KR20150026770A - Method of dividing semiconductor wafer - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은, 표면에 전자 회로가 형성된 실리콘 등의 반도체 웨이퍼의 분단 방법에 관한 것이다. 특히 본 발명은, 모체가 되는 반도체 웨이퍼를, 그 표면에 형성된 복수의 전자 회로를 구획(define)하는 분단 예정 라인을 따라 분단하여, 칩 사이즈의 단위 제품으로 개편화(個片化)하는 반도체 웨이퍼의 분단 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE
각종 반도체 디바이스의 제조에 이용되는 실리콘 웨이퍼는, 저(低)전력, 고집적화 등의 관점에서 그 두께를 얇게 하는 것이 요구되고 있으며, 최근에는 두께를 25㎛∼50㎛까지 얇게 하는 것이 요구되고 있다. 통상, 실리콘 웨이퍼를 얇게 가공하려면, 전자 회로를 형성한 면과는 반대측의 면을 평평한 연삭 지석(砥石)으로 연삭함으로써 행해지고 있다. 그러나, 두께를 얇게 해가면, 전자 회로 형성시의 잔류 응력 등의 영향으로 휨이 발생하게 된다. 휨이 발생한 실리콘 웨이퍼를 분단 공정으로 분단하고자 하면, 이빠짐이나 불규칙한 균열이 발생하여 불량품의 원인이 된다. Silicon wafers used in the manufacture of various semiconductor devices are required to have a reduced thickness in view of low power and high integration. Recently, it has been required to reduce the thickness to 25 占 퐉 to 50 占 퐉. Generally, in order to thin a silicon wafer, a surface opposite to the surface on which an electronic circuit is formed is ground by grinding with a flat grinding stone. However, if the thickness is reduced, warpage will occur due to the influence of residual stress during the formation of electronic circuits. If a warped silicon wafer is divided by the dividing step, defects or irregular cracks may occur, resulting in defective products.
그래서, 실리콘 웨이퍼를 얇게 연삭 가공하기 전에, 다이싱 소(dicing saw)의 회전 블레이드로 실리콘 웨이퍼의 표면에 분단용의 홈을 가공해 두는 기술(소위 「선(先)다이싱」)이 특허문헌 1 등에서 제안되고 있다. Therefore, a technique (so-called " pre-dicing ") in which a groove for division is machined on the surface of a silicon wafer with a rotating blade of a dicing saw is used before the thin- 1.
도 6은, 상기 특허문헌 등에서 개시된 종래 기술을 나타내는 설명도이다. 우선, 도 6(a)에 나타내는 바와 같이, 두께가 있는 실리콘 웨이퍼(13)의 일면(전자 회로 형성면)의 분단 예정 라인 상에, 분단용의 홈(14)을 다이싱 소의 회전 블레이드(15)를 이용하여 절삭 가공한다. 홈(14)의 깊이는, 다음 공정에서 연삭 지석에 의해 소정의 두께로 연삭되었을 때에, 홈(14)이 상하로 관통하지 않을 정도로 해둔다. Fig. 6 is an explanatory view showing the prior art disclosed in the above patent documents. First, as shown in Fig. 6 (a), on the line to be divided of one surface (electronic circuit formation surface) of the
이어서 도 6(b)에 나타내는 바와 같이, 실리콘 웨이퍼(13)의 홈(14) 가공면에 보호 시트(16)를 접착하고, 당해 보호 시트(16) 접착면이 하방이 되도록 대판(臺板; 19) 상에 올려놓고, 상방으로부터 초벌 연삭용의 연삭 지석(17)으로 연삭하여, 도 6(c)에 나타내는 바와 같이 소정의 얇기로 가공한다. Subsequently, as shown in Fig. 6 (b), the
마지막으로, 도 6(d)에 나타내는 바와 같이, 마무리 연삭용의 연삭 지석(18)으로 마무리 연삭을 행하여, 홈(14)의 남은 바닥 부분을 연삭 제거함으로써 홈(14)을 관통시켜 실리콘 웨이퍼(13)를 분단한다. Finally, as shown in Fig. 6 (d), finishing grinding is performed with the
또한, 연삭 지석에 의한 연삭 작업을 2단계로 나누어 행하는 것은, 최초의 초벌 연삭의 단계에서 홈(14)이 개구될 때까지 연삭하면, 짜임이 거친 연삭 지석(17)에 의해 홈(14)의 개구연(開口緣)에 이빠짐 등의 손상이 발생하기 때문이다. The grinding operation by the grinding stone is divided into two stages. When grinding is performed until the
상기한 종래 프로세스에서는, 실리콘 웨이퍼에 분단용의 홈을 가공할 때에 있어서 다이싱 소가 이용되고 있다. 다이싱 소는, 특허문헌 2나 특허문헌 3 등에 개시되어 있는 바와 같이, 고속 회전하는 회전 블레이드를 구비하고, 회전 블레이드의 냉각과 절삭시에 발생하는 절삭 부스러기를 세정하는 절삭액을 회전 블레이드에 분사하면서 절삭하도록 구성되어 있다. In the above-described conventional process, a dicing saw is used in processing a groove for dividing a silicon wafer. As disclosed in
그러나, 회전 블레이드를 이용한 절삭에 의한 홈가공에서는, 절삭 부스러기가 다량으로 발생하고, 비록 절삭액으로 세정했다고 해도, 절삭액의 일부가 홈 내나 홈 형성면에 잔류하거나, 혹은 절삭시의 비산(飛散)에 의해 절삭 부스러기가 실리콘 웨이퍼에 부착하는 경우가 있어, 품질이나 수율의 저하의 큰 원인이 된다. 또한, 절삭액의 공급이나 폐액 회수를 위한 기구나 배관을 필요로 하기 때문에 장치가 대규모가 된다. 또한, 절삭에 의해 홈가공하는 것인 점에서, 절삭면이나 홈에지에 작은 칩핑(이빠짐)이 발생하여, 깨끗한 분단면을 얻을 수 없는 경우가 있다. 또한, 고속 회전하는 회전 블레이드의 날끝은 톱날 형상으로 형성되어 있기 때문에, 날끝의 마모나 파손이 발생하기 쉬워 사용 수명이 짧다. 또한, 회전 블레이드의 두께는 강도의 면에서 그다지 얇게 할 수 없고, 소경(小徑)의 것이라도 60㎛ 이상의 두께로 형성되어 있기 때문에, 그 블레이드의 폭에 상당하는 절삭폭을 필요로 하여, 재료의 유효 이용이 제한되는 요인 중 하나가 되기도 하는 등의 문제점이 있었다. However, in the grooving by cutting using the rotary blades, a large amount of cutting debris is generated, and even if the cutting fluid is cleaned, a part of the cutting fluid remains on the grooves or on the grooved surface, or scattering ) May adhere to the silicon wafer, which is a major cause of deterioration in quality and yield. In addition, a large-scale apparatus is required because it requires a mechanism and piping for supplying cutting fluid and recovering waste fluid. In addition, since the grooving is performed by cutting, small chipping (splashing) occurs on the cutting surface and the groove edge, and a clean sectional plane can not be obtained in some cases. Further, since the blade of the rotating blade rotating at a high speed is formed in a saw-tooth shape, abrasion and breakage of the blade tip are likely to occur, resulting in short service life. Further, since the thickness of the rotating blade can not be made very small in terms of strength and even a small diameter is formed to a thickness of 60 탆 or more, a cutting width corresponding to the width of the blade is required, Which is one of the factors limiting the effective utilization of the product.
또한, 종래 프로세스에서는, 도 6에 나타낸 바와 같이 초벌 연삭 지석(17)으로 실리콘 웨이퍼(13)를 연삭한 후, 홈(14)을 관통시키는 데에 마무리 지석(18)으로 재차 연삭하기 때문에, 연삭 부스러기 등이 관통한 홈(14)으로부터 보호 시트(16)측으로 침입하여 잔류한다는 문제점도 있었다. Further, in the conventional process, as shown in Fig. 6, since the
그래서 본 발명은, 상기한 종래 과제의 해결을 도모하여, 다이싱 소를 이용하는 일 없이, 간단한 수법으로 효과적으로, 또한, 깨끗하게 분단할 수 있음과 함께, 박판화(薄板化)할 수 있는 반도체 웨이퍼의 분단 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. DISCLOSURE OF THE INVENTION It is an object of the present invention to solve the above-described problems of the prior art, and to provide a method of manufacturing a semiconductor wafer which can be thinned effectively by using a simple technique without using a dicing saw, And a method thereof.
상기 목적을 달성하기 위해 본 발명에서는 다음과 같은 기술적 수단을 강구했다. 즉 본 발명은, 가공해야 할 반도체 웨이퍼의 일면을 연삭 지석으로 연삭하여 박판화함과 함께 분단 예정 라인을 따라 분단하는 반도체 웨이퍼의 분단 방법으로서, 원주 능선을 따라 날끝을 갖는 스크라이빙 휠을, 상기 반도체 웨이퍼의 상면의 분단 예정 라인을 따라 압압(pushing)하면서 전동(rolling)시킴으로써, 두께 방향으로 침투하는 크랙으로 이루어지는 스크라이브 라인을 형성하고, 이때 형성되는 크랙 깊이는 다음의 연삭 지석에 의한 연삭으로 박판화된 반도체 웨이퍼의 두께 전역에 침투하지 않는 깊이로 하고, 이어서, 상기 반도체 웨이퍼를 표리 반전시키고, 상기 스크라이브 라인 형성면의 반대측의 면을 연삭 지석으로 연삭하여 반도체 웨이퍼를 박판화하고, 이어서, 스크라이브 라인 형성면의 반대측의 면으로부터 상기 스크라이브 라인을 따라 브레이크 바를 압압함으로써, 상기 반도체 웨이퍼를 휘게 하여 상기 크랙을 더욱 침투시켜 반도체 웨이퍼를 분단하도록 하고 있다. In order to achieve the above object, the present invention takes the following technical means. That is, the present invention provides a method of dividing a semiconductor wafer by grinding one surface of a semiconductor wafer to be machined with a grinding stone into thin sheets and dividing the semiconductor wafer along a line to be divided, the scribing wheel having a blade tip along a circumferential ridge, A scribe line consisting of cracks penetrating in the thickness direction is formed by pushing and rolling along the line to be divided on the upper surface of the semiconductor wafer to form a scribe line formed by the grinding with the following grinding stone, The surface of the semiconductor wafer is inverted and the surface opposite to the scribe line forming surface is ground with a grinding stone so that the semiconductor wafer is thinned and then a scribe line is formed The scribe line is drawn from the opposite side of the face By pressing the brake bar, to further penetrate the cracks by bending the semiconductor wafer is divided to the semiconductor wafer.
본 발명에 의하면, 스크라이브 라인의 크랙이 두께 방향으로 침투하여 반도체 웨이퍼가 분단되는 것이기 때문에, 종래의 다이싱 소의 절삭에 의한 경우와 같은 칩핑 등의 발생을 억제할 수 있어, 깨끗한 절단면으로 분단할 수 있음과 함께, 다이싱 소와 같은 절삭폭을 필요로 하지 않고, 재료를 유효 이용할 수 있다. 또한, 스크라이브 라인 형성면에 절삭 부스러기가 발생하지 않는 점에서, 절삭 부스러기의 부착에 의한 품질의 열화나 불량품의 발생을 없앨 수 있다. According to the present invention, since the cracks of the scribe line penetrate in the thickness direction and the semiconductor wafer is divided, the occurrence of chipping and the like as in the case of cutting by the conventional dicing saw can be suppressed, And it is possible to effectively utilize the material without requiring a cutting width similar to that of the dicing saw. In addition, since no cutting debris is generated on the scribe line forming surface, deterioration of quality and generation of defective products due to the attachment of cutting debris can be eliminated.
특히 본 발명에서는, 종래의 다이싱 소와 같은 절삭액을 사용하지 않고, 드라이(dry) 환경하에서 분단하는 것이기 때문에, 절삭액의 공급이나 폐액 회수를 위한 기구나 배관을 생략할 수 있고, 또한, 절단 후의 세정이나 건조 공정도 생략할 수 있어 장치를 컴팩트하게 구성할 수 있다는 효과가 있다. Particularly in the present invention, since the cutting is performed under a dry environment without using a cutting fluid such as a conventional dicing saw, it is possible to omit the mechanism and piping for supplying the cutting fluid and recovering the waste fluid, It is possible to omit the cleaning and drying steps after the cutting, and there is an effect that the apparatus can be configured compactly.
상기 분단 방법에 있어서, 반도체 웨이퍼에 스크라이브 라인을 형성한 후, 스크라이브 라인 형성면에 보호 시트를 접착하도록 하는 것이 좋다. In the above dividing method, it is preferable that a scribe line is formed on a semiconductor wafer, and then a protective sheet is adhered to the scribe line forming surface.
이에 따라, 스크라이브 라인 형성면에 가공된 전자 회로를 보호함과 함께, 스크라이브 라인의 크랙을 반도체 웨이퍼의 두께 전역에 침투시켜 분단했을 때에, 분단된 단위 제품이 보호 시트에 부착된 상태에서 분산하는 일 없이 유지(holding)할 수 있다. This protects the processed electronic circuit on the scribe line forming surface and also causes the divided unit products to disperse in the state of being attached to the protective sheet when the cracks of the scribe line penetrate the entire thickness of the semiconductor wafer and are divided And can be held without any restriction.
본 발명에 있어서, 상기 스크라이빙 휠에 의한 스크라이브 라인 형성시에, 스크라이브 라인의 크랙을, 다음의 연삭 지석에 의한 연삭으로 박판화된 반도체 웨이퍼의 두께 전역에 침투하는 깊이로 하는 것이 좋다. 이 경우, 스크라이브 라인 형성면에는 보호 시트를 접착하여 연삭을 행하도록 한다. In the present invention, at the time of forming the scribe line by the scribing wheel, the crack of the scribe line is preferably set to a depth penetrating the whole thickness of the semiconductor wafer thinned by grinding by the following grinding wheel. In this case, a protective sheet is adhered to the scribe line forming surface to perform grinding.
이에 따라, 스크라이브 라인 형성면과는 반대측의 면을 연삭 지석으로 연삭하여 박판화했을 때에, 두께 전역에 침투한 크랙에 의해 반도체 웨이퍼가 스크라이브 라인으로부터 분단되어, 다음의 브레이크 공정을 생략할 수 있다. As a result, when the surface opposite to the scribe line forming surface is ground by a grinding stone, the semiconductor wafer is separated from the scribe line by a crack penetrating the entire thickness, and the next breaking process can be omitted.
도 1은 본 발명의 분단 방법의 가공 대상이 되는 실리콘 웨이퍼의 평면도이다.
도 2는 본 발명의 분단 방법의 순서를 나타내는 설명도이다.
도 3은 본 발명의 분단 방법의 다른 실시예를 나타내는 도 2와 동일한 설명도이다.
도 4는 본 발명의 분단 방법의 또 다른 실시예를 나타내는 도 2와 동일한 설명도이다.
도 5는 본 발명에서 사용되는 스크라이빙 휠과 그 홀더 부분을 나타내는 도면이다.
도 6은 종래의 분단 방법을 나타내는 설명도이다. 1 is a plan view of a silicon wafer to be processed in the dividing method of the present invention.
2 is an explanatory view showing a sequence of the dividing method of the present invention.
Fig. 3 is an explanatory diagram similar to Fig. 2 showing another embodiment of the dividing method of the present invention.
4 is an explanatory diagram similar to Fig. 2 showing another embodiment of the dividing method of the present invention.
5 is a view showing a scribing wheel and its holder portion used in the present invention.
6 is an explanatory view showing a conventional dividing method.
(발명을 실시하기 위한 형태)(Mode for carrying out the invention)
이하, 본 발명에 따른 반도체 웨이퍼의 분단 방법의 상세를, 도면에 기초하여 설명한다. DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, a method of dividing a semiconductor wafer according to the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
도 1은 가공 대상이 되는 실리콘 웨이퍼의 평면도로서, X-Y방향으로 연장되는 격자 형상의 분단 예정 라인(L)을 따라 이하에 서술하는 분단 방법에 의해 분단함으로써, 칩 사이즈의 단위 제품(W1)이 취출된다. 이 가공 대상이 되는 실리콘 웨이퍼(W)는, 분단 전에 있어서, 예를 들면 100∼300㎛의 두께를 갖고 있으며, 이하에 서술하는 분단의 과정에 있어서 25㎛∼50㎛의 두께로 박판화된다. Fig. 1 is a plan view of a silicon wafer to be processed, which is divided by a dividing method described below along a line L of a lattice-like dividing line extending in the X and Y directions so that a chip-size unit product W1 is taken out do. The silicon wafer W to be processed has a thickness of, for example, 100 to 300 占 퐉 before division, and is thinned to a thickness of 25 占 퐉 to 50 占 퐉 in the process of division described below.
도 2는 본 발명에 따른 실리콘 웨이퍼(반도체 웨이퍼)(W)의 분단 방법의 일 실시예를 나타내는 설명도이다. 2 is an explanatory diagram showing one embodiment of a method of cutting a silicon wafer (semiconductor wafer) W according to the present invention.
이 실시예에서는, 맨 처음에, 예를 들면 100∼300㎛의 두께를 갖는 실리콘 웨이퍼(W)를 테이블(1) 상에 올려놓고, 도 5에 나타내는 바와 같은 스크라이빙 휠(10)을 이용하여 실리콘 웨이퍼(W)의 표면에 크랙(두께 방향으로 침투하는 균열)으로 이루어지는 스크라이브 라인(S)을 가공한다. In this embodiment, first, a silicon wafer W having a thickness of, for example, 100 to 300 mu m is placed on the table 1, and the
스크라이빙 휠(10)은, 초경합금이나 소결 다이아몬드 등의 공구 특성이 우수한 재료로 형성되어 있으며, 원주 능선(외주면)에 날끝(10a)이 형성되어 있다. 구체적으로는 직경이 1∼10㎜, 특히는 1.5∼5㎜이고 날끝 각도가 85∼160도인 것, 특히는 90∼140도의 것을 사용하는 것이 바람직하고, 가공되는 재료의 두께나 종류에 따라 선택된다. The
이 스크라이빙 휠(10)은, 홀더(11)에 회전 가능하게 지지되고, 승강 기구(12)를 통하여 스크라이브 헤드(도시 생략)에 지지된다. 스크라이브 헤드는, 실리콘 웨이퍼(W)를 수평으로 올려놓는 대판(도시 생략)의 상방에서 분단 예정 라인(L)의 방향을 따라 이동할 수 있도록 형성되어 있다. The scribing
그리고 도 2(a)에 나타내는 바와 같이, 스크라이빙 휠(10)을, 실리콘 웨이퍼(W)의 표면에서 분단 예정 라인(L)(도 1 참조)을 따라 압압하면서 전동시킴으로써, 실리콘 웨이퍼(W)에 크랙(균열)으로 이루어지는 스크라이브 라인(S)을 형성한다. 이 스크라이브 라인(S)은, 다음의 공정의 연삭 지석(3)에 의한 연삭으로 25∼50㎛의 두께로 박판화된 실리콘 웨이퍼(W)의 두께 전역에 침투하지 않을 정도, 바람직하게는 두께의 절반 정도로 침투하는 크랙 깊이가 되도록 형성한다. 2 (a), the
이어서, 도 2(b)에 나타내는 바와 같이, 스크라이브 라인(S) 형성면에 보호 시트(2)를 접착하여 실리콘 웨이퍼(W)를 표리 반전시키고, 테이블(1) 상에 올려놓는다. 그리고, 스크라이브 라인(S) 형성면과는 반대측의 면을 연삭 지석(3)(도 6의 초벌 연삭용 지석(17)과 동일한 것이면 좋음)으로 연삭하여, 도 2(c)에 나타내는 바와 같이, 실리콘 웨이퍼(W)를 25∼50㎛의 두께까지 박판화한다. 2 (b), the
이어서, 도 2(d)에 나타내는 바와 같이, 실리콘 웨이퍼(W)의 보호 시트(2)를 접착한 스크라이브 라인(S) 형성면에서, 스크라이브 라인(S)을 사이에 끼우도록 그 양 옆을 따라 연장되는 좌우 한 쌍의 받침대(4, 4)를 배치하고, 실리콘 웨이퍼(W)의 외면측(받침대(4, 4)의 반대측)으로부터 스크라이브 라인(S)을 향하여 장척(長尺)의 브레이크 바(5)를 밀어 붙인다. 이에 따라, 실리콘 웨이퍼(W)가 압압 방향과는 반대측으로 휘어, 실리콘 웨이퍼(W)의 스크라이브 라인(S)의 크랙이 두께 전역에 침투하여 실리콘 웨이퍼(W)가 분단된다. Subsequently, as shown in Fig. 2 (d), on the surface of the scribe line S on which the
마지막으로 보호 시트(2)를 제거함으로써, 도 1에 나타내는 개편화된 칩 사이즈의 단위 제품(W1)이 취출된다. Finally, by removing the
상기 실시예에 있어서, 브레이크 바(5)에 의한 브레이크 가공시에, 실리콘 웨이퍼(W)를 받치는 좌우 한 쌍의 받침대(4, 4)를 대신하여, 도 3에 나타내는 바와 같이, 실리콘 웨이퍼(W)가 휘는 정도로 오목하게 하는 것이 가능한 두께를 갖는 쿠션재(6)를 실리콘 웨이퍼(W)의 스크라이브 라인(S) 형성면에 접하여 배치하도록 해도 좋다. 3, in place of the pair of right and
도 4는 본 발명에 따른 분단 방법의 다른 실시예를 나타내는 것이다. Fig. 4 shows another embodiment of the dividing method according to the present invention.
이 실시예에서는, 도 4(a)에서 나타내는 스크라이빙 휠(10)에 의한 스크라이브 라인(S) 형성시에, 스크라이브 라인(S)의 크랙을, 다음의 연삭 지석(3)에 의한 연삭으로 박판화된 실리콘 웨이퍼(W)의 두께 전역에 침투하는 깊이로 했다. In this embodiment, at the time of forming the scribe line S by the
따라서, 도 4(b)에 나타내는 바와 같이, 도 2와 동일한 공정에 의해 실리콘 웨이퍼(W)의 스크라이브 라인(S) 형성면에 보호 시트(2)를 접착한 후, 스크라이브 라인(S) 형성면과는 반대측의 면을 연삭 지석(3)(도 6의 초벌 연삭용 지석(17)과 동일한 것이면 좋음)으로 연삭하여, 도 4(c)와 같이 박판화했을 때에, 실리콘 웨이퍼(W)는 그 두께 전역에 침투한 크랙에 의해 스크라이브 라인(S)으로부터 분단된다. 이에 따라, 다음의 브레이크 공정을 생략할 수 있다. Thus, as shown in Fig. 4 (b), the
이 경우, 연삭 지석(3)으로 크랙에 도달하는 얇기까지 연삭했을 때에, 크랙은 폭을 갖지 않는 균열인 점에서, 연삭 부스러기가 크랙으로부터 하방으로 침입하는 일은 거의 없고, 또한, 크랙은 폭이 없는 균열로서 홈이 아니기 때문에 홈연에 지석이 닿아 크랙 부분에 이빠짐 등의 손상을 발생시킬 일도 없다. In this case, when the
이상과 같이 본 발명에서는, 스크라이브 라인(S)의 크랙이 두께 방향으로 침투하여 실리콘 웨이퍼(W)가 분단되는 것이기 때문에, 종래의 다이싱 소에 의한 절삭 가공의 경우와 같은 칩핑의 발생을 억제할 수 있어, 깨끗한 절단면으로 분단할 수 있음과 함께, 다이싱 소의 블레이드 폭에 상당하는 절삭폭을 필요로 하지 않아, 재료를 유효 이용할 수 있다. 또한, 스크라이브 라인 형성면에 절삭 부스러기가 발생하지 않는 점에서, 절삭 부스러기의 부착에 의한 품질의 열화나 불량품의 발생을 없앨 수 있다. 특히 본 발명에서는, 종래의 다이싱 소와 같은 절삭액을 사용하지 않고, 드라이 환경하에서 분단하는 것이기 때문에, 절삭액의 공급이나 폐액 회수를 위한 기구나 배관을 생략할 수 있어, 장치를 컴팩트하게 구성할 수 있다. As described above, according to the present invention, since the cracks of the scribe line S penetrate in the thickness direction and the silicon wafer W is divided, the occurrence of chipping as in the case of cutting by the conventional dicing saw can be suppressed Therefore, it is possible to use the material effectively because it can be divided into a clean cut surface and a cutting width equivalent to the blade width of the dicing saw is not required. In addition, since no cutting debris is generated on the scribe line forming surface, deterioration of quality and generation of defective products due to the attachment of cutting debris can be eliminated. Particularly, according to the present invention, since cutting is performed under a dry environment without using a cutting fluid such as a conventional dicing saw, it is possible to omit the mechanism and piping for supplying the cutting fluid and recovering the waste fluid, can do.
이상 본 발명의 대표적인 실시예에 대해서 설명했지만, 본 발명은 반드시 상기의 실시 형태에 특정되는 것은 아니다. 예를 들면, 도 3으로 나타낸 실시예에 있어서, 실리콘 웨이퍼(W)의 스크라이브 라인(S) 형성면에 접착하는 보호 시트(2)를 생략할 수도 있다. Although the exemplary embodiments of the present invention have been described above, the present invention is not necessarily limited to the above embodiments. For example, in the embodiment shown in Fig. 3, the
그 외 본 발명에서는, 그 목적을 달성하고, 청구의 범위를 일탈하지 않는 범위 내에서 적절하게 수정, 변경하는 것이 가능하다. In addition, in the present invention, it is possible to appropriately modify or change the scope of the present invention without departing from the spirit and scope of the invention.
본 발명의 분단 방법은, 실리콘 등으로 이루어지는 반도체 웨이퍼의 박판화와 분단에 이용할 수 있다. The dividing method of the present invention can be used for thinning and division of semiconductor wafers made of silicon or the like.
L : 분단 예정 라인
S : 스크라이브 라인
W : 반도체 웨이퍼(실리콘 웨이퍼)
1 : 테이블
2 : 보호 시트
3 : 연삭 지석
4 : 받침대
5 : 브레이크 바
10 : 스크라이빙 휠
10a : 날끝L: Line to be divided
S: scribe line
W: Semiconductor wafer (silicon wafer)
1: Table
2: Protective sheet
3: Grinding stone
4: Base
5: Brake bar
10: Scraping wheel
10a: end point
Claims (3)
원주 능선을 따라 날끝을 갖는 스크라이빙 휠을, 상기 반도체 웨이퍼의 상면의 분단 예정 라인을 따라 압압(pushing)하면서 전동(rolling)시킴으로써, 두께 방향으로 침투하는 크랙으로 이루어지는 스크라이브 라인을 형성하고, 이때 형성되는 크랙 깊이는 다음의 연삭 지석에 의한 연삭으로 박판화된 반도체 웨이퍼의 두께 전역에 침투하지 않는 깊이로 하고,
이어서, 상기 반도체 웨이퍼를 표리 반전시키고, 상기 스크라이브 라인 형성면의 반대측의 면을 연삭 지석으로 연삭하여 반도체 웨이퍼를 박판화하고,
이어서, 스크라이브 라인 형성면의 반대측의 면으로부터 상기 스크라이브 라인을 따라 브레이크 바를 압압함으로써, 상기 반도체 웨이퍼를 휘게 하여 상기 크랙을 더욱 침투시켜 반도체 웨이퍼를 분단하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 분단 방법.A method of cutting a semiconductor wafer, wherein one surface of a semiconductor wafer to be machined is ground by a grinding stone and thinned and divided along a line to be divided,
A scribing line consisting of a crack penetrating in the thickness direction is formed by rolling a scribing wheel having a blade tip along a circumferential ridge line while pushing along a line to be divided on the upper surface of the semiconductor wafer, The depth of the formed crack is set to a depth that does not penetrate the entire thickness of the thinned semiconductor wafer by grinding by the following grinding wheel,
Then, the semiconductor wafer is inverted in the front and back directions, and a surface opposite to the scribe line forming surface is ground with a grinding stone to form a thin semiconductor wafer,
And then pushing the brake bar along the scribe line from a surface opposite to the scribe line forming surface to bend the semiconductor wafer to further infiltrate the crack to separate the semiconductor wafer.
상기 반도체 웨이퍼에 상기 스크라이브 라인을 형성한 후, 이 스크라이브 라인 형성면에 보호 시트를 접착하여 상기 연삭 지석에 의한 연삭을 행하도록 한 반도체 웨이퍼의 분단 방법.The method according to claim 1,
Wherein the scribe line is formed on the semiconductor wafer, and then a protective sheet is bonded to the scribe line formation surface to grind the semiconductor wafer by the grinding stone.
원주 능선을 따라 날끝을 갖는 스크라이빙 휠을, 상기 반도체 웨이퍼의 상면의 분단 예정 라인을 따라 압압하면서 전동시킴으로써, 두께 방향으로 침투하는 크랙으로 이루어지는 스크라이브 라인을 형성하고, 이때 형성되는 크랙 깊이는 다음의 연삭 지석에 의한 연삭으로 박판화된 반도체 웨이퍼의 두께 전역에 침투하는 깊이로 하고,
이어서, 상기 스크라이브 라인 형성면에 보호 시트를 접착하여 상기 반도체 웨이퍼를 표리 반전시키고, 상기 스크라이브 라인 형성면의 반대측의 면을 연삭 지석으로 연삭하여 반도체 웨이퍼를 박판화함과 동시에 반도체 웨이퍼를 상기 스크라이브 라인을 따라 분단하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 분단 방법.
A method of cutting a semiconductor wafer, wherein one surface of a semiconductor wafer to be machined is ground with a grinding wheel to form a thin plate and is divided along a line to be divided,
A scribe line consisting of a crack penetrating in the thickness direction is formed by pushing a scribing wheel having a blade tip along a circumferential ridge along a line to be divided at the upper surface of the semiconductor wafer while pressing it, To a depth penetrating the entire thickness of the thinned semiconductor wafer by grinding by the grinding wheel of the grinding wheel,
Next, a protective sheet is adhered to the scribe line forming surface to invert the semiconductor wafer, and a surface opposite to the scribe line forming surface is ground with a grinding stone to form a thin semiconductor wafer, And then dividing the semiconductor wafer.
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