사이를 연락하는 상기 복수의 제2 전극선 중 적어도 일부의 배선 영역을 차폐하는 도체막을 포함하는 실드층을 구비하는 센서 장치.
A plurality of first electrode lines, a plurality of second electrode lines, and a plurality of capacitive sensors respectively formed in a plurality of opposing regions of the plurality of first electrode lines and the plurality of second electrode lines are arranged in a matrix, and,
And a shield layer formed on the electrode substrate and including a conductor film for shielding at least a part of wiring regions of the plurality of second electrode lines which are connected to each other between the plurality of opposed regions.
제1항에 있어서,
상기 복수의 제1 전극선과 상기 복수의 제2 전극선은, 상기 전극 기판의 두께 방향으로 서로 이격하여 배치되고,
상기 복수의 용량 센서는, 상기 복수의 제1 전극선과 상기 복수의 제2 전극선과의 교차 영역에 각각 형성되는 센서 장치.
The method according to claim 1,
The plurality of first electrode lines and the plurality of second electrode lines are arranged apart from each other in the thickness direction of the electrode substrate,
And the plurality of capacitance sensors are respectively formed at intersecting regions of the plurality of first electrode lines and the plurality of second electrode lines.
제2항에 있어서,
상기 전극 기판은,
상기 복수의 제1 전극선을 지지하는 제1 절연층과,
상기 복수의 제2 전극선을 지지하는 제2 절연층을 갖고,
상기 실드층은, 상기 제1 절연층에 형성되는 센서 장치.
3. The method of claim 2,
Wherein:
A first insulating layer for supporting the plurality of first electrode lines,
And a second insulating layer for supporting the plurality of second electrode lines,
Wherein the shield layer is formed on the first insulating layer.
제3항에 있어서,
상기 실드층은, 상기 복수의 제1 전극선과 동일 평면 위에 형성되는 센서 장치.
The method of claim 3,
Wherein the shield layer is formed on the same plane as the plurality of first electrode lines.
제2항에 있어서,
상기 도체막은, 상기 복수의 제1 전극선과 동일한 재료로 구성되는 센서 장치.
3. The method of claim 2,
Wherein the conductor film is made of the same material as the plurality of first electrode lines.
제2항에 있어서,
상기 도체막은, 상기 복수의 제1 전극선 각각의 사이에 배치된 복수의 제3 전극선을 포함하는 센서 장치.
3. The method of claim 2,
Wherein the conductor film includes a plurality of third electrode lines disposed between each of the plurality of first electrode lines.
제6항에 있어서,
상기 도체막은, 상기 복수의 제3 전극선을 서로 접속하는 배선부를 더 포함하는 센서 장치.
The method according to claim 6,
And the conductor film further includes a wiring portion connecting the plurality of third electrode lines to each other.
제1항에 있어서,
상기 복수의 용량 센서는, 상기 전극 기판의 면 내 방향으로 서로 대향하는 상기 복수의 제1 전극선 및 상기 복수의 제2 전극선과의 대향 영역에 각각 형성되고,
상기 실드층은, 상기 도체막과 상기 배선 영역의 사이에 배치된 절연막을 더 갖는 센서 장치.
The method according to claim 1,
Wherein the plurality of capacitance sensors are formed respectively in opposing areas of the plurality of first electrode lines and the plurality of second electrode lines facing each other in the in-plane direction of the electrode substrate,
And the shield layer further includes an insulating film disposed between the conductor film and the wiring region.
제8항에 있어서,
상기 전극 기판은, 상기 복수의 제1 전극선과 상기 복수의 제2 전극선의 교차부에 형성된 복수의 점퍼 배선부를 갖는 센서 장치.
9. The method of claim 8,
Wherein the electrode substrate has a plurality of jumper wiring portions formed at intersections of the plurality of first electrode lines and the plurality of second electrode lines.
제9항에 있어서,
상기 도체막은, 상기 복수의 점퍼 배선부와 동일 평면 위에 형성되는 센서 장치.
10. The method of claim 9,
Wherein the conductor film is formed on the same plane as the plurality of jumper wiring portions.
제9항에 있어서,
상기 실드층은, 상기 복수의 점퍼 배선부를 피복하는 센서 장치.
10. The method of claim 9,
And the shield layer covers the plurality of jumper wiring portions.
제9항에 있어서,
상기 도체막은, 상기 복수의 점퍼 배선부와 동일한 재료로 구성되는 센서 장치.
10. The method of claim 9,
Wherein the conductor film is made of the same material as the plurality of jumper wiring portions.
제1항에 있어서,
상기 실드층은, 상기 복수의 대향 영역 사이를 연락하는 상기 복수의 제1 전극선 중 적어도 일부의 배선 영역을 더 차폐하는 센서 장치.
The method according to claim 1,
Wherein the shield layer further shields at least a wiring region of the plurality of first electrode lines which are in communication with each other between the plurality of opposing regions.
제1항에 있어서,
상기 복수의 제2 전극선은, 매트릭스 형상으로 배열된 상기 복수의 용량 센서가 형성되는 검출 영역의 외측에 형성된 외주 배선부를 갖고,
상기 실드층은, 상기 외주 배선부 중 적어도 일부를 더 차폐하는 센서 장치.
The method according to claim 1,
Wherein the plurality of second electrode lines have an outer peripheral wiring portion formed outside the detection region in which the plurality of capacitive sensors arranged in a matrix are formed,
And the shield layer further shields at least part of the outer wiring portion.
제1항에 있어서,
상기 전극 기판의 한쪽 주면에 대향하여 배치된 변형 가능한 제1 도체층과,
상기 제1 도체층과 상기 전극 기판의 사이를 접속하는 복수의 제1 구조체를 갖는 제1 지지체를 더 구비하는 센서 장치.
The method according to claim 1,
A deformable first conductor layer disposed opposite to one main surface of the electrode substrate,
And a first support body having a plurality of first structures for connecting between the first conductor layer and the electrode substrate.
제15항에 있어서,
상기 전극 기판의 다른 쪽 주면에 대향하여 배치된 제2 도체층과,
상기 제2 도체층과 상기 전극 기판의 사이를 접속하는 복수의 제2 구조체를 갖는 제2 지지체를 더 구비하는 센서 장치.
16. The method of claim 15,
A second conductor layer disposed opposite to the other main surface of the electrode substrate,
And a second support body having a plurality of second structures for connecting between the second conductor layer and the electrode substrate.
입력 조작면을 갖는 조작 부재와,
복수의 제1 전극선과, 복수의 제2 전극선을 갖고, 상기 복수의 제1 전극선과 상기 복수의 제2 전극선과의 복수의 대향 영역에 각각 형성되는 복수의 용량 센서가 매트릭스 형상으로 배열된 전극 기판과,
상기 조작 부재와 상기 전극 기판의 사이에 형성되며, 상기 복수의 대향 영역 사이를 연락하는 상기 복수의 제2 전극선 중 적어도 일부의 배선 영역을 차폐하는 도체막을 포함하는 실드층을 구비하는 입력 장치.
An operating member having an input operating surface;
And a plurality of capacitive sensors each having a plurality of first electrode lines and a plurality of second electrode lines and formed respectively in a plurality of opposing regions of the plurality of first electrode lines and the plurality of second electrode lines are arranged in a matrix, and,
And a shield layer formed between the operating member and the electrode substrate and shielding at least a part of wiring regions of the plurality of second electrode lines which are in contact with each other between the plurality of opposed regions.
입력 조작면을 갖는 표시 소자와,
복수의 제1 전극선과, 복수의 제2 전극선을 갖고, 상기 복수의 제1 전극선과 상기 복수의 제2 전극선과의 복수의 대향 영역에 각각 형성되는 복수의 용량 센서가 매트릭스 형상으로 배열된 전극 기판과,
상기 표시 소자와 상기 전극 기판과의 사이에 형성되며, 상기 복수의 대향 영역 사이를 연락하는 상기 복수의 제2 전극선 중 적어도 일부의 배선 영역을 차폐하는 도체막을 포함하는 실드층을 구비하는 전자 기기.
A display element having an input operation surface,
And a plurality of capacitive sensors each having a plurality of first electrode lines and a plurality of second electrode lines and formed respectively in a plurality of opposing regions of the plurality of first electrode lines and the plurality of second electrode lines are arranged in a matrix, and,
And a shield layer formed between the display element and the electrode substrate and shielding at least a part of wiring regions of the plurality of second electrode lines which are in contact with each other between the plurality of opposing regions.
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