KR20140001297A - Apparatus for preventing from corrosion - Google Patents

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Abstract

The present invention relates to a corrosion preventing apparatus and, more specifically, to a corrosion preventing apparatus which is capable of preventing a corrosion phenomenon generated in an electronic product or a metal structure including a bridge, a water supply and drainage pipe, and a gas pipe, etc. without the use of an expendable sacrifice anode material. According to the present invention, the corrosion preventing apparatus comprises: a macroelectrode combined to one side of the metal structure; an ion conductive layer formed between the metal structure and the macroelectrode; and a voltage follower part, where an input side is connected to the macroelectrode, and an output side is connected to the metal structure, for applying a voltage, which is the same size as a voltage applied to the input side from the macroelectrode, to the metal structure through the output side. According to the present invention, costs, which are required for corrosion prevention of the metal structure, are reduced since corrosion of the metal structure can be prevented by using the macroelectrode which is made of a comparatively low price metal material instead of using an expensive expendable material such as a sacrifice anode material.

Description

장착이 편리한 부식 방지 장치 {Apparatus for preventing from corrosion}Anti-corrosion device for easy installation {Apparatus for preventing from corrosion}

본 발명은 장착이 편리한 부식 방지 장치에 관한 것이다. 보다 상세하게는 교량, 상하수도관, 또는 가스관 등의 금속 구조물 또는 전자 제품 등에서 발생할 수 있는 부식 현상을 소모성 희생 양극재의 사용 없이 방지할 수 있는 부식 방지 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a corrosion protection device that is convenient for mounting. More specifically, the present invention relates to a corrosion prevention apparatus capable of preventing corrosion phenomenon that may occur in a metal structure such as a bridge, a water and sewage pipe, a gas pipe, or an electronic product without using a consumable sacrificial cathode material.

일반적으로 교량, 상하수도관, 또는 가스관 등과 같은 공공시설 성격이 강한 금속 구조물의 경우 지하 또는 수중에 위치하는 경우가 많아 부식이 발생할 확률이 높아지게 되며, 금속 구조물에서 부식이 발생하는 경우 최초 설치 시의 강도 및 내구성을 유지하기 힘들게 되므로 안전 사고(1967년 12월 미국의 프레즌트 교의 전면 붕괴 사고와 1996년 서울의 성수대교 붕괴사고 등)의 발생 위험성이 높아지며 이를 방지하기 위해 필연적으로 이루어지는 보수 작업에 의한 막대한 비용 소모(일 예로 미국에서는 1992년 철구조물의 보수 비용으로만 127백만 달러를 소모함)를 줄이기 위해 부식 방지에 대한 필요성이 강하게 요구된다 할 수 있다.In general, metal structures with strong public characteristics, such as bridges, water and sewage pipes, or gas pipes, are often located underground or underwater, increasing the probability of corrosion. And it is difficult to maintain durability, which increases the risk of safety accidents (such as the collapse of the Presence Bridge in the United States in December 1967 and the collapse of Seongsu Bridge in Seoul in 1996). There is a strong need for corrosion protection to reduce costs (for example, in the US, $ 127 million in repair costs for steel structures in 1992).

이에 더하여, 가정이나 산업 현장에서 사용되며 금속 구조물을 일정 포함하는 전자 제품의 경우에도 부분적인 부식이 발생하는 경우 전자 제품의 성능을 저하시킬 수 있으므로 전자 제품의 부식 방지에 대한 필요성 또한 요구된다.In addition, even in the case of electronic products used in homes or industrial sites and including a certain metal structure, there is also a need for preventing corrosion of electronic products since partial corrosion may degrade the performance of electronic products.

일반적인 금속 구조물 또는 전자 제품에 대한 부식 방지 방법으로는 도장 또는 도금 등과 같은 표면 처리법이 주로 활용되고 있으나, 표면 처리법의 경우 설치 비용의 증가를 야기함과 동시에 부식 방지 기간이 제한적이므로 근본적으로 부식을 방지하는데 있어서 한계점을 갖는 문제점이 있었다.Surface treatment methods such as painting or plating are mainly used as corrosion protection methods for general metal structures or electronic products.However, surface treatment methods increase the installation cost and limit corrosion protection periods. There was a problem with the limitations.

도 1 및 도 2는 종래의 금속 구조물에 대한 부식 방지 방법의 참고도이다.1 and 2 are reference diagrams of a corrosion prevention method for a conventional metal structure.

먼저, 종래의 경우 도 1에 도시된 바와 같이 마그네슘 또는 아연 등과 같은 금속을 금속 구조물에 전기적으로 연결한 후 금속 구조물의 부식을 대신하도록 하는 희생 양극재로 사용하는 방법이 활용되고 있다.First, as shown in FIG. 1, a method of using a sacrificial cathode material that electrically connects a metal such as magnesium or zinc to a metal structure and replaces the corrosion of the metal structure is used.

그러나, 희생 양극재를 이용한 방법은 마그네슘 또는 아연 등이 비교적 고가의 금속이므로 비용이 많이 소모되고, 주기적으로 희생 양극재를 교체해주어야 하는 문제점이 있었다.However, the method using the sacrificial cathode material is expensive because magnesium or zinc is a relatively expensive metal, and there is a problem in that the sacrificial cathode material needs to be replaced periodically.

다음으로, 도 2에 도시된 바와 같이 역전류에 의한 전기화학적 방법을 이용하여 금속 구조물의 부식을 방지하는 방법이 있었으나, 상기와 같은 전기화학적 방식을 이용한 부식 방지 방법의 경우 일정한 전압 및 전류를 인가하기 위한 회로의 구성이 복잡해지고 인위적으로 전압이나 전류를 인가할 경우 예기치 못한 오작동을 유발하기 쉬운 문제점이 있었다.Next, as shown in FIG. 2, there was a method of preventing corrosion of a metal structure by using an electrochemical method by reverse current. However, in the case of the corrosion prevention method using the electrochemical method, a constant voltage and current are applied. In order to complicate the configuration of the circuit and artificially apply voltage or current, there was a problem of causing unexpected malfunction.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하고자 안출된 것으로 소모성 재료인 희생 양극재를 사용하는 대신 금속 구조물 및 금속 구조물에 비해 이온화 경향이 큰 금속 소재와 액체 사이에 발생되는 전압 차이를 이용하여 습한 환경에 배치되는 모든 종류의 금속 구조물에서의(특히 철을 주성분으로 하는 금속 구조물) 부식을 방지할 수 있는 부식 방지 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.The present invention has been made to solve the above problems, instead of using a sacrificial cathode material, which is a consumable material, in a humid environment by using a voltage difference generated between a metal material and a liquid having a greater ionization tendency than the metal structure and the metal structure. It is an object of the present invention to provide a corrosion protection device capable of preventing corrosion in all kinds of metal structures to be disposed (particularly, iron-based metal structures).

또한, 본 발명은 금속 구조물 측으로 음전압을 인가하여 금속 구조물 내의 전압을 평형 부식전압에서 음전압으로 변위 시킴으로써 금속 구조물에서의 부식 반응을 원천적으로 방지할 수 있는 부식 방지 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.In addition, an object of the present invention is to provide a corrosion protection device that can prevent the corrosion reaction in the metal structure by shifting the voltage in the metal structure from the equilibrium corrosion voltage to a negative voltage by applying a negative voltage to the metal structure side. .

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 부식 방지 장치는 금속 구조물의 부식 방지 장치에 있어서 상기 금속 구조물 일측에 결합되는 대전극; 상기 금속 구조물과 상기 대전극 사이에 형성되는 이온 전도층; 및입력 측이 상기 대전극과 연결되고 출력 측이 상기 금속 구조물과 연결되며 상기 대전극으로부터 상기 입력 측으로 인가되는 전압과 동일한 크기의 전압을 상기 출력 측을 통하여 상기 금속 구조물로 인가하는 전압 폴로워부를 포함하는 것을 특징으로 한다.Corrosion protection device according to a preferred embodiment of the present invention for achieving the above object is a corrosion electrode of the metal structure in the counter electrode coupled to one side of the metal structure; An ion conductive layer formed between the metal structure and the counter electrode; And a voltage follower unit configured to connect the input electrode to the counter electrode, the output side to the metal structure, and apply a voltage having the same magnitude as the voltage applied from the counter electrode to the input side to the metal structure through the output side. It is characterized by including.

또한, 상기 대전극은 구리, 황동, 청동, 스테인리스, 강철, 납, 알루미늄, 마그네슘, 또는 아연 소재로 형성될 수 있다.In addition, the counter electrode may be formed of copper, brass, bronze, stainless steel, steel, lead, aluminum, magnesium, or zinc.

또한, 상기 입력 측과 상기 대전극 사이에 연결되어 상기 대전극으로부터 상기 입력 측으로 인가되는 전압의 크기를 조절하는 전압 조절부를 더 포함할 수 있다.The apparatus may further include a voltage controller connected between the input side and the counter electrode to adjust a magnitude of a voltage applied from the counter electrode to the input side.

또한, 상기 이온 전도층은 친수성 폴리머 또는 실리콘 소재로 형성될 수 있다.In addition, the ion conductive layer may be formed of a hydrophilic polymer or a silicon material.

또한, 상기 전압 폴로워부는 일측이 상기 대전극 타측에 결합되는 기판 타측에 결합될 수 있다.In addition, the voltage follower unit may be coupled to the other side of the substrate, one side of which is coupled to the other side of the counter electrode.

또한, 일측이 상기 금속 구조물의 일측에 결합되고 상기 이온 전도층, 상기 대전극, 상기 기판, 및 상기 전압 폴로워부를 밀폐하는 덮개부를 더 포함할 수 있다.In addition, one side may further include a cover portion coupled to one side of the metal structure and sealing the ion conductive layer, the counter electrode, the substrate, and the voltage follower.

또한, 상기 기판을 상기 대전극에 고정시키는 제1 고정핀, 및 상기 덮개부를 상기 금속 구조물에 고정시키는 제2 고정핀을 더 포함할 수 있다.The display device may further include a first fixing pin for fixing the substrate to the counter electrode, and a second fixing pin for fixing the cover part to the metal structure.

또한, 상기 제1 고정핀 및 상기 제2 고정핀은 도전성 소재로 형성될 수 있다.In addition, the first fixing pin and the second fixing pin may be formed of a conductive material.

또한, 상기 덮개부는 타측의 일 지점이 개방될 수 있다.In addition, the cover portion may be opened at one point of the other side.

본 발명에 의하면 희생 양극재와 같은 고가의 소모성 소재를 사용하는 대신 비교적 저가의 금속 소재로 형성되는 대전극을 이용하여 금속 구조물의 부식을 방지할 수 있으므로 금속 구조물의 부식 방지를 위해 소요되는 비용을 크게 절감할 수 있는 효과를 갖는다.According to the present invention, instead of using an expensive consumable material such as a sacrificial cathode material, it is possible to prevent corrosion of the metal structure by using a counter electrode formed of a relatively inexpensive metal material, thereby reducing the cost of corrosion of the metal structure. It has an effect that can greatly reduce.

또한, 금속 구조물의 전압을 평형 부식전압에서 음전압으로 변위시켜 금속 구조물에서의 부식 반응을 원천적으로 봉쇄함으로써 금속 구조물의 내구성을 향상시킬 수 있는 효과를 갖는다.In addition, by shifting the voltage of the metal structure from the equilibrium corrosion voltage to a negative voltage, thereby blocking the corrosion reaction in the metal structure at the source has the effect of improving the durability of the metal structure.

또한, 전원 공급부를 포함하는 일체형 구성 또는 패키지 형태의 구성이 가능하여 설계와 제작이 간편해지며 금속 구조물의 설치 환경에 무관하게 활용될 수 있는 효과를 갖는다.In addition, it is possible to configure in the form of an integrated configuration or a package including a power supply, it is easy to design and manufacture and has an effect that can be utilized regardless of the installation environment of the metal structure.

도 1 및 도 2는 종래의 금속 구조물에 대한 부식 방지 방법의 참고도,
도 3은 본 발명의 제1 실시예 및 제2 실시예에 따른 부식 방지 장치의 개념도,
도 4는 본 발명의 제1 실시예에 따른 부식 방지 장치의 단면도,
도 5는 본 발명의 제1 실시예에 따른 부식 방지 장치의 블록도,
도 6은 본 발명의 제1 실시예에 따른 부식 방지 장치의 동작에 대한 참고 그래프,
도 7은 본 발명의 제2 실시예에 따른 부식 방지 장치의 단면도, 및
도 8은 본 발명의 제1 실시예 및 제2 실시예에 다른 부식 방지 장치의 설치 참고도이다.1 and 2 is a reference diagram of a corrosion prevention method for a conventional metal structure,
3 is a conceptual diagram of a corrosion preventing apparatus according to a first embodiment and a second embodiment of the present invention;
4 is a cross-sectional view of a corrosion preventing apparatus according to a first embodiment of the present invention;
5 is a block diagram of a corrosion preventing apparatus according to a first embodiment of the present invention;
6 is a reference graph for the operation of the corrosion preventing apparatus according to the first embodiment of the present invention;
7 is a sectional view of a corrosion preventing apparatus according to a second embodiment of the present invention, and
8 is an installation reference diagram of a corrosion preventing apparatus according to the first and second embodiments of the present invention.

이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부한 도면들을 참조하여 상세하게 설명한다. 우선 각 도면의 구성 요소들에 참조 부호를 첨가함에 있어서, 동일한 구성 요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가지도록 하고 있음에 유의해야 한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다. 또한, 이하에서 본 발명의 바람직한 실시예를 설명할 것이나, 본 발명의 기술적 사상은 이에 한정하거나 제한되지 않고 당업자에 의해 실시될 수 있음은 물론이다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the drawings, the same reference numerals are used to designate the same or similar components throughout the drawings. In the following description of the present invention, a detailed description of known functions and configurations incorporated herein will be omitted when it may make the subject matter of the present invention rather unclear. Further, the preferred embodiments of the present invention will be described below, but it is needless to say that the technical idea of the present invention is not limited thereto and can be practiced by those skilled in the art.

도 3은 본 발명의 제1 실시예 및 제2 실시예에 따른 부식 방지 장치의 개념도이다.3 is a conceptual diagram of a corrosion preventing apparatus according to a first embodiment and a second embodiment of the present invention.

도 3에 도시된 바와 같이 본 발명의 제1 실시예 및 제2 실시예에 따른 부식 방지 장치의 경우 입력 전압과 동일한 크기의 출력 전압을 갖는 전압 폴로워부(30a)의 출력단이 부식 방지 대상물인 금속 구조물(ST)에 연결되고 전압 폴로워부(30a)의 양의 입력단이 금속 구조물(ST)에 비해 이온화 경향이 큰 금속(예를 들어, 알루미늄, 구리, 아연, 스테인리스 등)인 대전극(10a)과 연결되며, 금속 구조물(ST)과 대전극(10a) 사이에 형성되는 이온 전도층(40a)을 포함하여 구성될 수 있다.As shown in FIG. 3, in the corrosion preventing apparatus according to the first and second embodiments of the present invention, the output terminal of the voltage follower 30a having the output voltage having the same magnitude as the input voltage is a metal to be protected from corrosion. The counter electrode 10a which is connected to the structure ST and whose positive input terminal of the voltage follower portion 30a is a metal (eg, aluminum, copper, zinc, stainless steel, etc.) having a greater ionization tendency than the metal structure ST. And an ion conductive layer 40a formed between the metal structure ST and the counter electrode 10a.

도 4는 본 발명의 제1 실시예에 따른 부식 방지 장치의 단면도, 도 5는 본 발명의 제1 실시예에 따른 부식 방지 장치의 블록도 이다.4 is a sectional view of a corrosion preventing apparatus according to a first embodiment of the present invention, and FIG. 5 is a block diagram of a corrosion preventing apparatus according to a first embodiment of the present invention.

도 4 및 도 5에 도시된 바와 같이 본 발명의 제1 실시예에 다른 부식 방지 장치(1a)는 대전극(10a), 기판(20a), 전압 폴로워부(30a), 이온 전도층(40a), 전원 커넥터부(50a)를 포함한다.4 and 5, the corrosion preventing apparatus 1a according to the first embodiment of the present invention includes a counter electrode 10a, a substrate 20a, a voltage follower 30a, and an ion conductive layer 40a. And a power connector portion 50a.

대전극(10a)은 금속 구조물(ST) 일측(다시 말해서, 금속 구조물(ST)과 이온 전도층(40a)의 접촉면에 대하여 반대측)에 결합된다.The counter electrode 10a is coupled to one side of the metal structure ST (that is, the side opposite to the contact surface of the metal structure ST and the ion conductive layer 40a).

이때, 대전극(10a)은 금속 구조물(ST)을 구성하는 금속의 종류에 따라 구리, 황동, 청동, 스테인리스, 강철, 납, 알루미늄, 마그네슘, 또는 아연 소재로 형성될 수 있는데, 이와 같이 대전극(10a)을 구리, 황동, 청동, 스테인리스, 강철, 납, 알루미늄, 마그네슘, 또는 아연 소재로 형성하는 이유는 금속 구조물(ST)을 구성하는 금속보다 이온화 경향이 큰 금속 소재로 형성하기 위함이며 예를 들어 금속 구조물(ST)이 철 소재로 형성되는 경우 대전극(10a)은 철보다 이온화 경향이 큰 알루미늄, 마그네슘, 또는 아연 소재로 형성될 수 있다.In this case, the counter electrode 10a may be formed of copper, brass, bronze, stainless steel, steel, lead, aluminum, magnesium, or zinc, depending on the type of metal constituting the metal structure ST. The reason for forming (10a) from a copper, brass, bronze, stainless steel, steel, lead, aluminum, magnesium, or zinc material is to form a metal material having a higher ionization tendency than the metal constituting the metal structure (ST). For example, when the metal structure ST is formed of an iron material, the counter electrode 10a may be formed of an aluminum, magnesium, or zinc material having a greater ionization tendency than iron.

전압 폴로워부(30a)는 외부의 전원 공급부(PS)로부터 동작을 위한 전압(Vcc)을 입력받으며, 입력 측(다시 말해서, 양의 입력단)이 대전극(10a)과 연결되고 음의 입력단과 연결되는 출력 측이 금속 구조물(ST)과 연결되어 대전극(10a)으로부터 입력 측으로 인가되는 전압과 동일한 크기의 전압을 출력 측을 통하여 금속 구조물(ST) 측으로 인가한다.Voltage follower wobu (30a) receives the input voltage (V cc) for operation from an external power supply (PS), the input side (that is, both the input terminal) is connected with the counter electrode (10a) and a negative input terminal and The connected output side is connected to the metal structure ST to apply a voltage having the same magnitude as that applied to the input side from the counter electrode 10a to the metal structure ST through the output side.

이에 따라, 금속 구조물(ST)에는 대전극(10a)에서 발생되는 자연적인 전압에 의해 일정한 전압이 인가될 수 있고 금속 구조물(ST)이 설치된 주변의 습기 상태에 따라 금속 구조물(ST) 측으로 소정의 전류가 인가될 수 있다.Accordingly, a constant voltage may be applied to the metal structure ST by a natural voltage generated from the counter electrode 10a, and the predetermined voltage may be applied to the metal structure ST according to the surrounding moisture state in which the metal structure ST is installed. Current can be applied.

또한, 상기와 같은 전압 폴로워부(30a)의 구성에 따라 결정되는 금속 구조물(ST)의 전압은 아래의 수학식과 같이 나타낼 수 있다.In addition, the voltage of the metal structure ST determined according to the configuration of the voltage follower 30a as described above may be represented by the following equation.

Figure pat00001
Figure pat00001

여기에서, Vinput은 전압 폴로워부(30a)의 입력 측(양의 입력단)의 전압, VRE는 전압 폴로워부(30a)의 출력 측으로부터 대전극(10a)으로 인가되는 전압, 및 VWE는 전압 폴로워부(30a)의 접지 전압을 의미한다.Here, V input is the voltage at the input side (positive input end) of the voltage follower 30a, V RE is the voltage applied to the counter electrode 10a from the output side of the voltage follower 30a, and V WE is It means the ground voltage of the voltage follower (30a).

이때, 전압 폴로워부(30a)의 양의 입력단 전압(Vinput)은 접지 전압이 더해져서 대전극(10a)의 내부 전압과 대전극(10a) 측으로 인가되는 전압에 의해 결정되는 값이므로 상기 수학식 1에 따라 결국 Vinput=VRE가 성립하게 되어 부식 대상물인 금속 구조물(ST)의 전압을 대전극(10a)의 재료에 따라 낮춰줄 수 있게 되므로, 결과적으로 금속 구조물(ST)의 부식 반응을 억제할 수 있게 된다.In this case, the positive input terminal voltage V input of the voltage follower 30a is a value determined by an internal voltage of the counter electrode 10a and a voltage applied to the counter electrode 10a side by adding a ground voltage. As a result, V input = V RE is finally established to lower the voltage of the metal structure ST, which is an object of corrosion, depending on the material of the counter electrode 10a. As a result, the corrosion reaction of the metal structure ST is reduced. It becomes possible to suppress it.

또한, 전원 폴로워부(30a)의 입력 측과 대전극(10a)의 연결 및 전원 폴로워부(30a)의 출력 측과 금속 구조물(ST)의 연결은 와이어 본딩에 의해 이루어질 수 있다.In addition, the input side of the power follower 30a and the counter electrode 10a and the output side of the power follower 30a and the metal structure ST may be connected by wire bonding.

또한, 전압 폴로워부(30a)는 도 3 내지 도 5에 도시된 바와 같이 입력 전압과 동일한 크기의 전압을 출력하는 전압 폴로워(voltage follower) 역할을 수행할 수 있는 오피 앰프(op-amp)일 수 있고, 일측이 대전극(10a)의 타측과 결합되는 기판(20a)의 타측에 결합될 수 있며, 기판(20a)은 인쇄 회로 기판(Printed Circuit Board:PCB)일 수 있다.In addition, the voltage follower 30a may be an op-amp that may serve as a voltage follower that outputs a voltage having the same magnitude as the input voltage as shown in FIGS. 3 to 5. One side may be coupled to the other side of the substrate 20a coupled to the other side of the counter electrode 10a, and the substrate 20a may be a printed circuit board (PCB).

또한, 전압 폴로워부(30a)의 동작을 위한 전압(Vcc)을 공급하는 전원 공급부는 본 발명의 제1 실시예에 따른 부식 방지 장치(1a)가 외부로부터의 전원 공급이 용이한 지역에 적용되는 경우 교류 전원을 정류한 후 직류 전원을 공급할 수 있는 직류 전원 공급 장치일 수 있고, 전원 공급이 용이하지 않은 지역에 적용되는 경우 솔라셀 어레이 및 솔라셀 어레이에서 발생하는 전기 에너지를 저장하는 축전지를 포함할 수 있으며, 상기 전원 공급부를 기판(20a)의 타측에 결합시켜 일체형으로 구성하는 것이 또한 가능하다.In addition, the power supply for supplying a voltage (V cc ) for the operation of the voltage follower (30a) is applied to the region where the corrosion prevention device (1a) according to the first embodiment of the present invention is easy to supply power from the outside If the power supply is rectified AC power supply may be a DC power supply that can supply DC power, when applied to a region where the power supply is not easy to store a battery that stores the electrical energy generated in the solar cell array and the solar cell array It may be included, it is also possible to combine the power supply to the other side of the substrate 20a to be configured integrally.

또한, 전압 폴로워부(30a)는 입력 측(다시 말해서, op-amp의 양의 입력단)과 대전극(20a) 사이에 연결되어 대전극(20a)으로부터 상기 입력 측으로 공급되는 전압의 크기를 조절하는 전압 조절부(32a)를 더 포함할 수 있다.In addition, the voltage follower 30a is connected between the input side (that is, the positive input terminal of the op-amp) and the counter electrode 20a to adjust the magnitude of the voltage supplied from the counter electrode 20a to the input side. The voltage adjusting unit 32a may further include.

이와 같이, 전압 폴로워부(30a)의 입력단과 대전극(20a) 사이에 전압 조절부(32a)를 연결하는 이유는 대전극(10a)을 구성하는 소재에 따라 전압 폴로워부(30a)의 입력 측으로 인가된 후 전압 폴로워부(30a)의 출력단에 인가되는 전압의 크기를 필요한 경우 조절할 수 있도록 하기 위함이며, 전압 조절부(32a)의 전압 크기 조절 범위는 300mV 내지 500mV일 수 있다.As such, the reason for connecting the voltage adjusting unit 32a between the input terminal of the voltage follower unit 30a and the counter electrode 20a is to the input side of the voltage follower unit 30a depending on the material of the counter electrode 10a. This is to adjust the magnitude of the voltage applied to the output terminal of the voltage follower 30a after being applied, if necessary, and the voltage range of the voltage regulator 32a may be 300mV to 500mV.

이온 전도층(40a)은 금속 구조물(ST)과 대전극(10a) 사이에 형성된다.The ion conductive layer 40a is formed between the metal structure ST and the counter electrode 10a.

이때, 이온 전도층(40a)은 친수성 폴리머 또는 실리콘 소재로 형성될 수 있으며, 본 발명의 제1 실시예에 따른 부식 방지 장치(1a)에 있어서 금속 구조물(ST)과 대전극(10a) 사이에 별도의 이온 전도층(40a)을 형성하는 이유를 설명하면 다음과 같다.In this case, the ion conductive layer 40a may be formed of a hydrophilic polymer or silicon material, and between the metal structure ST and the counter electrode 10a in the corrosion preventing apparatus 1a according to the first embodiment of the present invention. The reason for forming the separate ion conductive layer 40a is as follows.

친수성 폴리머 또는 실리콘 소재로 형성되는 이온 전도층(40a)의 경우 부식성 환경 다시 말해서 다습한 상태에서는 습기를 흡수하여 이온 전도성을 갖게 되므로 금속 구조물(ST)을 부식으로부터 보호할 수 있고, 비부식성 환경 다시 말해서 건조한 상태에서는 전압 폴로워부(30a)로부터 금속 구조물(ST) 측으로 출력되는 전류를 차단하여 본 발명의 제1 실시예에 따른 부식 방지 장치(1a)가 불필요한 전력을 소모하지 않도록 할 수 있다.In the case of the ion conductive layer 40a formed of a hydrophilic polymer or a silicon material, the metal structure ST can be protected from corrosion since the ion conductive layer 40a absorbs moisture in a humid state and thus has ion conductivity. In other words, in the dry state, the current output from the voltage follower 30a to the metal structure ST is cut off so that the corrosion preventing apparatus 1a according to the first embodiment of the present invention does not consume unnecessary power.

다시 말해서, 금속 구조물(ST) 주위의 습기가 증가하는 경우에는 이온 수지층(40a)의 습기 흡수에 의해 이온 수지층(40a)의 저항이 작아지게 되므로 대전극(10a)과 금속 구조물(ST) 사이의 전압을 유지하기 위해 전압 폴로워부(30a)로부터 대전극(10a)과 금속 구조물(ST) 측으로 많은 전류가 흐르게 되며, 이에 따라 금속 구조물(ST)의 부식 방지가 이루어질 수 있게 된다.In other words, when the moisture around the metal structure ST increases, the resistance of the ion resin layer 40a is reduced by the moisture absorption of the ion resin layer 40a, so that the counter electrode 10a and the metal structure ST are reduced. In order to maintain the voltage therebetween, a lot of current flows from the voltage follower part 30a to the counter electrode 10a and the metal structure ST, thereby preventing corrosion of the metal structure ST.

또한, 금속 구조물(ST) 주위가 건조해지는 경우에는 이온 수지층(40a)의 저항이 커지게 되므로 미량의 전류만으로도 대전극(10a)과 금속 구조물(ST) 사이의 전압이 결정될 수 있으므로, 전압 폴로워(30a)로부터 금속 구조물(ST) 측으로 출력되는 전류가 차단되어 불필요한 전력 소모를 방지할 수 있다.In addition, when the surroundings of the metal structure ST are dried, the resistance of the ion resin layer 40a is increased, so that the voltage between the counter electrode 10a and the metal structure ST may be determined by only a small amount of current. Current output from the war 30a to the metal structure ST may be cut off to prevent unnecessary power consumption.

이에 따라, 본 발명의 제1 실시예에 따른 부식 방지 장치(1a)의 경우 금속 구조물(ST) 주위의 환경(다시 말해서, 다습한 환경 또는 건조한 환경)에 따라 효율적으로 동작이 이루어질 수 있게 된다.Accordingly, in the case of the corrosion preventing apparatus 1a according to the first embodiment of the present invention, the operation can be efficiently performed according to the environment (that is, a humid environment or a dry environment) around the metal structure ST.

전원 커넥터부(50a)는 외부의 상기 전원 공급부와 연결되어 상기 전압 공급로부터 전압 폴로워부(30a)의 동작을 위한 전압(Vcc)이 공급되도록 한다.The power connector unit 50a is connected to the external power supply unit to supply a voltage V cc for operating the voltage follower unit 30a from the voltage supply.

도 6은 본 발명의 제1 실시예에 따른 부식 방지 장치의 동작에 대한 참고 그래프이다.6 is a reference graph for the operation of the corrosion prevention apparatus according to the first embodiment of the present invention.

도 3 내지 도 6을 참조하여 본 발명의 제1 실시예에 따른 부식 방지 장치(1a)의 동작을 설명하면 다음과 같다.The operation of the corrosion preventing apparatus 1a according to the first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 3 to 6 as follows.

일반적으로 금속 구조물(ST)이 부식된다는 것은 부식반응 또는 산화반응과 같이 금속의 일부가 이온 형태로 녹아나면서 산화물을 형성하는 것이라 할 수 있으며, 이를 금속 중 철을 예를 들어 설명하면 하기 수학식과 같이 나타낼 수 있다.In general, the corrosion of the metal structure ST may be referred to as forming an oxide while melting a part of the metal in an ionic form, such as a corrosion reaction or an oxidation reaction. Can be represented.

Figure pat00002
Figure pat00002

이때, 상기 수학식 2와 같은 부식 반응이 일어나기 위해서는 부식 반응에 따라 발생하는 전자를 받아주는 하기 수학식과 같은 환원 반응이 같이 동반되어야 하며, 최종적으로는 부식 반응의 속도와 이에 대응하는 환원 반응의 속도가 같아지게 된다.In this case, in order for the corrosion reaction as shown in Equation 2 to occur, a reduction reaction as shown in the following equation for receiving electrons generated by the corrosion reaction must be accompanied, and finally, the speed of the corrosion reaction and the corresponding reduction reaction are Become equal.

Figure pat00003
Figure pat00003

이와 같이, 상기 수학식 2와 같은 부식 반응과 상기 수학식 3과 같은 환원 반응이 같아지는 지점에서 금속의 특성 전압이 결정되는데 이를 부식 전압이라고 하며, 도 5에 도시된 바와 같이 특정 금속의 부식 반응과 환원 반응이 만나는 지점에서 평형 부식 전압이 형성되고 상기 평형 부식 전압에서의 부식 전류는 i0가 될 수 있다.As such, the characteristic voltage of the metal is determined at the point where the corrosion reaction as shown in Equation 2 and the reduction reaction as shown in Equation 3 is equal, which is called the corrosion voltage, as shown in FIG. 5. The equilibrium corrosion voltage is formed at the point where the and reduction reactions meet and the corrosion current at the equilibrium corrosion voltage can be i 0 .

또한, 상기 부식 전류를 아래의 수학식과 같이 나타낼 수 있다.In addition, the corrosion current can be expressed by the following equation.

Figure pat00004
Figure pat00004

여기에서, i0는 부식 전류를 의미하고, F는 패러데이(Faraday) 상수를 의미한다.Here, i 0 means corrosion current, and F means Faraday constant.

상기 수학식 4에 의해 i0가 높다는 것은 결과적으로 d[Fe2 +]/dt가 높아진다는 것 다시 말해서 금속의 부식 정도가 높아지는 것을 의미한다.The high i 0 by the equation (4) As a result, d [Fe + 2] / dt is higher will in other words means that the higher the degree of corrosion of the metal.

따라서, 금속 구조물(ST)에서의 부식 반응을 감소시키기 위해서는 부식 전류의 크기를 줄이는 것이 요구되며, 부식 반응에 대한 반응 속도는 아래의 수학식과 같이 나타낼 수 있다.Therefore, in order to reduce the corrosion reaction in the metal structure (ST), it is required to reduce the size of the corrosion current, the reaction rate for the corrosion reaction can be expressed by the following equation.

Figure pat00005
Figure pat00005

여기에서, R은 가스 상수(gas constant)를, K는 금속 구조물(ST)의 종류에 따라 변화하는 상수 값, F는 패러데이(Faraday) 상수, 및 V는 외부에서 금속 구조물(ST)에 인가되는 전압 값을 의미한다.Here, R is a gas constant, K is a constant value that varies depending on the type of metal structure ST, F is a Faraday constant, and V is applied to the metal structure ST from the outside. It means the voltage value.

상기 수학식 5와 같이 부식 반응에 대한 반응 속도는 자연지수에 비례하려 변화하므로 금속 구조물(ST)의 전압을 도 6에 도시된 평형 부식전압을 기준으로 조금만(예를 들어, 수십 mV) 낮추게 되더라도 도 6에 도시된 바와 같이 부식 전류가 i0에서 i1으로 현저히 줄어들어 부식 속도 또한 크게 감소하게 된다.As shown in Equation 5, since the reaction rate for the corrosion reaction is changed to be proportional to the natural index, even if the voltage of the metal structure ST is reduced slightly (for example, several tens mV) based on the equilibrium corrosion voltage shown in FIG. 6. As shown in FIG. 6, the corrosion current is significantly reduced from i 0 to i 1 , thereby greatly reducing the corrosion rate.

이와 같이, 금속 구조물(ST)의 부식을 방지하기 위해서는 금속 구조물(ST)의 부식 전압을 낮춰줄 필요가 있으므로, 도 3 내지 도 5에 도시된 바와 같이 전압 폴로워부(30a)의 출력 측을 금속 구조물(ST)과 연결하고 전압 폴로워부(30a)의 입력 측(다시 말해서 op-amp의 양의 입력단)과 금속 구조물(ST)보다 이온화 경향이 큰(부식이 잘 일어나는) 금속 소재로 형성되는 대전극(10a)을 연결하게 되면, 입력 전압과 출력 전압이 동일한 전압 폴로워부(30a)의 특성상 금속 구조물(ST)과 대전극(10a) 사이에는 동일한 크기의 전압이 걸리게 된다.In this way, in order to prevent corrosion of the metal structure ST, it is necessary to lower the corrosion voltage of the metal structure ST, and as shown in FIGS. 3 to 5, the output side of the voltage follower part 30a is made of metal. Charged to be connected to the structure ST and formed of a metal material having a higher tendency of ionization (prone to corrosion) than the input side of the voltage follower part 30a (that is, the positive input end of the op-amp) and the metal structure ST. When the poles 10a are connected, a voltage having the same magnitude is applied between the metal structure ST and the counter electrode 10a due to the characteristics of the voltage follower 30a having the same input voltage and output voltage.

그러나, 금속 구조물(ST)이 예를 들어서 철 소재로 형성되고 대전극(10a)이 알루미늄 소재로 형성되는 경우 대전극(10a)과 금속 구조물(ST) 간의 단락 전압을 측정하면 금속 구조물(ST)이 양의 전압을 가지게 되고 전압 폴로워부(30a)의 특성상 출력 측과 연결된 금속 구조물(ST)의 전압과 입력 측과 연결된 대전극(10a)의 전압은 같아져야 하므로 전압 폴로워부(30a)의 출력 측은 금속 구조물(ST) 측으로 음의 전압을 출력해야 대전극(10a)과 금속 구조물(ST)의 전압이 같아질 수 있게 된다.However, when the metal structure ST is formed of, for example, an iron material and the counter electrode 10a is formed of an aluminum material, the short circuit voltage between the counter electrode 10a and the metal structure ST is measured. The voltage of the voltage follower 30a has the positive voltage and the voltage of the metal structure ST connected to the output side and the voltage of the counter electrode 10a connected to the input side should be equal due to the characteristics of the voltage follower 30a. The side has to output a negative voltage to the metal structure (ST) side so that the voltage of the counter electrode (10a) and the metal structure (ST) can be equal.

따라서, 실질적으로 금속 구조물(ST)에 음의 전압을 가해주는 효과가 나타나게 되어 금속 구조물(ST)의 부식 전압을 낮출 수 있게 되며, 금속 구조물(ST)의 부식 전압을 낮추게 되는 경우 도 6에 도시된 바와 같이 부식 전류가 감소하게 되어 금속 구조물(ST)의 부식 반응이 억제될 수 있다.Therefore, the effect of substantially applying a negative voltage to the metal structure (ST) is shown to be able to lower the corrosion voltage of the metal structure (ST), lower the corrosion voltage of the metal structure (ST) shown in FIG. As described above, the corrosion current may be reduced to suppress the corrosion reaction of the metal structure ST.

이와 같이, 금속 구조물(ST)에 음의 전압을 인가하는 경우 금속 구조물(ST)의 부식 반응이 억제되는 이유는 앞서 설명한 바와 같이 부식이 일어나기 위해서는 부식 반응에 해당하는 속도로 환원 반응이 일어나야 하는데 전압 폴로워부(30a)의 출력단에서 금속 구조물(ST) 측으로 공급되는 전류로 사용되어 실제 부식 반응에 의해 생성되는 전자의 양이 줄어드는 효과가 발생하기 때문이다.As described above, the reason why the corrosion reaction of the metal structure ST is suppressed when a negative voltage is applied to the metal structure ST is that the reduction reaction should occur at a rate corresponding to the corrosion reaction in order to cause corrosion as described above. This is because the effect of reducing the amount of electrons generated by the actual corrosion reaction is used as the current supplied to the metal structure ST from the output end of the follower 30a.

도 7는 본 발명의 제2 실시예에 따른 부식 방지 장치의 단면도, 도 8은 본 발명의 제2 실시예에 따른 부식 방지 장치의 설치 참고도이다.7 is a cross-sectional view of a corrosion preventing apparatus according to a second exemplary embodiment of the present invention, and FIG. 8 is an installation reference diagram of a corrosion preventing apparatus according to a second exemplary embodiment of the present invention.

도 6에 도시된 바와 같이 본 발명의 제2 실시예에 따른 부식 방지 장치(1b)는 대전극(10b), 기판(20b), 전압 폴로워부(30b), 이온 전도층(40b), 덮개부(50b), 제1 고정핀(60b), 제2 고정핀(70b), 및 전원 커넥터부(80b)를 포함한다.As shown in FIG. 6, the corrosion preventing apparatus 1b according to the second embodiment of the present invention includes a counter electrode 10b, a substrate 20b, a voltage follower 30b, an ion conductive layer 40b, and a lid. 50b, a first fixing pin 60b, a second fixing pin 70b, and a power connector 80b.

이때, 대전극(10b), 기판(20b), 전압 폴로워부(30b), 이온 전도층(40b), 및 커넥터부(80b)의 구성, 역할, 및 본 발명의 제2 실시예에 따른 부식 방지 장치(1b)의 동작 방법은 도 3 내지 도 6에 도시된 본 발명의 제1 실시예에 따른 부식 방지 장치(1a)와 동일하므로 상세한 설명은 생략하도록 한다.At this time, the structure, the role of the counter electrode 10b, the substrate 20b, the voltage follower 30b, the ion conductive layer 40b, and the connector 80b, and the corrosion protection according to the second embodiment of the present invention Since the operation method of the device 1b is the same as the corrosion preventing device 1a according to the first embodiment of the present invention shown in Figs. 3 to 6, the detailed description thereof will be omitted.

덮개부(50b)는 일측이 금속 구조물(ST)의 일측에 결합되어 대전극(10b), 기판(20b), 전압 폴로워부(30b), 및 이온 전도층(40b)을 밀폐한다.One side of the cover part 50b is coupled to one side of the metal structure ST to seal the counter electrode 10b, the substrate 20b, the voltage follower part 30b, and the ion conductive layer 40b.

이때, 덮개부(50b)는 도 6에 도시된 바와 같이 전원 커넥터부(80b)에 의해 외부의 전원 공급부로부터 전압 폴로워부(30b)의 동작을 위한 전압(Vcc)을 공급받는 경우 전원 커넥터부(80b)와 상기 전원 공급부의 연결을 위해 타측이 개방될 수 있고, 기판(20b)에 상기 전원 공급부가 결합되는 경우 특히 기판(20b)에 결합되는 상기 전원 공급부가 솔라셀 어레이 및 축전지를 포함하도록 구성되는 경우 덮개부(50b)는 빛이 투과 가능한 투명한 소재로 형성될 수 있다.In this case, as shown in FIG. 6, when the cover part 50b receives the voltage V cc for the operation of the voltage follower part 30b from an external power supply part by the power connector part 80b, the power connector part is provided. The other side may be opened to connect the power supply unit 80b to the power supply unit, and when the power supply unit is coupled to the substrate 20b, in particular, the power supply unit coupled to the substrate 20b includes a solar cell array and a storage battery. When configured, the cover 50b may be formed of a transparent material that can transmit light.

제1 고정핀(60b)은 대전극(10b)과 기판(20b)을 결합시킴과 동시에 도전성을 갖는 소재(예를 들어, 금속 소재)로 형성되어 전압 폴로워부(30b)의 입력 측과 대전극(10b)이 연결되도록 한다.The first fixing pin 60b is formed of a conductive material (for example, a metal material) that combines the counter electrode 10b and the substrate 20b and is formed of a conductive material (for example, a metal material), so that the input side of the voltage follower part 30b and the counter electrode are provided. Let 10b be connected.

제2 고정핀(70b)은 덮개부(50b)와 금속 구조물(70b)을 결합시킴과 동시에 도전성을 갖는 소재(예를 들어, 금속 소재)로 형성되므로 기판(20b)과 와이어 본딩에 의해 연결되어 전압 폴로워부(30b)의 출력 측과 금속 구조물(ST)이 전기적으로 연결되도록 한다.Since the second fixing pin 70b is formed of a conductive material (for example, a metal material) at the same time as the cover part 50b and the metal structure 70b are coupled to each other, the second fixing pin 70b is connected to the substrate 20b by wire bonding. The output side of the voltage follower 30b and the metal structure ST are electrically connected to each other.

이와 같이, 본 발명의 제2 실시예에 따른 부식 방지 장치(1b)의 경우 대전극(10b), 기판(20b), 전압 폴로워부(30b), 및 이온 전도층(40b)의 구성 외에 별도로 덮개부(50b)를 포함하는 패키지 형태로 구성되는 것으로서, 이에 따라 도 8의 (a) 및 (b)에 도시된 바와 같이 금속 구조물에 설치가 용이하게 이루어질 수 있게 된다.As described above, in the case of the corrosion preventing apparatus 1b according to the second embodiment of the present invention, a cover is separately provided in addition to the configuration of the counter electrode 10b, the substrate 20b, the voltage follower 30b, and the ion conductive layer 40b. As it is configured in the form of a package including a portion (50b), as shown in Figure 8 (a) and (b) it can be easily installed in a metal structure.

본 발명의 부식 방지 장치(1a,1b)는 금속 구조물(ST)의 일측에 금속 구조물(ST)을 구성하는 금속 소재에 비해 이온화 경향이 큰 금속 소재로 형성되는 대전극(10a,10b)을 결합하고 금속 구조물(ST)과 대전극(10a,10b) 사이에 금속 구조물(ST) 주변의 습기 환경에 따라 저항이 변하는 이온 전도층(40a,40b)을 형성하며 전압 폴로워부(30a,30b)에 의해 대전극(10a,10b)에서 자연적으로 발생하는 전압과 동일한 크기의 전압을 금속 구조물(ST) 측으로 인가하는 금속 구조물의 방식을 방지할 수 있게 된다.Corrosion preventing device (1a, 1b) of the present invention is coupled to the counter electrode (10a, 10b) formed of a metal material having a greater ionization tendency than the metal material constituting the metal structure (ST) on one side of the metal structure (ST) And ion conductive layers 40a and 40b whose resistance varies depending on the moisture environment around the metal structure ST between the metal structure ST and the counter electrodes 10a and 10b, and the voltage follower portions 30a and 30b. As a result, it is possible to prevent the metal structure from applying a voltage having the same magnitude as that naturally occurring in the counter electrodes 10a and 10b to the metal structure ST.

따라서, 희생 양극재와 같은 고가의 소모성 소재를 사용하지 않고 비교적 저가의 금속 소재로 형성되는 대전극을 활용할 수 있으므로 금속 구조물의 부식 방지를 위해 소요되는 비용을 크게 절감할 수 있게 된다.Therefore, the counter electrode formed of a relatively inexpensive metal material can be utilized without using an expensive consumable material such as a sacrificial cathode material, thereby greatly reducing the cost required to prevent corrosion of the metal structure.

또한, 금속 구조물의 전압을 평형 부식전압에서 음전압으로 변위시켜 금속 구조물에서의 부식 반응을 원천적으로 봉쇄함으로써 금속 구조물의 내구성을 향상시킬 수 있게 된다.In addition, it is possible to improve the durability of the metal structure by fundamentally blocking the corrosion reaction in the metal structure by shifting the voltage of the metal structure from the equilibrium corrosion voltage to a negative voltage.

또한, 기판에 전원 공급부를 결합시키는 방식으로 전원 공급부를 포함하는 일체형 구성 또는 덮개부를 추가한 패키지 형태의 구성이 가능하여 설계와 제작이 간편해지며 금속 구조물의 설치 환경에 무관하게 활용될 수 있게 된다.In addition, an integrated configuration including a power supply unit or a package form including a cover unit may be configured by coupling a power supply unit to a substrate, thereby simplifying design and manufacturing and may be utilized regardless of an installation environment of a metal structure.

이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 수정, 변경, 및 치환이 가능할 것이다. 따라서 본 발명에 개시된 실시예 및 첨부된 도면들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예 및 첨부된 도면들에 의해서 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구 범위에 의해서 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.It will be understood by those skilled in the art that various changes in form and details may be made therein without departing from the spirit and scope of the invention as defined by the appended claims. It will be possible. Therefore, the embodiments disclosed in the present invention and the accompanying drawings are intended to illustrate and not to limit the technical spirit of the present invention, and the scope of the technical idea of the present invention is not limited by these embodiments and the accompanying drawings . The scope of protection of the present invention should be construed according to the following claims, and all technical ideas within the scope of equivalents thereof should be construed as being included in the scope of the present invention.

(1a, 1b) : 부식 방지 장치 (10a, 10b) : 대전극
(20a, 20b) : 기판 (30a, 30b) : 전압 폴로워부
(32b) : 전압 조절부 (40a, 40b) : 이온 전도층
(50a, 80b) : 전원 커넥터부 (50b) : 덮개부
(60b) : 제1 고정핀 (70b) : 제2 고정핀(1a, 1b): Corrosion preventing device (10a, 10b): counter electrode
20a, 20b: substrate 30a, 30b: voltage follower
(32b): voltage regulator 40a, 40b: ion conductive layer
(50a, 80b): power connector portion 50b: cover portion
60b: first fixing pin 70b: second fixing pin

Claims (9)

금속 구조물의 부식 방지 장치에 있어서,
상기 금속 구조물 일측에 결합되는 대전극;
상기 금속 구조물과 상기 대전극 사이에 형성되는 이온 전도층; 및
입력 측이 상기 대전극과 연결되고 출력 측이 상기 금속 구조물과 연결되며 상기 대전극으로부터 상기 입력 측으로 인가되는 전압과 동일한 크기의 전압을 상기 출력 측을 통하여 상기 금속 구조물로 인가하는 전압 폴로워부를 포함하는 것을 특징으로 하는 부식 방지 장치.In the corrosion protection device of a metal structure,
A counter electrode coupled to one side of the metal structure;
An ion conductive layer formed between the metal structure and the counter electrode; And
A voltage follower unit having an input side connected to the counter electrode, an output side connected to the metal structure, and applying a voltage equal to a voltage applied from the counter electrode to the input side to the metal structure through the output side. Corrosion prevention device characterized in that. 제 1항에 있어서,
상기 대전극은 구리, 황동, 청동, 스테인리스, 강철, 납, 알루미늄, 마그네슘, 또는 아연 소재로 형성되는 것을 특징으로 하는 부식 방지 장치.The method of claim 1,
The counter electrode is made of copper, brass, bronze, stainless steel, steel, lead, aluminum, magnesium, or a corrosion preventing device, characterized in that formed of zinc. 제 1항에 있어서,
상기 입력 측과 상기 대전극 사이에 연결되어 상기 대전극으로부터 상기 입력 측으로 인가되는 전압의 크기를 조절하는 전압 조절부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 부식 방지 장치.The method of claim 1,
And a voltage regulator connected between the input side and the counter electrode to adjust a magnitude of a voltage applied from the counter electrode to the input side. 제 1항에 있어서,
상기 이온 전도층은 친수성 폴리머 또는 실리콘 소재로 형성되는 것을 특징으로 하는 부식 방지 장치.The method of claim 1,
And the ion conductive layer is formed of a hydrophilic polymer or a silicon material. 제 1항에 있어서,
상기 전압 폴로워부는 일측이 상기 대전극 타측에 결합되는 기판 타측에 결합되는 것을 특징으로 하는 부식 방지 장치.The method of claim 1,
The voltage follower unit is a corrosion prevention device, characterized in that one side is coupled to the other side of the substrate coupled to the other side of the counter electrode. 제 5항에 있어서,
일측이 상기 금속 구조물의 일측에 결합되고 상기 이온 전도층, 상기 대전극, 상기 기판, 및 상기 전압 폴로워부를 밀폐하는 덮개부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 부식 방지 장치.6. The method of claim 5,
One side is coupled to one side of the metal structure and the corrosion prevention device further comprises a cover for sealing the ion conductive layer, the counter electrode, the substrate, and the voltage follower. 제 6항에 있어서,
상기 기판을 상기 대전극에 고정시키는 제1 고정핀, 및 상기 덮개부를 상기 금속 구조물에 고정시키는 제2 고정핀을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 부식 방지 장치.The method according to claim 6,
And a second fixing pin for fixing the substrate to the counter electrode, and a second fixing pin for fixing the cover part to the metal structure. 제 7항에 있어서,
상기 제1 고정핀 및 상기 제2 고정핀은 도전성 소재로 형성되는 것을 특징으로 하는 부식 방지 장치.8. The method of claim 7,
The first fixing pin and the second fixing pin is a corrosion preventing device, characterized in that formed of a conductive material. 제 6항에 있어서,
상기 덮개부는 타측의 일 지점이 개방되는 것을 특징으로 하는 부식 방지 장치.The method according to claim 6,
The cover part is a corrosion prevention device, characterized in that the one side of the other side is opened.
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