KR20140058391A - Substrate liquid processing device, and control method thereof - Google Patents

Substrate liquid processing device, and control method thereof Download PDF

Info

Publication number
KR20140058391A
KR20140058391A KR1020137006291A KR20137006291A KR20140058391A KR 20140058391 A KR20140058391 A KR 20140058391A KR 1020137006291 A KR1020137006291 A KR 1020137006291A KR 20137006291 A KR20137006291 A KR 20137006291A KR 20140058391 A KR20140058391 A KR 20140058391A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
wafer
processing apparatus
liquid processing
peripheral edge
Prior art date
Application number
KR1020137006291A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR101682748B1 (en
Inventor
노부히코 모우리
쇼이치로 히다카
Original Assignee
도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 filed Critical 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Publication of KR20140058391A publication Critical patent/KR20140058391A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101682748B1 publication Critical patent/KR101682748B1/en

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/42—Stripping or agents therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H01L21/3046—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting using blasting, e.g. sand-blasting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67046—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly scrubbing means, e.g. brushes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H01L21/67173—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers in-line arrangement
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68728—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a plurality of separate clamping members, e.g. clamping fingers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

본 발명의 기판 액처리 장치는, 회전 구동부에 의해 회전되는 회전판과, 상기 회전판의 둘레 가장자리를 따라 연장되고 기판의 둘레 가장자리를 지지하는 기판 지지부와, 상기 기판 지지부의 상단에 마련되고, 상기 기판을 상기 기판 지지부에 안내하는 안내부와, 상기 기판 지지부에 의해 상기 둘레 가장자리가 지지되는 상기 기판에 대하여 위쪽으로부터 액체를 공급하는 공급부를 구비하며, 상기 안내부가, 상기 회전판의 둘레 방향을 따라 적어도 3개 이상 마련되고, 상기 기판 지지부에 의해 상기 둘레 가장자리가 지지되는 상기 기판의 표면보다 높은 높이를 갖고 있는 것이다. A substrate liquid processing apparatus of the present invention comprises a rotary plate rotated by a rotary drive unit, a substrate support portion extending along a circumferential edge of the rotary plate and supporting a peripheral edge of the substrate, And a supply unit for supplying liquid from above to the substrate on which the peripheral edge is supported by the substrate supporter, wherein the guide unit includes at least three guide members arranged along the circumferential direction of the turntable, And has a height higher than a surface of the substrate on which the peripheral edge is supported by the substrate supporting portion.

Figure P1020137006291
Figure P1020137006291

Description

기판 액처리 장치, 및 기판 액처리 장치의 제어 방법{SUBSTRATE LIQUID PROCESSING DEVICE, AND CONTROL METHOD THEREOF}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a substrate liquid processing apparatus and a control method of a substrate liquid processing apparatus,

본 발명은, 반도체 웨이퍼나 플랫 패널 디스플레이용 유리 기판 등의 기판을 액체에 의해 처리하는 기판 액처리 장치, 및 기판 액처리 장치의 제어 방법에 관한 것이다. The present invention relates to a substrate liquid processing apparatus for processing a substrate such as a semiconductor wafer or a glass substrate for a flat panel display by a liquid, and a control method of the substrate liquid processing apparatus.

반도체 집적 회로나 플랫 패널 디스플레이를 제조하는 공정에서는, 기판에 대하여 액체를 이용한 액처리가 행해진다. 이와 같은 처리를 행하기 위해, 기판의 외측 둘레부를 유지하고 회전하는 기판 유지부와, 기판 유지부에 유지되는 기판에 대하여 액체를 공급하는 액체 공급부와, 기판에 공급되어 기판의 회전에 의해 비산하는 액체를 받는 컵부를 갖는 매엽식의 기판 액처리 장치가 이용되는 경우가 있다(예컨대, 일본 특허 공개 제2010-93190호 공보 및 일본 특허 공개 평10-209254호 공보 등을 참조). In a process for manufacturing a semiconductor integrated circuit or a flat panel display, liquid processing using liquid is performed on the substrate. In order to carry out such a process, a substrate holding portion for holding and rotating the outer peripheral portion of the substrate, a liquid supply portion for supplying liquid to the substrate held by the substrate holding portion, A single-wafer type substrate liquid processing apparatus having a cup portion for receiving liquid may be used (see, for example, Japanese Patent Application Laid-Open Nos. 2010-93190 and 10-209254).

그런데, 제조 비용 삭감에 대한 요청이 고조되고, 전술한 액처리 장치에 의한 기판의 액처리에서, 기판에 부착되는 파티클의 저감에 대한 요구가 높아지고 있다. 종래, 반도체 웨이퍼(이하, 간단히 웨이퍼라고 함)에서는, 웨이퍼의 둘레 가장자리로부터 예컨대 약 5 ㎜ 폭의 영역보다 내측에 반도체 디바이스(칩)가 형성되어 있지만, 보다 많은 칩을 얻기 위해, 그 폭은 예컨대 약 2 ㎜로 감소되고 있다. 이 때문에, 웨이퍼 에지 근방에서도 파티클을 저감시킬 필요가 있다. However, there is a growing demand for reduction in manufacturing costs, and there is a growing demand for reduction of particles attached to the substrate in the liquid processing of the substrate by the above-described liquid processing apparatus. Conventionally, in a semiconductor wafer (hereinafter referred to simply as a wafer), a semiconductor device (chip) is formed on the inner side of a region, for example, about 5 mm wide from the peripheral edge of the wafer. However, in order to obtain more chips, And is reduced to about 2 mm. Therefore, it is necessary to reduce the particles even in the vicinity of the wafer edge.

웨이퍼 에지 근방에서의 파티클의 발생 원인으로서, 웨이퍼에 공급되는 액체는, 액체가 공급되는 면(회로 형성면)으로부터 반대측의 면에 부착되어, 액체에 포함되는 파티클이 반대측의 면(회로 형성면과 반대측의 면)에 잔류하는 것을 들 수 있다. 이와 같이 발생하는 파티클은, 반대측의 면을 세정하는 것에 의해 저감하는 것도 가능하지만, 공정수의 증가, 더 나아가서는 제조비용의 증대로 이어지기 때문에 득책이 아니다. 이 때문에, 매엽식의 액처리 장치에서는, 액체가 반대측의 면에 부착되는 것을 저감시키는 것이 바람직하다. As a cause of generation of particles in the vicinity of the wafer edge, the liquid supplied to the wafer is attached to the opposite surface from the surface (circuit formation surface) to which the liquid is supplied so that the particles contained in the liquid are separated from the surface On the opposite side). The particles generated in this way can be reduced by cleaning the surface on the opposite side, but this is not an advantage because it increases the number of steps and further increases the manufacturing cost. For this reason, in the single-wafer type liquid processing apparatus, it is preferable to reduce the adhesion of the liquid to the opposite surface.

본 발명은, 기판의 세정면과 반대측의 면에 액체가 부착되는 것을 막는 것이 가능한 매엽식의 기판 액처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공한다. The present invention provides a single wafer type substrate liquid processing apparatus and substrate processing method capable of preventing liquid from adhering to a surface opposite to a cleaning surface of a substrate.

본 발명의 제1 양태에 의하면, 회전 구동부에 의해 회전되는 회전판과, 상기 회전판의 둘레 가장자리를 따라 연장되고, 기판의 둘레 가장자리를 지지하는 기판 지지부와, 상기 기판 지지부의 상단에 마련되며, 상기 기판을 상기 기판 지지부에 안내하는 안내부와, 상기 기판 지지부에 의해 상기 둘레 가장자리가 지지되는 상기 기판에 대하여 위쪽으로부터 액체를 공급하는 공급부를 구비하고, 상기 안내부가, 상기 회전판의 둘레 방향을 따라 적어도 3개 이상 마련되고, 상기 기판 지지부에 의해 상기 둘레 가장자리가 지지되는 상기 기판의 표면보다 높은 높이를 갖는 기판 액처리 장치가 제공된다. According to a first aspect of the present invention, there is provided a substrate processing apparatus comprising: a rotation plate rotated by a rotation drive unit; a substrate support unit extending along a circumferential edge of the rotation plate and supporting a circumferential edge of the substrate; And a supply unit for supplying liquid from above to the substrate on which the peripheral edge is supported by the substrate supporter, wherein the guide unit is provided with at least three Wherein the substrate supporting portion has a height higher than a surface of the substrate on which the peripheral edge is supported by the substrate supporting portion.

본 발명의 제2 양태에 의하면, 회전 구동부에 의해 회전되는 회전판과, 상기 회전판의 둘레 가장자리를 따라 연장되고, 기판의 둘레 가장자리를 지지하는 기판 지지부와, 상기 기판 지지부의 상단에 마련되고, 상기 기판을 상기 기판 지지부에 안내하는 안내부와, 상기 기판 지지부에 의해 상기 둘레 가장자리가 지지되는 상기 기판에 대하여 위쪽으로부터 액체를 공급하는 공급부를 구비하고, 상기 안내부가, 상기 회전판의 둘레 방향을 따라 적어도 3개 이상 마련되며, 상기 기판 지지부에 의해 상기 둘레 가장자리가 지지되는 상기 기판의 표면보다 높은 높이를 갖는 액처리 장치를 제어하는 기판 액처리 장치의 제어 방법으로서, 상기 안내부에 의해 상기 기판을 상기 기판 지지부에 안내하고, 상기 기판의 둘레 가장자리를, 상기 기판 지지부에 마련되며, 상기 회전판의 중심측에 근접함에 따라 낮아지는 기판 지지면 위에 지지시키는 단계와, 상기 기판을 회전시키는 단계와, 상기 기판에 대하여 액체를 공급하는 단계를 포함하는 기판 액처리 장치의 제어 방법이 제공된다. According to a second aspect of the present invention, there is provided a substrate processing apparatus including: a rotating plate rotated by a rotation driving unit; a substrate supporting unit extending along a circumferential edge of the rotating plate and supporting a circumferential edge of the substrate; And a supply unit for supplying liquid from above to the substrate on which the peripheral edge is supported by the substrate supporter, wherein the guide unit is provided with at least three And a control unit for controlling a liquid processing apparatus having a height higher than a surface of the substrate on which the peripheral edge is supported by the substrate supporting unit, And the peripheral edge of the substrate is provided on the substrate supporting portion Supporting the substrate on a substrate support surface which is lowered as it approaches the center side of the turntable; rotating the substrate; and supplying a liquid to the substrate. do.

도 1은 본 발명의 실시형태에 의한 액처리 장치가 내장되는 기판 처리 장치를 도시하는 개략 평면도이다.
도 2는 본 발명의 실시형태에 의한 액처리 장치를 도시하는 개략 측면도이다.
도 3은 도 2의 액처리 장치를 도시하는 개략 평면도이다.
도 4는 도 2의 액처리 장치의 웨이퍼 지지부에서의 회전 플레이트를 설명하는 설명도이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시형태에 의한 액처리 장치를 도시하는 개략 측면도이다.
도 6은 도 5의 액처리 장치를 도시하는 개략 평면도이다.
도 7은 도 2의 액처리 장치의 웨이퍼 지지부에서의 회전 플레이트를 도시하는 사시도이다.
도 8은 도 4의 회전 플레이트의 일부 단면도이다.
도 9는 도 5의 액처리 장치의 웨이퍼 지지부에 의해 지지되는 웨이퍼를 도시하는 개략 단면도이다.
도 10은 도 5의 액처리 장치에 의한 효과를 설명하는 도면이다.
도 11은 도 5의 액처리 장치에 의한 다른 효과를 설명하는 도면이다.
도 12는 도 5의 액처리 장치에서의 웨이퍼 지지부의 변형예를 도시하는 도면이다. 1 is a schematic plan view showing a substrate processing apparatus in which a liquid processing apparatus according to an embodiment of the present invention is incorporated.
2 is a schematic side view showing a liquid processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
3 is a schematic plan view showing the liquid processing apparatus of Fig.
Fig. 4 is an explanatory view for explaining a rotation plate in the wafer support portion of the liquid processing apparatus of Fig. 2;
5 is a schematic side view showing a liquid processing apparatus according to another embodiment of the present invention.
6 is a schematic plan view showing the liquid processing apparatus of Fig.
Fig. 7 is a perspective view showing a rotation plate in the wafer support portion of the liquid processing apparatus of Fig. 2;
8 is a partial cross-sectional view of the rotation plate of Fig.
Fig. 9 is a schematic cross-sectional view showing a wafer supported by the wafer support of the liquid processing apparatus of Fig. 5; Fig.
FIG. 10 is a view for explaining the effect of the liquid processing apparatus of FIG. 5;
Fig. 11 is a view for explaining another effect of the liquid processing apparatus of Fig. 5;
Fig. 12 is a view showing a modification of the wafer supporting portion in the liquid processing apparatus of Fig. 5;

이하, 첨부 도면을 참조하면서, 본 발명의 한정적이지 않은 예시의 실시형태에 대해서 설명한다. 첨부한 전체 도면 중, 동일 또는 대응하는 부재 또는 부품에 대해서는, 동일 또는 대응하는 참조부호를 붙이고, 중복되는 설명을 생략한다. 또한 도면은, 부재 또는 부품간의 상대비를 나타내는 것을 목적으로 하지 않고, 따라서, 구체적인 치수는, 이하의 한정적이지 않은 실시형태에 비추어, 당업자에 의해 결정되어야 한다. DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Reference will now be made in detail to the exemplary embodiments of the present invention, examples of which are illustrated in the accompanying drawings. In the accompanying drawings, the same or corresponding members or parts are denoted by the same or corresponding reference numerals, and redundant explanations are omitted. It should also be noted that the drawings are not intended to illustrate the contrast between members or components, and therefore, the specific dimensions should be determined by those skilled in the art in light of the following non-limiting embodiments.

처음에, 도 1을 참조하면서, 본 발명의 실시형태에 의한 기판 액처리 장치(이하에서 간단히 「액처리 장치」라고 칭함)를 포함하는 기판 처리 장치에 대해서 설명한다. 도 1은, 본 발명의 실시형태에 의한 기판 처리 장치를 도시하는 개략 평면도이다. 도시하는 바와 같이, 기판 처리 장치(100)는, 복수의 웨이퍼(W)를 수용하는 복수의(도시한 예에서는 4개의) 웨이퍼 캐리어(C)가 배치되는 캐리어 스테이션(S1)과, 캐리어 스테이션(S1)과 후술하는 액처리 스테이션(S3) 사이에서 웨이퍼(W)를 전달하는 반입출 스테이션(S2)과, 본 발명의 실시형태에 의한 액처리 장치(1)가 배치되는 액처리 스테이션(S3)을 구비한다. First, a substrate processing apparatus including a substrate liquid processing apparatus (hereinafter simply referred to as "liquid processing apparatus") according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 1 is a schematic plan view showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention. As shown, the substrate processing apparatus 100 includes a carrier station S1 in which a plurality (four in the illustrated example) of wafer carriers C accommodating a plurality of wafers W are disposed, Out station S2 for transferring the wafer W between the liquid processing station S3 and the liquid processing station S3 described later and the liquid processing station S3 in which the liquid processing apparatus 1 according to the embodiment of the present invention is disposed, Respectively.

반입출 스테이션(S2)에는, 웨이퍼 캐리어(C)로부터 웨이퍼(W)를 반출하여 스테이지(13)에 배치하고, 또한 스테이지(13)의 웨이퍼(W)를 취해 웨이퍼 캐리어(C)에 반입하는 반송 기구(11)가 구비되어 있다. 반송 기구(11)는, 웨이퍼(W)를 유지하는 유지 아암부(11a)를 갖고 있다. 반송 기구(11)는, 웨이퍼 캐리어(C)의 배열 방향(도면 중 X 방향)으로 연장되는 가이드(12)를 따라 이동할 수 있다. 또한, 반송 기구(11)는, X 방향에 수직인 방향(도면중의 Y 방향) 및 상하 방향으로 유지 아암부(11a)를 이동시킬 수 있고, 수평면 내에서 유지 아암부(11a)를 회전시킬 수 있다.The wafer W is transferred from the wafer carrier C to the loading and unloading station S2 by placing the wafer W on the stage 13 and taking the wafer W of the stage 13 into the wafer carrier C A mechanism 11 is provided. The transfer mechanism 11 has a holding arm portion 11a for holding the wafer W. The transport mechanism 11 can move along the guide 12 extending in the arrangement direction of the wafer carrier C (X direction in the figure). The transport mechanism 11 can move the holding arm portion 11a in the direction perpendicular to the X direction (Y direction in the drawing) and in the vertical direction, and can move the holding arm portion 11a in the horizontal plane .

액처리 스테이션(S3)은, Y 방향으로 연장되는 반송실(16)과, 반송실(16) 내에서의 반입출 스테이션(S2)측에 배치되는 반전 기구(16a)와, 반송실(16)의 양측에 배치되는 복수의 액처리 장치(1)를 갖고 있다. 또한, 반송실(16)에는 반송 기구(14)가 마련되고, 반송 기구(14)는, 웨이퍼(W)를 유지하는 유지 아암부(14a)를 갖고 있다. 반송 기구(14)는, 반송실(16)에 마련되고, Y 방향으로 연장되는 가이드(15)를 따라 이동할 수 있다. 또한, 반송 기구(14)는, 유지 아암부(14a)를 X 방향으로 이동시킬 수 있고, 수평면 내에서 회전시킬 수 있다. 반송 기구(14)는, 반입출 스테이션(S2)의 전달 스테이지(13)와, 반전 기구(16a)와, 각 기판 처리 유닛(1) 사이에서 웨이퍼(W)를 반송한다. 반전 기구(16a)는, 반송 기구(14)에 의해 반입된 웨이퍼(W)를 상하 반전한다. 웨이퍼(W)는, 캐리어 스테이션(S1)의 웨이퍼 캐리어(C) 내에서는 회로 형성면이 상향(페이스 업)이 되도록 수용되어 있어, 회로 형성면이 상향인 채로 반송 기구(11)로부터 스테이지(13)를 통해 반송 기구(14)에 의해 반송된다. 그러나, 반전 기구(16a)에 의해, 웨이퍼(W)는 상하 반전되어, 회로 형성면이 하향(페이스 다운)이 된다. 이 후, 웨이퍼(W)는, 회로 형성면이 하향인 채로 반송 기구(14)에 의해 반전 기구(16a)로부터 취출되어, 반송 기구(14)에 의해 액처리 장치(1)에 반송된다. The liquid processing station S3 includes a transfer chamber 16 extending in the Y direction, a reversing mechanism 16a disposed on the transfer-in / out station S2 side in the transfer chamber 16, And a plurality of liquid processing apparatuses 1 disposed on both sides of the liquid processing apparatus 1. The transfer chamber 16 is provided with a transfer mechanism 14 and the transfer mechanism 14 has a holding arm portion 14a for holding the wafer W. The transport mechanism 14 is provided in the transport chamber 16 and can move along the guide 15 extending in the Y direction. Further, the carrying mechanism 14 can move the holding arm portion 14a in the X direction, and can rotate in the horizontal plane. The transport mechanism 14 transports the wafer W between the transfer stage 13 of the loading / unloading station S2, the reversing mechanism 16a, and each of the substrate processing units 1. The inversion mechanism 16a inverts the wafer W carried by the transport mechanism 14 up and down. The wafer W is accommodated in the wafer carrier C of the carrier station S1 so that the circuit formation surface faces up (face up), and the wafer W is transferred from the transport mechanism 11 to the stage 13 (Not shown). However, the wafer W is vertically inverted by the inversion mechanism 16a, and the circuit formation surface is faced down (face down). Thereafter, the wafer W is taken out of the inversion mechanism 16a by the transport mechanism 14 while the circuit formation surface faces downward, and is transported to the liquid processing apparatus 1 by the transport mechanism 14. Then,

또한, 기판 처리 장치(100)에는, 각종 부품 및 부재를 제어하는 제어부(17)가 마련되고, 제어부(17)의 제어 하에, 기판 처리 장치(100) 및 액처리 장치(1)가 동작하며, 예컨대 후술하는 액처리 장치의 제어 방법이 실시된다. The substrate processing apparatus 100 is provided with a control section 17 for controlling various components and members and the substrate processing apparatus 100 and the liquid processing apparatus 1 are operated under the control of the control section 17, For example, a control method of a liquid processing apparatus to be described later.

이상의 구성을 갖는 기판 처리 장치(100)에서는, 캐리어 스테이션(S1)에 배치되는 웨이퍼 캐리어(C)로부터 반송 기구(11)에 의해 웨이퍼(W)가 취출되고, 반송 기구(11)에 의해 스테이지(13)에 배치된다. 스테이지(13) 위의 웨이퍼(W)는, 액처리 스테이션(S3) 내의 반송 기구(14)에 의해, 반전 기구(16a)에 반입되고, 여기서 상하 반전되어, 재차 반송 기구(14)에 의해 액처리 장치(1)에 반입된다. 액처리 장치(1)에서는, 웨이퍼(W)의 상면(회로 형성면과 반대측의 면)이 소정의 세정액으로 세정되고, 예컨대 순수에 의해 세정액을 씻어 내고, 웨이퍼(W)의 상면이 건조된다. 웨이퍼(W)의 상면이 건조된 후, 웨이퍼(W)는, 반입시와 반대의 경로(수순)에 의해 웨이퍼 캐리어(C)에 복귀된다. 또한, 하나의 웨이퍼(W)가 세정되는 동안에, 다른 웨이퍼(W)가 다른 액처리 장치(1)에 순차 반송되어 세정된다. In the substrate processing apparatus 100 having the above configuration, the wafer W is taken out from the wafer carrier C disposed in the carrier station S1 by the transport mechanism 11, and is transported to the stage 13). The wafer W on the stage 13 is carried into the inversion mechanism 16a by the transport mechanism 14 in the liquid processing station S3 and is reversed upside down here, And is brought into the processing apparatus 1. In the liquid processing apparatus 1, the upper surface (surface opposite to the circuit formation surface) of the wafer W is cleaned with a predetermined cleaning liquid, and the upper surface of the wafer W is dried, for example, by rinsing the cleaning liquid with pure water. After the upper surface of the wafer W is dried, the wafer W is returned to the wafer carrier C by a reverse path (procedure) opposite to that at the time of carrying-in. Further, while one wafer W is being cleaned, the other wafers W are sequentially conveyed to the other liquid processing apparatus 1 for cleaning.

다음에, 도 2 내지 도 4를 참조하면서, 본 발명의 실시형태에 의한 액처리 장치(1)에 대해서 설명한다. 도시하는 바와 같이, 액처리 장치(1)는, 대략 사각형의 하우징(21)과, 하우징(21) 내의 대략 중앙부에 마련되고, 상면이 개구되는 대략 원통형상의 컵부(22)와, 컵부(22)의 내측에 배치되고, 웨이퍼(W)를 유지하며 회전할 수 있는 웨이퍼 유지 회전부(23)와, 웨이퍼 유지 회전부(23)에 유지되는 웨이퍼(W)에 대하여 액체를 공급하고 웨이퍼(W)의 상면에 접하여 웨이퍼(W)의 상면을 세정하는 브러시(24)를 구비한다. Next, a liquid processing apparatus 1 according to an embodiment of the present invention will be described with reference to Figs. 2 to 4. Fig. As shown in the figure, the liquid processing apparatus 1 has a substantially rectangular housing 21, a substantially cylindrical cup portion 22 provided at a substantially central portion in the housing 21 and having an opened upper surface, a cup portion 22, A wafer holding and rotating section 23 which is disposed inside the wafer holding and rotating section 23 and capable of rotating while holding the wafer W and a holding section 23 that supplies liquid to the wafer W held by the wafer holding and rotating section 23, And a brush (24) for cleaning the upper surface of the wafer (W).

하우징(21)에는, 반송 기구(14)의 유지 아암부(14a)(도 1)에 의해 웨이퍼(W)를 하우징(21)에 반입출하는 반송구(21a)가 형성되어 있다. 반송구(21a)에는, 도시하지 않는 셔터가 마련되어, 반입출시에는 셔터가 열리고, 처리시에는 셔터는 닫히며, 반송구(21a)는 폐쇄되어 있다. A transporting port 21a for transporting the wafer W into and out of the housing 21 is formed in the housing 21 by the holding arm portion 14a of the transporting mechanism 14 (Fig. 1). A shutter (not shown) is provided in the transporting port 21a, and a shutter is opened in the loading and unloading. In the processing, the shutter is closed and the transporting opening 21a is closed.

컵부(22)는, 도시하지 않는 승강 기구에 의해, 하우징(21) 내에서 도 2에 파선으로 도시하는 위쪽 위치와, 실선으로 도시하는 아래쪽 위치 사이에서 상하 이동 가능하다. 웨이퍼(W)의 반입출시에는, 컵부(22)는 아래쪽 위치에 위치됨으로써, 웨이퍼(W)의 반입출을 간섭하지 않고, 웨이퍼(W)의 처리시에는, 컵부(22)는 위쪽 위치에 위치됨으로써, 웨이퍼(W)에 대하여 공급되는 액체를 받아, 도시하지 않는 드레인으로부터 액체를 배출한다. The cup portion 22 can be moved up and down between an upper position shown by a broken line in FIG. 2 and a lower position shown by a solid line in the housing 21 by a lifting mechanism (not shown). The cup portion 22 is located at the lower position during the loading and unloading of the wafer W so as not to interfere with the loading and unloading of the wafer W. In the processing of the wafer W, Thereby receiving the liquid supplied to the wafer W, and discharging the liquid from a drain (not shown).

도 2를 참조하면, 웨이퍼 유지 회전부(23)는, 하우징(21)의 아래쪽에 배치되는 모터(M)에 접속되어 회전하는 회전 샤프트(23S)와, 하면의 대략 중앙부에서 회전 샤프트(23S)에 부착되는 회전 플레이트(23P)를 갖고 있다. 2, the wafer holding and rotating section 23 includes a rotating shaft 23S connected to a motor M disposed at the lower side of the housing 21 and rotating, And has a rotation plate 23P attached thereto.

회전 샤프트(23S)에는, 그 중앙부를 관통하는 도관(23C)이 형성되어 있다. 도관(23C)의 하단으로부터는, 예컨대 질소 가스 공급원으로부터의 질소(N2) 가스를 공급할 수 있다. 후술하는 바와 같이, 웨이퍼 유지 회전부(23)의 회전 플레이트(23P)와, 웨이퍼 유지 회전부(23)에 의해 유지되는 웨이퍼(W) 사이에는 공간이 형성되어 있고, 도관(23C)을 통과한 N2 가스는, 도관(23C)의 상단으로부터 이 공간으로 흘러 나와, 외측 둘레를 향해 흐른다. 웨이퍼 유지 회전부(23) 더 나아가서는 웨이퍼(W)가 회전하면, 회전 플레이트(23P)와 웨이퍼(W) 사이의 공간이 웨이퍼(W) 위쪽의 공간보다 압력이 부압으로 된다. 그렇게 되면, 웨이퍼(W)의 중심부가 휘어, 웨이퍼(W) 상면의 평탄성이 악화되고, 액처리의 균일성도 또한 악화될 우려가 있다. 그러나, 그 공간에 N2 가스를 공급하고 있기 때문에, 웨이퍼(W) 중심부의 휨을 억제하는 것이 가능해진다. 또한, 회전 플레이트(23P)와 웨이퍼(W) 사이의 공간으로부터 N2 가스가 분출하기 때문에, 웨이퍼(W)의 상면에 공급되는 액체가 하면으로 돌아들어가 부착되는 것을 저감시키는 효과를 얻을 수 있다.The rotary shaft 23S is provided with a conduit 23C passing through the center thereof. From the lower end of the conduit 23C, for example, nitrogen (N 2 ) gas can be supplied from a nitrogen gas supply source. A space is formed between the rotation plate 23P of the wafer holding and rotating section 23 and the wafer W held by the wafer holding and rotating section 23 and the N 2 The gas flows from the upper end of the conduit 23C into this space, and flows toward the outer periphery. The space between the rotary plate 23P and the wafer W becomes a negative pressure with respect to the space above the wafer W when the wafer holding and rotating section 23 and further the wafer W are rotated. In this case, the center portion of the wafer W is bent, the flatness of the upper surface of the wafer W is deteriorated, and the uniformity of the liquid processing is also deteriorated. However, since N 2 gas is supplied to the space, it is possible to suppress the warp of the central portion of the wafer W. Further, since the N 2 gas is ejected from the space between the rotation plate 23P and the wafer W, it is possible to obtain an effect that the liquid supplied to the upper surface of the wafer W is prevented from adhering to the lower surface.

브러시(24)는, 수평면 내에서 회동 가능하고 상하 이동 가능한 아암(24A)에 의해 지지되어 있다. 아암(24A) 내에는, 웨이퍼(W)에 대하여 공급되는 액체가 흐르는 도관(24C)이 형성되어 있다. 아암(24A)이 회동하여 하강하고, 브러시(24)가 웨이퍼(W)의 상면에 접하는 동시에(또는 약간 전에), 소정의 액체 공급원으로부터의 액체(예컨대 탈이온수)가, 도관(24C) 내를 흘러, 브러시(24)의 기단에 형성된 개구(24B)로부터 웨이퍼(W)의 상면에 공급된다. 이것에 의해, 브러시(24)는 웨이퍼(W)의 상면에 접함으로써, 웨이퍼(W)의 상면을 세정하고, 브러시(24)에 의해 제거된 파티클이나 잔류물 등을 액체에 의해 씻어낼 수 있다. 브러시(24)는, 예컨대 다수의 플라스틱제의 실을 원기둥형으로 다발을 짓는 것에 의해 구성된다. 플러스틱제의 실은, 예컨대 PP(polypropylene), PVC(polyvinyl chloride), 우레탄, 나일론으로 만들 수 있다. The brush 24 is supported by an arm 24A that is rotatable within a horizontal plane and is movable up and down. In the arm 24A, a conduit 24C through which the liquid supplied to the wafer W flows is formed. The arm 24A pivots and descends and the brush 24 contacts the upper surface of the wafer W (or slightly before), and liquid (for example, deionized water) from a predetermined liquid supply source flows into the conduit 24C And is supplied to the upper surface of the wafer W from the opening 24B formed at the base end of the brush 24. [ This allows the brush 24 to contact the upper surface of the wafer W to clean the upper surface of the wafer W and to wash the particles or residue removed by the brush 24 with liquid . The brush 24 is constituted by, for example, forming a bundle of a plurality of plastics yarns in a cylindrical shape. The positive-working thread can be made of, for example, polypropylene (PP), polyvinyl chloride (PVC), urethane, or nylon.

도 3을 참조하면, 회전 플레이트(23P)는 컵부(22)의 내경보다 작고, 웨이퍼(W)의 외경보다 큰 외경을 갖는 원판의 형상을 갖고 있다. 또한, 도 4의 (a)에 도시하는 바와 같이, 회전 플레이트(23P)는, 외측 둘레 가장자리를 따라 배치되는 원환 형상을 갖는 웨이퍼 지지부(500)와, 웨이퍼 지지부(500) 위에 마련되고, 대략 120˚의 각도 간격으로 서로 이격되는 3개의 가이드 핀(40)과, 웨이퍼(W)의 에지를 누르는 파지부(23A)를 갖고 있다. 가이드 핀(40)은, 회전 플레이트(23P)의 중심을 향한 측면(40I)[도 4(b)]에 의해 웨이퍼(W)의 둘레 가장자리를 안내하고, 웨이퍼 지지부(500)에 의해 회전 플레이트(23P) 위의 적정한 위치에 웨이퍼(W)를 지지시킨다. 또한, 가이드 핀(40)은, 가이드 핀(40)의 상면이, 웨이퍼 지지부(500)에 의해 지지되는 웨이퍼(W)의 상면보다 높은 위치에 위치되는 높이를 갖고 있다. 가이드 핀(40)에 의해 안내되어 웨이퍼 지지부(500)에 지지된 웨이퍼(W)는, 파지부(23A)에 의해 파지된다. 이것에 의해, 웨이퍼(W)는 회전 플레이트(23P)에 대하여 어긋나지 않고, 회전 플레이트(23P)에 의해 회전할 수 있다. 3, the rotation plate 23P has a disk shape smaller than the inner diameter of the cup portion 22 and having an outer diameter larger than the outer diameter of the wafer W. 4A, the rotary plate 23P includes a wafer support portion 500 having a toric shape disposed along the outer peripheral edge, a wafer support portion 500 provided on the wafer support portion 500, Three guide pins 40 that are spaced from each other at angular intervals of the wafer W and a grip portion 23A that presses the edge of the wafer W. [ The guide pin 40 guides the peripheral edge of the wafer W by the side surface 40I (Fig. 4 (b)) facing the center of the rotation plate 23P, The wafer W is held at an appropriate position on the wafer W (23P). The guide pin 40 has a height such that the upper surface of the guide pin 40 is positioned higher than the upper surface of the wafer W supported by the wafer supporter 500. The wafer W guided by the guide pin 40 and supported by the wafer supporter 500 is gripped by the gripper 23A. Thereby, the wafer W can be rotated by the rotation plate 23P without deviating from the rotation plate 23P.

다음에, 도 5 내지 도 9를 참조하면서, 본 발명의 다른 실시형태에 의한 액처리 장치(1)에 대해서 설명한다. 본 실시형태에 의한 액처리 장치(1)에서는, 전술한 실시형태에서의 웨이퍼 유지 회전부(23)와 상이한 웨이퍼 유지 회전부(23)를 갖고 있다. 이하, 본 실시형태에 의한 액처리 장치(1)를, 앞서 설명한 실시형태에 의한 액처리 장치(1)와의 상이점을 중심으로 설명하고, 동일한 구성의 부분에 대한 설명은 생략한다. Next, a liquid processing apparatus 1 according to another embodiment of the present invention will be described with reference to Figs. 5 to 9. Fig. The liquid processing apparatus 1 according to the present embodiment has a wafer holding and rotating section 23 which is different from the wafer holding and rotating section 23 in the above-described embodiment. Hereinafter, the liquid processing apparatus 1 according to the present embodiment will be described mainly on the points of difference from the liquid processing apparatus 1 according to the above-described embodiment, and description of the same constitution will be omitted.

본 실시형태에서는, 웨이퍼 유지 회전부(23)는, 회전 플레이트(23P)의 하부 둘레 가장자리에 부착되고, 웨이퍼(W)의 에지를 누름으로써 웨이퍼(W)를 파지하는 3개(도 5에서는 2개만을 도시)의 파지 기구(23G)를 갖고 있다. 이들 3개의 파지 기구(23G)는, 도 6에 도시하는 바와 같이, 서로 예컨대 120˚의 각도 간격으로 배치되어 있다. In the present embodiment, the wafer holding / rotating section 23 is attached to the lower circumferential edge of the rotating plate 23P and holds three (two in FIG. 5) holding the wafer W by pressing the edge of the wafer W And a gripping mechanism 23G of the second embodiment. As shown in Fig. 6, these three gripping mechanisms 23G are arranged at angular intervals of, for example, 120 deg.

재차 도 5를 참조하면, 각 파지 기구(23G)는, 회동축(23T)에 의해 회동 가능한 레버 부재(23L)와, 레버 부재(23L)가 화살표 Y로 도시하는 방향으로 회동하는 것에 의해 웨이퍼(W)의 에지에 접촉 가능한 파지부(23A)를 갖고 있다. 각 레버 부재(23L)의 원단부(遠端部)의 아래쪽에는, 레버 부재(23L)의 원단부를 상하 이동시키는 로드 부재(43)가 마련되어 있다. 로드 부재(43)는 아암(42)에 부착되고, 아암(42)은 승강 기구(41)(도 5)에 의해 상하 이동한다. 파지 기구(3G)의 동작에 대해서는 후술한다. 5, each gripping mechanism 23G includes a lever member 23L which is rotatable by the pivot 23T and a lever member 23L which rotates in the direction indicated by the arrow Y, W which can be brought into contact with the edge of the grip portion 23A. Below the distal end of each lever member 23L, there is provided a rod member 43 for moving the distal end portion of the lever member 23L up and down. The rod member 43 is attached to the arm 42 and the arm 42 is moved up and down by the lifting mechanism 41 (Fig. 5). The operation of the gripping mechanism 3G will be described later.

또한, 본 실시형태에서의 회전 플레이트(23P)는 대략 원형의 상면 형상을 가지며, 주위에 절결부(C1 및 C2)가 형성되어 있다. 절결부(C1 및 C2)는, 대략 60˚의 각도 간격으로 교대로 배치되어 있다. 절결부(C1)는, 회전 플레이트(23P)의 하부에 부착되는 파지 기구(23G)의 파지부(23A)가 회전 플레이트(23P)의 위쪽으로 돌출하는 것을 허용한다. 또한 절결부(C2)는, 반송 기구(14)의 유지 아암부(14a)(도 1)에 마련된 웨이퍼 유지 클로(14b)에 대응하여 마련되고, 웨이퍼 유지 클로(14b)가 회전 플레이트(23P)를 상하로 통과하는 것을 허용한다. In addition, the rotary plate 23P in this embodiment has a substantially circular upper surface shape, and cutouts C1 and C2 are formed in the periphery thereof. The notches C1 and C2 are alternately arranged at angular intervals of about 60 degrees. The cutout portion C1 allows the grip portion 23A of the gripping mechanism 23G attached to the lower portion of the rotary plate 23P to protrude upward of the rotary plate 23P. The notch C2 is provided corresponding to the wafer holding claw 14b provided in the holding arm 14a (Fig. 1) of the transfer mechanism 14 and the wafer holding claw 14b is provided on the rotary plate 23P. To pass up and down.

또한, 도 7을 참조하면, 회전 플레이트(23P)의 상면에는, 둘레 가장자리를 따라 연장되는 복수의 웨이퍼 지지부(51)가 마련되어 있다. 이러한 웨이퍼 지지부(51)는, 회전 플레이트(23P)의 절결부(C1 및 C2)에 맞춰, 앞서 설명한 실시형태에서의 웨이퍼 지지부(500)를 절결함으로써 형성될 수 있다. 도시를 생략하지만, 웨이퍼 지지부(51)는, 양단에서, 예컨대 나사 등으로 회전 플레이트(23P)에 부착되어 있다. 양단에서 고정됨으로써, 웨이퍼 지지부(51)의 부착 정밀도를 향상시킬 수 있다. 또한, 각 웨이퍼 지지부(51)는, 도 8에 도시하는 바와 같이, 상면 평탄부(51A)와, 회전 플레이트(23P) 중앙을 향해 경사지는 경사면(51B)(즉 기판 지지면)을 갖고 있다. 경사면(51B)의 외측 둘레 가장자리[상면 평탄부(51A)와 경사면(51B)과의 경계]는, 웨이퍼(W)의 직경보다 큰 제1 원의 원주를 따라 위치되고, 경사면(51B)의 내측 둘레 가장자리는, 제1 원과 동심원으로, 웨이퍼(W)의 직경보다 작은 제2 원의 원주를 따라 위치된다. 이 때문에, 웨이퍼(W)를 회전 플레이트(23P)에 배치하는 경우, 웨이퍼(W)는, 그 에지가 경사면(51B)에 접함으로써 지지된다(도 8 참조). 이 때, 웨이퍼(W)는, 회전 플레이트(23P)의 상면으로부터 이격되어 있다. Referring to Fig. 7, on the upper surface of the rotary plate 23P, a plurality of wafer supporting portions 51 extending along the peripheral edge are provided. The wafer supporting portion 51 may be formed by cutting the wafer supporting portion 500 in the above-described embodiment in accordance with the notches C1 and C2 of the rotation plate 23P. Although not shown, the wafer supporter 51 is attached to the rotary plate 23P at both ends, for example, with screws. By fixing at both ends, the accuracy of attachment of the wafer supporting portion 51 can be improved. Each of the wafer supporting portions 51 has an upper surface flat portion 51A and an inclined surface 51B inclined toward the center of the rotary plate 23P (i.e., a substrate supporting surface) as shown in Fig. The outer peripheral edge of the inclined surface 51B (the boundary between the upper surface flat portion 51A and the inclined surface 51B) is located along the circumference of the first circle larger than the diameter of the wafer W, The peripheral edge is located along the circumference of the second circle, which is concentric with the first circle, smaller than the diameter of the wafer (W). Therefore, when the wafer W is arranged on the rotary plate 23P, the wafer W is supported by its edge abutting against the inclined surface 51B (see FIG. 8). At this time, the wafer W is spaced from the upper surface of the rotary plate 23P.

또한, 웨이퍼 지지부(51)의 상면 평탄부(51A)에는 가이드 핀(52)이 마련되어 있다. 가이드 핀(52)의 측면(52I), 하단에서, 웨이퍼 지지부(51)의 경사면(51B)의 외측 둘레 가장자리에 접해 있다. 또한, 가이드 핀(52)에는, 회전 플레이트(23P) 중앙을 향해 경사지는 안내 경사면(52B)이 형성되어 있다. 유지 아암부(14a)(도 1)로부터 웨이퍼 지지부(51)에 웨이퍼(W)가 배치될 때에 웨이퍼(W)의 에지가 안내 경사면(52B)에 접하면, 웨이퍼(W)의 에지가 안내 경사면(52B)을 미끄러져 떨어지도록 안내되어, 웨이퍼(W)가 이동하게 되고, 이것에 의해 웨이퍼(W)가 위치 결정되어 웨이퍼 지지부(51)에 지지된다. A guide pin 52 is provided on the upper surface flat portion 51A of the wafer support portion 51. [ And abuts the outer peripheral edge of the inclined surface 51B of the wafer supporting portion 51 at the lower surface of the side surface 52I of the guide pin 52. [ The guide pin 52 is formed with a guide slope 52B inclined toward the center of the rotation plate 23P. When the edge of the wafer W comes into contact with the guide inclined surface 52B when the wafer W is placed on the wafer supporting portion 51 from the holding arm portion 14a (Fig. 1), the edge of the wafer W is guided The wafer W is guided to slip downward from the wafer support portion 52B so that the wafer W is moved and thereby the wafer W is positioned and supported on the wafer support portion 51. [

또한, 가이드 핀(52)은, 가이드 핀(52)의 상면이, 복수의 웨이퍼 지지부(51)에 의해 지지되는 웨이퍼(W)의 상면보다 높은 위치에 위치되는 높이를 갖고 있다. The guide pin 52 has a height such that the upper surface of the guide pin 52 is positioned higher than the upper surface of the wafer W supported by the plurality of wafer supporting portions 51. [

또한, 도 7에 도시하는 바와 같이 웨이퍼 지지부(51)에 마련된 가이드 핀(52)과, 파지 기구(23G)의 파지부(23A)에는, 대략 중앙부에서, 회전 플레이트(23)의 둘레 가장자리와 교차하는 방향으로 연장되는 홈부(G)가 형성되어 있다. 웨이퍼 지지부(51B)에 지지되는 웨이퍼(W)의 상면에 액체가 공급되는 경우, 이 체는, 홈부(G)를 통해 웨이퍼(W)의 바깥쪽으로 배출될 수 있다. 이 때문에, 가이드 핀(52)이나 파지부(23A) 부분에 액체가 체류하는 것을 저감할 수 있어, 액체의 체류에 의해 생길 수 있는 워터마크의 발생을 저감하는 것이 가능해진다. 7, the guide pin 52 provided on the wafer supporting portion 51 and the gripping portion 23A of the gripping mechanism 23G are provided at the substantially central portion with a gap A groove portion G extending in the direction in which the first and second guide grooves are formed is formed. When the liquid is supplied to the upper surface of the wafer W supported by the wafer supporting portion 51B, the body can be discharged to the outside of the wafer W through the groove portion G. [ Therefore, it is possible to reduce the retention of the liquid in the guide pin 52 and the grip portion 23A, and it is possible to reduce the occurrence of watermarks that may be caused by the retention of the liquid.

다음에, 도 9를 참조하면서 파지 기구(23G)의 기능에 대해서 설명한다. 도 9는, 도 7에서의 선 I-I를 따라 취한 일부 단면도이다. 또한, 도 9의 (a)는, 예컨대 회전 플레이트(23P) 위에 웨이퍼(W)를 배치한 직후의 웨이퍼(W)와 파지 기구(23G)를 도시하고 있다. 도시하는 바와 같이, 도 9의 (a)에 파선으로 도시하는 웨이퍼 지지부(51)의 경사면(51B)에 의해 웨이퍼(W)의 에지가 지지되어 있다. 이 때, 승강 기구(41)(도 5)에 의해, 아암(42)은 위쪽으로 이동하고 있고, 로드 부재(43)가 파지 기구(23G)의 레버 부재(23L)의 원단을 위쪽으로 밀어 올리고 있다. 이 때문에, 레버 부재(23L)의 타단[회동축(23T)에 의해 지지되는 단부)에 마련된 파지부(23A)는 바깥쪽으로 기울어져 있다. 여기서, 도 9의 (b)에 도시하는 바와 같이 아암(42)이 아래쪽으로 이동하면, 레버 부재(23L)는, 회전 플레이트(23P)의 하면에 마련된 압박 부재(23B)와 자중(自重)에 의해, 회동축(23T)을 중심으로 시계 방향으로 회동한다. 이것에 수반하여 파지부(23A)가 웨이퍼(W)의 에지를 내리 누른다. 3개의 파지 기구(23G)의 파지부(23A)가 에지를 내리 누름으로써, 웨이퍼(W)가 파지된다. 이 상태로, 모터(M)(도 5)가 회전하면, 회전 플레이트(23P)와, 이것에 부착된 파지 기구(23G)가 회전하고, 회전 플레이트(23P) 위에서 웨이퍼 지지부(51B)에 의해 지지되며, 파지 기구(23G)에 파지되는 웨이퍼(W)가 회전한다. Next, the function of the gripping mechanism 23G will be described with reference to Fig. 9 is a partial cross-sectional view taken along the line I-I in Fig. 9A shows the wafer W and the holding mechanism 23G immediately after the wafer W is placed on the rotary plate 23P, for example. As shown in the figure, the edge of the wafer W is supported by the inclined surface 51B of the wafer support portion 51 shown by the broken line in Fig. 9A. At this time, the arm 42 is moved upward by the lifting mechanism 41 (Fig. 5), and the rod member 43 pushes the fabric of the lever member 23L of the holding mechanism 23G upward have. Therefore, the grip portion 23A provided at the other end of the lever member 23L (the end supported by the pivot 23T) is inclined outward. 9 (b), when the arm 42 is moved downward, the lever member 23L is pressed against the pressing member 23B provided on the lower surface of the rotary plate 23P and its own weight Thereby rotating clockwise about the pivot 23T. The grip portion 23A pushes the edge of the wafer W down. The wafer W is gripped by pressing the edge by the gripping portion 23A of the three gripping mechanisms 23G. When the motor M (Fig. 5) is rotated in this state, the rotary plate 23P and the holding mechanism 23G attached to the rotary shaft 23P are rotated and supported on the rotary plate 23P by the wafer supporting portion 51B And the wafer W gripped by the holding mechanism 23G rotates.

다음에, 본 발명의 실시형태에 의한 액처리 장치(1)의 동작(액처리 장치의 제어 방법)에 대해서, 지금까지 참조한 도면을 적절하게 참조하면서 설명한다. 또한 이하에서는, 도 5 내지 도 9를 참조하면서 설명한 액처리 장치(1)를 예로 들어 설명한다. 또한, 전술한 바와 같이, 웨이퍼(W)는, 액처리 스테이션(S3)의 반전 기구(16a)에 의해 상하 반전되어, 웨이퍼(W)의 회로 형성면이 아래를 향한 상태로, 액처리 장치(1)에 반입된다. 이하의 설명에서는, 웨이퍼(W)의 상면이라고 할 때에는, 웨이퍼(W)의 회로 형성면과 반대측의 면을 의미한다. Next, the operation of the liquid processing apparatus 1 (the liquid processing apparatus control method) according to the embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings referred to heretofore as appropriate. In the following, the liquid processing apparatus 1 described with reference to Figs. 5 to 9 will be described as an example. As described above, the wafer W is reversed upside down by the reversing mechanism 16a of the liquid processing station S3, and the wafer W is transferred to the liquid processing apparatus 1). In the following description, the upper surface of the wafer W means a surface opposite to the circuit forming surface of the wafer W. [

우선, 컵부(22)가 강하되어 도 5에 실선으로 도시하는 아래쪽 위치에 위치되고, 승강 기구(41)에 의해 아암(42) 및 로드 부재(43)가 위쪽으로 이동하여, 파지 기구(23)의 레버 부재(23L)를 밀어 올린다. 이것에 의해, 파지부(23A)가 바깥쪽으로 개방되어, 웨이퍼(W)가 배치되는 스페이스가 확보된다. 5, the arm 42 and the rod member 43 are moved upward by the lifting mechanism 41 and the gripping mechanism 23 is moved upward by the lifting mechanism 41. At this time, Thereby pushing up the lever member 23L. As a result, the grip portion 23A is opened to the outside, and the space in which the wafer W is arranged is secured.

이어서, 하우징(21)의 반송구(21a)가 개방되고, 반송 기구(14)의 유지 아암부(14a)에 의해 웨이퍼(W)가 반송구(21a)로부터 하우징(21) 내에 반입되며, 웨이퍼 유지 회전부(23)의 위쪽에서 정지한다. 이어서, 유지 아암부(14a)가 하강하고, 유지 아암부(14a)로부터 웨이퍼 유지 회전부(23)에 웨이퍼(W)가 전달된다. 이 때, 웨이퍼(W)는, 가이드 핀(52)에 의해 안내되어, 회전 플레이트(23P)의 둘레 가장자리의 상면에 마련된 웨이퍼 지지부(51)에 의해 지지된다. 구체적으로는, 웨이퍼 지지부(51)의 경사면(51B)(도 7, 도 8) 전체에 걸쳐 웨이퍼(W)의 에지가 접하는 것에 의해, 웨이퍼(W)가 지지된다. The transfer arm 21a of the housing 21 is then opened and the wafer W is carried into the housing 21 from the transfer opening 21a by the holding arm portion 14a of the transfer mechanism 14, Stops at the upper side of the holding and rotating section (23). The holding arm portion 14a descends and the wafer W is transferred from the holding arm portion 14a to the wafer holding and rotating portion 23. [ At this time, the wafer W is guided by the guide pin 52 and supported by the wafer supporting portion 51 provided on the upper surface of the periphery of the rotation plate 23P. Concretely, the wafer W is supported by the edge of the wafer W contacting the entire inclined surface 51B (Figs. 7 and 8) of the wafer supporting portion 51.

유지 아암부(14a)가 반송구(21a)로부터 외부로 후퇴한 후, 승강 기구(41)(도 5)에 의해 아암(42) 및 로드 부재(43)가 아래쪽으로 이동하는 것에 의해, 레버 부재(23L)가 회동하고, 그 결과, 파지부(23A)가 웨이퍼(W)의 에지를 누른다. 이것에 의해, 웨이퍼 지지부(51)에 의해 지지된 상태로, 웨이퍼(W)가 파지 기구(23G)에 의해 파지된다. 컵부(22)가, 도 5에 도시하는 위쪽 위치에 위치되면, 모터(M)에 의해 회전 샤프트(23S) 및 회전 플레이트(23P)의 회전이 시작된다. 이것에 의해, 웨이퍼 지지부(51)에 지지되고 파지 기구(23)에 의해 파지되는 웨이퍼(W)도 또한 회전한다. 웨이퍼(W)의 회전 속도는, 예컨대 500 rpm 내지 2000 rpm이어도 좋다. 이 때, 회전 샤프트(23S) 내에 형성되어 있는 도관(23C)으로부터, 웨이퍼(W)와 회전 플레이트(23P) 사이의 공간에 대하여 예컨대 N2 가스가 공급된다. The arm 42a and the rod member 43 are moved downward by the lifting mechanism 41 (Fig. 5) after the retaining arm portion 14a retreats outward from the transporting opening 21a, The grip portion 23L is rotated, and as a result, the grip portion 23A presses the edge of the wafer W. [ As a result, the wafer W is held by the holding mechanism 23G while being supported by the wafer holding portion 51. [ When the cup portion 22 is positioned at the upper position shown in Fig. 5, the rotation of the rotating shaft 23S and the rotation plate 23P is started by the motor M. Fig. As a result, the wafer W held by the wafer supporting portion 51 and held by the holding mechanism 23 also rotates. The rotation speed of the wafer W may be, for example, 500 rpm to 2000 rpm. At this time, for example, N 2 gas is supplied to the space between the wafer W and the rotary plate 23P from the conduit 23C formed in the rotary shaft 23S.

다음에, 브러시(24)의 아암(24A)이 회동하고, 브러시(24)가 도 5에 점선으로 도시하는 위치로 이동하며, 웨이퍼(W)의 상면을 향해 강하하다. 브러시(24)의 선단이 웨이퍼(W)의 상면에 접하는 동시에(또는 약간 전에), 브러시(24)의 개구부(24B)로부터 예컨대 DIW가 공급된다. 이 DIW는, 웨이퍼(W)의 회전에 의해 웨이퍼(W)의 상면에서 웨이퍼(W)의 에지를 향해 퍼져 가고, 웨이퍼(W)의 에지로부터 바깥쪽으로 흘러나온다.Next, the arm 24A of the brush 24 rotates, and the brush 24 moves to the position shown by the dotted line in Fig. 5 and drops toward the upper surface of the wafer W. [ The DIW is supplied from the opening 24B of the brush 24 while the tip of the brush 24 contacts the upper surface of the wafer W (or slightly before). The DIW spreads from the upper surface of the wafer W toward the edge of the wafer W by the rotation of the wafer W and flows outward from the edge of the wafer W.

이 후, 브러시(24)는, 아암(24A)이 회동하는 것에 의해, 웨이퍼(W)의 에지를 향해 이동해 간다. 웨이퍼(W)의 회전과 브러시(24)의 이동에 의해, 웨이퍼(W)의 전체면에 브러시(24)가 접하고, 브러시(24)에 의해 제거된 파티클이나 불순물이 DIW에 의해 씻겨 흘려간다. Thereafter, the brush 24 is moved toward the edge of the wafer W by rotating the arm 24A. The brush 24 is brought into contact with the entire surface of the wafer W by the rotation of the wafer W and the movement of the brush 24 and the particles or impurities removed by the brush 24 are washed away by the DIW.

브러시(24)가, 웨이퍼(W)의 에지로부터 밖으로 이동한 후, DIW의 공급을 정지하고, 웨이퍼(W)의 상면을 건조시킨다. 이 후, 웨이퍼(W)를 반입했을 때의 수순의 역수순에 의해, 웨이퍼(W)가 하우징(21) 밖으로 반출된다. After the brush 24 moves out of the edge of the wafer W, the supply of DIW is stopped and the upper surface of the wafer W is dried. Thereafter, the wafer W is taken out of the housing 21 by the reverse procedure of the procedure when the wafer W is carried.

이상 설명한 바와 같이, 본 발명의 실시형태에 의한 액처리 장치(1)에 의하면, 반송 아암(14a)(도 1)으로부터 웨이퍼 유지 회전부(23)에 전달될 때, 웨이퍼(W)는 가이드 핀(52)에 의해 안내되고, 회전 플레이트(23P) 위의 웨이퍼 지지부(51)의 경사면(51B)에 웨이퍼(W)의 에지가 접하도록 지지된다. 회전 플레이트(23P)가 회전하며, 브러시(24)가 하강하고 브러시(24)의 개구로부터 웨이퍼(W)에 액체가 공급되면, 액체는 웨이퍼(W)의 상면에서 바깥쪽으로 퍼지도록 흐른다. 이 때, 웨이퍼(W)의 에지는, 웨이퍼 지지부(51)의 경사면(51B)에 접해 있기 때문에, 액체가 웨이퍼(W)의 하면에 부착되는 것이 억제된다. As described above, according to the liquid processing apparatus 1 according to the embodiment of the present invention, when the wafer W is transferred from the transfer arm 14a (Fig. 1) to the wafer holding / rotating section 23, 52 and is supported so that the edge of the wafer W comes into contact with the inclined surface 51B of the wafer support portion 51 on the rotary plate 23P. When the rotary plate 23P rotates and the brush 24 descends and liquid is supplied to the wafer W from the opening of the brush 24, the liquid flows so as to spread outward from the upper surface of the wafer W. [ At this time, since the edge of the wafer W is in contact with the inclined surface 51B of the wafer supporting portion 51, adhesion of liquid to the lower surface of the wafer W is suppressed.

예컨대, 도 10의 (a)에 도시하는 바와 같이, 회전 플레이트(23P)의 둘레 방향을 따른 웨이퍼 지지부(51') 및 가이드 핀(52')의 길이가 대략 같은 경우[웨이퍼 지지부(51')가 가이드 핀(52')의 양측 방향으로 연장되지 않는 경우]에는, 웨이퍼(W)의 상면을 흐르는 액체는, 가이드 핀(52)의 측면(52I)에 충돌하여 비산하고, 회전 플레이트(23P)와 웨이퍼(W)의 간극으로부터 웨이퍼(W)의 하면으로 돌아들어가, 웨이퍼(W)의 하면에 부착된다(도면중의 화살표 A' 참조). 웨이퍼(W)의 하면에 액체가 부착되면, 액체중의 파티클이 웨이퍼(W)의 하면에 잔존할 우려가 있다. 웨이퍼(W) 하면의 파티클은, 웨이퍼(W)가 다음에 반송되는 반도체 제조 장치의 웨이퍼 지지부를 오염시키거나, 웨이퍼 캐리어 내에서 인접하는 다른 웨이퍼의 표면을 오염시키거나 하는 원인이 되는 경우가 있다. 한편, 웨이퍼(W)의 상면에서는, 상면을 흐르는 액체에 의한 액막이 존재하기 때문에, 액체 중의 파티클이, 웨이퍼(W)의 상면에는 잔존하기 어렵다. 10 (a), when the lengths of the wafer support portions 51 'and the guide pins 52' along the circumferential direction of the rotation plate 23P are substantially equal to each other (the wafer support portion 51 ' The liquid that flows on the upper surface of the wafer W collides with the side surface 52I of the guide pin 52 and splashes and the rotation plate 23P is rotated, From the gap between the wafer W and the lower surface of the wafer W and attached to the lower surface of the wafer W (see arrow A 'in the figure). If liquid adheres to the lower surface of the wafer W, particles in the liquid may remain on the lower surface of the wafer W. [ The particles on the bottom surface of the wafer W may cause the wafer W to contaminate the wafer supporting portion of the semiconductor manufacturing apparatus to be transported next or contaminate the surface of another adjacent wafer in the wafer carrier . On the other hand, on the upper surface of the wafer W, there is a liquid film due to the liquid flowing on the upper surface, so that the particles in the liquid do not remain on the upper surface of the wafer W.

그러나, 본 발명의 실시형태에서는, 웨이퍼 지지부(51)가 가이드 핀(52)보다 길고, 가이드 핀(52)의 측방에서도 웨이퍼(W)의 에지가 웨이퍼 지지부(51)의 경사면(51B)에 접해 있다. 또한 웨이퍼 지지부(51)는, 회전 플레이트(23P)와의 사이에 간극을 형성하지 않고 마련되어 있다. 이 때문에, 도 10의 (b)에 도시하는 바와 같이, 가이드 핀(52)의 측면(52I)에 충돌하여 비산한 액체가 웨이퍼(W)의 하면으로 돌아들어가 부착되는 것이 억제된다. 즉, 본 발명의 실시형태에 의하면, 전술한 오염을 저감시키는 것이 가능해진다. 또한, 웨이퍼 지지부(51)의 경사면(51B)의 외측 둘레에 상면 평탄부(51A)를 갖는 것에 의해, 웨이퍼(W)의 상면을 흐른 액체는, 흐름을 흐트러뜨리지 않고 웨이퍼(W) 바깥쪽으로 흘러나올 수 있다. 또한, 웨이퍼 지지부(51)의 길이를 길게 한 것에 의해, 도관(23C)으로부터 공급된 N2가 웨이퍼(W)와 회전 플레이트(23P) 사이의 공간으로부터 분출되는 부분을 좁게 할 수 있어, N2의 유속을 빠르게 할 수 있다. 이것에 의해, 웨이퍼(W)의 에지가 경사면(51B)에 접하지 않는 부분이어도, 액체가 웨이퍼(W)의 하면으로 돌아들어가 부착되는 것을 방지할 수 있다. However, in the embodiment of the present invention, the wafer supporting portion 51 is longer than the guide pin 52, and the edge of the wafer W is also in contact with the inclined surface 51B of the wafer supporting portion 51, have. The wafer support portion 51 is provided without forming a gap with the rotation plate 23P. Therefore, as shown in Fig. 10 (b), the liquid scattered by collision with the side surface 52I of the guide pin 52 is restrained from adhering to the lower surface of the wafer W and adhering thereto. That is, according to the embodiment of the present invention, the above-described contamination can be reduced. Since the upper surface flat portion 51A is provided on the outer periphery of the inclined surface 51B of the wafer supporting portion 51, the liquid flowing on the upper surface of the wafer W flows out of the wafer W without disturbing the flow Can come out. Further, it is possible to narrow the portion by a long the length of the wafer support 51, the N 2 supplied from the duct (23C) to be ejected from the space between the wafer (W) and the rotating plate (23P), N 2 The flow rate of the gas can be increased. Thus, even if the edge of the wafer W does not contact the inclined surface 51B, it is possible to prevent the liquid from adhering to the lower surface of the wafer W and adhering thereto.

또한, 액처리 장치(1)에 의한 효과로서, 도 5 내지 도 9를 참조하면서 설명한 액처리 장치(1)를 예로 설명했지만, 도 2 내지 도 4를 참조하면서 설명한 액처리 장치(1)에서도, 액체가, 웨이퍼(W)의 상면을 흐르고, 가이드부(40)에 충돌하여 웨이퍼(W)의 이면에 부착되는 것이 억제되기 때문에, 같은 효과가 얻을 수 있다.Although the liquid processing apparatus 1 described with reference to Figs. 5 to 9 has been described as an example of the effect of the liquid processing apparatus 1, in the liquid processing apparatus 1 described with reference to Figs. 2 to 4, The same effect can be obtained because the liquid flows on the upper surface of the wafer W and collides with the guide portion 40 to adhere to the back surface of the wafer W. [

또한, 도 5 내지 도 9를 참조하면서 설명한 액처리 장치(1)에서는, 경사면(51B)에 의해 웨이퍼(W)의 에지를 넓은 범위에서 지지하고 있기 때문에, 웨이퍼(W)의 휘어짐을 저감할 수 있다. 웨이퍼(W)의 휘어짐의 저감을 확인하기 위해 행한 실험의 결과를 도 11에 도시한다. 도 11의 (a)는, 비교를 위해, 도 10의 (a)에 도시하는 웨이퍼 지지부(51') 및 가이드 핀(52')을, 약 120˚의 각도 간격으로 3개 마련한 경우에서의, 브러시(24)에 의한 웨이퍼(W) 상면의 세정 후의 파티클 맵을 도시하고, 도 11의 (b)는, 본 발명의 실시형태에 의한 액처리 장치(1)(도 5 내지 도 9)에서의, 브러시(24)에 의한 웨이퍼(W) 상면의 세정 후의 파티클 맵을 도시한다. 5 to 9, since the edge of the wafer W is supported by the inclined surface 51B over a wide range, the warp of the wafer W can be reduced have. FIG. 11 shows the results of experiments conducted to confirm the reduction of the warpage of the wafer W. FIG. 11A shows a case where three wafer holding portions 51 'and guide pins 52' shown in FIG. 10A are provided at angular intervals of about 120 DEG for comparison, 11 shows the particle map after cleaning of the upper surface of the wafer W by the brush 24 and Fig. 11 (b) shows the particle map of the liquid processing apparatus 1 (Figs. 5 to 9) according to the embodiment of the present invention , And the particle map after cleaning of the upper surface of the wafer W by the brush 24 is shown.

도 11의 (a)에서는, 대략 세잎 클로버(trifolium leaf) 형상의 범위에서는, 파티클이 적지만, 그 범위의 외측에서는 다수의 파티클이 있는 것을 알 수 있다. 이러한 분포는, 이하의 이유에 의해 생긴다고 고려된다. 즉, 짧은 웨이퍼 지지부에 의해 웨이퍼(W)의 에지가 지지되는 부분에서는 웨이퍼(W)가 거의 휘지 않기 때문에, 브러시(24)가 충분히 내리 눌려 파티클이 저감되는 한편, 그 부분 사이의 영역에서는 웨이퍼(W)가 비교적 크게 휘기 때문에, 회전하는 웨이퍼(W)의 상면에 대한 브러시(24)의 압박력이 전체 둘레에서 일정하지 않게 되어, 파티클을 충분히 저감할 수 없다. In Fig. 11A, it can be seen that there are few particles in the range of the trifolium leaf shape, but a large number of particles are present outside the range. This distribution is considered to be caused by the following reasons. That is, since the wafer W hardly bends at the portion where the edge of the wafer W is supported by the short wafer support portion, the brush 24 is sufficiently pressed down to reduce the particles, while in the region between the wafers W The pressing force of the brush 24 against the upper surface of the rotating wafer W is not constant around the entire circumference, and the particles can not be sufficiently reduced.

한편, 본 발명의 실시형태에 의한 액처리 장치(1)에서는, 도 11의 (b)에 도시하는 바와 같이, 웨이퍼(W)의 상면 전체에서 일률적으로 파티클이 적다. 이것은, 웨이퍼(W)의 에지가 비교적 넓은 범위에서 경사면(51B)에 지지되기 때문에, 웨이퍼(W)의 평탄성이 좋은 것에 의한 것으로 생각된다. 또한, 경사면(51B)에 의해 웨이퍼(W)의 에지를 넓은 범위에서 지지하고 있기 때문에, 브러시(24)의 압박력에 의해 웨이퍼(W)에 걸리는 힘을 분산할 수 있어, 웨이퍼(W)의 에지에 흠집이 발생하는 것을 억제할 수 있다. On the other hand, in the liquid processing apparatus 1 according to the embodiment of the present invention, as shown in FIG. 11 (b), particles are uniformly uniform over the entire upper surface of the wafer W. This is considered to be due to the fact that the flatness of the wafer W is good because the edge of the wafer W is supported on the inclined surface 51B in a relatively wide range. Since the edge of the wafer W is supported by the inclined surface 51B in a wide range, the force applied to the wafer W can be dispersed by the pressing force of the brush 24, It is possible to suppress occurrence of scratches on the surface.

또한, 전술한 파티클의 저감 효과는, 도 2 내지 도 4를 참조하면서 설명한 액처리 장치(1)에서도, 웨이퍼(W)가 둘레 가장자리를 따른 넓은 범위에서 지지되기 때문에, 마찬가지로 얻을 수 있다. The effect of reducing the particles described above can also be obtained in the liquid processing apparatus 1 described with reference to Figs. 2 to 4 since the wafer W is supported in a wide range along the peripheral edge.

이상, 실시형태를 참조하면서 본 발명을 설명했지만, 본 발명은 전술한 실시형태에 한정되지 않고, 첨부한 특허청구범위에 비추어, 여러 가지로 변형 또는 변경할 수 있다. Although the present invention has been described above with reference to the embodiment, the present invention is not limited to the above-described embodiment, but may be modified or changed in various ways within the scope of the appended claims.

예컨대, 전술한 실시형태에서는, 액처리 장치(1)에 브러시(24)가 마련되고, 브러시(24)에 의해 웨이퍼(W)의 상면을 세정하는 경우에 대해서 설명했지만, 브러시(24)를 이용한 세정에 한정되지 않는다. 예컨대 브러시(24) 대신에, 청정 기체용 도관과, 탈이온수(DIW)용 도관이 마련되고, 청정 기체에 의해 DIW의 미스트를 분출하는 이류체 노즐을 액처리 장치(1)에 마련하며, 이것에 의해 웨이퍼(W)의 상면을 처리하여도 좋다. 물론, 액체만을 공급하는 액체 공급 노즐을 이용하여도 상관없다. For example, in the above-described embodiment, the case where the liquid processing apparatus 1 is provided with the brush 24 and the upper face of the wafer W is cleaned by the brush 24 has been described. However, But is not limited to cleaning. The liquid processing apparatus 1 is provided with an air flow nozzle provided with a clean gas conduit and a deionized water (DIW) conduit instead of the brush 24 and jetting a mist of DIW by a clean gas, The upper surface of the wafer W may be processed. Of course, a liquid supply nozzle for supplying only liquid may be used.

또한, 브러시(24)나 이류체 노즐 등 대신에, 웨이퍼(W)의 상면에 대하여 액체를 토출하는 토출부에 초음파 진동자가 내장된 액체 공급 노즐을 이용하여도 좋다. 이 액체 공급 노즐에 의하면, 초음파 진동자로부터 발생한 예컨대 15 kHz∼400 kHz의 영역대, 또는 15 MHz 영역대나 3.0 MHz의 영역대의 고주파에 의해, 액체중에서 미세한 거품이 발생하여 파열되거나, 액체 분자의 진동이 촉진되거나 하기 때문에, 액처리 효율이나 세정 효율을 향상시킬 수 있다. A liquid supply nozzle in which an ultrasonic vibrator is embedded in a discharge portion for discharging liquid to the upper surface of the wafer W may be used instead of the brush 24 or the air flow nozzle. According to this liquid supply nozzle, fine bubbles are generated in the liquid and rupture due to the high frequency of 15 kHz to 400 kHz or 15 MHz region band or 3.0 MHz region generated from the ultrasonic vibrator, Or accelerated, it is possible to improve the liquid treatment efficiency and the cleaning efficiency.

또한, 전술한 실시형태에서, 웨이퍼(W)는, 회전 플레이트(23P) 위의 웨이퍼 지지부(51)에 의해, 웨이퍼(W)에서의 회로 형성면이 하향(페이스 다운)이 되도록 지지되어 있지만, 본 발명의 실시형태에 의한 액처리 장치(1)에서는, 회로 형성면이 상향(페이스 업)이 되도록 웨이퍼(W)를 유지하고, 예컨대 이류체 노즐을 이용하여 회로 형성면을 처리하여도 좋다. 이 경우라도, 웨이퍼(W)의 하면에의 액체의 부착을 피할 수 있기 때문에, 하면에서의 파티클을 저감하는 것이 가능해진다. Although the wafer W is supported so that the circuit formation surface of the wafer W faces down (face down) by the wafer support portion 51 on the rotation plate 23P in the above-described embodiment, In the liquid processing apparatus 1 according to the embodiment of the present invention, the circuit formation surface may be processed by holding the wafer W so that the circuit formation surface is upward (face up) and using, for example, an air flow nozzle. Even in this case, since adhesion of the liquid to the lower surface of the wafer W can be avoided, the particles on the lower surface can be reduced.

전술한 실시형태에서는, 회전 플레이트(23P)에 절결부(C2)가 형성되었지만, 절결부(C2)는, 액처리 장치(1)의 하우징(21) 내에 웨이퍼(W)를 반송하는 반송 아암부(14a)의 웨이퍼 유지 클로(14b)에 대응하여 형성되는 것에 지나지 않고, 불가결하지는 않다. 예컨대 회전 플레이트(23P)를 관통하여 상하 이동하는 3개의 리프트 핀을 이용하여 반송 아암부(14a)와 웨이퍼 유지 회전부(23) 사이에서 웨이퍼(W)를 전달하는 경우에는, 반송 아암부(14a)에 웨이퍼 유지 클로(14b)는 불필요하고, 따라서, 절결부(C2)를 회전 플레이트(23P)에 형성할 필요는 없다. The notch C2 is formed in the rotary plate 23P so that the notch C2 is formed in the housing 21 of the liquid processing apparatus 1, Is formed correspondingly to the wafer holding claw 14b of the wafer holding claw 14a, and is not indispensable. When the wafer W is transferred between the transfer arm 14a and the wafer holding / rotating part 23 by using three lift pins that vertically move through the rotating plate 23P, the transfer arm 14a, The wafer holding claws 14b are unnecessary, and therefore it is not necessary to form the notches C2 on the rotary plate 23P.

또한, 웨이퍼 지지부(51)의 형상은, 도시한 것에 한정되지 않고 여러 가지로 변형 가능하다. 도 12에 도시하는 바와 같이, 예컨대 회전 플레이트(23P) 위에 배치되는 웨이퍼 지지부(51)는, 회전 플레이트(23P)의 회전 진행 방향측의 단부가, 끝이 가늘게 형성되고 선단이 예각 형상을 가져도 좋다. 이와 같이 하면, 회전 플레이트(23P)의 회전에 수반하여 웨이퍼 지지부(51)에 의해 난류가 야기되는 것을 방지할 수 있어, 웨이퍼(W) 상면의 액체를 비산시키지 않고 바깥쪽으로 흘릴 수 있다.Further, the shape of the wafer support portion 51 is not limited to that shown in the drawings, but can be modified in various ways. As shown in Fig. 12, for example, the wafer support portion 51 disposed on the rotation plate 23P is configured such that the end of the rotation plate 23P on the side in the rotation advancing direction has a sharp end and an acute tip good. This makes it possible to prevent turbulence from being caused by the wafer supporter 51 with the rotation of the rotation plate 23P and to allow the liquid on the upper surface of the wafer W to flow out without scattering.

또한, 웨이퍼 지지부(51)와, 파지 기구(23G)의 파지부(23A) 사이의 간격을 가능한 한 좁히는 것이 바람직하다. 이와 같이 하면, 액체가 웨이퍼(W)의 상면을 흘러 파지부(23A)에 충돌하고, 웨이퍼 지지부(51)와 파지부(23A) 사이로부터 들어가 웨이퍼(W)의 하면에 부착되는 것을 저감할 수 있다. 따라서, 웨이퍼(W) 하면의 에지 근방에서의 파티클의 발생을 보다 효과적으로 저감하는 것이 가능해진다. 또한, 웨이퍼(W)의 상면에는 액에 의한 액막이 형성되어 있기 때문에, 웨이퍼(W)의 상면에 파티클이 잔존하는 경우는 거의 없다. It is also preferable to narrow the gap between the wafer support portion 51 and the grip portion 23A of the grip mechanism 23G as much as possible. This prevents the liquid from flowing on the upper surface of the wafer W and colliding against the gripping portion 23A and coming in between the wafer supporting portion 51 and the gripping portion 23A and adhering to the lower surface of the wafer W have. Therefore, it is possible to more effectively reduce the generation of particles in the vicinity of the edge of the lower surface of the wafer W. [ Since the liquid film is formed on the upper surface of the wafer W, particles do not remain on the upper surface of the wafer W. [

또한, 전술한 실시형태에서는, 파지 기구(23G)의 파지부(23A)가 웨이퍼(W)의 에지를 압박하는 것에 의해 웨이퍼(W)가 파지되었지만, 웨이퍼(W)를 저속으로(예컨대 10 rpm 내지 50 rpm 정도로) 회전시키면서, 웨이퍼(W)의 상면에 DIW를 공급하여 상면을 세정하는 등의 경우에는, 파지 기구(23G)에 의한 파지는 불필요하고, 따라서, 액처리 장치(1)에 파지 기구(23G)를 마련하지 않아도 좋다. Although the wafer W is gripped by the gripping portion 23A of the gripping mechanism 23G pressing the edge of the wafer W in the above-described embodiment, the wafer W is moved at a low speed It is unnecessary to grasp the upper surface of the wafer W by the gripping mechanism 23G in the case of cleaning the upper surface by supplying DIW to the upper surface of the wafer W while rotating the wafer W The mechanism 23G may not be provided.

또한, 전술한 실시형태에서는, 6개의 웨이퍼 지지부(51)가 마련되어 있었지만, 이것에 한정되지 않고, 원하는 수의 웨이퍼 지지부(51)를 마련하여도 좋다. 또한 회전 플레이트(23P) 위의 인접하는 2개의 웨이퍼 지지부(51) 사이에서, 회전 플레이트(23P)의 둘레 가장자리[절결부(C2)를 포함]를 따른 융기부를 마련하여도 좋다. 이 경우, 융기부는, 웨이퍼 지지부(51)에 의해 지지되는 웨이퍼(W)와 회전 플레이트(23P) 사이의 간격보다 작은 높이를 갖고 있는 것이 바람직하다. 이것에 의하면, 융기부와 웨이퍼(W) 사이의 간격은, 웨이퍼(W)와 회전 플레이트(23P) 사이의 간격보다 좁아지기 때문에, 웨이퍼(W)와 회전 플레이트(23P) 사이의 공간을 흐르는 N2 가스를 보다 고속으로 분출시키는 것이 가능해진다. 따라서, 2개의 웨이퍼 지지부(51) 사이에서의 웨이퍼(W)의 하면에 대한 액체의 부착을 저감할 수 있다. In the above-described embodiment, six wafer supporting portions 51 are provided. However, the present invention is not limited to this, and a desired number of wafer supporting portions 51 may be provided. It is also possible to provide a ridge along the peripheral edge (including the cutout C2) of the rotary plate 23P between the adjacent two wafer support portions 51 on the rotary plate 23P. In this case, it is preferable that the raised portion has a height smaller than a distance between the wafer W supported by the wafer supporting portion 51 and the rotation plate 23P. The distance between the ridge portion and the wafer W is narrower than the distance between the wafer W and the rotary plate 23P so that the distance between the wafer W and the rotary plate 23P is N 2 It becomes possible to jet the gas at a higher speed. Therefore, adhesion of the liquid to the lower surface of the wafer W between the two wafer supporting portions 51 can be reduced.

또한, 전술한 실시형태에서는, 반도체 웨이퍼를 액처리하는 경우를 예로 설명했지만, FPD용 유리 기판을 액처리하는 경우에도 본 발명을 적용할 수 있다. In the above-described embodiment, the case where the semiconductor wafer is subjected to the liquid treatment has been described as an example, but the present invention can also be applied to the case where the glass substrate for FPD is subjected to the liquid treatment.

Claims (16)

회전 구동부에 의해 회전되는 회전판과,
상기 회전판의 둘레 가장자리를 따라 연장되고, 기판의 둘레 가장자리를 지지하는 기판 지지부와,
상기 기판 지지부의 상단에 마련되고, 상기 기판을 상기 기판 지지부에 안내하는 안내부와,
상기 기판 지지부에 의해 상기 둘레 가장자리가 지지되는 상기 기판에 대하여 위쪽으로부터 액체를 공급하는 공급부
를 구비하며,
상기 안내부는, 상기 회전판의 둘레 방향을 따라 3개 이상 마련되고, 상기 기판 지지부에 의해 상기 둘레 가장자리가 지지되는 상기 기판의 표면보다 높은 높이를 갖는 것을 특징으로 하는 기판 액처리 장치. A rotating plate rotated by the rotation driving unit,
A substrate supporting portion extending along a periphery of the rotation plate and supporting a peripheral edge of the substrate,
A guide portion provided at an upper end of the substrate supporting portion and guiding the substrate to the substrate supporting portion,
And a supply part for supplying liquid from above to the substrate supported by the peripheral edge by the substrate supporting part,
And,
Wherein at least three guide portions are provided along the circumferential direction of the rotary plate and have a height higher than a surface of the substrate on which the peripheral edge is supported by the substrate supporting portion. 제1항에 있어서, 상기 기판 지지부는, 상기 안내부의 양측에 연장되어 있고, 상기 회전판의 둘레 방향을 따른 상기 기판 지지부의 길이가, 상기 회전판의 둘레 방향을 따른 상기 안내부의 길이보다 긴 것을 특징으로 하는 기판 액처리 장치. 2. The apparatus according to claim 1, wherein the substrate supporting portion extends on both sides of the guide portion, and the length of the substrate supporting portion along the circumferential direction of the rotation plate is longer than the length of the guide portion along the circumferential direction of the rotation plate And the substrate liquid processing apparatus. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 기판 지지부와 상기 회전판 사이에 간극이 없는 것을 특징으로 하는 기판 액처리 장치. The substrate liquid processing apparatus according to claim 1 or 2, wherein there is no clearance between the substrate support portion and the rotation plate. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 기판 지지부는, 상기 회전판의 중심측에 근접함에 따라 낮아지는 경사면으로서 형성된 기판 지지면을 가지며, 이 기판 지지면 위에 기판이 지지되는 것을 특징으로 하는 기판 액처리 장치. 3. The substrate holder according to claim 1 or 2, characterized in that the substrate supporting portion has a substrate supporting surface formed as an inclined surface which is lowered as approaching the center side of the rotation plate, and the substrate is supported on the substrate supporting surface Processing device. 제4항에 있어서, 상기 기판 지지부는, 상기 기판 지지면의 외측 둘레에 상면 평탄부를 갖는 것을 특징으로 하는 기판 액처리 장치. 5. The substrate liquid processing apparatus according to claim 4, wherein the substrate supporting portion has an upper surface flat portion on an outer periphery of the substrate supporting surface. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 안내부는, 상기 회전판의 중심측에 근접함 에 따라 낮아지도록 경사지는 안내면을 갖는 것을 특징으로 하는 기판 액처리 장치. 3. The substrate liquid processing apparatus according to claim 1 or 2, wherein the guide portion has a guide surface that is inclined so as to become lower as approaching the center side of the rotary plate. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 회전판 및 상기 기판 지지부는 제1 절결부를 가지며, 상기 제1 절결부는, 상기 기판 지지부와의 사이에서 상기 기판을 전달하는 반송 아암에 구비되는 기판 유지 클로에 대응한 위치에 마련되고, 상기 제1 절결부를 통해 상기 기판 유지 클로가 상하로 빠져나갈 수 있는 것을 특징으로 하는 기판 액처리 장치. The substrate holder according to claim 1 or 2, wherein the rotation plate and the substrate support have a first notch, and the first notch includes a substrate holding part provided on a transfer arm for transferring the substrate between the substrate support part and the substrate support Wherein the substrate holding claw is provided at a position corresponding to the claw, and the substrate holding claw can be vertically passed through the first cutout portion. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 기판 지지부는 제2 절결부를 가지며, 상기 제2 절결부에, 상기 기판 지지부에 의해 지지되는 상기 기판의 둘레 가장자리를 측방으로부터 누르는 압박부를 포함하는 기판 파지 기구가 마련되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 액처리 장치. The substrate holding apparatus according to claim 1 or 2, wherein the substrate supporting portion has a second cutout portion, and the second cutout portion includes a pressing portion that presses the peripheral edge of the substrate supported by the substrate supporting portion from a side And a mechanism is provided on the substrate. 제7항에 있어서, 상기 기판 지지부의 상기 회전판의 회전 진행 방향측의 단부가, 예각 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 기판 액처리 장치. The substrate liquid processing apparatus according to claim 7, wherein an end portion of the substrate supporting portion on the rotation advancing direction side of the rotation plate has an acute angle shape. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 회전판의 회전 중심을 따라 연장되어 상기 회전 구동부에 접속되고, 상기 회전 구동부의 회전력을 상기 회전판에 전달하는 회전축부를 더 구비하며,
상기 회전축부에는, 상기 회전판과, 상기 기판 지지부에 의해 상기 둘레 가장자리가 지지되는 상기 기판 사이에 기체를 공급하는 공급관이 마련되는 것인 기판 액처리 장치. 3. The apparatus according to claim 1 or 2, further comprising a rotation axis portion extending along a rotation center of the rotation plate and connected to the rotation drive portion and transmitting rotation force of the rotation drive portion to the rotation plate,
Wherein the rotary shaft portion is provided with a supply pipe for supplying gas between the rotary plate and the substrate on which the peripheral edge is supported by the substrate supporting portion. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 공급부는, 상기 기판의 상면에 접하여 상기 상면을 세정하는 세정 부재를 포함하는 것인 기판 액처리 장치. 3. The substrate liquid processing apparatus according to claim 1 or 2, wherein the supplying section includes a cleaning member for cleaning the upper surface in contact with the upper surface of the substrate. 회전 구동부에 의해 회전되는 회전판과,
상기 회전판의 둘레 가장자리를 따라 연장되고, 기판의 둘레 가장자리를 지지하는 기판 지지부와,
상기 기판 지지부의 상단에 마련되고, 상기 기판을 상기 기판 지지부에 안내하는 안내부와,
상기 기판 지지부에 의해 상기 둘레 가장자리가 지지되는 상기 기판에 대하여 위쪽으로부터 액체를 공급하는 공급부
를 구비하며,
상기 안내부는, 상기 회전판의 둘레 방향을 따라 적어도 3개 이상 마련되고, 상기 기판 지지부에 의해 상기 둘레 가장자리가 지지되는 상기 기판의 표면보다 높은 높이를 갖는 것인 액처리 장치를 제어하는 기판 액처리 장치의 제어 방법으로서,
상기 안내부에 의해 상기 기판을 상기 기판 지지부에 안내하고, 상기 기판의 둘레 가장자리를, 상기 기판 지지부에 마련되며, 상기 회전판의 중심측에 근접함에 따라 낮아지는 기판 지지면 위에 지지시키는 단계와,
상기 기판을 회전시키는 단계, 그리고
상기 기판에 대하여 액체를 공급하는 단계
를 포함하는 기판 액처리 장치의 제어 방법. A rotating plate rotated by the rotation driving unit,
A substrate supporting portion extending along a periphery of the rotation plate and supporting a peripheral edge of the substrate,
A guide portion provided at an upper end of the substrate supporting portion and guiding the substrate to the substrate supporting portion,
And a supply part for supplying liquid from above to the substrate supported by the peripheral edge by the substrate supporting part,
And,
Wherein the guide portion is provided with at least three or more along the circumferential direction of the rotary plate and has a height higher than a surface of the substrate on which the peripheral edge is supported by the substrate supporting portion, As control method,
Guiding the substrate to the substrate supporting portion by the guide portion and supporting a peripheral edge of the substrate on a substrate supporting surface which is provided on the substrate supporting portion and becomes lower as approaching the center side of the rotation plate;
Rotating the substrate, and
Supplying a liquid to the substrate
And a controller for controlling the substrate liquid processing apparatus. 제12항에 있어서, 상기 회전판 및 상기 기판 지지부에 절결부가 마련되어 있고,
상기 기판의 둘레 가장자리를 상기 기판 지지면 위에 지지시키는 단계는, 상기 기판 지지부와의 사이에서 상기 기판을 전달하는 반송 아암에 구비되는 기판 유지 클로가 상기 절결부를 통해 빠져나가게 하는 단계를 포함하는 것인 기판 액처리 장치의 제어 방법. [12] The apparatus of claim 12, wherein the rotation plate and the substrate supporting unit are provided with notches,
And the step of supporting the peripheral edge of the substrate on the substrate supporting surface includes allowing the substrate holding claw provided in the transfer arm to transfer the substrate between the substrate supporting portion and the substrate supporting surface through the cutout portion And a control unit for controlling the substrate liquid processing apparatus. 제12항 또는 제13항에 있어서, 상기 기판의 둘레 가장자리를 상기 기판 지지면 위에 지지시키는 단계는, 상기 기판 지지면 위에 지지된 상기 기판의 둘레 가장자리를 측방으로부터 압박하는 것에 의해 상기 기판을 파지하는 단계를 포함하는 것인 기판 액처리 장치의 제어 방법. The method as claimed in claim 12 or 13, wherein the step of supporting the peripheral edge of the substrate on the substrate supporting surface comprises: pressing the peripheral edge of the substrate supported on the substrate supporting surface from the side, Wherein the step of controlling the substrate liquid processing apparatus comprises the steps of: 제12항 또는 제13항에 있어서, 상기 액체를 공급하는 단계는, 상기 기판의 상면을 세정하는 세정 부재를, 상기 기판 지지부에 의해 지지된 상기 기판의 상기 상면에 접촉시키는 단계를 포함하는 것인 기판 액처리 장치의 제어 방법. 14. The method of claim 12 or 13, wherein the step of supplying liquid comprises the step of bringing a cleaning member, which cleans the upper surface of the substrate, into contact with the upper surface of the substrate supported by the substrate support A method of controlling a substrate liquid processing apparatus. 제12항 또는 제13항에 있어서, 상기 기판 지지부에 의해 지지된 상기 기판과 상기 회전판 사이의 공간에 불활성 가스를 공급하는 단계를 더 포함하는 것인 기판 액처리 장치의 제어 방법. 14. The method according to claim 12 or 13, further comprising the step of supplying an inert gas to a space between the substrate and the rotating plate supported by the substrate supporting portion.
KR1020137006291A 2011-09-08 2012-09-05 Substrate liquid processing device, and control method thereof KR101682748B1 (en)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011196024A JP5726686B2 (en) 2011-09-08 2011-09-08 Liquid processing apparatus and method for controlling liquid processing apparatus
JPJP-P-2011-196024 2011-09-08
PCT/JP2012/072586 WO2013035731A1 (en) 2011-09-08 2012-09-05 Liquid treatment apparatus for substrate, and method for controlling liquid treatment apparatus for substrate

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20140058391A true KR20140058391A (en) 2014-05-14
KR101682748B1 KR101682748B1 (en) 2016-12-12

Family

ID=47832176

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020137006291A KR101682748B1 (en) 2011-09-08 2012-09-05 Substrate liquid processing device, and control method thereof

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP5726686B2 (en)
KR (1) KR101682748B1 (en)
TW (1) TWI517283B (en)
WO (1) WO2013035731A1 (en)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160094276A (en) * 2015-01-30 2016-08-09 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 Substrate processing apparatus and substrate processing method
KR20170113090A (en) * 2016-03-28 2017-10-12 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 Liquid processing apparatus
KR20210122198A (en) * 2020-03-31 2021-10-08 시바우라 메카트로닉스 가부시끼가이샤 Substrate processing device
US12005482B2 (en) 2020-03-31 2024-06-11 Shibaura Mechatronics Corporation Substrate treatment device

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6416723B2 (en) * 2014-11-21 2018-10-31 東京エレクトロン株式会社 Substrate processing system
JP6402087B2 (en) * 2015-11-16 2018-10-10 東京エレクトロン株式会社 Liquid processing equipment
JP6836913B2 (en) * 2017-01-17 2021-03-03 東京エレクトロン株式会社 Substrate processing equipment, substrate processing method, and storage medium
JP2019140220A (en) 2018-02-09 2019-08-22 東芝メモリ株式会社 Semiconductor processing device and semiconductor processing method

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10209254A (en) * 1997-01-24 1998-08-07 Tokyo Electron Ltd Rotation processor
JP2004146708A (en) * 2002-10-28 2004-05-20 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Device and system for processing substrate
JP2004235235A (en) * 2003-01-28 2004-08-19 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Device and method for treating substrate

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100809594B1 (en) * 2006-09-12 2008-03-04 세메스 주식회사 Chucking member and spin head, method for chucking a substrate using the chucking member
JP5390824B2 (en) * 2008-10-10 2014-01-15 大日本スクリーン製造株式会社 Substrate processing equipment

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10209254A (en) * 1997-01-24 1998-08-07 Tokyo Electron Ltd Rotation processor
JP2004146708A (en) * 2002-10-28 2004-05-20 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Device and system for processing substrate
JP2004235235A (en) * 2003-01-28 2004-08-19 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Device and method for treating substrate

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160094276A (en) * 2015-01-30 2016-08-09 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 Substrate processing apparatus and substrate processing method
KR20170113090A (en) * 2016-03-28 2017-10-12 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 Liquid processing apparatus
KR20210122198A (en) * 2020-03-31 2021-10-08 시바우라 메카트로닉스 가부시끼가이샤 Substrate processing device
US12005482B2 (en) 2020-03-31 2024-06-11 Shibaura Mechatronics Corporation Substrate treatment device

Also Published As

Publication number Publication date
TWI517283B (en) 2016-01-11
JP2013058607A (en) 2013-03-28
WO2013035731A1 (en) 2013-03-14
TW201324654A (en) 2013-06-16
JP5726686B2 (en) 2015-06-03
KR101682748B1 (en) 2016-12-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101682748B1 (en) Substrate liquid processing device, and control method thereof
US8997822B2 (en) Substrate inverting device, substrate inverting method, and peeling system
JP4976949B2 (en) Substrate processing equipment
US11148150B2 (en) Liquid dispensing nozzle and substrate treating apparatus
US20090070946A1 (en) Apparatus for and method of processing substrate
US20220059357A1 (en) Substrate processing method and substrate processing apparatus
KR102465094B1 (en) Substrate processing apparatus, substrate processing method and recording medium
US9919509B2 (en) Peeling device, peeling system and peeling method
US9165758B2 (en) Peeling system, peeling method, and computer storage medium
US20170278727A1 (en) Liquid processing apparatus
US6364547B1 (en) Solution processing apparatus
US10331049B2 (en) Substrate cleaning device and substrate processing apparatus including the same
CN108701607B (en) Substrate processing apparatus, substrate processing method, and program recording medium
JP3958572B2 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
CN112439737A (en) Apparatus and method for processing substrate
JP6914050B2 (en) Board processing equipment
CN115565925A (en) Substrate processing apparatus and method for cleaning antifogging material
TW202213607A (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
KR102159929B1 (en) Substrate treatment method
JP5970102B2 (en) Liquid processing equipment
JP2017059784A (en) Cup washing jig, substrate liquid processing device for washing cup using the same, and cup washing method
KR20210028788A (en) Apparatus and method for treating a substrate
JP6395673B2 (en) Substrate processing equipment
JP2015170637A (en) Substrate liquid processing device and substrate liquid processing method
WO2004036633A1 (en) Liquid processing device

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
A302 Request for accelerated examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20191118

Year of fee payment: 4