KR20150073070A - 레이저 가공용 보호막제 - Google Patents

레이저 가공용 보호막제 Download PDF

Info

Publication number
KR20150073070A
KR20150073070A KR1020140141782A KR20140141782A KR20150073070A KR 20150073070 A KR20150073070 A KR 20150073070A KR 1020140141782 A KR1020140141782 A KR 1020140141782A KR 20140141782 A KR20140141782 A KR 20140141782A KR 20150073070 A KR20150073070 A KR 20150073070A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
protective film
mass
wafer
vinylacetamide
poly
Prior art date
Application number
KR1020140141782A
Other languages
English (en)
Inventor
마사아키 신조
요시마사 타케우치
츠요시 타다노
마사후미 히로세
Original Assignee
닛카 세이코 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 닛카 세이코 가부시키가이샤 filed Critical 닛카 세이코 가부시키가이샤
Publication of KR20150073070A publication Critical patent/KR20150073070A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/009—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring using a non-absorbing, e.g. transparent, reflective or refractive, layer on the workpiece
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36—Removing material
    • B23K26/362—Laser etching
    • B23K26/364—Laser etching for making a groove or trench, e.g. for scribing a break initiation groove
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2101/00—Articles made by soldering, welding or cutting
    • B23K2101/36—Electric or electronic devices
    • B23K2101/40—Semiconductor devices
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
    • B23K2103/50—Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02 – B23K2103/26
    • B23K2103/56—Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02 – B23K2103/26 semiconducting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Dicing (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)

Abstract

레이저 가공시에 웨이퍼의 표면을 피복 보호하고, 가공 처리 후에는 물로 세정 제거할 수 있어 웨이퍼 표면에 데브리 등의 부착이 보이지 않는 가공 처리가 가능하게 한다.
레이저 가공시에 웨이퍼(1)의 표면(4,14)을 피복해서 보호하기 위한 수용성 접착제로서 폴리-N-비닐아세트아미드를 사용한다. 이것의 용액에 의해 레이저 가공용 보호막제로 한다. 가공 후에는 세정 린스액에 의해 씻어 버리도록 한다. 이 보호막제에 의해 데브리(15)의 웨이퍼 표면(4,14)에의 부착을 확실하게 방지할 수 있다. 또한, 이 레이저 가공용 보호막제에는 가공용 레이저 광을 흡수하는 흡수제를 더 첨가할 수 있다.

Description

레이저 가공용 보호막제{PROTECTIVE FILM MATERIAL FOR LASER PROCESSING}
본 발명은 웨이퍼에 레이저 광을 조사하여 스크라이빙, 다이싱, 그루빙 등의 가공을 할 때에, 웨이퍼의 표면을 피복해서 보호하기 위한 보호막제에 관한 것이다.
규소, 사파이어 등의 화합물로 구성되고 IC, LSI, LED 등의 디바이스가 스트리트에 의해 구획되어서 복수 형성된 웨이퍼는, 스트리트가 종횡으로 분리되어서 각각의 디바이스로 분할된다. 이러한 스트리트의 분할은 레이저 광의 조사에 의해 가공 홈 등을 형성함으로써 행하여지고 있다.
이 웨이퍼를 레이저 가공하는 공정 등에 있어서, 레이저 광의 조사에 의해 웨이퍼를 구성하고 있는 원자 등이 원자 증기화(승화)해서 비산하고, 이것이 다시 웨이퍼의 표면에 이물(데브리;debris)로서 확산 낙하해서 부착되는 일이 일어난다. 그러나, 이렇게 해서 부착된 이물(데브리)은 그 후의 세정 등의 공정에 있어서도 제거할 수 없어 문제가 되고 있었다.
상기와 같은 문제에 대한 대처법으로서, 종래 상기 원자 증기화(승화)한 성분이 비산해서 웨이퍼에 영향을 끼치지 않는 환경을 만들기 위해서, 가스의 분사나, 진공 흡인이나, 감압 하에서의 가공 방법 등이 알려져 있다. 그러나 이러한 방법에서는 장치의 설치, 장치의 가동, 운전 작업의 번잡함 등이 있어 개량이 요망되고 있었다.
그러한 점에서, 레이저 광을 조사하기 전에 웨이퍼의 표면을 수지로 피복하고, 그 후, 웨이퍼의 표면을 가공하는 방법이 채용되게 되었다. 이것에 의해, 데브리가 비산해도 상기 수지막에 의해 보호되어 디바이스에 부착되는 일이 없도록 할 수 있다.
상기 보호막용 수지로서는 일본 특허공개 2007-073670호 공보에 나타낸 바와 같이, 폴리비닐알콜(PVA)이 사용되고 있고, 스핀코터 등에 의해 웨이퍼의 표면에 도포하여 표면을 피복해서 보호한다. 그리고, 레이저 가공을 한 후에, 물로 세정해서 발생한 데브리와 함께 피막을 형성하고 있던 PVA를 씻어 버리고 있다.
이 폴리비닐알콜(PVA)은 상기와 같이 물로 세정 제거할 수 있어서 쓰기 좋은 것이다. 그러나, 레이저 가공 후에 PVA를 씻어 버려도 데브리의 일부가, 특히 가공 홈 근방의 웨이퍼 표면에 부착된 상태가 되어 완전히 제거할 수 없다. 또한, 후기하는 바와 같이 가열 상태에 있는 데브리의 부착에 따른 PVA의 열 변화에 기인한다고 생각되는 얼룩 형상의 잔사가 남는 경우가 있다. 이러한 점으로부터, 웨이퍼의 표면을 충분히 보호할 수 없는 것이 예상된다.
본 발명은 레이저 가공시에 웨이퍼의 표면을 한층 확실하게 피복해서 보호할 수 있고, 가공 처리 후에는 물로 세정함으로써 제거하여 데브리의 부착이 보이지 않는 깨끗한 웨이퍼 표면을 얻을 수 있는 레이저 가공용 보호막제를 얻고자 하는 것이다.
본 발명은 레이저 가공시에 웨이퍼의 표면을 피복해서 보호하기 위한 수용성 접착제로서 폴리-N-비닐아세트아미드를 사용함으로써 레이저 가공용 보호막제로 하는 것이다.
또한, 이 레이저 가공용 보호막제에는 주로 355㎚의 자외선, 532㎚의 가시광선, 790㎚의 적외선, 기타 소망의 파장의 레이저 광을 흡수하는 흡수제를 더 첨가해서 레이저 가공을 한층 효과적으로 할 수 있게 하는 것이다.
본 발명에 의하면, 웨이퍼의 표면을 보호막제에 의해 피복해서 보호한 상태에서 스크라이빙, 다이싱, 그루빙 등의 레이저 가공을 행할 수 있다. 이 레이저 가공에 의해 발생한 데브리는 보호막제와 함께 물 세정에 의해 용이하게 제거할 수 있다. 또한, 보호막제에 의한 것이라고 생각되는 얼룩 형상의 잔사를 발생시킬 일도 없어 깨끗한 표면을 갖는 웨이퍼를 얻을 수 있다.
그리고, 이러한 레이저 가공에 따른 웨이퍼 표면의 오염을 충분히 방지할 수 있으므로 스트리트의 폭도 좁게 할 수 있고, 디바이스의 효율적인 제조도 가능해 진다.
또한, 각종 가공에 따라서 발생하는 이물의 재부착이 생각되는 여러 가지 레이저 가공 처리 작업에 있어서 널리 사용할 수 있다. 그리고, Low-k막 등의 절연막의 레이저 그루빙에 의한 그루빙 공정에 대하여 사용할 수도 있다.
또한, 이 보호막제는 물로 용이하게 세정 제거할 수 있는 수용성의 보호막으로 해서, 표면이 흠집나는 것의 방지, 점착 테이프의 점착성을 억제하는 것 등의 제어, 약 200℃ 정도의 내열성이 요구되는 공정에의 응용, 기타 널리 사용할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예의 시험 결과를 나타내고, 도 1A는 확대 평면도, 도 1B는 확대 끝면도이다.
도 2는 본 발명의 비교예의 시험 결과를 나타내고, 도 2A는 확대 평면도, 도 2B는 확대 끝면도이다.
본 발명의 레이저 가공용 보호막제에는 폴리-N-비닐아세트아미드를 수용성 접착제로서 사용한다. 이 폴리-N-비닐아세트아미드로서는 N-비닐아세트아미드의 호모폴리머인 것이 바람직하다.
이 폴리-N-비닐아세트아미드의 중량 평균 분자량은 5,000~2,000,000 정도의 것, 바람직하게는 10,000~1,730,000 정도의 것, 더욱 바람직하게는 20,O00~1,O00,000 정도의 것을 사용하면 된다.
상기 폴리-N-비닐아세트아미드는 그 농도를 0.1~40질량% 정도로 해서 사용하면 되고, 바람직하게는 1~20질량% 정도, 보다 바람직하게는 1.5~8질량% 정도, 더욱 바람직하게는 1.5~5질량% 정도로 사용하면 된다.
또한, 이 폴리-N-비닐아세트아미드의 분해 개시 온도는 약 360℃이며, 내열성을 가지고 있다.
상기 폴리-N-비닐아세트아미드는 수용성이며, 그 용매로서는 순수를 사용할 수 있다. 또한, 순수와 함께 이소프로필알콜 등의 알콜류, 글리세린류, 글리콜 에테르 등의 1종 또는 수종을 혼합해서 사용할 수 있다.
이러한 레이저 가공용 보호막제는 웨이퍼의 표면에 스핀코터로 도포하거나, 스프레이로 도포하거나 함으로써 균일적인 도포면을 얻을 수 있게 된다. 특히 베이킹 조작을 하지 않고 사용할 수 있다.
상기 레이저 가공을 행할 때의 레이저 광으로서는 각종의 것을 사용할 수 있지만, 주로 355㎚의 자외선, 532㎚의 가시광선, 790㎚의 적외선 등을 사용하면 된다. 이 보호막제에는 소망의 파장의 가공용 레이저 광을 흡수하기 위한 흡수제를 포함시키도록 할 수 있고, 이것에 의해 상기와 같은 레이저 가공을 더욱 효율적으로 행할 수 있게 된다.
상기 흡수제로서는 예를 들면, 자외선 흡수용으로 트리아진계, 벤조페논계, 벤조트리아졸계, 안트라퀴논계, 디스티릴비페닐 유도체 등이 있다. 적외선 흡수용으로 예를 들면, 1,1,5,5-테트라키스[4-(디에틸아미노)페닐]-1,4-펜타디엔-3-일리움, p-톨루엔술포네이트 등을 들 수 있다. 기타, 일반적으로 레이저 광의 흡수제로서 알려져 있는 것, 레이저 광 흡수능이 있는 색소, 염료 등을 사용할 수 있다.
또한, 이 레이저 가공용 보호막제는 상기한 바와 같이 스핀코터, 스프레이 등에 의해 웨이퍼의 표면에 도포할 수 있다. 도포할 때에 웨이퍼의 표면으로부터 튕겨지는 것을 방지하고, 젖음성을 좋게 해서 도포성을 높이고, 또한 용액의 보존 안정성을 높이기 위해서 계면활성제 등을 첨가할 수 있다. 이 계면활성제로서는 수용성이면 비이온계, 양이온계, 음이온계, 양성계의 계면활성제를 사용할 수 있다.
상기 비이온계 계면활성제로서는 예를 들면 노닐페놀계, 고급 알콜계, 다가 알콜계, 폴리옥시알킬렌글리콜계, 폴리옥시에틸렌알킬에스테르계, 폴리옥시에틸렌알킬에테르계, 폴리옥시에틸렌알킬페놀에테르계, 폴리옥시에틸렌소르비탄알킬에스테르계를 들 수 있다.
또한, 양이온계 계면활성제로서는 예를 들면 제 4급 암모늄염, 아민염이 있고, 음이온계 계면활성제로서는 예를 들면, 알킬벤젠술폰산 및 그 염, 알킬황산 에스테르염, 메틸타우린산염, 에테르술폰산염 등이 있고, 양성계 계면활성제로서는 예를 들면, 이미다졸리니움베타인계, 아미도프로필베타인계, 아미노디프로피온산염계 등을 들 수 있다.
이들 계면활성제는 그 1종 또는 2종 이상을 적당히 선택해서 사용하면 된다. 이 계면활성제는 통상 보호막제의 전체량에 대하여 유효 성분으로서 0.05질량%에서 5질량%를 사용하면 된다.
또한, 필요하다면 보존성을 높이기 위해서 페닐글리콜 등의 방부제를 첨가할 수 있다. 또한, 경우에 따라서 가소제, 유기산 등을 사용할 수도 있다.
레이저 가공 처리를 행한 후에 물을 사용해서 세정하지만, 그때 브러시를 사용하거나, 초음파를 가하거나 해서 세정을 행할 수 있다. 이것에 의해 가공 처리에 의해 발생한 데브리와 함께 보호막을 효율적으로 제거할 수 있다.
실시예
실시예 1
폴리-N-비닐아세트아미드(쇼와덴코가부시키가이샤제의 PNVAGE-191-104, 중량 평균 분자량은 500,000) 12.5질량%와 순수 87.5질량%의 혼합 용액 20질량%와, 계면활성제로서 N-야자유 지방산 아실-L-글루타민산 트리에탄올아민 0.96질량%와, 방부제로서 에틸렌글리콜모노페닐에테르 0.1질량%와, 순수 78.94질량%를 잘 혼합하여 레이저 가공용 보호막제를 얻었다. 폴리-N-비닐아세트아미드의 함유량은 2.5질량%이다.
실시예 2
폴리-N-비닐아세트아미드(동상) 12.5질량%와 순수 87.5질량%의 혼합 용액 28질량%와, 355㎚의 레이저 광을 흡수하는 트리아진계 자외선 흡수제 0.8질량%와, 계면활성제로서 N-야자유 지방산 아실-L-글루타민산 트리에탄올아민 0.16질량%와, 방부제로서 에틸렌글리콜모노페닐에테르 1질량%와, 순수 70.04질량%를 잘 혼합하여 레이저 가공용 보호막제를 얻었다. 폴리-N-비닐아세트아미드의 함유량은 3.5질량%이다.
실시예 3
폴리-N-비닐아세트아미드(동상) 12.5질량%와 순수 87.5질량%의 혼합 용액 11질량%와, 계면활성제로서 N-야자유 지방산 아실-L-글루타민산 트리에탄올아민 0.16질량%와, 방부제로서 에틸렌글리콜모노페닐에테르 0.1질량%와, 순수 88.74질량%를 잘 혼합하여 레이저 가공용 보호막제를 얻었다. 폴리-N-비닐아세트아미드의 함유량은 1.375질량%이다.
실시예 4
폴리-N-비닐아세트아미드(쇼와덴코가부시키가이샤제의 PNVAGE-191-107, 중량 평균 분자량은 31,000) 10질량%와 순수 90질량%의 혼합 용액 80질량%와, 계면활성제로서 N-야자유 지방산 아실-L-글루타민산 트리에탄올아민 1.6질량%와, 방부제로서 에틸렌글리콜모노페닐에테르 1질량%와, 용제로서 프로필렌글리콜모노메틸에테르 14질량%와, 순수 3.4질량%를 잘 혼합하여 레이저 가공용 보호막제를 얻었다. 폴리-N-비닐아세트아미드의 함유량은 8질량%이다.
비교예 1
폴리비닐알콜 9.3질량%와, 계면활성제로서 N-야자유 지방산 아실-L-글루타민산 트리에탄올아민 0.96질량%와, 방부제로서 에틸렌글리콜모노페닐에테르 1질량%와, 가소제로서 글리세린 10.2질량%와, 용제로서 프로필렌글리콜모노메틸에테르 15질량%와, 순수 63.54질량%를 잘 혼합해서 보호막제를 얻었다.
시험
시험 방법
실시예 1 및 비교예 1의 레이저 가공용의 보호막제를 각각 실리콘 웨이퍼의 표면에 스핀코터에 의해 도포하고, 355㎚의 레이저 광에 의해 홈 가공 처리를 행하였다. 상기 가공 처리 후, 물의 린스액을 분사하고, 브러시를 병용해서 레이저 가공용 보호막을 세정 제거했다.
상기 처리를 행한 실시예 1 및 비교예 1의 상기 레이저 가공에 의해 형성된 홈 가공 부분을 100배로 확대해서 관찰하고, 양자를 비교했다.
결과
도 1은 본 발명의 실시예 1의 시험의 결과를 나타내고, 도 1A는 홈 가공 부분의 상태를 확대해서 나타내는 평면도, 도 1B는 마찬가지로 홈 가공 부분의 상태를 확대해서 나타내는 끝면도이다.
도 2는 본 발명의 비교예 1의 시험의 결과를 나타내고, 도 2A는 홈 가공 부분의 상태를 확대해서 나타내는 평면도, 도 2B는 마찬가지로 홈 가공 부분의 상태를 확대해서 나타내는 끝면도이다.
평가
실시예 1의 것에서는 도 1A 및 도 1B에 나타낸 바와 같이, 웨이퍼(1)에 레이저 가공에 의해 생긴 V자 형상의 홈(2)의 측방에는 낮은 둑 형상 부분(3)이 형성되지만, 그 외측의 웨이퍼의 표면(4)에는 데브리의 부착 및 얼룩 형상의 보호막제 잔사의 부착은 보이지 않았다.
한편, 비교예 1의 것에서는 도 2A 및 도 2B에 나타낸 바와 같이, 웨이퍼(11)에 레이저 가공에 의해 생긴 V자 형상의 홈(12)의 측방에는 낮은 둑 형상 부분(13)이 형성되지만, 그 외측 근방의 웨이퍼의 표면(14)에는 세정 제거할 수 없었던 데브리의 일부 및 갈색의 얼룩 형상의 잔사의 부착(15)이 보였다. PVA는 150℃를 초과하면 탈수를 일으키고, 또한 220℃ 부근에서 탈수 축합을 일으켜서 폴리엔을 생성하는 것이 알려져 있다. 이러한 것으로부터, 레이저 가공에 의해 생긴 고열의 데브리의 부착에 따른 가열에 의해 무색의 보호막이 갈색으로 변색되고, 수용성에서 비수용성의 것으로 열 변화하여 웨이퍼의 표면에 부착된 채의 상태로 되어 있는 것으로 생각된다.
이렇게, 실시예 1의 것에서는 웨이퍼의 표면을 확실에 보호할 수 있고, 레이저 가공 후에 그 보호막과 함께 데브리를 제거하여 표면이 깨끗한 웨이퍼를 얻을 수 있는 것을 알 수 있었다.

Claims (9)

  1. 수용성 접착제로서 폴리-N-비닐아세트아미드를 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 가공용 보호막제.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 폴리-N-비닐아세트아미드의 중량 평균 분자량은 5,000~2,000,000인 것을 특징으로 하는 레이저 가공용 보호막제.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 폴리-N-비닐아세트아미드의 농도가 0.1~40질량%인 것을 특징으로 하는 레이저 가공용 보호막제.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 폴리-N-비닐아세트아미드의 중량 평균 분자량은 5,000~2,000,000이며, 그 농도가 0.1~40질량%인 것을 특징으로 하는 레이저 가공용 보호막제.
  5. 수용성 접착제로서 폴리-N-비닐아세트아미드를 포함하고, 가공용 레이저 광을 흡수하는 흡수제를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 가공용 보호막제.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 폴리-N-비닐아세트아미드의 중량 평균 분자량은 5,000~2,000,000인 것을 특징으로 하는 레이저 가공용 보호막제.
  7. 제 5 항에 있어서,
    상기 가공용 레이저 광을 흡수하는 흡수제는 색소 또는 염료인 것을 특징으로 하는 레이저 가공용 보호막제.
  8. 수용성 접착제로서 폴리-N-비닐아세트아미드를 포함하고, 이 폴리-N-비닐아세트아미드의 중량 평균 분자량이 5,000~2,000,000이고, 그 농도가 0.1~40질량%이며, 가공용 레이저 광을 흡수하는 흡수제를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 가공용 보호막제.
  9. 제 8 항에 있어서,
    가공용 레이저 광을 흡수하는 흡수제는 색소 또는 염료인 것을 특징으로 하는 레이저 가공용 보호막제.
KR1020140141782A 2013-12-20 2014-10-20 레이저 가공용 보호막제 KR20150073070A (ko)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013264208 2013-12-20
JPJP-P-2013-264208 2013-12-20
JP2014125969A JP2015134373A (ja) 2013-12-20 2014-06-19 レーザー加工用保護膜剤
JPJP-P-2014-125969 2014-06-19

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20150073070A true KR20150073070A (ko) 2015-06-30

Family

ID=53400859

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020140141782A KR20150073070A (ko) 2013-12-20 2014-10-20 레이저 가공용 보호막제

Country Status (5)

Country Link
US (1) US9502295B2 (ko)
JP (1) JP2015134373A (ko)
KR (1) KR20150073070A (ko)
CN (1) CN104722933A (ko)
TW (1) TWI552218B (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190129002A (ko) * 2018-05-09 2019-11-19 가부시기가이샤 디스코 웨이퍼의 분할 방법

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6595857B2 (ja) * 2015-09-09 2019-10-23 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP6647829B2 (ja) * 2015-10-20 2020-02-14 株式会社ディスコ レーザ加工装置
US9779932B2 (en) 2015-12-11 2017-10-03 Suss Microtec Photonic Systems Inc. Sacrificial layer for post-laser debris removal systems
CN105499812B (zh) * 2016-01-08 2017-12-29 常州英诺激光科技有限公司 一种提高陶瓷散热基板激光加工品质的方法
TWI638870B (zh) * 2016-10-06 2018-10-21 奇美實業股份有限公司 用以形成作為皮秒雷射加工之保護層的溶液與其製造方法
KR20180111677A (ko) * 2017-03-30 2018-10-11 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 다이싱용 보호막제
JP6718174B2 (ja) * 2017-07-03 2020-07-08 日化精工株式会社 レーザー加工用保護膜剤
JP7044636B2 (ja) 2018-05-31 2022-03-30 日東電工株式会社 保護フィルム
JP2019210454A (ja) 2018-05-31 2019-12-12 日東電工株式会社 粘着剤組成物、粘着剤層、および保護フィルム
JP7221479B2 (ja) * 2018-08-31 2023-02-14 日化精工株式会社 ダイシング加工用製剤及び加工処理液
CN109434299A (zh) * 2018-11-05 2019-03-08 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 Oled面板切割方法
US11929284B2 (en) 2018-11-15 2024-03-12 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Protective film forming agent for plasma dicing and method for manufacturing semiconductor chip
WO2020230835A1 (ja) * 2019-05-16 2020-11-19 昭和電工株式会社 導電性高分子組成物および導電性高分子溶液の安定保管方法
WO2021132425A1 (ja) * 2019-12-26 2021-07-01 株式会社クラレ ポリビニルアルコールフィルム
CN113001038B (zh) * 2021-03-05 2022-11-25 赣州市恒邦金属制品有限公司 一种具有废屑收集功能的激光切割装置

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6444391B2 (en) * 1998-09-24 2002-09-03 Toyo Gosei Kogyo Co., Ltd. Photosensitive compositions and pattern formation method
JP2002049147A (ja) * 2000-08-04 2002-02-15 Mitsui Chemicals Inc 平版印刷用の版
JP2002088297A (ja) * 2000-09-11 2002-03-27 Showa Denko Kk 表面保護材
JP2004322168A (ja) * 2003-04-25 2004-11-18 Disco Abrasive Syst Ltd レーザー加工装置
JP2007073670A (ja) 2005-09-06 2007-03-22 Disco Abrasive Syst Ltd 水溶性樹脂被覆方法
US8119501B2 (en) * 2007-05-17 2012-02-21 Agere Systems Inc. Method for separating a semiconductor wafer into individual semiconductor dies using an implanted impurity

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190129002A (ko) * 2018-05-09 2019-11-19 가부시기가이샤 디스코 웨이퍼의 분할 방법

Also Published As

Publication number Publication date
US20150179538A1 (en) 2015-06-25
TW201526097A (zh) 2015-07-01
US9502295B2 (en) 2016-11-22
TWI552218B (zh) 2016-10-01
CN104722933A (zh) 2015-06-24
JP2015134373A (ja) 2015-07-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20150073070A (ko) 레이저 가공용 보호막제
US10700016B2 (en) Protective film material for laser processing and wafer processing method using the protective film material
KR101147720B1 (ko) 레이저 다이싱용 보호막제 및 상기 보호막제를 사용한웨이퍼의 가공방법
JP7412915B2 (ja) 保護膜形成剤、及び半導体チップの製造方法
JP7181899B6 (ja) ハイブリッドレーザスクライビングおよびプラズマエッチングウエハ個片化プロセスのための光吸収マスク
JP6310657B2 (ja) レーザダイシング用ウエハ保護膜組成物
JP2016066768A (ja) 保護膜組成物、半導体装置の製造方法およびレーザーダイシング方法
TWI673764B (zh) 用於雷射後碎屑移除系統及方法之犧牲層
KR20210090633A (ko) 플라즈마 다이싱용 보호막 형성제, 및 반도체 칩의 제조 방법
JP2019212764A (ja) 素子チップの製造方法
CN104526891B (zh) 采用机械刀具切割晶圆的方法
CN108687441A (zh) 切割用保护膜剂
WO2021131472A1 (ja) 保護膜形成剤、及び半導体チップの製造方法
KR20170059588A (ko) 레이저 가공용 보호용액
US20160215159A1 (en) Protective film composition for laser dicing and use thereof
TWI673309B (zh) 高熱穩定性之雷射切割保護膜組成物
JP2016139690A (ja) レーザーダイシング用保護膜組成物及びその応用
TWM496842U (zh) 雷射切割用保護片
KR101753235B1 (ko) 웨이퍼 세정액 및 이를 응용한 웨이퍼 가공방법
TWM524552U (zh) 雷射切割用保護膜
KR20080003994A (ko) 레이저 소잉용 다이싱 필름 및 다이싱 테이프
TW202313872A (zh) 保護膜之形成方法、半導體晶片之製造方法及塗布液之調製方法
TW201616559A (zh) 雷射切割用保護膜組成物及應用
KR20220132628A (ko) 수용성 유기-무기 하이브리드 마스크 제형들 및 이들의 애플리케이션들
KR20160092659A (ko) 레이저 절단용 보호막 조성물 및 그 사용방법

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Withdrawal due to no request for examination