KR20130024041A - A wire grid polarizer, liquid crystal display including the same and method of manufacturing the wire grid polarizer - Google Patents

A wire grid polarizer, liquid crystal display including the same and method of manufacturing the wire grid polarizer Download PDF

Info

Publication number
KR20130024041A
KR20130024041A KR1020110087232A KR20110087232A KR20130024041A KR 20130024041 A KR20130024041 A KR 20130024041A KR 1020110087232 A KR1020110087232 A KR 1020110087232A KR 20110087232 A KR20110087232 A KR 20110087232A KR 20130024041 A KR20130024041 A KR 20130024041A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
grid
grid pattern
pattern
polarizer
wire
Prior art date
Application number
KR1020110087232A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR101806559B1 (en
Inventor
김진수
유경종
이영재
이준
Original Assignee
엘지이노텍 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지이노텍 주식회사 filed Critical 엘지이노텍 주식회사
Priority to KR1020110087232A priority Critical patent/KR101806559B1/en
Publication of KR20130024041A publication Critical patent/KR20130024041A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101806559B1 publication Critical patent/KR101806559B1/en

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/30—Polarising elements
    • G02B5/3025—Polarisers, i.e. arrangements capable of producing a definite output polarisation state from an unpolarised input state
    • G02B5/3058—Polarisers, i.e. arrangements capable of producing a definite output polarisation state from an unpolarised input state comprising electrically conductive elements, e.g. wire grids, conductive particles
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29D—PRODUCING PARTICULAR ARTICLES FROM PLASTICS OR FROM SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE
    • B29D11/00—Producing optical elements, e.g. lenses or prisms
    • B29D11/00634—Production of filters
    • B29D11/00644—Production of filters polarizing
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/30—Polarising elements
    • G02B5/3025—Polarisers, i.e. arrangements capable of producing a definite output polarisation state from an unpolarised input state
    • G02B5/3033—Polarisers, i.e. arrangements capable of producing a definite output polarisation state from an unpolarised input state in the form of a thin sheet or foil, e.g. Polaroid
    • G02B5/3041—Polarisers, i.e. arrangements capable of producing a definite output polarisation state from an unpolarised input state in the form of a thin sheet or foil, e.g. Polaroid comprising multiple thin layers, e.g. multilayer stacks
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2307/00—Properties of the layers or laminate
    • B32B2307/40—Properties of the layers or laminate having particular optical properties
    • B32B2307/42—Polarizing, birefringent, filtering
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133528—Polarisers
    • G02F1/133548—Wire-grid polarisers

Abstract

PURPOSE: A wire grid polarizer, a manufacturing method thereof and a liquid crystal display apparatus including a wire grid polarizer are provided to improve a structural stability, polarization characteristic by increasing height of a grid pattern and luminance of a LCD apparatus. CONSTITUTION: A wire grid polarizer(10) includes a transparent substrate(110), a first grid pattern(130), a second grid pattern(150), a support layer(160), and a third grid pattern(190). A plurality of first grid patterns is formed on the upper part of the transparent substrate. The second grid pattern is formed on the upper part of the first grid pattern. The support layer is formed on the surface of the first grid pattern and the second grid pattern. The third grid pattern is formed on the second grid pattern forming the support pattern.

Description

와이어 그리드 편광자 및 그 제조방법, 와이어 그리드 편광자를 포함한 액정표시장치{A WIRE GRID POLARIZER, LIQUID CRYSTAL DISPLAY INCLUDING THE SAME AND METHOD OF MANUFACTURING THE WIRE GRID POLARIZER}WIRE GRID POLARIZER, LIQUID CRYSTAL DISPLAY INCLUDING THE SAME AND METHOD OF MANUFACTURING THE WIRE GRID POLARIZER}

본 발명은 광학소자 기술분야에 관한 것으로서, 보다 자세하게는 종횡비가 향상된 와이어 그리드 편광자 및 그 제조방법과 이를 포함한 액정표시장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to the field of optical devices, and more particularly, to a wire grid polarizer having an improved aspect ratio, a manufacturing method thereof, and a liquid crystal display device including the same.

편광자 혹은 편광 소자란 자연광과 같은 비편광된 빛 중에서 특정한 진동 방향을 갖는 직선 편광을 끌어내는 광학 소자를 의미한다. 일반적으로, 입사되는 전자기파의 반 파장보다 금속 선 배열의 주기가 짧을 경우, 금속선과 평행한 편광 성분(s 파)은 반사되고 수직한 편광 성분(p 파)은 투과한다. 이 현상을 이용하면 편광 효율이 우수하고, 투과율이 높으며, 시야각이 넓은 평판 편광자(planar polarizer)를 제작할 수 있다. 이러한 소자를 선 격자 편광자 또는 와이어 그리드 편광자(wire grid polarizer)라고 한다.The polarizer or the polarizer refers to an optical device that derives linearly polarized light having a specific vibration direction among unpolarized light such as natural light. In general, when the period of the metal line array is shorter than the half wavelength of the incident electromagnetic wave, the polarization component (s wave) parallel to the metal line is reflected and the vertical polarization component (p wave) is transmitted. Using this phenomenon, a planar polarizer having excellent polarization efficiency, high transmittance, and a wide viewing angle can be manufactured. Such devices are called line grid polarizers or wire grid polarizers.

도 1은 종래의 와이어 그리드 편광자의 구조와 기능을 도시한 것으로, 일정한 주기(A)를 가지고 배치되는 일정 두께(h)의 금속격자패턴(2)과 기판(1)상에 배열된 구조를 구비하며, 이러한 와이어 그리드 편광자의 미세 금속격자패턴의 주기는 특히 가시광선 파장의 절반 이하로 제작하게 된다. 이러한 와이어 그리드 편광자는 입사광의 파장보다 충분히 작을 경우 비편광 상태의 빛이 입사될 때 전도성의 격자패턴과 직교하는 벡터를 가지는 성분, 즉 P 편광은 투과하고 격자패턴과 평행한 벡터를 가지는 성분, 즉 S 편광은 반사시키게 된다.1 illustrates a structure and a function of a conventional wire grid polarizer, and includes a metal lattice pattern 2 having a predetermined thickness h and a structure arranged on a substrate 1 having a predetermined period A. FIG. In addition, the period of the fine metal lattice pattern of the wire grid polarizer is particularly manufactured to less than half of the visible light wavelength. When the wire grid polarizer is sufficiently smaller than the wavelength of incident light, a component having a vector orthogonal to the conductive grating pattern when light in an unpolarized state is incident, that is, a component having a vector that transmits P-polarized light and is parallel to the grating pattern, ie S polarized light is reflected.

상술한 와이어 그리드 편광자의 성능을 결정하는 요인 중 가장 중요한 것으로 격자패턴 간 간격 피치와 입사광 파장과의 관계로서, 격자패턴 간 피치가 충분히 작지 못할 경우에 입사광을 편광시키지 못하고 회절시키게 되어 원하는 효과를 기대하기 힘들다. 이와 같이, 와이어 그리드 편광자의 편광 특성은 격자패턴 간 피치, 격자패턴의 폭과 높이의 비가 중요한 요소가 된다. 이에 따라 격자패턴의 폭 및 높이를 조절하기 위하여 한국공개특허 제10-2010-0112926호에는 기판상에 임프린트 공정으로 제1격자패턴을 형성하고, 증착 및 습식에칭공정을 통해 제1격자패턴상에 제2격자패턴을 형성하여 와이어 그리드 편광자를 제조하는 기술이 제안되었다. 그러나 한국공개특허 제10-2010-0112926호에 기재된 종래의 와이어 그리드 편광자 제조기술은, 등방성을 갖는 습식에칭공정의 한계로 인해 격자패턴의 폭 대비 높이비를 높이게 되면, 격자패턴의 폭이 현격하게 줄어들어 제조하고자 하는 금속 격자패턴의 폭을 만족하지 못하는 문제점이 존재하였다. The most important factor that determines the performance of the above-described wire grid polarizer is the relationship between the interval pitch between the grating patterns and the incident light wavelength. When the pitch between the grating patterns is not small enough, the incident light is not polarized and diffracted so that a desired effect is expected. Hard to do As described above, the polarization characteristic of the wire grid polarizer becomes an important factor of the pitch between the grid patterns and the ratio of the width and height of the grid patterns. Accordingly, in order to control the width and height of the lattice pattern, Korean Laid-Open Patent Publication No. 10-2010-0112926 forms a first lattice pattern on an substrate by an imprint process, and on the first lattice pattern through a deposition and wet etching process. A technique for manufacturing a wire grid polarizer by forming a second grid pattern has been proposed. However, the conventional wire grid polarizer manufacturing technology disclosed in Korean Patent Laid-Open No. 10-2010-0112926 has a large width ratio of the grid pattern when the height ratio of the grid pattern is increased due to the limitation of the wet etching process having isotropy. There has been a problem that does not satisfy the width of the metal grid pattern to be reduced.

한국공개특허 제10-2010-0112926호(2010.10.20.공개)Korean Patent Publication No. 10-2010-0112926 (2010.10.20.)

본 발명은 상술한 종래의 문제점을 해결하기 위해 제안된 것으로서, 본 발명의 목적은 광 흡수기능, 광 반사기능 및 정전기 방지기능을 동시에 가지는 와이어 그리드 편광자를 편광판으로 사용한 횡전계형 액정표시장치를 제공함으로써, 정전기에 의한 기기의 오작동을 방지하고 제조공정의 효율성을 향상시키는 데 있다.The present invention has been proposed to solve the above-mentioned conventional problems, and an object of the present invention is to provide a transverse electric field type liquid crystal display device using a wire grid polarizer having a light absorbing function, a light reflecting function and an antistatic function at the same time as a polarizing plate. The aim is to prevent malfunctions of equipment by static electricity and to improve the efficiency of manufacturing processes.

상술한 과제를 해결하기 위한 본 발명의 와이어 그리드 편광자는 투명기판; 상기 투명기판 상부에 형성된 복수의 제1격자패턴; 상기 제1격자패턴 상부에 형성된 제2격자패턴; 상기 제1격자패턴 및 상기 제2격자패턴의 표면에 형성된 지지층; 상기 지지층이 형성된 상기 제2격자패턴 상부에 형성된 제3격자패턴을 포함할 수 있다.Wire grid polarizer of the present invention for solving the above problems is a transparent substrate; A plurality of first grid patterns formed on the transparent substrate; A second grid pattern formed on the first grid pattern; A support layer formed on surfaces of the first grid pattern and the second grid pattern; It may include a third grid pattern formed on the second grid pattern on which the support layer is formed.

본 발명의 와이어 그리드 편광자에 있어서, 상기 지지층은 투명 재질로 형성되는 것이 바람직하다.In the wire grid polarizer of the present invention, the support layer is preferably formed of a transparent material.

본 발명의 와이어 그리드 편광자에 있어서, 상기 지지층은, 폴리머 또는 산화물로 형성될 수 있다.In the wire grid polarizer of the present invention, the support layer may be formed of a polymer or an oxide.

본 발명의 와이어 그리드 편광자에 있어서, 상기 제3격자패턴은, 금속재질로 형성되는 것이 바람직하다.In the wire grid polarizer of the present invention, the third grid pattern is preferably formed of a metal material.

본 발명의 와이어 그리드 편광자에 있어서, 상기 제3격자패턴은, 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 은(Ag), 구리(Cu), 니켈(Ni), 코발트(Co), 몰리브덴(Mo) 중 선택되는 어느 하나의 금속 또는 이들의 합금으로 형성될 수 있다.In the wire grid polarizer of the present invention, the third grid pattern is aluminum (Al), chromium (Cr), silver (Ag), copper (Cu), nickel (Ni), cobalt (Co), molybdenum (Mo). It may be formed of any one metal or alloys thereof selected from among.

본 발명의 와이어 그리드 편광자에 있어서, 상기 제1격자패턴은 폴리머로 형성되고, 상기 제2격자패턴은 금속재질로 형성될 수 있다.In the wire grid polarizer of the present invention, the first grid pattern may be formed of a polymer, and the second grid pattern may be formed of a metal material.

본 발명의 와이어 그리드 편광자에 있어서, 상기 제2격자패턴은, 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 은(Ag), 구리(Cu), 니켈(Ni), 코발트(Co), 몰리브덴(Mo) 중 선택되는 어느 하나의 금속 또는 이들의 합금으로 형성될 수 있다.In the wire grid polarizer of the present invention, the second grid pattern is aluminum (Al), chromium (Cr), silver (Ag), copper (Cu), nickel (Ni), cobalt (Co), molybdenum (Mo). It may be formed of any one metal or alloys thereof selected from among.

본 발명의 와이어 그리드 편광자에 있어서, 상기 제2격자패턴과 상기 제3격자패턴은 동일한 재질로 형성될 수 있다.In the wire grid polarizer of the present invention, the second grid pattern and the third grid pattern may be formed of the same material.

상술한 본 발명의 와이어 그리드 편광자에 있어서, 상기 제1격자패턴 또는 상기 제2격자패턴의 주기는 100nm 내지 200nm의 범위에서 형성될 수 있다.In the above-described wire grid polarizer of the present invention, the period of the first grid pattern or the second grid pattern may be formed in the range of 100nm to 200nm.

본 발명의 와이어 그리드 편광자에 있어서, 상기 제1격자패턴은, 폭이 10nm 내지 200nm 의 범위에서 형성되고, 높이는 10nm 내지 500nm의 범위에서 형성될 수 있다.In the wire grid polarizer of the present invention, the first grid pattern, the width may be formed in the range of 10nm to 200nm, the height may be formed in the range of 10nm to 500nm.

본 발명의 와이어 그리드 편광자에 있어서, 상기 제1격자패턴의 폭과 높이의 비율은 1:(0.2~5)를 만족하는 것이 바람직하다.In the wire grid polarizer of the present invention, the ratio of the width and the height of the first grid pattern preferably satisfies 1: (0.2 to 5).

본 발명의 와이어 그리드 편광자에 있어서, 상기 제1격자패턴의 폭과 상기 제2격자패턴의 폭의 비율은 1:(0.2~1.5)를 만족하는 것이 바람직하다.In the wire grid polarizer of the present invention, the ratio of the width of the first grid pattern to the width of the second grid pattern preferably satisfies 1: (0.2 to 1.5).

본 발명의 와이어 그리드 편광자에 있어서, 상기 제1격자패턴의 폭과 높이의 비율은 1:(0.2~5)를 만족하는 것이 바람직하다.In the wire grid polarizer of the present invention, the ratio of the width and the height of the first grid pattern preferably satisfies 1: (0.2 to 5).

본 발명의 와이어 그리드 편광자에 있어서, 상기 제2격자패턴의 폭은 2nm~300nm의 범위에서 형성될 수 있다.In the wire grid polarizer of the present invention, the width of the second grid pattern may be formed in the range of 2nm to 300nm.

상술한 과제를 해결하기 위한 본 발명의 액정표시장치는, 광원에서 발산되는 상부로 발산하는 백라이트 유닛; 상기 백라이트 유닛 상부에 적층되어, 화소를 형성하는 액정 패널; 상기 액정패널의 상부 또는 하부에 배치되는 상술한 와이어 그리드 편광자를 포함할 수 있다.According to an aspect of the present invention, there is provided a liquid crystal display device comprising: a backlight unit emitting upward from a light source; A liquid crystal panel stacked on the backlight unit to form a pixel; The liquid crystal panel may include the above-described wire grid polarizer disposed above or below the liquid crystal panel.

상술한 과제를 해결하기 위한 본 발명의 와이어 그리드 편광자 제조방법은, 투명기판 상에 복수의 제1격자패턴을 형성하고, 상기 제1격자패턴상에 제2격자패턴을 형성하고, 상기 제1격자패턴 및 상기 제2격자패턴의 표면에 지지층을 증착 형성하고, 상기 제2격자패턴상에 제3격자패턴을 형성하는 것을 포함하여 이루어질 수 있다.According to a method of manufacturing a wire grid polarizer of the present invention for solving the above problems, a plurality of first grid patterns are formed on a transparent substrate, a second grid pattern is formed on the first grid pattern, and the first grid is formed. And forming a support layer on a surface of the pattern and the second grid pattern, and forming a third grid pattern on the second grid pattern.

본 발명의 와이어 그리드 편광자 제조방법에 있어서, 상기 지지층을 증착 형성하는 것은, 스퍼터링법, 화학기상증착법, 이배포레이션(Evaporation)법 중 어느 하나의 방법을 이용하여 상기 제1격자패턴 및 상기 제2격자패턴의 표면에 투명재질의 물질을 증착하는 것을 포함하여 이루어질 수 있다.In the method of manufacturing a wire grid polarizer of the present invention, the forming of the supporting layer may be performed by using any one of a sputtering method, a chemical vapor deposition method, and an evaporation method. It may comprise the deposition of a transparent material on the surface of the grid pattern.

본 발명의 와이어 그리드 편광자 제조방법에 있어서, 상기 투명재질의 물질로서 폴리머 또는 산화물이 이용될 수 있다.In the wire grid polarizer manufacturing method of the present invention, a polymer or an oxide may be used as the transparent material.

본 발명의 와이어 그리드 편광자 제조방법에 있어서, 상기 제3격자패턴을 형성하는 것은, 상기 제2격자패턴 상에 금속재질의 물질을 증착하여 제3격자베이스층을 형성하고, 상기 제3격자베이스층을 습식에칭하는 것을 포함하여 이루어질 수 있다.In the method of manufacturing a wire grid polarizer of the present invention, forming the third grid pattern includes depositing a metal material on the second grid pattern to form a third grid base layer, and the third grid base layer. It may be made, including wet etching.

본 발명의 와이어 그리드 편광자 제조방법에 있어서, 상기 금속재질의 물질은, 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 은(Ag), 구리(Cu), 니켈(Ni), 코발트(Co), 몰리브덴(Mo) 중 선택되는 어느 하나의 금속 또는 이들의 합금이 이용될 수 있다.In the wire grid polarizer manufacturing method of the present invention, the metal material is aluminum (Al), chromium (Cr), silver (Ag), copper (Cu), nickel (Ni), cobalt (Co), molybdenum ( Any metal selected from Mo) or alloys thereof may be used.

본 발명의 와이어 그리드 편광자 제조방법에 있어서, 상기 금속재질의 물질을 증착하는 것은, 스퍼터링 방법, 화학기상증착법, 이배포레이션(Evaporation)법 중 적어도 어느 하나의 방법에 의해 이루어질 수 있다.In the method of manufacturing a wire grid polarizer of the present invention, the deposition of the metal material may be performed by at least one of a sputtering method, a chemical vapor deposition method, and an evaporation method.

본 발명의 와이어 그리드 편광자 제조방법에 있어서, 상기 제1격자패턴을 형성하는 것은, 상기 투명기판상에 폴리머 수지로 이루어진 제1격자베이스층을 형성하고, 상기 제1격자베이스층 상부를 복수의 홈을 갖는 임프린트 몰드로 가압하여 상기 복수의 홈과 대응되는 영역에 상기 제1격자패턴을 형성하는 것을 포함하여 이루어 질 수 있다.In the method of manufacturing a wire grid polarizer of the present invention, forming the first grid pattern comprises forming a first grid base layer made of a polymer resin on the transparent substrate, and forming a plurality of grooves on the first grid base layer. The method may include forming the first grid pattern in an area corresponding to the plurality of grooves by pressing with an imprint mold having a shape.

본 발명의 와이어 그리드 편광자 제조방법에 있어서, 상기 제2격자패턴을 형성하는 것은, 상기 제1격자패턴 상에 금속재질의 물질을 증착하여 제2격자베이스층을 형성하고, 상기 제2격자베이스층을 습식에칭하는 것을 포함하여 이루어질 수 있다.In the method of manufacturing a wire grid polarizer of the present invention, the forming of the second grid pattern may include depositing a metal material on the first grid pattern to form a second grid base layer, and the second grid base layer. It may be made, including wet etching.

본 발명의 와이어 그리드 편광자 제조방법에 있어서, 상기 제2격자베이스층을 이루는 금속재질의 물질은, 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 은(Ag), 구리(Cu), 니켈(Ni), 코발트(Co), 몰리브덴(Mo) 중 선택되는 어느 하나의 금속 또는 이들의 합금이 이용될 수 있다.In the method of manufacturing a wire grid polarizer of the present invention, the material of the metal constituting the second grid base layer is aluminum (Al), chromium (Cr), silver (Ag), copper (Cu), nickel (Ni), Any one metal selected from cobalt (Co) and molybdenum (Mo) or an alloy thereof may be used.

본 발명의 와이어 그리드 편광자 제조방법에 있어서, 상기 제2격자베이스층 및 상기 제3격자베이스층은, 동일한 물질로 이루어질 수 있다.In the wire grid polarizer manufacturing method of the present invention, the second grid base layer and the third grid base layer may be made of the same material.

본 발명의 와이어 그리드 편광자 제조방법에 있어서, 상기 제2격자베이스층을 이루는 금속재질의 물질은, 스퍼터링 방법, 화학기상증착법, 이배포레이션(Evaporation)법 중 적어도 어느 하나의 방법에 의해 상기 제1격자패턴상에 증착될 수 있다.In the method of manufacturing a wire grid polarizer of the present invention, the metal material constituting the second lattice base layer may be formed by at least one of a sputtering method, a chemical vapor deposition method, and an evaporation method. It can be deposited on the grid pattern.

본 발명의 와이어 그리드 편광자 제조방법에 있어서, 상기 제1격자패턴을 형성하는 것은, 주기 100nm~200nm로 형성되는 복수의 제1격자패턴을 형성하는 과정을 포함하여 이루어질 수 있다.In the method of manufacturing a wire grid polarizer of the present invention, the forming of the first grid pattern may include forming a plurality of first grid patterns having a period of 100 nm to 200 nm.

본 발명의 와이어 그리드 편광자 제조방법에 있어서, 상기 제2격자패턴을 형성하는 것은, 상기 제2격자패턴의 폭을 2nm~300nm의 범위로 형성하는 과정을 포함하여 이루어질 수 있다.In the method of manufacturing a wire grid polarizer of the present invention, forming the second grid pattern may include forming a width of the second grid pattern in a range of 2 nm to 300 nm.

본 발명의 와이어 그리드 편광자 제조방법에 있어서, 상기 제2격자패턴을 형성하는 것은, 상기 제1격자패턴의 폭과 상기 제2격자패턴의 폭의 비율이 1:(0.2~1.5)를 만족하도록 습식에칭하는 것을 포함하여 이루어질 수 있다.In the method of manufacturing a wire grid polarizer of the present invention, the forming of the second grid pattern is wet so that the ratio of the width of the first grid pattern to the width of the second grid pattern satisfies 1: (0.2 to 1.5). It may comprise etching.

본 발명의 와이어 그리드 편광자 제조방법에 있어서, 상기 제1격자패턴을 형성하는 것은, 상기 제1격자패턴의 폭은 10nm~200nm, 높이는 10nm~500nm의 범위를 만족하거나, 상기 제1격자패턴의 폭과 높이의 비율이 1:(0.2~5)를 만족하도록 구현하는 과정을 포함하여 이루어질 수 있다.In the wire grid polarizer manufacturing method of the present invention, forming the first grid pattern, the width of the first grid pattern satisfies the range of 10nm ~ 200nm, the height of 10nm ~ 500nm, or the width of the first grid pattern And a ratio of height to height of 1: (0.2 to 5) may be implemented.

본 발명에 따르면, 투명기판상에 형성된 제1격자패턴, 제1격자패턴 상에 형성된 제2격자패턴, 제1격자패턴 및 제2격자패턴의 표면에 형성된 지지층 및 제2격자패턴 상에 형성된 제3격자패턴을 포함하는 와이어 그리드 편광자를 제공함으로써, 격자패턴의 종횡비를 획기적으로 향상시킬 수 있게 되어 편광특성을 향상시킬 수 있는 효과를 갖는다.According to the present invention, a first lattice pattern formed on a transparent substrate, a second lattice pattern formed on the first lattice pattern, a support layer formed on the surface of the first lattice pattern and the second lattice pattern, and a second lattice pattern formed on the second lattice pattern By providing a wire grid polarizer including a three grid pattern, it is possible to significantly improve the aspect ratio of the grid pattern has the effect of improving the polarization characteristics.

아울러 본 발명에 따르면, 지지층을 형성함으로써 제1격자패턴 및 제2격자패턴을 보호할 수 있게 되어 종래에 비해 내구성이 향상된 와이어 그리드 편광자를 제공할 수 있는 효과가 있다. In addition, according to the present invention, it is possible to protect the first grid pattern and the second grid pattern by forming a support layer has an effect that can provide a wire grid polarizer with improved durability compared to the prior art.

또한 본 발명에 따르면 임프린트 공정, 증착 공정, 습식에칭 공정만으로 와이어 그리드 편광자를 제조할 수 있게 되어, 공정 수 감소에 따른 공정효율성 향상효과 및 이에 따른 제조비용 절감효과를 갖는다.In addition, according to the present invention, the wire grid polarizer can be manufactured only by an imprint process, a deposition process, and a wet etching process, thereby improving process efficiency and reducing manufacturing cost according to the number of processes.

그리고 본 발명의 와이어 그리드 편광자는 습식에칭공정을 통해 제조되는 바, 상온에서 저가의 제조비용으로 제조할 수 있는 효과, 최적의 높이 및 폭을 가지도록 제2격자패턴 및 제3격자패턴을 형성 가능함에 따른 투과율 향상효과, 휘도 향상효과, 편광 효율을 증가시킬 수 있는 효과도 구현할 수 있다.In addition, the wire grid polarizer of the present invention may be manufactured through a wet etching process, and thus, the second grid pattern and the third grid pattern may be formed to have an effect, an optimal height and width, which can be manufactured at a low cost at room temperature. According to the present invention, the effect of improving transmittance, improving luminance, and increasing polarization efficiency can be realized.

도 1은 본 발명에 따른 와이어 그리드 편광자의 작용 원리를 나타낸 사시도이다.
도 2는 본 발명에 따른 와이어 그리드 편광자의 구조를 도시한 것이다.
도 3은 본 발명에 따른 와이어 그리드 편광자의 제조방법을 나타낸 순서도이다.
도 4a 내지 도 4i는 본 발명의 실시예에 따른 와이어 그리드 편광자의 제조방법을 나타낸 제조공정도이다.1 is a perspective view showing the principle of operation of the wire grid polarizer according to the present invention.
2 illustrates a structure of a wire grid polarizer according to the present invention.
3 is a flowchart illustrating a method of manufacturing a wire grid polarizer according to the present invention.
4A to 4I are manufacturing process diagrams illustrating a manufacturing method of a wire grid polarizer according to an exemplary embodiment of the present invention.

이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명을 용이하게 실시할 수 있는 바람직한 실시예를 상세히 설명한다. 다만 본 명세서에 기재된 실시예와 도면에 도시된 구성은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 불과할 뿐이고, 본 출원시점에 있어서 이들을 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형 예들이 있을 수 있음을 이해하여야 한다. 또한, 본 발명의 바람직한 실시예에 대한 동작 원리를 상세하게 설명함에 있어 관련된 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략한다. 후술되는 용어들은 본 발명에서의 기능을 고려하여 정의된 용어들로서, 각 용어의 의미는 본 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 해석되어야 할 것이다. 도면 전체에 걸쳐 유사한 기능 및 작용을 하는 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 사용한다.DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. It should be understood, however, that the embodiments described herein and the configurations shown in the drawings are only a preferred embodiment of the present invention, and that various equivalents and modifications may be made thereto at the time of the present application. DETAILED DESCRIPTION OF EXEMPLARY EMBODIMENTS Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the following description, well-known functions or constructions are not described in detail to avoid obscuring the subject matter of the present invention. The following terms are terms defined in consideration of functions in the present invention, and the meaning of each term should be interpreted based on the contents throughout the present specification. The same reference numerals are used for parts having similar functions and functions throughout the drawings.

도 2는 본 발명에 따른 와이어 그리드 편광자의 구조를 도시한 것이다.2 illustrates a structure of a wire grid polarizer according to the present invention.

도 2를 참조하면, 본 발명에 따른 와이어 그리드 편광자(10)는, 투명기판(110), 투명기판(110)상에 형성된 복수의 제1격자패턴(130), 제1격자패턴(130)의 상에 형성된 제2격자패턴(150), 제1격자패턴(130) 및 제2격자패턴(150)의 표면에 형성된 지지층(160), 제2격자패턴(150)의 상부에 형성된 제3격자패턴(190)을 포함하여 구성된다. Referring to FIG. 2, the wire grid polarizer 10 according to the present invention includes a transparent substrate 110 and a plurality of first grid patterns 130 and first grid patterns 130 formed on the transparent substrate 110. The third grid pattern 150 formed on the surface of the second grid pattern 150, the first grid pattern 130 and the second grid pattern 150, the third grid pattern 150 formed on the second grid pattern 150 And 190.

투명기판(110)은 지지체로서 사용되며, 가시광선을 투과시킬 수 있는 유리 기판 및 Quartz, Acryl, TAC(triacetylcellulose), COP(cyclic olefin copolymer), COC(cyclic olefin polymer), PC(polycarbonate), PET(polyethylenenaphthalate), PES(polyethersulfone) 등의 다양한 고분자 등이 사용될 수 있다. 특히 본 발명에서는 일정 정도의 유연성을 가지는 광학용 필름기재로 투명기판(110)을 형성함으로써, 와이어 그리드 편광자 제조시 연속공정으로 처리할 수 있도록 함이 바람직하나, 이에 한정되는 것은 아니다.The transparent substrate 110 is used as a support, and is a glass substrate capable of transmitting visible light and quartz, acryl, triacetylcellulose (TAC), cyclic olefin copolymer (COP), cyclic olefin polymer (COC), PC (polycarbonate), PET Various polymers such as (polyethylenenaphthalate) and polyethersulfone (PES) may be used. In particular, in the present invention, by forming the transparent substrate 110 with an optical film substrate having a certain degree of flexibility, it is preferable to be able to process in a continuous process in the manufacture of the wire grid polarizer, but is not limited thereto.

제1격자패턴(130)은 기본적으로 폴리머로 형성되는 수지층(120)의 표면에 일정한 주기를 가지는 돌출패턴의 형상으로 구현될 수 있다. 물론, 도 2에 도시된 구조와 달리 별도의 수지층(120)이 존재하지 않는 격자구조물만으로 구현하는 것도 가능하다. 또한 수지층(120)을 투명기판(110) 상에 도포한 후 몰드를 통해 가압하여 제1격자패턴(130)을 형성하게 되는바, 도 1에 도시된 바와 같이 수지층(120)의 상부에 돌출패턴이 구현되는 구조로 구현하는 것도 가능하다.The first grid pattern 130 may be embodied in the shape of a protrusion pattern having a predetermined period on the surface of the resin layer 120 formed of a polymer. Of course, unlike the structure shown in Figure 2 it is also possible to implement a lattice structure only does not have a separate resin layer 120. In addition, the resin layer 120 is coated on the transparent substrate 110 and then pressurized through a mold to form the first grid pattern 130, as shown in FIG. 1, on the upper portion of the resin layer 120. It is also possible to implement a structure in which the protrusion pattern is implemented.

제1격자패턴(130)의 주기는 사용하는 빛의 파장의 반 이하가 됨이 바람직하며, 따라서 그 주기는 100nm~200nm의 범위에서 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 이러한 본 발명의 제1격자패턴(130)은 임프린트 몰드를 이용하여 임프린팅 방식으로 패턴을 구현함으로써 형성시킬 수 있다. 특히 본 발명에 따른 제1격자패턴(130)은, 목적에 따라 투명기판(110)에 비해 굴절지수가 낮은 재료 또는 동일하거나 높은 재료로 형성함으로써 광의 이용효율을 높일 수 있도록 함이 더욱 바람직하다. 또한, 본 발명에 따른 제1격자패턴(130)은 제1격자패턴(130)의 폭과 높이의 비율이 1:(0.2~5)를 만족하도록 구현함이 바람직하며, 제1격자패턴(130)의 폭은 10nm~200nm, 높이는 10nm~500nm의 범위를 만족하도록 구현함이 바람직하다. 또한, 제1격자패턴(130)의 주기는 100nm~220nm의 범위에서 구현되는 것이 바람직하나, 이에 한정되는 것은 아니며 제1격자패턴(130)의 형성과정에서 조절 가능하다고 할 것이다.The period of the first grid pattern 130 is preferably less than half of the wavelength of the light used, and thus the period may be formed in the range of 100 nm to 200 nm, but is not limited thereto. The first grid pattern 130 of the present invention can be formed by implementing the pattern by the imprinting method using an imprint mold. In particular, the first grid pattern 130 according to the present invention, it is more preferable to increase the utilization efficiency of light by forming a material having a lower refractive index or the same or higher than the transparent substrate 110 according to the purpose. In addition, the first grid pattern 130 according to the present invention is preferably implemented so that the ratio of the width and height of the first grid pattern 130 satisfies 1: (0.2 to 5), the first grid pattern 130 ) Width is 10nm ~ 200nm, the height is preferably implemented to satisfy the range of 10nm ~ 500nm. In addition, the period of the first grid pattern 130 is preferably implemented in the range of 100nm ~ 220nm, but is not limited to this will be said to be adjustable in the process of forming the first grid pattern 130.

제2격자패턴(150)은 제1격자패턴(130)의 상부에 형성되는 격자패턴을 포괄하여 통칭하는 것으로 정의한다. 본 발명의 제2격자패턴(150)은 전도성 물질로 형성된 미세 돌출패턴이 일정한 주기를 가지고 배열되는 구조를 구비하며, 특히 제1격자패턴(130)의 상부면에 증착 등의 공정으로 형성되는 돌출구조물이다. 여기에서 주기란 하나의 격자패턴(이를테면, 제2격자 패턴)과 이웃하는 격자패턴(이를 테면, 제2격자패턴)의 거리를 의미한다. The second grid pattern 150 is collectively defined as encompassing a grid pattern formed on the first grid pattern 130. The second grid pattern 150 of the present invention has a structure in which fine protrusion patterns formed of a conductive material are arranged at regular intervals, and in particular, protrusions formed on the upper surface of the first grid pattern 130 by a process such as deposition. It is a structure. Here, the period refers to a distance between one lattice pattern (eg, the second lattice pattern) and a neighboring lattice pattern (eg, the second lattice pattern).

제2격자패턴(150)을 형성하는 전도성 물질로서는 금속, 금속산화물 등이 이용될 수 있다. 예컨대 전도성 물질로서 금속물질이 이용되는 경우, 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 은(Ag), 구리(Cu), 니켈(Ni), 코발트(Co), 몰리브덴(Mo) 중 선택되는 어느 하나의 금속 또는 이들의 합금을 이용하여 제2격자패턴(150)을 형성할 수 있다. 여기서 제2격자패턴의 형성방법은, 전도성 물질(예컨대 금속물질)을 스퍼터링(sputtering)법이나 화학증착법, 이배포레이션(evaporation) 등과 같은 방식으로 증착하고, 습식에칭공정을 거침으로써 구현할 수 있다. 다만, 상술한 내용은 하나의 예시일 뿐, 본 발명의 제2격자패턴(730)은 현재 개발되어 상용화되었거나 향후 기술발전에 따라 구현 가능한 모든 전도성 물질로 구현할 수 있다고 할 것이다. 본 발명의 제2격자패턴(150)을 금속재질로 구현함으로써, 빛의 반사에 따른 광 재활용률을 높일 수 있게 되어, 액정표시장치에 장착시, 휘도를 향상시키는 기능을 수행하게 된다.As the conductive material forming the second grid pattern 150, a metal, a metal oxide, or the like may be used. For example, when a metal material is used as the conductive material, any one selected from aluminum (Al), chromium (Cr), silver (Ag), copper (Cu), nickel (Ni), cobalt (Co), and molybdenum (Mo) The second grid pattern 150 may be formed using a metal or an alloy thereof. Here, the method of forming the second lattice pattern may be implemented by depositing a conductive material (eg, a metal material) by a sputtering method, a chemical vapor deposition method, an evaporation method, or the like, and performing a wet etching process. However, the above description is just one example, and the second grid pattern 730 of the present invention may be implemented with all conductive materials that are currently developed and commercialized or may be implemented according to future technology development. By implementing the second grid pattern 150 of the present invention to a metal material, it is possible to increase the light recycling rate according to the reflection of light, it is to perform a function to improve the brightness when mounted on the liquid crystal display device.

또한, 제2격자패턴(150)의 단면 형상은 사각형, 삼각형, 반원형 등 다양한 구조를 가질 수 있고, 삼각형, 사각형, 사인파 등의 형태로 패턴된 투명기판 상측 일부에 형성된 금속 선 형태를 가질 수도 있다. 즉, 단면의 구조에 관계없이 한쪽 방향으로 일정한 주기를 갖고 길게 늘어선 금속 선 격자를 형성한 것은 모두 사용될 수 있다. 이 경우 주기는 사용하는 빛의 파장의 반 이하가 됨이 바람직하며, 따라서 그 주기는 100nm~200nm의 범위에서 형성될 수 있다. 또한, 본 발명의 바람직한 실시예에서는 제2격자패턴(150)의 폭과 높이의 비율의 1:(0.5~1.5)로 구현할 수 있다. 특히, 제1격자패턴(130)의 폭과 제2격자패턴(150)의 폭의 비율은 1:(0.2~1.5)의 범위에서 형성할 수 있으며, 구체적으로는 제2격자패턴(150)의 폭은 2nm~300nm의 범위에서 구현될 수 있다.In addition, the cross-sectional shape of the second grid pattern 150 may have a variety of structures, such as square, triangle, semicircle, etc., and may have a metal line shape formed on a portion of the upper side of the transparent substrate patterned in the form of triangle, square, sine wave, and the like. . In other words, any one having a long line of metal line lattice having a certain period in one direction regardless of the cross-sectional structure may be used. In this case, the period is preferably less than half of the wavelength of the light used, and thus the period may be formed in the range of 100 nm to 200 nm. In addition, in a preferred embodiment of the present invention can be implemented as 1: (0.5 ~ 1.5) of the ratio of the width and height of the second grid pattern 150. In particular, the ratio of the width of the first grid pattern 130 and the width of the second grid pattern 150 may be formed in the range of 1: (0.2 to 1.5), specifically, the width of the second grid pattern 150 The width may be implemented in the range of 2nm to 300nm.

나아가, 본 발명에 따른 와이어 그리드 편광자(10)에서는 각각 이 두 개의 격자 (제1 및 제2격자패턴)의 높이와 폭에 따라 투과율을 조절할 수 있다. 동일 피치(pitch)에서 격자의 폭이 넓어지면 투과율은 낮아지고 편광 소멸비는 높아지게 된다. 또한 피치가 감소할수록 편광 특성이 증가되며, 동일 격자 간의 거리 및 동일 격자의 폭으로 형성할 경우에 격자 높이가 증가할수록 편광 특성이 증가된다. 더불어 동일 격자 간의 거리 및 동일 격자의 높이로 형성할 경우에 격자의 폭이 증가할수록 편광 특성이 향상된다. 따라서, 본 발명의 제1격자패턴(130)의 폭과 제2격자패턴(150) 폭의 비율이 1:(0.2~1.5)의 범위에서 형성되는 것이 바람직하다. 최대의 편광 효율을 확보하기 위함이다.Furthermore, in the wire grid polarizer 10 according to the present invention, the transmittance may be adjusted according to the height and width of each of the two gratings (first and second grid patterns). As the grating becomes wider at the same pitch, the transmittance is lowered and the polarization extinction ratio is increased. In addition, as the pitch decreases, the polarization characteristic increases, and when the distance between the same lattice and the same lattice width is formed, the polarization characteristic increases as the lattice height increases. In addition, in the case of forming the same grating distance and the same grating height, the polarization characteristics are improved as the width of the grating increases. Therefore, the ratio of the width of the first grid pattern 130 and the width of the second grid pattern 150 of the present invention is preferably formed in the range of 1: (0.2 ~ 1.5). This is to ensure maximum polarization efficiency.

지지층(160)은 제1격자패턴(130) 및 제2격자패턴(150)의 표면에 형성되어 차후 제3격자패턴(190) 형성시 수행되는 에칭공정에서 제1격자패턴(130) 및 제2격자패턴(150)를 보호하는 역할을 수행한다. 이러한 본 발명의 지지층(160)은 투명재질로 형성되어 높은 광투과성을 가지는 것이 바람직하며, 이러한 투명재질로서 SiO2, MgO2, CeO2, ZrO2, ZnO, ITO 등의 투명한 금속산화물, 폴리머 수지 또는 산화물(Oxide)이 이용될 수 있다. 다만 이는 하나의 예시일 뿐이며, 에칭 베리어 역할을 수행할 수 있는 모든 물질로 본 발명의 지지층(160)을 형성할 수 있다고 할 것이다. 이러한 지지층(160)의 형성은 이배포레이션(Evaporation)법에 의하여 제1격자패턴 및 제2격자패턴 표면에 투명재질을 증착하는 방법에 의해 이루어질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 와이어 그리드 편광자(10)는 상술한 지지층(160)을 구비함으로써 차후 제2격자패턴(150)상에 제3격자패턴(190)을 더 형성할 수 있게 되어 와이어 그리드 편광자(10)의 종횡비를 향상시키는 효과 및 이에 따른 편광 특성 향상효과를 갖게 된다. 또한, 지지층(160)을 형성함에 따라 제1격자패턴(130)과 제2격자패턴(150)의 결합력이 향상되고, 외부로부터의 먼지유입 및 스크래치 발생을 방지할 수 있게 되며, 미세구조물인 제1격자패턴(130) 및 제2격자패턴(150) 보호할 수 있다. 이에 따라 내구성, 구조적 안정성 및 신뢰도가 향상된 와이어 그리드 편광자(10)를 제공할 수 있는 효과도 추가로 갖게 된다.The support layer 160 is formed on the surfaces of the first grid pattern 130 and the second grid pattern 150, and thus, the first grid pattern 130 and the second grid pattern 130 may be formed in an etching process performed when the third grid pattern 190 is formed. It serves to protect the grid pattern 150. The support layer 160 of the present invention is preferably formed of a transparent material and has a high light transmittance. As the transparent material, transparent metal oxides such as SiO 2 , MgO 2 , CeO 2 , ZrO 2 , ZnO, ITO, and polymer resin Alternatively, oxides may be used. However, this is only one example, and it will be said that the support layer 160 of the present invention may be formed of any material capable of performing the role of the etching barrier. The support layer 160 may be formed by a method of depositing a transparent material on the surface of the first grid pattern and the second grid pattern by an evaporation method, but is not limited thereto. Since the wire grid polarizer 10 of the present invention includes the support layer 160 described above, a third grid pattern 190 may be further formed on the second grid pattern 150. It has an effect of improving the aspect ratio and thereby the polarization characteristic improving effect. In addition, as the support layer 160 is formed, the bonding force between the first grid pattern 130 and the second grid pattern 150 is improved, and dust from the outside and scratches can be prevented from occurring. The first grid pattern 130 and the second grid pattern 150 may be protected. Accordingly, there is an additional effect of providing the wire grid polarizer 10 having improved durability, structural stability and reliability.

제3격자패턴(190)은 지지층(160)이 형성된 제2격자패턴(150)의 상부에 형성되는 격자패턴을 포괄하여 통칭하는 것으로 정의한다. 이러한 본 발명의 제3격자패턴(190)은 제2격자패턴(150)과 마찬가지로 전도성 물질로 형성된 미세 돌출패턴이 일정한 주기를 가지고 배열되는 구조물이다. 이러한 제3격자패턴을 형성하는 전도성 물질로서 금속, 금속산화물 등이 이용될 수 있다. 예컨대 전도성 물질로서 금속물질이 이용되는 경우, 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 은(Ag), 구리(Cu), 니켈(Ni), 코발트(Co), 몰리브덴(Mo) 중 선택되는 어느 하나의 금속 또는 이들의 합금을 이용하여 제3격자패턴(190)을 형성할 수 있으며, 제2격자패턴(150)과 동일한 물질로 형성하는 것도 가능하다. 제3격자패턴(190)의 형성방법은, 제2격자패턴(150)의 경우와 마찬가지로, 전도성 물질(예컨대 금속물질)을 스퍼터링(sputtering)법이나 화학증착법, 이배포레이션(evaporation) 등과 같은 방식으로 증착하고, 습식에칭공정을 거침으로써 구현할 수 있다. The third grid pattern 190 is collectively defined as encompassing a lattice pattern formed on the second grid pattern 150 on which the support layer 160 is formed. The third grid pattern 190 of the present invention is a structure in which fine protrusion patterns formed of a conductive material are arranged at regular intervals, like the second grid pattern 150. As the conductive material forming the third grid pattern, a metal, a metal oxide, or the like may be used. For example, when a metal material is used as the conductive material, any one selected from aluminum (Al), chromium (Cr), silver (Ag), copper (Cu), nickel (Ni), cobalt (Co), and molybdenum (Mo) The third grid pattern 190 may be formed using a metal or an alloy thereof, and may be formed of the same material as the second grid pattern 150. As in the case of the second grid pattern 150, the method of forming the third grid pattern 190 may be a method such as sputtering, chemical vapor deposition, evaporation, or the like of a conductive material (for example, a metal material). It can be implemented by depositing, and undergoing a wet etching process.

본 발명의 와이어 그리드 편광자(10)는 상술한 제3격자패턴(190)을 더 형성함으로써 전체 격자패턴의 높이를 증가시킬 수 있게 되어 편광 특성을 향상시킬 수 있는 이점을 갖는다. The wire grid polarizer 10 of the present invention can further increase the height of the entire grid pattern by further forming the above-described third grid pattern 190, which has an advantage of improving polarization characteristics.

한편 도면에는 미도시 하였으나, 상술한 구조를 갖는 와이어 그리드 편광자를 화소를 형성하는 액정패널의 상부 및 하부 중 적어도 어느 하나에 부착하고, 이 액정패널을 광원에서 발생되는 광을 상부로 발산하는 백라이트 유닛 상부에 위치시킴으로써 액정표시장치를 제조할 수 있다. 본 발명의 액정표시장치는, 제3격자패턴을 더 구비하여 종횡비가 향상된 상술한 구조의 와이어 그리드 편광자를 포함함에 따라, 휘도와 편광 효율이 향상되는 이점을 갖는다. 또한, 와이어 그리드 편광자 내부에 지지층을 형성함에 따라 액정표시장치의 내구성 및 신뢰도가 향상되는 이점도 갖게 된다.On the other hand, although not shown in the drawing, a backlight unit for attaching a wire grid polarizer having the above-described structure to at least one of the upper and lower portions of the liquid crystal panel forming the pixels, and emitting the light generated from the light source to the upper portion of the liquid crystal panel. The liquid crystal display device can be manufactured by positioning the upper portion. The liquid crystal display of the present invention further includes a third grid pattern and includes a wire grid polarizer having the above-described structure in which the aspect ratio is improved, thereby improving the luminance and the polarization efficiency. In addition, as the support layer is formed inside the wire grid polarizer, durability and reliability of the liquid crystal display may be improved.

도 3은 본 발명에 따른 와이어 그리드 편광자의 제조방법을 나타낸 순서도이다.3 is a flowchart illustrating a method of manufacturing a wire grid polarizer according to the present invention.

도 2 및 도 3을 참조하면, 본 발명에 따른 와이어 그리드 편광자 제조방법은, 투명 기판상에 복수의 제1격자패턴을 형성하고(S1), 제1격자패턴상에 제2격자패턴을 형성하고(S3), 제1격자패턴 및 제2격자패턴 표면에 지지층을 형성하고(S5), 제2격자패턴상에 제3격자패턴을 형성하는 것(S11), 제조한 와이어 그리드 편광자를 액정패널상에 부착(S13)하는 것을 포함하여 이루어질 수 있다. 2 and 3, in the method of manufacturing a wire grid polarizer according to the present invention, a plurality of first grid patterns are formed on a transparent substrate (S1), and a second grid pattern is formed on a first grid pattern. (S3), forming a support layer on the surface of the first grid pattern and the second grid pattern (S5), and forming a third grid pattern on the second grid pattern (S11), and manufacturing the wire grid polarizer on the liquid crystal panel It may be made, including attaching to (S13).

S1단계에서 사용되는 투명기판은 지지체로서 사용되며, 가시광선을 투과시킬 수 있는 유리 기판 및 Quartz, Acryl, TAC(triacetylcellulose), COP(cyclic olefin copolymer), COC(cyclic olefin polymer), PC(polycarbonate), PET(polyethylenenaphthalate), PES(polyethersulfone) 등의 다양한 고분자 등이 사용될 수 있다. 이외에 투명기판에 대한 내용은 도 2의 설명에서 상술한 바와 동일한 바, 생략한다.The transparent substrate used in the step S1 is used as a support, and a glass substrate capable of transmitting visible light, and quartz, acryl, triacetylcellulose (TAC), cyclic olefin copolymer (COP), cyclic olefin polymer (COC), PC (polycarbonate) Various polymers such as polyethylene (polyethylenenaphthalate) and polyethersulfone (PES) may be used. In addition, the contents of the transparent substrate are the same as described above in the description of FIG. 2, and thus will be omitted.

제1격자패턴을 형성하는 과정은 나노 임프린팅 공정에 의해 수행 가능하다. 즉 투명기판 상에 폴리머 수지, 예컨대 UV 레진(resin)을 도포하여 수지층인 제1격자베이스층을 형성한다. 이어서, 제1격자베이스층 상부에 홈과 돌출부를 가지는 임프린트 몰드를 정렬한다. 여기서, 임프린트 몰드의 복수개의 홈 및 돌출부는 서로 일정 간격 이격된 형태로 반복하여 형성된 형태를 갖는다. 또한, 임프린트 몰드의 홈은 제1격자패턴이 형성될 위치와 대응된다.The process of forming the first lattice pattern may be performed by a nano imprinting process. That is, a first resin base layer, which is a resin layer, is formed by applying a polymer resin such as UV resin on a transparent substrate. Subsequently, the imprint mold having the groove and the protrusion is aligned on the first lattice base layer. Here, the plurality of grooves and protrusions of the imprint mold are repeatedly formed at a predetermined distance from each other. In addition, the groove of the imprint mold corresponds to the position where the first grid pattern is to be formed.

이후 임프린트 몰드의 홈 부분과 제1격자베이스층이 접촉되도록 가압한 뒤, UV를 조사하여 광경화를 수행한다. 이에 따라, 투명기판의 상부에는 임프린트 몰드의 홈과 대응되는 부분에 복수의 제1격자패턴이 형성된다. 이때 임프린트 몰드는 자외선이 투과할 수 있도록 석영등과 같은 투명한 소재로 이루어짐이 바람직하다. 한편, 임프린트 몰드에 형성된 홈의 폭은 10nm 내지 200nm의 범위에서 구현됨이 바람직하나 이에 한정되지는 않는다. 홈과 대응되는 부분에 형성되는 제1격자패턴의 폭이 10nm 내지 200nm의 범위를 갖도록 하기 위함이다. 다만 이는 하나의 예시일 뿐이며, 임프린트 몰드 홈의 폭 및 제1격자패턴의 폭을 조절할 수 있음은 당업자에게 자명하다.Thereafter, the groove portion of the imprint mold and the first grid base layer are pressed to contact each other, and then irradiated with UV to perform photocuring. Accordingly, a plurality of first grid patterns are formed on a portion of the transparent substrate corresponding to the groove of the imprint mold. At this time, the imprint mold is preferably made of a transparent material such as quartz so as to transmit ultraviolet light. On the other hand, the width of the groove formed in the imprint mold is preferably implemented in the range of 10nm to 200nm, but is not limited thereto. This is for the width of the first lattice pattern formed in the portion corresponding to the groove to be in the range of 10 nm to 200 nm. However, this is only one example, and it will be apparent to those skilled in the art that the width of the imprint mold groove and the width of the first grid pattern may be adjusted.

아울러 임프린트 몰드의 홈의 깊이는 10nm 내지 500nm의 범위에서 구현됨이 바람직하나 이에 한정되지는 않는다. 홈과 대응되는 부분에 형성되는 제1격자패턴의 높이가 10nm 내지 500nm의 범위를 갖도록 하기 위함이다. 다만 이는 하나의 예시일 뿐이며, 임프린트 몰드 홈의 깊이 및 제1격자패턴의 높이를 조절할 수 있음은 당업자에게 자명하다. In addition, the depth of the groove of the imprint mold is preferably implemented in the range of 10nm to 500nm, but is not limited thereto. This is for the height of the first grid pattern formed in the portion corresponding to the groove to be in the range of 10 nm to 500 nm. However, this is only one example, it is apparent to those skilled in the art that the depth of the imprint mold groove and the height of the first grid pattern may be adjusted.

이와 더불어 임프린트 몰드에 일정간격으로 형성된 홈 및 돌출부의 주기는 100nm 내지 200nm의 범위에서 구현됨이 바람직하나 이에 한정되지는 않는다. 임프린트 몰드에 의해 형성되는 제1격자패턴의 주기가 100nm 내지 200nm의 범위에서 구현되도록 하기 위함이다.In addition, the period of the grooves and the protrusions formed at regular intervals in the imprint mold is preferably implemented in the range of 100nm to 200nm, but is not limited thereto. The period of the first grid pattern formed by the imprint mold is to be implemented in the range of 100nm to 200nm.

또한 제1격자패턴의 폭과 높이의 비율은 1:(0.2~5)를 만족하도록 구현되는 것이 바람직함은 도 2의 설명에서 상술한 바와 같다.In addition, the ratio of the width and the height of the first grid pattern is preferably implemented to satisfy 1: (0.2 to 5) as described above with reference to FIG. 2.

한편, 상술한 실시예에서는 제1격자베이스층을 형성하는 폴리머 수지가 광경화성 수지인 경우로 설명하였으나, 열경화성 수지도 필요에 따라 사용될 수 있으며, 이에 따라 제1격자베이스층을 임프린트 몰드로 가압 한 후 열경화 과정을 수행함으로써 본 발명의 제1격자패턴을 형성할 수도 있다. 예컨대, 열경화성 수지로 제1격자베이스층을 형성한 후, 가열된 임프린트 몰드로 가압하여 제1격자베이스층을 경화함으로써 본 발명의 제1격자패턴을 형성할 수도 있다. 한편, 제1격자베이스층을 형성하는 물질이 열경화성 수지인 경우, 임프린트 몰드는 가열 및 고압공정에 견딜 수 있는 소재로 이루어짐이 바람직하다.Meanwhile, in the above-described embodiment, the polymer resin forming the first lattice base layer is described as being a photocurable resin, but thermosetting resins may also be used if necessary, and thus, the first lattice base layer is pressed by an imprint mold. The first lattice pattern of the present invention may be formed by performing a post-heat curing process. For example, after forming the first lattice base layer with a thermosetting resin, the first lattice pattern of the present invention may be formed by pressing with a heated imprint mold to cure the first lattice base layer. On the other hand, when the material forming the first lattice base layer is a thermosetting resin, the imprint mold is preferably made of a material that can withstand heating and high pressure processes.

S3 단계의 제2격자패턴을 형성하는 과정은 다음과 같이 이루어질 수 있다.The process of forming the second grid pattern of step S3 may be performed as follows.

제1격자패턴상에 스퍼터링법이나 화학기상증착법, 이배포레이션(Evaporation)등 현재 개발되어 상용화되었거나 향후 기술발전에 따라 구현 가능한 모든 증착방법을 통해 전도성 물질을 증착하여 제2격자베이스층을 형성한다. 여기서 전도성 물질로서 금속, 금속산화물 등이 이용될 수 있으며, 보다 자세하게는 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 은(Ag), 구리(Cu), 니켈(Ni), 코발트(Co), 몰리브덴(Mo) 중 선택되는 어느 하나의 금속 또는 이들의 합금이 이용될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.The second grid base layer is formed by depositing a conductive material on the first grid pattern by any deposition method that has been developed and commercialized, such as sputtering, chemical vapor deposition, and evaporation, or can be implemented according to future technological developments. . Here, a metal, a metal oxide, or the like may be used as the conductive material, and more specifically, aluminum (Al), chromium (Cr), silver (Ag), copper (Cu), nickel (Ni), cobalt (Co), and molybdenum ( Any metal selected from Mo) or an alloy thereof may be used, but is not limited thereto.

제2격자베이스층을 형성한 후, 에칭공정을 수행하여 제1격자패턴간의 이격된 공간을 에칭함으로써 제2격자패턴을 형성한다. 여기서 에칭되는 부분은 제1격자패턴간의 이격된 공간뿐만 아니라, 필요에 따라 제1격자패턴상에 형성된 제2격자베이스층의 일부도 에칭될 수 있다. After forming the second lattice base layer, an etching process is performed to etch the spaced space between the first lattice patterns to form the second lattice pattern. Here, the portion to be etched may be etched not only a spaced space between the first grid patterns, but also a portion of the second grid base layer formed on the first grid pattern as necessary.

한편, 상술한 에칭공정은 습식에칭공정으로 진행되는 것이 바람직하며, 습식에칭 공정 시간을 조절함으로써 제2격자패턴의 폭 및 두께를 조절할 수 있다. 다만, 이러한 습식에칭공정을 진행하는 경우에는, 금속물질 증착시 제1격자패턴을 매립하는 구조로 형성하지 않고, 제1격자패턴간에 이격된 공간이 구비되도록 금속물질을 증착하여 금속층을 형성하는 것이 바람직하다. 원활한 습식에칭을 진행하기 위함이다. 이외에 제2격자패턴에 관한 내용은 도 2의 설명에서 상술한 바와 동일한 바, 생략한다.On the other hand, the above-described etching process is preferably carried out by a wet etching process, it is possible to adjust the width and thickness of the second grid pattern by adjusting the time of the wet etching process. However, when the wet etching process is performed, the metal layer is formed by depositing the metal material so that the space between the first lattice patterns is provided without forming the first lattice pattern when the metal material is deposited. desirable. This is for the smooth wet etching. In addition, the content of the second grid pattern is the same as described above in the description of FIG. 2, and thus will be omitted.

제2격자패턴을 형성한 후, 제1격자패턴 및 제2격자패턴 표면에 지지층을 형성한다(S5). 본 발명의 지지층은 도 2의 설명에서 상술한 바와 같이, 차후 제3격자패턴 형성시 수행되는 에칭공정에서 제1격자패턴 및 제2격자패턴을 보호하는 에칭 배리어 역할을 수행한다. 이러한 본 발명의 지지층은 제1격자패턴 및 제2격자패턴 표면 전부 또는 일부에 형성될 수 있으며, 다만 제2격자패턴의 표면 전부에 형성되는 것이 바람직하다. 금속재질로 이루어지는 제2격자패턴의 에칭을 방지하기 위함이다. 지지층의 형성은 이배포레이션(Evaporation)법에 의하여 제1격자패턴 및 제2격자패턴 표면에 지지층 형성 물질을 증착하는 방법에 의해 이루어질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며 이외에도 지지층 형성 물질을 제1격자패턴 및 제2격자패턴 표면에 코팅하는 방법 등, 구현 가능한 모든 기술로 본 발명의 지지층을 형성할 수 있다고 할 것이다. 한편, 지지층 형성 물질은 투명재질로 형성되어 높은 광투과성을 가지는 것이 바람직하다. 이러한 투명재질로서 SiO2, MgO2, CeO2, ZrO2, ZnO, ITO 등의 투명한 금속산화물, 폴리머 수지 또는 산화물(Oxide)이 이용될 수 있으나, 이는 하나의 예시일 뿐이며, 에칭 베리어 역할을 수행할 수 있는 모든 물질로 본 발명의 지지층을 형성할 수 있음은 도 2의 설명에서 상술한 바와 같다.After forming the second grid pattern, the support layer is formed on the surface of the first grid pattern and the second grid pattern (S5). As described above in the description of FIG. 2, the support layer of the present invention serves as an etching barrier to protect the first grid pattern and the second grid pattern in an etching process performed at the time of forming the third grid pattern. The support layer of the present invention may be formed on all or part of the surface of the first grid pattern and the second grid pattern, it is preferably formed on the entire surface of the second grid pattern. This is to prevent the etching of the second grid pattern made of a metal material. The support layer may be formed by a method of depositing a support layer forming material on the surface of the first grid pattern and the second grid pattern by an evaporation method, but is not limited thereto. It will be said that the support layer of the present invention can be formed by any technique that can be implemented, such as a method of coating the pattern and the surface of the second grid pattern. On the other hand, the support layer forming material is preferably formed of a transparent material having a high light transmittance. As such a transparent material, a transparent metal oxide, a polymer resin, or an oxide such as SiO 2 , MgO 2 , CeO 2 , ZrO 2 , ZnO, or ITO may be used, but this is only one example, and serves as an etching barrier. It is possible to form the support layer of the present invention from any material that can be as described above in the description of FIG.

지지층을 형성한 후, 제2격자패턴 상에 제3격자패턴을 형성하며(S7) 이는 다음과 같이 이루어질 수 있다. After forming the support layer, a third grid pattern is formed on the second grid pattern (S7), which may be performed as follows.

제2격자패턴상에 스퍼터링법이나 화학기상증착법, 이배포레이션(Evaporation)등 현재 개발되어 상용화되었거나 향후 기술발전에 따라 구현 가능한 모든 증착방법을 통해 전도성 물질을 증착하여 제3격자베이스층을 형성한다. 여기서 전도성 물질로서 금속, 금속산화물 등이 이용될 수 있으며, 보다 자세하게는 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 은(Ag), 구리(Cu), 니켈(Ni), 코발트(Co), 몰리브덴(Mo) 중 선택되는 어느 하나의 금속 또는 이들의 합금이 이용될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 한편, 제3격자패턴을 형성하는 물질이 금속 또는 금속산화물인 경우, 습식에칭공정을 수행하여 제3격자패턴을 형성할 수 있으며, 이때 습식에칭 공정 시간을 조절함으로써 제3격자패턴의 폭 및 두께를 조절할 수 있음은 제2격자패턴의 경우와 동일하다. The third lattice base layer is formed by depositing a conductive material on the second lattice pattern by any deposition method that has been developed and commercialized, such as sputtering, chemical vapor deposition, and evaporation, or can be implemented according to future technological developments. . Here, a metal, a metal oxide, or the like may be used as the conductive material, and more specifically, aluminum (Al), chromium (Cr), silver (Ag), copper (Cu), nickel (Ni), cobalt (Co), and molybdenum ( Any metal selected from Mo) or an alloy thereof may be used, but is not limited thereto. On the other hand, when the material forming the third grid pattern is a metal or metal oxide, it is possible to form a third grid pattern by performing a wet etching process, wherein the width and thickness of the third grid pattern by adjusting the wet etching process time It is possible to adjust the same as the case of the second grid pattern.

상술한 본 발명의 와이어 그리드 편광자 제조방법에 의하면, 상온에서 습식에칭을 통해 제2격자패턴 및 제3격자패턴을 형성할 수 있는 이점 및 습식에칭 공정 시간을 조절하여 제2격자패턴 및 제3격자패턴의 폭과 높이를 조절할 수 있는 이점을 갖는다. 또한, 에칭 배리어인 지지층을 형성함에 따라 습식에칭 공정을 이용하더라도 구조적 안정성이 높으면서도 전체 격자패턴의 종횡비를 향상시킬 수 있는 이점 및 이에 따라 편광 특성이 향상된 와이어 그리드 편광자를 제공할 수 있는 이점도 갖는다.According to the wire grid polarizer manufacturing method of the present invention as described above, the second grid pattern and the third grid by controlling the wet etching process time and the advantage of forming the second grid pattern and the third grid pattern through wet etching at room temperature It has the advantage of adjusting the width and height of the pattern. In addition, by forming the support layer as an etching barrier, even when the wet etching process is used, the structural stability is high and the aspect ratio of the entire lattice pattern can be improved, and thus, the wire grid polarizer can be provided with improved polarization characteristics.

도 4a 내지 도 4i는 본 발명의 실시예에 따른 와이어 그리드 편광자의 제조방법을 나타낸 제조공정도이다.4A to 4I are manufacturing process diagrams illustrating a manufacturing method of a wire grid polarizer according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 2 내지 도 4i를 참조하면, 도 3a에 도시된 바와 같이 투명기판(110)상에 폴리머 수지를 도포하여 제1격자베이스층(120)을 형성한다.2 to 4I, as illustrated in FIG. 3A, a polymer resin is coated on the transparent substrate 110 to form the first grid base layer 120.

이후 도 4b에 도시된 바와 같이 제1격자베이스층(120) 상부에 임프린트 몰드(210)를 정렬한다. 여기서 임트린트몰드(210)는 도 2의 설명에서 상술한 바와 같이, 일정 간격으로 정렬된 다수의 돌출부(211)와 각 돌출부간에 형성된 다수의 홈을 갖는다. 여기서 홈의 폭(A)는 10nm 내지 200nm의 범위에서 구현됨이 바람직하며, 홈의 깊이는 10nm 내지 500nm의 범위에서 구현됨이 바람직하나 이에 한정되지는 않음은 도 2 및 도 3의 설명에서 상술한 바와 같다. 또한, 제1격자패턴(130)의 주기는 100nm~250nm의 범위에서 구현되는 것이 바람직하나, 이에 한정되는 것은 아니다.Thereafter, as shown in FIG. 4B, the imprint mold 210 is aligned on the first grid base layer 120. Here, the imprint mold 210 has a plurality of protrusions 211 arranged at regular intervals and a plurality of grooves formed between the protrusions, as described above in the description of FIG. 2. Here, the width A of the groove is preferably implemented in the range of 10 nm to 200 nm, and the depth of the groove is preferably implemented in the range of 10 nm to 500 nm, but is not limited thereto. Same as one. In addition, the period of the first grid pattern 130 is preferably implemented in the range of 100nm ~ 250nm, but is not limited thereto.

그리고 도 4c에 도시된 바와 같이 제1격자베이스층(120) 상부를 임프린트 몰드(210)로 가압한 후 도 4d에 도시된 바와 같이 임프린트 몰드(210)를 분리하여 제1격자패턴(130)을 형성한다. 이때 임프린트 몰드(210)로 제1격자베이스층(120)을 가압한 후 분리하기 전에 제1격자베이스층(120)을 이루는 물질 종류에 따라 열경화과정 또는 자외선(UV)조사를 통한 광경화과정을 수행할 수 있다. As shown in FIG. 4C, after pressing the upper portion of the first grid base layer 120 with the imprint mold 210, the first grid pattern 130 is removed by separating the imprint mold 210 as shown in FIG. 4D. Form. At this time, after pressing the first lattice base layer 120 with the imprint mold 210 and before being separated, the photocuring process by heat curing or ultraviolet (UV) irradiation depending on the type of material constituting the first lattice base layer 120. Can be performed.

제1격자패턴(130)을 형성한 후, 도 4e에 도시된 바와 같이 제1격자패턴(130)상에 금속재질의 물질을 증착하여 제2격자베이스층(140)을 형성한다. 이때 제2격자베이스층(140)은 제1격자패턴(721)을 매립하는 구조로 형성하고, 그 높이는 제1격자패턴(721)의 높이보다 크게 형성하는 것이 바람직하다. 제2격자베이스층(735)의 높이와 제1격자패턴(721)의 높이의 차이가 차후 형성될 제2격자패턴의 최대두께가 되기 때문이다. 한편, 제2격자베이스층(140)은, 제1격자패턴간의 공간 전체를 매립하는 구조가 아닌, 일정부분의 이격 공간(141)이 구비되는 구조로 형성되는 것이 바람직하다. 여기서 제1격자패턴(7351)상에 증착되는 금속물질로서 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 은(Ag), 구리(Cu), 니켈(Ni), 코발트(Co), 몰리브덴(Mo) 중 선택되는 어느 하나의 금속 또는 이들의 합금이 이용될 수 있으며, 증착방법은 스퍼터링법이나 화학기상증착법, 이배포레이션(Evaporation)등 현재 개발되어 상용화되었거나 향후 기술발전에 따라 구현 가능한 모든 증착방법이 이용될 수 있음은 도 2 및 도 3의 설명에서 상술한 바와 같다.After forming the first grid pattern 130, as shown in FIG. 4E, a metal material is deposited on the first grid pattern 130 to form the second grid base layer 140. In this case, the second lattice base layer 140 may be formed to have a structure in which the first lattice pattern 721 is embedded, and the height thereof is greater than the height of the first lattice pattern 721. This is because the difference between the height of the second grid base layer 735 and the height of the first grid pattern 721 becomes the maximum thickness of the second grid pattern to be formed later. On the other hand, the second grid base layer 140 is preferably formed in a structure that is provided with a space portion 141 of a predetermined portion, not a structure that fills the entire space between the first grid pattern. The metal material deposited on the first lattice pattern 7171 may be one of aluminum (Al), chromium (Cr), silver (Ag), copper (Cu), nickel (Ni), cobalt (Co), and molybdenum (Mo). Any one metal or alloy thereof may be used, and the deposition method is sputtering, chemical vapor deposition, evaporation, and the like, which are currently developed and commercialized or may be implemented according to future technological developments. It may be as described above in the description of Figures 2 and 3.

제2격자베이스층(150)을 형성한 후, 도 4f에 도시된 바와 같이 제1격자패턴(130) 사이의 공간을 에칭하여 제2격자패턴(150)를 형성한다 이때 제2격자패턴(150) 형성을 위한 에칭공정이 습식에칭공정인 경우, 이때 습식에칭 수행 시간을 조절하여 제2격자패턴(150)의 폭 및 두께를 조절할 수 있다. 바람직한 본 발명의 실시예에서는 제2격자패턴(150)의 폭(C)과 높이(D)의 비율의 1:(0.5~1.5)로 구현할 수 있다. 특히, 제1격자패턴(130)의 폭(A)과 제2격자패턴(150)의 폭(C)의 비율은 1:(0.2~1.5)의 범위에서 형성할 수 있으며, 구체적으로는 제2격자패턴(150)의 폭(C)은 2nm~300nm의 범위에서 구현될 수 있다. 아울러 본 발명에 따른 제2격자패턴(150)의 폭(C)은 제1격자패턴(130)의 폭의 (0.2~1.5)배가 되도록 조절함이 바람직함은 도 2 및 도 3의 설명에서 상술한 바와 같다.After forming the second lattice base layer 150, as shown in FIG. 4F, the space between the first lattice patterns 130 is etched to form the second lattice pattern 150. In this case, the second lattice pattern 150 is formed. In the case where the etching process for forming the wet etching process is a wet etching process, the width and thickness of the second grid pattern 150 may be adjusted by adjusting the wet etching time. In a preferred embodiment of the present invention can be implemented as 1: (0.5 ~ 1.5) of the ratio of the width (C) and the height (D) of the second grid pattern 150. In particular, the ratio of the width A of the first lattice pattern 130 to the width C of the second lattice pattern 150 may be formed in a range of 1: (0.2 to 1.5). The width C of the grating pattern 150 may be implemented in the range of 2 nm to 300 nm. In addition, the width (C) of the second grid pattern 150 according to the present invention is preferably adjusted to be (0.2 ~ 1.5) times the width of the first grid pattern 130 in the description of Figures 2 and 3 Same as one.

이후 도 4g에 도시된 바와 같이 제1격자패턴(130) 및 제2격자패턴(150)의 표면에 에 지지층(160)을 형성한다. 지지층은 차후 제2격자패턴 형성시 수행되는 에칭공정에서 제1격자패턴 및 제2격자패턴, 특히 제2격자패턴을 보호하는 에칭 배리어 역할을 하며, 투명재질의 폴리머 또는 산화물을 이용하여 형성할 수 있음은 도 2 및 도 3의 설명에서 상술한 바와 같다.Thereafter, as shown in FIG. 4G, the support layer 160 is formed on the surfaces of the first grid pattern 130 and the second grid pattern 150. The support layer serves as an etching barrier to protect the first grid pattern and the second grid pattern, in particular the second grid pattern, in an etching process performed at the time of forming the second grid pattern, and may be formed using a polymer or an oxide of a transparent material. Yes is as described above in the description of Figures 2 and 3.

지지층(160)을 형성한 후, 도 4h에 도시된 바와 같이 제2격자패턴상에 금속재질의 물질을 증착하여 제3격자베이스층(170)을 형성한다. 제3격자베이스층(170)은, 제2격자베이스층(140)의 경우와 마찬가지로, 제1격자패턴(130) 또는 제2격자패턴(150) 사이의 이격된 공간 전체를 매립하는 구조가 아닌, 일정부분의 이격 공간(171)이 구비되는 구조로 형성되는 것이 바람직하다. 여기서 제2격자패턴(150)상에 증착되는 금속물질로서 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 은(Ag), 구리(Cu), 니켈(Ni), 코발트(Co), 몰리브덴(Mo) 중 선택되는 어느 하나의 금속 또는 이들의 합금이 이용될 수 있으며, 증착방법은 스퍼터링법이나 화학기상증착법, 이배포레이션(Evaporation)등 현재 개발되어 상용화되었거나 향후 기술발전에 따라 구현 가능한 모든 증착방법이 이용될 수 있음은 도 2 및 도 3의 설명에서 상술한 바와 같다.After forming the support layer 160, as shown in FIG. 4H, a metal material is deposited on the second grid pattern to form the third grid base layer 170. Similar to the case of the second grid base layer 140, the third grid base layer 170 is not a structure that fills the entire spaced space between the first grid pattern 130 or the second grid pattern 150. , It is preferable to be formed in a structure provided with a predetermined spaced apart space 171. The metal material deposited on the second lattice pattern 150 may include aluminum, chromium (Cr), silver (Ag), copper (Cu), nickel (Ni), cobalt (Co), and molybdenum (Mo). Any one metal or alloy thereof may be used, and the deposition method is sputtering, chemical vapor deposition, evaporation, and the like, which are currently developed and commercialized or may be implemented according to future technological developments. It may be as described above in the description of Figures 2 and 3.

제3격자베이스층(170)을 형성한 후, 도 4i에 도시된 바와 같이 각 제1격자패턴(130) 사이의 공간을 에칭하여 제3격자패턴(190)를 형성한다. 이때 제3격자패턴(190) 형성을 위한 에칭공정이 습식에칭공정인 경우, 습식에칭 수행 시간을 조절하여 제3격자패턴(190)의 폭 및 두께를 조절할 수 있다.After the third grid base layer 170 is formed, a space between each first grid pattern 130 is etched to form a third grid pattern 190 as illustrated in FIG. 4I. In this case, when the etching process for forming the third grid pattern 190 is a wet etching process, the width and thickness of the third grid pattern 190 may be adjusted by adjusting the wet etching time.

이상으로 본 발명의 기술적 사상을 예시하기 위한 바람직한 실시예와 관련하여 설명하고 도시하였지만, 본 발명은 이와 같이 도시되고 설명된 그대로의 구성 및 작용에만 국한되는 것은 아니며, 기술적 사상의 범주를 일탈함 없이 본 발명에 대해 다수의 적절한 변형 및 수정이 가능함을 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자들은 잘 이해할 수 있을 것이다. 따라서 그러한 모든 적절한 변형 및 수정과 균등물들도 본 발명의 범위에 속하는 것으로 간주되어야 할 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, but, on the contrary, Those skilled in the art will appreciate that many suitable modifications and variations are possible in light of the present invention. Accordingly, all such suitable modifications and variations and equivalents should be considered to be within the scope of the present invention.

110: 투명기판
120: 수지층, 제1격자베이스층
130: 제1격자패턴
140: 제2격자베이스층
150: 제2격자패턴
160: 지지층
170: 제3격자베이스층
190: 제3격자패턴
210: 임프린트 몰드110: transparent substrate
120: resin layer, first grid base layer
130: first grid pattern
140: second grid base layer
150: second grid pattern
160: support layer
170: third lattice base layer
190: third grid pattern
210: imprint mold

Claims (29)

투명기판;
상기 투명기판 상부에 형성된 복수의 제1격자패턴;
상기 제1격자패턴 상부에 형성된 제2격자패턴;
상기 제1격자패턴 및 상기 제2격자패턴의 표면에 형성된 지지층;
상기 지지층이 형성된 상기 제2격자패턴 상부에 형성된 제3격자패턴;
을 포함하는 와이어 그리드 편광자.
Transparent substrate;
A plurality of first grid patterns formed on the transparent substrate;
A second grid pattern formed on the first grid pattern;
A support layer formed on surfaces of the first grid pattern and the second grid pattern;
A third grid pattern formed on the second grid pattern on which the support layer is formed;
Wire grid polarizer comprising a.
청구항 1에 있어서,
상기 지지층은,
투명 재질로 형성된 와이어 그리드 편광자.
The method according to claim 1,
The support layer,
Wire grid polarizer formed of transparent material.
청구항 2에 있어서,
상기 지지층은,
폴리머 또는 산화물로 형성된 와이어 그리드 편광자.
The method according to claim 2,
The support layer,
Wire grid polarizer formed of polymer or oxide.
청구항 1에 있어서,
상기 제3격자패턴은,
금속재질로 형성된 와이어 그리드 편광자.
The method according to claim 1,
The third grid pattern is,
Wire grid polarizer formed of metal material.
청구항 4에 있어서,
상기 제3격자패턴은,
알루미늄(Al), 크롬(Cr), 은(Ag), 구리(Cu), 니켈(Ni), 코발트(Co), 몰리브덴(Mo) 중 선택되는 어느 하나의 금속 또는 이들의 합금으로 형성된 와이어 그리드 편광자.
The method of claim 4,
The third grid pattern is,
Wire grid polarizer formed of any one metal selected from aluminum (Al), chromium (Cr), silver (Ag), copper (Cu), nickel (Ni), cobalt (Co), molybdenum (Mo) or alloys thereof .
청구항 4에 있어서,
상기 제1격자패턴은 폴리머로 형성되고,
상기 제2격자패턴은 금속재질로 형성된 와이어 그리드 편광자.
The method of claim 4,
The first grid pattern is formed of a polymer,
The second grid pattern is a wire grid polarizer formed of a metal material.
청구항 6에 있어서,
상기 제2격자패턴은,
알루미늄(Al), 크롬(Cr), 은(Ag), 구리(Cu), 니켈(Ni), 코발트(Co), 몰리브덴(Mo) 중 선택되는 어느 하나의 금속 또는 이들의 합금으로 형성된 와이어 그리드 편광자.
The method of claim 6,
The second grid pattern is,
Wire grid polarizer formed of any one metal selected from aluminum (Al), chromium (Cr), silver (Ag), copper (Cu), nickel (Ni), cobalt (Co), molybdenum (Mo) or alloys thereof .
청구항 7에 있어서,
상기 제2격자패턴과 상기 제3격자패턴은,
동일한 재질로 형성된 와이어 그리드 편광자.
The method of claim 7,
The second grid pattern and the third grid pattern,
Wire grid polarizer formed of the same material.
청구항 1 내지 8 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제1격자패턴 또는 상기 제2격자패턴의 주기는 100nm 내지 200nm인 와이어 그리드 편광자.
The method according to any one of claims 1 to 8,
The period of the first grid pattern or the second grid pattern is a wire grid polarizer of 100nm to 200nm.
청구항 9에 있어서,
상기 제1격자패턴은,
폭이 10nm 내지 200nm 이고, 높이는 10nm 내지 500nm인 와이어 그리드 편광자.
The method according to claim 9,
The first grid pattern,
A wire grid polarizer having a width of 10 nm to 200 nm and a height of 10 nm to 500 nm.
청구항 10에 있어서,
상기 제1격자패턴의 폭과 높이의 비율은 1:(0.2~5)를 만족하는 와이어 그리드 편광자.
The method of claim 10,
The ratio of the width and the height of the first grid pattern is a wire grid polarizer satisfying 1: (0.2 ~ 5).
청구항 9에 있어서,
상기 제1격자패턴의 폭과 상기 제2격자패턴의 폭의 비율은 1:(0.2~1.5)를 만족하는 와이어 그리드 편광자.
The method according to claim 9,
The ratio of the width of the first grid pattern and the width of the second grid pattern is a wire grid polarizer that satisfies 1: (0.2 ~ 1.5).
청구항 12에 있어서,
상기 제2격자패턴의 폭은 2nm 내지 300nm의 범위를 만족하는 와이어 그리드 편광자.
The method of claim 12,
The width of the second grid pattern is a wire grid polarizer satisfying the range of 2nm to 300nm.
투명기판 상에 복수의 제1격자패턴을 형성하고,
상기 제1격자패턴상에 제2격자패턴을 형성하고,
상기 제1격자패턴 및 상기 제2격자패턴의 표면에 지지층을 증착 형성하고,
상기 제2격자패턴상에 제3격자패턴을 형성하는 것을 포함하여 이루어지는 와이어 그리드 편광자 제조방법.
Forming a plurality of first grid patterns on the transparent substrate,
Forming a second grid pattern on the first grid pattern,
Depositing a support layer on surfaces of the first grid pattern and the second grid pattern,
The wire grid polarizer manufacturing method comprising forming a third grid pattern on the second grid pattern.
청구항 14에 있어서,
상기 지지층을 증착 형성하는 것은,
스프터링법, 화학기상증착법, 이배포레이션(Evaporation)법 중 어느 하나의 방법을 이용하여 상기 제1격자패턴 및 상기 제2격자패턴의 표면에 투명재질의 물질을 증착하는 것을 포함하여 이루어지는 와이어 그리드 편광자 제조방법.
The method according to claim 14,
Deposition of the support layer,
A wire grid comprising depositing a transparent material on the surface of the first grid pattern and the second grid pattern using any one of sputtering, chemical vapor deposition, and evaporation. Polarizer manufacturing method.
청구항 15에 있어서,
상기 투명재질의 물질은, 폴리머 또는 산화물인 와이어 그리드 편광자 제조방법.
The method according to claim 15,
The transparent material is a wire grid polarizer manufacturing method of a polymer or oxide.
청구항 14에 있어서,
상기 제3격자패턴을 형성하는 것은,
상기 제2격자패턴 상에 금속재질의 물질을 증착하여 제3격자베이스층을 형성하고,
상기 제3격자베이스층을 습식에칭하는 것을 포함하여 이루어지는 와이어 그리드 편광자 제조방법.
The method according to claim 14,
Forming the third grid pattern,
Depositing a metal material on the second grid pattern to form a third grid base layer,
A method of manufacturing a wire grid polarizer comprising wet etching the third grid base layer.
청구항 17에 있어서,
상기 금속재질의 물질은,
알루미늄(Al), 크롬(Cr), 은(Ag), 구리(Cu), 니켈(Ni), 코발트(Co), 몰리브덴(Mo) 중 선택되는 어느 하나의 금속 또는 이들의 합금인 와이어 그리드 편광자 제조방법.
18. The method of claim 17,
The metal material is,
Manufacture of wire grid polarizer which is any one metal selected from aluminum (Al), chromium (Cr), silver (Ag), copper (Cu), nickel (Ni), cobalt (Co), molybdenum (Mo) or an alloy thereof Way.
청구항 17에 있어서,
상기 금속재질의 물질을 증착하는 것은,
스퍼터링 방법, 화학기상증착법, 이배포레이션(Evaporation)법 중 적어도 어느 하나의 방법에 의해 이루어지는 와이어 그리드 편광자 제조방법.
18. The method of claim 17,
Depositing the metal material,
A wire grid polarizer manufacturing method made by at least one of a sputtering method, a chemical vapor deposition method, and an evaporation method.
청구항 14 내지 19 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제1격자패턴을 형성하는 것은,
상기 투명기판상에 폴리머 수지로 이루어진 제1격자베이스층을 형성하고,
상기 제1격자베이스층 상부를 복수의 홈을 갖는 임프린트 몰드로 가압하여 상기 복수의 홈과 대응되는 영역에 상기 제1격자패턴을 형성하는 것을 포함하여 이루어지는 액정표시장치 제조방법.
The method according to any one of claims 14 to 19,
Forming the first grid pattern,
Forming a first lattice base layer made of a polymer resin on the transparent substrate,
And pressing the upper portion of the first grid base layer with an imprint mold having a plurality of grooves to form the first grid pattern in a region corresponding to the plurality of grooves.
청구항 20에 있어서,
상기 제2격자패턴을 형성하는 것은,
상기 제1격자패턴 상에 금속재질의 물질을 증착하여 제2격자베이스층을 형성하고,
상기 제2격자베이스층을 습식에칭하는 것을 포함하여 이루어지는 와이어 그리드 편광자 제조방법.
The method of claim 20,
Forming the second grid pattern,
Depositing a metal material on the first grid pattern to form a second grid base layer,
A method of manufacturing a wire grid polarizer comprising wet etching the second grid base layer.
청구항 21에 있어서,
상기 제2격자베이스층을 이루는 금속재질의 물질은,
알루미늄(Al), 크롬(Cr), 은(Ag), 구리(Cu), 니켈(Ni), 코발트(Co), 몰리브덴(Mo) 중 선택되는 어느 하나의 금속 또는 이들의 합금인 와이어 그리드 편광자 제조방법.
23. The method of claim 21,
The metal material constituting the second grid base layer,
Manufacture of wire grid polarizer which is any one metal selected from aluminum (Al), chromium (Cr), silver (Ag), copper (Cu), nickel (Ni), cobalt (Co), molybdenum (Mo) or an alloy thereof Way.
청구항 22에 있어서,
상기 제2격자베이스층 및 상기 제3격자베이스층은,
동일한 물질로 이루어지는 와이어 그리드 편광자 제조방법.
23. The method of claim 22,
The second grid base layer and the third grid base layer,
Wire grid polarizer manufacturing method made of the same material.
청구항 21에 있어서,
상기 제2격자베이스층을 이루는 금속재질의 물질은,
스퍼터링 방법, 화학기상증착법, 이배포레이션(Evaporation)법 중 적어도 어느 하나의 방법에 의해 상기 제1격자패턴상에 증착되는 와이어 그리드 편광자 제조방법.
23. The method of claim 21,
The metal material constituting the second grid base layer,
A method of manufacturing a wire grid polarizer deposited on the first grid pattern by at least one of a sputtering method, a chemical vapor deposition method, and an evaporation method.
청구항 20에 있어서,
상기 제1격자패턴을 형성하는 것은,
주기 100nm~200nm로 형성되는 복수의 제1격자패턴을 형성하는 것인 와이어 그리드 편광자 제조방법.
The method of claim 20,
Forming the first grid pattern,
A wire grid polarizer manufacturing method for forming a plurality of first grid pattern formed in a period 100nm ~ 200nm.
청구항 25에 있어서,
상기 제2격자패턴을 형성하는 것은,
상기 제2격자패턴의 폭을 2nm~300nm의 범위로 형성하는 것인 와이어 그리드 편광자의 제조방법.
26. The method of claim 25,
Forming the second grid pattern,
The method of manufacturing a wire grid polarizer to form a width of the second grid pattern in the range of 2nm ~ 300nm.
청구항 26에 있어서,
상기 제2격자패턴을 형성하는 것은,
상기 제1격자패턴의 폭과 상기 제2격자패턴의 폭의 비율이 1:(0.2~1.5)를 만족하도록 습식에칭하는 것을 포함하여 이루어지는 와이어 그리드 편광자의 제조방법.
27. The method of claim 26,
Forming the second grid pattern,
And wet-etching the ratio of the width of the first lattice pattern to the width of the second lattice pattern to satisfy 1: (0.2 to 1.5).
청구항 20에 있어서,
상기 제1격자패턴을 형성하는 것은,
상기 제1격자패턴의 폭은 10nm~200nm, 높이는 10nm~500nm의 범위를 만족하거나, 상기 제1격자패턴의 폭과 높이의 비율이 1:(0.2~5)를 만족하도록 구현하는 것인 와이어 그리드 편광자 제조방법.
The method of claim 20,
Forming the first grid pattern,
The width of the first grid pattern is 10nm ~ 200nm, the height is 10nm ~ 500nm range, or the ratio of the width and height of the first grid pattern is implemented to satisfy 1: (0.2 ~ 5) Polarizer manufacturing method.
광원에서 발산되는 상부로 발산하는 백라이트 유닛;
상기 백라이트 유닛 상부에 적층되어, 화소를 형성하는 액정 패널;
상기 액정패널의 상부 또는 하부에 배치되는 청구항 1 내지 8 중 어느 한 항의 와이어 그리드 편광자;
를 포함하는 액정표시장치. A backlight unit emitting upward from the light source;
A liquid crystal panel stacked on the backlight unit to form a pixel;
The wire grid polarizer of any one of claims 1 to 8 disposed on the upper or lower portion of the liquid crystal panel;
And the liquid crystal display device.
KR1020110087232A 2011-08-30 2011-08-30 A wire grid polarizer, liquid crystal display including the same and method of manufacturing the wire grid polarizer KR101806559B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110087232A KR101806559B1 (en) 2011-08-30 2011-08-30 A wire grid polarizer, liquid crystal display including the same and method of manufacturing the wire grid polarizer

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110087232A KR101806559B1 (en) 2011-08-30 2011-08-30 A wire grid polarizer, liquid crystal display including the same and method of manufacturing the wire grid polarizer

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20130024041A true KR20130024041A (en) 2013-03-08
KR101806559B1 KR101806559B1 (en) 2017-12-07

Family

ID=48176179

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020110087232A KR101806559B1 (en) 2011-08-30 2011-08-30 A wire grid polarizer, liquid crystal display including the same and method of manufacturing the wire grid polarizer

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101806559B1 (en)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2015060941A1 (en) * 2013-10-24 2015-04-30 Moxtek, Inc. Polarizer with wire pair over rib
US9348076B2 (en) 2013-10-24 2016-05-24 Moxtek, Inc. Polarizer with variable inter-wire distance
KR20160098826A (en) * 2015-02-11 2016-08-19 부산대학교 산학협력단 Method for fabricating Large nano wire grid polarizer film
KR20170028470A (en) * 2015-09-03 2017-03-14 삼성디스플레이 주식회사 Wire grid polarizer plate and method for manufacturing the smae
US9746708B2 (en) 2014-02-20 2017-08-29 Samsung Display Co., Ltd. Liquid crystal display panel and liquid crystal display device having the same
US9835781B2 (en) 2015-04-08 2017-12-05 Samsung Display Co., Ltd. Wire grid polarizer and method of fabricating the same
US10082612B2 (en) 2014-12-05 2018-09-25 Samsung Display Co., Ltd. Wire grid polarizer, display device including the same, and method of fabricating the same
US10156668B2 (en) 2014-09-12 2018-12-18 Samsung Display Co., Ltd Wire grid polarizer and method of fabricating the same

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5026759B2 (en) 2006-10-05 2012-09-19 旭化成イーマテリアルズ株式会社 Wire grid polarizing plate and manufacturing method thereof
JP4795214B2 (en) 2006-12-07 2011-10-19 チェイル インダストリーズ インコーポレイテッド Wire grid polarizer and manufacturing method thereof
JP2011059370A (en) 2009-09-10 2011-03-24 Asahi Kasei E-Materials Corp Wire grid polarizer and method of preparing the same
JP5353666B2 (en) * 2009-11-30 2013-11-27 旭硝子株式会社 Wire grid polarizer and optical head device
JP2011133912A (en) 2011-04-01 2011-07-07 Sony Corp Method for producing optical apparatus

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2015060941A1 (en) * 2013-10-24 2015-04-30 Moxtek, Inc. Polarizer with wire pair over rib
US9348076B2 (en) 2013-10-24 2016-05-24 Moxtek, Inc. Polarizer with variable inter-wire distance
US9354374B2 (en) 2013-10-24 2016-05-31 Moxtek, Inc. Polarizer with wire pair over rib
US9632223B2 (en) 2013-10-24 2017-04-25 Moxtek, Inc. Wire grid polarizer with side region
US9746708B2 (en) 2014-02-20 2017-08-29 Samsung Display Co., Ltd. Liquid crystal display panel and liquid crystal display device having the same
US10156668B2 (en) 2014-09-12 2018-12-18 Samsung Display Co., Ltd Wire grid polarizer and method of fabricating the same
US10082612B2 (en) 2014-12-05 2018-09-25 Samsung Display Co., Ltd. Wire grid polarizer, display device including the same, and method of fabricating the same
KR20160098826A (en) * 2015-02-11 2016-08-19 부산대학교 산학협력단 Method for fabricating Large nano wire grid polarizer film
US9835781B2 (en) 2015-04-08 2017-12-05 Samsung Display Co., Ltd. Wire grid polarizer and method of fabricating the same
KR20170028470A (en) * 2015-09-03 2017-03-14 삼성디스플레이 주식회사 Wire grid polarizer plate and method for manufacturing the smae

Also Published As

Publication number Publication date
KR101806559B1 (en) 2017-12-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20130024041A (en) A wire grid polarizer, liquid crystal display including the same and method of manufacturing the wire grid polarizer
JP5636963B2 (en) Wire grid polarizer and method of manufacturing the same
CN110703380B (en) Wire grid polarizer, display device including the same, and method of manufacturing the same
KR100656999B1 (en) The wire-grid polarizer and manufacturing method of Mold thereof
KR101279468B1 (en) A wire grid polarizer, liquid crystal display apparatus including the same and manufacturing method thereof
KR101250396B1 (en) A Wire Grid Polarazer and Liquid Crystal Display within the same
KR101823680B1 (en) A wire grid polarizer, liquid crystal display including the same and method of manufacturing the wire grid polarizer
KR101259849B1 (en) Wire grid polarizer and Method for manufacturing the same
KR20100112926A (en) A wire grid polarizer, liquid crystal display including the same and method of manufacturing the wire grid polarizer
EP3023821A1 (en) Wire grid polarizer, display device including the same and method for fabricating the same
TWI449973B (en) A wire grid polarizer and backlight unit using the same
TWI507779B (en) Liquid crystal display
US20150070762A1 (en) Polarizer, display device having the same, and method of manufacturing the same
KR20120040869A (en) A wire grid polarazer and liquid crystal display within the same
KR20080024316A (en) Method for manufacturing wire grid polarizer
KR101211734B1 (en) Touch Panel With Associated A Wire Grid Polarazer and Liquid Crystal Display within the same
KR102079163B1 (en) Wire grid polarizer, display device including the same and method for fabricating the same
EP3029496A1 (en) Wire grid polarizer and method of fabricating the same
KR20130002528A (en) Liquid crystal display apparatus and manufacturing method thereof
KR102133211B1 (en) Method for fabricating wire grid polarizer
KR20180075968A (en) Nano wire grid polarizer and display device empolying the same
KR20120040413A (en) A wire grid polarizer and backlight0unit uaing the same
KR101259846B1 (en) A wire grid polarizer, liquid crystal display including the same
KR20120040871A (en) A wire grid polarizer
KR20110107694A (en) Nano wire grid polarizing plate and lcd device including the nano wire grid polarizing plate

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant