KR20150104953A - Touch window - Google Patents

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Abstract

A touch window according to an embodiment of the present invention includes: a substrate; a sensing electrode which is disposed on the substrate and senses a location; an antireflective layer which is disposed on the sensing electrode. The reflectivity of the antireflective layer is 0-20 %.

Description

터치 윈도우{TOUCH WINDOW}Touch window {TOUCH WINDOW}

본 기재는 터치 윈도우에 관한 것이다.The present disclosure relates to a touch window.

최근 다양한 전자 제품에서 디스플레이 장치에 표시된 화상에 손가락 또는 스타일러스(stylus) 등의 입력 장치를 접촉하는 방식으로 입력을 하는 터치 패널이 적용되고 있다.2. Description of the Related Art In recent years, a touch panel has been applied to an image displayed on a display device in various electronic products by a method of touching an input device such as a finger or a stylus.

터치 패널은 대표적으로 저항막 방식의 터치 패널과 정전 용량 방식의 터치 패널로 구분될 수 있다. 저항막 방식의 터치 패널은 입력 장치에 압력을 가했을 때 전극 간 연결에 따라 저항이 변화하는 것을 감지하여 위치가 검출된다. 정전 용량 방식의 터치 패널은 손가락이 접촉했을 때 전극 사이의 정전 용량이 변화하는 것을 감지하여 위치가 검출된다. 제조 방식의 편의성 및 센싱력 등을 감안하여 소형 모델에 있어서는 최근 정전 용량 방식이 주목 받고 있다.The touch panel is typically divided into a resistive touch panel and a capacitive touch panel. The resistance film type touch panel senses that the resistance changes according to the connection between the electrodes when the pressure is applied to the input device, and the position is detected. A capacitance type touch panel senses a change in electrostatic capacitance between electrodes when a finger touches them, thereby detecting the position. Considering the convenience of the manufacturing method and the sensing power, recently, in a small model, the electrostatic capacity method has attracted attention.

이러한 터치 패널의 투명 전극으로 가장 널리 쓰이는 인듐 주석 산화물(indium tin oxide, ITO)은 가격이 비싸고, 기판의 굽힘과 휨에 의해 물리적으로 쉽게 타격을 받아 전극으로의 특성이 악화되고, 이에 의해 플렉시블(flexible) 소자에 적합하지 않다는 문제점이 있다. 또한, 대형 크기의 터치 패널에 적용할 경우 높은 저항으로 인한 문제가 발생한다. Indium tin oxide (ITO), which is most widely used as a transparent electrode of a touch panel, is expensive and is physically easily hit by bending and warping of the substrate, thereby deteriorating the characteristics of the electrode. As a result, flexible) devices. In addition, when applied to a large size touch panel, a problem arises due to high resistance.

이러한 문제점을 해결하기 위해 대체 전극에 대한 활발한 연구가 진행되고 있다. 특히, 금속 물질을 전극 형상으로 형성하여 ITO를 대체하고자 하나, 금속의 경우, 빛 반사로 인해 시인성이 증가하여 투명 전극의 패턴이 보이게 되는 문제가 발생할 수 있다.In order to solve such problems, active researches on alternative electrodes are under way. In particular, a metal material is formed in an electrode shape to replace ITO. However, in the case of a metal, a visibility may increase due to light reflection, thereby causing a problem of a transparent electrode pattern being visible.

실시예는 시인성이 개선된 터치 윈도우를 제공하고자 한다.Embodiments provide a touch window with improved visibility.

본 발명의 실시예에 따른 터치 윈도우는, 기판; 기판 상에 배치되고, 위치를 감지하는 감지전극; 및 상기 감지전극 상에 배치되는 반사방지층;을 포함하고, 상기 반사방지층의 반사율은 0%보다 크고 20% 이하인 터치윈도우.      A touch window according to an embodiment of the present invention includes a substrate; A sensing electrode disposed on the substrate and sensing a position; And an antireflective layer disposed on the sensing electrode, wherein the reflectance of the antireflective layer is greater than 0% and less than or equal to 20%.

본 발명의 실시예에 따른 터치 윈도우의 상기 반사방지층은 상기 감지전극 배면에 배치되는 하면방사방지층 및 상기 감지전극 상면에 배치되는 상면방사방지층을 포함하는 터치 윈도우.The anti-reflection layer of the touch window according to an embodiment of the present invention includes a bottom anti-spinning layer disposed on the back surface of the sensing electrode and an upper anti-spinning layer disposed on the top surface of the sensing electrode.

본 발명의 실시예에 따른 터치 윈도우의 상기 기판 상에 배치되고 메쉬 형상을 가지는 전극부를 더 포함하는 터치 윈도우.The touch window further comprises a mesh-shaped electrode portion disposed on the substrate of the touch window according to an embodiment of the present invention.

본 발명의 실시예에 따른 터치 윈도우의 상기 전극부는 제1 및 제2 서브패턴과 상기 감지전극을 포함하고, 상기 감지전극은 상기 제1 서브패턴 상에 배치되는 터치 윈도우.The touch window of the touch window according to an embodiment of the present invention includes first and second sub patterns and the sensing electrode, and the sensing electrode is disposed on the first sub pattern.

본 발명의 실시예에 따른 터치 윈도우의 상기 기판은 음각부와 상기 음각부 사이에 배치되는 양각부를 포함하고, 상기 감지전극은 상기 음각부에 배치되는 터치 윈도우.The substrate of the touch window according to an embodiment of the present invention includes an embossed portion disposed between the engraved portion and the engraved portion, and the sensing electrode is disposed in the engraved portion.

본 발명의 실시예에 따른 터치 윈도우의 상기 반사방지층은 구리(Cu), 금(Au), 은(Ag), 알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 크롬(Cr) 및 납(Pd) 또는 이들의 합금을 산화하여 형성된 터치 윈도우. The antireflection layer of the touch window according to an exemplary embodiment of the present invention may be formed of at least one selected from the group consisting of Cu, Au, Ag, Al, Ti, Ni, (Pd) or an alloy thereof.

본 발명의 실시예에 따른 터치 윈도우의 상기 감지전극은 상기 기판의 양면에 배치되는 터치 윈도우.The touch window of the touch window according to the embodiment of the present invention is disposed on both sides of the substrate.

본 발명의 실시예에 따른 터치 윈도우의 상기 상면반사방지층 및 상기 하면반사방지층은 서로 다른 물질을 포함하는 터치 윈도우.Wherein the top anti-reflective layer and the bottom anti-reflective layer of the touch window according to the exemplary embodiment of the present invention include different materials.

본 발명의 실시예에 따른 터치 윈도우의 제조방법은, 기판상에 감지전극을 형성하는 단계; 및 상기 감지전극상에 반사방지층을 형성하는 단계;를 포함하고, 상기 반사방지층의 반사율은 0%보다 크고 20% 이하의 값을 가지는 터치 윈도우 제조방법.A method of manufacturing a touch window according to an embodiment of the present invention includes: forming a sensing electrode on a substrate; And forming an antireflection layer on the sensing electrode, wherein the reflectance of the antireflection layer is greater than 0% and less than or equal to 20%.

본 발명의 실시예에 따른 터치 윈도우의 제조방법의 상기 반사방지층은 반응성 스퍼터링(Reactive Sputtering)에 의해 증착되는 터치 윈도우 제조방법.The method of manufacturing a touch window according to an embodiment of the present invention includes depositing the antireflection layer by reactive sputtering.

본 발명의 실시예에 따른 터치 윈도우의 제조방법의 상기 반사방지층은 불활성기체, 산소(O2), 질소(N2) 및 이산화탄소(CO2) 가스 중 적어도 하나 이상의 반응 가스로 증착되는 터치 윈도우 제조방법.The method of manufacturing a touch window according to an embodiment of the present invention includes depositing the anti-reflection layer with at least one reactive gas selected from the group consisting of an inert gas, oxygen (O 2), nitrogen (N 2), and carbon dioxide (CO 2) gas.

본 발명의 실시예에 따른 터치 윈도우의 제조방법의 상기 불활성기체는 아르곤(Ar) 가스이고, 상기 아르곤(Ar), 산소(O2) 및 질소(N2) 가스의 비율은 1:0.4~0.5:0.1인 터치 윈도우 제조방법.The inert gas in the method of manufacturing a touch window according to an embodiment of the present invention is an argon (Ar) gas and the ratio of the argon (Ar), oxygen (O2) and nitrogen (N2) gas is 1: 0.4-0.5: / RTI >

본 발명의 실시예에 따른 터치 윈도우의 제조방법의 상기 불활성기체는 아르곤(Ar) 가스이고, 상기 아르곤(Ar), 산소(O2) 및 질소(N2) 가스의 비율은 1:0.1:0.3~0.4인 터치 윈도우 제조방법.The inert gas in the method of manufacturing a touch window according to an embodiment of the present invention is an argon (Ar) gas and the ratio of the argon (Ar), oxygen (O2) and nitrogen (N2) / RTI >

실시예에 따른 터치 윈도우는 감지전극 상에 배치되는 반사방지층을 포함하고, 상기 반사방지층의 상면의 면적이 상기 감지전극 상면의 면적보다 넓다. 이러한 반사방지층을 통해, 금속 물질을 포함하는 상기 감지전극의 빛 반사로 인한 시인성 증가를 방지할 수 있다. 특히, 상기 반사방지층이 상기 감지전극의 상면뿐만 아니라, 측면의 반사율도 낮출 수 있어, 시인성에 유리하다. 또한, 넓은 시야각에서도 시인성을 향상시킬 수 있다. 따라서, 상기 감지전극의 광학적 특성을 향상할 수 있다. 또한 상기 반사방지층은 반응성 스퍼터링 방식으로 증착하여 금속 두께가 매우 얇은 경우에도 반사방지층을 형성할 수 있고, 반응 가스의 비율을 제어하여 상기 반사방지층의 반사율을 관리할 수 있다.The touch window according to an embodiment includes an anti-reflection layer disposed on the sensing electrode, and the area of the upper surface of the anti-reflection layer is larger than the area of the upper surface of the sensing electrode. Through the antireflection layer, it is possible to prevent an increase in visibility due to light reflection of the sensing electrode including a metallic material. In particular, the antireflection layer can lower the reflectance of not only the top surface but also the side surface of the sensing electrode, which is advantageous for visibility. Further, visibility can be improved even at a wide viewing angle. Therefore, the optical characteristics of the sensing electrode can be improved. Also, the anti-reflection layer may be deposited by a reactive sputtering method to form an anti-reflection layer even when the metal thickness is very thin, and the reflectance of the anti-reflection layer can be controlled by controlling the ratio of the reaction gas.

도 1은 제1 실시예에 따른 터치 윈도우의 평면도이다.
도 2는 도 1의 A-A'를 따라서 절단한 단면을 도시한 단면도이다.
도 3은 제2 실시예에 따른 터치 윈도우의 단면도이다.
도 4는 제3 실시예에 따른 터치 윈도우의 단면도이다.
도 5는 제4 실시예에 따른 터치 윈도우의 평면도이다.
도 6은 도 5의 B-B'를 따라서 절단한 단면을 도시한 단면도이다.
도 7 내지 도 15는 다른 실시예에 따른 터치 윈도우의 단면도들이다.
도 17 내지 도 20은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 터치 윈도우의 평면도와 단면도이다.
도 21 및 도 23은 실시예에 따른 터치 윈도우의 제조방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 24는 실시예에 따른 터치 윈도우가 표시패널 상에 배치된 디스플레이장치를 도시한 단면도이다.
도 25는 실시예에 따른 터치 윈도우가 차량의 네이게이션에 적용된 도면이다.
1 is a plan view of a touch window according to the first embodiment.
2 is a cross-sectional view taken along the line A-A 'in Fig.
3 is a sectional view of the touch window according to the second embodiment.
4 is a cross-sectional view of a touch window according to the third embodiment.
5 is a plan view of a touch window according to the fourth embodiment.
6 is a cross-sectional view showing a section cut along the line B-B 'in FIG.
7 to 15 are sectional views of a touch window according to another embodiment.
17 to 20 are a plan view and a cross-sectional view of a touch window according to another embodiment of the present invention.
FIGS. 21 and 23 are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a touch window according to an embodiment.
24 is a cross-sectional view illustrating a display device in which a touch window according to an embodiment is disposed on a display panel.
25 is a diagram illustrating a touch window according to an embodiment applied to navigation of a vehicle.

실시예들의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 “상/위(on)”에 또는 “하/아래(under)”에 형성된다는 기재는, 직접(directly) 또는 다른 층을 개재하여 형성되는 것을 모두 포함한다. 각 층의 상/위 또는 하/아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다. In the description of the embodiments, it is to be understood that each layer (film), area, pattern or structure may be referred to as being "on" or "under / under" Quot; includes all that is formed directly or through another layer. The criteria for top / bottom or bottom / bottom of each layer are described with reference to the drawings.

도면에서 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들의 두께나 크기는 설명의 명확성 및 편의를 위하여 변형될 수 있으므로, 실제 크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다. The thickness or the size of each layer (film), region, pattern or structure in the drawings may be modified for clarity and convenience of explanation, and thus does not entirely reflect the actual size.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세하게 설명하면 다음과 같다. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

먼저, 도 1 및 도 2를 참조하여, 실시예에 따른 터치 윈도우를 상세하게 설명한다. 도 1은 실시예에 따른 터치 윈도우의 평면도이다. 도 2는 도 1의 A-A'를 따라서 절단한 단면을 도시한 단면도이다.First, a touch window according to an embodiment will be described in detail with reference to FIGS. 1 and 2. FIG. 1 is a plan view of a touch window according to an embodiment. 2 is a cross-sectional view taken along the line A-A 'in Fig.

도 1을 참조하면, 실시예에 따른 터치 윈도우(10)는 입력 장치(예를 들어, 손가락 등)의 위치를 감지하는 유효 영역(AA)과 이 유효 영역(AA)의 주위에 배치되는 비유효 영역(UA)이 정의되는 기판(100)을 포함한다.1, the touch window 10 according to the embodiment includes a valid area AA for sensing the position of an input device (e.g., a finger or the like), and a non-valid area AA disposed around the valid area AA And a substrate 100 on which a region UA is defined.

여기서, 유효 영역(AA)에는 입력 장치를 감지할 수 있도록 감지전극(200)이 형성될 수 있다. 그리고, 비유효 영역(UA)에는 감지전극(200)을 전기적으로 연결하는 배선(300)이 형성될 수 있다. 또한, 비유효 영역(UA)에는 상기 배선(300)에 연결되는 외부 회로 등이 위치할 수 있다.Here, the sensing electrode 200 may be formed in the effective area AA to sense the input device. A wiring 300 electrically connecting the sensing electrode 200 may be formed in the non-effective area UA. An external circuit or the like connected to the wiring 300 may be located in the ineffective area UA.

이와 같은 터치 윈도우에 손가락 등의 입력 장치가 접촉되면, 입력 장치가 접촉된 부분에서 정전 용량의 차이가 발생하고, 이러한 차이가 발생한 부분을 접촉 위치로 검출할 수 있다.When an input device such as a finger is brought into contact with such a touch window, a capacitance difference occurs at a portion where the input device is contacted, and a portion where such a difference occurs can be detected as the contact position.

이러한 터치 윈도우를 좀더 상세하게 설명하면 다음과 같다.The touch window will be described in more detail as follows.

기판(100)은 이 위에 형성되는 감지전극(200), 배선(300) 및 회로 기판 등을 지지할 수 있는 다양한 물질로 형성될 수 있다. 이러한 기판(100)은 일례로 유리 기판 또는 플라스틱 기판으로 이루어질 수 있다.The substrate 100 may be formed of various materials capable of supporting the sensing electrode 200, the wiring 300, and the circuit board formed thereon. The substrate 100 may be a glass substrate or a plastic substrate, for example.

기판(100)의 비유효 영역(UA)에 외곽 더미층이 형성된다. 외곽 더미층은 배선(300)과 이 배선(300)을 외부 회로에 연결하는 인쇄 회로 기판 등이 외부에서 보이지 않도록 할 수 있게 소정의 색을 가지는 물질을 도포하여 형성될 수 있다. 외곽 더미층은 원하는 외관에 적합한 색을 가질 수 있는데, 일례로 흑색 안료 등을 포함하여 흑색을 나타낼 수 있다. 그리고 이 외곽 더미층에는 다양한 방법으로 원하는 로고 등을 형성할 수 있다. 이러한 외곽 더미층은 증착, 인쇄, 습식 코팅 등에 의하여 형성될 수 있다.An outer dummy layer is formed in the ineffective area UA of the substrate 100. [ The outer dummy layer may be formed by applying a material having a predetermined color so that the wiring 300 and a printed circuit board connecting the wiring 300 to an external circuit can not be seen from the outside. The outer dummy layer may have a color suitable for a desired appearance, for example, a black color including black pigment and the like. A desired logo can be formed on the outer dummy layer by various methods. Such an outer dummy layer can be formed by vapor deposition, printing, wet coating or the like.

기판(100) 상에는 감지전극(200)이 형성될 수 있다. 상기 감지전극(200)은 손가락 등의 입력 장치가 접촉되었는지 감지할 수 있다. 도 1에서는 상기 감지전극(200)이 기판 상에서 일 방향으로 연장되는 것으로 도시하였으나, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 따라서, 상기 감지전극(200)은 일 방향과 교차하는 타 방향으로 연장될 수 있다. 또한, 상기 감지전극(200)은 일 방향으로 연장되는 형상 및 타 방향으로 연장되는 형상을 가지는 두 종류의 감지전극을 포함할 수도 있다. The sensing electrode 200 may be formed on the substrate 100. The sensing electrode 200 may sense whether an input device such as a finger is in contact. In FIG. 1, the sensing electrode 200 extends in one direction on the substrate, but the embodiment is not limited thereto. Therefore, the sensing electrode 200 may extend in the other direction crossing the one direction. In addition, the sensing electrode 200 may include two types of sensing electrodes having a shape extending in one direction and a shape extending in another direction.

상기 감지전극(200)은 전기 전도성이 우수한 금속 물질을 포함할 수 있다. 일례로, 상기 감지전극(200)은 Cu, Au, Ag, Al, Ti, Ni 또는 이들의 합금 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. 이를 통해, 상기 감지전극(200)이 적용된 터치 윈도우의 전기적 특성을 향상시킬 수 있다.The sensing electrode 200 may include a metal material having excellent electrical conductivity. For example, the sensing electrode 200 may include at least one of Cu, Au, Ag, Al, Ti, Ni, or an alloy thereof. Accordingly, the electrical characteristics of the touch window to which the sensing electrode 200 is applied can be improved.

도 2를 참조하면, 상기 감지전극(200) 상에 반사방지층(400)이 배치된다. 상기 반사방지층(400)은 상기 감지전극(200)의 상면(200a)에 배치될 수 있다. Referring to FIG. 2, an anti-reflection layer 400 is disposed on the sensing electrode 200. The anti-reflection layer 400 may be disposed on the upper surface 200a of the sensing electrode 200. [

상기 반사방지층(400)은 구리(Cu), 금(Au), 은(Ag), 알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 크롬(Cr) 및 납(Pd) 또는 이들의 합금을 산화하여 형성된 물질일 수 있다.The antireflection layer 400 may include at least one selected from the group consisting of copper (Cu), gold (Au), silver (Ag), aluminum (Al), titanium (Ti), nickel (Ni), chromium (Cr) Or the like.

상기 반사방지층(400)의 상면(400a)의 면적은 상기 감지전극(200) 상면(200a)의 면적보다 넓다. 따라서, 상기 반사방지층(400)은 상기 감지전극(200)의 상면(200a)을 전체적으로 커버할 수 있다. The area of the upper surface 400a of the antireflection layer 400 is larger than the area of the upper surface 200a of the sensing electrode 200. Therefore, the anti-reflection layer 400 may cover the upper surface 200a of the sensing electrode 200 as a whole.

또한, 상기 반사방지층(400)의 선폭(L2)이 상기 감지전극(200)의 선폭(L1)보다 넓다. 즉, 상기 반사방지층(400)의 일 단면의 길이(L2)가 상기 감지전극(200)의 일 단면의 길이(L1)보다 길다. 구체적으로, 상기 감지전극(200)의 선폭(L1)과 상기 반사방지층(400)의 선폭(L2)의 비는 1:1.3 내지 1:2 일 수 있다. 상기 감지전극(200)의 선폭(L1)과 상기 반사방지층(400)의 선폭(L2)의 비가 1:1.3보다 작을 경우, 상기 반사방지층(400)이 상기 감지전극(200)의 상면(200a)을 충분히 커버하기 어려워 반사방지역할을 하기 어려울 수 있다. 또한, 제조 공정 상 상기 감지전극(200)의 선폭(L1)과 상기 반사방지층(400)의 선폭(L2)의 비가 1:2보다 크기 어려울 수 있다. In addition, the line width L2 of the anti-reflection layer 400 is wider than the line width L1 of the sensing electrode 200. That is, the length L2 of one end surface of the antireflection layer 400 is longer than the length L1 of the one end surface of the sensing electrode 200. Specifically, the ratio of the line width L1 of the sensing electrode 200 to the line width L2 of the antireflection layer 400 may be 1: 1.3 to 1: 2. When the ratio of the line width L1 of the sensing electrode 200 to the line width L2 of the antireflection layer 400 is less than 1: 1.3, the antireflection layer 400 is formed on the upper surface 200a of the sensing electrode 200, It is difficult to sufficiently prevent the reflection. In addition, the ratio of the line width L1 of the sensing electrode 200 to the line width L2 of the anti-reflection layer 400 may be less than 1: 2 in the manufacturing process.

한편, 상기 반사방지층(400)의 일부는 상기 감지전극(200)으로부터 이격되어 배치될 수 있다. 즉, 상기 반사방지층(400)의 일부는 상기 감지전극(200)으로부터 일정 거리(D)만큼 이격되어 배치될 수 있다.Meanwhile, a part of the antireflection layer 400 may be disposed apart from the sensing electrode 200. That is, a part of the antireflection layer 400 may be spaced a predetermined distance D from the sensing electrode 200.

구체적으로, 상기 반사방지층(400)은 제1 반사방지부(410) 및 제2 반사방지부(420)를 포함한다. 상기 제2 반사방지부(420)는 상기 제1 반사방지부(410)를 둘러쌀 수 있다. 상기 제2 반사방지부(420)는 상기 제1 반사방지부(410)의 외곽에 배치될 수 있다. 상기 제1 반사방지부(410)는 상기 감지전극(200)의 상면(200a)에 배치된다. 상기 제2 반사방지부(420)는 상기 제1 반사방지부(410)로부터 연장되어 상기 감지전극(200)의 측면(200e)에 배치된다. 이때, 상기 제2 반사방지부(420)는 상기 감지전극(200)의 측면(200e)과 이격되어 배치될 수 있다. 즉, 상기 제2 반사방지부(420)는 상기 감지전극(200)의 측면(200e)과 접촉하지 않고, 일정 거리(D)만큼 떨어져서 배치될 수 있다.Specifically, the anti-reflection layer 400 includes a first anti-reflection portion 410 and a second anti-reflection portion 420. The second anti-reflection unit 420 may surround the first anti-reflection unit 410. The second anti-reflection unit 420 may be disposed outside the first anti-reflection unit 410. The first antireflection portion 410 is disposed on the upper surface 200a of the sensing electrode 200. FIG. The second antireflection portion 420 extends from the first antireflection portion 410 and is disposed on the side surface 200e of the sensing electrode 200. [ The second anti-reflection unit 420 may be spaced apart from the side surface 200e of the sensing electrode 200. Referring to FIG. That is, the second antireflection portion 420 may be spaced apart from the side surface 200e of the sensing electrode 200 by a predetermined distance D without contacting the side surface 200e.

상기 제2 반사방지부(420)는 상기 제1 반사방지부(410)로부터 상기 기판(100)을 향해 구부러질 수 있다. 즉, 상기 제2 반사방지부(420)는 상기 제1 반사방지부(410)로부터 아래쪽으로 절곡되거나 벤딩될 수 있다. 따라서, 상기 반사방지층(400)의 끝단(400e)은 상기 감지전극(200)의 상면(200a)의 높이(200aH)보다 낮게 배치될 수 있다. 이를 통해, 상기 제2 반사방지부(420)는 상기 감지전극(200)의 측면(200e)을 둘러쌀 수 있다. 따라서, 상기 제2 반사방지부(420)는 상기 감지전극(200)의 측면(200e)의 반사율을 낮출 수 있고, 넓은 시야각에서도 시인성을 향상시킬 수 있다.  The second antireflection portion 420 may be bent from the first antireflection portion 410 toward the substrate 100. That is, the second antireflection portion 420 may be bent or bent downward from the first antireflection portion 410. The end 400e of the antireflection layer 400 may be disposed lower than the height 200aH of the upper surface 200a of the sensing electrode 200. [ Accordingly, the second anti-reflection unit 420 may surround the side surface 200e of the sensing electrode 200. [ Therefore, the second antireflection portion 420 can lower the reflectance of the side surface 200e of the sensing electrode 200 and improve the visibility even at a wide viewing angle.

상기 반사방지층(400)은 금속 산화물, 금속 질화물 및 금속산화질화물 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. 또한, 상기 감지전극(200)이 제1 금속을 포함할 때, 상기 반사방지층(400)은 상기 제1 금속을 포함하는 산화물을 포함할 수 있다. 또한, 상기 반사방지층(400)은 흑화층일 수 있다. The anti-reflection layer 400 may include at least one of a metal oxide, a metal nitride, and a metal oxynitride. In addition, when the sensing electrode 200 includes a first metal, the anti-reflection layer 400 may include an oxide including the first metal. The antireflection layer 400 may be a blackening layer.

이러한 반사방지층(400)을 통해, 금속 물질을 포함하는 상기 감지전극(200)의 빛 반사로 인한 시인성 증가를 방지할 수 있다. 특히, 앞서 살펴본 바와 같이, 상기 반사방지층(400)이 상기 감지전극(200)의 상면뿐만 아니라, 측면의 반사율도 낮출 수 있어, 시인성에 유리하다. 또한, 넓은 시야각에서도 시인성을 향상시킬 수 있다. 따라서, 상기 감지전극(200)의 광학적 특성을 향상할 수 있다. Through the antireflection layer 400, it is possible to prevent an increase in visibility due to light reflection of the sensing electrode 200 including a metal material. In particular, as described above, the antireflection layer 400 can lower the reflectance as well as the upper surface of the sensing electrode 200, which is advantageous for visibility. Further, visibility can be improved even at a wide viewing angle. Therefore, the optical characteristics of the sensing electrode 200 can be improved.

이어서, 상기 배선(300)은 상기 비유효 영역(UA)에 형성된다. 상기 배선(300)은 상기 감지전극(200)에 전기적 신호를 인가할 수 이다. 상기 배선(300)은 상기 비유효 영역(UA)에 형성되어 보이지 않게 할 수 있다.Subsequently, the wiring 300 is formed in the ineffective area UA. The wiring 300 may apply an electrical signal to the sensing electrode 200. The wiring 300 may be formed in the ineffective area UA so as not to be seen.

한편, 도면에 도시하지 않았으나, 상기 배선(300)과 연결되는 회로 기판이 더 위치할 수 있다. 회로 기판으로는 다양한 형태의 인쇄 회로 기판이 적용될 수 있는데, 일례로 플렉서블 인쇄 회로 기판(flexible printed circuit board, FPCB) 등이 적용될 수 있다.Meanwhile, although not shown in the drawing, a circuit board connected to the wiring 300 may further be positioned. As the circuit board, various types of printed circuit boards can be applied. For example, a flexible printed circuit board (FPCB) or the like can be applied.

이하, 도 3을 참조하여, 제2 실시예에 따른 터치 윈도우를 설명한다. 명확하고 간략한 설명을 위해 앞서 설명한 부분과 동일 또는 유사한 부분에 대해서는 상세한 설명을 생략한다. Hereinafter, a touch window according to the second embodiment will be described with reference to FIG. For the sake of clarity and conciseness, the same or similar parts as those described above will not be described in detail.

도 3은 제2 실시예에 따른 터치 윈도우의 단면도이다. 제2 실시예에 따른 터치 윈도우는 반사방지층(400)을 포함하고, 상기 반사방지층(400)은 상면반사방지층(401) 및 하면반사방지층(402)을 포함한다. 3 is a sectional view of the touch window according to the second embodiment. The touch window according to the second embodiment includes an antireflection layer 400 and the antireflection layer 400 includes an upper antireflection layer 401 and a lower antireflection layer 402.

상기 상면반사방지층(401)은, 감지전극(200)의 상면(200a)에 배치된다. 상기 상면반사방지층(401)은 앞서 설명한 제1 실시예에 따른 터치 윈도우에 포함되는 반사방지층(400)과 동일 또는 유사하다.The upper surface antireflection layer 401 is disposed on the upper surface 200a of the sensing electrode 200. The upper surface antireflection layer 401 is the same as or similar to the antireflection layer 400 included in the touch window according to the first embodiment described above.

상기 하면반사방지층(402)은 상기 감지전극(200)의 하면(200b)에 배치된다. 상기 하면반사방지층(402)의 상면의 면적은 상기 감지전극(200) 하면의 면적보다 넓다. 따라서, 상기 하면반사방지층(402)은 상기 감지전극(200)의 하면을 전체적으로 커버할 수 있다. The anti-reflection layer 402 is disposed on the lower surface 200b of the sensing electrode 200. [ The upper surface of the antireflection layer 402 is wider than the lower surface of the sensing electrode 200. Therefore, the anti-reflection layer 402 may cover the lower surface of the sensing electrode 200 as a whole.

또한, 상기 하면반사방지층(402)의 선폭(L3)이 상기 감지전극(200)의 선폭(L1)보다 넓다. 즉, 상기 하면반사방지층(402)의 일 단면의 길이(L3)가 상기 감지전극(200)의 일 단면의 길이(L1)보다 길다. 구체적으로, 상기 감지전극(200)의 선폭(L1)과 상기 하면반사방지층(402)의 선폭(L3)의 비는 1:1.1 내지 1:1.3 일 수 있다. 상기 감지전극(200)의 선폭(L1)과 상기 하면반사방지층(402)의 선폭(L3)의 비가 1:1.1보다 작을 경우, 상기 하면반사방지층(402)이 상기 감지전극(200)의 하면을 충분히 커버하기 어려워 반사방지역할을 하기 어려울 수 있다. 또한, 제조 공정 상 상기 감지전극(200)의 선폭(L1)과 상기 하면반사방지층(402)의 선폭(L3)의 비가 1:1.3보다 크기 어려울 수 있다.In addition, the line width L3 of the anti-reflection layer 402 is wider than the line width L1 of the sensing electrode 200. That is, the length L3 of one end face of the anti-reflection layer 402 is longer than the length L1 of one end face of the sensing electrode 200. [ Specifically, the ratio of the line width L1 of the sensing electrode 200 to the line width L3 of the lower surface antireflection layer 402 may be 1: 1.1 to 1: 1.3. If the ratio of the line width L1 of the sensing electrode 200 to the line width L3 of the lower surface antireflection layer 402 is less than 1: 1.1, the lower surface antireflection layer 402 may contact the lower surface of the sensing electrode 200 It is difficult to sufficiently prevent the reflection, and thus it may be difficult to prevent the reflection. Also, the ratio of the line width L1 of the sensing electrode 200 to the line width L3 of the lower surface antireflection layer 402 may be less than 1: 1.3 in the manufacturing process.

상기 하면반사방지층(402)을 통해, 상기 터치 윈도우의 상부뿐만 아니라, 하부에서도 시인성 증가를 방지할 수 있다. 따라서, 터치 윈도우의 전체적인 시인성을 향상할 수 있다. Through the antireflection layer 402, an increase in visibility can be prevented not only in the upper portion but also in the lower portion of the touch window. Therefore, the overall visibility of the touch window can be improved.

이하, 도 4를 참조하여, 제3 실시예에 따른 터치 윈도우를 설명한다. 도 4는 제3 실시예에 따른 터치 윈도우의 단면도이다.Hereinafter, a touch window according to the third embodiment will be described with reference to FIG. 4 is a cross-sectional view of a touch window according to the third embodiment.

도 4를 참조하면, 제3 실시예에 따른 터치 윈도우는 반사방지층(400)을 포함하고, 상기 반사방지층(400)은 제1 반사방지부(410), 제2 반사방지부(420) 및 제3 반사방지부(430)를 포함한다. 4, the touch window according to the third embodiment includes an anti-reflection layer 400, and the anti-reflection layer 400 includes a first anti-reflection portion 410, a second anti-reflection portion 420, 3 antireflection portion 430 as shown in FIG.

상기 제1 반사방지부(410)는 감지전극(200)의 상면에 배치된다. The first anti-reflection portion 410 is disposed on the upper surface of the sensing electrode 200.

상기 제2 반사방지부(420)는 상기 제1 반사방지부(410)로부터 구부러져 상기 감지전극(200)의 측면(200e)에 배치된다. 상기 제2 반사방지부(420)의 길이(420ℓ)는 상기 감지전극(200)의 높이(200h)보다 길거나 적어도 동일할 수 있다. 따라서, 상기 제2 반사방지부(420)가 상기 감지전극(200)의 측면(200e)을 완전히 커버할 수 있다. The second antireflection portion 420 is bent from the first antireflection portion 410 and disposed on the side surface 200e of the sensing electrode 200. [ The length (420 L) of the second anti-reflection unit 420 may be longer than or at least equal to the height (200 H) of the sensing electrode 200. Therefore, the second antireflection portion 420 can completely cover the side surface 200e of the sensing electrode 200. [0053] FIG.

상기 제3 반사방지부(430)는 상기 제2 반사방지부(420)로부터 연장되어 구부러져 상기 감지전극(200)의 측면(200e)에 배치된다. 상기 제3 반사방지부(430)는 상기 기판(100)으로부터 이격되어 배치될 수 있다. The third antireflection portion 430 extends from the second antireflection portion 420 and is bent and disposed on the side surface 200e of the sensing electrode 200. [ The third anti-reflection unit 430 may be disposed apart from the substrate 100.

이어서, 도 5 및 도 6을 제4 실시예에 따른 터치 윈도우를 설명한다.5 and 6, the touch window according to the fourth embodiment will be described.

도 5는 제4 실시예에 따른 터치 윈도우의 평면도이다. 도 6은 도 5의 B-B'를 따라서 절단한 단면을 도시한 단면도이다.5 is a plan view of a touch window according to the fourth embodiment. 6 is a cross-sectional view showing a section cut along the line B-B 'in FIG.

도 5 및 도 6을 참조하면, 제4 실시예에 따른 터치 윈도우(20)는, 전극부(201)를 포함하고, 상기 전극부(201)는 메쉬 형상으로 배치될 수 있다. 5 and 6, the touch window 20 according to the fourth embodiment includes an electrode unit 201, and the electrode unit 201 may be disposed in a mesh shape.

구체적으로, 상기 전극부(201)는 메쉬 개구부(OA) 및 메쉬 선부(LA)를 포함할 수 있다. 이때, 상기 메쉬 선부(LA)의 선폭이 0. 1 ㎛ 내지 10 ㎛ 가 될 수 있다. 선폭이 0. 1 ㎛ 이하인 메쉬 선부(LA)는 제조 공정 상 불가능할 수 있다. 선폭이 10 ㎛ 이하일 경우, 전극부(201)의 패턴이 눈에 보이지 않게 할 수 있다. 바람직하게, 상기 메쉬 선부(LA)의 선폭은 1 ㎛ 내지 5 ㎛일 수 있다. Specifically, the electrode unit 201 may include a mesh opening OA and a mesh line LA. At this time, the line width of the mesh line portion LA may be 0.1 mu m to 10 mu m. The mesh line portion LA having a line width of 0.1 mu m or less may not be possible in the manufacturing process. When the line width is 10 占 퐉 or less, the pattern of the electrode unit 201 can be made invisible. Preferably, the line width of the mesh line portion LA may be between 1 탆 and 5 탆.

한편, 도 5에서 보는 바와 같이, 메쉬 개구부(OA)는 사각형 형상이 될 수 있다. 그러나 실시예가 이에 한정되는 것은 아니고, 메쉬 개구부(OA)는 다이아몬드형, 오각형, 육각형의 다각형 형상 또는 원형 형상 등 다양한 형상을 가질 수 있다.Meanwhile, as shown in FIG. 5, the mesh opening OA may have a rectangular shape. However, the embodiment is not limited thereto, and the mesh opening OA may have various shapes such as a diamond shape, a pentagon, a hexagonal polygonal shape, or a circular shape.

상기 전극부(201)가 메쉬 형상을 가짐으로써, 유효 영역(AA) 상에서 상기 전극부(201)의 패턴이 보이지 않게 할 수 있다. 즉, 상기 전극부(201)가 금속으로 형성되어도, 패턴이 보이지 않게 할 수 있다. 또한, 상기 전극부(201)가 대형 크기의 터치 윈도우에 적용되어도 터치 윈도우의 저항을 낮출 수 있다. Since the electrode unit 201 has a mesh shape, the pattern of the electrode unit 201 on the effective area AA can be made invisible. That is, even if the electrode unit 201 is formed of metal, the pattern can be made invisible. Also, even if the electrode unit 201 is applied to a touch window of a large size, the resistance of the touch window can be lowered.

도 6을 참조하면, 상기 전극부(201)는 제1 서브패턴(110), 제2 서브패턴(120), 전극층(210), 상면반사방지층(412) 및 하면반사방지층(411)을 포함할 수 있다. 6, the electrode unit 201 includes a first sub pattern 110, a second sub pattern 120, an electrode layer 210, a top anti-reflective layer 412, and a bottom anti-reflective layer 411 .

상기 제1 서브패턴(110)은 상기 기판(100) 상에 배치된다. 상기 제1 서브패턴(110)은 상기 메쉬 선부(LA)에 배치된다. 따라서, 상기 제1 서브패턴(110)은 메쉬 형상으로 배치된다. 상기 제1 서브패턴(110)은 양각일 수 있다.The first subpattern 110 is disposed on the substrate 100. The first sub pattern 110 is disposed on the mesh line portion LA. Accordingly, the first sub patterns 110 are arranged in a mesh shape. The first sub-pattern 110 may be embossed.

한편, 상기 제1 서브패턴(110)에 인접하여 제2 서브패턴(120)이 배치된다. 상기 제2 서브패턴(120)은 상기 기판(100) 상에 배치된다. 상기 제2 서브패턴(120)은 상기 메쉬 개구부(OA)에 배치된다. 따라서, 상기 제2 서브패턴(120)은 상기 제1 서브패턴(110) 사이사이에 배치될 수 있다. 상기 제2 서브패턴(120)은 양각일 수 있다.Meanwhile, the second sub pattern 120 is disposed adjacent to the first sub pattern 110. The second sub pattern 120 is disposed on the substrate 100. The second sub pattern 120 is disposed in the mesh opening OA. Accordingly, the second sub-patterns 120 may be disposed between the first sub-patterns 110. The second sub-pattern 120 may be embossed.

상기 제1 서브패턴(110) 및 상기 제2 서브패턴(120)은 수지(resin) 또는 폴리머를 포함할 수 있다. The first and second sub patterns 110 and 120 may include a resin or a polymer.

상기 전극층(210)은 상기 제1 서브패턴(110) 상에 배치된다. 따라서, 상기 전극층(210)은 상기 메쉬 선부(LA)에 배치되고, 상기 전극층(210)은 메쉬 형상으로 배치된다. 상기 전극층(210)은 전기 전도성이 우수한 다양한 금속을 포함할 수 있다. 일례로, 상기 전극층(210)은 구리(Cu), 금(Au), 은(Ag), 알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 니켈(Ni) 또는 이들의 합금을 포함할 수 있다.The electrode layer 210 is disposed on the first sub pattern 110. Therefore, the electrode layer 210 is disposed on the mesh line portion LA, and the electrode layer 210 is disposed on the mesh. The electrode layer 210 may include various metals having excellent electrical conductivity. For example, the electrode layer 210 may include copper (Cu), gold (Au), silver (Ag), aluminum (Al), titanium (Ti), nickel (Ni)

상기 전극층(210)의 측면은 상기 감지전극(200)의 내측으로 만곡될 수 있다. 이는 전극층(210)이 증착 및 에칭 공정으로 형성될 경우 기인하는 형상이다. The side surface of the electrode layer 210 may be curved toward the inside of the sensing electrode 200. This is a shape caused when the electrode layer 210 is formed by a deposition and etching process.

상기 상면반사방지층(412)은 상기 제1 서브패턴(110) 상에 배치된다. 상기 상면반사방지층(412)은 상기 전극층(210)의 상면에 배치된다. 따라서, 상기 상면반사방지층(412)은 상기 메쉬 선부(LA)에 배치되고, 상기 상면반사방지층(412)은 메쉬 형상으로 배치된다.The top anti-reflective layer 412 is disposed on the first sub-pattern 110. The upper surface antireflection layer 412 is disposed on the upper surface of the electrode layer 210. Therefore, the upper surface antireflection layer 412 is disposed on the mesh line portion LA, and the upper surface antireflection layer 412 is disposed in a mesh shape.

상기 하면반사방지층(411)은 상기 제1 서브패턴(110) 상에 배치된다. 상기 하면반사방지층(411)은 상기 전극층(210)의 하면에 배치된다. 따라서, 상기 하면반사방지층(411)은 상기 메쉬 선부(LA)에 배치되고, 상기 하면반사방지층(411)은 메쉬 형상으로 배치된다.The anti-reflection layer 411 is disposed on the first sub pattern 110. The anti-reflection layer 411 is disposed on the lower surface of the electrode layer 210. Therefore, the anti-reflection layer 411 is disposed on the mesh line LA and the anti-reflection layer 411 is disposed on the mesh.

상기 상면반사방지층(412) 및 하면반사방지층(411)은 금속 산화물, 금속 질화물 및 금속산화질화물 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. 이때, 상기 상면반사방지층(412) 및 하면반사방지층(411) 서로 다른 금속을 포함할 수 있다. 구체적으로, 상기 상면반사방지층(412) 및 하면반사방지층(411)이 서로 다른 에칭액에 반응할 수 있도록 다른 물질을 포함할 수 있다. 즉, 상기 상면반사방지층(412) 및 하면반사방지층(411)은 선택적 에칭이 될 수 있다.The upper surface antireflection layer 412 and the lower surface antireflection layer 411 may include at least one of a metal oxide, a metal nitride, and a metal oxynitride. At this time, the upper surface antireflection layer 412 and the lower surface antireflection layer 411 may include different metals. Specifically, the top anti-reflective layer 412 and the bottom anti-reflective layer 411 may include other materials so as to react with different etchants. That is, the top anti-reflective layer 412 and the bottom anti-reflective layer 411 may be selectively etched.

이하, 도 7 내지 도 15를 참조하여, 다른 실시예에 따른 터치 윈도우를 설명한다. 도 7 내지 도 15는 다른 실시예에 따른 터치 윈도우의 단면도들이다.Hereinafter, a touch window according to another embodiment will be described with reference to FIGS. 7 to 15. FIG. 7 to 15 are sectional views of a touch window according to another embodiment.

먼저, 도 7을 참조하면, 다른 실시예에 따른 반사방지층(400)은 제1 반사방지부(410) 및 제2 반사방지부(420)를 포함한다. 상기 제2 반사방지부(420)는 감지전극(200)의 측면(200e)에 배치된다. 이때, 상기 제2 반사방지부(420)는 상기 감지전극(200)의 측면(200e)과 직접 접촉하며 배치될 수 있다. 상기 제2 반사방지부(420)는 상기 감지전극(200)의 측면(200e)의 일부와 직접 접촉하며 배치될 수 있다.Referring to FIG. 7, an anti-reflection layer 400 according to another embodiment includes a first anti-reflection portion 410 and a second anti-reflection portion 420. The second antireflection portion 420 is disposed on the side surface 200e of the sensing electrode 200. [ At this time, the second anti-reflection unit 420 may be disposed in direct contact with the side surface 200e of the sensing electrode 200. The second anti-reflection unit 420 may be disposed in direct contact with a part of the side surface 200e of the sensing electrode 200. [

도 8을 참조하면, 다른 실시예에 따른 반사방지층(400)은 상면반사방지층(401) 및 하면반사방지층(402)을 포함한다. 이때, 상면반사방지층(401)은 제1 반사방지부(410) 및 제2 반사방지부(420)를 포함하고, 상기 제2 반사방지부(420)는 감지전극(200)의 측면(200e)에 배치된다. 이때, 상기 제2 반사방지부(420)는 상기 감지전극(200)의 측면(200e)과 직접 접촉하며 배치될 수 있다. 상기 제2 반사방지부(420)는 상기 감지전극(200)의 측면(200e)의 일부와 직접 접촉하며 배치될 수 있다.Referring to FIG. 8, the anti-reflection layer 400 according to another embodiment includes a top anti-reflective layer 401 and a bottom anti-reflective layer 402. The upper surface antireflection layer 401 includes a first antireflection portion 410 and a second antireflection portion 420. The second antireflection portion 420 includes a side surface 200e of the sensing electrode 200, . At this time, the second anti-reflection unit 420 may be disposed in direct contact with the side surface 200e of the sensing electrode 200. The second anti-reflection unit 420 may be disposed in direct contact with a part of the side surface 200e of the sensing electrode 200. [

도 9를 참조하면, 다른 실시예에 따른 반사방지층(400)은 제1 반사방지부(410), 제2 반사방지부(420) 및 제3 반사방지부(430)를 포함하고, 상기 제3 반사방지부(430)는 기판(100)의 상면에 배치된다. 이때, 상기 제3 반사방지부(430)는 상기 기판(100)의 상면과 직접 접촉하며 배치될 수 있다.9, the anti-reflection layer 400 according to another embodiment includes a first anti-reflection portion 410, a second anti-reflection portion 420, and a third anti-reflection portion 430, The anti-reflection portion 430 is disposed on the upper surface of the substrate 100. At this time, the third anti-reflection unit 430 may be disposed in direct contact with the upper surface of the substrate 100.

도 10을 참조하면, 다른 실시예에 따른 반사방지층(400)은 상면반사방지층(401) 및 하면반사방지층(402)을 포함한다. 이때, 상면반사방지층(401)은 제1 반사방지부(410), 제2 반사방지부(420) 및 제3 반사방지부(430)를 포함하고, 상기 제3 반사방지부(430)는 상기 하면반사방지층(402) 상에 배치된다. 이때, 상기 제3 반사방지부(430)는 상기 하면반사방지층(402)의 상면과 직접 접촉하며 배치될 수 있다.Referring to FIG. 10, the anti-reflection layer 400 according to another embodiment includes a top anti-reflective layer 401 and a bottom anti-reflective layer 402. The top anti-reflection layer 401 includes a first anti-reflection portion 410, a second anti-reflection portion 420, and a third anti-reflection portion 430, Antireflection layer 402 as shown in FIG. At this time, the third antireflection portion 430 may be disposed in direct contact with the upper surface of the lower surface antireflection layer 402.

도 11을 참조하면, 제3 반사방지부(430)는 하면반사방지층(402)의 상면 및 측면에 배치될 수 있다. 즉, 상기 제3 반사방지부(430)는 하면반사방지층(402)을 둘러싸며 배치될 수 있다. Referring to FIG. 11, the third antireflection portion 430 may be disposed on the top and side surfaces of the bottom anti-reflective layer 402. That is, the third anti-reflection unit 430 may be disposed to surround the bottom anti-reflective layer 402.

도 12를 참조하면, 제1 서브패턴(110) 상에 전극층(210) 및 반사방지층(400)이 배치되고, 반사방지층(400)은 제1 반사방지부(410) 및 제2 반사방지부(420)를 포함한다. 상기 제2 반사방지부(420)는 전극층(210)의 측면(210e)에 배치된다. 이때, 상기 제2 반사방지부(420)는 상기 전극층(210)의 측면(210e)과 직접 접촉하며 배치될 수 있다. 상기 제2 반사방지부(420)는 상기 감지전극(200)의 측면(210e)의 일부와 직접 접촉하며 배치될 수 있다.12, the electrode layer 210 and the antireflection layer 400 are disposed on the first subpattern 110, and the antireflection layer 400 includes a first antireflection portion 410 and a second antireflection portion 420). The second antireflection portion 420 is disposed on the side surface 210e of the electrode layer 210. [ At this time, the second antireflection portion 420 may be disposed in direct contact with the side surface 210e of the electrode layer 210. The second anti-reflection unit 420 may be disposed in direct contact with a part of the side surface 210e of the sensing electrode 200. [

도 13을 참조하면, 도 12와 같은 터치 윈도우 구조에서 전극층(210)의 하면에 배치되는 하면반사방지층(411)을 더 포함할 수 있다.Referring to FIG. 13, the bottom anti-reflection layer 411 may be disposed on the lower surface of the electrode layer 210 in the touch window structure shown in FIG.

도 14를 참조하면, 제2 반사방지부(420)는 전극층(210)의 측면(210e) 및 제1 서브패턴(110)의 측면(110e)을 따라 배치될 수 있다. 제2 반사방지부(420)는 전극층(210)의 측면(210e) 및 제1 서브패턴(110)의 측면(110e)과 직접 접촉할 수 있다. 14, the second antireflection portion 420 may be disposed along the side surface 210e of the electrode layer 210 and the side surface 110e of the first subpattern 110. Referring to FIG. The second antireflection portion 420 may directly contact the side surface 210e of the electrode layer 210 and the side surface 110e of the first subpattern 110. [

도 15를 참조하면, 도 14와 같은 터치 윈도우 구조에서 전극층(210)의 하면에 배치되는 하면반사방지층(411)을 더 포함하고, 전극층(210)의 측면(210e), 하면반사방지층(411)의 측면(411e) 및 제1 서브패턴(110)의 측면(110e)을 따라 배치될 수 있다. 상기 하면반사방지층(411)은 전극층(210)의 측면(210e), 하면반사방지층(411)의 측면(411e) 및 제1 서브패턴(110)의 측면(110e)과 직접 접촉할 수 있다. .15, a bottom surface antireflection layer 411 disposed on the lower surface of the electrode layer 210 in the touch window structure as shown in FIG. 14 is further included. The side surface 210e of the electrode layer 210, the bottom surface antireflection layer 411, The side surface 411e of the first sub-pattern 110 and the side surface 110e of the first sub-pattern 110 may be disposed. The antireflection layer 411 may directly contact the side surface 210e of the electrode layer 210, the side surface 411e of the lower surface antireflection layer 411, and the side surface 110e of the first subpattern 110. [ .

도 17 내지 도 20은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 터치 윈도우의 평면도와 단면도이다.17 to 20 are a plan view and a cross-sectional view of a touch window according to another embodiment of the present invention.

도 17 및 도 18을 참조하면, 터치 윈도우(10)는 아래에 배치되는 구성들을 보호하는 커버기판(500), 제1 기판(101) 상기 기판(101) 위에 형성된 제1 감지전극(105), 제1 배선(301) 및 제1 패드부(302)를 포함할 수 있다.17 and 18, the touch window 10 includes a cover substrate 500 for protecting structures disposed below, a first substrate 101, a first sensing electrode 105 formed on the substrate 101, And may include a first wiring 301 and a first pad portion 302.

또한 상기 제1 기판(101) 하부에 제2 기판(111)이 배치되고, 상기 제2 기판(111) 상부에 제2 기재(112)가 배치되고, 상기 제2 기재(112) 상에는, 제2 기판(111) 상의 음각부(113), 제2 감지전극(115), 제2 배선(311) 그리고 제2 패드부(312)가 배치될 수 있다. A second substrate 111 is disposed under the first substrate 101 and a second substrate 112 is disposed on the second substrate 111. On the second substrate 112, A recessed portion 113 on the substrate 111, a second sensing electrode 115, a second wiring 311, and a second pad portion 312 may be disposed.

상기 제2 감지전극(115)은 상기 제1 감지전극(105)과 교차하는 방향으로 형성될 수 있다.The second sensing electrode 115 may be formed to cross the first sensing electrode 105.

제1 기판(101)상에 제1 기재(102)가 배치될 수 있다. 상기 제1 기재(102)는 음각부(103)들 및 양각부(104)들을 포함할 수 있다. 상기 음각부(103)들은 임프린팅(imprinting) 공정으로 형성될 수 있다. 즉, 상기 음각부(103)들은 수지(resin) 상에 몰드를 위치시키고 이를 임프린팅 함으로써 형성될 수 있다.The first substrate 102 may be disposed on the first substrate 101. The first substrate 102 may include engraved portions 103 and embossed portions 104. The engraved portions 103 may be formed by an imprinting process. That is, the engraved portions 103 can be formed by placing a mold on a resin and imprinting the mold on the resin.

이어서, 상기 제1 기판(101)의 유효 영역(AA)에는 제1 감지전극(105)이 배치된다. 상기 제1 감지전극(105)은 입력 장치의 위치를 감지할 수 있다. Next, a first sensing electrode 105 is disposed in the effective area AA of the first substrate 101. The first sensing electrode 105 may sense the position of the input device.

상기 제1 감지전극(105)은 제2 방향으로 연장될 수 있다. 도 17에서는 상기 제1 감지전극(105)이 바(bar)형태인 것으로 도시하였으나, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 따라서, 상기 제1 감지전극(105)은 손가락 등의 입력 장치가 접촉되었는지를 감지할 수 있는 다양한 형상으로 형성될 수 있다.The first sensing electrode 105 may extend in a second direction. In FIG. 17, the first sensing electrode 105 is shown as a bar, but the embodiment is not limited thereto. Therefore, the first sensing electrode 105 may be formed in various shapes to detect whether or not an input device such as a finger is contacted.

상기 제1 감지전극(105)은 상기 음각부(103)들 내에 배치될 수 있다. 즉, 상기 제1 감지전극(105)은 상기 음각부(103)들 내에 감지전극물질을 충진하여 형성할 수 있다. 따라서, 기존의 증착 및 포토리소그래피 공정에 비해 공정 수, 공정 시간 및 공정 비용을 줄일 수 있다.The first sensing electrode 105 may be disposed in the recessed portions 103. That is, the first sensing electrode 105 may be formed by filling sensing electrode materials in the recessed portions 103. Therefore, the number of processes, the process time, and the process cost can be reduced as compared with the conventional deposition and photolithography processes.

한편, 상기 양각부(104)들은 상기 음각부(103)들의 사이사이에 배치될 수 있다. 한편, 상기 양각부(104)들은 상기 음각부(103)들 형성 시, 필연적으로 발생하는 부분이다. The embossed portions 104 may be disposed between the engraved portions 103. The embossed portions 104 are inevitably generated when the engraved portions 103 are formed.

상기 양각부(104)들은 라운드가 형성되는 라운드부(104e)를 포함할 수 있다. 상기 라운드부(104e)는 상기 음각부(110)와 인접하여 배치될 수 있다. 즉, 상기 라운드부(104e)는 상기 양각부(104)의 테두리에 배치될 수 있다. 따라서, 상기 라운드부(104e)는 상기 양각부(104)의 끝단에 배치될 수 있다. 또한, 상기 라운드부(104e)는 상기 양각부(104)의 상면에 전체적으로 배치될 수 있다. The embossed portions 104 may include a round portion 104e in which a round is formed. The round portion 104e may be disposed adjacent to the engraved portion 110. [ That is, the round portion 104e may be disposed at the edge of the embossed portion 104. [ Therefore, the round portion 104e may be disposed at the end of the embossed portion 104. [ In addition, the round portion 104e may be disposed entirely on the upper surface of the embossed portion 104.

상기 라운드부(104e)는 상기 양각부(104)에 표면 처리를 하여 형성할 수 있다. 일례로, 상기 라운드부(104e)는 상기 양각부(104)를 에칭액에 일정 시간 노출하여 형성할 수 있다. The round portion 104e can be formed by subjecting the embossed portion 104 to surface treatment. For example, the round portion 104e may be formed by exposing the embossed portion 104 to the etchant for a predetermined time.

상기 양각부(104)의 폭(P)은 1 ㎛ 내지 3000 ㎛일 수 있다. 이를 통해, 상기 음각부(103)들 내에 배치되는 감지전극의 터치 감도를 향상할 수 있고, 노이즈를 줄일 수 있다. 이때, 상기 양각부(104)의 폭(P)은 상기 라운드부(104e)를 포함하는 폭이다. The width P of the embossed portion 104 may be between 1 탆 and 3,000 탆. Accordingly, the touch sensitivity of the sensing electrode disposed in the engraved portions 103 can be improved, and the noise can be reduced. At this time, the width P of the embossed portion 104 is the width including the round portion 104e.

한편 상기 제1 및 제2 기판(101, 111) 상의 음각부(103, 113) 내에는 하면반사방지층(411)과 상면반사방지층(412)가 배치될 수 있다.An under surface antireflection layer 411 and a top surface antireflection layer 412 may be disposed in the recessed portions 103 and 113 on the first and second substrates 101 and 111.

상기 하면반사방지층(411)은 제1 및 제2 감지전극(105, 115)의 배면에 배치될 수 있고, 상기 상면반사방지층(412)는 상기 제1 및 제2 감지전극(105, 115)의 상면에 배치될 수 있다.The antireflection layer 411 may be disposed on the rear surface of the first and second sensing electrodes 105 and 115 and the top surface antireflection layer 412 may be disposed on the rear surface of the first and second sensing electrodes 105 and 115, Can be disposed on the upper surface.

이상 제1 및 제2 기판(101, 111) 상에 각각 형성된 제1 및 제2 감지전극(105, 115)을 설명하였으나 이에 한정되는 것은 아니고, 하나의 기판상에서 상면에는 제1 감지전극(105)을 형성하고 배면에는 제2 감지전극(115)을 형성할 수 있다.Although the first and second sensing electrodes 105 and 115 formed on the first and second substrates 101 and 111 are described above, the first sensing electrode 105 and the second sensing electrode 105 may be formed on one substrate, And a second sensing electrode 115 may be formed on the back surface.

도 19 및 도 20을 참조하면, 제1 및 제2 감지전극(105, 115)은 메쉬 형상으로 배치될 수 있다. 이때, 메쉬 형상은 무아레 현상을 방지할 수 있도록 랜덤하게 형성할 수 있다. 무아레 현상이란, 주기적인 줄무늬가 겹쳐져서 생기는 무늬로, 이웃한 줄무늬들이 겹쳐지면서 줄무늬의 굵기가 굵어져 다른 줄무늬에 비해 도드라져 보이는 현상이다. 따라서, 이러한 무아레 현상을 방지할 수 있도록, 상기 전도성 패턴 형상이 다양하게 배치될 수 있다. 19 and 20, the first and second sensing electrodes 105 and 115 may be arranged in a mesh shape. At this time, the mesh shape can be formed at random to prevent moire phenomenon. Moire phenomenon is a pattern caused by superimposing periodic stripes. It is a phenomenon in which neighboring stripes are overlapped and the thickness of the stripes becomes thicker than other stripes. Therefore, in order to prevent such a moire phenomenon, the conductive pattern shape may be variously arranged.

또한 상기 제1 및 제2 기판(101, 111) 상의 음각부(103, 113) 내에는 하면반사방지층(411)과 상면반사방지층(412) 중 적어도 하나 이상이 배치될 수 있다.At least one of the lower surface antireflection layer 411 and the upper surface antireflection layer 412 may be disposed in the recessed portions 103 and 113 on the first and second substrates 101 and 111.

상기 하면반사방지층(411)은 제1 및 제2 감지전극(105, 115)의 배면에 배치될 수 있고, 상기 상면반사방지층(412)는 상기 제1 및 제2 감지전극(105, 115)의 상면에 배치될 수 있다.The antireflection layer 411 may be disposed on the rear surface of the first and second sensing electrodes 105 and 115 and the top surface antireflection layer 412 may be disposed on the rear surface of the first and second sensing electrodes 105 and 115, Can be disposed on the upper surface.

이하, 도 21 및 도 22를 참조하여, 일 실시예에 따른 터치 윈도우의 제조방법을 설명한다. Hereinafter, a manufacturing method of a touch window according to an embodiment will be described with reference to FIGS. 21 and 22. FIG.

먼저, 도 21을 참조하면, 수지(resin)(100') 상에 패턴이 형성된 몰드(M)를 위치시키고, 임프린팅(imprinting)할 수 있다. First, referring to FIG. 21, a mold M having a pattern formed on a resin 100 'may be positioned and imprinted.

도 22을 참조하면, 상기 임프린팅 공정을 통해 제1 서브패턴(110) 및 제2 서브패턴(120)을 포함하는 기판(100)을 형성할 수 있고, 상기 제1 서브패턴(110) 및 상기 제2 서브패턴(120) 상에 하면반사방지층물질(411’)을 형성할 수 있다. 상기 하면반사방지층물질(411’)은 증착 공정으로 형성될 수 있으며, 상기 하면반사방지층물질(411’) 상에 전극물질(210’)을 형성할 수 있다. 상기 전극물질(210’)은 증착 공정으로 형성될 수 있다. Referring to FIG. 22, a substrate 100 including a first sub pattern 110 and a second sub pattern 120 may be formed through the imprinting process, and the first sub pattern 110 and the second sub pattern 110 may be formed. The bottom anti-reflective layer material 411 'may be formed on the second sub pattern 120. The anti-reflective layer material 411 'may be formed by a deposition process, and an electrode material 210' may be formed on the lower anti-reflective layer material 411 '. The electrode material 210 'may be formed by a deposition process.

또한 상기 전극물질(210’) 상에 상면반사방지층물질(412’)을 형성할 수 있다. 상기 상면반사방지층물질(412’)은 증착 공정으로 형성될 수 있다.Also, a top anti-reflective layer material 412 'may be formed on the electrode material 210'. The top anti-reflective layer material 412 'may be formed by a deposition process.

상시 하면반사방지층물질(411’) 및 상면반사방지층물질(412’)을 증착하는 방법으로는 반응성 스퍼터링(Reactive Sputtering)이 있다.As a method of depositing the antireflection layer material 411 'and the upper surface antireflection layer material 412' at all times, there is reactive sputtering.

상기 스퍼터링 증착방법은 타겟으로부터 떨어져 나온 금속 물질은 산화시키는 방법으로 화학구조가 다른 생성물로 변화시켜 증착을 유도하는 것이다.In the sputtering deposition method, a metal material separated from a target is oxidized to a product having a different chemical structure to induce deposition.

금속의 두께가 1um 이하와 같이 금속의 두께가 매우 얇은 경우에는 습식 에칭 방식이 아닌 반응성 스퍼터링을 이용하여 증착을 하는 것이 바람직하다.When the thickness of the metal is very thin such as the thickness of the metal is 1um or less, it is preferable to perform the deposition using the reactive sputtering instead of the wet etching method.

스퍼터링은 챔버내에 공급되는 가스와 캐소드(타켓)에서 발생되는 전자 사이의 충돌로부터 시작된다. 그 과정을 보면 진공 챔버 내에 불활성 기체를 넣고 캐소드에 전압을 가면서 상기 캐소드로부터 방출된 전자들이 불활성 기체의 원자와 충돌하여 상기 불활성 기체를 이온화 시킨다. 상기 불활성 기체가 이온화 되면서 전자를 방출하면 에너지가 방출되며 이때 플라즈마 내의 불활성 이온은 큰 전위차에 의해 캐소드쪽으로 가속되어 상기 캐소드의 표면과 충돌하면 중성의 캐소드 원자들이 튀어나와 기판(100)에 박막을 형성할 수 있다.Sputtering begins with a collision between the gas supplied into the chamber and the electrons generated in the cathode (target). In the process, electrons emitted from the cathode collide with atoms of the inert gas to ionize the inert gas while putting an inert gas into the vacuum chamber and applying a voltage to the cathode. When the inert gas is ionized, electrons are released to release energy. At this time, the inert ions in the plasma are accelerated toward the cathode due to a large potential difference, and when they collide with the surface of the cathode, neutral cathode atoms protrude to form a thin film on the substrate 100 can do.

반응성 스퍼터링에서는 사용되는 기체의 비율과 분압에 따라 하면반사방지층물질(411’) 및 상면반사방지층물질(412’)의 특성이 변할 수 있다.In the reactive sputtering, the characteristics of the under surface antireflection layer material 411 'and the top surface antireflection layer material 412' may vary depending on the ratio of the gas used and the partial pressure.

예를 들어 사용되는 기체 중에서 산소 분압이 너무 낮은 경우에는 기판(100)에 금속 물질이 충분히 산화되지 않아 원하는 하면반사방지층물질(411’) 및 상면반사방지층물질(412’)을 얻을 수 없고, 산소 분압이 너무 높은 경우에는 타켓의 표면에 산화되어 증착율이 떨어지는 문제가 있다. For example, when the oxygen partial pressure is too low in the used gas, the metal material is not sufficiently oxidized on the substrate 100, so that the desired antireflection layer material 411 'and the top surface antireflection layer material 412' can not be obtained. When the partial pressure is too high, there is a problem that the deposition rate is lowered due to oxidation on the surface of the target.

뿐만 아니라 사용되는 기체의 비율과 분압에 따라서 상기 하면반사방지층물질(411’) 및 상면반사방지층물질(412’)의 반사율이 달라질 수 있다.In addition, the reflectance of the antireflection layer material 411 'and the antireflection layer material 412' may vary depending on the ratio of the gas used and the partial pressure.

Figure pat00001
Figure pat00001

표 1은 반응성 스퍼터링에서 사용되는 기체의 비율에 따른 상기 하면반사방지층물질(411’) 및 상면반사방지층물질(412’)의 반사율의 변화를 나타낸 표이다. 상기 반사율은 가시광 전체의 파장인 380nm에서 780nm 범위 내의 평균 반사율이다.Table 1 is a table showing changes in the reflectance of the lower surface antireflection layer material 411 'and the upper surface antireflection layer material 412' according to the ratio of the gas used in the reactive sputtering. The reflectance is an average reflectance in a range of 380 nm to 780 nm which is the wavelength of the entire visible light.

표 1을 참조하면, 사용되는 금속은 나이트라이드(Ni)이고 압력이 5mTorr이고 사용되는 전력은 1000W로 하였으며, 반응성 가스는 아르곤(Ar), 산소(O2) 그리고 질소(N2)를 이용하였다.Referring to Table 1, the metal used is nitrogen (Ni), the pressure is 5 mTorr, the power used is 1000 W, and the reactive gases are argon (Ar), oxygen (O 2) and nitrogen (N 2).

아르곤의 비를 1로하고 산소 그리고 질소의 비율을 달리하고 증착 공정을 통해 형성한 상기 하면반사방지층물질(411’) 및 상면반사방지층물질(412’)의 반사율을 살펴보면, 아르곤과 산소 그리고 질소의 비율이 1:0.4:0.1일 때가 7%의 반사율을 가지고, 아르곤과 산소 그리고 질소의 비율이 1:0.5:0.1인 경우에 6%의 반사율을 가짐을 알 수 있다. 또한 아르곤과 산소 그리고 질소의 비율이 1:0.1:0.3~0.4인 경우 반사율은 8~9%임을 알 수 있다.The reflectance of the bottom anti-reflective layer material 411 'and the top anti-reflective layer material 412', which are formed through the deposition process with different ratios of oxygen and nitrogen, The reflectance is 7% when the ratio is 1: 0.4: 0.1, and the reflectance is 6% when the ratio of argon to oxygen and nitrogen is 1: 0.5: 0.1. In addition, when the ratio of argon to oxygen and nitrogen is 1: 0.1: 0.3 to 0.4, the reflectance is 8 to 9%.

즉 표 1에서 제시된 비율을 통해 반응성 스퍼터링을 진행하는 경우에는 20% 이하의 반사율을 가진 하면반사방지층물질(411’) 및 상면반사방지층물질(412’)을 얻을 수 있다. 이는 상기 하면반사방지층물질(411’) 및 상면반사방지층물질(412’)이 제시된 수치에 따라서 증착된 경우 반사 방지 효과가 우수함을 알 수 있다. That is, when reactive sputtering is performed through the ratios shown in Table 1, the bottom anti-reflective layer material 411 'and the top anti-reflective layer material 412' having a reflectance of 20% or less can be obtained. It can be seen that the antireflection effect is excellent when the antireflection layer material 411 'and the antireflection layer material 412' are deposited according to the values given above.

이와 같이 반사방지층(400)을 이루는 물질은 구리(Cu), 금(Au), 은(Ag), 알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 크롬(Cr) 및 납(Pd) 또는 이들의 합금을 산화하여 형성된 물질로써, 이들 금속 물질은 일반적으로 반사율이 높다고 볼 수 있다. The antireflection layer 400 may be formed of a material such as copper (Cu), gold (Au), silver (Ag), aluminum (Al), titanium (Ti), nickel (Ni), chromium (Cr) Or a material formed by oxidizing an alloy thereof. These metal materials are generally considered to have high reflectance.

구체적으로 ITO를 대체하는 금속의 일 예로 은(Ag), 알루미늄(Al) 그리고 금(Au)으로 반사방지층(400)을 형성하는 경우를 살펴보면, 그 금속이 은(Ag)/ 알루미늄(Al)인 경우 가시광 영역(380~810nm)에서 반사율이 90% 이상이 되고, 그 금속이 금(Au)인 경우 38% 이상을 가지므로 시인성의 문제가 있다. 그러나 전술한 실시예에 따른 증착 방식을 통해 상기 반사방지층(400)의 반사율을 0% 보다 크고 20% 이하로 관리할 수 있다. Specifically, when the antireflection layer 400 is formed of silver (Ag), aluminum (Al) and gold (Au) as an example of a metal substituting for ITO, , Reflectance is 90% or more in the visible light region (380 to 810 nm), and when the metal is gold (Au), the reflectance is 38% or more. However, the reflectivity of the antireflection layer 400 can be controlled to be greater than 0% and less than 20% through the deposition method according to the above-described embodiment.

이는 기존의 ITO가 가지는 문제점인 고 비용 및 플렉서블에 적용이 어려운 점을 고려하여 이에 적합한 금속을 반사방지층(400)으로 이용할 수 있는 효과를 가지고, 금속을 반사방지층(400)으로 이용함으로써 발생될 수 고 반사율에 대한 현상 또한 전술한 증착 방식을 통해서 개선할 수 있다는 점에서 본 발명의 실시예에 따른 터치 윈도우는 현저한 효과를 가진다.Considering that it is difficult to apply it to a high cost and flexible which is a problem of existing ITO, it is possible to use a suitable metal as the antireflection layer 400, and it can be generated by using a metal as the antireflection layer 400 The phenomenon of high reflectivity can also be improved through the deposition method described above, and thus the touch window according to the embodiment of the present invention has a remarkable effect.

본 발명의 실험에 있어서 아르곤(Ar), 산소(O2) 및 질소(N2)를 예로 들었으나 이산화탄소(CO2)를 포함하여 상기 하면반사방지층물질(411’) 및 상면반사방지층물질(412’)을 증착할 수도 있다.(Ar), oxygen (O2), and nitrogen (N2) are exemplified in the experiment of the present invention. However, in the experiment of the present invention, the reflection prevention layer material 411 'and the top surface reflection prevention layer material 412' including carbon dioxide Or may be deposited.

전술한 하면반사방지층물질(411’) 및 상면반사방지층물질(412’)을 형성하는 방법은 단지 하면반사방지층물질(411’) 및 상면반사방지층물질(412’)을 형성하는데 만 한정되는 것은 아니고, 다른 실시예에서도 동일한 방식으로 반사방지층을 형성할 수 있다.The method of forming the bottom anti-reflective layer material 411 'and the top anti-reflective layer material 412' described above is not limited to forming the bottom anti-reflective layer material 411 'and the top anti-reflective layer material 412' , The anti-reflection layer can be formed in the same manner in other embodiments.

도 23을 참조하면, 상기 하면반사방지층물질(411’) 및 전극물질(210’)을 에칭할 수 있다. 이때, 상기 하면반사방지층물질(411’) 및 전극물질(210’)을 한번의 공정으로 에칭할 수 있다. 즉, 상기 하면반사방지층물질(411’) 및 전극물질(210’)을 하나의 에칭액으로 에칭할 수 있다. 이때, 상기 에칭액은 상기 상면반사방지층물질(412’)은 에칭하지 않도록 할 수 있다. 즉, 상기 상면반사방지층물질(412’)은 상기 하면반사방지층물질(411’) 및 상기 전극물질(210’)과는 다른 에칭액에 반응하는 물질을 포함함으로써, 선택적 에칭이 진행될 수 있다. Referring to FIG. 23, the bottom anti-reflective layer material 411 'and the electrode material 210' may be etched. At this time, the bottom anti-reflective layer material 411 'and the electrode material 210' may be etched in one step. That is, the anti-reflection layer material 411 'and the electrode material 210' may be etched with one etching solution. At this time, the etchant may not etch the upper surface antireflection layer material 412 '. In other words, the upper surface antireflection layer material 412 'includes a material that reacts with an etchant different from the surface antireflection layer material 411' and the electrode material 210 ', thereby selectively etching.

상기 제1 서브패턴(110) 및 상기 제2 서브패턴(120)의 구조와 상기 전극물질(210')과의 접합면적 차이에 따라 에칭 면적의 차이가 발생한다. 즉, 상기 제1 서브패턴(110) 및 상기 전극물질(210')과의 접합면적이 상기 제2 서브패턴(120) 및 상기 전극물질(210')과의 접합면적보다 크기 때문에, 상기 제1 서브패턴(110) 상에 형성되는 전극물질(210')의 에칭이 적게 일어난다. 즉, 동일한 에칭 속도에 따라, 상기 제1 서브패턴(110) 상에 형성된 전극물질(210')은 남게되고, 상기 제2 서브패턴(120) 상에 형성된 전극물질(210')은 에칭되어 제거된다. 이에 따라, 상기 제2 서브패턴(120) 상에 형성된 상면반사방지층물질(412’) 및 하면반사방지층물질(411’) 또한 리프트 오프되어 제거될 수 있다. 따라서, 상기 제1 서브패턴(110) 상에만 하면반사방지층(411), 전극층(210) 및 상면반사방지층(412)이 형성될 수 있고, 이러한 전극층(210)이 메쉬 형상으로 배치될 수 있다. 또한, 앞서 살펴본 바와 같이, 상기 상면반사방지층물질(412’)은 에칭되지 않기 때문에, 상기 상면반사방지층(412)의 선폭이 상기 전극층(210) 또는 상기 하면반사방지층(411)의 선폭보다 넓게 형성될 수 있다.A difference in etching area arises due to the difference in the bonding area between the structure of the first sub pattern 110 and the second sub pattern 120 and the electrode material 210 '. That is, since the bonding area of the first sub pattern 110 and the electrode material 210 'is larger than the bonding area of the second sub pattern 120 and the electrode material 210' So that the etching of the electrode material 210 'formed on the sub pattern 110 occurs little. That is, according to the same etch rate, the electrode material 210 'formed on the first subpattern 110 remains and the electrode material 210' formed on the second subpattern 120 is etched away do. Accordingly, the top anti-reflective layer material 412 'and the bottom anti-reflective layer material 411' formed on the second sub pattern 120 can also be lifted off and removed. Therefore, the antireflection layer 411, the electrode layer 210, and the top surface antireflection layer 412 may be formed only on the first sub pattern 110, and the electrode layer 210 may be arranged in a mesh shape. As described above, since the upper surface antireflection layer 412 'is not etched, the line width of the upper surface antireflection layer 412 is wider than the line width of the electrode layer 210 or the lower surface antireflection layer 411 .

한편, 도 24를 참조하면 이러한 터치 윈도우(10)는 구동부인 표시패널(20) 상에 배치될 수 있다. 이러한 터치 윈도우(10) 및 표시패널(20)이 합착되어 디스플레이장치를 구성할 수 있다.  Referring to FIG. 24, the touch window 10 may be disposed on the display panel 20 as a driving unit. The touch window 10 and the display panel 20 are bonded together to form a display device.

상기 표시패널(20)은 영상을 출력하기 위한 표시영역이 형성되어 있다. 이러한 디스플레이장치에 적용되는 표시패널은 일반적으로 상부기판(21) 및 하부기판(22)을 포함할 수 있다. 하부기판(22)에는 데이터라인, 게이트라인 및 박막트랜지스터(TFT) 등이 형성될 수 있다. 상부기판(21)은 하부기판(22)과 접합되어 하부기판(22) 상에 배치되는 구성요소들을 보호할 수 있다.The display panel 20 has a display area for outputting an image. The display panel applied to such a display device may generally include an upper substrate 21 and a lower substrate 22. [ A data line, a gate line, a thin film transistor (TFT), or the like may be formed on the lower substrate 22. The upper substrate 21 may be bonded to the lower substrate 22 to protect components disposed on the lower substrate 22. [

표시패널(20)은, 본 발명에 따른 디스플레이장치가 어떠한 종류의 디스플레이장치인지에 따라 다양한 형태로 형성될 수 있다. 즉, 본 발명에 따른 디스플레이장치는 액정표시장치(LCD), 전계방출 표시장치(Field Emission Display), 플라즈마 표시장치(PDP), 유기발광표시장치(OLED) 및 전기영동 표시장치(EPD) 등이 될 수 있으며, 이에 따라 표시패널(20)은 다양한 형태로 구성될 수 있다.The display panel 20 may be formed in various forms depending on what type of display device the display device according to the present invention is. That is, the display device according to the present invention includes a liquid crystal display (LCD), a field emission display, a plasma display panel (PDP), an organic light emitting display (OLED), and an electrophoretic display So that the display panel 20 can be configured in various forms.

이러한 터치 윈도우(10) 및 표시 패널이 합착되어 디스플레이 장치를 구성할 수 있고 이러한 디스플레이 장치는 이동식 단말기일 수 있다. The touch window 10 and the display panel may be joined together to form a display device, and such a display device may be a mobile terminal.

특히, 실시예에 따른 터치 윈도우(10)는 곡면(curved) 터치 윈도우를 포함할 수 있다. 따라서, 이를 포함하는 디스플레이 장치는 곡면 디스플레이 장치일 수 있다. In particular, the touch window 10 according to the embodiment may include a curved touch window. Accordingly, the display device including the same may be a curved display device.

터치 윈도우(10)는 휘어지는 플렉서블(flexible) 터치 윈도우를 포함할 수 있다. 따라서, 이를 포함하는 디스플레이 장치는 플렉서블 디스플레이 장치일 수 있다. 따라서, 사용자가 손으로 휘거나 구부릴 수 있다. The touch window 10 may include a flexible touch window that is curved. Accordingly, the display device including the same may be a flexible display device. Therefore, the user can bend or bend by hand.

도 25는 실시예에 따른 터치 윈도우가 차량의 네이게이션에 적용된 도면이다.25 is a diagram illustrating a touch window according to an embodiment applied to navigation of a vehicle.

도 25를 참조하면, 이러한 터치 윈도우(10)는 이동식 단말기 등의 디스플레이 장치뿐만 아니라 차량 내에도 적용될 수 있다. 도면에는 자동차 네비게이션을 도시하였으나 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 따라서, PND(Personal Navigation Display)뿐만 아니라, 계기판(dashboard) 등에 적용되어 CID(Center Information Display)도 구현할 수 있다. 그러나, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니고, 이러한 디스플레이 장치는 다양한 전자 제품에 사용될 수 있음은 물론이다.Referring to FIG. 25, the touch window 10 can be applied not only to a display device such as a mobile terminal but also to a vehicle. In the drawings, automobile navigation is shown, but the embodiment is not limited thereto. Therefore, not only PND (Personal Navigation Display) but also dashboard can be applied to implement CID (Center Information Display). However, the embodiment is not limited thereto, and it goes without saying that such a display device can be used in various electronic products.

상술한 실시예에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의하여 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다. The features, structures, effects and the like described in the foregoing embodiments are included in at least one embodiment of the present invention and are not necessarily limited to one embodiment. Further, the features, structures, effects, and the like illustrated in the embodiments may be combined or modified in other embodiments by those skilled in the art to which the embodiments belong. Therefore, it should be understood that the present invention is not limited to these combinations and modifications.

또한, 이상에서 실시예들을 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예들에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부한 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다. While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is clearly understood that the same is by way of illustration and example only and is not to be construed as limiting the scope of the present invention. It can be seen that various modifications and applications are possible. For example, each component specifically shown in the embodiments may be modified and implemented. It is to be understood that the present invention may be embodied in many other specific forms without departing from the spirit or essential characteristics thereof.

10 터치 윈도우
20 표시패널
21 상부기판
22 하부기판
100 기판
101 제1 기판
102 제1 기재
103 음각부
104 양각부
104e 라운드부
105 제1 감지전극
110 제1 서브패턴
110e 서브패턴의 측면
111 제2 기판
112 제2 기재
113 음각부
115 제2 감지전극
120 제2 서브패턴
200 감지전극
200a 감지전극의 상면
200b 감지전극의 하면
200e 감지전극의 측면
200h 감지전극의 높이
201 전극부
210 전극층
210e 전극층의 측면
210' 전극물질
300 배선
301 제1 배선
302 제1 패드부
311 제2 배선
312 제2 패드부
400 반사방지층
400a 반사방지층의 상면
400e 반사방지층의 끝단
401 상면반사방지층
402 하면반사방지층
410 제1 반사방지부
411 하면반사방지층
411e 하면반사방지층의 측면
411' 하면반사방지층물질
412 상면반사방지층
412' 상면반사방지층물질
420 제2 반사방지부
430 제3 반사방지부
500 커버기판
10 touch window
20 Display panel
21 upper substrate
22 Lower substrate
100 substrate
101 first substrate
102 First Item
103 engraved part
104 embossed portion
104e round section
105 first sensing electrode
110 first sub pattern
110e side of the sub pattern
111 second substrate
112 second substrate
113 engraved part
115 second sensing electrode
120 second subpattern
200 sensing electrode
200a upper surface of the sensing electrode
The lower surface of the 200b sensing electrode
Side of 200e sensing electrode
200h height of sensing electrode
201 electrode portion
210 electrode layer
Side of the electrode layer 210e
210 'electrode material
300 wiring
301 first wiring
302 first pad portion
311 Second Wiring
312 second pad portion
400 antireflection layer
The upper surface of the antireflection layer 400a
The edge of the 400e antireflection layer
401 Top anti-reflective layer
402,
410 first anti-
411,
411e, the side surface of the antireflection layer
411 ', the anti-reflection layer material
412 Top anti-reflection layer
412 'Top anti-reflective layer material
420 second anti-
430 Third anti-
500 cover substrate

Claims (13)

기판;
기판 상에 배치되고, 위치를 감지하는 감지전극; 및
상기 감지전극 상에 배치되는 반사방지층;을 포함하고,
상기 반사방지층의 반사율은 0%보다 크고 20% 이하인 터치윈도우.
Board;
A sensing electrode disposed on the substrate and sensing a position; And
And an anti-reflection layer disposed on the sensing electrode,
Wherein the reflectance of the antireflection layer is greater than 0% and less than or equal to 20%.
제1 항에 있어서,
상기 반사방지층은 상기 감지전극 배면에 배치되는 하면방사방지층 및 상기 감지전극 상면에 배치되는 상면방사방지층을 포함하는 터치 윈도우.
The method according to claim 1,
Wherein the anti-reflection layer comprises a bottom anti-radiation layer disposed on a back surface of the sensing electrode, and an upper anti-radiation layer disposed on an upper surface of the sensing electrode.
제1항에 있어서,
상기 기판 상에 배치되고 메쉬 형상을 가지는 전극부를 더 포함하는 터치 윈도우.
The method according to claim 1,
Further comprising an electrode portion disposed on the substrate and having a mesh shape.
제3항에 있어서,
상기 전극부는 제1 및 제2 서브패턴과 상기 감지전극을 포함하고,
상기 감지전극은 상기 제1 서브패턴 상에 배치되는 터치 윈도우.
The method of claim 3,
Wherein the electrode unit includes first and second sub patterns and the sensing electrode,
Wherein the sensing electrode is disposed on the first subpattern.
제1항에 있어서,
상기 기판은 음각부와 상기 음각부 사이에 배치되는 양각부를 포함하고,
상기 감지전극은 상기 음각부에 배치되는 터치 윈도우.
The method according to claim 1,
Wherein the substrate includes an embossed portion disposed between the engraved portion and the engraved portion,
Wherein the sensing electrode is disposed in the engraved portion.
제1항에 있어서,
상기 반사방지층은 구리(Cu), 금(Au), 은(Ag), 알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 크롬(Cr) 및 납(Pd) 또는 이들의 합금을 산화하여 형성된 터치 윈도우.
The method according to claim 1,
The antireflection layer is formed by oxidizing copper (Cu), gold (Au), silver (Ag), aluminum (Al), titanium (Ti), nickel (Ni), chromium (Cr) and lead (Pd) Touch window formed.
제1항에 있어서,
상기 감지전극은 상기 기판의 양면에 배치되는 터치 윈도우.
The method according to claim 1,
Wherein the sensing electrodes are disposed on both sides of the substrate.
제2항에 있어서,
상기 상면반사방지층 및 상기 하면반사방지층은 서로 다른 물질을 포함하는 터치 윈도우.
3. The method of claim 2,
Wherein the top anti-reflective layer and the bottom anti-reflective layer comprise different materials.
기판상에 감지전극을 형성하는 단계; 및
상기 감지전극상에 반사방지층을 형성하는 단계;를 포함하고,
상기 반사방지층의 반사율은 0%보다 크고 20% 이하의 값을 가지는 터치 윈도우 제조방법.
Forming a sensing electrode on the substrate; And
And forming an anti-reflection layer on the sensing electrode,
Wherein the reflectance of the antireflection layer is greater than 0% and less than or equal to 20%.
제9항에 있어서,
상기 반사방지층은 반응성 스퍼터링(Reactive Sputtering)에 의해 증착되는 터치 윈도우 제조방법.
10. The method of claim 9,
Wherein the anti-reflection layer is deposited by reactive sputtering.
제10항에 있어서,
상기 반사방지층은 불활성기체, 산소(O2), 질소(N2) 및 이산화탄소(CO2) 가스 중 적어도 하나 이상의 반응 가스로 증착되는 터치 윈도우 제조방법.
11. The method of claim 10,
Wherein the antireflection layer is deposited with at least one of a reactive gas, oxygen (O 2), nitrogen (N 2), and carbon dioxide (CO 2) gas.
제11항에 있어서,
상기 불활성기체는 아르곤(Ar) 가스이고,
상기 아르곤(Ar), 산소(O2) 및 질소(N2) 가스의 비율은 1:0.4~0.5:0.1인 터치 윈도우 제조방법.
12. The method of claim 11,
The inert gas is an argon (Ar) gas,
Wherein a ratio of the argon (Ar), oxygen (O2), and nitrogen (N2) gases is 1: 0.4 to 0.5: 0.1.
제11항에 있어서,
상기 불활성기체는 아르곤(Ar) 가스이고,
상기 아르곤(Ar), 산소(O2) 및 질소(N2) 가스의 비율은 1:0.1:0.3~0.4인 터치 윈도우 제조방법.

12. The method of claim 11,
The inert gas is an argon (Ar) gas,
Wherein a ratio of the argon (Ar), oxygen (O2), and nitrogen (N2) gases is 1: 0.1: 0.3 to 0.4.

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