KR20160051477A - Mirror having display function - Google Patents

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KR20160051477A
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circuit board
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이정오
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엘지이노텍 주식회사
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Abstract

According to an embodiment, a mirror having a display function comprises: a mirror unit disposed in a vehicle to sense a rear situation of a vehicle; and a light source module disposed on a rear surface of the mirror unit to display information related to operation of the vehicle. The mirror unit comprises: a first area overlapped with the light source module disposed on the rear surface; and a remaining second are except the first area. Reflectivity of the first area of the mirror unit is same with the reflectivity of the second area of the mirror unit.

Description

디스플레이 기능을 갖는 미러{Mirror having display function}A mirror having a display function {Mirror having display function}

실시 예는, 미러에 관한 것으로, 특히 디스플레이 기능을 갖는 미러에 관한 것이다.Embodiments relate to a mirror, and more particularly to a mirror having a display function.

일반적으로 차량에는 안전 운전을 위한 수단으로 각종 시청각적인 경보장치들이 갖추어져 있지만 운전자의 시야가 미치지 못하는 차량의 후방 지역의 위험한 상황을 알려주는 경보장치는 별로 설치되어 있지 않으며 차량의 내외부 여러 곳에 미러들이 부착되어 운전자가 직접 차량의 후방 지역의 상황을 살펴볼 수 있도록 되어 있다.Generally, vehicles are equipped with various audiovisual alarm devices as a means of safe driving, but there are not many alarm devices that notify the dangerous situation of the rear area of the vehicle where the driver's vision is insufficient. So that the driver can directly observe the situation of the rear area of the vehicle.

이러한 미러들로써는 도어 측면에 설치되어 후방을 관찰하도록 설치된 사이드미러와, 차 실내의 전면유리에 설치되어 차량의 정후방 지역을 관찰할 수 있도록 설치된 룸미러가 있다.These mirrors include a side mirror installed on the side of the door to observe the rear side, and a room mirror installed on the front glass of the vehicle to observe the forward and backward regions of the vehicle.

이러한 미러들에 의해 일정 수준까지는 후방상황을 파악할 수 있으나 후방상황을 인지하는데 불충분한 지역, 즉 미러들에 의해 보이지 않는 사각지대도 발생될 수 있어 이러한 사각지대에 장애물이 위치하고 있는 경우에는 차량과 충돌하여 안전사고의 발생원인이 될 수가 있다.These mirrors can detect a rearward situation up to a certain level but can also cause a blind spot that is not visible due to an insufficient area for recognizing the rearward situation, that is, the mirror, so that when the obstacle is located in such a blind spot, Which can cause safety accidents.

따라서, 최근에는 차량과 접촉시 경고음을 발생시켜 운전자에게 주의를 환기시키는 장치가 구비되어 차량에 장애물이 근접하게 될 때 운전자에게 이 상황을 알려 후방물체와의 추돌을 미연에 방지할 수 있도록 하는 장애물 경보장치 등이 설치되고 있다.Accordingly, in recent years, there has been provided an apparatus for generating a warning sound when a vehicle is in contact with a vehicle, so that the driver is alerted to the obstacle, thereby notifying the driver of the obstacle, And an alarm device are installed.

한편, 최근에는 디스플레이 룸미러와 같이, 차량에 후방 감시카메라를 설치하여 촬영된 후방의 영상을 운전자에게 확인 할 수 있도록 영상신호를 출력시켜주는 모니터를 룸미러에 설치함으로써 후진이나 주차시 후방의 상황을 정확하게 파악할 수 있도록 하여 안전을 도모하고 있다.On the other hand, in recent years, a rear-view surveillance camera is installed in a vehicle such as a display room mirror, and a monitor for outputting a video signal so as to confirm the captured rear image to the driver is installed in the room mirror. So that it can be grasped accurately.

도 1은 종래 기술에 따른 룸미러를 개략적으로 도시한 도면이다.1 is a view schematically showing a conventional room mirror.

도 1을 참조하면, 종래의 디스플레이 룸미러는, 도 1의 (a)에 도시된 바와 같이 거울부(1) 및 거울부(1)의 배면에 설치된 디스플레이 모듈(2) 및 디스플레이 룸미러를 차량전면유리에 고정하는 고정부재(3)로 이루어져 있다. 1, a conventional display room mirror includes a mirror unit 1 and a display module 2 installed on the rear surface of the mirror unit 1 and a display room mirror as shown in FIG. 1 (a) And a fixing member 3 for fixing to the front glass.

도 1의 (b)에 도시된 바와 같이, 상기 거울부(1)는 상기 디스플레이 모듈(2)과 중첩되는 제 1 영역과, 상기 제 1 영역을 제외한 나머지 제 2 영역을 포함한다.1 (b), the mirror unit 1 includes a first area overlapping the display module 2 and a second area other than the first area.

이때, 상기와 같은 디스플레이 룸미러는 디스플레이모듈(2)이 거울부(1)의 안쪽에 위치하여야 한다.At this time, the display module 2 should be positioned inside the mirror 1.

이에 따라, 상기 거울부(1)의 제 1 영역의 특성과 제 2 영역의 특성을 서로 다르게 나타나게 된다.Accordingly, the characteristics of the first region and the characteristics of the second region of the mirror unit 1 are different from each other.

다시 말해서, 상기 디스플레이 모듈(2)을 통해 출력되는 영상은 상기 거울부(1)의 제 1 영역을 투과하여 거울부(1)의 앞면을 통해 디스플레이된다. 이때, 상기 거울부(1)는 일정 수준 이상의 반사율을 가지고 있는데, 상기 거울부(1)가 가지는 반사율은 상기 디스플레이 모듈(2)에서 발생하는 영상을 투과할 수 없게 된다. In other words, the image outputted through the display module 2 is transmitted through the first area of the mirror part 1 and displayed on the front surface of the mirror part 1. At this time, the mirror unit 1 has a reflectance higher than a certain level, and the reflectance of the mirror unit 1 can not transmit the image generated by the display module 2. [

따라서, 종래 기술에 따른 디스플레이 룸미러는 상기 거울부(1)에 별도의 디스플레이 공간을 마련하였다.Accordingly, the display room mirror according to the prior art has a separate display space in the mirror unit 1. [

즉, 종래 기술에서의 룸미러는 거울부(1)의 제 1 영역의 반사율을 제 2 영역의 반사율보다 낮게 형성하거나, 상기 거울부(1)의 제 1 영역의 일부를 제거하여 상기 제 1 영역의 두께를 제 2 영역의 두께보다 얇게 하는 등과 같은 별도의 디스플레이를 위한 별도의 공간을 마련해야만 했다.That is, in the conventional room mirror, the reflectance of the first area of the mirror 1 is made lower than that of the second area, or a part of the first area of the mirror 1 is removed, It is necessary to provide a separate space for a separate display, such as making the thickness of the second region thinner than the thickness of the second region.

실시 예에서는 투과율이 높은 LED(Light Eimitting Diode)를 적용하여 다양한 정보를 디스플레이하는 미러를 제공한다.Embodiments provide a mirror for displaying various information by applying an LED (Light Emitting Diode) having high transmittance.

또한, 실시 예에서는 광원 모듈과 중첩되는 제 1 영역과, 이를 제외한 제 2 영역의 반사율이 동일한 거울부를 포함하는 디스플레이 기능을 갖는 미러를 제공한다.Also, in the embodiment, a mirror having a display function including a first region overlapping the light source module and a second region having the same reflectance as the second region is provided.

또한, 실시 예에서는 광원 모듈과 중첩되는 제 1 영역과, 이를 제외한 제 2 영역의 두께가 동일한 거울부를 포함하는 디스플레이 기능을 갖는 미러를 제공한다.In addition, in the embodiment, a mirror having a display function including a first region overlapping the light source module and a second region having the same thickness except for the second region is provided.

실시 예에 따른 디스플레이 기능을 가지는 미러는 차량에 배치되어, 차량 후방 상황을 감지하는 거울부; 및 상기 거울부의 배면에 배치되어, 상기 차량의 운행과 관련된 정보를 표시하는 광원 모듈을 포함하며, 상기 거울부는, 상기 배면에 배치된 광원 모듈과 중첩되는 제 1 영역과, 상기 제 1 영역을 제외한 나머지 제 2 영역을 포함하며, 상기 거울부의 제 1 영역이 가지는 반사율은, 상기 거울부의 제 2 영역이 가지는 반사율과 동일하다.According to an embodiment of the present invention, there is provided a mirror having a display function, the mirror including: a mirror disposed in the vehicle for detecting a rearward state of the vehicle; And a light source module disposed on a rear surface of the mirror portion and displaying information related to the driving of the vehicle, wherein the mirror portion includes a first region overlapping the light source module disposed on the rear surface, And the reflectance of the first region of the mirror portion is the same as the reflectance of the second region of the mirror portion.

또한, 상기 미러는, 소정 간격을 두고 서로 대향되는 제 1 및 제 2 투명 기판과, 상기 제 1 및 2 투명 기판의 대향하는 면 각각에 형성되는 제 1 투명 전극 및 전도 반사층과, 상기 제 1 투명 전극과 상기 전도 반사층 사이에 개재되어 전기변색물질과 전해질을 포함하는 전기 변색층을 포함한다.The mirror further includes first and second transparent substrates opposed to each other with a predetermined space therebetween, a first transparent electrode and a conductive reflective layer formed on opposing surfaces of the first and second transparent substrates, And an electrochromic layer interposed between the electrode and the electroconductive reflective layer to include an electrochromic material and an electrolyte.

또한, 상기 전기 변색층은, 상기 제 1 투명 전극과 상기 전도 반사층 사이에 개재된 전해질층과, 상기 전해질층의 일면 또는 양면에 형성된 전기변색 코팅층을 포함한다.The electrochromic layer may include an electrolyte layer sandwiched between the first transparent electrode and the conductive reflective layer, and an electrochromic coating layer formed on one or both surfaces of the electrolyte layer.

또한, 상기 광원 모듈은, 제 1 및 제 2 패드를 갖는 연성회로기판과, 상기 연성회로기판의 제 1 패드 위에 제 1 방향으로 배열된 복수의 제 1 어레이와, 상기 제 1 방향과 다른 제 2 방향으로 배열되는 제 2 어레이를 포함하는 복수의 발광 칩과, 상기 제 2 어레이의 발광 칩 중 적어도 하나와 상기 연성회로기판의 제2패드에 연결된 연결 부재를 포함하며, 상기 제1어레이의 발광 칩 중 적어도 2개는 상기 연성회로기판에 의해 서로 연결되고, 상기 제2어레이의 발광 칩은 서로 전기적으로 분리되며, 상기 연결 부재는 상기 연성회로기판 위에서 제 2 방향으로 연장된다.The light source module may include: a flexible circuit board having first and second pads; a plurality of first arrays arranged in a first direction on a first pad of the flexible circuit board; And a connecting member connected to at least one of the light emitting chips of the second array and a second pad of the flexible circuit board, wherein the light emitting chip of the first array includes a plurality of light emitting chips, Wherein at least two of the plurality of light emitting chips are connected to each other by the flexible circuit board and the light emitting chips of the second array are electrically separated from each other and the connecting member extends in the second direction on the flexible circuit board.

또한, 상기 연성회로기판의 제 1 방향의 길이는 제 2 방향의 길이보다 길고, 상기 제 2 어레이의 수는 상기 제 1 어레이의 수보다 1.5배 이상이거나, 상기 제 1 어레이에 배열된 발광 칩은 상기 제 2 어레이에 배열된 발광 칩의 개수보다 1.5배 이상이다.Further, the length of the flexible circuit board in the first direction is longer than the length of the second direction, the number of the second arrays is 1.5 times or more than the number of the first arrays, or the light emitting chips arranged in the first array Is 1.5 times or more than the number of light emitting chips arranged in the second array.

또한, 상기 제 2 패드는, 상기 제 2 어레이에 배열된 복수의 발광 칩 사이에 각각 배치된다.In addition, the second pads are respectively disposed between the plurality of light emitting chips arranged in the second array.

또한, 상기 연결 부재는, 상기 제 1 어레이에 배열된 인접한 발광 칩들을 서로 연결해 준다.Further, the connecting member connects the adjacent light emitting chips arranged in the first array to each other.

또한, 상기 제 1 방향은, 상기 제 2 방향에 대해 직교한다.The first direction is orthogonal to the second direction.

또한, 상기 연성회로기판은, 상기 제 1 방향의 길이가 제 2 방향의 길이보다 길게 배치되며, 상기 제 2 방향으로 작용하는 응력이 상기 제 1 방향으로 작용하는 응력보다 작다.In addition, the length of the flexible circuit board in the first direction is longer than the length of the second direction, and the stress acting in the second direction is smaller than the stress acting in the first direction.

또한, 상기 광원 모듈은, 상기 복수의 발광 칩 둘레에 배치된 반사 부재와, 상기 반사 부재 내에 배치되고 상기 복수의 발광 칩을 덮는 소프트 몰드 부재를 더 포함한다.The light source module may further include a reflective member disposed around the plurality of light emitting chips, and a soft mold member disposed in the reflective member and covering the plurality of light emitting chips.

또한, 상기 광원 모듈은, 상기 복수의 발광 칩 사이에 배치된 차단 벽을 더 포함한다.The light source module may further include a blocking wall disposed between the plurality of light emitting chips.

또한, 상기 차단 벽의 상면은, 상기 소프트 몰드 부재의 상면보다 낮다.Further, the upper surface of the blocking wall is lower than the upper surface of the soft mold member.

또한, 상기 광원 모듈은, 상기 소프트 몰드 부재 내에 배치되는 형광체를 더 포함한다.The light source module may further include a phosphor disposed in the soft mold member.

또한, 상기 소프트 몰드 부재는 상면으로부터 오목하며 상기 제 1 및 제 2 방향 중 적어도 하나의 방향으로 배치된 홈을 포함하며, 상기 홈에는 반사 물질이 형성되며, 상기 홈의 깊이는 상기 소프트 몰드 부재의 두께보다 작다.The soft mold member may include a groove recessed from the upper surface and disposed in a direction of at least one of the first and second directions, wherein a reflective material is formed in the groove, Is less than the thickness.

한편, 본 발명의 실시 예에 따른 디스플레이 기능을 가지는 미러는 차량에 배치되어, 차량 후방 상황을 감지하는 거울부; 및 상기 거울부의 배면에 배치되어, 상기 차량의 운행과 관련된 정보를 표시하는 광원 모듈을 포함하며, 상기 거울부는, 상기 배면에 배치된 광원 모듈과 중첩되는 제 1 영역과, 상기 제 1 영역을 제외한 나머지 제 2 영역을 포함하며, 상기 거울부의 제 1 영역이 가지는 전체 두께는, 상기 거울부의 제 2 영역이 가지는 전체 두께와 동일하며, 상기 광원 모듈은, 제 1 패드 및 제 2 패드를 포함하는 연성회로기판과, 상기 연성회로기판의 제 1 패드 및 제 2 패드 상에 배치된 복수의 발광 칩과, 상기 발광 칩과 상기 제 1 및 제 2 패드 사이에 배치된 제 1 및 제 2 본딩 부재와, 상기 복수의 발광 칩의 둘레에 배치된 반사 부재와, 상기 반사 부재 내에 배치되고 상기 복수의 발광 칩을 몰딩하는 소프트 몰드 부재를 포함하며, 상기 복수의 발광 칩은 제 1 방향으로 배열된 복수의 제 1 어레이와, 상기 제 1 방향과 다른 제 2 방향으로 배열되는 제 2 어레이를 포함하며, 상기 제 1 어레이의 발광 칩 중 적어도 2개는 상기 연성회로기판에 의해 서로 연결되며, 상기 제 2 어레이의 발광 칩은 서로 전기적으로 분리되며, 상기 연성회로기판의 제 1 방향의 길이는 제 2 방향의 길이보다 길게 배치된다.According to another aspect of the present invention, there is provided a mirror having a display function, the mirror comprising: a mirror disposed in the vehicle for detecting a rearward state of the vehicle; And a light source module disposed on a rear surface of the mirror portion and displaying information related to the driving of the vehicle, wherein the mirror portion includes a first region overlapping the light source module disposed on the rear surface, The total thickness of the first region of the mirror portion is equal to the total thickness of the second region of the mirror portion, and the light source module includes a first portion and a second portion, A plurality of light emitting chips disposed on the first and second pads of the flexible circuit board; first and second bonding members disposed between the light emitting chip and the first and second pads; A reflective member disposed around the plurality of light emitting chips; and a soft mold member disposed in the reflective member and molding the plurality of light emitting chips, wherein the plurality of light emitting chips are arranged in a first direction And a second array arranged in a second direction different from the first direction, wherein at least two of the light emitting chips of the first array are connected to each other by the flexible circuit board, The light emitting chips of the two arrays are electrically separated from each other, and the length of the flexible circuit board in the first direction is longer than that of the second direction.

또한, 상기 광원 모듈은 제1방향에 대해 소정의 곡률로 벤딩되며, 상기 광원 모듈의 발광 칩은 개별 구동된다.Also, the light source module is bent at a predetermined curvature with respect to the first direction, and the light emitting chips of the light source module are separately driven.

본 발명에 따른 실시 예에 의하면, 광원 모듈의 발광 칩으로 정보를 표시할 수 있는 표시 모듈을 제공함으로써, 상기 표시 모듈에 포함된 광원 모듈의 투과율이 좋아 기존의 디스플레이 룸미러처럼 별도의 디스플레이 공간을 마련할 필요가 없기 때문에 제조 공정의 편의성을 향상시키면서 제조 단가를 낮출 수 있다.According to the embodiments of the present invention, it is possible to provide a display module capable of displaying information on a light emitting chip of a light source module, so that a light source module included in the display module has a high transmittance, It is possible to reduce the manufacturing cost while improving the convenience of the manufacturing process.

또한, 본 발명에 따른 실시 예에 의하면, 벤딩이 가능한 표시 모듈을 적용함으로써, 기존의 미러에 적용된 액정표시장치에 대비하여 시인성을 향상시킬 수 있을뿐 아니라, 디스플레이 사이즈의 자유도 및 정보 전달 용의성을 증가시킬 수 있다.In addition, according to the embodiment of the present invention, by applying the display module capable of bending, it is possible to improve the visibility in comparison with the liquid crystal display device applied to the conventional mirror, Can be increased.

도 1은 종래 기술에 따른 룸미러를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 디스플레이 기능을 가지는 미러의 구조를 도시한 측면도이다.
도 3 및 도 4는 본 발명의 실시 예에 따른 미러부의 개략적인 구조를 도시한 도면이다.
도 5은 제1실시 예에 따른 광원 모듈을 나타낸 평면도이다.
도 6은 도 1의 광원 모듈의 A-A측 단면도이다.
도 7은 도 1의 광원 모듈의 B-B측 단면도이다.
도 8은 도 2의 광원 모듈에서 기판을 상세하게 나타낸 도면이다.
도 9는 도 2의 광원 모듈의 발광 칩의 예를 나타낸 도면이다.
도 10의 (A)(B)은 도 8의 기판의 제1 및 제2배선층의 패턴을 나타낸 도면이다.
도 11은 제1실시 예에 따른 연성회로기판의 벤딩 방향을 설명하기 위한 도면이다.
도 12의 (A)는 실시 예에 따른 광원 모듈의 벤딩 전의 정보 표시의 예를 나타낸 도면이며, (B)는 벤딩 후의 정보 표시의 예를 나타낸 도면이다.
도 13은 실시 예에 따른 광원 모듈의 벤딩 상태를 나타낸 도면이다.
도 14는 도 1의 광원 모듈의 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 15는 제2실시 예에 따른 광원 모듈을 나타낸 평면도이다.
도 16은 도 15의 광원 모듈의 측 단면도이다.
도 17은 도 15의 광원 모듈의 기판의 제1배선층의 회로 패턴을 나타낸 도면이다.
도 18은 제3실시 예에 따른 광원 모듈을 나타낸 평면도이다.
도 19는 도 18의 광원 모듈의 측 단면도이다.
도 20은 제4실시 예에 따른 광원 모듈을 나타낸 평면도이다.
도 21은 도 20의 광원 모듈의 C-C측 단면도이다.
도 22는 도 20의 광원 모듈의 D-D측 단면도이다.
도 23은 도 217 및 도 22의 광원 모듈에서 연성회로기판 및 발광 칩을 나타낸 도면이다.
도 24는 제5실시 예에 따른 광원 모듈을 나타낸 평면도이다.
도 25는 도 24의 광원 모듈의 부분 측 단면도이다.
도 26은 도 25의 광원 모듈의 다른 예를 나타낸 측 단면도이다.
도 27은 제6실시 예에 따른 광원 모듈의 측 단면도이다.
도 28은 실시 예와 비교 예의 동일 사이즈에 의한 해상도를 비교한 도면이다.
도 29는 실시 예와 비교 예의 동일 개수의 광원에 의한 사이즈를 비교한 도면이다.
1 is a view schematically showing a conventional room mirror.
2 is a side view showing a structure of a mirror having a display function according to an embodiment of the present invention.
3 and 4 are views showing a schematic structure of a mirror unit according to an embodiment of the present invention.
5 is a plan view showing a light source module according to the first embodiment.
6 is a cross-sectional view of the light source module of Fig. 1 on the AA side.
7 is a sectional view of the light source module of Fig. 1 on the BB side.
FIG. 8 is a detailed view of a substrate in the light source module of FIG. 2. FIG.
9 is a view showing an example of a light emitting chip of the light source module of FIG.
10A and 10B are views showing patterns of the first and second wiring layers of the substrate of FIG.
11 is a view for explaining the bending direction of the FPCB according to the first embodiment.
FIG. 12A is a diagram showing an example of information display before bending the light source module according to the embodiment, and FIG. 12B is a view showing an example of information display after bending. FIG.
13 is a view showing a bending state of the light source module according to the embodiment.
14 is a view showing another example of the light source module of FIG.
15 is a plan view showing a light source module according to the second embodiment.
16 is a side sectional view of the light source module of Fig.
17 is a diagram showing a circuit pattern of the first wiring layer of the substrate of the light source module of Fig.
18 is a plan view showing a light source module according to the third embodiment.
19 is a side sectional view of the light source module of Fig.
20 is a plan view showing a light source module according to a fourth embodiment.
21 is a CC side sectional view of the light source module of Fig.
22 is a DD side sectional view of the light source module of Fig.
23 is a view showing a flexible circuit board and a light emitting chip in the light source module of Figs. 217 and 22. Fig.
24 is a plan view showing a light source module according to the fifth embodiment.
25 is a partial side sectional view of the light source module of Fig.
26 is a side sectional view showing another example of the light source module of Fig.
27 is a side sectional view of the light source module according to the sixth embodiment.
28 is a diagram comparing resolutions according to the same size of the embodiment and the comparative example.
Fig. 29 is a diagram comparing the sizes of the light sources of the embodiment and the comparative example by the same number. Fig.

이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명을 용이하게 실시할 수 있는 바람직한 실시예를 상세히 설명한다. 다만 본 명세서에 기재된 실시예와 도면에 도시된 구성은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 불과할 뿐이고, 본 출원시점에 있어서 이들을 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형 예들이 있을 수 있음을 이해하여야 한다. 또한, 본 발명의 바람직한 실시예에 대한 동작 원리를 상세하게 설명함에 있어 관련된 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략한다. 후술되는 용어들은 본 발명에서의 기능을 고려하여 정의된 용어들로서, 각 용어의 의미는 본 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 해석되어야 할 것이다. 도면 전체에 걸쳐 유사한 기능 및 작용을 하는 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 사용한다.DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. It should be understood, however, that the embodiments described herein and the configurations shown in the drawings are only a preferred embodiment of the present invention, and that various equivalents and modifications may be made thereto at the time of the present application. DETAILED DESCRIPTION OF EXEMPLARY EMBODIMENTS Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the following description, well-known functions or constructions are not described in detail to avoid obscuring the subject matter of the present invention. The following terms are defined in consideration of the functions of the present invention, and the meaning of each term should be interpreted based on the contents throughout this specification. The same reference numerals are used for portions having similar functions and functions throughout the drawings.

실시 예의 설명에 있어서, 각 기판, 프레임, 시트, 층 또는 패턴 등이 각 기판, 프레임, 시트, 층 또는 패턴 등의 "상(on)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상(on)"과 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 구성요소를 개재하여 간접(indirectly)적으로" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 구성요소의 상 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다. In the description of the embodiments, it is described that each substrate, frame, sheet, layer or pattern is formed "on" or "under" each substrate, frame, sheet, In this case, "on" and "under " all include being formed either directly or indirectly through another element. In addition, the upper or lower reference of each component is described with reference to the drawings.

이하에서는, 디스플레이 기능을 가지는 미러에 대해 설명하기로 한다.Hereinafter, a mirror having a display function will be described.

도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 디스플레이 기능을 가지는 미러의 구조를 도시한 측면도이다.2 is a side view showing a structure of a mirror having a display function according to an embodiment of the present invention.

도 2를 참조하면, 실시 예에 따른 디스플레이 기능을 가지는 미러는, 차량에 배치되어, 차량 후방 상황을 감지하는 거울부(200)와, 상기 거울부(200)의 배면의 적어도 일부에 형성되는 광원 모듈(100)을 포함하여 이루어질 수 있다.2, a mirror having a display function according to an embodiment of the present invention includes a mirror 200 disposed in a vehicle and sensing a rearward state of the vehicle, a light source 200 disposed on at least a part of a rear surface of the mirror 200, Module 100 may be included.

거울부(200)는 차량에 구비되어 운전자가 후방 시야를 확보하기 위해 장착되는 거울이다.The mirror unit 200 is a mirror mounted on a vehicle to mount the mirror unit 200 in order to secure a rear view.

여기에서, 상기 거울부(200)는 차량 외부에 구비되는 사이드 미러일 수 있으며, 이와 다르게 차량 내부에 구비되는 룸미러일 수도 있다. 이하에서는, 상기 거울부(200)가 차량 내부에 배치되는 룸미인 것으로 가정하여 설명하기로 한다.Here, the mirror unit 200 may be a side mirror provided outside the vehicle, or may be a room mirror provided inside the vehicle. Hereinafter, it is assumed that the mirror unit 200 is a room located inside the vehicle.

거울부(200)는 일반적인 거울이나 전면으로 빛의 투과성질과 반사성질을 동시에 구비하는 하프미러로 이루어질 수 있지만, 후방 차량의 헤드라이트에 의한 빛 반사에 의해 운전자가 느낄 수 있는 눈부심 현상을 방지하도록 룸미러(100)의 반사율을 변화시키는 전기변색미러(Electrochromic Mirror : ECM)로 이루어지는 것이 바람직하다.The mirror unit 200 may be a general mirror or a half mirror having both light transmission property and reflection property at the same time, but it can prevent glare that the driver can feel by light reflection by the headlight of the rear vehicle And an electrochromic mirror (ECM) that changes the reflectance of the room mirror 100.

보다 구체적으로, 거울부(200)는 차량의 전방 및 후방의 밝기를 측정하는 포토 다이오드 등의 광량센서에 의해 측정된 빛의 밝기 차이에 따라 전기변색소자의 산화 환원반응을 이용하여 거울부(200)의 반사율을 변환시킨다. More specifically, the mirror unit 200 uses the redox reaction of the electrochromic device according to the brightness difference of the light measured by the light quantity sensor such as a photodiode, which measures the brightness of the front and the rear of the vehicle, ).

이에 의해 후방 차량의 헤드라이트에 의한 운전자의 눈부심을 억제하여 안전운행에 도움이 된다. Accordingly, it is possible to suppress the driver's glare caused by the headlight of the rear vehicle, thereby assisting safe driving.

상기 거울부(200)의 구조에 대해서는 추후 도시되는 도면을 참조하여 상세히 설명하기로 한다.The structure of the mirror unit 200 will be described later in detail with reference to the drawings.

광원 모듈(100)은 상기 거울부(200)의 배면에 배치되어, 상기 거울부(200)의 전(前)면으로 빛을 출력한다.The light source module 100 is disposed on the rear surface of the mirror unit 200 and outputs light to the front surface of the mirror unit 200.

이때, 광원 모듈(100)은 발광 소자 패키지가 아닌 복수의 발광 칩을 기판에 직접 탑제하여 제조된 표시장치이며, 상기 복수의 발광 칩의 개별적인 제어를 차량의 운행과 관련된 다양한 정보를 표시한다.At this time, the light source module 100 is a display device manufactured by directly mounting a plurality of light emitting chips, not the light emitting device package, on the substrate, and displays various information related to the operation of the vehicle with individual control of the plurality of light emitting chips.

즉, 종래의 디스플레이 기능을 가지는 미러는, 거울부의 배면에 LCD 모듈을 배치하는 것으로 구현되었다. 이때, 상기 종래의 미러는 LCD가 거울부 반사층 후면에 위치하므로 LCD가 부착되는 셀의 반사층 쪽은 LCD에서 나오는 밝기가 반사층에 의해 감소되지 않도록 다른 영역에 비해 반사물질의 형성 두께를 얇게 형성하고, 반사층 전체의 반사율을 감소시켜 구현되었다. 그러나, 이러한 경우, 미러의 제조 공정이 복잡해질 뿐 아니라, 미러의 특성이 저하되는 문제점이 존재하였는데, 본 발명은 광원 모듈을 거울부의 배면에 배치하는데 있어, 상기 종래와 같은 반사율 조절이나 두께 변화 등과 같은 별도의 추가적인 디스플레이 공간을 마련하지 않아도 되는 디스플레이 기능을 가지는 미러를 제공한다.That is, the mirror having the conventional display function is implemented by disposing the LCD module on the back of the mirror portion. In this case, since the LCD is located on the rear surface of the mirror reflection layer, the reflection layer of the cell to which the LCD is attached is thinner than the other regions in order to prevent the brightness of the LCD from being reduced by the reflection layer, And the reflectance of the entire reflective layer is reduced. However, in such a case, there is a problem that the manufacturing process of the mirror is complicated and the characteristics of the mirror are deteriorated. However, in disposing the light source module on the back surface of the mirror portion, And a display function that does not require additional additional display space.

이와 같은 디스플레이 공간을 마련하지 않아도 되는 이유는, 상기 차량과 관련된 정보를 상기 광원 모듈(100)에 구비된 발광 칩을 가지고서 적용하기 때문이다.The reason for not providing such a display space is that information relating to the vehicle is applied with the light emitting chip provided in the light source module 100.

도 3 및 도 4는 본 발명의 실시 예에 따른 미러부의 개략적인 구조를 도시한 도면이다.3 and 4 are views showing a schematic structure of a mirror unit according to an embodiment of the present invention.

도 3을 참조하면, 거울부(200)는 전기변색미러(ECM)이다.Referring to FIG. 3, the mirror portion 200 is an electrochromic mirror (ECM).

상기 거울부(200)는 소정 간격을 두고 상호 대향하는 제 1 투명기판(210) 및 제 2 투명기판(220), 상기 제 1 및 제 2 투명기판(210, 220)의 대향하는 면 각각에 형성된 제 1 투명전극(230)과 전도 반사층(240), 상기 제 1 투명전극(230)과 전도 반사층(240) 사이에 형성된 전기변색층(260)을 포함하는 구조로 이루어질 수 있다.The mirror unit 200 includes a first transparent substrate 210 and a second transparent substrate 220 facing each other with a predetermined gap therebetween and a second transparent substrate 210 formed on each of the opposite surfaces of the first and second transparent substrates 210 and 220 A first transparent electrode 230 and a conductive reflective layer 240 and an electrochromic layer 260 formed between the first transparent electrode 230 and the conductive reflective layer 240.

상기 거울부(200)는 전기화학적 산화 환원 반응에 의해서 재료의 광특성이 가역적으로 변할 수 있는 전기변색물질을 이용하는 것으로 외부에서 전기적 신호가 인가되지 않는 경우에는 색을 띠지 않고 있다가 전기적 신호가 인가되면 색을 띠게 됨으로써 미러의 반사도를 조절하게 된다.The mirror unit 200 uses an electrochromic material that can reversibly change the optical characteristics of the material by an electrochemical oxidation-reduction reaction. When the electric signal is not applied from the outside, the mirror unit 200 is not colored, The color of the mirror is adjusted to control the reflectivity of the mirror.

제 1 및 제 2 투명기판(210, 220)은 유리기판인 것이 바람직하지만, 반드시 이에 한정되는 것이 아니라 실리콘, 합성수지, 에어로젤 등과 같이 투명성 재질로 이루어질 수 있다.The first and second transparent substrates 210 and 220 are preferably glass substrates. However, the first and second transparent substrates 210 and 220 may be made of a transparent material such as silicon, synthetic resin, airgel or the like.

제 1 투명전극(230)은 제 1 투명기판(210) 상에 증착되며, ITO(Indium Tin Oxide), FTO(Fluor doped Tin Oxide), AZO(Aluminium doped Zinc Oxide), GZO(Galium doped Zinc Oxide), ATO(Antimony doped Tin Oxide), IZO(Indium doped Zinc Oxide), NTO(Niobium doped Titanium Oxide), ZnO 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나일 수 있지만, 이는 하나의 예시로서 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.The first transparent electrode 230 is deposited on the first transparent substrate 210 and is formed of ITO (Indium Tin Oxide), FTO (Fluoropod Tin Oxide), AZO (Aluminum Doped Zinc Oxide), GZO (Galium doped Zinc Oxide) , Antimony doped tin oxide (ATO), indium doped zinc oxide (IZO), niobium doped titanium oxide (NTO), ZnO, and combinations thereof. However, the present invention is not limited thereto It is not.

전도 반사층(240)은 제 2 투명기재(220) 상에 형성되며, 전기변색층(260)을 통과하여 입사한 빛을 반사하는 반사판으로서의 역할과 상기 제 1 투명전극(230)의 상대전극 역할을 하게 되며, 상기 전도 반사층(240)은 Cu, Au, Ag, Ni, Al, Cr, Ru, Re, Pb, Sn, In, Zn을 포함하는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 금속 또는 이들 금속을 포함하는 합금으로 이루어질 수 있지만, 이는 하나의 예시일 뿐 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. 또한, 도면에는 도시하지 않았지만, 상기 전도 반사층(240)은 제 2 투명전극과 반사층의 두개의 층으로도 이루어질 수 있다. The conductive reflective layer 240 is formed on the second transparent substrate 220 and serves as a reflective plate for reflecting light incident through the electrochromic layer 260 and serves as a counter electrode of the first transparent electrode 230 And the conductive reflection layer 240 includes at least one kind of metal selected from the group consisting of Cu, Au, Ag, Ni, Al, Cr, Ru, Re, Pb, Sn, However, the present invention is not limited thereto. Also, although not shown in the drawing, the conductive reflection layer 240 may be formed of two layers of a second transparent electrode and a reflective layer.

즉, 제 1 투명전극의 상대전극으로서의 역할을 하는 제 2 투명전극과 입사된 빛을 반사키시는 반사판 역할을 수행하는 반사층으로 이루어질 수 있다. That is, the second transparent electrode serving as a counter electrode of the first transparent electrode and the reflective layer serving as a reflector reflecting the incident light may be formed.

이때, 제 2 투명전극은 ITO(Indium Tin Oxide), FTO(Fluor doped Tin Oxide), AZO(Aluminium doped Zinc Oxide), GZO(Galium doped Zinc Oxide), ATO(Antimony doped Tin Oxide), IZO(Indium doped Zinc Oxide), NTO(Niobium doped Titanium Oxide), ZnO 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나로 이루어질 수 있다.In this case, the second transparent electrode may be formed of indium tin oxide (ITO), fluoride doped tin oxide (FTO), aluminum doped zinc oxide (AZO), gallium doped zinc oxide (GZO), antimony doped tin oxide (ATO) Zinc Oxide, NTO (Niobium-doped Titanium Oxide), ZnO, and combinations thereof.

또한, 상기 반사층은 Cu, Au, Ag, Ni, Al, Cr, Ru, Re, Pb, Sn, In, Zn을 포함하는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 금속 또는 이들 금속을 포함하는 합금으로 이루어질 수 있다.The reflective layer may be made of at least one metal selected from the group consisting of Cu, Au, Ag, Ni, Al, Cr, Ru, Re, Pb, Sn, In and Zn, have.

전기변색층(260)은 액상 또는 고상의 전기변색물질과 전해질로 이루어지며, 상기 제 1 투명전극(230)과 전도 반사층(240) 사이에 형성되어 제 1 투명전극(230)과 전도 반사층(240)에서 인가된 전기를 전달받아 산화반응 또는 환원반응을 통해 착색 또는 소색한다. The electrochromic layer 260 is formed of a liquid or solid electrochromic material and an electrolyte and is formed between the first transparent electrode 230 and the conductive reflective layer 240 to form the first transparent electrode 230 and the conductive reflective layer 240 ), And receives coloration or discoloration through an oxidation reaction or a reduction reaction.

상기 전기변색층(260)은 전기변색물질과 전해질을 제 1 투명전극(230)과 전도 반사층(240) 사이에 주입하여 진공 합착 방식으로 형성할 수 있다. 전기변색물질은 유기계 또는 무기계 전기변색물질일 수 있는데, 유기계 전기변색물질로는 비올로겐, 안트라퀴논, 폴리아닐린 또는 폴리싸이오펜으로 이루어질 수 있으며, 무기계 전기변색물질로는 WO3, MoO3, CeO3, MnO2, 또는 Nb2O5 일 수 있다.The electrochromic layer 260 may be formed by injecting an electrochromic material and an electrolyte between the first transparent electrode 230 and the conductive reflective layer 240 to form a vacuum lacquer. The electrochromic material may be an organic or inorganic electrochromic material. Examples of the organic electrochromic material may include viologen, anthraquinone, polyaniline, or polythiophene. Examples of the inorganic electrochromic material include WO3, MoO3, CeO3, MnO2 , Or Nb2O5.

이때, 전기변색물질이 고상일 경우, 상기 전기변색층(260)은 전해질층(262)과 상기 전해질층(262)의 일면 또는 양면에 형성된 전기변색코팅층(261)을 포함하여 이루어질 수 있다. When the electrochromic material is a solid phase, the electrochromic layer 260 may include an electrolyte layer 262 and an electrochromic coating layer 261 formed on one or both surfaces of the electrolyte layer 262.

즉, 도 3에서와 같이 전기변색코팅층(261)은 전해질층(262)의 양면에 형성될 수도 있고, 도면에는 도시하지 않았지만 전해질층(262)과 제 1 투명전극(230) 사이에만 형성될 수 있을 뿐 아니라 전해질층(262)과 전도 반사층(240) 사이에만 형성될 수도 있다. 또한, 전기 변색코팅층(261)의 두께가 100nm미만인 경우에는 전기변색물질의 고유 기능을 발휘하기 힘들며, 700nm 초과인 경우에는 균열이 생기는 등의 내구성 문제가 발생하므로 상기 전기변색코팅층(261)의 두께는 100nm 내지 700nm의 범위에서 형성됨이 바람직하지만 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.3, the electrochromic coating layer 261 may be formed on both sides of the electrolyte layer 262 and may be formed only between the electrolyte layer 262 and the first transparent electrode 230 And may be formed only between the electrolyte layer 262 and the conductive reflection layer 240. If the thickness of the electrochromic coating layer 261 is less than 100 nm, the electrochromic coating layer 261 is difficult to exhibit its inherent function. When the thickness of the electrochromic coating layer 261 is more than 700 nm, a problem of durability such as cracking occurs. Is preferably formed in the range of 100 nm to 700 nm, but is not limited thereto.

전기변색물질이 액상형태인 경우 균일한 변색이 이루어지지 않고, 변색상태를 유지하기 위해 계속적으로 전압을 인가해야 하므로 전력소모가 컸지만, 상술한 바와 같이 고상 형태의 전기변색코팅층(161)을 형성하게 되면, 균일한 변색, 소색이 가능해지고, 전기변색물질은 메모리 효과가 있어 변색, 소색시에만 전압을 걸어 주기 때문에 전력소모가 적게 되며, 소색시 역전압을 걸어주기 때문에 소색 반응 속도가 빠를 뿐 아니라, 코팅공법을 적용하는 전기변색물질은 무기계 또는 유기 고분자이므로 소자의 내구성이 향상될 수 있다.When the electrochromic material is in the form of a liquid, the electrochromic coating layer 161 is formed in a solid state as described above although the uniform coloring is not performed and the voltage is continuously applied in order to maintain the discolored state. , The electrochromic material has a memory effect and the voltage is applied only at the time of discoloration and coloring so that the power consumption is reduced and the decoloring reaction speed is fast However, since the electrochromic material to which the coating method is applied is an inorganic or organic polymer, the durability of the device can be improved.

이와 같이 빛의 밝기에 따라 전기변색소자의 산화 환원반응을 이용함으로써 거울부(200)의 반사율을 변화시킴으로써 운전자의 눈부심을 억제할 수 있게 된다.As described above, by using the redox reaction of the electrochromic device according to the brightness of light, the reflectance of the mirror unit 200 is changed, thereby suppressing the driver's glare.

이하에서는, 상기와 같은 거울부(200)의 후면에 배치되는 광원 모듈(100)에 대해 설명하기로 한다.Hereinafter, the light source module 100 disposed on the rear surface of the mirror unit 200 will be described.

도 5는 본 발명의 일 실시 예에 따른 광원 모듈을 보여주는 평면도이며, 도 6은 도 5의 광원 모듈의 A-A측 단면도이고, 도 7은 도 5의 광원 모듈의 B-B측 단면도이다.FIG. 5 is a plan view showing a light source module according to an embodiment of the present invention, FIG. 6 is a sectional view taken on the A-A side of the light source module of FIG. 5, and FIG. 7 is a sectional view taken on the B-B side of the light source module of FIG.

도 5 내지 도 7을 참조하면, 광원 모듈(100)은 연성회로기판(10); 상기 연성회로기판(10) 상의 발광 영역 둘레에 배치된 반사부재(20); 상기 반사 부재(20) 내에 배치된 복수의 발광 칩(30); 및 상기 반사 부재(20) 내에서 상기 복수의 발광 칩(30)을 덮는 몰드 부재(40)를 포함한다.5 to 7, the light source module 100 includes a flexible circuit board 10; A reflective member (20) disposed around the light emitting region on the flexible circuit board (10); A plurality of light emitting chips (30) arranged in the reflective member (20); And a mold member (40) covering the plurality of light emitting chips (30) in the reflective member (20).

상기 연성회로기판(10)에는 복수의 발광 칩(30)이 탑재된다. 상기 복수의 발광 칩(30)은 매트릭스 구조로 배열될 수 있다. 상기 발광 칩(30)은 예컨대 제1방향(X)으로 배열된 복수의 제1어레이(Array)(131) 및 상기 제1방향(X)과 다른 제2방향(Y)으로 배열된 복수의 제2어레이(133)를 포함할 수 있다. 상기 제1방향(X)과 제2방향(Y)는 서로 직교하는 방향을 포함한다.A plurality of light emitting chips 30 are mounted on the flexible circuit board 10. The plurality of light emitting chips 30 may be arranged in a matrix structure. The light emitting chip 30 includes a plurality of first arrays 131 arranged in a first direction X and a plurality of first arrays 131 arranged in a second direction Y different from the first direction X, 2 < / RTI > The first direction X and the second direction Y include directions orthogonal to each other.

상기 제1어레이(131)는 복수개가 행 또는 가로 방향으로 각각 배치되며, 제2어레이(133)는 복수개가 열 또는 세로 방향으로 각각 배치된다. 상기 제2어레이(133)의 수는 상기 제1어레이(131)의 수보다 1.5배 이상 예컨대, 2배 이상 많을 수 있다. 상기 발광 칩(30)이 배열된 발광 영역은 제1방향(X)의 길이(X1)가 제2방향(Y)의 길이(Y1)의 1.5배 이상 예컨대, 2배 이상 길게 배치될 수 있다. 상기 제1어레이(131)에 배열된 발광 칩(30)의 개수는 상기 제2어레이(133)에 배열된 발광 칩(30)의 개수보다 많게 배치된다. 예컨대, 상기 제1어레이(131)에 배열된 발광 칩(30)의 개수는 상기 제2어레이(133)에 배열된 발광 칩(30)의 개수보다 1.5배 이상 예컨대, 2배 이상 많게 배열될 수 있다. 실시 예는 연성회로기판(10)의 발광 영역의 제1방향(X)의 길이(X1)를 제2방향(Y)의 길이(Y1)보다 길게 함으로써, 상기 연성회로기판(10)을 제1방향(X)에 대해 효과적으로 구부려 사용할 수 있다.A plurality of the first arrays 131 are arranged in a row or a horizontal direction, respectively, and a plurality of the second arrays 133 are arranged in a column or a longitudinal direction. The number of the second arrays 133 may be 1.5 times or more, for example, 2 times or more than the number of the first arrays 131. The light emitting area in which the light emitting chip 30 is arranged may be arranged such that the length X1 of the first direction X is 1.5 times or more of the length Y1 of the second direction Y, for example, 2 times or more. The number of the light emitting chips 30 arranged in the first array 131 is larger than the number of the light emitting chips 30 arranged in the second array 133. For example, the number of the light emitting chips 30 arranged in the first array 131 may be 1.5 times or more, for example, two times or more than the number of the light emitting chips 30 arranged in the second array 133 have. The flexible circuit board 10 can be manufactured by forming the flexible circuit board 10 in the first direction X by making the length X1 in the first direction X of the light emitting area of the flexible circuit board 10 longer than the length Y1 in the second direction Y, It can be bent and used effectively against the direction (X).

상기 발광 칩(30)은 도 5와 같이, 상부의 제1전극(301) 및 하부의 제2전극(302)을 포함한다. 상기 각 발광 칩(30)의 제2전극(302)은 도 6 및 도 7과 같이, 본딩 부재(34)에 의해 연성회로기판(10)의 제1패드(11)에 연결된다. 상기 제1어레이(131)를 따라 배열된 발광 칩(30) 중 적어도 2개는 상기 연성회로기판(10)의 제1패드(11)에 의해 서로 연결될 수 있다. 상기 제1전극(301)은 연결 부재(32)에 의해 제2패드(12)에 각각 연결된다. 상기 제1어레이(133)를 따라 배열된 발광 칩(30)들은 제2패드(12)에 의해 서로 전기적으로 분리된다. 상기 연결 부재(32)는 전도성 와이어를 포함한다.The light emitting chip 30 includes an upper first electrode 301 and a lower second electrode 302, as shown in FIG. The second electrode 302 of each light emitting chip 30 is connected to the first pad 11 of the flexible circuit board 10 by the bonding member 34 as shown in FIGS. At least two of the light emitting chips 30 arranged along the first array 131 may be connected to each other by the first pad 11 of the flexible circuit board 10. The first electrodes 301 are connected to the second pads 12 by connecting members 32, respectively. The light emitting chips 30 arranged along the first array 133 are electrically separated from each other by the second pad 12. The connecting member 32 includes a conductive wire.

상기 각 발광 칩(30)의 가로 및 세로 길이(E1, E2)는 서로 동일하거나 다를 수 있으며, 상기 가로 및 세로 길이(E1,E2) 중 적어도 하나는 500㎛ 이하 예컨대, 300㎛ 이하일 수 있다. The lateral lengths E1 and E2 of the light emitting chips 30 may be the same or different from each other. At least one of the lateral lengths E1 and E2 may be 500 탆 or less, for example, 300 탆 or less.

도 5 및 도 6을 참조하면, 제2어레이(133)의 발광 칩(30) 사이의 영역(R2)에는 연결 부재(32)인 와이어가 배치된다. 따라서, 연성회로기판(10)을 제2방향(Y)에 대해 벤딩될 때, 발생되는 제2응력은 발광 칩(30) 및 연결 부재(32)에 의해 더 크게 작용하게 된다. 즉, 발광 칩(30)의 일 측면과 연결 부재(32)의 타단 사이의 거리(D5)에 의해 제2응력이 증가될 수 있다.5 and 6, a wire as the connecting member 32 is disposed in a region R2 between the light emitting chips 30 of the second array 133. [ Therefore, when the flexible circuit board 10 is bent in the second direction Y, the second stress generated is made larger by the light emitting chip 30 and the connecting member 32. That is, the second stress can be increased by the distance D5 between one side of the light emitting chip 30 and the other end of the connecting member 32. [

그리고, 도 5 및 도 7과 같이, 제1어레이(131)의 발광 칩(30) 사이의 영역(R1)에는 도 6과 같은 연결 부재(32)가 배치되지 않게 되므로, 상기 연성회로기판(10)이 제1방향(X)에 대해 벤딩될 때 발생되는 제1응력은 상기 제2응력보다 작을 수 있다. 또한 상기 연결 부재(32)는 상기 제2방향으로 발광 칩(30)과 오버랩되도록 연장됨으로써, 상기 제2응력은 제2방향(Y)에 대해 더 크게 작용할 수 있으나, 제1방향(X)에 대해서는 하나의 라인 형태의 응력으로 작용할 수 있다. 이에 따라 상기 연성회로기판(10)은 제1방향(X)으로부터 용이하게 벤딩될 수 있다. 실시 예의 연성회로기판(10)은 제1방향의 길이가 제2방향의 길이보다 1.5배 이상 예컨대, 2배 이상 길게 하여, 제1방향에 대한 벤딩 시의 응력을 줄여줄 수 있다.As shown in FIGS. 5 and 7, since the connection member 32 as shown in FIG. 6 is not disposed in the area R1 between the light emitting chips 30 of the first array 131, ) Is bent with respect to the first direction (X), the first stress generated may be smaller than the second stress. The connection member 32 may extend in the second direction so as to overlap with the light emitting chip 30 so that the second stress may act more largely with respect to the second direction Y. In the first direction X, Can act as one line of stress. Accordingly, the flexible circuit board 10 can be easily bent from the first direction X. The length of the flexible circuit board 10 of the embodiment may be 1.5 times or more, for example, 2 times longer than the length of the second direction, so that the stress at the time of bending in the first direction can be reduced.

도 6 및 도 7과 같이, 상기 제2어레이(133)에서의 발광 칩(30) 간의 간격(D4) 및 주기(D3)는 제1어레이(131)에서의 발광 칩(30) 간의 간격(D2) 및 주기(D1)보다 크거나 같을 수 있다. 상기 간격(D2,D4) 중 적어도 하나는 상기 발광 칩(30)의 가로 및 세로 길이 중 적어도 하나보다는 크게 형성될 수 있으며, 예컨대 0.3mm 내지 0.7mm 범위를 포함한다. 이러한 간격(D2,D4)는 발광 칩(30)의 크기에 따라 달라질 수 있다.6 and 7, the interval D4 and the interval D3 between the light emitting chips 30 in the second array 133 are set so that the interval D2 between the light emitting chips 30 in the first array 131 ) And the period D1. At least one of the intervals D2 and D4 may be formed to be larger than at least one of the horizontal and vertical lengths of the light emitting chip 30, for example, in the range of 0.3 mm to 0.7 mm. The intervals D2 and D4 may vary depending on the size of the light emitting chip 30.

상기 연성회로기판(10)은 도 8와 같이, 절연 필름(111), 제1배선층(112), 제2배선층(114), 제1커버레이(118), 및 제2커버레이(119)를 포함하며, 상기 절연 필름(111)은 폴리이미드(Polyimide) 필름을 포함하거나, 폴리에스테르(polyester), 폴리에틸렌(polyethylene) 등 다양한 절연 필름을 사용될 수 있다. 상기 절연 필름(111)은 70㎛ 이하 예컨대, 10㎛ 내지 40㎛ 범위의 두께로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 절연 필름(111)의 두께가 상기의 범위를 초과하면 벤딩에 어려움이 있고, 상기 범위 미만이면 벤딩 후의 탄성이 작아지는 문제가 있다. 8, the flexible circuit board 10 includes an insulating film 111, a first wiring layer 112, a second wiring layer 114, a first coverlay 118, and a second coverlay 119 The insulating film 111 may include a polyimide film, or may be a variety of insulating films such as a polyester film and a polyethylene film. The insulating film 111 may be formed to a thickness of 70 탆 or less, for example, 10 탆 to 40 탆, but is not limited thereto. If the thickness of the insulating film 111 exceeds the above range, bending is difficult. If the thickness is less than the above range, there is a problem that the elasticity after bending becomes small.

상기 제1배선층(112)은 상기 절연 필름(111)의 상면에 부착되며, 제2배선층(114)은 상기 절연 필름(111)의 하면에 부착된다. 상기 제1 및 제2배선층(112,114)이 부착되면, 식각을 통해 원하는 패턴을 형성할 수 있다. 상기 제2배선층(114)은 생략될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. The first wiring layer 112 is attached to the upper surface of the insulating film 111 and the second wiring layer 114 is attached to the lower surface of the insulating film 111. When the first and second wiring layers 112 and 114 are attached, a desired pattern can be formed through etching. The second wiring layer 114 may be omitted, but the present invention is not limited thereto.

상기 제1 및 제2배선층(112,114)은 접착제(116)의 의해 부착될 수 있으나, 상기 제1 및 제2배선층(112,114)에 고분자 수지를 도포한 후 경화시켜 절연 필름(111)과 일체로 제조할 수 있다. 상기 제1커버레이(cover lay)(118)는 상기 제1배선층(112) 상에 접착제(116)로 접착되고 상기 제1배선층(118)을 보호하게 된다. 상기 제1커버레이(118)에는 오픈 영역(135,137)을 구비하며, 상기 오픈 영역(135,137)에는 상기 제1배선층(112)의 제1 및 제2패드(11,12)가 노출될 수 있다. 상기 제1패드(11)는 발광 칩의 하면 면적과 대응되는 면적으로 노출될 수 있다.The first and second wiring layers 112 and 114 may be adhered to each other by an adhesive 116. The first and second wiring layers 112 and 114 may be formed by applying a polymer resin to the first and second wiring layers 112 and 114, can do. The first cover layer 118 is bonded to the first wiring layer 112 with an adhesive 116 to protect the first wiring layer 118. The first cover layer 118 has open regions 135 and 137 and the first and second pads 11 and 12 of the first wiring layer 112 may be exposed to the open regions 135 and 137. The first pad 11 may be exposed in an area corresponding to a bottom area of the light emitting chip.

상기 제2커버레이(119)는 접착제(117)로 접착되어 상기 제2배선층(114)을 보호하게 된다. 상기 제1 및 제2커버레이(118,119)는 투명 필름 또는 솔더 레지스트와 같은 재질로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. The second cover layer 119 is adhered with an adhesive 117 to protect the second wiring layer 114. The first and second coverlayers 118 and 119 may be formed of a material such as a transparent film or a solder resist, but the present invention is not limited thereto.

도 10의 (A)를 참조하면, 제1배선층(112)의 패턴을 보면, 제1연결 패턴(113)은 인접한 제1패드(11) 간에 연결되며, 상기 제1연결 패턴(113)은 제1비아(113A)를 통해 제2배선층(114)과 연결될 수 있다. 상기 제2패드(12)는 제1패드(11)과 이격되며, 제2연결 패턴(115)에 의해 연장되고, 제2비아(115A)를 통해 제2배선층(114)과 연결될 수 있다. 상기 제1배선층(112)은 제1패드(11) 및 제1연결 패턴(113)에 의해 제1어레이 각각의 발광 칩을 서로 연결시켜 줄 수 있다. 즉, 상기 제2어레이 각각의 발광 칩 중 적어도 2개는 상기 제1배선층(112)의 제1연결 패턴(113)에 의해 서로 연결될 수 있다. 제2어레이 각각의 발광 칩은 제2패드(12) 및 제2연결 패턴(115)에 의해 서로 병렬로 연결될 수 있다. Referring to FIG. 10 (A), in the pattern of the first wiring layer 112, the first connection pattern 113 is connected between adjacent first pads 11, 1 via the first via 113A. The second pad 12 may be spaced apart from the first pad 11 and extended by the second connection pattern 115 and may be connected to the second wiring layer 114 through the second via 115A. The first wiring layer 112 may connect the light emitting chips of the first array to each other by the first pad 11 and the first connection pattern 113. That is, at least two light emitting chips of each of the second arrays may be connected to each other by the first connection pattern 113 of the first wiring layer 112. The light emitting chips of each second array may be connected to each other in parallel by the second pad 12 and the second connection pattern 115.

도 10의 (B)를 참조하면, 제2배선층(114)은 제3 및 제4연결 패턴(114A,114B)을 구비하며, 제3 및 제4 연결 패턴(114A,114B)에는 제1배선층(112)과 선택적으로 연결된 제3비아(114C)들이 구비한다. 이러한 연성회로기판(10)의 제1 및 제2배선층(112,114)은 복수의 발광 칩(30)을 선택적으로 연결해 줄 수 있다. 제어부(미도시)는 연성회로기판(10)의 제1 및 제2배선층(112,114)을 통해 개별 발광 칩(30)을 선택적으로 온, 오프할 수 있다.Referring to FIG. 10B, the second wiring layer 114 includes third and fourth connection patterns 114A and 114B, and the third and fourth connection patterns 114A and 114B include a first wiring layer 112 and a third via 114C that is selectively connected to the third via 114C. The first and second wiring layers 112 and 114 of the flexible circuit board 10 can selectively connect the plurality of light emitting chips 30. The control unit (not shown) can selectively turn on and off the individual light emitting chips 30 through the first and second wiring layers 112 and 114 of the flexible circuit board 10.

한편, 도 5 내지 도 7과 같이, 상기 연성회로기판(10)의 상면 외측 둘레에는 반사 부재(20)가 배치된다. 상기 반사 부재(20)는 연속적으로 연결된 프레임 형상으로 형성될 수 있다. 상기 반사 부재(20)는 상기 발광 칩(30)의 둘레에서 상기 발광 칩(30)으로부터 방출된 광을 반사시켜 줄 수 있다. 상기 반사 부재(20)는 실리콘 또는 에폭시와 같은 재질을 포함하거나, 솔더 레지스트와 같은 재질 또는 마스크 재질을 포함할 수 있다. 상기 반사 부재(20)는 백색 또는 흑색일 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.5 to 7, a reflective member 20 is disposed on the outer circumference of the upper surface of the flexible circuit board 10. The reflective member 20 may be formed as a continuously connected frame. The reflective member 20 may reflect the light emitted from the light emitting chip 30 around the light emitting chip 30. The reflective member 20 may include a material such as silicon or epoxy, or may include a material such as solder resist or a mask material. The reflective member 20 may be white or black, but is not limited thereto.

상기 반사 부재(20)는 상기 몰드 부재(40)의 둘레에 배치된다. 상기 반사 부재(20)는 몰드 부재(40)가 넘치는 것을 방지하는 댐(dam) 역할을 할 수 있다.The reflective member 20 is disposed around the mold member 40. The reflective member 20 may serve as a dam to prevent the mold member 40 from overflowing.

상기 몰드 부재(40)는 소프트 몰드 재질로 형성될 수 있으며, 예컨대 소프트 실리콘 재질로 형성될 수 있다. 상기 몰드 부재(40)는 상기 연성회로기판(10)이 소정의 곡률로 벤딩될 때, 팽창하게 되고, 상기 연성회로 기판(10)이 복원될 때 복원될 수 있다. 여기서, 상기 몰드 부재(40)는 상기 발광 칩(30)과 더블어 연결 부재(32) 상에 몰딩됨으로써, 상기 제2어레이(133)에서의 제2응력을 더 증가시켜 주게 된다. 이에 따라 제1어레이(131)의 배열 방향에 대해서는 벤딩 및 복원을 용이하게 해 줄 수 있다. The mold member 40 may be formed of a soft mold material, for example, a soft silicone material. The mold member 40 is expanded when the flexible circuit board 10 is bent at a predetermined curvature and can be restored when the flexible circuit board 10 is restored. The mold member 40 is molded on the connection member 32 together with the light emitting chip 30 to further increase the second stress in the second array 133. Accordingly, bending and restoration of the array direction of the first array 131 can be facilitated.

상기 몰드 부재(40)는 투광성 재질을 포함한다. 상기 투광성 재질은 상기 발광 칩(30)으로부터 방출된 광을 발광하게 된다. 상기 몰드 부재(40)는 형광체를 포함할 수 있다. 상기 형광체는 상기 발광 칩(30)으로부터 방출된 일부 광을 변환하게 된다. 상기 발광 칩(30)은 자외선, 청색, 적색, 녹색 및 백색의 광 중 적어도 하나를 발광할 수 있다. 상기 형광체는 적색, 황색, 녹색, 청색 형광체 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 다른 예로서, 각 발광 칩(30) 상에 개별 형광체층을 배치하여, 발광 칩(30)으로부터 방출된 광을 파장 변환하게 할 수 있으며, 이 경우 상기 몰드 부재(40)는 형성하지 않거나 형광체가 없는 클린(clean) 몰딩 재료로 제공될 수 있다.The mold member 40 includes a light-transmitting material. The light-transmitting material emits light emitted from the light-emitting chip 30. The mold member 40 may include a phosphor. The phosphor converts a part of light emitted from the light emitting chip 30. The light emitting chip 30 may emit at least one of ultraviolet light, blue light, red light, green light, and white light. The phosphor may include at least one of red, yellow, green, and blue phosphors. As another example, an individual phosphor layer may be disposed on each light emitting chip 30 to convert the wavelength of the light emitted from the light emitting chip 30. In this case, the mold member 40 may not be formed, Can be provided with no clean molding material.

도 9는 실시 예에 따른 발광 칩(30)의 일 예를 나타낸 도면이다.9 is a view showing an example of the light emitting chip 30 according to the embodiment.

도 9를 참조하면, 발광 칩(30)은 제1전극(301), 발광 구조물(310); 상기 발광 구조물(310) 아래에 제2전극(302), 상기 발광 구조물(310)의 하면 둘레에 보호층(323)을 포함한다.Referring to FIG. 9, the light emitting chip 30 includes a first electrode 301, a light emitting structure 310; A second electrode 302 under the light emitting structure 310 and a protective layer 323 around the bottom surface of the light emitting structure 310.

상기 발광 구조물(310)은 제1도전형 반도체층(313), 활성층(314) 및 제2도전형 반도체층(315)을 포함한다. 상기 제1도전형 반도체층(313)은 제1도전형 도펀트가 도핑된 III족-V족 화합물 반도체로 구현되며, 상기 제1도전형 반도체층(313)은 InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 포함한다. 상기 제1도전형 반도체층(313)은 예컨대, GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP와 같은 화합물 반도체 중 적어도 하나를 포함하는 층들의 적층 구조를 포함할 수 있다. 상기 제1도전형 반도체층(313)은 n형 반도체층이며, 상기 제1도전형 도펀트는 n형 도펀트로서, Si, Ge, Sn, Se, 또는 Te를 포함한다. The light emitting structure 310 includes a first conductive semiconductor layer 313, an active layer 314, and a second conductive semiconductor layer 315. The first conductivity type semiconductor layer 313 is formed of a Group III-V compound semiconductor doped with a first conductivity type dopant, and the first conductivity type semiconductor layer 313 is formed of In x Al y Ga 1-xy N (0? X? 1, 0? Y? 1, 0? X + y? 1). The first conductive semiconductor layer 313 may be a stacked structure of layers including at least one of compound semiconductors such as GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, . ≪ / RTI > The first conductive type semiconductor layer 313 is an n-type semiconductor layer, and the first conductive type dopant is an n-type dopant including Si, Ge, Sn, Se, or Te.

상기 활성층(314)은 상기 제1도전형 반도체층(313) 아래에 배치되며, 단일 양자 우물, 다중 양자 우물(MQW), 양자 선(quantum wire) 구조 또는 양자 점(quantum dot) 구조를 선택적으로 포함한다. 상기 활성층(314)은 우물층과 장벽층의 주기를 포함한다. 상기 우물층은 InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 포함하며, 상기 장벽층은 InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 포함할 수 있다. 상기 우물층/장벽층의 주기는 예컨대, InGaN/GaN, GaN/AlGaN, InGaN/AlGaN, InGaN/InGaN, InAlGaN/InAlGaN의 적층 구조를 이용하여 1주기 이상으로 형성될 수 있다. The active layer 314 may be disposed under the first conductive semiconductor layer 313 and may selectively include a single quantum well, a MQW, a quantum wire structure, or a quantum dot structure. . The active layer 314 includes a well layer and a barrier layer period. The well layer comprises a composition formula of In x Al y Ga 1-xy N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x + y≤1), and wherein the barrier layer is In x Al y Ga 1 -xy N (0? x? 1, 0? y? 1, 0? x + y? 1). The period of the well layer / barrier layer may be one or more cycles using a lamination structure of, for example, InGaN / GaN, GaN / AlGaN, InGaN / AlGaN, InGaN / InGaN, and InAlGaN / InAlGaN.

상기 제2도전형 반도체층(315)은 상기 활성층(314) 아래에 배치된다. 상기 제2도전형 반도체층(315)은 제2도전형 도펀트가 도핑된 반도체 예컨대, InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 포함한다. 상기 제2도전형 반도체층(315)은, GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP와 같은 화합물 반도체 중 어느 하나로 이루어질 수 있다. 상기 제2도전형 반도체층(315)이 p형 반도체층이고, 상기 제2도전형 도펀트는 p형 도펀트로서, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba을 포함할 수 있다. The second conductive semiconductor layer 315 is disposed under the active layer 314. The second conductive semiconductor layer 315 may be formed of a semiconductor doped with a second conductive dopant such as In x Al y Ga 1-xy N (0? X? 1, 0? Y? 1, 0? 1). The second conductive semiconductor layer 315 may be formed of any one of compound semiconductors such as GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP and AlGaInP. The second conductivity type semiconductor layer 315 may be a p-type semiconductor layer, and the second conductivity type dopant may include Mg, Zn, Ca, Sr, and Ba as a p-type dopant.

상기 제2도전형 반도체층(315)은 초격자 구조를 포함할 수 있으며, 상기 초격자 구조는 InGaN/GaN 초격자 구조 또는 AlGaN/GaN 초격자 구조를 포함할 수 있다. 상기 제2도전형 반도체층(315)의 초격자 구조는 비 정상적으로 전압에 포함된 전류를 확산시켜 주어, 활성층(314)을 보호할 수 있다.The second conductive semiconductor layer 315 may include a superlattice structure, and the superlattice structure may include an InGaN / GaN superlattice structure or an AlGaN / GaN superlattice structure. The superlattice structure of the second conductivity type semiconductor layer 315 may protect the active layer 314 by diffusing a current contained in the voltage abnormally.

상기 보호층(323)은 발광 구조물(310)의 하면 둘레에 배치된다. 상기 보호층(323)은 제2전극(302)의 일부 금속이 발광 구조물(310)의 층들에 인접하는 것을 차단할 수 있다. 상기 보호층(323)은 금속, 금속 산화물 또는 절연 물질 중에서 선택될 수 있으며, 예컨대 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), IZTO(indium zinc tin oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), AZO(aluminum zinc oxide), ATO(antimony tin oxide), GZO(gallium zinc oxide), SiO2, SiOx, SiOxNy, Si3N4, Al2O3, TiO2 에서 선택적으로 형성될 수 있다. The protective layer 323 is disposed around the lower surface of the light emitting structure 310. The protective layer 323 may block some of the metal of the second electrode 302 from being adjacent to the layers of the light emitting structure 310. The passivation layer 323 may be formed of a metal, a metal oxide, or an insulating material. The passivation layer 323 may be formed of a metal such as ITO (indium tin oxide), IZO (indium zinc oxide), IZTO (indium zinc tin oxide) , IGZO (indium gallium zinc oxide) , IGTO (indium gallium tin oxide), AZO (aluminum zinc oxide), ATO (antimony tin oxide), GZO (gallium zinc oxide), SiO 2, SiO x, SiO x N y, Si 3 N 4 , Al 2 O 3 , and TiO 2 .

상기 제2도전형 반도체층(315) 아래에는 제2전극(302)이 배치되며, 상기 제2전극(302)은 접촉층(321), 반사층(324), 접합층(325) 및 지지부재(327)를 포함한다. 상기 접촉층(321)은 상기 제2도전형 반도체층(315)과 접촉되며, 그 재료는 전도성 재질 예컨대, 금속, 금속 산화물, 또는 금속 질화물 중에서 선택될 수 있다. 상기 접촉층(321)은 예컨대 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), IZTO(indium zinc tin oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), AZO(aluminum zinc oxide), ATO(antimony tin oxide), GZO(gallium zinc oxide), Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf 및 이들의 선택적인 조합으로 구성된 물질 중에서 형성될 수 있다. A second electrode 302 is disposed under the second conductive type semiconductor layer 315 and the second electrode 302 is formed of a contact layer 321, a reflective layer 324, a bonding layer 325, 327). The contact layer 321 is in contact with the second conductive type semiconductor layer 315, and the material thereof may be selected from a conductive material such as a metal, a metal oxide, or a metal nitride. The contact layer 321 may be formed of a metal such as ITO (indium tin oxide), IZO (indium zinc oxide), IZTO (indium zinc tin oxide), IAZO (indium aluminum zinc oxide), IGZO tin oxide (AZO), antimony tin oxide (ATO), gallium zinc oxide (GZO), Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, ≪ / RTI > or combinations thereof.

상기 반사층(324)은 상기 접촉층(321) 및 상기 보호층(323)의 아래에 배치될 수 있다. 상기 반사층(324)은 금속 예컨대, Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf 및 이들의 선택적인 조합으로 구성된 물질로 형성될 수 있다. 상기 반사층(324)은 상기 발광 구조물(310)의 폭보다 넓게 형성될 수 있으며, 이는 광 반사 효율을 개선시켜 줄 수 있다. The reflective layer 324 may be disposed under the contact layer 321 and the protective layer 323. The reflective layer 324 may be formed of a material selected from the group consisting of Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf and combinations thereof. The reflective layer 324 may be formed to be wider than the width of the light emitting structure 310, which may improve the light reflection efficiency.

상기 접합층(325)은 상기 지지부재(327) 및 상기 반사층(324) 사이에 접합된다. The bonding layer 325 is bonded between the support member 327 and the reflective layer 324. [

상기 지지부재(327)는 베이스 기판으로서, 구리(Cu), 금(Au), 니켈(Ni), 몰리브데늄(Mo), 구리-텅스텐(Cu-W)와 같은 금속이거나 캐리어 웨이퍼(예: Si, Ge, GaAs, ZnO, SiC)으로 구현될 수 있다. The support member 327 may be made of a metal such as copper (Cu), gold (Au), nickel (Ni), molybdenum (Mo), copper-tungsten (Cu- Si, Ge, GaAs, ZnO, SiC).

상기 제2전극(302)은 도 6 및 도 7과 같이, 연성회로기판(10)의 제2패드(12)에 본딩 부재(34)로 연결될 수 있다. 상기 제1전극(301)은 발광 구조물(310)에 배치되며, 제1도전형 반도체층(313)과 연결된다. 이러한 제1전극(301)은 도 6 및 도 7과 같이, 연결 부재(32)로 연결된다. The second electrode 302 may be connected to the second pad 12 of the flexible circuit board 10 by a bonding member 34 as shown in FIGS. The first electrode 301 is disposed in the light emitting structure 310 and is connected to the first conductive semiconductor layer 313. The first electrode 301 is connected to the connecting member 32 as shown in FIGS.

도 11을 참조하면, 광원 모듈(100)은 제1방향(X) 방향에 대해 벤딩될 수 있다. 상기 제1어레이(131) 방향에 대해 벤딩된 후, 연성회로기판(10)은 벤딩 반경은 150mm 이하 예컨대, 100mm 이하일 수 있다. 또한 광원 모듈(100)은 도 12의 (A)와 같이, 벤딩 전 발광 칩에 의해 정보를 표시될 수 있으며, (B) 벤딩 후 발광 칩에 의해 정보를 표시할 수 있다. 또한 발광 칩에 의해 정보가 표시된 상태에서 벤딩이 가능하게 된다. 도 13을 참조하면, 광원 모듈(100)의 벤딩을 최대로 할 때, 그 벤딩 반경(r1)은 5mm 내지 10mm 범위로 형성될 수 있다. 상기 벤딩 형상은 원 형상, 타원 형상 예컨대, 링 또는 반지 형상을 포함할 수 있다. 이러한 벤딩 가능한 광원 모듈(100)은 점 광원이 발광 칩이 선택적으로 온, 오프되도록 제어하여, 표시 모듈로 제공될 수 있다. Referring to FIG. 11, the light source module 100 may be bent in the first direction X direction. After bending in the direction of the first array 131, the bending radius of the flexible circuit board 10 may be 150 mm or less, for example, 100 mm or less. Further, the light source module 100 may display information by the light emitting chip before bending and may display information by the light emitting chip after (B) bending, as shown in FIG. 12 (A). Further, bending can be performed in a state in which information is displayed by the light emitting chip. Referring to FIG. 13, when bending the light source module 100 to the maximum, the bending radius r1 may be in the range of 5 mm to 10 mm. The bending shape may include a circular shape, an elliptical shape, for example, a ring shape or a ring shape. The bendable light source module 100 can be provided as a display module by controlling the point light source to selectively turn on and off the light emitting chip.

도 14는 도 5의 광원 모듈에서, 발광 칩(30)의 가로 길이(E1)와 세로 길이(E2)가 다른 예이다. 예컨대 발광 칩(30)의 가로 길이(E1)가 세로 길이(E2)보다 작게 배치되므로, 발광 칩(30) 간의 간격(D2)은 더 넓어질 수 있다. 이에 따라 연성회로기판(10)의 벤딩에 따른 응력은 제1실시 예보다는 더 작아질 수 있다. 14 is an example in which the lateral length E1 and the longitudinal length E2 of the light emitting chip 30 are different from each other in the light source module of Fig. For example, since the lateral length E1 of the light emitting chip 30 is smaller than the longitudinal length E2, the distance D2 between the light emitting chips 30 can be widened. Accordingly, the stress due to bending of the flexible circuit board 10 can be smaller than that of the first embodiment.

도 15는 제2실시 예에 따른 광원 모듈을 나타낸 평면도이고, 도 16은 도 15의 광원 모듈의 측 단면도이다. 제2실시 예를 설명함에 있어서, 제1실시 예와 동일한 구성은 제1실시 예의 설명을 참조하기로 한다.FIG. 15 is a plan view of a light source module according to a second embodiment, and FIG. 16 is a side sectional view of the light source module of FIG. In describing the second embodiment, the same configuration as that of the first embodiment will be described with reference to the description of the first embodiment.

도 15 및 도 16을 참조하면, 광원 모듈은 연성회로기판(10); 상기 연성회로기판(10) 상의 발광 영역 둘레에 배치된 반사부재(20); 상기 반사 부재(20) 내에 배치된 복수의 발광 칩(30); 및 상기 복수의 발광 칩(30)을 덮는 몰드 부재(40)를 포함한다.15 and 16, the light source module includes a flexible circuit board 10; A reflective member (20) disposed around the light emitting region on the flexible circuit board (10); A plurality of light emitting chips (30) arranged in the reflective member (20); And a mold member (40) covering the plurality of light emitting chips (30).

상기 연성회로기판(10)에는 복수의 발광 칩(30)이 탑재된다. 상기 복수의 발광 칩(30)은 매트릭스 구조로 배열될 수 있으며, 예컨대 제1방향(X)으로 배열된 제1어레이(131) 및 상기 제1방향(X)과 다른 제2방향(Y)으로 배열된 제2어레이(133)를 포함할 수 있다. A plurality of light emitting chips 30 are mounted on the flexible circuit board 10. The plurality of light emitting chips 30 may be arranged in a matrix structure and may include a first array 131 arranged in a first direction X and a second array 131 arranged in a second direction Y different from the first direction X, And a second array 133 arranged thereon.

제2어레이(133)에서 발광 칩(30)의 제1전극(301)들은 제1연결 부재(32A)에 의해 서로 연결되고, 마지막 발광 칩은 제2연결 부재(32B)에 의해 연성회로기판(10)의 제2패드(12)에 연결된다. 상기 제1연결 부재(32A)는 칩 간을 연결해 줌으로써, 와이어의 양단 높이 차이로 인한 단락 문제를 제거할 수 있다. 상기 제2패드(12)는 도 13과 같이, 비아(115B)를 통해 제2배선층과 연결될 수 있다.The first electrodes 301 of the light emitting chip 30 in the second array 133 are connected to each other by the first connecting member 32A and the last light emitting chip is connected to the flexible circuit board 10 to the second pad 12. The first connecting member 32A connects the chips to each other, thereby eliminating a short circuit problem due to a height difference between both ends of the wire. The second pad 12 may be connected to the second wiring layer via the via 115B, as shown in FIG.

발광 칩(30)의 제2전극(302)은 연성회로기판(10)의 제1패드(11)에 본딩 부재(34)로 각각 본딩된다. 이러한 제2어레이(133)에서 발광 칩(30)의 제1전극(301)은 서로 연결되며, 제2전극(302)은 서로 분리된다. The second electrode 302 of the light emitting chip 30 is bonded to the first pad 11 of the flexible circuit board 10 by the bonding member 34. [ In the second array 133, the first electrodes 301 of the light emitting chip 30 are connected to each other, and the second electrodes 302 are separated from each other.

상기 제1어레이(131)에서 각 발광 칩(30)들은 도 13과 같이, 제1배선층(112)의 제1연결 패턴(113A)에 의해 서로 연결될 수 있다. 즉, 제1어레이(131)에서 각 발광 칩(30)의 제2전극(302)은 제1패드(11)를 통해 서로 연결된다.The light emitting chips 30 in the first array 131 may be connected to each other by the first connection pattern 113A of the first wiring layer 112 as shown in FIG. That is, the second electrodes 302 of the respective light emitting chips 30 in the first array 131 are connected to each other through the first pad 11.

도 17은 도 16의 광원 모듈의 연성회로기판(10)의 제1배선층을 나타낸 도면이다. 도 17을 참조하면, 제1배선층(112)은 제1방향으로 배열된 복수의 제1패드(11)들은 제1연결 패턴(113A)에 의해 서로 연결된다. 제2패드(12)는 서로 이격되며 비아(115B)를 통해 제2배선층과 연결될 수 있다. 이에 따라 제1어레이(131)에서 각 발광 칩(30)의 제2전극들은 서로 연결되며, 제1전극들은 서로 분리된다.17 is a view showing a first wiring layer of the flexible circuit board 10 of the light source module of Fig. Referring to FIG. 17, a plurality of first pads 11 arranged in a first direction of the first wiring layer 112 are connected to each other by a first connection pattern 113A. The second pads 12 may be spaced apart from each other and connected to the second wiring layer via the via 115B. Accordingly, the second electrodes of each light emitting chip 30 in the first array 131 are connected to each other, and the first electrodes are separated from each other.

상기 제2어레이(133)의 방향 즉, 제2방향에는 발광 칩(30)과 제1 및 제2연결 부재(32A,32B)인 와이어가 배치되므로, 상기 연성회로기판(10)을 벤딩할 때, 제2방향(Y)에 대해 작용하는 제2응력은 제1방향의 제1응력보다 증가하게 된다.Since the light emitting chip 30 and the wires as the first and second connection members 32A and 32B are disposed in the second direction of the second array 133, when the flexible circuit board 10 is bent , The second stress acting in the second direction (Y) is greater than the first stress in the first direction.

또한 상기 제2응력은 제1, 제2연결 부재(32A,32B)에 의해 증가되며, 제1응력은 제1실시 예와 동일할 수 있다.Also, the second stress is increased by the first and second connecting members 32A and 32B, and the first stress may be the same as in the first embodiment.

도 18은 제3실시 예에 따른 광원 모듈을 나타낸 평면도이고, 도 19는 도 18의 광원 모듈의 측 단면도이다. 제3실시 예를 설명함에 있어서, 제1 및 제2실시 예와 동일한 구성은 제1 및 제2실시 예의 설명을 참조하기로 한다.FIG. 18 is a plan view showing a light source module according to a third embodiment, and FIG. 19 is a side sectional view of the light source module of FIG. In describing the third embodiment, the same configurations as those of the first and second embodiments will be described with reference to the description of the first and second embodiments.

도 18 및 도 19를 참조하면, 광원 모듈은 연성회로기판(10); 상기 연성회로기판(10) 상의 발광 영역 둘레에 배치된 반사부재(20); 상기 반사 부재(20) 내에 배치된 복수의 발광 칩(30); 및 상기 복수의 발광 칩(30)을 덮는 몰드 부재(40); 상기 발광 칩(30) 사이에 차단 벽(50)을 포함한다.18 and 19, the light source module includes a flexible circuit board 10; A reflective member (20) disposed around the light emitting region on the flexible circuit board (10); A plurality of light emitting chips (30) arranged in the reflective member (20); And a mold member (40) covering the plurality of light emitting chips (30); And a blocking wall 50 between the light emitting chips 30.

상기 차단 벽(50)은 인접한 발광 칩(30)으로부터 발생된 광의 간섭을 차단할 수 있다. 상기 차단 벽(50)의 상면은 상기 반사 부재(20)의 상면보다 낮게 배치될 수 있다. 상기 차단 벽(50)은 상기 제1, 제2연결 부재(32A, 32B)의 고점 보다는 낮게 배치될 수 있다. 상기 몰드 부재(40)는 상기 차단 벽(50) 및 상기 발광 칩(30)을 몰딩하게 된다. 상기 차단 벽(50)은 광 반사 재질 예컨대, 솔더 레지스트나 커버레이로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. The blocking wall 50 may block the interference of the light generated from the adjacent light emitting chip 30. The upper surface of the blocking wall 50 may be disposed lower than the upper surface of the reflective member 20. The blocking wall 50 may be disposed lower than the peak of the first and second connecting members 32A and 32B. The mold member 40 molds the blocking wall 50 and the light emitting chip 30. The blocking wall 50 may be formed of a light reflecting material such as a solder resist or a coverlay, but is not limited thereto.

상기 차단 벽(50)은 제1 방향 및 제2방향 중 적어도 하나의 방향으로 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The blocking wall 50 may be disposed in at least one of a first direction and a second direction, but the present invention is not limited thereto.

상기 차단 벽(50)의 일부 위에는 제2패드(12)가 배치되며, 상기 제2패드(12)와 상기 발광 칩(30)은 제2연결 부재(32B)로 연결된다. 상기 제2패드(12)가 차단 벽(50) 위에 배치됨으로써, 제2연결 부재(32B)의 양단 높이의 차이에 의한 인장 력은 개선될 수 있다. 즉, 제2연결 부재(32A)가 끓어지는 문제를 방지할 수 있다. 상기 차단 벽(50)은 하부가 넓고 상부가 좁은 구조로 형성되거나, 외 측벽이 경사진 면으로 형성될 수 있다. 이러한 차단 벽(50)의 구조는 광의 반사 효율을 개선시켜 줄 수 있다.A second pad 12 is disposed on a part of the blocking wall 50 and the second pad 12 and the light emitting chip 30 are connected to a second connecting member 32B. By disposing the second pad 12 on the blocking wall 50, the tensile force due to the difference in height between the opposite ends of the second connecting member 32B can be improved. In other words, it is possible to prevent the second connection member 32A from boiling. The blocking wall 50 may be formed to have a wide lower portion and a narrow upper portion, or the outer wall may be formed as a sloped surface. The structure of the blocking wall 50 can improve the reflection efficiency of light.

도 20은 제4실시 예에 따른 광원 모듈을 나타낸 평면도이고, 도 21은 도 20의 광원 모듈의 C-C측 단면도이며, 도 22는 도 20의 광원 모듈의 D-D측 단면도이다. 제4실시 예를 설명함에 있어서, 상기에 개시된 실시 예와 동일한 부분은 상기에 개시된 실시 예의 설명을 참조하기로 한다.20 is a plan view showing a light source module according to a fourth embodiment, FIG. 21 is a cross-sectional view taken along the line C-C of FIG. 20, and FIG. 22 is a sectional view taken along the line D-D of FIG. In describing the fourth embodiment, the same parts as the above-described embodiments will be described with reference to the description of the embodiments disclosed above.

도 20 내지 도 22을 참조하면, 광원 모듈은 연성회로기판(10) 상에 복수의 발광 칩(30A)이 플립 방식으로 탑재된다. 상기 각 발광 칩(30A)은 상기 연성회로기판(10) 상에 제1 및 제2본딩 부재(361,362)로 연결된다. 예를 들면, 발광 칩(30A)은 연성회로기판(10)의 제1패드(11)와 제1본딩 부재(361)로 연결되고, 제2패드(12)와 제1본딩 부재(362)로 연결된다. 상기 발광 칩(30A)가 플립 방식으로 탑재됨으로써, 광 추출 효율은 개선될 수 있다. 20 to 22, in the light source module, a plurality of light emitting chips 30A are mounted on the flexible circuit board 10 in a flip manner. Each of the light emitting chips 30A is connected to the flexible circuit board 10 by first and second bonding members 361 and 362. For example, the light emitting chip 30A is connected to the first pad 11 of the flexible circuit board 10 by the first bonding member 361 and the second pad 12 and the first bonding member 362 . By mounting the light emitting chip 30A in a flip manner, the light extraction efficiency can be improved.

도 23은 도 20의 발광 칩(30A)을 나타낸 나타낸 도면이다. 도 23을 참조하면, 발광 칩(30A)은 제1 및 제2본딩 부재(361,362)로 연성회로기판(10)의 제1 및 제2패드(11,12)에 본딩된다. 상기 제1 및 제2본딩 부재(361,362)은 예컨대, 솔더(solder), 솔더 볼(ball), 범프(bump) 또는 솔더 페이스트(solder paste)의 일부 물질일 수 있다. 23 is a view showing the light emitting chip 30A of Fig. Referring to FIG. 23, the light emitting chip 30A is bonded to the first and second pads 11 and 12 of the flexible circuit board 10 by first and second bonding members 361 and 362, respectively. The first and second bonding members 361 and 362 may be, for example, a part of a solder, a solder ball, a bump, or a solder paste.

상기 발광 칩(30A)은 기판(311), 제1반도체층(312), 발광 구조물(310), 전극층(331), 절연층(333), 제1전극(335) 및 제2전극(337)을 포함한다.The light emitting chip 30A includes a substrate 311, a first semiconductor layer 312, a light emitting structure 310, an electrode layer 331, an insulating layer 333, a first electrode 335 and a second electrode 337, .

상기 기판(311)은 투광성, 절연성 또는 도전성 기판을 이용할 수 있으며, 예컨대, 사파이어(Al2O3), SiC, Si, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP, Ge, Ga2O3 중 적어도 하나를 이용할 수 있다. 상기 기판(311)의 탑 면에는 복수의 볼록부(미도시)가 형성되어, 광 추출 효율을 개선시켜 줄 수 있다. 여기서, 상기 기판(311)은 발광 칩(30A) 내에서 제거될 수 있으며, 이 경우 상기 제1반도체층(312) 또는 제1도전형 반도체층(313)이 탑 층으로 배치될 수 있다. 상기 발광 칩(30)은 기판(311)의 전 상면을 통해 광을 추출함으로써, 광 추출 효율은 개선될 수 있다.The substrate 311 may use a light-transmitting, insulating or conductive substrate, e.g., sapphire (Al 2 O 3), SiC, Si, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP, Ge, Ga 2 O 3 of At least one can be used. A plurality of convex portions (not shown) may be formed on the top surface of the substrate 311 to improve light extraction efficiency. Here, the substrate 311 may be removed in the light emitting chip 30A. In this case, the first semiconductor layer 312 or the first conductivity type semiconductor layer 313 may be disposed as a top layer. The light extraction efficiency can be improved by extracting light through the front surface of the substrate 311 by the light emitting chip 30.

상기 기판(311) 아래에는 제1반도체층(312)이 형성될 수 있다. 상기 제1반도체층(312)은 II족 내지 V족 원소의 화합물 반도체를 이용하여 형성될 수 있다. 상기 제1반도체층(312)은 예컨대, GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP, GaP 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 제1반도체층(312)은 버퍼층 및 언도프드(undoped) 반도체층 중 적어도 하나로 형성될 수 있으며, 상기 버퍼층은 상기 기판과 질화물 반도체층 간의 격자 상수의 차이를 줄여줄 수 있고, 상기 언도프드 반도체층은 반도체의 결정 품질을 개선시켜 줄 수 있다. 여기서, 상기 제1반도체층(312)은 형성하지 않을 수 있다. A first semiconductor layer 312 may be formed under the substrate 311. The first semiconductor layer 312 may be formed using a compound semiconductor of group II to V elements. The first semiconductor layer 312 may include at least one of GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP and GaP. The first semiconductor layer 312 may be formed of at least one of a buffer layer and an undoped semiconductor layer. The buffer layer may reduce a difference in lattice constant between the substrate and the nitride semiconductor layer, Layer can improve the crystal quality of the semiconductor. Here, the first semiconductor layer 312 may not be formed.

상기 제1반도체층(312) 위에는 발광 구조물(310)이 형성될 수 있다. 상기 발광 구조물(310)은 II족 내지 V족 원소 및 III족-V족 원소의 화합물 반도체 중에서 선택적으로 형성되며, 자외선 대역부터 가시 광선 대역의 파장 범위 내에서 소정의 피크 파장을 발광할 수 있다. A light emitting structure 310 may be formed on the first semiconductor layer 312. The light emitting structure 310 is selectively formed from a compound semiconductor of group II to V elements and a group III-V element, and can emit a predetermined peak wavelength within a wavelength range from the ultraviolet band to the visible light band.

상기 발광 구조물(310)은 제1도전형 반도체층(313), 제2도전형 반도체층(315), 상기 제1도전형 반도체층(313)과 상기 제2도전형 반도체층(315) 사이에 형성된 활성층(314)을 포함한다. The light emitting structure 310 includes a first conductive semiconductor layer 313, a second conductive semiconductor layer 315, and a second conductive semiconductor layer 315 between the first conductive semiconductor layer 313 and the second conductive semiconductor layer 315. And an active layer 314 formed thereon.

상기 제2도전형 반도체층(315) 아래에는 전극층(331)이 형성된다. 상기 전극층(331)은 반사층을 포함하며, 상기 반사층은 발광 구조물(310)과 접촉된 오믹층을 더 포함할 수 있다. 상기 반사층은 반사율이 70% 이상인 물질 예컨대, Al, Ag, Ru, Pd, Rh, Pt, Ir의 금속과 상기의 금속 중 2 이상의 합금 중에서 선택될 수 있다. 상기 전극층(331)은 또한 투광성 전극층/반사층의 적층 구조를 포함할 수 있다. 상기 제2도전형 반도체층(315) 및 상기 전극층(331) 중 적어도 한 층의 표면에는 러프니스와 같은 광 추출 구조가 형성될 수 있으며, 이러한 광 추출 구조는 입사되는 광의 임계각을 변화시켜 주어, 광 추출 효율을 개선시켜 줄 수 있다.An electrode layer 331 is formed under the second conductive type semiconductor layer 315. The electrode layer 331 may include a reflective layer, and the reflective layer may further include an ohmic layer in contact with the light emitting structure 310. The reflective layer may be selected from a material having a reflectance of 70% or more, for example, a metal of Al, Ag, Ru, Pd, Rh, Pt or Ir, and an alloy of two or more of the above metals. The electrode layer 331 may also include a laminate structure of a light-transmitting electrode layer / a reflective layer. A light extracting structure such as a roughness may be formed on the surface of at least one of the second conductive type semiconductor layer 315 and the electrode layer 331. Such a light extracting structure may change the critical angle of incident light, The light extraction efficiency can be improved.

상기 제1도전형 반도체층(313)의 일부 영역 아래에는 제1전극(335)이 배치되며, 상기 전극층(331)의 일부 아래에는 제2전극(337)이 배치될 수 있다. A first electrode 335 may be disposed below a portion of the first conductive semiconductor layer 313 and a second electrode 337 may be disposed under a portion of the electrode layer 331.

상기 제1전극(335)는 상기 제1도전형 반도체층(315)과 상기 제1본딩 부재(361)에 전기적으로 연결되며, 상기 제2전극(337)은 상기 전극층(331)을 통해 상기 제2도전형 반도체층(315)과 제2본딩 부재(362)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제1전극(335) 및 제2전극(337)은 Cr, Ti, Co, Ni, V, Hf, Ag, Al, Ru, Rh, Pt, Pd, Ta, Mo, W 중 적어도 하나 또는 합금으로 형성될 수 있다. 상기 제1전극(335)과 상기 제2전극(337)은 동일한 적층 구조이거나 다른 적층 구조로 형성될 수 있다. The first electrode 335 is electrically connected to the first conductive type semiconductor layer 315 and the first bonding member 361 and the second electrode 337 is electrically connected to the first electrode 331 through the electrode layer 331. [ Type semiconductor layer 315 may be electrically connected to the second bonding member 362. The first electrode 335 and the second electrode 337 may be formed of at least one of Cr, Ti, Co, Ni, V, Hf, Ag, Al, Ru, Rh, Pt, Pd, Ta, . The first electrode 335 and the second electrode 337 may have the same or different lamination structures.

상기 절연층(333)은 상기 전극층(331) 아래에 배치되며, 상기 제2도전형 반도체층(315)의 하면, 상기 제2도전형 반도체층(315) 및 상기 활성층(314)의 측면, 상기 제1도전형 반도체층(313)의 일부 영역에 배치될 수 있다. 상기 절연층(333)은 상기 발광 구조물(310)의 하부 영역 중에서 상기 전극층(331), 제1전극(335) 및 제2전극(337)을 제외한 영역에 형성되어, 상기 발광 구조물(310)의 하부를 전기적으로 보호하게 된다. 상기 절연층(333)은 Al, Cr, Si, Ti, Zn, Zr 중 적어도 하나를 갖는 산화물, 질화물, 불화물, 및 황화물 중 적어도 하나로 형성된 절연물질 또는 절연성 수지를 포함한다. 상기 절연층(333)은 예컨대, SiO2, Si3N4, Al2O3, TiO2 중에서 선택적으로 형성될 수 있다. 상기 절연층(333)은 발광 구조물(310)의 아래에 플립 본딩을 위한 금속 구조물을 형성할 때, 상기 발광 구조물(310)의 층간 쇼트를 방지하기 위해 형성된다.The insulating layer 333 is disposed under the electrode layer 331 and the side surfaces of the second conductive type semiconductor layer 315 and the active layer 314, And may be disposed in a part of the region of the first conductivity type semiconductor layer 313. The insulating layer 333 is formed in a region of the light emitting structure 310 excluding the electrode layer 331, the first electrode 335 and the second electrode 337, So that the lower part is electrically protected. The insulating layer 333 includes an insulating material or an insulating resin formed of at least one of oxide, nitride, fluoride, and sulfide having at least one of Al, Cr, Si, Ti, Zn, and Zr. The insulating layer 333 may be selectively formed of, for example, SiO 2 , Si 3 N 4 , Al 2 O 3 , or TiO 2 . The insulating layer 333 is formed to prevent an interlayer short circuit of the light emitting structure 310 when the metal structure for flip bonding is formed below the light emitting structure 310.

상기 발광 칩(30A)은 발생된 광은 전극층(331)에 의해 반사되어 기판(311)을 통해 방출될 수 있다. The light emitted from the light emitting chip 30A may be reflected by the electrode layer 331 and may be emitted through the substrate 311. [

도 24는 제5실시 예에 따른 광원 모듈을 나타낸 도면이며, 도 25는 도 24의 광원 모듈의 측 단면도이다. 제5실시 예를 설명함에 있어서, 상기에 개시된 실시 예와 동일한 부분은 상기에 개시된 실시 예의 설명을 참조하기로 한다.FIG. 24 is a view of a light source module according to a fifth embodiment, and FIG. 25 is a side sectional view of the light source module of FIG. 24. FIG. In describing the fifth embodiment, the same portions as the above-described embodiments will be described with reference to the description of the embodiments disclosed above.

도 24 및 도 25을 참조하면, 광원 모듈은 연성회로기판(10); 상기 연성회로기판(10) 상의 발광 영역 둘레에 배치된 반사부재(20); 상기 반사 부재(20) 내에 배치된 복수의 발광 칩(30); 및 상기 복수의 발광 칩(30)을 덮고 내부에 홈(46)을 갖는 몰드 부재(40)를 포함한다.24 and 25, the light source module includes a flexible circuit board 10; A reflective member (20) disposed around the light emitting region on the flexible circuit board (10); A plurality of light emitting chips (30) arranged in the reflective member (20); And a mold member (40) covering the plurality of light emitting chips (30) and having grooves (46) therein.

상기 몰드 부재(40)에는 제2어레이(133)와 제2어레이(133) 사이의 영역에 홈(46)이 배치되며, 상기 홈(46)은 측 단면이 다각형 형상으로 형성될 수 있으며, 예컨대 삼각형 형상 또는 사각형 형상을 포함한다. 상기 홈(46)은 상기 몰드 부재(40)의 상면으로부터 오목하며, 제1 및 제2방향 중 적어도 한 방향으로 배치될 수 있다.A groove 46 is formed in a region between the second array 133 and the second array 133 in the mold member 40. The groove 46 may be formed in a polygonal shape in cross section, And includes a triangular shape or a rectangular shape. The grooves 46 are concave from the upper surface of the mold member 40 and may be disposed in at least one of the first and second directions.

상기 홈(46)의 깊이(T2)는 상기 몰드 부재(40)의 두께(T1)보다 얇게 형성될 수 있다. The depth T2 of the groove 46 may be smaller than the thickness T1 of the mold member 40. [

상기 홈(46)은 제1어레이(131)의 발광 칩(30)들 사이에 배치됨으로써, 발광 칩(30)으로부터 발생된 광을 반사시켜 줄 수 있다. 또한 상기 연성회로기판(10)이 제1방향(X) 방향에 대해 벤딩될 때 응력을 감소시켜 줄 수 있다. 상기 몰드부재(40)의 일부(40A)는 상기 홈(46)과 상기 연성회로기판(10) 사이에 존재하므로, 상기 홈(46)의 깊이(T2)에 따라 상기 연성회로기판(10)의 복원력은 달라질 수 있다.The grooves 46 may be disposed between the light emitting chips 30 of the first array 131 to reflect the light generated from the light emitting chip 30. Also, the stress can be reduced when the flexible circuit board 10 is bent in the first direction (X) direction. A portion 40A of the mold member 40 is present between the groove 46 and the FPCB 10 so that the portion 40A of the FPCB 10 is positioned along the depth T2 of the groove 46, Resilience can vary.

다른 예로서, 상기 홈(46)은 몰드 부재(40) 내에서 서로 교차되는 형태로 배열될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.As another example, the grooves 46 may be arranged so as to intersect with each other in the mold member 40, but the present invention is not limited thereto.

도 26은 몰드 부재(40) 내에 다각형 형상의 홈(47)이 배치되고, 상기 홈(47) 내에 반사 물질(48)이 채워진다. 상기 반사 물질(48)은 상기 발광 칩(30)으로부터 발생된 광을 반사시켜 줄 수 있다. 상기 홈(47)의 깊이(T3)는 상기 몰드 부재(40)의 두께(T1)보다 얇은 깊이로 형성될 수 있다. 상기 반사 물질(40)은 수지 재질 예컨대, 소프트 실리콘에 반사제가 첨가될 수 있으며, 상기 반사제는 TIO2, 또는 SiO2를 포함할 수 있다.26 shows a state in which a polygonal groove 47 is arranged in the mold member 40 and the reflective material 48 is filled in the groove 47. [ The reflective material 48 may reflect light generated from the light emitting chip 30. The depth T3 of the groove 47 may be less than the thickness T1 of the mold member 40. The reflective material 40 may be doped with a reflective material such as soft silicon, and the reflective material may include TIO 2 , or SiO 2 .

도 27은 제6실시 예에 따른 광원 모듈의 측 단면도이다.27 is a side sectional view of the light source module according to the sixth embodiment.

도 27을 참조하면, 광원 모듈은 연성회로기판(10) 상에 복수의 발광 칩(30)이 배열되고, 상기 복수의 발광 칩(30) 사이에 차단 벽(62)가 배치되며, 상기 차단 벽(62) 상에 투광성 필름(60)이 배치된다. 상기 투광성 필름(60)은 상기 복수의 발광 칩(30) 및 반사 부재(20) 상에 접착되어, 상기 복수의 발광 칩(30)을 보호하게 된다. 상기 투광성 필름(60)은 폴리 이미드와 같은 투광성 재질을 포함할 수 있다.27, the light source module includes a plurality of light emitting chips 30 arranged on a flexible circuit board 10, a blocking wall 62 disposed between the plurality of light emitting chips 30, A translucent film 60 is disposed on the substrate 62. The light transmitting film 60 is bonded on the plurality of light emitting chips 30 and the reflecting member 20 to protect the plurality of light emitting chips 30. The light transmitting film 60 may include a light transmitting material such as polyimide.

상기 차단 벽(62)은 광을 반사하며 상기 투광성 필름(60)이 쳐지는 것을 방지하는 부재로 기능할 수도 있다. 상기 차단 벽(62)은 기둥 형상 또는 바 형상으로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The blocking wall 62 may function as a member that reflects light and prevents the light transmitting film 60 from striking. The blocking wall 62 may be formed in a columnar shape or a bar shape, but is not limited thereto.

여기서, 상기 연성회로기판(10)과 상기 투광성 필름(60) 사이의 영역(70)에는 몰드 부재가 아닌 에어가 채워질 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. Here, the area 70 between the flexible circuit board 10 and the light transmitting film 60 may be filled with air rather than a mold member, but the present invention is not limited thereto.

도 28은 실시 예와 비교 예의 동일 사이즈에 의한 해상도를 비교한 도면이며, 도 29는 실시 예와 비교 예의 동일 개수에 의한 사이즈를 비교한 도면이다.  FIG. 28 is a view for comparing resolutions according to the same size of the embodiment and the comparative example, and FIG. 29 is a diagram comparing the sizes by the same numbers of the embodiment and the comparative example.

도 28 및 도 29를 참조하면, 비교 예(B)는 연성회로기판 상에 광원으로서 발광 소자 패키지가 배열된 구성이며, 실시 예(A)는 연성회로기판 상에 광원으로서 발광 칩이 배열된 구성이다. 따라서, 비교 예의 발광 소자 패키지는 서로 간의 간격이 실시 예의 발광 칩 간의 간격보다 넓어질 수 있다. 따라서, 비교 예와 실시 예에서 동일 표시 사이즈에서 해상도를 비교하면, 실시 예의 해상도가 더 개선됨을 알 수 있다. 이는 동일 사이즈에 더 많은 광원을 배치할 수 있어, 해상도가 비교 예에 비해 개선된다.28 and 29, the comparative example (B) is a configuration in which a light emitting device package is arranged as a light source on a flexible circuit board, and in the embodiment (A), a light emitting chip is arranged as a light source on a flexible circuit board to be. Therefore, the distance between the light emitting device packages of the comparative example can be wider than the distance between the light emitting chips of the embodiment. Therefore, it can be seen that the resolution of the embodiment is further improved by comparing the resolutions at the same display size in the comparative example and the embodiment. This makes it possible to arrange more light sources in the same size, and the resolution is improved as compared with the comparative example.

또한 도 29는 동일 개수의 광원을 매트릭스로 배열한 사이즈를 비교한 도면으로서, 비교 예(B)는 발광 소자 패키지에 의해 동일 개수의 패키지를 배열하더라도, 실시 예(A)에서 발광 칩을 배열한 사이즈보다 커지게 된다. 이에 따라 발광 칩을 배열한 실시 예는 비교 예에 비해 해상도가 개선될 뿐만 아니라, 사이즈가 더 작게 제공할 수 있다. 또한 발광 칩의 사이즈가 더 작고 발광 칩 간의 간격을 더 좁게 배열할 수 있어, 광원 모듈에 작용하는 응력이 더 작아지게 되므로, 벤딩에 효과적이다. Fig. 29 shows a comparison of the sizes of the light sources of the same number in a matrix. In the comparative example (B), even when the same number of packages are arranged by the light emitting device package, Size. Thus, the embodiment in which the light emitting chip is arranged can provide a smaller size as well as an improved resolution as compared with the comparative example. Further, since the size of the light emitting chip is smaller and the interval between the light emitting chips can be arranged narrower, the stress acting on the light source module becomes smaller, which is effective for bending.

실시 예에 따른 광원 모듈은 복수의 발광 칩을 개별적으로 제어하여, 온/오프시켜 줌으로써, 원하는 정보를 표시할 수 있다. 또한 광원 모듈을 제1방향에 대해 벤딩하여 사용할 수 있어, 광원 모듈을 갖는 표시 모듈로 사용할 수 있다. 또한 광원 모듈을 갖는 시계, 반지, 휴대 단말기의 액서사리(accessory)로 사용할 수 있다. 또한 실시 예에 발광 칩 상에는 렌즈가 각각 배열될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The light source module according to the embodiment can display desired information by individually controlling the plurality of light emitting chips and turning them on / off. Further, the light source module can be used by bending the light source module in the first direction, and can be used as a display module having a light source module. It can also be used as an accessory for watches, rings, and mobile terminals with light source modules. In the embodiment, lenses may be arranged on the light emitting chip, but the present invention is not limited thereto.

실시 예에 따른 광원 모듈은 휴대 단말기, 컴퓨터 등의 백라이트 유닛 뿐만 아니라, 조명등, 신호등, 차량 전조등, 전광판, 가로등 등의 조명 장치에 적용될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. The light source module according to the embodiment can be applied not only to a backlight unit such as a portable terminal and a computer, but also to an illumination device such as an illumination light, a traffic light, a vehicle headlight, an electric signboard, a streetlight, and the like.

상술한 실시 예 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니며, 첨부된 청구범위에 의해 한정된다. 따라서, 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 형태의 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것은 당 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에게는 자명할 것이며, 이 또한 첨부된 청구범위에 기재된 기술적 사상에 속한다 할 것이다.The present invention is not limited to the above-described embodiment and the attached drawings, but is defined by the appended claims. It will be apparent to those skilled in the art that various changes in form and details may be made therein without departing from the spirit and scope of the invention as defined in the appended claims, As will be described below.

100: 광원 모듈
200: 거울부
100: Light source module
200: mirror part

Claims (16)

차량에 배치되어, 차량 후방 상황을 감지하는 거울부; 및
상기 거울부의 배면에 배치되어, 상기 차량의 운행과 관련된 정보를 표시하는 광원 모듈을 포함하며,
상기 거울부는,
상기 배면에 배치된 광원 모듈과 중첩되는 제 1 영역과,
상기 제 1 영역을 제외한 나머지 제 2 영역을 포함하며,
상기 거울부의 제 1 영역이 가지는 반사율은,
상기 거울부의 제 2 영역이 가지는 반사율과 동일한
디스플레이 기능을 가지는 미러.
A mirror disposed in the vehicle for detecting a rearward state of the vehicle; And
And a light source module disposed on a rear surface of the mirror portion and displaying information related to the driving of the vehicle,
The mirror section may include:
A first region overlapping with the light source module disposed on the back surface,
And a second region other than the first region,
The reflectance of the first region of the mirror portion is,
Is equal to the reflectance of the second region of the mirror portion
Mirror with display function.
제 1항에 있어서,
상기 미러는,
소정 간격을 두고 서로 대향되는 제 1 및 제 2 투명 기판과,
상기 제 1 및 2 투명 기판의 대향하는 면 각각에 형성되는 제 1 투명 전극 및 전도 반사층과,
상기 제 1 투명 전극과 상기 전도 반사층 사이에 개재되어 전기변색물질과 전해질을 포함하는 전기 변색층을 포함하는
디스플레이 기능을 가지는 미러.
The method according to claim 1,
The mirror may further comprise:
First and second transparent substrates facing each other at a predetermined interval,
A first transparent electrode and a conductive reflective layer formed on opposite surfaces of the first and second transparent substrates,
And an electrochromic layer interposed between the first transparent electrode and the conductive reflection layer to include an electrochromic material and an electrolyte,
Mirror with display function.
제 2항에 있어서,
상기 전기 변색층은,
상기 제 1 투명 전극과 상기 전도 반사층 사이에 개재된 전해질층과,
상기 전해질층의 일면 또는 양면에 형성된 전기변색 코팅층을 포함하는
디스플레이 기능을 가지는 미러.
3. The method of claim 2,
Wherein the electrochromic layer comprises:
An electrolyte layer interposed between the first transparent electrode and the conductive reflection layer;
And an electrochromic coating layer formed on one or both sides of the electrolyte layer
Mirror with display function.
제 1 항에 있어서,
상기 광원 모듈은,,
제 1 및 제 2 패드를 갖는 연성회로기판과,
상기 연성회로기판의 제 1 패드 위에 제 1 방향으로 배열된 복수의 제 1 어레이와, 상기 제 1 방향과 다른 제 2 방향으로 배열되는 제 2 어레이를 포함하는 복수의 발광 칩과,
상기 제 2 어레이의 발광 칩 중 적어도 하나와 상기 연성회로기판의 제2패드에 연결된 연결 부재를 포함하며,
상기 제1어레이의 발광 칩 중 적어도 2개는 상기 연성회로기판에 의해 서로 연결되고, 상기 제2어레이의 발광 칩은 서로 전기적으로 분리되며,
상기 연결 부재는 상기 연성회로기판 위에서 제 2 방향으로 연장되는
디스플레이 기능을 가지는 미러.
The method according to claim 1,
The light source module includes:
A flexible circuit board having first and second pads,
A plurality of light emitting chips including a plurality of first arrays arranged in a first direction on a first pad of the flexible circuit board and a second array arranged in a second direction different from the first direction;
And a connection member connected to at least one of the light emitting chips of the second array and a second pad of the flexible circuit board,
At least two of the light emitting chips of the first array are connected to each other by the flexible circuit board, the light emitting chips of the second array are electrically separated from each other,
The connecting member extends on the flexible circuit board in a second direction
Mirror with display function.
제 4 항에 있어서,
상기 연성회로기판의 제 1 방향의 길이는 제 2 방향의 길이보다 길고,
상기 제 2 어레이의 수는 상기 제 1 어레이의 수보다 1.5배 이상이거나,
상기 제 1 어레이에 배열된 발광 칩은 상기 제 2 어레이에 배열된 발광 칩의 개수보다 1.5배 이상인
디스플레이 기능을 가지는 미러.
5. The method of claim 4,
The length of the flexible circuit board in the first direction is longer than the length of the flexible circuit board in the second direction,
Wherein the number of the second arrays is at least 1.5 times the number of the first arrays,
Wherein the light emitting chips arranged in the first array are 1.5 times or more times the number of light emitting chips arranged in the second array
Mirror with display function.
제 4항 또는 제 5항에 있어서,
상기 제 2 패드는,
상기 제 2 어레이에 배열된 복수의 발광 칩 사이에 각각 배치되는
디스플레이 기능을 가지는 미러.
The method according to claim 4 or 5,
The second pad
And a plurality of light emitting chips arranged in the second array
Mirror with display function.
제 6 항에 있어서,
상기 연결 부재는,
상기 제 1 어레이에 배열된 인접한 발광 칩들을 서로 연결해 주는
디스플레이 기능을 가지는 미러.
The method according to claim 6,
The connecting member includes:
A plurality of light emitting chips arranged in the first array,
Mirror with display function.
제 6 항에 있어서,
상기 제 1 방향은,
상기 제 2 방향에 대해 직교하는
디스플레이 기능을 가지는 미러.
The method according to claim 6,
The first direction is a direction
And a second direction orthogonal to the second direction
Mirror with display function.
제 6 항에 있어서,
상기 연성회로기판은,
상기 제 1 방향의 길이가 제 2 방향의 길이보다 길게 배치되며,
상기 제 2 방향으로 작용하는 응력이 상기 제 1 방향으로 작용하는 응력보다 작은
디스플레이 기능을 가지는 미러.
The method according to claim 6,
The flexible circuit board includes:
The length of the first direction is longer than the length of the second direction,
The stress acting in the second direction is smaller than the stress acting in the first direction
Mirror with display function.
제 4 항 또는 제 5항에 있어서,
상기 광원 모듈은,
상기 복수의 발광 칩 둘레에 배치된 반사 부재와,
상기 반사 부재 내에 배치되고 상기 복수의 발광 칩을 덮는 소프트 몰드 부재를 더 포함하는
디스플레이 기능을 가지는 미러.
The method according to claim 4 or 5,
The light source module includes:
A reflective member disposed around the plurality of light emitting chips,
And a soft mold member disposed in the reflective member and covering the plurality of light emitting chips
Mirror with display function.
제 10항에 있어서,
상기 광원 모듈은,
상기 복수의 발광 칩 사이에 배치된 차단 벽을 더 포함하는
디스플레이 기능을 가지는 미러.
11. The method of claim 10,
The light source module includes:
Further comprising a blocking wall disposed between the plurality of light emitting chips
Mirror with display function.
제 11항에 있어서,
상기 차단 벽의 상면은,
상기 소프트 몰드 부재의 상면보다 낮은
디스플레이 기능을 가지는 미러.
12. The method of claim 11,
Wherein the upper surface of the blocking wall
A lower surface of the soft mold member
Mirror with display function.
제10항에 있어서,
상기 광원 모듈은,
상기 소프트 몰드 부재 내에 배치되는 형광체를 더 포함하는
디스플레이 기능을 가지는 미러.
11. The method of claim 10,
The light source module includes:
And a phosphor disposed within the soft mold member
Mirror with display function.
제 13항에 있어서,
상기 소프트 몰드 부재는
상면으로부터 오목하며 상기 제 1 및 제 2 방향 중 적어도 하나의 방향으로 배치된 홈을 포함하며,
상기 홈에는 반사 물질이 형성되며,
상기 홈의 깊이는 상기 소프트 몰드 부재의 두께보다 작은
디스플레이 기능을 가지는 미러.
14. The method of claim 13,
The soft mold member
And a groove recessed from an upper surface and arranged in a direction of at least one of the first and second directions,
A reflective material is formed in the groove,
Wherein the depth of the groove is smaller than the thickness of the soft mold member
Mirror with display function.
차량에 배치되어, 차량 후방 상황을 감지하는 거울부; 및
상기 거울부의 배면에 배치되어, 상기 차량의 운행과 관련된 정보를 표시하는 광원 모듈을 포함하며,
상기 거울부는,
상기 배면에 배치된 광원 모듈과 중첩되는 제 1 영역과,
상기 제 1 영역을 제외한 나머지 제 2 영역을 포함하며,
상기 거울부의 제 1 영역이 가지는 전체 두께는,
상기 거울부의 제 2 영역이 가지는 전체 두께와 동일하며,
상기 광원 모듈은,
제 1 패드 및 제 2 패드를 포함하는 연성회로기판과,
상기 연성회로기판의 제 1 패드 및 제 2 패드 상에 배치된 복수의 발광 칩과,
상기 발광 칩과 상기 제 1 및 제 2 패드 사이에 배치된 제 1 및 제 2 본딩 부재와,
상기 복수의 발광 칩의 둘레에 배치된 반사 부재와,
상기 반사 부재 내에 배치되고 상기 복수의 발광 칩을 몰딩하는 소프트 몰드 부재를 포함하며,
상기 복수의 발광 칩은
제 1 방향으로 배열된 복수의 제 1 어레이와,
상기 제 1 방향과 다른 제 2 방향으로 배열되는 제 2 어레이를 포함하며,
상기 제 1 어레이의 발광 칩 중 적어도 2개는 상기 연성회로기판에 의해 서로 연결되며,
상기 제 2 어레이의 발광 칩은 서로 전기적으로 분리되며,
상기 연성회로기판의 제 1 방향의 길이는 제 2 방향의 길이보다 길게 배치되는
디스플레이 기능을 가지는 미러.
A mirror disposed in the vehicle for detecting a rearward state of the vehicle; And
And a light source module disposed on a rear surface of the mirror portion and displaying information related to the driving of the vehicle,
The mirror section may include:
A first region overlapping with the light source module disposed on the back surface,
And a second region other than the first region,
The total thickness of the first region of the mirror portion,
Is equal to the total thickness of the second region of the mirror portion,
The light source module includes:
A flexible circuit board including a first pad and a second pad;
A plurality of light emitting chips arranged on the first and second pads of the flexible circuit board,
First and second bonding members disposed between the light emitting chip and the first and second pads,
A reflective member disposed around the plurality of light emitting chips,
And a soft mold member disposed in the reflective member and molding the plurality of light emitting chips,
The plurality of light emitting chips
A plurality of first arrays arranged in a first direction,
And a second array arranged in a second direction different from the first direction,
At least two of the light emitting chips of the first array are connected to each other by the flexible circuit board,
The light emitting chips of the second array are electrically separated from each other,
The length of the flexible circuit board in the first direction is longer than the length of the flexible circuit board in the second direction
Mirror with display function.
제 15항에 있어서,
상기 광원 모듈은 제1방향에 대해 소정의 곡률로 벤딩되며,
상기 광원 모듈의 발광 칩은 개별 구동되는
디스플레이 기능을 가지는 미러.
16. The method of claim 15,
Wherein the light source module is bent at a predetermined curvature with respect to the first direction,
The light emitting chip of the light source module is individually driven
Mirror with display function.
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