KR20150016087A - Radiation-sensitive resin composition, cured film, method for forming the same, and display element - Google Patents

Radiation-sensitive resin composition, cured film, method for forming the same, and display element Download PDF

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Abstract

Provided is a radiation-sensitive resin composition, wherein general properties, such as radiation sensitivity, required for a radiation-sensitive resin composition can be sufficiently satisfied, and storing stability is excellent at the same time, so that defective adhesion of a hardening film can be reduced. Moreover, the present invention provides a hardening film produced using the radiation-sensitive resin composition, a method for producing the same, and a display device equipped with the hardening film. The radiation-sensitive resin composition of the present invention contains: a polymer component including a first structure unit having an acid dissociation group and a second structure unit having a cross-linking group; a non-ionic photoacid generating agent having a sulfonyl group; and an ionic compound represented by Formula (1). In Formula (1), R^1 is a hydrogen atom or a univalent organic group. -A^- is -N^--SO^2-R^A, -COO^-, -O^-, or -SO_3^-. R^A is a straight-chain, branched-chain, or cyclic univalent hydrocarbon group. X^+ is an onium cation.

Description

감방사선성 수지 조성물, 경화막, 그의 형성 방법 및 표시 소자{RADIATION-SENSITIVE RESIN COMPOSITION, CURED FILM, METHOD FOR FORMING THE SAME, AND DISPLAY ELEMENT}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a radiation-sensitive resin composition, a cured film, a method of forming the same, and a display element.

본 발명은, 감방사선성 수지 조성물, 경화막, 그의 형성 방법 및 표시 소자에 관한 것이다. The present invention relates to a radiation-sensitive resin composition, a cured film, a method of forming the same, and a display device.

박막 트랜지스터형 액정 표시 소자나 유기 일렉트로루미네선스 소자 등의 표시 소자는, 일반적으로 층간 절연막이나 평탄화막 등의 절연막을 갖고 있다. 이러한 절연막은, 일반적으로 감방사선성 조성물을 이용하여 형성되어 있다. 이러한 감방사선성 조성물로서는, 패터닝 성능의 관점에서 나프토퀴논디아지드 등의 산 발생제를 이용한 포지티브형 감방사선성 수지 조성물이 이용되고 있었지만(일본공개특허공보 2001-354822호 참조), 최근에는 여러 가지의 감방사선성 조성물이 제안되고 있다.  Display elements such as a thin film transistor type liquid crystal display element and an organic electroluminescence element generally have an insulating film such as an interlayer insulating film or a planarizing film. Such an insulating film is generally formed using a radiation-sensitive composition. As such a radiation-sensitive composition, a positive radiation-sensitive resin composition using an acid generator such as naphthoquinone diazide has been used from the viewpoint of patterning performance (see Japanese Patent Application Laid-Open No. 2001-354822) Branched radiation sensitive compositions have been proposed.

그 일례로서, 일본공개특허공보 2004-4669호에서는, 나프토퀴논디아지드 등의 산 발생제를 이용한 포지티브형 감방사선성 수지 조성물보다도 높은 감도로 표시 소자용의 경화막을 형성하는 것을 목적으로 하는 포지티브형 화학 증폭 재료가 제안되고 있다. 이 포지티브형 화학 증폭 재료는, 가교제, 산 발생제 및, 산 해리성 수지를 함유하는 것이다. 산 해리성 수지는, 산의 작용에 의해 개열(開裂)할 수 있는 보호기를 갖는 것이며, 알칼리 수용액에 불용(不溶) 또는 난용(難溶)이지만, 산의 작용에 의해 보호기가 개열함으로써 알칼리 수용액에 가용성이 된다. 또한, 일본공개특허공보 2004-264623호 및 일본공개특허공보 2008-304902호에는, 산 발생제와, 아세탈 구조 및/또는 케탈 구조 그리고 에폭시기를 갖는 수지를 함유하는 포지티브형 감방사선성 조성물이 제안되고 있다.  For example, Japanese Patent Laid-Open No. 2004-4669 discloses a positive-type radiation sensitive resin composition for forming a cured film for a display element with a sensitivity higher than that of a positive radiation sensitive resin composition using an acid generator such as naphthoquinone diazide Type chemically amplified materials have been proposed. This positive chemical amplification material contains a crosslinking agent, an acid generator, and an acid dissociable resin. The acid dissociable resin has a protecting group which can be cleaved by the action of an acid and is insoluble or hardly soluble in an aqueous alkaline solution. However, the protecting group is cleaved by the action of an acid, Availability. In JP-A-2004-264623 and JP-A-2008-304902, a positive radiation-sensitive composition containing an acid generator, a resin having an acetal structure and / or a ketal structure and an epoxy group is proposed have.

그러나, 이들의 감방사선성 수지 조성물을 이용하는 경우, 특히 포지티브형 화학 증폭 재료를 이용하는 경우, 노광시에 발생한 산은, 가열 공정까지의 방치 시간에 있어서, 분위기 중의 염기성 물질에 중화됨으로써 실활(失活)되고, 혹은 미(未)노광부로 산이 확산될 우려가 있다. 이러한 산의 실활이나 확산이 발생하면, 기판과 경화막과의 밀착성이 저하된다는 문제가 발생한다(일본공개특허공보 평6-266100호 참조). However, in the case of using these radiation-sensitive resin compositions, particularly in the case of using a positive type chemically amplified material, the acid generated in the exposure is neutralized in a basic substance in the atmosphere during the period of time left until the heating step, Or the acid may diffuse into the unexposed portion. If such an acid is inactivated or diffused, the adhesion between the substrate and the cured film deteriorates (see JP-A-6-266100).

노광 후의 방치는, 대형 사이즈의 유리 기판을 이용하는 경우에는, 제조 프로세스에서 빈번하게 발생한다. 그 때문에, 노광 후의 방치에 의한 영향을 저감 하여, 안정적으로 패턴 형성이 가능한 감방사선성 수지 조성물이 요구되고 있다. When a glass substrate of a large size is used, the exposure after exposure often occurs in the manufacturing process. For this reason, a radiation-sensitive resin composition capable of stably forming a pattern by reducing the influence of exposure after exposure has been desired.

노광 후의 방치에 의한 영향을 저감시키려면, 미노광부로의 산의 확산을 저감시키는 것이 생각된다. 산의 확산을 억제하기 위해서는, 염기성 물질을 첨가하는 것이 유효하다. 그러나, 염기성 물질에 아민 화합물을 이용한 경우, 조성물 중의 수지의 경화 반응을 촉진해 버리기 때문에, 감방사선성 수지 조성물의 보존 안정성이 저하되는 것이 염려된다.  It is conceivable to reduce the diffusion of the acid to the unexposed portion in order to reduce the influence of the exposure after exposure. In order to suppress the diffusion of acid, it is effective to add a basic substance. However, when an amine compound is used as the basic substance, the curing reaction of the resin in the composition is promoted, and therefore, there is a concern that the storage stability of the radiation-sensitive resin composition may be deteriorated.

이와 같이, 산의 확산 등에 의한 경화막의 밀착성의 저하를 억제하는 것과 감방사선성 수지 조성물의 보존 안정성을 양립하는 것은 곤란하다. 한편, 감방사선성 수지 조성물은, 방사선 감도 등의 일반적 특성이 요구되기 때문에, 경화막의 밀착성이나 보존 안정성을 개선하는 데에 있어서도, 상기 일반적 특성을 만족하도록 배려할 필요가 있다. As described above, it is difficult to both suppress the deterioration of the adhesion of the cured film due to the diffusion of acid and the like and the storage stability of the radiation-sensitive resin composition. On the other hand, since the radiation-sensitive resin composition requires general characteristics such as radiation sensitivity, it is necessary to consider the above general characteristics in order to improve the adhesiveness and storage stability of the cured film.

일본공개특허공보 2001-354822호Japanese Patent Application Laid-Open No. 2001-354822 일본공개특허공보 2004-4669호   Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2004-4669 일본공개특허공보 2004-264623호Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-264623 일본공개특허공보 2008-304902호 Japanese Patent Application Laid-Open No. 2008-304902 일본공개특허공보 평6-266100호Japanese Patent Application Laid-Open No. 6-266100

본 발명은, 이상과 같은 사정에 기초하여 이루어진 것이며, 방사선 감도 등의 감방사선성 수지 조성물에 요구되는 일반적 특성 및 보존 안정성이 우수하고, 경화막의 밀착성 불량의 저감을 가능하게 하는 감방사선성 수지 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다. 본 발명은 또한, 당해 감방사선성 수지 조성물로 형성되는 경화막 및 그의 형성 방법, 그리고 당해 경화막을 구비하는 표시 소자를 제공하는 것을 목적으로 한다. The present invention has been accomplished on the basis of the above-described circumstances, and it is an object of the present invention to provide a radiation-sensitive resin composition which is excellent in general characteristics and storage stability required for a radiation-sensitive resin composition such as radiation sensitivity and capable of reducing poor adhesion of a cured film And to provide the above objects. Another object of the present invention is to provide a cured film formed from the radiation sensitive resin composition, a method of forming the same, and a display device including the cured film.

상기 과제를 해결하기 위해 이루어진 발명은, 산 해리성기를 갖는 제1 구조 단위(이하, 「구조 단위(Ⅰ)」이라고도 함) 및 가교성기를 갖는 제2 구조 단위(이하, 「구조 단위(Ⅱ)」라고도 함)를 포함하는 중합체 성분(이하, 「[A] 중합체 성분」이라고도 함), 술포닐기를 갖는 비(非)이온성 광산 발생제(이하, 「[B] 비이온성 광산 발생제」라고도 함), 그리고 하기식 (1)로 나타나는 이온성 화합물(이하, 「[C] 이온성 화합물」이라고도 함)을 함유하는 감방사선성 수지 조성물이다:  (Hereinafter referred to as " structural unit (II) ") having a crosslinkable group and a second structural unit (hereinafter referred to as " structural unit (Hereinafter, also referred to as a "[B] nonionic photoacid generator") having a sulfonyl group (hereinafter, also referred to as a " , And an ionic compound represented by the following formula (1) (hereinafter also referred to as " [C] ionic compound "))

Figure pat00001
Figure pat00001

(식 (1) 중, R1은, 수소 원자 또는 1가의 유기기이고; -A-는, -N--SO2-RA, -COO-, -O- 또는 -SO3 -이고; RA는, 탄소수 1∼10의 직쇄상 또는 분기상의 1가의 탄화수소기 또는 탄소수 3∼20의 환상의 1가의 탄화수소기이고; 단, RA의 탄화수소기가 갖는 수소 원자의 일부 또는 전부는 불소 원자로 치환되어 있어도 좋고; X는, 오늄 양이온임).(Formula (1) of, R 1 is a hydrogen atom or a monovalent organic group, and; -A - is, -N - -SO 2 -R A, -COO -, -O - or -SO 3 -, and; R A is a linear or branched monovalent hydrocarbon group of 1 to 10 carbon atoms or a monovalent monovalent hydrocarbon group of 3 to 20 carbon atoms, provided that a part or all of the hydrogen atoms of the hydrocarbon group of R A are substituted with fluorine atoms And X < + & gt ; is an onium cation).

상기 과제를 해결하기 위해 이루어진 다른 발명은, 당해 감방사선성 수지 조성물로 형성되는 경화막 및, 당해 경화막을 구비하는 표시 소자이다. Another invention made to solve the above problems is a display element comprising a cured film formed of the radiation sensitive resin composition and the cured film.

본 발명의 경화막의 형성 방법은, 기판 상에 도막을 형성하는 공정, 상기 도막의 적어도 일부에 방사선을 조사하는 공정, 방사선이 조사된 도막을 현상하는 공정 및, 현상된 도막을 가열하는 공정을 포함하는 경화막의 형성 방법으로서, 상기 도막의 형성에 당해 감방사선성 수지 조성물을 이용하는 것을 특징으로 한다. The method of forming a cured film of the present invention includes a step of forming a coating film on a substrate, a step of irradiating at least a part of the coating film with radiation, a step of developing the coating film irradiated with the radiation, and a step of heating the developed coating film Wherein the radiation-sensitive resin composition is used for forming the coating film.

본 발명은, 방사선 감도 등의 일반적 특성을 충분히 만족함과 동시에 보존 안정성이 우수하여, 경화막의 밀착성 불량의 저감을 가능하게 하는 감방사선성 수지 조성물을 제공할 수 있다. 본 발명은 또한, 당해 감방사선성 수지 조성물로 형성되는 경화막 및 그의 형성 방법, 그리고 당해 경화막을 구비하는 표시 소자를 제공할 수 있다. 따라서, 당해 감방사선성 수지 조성물, 당해 경화막 및 그의 형성 방법, 그리고 당해 표시 소자는, 액정 표시 디바이스 등의 제조 프로세스에 적합하게 사용할 수 있다. The present invention can provide a radiation-sensitive resin composition that satisfactorily satisfies general characteristics such as radiation sensitivity and is excellent in storage stability and can reduce the poor adhesion property of the cured film. The present invention can also provide a cured film formed of the radiation sensitive resin composition, a method for forming the same, and a display element provided with the cured film. Accordingly, the radiation sensitive resin composition, the cured film, the method of forming the same, and the display element can be suitably used for a manufacturing process of a liquid crystal display device or the like.

(발명을 실시하기 위한 형태)(Mode for carrying out the invention)

<감방사선성 수지 조성물> <Radiation-Resistant Resin Composition>

본 발명의 감방사선성 수지 조성물은, [A] 중합체 성분, [B] 비이온성 광산 발생제 및, [C] 이온성 화합물을 함유한다. 또한, 당해 감방사선성 수지 조성물은, 적합 성분으로서 [D] 산화 방지제 등을 함유해도 좋다. 또한, 당해 감방사선성 수지 조성물은, 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 범위에서, 그 외의 임의 성분을 함유해도 좋다. 이하, 각 성분에 대해서 상술한다. The radiation sensitive resin composition of the present invention contains a polymer component [A], a nonionic photoacid generator [B] and an ionic compound [C]. Further, the radiation sensitive resin composition may contain [D] antioxidant as a suitable component. The radiation sensitive resin composition may contain other optional components as long as the effect of the present invention is not impaired. Each component will be described in detail below.

<[A] 중합체 성분> &Lt; [A] Polymer Component &gt;

[A] 중합체 성분은, 산 해리성기를 갖는 구조 단위(Ⅰ) 및 가교성기를 갖는 구조 단위(Ⅱ)를 포함한다. 이 [A] 중합체 성분은, 구조 단위(Ⅰ) 및 구조 단위(Ⅱ)를 1개씩 포함하고 있어도 좋고, 한쪽 또는 쌍방의 구조 단위를 2 이상 포함하고 있어도 좋다. [A] 중합체 성분은, (1) 구조 단위(Ⅰ) 및 구조 단위(Ⅱ)의 쌍방을 갖는 1종의 중합체 분자 A를 포함하고 있어도 좋고, (2) 구조 단위(Ⅰ)를 갖는 중합체 분자 B1 및 구조 단위(Ⅱ)를 갖는 중합체 분자 B2의 2종의 중합체 분자를 포함하고 있어도 좋고, (3) 상기 중합체 분자 A, 그리고 상기 중합체 분자 B1 및/또는 상기 중합체 분자 B2를 포함하고 있어도 좋다. 또한, [A] 중합체 성분은, 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 범위에서, 그 외의 구조 단위를 포함하고 있어도 좋다. [A] The polymer component includes a structural unit (I) having an acid dissociable group and a structural unit (II) having a crosslinkable group. The polymer component [A] may contain one structural unit (I) and one structural unit (II), and may contain two or more structural units either or both. The polymer component [A] may include (1) one kind of polymer molecule A having both of the structural unit (I) and the structural unit (II), (2) the polymer molecule B1 having the structural unit And polymer molecule B2 having the structural unit (II), and (3) the polymer molecule A and the polymer molecule B1 and / or the polymer molecule B2. The polymer component [A] may contain other structural units within the range not to impair the effects of the present invention.

당해 감방사선성 수지 조성물은, [A] 중합체 성분이 구조 단위(Ⅰ) 및 구조 단위(Ⅱ)를 가짐으로써, 방사선 감도가 우수함과 동시에, 현상 공정 후나 포스트베이킹 공정 후에 있어서의 미노광부의 막두께 변화를 억제할 수 있다. The radiation sensitive resin composition is excellent in radiation sensitivity because the polymer component has the structural unit (I) and the structural unit (II), and at the same time, the radiation sensitive resin composition is excellent in radiation sensitivity and the film thickness of the unexposed portion after the post- The change can be suppressed.

[구조 단위(Ⅰ)] [Structural unit (I)]

구조 단위(Ⅰ)는, 산 해리성기를 갖는다. 이 산 해리성기는, 중합체에 있어서 카복실기나 페놀성 수산기 등을 보호하는 보호기로서 작용한다. 이러한 보호기를 갖는 중합체는, 통상, 알칼리 수용액에 불용 또는 난용이다. 이 중합체는, 보호기가 산 해리성기인 점에서, 산의 작용에 의해 보호기가 개열함으로써, 알칼리 수용액에 가용성이 된다.  The structural unit (I) has an acid dissociable group. This acid dissociable group acts as a protecting group for protecting the carboxyl group, the phenolic hydroxyl group and the like in the polymer. The polymer having such a protecting group is usually insoluble or sparingly soluble in an aqueous alkali solution. In this polymer, since the protecting group is an acid-dissociable group, the protecting group is cleaved by the action of an acid to become soluble in an aqueous alkali solution.

당해 감방사선성 수지 조성물은, [A] 중합체 성분이 구조 단위(Ⅰ)를 가짐으로써, 높은 방사선 감도를 달성하여, 현상 등에 의해 얻어지는 패턴 형상의 안정성을 향상하는 것이 가능해진다.  In the radiation sensitive resin composition of the present invention, the polymer component has the structural unit (I) so that a high radiation sensitivity can be attained and the stability of the pattern shape obtained by development or the like can be improved.

산 해리성기를 포함하는 구조 단위(Ⅰ)로서는, 하기식 (2) 또는 하기식 (3)으로 나타나는 구조 단위가 바람직하다.  As the structural unit (I) containing an acid-dissociable group, a structural unit represented by the following formula (2) or (3) is preferable.

Figure pat00002
Figure pat00002

식 (2) 중, R7은, 수소 원자 또는 메틸기이다. R8은, 직쇄상 또는 분기상의 탄소수 1∼12의 알킬기이다. R9는, 탄소수 1∼12의 직쇄상 또는 분기상의 알킬기, 또는 탄소수 4∼20의 1가의 지환식 탄화수소기이다. In the formula (2), R 7 is a hydrogen atom or a methyl group. R 8 is a linear or branched alkyl group having 1 to 12 carbon atoms. R 9 is a linear or branched alkyl group having 1 to 12 carbon atoms or a monovalent alicyclic hydrocarbon group having 4 to 20 carbon atoms.

상기 R8 및 R9로 나타나는 탄소수 1∼12의 직쇄상의 알킬기로서는, 예를 들면, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, n-부틸기, n-펜틸기, n-헥실기, n-옥틸기 등을 들 수 있다. 상기 R8 및 R9로 나타나는 탄소수 1∼12의 분기상의 알킬기로서는, 예를 들면, i-프로필기, i-부틸기, t-부틸기, 네오펜틸기 등을 들 수 있다. Examples of the linear alkyl group having 1 to 12 carbon atoms represented by R 8 and R 9 include linear, branched or cyclic alkyl groups having 1 to 12 carbon atoms such as a methyl group, ethyl group, n-propyl group, n-butyl group, n-pentyl group, Tyl group and the like. Examples of the branched alkyl group having 1 to 12 carbon atoms represented by R 8 and R 9 include an i-propyl group, an i-butyl group, a t-butyl group and a neopentyl group.

상기 R9로 나타나는 탄소수 4∼20의 1가의 지환식 탄화수소기로서는, 예를 들면, 사이클로부틸기, 사이클로펜틸기, 사이클로헥실기, 사이클로헵틸기, 사이클로옥틸기, 사이클로데실기, 메틸사이클로헥실기, 에틸사이클로헥실기 등의 단환식 사이클로알킬기; Examples of the monovalent alicyclic hydrocarbon group having 4 to 20 carbon atoms represented by R 9 include a cyclobutyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a cycloheptyl group, a cyclooctyl group, a cyclodecyl group, a methylcyclohexyl group , Ethylcyclohexyl group, and other monocyclic cycloalkyl groups;

사이클로부테닐기, 사이클로펜테닐기, 사이클로헥세닐기, 사이클로헵테닐기, 사이클로옥테닐기, 사이클로데세닐기, 사이클로펜타디에닐기, 사이클로헥사디에닐기, 사이클로옥타디에닐기, 사이클로데카디에닐 등의 단환식 사이클로알케닐기; 바이사이클로[2.2.2]옥틸기, 트리사이클로[5.2.1.02,6]데실기, 테트라사이클로[6.2.1.13,6.02,7]도데실기, 노르보르닐기, 아다만틸기 등의 다환식 사이클로알킬기 등을 들 수 있다. Cyclic cyclic groups such as cyclopentenyl, cyclobutenyl, cyclopentenyl, cyclohexenyl, cycloheptenyl, cyclooctenyl, cyclodecenyl, cyclopentadienyl, cyclohexadienyl, cyclooctadienyl and cyclodecadienyl; An alkenyl group; A bicyclic [2.2.2] octyl group, a tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decyl group, a tetracyclo [6.2.1.1 3,6 .0 2,7 ] dodecyl group, a norbornyl group and an adamantyl group A polycyclic cycloalkyl group and the like.

상기식 (2)로 나타나는 구조 단위로서는, 예를 들면, 하기식 (2-1)∼(2-10)으로 나타나는 구조 단위를 들 수 있다. Examples of the structural unit represented by the formula (2) include structural units represented by the following formulas (2-1) to (2-10).

Figure pat00003
Figure pat00003

상기식 (2-1)∼(2-10) 중, R7은, 상기식 (2) 중의 R7과 동일한 의미이다. In the formulas (2-1) to (2-10), R 7 has the same meaning as R 7 in the formula (2).

상기식 (2)로 나타나는 구조 단위를 부여하는 단량체로서는, 예를 들면, 메타크릴산 1-에톡시에틸, 메타크릴산 1-부톡시에틸, 메타크릴산 1-(트리사이클로데카닐옥시)에틸, 메타크릴산 1-(펜타사이클로펜타데카닐메틸옥시)에틸, 메타크릴산 1-(펜타사이클로펜타데카닐옥시)에틸, 메타크릴산 1-(테트라사이클로드데카닐메틸옥시)에틸, 메타크릴산 1-(아다만틸옥시)에틸 등을 들 수 있다.  Examples of the monomer giving the structural unit represented by the formula (2) include 1-ethoxyethyl methacrylate, 1-butoxyethyl methacrylate, 1- (tricyclodecanyloxy) ethyl methacrylate , Ethyl methacrylate, 1- (pentacyclopentadecanylmethyloxy) ethyl methacrylate, 1- (pentacyclopentadecanyloxy) ethyl methacrylate, 1- (tetracyclododecanylmethyloxy) ethyl methacrylate, And acid 1- (adamantyloxy) ethyl.

상기식 (3) 중, R10은, 수소 원자 또는 메틸기이다. R11∼R17은, 수소 원자, 또는 탄소수 1∼12의 직쇄상 또는 분기상의 알킬기이다. f는, 1 또는 2이다. f가 2인 경우, 2개의 R16끼리 및 2개의 R17끼리는, 동일해도 상이해도 좋다. In the formula (3), R 10 is a hydrogen atom or a methyl group. R 11 to R 17 are each a hydrogen atom or a straight or branched alkyl group having 1 to 12 carbon atoms. f is 1 or 2; When f is 2, two R 16 s and two R 17 s may be the same or different.

상기 R11∼R17로 나타나는 탄소수 1∼12의 직쇄상 또는 분기상의 알킬기로서는, 상기식 (2)의 R8 및 R9의 탄소수 1∼12의 직쇄상 또는 분기상의 알킬기와 동일한 것을 들 수 있다. Examples of the linear or branched alkyl group having 1 to 12 carbon atoms represented by R 11 to R 17 include the same groups as the linear or branched alkyl group having 1 to 12 carbon atoms represented by R 8 and R 9 in the formula (2) .

상기식 (3)으로 나타나는 구조 단위로서는, 예를 들면, 하기식 (3-1)∼(3-5)로 나타나는 구조 단위를 들 수 있다.  Examples of the structural unit represented by the formula (3) include structural units represented by the following formulas (3-1) to (3-5).

Figure pat00004
Figure pat00004

상기식 (3-1)∼(3-5) 중, R10은, 상기식 (3) 중의 R10과 동일한 의미이다. In the formulas (3-1) to (3-5), R 10 has the same meaning as R 10 in the formula (3).

상기식 (3)으로 나타나는 구조 단위를 부여하는 단량체로서는, 테트라하이드로-2H-피란-2-일메타크릴레이트가 바람직하다.  As the monomer giving the structural unit represented by the above formula (3), tetrahydro-2H-pyran-2-yl methacrylate is preferable.

구조 단위(Ⅰ)의 함유량으로서는, [A] 중합체 성분을 구성하는 전체 구조 단위에 대하여, 0.1몰% 이상 80몰% 이하가 바람직하고, 1몰% 이상 60몰% 이하가 보다 바람직하다. 구조 단위(Ⅰ)의 함유량을 상기 범위로 함으로써, 높은 방사선 감도를 달성하여, 현상 등에 의해 얻어지는 패턴 형상의 안정성을 효과적으로 향상하는 것이 가능해진다. The content of the structural unit (I) is preferably from 0.1 mol% to 80 mol%, and more preferably from 1 mol% to 60 mol%, based on the total structural units constituting the polymer component [A]. By setting the content of the structural unit (I) in the above range, high radiation sensitivity can be attained, and the stability of the pattern shape obtained by development or the like can be effectively improved.

[구조 단위(Ⅱ)] [Structural unit (II)]

구조 단위(Ⅱ)는, 가교성기를 포함하고 있다. 당해 감방사선성 수지 조성물로 형성되는 경화막은, [A] 중합체 성분이 가교성기를 포함하는 구조 단위(Ⅱ)를 가짐으로써, [A] 중합체 성분을 구성하는 중합체끼리 또는 [A] 중합체 성분을 구성하는 중합체와 후술하는 [D] 산화 방지제와의 가교에 의해 강도를 높일 수 있다. The structural unit (II) contains a crosslinkable group. The cured film formed from the radiation sensitive resin composition of the present invention is a cured film formed from the radiation sensitive resin composition in which the polymer component has a structural unit (II) containing a crosslinkable group, whereby the polymer constituting the polymer component [A] or the polymer component Can be strengthened by cross-linking with a [D] antioxidant to be described later.

상기 가교성기로서는, 예를 들면, 중합성 탄소-탄소 2중 결합을 포함하는 기, 중합성 탄소-탄소 3중 결합을 포함하는 기, 옥시라닐기(1,2-에폭시 구조), 옥세타닐기(1,3-에폭시 구조), 알콕시메틸기, 포르밀기, 아세틸기, 디알킬아미노메틸기, 디메틸올아미노메틸기 등을 들 수 있다. Examples of the crosslinkable group include a group containing a polymerizable carbon-carbon double bond, a group containing a polymerizable carbon-carbon triple bond, an oxiranyl group (1,2-epoxy structure), an oxetanyl group (1,3-epoxy structure), alkoxymethyl group, formyl group, acetyl group, dialkylaminomethyl group, dimethylolaminomethyl group and the like.

상기 가교성기로서는, (메타)아크릴로일기, 옥시라닐기 또는 옥세타닐기가 바람직하다. 이에 따라, 당해 감방사선성 수지 조성물로 형성되는 경화막의 강도를 보다 높일 수 있다. As the crosslinkable group, a (meth) acryloyl group, an oxiranyl group or an oxetanyl group is preferable. Thus, the strength of the cured film formed from the radiation sensitive resin composition can be further increased.

구조 단위(Ⅱ)로서는, 예를 들면, 하기식으로 나타나는 구조 단위를 들 수 있다. Examples of the structural unit (II) include structural units represented by the following formulas.

Figure pat00005
Figure pat00005

상기식 중, RE는, 수소 원자 또는 메틸기이다.  Wherein R E is a hydrogen atom or a methyl group.

구조 단위(Ⅱ)를 부여하는 단량체로서는, (메타)아크릴로일기, 옥시라닐기, 옥세타닐기를 포함하는 단량체가 바람직하고, 옥시라닐기, 옥세타닐기를 포함하는 단량체가 보다 바람직하고, 메타크릴산 글리시딜, 3-메타크릴로일옥시메틸-3-에틸옥세탄, 3,4-에폭시사이클로헥실메틸메타아크릴레이트, 3,4-에폭시트리사이클로[5.2.1.02.6]데실아크릴레이트가 더욱 바람직하다.As the monomer giving the structural unit (II), a monomer including a (meth) acryloyl group, an oxiranyl group and an oxetanyl group is preferable, a monomer containing an oxiranyl group and an oxetanyl group is more preferable, 3-methacryloyloxymethyl-3-ethyloxetane, 3,4-epoxycyclohexylmethyl methacrylate, 3,4-epoxy tricyclo [5.2.1.0 2.6 ] decyl acrylate, More preferable.

구조 단위(Ⅱ)의 함유량으로서는, [A] 중합체 성분을 구성하는 전체 구조 단위에 대하여, 0.1몰% 이상 80몰% 이하가 바람직하고, 1몰% 이상 60몰% 이하가 보다 바람직하다. 구조 단위(Ⅱ)의 함유량을 상기 범위로 함으로써, 당해 감방사선성 수지 조성물로 형성되는 경화막의 강도를 효과적으로 높일 수 있다.The content of the structural unit (II) is preferably from 0.1 mol% to 80 mol%, more preferably from 1 mol% to 60 mol%, based on the total structural units constituting the polymer component [A]. When the content of the structural unit (II) is within the above range, the strength of the cured film formed from the radiation sensitive resin composition can be effectively increased.

[그 외의 구조 단위] [Other structural units]

[A] 중합체 성분은, 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 범위에서, 구조 단위(Ⅰ) 및 구조 단위(Ⅱ) 이외의 그 외의 구조 단위를 갖고 있어도 좋다.The polymer component [A] may have other structural units other than the structural unit (I) and the structural unit (II) within the range that does not impair the effect of the present invention.

그 외의 구조 단위를 부여하는 단량체로서는, 예를 들면, 불포화 모노카본산, 수산기를 갖는 (메타)아크릴산 에스테르, (메타)아크릴산 쇄상 알킬에스테르, (메타)아크릴산 환상 알킬에스테르, (메타)아크릴산 아릴에스테르, 불포화 방향족 화합물, 공액 디엔, 테트라하이드로푸란 골격 등을 갖는 불포화 화합물을 들 수 있다.  Examples of the monomer giving other structural units include unsaturated monocarboxylic acids, (meth) acrylic acid esters having a hydroxyl group, (meth) acrylic acid chain alkyl esters, (meth) acrylic acid cyclic alkyl esters, (meth) acrylic acid aryl esters , An unsaturated aromatic compound, a conjugated diene, and an unsaturated compound having a tetrahydrofuran skeleton.

불포화 모노카본산으로서는, 예를 들면, 아크릴산, 메타크릴산, 크로톤산 등을 들 수 있다. 불포화 디카본산으로서는, 예를 들면, 말레산, 푸마르산, 시트라콘산, 메사콘산, 이타콘산 등을 들 수 있다. 불포화 디카본산의 무수물로서는, 예를 들면, 상기 디카본산으로서 예시한 화합물의 무수물 등을 들 수 있다. 다가 카본산의 모노[(메타)아크릴로일옥시알킬]에스테르로서는, 예를 들면, 숙신산 모노[2-(메타)아크릴로일옥시에틸], 프탈산 모노[2-(메타)아크릴로일옥시에틸], 헥사하이드로프탈산 모노2-(메타크릴로일옥시)에틸 등을 들 수 있다. 양 말단에 카복실기와 수산기를 갖는 폴리머의 모노(메타)아크릴레이트로서는, 예를 들면, ω-카복시폴리카프로락톤모노(메타)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 카복실기를 갖는 불포화 다환식 화합물 및 그의 무수물로서는, 예를 들면, 5-카복시바이사이클로[2.2.1]헵토-2-엔, 5,6-디카복시바이사이클로[2.2.1]헵토-2-엔, 5-카복시-5-메틸바이사이클로[2.2.1]헵토-2-엔, 5-카복시-5-에틸바이사이클로[2.2.1]헵토-2-엔, 5-카복시-6-메틸바이사이클로[2.2.1]헵토-2-엔, 5-카복시-6-에틸바이사이클로[2.2.1]헵토-2-엔, 5,6-디카복시바이사이클로[2.2.1]헵토-2-엔 무수물 등을 들 수 있다. Examples of the unsaturated monocarboxylic acid include acrylic acid, methacrylic acid, and crotonic acid. Examples of the unsaturated dicarboxylic acid include maleic acid, fumaric acid, citraconic acid, mesaconic acid, itaconic acid, and the like. The anhydrides of the unsaturated dicarboxylic acids include, for example, anhydrides of the compounds exemplified as the dicarboxylic acids. Examples of mono [(meth) acryloyloxyalkyl] esters of polyvalent carboxylic acids include mono [2- (meth) acryloyloxyethyl] succinate, mono [2- (meth) acryloyloxyethyl ], Hexahydrophthalic acid mono 2- (methacryloyloxy) ethyl, and the like. Examples of the mono (meth) acrylate of a polymer having a carboxyl group and a hydroxyl group at both terminals include ω-carboxypolycaprolactone mono (meth) acrylate and the like. Examples of the unsaturated polycyclic compound having a carboxyl group and anhydrides thereof include 5-carboxybicyclo [2.2.1] hept-2-ene, 5,6-dicarboxybicyclo [2.2.1] hept- 5-methylbicyclo [2.2.1] hept-2-ene, 5-carboxy-5-ethylbicyclo [2.2.1] hepto- [2.2.1] hept-2-ene, 5-carboxy-6-ethylbicyclo [2.2.1] And the like.

이들 중, 모노카본산, 디카본산의 무수물이 바람직하고, (메타)아크릴산, 무수 말레산이, 공중합 반응성, 알칼리 수용액에 대한 용해성 및 입수의 용이성으로부터 보다 바람직하다. Among them, a monocarbonic acid and an anhydride of a dicarboxylic acid are preferable, and (meth) acrylic acid and maleic anhydride are more preferable from the viewpoint of solubility and availability of an aqueous alkaline solution and copolymerization reactivity.

수산기를 갖는 (메타)아크릴산 에스테르로서는, 예를 들면, 아크릴산 2-하이드록시에틸, 아크릴산 3-하이드록시프로필, 아크릴산 4-하이드록시부틸, 아크릴산 5-하이드록시펜틸, 아크릴산 6-하이드록시헥실, 메타크릴산 2-하이드록시에틸, 메타크릴산 3-하이드록시프로필, 메타크릴산 4-하이드록시부틸, 메타크릴산 5-하이드록시펜틸, 메타크릴산 6-하이드록시헥실 등을 들 수 있다. Examples of the (meth) acrylic acid ester having a hydroxyl group include 2-hydroxyethyl acrylate, 3-hydroxypropyl acrylate, 4-hydroxybutyl acrylate, 5-hydroxypentyl acrylate, 6-hydroxyhexyl acrylate, 2-hydroxyethyl acrylate, 3-hydroxypropyl methacrylate, 4-hydroxybutyl methacrylate, 5-hydroxypentyl methacrylate, 6-hydroxyhexyl methacrylate and the like.

(메타)아크릴산 쇄상 알킬 에스테르로서는, 예를 들면, 메타크릴산 메틸, 메타크릴산 에틸, 메타크릴산 n-부틸, 메타크릴산 sec-부틸, 메타크릴산 t-부틸, 메타크릴산 2-에틸헥실, 메타크릴산 이소데실, 메타크릴산 n-라우릴, 메타크릴산 트리데실, 메타크릴산 n-스테아릴, 아크릴산 메틸, 아크릴산 에틸, 아크릴산 n-부틸, 아크릴산 sec-부틸, 아크릴산 t-부틸, 아크릴산 2-에틸헥실, 아크릴산 이소데실, 아크릴산 n-라우릴, 아크릴산 트리데실, 아크릴산 n-스테아릴 등을 들 수 있다. Examples of the alkyl (meth) acrylate chain alkyl esters include methyl methacrylate, ethyl methacrylate, n-butyl methacrylate, sec-butyl methacrylate, t-butyl methacrylate, Hexyl acrylate, isodecyl methacrylate, n-lauryl methacrylate, tridecyl methacrylate, n-stearyl methacrylate, methyl acrylate, ethyl acrylate, n-butyl acrylate, sec- , 2-ethylhexyl acrylate, isodecyl acrylate, n-lauryl acrylate, tridecyl acrylate, and n-stearyl acrylate.

(메타)아크릴산 환상 알킬에스테르로서는, 예를 들면, 메타크릴산 사이클로헥실, 메타크릴산 2-메틸사이클로헥실, 메타크릴산 트리사이클로[5.2.1.02,6]데칸-8-일, 메타크릴산 트리사이클로[5.2.1.02,6]데칸-8-일옥시에틸, 메타크릴산 이소보로닐, 사이클로헥실아크릴레이트, 2-메틸사이클로헥실아크릴레이트, 트리사이클로[5.2.1.02,6]데칸-8-일아크릴레이트, 트리사이클로[5.2.1.02,6]데칸-8-일옥시에틸 아크릴레이트, 이소보로닐아크릴레이트 등을 들 수 있다. Examples of the (meth) acrylic acid cyclic alkyl esters include cyclohexyl methacrylate, 2-methylcyclohexyl methacrylate, tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decane-8-methacrylic acid, Tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decane-8-yloxyethyl, methacrylic acid isoboronyl, cyclohexyl acrylate, 2-methylcyclohexyl acrylate, tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decane -8-yl acrylate, tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decan-8-yloxyethyl acrylate, isobornyl acrylate and the like.

(메타)아크릴산 아릴에스테르로서는, 예를 들면, 메타크릴산 페닐, 메타크릴산 벤질, 아크릴산 페닐, 아크릴산 벤질 등을 들 수 있다.  Examples of the (meth) acrylic acid aryl esters include phenyl methacrylate, benzyl methacrylate, phenyl acrylate, and benzyl acrylate.

불포화 방향족 화합물로서는, 예를 들면, 스티렌, α-메틸스티렌, o-메틸스티렌, m-메틸스티렌, p-메틸스티렌, p-메톡시스티렌, N-페닐말레이미드, N-사이클로헥실말레이미드, N-톨릴말레이미드, N-나프틸말레이미드, N-에틸말레이미드, N-헥실말레이미드, N-벤질말레이미드 등을 들 수 있다. Examples of the unsaturated aromatic compound include styrene,? -Methylstyrene, o-methylstyrene, m-methylstyrene, p-methylstyrene, p-methoxystyrene, N-phenylmaleimide, N-cyclohexylmaleimide, N-tolyl maleimide, N-naphthyl maleimide, N-ethyl maleimide, N-hexyl maleimide and N-benzyl maleimide.

공액 디엔으로서는, 예를 들면 1,3-부타디엔, 이소프렌, 2,3-디메틸-1,3-부타디엔 등을 들 수 있다. Examples of the conjugated dienes include 1,3-butadiene, isoprene, 2,3-dimethyl-1,3-butadiene and the like.

테트라하이드로푸란 골격을 함유하는 불포화 화합물로서는, 예를 들면, 테트라하이드로푸르푸릴(메타)아크릴레이트, 2-메타크릴로일옥시-프로피온산 테트라하이드로푸르푸릴에스테르, 3-(메타)아크릴로일옥시테트라하이드로푸란-2-온 등을 들 수 있다. Examples of the unsaturated compound containing a tetrahydrofuran skeleton include tetrahydrofurfuryl (meth) acrylate, 2-methacryloyloxy-propionic acid tetrahydrofurfuryl ester, 3- (meth) acryloyloxytetra 2-one, and the like.

그 외의 구조 단위의 함유량으로서는, 전체 구조 단위에 대하여, 바람직하게는 5몰%∼30몰%, 보다 바람직하게는 10몰%∼25몰%이다. 그 외의 구조 단위의 함유 비율을 5몰%∼30몰%로 함으로써, 알칼리 수용액에 대한 용해성을 최적화함과 동시에 방사선 감도가 우수한 감방사선성 수지 조성물이 얻어진다. The content of the other structural units is preferably from 5 mol% to 30 mol%, more preferably from 10 mol% to 25 mol%, based on the total structural units. By setting the content ratio of the other structural units to 5 to 30 mol%, a radiation-sensitive resin composition having excellent solubility in an alkali aqueous solution and excellent radiation sensitivity can be obtained.

<[A] 중합체 성분의 합성 방법> <Method of synthesizing polymer component [A]

[A] 중합체 성분은, 예를 들면, 소정의 구조 단위에 대응하는 단량체를, 라디칼 중합 개시제를 사용하고, 적당한 용매 중에서 중합함으로써 제조할 수 있다. 예를 들면, 단량체 및 라디칼 개시제를 함유하는 용액을, 반응 용매 또는 단량체를 함유하는 용액에 적하하여 중합 반응시키는 방법, 단량체를 함유하는 용액과, 라디칼 개시제를 함유하는 용액을 각각 별개로, 반응 용매 또는 단량체를 함유하는 용액에 적하하여 중합 반응시키는 방법, 각각의 단량체를 함유하는 복수종의 용액과, 라디칼 개시제를 함유하는 용액을 각각 별개로, 반응 용매 또는 단량체를 함유하는 용액에 적하하여 중합 반응시키는 방법 등의 방법으로 합성하는 것이 바람직하다. [A] The polymer component can be produced, for example, by polymerizing a monomer corresponding to a predetermined structural unit by using a radical polymerization initiator in an appropriate solvent. For example, a method in which a solution containing a monomer and a radical initiator is added dropwise to a solution containing a reaction solvent or a monomer to carry out a polymerization reaction, a method in which a solution containing a monomer and a solution containing a radical initiator are separately dissolved in a reaction solvent Or a method in which a solution containing a radical initiator is separately added to a solution containing a reaction solvent or a monomer so as to carry out a polymerization reaction And the like.

[A] 중합체 성분의 중합 반응에 이용되는 용매로서는, 예를 들면, 후술하는 당해 감방사선성 수지 조성물의 조제의 항에 있어서 예시하는 용매 등을 들 수 있다. Examples of the solvent used for the polymerization reaction of the polymer component [A] include solvents exemplified in the paragraph of the preparation of the radiation-sensitive resin composition to be described later.

중합 반응에 이용되는 중합 개시제로서는, 일반적으로 라디칼 중합 개시제로서 알려져 있는 것을 사용할 수 있지만, 예를 들면, 2,2'-아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴), 2,2'-아조비스이소부티로니트릴, 2,2'-아조비스-(4-메톡시-2,4-디메틸발레로니트릴), 2,2'-아조비스(2-메틸프로피온산 메틸) 등의 아조 화합물; 벤조일퍼옥사이드, 라우로일퍼옥사이드, t-부틸퍼옥시피발레이트, 1,1'-비스-(t-부틸퍼옥시)사이클로헥산 등의 유기 과산화물; 과산화 수소 등을 들 수 있다. As the polymerization initiator to be used in the polymerization reaction, those known as radical polymerization initiators can be used, and examples thereof include 2,2'-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile), 2,2'-azo Azo compounds such as bisisobutyronitrile, 2,2'-azobis- (4-methoxy-2,4-dimethylvaleronitrile), and 2,2'-azobis (methyl 2-methylpropionate); Organic peroxides such as benzoyl peroxide, lauroyl peroxide, t-butyl peroxy pivalate, 1,1'-bis- (t-butylperoxy) cyclohexane; Hydrogen peroxide and the like.

[A] 중합체 성분의 중합 반응에 있어서는, 분자량을 조정하기 위해 분자량 조정제를 사용할 수도 있다. 분자량 조정제로서는, 예를 들면, 클로로포름, 4브롬화 탄소 등의 할로겐화 탄화수소류; n-헥실메르캅탄, n-옥틸메르캅탄, n-도데실메르캅탄, t-도데실메르캅탄, 티오글리콜산 등의 메르캅탄류; 디메틸잔토겐술피드, 디이소프로필잔토겐디술피드 등의 잔토겐류; 테르피놀렌, α-메틸스티렌 다이머 등을 들 수 있다. In the polymerization reaction of the polymer component [A], a molecular weight modifier may be used to adjust the molecular weight. Examples of the molecular weight regulator include halogenated hydrocarbons such as chloroform and carbon tetrabromide; mercaptans such as n-hexyl mercaptan, n-octyl mercaptan, n-dodecyl mercaptan, t-dodecyl mercaptan and thioglycolic acid; Azetidine derivatives such as dimethylzantogen sulfide and diisopropylzantogen disulfide; Terpinolene, alpha -methylstyrene dimer, and the like.

[A] 중합체의 겔 투과 크로마토그래피(GPC)에 의한 폴리스티렌 환산 중량 평균 분자량(Mw)으로서는, 2.0×103 이상 1.0×105 이하가 바람직하고, 3.0×103 이상 5.0×104 이하가 보다 바람직하고, 5.0×103 이상 2.0×104 이하가 더욱 바람직하다. [A] 중합체 성분의 Mw를 상기 범위로 함으로써 당해 감방사선성 수지 조성물의 감도 및 알칼리 현상성을 높일 수 있다. The polystyrene-reduced weight average molecular weight (Mw) of the polymer [A] by the gel permeation chromatography (GPC) is preferably 2.0 x 10 3 or more and 1.0 x 10 5 or less, more preferably 3.0 x 10 3 or more and 5.0 x 10 4 or less And more preferably 5.0 x 10 3 or more and 2.0 x 10 4 or less. By setting the Mw of the polymer component [A] within the above range, the sensitivity and alkali developability of the radiation sensitive resin composition can be increased.

[A] 중합체 성분의 GPC에 의한 폴리스티렌 환산 수평균 분자량(Mn)으로서는, 2.0×103 이상 1.0×105 이하가 바람직하고, 3.0×103 이상 5.0×104 이하가 보다 바람직하고, 5.0×103 이상 2.0×104 이하가 더욱 바람직하다. [A] 중합체의 Mn을 상기 범위로 함으로써, 당해 감방사선성 수지 조성물의 도막의 경화시의 경화 반응성을 향상시킬 수 있다.  The polystyrene reduced number average molecular weight (Mn) of the polymer component [A] by GPC is preferably 2.0 x 10 3 or more and 1.0 x 10 5 or less, more preferably 3.0 x 10 3 or more and 5.0 x 10 4 or less, More preferably not less than 10 3 and not more than 2.0 × 10 4 . By setting the Mn of the polymer [A] within the above range, the curing reactivity at the time of curing the coating film of the radiation sensitive resin composition can be improved.

[A] 중합체 성분의 분자량 분포(Mw/Mn)로서는, 3.0 이하가 바람직하고, 2.6 이하가 보다 바람직하다. [A] 중합체 성분의 Mw/Mn을 3.0 이하로 함으로써, 얻어지는 경화막의 현상성을 높일 수 있다. The molecular weight distribution (Mw / Mn) of the polymer component [A] is preferably 3.0 or less, more preferably 2.6 or less. By making the Mw / Mn of the polymer component [A] 3.0 or less, the developability of the resulting cured film can be enhanced.

<[B] 비이온성 광산 발생제> <[B] Nonionic photoacid generator>

[B] 비이온성 광산 발생제는, 방사선의 조사에 의해 산을 발생하는 화합물이다. 방사선으로서는, 예를 들면, 가시광선, 자외선, 원자외선, 전자선, X선 등을 사용할 수 있다. 이 [B] 비이온성 광산 발생제는, 술포닐기(-SO2-)를 갖는 비이온성이며, 오늄염 등으로 대표되는 이온성 광산 발생제와는 상이하다. [B] The nonionic photoacid generator is a compound which generates an acid upon irradiation with radiation. As the radiation, for example, visible light, ultraviolet light, far ultraviolet light, electron beam, X-ray and the like can be used. This [B] nonionic photoacid generator is nonionic, having a sulfonyl group (-SO 2 -), and is different from an ionic photoacid generator represented by an onium salt or the like.

당해 감방사선성 수지 조성물은, [B] 비이온성 광산 발생제를 함유함으로써, 감방사선 특성을 발휘할 수 있고, 또한 양호한 방사선 감도를 가질 수 있다.  The radiation-sensitive resin composition of the present invention can exhibit the radiation sensitivity characteristic and can have a good radiation sensitivity by containing the [B] nonionic photo-acid generator.

당해 감방사선성 수지 조성물에 있어서의 [B] 비이온성 광산 발생제의 함유 형태로서는, 후술하는 바와 같은 화합물의 형태라도, [A] 중합체 성분을 구성하는 중합체의 일부로서 조입된 광산 발생기의 형태라도, 이들 양쪽의 형태라도 좋다. The form of the [B] nonionic photoacid generator in the radiation-sensitive resin composition may be a form of a compound described later, or a form of a photoacid generator embedded as a part of the polymer constituting the polymer component [A] , Or both of them may be used.

이 [B] 비이온성 광산 발생제로서는, 예를 들면, 옥심술포네이트 화합물, 술폰산 유도체 화합물 등을 들 수 있다. [B] 비이온성 광산 발생제는, 1종을 단독으로 사용해도, 2종 이상을 조합하여 사용해도 좋다. Examples of the [B] nonionic photoacid generator include oxime sulfonate compounds, sulfonic acid derivative compounds, and the like. The [B] nonionic photoacid generator may be used singly or in combination of two or more.

[옥심술포네이트 화합물] [Oxime sulfonate compound]

옥심술포네이트 화합물은, 옥심술포네이트기를 갖는 화합물이다. 이 옥심술포네이트 화합물로서는, 하기식 (7)로 나타나는 화합물이 바람직하다.  The oxime sulfonate compound is a compound having an oxime sulfonate group. As the oxime sulfonate compound, a compound represented by the following formula (7) is preferable.

Figure pat00006
Figure pat00006

상기식 (7) 중, R31은, 탄소수 1∼12의 알킬기, 탄소수 1∼12의 플루오로알킬기, 탄소수 4∼12의 지환식 탄화수소기, 탄소수 6∼20의 아릴기, 또는 이들 알킬기, 지환식 탄화수소기 및 아릴기가 갖는 수소 원자의 일부 또는 전부가 치환기로 치환된 기이다. In the formula (7), R 31 represents an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, a fluoroalkyl group having 1 to 12 carbon atoms, an alicyclic hydrocarbon group having 4 to 12 carbon atoms, an aryl group having 6 to 20 carbon atoms, A group in which a part or all of the hydrogen atoms contained in the formula hydrocarbon group and the aryl group is substituted with a substituent.

상기 R31로 나타나는 알킬기로서는, 탄소수 1∼12의 직쇄상 또는 분기상의 알킬기가 바람직하다. 이 탄소수 1∼12의 직쇄상 또는 분기상의 알킬기는 치환기에 의해 치환되어 있어도 좋고, 상기 치환기로서는, 예를 들면, 탄소수 1∼10의 알콕시기, 7,7-디메틸-2-옥소노르보르닐기 등의 유교식 지환기를 포함하는 지환식기 등을 들 수 있다. 탄소수 1∼12의 플루오로알킬기로서는, 예를 들면, 트리플루오로메틸기, 펜타플루오로에틸기, 헵틸플루오로프로필기 등을 들 수 있다.  The alkyl group represented by R 31 is preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 12 carbon atoms. The straight or branched alkyl group having 1 to 12 carbon atoms may be substituted by a substituent, and examples of the substituent include an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms, a 7,7-dimethyl-2-oxononorbornyl group and the like And a cycloaliphatic group including a polycyclic alicyclic group. Examples of the fluoroalkyl group having 1 to 12 carbon atoms include a trifluoromethyl group, a pentafluoroethyl group, and a heptyl fluoropropyl group.

상기 R31로 나타나는 지환식 탄화수소기로서는, 탄소수 4∼12의 지환식 탄화수소기가 바람직하다. 이 탄소수 4∼12의 지환식 탄화수소기는 치환기에 의해 치환되어 있어도 좋고, 상기 치환기로서는, 예를 들면, 탄소수 1∼5의 알킬기, 알콕시기, 할로겐 원자 등을 들 수 있다. The alicyclic hydrocarbon group represented by R 31 is preferably an alicyclic hydrocarbon group having 4 to 12 carbon atoms. The alicyclic hydrocarbon group having 4 to 12 carbon atoms may be substituted by a substituent. Examples of the substituent include an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, an alkoxy group, and a halogen atom.

상기 R31로 나타나는 아릴기로서는, 탄소수 6∼20의 아릴기가 바람직하고, 페닐기, 나프틸기, 톨릴기, 자일릴기가 보다 바람직하다. 상기 아릴기는 치환기에 의해 치환되어 있어도 좋고, 상기 치환기로서는, 예를 들면, 탄소수 1∼5의 알킬기, 알콕시기, 할로겐 원자 등을 들 수 있다. The aryl group represented by R 31 is preferably an aryl group having 6 to 20 carbon atoms, and more preferably a phenyl group, a naphthyl group, a tolyl group or a xylyl group. The aryl group may be substituted with a substituent, and examples of the substituent include an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, an alkoxy group, and a halogen atom.

상기식 (7)로 나타나는 옥심술포네이트기를 함유하는 화합물로서는, 예를 들면, 하기식 (7-1)∼(7-3)으로 나타나는 옥심술포네이트 화합물 등을 들 수 있다. Examples of the oxime sulfonate group-containing compound represented by the above formula (7) include oxime sulfonate compounds represented by the following formulas (7-1) to (7-3).

Figure pat00007
Figure pat00007

상기식 (7-1)∼(7-3) 중, R31은, 상기식 (7) 중의 R31과 동일한 의미이다. 상기식 (7-1) 및 식 (7-2) 중, R32는, 탄소수 1∼12의 알킬기, 탄소수 1∼12의 플루오로알킬기이다.  In the formulas (7-1) to (7-3), R 31 has the same meaning as R 31 in the formula (7). In the formulas (7-1) and (7-2), R 32 is an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms or a fluoroalkyl group having 1 to 12 carbon atoms.

상기식 (7-3) 중, Y4는, 알킬기, 알콕시기, 또는 할로겐 원자이다. j는, 0∼3의 정수이다. 단, j가 2 또는 3인 경우의 복수의 Y4는, 각각 동일해도 상이해도 좋다. In the formula (7-3), Y 4 is an alkyl group, an alkoxy group or a halogen atom. j is an integer of 0 to 3; Provided that a plurality of Y 4 when j is 2 or 3 may be the same or different.

상기 Y4로 나타나는 알킬기로서는, 탄소수 1∼4의 직쇄상 또는 분기상의 알킬기가 바람직하다. 상기 Y4로 나타나는 알콕시기로서는, 탄소수 1∼4의 직쇄상 또는 분기상의 알콕시기가 바람직하다. 상기 Y4로 나타나는 할로겐 원자로서는, 염소 원자, 불소 원자가 바람직하다. The alkyl group represented by Y 4 is preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 4 carbon atoms. The alkoxy group represented by Y 4 is preferably a linear or branched alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms. The halogen atom represented by Y 4 is preferably a chlorine atom or a fluorine atom.

상기식 (7-3)으로 나타나는 옥심술포네이트 화합물로서는, 예를 들면, 하기식 (7-3-1)∼(7-3-5)로 나타나는 화합물 등을 들 수 있다.  Examples of the oxime sulfonate compound represented by the above formula (7-3) include compounds represented by the following formulas (7-3-1) to (7-3-5).

Figure pat00008
Figure pat00008

상기식 (7-3-1)∼(7-3-5)로 나타나는 화합물은, (5-프로필술포닐옥시이미노-5H-티오펜-2-이리덴)-(2-메틸페닐)아세토니트릴, (5-옥틸술포닐옥시이미노-5H-티오펜-2-이리덴)-(2-메틸페닐)아세토니트릴, (캠퍼술포닐옥시이미노-5H-티오펜-2-이리덴)-(2-메틸페닐)아세토니트릴, (5-p-톨루엔술포닐옥시이미노-5H-티오펜-2-이리덴)-(2-메틸페닐)아세토니트릴, 2-(옥틸술포닐옥시이미노)-2-(4-메톡시페닐)아세토니트릴이며, 시판품으로서 입수할 수 있다. The compound represented by the above formulas (7-3-1) to (7-3-5) is preferably (5-propylsulfonyloxyimino-5H-thiophen-2-ylidene) - (2-methylphenyl) acetonitrile, (5-octylsulfonyloxyimino-5H-thiophen-2-ylidene) - (2-methylphenyl) acetonitrile, (camphorsulfonyloxyimino-5H-thiophen- ) 2- (4-methoxyphenyl) acetonitrile, (5-p-toluenesulfonyloxyimino-5H-thiophen- Methoxyphenyl) acetonitrile, which is commercially available.

[술폰산 유도체 화합물] [Sulfonic acid derivative compound]

술폰산 유도체 화합물은, 술포닐기를 갖는 화합물이다. 이 술폰산 유도체 화합물로서는, 하기식 (4)로 나타나는 화합물이 바람직하다. The sulfonic acid derivative compound is a compound having a sulfonyl group. As the sulfonic acid derivative compound, a compound represented by the following formula (4) is preferable.

Figure pat00009
Figure pat00009

상기식 (4) 중, R18 및 R21∼R23은, 수소 원자이다. In the formula (4), R 18 and R 21 to R 23 are hydrogen atoms.

R19 및 R20의 한쪽은, 직쇄상 또는 분기상의 탄소수 4∼18의 알콕시기, 이 알콕시기의 산소 원자에 인접하지 않는 임의 위치의 메틸렌기가 -C(=O)-기로 치환된 기, 상기 알콕시기가 나프탈렌환에 가까운 쪽으로부터 -O-C(=O)- 결합 또는 -OC(=O)-NH- 결합으로 중단된 기, 탄소수 4∼18의 직쇄상 또는 분기상의 알킬티오기, 이 알킬티오기의 황 원자에 인접하지 않는 임의 위치의 메틸렌기가 -C(=O)-기로 치환된 기, 상기 알킬티오기가 나프탈렌환에 가까운 쪽으로부터 -O-C(=O)- 결합 또는 -OC(=O)-NH- 결합으로 중단된 기, 또는 하기식 (5)로 나타나는 기이다. 단, R19 및 R20의 알콕시기 및 알킬티오기가 갖는 수소 원자의 일부 또는 전부는, 지환식 탄화수소기, 복소환기 또는 할로겐 원자로 치환되어도 좋다. R19 및 R20의 다른 한쪽은, 수소 원자이다. One of R 19 and R 20 is a straight chain or branched chain alkoxy group having 4 to 18 carbon atoms, a group in which a methylene group at any position not adjacent to the oxygen atom of the alkoxy group is substituted with a -C (= O) - group, A group interrupted by an -OC (= O) - bond or -OC (= O) -NH- bond from the side nearest to the naphthalene ring, a straight or branched alkylthio group having 4 to 18 carbon atoms, (= O) - or -OC (= O) - group from the side nearer to the naphthalene ring, a group in which the methylene group at any arbitrary position not adjacent to the sulfur atom of the alkylthio group is substituted with a -C NH-bond, or a group represented by the following formula (5). Provided that a part or all of the hydrogen atoms of the alkoxy group and the alkylthio group of R 19 and R 20 may be substituted with an alicyclic hydrocarbon group, a heterocyclic group or a halogen atom. And the other of R 19 and R 20 is a hydrogen atom.

Figure pat00010
Figure pat00010

상기식 (5) 중, R25는, 탄소수 1∼12의 탄화수소기이다. R26은, 탄소수 1∼4의 알칸디일기이다. R27은, 수소 원자, 직쇄상 또는 분기상의 탄소수 1∼4의 알킬기, 또는 탄소수 3∼10의 지환식 탄화수소기 또는 복소환기이다. Y1은, 산소 원자 또는 황 원자이다. Y2는, 단결합 또는 탄소수 1∼4의 알칸디일기이다. g는, 0∼5의 정수이다. In the above formula (5), R 25 is a hydrocarbon group of 1 to 12 carbon atoms. R 26 is an alkanediyl group having 1 to 4 carbon atoms. R 27 is a hydrogen atom, a linear or branched alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, or an alicyclic hydrocarbon group having 3 to 10 carbon atoms or a heterocyclic group. Y 1 is an oxygen atom or a sulfur atom. Y 2 is a single bond or an alkanediyl group having 1 to 4 carbon atoms. g is an integer of 0 to 5;

상기식 (4) 중의 R24는, 할로겐 원자 및 탄소수 1∼18의 알킬티오기 중 적어도 한쪽에서 치환되어 있어도 좋은 탄소수 1∼18의 1가의 지방족 탄화수소기, 할로겐 원자 및 지환식 탄화수소기 중 적어도 한쪽에서 치환되어 있어도 좋은 탄소수 1∼18의 직쇄상 또는 분기상의 알킬기, 할로겐 원자로 치환되어 있어도 좋은 탄소수 3∼18의 1가의 지환식 탄화수소기, 할로겐 원자 및 탄소수 1∼18의 알킬티오기 중 적어도 한쪽에서 치환되어 있어도 좋은 탄소수 6∼20의 아릴기, 할로겐 원자 및 탄소수 1∼18의 알킬티오기 중 적어도 한쪽에서 치환되어 있어도 좋은 탄소수 7∼20의 아릴알킬기, 할로겐 원자로 치환되어 있어도 좋은 탄소수 7∼20의 알킬아릴기, 아실기로 치환된 탄소수 7∼20의 아릴기, 10-캠포릴, 또는 하기식 (6)으로 나타나는 기이다.  R 24 in the formula (4) represents a monovalent aliphatic hydrocarbon group having 1 to 18 carbon atoms which may be substituted by at least one of a halogen atom and an alkylthio group having 1 to 18 carbon atoms, at least one of a halogen atom and an alicyclic hydrocarbon group A linear or branched alkyl group having 1 to 18 carbon atoms which may be substituted, a monovalent alicyclic hydrocarbon group having 3 to 18 carbon atoms which may be substituted with a halogen atom, a halogen atom and an alkylthio group having 1 to 18 carbon atoms, An aryl group having 6 to 20 carbon atoms which may be substituted, an arylalkyl group having 7 to 20 carbon atoms which may be substituted by at least one of a halogen atom and an alkylthio group having 1 to 18 carbon atoms, an aryl group having 7 to 20 carbon atoms An alkylaryl group, an aryl group having 7 to 20 carbon atoms substituted with an acyl group, 10-camphoryl, or a group represented by the following formula (6).

Figure pat00011
Figure pat00011

상기식 (6) 중, Y3은, 단결합 또는 탄소수 1∼4의 알칸디일기이다. In the formula (6), Y 3 is a single bond or an alkanediyl group having 1 to 4 carbon atoms.

R28은, 탄소수 2∼6의 알칸디일기, 탄소수 2∼6의 할로겐화 알칸디일기, 탄소수 6∼20의 아릴렌기 또는 탄소수 6∼20의 할로겐화 아릴렌기이다.  R 28 is an alkanediyl group having 2 to 6 carbon atoms, a halogenated alkanediyl group having 2 to 6 carbon atoms, an arylene group having 6 to 20 carbon atoms, or a halogenated arylene group having 6 to 20 carbon atoms.

R29는, 단결합, 탄소수 2∼6의 알칸디일기, 탄소수 2∼6의 할로겐화 알칸디일기, 탄소수 6∼20의 아릴렌기 또는 탄소수 6∼20의 할로겐화 아릴렌기이다. R 29 is a single bond, an alkanediyl group having 2 to 6 carbon atoms, a halogenated alkanediyl group having 2 to 6 carbon atoms, an arylene group having 6 to 20 carbon atoms, or a halogenated arylene group having 6 to 20 carbon atoms.

R30은, 직쇄상 또는 분기상의 탄소수 1∼18의 알킬기, 직쇄상 또는 분기상의 탄소수 1∼18의 할로겐화 알킬기, 탄소수 3∼12의 지환식 탄화수소기, 탄소수 6∼20의 아릴기, 탄소수 6∼20의 할로겐화 아릴기, 탄소수 7∼20의 아릴알킬기 또는 탄소수 7∼20의 할로겐화 아릴알킬기이다. h 및 i는, 한쪽이 1이며, 다른 한쪽이 0 또는 1이다. R 30 represents a linear or branched alkyl group having 1 to 18 carbon atoms, a linear or branched halogenated alkyl group having 1 to 18 carbon atoms, an alicyclic hydrocarbon group having 3 to 12 carbon atoms, an aryl group having 6 to 20 carbon atoms, A halogenated aryl group having 7 to 20 carbon atoms, an arylalkyl group having 7 to 20 carbon atoms, or a halogenated arylalkyl group having 7 to 20 carbon atoms. h and i have one of 1 and 0 or 1, respectively.

상기식 (4) 중의 R19 또는 R20으로 나타나는 탄소수 4∼18의 직쇄상 또는 분기상의 알콕시기로서는, 예를 들면, 부틸옥시기, 제2 부틸옥시기, 제3 부틸옥시기, 이소부틸옥시기, 아밀옥시기, 이소아밀옥시기, 제3 아밀옥시기, 헥실옥시기, 헵틸옥시기, 이소헵틸옥시기, 제3 헵틸옥시기, 옥틸옥시기, 이소옥틸옥시기, 제3 옥틸옥시기, 2-에틸헥실옥시기, 노닐옥시기, 데실옥시기, 운데실옥시기, 도데실옥시기, 트리데실옥시기, 테트라데실옥시기, 펜타데실옥시기, 헥사데실옥시기, 헵타데실옥시기, 옥타데실옥시기 등을 들 수 있다. Examples of the linear or branched alkoxy group having 4 to 18 carbon atoms represented by R 19 or R 20 in the formula (4) include a butyloxy group, a sec-butyloxy group, a tert-butyloxy group, An isoamyloxy group, a tertiary amyloxy group, a hexyloxy group, a heptyloxy group, an isoheptyloxy group, a tertiary heptyloxy group, an octyloxy group, an isooctyloxy group, a tertiary octyloxy group, Heptadecyloxy group, heptadecyloxy group, octadecyl group, octadecyloxy group, hexadecyloxy group, heptadecyloxy group, octadecyl group, heptadecyloxy group, And the period of time when the painting is finished.

상기 R19 또는 R20으로 나타나는 탄소수 4∼18의 직쇄상 또는 분기상의 알킬티오기로서는, 예를 들면, 부틸티오기, 제2 부틸티오기, 제3 부틸티오기, 이소부틸티오기, 아밀티오기, 이소아밀티오기, 제3 아밀티오기, 헥실티오기, 헵틸티오기, 이소헵틸티오기, 제3 헵틸티오기, 옥틸티오기, 이소옥틸티오기, 제3 옥틸티오기, 2-에틸헥실티오기, 노닐티오기, 데실티오기, 운데실티오기, 도데실티오기, 트리데실티오기, 테트라데실티오기, 펜타데실티오기, 헥사데실티오기, 헵타데실티오기, 옥타데실티오기 등을 들 수 있다. Examples of the linear or branched alkylthio group having 4 to 18 carbon atoms represented by R 19 or R 20 include, for example, a butylthio group, a sec-butylthio group, a sec-butylthio group, an isobutylthio group, An isoamylthio group, a tert-amylthio group, a tert-amylthio group, a tert-amylthio group, a tert-butylthio group, Dodecylthio group, dodecylthio group, tridecylthio group, tetradecylthio group, pentadecylthio group, hexadecylthio group, heptadecylthio group, octadecylthio group, and the like are preferable .

상기식 (4) 중의 상기 탄소수 4∼18의 알콕시기의 산소 원자에 인접하지 않는 메틸렌기가 -C(=O)-기로 치환된 기로서는, 예를 들면, 2-케토부틸-1-옥시기, 2-케토펜틸-1-옥시기, 2-케토헥실-1-옥시기, 2-케토헵틸-1-옥시기, 2-케토옥틸-1-옥시기, 3-케토부틸-1-옥시기, 4-케토아밀-1-옥시기, 5-케토헥실-1-옥시기, 6-케토헵틸-1-옥시기, 7-케토옥틸-1-옥시기, 3-메틸-2-케토펜탄-4-옥시기, 2-케토-펜탄-4-옥시기, 2-메틸-2-케토펜탄-4-옥시기, 3-케토헵탄-5-옥시기, 2-아다만탄온-5-옥시기 등을 들 수 있다. Examples of the group in which the methylene group not adjacent to the oxygen atom of the alkoxy group having 4 to 18 carbon atoms in the formula (4) is substituted with a -C (= O) - group include a 2-ketobutyl- A 2-ketoheptyl-1-oxy group, a 2-ketooxyl-1-oxy group, a 3-ketobutyl- , A 4-ketoamyl-1-oxy group, a 5-ketohexyl-1-oxy group, a 6-ketoheptyl- 4-oxo group, 3-ketoheptan-5-oxy group, 2-adamantanone-5-ox Time and so on.

상기식 (4) 중의 상기 탄소수 4∼18의 알킬티오기의 황 원자에 인접하지 않는 메틸렌기가 -C(=O)-기로 치환된 기로서는, 예를 들면, 2-케토부틸-1-티오기, 2-케토펜틸-1-티오기, 2-케토헥실-1-티오기, 2-케토헵틸-1-티오기, 2-케토옥틸-1-티오기, 3-케토부틸-1-티오기, 4-케토아밀-1-티오기, 5-케토헥실-1-티오기, 6-케토헵틸-1-티오기, 7-케토옥틸-1-티오기, 3-메틸-2-케토펜탄-4-티오기, 2-케토펜탄-4-티오기, 2-메틸-2-케토펜탄-4-티오기, 3-케토헵탄-5-티오기 등을 들 수 있다. Examples of the group in which the methylene group not adjacent to the sulfur atom of the alkylthio group having 4 to 18 carbon atoms in the formula (4) is substituted with a -C (= O) - group include, for example, 2-ketobutyl- , 2-ketoheptyl-1-thio group, 2-ketoheptyl-1-thio group, 3-ketobutyl- 1-thio group, 3-methyl-2-keto, 4-ketoamyl-1-thio group, 5-ketohexyl- Pentan-4-thio group, 2-keto-pentane-4-thio group, 2-methyl-2-keto-pentane-4-thio group and 3-ketoheptan-5-thio group.

상기식 (4) 중의 상기 탄소수 4∼18의 알콕시기가 나프탈렌환에 가까운 쪽으로부터 -O-C(=O)- 결합 또는 -OC(=O)-NH- 결합으로 중단된 기 및, 상기 탄소수 4∼18의 알킬티오기가 나프탈렌환에 가까운 쪽으로부터 -O-C(=O)- 결합 또는 -OC(=O)-NH- 결합으로 중단된 기는, -Y5-Rf-O-C(=O)-Rg 또는 -Y5-RfOC(=O)-NH-Rg이다. Y5는, 산소 원자 또는 황 원자이다. Rf 및 Rg는, 상기식 (4)의 R19 및 R20을 형성할 수 있는 기이다. Rf는, 직쇄상 또는 분기상의 알킬렌기이다. 이 알킬렌기는, 지환식 탄화수소기, 복소환기 또는 할로겐 원자로 치환되어 있어도 좋다. Rg는, 직쇄상 또는 분기상의 알킬기이다. 이 알킬기는, 지환식 탄화수소기, 복소환기 또는 할로겐 원자로 치환되어 있어도 좋다. Rf 및 Rg의 합계 탄소수는, 4∼18이다. The group in which the alkoxy group having 4 to 18 carbon atoms in the formula (4) is interrupted by a -OC (= O) - bond or -OC (= O) -NH- bond from the side closer to the naphthalene ring, (= O) -R g or -Y 5 -R f -OC (= O) -R g wherein the alkylthio group of the alkylthio group of the alkylthio group in the naphthalene ring is interrupted by a -OC (= O) -Y 5 -R f OC (= O) -NH-R g . Y 5 is an oxygen atom or a sulfur atom. R f and R g are groups capable of forming R 19 and R 20 in the formula (4). R f is a linear or branched alkylene group. The alkylene group may be substituted with an alicyclic hydrocarbon group, a heterocyclic group or a halogen atom. R g is a linear or branched alkyl group. The alkyl group may be substituted with an alicyclic hydrocarbon group, a heterocyclic group or a halogen atom. The total carbon number of R f and R g is 4 to 18.

상기 알콕시기 및 상기 알킬티오기는, 할로겐 원자, 지환식 탄화수소기 또는 복소환기로 치환되어도 좋다. The alkoxy group and the alkylthio group may be substituted with a halogen atom, an alicyclic hydrocarbon group or a heterocyclic group.

할로겐 원자로서는, 예를 들면 불소, 염소, 브롬, 요오드 등을 들 수 있다. Examples of the halogen atom include fluorine, chlorine, bromine, and iodine.

지환식 탄화수소기 및 복소환기는, 알콕시기 또는 알킬티오기 중의 메틸렌기와 치환되는 형태로 존재하고 있어도 좋고, 알콕시기 또는 알킬티오기 중의 메틸렌기의 프로톤과 치환되는 형태로 존재해도 좋고, 알콕시기 또는 알킬티오기 중의 말단에 존재하고 있어도 좋다. 상기 알콕시기 및 알킬티오기는, 지환식 탄화수소기 또는 복소환기의 환 구조를 구성하는 탄소 원자와, 산소 원자 또는 황 원자가 직접 결합하여 구성되는 기도 포함한다.  The alicyclic hydrocarbon group and the heterocyclic group may be present in a form substituted with a methylene group in an alkoxy group or an alkylthio group, may be present in a form substituted with a proton of a methylene group in an alkoxy group or an alkylthio group, May be present at the terminal of the alkylthio group. The alkoxy group and the alkylthio group include a ring formed by directly bonding an oxygen atom or a sulfur atom to a carbon atom constituting the ring structure of an alicyclic hydrocarbon group or heterocyclic group.

상기 지환식 탄화수소기로서는, 예를 들면, 사이클로프로판, 사이클로부탄, 사이클로펜탄, 사이클로헥산, 사이클로헵탄, 사이클로옥탄, 사이클로데칸, 바이사이클로[2.1.1]헥산, 바이사이클로[2.2.1]헵탄, 바이사이클로[3.2.1]옥탄, 바이사이클로[2.2.2]옥탄, 아다만탄에 유래하는 기 등을 들 수 있다.  Examples of the alicyclic hydrocarbon group include cyclopropane, cyclobutane, cyclopentane, cyclohexane, cycloheptane, cyclooctane, cyclodecane, bicyclo [2.1.1] hexane, bicyclo [2.2.1] heptane, Bicyclo [3.2.1] octane, bicyclo [2.2.2] octane, groups derived from adamantane, and the like.

상기 복소환기로서는, 예를 들면, 피롤, 티오펜, 푸란, 피란, 티오피란, 이미다졸, 피라졸, 티아졸, 이소티아졸, 옥사졸, 이소옥사졸, 피리딘, 피라진, 피리미딘, 피리다진, 피롤리딘, 피라졸리딘, 이미다졸리딘, 이소옥사졸리딘, 이소티아졸리딘, 피페리딘, 피페라진, 모르폴린, 티오모르폴린, 크로만, 티오크로만, 이소크로만, 이소티오크로만, 인돌린, 이소인돌린, 피리딘, 인돌리진, 인돌, 인다졸, 푸린, 퀴놀리진, 이소퀴놀린, 퀴놀린, 나프틸리딘, 프탈라진, 퀴녹살린, 퀴나졸린, 신놀린, 프테리딘, 아크리딘, 페리미딘, 페난트롤린, 카르바졸, 카르볼린, 페나딘, 안티리딘, 티아디아졸, 옥사디아졸, 트리아진, 트리아졸, 테트라졸, 벤조이미다졸, 벤조옥사졸, 벤조티아졸, 벤조티아디아졸, 벤조푸록산, 나프토이미다졸, 벤조트리아졸, 테트라아자인덴, 상기 복소환 화합물 중에 존재하는 불포화 결합 또는 공액 결합에 수소 첨가된 포화 복소환(테트라하이드로푸란환 등) 화합물에 유래하는 기 등을 들 수 있다. Examples of the heterocyclic group include pyrrole, thiophene, furan, pyran, thiopyran, imidazole, pyrazole, thiazole, isothiazole, oxazole, isoxazole, pyridine, pyrazine, pyrimidine, pyridazine , Pyrrolidine, pyrazolidine, imidazolidine, isooxazolidine, isothiazolidine, piperidine, piperazine, morpholine, thiomorpholine, chroman, thiochroman, isochroman, iso The compounds of the present invention can be used in combination with thiochroman, indoline, isoindoline, pyridine, indolizine, indole, indazole, purine, quinolizine, isoquinoline, quinoline, naphthyridine, phthalazine, quinoxaline, quinazoline, The present invention relates to the use of a compound selected from the group consisting of thiadiazole, thiadiazine, acridine, perimidine, phenanthroline, carbazole, carbolin, phenadine, antithyridine, thiadiazole, oxadiazole, triazine, triazole, tetrazole, , Benzothiazole, benzothiadiazole, benzofuroxan, naphtoimidazole, benzotriazole, tetraazindene, the above An unsaturated bond or a conjugated bond present in the heterocyclic compound and the like can be mentioned groups derived from a saturated heterocyclic ring the hydrogenation (tetrahydrofuran ring, etc.) compounds.

상기 지환식 탄화수소기로 치환된 알콕시기로서는, 예를 들면, 사이클로펜틸옥시기, 메틸사이클로펜틸옥시기, 사이클로헥실옥시기, 플루오로사이클로헥실옥시기, 클로로사이클로헥실옥시기, 사이클로헥실메틸옥시기, 메틸사이클로헥실옥시기, 노르보르닐옥시기, 에틸사이클로헥실옥시기, 사이클로헥실에틸옥시기, 디메틸사이클로헥실옥시기, 메틸사이클로헥실메틸옥시기, 노르보르닐메틸옥시기, 트리메틸사이클로헥실옥시기, 1-사이클로헥실부틸옥시기, 아다만틸옥시기, 멘틸옥시기, n-부틸사이클로헥실옥시기, 제3 부틸사이클로헥실옥시기, 보르닐옥시기, 이소보르닐옥시기, 데카하이드로나프틸옥시기, 디사이클로펜타디에녹시기, 1-사이클로헥실펜틸옥시기, 메틸아다만틸옥시기, 아다만탄메틸옥시기, 4-아밀사이클로헥실옥시기, 사이클로헥실사이클로헥실옥시기, 아다만틸에틸옥시기, 디메틸아다만틸옥시기 등을 들 수 있다. Examples of the alkoxy group substituted with the alicyclic hydrocarbon group include a cyclopentyloxy group, a methylcyclopentyloxy group, a cyclohexyloxy group, a fluorocyclohexyloxy group, a chlorocyclohexyloxy group, a cyclohexylmethyloxy group, Cyclohexyloxy group, methylcyclohexyloxy group, norbornylmethyloxy group, trimethylcyclohexyloxy group, 1-methylcyclohexyloxy group, norbornyloxy group, ethylcyclohexyloxy group, cyclohexylethyloxy group, dimethylcyclohexyloxy group, -Cyclohexylbutyloxy group, adamantyloxy group, menthyloxy group, n-butylcyclohexyloxy group, tert-butylcyclohexyloxy group, boronyloxy group, isobornyloxy group, decahydronaphthyloxy group, Cyclohexylmethyloxy group, dienoxy group, 1-cyclohexylpentyloxy group, methyladamantyloxy group, adamantanemethyloxy group, 4-amylcyclohexyloxy group, cyclohexyl Cyclohexyloxy group, adamantylethyloxy group, and dimethyladamantyloxy group.

상기 복소환기로 치환된 알콕시기로서는, 예를 들면, 테트라하이드로푸라닐옥시기, 푸르푸릴옥시기, 테트라하이드로푸르푸릴옥시기, 테트라하이드로피라닐옥시기, 부티로락틸옥시기, 부티로락틸메틸옥시기, 인돌옥시기를 들 수 있다. Examples of the alkoxy group substituted by the heterocyclic group include a tetrahydrofuranyloxy group, a furfuryloxy group, a tetrahydrofurfuryloxy group, a tetrahydropyranyloxy group, a butyrolactyloxy group, a butyrolactylmethyloxy group , And indoleoxy group.

상기 지환식 탄화수소기로 치환된 알킬티오기로서는, 예를 들면, 사이클로펜틸티오기, 사이클로헥실티오기, 사이클로헥실메틸티오기, 노르보르닐티오기, 이소노르보르닐티오기 등을 들 수 있다. Examples of the alkylthio group substituted with the alicyclic hydrocarbon group include a cyclopentylthio group, a cyclohexylthio group, a cyclohexylmethylthio group, a norbornylthio group, and an isonorbornylthio group.

상기 복소환기로 치환된 알킬티오기로서는, 예를 들면, 푸르푸릴티오기, 테트라하이드로푸르푸릴티오기 등을 들 수 있다. Examples of the alkylthio group substituted by the heterocyclic group include a furfurylthio group, a tetrahydrofurfurylthio group, and the like.

상기식 (5) 중의 R25로 나타나는 탄소수 1∼12의 2가의 탄화수소기로서는, 예를 들면, 알칸디일기, 알켄디일기, 알킨디일기 등의 지방족 탄화수소기, 사이클로알칸디일기 등의 지환식 탄화수소기, 지방족 탄화수소기와 지환식 탄화수소기가 결합한 기 등을 들 수 있다. 탄소수 1∼12의 탄화수소기로서는, 구체적으로는, 메틸렌기, 에틸렌기, 프로판-1,3-디일기, 프로판-1,2-디일기, 부틸렌기, 부탄-1,3-디일기, 부탄-2,3-디일기, 부탄-1,2-디일기, 펜틸렌기, 헥실렌기, 사이클로헥실렌기, 사이클로헥실렌메틸기, 헵틸렌기, 옥틸렌기, 사이클로헥실렌에틸기, 메틸렌사이클로헥실렌메틸기, 노닐렌기, 데실렌기, 아다만틸렌기, 노르보르닐렌기, 이소노르보르닐렌기, 도데실렌기, 운데실렌기 등을 들 수 있다. Examples of the divalent hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms represented by R 25 in the formula (5) include aliphatic hydrocarbon groups such as alkanediyl groups, alkenediyl groups and alkynediyl groups, alicyclic hydrocarbon groups such as cycloalkanediyl groups, A hydrocarbon group, a group in which an aliphatic hydrocarbon group and an alicyclic hydrocarbon group are bonded, and the like. Specific examples of the hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms include a methylene group, an ethylene group, a propane-1,3-diyl group, a propane-1,2-diyl group, a butylene group, A cyclohexylene group, a cyclohexylmethylene group, a cyclohexylene group, a cyclohexylene group, an octylene group, a cyclohexyleneethylene group, a methylene cyclohexylene methyl group , A nonylene group, a decylene group, an adamantylene group, a norbornylene group, an isonorbornylene group, a dodecylene group and an undecylene group.

상기식 (5) 중의 R26 및 Y2로 나타나는 탄소수 1∼4의 알칸디일기로서는, 예를 들면, 메틸렌기, 에틸렌기, 프로판-1,3-디일기, 프로판-1,2-디일기, 부틸렌기, 부탄-1,3-디일기, 부탄-2,3-디일기, 부탄-1,2-디일기 등을 들 수 있다. Examples of the alkanediyl group having 1 to 4 carbon atoms represented by R 26 and Y 2 in the formula (5) include a methylene group, an ethylene group, a propane-1,3-diyl group, a propane-1,2- , Butylene group, butane-1,3-diyl group, butane-2,3-diyl group, butane-1,2-diyl group and the like.

상기식 (5) 중의 R27로 나타나는 탄소수 1∼4의 직쇄상 또는 분기상의 알킬기로서는, 예를 들면, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, 부틸기, 제2 부틸기, 제3 부틸기, 이소부틸기 등을 들 수 있다. Examples of the linear or branched alkyl group having 1 to 4 carbon atoms represented by R 27 in the formula (5) include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, a butyl group, , Isobutyl group and the like.

상기식 (5) 중의 R27로 나타나는 탄소수 3∼10의 1가의 지환식 탄화수소기로서는, 예를 들면, 사이클로프로필기, 사이클로부틸기, 사이클로펜틸기, 사이클로헥실기, 사이클로헵틸기, 사이클로옥틸기, 사이클로데실기, 바이사이클로[2.1.1]헥실기, 바이사이클로[2.2.1]헵틸기, 바이사이클로[3.2.1]옥틸기, 바이사이클로[2.2.2]옥틸기, 아다만틸기 등을 들 수 있다. Examples of the monovalent alicyclic hydrocarbon group having 3 to 10 carbon atoms represented by R 27 in the formula (5) include a cyclopropyl group, a cyclobutyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a cycloheptyl group, a cyclooctyl group , A cyclodecyl group, a bicyclo [2.1.1] hexyl group, a bicyclo [2.2.1] heptyl group, a bicyclo [3.2.1] octyl group, a bicyclo [2.2.2] octyl group, .

상기식 (5) 중의 R27로 나타나는 탄소수 3∼10의 1가의 복소환기로서는, 예를 들면, 피롤, 티오펜, 푸란, 피란, 티오피란, 이미다졸, 피라졸, 티아졸, 이소티아졸, 옥사졸, 이소옥사졸, 피리딘, 피라진, 피리미딘, 피리다진, 피롤리딘, 피라졸리딘, 이미다졸리딘, 이소옥사졸리딘, 이소티아졸리딘, 피페리딘, 피페라진, 모르폴린, 티오모르폴린, 크로만, 티오크로만, 이소크로만, 이소티오크로만, 인돌린, 이소인돌린, 피리딘, 인돌리진, 인돌, 인다졸, 푸린, 퀴놀리진, 이소퀴놀린, 퀴놀린, 나프틸리딘, 프탈라진, 퀴녹살린, 퀴나졸린, 신놀린, 프테리딘, 아크리딘, 페리미딘, 페난트롤린, 카르바졸, 카르볼린, 페나딘, 안티리딘, 티아디아졸, 옥사디아졸, 트리아진, 트리아졸, 테트라졸, 벤조이미다졸, 벤조옥사졸, 벤조티아졸, 벤조티아디아졸, 벤조푸록산, 나프토이미다졸, 벤조트리아졸, 테트라아자인덴, 상기 복소환 화합물 중에 존재하는 불포화 결합 또는 공액 결합에 수소 첨가된 포화 복소환(테트라하이드로푸란환 등) 화합물 등으로부터 수소 원자를 제외한 1가의 기를 들 수 있다.  Examples of the monovalent heterocyclic group having 3 to 10 carbon atoms represented by R 27 in the formula (5) include pyrrole, thiophene, furan, pyran, thiopyran, imidazole, pyrazole, thiazole, isothiazole, Wherein the substituents are selected from the group consisting of oxazole, isoxazole, pyridine, pyrazine, pyrimidine, pyridazine, pyrrolidine, pyrazolidine, imidazolidine, isoxazolidine, isothiazolidine, piperidine, piperazine, morpholine, Indolin, indoline, indoline, indoline, indazole, purine, quinolizine, isoquinoline, quinoline, naphthyridine, But are not limited to, pyridine, pyrimidine, pyrazine, pyrimidine, pyrazine, pyrazine, pyrazine, pyrazine, pyrazine, pyrazine, pyrazine, Triazine, triazole, tetrazole, benzoimidazole, benzoxazole, benzothiazole, benzothiadiazole, benzofuroxan, naphtho A monovalent group excluding a hydrogen atom from an unsaturated bond present in the above heterocyclic compound or a saturated heterocyclic ring (such as a tetrahydrofuran ring) added by hydrogenation to a conjugated bond, etc. have.

상기식 (4) 중의 R24에 있어서의 비치환의 탄소수 1∼18의 지방족 탄화수소기로서는, 예를 들면, 알케닐기, 알킬기, 지환식 탄화수소기, 알킬기 중의 메틸렌기가 지환식 탄화수소기로 치환된 기, 알킬기 중의 메틸렌기의 수소 원자가 지환식 탄화수소기로 치환된 기, 또는 알킬기의 말단에 지환식 탄화수소가 존재하는 기 등을 들 수 있다. Examples of the unsubstituted aliphatic hydrocarbon group having 1 to 18 carbon atoms in R 24 in the formula (4) include an alkenyl group, an alkyl group, an alicyclic hydrocarbon group, a group in which the methylene group in the alkyl group is substituted with an alicyclic hydrocarbon group, A group in which the hydrogen atom of the methylene group is substituted with an alicyclic hydrocarbon group or a group in which an alicyclic hydrocarbon exists at the terminal of the alkyl group.

상기 알케닐기로서는, 예를 들면, 알릴기, 2-메틸-2-프로페닐기를 들 수 있다. 상기 알킬기로서는, 예를 들면, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, 부틸기, 제2 부틸기, 제3 부틸기, 이소부틸기, 아밀기, 이소아밀기, 제3 아밀기, 헥실기, 2-헥실기, 3-헥실기, 헵틸기, 2-헵틸기, 3-헵틸기, 이소헵틸기, 제3 헵틸기, 옥틸기, 이소옥틸기, 제3 옥틸기, 2-에틸헥실기, 노닐기, 이소노닐기, 데실기, 도데실기, 트리데실기, 테트라데실기, 펜타데실기, 헥사데실기, 헵타데실기, 옥타데실기 등을 들 수 있다. 상기 지환식 탄화수소기로서는, 예를 들면, 사이클로프로필기, 사이클로부틸기, 사이클로펜틸기, 사이클로헥실기, 사이클로헵틸기, 사이클로옥틸기, 사이클로데실기, 바이사이클로[2.1.1]헥실기, 바이사이클로[2.2.1]헵틸기, 바이사이클로[3.2.1]옥틸기, 바이사이클로[2.2.2]옥틸기, 아다만틸기 등을 들 수 있다.  Examples of the alkenyl group include an allyl group and a 2-methyl-2-propenyl group. Examples of the alkyl group include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, a butyl group, a sec-butyl group, a tert-butyl group, an isobutyl group, , A hexyl group, a heptyl group, a heptyl group, a 2-heptyl group, a 3-heptyl group, an isoheptyl group, a 3-heptyl group, an octyl group, an isooxyl group, a 3-octyl group, A nonyl group, an isononyl group, a decyl group, a dodecyl group, a tridecyl group, a tetradecyl group, a pentadecyl group, a hexadecyl group, a heptadecyl group and an octadecyl group. Examples of the alicyclic hydrocarbon group include a cyclopropyl group, a cyclobutyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a cycloheptyl group, a cyclooctyl group, a cyclodecyl group, a bicyclo [2.1.1] hexyl group, Cyclo [2.2.1] heptyl group, bicyclo [3.2.1] octyl group, bicyclo [2.2.2] octyl group and adamantyl group.

상기 탄소수 1∼18의 지방족 탄화수소기를 치환하는 할로겐 원자로서는, 예를 들면, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자, 불소 원자 등을 들 수 있다. 상기 지방족 탄화수소기를 치환하는 탄소수 1∼18의 알킬티오기로서는, 예를 들면, 메틸티오기, 에틸티오기, 프로필티오기, 이소프로필티오기, 부틸티오기, 제2 부틸티오기, 제3 부틸티오기, 이소부틸티오기, 아밀티오기, 이소아밀티오기, 제3 아밀티오기, 헥실티오기, 헵틸티오기, 이소헵틸티오기, 제3 헵틸티오기, 옥틸티오기, 이소옥틸티오기, 제3 옥틸티오기, 2-에틸헥실티오기, 노닐티오기, 데실티오기, 운데실티오기, 도데실티오기, 트리데실티오기, 테트라데실티오기, 펜타데실티오기, 헥사데실티오기, 헵타데실티오기, 옥타데실티오기 등을 들 수 있다.Examples of the halogen atom substituting the aliphatic hydrocarbon group having 1 to 18 carbon atoms include a chlorine atom, a bromine atom, an iodine atom and a fluorine atom. Examples of the alkylthio group having 1 to 18 carbon atoms for substituting the aliphatic hydrocarbon group include a methylthio group, an ethylthio group, a propylthio group, an isopropylthio group, a butylthio group, a sec-butylthio group, Isoamylthio group, heptylthio group, heptylthio group, heptylthio group, heptylthio group, heptylthio group, octylthio group, isooctylthio group, isoamylthio group, A heptyldecylthio group, a heptadecylthio group, a heptadecylthio group, a heptadecylthio group, a heptadecylthio group, a heptadecylthio group, a heptadecylthio group, a heptadecylthio group, a heptadecylthio group, Tetradecylthio, octadecylthio, and the like.

할로겐 원자로 치환된 탄소수 1∼18의 지방족 탄화수소기로서는, 예를 들면, 트리플루오로메틸기, 펜타플루오로에틸기, 2-클로로에틸기, 2-브로모에틸기, 헵타플루오로프로필기, 3-브로모프로필기, 노나플루오로부틸기, 트리데카플루오로헥실기, 헵타데카플루오로옥틸기, 2,2,2-트리플루오로에틸기, 1,1-디플루오로에틸기, 1,1-디플루오로프로필기, 1,1,2,2-테트라플루오로프로필기, 3,3,3-트리플루오로프로필기, 2,2,3,3,3-펜타플루오로프로필기, 노르보르닐-1,1-디플루오로에틸기, 노르보르닐테트라플루오로에틸기, 아다만탄-1,1,2,2-테트라플루오로프로필기 등의 할로겐화 알킬기를 들 수 있고, 알킬티오기로 치환된 탄소수 1∼18의 지방족 탄화수소로서는, 2-메틸티오에틸기, 4-메틸티오부틸기, 4-부틸티오에틸기 등을 들 수 있고, 할로겐 원자 및 탄소수 1∼18의 알킬티오기로 치환된 탄소수 1∼18의 지방족 탄화수소기로서는, 예를 들면, 1,1,2,2-테트라플루오로-3-메틸티오프로필기 등을 들 수 있다.  Examples of the C1-18 aliphatic hydrocarbon group substituted with a halogen atom include a trifluoromethyl group, a pentafluoroethyl group, a 2-chloroethyl group, a 2-bromoethyl group, a heptafluoropropyl group, a 3-bromopropyl A nonafluorobutyl group, a nonafluorobutyl group, a tridecafluorohexyl group, a heptadecafluorooctyl group, a 2,2,2-trifluoroethyl group, a 1,1-difluoroethyl group, a 1,1-difluoropropyl Group, a 1,1,2,2-tetrafluoropropyl group, a 3,3,3-trifluoropropyl group, a 2,2,3,3,3-pentafluoropropyl group, a norbornyl-1, A halogenated alkyl group such as a 1-difluoroethyl group, a norbornyltetrafluoroethyl group, an adamantane-1,1,2,2-tetrafluoropropyl group, etc., and an alkylthio group-substituted C1-18 Methylthioethyl group, 4-methylthiobutyl group and 4-butylthioethyl group, and examples of the aliphatic hydrocarbon include a halogen atom and an alkyl group having 1 to 18 carbon atoms Examples of the aliphatic hydrocarbon group having 1 to 18 carbon atoms substituted with a keto group include 1,1,2,2-tetrafluoro-3-methylthiopropyl group and the like.

상기식 (4) 중의 R24에 있어서의 비치환의 탄소수 1∼18의 직쇄상 또는 분기상의 알킬기로서는, 예를 들면, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, n-부틸기, n-펜틸기, n-헥실기, n-옥틸기, i-프로필기, i-부틸기, t-부틸기, 네오펜틸기 등을 들 수 있다. Examples of the unsubstituted straight or branched alkyl group having 1 to 18 carbon atoms in R 24 in the formula (4) include a methyl group, ethyl group, n-propyl group, n-butyl group, n-pentyl group, -Hexyl group, n-octyl group, i-propyl group, i-butyl group, t-butyl group and neopentyl group.

상기 탄소수 1∼18의 알킬기를 치환하는 할로겐 원자로서는, 탄소수 1∼18의 지방족 탄화수소기를 치환하는 할로겐 원자와 동일한 것을 들 수 있다. 상기 알킬기를 치환하는 지환식 탄화수소기로서는, 예를 들면, 사이클로프로판, 사이클로부탄, 사이클로펜탄, 사이클로헥산, 사이클로헵탄, 사이클로옥탄, 사이클로데칸, 바이사이클로[2.1.1]헥산, 바이사이클로[2.2.1]헵탄, 바이사이클로[3.2.1]옥탄, 바이사이클로[2.2.2]옥탄, 아다만탄에 유래하는 기 등을 들 수 있다. Examples of the halogen atom for substituting the alkyl group having 1 to 18 carbon atoms include the same halogen atoms as those for substituting the aliphatic hydrocarbon group having 1 to 18 carbon atoms. Examples of the alicyclic hydrocarbon group substituting the alkyl group include cyclopropane, cyclobutane, cyclopentane, cyclohexane, cycloheptane, cyclooctane, cyclodecane, bicyclo [2.1.1] hexane, bicyclo [2.2. 1] heptane, bicyclo [3.2.1] octane, bicyclo [2.2.2] octane, adamantane and the like.

상기식 (4) 중의 R24에 있어서의 비치환의 탄소수 3∼18의 지환식 탄화수소기로서는, 예를 들면, 사이클로부틸기, 사이클로펜틸기, 사이클로헥실기, 사이클로헵틸기, 사이클로옥틸기, 사이클로데실기, 메틸사이클로헥실기, 에틸사이클로헥실기 등의 단환식 사이클로알킬기; Examples of the unsubstituted alicyclic hydrocarbon group having 3 to 18 carbon atoms for R 24 in the formula (4) include a cyclobutyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a cycloheptyl group, a cyclooctyl group, A monocyclic cycloalkyl group such as an acyl group, a methylcyclohexyl group and an ethylcyclohexyl group;

사이클로부테닐기, 사이클로펜테닐기, 사이클로헥세닐기, 사이클로헵테닐기, 사이클로옥테닐기, 사이클로데세닐기, 사이클로펜타디에닐기, 사이클로헥사디에닐기, 사이클로옥타디에닐기, 사이클로데카디엔 등의 단환식 사이클로알케닐기; Monocyclic cycloalkanes such as cyclopentenyl, cyclobutenyl, cyclopentenyl, cyclohexenyl, cycloheptenyl, cyclooctenyl, cyclodecenyl, cyclopentadienyl, cyclohexadienyl, cyclooctadienyl and cyclodecadiene; Nil group;

바이사이클로[2.2.2]옥틸기, 트리사이클로[5.2.1.02,6]데실기, 테트라사이클로[6.2.1.13,6.02,7]도데실기, 노르보르닐기, 아다만틸기 등의 다환식 사이클로알킬기 등을 들 수 있다. A bicyclic [2.2.2] octyl group, a tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decyl group, a tetracyclo [6.2.1.1 3,6 .0 2,7 ] dodecyl group, a norbornyl group and an adamantyl group A polycyclic cycloalkyl group and the like.

상기 탄소수 3∼18의 지환식 탄화수소기를 치환하는 할로겐 원자로서는, 탄소수 1∼18의 지방족 탄화수소기를 치환하는 할로겐 원자와 동일한 것을 들 수 있다. Examples of the halogen atom for substituting the alicyclic hydrocarbon group having 3 to 18 carbon atoms include the same halogen atoms as those for substituting the aliphatic hydrocarbon group having 1 to 18 carbon atoms.

상기식 (4) 중의 R24에 있어서의 비치환의 탄소수 6∼20의 아릴기로서는, 예를 들면, 페닐기, 나프틸기, 4-비닐페닐기, 비페닐기 등을 들 수 있다. Examples of the unsubstituted aryl group having 6 to 20 carbon atoms in R 24 in the formula (4) include a phenyl group, a naphthyl group, a 4-vinylphenyl group and a biphenyl group.

상기 탄소수 6∼20의 아릴기를 치환하는 할로겐 원자 및 탄소수 1∼18의 알킬티오기로서는, 상기 탄소수 1∼18의 지방족 탄화수소기를 치환하는 할로겐 원자 및 탄소수 1∼18의 알킬티오기와 동일한 것을 들 수 있다.  Examples of the halogen atom and the alkylthio group having 1 to 18 carbon atoms substituting the aryl group having 6 to 20 carbon atoms include the same groups as the halogen atom and the alkylthio group having 1 to 18 carbon atoms substituting the aliphatic hydrocarbon group having 1 to 18 carbon atoms .

할로겐 원자로 치환된 탄소수 6∼20의 아릴기로서는, 예를 들면, 펜타플루오로페닐기, 클로로페닐기, 디클로로페닐기, 트리클로로페닐기, 2,4-비스(트리플루오로메틸)페닐기, 브로모에틸페닐기 등을 들 수 있다. 탄소수 1∼18의 알킬티오기로 치환된 탄소수 6∼20의 아릴기로서는, 예를 들면, 4-메틸티오페닐기, 4-부틸티오페닐기, 4-옥틸티오페닐기, 4-도데실티오페닐기 등을 들 수 있다. 할로겐 원자 및 탄소수 1∼18의 알킬티오기로 치환된 탄소수 6∼20의 아릴기로서는, 예를 들면, 1,2,5,6-테트라플루오로-4-메틸티오페닐기, 1,2,5,6-테트라플루오로-4-부틸티오페닐기, 1,2,5,6-테트라플루오로-4-도데실티오페닐기 등을 들 수 있다.  Examples of the aryl group having 6 to 20 carbon atoms substituted with a halogen atom include a pentafluorophenyl group, a chlorophenyl group, a dichlorophenyl group, a trichlorophenyl group, a 2,4-bis (trifluoromethyl) phenyl group, . Examples of the aryl group having 6 to 20 carbon atoms substituted with an alkylthio group having 1 to 18 carbon atoms include a 4-methylthiophenyl group, a 4-butylthiophenyl group, a 4-octylthiophenyl group, a 4-dodecylthiophenyl group, . Examples of the aryl group having 6 to 20 carbon atoms substituted with a halogen atom and an alkylthio group having 1 to 18 carbon atoms include 1,2,5,6-tetrafluoro-4-methylthiophenyl group, 6-tetrafluoro-4-butylthiophenyl group, and 1,2,5,6-tetrafluoro-4-dodecylthiophenyl group.

상기식 (4) 중의 R24에 있어서의 비치환의 탄소수 7∼20의 아릴알킬기로서는, 예를 들면, 벤질기, 페네틸기, 2-페닐프로판-2-일기, 디페닐메틸기, 트리페닐메틸기, 스티릴기, 신나밀기 등을 들 수 있다.  Examples of the unsubstituted arylalkyl group having 7 to 20 carbon atoms in R 24 in the formula (4) include a benzyl group, a phenethyl group, a 2-phenylpropan-2-yl group, a diphenylmethyl group, Reel, thinning, and the like.

상기 탄소수 7∼20의 아릴알킬기를 치환하는 할로겐 원자 및 탄소수 1∼18의 알킬티오기로서는, 상기 탄소수 1∼18의 지방족 탄화수소기를 치환하는 할로겐 원자 및 탄소수 1∼18의 알킬티오기와 동일한 것을 들 수 있다.  Examples of the halogen atom and the alkylthio group having 1 to 18 carbon atoms substituting the arylalkyl group having 7 to 20 carbon atoms include the same groups as the halogen atom and the alkylthio group having 1 to 18 carbon atoms which substitute the aliphatic hydrocarbon group having 1 to 18 carbon atoms have.

할로겐 원자로 치환된 아릴알킬기로서는, 예를 들면, 펜타플루오로페닐메틸기, 페닐디플루오로메틸기, 2-페닐-테트라플루오로에틸기, 2-(펜타플루오로페닐)에틸기 등을 들 수 있다. 탄소수 1∼18의 알킬티오기로 치환된 탄소수 7∼20의 아릴알킬기로서는, 예를 들면, p-메틸티오벤질기 등을 들 수 있다. 할로겐 원자 및 탄소수 1∼18의 알킬티오기로 치환된 아릴알킬기로서는, 예를 들면, 2,3,5,6-테트라 플루오로-4-메틸티오페닐에틸기 등을 들 수 있다.  Examples of the arylalkyl group substituted with a halogen atom include a pentafluorophenylmethyl group, a phenyldifluoromethyl group, a 2-phenyl-tetrafluoroethyl group, and a 2- (pentafluorophenyl) ethyl group. Examples of the arylalkyl group having 7 to 20 carbon atoms substituted with an alkylthio group having 1 to 18 carbon atoms include p-methylthiobenzyl group and the like. Examples of the arylalkyl group substituted by a halogen atom and an alkylthio group having 1 to 18 carbon atoms include 2,3,5,6-tetrafluoro-4-methylthiophenylethyl and the like.

상기식 (4) 중의 R24에 있어서의 비치환의 탄소수 7∼20의 알킬아릴기로서는, 예를 들면, 2-메틸페닐기, 3-메틸페닐기, 4-메틸페닐기, 3-이소프로필페닐기, 4-이소프로필페닐기, 4-부틸페닐기, 4-이소부틸페닐기, 4-제3 부틸페닐기, 4-헥실페닐기, 4-사이클로헥실페닐기, 4-옥틸페닐기, 4-(2-에틸헥실)페닐기, 2,3-디메틸페닐기, 2,4-디메틸페닐기, 2,5-디메틸페닐기, 2,6-디메틸페닐기, 3,4-디메틸페닐기, 3,5-디메틸페닐, 2,4-디제3부틸페닐, 2,5-디제3부틸페닐, 2,6-디제3부틸페닐기, 2,4-디제3펜틸페닐기, 2,5-디제3아밀페닐기, 2,5-디제3옥틸페닐기, 사이클로헥실페닐기, 2,4,5-트리메틸페닐기, 2,4,6-트리메틸페닐기, 2,4,6-트리이소프로필페닐기 등을 들 수 있다. Examples of the unsubstituted alkylaryl group having 7 to 20 carbon atoms in R 24 in the formula (4) include a 2-methylphenyl group, a 3-methylphenyl group, a 4-methylphenyl group, (2-ethylhexyl) phenyl group, 2-ethylhexylphenyl group, 2-ethylhexylphenyl group, 2-ethylhexylphenyl group, 2-ethylhexylphenyl group, 3-dimethylphenyl, 2,4-dimethylphenyl, 2,5-dimethylphenyl, 2,6-dimethylphenyl, 3,4-dimethylphenyl, 3,5- Di-tert-butylphenyl, 2,6-di-tert-butylphenyl, 2,4-di-tert-butylphenyl, 2,5-dibenzylphenyl, 2,5-dibenzylphenyl, 4,5-trimethylphenyl group, 2,4,6-trimethylphenyl group, 2,4,6-triisopropylphenyl group, and the like.

상기식 (4) 중의 R24에 있어서의 비치환의 탄소수 7∼20의 아릴기로서는, 예를 들면, 나프틸기, 비페닐기 등을 들 수 있다.  Examples of the unsubstituted aryl group having 7 to 20 carbon atoms in R 24 in the formula (4) include a naphthyl group and a biphenyl group.

상기 탄소수 7∼20의 아릴기를 치환하는 아실기로서는, 예를 들면, 메타노일기, 에타노일기, 프로파노일기, 벤조일기, 프로페노일기 등을 들 수 있다. Examples of the acyl group for substituting the aryl group having 7 to 20 carbon atoms include a methanoyl group, an ethanoyl group, a propanoyl group, a benzoyl group, and a propenoyl group.

아실기로 치환된 탄소수 7∼20의 아릴기로서는, 예를 들면, 아세틸페닐기, 아세틸나프틸기, 벤조일페닐기, 1-안트라퀴놀릴기, 2-안트라퀴놀릴기 등을 들 수 있다. Examples of the aryl group having 7 to 20 carbon atoms substituted with an acyl group include an acetylphenyl group, an acetylnaphthyl group, a benzoylphenyl group, a 1-anthraquinolyl group and a 2-anthraquinolyl group.

상기식 (4) 중의 R24로 나타나는 10-캠포릴는, 하기식으로 나타나는 것이다. The 10-camphor rex represented by R 24 in the formula (4) is represented by the following formula.

Figure pat00012
Figure pat00012

상기식 (6) 중의 Y3으로 나타나는 탄소수 1∼4의 알칸디일기로서는, 예를 들면, 메틸렌기, 에틸렌기, 프로판-1,3-디일기, 프로판-1,2-디일기, 부틸렌기, 부탄-1,3-디일기, 부탄-2,3-디일기, 부탄-1,2-디일기 등을 들 수 있다. Examples of the alkanediyl group having 1 to 4 carbon atoms represented by Y 3 in the formula (6) include a methylene group, an ethylene group, a propane-1,3-diyl group, a propane-1,2-diyl group, , Butane-1,3-diyl group, butane-2,3-diyl group, butane-1,2-diyl group and the like.

상기식 (6) 중의 R28 또는 R29로 나타나는 탄소수 2∼6의 알칸디일기로서는, 예를 들면, 상기 탄소수 2∼6의 알칸디일기 중의 적어도 하나의 수소 원자가 할로겐 원자로 치환된 기를 들 수 있다. 이 할로겐 원자로서는, 예를 들면, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자, 불소 원자 등을 들 수 있다. 상기 탄소수 2∼6의 알칸디일기로서는, 예를 들면, 테트라플루오로에틸렌기, 1,1-디플루오로에틸렌기, 1-플루오로에틸렌기, 1,2-디플루오로에틸렌기, 헥사플루오로프로판-1,3-디일기, 1,1,2,2-테트라플루오로프로판-1,3-디일기, 1,1,2,2-테트라플루오로펜탄-1,5-디일기 등을 들 수 있다. Examples of the alkanediyl group having 2 to 6 carbon atoms represented by R 28 or R 29 in the formula (6) include groups in which at least one hydrogen atom in the alkanediyl group having 2 to 6 carbon atoms is substituted with a halogen atom . Examples of the halogen atom include a chlorine atom, a bromine atom, an iodine atom and a fluorine atom. Examples of the alkanediyl group having 2 to 6 carbon atoms include tetrafluoroethylene group, 1,1-difluoroethylene group, 1-fluoroethylene group, 1,2-difluoroethylene group, hexafluoroethylene group, 1,3-diyl group, 1,1,2,2-tetrafluoropropane-1,3-diyl group, 1,1,2,2-tetrafluoropentane-1,5-diyl group, etc. .

상기식 (6) 중의 R28 또는 R29로 나타나는 탄소수 2∼6의 할로겐화 알칸디일기로서는, 예를 들면, 테트라플루오로에틸렌기, 1,1-디플루오로에틸렌기, 1-플루오로에틸렌기, 1,2-디플루오로에틸렌기, 헥사플루오로프로판-1,3-디일기, 1,1,2,2-테트라플루오로프로판-1,3-디일기, 1,1,2,2-테트라플루오로펜탄-1,5-디일기 등을 들 수 있다. Examples of the halogenated alkanediyl group having 2 to 6 carbon atoms represented by R 28 or R 29 in the formula (6) include a tetrafluoroethylene group, a 1,1-difluoroethylene group, a 1-fluoroethylene group , 1,2-difluoroethylene group, hexafluoropropane-1,3-diyl group, 1,1,2,2-tetrafluoropropane-1,3-diyl group, 1,1,2,2 - tetrafluoropentane-1,5-diyl group and the like.

상기식 (6) 중의 R28 또는 R29로 나타나는 탄소수 6∼20의 아릴렌기로서는, 예를 들면, 1,2-페닐렌기, 1,3-페닐렌기, 1,4-페닐렌기, 2,5-디메틸-1,4-페닐렌기, 4,4'-비페닐렌기, 디페닐메탄-4,4'-디일기, 2,2-디페닐프로판-4,4'-디일기, 나프탈렌-1,2-디일기, 나프탈렌-1,3-디일기, 나프탈렌-1,4-디일기, 나프탈렌-1,5-디일기, 나프탈렌-1,6-디일기, 나프탈렌-1,7-디일기, 나프탈렌-1,8-디일기, 나프탈렌-2,3-디일기, 나프탈렌-2,6-디일기, 나프탈렌-2,7-디일기 등을 들 수 있다. Examples of the arylene group having 6 to 20 carbon atoms represented by R 28 or R 29 in the formula (6) include 1,2-phenylene group, 1,3-phenylene group, 1,4-phenylene group, 2,5 -Dimethyl-1,4-phenylene group, 4,4'-biphenylene group, diphenylmethane-4,4'-diyl group, 2,2-diphenylpropane-4,4'-diyl group, naphthalene- A naphthalene-1, 3-diyl group, a naphthalene-1, 4-diyl group, a naphthalene-1,5-diyl group, a naphthalene-1,6-diyl group, A naphthalene-1,8-diyl group, a naphthalene-2,3-diyl group, a naphthalene-2,6-diyl group, and a naphthalene-2,7-diyl group.

상기식 (6) 중의 R28 또는 R29로 나타나는 탄소수 6∼20의 할로겐화 아릴렌기로서는, 상기 탄소수 6∼20의 아릴렌기 중의 적어도 하나의 수소 원자가 할로겐 원자로 치환된 기, 예를 들면, 테트라플루오로페닐렌기 등을 들 수 있다. As the halogenated arylene group having 6 to 20 carbon atoms represented by R 28 or R 29 in the formula (6), groups in which at least one hydrogen atom in the arylene group having 6 to 20 carbon atoms is substituted with a halogen atom, such as tetrafluoro And a phenylene group.

상기식 (6) 중의 R30으로 나타나는 탄소수 1∼18의 직쇄상 또는 분기상의 알킬기로서는, 예를 들면, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, 부틸기, 제2 부틸기, 제3 부틸기, 이소부틸기, 아밀기, 이소아밀기, 제3 아밀기, 헥실기, 2-헥실기, 3-헥실기, 헵틸기, 2-헵틸기, 3-헵틸기, 이소헵틸기, 제3 헵틸기, 옥틸기, 이소옥틸기, 제3 옥틸기, 2-에틸헥실기, 노닐기, 이소노닐기, 데실기, 도데실기, 트리데실기, 테트라데실기, 펜타데실기, 헥사데실기, 헵타데실기, 옥타데실기 등을 들 수 있다. Examples of the linear or branched alkyl group having 1 to 18 carbon atoms represented by R 30 in the formula (6) include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, a butyl group, a butyl group, A heptyl group, a heptyl group, a 3-heptyl group, an isoheptyl group, a 3-heptyl group, an isobutyl group, an amyl group, an isoamyl group, a tertiary amyl group, a hexyl group, A heptadecyl group, a hexadecyl group, a heptadecyl group, a heptadecyl group, a hexadecyl group, a heptadecyl group, a heptadecyl group, a heptadecyl group, a heptadecyl group, Acyl group, octadecyl group and the like.

상기식 (6) 중의 탄소수 1∼18의 직쇄상 또는 분기상의 할로겐화 알킬기로서는, 예를 들면, 상기 탄소수 1∼18의 알킬기 중의 적어도 하나의 수소 원자가 할로겐 원자로 치환된 기를 들 수 있다. 이 할로겐 원자로서는, 예를 들면, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자, 불소 원자를 들 수 있다. 상기 탄소수 1∼18의 할로겐화 알킬기로서는, 예를 들면, 트리플루오로메틸기, 펜타플루오로에틸기, 헵타플루오로프로필기, 노나플루오로부틸기, 트리데카플루오로헥실기, 헵타데카플루오로옥틸기, 2,2,2-트리플루오로에틸기, 1,1-디플루오로에틸기, 1,1-디플루오로프로필기, 1,1,2,2-테트라플루오로프로필기, 3,3,3-트리플루오로프로필기, 2,2,3,3,3-펜타플루오로프로필기, 1,1,2,2-테트라플루오로테트라데실기 등을 들 수 있다.  Examples of the linear or branched halogenated alkyl group having 1 to 18 carbon atoms in the formula (6) include groups in which at least one hydrogen atom in the alkyl group having 1 to 18 carbon atoms is substituted with a halogen atom. Examples of the halogen atom include a chlorine atom, a bromine atom, an iodine atom and a fluorine atom. Examples of the halogenated alkyl group having 1 to 18 carbon atoms include a trifluoromethyl group, pentafluoroethyl group, heptafluoropropyl group, nonafluorobutyl group, tridecafluorohexyl group, heptadecafluorooctyl group, A 2,2,2-trifluoroethyl group, a 1,1-difluoroethyl group, a 1,1-difluoropropyl group, a 1,1,2,2-tetrafluoropropyl group, a 3,3,3- A trifluoropropyl group, a 2,2,3,3,3-pentafluoropropyl group, and a 1,1,2,2-tetrafluorotetradecyl group.

상기식 (6) 중의 탄소수 3∼12의 지환식 탄화수소기로서는, 예를 들면, 사이클로프로필기, 사이클로부틸기, 사이클로펜틸기, 사이클로헥실기, 사이클로헵틸기, 사이클로옥틸기, 사이클로데실기, 바이사이클로[2.1.1]헥실기, 바이사이클로[2.2.1]헵틸기, 바이사이클로[3.2.1]옥틸기, 바이사이클로[2.2.2]옥틸기, 아다만틸기 등을 들 수 있다. Examples of the alicyclic hydrocarbon group having 3 to 12 carbon atoms in the formula (6) include cyclopropyl group, cyclobutyl group, cyclopentyl group, cyclohexyl group, cycloheptyl group, cyclooctyl group, cyclodecyl group, Cyclo [2.1.1] hexyl group, bicyclo [2.2.1] heptyl group, bicyclo [3.2.1] octyl group, bicyclo [2.2.2] octyl group and adamantyl group.

상기식 (6) 중의 탄소수 6∼20의 아릴기, 탄소수 6∼20의 할로겐화 아릴기, 탄소수 7∼20의 아릴알킬기 및, 탄소수 7∼20의 할로겐화 아릴알킬기로서는, 상기식 (4) 중의 R24와 동일한 것을 들 수 있다. R 24 in the formula (6) As the halogenated aryl group and the arylalkyl group, having a carbon number of 7 to 20 of the halogenated aryl group, a 7 to 20 carbon atoms of the aryl group, 6 to 20 carbon atoms of 6 to 20 carbon atoms in the formula (4) And the like.

[B] 비이온성 광산 발생제의 함유량으로서는, [A] 중합체 성분 100질량부에 대하여, 0.1질량부∼10질량부가 바람직하고, 1질량부∼5질량부가 보다 바람직하다. [B] 비이온성 광산 발생제의 함유량을 상기 범위로 함으로써, 당해 감방사선성 수지 조성물의 방사선 감도를 최적화하고, 투명성을 유지하면서 표면 경도가 높은 경화막을 형성할 수 있다. The content of the [B] nonionic photoacid generator is preferably 0.1 part by mass to 10 parts by mass, more preferably 1 part by mass to 5 parts by mass, per 100 parts by mass of the polymer component [A]. When the content of the [B] nonionic photoacid generator is within the above range, the radiation sensitivity of the radiation sensitive resin composition can be optimized, and a cured film having a high surface hardness can be formed while maintaining transparency.

<[C] 이온성 화합물><[C] ionic compound>

[C] 이온성 화합물은 하기식 (1)로 나타나는 오늄염의 이온성 화합물이다. The [C] ionic compound is an ionic compound of an onium salt represented by the following formula (1).

Figure pat00013
Figure pat00013

 상기식 (1) 중, R1은, 수소 원자 또는 1가의 유기기이다. -A-는, -N--SO2-RA, -COO-, -O- 또는 -SO3 -이다. RA는, 탄소수 1∼10의 직쇄상 또는 분기상의 1가의 탄화수소기 또는 탄소수 3∼20의 환상의 1가의 탄화수소기이다. 단, RA의 탄화수소기가 갖는 수소 원자의 일부 또는 전부는 불소 원자로 치환되어 있어도 좋다. X는, 오늄 양이온이다. In the formula (1), R 1 is a hydrogen atom or a monovalent organic group. -A - is, -N - -SO 2 -R A, -COO -, -O - or -SO 3 - a. R A is a linear or branched monovalent hydrocarbon group of 1 to 10 carbon atoms or a monovalent monovalent hydrocarbon group of 3 to 20 carbon atoms. Provided that some or all of the hydrogen atoms contained in the hydrocarbon group of R A may be substituted with a fluorine atom. X &lt; + & gt ; is an onium cation.

당해 감방사선성 수지 조성물은, [C] 이온성 화합물을 함유함으로써, 노광부에 있어서의 산 강도 조정 기능, 그리고 미노광부에 있어서의 높은 산 포착 기능 및 노광부에 있어서의 산 포착 기능의 불활성화에 의한 고도의 산 확산 제어 기능이 발휘됨으로써 리소그래피 성능을 효과적으로 향상시킬 수 있다. The radiation-sensitive resin composition contains the [C] ionic compound, and thereby the acid-strength adjusting function in the exposed portion, the high acid capturing function in the unexposed portion, and the inactivating function of the acid capturing function in the exposed portion So that the lithography performance can be effectively improved.

또한, 당해 감방사선성 수지 조성물은, X가 오늄 양이온임으로써, 당해 감방사선성 수지 조성물로 형성되는 도막 중에 있어서의 [C] 이온성 화합물의 분산성이 보다 높아져, 상기 도막 중에 있어서의 [B] 비이온성 광산 발생제로부터 발생하는 산의 확산이, 보다 높은 정밀도로 제어된다. 또한, [C] 이온성 화합물로부터 발생하는 산의 pKa를 [B] 비이온성 광산 발생제로부터 발생하는 산의 pKa보다 큰 값으로 함으로써, [B] 비이온성 광산 발생제로부터 발생하는 산의 확산을 제어하는 것이 가능해진다. 그 결과, 당해 감방사선성 수지 조성물로 형성되는 패턴의 밀착성 등을 보다 향상시킬 수 있다. In addition, the radiation-sensitive resin composition is an ionic cation of X &lt; + & gt ;, whereby the dispersibility of the [C] ionic compound in the coating film formed of the radiation- sensitive resin composition becomes higher, B] The diffusion of the acid generated from the nonionic photoacid generator is controlled with higher precision. Further, by setting the pKa of the acid generated from the [C] ionic compound to a value larger than the pKa of the acid generated from the [B] nonionic photoacid generator, the diffusion of the acid generated from the [B] nonionic photo- It becomes possible to control it. As a result, the adhesion of the pattern formed of the radiation sensitive resin composition can be further improved.

상기 R1로 나타나는 1가의 유기기로서는, 예를 들면, 탄소수 1∼20의 알킬기, 탄소수 3∼20의 사이클로알킬기, 탄소수 6∼30의 아릴기, 탄소수 7∼30의 아르알킬기, 탄소수 3∼30의 복소환식기, 이들 기 중 1종 이상과, -O-, -CO-, -S-, -CS-, 또는 -NH-를 조합한 기 등을 들 수 있다. R1에 있어서, A-와 결합하는 원자는 탄소 원자인 것이 바람직하고, 이 탄소 원자는, [C] 이온성 화합물로부터 발생하는 산을 [B] 비이온성 광산 발생제로부터 발생하는 산보다도 상대적으로 약한 것으로 하기 위해, 전자 흡인성기(원자)를 갖지 않는 것이 바람직하다.Examples of the monovalent organic group represented by R 1 include an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a cycloalkyl group having 3 to 20 carbon atoms, an aryl group having 6 to 30 carbon atoms, an aralkyl group having 7 to 30 carbon atoms, an aralkyl group having 3 to 30 carbon atoms And a group obtained by combining at least one of these groups with -O-, -CO-, -S-, -CS-, or -NH-. In R 1 , it is preferable that the atom bonding to A - is a carbon atom, and the carbon atom is an acid which is generated from the [C] ionic compound relative to the acid generated from the [B] nonionic photoacid generator In order to make it weak, it is preferable not to have an electron attractive group (atom).

상기 RA로 나타나는 탄소수 1∼10의 직쇄상 또는 분기상의 1가의 탄화수소기로서는, 예를 들면, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기 등을 들 수 있다. Examples of the linear or branched monovalent hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms represented by R A include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, and a butyl group.

상기 RA로 나타나는 탄소수 3∼20의 환상의 1가의 탄화수소기로서는, 예를 들면, 사이클로펜틸기, 사이클로헥실기, 노르보르닐기, 아다만틸기 등을 들 수 있다. Examples of the cyclic monovalent hydrocarbon group having 3 to 20 carbon atoms represented by R A include a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a norbornyl group and an adamantyl group.

상기 알킬기, 사이클로알킬기, 아릴기, 아르알킬기 및 복소환식기는, 수소 원자의 일부 또는 전부가 치환되어 있어도 좋다. 이 경우의 치환기로서는, 예를 들면 수산기, 할로겐 원자, 알콕시기, 락톤기, 알킬카보닐기 등을 들 수 있다. The alkyl group, cycloalkyl group, aryl group, aralkyl group and heterocyclic group may be substituted with a part or all of hydrogen atoms. Examples of the substituent in this case include a hydroxyl group, a halogen atom, an alkoxy group, a lactone group, and an alkylcarbonyl group.

상기 X로 나타나는 오늄 양이온으로서는, 술포늄 양이온, 요오도늄 양이온이 바람직하고, 하기식 (1-1)로 나타나는 술포늄 양이온, 식 (1-2)로 나타나는 요오도늄 양이온이 보다 바람직하다. The onium cation represented by X &lt; + &gt; is preferably a sulfonium cation or an iodonium cation, more preferably a sulfonium cation represented by the following formula (1-1) or an iodonium cation represented by the formula (1-2) .

Figure pat00014
Figure pat00014

식 (1-1) 및 (1-2) 중, R2∼R6은, 수산기, 할로겐 원자, 알킬기, 사이클로알킬기, 알콕시기, -S-RB, -OSO2-RC, 또는 -SO2-RD이다. RB는, 알킬기 또는 아릴기이다. RC 및 RD는, 각각 독립적으로, 알킬기, 사이클로알킬기, 알콕시기 또는 아릴기이다. 단, R2∼R6, RB, RC 및 RD의 알킬기, 사이클로알킬기, 알콕시기 및 아릴기가 갖는 수소 원자의 일부 또는 전부는 치환되어 있어도 좋다. a, b, c, d 및 e는, 각각 독립적으로, 0∼5의 정수이다. Formula (1-1) and (1-2) of, R 2 ~R 6 is a hydroxyl group, a halogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkoxy group, -SR B, -OSO 2 -R C , or -SO 2 - R D. R B is an alkyl group or an aryl group. R C and R D are each independently an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkoxy group or an aryl group. However, some or all of the hydrogen atoms of the alkyl group, cycloalkyl group, alkoxy group and aryl group of R 2 to R 6 , R B , R C and R D may be substituted. a, b, c, d and e are each independently an integer of 0 to 5;

상기 R2∼R6으로 나타나는 할로겐 원자로서는, 예를 들면, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자 등을 들 수 있다.  Examples of the halogen atom represented by R 2 to R 6 include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom and an iodine atom.

상기 R2∼R6으로 나타나는 알킬기로서는, 바람직하게는 탄소수 1∼8의 알킬기이며, 예를 들면, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기 등을 들 수 있다. The alkyl group represented by R 2 to R 6 is preferably an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, and examples thereof include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, and a butyl group.

상기 R2∼R6으로 나타나는 사이클로알킬기로서는, 바람직하게는 탄소수 3∼20의 사이클로알킬기이며, 예를 들면, 사이클로펜틸기, 사이클로헥실기, 노르보르닐기, 아다만틸기 등을 들 수 있다. The cycloalkyl group represented by R 2 to R 6 is preferably a cycloalkyl group having 3 to 20 carbon atoms, and examples thereof include a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a norbornyl group and an adamantyl group.

상기 R2∼R6으로 나타나는 알콕시기로서는, 바람직하게는 탄소수 1∼8의 알콕시기이며, 예를 들면, 메톡시기, 에톡시기, 프로폭시기, 부톡시기 등을 들 수 있다. The alkoxy group represented by R 2 to R 6 is preferably an alkoxy group having 1 to 8 carbon atoms, and examples thereof include a methoxy group, an ethoxy group, a propoxy group, and a butoxy group.

상기 RB로 나타나는 알킬기로서는, 바람직하게는 탄소수 1∼8의 알킬기이며, 예를 들면, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기 등을 들 수 있다. The alkyl group represented by R B is preferably an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, and examples thereof include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, and a butyl group.

상기 RB로 나타나는 아릴기로서는, 바람직하게는 탄소수 6∼20의 아릴기이며, 예를 들면, 페닐기, 나프틸기 등을 들 수 있다. The aryl group represented by R B is preferably an aryl group having 6 to 20 carbon atoms, and examples thereof include a phenyl group and a naphthyl group.

상기 RC 및 RD로 나타나는 알킬기, 사이클로알킬기 및 알콕시기로서는, 상기 R2∼R4의 알킬기, 사이클로알킬기 및 알콕시기와 동일한 것을 들 수 있다. 상기 RC 및 RD로 나타나는 아릴기로서는, 바람직하게는 탄소수 6∼20의 아릴기이며, 예를 들면, 페닐기, 나프틸기 등을 들 수 있다. Examples of the alkyl group, cycloalkyl group and alkoxy group represented by R C and R D include the same alkyl groups, cycloalkyl groups and alkoxy groups as R 2 to R 4 . The aryl group represented by R C and R D is preferably an aryl group having 6 to 20 carbon atoms, and examples thereof include a phenyl group and a naphthyl group.

상기 R2∼R6 및 RB∼RD의 알킬기, 사이클로알킬기, 알콕시기 및 아릴기를 치환하는 기로서는, 예를 들면 수산기, 할로겐 원자, 알콕시기, 알콕시카보닐기, 알콕시카보닐옥시기 등을 들 수 있다. Examples of the group substituting the alkyl group, cycloalkyl group, alkoxy group and aryl group of R 2 to R 6 and R B to R D include a hydroxyl group, a halogen atom, an alkoxy group, an alkoxycarbonyl group, an alkoxycarbonyloxy group, .

상기 술포늄 양이온으로서는, 예를 들면, 하기식 (1-1-1)∼(1-1-14)로 나타나는 양이온을 들 수 있다. Examples of the sulfonium cation include cations represented by the following formulas (1-1-1) to (1-1-14).

Figure pat00015
Figure pat00015

요오도늄 양이온으로서는, 예를 들면 하기식 (1-2-1)∼(1-2-3)으로 나타나는 양이온 등을 들 수 있다. Examples of the iodonium cation include cations represented by the following formulas (1-2-1) to (1-2-3).

Figure pat00016
Figure pat00016

상기 오늄 양이온으로서는, 술포늄 양이온이 바람직하고, 상기식 (1-1-1) 및 (1-1-10)으로 나타나는 양이온이 보다 바람직하다. As the onium cation, a sulfonium cation is preferable, and a cation represented by the formulas (1-1-1) and (1-1-10) is more preferable.

바람직한 [C] 이온성 화합물로서는, 하기식으로 나타나는 화합물을 들 수 있다. Preferred examples of the [C] ionic compound include the compounds represented by the following formulas.

Figure pat00017
Figure pat00017

당해 감방사선성 수지 조성물에 있어서, [C] 이온성 화합물은 2종 이상 병용 하여 이용할 수 있다. [C] 이온성 화합물의 함유량은, [A] 중합체 성분 100질량부에 대하여, 바람직하게는 0.01질량부∼10질량부, 보다 바람직하게는 0.05질량부∼5질량부, 더욱 바람직하게는 0.1질량부∼2질량부이다. [C] 이온성 화합물의 함유량이 0.01질량부 미만에서는, 산 확산 제어 기능을 충분히 발휘할 수 없을 우려가 있다. 한편, [C] 이온성 화합물의 함유량이 10질량부를 초과하면, 얻어지는 감방사선성 수지 조성물의 방사선 감도가 현저하게 저하될 우려가 있다. In the radiation sensitive resin composition, two or more [C] ionic compounds may be used in combination. The content of the [C] ionic compound is preferably 0.01 part by mass to 10 parts by mass, more preferably 0.05 parts by mass to 5 parts by mass, and even more preferably 0.1 part by mass with respect to 100 parts by mass of the polymer component [A] To 2 parts by mass. If the content of the [C] ionic compound is less than 0.01 part by mass, the acid diffusion control function may not be sufficiently exhibited. On the other hand, if the content of the [C] ionic compound exceeds 10 parts by mass, the radiation sensitivity of the resulting radiation-sensitive resin composition may significantly decrease.

<[D] 산화 방지제> <[D] Antioxidant>

[D] 산화 방지제는, 노광 또는 가열에 의해 발생한 라디칼의 포착에 의해, 또는 산화에 의해 생성한 과산화물의 분해에 의해, 중합체 분자의 결합의 개열을 억제하는 성분이다. [D] The antioxidant is a component that inhibits cleavage of polymer molecules due to trapping of radicals generated by exposure or heating, or decomposition of peroxides formed by oxidation.

당해 감방사선성 수지 조성물이 [D] 산화 방지제를 함유함으로써, 당해 감방사선성 수지 조성물에 의해 형성되는 경화막 중에 있어서의 중합체 분자의 개열 열화가 억제되고, 예를 들면, 내광성 등을 향상시킬 수 있다. 또한, [D] 산화 방지제는, 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 이용해도 좋다. When the radiation-sensitive resin composition contains [D] an antioxidant, the deterioration in clearing of the polymer molecules in the cured film formed by the radiation-sensitive resin composition is suppressed and, for example, have. Further, the [D] antioxidant may be used alone or in combination of two or more.

[D] 산화 방지제로서는, 예를 들면, 힌더드페놀 구조를 갖는 화합물, 힌더드아민 구조를 갖는 화합물, 알킬포스파이트 구조를 갖는 화합물, 티오에테르 구조를 갖는 화합물 등을 들 수 있다. 이들 중에서, [D] 산화 방지제로서는, 힌더드페놀 구조를 갖는 것이 바람직하다. [D] 산화 방지제가 힌더드페놀 구조를 가짐으로써, 경화막 중에 있어서의 중합체 분자의 개열 열화를 보다 억제할 수 있다.  [D] Examples of the antioxidant include a compound having a hindered phenol structure, a compound having a hindered amine structure, a compound having an alkyl phosphite structure, and a compound having a thioether structure. Among these, [D] antioxidants preferably have a hindered phenol structure. [D] Since the antioxidant has a hindered phenol structure, it is possible to further suppress deterioration in clearing of the polymer molecules in the cured film.

상기 힌더드페놀 구조를 갖는 화합물로서는, 예를 들면, 펜타에리트리톨테트라키스[3-(3,5-디-tert-부틸-4-하이드록시페닐)프로피오네이트], 티오디에틸렌비스[3-(3,5-디-tert-부틸-4-하이드록시페닐)프로피오네이트], 옥타데실-3-(3,5-디-tert-부틸-4-하이드록시페닐)프로피오네이트, 트리스(3,5-디-tert-부틸-4-하이드록시벤질)-이소시아누레이트, 1,3,5-트리메틸-2,4,6-트리스(3,5-디-tert-부틸-4-하이드록시벤질)벤젠, N,N'-헥산-1,6-디일비스[3-(3,5-디-tert-부틸-4-하이드록시페닐프로피온아미드), 3,3',3',5',5'-헥사-tert-부틸-a,a',a'-(메시틸렌-2,4,6-트리일)트리-p-크레졸, 4,6-비스(옥틸티오메틸)-o-크레졸, 4,6-비스(도데실티오메틸)-o-크레졸, 에틸렌비스(옥시에틸렌)비스[3-(5-tert-부틸-4-하이드록시-m-톨릴)프로피오네이트, 헥사메틸렌비스[3-(3,5-디-tert-부틸-4-하이드록시페닐)프로피오네이트], 1,3,5-트리스[(4-tert-부틸-3-하이드록시-2,6-자일릴)메틸]-1,3,5-트리아진-2,4,6(1H,3H,5H)-트리온, 2,6-디-tert-부틸-4-(4,6-비스(옥틸티오)-1,3,5-트리아진 2-일아민)페놀 등을 들 수 있다. Examples of the compound having a hindered phenol structure include pentaerythritol tetrakis [3- (3,5-di-tert-butyl-4-hydroxyphenyl) propionate], thiodiethylenebis [3 (3,5-di-tert-butyl-4-hydroxyphenyl) propionate], octadecyl-3- (3,5-di-tert-butyl-4-hydroxybenzyl) -isocyanurate, 1,3,5-trimethyl-2,4,6-tris (3,5- Hydroxybenzyl) benzene, N, N'-hexane-1,6-diylbis [3- (3,5-di-tert- , 5 ', 5'-hexa-tert-butyl-a, a', a'- (mesitylene-2,4,6-triyl) tri-p-cresol, 4,6-bis (octylthiomethyl) -cresol, 4,6-bis (dodecylthiomethyl) -o-cresol, ethylene bis (oxyethylene) bis 3- [5- (tert- butyl-4-hydroxy-m- tolyl) propionate , Hexamethylene bis [3- (3,5-di-tert-butyl-4-hydroxyphenyl) Tris [(4-tert-butyl-3-hydroxy-2,6-xylyl) methyl] -1,3,5-triazine- 3H, 5H) -thione and 2,6-di-tert-butyl-4- (4,6-bis (octylthio) -1,3,5-triazine 2-ylamine) .

상기 힌더드페놀 구조를 갖는 화합물의 시판품으로서는, 예를 들면, 아데카스타브(ADEKASTAB) AO-20, 동(同) AO-30, 동 AO-40, 동 AO-50, 동 AO-60, 동 AO-70, 동 AO-80, 동 AO-330(이상, ADEKA사), sumilizerGM, 동 GS, 동 MDP-S, 동 BBM-S, 동 WX-R, 동 GA-80(이상, 스미토모카가쿠사), IRGANOX1010, 동 1035, 동 1076, 동 1098, 동 1135, 동 1330, 동 1726, 동 1425WL, 동 1520L, 동 245, 동 259, 동 3114, 동 565, IRGAMOD295(이상, 치바쟈판사), 요시녹스(YOSHINOX) BHT, 동 BB, 동 2246G, 동 425, 동 250, 동 930, 동 SS, 동 TT, 동 917, 동 314(이상, API코포레이션사) 등을 들 수 있다. Examples of commercially available products of the compound having a hindered phenol structure include ADEKASTAB AO-20, AO-30, AO-40, AO-50, AO-60, AO-70, AO-80, AO-330 (above, ADEKA), sumilizerGM, copper GS, copper MDP-S, copper BBM-S copper WX-R copper GA- ), IRGANOX1010, 1035, 1076, 1098, 1135, 1330, 1726, 1425WL, 1520L, 245, 259, 3114, 565, IRGAMOD295 YOSHINOX BHT, Dong BB, Dong 2246G, Dong 425, Dong 250, Dong 930, Dong SS, Dong TT, Dong 917, Dong 314 (API Corporation).

[D] 산화 방지제로서는, 힌더드페놀 구조를 갖는 화합물 중에서도, 펜타에리트리톨테트라키스[3-(3,5-디-tert-부틸-4-하이드록시페닐)프로피오네이트], 트리스-(3,5-디-tert-부틸-4-하이드록시벤질)-이소시아누레이트가 보다 바람직하다.Among the compounds having a hindered phenol structure, pentaerythritol tetrakis [3- (3,5-di-tert-butyl-4-hydroxyphenyl) propionate], tris- (3 , 5-di-tert-butyl-4-hydroxybenzyl) -isocyanurate are more preferable.

[D] 산화 방지제의 함유량으로서는, [A] 중합체 성분 100질량부에 대하여, 0.1질량부 이상 10질량부 이하가 바람직하고, 0.2질량부 이상 5질량부 이하가 보다 바람직하다. [D] 산화 방지제의 함유량을 상기 범위로 함으로써, 경화막의 개열 열화를 효과적으로 억제할 수 있다. The content of [D] antioxidant is preferably 0.1 parts by mass or more and 10 parts by mass or less, more preferably 0.2 parts by mass or more and 5 parts by mass or less, based on 100 parts by mass of the polymer component [A]. By setting the content of [D] antioxidant within the above range, deterioration in cleanness of the cured film can be effectively suppressed.

<그 외의 임의 성분> &Lt; Other optional components &gt;

당해 감방사선성 수지 조성물은, 상기 [A]∼[D] 성분에 첨가하여, 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 범위에서, 필요에 따라서 그 외의 임의 성분을 함유하고 있어도 좋다. 그 외의 임의 성분으로서는, 예를 들면, [E] 다관능 (메타)아크릴레이트, [F] 광라디칼 중합 개시제, [G] 계면활성제, [H] 밀착조제 등을 들 수 있다. 그 외의 임의 성분은, 각각 단독으로 사용해도, 2종 이상을 조합하여 이용해도 좋다. 이하, 각 성분을 상술한다 The radiation sensitive resin composition may contain, in addition to the above components [A] to [D], other arbitrary components as necessary insofar as the effect of the present invention is not impaired. Examples of other arbitrary components include [E] a polyfunctional (meth) acrylate, an [F] optical radical polymerization initiator, a [G] surfactant, and a [H] adhesion aid. The other optional components may be used alone or in combination of two or more. Hereinafter, each component will be described in detail

<[E] 다관능 (메타)아크릴레이트> <[E] polyfunctional (meth) acrylate>

[E] 다관능 (메타)아크릴레이트는, 당해 감방사선성 조성물의 경화성을 높일 수 있다. 이 [E] 다관능 (메타)아크릴레이트로서는, 2개 이상의 (메타)아크릴로일기를 갖는 화합물이면 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 지방족 폴리하이드록시화합물과 (메타)아크릴산을 반응시켜 얻어지는 다관능 (메타)아크릴레이트, 카프로락톤 변성된 다관능 (메타)아크릴레이트, 알킬렌옥사이드 변성된 다관능 (메타)아크릴레이트, 수산기를 갖는 (메타)아크릴레이트와 다관능 이소시아네이트를 반응시켜 얻어지는 다관능 우레탄(메타)아크릴레이트, 수산기를 갖는 (메타)아크릴레이트와 산 무수물을 반응시켜 얻어지는 카복실기를 갖는 다관능 (메타)아크릴레이트 등을 들 수 있다. The [E] polyfunctional (meth) acrylate can increase the curability of the radiation sensitive composition. The [E] polyfunctional (meth) acrylate is not particularly limited as long as it is a compound having two or more (meth) acryloyl groups, and for example, it can be obtained by reacting an aliphatic polyhydroxy compound with (meth) A polyfunctional (meth) acrylate obtained by reacting a (meth) acrylate having a hydroxy group with a polyfunctional (meth) acrylate, a caprolactone modified polyfunctional (meth) acrylate, an alkylene oxide- Urethane (meth) acrylate, and a polyfunctional (meth) acrylate having a carboxyl group obtained by reacting a (meth) acrylate having a hydroxyl group with an acid anhydride.

상기 지방족 폴리하이드록시 화합물로서는, 예를 들면, 에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 폴리에틸렌글리콜, 폴리프로필렌글리콜 등의 2가의 지방족 폴리하이드록시 화합물, 글리세린, 트리메틸올프로판, 펜타에리트리톨, 디펜타에리트리톨 등의 3가 이상의 지방족 폴리하이드록시 화합물 등을 들 수 있다.Examples of the aliphatic polyhydroxy compound include divalent aliphatic polyhydroxy compounds such as ethylene glycol, propylene glycol, polyethylene glycol and polypropylene glycol, and aliphatic polyhydroxy compounds such as glycerin, trimethylolpropane, pentaerythritol and dipentaerythritol Trivalent or higher aliphatic polyhydroxy compounds, and the like.

상기 수산기를 갖는 (메타)아크릴레이트로서는, 예를 들면, 2-하이드록시에틸(메타)아크릴레이트, 트리메틸올프로판디(메타)아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리(메타)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨펜타(메타)아크릴레이트, 글리세롤디메타크릴레이트 등을 들 수 있다. Examples of the (meth) acrylate having a hydroxyl group include 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, trimethylolpropane di (meth) acrylate, pentaerythritol tri (meth) acrylate, dipentaerythritol Penta (meth) acrylate, and glycerol dimethacrylate.

상기 다관능 이소시아네이트로서는, 예를 들면, 톨릴렌디이소시아네이트, 헥사메틸렌디이소시아네이트, 디페닐메틸렌디이소시아네이트, 이소포론디이소시아네이트 등을 들 수 있다. Examples of the polyfunctional isocyanate include tolylene diisocyanate, hexamethylene diisocyanate, diphenylmethylene diisocyanate, and isophorone diisocyanate.

산 무수물로서는, 예를 들면, 무수 숙신산, 무수 말레산, 무수 글루탈산, 무수 이타콘산, 무수 프탈산, 헥사하이드로 무수 프탈산 등의 2염기산의 무수물, 무수 피로멜리트산, 비페닐테트라카본산 2무수물, 벤조페논테트라카본산 2무수물 등의 4염기산 2무수물 등을 들 수 있다. Examples of the acid anhydride include anhydrides of dibasic acids such as succinic anhydride, maleic anhydride, glutaric anhydride, itaconic anhydride, phthalic anhydride, and hexahydrophthalic anhydride, anhydrides of pyromellitic acid anhydride, biphenyltetracarboxylic acid dianhydride , Tetrabasic acid dianhydride such as benzophenone tetracarboxylic acid dianhydride, and the like.

상기 카프로락톤 변성된 다관능 (메타)아크릴레이트로서는, 예를 들면, 일본공개특허공보 11-44955호의 단락 [0015]∼[0018]에 기재되어 있는 화합물 등을 들 수 있다.  Examples of the caprolactone-modified polyfunctional (meth) acrylate include compounds described in paragraphs [0015] to [0018] of JP-A No. 11-44955.

상기 알킬렌옥사이드 변성된 다관능 (메타)아크릴레이트로서는, 예를 들면, 비스페놀 A의 에틸렌옥사이드 및/또는 프로필렌옥사이드 변성 디(메타)아크릴레이트, 이소시아누르산의 에틸렌옥사이드 및/또는 프로필렌옥사이드 변성 트리(메타)아크릴레이트, 트리메틸올프로판의 에틸렌옥사이드 및/또는 프로필렌옥사이드 변성 트리(메타)아크릴레이트, 펜타에리트리톨의 에틸렌옥사이드 및/또는 프로필렌옥사이드 변성 트리(메타)아크릴레이트, 펜타에리트리톨의 에틸렌옥사이드 및/또는 프로필렌옥사이드 변성 테트라(메타)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨의 에틸렌옥사이드 및/또는 프로필렌옥사이드 변성 펜타(메타)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨의 에틸렌옥사이드 및/또는 프로필렌옥사이드 변성 헥사(메타)아크릴레이트 등을 들 수 있다. Examples of the alkylene oxide-modified polyfunctional (meth) acrylate include ethylene oxide and / or propylene oxide-modified di (meth) acrylate of bisphenol A, ethylene oxide and / or propylene oxide- Tri (meth) acrylate of trimethylolpropane, ethylene oxide and / or propylene oxide modified tri (meth) acrylate of trimethylolpropane, ethylene oxide and / or propylene oxide modified tri (meth) acrylate of pentaerythritol, ethylene (Meth) acrylate of dipentaerythritol, ethylene oxide and / or propylene oxide modified penta (meth) acrylate of dipentaerythritol, ethylene oxide and / or propylene oxide modified hexa (meta) acrylate of dipentaerythritol, ) Acrylate, and the like.

이들 다관능 (메타)아크릴레이트 중, 3가 이상의 지방족 폴리하이드록시 화합물과 (메타)아크릴산을 반응시켜 얻어지는 다관능 (메타)아크릴레이트, 카프로락톤 변성된 다관능 (메타)아크릴레이트, 다관능 우레탄(메타)아크릴레이트, 카복실기를 갖는 다관능 (메타)아크릴레이트가 바람직하다. 3가 이상의 지방족 폴리하이드록시화합물과 (메타)아크릴산을 반응시켜 얻어지는 다관능 (메타)아크릴레이트 중에서는, 트리메틸올프로판트리아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리아크릴레이트, 디펜타에리트리톨펜타아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사아크릴레이트가, 카복실기를 갖는 다관능 (메타)아크릴레이트 중에서는, 펜타에리트리톨트리아크릴레이트와 무수 숙신산을 반응시켜 얻어지는 화합물, 디펜타에리트리톨펜타아크릴레이트와 무수 숙신산을 반응시켜 얻어지는 화합물이, 알칼리 현상성이 양호한 점에서 특히 바람직하다. Among these polyfunctional (meth) acrylates, a polyfunctional (meth) acrylate obtained by reacting a trifunctional or higher aliphatic polyhydroxy compound with (meth) acrylic acid, a caprolactone modified polyfunctional (meth) acrylate, a polyfunctional urethane (Meth) acrylate, and a polyfunctional (meth) acrylate having a carboxyl group are preferable. Among the polyfunctional (meth) acrylates obtained by reacting tri- or higher aliphatic polyhydroxy compounds with (meth) acrylic acid, trimethylolpropane triacrylate, pentaerythritol triacrylate, dipentaerythritol pentaacrylate, di Among the polyfunctional (meth) acrylates having a carboxyl group, pentaerythritol hexaacrylate is preferably a compound obtained by reacting pentaerythritol triacrylate with succinic anhydride, a compound obtained by reacting dipentaerythritol pentaacrylate with succinic anhydride Compound is particularly preferable in view of good alkali developability.

[E] 다관능 (메타)아크릴레이트는, 단독으로 사용해도, 2종 이상을 혼합하여 사용해도 좋다. [E] The polyfunctional (meth) acrylate may be used alone or in combination of two or more.

[E] 화합물의 함유량으로서는, [A] 중합체 성분 100질량부에 대하여, 1질량부∼100질량부가 바람직하고, 5질량부∼50질량부가 보다 바람직하다. [E] 화합물의 함유량을 상기 범위로 함으로써, 경화막의 경도를 보다 높일 수 있음과 동시에, 당해 감방사선성 수지 조성물의 방사선 감도를 보다 높일 수 있다.The content of the [E] compound is preferably 1 part by mass to 100 parts by mass, more preferably 5 parts by mass to 50 parts by mass, per 100 parts by mass of the polymer component [A]. When the content of the [E] compound is within the above range, the hardness of the cured film can be further increased and the radiation sensitivity of the radiation sensitive resin composition can be further increased.

<[F] 광라디칼 중합 개시제> &Lt; [F] Photo radical polymerization initiator &gt;

[F] 광라디칼 중합 개시제는, 가시광선, 자외선, 원자외선, 전자선, X선 등의 방사선의 노광에 의해, 상기 [E] 다관능 (메타)아크릴레이트의 중합을 개시할 수 있는 라디칼을 발생하는 화합물이다. The [F] photoradical polymerization initiator generates radicals capable of initiating polymerization of the [E] polyfunctional (meth) acrylate by exposure to radiation such as visible light, ultraviolet light, deep ultraviolet light, electron beam, .

[F] 광라디칼 중합 개시제로서는, 예를 들면, 티오잔톤계 화합물, 아세토페논계 화합물, 비이미다졸계 화합물, 트리아진계 화합물, O-아실옥심계 화합물, 벤조인계 화합물, 벤조페논계 화합물, α-디케톤계 화합물, 다핵 퀴논계 화합물, 디아조계 화합물, 이미드술포네이트계 화합물 등을 들 수 있다. [F] Examples of the photoradical polymerization initiator include thioazanone compounds, acetophenone compounds, nonimidazole compounds, triazine compounds, O-acyloxime compounds, benzoin compounds, benzophenone compounds, -Diketone compounds, polynuclear quinone compounds, diazo compounds, imidosulfonate compounds and the like.

[F] 광라디칼 중합 개시제는, 단독으로 사용해도, 2종 이상을 혼합하여 사용해도 좋다. [F] 광라디칼 중합 개시제로서는, 티오잔톤계 화합물, 아세토페논계 화합물, 비이미다졸계 화합물, 트리아진계 화합물, 또는 O-아실옥심계 화합물이 바람직하다. [F] The photo radical polymerization initiators may be used alone or in combination of two or more. As the [F] photoradical polymerization initiator, a thioazane-based compound, an acetophenone-based compound, a nonimidazole-based compound, a triazine-based compound, or an O-acyloxime-based compound is preferable.

[F] 광라디칼 중합 개시제 중, 티오잔톤계 화합물의 구체예로서는, 티오잔톤, 2-클로로티오잔톤, 2-메틸티오잔톤, 2-이소프로필티오잔톤, 4-이소프로필티오잔톤, 2,4-디클로로티오잔톤, 2,4-디메틸티오잔톤, 2,4-디에틸티오잔톤, 2,4-디이소프로필티오잔톤 등을 들 수 있다. Specific examples of the thioazane-based compound in the [F] photoradical polymerization initiator include thioxanthone, 2-chlorothioxanthone, 2-methylthioxanthone, 2-isopropylthioxanthone, Dichlorotothiazane, 2,4-dimethylthioxanthone, 2,4-diethylthioxanthone, 2,4-diisopropylthioxanthone, and the like.

상기 아세토페논계 화합물로서는, 예를 들면, 2-메틸-1-[4-(메틸티오)페닐]-2-모르폴리노프로판-1-온, 2-벤질-2-디메틸아미노-1-(4-모르폴리노페닐)부탄-1-온, 2-(4-메틸벤질)-2-(디메틸아미노)-1-(4-모르폴리노페닐)부탄-1-온 등을 들 수 있다. Examples of the acetophenone compound include 2-methyl-1- [4- (methylthio) phenyl] -2-morpholinopropane- 1- (4-morpholinophenyl) butan-1-one and 2- (4-methylbenzyl) -2- (dimethylamino) -1- (4-morpholinophenyl) butan-1-one.

상기 비이미다졸계 화합물로서는, 예를 들면, 2,2'-비스(2-클로로페닐)-4,4',5,5'-테트라페닐-1,2'-비이미다졸, 2,2'-비스(2,4-디클로로페닐)-4,4',5,5'-테트라페닐-1,2'-비이미다졸, 2,2'-비스(2,4,6-트리클로로페닐)-4,4',5,5'-테트라 페닐-1,2'-비이미다졸 등을 들 수 있다. Examples of the nonimidazole compound include 2,2'-bis (2-chlorophenyl) -4,4 ', 5,5'-tetraphenyl-1,2'-biimidazole, 2,2'- Bis (2,4-dichlorophenyl) -4,4 ', 5,5'-tetraphenyl-1,2'-biimidazole, 2,2'-bis (2,4,6-trichlorophenyl ) -4,4 ', 5,5'-tetraphenyl-1,2'-biimidazole and the like.

또한, [F] 광라디칼 중합 개시제로서 비이미다졸계 화합물을 이용하는 경우, 수소 공여체를 병용하는 것이, 방사선 감도를 개량할 수 있는 점에서 바람직하다. 여기에서 말하는 「수소 공여체」란, 노광에 의해 비이미다졸계 화합물로부터 발생한 라디칼에 대하여, 수소 원자를 공여할 수 있는 화합물을 의미한다. 수소 공여체로서는, 예를 들면, 2-메르캅토벤조티아졸, 2-메르캅토벤조옥사졸 등의 메르캅탄계 수소 공여체, 4,4'-비스(디메틸아미노)벤조페논, 4,4'-비스(디에틸아미노)벤조페논 등의 아민계 수소 공여체 등을 들 수 있다. 상기 수소 공여체는, 단독으로 사용해도, 2종 이상을 혼합하여 사용해도 좋다. 방사선 감도를 개량하는 관점에서는, 1종 이상의 메르캅탄계 수소 공여체와 1종 이상의 아민계 수소 공여체를 조합하여 사용하는 것이 바람직하다.  When a non-imidazole-based compound is used as the [F] photoradical polymerization initiator, it is preferable to use a hydrogen donor in combination because it can improve the radiation sensitivity. The term "hydrogen donor" as used herein means a compound capable of donating a hydrogen atom to a radical generated from a nonimidazole compound by exposure. Examples of the hydrogen donor include mercaptan-based hydrogen donors such as 2-mercaptobenzothiazole and 2-mercaptobenzoxazole, 4,4'-bis (dimethylamino) benzophenone, 4,4'-bis (Diethylamino) benzophenone; and the like. The hydrogen donors may be used alone or in combination of two or more. From the viewpoint of improving the radiation sensitivity, it is preferable to use at least one mercaptan-based hydrogen donor and at least one amine-based hydrogen donor in combination.

상기 트리아진계 화합물로서는, 예를 들면, 2,4,6-트리스(트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-메틸-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-[2-(5-메틸푸란-2-일)에테닐]-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-[2-(푸란-2-일)에테닐]-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-[2-(4-디에틸아미노-2-메틸페닐)에테닐]-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-[2-(3,4-디메톡시페닐)에테닐]-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-(4-메톡시페닐)-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-(4-에톡시스티릴)-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-(4-n-부톡시페닐)-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진 등을 들 수 있다. Examples of the triazine compound include 2,4,6-tris (trichloromethyl) -s-triazine, 2-methyl-4,6-bis (trichloromethyl) (Trichloromethyl) -s-triazine, 2- [2- (furan-2-yl) ethenyl] -4 (Trichloromethyl) -s-triazine, 2- [2- (4-diethylamino-2-methylphenyl) ethenyl] -4,6-bis (Trichloromethyl) -s-triazine, 2- (4-methoxyphenyl) ethenyl] -4,6-bis (Trichloromethyl) -s-triazine, 2- (4-n-butoxyphenyl) - 4,6-bis (trichloromethyl) -s-triazine, and the like.

상기 O-아실옥심계 화합물로서는, 예를 들면, 1,2-옥탄디온, 1-[4-(페닐티오)페닐]-, 2-(O-벤조일옥심), 에탄온, 1-[9-에틸-6-(2-메틸벤조일)-9H-카르바졸- 3-일]-, 1-(O-아세틸옥심), 에탄온, 1-[9-에틸-6-(2-메틸-4-테트라하이드로푸라닐메톡시벤조일)-9H-카르바졸-3-일]-, 1-(O-아세틸옥심), 에탄온, 1-[9-에틸-6-{2-메틸-4-(2,2-디메틸-1,3-디옥소라닐)메톡시벤조일}-9H-카르바졸-3-일]-, 1-(O-아세틸옥심) 등을 들 수 있다. Examples of the O-acyloxime compound include 1,2-octanedione, 1- [4- (phenylthio) phenyl] -, 2- (O-benzoyloxime) 1- [9-ethyl-6- (2-methyl-4- (2-methylbenzoyl) -9H-carbazol- 1- [9-ethyl-6- (2-methyl-4- (2-methyl- 2-dimethyl-1,3-dioxoranyl) methoxybenzoyl} -9H-carbazol-3-yl] -, 1- (O-acetyloxime).

[F] 광라디칼 중합 개시제의 함유량은, [E] 다관능 (메타)아크릴레이트 100질량부에 대하여, 0.01질량부∼120질량부가 바람직하고, 1질량부∼100질량부가 보다 바람직하다. [F] 광라디칼 중합 개시제의 함유량이 지나치게 적으면, 노광에 의한 경화가 충분히 얻어지지 않을 우려가 있다. 한편, [F] 광라디칼 중합 개시제의 함유량이 지나치게 많으면, 패턴이 현상시에 기판으로부터 탈락하기 쉬워지는 경향이 있다.  The content of the [F] photoradical polymerization initiator is preferably 0.01 part by mass to 120 parts by mass, more preferably 1 part by mass to 100 parts by mass, per 100 parts by mass of the [E] polyfunctional (meth) acrylate. If the content of the [F] photoradical polymerization initiator is too small, there is a possibility that the curing by exposure can not be sufficiently obtained. On the other hand, if the content of the [F] photoradical polymerization initiator is too large, the pattern tends to be easily removed from the substrate at the time of development.

<[G] 계면활성제> <[G] Surfactant>

[G] 계면활성제는, 당해 감방사선성 수지 조성물의 도막 형성성을 높이는 성분이다. [G] 계면활성제로서는, 예를 들면, 불소계 계면활성제, 실리콘계 계면활성제 등을 들 수 있다. 당해 감방사선성 수지 조성물은, [G] 계면활성제를 함유함으로써, 도막의 표면 평활성을 향상할 수 있고, 그 결과, 경화막의 막두께 균일성을 보다 향상할 수 있다.  [G] Surfactant is a component for enhancing the film formability of the radiation sensitive resin composition. Examples of the [G] surfactant include a fluorine-based surfactant and a silicone-based surfactant. By containing the [G] surfactant in the radiation sensitive resin composition, the surface smoothness of the coating film can be improved, and as a result, the uniformity of the film thickness of the cured film can be further improved.

상기 불소계 계면활성제로서는, 말단, 주쇄 및 측쇄의 적어도 어느 부위에 플루오로알킬기 및/또는 플루오로알킬렌기를 갖는 화합물이 바람직하고, 예를 들면, 1,1,2,2-테트라플루오로n-옥틸(1,1,2,2-테트라플루오로n-프로필)에테르, 1,1,2,2-테트라플루오로n-옥틸(n-헥실)에테르, 헥사에틸렌글리콜디(1,1,2,2,3,3-헥사플루오로n-펜틸)에테르, 옥타에틸렌글리콜디(1,1,2,2-테트라플루오로n-부틸)에테르, 헥사프로필렌글리콜디(1,1,2,2,3,3-헥사플루오로n-펜틸)에테르, 옥타프로필렌글리콜디(1,1,2,2-테트라플루오로n-부틸)에테르, 퍼플루오로n-도데칸술폰산 나트륨, 1,1,2,2,3,3-헥사플루오로n-데칸, 1,1,2,2,3,3,9,9,10,10-데카플루오로n-도데칸, 플루오로알킬벤젠술폰산 나트륨, 플루오로알킬인산 나트륨, 플루오로알킬카본산 나트륨, 디글리세린테트라키스(플루오로알킬폴리옥시에틸렌에테르), 플루오로알킬암모늄요오다이드, 플루오로알킬베타인, 플루오로알킬폴리옥시에틸렌에테르, 퍼플루오로알킬폴리옥시에탄올, 퍼플루오로알킬알콕시레이트, 카본산 플루오로알킬에스테르 등을 들 수 있다. As the fluorine-containing surfactant, a compound having a fluoroalkyl group and / or a fluoroalkylene group in at least any of the terminal, main chain and side chain is preferable, and for example, 1,1,2,2-tetrafluoro-n- Octyl (1,1,2,2-tetrafluoro n-propyl) ether, 1,1,2,2-tetrafluoro n-octyl (n-hexyl) ether, hexaethylene glycol di , 2,3,3-hexafluoro-n-pentyl) ether, octaethylene glycol di (1,1,2,2-tetrafluoro-n-butyl) ether, hexapropylene glycol di , 3,3-hexafluoro-n-pentyl) ether, octapropylene glycol di (1,1,2,2-tetrafluoro-n-butyl) ether, sodium perfluoro n-dodecanesulfonate, 2,2,3,3-hexafluoro-n-decane, 1,1,2,2,3,3,9,9,10,10-decafluoro-n-dodecane, sodium fluoroalkylbenzenesulfonate, Sodium fluoroalkylcarbonate, diglycerin tetrakis (fluoroalkylpolyoxyethers such as &lt; RTI ID = 0.0 &gt; Fluoroalkylpolyoxyethylene, perfluoroalkylpolyoxyethanol, perfluoroalkylalkoxylate, carbonic acid fluoroalkyl ester, and the like can be used in combination. .

상기 불소계 계면활성제의 시판품으로서는, 예를 들면, BM-1000, BM-1100(이상, BM CHEMIE사), 메가팩(Megaface) F142D, 동 F172, 동 F173, 동 F183, 동 F178, 동 F191, 동 F471, 동 F476(이상, 다이닛폰잉키카가쿠코교사), 플루오라드(Fluorad) FC-170 C, 동 FC-171, 동 FC-430, 동 FC-431(이상, 스미토모 쓰리엠샤), 서플론(Surflon) S-112, 동 S-113, 동 S-131, 동 S-141, 동 S-145, 동 S-382, 동 SC-101, 동 SC-102, 동 SC-103, 동 SC-104, 동 SC-105, 동 SC-106(이상, 아사히가라스사), 에프톱(Eftop) EF301, 동 EF303, 동 EF352(이상, 신아키타카세이사), 프터젠트(Ftergent) FT-100, 동 FT-110, 동 FT-140A, 동 FT-150, 동 FT-250, 동 FT-251, 동 FT-300, 동 FT-310, 동 FT-400S, 동 FTX-218, 동 FT-251(이상, 네오스 제조) 등을 들 수 있다. Examples of commercially available products of the above fluorinated surfactants include BM-1000, BM-1100 (manufactured by BM CHEMIE), Megaface F142D, Copper F172, Copper F173, Copper F183, Copper F178, Copper F191, Copper Fluorad FC-170C, FC-171, FC-430, FC-431 (above, Sumitomo 3M Co., Ltd.), SUPPLOR (Surflon) S-112, S-113, S-131, S-141, S-145, S-382, SC-101, SC- 104, SC-105, SC-106 (above, Asahi Glass Co., Ltd.), Eftop EF301, EF303, EF352 (above, Shin Akita Kasei), Ftergent FT-100, FT-110, FT-140A, FT-150, FT-250, FT-251, FT-300, Copper FT-310, Copper FT-400S, Copper FTX-218, Copper FT-251 , Manufactured by Neos Co., Ltd.).

상기 실리콘계 계면활성제의 시판품으로서는, 예를 들면, 토레 실리콘(Toray silicone) DC3PA, 동 DC7PA, 동 SH11PA, 동 SH21PA, 동 SH28PA, 동 SH29PA, 동 SH30PA, 동 SH-190, 동 SH-193, 동 SZ-6032, 동 SF-8428, 동 DC-57, 동 DC-190, SH8400 FLUID(이상, 토레 다우코닝 실리콘사), TSF-4440, TSF-4300, TSF-4445, TSF-4446, TSF-4460, TSF-4452(이상, GE 토시바 실리콘사), 오르가노실록산 폴리머 KP341(신에츠카가쿠코교사) 등을 들 수 있다. Examples of commercially available silicone surfactants include Toray silicone DC3PA, Copper DC7PA, Copper SH11PA, Copper SH21PA, Copper SH28PA, Copper SH29PA, Copper SH30PA, Copper SH-190, Copper SH-193, Copper SZ TSF-4460, TSF-4446, TSF-4460, TSF-4460, TSF-4432, TSF-4452 (manufactured by GE Toshiba Silicone Co., Ltd.), and organosiloxane polymer KP341 (Shinetsu Kagakuko Co., Ltd.).

[G] 계면활성제의 함유량으로서는, [A] 중합체 성분 100질량부에 대하여, 0.01질량부∼2질량부가 바람직하고, 0.05질량부∼1질량부 이하가 보다 바람직하다. [G] 계면활성제의 함유량을 상기 범위로 함으로써, 도막의 막두께 균일성을 보다 향상할 수 있다. The content of the [G] surfactant is preferably 0.01 parts by mass to 2 parts by mass, more preferably 0.05 parts by mass to 1 part by mass, per 100 parts by mass of the polymer component [A]. When the content of the [G] surfactant is within the above range, uniformity of film thickness of the coating film can be further improved.

<[H] 밀착조제> <[H] Adhesion preparation>

[H] 밀착조제는, 기판이 되는 무기물, 예를 들면 실리콘, 산화 실리콘, 질화 실리콘 등의 실리콘 화합물, 금, 구리, 알루미늄 등의 금속과 경화막과의 접착성을 향상시키는 성분이다. [H] 밀착조제로서는, 관능성 실란커플링제가 바람직하다. 상기 관능성 실란커플링제로서는, 예를 들면, 카복시기, 메타크릴로일기, 이소시아네이트기, 에폭시기(바람직하게는 옥시라닐기), 티올기 등의 반응성 치환기를 갖는 실란커플링제 등을 들 수 있다.  [H] The adhesion aid is a component that improves adhesion between an inorganic substance to be a substrate, for example, a silicon compound such as silicon, silicon oxide, or silicon nitride, or a metal such as gold, copper, or aluminum and the cured film. As the [H] adhesion aid, a functional silane coupling agent is preferred. Examples of the functional silane coupling agent include a silane coupling agent having a reactive substituent such as a carboxy group, a methacryloyl group, an isocyanate group, an epoxy group (preferably an oxiranyl group), and a thiol group.

상기 관능성 실란커플링제로서는, 예를 들면, 트리메톡시실릴벤조산, γ-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란, 비닐트리아세톡시실란, 비닐트리메톡시실란, γ-이소시아네이트프로필트리에톡시실란, γ-글리시독시프로필트리메톡시실란, γ-글리시독시프로필알킬디알콕시실란, γ-클로로프로필트리알콕시실란, γ-메르캅토프로필트리알콕시실란, β-(3,4-에폭시사이클로헥실)에틸트리메톡시실란 등을 들 수 있다. 이들 중에서, 관능성 실란커플링제로서는, γ-글리시독시프로필트리메톡시실란, γ-글리시독시프로필알킬디알콕시실란, β-(3,4-에폭시사이클로헥실)에틸트리메톡시실란, γ-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란이 바람직하다.  Examples of the functional silane coupling agent include trimethoxysilylbenzoic acid,? -Methacryloxypropyltrimethoxysilane, vinyltriacetoxysilane, vinyltrimethoxysilane,? -Isocyanatepropyltriethoxysilane, ? -glycidoxypropyltrimethoxysilane,? -glycidoxypropylalkyldialkoxysilane,? -chloropropyltrialkoxysilane,? -mercaptopropyltrialkoxysilane,? - (3,4-epoxycyclohexyl) Ethyl trimethoxysilane and the like. Among them, examples of the functional silane coupling agent include? -Glycidoxypropyltrimethoxysilane,? -Glycidoxypropylalkyldialkoxysilane,? - (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane,? - methacryloxypropyltrimethoxysilane is preferred.

[H] 밀착조제의 함유량으로서는, [A] 중합체 성분 100질량부에 대하여, 0.5질량부∼20질량부가 바람직하고, 1질량부∼10질량부가 보다 바람직하다. [H] 밀착조제의 함유량을 상기 범위로 함으로써, 경화막과 기판과의 밀착성이 보다 개선된다.  The content of the [H] adhesion aid is preferably 0.5 parts by mass to 20 parts by mass, more preferably 1 part by mass to 10 parts by mass, per 100 parts by mass of the polymer component [A]. [H] When the content of the adhesion aid is within the above range, adhesion between the cured film and the substrate is further improved.

<감방사선성 수지 조성물의 조제 방법> &Lt; Preparation method of radiation-sensitive resin composition &gt;

당해 감방사선성 수지 조성물은, 용매에 [A] 중합체, [B] 비이온성 광산 발생제, [C] 이온성 화합물, 필요에 따라서 적합 성분, 그 외의 임의 성분을 혼합함으로써 용해 또는 분산시킨 상태로 조제된다. 예를 들면, 용매 중에서 각 성분을 소정의 비율로 혼합함으로써, 당해 감방사선성 수지 조성물을 조제할 수 있다. The radiation sensitive resin composition of the present invention can be obtained by dissolving or dispersing the [A] polymer, the [B] nonionic photoacid generator, the [C] ionic compound and, if necessary, It is prepared. For example, the radiation-sensitive resin composition can be prepared by mixing the respective components in a predetermined ratio in a solvent.

용매로서는, 각 성분을 균일하게 용해 또는 분산하고, 각 성분과 반응하지 않는 것이 적합하게 이용된다. 상기 용매로서는, 예를 들면, 알코올류, 에테르류, 글리콜에테르, 에틸렌글리콜알킬에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜알킬에테르, 프로필렌글리콜모노알킬에테르, 프로필렌글리콜모노알킬에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노알킬에테르프로피오네이트, 방향족 탄화수소류, 케톤류, 기타 에스테르류 등을 들 수 있다.  As the solvent, those which uniformly dissolve or disperse each component and do not react with each component are suitably used. Examples of the solvent include alcohols, ethers, glycol ethers, ethylene glycol alkyl ether acetates, diethylene glycol alkyl ethers, propylene glycol monoalkyl ethers, propylene glycol monoalkyl ether acetates, propylene glycol monoalkyl ether propionates , Aromatic hydrocarbons, ketones, and other esters.

상기 알코올류로서는, 예를 들면, 메탄올, 에탄올, 벤질알코올, 2-페닐에틸알코올, 3-페닐-1-프로판올 등을 들 수 있다. Examples of the alcohols include methanol, ethanol, benzyl alcohol, 2-phenylethyl alcohol, 3-phenyl-1-propanol and the like.

상기 에테르류로서는, 예를 들면, 테트라하이드로푸란 등을 들 수 있다. The ethers include, for example, tetrahydrofuran.

상기 글리콜에테르로서, 예를 들면, 에틸렌글리콜모노메틸에테르, 에틸렌글리콜모노에틸에테르 등을 들 수 있다.  As the glycol ether, for example, ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether and the like can be given.

상기 에틸렌글리콜알킬에테르아세테이트로서는, 예를 들면, 에틸렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 에틸렌글리콜모노부틸에테르아세테이트 등을 들 수 있다. Examples of the ethylene glycol alkyl ether acetate include ethylene glycol monomethyl ether acetate, ethylene glycol monoethyl ether acetate, ethylene glycol monobutyl ether acetate, and the like.

상기 디에틸렌글리콜알킬에테르로서는, 예를 들면, 디에틸렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르, 디에틸렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌글리콜디에틸에테르, 디에틸렌글리콜에틸메틸에테르 등을 들 수 있다. Examples of the diethylene glycol alkyl ether include diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol diethyl ether, diethylene glycol ethyl methyl ether and the like .

상기 프로필렌글리콜모노알킬에테르로서는, 예를 들면, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노에틸에테르, 프로필렌글리콜모노프로필에테르, 프로필렌글리콜모노부틸에테르 등을 들 수 있다.  Examples of the propylene glycol monoalkyl ether include propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monoethyl ether, propylene glycol monopropyl ether, propylene glycol monobutyl ether and the like.

상기 프로필렌글리콜모노알킬에테르아세테이트로서는, 예를 들면, 프로필렌 글리콜모노메틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노프로필에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노부틸에테르아세테이트 등을 들 수 있다. Examples of the propylene glycol monoalkyl ether acetate include propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monoethyl ether acetate, propylene glycol monopropyl ether acetate, propylene glycol monobutyl ether acetate and the like.

상기 프로필렌글리콜모노알킬에테르프로피오네이트로서는, 예를 들면, 프로피렌모노글리콜메틸에테르프로피오네이트, 프로필렌글리콜모노에틸에테르프로피오네이트, 프로필렌글리콜모노프로필에테르프로피오네이트, 프로필렌글리콜모노부틸에테르프로피오네이트 등을 들 수 있다. Examples of the propylene glycol monoalkyl ether propionate include propylene monoglycol methyl ether propionate, propylene glycol monoethyl ether propionate, propylene glycol monopropyl ether propionate, propylene glycol monobutyl ether propionate Nate and so on.

상기 방향족 탄화수소류로서는, 예를 들면, 톨루엔, 자일렌 등을 들 수 있다.  Examples of the aromatic hydrocarbons include toluene, xylene, and the like.

상기 케톤류로서는, 예를 들면, 메틸에틸케톤, 사이클로헥사논, 4-하이드록시-4-메틸-2-펜탄온 등을 들 수 있다. Examples of the ketones include methyl ethyl ketone, cyclohexanone, and 4-hydroxy-4-methyl-2-pentanone.

상기 기타 에스테르류로서는, 예를 들면, 아세트산 메틸, 아세트산 에틸, 아세트산 프로필, 아세트산 부틸, 2-하이드록시프로피온산 에틸, 2-하이드록시-2-메틸프로피온산 메틸, 2-하이드록시-2-메틸프로피온산 에틸, 하이드록시아세트산 메틸, 하이드록시아세트산 에틸, 하이드록시아세트산 부틸, 락트산 메틸, 락트산 에틸, 락트산 프로필, 락트산 부틸, 3-하이드록시프로피온산 메틸, 3-하이드록시프로피온산 에틸, 3-하이드록시프로피온산 프로필, 3-하이드록시프로피온산 부틸, 2-하이드록시-3-메틸부탄산 메틸, 메톡시아세트산 메틸, 메톡시아세트산 에틸, 메톡시아세트산 프로필, 메톡시아세트산 부틸, 에톡시아세트산 메틸, 에톡시아세트산 에틸, 에톡시아세트산 프로필, 에톡시아세트산 부틸, 프로폭시아세트산 메틸, 프로폭시아세트산 에틸, 프로폭시아세트산 프로필, 프로폭시아세트산 부틸, 부톡시아세트산 메틸, 부톡시아세트산 에틸, 부톡시아세트산 프로필, 부톡시아세트산 부틸, 2-메톡시프로피온산 메틸, 2-메톡시프로피온산 에틸, 2-메톡시프로피온산 프로필, 2-메톡시프로피온산 부틸, 2-에톡시프로피온산 메틸, 2-에톡시프로피온산 에틸, 2-에톡시프로피온산 프로필, 2-에톡시프로피온산 부틸, 2-부톡시프로피온산 메틸, 2-부톡시프로피온산 에틸, 2-부톡시프로피온산 프로필, 2-부톡시프로피온산 부틸, 3-메톡시프로피온산 메틸, 3-메톡시프로피온산 에틸, 3-메톡시프로피온산 프로필, 3-메톡시프로피온산 부틸, 3-에톡시프로피온산 메틸, 3-에톡시프로피온산 에틸, 3-에톡시프로피온산 프로필, 3-에톡시프로피온산 부틸, 3-프로폭시프로피온산 메틸, 3-프로폭시프로피온산 에틸, 3-프로폭시프로피온산 프로필, 3-프로폭시프로피온산 부틸, 3-부톡시프로피온산 메틸, 3-부톡시프로피온산 에틸, 3-부톡시프로피온산 프로필, 3-부톡시프로피온산 부틸 등을 들 수 있다.Examples of the other esters include methyl acetate, ethyl acetate, propyl acetate, butyl acetate, ethyl 2-hydroxypropionate, methyl 2-hydroxy-2-methylpropionate, ethyl 2-hydroxy- Hydroxypropionate, ethyl 3-hydroxypropionate, propyl 3-hydroxypropionate, 3-hydroxypropionate, 3-hydroxypropionate, 3-hydroxypropionate, 3-hydroxypropionate, 3-hydroxypropionate, Propyl methoxyacetate, butyl hydroxypropionate, methyl 2-hydroxy-3-methylbutanoate, methyl methoxyacetate, ethyl methoxyacetate, propyl methoxyacetate, butyl methoxyacetate, ethoxyacetate, ethoxyacetate, ethoxy Propyl acetate, propyl acetate, butyl ethoxyacetate, methyl propoxyacetate, ethyl propoxyacetate, propoxy Methoxypropionate, propyl 2-methoxypropionate, propyl 2-methoxypropionate, propyl 2-methoxypropionate, propyl 2-methoxypropionate, propyl 2-methoxypropionate, propyl 2-methoxypropionate, propyl 2-methoxypropionate, Ethoxypropionate, ethyl 2-ethoxypropionate, propyl 2-ethoxypropionate, butyl 2-ethoxypropionate, methyl 2-butoxypropionate, ethyl 2-butoxypropionate, 2- Methoxypropionate, methyl 3-methoxypropionate, propyl 3-methoxypropionate, butyl 3-methoxypropionate, methyl 3-ethoxypropionate, 3- Ethoxypropionate, propyl 3-ethoxypropionate, butyl 3-ethoxypropionate, methyl 3-propoxypropionate, ethyl 3-propoxypropionate, Propyl, and 3-propoxy propionate, butyl propionate, methyl 3-butoxy, 3-butoxy-ethyl, 3-butoxy propyl propionate, butyl propionate, 3-butoxy.

이들 용매 중에서, 에틸렌글리콜알킬에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜알킬에테르, 프로필렌글리콜모노알킬에테르, 프로필렌글리콜모노알킬에테르아세테이트, 메톡시아세트산 부틸이 바람직하고, 디에틸렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌글리콜에틸메틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 메톡시아세트산 부틸이 보다 바람직하고, 디에틸렌글리콜에틸메틸에테르가 더욱 바람직하다. Of these solvents, ethylene glycol alkyl ether acetate, diethylene glycol alkyl ether, propylene glycol monoalkyl ether, propylene glycol monoalkyl ether acetate and butyl methoxyacetate are preferable, and diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol ethyl methyl ether, Propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monomethyl ether and butyl methoxyacetate are more preferable, and diethylene glycol ethyl methyl ether is more preferable.

<경화막의 형성 방법> &Lt; Method of forming a cured film &

당해 감방사선성 수지 조성물은, 경화막의 형성에 적합하게 이용할 수 있다. The radiation sensitive resin composition can be suitably used for forming a cured film.

본 발명의 경화막의 형성 방법은, 기판 상에 도막을 형성하는 공정(이하, 「공정 (1)」이라고도 함), 상기 도막의 적어도 일부에 방사선을 조사하는 공정(이하, 「공정 (2)」라고도 함), 방사선이 조사된 도막을 현상하는 공정(이하, 「공정 (3)」이라고도 함) 및, 현상된 도막을 가열하는 공정(이하, 「공정 (4)」라고도 함)을 갖는다.  The method for forming a cured film of the present invention includes a step of forming a coating film on a substrate (hereinafter, also referred to as "step (1)"), a step of irradiating at least a part of the coating film with radiation (Hereinafter also referred to as &quot; step (3) &quot;) for heating the coated film, and a step for heating the developed coated film (hereinafter also referred to as &quot; step (4) &quot;).

[공정 (1)] [Step (1)]

본 공정에서는, 당해 감방사선성 수지 조성물을 이용하고, 기판 상에 도포하여 도막을 형성한다. 바람직하게는 도포면을 프리베이킹함으로써 용매를 제거한다. In the present step, the radiation-sensitive resin composition is applied to a substrate to form a coating film. Preferably, the solvent is removed by prebaking the application surface.

상기 기판으로서는, 예를 들면, 유리, 석영, 실리콘, 수지 등을 들 수 있다. 상기 수지로서는, 예를 들면, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리부틸렌테레프탈레이트, 폴리에테르술폰, 폴리카보네이트, 폴리이미드, 환상 올레핀의 개환 중합체 및 그의 수소 첨가물 등을 들 수 있다. 프리베이킹의 조건으로서는, 각 성분의 종류, 배합 비율 등에 따라서도 상이하지만, 70℃∼120℃, 1분∼10분간 정도로 할 수 있다. Examples of the substrate include glass, quartz, silicon, resin, and the like. Examples of the resin include a ring-opening polymer of polyethylene terephthalate, polybutylene terephthalate, polyether sulfone, polycarbonate, polyimide, cyclic olefin, and hydrogenated products thereof. The conditions for the prebaking may vary depending on the kind of each component, the mixing ratio, and the like, but may be about 70 to 120 캜 for about 1 to 10 minutes.

[공정 (2)] [Step (2)]

본 공정에서는, 상기 형성된 도막의 적어도 일부에 방사선을 조사하여 노광한다. 노광할 때에는, 통상 소정의 패턴을 갖는 포토마스크를 개재하여 노광한다. 노광에 사용되는 방사선으로서는, 파장이 190㎚∼450㎚의 범위에 있는 방사선이 바람직하고, 365㎚의 자외선을 포함하는 방사선이 보다 바람직하다. 노광량으로서는, 500J/㎡∼6,000J/㎡가 바람직하고, 1,500J/㎡∼1,800J/㎡가 보다 바람직하다. 이 노광량은, 방사선의 파장 365㎚에 있어서의 강도를 조도계(OAI Optical Associates사의 「OAI model356」)에 의해 측정한 값이다.  In this step, at least a part of the formed coating film is exposed to radiation. When exposure is performed, exposure is usually performed through a photomask having a predetermined pattern. As the radiation used for exposure, radiation having a wavelength in the range of 190 nm to 450 nm is preferable, and radiation containing ultraviolet light of 365 nm is more preferable. The exposure dose is preferably 500 J / m2 to 6,000 J / m2, more preferably 1,500 J / m2 to 1,800 J / m2. The exposure dose is a value obtained by measuring the intensity of the radiation at a wavelength of 365 nm by a light meter ("OAI model 356" manufactured by OAI Optical Associates).

[공정 (3)] [Step (3)]

본 공정에서는, 상기 방사선이 조사된 도막을 현상한다. 노광 후의 도막을 현상함으로써, 불필요한 부분(방사선의 조사 부분)을 제거하여 소정의 패턴을 형성한다. 이 현상 공정에 사용되는 현상액으로서는, 알칼리성의 수용액이 바람직하다. 알칼리로서는, 예를 들면, 수산화 나트륨, 수산화 칼륨, 탄산 나트륨, 규산 나트륨, 메타규산 나트륨, 암모니아 등의 무기 알칼리, 테트라메틸암모늄하이드록사이드, 테트라에틸암모늄하이드록사이드 등의 4급 암모늄염 등을 들 수 있다. In this step, the coated film irradiated with the radiation is developed. By developing the coated film after exposure, unnecessary portions (irradiated portions of radiation) are removed to form a predetermined pattern. As the developing solution used in this developing step, an alkaline aqueous solution is preferable. Examples of the alkali include inorganic alkalis such as sodium hydroxide, potassium hydroxide, sodium carbonate, sodium silicate, sodium metasilicate and ammonia, quaternary ammonium salts such as tetramethylammonium hydroxide and tetraethylammonium hydroxide, .

알칼리 수용액에는, 메탄올, 에탄올 등의 수용성 유기용매나 계면활성제를 적당량 첨가하여 사용할 수도 있다. 알칼리 수용액에 있어서의 알칼리의 농도로서는, 적당한 현상성을 얻는 관점에서, 0.1질량%∼5질량%가 바람직하다. 현상 방법으로서는, 예를 들면, 퍼들법, 디핑법, 요동 침지법, 샤워법 등을 들 수 있다. 현상 시간으로서는, 당해 감방사선성 수지 조성물의 조성에 따라 상이하지만, 10초∼180초간 정도이다. 이러한 현상 처리에 이어서, 예를 들면 유수 세정을 30초∼90초간 행한 후, 예를 들면 압축 공기나 압축 질소로 풍건시킴으로써, 소망하는 패턴을 형성할 수 있다. To the aqueous alkali solution, a water-soluble organic solvent such as methanol or ethanol or a surfactant may be added in an appropriate amount. The concentration of the alkali in the aqueous alkali solution is preferably from 0.1% by mass to 5% by mass from the viewpoint of achieving adequate developability. Examples of the developing method include a puddle method, a dipping method, a swing dipping method, a shower method, and the like. The development time varies depending on the composition of the radiation sensitive resin composition, but is about 10 seconds to 180 seconds. Following this development processing, for example, water washing is carried out for 30 seconds to 90 seconds, and then air is blown with compressed air or compressed nitrogen, for example, to form a desired pattern.

[공정 (4)] [Step (4)]

본 공정에서는, 상기 현상된 도막을 가열한다. 가열에는, 핫 플레이트, 오븐 등의 가열 장치를 이용하여, 패터닝된 박막을 가열함으로써, [A] 중합체 성분의 경화 반응을 촉진하여, 경화막을 형성할 수 있다. 가열 온도로서는, 예를 들면, 120℃∼250℃ 정도이다. 가열 시간으로서는, 가열 기기의 종류에 따라 상이하지만, 예를 들면, 핫 플레이트에서는 5분∼30분간 정도, 오븐에서는 30분∼90분간 정도이다. 또한, 2회 이상의 가열 공정을 행하는 스텝 베이킹법 등을 이용할 수도 있다. 이와 같이 하여, 목적으로 하는 경화막에 대응하는 패턴 형상 박막을 기판의 표면 상에 형성할 수 있다. 이 경화막의 막두께로서는, 0.1㎛∼8㎛가 바람직하고, 0.1㎛∼6㎛가 보다 바람직하다.  In this step, the developed coating film is heated. For the heating, the patterned thin film is heated by using a heating device such as a hot plate or an oven to accelerate the curing reaction of the [A] polymer component to form a cured film. The heating temperature is, for example, about 120 ° C to 250 ° C. The heating time varies depending on the type of the heating apparatus, but is, for example, about 5 minutes to 30 minutes on a hot plate and about 30 minutes to 90 minutes in an oven. Further, a step baking method in which two or more heating steps are performed may be used. In this manner, a patterned thin film corresponding to the intended cured film can be formed on the surface of the substrate. The film thickness of this cured film is preferably from 0.1 mu m to 8 mu m, more preferably from 0.1 mu m to 6 mu m.

당해 경화막의 형성 방법에 의하면, 패턴 형상의 안정성이 높은 경화막을 형성할 수 있다. 또한, 미노광부의 막두께 변화량을 억제할 수 있는 점에서, 결과적으로 생산 프로세스 마진을 향상할 수 있어, 수율의 향상을 달성할 수 있다. 또한, 감광성을 이용한 노광, 현상, 가열에 의해 패턴을 형성함으로써, 용이하게 미세하고 또한 정교한 패턴을 갖는 경화막을 형성할 수 있다. According to the method of forming the cured film, a cured film having high pattern stability can be formed. In addition, since the film thickness variation amount of the unexposed portion can be suppressed, the production process margin can be consequently improved, and the yield can be improved. Further, by forming a pattern by exposure, development and heating using photosensitivity, a cured film having a fine and precise pattern can be easily formed.

<경화막> <Cured film>

본 발명의 경화막은, 당해 감방사선성 수지 조성물로 형성된다. 당해 경화막은, 당해 감방사선성 수지 조성물로 형성되어 있기 때문에, 방사선 감도 및 밀착성이 우수하다. 당해 경화막은, 상기 성질을 갖고 있기 때문에, 예를 들면, 표시 소자의 층간 절연막, 스페이서, 보호막, 컬러 필터용 착색 패턴 등으로서 적합하다. 또한, 당해 경화막의 형성 방법으로서는 특별히 한정되지 않지만, 전술의 당해 경화막의 형성 방법을 이용하는 것이 바람직하다. The cured film of the present invention is formed from the radiation sensitive resin composition. The cured film is excellent in radiation sensitivity and adhesion because it is formed of the radiation sensitive resin composition. Since the cured film has the above properties, it is suitable as, for example, an interlayer insulating film of a display element, a spacer, a protective film, a coloring pattern for a color filter, and the like. The method of forming the cured film is not particularly limited, but it is preferable to use the method of forming the cured film described above.

<표시 소자> <Display element>

본 발명의 표시 소자는, 당해 경화막을 구비하고 있다. 당해 표시 소자는, 예를 들면, 후술하는 액정 셀, 편광판 등에 의해 구성되어 있다. 당해 표시 소자는, 당해 경화막을 구비하고 있기 때문에, 예를 들면, 내열성 등의 신뢰성이 우수하다. The display element of the present invention comprises the cured film. The display element is constituted by, for example, a liquid crystal cell, a polarizing plate or the like which will be described later. Since the display element is provided with the cured film, the display element is excellent in reliability such as heat resistance.

당해 표시 소자의 제조 방법으로서는, 우선 편면(片面)에 투명 도전막(전극)을 갖는 투명 기판을 한 쌍(2매) 준비하고, 그 중의 1매의 기판의 투명 도전막 상에, 당해 감방사선성 수지 조성물을 이용하여, 전술의 경화막의 형성 방법에 따라, 층간 절연막, 스페이서 또는 보호막 또는 그 쌍방을 형성한다. 이어서, 이들 기판의 투명 도전막 및 스페이서 또는 보호막 상에 액정 배향능을 갖는 배향막을 형성한다. 이들 기판을, 그 배향막이 형성된 측의 면을 내측으로 하고, 각각의 배향막의 액정 배향 방향이 직교 또는 역평행이 되도록 일정한 간극(셀 갭)을 개재하여 대향 배치하고, 기판의 표면(배향막) 및 스페이서에 의해 구획된 셀 갭 내에 액정을 충전(充塡)하고, 충전공을 봉지하여 액정 셀을 구성한다. 그리고, 액정 셀의 양 외표면에, 편광판을, 그 편광 방향이 당해 기판의 일면에 형성된 배향막의 액정 배향 방향과 일치 또는 직교하도록 접합함으로써, 본 발명의 표시 소자가 얻어진다. As a manufacturing method of the display element, a pair (two pieces) of transparent substrates having a transparent conductive film (electrode) on one surface thereof are first prepared, and on the transparent conductive film of one of the substrates, An interlayer insulating film, a spacer, a protective film, or both are formed according to the aforementioned method of forming a cured film by using the resin composition. Then, an alignment film having a liquid crystal aligning ability is formed on the transparent conductive film and the spacer or the protective film of these substrates. These substrates were disposed so as to face each other with a certain gap (cell gap) interposed therebetween so that the liquid crystal alignment directions of the respective alignment films were orthogonal or anti-parallel with the inner surface of the side on which the alignment film was formed, The liquid crystal is filled in the cell gap defined by the spacer, and the filling hole is sealed to constitute the liquid crystal cell. The display device of the present invention is obtained by joining a polarizing plate on both outer surfaces of the liquid crystal cell so that the polarizing direction thereof coincides with or orthogonal to the liquid crystal alignment direction of the alignment film formed on one side of the substrate.

기타 표시 소자의 제조 방법으로서는, 상기 제조 방법과 동일하게 하여 투명 도전막과, 층간 절연막, 보호막 또는 스페이서 또는 그 쌍방과, 배향막을 형성한 한 쌍의 투명 기판을 준비한다. 그 후, 한쪽의 기판의 단부를 따라, 디스펜서를 이용하여 자외선 경화형 시일제를 도포하고, 이어서 액정 디스펜서를 이용하여 미소 액적 형상으로 액정을 적하하고, 진공하에서 양 기판의 접합을 행한다. 그리고, 상기의 시일제부에, 고압 수은 램프를 이용하여 자외선을 조사하여 양 기판을 봉지한다. 마지막으로, 액정 셀의 양 외표면에 편광판을 접합함으로써, 본 발명의 표시 소자가 얻어진다. As another manufacturing method of the display element, a pair of transparent substrates having a transparent conductive film, an interlayer insulating film, a protective film or spacer, and an orientation film are prepared in the same manner as the above-mentioned manufacturing method. Thereafter, an ultraviolet curable sealant is applied using a dispenser along the edge of one of the substrates, the liquid crystal is dropped in a minute droplet shape using a liquid crystal dispenser, and the substrates are bonded under vacuum. Then, ultraviolet rays are irradiated to the seal portion using a high-pressure mercury lamp, and both substrates are sealed. Finally, the polarizing plate is bonded to both outer surfaces of the liquid crystal cell to obtain the display element of the present invention.

전술의 각 표시 소자의 제조 방법에 있어서 사용되는 액정으로서는, 예를 들면, 네마틱형 액정, 스멕틱형 액정 등을 들 수 있다. 또한, 액정 셀의 외측에 사용되는 편광판으로서는, 폴리비닐알코올을 연신 배향시키면서, 요오드를 흡수시킨 「H막」이라고 불리는 편광막을 아세트산 셀룰로오스 보호막으로 사이에 끼운 편광판, H막 그 자체로 이루어지는 편광판 등을 들 수 있다. Examples of the liquid crystal used in the above-described manufacturing method of each display element include a nematic liquid crystal and a smectic liquid crystal. As the polarizing plate used for the outside of the liquid crystal cell, a polarizing plate in which a polarizing film called &quot; H film &quot;, in which iodine is absorbed, in which polyvinyl alcohol is stretched and oriented is sandwiched by a cellulose acetate protective film, .

유기 일렉트로루미네선스 소자에 있어서는, 당해 감방사선성 수지 조성물로 형성되는 경화막은, TFT 소자 상에 형성되는 평탄화막, 발광 부위를 나누는 격벽 재료 등으로서 사용할 수 있다. In the organic electroluminescence element, the cured film formed of the radiation sensitive resin composition can be used as a planarizing film formed on the TFT element, a partition wall material for dividing a light emitting portion, and the like.

(실시예)(Example)

이하, 본 발명을 실시예에 기초하여 구체적으로 설명하지만, 본 발명은, 이들 실시예로 한정되는 것은 아니다. 이하에 있어서 합성하는 중합체의 중량 평균 분자량(Mw)의 측정 방법을 하기에 나타낸다. Hereinafter, the present invention will be described concretely with reference to examples, but the present invention is not limited to these examples. The method for measuring the weight average molecular weight (Mw) of the synthesized polymer will be described below.

[중량 평균 분자량(Mw)] [Weight average molecular weight (Mw)]

중량 평균 분자량(Mw)은, 하기 조건하, 겔 투과 크로마토그래피(GPC)에 의해 측정했다.   The weight average molecular weight (Mw) was measured by gel permeation chromatography (GPC) under the following conditions.

장치: 쇼와덴코사의 「GPC-101」 Device: "GPC-101" of Showa Denko

칼럼: GPC-KF-801, GPC-KF-802, GPC-KF-803 및 GPC-KF-804를 결합 Column: GPC-KF-801, GPC-KF-802, GPC-KF-803 and GPC-KF-804

이동상: 테트라하이드로푸란 Mobile phase: tetrahydrofuran

칼럼 온도: 40℃  Column temperature: 40 DEG C

유속: 1.0mL/분 Flow rate: 1.0 mL / min

시료 농도: 1.0질량%  Sample concentration: 1.0 mass%

시료 주입량: 100μL  Sample injection amount: 100 μL

검출기: 시차 굴절계 Detector: differential refractometer

표준 물질: 단분산 폴리스티렌 Standard material: monodisperse polystyrene

<[A] 중합체 성분의 합성>&Lt; Synthesis of polymer component [A]

[합성예 1] (중합체(A-1)의 합성) [Synthesis Example 1] (Synthesis of polymer (A-1)

냉각관 및 교반기를 구비한 플라스크에, 2,2'-아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴) 7질량부, 디에틸렌글리콜에틸메틸에테르 200질량부를 넣었다. 계속해서 메타크릴산 10질량부, 메타크릴산 1-부톡시에틸 50질량부, 3-메타크릴로일옥시메틸-3-에틸옥세탄 40질량부 및, 메타크릴산 하이드록시에틸 10질량부를 넣고 질소 치환한 후, 온화하게 교반을 시작했다. 용액의 온도를 70℃로 상승시키고, 이 온도를 5시간 보존유지(保持)하여 중합체(A-1)를 포함하는 중합체 용액을 얻었다. 중합체(A-1)의 폴리스티렌 환산 중량 평균 분자량(Mw)은 10,000이었다. 또한, 여기에서 얻어지는 중합체 용액의 고형분 농도는, 31.6질량%였다.  A cooling tube and a stirrer, 7 parts by mass of 2,2'-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) and 200 parts by mass of diethylene glycol ethyl methyl ether were placed. Subsequently, 10 parts by mass of methacrylic acid, 50 parts by mass of 1-butoxyethyl methacrylate, 40 parts by mass of 3-methacryloyloxymethyl-3-ethyloxetane and 10 parts by mass of hydroxyethyl methacrylate After purging with nitrogen, stirring was started gently. The temperature of the solution was raised to 70 캜, and this temperature was maintained (maintained) for 5 hours to obtain a polymer solution containing the polymer (A-1). The polystyrene reduced weight average molecular weight (Mw) of the polymer (A-1) was 10,000. The solid concentration of the polymer solution obtained here was 31.6 mass%.

[합성예 2] (중합체(A-2)의 합성) [Synthesis Example 2] (Synthesis of polymer (A-2)) [

냉각관 및 교반기를 구비한 플라스크에, 2,2'-아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴) 7질량부, 디에틸렌글리콜에틸메틸에테르 200질량부를 넣었다. 계속해서 메타크릴산 10질량부, 테트라하이드로-2H-피란-2-일메타크릴레이트 40질량부, 메타크릴산 글리시딜 40질량부 및, 스티렌 10질량부를 넣고 질소 치환한 후, 온화하게 교반을 시작했다. 용액의 온도를 70℃로 상승시키고, 이 온도를 5시간 보존유지하여 중합체(A-2)를 포함하는 중합체 용액을 얻었다. 중합체(A-2)의 폴리스티렌 환산 중량 평균 분자량(Mw)은 9,500이었다. 또한, 여기에서 얻어진 중합체 용액의 고형분 농도는, 31.6질량%였다. A cooling tube and a stirrer, 7 parts by mass of 2,2'-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) and 200 parts by mass of diethylene glycol ethyl methyl ether were placed. Subsequently, 10 parts by mass of methacrylic acid, 40 parts by mass of tetrahydro-2H-pyran-2-yl methacrylate, 40 parts by mass of glycidyl methacrylate, and 10 parts by mass of styrene were charged and replaced with nitrogen. . The temperature of the solution was raised to 70 캜, and this temperature was maintained for 5 hours to obtain a polymer solution containing the polymer (A-2). The polystyrene reduced weight average molecular weight (Mw) of the polymer (A-2) was 9,500. The solid concentration of the polymer solution obtained here was 31.6 mass%.

[합성예 3] (중합체(A-3)의 합성) [Synthesis Example 3] (Synthesis of polymer (A-3)

냉각관 및 교반기를 구비한 플라스크에, 2,2'-아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴) 7질량부, 디에틸렌글리콜에틸메틸에테르 200질량부를 넣었다. 계속해서 테트라하이드로-2H-피란-2-일메타크릴레이트 40질량부, 3,4-에폭시사이클로헥실메틸메타아크릴레이트 40질량부, 메타크릴산 하이드록시에틸 10질량부 및, 스티렌 10질량부를 넣고 질소 치환한 후, 온화하게 교반을 시작했다. 용액의 온도를 70℃로 상승시키고, 이 온도를 5시간 보존유지하여 중합체(A-3)을 포함하는 중합체 용액을 얻었다. 중합체(A-3)의 폴리스티렌 환산 중량 평균 분자량(Mw)은 11,000이었다. 또한, 여기에서 얻어진 중합체 용액의 고형분 농도는, 32.4질량%였다.  A cooling tube and a stirrer, 7 parts by mass of 2,2'-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) and 200 parts by mass of diethylene glycol ethyl methyl ether were placed. Subsequently, 40 parts by mass of tetrahydro-2H-pyran-2-yl methacrylate, 40 parts by mass of 3,4-epoxycyclohexylmethyl methacrylate, 10 parts by mass of hydroxyethyl methacrylate, and 10 parts by mass of styrene After purging with nitrogen, stirring was started gently. The temperature of the solution was raised to 70 占 폚, and this temperature was maintained for 5 hours to obtain a polymer solution containing the polymer (A-3). The polystyrene reduced weight average molecular weight (Mw) of the polymer (A-3) was 11,000. The solid concentration of the polymer solution obtained here was 32.4% by mass.

[합성예 4] (중합체(a-1)의 합성) [Synthesis Example 4] (Synthesis of polymer (a-1)

냉각관 및 교반기를 구비한 플라스크에, 2,2'-아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴) 7질량부, 디에틸렌글리콜에틸메틸에테르 200질량부를 넣었다. 계속해서 테트라하이드로-2H-피란-2-일메타크릴레이트 50질량부, 메타크릴산 벤질 35질량부 및, 메타크릴산 하이드록시에틸 15질량부를 넣고 질소 치환한 후, 온화하게 교반을 시작했다. 용액의 온도를 70℃로 상승시키고, 이 온도를 5시간 보존유지하여 중합체(a-1)를 포함하는 중합체 용액을 얻었다. 중합체(a-1)의 폴리스티렌 환산 중량 평균 분자량(Mw)은 10,500이었다. 또한, 여기에서 얻어진 중합체 용액의 고형분 농도는, 31.8질량%였다.  A cooling tube and a stirrer, 7 parts by mass of 2,2'-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) and 200 parts by mass of diethylene glycol ethyl methyl ether were placed. Subsequently, 50 parts by mass of tetrahydro-2H-pyran-2-yl methacrylate, 35 parts by mass of benzyl methacrylate, and 15 parts by mass of hydroxyethyl methacrylate were charged and replaced with nitrogen, followed by gentle agitation. The temperature of the solution was raised to 70 캜, and this temperature was maintained for 5 hours to obtain a polymer solution containing the polymer (a-1). The polystyrene reduced weight average molecular weight (Mw) of the polymer (a-1) was 10,500. The solid concentration of the polymer solution obtained here was 31.8 mass%.

[합성예 5] (중합체(a-2)의 합성) [Synthesis Example 5] (Synthesis of polymer (a-2)

냉각관 및 교반기를 구비한 플라스크에, 2,2'-아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴) 7질량부, 디에틸렌글리콜에틸메틸에테르 200질량부를 넣었다. 계속해서 메타크릴산 글리시딜 40질량부, 스티렌 30질량부 및, 메타크릴산 벤질 30질량부를 넣고 질소 치환한 후, 온화하게 교반을 시작했다. 용액의 온도를 70℃로 상승시키고, 이 온도를 5시간 보존유지하여 중합체(a-2)를 포함하는 중합체 용액을 얻었다. 중합체(a-2)의 폴리스티렌 환산 중량 평균 분자량(Mw)은 10,000이었다. 또한, 여기에서 얻어진 중합체 용액의 고형분 농도는, 32.0질량%였다.  A cooling tube and a stirrer, 7 parts by mass of 2,2'-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) and 200 parts by mass of diethylene glycol ethyl methyl ether were placed. Subsequently, 40 parts by mass of glycidyl methacrylate, 30 parts by mass of styrene, and 30 parts by mass of benzyl methacrylate were purged with nitrogen and stirred gently. The temperature of the solution was raised to 70 캜, and this temperature was maintained for 5 hours to obtain a polymer solution containing the polymer (a-2). The polystyrene reduced weight average molecular weight (Mw) of the polymer (a-2) was 10,000. The solid concentration of the polymer solution obtained here was 32.0% by mass.

<감방사선성 수지 조성물의 조제> &Lt; Preparation of radiation-sensitive resin composition &gt;

감방사선성 수지 조성물은, 표 1에 나타내는 조성으로 조제했다. 표 1의 [B] 비이온성 광산 발생제, [C] 이온성 화합물 및 [D] 산화 방지제, [E] 다관능 (메타)아크릴레이트, [F] 광라디칼 중합 개시제는, 이하에 나타내는 바와 같다. The radiation-sensitive resin composition was prepared in the composition shown in Table 1. The [B] nonionic photoacid generator, [C] ionic compound and [D] antioxidant, [E] polyfunctional (meth) acrylate and [F] photo radical polymerization initiator shown in Table 1 are as follows .

[[B] 비이온성 광산 발생제][[B] nonionic photoacid generator]

B-1: 5-프로필술포닐옥시이미노-5H-티오펜-2-이리덴)-(2-메틸페닐)아세토니트릴(BASF사의 「IRGACURE PAG 103」) (2-methylphenyl) acetonitrile (&quot; IRGACURE PAG 103 &quot; from BASF)

B-2: (5-p-톨루엔술포닐옥시이미노-5H-티오펜-2-이리덴)-(2-메틸페닐)아세토니트릴(BASF사의 「IRGACURE PAG 121」) B-2: (5-p-toluenesulfonyloxyimino-5H-thiophen-2-ylidene) - (2-methylphenyl) acetonitrile (IRGACURE PAG 121 from BASF)

B-3: (5-옥틸술포닐옥시이미노)-(4-메톡시페닐)아세토니트릴(BASF사의 「CGI-725」) B-3: (5-Octylsulfonyloxyimino) - (4-methoxyphenyl) acetonitrile ("CGI-725"

B-4: 하기식 (B-4)로 나타나는 옥심술포네이트 화합물(BASF사의 「IRGACURE PAG 203」) B-4: An oxime sulfonate compound ("IRGACURE PAG 203" manufactured by BASF) represented by the following formula (B-4)

Figure pat00018

Figure pat00018

B-5: 하기식 (B-5)로 나타나는 술폰산 유도체 화합물  B-5: A sulfonic acid derivative represented by the following formula (B-5)

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Figure pat00019

B-6: 하기식 (B-6)으로 나타나는 술폰산 유도체 화합물  B-6: A sulfonic acid derivative compound represented by the following formula (B-6)

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Figure pat00020

B-7: 하기식 (B-7)로 나타나는 술폰산 유도체 화합물  B-7: A sulfonic acid derivative represented by the following formula (B-7)

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Figure pat00021

B-8: 하기식 (B-8)로 나타나는 술폰산 유도체 화합물  B-8: A sulfonic acid derivative represented by the following formula (B-8)

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Figure pat00022

B-9: 하기식 (B-9)로 나타나는 술폰산 유도체 화합물  B-9: A sulfonic acid derivative compound represented by the following formula (B-9)

B-10: 하기식 (B-10)으로 나타나는 술폰산 유도체 화합물 B-10: A sulfonic acid derivative represented by the following formula (B-10)

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Figure pat00024

B-11: 하기식 (B-11)로 나타나는 술폰산 유도체 화합물 B-11: A sulfonic acid derivative represented by the following formula (B-11)

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Figure pat00025

B-12: 하기식 (B-12)로 나타나는 술폰산 유도체 화합물B-12: A sulfonic acid derivative represented by the following formula (B-12)

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Figure pat00026

B-13: 하기식 (B-13)으로 나타나는 술폰산 유도체 화합물  B-13: A sulfonic acid derivative compound represented by the following formula (B-13)

Figure pat00027
Figure pat00027

B-14: 하기식 (B-14)로 나타나는 술폰산 유도체 화합물  B-14: A sulfonic acid derivative represented by the following formula (B-14)

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Figure pat00028

B-15: 하기식 (B-15)로 나타나는 술폰산 유도체 화합물  B-15: A sulfonic acid derivative represented by the following formula (B-15)

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Figure pat00029

B-16: 하기식 (B-16)으로 나타나는 술폰산 유도체 화합물  B-16: A sulfonic acid derivative represented by the following formula (B-16)

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Figure pat00030

[[C] 이온성 화합물][[C] ionic compound]

C-1: 하기식 (C-1)로 나타나는 이온성 화합물C-1: an ionic compound represented by the following formula (C-1)

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Figure pat00031

C-2: 하기식 (C-2)로 나타나는 이온성 화합물 C-2: An ionic compound represented by the following formula (C-2)

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Figure pat00032

 C-3: 하기식 (C-3)으로 나타나는 이온성 화합물  C-3: An ionic compound represented by the following formula (C-3)

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Figure pat00033

[[D] 산화 방지제][[D] antioxidant]

D-1: 1,1,3-트리스(2-메틸-4-하이드록시-5-t-부틸페놀)부탄(ADEKA사의 「아데카스타브 AO-30」) D-1: 1,1,3-tris (2-methyl-4-hydroxy-5-t-butylphenol) butane (Adekastab AO-

D-2: 하기식 (D-2)로 나타나는 ADEKA사의 「아데카스타브 AO-60」 D-2: Adekastab AO-60 of ADEKA represented by the following formula (D-2)

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Figure pat00034

D-3: 하기식 (D-3)으로 나타나는 ADEKA사의 「아데카스타브 AO-70」D-3: Adekastab AO-70 of ADEKA represented by the following formula (D-3)

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Figure pat00035

 D-4: 하기식 (D-4)로 나타나는 ADEKA사의 「아데카스타브 AO-80」 D-4: Adekastab AO-80 of ADEKA represented by the following formula (D-4)

Figure pat00036
Figure pat00036

D-5: 1,3,5-트리메틸-2,4,6-트리스(3,5-디-t-부틸-4-하이드록시벤질)벤젠)(ADEKA 제조의 「아데카스타브 AO-330」) D-5: 1,3,5-trimethyl-2,4,6-tris (3,5-di-t-butyl-4-hydroxybenzyl) benzene) (Adekastab AO- )

D-6: 하기식 (D-6)으로 나타나는 BASF사의 「IRGANOX1098」 D-6: "IRGANOX 1098" manufactured by BASF Co., Ltd. represented by the following formula (D-6)

Figure pat00037
Figure pat00037

[E] 다관능 (메타)아크릴레이트 [E] polyfunctional (meth) acrylate

E-1: 디펜타에리트리톨펜타아크릴레이트와 디펜타에리트리톨헥사아크릴레이트와의 혼합물(닛폰카야쿠샤의 「KAYARAD DPHA」) E-1: A mixture of dipentaerythritol pentaacrylate and dipentaerythritol hexaacrylate ("KAYARAD DPHA" from Nippon Kayakusha)

E-2: 숙신산 변성 펜타에리트리톨트리아크릴레이트(토아고세사의 「아로닉스(Aronix) TO-756」) E-2: succinic acid-modified pentaerythritol triacrylate ("Aronix TO-756" manufactured by Toagosei Co., Ltd.)

E-3: 트리메틸올프로판트리아크릴레이트 E-3: Trimethylolpropane triacrylate

E-4: 트리펜타에리트리톨옥타아크릴레이트와 트리펜타에리트리톨헵타아크릴레이트와의 혼합물(오사카유키카가쿠고교사의 「비스코트(Viscoat) 802」) E-4: A mixture of tripentaerythritol octaacrylate and tripentaerythritol heptaacrylate ("Viscoat 802" manufactured by Yuki Kagaku Kogyo Co., Ltd.)

E-5: 숙신산 변성 디펜타에리트리톨펜타아크릴레이트(토아고세사의 「아로닉스 M-520」) E-5: succinic acid-modified dipentaerythritol pentaacrylate ("ARONIX M-520" manufactured by Toagosei Co., Ltd.)

[[F] 광라디칼 중합 개시제] [[F] Photo radical polymerization initiator]

F-1: 2-메틸-1-(4-메틸티오페닐)-2-모르폴리노프로판-1-온(BASF사의 이르가큐어(Irgacure) 907」) F-1: 2-methyl-1- (4-methylthiophenyl) -2-morpholinopropane-1-one (Irgacure 907 from BASF)

F-2:에탄온-1-[9-에틸-6-(2-메틸벤조일)-9H-카르바졸-3-일]-1-(O-아세틸옥심)(BASF사의 「이르가큐어 OXE02」)F-2: Ethanone-1- [9-ethyl-6- (2-methylbenzoyl) -9H-carbazol-3-yl] -1- (O- acetyloxime) ("Irgacure OXE02" )

F-3: 2,4-디에틸티오잔톤 F-3: 2,4-Diethylthioxanthone

(비교예)(Comparative Example)

[b] 이온성 광산 발생제[b] Ionic photoacid generator

b-1: 트리페닐술포늄·트리플루오로메탄술포네이트b-1: Triphenylsulfonium trifluoromethanesulfonate

[c] 아민 화합물 [c] amine compound

c-1: 4-디메틸아미노피리딘 c-1: 4-Dimethylaminopyridine

[실시예 1] [Example 1]

중합체(A-1)를 포함하는 중합체 용액((A-1) 100질량부(고형분)에 상당하는 양)에, 광산 발생제(B-1) 3질량부 및, 이온성 화합물(C-1) 0.2질량부를 혼합하고, 공경(孔徑) 0.2㎛의 멤브레인 필터로 여과함으로써, 감방사선성 수지 조성물을 조제했다. 3 parts by mass of the photoacid generator (B-1) and 3 parts by mass of the ionic compound (C-1) were added to 100 parts by mass (solid content) of the polymer solution (A- ) Were mixed and filtered through a membrane filter having a pore diameter of 0.2 占 퐉 to prepare a radiation-sensitive resin composition.

[실시예 2∼15 및 비교예 1, 2] [Examples 2 to 15 and Comparative Examples 1 and 2]

하기표 1에 나타내는 종류 및 함유량의 성분을 이용한 이외는, 실시예 1과 동일하게 조작하여, 감방사선성 수지 조성물을 조제했다. 또한 표 1 중의 「-」는, 해당하는 성분을 배합하지 않은 것을 나타낸다. A radiation-sensitive resin composition was prepared in the same manner as in Example 1 except that the components of the kind and content shown in Table 1 were used. In Table 1, &quot; - &quot; indicates that the corresponding components are not blended.

[실시예 16] [Example 16]

중합체(a-1)를 포함하는 중합체 용액((a-1) 50질량부(고형분)에 상당하는 양)과, 중합체(a-2)를 포함하는 중합체 용액((a-2) 50질량부(고형분)에 상당하는 양)을 혼합하여 [A] 중합체 성분으로 했다. 이 [A] 중합체 성분에, [B] 광산 발생제(B-16) 5질량부, [C] 이온성 화합물(C-3) 0.08질량부, [D] 산화 방지제(D-2) 0.5질량부, [E] 광다관능 (메타)아크릴레이트 5질량부 및, [F] 광라디칼 중합 개시제(F-3) 1질량부를 혼합한 후, 공경 0.2㎛의 멤브레인 필터로 여과함으로써 감방사선성 수지 조성물을 조제했다. 50 parts by mass of a polymer solution ((a-2)) containing the polymer (a-1) and 50 parts by mass (solid content) of the polymer solution (Solid content)) were mixed to obtain a polymer component [A]. 5 parts by mass of the [B] photoacid generator (B-16), 0.08 parts by mass of the [C] ionic compound (C-3), and 0.5 parts by mass of the antioxidant (D-2) , 5 parts by mass of [E] photopolymerizable (meth) acrylate and 1 part by mass of [F] photoradical polymerization initiator (F-3) were mixed and filtered through a membrane filter having a pore size of 0.2 탆 to obtain a radiation- .

[실시예 17∼20 및 비교예 3, 4] [Examples 17 to 20 and Comparative Examples 3 and 4]

하기표 1에 나타내는 종류 및 배합량의 성분을 이용한 이외는, 실시예 16 및 비교예 3과 동일하게 조작하여, 감방사선성 수지 조성물을 조제했다. A radiation-sensitive resin composition was prepared in the same manner as in Example 16 and Comparative Example 3 except that the components of the type and the compounding amount shown in Table 1 were used.

Figure pat00038
Figure pat00038

<평가> <Evaluation>

실시예 1∼20 및 비교예 1∼4의 감방사선성 수지 조성물을 이용하여, 방사선 감도, 내광성, 투과율, 패턴의 밀착성, 전압 보전율 및 보존 안정성의 평가를 실시했다. 평가 결과를 표 2에 나타낸다. The radiation-sensitive resin compositions of Examples 1 to 20 and Comparative Examples 1 to 4 were used to evaluate radiation sensitivity, light resistance, transmittance, pattern adhesion, voltage holding ratio, and storage stability. The evaluation results are shown in Table 2.

[방사선 감도의 평가][Evaluation of radiation sensitivity]

유리 기판 상에, 감방사선성 수지 조성물을 스피너를 이용하여 도포한 후, 90℃에서 2분간 핫 플레이트상에서 프리베이킹하여 막두께 3.0㎛의 도막을 형성했다. 계속해서, 노광기(캐논사의 「MPA-600FA(ghi선 혼합)」)를 이용하고, 60㎛의 라인·앤드·스페이스(10대1)의 패턴을 갖는 마스크를 개재하고, 도막에 대하여 노광량을 변량으로 하여 방사선을 조사했다. 그 후, 0.5질량%의 테트라메틸암모늄하이드록사이드 수용액으로 25℃에서 80초간 퍼들법으로 현상했다. 이어서, 초순수로 1분간 유수 세정을 행하고, 그 후 건조함으로써, HMDS 처리 후의 크롬 성막 유리 기판 상에 패턴을 형성했다. 이때, 6㎛의 스페이스·패턴이 완전하게 용해되기 위해 필요한 노광량을 조사했다. 이 노광량의 값이 500(J/㎡) 이하인 경우, 감도는 양호라고 판단할 수 있다.The radiation-sensitive resin composition was coated on a glass substrate using a spinner, and then baked on a hot plate at 90 占 폚 for 2 minutes to form a coating film having a film thickness of 3.0 占 퐉. Subsequently, a mask having a pattern of a line-and-space (10: 1) of 60 mu m was interposed between the mask and the substrate, using an exposure machine ("MPA-600FA And irradiated with radiation. Thereafter, it was developed with a 0.5 mass% aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide at 25 DEG C for 80 seconds by a puddle method. Subsequently, the substrate was subjected to water washing with ultra-pure water for 1 minute, and then dried to form a pattern on the chromium-deposited glass substrate after the HMDS treatment. At this time, the amount of exposure required to completely dissolve the space pattern of 6 mu m was examined. When the value of the exposure dose is 500 (J / m &lt; 2 &gt;) or less, it can be judged that the sensitivity is good.

[내광성의 평가] [Evaluation of light resistance]

실리콘 기판 상에, 감방사선성 수지 조성물을 스피너를 이용하여 도포한 후, 90℃에서 2분간 핫 플레이트상에서 프리베이킹하여 막두께 3.0㎛의 도막을 형성했다. 이 실리콘 기판을 클린 오븐 내에서 220℃로 1시간 가열하여 경화막을 얻었다. 얻어진 각 경화막에, UV 조사 장치(우시오사의 「UVX-02516 S1JS01」)로 130mW의 조도로 800,000J/㎡ 조사했다. 조사 전의 막두께와 비교하여, 조사 후의 막두께의 막 감소량이 3% 이하이면 경화막의 내광성이 양호하다고 말할 수 있다. The radiation-sensitive resin composition was coated on a silicon substrate using a spinner, and then baked on a hot plate at 90 캜 for 2 minutes to form a coating film having a film thickness of 3.0 탆. This silicon substrate was heated in a clean oven at 220 DEG C for 1 hour to obtain a cured film. Each of the obtained cured films was irradiated with 800,000 J / m 2 at an illuminance of 130 mW with a UV irradiation device (UVX-02516 S1JS01, manufactured by Ushio Inc.). Compared with the film thickness before irradiation, when the film reduction amount of the film thickness after irradiation is 3% or less, it can be said that the light resistance of the cured film is good.

또한, 내광성의 평가에 있어서는, 형성하는 경화막의 패터닝은 불필요하기 때문에, 현상 공정은 생략하고, 도막 형성 공정, 내광성 시험 및 가열 공정만 행하여 평가를 행했다. In the evaluation of the light resistance, since the patterning of the cured film to be formed is not necessary, the development step is omitted and evaluation is carried out by performing only the film forming step, the light resistance test and the heating step.

[투과율의 평가] [Evaluation of transmittance]

상기 내광성의 평가와 동일하게, 감방사선성 수지 조성물을 이용하여 실리콘 기판 상에 도막을 형성했다. 이 실리콘 기판을 클린 오븐 내에서 220℃로 1시간 가열하여 경화막을 형성했다. 이 경화막에 대해서, 파장 400㎚에 있어서의 투과율을, 분광 광도계(히타치세이사쿠쇼사의 「150-20형 더블빔」)를 이용하여 측정하여 평가했다. 이때, 투과율이 90% 미만인 경우에 투명성이 불량하다고 말할 수 있다. Similar to the evaluation of the light resistance, a coating film was formed on a silicon substrate using a radiation-sensitive resin composition. This silicon substrate was heated in a clean oven at 220 DEG C for 1 hour to form a cured film. The cured film was evaluated by measuring the transmittance at a wavelength of 400 nm using a spectrophotometer ("150-20 type double beam" manufactured by Hitachi, Ltd.). At this time, it can be said that transparency is poor when the transmittance is less than 90%.

[패턴의 밀착성의 평가] [Evaluation of pattern adhesion]

패턴의 밀착성은, 노광 방치 후에 평가했다. 구체적으로는, 우선, 유리 기판 상에, 감방사선성 수지 조성물을 스피너를 이용하여 도포한 후, 90℃에서 2분간 핫 플레이트 상에서 프리베이킹하여 막두께 3.0㎛의 도막을 형성했다. 계속해서, 노광기(캐논사의 「MPA-600FA(ghi선 혼합)」)를 이용하고, 10㎛의 라인·앤드·스페이스(1대1)의 패턴을 갖는 마스크를 개재하고, 700(J/㎡)의 노광량으로 노광했다. 그 후, 1시간 클린 룸 내에서 방치하고, 그 후 0.5질량%의 테트라메틸암모늄하이드록사이드 수용액으로 25℃에서 80초간 퍼들법으로 현상했다. 이어서, 초순수로 1분간 유수 세정을 행하고, 그 후 건조하여, 유리 기판 상에 패턴을 형성했다. 현상 후 기판을 광학 현미경으로 관찰하여, 패턴 박리의 유무를 확인했다. 패턴의 밀착성의 판단 기준을 이하에 나타낸다. The adhesion of the pattern was evaluated after exposure and exposure. Specifically, first, a radiation-sensitive resin composition was coated on a glass substrate using a spinner, and then pre-baked on a hot plate at 90 캜 for 2 minutes to form a coating film having a film thickness of 3.0 탆. Subsequently, a mask having a line-and-space (one-to-one) pattern of 10 mu m was interposed using an exposure apparatus (MPA-600FA (ghi line mixing) Exposure was performed. Thereafter, it was allowed to stand in a clean room for one hour, and then developed with a 0.5 mass% aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide at 25 DEG C for 80 seconds by a puddle method. Subsequently, the substrate was subjected to water washing with ultra-pure water for 1 minute, and then dried to form a pattern on the glass substrate. After development, the substrate was observed with an optical microscope to confirm whether or not pattern peeling occurred. Criteria for judging adhesion of the pattern are shown below.

패턴 박리가 거의 보이지 않는 경우:「○」When the pattern peeling is hardly observed: &quot; o &quot;

패턴 박리가 근소하게 보인 경우:「△」When the pattern peeling is observed to be slightly: &quot;? &Quot;

패턴이 박리되어, 기판 상에 패턴이 거의 남아 있지 않은 경우:「×」 When the pattern is peeled off and almost no pattern remains on the substrate: &quot; x &quot;

[전압 보전율의 평가][Evaluation of Voltage Conservation Rate]

표면에 나트륨 이온의 용출을 방지하는 SiO2막이 형성되고, 추가로 ITO(인듐-산화 주석 합금) 전극을 소정 형상으로 증착한 소다 유리 기판 상에, 감방사선성 조성물을 스핀 코팅한 후, 90℃의 클린 오븐 내에서 10분간 프리베이킹를 행하여 막두께 2.0㎛의 도막을 형성했다. 다음으로, 포토마스크를 개재하지 않고, 도막에 500J/㎡의 노광량으로 노광했다. 그 후, 230℃에서 30분간 포스트베이킹을 행하여 도막을 경화시켜 영구 경화막을 형성했다. A radiation-sensitive composition is spin-coated on a soda glass substrate on which an SiO 2 film is formed to prevent dissolution of sodium ions on the surface and an ITO (indium-tin oxide alloy) electrode is deposited in a predetermined shape, In a clean oven for 10 minutes to form a coating film having a film thickness of 2.0 mu m. Subsequently, the coated film was exposed at an exposure amount of 500 J / m &lt; 2 &gt; without interposing a photomask. Thereafter, post baking was performed at 230 캜 for 30 minutes to cure the coating film to form a permanent cured film.

이어서, 이 화소를 형성한 기판과 ITO 전극을 소정 형상으로 증착했을 뿐의 기판을, 0.8㎜의 유리 비즈를 혼합한 시일제로 접합하여 셀을 형성한 후, 이 셀에 액정(메르크사의 「액정 MLC6608」)을 주입하여 액정 셀을 제작했다. 또한, 액정 셀을 60℃의 항온층에 넣고, 액정 셀의 전압 보전율을, 액정 전압 보전율 측정 시스템(토요테크니카사의 「VHR-1A형」)에 의해 측정했다. 이때의 인가 전압은 5.5V의 방형파, 측정 주파수는 60㎐로 했다. Subsequently, the substrate on which the pixel was formed and the substrate on which the ITO electrode only had been vapor-deposited in a predetermined shape were bonded to each other with a sealing material mixed with glass beads of 0.8 mm to form a cell. Then, a liquid crystal (liquid crystal MLC6608 &quot;) was injected to prepare a liquid crystal cell. Further, the liquid crystal cell was placed in a constant temperature layer at 60 占 폚, and the voltage holding ratio of the liquid crystal cell was measured by a liquid crystal voltage preservation rate measuring system ("VHR-1A type" manufactured by Toyo Technica Co., Ltd.). At this time, the applied voltage was 5.5 V, and the measurement frequency was 60 Hz.

여기에서 전압 보전율이란, (16.7밀리초 후의 액정 셀 전위차/0밀리초로 인가한 전압)의 값이다. 액정 셀의 전압 보전율이 90% 이하이면, 액정 셀은 16.7밀리초의 시간, 인가 전압을 소정 레벨로 유지할 수 없어, 충분히 액정을 배향시킬 수 없는 것을 의미하고, 잔상 등의 「번인(burn-in)」을 일으킬 우려가 높다.  Here, the voltage holding ratio is a value of (the voltage applied to the liquid crystal cell potential difference after 16.7 milliseconds / 0 milliseconds). If the voltage holding ratio of the liquid crystal cell is 90% or less, it means that the liquid crystal cell can not maintain the applied voltage at a predetermined level for 16.7 milliseconds and can not sufficiently orient the liquid crystal. The "burn- There is a high possibility of causing it.

[보존 안정성의 평가] [Evaluation of storage stability]

감방사선성 조성물 용액을 40℃의 오븐 중에서 1주간 방치하고, 오븐에 넣는 전후에서의 점도를 측정하여, 점도 변화율(%)을 구했다. 이때, 점도 변화율이 5% 이하인 경우에 보존 안정성이 양호하다고 할 수 있고, 5%를 초과하는 경우에 보존 안정성이 불량하다고 할 수 있다. 평가 결과를 표 2에 나타낸다.  The solution of the radiation-sensitive composition was allowed to stand in an oven at 40 캜 for 1 week, and the viscosity before and after being placed in an oven was measured to determine the rate of change in viscosity (%). At this time, it can be said that the storage stability is good when the rate of change in viscosity is 5% or less, and the storage stability is inferior when it exceeds 5%. The evaluation results are shown in Table 2.

Figure pat00039
Figure pat00039

표 2의 결과로부터 명백해지듯이, 실시예 1∼20에서는, 방사선 감도, 내광성, 투과율, 전압 보전율 및 보존 안정성이 우수했다. 이에 대하여, 비교예 1∼4에서는, 방사선 감도, 내광성, 투과율, 전압 보전율 및 보존 안정성에 대해서 양호한 결과가 얻어지지 않았다. As apparent from the results of Table 2, in Examples 1 to 20, the radiation sensitivity, the light resistance, the transmittance, the voltage holding ratio and the storage stability were excellent. On the other hand, in Comparative Examples 1 to 4, good results were not obtained with respect to radiation sensitivity, light resistance, transmittance, voltage storage ratio, and storage stability.

본 발명은, 방사선 감도 등의 일반적 특성을 충분히 만족함과 동시에 보존 안정성이 우수하여, 경화막의 밀착성 불량의 저감을 가능하게 하는 감방사선성 조성물을 제공할 수 있다. 본 발명은 또한, 당해 감방사선성 수지 조성물로 형성되는 경화막 및 그의 형성 방법, 그리고 당해 경화막을 구비하는 표시 소자를 제공할 수 있다. 따라서, 당해 감방사선성 수지 조성물, 당해 경화막 및 그의 형성 방법, 그리고 당해 표시 소자는, 액정 표시 디바이스 등의 제조 프로세스에 적합하게 사용할 수 있다.
The present invention can provide a radiation-sensitive composition that satisfactorily satisfies general characteristics such as radiation sensitivity and is excellent in storage stability and can reduce the defective adhesion of a cured film. The present invention can also provide a cured film formed of the radiation sensitive resin composition, a method for forming the same, and a display element provided with the cured film. Accordingly, the radiation sensitive resin composition, the cured film, the method of forming the same, and the display element can be suitably used for a manufacturing process of a liquid crystal display device or the like.

Claims (10)

산 해리성기를 갖는 제1 구조 단위 및 가교성기를 갖는 제2 구조 단위를 포함하는 중합체 성분,
술포닐기를 갖는 비(非)이온성 광산 발생제, 그리고
하기식 (1)로 나타나는 이온성 화합물을 함유하는 감방사선성 수지 조성물:
Figure pat00040

(식 (1) 중, R1은, 수소 원자 또는 1가의 유기기이고; -A-는, -N--SO2-RA, -COO-, -O- 또는 -SO3 -이고; RA는, 탄소수 1∼10의 직쇄상 또는 분기상의 1가의 탄화수소기 또는 탄소수 3∼20의 환상의 1가의 탄화수소기이고; 단, RA의 탄화수소기가 갖는 수소 원자의 일부 또는 전부는 불소 원자로 치환되어 있어도 좋고; X는, 오늄 양이온임).
A polymer component comprising a first structural unit having an acid dissociable group and a second structural unit having a crosslinkable group,
A non-ionic photoacid generator having a sulfonyl group, and
A radiation-sensitive resin composition containing an ionic compound represented by the following formula (1): &quot;
Figure pat00040

(Formula (1) of, R 1 is a hydrogen atom or a monovalent organic group, and; -A - is, -N - -SO 2 -R A, -COO -, -O - or -SO 3 -, and; R A is a linear or branched monovalent hydrocarbon group of 1 to 10 carbon atoms or a monovalent monovalent hydrocarbon group of 3 to 20 carbon atoms, provided that a part or all of the hydrogen atoms of the hydrocarbon group of R A are substituted with fluorine atoms And X &lt; + & gt ; is an onium cation).
제1항에 있어서,
상기식 (1)의 X가, 하기식 (1-1) 또는 식 (1-2)로 나타나는 오늄 양이온인 감방사선성 수지 조성물:
Figure pat00041

(식 (1-1) 및 (1-2) 중, R2∼R6은, 수산기, 할로겐 원자, 알킬기, 사이클로알킬기, 알콕시기, -S-RB, -OSO2-RC, 또는 -SO2-RD이고; RB는, 알킬기 또는 아릴기이고; RC 및 RD는, 각각 독립적으로, 알킬기, 사이클로알킬기, 알콕시기 또는 아릴기이고; 단, R2∼R6, RB, RC 및 RD의 알킬기, 사이클로알킬기, 알콕시기 및 아릴기가 갖는 수소 원자의 일부 또는 전부는 치환되어 있어도 좋고; a, b, c, d 및 e는, 각각 독립적으로, 0∼5의 정수임).
The method according to claim 1,
A radiation sensitive resin composition wherein X + in the formula (1) is an onium cation represented by the following formula (1-1) or (1-2)
Figure pat00041

(Wherein R 2 to R 6 each independently represents a hydroxyl group, a halogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkoxy group, -SR B , -OSO 2 -R C , or -SO 2 D is -R; R B is an alkyl group or an aryl group; R C and R D are, each independently, an alkyl group, cycloalkyl group, alkoxy group or aryl group; stage, R 2 ~R 6, R B, R A, b, c, d, and e are each independently an integer of 0 to 5) of the hydrogen atoms of the alkyl group, cycloalkyl group, alkoxy group and aryl group of C and R D may be substituted.
제1항에 있어서,
상기 이온성 화합물의 함유량이, 상기 중합체 성분 100질량부에 대하여 0.01질량부 이상 1.00질량부 이하인 감방사선성 수지 조성물.
The method according to claim 1,
Wherein the content of the ionic compound is 0.01 parts by mass or more and 1.00 parts by mass or less based on 100 parts by mass of the polymer component.
제1항에 있어서,
상기 제1 구조 단위가, 하기식 (2) 또는 하기식 (3)으로 나타나는 감방사선성 수지 조성물:
Figure pat00042

(식 (2) 중, R7은, 수소 원자 또는 메틸기이고; R8은, 탄소수 1∼12의 직쇄상 또는 분기상의 알킬기이고; R9는, 탄소수 1∼12의 직쇄상 또는 분기상의 알킬기, 또는 탄소수 4∼20의 1가의 지환식 탄화수소기이고; 식 (3) 중, R10은, 수소 원자 또는 메틸기이고; R11∼R17은, 수소 원자, 또는 탄소수 1∼12의 직쇄상 또는 분기상의 알킬기이고; f는, 1 또는 2이고; 단, f가 2인 경우, 2개의 R16끼리 및 2개의 R17끼리는, 동일해도 상이해도 좋음).
The method according to claim 1,
Wherein the first structural unit is represented by the following formula (2) or (3):
Figure pat00042

(Wherein R 7 is a hydrogen atom or a methyl group, R 8 is a linear or branched alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, R 9 is a linear or branched alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, Or a monovalent alicyclic hydrocarbon group having 4 to 20 carbon atoms, R 10 in the formula (3) is a hydrogen atom or a methyl group, and R 11 to R 17 are each a hydrogen atom or a straight or branched F is 1 or 2, provided that when f is 2, two R 16 s and two R 17 s may be the same or different.
제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제2 구조 단위의 가교성기가, (메타)아크릴로일기, 옥시라닐기, 또는 옥세타닐기인 감방사선성 수지 조성물.
5. The method according to any one of claims 1 to 4,
Wherein the crosslinking group of the second structural unit is a (meth) acryloyl group, an oxiranyl group, or an oxetanyl group.
제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 비이온성 광산 발생제가, 하기식 (4)로 나타나는 화합물인 감방사선성 수지 조성물: 
Figure pat00043

(식 (4) 중, R18 및 R21∼R23은, 수소 원자이고; R19 및 R20의 한쪽은, 직쇄상 또는 분기상의 탄소수 4∼18의 알콕시기, 이 알콕시기의 산소 원자에 인접하지 않는 임의 위치의 메틸렌기가 -C(=O)-기로 치환된 기, 상기 알콕시기가 나프탈렌환에 가까운 쪽으로부터 -O-C(=O)- 결합 또는 -OC(=O)-NH- 결합으로 중단된 기, 탄소수 4∼18의 직쇄상 또는 분기상의 알킬티오기, 이 알킬티오기의 황 원자에 인접하지 않는 임의 위치의 메틸렌기가 -C(=O)-기로 치환된 기, 상기 알킬티오기가 나프탈렌환에 가까운 쪽으로부터 -O-C(=O)- 결합 또는 -OC(=O)-NH- 결합으로 중단된 기, 또는 하기식 (5)로 나타나는 기이고; 단, R19 및 R20의 알콕시기 및 알킬티오기가 갖는 수소 원자의 일부 또는 전부는, 지환식 탄화수소기, 복소환기 또는 할로겐 원자로 치환되어도 좋고; R19 및 R20의 다른 한쪽은, 수소 원자이고; R24는, 할로겐 원자 및 탄소수 1∼18의 알킬티오기 중 적어도 한쪽에서 치환되어 있어도 좋은 탄소수 1∼18의 1가의 지방족 탄화수소기, 할로겐 원자 및 지환식 탄화수소기 중 적어도 한쪽에서 치환되어 있어도 좋은 탄소수 1∼18의 직쇄상 또는 분기상의 알킬기, 할로겐 원자로 치환되어 있어도 좋은 탄소수 3∼18의 1가의 지환식 탄화수소기, 할로겐 원자 및 탄소수 1∼18의 알킬티오기 중 적어도 한쪽에서 치환되어 있어도 좋은 탄소수 6∼20의 아릴기, 할로겐 원자 및 탄소수 1∼18의 알킬티오기 중 적어도 한쪽에서 치환되어 있어도 좋은 탄소수 7∼20의 아릴알킬기, 할로겐 원자로 치환되어 있어도 좋은 탄소수 7∼20의 알킬아릴기, 아실기로 치환된 탄소수 7∼20의 아릴기, 10-캠포릴, 또는 하기식 (6)으로 나타나는 기임);
Figure pat00044

(식 (5) 중, R25는, 탄소수 1∼12의 2가의 탄화수소기이고; R26은, 탄소수 1∼4의 알칸디일기이고; R27은, 수소 원자, 탄소수 1∼4의 직쇄상 또는 분기상의 알킬기, 또는 탄소수 3∼10의 1가의 지환식 탄화수소기 또는 1가의 복소환기이고; Y1은, 산소 원자 또는 황 원자이고; Y2는, 단결합 또는 탄소수 1∼4의 알칸디일기이고; g는, 0∼5의 정수임);
Figure pat00045

(식 (6) 중, R28은, 탄소수 2∼6의 알칸디일기, 탄소수 2∼6의 할로겐화 알칸디일기, 탄소수 6∼20의 아릴렌기, 또는 탄소수 6∼20의 할로겐화 아릴렌기이고; R29는, 단결합, 탄소수 2∼6의 알칸디일기, 탄소수 2∼6의 할로겐화 알칸디일기, 탄소수 6∼20의 아릴렌기, 또는 탄소수 6∼20의 할로겐화 아릴렌기이고; R30은, 직쇄상 또는 분기상의 탄소수 1∼18의 알킬기, 직쇄상 또는 분기상의 탄소수 1∼18의 할로겐화 알킬기, 탄소수 3∼12의 1가의 지환식 탄화수소기, 탄소수 6∼20의 아릴기, 탄소수 6∼20의 할로겐화 아릴기, 탄소수 7∼20의 아릴알킬기, 또는 탄소수 7∼20의 할로겐화 아릴알킬기이고; Y3은, 단결합 또는 탄소수 1∼4의 알칸디일기이고; h 및 i는, 한쪽이 1이며, 다른 한쪽이 0 또는 1임).
5. The method according to any one of claims 1 to 4,
Wherein the nonionic photoacid generator is a compound represented by the following formula (4):
Figure pat00043

(In the formula (4), R 18 and R 21 to R 23 are each a hydrogen atom; one of R 19 and R 20 is a linear or branched C 4 -C 18 alkoxy group, (= O) - bond or a -OC (= O) -NH- bond from the side nearest to the naphthalene ring, the group in which the methylene group at any arbitrary non-adjacent position is substituted with a -C A straight or branched alkylthio group having 4 to 18 carbon atoms, a group in which a methylene group at any position not adjacent to the sulfur atom of the alkylthio group is substituted with a -C (= O) - group, the alkylthio group is a naphthalene (= O) - bond or -OC (= O) -NH- bond from the near side of the ring, or a group represented by the following formula (5), provided that the alkoxy group of R 19 and R 20 And some or all of the hydrogen atoms of the alkylthio group may be substituted with an alicyclic hydrocarbon group, a heterocyclic group or a halogen atom, and the other of R 19 and R 20 R 24 is a monovalent aliphatic hydrocarbon group of 1 to 18 carbon atoms which may be substituted by at least one of a halogen atom and an alkylthio group having 1 to 18 carbon atoms, at least one of a halogen atom and an alicyclic hydrocarbon group A linear or branched alkyl group having 1 to 18 carbon atoms which may be substituted on one side, a monovalent alicyclic hydrocarbon group having 3 to 18 carbon atoms which may be substituted with a halogen atom, a halogen atom and an alkylthio group having 1 to 18 carbon atoms An aryl group having 6 to 20 carbon atoms which may be substituted, an arylalkyl group having 7 to 20 carbon atoms which may be substituted by at least one of a halogen atom and an alkylthio group having 1 to 18 carbon atoms, a substituted or unsubstituted aryl group having 7 to 20 carbon atoms An aryl group having 7 to 20 carbon atoms substituted with an acyl group, 10-camphoryl, or a group represented by the following formula (6));
Figure pat00044

(In the formula (5), R 25 is a divalent hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms, R 26 is an alkanediyl group having 1 to 4 carbon atoms, R 27 is a hydrogen atom, a straight- Or a branched alkyl group or a monovalent alicyclic hydrocarbon group having 3 to 10 carbon atoms or a monovalent heterocyclic group, Y 1 is an oxygen atom or a sulfur atom, Y 2 is a single bond or an alkanediyl group having 1 to 4 carbon atoms G is an integer of 0 to 5;
Figure pat00045

(In the formula (6), R 28 is an alkanediyl group having 2 to 6 carbon atoms, a halogenated alkanediyl group having 2 to 6 carbon atoms, an arylene group having 6 to 20 carbon atoms, or a halogenated arylene group having 6 to 20 carbon atoms; R 29 is a single bond, having 2 to 6 carbon atoms in the alkanediyl group, halides of a carbon number of 2 to 6 alkanediyl group, of 6 to 20 carbon atoms an aryl group, or a halogenated arylene group of 6 to 20 carbon atoms, and; R 30 is a straight-chain Or a branched alkyl group having 1 to 18 carbon atoms, a linear or branched halogenated alkyl group having 1 to 18 carbon atoms, a monovalent alicyclic hydrocarbon group having 3 to 12 carbon atoms, an aryl group having 6 to 20 carbon atoms, a halogenated aryl group having 6 to 20 carbon atoms An arylalkyl group having 7 to 20 carbon atoms or a halogenated arylalkyl group having 7 to 20 carbon atoms, Y 3 is a single bond or an alkanediyl group having 1 to 4 carbon atoms, h and i are each 1, Is 0 or 1).
산화 방지제를 추가로 함유하는 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 기재된 감방사선성 수지 조성물.The radiation sensitive resin composition according to any one of claims 1 to 4, further comprising an antioxidant. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 기재된 감방사선성 수지 조성물로 형성되는 경화막.A cured film formed from the radiation sensitive resin composition according to any one of claims 1 to 4. 기판 상에 도막을 형성하는 공정, 상기 도막의 적어도 일부에 방사선을 조사하는 공정, 방사선이 조사된 도막을 현상하는 공정 및, 현상된 도막을 가열하는 공정을 포함하는 경화막의 형성 방법으로서,
상기 도막의 형성에 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 기재된 감방사선성 수지 조성물을 이용하는 것을 특징으로 하는 경화막의 형성 방법.
A method of forming a cured film including a step of forming a coating film on a substrate, a step of irradiating at least a part of the coating film with radiation, a step of developing the coating film irradiated with the radiation, and a step of heating the developed coating film,
A method for forming a cured film, which comprises using the radiation sensitive resin composition according to any one of claims 1 to 4 in the formation of the coating film.
제8항에 기재된 경화막을 구비하는 표시 소자.A display element comprising the cured film according to claim 8.
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