KR20130010624A - Donor substrate, method of manufacturing a donor substrate and method of manufacturing an organic light emitting display device using a donor substrate - Google Patents

Donor substrate, method of manufacturing a donor substrate and method of manufacturing an organic light emitting display device using a donor substrate Download PDF

Info

Publication number
KR20130010624A
KR20130010624A KR20110071375A KR20110071375A KR20130010624A KR 20130010624 A KR20130010624 A KR 20130010624A KR 20110071375 A KR20110071375 A KR 20110071375A KR 20110071375 A KR20110071375 A KR 20110071375A KR 20130010624 A KR20130010624 A KR 20130010624A
Authority
KR
Grant status
Application
Patent type
Prior art keywords
layer
substrate
organic
donor
formed
Prior art date
Application number
KR20110071375A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
노석원
Original Assignee
삼성디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date

Links

Images

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B41PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
    • B41MPRINTING, DUPLICATING, MARKING, OR COPYING PROCESSES; COLOUR PRINTING
    • B41M5/00Duplicating or marking methods; Sheet materials for use therein
    • B41M5/26Thermography ; Marking by high energetic means, e.g. laser otherwise than by burning, and characterised by the material used
    • B41M5/40Thermography ; Marking by high energetic means, e.g. laser otherwise than by burning, and characterised by the material used characterised by the base backcoat, intermediate, or covering layers, e.g. for thermal transfer dye-donor or dye-receiver sheets; Heat, radiation filtering or absorbing means or layers; combined with other image registration layers or compositions; Special originals for reproduction by thermography
    • B41M5/46Thermography ; Marking by high energetic means, e.g. laser otherwise than by burning, and characterised by the material used characterised by the base backcoat, intermediate, or covering layers, e.g. for thermal transfer dye-donor or dye-receiver sheets; Heat, radiation filtering or absorbing means or layers; combined with other image registration layers or compositions; Special originals for reproduction by thermography characterised by the light-to-heat converting means; characterised by the heat or radiation filtering or absorbing means or layers
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/28Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including components using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part
    • H01L27/32Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including components using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part with components specially adapted for light emission, e.g. flat-panel displays using organic light-emitting diodes [OLED]
    • H01L27/3241Matrix-type displays
    • H01L27/3244Active matrix displays
    • H01L27/3246Banks, i.e. pixel defining layers
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L51/00Solid state devices using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices, or of parts thereof
    • H01L51/0001Processes specially adapted for the manufacture or treatment of devices or of parts thereof
    • H01L51/0002Deposition of organic semiconductor materials on a substrate
    • H01L51/0013Deposition of organic semiconductor materials on a substrate using non liquid printing techniques, e.g. thermal transfer printing from a donor sheet
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L51/00Solid state devices using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices, or of parts thereof
    • H01L51/50Solid state devices using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices, or of parts thereof specially adapted for light emission, e.g. organic light emitting diodes [OLED] or polymer light emitting devices [PLED];
    • H01L51/56Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices or of parts thereof
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L2227/00Indexing scheme for devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid state components formed in or on a common substrate covered by group H01L27/00
    • H01L2227/32Devices including an organic light emitting device [OLED], e.g. OLED display
    • H01L2227/323Multistep processes for AMOLED
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/54Material technologies
    • Y02E10/549Material technologies organic PV cells
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
    • Y02P70/52Manufacturing of products or systems for producing renewable energy
    • Y02P70/521Photovoltaic generators
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/31504Composite [nonstructural laminate]
    • Y10T428/31855Of addition polymer from unsaturated monomers
    • Y10T428/31935Ester, halide or nitrile of addition polymer
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/31504Composite [nonstructural laminate]
    • Y10T428/31855Of addition polymer from unsaturated monomers
    • Y10T428/31938Polymer of monoethylenically unsaturated hydrocarbon

Abstract

PURPOSE: A donor substrate, a manufacturing method thereof, and a method for manufacturing an organic light emitting display device are provided to improve a luminous property of an organic layer pattern by uniformly forming the organic layer pattern of a display device from an organic transfer layer of the donor substrate. CONSTITUTION: An expansion layer(150) is formed on a base substrate(110). The base substrate and the expansion layer include thermoplastic resins. A photothermal conversion layer(120) is formed on the expansion layer. An insulation layer(130) is formed on the photothermal conversion layer. An organic transfer layer(140) is formed on the insulation layer.

Description

도너 기판, 도너 기판의 제조 방법 및 도너 기판을 이용한 유기 발광 표시 장치의 제조 방법{DONOR SUBSTRATE, METHOD OF MANUFACTURING A DONOR SUBSTRATE AND METHOD OF MANUFACTURING AN ORGANIC LIGHT EMITTING DISPLAY DEVICE USING A DONOR SUBSTRATE} The method of manufacturing an organic light emitting display using the donor substrate and the manufacturing method of the donor substrate, the donor substrate {DONOR SUBSTRATE, METHOD OF MANUFACTURING A DONOR SUBSTRATE AND METHOD OF MANUFACTURING AN ORGANIC LIGHT EMITTING DISPLAY DEVICE USING A DONOR SUBSTRATE}

본 발명은 도너 기판, 도너 기판의 제조 방법 및 도너 기판을 이용한 유기 발광 표시 장치의 제조 방법에 관한 것이다. The present invention relates to a method of manufacturing an organic light emitting display using the donor substrate and the manufacturing method of the donor substrate, the donor substrate. 보다 상세하게는, 본 발명은 팽창층 또는 대전 방지 부재를 포함하는 도너 기판, 도너 기판의 제조 방법 및 도너 기판을 이용한 유기 발광 표시 장치의 제조 방법에 관한 것이다. More specifically, the present invention relates to a method of manufacturing an organic light emitting display device using the method of manufacturing a donor substrate, the donor substrate and the donor substrate including the expansion layer or anti-static member.

통상적으로 유기 발광 표시(OLED) 장치의 표시 기판은 투명 기판 상에 제공되는 박막 트랜지스터, 화소 전극, 유기 발광층, 공통 전극 등을 포함한다. Typically display substrate of the organic light emitting display (OLED) device includes a thin film transistor, a pixel electrode, an organic light-emitting layer, the common electrodes and the like provided on the transparent substrate. 여기서, 상기 유기 발광층은 백색광, 적색광, 녹색광, 청색광 등을 발생시키는 발광층을 포함하며, 정공 주입층(HIL), 정공 수송층(HTL), 전자 수송층(ETL), 전자 주입층(EIL) 등을 추가적으로 포함할 수 있다. Here, the organic light-emitting layer comprises a light-emitting layer to generate white light, red light, green light, blue light, etc., in addition to a hole injection layer (HIL), a hole transport layer (HTL), an electron transport layer (ETL), an electron injection layer (EIL), etc. It can be included.

상기 유기 발광층은 유기 전사층을 갖는 도너 기판을 상기 표시 기판의 화소 전극 상에 합착한 후, 레이저를 조사하여 상기 유기 전사층을 전사하는 레이저 열전사(Laser Induced Thermal Imaging: LITI) 공정에 의해 형성된다. The organic light-emitting layer is a laser thermal transfer to transfer the organic transfer layer by irradiating laser after the laminating on the pixel electrode of the display substrate a donor substrate having an organic transfer layer: formed by (Laser Induced Thermal Imaging LITI) process do. 상기 레이저 열전사 공정을 이용하여 상기 도너 기판의 유기 전사층을 상기 표시 기판 상으로 전사할 때, 상기 도너 기판과 상기 표시 기판 사이의 마찰 등에 의해 발생되는 정전기로 인하여 상기 유기 전사층을 정확하게 전사하기 어렵기 때문에 상기 표시 기판 상에 상기 유기 발광층이 균일하게 형성되기 어려운 문제점이 발생한다. When using the laser thermal transfer process to transfer the organic transfer layer of the donor substrate onto the display substrate, due to static electricity generated by friction between the donor substrate and the display substrate to accurately transfer the organic transfer layer since it is difficult occur it is difficult to form the organic luminescent layer uniformly on the display substrate. 이에 따라 상기 유기 발광층의 발광 특성이 저하되며 이러한 유기 발광층의 발광 특성의 감소는 상기 유기 발광 표시 장치에 의해 디스플레이되는 영상의 품질을 떨어뜨리는 원인이 된다. Thus, the light emitting properties of the organic light-emitting layer decreases as decreases in light emission properties of the organic light emitting layer is caused to drop the quality of images displayed by the OLED display.

본 발명의 일 목적은 정전기 발생을 감소시켜 유기 전사층을 효율적으로 전사할 수 있는 도너 기판을 제공하는 것이다. One object of the invention to provide a donor substrate capable of efficiently transferring the organic transfer layer to reduce static buildup.

본 발명의 다른 목적은 정전기 발생을 감소시켜 유기 전사층을 효율적으로 전사할 수 있는 도너 기판의 제조 방법을 제공하는 것이다. Another object of the invention is to provide a method of manufacturing a donor substrate capable of efficiently transferring the organic transfer layer to reduce static buildup.

본 발명의 또 다른 목적은 정전기를 감소시키면서 우수한 전사 효율을 갖는 도너 기판을 이용하여 균일한 유기층 패턴을 구비하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 제공하는 것이다. It is another object of the invention to provide a method of manufacturing an organic light emitting display device having a uniform organic layer pattern using the donor substrate having a superior transfer efficiency while reducing the static electricity.

본 발명이 해결하고자 하는 과제는 상술한 과제들에 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다. The problem to be solved by the present invention is not limited to the above-mentioned problem, it will be able to be variously extended without departing from the spirit and scope of the invention.

상술한 본 발명의 일 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 도너 기판은, 베이스 기판, 상기 베이스 기판 상에 배치되는 팽창층, 상기 팽창층 상에 배치되는 광열 변환층, 상기 광열 변환층 상에 배치되는 절연층, 및 상기 절연층 상에 배치되는 유기 전사층을 포함할 수 있다. In order to achieve one object of the present invention described above, a donor substrate in accordance with exemplary embodiments of the present invention is a light-heat conversion layer disposed on the expansion layer, on the expanded layer disposed on the base substrate, said base substrate, an insulating layer disposed on the light-heat conversion layer, and may include an organic transfer layer disposed on the insulating layer.

예시적인 실시예들에 있어서, 상기 팽창층은 열팽창 계수가 1.5×10 -5 /℃ 이상인 물질을 포함할 수 있다. In an exemplary embodiment, the expansion layer has a coefficient of thermal expansion may include a material less than 1.5 × 10 -5 / ℃.

예시적인 실시예들에 있어서, 상기 팽창층은 열가소성 수지를 포함할 수 있다. In an exemplary embodiment, the expansion layer may comprise a thermoplastic resin. 예를 들면, 상기 팽창층은 폴리스티렌, 폴리메틸아크릴레이트, 폴리에틸아크릴레이트, 폴리프로필아크릴레이트, 폴리이소프로필아크릴레이트, 폴리n-부틸아크릴레이트, 폴리sec-부틸아크릴레이트, 폴리이소부틸아크릴레이트, 폴리tert-부틸아크릴레이트, 폴리메틸메타크릴레이트, 폴리에틸메타크릴레이트, 폴리n-부틸메타크릴레이트, 폴리n-데실메타크릴레이트, 폴리염화비닐, 폴리염화비닐리덴, 아크릴로니트릴-부타디엔-스티렌 공중합체 등을 포함할 수 있다. For example, the expansion layer is polystyrene, polymethyl acrylate, polyethyl acrylate, polymethyl acrylate, poly-iso-propyl acrylate, poly-n- butyl acrylate, poly sec- butyl acrylate, polyisobutyl acrylate poly tert- butyl acrylate, polymethyl methacrylate, polyethyl methacrylate, poly-n- butyl methacrylate, poly-n- decyl methacrylate, polyvinyl chloride, polyvinylidene chloride, acrylonitrile-butadiene -, and the like styrene copolymer.

예시적인 실시예들에 있어서, 상기 베이스 기판은 열가소성 수지를 포함하며, 상기 베이스 기판과 상기 팽창층은 일체로 형성될 수 있다. In an exemplary embodiment, the base substrate comprises a thermoplastic resin, wherein the base substrate and the expansion layer can be integrally formed.

상술한 본 발명의 다른 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 도너 기판은, 베이스 기판, 상기 베이스 기판의 제1 면 상에 배치되는 광열 변환층, 상기 광열 변환층 상에 배치되는 절연층, 상기 절연층 상에 배치되는 유기 전사층, 및 상기 베이스 기판 및 상기 절연층 중에서 어느 하나에 배치되는 대전 방지 부재를 포함할 수 있다. In order to achieve the above described object of the present invention, a donor substrate in accordance with exemplary embodiments of the present invention is a light-heat conversion layer disposed on the first surface of the base substrate, the base substrate, on the light-heat conversion layer from the insulating layer, an organic transfer layer, and the base substrate and the insulating layer disposed on the insulating layer disposed it may include anti-static member disposed at either one.

예시적인 실시예들에 있어서, 상기 대전 방지 부재는 상기 베이스 기판 내에 분산되는 대전 방지제를 포함할 수 있다. In an exemplary embodiment, the antistatic member may comprise an antistatic agent which is dispersed in the base substrate.

예시적인 실시예들에 있어서, 상기 대전 방지제의 함량은 상기 베이스 기판의 중량을 기준으로 0.1 중량% 내지 2.0 중량%일 수 있다. In an exemplary embodiment, the content of the antistatic agent may be from 0.1% to 2.0% by weight based on the weight of the base substrate.

예시적인 실시예들에 있어서, 상기 대전 방지제는 GMS계 대전 방지 물질, 아민계 대전 방지 물질, 자성을 갖는 금속 산화물 등을 포함할 수 있다. In an exemplary embodiment, the antistatic agent may include an antistatic GMS-based material, an amine-based antistatic material, a metal oxide, having magnetism and the like.

예시적인 실시예들에 있어서, 상기 대전 방지 부재는 상기 절연층 내에 분산되는 대전 방지제를 포함할 수 있다. In an exemplary embodiment, the antistatic member may include an antistatic agent dispersed in the insulating layer.

예시적인 실시예들에 있어서, 상기 대전 방지 부재는 상기 베이스 기판의 제2 면 상에 배치되는 투명 도전층을 포함할 수 있다. In an exemplary embodiment, the antistatic member may include a transparent conductive layer disposed on the second surface of the base substrate.

예시적인 실시예들에 있어서, 상기 투명 도전층은 도전성 금속 산화물 또는 전도성 고분자 물질을 포함할 수 있다. In an exemplary embodiment, the transparent conductive layer may include a conductive metal oxide or conductive polymer material. 예를 들면, 상기 투명 도전층은 폴리아닐린, 폴리피롤, 폴리티오펜, 폴리에틸렌디옥시티오펜, 안티몬 주석 산화물(ATO), 인듐 주석 산화물(ITO), 인듐 아연 산화물(IZO), 니오븀 산화물, 아연 산화물, 갈륨 산화물, 주석 산화물, 인듐 산화물 등을 포함할 수 있다. For example, the transparent conductive layer is a polyaniline, polypyrrole, polythiophene, polyethylene dioxythiophene, antimony tin oxide (ATO), indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), niobium oxide, zinc oxide, gallium It can comprise an oxide, tin oxide, indium oxide or the like.

상술한 본 발명의 또 다른 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 도너 기판의 제조 방법에서 베이스 기판을 형성한다. In accordance with still another aspect of the present invention described above, in the manufacturing method of the donor substrate in accordance with exemplary embodiments of the present invention to form a base substrate. 상기 베이스 기판 상에 팽창층을 형성한다. To form an expansion layer on the base substrate. 상기 팽창층 상에 광열 변환층을 형성한다. To form a light-heat conversion layer on the expanded layer. 상기 광열 변환층 상에 절연층을 형성한다. An insulating layer on the light-heat conversion layer. 상기 절연층 상에 유기 전사층을 형성한다. To form an organic transfer layer on the insulating layer.

예시적인 실시예들에 있어서, 상기 팽창층은 열가소성 수지를 스핀 코팅 공정, 슬릿 코팅 공정 또는 그라비아 코팅 공정으로 상기 베이스 기판 상에 코팅하여 형성할 수 있다. In an exemplary embodiment, the expansion layer can be formed by coating on the base substrate of the thermoplastic resin by a spin coating process, a slit coating process or the gravure coating process.

예시적인 실시예들에 있어서, 상기 팽창층은 열가소성 수지를 포함하는 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET) 수지를 사용하여 형성할 수 있다. In an exemplary embodiment, the expansion layer may be formed using polyethylene terephthalate (PET) resin containing a thermoplastic resin.

예시적인 실시예들에 있어서, 상기 베이스 기판은 상기 팽창층과 일체로 형성될 수 있다. In an exemplary embodiment, the base substrate may be formed of the expansion layer and integrally.

예시적인 실시예들에 있어서, 상기 팽창층은 이축 연신(biaxial drawing) 공정을 수행하여 형성할 수 있다. In an exemplary embodiment, the expansion layer can be formed by performing a biaxial stretching (biaxial drawing) process.

상술한 본 발명의 또 다른 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 도너 기판의 제조 방법에서 베이스 기판을 형성한다. In accordance with still another aspect of the present invention described above, in the manufacturing method of the donor substrate in accordance with exemplary embodiments of the present invention to form a base substrate. 상기 베이스 기판의 제1 면 상에 광열 변환층을 형성한다. To form a light-heat conversion layer on the first surface of the base substrate. 상기 광열 변환층 상에 절연층을 형성한다. An insulating layer on the light-heat conversion layer. 상기 절연층 상에 유기 전사층을 형성한다. To form an organic transfer layer on the insulating layer. 상기 베이스 기판, 상기 절연층 및 상기 베이스 기판의 제2 면 중에서 어느 하나에 대전 방지 부재를 형성한다. The base substrate, the insulating layer and forms an anti-static member to any one of the second surface of the base substrate.

예시적인 실시예들에 있어서, 상기 대전 방지 부재를 형성하는 단계는 상기 베이스 기판 내에 대전 방지제를 분산시키는 단계를 포함할 수 있다. In an exemplary embodiment, the step of forming the antistatic member may comprise a step of dispersing the antistatic agent in the base substrate.

예시적인 실시예들에 있어서, 상기 대전 방지 부재를 형성하는 단계는 상기 절연층 내에 대전 방지제를 분산시키는 단계를 포함할 수 있다. In an exemplary embodiment, the step of forming the antistatic member may comprise a step of dispersing the antistatic agent in the insulator layer.

예시적인 실시예들에 있어서, 상기 대전 방지 부재를 형성하는 단계는 상기 베이스 기판의 제2 면 상에 투명 도전층을 형성하는 단계를 포함할 수 있다. In an exemplary embodiment, the step of forming the antistatic member may include forming a transparent conductive layer on the second surface of the base substrate.

상술한 본 발명의 또 다른 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법에서 기판 상에 하부 전극을 형성한다. In accordance with still another aspect of the present invention described above, in the manufacturing method of the OLED display according to an exemplary embodiment of the invention to form the lower electrode on the substrate. 하부 전극 상에 화소 정의막을 형성함으로써 픽셀 영역을 정의한다. By a pixel defining film is formed on the lower electrode defines a pixel area. 베이스 기판, 상기 베이스 기판 상에 형성되는 팽창층, 상기 팽창층 상에 형성되는 광열 변환층 및 상기 유기 전사층 상에 형성되는 유기 전사층을 구비하는 도너 기판을 형성한다. Forming a donor substrate having an organic transfer layer formed on the base substrate, said base expansion layer formed on the substrate, a light-heat conversion layer formed on the expanded layer and an organic transfer layer. 상기 유기 전사층을 상기 기판의 픽셀 영역에 대응시키며 상기 도너 기판을 상기 기판에 합착한다. Sikimyeo corresponding to the organic transfer layer to a pixel region of the substrate and laminating the donor substrate on the substrate. 상기 픽셀 영역에 대응되는 상기 도너 기판에 레이저 광을 조사하여 상기 유기 전사층으로부터 상기 픽셀 영역 상에 유기층 패턴을 형성한다. By irradiating a laser light onto the donor substrate corresponding to the pixel region to form the organic layer pattern on the pixel area from the organic transfer layer.

예시적인 실시예들에 있어서, 상기 도너 기판은 상기 광열 변환층과 상기 유기 전사층 사이에 형성되는 절연층을 더 포함할 수 있다. In an exemplary embodiment, the donor substrate may further include an insulating layer formed between the light-heat conversion layer and an organic transfer layer.

상술한 본 발명의 또 다른 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법에서 기판 상에 하부 전극을 형성한다. In accordance with still another aspect of the present invention described above, in the manufacturing method of the OLED display according to an exemplary embodiment of the invention to form the lower electrode on the substrate. 상기 하부 전극 상에 픽셀 영역을 정의하는 화소 정의막을 형성한다. Forming a pixel defining layer to define the pixel region on the lower electrode. 베이스 기판, 상기 베이스 기판의 제1 면 상에 형성되는 광열 변환층, 상기 광열 변환층 상에 형성되는 절연층, 상기 절연층 상에 형성되는 유기 전사층 및 상기 베이스 기판, 상기 절연층 및 상기 베이스 기판의 제2 면 중에서 어느 하나에 형성되는 대전 방지 부재를 구비하는 도너 기판을 형성한다. The base substrate, light-heat conversion layer formed on the first surface of the base substrate, the light-heat conversion layer on an insulating layer, an organic transfer layer and the base substrate, the insulating layer and the base formed on the insulating layer to be formed in forming a donor substrate having an antistatic member formed on one of a second surface of the substrate. 상기 유기 전사층을 상기 기판의 픽셀 영역에 대응시키며 상기 도너 기판을 상기 기판에 합착한다. Sikimyeo corresponding to the organic transfer layer to a pixel region of the substrate and laminating the donor substrate on the substrate. 상기 픽셀 영역에 대응되는 상기 도너 기판에 레이저 광을 조사하여 상기 유기 전사층으로부터 상기 픽셀 영역 상에 유기층 패턴을 형성한다. By irradiating a laser light onto the donor substrate corresponding to the pixel region to form the organic layer pattern on the pixel area from the organic transfer layer.

예시적인 실시예들에 있어서, 상기 대전 방지 부재는 상기 베이스 기판의 제2 면 상에 형성되는 투명 도전층을 포함할 수 있다. In an exemplary embodiment, the antistatic member may include a transparent conductive layer formed on the second surface of the base substrate.

예시적인 실시예들에 있어서, 상기 대전 방지 부재는 상기 절연층 내에 분산되는 대전 방지제를 포함할 수 있다. In an exemplary embodiment, the antistatic member may include an antistatic agent dispersed in the insulating layer.

예시적인 실시예들에 있어서, 상기 대전 방지 부재는 상기 베이스 기판 내에 분산되는 대전 방지제를 포함할 수 있다. In an exemplary embodiment, the antistatic member may comprise an antistatic agent which is dispersed in the base substrate.

본 발명의 예시적인 실시예들에 따르면, 도너 기판이 팽창층을 포함할 수 있으므로 갖는 상기 도너 기판으로부터 유기 전사층을 효과적으로 분리하여 표시 기판 상에 유기층 패턴을 형성할 수 있으며, 상대적으로 작은 에너지의 레이저 광을 사용하여도 효율적으로 상기 유기층 패턴을 형성할 수 있다. According to an exemplary embodiment of the invention, the donor substrate to form the organic layer pattern on the display substrate to effectively separate the organic transfer layer from the donor substrate which can contain the swelling layer, and a relatively low energy to the also by using the laser light can be efficiently form the organic layer pattern. 다른 예시적인 실시예들에 따르면, 도너 기판이 대전 방지 부재로서 대전 방지제, 대전 방지층 또는 투명 도전층을 포함할 수 있으므로, 상기 도너 기판의 유기 전사층을 상기 표시 기판 상으로 전사하는 동안 상기 도너 기판에 정전기의 발생을 방지할 수 있다. According to other exemplary embodiments, since the donor substrate may comprise an antistatic agent, an antistatic layer or a transparent conductive layer as an anti-static member, the donor substrate during the transfer of organic transfer layer of the donor substrate onto the display substrate it is possible to prevent the generation of static electricity. 이에 따라, 상기 도너 기판의 유기 전사층으로부터 균일하게 상기 표시 장치의 유기층 패턴을 형성할 수 있으므로, 상기 유기층 패턴의 발광 특성을 개선할 수 있고, 상기 유기 발광 표시 장치가 디스플레이하는 영상의 품질을 향상시킬 수 있다. Accordingly, it uniformly from the organic transfer layer of the donor substrate to form the organic layer pattern of the display device, it is possible to improve the light emission characteristics of the organic layer pattern, improve the quality of the image in which the organic light emitting display device display can.

그러나 본 발명의 효과가 전술한 효과에 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다. But not to the effects of the present invention is not limited to the above-described effect, it will be variously extended without departing from the spirit and scope of the invention.

도 1은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 도너 기판을 설명하기 위한 단면도이다. 1 is a sectional view illustrating a donor substrate in accordance with an exemplary embodiment of the invention.
도 2는 본 발명의 다른 예시적인 실시예들에 따른 도너 기판을 나타내는 단면도이다. Figure 2 is a cross-sectional view of a donor substrate in accordance with another exemplary embodiment of the present invention.
도 3은 본 발명의 또 다른 예시적인 실시예들에 따른 도너 기판을 설명하기 위한 단면도이다. 3 is a sectional view illustrating a donor substrate in accordance with another exemplary embodiment of the present invention.
도 4는 본 발명의 또 다른 예시적인 실시예들에 따른 도너 기판을 나타내는 단면도이다. Figure 4 is a cross-sectional view of a donor substrate in accordance with another exemplary embodiment of the present invention.
도 5 내지 도 7은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다. 5 to 7 are sectional views illustrating a method of manufacturing the OLED display according to an exemplary embodiment of the invention.

이하, 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 도너 기판, 도너 기판의 제조방법, 도너 기판을 이용한 유기 발광 표시 장치의 제조 방법에 대하여 첨부된 도면들을 참조하여 상세하게 설명하지만, 본 발명이 하기 실시예들에 의해 제한되는 것은 아니며, 해당 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양한 다른 형태로 구현할 수 있을 것이다. Hereinafter, manufacturing method of the donor substrate, the donor substrate according to an exemplary embodiment of the invention, with reference to the accompanying drawings, a manufacturing method of the organic light emitting display using the donor substrate to be described in detail, but the embodiment to which the invention not limited by the examples, those skilled in the art will be able to implement the present invention may be made without departing from the scope of the present invention in various other forms.

본 명세서에 있어서, 특정한 구조적 내지 기능적 설명들은 단지 본 발명의 실시예들을 설명하기 위한 목적으로 예시된 것이며, 본 발명의 실시예들은 다양한 형태로 실시될 수 있으며 본 명세서에 설명된 실시예들에 한정되는 것으로 해석되지 않으며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. In the present specification, the specific structure to the functional description are will illustrated for the purpose of describing only an exemplary embodiment of the present invention, embodiments of the present invention can be embodied in various forms and confined to the embodiments set forth herein not be construed to be, it shall be understood to include all included in the spirit and scope of the present invention changes, equivalents and substitutes. 어떤 구성 요소가 다른 구성 요소에 "연결되어" 있다거나 "접촉되어"있다고 기재된 경우, 다른 구성 요소에 직접적으로 연결되어 있거나 또는 접촉되어 있을 수도 있지만, 중간에 또 다른 구성 요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. An element is to be understood that the other components are "connected" or when described as being "in contact", but other components may be directly connected or contacting, also the other components present in the medium something to do. 또한, 어떤 구성 요소가 다른 구성 요소에 "직접 연결되어" 있다거나 "직접 접촉되어"있다고 기재된 경우에는, 중간에 또 다른 구성 요소가 존재하지 않는 것으로 이해될 수 있다. Further, any configuration may be understood that the element is being "directly connected" to another element or not there is another component present in, the intermediate case described as being "directly contact". 구성 요소들 간의 관계를 설명하는 다른 표현들, 예를 들면, "~사이에"와 "직접 ~사이에" 또는 "~에 인접하는"과 "~에 직접 인접하는" 등도 마찬가지로 해석될 수 있다. Configuration other words used to describe the relationship between elements, for example, may be interpreted similarly also "- between" and "between direct -" or "- that is adjacent to" and "directly adjacent to the ~".

본 명세서에서 사용되는 용어는 단지 예시적인 실시예들을 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도는 아니다. Used herein it is to be used to describe only the exemplary embodiments, and are not intended to limit the present invention. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. Expression in the singular number include a plural forms unless the context clearly indicates otherwise. 본 명세서에서, "포함하다", "구비하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 실시된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다. In this specification, "comprise", "it is provided with" or "gajida" and the term is that which you want to specify that the features, numbers, steps, actions, components, parts, or one that exists combination of these embodiments, one or the presence or addition of more other features, integers, steps, operations, elements, parts or combinations thereof and are not intended to preclude. 다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. Unless otherwise defined, including technical and scientific terms, all terms used herein have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지는 않는다. Any term that is defined in a general dictionary used shall be construed to have the same meaning in the context of the relevant art, unless expressly defined in this application, it not is interpreted to have an idealistic or excessively formalistic meaning It does.

제1, 제2 및 제3 등의 용어는 다양한 구성 요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 이러한 구성 요소들은 상기 용어들에 의해 한정되는 것은 아니다. The first, second, and can be used in describing various components of the terms are such as 3, those components are not limited to the above terms. 상기 용어들은 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소로부터 구별하는 목적으로 사용된다. The above terms are used to distinguish one element from the other. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위로부터 벗어나지 않고, 제1 구성 요소가 제2 또는 제3 구성 요소 등으로 명명될 수 있으며, 유사하게 제2 또는 제3 구성 요소도 교호적으로 명명될 수 있다. For example, without departing from the scope of the present invention, the first configuration, the element can be named the second or third component as may be referred to, similarly to Fig second or third component, etc. alternately.

도 1은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 도너 기판을 나타내는 단면도이다. Figure 1 is a cross-sectional view of a donor substrate according to an exemplary embodiment of the invention.

도 1을 참조하면, 도너 기판(100)은 베이스 기판(110), 팽창층(150), 광열 변환층(120), 절연층(130), 유기 전사층(140) 등을 포함할 수 있다. 1, the donor substrate 100 may include a base substrate 110, the expansion layer 150, a light-heat conversion layer 120, an insulating layer 130, an organic transfer layer 140, and the like.

베이스 기판(110)은 유기 발광 표시 장치의 표시 기판 상에 유기층 패턴(들)을 형성하기 위한 레이저 전사 공정 동안, 레이저 광을 통과시켜 광열 변환층(120)에 전달하는 기능을 수행할 수 있다. Base substrate 110 may perform a function of transmitting the light-heat conversion layer 120 to pass through while the laser transfer process, laser light for forming the organic layer pattern (s) on the display substrate of the OLED display. 베이스 기판(110)은 실질적으로 투명하면서 소정의 기계적 강도를 갖는 물질로 구성될 수 있다. The base substrate 110 is substantially transparent and can be composed of a material having a predetermined mechanical strength. 예를 들면, 베이스 기판(110)은 투명 수지, 유리, 석영 등을 포함할 수 있다. For example, the base substrate 110 may include a transparent resin, glass, quartz and the like. 베이스 기판(110)에 사용될 수 있는 투명 수지는, 폴리에틸렌 테레프탈레이트(polyethylene terephthalate: PET)계 수지, 폴리아크릴(polyacryl)계 수지, 폴리에폭시(polyepoxy)계 수지, 폴리에틸렌(polyethylene)계 수지, 폴리스티렌(polystyrene)계 수지, 폴리이미드(polyimide)계 수지, 폴리카보네이트(polycarbonate)계 수지, 폴리에테르(polyether)계 수지, 폴리아크릴레이트(polyacrylate)계 수지 등을 포함할 수 있다. A transparent resin which can be used for the base substrate 110, a polyethylene terephthalate (polyethylene terephthalate: PET) based resin, polyacrylonitrile (polyacryl) based resin, a polyepoxy (polyepoxy) based resin, polyethylene (polyethylene) resin, polystyrene ( may include polystyrene) resin, polyimide (polyimide) resin, polycarbonate (polycarbonate) resin, a polyether (polyether) based resin, polyacrylate (polyacrylate) based resin.

팽창층(150)은 베이스 기판(110) 상에 배치될 수 있다. Swelling layer 150 may be disposed on the base substrate 110. 팽창층(150)은 상기 레이저 전사 공정 동안 레이저 광이 조사된 부위에서 발생하는 열에 의해 부피가 증가할 수 있다. Swelling layer 150 may increase the volume by the heat generated at the portion of the laser beam during the laser irradiation process transfer. 이러한 팽창층(150)의 팽창에 의해 유기 전사층(140)이 베이스 기판(110)으로부터 효과적으로 분리되어, 도너 기판(100)의 유기 전사층(140)으로부터 상기 유기 발광 표시 장치의 표시 기판 상에 상기 유기층 패턴을 효율적으로 형성할 수 있다. By the expansion of these expansion layer 150 on the display substrate of the OLED display from the organic transfer layer 140 of the organic transfer layer 140 is effectively isolated from the base substrate 110, a donor substrate 100, it is possible to form the organic layer pattern efficiently. 예시적인 실시예들에 있어서, 팽창층(150)은 상대적으로 높은 열팽창 계수를 갖는 물질을 포함할 수 있다. In an exemplary embodiment, the expansion layer 150 may include a material having a relatively high coefficient of thermal expansion. 이 경우, 팽창층(150)은 약 1.5×10 -5 /℃ 이상의 열팽창 계수를 갖는 물질을 포함할 수 있다. In this case, the expanded layer 150 may include a material having about 1.5 × 10 -5 or more / ℃ thermal expansion coefficient. 예를 들면, 팽창층(150)은 상대적으로 큰 열팽창 계수를 갖는 열가소성 수지(thermoplastic resin)를 포함할 수 있다. For example, the expansion layer 150 may comprise a relatively thermoplastic resin (thermoplastic resin) having a large thermal expansion coefficient. 팽창층(150)에 사용될 수 있는 열가소성 수지는, 폴리스티렌(polystyrene), 폴리메틸아크릴레이트(polymethyl acrylate), 폴리에틸아크릴레이트(polyethyl acrylate), 폴리프로필아크릴레이트(polypropyl acrylate), 폴리이소프로필아크릴레이트(polyisopropyl acrylate), 폴리n-부틸아크릴레이트(polyn-butyl acrylate), 폴리sec-부틸아크릴레이트(polysec-butyl acrylate), 폴리이소부틸아크릴레이트(polyisobutyl acrylate), 폴리tert-부틸아크릴레이트(polytetra-butyl acrylate), 폴리메틸메타크릴레이트(polymethyl methaacrylate), 폴리에틸메타크릴레이트(polyethyl methaacrylate), 폴리n-부틸메타크릴레이트(polyn-butyl methaacrylate), 폴리n-데실메타크릴레이트(polyn-decyl methaacrylate), 폴리염화비닐(polyvinyl chloride), 폴리염화비닐리덴(polyvinylidene chloride), 아크릴로니트릴-부타디엔-스티렌 공중합체(acrylonitrile-butadiene-styrene copolymer) The thermoplastic resin which can be used in the expansion layer (150) is polystyrene (polystyrene), polymethyl acrylate (polymethyl acrylate), polyethyl acrylate (polyethyl acrylate), polyester acrylate (polypropyl acrylate), poly isopropyl acrylate (polyisopropyl acrylate), poly-n- butyl acrylate (polyn-butyl acrylate), poly sec- butyl acrylate (polysec-butyl acrylate), poly isobutyl acrylate (polyisobutyl acrylate), poly tert- butyl acrylate (polytetra- butyl acrylate), polymethyl methacrylate (polymethyl methaacrylate), polyethyl methacrylate (polyethyl methaacrylate), poly-n- butyl methacrylate (polyn-butyl methaacrylate), poly-n- decyl methacrylate (polyn-decyl methaacrylate ), PVC (polyvinyl chloride), polyvinylidene chloride (polyvinylidene chloride), acrylonitrile-butadiene-styrene copolymer (acrylonitrile-butadiene-styrene copolymer) 등의 열가소성 저분자 폴리머를 포함할 수 있다. It may include a low molecular weight thermoplastic polymers, such as.

광열 변환층(120)은 팽창층(150) 상에 배치될 수 있다. Light-heat conversion layer 120 may be disposed on the inflation layer 150. 광열 변환층(120)은 베이스 기판(110)으로 조사되는 레이저 광을 흡수하여 열로 변환시키는 기능을 수행할 수 있다. Light-heat conversion layer 120 may perform the function of heat conversion absorbs laser light to be irradiated to the base substrate 110. 광열 변환층(120)은 금속, 금속 산화물, 금속 황화물, 탄소를 함유하는 물질 등을 포함할 수 있다. Light-heat conversion layer 120 may include materials containing a metal, metal oxides, metal sulfides, and carbon. 예를 들면, 광열 변환층(120)은 알루미늄(Al), 니켈(Ni), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 지르코늄(Zr), 구리(Cu), 바나듐(V), 탄탈륨(Ta), 팔라듐(Pd), 루테늄(Ru), 이리듐(Ir), 금(Au), 은(Ag), 백금(Pt) 등의 금속, 이들 금속의 산화물, 이들 금속의 황화물, 카본 블랙(carbon black), 흑연 등을 포함할 수 있다. For example, the light-heat conversion layer 120 of aluminum (Al), nickel (Ni), molybdenum (Mo), titanium (Ti), zirconium (Zr), copper (Cu), vanadium (V), tantalum (Ta) , palladium (Pd), ruthenium (Ru), iridium (Ir), gold (Au), silver (Ag), platinum (Pt) metal sulfide, carbon black (carbon black) of the oxides, of these metals of the metal, such as and it may include graphite. 이들은 단독으로 혹은 서로 조합되어 사용될 수 있다. These may be used alone or in combination with each other.

절연층(130)은 광열 변환층(120) 상에 위치할 수 있다. Insulating layer 130 may be located on the light-heat conversion layer 120. 절연층(130)은 유기 전사층(140)의 오염이나 손상을 방지할 수 있다. Insulating layer 130 can prevent contamination or damage to the organic transfer layer 140. 또한, 절연층(120)은 상기 레이저 열전사 공정 동안 광열 변환층(120)과 유기 전사층(140) 사이의 접착력을 제어하여 상기 표시 기판 상에 형성되는 유기층 패턴(들)의 균일성을 향상시킬 수 있다. The insulating layer 120 may improve the uniformity of the organic layer pattern (s) formed on the display substrate to control the adhesion between the laser thermal transfer process for a light-heat conversion layer 120 and an organic transfer layer 140 can. 예시적인 실시예들에 따르면, 절연층(130)은 유기 물질 또는 무기 물질로 구성될 수 있다. According to an exemplary embodiment, insulating layer 130 may be formed of an organic material or an inorganic material. 예를 들면, 절연층(130)은 아크릴 수지(acrylic resin), 알키드 수지(alkyd resin), 실리콘 산화물(SiOx), 알루미늄 산화물(AlOx), 마그네슘 산화물(MgOx) 등을 포함할 수 있다. For example, the insulating layer 130 may include an acrylic resin (acrylic resin), alkyd resin (alkyd resin), silicon oxide (SiOx), aluminum oxide (AlOx), magnesium oxide (MgOx), and the like.

유기 전사층(140)은 절연층(130) 상에 배치될 수 있다. The organic transfer layer 140 may be disposed on the insulating layer 130. 유기 전사층(140)은 광열 변환층(130)으로부터 전달되는 열 에너지에 의하여 도너 기판(100)으로부터 분리됨으로써, 상기 표시 기판 상에 상기 유기층 패턴(들)을 형성시키는 역할을 수행할 수 있다. The organic transfer layer 140 may be thereby separated from the donor substrate 100 by the thermal energy transmitted from the light-heat conversion layer 130, it performs a role of on the display substrate to form the organic layer pattern (s). 예시적인 실시예들에 있어서, 유기 전사층(140)은 적색(R)광, 녹색(G)광 또는 청색(B)광을 발생시키는 유기 발광층을 포함할 수 있으며, 정공 주입층, 정공 수송층, 전자 주입층, 전자 수송층 등을 추가적으로 포함할 수 있다. In an exemplary embodiment, the organic transfer layer 140 may include an organic light-emitting layer to generate red (R) light, green (G) light and blue (B) light, the hole injection layer, a hole transport layer, It may further include an electron injection layer, an electron transport layer and the like. 다른 예시적인 실시예들에 따르면, 유기 전사층(140)의 유기 발광층은 적색광, 녹색광 및 청색광을 모두 생성하여 최종적으로 백색(W)광을 발생시키는 다층 구조를 가질 수도 있다. According to other exemplary embodiments, the organic light-emitting layer of an organic transfer layer 140 may have a multilayer structure which eventually lead to white (W) light to generate all of the red light, green light and blue light.

예시적인 실시예들에 있어서, 유기 전사층(140)의 유기 발광층이 적색광을 발생시킬 경우, 상기 유기 발광층은 적색 발광 물질인 Alq3(호스트)/DCJTB(형광 도펀트), Alq3(호스트)/DCM(형광 도펀트), CBP(호스트)/PtOEP(인광 유기 금속 착체) 등과 같은 저분자 물질과, PFO계 고분자 물질, PPV계 고분자 물질 등의 고분자 물질을 포함할 수 있다. In an exemplary embodiment, if the organic light emitting layer of the organic transfer layer 140 may generate a red light, the organic light-emitting layer of Alq3 (host), the red light-emitting material / DCJTB (fluorescent dopant), Alq3 (host) / DCM ( and low-molecular-weight material such as a fluorescent dopant), CBP (host) / PtOEP (phosphorescent organic metal complex) may include a polymer material such as a PFO-based high molecular materials, PPV-based high molecular material. 상기 유기 발광층이 녹색광을 생성하는 경우에는, 상기 유기 발광층은 녹색 발광 물질인 Alq3, Alq3(호스트)/C545t(도펀트), CBP(호스트)/IrPPy(인광 유기 금속 착체) 등의 저분자 물질과 PFO계 고분자 물질, PPV계 고분자 물질 등과 같은 고분자 물질을 포함할 수 있다. In the case of the organic light emitting layer generating green light, the organic thin film layer is a low molecular material such as the Alq3, Alq3 (host) / C545t (dopant), CBP (host) / IrPPy (phosphorescent organic metal complex), a green light emitting material and a PFO-based It may include a polymer material such as polymer material, PPV-based high molecular material. 또한, 상기 유기 발광층이 청색광을 발생시키는 경우에는, 상기 유기 발광층은 청색 발광 물질인 DPVBi, 스피로-DPVBi, 스피로-6P, 디스틸벤제(DSB), 디스티릴아릴렌(DSA) 등과 같은 저분자 물질과 PFO계 고분자 물질, PPV계 고분자 물질 등의 고분자 물질을 포함할 수 있다. In the case of the organic light emitting layer generates a blue light, low-molecular-weight materials such as the organic light-emitting layer is a blue light-emitting material DPVBi, spiro -DPVBi, spiro -6P, distill benje (DSB), distyrylarylene (DSA) and PFO-based high molecular material, it may include a polymer material such as PPV-based polymer material.

유기 전사층(140)의 정공 주입층은 CuPc, TNATA, TCTA, TDAPB 등과 같은 저분자 물질과 PANI, PEDOT 등과 같은 고분자 물질을 포함할 수 있으며, 유기 전사층(140)의 정공 수송층은 아릴아민(arylamine)계 저분자 물질, 히드라존(hydrazone)계 저분자 물질, 스틸벤(stilbene)계 저분자 물질, 스타버스트(starburst)계 저분자 물질 등과 같은 저분자 물질을 포함하거나, 카바졸(carbazole)계 고분자 물질, 아릴아민(arylamine)계 고분자 물질, 페릴렌(perylene)계 고분자 물질, 피롤(pyrrole)계 고분자 물질 등과 같은 고분자 물질을 포함할 수 있다. A hole injection layer of an organic transfer layer 140 is CuPc, TNATA, TCTA, low-molecular material and may comprise a polymer material, such as PANI, PEDOT, a hole transport layer of an organic transfer layer 140 such as TDAPB the arylamine (arylamine ) based low-molecular material, a hydrazone (hydrazone) based low-molecular material, a stilbene (stilbene) based low-molecular material, a starburst (starburst) system comprising a low molecular material such as low-molecular substances, or carbazole (carbazole) based high molecular material, an arylamine (arylamine) system may include a polymer material such as polymer material, perylene (perylene) based high molecular material, pyrrolyl (pyrrole) based polymers.

유기 전사층(140)의 전자 수송층은 PBD, TAZ, 스피로(spiro)-PBD 등과 같은 고분자 물질을 포함하거나, Alq3, BAlq, SAlq 등의 저분자 물질을 포함할 수 있다. The electron transporting layer of the organic transfer layer 140 may comprise a polymer material such as PBD, TAZ, spiro (spiro) -PBD, contain a low-molecular material such as Alq3, BAlq, SAlq. 또한, 유기 전사층(140)의 전자 주입층은 Alq3, 갈륨 혼합물(Ga complex), PBD 등과 같은 저분자 물질을 포함하거나, 옥사디아졸(oxadiazol)계 고분자 물질을 포함할 수 있다. May also include an electron injection layer is Alq3, gallium mixture (Ga complex), a low molecular material include PBD, or oxadiazole (oxadiazol) based polymer materials such as the organic transfer layer 140.

다른 예시적인 실시예들에 따르면, 절연층(130)과 유기 전사층(140) 사이에는 가스 생성층 및/또는 금속 반사층이 추가적으로 배치될 수 있다. According to another exemplary embodiment, between the insulating layer 130 and an organic transfer layer 140 may be a gas generating layer and / or the metal reflective layer further disposed. 여기서, 상기 가스 생성층은 광 또는 열을 흡수하여 발생되는 분해 반응에 따라 질소 가스, 수소 가스 등을 방출함으로써, 유기 전사층(140)의 전사 에너지를 제공하는 기능을 할 수 있다. Herein, the gas generation layer by discharging the nitrogen gas, hydrogen gas or the like according to the decomposition reaction generated by absorbing light or heat, may function to provide energy transfer of organic transfer layer 140. 예를 들면, 상기 가스 생성층은 사질산펜타에리트리톨(pentaerythritol tetranitrate), 트리니트로톨루엔(trinitrotoluene) 등을 포함할 수 있다. For example, the gas generating layer, and the like used nitric acid pentaerythritol (pentaerythritol tetranitrate), trinitrotoluene (trinitrotoluene). 또한, 상기 금속 반사층은 도너 기판(100)에 조사된 레이저를 반사시킴으로써 광열 변환층(120)에 보다 많은 에너지가 전달되도록 할 수 있고, 상기 가스 생성층으로부터 발생되는 가스가 유기 전사층(140)으로 침투하는 것을 방지할 수 있다. In addition, the metal reflective layer is gas that the organic transfer layer 140 is generated by the gas generation layer may be so much energy is transmitted than in the by reflecting the laser irradiation to the donor substrate 100, light-to-heat conversion layer 120, a it is possible to prevent the penetration of. 예를 들면, 상기 금속 반사 방지층은 알루미늄, 몰리브덴, 티타늄, 은, 백금 등의 상대적으로 높은 반사성을 갖는 금속을 포함할 수 있다. For example, the metal reflecting layer may comprise a metal having a relatively high reflectivity such as aluminum, molybdenum, titanium, silver, platinum.

본 발명의 예시적인 실시예들에 따르면, 도너 기판(100)이 팽창층(150)을 구비하여 레이저 열전사 공정 동안 레이저가 조사되는 부분에서 팽창층(150)이 국부적으로 팽창할 수 있다. According to an exemplary embodiment of the invention, the expansion layer 150 from the donor substrate portion 100 is the laser is irradiated for a LITI process, and having a swelling layer 150 may be locally expanded. 즉, 표시 기판 상으로 전사되는 부분의 유기 전사층(140) 아래에 위치하는 팽창층(150)의 일부가 상기 레이저 열전사 공정 동안 팽창될 수 있다. That is, it can be a part of the inflatable layer 150 disposed under the organic transfer layer 140 in the portion that is transferred onto the display substrate is expanded during the LITI process. 이에 따라, 도너 기판(100)의 유기 전사층(140)과 상기 표시 기판의 유기 전사층(140)이 전사되는 영역(유기층 패턴이 형성되는 영역) 사이의 거리가 감소될 수 있으므로, 도너 기판(100)으로부터 상기 표시 기판 상으로 유기 전사층(140)을 효율적으로 전사하여 상기 표시 기판 상에 균일한 유기층 패턴을 형성할 수 있다. Accordingly, a donor substrate, so that the distance between the donor substrate 100, an organic transfer layer 140 and an organic transfer layer region 140 is transferred at the display substrate (region where the organic layer pattern to be formed) can be reduced ( 100) can be efficiently transferred to the organic transfer layer 140 onto the display substrate to form a uniform organic layer pattern on the display substrate from.

이하, 본 발명의 예시적인 실시예들에 따라 도 1을 참조하여 설명한 도너 기판(100)과 실질적으로 동일한 구성을 가지는 도너 기판의 제조 방법에 대하여 설명한다. With reference to Figure 1 in accordance with exemplary embodiments of the present invention will be described with respect to the production method of the donor substrate 100 and the donor substrate having substantially the same configuration as described above.

예시적인 실시예들에 따르면, 먼저 베이스 기판(100)을 마련한 다음, 베이스 기판(110) 상에 팽창층(150)을 형성할 수 있다. According to exemplary embodiments, it is possible to form the first inflatable layer 150 to the next, the base substrate 110 provided with the base substrate 100. 베이스 기판(110)은 투명 수지 기판, 유리 기판, 석영 기판 등과 같은 투명 기판으로 이루어질 수 있다. Base substrate 110 may be formed of a transparent substrate such as a transparent resin substrate, a glass substrate, a quartz substrate. 예를 들면, 베이스 기판(110)은 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET), 폴리아크릴, 폴리에폭시, 폴리에틸렌, 폴리스티렌, 폴리이미드, 폴리카보네이트, 폴리에테르, 폴리아크릴레이트 들을 포함하는 투명 수지 기판으로 구성될 수 있다. For example, the base substrate 110 may be of a transparent resin substrate comprising polyethylene terephthalate (PET), polyacryl, polyepoxy, polyethylene, polystyrene, polyimide, polycarbonate, polyether, polyacrylate .

팽창층(150)은 상대적으로 높은 열팽창 계수를 갖는 열가소성 수지를 사용하여 형성될 수 있다. Swelling layer 150 may be formed using a thermoplastic resin having a relatively high coefficient of thermal expansion. 따라서 팽창층(150)에 레이저 광이 조사되는 경우 팽창층(150)은 국부적으로 또는 전체적으로 부피 팽창을 일으킬 수 있다. Therefore, the expansion layer 150 when the laser beam to the expansion layer 150 can lead to a local or overall volume expansion. 예를 들면, 팽창층(150)은 약 1.5×10 -5 /℃ 이상의 열팽창 계수를 갖는 열가소성 저분자 폴리머를 사용하여 형성할 수 있다. For example, the expansion layer 150 may be formed using a low molecular weight thermoplastic polymers having about 1.5 × 10 -5 or more / ℃ thermal expansion coefficient. 이 경우, 팽창층(150)에 폴리스티렌, 폴리메틸아크릴레이트, 폴리에틸아크릴레이트, 폴리프로필아크릴레이트, 폴리이소프로필아크릴레이트, 폴리n-부틸아크릴레이트, 폴리sec-부틸아크릴레이트, 폴리이소부틸아크릴레이트, 폴리tert-부틸아크릴레이트, 폴리메틸메타크릴레이트, 폴리에틸메타크릴레이트, 폴리n-부틸메타크릴레이트, 폴리n-데실메타크릴레이트, 폴리염화비닐, 폴리염화비닐리덴, 아크릴로니트릴-부타디엔-스티렌 공중합체 등을 사용하여 형성될 수 있다. In this case, the expanded layer 150 of polystyrene, polymethyl acrylate, polyethyl acrylate, polymethyl acrylate, poly-iso-propyl acrylate, poly-n- butyl acrylate, poly sec- butyl acrylate, polyisobutyl acrylate methacrylate, poly-tert- butyl acrylate, polymethyl methacrylate, polyethyl methacrylate, poly-n- butyl methacrylate, poly-n- decyl methacrylate, acrylonitrile, polyvinyl chloride, polyvinylidene chloride, acrylonitrile- It may be formed using, for example, styrene copolymer-butadiene. 또한, 팽창층(150)은 스핀 코팅(spin coating) 공정, 슬릿 코팅(slit coating) 공정, 그라비아 코팅(gravure coating) 공정 등을 통해 베이스 기판(110) 상에 형성될 수 있다. In addition, the expansion layer 150 may be formed on the base substrate 110 through a spin coating (spin coating) process, a slit coating (slit coating) process, a gravure coating (gravure coating) process.

다른 예시적인 실시예들에 따르면, 팽창층(150)은 열가소성 수지를 첨가한 폴리에틸렌 테레프랄레이트(PET) 필름으로 이루어질 수도 있다. According to other exemplary embodiments, the expansion layer 150 may be formed by the addition of a thermoplastic resin of polyethylene te Lev LAL rate (PET) film. 일반적으로 폴리에틸렌 테레프랄레이트(PET) 필름을 제조하는 과정에 있어서, 축중합 반응을 통해 폴리에틸렌 테레프랄레이트(PET) 수지를 형성한 후, 용융 압출 공정을 이용하여 무정형 상태의 폴리에틸렌 테레프랄레이트(PET) 칩(chip)의 형태로 절단한다. In general, polyethylene te Lev LAL rate (PET) in the process for producing a film, through the polycondensation reaction of polyethylene te Lev LAL rate (PET) after forming a resin, polyethylene te Lev amorphous state using the melt extrusion process LAL It is cut in the form of a rate (PET) chip (chip). 이후에, 이축 연신(biaxial drawing) 공정을 이용하여 폴리에틸렌 테레프랄레이트(PET) 필름을 형성하게 된다. Subsequently, using a biaxial stretching (biaxial drawing) process to form a polyethylene te Lev LAL rate (PET) film. 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 축중합 반응을 통해 폴리에틸렌 테레프랄레이트(PET) 수지를 형성한 후, 폴리에틸렌 테레프랄레이트(PET) 수지에 열가소성 수지를 소정의 농도로 첨가함으로써, 열가소성 수지가 첨가된 폴리에틸렌 테레프랄레이트(PET) 칩을 형성할 수 있다. By according to other exemplary embodiments, the added via a condensation polymerization reaction after the formation of the polyethylene te Lev LAL rate (PET) resin, a thermoplastic resin in a polyethylene te Lev LAL rate (PET) resin to a predetermined concentration, the thermoplastic resin that it is possible to form the polyethylene te Lev LAL rate (PET) chips added. 이후에, 상기 열가소성 수지가 첨가된 폴리에틸렌 테레프랄레이트(PET) 칩에 대하여 이축 연신 공정을 수행할 경우에는, 열팽창 특성이 향상된 폴리에틸렌 테레프랄레이트(PET) 필름으로 이루어진 팽창층(150)을 수득할 수 있다. Thereafter, the expanded layer 150 made of a case to perform biaxial stretching process, with respect to which the said thermoplastic resin is added polyethylene te Lev LAL rate (PET) chips, the thermal expansion properties are improved polyethylene te Lev LAL rate (PET) film It can be obtained. 이 경우, 열가소성 수지가 첨가된 폴리에틸렌 테레프랄레이트(PET) 필름으로 구성된 팽창층(150)은 열가소성 수지를 포함하지 않는 폴리에틸렌 테레프랄레이트(PET) 필름에 비하여 약 5배 이상 높은 열팽창 계수를 가질 수 있다. In this case, the polyethylene te Lev LAL rate adding thermoplastic resin (PET) for at least about five times higher thermal expansion coefficient than that consisting of a film swelling layer 150 is polyethylene te Lev does not contain a thermoplastic resin LAL rate (PET) film It may have. 또한, 팽창층(150)이 열가소성 수지가 첨가된 폴리에틸렌 테레프랄레이트(PET) 필름으로 이루어지고 베이스 기판(110)이 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET)를 포함할 경우, 베이스 기판(110)과 팽창층(150)이 실질적으로 일체로 형성될 수 있다. In addition, the expansion layer (150) if the thermoplastic resin is a polyethylene te Lev LAL rate (PET) made of a film base substrate 110 is added comprises a polyethylene terephthalate (PET), the base substrate 110 and the expansion layer 150 may be integrally formed with the substantially.

팽창층(150) 상에는 광열 변환층(120)이 형성될 수 있다. Swelling layer light-heat conversion layer 120 is formed on the (150) it may be formed. 광열 변환층(120)은 금속, 금속 산화물, 금속 황화물 등을 사용하여 형성될 수 있다. Light-heat conversion layer 120 may be formed using a metal, metal oxide, metal sulfide or the like. 예를 들면, 광열 변환층(120)은 알루미늄, 니켈, 몰리브덴, 티타늄, 지르코늄, 구리, 바나듐, 탄탈륨, 팔라듐, 루테늄, 이리듐, 금, 은, 백금 등의 금속, 이들 금속의 산화물, 이들 금속의 황화물 등을 사용하여 형성될 수 있다. For example, the light-heat conversion layer 120 of aluminum, nickel, molybdenum, titanium, zirconium, copper, vanadium, tantalum, palladium, ruthenium, iridium, gold, silver, metal, such as platinum, oxides of these metals, those metals It may be formed using a sulfide or the like. 또한, 광열 변환층(120)은 진공 증착 공정, 전자 빔(e-beam) 증착 공정, 스퍼터링 공정 등을 이용하여 팽창층(150) 상에 형성될 수 있다. Further, the light-heat conversion layer 120 can be by using a vacuum deposition process, an electron beam (e-beam) deposition process, a sputtering process to form the expanded layer 150. 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 광열 변환층(120)은 카본 블랙, 흑연 또는 적외선 염료를 포함하는 고분자 물질로 이루어진 유기 물질을 사용하여 형성될 수 있다. In another exemplary embodiment, the light-heat conversion layer 120 may be formed using an organic material made of a polymer material including carbon black, graphite or infrared dye. 이 경우, 광열 변환층(120)은 롤 코팅 공정, 그라비아 코팅 공정, 스핀 코팅 공정, 슬릿 코팅 공정 등을 통해 팽창층(150) 상에 형성될 수 있다. In this case, the light-heat conversion layer 120 may be formed on the inflatable layer 150 via a roll coating process, gravure coating process, spin coating process, a slit coating process.

광열 변환층(120) 상에는 절연층(130)이 형성될 수 있다. Light and heat has to be formed in the insulating layer 130 is formed on the conversion layer 120. 절연층(130)은 유기 물질이나 무기 물질을 사용하여 형성될 수 있다. Insulating layer 130 may be formed using an organic material or an inorganic material. 예를 들면, 절연층(130)은 아크릴 수지, 알키드 수지, 실리콘 산화물, 알루미늄 산화물, 마그네슘 산화물 등을 사용하여 형성될 수 있다. For example, the insulating layer 130 may be formed using acrylic resin, alkyd resin, silicon oxide, aluminum oxide, magnesium oxide and the like. 절연층(130)이 유기 물질을 포함하는 경우, 코팅공정 및 자외선(UV) 경화 공정을 수행하여 광열 변환층(120) 상에 절연층(130)을 형성할 수 있다. Insulating layer 130 can be formed, a coating process and an ultraviolet (UV) curing process carried out by the insulation on the light-heat conversion layer 120, layer 130, those containing organic material. 절연층(130)이 금속 산화물을 포함하는 경우에는, 진공 증착 공정, 전자 빔 증착 공정, 스퍼터링 공정, 화학 기상 증착(CVD) 공정 등을 이용하여 광열 변환층(120) 상에 절연층(130)을 형성할 수 있다. Isolated in the case of layer 130 comprises a metal oxide, a vacuum deposition process, an electronic beam deposition process, a sputtering process, a chemical vapor deposition (CVD), an insulating layer 130 on the light-heat conversion layer 120 using a process such as a it can be formed.

절연층(130) 상에는 유기 전사층(140)이 형성될 수 있다. Insulating layer 130 formed on the organic transfer layer 140 may be formed. 이에 따라, 베이스 기판(110), 팽창층(150), 광열 변환층(120), 절연층(130) 및 유기 전사층(140)을 포함하는 도너 기판이 제공될 수 있다. Accordingly, a donor substrate including a base substrate 110, the expansion layer 150, a light-heat conversion layer 120, the insulating layer 130 and an organic transfer layer 140 may be provided. 유기 전사층(140)은 유기 발광층, 정공 주입층, 정공 수송층, 전자 주입층, 전자 수송층 등을 포함할 수 있다. The organic transfer layer 140 may comprise an organic light-emitting layer, hole injection layer, a hole transport layer, electron injection layer, an electron transport layer and the like. 유기 전사층(140)의 구성 요소들은 생성되는 색광에 따라 다양한 물질들을 사용하여 형성될 수 있다. Component of the organic transfer layer 140 may be formed using a variety of materials depending on the color of light produced. 또한, 유기 전사층(140)은 스핀 코팅 공정, 슬릿 코팅 공정, 롤 코팅 공정, 그라비아 코팅 공정, 진공 증착 공정, 화학 기상 증착 공정 등을 이용하여 절연층(130) 상에 형성될 수 있다. The organic transfer layer 140 may be by using a spin coating process, a slit coating process, roll coating process, gravure coating process, a vacuum deposition process, a chemical vapor deposition process for forming the insulating layer 130.

도 2는 본 발명의 다른 예시적인 실시예들에 따른 도너 기판을 나타내는 단면도이다. Figure 2 is a cross-sectional view of a donor substrate in accordance with another exemplary embodiment of the present invention. 도 2에 도시한 도너 기판(200)에 있어서, 광열 변환층(220), 절연층(230) 및 유기 전사층(240)의 구성은 도 1을 참조하여 설명한 광열 변환층(120), 절연층(130) 및 유기 전사층(140)의 구성과 실질적으로 동일하거나 실질적으로 유사하다. In the donor substrate 200 shown in Figure 2, the light-heat conversion layer 220, the insulating layer 230 and the light-heat conversion layer 120 described in configuration, see Figure 1 of the organic transfer layer 240, an insulating layer 130, and configuration and is substantially the same as or substantially similar to the transfer of the organic layer 140.

도 2를 참조하면, 도너 기판(200)은, 대전 방지 부재로서 대전 방지제(250)를 함유하는 베이스 기판(210), 광열 변환층(220), 절연층(230), 유기 전사층(240) 등을 포함할 수 있다. 2, the donor substrate 200, the base substrate 210 containing the antistatic agent (250) as a charging preventing member, light-heat conversion layer 220, insulating layer 230, an organic transfer layer 240 and the like.

베이스 기판(210)은 대전 방지제(250)가 첨가된 투명 기판을 포함할 수 있다. Base substrate 210 may include a transparent substrate on which the antistatic agent (250) was added. 여기서, 상기 투명 기판은 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET), 폴리아크릴, 폴리에폭시, 폴리에틸렌, 폴리스틸렌, 폴리이미드, 폴리카보네이트, 폴리에테르, 폴리아크릴레이트 등을 포함할 수 있다. Here, the transparent substrate may include a polyethylene terephthalate (PET), polyacryl, polyepoxy, polyethylene, polystyrene, polyimide, polycarbonate, polyether, polyacrylate or the like. 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 베이스 기판(210)과 광열 변환층(220) 사이에 상기 대전 방지 부재로서 대전 방지층(도시되지 않음)이 배치될 수 있다. In another exemplary embodiment, the antistatic layer as the antistatic member is provided between the base substrate 210 and the light-heat conversion layer 220 (not shown) can be disposed. 또 다른 예시적인 실시예들에 따르면, 베이스 기판(210)의 제1 면 상에 광열 변환층(220)이 배치되고, 베이스 기판(210)의 제2 면 상에 대전 방지층(도시되지 않음)이 위치할 수도 있다. According to yet other exemplary embodiments, the light-heat conversion layer 220 on the first surface of the base board 210 is disposed (not shown), the antistatic layer on the second surface of the base substrate 210 is It may be located. 여기서, 상기 제1 면과 상기 제2 면은 서로 실질적으로 대항할 수 있다. Here, the first surface and the second surface can be substantially against each other.

예시적인 실시예들에 따르면, 대전 방지제(250) 또는 상기 대전 방지층은 폴리에틸렌알킬아민(polyoxyethylene alkyl amine)을 포함하는 아민계 대전 방지 물질, 글리세린 모노머 스테아린산(glycerine monomer stearate: GMS)계 대전 방지 물질, 아민계 대전 방지 물질 및 GMS계 대전 방지 물질의 혼합물 등을 포함할 수 있다. According to an exemplary embodiment, the antistatic agent 250 or the antistatic layer is prevented amine-based antistatic comprising polyethylene alkyl amine (polyoxyethylene alkyl amine) material, glycerin monomer stearate (glycerine monomer stearate: GMS) based antistatic materials, and the like amine-based antistatic materials, and mixtures of GMS based antistatic material. 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 베이스 기판(210)에 함유되는 대전 방지제(250) 또는 베이스 기판(210) 상에 형성되는 대전 방지층은 등록 상표 FC-4400 ? In another exemplary embodiment, an antistatic layer formed on the antistatic agent (250) or base plate 210 that is contained in the substrate 210 is a registered trademark FC-4400? (미국 3M사 제조)과 같은 상용되고 있는 대전 방지 물질을 포함할 수도 있다. It may also include an antistatic material which is commercially available, such as (US 3M Company). 또 다른 예시적인 실시예들에 따르면, 상기 대전 방지층 또는 대전 방지제(250)는 술포네이트(sulfonate)계 화합물, 술페이트(sulfate)계 화합물, 포스페이트(phosphate)계 화합물, 이들의 혼합물 등을 포함할 수 있다. According to another exemplary embodiment, the antistatic layer or an antistatic agent 250 is sulfonate (sulfonate) compounds, sulfate (sulfate) based compound, a phosphate include (phosphate) compounds, and mixtures thereof can. 예를 들면, 대전 방지제(250)는 알킬 술포네이트, 알킬 벤젠 술포네이트, 알킬 술페이트, 알킬 포스페이트 등을 포함할 수 있다. For example, an antistatic agent 250, and the like alkyl sulfonates, alkyl benzene sulfonates, alkyl sulfates, alkyl phosphate. 또 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 베이스 기판(210)에 포함되는 대전 방지제(250) 또는 베이스 기판(210) 상에 형성되는 대전 방지층은 산화제이철(Fe 2 O 3 ), 산화제일철(FeO) 등과 같이 자성을 갖는 금속 산화물을 포함할 수도 있다. In yet other exemplary embodiments, the charging antistatic layer is ferric oxide (Fe 2 O 3) formed on the agent 250, or the base substrate 210, the oxidation of ferrous (FeO) contained in the base substrate (210) such as may comprise a metal oxide having magnetism.

광열 변환층(220)은 대전 방지제(250)을 포함하는 베이스 기판(210) 상에 배치될 수 있다. Light-heat conversion layer 220 may be disposed on the base substrate 210 containing the antistatic agent (250). 다른 예시적인 실시예들에 따르면, 베이스 기판(210)과 광열 변환층(220) 사이에는 상기 대전 방지층이 위치할 수도 있다. According to other exemplary embodiments, there may be that the antistatic layer is located between the base substrate 210 and the light-heat conversion layer 220. 또 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 광열 변환층(220)과 상기 대전 방지층은 베이스 기판(210)의 서로 대향하는 면들 상에 배치될 수도 있다. In another exemplary embodiment, the light-heat conversion layer 220, and the antistatic layer may be arranged on the sides facing each other of the base substrate 210. 즉, 광열 변환층(220)과 상기 대전 방지층은 베이스 기판(210)을 개재하여 서로 이격될 수 있다. That is, the light-heat conversion layer 220, and the antistatic layer may be spaced apart from each other via a base substrate 210. The 광열 변환층(220)은 금속, 금속 산화물 또는 금속 황화물을 포함하거나, 카본 블랙, 흑연 또는 적외선 염료를 함유하는 고분자 물질을 포함하는 유기 물질로 구성될 수 있다. Light-heat conversion layer 220 can be composed of organic materials containing a metal, metal oxide or metal sulfide, or comprises a polymer material containing carbon black, graphite or infrared dye.

절연층(230)은 광열 변환층(220) 상에 위치할 수 있다. Insulating layer 230 may be located on the light-heat conversion layer 220. 절연층(230)은 아크릴 수지, 알키드 수지 등의 유기 절연 물질을 포함하거나, 실리콘 산화물, 알루미늄 산화물, 마그네슘 산화물 등의 금속 산화물로 구성될 수 있다. Insulating layer 230 may be include an organic insulating material such as acrylic resin, alkyd resin, or made of a metal oxide such as silicon oxide, aluminum oxide, magnesium oxide.

절연층(230) 상에는 유기 전사층(240)이 배치될 수 있다. An insulating layer 230 formed on the organic transfer layer 240 may be disposed. 유기 전사층(240)은 유기 발광층, 정공 주입층, 정공 수송층, 전자 주입층, 전자 수송층 등을 포함할 수 있다. The organic transfer layer 240 may include an organic light-emitting layer, hole injection layer, a hole transport layer, electron injection layer, an electron transport layer and the like. 유기 전사층(240)의 구성 물질들에 따라 유기 전사층(240)으로부터 생성되는 유기 발광 표시 장치의 유기층 패턴(들)이 발생시키는 색광들이 달라질 수 있다. Depending on the constituent material of the organic transfer layer 240 may be changed to color light to an organic layer pattern (s) of the OLED display that is generated from the organic transfer layer 240 is generated.

종래의 도너 기판을 사용하여 유기 발광 표시 장치의 표시 기판 상에 유기층 패턴을 형성할 경우에는, 레이저 열전사 공정 동안 상기 도너 기판에 정전기가 발생하게 되며, 이러한 정전기를 제거하기 위하여 레이저 열전사 공정이 수행되는 챔버 내에 다수의 이오나이저(ionizer)들을 설치하였다. When using the conventional donor substrate to form the organic layer pattern on the display substrate of the organic light emitting display device, and the static electricity is generated on the donor substrate for laser thermal transfer process, a laser thermal transfer process to remove such static electricity the chamber was set to be performed a number of ionizer (ionizer). 그러나 상기 챔버 내에 다수의 이오나이저들이 배치되는 경우에는 유기 발광 표시 장치를 제조하기 위한 비용이 증가되며, 상기 유기층 패턴을 형성하는 동안 상기 챔버의 내부가 진공 상태로 유지되거나 질소 가스로 충진되는 경우에는 이오나이저를 사용하여도 상기 도너 기판의 정전기를 제거하기 어려운 문제점이 있다. However, if the number of the ionizer are arranged in the chamber and increases the cost for manufacturing the OLED display, the interior of the chamber for forming the organic layer pattern is maintained in a vacuum state or filled with nitrogen gas, to be used for the ionizer to remove the static electricity of the donor substrate is difficult. 본 발명의 예시적인 실시예들에 따르면, 도너 기판(200)이 대전 방지 부재로서 대전 방지제(250)를 포함하는 베이스 기판(210)을 구비하거나 베이스 기판(210) 상에 대전 방지층이 배치되는 구성을 가질 수 있기 때문에, 유기 발광 표시 장치의 표시 기판 상에 유기층 패턴을 형성하기 위하여 레이저 열전사 공정을 수행하는 동안 도너 기판(200)에 정전기가 발생되는 현상을 방지할 수 있다. According to an exemplary embodiment of the invention, the donor substrate configuration 200 includes a base substrate 210 which includes an antistatic agent 250 as a charging preventing member, or an antistatic layer disposed on the base substrate 210, since the can have, it is possible to prevent a phenomenon in which static electricity is generated on the donor substrate 200 during a LITI process for forming the organic layer pattern on the display substrate of the OLED display. 따라서 도너 기판(200)의 유기 전사층(240)으로부터 표시 기판 상에 균일하게 유기층 패턴을 형성할 수 있으므로 상기 유기층 패턴의 발광 특성을 향상시킬 수 있으며, 유기 발광 표시 장치의 영상의 품질을 개선할 수 있다. Therefore, it is possible to form the organic layer pattern uniformly on the display substrate from the organic transfer layer 240 of the donor substrate 200 can improve the luminescence properties of the organic layer pattern, to improve the image quality of the organic light emitting display device can.

이하, 본 발명의 다른 예시적인 실시예들에 따라 도 2를 참조하여 설명한 도너 기판(200)과 실질적으로 동일한 구성을 가지는 도너 기판의 제조 방법에 대하여 설명한다. With reference to Figure 2, according to other exemplary embodiments of the present invention will be described with respect to the production method of the donor substrate 200 and the donor substrate having substantially the same configuration as described above.

예시적인 실시예들에 있어서, 베이스 기판(210)을 형성하면서 베이스 기판(210) 내에 대전 방지 부재로서 대전 방지제(250)를 첨가할 수 있다. In an exemplary embodiment, as the charging-preventing member in the base substrate 210, forming the base substrate 210 may be added to the antistatic agent (250). 대전 방지제(250)는 아민계 대전 방지제, GMS계 대전 방지제 또는 아민계 및 GMS계 대전 방지제의 혼합물 등을 포함할 수 있다. Antistatic agent 250 may include the amine-based antistatic agent, GMS-based antistatic agent or mixtures of GMS and amine-based antistatic agent. 다른 예시적인 실시예들에 따르면, 베이스 기판(210)의 제1 면(예를 들면, 베이스 기판(210)의 전면) 또는 베이스 기판(210)의 제2 면(예를 들면, 베이스 기판(210)의 후면) 상에 대전 방지 부재로서 대전 방지층이 형성될 수도 있다. According to other exemplary embodiments, the first surface a second surface (e. G., The base substrate (210 (for example, the front surface of the base substrate 210) or the base plate 210 of the base substrate 210, ) it may also be an antistatic layer formed as an anti-static member on the back side) of.

베이스 기판(210) 내에 대전 방지제(250)를 분산시키는 경우, 베이스 기판(210)을 구성하는 투명 수지에 대전 방지제(250)를 첨가하여 혼합한 다음, 상기 투명 수지와 대전 방지제(250)의 혼합물에 대해 이축 연신 공정을 수행함으로써 대전 방지제(250)를 포함하는 베이스 기판(210)을 수득할 수 있다. When dispersing the antistatic agent (250) in the base substrate 210, a mixture of a mixture by the addition of an antistatic agent (250) to the transparent resin constituting the base substrate 210. Next, the transparent resin and the antistatic agent (250) by performing a biaxial stretching process, for it is possible to obtain a base substrate 210 including the antistatic agent (250). 이 경우, 베이스 기판(210)의 구성 물질에 따라 베이스 기판(210)의 중량을 기준으로 하여 약 0.1 중량% 내지 약 2.0 중량% 정도의 함량으로 대전 방지제(250)를 첨가할 수 있다. In this case, it is possible to, based on the weight of the base substrate 210, the addition of an antistatic agent 250 in an amount of about 0.1% to about 2.0% by weight depending on the constituent material of the base substrate 210. 예를 들면, 베이스 기판(210)이 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET) 수지를 포함하는 경우, 베이스 기판(210)의 전체 중량에 대해 약 0.1 중량% 내지 약 0.5 중량% 정도의 대전 방지제(250)를 첨가할 수 있다. For example, the addition of the base substrate 210, a polyethylene terephthalate (PET) from about 0.1% to about 0.5 wt% of the antistatic agent (250) for a total weight in the case of a resin, the base substrate (210) can do. 한편, 베이스 기판(210)이 폴리프로필렌 수지를 포함하는 경우에는, 베이스 기판(210)의 중량을 기준으로 약 0.5 중량% 내지 약 1.0 중량% 정도의 함량으로 대전 방지제(250)를 첨가할 수 있다. On the other hand, to the base substrate 210. The addition of an antistatic agent (250) to the poly in the case comprising a polypropylene resin, the content of about 0.5% to about 1.0% by weight based on the weight of the base substrate 210, . 또한, 베이스 기판(210)이 폴리스티렌 수지를 포함하는 경우, 베이스 기판(210) 내의 대전 방지제(250)의 함량은 베이스 기판(210)의 중량에 대하여 약 1.0 중량% 내지 약 1.5 중량% 정도가 될 수 있다. In addition, the base substrate 210, in this case comprising a polystyrene resin, a base content of the antistatic agent (250) in the substrate 210 may be on the order of about 1.0% to about 1.5% by weight based on the weight of the base substrate (210) can.

베이스 기판(210) 상에 광열 변환층(220)을 형성할 수 있다. On the base substrate 210 can be formed light-to-heat conversion layer 220. 상기 도너 기판의 대전 방지 부재로서 베이스 기판(210)이 대전 방지제(250)를 포함하거나 베이스 기판(210)의 제2 면 상에 상기 대전 방지층이 형성될 경우, 광열 변환층(220)은 베이스 기판(210)의 제1 면 상에 직접 형성될 수 있다. If on the second surface of the base substrate 210 as a charging preventing member of the donor substrate comprises an antistatic agent 250 or the base substrate 210, wherein the antistatic layer is formed, light-heat conversion layer 220 is a base substrate the may be formed directly on the first surface of (210). 한편, 베이스 기판(210)의 제1 면 상에 상기 대전 방지층이 위치하는 경우에는, 광열 변환층(220)은은 상기 대전 방지층 상에 형성될 수도 있다. On the other hand, when the antistatic layer is located on a first surface of the base substrate 210, it may be formed on the light-heat conversion layer 220, the antistatic layer of silver.

광열 변환층(220)은 금속, 금속 산화물, 금속 황화물 등을 진공 증착 공정, 전자 빔 증착 공정, 스퍼터링 공정 등을 베이스 기판(210) 상에 증착하여 형성될 수 있다. Light-heat conversion layer 220 may be formed by depositing a metal, metal oxide, metal sulfide, such as a vacuum deposition process, an electronic beam deposition process, a sputtering process on the base substrate (210). 다른 예시적인 실시예들에 따르면, 광열 변환층(220)은 카본 블랙, 흑연, 적외선 염료 등을 함유하는 고분자 물질을 포함하는 유기 물질을 롤 코팅 공정, 그라비아 코팅 공정, 스핀 코팅 공정, 슬릿 코팅 공정 등을 이용하여 베이스 기판(210) 상에 증착하여 수득될 수 있다. According to other exemplary embodiments, the light-heat conversion layer 220 is a roll of organic material including a polymeric material containing carbon black, graphite, and infrared dye coating process, a gravure coating process, spin coating process, a slit coating process a can to be obtained by depositing on a base substrate 210 is used and so on.

광열 변환층(220) 상에 절연층(230)을 형성할 수 있다. On the light-heat conversion layer 220 can be formed in the insulating layer 230. 절연층(230)은 유기 절연 물질 또는 금속 산화물을 사용하여 형성될 수 있다. Insulating layer 230 can be formed using an organic insulating material or a metal oxide. 절연층(230)이 유기 절연 물질을 포함할 경우, 절연층(230)은 코팅 공정 및 자외선 경화 공정을 수행하여 수득될 수 있다. If the insulating layer 230 comprise an organic insulating material, the insulating layer 230 can be obtained by performing a coating process and an ultraviolet curing process. 절연층(230)이 금속 산화물을 포함하는 경우에는, 진공 증착 공정, 전자 빔 증착 공정, 스퍼터링 공정, 화학 기상 증착 공정 등을 이용하여 광열 변환층(220) 상에 절연층(230)을 형성할 수 있다. Insulating layer 230 in this case comprises a metal oxide, a vacuum deposition process, an electronic beam deposition process, a sputtering process, by using a chemical vapor deposition process light-heat conversion layer 220, the forming the insulating layer 230 in can.

절연층(230) 상에는 유기 전사층(240)이 형성될 수 있다. An insulating layer 230 formed on the organic transfer layer 240 may be formed. 유기 전사층(240)은 유기 발광층, 정공 주입층, 정공 수송층, 전자 주입층, 전자 수송층 등을 포함하는 다층 구조를 가질 수 있다. The organic transfer layer 240 may have a multilayer structure including an organic light emitting layer, a hole injection layer, a hole transport layer, electron injection layer, an electron transport layer and the like. 유기 전사층(240)은 스핀 코팅 공정, 슬릿 코팅 공정, 롤 코팅 공정, 그라비아 코팅 공정, 진공 증착 공정, 화학 기상 증착 공정 등을 이용하여 형성될 수 있다. The organic transfer layer 240 may be formed using a spin coating process, a slit coating process, roll coating process, gravure coating process, a vacuum deposition process, such as chemical vapor deposition process.

도 3은 본 발명의 또 다른 예시적인 실시예들에 따른 도너 기판을 나타내는 단면도이다. Figure 3 is a cross-sectional view of a donor substrate in accordance with another exemplary embodiment of the present invention. 도 3에 도시한 도너 기판(300)에 있어서, 베이스 기판(310), 광열 변환층(320) 및 유기 전사층(340)의 구성은 도 1을 참조하여 설명한 베이스 기판(110), 광열 변환층(120) 및 유기 전사층(140)의 구성과 실질적으로 동일하거나 실질적으로 유사하다. In the donor substrate 300 shown in Figure 3, the base substrate 310, a light-heat configuration, the base substrate 110 is described with reference to Figure 1, the conversion layer 320 and an organic transfer layer 340, a light-heat conversion layer 120, and configuration and is substantially the same as or substantially similar to the transfer of the organic layer 140.

도 3을 참조하면, 도너 기판(300)은, 베이스 기판(310), 광열 변환층(320), 대전 방지 부재로서 대전 방지제(350)를 포함하는 절연층(330), 유기 전사층(340) 등을 구비할 수 있다. 3, the donor substrate 300, the base substrate 310, a light-heat conversion layer 320, an insulating layer 330, transfer layer 340, an organic containing the antistatic agent (350) as a charging preventing member It may be provided and the like. 다른 예시적인 실시예들에 따르면, 도너 기판(300)은 광열 변환층(320)과 절연층(330) 사이 또는 절연층(330)과 유기 전사층(340) 사이에 배치되는 대전 방지층(도시되지 않음)을 대전 방지 부재로서 포함할 수도 있다. According to other exemplary embodiments, the donor substrate 300 includes a light-heat conversion layer 320 and the insulating layer 330, antistatic layer is disposed between, or between the insulating layer 330 and an organic transfer layer 340 (not shown in No), the may comprise an anti-static member.

도 3에 있어서, 베이스 기판(310)은 투명 수지 기판, 유리 기판, 석영 기판 등과 같은 투명 기판을 포함할 수 있다. 3, the base substrate 310 may include a transparent substrate such as a transparent resin substrate, a glass substrate, a quartz substrate. 베이스 기판(310)으로 사용되는 상기 투명 수지 기판은 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET)계 수지, 폴리아크릴계 수지, 폴리에폭시계 수지, 폴리에틸렌계 수지, 폴리스틸렌계 수지, 폴리이미드계 수지, 폴리카보네이트계 수지, 폴리에테르계 수지, 폴리아크릴레이트계 수지 등을 포함할 수 있다. The transparent resin substrate used as the base substrate 310 is a polyethylene terephthalate (PET) based resin, a polyacrylic resin, a polyepoxy-based resin, polyethylene-based resin, polystyrene-based resin, polyimide-based resin, a polycarbonate resin, a poly It may include ether-based resin, polyacrylate-based resin, and the like. 광열 변환층(320)은 베이스 기판(310) 상에 배치될 수 있다. Light-heat conversion layer 320 may be disposed on the base substrate 310. 광열 변환층(120)은 금속, 금속 산화물, 금속 황화물, 탄소를 함유하는 물질 등을 포함할 수 있다. Light-heat conversion layer 120 may include materials containing a metal, metal oxides, metal sulfides, and carbon.

절연층(330)은 광열 변환층(320) 상에 배치될 수 있다. Insulating layer 330 may be disposed on the light-heat conversion layer 320. 광열 변환층(320) 상에 상기 대전 방지층이 위치하는 경우, 절연층(330)은 상기 대전 방지층 상에 배치될 수도 있다. When the antistatic layer is located on the light-heat conversion layer 320, insulating layer 330 it may be disposed on the antistatic layer. 절연층(330)은 아크릴 수지, 알키드 수지 등의 유기 절연 물질 또는 실리콘 산화물, 알루미늄 산화물, 마그네슘 산화물 등과 같은 금속 산화물을 포함할 수 있다. Insulating layer 330 may include a metal oxide such as an organic insulating material, or silicon oxide, aluminum oxide, magnesium oxide, such as acrylic resins, alkyd resins. 예시적인 실시예들에 있어서, 대전 방지제(350)는 절연층(330) 내에 분산될 수 있다. In an exemplary embodiment, the antistatic agent 350 may be distributed in the insulating layer 330. 여기서, 대전 방지제(350)의 함량은 절연층(330)의 구성 물질에 따라 절연층(330)의 전체 중량을 기준으로 하여 약 0.1 중량% 내지 약 2.0 중량% 정도가 될 수 있다. Here, the content of the antistatic agent 350 may be based on the total weight of about 0.1% to about 2.0% by weight of the insulating layer 330 in accordance with the constituent material of the insulating layer 330. 다른 예시적인 실시예들에 따르면, 상기 대전 방지층이 광열 변환층(320)과 절연층(230) 사이 또는 절연층(230) 상에 배치될 수 있다. According to other exemplary embodiments, the antistatic layer can be disposed on the light-heat conversion layer 320 and the insulating layer 230 or between the insulating layer 230. 대전 방지제(350) 또는 상기 대전 방지층은 아민계 대전 방지 물질, GMS계 대전 방지 물질, 아민계 및 GMS계 대전 방지 물질의 혼합물 등을 포함할 수 있다. Antistatic agent 350 or the antistatic layer may comprise an amine-based antistatic materials, GMS-based antistatic materials, amine-based and GMS-based mixture of an antistatic material and the like. 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 대전 방지제(350) 또는 상기 대전 방지층은 술포네이트계 화합물, 술페이트계 화합물, 포스페이트계 화합물, 이들의 혼합물 등을 포함할 수 있다. In another exemplary embodiment, an antistatic agent 350 or the antistatic layer may comprise a sulfonate-based compound, a sulfate-based compound, a phosphate-based compound, and a mixture thereof. 또 다른 예시적인 실시예들에 따르면, 대전 방지제(350) 또는 상기 대전 방지층은 산화제일철,산화제이철 등과 같이 자성을 갖는 금속 산화물을 포함할 수도 있다. According to still another exemplary embodiment, an antistatic agent 350 or the antistatic layer may comprise a metal oxide having magnetism such as ferrous oxide, ferric oxide.

유기 전사층(340)은 절연층(330) 상에 또는 상기 대전 방지층 상에 배치될 수 있다. The organic transfer layer 340 may be disposed in or on the antistatic layer on the insulating layer 330. 유기 전사층(340)은 도 1을 참조하여 설명한 도너 기판(100)의 유기 전사층(140)과 실질적으로 동일하거나 실질적으로 유사한 물질들을 포함할 수 있다. The organic transfer layer 340 may comprise an organic transfer layer 140 is substantially the same or substantially similar material as the donor substrate 100 described with reference to FIG.

본 발명의 예시적인 실시예들에 따르면, 도너 기판(300)이 대전 방지 부재로서 대전 방지제(350)를 포함하는 절연층(330)을 포함하거나 절연층(310) 상에 대전 방지층이 위치하는 구성을 가질 수 있기 때문에, 표시 기판 상에 유기층 패턴을 형성하기 위한 레이저 열전사 공정 동안 도너 기판(300)에 정전기가 발생되는 현상을 효과적으로 방지할 수 있다. According to an exemplary embodiment of the invention, the donor substrate 300 is configured to include an insulation layer 330 comprising an antistatic agent 350 as a charging preventing member, or the antistatic layer located on the insulating layer 310 display can be on the donor substrate 300 during the LITI process for forming the organic layer pattern on the substrate to effectively prevent a phenomenon in which static electricity is generated because the may have. 이에 따라, 이오나이저와 같은 추가적인 정전기 발생 방지 장치가 요구되지 않아 유기 발광 표시 장치의 제조 비용을 절감할 수 있으며, 도너 기판(300)의 유기 전사층(340)으로부터 상기 표시 기판 상에 균일하게 유기층 패턴을 형성할 수 있으며, 상기 유기층 패턴의 발광 특성을 향상시켜 유기 발광 표시 장치의 영상의 품질을 개선할 수 있다. Accordingly, it does not require protection additional static electricity, such as the ionizer uniform on the display substrate from an organic transfer layer 340 may reduce the manufacturing cost of the organic light emitting display device, a donor substrate 300, the organic layer may form a pattern, improve the light emission characteristics of the organic layer pattern was possible to improve the image quality of the OLED display.

도 4는 본 발명의 또 다른 예시적인 실시예들에 따른 도너 기판을 나타내는 단면도이다. Figure 4 is a cross-sectional view of a donor substrate in accordance with another exemplary embodiment of the present invention. 도 4에 도시한 도너 기판(400)에 있어서, 베이스 기판(410), 광열 변환층(420), 절연층(430) 및 유기 전사층(440)의 구성은 도 1을 참조하여 설명한 베이스 기판(110), 광열 변환층(120), 절연층(130) 및 유기 전사층(140)의 구성과 실질적으로 동일하거나 실질적으로 유사하다. In the donor substrate 400 shown in Figure 4, the base substrate 410, a light-heat conversion layer 420, the insulating layer 430 and the base board described in configuration, see Figure 1 of the organic transfer layer 440 ( 110) is substantially the same as or substantially similar to the configuration of the light-heat conversion layer 120, the insulating layer 130 and an organic transfer layer (140).

도 4를 참조하면, 도너 기판(400)은, 베이스 기판(410), 광열 변환층(420), 절연층(430), 유기 전사층(440), 대전 방지 부재로서 투명 도전층(450) 등을 포함할 수 있다. 4, a donor substrate 400, the base substrate 410, a light-heat conversion layer 420, insulating layer 430, an organic transfer layer 440, an anti-static member transparent conductive layer 450, such as the can be included.

베이스 기판(410)은 투명 수지 기판, 유리 기판, 석영 기판 등을 포함할 수 있다. Base substrate 410 may include a transparent resin substrate, a glass substrate, a quartz substrate, or the like. 베이스 기판(410)의 제1 면 상에는 광열 변환층(420)이 배치될 수 있다. On the first surface of the base substrate 410, light-to-heat conversion layer may be disposed 420. 예를 들면, 광열 변환층(430)은 금속, 금속 산화물, 금속 황화물, 탄소를 함유하는 물질 등을 포함할 수 있다. For example, the light-heat conversion layer 430 may include materials containing a metal, metal oxides, metal sulfides, and carbon.

절연층(430)은 광열 변환층(420) 상에 배치될 수 있다. Insulating layer 430 may be disposed on the light-heat conversion layer 420. 예를 들면, 절연층(430)은 아크릴 수지, 알키드 수지, 실리콘 산화물, 알루미늄 산화물, 마그네슘 산화물 등을 포함할 수 있다. For example, the insulating layer 430 may include an acrylic resin, alkyd resin, silicon oxide, aluminum oxide, magnesium oxide and the like. 유기 전사층(440)은 절연층(430) 상에 위치할 수 있다. The organic transfer layer 440 may be located on the insulating layer 430. 유기 전사층(440)은 유기 발광층, 정공 주입층, 정공 수송층, 전자 주입층, 전자 수송층 등을 포함할 수 있다. The organic transfer layer 440 may include an organic light emitting layer, a hole injection layer, a hole transport layer, electron injection layer, an electron transport layer and the like.

예시적인 실시예들에 따르면, 상기 대전 방지 부재에 해당되는 투명 도전층(450)은 베이스 기판(410)의 제2 면 상에 배치될 수 있다. According to an exemplary embodiment, the transparent conductive layer 450 corresponding to the charging-preventing member may be disposed on the second surface of the base substrate (410). 여기서, 베이스 기판(410)의 제2 면은 상기 제1 면에 실질적으로 대향할 수 있다. Here, the second surface of the base substrate 410 may be substantially opposite to the first surface. 즉, 투명 도전층(450)과 광열 변환층(420)은 각기 베이스 기판(410)의 대향하는 면들 상에 배치될 수 있다. That is, the transparent conductive layer 450 and the light-heat conversion layer 420 may each be disposed on opposite sides of the base substrate 410.

투명 도전층(450)은 레이저 열전사 공정 동안 레이저 광을 투과시킬 수 있도록 투명하며 투명성을 갖는 도전성 금속 산화물 또는 투명성을 갖는 전도성 고분자 물질을 포함할 수 있다. A transparent conductive layer 450 may comprise a conductive polymer material having a conductive metal oxide or transparency having transparent and transparent so as to transmit the laser beam for laser thermal transfer process. 예를 들면, 투명 도전층(410)은 폴리아닐린(polyaniline), 폴리피롤(polypyrrole), 폴리티오펜(polythiophene), 폴리에틸렌디옥시티오펜 [poly(3,4-ethylenedioxythiophene)] 등의 투명 전도성 고분자 물질을 포함할 수 있다. For example, the transparent conductive layer 410 is polyaniline (polyaniline), polypyrrole (polypyrrole), polythiophene (polythiophene), polyethylene dioxythiophene comprises a transparent conductive polymer such as [poly (3,4-ethylenedioxythiophene)] can do. 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 투명 도전층(410)은 안티몬 주석 산화물(antimony tin oxide: ATO), 인듐 주석 산화물(indium tin oxide: ITO), 인듐 아연 산화물(indium zinc oxide: IZO), 니오븀 산화물(NbOx), 아연 산화물(ZnOx), 갈륨 산화물(GaOx), 주석 산화물(SnOx), 인듐 산화물(InOx) 등과 같은 투명 무기 물질을 포함할 수 있다. In another exemplary embodiment, the transparent conductive layer 410 is antimony tin oxide (antimony tin oxide: ATO), indium tin oxide (indium tin oxide: ITO), indium zinc oxide (indium zinc oxide: IZO), niobium oxide may include a transparent inorganic material such as (NbOx), zinc oxide (ZnOx), gallium oxide (GaOx), tin oxide (SnOx), indium oxide (InOx).

본 발명의 예시적인 실시예들에 따르면, 도너 기판(400)은 베이스 기판(410)의 일면에 배치되고 레이저 광을 투과시키며 도전성을 갖는 투명 도전층(450)을 대전 방지 부재로서 포함할 수 있기 때문에, 유기 전사층(440)으로부터 표시 기판 상에 유기층 패턴을 형성하는 동안 도너 기판(400)에 정전기의 발생을 방지할 수 있다. So, according to an exemplary embodiment of the invention, the donor substrate 400 may be disposed on one surface of the base substrate 410 and sikimyeo transmitted through the laser light comprises a transparent conductive layer 450 having conductivity as an antistatic member Therefore, in the donor substrate 400 during the formation of the organic layer pattern on the display substrate from the organic transfer layer 440 may prevent the generation of static electricity. 따라서 이오나이저와 같은 추가적인 정전기 발생 방지 장치가 요구되지 않아 유기 발광 표시 장치의 제조 비용을 절감할 수 있으며, 상기 표시 기판 상에 효율적으로 균일한 유기층 패턴을 형성할 수 있다. Therefore, the demand does not prevent generation of static electricity, such as devices additional ionizer can reduce the manufacturing cost of the OLED display, it is possible to form the organic layer pattern effectively uniform over the display substrate.

도 5 내지 도 7은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다. 5 to 7 are sectional views illustrating a method of manufacturing the OLED display according to an exemplary embodiment of the invention. 도 5 내지 도 7에 예시적으로 도시한 유기 발광 표시 장치의 제조 방법에 있어서, 도 1을 참조하여 설명한 도너 기판(100)과 실질적으로 동일하거나 실질적으로 유사한 구성을 가지는 도너 기판을 사용하지만, 도 2 내지 도 4를 참조하여 설명한 도너 기판들(200, 300, 400)을 사용하여 도 5 내지 도 7에 예시적으로 도시한 유기 발광 표시 장치의 제조 방법에 의해 수득되는 유기 발광 표시 장치와 실질적으로 동일하거나 실질적으로 유사한 구성을 가지는 유기 발광 표시 장치를 수득할 수 있음을 이해할 수 있을 것이다. Referring to Fig. 5 to the exemplary manufacturing method of the OLED display illustrated in FIG. 7, FIG. 1 using the donor substrate 100 and the substantially donor substrate same as or has a configuration substantially similar to the above, but also 2 to substantially the organic light emitting display device obtained by the production method of an organic light emitting display device shown by way of example in Figure 4 with reference to described donor substrate in Figs. 5 to 7 (200, 300, 400) using a it will be appreciated that it is possible to obtain the same or substantially the OLED display device having a similar configuration.

도 5를 참조하면, 도 1을 참조하여 설명한 도너 기판(100)과 실질적으로 동일한 구성을 갖는 도너 기판을 유기 발광 표시 장치의 표시 기판 상에 밀착시킬 수 있다. Referring to Figure 5, it is possible also in close contact a donor substrate 100 and the donor substrate having substantially the same configuration as described with reference to Figure 1 on a display substrate of the OLED display.

예시적인 실시예들에 있어서, 상기 표시 기판은, 기판(510) 상에 형성된 트랜지스터(540), 제1 층간 절연막(550), 제2 층간 절연막(555), 제1 전극(560), 화소 정의막(570) 등을 포함할 수 있다. In an exemplary embodiment, the display substrate includes a substrate 510, a transistor 540 formed on the first interlayer insulating film 550, the second interlayer insulating film 555, a first electrode 560, the pixel defining film 570, and the like.

예시적인 실시예들에 따르면, 투명 절연 물질을 포함하는 기판(510) 상에 채널 영역(521), 소스 영역(523) 및 드레인 영역(525)을 포함하는 반도체 패턴(520)을 형성할 수 있다. According to an exemplary embodiment, the semiconductor pattern 520 including the channel region 521, source region 523 and drain region 525 on the substrate 510 can be formed of a transparent insulating material, . 반도체 패턴(520)은 아몰퍼스 실리콘, 불순물을 포함하는 아몰퍼스 실리콘, 폴리실리콘, 불순물을 포함하는 폴리실리콘, 부분 결정화 실리콘, 미세 결정들을 포함하는 실리콘 등을 사용하여 형성될 수 있다. Semiconductor pattern 520 may be formed using a silicon containing polysilicon, crystalline silicon portions, fine crystals containing amorphous silicon, polysilicon, amorphous silicon containing an impurity, the impurity. 소스 및 채널 영역(523, 525)은 반도체 패턴(520)의 양측부에 불순물들을 주입하여 형성될 수 있으며, 소스 및 드레인 영역(523, 525)의 형성에 따라 채널 영역(521)이 정의될 수 있다. The source and channel regions (523, 525) will be the channel region 521 is defined by the formation of may be formed by implanting impurities into the side portions of the semiconductor pattern 520, the source and drain regions (523, 525) have.

기판(510) 상에 반도체 패턴(520)을 덮는 게이트 절연막(530)을 형성한 후, 게이트 절연막(530) 상에 게이트 전극(541)을 형성할 수 있다. After forming the gate insulating film 530 to cover the semiconductor pattern 520 on the substrate 510, on the gate insulating film 530, it is possible to form the gate electrode 541. 게이트 절연막(530)은 실리콘 화합물, 금속 산화물 등을 사용하여 형성될 수 있으며, 게이트 전극(541)은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물 등을 사용하여 형성될 수 있다. A gate insulating film 530 may be formed using a silicon compound, the metal oxide or the like, a gate electrode 541 may be formed using a metal, an alloy, a metal nitride, a conductive metal oxide or the like. 게이트 전극(541)은 게이트 절연막(530) 중에서 아래에 채널 영역(521)이 위치하는 부분 상에 배치될 수 있다. Gate electrode 541 can be disposed on the portion of the channel region 521 is located below from the gate insulating film 530.

게이트 절연막(530) 상에는 게이트 전극(541)을 커버하는 제1 층간 절연막(550)이 형성될 수 있다. A first interlayer insulating film 550 covering the gate insulating film 530 is formed on the gate electrode 541 can be formed. 제1 층간 절연막(550)은 실리콘 화합물을 사용하여 형성될 수 있다. The first interlayer insulating film 550 may be formed using a silicon compound. 제1 층간 절연막(550) 상에는 제1 층간 절연막(550)과 게이트 절연막(530)을 관통하여 소스 영역(523) 및 드레인 영역(525)에 접촉되는 소스 전극(543) 및 드레인 전극(545)이 형성될 수 있다. The first interlayer insulating film 550 formed on the first interlayer insulating film 550 and the gate insulating film 530 through the source electrode 543 and drain electrode 545 in contact with the source region 523 and drain region 525 of the It can be formed. 이에 따라, 기판(510) 상에는, 반도체 패턴(520), 게이트 절연막(530), 게이트 전극(541), 소스 전극(543) 및 드레인 전극(545)을 포함하는 박막 트랜지스터(TFT)와 같은 스위칭 소자가 제공될 수 있다. Accordingly, switching elements such as thin film transistor (TFT) comprising a substrate (510) formed on the semiconductor pattern 520, the gate insulating film 530, gate electrode 541, source electrode 543 and drain electrode 545 It can be provided. 소스 및 드레인 전극(543, 545)은 각기 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물 등을 사용하여 형성될 수 있다. Source and drain electrodes (543, 545) may be formed by respectively using a metal, an alloy, a metal nitride, a conductive metal oxide or the like.

제1 층간 절연막(550) 상에는 소스 전극(543) 및 드레인 전극(545)을 덮는 제2 층간 절연막(555)이 형성될 수 있다. The first is the second interlayer insulating film 555 may be formed to cover the interlayer insulating film 550 formed on the source electrode 543 and drain electrode 545. 제2 층간 절연막(555)은 투명 유기 절연을 사용하여 형성될 수 있다. The second interlayer insulating film 555 may be formed using a transparent organic insulating. 제2 층간 절연막(555)은 상기 유기 발광 표시 장치의 후속하여 형성되는 구성 요소들을 위하여 실질적으로 평탄한 상면을 가질 수 있다. The second interlayer insulating film 555 may have a substantially flat upper surface to the component to be formed subsequently in the OLED display.

제2 층간 절연막(555) 상에는 제2 층간 절연막(555)을 관통하여 드레인 전극(545)에 접속되는 제1 전극(560)이 형성될 수 있다. 2 may be formed of a first electrode 560 connected to through the interlayer insulating film 555 formed on the second interlayer insulating film 555 drain electrode 545. 제1 전극(506)은 상기 유기 발광 표시 장치의 화소 전극에 해당될 수 있다. The first electrode 506 may correspond to the pixel electrode of the OLED display. 상기 유기 발광 표시 장치의 발광 방식에 따라 제1 전극(560)은 반사성을 갖는 물질 또는 투명 도전성 물질을 사용하여 형성될 수 있다. The first electrode 560 according to the emission type of the organic light emitting display device may be formed using a material or a transparent conductive material having reflectivity.

화소 정의막(570)은 제1 전극(560)의 일부 상에 형성될 수 있다. The pixel defining layer 570 may be formed on a portion of the first electrode 560. 화소 정의막(570)은 유기 물질 또는 무기 물질을 사용하여 형성될 수 있다. The pixel defining layer 570 may be formed using an organic material or an inorganic material. 화소 정의막(570)에 상기 유기 발광 표시 장치의 발광 영역(I)이 정의될 수 잇다. A light emitting region of the organic light emitting display in the pixel defining layer (570) (I) the piece can be defined. 즉, 화소 정의막(570)에 의해 노출되는 부분의 제1 전극(560)이 발광 영역(I)에 해당될 수 있다. That is, the first electrode 560 of the portion exposed by the pixel defining layer 570 may be available for the light emission region (I).

다시 도 5를 참조하면, 상기 도너 기판의 유기 전사층(140)이 상기 표시 기판의 화소 정의막(570) 상면과 접촉되도록 상기 도너 기판과 상기 표시 기판이 정렬될 수 있다. Referring again to Figure 5, an organic transfer layer 140 of the donor substrate on which there is the donor substrate and the display substrate may be arranged to be in contact with the upper surface of the pixel defining layer 570 of the display substrate. 이 경우, 화소 정의막(570)이 발광 영역(I)의 제1 전극(560) 상으로부터 돌출되기 때문에, 유기 전사층(140)과 제1 전극(560)은 제1 간격(D1)으로 이격될 수 있다. In this case, since the pixel defining layer 570 are to be protruded from the first electrode 560 in the emission region (I), an organic transfer layer 140 and the first electrode 560 is spaced a first distance (D1) It can be. 예를 들면, 화소 정의막(570)이 약 1μm 정도의 두께를 가질 경우, 유기 전사층(140)과 제1 전극(560) 사이의 제1 간격(D1)은 약 1μm 정도가 될 수 있다. For example, a first spacing between the pixel defining layer 570. In this case, have a thickness of about 1μm or so, an organic transfer layer 140 and the first electrode (560), (D1) may be on the order of about 1μm.

도 6을 참조하면, 발광 영역(I) 상부에 위치하는 상기 도너 기판 상으로 레이저 광이 조사될 수 있다. 6, may be a laser beam irradiated onto the donor substrate which is located in an upper emission region (I). 여기서, 레이저 광은 광열 변환층(120)에 의해 흡수되어 열로 변환됨으로써, 유기 전사층(140)이 발광 영역(I)의 제1 전극 상에 전사될 수 있다. Here, the laser light being absorbed by the light-heat conversion layer 120 is converted into heat, and an organic transfer layer 140 may be transferred onto the first electrode of the emission region (I). 상기 도너 기판이 팽창층(150)을 구비할 경우, 광열 변환층(120)에 흡수된 열에 의해 팽창층(150)이 부분적으로 팽창될 수 있다. When the donor substrate be provided with an inflatable layer (150), the heat expansion layer 150 by absorbing the light-heat conversion layer 120 it may be partially expanded. 예를 들면, 상대적으로 열팽창 계수가 큰 열가소성 수지를 포함하는 팽창층(150)이 발광 영역(I) 상부에서 팽창하여 두께가 증가할 수 있으며, 이에 따라 유기 전사층(140)과 제1 전극(560) 사이의 제1 간격(D1)이 팽창층(150)의 두께 증가만큼 감소하여 제2 간격(D2)으로 감소될 수 있다. For example, the inflatable layer 150 containing a large thermoplastic resin relatively CTE expansion in the top emission region (I) can be increased in thickness, whereby a first electrode, an organic transfer layer 140, in accordance with ( 560) decreases a first distance (D1) by increasing the thickness of the inflation layer 150 between the can be reduced to a second distance (D2). 제2 간격(D2)이 제1 간격(D1)보다 실질적으로 작기 때문에, 상대적으로 작은 에너지의 레이저 광을 조사하더라도 제1 전극(560) 상으로 효율적으로 유기 전사층(140)을 전사할 수 있다. Since the second distance (D2) is substantially smaller than the first distance (D1), even when irradiated with a relatively laser light of a small energy as is possible to transfer the first electrode 560, the more efficiently the organic transfer layer 140 . 한편, 팽창층(150)의 열팽창 계수, 두께 등과 화소 정의막(570)의 두께에 따라 유기 전사층(140)과 제1 전극(560) 사이의 간격을 조절하여 유기 전사층(140)의 전사 효율을 향상시킬 수 있다. On the other hand, the transfer of the expansion layer an organic transfer layer according to the thickness of the thermal expansion coefficient, the pixel defining layer 570 including the thickness of 150, 140 and the first electrode 560, an organic transfer layer 140, by adjusting the distance between the the efficiency can be improved. 다른 예시적인 실시예들에 따라, 상기 도너 기판이 대전 방지 부재로서 대전 방지제, 대전 방지층 또는 투명 도전층 등을 포함할 경우에는, 상기 도너 기판에 발생되는 정전기를 방지할 수 있으므로 제1 전극(560) 상으로 유기 전사층을 균일하게 전사할 수 있다. According to other exemplary embodiments, the donor is if the substrate comprises an antistatic agent, an antistatic layer or a transparent conductive layer such as an anti-static member, it is possible to prevent static electricity generated on the donor substrate a first electrode (560 ) phase as it is possible to uniformly transfer the organic transfer layer.

도 7을 참조하면, 상기 도너 기판을 상기 표시 기판으로부터 분리하여 발광 영역(I)의 제1 전극(560)과 화소 정의막(570)의 측벽 상에 유기층 패턴(580)을 형성할 수 있다. 7, it is possible to form the organic layer pattern 580 on the sidewalls of the first electrode 560 and the pixel defining layer 570 of the donor substrate on which the display separated from the substrate emission region (I).

화소 정의막(570)과 유기 발광층(580) 상에 제2 전극(590)을 형성한 후, 제2 전극(590) 상에 보호층(도시되지 않음), 상부 기판 등을 배치하여 상기 유기 발광 표시 장치를 제조할 수 있다. After forming the second electrode 590 on the pixel defining layer 570, an organic emission layer 580, a protective layer on the second electrode 590 (not shown), and the organic light by placing the upper substrate, and the like it is possible to manufacture a display device. 제2 전극(590)도 상기 유기 발광 표시 장치의 발광 방식에 따라 반사성을 갖는 물질 또는 투명 도전성 물질을 사용하여 형성될 수 있다. The second electrode 590 may be formed using a transparent conductive material or a material having a reflectance in accordance with the method of luminescence of the organic light emitting display device.

본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법에 있어서, 팽창층(150)을 갖는 도너 기판을 사용하여 유기층 패턴(580)을 형성할 수 있다. In the production method of the OLED display according to an exemplary embodiment of the invention, by using the donor substrate having an inflatable layer (150) to form the organic layer pattern 580. 상기 도너 기판의 유기 전사층(140) 중 제1 전극(560) 상으로 전사되는 부분에서 팽창층(150)의 두께가 증가하기 때문에, 유기 전사층(140)과 제1 전극(560) 사이의 거리가 감소될 수 있다. Because of the increase in thickness of the inflation layer 150 in the portion where the transfer of organic transfer layer 140 of the donor substrate onto the first electrode 560, between the organic transfer layer 140 and the first electrode 560 the distance can be reduced. 이에 따라 유기 전사층(140)이 상기 도너 기판으로부터 효과적으로 분리될 수 있다. Thereby an organic transfer layer 140 may be effectively separated from the donor substrate. 또한, 작은 출력의 레이저 광을 사용하더라도 유기 전사층(140)을 전사할 수 있으므로 제1 전극(560) 상에 효율적으로 유기층 패턴(580)을 형성할 수 있다. Further, even with the laser light of a small output can be transferred to transfer the organic layer 140 can be formed efficiently into the organic layer pattern 580 on the first electrode (560). 한편, 상기 도너 기판이 대전 방지 부재로서 대전 방지제, 대전 방지층 또는 투명 도전층을 포함할 수 있으므로, 상기 도너 기판의 유기 전사층을 상기 표시 기판 상으로 전사하는 동안 상기 도너 기판에 정전기의 발생을 방지할 수 있다. On the other hand, the donor substrate may comprise an antistatic agent, an antistatic layer or a transparent conductive layer as an anti-static member, preventing generation of static electricity on the donor substrate during the transfer of organic transfer layer of the donor substrate onto the display substrate can do. 따라서 상기 도너 기판의 유기 전사층으로부터 균일하게 상기 표시 장치의 유기층 패턴을 형성할 수 있으므로, 상기 유기층 패턴의 발광 특성을 개선할 수 있으며, 상기 유기 발광 표시 장치가 디스플레이하는 영상의 품질을 향상시킬 수 있다. Therefore uniformly from the organic transfer layer of the donor substrate can be formed and the organic layer pattern of the display device, it is possible to improve the light emission characteristics of the organic layer pattern, it can improve the image quality of the organic light emitting display device display have.

이상에서는 본 발명의 예시적인 실시예들을 설명하였지만, 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다. In has been described the exemplary embodiments of the invention, various modifications of the invention within the scope not departing from the spirit and scope of the invention as set forth in the claims below those skilled in the art or later and it will be understood that it can be changed.

본 발명의 실시예들에 따르면, 도너 기판이 팽창층, 대전 방지제, 대전 방지층 또는 투명 도전층을 구비함으로써, 상기 도너 기판의 유기 전사층으로부터 포시 기판 상에 효과적이면서도 균일하게 향상된 발광 특성을 갖는 유기층 패턴을 형성할 수 있다. According to embodiments of the invention, the donor substrate is the expansion layer, an antistatic agent, an antistatic layer or a transparent conductive by having a layer, an organic layer having an effective and improved light emitting property uniformly on the Posey substrate from the organic transfer layer of the donor substrate It may form a pattern. 이러한 유기층 패턴을 포함하는 유기 발광 표시 장치는 개선된 품질의 영상을 디스플레이 할 수 있으므로, HD 텔레비전, 스마트폰, 이동 통신 기기 등과 같이 고해상도의 영상을 요구하는 다양한 전자 기기들에 적용될 수 있다. The organic light emitting display device comprising such an organic layer pattern may be applied to various electronic apparatuses requiring high-resolution video, such as the it is possible to display an image of an improved quality, HD television, a smart phone, a mobile communication device.

100, 200, 300, 400: 도너 기판 100, 200, 300, 400: the donor substrate
110, 210, 310, 410: 베이스 기판 110, 210, 310, 410: base board
120, 220, 320, 420: 광열 변환층 120, 220, 320, 420: light-heat conversion layer
130, 230, 330, 430: 절연층 130, 230, 330, 430: insulating layer
140, 240, 340, 440: 유기 전사층 140, 240, 340, 440: organic transfer layer
150: 팽창층 250, 350: 대전 방지제 150: swelling layer 250, 350: the antistatic agent
450: 투명 도전층 510: 기판 450: transparent conductive layer 510: substrate
520: 반도체 패턴 521: 채널 영역 520: semiconductor pattern 521: the channel region
523: 소스 영역 525: 드레인 영역 523: Source region 525: Drain region
530: 게이트 절연막 541: 게이트 전극 530: Gate insulating film 541: gate electrode
543: 소스 전극 545: 드레인 전극 543: source electrode 545: drain electrode
550: 제1 층간 절연막 555: 제2 층간 절연막 550: first interlayer insulating film 555: second interlayer insulating film
560: 제1 전극 570: 화소 정의막 560: first electrode 570: the pixel defining layer
580: 유기층 패턴 590: 제2 전극 580: organic layer pattern 590: second electrode

Claims (27)

  1. 베이스 기판; A base substrate;
    상기 베이스 기판 상에 배치되는 팽창층; Expansion layer arranged on the base substrate;
    상기 팽창층 상에 배치되는 광열 변환층; Light-heat conversion layer disposed on said expanded layer;
    상기 광열 변환층 상에 배치되는 절연층; An insulating layer disposed on the light-heat conversion layer; And
    상기 절연층 상에 배치되는 유기 전사층을 포함하는 도너 기판. Donor substrate including an organic transfer layer disposed on the insulating layer.
  2. 제1항에 있어서, 상기 팽창층은 열팽창 계수가 1.5×10 -5 /℃ 이상인 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 도너 기판. According to claim 1, wherein said expansion layer has a donor substrate comprising a material whose thermal expansion coefficient is less than 1.5 × 10 -5 / ℃.
  3. 제2항에 있어서, 상기 팽창층은 열가소성 수지를 포함하는 것을 특징으로 하는 도너 기판. The method of claim 2, wherein said expansion layer has a donor substrate comprising a thermoplastic resin.
  4. 제3항에 있어서, 상기 팽창층은 폴리스티렌, 폴리메틸아크릴레이트, 폴리에틸아크릴레이트, 폴리프로필아크릴레이트, 폴리이소프로필아크릴레이트, 폴리n-부틸아크릴레이트, 폴리sec-부틸아크리레이트, 폴리이소부틸아크릴레이트, 폴리tert-부틸아크릴레이트, 폴리메틸메타크릴레이트, 폴리에틸메타크릴레이트, 폴리n-부틸메타크릴레이트, 폴리n-데실메타크릴레이트, 폴리염화비닐, 폴리염화비닐리덴 및 아크릴로니트릴-부타디엔-스티렌 공중합체로 이루어진 그룹으로부터 선택된 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 도너 기판. The method of claim 3 wherein said expansion layer is polystyrene, polymethyl acrylate, polyethyl acrylate, polymethyl acrylate, poly-iso-propyl acrylate, poly-n- butyl acrylate, poly sec- butyl acridine, poly isobutyl of butyl acrylate, poly-tert- butyl acrylate, polymethyl methacrylate, polyethyl methacrylate, poly-n- butyl methacrylate, poly-n- decyl methacrylate, polyvinyl chloride, polyvinylidene chloride and acrylic donor substrate comprising the at least one selected from the group consisting of a styrene copolymer-nitrile-butadiene.
  5. 제3항에 있어서, 상기 베이스 기판은 열가소성 수지를 포함하며, 상기 베이스 기판과 상기 팽창층은 일체로 형성되는 것을 특징으로 하는 도너 기판. 4. The method of claim 3 wherein the base substrate comprises a thermoplastic resin, the base substrate and said expanded layer has a donor substrate, characterized in that integrally formed.
  6. 베이스 기판; A base substrate;
    상기 베이스 기판의 제1 면 상에 배치되는 광열 변환층; Light-heat conversion layer disposed on the first surface of the base board;
    상기 광열 변환층 상에 배치되는 절연층; An insulating layer disposed on the light-heat conversion layer;
    상기 절연층 상에 배치되는 유기 전사층; The organic transfer layer disposed on the insulating layer; And
    상기 베이스 기판 및 상기 절연층 중에서 어느 하나에 배치되는 대전 방지 부재를 포함하는 도너 기판. The base substrate and the donor substrate including the charge preventing member is disposed to any one of the insulating layer.
  7. 제6항에 있어서, 상기 대전 방지 부재는 상기 베이스 기판 내에 분산되는 대전 방지제를 포함하는 것을 특징으로 하는 도너 기판. The method of claim 6, wherein the antistatic member is the donor substrate comprises an antistatic agent dispersed in the base substrate.
  8. 제7항에 있어서, 상기 대전 방지제의 함량은 상기 베이스 기판의 중량을 기준으로 0.1 중량% 내지 2.0 중량%인 것을 특징으로 하는 도너 기판. Claim 7 wherein, the content is the donor substrate, characterized in that 0.1% to 2.0% by weight, based on the weight of the base substrate of the antistatic agent on.
  9. 제7항에 있어서, 상기 대전 방지제는 글리세린 모노머 스테아린산(glycerine monomer stearate)계 대전 방지 물질, 아민계 대전 방지 물질 및 자성을 갖는 금속 산화물로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 도너 기판. The method of claim 7, wherein the antistatic agent has a donor substrate comprises one selected from the group consisting of a metal oxide having a glycerin monomer stearate (glycerine monomer stearate) based antistatic materials, amine-based antistatic materials, and magnetic.
  10. 제6항에 있어서, 상기 대전 방지 부재는 상기 절연층 내에 분산되는 대전 방지제를 포함하는 것을 특징으로 하는 도너 기판. The method of claim 6, wherein the antistatic member is the donor substrate comprises an antistatic agent dispersed in the insulating layer.
  11. 제6항에 있어서, 상기 대전 방지 부재는 상기 베이스 기판의 제2 면 상에 배치되는 투명 도전층을 포함하는 것을 특징으로 하는 도너 기판. The method of claim 6, wherein the antistatic member is the donor substrate comprises a transparent conductive layer disposed on the second surface of the base substrate.
  12. 제11항에 있어서, 상기 투명 도전층은 도전성 금속 산화물 또는 전도성 고분자 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 도너 기판. 12. The method of claim 11, wherein the transparent conductive layer has a donor substrate comprising a conductive metal oxide or conductive polymer material.
  13. 제12항에 있어서, 상기 투명 도전층은 폴리아닐린, 폴리피롤, 폴리티오펜, 폴리에틸렌디옥시티오펜, 안티몬 주석 산화물(ATO), 인듐 주석 산화물(ITO), 인듐 아연 산화물(IZO), 니오븀 산화물, 아연 산화물, 갈륨 산화물, 주석 산화물 및 인듐 산화물로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 도너 기판. The method of claim 12, wherein the transparent conductive layer is a polyaniline, polypyrrole, polythiophene, polyethylene dioxythiophene, antimony tin oxide (ATO), indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), niobium oxide, zinc oxide , gallium oxide, a donor substrate comprises one selected from the group consisting of tin oxide and indium oxide.
  14. 베이스 기판을 형성하는 단계; Forming a base substrate;
    상기 베이스 기판 상에 팽창층을 형성하는 단계; Forming an expansion layer on the base substrate;
    상기 팽창층 상에 광열 변환층을 형성하는 단계; Forming a light-heat conversion layer on the expanded layer;
    상기 광열 변환층 상에 절연층을 형성하는 단계; Forming an insulating layer on the light-heat conversion layer; And
    상기 절연층 상에 유기 전사층을 형성하는 단계를 포함하는 도너 기판의 제조 방법. The method of the donor substrate including the step of forming the organic transfer layer on the insulating layer.
  15. 제14항에 있어서, 상기 팽창층은 열가소성 수지를 스핀 코팅 공정, 슬릿 코팅 공정 또는 그라비아 코팅 공정으로 상기 베이스 기판 상에 코팅하여 형성되는 것을 특징으로 하는 도너 기판의 제조 방법. 15. The method of claim 14 wherein the swelling layer A method of manufacturing a donor substrate, characterized in that is formed by coating a thermoplastic resin in a spin coating process, a slit coating process or the gravure coating process to the base substrate.
  16. 제14항에 있어서, 상기 팽창층은 열가소성 수지를 포함하는 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET) 수지를 사용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 도너 기판의 제조 방법. 15. The method of claim 14 wherein the swelling layer A method of manufacturing a donor substrate, characterized in that formed using polyethylene terephthalate (PET) resin containing a thermoplastic resin.
  17. 제16항에 있어서, 상기 팽창층은 이축 연신(biaxial drawing) 공정을 수행하여 형성되는 것을 특징으로 하는 도너 기판의 제조 방법. 17. The method of claim 16 wherein the swelling layer A method of manufacturing a donor substrate, characterized in that is formed by performing a biaxial stretching (biaxial drawing) process.
  18. 베이스 기판을 형성하는 단계; Forming a base substrate;
    상기 베이스 기판의 제1 면 상에 광열 변환층을 형성하는 단계; Forming a light-heat conversion layer on the first surface of the base board;
    상기 광열 변환층 상에 절연층을 형성하는 단계; Forming an insulating layer on the light-heat conversion layer;
    상기 절연층 상에 유기 전사층을 형성하는 단계; Forming an organic transfer layer on the insulating layer; And
    상기 베이스 기판, 상기 절연층 및 상기 베이스 기판의 제2 면 중에서 어느 하나에 대전 방지 부재를 형성하는 단계를 포함하는 도너 기판의 제조 방법. The method of the base substrate, the donor substrate including the step of forming a charge preventing member as in any one of the second side of the insulating layer and the base substrate.
  19. 제18항에 있어서, 상기 대전 방지 부재를 형성하는 단계는 상기 베이스 기판 내에 대전 방지제를 분산시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 도너 기판의 제조 방법. 19. The method of claim 18, wherein forming the antistatic member is method of producing a donor substrate comprising the step of dispersing the antistatic agent in the base substrate.
  20. 제18항에 있어서, 상기 대전 방지 부재를 형성하는 단계는 상기 절연층 내에 대전 방지제를 분산시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 도너 기판의 제조 방법. 19. The method of claim 18, wherein forming the antistatic member is method of producing a donor substrate comprising the step of dispersing the antistatic agent in the insulator layer.
  21. 제18항에 있어서, 상기 대전 방지 부재를 형성하는 단계는 상기 베이스 기판의 제2 면 상에 투명 도전층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 도너 기판의 제조 방법. 19. The method of claim 18, wherein forming the antistatic member is method of producing a donor substrate comprising the steps of forming a transparent conductive layer on the second surface of the base substrate.
  22. 기판 상에 하부 전극을 형성하는 단계; Forming a lower electrode on a substrate;
    상기 하부 전극 상에 픽셀 영역을 정의하는 화소 정의막을 형성하는 단계; Forming a pixel defining layer to define the pixel region on the lower electrode;
    베이스 기판, 상기 베이스 기판 상에 형성되는 팽창층, 상기 팽창층 상에 형성되는 광열 변환층 및 상기 유기 전사층 상에 형성되는 유기 전사층을 구비하는 도너 기판을 형성하는 단계; The base substrate, light-to-heat conversion layer is expanded is formed on the base substrate, formed on the inflatable layer and a layer forming a donor substrate having an organic transfer layer formed on the organic transfer layer;
    상기 유기 전사층을 상기 기판의 픽셀 영역에 대응시키며 상기 도너 기판을 상기 기판에 합착하는 단계; Sikimyeo corresponding to the organic transfer layer to a pixel region of the substrate comprising: laminating the donor substrate on the substrate; And
    상기 픽셀 영역에 대응되는 상기 도너 기판에 레이저 광을 조사하여 상기 유기 전사층으로부터 상기 픽셀 영역 상에 유기층 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법. The method of manufacturing an organic light-emitting display device is irradiated with laser light on the donor substrate corresponding to the pixel region includes forming an organic layer pattern on the pixel area from the organic transfer layer.
  23. 제23항에 있어서, 상기 도너 기판은 상기 광열 변환층과 상기 유기 전사층 사이에 형성되는 절연층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법. 24. The method of claim 23, wherein the donor substrate is a method of manufacturing an OLED display according to claim 1, further comprising an insulating layer formed between the light-heat conversion layer and an organic transfer layer.
  24. 기판 상에 하부 전극을 형성하는 단계; Forming a lower electrode on a substrate;
    상기 하부 전극 상에 픽셀 영역을 정의하는 화소 정의막을 형성하는 단계; Forming a pixel defining layer to define the pixel region on the lower electrode;
    베이스 기판, 상기 베이스 기판의 제1 면 상에 형성되는 광열 변환층, 상기 광열 변환층 상에 형성되는 절연층, 상기 절연층 상에 형성되는 유기 전사층 및 상기 베이스 기판, 상기 절연층 및 상기 베이스 기판의 제2 면 중에서 어느 하나에 형성되는 대전 방지 부재를 구비하는 도너 기판을 형성하는 단계; The base substrate, light-heat conversion layer formed on the first surface of the base substrate, the light-heat conversion layer on an insulating layer, an organic transfer layer and the base substrate, the insulating layer and the base formed on the insulating layer to be formed in forming a donor substrate having an antistatic member formed on one of a second surface of the substrate;
    상기 유기 전사층을 상기 기판의 픽셀 영역에 대응시키며 상기 도너 기판을 상기 기판에 합착하는 단계; Sikimyeo corresponding to the organic transfer layer to a pixel region of the substrate comprising: laminating the donor substrate on the substrate; And
    상기 픽셀 영역에 대응되는 상기 도너 기판에 레이저 광을 조사하여 상기 유기 전사층으로부터 상기 픽셀 영역 상에 유기층 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법. The method of manufacturing an organic light-emitting display device is irradiated with laser light on the donor substrate corresponding to the pixel region includes forming an organic layer pattern on the pixel area from the organic transfer layer.
  25. 제24항에 있어서, 상기 대전 방지 부재는 상기 베이스 기판의 제2 면 상에 형성되는 투명 도전층을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법. 25. The method of claim 24, wherein said charging member is prevented method of manufacturing an organic light emitting display device comprises a transparent conductive layer formed on the second surface of the base substrate.
  26. 제24항에 있어서, 상기 대전 방지 부재는 상기 절연층 내에 분산되는 대전 방지제를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법. 25. The method of claim 24, wherein said charging member is prevented method of manufacturing an organic light emitting display comprising an antistatic agent are dispersed in the insulating layer.
  27. 제24항에 있어서, 상기 대전 방지 부재는 상기 베이스 기판 내에 분산되는 대전 방지제를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법. 25. The method of claim 24, wherein said charging member is prevented method of manufacturing an organic light emitting display comprising an antistatic agent are dispersed in the base substrate.
KR20110071375A 2011-07-19 2011-07-19 Donor substrate, method of manufacturing a donor substrate and method of manufacturing an organic light emitting display device using a donor substrate KR20130010624A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20110071375A KR20130010624A (en) 2011-07-19 2011-07-19 Donor substrate, method of manufacturing a donor substrate and method of manufacturing an organic light emitting display device using a donor substrate

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20110071375A KR20130010624A (en) 2011-07-19 2011-07-19 Donor substrate, method of manufacturing a donor substrate and method of manufacturing an organic light emitting display device using a donor substrate
CN 201210084665 CN102891263A (en) 2011-07-19 2012-03-27 Donor substrate, method of manufacturing a donor substrate and method of manufacturing an organic light emitting display device using a donor substrate
US13449264 US20130023071A1 (en) 2011-07-19 2012-04-17 Donor substrate, method of manufacturing a donor substrate and method of manufacturing an organic light emitting display device using a donor substrate

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20130010624A true true KR20130010624A (en) 2013-01-29

Family

ID=47534710

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR20110071375A KR20130010624A (en) 2011-07-19 2011-07-19 Donor substrate, method of manufacturing a donor substrate and method of manufacturing an organic light emitting display device using a donor substrate

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20130023071A1 (en)
KR (1) KR20130010624A (en)
CN (1) CN102891263A (en)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20140117178A (en) * 2013-03-26 2014-10-07 삼성디스플레이 주식회사 Organic light emitting display device and manufacturing method thereof, and donor substrate, donor substrate set using manufacturing organic light emitting display device thereof
KR20140140188A (en) * 2013-05-28 2014-12-09 삼성디스플레이 주식회사 Donor substrate, method for fabricating the same and method for forming transfer pattern using the same
KR20150003970A (en) * 2013-07-01 2015-01-12 삼성디스플레이 주식회사 Donor film and thermal imaging method using the same

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6228555B1 (en) * 1999-12-28 2001-05-08 3M Innovative Properties Company Thermal mass transfer donor element
US6872638B2 (en) * 2001-02-23 2005-03-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing a semiconductor device
DE60315152D1 (en) * 2002-05-13 2007-09-06 Du Pont Mapping process and products for conservation more resistant assemblies
US7163746B2 (en) * 2002-06-12 2007-01-16 Eastman Kodak Company Conductive polymers on acicular substrates
KR100543000B1 (en) * 2003-08-18 2006-01-20 삼성에스디아이 주식회사 Donor film for full color organic electroluminescent display device, method thereof, and full color organic electroluminescent display device using the same as donor film
KR100731728B1 (en) * 2004-08-27 2007-06-22 삼성에스디아이 주식회사 Donor substrate for laser induced thermal imaging method and method for fabricating organic electro-luminescence display device by the same
KR20060020042A (en) * 2004-08-30 2006-03-06 삼성에스디아이 주식회사 Donor substrate for laser induced thermal imaging and method of fabricating electro luminescence display device using the same film
KR100611767B1 (en) * 2004-08-30 2006-08-10 삼성에스디아이 주식회사 donor substrate for laser induced thermal imaging and method of fabricating electroluminescence display device using the same substrate
KR100623694B1 (en) * 2004-08-30 2006-09-19 삼성에스디아이 주식회사 donor substrate for laser induced thermal imaging and method of fabricating electro-luminescence display device using the same substrate
KR100667067B1 (en) * 2004-09-08 2007-01-10 삼성에스디아이 주식회사 Donor substrate for laser induced thermal imaging method and electroluminescence display device manufactured using the same substrate
CN100506553C (en) * 2004-10-20 2009-07-01 E.I.内穆尔杜邦公司 Donor element for thermal transfer
US7396631B2 (en) * 2005-10-07 2008-07-08 3M Innovative Properties Company Radiation curable thermal transfer elements
KR101009644B1 (en) * 2008-08-26 2011-01-19 삼성모바일디스플레이주식회사 Donor substrate for laser induced themal imaging and fabrication method for organic light emitting diode using the same

Also Published As

Publication number Publication date Type
US20130023071A1 (en) 2013-01-24 application
CN102891263A (en) 2013-01-23 application

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7776457B2 (en) Organic electroluminescent device
US20080231179A1 (en) Organic Electroluminescence Element and Display Using the Same
US20040062949A1 (en) Light emitting component comprising organic layers
US20110248247A1 (en) Organic el display unit, method of manufacturing the same, and solution used in method
US20060263593A1 (en) Display devices with light absorbing metal nonoparticle layers
US20030008224A1 (en) Organic LED display panel production method, organic LED display panel produced by the method, and base film and substrate for use in the method
US20060081840A1 (en) Organic electronic device and method for producing the same
US20060103298A1 (en) Small molecular organic electroluminescent display device and method of fabricating the same
US20040056266A1 (en) Organic electroluminescent device and manufacturing method thereof
US20130187132A1 (en) Display and method of manufacturing the same, unit, transfer printing method, organic electroluminescence unit and method of manufacturing the same, and electronic apparatus
WO2003012890A2 (en) Light emitting component with organic layers
US20040150330A1 (en) Organic electroluminescent device driven at low voltage
JP2005072012A (en) Light emitting device and manufacturing method therefor
Fu et al. Solution-processed small molecules as mixed host for highly efficient blue and white phosphorescent organic light-emitting diodes
JP2009239180A (en) Organic electroluminescent device
JP2006073636A (en) Flexible transparent organic electroluminescence device
US20130181602A1 (en) Organic Light Emitting Display Apparatus and Method of Manufacturing Organic Light Emitting Display Apparatus
JP2002033191A (en) Method for manufacturing light emitting device
US20120319089A1 (en) Organic Light Emitting Structures, Methods of Forming Organic Light Emitting Structures, Organic Light Emitting Display Devices and Methods of Manufacturing Organic Light Emitting Display Devices
JP2007081203A (en) Area sensor, image input device, and electrophotographic device and the like in which same is incorporated
JP2006019678A (en) Organic electronic device and organic electronic device manufacturing method
JP2010056015A (en) Display device and method of manufacturing the same
WO2004021463A2 (en) Buffer layers for organic electroluminescent devices and methods of manufacture and use
JP2010129825A (en) Organic electroluminescence element and method of manufacturing the same
US20140291627A1 (en) Organic light-emitting display device, method of manufacturing the same, and donor substrate and donor substrate set used to manufacture the organic light-emitting display device

Legal Events

Date Code Title Description
N231 Notification of change of applicant
WITN Withdrawal due to no request for examination