KR20120040368A - Heater block for wire bonding apparatus - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: A heater block for a wire bonding apparatus is provided to prevent a heater block from being transformed by heat since vacuum lines are integrally designed into a multilayer structure. CONSTITUTION: A block body(210) has one side and the other side facing the one side. A first vacuum unit(220) has a plurality of first vacuum holes and a plurality of first vacuum lines. The first vacuum line is placed in a first depth inside the block body to be communicated with the first vacuum holes. A second vacuum unit(230) has a plurality of second vacuum holes and a plurality of second vacuum lines. The second vacuum hole is formed on a second mounting area from a first side of the block body to a second depth. The second vacuum line is placed in a second depth to be communicated with second vacuum holes.

Description

와이어 본딩 장치용 히터블록{HEATER BLOCK FOR WIRE BONDING APPARATUS}Heater block for wire bonding device {HEATER BLOCK FOR WIRE BONDING APPARATUS}

본 발명은 상이한 크기를 갖는 반도체 칩들과 기판 상호 간을 와이어 본딩하기 위한 공정시 부품 교체 없이 품종 전환이 가능하도록 설계된 와이어 본딩 장치용 히터블록에 관한 것이다.The present invention relates to a heater block for a wire bonding device designed to enable a variety of varieties without replacement of components in a process for wire bonding between semiconductor chips having different sizes and substrates.

최근 들어, 방대한 데이터를 저장 및 방대한 데이터를 단시간 내 처리하는 것이 가능한 반도체 칩 및 반도체 칩을 포함하는 반도체 패키지가 개발되고 있다.Recently, semiconductor packages including semiconductor chips and semiconductor chips capable of storing massive data and processing massive data in a short time have been developed.

일반적으로, 반도체 패키지는 반도체 칩을 검사하는 다이 소팅 공정, 인쇄회로기판에 양품 반도체 칩을 실장하는 다이 어태치 공정, 반도체 칩과 기판을 와이어를 이용하여 전기적으로 연결하는 와이어 본딩 공정 및 반도체 칩을 에폭시 수지와 같은 몰딩 부재로 몰딩하는 몰딩 공정을 통해 제조된다.In general, a semiconductor package includes a die sorting process for inspecting a semiconductor chip, a die attach process for mounting a good semiconductor chip on a printed circuit board, a wire bonding process for electrically connecting the semiconductor chip and the substrate with a wire, and a semiconductor chip. It is manufactured through a molding process of molding into a molding member such as epoxy resin.

이 중, 와이어 본딩 공정은 기판과 반도체 칩 상호 간을 와이어를 이용하여 전기적으로 연결해 주는 공정을 일컫는다.Among these, the wire bonding process refers to a process of electrically connecting the substrate and the semiconductor chip to each other using a wire.

최근에는, 와이어 본딩 공정시, 기판과 반도체 칩 상호 간의 전기적 연결이 가능하도록 열압착 방식의 형태로 와이어를 연결함과 더불어 반도체 칩을 포함한 기판을 고정시키며 이를 가열하는 기능을 수행하는 와이어 본딩 장치용 히터블록을 사용하는 것이 보편화되고 있다.Recently, in the wire bonding process, a wire bonding apparatus for connecting a wire in the form of a thermocompression bonding method to enable electrical connection between the substrate and the semiconductor chip, and fixing the substrate including the semiconductor chip and heating the same. The use of heater blocks is becoming common.

그러나, 종래의 와이어 본딩 장치용 히터블록은 내경이 작은 면적에서 공급되는 진공압의 유량으로 대면적을 대응하여야 하기 때문에 흡입력이 향상되지 못하여 기판의 가장자리가 말려 올라가는 휨에 따른 와이어 본딩 불량이 발생하는 문제가 있다.However, the conventional heater block for wire bonding apparatus has to cope with the large area by the flow rate of the vacuum pressure supplied in the small inner diameter, so that the suction force is not improved and the wire bonding failure occurs due to the bending of the edge of the substrate. there is a problem.

특히, 서로 다른 크기를 갖는 반도체 칩들을 수직 또는 수평적으로 스택하는 멀티-칩 패키지에 대한 수요가 급격히 증가하는 추세에 있으나, 이 경우 서로 다른 크기를 갖는 반도체 칩들을 서로 다른 히터블록들을 이용하여 각각을 기판 상에 와이어 본딩하는 공정을 수행하게 되는 데 따른 생산 수율의 저하 문제가 있다.In particular, the demand for a multi-chip package that vertically or horizontally stacks semiconductor chips having different sizes is increasing rapidly. In this case, semiconductor chips having different sizes may be formed using different heater blocks. There is a problem of lowering the production yield due to performing the process of wire bonding on the substrate.

위와 같은 문제점을 해결하기 위해, 최근에는 서로 다른 크기를 갖는 반도체 칩들을 하나의 히터블록을 이용하여 공용으로 사용하기 위한 노력이 진행중에 있으나, 이와 같은 공용 히터블록의 경우, 사용 면적에 따른 물리적 모순이 발생하는 문제로 인해 이를 구현하는 것이 쉽지 않은 상황이다.In order to solve the above problems, in recent years, efforts have been made to use semiconductor chips having different sizes in common using a single heater block, but in the case of such a common heater block, physical contradictions according to the used area This problem makes it difficult to implement.

예를 들어, 제1 크기를 갖는 제1 칩이 실장되는 제1 칩 실장영역과 상기 제1 칩 실장영역과 중첩된 내측에 제1 크기보다 작은 제2 크기를 갖는 제2 칩이 실장되는 제2 칩 실장영역을 구비한 기판을 히터블록으로 흡착하는 단계에서 상기 제1 칩 실장영역에 실장되는 제1 칩 부분을 흡착하려면 흡입 영역이 넓어야 하는데, 이때 흡입영역이 넓으면 제2 칩 실장영역에 실장되는 제2 칩 부분을 흡착할 시 제1 칩 실장영역 중 제2 칩 실장영역의 외측 부분에서 진공 누수가 발생하여 흡입력이 떨어지는 등의 문제가 있다.For example, a first chip mounting region in which a first chip having a first size is mounted and a second chip having a second size having a second size smaller than a first size are mounted inside the first chip mounting region. In the step of adsorbing the substrate having the chip mounting area to the heater block, the suction area should be wide to adsorb the first chip portion mounted on the first chip mounting area. If the suction area is wide, the suction area should be mounted on the second chip mounting area. In the case of adsorbing the second chip portion, a vacuum leak occurs in an outer portion of the second chip mounting region of the first chip mounting region, and thus, a suction force is lowered.

이러한 이유로 히터블록 제작시 유량 확보를 위한 공간 확보와 영역을 분리하기 위해 히터블록을 분리가공하여 접합하는 방식을 사용하고자 하는 노력이 있었으나, 이 경우 열에 의한 변형으로 평탄도를 유지하지 못하게 되는 또 다른 문제가 걸림돌로 작용하고 있다.For this reason, there was an effort to use a method of separating and joining the heater block to secure a space for securing a flow rate and to separate an area when manufacturing the heater block, but in this case, another method that fails to maintain flatness due to heat deformation The problem is a stumbling block.

이와 같이, 계속되는 연구 개발로 인해 다품종 소량 생산에 적극적으로 대응하기 위해서는 공용 히터블록을 채용하는 것이 불가피한 상황이나, 열에 의한 특성 변화 및 진공 누수에 따른 작업성 결여 등의 문제로 인해 이를 실현하는 데 어려움이 따르고 있다.As such, due to continuous research and development, it is inevitable to adopt a common heater block in order to actively cope with the production of small quantities of various products. This is following.

특히, 이러한 기판의 휨은 열압착 공정을 수행하는 과정에서 발생하는 열팽창에 기인하는 것으로, 이러한 문제를 해결하기 위해 기판의 가장자리를 윈도우 클램프로 고정되게 기계적으로 잡아주고는 있으나, 이 경우에 있어서도 윈도우 클램프에 의한 기계적 충격에 의해 기판이 손상되는 등의 문제가 있다.In particular, the warpage of the substrate is due to thermal expansion occurring during the process of performing the thermocompression process. In order to solve this problem, the edge of the substrate is mechanically fixed by the window clamp. There is a problem that the substrate is damaged by the mechanical shock caused by the clamp.

본 발명은 상이한 크기를 갖는 반도체 칩들과 기판 상호 간을 와이어 본딩하기 위한 공정시 부품 교체 없이 품종 전환이 가능하도록 설계된 와이어 본딩 장치용 히터블록을 제공한다.The present invention provides a heater block for a wire bonding device designed to be capable of breeding without changing parts in a process for wire bonding between semiconductor chips having different sizes and substrates.

본 발명의 일 실시예에 따른 와이어 본딩 장치용 히터블록은 제1 크기를 갖는 제1 칩이 실장되는 제1 실장영역 및 상기 제1 실장영역과 중첩된 내측에 상기 제1 크기보다 작은 제2 크기를 갖는 제2 칩이 실장되는 제2 실장영역을 구비한 기판과, 상기 기판 상에 부착되는 상기 제1 칩 및 제2 칩 중 적어도 어느 하나를 상호 와이어 본딩을 수행하기 위한 온도로 가열함과 더불어 상기 기판을 진공압으로 고정시키기 위한 장치로써,A heater block for a wire bonding apparatus according to an embodiment of the present invention has a first mounting area in which a first chip having a first size is mounted and a second size smaller than the first size inside the first mounting area. And a substrate having a second mounting area on which a second chip having a semiconductor is mounted, and at least one of the first chip and the second chip attached to the substrate to a temperature for performing wire bonding. An apparatus for fixing the substrate in a vacuum pressure,

제1면 및 상기 제1 면에 대향하는 제2면을 갖는 블록 몸체; 상기 블록 몸체의 제1면으로부터 제1 깊이로 상기 제1 실장영역의 가장자리에 형성된 다수의 제1 진공홀 및 상기 제1 진공홀들과 연통되게 상기 블록 몸체 내부의 제1 깊이에 설치된 제1 진공 라인을 갖는 제1 진공 유닛; 및 상기 블록 몸체의 제1면으로부터 제2 깊이로 상기 제2 실장영역에 형성된 다수의 제2 진공홀 및 상기 제2 진공홀들과 연통되게 상기 제2 깊이에 설치된 제2 진공 라인을 갖는 제2 진공 유닛;을 포함한다.A block body having a first side and a second side opposite the first side; A first vacuum installed at a first depth inside the block body in communication with a plurality of first vacuum holes and the first vacuum holes formed at an edge of the first mounting area from a first surface of the block body to a first depth; A first vacuum unit having a line; And a plurality of second vacuum holes formed in the second mounting area at a second depth from the first surface of the block body, and a second vacuum line provided at the second depth so as to communicate with the second vacuum holes. It includes a vacuum unit.

상기 제1 진공홀들은 상기 제1 실장영역 중 상기 제2 실장영역의 외측에 형성된 것을 특징으로 한다.The first vacuum holes may be formed outside the second mounting area of the first mounting area.

상기 제1 및 제2 진공 유닛에 진공압을 각각 제공하기 위한 진공 발생기를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.And a vacuum generator for providing vacuum pressure to the first and second vacuum units, respectively.

상기 블록 몸체 및 진공 발생기 사이에 설치되며, 상기 진공 발생기로부터 상기 제1 및 제2 진공 유닛에 공급되는 진공압을 선택적으로 개폐하기 위한 밸브를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.It is installed between the block body and the vacuum generator, characterized in that it further comprises a valve for selectively opening and closing the vacuum pressure supplied from the vacuum generator to the first and second vacuum units.

상기 블록 몸체와 진공 발생기 주변에 설치되며, 상기 블록 몸체에서 발생한 열을 냉각시키기 위한 냉각기를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.It is installed around the block body and the vacuum generator, characterized in that it further comprises a cooler for cooling the heat generated in the block body.

상기 제1 칩은 제1 크기를 갖는 메모리 칩 또는 비메모리 칩을 포함하고, 상기 제2 칩은 상기 제1 크기보다 작은 제2 크기를 갖는 메모리 칩 또는 비메모리 칩을 포함하는 것을 특징으로 한다.The first chip may include a memory chip or a non-memory chip having a first size, and the second chip may include a memory chip or a non-memory chip having a second size smaller than the first size.

상기 블록 몸체의 제1면으로부터 상기 제2 깊이로 상기 제1 실장영역의 외측에 형성된 다수의 제3 진공홀 및 상기 제3 진공홀들 및 제2 진공 유닛과 연통되게 상기 블록 몸체 내부의 제2 깊이에 설치된 제3 진공 라인을 갖는 제3 진공 유닛을 더 포함하는 것을 특징으로 한다.A second inside of the block body in communication with the plurality of third vacuum holes and the third vacuum holes and the second vacuum unit formed outside the first mounting area from the first surface of the block body to the second depth; And a third vacuum unit having a third vacuum line installed at the depth.

상기 블록 몸체의 제1면으로부터 상기 제1 및 제2 깊이와 상이한 제3 깊이로 상기 제1 실장영역의 외측에 형성된 다수의 제3 진공홀 및 상기 제3 진공홀들과 연통되게 상기 블록 몸체 내부의 제3 깊이에 설치된 제3 진공 라인을 갖는 제3 진공 유닛을 더 포함하는 것을 특징으로 한다.Inside the block body in communication with a plurality of third vacuum holes and the third vacuum holes formed on the outside of the first mounting area to a third depth different from the first and second depths from the first surface of the block body And a third vacuum unit having a third vacuum line installed at a third depth of the third vacuum line.

본 발명은 서로 다른 크기를 갖는 반도체 칩들이 실장되는 영역에 대응되도록 진공 라인들을 상호 분리되게 설계하고 필요에 따라 선택적으로 진공압을 제공하는 것을 통해 공용 히터블록을 제작할 수 있다.According to the present invention, a common heater block may be manufactured by designing vacuum lines to be separated from each other so as to correspond to areas in which semiconductor chips having different sizes are mounted, and selectively providing a vacuum pressure as necessary.

또한, 본 발명은 복층 구조의 일체형으로 진공 라인들을 설계함으로써 히터블록이 열에 의해 변형되는 것을 미연에 방지할 수 있는 효과가 있다.In addition, the present invention has the effect that it is possible to prevent the heater block from being deformed by heat by designing vacuum lines as a unitary structure of a multilayer structure.

이에 더불어, 본 발명은 열팽창에 의해 기판의 가장자리에 휨이 발생하는 것을 보완하기 위한 추가 진공 라인을 형성함으로써, 열팽창에 따른 기판의 휨을 미연에 방지할 수 있다.In addition, the present invention forms an additional vacuum line for compensating for the occurrence of warpage at the edge of the substrate due to thermal expansion, thereby preventing warpage of the substrate due to thermal expansion.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 와이어 본딩 장치를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 2 및 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 와이어 본딩 장치용 히터블록을 나타낸 평면도 및 단면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 와이어 본딩 장치용 히터블록을 나타낸 모식도이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 와이어 본딩 장치용 히터블록을 나타낸 평면도이다.1 is a cross-sectional view schematically showing a wire bonding apparatus according to an embodiment of the present invention.
2 and 3 are a plan view and a cross-sectional view showing a heater block for a wire bonding apparatus according to an embodiment of the present invention.
Figure 4 is a schematic diagram showing a heater block for a wire bonding apparatus according to an embodiment of the present invention.
5 is a plan view showing a heater block for a wire bonding apparatus according to another embodiment of the present invention.

이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 와이어 본딩 장치용 히터블록에 대해 상세히 설명하도록 한다.Hereinafter, a heater block for a wire bonding apparatus according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 와이어 본딩 장치를 개략적으로 나타낸 단면도이다.1 is a cross-sectional view schematically showing a wire bonding apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 와이어 본딩 장치(100)는 본딩헤드 유닛(110), 캐필러리(120), 스풀(130), 클램프(140) 및 히터블록(200)을 포함한다.Referring to FIG. 1, the wire bonding apparatus 100 according to an embodiment of the present invention may include a bonding head unit 110, a capillary 120, a spool 130, a clamp 140, and a heater block 200. It includes.

본드헤드 유닛(110)은 헤드 몸체(112) 및 상기 헤드 몸체(112)의 이송 운동을 제어하는 이송 유닛(114)을 포함한다. 상기 이송 유닛(114)은 레일 또는 유압 실린더를 포함할 수 있다.The bond head unit 110 includes a head body 112 and a transfer unit 114 for controlling a transfer movement of the head body 112. The transfer unit 114 may comprise a rail or a hydraulic cylinder.

캐필러리(120)는 본드헤드 유닛(110)의 헤드 몸체(112)에 연결되게 장착되며, 상기 본드헤드 유닛(110)에 의해 수직 및 수평 운동이 제어된다.The capillary 120 is mounted to be connected to the head body 112 of the bond head unit 110, and vertical and horizontal movements are controlled by the bond head unit 110.

이러한 캐필러리(120)는 스풀(130)로부터 풀린 와이어(116)를 공급받으며, 클램프(140)는 스풀(130)로부터 풀린 와이어(116)를 선택적으로 절단하게 된다.The capillary 120 receives the wire 116 released from the spool 130, and the clamp 140 selectively cuts the wire 116 released from the spool 130.

히터블록(200)은 제1 크기를 갖는 제1 칩(320)이 실장되는 제1 실장영역(S1) 및 상기 제1 실장영역(S1)과 중첩된 내측에 상기 제1 크기보다 작은 제2 크기를 갖는 제2 칩(340)이 실장되는 제2 실장영역(S2)을 구비한 기판(300)과, 상기 기판(300) 상에 부착되는 상기 제1 칩(320) 및 제2 칩(340) 중 적어도 어느 하나를 상호 와이어 본딩을 수행하기 위한 온도로 가열함과 더불어 상기 기판(300)을 진공압으로 고정시키는 기능을 한다.The heater block 200 has a first size S1 on which the first chip 320 having a first size is mounted and a second size smaller than the first size inside the first mounting area S1 overlapping the first mounting area S1. A substrate 300 having a second mounting area S2 on which a second chip 340 having a shape is mounted, and the first chip 320 and the second chip 340 attached to the substrate 300. At least one of the heating and the temperature to perform the mutual wire bonding function to fix the substrate 300 in a vacuum pressure.

이러한 히터블록에 대해서는 이하 첨부된 도면들을 참조로 보다 구체적으로 설명하도록 한다.This heater block will be described in more detail with reference to the accompanying drawings.

도 2 및 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 와이어 본딩 장치용 히터블록을 나타낸 평면도 및 단면도이고, 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 와이어 본딩 장치용 히터블록을 나타낸 모식도이다.2 and 3 are a plan view and a cross-sectional view showing a heater block for a wire bonding apparatus according to an embodiment of the present invention, Figure 4 is a schematic diagram showing a heater block for a wire bonding apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 2 및 도 3을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 와이어 본딩 장치용 히터블록(200)은 블록 몸체(210), 제1 진공 유닛(220), 제2 진공 유닛(230) 및 제3 진공 유닛(240)을 포함한다.2 and 3, the heater block 200 for a wire bonding apparatus according to an embodiment of the present invention may include a block body 210, a first vacuum unit 220, a second vacuum unit 230, and a first block. 3 includes a vacuum unit 240.

상기 와이어 본딩 장치용 히터블록(200)은 제1 크기를 갖는 제1 칩(도 1의 320)이 실장되는 제1 실장영역(S1) 및 상기 제1 실장영역(S1)과 중첩된 내측에 상기 제1 크기보다 작은 제2 칩(도 1의 340)이 실장되는 제2 실장영역(S2)을 구비한 기판(도 1의 300)과, 상기 기판 상에 부착되는 상기 제1 칩 및 제2 칩 중 적어도 어느 하나를 상호 와이어 본딩을 수행하기 위한 온도로 가열함과 더불어 상기 기판을 진공압으로 고정시키기 위한 장치이다.The heater block 200 for the wire bonding device may have a first mounting region S1 on which a first chip 320 having a first size (320 of FIG. 1) is mounted and an inner portion overlapping the first mounting region S1. A substrate (300 of FIG. 1) having a second mounting area S2 on which a second chip (340 of FIG. 1) smaller than a first size is mounted, and the first chip and the second chip attached to the substrate An apparatus for heating at least one of the substrates to a temperature for performing wire bonding and fixing the substrate under vacuum pressure.

이때, 상기 제1 칩은 제1 크기를 갖는 메모리 칩 또는 비메모리 칩을 포함하고, 상기 제2 칩은 상기 제1 크기보다 작은 제2 크기를 갖는 메모리 칩 또는 비메모리 칩을 포함할 수 있다.In this case, the first chip may include a memory chip or a non-memory chip having a first size, and the second chip may include a memory chip or a non-memory chip having a second size smaller than the first size.

블록 몸체(210)는 제1면(210a) 및 상기 제1 면(210a)에 대향하는 제2면(210b)을 갖는다.The block body 210 has a first surface 210a and a second surface 210b opposite to the first surface 210a.

제1 진공 유닛(220)은 블록 몸체(210)의 제1면(210a)으로부터 제1 깊이(t1)로 제1 실장영역(S1)의 가장자리에 형성된 다수의 제1 진공홀(222) 및 상기 제1 진공홀(222)들과 연통되게 상기 블록 몸체(210) 내부의 제1 깊이(t1)에 설치된 제1 진공 라인(224)을 갖는다. 이때, 상기 제1 진공홀(222)들은 제1 실장영역(S1) 중 제2 실장영역(S2)의 외측에 형성하는 것이 바람직하다.The first vacuum unit 220 includes a plurality of first vacuum holes 222 formed at the edge of the first mounting area S1 at a first depth t1 from the first surface 210a of the block body 210 and the The first vacuum line 224 is installed at a first depth t1 in the block body 210 to communicate with the first vacuum holes 222. In this case, the first vacuum holes 222 may be formed outside the second mounting area S2 of the first mounting area S1.

제2 진공 유닛(230)은 블록 몸체(210)의 제1면(210a)으로부터 제2 깊이(t2)로 상기 제2 실장영역(S2)에 형성된 다수의 제2 진공홀(232) 및 상기 제2 진공홀(232)들과 연통되게 상기 제2 깊이(t2)에 설치된 제2 진공 라인(234)을 갖는다.The second vacuum unit 230 includes a plurality of second vacuum holes 232 and the second holes formed in the second mounting area S2 at a second depth t2 from the first surface 210a of the block body 210. The second vacuum line 234 is installed at the second depth t2 in communication with the second vacuum holes 232.

제3 진공 유닛(240)은 블록 몸체(210)의 제1면(210a)으로부터 상기 제2 깊이(t2)로 제1 실장영역(S1)의 외측에 형성된 다수의 제3 진공홀(242) 및 상기 제3 진공홀(242)들 및 제2 진공 유닛(230)과 연통되게 상기 블록 몸체(210a) 내부의 제2 깊이(t2)에 설치된 제3 진공 라인(244)을 가질 수 있다. 이때, 상기 제3 진공 라인(244)은 제2 진공 유닛(230)의 제2 진공홀(232)들 또는 제2 진공 라인(234)과 연통되게 설치될 수 있다. 특히, 제1 및 제2 반도체 칩들과 기판 상호 간을 와이어 본딩하는 단계시, 상기 제1 실장영역(S1)의 외측에 형성된 다수의 제3 진공홀(242)들은 기판의 가장자리 부분을 진공 흡착하게 된다.The third vacuum unit 240 includes a plurality of third vacuum holes 242 formed outside the first mounting area S1 from the first surface 210a of the block body 210 to the second depth t2. The third vacuum line 244 may be provided at a second depth t2 in the block body 210a to communicate with the third vacuum holes 242 and the second vacuum unit 230. In this case, the third vacuum line 244 may be installed in communication with the second vacuum holes 232 or the second vacuum line 234 of the second vacuum unit 230. In particular, during the step of wire bonding the first and second semiconductor chips and the substrate, the plurality of third vacuum holes 242 formed outside the first mounting region S1 may vacuum-adsorb the edge portion of the substrate. do.

한편, 도 2 및 도 3과 더불어 도 4를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 와이어 본딩 장치용 히터블록(200)은 진공 발생기(250), 밸브(260) 및 냉각기(270)를 더 포함할 수 있다.Meanwhile, referring to FIG. 4 along with FIGS. 2 and 3, the heater block 200 for a wire bonding apparatus according to an embodiment of the present invention further includes a vacuum generator 250, a valve 260, and a cooler 270. It may include.

진공 발생기(250)는 블록 몸체(210) 주변에 설치되며, 제1 및 제2 진공 유닛(220, 230)에 진공압을 각각 제공한다.The vacuum generator 250 is installed around the block body 210 and provides vacuum pressure to the first and second vacuum units 220 and 230, respectively.

밸브(260)는 블록 몸체(210) 및 진공 발생기(250) 사이에 설치되며, 상기 진공 발생기(250)로부터 제1 및 제2 진공 유닛(220, 230)에 공급되는 진공압을 선택적으로 개폐하는 기능을 수행한다. 이때, 상기 밸브(260)는 제1 진공 유닛(220) 및 제2 진공 유닛(230)에 각각 설치될 수 있다. 이와 다르게, 상기 밸브(260)는 제1 진공 유닛(220)에 대해서만 설치하는 것도 무방하다.The valve 260 is installed between the block body 210 and the vacuum generator 250 to selectively open and close the vacuum pressure supplied from the vacuum generator 250 to the first and second vacuum units 220 and 230. Perform the function. In this case, the valve 260 may be installed in the first vacuum unit 220 and the second vacuum unit 230, respectively. Alternatively, the valve 260 may be installed only for the first vacuum unit 220.

냉각기(270)는 블록 몸체(210)와 진공 발생기(250) 주변에 설치되며, 상기 블록 몸체(210)에서 발생한 열을 냉각시키는 기능을 수행한다. 도면으로 제시하지는 않았지만, 상기 히터블록(200)은 블록 몸체(210)의 내부에 냉각기(270)로부터 공급되는 냉매를 순환시키기 위한 냉매 순환 유로(도시안함)를 더 구비할 수 있다.The cooler 270 is installed around the block body 210 and the vacuum generator 250 and performs a function of cooling the heat generated in the block body 210. Although not shown in the drawings, the heater block 200 may further include a refrigerant circulation passage (not shown) for circulating the refrigerant supplied from the cooler 270 in the block body 210.

전술한 본 실시예에 따른 와이어 본딩 장치용 히터블록(200)은 제1 실장영역(S1)에 대응되게 설치된 제1 진공 유닛(220)과 제2 실장영역(S2)에 대응되게 설치된 제2 진공 유닛(230)이 상호 다른 층에 설계되는 복층 구조로 이루어진 일체형으로 이루어지는 것을 특징으로 한다. 이와 같이, 본 실시예에서는 복층 구조의 일체형으로 히터블록(200)을 제작함으로써 열에 의한 블록 몸체(210)의 변형을 미연에 방지할 수 있게 된다.The heater block 200 for a wire bonding apparatus according to the present embodiment described above may have a first vacuum unit 220 and a second vacuum installed corresponding to the first mounting region S1. The unit 230 is characterized in that it is made of a one-piece structure consisting of a multi-layer structure designed on different layers. As described above, in the present embodiment, since the heater block 200 is manufactured as an integral type of a multilayer structure, deformation of the block body 210 due to heat can be prevented in advance.

특히, 전술한 구성은 진공 발생기(250)로부터 공급되는 진공압을 밸브(260)를 매개로 제1 진공 유닛(220)과 제2 및 제3 진공 유닛(230, 240)에 선택적으로 공급할 수 있게 된다. 일 예로, 기판(300)의 제1 실장영역(S1)에 제1 칩(320)을 실장하고자 할 경우에는, 모든 밸브(260)를 개방하여 진공 발생기(250)로부터 공급되는 진공압을 블록 몸체(210) 내부의 제1, 제2 및 제3 진공 유닛(220, 230, 240)에 모두 공급함으로써, 제1 및 제2 실장영역(S1, S2)과 더불어 상기 제1 실장영역(S1)의 외측 부분을 진공압으로 고정시켜 줄 수 있게 된다.In particular, the above-described configuration allows the vacuum pressure supplied from the vacuum generator 250 to be selectively supplied to the first vacuum unit 220 and the second and third vacuum units 230 and 240 via the valve 260. do. For example, when the first chip 320 is to be mounted in the first mounting region S1 of the substrate 300, all the valves 260 are opened to block the vacuum pressure supplied from the vacuum generator 250. By supplying all of the first, second, and third vacuum units 220, 230, and 240 to the inside of the 210, the first and second mounting regions S1 and S2, together with the first and second mounting regions S1, are formed. The outer part can be fixed by vacuum pressure.

이와 다르게, 기판(300)의 제2 실장영역(S2)에 제2 칩(340)을 실장하고자 할 경우에는, 제1 진공 유닛(220)과 연결된 밸브(260)를 차단하여 제2 및 제3 진공 유닛(230, 240)에 대해서만 선택적으로 진공압을 공급함으로써, 상기 제2 실장영역(S2)과 더불어 제1 실장영역(S1)의 외측 부분만을 진공압으로 고정시켜 줄 수 있게 된다. 이때, 상기 제1 실장영역(S1) 중 제2 실장영역(S2)의 외측 부분에 대응되게 설치된 제1 진공 홀(222)들 및 제1 진공 라인(224)으로는 진공압이 제공되지 않기 때문에 진공 누설에 따른 흡착 불량을 미연에 방지할 수 있게 된다.Unlike this, when the second chip 340 is to be mounted in the second mounting region S2 of the substrate 300, the valve 260 connected to the first vacuum unit 220 is blocked to block the second and third electrodes. By selectively supplying the vacuum pressure only to the vacuum units 230 and 240, only the outer portion of the first mounting region S1 together with the second mounting region S2 can be fixed with the vacuum pressure. In this case, since the vacuum pressure is not provided to the first vacuum holes 222 and the first vacuum line 224 provided to correspond to the outer portion of the second mounting area S2 of the first mounting area S1. Adsorption failure due to vacuum leakage can be prevented in advance.

또한, 본 실시예에서는 제3 진공 유닛(240)의 추가 설계로 열팽창에 기인하여 기판(300)의 가장자리에 휨이 발생하는 것을 원천적으로 방지할 수 있게 되고, 이를 통해 윈도우 클램프를 사용할 필요가 없게 된다.In addition, in the present embodiment, the additional design of the third vacuum unit 240 may prevent the warpage from occurring at the edge of the substrate 300 due to thermal expansion, thereby eliminating the need to use a window clamp. do.

한편, 도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 와이어 본딩 장치용 히터블록을 나타낸 평면도이다. 이때, 본 발명의 다른 실시예에 따른 와이어 본딩 장치용 히터블록은 일 실시예의 그것과 실질적으로 동일한 구성을 갖는바, 일 실시예와의 차이점에 대해서만 간략히 설명하도록 한다.On the other hand, Figure 5 is a plan view showing a heater block for a wire bonding apparatus according to another embodiment of the present invention. At this time, the heater block for a wire bonding apparatus according to another embodiment of the present invention has a configuration substantially the same as that of the embodiment, it will be briefly described only the differences from the embodiment.

도 5를 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 와이어 본딩 장치용 히터블록(200)과 같이, 상기 제3 진공 유닛(240)은 블록 몸체(210)의 제1면(210a)으로부터 상기 제1 및 제2 깊이(도시안함)와 상이한 제3 깊이(도시안함)로 제1 실장영역(S1)의 외측에 형성된 다수의 제3 진공홀(242) 및 상기 제3 진공홀(242)들과 연통되게 상기 블록 몸체(210) 내부의 제3 깊이에 설치된 제3 진공 라인(244)을 가질 수 있다.Referring to FIG. 5, like the heater block 200 for a wire bonding apparatus according to another embodiment of the present invention, the third vacuum unit 240 may be formed from the first surface 210a of the block body 210. The plurality of third vacuum holes 242 and the third vacuum holes 242 formed outside the first mounting area S1 at a third depth (not shown) different from the first and second depths (not shown). It may have a third vacuum line 244 installed at a third depth inside the block body 210 to communicate with each other.

이 경우, 상기 밸브(260)는 제1, 제2, 제3 진공 라인(224, 234, 244)들과 각각 연결되게 형성될 수 있다. 이와 다르게, 상기 밸브(260)는 제1 진공 라인(224)과 연결되는 제1 밸브(도시안함) 및 상기 제2 및 제3 진공 라인(234, 244)들과 연결되는 제2 밸브(도시안함)를 가질 수 있다.In this case, the valve 260 may be formed to be connected to the first, second, and third vacuum lines 224, 234, and 244, respectively. Alternatively, the valve 260 is a first valve (not shown) connected to the first vacuum line 224 and a second valve (not shown) connected to the second and third vacuum lines 234 and 244. )

이상, 전술한 본 발명의 실시예에서는 특정 실시예에 관련하여 도시하고 설명하였지만, 본 발명이 그에 한정되는 것은 아니며, 이하의 특허청구의 범위는 본 발명의 정신과 분야를 이탈하지 않는 한도 내에서 본 발명이 다양하게 개조 및 변형될 수 있다는 것을 당 업계에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 알 수 있다.In the above-described embodiment of the present invention has been shown and described with respect to specific embodiments, the present invention is not limited thereto, and the claims are not limited to the scope of the present invention without departing from the spirit and field of the present invention. It will be readily apparent to those skilled in the art that the invention may be variously modified and modified.

Claims (8)

제1 크기를 갖는 제1 칩이 실장되는 제1 실장영역 및 상기 제1 실장영역과 중첩된 내측에 상기 제1 크기보다 작은 제2 크기를 갖는 제2 칩이 실장되는 제2 실장영역을 구비한 기판과, 상기 기판 상에 부착되는 상기 제1 칩 및 제2 칩 중 적어도 어느 하나를 상호 와이어 본딩을 수행하기 위한 온도로 가열함과 더불어 상기 기판을 진공압으로 고정시키기 위한 와이어 본딩 장치용 히터블록으로써,
제1면 및 상기 제1 면에 대향하는 제2면을 갖는 블록 몸체;
상기 블록 몸체의 제1면으로부터 제1 깊이로 상기 제1 실장영역의 가장자리에 형성된 다수의 제1 진공홀 및 상기 제1 진공홀들과 연통되게 상기 블록 몸체 내부의 제1 깊이에 설치된 제1 진공 라인을 갖는 제1 진공 유닛; 및
상기 블록 몸체의 제1면으로부터 제2 깊이로 상기 제2 실장영역에 형성된 다수의 제2 진공홀 및 상기 제2 진공홀들과 연통되게 상기 제2 깊이에 설치된 제2 진공 라인을 갖는 제2 진공 유닛;
을 포함하는 와이어 본딩 장치용 히터블록.A first mounting area in which a first chip having a first size is mounted, and a second mounting area in which a second chip having a second size smaller than the first size is mounted inside an overlapping area with the first mounting area; Heater block for a wire bonding device for fixing a substrate under vacuum pressure while heating a substrate and at least one of the first chip and the second chip attached to the substrate to a temperature for performing wire bonding mutually By
A block body having a first side and a second side opposite the first side;
A first vacuum installed at a first depth inside the block body in communication with a plurality of first vacuum holes and the first vacuum holes formed at an edge of the first mounting area from a first surface of the block body to a first depth; A first vacuum unit having a line; And
A second vacuum having a plurality of second vacuum holes formed in the second mounting area at a second depth from the first surface of the block body and a second vacuum line provided at the second depth so as to communicate with the second vacuum holes; unit;
Heater block for a wire bonding device comprising a. 제 1 항에 있어서,
상기 제1 진공홀들은 상기 제1 실장영역 중 상기 제2 실장영역의 외측에 형성된 것을 특징으로 하는 와이어 본딩 장치용 히터블록.The method of claim 1,
And the first vacuum holes are formed outside the second mounting area of the first mounting area. 제 1 항에 있어서,
상기 제1 및 제2 진공 유닛에 진공압을 각각 제공하기 위한 진공 발생기를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 와이어 본딩 장치용 히터블록.The method of claim 1,
And a vacuum generator for providing vacuum pressure to the first and second vacuum units, respectively. 제 3 항에 있어서,
상기 블록 몸체 및 진공 발생기 사이에 설치되며, 상기 진공 발생기로부터 상기 제1 및 제2 진공 유닛에 공급되는 진공압을 선택적으로 개폐하기 위한 밸브를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 와이어 본딩 장치용 히터블록.The method of claim 3, wherein
A heater block installed between the block body and the vacuum generator, and further comprising a valve for selectively opening and closing the vacuum pressure supplied to the first and second vacuum units from the vacuum generator. 제 4 항에 있어서,
상기 블록 몸체와 진공 발생기 주변에 설치되며, 상기 블록 몸체에서 발생한 열을 냉각시키기 위한 냉각기를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 와이어 본딩 장치용 히터블록.The method of claim 4, wherein
The heater block is installed around the block body and the vacuum generator, further comprising a cooler for cooling the heat generated in the block body. 제 1 항에 있어서,
상기 제1 칩은 제1 크기를 갖는 메모리 칩 또는 비메모리 칩을 포함하고, 상기 제2 칩은 상기 제1 크기보다 작은 제2 크기를 갖는 메모리 칩 또는 비메모리 칩을 포함하는 것을 특징으로 하는 와이어 본딩 장치용 히터블록.The method of claim 1,
The first chip includes a memory chip or a non-memory chip having a first size, and the second chip comprises a memory chip or a non-memory chip having a second size smaller than the first size. Heater block for bonding device. 제 1 항에 있어서,
상기 블록 몸체의 제1면으로부터 상기 제2 깊이로 상기 제1 실장영역의 외측에 형성된 다수의 제3 진공홀 및 상기 제3 진공홀들 및 제2 진공 유닛과 연통되게 상기 블록 몸체 내부의 제2 깊이에 설치된 제3 진공 라인을 갖는 제3 진공 유닛을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 와이어 본딩 장치용 히터블록.The method of claim 1,
A second inside of the block body in communication with the plurality of third vacuum holes and the third vacuum holes and the second vacuum unit formed outside the first mounting area from the first surface of the block body to the second depth; And a third vacuum unit having a third vacuum line installed at a depth thereof. 제 1 항에 있어서,
상기 블록 몸체의 제1면으로부터 상기 제1 및 제2 깊이와 상이한 제3 깊이로 상기 제1 실장영역의 외측에 형성된 다수의 제3 진공홀 및 상기 제3 진공홀들과 연통되게 상기 블록 몸체 내부의 제3 깊이에 설치된 제3 진공 라인을 갖는 제3 진공 유닛을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 와이어 본딩 장치용 히터블록.The method of claim 1,
Inside the block body in communication with a plurality of third vacuum holes and the third vacuum holes formed on the outside of the first mounting area to a third depth different from the first and second depths from the first surface of the block body And a third vacuum unit having a third vacuum line installed at a third depth of the wire bonding device.
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