KR20120104818A - Fabrication method of silicate glass including lead sulfide quantum dots containing silver nano-particle - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: A manufacturing method of glass including lead sulfide quantum dot which contains silver nano-particles is provided to easily control size or distribution of lead sulfide quantum dots by adjusting addition amount of nucleation auxiliary materials. CONSTITUTION: A manufacturing method of glass including lead sulfide quantum dot which contains silver nano-particles comprises the following steps: manufacturing a base mixture by mixing lead sulfide compound and silver oxide with a base glass material(s140); manufacturing a glass molten body by melting the base mixture; manufacturing a glass by cooling the glass molten body(s160); segregating the lead sulfide quantum dots by heat treating the glass; and completing the glass including the lead sulfide quantum dots which contains silver nano-particles(s220). The size or the distribution of the lead sulfide quantum dots are controlled by the concentration of the silver oxide. The base glass material has a composition of 50SiO2-35Na2O-5Al2O3-10ZnO, the lead sulfides have a composition of 2ZnS- xPbO (x=0.8-1.0), and silver oxide has a composition of yAg2O (y=10-30ppm). [Reference numerals] (S100) Preparing substrate glass; (S120) Preparing lead sulfide compound and silver compound; (S140) Manufacturing a substrate mixture by mixing silver oxide with a substrate glass material and lead sulfide; (S160) Fusing base mixture to form glass molten body; (S180) Manufacturing glass in which lead sulfide and silver are contained by cooling the glass molten body; (S190) Annealing glasses in which lead sulfide and silver are contained; (S200) Heat treating the glasses in which lead sulfide and silver are contained and precipitating lead sulfide quantum dots and silver nano particles in which the size or distribution is controlled by silver concentration; (S220) Completing glasses including lead sulfide quantum dots

Description

은 나노 입자를 함유한 레드설파이드 양자점을 포함하는 유리의 제조방법{fabrication method of silicate glass including Lead sulfide quantum dots containing silver nano-particle} BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a method for manufacturing a glass containing red sulfide quantum dots containing silver nanoparticles (manufacturing method of silicate glass including lead sulfide quantum dots containing silver nano-particles)

본 발명은 유리의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 레드설파이드 양자점(Lead sulfide(PbS) quantum dots)을 포함하는 유리의 제조방법에 관한 것이다. The present invention relates to a process for producing glass, and more particularly to a process for producing glass containing lead sulfide (PbS) quantum dots.

양자점(quantum dot)은 수 나노미터 크기의 반도체 입자로써, 입자의 크기에 따라 방출하는 빛의 파장이 달라지는 물질이다. 양자점이 발산하는 빛은 전도대(conduction band)에서 가전자대(valence band)로 전자가 내려오면서 발생한다. 이때 발생하는 형광(발광)은 양자점의 입자가 작을수록 짧은 파장의 빛이 발생하고, 입자가 클수록 긴 파장의 빛을 발생하게 된다. The quantum dot is a semiconductor particle of several nanometers in size, and the wavelength of light emitted varies depending on the particle size. The light emitted by the quantum dot is generated by electrons coming from the conduction band to the valence band. Fluorescence (light emission) generated at this time generates light of a shorter wavelength as the particles of the quantum dots become smaller, and generates light of a longer wavelength as the particle size increases.

따라서, 양자점의 크기를 조절하면 띠 간격(band gap)이 조절되어 다양한 파장의 에너지를 얻을 수 있다. 그런데, 양자점의 크기나 분포를 조절하는 것이 쉽지 않을 뿐만 아니라 공정 비용이 많이 소요된다. 또한, 양자점의 특성을 나쁘게 하지 않으면서 양자점의 크기나 분포를 조절하는 것이 필요하다. Therefore, by controlling the size of the quantum dots, the band gap can be controlled to obtain various wavelengths of energy. However, it is not easy to control the size and distribution of the quantum dots, and the process cost is high. It is also necessary to adjust the size and distribution of the quantum dots without deteriorating the characteristics of the quantum dots.

본 발명이 해결하고자 하는 과제는 양자점의 크기나 분포를 용이하게 조절하기 위하여 창안한 것으로써, 은 나노 입자를 함유한 레드설파이드 양자점을 포함하는 유리의 제조방법을 제공하는 데 있다. A problem to be solved by the present invention is to provide a method for manufacturing a glass including red sulfide quantum dots containing silver nanoparticles, which is designed to easily control the size and distribution of the quantum dots.

상술한 과제를 해결하기 위하여, 본 발명의 일 실시예에 의한 유리의 제조 방법은 기지 유리재에 레드설파이드 화합물 및 은 산화물을 혼합하여 기지 혼합물을 제조하는 단계와, 상기 기지 혼합물을 용융하여 유리 용융체를 제조하는 단계와, 상기 유리 용융체를 냉각시켜 유리를 제조하는 단계와, 상기 유리를 열처리하여 상기 은 산화물의 농도에 따라 크기나 분포가 조절되는 레드설파이드 양자점을 석출하는 단계와, 상기 은 산화물에 포함된 은 나노 입자를 함유한 레드설파이드(PbS) 양자점을 포함하는 유리를 완성하는 단계를 포함하여 이루어진다. According to an aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a glass according to one embodiment of the present invention includes the steps of preparing a base mixture by mixing a base glass material with a red sulfide compound and silver oxide, A step of producing a glass by cooling the glass melt; a step of heat treating the glass to precipitate red sulfide quantum dots whose size or distribution is controlled according to the concentration of the silver oxide; And completing the glass comprising red sulfide (PbS) quantum dots containing the contained silver nanoparticles.

상기 기지 유리재는 50SiO2-35Na2O-5Al2O3-10ZnO의 조성을 가지며, 상기 레드설파이드 화합물은 2ZnS-xPbO(x=0.8 내지1.0)의 조성을 가지며, 상기 은 산화물은 yAg2O(y=10 내지30 ppm)의 조성을 가질 수 있다. 은 산화물의 농도가 10ppm에서 30ppm으로 증가함에 따라, 레드설파이드 양자점의 반지름은 증가할 수 있다. The glass base material 50SiO 2 -35Na 2 O-5Al 2 O 3 has a composition of -10ZnO, the red sulfide compound has a composition of 2ZnS-xPbO (x = 0.8 to 1.0), wherein the silver oxide is yAg 2 O (y = 10 to 30 ppm). As the silver oxide concentration increases from 10 ppm to 30 ppm, the radius of the red sulfide quantum dot may increase.

상기 유리 용융체를 냉각시켜 유리를 제조하는 단계 후에, 상기 유리를 소둔처리하는 단계를 더 포함할 수 있다. 상기 유리 용융체를 냉각시키는 단계는, 상기 유리 용융체를 상온으로 급랭시켜 수행할 수 있다. And after the step of cooling the glass melt to produce glass, annealing the glass. The step of cooling the glass melt may be performed by rapidly quenching the glass melt to room temperature.

또한, 본 발명의 일 실시예에 의한 유리의 제조 방법은 기지 유리재에 레드설파이드 화합물을 혼합하여 기지 혼합물을 제조하는 단계와, 상기 기지 혼합물을 용융하여 유리 용융체를 제조하는 단계와, 상기 유리 용융체를 냉각시켜 유리를 제조하는 단계와, 상기 유리에 은 이온 주입을 실시하는 단계와, 상기 은 이온 주입된 유리를 열처리하여 상기 이온 주입된 은 농도에 따라 크기나 분포가 조절되는 레드설파이드 양자점을 석출하는 단계와, 상기 은 나노 입자를 함유한 레드설파이드 양자점을 포함하는 유리를 완성하는 단계를 포함한다. According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a glass, comprising: preparing a base mixture by mixing a red sulfide compound with a base glass material; melting the base mixture to produce a glass melt; The method of claim 1, further comprising the steps of: preparing silver halide grains by cooling the silver halide grains to form silver halide grains; ; And completing the glass comprising red sulfide quantum dots containing the silver nanoparticles.

상기 기지 유리재는 50SiO2-35Na2O-5Al2O3-10ZnO의 조성을 가지며, 상기 레드설파이드 화합물은 2ZnS-xPbO(x=0.8 내지 1.0)의 조성을 가질 수 있다. 상기 은 이온 주입은 AgNO3 증류수 용액이나 AgNO3-NaNO3 용융염을 이용하여 수행할 수 있다. The base glass material has a composition of 50SiO 2 -35Na 2 O-5Al 2 O 3 -10ZnO, and the red sulfide compound may have a composition of 2ZnS-xPbO (x = 0.8-1.0). The silver ion implantation can be performed using AgNO 3 distilled water solution or AgNO 3 -NaO 3 molten salt.

본 발명의 일 실시예에 의한 레드설파이드 양자점을 포함하는 유리의 제조방법은 유리 내의 핵생성 보조재료로 은 나노 입자를 이용해 레드설파이드(PbS) 양자점의 크기나 분포를 조절한다. According to one embodiment of the present invention, a method of manufacturing glass containing red sulfide quantum dots uses silver nanoparticles as a nucleation auxiliary material in a glass to control the size or distribution of red sulphide (PbS) quantum dots.

다시 말해, 본 발명의 일 실시예에 의한 레드설파이드 양자점을 포함하는 유리의 제조 방법은 은 나노 입자와 같은 핵생성 보조 재료로 레드설파이드 양자점의 석출을 조절한다. 은 나노 입자는 유리 내에서 레드설파이드 양자점 형성에 기여한다. In other words, the process for preparing glass containing red sulfide quantum dots according to an embodiment of the present invention controls precipitation of red sulfide quantum dots as a nucleation generating auxiliary material such as silver nanoparticles. Silver nanoparticles contribute to the formation of red sulfide QDs in the glass.

더욱이, 본 발명의 일 실시예에 의한 레드설파이드 양자점을 포함하는 유리의 제조방법은 은 나노 입자와 같은 핵생성 보조 재료의 첨가 양을 조절하여 레드설파이드 양자점의 크기나 분포, 즉 밀도를 제어할 수 있으며 양자점의 광 흡수 및 형광 강도를 조절할 수 있다. In addition, according to one embodiment of the present invention, a method of manufacturing a glass including red sulfide quantum dots can control the size or distribution of red sulfide quantum dots by controlling the addition amount of a nucleation auxiliary material such as silver nanoparticles, And the light absorption and fluorescence intensity of the quantum dots can be controlled.

본 발명의 레드설파이드 양자점을 포함하는 유리의 제조방법은 유리 내에 형성된 레드설파이드 양자점에 보다 우수하고 균일한 특성을 부여하여 광학 소자, 포토닉스 또는 미세 광학 소자 분야에 매우 유용하게 적용할 수 있다.The method for producing glass containing red sulfide quantum dots according to the present invention can be applied to optical devices, photonics, or micro optical devices by providing better and uniform properties to red sulfide quantum dots formed in glass.

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 의해 레드설파이드 양자점을 포함하는 유리의 제조 방법을 설명하기 위한 흐름도이다.
도 2는 본 발명의 제2 실시예에 의해 레드설파이드 양자점을 포함하는 유리의 제조 방법을 설명하기 위한 흐름도이다.
도 3은 본 발명의 제1 실시예에 의해 제조된 은 나노 입자를 함유한 레드설파이드 양자점을 포함하는 유리의 흡수 스펙트럼을 도시한 도면이다.
도 4는 본 발명의 본 발명의 제2 실시예에 제조된 은 나노 입자를 함유한 레드설파이드 양자점을 포함하는 유리의 단면 사진이다.
도 5 및 도 6은 본 발명의 제2 실시예에 의해 제조된 은 나노 입자를 함유한 레드설파이드 양자점을 포함하는 유리의 형광 스펙트럼을 도시한 도면이다.
1 is a flow chart for explaining a method of manufacturing a glass including red sulfide quantum dots according to a first embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a flowchart for explaining a method of manufacturing a glass including red sulfide quantum dots according to a second embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a diagram showing an absorption spectrum of a glass including red sulfide quantum dots containing silver nanoparticles prepared by the first embodiment of the present invention. FIG.
FIG. 4 is a cross-sectional photograph of a glass including red sulfide quantum dots containing silver nanoparticles prepared according to the second embodiment of the present invention.
FIGS. 5 and 6 are diagrams showing fluorescence spectra of a glass containing red nanoparticle-containing red sulfide quantum dot prepared by the second embodiment of the present invention. FIG.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 대해 상세히 설명한다. 본 발명의 실시예는 당 업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위하여 제공되는 것이다. 본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용한다. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. Embodiments of the present invention are provided to more fully describe the present invention to those skilled in the art. The present invention is capable of various modifications and various forms, and specific embodiments are illustrated and described in detail in the drawings. It should be understood, however, that the invention is not intended to be limited to the particular forms disclosed, but includes all modifications, equivalents, and alternatives falling within the spirit and scope of the invention. Like reference numerals are used for similar elements in describing each drawing.

본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.The terminology used in this application is used only to describe a specific embodiment and is not intended to limit the invention. The singular expressions include plural expressions unless the context clearly dictates otherwise. In this application, the terms "comprises", "having", and the like are used to specify that a feature, a number, a step, an operation, an element, a part or a combination thereof is described in the specification, But do not preclude the presence or addition of one or more other features, integers, steps, operations, components, parts, or combinations thereof.

다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 명세서에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.Unless defined otherwise, all terms used herein, including technical or scientific terms, have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art to which this invention belongs. Terms such as those defined in commonly used dictionaries are to be interpreted as having a meaning consistent with the contextual meaning of the related art and are to be interpreted as ideal or overly formal in the sense of the art unless explicitly defined herein Do not.

양자점은 크기를 조절하면 띠 간격(band gap)이 조절되어 다양한 파장의 에너지를 얻을 수 있으며 이러한 효과를 양자 제한 효과(Quantum confinement effect)라고 한다. 양자 제한 효과를 이용하여 디스 플레이 장치(display apparatus), 양자점 레이저, 태양 전지, 센서, 광통신용 증폭기 등에 응용할 수 있다. Quantum dots can be tuned to adjust the band gap to obtain various wavelengths of energy. This effect is called the quantum confinement effect. The present invention can be applied to a display apparatus, a quantum dot laser, a solar cell, a sensor, and an amplifier for optical communication using a quantum limiting effect.

양자점의 제조 방법은 화학 합성에 의해 양자점을 형성하는 화학 합성 방법과 열처리를 통해 유리("실리케이트 글래스"라고도 함) 내에 양자점을 석출시키는 석출 방법으로 구분할 수 있다. 화학 합성 방법의 경우 양자점 합성이 용이하나 양자점이 유기 및 수용액 내에 분산되어 있기 때문에 실제 장치에는 적용하기에는 한계가 있다. The production method of the quantum dots can be classified into a chemical synthesis method of forming quantum dots by chemical synthesis and a precipitation method of depositing quantum dots in a glass (also referred to as "silicate glass") through heat treatment. In the case of the chemical synthesis method, the synthesis of the quantum dots is easy, but since the quantum dots are dispersed in the organic solution and the aqueous solution, there is a limit to apply to practical devices.

열처리를 통한 양자점 석출법은 과포화 고상 용액내에 이온 확산에 의한 열역학적 상분리 기구를 이용한다. 양자점의 원활한 확산을 위해 유리 전이점 전후의 온도에서 열처리, 즉 소둔 처리(annealing)를 진행한다. 유리내 양자점의 석출은 크게 (1) 핵생성 (2) 개별 성장 (3) 조대화의 세단계로 구분할 수 있다. The quantum dot precipitation method using heat treatment uses a thermodynamic phase separation mechanism by ion diffusion in supersaturated solid solution. For smooth diffusion of the quantum dots, annealing is performed at a temperature before and after the glass transition point, that is, annealing is performed. The precipitation of quantum dots in glass can be divided into three stages: (1) nucleation, (2) individual growth, and (3) coordination.

유리내에서 양자점을 석출하여 형성할 경우 우수한 기계적 강도와 화학적 안정성을 갖고 증폭기나 센서 또는 레이저 장치 등에 적용 가능한 광섬유화가 쉽다는 장점이 있다. 따라서, 본 발명의 일 실시예는 유리내에 양자점을 석출시켜 합성시키는 방법을 이용한다. When the quantum dots are formed by precipitation in the glass, it is advantageous in that it has excellent mechanical strength and chemical stability and is easy to optical fiber applicable to amplifiers, sensors, or laser devices. Therefore, an embodiment of the present invention uses a method of precipitating and forming quantum dots in glass.

본 발명의 일 실시예는 유리내에 핵생성 보조재료로 은 나노 입자를 첨가시켜 양자점의 크기나 분포를 조절한다. 본 발명의 일 실시예는 유리내에 첨가되는 은 산화물의 농도를 변화시켜 양자점의 크기나 분포를 조절한다. 이렇게 할 경우, 전자 소자 및 광학 소자 제조 분야에 매우 유용하게 적용할 수 있다. One embodiment of the present invention controls the size or distribution of quantum dots by adding silver nanoparticles as a nucleation-generating auxiliary material in the glass. One embodiment of the present invention adjusts the size or distribution of quantum dots by varying the concentration of silver oxide added to the glass. In this case, it can be very usefully applied to electronic devices and optical device manufacturing fields.

본 발명의 일 실시예는 은 나노 입자를 함유한 레드설파이드 양자점을 포함하는 유리의 제조 방법을 제공한다. 은 혹은 반도체 재료를 단일 첨가한 유리는 비교적 제조하기 쉽다. 그러나, 은 및 반도체 재료를 복합 첨가할 경우 용해도가 매우 저하되기 때문에, 은과 반도체 재료인 레드설파이드(PbS)를 복합 첨가한 유리 제조는 어려움이 있다. One embodiment of the present invention provides a method for producing glass comprising red sulfide quantum dots containing silver nanoparticles. Glass with a single addition of silver or a semiconductor material is relatively easy to manufacture. However, when the silver and the semiconductor material are mixedly added, the solubility is very low. Therefore, it is difficult to produce glass containing silver and a red sulphide (PbS) as a semiconductor material.

따라서, 본 발명의 일 실시예에서는 은의 첨가량을 극미량으로 제한하여 유리 형성을 용이하게 하고, 은의 첨가로 인한 레드설파이드 양자점 형성 영향을 조사하였다. 본 발명의 일 실시예에서, 은 나노 입자를 함유한 레드설파이드 양자점을 포함하는 유리의 제조 방법은 열처리법과 이온 주입법을 이용하여 수행하며, 다음 실시예로써 설명한다. 은의 첨가량을 더욱 증가시켜 레드설파이드 양자점을 관찰하기 위해 이온 주입법을 이용하였다. Therefore, in one embodiment of the present invention, glass formation was facilitated by limiting the addition amount of silver to a very small amount, and the effect of silver addition on the formation of red sulfide quantum dots was investigated. In one embodiment of the present invention, a glass containing red sulfide quantum dot containing silver nanoparticles is produced by using a heat treatment method and an ion implantation method, and will be described in the following examples. Ion implantation method was used to observe red sulfide quantum dots by further increasing the amount of silver added.

실시예 1Example 1

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 의해 레드설파이드 양자점을 포함하는 유리의 제조 방법을 설명하기 위한 흐름도이다. 1 is a flow chart for explaining a method of manufacturing a glass including red sulfide quantum dots according to a first embodiment of the present invention.

구체적으로, 제1 실시예는 열처리를 이용하여 은 나노 입자를 함유한 레드설파이드 양자점을 포함하는 유리의 제조 방법에 관한 것이다. 기지 유리재를 준비한다(스텝 S100). Specifically, the first embodiment relates to a method for producing glass containing red sulfide quantum dots containing silver nanoparticles using heat treatment. A base glass material is prepared (step S100).

기지 유리재의 예로 Ⅳ-Ⅵ 반도체 양자점의 용해도가 높은 (최대 약 1mol%) 초기 조성 50SiO2-35Na2O-5Al2O3-10ZnO을 사용하였다. 기지 유리재는 분말 형태이며, 조성은 몰%로 표시한 것이다. 실리콘 산화물(SiO2)은 유리 망목 형성제로, 아연 산화물(ZnO)과 알루미늄 산화물(Al2O3)은 첨가제 산화물로, 소디움 카본네이트(Na2CO3)는 유리의 용융점을 낮추기 위해 각각 첨가하였다.As an example of the base glass, an initial composition of 50SiO 2 -35Na 2 O-5Al 2 O 3 -10ZnO having a high solubility (up to about 1 mol%) of IV-VI semiconductor quantum dots was used. The base glass material is in powder form and its composition is expressed in mol%. Silicon oxide (SiO 2 ) was added as a glass network agent, zinc oxide (ZnO) and aluminum oxide (Al 2 O 3 ) were added as additive oxides, and sodium carbonate (Na 2 CO 3 ) was added to lower the melting point of glass .

레드(Pb) 및 설퍼(S)를 포함하는 레드설파이드 화합물과 은 산화물을 준비한다(스텝 S120). 본 실시예에서, 레드설파이드 화합물의 예로 2ZnS-xPbO(x=0.8-1.0)을 이용하였고, 은 산화물의 예로 yAg2O (y=10 내지 30 ppm)를 이용하였다. 레드설파이드 화합물에서 PbO와 함께 PbS 대신 ZnS를 다량 첨가하여 설퍼(S)의 휘발을 억제하였다. 레드설파이드 화합물 및 은 산화물은 조성은 몰%로 표시한 것이다. A red sulfide compound including red (Pb) and sulfur (S) and a silver oxide are prepared (step S120). In this embodiment, 2ZnS-xPbO (x = 0.8-1.0) was used as an example of the red sulfide compound, and yAg 2 O (y = 10-30 ppm) was used as an example of the silver oxide. In the red sulphide compound, ZnS was added in large amount instead of PbS together with PbO to suppress volatilization of sulfur (S). The composition of the red sulfide compound and the silver oxide is represented by mol%.

계속하여, 기지 유리재에 레드설파이드 화합물과 은 산화물을 혼합하여 기지(base) 혼합물을 제조한다(스텝 S140). 즉, 50SiO2-35Na2O-5Al2O3-10ZnO의 기지 유리재에 2ZnS-xPbO (x=0.8 내지 1.0) 조성과 yAg2O (y=10 내지 30 ppm) 조성을 첨가한 기지 혼합물을 제조한다. 본 실시예에서, 기지 혼합물은 약 12시간 동안 볼 밀(ball mill) 등에서 혼합하여 제조하였다. Subsequently, a base mixture is prepared by mixing red sulfide compound and silver oxide in a base glass material (step S140). That is, a base mixture was prepared by adding 2ZnS-xPbO (x = 0.8 to 1.0) and yAg 2 O (y = 10 to 30 ppm) to a base glass of 50SiO 2 -35Na 2 O-5Al 2 O 3 -10ZnO do. In this example, the base mixture was prepared by mixing in a ball mill or the like for about 12 hours.

기지 혼합물을 용융시켜 유리 용융체를 형성한다(스텝 S160). 본 실시예에서는 기지 혼합물을 알루미나(Al2O3) 도가니에 담고, 1300 내지 1350℃의 퍼니스(furnace, 노)에서 약 30분 내지 1시간동안 용융시켜 유리 용융체를 형성하였다. The base mixture is melted to form a glass melt (step S160). In this embodiment, the base mixture is placed in an alumina (Al 2 O 3 ) crucible and melted in a furnace at 1300 to 1350 ° C for about 30 minutes to 1 hour to form a glass melt.

다음에, 유리 용융체를 냉각시켜 레드설파이드 및 은이 포함된 유리를 제조한다(스텝 S180). 본 실시예에서는, 유리 용융체를 청동 주형에 부어서 청동판으로 눌러 상온으로 급랭시켜 유리를 제조하였다. Next, the glass melt is cooled to produce glass containing red sulphide and silver (step S180). In this embodiment, the glass melt was poured into a bronze mold and pressed with a bronze plate to quench it to room temperature to produce glass.

계속하여, 필요에 따라서 유리를 소둔처리할 수 있다(스텝 S190). 소둔처리는 유리 용융체의 냉각시에 유리내에 발생할 수 있는 응력을 제거하기 위한 것으로, 본 실시예에서는 유리 전이 온도보다 낮은 약 350℃에서 약 3시간 수행하고, 퍼니스에서 냉각시켰다. 앞서 설명한 바와 같이 소둔처리는 수행하지 않을 수도 있다. Subsequently, the glass can be annealed as required (step S190). The annealing treatment is performed to remove the stress that may occur in the glass when the glass melt is cooled. In this embodiment, the annealing is performed at about 350 DEG C, which is lower than the glass transition temperature, for about 3 hours, and the furnace is cooled. The annealing treatment may not be performed as described above.

이렇게 만들어진 유리를 열처리하여 유리내에 은 나노 입자 및 레드설파이드 양자점을 석출시킨다(스텝 S200). 본 실시예에서는, 은 산화물의 농도에 따른 유리 샘플을 10mm(길이) X 10mm(폭) X2mm(두께)로 절단한 후, 열처리하였다. The glass thus formed is heat-treated to deposit silver nanoparticles and red sulfide quantum dots in the glass (Step S200). In this embodiment, a glass sample according to the concentration of silver oxide was cut into 10 mm (length) X 10 mm (width) X 2 mm (thickness) and then heat-treated.

열처리는 은 나노 입자 및 레드설파이드 양자점이 유리내에 석출될 수 있는 온도에서 수행하였다. 즉, 열처리 조건은 430 내지 500℃의 온도에서 5 내지 20시간이었다. 열처리한 후 석출된 레드설파이드 양자점의 반지름은 1 내지 8nm의 크기 분포를 가졌다. 은의 첨가로 인해 흡수(흡광) 계수와 형광 강도는 모두 증가하였다. The heat treatment was performed at a temperature at which silver nanoparticles and red sulfide quantum dots could be precipitated in the glass. That is, the heat treatment conditions were 5 to 20 hours at a temperature of 430 to 500 ° C. The radius of the red sulfide quantum dots deposited after the heat treatment had a size distribution of 1 to 8 nm. Absorption (absorption coefficient) and fluorescence intensity increased with the addition of silver.

은 20ppm을 첨가한 유리에서는 460℃에서 10시간 열처리시 365nm에서 흡수가 나타나기 시작했다. 이 흡수 데이터는 은이 유리 재료 내에서 Ag7, Ag9 등의 은 클러스터를 형성하며 이 나노 클러스터가 레드설파이드 양자점 형성에 큰 영향을 미친다는 증거로 볼 수 있다. 은 나노 클러스터는 레드설파이드 양자점의 형성을 촉진하며 광학 효과를 향상시키는 것으로 생각된다. In glass doped with 20 ppm, absorption started at 365 nm when heat treatment was performed at 460 ° C for 10 hours. This absorption data is evidence that silver forms silver clusters such as Ag 7 and Ag 9 in the glass material and that the nanoclusters have a significant effect on the formation of red sulfide quantum dots. Silver nanocrystals are believed to promote the formation of red sulfide quantum dots and enhance optical effects.

아래 표 1은 은의 첨가량에 따른 흡수 파장(

Figure pat00001
), 흡수 계수(
Figure pat00002
), 양자점 크기(반지름)의 계산값(
Figure pat00003
)의 일부를 나타낸 것이다. Table 1 below shows absorption wavelengths depending on the amount of silver added
Figure pat00001
), Absorption coefficient (
Figure pat00002
), The calculated value of the quantum dot size (radius)
Figure pat00003
). ≪ / RTI >

열처리
온도
(℃)
Heat treatment
Temperature
(° C)

Figure pat00004
(nm)
Figure pat00004
(nm)
Figure pat00005
(
Figure pat00006
)
Figure pat00005
(
Figure pat00006
)
R (nm)R (nm) 00 10
ppm
10
ppm
20
ppm
20
ppm
00 10
ppm
10
ppm
20
ppm
20
ppm
00 10
ppm
10
ppm
20
ppm
20
ppm
440440 695695 702702 751751 0.050.05 0.140.14 0.480.48 1.21.2 1.21.2 1.41.4 450450 783783 793793 841841 0.160.16 0.290.29 0.940.94 1.41.4 1.51.5 1.61.6 460460 976976 978978 977977 0.280.28 0.710.71 1.911.91 1.91.9 1.91.9 1.91.9 470470 12321232 12351235 12561256 0.750.75 1.421.42 3.653.65 2.42.4 2.42.4 2.52.5 480480 15801580 15871587 15831583 1.001.00 2.102.10 5.055.05 3.43.4 3.43.4 3.43.4

표 1에 보듯이, 460℃ 및 10시간 열처리 시편의 경우 은의 첨가로 인한 흡수 계수의 증가가 매우 크며, 이러한 경향은 다른 열처리 조건에서도 유사하게 나타난다. 흡수 계수는 양자점의 형성 밀도와 밀접하게 연관되어 있으며, 은의 첨가로 인해 양자점의 농도가 증가하였음을 알 수 있다. 또한, 은 산화물의 농도가 10ppm에서 20ppm으로 증가함에 따라, 레드설파이드 양자점의 반지름은 증가할 수 있다. 물론, 표 1에 도시하지는 않았지만 은 산화물의 농도가 30ppm으로 증가할 경우 레드설파이드 양자점의 반지름은 더 증가한다. As shown in Table 1, the increase of the absorption coefficient due to the addition of silver at 460 ° C. and 10 hours for the heat treated specimen is very large, and this tendency is similar in other heat treatment conditions. The absorption coefficient is closely related to the formation density of the quantum dots and the concentration of the quantum dots is increased due to the addition of silver. Also, as the concentration of silver oxide increases from 10 ppm to 20 ppm, the radius of the red sulfide quantum dot can increase. Of course, although not shown in Table 1, the radius of red sulfide quantum dots increases further when the concentration of silver oxide increases to 30 ppm.

최종적으로, 열처리를 통해 은 나노 입자 및 레드설파이드 양자점이 석출되면, 은 나노 입자를 함유한 레드설파이드 양자점을 포함하는 유리가 완성된다(스텝 S220).
Finally, when the silver nanoparticles and the red sulfide quantum dots are precipitated through the heat treatment, a glass containing the red sulfide quantum dots containing the silver nanoparticles is completed (step S220).

실시예 2Example 2

도 2는 본 발명의 제2 실시예에 의해 레드설파이드 양자점을 포함하는 유리의 제조 방법을 설명하기 위한 흐름도이다. FIG. 2 is a flowchart for explaining a method of manufacturing a glass including red sulfide quantum dots according to a second embodiment of the present invention.

구체적으로, 제2 실시예는 이온 주입법을 이용하여 은 나노 입자를 함유한 레드설파이드 양자점을 포함하는 유리의 제조 방법에 관한 것이다. 제1 실시예와 같이 기지 유리재를 준비한다(스텝 S300). 다시 말해, 기지 유리재는 제1 실시예의 스텝 100과 동일하게 재료로 준비한다. Specifically, the second embodiment relates to a method of manufacturing a glass including red sulfide quantum dots containing silver nanoparticles using an ion implantation method. The base glass is prepared as in the first embodiment (step S300). In other words, the base glass is prepared from the same material as the step 100 of the first embodiment.

레드(Pb) 및 설퍼(S)를 포함하는 레드설파이드 화합물을 준비한다(스텝 S320). 본 실시예에서, 레드설파이드 화합물의 예로 제1 실시예와 같이 2ZnS-xPbO(x=0.8-1.0)을 이용한다. 레드설파이드 화합물에서 PbO와 함께 PbS 대신 ZnS를 다량 첨가하여 설퍼(S)의 휘발을 억제하였다. 레드설파이드 화합물은 조성은 몰%로 표시한 것이다. A red sulfide compound containing red (Pb) and sulfur (S) is prepared (step S320). In this embodiment, 2ZnS-xPbO (x = 0.8-1.0) is used as an example of the red sulfide compound as in the first embodiment. In the red sulphide compound, ZnS was added in large amount instead of PbS together with PbO to suppress volatilization of sulfur (S). The composition of the red sulfide compound is expressed in mol%.

계속하여, 기지 유리재에 레드설파이드 화합물을 혼합하여 기지(base) 혼합물을 제조한다(스텝 S340). 즉, 50SiO2-35Na2O-5Al2O3-10ZnO의 기지 유리재에 2ZnS-xPbO (x=0.8 내지1.0) 조성을 첨가한 기지 혼합물을 제조한다. 본 실시예에서, 기지 혼합물은 약 12시간 동안 볼 밀(ball mill) 등에서 혼합하여 제조하였다. Subsequently, the base glass is mixed with the red sulfide compound to prepare a base mixture (step S340). That is, a base mixture is prepared by adding 2ZnS-xPbO (x = 0.8 to 1.0) composition to a base glass of 50SiO 2 -35Na 2 O-5Al 2 O 3 -10ZnO. In this example, the base mixture was prepared by mixing in a ball mill or the like for about 12 hours.

기지 혼합물을 용융시켜 유리 용융체를 형성한다(스텝 S360). 본 실시예에서는 기지 혼합물을 알루미나(Al2O3) 도가니에 담고, 1300 내지 1350℃의 퍼니스(furnace, 노)에서 약 30분 내지 1시간동안 용융시켜 유리 용융체를 형성하였다. The base mixture is melted to form a glass melt (step S360). In this embodiment, the base mixture is placed in an alumina (Al 2 O 3 ) crucible and melted in a furnace at 1300 to 1350 ° C for about 30 minutes to 1 hour to form a glass melt.

다음에, 유리 용융체를 냉각시켜 레드설파이드가 포함된 유리를 제조한다(스텝 S380). 본 실시예에서는, 유리 용융체를 청동 주형에 부어서 청동판으로 눌러 상온으로 급랭시켜 유리를 제조하였다. Next, the glass melt is cooled to produce glass containing red sulfide (step S380). In this embodiment, the glass melt was poured into a bronze mold and pressed with a bronze plate to quench it to room temperature to produce glass.

계속하여, 필요에 따라서 레드 설파이드가 포함된 유리를 소둔처리할 수 있다(스텝 390). 소둔처리는 유리 용융체의 냉각시에 유리내에 발생할 수 있는 응력을 제거하기 위한 것으로, 본 실시예에서는 유리 전이 온도보다 낮은 약 350℃에서 약 3시간 수행하고, 퍼니스에서 냉각시켰다. 앞서 설명한 바와 같이 소둔처리는 수행하지 않을 수도 있다. Subsequently, the glass containing red sulfide may be annealed (step 390) if necessary. The annealing treatment is performed to remove the stress that may occur in the glass when the glass melt is cooled. In this embodiment, the annealing is performed at about 350 DEG C, which is lower than the glass transition temperature, for about 3 hours, and the furnace is cooled. The annealing treatment may not be performed as described above.

레드설파이드가 포함된 유리에 은 용액으로 은 이온 주입을 실시한다(스텝 S400). 즉, 유리를 10mmㅧ10mmㅧ2mm 크기로 잘라 광학 폴리싱 후, AgNO3 용액 혹은 AgNO3-NaNO3 용융염으로 이온주입을 시행하였다. Silver ions are implanted into the glass containing red sulfide with a silver solution (step S400). That is, the glass was cut into a size of 10 mm ㅧ 10 mm ㅧ 2 mm, and then subjected to optical polishing, followed by ion implantation with AgNO 3 solution or AgNO 3 -NaNO 3 molten salt.

AgNO3의 경우 증류수로 0.5 내지 10 mol/L의 농도로 희석한 용액에서 20 내지 90℃ 및 5 내지 50시간 이온 주입을 시행하였다. 유리내 은 이온 주입층은 50 내지 1000nm까지 나타났다. AgNO3-NaNO3 용융염의 경우, AgNO3의 농도는 0.5 내지 5mol/L로 조절하였고 이온 주입 온도는 310 내지 330℃, 시간은 1 내지 30분 조건 하에서 이온 주입을 시행하였다. 이렇게 될 경우, 은 이온 주입층은 1 내지 10㎛로 나타났다. In the case of AgNO 3 , ion implantation was performed at 20 to 90 ° C for 5 to 50 hours in a solution diluted with distilled water at a concentration of 0.5 to 10 mol / L. The silver ion-implanted layer in the glass showed up to 50 to 1000 nm. In the case of the AgNO 3 -NaNO 3 molten salt, the concentration of AgNO 3 was adjusted to 0.5 to 5 mol / L, the ion implantation temperature was 310 to 330 ° C., and the time was 1 to 30 minutes. In this case, the silver ion-implanted layer was 1 to 10 mu m.

이렇게 만들어진 유리를 열처리하여 유리내에 은 나노 입자 및 레드설파이드 양자점을 석출시킨다(스텝 S420). 은 이온 주입을 끝낸 시편은 은 나노 입자 및 레드설파이드 양자점을 석출시키기 위해 열처리를 진행하였다. 열처리는 400 내지 500℃의 온도에서 5 내지 20시간 동안 진행하였다. The glass thus formed is heat-treated to deposit silver nanoparticles and red sulfide quantum dots in the glass (Step S420). After the ion implantation, the specimens were annealed to precipitate silver nanoparticles and red sulfide quantum dots. The heat treatment was carried out at a temperature of 400 to 500 DEG C for 5 to 20 hours.

레드설파이드 양자점의 반지름은 1 내지 10nm 범위로 나타났다. 은 이온 주입층과 미주입층에서 양자점의 성장 양상이 다르게 나타났는데, 은 이온 주입층에서 양자점의 크기가 더 크게 나타났으며 크기에 따라 크게 두 부류의 양자점군으로 나뉘었다. The radius of the red sulfide quantum dots ranged from 1 to 10 nm. In the silver ion implantation layer, the size of the quantum dots was larger and the size of the quantum dots was divided into two groups.

이온 주입 조건에 따라서도 양자점 형성 양상이 다른데 이는 은의 첨가량에 따라 양자점의 크기가 변화함을 의미한다. 다시 말해, 레드설파이드 양자점의 크기와 위치는 이온 주입법으로 석출시킨 은 나노 입자를 통해 조절할 수 있다.According to the ion implantation conditions, the formation of the quantum dot is different, which means that the size of the quantum dot changes according to the amount of silver added. In other words, the size and location of the red sulfide quantum dot can be controlled by silver nanoparticles precipitated by ion implantation.

최종적으로, 열처리를 통해 은 나노 입자 및 레드설파이드 양자점이 석출되면, 은 나노 입자를 함유한 레드설파이드 양자점을 포함하는 유리가 완성된다(스텝 S440).Finally, when the silver nanoparticles and red sulfide quantum dots are precipitated through the heat treatment, a glass containing red sulfide quantum dots containing silver nanoparticles is completed (step S440).

도 3은 본 발명의 제1 실시예에 의해 제조된 은 나노 입자를 함유한 레드설파이드 양자점을 포함하는 유리의 흡수 스펙트럼을 도시한 도면이다. FIG. 3 is a diagram showing an absorption spectrum of a glass including red sulfide quantum dots containing silver nanoparticles prepared by the first embodiment of the present invention. FIG.

구체적으로, 실시예 1에 의해 460℃에서 10시간 열처리한 후 은 산화물의 농도에 따른 유리의 흡수 스펙트럼을 도시한 것이다. X축은 파장이고, 좌측 Y축은 흡수 계수이며, 우측 Y축은 형광 강도를 나타낸다. 도 3에서, 20 Ag2O, 10Ag2O는 은 산화물의 첨가 농도가 20ppm 및 10ppm을 의미하며, No Ag2O는 은 산화물이 첨가되지 않는 경우를 나타낸다. 도 3에 보듯이 은이 첨가함에 따라 광 흡수 및 형광 강도가 증가함을 알 수 있다. Specifically, the absorption spectrum of the glass according to the concentration of the oxide after heat treatment at 460 占 폚 for 10 hours according to Example 1 is shown. The X axis is the wavelength, the left Y axis is the absorption coefficient, and the right Y axis is the fluorescence intensity. In Figure 3, 20 Ag 2 O, 10Ag 2 O is means that the 20ppm and 10ppm concentration of oxides and, No Ag 2 O is shows the case the oxide is not added. As shown in FIG. 3, it can be seen that light absorption and fluorescence intensity are increased by the addition of silver.

도 4는 본 발명의 본 발명의 제2 실시예에 제조된 은 나노 입자를 함유한 레드설파이드 양자점을 포함하는 유리의 단면 사진이다. FIG. 4 is a cross-sectional photograph of a glass including red sulfide quantum dots containing silver nanoparticles prepared according to the second embodiment of the present invention.

구체적으로, 도 4는 AgNO3의 경우 증류수로 0.5 내지 10 mol/L의 농도로 희석한 용액을 이용하여 80℃에 이온주입하고, 440℃의 온도에서 10시간 동안 열처리하여 제조한 유리 시편의 주사 전자 현미경 사진이다. 도 4에 보듯이 500nm의 이온 주입층을 확인할 수 있다. 도 4에서, 상부층은 Pt 코팅층이고, I.E. Area는 이온 주입층이고, Non I.E. Area는 이온 주입이 되지 않는 층을 의미한다. Specifically, FIG. 4 shows the results of the injection of a glass specimen prepared by ion-implanting AgNO 3 at 80 ° C. using a solution diluted with distilled water at a concentration of 0.5 to 10 mol / L and heat-treating the specimen at 440 ° C. for 10 hours It is an electron microscope photograph. As shown in FIG. 4, an ion implanted layer of 500 nm can be confirmed. 4, the upper layer is a Pt coating layer, the IE Area is an ion implanted layer, and the Non IE Area is a layer not implanted with ions.

도 5 및 도 6은 본 발명의 제2 실시예에 의해 제조된 은 나노 입자를 함유한 레드설파이드 양자점을 포함하는 유리의 형광 스펙트럼을 도시한 도면이다. FIGS. 5 and 6 are diagrams showing fluorescence spectra of a glass containing red nanoparticle-containing red sulfide quantum dot prepared by the second embodiment of the present invention. FIG.

구체적으로, 도 5 및 도 6은 각각 AgNO3의 경우 증류수로 0.5 내지 10 mol/L의 농도로 희석한 용액을 이용하여 60℃ 및 80℃에서 이온주입한 후, 460℃에서 10시간 열처리한 유리의 형광(포토루미네슨스, photoluminescence(PL)) 스펙트럼을 도시한 것이다. 5 and 6 are graphs showing the results of the ion implantation at 60 ° C. and 80 ° C. using a solution diluted to a concentration of 0.5 to 10 mol / L with distilled water for AgNO 3 , (Photoluminescence (PL)) spectrum of fluorescence.

X축은 파장이고, Y축의 형광 강도는 정규화(normalized)한 값이다. 도 5 및 도 6에서, IE area는 이온 주입층이 형성된 것을 의미하며, all area는 이온 주입층이 형성되지 않은 샘플을 의미한다. 유리의 형광 파장, 즉 피크 파장은 이온주입층이 있음으로 인해 1150nm에 1510nm나 1420 nm의 장파장쪽으로 이동함을 알 수 있다. 이는 레드설파이드 양자점의 크기나 밀도가 커짐을 의미한다. The X-axis is the wavelength, and the fluorescence intensity of the Y-axis is the normalized value. 5 and 6, the IE area means that the ion-implanted layer is formed, and the all area means the sample in which the ion-implanted layer is not formed. It can be seen that the fluorescence wavelength of the glass, that is, the peak wavelength, shifts toward 1150 nm or 1510 nm or 1420 nm long wavelength due to the presence of the ion implanted layer. This means that the size and density of the red sulfide quantum dot are increased.

이상과 같이 본 발명의 일 실시예는 은 나노 입자와 같은 핵생성 보조 재료를 이용하여 레드설파이드 양자점의 석출을 제어한다. 본 발명의 일 실시예는 은 나노 입자와 같은 핵생성 보조 재료의 첨가 양을 조절하여 레드설파이드 양자점의 크기나 분포, 즉 밀도를 제어할 수 있으며 양자점의 광 흡수 및 형광 강도를 조절할 수 있다. As described above, one embodiment of the present invention controls precipitation of red sulfide quantum dots using a nucleation auxiliary material such as silver nanoparticles. One embodiment of the present invention can control the size, distribution, or density of red sulfide quantum dots by controlling the addition amount of nucleation auxiliary material such as silver nanoparticles, and can control light absorption and fluorescence intensity of the quantum dots.

S100-S220: 열처리법에 의해 은 나노 입자를 함유한 레드설파이드 양자점을 포함하는 유리의 제조 단계, S300-S440: 이온 주입법에 의해 은 나노 입자를 함유한 레드설파이드 양자점을 포함하는 유리의 제조 단계 S100-S220: a step of preparing a glass containing red sulfide quantum dots containing silver nanoparticles by heat treatment; S300-S440: a step of preparing glass containing red sulfide quantum dots containing silver nanoparticles by ion implantation

Claims (8)

기지 유리재에 레드설파이드 화합물 및 은 산화물을 혼합하여 기지 혼합물을 제조하는 단계;
상기 기지 혼합물을 용융하여 유리 용융체를 제조하는 단계;
상기 유리 용융체를 냉각시켜 유리를 제조하는 단계;
상기 유리를 열처리하여 상기 은 산화물의 농도에 따라 크기나 분포가 조절되는 레드설파이드 양자점을 석출하는 단계; 및
상기 은 산화물에 포함된 은 나노 입자를 함유한 레드설파이드(PbS) 양자점을 포함하는 유리를 완성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 유리의 제조 방법.
Mixing a base glass material with a red sulfide compound and a silver oxide to prepare a base mixture;
Melting the base mixture to produce a glass melt;
Cooling the glass melt to produce glass;
Heat treating the glass to precipitate a red sulfide quantum dot whose size or distribution is controlled according to the concentration of the silver oxide; And
(PbS) quantum dots containing silver nanoparticles contained in said silver oxide. ≪ RTI ID = 0.0 > 8. < / RTI >
제1항에 있어서, 상기 기지 유리재는 50SiO2-35Na2O-5Al2O3-10ZnO의 조성을 가지며, 상기 레드설파이드 화합물은 2ZnS-xPbO(x=0.8 내지1.0)의 조성을 가지며, 상기 은 산화물은 yAg2O(y=10 내지 30 ppm)의 조성을 가지는 것을 특징으로 하는 유리의 제조 방법.The method of claim 1, wherein the base glass has a composition of 50SiO 2 -35Na 2 O-5Al 2 O 3 -10ZnO, the red sulfide compound has a composition of 2ZnS-xPbO (x = 0.8-1.0) and yAg 2 O (y = 10 to 30 ppm). 제2항에 있어서, 상기 은 산화물의 농도가 10ppm에서 30ppm으로 증가함에 따라, 상기 레드설파이드 양자점의 반지름은 증가하는 것을 특징으로 하는 유리의 제조 방법.3. The method of claim 2, wherein as the concentration of the silver oxide increases from 10 ppm to 30 ppm, the radius of the red sulfide quantum dot is increased. 제1항에 있어서, 상기 유리 용융체를 냉각시켜 유리를 제조하는 단계 후에, 상기 유리를 소둔처리하는 단계를 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 유리의 제조 방법. The method of manufacturing a glass according to claim 1, further comprising a step of annealing the glass after cooling the glass melt to produce glass. 제1항에 있어서, 상기 유리 용융체를 냉각시키는 단계는,
상기 유리 용융체를 상온으로 급랭시켜 수행하는 것을 특징으로 하는 유리의 제조 방법.
The method of claim 1, wherein cooling the glass melt comprises:
Wherein the glass melt is quenched to room temperature.
기지 유리재에 레드설파이드 화합물을 혼합하여 기지 혼합물을 제조하는 단계;
상기 기지 혼합물을 용융하여 유리 용융체를 제조하는 단계;
상기 유리 용융체를 냉각시켜 유리를 제조하는 단계;
상기 유리에 은 이온 주입을 실시하는 단계;
상기 은 이온 주입된 유리를 열처리하여 상기 이온 주입된 은 농도에 따라 크기나 분포가 조절되는 레드설파이드 양자점을 석출하는 단계; 및
상기 은 나노 입자를 함유한 레드설파이드 양자점을 포함하는 유리를 완성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 유리의 제조 방법.
Mixing a base glass material with a red sulfide compound to prepare a base mixture;
Melting the base mixture to produce a glass melt;
Cooling the glass melt to produce glass;
Performing silver ion implantation on the glass;
Heat-treating the silver-ion-implanted glass to deposit red sulfide quantum dots whose size or distribution is controlled according to the ion-implanted silver concentration; And
Wherein the silver nanoparticles comprise a red sulfide quantum dot containing silver nanoparticles.
제6항에 있어서, 상기 기지 유리재는 50SiO2-35Na2O-5Al2O3-10ZnO의 조성을 가지며, 상기 레드설파이드 화합물은 2ZnS-xPbO(x=0.8-1.0)의 조성을 가지는 것을 특징으로 하는 유리의 제조 방법.The glass according to claim 6, wherein the base glass has a composition of 50SiO 2 -35Na 2 O-5Al 2 O 3 -10ZnO, and the red sulfide compound has a composition of 2ZnS-xPbO (x = 0.8-1.0) ≪ / RTI > 제6항에 있어서, 상기 은 이온 주입은 AgNO3 증류수 용액이나 AgNO3-NaNO3 용융염을 이용하여 수행하는 것을 특징으로 하는 유리의 제조 방법. The method of claim 6, wherein the silver ion implantation is performed using a AgNO 3 distilled water solution or AgNO 3 -NaO 3 molten salt.
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