KR20130007035A - Nitride based light emitting diode and manufacturing method thereof - Google Patents

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송호근
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박지수
박건
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(주)세미머티리얼즈
박건
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Abstract

PURPOSE: A nitride semiconductor light emitting device and a manufacturing method thereof are provided to uniformly send a current to an active layer by preventing charges from being concentrated on the end of a finger. CONSTITUTION: An n type nitride layer(130) is formed on a substrate. An active layer is formed on the upper side of the n type nitride layer. A p side electrode(170) is formed on the upper side of the p type nitride layer. An n type electrode(160) is formed in an exposure region of the n type nitride layer. A finger pattern has a different resistance.

Description

질화물 반도체 발광소자 및 그 제조 방법{Nitride based Light Emitting Diode and manufacturing method thereof}Nitride semiconductor light emitting device and its manufacturing method

본 발명은 균일한 전류 전달을 이루어 발광 효율을 향상시킬 수 있는 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
The present invention relates to a nitride semiconductor light emitting device capable of improving the luminous efficiency by making a uniform current transfer, and a method of manufacturing the same.

종래의 질화물 반도체 소자에는 예를 들어 GaN계 질화물 반도체 소자를 들 수 있고, 이 GaN계 질화물 반도체 발광소자는 그 응용분야에 있어서 청색과 녹색 LED의 발광소자, MESFET 및 HEMT 등의 고속 스위칭과 고출력 소자 등에 응용되고 있다.Conventional nitride semiconductor devices include, for example, GaN-based nitride semiconductor devices, which have high-speed switching and high-output devices such as blue and green LED light emitting devices, MESFETs and HEMTs, etc. It is applied to the back.

특히, 청색과 녹색 LED의 발광소자는 이미 양산화가 진행된 상태이며 전 세계적인 매출은 지수함수적으로 증가하고 있는 상황이다. In particular, the light emitting devices of blue and green LEDs have already been mass-produced, and global sales are increasing exponentially.

종래의 GaN계 반도체 발광 소자의 기본 구조는 도 1에 도시된 바와 같이, 사파이어 기판상에 순차적으로 형성된 n형 질화물 반도체층(13), 활성층, p형 질화물 반도체층, 및 투명 전극(15)을 포함하며, 투명 전극(15)부터 n형 질화물 반도체층(13)까지 그 일부 영역이 에칭되어 n형 질화물 반도체층(13)의 일부 영역이 노출된 구조를 갖는다. As shown in FIG. 1, a basic structure of a conventional GaN semiconductor light emitting device includes an n-type nitride semiconductor layer 13, an active layer, a p-type nitride semiconductor layer, and a transparent electrode 15 sequentially formed on a sapphire substrate. And a portion of the region from the transparent electrode 15 to the n-type nitride semiconductor layer 13 is etched to expose a portion of the n-type nitride semiconductor layer 13.

그리고, 투명 전극(15)의 상부 및 노출된 n형 질화물 반도체층(13)의 영역에는 각각 p측 전극(17) 및 n측 전극(16)이 형성된다. p측 전극(17)은 p형 전극 패드와, p형 전극 패드로부터 양 방향으로 뻗어 있는 p형 전극 핑거를 구비한다. The p-side electrode 17 and the n-side electrode 16 are formed in the upper portion of the transparent electrode 15 and the exposed n-type nitride semiconductor layer 13, respectively. The p-side electrode 17 includes a p-type electrode pad and a p-type electrode finger extending in both directions from the p-type electrode pad.

이와 같은 종래의 발광 소자는 p측 전극(17)에서 전극의 절곡부(17-1)와 끝단부(17-2)에 전하들이 집중하는 전류 밀집(current crowding) 현상이 발생한다. 이러한 전류 밀집 현상은 p측 전극(17)의 패드에 인가된 전류에 의해 전하들이 n측 전극(16)까지 최소 저항의 경로를 이동하는 경향 때문에 전극 끝단부(17-2)에 더 자주 발생한다. Such a conventional light emitting device generates a current crowding phenomenon in which charges concentrate on the bent portion 17-1 and the end portion 17-2 of the electrode at the p-side electrode 17. This current condensation occurs more frequently at the electrode end 17-2 because of the tendency that charges travel the path of minimum resistance to the n-side electrode 16 by the current applied to the pad of the p-side electrode 17. .

또한, 전류 밀집 현상은 발광 소자의 p측 전극(17)에서 전극의 절곡부(17-1)와 끝단부(17-2)를 포함한 밝은 영역과 그 이외의 어두운 영역들을 갖게 하는 불안정한 광선속(光線束)을 발생하게 한다. In addition, the current condensation phenomenon is an unstable beam of light that has a bright region including the bent portion 17-1 and the end portion 17-2 of the electrode and other dark regions in the p-side electrode 17 of the light emitting device. (Iii) occur.

따라서, 이러한 전류 밀집 현상은 종래의 발광 소자에서 발광 휘도를 저하시키는 요인으로 작용한다.
Therefore, such a current condensation phenomenon acts as a factor of lowering the luminescence brightness in the conventional light emitting device.

본 발명의 목적은 전류 밀집 현상을 해소하여 균일한 휘도를 갖는 질화물 반도체 발광소자를 제공하는 데 있다. Disclosure of Invention An object of the present invention is to provide a nitride semiconductor light emitting device having a uniform brightness by eliminating the current dense phenomenon.

본 발명의 다른 목적은 상기의 목적을 달성하기 위한 질화물 반도체 발광소자의 제조 방법을 제공하는 데 있다.
Another object of the present invention is to provide a method of manufacturing a nitride semiconductor light emitting device for achieving the above object.

이와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일실시예에 따른 질화물 반도체 발광소자는 기판상에 순차적으로 n형 질화물층, 활성층, p형 질화물층, 투명 전극층, 상기 n형 질화물층의 노출 패턴에 구비된 n측 전극 및 상기 투명 전극층의 상부면에 형성된 p측　전극을 포함하고, 상기 p측　전극은 p측　전극 패드, 및 상기 p측　전극 패드를 중심으로 일 방향으로 저항값이 서로 상이한 다수의 핑거 패턴을 선형 연결한 핑거를 적어도 하나 포함하는 것을 특징으로 한다. A nitride semiconductor light emitting device according to an embodiment of the present invention for achieving the above object is provided in the exposure pattern of the n-type nitride layer, the active layer, the p-type nitride layer, the transparent electrode layer, the n-type nitride layer sequentially on the substrate And a p-side electrode formed on an upper surface of the transparent electrode layer, wherein the p-side electrode includes a p-side electrode pad and a plurality of fingers having different resistance values in one direction with respect to the p-side electrode pad. And at least one finger that linearly connects the pattern.

본 발명의 일실시예에 따른 질화물 반도체 발광소자에서 상기 p측　전극은 상기 p측　전극 패드로부터 상기 핑거의 단부 방향으로 저항값이 증가하는 것을 특징으로 한다. In the nitride semiconductor light emitting device according to the exemplary embodiment of the present invention, the p-side electrode is increased in resistance toward the end portion of the finger from the p-side electrode pad.

본 발명의 다른 실시예에 따른 질화물 반도체 발광소자의 제조 방법은 기판의 상부 방향으로 n형 질화물층을 형성하는 단계; 상기 n형 질화물층 상에 활성층을 형성하는 단계; 상기 활성층의 상부면 방향으로 p형 질화물층과 투명 전극층을 순차적으로 형성하는 단계; 상기 투명 전극층을 패터닝하고 n측 전극을 위해 상기 n형 질화물층의 일 영역을 노출하는 단계; 및 상기 노출된 n형 질화물층 영역에 n측 전극을 형성하고, 상기 투명 전극층 상부면에 p측　전극 패드를 중심으로 일 방향으로 저항값이 서로 상이한 다수의 핑거 패턴이 선형 연결된 적어도 하나의 핑거를 포함한 p측　전극을 형성하는 단계를 포함한다. In another embodiment, a method of manufacturing a nitride semiconductor light emitting device may include forming an n-type nitride layer in an upper direction of a substrate; Forming an active layer on the n-type nitride layer; Sequentially forming a p-type nitride layer and a transparent electrode layer in an upper surface direction of the active layer; Patterning the transparent electrode layer and exposing a region of the n-type nitride layer for an n-side electrode; And forming an n-side electrode in the exposed n-type nitride layer region, and at least one finger having a plurality of finger patterns linearly different in resistance from each other in one direction centering on a p-side electrode pad on an upper surface of the transparent electrode layer. Forming a p-side photoelectrode.

본 발명의 다른 실시예에 따른 질화물 반도체 발광소자의 제조 방법에서 상기 p측　전극을 형성하는 단계는 포토레지스트 패턴을 이용한 도금 방법을 수행하는 것을 특징으로 한다.
In the method of manufacturing a nitride semiconductor light emitting device according to another embodiment of the present invention, the forming of the p-side electrode is characterized by performing a plating method using a photoresist pattern.

본 발명의 질화물 반도체 발광소자는 핑거의 단부 부분에 전하들이 집중하지 않고, 전하들이 핑거의 단부 부분을 포함한 p측　전극으로부터 활성층으로 전류 퍼짐을 균일하게 향상시킬 수 있다. In the nitride semiconductor light emitting device of the present invention, electric charges do not concentrate on the end portion of the finger, and the electric charges can be uniformly improved from the p-side electrode including the end portion of the finger to the active layer.

본 발명의 질화물 반도체 발광소자는 p측　전극의 전류 밀집 현상을 해소하여 균일한 전류 퍼짐에 따른 균일한 휘도를 갖는 효과가 있다.
The nitride semiconductor light emitting device of the present invention has the effect of eliminating the current dense phenomenon of the p-side electrode and having a uniform brightness according to the uniform current spreading.

도 1은 종래 기술에 따른 질화물계 반도체 발광소자의 전극 구조를 나타낸 평면도.
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 질화물 반도체 발광소자를 설명하기 위한 상면도.
도 3a 내지 도 3g는 본 발명의 일실시예에 따른 질화물 반도체 발광소자의 제조 방법을 설명하기 위한 예시도.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 질화물 반도체 발광소자를 설명하기 위한 상면도. 1 is a plan view showing the electrode structure of the nitride-based semiconductor light emitting device according to the prior art.
Figure 2 is a top view for explaining a nitride semiconductor light emitting device according to an embodiment of the present invention.
3A to 3G are exemplary views for explaining a method of manufacturing a nitride semiconductor light emitting device according to an embodiment of the present invention.
Figure 4 is a top view for explaining a nitride semiconductor light emitting device according to another embodiment of the present invention.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세하게 설명한다. 여기서, 본 발명의 실시 형태는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명하는 실시 형태로 한정되는 것은 아니다. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. Here, the embodiment of the present invention may be modified in various other forms, and the scope of the present invention is not limited to the embodiments described below.

도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일실시예에 따른 질화물 반도체 발광소자는 기판(110)의 상부 방향으로, 버퍼층(120), n형 질화물층(130), 활성층(140), p형 질화물층(150), 투명 전극층(155), n측 전극(160) 및 p측　전극(170)을 포함한다. As shown in FIG. 2, the nitride semiconductor light emitting device according to the exemplary embodiment of the present invention has a buffer layer 120, an n-type nitride layer 130, an active layer 140, and a p-type in an upper direction of the substrate 110. The nitride layer 150, the transparent electrode layer 155, the n-side electrode 160, and the p-side X electrode 170 are included.

버퍼층(120)은 기판(110)과 n형 질화물층(130) 사이의 격자 부정합을 해소하기 위해 선택적으로 형성될 수 있고, 예컨대 AlN/GaN 으로 형성할 수 있다. The buffer layer 120 may be selectively formed to solve lattice mismatch between the substrate 110 and the n-type nitride layer 130, and may be formed of, for example, AlN / GaN.

n형 질화물층(130)은 기판(110) 또는 버퍼층(120)의 상부면에 형성된다. 여기서, n형 질화물층(130)은 Si을 도핑한 n형 AlGaN으로 이루어진 제 1 층, 및 언도우프의 GaN(undoped-GaN)로 이루어진 제 2 층이 번갈아가며 형성된 적층 구조일 수 있다. 물론, n형 질화물층(130)은 단일의 질화물 반도체층으로 성장시키는 것도 가능하나, 적층 구조로 형성하여 크랙이 없는 결정성이 좋은 캐리어 제한층으로 작용할 수 있다. The n-type nitride layer 130 is formed on the upper surface of the substrate 110 or the buffer layer 120. Here, the n-type nitride layer 130 may be a stacked structure in which a first layer made of n-type AlGaN doped with Si and a second layer made of undoped GaN (undoped GaN) are alternately formed. Of course, the n-type nitride layer 130 may be grown as a single nitride semiconductor layer, but may be formed as a laminated structure to act as a carrier limiting layer having good crystallinity without cracks.

활성층(140)은 n형 질화물층(130)과 p형 질화물층(150) 사이에서 단일양자우물구조 또는 다중양자우물구조로　이루어질 수 있다. 여기서, 활성층(140)은 다중양자우물구조로서, 양자장벽층은 Al이 포함된 질화물층으로 AlGaInN층이고, 양자우물층은 예를 들어 InGaN으로 이루어질 수 있다. 이러한 구조의 활성층(140)은 발생하는 응력과 변형에 의한 자발적인 분극을 억제할 수 있다. The active layer 140 may be formed between the n-type nitride layer 130 and the p-type nitride layer 150 in a single quantum well structure or a multi-quantum well structure. Here, the active layer 140 is a multi-quantum well structure, the quantum barrier layer is a nitride layer containing Al, AlGaInN layer, the quantum well layer may be made of, for example, InGaN. The active layer 140 of such a structure can suppress spontaneous polarization due to stress and deformation generated.

p형 질화물층(150)은 예컨대 Mg을 도핑한 p형 AlGaN의 제 1 층과, Mg을 도핑한 p형 GaN로 이루어진 제 2 층을 번갈아가며 적층한 구조로 형성될 수 있다. 또한, p형 질화물층(150)은 n형 질화물층(130)과 마찬가지로 캐리어 제한층으로 작용할 수 있다. The p-type nitride layer 150 may be formed, for example, by alternately stacking a first layer of p-type AlGaN doped with Mg and a second layer of p-type GaN doped with Mg. In addition, the p-type nitride layer 150 may act as a carrier limiting layer similarly to the n-type nitride layer 130.

투명 전극층(155)은 p형 질화물층(150)의 상부면에 구비된 층이다. 이러한 투명 전극층(155)은 투명 전도성 산화물로 이루어지고, 그 재질은 In, Sn, Al, Zn, Ga 등의 원소를 포함하며, 예컨대 ITO, CIO, ZnO, NiO, In2O3 중 어느 하나로 형성될 수 있다. The transparent electrode layer 155 is a layer provided on the upper surface of the p-type nitride layer 150. The transparent electrode layer 155 is made of a transparent conductive oxide, and a material thereof includes elements such as In, Sn, Al, Zn, Ga, and the like, and is formed of any one of ITO, CIO, ZnO, NiO, and In 2 O 3 . Can be.

p측　전극(170)은 투명 전극층(155)의 상부면에서 p측　전극 패드(171) 및 p측　전극 패드(171)를 중심으로 양측 방향 또는 다수 방향으로 다수의 핑거 패턴이 선형 연결된 곡선 라인의 핑거를 포함하는 구조이다. 여기서, 다수의 핑거 패턴은 p측　전극 패드(171)의 적어도 일 방향으로 연결되고 p측　전극 패드(171)의 저항과 같거나 또는 높은 제 1 핑거 패턴(172), 제 1 핑거 패턴(171)의 저항보다 높은 제 2 핑거 패턴(173), 및 제 2 핑거 패턴(173)의 저항보다 높은 제 3 핑거 패턴(174)을 포함할 수 있다. The p-side electrode 170 is a curved line in which a plurality of finger patterns are linearly connected in both directions or a plurality of directions about the p-side electrode pad 171 and the p-side electrode pad 171 on the upper surface of the transparent electrode layer 155. It is a structure including a finger. Here, the plurality of finger patterns are connected in at least one direction of the p-side electrode pad 171 and are equal to or higher than the resistance of the p-side electrode pad 171 and the first finger pattern 172 and the first finger pattern 171. The second finger pattern 173 higher than the resistance of the second finger pattern 173 and the third finger pattern 174 higher than the resistance of the second finger pattern 173 may be included.

제 1 핑거 패턴(172)은 p측　전극 패드(171)에 각이 없이 구부러진 원호 형태로 연결되고, p측　전극 패드(171)의 저항과 같거나 또는 높은 저항을 갖게 된다. 이러한 제 1 핑거 패턴(172)은 종래에 도 1의 절곡부(17-1)에서 발생하는 전류 밀집 현상을 해소할 수 있다. 즉, 종래의 발광 소자는 절곡부(17-1)처럼 직각으로 꺽인 형태로 인해 전하량이 집중되어 전류가 과도해지므로, 제 1 핑거 패턴(172)은 전하량이 모이는 것을 방지하기 위해 원호 형태의 완만한 곡선으로 형성된다. The first finger pattern 172 is connected to the p-side electrode pad 171 in an arc shape without any angle, and has a resistance equal to or higher than that of the p-side electrode pad 171. The first finger pattern 172 may solve the current dense phenomenon occurring in the bent portion 17-1 of FIG. 1. That is, in the conventional light emitting device, since the amount of charge is concentrated due to the form of bending at right angles as in the bent portion 17-1, the current is excessive, so that the first finger pattern 172 has a circular arc shape to prevent the amount of charge from being collected. It is formed into a curve.

제 2 핑거 패턴(173)은 제 1 핑거 패턴(171)의 저항보다 높은 저항을 갖는 재질로 구비되며, 제 3 핑거 패턴(174)은 제 2 핑거 패턴(173)의 저항보다 높은 저항을 갖는 재질로 구비된다. The second finger pattern 173 is made of a material having a higher resistance than the resistance of the first finger pattern 171, and the third finger pattern 174 is made of a material having a higher resistance than the resistance of the second finger pattern 173. It is provided with.

이와 같은 p측　전극(170)의 핑거는 제 1 핑거 패턴(172)으로부터 제 3 핑거 패턴(174)까지 순차적으로 저항값이 증가하는 특성이 있다. 이러한 특성을 만족하기 위해 제 1 핑거 패턴(172)으로부터 제 3 핑거 패턴(174)은 Ag, Au, Al, Cr, Ni, Pt, Ti 등의 금속 재질에 대한 비저항 값을 참고하여 형성할 수 있다. The finger of the p-side electrode 170 has a characteristic in that the resistance value is sequentially increased from the first finger pattern 172 to the third finger pattern 174. In order to satisfy this characteristic, the third finger pattern 174 from the first finger pattern 172 may be formed by referring to specific resistance values of metal materials such as Ag, Au, Al, Cr, Ni, Pt, and Ti. .

구체적으로, p측　전극(170)의 제 1 핑거 패턴(172)으로부터 제 3 핑거 패턴(174)을 형성하는 금속 재질은 비저항 값을 기준으로 Ag < Au < Al < Cr << Ni < Pt < Ti의 순서를 이용하여 선택할 수 있다. Specifically, the metal material for forming the third finger pattern 174 from the first finger pattern 172 of the p-side electrode 170 is Ag <Au <Al <Cr <<Ni <Pt <Ti based on the resistivity value. You can select using the order of.

즉, p측　전극(170)은 백색 계열의 금속 재질이 바람직하므로, 예컨대 제 1 핑거 패턴(172)은 Ag로 형성하고, 제 2 핑거 패턴(173)은 Ag 보다 비저항 값이 큰 Al으로 형성하며, 제 3 핑거 패턴(174)은 Al 보다 비저항 값이 큰 Pt로 형성할 수 있다. That is, since the p-side electrode 170 is preferably a white-based metal material, for example, the first finger pattern 172 is formed of Ag, and the second finger pattern 173 is formed of Al having a higher resistivity than Ag. The third finger pattern 174 may be formed of Pt having a specific resistance higher than that of Al.

제 1 핑거 패턴(172)으로부터 제 3 핑거 패턴(174)까지 순차적으로 저항값이 증가하는 p측　전극(170)의 특성은 도 1에 도시된 종래에 p측 전극(17)의 끝단부(17-2)에 전하들이 집중하는 전류 밀집 현상을 해소하기 위해 저항값의 차이를 이용한다. The characteristic of the p-side electrode 170 whose resistance value is sequentially increased from the first finger pattern 172 to the third finger pattern 174 is the end 17 of the conventional p-side electrode 17 shown in FIG. The difference in resistance is used to solve the current condensation where the charges are concentrated at -2).

제 1 핑거 패턴(172)으로부터 제 3 핑거 패턴(174)까지 저항값이 높아지면, 제 1 핑거 패턴(172)으로부터 제 3 핑거 패턴(174)까지 전하량의 흐름이 원활하지 못하게 된다. 이에 따라, p측　전극(170)의 끝단부에 해당하는 제 3 핑거 패턴(174)에 전하들이 집중하지 않을 수 있다. When the resistance value increases from the first finger pattern 172 to the third finger pattern 174, the flow of charge from the first finger pattern 172 to the third finger pattern 174 is not smooth. Accordingly, the charges may not concentrate on the third finger pattern 174 corresponding to the end portion of the p-side electrode 170.

따라서, 본 발명의 일실시예에 따른 질화물 반도체 발광 소자는 제 1 핑거 패턴(172)과 제 3 핑거 패턴(174)에 전하들이 집중하지 않고, 전하들이 제 1 핑거 패턴(172) 내지 제 3 핑거 패턴(174)을 포함한 p측　전극(170)으로부터 활성층(140)으로 균일하게 흐를 수 있다.
Therefore, in the nitride semiconductor light emitting device according to the exemplary embodiment of the present invention, the charges do not concentrate on the first finger pattern 172 and the third finger pattern 174, and the charges do not concentrate on the first finger pattern 172 to the third finger. It may uniformly flow from the p-side electrode 170 including the pattern 174 to the active layer 140.

이하, 구체적으로 본 발명의 실시예에 따른 질화물 반도체 발광소자의 제조 방법을 도 3a 내지 도 3g를 참조하여 설명한다. 여기서, 도 3a 내지 도 3c는 도 2의 A-A선을 따라 절단한 단면을 기준으로 나타낸 공정 단면도이고, 도 3d 내지 도 3g는 p측　전극의 형성과정을 설명하기 위한 상면도이다. Hereinafter, a method of manufacturing a nitride semiconductor light emitting device according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 3A to 3G. 3A to 3C are cross-sectional views showing processes taken along a line A-A of FIG. 2, and FIGS. 3D to 3G are top views for explaining a process of forming a p-side electrode.

본 발명의 실시예에 따른 발광소자를 제조하기 위해서, 도 3a에 도시된 바와 같이 먼저 기판(110) 상에 선택적인 버퍼층(120)과 n형 질화물층(130)을 순차적으로 성장시킨다. In order to manufacture a light emitting device according to an exemplary embodiment of the present invention, as shown in FIG. 3A, an optional buffer layer 120 and an n-type nitride layer 130 are sequentially grown on the substrate 110.

버퍼층(120)이 선택적으로 기판(110) 상에 기판(110)과 n형 질화물층(130) 사이에 격자 부정합을 해소하기 위해 AlN 또는 GaN 등과 같은 재질로 형성된 후, n형 질화물층(330)이 버퍼층(120)의 상부면에 형성될 수 있다. After the buffer layer 120 is selectively formed on the substrate 110 and made of a material such as AlN or GaN to eliminate lattice mismatch between the substrate 110 and the n-type nitride layer 130, the n-type nitride layer 330 It may be formed on the upper surface of the buffer layer 120.

n형 질화물층(130)의 성장은 예를 들어, NH3, 트리메탈갈륨(TMG), 및 Si과 같은 n형 도펀트를 포함한 실란 가스를 공급하여, Si을 도핑한 n형 AlGaN으로 이루어진 제 1 층(도시하지 않음) 및 언도우프(undoped)의 GaN로 이루어진 제 2 층(도시하지 않음)을 번갈아가며 다수 적층한 층으로 형성될 수 있다. The growth of the n-type nitride layer 130 includes, for example, a first type of n-type AlGaN doped with Si by supplying a silane gas containing an n-type dopant such as NH 3 , trimetalgallium (TMG), and Si. The second layer (not shown) consisting of a layer (not shown) and an undoped GaN may be alternately formed as a plurality of stacked layers.

여기서, n형 질화물층(130)은 단일의 질화물 반도체로 성장시키는 것도 가능하나, 분자선 에피택시 성장방법, 유기금속 기상 성장방법, 원자층 에피택시 성장 방법 등과 같은 미세박막 결정 성장 방법에 의하여 제 1 층과 제 2 층을 번갈아가며 적층한 층 구조를 구현하여, 크랙이 없고 결정성이 좋은 캐리어 제한층으로 형성하는 것이 바람직하다. Here, the n-type nitride layer 130 may be grown as a single nitride semiconductor, but the first thin film crystal growth method such as molecular beam epitaxy growth method, organometallic vapor phase growth method, atomic layer epitaxy growth method, etc. It is preferable to form a layer structure in which the layer and the second layer are alternately stacked to form a carrier-limiting layer having no cracks and good crystallinity.

n형 질화물층(130)이 형성된 후, 양자우물구조의 활성층(140)이 n형 질화물층(130)의 상부면에 형성된다. After the n-type nitride layer 130 is formed, an active layer 140 of a quantum well structure is formed on the upper surface of the n-type nitride layer 130.

활성층(140)은 단일양자우물구조 또는 다중양자우물구조로 형성될 수 있다. 여기서, 활성층(140)은 양자우물층과 양자장벽층이 교대로 다수 적층된 다중양자우물구조를 적용하고, 에피택시 성장 방법으로 형성할 수 있다. 활성층(140)의 양자장벽층은 AlGaInN층과 같은 4원계 질화물층 또는 4원계 질화물층의 양면에 AlGaInN의 GaN계 물질로 이루어진 갈륨 질화물층이고, 양자우물층은 예를 들어 InGaN으로 이루어져 응력과 변형에 의한 자발적인 분극을 억제하도록 형성될 수도 있다. The active layer 140 may be formed in a single quantum well structure or a multi quantum well structure. Here, the active layer 140 may apply a multi-quantum well structure in which a plurality of quantum well layers and quantum barrier layers are alternately stacked, and may be formed by an epitaxial growth method. The quantum barrier layer of the active layer 140 is a gallium nitride layer composed of an AlGaInN GaN-based material on both sides of a quaternary nitride layer such as an AlGaInN layer or a quaternary nitride layer, and the quantum well layer is made of, for example, InGaN, and thus stress and strain It may be formed to suppress spontaneous polarization by.

활성층(140)이 형성된 후, p형 질화물층(150)이 활성층(140)의 상부면에 형성된다. After the active layer 140 is formed, a p-type nitride layer 150 is formed on the upper surface of the active layer 140.

여기서, p형 질화물층(150)은 분자선 에피택시 성장방법, 유기금속 기상 성장방법, 원자층 에피택시 성장 방법 등과 같은 미세박막 결정성장 방법으로 형성되며, 예컨대 Mg을 도핑한 p형 AlGaN으로 이루어진 제 1 층, 및 Mg을 도핑한 p형 GaN로 이루어진 제 2 층을 번갈아가며 적층한 층 구조로 형성될 수 있다. Here, the p-type nitride layer 150 is formed by a micro thin film crystal growth method such as a molecular beam epitaxy growth method, an organometallic gas phase growth method, an atomic layer epitaxy growth method, and the like, and is formed of, for example, p-type AlGaN doped with Mg. It can be formed in a layer structure in which one layer and a second layer made of p-type GaN doped with Mg are alternately stacked.

이와 같이 p형 질화물층(150)을 형성한 후, 투명 전극층(155)이 p형 질화물층(150)의 상부면에 형성된다. 여기서, 투명 전극층(155)은 CVD(chemical vapor deposition)의 방법을 이용하여 ITO, CIO, ZnO, NiO, In2O3 등의 금속 산화물 중 어느 하나로 형성될 수 있다. After the p-type nitride layer 150 is formed in this manner, the transparent electrode layer 155 is formed on the upper surface of the p-type nitride layer 150. The transparent electrode layer 155 may be formed of any one of metal oxides such as ITO, CIO, ZnO, NiO, In 2 O 3, and the like by using a chemical vapor deposition (CVD) method.

이후, 도 3b에 도시된 바와 같이 n형 질화물층(130)이 노출되도록 노광 에칭(lithography etching) 및 클리닝을 수행한다. 노광 에칭은 n형 질화물층(130)의 노출 패턴을 한정하는 포토레지스트 패턴을 투명 전극층(155)의 상부면에 형성한 다음, 포토레지스트 패턴을 에칭 마스크로 사용하여 n형 질화물층(130)의 일부 영역이 노출되도록 건식 식각 방법으로 에칭할 수 있다. Thereafter, as shown in FIG. 3B, lithography etching and cleaning are performed to expose the n-type nitride layer 130. The exposure etching forms a photoresist pattern on the upper surface of the transparent electrode layer 155 that defines the exposure pattern of the n-type nitride layer 130, and then uses the photoresist pattern as an etching mask to form the n-type nitride layer 130. Etching may be performed by dry etching so that some regions are exposed.

n형 질화물층(130)의 일부 영역을 노출한 후, 도 3c에 도시된 바와 같이 노출된 n형 질화물층(130)의 영역에 n측 전극(160)을 형성하고, 투명 전극층(155)의 상부면에 p측 전극(170)의 p측　전극 패드(171)를 형성한다. After exposing a portion of the n-type nitride layer 130, an n-side electrode 160 is formed in the exposed region of the n-type nitride layer 130 as shown in FIG. 3C, and the transparent electrode layer 155 The p-side electrode pad 171 of the p-side electrode 170 is formed on the upper surface.

n측 전극(160)과 p측　전극 패드(171)를 형성하기 위해, MOCVD(metal organic chemical vapor deposition), 스퍼터링, 전자빔(E-beam) 증착 등의 방법을 이용할 수 있다. 여기서, n측 전극(160)과 p측　전극 패드(171)는 예컨대 도금 방식으로 형성하는 방법을 이용한다. In order to form the n-side electrode 160 and the p-side electrode pad 171, methods such as metal organic chemical vapor deposition (MOCVD), sputtering, and electron beam (E-beam) deposition may be used. Here, the n-side electrode 160 and the p-side electrode pad 171 are formed by, for example, a plating method.

도금 방식으로 형성하는 방법은 먼저, 노출된 n형 질화물층(130)의 영역과 투명 전극층(155)의 상부면에 각각 n측 전극(160)과 p측　전극 패드(171)가 형성될 영역을 한정하는 포토레지스트 패턴을 형성한다. 이때, 포토레지스트 패턴은 n측 전극(160)과 p측　전극 패드(171)이 형성될 영역은 노출하고 나머지 부분을 덮는 형태로 형성된다. In the plating method, first, an area where an n-side electrode 160 and a p-side electrode pad 171 is to be formed is formed on an exposed region of the n-type nitride layer 130 and an upper surface of the transparent electrode layer 155, respectively. A photoresist pattern to be defined is formed. In this case, the photoresist pattern is formed in such a manner that the region where the n-side electrode 160 and the p-side electrode pad 171 are to be formed is exposed and covers the remaining portion.

포토레지스트 패턴이 형성된 후 도금 용액에 침지하면, 포토레지스트 패턴에 의해 노출된 n측 전극(160) 영역과 p측　전극 패드(171) 영역에 금속이 채워진다. 그 후 포토레지스트 패턴을 제거하면, 도 3d에 도시된 바와 같이 에칭 공정 없이 노출된 n형 질화물층(130)의 영역과 투명 전극층(155)의 상부면에 각각 n측 전극(160)과 p측　전극 패드(171)가 형성된다. After the photoresist pattern is formed, the metal is filled in the n-side electrode 160 region and the p-side electrode pad 171 region exposed by the photoresist pattern. After removing the photoresist pattern, as shown in FIG. 3D, the n-side electrode 160 and the p-side of the n-type nitride layer 130 and the upper surface of the transparent electrode layer 155 are exposed without an etching process, respectively. The electrode pad 171 is formed.

n측 전극(160)과 p측　전극 패드(171)가 형성된 후, 도 3e에 도시된 바와 같이 제 1 핑거 패턴(172)이 p측　전극 패드(171)에 연결된 형태로 형성된다. 제 1 핑거 패턴(172)의 재질은 p측　전극 패드(171)의 저항과 같거나 높은 저항을 갖는 재질로 예컨대, Ag를 이용한다. After the n-side electrode 160 and the p-side electrode pad 171 are formed, a first finger pattern 172 is formed to be connected to the p-side electrode pad 171 as shown in FIG. 3E. As the material of the first finger pattern 172, for example, Ag is used as a material having a resistance equal to or higher than that of the p-side electrode pad 171.

구체적으로, 제 1 핑거 패턴(172)은 p측　전극 패드(171)의 형성 과정과 동일하게, 제 1 핑거 패턴(172)이 형성될 영역을 한정하는 포토레지스트 패턴을 이용하여 형성한다. 제 1 핑거 패턴(172)을 위한 포토레지스트 패턴은 제 1 핑거 패턴(172)이 형성될 영역은 노출하고 나머지 부분을 덮는 형태로 형성된다. In detail, the first finger pattern 172 is formed using a photoresist pattern defining a region in which the first finger pattern 172 is to be formed, similarly to the formation of the p-side electrode pad 171. The photoresist pattern for the first finger pattern 172 is formed to expose a region where the first finger pattern 172 is to be formed and to cover the remaining portion.

제 1 핑거 패턴(172)을 위한 포토레지스트 패턴을 구비한 기판이 Ag를 포함한 도금 용액에 침지되면, 포토레지스트 패턴에 의해 노출된 제 1 핑거 패턴(172)의 영역이 Ag로 채워진다. When the substrate having the photoresist pattern for the first finger pattern 172 is immersed in the plating solution containing Ag, the region of the first finger pattern 172 exposed by the photoresist pattern is filled with Ag.

이후, 제 1 핑거 패턴(172)에 대한 포토레지스트 패턴을 제거하면, 도 3e에 도시된 바와 같이 제 1 핑거 패턴(172)이 p측　전극 패드(171)에 연결된 형태로 형성된다. Subsequently, when the photoresist pattern for the first finger pattern 172 is removed, the first finger pattern 172 is formed to be connected to the p-side electrode pad 171 as shown in FIG. 3E.

제 2 핑거 패턴(173)과 제 3 핑거 패턴(174)은 제 1 핑거 패턴(172)와 동일하게 각각의 포토레지스트 패턴을 이용한 도금 방식으로 형성될 수 있다. The second finger pattern 173 and the third finger pattern 174 may be formed by a plating method using each photoresist pattern in the same manner as the first finger pattern 172.

이때, 제 2 핑거 패턴(173)은 도 3f에 도시된 바와 같이 제 1 핑거 패턴(172)에 동일한 선폭으로 연결되고, 제 1 핑거 패턴(172)의 비저항보다 높은 비저항값을 갖는 재질, 예컨대 Al으로 형성할 수 있다. In this case, as illustrated in FIG. 3F, the second finger pattern 173 is connected to the first finger pattern 172 with the same line width and has a specific resistance higher than that of the first finger pattern 172, for example, Al. It can be formed as.

또한, 제 3 핑거 패턴(174)은 도 3g에 도시된 바와 같이 포토레지스트 패턴을 이용한 도금 방식으로 제 2 핑거 패턴(173)에 동일한 선폭으로 연결되고 단부를 가진 형태로 형성할 수 있다. 이러한 제 3 핑거 패턴(174)은 제 2 핑거 패턴(173)의 비저항보다 높은 비저항값을 갖는 재질, 예컨대 Al 보다 비저항 값이 큰 Pt로 형성할 수 있다.
In addition, as illustrated in FIG. 3G, the third finger pattern 174 may be formed in a form having an end portion and connected to the second finger pattern 173 with the same line width by a plating method using a photoresist pattern. The third finger pattern 174 may be formed of a material having a specific resistance higher than that of the second finger pattern 173, for example, Pt having a specific resistance higher than that of Al.

이하, 본 발명의 다른 실시예에 따른 질화물 반도체 발광소자를 도 4를 참조하여 설명한다. 본 발명의 다른 실시예에 따른 질화물 반도체 발광소자는 p측　전극(270)의 형태가 끝단부로 갈수록 선폭이 작아지는 테이퍼(tapered) 형태를 갖는다는 특징 이외에는 도 2에 도시된 본 발명의 일실시예에 따른 질화물 반도체 발광소자와 동일하다. Hereinafter, a nitride semiconductor light emitting device according to another embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 4. The nitride semiconductor light emitting device according to another exemplary embodiment of the present invention has a tapered shape in which the line width of the p-side electrode 270 decreases toward the distal end thereof. The same as the nitride semiconductor light emitting device according to.

도 4에 도시된 바와 같이, 본 발명의 다른 실시예에 따른 질화물 반도체 발광소자는 기판의 상부 방향으로, 버퍼층, n형 질화물층(230), 활성층, p형 질화물층, 투명 전극층(255), n측 전극(260) 및 p측　전극(270)을 포함한다. As shown in FIG. 4, in the nitride semiconductor light emitting device according to another embodiment of the present invention, the buffer layer, the n-type nitride layer 230, the active layer, the p-type nitride layer, the transparent electrode layer 255, in the upper direction of the substrate, and an n-side electrode 260 and a p-side electrode 270.

p측　전극(270)은 투명 전극층(255)의 상부면에 구비된 p측　전극 패드(271)와 p측　전극 패드(271)에 연결되어 테이퍼 형태를 갖는 핑거로 구성된다. 즉, p측　전극(270)의 핑거는 p측　전극 패드(271)를 중심으로 양측 방향 또는 다수 방향으로 다수의 핑거 패턴이 연결되고 끝단부로 갈수록 선폭이 작아지는 테이퍼 형태의 핑거를 갖는 구조이다. The p-side photoelectrode 270 is connected to the p-side photoelectrode pad 271 and the p-side photoelectrode pad 271 provided on the upper surface of the transparent electrode layer 255 and has a tapered shape. That is, the finger of the p-side electrode 270 has a tapered shape in which a plurality of finger patterns are connected in both directions or a plurality of directions about the p-side electrode electrode 271 and the line width becomes smaller toward the end.

이러한 p측　전극(270)의 핑거에서 다수의 핑거 패턴은 예컨대, p측　전극 패드(271)에 연결되고 p측　전극 패드(271)의 저항보다 높은 제 1 핑거 패턴(272), 제 1 핑거 패턴(272)의 저항보다 높은 제 2 핑거 패턴(273), 및 제 2 핑거 패턴(273)의 저항보다 높은 제 3 핑거 패턴(274)으로 이루어질 수 있다. In the finger of the p-side electrode 270, for example, a plurality of finger patterns are connected to the p-side electrode pad 271 and are higher than the resistance of the p-side electrode pad 271. The second finger pattern 273 higher than the resistance of 272 and the third finger pattern 274 higher than the resistance of the second finger pattern 273 may be formed.

이때, p측　전극(270)의 핑거는 제 1 핑거 패턴(272)부터 제 3 핑거 패턴(274)의 단부까지 선폭이 작아지는 테이퍼 형태로 형성되고, 이러한 형태는 아래의 식에 의해 At this time, the finger of the p-side electrode 270 is formed in a tapered shape in which the line width is reduced from the first finger pattern 272 to the end of the third finger pattern 274, and this form is expressed by the following equation.

Figure pat00001
Figure pat00001

(ρ: 비저항, L: 핑거 패턴의 길이, A: 핑거 패턴의 단면적) (ρ: resistivity, L: length of finger pattern, A: cross-sectional area of finger pattern)

각각의 핑거 패턴의 길이(L)와 핑거 패턴의 단면적(A)에 적용될 수 있다. The length L of each finger pattern and the cross-sectional area A of the finger pattern may be applied.

이렇게 p측　전극(270)의 핑거가 테이퍼 형태로 형성되면, 제 1 핑거 패턴(272)부터 제 3 핑거 패턴(274)의 단부까지 저항값이 점점 더 증가한다. 제 3 핑거 패턴(274)의 저항값, 특히 제 3 핑거 패턴(274)의 단부 부분의 저항값이 커짐에 따라 전하들이 집중하지 않을 수 있다. When the finger of the p-side electrode 270 is tapered, the resistance value gradually increases from the first finger pattern 272 to the end of the third finger pattern 274. As the resistance value of the third finger pattern 274, in particular, the resistance value of the end portion of the third finger pattern 274, the charges may not concentrate.

따라서, 테이퍼 형태의 p측　전극(270) 핑거는 제 1 핑거 패턴(272)과 제 3 핑거 패턴(274)의 단부 부분에 전하들이 집중하지 않고, 전하들이 제 1 핑거 패턴(272) 내지 제 3 핑거 패턴(274)을 포함한 p측　전극(270)으로부터 활성층으로 균일하게 흐르는 전류 퍼짐(current spreading)을 향상시킬 수 있다.
Accordingly, in the tapered p-side electrode 270, the charges do not concentrate on the end portions of the first finger pattern 272 and the third finger pattern 274, and the charges do not concentrate. Current spreading uniformly flowing from the p-side electrode 270 including the finger pattern 274 to the active layer may be improved.

본 발명의 기술사상은 상기 바람직한 실시예에 따라 구체적으로 기술되었으나, 전술한 실시예들은 그 설명을 위한 것이며, 그 제한을 위한 것이 아님을 주의하여야 한다. Although the technical idea of the present invention has been specifically described according to the above preferred embodiments, it is to be noted that the above-described embodiments are intended to be illustrative and not restrictive.

또한, 본 발명의 기술분야의 통상의 전문가라면 본 발명의 기술사상의 범위 내에서 다양한 실시가 가능함을 이해할 수 있을 것이다.
It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit and scope of the invention.

110: 기판 120: 버퍼층
130: n형 질화물층 140: 활성층
150: p형 질화물층 155: 투명 전극층
160: n측 전극 170: p측 전극
171: p측 전극 패드 172: 제 1 핑거 패턴
173: 제 2 핑거 패턴 174: 제 3 핑거 패턴 110: substrate 120: buffer layer
130: n-type nitride layer 140: active layer
150: p-type nitride layer 155: transparent electrode layer
160: n-side electrode 170: p-side electrode
171: p-side electrode pad 172: first finger pattern
173: second finger pattern 174: third finger pattern

Claims (13)

기판 상에 형성된 n형 질화물층;
상기 n형 질화물층의 상부면에 형성된 활성층;
상기 활성층의 상부면에 형성된 p형 질화물층;
상기 p형 질화물층의 상부면에 형성된 p측　전극; 및
상기 n형 질화물층의 노출 영역에 구비된 n측 전극을 포함하고,
상기 p측　전극은 p측　전극 패드, 및 상기 p측　전극 패드를 중심으로 일 방향으로 저항값이 서로 상이한 다수의 핑거 패턴을 선형 연결한 핑거를 적어도 하나 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
An n-type nitride layer formed on the substrate;
An active layer formed on an upper surface of the n-type nitride layer;
A p-type nitride layer formed on the upper surface of the active layer;
A p-side electrode formed on an upper surface of the p-type nitride layer; And
An n-side electrode provided in the exposed region of the n-type nitride layer,
The p-side electrode includes at least one p-side electrode pad and at least one finger that linearly connects a plurality of finger patterns having different resistance values in one direction with respect to the p-side electrode pad.
제 1 항에 있어서,
상기 p측　전극은 상기 p측　전극 패드로부터 상기 핑거의 끝단부 방향으로 저항값이 증가하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
The method of claim 1,
The p-side electrode is a nitride semiconductor light emitting device, characterized in that the resistance value increases from the p-side electrode pad toward the end of the finger.
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 핑거는 상기 p측　전극 패드를 중심으로 끝단부로 갈수록 선폭이 작아지는 테이퍼(tapered) 형태로 형성되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
3. The method according to claim 1 or 2,
The finger is a nitride semiconductor light emitting device, characterized in that formed in a tapered (tapered) shape of the line width toward the end portion toward the center of the p-side electrode pad.
제 1 항에 있어서,
상기 핑거는
상기 p측　전극 패드에 연결되고 상기 p측　전극 패드의 비저항과 같거나 높은 비저항을 갖는 재질로 형성된 제 1 핑거 패턴;
상기 제 1 핑거 패턴에 연결되고 상기 제 1 핑거 패턴의 비저항보다 높은 비저항을 갖는 재질로 형성된 제 2 핑거 패턴; 및
상기 제 2 핑거 패턴에 연결되고 상기 제 2 핑거 패턴의 비저항보다 높은 비저항을 갖는 재질로 형성된 제 3 핑거 패턴
을 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
The method of claim 1,
The finger is
A first finger pattern connected to the p-side electrode pad and formed of a material having a specific resistance equal to or higher than that of the p-side electrode pad;
A second finger pattern connected to the first finger pattern and formed of a material having a specific resistance higher than that of the first finger pattern; And
A third finger pattern connected to the second finger pattern and formed of a material having a specific resistance higher than that of the second finger pattern
Nitride semiconductor light emitting device comprising a.
제 4 항에 있어서,
상기 제 1 핑거 패턴은
상기 p측　전극 패드에 원호 형태로 연결되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
The method of claim 4, wherein
The first finger pattern is
A nitride semiconductor light emitting device, characterized in that connected to the p-side electrode pad in the form of an arc.
제 4 항에 있어서,
상기 제 1 핑거 패턴은 Ag로 형성되고,
상기 제 2 핑거 패턴은 상기 제 1 핑거 패턴보다 비저항 값이 높은 Al으로 형성되며,
상기 제 3 핑거 패턴은 제 2 핑거 패턴보다 비저항 값이 높은 Pt로 형성되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
The method of claim 4, wherein
The first finger pattern is formed of Ag,
The second finger pattern is formed of Al having a higher resistivity value than the first finger pattern,
And the third finger pattern is formed of Pt having a higher resistivity value than the second finger pattern.
기판의 상부 방향으로 n형 질화물층을 형성하는 단계;
상기 n형 질화물층 상에 활성층을 형성하는 단계;
상기 활성층의 상부면 방향으로 p형 질화물층과 투명 전극층을 순차적으로 형성하는 단계;
n측 전극을 위해 상기 n형 질화물층의 일 영역을 노출하는 단계; 및
상기 노출된 n형 질화물층의 영역에 n측 전극을 형성하고, 상기 투명 전극층 상부면에 p측　전극 패드를 중심으로 일 방향으로 저항값이 서로 상이한 다수의 핑거 패턴이 선형 연결된 적어도 하나의 핑거를 포함한 p측　전극을 형성하는 단계
를 포함하는 질화물 반도체 발광소자의 제조 방법.
Forming an n-type nitride layer in an upper direction of the substrate;
Forming an active layer on the n-type nitride layer;
Sequentially forming a p-type nitride layer and a transparent electrode layer in an upper surface direction of the active layer;
exposing a region of the n-type nitride layer for an n-side electrode; And
At least one finger having an n-side electrode formed in the exposed n-type nitride layer and linearly having a plurality of finger patterns having different resistance values in one direction centered on a p-side electrode pad on an upper surface of the transparent electrode layer Forming a p-side electrode including the
Method of manufacturing a nitride semiconductor light emitting device comprising a.
제 7 항에 있어서,
상기 p측　전극을 형성하는 단계는
포토레지스트 패턴을 이용한 도금 방법을 수행하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자의 제조 방법.
The method of claim 7, wherein
Forming the p-side electrode
A method of manufacturing a nitride semiconductor light emitting device comprising performing a plating method using a photoresist pattern.
제 7 항에 있어서,
상기 p측　전극을 형성하는 단계는
상기 투명 전극층 상부면에 상기 p측　전극 패드를 형성하는 단계; 및
상기 p측　전극 패드의 적어도 일 방향으로 다수의 핑거 패턴이 선형 연결된 적어도 하나의 핑거를 형성하는 단계를 포함하고,
상기 핑거를 형성하는 단계는
상기 p측　전극 패드에 연결되고 상기 p측　전극 패드의 비저항과 같거나 높은 비저항을 갖는 재질로 제 1 핑거 패턴을 형성하는 단계;
상기 제 1 핑거 패턴에 연결되고 상기 제 1 핑거 패턴의 비저항보다 높은 비저항을 갖는 재질로 제 2 핑거 패턴을 형성하는 단계; 및
상기 제 2 핑거 패턴에 연결되고 상기 제 2 핑거 패턴의 비저항보다 높은 비저항을 갖는 재질로 제 3 핑거 패턴을 형성하는 단계
를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자의 제조 방법.
The method of claim 7, wherein
Forming the p-side electrode
Forming the p-side electrode pad on an upper surface of the transparent electrode layer; And
Forming at least one finger in which a plurality of finger patterns are linearly connected in at least one direction of the p-side electrode pad,
Forming the finger
Forming a first finger pattern made of a material connected to the p-side electrode pad and having a specific resistance equal to or higher than that of the p-side electrode pad;
Forming a second finger pattern connected to the first finger pattern and having a specific resistance higher than that of the first finger pattern; And
Forming a third finger pattern made of a material connected to the second finger pattern and having a specific resistance higher than that of the second finger pattern;
Method of manufacturing a nitride semiconductor light emitting device comprising a.
제 7 항에 있어서,
상기 핑거는
상기 p측　전극 패드로부터 상기 핑거의 단부 방향으로 저항값이 증가하는 형태로 형성되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자의 제조 방법.
The method of claim 7, wherein
The finger is
And a resistance value increasing in the direction toward the end of the finger from the p-side electrode pad.
제 7 항에 있어서,
상기 핑거는
상기 p측　전극 패드를 중심으로 상기 핑거의 단부 방향으로 갈수록 선폭이 작아지는 테이퍼(tapered) 형태로 형성되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자의 제조 방법.
The method of claim 7, wherein
The finger is
And a tapered shape in which a line width decreases toward the end portion of the finger with respect to the p-side electrode pad.
제 9 항에 있어서,
상기 제 1 핑거 패턴은 상기 p측　전극 패드에 원호 형태로 연결되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자의 제조 방법.
The method of claim 9,
The first finger pattern is a method of manufacturing a nitride semiconductor light emitting device, characterized in that connected to the p-side electrode pad in an arc shape.
제 9 항에 있어서,
상기 제 1 핑거 패턴은 Ag로 형성되고,
상기 제 2 핑거 패턴은 상기 제 1 핑거 패턴보다 비저항 값이 높은 Al으로 형성되며,
상기 제 3 핑거 패턴은 상기 제 2 핑거 패턴보다 비저항 값이 높은 Pt로 형성되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자의 제조 방법.
The method of claim 9,
The first finger pattern is formed of Ag,
The second finger pattern is formed of Al having a higher resistivity value than the first finger pattern,
And the third finger pattern is formed of Pt having a higher resistivity value than the second finger pattern.
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