KR20150140492A - 금속부재의 표면처리방법 및 이에 의해 제조된 금속부재 - Google Patents

금속부재의 표면처리방법 및 이에 의해 제조된 금속부재 Download PDF

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KR20150140492A
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김송이
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한국생산기술연구원
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Abstract

본 발명에 따른 금속부재의 표면처리방법은, 금속부재의 표면에 도금층을 형성하는 단계 및 상기 도금층에 다이아몬드 입자를 분산하여 다이아몬드 입자층을 형성하는 단계를 포함한다.
그리고 이에 의해 제조된 금속부재는, 몸체, 상기 몸체의 표면에 형성된 도금층 및 상기 도금층에 분산된 다이아몬드 입자를 포함하는 다이아몬드 입자층을 포함한다.

Description

금속부재의 표면처리방법 및 이에 의해 제조된 금속부재{Surface Treatment Method of Metal Member and Metal Member Manufactured by the Same}
본 발명은 금속부재의 표면처리방법 및 이에 의해 제조된 금속부재에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 금속-탄소계 복합 구조를 가지는 금속부재의 표면처리방법 및 이에 의해 제조된 금속부재에 관한 것이다.
일반적으로 동판 또는 동합금판과 같은 금속은 여러 가지 기계적 특성을 가지며, 이에 따라 다양한 산업분야에 널리 사용되고 있다.
예를 들어 구리의 경우 알루미늄을 가한 청동 또는 이것에 제3원소를 첨가해서 그 성질을 개선한 것은 일반적으로 내식성이 풍부하고, 또한 강도도 크다는 장점을 가진다.
또한 구리와 니켈의 합금도 마찬가지로 우수한 내식성을 갖고 있고, 이는 옛날부터 화폐나 장식용품의 제작에 쓰였으며, 현재에는 여러가지 공업상의 용도를 가진다.
한편 이와 같이 금속의 합금은 다양한 특성을 가지고 있으나, 산업의 발전에 따라 점차 자연적으로 발현되는 고유의 기계적 특성보다 높은 수준의 기계적 특성이 요구되고 있는 추세이다.
특히 최근에는 이중 금속의 열전도도를 향상시키기 위한 연구가 활발하게 이루어지고 있으나, 현재까지는 목표치를 달성하고 있지는 못하고 있으며, 또한 그 공정이 복잡하여 비용이 많이 소요되는 문제가 있다.
따라서 이와 같은 문제점들을 해결하기 위한 방법이 요구된다.
한국등록특허 제10-0743958호
본 발명은 상술한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 발명으로서, 공정을 간소화하면서도 금속의 열전도도를 크게 향상시킬 수 있는 금속부재의 표면처리방법 및 및 이에 의해 제조된 금속부재를 제공하기 위함이다.
본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 금속부재의 표면처리방법은, 금속부재의 표면에 도금층을 형성하는 단계 및 상기 도금층에 다이아몬드 입자를 분산하여 다이아몬드 입자층을 형성하는 단계를 포함한다.
그리고 상기 도금층을 형성하는 단계는, 상기 도금층의 높이가 상기 다이아몬드 입자의 입도 미만으로 형성되도록 하여, 상기 다이아몬드 입자층을 형성하는 단계에서 상기 다이아몬드 입자의 상부가 노출되도록 할 수 있다.
또한 상기 다이아몬드 입자층을 형성하는 단계 이후에는, 상기 다이아몬드 입자의 노출된 상부에 금속증착층을 형성하는 단계가 더 포함될 수 있다.
그리고 상기 도금층을 형성하는 단계는, 상기 도금층의 높이가 상기 다이아몬드 입자의 입도 이상으로 형성되도록 하여, 상기 다이아몬드 입자층을 형성하는 단계에서 상기 다이아몬드 입자가 상기 도금층 내에 매립되도록 할 수 있다.
또한 상기 다이아몬드 입자층을 형성하는 단계 이후에는, 상기 도금층 상에 금속증착층을 형성하는 단계가 더 포함될 수 있다.
그리고 상기 도금층을 형성하는 단계 및 상기 다이아몬드 입자층을 형성하는 단계 사이에는, 상기 도금층의 경도가 기준값 미만이 되도록 상기 도금층을 처리하는 단계가 더 포함될 수 있다.
또한 상기 도금층을 처리하는 단계는, 상기 도금층을 가열하는 것으로 할 수 있다.
그리고 상기 다이아몬드 입자층을 형성하는 단계는, 상기 다이아몬드 입자가 복수의 층을 이루도록 할 수 있다.
또한 상기 다이아몬드 입자층을 형성하는 단계는, 복수의 층 중 서로 인접한 층에 구비된 다이아몬드 입자가 서로 엇갈리게 배열되도록 할 수 있다.
그리고 상기 다이아몬드 입자층을 형성하는 단계 이후에는, 상기 다이아몬드 입자층을 압착하는 단계가 더 포함될 수 있다.
또한 상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 금속부재는, 몸체, 상기 몸체의 표면에 형성된 도금층 및 상기 도금층에 분산된 다이아몬드 입자를 포함하는 다이아몬드 입자층을 포함한다.
그리고 상기 도금층의 높이는 상기 다이아몬드 입자의 입도보다 작게 형성되어, 상기 다이아몬드 입자의 상부가 노출될 수 있다.
또한 상기 다이아몬드 입자의 노출된 상부에 형성된 금속증착층을 더 포함할 수 있다.
그리고 상기 도금층의 높이는 상기 다이아몬드 입자의 입도보다 크게 형성되어, 상기 다이아몬드 입자가 상기 도금층 내에 매립될 수 있다.
또한 상기 도금층 상에 형성된 금속증착층을 더 포함할 수 있다.
그리고 상기 다이아몬드 입자층은, 상기 다이아몬드 입자가 복수의 층을 이루도록 형성될 수 있다.
또한 상기 복수의 층 중 서로 인접한 층에 구비된 다이아몬드 입자는 서로 엇갈리게 배열될 수 있다.
상기한 과제를 해결하기 위한 본 발명의 금속부재의 표면처리방법 및 이에 의해 제조된 금속부재는 다음과 같은 효과가 있다.
첫째, 다이아몬드 입자를 포함하는 다이아몬드 입자층을 금속 또는 합금의 표면에 증착하게 되므로, 열전도도 특성을 크게 증가시킬 수 있는 장점이 있다.
둘째, 표면처리를 수행하기 위한 공정이 간단하여, 공정 소요시간 및 소요비용을 절감할 수 있는 장점이 있다.
셋째, 층 구조를 다양하게 형성할 수 있어 원하는 특성에 따라 그 구조를 선택할 수 있는 장점이 있다.
본 발명의 효과들은 이상에서 언급한 효과들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 효과들은 청구범위의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 제1실시예에 따른 금속부재의 표면처리방법에 있어서, 금속부재의 모습을 나타낸 단면도;
도 2는 본 발명의 제1실시예에 따른 금속부재의 표면처리방법에 있어서, 금속부재의 표면에 도금층을 형성한 모습을 나타낸 단면도;
도 3은 본 발명의 제1실시예에 따른 금속부재의 표면처리방법에 있어서, 도금층에 다이아몬드 입자를 분산시켜 다이아몬드 입자층을 형성한 모습을 나타낸 단면도;
도 4는 본 발명의 제2실시예에 따른 금속부재의 표면처리방법에 있어서, 도금층에 다이아몬드 입자를 분산시켜 다이아몬드 입자층을 형성한 모습을 나타낸 단면도;
도 5는 본 발명의 제3실시예에 따른 금속부재의 표면처리방법에 있어서, 다이아몬드 입자의 노출된 상부에 금속증착층을 형성한 모습을 나타낸 단면도;
도 6은 본 발명의 제4실시예에 따른 금속부재의 표면처리방법에 있어서, 도금층 상에 금속증착층을 형성한 모습을 나타낸 단면도;
도 7은 본 발명의 제5실시예에 따른 금속부재의 표면처리방법에 있어서, 도금층에 상기 다이아몬드 입자가 복수의 층을 이루도록 분산시켜 다이아몬드 입자층을 형성한 모습을 나타낸 단면도;
도 8은 본 발명의 제5실시예에 따른 금속부재의 표면처리방법에 있어서, 다이아몬드 입자층을 압착하는 모습을 나타낸 단면도; 및
도 9는 본 발명의 제5실시예에 따른 금속부재의 표면처리방법에 있어서, 다이아몬드 입자층 상에 금속증착층을 형성한 모습을 나타낸 단면도이다.
이하 본 발명의 목적이 구체적으로 실현될 수 있는 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 설명한다. 본 실시예를 설명함에 있어서, 동일 구성에 대해서는 동일 명칭 및 동일 부호가 사용되며 이에 따른 부가적인 설명은 생략하기로 한다.
도 1은 본 발명의 제1실시예에 따른 금속부재의 표면처리방법에 있어서, 금속부재(10)의 모습을 나타낸 단면도이며, 도 2는 본 발명의 제1실시예에 따른 금속부재의 표면처리방법에 있어서, 금속부재(10)의 표면에 도금층(20)을 형성한 모습을 나타낸 단면도이다. 그리고 도 3은 본 발명의 제1실시예에 따른 금속부재의 표면처리방법에 있어서, 도금층(20)에 다이아몬드 입자(30)를 분산시켜 다이아몬드 입자층을 형성한 모습을 나타낸 단면도이다.
도 1 내지 도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 금속부재의 표면처리방법은 금속부재(10)의 표면에 도금층(20)을 형성하는 단계와, 상기 도금층(20)에 다이아몬드 입자(30)를 분산하여 다이아몬드 입자층을 형성하는 단계를 포함한다. 이하에서는 이에 대해 자세히 설명하도록 한다.
먼저, 도 1에 도시된 바와 같이, 금속부재(10)가 준비된다. 상기 금속부재(10)는 다양한 금속일 수 있으며, 다양한 형태를 가질 수 있다. 그리고 본 실시예에서 상기 금속부재(10)는 동판재인 것으로 하였다.
다만, 금속부재(10)의 종류은 본 실시예에 제한되지 않으며, 그 형태 역시 선재, 판재 등 다양한 형태일 수 있음은 물론이다.
그리고 이와 같은 금속부재(10)의 표면에 도금층(20)을 형성하는 단계가 수행된다. 상기 도금층(20) 역시 다양한 금속에 의해 형성될 수 있으며, 본 실시예에서는 동도금인 것으로 하였다.
본 단계의 경우, 상기 금속부재(10)를 도금액에 투입하고, 전해 도금법 등을 사용하여 상기 금속부재(10)의 표면에 상기 도금층(20)이 형성되도록 할 수 있다.
이때 본 실시예에서 상기 도금층(20)은 상기 금속부재(10) 상에 제1높이(d1)로 형성되며, 이는 후술할 다이아몬드 입자의 입도(d2)보다 작게 형성된다.
그리고 금속부재(10)의 표면에 도금층(20)을 형성하는 단계 이후에는, 상기 도금층(20)에 다이아몬드 입자(30)를 분산하여 다이아몬드 입자층을 형성하는 단계가 수행된다.
즉 상기 다이아몬드 입자(30)는 분말 등의 형태로 상기 도금층(20)에 고르게 분산될 수 있으며, 열전도도가 매우 우수하여 상기 금속부재(10)의 열전도도를 크게 향상시킬 수 있다. 또한 상기 도금층(20)은 상기 다이아몬드 입자(30)를 상기 금속부재(10) 상에 안정적으로 고정시키는 역할을 수행하게 된다.
이때 상기 다이아몬드 입자(30)의 분산 과정은 상기 다이아몬드 입자(30)의 분말을 상기 도금층(20)의 표면에 분사하는 방법으로 이루어질 수도 있으며, 또는 상기 도금층(20)의 형성 과정에 있어 도금액에 다이아몬드 미립자를 현탁하여 상기 도금층(20)의 형성과 함께 상기 다이아몬드 입자층이 형성되도록 할 수도 있다.
다만, 이와 같은 방법 외에도 상기 다이아몬드 입자(30)의 분산은 다양한 방법에 의해 수행될 수 있을 것이다.
한편 상기 도금층(20)과 상기 다이아몬드 입자층을 각각 별도로 형성하는 것으로 할 경우, 상기 도금층(20)을 형성하는 단계 및 상기 다이아몬드 입자층을 형성하는 단계 사이에는, 상기 도금층(20)의 경도가 기준값 미만이 되도록 상기 도금층(20)을 처리하는 단계가 더 포함될 수 있다.
그리고 상기 기준값은 상기 다이아몬드의 입자의 경도 및 상기 도금층(20)의 재질을 고려하여 설정될 수 있다. 즉 상기 도금층(20)이 기준값 이상의 경도일 경우 상기 다이아몬드 입자가 상기 도금층(20)에 충분한 깊이로 삽입되기가 어려우므로, 이와 같이 상기 도금층(20)을 처리할 수 있는 것이다.
또한 상기 도금층(20)의 처리는, 다양한 방법으로 이루어질 수 있다. 예를 들어 상기 도금층(20)을 처리하는 단계는 상기 도금층(20)을 가열하는 방법으로 수행될 수도 있으며, 또는 상기 도금층(20)의 경도를 떨어뜨릴 수 있는 별도의 조성액 등을 상기 도금층(20)에 도포하는 방법으로 수행될 수도 있을 것이다.
한편 전술한 바와 같이 본 실시예에서 상기 도금층(20)은 상기 금속부재(10) 상에 제1높이(d1)로 형성되며, 이는 다이아몬드 입자의 입도(d2)보다 작게 형성된다. 따라서 상기 다이아몬드 입자(30)의 상부는 외측으로 노출되어 타 매체와 직접 접촉될 수 있으므로, 상기 금속부재(10)로부터 타 매체로의 열전도, 또는 반대 방향으로의 열전도 효과를 향상시킬 수 있다.
이상과 같이, 본 발명은 금속-탄소계의 복합 소재를 제공하고, 물리적, 화학적 분말 코팅 및 합성을 통해 표면처리된 고열전도성의 강화형 금속을 제공할 수 있다.
이하에서는, 본 발명의 다른 실시예들에 대해 설명하도록 한다.
도 4는 본 발명의 제2실시예에 따른 금속부재의 표면처리방법에 있어서, 도금층(120)에 다이아몬드 입자(30)를 분산시켜 다이아몬드 입자층을 형성한 모습을 나타낸 단면도이다.
도 4에 도시된 본 발명의 제2실시예의 경우, 전술한 제1실시예와 모든 구성요소가 동일하게 형성되며, 그 표면처리방법 역시 동일하게 이루어진다.
다만, 본 실시예의 경우 상기 도금층(120)은 상기 금속부재(10) 상에 제2높이(d3)로 형성되며, 이는 다이아몬드 입자의 입도(d2) 이상으로 형성된다.
이에 따라 상기 다이아몬드 입자층을 형성하는 단계에서는 상기 다이아몬드 입자(30)가 상기 도금층(120) 내에 매립되며, 상기 다이아몬드 입자(30)는 외측으로 노출되지 않는다.
따라서 본 실시예의 경우, 상기 다이아몬드 입자(30)을 보다 안정적으로 고정시킬 수 있으며, 이에 따라 상기 다이아몬드 입자(30)의 탈락을 방지할 수 있는 효과를 가진다.
도 5는 본 발명의 제3실시예에 따른 금속부재의 표면처리방법에 있어서, 다이아몬드 입자(30)의 노출된 상부에 금속증착층(40)을 형성한 모습을 나타낸 단면도이다.
도 4에 도시된 본 발명의 제3실시예의 경우, 전술한 제1실시예와 모든 구성요소가 동일하게 형성되며, 그 표면처리방법 역시 동일하게 이루어진다. 또한 상기 도금층(20)의 높이 역시, 제1실시예와 마찬가지로 상기 다이아몬드 입자(30)의 입도(d2) 미만인 제1높이(d1)로 형성된다.
다만, 본 실시예의 경우 상기 다이아몬드 입자층을 형성하는 단계 이후에는, 상기 다이아몬드 입자(30)의 노출된 상부에 금속증착층(40)을 형성하는 단계가 더 포함되는 것이 제1실시예와 다르다.
그리고 상기 금속증착층(40)은 다양한 금속이 증착될 수 있으나, 본 실시예에서는 동증착인 것으로 하였다.
즉 본 실시예의 경우 상기 다이아몬드 입자(30)의 노출된 상부에 금속증착층(40)을 더 형성하여, 다이아몬드 입자로 인해 불규칙한 표면을 평탄하게 형성할 수 있다.
또한 금속부재(10)의 기본적인 열전도도를 유지하도록 할 수 있는 동시에 표면조도를 낮출 수 있는 효과를 가진다. 이는 다이아몬드 입자의 표면 조도보다 동증착이 이루어진 금속증착층(40)의 표면 조도가 낮기 때문이다.
한편 상기 금속증착층(40)의 형성 과정은, 스퍼터링 장치 등 다양한 증착장치에 의해 수행될 수 있을 것이다.
도 6은 본 발명의 제4실시예에 따른 금속부재의 표면처리방법에 있어서, 도금층(120) 상에 금속증착층(40)을 형성한 모습을 나타낸 단면도이다.
도 6에 도시된 본 발명의 제4실시예의 경우, 전술한 제2실시예와 모든 구성요소가 동일하게 형성되며, 그 표면처리방법 역시 동일하게 이루어진다. 또한 상기 도금층(120)의 높이 역시, 제2실시예와 마찬가지로 상기 다이아몬드 입자(30)의 입도(d2) 이상인 제2높이(d3)로 형성된다.
다만, 본 실시예의 경우 상기 다이아몬드 입자층을 형성하는 단계 이후에는, 상기 도금층(120) 상에 금속증착층(40)을 형성하는 단계가 더 포함되는 것이 제2실시예와 다르다.
즉 본 실시예 역시 제3실시예와 마찬가지로 금속부재(10)의 기본적인 열전도도를 유지하도록 할 수 있는 효과를 가질 수 있다.
도 7은 본 발명의 제5실시예에 따른 금속부재의 표면처리방법에 있어서, 도금층에 상기 다이아몬드 입자가 복수의 층을 이루도록 분산시켜 다이아몬드 입자층을 형성한 모습을 나타낸 단면도이다.
도 7에 도시된 본 발명의 제5실시예의 경우, 전술한 제1실시예와 마찬가지로 금속부재(10)의 표면에 도금층(20)을 형성하는 단계와, 상기 도금층(20)에 다이아몬드 입자(30a, 30b)를 분산하여 다이아몬드 입자층을 형성하는 단계를 포함한다.
다만, 본 실시예에서 상기 다이아몬드 입자층을 형성하는 단계는, 상기 다이아몬드 입자(30a, 30b)가 복수의 층을 이루도록 하는 것이 제1실시예와 다르다. 즉 본 실시예의 경우 상기 다이아몬드 입자(30a, 30b)는 제1층을 형성하는 제1다이아몬드 입자(30a)와, 제2층을 형성하는 제2다이아몬드 입자(30b)를 포함하며, 이들은 서로 적층된 형태를 가진다.
또한 본 실시예에서 상기 제1다이아몬드 입자(30a)와 제2다이아몬드 입자(30b)는, 서로 엇갈리도록 배열되어, 상기 제2다이아몬드 입자(30b)는 상기 제1다이아몬드 입자(30a)의 사이사이에 구비된다.
이와 같이, 상기 다이아몬드 입자층은 복수의 층 중 서로 인접한 층에 구비된 다이아몬드 입자(30a, 30b)가 서로 엇갈리게 배열되도록 할 수 있으며, 이에 따라 상기 다이아몬드 입자층의 높이를 감소시킬 수 있다.
도 8은 본 발명의 제5실시예에 따른 금속부재의 표면처리방법에 있어서, 다이아몬드 입자층을 압착하는 모습을 나타낸 단면도이다.
도 8에 도시된 바와 같이, 상기 다이아몬드 입자층을 형성하는 단계 이후에는, 상기 다이아몬드 입자층을 압착하는 단계가 수행될 수 있다. 이에 따라 상기 제1다이아몬드 입자(30a)와 제2다이아몬드 입자(30b)는 서로 접촉 면적이 증가되어 열전도도를 보다 향상시킬 수 있으며, 상기 다이아몬드 입자층의 높이를 보다 감소시킬 수 있다.
또한 본 과정에서 상기 도금층(20)의 경도가 기준값 이하인 경우, 상기 다이아몬드 입자층의 압착 과정에서 상기 도금층(20)의 일부가 상부로 밀려 나올 수 있다. 따라서 이를 이용하여 상기 도금층(20)의 높이를 미리 정밀하게 설정하고, 본 과정에서 상기 다이아몬드 입자층이 상기 도금층(20)에 매립되도록 할 수도 있을 것이다.
다만, 이는 하나의 실시예로서 상기 다이아몬드 입자층을 압착하는 단계는 생략될 수도 있음은 물론이다.
도 9는 본 발명의 제5실시예에 따른 금속부재의 표면처리방법에 있어서, 다이아몬드 입자층 상에 금속증착층(40)을 형성한 모습을 나타낸 단면도이다.
도 9에 도시된 바와 같이, 본 실시예 역시 상기 다이아몬드 입자층을 형성하는 단계 이후에는, 상기 도금층(20) 상에 금속증착층(40)을 형성하는 단계가 더 포함된다.
따라서 본 실시예 역시 다이아몬드 입자로 인해 불규칙한 표면을 평탄하게 형성할 수 있으며, 금속부재(10)의 기본적인 열전도도를 유지하도록 할 수 있는 동시에 표면조도를 낮출 수 있는 효과를 가진다.
이상과 같이 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 살펴보았으며, 앞서 설명된 실시예 이외에도 본 발명이 그 취지나 범주에서 벗어남이 없이 다른 특정 형태로 구체화될 수 있다는 사실은 해당 기술에 통상의 지식을 가진 이들에게는 자명한 것이다. 그러므로, 상술된 실시예는 제한적인 것이 아니라 예시적인 것으로 여겨져야 하고, 이에 따라 본 발명은 상술한 설명에 한정되지 않고 첨부된 청구항의 범주 및 그 동등 범위 내에서 변경될 수도 있다.
10: 금속부재 20: 도금층
30: 다이아몬드 입자 40: 금속증착층

Claims (17)

  1. 금속부재의 표면에 도금층을 형성하는 단계; 및
    상기 도금층에 다이아몬드 입자를 분산하여 다이아몬드 입자층을 형성하는 단계;
    를 포함하는 금속부재의 표면처리방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 도금층을 형성하는 단계는,
    상기 도금층의 높이가 상기 다이아몬드 입자의 입도 미만으로 형성되도록 하여, 상기 다이아몬드 입자층을 형성하는 단계에서 상기 다이아몬드 입자의 상부가 노출되도록 하는 금속부재의 표면처리방법.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 다이아몬드 입자층을 형성하는 단계 이후에는,
    상기 다이아몬드 입자의 노출된 상부에 금속증착층을 형성하는 단계가 더 포함되는 금속부재의 표면처리방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 도금층을 형성하는 단계는,
    상기 도금층의 높이가 상기 다이아몬드 입자의 입도 이상으로 형성되도록 하여, 상기 다이아몬드 입자층을 형성하는 단계에서 상기 다이아몬드 입자가 상기 도금층 내에 매립되도록 하는 금속부재의 표면처리방법.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 다이아몬드 입자층을 형성하는 단계 이후에는,
    상기 도금층 상에 금속증착층을 형성하는 단계가 더 포함되는 금속부재의 표면처리방법.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 도금층을 형성하는 단계 및 상기 다이아몬드 입자층을 형성하는 단계 사이에는,
    상기 도금층의 경도가 기준값 미만이 되도록 상기 도금층을 처리하는 단계가 더 포함되는 금속부재의 표면처리방법.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 도금층을 처리하는 단계는,
    상기 도금층을 가열하는 것으로 하는 금속부재의 표면처리방법.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 다이아몬드 입자층을 형성하는 단계는,
    상기 다이아몬드 입자가 복수의 층을 이루도록 하는 금속부재의 표면처리방법.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 다이아몬드 입자층을 형성하는 단계는,
    복수의 층 중 서로 인접한 층에 구비된 다이아몬드 입자가 서로 엇갈리게 배열되도록 하는 금속부재의 표면처리방법.
  10. 제8항에 있어서,
    상기 다이아몬드 입자층을 형성하는 단계 이후에는,
    상기 다이아몬드 입자층을 압착하는 단계가 더 포함되는 금속부재의 표면처리방법.
  11. 몸체;
    상기 몸체의 표면에 형성된 도금층; 및
    상기 도금층에 분산된 다이아몬드 입자를 포함하는 다이아몬드 입자층;
    을 포함하는 금속부재.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 도금층의 높이는 상기 다이아몬드 입자의 입도보다 작게 형성되어, 상기 다이아몬드 입자의 상부가 노출된 금속부재.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 다이아몬드 입자의 노출된 상부에 형성된 금속증착층을 더 포함하는 금속부재.
  14. 제11항에 있어서,
    상기 도금층의 높이는 상기 다이아몬드 입자의 입도보다 크게 형성되어, 상기 다이아몬드 입자가 상기 도금층 내에 매립된 금속부재.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 도금층 상에 형성된 금속증착층을 더 포함하는 금속부재.
  16. 제11항에 있어서,
    상기 다이아몬드 입자층은,
    상기 다이아몬드 입자가 복수의 층을 이루도록 형성된 금속부재.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 복수의 층 중 서로 인접한 층에 구비된 다이아몬드 입자는 서로 엇갈리게 배열된 금속부재.
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