KR20160026752A - Automatic sample strip manufacturing apparatus - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 자동 시료편 제작 장치에 관한 것이다.The present invention relates to an apparatus for producing automatic sample pieces.
종래, 시료에 전자 또는 이온으로 이루어지는 하전 입자 빔을 조사함으로써 제작한 시료편을 적출하여, 주사 전자 현미경, 투과 전자 현미경 등 전자빔을 이용하여 관찰, 분석, 및 계측 등의 각종 공정에 적절한 형상으로 시료편을 가공하는 장치가 알려져 있다(예를 들면, 특허 문헌 1 참조).Conventionally, a sample piece produced by irradiating a sample with a charged particle beam made of electrons or ions is taken out, and a sample having a shape suitable for various processes such as observation, analysis, and measurement using an electron beam such as a scanning electron microscope or a transmission electron microscope (For example, refer to Patent Document 1).
상기 종래 기술에 관련된 장치에 있어서는, 시료편의 미소화에 따라, 복수의 시료편을 정밀도 좋게 균일 형상으로 가공하기 위해서 필요한 위치 정밀도를 향상시켜, 시료편의 샘플링 동작을 적정하게 자동화하는 기술을 실현할 수 없었다.In the apparatus related to the above-mentioned prior art, it has been impossible to realize a technique for appropriately automating the sampling operation of the sample piece by improving the positional accuracy required for processing a plurality of sample pieces into a uniform shape in accordance with the size reduction of the sample piece .
또한, 본 명세서에서 이용하는 「샘플링」이란, 시료에 하전 입자 빔을 조사함으로써 제작한 시료편을 적출하고, 그 시료편을 관찰, 분석, 및 계측 등의 각종 공정에 적합한 형상으로 가공하는 것을 가리키고, 더욱 구체적으로는, 시료로부터 집속 이온 빔에 의한 가공에 의해서 형성된 시료편을 시료편 홀더로 이설(移設)하는 것을 말한다.The term " sampling " used in the present specification means that a sample piece produced by irradiating a sample with a charged particle beam is extracted, and the sample piece is processed into a shape suitable for various processes such as observation, analysis, and measurement, More specifically, this means that a sample piece formed by processing with a focused ion beam from a sample is transferred (transferred) to a sample piece holder.
본 발명은 상기 사정을 감안하여 이루어진 것으로, 이온 빔에 의한 시료의 가공에 의해서 형성된 시료편을 적출하여 시료편 홀더로 이설시키는 동작을 자동화하는 것이 가능한 자동 시료편 제작 장치를 제공하는 것을 목적으로 하고 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above circumstances, and it is an object of the present invention to provide an automatic sample piece producing apparatus capable of automating an operation of extracting a sample piece formed by processing of a sample with an ion beam and dropping it into a sample piece holder have.
상기 과제를 해결하는데 관한 목적을 달성하기 위해서, 본 발명은 이하의 양태를 채용했다.In order to achieve the object of solving the above problems, the present invention adopts the following aspects.
(1) 본 발명의 일양태에 관련된 자동 시료편 제작 장치는, 시료로부터 시료편을 자동적으로 제작하는 자동 시료편 제작 장치로서, 하전 입자 빔을 조사하는 하전 입자 빔 조사 광학계와, 상기 시료를 재치하여 이동하는 시료 스테이지와, 상기 시료로부터 분리 및 적출하는 상기 시료편을 유지하여 반송하는 시료편 이설 수단과, 상기 시료편이 이설되는 기둥형상부를 가지는 시료편 홀더를 유지하는 홀더 고정대와, 상기 하전 입자 빔의 조사에 의해서 디포지션막을 형성하는 가스를 조사하는 가스 공급부와, 상기 시료편 이설 수단과 상기 시료편 홀더 사이의 전기 특성이 소정 상태에 도달하기까지, 상기 시료편과 상기 기둥형상부의 사이에 상기 디포지션막을 형성하도록 상기 하전 입자 빔 조사 광학계와 상기 시료편 이설 수단과 상기 가스 공급부를 제어하는 컴퓨터를 구비한다.(1) The automatic sample piece production apparatus according to one aspect of the present invention is an automatic sample piece production apparatus for automatically producing a sample piece from a sample, comprising: a charged particle beam irradiation optical system for irradiating a charged particle beam; A holder holding table for holding a specimen holder having a columnar section to which the specimen holder is to be placed; a holder holding table for holding the specimen holder, A gas supply part for irradiating a gas for forming a deposition film by irradiation of a beam and a gas supply part for supplying a gas between the sample piece and the columnar part until electrical characteristics between the sample piece removal means and the sample piece holder reach a predetermined state The charged particle beam irradiating optical system, the sample yarn separating means, and the gas supply unit are formed so as to form the deposition film And a computer for control.
(2) 상기 (1)에 기재된 자동 시료편 제작 장치에서는, 상기 디포지션막이 형성되는 상기 시료편과 상기 기둥형상부 사이의 간격은 1㎛ 이하이다.(2) In the automatic sample piece producing apparatus according to (1), the distance between the sample piece on which the deposition film is formed and the pillar portion is 1 m or less.
(3) 상기 (2)에 기재된 자동 시료편 제작 장치에서는, 상기 디포지션막이 형성되는 상기 시료편과 상기 기둥형상부 사이의 간격은 100nm 이상, 200nm 이하이다.(3) In the automatic sample piece manufacturing apparatus according to (2), the distance between the sample piece on which the deposition film is formed and the pillar portion is 100 nm or more and 200 nm or less.
(4) 상기 (1) 내지 (3) 중 어느 한 항에 기재된 자동 시료편 제작 장치에서, 상기 컴퓨터는, 상기 디포지션막이 형성되는 상기 시료편과 상기 기둥형상부 사이의 간격을 소정 간격으로 설정할 때에, 상기 시료편과 상기 기둥형상부를 접촉시키고 나서 이격 배치하도록 상기 시료편 이설 수단을 제어한다.(4) In the automatic sample piece producing apparatus according to any one of (1) to (3), the computer is configured to set the interval between the sample piece on which the deposition film is formed and the columnar section at a predetermined interval , The sample piece setting means is controlled so that the sample piece and the columnar portion are brought into contact with each other and then separated from each other.
(5) 상기 (1) 내지 (4) 중 어느 한 항에 기재된 자동 시료편 제작 장치에서, 상기 컴퓨터는, 상기 시료편을 상기 기둥형상부로 이설한 후에, 상기 시료편 이설 수단과 상기 시료편 홀더 사이의 전기 특성이 제2의 소정 상태에 도달하기까지, 상기 시료편 이설 수단과 상기 시료편 사이의 상기 디포지션막에 상기 하전 입자 빔을 조사하도록 상기 하전 입자 빔 조사 광학계를 제어한다.(5) In the automatic sample piece producing apparatus according to any one of (1) to (4), the computer is characterized in that after the sample piece is placed in the columnar section, The charged particle beam irradiation optical system is controlled so as to irradiate the charged particle beam to the deposition film between the sample yarn removing means and the sample piece until the electric characteristic between the charged particle beam irradiating unit and the sample piece reaches the second predetermined state.
(6) 상기 (1) 내지 (5) 중 어느 한 항에 기재된 자동 시료편 제작 장치에서, 상기 컴퓨터는, 상기 시료편 이설 수단과 상기 시료편 홀더 사이의 도통 상태와, 상기 시료편 및 상기 기둥형상부의 흡수 전류상 중, 적어도 어느 한쪽을, 상기 전기 특성으로서 이용한다.(6) In the automatic sample preparation apparatus according to any one of (1) to (5), the computer is further configured to control the conduction state between the sample piece removing means and the sample piece holder, And at least one of the absorption current phase of the shape portion is used as the electric characteristic.
(7) 상기 (6)에 기재된 자동 시료편 제작 장치에서, 상기 컴퓨터는, 상기 시료편과 상기 기둥형상부의 사이에 상기 디포지션막을 형성하도록 상기 하전 입자 빔 조사 광학계와 상기 시료편 이설 수단과 상기 가스 공급부를 제어할 때에, 소정 시간 이내에 상기 도통 상태가 상기 소정 상태에 도달하지 않는 경우, 상기 흡수 전류상을 상기 전기 특성으로서 이용한다.(7) In the automated specimen manufacturing apparatus according to (6), the computer may further include a charged particle beam irradiating optical system, a specimen piece removing means, and a specimen removing unit to form the deposition film between the specimen piece and the pillar- When the conduction state does not reach the predetermined state within a predetermined time when the gas supply unit is controlled, the absorption current phase is used as the electric characteristic.
(8) 상기 (1) 내지 (7) 중 어느 한 항에 기재된 자동 시료편 제작 장치에서, 상기 컴퓨터는, 상기 시료편과 상기 기둥형상부 사이에 상기 디포지션막을 형성하도록 상기 하전 입자 빔 조사 광학계와 상기 시료편 이설 수단과 상기 가스 공급부를 제어할 때에, 소정 시간 이내에 상기 전기 특성이 상기 소정 상태에 도달하지 않는 경우, 그 시료편을 상기 기둥형상부로 이설하는 것을 중단한다.(8) In the automatic sample piece producing apparatus according to any one of (1) to (7), the computer may further comprise a charged particle beam irradiating optical system for forming the deposition film between the sample piece and the columnar section, When the electric characteristic does not reach the predetermined state within a predetermined time at the time of controlling the sample piece removing means and the gas supply portion, stopping the sample piece from being stuck to the columnar portion is stopped.
(9) 상기 (8)에 기재된 자동 시료편 제작 장치에서, 상기 컴퓨터는, 상기 시료편을 상기 기둥형상부로 이설하는 것을 중단한 경우, 상기 시료편 이설 수단과 상기 시료편 사이의 상기 디포지션막에 상기 하전 입자 빔을 조사함으로써 상기 시료편 이설 수단과 상기 시료편을 분리하도록 상기 하전 입자 빔 조사 광학계를 제어한다.(9) In the automatic sample piece producing apparatus according to (8), when the step of stopping the transfer of the sample piece to the columnar section is stopped, To control the charged particle beam irradiation optical system so as to separate the sample piece removing means and the sample piece by irradiating the charged particle beam.
본 발명의 자동 시료편 제작 장치에 의하면, 이온 빔에 의한 시료의 가공에 의해서 형성된 시료편을 적출하여 시료편 홀더로 이설시키는 동작을 자동화할 수 있다.According to the automatic sample preparation apparatus of the present invention, it is possible to automate the operation of extracting a sample piece formed by processing a sample by an ion beam and placing it in a sample piece holder.
도 1은 본 발명의 실시 형태에 관련된 자동 시료편 제작 장치의 구성도이다.
도 2는 본 발명의 실시 형태에 관련된 자동 시료편 제작 장치의 시료에 형성된 시료편을 나타내는 평면도이다.
도 3은 본 발명의 실시 형태에 관련된 자동 시료편 제작 장치의 시료편 홀더를 나타내는 평면도이다.
도 4는 본 발명의 실시 형태에 관련된 자동 시료편 제작 장치의 시료편 홀더를 나타내는 측면도이다.
도 5는 본 발명의 실시 형태에 관련된 자동 시료편 제작 장치의 동작을 나타내는 플로우차트 중, 특히, 초기 설정 공정의 플로우차트이다.
도 6은 본 발명의 실시 형태에 관련된 자동 시료편 제작 장치의 동작을 나타내는 플로우차트 중, 특히, 시료편 픽업 공정의 플로우차트이다.
도 7은 본 발명의 실시 형태에 관련된 자동 시료편 제작 장치의 동작을 나타내는 플로우차트 중, 특히, 시료편 마운트 공정의 플로우차트이다.
도 8은 본 발명의 실시 형태에 관련된 자동 시료편 제작 장치의 동작을 나타내는 플로우차트 중, 특히, 니들 밀링 공정의 플로우차트이다.
도 9는 본 발명의 실시 형태에 관련된 자동 시료편 제작 장치의 집속 이온 빔에 의해 얻어지는 니들 선단의 템플릿을 나타내는 도면이다.
도 10은 본 발명의 실시 형태에 관련된 자동 시료편 제작 장치의 전자빔에 의해 얻어지는 니들 선단의 템플릿을 나타내는 도면이다.
도 11은 본 발명의 실시 형태에 관련된 자동 시료편 제작 장치의 집속 이온 빔에 의해 얻어지는 화상 데이터에 있어서의 니들의 선단을 나타내는 도면이다.
도 12는 본 발명의 실시 형태에 관련된 자동 시료편 제작 장치의 전자 빔에 의해 얻어지는 화상 데이터에 있어서의 니들의 선단을 나타내는 도면이다.
도 13은 본 발명의 실시 형태에 관련된 자동 시료편 제작 장치의 집속 이온 빔에 의해 얻어지는 화상 데이터에 있어서의 니들의 선단 및 시료편을 나타내는 도면이다.
도 14는 본 발명의 실시 형태에 관련된 자동 시료편 제작 장치의 전자 빔에 의해 얻어지는 화상 데이터에 있어서의 니들의 선단 및 시료편을 나타내는 도면이다.
도 15는 본 발명의 실시 형태에 관련된 자동 시료편 제작 장치의 집속 이온 빔에 의해 얻어지는 화상 데이터에 있어서의 니들 및 시료편의 접속 가공 위치를 포함하는 가공 프레임을 나타내는 도면이다.
도 16은 본 발명의 실시 형태에 관련된 자동 시료편 제작 장치의 집속 이온 빔에 의해 얻어지는 화상 데이터에 있어서의 시료 및 시료편의 지지부의 절단 가공 위치 T1를 나타내는 도면이다.
도 17은 본 발명의 실시 형태에 관련된 자동 시료편 제작 장치의 전자빔에 의해 얻어지는 화상 데이터에 있어서의 시료편이 접속된 니들을 퇴피시킨 상태를 나타내는 도면이다.
도 18은 본 발명의 실시 형태에 관련된 자동 시료편 제작 장치의 전자빔에 의해 얻어지는 화상 데이터에 있어서의 시료편이 접속된 니들에 대하여 스테이지를 퇴피시킨 상태를 나타내는 도면이다.
도 19는 본 발명의 실시 형태에 관련된 자동 시료편 제작 장치의 집속 이온 빔에 의해 얻어지는 화상 데이터에 있어서의 기둥형상부의 시료편의 부착 위치를 나타내는 도면이다.
도 20은 본 발명의 실시 형태에 관련된 자동 시료편 제작 장치의 전자 빔에 의해 얻어지는 화상 데이터에 있어서의 기둥형상부의 시료편의 부착 위치를 나타내는 도면이다.
도 21은 본 발명의 실시 형태에 관련된 자동 시료편 제작 장치의 집속 이온 빔에 의해 얻어지는 화상 데이터에 있어서의 시료대의 시료편의 부착 위치 주변에서 이동 정지한 니들을 나타내는 도면이다.
도 22는 본 발명의 실시 형태에 관련된 자동 시료편 제작 장치의 전자빔에 의해 얻어지는 화상 데이터에 있어서의 시료대의 시료편의 부착 위치 주변에서 이동 정지한 니들을 나타내는 도면이다.
도 23은 본 발명의 실시 형태에 관련된 자동 시료편 제작 장치의 집속 이온 빔에 의해 얻어지는 화상 데이터에 있어서의 니들에 접속된 시료편을 시료대에 접속하기 위한 가공 프레임을 나타내는 도면이다.
도 24는 본 발명의 실시 형태에 관련된 자동 시료편 제작 장치의 집속 이온 빔에 의해 얻어지는 화상 데이터에 있어서의 니들과 시료편을 접속하는 디포지션막을 절단하기 위한 절단 가공 위치를 나타내는 도면이다.
도 25는 본 발명의 실시 형태에 관련된 자동 시료편 제작 장치의 집속 이온 빔에 의해 얻어지는 화상 데이터에 있어서의 니들을 퇴피시킨 상태를 나타내는 도면이다.
도 26은 본 발명의 실시 형태에 관련된 자동 시료편 제작 장치의 전자 빔에 의해 얻어지는 화상 데이터에 있어서의 니들을 퇴피시킨 상태를 나타내는 도면이다.
도 27은 본 발명의 실시 형태에 관련된 자동 시료편 제작 장치의 집속 이온 빔에 의해 얻어지는 화상 데이터에 있어서의 니들의 선단 형상을 나타내는 도면이다.
도 28은 도 27에 나타내는 화상에 밀링해야 할 가공 프레임을 겹침 표시한 도면이다.
도 29는 본 발명의 실시 형태에 관련된 자동 시료편 제작 장치에 있어서, 집속 이온 빔 조사에 의해서 얻어지는 화상을 기초로 한 기둥형상부와 시료편의 위치 관계를 나타내는 설명도이다.
도 30은 본 발명의 실시 형태에 관련된 자동 시료편 제작 장치에 있어서, 전자 빔 조사에 의해서 얻어지는 화상을 기초로 한 기둥형상부와 시료편의 위치 관계를 나타내는 설명도이다.
도 31은 본 발명의 실시 형태에 관련된 자동 시료편 제작 장치에 있어서, 전자 빔 조사에 의해서 얻어지는 화상을 기초로 한 기둥형상부와 시료편의 엣지를 이용한 템플릿을 나타내는 설명도이다.
도 32는 본 발명의 실시 형태에 관련된 자동 시료편 제작 장치에 있어서, 기둥형상부와 시료편을 접속할 때의 위치 관계를 나타내는 템플릿을 설명하는 설명도이다.
도 33은 본 발명의 실시 형태에 관련된 자동 시료편 제작 장치의 집속 이온 빔에 의해 얻어지는 화상 데이터에 있어서의 시료편이 접속된 니들의 회전 각도 0°에서의 어프로치 모드의 상태를 나타내는 도면이다.
도 34는 본 발명의 실시 형태에 관련된 자동 시료편 제작 장치의 전자 빔에 의해 얻어지는 화상 데이터에 있어서의 시료편이 접속된 니들의 회전 각도 0°에서의 어프로치 모드 상태를 나타내는 도면이다.
도 35는 본 발명의 실시 형태에 관련된 자동 시료편 제작 장치의 집속 이온 빔에 의해 얻어지는 화상 데이터에 있어서의 시료편이 접속된 니들의 회전 각도 90°에서의 어프로치 모드 상태를 나타내는 도면이다.
도 36은 본 발명의 실시 형태에 관련된 자동 시료편 제작 장치의 전자 빔에 의해 얻어지는 화상 데이터에 있어서의 시료편이 접속된 니들의 회전 각도 90°에서의 어프로치 모드 상태를 나타내는 도면이다.
도 37은 본 발명의 실시 형태에 관련된 하전 입자 빔 장치의 집속 이온 빔에 의해 얻어지는 화상 데이터에 있어서의 시료편이 접속된 니들의 회전 각도 180°에서의 어프로치 모드 상태를 나타내는 도면이다.
도 38은 본 발명의 실시 형태에 관련된 자동 시료편 제작 장치의 전자 빔에 의해 얻어지는 화상 데이터에 있어서의 시료편이 접속된 니들의 회전 각도 180°에서의 어프로치 모드의 상태를 나타내는 도면이다.BRIEF DESCRIPTION OF DRAWINGS FIG. 1 is a configuration diagram of an automatic sample piece production apparatus according to an embodiment of the present invention. FIG.
2 is a plan view showing a sample piece formed on a sample of the automatic sample piece producing apparatus according to the embodiment of the present invention.
3 is a plan view showing a specimen holder of the automatic specimen production apparatus according to the embodiment of the present invention.
4 is a side view showing a sample holder of an automatic sample piece production apparatus according to an embodiment of the present invention.
5 is a flowchart showing the operation of the automatic sample production apparatus according to the embodiment of the present invention, particularly the initial setting step.
Fig. 6 is a flowchart of a sample piece pick-up process, particularly a flow chart showing the operation of the automatic sample piece production apparatus according to the embodiment of the present invention.
Fig. 7 is a flowchart of a sample piece mounting process, particularly a flow chart showing the operation of the automatic sample piece production apparatus according to the embodiment of the present invention.
FIG. 8 is a flowchart of a needle milling process in a flowchart showing the operation of the automatic sample feeder according to the embodiment of the present invention.
9 is a view showing a template of the needle tip obtained by the focused ion beam of the automatic sample piece producing apparatus according to the embodiment of the present invention.
10 is a view showing a template of a needle tip obtained by an electron beam of the automatic sample piece producing apparatus according to the embodiment of the present invention.
11 is a diagram showing the tip of a needle in image data obtained by a focused ion beam in the automatic sample piece producing apparatus according to the embodiment of the present invention.
12 is a diagram showing the tip of a needle in image data obtained by an electron beam of the automatic sample piece producing apparatus according to the embodiment of the present invention.
Fig. 13 is a diagram showing the tip of a needle and a sample piece in image data obtained by a focused ion beam in the automatic sample piece producing apparatus according to the embodiment of the present invention. Fig.
Fig. 14 is a diagram showing the tip of a needle and a sample piece in image data obtained by an electron beam in the automatic sample piece producing apparatus according to the embodiment of the present invention. Fig.
Fig. 15 is a view showing a machining frame including needle and sample piece connection position in image data obtained by the focused ion beam of the automatic sample piece producing apparatus according to the embodiment of the present invention. Fig.
Fig. 16 is a diagram showing a cutting position T1 of a sample and a supporting portion of a sample piece in image data obtained by a focused ion beam in the automatic sample piece producing apparatus according to the embodiment of the present invention. Fig.
17 is a diagram showing a state in which a needle to which a sample piece is connected in the image data obtained by the electron beam of the automatic sample piece production apparatus according to the embodiment of the present invention is retracted.
18 is a diagram showing a state in which the stage is retracted with respect to the needle to which the sample piece is connected in the image data obtained by the electron beam of the automatic sample piece production apparatus according to the embodiment of the present invention.
Fig. 19 is a diagram showing the position of attachment of the columnar portion of the sample piece in the image data obtained by the focused ion beam of the automatic sample piece producing apparatus according to the embodiment of the present invention. Fig.
Fig. 20 is a view showing a position of attachment of a sample piece of a columnar section in image data obtained by an electron beam of the automatic sample piece production apparatus according to the embodiment of the present invention. Fig.
Fig. 21 is a view showing needles moved and stopped around the sample piece attachment position of the sample piece in the image data obtained by the focused ion beam of the automatic sample piece production apparatus according to the embodiment of the present invention. Fig.
Fig. 22 is a view showing needles stopped moving around the sample piece attachment position of the sample piece in the image data obtained by the electron beam of the automatic sample piece production apparatus according to the embodiment of the present invention. Fig.
23 is a view showing a processing frame for connecting a sample piece connected to a needle in image data obtained by a focused ion beam of the automatic sample piece production apparatus according to the embodiment of the present invention to a sample band.
Fig. 24 is a view showing a cutting position for cutting a deposition film for connecting a needle and a sample piece in image data obtained by a focused ion beam in the automatic sample piece producing apparatus according to the embodiment of the present invention. Fig.
25 is a diagram showing a state in which the needles are retracted in image data obtained by the focused ion beam of the automatic sample piece producing apparatus according to the embodiment of the present invention.
26 is a diagram showing a state in which needles are retracted in image data obtained by an electron beam in the automatic sample piece producing apparatus according to the embodiment of the present invention.
Fig. 27 is a diagram showing the tip shape of a needle in image data obtained by a focused ion beam in the automatic sample piece producing apparatus according to the embodiment of the present invention. Fig.
Fig. 28 is a diagram showing a superposition of machining frames to be milled on the image shown in Fig.
29 is an explanatory diagram showing the positional relationship between a columnar section based on an image obtained by focused ion beam irradiation and a sample piece in the automatic sample piece producing apparatus according to the embodiment of the present invention.
30 is an explanatory view showing a positional relationship between a columnar section based on an image obtained by electron beam irradiation and a sample piece in the automatic sample piece producing apparatus according to the embodiment of the present invention.
31 is an explanatory view showing a template using a columnar section based on an image obtained by electron beam irradiation and an edge of a sample piece in the automatic sample piece producing apparatus according to the embodiment of the present invention.
32 is an explanatory view for explaining a template showing the positional relation when the columnar section and the sample piece are connected in the automatic sample piece production apparatus according to the embodiment of the present invention.
Fig. 33 is a diagram showing the state of the approach mode at a rotation angle of 0 degrees of the needle to which the sample piece is connected in the image data obtained by the focused ion beam of the automatic sample piece production apparatus according to the embodiment of the present invention. Fig.
34 is a diagram showing an approach mode state at a rotation angle of 0 degrees of a needle to which a sample piece is connected in image data obtained by an electron beam in the automatic sample piece production apparatus according to the embodiment of the present invention.
35 is a diagram showing an approach mode state at a rotation angle of 90 degrees of a needle to which a sample piece is connected in image data obtained by a focused ion beam in the automatic sample piece production apparatus according to the embodiment of the present invention.
36 is a diagram showing an approach mode state at a rotation angle of 90 degrees of a needle to which a sample piece is connected in image data obtained by an electron beam of the automatic sample piece production apparatus according to the embodiment of the present invention.
37 is a diagram showing an approach mode state at a rotational angle of 180 degrees of a needle to which a sample piece is connected in image data obtained by a focused ion beam of a charged particle beam apparatus according to an embodiment of the present invention.
38 is a diagram showing the state of the approach mode at a rotation angle of 180 degrees of the needle to which the sample piece is connected in the image data obtained by the electron beam in the automatic sample piece production apparatus according to the embodiment of the present invention.
이하, 본 발명의 실시 형태에 관련된 자동으로 시료편을 제작 가능한 자동 시료편 제작 장치에 대하여 첨부 도면을 참조하면서 설명한다.DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, an automatic sample piece producing apparatus capable of automatically producing a sample piece according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.
도 1은, 본 발명의 실시 형태에 관련된 하전 입자 빔 장치(10a)를 구비하는 자동 시료편 제작 장치(10)의 구성도이다. 본 발명의 실시 형태에 관련된 자동 시료편 제작 장치(10)는, 하전 입자 빔 장치(10a)를 구비하고 있다. 하전 입자 빔 장치(10a)는, 도 1에 나타내는 바와 같이, 내부를 진공 상태로 유지 가능한 시료실(11)과, 시료실(11)의 내부에 있어서 시료(S) 및 시료편 홀더(P)를 고정 가능한 스테이지(12)와, 스테이지(12)를 구동하는 스테이지 구동 기구(13)를 구비하고 있다. 하전 입자 빔 장치(10a)는, 시료실(11)의 내부에 있어서의 소정의 조사 영역(즉 주사 범위) 내의 조사 대상에 집속 이온 빔(FIB)을 조사하는 집속 이온 빔 조사 광학계(14)를 구비하고 있다. 하전 입자 빔 장치(10a)는, 시료실(11)의 내부에 있어서의 소정의 조사 영역 내의 조사 대상에 전자 빔(EB)을 조사하는 전자 빔 조사 광학계(15)를 구비하고 있다. 하전 입자 빔 장치(10a)는, 집속 이온 빔 또는 전자빔의 조사에 의해서 조사 대상으로부터 발생하는 2차 하전 입자(2차 전자, 2차 이온)(R)를 검출하는 검출기(16)를 구비하고 있다. 하전 입자 빔 장치(10a)는, 조사 대상의 표면에 가스(G)를 공급하는 가스 공급부(17)를 구비하고 있다. 가스 공급부(17)는 구체적으로는 외경 200㎛ 정도의 노즐(17a) 등이다. 하전 입자 빔 장치(10a)는, 스테이지(12)에 고정된 시료(S)로부터 미소한 시료편(Q)을 취출하고, 시료편(Q)을 유지하여 시료편 홀더(P)로 이설하는 니들(18)과, 니들(18)을 구동하여 시료편(Q)을 반송하는 니들 구동 기구(19)를 구비하고 있다. 이 니들(18)과 니들 구동 기구(19)를 합하여 시료편 이설 수단이라고 부르기도 한다. 하전 입자 빔 장치(10a)는, 검출기(16)에 의해서 검출된 2차 하전 입자(R)에 의거하는 화상 데이터 등을 표시하는 표시 장치(20)와, 컴퓨터(21)와, 입력 디바이스(22)를 구비하고 있다.1 is a configuration diagram of an automatic sample
또한, 집속 이온 빔 조사 광학계(14) 및 전자빔 조사 광학계(15)의 조사 대상은, 스테이지(12)에 고정된 시료(S), 시료편(Q), 및 조사 영역 내에 존재하는 니들(18)이나 시료편 홀더(P) 등이다.The objects to be irradiated by the focused ion beam irradiation
이 실시 형태에 관련된 하전 입자 빔 장치(10a)는, 조사 대상의 표면에 집속 이온 빔을 주사하면서 조사함으로써, 피조사부의 화상화 나 스퍼터링에 의한 각종 가공(굴삭, 트리밍 가공 등)과, 디포지션막의 형성 등이 실행 가능하다. 하전 입자 빔 장치(10a)는, 시료(S)로부터 투과형 전자 현미경에 의한 투과 관찰용의 시료편(Q)(예를 들면, 박편 시료, 침형상 시료 등)이나 전자 빔 이용의 분석 시료편을 형성하는 가공을 실행 가능하다. 하전 입자 빔 장치(10a)는, 시료편 홀더(P)에 이설된 시료편(Q)을, 투과형 전자 현미경에 의한 투과 관찰에 적합한 원하는 두께(예를 들면, 5~100nm 등)의 박막으로 하는 가공을 실행 가능하다. 하전 입자 빔 장치(10a)는, 시료편(Q) 및 니들(18) 등의 조사 대상의 표면에 집속 이온 빔 또는 전자 빔을 주사하면서 조사함으로써, 조사 대상 표면의 관찰을 실행 가능하다.The charged
도 2는, 본 발명의 실시 형태에 관련된 하전 입자 빔 장치(10a)에 있어서, 집속 이온 빔을 시료(S) 표면(사선부)에 조사하여 형성된, 시료(S)로부터 적출되기 전의 시료편(Q)을 나타내는 평면도이다. 부호 F는 집속 이온 빔에 의한 가공 프레임, 즉, 집속 이온 빔의 주사 범위를 나타내고, 그 내측(백색부)이 집속 이온 빔 조사에 의해서 스퍼터 가공되어 굴삭된 가공 영역(H)을 나타내고 있다. 부호 Ref는, 시료편(Q)을 형성하는(굴삭하지 않고 남기는) 위치를 나타내는 레퍼런스 마크(기준점)이며, 예를 들면, 후술하는 디포지션막(예를 들면, 한변 1μm의 정방형)에 집속 이온 빔에 의해서 예를 들면 직경 30nm의 미세구멍을 형성한 형상이며, 집속 이온 빔이나 전자 빔에 의한 화상에서는 콘트라스트 좋게 인식할 수 있다. 시료편(Q)의 개략의 위치를 알기 위해서는 디포지션막을 이용하여, 정밀한 위치 맞춤에는 미세구멍을 이용한다. 시료(S)에 있어서 시료편(Q)은, 시료(S)에 접속되는 지지부(Qa)를 남겨 측부측 및 저부측의 주변부가 깎여들어가 제거되도록 에칭 가공되어 있고, 지지부(Qa)에 의해서 시료(S)에 외팔보 지지되어 있다. 시료편(Q)의 길이 방향의 치수는, 예를 들면, 10㎛, 15㎛, 20㎛ 정도이고, 폭(두께)은, 예를 들면, 500nm, 1㎛, 2㎛, 3㎛ 정도의 미소한 시료편이다.2 is a schematic view showing a charged
시료실(11)은, 배기 장치(도시 생략)에 의해서 내부를 원하는 진공 상태가 되기까지 배기 가능함과 더불어, 원하는 진공 상태를 유지 가능하게 구성되어 있다.The
스테이지(12)는, 시료(S)를 유지한다. 스테이지(12)는, 시료편 홀더(P)를 유지하는 홀더 고정대(12a)를 구비하고 있다. 이 홀더 고정대(12a)는 복수의 시료편 홀더(P)를 탑재할 수 있는 구조여도 된다.The
도 3은 시료편 홀더(P)의 평면도이며, 도 4는 측면도이다. 시료편 홀더(P)는, 절결부(31)를 가지는 반원형 판상의 기부(32)와, 절결부(31)에 고정되는 시료대(33)를 구비하고 있다. 기부(32)는, 예를 들면 금속에 의해서 직경 3mm 및 두께 50㎛ 등의 원형 판상으로 형성되어 있다. 시료대(33)는, 예를 들면 실리콘 웨이퍼로부터 반도체 제조 프로세스에 의해서 형성되고, 도전성의 접착제에 의해서 절결부(31)에 붙여져 있다. 시료대(33)는 빗살형상이며, 이격 배치되어 돌출하는 복수(예를 들면, 5개, 10개, 15개, 20개 등)이고, 시료편(Q)이 이설되는 기둥형상부(이하, 필러라고도 한다)(34)를 구비하고 있다. 각 기둥형상부(34)의 폭을 다르게 해 둠으로써, 각 기둥형상부(34)로 이설한 시료편(Q)과 기둥형상부(34)의 화상을 대응시키고, 또한 대응하는 시료편 홀더(P)와 대응시켜 컴퓨터(21)에 기억시켜 둠으로써, 1개의 시료(S)로부터 다수개의 시료편(Q)을 제작한 경우에도 틀림없이 인식할 수 있어, 후속하는 투과 전자 현미경 등의 분석을 해당하는 시료편(Q)과 시료(S) 상의 적출 개소의 대응도 틀림없이 행할 수 있다. 각 기둥형상부(34)는, 예를 들면 선단부의 두께는 10㎛ 이하, 5㎛ 이하 등으로 형성되고, 선단부에 부착되는 시료편(Q)을 유지한다.Fig. 3 is a plan view of the sample piece holder P, and Fig. 4 is a side view. The sample piece holder P includes a semicircular plate-
스테이지 구동 기구(13)는, 스테이지(12)에 접속된 상태에서 시료실(11)의 내부에 수용되어 있고, 컴퓨터(21)로부터 출력되는 제어 신호에 따라서 스테이지(12)를 소정 축에 대하여 변위시킨다. 스테이지 구동 기구(13)는, 적어도 수평면에 평행하고 또한 서로 직교하는 X축 및 Y축과 X축 및 Y축에 직교하는 연직 방향의 Z축을 따라서 평행하게 스테이지(12)를 이동시키는 이동 기구(13a)를 구비하고 있다. 스테이지 구동 기구(13)는, 스테이지(12)를 X축 또는 Y축 둘레로 경사시키는 틸트 기구(13b)와, 스테이지(12)를 Z축 둘레로 회전시키는 회전 기구(13c)를 구비하고 있다.The
집속 이온 빔 조사 광학계(14)는, 시료실(11)의 내부에 있어서 빔 출사부(도시 생략)를, 조사 영역 내의 스테이지(12)의 연직 방향 상방의 위치에서 스테이지(12)를 향하게 함과 더불어, 광축을 연직 방향에 평행하게 하여, 시료실(11)에 고정되어 있다. 이에 따라, 스테이지(12)에 고정된 시료(S), 시료편(Q), 및 조사 영역 내에 존재하는 니들(18) 등의 조사 대상에 연직 방향 상방으로부터 하방을 향하여 집속 이온 빔을 조사 가능하다.The focused ion beam irradiation
집속 이온 빔 조사 광학계(14)는, 이온을 발생시키는 이온원(14a)과, 이온원(14a)으로부터 인출된 이온을 집속 및 편향시키는 이온 광학계(14b)를 구비하고 있다. 이온원(14a) 및 이온 광학계(14b)는, 컴퓨터(21)로부터 출력되는 제어 신호에 따라서 제어되고, 집속 이온 빔의 조사 위치 및 조사 조건 등이 컴퓨터(21)에 의해서 제어된다. 이온원(14a)은, 예를 들면, 액체 갈륨 등을 이용한 액체 금속 이온원, 플라즈마형 이온원, 가스 전계 전리형 이온원 등이다. 이온 광학계(14b)는, 예를 들면, 콘덴서 렌즈 등의 제1 정전 렌즈와, 정전 편향기와, 대물 렌즈 등의 제2 정전 렌즈 등을 구비하고 있다.The focused ion beam irradiation
전자빔 조사 광학계(15)는, 시료실(11)의 내부에 있어서 빔 출사부(도시 생략)를, 조사 영역내의 스테이지(12)의 연직 방향에 대하여 소정 각도(예를 들면 60°) 경사진 경사 방향에서 스테이지(12)를 향하게 함과 더불어, 광축을 경사 방향으로 평행하게 하여, 시료실(11)에 고정되어 있다. 이에 따라, 스테이지(12)에 고정된 시료(S), 시료편(Q), 및 조사 영역 내에 존재하는 니들(18) 등의 조사 대상에 경사 방향의 상방으로부터 하방을 향하여 전자 빔을 조사 가능하다.The electron beam irradiating
전자 빔 조사 광학계(15)는, 전자를 발생시키는 전자원(15a)과, 전자원(15a)으로부터 사출된 전자를 집속 및 편향시키는 전자 광학계(15b)를 구비하고 있다. 전자원(15a) 및 전자 광학계(15b)는, 컴퓨터(21)로부터 출력되는 제어 신호에 따라 제어되고, 전자 빔의 조사 위치 및 조사 조건 등이 컴퓨터(21)에 의해서 제어된다. 전자 광학계(15b)는, 예를 들면, 전자 렌즈와 편향기 등을 구비하고 있다.The electron beam irradiation
또한, 전자 빔 조사 광학계(15)와 집속 이온 빔 조사 광학계(14)의 배치를 바꾸어, 전자 빔 조사 광학계(15)를 연직 방향으로, 집속 이온 빔 조사 광학계(14)를 연직 방향으로 소정 각도 경사진 경사 방향으로 배치해도 된다.The arrangement of the electron beam irradiation
검출기(16)는, 시료(S) 및 니들(18) 등의 조사 대상에 집속 이온 빔이나 전자 빔이 조사되었을 때에 조사 대상으로부터 방사되는 2차 하전 입자(2차 전자 및 2차 이온)(R)의 강도(즉, 2차 하전 입자의 양)를 검출하여, 2차 하전 입자(R)의 검출량의 정보를 출력한다. 검출기(16)는, 시료실(11)의 내부에 있어서 2차 하전 입자(R)의 양을 검출 가능한 위치, 예를 들면 조사 영역 내의 시료(S) 등의 조사 대상에 대하여 상방으로 비스듬한 위치 등에 배치되어, 시료실(11)에 고정되어 있다.The
가스 공급부(17)는 시료실(11)에 고정되어 있고, 시료실(11)의 내부에 있어서 가스 분사부(노즐이라고도 한다)를 가지고, 스테이지(12)를 향하여 배치되어 있다. 가스 공급부(17)는, 집속 이온 빔에 의한 시료(S)의 에칭을 시료(S)의 재질에 따라서 선택적으로 촉진하기 위한 에칭용 가스와, 시료(S)의 표면에 금속 또는 절연체 등의 퇴적물에 의한 디포지션막을 형성하기 위한 디포지션용 가스 등을 시료(S)에 공급 가능하다. 예를 들면, Si계의 시료(S)에 대한 플루오르화 크세논과, 유기계의 시료(S)에 대한 물 등의 에칭용 가스를, 집속 이온 빔의 조사와 함께 시료(S)에 공급함으로써, 에칭을 선택적으로 촉진시킨다. 또한, 예를 들면, 플라티나, 카본, 또는 텅스텐 등을 함유한 디포지션용 가스를, 집속 이온 빔의 조사와 함께 시료(S)에 공급함으로써, 디포지션용 가스로부터 분해된 고체 성분을 시료(S)의 표면에 퇴적(디포지션)할 수 있다. 디포지션용 가스의 구체적인 예로서, 카본을 포함하는 가스로서 페난트렌이나 나프탈렌 등, 플라티나를 포함하는 가스로서 트리메틸·에틸시클로펜타디에닐·플라티나 등, 또한, 텅스텐을 포함하는 가스로서 탕스텐 헥사카르보닐 등이 있다. 또한, 공급 가스에 따라서는, 전자 빔을 조사하는 것으로도, 에칭이나 디포지션을 행할 수 있다.The
니들 구동 기구(19)는, 니들(18)이 접속된 상태에서 시료실(11)의 내부에 수용되어 있고, 컴퓨터(21)로부터 출력되는 제어 신호에 따라서 니들(18)을 변위시킨다. 니들 구동 기구(19)는, 스테이지(12)와 일체로 설치되어 있고, 예를 들면 스테이지(12)가 틸트 기구(13b)에 의해서 틸트축(즉, X축 또는 Y축) 둘레로 회전하면, 스테이지(12)와 일체로 이동한다. 니들 구동 기구(19)는, 3차원 좌표축의 각각에 따라서 평행하게 니들(18)을 이동시키는 이동 기구(도시 생략)와, 니들(18)의 중심축 둘레로 니들(18)을 회전시키는 회전 기구(도시 생략)를 구비하고 있다. 또한, 이 3차원 좌표축은, 시료 스테이지의 직교 3축 좌표계와는 독립되어 있고, 스테이지(12)의 표면에 평행한 2차원 좌표축으로 하는 직교 3축 좌표계에서, 스테이지(12)의 표면이 경사 상태, 회전 상태에 있는 경우, 이 좌표계는 경사져, 회전한다.The
컴퓨터(21)는, 시료실(11)의 외부에 배치되고, 표시 장치(20)와, 조작자의 입력 조작에 따른 신호를 출력하는 마우스 및 키보드 등의 입력 디바이스(22)가 접속되어 있다.The
컴퓨터(21)는, 입력 디바이스(22)로부터 출력되는 신호 또는 미리 설정된 자동 운전 제어 처리에 의해서 생성되는 신호 등에 의해서, 하전 입자 빔 장치(10a)의 동작을 통합적으로 제어한다.The
컴퓨터(21)는, 하전 입자 빔의 조사 위치를 주사하면서 검출기(16)에 의해서 검출되는 2차 하전 입자(R)의 검출량을, 조사 위치에 대응시킨 휘도 신호로 변환하여, 2차 하전 입자(R)의 검출량의 2차원 위치 분포에 따라서 조사 대상의 형상을 나타내는 화상 데이터를 생성한다. 흡수 전류 화상 모드에서는, 컴퓨터(21)는, 하전 입자 빔의 조사 위치를 주사하면서 니들(18)에 흐르는 흡수 전류를 검출함으로써, 흡수 전류의 2차원 위치 분포(흡수 전류 화상)에 의해서 니들(18)의 형상을 나타내는 흡수 전류 화상 데이터를 생성한다. 컴퓨터(21)는, 생성한 각 화상 데이터와 함께, 각 화상 데이터의 확대, 축소, 이동, 및 회전 등의 조작을 실행하기 위한 화면을, 표시 장치(20)에 표시시킨다. 컴퓨터(21)는, 자동적인 시퀀스 제어에 있어서의 모드 선택 및 가공 설정 등의 각종 설정을 행하기 위한 화면을, 표시 장치(20)에 표시시킨다.The
본 발명의 실시 형태에 의한 하전 입자 빔 장치(10a)는 상기 구성을 구비하고 있고, 다음에, 이 하전 입자 빔 장치(10a)의 동작에 대하여 설명한다.The charged
이하, 컴퓨터(21)가 실행하는 자동 시료 샘플링의 동작, 즉 하전 입자 빔(집속 이온 빔)에 의한 시료(S)의 가공에 의해서 형성된 시료편(Q)을 자동적으로 시료편 홀더(P)에 이동시키는 동작에 대하여, 초기 설정 공정, 시료편 픽업 공정, 시료편 마운트 공정, 니들 트리밍 공정으로 크게 나누어, 순차적으로 설명한다.The sample piece Q formed by the operation of the automatic sample sampling performed by the
<초기 설정 공정>≪ Initial setting process >
도 5는, 본 발명의 실시 형태에 관련된 하전 입자 빔 장치(10a)에 의한 자동 시료 제작의 동작 중 초기 설정 공정의 흐름을 나타내는 플로우차트이다. 먼저, 컴퓨터(21)는, 자동 시퀀스의 개시시에 조작자의 입력에 따라서 후술하는 자세 제어 모드의 유무 등의 모드 선택, 템플릿 매칭용의 관찰 조건, 및 가공 조건 설정(가공 위치, 치수, 개수 등의 설정) 등을 행한다(단계 S010).Fig. 5 is a flowchart showing the flow of the initial setting process during the operation of automatic sample production by the charged
다음에, 컴퓨터(21)는, 기둥형상부(34)의 템플릿을 작성한다(단계 S020 내지 단계 S027). 이 템플릿 작성에 있어서, 먼저, 컴퓨터(21)는, 조작자에 의해서 스테이지(12)의 홀더 고정대(12a)에 설치되는 시료편 홀더(P)의 위치 등록 처리를 행한다(단계 S020). 컴퓨터(21)는, 샘플링 프로세스의 최초에 기둥형상부(34)의 템플릿을 작성한다. 컴퓨터(21)는, 기둥형상부(34)마다 템플릿을 작성한다. 컴퓨터(21)는, 각 기둥형상부(34)의 스테이지 좌표 취득과 템플릿 작성을 행하고, 이들을 세트로 기억하여, 후에 템플릿 매칭(템플릿과 화상의 겹침)으로 기둥형상부(34)의 형상을 판정할 때에 이용한다. 컴퓨터(21)는, 템플릿 매칭에 이용하는 기둥형상부(34)의 템플릿으로서, 예를 들면, 화상 그 자체, 화상으로부터 추출한 엣지 정보 등을 미리 기억한다. 컴퓨터(21)는, 후의 프로세스에서, 스테이지(12)의 이동 후에 템플릿 매칭을 행하고, 템플릿 매칭의 스코어에 의해서 기둥형상부(34)의 형상을 판정함으로써, 기둥형상부(34)의 정확한 위치를 인식할 수 있다. 또한, 템플릿 매칭용의 관찰 조건으로서, 템플릿 작성용과 동일한 콘트라스트, 배율 등의 관찰 조건을 이용하면, 정확한 템플릿 매칭을 실시할 수 있으므로 바람직하다.Next, the
컴퓨터(21)는, 시료편 홀더(P)의 위치 등록 처리를, 후술하는 시료편(Q)의 이동에 앞서 행해 둠으로써, 실제로 적정한 형상의 시료대(33)가 존재하는 것을 미리 확인해 둘 수 있다.The
이 위치 등록 처리에 있어서, 먼저, 컴퓨터(21)는, 대략의 조정 동작으로서, 스테이지 구동 기구(13)에 의해서 스테이지(12)를 이동하고, 시료편 홀더(P)에 있어서 시료대(33)가 부착된 위치에 조사 영역을 위치 맞춤한다. 다음에, 컴퓨터(21)는, 미(微)조정의 동작으로서, 하전 입자 빔(집속 이온 빔 및 전자빔의 각각)의 조사에 의해 생성하는 각 화상 데이터로부터, 사전에 시료대(33)의 설계 형상(CAD 정보)으로 작성한 템플릿을 이용해 시료대(33)를 구성하는 복수의 기둥형상부(34)의 위치를 추출한다. 그리고, 컴퓨터(21)는, 추출한 각 기둥형상부(34)의 위치 좌표와 화상을, 시료편(Q)의 부착 위치로서 등록 처리(기억)한다(단계 S023). 이 때, 각 기둥형상부(34)의 화상이, 미리 준비해 둔 기둥형상부의 설계도, CAD도, 또는 기둥형상부(34)의 표준품의 화상과 비교하여, 각 기둥형상부(34)의 변형이나 결핍, 결락 등의 유무를 확인하고, 만약, 불량이면 그 기둥형상부의 좌표 위치와 화상에 함께 불량품인 것도 기억한다.The
다음에, 현재 등록 처리의 실행 중인 시료편 홀더(P)에 등록해야 할 기둥형상부(34)가 없는지 여부를 판정한다(단계 S025). 이 판정 결과가 「NO」인 경우, 즉 등록해야 할 기둥형상부(34)의 잔수 m이 1이상인 경우에는, 처리를 상술한 단계 S023으로 되돌려, 기둥형상부(34)의 잔수 m이 없어질 때까지 단계 S023와 S025를 반복한다. 한편, 이 판정 결과가 「YES」인 경우, 즉 등록해야 할 기둥형상부(34)의 잔수 m이 제로인 경우에는, 처리를 단계 S027로 진행한다.Next, it is judged whether or not there is no
홀더 고정대(12a)에 복수개의 시료편 홀더(P)가 설치되어 있는 경우, 각 시료편 홀더(P)의 위치 좌표, 해당 시료편 홀더(P)의 화상 데이터를 각 시료편 홀더(P)에 대한 코드 번호와 함께 기록하고, 또한, 각 시료편 홀더(P)의 각 기둥형상부(34)의 위치 좌표와 대응하는 코드 번호와 화상 데이터를 기억(등록 처리)한다. 컴퓨터(21)는, 이 위치 등록 처리를, 자동 시료 샘플링을 실시하는 시료편(Q)의 수만큼, 순차적으로, 실시해도 된다.The position coordinates of each sample piece holder P and the image data of the sample piece holder P are stored in the sample piece holders P in the case where a plurality of sample piece holders P are provided on the holder holding table 12a And also stores (registers) code numbers and image data corresponding to the position coordinates of the
그리고, 컴퓨터(21)는, 등록해야 할 시료편 홀더(P)가 없는지 여부를 판정한다(단계 S027). 이 판정 결과가 「NO」인 경우, 즉 등록해야 할 시료편 홀더(P)의 잔수 n이 1이상인 경우에는, 처리를 상술한 단계 S020로 되돌려, 시료편 홀더(P)의 잔수 n이 없어질 때까지 단계 S020 내지 S027를 반복한다. 한편, 이 판정 결과가 「YES」인 경우, 즉 등록해야 할 시료편 홀더(P)의 잔수 n이 제로인 경우에는, 처리를 단계 S030으로 진행한다.Then, the
이에 따라, 1개의 시료(S)로부터 몇십개의 시료편(Q)을 자동 제작하는 경우, 홀더 고정대(12a)에 복수의 시료편 홀더(P)가 위치 등록되고, 그 각각의 기둥형상부(34)의 위치가 화상 등록되어 있기 때문에, 몇십개의 시료편(Q)을 부착해야할 특정 시료편 홀더(P)와, 또한, 특정 기둥형상부(34)를 즉각 하전 입자 빔의 시야 내로 호출할 수 있다.Accordingly, when several dozens of sample pieces Q are automatically manufactured from one sample S, a plurality of sample piece holders P are registered in the holder holding table 12a, and the respective
또한, 이 위치 등록 처리(단계 S020, S023)에 있어서, 만일, 시료편 홀더(P) 자체, 혹은, 기둥형상부(34)가 변형이나 파손되어 있고, 시료편(Q)이 부착되는 상태에 없는 경우는, 상기의 위치 좌표, 화상 데이터, 코드 번호와 함께, 대응시켜 「사용 불가」(시료편(Q)이 부착되지 않는 것을 나타내는 표기) 등으로도 등록해 둔다. 이에 따라, 컴퓨터(21)는, 후술하는 시료편(Q)의 이설 시에, 「사용 불가」의 시료편 홀더(P), 혹은 기둥형상부(34)는 스킵되고, 다음의 정상적인 시료편 홀더(P), 혹은 기둥형상부(34)를 관찰 시야 내로 이동시킬 수 있다.If the sample piece holder P itself or the
다음에, 컴퓨터(21)는, 하전 입자 빔의 화상 데이터를 이용하여, 미리 시료(S)에 형성된 레퍼런스 마크(Ref)를 인식한다. 컴퓨터(21)는, 인식한 레퍼런스 마크(Ref)를 이용하여, 이미 알고 있는 레퍼런스 마크(Ref)와 시료편(Q)의 상대 위치 관계로부터 시료편(Q)의 위치를 인식하고, 시료편(Q)의 위치를 관찰 시야에 들어가도록 스테이지 이동한다(단계 S030).Next, the
다음에, 컴퓨터(21)는, 스테이지 구동 기구(13)에 의해서 스테이지(12)를 구동하고, 시료편(Q)의 자세가 소정 자세(예를 들면, 니들(18)에 의해 취출한 적합한 자세 등)가 되도록, 자세 제어 모드에 대응한 각도분만큼 스테이지(12)를 Z축 둘레로 회전시킨다(단계 S040).Next, the
다음에, 컴퓨터(21)는, 하전 입자 빔의 화상 데이터를 이용해 레퍼런스 마크(Ref)를 인식하고, 이미 알고 있는 레퍼런스 마크(Ref)와 시료편(Q)의 상대 위치 관계로부터 시료편(Q)의 위치를 인식하여, 시료편(Q)의 위치 맞춤을 행한다(단계 S050).Next, the
다음에, 컴퓨터(21)는, 니들 구동 기구(19)에 의해서 니들(18)을 초기설정 위치로 이동시킨다. 초기 설정 위치는, 예를 들면, 미리 설정되어 있는 시야 영역 내의 소정 위치 등이며, 시야 영역 내에서 위치 맞춤이 완료된 시료편(Q) 주변의 소정 위치 등이다. 컴퓨터(21)는, 니들(18)을 초기 설정 위치로 이동시킨 후에, 가스 공급부(17) 선단의 노즐(17a)을 시료편(Q) 주변의 소정 위치에 접근, 예를 들면 스테이지(12)의 연직 방향 상방의 대기 위치로부터 하강시킨다(단계 S060).Next, the
컴퓨터(21)는, 니들(18)을 이동시킬 때에, 시료편(Q)을 형성하는 자동 가공의 실행시에 시료(S)에 형성된 레퍼런스 마크(Ref)를 이용하여, 니들(18)과 시료편(Q)의 3차원적인 위치 관계를 정밀도 좋게 파악할 수 있어, 적정하게 이동시킬 수 있다.The
다음에, 컴퓨터(21)는, 니들(18)을 시료편(Q)에 접촉시키는 처리로서, 이하의 처리를 행한다.Next, the
먼저, 컴퓨터(21)는, 흡수 전류 화상 모드로 전환하여, 니들(18)의 위치를 인식한다(단계 S070). 컴퓨터(21)는, 하전 입자 빔을 주사하면서 니들(18)에 조사함으로써 니들(18)에 흘러들어가는 흡수 전류를 검출하여, 복수의 상이한 방향으로부터 조사한 하전 입자 빔에 의한 흡수 전류 화상 데이터를 생성한다. 흡수 전류 화상에는, 니들(18)과 배경을 오인하지 않고, 확실하게 니들(18)만을 인식할 수 있는 메리트가 있다. 컴퓨터(21)는, 집속 이온 빔의 조사에 의해서 XY 평면(집속 이온 빔의 광축에 수직인 평면)의 흡수 전류 화상 데이터를 취득하고, 전자 빔의 조사에 의해서 XYZ 평면(전자 빔의 광축에 수직인 평면)의 흡수 전류 화상 데이터를 취득한다. 컴퓨터(21)는, 2개의 상이한 방향으로부터 취득한 각 흡수 전류 화상 데이터를 이용해 3차원 공간에서의 니들(18)의 선단 위치를 검출할 수 있다.First, the
여기서, 니들(18)의 형상을 판정한다(단계 S075). 니들(18)이 미리 정한 정상적인 형상이면, 다음의 단계 S080로 진행되고, 만일, 니들(18)의 선단 형상이 변형이나 파손 등에 의해, 시료편(Q)이 부착되는 상태가 아닌 경우는, 단계 S300으로 뛰어넘고, 단계 S080 이후의 전 단계는 실행하지 않고, 자동 시료 샘플링의 동작을 종료시킨다. 즉, 니들 선단 형상이 불량인 경우, 더 이상의 작업을 실행할 수 없어, 장치 조작자에 의한 니들 교환의 작업에 들어간다. 단계 S075에 있어서의 니들 형상의 판단은, 예를 들면, 1변 200㎛의 관찰 시야에서, 니들 선단 위치가 소정의 위치로부터 100㎛ 이상 어긋나 있는 경우는 불량품이라고 판단한다. 또한, 단계 S075에 있어서, 니들 형상이 불량이라고 판단한 경우, 표시 장치(20)에 「니들 불량」등으로 표시하여(단계 S079), 장치의 조작자에게 경고한다.Here, the shape of the
또한, 컴퓨터(21)는, 검출한 니들(18)의 선단 위치를 이용하여, 스테이지 구동 기구(13)에 의해서 스테이지(12)를 구동하고, 니들(18)의 선단 위치를 미리 설정되어 있는 시야 영역의 중심 위치(시야 중심)에 설정해도 된다.The
다음에, 컴퓨터(21)는, 검출한 니들(18)의 선단 위치를 이용하여, 니들(18)의 선단 형상에 대한 템플릿 매칭용 템플릿으로서 레퍼런스 화상 데이터를 취득한다(단계 S080). 도 9는 집속 이온 빔에 의해 얻어지는 니들(18)의 선단의 템플릿을 나타내는 도면이며, 도 10은 전자 빔에 의해 얻어지는 니들(18)의 선단의 템플릿을 나타내는 도면이다. 여기서, 도 9와 도 10에서, 니들(18)의 방향이 상이한 것은, 집속 이온 빔 조사 광학계(14)와 전자 빔 조사 광학계(15)와 검출기(16)의 위치 관계와, 2차 전자에 의한 화상의 표시 방향의 상이에 의한 것으로, 동일한 니들(18)을, 관찰 방향을 바꾸어 보고 있기 때문이다. 컴퓨터(21)는, 스테이지 구동 기구(13)에 의해서 스테이지(12)를 구동하고, 시료편(Q)을 시야 영역 외에 퇴피시킨 상태에서, 하전 입자 빔(집속 이온 빔 및 전자 빔의 각각)을 니들(18)에 주사하면서 조사한다. 컴퓨터(21)는, 하전 입자 빔의 조사에 의해서 니들(18)로부터 방출되는 2차 하전 입자(2차 전자 또는 2차 이온)(R)의 복수의 상이한 평면 내에서의 위치 분포를 나타내는 각 화상 데이터를 취득한다. 컴퓨터(21)는, 집속 이온 빔의 조사에 의해서 XY 평면의 화상 데이터를 취득하고, 전자 빔의 조사에 의해서 XYZ 평면(전자 빔의 광축에 수직인 평면)의 화상 데이터를 취득한다. 컴퓨터(21)는, 집속 이온 빔 및 전자 빔에 의한 화상 데이터를 취득하여, 템플릿(레퍼런스 화상 데이터)으로서 기억한다.Next, the
컴퓨터(21)는, 대략의 조정 및 미조정에 의해 니들(18)을 이동시키기 직전에 실제로 취득하는 화상 데이터를 레퍼런스 화상 데이터로 하므로, 개개의 니들(18)의 형상의 상이에 상관없이, 정밀도가 높은 패턴 매칭을 행할 수 있다. 또한, 컴퓨터(21)는, 스테이지(12)를 퇴피시켜, 배경에 복잡한 구조물이 없는 상태에서 각 화상 데이터를 취득하므로, 백그라운드의 영향을 배제한 니들(18)의 형상을 명확하게 파악할 수 있는 템플릿(레퍼런스 화상 데이터)을 취득할 수 있다.The
또한, 컴퓨터(21)는, 각 화상 데이터를 취득할 때에, 대상물의 인식 정밀도를 증대시키기 위해서 미리 기억한 적합한 배율, 휘도, 콘트라스트 등의 화상 취득 조건을 이용한다.The
또한, 컴퓨터(21)는, 2차 하전 입자(R)에 의한 화상 데이터를 레퍼런스 화상으로 하는 대신에, 흡수 전류 화상 데이터를 레퍼런스 화상으로 해도 된다. 이 경우, 컴퓨터(21)는, 스테이지(12)를 구동하여 시료편(Q)을 시야 영역으로부터 퇴피시키지 않고, 2개의 상이한 평면에 대하여 각 흡수 전류 화상 데이터를 취득해도 된다.The
<시료편 픽업 공정>≪ Sample piece pick-up step &
도 6은, 본 발명의 실시 형태에 관련된 하전 입자 빔 장치(10a)에 의한 자동 시료편 제작의 동작 중, 시료편(Q)을 시료(S)로부터 픽업하는 공정의 흐름을 나타내는 플로우차트이다. 여기서, 픽업이란, 집속 이온 빔에 의한 가공이나 니들에 의해서, 시료편(Q)을 시료(S)로부터 분리, 적출하는 것을 말한다.6 is a flowchart showing the flow of a process of picking up a sample piece Q from a sample S during operation of automatic sample production by the charged
컴퓨터(21)는, 니들 구동 기구(19)에 의해서 니들(18)을 이동시키는 니들 이동(대략의 조정)을 실행한다(단계 S090). 컴퓨터(21)는, 시료(S)에 대한 집속 이온 빔 및 전자 빔에 의한 각 화상 데이터를 이용하여, 레퍼런스 마크(Ref)(상술한 도 2 참조)를 인식한다. 컴퓨터(21)는, 인식한 레퍼런스 마크(Ref)를 이용해 니들(18)의 이동 목표 위치(AP)를 설정한다. 컴퓨터(21)는, 이동 목표 위치(AP)를, 니들(18)과 시료편(Q)을 디포지션막에 의해서 접속하는 가공을 행하기 위해서 필요한 위치로 하고, 시료편(Q)의 형성시의 가공 프레임(F)에 대하여 소정의 위치 관계를 대응시킨다. 컴퓨터(21)는, 집속 이온 빔의 조사에 의해서 시료(S)에 시료편(Q)을 형성할 때의 가공 프레임(F)과 레퍼런스 마크(Ref)의 상대적인 위치 관계의 정보를 기억하고 있다. 컴퓨터(21)는, 인식한 레퍼런스 마크(Ref)를 이용하여, 레퍼런스 마크(Ref)와 가공 프레임(F)과 이동 목표 위치(시료편(Q) 상의 소정 위치)(AP)(도 2 참조)의 상대적인 위치 관계를 이용하여, 니들(18)의 선단 위치를 이동 목표 위치(AP)를 향해 3차원 공간 내에서 이동시킨다. 컴퓨터(21)는, 니들(18)을 3차원적으로 이동시킬 때에, 예를 들면, 먼저 X방향 및 Y방향으로 이동시키고, 다음에 Z방향으로 이동시킨다.The
도 11 및 도 12는 이 모습을 나타내고 있고, 특히, 도 11은, 집속 이온 빔에 의한 화상 데이터에 있어서의 니들(18)의 선단을 나타내는 도면이며, 도 12는, 전자 빔에 의해 얻어지는 화상 데이터에 있어서의 니들(18)의 선단을 나타내는 도면이다. 또한, 도 11과 도 12에서, 니들(18)의 방향이 상이한 이유는, 도 9, 도 10에서 설명한 대로이다.11 and 12 show this state. Particularly, Fig. 11 is a diagram showing the tip of the
또한, 도 12에 있어서는, 2개의 니들(18b, 18c)이 표시되어 있는데, 니들 이동의 상황을 나타내기 위해서, 동일한 시야에 대하여 이동 전후의 니들 선단 위치의 화상 데이터를 겹쳐 표시한 것으로, 니들(18b와 18c)은 동일한 니들(18)이다.In Fig. 12, two
또한, 상술의 처리에서는, 컴퓨터(21)는, 레퍼런스 마크(Ref)를 이용하여, 레퍼런스 마크(Ref)와 가공 프레임(F)과 이동 목표 위치(AP)의 상대적인 위치 관계를 이용하여, 니들(18)의 선단 위치를 이동 목표 위치(AP)를 향해 3차원 공간 내에서 이동시킨다고 했는데, 이에 한정되지 않는다. 컴퓨터(21)는, 가공 프레임(F)을 이용하지 않고, 레퍼런스 마크(Ref)와 이동 목표 위치(AP)의 상대적인 위치 관계를 이용하여, 니들(18)의 선단 위치를 이동 목표 위치(AP)를 향해 3차원 공간 내에서 이동시켜도 된다.The
다음에, 컴퓨터(21)는, 니들 구동 기구(19)에 의해서 니들(18)을 이동시키는 니들 이동(미조정)을 실행한다(단계 S100). 컴퓨터(21)는, 레퍼런스 화상 데이터를 이용한 패턴 매칭을 반복하고, 니들(18)의 선단 위치를 파악하면서, 니들(18)을 이동시킨다. 컴퓨터(21)는, 니들(18)에 하전 입자 빔(집속 이온 빔 및 전자 빔의 각각)을 조사하고, 하전 입자 빔에 의한 각 화상 데이터를 반복하여 취득한다. 컴퓨터(21)는, 취득한 화상 데이터에 대하여, 레퍼런스 화상 데이터를 이용한 패턴 매칭을 행함으로써 니들(18)의 선단 위치를 취득한다. 컴퓨터(21)는, 취득한 니들(18)의 선단 위치와 이동 목표 위치에 따라서 니들(18)을 3차원 공간 내에서 이동시킨다.Next, the
다음에, 컴퓨터(21)는, 니들(18)의 이동을 정지시키는 처리를 행한다(단계 S110). 컴퓨터(21)는, 이동 목표 위치를 포함한 조사 영역에 하전 입자 빔을 조사한 상태에서 니들(18)을 이동시키고, 니들(18)에 흐르는 흡수 전류가 소정 전류를 초과했다고 판단했을 때에, 니들 구동 기구(19)에 의한 니들(18)의 구동을 정지시킨다. 이에 따라 컴퓨터(21)는, 니들(18)의 선단 위치를, 시료편(Q)의 지지부(Qa)의 반대측의 측부에 근접한 이동 목표 위치(AP)에 배치한다. 도 13 및 도 14는, 이 모습을 나타내고 있고, 본 발명의 실시 형태에 관련된 자동 시료편 제작 장치(10)의 집속 이온 빔에 의해 얻어지는 화상 데이터에 있어서의 니들(18)의 선단 및 시료편(Q)을 나타내는 도면(도 13), 및, 전자 빔에 의해 얻어지는 화상 데이터에 있어서의 니들(18)의 선단 및 시료편(Q)을 나타내는 도면(도 14)이다. 또한, 도 13 및 도 14는, 도 11 및 도 12와 마찬가지로, 집속 이온 빔과 전자 빔에서 관찰 방향이 상이한 것에 추가하여, 관찰 배율이 상이하지만, 관찰 대상과 니들(18)은 동일하다.Next, the
다음에, 컴퓨터(21)는, 니들(18)을 시료편(Q)에 접속하는 처리를 행한다(단계 S120). 컴퓨터(21)는, 시료(S)의 레퍼런스 마크(Ref)를 이용해, 미리 설정되어 있는 접속 가공 위치를 지정한다. 컴퓨터(21)는, 접속 가공 위치를 시료편(Q)으로부터 소정간격만큼 떨어진 위치로 한다. 컴퓨터(21)는, 소정 간격의 상한을 1㎛로 하고, 바람직하게는, 소정 간격을 100nm 이상 또한 200nm 이하로 한다. 컴퓨터(21)는, 소정 시간에 걸쳐, 접속 가공 위치로 설정한 가공 프레임(R1)을 포함하는 조사 영역에 집속 이온 빔을 조사하면서, 시료편(Q) 및 니들(18)의 선단 표면에 가스 공급부(17)에 의해서 가스를 공급한다. 이에 따라 컴퓨터(21)는, 시료편(Q) 및 니들(18)을 디포지션막(도 15 내지 도 25에서는 도시 생략. 도 26에 부호 DM2로서 도시)에 의해 접속한다.Next, the
이 단계 S120에서, 컴퓨터(21)는, 니들(18)을 시료편(Q)에 직접 접촉시키지 않고 미소하게 간격을 둔 위치에서 디포지션막에 의해 접속하므로, 니들(18)의 시료편(Q)에의 직접 접촉에 기인하는 손상 등의 불량이 발생하는 것을 방지할 수 있는 이점을 가지고 있다. 또한, 후의 공정에서 니들(18)과 시료편(Q)이 집속 이온 빔 조사에 의한 절단에 의해 분리될 때에 니들(18)이 절단되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 비록 니들(18)이 진동해도, 이 진동이 시료편(Q)에 전달되는 것을 억제할 수 있다. 또한, 시료(S)의 크리프 현상에 의한 시료편(Q)의 이동이 발생하는 경우에도, 니들(18)과 시료편(Q)의 사이에 과잉 변형이 생기는 것을 억제할 수 있다. 도 15는, 이 모습을 나타내고 있고, 본 발명의 실시 형태에 관련된 자동 시료편 제작 장치(10)의 집속 이온 빔에 의해 얻어지는 화상 데이터에 있어서의, 니들(18) 및 시료편(Q)의 접속 가공 위치를 포함하는 가공 프레임(R1)(디포지션막 형성 영역)을 나타내는 도면이다.In this step S120, the
컴퓨터(21)는, 니들(18)을 시료편(Q)에 접속할 때는, 후에 니들(18)에 접속된 시료편(Q)을 시료편 홀더(P)로 이설할 때에 선택되는 각 어프로치 모드에 적합한 접속 자세를 설정한다. 컴퓨터(21)는, 후술하는 복수(예를 들면, 3개)의 상이한 어프로치 모드의 각각에 대응하여, 니들(18)과 시료편(Q)의 상대적인 접속 자세를 설정한다.When connecting the
또한, 컴퓨터(21)는, 니들(18)의 흡수 전류의 변화를 검출함으로써, 디포지션막에 의한 접속 상태를 판정해도 된다. 컴퓨터(21)는, 니들(18)의 흡수 전류가 미리 정한 전류치에 도달했을 때에 시료편(Q) 및 니들(18)이 디포지션막에 의해 접속되었다고 판정한 경우에, 소정 시간의 경과 유무에 상관없이, 디포지션막의 형성을 정지해도 된다.Further, the
다음에, 컴퓨터(21)는, 시료편(Q)과 시료(S) 사이의 지지부(Qa)를 절단하는 처리를 행한다(단계 S130). 컴퓨터(21)는, 시료(S)에 형성되어 있는 레퍼런스 마크를 이용하여, 미리 설정되어 있는 지지부(Qa)의 절단 가공 위치(T1)를 지정한다. 컴퓨터(21)는, 소정 시간에 걸쳐, 절단 가공 위치(T1)에 집속 이온 빔을 조사함으로써, 시료편(Q)을 시료(S)로부터 분리한다. 도 13은, 이 모습을 나타내고 있고, 본 발명의 실시 형태에 관련된 자동 시료편 제작 장치(10)의 집속 이온 빔에 의해 얻어지는 화상 데이터에 있어서의 시료(S) 및 시료편(Q)의 지지부(Qa)의 절단 가공 위치(T1)를 나타내는 도면이다.Next, the
컴퓨터(21)는, 시료(S)와 니들(18)의 도통을 검지함으로써, 시료편(Q)이 시료(S)로부터 분리되었는지 여부를 판정한다(단계 S133). 컴퓨터(21)는, 절단 가공의 종료 후, 즉 절단 가공 위치(T1)에서의 시료편(Q)과 시료(S) 사이의 지지부(Qa)의 절단이 완료된 후에, 시료(S)와 니들(18)의 도통을 검지한 경우에는, 시료편(Q)이 시료(S)로부터 분리되어 있지 않다고(NG) 판정한다. 컴퓨터(21)는, 시료편(Q)이 시료(S)로부터 분리되어 있지 않다고(NG) 판정한 경우에는, 이 시료편(Q)과 시료(S)의 분리가 완료되지 않은 것을 표시 장치(20)에의 표시 또는 경고음에 의해 통지한다(단계 S136). 그리고, 이 이후의 처리의 실행을 정지하거나, 또는 니들 트리밍을 행하여, 다음의 샘플링을 실시한다. 한편, 컴퓨터(21)는, 시료(S)와 니들(18)의 도통을 검지하지 않는 경우에는, 시료편(Q)이 시료(S)로부터 분리되었다고 (OK) 판정하여, 이 이후의 처리의 실행을 계속한다.The
다음에, 컴퓨터(21)는 니들 퇴피의 처리를 행한다(단계 S140). 컴퓨터(21)는, 니들 구동 기구(19)에 의해서 니들(18)을 소정 거리(예를 들면, 5㎛ 등)만큼 연직 방향 상방(즉 Z방향의 정방향)으로 상승시킨다. 도 17은, 이 모습을 나타내고 있고, 본 발명의 실시 형태에 관련되는 자동 시료편 제작 장치(10)의 전자 빔에 의해 얻어지는 화상 데이터에 있어서의 시료편(Q)이 접속된 니들(18)을 퇴피시킨 상태를 나타내는 도면이다.Next, the
다음에, 컴퓨터(21)는 스테이지 퇴피의 처리를 행한다(단계 S150). 컴퓨터(21)는, 도 18에 도시하는 바와 같이, 스테이지 구동 기구(13)에 의해서 스테이지(12)를 소정 거리 이동시킨다. 예를 들면, 1mm, 3mm, 5mm만큼 연직 방향 하방(즉 Z방향의 역방향)으로 하강시킨다. 컴퓨터(21)는, 스테이지(12)를 소정 거리만큼 하강시킨 후에, 가스 공급부(17)의 노즐(17a)을 스테이지(12)로부터 멀리한다. 예를 들면, 연직 방향 상방의 대기 위치로 상승시킨다. 도 18은, 이 모습을 나타내고 있고, 본 발명의 실시 형태에 관련된 자동 시료편 제작 장치(10)의 전자빔에 의해 얻어지는 화상 데이터에 있어서의 시료편(Q)이 접속된 니들(18)에 대하여 스테이지(12)를 퇴피시킨 상태를 나타내는 도면이다.Next, the
다음에, 컴퓨터(21)는 서로 접속된 니들(18) 및 시료편(Q)의 배경에 구조물이 없는 장소에 니들(18)을 이동시킨다. 이는 후속하는 니들(18) 및 시료편(Q)의 템플릿을 작성할 때, 집속 이온 빔 및 전자 빔의 각각에 의해 얻어지는 시료편(Q)의 화상 데이터로부터 니들(18) 및 시료편(Q)의 엣지(윤곽)를 확실하게 인식하기 위함이다. 컴퓨터(21)는, 스테이지(12)를 예정 거리만큼 이동시킨다. 시료편(Q)의 배경을 판단(단계 S160)하고, 배경에 문제가 없으면, 다음의 단계 S170으로 진행하고, 배경에 문제가 있으면 스테이지(12)를 소정량만큼 재이동시키고(단계 S165), 배경의 판단(단계 S160)으로 되돌아가, 배경에 문제가 없어질 때까지 반복한다.Next, the
컴퓨터(21)는, 니들 및 시료편의 템플릿 작성을 실행한다(단계 S170). 컴퓨터(21)는, 시료편(Q)이 고정된 니들(18)을 필요에 따라서 회전시킨 자세 상태(즉, 시료대(33)의 기둥형상부(34)에 시료편(Q)을 접속하는 자세)의 니들(18) 및 시료편(Q)의 템플릿을 작성한다. 이에 따라 컴퓨터(21)는, 니들(18)의 회전에 따라, 집속 이온 빔 및 전자 빔의 각각에 의해 얻어지는 화상 데이터로부터 3차원적으로 니들(18) 및 시료편(Q)의 엣지(윤곽)를 인식한다. 또한, 컴퓨터(21)는, 니들(18)의 회전 각도 0°에서의 어프로치 모드에 있어서는, 전자 빔을 필요로 하지 않고, 집속 이온 빔에 의해 얻어지는 화상 데이터로부터 니들(18) 및 시료편(Q)의 엣지(윤곽)를 인식해도 된다.The
컴퓨터(21)는, 니들(18) 및 시료편(Q)의 배경에 구조물이 없도록 스테이지(12)를 이동시키는 것을 스테이지 구동 기구(13) 또는 니들 구동 기구(19)에 지시했을 때에, 실제로 지시한 장소에 니들(18)이 도달해 있지 않은 경우에는, 관찰 배율을 저배율로 하여 니들(18)을 찾고, 발견되지 않는 경우에는 니들(18)의 위치 좌표를 초기화하여, 니들(18)을 초기 위치로 이동시킨다.When the
이 템플릿 작성(단계 S170)에 있어서, 먼저, 컴퓨터(21)는, 시료편(Q) 및 시료편(Q)이 접속된 니들(18)의 선단 형상에 대한 템플릿 매칭용 템플릿(레퍼런스 화상 데이터)을 취득한다. 컴퓨터(21)는, 조사 위치를 주사하면서 니들(18)에 하전 입자 빔(집속 이온 빔 및 전자 빔의 각각)을 조사한다. 컴퓨터(21)는, 하전 입자 빔의 조사에 의해서 니들(18)로부터 방출되는 2차 하전 입자(R)의 복수의 상이한 평면 내에서의 위치 분포를 나타내는 각 화상 데이터를 취득한다. 컴퓨터(21)는, 집속 이온 빔의 조사에 의해서 집속 이온 빔 광축에 수직인 면의 화상 데이터를 취득하고, 전자 빔의 조사에 의해서 전자 빔의 광축에 수직인 면의 화상 데이터를 취득한다. 컴퓨터(21)는, 2개의 상이한 방향으로부터 취득한 각 화상 데이터를 템플릿(레퍼런스 화상 데이터)으로서 기억한다.In this template creation step S170, first, the
컴퓨터(21)는, 집속 이온 빔 가공에 의해 실제로 형성된 시료편(Q) 및 시료편(Q)이 접속된 니들(18)에 대하여 실제로 취득하는 화상 데이터를 레퍼런스 화상 데이터로 하므로, 시료편(Q) 및 니들(18)의 형상에 상관없이, 정밀도가 높은 패턴 매칭을 행할 수 있다.The
또한, 컴퓨터(21)는, 각 화상 데이터를 취득할 때에, 시료편(Q) 및 시료편(Q)이 접속된 니들(18)의 형상의 인식 정밀도를 증대시키기 위해서 미리 기억한 적합한 배율, 휘도, 콘트라스트 등의 화상 취득 조건을 이용한다.The
다음에, 컴퓨터(21)는, 니들 퇴피의 처리를 행한다(단계 S180). 컴퓨터(21)는, 니들 구동 기구(19)에 의해서 니들(18)을 소정 거리만큼 이동시킨다. 예를 들면, 연직 방향 상방(즉 Z방향의 정방향)으로 상승시킨다. 반대로, 니들(18)은 그 자리에 정지시켜 두고, 스테이지(12)를 소정 거리만큼 이동시킨다. 예를 들면, 연직 방향 하방(즉 Z방향의 역방향)으로 강하시켜도 된다. 니들 퇴피 방향은, 상술의 연직 방향에 한정되지 않고, 니들 축방향이거나, 그 외의 소정 퇴피 위치여도 되고, 니들 선단에 붙어 있는 시료편(Q)이, 시료실 내의 구조물에의 접촉이나, 집속 이온 빔에 의한 조사를 받지 않는, 미리 정해진 위치이면 된다.Next, the
다음에, 컴퓨터(21)는, 상술의 단계 S020에 있어서 등록한 특정 시료편 홀더(P)가, 하전 입자 빔에 의한 관찰 시야 영역 내에 들어가도록 스테이지 구동 기구(13)에 의해서 스테이지(12)를 이동시킨다(단계 S190). 도 19 및 도 20은 이 모습을 나타내고 있고, 특히 도 19는, 본 발명의 실시 형태에 관련된 자동 시료편 제작 장치(10)의 집속 이온 빔에 의해 얻어지는 화상 데이터이며, 기둥형상부(34)의 시료편(Q)의 부착 위치(U)를 나타내는 도면이며, 도 20은, 전자 빔에 의해 얻어지는 화상 데이터이며, 기둥형상부(34)의 시료편(Q)의 부착 위치(U)를 나타내는 도면이다.Next, the
여기서, 원하는 시료편 홀더(P)의 기둥형상부(34)가 관찰 시야 영역 내에 들어가는지 여부를 판정하여(단계 S195), 원하는 기둥형상부(34)가 관찰 시야 영역 내에 들어가면, 다음의 단계 S200로 진행한다. 만약, 원하는 기둥형상부(34)가 관찰 시야 영역 내에 들어가지 않으면, 즉, 지정 좌표에 대하여 스테이지 구동이 올바르게 동작하지 않는 경우는, 직전에 지정한 스테이지 좌표를 초기화하여, 스테이지(12)가 가지는 원점 위치로 되돌아간다(단계 S197). 그리고, 다시, 사전 등록한 원하는 기둥형상부(34)의 좌표를 지정하고, 스테이지(12)를 구동시켜(단계 S190), 기둥형상부(34)가 관찰 시야 영역 내에 들어갈 때까지 반복한다.It is determined whether or not the
다음에, 컴퓨터(21)는, 스테이지 구동 기구(13)에 의해서 스테이지(12)를 이동시켜 시료편 홀더(P)의 수평 위치를 조정함과 더불어, 시료편 홀더(P)의 자세가 소정 자세가 되도록, 자세 제어 모드에 대응한 각도분만큼 스테이지(12)를 회전과 경사시킨다(단계 S200).Next, the
이 단계 S200에 의해서, 원래의 시료(S) 표면 단면을 기둥형상부(34)의 단면에 대하여 평행 또는 수직의 관계로, 시료편(Q)과 시료편홀더(P)의 자세를 조정할 수 있다. 특히, 기둥형상부(34)에 고정한 시료편(Q)을 집속 이온 빔으로 박편화 가공을 행하는 것을 상정하고, 원래의 시료(S)의 표면 단면과 집속 이온 빔 조사축이 수직 관계가 되도록 시료편(Q)과 시료편 홀더(P)의 자세를 조정하는 것이 바람직하다. 또한, 기둥형상부(34)에 고정하는 시료편(Q)이, 원래의 시료(S)의 표면 단면이 기둥형상부(34)에 수직이고, 집속 이온 빔의 입사 방향으로 하류측이 되도록 시료편(Q)과 시료편 홀더(P)의 자세를 조정하는 것도 바람직하다.The posture of the sample piece Q and the sample piece holder P can be adjusted in parallel with the cross section of the end surface of the original sample S with respect to the cross section of the
여기서, 시료편 홀더(P) 중 기둥형상부(34)의 형상의 양부(良否)를 판정한다(단계 S205). 단계 S023에서 기둥형상부(34)의 화상을 등록했지만, 그 후의 공정에서, 예기치 못한 사고에 의해서 지정한 기둥형상부(34)가 변형, 파손, 결락되어 있지 않은지를, 기둥형상부(34)의 형상의 양부를 판정하는 것이 이 단계 S205이다. 이 단계 S205에서, 해당 기둥형상부(34)의 형상에 문제가 없고 양호하다고 판단할 수 있으면 다음의 단계 S210로 진행하고, 불량이라고 판단하면, 다음의 기둥형상부(34)를 관찰 시야 영역 내에 들어가도록 스테이지 이동시키는 단계 S190로 되돌아간다.Here, it is judged whether the shape of the
그리고 컴퓨터(21)는, 가스 공급부(17)의 노즐(17a)을, 집속 이온 빔 조사 위치 근처로 이동시킨다. 예를 들면, 스테이지(12)의 연직 방향 상방의 대기 위치로부터 가공 위치를 향해 하강시킨다.Then, the
<시료편 마운트 공정><Sample piece mounting step>
도 7은, 본 발명의 실시 형태에 관련된 하전 입자 빔 장치(10a)에 의한 자동 시료편 제작의 동작 중, 시료편(Q)을 소정의 시료편 홀더(P) 중 소정의 기둥형상부(34)에 마운트(이설)하는 공정의 흐름을 나타내는 플로우차트이다.7 shows a state in which a sample piece Q is placed on a
컴퓨터(21)는, 집속 이온 빔 및 전자 빔의 각각의 조사에 의해 생성하는 각 화상 데이터를 이용하여, 상술한 단계 S020에 있어서 기억한 시료편(Q)의 이설 위치를 인식한다(단계 S210). 컴퓨터(21)는, 기둥형상부(34)의 템플릿 매칭을 실행한다. 컴퓨터(21)는, 빗살형상의 시료대(33)의 복수의 기둥형상부(34) 중, 관찰 시야 영역 내에 나타난 기둥형상부(34)가 미리 지정한 기둥형상부(34)인 것을 확인하기 위해서, 템플릿 매칭을 실시한다. 컴퓨터(21)는, 미리 기둥형상부(34)의 템플릿을 작성하는 공정(단계 S020)에 있어서 작성한 기둥형상부(34)마다의 템플릿을 이용하여, 집속 이온 빔 및 전자 빔의 각각의 조사에 의해 얻어지는 각 화상 데이터와 템플릿 매칭을 실시한다.The
또한, 컴퓨터(21)는, 지정한 기둥형상부(34)를 관찰 시야 영역 내에 넣기 위해서 스테이지(12)의 이동을 스테이지 구동 기구(13)에 지시했을 때에, 실제로는 지정된 기둥형상부(34)가 관찰 시야 영역 내에 들어가지 않는 경우에는, 스테이지(12)의 위치 좌표를 초기화하여, 스테이지(12)를 초기 위치로 이동시킨다.When the
또한, 컴퓨터(21)는, 스테이지(12)를 이동한 후에 실시하는 기둥형상부(34)마다의 템플릿 매칭에 있어서, 기둥형상부(34)에 결락 등 문제가 인식되는지 여부를 판정한다(단계 S215). 기둥형상부(34)의 형상에 문제가 인식된 경우(NG)에는, 시료편(Q)을 이설하는 기둥형상부(34)를, 문제가 인식된 기둥형상부(34)의 근처의 기둥형상부(34)로 변경하고, 그 기둥형상부(34)에 대해서도 템플릿 매칭을 행하여 이설하는 기둥형상부(34)를 결정한다. 기둥형상부(34)의 형상에 문제가 없으면 다음의 단계 S220로 옮긴다.The
또한, 컴퓨터(21)는, 소정 영역(적어도 기둥형상부(34)를 포함하는 영역)의 화상 데이터로부터 엣지(윤곽)를 추출하고, 이 엣지 패턴을 템플릿으로 해도 된다. 또한, 컴퓨터(21)는, 소정 영역(적어도 기둥형상부(34)를 포함하는 영역)의 화상 데이터로부터 엣지(윤곽)를 추출할 수 없는 경우에는, 화상 데이터를 다시 취득한다. 추출한 엣지를 표시 장치(20)에 표시하여, 관찰 시야 영역 내의 집속 이온 빔에 의한 화상 또는 전자 빔에 의한 화상과 템플릿 매칭해도 된다.Further, the
컴퓨터(21)는, 전자 빔의 조사에 의해 인식한 부착 위치와 집속 이온 빔의 조사에 의해 인식한 부착 위치가 일치하도록, 스테이지 구동 기구(13)에 의해서 스테이지(12)를 구동한다. 컴퓨터(21)는, 시료편(Q)의 부착 위치(U)가 시야 영역의 시야 중심(가공 위치)에 일치하도록, 스테이지 구동 기구(13)에 의해서 스테이지(12)를 구동한다.The
다음에, 기둥형상부(34)의 화상을 취득하여, 그 화상의 양부를 판정한다(단계 S215). 화상은 후속 단계에서 이용하는 템플릿으로 하기 위해서, 예를 들면, 그 화상으로부터 엣지부를 추출한 화상 처리도의 명료함의 관점으로부터, 화상의 양부를 판단한다. 해당 화상에 문제가 없으면 다음의 단계 S220로 옮기고, 불량이면 다시 단계 S215에서, 이 기둥형상부(34)의 화상을 취득하여, 그 화상의 양부를 판정하는 동작을 반복한다.Next, the image of the
다음에, 컴퓨터(21)는, 니들(18)에 접속된 시료편(Q)을 시료편 홀더(P)에 접촉시키는 처리로서, 이하의 단계 S220~단계 S250의 처리를 행한다.Next, the
먼저, 컴퓨터(21)는, 니들(18)의 위치를 인식한다(단계 S220). 컴퓨터(21)는, 조사 위치를 주사하면서 니들(18)에 하전 입자 빔을 조사함으로써 니들(18)에 흐르는 흡수 전류를 검출하여, 복수의 상이한 평면에 대한 흡수 전류의 2차원 위치 분포를 나타내는 흡수 전류 화상 데이터를 생성한다. 컴퓨터(21)는, 집속 이온 빔의 조사에 의해서 XY 평면의 흡수 전류 화상 데이터를 취득하고, 전자빔의 조사에 의해서 XYZ 평면(전자 빔의 광축에 수직인 평면)의 화상 데이터를 취득한다. 컴퓨터(21)는, 2개의 상이한 평면에 대하여 취득한 각 흡수 전류 화상 데이터를 이용해 3차원 공간에서의 니들(18)의 선단 위치를 검출한다.First, the
또한, 컴퓨터(21)는, 검출한 니들(18)의 선단 위치를 이용하여, 스테이지 구동 기구(13)에 의해서 스테이지(12)를 구동하고, 니들(18)의 선단 위치를 미리 설정되어 있는 시야 영역의 중심 위치(시야 중심)에 설정해도 된다.The
다음에, 컴퓨터(21)는, 시료편 마운트 공정을 실행한다. 먼저, 컴퓨터(21)는, 니들(18)에 접속된 시료편(Q)의 위치를 정확하게 인식하기 위해서, 템플릿 매칭을 실시한다. 컴퓨터(21)는, 미리 니들 및 시료편의 템플릿 작성 공정에 있어서 작성한 서로 접속된 니들(18) 및 시료편(Q)의 템플릿을 이용하여, 집속 이온 빔 및 전자 빔의 각각의 조사에 의해 얻어지는 각 화상 데이터에 있어서 템플릿 매칭을 실시한다.Next, the
또한, 컴퓨터(21)는, 이 템플릿 매칭에 있어서 화상 데이터의 소정 영역(적어도 니들(18) 및 시료편(Q)을 포함하는 영역)으로부터 엣지(윤곽)를 추출할 때는, 추출한 엣지를 표시 장치(20)에 표시한다. 또한, 컴퓨터(21)는, 템플릿 매칭에 있어서 화상 데이터의 소정 영역(적어도 니들(18) 및 시료편(Q)을 포함하는 영역)으로부터 엣지(윤곽)를 추출할 수 없는 경우에는, 화상 데이터를 다시 취득한다.When extracting an edge (outline) from a predetermined area (at least the area including the
그리고, 컴퓨터(21)는, 집속 이온 빔 및 전자 빔의 각각의 조사에 의해 얻어지는 각 화상 데이터에 있어서, 서로 접속된 니들(18) 및 시료편(Q)의 템플릿과, 시료편(Q)의 부착 대상인 기둥형상부(34)의 템플릿을 이용한 템플릿 매칭에 의거하여, 시료편(Q)과 기둥형상부(34)의 거리를 계측한다.The
그리고, 컴퓨터(21)는, 최종적으로 스테이지(12)에 평행한 평면 내에서의 이동만에 의해 시료편(Q)을, 시료편(Q)의 부착 대상인 기둥형상부(34)로 이설한다.The
이 시료편 마운트 공정에 있어서, 먼저, 컴퓨터(21)는, 니들 구동 기구(19)에 의해서 니들(18)을 이동시키는 니들 이동을 실행한다(단계 S230). 컴퓨터(21)는, 집속 이온 빔 및 전자 빔의 각각의 조사에 의해 얻어지는 각 화상 데이터에 있어서, 니들(18) 및 시료편(Q)의 템플릿과, 기둥형상부(34)의 템플릿을 이용한 템플릿 매칭에 의거하여, 시료편(Q)과 기둥형상부(34)의 거리를 계측한다. 컴퓨터(21)는, 계측한 상대 거리에 따라서 니들(18)을 시료편(Q)의 부착 위치를 향하도록 3차원 공간 내에서 이동시킨다.In this sample piece mounting step, first, the
다음에, 컴퓨터(21)는, 시료편 마운트 공정을 실행한다. 컴퓨터(21)는, 기둥형상부(34)에 시료편(Q)을 디포지션에 의해 고정하는 공정에 있어서, 기둥형상부(34)와 니들(18)간의 도통을 검지한 경우에 디포지션을 종료한다. 컴퓨터(21)는, 기둥형상부(34)와 시료편(Q)의 사이에 간극(L1)을 두고 니들(18)을 정지시킨다. 컴퓨터(21)는, 이 간극(L1)을 1㎛ 이하로 하고, 바람직하게는, 간극(L1)을 100nm 이상 또한 200nm 이하로 한다. 이 간극(L1)이 500nm 이상인 경우에도 접속할 수 있지만, 디포지션막에 의한 기둥형상부(34)와 시료편(Q)의 접속에 요하는 시간이 소정치 이상으로 길어져, 1㎛는 바람직하지 않다. 이 간극(L1)이 작아질수록, 디포지션막에 의한 기둥형상부(34)와 시료편(Q)의 접속에 요하는 시간이 짧아지지만, 접촉시키지 않는 것이 중요하다.Next, the
또한, 컴퓨터(21)는, 이 간극(L1)을 설치했을 때에, 한번, 기둥형상부(34)에 시료편(Q)을 접촉시키고 나서, 간극(L1)을 비워도 된다. 또한, 컴퓨터(21)는, 기둥형상부(34)와 니들(18) 사이의 도통을 검지하는 대신에, 기둥형상부(34) 및 니들(18)의 흡수 전류상을 검지함으로써 양자의 간극을 형성해도 된다.The
컴퓨터(21)는, 기둥형상부(34)와 니들(18) 사이의 도통, 또는 기둥형상부(34) 및 니들(18)의 흡수 전류상을 검지함으로써, 기둥형상부(34)에 시료편(Q)을 이설한 후에 있어서, 시료편(Q)과 니들(18)의 분리 유무를 검지한다.The
또한, 컴퓨터(21)는, 기둥형상부(34)와 니들(18) 사이의 도통을 검지할 수 없는 경우에는, 기둥형상부(34) 및 니들(18)의 흡수 전류상을 검지하도록 처리를 전환한다.When the conduction between the
또한, 컴퓨터(21)는, 기둥형상부(34)와 니들(18) 사이의 도통을 검지할 수 없는 경우에는, 이 시료편(Q)의 이설을 정지하고, 이 시료편(Q)을 니들(18)로부터 분리하여, 후술하는 니들 트리밍 공정을 실행해도 된다.When the conduction between the
이 시료편 마운트 검지 공정에 있어서, 먼저, 컴퓨터(21)는, 니들(18)의 이동을 정지시키는 처리를 행한다(단계 S240). 도 19 및 도 20은 이 모습을 나타내고 있고, 특히 도 19는, 본 발명의 실시 형태에 관련된 자동 시료편 제작 장치(10)의 집속 이온 빔에 의해 얻어지는 화상 데이터에 있어서의 기둥형상부(34)의 시료편(Q)의 부착 위치 U(마커(M)의 중심) 근방에서 이동 정지한 니들(18)을 나타내고 있고, 도 20은, 도 19와 동일한 장면의 전자빔에 의한 화상의 모식도이다. 여기서, 시료편(Q)의 외관 상의 상단부는 기둥형상부(34)의 상단부에 맞추어지도록 위치를 정함으로써, 후의 공정에서 시료편(Q)을 추가 가공하는 경우에 적합하다.In this sample piece mounting detecting step, first, the
다음에, 컴퓨터(21)는, 니들(18)에 접속된 시료편(Q)을 기둥형상부(필러)(34)에 접속하는 처리를 행한다(단계 S250). 도 21, 도 22는, 각각 도 19, 도 20에서의 관찰 배율을 높인 화상의 모식도이다. 컴퓨터(21)는, 도 21과 같이 시료편(Q)의 한변과 기둥형상부(34)의 한변이 일직선이 되도록, 또한, 도 22와 같이 시료편(Q)의 상단면과 기둥형상부(34)의 상단면이 동일면이 되도록 접근시키고, 간극(L1)이 소정의 값으로 되었을 때에 니들 구동 기구(19)를 정지시킨다. 컴퓨터(21)는, 간극(L1)을 가지고 시료편(Q)의 부착 위치에 정지한 상황에서, 도 21의 집속 이온 빔에 의한 화상에 있어서, 기둥형상부(34)의 엣지를 포함하도록 가공 프레임(R2)을 설정한다. 컴퓨터(21)는, 시료편(Q) 및 기둥형상부(34)의 표면에 가스 공급부(17)에 의해서 가스를 공급하면서, 소정 시간에 걸쳐, 가공 프레임(R2)을 포함하는 조사 영역에 집속 이온 빔을 조사한다. 이 조작에 따라서는 집속 이온 빔 조사부에 디포지션막이 형성되고, 간극(L1)이 메워져 시료편(Q)과 기둥형상부(34)는 접속된다.Next, the
컴퓨터(21)는, 시료편(Q)과 기둥형상부(34)의 접속이 완료한 것의 판정을 행한다(단계 S255). 단계 S255는, 예를 들면 이하와 같이 행한다. 미리 니들(18)과 스테이지(12)의 사이에 저항계를 설치해 두고, 양자의 도통을 검출한다. 양자가 이격되어 있을(간극 L1이 있다)때에는 전기 저항은 무한대이지만, 양자가 도전성의 디포지션막으로 덮이고, 간극(L1)이 메워짐에 따라 양자간의 전기 저항값은 서서히 저하하고, 미리 정한 저항값 이하로 된 것을 확인하여 전기적으로 접속되었다고 판단한다. 또한, 사전의 검토로부터, 양자간의 저항값이 미리 정한 저항값에 이르렀을 때에는 디포지션막은 역학적으로 충분한 강도를 가지고, 시료편(Q)은 기둥형상부(34)에 충분히 접속되었다고 판정할 수 있다.The
또한, 검지하는 것은 상술의 전기 저항에 한정되지 않고, 전류나 전압 등 기둥형상부와 시료편(Q) 사이의 전기 특성을 계측할 수 있으면 된다. 또한, 컴퓨터(21)는, 미리 정한 시간 내에 미리 정한 전기 특성(전기 저항치, 전류치, 전위)을 만족하지 않으면, 디포지션막의 형성 시간을 연장한다. 또한, 컴퓨터(21)는, 기둥형상부(34)와 시료편(Q)의 간극 거리, 조사 빔 조건, 디포지션막용의 가스종에 대하여 최적의 디포지션막을 형성할 수 있는 시간을 미리 정해 두고, 이 디포지션 형성 시간을 기억해 두고, 소정의 시간에 디포지션막의 형성을 정지할 수 있다.The detection is not limited to the above-described electrical resistance, and it is only required to be able to measure the electrical characteristics between the columnar portion such as current or voltage and the sample piece Q. Further, the
또한, 본 자동 시료편 제작 장치(10)를 조작자가 조작하는 경우에는, 집속 이온 빔에 의한 화상으로부터 눈으로 봐 양자의 접속을 판단해도 된다.When the operator operates the automatic
컴퓨터(21)는, 시료편(Q)과 기둥형상부(34)의 접속이 확인된 시점에서, 가스 공급과 집속 이온 빔 조사를 정지시킨다. 도 23은, 이 모습을 나타내고 있고, 본 발명의 실시 형태에 관련되는 자동 시료편 제작 장치(10)의 집속 이온 빔에 의한 화상 데이터로, 니들(18)에 접속된 시료편(Q)을 기둥형상부(34)에 접속하는 디포지션막(DM1)을 나타내는 도면이다.When the connection between the sample piece Q and the
또한, 단계 S255에 있어서, 컴퓨터(21)는, 니들(18)의 흡수 전류의 변화를 검출함으로써, 디포지션막(DM1)에 의한 접속 상태를 판정해도 된다. 컴퓨터(21)는, 니들(18)의 흡수 전류의 변화에 따라서 시료편(Q) 및 기둥형상부(34)가 디포지션막(DM1)에 의해 접속되었다고 판정한 경우에, 소정 시간의 경과 유무에 상관없이, 디포지션막(DM1)의 형성을 정지해도 된다. 접속 완료를 확인할 수 있으면 다음의 단계 S260로 옮기고, 만약, 접속 완료하지 않으면, 미리 정한 시간에 집속 이온 빔 조사와 가스 공급을 정지하고, 니들을 퇴피시키는 동작으로 옮긴다(단계 S270). 이 경우, 니들 선단의 시료편(Q)은 집속 이온 빔에 의해서 파기되고, 니들(18)은 첨예화된다(단계 S290).In step S255, the
다음에, 컴퓨터(21)는, 니들(18)과 시료편(Q)을 접속하는 디포지션막(DM2)을 절단하여, 시료편(Q)과 니들(18)을 분리하는 처리를 행한다(단계 S260). 상기 도 23은, 이 모습을 나타내고 있고, 본 발명의 실시 형태에 관련된 자동 시료편 제작 장치(10)의 집속 이온 빔에 의해 얻어지는 화상 데이터에 있어서의 니들(18)과 시료편(Q)을 접속하는 디포지션막(DM2)을 절단하기 위한 절단 가공 위치 T2를 나타내는 도면이다. 컴퓨터(21)는, 기둥형상부(34)의 측면으로부터 소정 거리(즉, 기둥형상부(34)의 측면으로부터 시료편(Q)까지의 거리 L1과, 시료편(Q)의 크기 L2의 합) L만큼 떨어진 위치를 절단 가공 위치 T2로 설정한다.Next, the
컴퓨터(21)는, 소정 시간에 걸쳐, 절단 가공 위치 T2에 집속 이온 빔을 조사함으로써, 니들(18)을 시료편(Q)으로부터 분리할 수 있다. 컴퓨터(21)는, 소정 시간에 걸쳐, 절단 가공 위치 T2에 집속 이온 빔을 조사함으로써, 디포지션막만을 절단하고, 니들(18)을 절단하지 않고 니들(18)을 시료편(Q)으로부터 분리하는 것이, 이 단계 S260에서 중요하다. 이에 따라, 1도 세트한 니들(18)은 장기간, 교환하지 않고 반복 사용할 수 있기 때문에, 무인으로 연속해 자동 시료 샘플링을 행할 수 있다. 도 24는, 이 모습을 나타내고 있고, 본 발명의 실시 형태에 관련된 자동 시료편 제작 장치(10)에 있어서의 집속 이온 빔의 화상 데이터에 의한 니들(18)이 시료편(Q)으로부터 분리된 상태를 나타내는 도면이다.The
또한, 컴퓨터(21)는, 니들(18)을 시료편(Q)으로부터 분리할 때에, 니들(18)과 시료편(Q)을 접속하는 디포지션막(DM2)을 절단하는 대신에, 시료편(Q)의 일부를 절단함으로써, 이 일부와 함께 디포지션막(DM2) 및 니들(18)을 시료편(Q)(즉 절단한 일부 이외의 부위)으로부터 분리해도 된다.Instead of cutting the deposition membrane DM2 connecting the
컴퓨터(21)는, 시료편 홀더(P)와 니들(18)의 도통을 검출함으로써, 니들(18)이 시료편(Q)으로부터 분리되었는지 여부를 판정한다(단계 S265). 컴퓨터(21)는, 절단 가공의 종료 후, 즉 절단 가공 위치 T2에서의 니들(18)과 시료편(Q) 사이의 디포지션막을 절단하기 위해서, 집속 이온 빔 조사를 소정 시간 행한 후라도, 시료편 홀더(P)와 니들(18)의 도통을 검출한 경우에는, 니들(18)이 시료대(33)로부터 분리되지 않는다고 판정한다. 컴퓨터(21)는, 니들(18)이 시료편 홀더(P)로부터 분리되지 않는다고 판정한 경우에는, 이 니들(18)과 시료편(Q)의 분리가 완료되지 않은 것을 표시 장치(20)에 표시하거나, 또는 경보음에 의해 조작자에게 통지한다. 그리고, 그 이후의 처리의 실행을 정지하거나, 또는 니들 트리밍을 행하여, 다음의 샘플링을 실시한다. 한편, 컴퓨터(21)는, 시료편 홀더(P)와 니들(18)의 도통을 검출하지 않는 경우에는, 니들(18)이 시료편(Q)으로부터 분리되었다고 판정하고, 그 이후의 처리의 실행을 계속한다.The
다음에, 컴퓨터(21)는, 니들 퇴피의 처리를 행한다(단계 S270). 컴퓨터(21)는, 니들 구동 기구(19)에 의해서 니들(18)을 시료편(Q)으로부터 소정 거리만큼 멀리한다. 예를 들면, 2mm, 3mm, 4mm, 5mm 등 연직 방향 상방, 즉 Z방향의 정방향으로 상승시킨다. 도 25 및 도 26은, 이 모습을 나타내고 있고, 각각, 니들(18)을 시료편(Q)으로부터 상방으로 퇴피시킨 상태를, 본 발명의 실시 형태에 관련된 자동 시료편 제작 장치(10)의 집속 이온 빔에 의한 화상의 모식도(도 25)이며, 전자 빔에 의한 화상의 모식도(도 26)이다.Next, the
다음에, 컴퓨터(21)는, 스테이지 퇴피의 처리를 행한다(단계 S280). 이 단계 S280는, 후속하는 니들 첨예화에 앞서, 니들 첨예화 가공시에, 집속 이온 빔이 니들(18)을 조사했을 때에 발생하는 스퍼터 입자가 시료 S에 부착하거나, 니들(18) 주변을 통과한 집속 이온 빔이 시료(S)를 조사하여, 귀중한 시료(S)를 쓸데없이 손상시키지 않도록 스테이지(12)를 니들 첨예화 위치로부터 퇴피시키는 동작이다. 또한, 니들 화상과 템플릿의 매칭을 확실히 행하기 위함이기도 하다. 컴퓨터(21)는, 스테이지 구동 기구(13)에 의해서 스테이지(12)를 현상 위치로부터 소정 거리, 예를 들면, 5mm, 7mm, 10mm만큼 연직 방향 하방(즉 Z방향의 역방향)으로 하강시킨다. 혹은, 미리 정한 집속 이온 빔이 시료(S)를 직접 조사하지 않는 위치로 이동시킨다. 컴퓨터(21)는, 스테이지(12)를 소정 거리만큼 하강시킨 후에, 가스 공급부(17)의 선단의 노즐(17a)을 현상의 위치로부터 멀리한다. 예를 들면, 2mm, 3mm, 4mm, 5mm 등 스테이지(12)로부터 연직 방향 상방으로, 혹은, 니들 축 방향으로, 혹은 미리 정한 니들(18)의 퇴피 위치에 멀리한다.Next, the
<니들 트리밍 공정><Needle trimming process>
도 8은, 본 발명의 실시 형태에 관련된 하전 입자 빔 장치(10a)에 의한 자동 시료편 제작 동작 중 니들(18)을 트리밍하는 공정의 흐름을 나타내는 플로우차트이다. Fig. 8 is a flowchart showing the flow of a step of trimming the
니들 트리밍은, 시료편(Q)으로부터 분리한 니들(18)을 샘플링 전의 니들 형상으로 정형함으로써, 앞의 단계 S260에서 니들 선단에 부착되어 있는 디포지션막(DM2)이나 그 이외의 부착물의 제거, 변형된 니들(18)의 정형이나 첨예화도 포함한다.The needle trimming is performed by removing the deposition film DM2 and other deposits attached to the tip of the needle in the preceding step S260 by shaping the
우선, 니들 형상을 판정한다(단계 S285). 니들(18)은 전 공정을 통하여, 기본적으로는 큰 변형은 되지 않지만, 예기치 못한 사고에 의한 니들(18)의 큰 변형이나 파손 등은 일어나지 않는지를 확인한다. 만약, 후속하는 첨예화 가공에서 재생할 수 없을 정도로 큰 변형이나 파손으로 판단되면, 니들(18)을 초기 설정 위치로 되돌리고(단계 S300), 장치의 조작자에 의해서 니들(18)을 새로운 니들(18)로 교환한다. 첨예화의 대상으로 하는 니들(18)은, 미리 정한 관찰 시야 배율에서 니들 선단이 예를 들면 본래 있어야 할 위치보다 100㎛ 이내의 휘어진 니들 형상의 것으로, 그 이외의 형상은 단계 S300으로 보낸다.First, the needle shape is determined (step S285). Although the
컴퓨터(21)는, 집속 이온 빔 및 전자 빔의 각각의 조사에 의해서 생성되는 각 화상 데이터를 이용하여, 니들 구동 기구(19)와 집속 이온 빔 조사 광학계(14)를 동작시켜 니들(18)의 첨예화를 실시한다(단계 S290).The
트리밍해야 할 영역의 설정은 템플릿을 이용한다. 이 템플릿은, 시료편(Q)으로부터 분리한 니들(18)의 샘플링 전에 있어서의 니들(18)의 화상 데이터를 이용하므로, 시료편(Q)으로부터 분리된 니들(18)이 대부분 원래의 형상으로 되돌아가는 것이 특징이다.The setting of the area to be trimmed uses a template. This template uses the image data of the
니들(18)의 첨예화(단계 S290)에 앞서, 컴퓨터(21)는, 단계 S080에서 취득한 니들의 화상 데이터(레퍼런스 화상)나, 레퍼런스 화상으로부터 추출한 니들(18)의 윤곽선을 템플릿으로 한다.Prior to the sharpening of the needle 18 (step S290), the
이 템플릿을 이용하여, 적어도 집속 이온 빔 조사에 의한 화상에 템플릿 매칭시킨다. 컴퓨터(21)는, 이 템플릿 매칭에 있어서 화상 데이터의 소정 영역(적어도 니들(18)의 선단을 포함하는 영역)으로부터 윤곽(외형)을 추출할 때, 추출한 윤곽 형상을 표시 장치(20)에 표시한다.This template is used to perform template matching on at least an image obtained by focused ion beam irradiation. The
또한, 컴퓨터(21)는, 템플릿 매칭이 현저하게 곤란한 경우에는, 니들(18)의 위치 좌표를 초기화하여, 니들(18)을 초기 위치로 이동시킨 후에, 니들(18)의 배경에 구조물이 없는 상황으로 한다. 또한, 컴퓨터(21)는, 니들(18)의 위치 좌표를 초기화한 후라도, 템플릿 매칭이 현저하게 곤란한 경우에는, 니들(18)의 형상이 크게 변형되어 있는 등, 이상이 발생했다고 판단하고, 단계 S300으로 넘어가, 자동 시료편 제작을 종료한다.The
컴퓨터(21)는, 작성한 템플릿을 기초로, 니들(18)의 선단 형상이 미리 설정한 이상적인 소정의 형상이 되는 가공 프레임(40)을 정하고, 이 가공 프레임(40)에 따라 트리밍 가공을 행한다. 도 27은, 본 발명의 실시 형태에 관련된 자동 시료편 제작 장치(10)의 집속 이온 빔에 의한 화상 데이터의 모식도이며, 니들(18)의 선단 형상과 선단에 부착되어 있는 디포지션막(DM2)을 나타내고 있다. 도 28은, 도 27에 템플릿인 단계 S080에서 얻은 니들(18)의 화상 데이터를 기초로, 그 니들(18)의 윤곽으로부터 구한 템플릿에 가공 프레임(40)을 겹쳐 표시한 상태를 나타내고 있다. 가공 프레임(40)은, 예를 들면 니들(18)의 선단으로부터 기단측의 부위 등을 직선적으로 근사함으로써 이상적인 선단 위치 C로 한다.The
단계 S290에서는, 컴퓨터(21)는, 니들 구동 기구(19)의 회전 기구에 의해서 니들(18)을 중심축 둘레로 미리 정한 각도만큼 회전시키고, 복수의 상이한 특정 회전 위치에서 트리밍 가공을 행한다. 컴퓨터(21)는, 니들 구동 기구(19)와 집속 이온 빔 조사 광학계(14)를 동작시키고, 미리 정한 각도, 예를 들면, 30°, 45°, 60°, 90°씩 니들(18)을 축 회전시켜 니들(18)의 양 측면을 트리밍한다. 30°마다의 회전인 경우, 6회(6방향에서)의 트리밍으로 니들(18) 전체 둘레를 트리밍할 수 있다. 45°마다인 경우는 4회, 60°인 경우는 3회, 90°에서는 2회의 트리밍으로 전체 둘레 정형할 수 있다.In step S290, the
컴퓨터(21)는, 니들 구동 기구(19)의 회전 기구(도시 생략)에 의해서 니들(18)을 중심축 둘레로 회전시켰을 때의 적어도 3점 이상의 상이한 각도에서의 니들(18)의 위치를 이용하여, 니들(18)의 편심 궤적을 타원 근사한다. 예를 들면, 컴퓨터(21)는, 3점 이상의 상이한 각도의 각각에서의 니들(18)의 위치의 변화를 정현파로 연산함으로써, 니들(18)의 편심 궤적을 타원 또는 원에 근사한다. 그리고, 컴퓨터(21)는, 니들(18)의 편심 궤적을 이용하여, 소정 각도마다 니들(18)의 위치 어긋남을 보정할 수 있다.The
상술의 트리밍 가공에 있어서도 편심 보정을 행하기 위해, 회전 각도마다 니들(18)의 위치 어긋남이 보정되고, 항상 시야 내의 동일한 위치에서 트리밍 가공을 할 수 있다.In order to perform the eccentricity correction even in the trimming process described above, the positional deviation of the
다음에, 컴퓨터(21)는, 가공된 선단부가, 상기 디포지션막(DM2)이 제거되어, 템플릿의 선단 위치(C)와 일치하여 소정의 형상으로 되어 있는 것을 판단한다(단계 S292). 선단부의 디포지션막(DM2)이 제거되어, 템플릿의 선단 위치(C)와 일치하면 트리밍 가공은 종료라고 판단하고(OK), 다음의 단계 SS298로 옮긴다. 만약, 가공한 니들 선단 형상이 불량이면(NG), 가공 프레임(40)을 니들(18)의 근원 방향으로 미리 정한 칫수, 예를 들면, 니들 직경의 정수배만큼 평행 이동시키고(단계 S293), 다시, 단계 S290 및 단계 S292를 실행한다. 이 작업을, 가공한 선단부가 선단 위치(C)에 도달하기까지 반복하여, 소정의 형상이 되었을 때에 트리밍 가공을 종료시켜, 다음의 단계 S298로 옮긴다.Next, the
컴퓨터(21)는, 니들(18)의 선단 형상을 미리 설정된 이상적인 소정 형상에 일치시킴으로써, 니들(18)을 3차원 공간 내에서 구동할 때 등에 있어서, 패턴 매칭에 의해서 니들(18)을 용이하게 인식할 수 있고, 니들(18)의 3차원 공간 내의 위치를 정밀도좋게 검출할 수 있다. 전체 둘레 정형하면 일단 종료시킨다.The
컴퓨터(21)는, 니들 트리밍 공정을 자동 시료 샘플링의 매회의 실행마다 실시해도 되고, 니들 트리밍 공정을 복수회의 샘플링 작업에 대하여 1회의 트리밍을 정기적으로 실시함으로써, 자동 시료 샘플링의 처리를 안정화시킬 수 있다. 니들 트리밍 공정을 구비함으로써, 니들(18)을 교환하지 않고 반복 시료 샘플링할 수 있으므로, 동일한 니들(18)을 이용해 다수개의 시료편(Q)을 연속하여 샘플링할 수 있다.The
이에 따라 자동 시료편 제작 장치(10)는, 시료(S)로부터 시료편(Q)을 분리 및 적출할 때에 동일한 니들(18)을 교환하지 않고 반복 사용할 수 있어, 한개의 시료(S)로부터 다수개의 시료편(Q)을 자동으로 제작할 수 있다.The automatic sample
다음에, 계속하여 동일한 시료(S)의 상이한 장소로부터 샘플링을 계속할지 여부의 판단을 내린다(단계 S298). 샘플링해야 할 개수의 설정은, 단계 S010에서 사전에 등록하고 있으므로, 컴퓨터(21)는 이 데이터를 확인하여 다음의 단계를 판단한다. 계속하여 샘플링하는 경우는, 단계 S060로 되돌아가, 상술과 같이 후속하는 단계를 계속하여 샘플링 작업을 실행하고, 샘플링을 계속하지 않는 경우는, 다음의 단계 S300로 진행한다.Next, it is judged whether or not to continue sampling from a different place of the same sample S (step S298). Since the setting of the number to be sampled is registered in advance in step S010, the
다음에, 컴퓨터(21)는, 니들 구동 기구(19)에 의해서 니들(18)을 초기 설정 위치로 이동한다(단계 S300). Next, the
이상에 의해, 일련의 자동 시료편 제작 동작이 종료된다.Thus, a series of automatic sample piece production operations are completed.
컴퓨터(21)는, 상술한 단계 S010 내지 단계 S300까지를 연속 동작시킴으로써, 무인으로 샘플링 동작을 실행시킬 수 있다. 종래와 같은 조작자의 수동 조작을 실시하지 않고 시료편(Q)을 제작할 수 있다.The
상술한 것처럼, 본 발명의 실시 형태에 의한 자동 시료편 제작 장치(10)에 의하면, 컴퓨터(21)는, 적어도 시료편 홀더(P), 니들(18), 및 시료편(Q)의 미리 취득한 템플릿을 기초로 하여, 집속 이온 빔 조사 광학계(14), 전자 빔 조사 광학계(15), 스테이지 구동 기구(13), 니들 구동 기구(19), 및 가스 공급부(17)를 제어하므로, 시료편(Q)을 시료편 홀더(P)로 이설하는 동작을 적정하게 자동화할 수 있다.As described above, according to the automatic sample
또한, 적어도 시료편 홀더(P), 니들(18), 및 시료편(Q)의 배경에 구조물이 없는 상태에서 하전 입자 빔의 조사에 의해서 취득한 화상으로부터 템플릿을 작성하므로, 템플릿의 신뢰성을 향상시킬 수 있다. 이에 따라, 템플릿을 이용한 템플릿 매칭의 정밀도를 향상시킬 수 있고, 템플릿 매칭에 의해서 얻어지는 위치 정보를 기초로 하여 시료편(Q)을 정밀도 좋게 시료편 홀더(P)로 이설할 수 있다.Furthermore, since the template is prepared from the image obtained by irradiating the charged particle beam in the state that there is no structure at least in the background of the sample piece holder P, the
또한, 적어도 시료편 홀더(P), 니들(18), 및 시료편(Q)의 배경에 구조물이 없는 상태가 되도록 지시했을 때에, 실제로는 지시대로 되어 있지 않은 경우에는, 적어도 시료편 홀더(P), 니들(18), 및 시료편(Q)의 위치를 초기화하므로, 각 구동 기구(13, 19)를 정상 상태로 복귀시킬 수 있다.When at least the sample piece holder P, the
또한, 시료편(Q)을 시료편 홀더(P)로 이설할 때의 자세에 따른 템플릿을 작성하므로, 이설 시의 위치 정밀도를 향상시킬 수 있다.In addition, since a template is prepared in accordance with the posture of the sample piece Q to be placed in the sample piece holder P, the positional accuracy of the sample piece Q can be improved.
또한, 적어도 시료편 홀더(P), 니들(18), 및 시료편(Q)의 템플릿을 이용한 템플릿 매칭에 의거하여 상호간의 거리를 계측하므로, 이설시의 위치 정밀도를, 한층 더 향상시킬 수 있다.Further, since the mutual distances are measured based on the template matching using the template of the sample piece holder P, the
또한, 적어도 시료편 홀더(P), 니들(18), 및 시료편(Q)의 각각의 화상 데이터에 있어서의 소정 영역에 대하여 엣지를 추출할 수 없는 경우에, 화상 데이터를 다시 취득하므로, 템플릿을 정확하게 작성할 수 있다.When the edge can not be extracted for at least a predetermined area in the image data of each of the sample piece holder P, the
또한, 최종적으로 스테이지(12)에 평행한 평면 내에서의 이동만에 의해 시료편(Q)을 미리 정한 시료편 홀더(P)의 위치로 이설하므로, 시료편(Q)의 이설을 적정하게 실시할 수 있다. In addition, since the sample piece Q is finally moved to the position of the sample piece holder P determined only by the movement in the plane parallel to the
또한, 템플릿의 작성 전에 니들(18)에 유지한 시료편(Q)을 정형 가공하므로, 템플릿 작성시의 엣지 추출의 정밀도를 향상시킬 수 있음과 더불어, 후에 실행하는 마무리 가공에 적합한 시료편(Q)의 형상을 확보할 수 있다. 또한, 정형 가공의 위치를 니들(18)로부터의 거리에 따라 설정하므로, 정밀도 좋게 정형 가공을 실시할 수 있다.In addition, since the sample piece Q held on the
또한, 시료편(Q)을 유지하는 니들(18)이 소정 자세가 되도록 회전시킬 때에, 편심 보정에 의해서 니들(18)의 위치 어긋남을 보정할 수 있다.Further, when the
또한, 본 발명의 실시 형태에 의한 자동 시료편 제작 장치(10)에 의하면, 컴퓨터(21)는, 시료편(Q)이 형성될 때의 레퍼런스 마크(Ref)에 대한 니들(18)의 상대 위치를 검출함으로써, 시료편(Q)에 대한 니들(18)의 상대 위치 관계를 파악할 수 있다. 컴퓨터(21)는, 시료편(Q)의 위치에 대한 니들(18)의 상대 위치를 순차적으로 검출함으로써, 니들(18)을 3차원 공간 내에서 적절히(즉, 다른 부재나 기기 등에 접촉하지 않고) 구동할 수 있다.According to the automatic sample
또한, 컴퓨터(21)는, 적어도 2개의 상이한 방향으로부터 취득한 화상 데이터를 이용함으로써, 니들(18)의 3차원 공간 내의 위치를 정밀도 좋게 파악할 수 있다. 이에 따라 컴퓨터(21)는, 니들(18)을 3차원적으로 적절히 구동할 수 있다.Further, the
또한, 컴퓨터(21)는, 미리 니들(18)을 이동시키기 직전에 실제로 생성되는 화상 데이터를 템플릿(레퍼런스 화상 데이터)으로 하므로, 니들(18)의 형상에 상관없이 매칭 정밀도가 높은 템플릿 매칭을 행할 수 있다. 이에 따라 컴퓨터(21)는, 니들(18)의 3차원 공간 내의 위치를 정밀도 좋게 파악할 수 있어, 니들(18)을 3차원 공간 내에서 적절히 구동할 수 있다. 또한, 컴퓨터(21)는, 스테이지(12)를 퇴피시켜, 니들(18)의 배경에 복잡한 구조물이 없는 상태에서 각 화상 데이터를 취득하므로, 백그라운드의 영향을 배제하여 니들(18)의 형상을 명확하게 파악할 수 있는 템플릿(레퍼런스 화상 데이터)을 취득할 수 있다.Since the image data actually generated immediately before the
또한, 컴퓨터(21)는, 니들(18)과 시료편(Q)을 접촉시키지 않고 디포지션막에 의해 접속하므로, 후의 공정에서 니들(18)과 시료편(Q)이 분리될 때에 니들(18)이 절단되어 버리는 것을 방지할 수 있다. 또한, 니들(18)의 진동이 발생하는 경우에도, 이 진동이 시료편(Q)에 전달되는 것을 억제할 수 있다. 또한, 시료(S)의 크리프 현상에 의한 시료편(Q)의 이동이 발생하는 경우에도, 니들(18)과 시료편(Q) 사이에 과잉 변형이 생기는 것을 억제할 수 있다.Since the
또한, 가스 공급부(17)는, 플라티나 또는 텅스텐 등을 함유한 디포지션용 가스를 공급할 수 있으므로, 막 두께가 얇은 치밀한 디포지션막을 형성할 수 있다. 이에 따라 가스 공급부(17)는, 후의 공정에서 니들(18)과 시료편(Q)이 스퍼터 가공에 의해서 절단되는 경우에도, 막 두께가 얇은 디포지션막에 의해 프로세스 효율을 향상시킬 수 있다.Further, since the
또한, 컴퓨터(21)는, 집속 이온 빔 조사에 의한 스퍼터 가공에 의해서 시료(S)와 시료편(Q)의 접속을 절단한 경우에, 실제로 절단이 완료되어 있는지 여부를, 시료(S)와 니들(18) 사이의 도통 유무를 검출함으로써 확인할 수 있다.When the connection between the sample S and the sample piece Q is cut by the sputtering by the focused ion beam irradiation, the
또한, 컴퓨터(21)는, 시료(S)와 시료편(Q)의 실제 분리가 완료하지 않은 것을 통지하므로, 이 공정에 이어서 자동적으로 실행되는 일련의 공정의 실행이 중단되는 경우에도, 이 중단의 원인을 조작자에게 용이하게 인식시킬 수 있다.Further, the
또한, 컴퓨터(21)는, 시료(S)와 니들(18) 사이의 도통이 검출된 경우에는, 시료(S)와 시료편(Q)의 접속 절단이 실제로는 완료하지 않았다고 판단하고, 이 공정에 연속되는 니들(18)의 퇴피 등의 구동에 대비하여, 시료편(Q)과 니들(18)의 접속을 절단한다. 이에 따라 컴퓨터(21)는, 니들(18)의 구동에 따르는 시료(S)의 위치 어긋남 또는 니들(18)의 파손 등의 문제의 발생을 방지할 수 있다.When the conduction between the sample S and the
또한, 컴퓨터(21)는, 시료편(Q)과 니들(18) 사이의 도통 유무를 검출하여, 시료(S)와 시료편(Q)의 접속 절단이 실제로 완료되어 있는 것을 확인하고 나서 니들(18)을 구동시킬 수 있다. 이에 따라 컴퓨터(21)는, 니들(18)의 구동에 따르는 시료편(Q)의 위치 어긋남 또는 니들(18)이나 시료편(Q)의 파손 등의 문제의 발생을 방지할 수 있다.The
또한, 컴퓨터(21)는, 시료편(Q)이 접속된 니들(18)에 대하여, 실제의 화상 데이터를 템플릿(레퍼런스 화상 데이터)으로 하므로, 시료편(Q)과 접속된 니들(18)의 형상에 상관없이 매칭 정밀도가 높은 템플릿 매칭을 행할 수 있다. 이에 따라 컴퓨터(21)는, 시료편(Q)과 접속된 니들(18)의 3차원 공간 내의 위치를 정밀도 좋게 파악할 수 있고, 니들(18) 및 시료편(Q)을 3차원 공간 내에서 적절히 구동시킬 수 있다.Since the actual image data is a template (reference image data) with respect to the
또한, 컴퓨터(21)는, 이미 알고 있는 시료대(33)의 템플릿을 이용해 시료대(33)를 구성하는 복수의 기둥형상부(34)의 위치를 추출하므로, 적정한 상태의 시료대(33)가 존재하는지 여부를, 니들(18)의 구동에 앞서 확인할 수 있다.The
또한, 컴퓨터(21)는, 시료편(Q)이 접속된 니들(18)이 조사 영역 내에 도달하는 전후에 있어서의 흡수 전류의 변화에 따라, 니들(18) 및 시료편(Q)이 이동 목표 위치의 근방에 도달한 것을 간접적으로 정밀도 좋게 파악할 수 있다. 이에 따라 컴퓨터(21)는, 니들(18) 및 시료편(Q)을 이동 목표 위치에 존재하는 시료대(33) 등의 다른 부재에 접촉시키지 않고 정지시킬 수 있어, 접촉에 기인하는 손상 등의 문제가 발생하는 것을 방지할 수 있다.The
또한, 컴퓨터(21)는, 시료편(Q) 및 시료대(33)를 디포지션막에 의해 접속하는 경우에 시료대(33)와 니들(18) 사이의 도통 유무를 검출하므로, 실제로 시료편(Q) 및 시료대(33)의 접속이 완료되었는지 여부를 정밀도 좋게 확인할 수 있다.The
또한, 컴퓨터(21)는, 시료대(33)와 니들(18) 사이의 도통 유무를 검출하여, 시료대(33)와 시료편(Q)의 접속이 실제로 완료되어 있는 것을 확인하고 나서 시료편(Q)과 니들(18)의 접속을 절단할 수 있다.The
또한, 컴퓨터(21)는, 실제의 니들(18)의 형상을 이상적인 레퍼런스 형상에 일치시킴으로써, 니들(18)을 3차원 공간 내에서 구동할 때 등에 있어서, 패턴 매칭에 의해서 니들(18)을 용이하게 인식할 수 있어, 니들(18)의 3차원 공간 내의 위치를 정밀도 좋게 검출할 수 있다.The
이하, 상술한 실시 형태의 제1의 변형예에 대하여 설명한다.Hereinafter, a first modification of the above-described embodiment will be described.
상술한 실시 형태에 있어서, 니들 구동 기구(19)는 스테이지(12)와 일체로 설치되는 것으로 했는데, 이에 한정되지 않는다. 니들 구동 기구(19)는, 스테이지(12)와 독립으로 설치되어도 된다. 니들 구동 기구(19)는, 예를 들면 시료실(11) 등에 고정됨으로써, 스테이지(12)의 틸트 구동 등으로부터 독립하여 설치되어도 된다.In the above-described embodiment, the
이하, 상술한 실시 형태의 제2의 변형예에 대하여 설명한다.Hereinafter, a second modification of the above-described embodiment will be described.
상술한 실시 형태에 있어서, 집속 이온 빔 조사 광학계(14)는 광축을 연직 방향으로 하고, 전자 빔 조사 광학계(15)는 광축을 연직에 대하여 경사진 방향으로 했는데, 이에 한정되지 않는다. 예를 들면, 집속 이온 빔 조사 광학계(14)는 광축을 연직에 대하여 경사진 방향으로 하고, 전자 빔 조사 광학계(15)는 광축을 연직 방향으로 해도 된다.In the above-described embodiment, the focused ion beam irradiation
이하, 상술한 실시 형태의 제3의 변형예에 대하여 설명한다.Hereinafter, a third modification of the above-described embodiment will be described.
상술한 실시 형태에 있어서, 하전 입자 빔 조사 광학계로서 집속 이온 빔 조사 광학계(14)와 전자 빔 조사 광학계(15)의 2종의 빔을 조사할 수 있는 구성으로 했는데, 이에 한정되지 않는다. 예를 들면, 전자 빔 조사 광학계(15)가 없고, 연직 방향으로 설치한 집속 이온 빔 조사 광학계(14)만의 구성으로 해도 된다.In the above-described embodiment, the charged particle beam irradiation optical system is configured to be capable of irradiating two kinds of beams, that is, the focused ion beam irradiation
상술한 실시 형태에서는, 상술의 몇개의 단계에 있어서, 시료편 홀더(P), 니들(18), 시료편(Q) 등에 대하여 전자 빔과 집속 이온 빔을 상이한 방향으로부터 조사하여, 전자 빔에 의한 화상과 집속 이온 빔에 의한 화상을 취득하고, 시료편 홀더(P), 니들(18), 시료편(Q) 등의 위치나 위치 관계를 파악하고 있지만, 집속 이온 빔 조사 광학계(14)만을 탑재하고, 집속 이온 빔의 화상만으로 행하는 실시예에 대하여 설명한다.The electron beam and the focused ion beam are irradiated from different directions to the sample piece holder P, the
예를 들면, 단계 S220에 있어서, 시료편 홀더(P)와 시료편(Q)의 위치 관계를 파악하는 경우에는, 스테이지(12)의 경사가 수평인 경우와, 어느 특정 경사각에서 수평으로부터 경사지는 경우에 있어서, 시료편 홀더(P)와 시료편(Q)의 양자가 동일 시야에 들어가도록 집속 이온 빔에 의한 화상을 취득하고, 이들 양 화상으로부터, 시료편 홀더(P)와 시료편(Q)의 삼차원적인 위치 관계를 파악할 수 있다. 상술한 것처럼, 니들 구동 기구(19)는 스테이지(12)와 일체로 수평 수직 이동, 경사질 수 있으므로, 스테이지(12)가 수평, 경사에 상관없이, 시료편 홀더(P)와 시료편(Q)의 상대 위치 관계는 유지된다. 이 때문에, 하전 입자 빔 조사 광학계가 집속 이온 빔 조사 광학계(14)의 1개뿐이어도, 시료편(Q)을 상이한 2방향으로부터 관찰, 가공할 수 있다.For example, when the positional relationship between the sample piece holder P and the sample piece Q is grasped in step S220, the case where the inclination of the
마찬가지로, 단계 S020에 있어서의 시료편 홀더(P)의 화상 데이터의 등록, 단계 S070에 있어서의 니들 위치의 인식, 단계 S080에 있어서의 니들의 템플릿(레퍼런스 화상)의 취득, 단계 S170에 있어서의 시료편(Q)이 접속한 니들(18)의 레퍼런스 화상의 취득, 단계 S210에 있어서의 시료편(Q)의 부착 위치의 인식, 단계 S250에 있어서의 니들 이동 정지에 있어서도 동일하게 행하면 좋다.Similarly, the registration of the image data of the sample holder P in step S020, the recognition of the needle position in step S070, the acquisition of the template (reference image) of the needle in step S080, The same operation may be performed in the case of acquiring the reference image of the
또한, 단계 S250에 있어서의 시료편(Q)과 시료편 홀더(P)의 접속에 있어서도, 스테이지(12)가 수평 상태에 있어서 시료편 홀더(P)와 시료편(Q)의 상단면으로부터 디포지션막을 형성하여 접속하고, 또한, 스테이지(12)를 경사시켜 상이한 방향으로부터 디포지션막을 형성할 수 있어 확실한 접속을 할 수 있다.Even in the connection of the sample piece Q and the sample piece holder P in step S250, the
이하, 상술한 실시 형태의 제4의 변형예에 대하여 설명한다.Hereinafter, a fourth modified example of the above-described embodiment will be described.
상술한 실시 형태에 있어서, 컴퓨터(21)는, 자동 시료 샘플링의 동작으로서, 단계 S010 내지 단계 S300의 일련의 처리를 자동적으로 실행한다고 했지만, 이에 한정되지 않는다. 컴퓨터(21)는, 단계 S010 내지 단계 S300 중 적어도 어느 1개의 처리를, 조작자의 수동 조작에 의해서 실행하도록 바꾸어도 된다.In the embodiment described above, the
또한, 컴퓨터(21)는, 복수의 시료편(Q)에 대하여 자동 시료 샘플링의 동작을 실행하는 경우에, 시료(S)에 복수의 시료편(Q) 중 어느 1개가 형성될 때마다, 이 1개의 시료편(Q)에 대하여 자동 시료 샘플링의 동작을 실행해도 된다. 또한, 컴퓨터(21)는, 시료(S)에 복수의 시료편(Q)의 전체가 형성된 후에, 복수의 시료편(Q)의 각각에 대하여 자동 시료 샘플링의 동작을 실행해도 된다.When the automatic sample sampling operation is performed on the plurality of sample pieces Q, the
이하, 상술한 실시 형태의 제5의 변형예에 대하여 설명한다.Hereinafter, a fifth modification of the above-described embodiment will be described.
상술한 실시 형태에 있어서, 컴퓨터(21)는, 이미 알고 있는 기둥형상부(34)의 템플릿을 이용해 기둥형상부(34)의 위치를 추출하는 것으로 했는데, 이 템플릿으로서, 미리 실제의 기둥형상부(34)의 화상 데이터로 작성하는 레퍼런스 패턴을 이용해도 된다. 또한, 컴퓨터(21)는, 시료대(33)를 형성하는 자동 가공의 실행시에 작성한 패턴을, 템플릿으로 해도 된다.In the embodiment described above, the
또한, 상술한 실시 형태에 있어서, 컴퓨터(21)는, 기둥형상부(34)의 작성시에 하전 입자 빔의 조사에 의해서 형성되는 레퍼런스 마크(Ref)를 이용하여, 시료대(33)의 위치에 대한 니들(18)의 위치의 상대 관계를 파악해도 된다. 컴퓨터(21)는, 시료대(33)의 위치에 대한 니들(18)의 상대 위치를 순차적으로 검출함으로써, 니들(18)을 3차원 공간 내에서 적절히(즉, 다른 부재나 기기 등에 접촉하지 않고) 구동시킬 수 있다.In the above-described embodiment, the
이하, 상술한 실시 형태의 제6의 변형예에 대하여 설명한다.Hereinafter, a sixth modified example of the above-described embodiment will be described.
상술한 실시 형태에 있어서, 컴퓨터(21)는, 니들(18)에 접속된 시료편(Q)을 부착 위치를 향해 이동시킨 후에, 시료편(Q) 및 시료대(33)의 표면에 가스 공급부(17)에 의해서 가스를 공급하는 것으로 했는데, 이에 한정되지 않는다.The
컴퓨터(21)는, 니들(18)에 접속된 시료편(Q)이 부착 위치 주변의 목표 위치에 도달하는데 앞서, 조사 영역에 가스 공급부(17)에 의해서 가스를 공급해도 된다. The
컴퓨터(21)는, 니들(18)에 접속된 시료편(Q)이 부착 위치를 향해 이동하고 있는 상태에서 시료편(Q)에 디포지션막을 형성할 수 있고, 시료편(Q)이 집속 이온 빔에 의해서 에칭 가공되어 버리는 것을 방지할 수 있다. 또한, 컴퓨터(21)는, 시료편(Q)이 부착 위치 주변의 목표 위치에 도달한 시점에서 즉시 시료편(Q) 및 시료대(33)를 디포지션막에 의해 접속할 수 있다.The
이하, 상술한 실시 형태의 제7의 변형예에 대하여 설명한다.Hereinafter, a seventh modification of the above-described embodiment will be described.
상술한 실시 형태에 있어서, 컴퓨터(21)는, 니들(18)을 중심축 둘레로 회전시키면서, 특정 회전 위치에 있어서 에칭 가공을 행하는 것으로 했는데, 이에 한정되지 않는다.In the above-described embodiment, the
컴퓨터(21)는, 스테이지 구동 기구(13)의 틸트 기구(13b)에 의한 스테이지(12)의 틸트(X축 또는 Y축 둘레의 회전)에 따라, 복수의 상이한 방향으로부터의 집속 이온 빔의 조사에 의해서 에칭 가공을 행해도 된다.The
이하, 상술한 실시 형태의 제8의 변형예에 대하여 설명한다.The eighth modification of the above-described embodiment will be described below.
상술한 실시 형태에 있어서, 컴퓨터(21)는, 자동 시료 샘플링의 동작에 있어서, 매회, 니들(18)의 선단을 첨예화 가공하는 것으로 했는데, 이에 한정되지 않는다.In the above-described embodiment, the
컴퓨터(21)는, 자동 시료 샘플링의 동작이 반복 실행되는 경우의 적절한 타이밍, 예를 들면 반복 실행 회수가 소정 회수마다에 있어서, 니들(18)의 첨예화 가공을 실행해도 된다.The
이하, 상술한 실시 형태의 제9의 변형예에 대하여 설명한다.A ninth modification of the above-described embodiment will be described below.
상술한 실시 형태에 있어서, 시료편(Q)을 시료편 홀더(P)에 접속시키는 단계 S220 내지 단계 S250까지의 처리를 다음과 같이 행해도 된다. 즉, 시료편 홀더(P)의 기둥형상부(34)와 시료편(Q)과 화상으로부터, 이들 위치 관계(서로의 거리)를 구하고, 이들의 거리가 목적의 값이 되도록 니들 구동 기구(19)를 동작시키는 처리이다.In the above-described embodiment, the processing from step S220 to step S250 of connecting the sample piece Q to the sample piece holder P may be performed as follows. That is, these positional relationships (distances to each other) are obtained from the
단계 S220에 있어서, 컴퓨터(21)는, 전자 빔 및 집속 이온 빔에 의한 니들(18), 시료편(Q), 기둥형상부(34)의 2차 입자 화상 데이터 또는 흡수 전류 화상 데이터로부터 이들 위치 관계를 인식한다. 도 29 및 도 30은, 기둥형상부(34)와 시료편(Q)의 위치 관계를 모식적으로 나타낸 도면이며, 도 29는 집속 이온 빔 조사에 의해서, 도 30은 전자 빔 조사에 의해서 얻은 화상을 기초로 하고 있다. 이들 도면으로부터 기둥형상부(34)와 시료편(Q)의 상대 위치 관계를 계측한다. 도 29와 같이 기둥형상부(34)의 일각을 원점(34a)으로 하여 직교 3축 좌표(스테이지(12)의 3축 좌표와는 상이한 좌표)를 정하고, 기둥형상부(34)의 원점(34a)과 시료편(Q)의 기준점(Qc)의 거리로서, 도 29에서 거리 DX, DY가 측정된다.In step S220, the
한편, 도 30에서는 거리 DZ가 구해진다. 단, 전자 빔 광학축과 집속 이온 빔축(연직)에 대하여 각도 θ(단, 0°<θ≤90°)만큼 경사진 것으로 하면, 기둥형상부(34)와 시료편(Q)의 Z축 방향의 실제 거리는 DZ/sinθ가 된다.On the other hand, in Fig. 30, the distance DZ is obtained. However, if the optical axis is inclined at an angle? (0 DEG &le; 90 DEG) to the electron beam optical axis and the focusing ion beam axis (vertical) The actual distance of DZ / sin &thetas;
다음에, 기둥형상부(34)에 대한 시료편(Q)의 이동 정지 위치 관계를 도 29, 도 30에서 설명한다.Next, the movement stop position relationship of the sample piece Q with respect to the
기둥형상부(34)의 상단면(34b)과 시료편(Q)의 상단면(Qb)을 동일면으로 하고, 또한, 기둥형상부(34)의 측면과 시료편(Q)의 단면이 동일면으로 되고, 또한, 기둥형상부(34)와 시료편(Q)의 사이에는 약 0.5㎛의 공극이 있는 위치 관계로 한다. 즉, DX=0, DY=0.5㎛, DZ=0이 되도록, 니들 구동 기구(19)를 동작시킴으로써, 목표로 하는 정지 위치에 시료편(Q)을 도달시킬 수 있다.The
또한, 전자 빔 광학축과 집속 이온 빔 광학축이 수직(θ=90°) 관계에 있는 구성에서는, 전자 빔에 의해서 계측된 기둥형상부(34)와 시료편(Q)의 거리(DZ)는, 측정치가 실제 양자의 거리가 된다.In the configuration in which the electron beam optical axis and the focused ion beam optical axis are perpendicular (? = 90 占), the distance DZ between the
이하, 상술한 실시 형태의 제10의 변형예에 대하여 설명한다.A tenth modification of the above-described embodiment will be described below.
상술한 실시 형태에 있어서의 단계 S230에서는, 니들(18)을 화상으로부터 계측한 기둥형상부(34)와 시료편(Q)의 간격이 목표의 값이 되도록 니들 구동 기구(19)를 동작시켰다.The
상술한 실시 형태에 있어서, 시료편(Q)을 시료편 홀더(P)에 접속시키는 단계 S220 내지 단계 S250까지의 처리를 다음과 같이 행해도 된다. 즉, 시료편 홀더(P)의 기둥형상부(34)에의 시료편(Q)의 부착 위치를 템플릿으로서 미리 정해 두고, 그 위치에 시료편(Q)의 화상을 패턴 매칭시켜, 니들 구동 기구(19)를 동작시키는 처리이다.In the above-described embodiment, the processing from step S220 to step S250 of connecting the sample piece Q to the sample piece holder P may be performed as follows. That is, the attachment position of the sample piece Q to the
기둥형상부(34)에 대한 시료편(Q)의 이동 정지 위치 관계를 나타내는 템플릿을 설명한다. 기둥형상부(34)의 상단면(34b)과 시료편(Q)의 상단면(Qb)을 동일면으로 하고, 또한, 기둥형상부(34)의 측면과 시료편(Q)의 단면이 동일면이 되고, 또한, 기둥형상부(34)와 시료편(Q)의 사이에는 약 0.5㎛의 공극이 있는 위치 관계이다. 이러한 템플릿은, 실제의 시료편 홀더(P)나 시료편(Q)을 고착한 니들(18)의 2차 입자 화상이나 흡수 전류 화상 데이터로부터 윤곽(엣지)부를 추출하여 선화(線畵)를 작성해도 되고, 설계 도면, CAD 도면으로부터 선화로서 작성해도 된다.A template showing the relationship of the movement stop position of the sample piece Q with respect to the
작성한 템플릿 중 기둥형상부(34)를 실시간에서의 전자 빔 및 집속 이온 빔에 의한 기둥형상부(34)의 화상에 겹쳐 표시하고, 니들 구동 기구(19)에 동작의 지시를 내림으로써, 시료편(Q)은 템플릿 상의 시료편(Q)의 정지 위치로 향해서 이동한다(단계 S230, S240). 실시간에서의 전자 빔 및 집속 이온 빔에 의한 화상이, 미리 정한 템플릿 상의 시료편(Q)의 정지 위치와 겹쳐진 것을 확인하여, 니들 구동 기구(19)의 정지 처리를 행한다(단계 S250). 이와 같이 하여, 시료편(Q)을 미리 정한 기둥형상부(34)에 대한 정지 위치 관계에 정확하게 이동시킬 수 있다.Among the prepared templates, the
또한, 상술의 단계 S230 내지 단계 S250의 처리의 별도의 형태로서, 다음과 같이 해도 된다. 2차 입자 화상이나 흡수 전류 화상 데이터로부터 추출하는 엣지부의 선화는, 양자의 위치 맞춤에 최저한 필요한 부분에만 한정한다. 도 31은, 그 일예를 나타내고 있고, 기둥형상부(34)와 시료편(Q)과 윤곽선(점선 표시)과, 추출한 엣지(굵은 실선 표시)가 나타나 있다. 기둥형상부(34)와 시료편(Q)이 주목하는 엣지는, 각각이 마주보는 엣지(34s, Qs), 및, 기둥형상부(34)와 시료편(Q)의 각 상단면(34b, Qb)의 엣지(34t, Qt)의 일부이다. 기둥형상부(34)에 대해서는 선분(35a와 35b)에서, 시료편(Q)에 대해서는 선분(36a와 36b)에서, 각 선분은 각 엣지의 일부에서 충분하다. 이러한 각 선분으로부터, 예를 들면 T자형상의 템플릿으로 한다. 스테이지 구동 기구(13)나 니들 구동 기구(19)를 동작시킴으로써 대응하는 템플릿이 이동한다. 이들 템플릿(35a, 35b 및 36a, 36b)은, 상호 위치 관계로부터, 기둥형상부(34)와 시료편(Q)의 간격, 평행도, 양자의 높이를 파악할 수 있어, 양자를 용이하게 맞출 수 있다. 도 32는 미리 정한 기둥형상부(34)와 시료편(Q)의 위치 관계에 대응하는 템플릿의 위치 관계이며, 선분(35a와 36a)은 미리 정한 간격의 평행으로, 또한, 선분(35b와 36b)이 일직선 상에 있는 위치 관계에 있다. 적어도 스테이지 구동 기구(13), 니들 구동 기구(19) 중 어느 하나를 동작시켜, 템플릿이 도 32의 위치 관계로 되었을 때에 동작시키는 구동 기구가 정지한다.As another form of the processing of the above-described steps S230 to S250, the following processing may also be performed. Linearization of the edge portion extracted from the secondary particle image or absorbed current image data is limited to the minimum necessary portion for alignment of both. Fig. 31 shows an example thereof.
이와 같이, 시료편(Q)이 소정의 기둥형상부(34)에 접근하고 있는 것을 확인한 후에, 정밀한 위치 맞춤에 이용할 수 있다.As described above, after confirming that the sample piece Q approaches the
다음에, 상술한 실시 형태의 제11의 변형예로서, 상술의 단계 S220 내지 S250에 있어서의, 다른 형태예에 대하여 설명한다.Next, another modification of the above-described steps S220 to S250 will be described as an eleventh modification of the above-described embodiment.
상술한 실시 형태에 있어서의 단계 S230에서는 니들(18)을 이동시켰다. 만약, 단계 S230를 끝낸 시료편(Q)이, 목적 위치로부터 크게 벗어난 위치 관계에 있는 경우, 다음의 동작을 행해도 된다.In step S230 in the above-described embodiment, the
단계 S220에 있어서, 이동전의 시료편(Q)의 위치는, 각 기둥형상부(34)의 원점으로 한 직교 3축 좌표계에 있어서, Y>0, Z>0의 영역에 있는 것이 바람직하다. 이는, 니들(18)의 이동중에 시료편(Q)이 기둥형상부(34)에의 충돌의 위험성이 매우 적기 때문에, 니들 구동 기구(19)의 X, Y, Z 구동부를 동시에 동작시켜, 안전하고 신속하게 목적 위치에 도달할 수 있다. 한편, 이동전의 시료편(Q)의 위치가 Y<0의 영역에 있는 경우, 시료편(Q)을 정지 위치를 향해서 니들 구동 기구(19)의 X, Y, Z 구동부를 동시에 동작시키면, 기둥형상부(34)에 충돌할 위험성이 크다. 이 때문에, 단계 S220에서 시료편(Q)이 Y<0의 영역에 있는 경우, 니들(18)은 기둥형상부(34)를 피한 경로로 목표 위치에 도달시킨다. 구체적으로는, 우선, 시료편(Q)을 니들 구동 기구(19)의 Y축만을 구동시켜, Y>0의 영역까지 이동시켜 소정의 위치(예를 들면 주목하고 있는 기둥형상부(34)의 폭의 2배, 3배, 5배, 10배 등의 위치)까지 이동시키고, 다음에, X, Y, Z 구동부의 동시 동작에 의해서 최종적인 정지 위치를 향해서 이동한다. 이러한 단계에 의해서, 시료편(Q)을 기둥형상부(34)에 충돌하지 않고, 안전하고 신속히 이동시킬 수 있다. 또한, 만일, 시료편(Q)과 기둥형상부(34)의 X좌표가 같고, Z좌표가 기둥형상부 상단보다 낮은 위치에 있는(Z<0) 것이, 전자 빔 화상, 또는/및 집속 이온 빔 화상으로부터 확인된 경우, 우선, 시료편(Q)을 Z>0 영역(예를 들면, Z=2㎛, 3㎛, 5㎛, 10㎛의 위치)으로 이동시키고, 다음에, Y>0의 영역의 소정의 위치까지 이동시키고, 다음에, X, Y, Z 구동부의 동시 동작에 의해서 최종적인 정지 위치를 향해서 이동한다. 이와 같이 이동함으로써, 시료편(Q)과 기둥형상부(34)는 충돌하지 않고, 시료편(Q)을 목적 위치에 도달시킬 수 있다.It is preferable that the position of the sample piece Q before the movement is in the region of Y > 0 and Z > 0 in the orthogonal three-axis coordinate system with the origin of each
다음에, 상술한 실시 형태의 제12의 변형예를 설명한다.Next, a twelfth modified example of the above-described embodiment will be described.
본 발명에 의한 자동 시료편 제작 장치(10)에 있어서, 니들(18)은 니들 구동 기구(19)에 의해서, 축 회전할 수 있다. 상술의 실시 형태에 있어서는, 니들 트리밍을 제외하고, 니들(18)의 축회전을 이용하지 않는 가장 기본적인 샘플링 순서를 설명했는데, 제12의 변형예에서는 니들(18)의 축회전을 이용한 실시 형태를 설명한다.In the automatic
컴퓨터(21)는, 니들 구동 기구(19)를 동작시켜 니들(18)을 축회전할 수 있으므로, 필요에 따라서 시료편(Q)의 자세 제어를 실행할 수 있다. 컴퓨터(21)는, 시료(S)로부터 취출한 시료편(Q)을 회전시켜, 시료편 홀더(P)에 시료편(Q)의 상하 또는 좌우를 변경한 상태의 시료편(Q)을 고정한다. 컴퓨터(21)는, 시료편(Q)에 있어서의 원래의 시료(S)의 표면이 기둥형상부(34)의 단면에 수직 관계에 있는지 평행 관계가 되도록 시료편(Q)을 고정한다. 이에 따라 컴퓨터(21)는, 예를 들면 후에 실행하는 마무리 가공에 적합한 시료편(Q)의 자세를 확보함과 더불어, 시료편(Q)의 박편화 마무리 가공시에 생기는 커텐 효과(집속 이온 빔 조사 방향으로 생기는 가공 줄무늬 모양이며, 완성 후의 시료편을 전자현미경으로 관찰한 경우, 잘못된 해석을 부여하게 된다)의 영향 등을 저감시킬 수 있다. 컴퓨터(21)는, 니들(18)을 회전시킬 때는 편심 보정을 행함으로써, 시료편(Q)이 실시야로부터 벗어나지 않도록 회전을 보정한다.The
또한, 컴퓨터(21)는, 필요에 따라서 집속 이온 빔 조사에 의해서 시료편(Q)의 정형 가공을 행한다. 특히, 정형 후의 시료편(Q)은, 기둥형상부(34)에 접하는 단면이, 기둥형상부(34)의 단면과 거의 평행이 되도록 정형되는 것이 바람직하다. 컴퓨터(21)는, 후술하는 템플릿 작성전에 시료편(Q)의 일부를 절단하는 등의 정형 가공을 행한다. 컴퓨터(21)는, 이 정형 가공의 가공 위치를 니들(18)로부터의 거리를 기준으로 하여 설정한다. 이에 따라 컴퓨터(21)는, 후술하는 템플릿으로부터의 엣지 추출을 용이하게 함과 더불어, 후에 실행하는 마무리 가공에 적합한 시료편(Q)의 형상을 확보한다.Further, the
상술의 단계 S150에 이어서, 이 자세 제어에 있어서, 먼저, 컴퓨터(21)는, 니들 구동 기구(19)에 의해서 니들(18)을 구동하고, 시료편(Q)의 자세가 소정 자세가 되도록, 자세 제어 모드에 대응한 각도분만큼 니들(18)을 회전시킨다. 여기서 자세 제어 모드란, 시료편(Q)을 소정의 자세로 제어하는 모드이며, 시료편(Q)에 대하여 소정의 각도로 니들(18)을 어프로치하고, 시료편(Q)이 접속된 니들(18)을 소정의 각도로 회전시킴으로써 시료편(Q)의 자세를 제어한다. 컴퓨터(21)는, 니들(18)을 회전시킬 때는 편심 보정을 행한다. 도 33~도 38은, 이 모습을 나타내고 있고, 복수(예를 들면, 3개)의 상이한 어프로치 모드의 각각에 있어서, 시료편(Q)이 접속된 니들(18)의 상태를 나타내는 도면이다.The
도 33 및 도 34는, 니들(18)의 회전 각도 0°에서의 어프로치 모드에 있어서, 본 발명의 실시 형태에 관련된 자동 시료편 제작 장치(10)의 집속 이온 빔에 의해 얻어지는 화상 데이터에 있어서의 시료편(Q)이 접속된 니들(18)의 상태(도 33)와, 전자 빔에 의해 얻어지는 화상 데이터에 있어서의 시료편(Q)이 접속된 니들(18)의 상태(도 34)를 나타내는 도면이다. 컴퓨터(21)는, 니들(18)의 회전 각도 0°에서의 어프로치 모드에 있어서는, 니들(18)을 회전시키지 않고 시료편(Q)을 시료편 홀더(P)로 이설하기 위해서 적합한 자세 상태를 설정하고 있다.Figs. 33 and 34 are diagrams for explaining a case in which, in the approach mode at the rotation angle of 0 of the
도 35 및 도 36은 니들(18)의 회전 각도 90°에서의 어프로치 모드에 있어서, 본 발명의 실시 형태에 관련된 자동 시료편 제작 장치(10)의 집속 이온 빔에 의해 얻어지는 화상 데이터에 있어서의 시료편(Q)이 접속된 니들(18)을 90° 회전시킨 상태(도 35)와, 전자 빔에 의해 얻어지는 화상 데이터에 있어서의 시료편(Q)이 접속된 니들(18)을 90° 회전시킨 상태(도 36)를 나타내는 도면이다. 컴퓨터(21)는, 니들(18)의 회전 각도 90°에서의 어프로치 모드에 있어서는, 니들(18)을 90°만큼 회전시킨 상태에서 시료편(Q)을 시료편 홀더(P)로 이설하기 위해서 적합한 자세 상태를 설정하고 있다.35 and 36 are diagrams for explaining a case where the
도 37 및 도 38은, 니들(18)의 회전 각도 180°에서의 어프로치 모드에 있어서, 본 발명의 실시 형태에 관련된 자동 시료편 제작 장치(10)의 집속 이온 빔에 의해 얻어지는 화상 데이터에 있어서의 시료편(Q)이 접속된 니들(18)을 180° 회전시킨 상태(도 37)와, 전자 빔에 의해 얻어지는 화상 데이터에 있어서의 시료편(Q)이 접속된 니들(18)을 90° 회전시킨 상태(도 38)를 나타내는 도면이다. 컴퓨터(21)는, 니들(18)의 회전 각도 180°에서의 어프로치 모드에 있어서는, 니들(18)을 180°만큼 회전시킨 상태에서 시료편(Q)을 시료편 홀더(P)로 이설하기 위해서 적합한 자세 상태를 설정하고 있다.37 and 38 are diagrams for explaining a case where the image data obtained by the focused ion beam of the automatic sample
또한, 니들(18)과 시료편(Q)의 상대적인 접속 자세는, 미리 상술한 시료편 픽업 공정에 있어서 니들(18)을 시료편(Q)에 접속할 때에, 각 어프로치 모드에 적합한 접속 자세로 설정되어 있다.The relative positions of the
이하, 다른 실시 형태에 대하여 설명한다.Hereinafter, another embodiment will be described.
(1) 자동 시료편 제작 장치는, 시료로부터 시료편을 자동적으로 제작하는 자동 시료편 제작 장치로서, 적어도, 하전 입자 빔을 조사하는 복수의 하전 입자 빔 조사 광학계(빔 조사 광학계)와, 상기 시료를 재치하여 이동하는 시료 스테이지와, 상기 시료로부터 분리 및 적출하는 상기 시료편에 접속하는 니들을 가지고, 상기 시료편을 반송하는 시료편 이설 수단과, 상기 시료편이 이설되는 기둥형상부를 가지는 시료편 홀더를 유지하는 홀더 고정대와, 상기 하전 입자 빔의 조사에 의해서 디포지션막을 형성하는 가스를 공급하는 가스 공급부와, 상기 시료편과 상기 기둥형상부 사이의 전기 특성을 계측하고, 상기 기둥형상부에 간극을 형성하여 정지시킨 상기 시료편과 상기 기둥형상부를 넘어 상기 디포지션막을 미리 정한 전기 특성치에 도달하기까지 형성하도록, 적어도 상기 하전 입자 빔 조사 광학계와 상기 시료편 이설 수단, 상기 가스 공급부를 제어하는 컴퓨터를 구비한다.(1) An automatic specimen production apparatus for automatically producing a specimen from a specimen, comprising: a plurality of charged particle beam irradiation optical systems (a beam irradiation optical system) for irradiating at least a charged particle beam; And a needle for connecting the sample piece to the sample piece to be separated and extracted from the sample, the sample piece releasing means for carrying the sample piece, and the sample piece holder having the columnar portion to which the sample piece is to be placed, A gas supply unit for supplying a gas for forming a deposition film by irradiation of the charged particle beam; and a gas supply unit for measuring electrical characteristics between the sample piece and the columnar part, Until the electrical characteristic value of the deposition film reaches a predetermined electric characteristic value And, at least provided with a computer that controls the charged particle beam irradiation optical system and the test specimens relocation means, the gas supply unit to sex.
(2) 자동 시료편 제작 장치는, 시료로부터 시료편을 자동적으로 제작하는 자동 시료편 제작 장치로서, 적어도, 하전 입자 빔을 조사하는 복수의 하전 입자 빔 조사 광학계(빔 조사 광학계)와, 상기 시료를 재치하여 이동하는 시료 스테이지와, 상기 시료로부터 분리 및 적출하는 상기 시료편에 접속하는 니들을 가지고, 상기 시료편을 반송하는 시료편 이설 수단과, 상기 시료편이 이설되는 기둥형상부를 가지는 시료편 홀더를 유지하는 홀더 고정대와, 상기 하전 입자 빔의 조사에 의해서 디포지션막을 형성하는 가스를 공급하는 가스 공급부와, 상기 시료편과 상기 기둥형상부 사이의 전기 특성을 계측하고, 미리 정한 시간, 상기 기둥형상부에 간극을 형성하여 정지시킨 상기 시료편과 상기 기둥형상부를 넘어 상기 디포지션막을 형성하도록, 적어도 상기 하전 입자 빔 조사 광학계와 상기 시료편 이설 수단, 상기 가스 공급부를 제어하는 컴퓨터를 구비한다.(2) The automatic sample piece producing apparatus includes a plurality of charged particle beam irradiation optical systems (beam irradiation optical systems) for irradiating at least a charged particle beam, and a plurality of charged particle beam irradiation optical systems And a needle for connecting the sample piece to the sample piece to be separated and extracted from the sample, the sample piece releasing means for carrying the sample piece, and the sample piece holder having the columnar portion to which the sample piece is to be placed, A gas supply unit for supplying a gas for forming a deposition film by irradiation of the charged particle beam; and a gas supply unit for measuring electric characteristics between the sample piece and the columnar part, At least the sample piece having the gap formed in the shape portion and stopped so as to form the deposition film over the columnar portion, A charged particle beam irradiation optical system, the sample piece removing means, and a computer for controlling the gas supply unit.
(3) 자동 시료편 제작 장치는, 시료로부터 시료편을 자동적으로 제작하는 자동 시료편 제작 장치로서, 적어도, 집속 이온 빔을 조사하는 집속 이온 빔 조사 광학계(빔 조사 광학계)와, 상기 시료를 재치하여 이동하는 시료 스테이지와, 상기 시료로부터 분리 및 적출하는 상기 시료편에 접속하는 니들을 가지고, 상기 시료편을 반송하는 시료편 이설 수단과, 상기 시료편이 이설되는 기둥형상부를 가지는 시료편 홀더를 유지하는 홀더 고정대와, 상기 집속 이온 빔의 조사에 의해서 디포지션막을 형성하는 가스를 공급하는 가스 공급부와, 상기 시료편과 상기 기둥형상부 사이의 전기 특성을 계측하고, 상기 기둥형상부에 간극을 형성하여 정지시킨 상기 시료편과 상기 기둥형상부를 넘어 상기 디포지션막을 미리 정한 전기 특성치에 도달하기까지 형성하도록, 적어도 상기 집속 이온 빔 조사 광학계와 상기 시료편 이설 수단, 상기 가스 공급부를 제어하는 컴퓨터를 구비한다.(3) The automatic sample piece production apparatus is an automatic sample piece production apparatus for automatically producing a sample piece from a sample, and includes at least a focused ion beam irradiation optical system (beam irradiation optical system) for irradiating a focused ion beam, And a sample piece holder for holding the sample piece holder having the columnar section to which the sample piece is to be placed, the sample piece holder having a needle for moving the sample piece to be moved and separated from the sample and for connecting the sample piece to be separated and extracted from the sample, A gas supply unit for supplying a gas for forming a deposition film by irradiation with the focused ion beam; and a gas supply unit for measuring electrical characteristics between the sample piece and the columnar part and forming a gap in the columnar part The sample piece and the columnar portion which have been stopped so that the deposition film is formed until reaching a predetermined electric characteristic value And a computer for controlling at least the focused ion beam irradiation optical system, the sample piece removing means, and the gas supply unit.
(4) 자동 시료편 제작 장치는, 시료로부터 시료편을 자동적으로 제작하는 자동 시료편 제작 장치로서, 적어도, 집속 이온 빔을 조사하는 집속 이온 빔 조사 광학계(빔 조사 광학계)와, 상기 시료를 재치하여 이동하는 시료 스테이지와, 상기 시료로부터 분리 및 적출하는 상기 시료편에 접속하는 니들을 가지고, 상기 시료편을 반송하는 시료편 이설 수단과, 상기 시료편이 이설되는 기둥형상부를 가지는 시료편 홀더를 유지하는 홀더 고정대와, 상기 집속 이온 빔의 조사에 의해서 디포지션막을 형성하는 가스를 공급하는 가스 공급부와, 상기 시료편과 상기 기둥형상부 사이의 전기 특성을 계측하고, 미리 정한 시간, 상기 기둥형상부에 간극을 형성하여 정지시킨 상기 시료편과 상기 기둥형상부를 넘어 상기 디포지션막을 형성하도록, 적어도 상기 집속 이온 빔 조사 광학계와 상기 시료편 이설 수단, 상기 가스 공급부를 제어하는 컴퓨터를 구비한다.(4) An automatic specimen production apparatus for automatically producing a specimen from a specimen, comprising: at least a focused ion beam irradiation optical system (beam irradiation optical system) for irradiating a focused ion beam; And a sample piece holder for holding the sample piece holder having the columnar section to which the sample piece is to be placed, the sample piece holder having a needle for moving the sample piece to be moved and separated from the sample and for connecting the sample piece to be separated and extracted from the sample, A gas supply unit for supplying a gas for forming a deposition film by irradiation of the focused ion beam; and a gas supply unit for measuring electrical characteristics between the sample piece and the columnar part, So as to form the deposition film over the sample piece and the columnar portion in which the gap is formed and stopped, On-beam irradiation optical system and the test specimens relocation means, and a computer for controlling the gas supply.
(5) 상기 (1) 또는 (2)에 기재된 자동 시료편 제작 장치에서, 상기 하전 입자 빔은, 적어도 집속 이온 빔 및 전자빔을 포함한다.(5) In the automatic sample piece producing apparatus according to (1) or (2), the charged particle beam includes at least a focused ion beam and an electron beam.
(6) 상기 (1) 내지 (4)중 어느 한 항에 기재된 자동 시료편 제작 장치에서, 상기 전기 특성은, 전기 저항, 전류, 전위 중 적어도 어느 하나이다.(6) In the automatic sample piece producing apparatus according to any one of (1) to (4), the electric characteristic is at least one of electric resistance, current, and electric potential.
(7) 상기 (1) 내지 (6)중 어느 한 항에 기재된 자동 시료편 제작 장치에서, 상기 컴퓨터는, 상기 시료편과 상기 기둥형상부 사이의 전기 특성이, 미리 정한 상기 디포지션막의 형성 시간 내에, 미리 정한 전기 특성치를 만족하지 않는 경우, 상기 기둥형상부와 상기 시료편의 상기 간극이 한층 더 작아지도록 상기 시료편을 이동하고, 정지시킨 상기 시료편과 상기 기둥형상부를 넘어 상기 디포지션막을 형성하도록, 적어도 상기 빔 조사 광학계와 상기 시료편 이설 수단, 상기 가스 공급부를 제어한다.(7) In the automatic sample piece producing apparatus according to any one of (1) to (6), the computer is characterized in that the electrical characteristic between the sample piece and the columnar portion is a predetermined time , The sample piece is moved so that the gap between the columnar part and the sample piece is further reduced and the sample piece is moved beyond the stationary sample piece and the columnar part to form the deposition film , At least the beam irradiation optical system, the sample piece removing means, and the gas supply unit are controlled.
(8) 상기 (1) 내지 (6) 중 어느 한 항에 기재된 자동 시료편 제작 장치에서, 상기 컴퓨터는, 상기 시료편과 상기 기둥형상부 사이의 전기 특성이, 미리 정한 상기 디포지션막의 형성 시간 내에, 미리 정한 전기 특성치를 만족한 경우, 상기 디포지션막의 형성을 정지시키도록, 적어도 상기 빔 조사 광학계와 상기 가스 공급부를 제어한다.(8) In the automatic sample piece producing apparatus according to any one of (1) to (6), the computer is characterized in that the electrical characteristic between the sample piece and the columnar portion is a predetermined time At least the beam irradiation optical system and the gas supply unit are controlled so as to stop the formation of the deposition film when the predetermined electric property value is satisfied.
(9) 상기 (1) 또는 (3)에 기재된 자동 시료편 제작 장치에서, 상기 간극은 1㎛ 이하이다.(9) In the automatic sample piece producing apparatus according to (1) or (3), the gap is 1 탆 or less.
(10) 상기 (9)에 기재된 자동 시료편 제작 장치에서, 상기 간극은 100nm 이상, 200nm 이하이다.(10) In the automated specimen manufacturing apparatus according to (9), the gap is 100 nm or more and 200 nm or less.
또한, 상술한 실시 형태에서, 컴퓨터(21)는, 소프트웨어 기능부, 또는 LSI 등의 하드웨어 기능부도 포함한다. In the above-described embodiment, the
또한, 상술한 실시 형태에서, 니들(18)은 첨예화된 침형상 부재를 일예로서 설명했는데, 선단이 평평한 형상이어도 되고, 핀셋과 같은 기구여도 된다.In the above-described embodiment, the
또한, 상술한 본 발명에 의한 자동 시료편 제작 장치(10)에 의해서 제작된 시료편(Q)은, 다른 집속 이온 빔 장치에 도입하여, 투과 전자 현미경 해석에 적합한 얇기까지, 오퍼레이터가 신중하게 조작하여 가공해도 된다. 이와 같이 본 발명에 의한 자동 시료편 제작 장치(10)와 집속 이온 빔 장치를 연계함으로써, 야간에 무인으로 다수개의 시료편(Q)을 시료편 홀더(P)에 고정해 두고, 낮에 오퍼레이터가 신중하게 초박의 투과 전자 현미경용 시료로 마무리할 수 있다. 이 때문에, 종래, 시료 적출로부터 박편 가공까지의 일련의 작업을, 1대의 장치로 오퍼레이터의 조작에 의지하고 있던 것에 비하여, 오퍼레이터의 심신의 부담이 대폭 경감되어, 작업 효율이 향상된다.The sample piece Q produced by the above-described automatic sample
또한, 상기의 실시 형태는, 예로서 제시한 것이며, 발명의 범위를 한정하는 것은 의도하고 있지 않다. 이들 신규 실시 형태는, 그 외의 다양한 형태로 실시되는 것이 가능하고, 발명의 요지를 일탈하지 않는 범위에서, 여러 가지의 생략, 치환, 변경을 행할 수 있다. 이들 실시 형태나 그 변형은, 발명의 범위나 요지에 포함됨과 더불어, 특허 청구의 범위에 기재된 발명과 그 균등한 범위에 포함된다.It should be noted that the above-described embodiments are provided by way of example, and are not intended to limit the scope of the invention. These new embodiments can be implemented in various other forms, and various omissions, substitutions, and alterations can be made without departing from the gist of the invention. These embodiments and their modifications are included in the scope of the invention and the scope of the invention as well as the scope of equivalents thereof.
10 : 자동 시료편 제작 장치 10a : 하전 입자 빔 장치
11 : 시료실 12 : 스테이지(시료 스테이지)
13 : 스테이지 구동 기구
14 : 집속 이온 빔 조사 광학계(하전 입자 빔 조사 광학계)
15 : 전자 빔 조사 광학계(하전 입자 빔 조사 광학계)
16 : 검출기 17 : 가스 공급부
18 : 니들 19 : 니들 구동 기구
20 : 표시 장치 21 : 컴퓨터
22 : 입력 디바이스 33 : 시료대
34 : 기둥형상부 P : 시료편 홀더
Q : 시료편 R : 2차 하전 입자
S : 시료 10: Automatic
11: sample chamber 12: stage (sample stage)
13: stage driving mechanism
14: Focused ion beam irradiation optical system (charged particle beam irradiation optical system)
15: electron beam irradiation optical system (charged particle beam irradiation optical system)
16: detector 17: gas supply part
18: Needle 19: Needle drive mechanism
20: display device 21: computer
22: input device 33: sample stage
34: columnar portion P: sample piece holder
Q: Sample piece R: Secondary charged particle
S: Sample
Claims (9)
하전 입자 빔을 조사하는 하전 입자 빔 조사 광학계와,
상기 시료를 재치(載置)하여 이동하는 시료 스테이지와,
상기 시료로부터 분리 및 적출하는 상기 시료편을 유지하여 반송하는 시료편 이설(移設) 수단과,
상기 시료편이 이설되는 기둥형상부를 가지는 시료편 홀더를 유지하는 홀더 고정대와,
상기 하전 입자 빔의 조사에 의해서 디포지션막을 형성하는 가스를 조사하는 가스 공급부와,
상기 시료편 이설 수단과 상기 시료편 홀더 사이의 전기 특성이 소정 상태에 도달하기까지, 상기 시료편과 상기 기둥형상부 사이에 상기 디포지션막을 형성하도록 상기 하전 입자 빔 조사 광학계와 상기 시료편 이설 수단과 상기 가스 공급부를 제어하는 컴퓨터를 구비하는 것을 특징으로 하는 자동 시료편 제작 장치.An automatic sample piece producing apparatus for automatically producing a sample piece from a sample,
A charged particle beam irradiation optical system for irradiating a charged particle beam,
A sample stage on which the sample is placed and moved;
A sample piece transferring means for holding and transferring the sample piece separated and extracted from the sample,
A holder holder for holding a specimen holder having a columnar portion on which the specimen is to be placed,
A gas supply unit for irradiating a gas forming the deposition film by irradiation of the charged particle beam,
The charged particle beam irradiating optical system and the sample yarn separating means are arranged so as to form the deposition film between the sample piece and the columnar portion until the electric characteristics between the sample yarn separating means and the sample piece holder reach a predetermined state, And a computer for controlling the gas supply unit.
상기 디포지션막이 형성되는 상기 시료편과 상기 기둥형상부 사이의 간격은 1㎛ 이하인 것을 특징으로 하는 자동 시료편 제작 장치.The method according to claim 1,
Wherein an interval between the sample piece on which the deposition film is formed and the pillar portion is 1 占 퐉 or less.
상기 디포지션막이 형성되는 상기 시료편과 상기 기둥형상부 사이의 간격은 100nm 이상, 200nm 이하인 것을 특징으로 하는 자동 시료편 제작 장치.The method of claim 2,
Wherein an interval between the sample piece in which the deposition film is formed and the pillar portion is 100 nm or more and 200 nm or less.
상기 컴퓨터는, 상기 디포지션막이 형성되는 상기 시료편과 상기 기둥형상부 사이의 간격을 소정 간격으로 설정할 때에, 상기 시료편과 상기 기둥형상부를 접촉시키고 나서 이격 배치하도록 상기 시료편 이설 수단을 제어하는 것을 특징으로 하는 자동 시료편 제작 장치.The method according to any one of claims 1 to 3,
The computer controls the sample piece taking-up means so that the sample piece and the columnar part are brought into contact with each other and spaced apart from each other when the distance between the sample piece on which the deposition film is formed and the columnar part is set at a predetermined interval And the automatic sample piece producing device.
상기 컴퓨터는, 상기 시료편을 상기 기둥형상부로 이설한 후에, 상기 시료편 이설 수단과 상기 시료편 홀더 사이의 전기 특성이 제2의 소정 상태에 도달하기까지, 상기 시료편 이설 수단과 상기 시료편 사이의 상기 디포지션막에 상기 하전 입자 빔을 조사하도록 상기 하전 입자 빔 조사 광학계를 제어하는 것을 특징으로 하는 자동 시료편 제작 장치.The method according to any one of claims 1 to 4,
Wherein the computer is configured to perform the steps of: after the sample piece is placed on the columnar part, until the electric characteristic between the sample piece removing means and the sample piece holder reaches a second predetermined state, And the charged particle beam irradiation optical system is controlled so as to irradiate the charged particle beam to the deposition film between the charged particle beam irradiation optical system and the charged particle beam irradiation optical system.
상기 컴퓨터는, 상기 시료편 이설 수단과 상기 시료편 홀더 사이의 도통 상태와, 상기 시료편 및 상기 기둥형상부의 흡수 전류상 중, 적어도 어느 한쪽을, 상기 전기 특성으로서 이용하는 것을 특징으로 하는 자동 시료편 제작 장치.The method according to any one of claims 1 to 5,
Characterized in that the computer uses at least one of a conduction state between the sample piece removing means and the sample piece holder and an absorption current phase of the sample piece and the pillar portion as the electrical characteristic Production equipment.
상기 컴퓨터는, 상기 시료편과 상기 기둥형상부 사이에 상기 디포지션막을 형성하도록 상기 하전 입자 빔 조사 광학계와 상기 시료편 이설 수단과 상기 가스 공급부를 제어할 때에, 소정 시간 이내에 상기 도통 상태가 상기 소정 상태에 도달하지 않는 경우, 상기 흡수 전류상을 상기 전기 특성으로서 이용하는 것을 특징으로 하는 자동 시료편 제작 장치.The method of claim 6,
Wherein the computer controls the charged particle beam irradiation optical system, the sample piece removing means and the gas supply unit so as to form the deposition film between the sample piece and the columnar part, State is not reached, the absorption current phase is used as the electric characteristic.
상기 컴퓨터는, 상기 시료편과 상기 기둥형상부 사이에 상기 디포지션막을 형성하도록 상기 하전 입자 빔 조사 광학계와 상기 시료편 이설 수단과 상기 가스 공급부를 제어할 때에, 소정 시간 이내에 상기 전기 특성이 상기 소정 상태에 도달하지 않는 경우, 그 시료편을 상기 기둥형상부에 이설하는 것을 중단하는 것을 특징으로 하는 자동 시료편 제작 장치.The method according to any one of claims 1 to 7,
Wherein the computer controls the charged particle beam irradiation optical system, the sample piece removing means, and the gas supply unit so as to form the deposition film between the sample piece and the columnar part, And the step of stopping the step of attaching the sample piece to the columnar portion is stopped when the state of the sample piece is not reached.
상기 컴퓨터는, 상기 시료편을 상기 기둥형상부로 이설하는 것을 중단한 경우, 상기 시료편 이설 수단과 상기 시료편 사이의 상기 디포지션막에 상기 하전 입자 빔을 조사함으로써 상기 시료편 이설 수단과 상기 시료편을 분리하도록 상기 하전 입자 빔 조사 광학계를 제어하는 것을 특징으로 하는 자동 시료편 제작 장치.The method of claim 8,
Wherein the computer is configured to irradiate the charged particle beam to the deposition film between the sample yarn removing means and the sample yarn to suspend the sample yarn removing means and the sample And the charged particle beam irradiation optical system is controlled so as to separate the particles.
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