KR20160011397A

KR20160011397A - Gas distribution apparatus

Info

Publication number: KR20160011397A
Application number: KR1020140092406A
Authority: KR
Inventors: 김경민; 권형국; 이용현; 정철우; 최원조
Original assignee: 주성엔지니어링(주)
Priority date: 2014-07-22
Filing date: 2014-07-22
Publication date: 2016-02-01
Also published as: KR102248048B1

Abstract

According to an embodiment, a gas distribution device comprises: an upper plate having a gas inlet formed therein; a first plate installed to be separated from the upper plate by a predetermined distance and having a plurality of spray holes formed therein; a second plate installed between the upper plate and the first plate and having a plurality of penetration holes formed therein; and a gas input amount adjusting unit coupled to at least one of the penetration holes to adjust a penetration hole input amount of a process gas.

Description

[0001] The present invention relates to a gas distribution apparatus,

실시예는, 기판에 형성되는 증착막의 두께를 균일하게 조절할 수 있는 가스 분배장치에 관한 것이다.The embodiment relates to a gas distribution device capable of uniformly controlling the thickness of a vapor deposition film formed on a substrate.

이 부분에 기술된 내용은 단순히 실시예에 대한 배경 정보를 제공할 뿐 종래기술을 구성하는 것은 아니다.The contents described in this section merely provide background information on the embodiment and do not constitute the prior art.

일반적으로 반도체 메모리 소자, 액정표시장치, 유기발광장치 등은 기판상에 복수회의 반도체 공정을 실시하여 원하는 형상의 구조물을 적층하여 제조한다. 반도체 제조공정은 기판상에 소정의 박막을 증착하는 공정, 박막의 선택된 영역을 노출시키는 포토리소그래피(photolithography) 공정, 선택된 영역의 박막을 제거하는 식각 공정 등을 포함한다. 이러한 반도체 공정은 해당 공정을 위해 최적의 환경이 조성된 반응챔버 내부에서 진행된다.In general, a semiconductor memory device, a liquid crystal display device, an organic light emitting device, and the like are manufactured by stacking a structure having a desired shape by performing a plurality of semiconductor processes on a substrate. The semiconductor manufacturing process includes a process of depositing a predetermined thin film on a substrate, a photolithography process of exposing a selected region of the thin film, an etching process of removing a thin film of the selected region, and the like. Such a semiconductor process proceeds inside a reaction chamber in which an optimal environment is established for the process.

예를 들어, 반응챔버는 내부에 기판을 지지하는 기판 안착부와 공정가스를 분사하는 가스 분배장치가 대향되어 구비된다. 즉, 반응챔버 내부의 하측에 기판 안착부가 구비되어 기판을 지지하고, 반응챔버 내부의 상측에 가스 분배장치가 구비되어 기판상에 공정가스를 분사한다. 그런데, 기판이 대형화됨에 따라 기판의 전 영역에 고르게 박막이 증착되거나 식각되도록 하여 공정 균일도를 일정하게 유지해야 하는데, 이를 위해 넓은 영역에 고르게 공정 가스를 분사할 수 있는 플레이트 타입의 가스 분배장치가 많이 이용된다.For example, the reaction chamber is provided with a substrate mounting portion for supporting the substrate therein and a gas distribution device for spraying the process gas. That is, a substrate mounting part is provided on the lower side of the inside of the reaction chamber to support the substrate, and a gas distribution device is provided on the upper side of the reaction chamber to inject the process gas onto the substrate. However, as the size of the substrate increases, uniformity of the process must be kept constant by depositing or etching the thin film uniformly over the entire area of the substrate. To this end, a plate type gas distribution device capable of uniformly injecting the process gas over a wide area .

제1플레이트에는 그 상부에 구비되는 가스공급관으로부터 공급받는 공정가스를 기판상에 분사하는 복수의 분사홀이 형성된다. 그런데, 가스 공급관 직하방에 위치하는 분사홀을 통해 다른 영역에 비해 많은 양의 공정 가스가 분사될 수 있으므로 제1플레이트 하부에 제2플레이트를 구비하여 제1플레이트 내부에 공정가스가 고르게 퍼지도록 한다.The first plate is provided with a plurality of spray holes for spraying a process gas supplied from a gas supply pipe provided on the first plate onto the substrate. However, since a large amount of process gas may be injected through the injection hole located directly below the gas supply pipe, the second plate may be provided under the first plate to spread the process gas evenly inside the first plate .

그러나, 특히, 기판에 증착막을 형성하는 박막 증착 공정에서는 이러한 제1플레이트, 제2플레이트의 단순한 구성만으로 기판에 형성되는 증착막의 두께를 균일하게 조절하기 어려운 문제점이 있다.Particularly, in a thin film deposition process for forming a vapor deposition film on a substrate, it is difficult to uniformly control the thickness of the vapor deposition film formed on the substrate by only the simple configuration of the first plate and the second plate.

따라서, 실시예는, 기판에 형성되는 증착막의 두께를 균일하게 조절할 수 있는 가스 분배장치 및 이를 구비하는 기판 처리장치를 제공하는 데 목적이 있다.Therefore, it is an object of the present invention to provide a gas distribution device capable of uniformly controlling the thickness of a vapor deposition film formed on a substrate, and a substrate processing apparatus having the gas distribution device.

실시예가 이루고자 하는 기술적 과제는 이상에서 언급한 기술적 과제로 제한되지 않으며 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 실시예가 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.It is to be understood that both the foregoing general description and the following detailed description are exemplary and explanatory and are intended to provide further explanation of the invention as claimed.

가스 분배장치의 일 실시예는, 가스 유입구가 형성되는 상부판; 상기 상부판과 일정거리 이격되어 구비되고, 복수의 분사홀이 형성되는 제1플레이트; 상기 상부판과 상기 제1플레이트 사이에 구비되고, 복수의 관통홀이 형성되는 제2플레이트; 및 상기 관통홀 중 적어도 하나에 결합되어 공정가스의 상기 관통홀 유입량을 조절하는 가스유입량 조절수단을 포함할 수 있다.One embodiment of a gas distribution device includes a top plate on which a gas inlet is formed; A first plate spaced apart from the upper plate by a predetermined distance and having a plurality of injection holes; A second plate provided between the upper plate and the first plate and having a plurality of through holes; And a gas inflow amount adjusting unit coupled to at least one of the through-holes to adjust an inflow amount of the through-holes of the process gas.

상기 관통홀에는 수나사가 형성되고 상기 가스유입량 조절수단에는 암나사가 형성되어, 상기 가스유입량 조절수단은 상기 관통홀에 나사결합방식으로 결합하는 것일 수 있다.The through-hole may be formed with a male thread, the gas inflow amount adjusting means may be formed with a female screw, and the gas inflow amount adjusting means may be screwed into the through-hole.

상기 관통홀은, 암나사가 형성되어 상기 가스유입량 조절수단이 나사결합하는 대경부; 및 상기 대경부와 연통되고, 상기 대경부보다 작은 직경으로 형성되는 소경부를 포함하는 것일 수 있다.Wherein the through hole includes a large diameter portion in which a female screw is formed and the gas inflow amount adjusting means is screwed into the large diameter portion; And a small-diameter portion communicating with the large-diameter portion and having a smaller diameter than the large-diameter portion.

상기 대경부는 상기 제2플레이트에서 공정가스가 유입되는 면에 형성되고, 상기 소경부는 상기 제2플레이트에서 상기 대경부의 반대측 면에 형성되는 것일 수 있다.The large diameter portion may be formed on a surface of the second plate through which the process gas flows, and the small diameter portion may be formed on the second plate at a side opposite to the large diameter portion.

상기 제2플레이트는 제1구역 및 제2구역을 포함하고, 상기 복수의 관통홀은 상기 제1구역 및 상기 제2구역에 각각 분포하며, 상기 가스유입량 조절수단은 상기 제1구역 또는 상기 제2구역에서 상기 복수의 관통홀과 결합하여 상기 복수의 관통홀 중 적어도 일부를 전부 또는 부분 폐쇄하는 것일 수 있다.Wherein the second plate comprises a first zone and a second zone, the plurality of through holes being distributed in the first zone and the second zone, respectively, And at least a portion of the plurality of through holes may be partially or entirely closed by engaging with the plurality of through holes in the region.

상기 제1구역은 상기 제2플레이트의 중앙부에 구비되고, 상기 제2구역은 상기 제1구역을 제외한 상기 제2플레이트의 나머지 부위에 구비되는 것일 수 있다.The first zone may be provided at a central portion of the second plate, and the second zone may be provided at a remaining portion of the second plate except for the first zone.

상기 제2플레이트의 상기 제1구역은 원형 또는 타원형으로 형성되는 것일 수 있다.The first region of the second plate may be circular or elliptical.

상기 제2플레이트는 정사각 판형으로 형성되고, 상기 제1구역은 원형으로 형성되는 것일 수 있다.The second plate may be formed in a square plate shape, and the first area may be formed in a circular shape.

상기 제2플레이트는 직사각 판형으로 형성되고, 상기 제1구역은 타원형으로 형성되는 것일 수 있다.The second plate may have a rectangular plate shape, and the first plate may have an elliptical shape.

상기 가스유입량 조절수단은, 상기 제1구역에 형성되는 상기 관통홀에만 결합하여 상기 제1구역에 구비되는 상기 복수의 관통홀 중 적어도 일부를 전부 또는 부분 폐쇄하는 것일 수 있다.The gas inflow amount regulating means may be configured to engage only the through holes formed in the first region and to partially or wholly cover at least a part of the plurality of through holes provided in the first region.

상기 가스유입량 조절수단은, 상기 제2구역에 형성되는 상기 관통홀에만 결합하여 상기 제2구역에 구비되는 상기 복수의 관통홀 중 적어도 일부를 전부 또는 부분 폐쇄하는 것일 수 있다.The gas inflow amount adjusting means may be configured to engage only the through holes formed in the second zone to partially or fully close at least a part of the plurality of through holes provided in the second zone.

상기 가스유입량 조절수단은 하스텔로이(hastelloy) 재질로 형성되는 것일 수 있다.The gas flow rate regulating means may be formed of hastelloy material.

전술한 실시예에 의하면, 박막증착 공정에서 제2플레이트로부터 기판에 분사되는 공정가스의 분사량 분포를 제2플레이트의 가로 및 세로방향 전체에 걸쳐 용이하게 조절할 수 있으므로, 기판에 증착되어 형성되는 증착막의 두께를 균일하게 할 수 있는 효과가 있다.According to the above-described embodiment, since the distribution of the injection amount of the process gas injected from the second plate to the substrate in the thin film deposition process can be easily adjusted over the entire width and length direction of the second plate, So that the thickness can be made uniform.

또한, 균일한 두께의 증착막을 가진 박막증착 기판을 용이하게 제조할 수 있으므로 제조원가의 절감과 제품 불량을 줄일 수 있는 효과가 있다.In addition, since a thin film deposition substrate having a vapor deposition film of uniform thickness can be easily manufactured, it is possible to reduce manufacturing cost and product defects.

도 1은 일 실시예에 따른 기판 처리장치를 나타낸 단면도이다.
도 2는 일 실시예에 따른 가스 분배장치를 나타낸 분해 사시도이다.
도 3은 일 실시예에 따른 가스 분배장치를 나타낸 단면도이다.
도 4는 다른 실시예에 따른 가스 분배장치를 나타낸 단면도이다.
도 5는 일 실시예에 따른 제2플레이트를 나타낸 평면도이다.
도 6은 다른 실시예에 따른 제2플레이트를 나타낸 평면도이다.
도 7a 및 도 7b는 일 실시예에 따른 제2플레이트에 가스유입량 조절수단이 결합된 상태를 나타낸 단면도이다.
도 8a 및 도 8b는 다른 실시예에 따른 제2플레이트에 가스유입량 조절수단이 결합된 상태를 나타낸 단면도이다.1 is a cross-sectional view of a substrate processing apparatus according to an embodiment.
2 is an exploded perspective view of a gas distribution device according to one embodiment.
3 is a cross-sectional view of a gas distribution device according to one embodiment.
4 is a cross-sectional view of a gas distribution device according to another embodiment.
5 is a plan view of a second plate according to one embodiment.
6 is a plan view showing a second plate according to another embodiment.
7A and 7B are cross-sectional views illustrating a state in which the gas inflow amount adjusting means is coupled to the second plate according to the embodiment.
8A and 8B are cross-sectional views illustrating a state in which the gas inflow amount adjusting means is coupled to the second plate according to another embodiment.

이하, 첨부된 도면들을 참조하여 실시예를 상세히 설명한다. 실시예는 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나 이는 실시예를 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 실시예의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 이 과정에서 도면에 도시된 구성요소의 크기나 형상 등은 설명의 명료성과 편의상 과장되게 도시될 수 있다.Hereinafter, embodiments will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The embodiments are to be considered in all aspects as illustrative and not restrictive, and the invention is not limited thereto. It is to be understood, however, that the embodiments are not intended to be limited to the particular forms disclosed, but are to include all modifications, equivalents, and alternatives falling within the spirit and scope of the embodiments. The sizes and shapes of the components shown in the drawings may be exaggerated for clarity and convenience.

"제1", "제2" 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는 데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 또한, 실시예의 구성 및 작용을 고려하여 특별히 정의된 용어들은 실시예를 설명하기 위한 것일 뿐이고, 실시예의 범위를 한정하는 것이 아니다.The terms "first "," second ", and the like can be used to describe various components, but the components should not be limited by the terms. The terms are used only for the purpose of distinguishing one component from another. In addition, terms specifically defined in consideration of the constitution and operation of the embodiment are only intended to illustrate the embodiments and do not limit the scope of the embodiments.

도 1은 일 실시예에 따른 기판 처리장치를 나타낸 단면도이다. 도 2는 일 실시예에 따른 가스 분배장치(300)를 나타낸 분해 사시도이다.1 is a cross-sectional view of a substrate processing apparatus according to an embodiment. 2 is an exploded perspective view showing a gas distribution device 300 according to one embodiment.

본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리장치는 반응 공간이 구비된 반응챔버(100), 상기 반응챔버(100) 내에 구비되어 적어도 하나의 기판(10)을 지지하는 기판 안착부(200), 상기 기판 안착부(200)와 대향되는 반응챔버(100) 내의 타측에 구비되어 공정가스를 분사하는 가스 분배장치(300), 상기 반응챔버(100) 외측에 구비되어 가스 분배장치(300)로 공정가스를 공급하는 가스 공급부(400)를 포함할 수 있다. 또한, 반응챔버(100) 내부를 배기하기 위한 배기부(500)를 더 포함할 수 있다.A substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention includes a reaction chamber 100 having a reaction space, a substrate mounting part 200 provided in the reaction chamber 100 to support at least one substrate 10, A gas distribution device 300 disposed at the other side of the reaction chamber 100 facing the substrate seating part 200 to inject a process gas into the reaction chamber 100 and a gas distribution device 300 disposed outside the reaction chamber 100, And a gas supply unit 400 for supplying the gas. Further, it may further include an exhaust unit 500 for exhausting the inside of the reaction chamber 100.

반응챔버(100)는 내부에 기판(10)의 증착을 위한 공간이 구비되는 통 형상으로 구비될 수 있다. 이러한 반응챔버(100)는 기판(10)의 형상에 따라 다양한 형상으로 구비될 수 있다. 여기서, 기판(10)은 반도체 제조용 실리콘 기판이 이용될 수 있고, 평판 디스플레이 제조용 글래스 기판이 이용될 수도 있다. 즉, 실리콘 기판 등 기판(10)이 원형일 경우 반응챔버(100)는 횡단면이 원형인 원통형으로 구비될 수 있고, 유리 기판 등 기판(10)이 사각형일 경우 반응챔버(100)는 횡단면이 사각형인 육면체 형상으로 구비될 수 있다.The reaction chamber 100 may be provided in a cylindrical shape having a space for deposition of the substrate 10 therein. The reaction chamber 100 may be provided in various shapes depending on the shape of the substrate 10. Here, the substrate 10 may be a silicon substrate for semiconductor fabrication, or a glass substrate for manufacturing a flat panel display may be used. That is, when the substrate 10 such as a silicon substrate is circular, the reaction chamber 100 may have a cylindrical shape having a circular cross section. When the substrate 10 is a rectangular substrate such as a glass substrate, the reaction chamber 100 may have a rectangular cross- As shown in FIG.

이러한 반응챔버(100)의 내부에는 기판 안착부(200)와 가스 분배장치(300)가 서로 대향되도록 구비될 수 있다. 예를 들어, 기판 안착부(200)가 반응챔버(100)의 하측에 구비되고, 가스 분배장치(300)가 반응챔버(100)의 상측에 구비될 수 있다. 또한, 반응챔버(100)에는 기판(10)이 인입 및 인출되는 기판 출입구(110)가 구비될 수 있다. 그리고, 반응챔버(100)에는 반응챔버(100) 내부로 공정가스를 공급하는 가스 공급부(400)와 연결된 가스 유입구(120)가 구비될 수 있다. In the reaction chamber 100, the substrate seating part 200 and the gas distribution device 300 may be opposed to each other. For example, a substrate mounting part 200 may be provided on the lower side of the reaction chamber 100, and a gas distribution device 300 may be provided on the upper side of the reaction chamber 100. In addition, the reaction chamber 100 may be provided with a substrate entrance 110 through which the substrate 10 can be drawn in and out. The reaction chamber 100 may be provided with a gas inlet 120 connected to a gas supply unit 400 for supplying a process gas into the reaction chamber 100.

또한, 반응챔버(100)에는 반응챔버(100)의 내부 압력을 조절하거나, 공정가스 기타 반응챔버(100) 내부의 이물질 등을 배기하기 위해, 배기구(130)가 구비되고 배기구(130)에 배기부(500)가 연결될 수 있다.The reaction chamber 100 is provided with an exhaust port 130 for controlling the internal pressure of the reaction chamber 100 or for exhausting process gas and other foreign substances in the reaction chamber 100, The base 500 may be connected.

예를 들어, 기판 출입구(110)는 반응챔버(100)의 일 측면에 기판(10)이 출입할 수 있는 정도의 크기로 구비될 수 있고, 가스 유입구(120)는 반응챔버(100)의 상부벽을 관통하여 구비될 수 있으며, 배기구(130)는 기판 안착부(200)보다 낮은 위치의 반응챔버(100)의 측벽 또는 하부벽을 관통하여 구비될 수 있다.For example, the substrate inlet 110 may be provided on one side of the reaction chamber 100 to the extent that the substrate 10 can be taken in and out, and the gas inlet 120 may be provided on the upper side of the reaction chamber 100 And the exhaust port 130 may be provided through the side wall or the lower wall of the reaction chamber 100 at a lower position than the substrate seating portion 200.

기판 안착부(200)는 반응챔버(100)의 내부에 구비되어 반응챔버 (100) 내부로 유입되는 적어도 하나의 기판(10)이 안착된다. 이러한 기판 안착부(200)는 가스 분배장치(300)와 대향하는 위치에 구비된다. 예를 들어, 반응챔버(100) 내부의 하측에 기판 안착부(200)가 구비되고, 반응챔버(100) 내부의 상측에 가스 분배장치(300)가 구비될 수 있다.The substrate seating part 200 is installed inside the reaction chamber 100 to seat at least one substrate 10 which flows into the reaction chamber 100. The substrate mounting part 200 is provided at a position facing the gas distribution device 300. For example, the substrate mounting part 200 may be provided on the lower side of the reaction chamber 100, and the gas distribution device 300 may be provided on the upper side of the reaction chamber 100.

기판 안착부(200)는 기판(10)이 안착되어 지지될 수 있도록, 예를 들어 정전척 등이 구비되어 기판(10)과 정전기력에 의해 흡착을 유지할 수도 있고, 진공 흡착이나 기계적 힘에 의해 기판(10)을 지지할 수도 있다. 또한, 기판 안착부(200)는 기판(10) 형상과 대응되는 평면 형상, 예를 들어 원형 또는 사각형으로 구비될 수 있으며, 기판(10)보다 크게 제작될 수 있다.The substrate seating part 200 may be provided with an electrostatic chuck or the like so that the substrate 10 can be seated and supported so as to maintain the attraction with the substrate 10 by electrostatic force, (Not shown). The substrate mounting part 200 may be formed in a plane shape corresponding to the shape of the substrate 10, for example, a circular or square shape, and may be made larger than the substrate 10.

기판 안착부(200) 하부에는 기판 안착부(200)를 상하로 이동시키는 승강장치(210)가 구비될 수 있다. 승강장치(210)는 기판 안착부(200)의 적어도 일 영역, 예를 들어 중앙부를 지지하도록 구비되고, 기판 안착부(200) 상에 기판(10)이 안착되면 기판 안착부(200)를 가스 분배장치(300)와 근접하도록 이동시킨다.The elevation device 210 for moving the substrate seating part 200 up and down may be provided under the substrate seating part 200. The elevating device 210 is provided to support at least one area of the substrate seating part 200, for example, a central part thereof. When the substrate 10 is placed on the substrate seating part 200, To move closer to the dispensing device 300.

또한, 기판 안착부(200) 내부에는 히터(미도시)가 장착될 수 있다. 히터는 정해진 온도로 발열하여 기판(10)을 가열함으로써 박막 증착 공정, 식각 공정 등이 기판(10) 상에서 용이하게 실시되도록 할 수 있다. 뿐만 아니라, 기판 안착부(200) 내부에는 냉각수 공급로(미도시)가 구비되어 냉각수가 공급되어 기판(10)의 온도를 낮출 수 있다.In addition, a heater (not shown) may be mounted inside the substrate seating part 200. The heater generates heat at a predetermined temperature and heats the substrate 10, so that the thin film deposition process, the etching process, and the like can be easily performed on the substrate 10. In addition, a cooling water supply path (not shown) is provided inside the substrate seating part 200 to supply cooling water to lower the temperature of the substrate 10.

가스 분배장치(300)는 반응챔버(100) 내부의 상측에 구비되어 기판 안착부(200) 상에 안치된 기판(10)을 향해 공정가스를 분사한다. 이러한 가스 분배장치(300)는 기판 안착부(200)와 마찬가지로 기판(10) 형상에 대응되는 형상으로 제작될 수 있는데, 대략 원형 또는 사각형으로 제작될 수 있다. 실시예에서는 사각형 형상의 가스 분배장치(300)를 예로 들어 설명한다.The gas distribution apparatus 300 is disposed on the upper side of the reaction chamber 100 to inject the process gas toward the substrate 10 placed on the substrate seating unit 200. The gas distribution device 300 may be formed in a shape corresponding to the shape of the substrate 10, such as a substrate seating part 200, and may be formed in a substantially circular shape or a square shape. In the embodiment, the gas distribution device 300 having a rectangular shape is taken as an example.

한편, 가스 분배장치(300)는 상부판(310), 제1플레이트(320), 측벽판(330), 제2플레이트(340), 가스유입량 조절수단(P, 도 3 참조)을 포함할 수 있다. 상부판(310)은 상기 반응챔버(100)의 상부벽과 마찬가지로 가스 유입구(120)가 형성되어 가스 공급부(400)와 연결될 수 있다.The gas distribution apparatus 300 may include a top plate 310, a first plate 320, a side wall plate 330, a second plate 340, and a gas flow control means P (see FIG. 3) have. The upper plate 310 may be connected to the gas supply unit 400 by forming a gas inlet 120 in the same manner as the upper wall of the reaction chamber 100.

제1플레이트(320)는 상기 상부판(310)과 상하방향으로 일정거리 이격되어 구비되고, 복수의 분사홀(321)이 형성될 수 있다. 제1플레이트(320)에 형성되는 복수의 분사홀(321)은 기판(10) 상에 공정가스가 균일하게 분사될 수 있도록 다양한 형상, 개수, 간격, 직경 등을 형성할 수 있다. 다만, 실시예와 관련된 도면들에서는 분사홀(321)들이 각각 상기 제1플레이트(320)에 가로 및 세로방향으로 일정한 간격으로 배치되는 것이 도시되었다.The first plate 320 is spaced apart from the top plate 310 by a predetermined distance, and a plurality of injection holes 321 may be formed. The plurality of injection holes 321 formed in the first plate 320 can form various shapes, numbers, intervals, diameters, and the like so that the process gas can be uniformly injected onto the substrate 10. However, in the drawings related to the embodiment, it has been shown that the injection holes 321 are arranged at regular intervals in the lateral and longitudinal directions on the first plate 320, respectively.

측벽판(330)은 상기 상부판(310)과 제1플레이트(320) 사이의 공간을 밀폐하도록 구비되고, 또한 측벽판(330)에는 후술하는 제2플레이트(340)의 양단이 결합할 수 있다.The side wall plate 330 is provided to close a space between the upper plate 310 and the first plate 320 and both ends of a second plate 340 described later can be coupled to the side wall plate 330 .

제2플레이트(340)는 상기 상부판(310)과 상기 제1플레이트(320) 사이에 구비되고, 복수의 관통홀(341)이 형성될 수 있다. 제2플레이트(340)는 상부판(310)을 통과한 공정가스가 그 하부에 위치하는 기판(10)에 고르게 공급되도록 하는 역할을 할 수 있고, 이를 위해 관통홀(341)이 형성된다.The second plate 340 is provided between the upper plate 310 and the first plate 320 and may have a plurality of through holes 341 formed therein. The second plate 340 may function to supply the process gas passing through the top plate 310 to the substrate 10 located below the process gas. For this purpose, a through hole 341 is formed.

관통홀(341)은 상기 제1플레이트(320)의 분사홀(321)들과 마찬가지로, 기판(10) 상에 공정가스가 균일하게 분사될 수 있도록 다양한 형상, 개수, 간격, 직경 등을 형성할 수 있다. 다만, 실시예와 관련된 도면들에서는 관통홀(341)들이 각각 상기 제1플레이트(320)에 가로 및 세로방향으로 일정한 간격으로 배치되는 것이 도시되었다.The through holes 341 may be formed in various shapes, numbers, spaces, diameters, and the like so as to uniformly inject the process gas onto the substrate 10, like the injection holes 321 of the first plate 320 . However, in the drawings related to the embodiment, it has been shown that the through holes 341 are arranged at regular intervals in the lateral and longitudinal directions on the first plate 320, respectively.

가스 공급부(400)는 복수의 공정가스를 각각 공급하는 가스 공급원(410), 가스 공급원(410)으로부터 공정가스를 반응챔버(100) 내부로 공급하는 가스 공급관(420)을 포함할 수 있다. 공정가스는 박막증착 가스, 식각 가스 등을 포함할 수 있다.The gas supply unit 400 may include a gas supply source 410 for supplying each of a plurality of process gases and a gas supply pipe 420 for supplying a process gas into the reaction chamber 100 from the gas supply source 410. The process gas may include a thin film deposition gas, an etching gas, and the like.

즉, 가스 공급부(400)를 통해 다양한 가스를 공급함으로써 공정챔버(100) 내에서 박막증착, 식각 등 다양한 공정을 진행할 수 있다. 예를 들어, 가스 공급원(410)은 SiH₄ 등의 소오스 가스, O₂, O₃ 등의 반응 가스, Ar, N₂ 등의 퍼지 가스를 각각 공급할 수 있다. 또한, 공정가스와 더불어 H₂, Ar 등의 불활성 가스가 공급될 수 있다. 다만, 실시예에서는 기판(10)에 증착막(20, 도 7a 참조)을 형성하는 박막증착에 사용되는 공정가스를 사용하는 경우를 설명한다.That is, various processes such as thin film deposition, etching, and the like can be performed in the process chamber 100 by supplying various gases through the gas supply unit 400. For example, the gas supply source 410 can supply source gases such as SiH ₄ , reaction gases such as O ₂ and O _3, and purge gases such as Ar and N ₂ . In addition, an inert gas such as H ₂ or Ar may be supplied together with the process gas. However, in the embodiment, the case of using the process gas used for the deposition of the thin film to form the deposition layer 20 (see FIG. 7A) on the substrate 10 will be described.

여기서, 가스 공급원(410)은 복수의 공정가스를 각각 공급하기 위해 복수로 구비될 수 있고, 가스 공급관(420)도 가스 공급원(410)의 수에 대응되는 수로 구비될 수 있다. 가스 공급관(420)은 상기 공정챔버(100) 및 가스 분배장치(300)에 형성되는 가스 유입구(120)를 통해 상기 가스 분배장치(300)와 연결될 수 있다. 한편, 가스 공급원(410)과 가스 공급관(420) 사이에는 공정가스의 공급을 제어하는 밸브 등이 구비될 수 있다.Here, the gas supply source 410 may be provided to supply a plurality of process gases, respectively, and the gas supply pipes 420 may be provided in a number corresponding to the number of the gas supply sources 410. The gas supply pipe 420 may be connected to the gas distribution device 300 through a gas inlet 120 formed in the process chamber 100 and the gas distribution device 300. A valve or the like for controlling the supply of the process gas may be provided between the gas supply source 410 and the gas supply pipe 420.

배기부(500)는 배기장치(510)와 반응챔버(100)의 배기구(130)와 연결된 배기관(520)을 포함할 수 있다. 배기장치(510)는 진공 펌프 등이 사용될 수 있으며, 이에 따라 반응챔버(100) 내부를 진공에 가까운 압력, 예를 들어 0.1mTorr 이하의 압력까지 진공 흡입할 수 있도록 구성될 수 있다.The exhaust unit 500 may include an exhaust unit 510 and an exhaust pipe 520 connected to the exhaust port 130 of the reaction chamber 100. The exhaust device 510 may be a vacuum pump or the like and may be configured to vacuum-suck the inside of the reaction chamber 100 to a pressure close to a vacuum, for example, a pressure of 0.1 mTorr or lower.

배기구(130)가 기판 안착부(200) 하측의 반응챔버(100)의 측벽뿐만 아니라 반응챔버(100)의 하부벽에 복수로 설치될 수도 있고, 이에 따라 배기관(520)은 복수 구비되어 배기구(130)와 연결될 수 있다. 또한, 배기되는 시간을 줄이기 위해 복수의 배기관(520) 및 배기장치(510)가 더 설치될 수도 있다.A plurality of exhaust ports 130 may be provided on the lower wall of the reaction chamber 100 as well as the side walls of the reaction chamber 100 below the substrate seating portion 200. Accordingly, a plurality of exhaust pipes 520 are provided, 130, respectively. Further, a plurality of exhaust pipes 520 and an exhaust device 510 may be further provided to reduce the exhaust time.

한편, 실시예에서 기판 처리장치에는 RF전원(620), 임피던스 매칭박스(I.M.B (Impedance Matching Box), 610)를 구비하는 RF 전력공급부(600)가 더 포함될 수 있다. RF 전력공급부(600)는 상기 가스 분배장치(300)의 상부판(310)을 플라즈마 전극으로 사용하여 공정가스에 플라즈마를 발생시킬 수 있다. 이를 위해 상부판(310)에는 RF전력을 공급하는 RF전원(620)이 연결되고, 상부판(310)과 RF전원(620)의 사이에는 최대 전력이 인가될 수 있도록 임피던스를 매칭하는 임피던스 매칭박스(610)가 위치할 수 있다.In the embodiment, the substrate processing apparatus may further include an RF power supply unit 600 having an RF power source 620 and an impedance matching box (IMB) 610. The RF power supply unit 600 may generate a plasma in the process gas using the top plate 310 of the gas distribution apparatus 300 as a plasma electrode. An RF power source 620 for supplying RF power is connected to the top plate 310 and an impedance matching box for matching the impedance so that maximum power can be applied between the top plate 310 and the RF power source 620. [ (610) may be located.

도 3은 일 실시예에 따른 가스 분배장치(300)를 나타낸 단면도이다. 가스유입량 조절수단(P)은 상기 관통홀(341) 중 적어도 하나에 결합되어 상기 관통홀(341)로 공정가스가 통과하는 것을 차단하거나, 공정가스의 상기 관통홀 유입량을 조절하는 역할을 할 수 있다.3 is a cross-sectional view of a gas distribution device 300 according to one embodiment. The gas inflow amount adjusting means P may be coupled to at least one of the through holes 341 to block the process gas from passing through the through holes 341 or to control the inflow amount of the through holes of the process gas have.

즉, 가스유입량 조절수단(P)은 제2플레이트(340)에 형성되는 관통홀(341)들의 일부를 폐쇄하여 폐쇄된 관통홀(341)로 공정가스가 통과하는 것을 차단하여 관통홀(341)들을 통해서 제2플레이트(340)를 통과하는 공정가스의 기판(10)상 분포를 조절하여 공정가스에 의해 기판(10)에 증착되는 증착막(20)의 두께가 균일하게 조절되도록 하는 역할을 할 수 있다.That is, the gas inflow amount adjusting means P closes a part of the through holes 341 formed in the second plate 340 to block the process gas from passing through the through holes 341, The thickness of the deposition layer 20 deposited on the substrate 10 by the process gas can be controlled by controlling the distribution of the process gas passing through the second plate 340 on the substrate 10 have.

이때, 가스유입량 조절수단(P)은 상기 관통홀(341)을 완전히 폐쇄하여 관통홀(341)들을 통과하는 공정가스의 양을 조절할 수 있다. 또한, 가스유입량 조절수단(P)은 상기 관통홀(341)을 부분적으로 폐쇄하여 가스유입량 조절수단(P)이 결합된 관통홀(341)을 통과하는 공정가스의 양을 조절하여, 결과적으로 제2플레이트(340)에 형성되는 전체 관통홀(3411)들을 통과하는 공정가스의 전체량, 분포 등을 조절할 수도 있다.At this time, the gas inflow amount adjusting means P may completely close the through hole 341 to adjust the amount of the process gas passing through the through holes 341. The gas inflow amount adjusting means P partially closes the through hole 341 to adjust the amount of the process gas passing through the through hole 341 to which the gas inflow amount adjusting means P is coupled, The total amount and distribution of the process gas passing through all the through holes 3411 formed in the two plates 340 may be adjusted.

가스유입량 조절수단(P)은, 관통홀(341)을 부분적으로 폐쇄하여 공정가스의 관통홀(341) 유입량을 조절하기 위해, 관통홀(341)을 단순히 개폐하는 형태뿐만 아니라 관통홀(341)의 개도(開度)를 조절할 수 있는 형태로 구비될 수도 있다.The gas inflow amount adjusting means P is provided not only in the form of simply opening and closing the through hole 341 in order to partially close the through hole 341 to control the inflow amount of the process gas through hole 341, Or may be provided in a form capable of adjusting the degree of opening of the valve.

한편, 가스유입량 조절수단(P)은 알루미늄과 같은 재질을 사용할 수도 있으나, 공정가스와 가스 분배장치(300) 내부에 형성되는 플라즈마에 견딜 수 있는 내식성을 가진 재료를 사용하는 것이 보다 적절하다. 예를 들어 가스유입량 조절수단(P)은 내식성이 뛰어난 합금재질인 하스텔로이(hastelloy) 재질로 형성할 수 있다.On the other hand, the gas inflow amount adjusting means P may be made of a material such as aluminum, but it is more appropriate to use a process gas and a material having corrosion resistance capable of withstanding the plasma formed in the gas distribution device 300. For example, the gas inflow adjusting means P may be formed of hastelloy, which is an alloy material having excellent corrosion resistance.

이때, 상기 관통홀(341)에는 수나사가 형성되고 상기 가스유입량 조절수단(P)에는 암나사가 형성되어, 상기 가스유입량 조절수단(P)은 상기 관통홀(341)에 나사결합방식으로 결합할 수 있다. 관통홀(341)의 직경은 공정가스의 성질, 분사량 등에 따라 다양하게 형성될 수 있다. 따라서, 관통홀(341)의 직경을 비교적 크게 형성할 수 있는 경우, 도 3에 도시된 바와 같이, 관통홀(341)의 측면 전체에 걸쳐 암나사를 형성하여 수나사가 형성되는 가스유입량 조절수단(P)과 나사 결합할 수 있다.In this case, a male screw is formed in the through hole 341 and a female screw is formed in the gas inflow amount adjusting means P, and the gas inflow amount adjusting means P can be coupled to the through hole 341 in a screw- have. The diameter of the through hole 341 may be variously formed depending on the nature of the process gas, the injection amount, and the like. 3, when the diameter of the through hole 341 can be relatively large, a gas inflow amount adjusting means P (see FIG. 3) in which a female screw is formed on the entire side surface of the through hole 341, ).

도 4는 다른 실시예에 따른 가스 분배장치(300)를 나타낸 단면도이다. 가스유입량 조절수단(P)은 수나사산을 형성해야 하므로 그 직경을 크게 줄일 수 없는 제한이 발생할 수 있다. 그러나, 관통홀(341)의 직경은 공정가스의 성질, 분사량 등에 따라 그 직경를 크게 줄여야 하는 경우가 발생할 수 있다.4 is a cross-sectional view of a gas distribution device 300 according to another embodiment. Since the gas inflow amount adjusting means P has to form a male screw thread, the diameter of the gas inflow amount adjusting means P can not be significantly reduced. However, the diameter of the through-hole 341 may be greatly reduced depending on the nature of the process gas, the injection amount, and the like.

따라서, 가스유입량 조절수단(P)의 직경보다 관통홀(341)의 직경이 작게 설계되는 경우 도 4에 도시된 형태의 가스 분배장치(300)를 형성할 수 있다. 실시예에서 상기 관통홀(341)은, 암나사가 형성되어 상기 가스유입량 조절수단(P)이 나사결합하는 대경부(341a), 상기 대경부(341a)와 연통되고 상기 대경부(341a)보다 작은 직경으로 형성되는 소경부(341b)를 포함할 수 있다.Therefore, when the diameter of the through hole 341 is designed to be smaller than the diameter of the gas inflow amount adjusting means P, the gas distributing apparatus 300 of the type shown in FIG. 4 can be formed. The through hole 341 has a large diameter portion 341a in which a female screw is formed and the gas flow amount control means P is threadedly engaged with the large diameter portion 341a and is smaller than the large diameter portion 341a And a small diameter portion 341b formed in a diameter.

이때, 상기 대경부(341a)는 상기 제2플레이트(340)에서 공정가스가 유입되는 면에 형성되고, 상기 소경부(341b)는 상기 제2플레이트(340)에서 상기 대경부(341a)의 반대측 면에 형성되는 것이 적절할 수 있다. 이는 반대로 소경부(341b)가 제2플레이트(340)에서 가스가 유입되는 면에 형성되고 대경부(341a)는 제2플레이트(340)에서 대경부(341a)의 반대측 면 즉, 공정가스가 배출되는 면에 형성되는 경우, 가스유입량 조절수단(P)에 의해 관통홀(341)이 폐쇄되어도 소경부(341b)가 형성하는 홈이 공정가스가 유입되는 부위에 위치하게 된다. 이러한 구조의 경우 상기 소경부(341b)가 형성하는 홈은 공정가스의 유동을 방해하거나, 유로를 변경시키거나 와류를 형성하는 원인이 되므로 결국, 공정가스가 기판(10)에 불균일하게 분포되어 증착막(20)의 두께의 불균일을 가중시킬 수 있기 때문이다.The large diameter portion 341a is formed on the surface of the second plate 340 on which the process gas flows and the small diameter portion 341b is formed on the opposite side of the second plate 340 from the large diameter portion 341a It may be appropriate to be formed on the surface. This is because the small diameter portion 341b is formed on the surface of the second plate 340 on which the gas flows and the large diameter portion 341a is formed on the opposite side of the large diameter portion 341a from the second plate 340, Even if the through hole 341 is closed by the gas inflow amount adjusting means P, the groove formed by the small diameter portion 341b is positioned at the portion where the process gas flows. In such a structure, the groove formed by the small diameter portion 341b may cause a flow of the process gas, change the flow path, or form a vortex, so that the process gas is unevenly distributed on the substrate 10, It is possible to increase the thickness irregularity of the substrate 20.

다만, 증착막(20)의 두께 불균일을 가중시키지 않는 환경의 경우에는 상기한 소경부(341b)가 제2플레이트(340)에서 가스가 유입되는 면에 형성되고 대경부(341a)는 제2플레이트(340)에서 대경부(341a)의 반대측 면 즉, 공정가스가 배출되는 면에 형성되도록 설계할 수도 있다.In the case where the thickness unevenness of the deposition film 20 is not increased, the small diameter portion 341b is formed on the surface of the second plate 340 on which the gas flows, and the large diameter portion 341a is formed on the second plate 340 340 on the opposite side of the large diameter portion 341a, that is, on the surface from which the process gas is discharged.

한편, 도 4에 도시된 실시예에서 대경부(341a)의 깊이에 대응되도록 가스유입량 조절수단(P)의 길이는 적절히 조절될 수 있다. 이는 가스유입량 조절수단(P)이 대경부(341a)에 나사 결합하는 경우 가스유입량 조절수단(P)의 상단과 제2플레이트(340)의 상단이 동일하거나 극히 유사한 높이에 위치하도록 하는 것이 적절하기 때문이며, 이는 도 3에 도시된 실시예에서도 마찬가지이다. 그 이유는 하기에 후술한다.On the other hand, in the embodiment shown in FIG. 4, the length of the gas inflow amount adjusting means P can be appropriately adjusted so as to correspond to the depth of the large diameter portion 341a. It is preferable that the upper end of the gas inflow amount adjusting means P and the upper end of the second plate 340 are located at the same or extremely similar height when the gas inflow amount adjusting means P is screwed to the large diameter portion 341a This is also true in the embodiment shown in Fig. The reason for this will be described later.

도 5는 일 실시예에 따른 제2플레이트(340)를 나타낸 평면도이다. 제2플레이트(340)는 제1구역(A) 및 제2구역(B)을 포함하고, 상기 복수의 관통홀(341)은 상기 제1구역(A) 및 상기 제2구역(B)에 각각 분포하며, 상기 가스유입량 조절수단(P)은 상기 제1구역(A) 또는 상기 제2구역(B)에서 상기 복수의 관통홀(341)과 결합하여 상기 복수의 관통홀(341) 중 적어도 일부를 폐쇄하도록 구비될 수 있다.5 is a plan view of a second plate 340 according to one embodiment. The second plate 340 includes a first zone A and a second zone B and the plurality of through holes 341 are formed in the first zone A and the second zone B, And the gas inflow amount adjusting means P is provided with at least a part of the plurality of through holes 341 in combination with the plurality of through holes 341 in the first zone A or the second zone B, Lt; / RTI >

제2플레이트(340)에 제1구역(A) 및 제2구역(B)을 설정하는 이유는 하기와 같다. 공정가스의 성질, 분사량 등은 박막증착 공정에서 각각 특정된 규격의 박막증착 기판에 따라 일정하게 지정될 수 있다.The reason for setting the first zone A and the second zone B in the second plate 340 is as follows. The properties of the process gas, the injection amount, and the like can be fixedly set according to the thin film deposition substrate specified in each of the thin film deposition processes.

따라서, 공정가스의 성질, 분사량 등이 일정한 환경에서 반복적인 박막증착 공정을 반복적으로 용이하게 수행하기 위해, 제2플레이트(340)에 제1구역(A) 및 제2구역(B)을 설정하여 동일한 규격의 박막증착 기판을 제조할 때마다 제1구역(A) 또는 제2구역(B)에 형성되는 관통홀(341)들을 정해진 개수, 위치에 따라 폐쇄하여 반복적인 작업을 진행하여 동일한 규격의 제품을 생산할 수 있다.Accordingly, in order to repeatedly and easily perform the repetitive thin film deposition process in an environment where the properties of the process gas, the injection amount, and the like are constant, the first zone A and the second zone B are set in the second plate 340 The through holes 341 formed in the first area A or the second area B are closed according to the predetermined number and position every time the thin film deposition substrate of the same standard is manufactured so as to repeat the operation, Products can be produced.

도 5에 도시된 실시예에서, 제1구역(A)은 상기 제2플레이트(340)의 중앙부에 구비되고, 상기 제2구역(B)은 상기 제1구역(A)을 제외한 상기 제2플레이트(340)의 나머지 부위에 구비된다. 또한, 실시예에서 상기 제2플레이트(340)는 평면으로 보아 정사각 판형으로 형성되고, 제1구역(A)은 원형으로 형성될 수 있다.5, a first zone A is provided at a central portion of the second plate 340, and the second zone B is formed at a central portion of the second plate 340, except for the first zone A, (Not shown). In addition, in the embodiment, the second plate 340 is formed in a square plate shape in a plan view, and the first zone A may be formed in a circular shape.

박막증착 공정을 통해 기판(10)에 증착되는 증착막(20)의 두께는 유입되는 공정가스의 성질, 공정가스에 포함되는 물질의 물리적 또는 화학적 성질, RF 전력공급부(600)에 의해 공정가스에 발생하는 플라즈마의 불균일한 분포 등으로 인해 관통홀(341)을 폐쇄하지 않은 제2플레이트(340)만을 사용할 경우 증착막(20)의 두께는 불균일하게 분포할 수 있다.The thickness of the deposition film 20 deposited on the substrate 10 through the thin film deposition process depends on the nature of the process gas being introduced, the physical or chemical properties of the material contained in the process gas, The thickness of the deposition layer 20 may be unevenly distributed when only the second plate 340 is used which does not close the through hole 341 due to uneven distribution of the plasma.

구체적으로, 상기한 요인에 따라 증착막(20)의 두께는 기판(10)의 중앙부에서 가장 두껍고, 기판(10)의 가장자리 부분이 가장 얇게 형성될 수 있다. 반대로 증착막(20)의 두께는 기판(10)의 중앙부에서 가장 얇고, 기판(10)의 가장자리 부분이 가장 두껍게 형성될 수도 있다.Specifically, the thickness of the deposition layer 20 may be the thickest at the center of the substrate 10, and the edge of the substrate 10 may be the thinnest. Conversely, the thickness of the deposition film 20 may be the thinnest at the center of the substrate 10 and the thickest at the edge of the substrate 10.

따라서, 증착막(20)의 두께를 균일하게 형성하기 위해 하기의 방법을 취할 수 있다. 증착막(20)의 두께가 기판(10)의 중앙부에서 가장 두껍게 형성되는 경우, 기판(10)과 대향되는 제2플레이트(340)의 중앙부에 구비되는 제1구역(A)의 관통홀(341)들 중 일부를 가스유입량 조절수단(P)을 사용하여 폐쇄하여 기판(10)의 중앙부에 공정가스의 분사량을 줄임으로써 증착막(20)의 두께를 균일하게 형성할 수 있다. 반대로, 증착막(20)의 두께가 기판(10)의 가장자리에서 가장 두껍게 형성되는 경우, 제2플레이트(340)의 가장자리에 구비되는 제2구역(B)의 관통홀(341)들 중 일부를 가스유입량 조절수단(P)을 사용하여 폐쇄하여 기판(10)의 가장자리에 공정가스의 분사량을 줄임으로써 증착막(20)의 두께를 균일하게 형성할 수 있다. Therefore, in order to uniformly form the thickness of the vapor deposition film 20, the following method can be employed. The through hole 341 of the first area A provided at the center of the second plate 340 facing the substrate 10 is formed in the center of the substrate 10 when the thickness of the vapor deposition layer 20 is thickest, It is possible to uniformly form the thickness of the deposition film 20 by reducing the amount of the process gas injected to the central portion of the substrate 10 by closing some of the gas flow rate adjusting means P using the gas inflow amount adjusting means P. [ In contrast, when the thickness of the vapor deposition layer 20 is thickest at the edge of the substrate 10, a part of the through holes 341 of the second zone B provided at the edge of the second plate 340 may be formed as a gas The thickness of the vapor deposition film 20 can be uniformly formed by reducing the injection amount of the process gas at the edge of the substrate 10 by using the inflow amount adjusting means P to close it.

도 5에 도시된 실시예에서 제2플레이트(340)의 정사각 판형으로 형성되므로 제2구역(B)이 방사상으로 대칭을 이루도록 제1구역(A)은 원형으로 형성될 수 있다. 또한, 기판(10)은 제2플레이트(340)의 형상에 대응하여 정사각 판형으로 형성될 수 있다. 이러한 구조에 의해 관통홀(341)들 중 일부를 제2플레이트(340)의 가로 및 세로방향으로 대칭되게 폐쇄하여 기판(10)에 형성되는 증착막(20)의 두께를 가로 및 세로방향으로 균일하게 형성할 수 있다.In the embodiment shown in FIG. 5, since the second plate 340 is formed in a square plate shape, the first zone A may be formed in a circular shape so that the second zone B is radially symmetrical. In addition, the substrate 10 may be formed into a square plate shape corresponding to the shape of the second plate 340. With this structure, a part of the through holes 341 is symmetrically closed in the transverse and longitudinal directions of the second plate 340 to uniformly distribute the thickness of the vapor deposition film 20 formed on the substrate 10 in the transverse and longitudinal directions .

이때, 원형의 제1구역(A)의 직경은 최대로 정사각 판형 제2플레이트(340)의 한 변의 길이와 동일하게 형성할 수 있다. 제1구역(A)의 직경은 상기한 요인에 따라 증착막(20)의 두께가 기판(10)의 중앙부, 가장자리 중 어느 부위에서 가장 불균일한지 여부를 고려하여 적절히 설정할 수 있다. 특히, 상기한 제1구역(A')의 직경을 최대로 형성하는 경우는 증착막(20)의 두께가 기판(10)의 가장자리 중 모서리에서 가장 불균일한 경우 즉, 모서리에서 증착막(20)의 두께가 가장 얇거나 가장 두꺼운 경우에 보다 적절하다.At this time, the diameter of the circular first zone A may be equal to the length of one side of the square plate-like second plate 340 at the maximum. The diameter of the first region A can be appropriately set in consideration of the above-mentioned factors, in which the thickness of the vapor deposition film 20 is the most uneven in the central portion and the edge of the substrate 10. Particularly, when the diameter of the first zone A 'is maximized, when the thickness of the deposition layer 20 is the most uneven at the edge of the substrate 10, that is, the thickness of the deposition layer 20 at the edge Is the thinnest or thickest.

도 6은 다른 실시예에 따른 제2플레이트(340)를 나타낸 평면도이다. 도 6에 도시된 실시예에서, 제1구역(A)은 상기 제2플레이트(340)의 중앙부에 구비되고, 상기 제2구역(B)은 상기 제1구역(A)을 제외한 상기 제2플레이트(340)의 나머지 부위에 구비된다. 또한, 실시예에서 상기 제2플레이트(340)는 평면으로 보아 직사각 판형으로 형성되고, 제1구역(A)은 타원형으로 형성될 수 있다. 또한, 기판(10)은 제2플레이트(340)의 형상에 대응하여 직사각 판형으로 형성될 수 있다.6 is a plan view of a second plate 340 according to another embodiment. 6, a first zone A is provided at a central portion of the second plate 340, and the second zone B is formed at a central portion of the second plate 340, except for the first zone A, (Not shown). In addition, in the embodiment, the second plate 340 may be formed in a rectangular plate shape in a plan view, and the first zone A may be formed in an elliptical shape. In addition, the substrate 10 may be formed in a rectangular plate shape corresponding to the shape of the second plate 340.

도 5에 도시된 실시예와 마찬가지로, 직사각 판형의 제2플레이트(340)에서는 이러한 구조에 의해 관통홀(341)들 중 일부를 제2플레이트(340)의 가로방향(긴 변 방향) 및 세로방향(짧은 변 방향)으로 대칭되게 폐쇄하여 기판(10)에 형성되는 증착막(20)의 두께를 가로 및 세로방향으로 균일하게 형성할 수 있다.5, in the second plate 340 having a rectangular plate shape, a part of the through holes 341 is formed in the transverse direction (long side direction) and the longitudinal direction The thickness of the deposition film 20 formed on the substrate 10 can be uniformly formed in the lateral and longitudinal directions.

이때, 제1구역(A')의 타원은 최대로 장축길이가 제2플레이트(340)의 긴 변의 길이와 일치하고, 단축길이가 제2플레이트(340)의 짧은 변의 길이와 일치하도록 형성할 수 있다. 제1구역(A)의 타원의 크기는 상기한 요인에 따라 증착막(20)의 두께가 기판(10)의 중앙부, 가장자리 중 어느 부위에서 가장 불균일한지 여부를 고려하여 적절히 설정할 수 있다. 특히, 상기한 제1구역(A)의 타원의 크기를 최대로 형성하는 경우는 증착막(20)의 두께가 기판(10)의 가장자리 중 모서리에서 가장 불균일한 경우 즉, 모서리에서 증착막(20)의 두께가 가장 얇거나 가장 두꺼운 경우에 보다 적절하다.At this time, the ellipse of the first zone A 'can be formed such that the longest axis length corresponds to the long side length of the second plate 340 and the short axis length corresponds to the short side length of the second plate 340 have. The size of the ellipse in the first region A can be appropriately set in consideration of the above-mentioned factors, in which the thickness of the deposition film 20 is the most uneven in the central portion and the edge of the substrate 10. Particularly, in the case where the thickness of the evaporation layer 20 is the most uneven at the edge of the substrate 10, that is, when the thickness of the evaporation layer 20 is maximized It is more suitable when the thickness is thinnest or thickest.

도 7a 및 도 7b는 일 실시예에 따른 제2플레이트(340)에 가스유입량 조절수단(P)이 결합된 상태를 나타낸 단면도이다. 다만, 실시예에서는 간명한 설명을 위해 도 3에 도시된 관통홀(341)의 실시예를 도시하였으나, 도 4에 도시된 관통홀(341)에도 동일하게 적용될 수 있음은 자명하므로, 이하 도 3에 도시된 관통홀(341)의 실시예만을 설명한다.7A and 7B are cross-sectional views illustrating a state in which the gas inflow amount adjusting means P is coupled to the second plate 340 according to the embodiment. However, since it is obvious that the through hole 341 shown in FIG. 3 can be applied to the through hole 341 shown in FIG. 4, Only the embodiment of the through hole 341 shown in Fig.

이때, 가스유입량 조절수단(P)은 관통홀(341)에 결합하는 경우 가스유입량 조절수단(P)의 상단과 제2플레이트(340)의 상단이 동일하거나 극히 유사한 높이에 위치하도록 하는 것이 적절하다. 이는 관통홀(341)에 결합한 가스유입량 조절수단(P)이 제2플레이트(340)의 상단으로 소정 높이로 돌출되는 경우 제2플레이트(340)로 유입되는 공정가스가 이러한 돌출부위로 인해 유로가 변경되거나 불필요한 와류(vortex)가 형성되어 결국, 공정가스가 기판(10)에 불균일하게 분포되어 증착막(20)의 두께의 불균일을 가중시킬 수 있기 때문이다.At this time, when the gas inflow amount adjusting means P is coupled to the through hole 341, it is appropriate that the upper end of the gas inflow amount adjusting means P and the upper end of the second plate 340 are located at the same or extremely similar height . This is because when the gas inflow amount adjusting means P coupled to the through hole 341 protrudes to the upper end of the second plate 340 to a predetermined height, the process gas flowing into the second plate 340 flows Or unnecessary vortices are formed, and eventually, the process gas may be unevenly distributed on the substrate 10 to increase the thickness irregularity of the deposition film 20.

도 7a 및 도 7b에 도시된 실시예는 상기한 요인에 의해 증착막(20)의 두께가 기판(10)의 중앙부에서 최대가 되어 증착막(20)의 두께가 불균일한 경우에 증착막(20)의 두께를 균일하게 형성할 수 있는 방법에 관한 것이다.7A and 7B, the thickness of the deposition film 20 is maximized at the central portion of the substrate 10 due to the factors described above, and when the thickness of the deposition film 20 is nonuniform, the thickness of the deposition film 20 In a uniform manner.

이 경우 가스유입량 조절수단(P)은 상기 제1구역(A)에 형성되는 관통홀(341)에만 결합하여 상기 제1구역(A)에 구비되는 관통홀(341)들 중 적어도 일부를 폐쇄하여 기판(10)의 중앙부에 분사되는 공정가스의 분사량을 기판(10)의 가장자리에 비해 줄인다. 따라서, 도 7b에 도시된 바와 같이 기판(10)에 형성되는 증착막(20)의 두께를 기판(10) 상면 전체에 걸쳐 균일하게 할 수 있다.In this case, the gas inflow amount adjusting means P is connected to only the through holes 341 formed in the first zone A to close at least a part of the through holes 341 provided in the first zone A The injection amount of the process gas injected to the central portion of the substrate 10 is reduced as compared with the edge of the substrate 10. 7B, the thickness of the deposition film 20 formed on the substrate 10 can be made uniform over the entire upper surface of the substrate 10. As shown in FIG.

이때, 제1구역(A)에 결합하는 가스유입량 조절수단(P)들은 기판(10)을 평면상으로 보았을 때 기판(10)의 서로 마주보는 각 변과 대칭되도록 배치되는 것이 보다 적절하다. 이러한 가스유입량 조절수단(P)들의 배치로 인해 기판(10)은 가로 및 세로방향으로 증착막(20)의 두께가 더욱 균일하게 형성될 수 있다. 또한 가스유입량 조절수단(P)들에 의해 폐쇄되는 제2플레이트(340)의 제1구역(A)의 관통홀(341)들의 개수는 공정가스의 성질, 분사량 등에 의해 적절이 조절될 수 있다.At this time, it is more appropriate that the gas inflow amount adjusting means P coupled to the first zone A are arranged to be symmetrical with the opposite sides of the substrate 10 facing each other when the substrate 10 is viewed in a plan view. Due to the arrangement of the gas inflow amount adjusting means P, the thickness of the deposition film 20 can be more uniformly formed in the lateral and longitudinal directions of the substrate 10. The number of the through holes 341 in the first region A of the second plate 340 closed by the gas inflow amount adjusting means P can be appropriately adjusted by the nature of the process gas,

도 8a 및 도 8b는 다른 실시예에 따른 제2플레이트(340)에 가스유입량 조절수단(P)이 결합된 상태를 나타낸 단면도이다. 도 8a 및 도 8b에 도시된 실시예는 도 7a 및 도 7b에 도시된 실시예와 반대의 경우에 관한 것이다. 즉, 상기한 요인에 의해 증착막(20)의 두께가 기판(10)의 가장자리에서 최대가 되어 증착막(20)의 두께가 불균일한 경우에 증착막(20)의 두께를 균일하게 형성할 수 있는 방법에 관한 것이다.8A and 8B are sectional views showing a state in which the gas inflow amount adjusting means P is coupled to the second plate 340 according to another embodiment. The embodiment shown in Figs. 8A and 8B relates to the opposite case to the embodiment shown in Figs. 7A and 7B. That is, when the thickness of the deposition film 20 is maximized at the edge of the substrate 10 due to the above factors, and the thickness of the deposition film 20 is not uniform, the thickness of the deposition film 20 can be uniformly formed .

이 경우 가스유입량 조절수단(P)은 상기 제2구역(B)에 형성되는 관통홀(341)에만 결합하여 상기 제2구역(B)에 구비되는 상기 복수의 관통홀(341) 중 적어도 일부를 폐쇄하여 기판(10)의 가장자리에 분사되는 공정가스의 분사량을 기판(10)의 중앙부에 비해 줄인다. 따라서, 도 8b에 도시된 바와 같이 기판(10)에 형성되는 증착막(20)의 두께를 기판(10) 상면 전체에 걸쳐 균일하게 할 수 있다.In this case, the gas inflow amount adjusting means P is connected to only the through holes 341 formed in the second zone B, and at least part of the plurality of through holes 341 provided in the second zone B And the amount of the process gas injected to the edge of the substrate 10 is smaller than that of the central portion of the substrate 10. [ 8B, the thickness of the deposition film 20 formed on the substrate 10 can be made uniform over the entire upper surface of the substrate 10. As shown in FIG.

이때, 제2구역(B)에 결합하는 가스유입량 조절수단(P)들은 기판(10)을 평면상으로 보았을 때 기판(10)의 서로 마주보는 각 변과 대칭되도록 배치되는 것이 보다 적절하다. 그 이유는 도 7a 및 도 7b에 도시된 실시예와 마찬가지로 이러한 가스유입량 조절수단(P)들의 배치로 인해 기판(10)은 가로 및 세로방향으로 증착막(20)의 두께가 더욱 균일하게 형성될 수 있다. 또한 가스유입량 조절수단(P)들에 의해 폐쇄되는 제2플레이트(340)의 제2구역(B)의 관통홀(341)들의 개수는 공정가스의 성질, 분사량 등에 의해 적절이 조절될 수 있다.At this time, it is more appropriate that the gas inflow amount adjusting means P coupled to the second zone B are disposed so as to be symmetrical with the opposite sides of the substrate 10 facing each other when the substrate 10 is viewed in a plan view. 7A and 7B, due to the arrangement of the gas inflow adjusting means P, the thickness of the deposition film 20 can be more uniformly formed in the lateral and longitudinal directions of the substrate 10 have. The number of the through holes 341 in the second region B of the second plate 340 closed by the gas inflow amount adjusting means P can be appropriately controlled by the nature of the process gas,

한편, 제1구역(A) 또는 제2구역(B)의 폐쇄되는 관통홀(341)들의 개수 및 배치는 반복적인 실험에 의해 특정 규격의 박막증착 기판을 제조할 때 특정될 수 있고, 이러한 특정에 의해 특정 규격의 박막증착 기판을 용이하게 반복하여 제조할 수 있다.On the other hand, the number and arrangement of the through-holes 341 to be closed in the first zone A or the second zone B can be specified when a thin film deposition substrate of a specific standard is manufactured by repeated experiments, The thin film deposition substrate of a specific standard can be easily and repeatedly manufactured.

실시예와 관련하여 전술한 바와 같이 몇 가지만을 기술하였지만, 이외에도 다양한 형태의 실시가 가능하다. 앞서 설명한 실시예들의 기술적 내용들은 서로 양립할 수 없는 기술이 아닌 이상은 다양한 형태로 조합될 수 있으며, 이를 통해 새로운 실시형태로 구현될 수도 있다.While only a few have been described above with respect to the embodiments, various other forms of implementation are possible. The technical contents of the embodiments described above may be combined in various forms other than mutually incompatible technologies, and may be implemented in a new embodiment through the same.

10: 기판
20: 증착막
100: 반응챔버
200: 기판 안착부
300: 가스 분배장치
310: 상부판
320: 제1플레이트
321: 분사홀
330: 측벽판
340: 제2플레이트
341: 관통홀
341a: 대경부
341b: 소경부
P: 가스유입량 조절수단
A, A': 제1구역
B: 제2구역10: substrate
20:
100: reaction chamber
200:
300: Gas distribution device
310: top plate
320: first plate
321: injection hole
330: side wall plate
340: second plate
341: Through hole
341a:
341b:
P: means for controlling the flow rate of gas
A, A ': first zone
B: Zone 2

Claims

An upper plate on which a gas inlet is formed;
A first plate spaced apart from the upper plate by a predetermined distance and having a plurality of injection holes;
A second plate provided between the upper plate and the first plate and having a plurality of through holes; And
And a gas inflow amount adjusting means coupled to at least one of the through holes to adjust an inflow amount of the through-hole of the process gas.

The method according to claim 1,
Wherein the through hole is formed with a male screw and the gas inflow amount adjusting means is formed with a female screw, and the gas inflow amount adjusting means is coupled to the through hole in a screw coupling manner.

3. The method of claim 2,
The through-
A large diameter portion in which a female screw is formed and the gas inflow amount adjusting means is screwed into the large diameter portion; And
And a small-diameter portion communicating with the large-diameter portion and having a smaller diameter than the large-diameter portion.

The method of claim 3,
Wherein the large-diameter portion is formed on a surface of the second plate through which the process gas flows, and the small-diameter portion is formed on an opposite surface of the second plate to the large-diameter portion.

The method according to claim 1,
Wherein the second plate comprises a first zone and a second zone, the plurality of through holes being distributed in the first zone and the second zone, respectively, Wherein at least a part of the plurality of through holes is entirely or partially closed by engaging with the plurality of through holes in the region.

6. The method of claim 5,
Wherein the first zone is provided at a central portion of the second plate and the second zone is provided at a remaining portion of the second plate except for the first zone.

The method according to claim 6,
Wherein the first region of the second plate is circular or elliptical.

8. The method of claim 7,
Wherein the second plate is formed in a square plate shape and the first zone is formed in a circular shape.

8. The method of claim 7,
Wherein the second plate is formed in a rectangular plate shape, and the first region is formed in an elliptical shape.

The method according to claim 6,
Wherein the gas inflow amount adjusting means comprises:
Wherein at least a part of the plurality of through holes provided in the first region is completely or partially closed by being coupled to only the through holes formed in the first region.

The method according to claim 6,
Wherein the gas inflow amount adjusting means comprises:
And at least a part of the plurality of through holes provided in the second region is entirely or partially closed by engaging only with the through holes formed in the second region.

The method according to claim 1,
Wherein the gas inflow adjusting means is formed of hastelloy material.