KR20120044819A - 태양 전지의 전면 전극용 페이스트 조성물 및 태양 전지 - Google Patents

태양 전지의 전면 전극용 페이스트 조성물 및 태양 전지 Download PDF

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Abstract

실시예에 따른 태양 전지의 전면 전극용 페이스트 조성물은, 전도성 분말; 유기 비히클; 유리 프릿; 및 첨가제를 포함하고, 상기 첨가제가 Zn, Sb, V, W, Cr, Cd, Re, Sn, Mo, Mn, Ni, Co, Cu 및 이들 중 어느 하나를 포함하는 금속 산화물로 이루어진 군에서 선택된 물질을 적어도 하나 포함한다.

Description

태양 전지의 전면 전극용 페이스트 조성물 및 태양 전지{PASTE COMPISITION FOR FRONT ELECTRODE OF SOLAR CELL INCLUDING THE SAME, AND SOLAR SELL}
본 기재는 태양 전지의 전면 전극용 페이스트 조성물 및 태양 전지에 관한 것이다.
최근 화석 연료의 고갈 등으로 차세대 청정 에너지 개발에 대한 중요성이 증대되고 있다. 그 중 태양 전지는 공해가 적고, 자원이 무한하며, 반영구적인 수명을 가지고 있어 미래 에너지 문제를 해결할 수 있는 에너지원으로 기대되고 있다.
이러한 태양 전지는 n형 및 p형 반도체를 가지는 실리콘 기판에 형성되는 전극들을 포함할 수 있다. 전극과 실리콘 기판의 부착력을 향상하여 전기적 특성을 향상하기 위해서는 전극 형성용 페이스트 조성물의 유리 프릿(glass frit) 내의 납 함유량을 늘려야 한다. 그러나 납은 환경을 오염시킬 수 있는 문제가 있으므로 이를 고려한다면 유리 프릿 내의 납 함유량을 줄여야 한다. 따라서, 납 함유량을 낮추면서도 전극과 실리콘 기판의 부착력을 높은 수준으로 유지할 수 있는 기술이 요구되고 있다.
실시예는 납 함유량을 저감하면서 전기적 특성을 향상할 수 있는 태양 전지의 전극용 페이스트 조성물 및 이 페이스트 조성물에 의해 형성된 전면 전극을 포함하는 태양 전지를 제공하고자 한다.
실시예에 따른 태양 전지의 전면 전극용 페이스트 조성물은, 전도성 분말; 유기 비히클; 유리 프릿; 및 첨가제를 포함하고, 상기 첨가제가 Zn, Sb, V, W, Cr, Cd, Re, Sn, Mo, Mn, Ni, Co, Cu 및 이들 중 어느 하나를 포함하는 금속 산화물로 이루어진 군에서 선택된 물질을 적어도 하나 포함한다.
상기 금속 산화물이 SnFe2O4, NiFe2O4, ZnFe2O4, CuFe2O4, VFe2O4, FeO?Fe2O3, MnO?Fe2O3, ZnO?Fe2O3, NiO?Fe2O3 이루어진 군에서 선택된 물질을 적어도 하나 포함할 수 있다.
상기 첨가제가 상기 태양 전지의 전면 전극용 페이스트 조성물 전체에 대하여 0.1~10 중량%만큼 포함될 수 있다. 이때, 상기 첨가제가 상기 태양 전지의 전면 전극용 페이스트 조성물 전체에 대하여 0.1~5 중량%만큼, 더욱 바람직하게는 0.1~2 중량%만큼 포함될 수 있다.
상기 태양 전지의 전면 전극용 페이스트 조성물 전체에 대하여 상기 전도성 분말이 50~90 중량%, 상기 유기 비히클이 10~50 중량%, 상기 유리 프릿이 1~20 중량%, 상기 첨가제가 0.1~10 중량%만큼 포함될 수 있다.
상기 전도성 분말이 은(Ag) 분말을 포함할 수 있다.
실시예에 따른 태양 전지의 전면 전극용 페이스트 조성물은, 전도성 분말; 유기 비히클; 유리 프릿; 및 상기 전도성 분말과 다른 금속을 포함하는 첨가제를 포함하고, 상기 첨가제가 상기 태양 전지의 전면 전극용 페이스트 조성물 전체에 대하여 0.1~10 중량%만큼 포함될 수 있다.
상기 첨가제가 Zn, Sb, V, W, Cr, Cd, Re, Sn, Mo, Mn, Ni, Co, Cu 및 이들 중 어느 하나를 포함하는 금속 산화물로 이루어진 군에서 선택된 물질을 적어도 하나 포함할 수 있다.
상기 금속 산화물이 SnFe2O4, NiFe2O4, ZnFe2O4, CuFe2O4, VFe2O4, FeO?Fe2O3, MnO?Fe2O3, ZnO?Fe2O3, NiO?Fe2O3로 이루어진 군에서 선택된 물질을 적어도 하나 포함할 수 있다.
상기 첨가제가 상기 태양 전지의 전면 전극용 페이스트 조성물 전체에 대하여 0.1~5 중량%만큼, 더욱 바람직하게는 0.1~2 중량%만큼 포함될 수 있다.
실시예에 따른 태양 전지는 상술한 태양 전지의 전면 전극용 페이스트 조성물을 이용하여 형성된 전면 전극을 포함한다.
실시예에 따른 페이스트 조성물은 전도성 분말을 구성하는 금속과 화합물을 형성할 수 있는 재료를 첨가하여, 납 함유량을 줄이면서도 실리콘 기판의 부착력을 높은 수준으로 유지할 수 있다. 이러한 페이스트 조성물을 이용하여 제조된 전극을 포함하는 태양 전지는 전극과 실리콘 기판의 부착력이 우수하여 효율이 우수하며, 납 함유량을 줄여 환경 오염을 최소화할 수 있다.
도 1은 태양 전지의 일 실시예를 도시한 단면도이다.
실시예들의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 “상/위(on)”에 또는 “하/아래(under)”에 형성된다는 기재는, 직접(directly) 또는 다른 층을 개재하여 형성되는 것을 모두 포함한다. 각 층의 상/위 또는 하/아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.
도면에서 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들의 두께나 크기는 설명의 명확성 및 편의를 위하여 변형될 수 있으므로, 실제 크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.
이하, 본 발명에 따른 태양 전지 및 이 태양 전지의 전면 전극의 형성에 이용되는 전면 전극용 페이스트 조성물(이하 “페이스트 조성물”)을 상세하게 설명한다.
도 1을 참조하여 본 발명의 페이스트 조성물이 적용될 수 있는 태양 전지의 일례를 설명한다. 도 1은 태양 전지의 일 실시예를 도시한 단면도이다.
도 1을 참조하면, 태양 전지는 전면에 n형 반도체부(11)를 포함하는 p형의 실리콘 기판(10), n형 반도체부(11)에 전기적으로 연결되는 전면 전극(12) 및 p형 실리콘 기판(10)에 전기적으로 연결되는 후면 전극(13)을 포함한다. 전면 전극(12)을 제외한 n형 반도체부(11)의 상면에는 반사 방지막(14)이 형성될 수 있다. 그리고 후면 전극(13)이 형성된 실리콘 기판(10)에는 후면 전계층(back surface field, BSF)(15)이 형성될 수 있다.
본 발명의 페이스트 조성물은 이러한 태양 전지의 전면 전극(12)을 형성하는 데 사용할 수 있다. 즉, 본 발명의 페이스트 조성물을 실리콘 기판(10)에 도포한 후 건조한 후 소성하여 전면 전극(12)을 형성할 수 있다. 일례로, 페이스트의 조성물은 80~200℃에서 1~30분 동안 건조될 수 있으며, 700~900℃에서의 급속 열처리에 의하여 소성될 수 있다.
이러한 페이스트 조성물은 전도성 분말, 유기 비히클, 유리 프릿 및 첨가제를 포함할 수 있다.
여기서, 전도성 분말은 은(Ag) 분말일 수 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며 다양한 금속을 포함할 수 있다. 전도성 분말은 구형의 형상을 가질 수 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 전도성 분말이 판형, 종형, 또는 플레이크형의 형상을 가지는 분말을 포함할 수 있다.
전도성 분말의 평균 입경은 1~10 ㎛일 수 있다. 평균 입경이 1㎛ 미만인 경우에는, 전도성 분말 사이에 유기물이 들어갈 수 있는 공간이 적어 분산이 원활하지 않을 수 있다. 그리고 평균 입경이 10㎛를 초과하는 경우에는, 전도성 분말 사이에 공극이 많아서 치밀도가 떨어지고 저항이 높아질 수 있다.
전도성 분말로는 단일 입자를 사용할 수도 있고, 또는 서로 다른 입경 또는 형상을 가지는 입자를 혼합하여 사용할 수도 있다.
유기 비히클은 용매에 바인더가 용해된 것일 수 있으며, 소포제, 분산제 등을 더 포함할 수 있다. 용매로는 테르피네올, 카르비톨 등의 유기 용매를 사용할 수 있고, 바인더로는 아크릴계 수지, 셀룰로오스계 수지, 알키드 수지 등을 사용할 수 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 다양한 유기 비히클을 사용할 수 있음은 물론이다.
이러한 유기 비히클은 칙소제(thixotropic agent), 레벨링(levelling)제, 소포제 등을 더 포함할 수도 있다. 칙소제는 우레아계, 아마이드계, 우레탄계 등의 고분자/유기물이 사용되거나 무기계의 실리카 등이 사용될 수 있다.
유리 프릿으로는 PbO-SiO2계, PbO-SiO2-B2O3계, ZnO-SiO2계, ZnO-B2O3-SiO2계, Bi2O3-B2O3-ZbO-SiO2 등이 사용될 수 있다.
첨가제로는 Zn, Sb, V, W, Cr, Cd, Re, Sn, Mo, Mn, Ni, Co, Cu 등의 은(Ag)을 제외한 금속을 포함하는 금속 첨가제, 또는 이러한 금속을 포함하는 금속 산화물일 수 있다. 이러한 금속 산화물로는 SnFe2O4, NiFe2O4, ZnFe2O4, CuFe2O4, VFe2O4, FeO?Fe2O3, MnO?Fe2O3, ZnO?Fe2O3, NiO?Fe2O3 등을 들 수 있다.
이러한 첨가제는 태양 전지를 구성하는 실리콘 기판(10)(좀더 상세하게는 n형 반도체부(11)와 저온에서 합금을 형성할 수 있는 금속을 포함하여, 페이스트 조성물과 실리콘 기판(10)과의 부착력을 향상시킬 수 있다.
그리고 이러한 첨가제는 전도성 분말로 포함된 은(Ag)과 반응하여 고상 반응을 촉진할 수 있는 금속을 포함하여, 저온에서도 전도성 분말인 은 분말의 결정립 성장을 촉진할 수 있다. 이에 의해 페이스트 조성물의 소성 온도 범위를 넓힐 수 있으며 전기 전도도를 향상할 수 있다.
이와 같이 첨가제에 의하여 부착력을 향상할 수 있으므로 유리 프릿에 포함되는 납(Pb)의 함유량을 낮추어도 전기 전도도 및 효율을 높은 수준으로 유지할 수 있다.
일례로, 페이스트 조성물에서 상술한 전도성 분말은 50~90 중량%, 유기 비히클은 10~50 중량%, 유리 프릿이 1~20 중량%, 첨가제는 0.1~10 중량%만큼 포함될 수 있다.
전도성 분말이 90 중량%를 초과하여 포함되면 조성물을 페이스트 상태로 형성하기 어려울 수 있다. 전도성 분말이 50 중량% 미만으로 포함되면 전도성 분말의 양이 줄어들어 제조된 전면 전극(12)의 전기 전도도가 낮을 수 있다.
유기 비히클이 50 중량%를 초과하여 포함되면, 제조된 전면 전극(12)의 전기 전도도가 낮아질 수 있다. 유기 비히클이 10 중량% 미만으로 포함되면, 실리콘 기판(10)과의 접합 특성이 저하될 수 있다.
유리 프릿은 1~20 중량%의 범위 내에서 접착력, 소결성 및 태양 전지의 후가공 공정 특성을 향상할 수 있다.
첨가제가 10 중량%를 초과하여 포함되면, 전도성 분말의 양이 적어져서 이 페이스트 조성물을 이용하여 제조된 전면 전극(12)의 저항이 커질 수 있다. 이에 의해 태양 전지의 효율이 저하될 수 있다. 첨가제가 0.1 중량% 미만으로 포함되면, 첨가제에 의한 효과를 충분히 기대하기 어려울 수 있다.
이때, 첨가제는 0.1~5 중량%만큼 포함되는 것이 바람직하다. 이 범위에서 전도성 분말이 충분한 양으로 첨가되어 전기 전도도를 높은 수준으로 유지할 수 있으며, 리본과의 결합력을 높은 수준으로 유지할 수 있다. 납 함유량을 최소화하면서도 전기 전도도 및 리본과의 결합력을 높은 수준으로 유지하는 효과를 최대화하기 위해서는 첨가제가 0.1~2 중량%만큼 포함되는 것이 바람직하다.
이러한 페이스트 조성물은 다음과 같은 방법에 의해 제조될 수 있다.
바인더를 용매에 용해한 후 프리 믹싱(pre-mixing)하여 유기 비히클을 형성한다. 전도성 분말과 첨가제를 유기 비히클에 첨가하여 1~12시간 동안 숙성(aging) 시킨다. 이때, 유리 프릿을 함께 첨가할 수도 있다. 숙성된 혼합물을 3롤밀(3 roll mill)을 통해 기계적으로 혼합 및 분산시킨다. 혼합물을 여과 및 탈포하여 페이스트 조성물을 제조한다. 그러나 이러한 방법은 일례로 제시한 것에 불과하며 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
이러한 페이스트 조성물을 이용하여 제조된 전면 전극(12)을 포함하는 태양 전지는 전면 전극(12)과 실리콘 기판(10)의 부착력이 우수하여 효율이 우수하며, 납 함유량을 줄여 환경 오염을 최소화할 수 있다.
이하, 실시예를 통하여 본 발명을 좀더 상세하게 설명하고자 한다. 그러나 실시예는 본 발명을 예시하기 위한 것에 불과하며, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
실시예 1
용매에 바인더를 용해하여 유기 비히클을 준비하였다. 용매로는 디에틸렌 글리콜 모노부틸 에테르 아세테이트와 α-테르피네올의 혼합 용매를 사용하였으며, 바인더로는 에틸 셀룰로오스계 바인더를 사용하였다. 유기 비히클에 전도성 분말로 은 분말, 유리 프릿 및 첨가제를 첨가한 후 혼합하였다. 첨가제로는 SnFe2O4를 사용하였다. 이를 12 시간 동안 숙성한 후 3롤밀을 이용하여 2차로 혼합 및 분산하였다. 이를 여과 및 탈포하여 페이스트 조성물을 형성하였다.
이때, 페이스트 조성물은, 17 중량%의 유기 비히클, 80 중량%의 은 분말, 2 중량%의 유리 프릿 및 1 중량%의 첨가제를 포함하였다.
이 페이스트 조성물을 스크린 프린팅법에 의하여 200㎛의 두께의 실리콘 기판에 도포한 다음 200℃에서 2분 동안 건조하였다. 그리고 900℃에서 30초 동안 급속 열처리하여 전면 전극을 제조하였다.
실시예 2
페이스트 조성물이 16 중량%의 유기 비히클, 80 중량%의 은 분말, 2 중량%의 유리 프릿 및 2 중량%의 첨가제를 포함하였다는 점을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법으로 전면 전극을 제조하였다.
실시예 3
페이스트 조성물이 13 중량%의 유기 비히클, 80 중량%의 은 분말, 2 중량%의 유리 프릿 및 5 중량%의 첨가제를 포함하였다는 점을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법으로 전면 전극을 제조하였다.
실시예 4
페이스트 조성물이 12 중량%의 유기 비히클, 76 중량%의 은 분말, 2 중량%의 유리 프릿 및 10 중량%의 첨가제를 포함하였다는 점을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법으로 전면 전극을 제조하였다.
실시예 5
첨가제로 NiFe2O4를 사용하였다는 점을 제외하고는, 실시예 2와 동일한 방법으로 전면 전극을 제조하였다.
실시예 6
첨가제로 ZnFe2O4를 사용하였다는 점을 제외하고는, 실시예 2와 동일한 방법으로 전면 전극을 제조하였다.
실시예 7
첨가제로 CuFe2O4를 사용하였다는 점을 제외하고는, 실시예 2와 동일한 방법으로 전면 전극을 제조하였다.
실시예 8
첨가제로 VFe2O4를 사용하였다는 점을 제외하고는, 실시예 2와 동일한 방법으로 전면 전극을 제조하였다.
실시예 9
첨가제로 Zn를 사용하였다는 점을 제외하고는, 실시예 2와 동일한 방법으로 전면 전극을 제조하였다.
비교예 1
페이스트 조성물이 첨가제를 포함하지 않고 16 중량%의 유기 비히클, 80 중량%의 은 분말, 4 중량%의 유리 프릿만을 포함하였다는 점을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법으로 전면 전극을 제조하였다.
비교예 2
페이스트 조성물이 첨가제를 포함하지 않고 18 중량%의 유기 비히클, 80 중량%의 은 분말, 2 중량%의 유리 프릿만을 포함하였다는 점을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법으로 전면 전극을 제조하였다.
실시예 1 내지 9, 그리고 비교예 1 및 2에 의해 제조된 전면 전극을 포함하는 태양 전지에 대하여 효율, 충진률(fill factor), 리본과의 결합력을 측정하여 비교예 1을 100으로 한 상대적인 값을 표 1에 나타내었다. 리본과의 결합력은 실리콘 기판 위에 인쇄된 페이스트 조성물 위에 납과 주석으로 구성된 리본을 250~300℃의 온도로 납땜한 후 유니버셜 시험기를 이용하여 결합 강도를 측정하였다.
효율 충진률 결합력
실시예 1 98 105 99
실시예 2 101 100 103
실시예 3 70 85 80
실시예 4 50 60 60
실시예 5 86 95 90
실시예 6 85 98 95
실시예 7 90 98 92
실시예 8 88 95 91
실시예 9 95 96 105
비교예 1 100 100 100
비교예 2 65 50 57
표 1을 참조하면, 유리 프릿을 4%만큼 포함한 비교예 1에 비하여 유리 프릿을 2%만큼 포함한 비교예 2는 효율이 65%, 충진률이 50%, 결합력이 57%로 매우 낮은 것을 알 수 있다. 즉, 첨가제가 없이 유리 프릿의 양, 즉, 납의 함유량만을 낮추면 효율, 부착력 특성이 지나치게 저하되는 것을 알 수 있다. 이는 유리 프릿의 양이 적어 실리콘 기판과 페이스트 조성물 사이의 반응성이 저하되어 전면 전극과 n형 반도체부가 쇼트키 접합을 이루었기 때문으로 판단된다. 이는 충진률이 매우 낮은 것으로부터 알 수 있다.
한편, 실시예 1 내지 8에 의하면, 동일한 양의 유리 프릿을 포함하는 비교예 2보다 충진률 및 결합력이 우수한 것을 알 수 있다. 실시예 1 내지 8에 따르면 페이스트 조성물과 실리콘 기판이 저항 접합되어 충진률이 우수한 것으로 판단된다.
실시예 1 내지 3, 5 내지 8에 따르면, 유리 프릿이 2%만큼만 포함되었음에도 효율 및 충진률이 유리 프릿이 4%만큼 포함된 비교예 1과 유사한 수준을 가짐을 알 수 있다. 즉, 첨가제가 5% 이하로 포함되면 유리 프릿의 양을 반으로 줄이면서도 효율, 충진률 및 부착력을 높은 수준으로 유지할 수 있다. 특히, 첨가제로 SnFe2O4가 2중량%만큼 포함된 실시예 2의 경우 비교예 1보다 더 우수한 효율, 충진률 및 부착력을 가질 수 있다.
상술한 실시예에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의하여 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
또한, 이상에서 실시예들을 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예들에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부한 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.

Claims (13)

  1. 전도성 분말; 유기 비히클; 유리 프릿; 및 첨가제를 포함하고,
    상기 첨가제가 Zn, Sb, V, W, Cr, Cd, Re, Sn, Mo, Mn, Ni, Co, Cu 및 이들 중 어느 하나를 포함하는 금속 산화물로 이루어진 군에서 선택된 물질을 적어도 하나 포함하는 태양 전지의 전면 전극용 페이스트 조성물.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 금속 산화물이 SnFe2O4, NiFe2O4, ZnFe2O4, CuFe2O4, VFe2O4, FeO?Fe2O3, MnO?Fe2O3, ZnO?Fe2O3, NiO?Fe2O3로 이루어진 군에서 선택된 물질을 적어도 하나 포함하는 태양 전지의 전면 전극용 페이스트 조성물.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 첨가제가 상기 태양 전지의 전면 전극용 페이스트 조성물 전체에 대하여 0.1~10 중량%만큼 포함되는 태양 전지의 전면 전극용 페이스트 조성물.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 첨가제가 상기 태양 전지의 전면 전극용 페이스트 조성물 전체에 대하여 0.1~5 중량%만큼 포함되는 태양 전지의 전면 전극용 페이스트 조성물.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 첨가제가 상기 태양 전지의 전면 전극용 페이스트 조성물 전체에 대하여 0.1~2 중량%만큼 포함되는 태양 전지의 전면 전극용 페이스트 조성물.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 태양 전지의 전면 전극용 페이스트 조성물 전체에 대하여 상기 전도성 분말이 50~90 중량%, 상기 유기 비히클이 10~50 중량%, 상기 유리 프릿이 1~20 중량%, 상기 첨가제가 0.1~10 중량%만큼 포함되는 전면 전극용 페이스트 조성물.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 전도성 분말이 은(Ag) 분말을 포함하는 전면 전극용 페이스트 조성물.
  8. 전도성 분말; 유기 비히클; 유리 프릿; 및 상기 전도성 분말과 다른 금속을 포함하는 첨가제를 포함하고,
    상기 첨가제가 상기 태양 전지의 전면 전극용 페이스트 조성물 전체에 대하여 0.1~10 중량%만큼 포함되는 태양 전지의 전면 전극용 페이스트 조성물.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 첨가제가 Zn, Sb, V, W, Cr, Cd, Re, Sn, Mo, Mn, Ni, Co, Cu 및 이들 중 어느 하나를 포함하는 금속 산화물로 이루어진 군에서 선택된 물질을 적어도 하나 포함하는 태양 전지의 전면 전극용 페이스트 조성물.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 금속 산화물이 SnFe2O4, NiFe2O4, ZnFe2O4, CuFe2O4, VFe2O4, FeO?Fe2O3, MnO?Fe2O3, ZnO?Fe2O3, NiO?Fe2O3로 이루어진 군에서 선택된 물질을 적어도 하나 포함하는 태양 전지의 전면 전극용 페이스트 조성물.
  11. 제8항에 있어서,
    상기 첨가제가 상기 태양 전지의 전면 전극용 페이스트 조성물 전체에 대하여 0.1~5 중량%만큼 포함되는 태양 전지의 전면 전극용 페이스트 조성물.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 첨가제가 상기 태양 전지의 전면 전극용 페이스트 조성물 전체에 대하여 0.1~2 중량%만큼 포함되는 태양 전지의 전면 전극용 페이스트 조성물.
  13. 제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에 의한 태양 전지의 전면 전극용 페이스트 조성물을 이용하여 형성된 전면 전극을 포함하는 태양 전지.
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