KR20150139458A - 반도체 제조 공정용 테이프의 기재 필름 - Google Patents

반도체 제조 공정용 테이프의 기재 필름 Download PDF

Info

Publication number
KR20150139458A
KR20150139458A KR1020150077840A KR20150077840A KR20150139458A KR 20150139458 A KR20150139458 A KR 20150139458A KR 1020150077840 A KR1020150077840 A KR 1020150077840A KR 20150077840 A KR20150077840 A KR 20150077840A KR 20150139458 A KR20150139458 A KR 20150139458A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
base film
tape
component
copolymer
manufacturing process
Prior art date
Application number
KR1020150077840A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101835182B1 (ko
Inventor
슈이치 코바야시
미노루 무라타
Original Assignee
아키레스 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 아키레스 가부시키가이샤 filed Critical 아키레스 가부시키가이샤
Publication of KR20150139458A publication Critical patent/KR20150139458A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101835182B1 publication Critical patent/KR101835182B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • C09J7/0267—

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Dicing (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Adhesive Tapes (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)

Abstract

본 발명은 반도체 제조 공정용 테이프의 기재 필름에 관한 것이며, A) 특정 2원 공중합체를 금속 이온으로 가교한 아이오노머 수지, 및 B) 특정 3원 공중합체를 금속 이온으로 가교한 아이오노머 수지를 포함하고, 상기 성분 A)와 성분 B)의 질량비가 50：50 내지 5：95인 반도체 제조 공정용 테이프의 기재 필름, 및 중간층과 그 양측의 외층으로 이루어진 반도체 제조 공정용 테이프의 기재 필름으로서, 상기 중간층은 A) 특정 2원 공중합체를 금속 이온으로 가교한 아이오노머 수지, 및 B) 특정 3원 공중합체를 금속 이온으로 가교한 아이오노머 수지를 포함하고, 상기 성분 A)와 성분 B)의 질량비가 50：50 내지 5：95인 반도체 제조 공정용 테이프의 기재 필름을 제공한다.

Description

반도체 제조 공정용 테이프의 기재 필름 {Base film of tape for process of semiconductor production}
본 발명은 반도체 제조 공정용 테이프의 기재 필름에 관한 것이고, 더욱 상세하게는, 특히 반도체 웨이퍼 등을 소자 소편으로 절단 분리 (다이싱)할 때, 상기 반도체 웨이퍼를 고정하기 위해 이용하는 테이프의 기재 필름에 관한 것이다.
실리콘, 갈륨, 비소 등의 반도체 웨이퍼는 큰 지름 상태로 제조된 후, 패턴이 형성되고, 소자 소편으로 다이싱되지만, 이때, 반도체 웨이퍼를 고정하기 위해서, 주로, 웨이퍼를 고정하는 점착제층과 기재 필름으로 구성되는 반도체 제조 공정용 테이프가 사용된다.
다이싱된 소자 소편은, 그 후, 픽업 공정을 용이하게 실시하기 위해서 반도체 제조 공정용 테이프를 종횡 방향으로 균일하게 확장 (expand)하고, 소자 소편의 간격을 균일하게 넓히는 공정에 부가되지만, 반도체 제조 공정용 테이프는, 이들 공정에서 고온에 노출될 가능성이 있다. 또한, 찌르기 강도가 부족하면 다이싱 후에 확장하여 필름을 아래에서부터 밀어 올려 소자 소편을 픽업할 때에, 필름이 깨지기 쉽다는 문제가 있다.
상기 등으로부터, 반도체 제조 공정용 테이프에 이용하는 기재 필름은, 내열성을 갖는 것, 양호한 유연성을 가지며, 또한 종횡 방향으로 균일하게 확장하는 성능 (확장성), 및 높은 찌르기 강도 (양호한 찌르기 특성)를 갖는 것 등이 요구된다.
또한, 다이싱 공정은, 일반적으로, 회전하면서 이동하는 환인 (round teeth)에 의해서 웨이퍼의 절단을 실시하는 것이지만, 이때, 반도체 제조 공정의 생력화와 반도체 품질의 향상을 목적으로 하여, 반도체 웨이퍼를 유지하는 반도체 제조 공정용 테이프의 기재 내부까지 절개를 실시하는 풀 컷으로 불리는 절단 방식이, 현재의 주류가 되어오고 있다. 그러나, 상기 절단 방식은 테이프의 내부까지 절개를 실시하는 결과적으로, 상기 테이프가 용해·연신되어 실 형태가 된 절삭 조각이 발생하고, 상기 조각이 소자 소편에 부착하여 반도체소자의 신뢰성을 저하하거나 픽업 공정시에 인식 에러를 일으킨다는 새로운 문제도 생기고 있기 때문에, 다이싱 공정에서 절삭 조각이 발생하지 않는 것 (다이싱 특성)도 요구되고 있다.
따라서, 종래부터, 많은 다이싱 필름이 제안되고 있으며, 예를 들면, 특허 문헌 1에는 풀컷 다이징 방법에서도 절삭 조각의 반도체 웨이퍼 표면으로의 잔류를 방지할 수 있는 웨이퍼 고정용 점착 테이프로서 수지층 B (기재 필름)가 주로, 에틸렌, (메타)아크릴산 및 (메타)아크릴산 알킬에스테르를 중합체의 구성 성분으로 하는, 3원 공중합체인 웨이퍼 고정용 점착 테이프 및 상기 3원 공중합체를 금속 이온으로 가교한 아이오노머 수지를 수지층 B (기재 필름)의 주성분으로 하는 웨이퍼 고정용 점착 테이프가 기재되어 있다.
또한, 특허 문헌 2에는, 레이저광에 의한 날인 가공부에 있어서의 경화 수지 표면의 레이저 애쉬를 박리하지 않고, 날인 가공의 시인성 악화를 일으키지 않는 반도체 디바이스 가공용 점착 테이프의 기재로서, 에틸렌 및 아크릴산을 중합체의 구성 성분으로 하는 2원 공중합체를 금속 이온으로 가교한 아이오노머 수지를 이용한 반도체 디바이스 가공용 점착 테이프가 기재되어 있다.
또한, 특허 문헌 3에는, A) 에틸렌 및 (메타)아크릴산을 중합체의 구성 성분으로 하는 2원 공중합체를 금속 이온으로 가교한 아이오노머 수지, 및 B) 에틸렌, (메타)아크릴산 및 (메타)아크릴산 알킬에스테르를 중합체의 구성 성분으로 하는 3원 공중합체를 포함한 반도체 제조 공정용 테이프의 기재 필름이 기재되어 있다.
JP H09－008111 A (JP 3845129 B) JP 2008－235716 A JP 2012－89732 A
그러나, 특허 문헌 1에 기재된, 에틸렌, (메타)아크릴산 및 (메타)아크릴산 알킬 에스테르를 중합체의 구성 성분으로 하는 3원 공중합체를 주성분으로 하는 웨이퍼 고정용 점착 테이프의 기재 필름은, 확실히, 실 형태 조각과 같은 절삭 조각이 잔류하지 않고, 양호한 다이싱 특성을 갖는 것이었지만, 확장성, 즉, 종횡 방향으로 균일하게 확장하는 성능이 불충분하였다.
또한, 상기 3원 공중합체를 금속 이온으로 가교한 아이오노머 수지를 주성분으로 하는 웨이퍼 고정용 점착 테이프의 기재 필름은, 양호한 유연성, 예를 들면 90도로 굽혀도 갈라지지 않는 정도의 유연성을 갖는 것이었지만, 성형성이 불충분하고, 기재 필름의 성형시에 아이오노머 수지의 토출이 안정되지 않거나, 점착성이 있기 때문에 성형하여 롤 형태로 감았을 때에 필름끼리가 부착하여 해반성이 손상되는 불편이 관찰되고, 또한, 3원 공중합체를 금속 이온으로 가교한 아이오노머 수지는 내열성이 없기 때문에, 반도체 제조 공정하의 환경하에서 휘어져 버릴 우려가 있었다.
또한, 2원 공중합체를 금속 이온으로 가교한 아이오노머 수지는 유연성이 부족하기 때문에, 특허 문헌 2에 기재된 반도체 디바이스 가공용 점착 테이프는 유연성이 부족하여 찌르기 강도도 불충분하였다.
또한, 특허 문헌 3에 개시된 기재 필름은, 특정 2원 공중합의 아이오노머 수지에, 특정의 구성 성분으로 구성되는 3원 공중합체를 특정의 비율로 첨가함으로써, 유연성을 개선하고, 그 결과적으로, 다이싱 특성, 확장성, 유연성, 내열성 및 성형성의 모든 특성을 만족시키는 성능을 갖는 것이다. 그러나 특허 문헌 3에는, 기재 필름의 찌르기 특성을 발현시키기 위한 구체적인 수단 및 효과는 시사되어 있지 않다.
따라서, 지금까지 여러 가지의 다이싱 필름이 개시되어 있지만, 내열성, 확장성, 찌르기 특성 및 다이싱 특성의 모든 특성에 대해 전부를 만족시키는 성능을 갖는 반도체 제조 공정용 테이프의 기재 필름에 대해서는 보고되어 있지 않다.
따라서, 본 발명은, 상기의 사정에 근거해서 이루어진 것이며, 그 해결하려고 하는 과제는, 내열성, 확장성, 찌르기 특성 및 다이싱 특성의 모든 특성에 대해 전부를 만족시키는 성능을 갖는 반도체 제조 공정용 테이프의 기재 필름을 제공하는 것이다.
본 발명자들은, 예를 들면, 특허 문헌 2 (본 발명과는 그 용도·목적에 있어서 다르다)에 기재되는, 에틸렌 및 (메타)아크릴산을 중합체의 구성 성분으로 하는 2원 공중합체를 금속 이온으로 가교한 아이오노머 수지로 이루어진 기재 필름이, 유연성에는 부족하기는 하지만, 다이싱 특성, 확장성, 내열성 및 성형성이 뛰어나다는 것을 발견하였다. 그리고 본 발명자는, 상기 2원 공중합체의 아이오노머 수지가 뛰어난 성능을 유지한 채로, 유연성을 부여할 수 있는 기재 필름의 구성에 대해 예의 연구한 결과, 상기 2원 공중합체의 아이오노머 수지와 특정의 구성 성분으로부터 구성되는 3원 공중합체의 아이오노머 수지를 특정의 비율로 배합함으로써 유연성을 개선함과 동시에 찌르기 특성이 발현하여, 결과적으로, 상기 2 성분을 포함한 기재 필름이, 다이싱 특성, 확장성, 유연성, 내열성 및 찌르기 특성이 뛰어난 기재 필름이 되는 것을 발견하여 본 발명을 완성시켰다.
또한, 본 발명자들은, 중간층과 그 양측의 외층으로 이루어진 적층 필름에서, 그 중간층으로서 상기 2원 공중합체의 아이오노머 수지와 특정의 구성 성분으로부터 구성되는 3원 공중합체의 아이오노머 수지를 특정의 비율로 배합한 것을 이용하고, 또 양 외층으로서 에틸렌계 공중합체를 포함한 수지층을 이용하면, 내열성이 더욱 향상한 기재 필름이 되는 것을 발견하여, 본 발명을 완성시켰다.
즉, 본 발명은,
(1) A) 에틸렌 및 (메타)아크릴산을 중합체의 구성 성분으로 하는 2원 공중합체를 금속 이온으로 가교한 아이오노머 수지, 및 B) 에틸렌, (메타)아크릴산 및(메타)아크릴산 알킬 에스테르를 중합체의 구성 성분으로 하는 3원 공중합체를 금속 이온으로 가교한 아이오노머 수지를 포함하며, 그리고 상기 성분 A)와 성분 B)의 질량비가 50：50 내지 5：95인, 반도체 제조 공정용 테이프의 기재 필름,
(2) 상기 성분 A) 및 성분 B)에 사용되는 금속 이온이 아연 이온인 상기 (1)에 기재된 반도체 제조 공정용 테이프의 기재 필름,
(3) 조사선량 10 내지 300kGy로 전자선이 조사된, 상기 (1) 또는 (2)에 기재된 반도체 제조 공정용 테이프의 기재 필름,
(4) 중간층과 그 양측의 외층으로 이루어진, 반도체 제조 공정용 테이프의 기재 필름이며, 상기 중간층은
A) 에틸렌 및 (메타)아크릴산을 중합체의 구성 성분으로 하는 2원 공중합체를 금속 이온으로 가교한 아이오노머 수지, 및 B) 에틸렌, (메타)아크릴산 및 (메타)아크릴산 알킬에스테르를 중합체의 구성 성분으로 하는 3원 공중합체를 금속 이온으로 가교한 아이오노머 수지를 포함하고, 그리고 상기 성분 A)와 성분 B)의 질량비가 50：50 내지 5：95인, 반도체 제조 공정용 테이프의 기재 필름,
(5) 상기 성분 A) 및 성분 B)에 사용되는 금속 이온이 아연 이온인, 상기 (4)에 기재된 반도체 제조 공정용 테이프의 기재 필름,
(6) 상기 양측 외층은 에틸렌계 공중합체를 포함한 수지층인, 상기 (4) 또는 (5)에 기재된 반도체 제조 공정용 테이프의 기재 필름,
(7) 상기 에틸렌계 공중합체가 에틸렌-메타크릴산 공중합체인, 상기 (6)에 기재된 반도체 제조 공정용 테이프의 기재 필름,
(8) 상기 에틸렌-메타크릴산 공중합체의 산 함유량이 12질량% 이하인, 상기 (7)에 기재된 반도체 제조 공정용 테이프의 기재 필름,
(9) 상기 외층： 상기 중간층： 상기 외층의 층 두께의 비율이 1：4：1 ∼ 1：16：1인, 상기 (4) 내지 (8) 중 어느 하나에 기재된 반도체 제조 공정용 테이프의 기재 필름,
(10) 조사선량 10 내지 300kGy로 전자선이 조사된, 상기 (4) 내지 (9) 중 어느 하나에 기재된 반도체 제조 공정용 테이프의 기재 필름에 관한 것이다.
본 발명의 기재 필름은, 상기 2원 공중합체의 아이오노머 수지와 특정 구성 성분으로부터 구성되는 3원 공중합체의 아이오노머 수지를 특정의 비율로 배합함으로써, 다이싱 특성, 확장성, 유연성, 내열성 및 찌르기 특성이 뛰어나다.
또한, 본 발명의 기재 필름은, 상기 2원 공중합체의 아이오노머 수지와 특정의 구성 성분으로 구성되는 3원 공중합체의 아이오노머 수지를 특정의 비율로 배합하여 이루어진 중간층과 그 양측의 외층으로 이루어진 적층 구조를 채용하는 것으로, 단층 구조의 기재 필름에 비해, 내열성을 향상시킬 수 있다.
이 때문에, 본 발명의 기재 필름은 반도체 제조 공정에 사용하는 점착 테이프의 기재 필름으로서 유리하게 사용될 수 있다.
또, 특정의 조사선량으로 전자선을 조사함으로써 내열성을 향상시킬 수도 있다.
본 발명의 반도체 제조 공정용 테이프의 기재 필름은, A) 에틸렌 및 (메타)아크릴산을 중합체의 구성 성분으로 하는 2원 공중합체를 금속 이온으로 가교한 아이오노머 수지, 및 B) 에틸렌, (메타)아크릴산 및 (메타) 아크릴산알킬에스테르를 중합체의 구성 성분으로 하는 3원 공중합체를 금속 이온으로 가교한 아이오노머 수지를 포함하고, 그리고 상기 성분 A)와 성분 B)의 질량비가 50：50 내지 5：95인, 반도체 제조 공정용 테이프의 기재 필름이다.
성분 A)의 아이오노머 수지에 사용 가능한 금속 이온으로서는, 칼륨 이온(K＋), 나트륨 이온(Na＋), 리튬 이온(Li＋), 마그네슘 이온(Mg＋＋), 아연 이온(Zn＋＋) 등을 들 수 있지만, 그 중에서, 아연 이온(Zn＋＋)은, 가교 구조를 안정화시키고, 그것에 의해, 다이싱 조각이 나오기 어렵다는 점에서 바람직하다. 또한, 2원 공중합체의 카르복실기에 있어서의 양이온에 의한 중화도는, 바람직하게는 40∼75mol%이다.
성분 A)의 2원 공중합체에 있어서의, 바람직한 에틸렌 성분의 함유량은, 2원 공중합체의 질량에 기초하여, 60∼98질량%의 범위이다. 또한, 성분 A)의 아이오노머 수지의 점도(MFR)는, 측정법으로서 JIS K 7210를 이용했을 경우, 5.5㎏/10분 이하인 것이 바람직하고, 예를 들면, 0.5 내지 5.5㎏/10분의 범위인 것이 바람직하다.
또한, 성분 A)에 있어서의 2원 공중합체의 산함유량은, 측정 방법으로서 FT－IR법을 이용했을 경우에, 3 내지 12질량%가 되는 양이 바람직하다.
성분 B)의 아이오노머 수지에 사용 가능한 금속 이온으로서는, 칼륨 이온(K＋), 나트륨 이온(Na＋), 리튬 이온(Li＋), 마그네슘 이온(Mg＋＋), 아연 이온(Zn＋＋) 등을 들 수 있지만, 그 중에서, 아연 이온(Zn＋＋)은, 가교 구조를 안정화시키고, 그것에 의해, 다이싱 조각이 나오기 어렵다는 점에서 바람직하다. 또한, 3원 공중합체의 카르복실기에 있어서의 양이온에 의한 중화도는, 바람직하게는 40∼75mol%이다.
성분 B)의 3원 공중합체에 있어서의, 바람직한 에틸렌 성분의 함유량은, 3원 공중합체의 질량에 기초하여 60∼98 질량%의 범위이며, 바람직한 (메타)아크릴산 성분의 함유량은, 3원 공중합체의 질량에 기초하여, 1∼20 질량%의 범위이며, 바람직한 (메타)아크릴산 알킬에스테르 성분의 함유량은, 3원 공중합체의 질량에 기초하여, 1∼20질량%의 범위이다.
또한, 성분 B)의 3원 공중합체의 점도(MFR)는, 측정법으로서 JIS K 7210를 이용했을 경우, 예를 들면, 5 ㎏/10분 내지 15㎏/10분의 범위를 들 수 있고, 8 내지 12㎏/10분의 범위인 것이 바람직하다.
또한, 성분 B)의 3원 공중합체의 산 함유량은, 측정 방법으로서 FT－IR법을 이용한 경우에, 3 내지 14 질량%가 되는 양이 바람직하다.
성분 B)의 3원 공중합체에 사용할 수 있는 (메타)아크릴산 알킬에스테르로서는, 탄소 원자수가 3 이상 8 이하인 알킬에스테르가 바람직하게 이용되며, 구체적으로는, (메타)아크릴산프로필, (메타)아크릴산부틸, (메타)아크릴산헥실, (메타) 아크릴산옥틸, (메타)아크릴산 2－메틸프로필, (메타)아크릴산 2－에틸프로필, (메타)아크릴산 2－메틸부틸, (메타)아크릴산 2－에틸 부틸, (메타)아크릴산 2－메틸 헥실, (메타)아크릴산 2－에틸헥실, (메타)아크릴산 1,2－디메틸부틸 등을 들 수 있다.
상기 성분 A)와 성분 B)의 질량비는 50：50 내지 5：95이다. 성분 B)의 질량비가, 50 미만이면, 성형된 기재 필름의 확장성이 부족한 것이 되고, 또한, 95를 넘으면 내열성과 성형된 기재 필름의 경도가 떨어지기 때문에 바람직하지 않다.
또한, 본 발명의 기재 필름은, 상기 성분 A)와 상기 성분 B)를 특정의 비율로 배합하여 이루어진 중간층과 그 양측의 외층으로 이루어진 적층 구조를 채용할 수도 있다.
즉, 본 발명의 반도체 제조 공정용 테이프의 기재 필름은 또한, 중간층과 그 양측의 외층으로 이루어진, 반도체 제조 공정용 테이프의 기재 필름이며, 상기 중간층은 A) 에틸렌 및 (메타)아크릴산을 중합체의 구성 성분으로 하는 2원 공중합체를 금속 이온으로 가교한 아이오노머 수지, 및 B) 에틸렌, (메타)아크릴산 및 (메타)아크릴산 알킬에스테르를 중합체의 구성 성분으로 하는 3원 공중합체를 금속 이온으로 가교한 아이오노머 수지를 포함하며, 그리고 상기 성분 A)와 성분 B)의 질량비가 50：50 내지 5：95인, 반도체 제조 공정용 테이프의 기재 필름이다.
본 발명에 있어서의, 중간층과 그 양측의 외층으로 이루어진, 반도체 제조 공정용 테이프의 기재 필름에서, 상기 성분 A) 및 B)는 위에서 기재한 사항과 동일하다.
본 발명의 기재 필름에서, 중간층의 양측의 외층에 사용할 수 있는 에틸렌계 공중합체로서는, 예를 들면, 에틸렌-초산비닐 공중합체, 에틸렌-아크릴산 에틸 공중합체, 에틸렌-메타크릴산 공중합체, 및 에틸렌-메타크릴산 메틸 공중합체 등을 들 수 있고, 그 중에서도 에틸렌-메타크릴산 공중합체가 바람직하다.
또한, 에틸렌계 공중합체는 단독 또는 2종 이상을 조합하여 사용해도 된다. 또한, 에틸렌-메타크릴산 공중합체의 산 함유량은, 측정 방법으로서 FT－IR법을 이용한 경우에, 12질량% 이하인 것이 바람직하다. 에틸렌-메타크릴산 공중합체의 산함유량이 12질량%를 넘으면, 기재 필름의 내열성이 충분히 향상하지 않을 가능성이 있다.
본 발명의 기재 필름은 중간층과 그 양측의 외층으로 이루어진 3층의 적층 구조로 구성되는 경우, 외층：중간층：외층의 층 두께의 비율은 1：4：1 ∼ 1：16：1이며, 바람직하게는 1：8：1 ∼ 1：16：1이다. 너무 외층이 얇으면 내열성이 향상되지 않을 가능성이 있고, 또한 외층이 두꺼우면 유연성을 잃을 가능성이 있기 때문이다.
또한, 본 발명의 기재 필름은, 대전 방지 기능을 부여하기 위해서, 또한 폴리 에테르계 고분자형 대전 방지제를 첨가할 수 있다.
폴리에테르계 고분자형 대전 방지제로서는, 폴리에틸렌옥시드, 폴리에테르 아미드, 폴리에테르에스테르아미드, 폴리에테르아미드이미드, 에틸렌옥시드-에피할로하이드린 공중합체, 메톡시폴리에틸렌글리콜(메타)아크릴레이트 공중합체 등이며, 예를 들면, 닛폰제온 (주)의 제오스판이나, 산요카세이 (주)의 펠레스타트 등을 들 수 있다.
폴리에테르계 고분자형 대전 방지제를 사용하는 경우의 배합량은, 사용하는 폴리에테르계 고분자형 대전 방지제의 종류에 의해 다르지만, 성분 A) 및 성분 B)의 총량에 기초하여, 1 내지 20질량%가 되는 양으로 하는 것이 좋다.
폴리에테르계 고분자형 대전 방지제의 배합량이 1질량% 미만이면 원하는 대전 방지 효과를 확보하지 못하고, 또한 20질량%를 넘어 첨가해도, 그 이상의 대전 방지 효과를 얻지 못하여 오히려 고비용이 된다.
기재 필름의 성형은, 필름 형성에 이용하는 관용의 방법을 채용할 수 있고, 예를 들면, 성분 A), B) 및 필요에 의해 다른 성분을 더해 압출기를 사용하여 압출 가공함으로써, 기재 필름을 제조할 수 있다. 또한, 기재 필름이 중간층과 그 양측의 외층으로 이루어진 경우, 그 성형은, 중간층과 양측 외층을, 캘린더법, 압출법, 인플레이션법 등의 수단에 의해서 따로따로 성형하고, 이들을 열래미네이트 또는 적절한 접착제에 의한 접착 등의 수단으로 적층하는 등에 의해서도 제조할 수 있다.
제조하는 기재 필름의 두께로서는, 통상 30∼300㎛의 범위를 채용할 수 있고, 바람직하게는 50∼200㎛의 범위이다.
또한, 본 발명의 기재 필름은, 점착제층이 형성되는 면과는 반대측의 면의 평균 표면 조도(Ra)가 0.5 내지 2㎛가 되도록 기재 필름을 형성하는 것이 바람직하다. 상기와 같은 평균 표면 조도를 갖는 것으로, 다이싱 후의 확장 공정에 있어서의 기재 필름의 확장을 용이하게 할 수 있다.
본 발명의 기재 필름은 또한, 상기에서 성형한 필름에 전자선을 조사함으로써, 더욱 내열성을 향상시킬 수도 있다.
전자선의 조사 조건으로서는, 가속 전압 150∼300㎷, 전자류 450∼500㎃에 대하고, 조사선량 10 내지 300kGy로 하는 것이 바람직하다.
조사량이 10kGy미만이면, 조사 효과를 얻지 못하고, 조사량이 300kGy를 넘으면, 기재 필름의 유연성이 저하함과 동시에, 기재 필름 자체가 열화되어 바람직하지 않다.
또한, 반도체 제조 공정용 테이프는, 본 발명의 기재 필름의 표면에 점착제층을 형성함으로써 제조할 수 있다.
점착제층을 구성하는 점착제로서는, 특히 제한은 없고, 종래 공지의 점착제 중에서 적절히 선택하여 이용할 수 있다.
예를 들면 천연 고무나 합성고무 등을 이용한 고무계 점착제, 폴리(메타)아크릴산 알킬에스테르나 (메타)아크릴산 알킬에스테르와 다른 모노머와의 공중합체 등을 이용한 아크릴계 점착제, 그 외 폴리우레탄계 점착제나 폴리에스테르계 점착제나 폴리카보네이트계 점착제 등의 적당한 점착제를 이용할 수 있고 자외선 등의 에너지선으로 경화 처리하도록 한 것 등도 된다.
점착제층의 형성은, 기존의 형성 방법, 예를 들면, 점착제를 도포 또는 인쇄함으로써 달성할 수 있다.
점착제층의 두께는 8∼35㎛로 하는 것이 바람직하고, 더욱 바람직하게는 10∼25㎛ 정도이다.
상기와 같이 하여 제조된 반도체 제조 공정용 테이프의 기재 필름은, 반도체 제조 공정용 테이프에 사용했을 때, 뛰어난 다이싱 특성, 확장성, 유연성, 내열성 및 찌르기 특성을 갖는 것이며, 또한, 범용의 수지를 사용하여 용이하게 제조할 수 있는 것이기 때문에 경제성에도 우수하다.
이상로부터, 본 발명의 기재 필름은, 반도체 제조 공정에 사용하는 점착 테이프의 기재 필름으로서의 사용에 대해 매우 유리한 것이라고 할 수 있다.
(실시예)
이하에 실시예 및 비교예에 근거하여 본 발명을 보다 상세하게 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예로 한정되는 것은 아니다.
＜실시예 1∼6 및 비교예 1∼6＞
하기 표 1에 나타낸 배합으로 이루어진, 외층으로서 에틸렌-메타크릴산 메틸 공중합체 및 에틸렌-메타크릴산 공중합체, 중간층으로서 아이오노머(1), 아이오노머(2) 및 에틸렌계 3원 공중합체를 이용하고, 압출기를 사용하여, 두께 100㎛의 반도체 제조 공정용 테이프의 기재 필름을 얻었다. 또한, 실시예 1, 비교예 1 및 2에서는, 외층을 설치하지 않는 단층의 기재 필름을 얻었다.
각 반도체 제조 공정용 테이프의 기재 필름에 대해서, 내열성, 확장성, 찌르기 특성 및 다이싱 특성을 평가하였다. 그 결과를 표 1에 나타낸다.
또한, 각 특성은 다음과 같이 시험하고, 평가하였다.
[내열성]
폭 15㎜×표선 10㎜×5 g하중으로, 120℃의 오븐에 15분간 매단 후, 샘플 상태를 관찰하여 이하의 기준으로 평가하였다.
○： 샘플의 늘어남이 2배 이하.
△：샘플은 늘어났지만, 추는 낙하하지 않았다.
×：샘플은 늘어나 잘라지고, 추가 낙하하였다.
[확장성]
25% 연신시에 있어서의 세로와 가로의 하중을 측정하고, 이하의 기준으로 평가하였다.
○：세로와 가로의 하중비 (TD/MD)가 80% 이상.
×：세로와 가로의 하중비 (TD/MD)가 80% 미만.
[찌르기 특성]
내경 36㎜의 지관 상부에 필름을 씌워 고정하고, 위쪽에서 외경 31㎜의 피스톤을 40㎜/분의 속도로 15㎜ 하강시킨 시점의 압축 하중을 측정하고, 이하의 기준으로 평가하였다.
○：15 ㎏f 이상.
△：10 이상 15 ㎏f 미만.
×：10% ㎏f 미만.
[다이싱 특성]
다이싱블레이드를 사용하여, 회전수 45000rpm, 컷 스피드 100m/초로 샘플을 재단했을 때의 절삭 조각의 유무를 관찰하여, 이하의 기준으로 평가하였다.
○：절삭 조각 없음.
×：절삭 조각 있음.
Figure pat00001
EMMA: 에틸렌-메타크릴산메틸 공중합체 (융점 100℃, 산 함유량 10질량%)
EMAA: 에틸렌-메타크릴산 공중합체 (융점 99℃, 산 함유량 9질량%)
아이오노머-1: 에틸렌과 메타크릴산의 Zn가교의 아이오노머 (융점 98℃, 양이온에 의한 중화도 70㏖%)
아이오노머-2: 에틸렌과 메타크릴산과 아크릴산 에스테르의 Zn가교의 아이오노머(융점 80℃, 양이온에 의한 중화도 60㏖%)
에틸렌계 3원 공중합체: 에틸렌-메타크릴산-(아크릴산 2-메틸-프로필) 3원 공중합체(융점 96℃, 산 합유량 12질량%)
표 1의 결과로부터, 본 발명의 기재 필름은, 내열성, 확장성, 찌르기 특성 및 다이싱 특성의 모든 특성에 대해 모두를 만족시키는 양호한 결과를 나타냈다 (실시예 1∼6). 특히, 본 발명의 기재 필름은, 3층의 적층 구조로 함으로써 단층 구조에 비해 내열성이 향상하였다 (실시예 1과 실시예 2∼6).
이것에 대해, 비교예 1∼6의 기재 필름은, 내열성, 확장성, 찌르기 특성 및 다이싱 특성의 모든 특성에 대해 모두를 만족시키는 것은 아니었다.
상세하게는, 아이오노머(1)만으로 이루어진 필름(비교예 1)이나, 중간층이 아이오노머(1)만으로 이루어진 필름(비교예 4)은, 확장성이 불충분하였다. 또한, 아이오노머(1)과 아이오노머(2)와의 질량비가 50：50 ∼ 5：95의 범위를 넘는 필름도, 확장성이 불충분하였다 (비교예 3).
아이오노머(2)만으로 이루어진 필름(비교예 2)이나 중간층이 아이오노머(2)로 이루어진 필름(비교예 5)은, 내열성과 찔러 특성이 불충분하였다.
아이오노머(2) 대신에 에틸렌계 3원 공중합체를 이용한 필름은, 확장성과 찌르기 특성이 불충분했다 (비교예 6).

Claims (10)

  1. A) 에틸렌 및 (메타)아크릴산을 중합체의 구성 성분으로 하는 2원 공중합체를 금속 이온으로 가교한 아이오노머 수지, 및
    B) 에틸렌, (메타)아크릴산 및 (메타)아크릴산 알킬에스테르를 중합체의 구성 성분으로 하는 3원 공중합체를 금속 이온으로 가교한 아이오노머 수지를 포함하며, 그리고 상기 성분 A)와 성분 B)의 질량비가 50：50 내지 5：95인 반도체 제조 공정용 테이프의 기재 필름.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 성분 A) 및 성분 B)에 사용되는 금속 이온이 아연 이온인 반도체 제조 공정용 테이프의 기재 필름.
  3. 청구항 1 또는 2에 있어서,
    조사선량 10 내지 300 kGy로 전자선이 조사된 반도체 제조 공정용 테이프의 기재 필름.
  4. 중간층과 그 양측의 외층으로 이루어진 반도체 제조 공정용 테이프의 기재 필름으로, 상기 중간층은
    A) 에틸렌 및 (메타)아크릴산을 중합체의 구성 성분으로 하는 2원 공중합체를 금속 이온으로 가교한 아이오노머 수지, 및
    B) 에틸렌, (메타)아크릴산 및 (메타)아크릴산 알킬에스테르를 중합체의 구성 성분으로 하는 3원 공중합체를 금속 이온으로 가교한 아이오노머 수지를 포함하고, 상기 성분 A)와 성분 B)의 질량비가 50：50 내지 5：95인 반도체 제조 공정용 테이프의 기재 필름.
  5. 청구항 4에 있어서,
    상기 성분 A) 및 성분 B)에 사용되는 금속 이온이 아연 이온인 반도체 제조 공정용 테이프의 기재 필름.
  6. 청구항 4 또는 5에 있어서,
    상기 양측의 외층은 에틸렌계 공중합체를 포함한 수지층인 반도체 제조 공정용 테이프의 기재 필름.
  7. 청구항 6에 있어서,
    상기 에틸렌계 공중합체가 에틸렌-메타크릴산 공중합체인 반도체 제조 공정용 테이프의 기재 필름.
  8. 청구항 7에 있어서,
    상기 에틸렌-메타크릴산 공중합체의 산 함유량이 12질량% 이하인 반도체 제조 공정용 테이프의 기재 필름.
  9. 청구항 4 내지 8 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 외층： 상기 중간층： 상기 외층의 층 두께의 비율이 1：4：1 ∼ 1：16：1인, 반도체 제조 공정용 테이프의 기재 필름.
  10. 청구항 4 내지 9 중 어느 한 항에 있어서,
    조사선량 10 내지 300 kGy로 전자선이 조사된, 반도체 제조 공정용 테이프의 기재 필름.
KR1020150077840A 2014-06-03 2015-06-02 반도체 제조 공정용 테이프의 기재 필름 KR101835182B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2014-115076 2014-06-03
JP2014115076A JP6158753B2 (ja) 2014-06-03 2014-06-03 半導体製造工程用テープの基材フィルム

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20150139458A true KR20150139458A (ko) 2015-12-11
KR101835182B1 KR101835182B1 (ko) 2018-03-06

Family

ID=54887578

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020150077840A KR101835182B1 (ko) 2014-06-03 2015-06-02 반도체 제조 공정용 테이프의 기재 필름

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JP6158753B2 (ko)
KR (1) KR101835182B1 (ko)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7226501B1 (ja) 2021-09-30 2023-02-21 住友ベークライト株式会社 粘着テープおよび粘着テープ用基材
JP7205596B1 (ja) 2021-09-30 2023-01-17 住友ベークライト株式会社 粘着テープ

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3008623B2 (ja) * 1991-12-05 2000-02-14 古河電気工業株式会社 半導体ウエハ固定用粘着テープ
JPH05211234A (ja) * 1991-12-05 1993-08-20 Lintec Corp ウェハ貼着用粘着シートおよびウェハダイシング方法
JP3402227B2 (ja) * 1998-11-26 2003-05-06 ブリヂストンスポーツ株式会社 ゴルフボールカバー材及びゴルフボール
US6759121B2 (en) * 2000-07-13 2004-07-06 3M Innovative Properties Company Clear adhesive sheet
JP2005033059A (ja) * 2003-07-08 2005-02-03 Lintec Corp ダイシング用粘着シート
JP5666875B2 (ja) * 2010-10-21 2015-02-12 アキレス株式会社 半導体製造工程用テープの基材フィルム
JP6073810B2 (ja) * 2011-12-26 2017-02-01 三井・デュポンポリケミカル株式会社 レーザーダイシング用フィルム基材、レーザーダイシング用フィルム、及び電子部品の製造方法
CN104066806A (zh) * 2012-01-12 2014-09-24 电气化学工业株式会社 粘合片及电子器件的制造方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR101835182B1 (ko) 2018-03-06
JP6158753B2 (ja) 2017-07-05
JP2015230916A (ja) 2015-12-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101686287B1 (ko) 반도체 제조 공정용 테이프의 기재필름
TWI500731B (zh) 隱形切割用薄膜基材、隱形切割用薄膜、及電子零件之製造方法
TWI673304B (zh) 聚烯烴系樹脂發泡片及黏著帶
JP5290853B2 (ja) ダイシング用粘着シート
JP2012214623A (ja) 粘着シート
KR101835182B1 (ko) 반도체 제조 공정용 테이프의 기재 필름
JP2007027474A (ja) ウエハフルカット用ダイシングテープの基材フィルム及びそれを有するウエハフルカット用ダイシングテープ
KR20210029792A (ko) 다이싱 필름 기재용 수지 조성물, 다이싱 필름 기재 및 다이싱 필름
WO2021149328A1 (ja) ダイシングテープ用基材フィルム
JP2003225814A (ja) 基板孔あけ用潤滑剤および基板孔あけ用潤滑シート
CN105729936A (zh) 装饰品和热转印用层叠体
JP2014216345A (ja) 太陽電池用樹脂封止シート
JPWO2020230468A1 (ja) ダイシングテープ用基材フィルム
EP3006532A1 (en) Pressure sensitive adhesive tape
JP5554477B2 (ja) 吸湿または吸水材料
JP5321834B2 (ja) 粘着テープ用基材フィルム
JP7326025B2 (ja) ダイシング用基体フィルム
JP2005086070A (ja) ダイシングシート用基体フイルム
JP2019014768A (ja) 積層フィルム用樹脂組成物及び積層フィルム
KR101682726B1 (ko) 반도체 제조 공정용 테이프의 기재필름
JP2006175696A (ja) 複合フィルム及び粘着テープ
JP2021174841A (ja) ダイシング用基体フィルム
JP2006335994A (ja) 防曇剤及び農業用フィルム
JP2006016465A (ja) 離型性樹脂組成物
KR20190060372A (ko) 박막 폼 테이프 및 이의 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right