KR20120080601A

KR20120080601A - 예를 들어 ｒｆｉｄ 트랜스폰더 시스템용 안테나 구조

Info

Publication number: KR20120080601A
Application number: KR1020127009297A
Authority: KR
Inventors: 카를레 자크콜라
Original assignee: 테크놀로지안 투트키무스케스쿠스 브이티티
Priority date: 2009-09-18
Filing date: 2010-09-14
Publication date: 2012-07-17
Also published as: EP2478586A1; US9082058B2; CN102576927A; US20120206313A1; WO2011033172A1; EP2478586A4; KR101657157B1; JP2013505618A; FI20095965A0; JP5778155B2; US20150311578A1; US9502749B2; CN102576927B; EP2478586B1

Abstract

본 발명은 기판(3), 기판(3)에 의해 지지되는 도전 재료(1)의 안테나 및 안테나(15)를 회로(2)에 결합하기 위한 결합 수단(11a, 11b)을 포함하는 장거리용 RFID 칩(2)을 위한 안테나 구조에 관한 것이다. 본 발명에 따르면, 안테나(15)는 자기 다이폴이고, 결합 수단(11a, 11b)은 안테나 도전체(1)의 연장부들(11a, 11b)에 의해 형성된다.

Description

예를 들어 ＲＦＩＤ 트랜스폰더 시스템용 안테나 구조{Antenna construction, for example for an RFID transponder system}

본 발명은 청구항 1의 전제부에 따른 안테나 구조에 관한 것이다.

본 발명은 또한 안테나 구조의 제조 방법에 관한 것이다.

안테나는 예를 들어 원격-식별자 회로들과 함께 사용된다.

지금까지 UHF RFID 트랜스폰더들의 시장은 금속 플랫폼에 대해서도 응용 가능한 더 고가의 강성 태그들(rigid tags) 및 저가의 라벨들(cheap labels)로 분할되었다. 전형적인 강성 트랜스폰더들은 크고 비싸고 따라서 크고 비싼 아이템들에 대해서만 응용 가능하다. 일부 작은 강성의 태그들이 시장에 진입했지만 큰 태그들보다 상당히 낮은 성능을 갖고 있다.

오늘날의 시장에는, 이미 이용 가능한 몇몇 소형 금속-장착 가능 RFID 트랜스폰더들이 있다. 이러한 상황에서, "소형"은 트랜스폰더의 풋프린트 영역(footprint area)이 10 cm²보다 작고 최대 치수가 파장의 1/4(86 mm @ 867 MHz)보다 작은 것으로 정의될 수 있다. 일반적으로, 트랜스폰더의 크기를 작게 하는 것은 항상 일부 절충안들로 유도되는 것이 이들 작은 태그들이 갖는 문제이다. 실제로, 이들 절충안들은 수동 RFID 시스템의 신뢰성 및 성능을 평가하기 위한 중요 파라미터인 판독 범위를 감소시킨다.

우선, 트랜스폰더의 방사 효율은 크기 제한에 의해 감소된다. 이것은 기본적으로 완전히 극복될 수 없고, 단지 예컨대 최적 재료들에 의해 최소화되는 것이 물리적인 사실이다. 그러나, 매우 작은 안테나들에 의해, 마이크로칩과 안테나 사이의 불량한 임피던스는 전형적으로 감소된 방사 효율보다 판독 범위에 있어서 휠씬 더 많은 부분의 손실을 야기한다. 최적 동작을 위해 필요로 되는 안테나와 마이크로칩 사이의 공액 임피던스 결합은 전형적으로 매우 작은 안테나 및 현재의 방법들로는 달성될 수 없다. 매우 작은 태그들을 갖는 가장 전형적인 해결방법은 부분적인 해결방법인, 단지 리액티브 결합(reactive coupling)을 제공하는 것이다. 안테나들을 갖는 더 복잡한 무선 시스템들, 예컨대 모바일 디바이스들 및 기지국들의 경우에, 요구되는 이러한 임피던스 매치는 종종 이산 구성요소들(커패시터들 및 인덕터들) 또는 마이크로스트립 요소들(microstrip elements)을 이용하여 달성된다. 작은 RFID 태그들에 대해, 마이크로스트립 요소들은 너무 많다. 이산 구성요소들은 충분히 작을 수 있지만, 이들은 가격 및 처리안정성의 이유들 때문에 논외이다.

오늘날 시장에 존재하는 소형의 금속-장착 트랜스폰더들은 다소 타협된 성능을 가진다. 소형 안테나의 낮은 방사 효율에 부가하여, 이들의 판독 범위는 마이크로칩과 안테나 사이의 불량한 임피던스 매치에 의해 눈에 띄게 감소된다.

수개의 상이한 형태의 RFID 트랜스폰더; 패시브(passive), 세미패시브(또는 보조 배터리가 달리 패시브) 및 액티브, 및 접속이 유도적으로, 용량적으로 또는 무선-주파수 방사 필드의 도움을 받아 만들어질 수 있는 것들이 있다. 패시브 트랜스폰더들은 이들이 이들을 목표로 삼은 RF 필드로부터 필요로 하는 전기 에너지를 발생한다. 액티브 및 세미패시브 트랜스폰더들에는, 별도의 배터리 또는 다른 전원이 있다. 유도적으로 접속된 RFID 및 원격 센서 시스템들은 전형적으로 100-125 kHz 또는 13.56 MHz의 주파수들에서 동작한다.

본 발명의 가장 바람직한 실시예들은 무선-주파수 방사 필드를 이용하여 판독 가능한 패시브 RFID 트랜스폰더들에 관한 것이지만, 안테나 유형은 안테나가 소형(smallsize)과 결합되는 긴 판독 거리를 가지고, 몇몇 베이스, 예를 들어 상품 또는 패키지들의 표면에 부착될 수 있게 하기 위해 필요로 되는 모든 응용들에 유리하다. 이와 같은 표면은 통상 평탄하다. 본 발명에 가장 유리하게 적합한 주파수들은 869 MHz 및 2.45 Ghz이다.

RFID 트랜스폰더는 그것이 판독 디바이스로부터 전송 명령을 수신하고 판독 디바이스가 그것을 무선 신호로 방사할 때, 후방산란에 의해 그것의 메모리의 내용들을 전송하는, 안테나 및 메모리를 갖는 마이크로회로를 포함하는 소형 디바이스이다. 패시브 RFID 트랜스폰더에는, 배터리가 없고, 대신에 그것은 그것에 전송된 무선 신호로부터 그것이 필요로 하는 동작 전력을 끌어낸다. 트랜스폰더와 판독 디바이스 사이의 전력 및 정보의 전달은 자기장, 전기장 또는 방사 무선 신호의 도움을 받아 일어날 수 있다. 많은 트랜스폰더 응용들에 있어서, 심지어 수 미터들까지 긴 판독기와 트랜스폰더 사이의 거리는 중요하다.

본 발명은 전체적으로 새로운 유형의 안테나 및 이 안테나를 제조하기 위한 방법을 만들어내기 위해 종래 기술의 적어도 일부 결함들을 제거하고자 한다.

본 발명은 특히 장거리 동작을 위해 고성능, 소형 및 저가의 올-플랫폼(all-platform) 트랜스폰더를 가능하게 하는 기술적 해결방법들에 대한 것이다.

본 발명은 장거리 RFID 트랜스폰더에서 안테나(라디에이터)로서 자기 다이폴을 사용하는 것에 기초한다. 본 발명의 유리한 해결방법에 있어서, 공액 임피던스 매치(conjugate impedance match)는 안테나의 통합 부분에 의해 용량성 임피던스 트랜스포머에 의해 라디에이터로부터 마이크로칩까지 형성된다. 소형 자기 다이폴(루프) 안테나의 피드 임피던스의 저항 부분은 매우 낮다. 이러한 유형의 안테나의 리액턴스는 포지티브이고 저항에 비해 매우 높다. 한편, 마이크로칩의 임피던스는 용량성이고 실수부는 비매칭 루프 안테나의 것보다 높다. 이것은 용량성 임피던스 트랜스포머를 이용하여 자기 다이폴 안테나와 마이크로칩 사이의 완전한 공액 임피던스 매치를 달성하는 것을 가능하게 한다. 안테나를 만드는 새로운 방법은 이러한 용량성 트랜스포머를 제공하고 따라서 어떠한 외부 요소들 없이 안테나의 일부로서 완전한 임피던스 매치를 제공한다.

본 발명은 크기가 작지만 여전히 긴 판독 범위를 제공하는 올-플랫폼 UHF RFID 트랜스폰더(또는 태그)에 대한 것이다. 본 발명은 또한 트랜스폰더의 저비용 및 고반복성(repeatability) 제조 공정을 가능하게 하는 해결방법들을 포함한다. 양호한 성능 및 플랫폼 허용오차(tolerance)는 라디에이터로서 자기 다이폴을 이용하는 것 및 더욱 중요하게는 안테나와 마이크로칩 사이에 공액 임피던스 매치를 제공하는 것에 기초한다. 이것은 전형적으로 매우 작은 트랜스폰더들에 의해서는 곤란하다. 임피던스 매치는 임피던스 트랜스포머를 구현하는 새로운 방법으로 달성된다. 이것은 표준 공정들 및 저가 및 일반적인 재료들로 달성된다.

더욱 상세하게는, 본 발명에 따른 안테나 구조는 청구항 1의 특징부에서 언급한 것을 특징으로 한다.

본 발명에 따른 방법은 또한 청구항 10의 특징부에 언급한 것을 특징으로 한다.

상당한 이점들이 본 발명의 도움을 받아 얻어진다.

긴 판독 범위로서, 소형, 플랫폼 허용오차 및 낮은 비용이 본 발명에 의해 달성될 수 있다.

예컨대 많은 금속 물체들에는 어느 정도까지는 대응하는 판독 범위를 갖는 트랜스폰더들보다 많이 작고 값싼 트랜스폰더가 태깅(tagged)될 수 있다.

그러므로, 안테나 유형은 그것이 부착되는 표면에 영향을 받지 않는다. 본 발명의 실시예에 따른 안테나 유형은 또한 제조가 경제적이다. 또한, 센서 구조는 또한 예를 들어 RFID 전자장치들과 용이하고 낮은 가격으로 결합될 수 있다.

다음에, 본 발명이 첨부 도면들에 따른 실시예들의 예들의 도움을 받아 검토된다.

도 1은 본 발명에 따른 하나의 안테나 구조의 사시도.
도 2는 본 발명에 따른 하나의 안테나 구조의 측단면도.
도 3은 본 발명에 따른 트랜스폰더의 등가 회로를 개략적으로 나타낸 도면.
도 4는 본 발명에 따른 다른 안테나 구조의 사시도.
도 5는 본 발명에 따른 다른 안테나 구조의 상면도.
도 6a는 도 4의 하나의 가능한 실시예를 더 상세히 나타낸 상면도.
도 6b는 도 4의 하나의 바람직한 실시예의 상면도.

본 발명에 따른 소형 트랜스폰더에 있어서, 기본 아이디어는 고가의 이산 구성요소들 없이 임피던스 매칭(impedance matching)을 만드는 것이다. 임피던스 매칭에 필요한 커패시터들은 안테나 구조의 금속 및 절연층들에 의해 형성되고, 따라서 이들을 고가의 부가 요소들을 사용하는 것 대신에 트랜스폰더의 부분으로서 통합한다. 이러한 유형의 통합된 커패시터들에 의해, 매우 높은 Q값들이 달성되는 데 그 이유는 이들의 영역이 표면 장착 구성요소들에 비해 클 수 있고 접촉 저항들이 무시 가능하기 때문이다. 본 발명은 또한 상기 구조를 여전히 처리하기 단순하고 용이하게 유지하는 마이크로칩, 통합된 커패시터들 및 안테나 자체를 결합하는 새로운 원리를 포함한다. 태그는 예컨대 플라스틱의 피스 주위에 가요성 인레이(flexible inlay)를 감싸서 만들어질 수 있다. 또, 인쇄 회로 보드 기술이 제조를 위해 이용될 수 있다. 이러한 후자의 경우에 있어서, 태그의 단부들에 전체 보드를 통한 단지 2개의 비어들(vias)이 요구된다. 고 유전율(high permittivity)(종종 소형 트랜스폰더들에 사용됨)을 갖는 재료들과 같은 임의의 특정 재료들이 요구되지 않는다. 대신, PE 또는 PP와 같은 저가의 플라스틱들은 트랜스폰더를 위한 매우 양호한 기판 재료들이다. 마이크로칩 및 금속 패턴들을 갖는 가요성 인레이들은 라벨 트랜스폰더들을 제조하기 위한 이들의 사용 때문에 존재하는 저가의 표준 롤-투-톨(roll-to-toll) 공정들을 이용하여 만들어질 수 있다. 마이크로칩에 대한 임피던스를 조정하기 위해 통합된 이산 용량들을 사용하는 자유도는 여전히 우리가 마이크로칩에 대해 정당한 임피던스를 얻을 수 있으면서 라디에이터로서 자기 다이폴을 사용할 수 있게 한다. 수직 자기 루프, 기술적으로 자기 다이폴은 작은 크기의 매우 효율적인 라디에이터이다. 그것은 또한 전기 다이폴과 달리 근접장 외란들(near field disturbances)에 별로 영향을 받지 않는다. 그러므로, 트랜스폰더는 용이하게 플랫폼을 더 포용력 있게 만들 수 있어, RFID 트랜스폰더에 대해 가장 흥미를 끄는 장착 플랫폼(most challenging mounting platform)인, 금속 표면 위에도 트랜스폰더의 사용을 허용한다. 자기 다이폴의 단지 큰 문제, 즉 마이크로칩에 대해 너무 낮은 피드 임피던스는 통합된 커패시터들에 의해 형성되는 임피던스 트랜스포머에 의해 극복될 수 있다. 임피던스 트랜스포머를 위한 커패시터들을 형성하는 방법은 용이하게 용량값들을 변화시키고 따라서 다양한 임피던스들을 매칭시키는 것을 가능하게 한다. 그 결과, 안테나 자체의 크기가 예컨대 특별한 응용의 요구들에 기초하여 자유롭게 선택될 수 있다.

매우 작은 트랜스폰더들, 특히 이 경우에는 높은 내부 Q값들을 갖는 하나의 일반적인 문제는 안테나의 협대역폭이다. 이것은 제조 공정의 허용 범위들에 대해 해볼만한 요건들을 설정하는 데, 그 이유는 치수(dimensioning)의 작은 변화가 판독 범위의 큰 감소를 일으킬 수 있기 때문이다. 본 발명에 따른 트랜스폰더는 이러한 문제에 대한 해결방법을 포함한다. 이러한 유형의 공정들에서의 전형적인 제조 에러는 금속층들 사이의 정렬 불량(misalignment)이기 때문에, 커패시터들은 비대칭으로 만들어지고 그 결과 이들의 전단 영역(shearing area)은 비록 층들이 서로에 대해 잘못 정렬될지라도 변하지 않을 것이다.

트랜스폰더의 구조는 이하의 도면들에 도시되어 있다. 도 1은 플라스틱 벽돌 형태로 기판(3) 주위에 안테나 도전체, 이 경우에는 포일 인레이(foil inlay; 1)를 벤딩하여 제조되는 트랜스폰더의 실제 기능적인 프로토타입(prototype)의 투명 중간층를 갖는 구조의 사시도이다. 도 2는 벤딩에 의해 제조되는 트랜스폰더의 측면도를 나타낸다. 트랜스폰더(10)는 얇은 플라스틱 캐리어 포일(5) 및 마이크로칩(2) 위에 금속 패턴들을 포함하는 인레이(1)를 포함한다. 이러한 얇은 가요성의 인레이(1)는 안테나 구조(15) 및 임피던스 형성 커패시터들(11a, 1lb)을 형성하기 위한 플라스틱 벽돌(3) 주위에 감긴다(wrapped). 임피던스 변환 커패시터들(11a, 1lb)은 영역 지점들(4a, 4b)에서 그 자신을 중첩하는 인레이(1)에 의해 형성된다. 상기 내용을 참조하면, 본 발명의 하나의 아이디어는 하나의 전극, 즉, 전형적으로 임베딩된 것이 더 크고, 다른 것, 즉, 작은 것이 큰 전극의 영역 위에 제조되도록 각각의 접속 커패시터의 상측 및 하측 전극들을 비대칭으로 만드는 것이다. 이러한 방법에 의해, 더 작은 전극은 커패시터의 용량값을 규정한다. 더 작은 전극을 선택함으로써, 그와 같은 그것의 면적은 정밀하게 제조하기 쉽고 또는 향후 정밀하게 조정하기 쉽고, 마이크로칩(2)과 안테나(15) 사이의 매우 양호한 결합이 달성될 수 있다. 즉, 커패시터들의 전극쌍들(11a, 11b)은 상이한 면적들의 전극들에 의해 형성된다. 도면에는 인레이의 중첩 부분들 사이에 선택적 얇은 플라스틱 시트(5)가 있다. 인레이의 플라스틱 캐리어의 재료 및 치수는 이러한 추가 부분이 요구되지 않도록 선택될 수 있다. 상기 구조의 등가 회로가 도 3에 도시되어 있다. 작은 자기 루프 라디에이터가 유도성이므로, 안테나 인덕턴스(La) 및 안테나 저항(Ra)의 직렬 접속으로 표현된다. 통합된 커패시터(Cp)(병렬 용량)는 도 2의 11b와 같고 Cs(직렬 용량)는 11a와 같다.

대안으로, 도 5에 따르면, 결합 전극들(11a, l1b)은 길고, 좁은 굽은 전극 갭(30)을 가진 평행한 핑거 전극들 형태로 동일 평면에 형성될 수 있다. 커패시터들(11a, 11b)의 값은 갭(30)의 길이 및 폭에 의해 조정될 수 있다.

도 4는 인쇄 회로 보드(PCB) 기술에 의해 제조되는 유사한 구조를 나타낸다. 이러한 기술을 이용하여, 트랜스폰더는 안테나 구조(15) 및 임피던스 변환 커패시터들(11a, 1lb)을 형성하는 3개의 금속 층들, 즉 그라운드 층(13), 중간층(14) 및 상부층(15)의 안테나 도전체(1)를 포함한다. 이들 층들은 비어들(12)에 의해 서로 접속된다. 이것은 또한 실제 프로토타입의 단면도이다. 양 트랜스폰더 프로토타입들(도 1 및 도 4)의 크기는 50 mm * 10 mm * 3 mm이지만, 상기 기술은 또한 더 작은 트랜스폰더들을 가능하게 한다. 이러한 기술 및 저가의 표준 재료들을 이용하여 설계된 가장 작은 프로토타입은 크기가 9 mm * 9 mm * 3 mm 이었다.

본 발명은 트랜스폰더에 대한 다양한 크기들 및 형상 인자들을 가능하게 한다. 이들은 고객 및 응용에 기초한 요구(customer's and application based need)에 따라 고정될 수 있다. 50 * 10 * 3 mm³ 로부터 9 * 9 * 3 mm³에 이르는 프로토타입들(mm의 크기)이 설계되었다.

도 6a에는 본 발명의 하나의 바람직한 실시예에 의해 해결되는 문제가 제시된다. 도 6a에서 도전 상부층(15)은 도전 중간층(14)과 정렬되지 않고 그러므로 커패시터(11b)의 설계값은 얻어지지 않지만 커패시터(11b)의 용량은 설계된 것보다 작다.

도 6b에 있어서, 이러한 정렬 문제는 커패시터(11b) 영역의 중간에 더 작은 도전 중간층(14)을 형성함으로써 해결된다. 즉, 2개의 전극들 중 하나는 더 작지만 또한 이와 같은 위치에서 더 큰 전극은 보통의 제조 공정에서 전체적으로 중첩한다. 이러한 방법에 의해 상부층(15)의 작은 오정렬은 커패시터(11b)의 용량값에 영향을 주지않는다. 상응하여 상부층(15)은 더 작게 만들어질 수 있고 중간층(14)은 커패시터(11b)의 영역에서 상부층보다 더 크게 유지된다.

PCB 공정 기반 제조에 요구되는 모든 기술이 용이하게 이용 가능하고, 중요한 제조 관련 문제들이 해결되었다. 벤딩에 의한 대안의 제조 방법은 어떠한 상업적 파트너에 의해서도 아직 구현되지 않았다.

본 발명은 1 미터 이상의 범위를 판독할 수 있는 트랜스폰더를 의미하는 장거리 RFID 트랜스폰더들을 목적으로 한다.

본 발명의 하나의 구체적 해결방법에 있어서, 상기 구조의 치수들은 867 MHz 트랜스폰더에 대해 다음과 같다:

루프 면적(루프의 단면): 50 mm * 3 mm

커패시터(11a)의 갭: 0.2 mm

커패시터(11b)의 갭: 0.2 mm

커패시터(11a)의 유효 면적: 5 mm²

커패시터(11b)의 유효 면적: 6 mm²

이들 파라미터들의 프로토타입에 의해, 4 m의 판독 범위가 측정되었다(NXP Ucode G2XM 마이크로칩을 이용함).

Claims

장거리용 RFID 칩(2)을 위한 안테나 구조에 있어서,
기판(3);
상기 기판(3)에 의해 지지되는 도전 재료(1)의 안테나(15); 및
상기 안테나(15)를 회로(2)에 결합하기 위한 결합 수단(11a, 11b);을 포함하고,
상기 안테나(15)는 자기 다이폴이며,
상기 결합 수단(11a, 11b)은 상기 안테나 도전체(1)의 연장부들(11a, 11b)에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 장거리용 RFID 칩을 위한 안테나 구조.
제 1 항에 있어서,
상기 결합 수단(11a, 11b)은 상기 안테나 도전체(1)의 연장부들(11a, 11b)의 중첩에 의해 형성(도 1)되는 것을 특징으로 하는 장거리용 RFID 칩을 위한 안테나 구조.
제 1 항에 있어서,
상기 결합 수단(11a, 11b)은 상기 안테나 도전체(1)의 병렬 연장부들(11a, 11b)에 의해 형성(도 5)되는 것을 특징으로 하는 장거리용 RFID 칩을 위한 안테나 구조.
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 장치는 마이크로칩(2)을 포함하는 것을 특징으로 하는 장거리용 RFID 칩을 위한 안테나 구조.
제 1 항, 제 2 항 및 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 결합 수단(11a, 11b)은 상이하지만 완전히 중첩하는 영역들의 전극쌍들(11a, 11b)에 의해 안테나 도전체(1)의 연장부들(11a, 11b)을 중첩하는 것으로 형성(도 1)되고, 그에 따라 상기 작은 영역은 상기 결합 수단(11a, 11b)의 상기 용량값을 규정하는 것을 특징으로 하는 장거리용 RFID 칩을 위한 안테나 구조.
제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 안테나(15) 및 결합 수단(11a, 11b)은 기판(3) 주위에 도전층(1)을 감는 것에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 장거리용 RFID 칩을 위한 안테나 구조.
제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 안테나(15) 및 결합 수단(11a, 11b)은 인쇄 회로 기판 기술에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 장거리용 RFID 칩을 위한 안테나 구조.
제 7 항에 있어서,
비어들(12)이 상기 안테나(15)를 형성하기 위해 이용되는 것을 특징으로 하는 장거리용 RFID 칩을 위한 안테나 구조.
제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 마이크로칩(2)과 상기 안테나(15) 사이의 공액 임피던스 매치는 상기 안테나(15)에 통합된 용량성 임피던스 트랜스포머를 이용하여 구현되는 것을 특징으로 하는 장거리용 RFID 칩을 위한 안테나 구조.
장거리용 RFID 칩(2)을 위한 안테나 구조를 형성하는 방법에 있어서,
기판(3) 위에 도전 재료(1)의 안테나(15)를 형성하는 단계; 및
회로(2)에 상기 안테나(15)를 결합하기 위한 결합 수단(11a, 11b)을 형성하는 단계;를 포함하고,
상기 안테나(15)를 자기 다이폴로서 형성하는 단계; 및
상기 안테나 도전체(1)의 연장부들(11a, 11b)로서 상기 결합 수단(11a, 11b)을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 장거리용 RFID 칩을 위한 안테나 구조를 형성하는 방법.
제 10 항에 있어서,
상기 안테나 도전체(1)의 연장부들(11a, 11b)의 중첩에 의해 상기 결합 수단(11a, 11b)을 형성(도 1)하는 것을 특징으로 하는 장거리용 RFID 칩을 위한 안테나 구조를 형성하는 방법.
제 10 항에 있어서,
상기 안테나 도전체(1)의 병렬 연장부들(11a, 11b)에 의해 상기 결합 수단(11a, 11b)을 형성(도 5)하는 것을 특징으로 하는 장거리용 RFID 칩을 위한 안테나 구조를 형성하는 방법.
제 10 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 있어서,
마이크로칩(2)은 상기 결합 수단(11a, 11b)에 접속되는 것을 특징으로 하는 장거리용 RFID 칩을 위한 안테나 구조를 형성하는 방법.
제 10 항, 제 11 항 및 제 13 항 중 어느 한 항에 있어서,
상이하지만 완전히 중첩하는 영역들의 전극쌍들(11a, 11b)에 의하여 안테나 도전체(1)의 연장부들(11a, 11b)을 중첩하는 것으로 상기 결합 수단(11a, 11b)을 형성(도 1)하고, 그에 따라 상기 작은 영역은 상기 결합 수단(11a, 11b)의 상기 용량값을 규정하는 것을 특징으로 하는 장거리용 RFID 칩을 위한 안테나 구조를 형성하는 방법.
제 1 항 내지 제 14 항 중 어느 한 항에 있어서,
기판(3) 주위에 도전층(1)을 감는 것에 의해 상기 안테나(15) 및 결합 수단(11a, 11b)을 형성하는 것을 특징으로 하는 장거리용 RFID 칩을 위한 안테나 구조를 형성하는 방법.
제 10 항 내지 제 14 항 중 어느 한 항에 있어서,
인쇄 회로 기판 기술에 의해 상기 안테나(15) 및 결합 수단(11a, 11b)을 형성하는 것을 특징으로 하는 장거리용 RFID 칩을 위한 안테나 구조를 형성하는 방법.
제 16 항에 있어서,
상기 안테나(15)를 형성하기 위해 비어들(12)을 이용하는 것을 특징으로 하는 장거리용 RFID 칩을 위한 안테나 구조를 형성하는 방법.
제 10 항 내지 제 17 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 안테나(15)에 통합된 용량성 임피던스 트랜스포머를 이용하여 상기 마이크로칩(2)과 상기 안테나(15) 사이의 공액 임피던스 매치를 구현하는 것을 특징으로 하는 장거리용 RFID 칩을 위한 안테나 구조를 형성하는 방법.
플랫폼 재료의 영향을 최소화하기 위해 상기 안테나(15)에 의해 생긴 자기장이 플랫폼과 기본적으로 병렬로 배열되도록 상기 플랫폼 위에 제 1 항에 따른 안테나의 사용.