KR20140136387A - 하이브리드 전극 및 이의 제조방법 - Google Patents

하이브리드 전극 및 이의 제조방법 Download PDF

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KR20140136387A
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Abstract

본 발명은 금속과 산화물 하이브리드 전극에 관한 것으로, 금속구조체(나노와이어, 나노로드 등 나노구조체) 필름 위에 금속산화물 전극층을 형성하여, 전기적 특성뿐만 아니라 기계적 특성을 향상시켜 기존 금속산화물 전극의 단점을 보완하고, 산화물의 continuous layer에 의한 전극 표면의 평탄화를 개선시켜, 금속전극 단독 사용 시의 단점을 보완하는 방법에 관한 것이다.

Description

하이브리드 전극 및 이의 제조방법{HYBRID ELECTRODE AND METHOD FOR MANUFACTURING THEREOF}
본 발명은 금속과 산화물 하이브리드 전극에 관한 것으로, 금속구조체(나노와이어, 나노로드 등 나노구조체) 필름 위에 금속산화물 전극층을 형성하여, 전기적 특성뿐만 아니라 기계적 특성을 향상시켜 기존 금속산화물 전극의 단점을 보완하고, 산화물의 컨티뉴어스 레이어(continuous layer)에 의한 전극 표면의 평탄화를 개선시켜, 금속전극 단독 사용 시 문제점을 해결할 수 있는 하이브리드 전극 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
최근 전자제품의 경박 단소화 추세로 디스플레이 또는 트랜지스터 등의 전자 소자들은 공통적으로 고밀도, 고집적의 형태로 제작될 것이 요구됨에 따라 전극 또는 배선(metallization)용에 사용할 수 있는 미세한 금속 패턴을 형성하는 기술이 주목되고 있다.
특히, 터치패널에 필수적인 투명전극을 제작하는 기술 중, 기재 상에 미세한 패턴을 형성하고 금속 전도성 잉크를 충진하여 형성되는 금속 패턴은 저항 특성에 있어서 매우 유용하다.
또한 기재필름에 금속 나노와이어나 다양한 형태의 금속 구조체를 코팅하여 광학적 특성 및 전기적 특성을 향상시킨 금속기반 투명전극(TCF)도 개발되고 있다.
그러나 이러한 소재로 형성된 전극 표면은 수십 나노 레벨의 표면 평탄도를 요구하는 OLED를 비롯한 기타 디스플레이 공정에 적합하지 않으며, 전극 위에 형성되는 유기물질과의 Work function 차이로 인해 에너지 베리어가 높아질 수 있다.
또한, 금속과 산화물 하이브리드 전극 선행 특허 동향은 산화물 전극층 사이에 금속층을 끼워넣는 샌드위치구조를 하고 있는 것이 대부분이다. 이 구조는 저항 특성과 광학 특성을 향상시키지만 유연성을 보장하지 못한다.
현재, 터치패널 및 디스플레이용 투명전극에는 ITO를 비롯한 산화물 투명전극이 상용화되어 있지만, 희토류의 고갈 문제를 떠나서라도, 산화물의 특성상, 유연함이 부족하고, 저항 특성이 금속만큼 우수하지 못해 대면적 플렉시블 디스플레이로 사용하는 데는 무리가 있다.
최근 대면적 플렉시블 디스플레이에 대한 니즈가 증가하는 시점에서 저항특성이 우수하고, 유연하며, 유기물질과의 적합성이 뛰어나고, 표면 평탄도가 우수한 전극소재의 개발이 시급하다.
본 발명은, 기존의 금속 나노와이어(나노구조체) 전극의 표면 특성을 개선하고, 산화물 전극의 기계적 특성 등을 개선하기 위한 방법으로, 우수한 기계적, 전기적 특성을 지닌 금속전극 물질과 표면 특성이 우수한 산화물 전극 또는 다른 전도성물질을 하이브리드하여 이중막 또는 다층막을 형성하는 하이브리드 전극 및 이의 제조방법을 제공하는 것이다. 이에 산화물 전극의 두께를 조절하여 기계적 특성을 개선시킬 수 있고, 금속과 산화물 전극 사이에 폴리머층을 사이에 끼워 표면 특성 및 기계적 특성을 향상시킬 수 있다.
본 발명은 a) 기본 전극 제작 과정인 금속 나노와이어 잉크를 패턴의 기재의 표면에 코팅하는 단계 b) 그 위에 하이브리드 전극을 형성하기 위해 산화물 전극층 증착 단계, c) 금속 나노와이어를 이용한 전극의 표면 평탄화방법으로, 금속 와이어 코팅 표면을 압착하여 평탄화를 증가시키는 물리적 방법과 표면을 고분자(폴리머) 물질을 이용하여 평탄화 시키는 방법을 포함한다.
구체적으로는 (i) 비전도성 기재 위에 금속 나노와이어를 도포하여 코팅 후 전도성 막을 형성하는 단계, (ii) 금속 전극 표면의 평탄화를 증가를 위한 압착 단계 혹은 고분자(폴리머층)막을 형성하여 표면의 평탄화를 증가시키는 단계, (iii) 금속 전극 위에 산화물 전극 또는 다른 전도성 물질을 증착 및 코팅(프린팅)하는 단계를 포함할 수 있다. 이러한 방법은 금속 나노와이어와 산화물과의 하이브리드 전극 형성하는 공정, 금속 나노와이어층과 산화물층 사이에 폴리머층 삽입 공정, 금속 나노와이어 표면의 프레스를 비롯한 평탄화 공정을 포함할 수 있다.
본 발명에 따르면, 금속과 산화물 하이브리드 전극 형성으로 전극의 유연성 개선, 금속과 산화물 하이브리드 전극 형성으로 전극 표면의 평탄도 개선, 금속과 산화물 하이브리드 전극 형성으로 전극의 저항특성 개선, 금속과 산화물 하이브리드 전극 형성으로 전극의 유연성 개선, 금속과 산화물 하이브리드 전극 형성으로 유기물질과의 워크 펑션(Work function)차를 개선할 수 있다.
도 1은 투명 기재 위에 균일한 두께의 금속 와이어 잉크 습도막을 제조예 1을 사용하여 형성한 후 열건조 과정을 통하여 균일한 분포를 가지는 금속 와이어 전극을 형성한다. 형성된 금속 와이어 전극 면에 ITO을 특정 두께로 증착하는 과정을 나타낸 모식도이다.
도 2는 투명 기재 위에 균일한 두께의 금속 와이어 잉크 습도막을 제조예 1을 사용하여 형성한 후 열건조 과정을 통하여 균일한 분포를 가지는 금속 와이어 전극을 형성한다. 형성된 금속 와이어 전극 면에 제조예 2을 특정 두께로 코팅한 후 UV 경화를 하여 polymer 층을 형성한다. 형성된 polymer 층 위에 ITO을 특정 두께로 증착하는 과정을 나타낸 모식도이다.
도 3 내지 도 19는 본 발명에 따른 실시예의 테스트 결과를 나타낸 것이다.
본 발명에 따른 하이브리드 전극 제조방법은, 기재 상에 금속 나노와이어 잉크를 도포하여 금속 나노와이어 층을 형성하는 단계와; 상기 금속 나노와이어층을 평탄화 하기 위한 평탄화 폴리머층을 형성하는 단계와; 상기 평탄화 폴리머층 상에 전도성 물질로 형성된 전도층을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
또 다른 예로서, 기재 상에 금속 나노와이어 잉크를 도포하여 금속 나노와이어 층을 형성하는 단계와; 상기 금속 나노와이어층 표면을 압착하여 평탄화시키는 단계와; 상기 평탄화된 상기 금속 나노와이어층 상에 전도성 물질로 형성된 전도층을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
여기서, 상기 기재는 투명한 재질, 예컨대 플라스틱 필름이나 글라스로 형성될 수 있다. 상기 플라스틱 필름으로는 폴리이미드(PI), 폴리에틸렌텔레프탈레이트(PET), 폴리에텔렌나프탈레이트(PEN), 폴리에테르술폰(PES), 나일론(Nylon), 폴리테트라플로우로에틸렌(PTFE), 폴리에테르에테르케톤(PEEK), 폴리카보네이트 (PC), 또는 폴리아릴레이트(PAR)가 사용될 수 있다. 이와 같이 플라스틱 필름이나 유리 기판 등을 사용 할 수 있으며, 이에 한정되지는 않는다.
여기서, 상기 금속 나노와이어 잉크로는, Ag, Cu, Ni, 및 Cr 중에서 선택된 금속의 와이어 또는 파이버, 로드로 형성된 금속 나노와이어 잉크일 수 있다.
상기 금속 나노와이어층은 평판 스크린법, 스핀 코팅법, 롤 코팅법, 플로우 코팅법, 닥터 블레이드, 디스펜싱, 그라비아 프린팅법, 플렉소 프린팅법, 또는 진공드롭법으로 형성될 수 있다.
상기 평탄화 폴리머층은 UV수지를 사용할 수 있으며, 본 기술 분야에 알려진 UV수지를 모두 적용할 수 있음은 물론이다.
상기 전도층의 상기 전도성 물질은 금속 산화물, CNT, 그래핀 또는 전도성 고분자일 수 있다.
또는 상기 전도층의 상기 전도성 물질은 금속산화물로서, 산화주석, 산화인듐주석, 산화안티몬주석, 산화인듐갈륨,산화인듐아연 또는 산화아연을 포함할 수 있다.
여기서, 상기 전도층은 상기 전도성 물질을 증착 또는 프린팅하여 형성될되는 수 있다.
그리고, 상기 금속 나노와이어층, 상기 평탄화 폴리머층, 또는 상기 전도층의 두께는 10~500nm일 수 있다.
전술한 제조방법에 따라 제조된 하이브리드 전극의 경우, 우수한 기계적 성질을 가지는 금속 나노와이어와 표면 특성이 우수한 금속산화물을 적층하여 하이브리드 전극을 형성하고, 이 전극은 기계적, 전기적 특성이 우수하고, 표면 특성 또한 뛰어나 대면적의 플렉시블 디스플레이용 전극으로 활용 가능하다.
이하에서는 구체적으로 설명하기로 한다.
본 발명은 a) 기본 전극 제작 과정인 금속 나노와이어 잉크를 패턴의 기재의 표면에 코팅하는 단계 b) 그 위에 하이브리드 전극을 형성하기 위해 산화물 전극층 증착 단계, c) 금속 나노와이어를 이용한 전극의 표면 평탄화방법으로, 금속 와이어 코팅 표면을 압착하여 평탄화를 증가시키는 물리적 방법과 표면을 고분자(폴리머) 물질을 이용하여 평탄화 시키는 방법을 포함한다.
본 발명의 일 실시예에 의한 하이브리드 전극의 제조방법은 금속 나노와이어와 산화물과의 하이브리드 전극 형성하는 공정, 금속 나노와이어층과 산화물층 사이에 폴리머층 삽입 공정, 금속 나노와이어 표면의 프레스를 비롯한 평탄화 공정을 포함할 있다.
이러한 본 발명의 일 실시예에 의한 하이브리드 전극은, 대면적 플렉시블 디스플레이에 사용하는 금속과 산화물 하이브리드 전극일 수 있다.
여기서, 상기 기재는 투명한 재질, 예컨대 플라스틱 필름이나 글라스로 형성될 수 있다. 상기 플라스틱 필름으로는 폴리이미드(PI), 폴리에틸렌텔레프탈레이트(PET), 폴리에텔렌나프탈레이트(PEN), 폴리에테르술폰(PES), 나일론(Nylon), 폴리테트라플로우로에틸렌(PTFE), 폴리에테르에테르케톤(PEEK), 폴리카보네이트 (PC), 또는 폴리아릴레이트(PAR)가 사용될 수 있다. 이와 같이 플라스틱 필름이나 유리 기판 등을 사용 할 수 있으며, 이에 한정되지는 않는다.
금속전극 소재는 Ag, Cu, Ni, Cr 등의 금속 와이어, 파이버, 로드일 수 있으며, 산화물전극 소재는 ITO, ZnO, IGO, SnO2등 금속산화물 투명전극일 수 있으며, 전도성 물질은 그래핀, 전도성고분자 등일 수 있다.
금속 나노 와이어층 형성에는, 잉크젯방법, 평판 스크린법, 스핀코팅법, 롤 코팅법, 플로우 코팅법, 닥터블레이드, 디스펜싱, 그라비어 프린팅법, 플렉소 프린팅법, 진공드롭법 등으로 형성할 수 있고, 상기 금속 산화물의 경우 상기 코팅 및 인쇄법 외에 스퍼터, Evaporation, CVD 등 물리적·화학적 증착법을 사용할 수 있다.
금속 나노와이어층과 산화물층 사이에 삽입하는 폴리머층 두께는 10~500nm일 수 있고, 금속 나노와이어층 두께는 10~500nm일 수 있으며, 산화물층 두께는 10~500nm일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 의한 금속과 산화물 하이브리드 전극 형성으로 전극의 유연성 개선, 금속과 산화물 하이브리드 전극 형성으로 전극 표면의 평탄도 개선, 금속과 산화물 하이브리드 전극 형성으로 전극의 저항특성 개선, 금속과 산화물 하이브리드 전극 형성으로 전극의 유연성 개선, 금속과 산화물 하이브리드 전극 형성으로 유기물질과의 Work function차 개선할 수 있다.
이하에서는 제조예 및 실시예를 통해 본 발명에 대해 더욱 구체적으로 설명하기로 한다.
제조예
[제조예 1] AgNW ink
AgNW 0.02 g을 증류수 (18.0 MΩ) 19.98 g에 첨가한 뒤 30분 교반하여 은나노와이어 잉크를 제조하였다.
[제조예 2] 평탄화 고분자
UV수지(애경화학) 100퍼센트 용액 0.67g을 메틸에틸케톤 99퍼센트 용액 5.60g과 에틸셀로솔브 99퍼센트 용액 3.73g을 첨가한 뒤 30분 교반하여 평탄화 고분자를 제조하였다.
실시예
[실시예 1]
비전도성 필름 위에 제조예 1의 은나노와이어를 도포한 후 면저항 300Ω/□ 영역으로 전도성 은나노와이어 필름을 제작하였다.
[실시예 2]
비전도성 필름 위에 제조예 1의 은나노와이어를 도포한 후 면저항 1000Ω/□ 영역으로 전도성 은나노와이어 필름을 제작하였다.
[실시예 3]
비전도성 필름 위에 제조예 1의 은나노와이어를 도포한 후 면저항 30Ω/□ 영역으로 전도성 은나노와이어 필름을 제작 후 전도성 필름 위에 제조예 2의 고분자 물질을 도포 후 경화 시켜 전도성 필름을 제작하였다.
[실시예 4]
비전도성 필름 위에 제조예 1의 은나노와이어를 도포한 후 면저항 80Ω/□ 영역으로 전도성 은나노와이어 필름을 제작 후 전도성 필름 위에 제조예 2의 고분자 물질을 도포 후 경화 시켜 전도성 필름을 제작하였다.
[실시예 5]
비전도성 필름 위에 제조예 1의 은나노와이어를 도포한 후 면저항 120Ω/□ 영역으로 전도성 은나노와이어 필름을 제작 후 전도성 필름 위에 제조예 2의 고분자 물질을 도포 후 경화 시켜 전도성 필름을 제작하였다.
[실시예 6]
비전도성 필름 위에 제조예 1의 은나노와이어를 도포한 후 면저항 300Ω/□ 영역으로 전도성 은나노와이어 필름을 제작 후 전도성 필름 위에 제조예 2의 고분자 물질을 도포 후 경화 시켜 전도성 필름을 제작하였다.
[실시예 7]
실시예 1, 2에서 제작한 전도성 은나노와이어 전극 필름 위에 스퍼터를 사용하여 ITO 막을 20nm 증착 하였다.
[실시예 8]
실시예 1, 2에서 제작한 전도성 은나노와이어 전극 필름 위에 스퍼터를 사용하여 ITO 막을 30nm 증착 하였다.
[실시예 9]
실시예 1, 2에서 제작한 전도성 은나노와이어 전극 필름 위에 스퍼터를 사용하여 ITO 막을 40nm 증착 하였다.
[실시예 10]
실시예 1, 2에서 제작한 전도성 은나노와이어 전극 필름 위에 스퍼터를 사용하여 ITO 막을 50nm 증착 하였다.
[실시예 11]
실시예 3, 4에서 제작한 전도성 은나노와이어 전극 필름 위에 I스퍼터를 사용하여 ITO 막을 20nm 증착 하였다.
[실시예 12]
실시예 3, 4에서 제작한 전도성 은나노와이어 전극 필름 위에 스퍼터를 사용하여 ITO 막을 30nm 증착 하였다.
[실시예 13]
실시예 3, 4에서 제작한 전도성 은나노와이어 전극 필름 위에 스퍼터를 사용하여 ITO 막을 40nm 증착 하였다.
[실시예 14]
실시예 3, 4에서 제작한 전도성 은나노와이어 전극 필름 위에 스퍼터를 사용하여 ITO 막을 50nm 증착 하였다.
[실시예 15]
실시예 5, 6에서 제작한 전도성 은나노와이어 전극 필름 위에 스퍼터를 사용하여 ITO 막을 20nm 증착 하였다.
[실시예 16]
실시예 5, 6에서 제작한 전도성 은나노와이어 전극 필름 위에 스퍼터를 사용하여 ITO 막을 30nm 증착 하였다.
[실시예 17]
실시예 5, 6에서 제작한 전도성 은나노와이어 전극 필름 위에 스퍼터를 사용하여 ITO 막을 40nm 증착 하였다.
[실시예 18]
실시예 5, 6에서 제작한 전도성 은나노와이어 전극 필름 위에 I스퍼터를 사용하여 ITO 막을 50nm 증착 하였다.
[실시예 19]
실시예 7에서 실시예 1을 이용한 하이브리드 형 전극 필름을 직경 10mm, 3000회의 내굴곡 특성을 평가 하였다.
[실시예 20]
실시예 8에서 실시예 1을 이용한 하이브리드 형 전극 필름을 직경 10mm, 3000회의 내굴곡 특성을 평가 하였다.
[실시예 21]
실시예 9에서 실시예 1을 이용한 하이브리드 형 전극 필름을 직경 10mm, 3000회의 내굴곡 특성을 평가 하였다.
[실시예 22]
실시예 10에서 실시예 1을 이용한 하이브리드 형 전극 필름을 직경 10mm, 3000회의 내굴곡 특성을 평가 하였다.
[실시예 23]
실시예 7에서 실시예 2을 이용한 하이브리드 형 전극 필름을 직경 10mm, 3000회의 내굴곡 특성을 평가 하였다.
[실시예 24]
실시예 8에서 실시예 2을 이용한 하이브리드 형 전극 필름을 직경 10mm, 3000회의 내굴곡 특성을 평가 하였다.
[실시예 25]
실시예 9에서 실시예 2을 이용한 하이브리드 형 전극 필름을 직경 10mm, 3000회의 내굴곡 특성을 평가 하였다.
[실시예 26]
실시예 10에서 실시예 2을 이용한 하이브리드 형 전극 필름을 직경 10mm, 3000회의 내굴곡 특성을 평가 하였다.
[실시예 27]
실시예 11에서 실시예 3을 이용한 하이브리드 형 전극 필름을 직경 10mm, 3000회의 내굴곡 특성을 평가 하였다.
[실시예 28]
실시예 12에서 실시예 3을 이용한 하이브리드 형 전극 필름을 직경 10mm, 3000회의 내굴곡 특성을 평가 하였다.
[실시예 29]
실시예 13에서 실시예 3을 이용한 하이브리드 형 전극 필름을 직경 10mm, 3000회의 내굴곡 특성을 평가 하였다.
[실시예 30]
실시예 14에서 실시예 3을 이용한 하이브리드 형 전극 필름을 직경 10mm, 3000회의 내굴곡 특성을 평가 하였다.
[실시예 31]
실시예 11에서 실시예 4을 이용한 하이브리드 형 전극 필름을 직경 10mm, 3000회의 내굴곡 특성을 평가 하였다.
[실시예 32]
실시예 12에서 실시예 4을 이용한 하이브리드 형 전극 필름을 직경 10mm, 3000회의 내굴곡 특성을 평가 하였다.
[실시예 33]
실시예 13에서 실시예 4을 이용한 하이브리드 형 전극 필름을 직경 10mm, 3000회의 내굴곡 특성을 평가 하였다.
[실시예 34]
실시예 14에서 실시예 4을 이용한 하이브리드 형 전극 필름을 직경 10mm, 3000회의 내굴곡 특성을 평가 하였다.
[실시예 35]
실시예 15에서 실시예 5을 이용한 하이브리드 형 전극 필름을 직경 10mm, 3000회의 내굴곡 특성을 평가 하였다.
[실시예 36]
실시예 16에서 실시예 5을 이용한 하이브리드 형 전극 필름을 직경 10mm, 3000회의 내굴곡 특성을 평가 하였다.
[실시예 37]
실시예 17에서 실시예 5을 이용한 하이브리드 형 전극 필름을 직경 10mm, 3000회의 내굴곡 특성을 평가 하였다.
[실시예 38]
실시예 18에서 실시예 5을 이용한 하이브리드 형 전극 필름을 직경 10mm, 3000회의 내굴곡 특성을 평가 하였다.
[실시예 39]
실시예 15에서 실시예 6을 이용한 하이브리드 형 전극 필름을 직경 10mm, 3000회의 내굴곡 특성을 평가 하였다.
[실시예 40]
실시예 16에서 실시예 6을 이용한 하이브리드 형 전극 필름을 직경 10mm, 3000회의 내굴곡 특성을 평가 하였다.
[실시예 41]
실시예 17에서 실시예 6을 이용한 하이브리드 형 전극 필름을 직경 10mm, 3000회의 내굴곡 특성을 평가 하였다.
[실시예 42]
실시예 18에서 실시예 6을 이용한 하이브리드 형 전극 필름을 직경 10mm, 3000회의 내굴곡 특성을 평가 하였다.
전술한 실시예에 따른 도 3 내지 도 19에서 볼 수 있는 바와 같이, 본 발명에 따르면, 금속과 산화물 하이브리드 전극 형성으로 전극의 유연성 개선, 금속과 산화물 하이브리드 전극 형성으로 전극 표면의 평탄도 개선, 금속과 산화물 하이브리드 전극 형성으로 전극의 저항특성 개선, 금속과 산화물 하이브리드 전극 형성으로 전극의 유연성 개선, 금속과 산화물 하이브리드 전극 형성으로 유기물질과의 워크 펑션(Work function)차를 개선할 수 있다.
1: 투명 기재
2: 금속 와이어 잉크
3; 코팅 바
4: 금속 와이어
5: 폴리머 막
6: ITO 증착 막

Claims (10)

  1. 기재 상에 금속 나노와이어 잉크를 도포하여 금속 나노와이어 층을 형성하는 단계와;
    상기 금속 나노와이어층을 평탄화 하기 위한 평탄화 폴리머층을 형성하는 단계와;
    상기 평탄화 폴리머층 상에 전도성 물질로 형성된 전도층을 형성하는 단계를 포함하는 하이브리드 전극의 제조방법.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 금속 나노와이어 잉크는, Ag, Cu, Ni, 및 Cr 중에서 선택된 금속의 와이어 또는 파이버, 로드를 포함하는 것을 특징으로 하는 하이브리드 전극의 제조방법.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 금속 나노와이어층은 평판 스크린법, 스핀 코팅법, 롤 코팅법, 플로우 코팅법, 닥터 블레이드, 디스펜싱, 그라비아 프린팅법, 플렉소 프린팅법, 또는 진공드롭법으로 형성되는 것을 특징으로 하는 하이브리드 전극의 제조방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 평탄화 폴리머층은 UV수지를 포함하는 것을 특징으로 하는 하이브리드 전극의 제조방법.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 전도층의 상기 전도성 물질은 금속 산화물, CNT, 그래핀 또는 전도성 고분자인 것을 특징으로 하는 하이브리드 전극의 제조방법.
  6. 제 1항에 있어서,
    상기 전도층의 상기 전도성 물질은 금속산화물로서, 산화주석, 산화인듐주석, 산화안티몬주석, 산화인듐갈륨,산화인듐아연 또는 산화아연을 포함하는 것을 특징으로 하는 하이브리드 전극의 제조방법.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 전도층은 상기 전도성 물질을 증착 또는 프린팅하여 형성되는 것을 특징으로 하는 하이브리드 전극의 제조방법.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 금속 나노와이어층, 상기 평탄화 폴리머층, 또는 상기 전도층의 두께는 10~500nm인 것을 특징으로 하는 하이브리드 전극의 제조방법.
  9. 기재 상에 금속 나노와이어 잉크를 도포하여 금속 나노와이어 층을 형성하는 단계와;
    상기 금속 나노와이어층 표면을 압착하여 평탄화시키는 단계와;
    상기 평탄화된 상기 금속 나노와이어층 상에 전도성 물질로 형성된 전도층을 형성하는 단계를 포함하는 하이브리드 전극의 제조방법.
  10. 청구항 1 내지 청구항 9에 따른 제조방법에 의해 제조된 하이브리드 전극.
KR1020140059283A 2013-05-16 2014-05-16 하이브리드 전극 및 이의 제조방법 KR20140136387A (ko)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160122304A (ko) * 2015-04-13 2016-10-24 삼성디스플레이 주식회사 터치 스크린 패널 및 이의 제조 방법

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